KR20220064660A - 이중 주파수 튜너 제어가 가능한 마그네트론 - Google Patents

Abstract

본 발명에서는, 음극(Cathode)와 양극(Anode)를 포함하는 이극관; 상기 이극관에 인가되는 전기장을 가변시키는 하나 또는 둘 이상의 튜너; 상기 튜너를 구동하여 상기 튜너의 갭(gap)을 조정하는 튜너 구동부; 및 상기 튜너 구동부의 동작을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론을 개시한다.

Description

이중 주파수 튜너 제어가 가능한 마그네트론 {Magnetron with Dual Frequency Tuner Control}

본 발명은 마그네트론에 관한 것으로, 보다 구체적으로 본 발명은 마그네트론에 구비되는 하나 또는 둘 이상의 튜너(tuner)를 구동하여 상기 튜너의 갭(gap)을 조정하는 튜너 구동부와 상기 튜너 구동부의 동작을 제어하는 제어부를 구비하여 마그네트론의 출력 주파수를 효율적으로 조정할 수 있는 마그네트론에 관한 것이다.

마그네트론(Magnetron)은 전기장과 자기장이 서로 수직으로 인가되는 교차장(Crossed Field)이 존재하는 고진공속에서 발생된 전자빔(Eletron Beam)의 전기에너지를 고출력 전자기파(Electromagnetic Wave) 에너지로 변환하여 방사하는, 고효율, 고출력의 전자기파 발생장치이다.

이러한 마그네트론은 1930년대 최초로 고안되었으며, 제2차 세계대전을 기점으로 레이더(Radar) 응용을 위해 영국과 미국을 중심으로 본격적으로 연구개발되기 시작하여, 현재에는 마그네트론의 특성을 이용한 산업, 국방, 의료, 환경, 과학, 에너지 분야 등에서 폭넓게 활용되고 있다.

통상적으로 마그네트론은 전자빔을 발생시키는 음극(Cathode)과 일정한 동작주파수를 갖는 공진회로(Resonator), 그리고 공진회로에서 발생된 전자기파를 외부로 방사시키기 위한 안테나 구조를 갖는 출력부로 구성될 수 있다. 보다 구체적으로는 음극과 양극 사이에 인가되는 전압에 의한 전기장과, 축 방향으로 인가되는 자기장에 의해, 음극에서 발생된 전자빔은 로렌츠 힘(Lorentz Force)에 따라 각 방향으로 회전운동을 하게 된다. 이 때, 회전 운동하는 전자빔은 공진회로와 특정 주파수에서 공진이 일어나고, 이를 통해 공간적으로 AC 성분을 형성하게 된다. 이러한 전자빔이 갖는 AC 성분에 의하여 공진회로 안에서 동작주파수를 갖는 전자기파가 발생되고, 발생된 전자기파는 안테나로 구성된 출력부를 통해 외부로 방사된다. 이때 마그네트론에서 발생되는 전자기파의 주파수는 공진을 일으키는 조건에 따라, 마이크로파(Microwave) 대역부터 테라헤르츠파(Terahertz wave) 대역까지의 전자기파를 발생시킬 수 있다.

일례로, 고출력 마그네트론의 경우, 선형가속기(LINAC)와 결합하여 선형가속기 내에 고출력의 RF를 공급하여 전자빔을 가속시키는데 사용되며, 위에서 설명한 바와 같이 이 경우 연결된 선형가속기에서 최대의 전자빔을 가속시키기 위해서는 선형가속기의 공진주파수와 인가되는 마그네트론의 주파수를 맞추어 주어야 한다.

이를 위해 고출력 마그네트론의 경우, 통상적으로 한쪽 부분에 튜너(Tuner)를 설치하고, 튜너(Tuner) 내의 갭(Gap) 거리에 따른 전기장 변화를 이용하여 마그네트론에서 발진되는 주파수를 조절하고 있다. 이러한 경우, 주파수 가변을 위해 갭(Gap)이 멀어질수록 주파수 증가와 더불어 출력이 상승하게 되나, 갭(Gap)이 일정 거리를 벗어날 경우 발진이 급격히 불안해진다는 단점이 있다. 따라서, 현재 사용되는 고출력 마그네트론의 경우 안정적인 발진을 유지하기 위해 주파수 가변폭을 약 10Mhz이내에서 사용하는 등, 최대 주파수 가변폭에 대해 한계가 있는 실정이다.

