KR20220066354A - 무방향성 전자 강판 - Google Patents

Abstract

질량％로, C: 0.010％ 이하, Si: 1.50％ 내지 4.00％, sol.Al: 0.0001％ 내지 1.0％, S: 0.010％ 이하, N: 0.010％ 이하, Mn, Ni, Co, Pt, Pb, Cu, Au로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 2.50％ 내지 5.00％를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불순물로 이루어지는 화학 조성을 갖고, 재결정율이 1％ 내지 99％인 금속 조직이며, 또한 판 두께가 0.50㎜ 이하이고, 800℃에서 2시간 어닐링한 후에 자속 밀도 B50을 측정한 경우에, 압연 방향에 대하여 45° 방향의 자속 밀도 B50이 1.75T 이상인 무방향성 전자 강판을 제공한다.

Description

무방향성 전자 강판

본 발명은, 무방향성 전자 강판에 관한 것이다.

본원은, 2019년 11월 15일에, 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2019-206709호, 그리고 2019년 11월 15일에, 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2019-206813호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

무방향성 전자 강판은, 예를 들어 모터의 철심에 사용되고, 무방향성 전자 강판에는, 그 판면에 평행한 모든 방향의 평균(이하, 「판면 내의 전체 둘레 평균(전방향 평균)」 이라고 하는 경우가 있음)에 있어서 우수한 자기 특성, 예를 들어 저철손 및 고자속 밀도가 요구된다. 지금까지 다양한 기술이 제안되어 있지만, 판면 내의 전방향에 있어서 충분한 자기 특성을 얻는 것은 곤란하다. 예를 들어, 판면 내의 어느 특정 방향에서 충분한 자기 특성이 얻어진다고 해도, 다른 방향에서는 충분한 자기 특성이 얻어지지 않는 경우가 있다.

예를 들어, 특허문헌 3에는, 자기 특성 향상을 목적으로 하여, 상변태를 이용하여 {100} 결정립을 발달시키는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 이 방법에서는 특허문헌 3의 실시예에 있는 바와 같이 열간 압연 후의 판 두께를 4㎜ 정도로 두껍게 할 필요가 있다. 이 두께는 열간 압연 후의 열간 압연 강판을 권취하기 어려워, 산세 공정에서의 권취나, 라인 조업이 곤란해진다고 하는 과제가 있다.

일본 특허 제4029430호 공보 일본 특허 제6319465호 공보 일본 특허 공개 제2017-193731호 공보

본 발명은 전술한 문제점을 감안하여, 전체 둘레 평균(전방향 평균)에서 우수한 자기 특성을 얻을 수 있는 무방향성 전자 강판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

(1) 본 발명의 일 양태에 관한 무방향성 전자 강판은,

질량％로,

C: 0.010％ 이하,

Si: 1.50％ 내지 4.00％,

sol.Al: 0.0001％ 내지 1.0％,

S: 0.010％ 이하,

N: 0.010％ 이하,

Mn, Ni, Co, Pt, Pb, Cu, Au로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 2.50％ 내지 5.00％,

Sn: 0.000％ 내지 0.400％,

Sb: 0.000％ 내지 0.400％,

P: 0.000％ 내지 0.400％, 및

Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, La, Nd, Pr, Zn, Cd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 0.0000％ 내지 0.0100％를 함유하고,

Mn 함유량(질량％)을 [Mn], Ni 함유량(질량％)을 [Ni], Co 함유량(질량％)을 [Co], Pt 함유량(질량％)을 [Pt], Pb 함유량(질량％)을 [Pb], Cu 함유량(질량％)을 [Cu], Au 함유량(질량％)을 [Au], Si 함유량(질량％)을 [Si], sol.Al 함유량(질량％)을 [sol.Al]로 했을 때, 이하의 (1)식을 충족하고,

잔부가 Fe 및 불순물로 이루어지는 화학 조성을 갖고,

재결정율이 1％ 내지 99％인 금속 조직이며, 또한 판 두께가 0.50㎜ 이하이고,

800℃에서 2시간 어닐링한 후에 자속 밀도 B50을 측정한 경우에, 압연 방향에 대하여 45° 방향의 자속 밀도 B50이 1.75T 이상인 것을 특징으로 한다.

([Mn]+[Ni]+[Co]+[Pt]+[Pb]+[Cu]+[Au])-([Si]+[sol.Al])>0％ … (1)

(2) 상기 (1)에 기재된 무방향성 전자 강판에서는,

800℃에서 2시간 어닐링한 후의, 압연 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50L, 압연 방향으로부터 45° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50D1, 압연 방향으로부터 90° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50C, 압연 방향으로부터 135° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50D2로 했을 때, 이하의 (2)식을 충족해도 된다.

(B50D1+B50D2)/2>(B50L+B50C)/2 … (2)

(3) 상기 (2)에 기재된 무방향성 전자 강판에서는,

이하의 (3)식을 충족해도 된다.

(B50D1+B50D2)/2>1.1×(B50L+B50C)/2 … (3)

(4) 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 무방향성 전자 강판에서는,

질량％로,

Sn: 0.020％ 내지 0.400％,

Sb: 0.020％ 내지 0.400％, 및

P: 0.020％ 내지 0.400％

로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종을 함유해도 된다.

(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 한 항에 기재된 무방향성 전자 강판에서는,

질량％로, Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, La, Nd, Pr, Zn, Cd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 0.0005％ 내지 0.0100％를 함유해도 된다.

(6) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 한 항에 기재된 무방향성 전자 강판에서는,

상기 금속 조직에 있어서, 재결정율이 50％ 내지 99％여도 된다.

(7) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 한 항에 기재된 무방향성 전자 강판에서는,

상기 금속 조직에 있어서, 재결정율이 80％ 내지 99％여도 된다.

