KR20220051389A - Self-diagnosis method and test device of test device - Google Patents
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Abstract
본 개시에 따른 검사 장치(80)의 자기 진단 방법은, 배치하는 공정과, 조사하는 공정과, 수광하는 공정과, 광량의 이상을 판정하는 공정을 포함한다. 배치하는 공정은, 중합 기판(T)의 외주부를 유지하는 유지부로서, 광을 감쇠시키는 감쇠 부재(720)를 가지는 진단부(700)가 마련된 유지부(400)를 이동시킴으로써, 중합 기판에 광을 조사하는 조명부(610, 620)와 중합 기판을 촬상하는 촬상부(51, 520)와의 사이에 감쇠 부재를 배치한다. 조사하는 공정은, 배치하는 공정 후, 조명부로부터 설정 광량으로 광을 조사한다. 수광하는 공정은, 조사하는 공정 후, 조명부로부터 조사되어 감쇠 부재를 투과한 광을 촬상부를 이용하여 수광한다. 광량의 이상을 판정하는 공정은, 수광하는 공정 후, 촬상부에서 수광된 광의 수광량에 기초하여, 조명부로부터 조사되는 광의 광량의 이상을 판정한다.The self-diagnosis method of the inspection device 80 according to the present disclosure includes a step of arranging, a step of irradiating, a step of receiving light, and a step of determining an abnormality in the amount of light. In the arranging step, the holding unit 400 is provided with a diagnosis unit 700 having an attenuation member 720 for attenuating light as a holding unit holding the outer periphery of the polymerized substrate T by moving the holding unit 400, so that the light is applied to the polymerized substrate T. A damping member is disposed between the lighting units 610 and 620 for irradiating light and the imaging units 51 and 520 for imaging the polymerization substrate. In the irradiating step, after the arranging step, light is irradiated with a set light amount from the lighting unit. In the step of receiving light, after the step of irradiating, the light irradiated from the illumination unit and transmitted through the attenuation member is received using the imaging unit. In the step of determining the abnormality of the light amount, after the light receiving step, based on the received amount of the light received by the imaging unit, the abnormality of the light quantity of the light irradiated from the lighting unit is determined.
Description
본 개시는 검사 장치의 자기 진단 방법 및 검사 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a self-diagnosis method of a test apparatus and a test apparatus.
반도체 웨이퍼 등의 기판끼리를 접합함으로써 중합 기판을 형성하는 접합 장치와, 이 접합 장치에 의해 형성된 중합 기판의 검사를 행하는 검사 장치를 구비한 접합 시스템이 알려져 있다(특허 문헌 1 참조).DESCRIPTION OF RELATED ART A bonding system provided with the bonding apparatus which forms a polymeric substrate by bonding substrates, such as a semiconductor wafer, and the inspection apparatus which test|inspects the polymeric substrate formed by this bonding apparatus is known (refer patent document 1).
본 개시는, 검사 장치의 측정 정밀도의 유지를 용이하게 할 수 있는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique capable of facilitating maintenance of measurement accuracy of an inspection apparatus.
본 개시의 일태양에 따른 검사 장치의 자기 진단 방법은, 제 1 기판과 제 2 기판이 접합된 중합 기판을 검사하는 검사 장치의 자기 진단 방법으로서, 배치하는 공정과, 조사하는 공정과, 수광하는 공정과, 광량의 이상을 판정하는 공정을 포함한다. 배치하는 공정은, 중합 기판의 외주부를 유지하는 유지부로서, 광을 감쇠시키는 감쇠 부재를 가지는 진단부가 마련된 유지부를 이동시킴으로써, 유지부의 상방 및 하방 중 일방에 배치되고, 유지부에 유지된 중합 기판에 광을 조사하는 조명부와, 유지부의 상방 및 하방 중 타방에 있어서 조명부와 대향하는 위치에 배치되고, 유지부에 유지된 중합 기판을 촬상하는 촬상부와의 사이에, 감쇠 부재를 배치한다. 조사하는 공정은, 배치하는 공정 후, 조명부로부터 설정 광량으로 광을 조사한다. 수광하는 공정은, 조사하는 공정 후, 조명부로부터 조사되어 감쇠 부재를 투과한 광을 촬상부를 이용하여 수광한다. 광량의 이상을 판정하는 공정은, 수광하는 공정 후, 촬상부에서 수광된 광의 수광량에 기초하여, 조명부로부터 조사되는 광의 광량의 이상을 판정한다.A self-diagnostic method of an inspection apparatus according to an aspect of the present disclosure is a self-diagnosis method of an inspection apparatus that inspects a polymer substrate to which a first substrate and a second substrate are bonded, comprising: arranging; irradiating; It includes a process and the process of determining abnormality in the amount of light. In the disposing step, the holding unit for holding the outer periphery of the polymerized substrate is disposed on one of the upper and lower sides of the holding unit and held by the holding unit by moving the holding unit provided with a diagnostic unit having a damping member for attenuating light. The attenuation member is disposed between the illumination unit irradiating light to the light source and the imaging unit disposed at a position opposite to the illumination unit in the other of the upper and lower sides of the holding unit and capturing an image of the polymer substrate held in the holding unit. In the irradiating step, after the arranging step, light is irradiated with a set light amount from the lighting unit. In the step of receiving light, after the step of irradiating, the light irradiated from the illumination unit and transmitted through the attenuation member is received using the imaging unit. In the step of determining the abnormality of the light amount, after the light receiving step, based on the received amount of the light received by the imaging unit, the abnormality of the light quantity of the light irradiated from the lighting unit is determined.
본 개시에 따르면, 검사 장치의 측정 정밀도의 유지를 용이하게 할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to easily maintain the measurement accuracy of the inspection apparatus.
도 1은 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 제 1 기판 및 제 2 기판의 접합 전의 상태를 나타내는 모식도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 접합 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 검사 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 검사 장치의 유지부의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 6은 측정 마크의 촬상 방법의 일례를 나타내는 도이다.
도 7은 측정 마크의 일례를 나타내는 도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 감쇠 부재의 구성을 나타내는 도이다.
도 9는 감쇠 부재에 형성된 교정 마크의 일례를 나타내는 도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 제어 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 11은 접합 시스템이 실행하는 처리 중, 접합 장치에 의해 중합 기판이 형성될 때까지의 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 12는 광량 체크 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 13은 광축 체크 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the structure of the bonding system which concerns on embodiment.
It is a schematic diagram which shows the state before bonding of the 1st board|substrate and 2nd board|substrate which concern on embodiment.
It is a schematic diagram which shows the structure of the bonding apparatus which concerns on embodiment.
It is a schematic diagram which shows the structure of the inspection apparatus which concerns on embodiment.
It is a schematic diagram which shows the structure of the holding part of the inspection apparatus which concerns on embodiment.
It is a figure which shows an example of the imaging method of a measurement mark.
It is a figure which shows an example of a measurement mark.
8 is a diagram showing a configuration of a damping member according to an embodiment.
It is a figure which shows an example of the correction mark formed in the damping member.
10 is a block diagram showing the configuration of a control device according to an embodiment.
11 is a flowchart showing an example of a sequence of processing performed by the bonding system until the polymerization substrate is formed by the bonding apparatus.
12 is a flowchart showing an example of the procedure of the light amount check processing.
13 is a flowchart showing an example of the procedure of the optical axis check processing.
이하에, 본 개시에 따른 검사 장치의 자기 진단 방법 및 검사 장치를 실시하기 위한 형태(이하, ‘실시 형태’라 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시에 따른 검사 장치의 자기 진단 방법 및 검사 장치가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.Hereinafter, a form (hereinafter, referred to as an 'embodiment') for implementing the self-diagnosis method and the test apparatus of the test apparatus according to the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the self-diagnosis method and test apparatus of the test apparatus which concern on this indication are not limited by this embodiment. In addition, each embodiment can be combined suitably in the range which does not contradict a process content. In addition, in each following embodiment, the same code|symbol is attached|subjected to the same site|part, and overlapping description is abbreviate|omitted.
또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, ‘일정’, ‘직교’, ‘수직’ 혹은 ‘평행’과 같은 표현이 이용되는 경우가 있는데, 이들 표현은, 엄밀하게 ‘일정’, ‘직교’, ‘수직’ 혹은 ‘평행’인 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은, 예를 들면 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 오차를 허용하는 것으로 한다.In addition, in the embodiments shown below, expressions such as 'constant', 'orthogonal', 'vertical' or 'parallel' may be used in some cases, but these expressions are strictly 'constant', 'orthogonal', 'vertical' ' or 'parallel'. That is, it is assumed that each of the above expressions allows errors such as manufacturing precision and installation precision, for example.
또한, 이하 참조하는 각 도면에서는 설명을 알기 쉽게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라 부르는 경우가 있다.In addition, in each drawing referenced below, in order to make the description easy to understand, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction orthogonal to each other are defined, and a Cartesian coordinate system in which the positive Z-axis direction is a vertically upward direction is sometimes indicated. In addition, the rotation direction which makes the vertical axis|shaft as a rotation center is called the θ direction in some cases.
<접합 시스템의 구성><Configuration of junction system>
먼저, 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성에 대하여 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성을 나타내는 모식도이다. 또한, 도 2는 실시 형태에 따른 제 1 기판 및 제 2 기판의 접합 전의 상태를 나타내는 모식도이다.First, the structure of the bonding system which concerns on embodiment is demonstrated with reference to FIG.1 and FIG.2. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows the structure of the bonding system which concerns on embodiment. Moreover, FIG. 2 is a schematic diagram which shows the state before bonding of the 1st board|substrate and 2nd board|substrate which concern on embodiment.
도 1에 나타내는 접합 시스템(1)은, 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)을 접합함으로써 중합 기판(T)을 형성한다(도 2 참조).In the
제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)은, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판에 복수의 전자 회로가 형성된 기판이다. 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)은 대략 동일 직경이다. 또한, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2) 중 일방은, 예를 들면 전자 회로가 형성되어 있지 않은 기판이어도 된다.The first substrate W1 and the second substrate W2 are substrates in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, for example. The first substrate W1 and the second substrate W2 have approximately the same diameter. Further, one of the first substrate W1 and the second substrate W2 may be, for example, a substrate on which no electronic circuit is formed.
이하에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제 1 기판(W1)의 판면 중, 제 2 기판(W2)과 접합되는 측의 판면을 ‘접합면(W1j)’이라 기재하고, 접합면(W1j)과는 반대측의 판면을 ‘비접합면(W1n)’이라 기재한다. 또한, 제 2 기판(W2)의 판면 중, 제 1 기판(W1)과 접합되는 측의 판면을 ‘접합면(W2j)’이라 기재하고, 접합면(W2j)과는 반대측의 판면을 ‘비접합면(W2n)’이라 기재한다.Hereinafter, as shown in FIG. 2 , among the plate surfaces of the first substrate W1 , the plate surface on the side to be bonded to the second substrate W2 is described as a 'bonding surface W1j', and the bonding surface W1j and describes the plate surface on the opposite side as 'non-bonding surface (W1n)'. In addition, among the plate surfaces of the second substrate W2, the plate surface on the side bonded to the first substrate W1 is described as a 'bonding surface W2j', and the plate surface on the opposite side to the bonding surface W2j is 'non-bonding' side (W2n)'.