나아가, 종래에는 통상적으로 동작 환경에서 요구되는 주파수에 따라 작업자가 상기 튜너(Tuner)의 갭(Gap)을 수작업을 통해 조정하였으나, 이러한 경우 주파수 조정 작업에 많은 시간이 소요될 수 있을 뿐만 아니라 작업자의 숙련도에 따라 주파수 조정에 오차가 발생할 수 있으며, 나아가 작업자가 마그네트론의 다양한 동작 상황에 따라 수작업으로 최적 설정하는 것이 어려워 마그네트론을 동작 환경에 따라 최적 상태에서 운용하지 못하는 문제가 따를 수 있었다.

대한민국 등록특허공보 제10-1588690호

본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론은, 하나 이상의 튜너(tuner)를 제어하여 전기장 변화를 이용해 보다 넓은 범위의 주파수 변화를 구현하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론은, 상기 하나 이상의 튜너(tuner)를 구동할 수 있는 튜너 구동부와 이를 제어하는 제어부를 구비하여 마그네트론의 출력 주파수를 자동적으로 조정하는 것을 목적으로 한다.

나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론은, 동작 상황에 따라 상기 튜너 구동부를 이용해 튜너를 구동시켜 최적 상태에서 작동하도록 제어하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론은, 음극(Cathode)와 양극(Anode)를 포함하는 이극관; 및 상기 이극관에 인가되는 전기장을 가변시키는 하나 이상의 튜너; 상기 튜너를 구동하여 상기 튜너의 갭(gap)을 조정하는 튜너 구동부; 및 상기 튜너 구동부의 동작을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론은, 상기 튜너가 두개 구비되는 이중 튜너 구조를 구비하며, 상기 튜너 구동부는 상기 이중 튜너 구조를 구동하여 튜닝 구조를 구동하는 튜닝 구조 구동부를 더 포함하여 마그네트론의 출력 및 주파수를 조절할 수 있다.

또한, 상기 제어부에서 마그네트론의 출력 및 주파수를 미리 설정된 기준값으로 제어하기 위하여 상기 튜너닝 구조 구동부를 제어할 수 있다.

또한, 상기 제어부에서는 마그네트론의 동작 중 발생할 수 있는 출력 및 주파수의 변화를 감소시키기 위하여 피드백 제어를 수행할 수 있다.

또한, 상기 튜너 구조 구동부에는 상기 튜너닝 구조의 파손을 방지하기 위해 미리 정해진 갭(gap)회전 수 이상 구동되지 않도록 하는 보호 장치가 내장될 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 고출력 전자기파 발생용 마그네트론 시스템은, 상기 기재된 마그네트론이 적용되어 구성될 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자빔 가속용 선형가속기 시스템은, 상기 기재된 마그네트론이 적용되어 구성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론은, 하나 이상의 튜너(tuner)를 제어하여 전기장 변화를 이용해 보다 넓은 범위의 주파수 변화를 구현할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론은, 상기 하나 이상의 튜너(tuner)를 구동할 수 있는 튜너 구동부와 이를 제어하는 제어부를 구비하여 마그네트론의 출력 주파수를 자동적으로 조정할 수 있다.

나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론은, 동작 상황에 따라 상기 튜너 구동부를 이용해 튜너를 구동시켜 최적 상태에서 작동하도록 제어할 수 있다.

본 발명을 통해 이뤄지는 기술적 효과들은 이상에서 언급한 기술적 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
1은 종래의 마그네트론에서의 튜닝 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 3과 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론의 동작을 설명하는 도면이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 이하에서는 특정 실시예들을 첨부된 도면을 기초로 상세히 설명하고자 한다.

