KR20220064900A - 노광 장치, 노광 방법, 결정 방법 및 물품 제조 방법 - Google Patents

노광 장치, 노광 방법, 결정 방법 및 물품 제조 방법 Download PDF

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KR20220064900A
KR20220064900A KR1020210150180A KR20210150180A KR20220064900A KR 20220064900 A KR20220064900 A KR 20220064900A KR 1020210150180 A KR1020210150180 A KR 1020210150180A KR 20210150180 A KR20210150180 A KR 20210150180A KR 20220064900 A KR20220064900 A KR 20220064900A
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히로무 스기야마
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

소 풋프린트화와 고 스루풋화의 양립에 유리한 기술을 제공한다.
노광 장치는, 기판을 보유 지지하여 이동하는 기판 스테이지와, 상기 원판에 있어서의 조명 영역을 규정하는 시야 조리개와, 상기 기판 스테이지 및 상기 시야 조리개를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 기판의 복수의 샷 영역은, 복수의 칩 영역을 갖는 풀 샷 영역과, 상기 기판의 주변부에 위치하여 복수의 칩 영역의 일부가 결여되어 있는 파셜 샷 영역을 포함하고, 상기 제어부는, 상기 풀 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 풀 샷 영역에 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되도록 상기 기판 스테이지 및 상기 시야 조리개를 제어하고, 상기 파셜 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 파셜 샷 영역에 있어서의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역 대신에 상기 결여되어 있는 일부의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역이 상기 파셜 샷 영역에 투영되도록 상기 기판 스테이지를 제어함과 함께, 상기 파셜 샷 영역의 인접한 풀 샷 영역이 차광되도록 상기 조리개를 제어한다.

Description

노광 장치, 노광 방법, 결정 방법 및 물품 제조 방법{EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, DETERMINING METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 노광 장치, 노광 방법, 결정 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 프로세스에서는, 노광 장치 등의 리소그래피 장치를 사용하여, 마스크 상의 패턴을 노광하여 기판에 형성하는 리소그래피 처리가 행하여진다. 종래, 기판 상에 각 샷을 레이아웃하는 경우, 샷 사이즈에 맞춘 격자를 설정하고, 그 격자의 하나하나에 대하여 샷이 배치된다(특허문헌 1).
일본 특허 공개 평8-167565호 공보
통상, 샷 영역은 복수의 칩 영역을 갖지만, 기판의 주변부에는, 복수의 칩 영역의 일부가 결여되어 있는 파셜 샷 영역이 있을 수 있다. 종래, 이 파셜 샷 영역에 노광을 행하는 경우에도, 파셜 샷 영역이 아닌 샷 영역(풀 샷 영역)과 동일한 스텝 이동 폭으로 기판 스테이지가 제어되어서 노광되고 있었다. 그 때문에, 파셜 샷 영역의 노광을 위하여 기판 스테이지가 노광 범위 외에까지 반송될 필요가 있고, 그만큼, 기판 스테이지의 구동 스트로크를 넓게 취할 필요가 있었다. 이것은, 기판 스테이지의 점유 면적(풋프린트)의 증가 및 스루풋의 저하를 초래할 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 소 풋프린트화와 고 스루풋화의 양립에 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 기판의 복수의 샷 영역의 각각에 원판의 패턴을 투영하여 상기 기판을 노광하는 노광 장치이며, 상기 기판을 보유 지지하여 이동하는 기판 스테이지와, 상기 원판에 있어서의 조명 영역을 규정하는 시야 조리개와, 상기 기판 스테이지 및 상기 시야 조리개를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 원판은 복수의 칩 패턴 영역을 갖고, 상기 복수의 칩 패턴 영역은, 서로 동일한 패턴을 갖고, 상기 복수의 샷 영역은, 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되는 크기의 풀 샷 영역을 포함하고, 상기 풀 샷 영역은, 1개의 칩 패턴 영역에 1개의 칩 영역이 대응하도록, 상기 복수의 칩 패턴 영역에 각각 대응하는 복수의 칩 영역을 갖고, 상기 복수의 샷 영역은, 상기 기판의 주변부에 위치하고 있음으로써 상기 복수의 칩 영역의 일부가 결여되어 있는 파셜 샷 영역을 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 풀 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 풀 샷 영역에 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되도록 상기 기판 스테이지 및 상기 시야 조리개를 제어하고, 상기 파셜 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 파셜 샷 영역에 있어서의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역 대신에 상기 결여되어 있는 일부의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역이 상기 파셜 샷 영역에 투영되도록 상기 기판 스테이지를 제어함과 함께, 상기 파셜 샷 영역의 인접하는 풀 샷 영역이 차광되도록 상기 시야 조리개를 제어하는 것을 특징으로 하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 예를 들어 소 풋프린트화와 고 스루풋화의 양립에 유리한 기술을 제공할 수 있다.
도 1은, 노광 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 2는, 시야 조리개의 구성을 도시하는 도면.
도 3은, 기판의 샷 레이아웃의 예를 도시하는 도면.
도 4는, 노광 장치에 있어서의 노광 방법을 도시하는 흐름도.
도 5는, 종래 기술에 있어서의 파셜 샷 영역의 노광 시의 기판 스테이지 및 시야 조리개의 제어를 설명하는 도면.
도 6은, 실시 형태에 있어서의 파셜 샷 영역의 노광 시의 기판 스테이지 및 시야 조리개의 제어를 설명하는 도면.
도 7은, 샷 레이아웃의 결정 방법의 흐름도.
도 8은, 작성된 샷 레이아웃 데이터를 따르는 노광 방법의 흐름도.
도 9는, 제1 샷을 기판의 좌측 상단부에 설정했을 때에 작성되는 샷 레이아웃의 예를 도시하는 도면.
도 10은, 원형 기판에 대한 샷 레이아웃의 예를 도시하는 도면.
도 11은, 원판의 복수의 칩 패턴 영역과 기판의 1개의 샷 영역에 있어서의 복수의 칩 영역의 대응 관계의 예를 도시하는 모식도.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 특허 청구 범위에 관한 발명을 한정하는 것은 아니다. 실시 형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이들 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것으로 한정되지는 않고, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합되어도 된다. 또한, 첨부 도면에 있어서는, 동일 또는 마찬가지의 구성에 동일한 참조 번호를 붙여, 중복된 설명은 생략한다.