도 1에 나타내는 바와 같이, 접합 시스템(1)은 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)과, 검사 스테이션(4)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)은, 처리 스테이션(3)의 X축 부방향측에 배치되어, 처리 스테이션(3)과 일체적으로 접속된다. 또한, 검사 스테이션(4)은, 처리 스테이션(3)의 X축 정방향측에 배치되어, 처리 스테이션(3)과 일체적으로 접속된다.As shown in FIG. 1 , the
반입반출 스테이션(2)은 배치대(10)와, 반송 영역(20)을 구비한다. 배치대(10)는, 복수의 배치판(11)을 구비한다. 각 배치판(11)에는, 복수 매(예를 들면, 25 매)의 기판을 수평 상태로 수용하는 카세트(C1 ~ C4)가 각각 배치된다. 카세트(C1)는 복수 매의 제 1 기판(W1)을 수용 가능하며, 카세트(C2)는 복수 매의 제 2 기판(W2)을 수용 가능하며, 카세트(C3)는 복수 매의 중합 기판(T)을 수용 가능하다. 카세트(C4)는, 예를 들면, 문제가 생긴 기판을 회수하기 위한 카세트이다. 또한, 배치판(11)에 배치되는 카세트(C1 ~ C4)의 개수는, 도시한 것에 한정되지 않는다.The carry-in/out
반송 영역(20)은, 배치대(10)의 X축 정방향측에 인접하여 배치된다. 반송 영역(20)에는, Y축 방향으로 연장되는 반송로(21)와, 반송로(21)를 따라 이동 가능한 반송 장치(22)가 마련된다. 반송 장치(22)는, Y축 방향뿐 아니라, X축 방향으로도 이동 가능하고 또한 Z축 둘레로 선회 가능하다. 반송 장치(22)는, 배치판(11)에 배치된 카세트(C1 ~ C4)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제 3 처리 블록(G3)과의 사이에서, 제 1 기판(W1), 제 2 기판(W2) 및 중합 기판(T)의 반송을 행한다.The conveyance area|
처리 스테이션(3)에는, 예를 들면 3 개의 처리 블록(G1, G2, G3)이 마련된다. 제 1 처리 블록(G1)은, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 Y축 정방향측)에 배치된다. 또한, 제 2 처리 블록(G2)은, 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 Y축 부방향측)에 배치되고, 제 3 처리 블록(G3)은, 처리 스테이션(3)의 반입반출 스테이션(2)측(도 1의 X축 부방향측)에 배치된다.The
제 1 처리 블록(G1)에는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면(W1j, W2j)을 개질하는 표면 개질 장치(30)가 배치된다. 표면 개질 장치(30)는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면(W1j, W2j)에 있어서의 SiO2의 결합을 절단하여 단결합의 SiO로 함으로써, 이 후 친수화되기 쉽게 하도록 접합면(W1j, W2j)을 개질한다.In the first processing block G1 , a
구체적으로, 표면 개질 장치(30)에서는, 예를 들면 감압 분위기 하에 있어서 처리 가스인 산소 가스 또는 질소 가스가 여기되어 플라즈마화되고, 이온화된다. 그리고, 이러한 산소 이온 또는 질소 이온이, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면(W1j, W2j)에 조사됨으로써, 접합면(W1j, W2j)이 플라즈마 처리되어 개질된다.Specifically, in the
또한, 제 1 처리 블록(G1)에는, 표면 친수화 장치(40)가 배치된다. 표면 친수화 장치(40)는, 예를 들면 순수에 의해 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 접합면(W1j, W2j)을 친수화하고, 또한 접합면(W1j, W2j)을 세정한다. 구체적으로, 표면 친수화 장치(40)는, 예를 들면 스핀 척에 유지된 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)을 회전시키면서, 당해 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2) 상에 순수를 공급한다. 이에 의해, 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2) 상에 공급된 순수가 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2)의 접합면(W1j, W2j) 상을 확산되어, 접합면(W1j, W2j)이 친수화된다.Further, in the first processing block G1 , a
여기서는, 표면 개질 장치(30)와 표면 친수화 장치(40)가 횡 배열로 배치되는 경우의 예를 나타냈지만, 표면 친수화 장치(40)는, 표면 개질 장치(30)의 상방에 적층되어도 된다.Here, an example is shown in which the
제 2 처리 블록(G2)에는, 접합 장치(41)가 배치된다. 접합 장치(41)는, 친수화된 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)을 분자간력에 의해 접합한다. 이러한 접합 장치(41)의 구성에 대해서는 후술한다.The
제 1 처리 블록(G1), 제 2 처리 블록(G2) 및 제 3 처리 블록(G3)으로 둘러싸인 영역에는, 반송 영역(60)이 형성된다. 반송 영역(60)에는, 반송 장치(61)가 배치된다. 반송 장치(61)는, 예를 들면 연직 방향, 수평 방향 및 연직축 둘레로 이동 가능한 반송 암을 가진다. 이러한 반송 장치(61)는, 반송 영역(60) 내를 이동하여, 반송 영역(60)에 인접하는 제 1 처리 블록(G1), 제 2 처리 블록(G2) 및 제 3 처리 블록(G3) 내의 정해진 장치로 제 1 기판(W1), 제 2 기판(W2) 및 중합 기판(T)을 반송한다.In a region surrounded by the first processing block G1 , the second processing block G2 , and the third processing block G3 , a
검사 스테이션(4)에는, 검사 장치(80)가 마련된다. 검사 장치(80)는, 접합 장치(41)에 의해 형성된 중합 기판(T)의 검사를 행한다.The
또한, 접합 시스템(1)은 제어 장치(70)를 구비한다. 제어 장치(70)는, 접합 시스템(1)의 동작을 제어한다. 제어 장치(70)의 구성에 대해서는 후술한다.The
<접합 장치의 구성><Configuration of bonding device>
이어서, 접합 장치(41)의 구성에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 실시 형태에 따른 접합 장치(41)의 구성을 나타내는 모식도이다.Next, the structure of the
도 3에 나타내는 바와 같이, 접합 장치(41)는 제 1 유지부(140)와, 제 2 유지부(141)와, 스트라이커(190)를 구비한다.As shown in FIG. 3 , the
제 1 유지부(140)는 본체부(170)를 가진다. 본체부(170)는, 지지 부재(180)에 의해 지지된다. 지지 부재(180) 및 본체부(170)에는, 지지 부재(180) 및 본체부(170)를 연직 방향으로 관통하는 관통 홀(176)이 형성된다. 관통 홀(176)의 위치는, 제 1 유지부(140)에 흡착 유지되는 제 1 기판(W1)의 중심부에 대응하고 있다. 관통 홀(176)에는, 스트라이커(190)의 누름 핀(191)이 삽입 관통된다.The
스트라이커(190)는, 지지 부재(180)의 상면에 배치되고, 누름 핀(191)과, 액츄에이터부(192)와, 직동 기구(193)를 구비한다. 누름 핀(191)은, 연직 방향을 따라 연장되는 원주(圓柱) 형상의 부재이며, 액츄에이터부(192)에 의해 지지된다.The
액츄에이터부(192)는, 예를 들면 전공 레귤레이터(도시하지 않음)로부터 공급되는 공기에 의해 일정 방향(여기서는 연직 하방)으로 일정한 압력을 발생시킨다. 액츄에이터부(192)는, 전공 레귤레이터로부터 공급되는 공기에 의해, 제 1 기판(W1)의 중심부와 접촉하여 당해 제 1 기판(W1)의 중심부에 걸리는 누름 하중을 제어할 수 있다. 또한, 액츄에이터부(192)의 선단부는, 전공 레귤레이터로부터의 공기에 의해, 관통 홀(176)을 삽입 관통하여 연직 방향으로 승강 가능하게 되어 있다.The
액츄에이터부(192)는, 직동 기구(193)에 지지된다. 직동 기구(193)는, 예를 들면 모터를 내장한 구동부에 의해 액츄에이터부(192)를 연직 방향을 따라 이동시킨다.The
스트라이커(190)는, 직동 기구(193)에 의해 액츄에이터부(192)의 이동을 제어해, 액츄에이터부(192)에 의해 누름 핀(191)에 따른 제 1 기판(W1)의 누름 하중을 제어한다. 이에 의해, 스트라이커(190)는, 제 1 유지부(140)에 흡착 유지된 제 1 기판(W1)의 중심부를 눌러 제 2 기판(W2)에 접촉시킨다.The
본체부(170)의 하면에는, 제 1 기판(W1)의 상면(비접합면(W1n))에 접촉하는 복수의 핀(171)이 마련되어 있다. 복수의 핀(171)은, 예를 들면, 직경 치수가 0.1 mm ~ 1 mm이며, 높이가 수십 μm ~ 수백 μm이다. 복수의 핀(171)은, 예를 들면 2 mm의 간격으로 균등하게 배치된다.A plurality of
제 1 유지부(140)는, 이들 복수의 핀(171)이 마련되어 있는 영역 중 일부의 영역에, 제 1 기판(W1)을 흡착하는 복수의 흡착부를 구비한다. 구체적으로, 제 1 유지부(140)에 있어서의 본체부(170)의 하면에는, 제 1 기판(W1)을 진공 배기하여 흡착하는 복수의 외측 흡착부(301) 및 복수의 내측 흡착부(302)가 마련되어 있다. 복수의 외측 흡착부(301) 및 복수의 내측 흡착부(302)는, 평면에서 봤을 때 원호 형상의 흡착 영역을 가진다. 복수의 외측 흡착부(301) 및 복수의 내측 흡착부(302)는, 핀(171)과 동일한 높이를 가진다.The
복수의 외측 흡착부(301)는, 본체부(170)의 외주부에 배치된다. 복수의 외측 흡착부(301)는, 진공 펌프 등의 도시하지 않는 흡인 장치에 접속되고, 진공 배기에 의해 제 1 기판(W1)의 외주부를 흡착한다.The plurality of
복수의 내측 흡착부(302)는, 복수의 외측 흡착부(301)보다 본체부(170)의 직경 방향 내방에 있어서, 둘레 방향을 따라 배열되어 배치된다. 복수의 내측 흡착부(302)는, 진공 펌프 등의 도시하지 않는 흡인 장치에 접속되고, 진공 배기에 의해 제 1 기판(W1)의 외주부와 중심부와의 사이의 영역을 흡착한다.The plurality of
제 2 유지부(141)에 대하여 설명한다. 제 2 유지부(141)는, 제 2 기판(W2)과 동일 직경 혹은 제 2 기판(W2)보다 큰 직경을 가지는 본체부(200)를 가진다. 여기서는, 제 2 기판(W2)보다 큰 직경을 가지는 제 2 유지부(141)를 나타내고 있다. 본체부(200)의 상면은, 제 2 기판(W2)의 하면(비접합면(W2n))과 대향하는 대향면이다.The
본체부(200)의 상면에는, 제 2 기판(W2)의 하면(비접합면(Wn2))에 접촉하는 복수의 핀(201)이 마련되어 있다. 복수의 핀(201)은, 예를 들면, 직경 치수가 0.1 mm ~ 1 mm이며, 높이가 수십 μm ~ 수백 μm이다. 복수의 핀(201)은, 예를 들면 2 mm의 간격으로 균등하게 배치된다.A plurality of
또한, 본체부(200)의 상면에는, 하측 리브(202)가 복수의 핀(201)의 외측에 환 형상으로 마련되어 있다. 하측 리브(202)는 환 형상으로 형성되고, 제 2 기판(W2)의 외주부를 전둘레에 걸쳐 지지한다.Further, on the upper surface of the
또한, 본체부(200)는, 복수의 하측 흡인구(203)를 가진다. 복수의 하측 흡인구(203)는, 하측 리브(202)에 의해 둘러싸인 흡착 영역에 복수 마련된다. 복수의 하측 흡인구(203)는, 도시하지 않는 흡인관을 개재하여 진공 펌프 등의 도시하지 않는 흡인 장치에 접속된다.In addition, the
제 2 유지부(141)는, 하측 리브(202)에 의해 둘러싸인 흡착 영역을 복수의 하측 흡인구(203)로부터 진공 배기함으로써 흡착 영역을 감압한다. 이에 의해, 흡착 영역에 배치된 제 2 기판(W2)은, 제 2 유지부(141)에 흡착 유지된다.The
하측 리브(202)가 제 2 기판(W2)의 하면의 외주부를 전둘레에 걸쳐 지지하기 때문에, 제 2 기판(W2)은 외주부까지 적절하게 진공 배기된다. 이에 의해, 제 2 기판(W2)의 전면을 흡착 유지할 수 있다. 또한, 제 2 기판(W2)의 하면은 복수의 핀(201)에 지지되기 때문에, 제 2 기판(W2)의 진공 배기를 해제했을 시에, 제 2 기판(W2)이 제 2 유지부(141)로부터 떨어지기 쉬워진다.Since the
또한, 여기서는 도시를 생략하지만, 접합 장치(41)는, 도 3에 나타내는 제 1 유지부(140) 또는 제 2 유지부(141) 등의 전단에, 트랜지션, 반전 기구 및 위치 조절 기구 등을 구비한다. 트랜지션은, 제 1 기판(W1), 제 2 기판(W2) 및 중합 기판(T)을 일시적으로 배치한다. 위치 조절 기구는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 수평 방향의 방향을 조절한다. 반전 기구는, 제 1 기판(W1)의 표리를 반전시킨다.In addition, although illustration is abbreviate|omitted here, the
<검사 장치의 구성><Configuration of inspection device>
이어서, 검사 장치의 구성에 대하여 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4는 실시 형태에 따른 검사 장치의 구성을 나타내는 모식도이다. 또한, 도 5는 실시 형태에 따른 검사 장치의 유지부의 구성을 나타내는 모식도이다. 또한, 도 4는 검사 장치를 측방에서 본 모식도이며, 도 5는 검사 장치의 유지부를 상방에서 본 모식도이다.Next, the structure of an inspection apparatus is demonstrated with reference to FIG.4 and FIG.5. It is a schematic diagram which shows the structure of the inspection apparatus which concerns on embodiment. Moreover, FIG. 5 is a schematic diagram which shows the structure of the holding part of the inspection apparatus which concerns on embodiment. In addition, FIG. 4 is the schematic diagram which looked at the test|inspection apparatus from the side, and FIG. 5 is the schematic diagram which looked at the holding part of the test|inspection apparatus from upper direction.