이하의 실시예는 본 명세서에서 기술된 방법, 시스템 및/또는 시스템에 대한 포괄적인 이해를 돕기 위해 제공된다. 그러나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 상세한 설명에서 사용되는 용어는 단지 본 발명의 실시 예들을 기술하기 위한 것이며, 결코 제한적이어서는 안 된다. 명확하게 달리 사용되지 않는 한, 단수 형태의 표현은 복수 형태의 의미를 포함한다. 본 설명에서, "포함" 또는 "구비"와 같은 표현은 어떤 특성들, 숫자들, 단계들, 동작들, 요소들, 이들의 일부 또는 조합을 가리키기 위한 것이며, 기술된 것 이외에 하나 또는 그 이상의 다른 특성, 숫자, 단계, 동작, 요소, 이들의 일부 또는 조합의 존재 또는 가능성을 배제하도록 해석되어서는 안 된다.

또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.

이하에서는, 본 발명에 따른 마그네트론(200)의 예시적인 실시 형태들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명에서는, 마그네트론(200)에 구비되는 하나 이상의 튜너(tuner)(220)를 구동하여 상기 튜너(220)의 갭(gap)을 조정하는 튜너 구동부(230)와 상기 튜너 구동부(230)의 동작을 제어하는 제어부(240)를 구비하여 마그네트론(200)의 출력 주파수를 효율적으로 조정할 수 있다. 이와 같은 마그네트론(200)에 대하여, 아래에서 도면을 참조하여 자세히 설명한다.

먼저, 도 1은 종래의 마그네트론(200)에서의 튜닝 구조를 나타낸 도면이다. 도시된 바와 같이, 종래의 마그네트론(200)에서의 튜닝 구조는, 하나의 튜너(220)를 이용하며, 해당 튜너(220)의 갭(Gap, G1)을 조절함으로써 전기장을 조절하여, 내부의 공진 주파수를 조절할 수 있다. 하지만, 이러한 경우, 주파수 가변 범위(대략 10Mhz)가 좁다는 문제점이 있으며, 이에 따라 주파수 가변에 따른 출력 또한 불안정해질 수 있다는 문제점이 있었다.

또한, 종래의 마그네트론(200)에서는 통상적으로 동작 환경에서 요구되는 주파수에 따라 작업자가 상기 튜너(220)의 갭(Gap)을 수작업을 통해 조정하였으나, 이러한 경우 주파수 조정 작업에 많은 시간이 소요될 수 있을 뿐만 아니라 작업자의 숙련도에 따라 주파수 조정에 오차가 발생할 수 있으며, 나아가 작업자가 마그네트론(200)의 다양한 동작 상황에 따라 수작업으로 최적 설정하는 것이 어려워 마그네트론(200)을 동작 상황에 따라 최적 상태에서 운용하지 못하는 문제가 따를 수 있었다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)의 구성을 나타내는 블록도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)은 이극관(210), 튜너(220), 튜너 구동부(230) 및 제어부(240)를 포함할 수 있다.

상기 이극관(210)은 음극(Cathode)과 양극(Anode)를 포함할 수 있으며, 상기 음극 및 양극으로 인가되는 전압에 의해, 음극에서 입자가 방출될 수 있다. 방출된 입자는, 마그네트론 내에 자석부(미도시) 등을 통해 인가되는 자기장에 의해, 로렌츠 힘에 따라 원 운동을 하게 되며, 또한 인가되는 전기장에 의해 가속 운동을 하게 된다.

상기 튜너(220)는 상기 이극관(210)에서의 전기장 분포를 가변시킬 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 이극관(210)과, 인가되는 자기장 및 전기장 등을 통해 회전 운동하는 입자들은 특정 주파수에서 공진이 일어나고, 이를 통해 공간적으로 AC 성분을 형성하게 된다. 이러한 입자들이 갖는 AC 성분에 의하여 일정 동작주파수를 갖는 전자기파가 발생되고, 발생된 전자기파는 출력부(미도시, 안테나 등으로 구성)를 통해 외부로 방사될 수 있다.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서는, 연결된 외부의 공진주파수와 주파수를 동일하게 하는 작업이 필요하며, 이를 위해 상기 튜너(220)를 이용할 수 있다. 상기 작업은, 상기 튜너(220)의 갭(Gap)을 조절함에 따라, 등가회로의 커패시턴스가 달라지게 되는 것을 이용하여 수행될 수 있다. 즉, 공진주파수는

에 비례하므로, 튜너(220)의 갭(Gap) 조절에 따라 변화되는 커패시턴스를 이용하여 공진주파수를 조절할 수 있게 된다.