<제1 실시 형태>
도 1은, 실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성을 도시하는 도면이다. 노광 장치(100)는, 기판 상에 형성된 복수의 샷 영역의 각각에 원판의 패턴을 투영하여 기판을 노광한다. 광원(1)으로부터 사출된 노광 광은, 조명 광학계(4)의 정형 광학계(도시하지 않음)를 통해 소정의 빔 형상으로 정형된다. 정형된 빔은 또한, 옵티컬 인터그레이터(도시하지 않음)에 입사되어, 옵티컬 인터그레이터에 의해, 원판(9)(레티클, 마스크)을 균일한 조도 분포로 조명하기 위하여 다수의 2차 광원이 형성된다. 조명 광학계(4)의 광로 상에는, 원판(9)에 있어서의 조명 영역을 규정하는 시야 조리개(5)가 마련되어 있고, 조명계 제어부(8)에 의해 그 조리개 개구의 위치 및 크기가 제어된다. 시야 조리개(5)는, 마스킹 블레이드라고도 불린다. 예를 들어, 마스킹 블레이드는, 조명 영역을 네모난 형상으로 제한하는 것이고, 그 4변이 독립적으로 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 그것에 의하여, 원판(9) 상의 임의의 영역을 조명할 수 있다.
조명 광학계(4)의 광로 상에는, 하프 미러(6)가 배치되고, 원판(9)을 조명하는 노광 광의 일부가 이 하프 미러(6)에 의해 반사되어 취출된다. 하프 미러(6)의 반사광 광로 상에는 노광 광양의 포토 센서(7)가 배치되어 있다. 포토 센서(7)는, 노광 광의 강도(노광 에너지)에 대응한 출력을 발생시킨다.
원판(9)에는, 복수의 칩 패턴 영역이 형성되어 있다. 칩 패턴 영역의 수는 임의이다. 복수의 칩 패턴 영역은, 서로 동일한 패턴을 갖는다. 1개의 칩 영역은, 제조되는 1개의 칩(다이)에 대응한다. 조명계 제어부(8)에 의해 시야 조리개(5)의 조리개 개구의 위치 및 크기를 제어함으로써, 원판(9)의 복수의 칩 패턴 영역 중 조명할 칩 패턴 영역이 선택될 수 있다.
투영 광학계(10)는, 예를 들어 굴절형 또는 카타디오프릭계 등의 투영 광학계이고, 포토레지스트가 도포된 감광성의 기판(15) 상의 1개의 샷 영역에, 원판(9)의 패턴의 상을 축소 배율 β(예를 들어 β=1/2)로 축소 투영한다. 투영 광학계(10)의 동공면(원판(9)에 대한 푸리에 변환면) 상에는, 개구부가 대략 원형인 개구 조리개(11)가 배치되어 있다. 개구 조리개(11)의 개구부의 직경은, 구동부(12)에 의해 제어될 수 있다. 구동부(13)는, 투영 광학계(10) 내의 렌즈계 일부를 구성하고 있는 광학 소자를, 투영 광학계(10)의 광축을 따라 이동시킨다. 이에 의해, 투영 광학계(10)의 모든 수차의 증대를 방지하면서, 투영 배율을 양호하게 하여, 왜곡 오차를 저감시키고 있다. 투영계 제어부(14)는, 주 제어부(3)에 의한 제어 하, 구동부(12) 및 구동부(13)을 제어한다.
기판(15)(웨이퍼)을 보유 지지하는 기판 스테이지(16)는, 적어도 투영 광학계(10)의 광축에 대하여 수직인 평면 상에서 이동 및 회전이 가능하게 구성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 기판 스테이지(16)는, 3차원 방향으로 이동 가능하고, 투영 광학계(10)의 광축 방향(Z 방향) 및 Z 방향과 직교하는 면 내(X-Y면)를 이동할 수 있다. 본 명세서에서는, 투영 광학계(10)의 광축과 평행하고 또한 기판(15)으로부터 원판(9)을 향하는 방향을 Z축이라 하고, Z축과 직교하는 방향에 X축을 취하고, Z축 및 X축과 직교하는 방향에 Y축을 취한다. Y축은 지면 내에 있고, X축은 지면에 대하여 수직으로 지면 앞쪽 방향이다. 기판 스테이지(16)에 고정된 이동 거울(17)과의 사이를 레이저 간섭계(18)로 계측함으로써 기판 스테이지(16)의 X-Y 면 내의 위치가 검출된다. 또한, 얼라인먼트 계측계(24)를 사용하여, 기판(15)과 기판 스테이지(16)의 위치 어긋남이 계측된다.
스테이지 제어부(20)는, 주 제어부(3)에 의한 제어 하, 얼라인먼트 계측계(24)에 의한 계측의 결과에 기초하여 구동부(19)를 제어함으로써, 기판 스테이지(16)를 소정의 X-Y 면 내의 위치로 이동시킨다. 주 제어부(3), 투영계 제어부(14), 스테이지 제어부(20) 및 조명계 제어부(8)는, 노광 장치(100)의 제어부(C)를 구성하고 있다. 주 제어부(3)는, 예를 들어 CPU(31) 및 메모리(32)를 포함하는 컴퓨터 장치로 구성될 수 있다. 또한, 주 제어부(3)에 유저 인터페이스가 되는 입력 장치(33)(키보드, 마우스, 터치 패널 등) 및 출력 장치(34)(표시 장치, 음성 출력 장치 등)가 접속되어 있다. 또한, 제어부(C)는, 노광 장치를 수용하는 도시하지 않은 챔버의 내부에 배치되어도 되고, 챔버의 외부에 배치되어 있어도 된다.
투광기(21) 및 수광기(22)는, 포커스 면 검출 장치를 구성하고 있다. 투광기(21)는 기판(15) 상의 포토레지스트를 감광시키지 않는 광을 투광하고, 그 광은 기판 상에서 반사된다. 기판(15)에서 반사된 광은, 수광기(22)에 입사된다. 수광기(22) 내에는 도시하지 않은 수광 소자가 배치되어 있고, 투영 광학계(10)의 광축 방향에 있어서의 기판면의 위치 어긋남은, 수광 소자 상에 입사하는 광의 위치 어긋남으로서 계측된다.
실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성은 대략 이상과 같은 것이다. 노광 장치(100)는, 스텝 앤드 리피트(스테퍼) 방식 또는 스텝 앤드 스캔(스캐너) 방식에 의한 노광을 실행할 수 있다. 이들의 방식은, 투영 광학계(10)의 광축과 직교하는 방향으로 기판(15)을 스텝 이동시켜, 투영 광학계(10)의 투영 범위에 위치시킨 기판(15) 상의 샷 영역(이하, 단순히 「샷」이라고도 한다.)에 원판(9)의 패턴상을 순차 노광하는 것이다.