본 발명에 따르면, 전체 둘레 평균(전방향 평균)에서 우수한 자기 특성을 얻을 수 있는 무방향성 전자 강판을 제공할 수 있다.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 행하였다. 이 결과, 화학 조성, 두께 및 재결정율을 적절한 것으로 하는 것이 중요한 것이 밝혀졌다. 이러한 무방향성 전자 강판의 제조에는, α-γ 변태계의 화학 조성을 전제로 하고, 열간 압연 시에 오스테나이트로부터 페라이트로의 변태에 의해 결정 조직을 미세화하고, 또한 냉간 압연을 소정의 압하율로 하고, 중간 어닐링의 온도를 소정의 범위 내로 제어하여 벌징 재결정(이하, 벌징)을 발생시킴으로써 통상은 발달하기 어려운 {100} 결정립을 발달시키기 쉽게 하는 것이 중요한 것도 밝혀졌다.

본 발명자들은, 이러한 지견에 기초하여 더욱 예의 검토를 거듭한 결과, 본 발명에 상도하였다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서 중에 있어서, 「내지」를 사용하여 표시되는 수치 범위는, 「내지」의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다. 또한, 이하의 실시 형태의 각 요소는, 각각의 조합이 가능한 것은 자명하다.

먼저, 본 발명의 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판 및 그 제조 방법에서 사용되는 강재의 화학 조성에 대해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 무방향성 전자 강판 또는 강재에 포함되는 각 원소의 함유량의 단위인 「％」는, 특별히 언급이 없는 한 「질량％」를 의미한다. 또한, 무방향성 전자 강판의 화학 조성은, 피막 등을 제외한 모재를 100％로 한 경우의 함유량을 나타낸다.

본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판 및 강재는, 페라이트-오스테나이트 변태(이하, α-γ 변태)가 발생할 수 있는 화학 조성이며, C: 0.010％ 이하, Si: 1.50％ 내지 4.00％, sol.Al: 0.0001％ 내지 1.0％, S: 0.010％ 이하, N: 0.010％ 이하, Mn, Ni, Co, Pt, Pb, Cu, Au로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 2.50％ 내지 5.00％, Sn: 0.000％ 내지 0.400％, Sb: 0.000％ 내지 0.400％, P: 0.000％ 내지 0.400％, 및 Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, La, Nd, Pr, Zn, 및 Cd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 0.0000％ 내지 0.0100％를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불순물로 이루어지는 화학 조성을 갖는다.

본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판 및 강재는, 또한 Mn, Ni, Co, Pt, Pb, Cu, Au, Si 및 sol.Al의 함유량이 후술하는 소정의 조건을 충족한다. 불순물로서는, 광석이나 스크랩 등의 원재료에 포함되는 것, 제조 공정에 있어서 포함되는 것이 예시된다.

(C: 0.010％ 이하)

C는, 철손을 높이거나, 자기 시효를 야기하거나 한다. 따라서, C 함유량은 낮으면 낮을수록 좋다. 이러한 현상은, C 함유량이 0.010％ 초과에서 현저하다. 이 때문에, C 함유량은 0.010％ 이하로 한다. C 함유량의 저감은, 판면 내의 전방향에 있어서의 자기 특성의 균일한 향상에도 기여한다. 또한, C 함유량의 하한은 특별히 한정하지 않지만, 정련 시의 탈탄 처리의 비용을 근거로 하여, 0.0005％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

(Si: 1.50％ 내지 4.00％)

Si는, 전기 저항을 증대시켜, 와전류손을 감소시키고, 철손을 저감하거나, 항복비를 증대시켜, 철심에 대한 펀칭 가공성을 향상시키거나 한다. Si 함유량이 1.50％ 미만에서는, 이들의 작용 효과를 충분히 얻을 수 없다. 따라서, Si 함유량은 1.50％ 이상으로 한다. 한편, Si 함유량이 4.00％ 초과에서는, 자속 밀도가 저하되거나, 경도의 과도한 상승에 의해 펀칭 가공성이 저하되거나, 냉간 압연이 곤란해지거나 한다. 따라서, Si 함유량은 4.00％ 이하로 한다.

(sol.Al: 0.0001％ 내지 1.0％)

sol.Al은, 전기 저항을 증대시켜, 와전류손을 감소시키고, 철손을 저감한다. sol.Al은, 포화 자속 밀도에 대한 자속 밀도 B50의 상대적인 크기의 향상에도 기여한다. sol.Al 함유량이 0.0001％ 미만에서는, 이들의 작용 효과를 충분히 얻을 수 없다. 또한, Al에는 제강에서의 탈황 촉진 효과도 있다. 따라서, sol.Al 함유량은 0.0001％ 이상으로 한다. 한편, sol.Al 함유량이 1.0％ 초과에서는, 자속 밀도가 저하되거나, 항복비를 저하시켜, 펀칭 가공성을 저하시키거나 한다. 따라서, sol.Al 함유량은 1.0％ 이하로 한다.

여기서, 자속 밀도 B50이란, 5000A/m의 자장에 있어서의 자속 밀도이다.

(S: 0.010％ 이하)

S는, 필수 원소는 아니며, 예를 들어 강 중에 불순물로서 함유된다. S는, 미세한 MnS의 석출에 의해, 어닐링에 있어서의 재결정 및 결정립의 성장을 저해한다. 따라서, S 함유량은 낮으면 낮을수록 좋다. 이러한 재결정 및 결정립 성장의 저해에 의한 철손의 증가 및 자속 밀도의 저하는, S 함유량이 0.010％ 초과에서 현저하다. 이 때문에, S 함유량은 0.010％ 이하로 한다. 또한, S 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 정련 시의 탈황 처리의 비용을 근거로 하여, 0.0003％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

(N: 0.010％ 이하)

N은 C와 마찬가지로, 자기 특성을 열화시키므로, N 함유량은 낮으면 낮을수록 좋다. 따라서, N 함유량은 0.010％ 이하로 한다. 또한, N 함유량의 하한은 특별히 한정하지 않지만, 정련 시의 탈질 처리의 비용을 근거로 하여, 0.0010％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.