또한, 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)은 복수개의 튜너(220)를 포함할 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이때, 상기 복수개의 튜너(220)를 이용하여 마그네트론(200)의 공진기 내부 전기장을 변화시킴으로써 보다 넓은 범위의 주파수를 가변할 수 있다. 나아가, 상기 복수개의 튜너(220)로서 2개의 튜너(220)를 서로 대칭하게 위치시키는 것이 주파수 변화 및 출력 크기 면에서 바람직하다.

또한, 상기 마그네트론(200)의 출력 주파수 및 출력 전력은, 상기 튜너(220)의 갭(Gap)에 의해 결정될 수 있다. 즉, 상기 갭 조절에 따른 커패시턴스 변화에 기초하여, 공진주파수를 변화시킬 수 있으며, 나아가 대칭되는 두 개의 튜너(220)가 구비되는 경우, 개별적인 튜너(220)의 갭에 대한 조절을 통해, 공진주파수 및 출력 전력을 변화시킬 수 있다.

이때, 상기 복수의 튜너(220)를 동시에 제어하여 주파수 가변 범위 및 가변 속도를 개선할 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 복수의 튜너(220) 중 일부는 고정한 상태에서 일부만을 구동하면서 동작시키는 것도 가능하다.

한편, 상기 튜너(220)는 이극관(210)의 양극(Anode) 측면과 연결되어, 전기장을 변화시킬 수 있다.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)은, 서로 대칭하게 위치된 2개의 튜너 구조를 포함할 수 있다.

보다 구체적으로는, 상기 2개의 대칭된 튜너 구조(220a, 220b)에 기초하여, 각 튜너의 갭(G1, G2)을 조절함으로써, 상기 이극관 내에 형성된 전기장의, 공진주파수 및 출력을 변화시킬 수 있다.

또한, 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에는, 상기 튜너(220)를 구동하여 상기 튜너(220)의 갭(gap)을 조정하는 튜너 구동부(230) 및 상기 튜너 구동부(230)의 동작을 제어하는 제어부(240)가 구비될 수 있다.

이때, 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 튜너 구동부(230)는 모터 등 상기 튜너(220)의 일부 구조물을 구동하여 캐패시턴스 등을 조절할 수 있는 모터 등을 포함하여 구성될 수 있으며, 나아가 상기 복수의 튜너(220a, 220b)에 대응하여 복수의 튜너 구동부(230a, 230b)가 구비될 수도 있다.

이때, 상기 복수의 튜너 구동부(230a, 230b)를 동시에 제어하여 주파수 가변 범위 및 가변 속도를 개선할 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 복수의 튜너 구동부(230) 중 일부는 정지시킨 상태에서 일부만을 작동시키는 것도 가능하다.

또한, 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 복수의 튜너 구동부(230a, 230b)에 대응하여 복수의 제어부(240a, 240b)가 구비될 수 있다.

나아가, 본 발명에는 상기 마그네트론(200)의 주파수 및 출력을 검출하는 검출부(250)가 구비될 수 있으며, 이때 상기 제어부(240)는 상기 검출부(250)에서 검출된 상기 마그네트론(200)의 주파수 또는 출력 데이터를 고려하여 상기 복수의 튜너 구동부(230a, 230b)의 동작을 제어할 수 있다.

이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서는, 작업자자 설정한 주파수 및 출력 등 설정치를 고려하여 상기 튜너 구동부(230)의 동작을 제어하여 튜너(220)를 구동하여 줌으로써, 상기 마그네트론(200)의 주파수 또는 출력 등을 자동적으로 조절할 수 있게 된다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서는, 상기 검출부(250)에서 검출되는 상기 마그네트론(200)의 주파수 또는 출력 등을 고려하여 상기 튜너 구동부(230)의 동작을 제어하여 튜너(220)를 구동하여 줌으로써, 상기 마그네트론(200)의 주파수 또는 출력 등을 실시간으로 감지하면서 보다 정확하게 주파수 및 출력을 조절할 수 있게 된다.

나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서는, 설정된 주파수, 출력, 동작 모드 등에 따른 동작 상황에 따라 상기 튜너 구동부(230)의 동작을 제어하여 튜너(220)를 구동하여 줌으로써, 상기 마그네트론(200)이 최적 상태에서 작동하도록 제어할 수 있게 된다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서, 상기 제어부(240)에서는 마그네트론(200)의 동작 중 발생할 수 있는 출력 및 주파수의 변화를 감소시키기 위하여 피드백 제어를 수행할 수 있다.