도 2는, 시야 조리개(5)의 구성을 도시하는 도면이다. 시야 조리개(5)는, 조명 영역(205)을 네모난 형상으로 제한하는 4개의 블레이드를 갖는다. 4개의 블레이드는, 각각 X 방향으로 이동 가능한 XL 블레이드(201) 및 XR 블레이드(202)와, 각각 Y 방향으로 이동 가능한 YU 블레이드(203) 및 YD 블레이드(204)를 포함한다. 조명계 제어부(8)는, 각 블레이드를 독립적으로 제어할 수 있다. 또한, 도 1의 구성의 경우, 시야 조리개(5)의 위치에서는 절곡 미러에 의해 Z축과 Y축의 관계가 변환되고 있는 것에 유의하길 바란다. 즉, YU 블레이드(203) 및 YD 블레이드(204)는 실제로는, 원판(9)에 있어서의 조명 영역의 Y 방향에 관한 조정을 하기 위해서, Z 방향으로 이동된다.
도 3에는, 기판(15)의 샷 레이아웃의 예가 도시되어 있다. 여기에서는, 기판(15)의 평면 형상은 직사각형인 것이 상정되어 있다. 기판(15)에는 복수의 샷 영역이 형성되어 있다. 복수의 샷 영역은, 기판 중앙부에 위치하는 풀 샷 영역(이하 「FF」라고 약기하는 경우도 있다.)과, 기판 주변부에 위치하는 파셜 샷 영역(이하 「PF」라고 약기하는 경우도 있다.)을 포함할 수 있다. 도 3의 예에서는, 기판(15)의 중앙부에는 9×9=81개의 FF가 형성되어 있다. 상기한 바와 같이, 원판(9)에는, 서로 동일한 패턴을 갖는 복수의 칩 패턴 영역이 형성되어 있다. 81개의 FF 각각은, 원판(9)의 복수의 칩 패턴 영역의 전체가 투영되는 크기를 가진다. FF는, 원판(9)의 복수의 칩 패턴 영역에 대응하는 복수의 칩 영역을 갖는다. 도 3의 예에서는, 복수의 칩 영역은 4×4=16개의 칩 영역이다.
도 11에는, 원판(9)의 복수의 칩 패턴 영역과 기판(15)의 1개의 샷 영역에 있어서의 복수의 칩 영역의 대응 관계의 예가 도시되어 있다. 도 11에 있어서, 원판(9)에는 4×4=16개의 칩 영역이 형성되어 있고, 기판(15)의 1개의 풀 샷 영역에는, 거기에 대응하여 4×4=16개의 칩 영역이 형성되어 있다. 여기서, 예를 들어 원판(9)의 칩 패턴 영역(P1, P2, P3, P4) 각각에 대하여 풀 샷 영역에 있어서의 칩 영역(C1, C2, C3, C4)이 대응한다. 이와 같이, 풀 샷 영역은, 1개의 칩 패턴 영역에 1개의 칩 영역이 대응하도록, 복수의 칩 패턴 영역에 각각 대응하는 복수의 칩 영역을 갖는다.
도 3으로 설명을 되돌린다. PF는, 기판의 주변부에 위치하고 있음으로써 복수의 칩 영역의 일부가 결여되어 있는 영역이다. 기판의 유효 면적(패턴이 전사되는 영역의 면적)을 최대화하는 등의 목적으로, PF에도 노광 처리가 행하여진다.
도 4에는, 노광 장치(100)에 있어서의 노광 방법의 일례가 도시되어 있다. 이 동작은, 주 제어부(3)에 의해 제어될 수 있다.
S401에서, 주 제어부(3)는, 도시하지 않은 반송 기구를 제어하여 기판(15)을 노광 장치(100) 내에 반입한다. 기판(15)은 반송 기구에 의해 기판 스테이지(16) 상에 적재되고, 기판(15)은 기판 스테이지(16)에 의해 보유 지지된다.
S402에서, 주 제어부(3)는, 제어 정보(처리 레시피)를 취득한다. 제어 정보는, 예를 들어 기판(15)의 복수의 샷 영역의 배치를 도시하는 샷 레이아웃 정보, 각 샷 영역에 있어서의 복수의 칩 영역의 배치를 도시하는 칩 레이아웃 정보 등을 포함할 수 있다. 또한, 제어 정보는, 각 샷 영역이 FF인지 PF인지의 속성 정보도 포함할 수 있다.
주 제어부(3)는, S403에서, 처리 대상의 샷 영역 번호를 나타내는 변수 n을 0으로 초기화하고, S404에서, 변수 n을 1 증분한다.
S405에서, 주 제어부(3)는, 제어 정보에 기초하여, 제n 샷이 FF인지 PF인지를 판정한다. 제n 샷이 FF인 경우, 처리는 S406으로 진행하고, 제n 샷이 PF인 경우, 처리는 S407로 진행한다.
S406에서는, 주 제어부(3)는, FF인 제n 샷에, 원판(9)의 복수의 칩 패턴 영역이 투영되도록 기판 스테이지(16) 및 시야 조리개(5)를 제어한다.
S407에서는, 주 제어부(3)는, PF인 제n 샷에 있어서의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역 대신에, 결여되어 있는 일부의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역이 PF에 투영되도록 기판 스테이지(16)를 제어한다. 또한 이때, 주 제어부(3)는, 당해 PF의 인접한 FF가 차광되도록 시야 조리개(5)를 제어한다.
또한, S407은, 다음과 같이 제어되어도 된다. 즉, 주 제어부(3)는, 기판 스테이지(16) 및 시야 조리개(5)에 대하여 S406과 동일한 제어를 하면 원판(9)의 복수의 칩 패턴 영역 중 파셜 샷 영역인 제n 샷에 투영되는 칩 패턴 영역을 특정한다. 그리고, 주 제어부(3)는, 그 특정된 칩 패턴 영역 대신에 다른 칩 패턴 영역이 제n 샷에 투영되도록, 기판 스테이지(16) 및 시야 조리개(5)를 제어한다.
도 5 및 도 6을 참조하여, S407에 있어서의, PF의 노광 시에 있어서의 기판 스테이지(16) 및 시야 조리개(5)의 제어를 구체적으로 설명한다. 도 5는, PF를 S406의 FF와 동일하게 노광하는 종래예를 도시하고 있다. S406과 동일한 제어, 즉 FF의 노광 시와 동일한 제어를 하면, 기판 스테이지(16)는, PF 및 파선(도 5의 (a))으로 나타내는 기판 외의 영역이 노광되도록 구동되게 된다(도 5의 (b)). 이때, 원판(9)의 좌측의 칩 패턴 영역(9a)이 PF에 투영된다(도 5의 (c)). 이에 비해 본 실시 형태에서는, 다른 칩 패턴 영역, 예를 들어 도 6의 (c)에 도시하는 원판(9)의 우측의 칩 패턴 영역(9d)(결여되어 있는 일부의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역)이 PF에 투영되도록 기판 스테이지(16)가 구동된다(도 6의 (b)). 또한, 이때, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이, PF에 인접하는 샷 영역이 노광되지 않도록 시야 조리개(5)의 XL 블레이드(201)가 제어된다.