도 4에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(80)는 유지부(400)와, 촬상 유닛(500)과, 조명 유닛(600)을 구비한다. 또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(80)는 진단부(700)를 구비한다.As shown in FIG. 4 , the
도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 유지부(400)는, 중합 기판(T)을 수평으로 유지한다. 유지부(400)는 본체부(410)와, 복수의 지지 부재(420)를 구비한다.4 and 5 , the holding
본체부(410)는, 중합 기판(T)보다 큰 직경의 개구(411)를 가지는 평판 프레임 형상의 부재이다. 본체부(410)는, 이동 기구(440)에 접속되어 있고, 이동 기구(440)에 의해 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향)으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 회전이 가능하다.The
복수의 지지 부재(420)는, 개구(411)의 중심을 향해 연장되도록 본체부(410)에 마련된다. 중합 기판(T)은, 복수의 지지 부재(420)의 선단부에 외주부가 지지된다. 복수의 지지 부재(420)의 선단부는, 흡인관(460)을 개재하여 진공 펌프 등의 흡인 장치(480)에 접속되고, 진공 배기에 의해 중합 기판(T)의 하면 외주부를 흡착한다.The plurality of
촬상 유닛(500)은 매크로 촬상부(510)와, 마이크로 촬상부(520)와, 고정부(530)와, 승강 기구(540)를 구비한다.The
매크로 촬상부(510) 및 마이크로 촬상부(520)는, 유지부(400)의 상방에 배치된다. 매크로 촬상부(510)는 매크로 촬상용의 카메라 렌즈(511)와, CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서 등의 촬상 소자(512)를 구비한다. 마이크로 촬상부(520)는 마이크로 촬상용의 카메라 렌즈(521)와, CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서 등의 촬상 소자(522)를 구비한다. 매크로 촬상부(510)가 구비하는 카메라 렌즈(511)의 배율은, 예를 들면 10 배이다. 또한, 마이크로 촬상부(520)가 구비하는 카메라 렌즈(521)의 배율은, 예를 들면 50 배이다.The
매크로 촬상부(510) 및 마이크로 촬상부(520)는, 카메라 렌즈(511, 521)를 연직 하방으로 향하게 한 상태로 고정부(530)에 고정된다. 고정부(530)는, 승강 기구(540)에 접속되어 있고, 승강 기구(540)에 의해 연직 방향을 따라 이동(승강)한다. 촬상 유닛(500)은, 승강 기구(540)를 이용하여 고정부(530)를 승강시킴으로써, 매크로 촬상부(510) 및 마이크로 촬상부(520)와 중합 기판(T)과의 거리를 조정할 수 있다.The
조명 유닛(600)은 매크로 조명부(610)와, 마이크로 조명부(620)와, 고정부(630)와, 승강 기구(640)를 구비한다.The
매크로 조명부(610) 및 마이크로 조명부(620)는, 유지부(400)의 하방에 배치된다. 구체적으로, 매크로 조명부(610)는, 유지부(400)에 유지된 중합 기판(T)을 사이에 두고 매크로 촬상부(510)와 대향하는 위치에 배치된다. 또한, 마이크로 조명부(620)는, 유지부(400)에 유지된 중합 기판(T)을 사이에 두고 마이크로 촬상부(520)와 대향하는 위치에 배치된다.The
매크로 조명부(610)는 광원(611)과, 집광부(612)를 구비한다. 광원(611)은, 예를 들면, 1000 ~ 1200 nm의 근적외광을 조사한다. 집광부(612)는, 예를 들면 집광 렌즈이며, 광원(611)으로부터 발해진 광을 한 점에 수속시킨다. 마이크로 조명부(620)는, 매크로 조명부(610)와 동일한 구성을 가진다. 즉, 마이크로 조명부(620)는 광원(621) 및 집광부(622)를 구비하고 있고, 이들 구성은, 매크로 조명부(610)가 구비하는 광원(611) 및 집광부(612)와 동일하다.The
또한, 광원(611, 621)은, 매크로 조명부(610) 및 마이크로 조명부(620)의 외부에 배치되어도 된다. 이 경우, 광원(611, 621)은, 광섬유 등을 개재하여 매크로 조명부(610) 및 마이크로 조명부(620)의 내부에 광을 공급해도 된다.In addition, the
매크로 조명부(610) 및 마이크로 조명부(620)는, 광축을 연직 방향으로 향하게 한 상태로 고정부(630)에 고정된다. 고정부(630)는, 승강 기구(640)에 접속되어 있고, 승강 기구(640)에 의해 연직 방향을 따라 이동(승강)한다. 조명 유닛(600)은, 승강 기구(640)를 이용하여 고정부(630)를 승강시킴으로써, 매크로 조명부(610) 및 마이크로 조명부(620)와 중합 기판(T)과의 거리를 조정할 수 있다.The
검사 장치(80)는, 마이크로 촬상부(520) 및 마이크로 조명부(620)를 이용하여, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)에 각각 형성된 측정 마크를 촬상한다. 도 6은 측정 마크의 촬상 방법의 일례를 나타내는 도이다. 또한, 도 7은 측정 마크의 일례를 나타내는 도이다. 또한, 매크로 촬상부(510) 및 매크로 조명부(610)는, 측정 마크의 장소를 특정하는 처리에 이용되는데, 이 점에 대해서는 후술한다.The
도 6에 나타내는 바와 같이, 마이크로 조명부(620)는, 광원(621)으로부터 발해지는 광의 광축(Ax)이 연직 방향을 향하도록 고정부(630)(도 4 참조)에 고정된다. 또한, 마이크로 촬상부(520)는, 광축(Ax)이 카메라 렌즈(521)의 중심을 지나고, 또한, 카메라 렌즈(521) 및 촬상 소자(522)에 대하여 수직으로 교차하도록 고정부(530)(도 4 참조)에 고정된다. 또한, 여기서는, 중합 기판(T)의 상방에 촬상 유닛(500)이 배치되고, 중합 기판(T)의 하방에 조명 유닛(600)이 배치되는 경우의 예를 나타냈지만, 중합 기판(T)의 상방에 조명 유닛(600)이 배치되고, 중합 기판(T)의 하방에 촬상 유닛(500)이 배치되어도 된다.As shown in FIG. 6 , the
마이크로 촬상부(520)와 마이크로 조명부(620)와의 거리는, 예를 들면 사람의 손에 의한 사전의 조정 작업 등에 의해, 카메라 렌즈(521)의 초점과 집광부(622)의 초점이 일치하는 거리로 설정된다. 검사 장치(80)는, 승강 기구(540) 및 승강 기구(640)를 연동시킴으로써, 카메라 렌즈(521)의 초점과 집광부(622)의 초점이 일치하는 거리를 유지한 상태에서 마이크로 촬상부(520) 및 마이크로 조명부(620)를 승강시킨다.The distance between the
검사 장치(80)는, 고정부(530) 및 승강 기구(540)를 이용하여 마이크로 촬상부(520) 및 마이크로 조명부(620)를 일체적으로 승강시킴으로써, 중합 기판(T)에 형성된 측정 마크(M1, M2)에 카메라 렌즈(521) 및 집광부(622)의 초점을 위치시킨다. 그리고, 검사 장치(80)는 측정 마크(M1, M2)를 촬상한다. 구체적으로, 마이크로 조명부(620)로부터 연직 상방으로 조사된 광은, 제 2 기판(W2) 및 제 1 기판(W1)을 개재하여 마이크로 촬상부(520)의 촬상 소자(522)에 도달한다. 즉, 마이크로 촬상부(520)는, 중합 기판(T)을 투과한 투과광에 의해 측정 마크(M1, M2)를 촬상한다. 마이크로 촬상부(520)에 의해 촬상된 화상 데이터는, 제어 장치(70)에 출력된다.The
도 7에 나타내는 바와 같이, 화상 데이터에는, 제 1 기판(W1)에 형성된 측정 마크(M1) 및 제 2 기판(W2)에 형성된 측정 마크(M2)의 화상이 포함된다. 제어 장치(70)는, 화상 데이터에 대하여, 엣지 검출 등의 화상 인식 처리를 행함으로써, 측정 마크(M1, M2)의 중심점(G1, G2)의 좌표, 중심점(G1, G2)의 어긋남량 등의 측정 결과를 취득하고, 취득한 측정 결과에 기초하여, 중합 기판(T)의 접합 상태를 검사한다.As shown in FIG. 7, the image of the measurement mark M1 formed in the 1st board|substrate W1, and the measurement mark M2 formed in the 2nd board|substrate W2 is contained in image data. The
그런데, 마이크로 조명부(620)의 광원(621)으로부터 발해지는 광의 광량이 변화하면, 화상 데이터에 포함되는 측정 마크(M1) 또는 측정 마크(M2)의 윤곽의 굵기가 변화하고, 엣지 검출에 의해 검출되는 엣지의 위치가 변화할 우려가 있다. 이 경우, 중심점(G1, G2)의 좌표 또는 중심점(G1, G2)의 어긋남량 등의 측정 결과에 어긋남이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 검사 장치(80)의 측정 정밀도를 유지하기 위해서는, 마이크로 조명부(620)의 광원(621)으로부터 발해지는 광의 광량이 항상 일정한 것이 바람직하다.However, when the amount of light emitted from the
그러나, 마이크로 조명부(620)가 구비하는 광원(621)은, 사용함에 따라 서서히 열화되고, 이에 수반하여, 실제로 얻어지는 광량이 설정된 광량보다 낮아진다. 즉, 마이크로 조명부(620)가 구비하는 광원(621)의 광량은, 사용에 수반하여 변화(저하)한다.However, the
또한, 가령, 마이크로 조명부(620)의 광축이 연직 방향으로부터 어긋난 경우에도, 검사 장치(80)의 측정 결과에 어긋남이 생길 우려가 있다.Moreover, even when the optical axis of the