이를 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서는, 상기 검출부(250)에서 검출되는 주파수 및 출력을 이용하여 상기 제어부(240)가 피드백 제어를 수행할 수 있다.

나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에는 측정부(260)가 구비되어, 상기 마그네트론(200)에서 생성되는 고주파 출력을 측정하여 상기 제어부(240)로 제공해 피드백 제어에 반영할 수 있다.

더 나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서 상기 검출부(250)는 상기 측정부(260)로부터의 반사파를 측정하여 상기 제어부(240)로 제공할 수도 있으며, 상기 제어부(240)에서는 상기 반사파를 고려하여 피드백 제어를 수행할 수도 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서는, 상기 튜너(220)가 두개 구비되는 이중 튜너 구조를 구비할 수 있으며, 이때 상기 튜너 구동부(230)는 상기 이중 튜너 구조를 구동하여 마그네트론(200)의 출력 및 주파수를 조절함으로써, 출력 및 주파수의 범위를 넓히고 보다 높은 정밀도로 제어하는 것이 가능하다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서는, 상기 제어부(240)에서 상기 튜너 구동부(230)를 제어하여 마그네트론(200)의 출력 및 주파수를 사용자의 입력 등으로 정해지는 미리 설정된 기준값으로 조정할 수 있다.

나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)에서, 상기 튜너 구동부(230)에는 상기 튜너(220)의 파손을 방지하기 위해 미리 정해진 갭(gap) 이상 구동되지 않도록 하는 보호 장치가 내장될 수 있다.

나아가, 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트론(200)은 고출력 전자기파 발생용 마그네트론 시스템에 적용되거나, 전자빔 가속용 선형가속기 시스템에 적용될 수도 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 고출력 마그네트론은, 복수개의 튜너를 이용한 전기장 조절을 개시함으로써, 보다 넓은 범위의 주파수 변화가 가능하며, 또한 출력 조절이 가능한 고출력 마그네트론을 구성할 수 있다. 이와 관련하여 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 일 예로, 튜너부(220)를 이용한 전기장 변화는 튜너 갭의 크기 및 길이 등이 위 예시에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 다양한 방향에서 변형되어 수행될 수 있다. 즉, 이상에서 기술한 실시예들은 한정적인 것이 아니며, 모든 면에서 예시적인 것으로 이해해야 한다.

이상에서 본 발명의 대표적인 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

200 : 마그네트론
210 : 이극관
220 : 튜너
230 : 튜너 구동부
240 : 제어부
250 : 검출부
260 : 측정부

Claims (7)

1. 음극(Cathode)와 양극(Anode)를 포함하는 이극관;
   상기 이극관에 인가되는 전기장을 가변시키는 하나 이상의 튜너;
   상기 튜너를 구동하여 상기 튜너의 갭(gap)을 조정하는 튜너 구동부; 및
   상기 튜너 구동부의 동작을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
2. 제1항에 있어서,
   상기 튜너가 두개 구비되는 이중 튜너 구조를 구비하며,
   상기 튜너 구동부는 상기 이중 튜너 구조를 구동하여 마그네트론의 출력 및 주파수를 조절하는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
3. 제1항에 있어서,
   상기 제어부에서 마그네트론의 출력 및 주파수를 미리 설정된 기준값으로 제어하기 위하여 상기 튜너 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
4. 제1항에 있어서,
   상기 제어부에서는 마그네트론의 동작 중 발생할 수 있는 출력 및 주파수의 변화를 감소시키기 위하여 피드백 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
5. 제1항에 있어서,
   상기 튜너 구동부에는 상기 튜너의 파손을 방지하기 위해 미리 정해진 갭(gap) 이상 구동되지 않도록 하는 보호 장치가 내장되는 것을 특징으로 하는 마그네트론.
6. 제1항에 기재된 마그네트론이 적용된 고출력 전자기파 발생용 마그네트론 시스템.
7. 제1항에 기재된 마그네트론이 적용된 전자빔 가속용 선형가속기 시스템.

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