제1 풀 샷 영역(제1 FF)을 노광한 후에 해당 제1 FF의 인접한 제2 풀 샷 영역(제2FF)을 노광하는 경우에는, 주 제어부(3)는, 기판 스테이지(16)의 스텝 이동 폭을 풀 샷 영역의 크기에 대응하는 제1 폭으로 설정한다. 또한, 이때 주 제어부(3)는, 제1 FF 및 제2 FF의 각각에 복수의 칩 패턴 영역이 투영되도록 시야 조리개(5)를 제어한다.
한편, FF를 노광한 후에 해당 FF의 인접한 PF를 노광하는 경우, 주 제어부(3)는, PF에 있어서의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역 대신에, 결여되어 있는 일부의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역이 PF에 투영되도록 스텝 이동 폭을 제어한다. 이 경우, 스텝 이동 폭은, 제1 폭보다도 작은 제2 폭으로 변경된다. 또한, 주 제어부(3)는, PF의 노광 시에 인접한 FF가 차광되도록 시야 조리개(5)를 제어한다.
혹은, 제어 정보에 기초하여 PF의 사이즈를 아는 경우에는, 주 제어부(3)는, 다음과 같이 제어해도 된다. 즉, FF를 노광한 후에 해당 FF의 인접한 PF를 노광하는 경우, 주 제어부(3)는, 스텝 이동 폭을 제1 폭으로부터 당해 PF의 사이즈에 대응하는 제2 폭으로 변경한다. 또한, 주 제어부(3)는, PF의 노광 시에 인접한 FF가 차광되도록 시야 조리개(5)를 제어한다.
그 후, 주 제어부(3)는, S408에서, 제n 샷을 노광한다. S409에서, 주 제어부(3)는, 다음으로 노광해야 할 샷이 있는지를 판정한다. 다음 샷이 있는 경우, 처리는 S404로 되돌아가 처리가 반복된다. S409에서 최종 샷까지 처리가 완료되었다고 판정된 경우에는, S410에서, 주 제어부(3)는, 반송 기구를 제어하여 기판(15)를 장치 외로 반출한다.
이상의 노광 동작에 의하면, 파셜 샷 영역을 노광할 때의 기판 스테이지(16)의 구동 스트로크를 종래의 것에 비하여 작게 할 수 있다. 파셜 샷 영역을 노광할 때의 기판 스테이지(16)의 구동 스트로크를 작게 할 수 있는 만큼, 기판 스테이지의 풋프린트를 작게 할 수 있다.
<제2 실시 형태>
제2 실시 형태에서는, 도 1의 노광 장치(100)에서의 노광 처리에 있어서의 기판의 샷 레이아웃의 결정 방법의 예를 설명한다. 도 7에는, 기판의 복수의 샷 영역의 배치를 도시하는 샷 레이아웃의 결정 방법의 흐름도가 도시되어 있다. 이 흐름도에 대응하는 프로그램은 예를 들어 주 제어부(3)에 의해 실행될 수 있다. 구체적으로는, 이 흐름도에 대응하는 프로그램은 메모리(32)에 기억되어, CPU(31)에 의해 실행될 수 있다. 이 결정 방법에 의해, 기판 스테이지(16)의 구동 방향과 기판 면 내에서 그 구동 방향에 직교하는 방향과의 2개의 축에 관한 샷 영역의 수, 각 샷 영역의 위치 등이 결정된다.
여기에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 직사각형 형상을 갖는 기판이 상정되어 있고, X-Y 방향에 매트릭스상으로 배열된 복수의 샷 영역이 결정된다. 이하에서는, X 방향을 따르는 일렬의 샷 레이아웃을 계획하는 처리에 대하여 설명한다. Y 방향을 따르는 일렬의 샷 레이아웃을 계획하는 처리에 대해서는, X 방향의 계획과 마찬가지이기 때문에, 설명은 생략한다.
S701에 있어서, 주 제어부(3)는, 제어 정보를 취득한다. 제어 정보는, 예를 들어 이하의 정보를 포함할 수 있다.
·기판 사이즈: 기판의 X 방향의 한 변의 길이
·샷 사이즈: 풀 샷 영역의 X 방향의 한 변의 길이
·칩 사이즈: 칩 영역의 X 방향의 한 변의 길이
·샷 내의 X 방향 일렬의 칩수
·제1 샷: 샷 레이아웃을 결정할 때의 개시 샷.
제어 정보는, 네트워크 등을 통해 상위의 제어 서버 등으로부터 취득해도 되고, 입력 장치(33)를 통해 유저가 입력함으로써 취득해도 된다.
S702에서, 주 제어부(3)는, 기판 내의 일렬의 칩수를 구한다. 기판 내의 일렬의 칩수 TotalChipNum은, S701에서 설정된, 기판 사이즈, 샷 사이즈, 샷 내의 일렬의 칩수를 사용하여, 이하의 식 (1)로부터 구한다.
TotalChipNum=floor((WaferSize/FFSize)·FFChipNum) ···(1)
단, WaferSize는 기판의 X 방향의 사이즈, FFSize는 1 풀 샷 영역의 X 방향의 사이즈, FFChipNum은 1 풀 샷 영역 내의 일렬의 칩수를 나타낸다. 또한, floor()는, 괄호 내의 수치 이하의 가장 가까운 정수를 구하는 함수를 나타낸다.
이어서, S703에서, 주 제어부(3)는, 기판 일렬의 풀 샷 영역의 수 FFNum을, 이하의 식 (2)에 의해 산출한다.
FFNum=floor(WaferSize/FFSize) ···(2)
이어서, S704에 있어서, 주 제어부(3)는, 제어 정보에 기초하여, 주목 샷의 할당을 행한다. 이 S704에 있어서, 기판의 소정 위치를 기점으로 풀 샷 영역 및 파셜 샷 영역의 할당이 행하여진다. 기점이 되는 소정 위치란, 제어 정보로부터 얻어지는 제1 샷의 위치이고, 여기에서는, 제1 샷은 기판의 중심이다. 기판의 중심을 기점으로 해서 풀 샷 영역이 순차적으로 할당되어 감으로써, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판의 4변의 각각에 파셜 샷 영역이 분산된다.