(Mn, Ni, Co, Pt, Pb, Cu, Au로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 2.50％ 내지 5.00％)

Mn, Ni, Co, Pt, Pb, Cu, Au는, α-γ 변태를 발생시키기 위해 필요한 원소라는 점에서, 이들 원소 중 적어도 1종 또는 복수종을 총계로 2.50％ 이상 함유시킬 필요가 있다. 또한, 이들 원소의 함유량은, 전기 저항을 높여 철손을 낮춘다는 관점에서, 이들 원소 중 적어도 1종 또는 복수종을 총계로 2.50％ 초과로 하는 것이 보다 바람직하다. 한편, 이들 원소의 함유량이 총계로 5.00％를 초과하면, 고비용이 되고, 자속 밀도가 저하되는 경우도 있다. 따라서, 이들 원소 중 적어도 1종을 총계로 5.00％ 이하로 한다.

또한, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판 및 강재는, α-γ 변태가 발생할 수 있는 조건으로서, 또한 이하의 조건을 충족하고 있는 것으로 한다. 즉, Mn 함유량(질량％)을 [Mn], Ni 함유량(질량％)을 [Ni], Co 함유량(질량％)을 [Co], Pt 함유량(질량％)을 [Pt], Pb 함유량(질량％)을 [Pb], Cu 함유량(질량％)을 [Cu], Au 함유량(질량％)을 [Au], Si 함유량(질량％)을 [Si], sol.Al 함유량(질량％)을 [sol.Al]로 했을 때, 질량％로, 이하의 (1)식을 충족하는 것으로 한다.

([Mn]+[Ni]+[Co]+[Pt]+[Pb]+[Cu]+[Au])-([Si]+[sol.Al])>0％ … (1)

전술한 (1)식을 충족하지 않는 경우에는, α-γ 변태가 발생하지 않으므로, 자속 밀도가 낮아진다.

(Sn: 0.000％ 내지 0.400％, Sb: 0.000％ 내지 0.400％, P: 0.000％ 내지 0.400％)

Sn이나 Sb는 냉간 압연, 재결정 후의 집합 조직을 개선하여, 그 자속 밀도를 향상시킨다. 그 때문에, 이들 원소를 필요에 따라서 함유시켜도 되지만, 과잉으로 포함되면 강을 취화시킨다. 따라서, Sn 함유량, Sb 함유량은 모두 0.400％ 이하로 한다. 또한, P는 재결정 후의 강판의 경도를 확보하기 위해 함유시켜도 되지만, 과잉으로 포함되면 강의 취화를 초래한다. 따라서, P 함유량은 0.400％ 이하로 한다.

자기 특성 등의 더한층의 효과를 부여하는 경우에는, 0.020％ 내지 0.400％의 Sn, 0.020％ 내지 0.400％의 Sb, 및 0.020％ 내지 0.400％의 P로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종을 함유하는 것이 바람직하다.

(Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, La, Nd, Pr, Zn, 및 Cd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 0.0000％ 내지 0.0100％)

Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, La, Nd, Pr, Zn 및 Cd는, 용강의 주조 시에 용강 중의 S와 반응하여 황화물 혹은 산황화물 또는 이들 양쪽의 석출물을 생성한다. 이하, Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, La, Nd, Pr, Zn 및 Cd를 총칭하여 「조대 석출물 생성 원소」 라고 하는 경우가 있다. 조대 석출물 생성 원소의 석출물의 입경은 1㎛ 내지 2㎛ 정도이며, MnS, TiN, AlN 등의 미세 석출물의 입경(100㎚ 정도)보다 훨씬 크다. 이 때문에, 이들 미세 석출물은 조대 석출물 생성 원소의 석출물에 부착되고, 중간 어닐링 등의 어닐링에 있어서의 재결정 및 결정립의 성장을 저해하기 어려워진다. 이들의 작용 효과를 충분히 얻기 위해서는, 조대 석출물 생성 원소의 총계가 0.0005％ 이상인 것이 바람직하다. 단, 이들 원소의 총계가 0.0100％를 초과하면, 황화물 혹은 산황화물 또는 이들 양쪽의 총량이 과잉이 되어, 중간 어닐링 등의 어닐링에 있어서의 재결정 및 결정립의 성장이 저해된다. 따라서, 조대 석출물 생성 원소의 함유량은 총계로 0.0100％ 이하로 한다.

다음에, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 금속 조직에 대해서 설명한다. 제조 방법의 상세에 대해서는 후술하지만, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판은 α-γ 변태가 발생할 수 있는 화학 조성이며, 열간 압연이 완료되어 그 후 냉각되면, 오스테나이트로부터 페라이트로 변태되어, 결정 조직이 미세화된다. 또한 본 실시 형태의 무방향성 전자 강판은, 재결정율이 1％ 내지 99％인 금속 조직을 갖는다. 이와 같이 일부 미재결정을 남기면, 자속 밀도 B50이 보다 향상된다. 이와 같이 제어하는 이유는, 자기 특성의 관점에서 발달이 요망되는 {100} 결정 방위 이외의 결정 방위를 갖는 재결정립의 존재 비율을 적게 하기 위함이다.

재결정율이 1％ 미만, 혹은 재결정율이 99％ 초과에서는, 자속 밀도의 향상 효과가 얻어지지 않는다. 또한, 바람직하게는 재결정율이 55％ 내지 95％이고, 더욱 바람직하게는 재결정율이 80％ 내지 90％이다.

