KR20220047346A - coating and developing device - Google Patents

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KR20220047346A
KR20220047346A KR1020227008467A KR20227008467A KR20220047346A KR 20220047346 A KR20220047346 A KR 20220047346A KR 1020227008467 A KR1020227008467 A KR 1020227008467A KR 20227008467 A KR20227008467 A KR 20227008467A KR 20220047346 A KR20220047346 A KR 20220047346A
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coating
processing
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wafer
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야스시 타키구치
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 개시에 따른 도포, 현상 장치(1)는 반입반출 스테이션(S1)과, 처리 스테이션(S4)과, 도포 전 세정부(23)와, 도포 후 세정부(54)를 구비한다. 반입반출 스테이션은, 복수의 기판(W)을 수납한 카세트(C)가 배치되는 카세트 배치부(11)를 포함한다. 처리 스테이션은, 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 처리를 행하는 도포 처리부(COT)와, 노광 장치(EXP)에서 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 현상 처리부(DEV)와, 기판을 가열하는 가열부(BK1, BK2)를 포함한다. 도포 전 세정부는, 반입반출 스테이션과 노광 장치의 사이에 마련되어, 도포 처리 전의 기판의 표면을 물리적으로 세정한다. 도포 후 세정부는, 처리 스테이션과 노광 장치의 사이에 마련되어, 도포 처리 후의 기판의 이면을 물리적으로 세정한다.The coating and developing apparatus 1 according to the present disclosure includes a carry-in/out station S1 , a processing station S4 , a pre-coating cleaning unit 23 , and a post-coating cleaning unit 54 . The carrying-in/out station includes a cassette arranging unit 11 in which a cassette C containing a plurality of substrates W is disposed. The processing station includes a coating processing unit (COT) that performs a coating treatment of applying a resist to the surface of the substrate, and a developing processing unit (DEV) that supplies a developing solution to the surface of the substrate after exposure in the exposure apparatus (EXP) and performs development processing; , and heating units BK1 and BK2 for heating the substrate. The pre-coating washing|cleaning part is provided between the carrying-in/out station and the exposure apparatus, and physically cleans the surface of the board|substrate before an application|coating process. The post-coating cleaning unit is provided between the processing station and the exposure apparatus, and physically cleans the back surface of the substrate after the coating process.

Figure P1020227008467
Figure P1020227008467

Description

도포, 현상 장치coating and developing device

본 개시는 도포, 현상 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a coating and developing apparatus.

종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 레지스트의 도포 처리를 행하고, 노광 장치에서 노광된 후의 기판에 대하여 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치가 알려져 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART Conventionally, the coating|coating and developing apparatus which apply|coats a resist with respect to substrates, such as a semiconductor wafer, and supplies a developing solution with respect to the board|substrate after exposure by the exposure apparatus to perform a development process are known.

일본특허공개공보 2010-16098호Japanese Patent Laid-Open No. 2010-16098

본 개시는 세정 처리를 포함하는 일련의 도포, 현상 처리를 효율적으로 행할 수 있는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique capable of efficiently performing a series of coating and developing processes including a cleaning process.

본 개시된 일태양에 따른 도포, 현상 장치는 반입반출 스테이션과, 처리 스테이션과, 도포 전 세정부와, 도포 후 세정부를 구비한다. 반입반출 스테이션은, 복수의 기판을 수납한 카세트가 배치되는 카세트 배치부를 포함한다. 처리 스테이션은, 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 처리를 행하는 도포 처리부와, 노광 장치에서 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 현상 처리부와, 기판을 가열하는 가열부를 포함한다. 도포 전 세정부는, 반입반출 스테이션과 노광 장치의 사이에 마련되어, 도포 처리 전의 기판의 표면을 물리적으로 세정한다. 도포 후 세정부는, 처리 스테이션과 노광 장치의 사이에 마련되어, 도포 처리 후의 기판의 이면을 물리적으로 세정한다.A coating and developing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a carry-in/out station, a processing station, a cleaning unit before application, and a cleaning unit after application. The carrying-in/out station includes a cassette arranging unit in which cassettes accommodating a plurality of substrates are disposed. The processing station includes a coating processing unit that performs a coating treatment of applying a resist to the surface of the substrate, a developing processing unit that supplies a developing solution to the surface of the substrate after exposure in an exposure apparatus to perform development, and a heating unit that heats the substrate . The pre-coating washing|cleaning part is provided between the carrying-in/out station and the exposure apparatus, and physically cleans the surface of the board|substrate before an application|coating process. The post-coating cleaning unit is provided between the processing station and the exposure apparatus, and physically cleans the back surface of the substrate after the coating process.