여기서, 주 제어부(3)는, 주목 샷의 중심의 스테이지 위치(기판 스테이지(16)의 위치)를 산출한다. 여기서, 주목 샷이 PF인 경우에 있어서의 「주목 샷의 중심의 스테이지 위치」란, 당해 PF에 대하여 FF와 동일한 스텝 이동 폭으로 기판 스테이지를 제어했을 때의 스테이지 위치이다. 산출한 위치의 정보는, 메모리(32) 내의 샷별 배열로 저장된다. 여기서, 제1 샷이 기판 중심에 설정된 것을 상정한다. 또한, 기판 중심으로부터 X 방향으로 이격된 주목 샷을 N이라 하자. 주목 샷이 기판 중심에 위치하는 제1 샷일 때는 N=0이다. 주목 샷이 기판 중심으로부터 X 방향 +측(우측)으로 갈수록 N은 증가하고, -측(좌측)으로 갈수록 N은 감소한다. N이 취할 수 있는 범위는, 풀 샷 영역의 수 FFNum의 좌우측 단부에 어떤 2개의 파셜 샷 영역이 있는 것을 고려하여,
±(((FFNum+2)/2)+1)
이 된다. 단, 풀 샷 영역의 수 FFNum이 짝수인 경우, 샷의 위치 N을 취할 수 있는 범위는,
±(((FFNum+2)/2)+0.5)
가 된다.
주목 샷 N의 중심의 스테이지 위치 StagePos(N)은, 식 (3)에 의해 구해진다.
StagePos(N)=N·FFSize ···(3)
이어서, S705에서, 주 제어부(3)는, 주목 샷이 PF인지를 판정한다. 주목 샷이 PF인 경우, 처리는 S706으로 진행하고, 주목 샷이 PF가 아닌 FF인 경우, 처리는 S709로 진행한다.
S706에서는, 주 제어부(3)는, PF인 주목 샷(주목 파셜 샷)을 FF로서 처리한 경우(도 5의 (a) 참조.)의, 주목 파셜 샷 내의 일렬의 칩수 PFChipNum 및 기판 외의 일렬의 칩수 ExChipNum을 산출한다. 산출한 주목 파셜 샷 내의 칩수 PFChipNum 및 기판 외의 칩수 ExChipNum은, 다음의 S707에서 사용된다. 주목 파셜 샷 내의 칩수 PFChipNum은, 식 (4)로 구해진다.
PFChipNum=(TotalChipNum-(FFNum·FFChipNum))/2 ···(4)
또한, 기판 외의 칩수 ExChipNum은, 식 (5)로 구해진다.
ExChipNum=FFChipNum-PFChipNum ···(5)
이어서, S707에서, 주 제어부(3)는, 주목 파셜 샷의 스테이지 위치를 계산한다. 예를 들어, 주목 파셜 샷의 스테이지 위치를, 주목 파셜 샷에 대하여 풀 샷과 동일한 제어를 했을 때의 스테이지 위치 PosFF로부터, 기판 외의 칩 영역의 사이즈만큼, 내측으로 되돌린 위치로 한다. 주목 파셜 샷의 스테이지 위치를 PosPF, 1 칩 영역의 X 방향의 사이즈를 ChipSize라 하면, 주목 파셜 샷의 스테이지 위치는, 식 (6)으로 구해진다.
PosPF=PosFF-ExChipNum·ChipSize ···(6)
이 S707에 의해, 제어 정보로부터 구해지는 PF의 사이즈에 기초하여, 인접한 풀 샷 영역과 일부 중복하는 영역에 PF가 할당된다.
이어서, S708에서, 주 제어부(3)는, 시야 조리개(5)의 이동 폭(제어량)을 산출한다. 여기에서는, PF를 노광할 때에 인접한 FF가 차광되도록 시야 조리개(5)의 제어량이 결정된다. 주목 파셜 샷에 대하여 풀 샷과 동일한 제어를 했을 때의 스테이지 위치 PosFF를 기준으로 한 시야 조리개(5)(XL 블레이드(201))의 이동 폭 SW는, 식 (7)에 의해 구해진다.
SW=ExChipNum·ChipSize ···(7)
또한, 이것은, 기판 우측 단부의 파셜 샷에 있어서의 XL 블레이드(201)의 이동량에 대하여 설명했지만, 다른 블레이드도 마찬가지이다. 구체적으로는, 이하의 각각도, 식 (7)을 따라 구해진다.
·기판 좌측 단부의 파셜 샷에 있어서의 XR 블레이드(202)의 이동 폭,
·기판 상측 단부의 파셜 샷에 있어서의 YD 블레이드(204)의 이동 폭,
·기판 하측 단부의 파셜 샷에 있어서의 YU 블레이드(203)의 이동 폭.
이어서, S709에서, 주 제어부(3)는, 전체 샷만큼의 스테이지 위치 및 시야 조리개(5)의 이동 폭의 산출이 종료되었는지 판정한다. 전체 샷만큼의 산출이 종료된 경우, 처리는 S710으로 진행한다. 전체 샷만큼의 산출이 종료되지 않은 경우, 처리는 S704로 되돌아가, 다음의 샷에 대하여 처리를 반복한다.
S710에서, 제어부(3)는, 이상의 처리에 의해 얻어진 샷 레이아웃, 샷별 스테이지 위치 및 시야 조리개의 정보를 포함하는, 샷 레이아웃 데이터를 제어 정보(처리 레시피)로서 구성한다. 여기서, 구성된 샷 레이아웃 데이터의 정보가 출력 장치(34)에 표시되어도 된다.
도 8에는, 노광 장치(100)에 있어서의, 상기와 같이 해서 작성된 샷 레이아웃 데이터를 따르는 노광 방법의 흐름도가 도시되어 있다. 이 노광 방법은, 주 제어부(3)에 의해 제어될 수 있다.
S801에서, 주 제어부(3)는, 도시하지 않은 반송 기구를 제어하여 기판(15)을 노광 장치(100) 내에 반입한다. 기판(15)은 반송 기구에 의해 기판 스테이지(16) 상에 적재되고, 기판(15)은 기판 스테이지(16)에 의해 보유 지지된다.
S802에서, 주 제어부(3)는, 상기한 도 7의 플로를 따르는 방법에 의해 작성된 제어 정보(처리 레시피)를 취득한다. 그 후, 주 제어부(3)는, S803에서, 처리 대상의 샷 영역의 번호를 나타내는 변수 n을 0으로 초기화하고, S804에서, 변수 n을 1 증분한다.
S805에서, 주 제어부(3)는, 제어 정보에 따라 제n 샷의 노광을 위하여 기판 스테이지(16) 및 시야 조리개(5)를 제어한다. 그 후, 주 제어부(3)는, S806에서, 제n 샷을 노광한다. S807에서, 주 제어부(3)는, 다음으로 노광해야 할 샷이 있는지를 판정한다. 다음 샷이 있는 경우, 처리는 S804로 되돌아가 처리가 반복된다. S807에서 최종 샷까지 처리가 완료되었다고 판정된 경우, S808에서, 주 제어부(3)는, 반송 기구를 제어하여 기판(15)을 장치 외로 반출한다.