따라서, 접합 시스템(1)에서는, 검사 장치(80)에 진단부(700)를 마련하고, 이러한 진단부(700)를 이용하여 마이크로 조명부(620)의 광량 체크 및 광축 체크를 행하는 것으로 했다.Therefore, in the
도 5에 나타내는 바와 같이, 진단부(700)는, 유지부(400)의 본체부(410)에 마련되고, 개구(411)의 중심을 향해 연장되는 장착부(710)와, 장착부(710)의 선단부에 장착된 감쇠 부재(720)를 구비한다. 장착부(710)는, 이웃하는 2 개의 지지 부재(420)의 사이에 배치된다. 장착부(710)는, 지지 부재(420)보다 짧고, 감쇠 부재(720)는, 평면에서 봤을 때 복수의 지지 부재(420)에 지지된 중합 기판(T)으로부터 노출되는 위치에 배치된다. 이에 의해, 검사 장치(80)는, 유지부(400)에 중합 기판(T)이 유지된 상태라도, 진단부(700)를 이용한 광량 체크 및 광축 체크를 행할 수 있다.As shown in FIG. 5 , the
도 8은 실시 형태에 따른 감쇠 부재(720)의 구성을 나타내는 도이다. 또한, 도 9는 감쇠 부재(720)에 형성된 교정 마크의 일례를 나타내는 도이다.8 is a diagram showing the configuration of the damping
도 8에 나타내는 바와 같이, 감쇠 부재(720)는, 글라스판(721)과, 복수(여기서는 2 개)의 실리콘판(722)을 구비한다. 글라스판(721) 및 2 개의 실리콘판(722)은, 하방으로부터 실리콘판(722), 글라스판(721) 및 실리콘판(722)의 순으로 적층된다.As shown in FIG. 8 , the damping
광량 체크는, 광원(621)으로부터 조사되어 감쇠 부재(720)를 투과한 광을 마이크로 촬상부(520)에서 수광하고, 수광한 광의 광량을 체크함으로써 행해진다. 광원(621)의 광량은, 중합 기판(T)을 투과시키기 위하여 비교적 높은 값으로 설정된다. 이 때문에, 광량 체크 시에, 광원(621)으로부터 발해지는 광을 마이크로 촬상부(520)로 직접 촬상한 경우, 광량이 너무 강해 적절한 화상이 얻어지지 않을 우려가 있다. 따라서, 검사 장치(80)에서는, 광원(621)으로부터 발해지는 광을 실리콘판(722)을 이용하여 중합 기판(T)과 동일하게 감쇠시키는 것으로 했다. 이에 의해, 광량 체크를 적절하게 행할 수 있다. 또한, 감쇠 부재(720)는, 적어도 1 개의 실리콘판(722)을 구비하고 있으면 된다.The light amount check is performed by receiving the light irradiated from the
검사 장치(80)는, 미리 정해진 시각(예를 들면, 매일 24 시)이 도래할 때마다 광량 체크를 행해도 된다. 또한, 검사 장치(80)는, 중합 기판(T)의 처리 매수 또는 처리 로트수를 미리 정해진 수에 달할 때마다 광량 체크를 행해도 된다. 또한, 검사 장치(80)는, 미리 정해진 시간 간격으로(예를 들면, 12 시간마다) 광량 체크를 행해도 된다. 상술한 바와 같이, 검사 장치(80)는, 유지부(400)에 중합 기판(T)이 유지된 상태라도 광량 체크를 행할 수 있기 때문에, 중합 기판(T)의 유무에 관계없이, 정기적으로 광량 체크를 행하는 것이 용이하다.The
글라스판(721)에는 교정 마크(M3)가 형성된다. 교정 마크(M3)는, 예를 들면 증착에 의해 글라스판(721)에 형성된다. 이와 같이, 글라스판(721)에 교정 마크(M3)를 형성함으로써, 예를 들면 실리콘판(722)에 교정 마크(M3)를 형성하는 경우와 비교하여 염가로 감쇠 부재(720)를 형성할 수 있다. 또한, 감쇠 부재(720)는, 반드시 글라스판(721)을 구비하는 것을 요하지 않으며, 실리콘판(722)에 교정 마크(M3)가 형성된 것이어도 된다.A correction mark M3 is formed on the
도 9에 나타내는 바와 같이, 교정 마크(M3)는, 예를 들면, 제 1 사각(M3a)과, 제 2 사각(M3b)을 포함한다. 제 1 사각(M3a) 및 제 2 사각(M3b)은, 균일한 두께를 가진 사각의 프레임 형상을 가진다. 제 2 사각(M3b)은, 제 1 사각(M3a)보다 작고, 제 1 사각(M3a)의 내부에 배치된다. 또한, 제 1 사각(M3a)의 중심(G3a)의 위치와, 제 2 사각(M3b)의 중심(G3b)의 위치는 일치한다.As shown in FIG. 9, the correction mark M3 contains 1st square M3a and 2nd square M3b, for example. The first square M3a and the second square M3b have a square frame shape having a uniform thickness. The second square M3b is smaller than the first square M3a and is disposed inside the first square M3a. In addition, the position of the center G3a of the first square M3a coincides with the position of the center G3b of the second square M3b.
광축 체크는, 마이크로 촬상부(520)에 의해 촬상된 화상 데이터에 기초하여 산출되는, 제 1 사각(M3a)의 중심(G3a)의 좌표와, 제 2 사각(M3b)의 중심(G3b)의 좌표와의 어긋남의 정도를 체크함으로써 행해진다. 즉, 가령, 마이크로 조명부(620)의 광축이 기울어 있는 경우, 화상 데이터에 포함되는 제 1 사각(M3a), 제 2 사각(M3b)의 프레임의 굵기가 불균일해짐으로써, 중심(G3a, G3b)의 좌표가 일치하지 않게 된다. 검사 장치(80)는, 이러한 중심(G3a, G3b)의 좌표의 어긋남을 체크함으로써 광축의 기울기의 유무를 판정할 수 있다.The optical axis check is calculated based on the image data captured by the
광원(621)의 열화에 기인하는 광량의 저하는, 경시적으로 일어나는데 대하여, 광축의 어긋남은, 예를 들면, 메인터넌스 시에 사람이 접촉한 경우 등, 돌발적으로 일어나는 케이스가 많다. 이 때문에, 검사 장치(80)는, 광량 체크의 실행 빈도와 비교하여 광축 체크의 실행 빈도를 적게 해도 된다. 예를 들면, 검사 장치(80)는, 광량 체크를 복수 회 행할 때마다, 광축 체크를 1 회 행하도록 해도 된다. 또한, 검사 장치(80)는, 전원 투입 시에 광축 체크를 행하도록 해도 된다.While the decrease in the amount of light due to deterioration of the
<제어 장치의 구성><Configuration of control device>
이어서, 제어 장치(70)의 구성에 대하여 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 실시 형태에 따른 제어 장치(70)의 구성을 나타내는 블록도이다. 또한, 도 10에는, 제어 장치(70)가 구비하는 구성 중, 검사 장치(80)에 관련되는 구성을 나타내고 있다.Next, the configuration of the
도 10에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(70)는 제어부(71)와, 기억부(72)를 구비한다. 제어부(71)는 측정 제어부(71a)와, 진단 제어부(71b)를 구비한다. 또한, 기억부(72)는, 광량 초기 정보(72a)를 기억한다.As shown in FIG. 10 , the
또한, 제어 장치(70)는, 예를 들면, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), HDD(Hard Disk Drive), 입출력 포트 등을 가지는 컴퓨터 및 각종 회로를 포함한다.In addition, the
컴퓨터의 CPU는, 예를 들면, ROM에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써, 제어부(71)의 측정 제어부(71a) 및 진단 제어부(71b)로서 기능한다. 또한, 측정 제어부(71a) 및 진단 제어부(71b) 중 적어도 어느 하나 또는 전부는, ASIC(Application Specific Integrated Circuit), GPU(Graphics Processing Unit), FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 하드웨어로 구성되어도 된다.The CPU of the computer functions as the
또한, 기억부(72)는, 예를 들면, RAM 및 HDD에 대응한다. RAM 및 HDD는, 광량 초기 정보(72a)를 기억할 수 있다. 또한, 제어 장치(70)는, 유선 또는 무선의 네트워크로 접속된 다른 컴퓨터 또는 가반형 기록 매체를 개재하여 상기한 프로그램 및 각종 정보를 취득하는 것으로 해도 된다.Further, the
(측정 제어부에 대하여)(About the measurement control unit)
측정 제어부(71a)는, 중합 기판(T)의 판면 상에 복수(예를 들면, 5 ~ 13 점)의 측정점을 설정하고, 검사 장치(80)에 대하여, 각 측정점에 있어서 중합 기판(T)의 측정을 행하게 한다.The
구체적으로, 검사 장치(80)에서는, 먼저, 중합 기판(T)의 반입 처리가 행해진다. 중합 기판(T)은, 반송 장치(61)(도 1 참조)에 의해 검사 장치(80)의 내부로 반송된다. 검사 장치(80)는, 도시하지 않는 리프터를 이용하여 반송 장치(61)로부터 중합 기판(T)을 수취하고, 리프터를 이동시켜, 복수의 지지 부재(420) 상에 중합 기판(T)을 배치한다. 이 후, 흡인 장치(480)가 흡인관(460)을 개재하여 중합 기판(T)을 진공 배기함으로써, 중합 기판(T)이 유지부(400)에 흡착 유지된다.Specifically, in the