본 개시에 따르면, 세정 처리를 포함하는 일련의 도포, 현상 처리를 효율적으로 행할 수 있다.According to the present disclosure, it is possible to efficiently perform a series of coating and developing processes including a cleaning process.

도 1은 제 1 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 평면도이다.
도 2는 제 1 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 측면도이다.
도 3은 제 1 실시 형태에 따른 처리 스테이션의 개략 측면도이다.
도 4는 제 1 실시 형태에 따른 반송 블록의 개략 측면도이다.
도 5는 제 1 실시 형태에 따른 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.
도 6은 제 1 실시 형태에 따른 도포 전 세정부의 개략 평면도이다.
도 7은 제 1 실시 형태에 따른 도포 전 세정부의 개략 측면도이다.
도 8은 제 1 실시 형태에 따른 도포 후 세정부의 개략 평면도이다.
도 9는 제 1 실시 형태에 따른 도포 후 세정부의 개략 측면도이다.
도 10은 제 2 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 평면도이다.
도 11은 제 2 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 측면도이다.
도 12는 제 3 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 평면도이다.
도 13은 제 3 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 측면도이다.1 is a schematic plan view of a coating and developing apparatus according to a first embodiment.
Fig. 2 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the first embodiment.
3 is a schematic side view of a processing station according to the first embodiment;
Fig. 4 is a schematic side view of a transport block according to the first embodiment;
5 is a diagram illustrating a wafer transfer flow according to the first embodiment.
6 is a schematic plan view of a cleaning unit before application according to the first embodiment.
7 is a schematic side view of a cleaning unit before application according to the first embodiment.
8 is a schematic plan view of a cleaning unit after application according to the first embodiment.
9 is a schematic side view of a cleaning unit after application according to the first embodiment.
Fig. 10 is a schematic plan view of the coating and developing apparatus according to the second embodiment.
11 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the second embodiment.
12 is a schematic plan view of a coating and developing apparatus according to a third embodiment.
Fig. 13 is a schematic side view of a coating and developing apparatus according to a third embodiment;

이하에, 본 개시에 따른 도포, 현상 장치를 실시하기 위한 형태(이하, '실시 형태'라 기재함)에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시 형태에 의해 본 개시에 따른 도포, 현상 장치가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시 형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시 형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략된다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A form (hereinafter referred to as an 'embodiment') for implementing the coating and developing apparatus according to the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the application|coating and developing apparatus which concern on this indication are not limited by this embodiment. In addition, each embodiment can be combined suitably in the range which does not contradict a process content. In addition, in each following embodiment, the same code|symbol is attached|subjected to the same site|part, and overlapping description is abbreviate|omitted.

또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'과 같은 표현이 이용되는 경우가 있는데, 이들 표현은, 엄밀하게 '일정', '직교', '수직' 혹은 '평행'인 것을 요하지 않는다. 즉, 상기한 각 표현은 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 오차를 허용하는 것으로 한다.In addition, in the embodiments shown below, expressions such as 'constant', 'orthogonal', 'vertical' or 'parallel' may be used in some cases, but these expressions are strictly 'constant', 'orthogonal', 'vertical' ' or 'parallel'. That is, it is assumed that each of the above expressions allows errors in manufacturing precision, installation precision, and the like.

[제 1 실시 형태][First embodiment]

도 1은 제 1 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 평면도이다. 도 2는 제 1 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 측면도이다. 도 3은 제 1 실시 형태에 따른 처리 스테이션의 개략 측면도이다. 도 4는 제 1 실시 형태에 따른 반송 블록의 개략 측면도이다.1 is a schematic plan view of a coating and developing apparatus according to a first embodiment. Fig. 2 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the first embodiment. 3 is a schematic side view of a processing station according to the first embodiment; Fig. 4 is a schematic side view of a transport block according to the first embodiment;