<제3 실시 형태>
제2 실시 형태에서는, 기판 상의 샷 레이아웃을 결정할 때의 개시 샷인 제1 샷을 기판의 중심으로 설정한 경우를 상정하여 설명했지만, 이하에서는, 제1 샷을 기판의 코너에 설정한 경우를 설명한다. 기판의 코너를 기점으로 순차적으로 샷을 할당해 감으로써, 기판의 코너로부터 이격된 2변에 파셜 샷 영역을 집중시킨다.
도 9는, 제1 샷을 기판의 좌측 상단부에 설정했을 때에 작성되는 샷 레이아웃의 예를 도시하는 도면이다. 제1 샷이 좌측 상단부 샷(61)에 설정되고, 그곳으로부터 차례로 샷이 할당되기 때문에, 파셜 샷 영역은 기판의 우변(우측 단부) 및 하변(하측 단부)에 집중한다. 종래 방법에 의하면, 기판의 우변의 파셜 샷 영역은, 샷(62)과 같이 할당되지만, 본 실시 형태에 따르면, 그 아래의 샷(62a)에 도시되는 바와 같이 할당된다. 이하에서는, 제1 샷을 기판의 코너에 설정한 경우의 몇몇 예를 도시한다.
(실시예 1)
실시예 1에서는, 제1 샷이 기판의 좌측 상단부에 설정된다. 여기에서는, 상기한 스테이지 위치를 산출하는 식 (3) 및 주목 파셜 샷 내의 일렬의 칩수를 산출하는 식 (4)를 각각, 이하의 식 (8) 및 식 (9)로 변경한다. 그 결과, 파셜 샷 영역을 기판의 우측 단부 및 하측 단부에 집중시킨 레이아웃을 작성할 수 있다. 여기서, 기판 좌측 상단부의 제1 샷으로부터 X 방향으로 이격된 주목 샷을 N이라 하자. 또한, 기판 좌측 상단부의 스테이지 위치를 POS_LU라 하자. 주목 샷이 풀 샷 영역인 경우, 주목 샷 N의 중심의 스테이지 위치 StagePos(N)는, 이하의 식 (8)에 의해 구해진다.
StagePos(N)=POS_LU+(N+0.5)·FFSize ···(8)
또한, 파셜 샷 영역인 주목 샷(주목 파셜 샷)을 풀 샷 영역으로서 처리한 경우의, 주목 파셜 샷 내의 일렬의 칩수 PFChipNum은, 이하의 식 (9)로 구해진다.
PFChipNum=TotalChipNum-FFNum·FFChipNum ···(9)
(실시예 2)
실시예 2에서는, 제1 샷이 기판의 우측 상단부에 설정된다. 여기에서는, 실시예 1에 있어서의 식 (8)을, 이하의 식 (10)으로 변경한다. 그 결과, 파셜 샷 영역을 기판의 좌측 단부 및 하측 단부에 집중시킨 레이아웃을 작성할 수 있다. 여기서, 기판 우측 상단부의 제1 샷으로부터 -X 방향으로 이격된 주목 샷을 N이라 하자. 또한, 기판 우측 상단부의 스테이지 위치를 POS_RU라 하자. 주목 샷이 풀 샷 영역인 경우, 주목 샷 N의 중심의 스테이지 위치 StagePos(N)는, 이하의 식 (10)에 의해 구해진다.
StagePos(N)=POS_RU-(N+0.5)·FFSize ···(10)
(실시예 3)
실시예 3에서는, 제1 샷이 기판의 좌측 하단부에 설정된다. 여기에서는, 실시예 1에 있어서의 식 (8)을, 이하의 식 (11)로 변경한다. 그 결과, 파셜 샷 영역을 기판의 좌측 단부 및 하측 단부에 집중시킨 레이아웃을 작성할 수 있다. 여기서, 기판 좌측 하단부의 제1 샷으로부터 X 방향으로 이격된 주목 샷을 N이라 하자. 또한, 기판 좌측 하단부의 스테이지 위치를 POS_LB라 하자. 주목 샷이 풀 샷 영역인 경우, 주목 샷 N의 중심의 스테이지 위치 StagePos(N)는, 이하의 식 (11)에 의해 구해진다.
StagePos(N)=POS_LB+(N+0.5)·FFSize ···(11)
(실시예 4)
실시예 4에서는, 제1 샷을 기판의 우측 하단부에 설정된다. 여기에서는, 실시예 1에 있어서의 식 (8)을, 이하의 식 (12)로 변경한다. 그 결과, 파셜 샷 영역을 기판의 우측 단부 및 하측 단부에 집중시킨 레이아웃을 작성할 수 있다. 여기서, 기판 우측 하단부의 제1 샷으로부터 -X 방향으로 이격된 주목 샷을 N이라 하자. 또한, 기판 우측 하단부의 스테이지 위치를 POS_RB라 하자. 주목 샷이 풀 샷 영역인 경우, 주목 샷 N의 중심의 스테이지 위치 StagePos(N)는, 이하의 식 (12)에 의해 구해진다.
StagePos(N)=POS_RB-(N+0.5)·FFSize ···(12)
(실시예 5)
실시예 5에서는, 제1 샷이 기판의 네 코너의 각각에 설정된다. 여기에서는, 기판을 4개의 영역으로 분할하고 분할된 영역마다 개별의 계산식을 사용하여, 각 샷의 스테이지 위치를 산출한다. 구체적으로는, 기판 좌측 상부의 영역에 있는 각 샷의 스테이지 위치는, 실시예 1에서 나타낸 식 (8)을 사용하여 구해진다. 기판 우측 상부의 영역에 있는 각 샷의 스테이지 위치는, 실시예 2에서 나타낸 식 (10)을 사용하여 구해진다. 기판 좌측 하부의 영역에 있는 각 샷의 스테이지 위치는, 실시예 3에서 나타낸 식 (11)을 사용하여 구해진다. 기판 우측 하부의 영역에 있는 각 샷의 스테이지 위치는, 실시예 4에서 나타낸 식 (12)를 사용하여 구해진다.
각 영역에서 스테이지 위치를 산출하는 각 샷의 수는, 이하와 같이 된다.
식 (2)에 의해 산출된 기판 일렬의 풀 샷 영역의 수 FFNum이 홀수인 경우, 풀 샷 영역에 대하여 N이 취할 수 있는 범위는, 기판 중앙의 샷인 (FFNum+1)/2까지가 된다. FFNum이 짝수인 경우, 풀 샷 영역에 대하여 N이 취할 수 있는 범위는, 1로부터 기판 중앙의 샷인 (FFNum/2)까지가 된다.