또한, 무방향성 전자 강판의 재결정율은 이하의 수순에 의해 특정할 수 있다. 먼저, 무방향성 전자 강판으로부터 채취한 시료의 판 두께가 1/2로 되도록 연마하고, 그 연마면을 전자선 후방 산란 회절(EBSD: Electron Back Scattering Diffraction)법에 의해 관찰을 행한다. 그리고 이하의 (a), (b) 중 어느 하나의 조건이라도 충족한 입자를 미재결정부로서 판정하고, 미재결정율=미재결정부의 면적/관찰 시야 전체의 면적으로 계산한다.

(a) 결정립의 평균 입경이 300㎛ 초과인 것.

(b) 결정립의 애스펙트비에 있어서(압연 방향의 길이)/(압연 방향으로부터 90도의 방향의 길이)>2를 충족하는 것. 또한, 관찰 시야는 8㎟ 이상의 범위를 관찰한다.

다음에, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 두께에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 두께는, 0.50㎜ 이하이다. 두께가 0.50㎜ 초과이면, 우수한 고주파 철손을 얻을 수 없다. 따라서, 두께는 0.50㎜ 이하로 한다. 또한, 제조를 용이하게 한다는 관점에서는, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 두께는, 0.10㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판은, 또한 전체적으로 전방향에 대하여 높은 자속 밀도가 얻어지는 변형의 분포를 갖도록 해도 된다. 예를 들어, 임의의 단면을 관찰했을 때에 {100} 방위 입자의 면적률을 Sac, {110} 방위 입자의 면적률을 Sag로 하고, KAM(Kernel Average Misorientation)값이 높은 측으로부터 20％까지의 영역에 있어서의 {100} 방위 입자의 면적률 Sbc, 동 영역에 있어서의 {110} 방위 입자의 면적률을 Sbg로 했을 때, Sac>Sbc>Sag>Sbg로 되어 있는 것이 보다 바람직하다. {100} 결정립(또는 {110} 결정립)이란, 대상이 되는 결정 방위로부터 여유도(Tolerance) 10° 이내로 정의되는 결정립이다. 또한, {100} 결정립(혹은 {110} 결정립 등)과 {100} 방위 입자(혹은 {110} 방위 입자 등)는 동일한 의미이다.

여기서, 상기의 관계를 구하기 위해서는, 강판의 판 두께가 1/2로 되도록 연마한 재료의 연마면에 있어서의 결정립의 면적률을 예를 들어 EBSD법에 의해 구할 수 있다. 또한, KAM값은 EBSD의 관찰 시야로부터 IPF(Inverse Pole Figure)를 계산함으로써 구할 수 있다.

KAM값은, 어느 측정점에 있어서의, 동일 입자 내에서 인접하는 측정점과의 방위차를 나타낸다. 변형이 많은 개소에서는 KAM값은 높아진다. 이러한 KAM이 높은 측으로부터 20％까지의 영역을 빼냄으로써, 고변형 영역만 추출할 수 있다. 측정점은, 임의의 화소로 구성되는 영역이다. KAM이 높은 측으로부터 20％까지의 영역이란, KAM값의 도수도를 누적 도수도로 변환한 그래프에 있어서, KAM이 높은 측으로부터 20％까지의 도수를 차지하는 영역을 의미한다.

상기의 부등식의 Sac>Sag의 관계는, 전체를 차지하는 비율이 {100} 방위 입자의 쪽이 {110} 방위 입자보다도 많은 것을 나타낸다. 스킨 패스 후의 어닐링에서는, {100} 방위 입자와 {110} 방위 입자의 양쪽이 성장하기 쉬워진다. 여기서, 전체 둘레 평균의 자기 특성은 {100} 방위 입자의 쪽이 {110} 방위 입자보다도 우수하기 때문에, {100} 방위 입자의 쪽을 많게 하는 것이 보다 바람직하다. 고변형 영역에 있어서의, Sbc>Sbg의 관계도 마찬가지이다.

다음에 Sac>Sbc의 관계는, {100} 방위 입자에는 변형이 많은 영역이 상대적으로 적은 것을 의미한다. 스킨 패스 후의 어닐링에서는 변형이 적은 입자가 변형이 많은 입자를 잠식하는 것이 알려져 있다. 따라서, 이 부등식은 {100} 방위 입자가 성장하기 쉬워지는 것을 의미한다. 또한, KAM값은 EBSD법에 의해 측정되는 값이며, 변형이 많은 개소의 KAM값은, 그 주위보다도 높아진다. Sag>Sbg의 관계도 마찬가지이다.

다음에, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 자기 특성에 대해서 설명한다. 자기 특성을 조사할 때에는, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판에 대하여, 또한 800℃에서 2시간의 조건에서 어닐링을 실시한 후에 자속 밀도를 측정한다. 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판은, 압연 방향과 이루는 각도 중 작은 쪽의 각도가 45°가 되는 2개의 방향에 있어서, 자기 특성이 가장 우수하다. 한편, 압연 방향과 이루는 각도가 0°, 90°의 2개의 방향에 있어서, 자기 특성이 가장 떨어진다. 여기서, 당해 「45°」는, 이론적인 값이며, 실제의 제조 시에는 45°에 일치시키는 것이 용이하지 않은 경우가 있다. 따라서, 이론적으로는, 자기 특성이 가장 우수한 방향이, 압연 방향과 이루는 각도 중 작은 쪽의 각도가 45°가 되는 2개의 방향이면, 실제의 무방향성 전자 강판에 있어서는, 당해 45°는, (엄밀하게) 45°에 일치하고 있지 않은 것도 포함하는 것으로 한다. 이것은, 당해 「0°」, 「90°」에 있어서도 마찬가지이다.