도 1에 나타내는 바와 같이, 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(1)는 반입반출 스테이션(S1)과, 세정 스테이션(S2)과, 전달 스테이션(S3)과, 처리 스테이션(S4)과, 인터페이스 스테이션(S5)을 구비한다. 이들은, 수평 방향(여기서는, Y축 방향)을 따라, 반입반출 스테이션(S1), 세정 스테이션(S2), 전달 스테이션(S3), 처리 스테이션(S4) 및 인터페이스 스테이션(S5)의 순서로 연결되어 있다. 또한, 도포, 현상 장치(1)는 제어 장치(6)를 구비한다.As shown in FIG. 1 , the coating and developing apparatus 1 according to the embodiment includes a carry-in/out station S1, a cleaning station S2, a delivery station S3, a processing station S4, and an interface station. (S5) is provided. These are connected in this order along the horizontal direction (here, the Y-axis direction): the carry-in/out station S1, the cleaning station S2, the delivery station S3, the processing station S4, and the interface station S5. . Further, the coating and developing device 1 includes a control device 6 .

<반입반출 스테이션(S1)><Carry-in/out station (S1)>

반입반출 스테이션(S1)에는, 카세트(C)를 배치 가능한 복수의 카세트 배치대(11)와, 카세트 배치대(11)에서 봤을 때 전방의 벽면에 마련되는 복수의 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 개재하여 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 반송부(13)가 마련되어 있다.In the carry-in/out station S1, a plurality of cassette mounting tables 11 on which the cassette C can be arranged, a plurality of opening and closing parts 12 provided on the front wall when viewed from the cassette mounting table 11, and an opening and closing part ( A transfer unit 13 for taking out the wafer W from the cassette C via the 12 ) is provided.

카세트(C)는, 복수의 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼(W)'라 기재함)를 수용 가능한 용기이다. 반송부(13)는, 제 1 전달부(TRS1)와 카세트(C)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 반송부(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부를 구비한다. 또한, 반송부(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.The cassette C is a container capable of accommodating a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as 'wafer W'). The transfer unit 13 transfers the wafer W between the first transfer unit TRS1 and the cassette C. The transfer unit 13 includes a holding unit that holds the wafer W. Moreover, the conveyance part 13 can move in a horizontal direction and a vertical direction, and turn about a vertical axis|shaft.

<세정 스테이션(S2)><Washing Station (S2)>

세정 스테이션(S2)은, 반입반출 스테이션(S1)과 전달 스테이션(S3)의 사이에 마련된다. 세정 스테이션(S2)에는, 웨이퍼(W)의 전달이 행해지는 제 1 전달부(TRS1)와, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송부(22)와, 웨이퍼(W)를 세정하는 도포 전 세정부(23)와, 웨이퍼(W)를 검사하는 검사부(24)가 마련되어 있다.The washing station S2 is provided between the carrying-in/out station S1 and the delivery station S3. In the cleaning station S2, a first transfer unit TRS1 for transferring the wafer W, a transfer unit 22 for transferring the wafer W, and a pre-coating cleaning unit for cleaning the wafer W 23 and an inspection unit 24 for inspecting the wafer W are provided.

제 1 전달부(TRS1)는, 반송부(13) 및 반송부(22)가 액세스 가능한 위치에 배치된다. 제 1 전달부(TRS1)는, 예를 들면, 사각형의 하우징을 구비하고 있고, 이러한 하우징의 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능하다. 제 1 전달부(TRS1)는, 반송부(13) 및 반송부(22)에 의해 액세스 가능하다. 또한 제 1 전달부(TRS1)는, 웨이퍼(W)의 온도를 예정한 온도로 조절하는 온조(溫調) 기구를 구비하고 있어도 된다.The 1st delivery part TRS1 is arrange|positioned at the position where the carrying part 13 and the carrying part 22 can access. The first transfer unit TRS1 has, for example, a rectangular housing, and the wafer W can be accommodated in the housing. The first transfer unit TRS1 is accessible by the transfer unit 13 and the transfer unit 22 . Moreover, the 1st transmission part TRS1 may be equipped with the temperature control mechanism which adjusts the temperature of the wafer W to the predetermined temperature.

반송부(22)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부를 구비한다. 또한, 반송부(22)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 반송부(22)는 제 1 전달부(TRS1), 도포 전 세정부(23), 검사부(24) 및 후술하는 선반 유닛(31) 간에서의 웨이퍼(W)의 반송을 담당한다.The transfer unit 22 includes a holding unit that holds the wafer W. Moreover, the conveyance part 22 is movable in a horizontal direction and a vertical direction, and turning about a vertical axis is possible. The transfer unit 22 is responsible for transferring the wafer W between the first transfer unit TRS1 , the pre-coating cleaning unit 23 , the inspection unit 24 , and a shelf unit 31 to be described later.