이어서, 제1 샷을 기판 우측 단부에 설정하고, 풀 샷 영역에 대하여 주목 샷 N의 중심의 스테이지 위치를 식 (10)을 사용하여 구한다. 식 (2)에 의해 산출된 기판 일렬의 풀 샷 영역의 수 FFNum이 홀수인 경우, 풀 샷 영역에 대하여 N이 취할 수 있는 범위는, 1로부터 기판 중앙의 샷인 (FFNum+1)/2까지가 된다. FFNum이 짝수인 경우, 풀 샷 영역에 대하여 N이 취할 수 있는 범위는, 1로부터 (FFNum/2)까지가 된다.
이어서, 상기한 식 (9)를 사용하여, 주목 파셜 샷 내의 일렬의 칩수 PFChipNum을 구한다. 이어서, 시야 조리개(5)에 있어서의 블레이드의 이동 폭 SW를, 이하의 식 (13)에 의해 구한다.
SW=PFChipNum·ChipSize ···(13)
(실시예 6)
도 10은, 원형 기판에 대한 샷 레이아웃의 예를 도시하는 도면이다. 파셜 샷 영역에 대하여 풀 샷 영역과 마찬가지의 제어를 행하는 종래 방법에 의하면, 파셜 샷 영역은, 도 10의 샷(72)과 같이 할당된다. 이에 비해 본 실시예에 의하면, 샷(73)과 같이, 스테이지 위치가 샷(72)보다도 기판 중심측에 가까워져, 이미 노광을 마친 영역이 다시 노광되지 않도록 사선으로 도시된 영역(73a)이 차광되도록 시야 조리개(5)를 제어한다. 원형 기판에 대한 샷의 이동량 및 시야 조리개(5)의 이동 폭의 산출은, X 방향 및 Y 방향 각각에 대하여 행함으로써, 상술한 실시 형태와 마찬가지로 행할 수 있다.
(실시예 7)
여기에서는, 이미 하지 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 노광하는 경우를 생각한다. 이 경우, 상술한 실시예 1의 식 (8)을 적용하여 스테이지 위치를 구함에 있어서는, 식(8)의 기판 좌측 상단부의 스테이지 위치를 나타내는 POS_LU를, 「하지의 좌측 상단 샷의 위치」로 치환한다. 마찬가지로, 제1 샷의 위치를 변경함으로써, 실시예 2 내지 실시예 6에 대해서, 샷 레이아웃을 작성할 수 있다.
(실시예 8)
실시예 7에서 작성한 레이아웃의 일부분에 대하여 하지 패턴의 단부에 맞추어 샷을 배치하면, 샷수가 적어지는 레이아웃을 작성할 수 있다.
<스테이지 구동 범위보다 큰 기판이 사용된 경우에 대해서>
종래는 파셜 샷 영역에 대해서도 풀 샷 영역과 마찬가지의 제어를 행하고 있었다. 이에 비해, 이상 설명한 여러가지의 실시 형태에 따르면, 파셜 샷 영역에 있어서, 스테이지 위치가 종래보다도 기판 내측에 가까워져, 이미 노광을 마친 영역이 다시 노광되지 않도록 시야 조리개(5)를 제어한다. 이상의 노광 동작에 의하면, 파셜 샷 영역을 노광할 때의 기판 스테이지(16)의 구동 스트로크를 종래보다 작게 할 수 있다.
또한, 근년에는, 사용되는 기판의 형상 및 크기가 점점 다양화되고 있고, 예를 들어 당초 상정되어 있는 것보다 큰 기판이 사용되는 경우도 있을 수 있다. 당초 상정되어 있는 것보다 큰 기판이 사용된 경우, 기판 스테이지의 구동 범위가 기판의 크기를 커버할 수 없어, 종래 방법으로는 기판의 주변 영역(즉 파셜 샷 영역)을 노광할 수 없는 경우도 있다. 이러한 경우에, 상술한 실시 형태를 적용함으로써, 파셜 샷 영역을 노광할 수 있다.
예를 들어, 도 4의 S405에서, 제n 샷이 FF인지 PF인지를 판정하는 대신에, 제n 샷의 중심의 기판 스테이지의 위치가 기판 스테이지의 구동 범위 내인지 구동 범위 외인지를 판정한다. 제n 샷의 중심의 기판 스테이지의 위치가 기판 스테이지의 구동 범위 외인 경우, 제n 샷은 PF로 간주하여 S407과 마찬가지의 처리가 실행된다.
또한, 샷 레이아웃 작성 처리에 있어서는, 도 7의 S705에서, 주목 샷이 FF인지 PF인지를 판정하는 대신에, 주목 샷의 중심 기판 스테이지의 위치가 기판 스테이지의 구동 범위 내인지 구동 범위 외인지를 판정한다. 주목 샷이 PF인 경우, 「주목 샷의 중심 기판 스테이지의 위치」는 기판 스테이지의 구동 범위 외가 될 수 있다. 주목 샷의 중심 기판 스테이지의 위치가 기판 스테이지의 구동 범위 외인 경우, 주목 샷은 PF로 간주하여 S706 내지 S708이 실행된다.
<물품 제조 방법의 실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 따른 물품 제조 방법은, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 기판에 도포된 감광제에 상기의 노광 장치를 사용하여 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용의 적어도 하나에 있어서 유리하다.
<다른 실시 형태>
본 발명은, 상술한 실시 형태의 1 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통해 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리에서도 실현 가능하다. 또한, 1 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실현 가능하다.
발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것은 아니고, 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 밝히기 위해 청구항을 첨부한다.