이어서, 검사 장치(80)에서는, θ 얼라이먼트 처리가 행해진다. θ 얼라이먼트 처리는, 중합 기판(T)의 회전 방향에 있어서의 위치를 조정하는 처리이다. 구체적으로, 검사 장치(80)는, 중합 기판(T) 상에 존재하는 복수의 기준점(예를 들면, 중합 기판(T)의 중심부에 위치하는 기준점과 그 옆에 위치하는 기준점)을 매크로 촬상부(510)에 의해 촬상한다. 그리고, 검사 장치(80)는, 얻어진 화상으로부터 중합 기판(T)의 회전 각도를 계산하고, 이 회전 각도가 0도가 되도록, 이동 기구(440)를 이용하여 중합 기판(T)을 회전시킨다. 이 기준점은, 예를 들면, 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2) 상에 노광 처리에 의해 패턴을 형성할 시에, 패턴과 함께 1 샷마다 제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2) 상에 형성되는 것이다. 즉, 검사 장치(80)는, 1 샷마다의 패턴의 배열 방향이 항상 동일한 방향이 되도록, 중합 기판(T)을 회전시킨다.Next, in the
이어서, 검사 장치(80)에서는, 측정 처리가 행해진다. 구체적으로, 검사 장치(80)는, 이동 기구(440)를 이용하여 유지부(400)를 수평 이동시킴으로써, 1 번째의 측정점의 연직선 상에 마이크로 촬상부(520) 및 마이크로 조명부(620)를 위치시킨다. 이 후, 검사 장치(80)는, 마이크로 촬상부(520)의 포커스 맞춤 또는 유지부(400)의 위치 보정 등을 행한 다음, 마이크로 촬상부(520) 및 마이크로 조명부(620)를 이용하여 1 번째의 측정점에 위치하는 측정 마크(M1, M2)의 촬상을 행한다.Next, in the
검사 장치(80)는, 나머지의 측정점에 대해서도 동일한 처리를 행한다. 즉, 검사 장치(80)는, 상술한 처리를 측정 점의 수만큼 반복한다.The
측정 제어부(71a)는, 검사 장치(80)로부터 측정 결과로서의 화상 데이터를 취득한다. 그리고, 측정 제어부(71a)는, 취득한 화상 데이터에 기초하여, 중합 기판(T)에 있어서의 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)과의 어긋남량을 포함하는 검사 결과를 도출한다. 구체적으로, 측정 제어부(71a)는, 화상 데이터를 해석함으로써, 각 측정점에 있어서의, 측정 마크(M1)의 X 좌표(x1) 그리고 Y 좌표(y1), 측정 마크(M2)의 X 좌표(x2) 그리고 Y 좌표(y2)를 산출한다. 또한, 측정 제어부(71a)는, 측정 마크(M1, M2)의 X 좌표의 어긋남량(Δx) 및 측정 마크(M1, M2)의 Y 좌표의 어긋남량(Δy)을 산출한다. 그리고, 측정 제어부(71a)는, 미리 준비된 계산 모델에, 제 1 측정 점의 수만큼(여기서는, 5 점 만큼)의 산출 결과(x1, y1, x2, y2, Δx, Δy)를 대입한다.The
계산 모델은, 예를 들면, 제 2 기판(W2)에 대한 제 1 기판(W1)의 어긋남량을, X축 방향의 어긋남(X 시프트), Y축 방향의 어긋남(Y 시프트), 연직축을 중심으로 하는 회전 방향으로의 어긋남(로테이트), 신축에 따른 어긋남(스케일링)의 각 성분으로 분해하는 것이다. 측정 제어부(71a)는, 이 계산 모델을 이용하여, 상기 성분마다의 검사 결과를 취득하고, 취득한 검사 결과를 기억부(72)에 기억시킨다.The calculation model, for example, calculates the shift amount of the first substrate W1 with respect to the second substrate W2 around the shift in the X-axis direction (X shift), the shift in the Y-axis direction (Y shift), and the vertical axis. It is decomposed into each component of shift in the rotational direction (rotate) and shift (scaling) due to expansion and contraction. The
(진단 제어부에 대하여)(About the diagnostic control unit)
진단 제어부(71b)는, 검사 장치(80)에 따른 광량 체크 및 광축 체크의 동작을 제어한다.The
기억부(72)에 기억된 광량 초기 정보(72a)는, 광량 체크에 있어서 이용된다. 광량 초기 정보(72a)는, 마이크로 조명부(620)가 구비하는 광원(621)의 설정 광량과, 이 설정 광량으로 광원(621)으로부터 발해진 광을 감쇠 부재(720)를 개재하여 마이크로 촬상부(520)가 수광한 경우의 수광량과의 관계를 나타내는 정보이다. 설정 광량이란, 광원(621)에 대하여 출력되는 광량의 지령값이다. 예를 들면, 광량 초기 정보(72a)에는, 광원(621)의 설정 광량 ‘100’과, 마이크로 촬상부(520)에 있어서의 수광량 ‘80’이 관련지어져 있는 것으로 한다.The light amount
광량 초기 정보(72a)는, 광원(621)의 열화가 생기기 전의, 광원(621)의 설정 광량과 마이크로 촬상부(520)에 있어서의 수광량과의 초기의 관계를 나타내는 정보이며, 예를 들면 접합 시스템(1)의 기동 시 또는 첫 회 사용 시에 생성된다. 광원(621)이 사용에 의해 열화된 경우, 설정 광량 ‘100’으로 발광하도록 광원(621)에 대하여 지령을 내렸다 하더라도, 실제로 얻어지는 광량, 즉, 마이크로 촬상부(520)에 있어서의 수광량은 ‘80’을 하회하게 된다.The light amount
또한, 광량 체크 처리 및 광축 체크 처리의 구체적인 순서에 대해서는, 도 12 및 도 13을 이용하여 후술한다.In addition, the specific procedure of a light quantity check process and an optical axis check process is mentioned later using FIG.12 and FIG.13.
<접합 시스템의 구체적 동작><Specific operation of the junction system>
이어서, 접합 시스템(1)의 구체적인 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 접합 장치(41)에 의해 중합 기판(T)이 형성될 때까지의 처리 순서에 대하여 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은 접합 시스템(1)이 실행하는 처리 중, 접합 장치(41)에 의해 중합 기판(T)이 형성될 때까지의 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 도 11에 나타내는 각종 처리는, 제어 장치(70)에 의한 제어에 기초하여 실행된다.Next, the specific operation|movement of the
먼저, 복수 매의 제 1 기판(W1)을 수용한 카세트(C1), 복수 매의 제 2 기판(W2)을 수용한 카세트(C2), 및 빈 카세트(C3)가, 반입반출 스테이션(2)의 정해진 배치판(11)에 배치된다. 이 후, 반송 장치(22)에 의해 카세트(C1) 내의 제 1 기판(W1)이 취출되어, 제 3 처리 블록(G3)에 배치된 트랜지션 장치로 반송된다.First, a cassette C1 accommodating a plurality of first substrates W1, a cassette C2 accommodating a plurality of second substrates W2, and an empty cassette C3 are carried in/out
이어서, 제 1 기판(W1)은, 반송 장치(61)에 의해 제 1 처리 블록(G1)의 표면 개질 장치(30)로 반송된다. 표면 개질 장치(30)에서는, 정해진 감압 분위기 하에 있어서, 처리 가스인 산소 가스가 여기되어 플라즈마화되고, 이온화된다. 이 산소 이온이 제 1 기판(W1)의 접합면에 조사되어, 당해 접합면이 플라즈마 처리된다. 이에 의해, 제 1 기판(W1)의 접합면이 개질된다(단계(S101)).Next, the first substrate W1 is transferred to the
이어서, 제 1 기판(W1)은, 반송 장치(61)에 의해 제 2 처리 블록(G1)의 표면 친수화 장치(40)로 반송된다. 표면 친수화 장치(40)에서는, 스핀 척에 유지된 제 1 기판(W1)을 회전시키면서, 제 1 기판(W1) 상에 순수를 공급한다. 이에 의해, 제 1 기판(W1)의 접합면이 친수화된다. 또한, 당해 순수에 의해, 제 1 기판(W1)의 접합면이 세정된다(단계(S102)).Next, the first substrate W1 is transferred to the
이어서, 제 1 기판(W1)은, 반송 장치(61)에 의해 제 2 처리 블록(G2)의 접합 장치(41)로 반송된다. 접합 장치(41)로 반입된 제 1 기판(W1)은, 트랜지션을 개재하여 위치 조절 기구로 반송되어, 위치 조절 기구에 의해 수평 방향의 방향이 조절된다(단계(S103)).Next, the 1st board|substrate W1 is conveyed by the conveying
이 후, 위치 조절 기구로부터 반전 기구로 제 1 기판(W1)이 전달되고, 반전 기구에 의해 제 1 기판(W1)의 표리면이 반전된다(단계(S104)). 구체적으로, 제 1 기판(W1)의 접합면(W1j)이 하방을 향해진다.Thereafter, the first substrate W1 is transferred from the position adjustment mechanism to the inversion mechanism, and the front and back surfaces of the first substrate W1 are inverted by the inversion mechanism (step S104). Specifically, the bonding surface W1j of the first substrate W1 faces downward.