도포 전 세정부(23)는, 후술하는 도포 처리부에 의해 레지스트 등이 도포되기 전의 웨이퍼(W)의 표면을 물리적으로 세정한다. 예를 들면, 도포 전 세정부(23)는, 이른바 스크러버 장치이며, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키면서, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 브러시를 접촉시킨다. 이에 의해, 도포 전 세정부(23)는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 이물을 제거하거나, 웨이퍼(W)의 표면에 생긴 흠집을 제거한다. 도포 전 세정부(23)의 구체적인 구성예에 대해서는 후술한다. 또한 본 명세서에 있어서, '물리적으로 세정한다'란, 예를 들면 분류(噴流)의 압력 또는 브러시의 마찰력 등의 물리력을 이용하여 웨이퍼(W)에 붙은 먼지 또는 흠집 등을 제거하는 것을 말한다.The pre-coating cleaning unit 23 physically cleans the surface of the wafer W before a resist or the like is applied by a coating processing unit to be described later. For example, the pre-coating cleaning unit 23 is a so-called scrubber device, and while holding and rotating the wafer W, a brush is brought into contact with the surface of the rotating wafer W. In this way, the pre-coating cleaning unit 23 removes, for example, foreign matter adhering to the surface of the wafer W or removes scratches on the surface of the wafer W. A specific configuration example of the cleaning unit 23 before application will be described later. In addition, in this specification, "physically cleaning" refers to removing dust or scratches attached to the wafer W by using a physical force such as, for example, a jet pressure or a frictional force of a brush.

도 2에 나타내는 바와 같이, 세정 스테이션(S2)에는, 복수의 도포 전 세정부(23)가, 높이 방향으로 배열되어 배치된다. 여기서는, 4 개의 도포 전 세정부(23)가 적층되는 예를 나타내고 있으며, 반송부(22)는, 이들 4 개의 도포 전 세정부(23)에 대하여 액세스 가능하다. 또한, 세정 스테이션(S2)에 마련되는 도포 전 세정부(23)의 수는 4 개에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 1 개여도 된다.As shown in FIG. 2 , in the washing station S2 , a plurality of pre-coating washing units 23 are arranged in a row in the height direction. Here, the example in which the four pre-coating washing|cleaning parts 23 are laminated|stacked is shown, and the conveyance part 22 is accessible with respect to these four pre-coating washing|cleaning parts 23. In addition, the number of the washing|cleaning parts 23 before application|coating provided in the washing|cleaning station S2 is not limited to four, For example, one may be sufficient.

검사부(24)는 웨이퍼(W)의 상태를 검사한다. 예를 들면, 검사부(24)는, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)의 표면 상태로서, 현상 선폭의 측정 등을 행해도 된다. 또한, 검사부(24)는, 도포 처리 후의 웨이퍼(W)의 표면 상태로서, 레지스트의 막 두께 측정 등을 행해도 된다. 또한, 도포, 현상 장치(1)는 반드시 검사부(24)를 구비하는 것을 요하지 않는다.The inspection unit 24 inspects the state of the wafer W. For example, the inspection unit 24 may measure the development line width or the like as the surface state of the wafer W after the development process. In addition, the inspection part 24 may measure the film thickness of a resist etc. as a surface state of the wafer W after a coating process. In addition, the coating/developing apparatus 1 does not necessarily include the inspection unit 24 .