또한, 이론적으로는, 자기 특성이 가장 우수한 2개의 방향의 자기 특성은 동일해지지만, 실제의 제조 시에는 당해 2개의 방향의 자기 특성을 동일하게 하는 것이 용이하지 않은 경우가 있다. 따라서, 이론적으로는, 자기 특성이 가장 우수한 2개의 방향의 자기 특성이 동일하면, 당해 「동일한」은, (엄밀하게) 동일하지 않은 것도 포함하는 것으로 한다. 이것은, 자기 특성이 가장 떨어지는 2개의 방향에 있어서도 동일하다. 또한, 이상의 각도는, 시계 방향 및 반시계 방향의 어느 방향의 각도도 양의 값을 갖는 것으로서 표기한 것이다. 시계 방향을 음의 방향으로 하고, 반시계 방향을 양의 방향으로 하는 경우, 전술한 압연 방향과 이루는 각도 중 작은 쪽의 각도가 45°가 되는 2개의 방향은, 전술한 압연 방향과 이루는 각도 중 절댓값이 작은 쪽의 각도가 45°, -45°가 되는 2개의 방향이 된다. 또한, 전술한 압연 방향과 이루는 각도 중 작은 쪽의 각도가 45°가 되는 2개의 방향은, 압연 방향과 이루는 각도가 45°, 135°가 되는 2개의 방향으로도 표기할 수 있다.

본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 자속 밀도를 측정하면, 압연 방향에 대하여 45° 방향의 자속 밀도 B50(B50D1 및 B50D2에 상당함)이 1.75T 이상이 된다. 또한, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판에서는, 압연 방향에 대하여 45° 방향의 자속 밀도가 높기는 하지만, 전체 둘레 평균(전방향 평균)에서도 높은 자속 밀도가 얻어진다.

본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판에서는, 800℃에서 2시간 어닐링한 후의, 압연 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50L, 압연 방향으로부터 45° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50D1, 압연 방향으로부터 90° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50C, 압연 방향으로부터 135° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50D2로 하면, B50D1 및 B50D2가 가장 높고, B50L 및 B50C가 가장 낮다는 자속 밀도의 이방성이 보인다.

여기서, 예를 들어 시계 방향(반시계 방향이어도 됨)의 방향을 양의 방향으로 한 자속 밀도의 전방위(0° 내지 360°) 분포를 고려한 경우, 압연 방향을 0°(일방향) 및 180°(타방향)로 하면, B50D1은 45° 및 225°의 자속 밀도 B50의 값, B50D2는 135° 및 315°의 자속 밀도 B50의 값이 된다. 마찬가지로, B50L은 0° 및 180°의 자속 밀도 B50의 값, B50C는 90° 및 270°의 자속 밀도 B50의 값이 된다. 45°의 자속 밀도 B50의 값과 225°의 자속 밀도 B50의 값은 엄밀하게 일치하고, 135°의 자속 밀도 B50의 값과 315°의 자속 밀도 B50의 값은 엄밀하게 일치한다. 그러나, B50D1과 B50D2는, 실제의 제조 시에 자기 특성을 동일하게 하는 것이 용이하지 않은 경우가 있다는 점에서, 엄밀하게는 일치하지 않는 경우가 있다. 마찬가지로, 0°의 자속 밀도 B50의 값과 180°의 자속 밀도 B50의 값은 엄밀하게 일치하고, 90°의 자속 밀도 B50의 값과 270°의 자속 밀도 B50의 값은 엄밀하게 일치하는 한편, B50L과 B50C는 엄밀하게는 일치하지 않는 경우가 있다. 제조된 무방향성 전자 강판에 있어서, 그 압연 방향의 한쪽과 다른 쪽(압연 방향과는 정반대의 방향)은 구별할 수 없다. 그 때문에 본 실시 형태에서는, 압연 방향이란 그 한쪽 및 다른 쪽의 쌍방향을 말한다.

본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판에서는, B50D1 및 B50D2의 평균값과, B50L과 B50C의 평균값을 사용하여, 이하의 (2)식을 충족하는 것이 보다 바람직하다.

(B50D1+B50D2)/2>(B50L+B50C)/2 … (2)

이와 같은 자속 밀도가 높은 이방성을 가짐으로써, 분할 철심형의 모터 재료에 적합하다는 이점이 있다.

또한, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판은, 이하의 (3)식을 충족함으로써, 분할 철심형의 모터 재료로서 보다 바람직하게 사용할 수 있다.

(B50D1+B50D2)/2>1.1×(B50L+B50C)/2 … (3)

자속 밀도의 측정은, 압연 방향에 대하여 45°, 0° 방향 등으로부터 한 변이 55㎜인 정사각형의 시료를 잘라내고, 단판 자기 측정 장치를 사용하여 행할 수 있다.

다음에, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에서는, 열간 압연, 냉간 압연, 중간 어닐링, 스킨 패스 압연 등에 대해서 설명한다.

먼저, 상술한 강재를 가열하고, 열간 압연을 실시한다. 강재는, 예를 들어 통상의 연속 주조에 의해 제조되는 슬래브이다. 열간 압연의 조압연 및 마무리 압연은 γ 영역(Ar1 온도 이상)의 온도에서 행한다. 즉, 마무리 압연의 최종 패스를 통과할 때의 온도(마무리 온도)가 Ar1 온도 이상이 되도록 열간 압연을 행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 그 후의 냉각에 의해 오스테나이트로부터 페라이트로 변태됨으로써 결정 조직은 미세화된다. 결정 조직이 미세화된 상태에서 그 후 냉간 압연을 실시하면, 벌징이 발생하기 쉬워, 통상은 성장하기 어려운 {100} 결정립을 성장시키기 쉽게 할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 Ar1 온도는, 1℃/초의 평균 냉각 속도로 냉각 중인 강재(강판)의 열팽창 변화로부터 구한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서 Ac1 온도는, 1℃/초의 평균 가열 속도로 가열 중인 강재(강판)의 열팽창 변화로부터 구한다.