이 후, 반전 기구로부터 제 1 유지부(140)로 제 1 기판(W1)이 전달된다. 제 1 기판(W1)은, 노치부를 미리 정해진 방향으로 향하게 한 상태로, 제 1 유지부(140)에 흡착 유지된다(단계(S105)).Thereafter, the first substrate W1 is transferred from the inversion mechanism to the
제 1 기판(W1)에 대한 단계(S101 ~ S105)의 처리와 중복하여, 제 2 기판(W2)의 처리가 행해진다. 먼저, 반송 장치(22)에 의해 카세트(C2) 내의 제 2 기판(W2)이 취출되어, 제 3 처리 블록(G3)에 배치된 트랜지션 장치로 반송된다.In overlap with the processing of steps S101 to S105 for the first substrate W1, the processing of the second substrate W2 is performed. First, the second substrate W2 in the cassette C2 is taken out by the
이어서, 제 2 기판(W2)은, 반송 장치(61)에 의해 표면 개질 장치(30)로 반송되어, 제 2 기판(W2)의 접합면(W2j)이 개질된다(단계(S106)). 이 후, 제 2 기판(W2)은, 반송 장치(61)에 의해 표면 친수화 장치(40)로 반송되어, 제 2 기판(W2)의 접합면(W2j)이 친수화되고 또한 당해 접합면이 세정된다(단계(S107)).Next, the second substrate W2 is transferred to the
이 후, 제 2 기판(W2)은, 반송 장치(61)에 의해 접합 장치(41)로 반송된다. 접합 장치(41)로 반입된 제 2 기판(W2)은, 트랜지션을 개재하여 위치 조절 기구로 반송된다. 그리고, 위치 조절 기구에 의해, 제 2 기판(W2)의 수평 방향의 방향이 조절된다(단계(S108)).Thereafter, the second substrate W2 is transferred to the
이 후, 제 2 기판(W2)은, 제 2 유지부(141)로 반송되어, 노치부를 미리 정해진 방향으로 향하게 한 상태로 제 2 유지부(141)에 흡착 유지된다(단계(S109)).Then, the 2nd board|substrate W2 is conveyed to the 2nd holding|
이어서, 제 1 유지부(140)에 유지된 제 1 기판(W1)과 제 2 유지부(141)에 유지된 제 2 기판(W2)과의 수평 방향의 위치 조절이 행해진다(단계(S110)).Next, the horizontal position adjustment of the first substrate W1 held by the
이어서, 제 1 유지부(140)에 유지된 제 1 기판(W1)과 제 2 유지부(141)에 유지된 제 2 기판(W2)과의 연직 방향 위치의 조절을 행한다(단계(S111)). 구체적으로, 제 1 이동부(160)가 제 2 유지부(141)를 연직 상방으로 이동시킴으로써, 제 2 기판(W2)을 제 1 기판(W1)에 접근시킨다.Next, the vertical position of the first substrate W1 held by the
이어서, 복수의 내측 흡착부(302)에 의한 제 1 기판(W1)의 흡착 유지를 해제한 후(단계(S112)), 스트라이커(190)의 누름 핀(191)을 하강시킴으로써, 제 1 기판(W1)의 중심부를 누른다(단계(S113)).Next, after releasing the adsorption and holding of the first substrate W1 by the plurality of inner suction units 302 (step S112), by lowering the
제 1 기판(W1)의 중심부가 제 2 기판(W2)의 중심부에 접촉하고, 제 1 기판(W1)의 중심부와 제 2 기판(W2)의 중심부가 스트라이커(190)에 의해 정해진 힘으로 눌리면, 눌린 제 1 기판(W1)의 중심부와 제 2 기판(W2)의 중심부와의 사이에서 접합이 개시된다. 즉, 제 1 기판(W1)의 접합면(W1j)과 제 2 기판(W2)의 접합면(W2j)은 각각 단계(S101, S109)에 있어서 개질되어 있기 때문에, 먼저, 접합면(W1j, W2j) 간에 반데르발스력(분자간력)이 생겨, 당해 접합면(W1j, W2j)끼리가 접합된다. 또한, 제 1 기판(W1)의 접합면(W1j)과 제 2 기판(W2)의 접합면(W2j)은 각각 단계(S102, S110)에 있어서 친수화되어 있기 때문에, 접합면(W1j, W2j) 간의 친수기가 수소 결합하여, 접합면(W1j, W2j)끼리가 강고하게 접합된다. 이와 같이 하여, 접합 영역이 형성된다.When the central portion of the first substrate W1 is in contact with the central portion of the second substrate W2, the central portion of the first substrate W1 and the central portion of the second substrate W2 are pressed by the
이 후, 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)과의 사이에서는, 제 1 기판(W1) 및 제 2 기판(W2)의 중심부로부터 외주부를 향해 접합 영역이 확대되어 가는 본딩 웨이브가 발생한다. 이 후, 복수의 외측 흡착부(301)에 의한 제 1 기판(W1)의 흡착 유지가 해제된다(단계(S114)). 이에 의해, 외측 흡착부(301)에 의해 흡착 유지되어 있던 제 1 기판(W1)의 외주부가 낙하한다. 그 결과, 제 1 기판(W1)의 접합면(W1j)과 제 2 기판(W2)의 접합면(W2j)이 전면(全面)에서 접촉하여, 중합 기판(T)이 형성된다.Thereafter, between the first substrate W1 and the second substrate W2 , a bonding wave is generated in which the bonding area expands from the center of the first substrate W1 and the second substrate W2 toward the outer periphery. do. Thereafter, the adsorption and holding of the first substrate W1 by the plurality of
이 후, 누름 핀(191)을 제 1 유지부(140)까지 상승시켜, 제 2 유지부(141)에 의한 제 2 기판(W2)의 흡착 유지를 해제한다. 이 후, 중합 기판(T)은, 반송 장치(61)에 의해 접합 장치(41)로부터 반출된다. 이렇게 하여, 일련의 접합 처리가 종료된다.Thereafter, the
이어서, 검사 장치(80)에 있어서의 광량 체크 처리의 순서에 대하여 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는 광량 체크 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 또한, 여기서는, 일례로서, 마이크로 조명부(620)의 광량 체크를 행하는 경우의 처리 순서를 나타내지만, 동일한 처리 순서로 매크로 조명부(610)의 광량 체크가 행해져도 된다. 광량 체크 처리는, 진단 제어부(71b)에 의한 제어에 따라 행해진다.Next, the procedure of the light quantity check process in the
도 12에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(80)에서는, 먼저, 이동 기구(440)(도 4 참조)가 진단부(700)를 이동시킴으로써, 진단부(700)의 감쇠 부재(720)를 마이크로 조명부(620)의 상방(마이크로 촬상부(520)의 하방)에 배치시킨다(단계(S201)).As shown in FIG. 12 , in the
이어서, 검사 장치(80)에서는, 마이크로 촬상부(520)의 포커스 조정 등을 행한 다음, 마이크로 조명부(620)의 광원(621)을 설정 광량으로 발광시킨다(단계(S202)). 광원(621)으로부터 발해진 광은, 감쇠 부재(720)를 투과하여 마이크로 촬상부(520)의 촬상 소자(522)에 의해 수광된다.Next, in the
이어서, 진단 제어부(71b)는, 마이크로 촬상부(520)에 의해 촬상된 화상 데이터에 기초하여, 마이크로 촬상부(520)에 있어서의 수광량(이하, ‘측정 수광량’이라 기재함)을 산출한다(단계(S203)). 또한, 진단 제어부(71b)는, 산출한 측정 수광량과, 광량 초기 정보(72a)에 포함되는 수광량(이하, ‘초기 수광량’이라 기재함)과의 차분을 산출한다(단계(S204)). 그리고, 진단 제어부(71b)는, 측정 수광량과 초기 수광량과의 차분이 임계치(이하, ‘광량 임계치’라 기재함) 미만인지 여부를 판정한다(단계(S205)).Next, the
단계(S205)에 있어서, 측정 수광량과 초기 수광량과의 차가 광량 임계치 이상인 경우(단계(S205), No), 즉, 광원(621)의 광량이 정상이 아닌 경우, 진단 제어부(71b)는, 현재의 모드가 자동 조정 모드인지 여부를 판정한다(단계(S206)). 단계(S206)에 있어서, 자동 조정 모드 중이라고 판정한 경우(단계(S206), Yes), 진단 제어부(71b)는, 광원(621)의 설정 광량을 변경한다(단계(S207)). 구체적으로, 진단 제어부(71b)는, 광원(621)의 설정 광량을 올린다. 예를 들면, 진단 제어부(71b)는, 측정 수광량과 초기 수광량과의 차분만큼 설정 광량을 올려도 된다. 또한, 진단 제어부(71b)는, 미리 정해진 양만큼 설정 광량을 올려도 된다. 단계(S206)의 처리를 끝내면, 진단 제어부(71b)는, 단계(S202)로 돌아와, 변경 후의 설정 광량으로 광원(621)을 발광시킨다.In step S205, if the difference between the measured received light amount and the initial received light amount is equal to or greater than the light amount threshold (step S205, No), that is, when the light amount of the
한편, 단계(S206)에 있어서, 자동 조정 모드 중이 아닌 경우(단계(S206), No) 진단 제어부(71b)는, 알림 처리를 행한다(단계(S208)). 예를 들면, 진단 제어부(71b)는, 알림 처리로서, 접합 시스템(1)에 네트워크를 개재하여 접속되는 상위 장치에 대하여, 광원(621)의 광량이 저하되어 있는 취지의 정보를 송신해도 된다. 또한, 진단 제어부(71b)는, 알림 처리로서, 접합 시스템(1)에 마련된 도시하지 않는 경보 장치(알람 또는 램프 등)를 작동시켜도 된다.On the other hand, in step S206, when it is not in the automatic adjustment mode (step S206, No), the
단계(S208)의 처리를 끝낸 경우, 또는, 단계(S205)에 있어서, 측정 수광량과 초기 수광량과의 차가 광량 임계치 미만인 경우(단계(S205), Yes), 즉, 광원(621)의 광량이 정상인 경우, 진단 제어부(71b)는, 광량 체크 처리를 끝낸다.When the processing of step S208 is finished, or when the difference between the measured received light amount and the initial received light amount is less than the light amount threshold (step S205, Yes), that is, when the light amount of the
이어서, 검사 장치(80)에 있어서의 광축 체크 처리의 순서에 대하여 도 13을 참조하여 설명한다. 도 13은 광축 체크 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.Next, the procedure of the optical axis check process in the
도 13에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(80)에서는, 먼저, 이동 기구(440)(도 4 참조)가 진단부(700)를 이동시킴으로써, 진단부(700)의 감쇠 부재(720)를 마이크로 조명부(620)의 상방(마이크로 촬상부(520)의 하방)에 배치시킨다(단계(S301)).As shown in FIG. 13 , in the
이어서, 검사 장치(80)에서는, 마이크로 촬상부(520)의 포커스 맞춤 등을 행한 다음, 마이크로 조명부(620)의 광원(621)을 설정 광량으로 발광시킨다(단계(S302)). 그리고, 검사 장치(80)에서는, 감쇠 부재(720)에 형성된 교정 마크(M3)를 마이크로 촬상부(520)가 촬상한다(단계(S303)).Next, in the
이어서, 진단 제어부(71b)는, 마이크로 촬상부(520)에 의해 촬상된 화상 데이터에 기초하여, 제 1 사각(M3a)의 중심(G3a) 및 제 2 사각(M3b)의 중심(G3b) 간의 거리를 마크 측정값으로서 산출한다(단계(S304)). 또한, 진단 제어부(71b)는, 산출한 마크 측정값과 중심(G3a, G3b) 간의 거리의 정상값(이하, ‘Ref값’이라 기재함)과의 차분을 산출한다(단계(S305)). 또한, 본 실시 형태에서는, Ref값이 0인 경우, 즉, 중심(G3a)과 중심(G3b)이 일치하는 경우를 예로 들어 설명했지만, Ref값은 반드시 0인 것을 요하지 않는다.Next, the
이어서, 진단 제어부(71b)는, 마크 측정값과 Ref값과의 차분이 임계치(이하, ‘광축 임계치’라 기재함) 미만인지 여부를 판정한다(단계(S306)). 이 처리에 있어서, 마크 측정값과 Ref값과의 차분이 광축 임계치 미만이 아닌 경우(단계(S306), No), 진단 제어부(71b)는, 알림 처리를 행한다(단계(S307)). 예를 들면, 진단 제어부(71b)는, 알림 처리로서, 접합 시스템(1)에 네트워크를 개재하여 접속되는 상위 장치에 대하여, 광원(621)의 광축이 기울어 있는 취지의 정보를 송신해도 된다. 또한, 진단 제어부(71b)는, 알림 처리로서, 접합 시스템(1)에 마련된 도시하지 않는 경보 장치(알람 또는 램프 등)를 작동시켜도 된다.Next, the
단계(S307)의 처리를 끝낸 경우, 또는, 단계(S306)에 있어서, 마크 측정값과 Ref값과의 차분이 광축 임계치 미만인 경우(단계(S306), Yes), 진단 제어부(71b)는, 광축 체크 처리를 끝낸다.When the processing of step S307 is finished, or when the difference between the mark measurement value and the Ref value is less than the optical axis threshold in step S306 (step S306, Yes), the
상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 검사 장치(일례로서, 검사 장치(80))의 자기 진단 방법은, 제 1 기판(일례로서, 제 1 기판(W1))과 제 2 기판(일례로서, 제 2 기판(W2))이 접합된 중합 기판(일례로서, 중합 기판(T))을 검사하는 검사 장치의 자기 진단 방법으로서, 배치하는 공정과, 조사하는 공정과, 수광하는 공정과, 광량의 이상을 판정하는 공정을 포함한다. 배치하는 공정은, 중합 기판의 외주부를 유지하는 유지부로서, 광을 감쇠시키는 감쇠 부재(일례로서, 감쇠 부재(720))를 가지는 진단부(일례로서, 진단부(700))가 마련된 유지부(일례로서, 유지부(400))를 이동시킴으로써, 유지부의 상방 및 하방 중 일방에 배치되고, 유지부에 유지된 중합 기판에 광을 조사하는 조명부(일례로서, 매크로 조명부(610) 또는 마이크로 조명부(620))와, 유지부의 상방 및 하방 중 타방에 있어서 조명부와 대향하는 위치에 배치되고, 유지부에 유지된 중합 기판을 촬상하는 촬상부(일례로서, 매크로 촬상부(510) 또는 마이크로 촬상부(520))와의 사이에, 감쇠 부재를 배치한다. 조사하는 공정은, 배치하는 공정 후, 조명부로부터 설정 광량으로 광을 조사한다. 수광하는 공정은, 조사하는 공정 후, 조명부로부터 조사되어 감쇠 부재를 투과한 광을 촬상부를 이용하여 수광한다. 광량의 이상을 판정하는 공정은, 수광하는 공정 후, 촬상부에서 수광된 광의 수광량에 기초하여, 조명부로부터 조사되는 광의 광량의 이상을 판정한다.As described above, the self-diagnosis method of the inspection apparatus (eg, inspection apparatus 80 ) according to the embodiment includes a first substrate (eg, first substrate W1 ) and a second substrate (eg, second substrate). A self-diagnostic method of an inspection apparatus for inspecting a polymer substrate (eg, polymer substrate T) to which two substrates W2) are bonded, a process for arranging, a process for irradiating, a process for receiving light, and abnormality of light quantity It includes the process of judging. In the disposing step, a holding unit for holding the outer periphery of the polymerized substrate, the holding unit provided with a diagnosis unit (eg, the diagnosis unit 700 ) having an attenuation member (eg, attenuation member 720 ) for attenuating light By moving (as an example, the holding unit 400), an illumination unit (eg, a
실시 형태에 따른 검사 장치의 자기 진단 방법에 의하면, 검사 장치에 내장된 진단부를 이용하여, 조명부의 광량 체크를 용이하게 행할 수 있다. 따라서, 검사 장치의 측정 정밀도의 유지를 용이하게 하는 것이 가능하다.According to the self-diagnosis method of the inspection apparatus according to the embodiment, it is possible to easily check the amount of light in the lighting unit by using the diagnostic unit built in the inspection apparatus. Accordingly, it is possible to facilitate the maintenance of the measurement accuracy of the inspection apparatus.