<전달 스테이션(S3)><Delivery Station (S3)>

전달 스테이션(S3)은, 반입반출 스테이션(S1)과 전달 스테이션(S3)의 사이에 마련된다. 전달 스테이션(S3)에는, 선반 유닛(31)과, 복수(여기서는, 2 개)의 반송부(32)와, 선반 유닛(33)이 마련되어 있다. 선반 유닛(31)은 반송부(22), 반송부(32) 및 후술하는 반송부(41 ~ 46)가 액세스 가능한 위치에 배치된다. 2 개의 반송부(32)는, 선반 유닛(31)을 사이에 두고 대향하는 위치에 배치된다. 선반 유닛(33)은, 반송부(32)에서 봤을 때 선반 유닛(31)과 반대측에 배치되어 있고, 1 개의 반송부(32)만이 액세스 가능하다.Delivery station S3 is provided between carrying-in/out station S1 and delivery station S3. The delivery station S3 is provided with a shelf unit 31 , a plurality (here, two) of transport units 32 , and a shelf unit 33 . The shelf unit 31 is disposed at a position accessible to the conveying unit 22 , the conveying unit 32 , and the conveying units 41 to 46 , which will be described later. The two conveyance units 32 are disposed at opposing positions with the shelf unit 31 interposed therebetween. The shelf unit 33 is disposed on the opposite side to the shelf unit 31 when viewed from the transport unit 32 , and only one transport unit 32 is accessible.

선반 유닛(31)에는, 복수의 처리부가 높이 방향으로 배열되어 배치된다. 예를 들면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 선반 유닛(31)에는, 웨이퍼(W)의 전달 장소인 복수의 제 2 전달부(TRS2)가 배치된다. 복수의 제 2 전달부(TRS2)는, 처리 스테이션(S4)이 구비하는 6 개의 처리 블록(B1 ~ B6)에 대응하는 높은 위치에 각각 배치된다.In the shelf unit 31 , a plurality of processing units are arranged in a height direction. For example, as shown in FIG. 2 , in the shelf unit 31 , a plurality of second transfer units TRS2 serving as transfer locations for the wafers W are arranged. The plurality of second transmission units TRS2 are respectively disposed at high positions corresponding to the six processing blocks B1 to B6 included in the processing station S4.

제 2 전달부(TRS2)는, 예를 들면, 사각형의 하우징을 구비하고 있고, 이러한 하우징의 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능하다. 제 2 전달부(TRS2)는, 반송부(22) 및 반송부(32)에 의해 액세스 가능하다. 또한, 제 2 전달부(TRS2)는, 후술하는 반송부(41 ~ 46) 중 대응하는 처리 블록(B1 ~ B6)에 배치된 반송부(41 ~ 46)에 의해서도 액세스 가능하다. 제 2 전달부(TRS2)는, 웨이퍼(W)의 온도를 예정한 온도로 조절하는 온조 기구를 구비하고 있어도 된다.The second transfer unit TRS2 has, for example, a rectangular housing, and can accommodate the wafer W in the housing. The second transfer unit TRS2 is accessible by the transfer unit 22 and the transfer unit 32 . The second transfer unit TRS2 can also be accessed by the transfer units 41 to 46 disposed in the corresponding processing blocks B1 to B6 among the transport units 41 to 46 described later. The second transmission unit TRS2 may include a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the wafer W to a predetermined temperature.

반송부(32)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부를 구비한다. 또한, 반송부(32)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 선반 유닛(31)에 배치되는 복수의 제 2 전달부(TRS2) 간 또는 선반 유닛(31) 및 선반 유닛(33) 간에서 웨이퍼(W)를 반송한다.The transfer unit 32 includes a holding unit that holds the wafer W. In addition, the conveying unit 32 is capable of moving in horizontal and vertical directions and pivoting about a vertical axis, and is disposed between the plurality of second transmission units TRS2 disposed on the shelf unit 31 or between the shelf units ( 31 ) and the shelf unit 33 to transfer the wafer W .

선반 유닛(33)에는, 복수의 처리부가 높이 방향으로 배열되어 배치된다. 예를 들면, 선반 유닛(33)에는, 복수의 어드히전 처리부(AD)가 배치된다. 어드히전 처리부(AD)는, 웨이퍼(W)와 레지스트막과의 밀착성이 향상되도록, 예를 들면 헥사메틸 다이실라잔(HMDS) 등의 증기 분위기에서 웨이퍼(W)를 열 처리하는 어드히전 처리를 행한다.In the shelf unit 33 , a plurality of processing units are arranged in a height direction. For example, the shelf unit 33 is provided with a plurality of address processing units AD. Adhesive processing unit AD performs an adhesion process in which the wafer W is heat-treated in a vapor atmosphere such as hexamethyl disilazane (HMDS) in order to improve adhesion between the wafer W and the resist film. do

<처리 스테이션(S4) : 처리 블록(B1 ~ B6)><Processing Station (S4): Processing Blocks (B1 to B6)>

도 1 ~ 도 4에 나타내는 바와 같이, 처리 스테이션(S4)은 적층된 6 개의 처리 블록(B1 ~ B6)과, 반송 블록(BM)을 구비한다. 반송 블록(BM)은 반입반출 스테이션(S1) ~ 인터페이스 스테이션(S5)의 배열 방향(여기서는, Y축 방향)을 따라 연장된다.1 to 4 , the processing station S4 includes six stacked processing blocks B1 to B6 and a transport block BM. The conveyance block BM extends along the arrangement direction (here, the Y-axis direction) of the carrying-in/out station S1 - the interface station S5.