그 후, 열간 압연판 어닐링은 행하지 않고 권취한다. 권취 시의 온도는, 250℃ 초과 600℃ 이하인 것이 바람직하다. 열간 압연 후의 열간 압연 강판을 250℃ 초과 600℃ 이하에서 권취함으로써, 냉연 전의 결정 조직을 미세화할 수 있어, 벌징 시에 자기 특성이 우수한 {100} 방위를 부화할 수 있다는 효과가 얻어진다. 권취 시의 온도는, 400℃ 내지 500℃가 보다 바람직하고, 400℃ 내지 480℃인 것이 더욱 바람직하다.

그 후, 산세를 거쳐, 열간 압연 강판에 대하여 냉간 압연을 행한다. 냉간 압연에서는 압하율을 80％ 내지 92％로 하는 것이 바람직하다. 또한, 압하율이 높을수록 그 후의 벌징에 의해 {100} 결정립이 성장하기 쉬워지지만, 열간 압연 강판의 권취가 곤란해져, 조업이 곤란해지기 쉬워진다.

냉간 압연이 종료되면, 계속해서 중간 어닐링을 행한다. 본 실시 형태에서는, 중간 어닐링의 온도를 Ac1 온도 미만으로 제어함으로써 재결정율을 1％ 내지 99％로 한다. 또한, 중간 어닐링의 온도가 너무 낮으면, 재결정이 발생하지 않아, 벌징이 발생하지 않는 경우가 있으므로, {100} 결정립이 충분히 성장하지 않아, 자속 밀도가 높아지지 않는 경우가 있다. 따라서, 중간 어닐링의 온도는 600℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 중간 어닐링의 온도가 Ac1 온도 이상에서는, 페라이트의 재결정율이 100％ 부근이 되지만, 자기 특성의 관점에서 발달이 요망되는 {100} 결정 방위 이외의 결정 방위를 갖는 재결정립의 존재 비율이 높아지기 때문에, 자속 밀도가 높아지지 않는다. 중간 어닐링을 행함으로써 벌징이 발생하여, {100} 결정립이 성장하기 쉬워지지만, 본 실시 형태에서는, 또한 미재결정과 재결정을 혼재시킴으로써 {100} 결정립을 보다 성장시킬 수 있다. 또한, 중간 어닐링의 시간은, 5 내지 60초로 하는 것이 바람직하다.

재결정율은 중간 어닐링 후의 시점에서, 50％ 이상인 것이, 마무리 어닐링이나 응력 제거 어닐링 후에 {100} 방위 입자가 보다 성장하기 쉬워진다고 하는 점에서 바람직하다.

중간 어닐링이 종료되면, 다음에 스킨 패스 압연을 행한다. 상술한 바와 같이 벌징이 발생한 상태에서 압연을 행하면, 벌징이 발생한 부분을 기점으로 {100} 결정립이 더욱 성장한다. 스킨 패스 압연의 압하율은 5％ 내지 25％로 하는 것이 바람직하고, 자속 밀도가 높은 이방성을 얻는다는 관점에서는, 스킨 패스 압연의 압하율은 5％ 내지 15％로 하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 무방향성 전자 강판에 있어서, 전술한 변형의 분포를 갖도록 하는 경우에는, 냉간 압연의 압하율(％)을 Rm, 스킨 패스 압연 시의 압하율(％)을 Rs로 한 경우에, 86<Rm+0.2×Rs<92, 또한 5<Rs<20을 충족하도록 냉간 압연 및 스킨 패스 압연의 압하율을 조정하는 것이 바람직하다.

실제의 모터 코어 등의 제품의 제조 공정에 있어서는, 원하는 철강 부재로 하기 위해, 무방향성 전자 강판의 성형 가공 등이 행해진다. 그리고, 무방향성 전자 강판으로 이루어지는 철강 부재에 성형 가공 등(예를 들어 펀칭)에 의해 발생한 변형 등을 제거하기 위해, 철강 부재에 응력 제거 어닐링을 실시하는 경우가 있다. 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판에 응력 제거 어닐링을 실시하는 경우에는, 응력 제거 어닐링의 온도를 예를 들어 800℃ 정도로 하고, 응력 제거 어닐링의시간을 2시간 정도로 하는 것이 바람직하다.

이상과 같이 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판을 제조할 수 있다.

본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판으로 이루어지는 철강 부재는, 예를 들어 회전 전기 기기의 철심(모터 코어)에 적용된다. 이 경우, 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판으로부터 개개의 평판상 박판을 잘라내고, 이들 평판상 박판을 적절히 적층함으로써, 회전 전기 기기에 사용되는 철심이 제작된다. 이 철심은, 우수한 자기 특성을 갖는 무방향성 전자 강판이 적용되어 있기 때문에 철손이 낮게 억제되어 있고, 우수한 토크를 갖는 회전 전기 기기가 실현된다. 본 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판으로 이루어지는 철강 부재는, 회전 전기 기기의 철심 이외의 제품, 예를 들어 리니어 모터나 정지기(리액터나 변압기) 등의 철심에도 적용할 수 있다.

실시예

다음에, 본 발명의 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판에 대해서, 실시예를 나타내면서 구체적으로 설명한다. 이하에 나타내는 실시예는, 본 발명의 실시 형태에 관한 무방향성 전자 강판의 어디까지나 일례에 지나지 않고, 본 발명에 관한 무방향성 전자 강판이 하기의 예에 한정되는 것은 아니다.

(제1 실시예)

용강을 주조함으로써, 이하의 표 1에 나타내는 성분의 잉곳을 제작하였다. 그 후, 제작한 잉곳을 1150℃까지 가열하여 열간 압연을 행하고, 판 두께가 2.5㎜가 되도록 압연하였다. 그리고, 마무리 압연 종료 후에 수랭하고 열간 압연 강판을 권취하였다. 이때의 마무리 압연의 최종 패스의 단계에서의 온도(마무리 온도)는 830℃이며, 모두 Ar1 온도보다 큰 온도였다. 또한, γ-α 변태가 일어나지 않는 No.108에 대해서는, 마무리 온도를 850℃로 하였다. 또한, 권취 시의 권취 온도는 500℃로 하였다. 여기서, 표 중의 「식 좌변」이란, 상술한 (1)식의 좌변의 값을 나타내고 있다.