광량의 이상을 판정하는 공정은, 조명부로부터 설정 광량으로 조사되고, 감쇠 부재를 투과하여 촬상부에서 수광된 광의 수광량으로서 미리 기억된 초기 수광량(일례로서, 광량 초기 정보(72a)에 포함되는 초기 수광량)과, 촬상하는 공정에 있어서 촬상부에서 수광된 광의 수광량(일례로서, 측정 수광량)과의 차분을 산출하고, 차분이 광량 임계치 이상인 경우에, 조명부로부터 조사되는 광의 광량이 이상이라고 판정해도 된다. 이에 의해, 조명부의 광원의 사용에 따른 열화를 용이하게 발견할 수 있다.In the step of determining the abnormality of the light amount, an initial received amount (for example, the initial light amount included in the initial
실시 형태에 따른 검사 장치의 자기 진단 방법은, 광량의 이상을 판정하는 공정에 있어서, 조명부로부터 조사되는 광의 광량이 이상이라고 판정한 경우에, 설정 광량을 변경하는 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 이에 의해, 조명부로부터 발해지는 광의 광량이 항상 일정한 상태를 용이하게 유지할 수 있다.The self-diagnosis method of the inspection apparatus according to the embodiment may further include a step of changing the set light amount when it is determined that the light amount of the light irradiated from the illumination unit is abnormal in the step of determining the abnormality of the light amount. Thereby, it is possible to easily maintain a state where the amount of light emitted from the lighting unit is always constant.
감쇠 부재는, 교정 마크를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 실시 형태에 따른 검사 장치의 자기 진단 방법은, 촬상하는 공정과, 광축의 기울기를 판정하는 공정을 더 포함하고 있어도 된다. 촬상하는 공정은, 조사하는 공정 후, 촬상부를 이용하여 교정 마크를 촬상한다. 광축의 기울기를 판정하는 공정은, 촬상하는 공정 후, 촬상부에 의해 촬상된 교정 마크에 기초하여, 조명부의 광축의 기울기를 판정한다. 이에 의해, 광량 체크를 행하기 위한 진단부를 이용하여, 광축의 기울기의 체크도 행할 수 있다.The damping member may have a calibration mark. In this case, the self-diagnosis method of the inspection apparatus according to the embodiment may further include a step of imaging and a step of determining the inclination of the optical axis. The process of imaging images a calibration mark using an imaging part after the process of irradiating. The step of determining the inclination of the optical axis determines the inclination of the optical axis of the lighting unit based on the calibration mark imaged by the imaging unit after the imaging step. Thereby, the inclination of the optical axis can also be checked using the diagnostic unit for checking the amount of light.
또한, 실시 형태에 따른 검사 장치(일례로서, 검사 장치(80))는, 제 1 기판(일례로서, 제 1 기판(W1))과 제 2 기판(일례로서, 제 2 기판(W2))이 접합된 중합 기판(일례로서, 중합 기판(T))을 검사하는 검사 장치로서, 유지부(일례로서, 유지부(400))와, 조명부(일례로서, 매크로 조명부(610) 또는 마이크로 조명부(620))와, 촬상부(일례로서, 매크로 촬상부(510) 또는 마이크로 촬상부(520))와, 이동 기구(일례로서, 이동 기구(440))와, 진단부(일례로서, 진단부(700))를 구비한다. 유지부는, 중합 기판의 외주부를 유지한다. 조명부는, 유지부의 상방 및 하방 중 일방에 배치되고, 유지부에 유지된 중합 기판에 광을 조사한다. 촬상부는, 유지부의 상방 및 하방 중 타방에 있어서 조명부와 대향하는 위치에 배치되고, 유지부에 유지된 중합 기판을 촬상한다. 이동 기구는, 유지부를 이동시킨다. 진단부는, 유지부에 마련되고, 조명부로부터 조사되는 광을 감쇠시키는 감쇠 부재(일례로서, 감쇠 부재(720))를 가진다.In addition, the inspection apparatus (eg, inspection apparatus 80 ) according to the embodiment includes a first substrate (eg, first substrate W1 ) and a second substrate (eg, second substrate W2 ). An inspection device for inspecting a bonded polymerized substrate (eg, polymeric substrate T), comprising: a holding unit (eg, holding unit 400 ); and an illumination unit (eg,
실시 형태에 따른 검사 장치에 의하면, 검사 장치에 내장된 진단부를 이용하여, 조명부의 광량 체크를 용이하게 행할 수 있다. 따라서, 검사 장치의 측정 정밀도의 유지를 용이하게 하는 것이 가능하다.According to the inspection apparatus according to the embodiment, it is possible to easily check the amount of light in the lighting unit using the diagnostic unit built in the inspection apparatus. Accordingly, it is possible to facilitate the maintenance of the measurement accuracy of the inspection apparatus.
감쇠 부재는, 실리콘(일례로서, 실리콘판(722))을 포함하고 있어도 된다. 조명부로부터 발해지는 광을 실리콘을 이용하여 중합 기판과 동일하게 감쇠시킴으로써, 광량 체크를 적절하게 행할 수 있다.The damping member may contain silicon (eg, a silicon plate 722 ). By attenuating the light emitted from the lighting unit in the same manner as in the polymerization substrate using silicon, it is possible to appropriately check the amount of light.
감쇠 부재는, 실리콘과, 실리콘에 적층된 글라스(일례로서, 글라스판(721))와, 글라스에 형성된 교정 마크(일례로서, 교정 마크(M3))를 포함하고 있어도 된다. 글라스에 교정 마크를 형성함으로써, 예를 들면 실리콘에 교정 마크를 형성하는 경우와 비교하여 염가로 감쇠 부재를 형성할 수 있다.The damping member may include silicon, a glass laminated on silicon (as an example, a glass plate 721), and a calibration mark formed on the glass (as an example, a calibration mark M3). By forming the calibration mark on the glass, for example, the damping member can be formed at a lower cost compared to the case where the calibration mark is formed on silicon.
유지부는, 본체부(일례로서, 본체부(410))와, 복수의 지지 부재(일례로서, 지지 부재(420))를 구비하고 있어도 된다. 본체부는, 중합 기판보다 큰 직경의 개구(일례로서, 개구(411))를 가진다. 복수의 지지 부재는, 본체부에 마련되고, 개구의 중심을 향해 연장되고, 선단부에 있어서 중합 기판의 외주부를 지지한다. 이 경우, 진단부는, 이웃하는 2 개의 지지 부재의 사이에 배치되어도 된다. 이에 의해, 검사 장치(80)의 대형화를 억제할 수 있다.The holding unit may include a main body (eg, the main body 410 ) and a plurality of supporting members (eg, the supporting members 420 ). The body portion has an opening (eg, an opening 411 ) having a larger diameter than that of the polymerization substrate. A plurality of support members are provided in the body portion, extend toward the center of the opening, and support the outer peripheral portion of the polymerization substrate at the tip portion. In this case, the diagnostic unit may be disposed between two adjacent supporting members. Thereby, enlargement of the
진단부는, 장착부(일례로서, 장착부(710))와, 감쇠 부재(일례로서, 감쇠 부재(720))를 구비하고 있어도 된다. 장착부는, 유지부에 마련되고, 개구의 중심을 향해 연장된다. 감쇠 부재는, 장착부의 선단부에 장착된다. 이 경우, 감쇠 부재는, 중합 기판의 판면에 대하여 수직인 방향으로부터 검사 장치를 본 평면에서(일례로서, 도 5) 봤을 때에 있어서, 중합 기판으로부터 노출되는 위치에 배치되어도 된다. 이에 의해, 유지부에 중합 기판이 유지된 상태라도, 진단부를 이용한 자기 진단을 행할 수 있다.The diagnostic unit may include a mounting unit (eg, the mounting unit 710 ) and a damping member (eg, the damping member 720 ). The mounting portion is provided on the holding portion and extends toward the center of the opening. The damping member is attached to the distal end of the mounting portion. In this case, the damping member may be disposed at a position exposed from the polymerization substrate when the inspection apparatus is viewed in a plane (eg, FIG. 5 ) from a direction perpendicular to the plate surface of the polymerization substrate. Thereby, even when the polymer substrate is held by the holding unit, self-diagnosis using the diagnosis unit can be performed.