각 처리 블록(B1 ~ B6)은 프런트측 처리 블록(B1F ~ B6F)과, 백측 처리 블록(B1B ~ B6B)을 구비한다. 프런트측 처리 블록(B1F ~ B6F)과 백측 처리 블록(B1B ~ B6B)과 반송 블록(BM)은, 반입반출 스테이션(S1) ~ 인터페이스 스테이션(S5)의 배열 방향과 직교하는 방향(여기서는, X축 방향)을 따라 배열되어 배치된다. 또한, 프런트측 처리 블록(B1F ~ B6F)과 백측 처리 블록(B1B ~ B6B)은, 반송 블록(BM)을 사이에 두고 대향하는 위치에 배치된다. 구체적으로, 프런트측 처리 블록(B1F ~ B6F)은 반송 블록(BM)의 X축 정방향측에 배치되고, 백측 처리 블록(B1B ~ B6B)은 반송 블록(BM)의 X축 부방향측에 배치된다.Each processing block B1 to B6 includes front side processing blocks B1F to B6F and back side processing blocks B1B to B6B. The front side processing blocks B1F to B6F, the back side processing blocks B1B to B6B, and the conveying block BM are arranged in a direction orthogonal to the arrangement direction of the carry-in/out stations S1 to the interface station S5 (here, the X-axis direction) are arranged. Further, the front-side processing blocks B1F to B6F and the back-side processing blocks B1B to B6B are disposed at opposing positions with the transport block BM interposed therebetween. Specifically, the front-side processing blocks B1F to B6F are arranged on the positive X-axis side of the transport block BM, and the back-side processing blocks B1B to B6B are arranged on the negative X-axis side of the transport block BM. .

도 2에 나타내는 바와 같이, 프런트측 처리 블록(B1F ~ B6F)은, 아래로부터 차례로 이 순서로 적층된다. 이 중, 프런트측 처리 블록(B1F ~ B3F)에는, 각각 복수(여기서는, 4 개)의 도포 처리부(COT)가, Y축 방향을 따라 배열되어 배치된다.As shown in Fig. 2, the front-side processing blocks B1F to B6F are sequentially stacked in this order from the bottom. Among them, in the front processing blocks B1F to B3F, a plurality of (here, four) coating processing units COT are arranged and arranged along the Y-axis direction.

도포 처리부(COT)는, 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트 등의 성막 재료를 도포하는 도포 처리를 행한다. 구체적으로, 도포 처리부(COT)는, 예를 들면, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 유지부와, 유지부를 둘러싸는 컵 등을 구비하고 있고, 미도시의 약액 노즐로부터 웨이퍼(W)의 표면에 성막 재료를 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 막을 형성한다.The coating processing unit COT performs a coating processing of coating a film forming material such as a resist on the surface of the wafer W. Specifically, the coating processing unit COT includes, for example, a holding unit for holding and rotating the wafer W, a cup surrounding the holding unit, and the like, and the surface of the wafer W from a chemical nozzle (not shown). A film is formed on the surface of the wafer W by supplying a film-forming material to the ?

제 1 실시 형태에 있어서, 최하단인 프런트측 처리 블록(B1F)에 배치된 4 개의 도포 처리부(COT)는, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여, 성막 재료로서의 BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)를 도포한다. 또한, 프런트측 처리 블록(B2F)에 배치된 4 개의 도포 처리부(COT)는, BARC가 도포된 웨이퍼(W)의 표면에 대하여, 성막 재료로서의 레지스트를 도포한다. 또한, 프런트측 처리 블록(B3F)에 배치된 4 개의 도포 처리부(COT)는, 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)의 표면에 대하여, 성막 재료로서의 톱코트액을 도포한다.In the first embodiment, the four coating processing units COT disposed in the lowermost front side processing block B1F apply BARC (Bottom Anti-Reflective Coating) as a film forming material to the surface of the wafer W. do. In addition, the four coating processing units COT disposed in the front processing block B2F apply a resist as a film forming material to the surface of the wafer W on which the BARC is applied. In addition, the four coating processing units COT disposed in the front processing block B3F apply a topcoat liquid as a film forming material to the surface of the resist-coated wafer W.