100: 노광 장치
1: 광원
3: 주 제어부
4: 조명 광학계
9: 레티클
10: 투영 광학계
15: 기판
16: 기판 스테이지

Claims (8)

  1. 기판의 복수의 샷 영역의 각각에 원판의 패턴을 투영하여 상기 기판을 노광하는 노광 장치이며,
    상기 기판을 보유 지지하여 이동하는 기판 스테이지와,
    상기 원판에 있어서의 조명 영역을 규정하는 시야 조리개와,
    상기 기판 스테이지 및 상기 시야 조리개를 제어하는 제어부를
    갖고,
    상기 원판은, 복수의 칩 패턴 영역을 갖고, 상기 복수의 칩 패턴 영역은, 서로 동일한 패턴을 갖고,
    상기 복수의 샷 영역은, 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되는 크기의 풀 샷 영역을 포함하고, 상기 풀 샷 영역은, 1개의 칩 패턴 영역에 1개의 칩 영역이 대응하도록, 상기 복수의 칩 패턴 영역에 각각 대응하는 복수의 칩 영역을 갖고,
    상기 복수의 샷 영역은, 상기 기판의 주변부에 위치하고 있음으로써 상기 복수의 칩 영역의 일부가 결여되어 있는 파셜 샷 영역을 더 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 풀 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 풀 샷 영역에 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되도록 상기 기판 스테이지 및 상기 시야 조리개를 제어하고,
    상기 파셜 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 파셜 샷 영역에 있어서의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역 대신에 상기 결여되어 있는 일부의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역이 상기 파셜 샷 영역에 투영되도록 상기 기판 스테이지를 제어함과 함께, 상기 파셜 샷 영역의 인접한 풀 샷 영역이 차광되도록 상기 시야 조리개를 제어하는,
    것을 특징으로 하는 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    제1 풀 샷 영역을 노광한 후에 해당 제1 풀 샷 영역의 인접한 제2 풀 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 기판 스테이지의 스텝 이동 폭을 상기 풀 샷 영역의 크기에 대응하는 제1 폭으로 설정하고, 또한, 상기 제1 풀 샷 영역 및 상기 제2 풀 샷 영역의 각각에 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되도록 상기 시야 조리개를 제어하고,
    풀 샷 영역을 노광한 후에 해당 풀 샷 영역의 인접한 파셜 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 파셜 샷 영역에 있어서의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역 대신에 상기 결여되어 있는 일부의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역이 상기 파셜 샷 영역에 투영되도록, 상기 기판 스테이지의 스텝 이동 폭을 상기 제1 폭으로부터 해당 제1 폭보다 작은 제2 폭으로 변경하고, 또한, 상기 파셜 샷 영역의 노광 시에 상기 풀 샷 영역이 차광되도록 상기 시야 조리개를 제어하는,
    것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    제1 풀 샷 영역을 노광한 후에 해당 제1 풀 샷 영역의 인접한 제2 풀 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 기판 스테이지의 스텝 이동 폭을 상기 풀 샷 영역의 크기에 대응하는 제1 폭으로 설정하고, 또한, 상기 제1 풀 샷 영역 및 상기 제2 풀 샷 영역의 각각에 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되도록 상기 시야 조리개를 제어하고,
    풀 샷 영역을 노광한 후에 해당 풀 샷 영역의 인접한 파셜 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 기판 스테이지의 스텝 이동 폭을 상기 제1 폭으로부터 상기 파셜 샷 영역의 사이즈에 대응하는 제2 폭으로 변경하고, 또한, 상기 파셜 샷 영역의 노광 시에 상기 풀 샷 영역이 차광되도록 상기 시야 조리개를 제어하는,
    것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 기판의 복수의 샷 영역의 각각에 원판의 패턴을 투영하여 상기 기판을 노광하는 노광 방법이며,
    상기 원판은, 복수의 칩 패턴 영역을 갖고, 상기 복수의 칩 패턴 영역은, 서로 동일한 패턴을 갖고,
    상기 복수의 샷 영역은, 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되는 크기의 풀 샷 영역을 포함하고, 상기 풀 샷 영역은, 1개의 칩 패턴 영역에 1개의 칩 영역이 대응하도록, 상기 복수의 칩 패턴 영역에 각각 대응하는 복수의 칩 영역을 갖고,
    상기 복수의 샷 영역은, 상기 기판의 주변부에 위치하고 있음으로써 상기 복수의 칩 영역의 일부가 결여되어 있는 파셜 샷 영역을 더 포함하고,
    상기 노광 방법은,
    상기 풀 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 풀 샷 영역에 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되도록, 상기 기판을 보유 지지하여 이동하는 기판 스테이지와, 상기 원판에 있어서의 조명 영역을 규정하는 시야 조리개를 제어하는 공정과,
    상기 파셜 샷 영역을 노광하는 경우, 상기 파셜 샷 영역에 있어서의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역 대신에 상기 결여되어 있는 일부의 칩 영역에 대응하는 칩 패턴 영역이 상기 파셜 샷 영역에 투영되도록 상기 기판 스테이지를 제어함과 함께, 상기 파셜 샷 영역의 인접한 풀 샷 영역이 차광되도록 상기 시야 조리개를 제어하는 공정을
    포함하는, 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  5. 원판의 패턴을 기판에 투영하여 상기 기판을 노광하는 노광 처리에 있어서의, 상기 기판의 샷 레이아웃을 결정하는 결정 방법이며,
    상기 원판은, 복수의 칩 패턴 영역을 갖고, 상기 복수의 칩 패턴 영역은, 서로 동일한 패턴을 갖고,
    상기 기판의 복수의 샷 영역은, 상기 복수의 칩 패턴 영역이 투영되는 크기의 풀 샷 영역을 포함하고, 상기 풀 샷 영역은, 1개의 칩 패턴 영역에 1개의 칩 영역이 대응하도록, 상기 복수의 칩 패턴 영역에 각각 대응하는 복수의 칩 영역을 갖고,
    상기 복수의 샷 영역은, 상기 기판의 주변부에 위치하고 있음으로써 상기 복수의 칩 영역의 일부가 결여되어 있는 파셜 샷 영역을 더 포함하고,
    상기 결정 방법은,
    상기 기판의 사이즈, 상기 풀 샷 영역의 사이즈 및 칩 영역의 사이즈를 포함하는 제어 정보에 기초하여, 상기 기판의 소정 위치를 기점으로 상기 풀 샷 영역 및 상기 파셜 샷 영역의 할당을 행하는 할당 공정을 갖고,
    상기 할당 공정은,
    상기 파셜 샷 영역의 할당을 행하는 경우, 상기 제어 정보로부터 구해지는 상기 파셜 샷 영역의 사이즈에 기초하여, 인접한 풀 샷 영역과 일부 중복하는 영역에 상기 파셜 샷 영역을 할당하는 공정과,
    상기 파셜 샷 영역을 노광할 때에 상기 인접한 풀 샷 영역이 차광되도록, 상기 원판에 있어서의 조명 영역을 규정하는 시야 조리개의 제어량을 결정하는 공정을
    포함하는, 것을 특징으로 하는 결정 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 할당 공정은, 직사각형 형상을 갖는 기판의 중심을 상기 소정 위치로 하고, 해당 소정 위치를 기점으로 순차적으로 샷 영역을 할당해 감으로써, 상기 기판의 4변의 각각에 파셜 샷 영역을 분산시키는, 것을 특징으로 하는 결정 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 할당 공정은, 직사각형 형상을 갖는 기판의 코너를 상기 소정 위치로 하고, 해당 소정 위치를 기점으로 순차적으로 샷 영역을 할당해 감으로써, 상기 기판의 상기 코너로부터 이격된 2변에 파셜 샷 영역을 집중시키는, 것을 특징으로 하는 결정 방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 공정과,
    상기 노광된 기판을 현상하는 공정을
    포함하고, 상기 현상된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
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