또한, 상술한 실시 형태에서는, 제 1 기판의 중심부를 스트라이커에 의해 눌러 제 2 기판에 접촉시켜, 표면이 개질된 제 1 기판 및 제 2 기판의 접합면 사이에 생기는 분자간력을 이용하여 제 1 기판과 제 2 기판을 접합하는 접합 장치를 예로 들어 설명했다. 이에 한정되지 않고, 접합 장치는, 예를 들면, 제 1 기판 및 제 2 기판을 접착제를 개재하여 접합하는 타입의 접합 장치여도 된다.Further, in the above-described embodiment, the central portion of the first substrate is pressed with a striker to contact the second substrate, and the first substrate is used by using intermolecular force generated between the bonding surfaces of the first substrate and the second substrate, the surfaces of which are modified. The bonding apparatus for bonding the and the second substrate was described as an example. It is not limited to this, For example, the bonding apparatus of the type which joins a 1st board|substrate and a 2nd board|substrate via an adhesive agent may be sufficient as a bonding apparatus.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는, 첨부한 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.It should be considered that embodiment disclosed this time is not restrictive by an illustration in all points. Indeed, the above-described embodiment may be implemented in various forms. In addition, said embodiment may abbreviate|omit, substitute, and change in various forms, without deviating from the attached claim and the meaning.
W1 : 제 1 기판
W2 : 제 2 기판
T : 중합 기판
1 : 접합 시스템
2 : 반입반출 스테이션
3 : 처리 스테이션
4 : 검사 스테이션
41 : 접합 장치
70 : 제어 장치
71 : 제어부
71a : 측정 제어부
71b : 진단 제어부
72 : 기억부
72a : 광량 초기 정보
80 : 검사 장치
400 : 유지부
410 : 본체부
420 : 지지 부재
460 : 흡인관
500 : 촬상 유닛
510 : 매크로 촬상부
520 : 마이크로 촬상부
600 : 조명 유닛
610 : 매크로 조명부
620 : 마이크로 조명부
700 : 진단부
710 : 장착부
720 : 감쇠 부재W1: first substrate
W2: second substrate
T: polymerization substrate
1: splicing system
2: Carry-in/out station
3: processing station
4: Inspection Station
41: bonding device
70: control device
71: control unit
71a: measurement control
71b: diagnostic control
72: memory
72a: light amount initial information
80: inspection device
400: holding part
410: body part
420: support member
460: suction tube
500: imaging unit
510: macro imaging unit
520: micro imaging unit
600: lighting unit
610: macro lighting unit
620: micro lighting unit
700: diagnostic unit
710: mounting part
720: damping member
Claims (9)
상기 중합 기판의 외주부를 유지하는 유지부로서, 광을 감쇠시키는 감쇠 부재를 가지는 진단부가 마련된 상기 유지부를 이동시킴으로써, 상기 유지부의 상방 및 하방 중 일방에 배치되고, 상기 유지부에 유지된 상기 중합 기판에 광을 조사하는 조명부와, 상기 유지부의 상방 및 하방 중 타방에 있어서 상기 조명부와 대향하는 위치에 배치되고, 상기 유지부에 유지된 상기 중합 기판을 촬상하는 촬상부와의 사이에, 상기 감쇠 부재를 배치하는 공정과,
상기 배치하는 공정 후, 상기 조명부로부터 설정 광량으로 광을 조사하는 공정과,
상기 조사하는 공정 후, 상기 조명부로부터 조사되어 상기 감쇠 부재를 투과한 광을 상기 촬상부를 이용하여 수광하는 공정과,
상기 수광하는 공정 후, 상기 촬상부에서 수광된 광의 수광량에 기초하여, 상기 조명부로부터 조사되는 광의 광량의 이상을 판정하는 공정
을 포함하는, 검사 장치의 자기 진단 방법.A self-diagnosis method of an inspection apparatus for inspecting a polymer substrate to which a first substrate and a second substrate are bonded, the method comprising:
A holding part for holding the outer periphery of the polymeric substrate and provided with a diagnostic part having an attenuation member for attenuating light is moved by moving the holding part, the polymeric substrate being disposed on one of the upper and lower sides of the holding part and held by the holding part the attenuation member between an illuminating unit irradiating light onto The process of placing
After the arranging process, a process of irradiating light with a set amount of light from the lighting unit;
After the irradiating step, a step of receiving the light irradiated from the illumination unit and transmitted through the attenuation member using the imaging unit;
After the step of receiving light, a step of determining abnormality in the amount of light irradiated from the illuminating section based on the received amount of light received by the imaging section
A self-diagnosis method of a test device comprising a.
상기 광량의 이상을 판정하는 공정은,
상기 조명부로부터 상기 설정 광량으로 조사되고 상기 감쇠 부재를 투과하여 상기 촬상부에서 수광된 광의 수광량으로서 미리 기억된 초기 수광량과, 상기 수광하는 공정에 있어서 상기 촬상부에서 수광된 광의 수광량과의 차분을 산출하고, 상기 차분이 광량 임계치 이상인 경우에, 상기 조명부로부터 조사되는 광의 광량이 이상이라고 판정하는, 검사 장치의 자기 진단 방법.The method of claim 1,
The step of determining the abnormality of the light quantity,
The difference between the initial light reception amount stored in advance as the light reception amount of the light irradiated from the illumination unit at the set light amount, transmitted through the attenuation member and received by the image pickup unit, and the light reception amount of the light received by the image pickup unit in the light receiving step is calculated and determining that the amount of light emitted from the illumination unit is abnormal when the difference is equal to or greater than a light amount threshold.
상기 광량의 이상을 판정하는 공정에 있어서, 상기 조명부로부터 조사되는 광의 광량이 이상이라고 판정한 경우에, 상기 설정 광량을 변경하는 공정
을 더 포함하는, 검사 장치의 자기 진단 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
In the step of determining the abnormality of the light quantity, the step of changing the set light quantity when it is determined that the light quantity of the light irradiated from the illumination unit is abnormal
Further comprising, the self-diagnosis method of the test device.
상기 감쇠 부재는, 교정 마크를 가지고 있고,
상기 조사하는 공정 후, 상기 촬상부를 이용하여 상기 교정 마크를 촬상하는 공정과,
상기 촬상하는 공정 후, 상기 촬상부에 의해 촬상된 상기 교정 마크에 기초하여, 상기 조명부의 광축의 기울기를 판정하는 공정
을 더 포함하는, 검사 장치의 자기 진단 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The damping member has a calibration mark,
After the step of irradiating, the step of imaging the calibration mark using the imaging unit;
After the said imaging process, based on the said calibration mark imaged by the said imaging part, the process of determining the inclination of the optical axis of the said illumination part.
Further comprising, the self-diagnosis method of the test device.
상기 중합 기판의 외주부를 유지하는 유지부와,
상기 유지부의 상방 및 하방 중 일방에 배치되고, 상기 유지부에 유지된 상기 중합 기판에 광을 조사하는 조명부와,
상기 유지부의 상방 및 하방 중 타방에 있어서 상기 조명부와 대향하는 위치에 배치되고, 상기 유지부에 유지된 상기 중합 기판을 촬상하는 촬상부와,
상기 유지부를 이동시키는 이동 기구와,
상기 유지부에 마련되고, 상기 조명부로부터 조사되는 광을 감쇠시키는 감쇠 부재를 가지는 진단부
를 구비하는, 검사 장치.An inspection apparatus for inspecting a polymer substrate to which a first substrate and a second substrate are bonded, comprising:
a holding part for holding the outer periphery of the polymerized substrate;
an illumination unit disposed on one of an upper side and a lower side of the holding unit and irradiating light to the polymer substrate held by the holding unit;
an imaging unit disposed at a position opposite to the lighting unit in the other of the upper and lower portions of the holding unit and configured to image the polymer substrate held by the holding unit;
a moving mechanism for moving the holding unit;
A diagnosis unit provided in the holding unit and having an attenuation member for attenuating the light emitted from the illumination unit
, which includes an inspection device.
상기 감쇠 부재는 실리콘을 포함하는, 검사 장치.6. The method of claim 5,
wherein the damping member comprises silicon.
상기 감쇠 부재는,
상기 실리콘과,
상기 실리콘에 적층된 글라스와,
상기 글라스에 형성된 교정 마크
를 포함하는, 검사 장치.7. The method of claim 6,
The damping member is
the silicone;
a glass laminated on the silicon;
Calibration marks formed on the glass
Including, inspection device.
상기 유지부는,
상기 중합 기판보다 큰 직경의 개구를 가지는 본체부와,
상기 본체부에 마련되고, 상기 개구의 중심을 향해 연장되고, 선단부에 있어서 상기 중합 기판의 외주부를 지지하는 복수의 지지 부재
를 구비하고,
상기 진단부는,
이웃하는 2 개의 상기 지지 부재의 사이에 배치되는, 검사 장치.8. The method according to any one of claims 5 to 7,
The holding unit,
a body portion having an opening having a larger diameter than that of the polymer substrate;
A plurality of support members provided in the main body, extending toward the center of the opening, and supporting the outer periphery of the polymerized substrate at the tip end.
to provide
The diagnostic unit,
An inspection device disposed between two adjacent support members.
상기 진단부는,
상기 유지부에 마련되고, 상기 개구의 중심을 향해 연장되는 장착부와,
상기 장착부의 선단부에 장착된 상기 감쇠 부재
를 구비하고,
상기 감쇠 부재는,
상기 중합 기판의 판면에 대하여 수직인 방향으로부터 상기 검사 장치를 본 평면에서 봤을 때에 있어서, 상기 중합 기판으로부터 노출되는 위치에 배치되는, 검사 장치.9. The method of claim 8,
The diagnostic unit,
a mounting part provided on the holding part and extending toward the center of the opening;
the damping member mounted to the distal end of the mounting part
to provide
The damping member is
an inspection device disposed at a position exposed from the polymer substrate when the inspection device is viewed in a plan view from a direction perpendicular to the plate surface of the polymer substrate.
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187716A (en) | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | Joining system, joining method, program, and computer memory media |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122903A (en) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Sekisui Jushi Co Ltd | Length measuring device |
JPS63122908A (en) * | 1986-11-13 | 1988-05-26 | Toshiba Corp | Surface inspection apparatus |
JP3158969B2 (en) * | 1995-06-09 | 2001-04-23 | 東レ株式会社 | Film defect detecting apparatus and film manufacturing method |
JP2001074669A (en) * | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Nippon Columbia Co Ltd | Apparatus for inspecting optical disk defect |
WO2003050514A2 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-19 | Therma-Wave, Inc. | Position-dependent optical metrology calibration |
JP2004191324A (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Ricoh Co Ltd | Pin-hole inspecting device |
JP2010008336A (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Sample wafer for calibration of image inspection device, and calibration method of image inspection device |
KR20110055788A (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | 재단법인 서울테크노파크 | Inspection method for bonded wafer using laser |
JP6004517B2 (en) | 2011-04-19 | 2016-10-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate inspection apparatus, substrate inspection method, and adjustment method of the substrate inspection apparatus |
KR101264099B1 (en) * | 2011-07-07 | 2013-05-14 | 한국전기연구원 | Apparatus and method for inspecting void of multi-junction semiconductor |
JP5674731B2 (en) * | 2012-08-23 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Inspection apparatus, joining system, inspection method, program, and computer storage medium |
JP6848929B2 (en) * | 2018-04-17 | 2021-03-24 | 豊田合成株式会社 | Storage box |
KR102629523B1 (en) | 2018-04-23 | 2024-01-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Measuring methods and measuring devices |
US10215695B1 (en) * | 2018-04-25 | 2019-02-26 | Globalfoundries Inc. | Inspection system and method for detecting defects at a materials interface |
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2020
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