프런트측 처리 블록(B4F ~ B6F)에는, 각각 복수(여기서는, 4 개)의 현상 처리부(DEV)가, Y축 방향을 따라 배열되어 배치된다.In each of the front-side processing blocks B4F to B6F, a plurality of (here, four) developing processing units DEV are arranged and arranged along the Y-axis direction.

현상 처리부(DEV)는, 노광 장치(EXP)에서 노광된 후의 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급하여 현상 처리를 행한다. 구체적으로, 현상 처리부(DEV)는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 유지부와, 유지부를 둘러싸는 컵 등을 구비하고 있고, 미도시의 약액 노즐로부터 웨이퍼(W)의 표면에 현상액을 공급한다. 이 후, 현상 처리부(DEV)는, 도시하지 않는 세정액 공급 기구로부터의 세정액에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 현상액을 씻어내고, 계속해서 유지부를 이용하여 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시킨다.The developing unit DEV supplies a developing solution to the surface of the wafer W after being exposed by the exposure apparatus EXP to perform the developing process. Specifically, the developing unit DEV includes a holding unit that holds and rotates the wafer W, a cup surrounding the holding unit, and the like, and supplies a developer to the surface of the wafer W from a chemical nozzle (not shown). do. Thereafter, the developing unit DEV washes away the developer remaining on the surface of the wafer W with a cleaning solution from a cleaning solution supply mechanism (not shown), and then rotates the wafer W at high speed using the holding unit. The wafer W is dried.

도 3에 나타내는 바와 같이, 백측 처리 블록(B1B ~ B6B)은, 아래로부터 차례로 이 순서로 적층된다. 백측 처리 블록(B1B ~ B6B)은, 각각 프런트측 처리 블록(B1F ~ B6F)과 동일한 높이 위치에 배치된다.As shown in Fig. 3, the back-side processing blocks B1B to B6B are sequentially stacked in this order from the bottom. The back-side processing blocks B1B to B6B are respectively arranged at the same height as the front-side processing blocks B1F to B6F.

백측 처리 블록(B1B ~ B6B) 중, 백측 처리 블록(B1B ~ B3B)에는, 복수(여기서는, 12 개)의 제 1 가열부(BK1)가 배치된다. 12 개의 제 1 가열부(BK1)는, 예를 들면, 수평 방향(Y축 방향)으로 6 개 배열되고 또한 높이 방향(Z축 방향)으로 2 단으로 적층된다. 제 1 가열부(BK1)는, 노광 처리 전의 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 가열한다.Among the white-side processing blocks B1B to B6B, a plurality of (here, 12) first heating units BK1 are disposed in the white-side processing blocks B1B to B3B. Six of the 12 first heating units BK1 are arranged in a horizontal direction (Y-axis direction), for example, and are stacked in two stages in a height direction (Z-axis direction). The first heating unit BK1 heats the wafer W before the exposure process to a preset temperature.

백측 처리 블록(B1B ~ B6B) 중, 백측 처리 블록(B4B ~ B6B)에는, 복수(여기서는, 12 개)의 제 2 가열부(BK2)가 배치된다. 12 개의 제 2 가열부(BK2)는, 예를 들면, 수평 방향(Y축 방향)으로 6 개 배열되고 또한 높이 방향(Z축 방향)으로 2 단으로 적층된다. 제 2 가열부(BK2)는, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 가열한다.Among the white-side processing blocks B1B to B6B, a plurality of (here, 12) second heating units BK2 are disposed in the white-side processing blocks B4B to B6B. Six of the 12 second heating units BK2 are, for example, arranged in a horizontal direction (Y-axis direction) and stacked in two stages in a height direction (Z-axis direction). The second heating unit BK2 heats the wafer W after the exposure process to a preset temperature.