다음에, 열간 압연 강판에 있어서 산세에 의해 스케일을 제거하고, 목표의 판 두께의 1.1배의 판 두께(0.110 내지 0.550㎜)가 될 때까지 냉간 압연을 행하였다. 그리고, 무산화 분위기 중에서 30초간 중간 어닐링을 행하고, 각각 표 1에 나타내는 재결정율이 되도록 중간 어닐링의 온도를 550 내지 800℃의 범위에서 제어하였다. 이어서, 목표의 판 두께(0.10 내지 0.50㎜)가 될 때까지 2회째의 냉간 압연(스킨 패스 압연)을 행하였다. 단, No.117은 냉간 압연에서 0.360㎜ 두께로 하고, 중간 어닐링 후에 0.35㎜가 될 때까지 2회째의 냉간 압연을 행하였다.

다음에, 자기 특성을 조사하기 위해 2회째의 냉간 압연(스킨 패스 압연) 후에 800℃에서 2시간의 응력 제거 어닐링을 행하고, 자속 밀도 B50을 측정하였다. 측정 시료는 한 변이 55㎜인 정사각형의 시료를 압연 방향으로 0°와 45°의 2종류의 방향으로 채취하였다. 그리고, 이 2종류의 시료의 자속 밀도 B50을 측정하고, 압연 방향에 대하여 45° 기운 방향의 자속 밀도 B50의 값을 B50D1로 하고, 압연 방향에 대하여 135° 기운 방향의 자속 밀도 B50의 값을 B50D2로 하고, 압연 방향의 자속 밀도 B50의 값을 B50L로 하고, 압연 방향에 대하여 90° 기운 방향의 자속 밀도 B50의 값을 B50C로 하였다. 또한, B50D1, B50D2, B50L, B50C의 평균값을 자속 밀도 B50의 전체 둘레 평균으로 하였다. 이들 조건 및 측정 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.

표 1 및 표 2 중의 밑줄은, 본 발명의 범위로부터 벗어난 조건을 나타내고 있다. 발명예인 No.101 내지 No.107, No.109 내지 No.111, No.114 내지 No.119는, 모두 45° 방향 및 전체 둘레 평균 모두 자속 밀도 B50은 양호한 값이었다. 한편, 비교예인 No.108은 Si 농도가 높고, 식 좌변의 값이 0 이하이고, α-γ 변태되지 않는 조성이었다는 점에서, 자기 밀도 B50은 모두 낮았다. 비교예인 No.112는, 중간 어닐링의 온도가 다른 것과 비교하여 낮았으므로, 재결정율이 0이었다는 점에서, 자속 밀도 B50이 모두 낮았다. 비교예인 No.113은 반대로 재결정율이 100이었다는 점에서, 본 발명의 범위로부터 벗어나 있고, 자속 밀도 B50은 모두 낮았다. No.117에서는, 자기 특성이 양호하기는 했지만, 스킨 패스 압연에서의 압하율을 변경하였다는 점에서, (3)식을 충족하지 않았다.

(제2 실시예)

용강을 주조함으로써, 이하의 표 3에 나타내는 성분의 잉곳을 제작하였다. 그 후, 제작한 잉곳을 1150℃까지 가열하여 열간 압연을 행하고, 판 두께가 2.5㎜가 되도록 압연하였다. 그리고, 마무리 압연 종료 후에 수랭하고 열간 압연 강판을 권취하였다. 이때의 마무리 압연의 최종 패스의 단계에서의 마무리 온도는 830℃이며, 모두 Ar1 온도보다 큰 온도였다. 또한, 권취 시의 권취 온도는 500℃로 하였다.

다음에, 열간 압연 강판에 있어서 산세에 의해 스케일을 제거하고, 85％의 압하율로 판 두께가 0.385㎜가 될 때까지 냉간 압연을 행하였다. 그리고, 무산화 분위기 중에서 30초간 중간 어닐링을 행하고, 재결정율이 85％가 되도록 중간 어닐링의 온도를 제어하였다. 이어서, 9％의 압하율로 판 두께가 0.35㎜가 될 때까지 2회째의 냉간 압연(스킨 패스 압연)을 행하였다. 단, No.215는 냉간 압연에서 0.360㎜ 두께로 하고, 중간 어닐링 후에 0.35㎜가 될 때까지 2회째의 냉간 압연을 행하였다.

다음에, 자기 특성을 조사하기 위해 2회째의 냉간 압연(스킨 패스 압연) 후에 800℃에서 2시간의 응력 제거 어닐링을 행하고, 제1 실시예와 마찬가지로, 각 방향에 있어서의 자속 밀도 B50, 그리고 철손 W10/400을 측정하였다. 자속 밀도 B50에 관해서는 제1 실시예와 마찬가지의 수순으로 측정하였다. 한편, 철손 W10/400은, 최대 자속 밀도가 1.0T가 되도록 400Hz의 교류 자장을 걸었을 때에 시료에 발생하는 전체 둘레 평균의 에너지 손실(W/kg)로서 측정하였다. 이들 조건 및 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.

No.201 내지 No.217은 모두 발명예이며, 모두 자기 특성이 양호하였다. 무방향성 전자 강판의 성분을 조정함으로써, 이들 결과가 얻어진 것으로 생각된다. No.215에서는, 자기 특성이 양호하긴 했지만, 스킨 패스 압연에서의 압하율을 변경하였다는 점에서, (3)식을 충족하지 않았다.

(제3 실시예)

용강을 주조함으로써, 이하의 표 5에 나타내는 성분의 잉곳을 제작하였다. 그 후, 제작한 잉곳을 1150℃까지 가열하여 열간 압연을 행하고, 판 두께가 2.5㎜가 되도록 압연하였다. 그리고, 마무리 압연 종료 후에 수랭하고 열간 압연 강판을 권취하였다. 이때의 마무리 압연의 최종 패스의 단계에서의 마무리 온도는 830℃이며, 모두 Ar1 온도보다 큰 온도였다. 또한, 표 6에 나타내는 각각의 권취 온도에서 권취를 행하였다.

다음에, 열간 압연 강판에 있어서 산세에 의해 스케일을 제거하고, 85％의 압하율로 판 두께가 0.385㎜가 될 때까지 냉간 압연을 행하였다. 그리고, 무산화 분위기 중에서 30초간 중간 어닐링을 행하고, 재결정율이 85％가 되도록 중간 어닐링의 온도를 제어하였다. 이어서, 9％의 압하율로 판 두께가 0.35㎜가 될 때까지 2회째의 냉간 압연(스킨 패스 압연)을 행하였다.

다음에, 자기 특성을 조사하기 위해 2회째의 냉간 압연(스킨 패스 압연) 후에 800℃에서 2시간의 응력 제거 어닐링을 행하고, 자속 밀도 B50 및 철손 W10/400을 측정하였다. 각 방향에 있어서의 자속 밀도 B50에 관해서는 제1 실시예와 마찬가지의 수순으로 측정하였다. 한편, 철손 W10/400은, 최대 자속 밀도가 1.0T가 되도록 400Hz의 교류 자장을 걸었을 때에 시료에 발생하는 전체 둘레 평균의 에너지 손실(W/kg)로서 측정하였다. 이들 조건 및 결과를 표 5 및 표 6에 나타낸다.

표 6의 밑줄은, 본 발명의 범위로부터 벗어난 조건을 나타내고 있다. 발명예인 No.301, No.302, No.304, No.305, No.307, No.308, No.310, No.311, No.313, No.314, No.316, No.317, No.319, No.322는, 모두 45° 방향 및 전체 둘레 평균 모두 자속 밀도 B50은 양호한 값이었다. 한편, 비교예인 No.303, No.306, No.309, No.312, No.315, No.318, No.320, No.321, No.323, No.324에서는, 권취 온도가 최적의 범위로부터 벗어났으므로, 자기 밀도 B50은 모두 낮고, 1.75T 미만이었다.

이상의 실시예로부터도 이해되는 바와 같이, 본 발명에 관한 무방향성 전자 강판은, 화학 조성, 열간 압연 조건, 냉간 압연 조건, 어닐링 조건 및 재결정율이 적절하게 제어됨으로써, 전체 둘레 평균(전방향 평균)에서 우수한 자기 특성을 갖는다.

본 발명에 따르면, 전체 둘레 평균(전방향 평균)에서 우수한 자기 특성을 얻을 수 있는 무방향성 전자 강판을 제공할 수 있으므로, 산업상 매우 유용하다.

Claims (7)

1. 질량％로,
   C: 0.010％ 이하,
   Si: 1.50％ 내지 4.00％,
   sol.Al: 0.0001％ 내지 1.0％,
   S: 0.010％ 이하,
   N: 0.010％ 이하,
   Mn, Ni, Co, Pt, Pb, Cu, Au로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 2.50％ 내지 5.00％,
   Sn: 0.000％ 내지 0.400％,
   Sb: 0.000％ 내지 0.400％,
   P: 0.000％ 내지 0.400％, 및
   Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, La, Nd, Pr, Zn, Cd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 0.0000％ 내지 0.0100％를 함유하고,
   Mn 함유량(질량％)을 [Mn], Ni 함유량(질량％)을 [Ni], Co 함유량(질량％)을 [Co], Pt 함유량(질량％)을 [Pt], Pb 함유량(질량％)을 [Pb], Cu 함유량(질량％)을 [Cu], Au 함유량(질량％)을 [Au], Si 함유량(질량％)을 [Si], sol.Al 함유량(질량％)을 [sol.Al]로 했을 때, 이하의 (1)식을 충족하고,
   잔부가 Fe 및 불순물로 이루어지는 화학 조성을 갖고,
   재결정율이 1％ 내지 99％인 금속 조직이며, 또한 판 두께가 0.50㎜ 이하이고,
   800℃에서 2시간 어닐링한 후에 자속 밀도 B50을 측정한 경우에, 압연 방향에 대하여 45° 방향의 자속 밀도 B50이 1.75T 이상인
   것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강판.
   ([Mn]+[Ni]+[Co]+[Pt]+[Pb]+[Cu]+[Au])-([Si]+[sol.Al])>0％ … (1)
2. 제1항에 있어서,
   800℃에서 2시간 어닐링한 후의, 압연 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50L, 압연 방향으로부터 45° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50D1, 압연 방향으로부터 90° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50C, 압연 방향으로부터 135° 기운 방향에 있어서의 자속 밀도 B50의 값을 B50D2로 했을 때, 이하의 (2)식을 충족하는
   것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강판.
   (B50D1+B50D2)/2>(B50L+B50C)/2 … (2)
3. 제2항에 있어서,
   이하의 (3)식을 충족하는
   것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강판.
   (B50D1+B50D2)/2>1.1×(B50L+B50C)/2 … (3)
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   질량％로,
   Sn: 0.020％ 내지 0.400％,
   Sb: 0.020％ 내지 0.400％, 및
   P: 0.020％ 내지 0.400％
   로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종을 함유하는
   것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강판.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   질량％로, Mg, Ca, Sr, Ba, Ce, La, Nd, Pr, Zn, Cd로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 복수종: 총계로 0.0005％ 내지 0.0100％를 함유하는
   것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강판.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 금속 조직에 있어서, 재결정율이 50％ 내지 99％인
   것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강판.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 금속 조직에 있어서, 재결정율이 80％ 내지 99％인
   것을 특징으로 하는 무방향성 전자 강판.