또한, 제 1 가열부(BK1) 및 제 2 가열부(BK2)의 개수 및 배치에 대해서는, 도 3에 나타낸 예에 한정되지 않는다. 또한, 백측 처리 블록(B1B ~ B6B)에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 일시적으로 배치해 두는 버퍼부 등, 제 1 가열부(BK1) 및 제 2 가열부(BK2) 이외의 처리부가 배치되어 있어도 된다.In addition, about the number and arrangement|positioning of 1st heating part BK1 and 2nd heating part BK2, it is not limited to the example shown in FIG. In addition, processing units other than the first heating unit BK1 and the second heating unit BK2, such as a buffer unit for temporarily placing the wafer W, are disposed in the back processing blocks B1B to B6B. there may be

<처리 스테이션(S4) : 반송 블록(BM)><Processing Station (S4): Transfer Block (BM)>

반송 블록(BM)은, 상술한 프런트측 처리 블록(B1F ~ B6F)과 백측 처리 블록(B1B ~ B6B)의 사이에 배치된다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 반송 블록(BM)에는, 복수(여기서는, 6 개)의 반송부(41 ~ 46)가, 높이 방향으로 배열되어 배치된다. 복수의 반송부(41 ~ 46)는, 각각 처리 블록(B1 ~ B6)의 높이 위치에 배치된다.The transport block BM is disposed between the front-side processing blocks B1F to B6F and the back-side processing blocks B1B to B6B described above. As shown in FIG. 4, in the conveyance block BM, the several (here, 6 pieces) conveyance parts 41-46 are arrange|positioned in a height direction. The plurality of conveyance units 41 to 46 are arranged at the height positions of the processing blocks B1 to B6, respectively.

반송부(41 ~ 46)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부를 구비한다. 또한, 반송부(41 ~ 46)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 대응하는 처리 블록(B1 ~ B6)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송을 담당한다. 즉, 반송부(41)는, 처리 블록(B1)에 배치된 도포 처리부(COT) 및 제 1 가열부(BK1)에 대한 웨이퍼(W)의 반송을 담당하고, 반송부(42)는, 처리 블록(B2)에 배치된 도포 처리부(COT) 및 제 1 가열부(BK1)에 대한 웨이퍼(W)의 반송을 담당한다. 또한, 반송부(43)는, 처리 블록(B3)에 배치된 도포 처리부(COT) 및 제 1 가열부(BK1)에 대한 웨이퍼(W)의 반송을 담당하고, 반송부(44)는, 처리 블록(B4)에 배치된 현상 처리부(DEV) 및 제 2 가열부(BK2)에 대한 웨이퍼(W)의 반송을 담당한다. 또한, 반송부(45)는, 처리 블록(B5)에 배치된 현상 처리부(DEV) 및 제 2 가열부(BK2)에 대한 웨이퍼(W)의 반송을 담당하고, 반송부(46)는, 처리 블록(B6)에 배치된 현상 처리부(DEV) 및 제 2 가열부(BK2)에 대한 웨이퍼(W)의 반송을 담당한다.The transfer units 41 to 46 include a holding unit for holding the wafer W. As shown in FIG. In addition, the transfer units 41 to 46 are capable of moving in horizontal and vertical directions and turning about a vertical axis, and are responsible for transferring the wafer W in the corresponding processing blocks B1 to B6. do. That is, the transfer unit 41 is in charge of transfer of the wafer W to the coating processing unit COT and the first heating unit BK1 arranged in the processing block B1 , and the transfer unit 42 is configured to process It is in charge of conveyance of the wafer W with respect to the application|coating process part COT and the 1st heating part BK1 arrange|positioned in the block B2. In addition, the transfer unit 43 is responsible for transferring the wafer W to the coating processing unit COT and the first heating unit BK1 disposed in the processing block B3 , and the transfer unit 44 is configured to process The wafer W is transferred to the developing unit DEV and the second heating unit BK2 arranged in the block B4. In addition, the transfer unit 45 is responsible for transferring the wafer W to the developing processing unit DEV and the second heating unit BK2 disposed in the processing block B5 , and the transfer unit 46 is configured to process The wafer W is transferred to the developing unit DEV and the second heating unit BK2 arranged in the block B6.

<인터페이스 스테이션(S5)><Interface Station (S5)>

인터페이스 스테이션(S5)은, 전달 스테이션(S3)과 노광 장치(EXP)를 접속한다. 인터페이스 스테이션(S5)에는, 선반 유닛(51)과, 반송부(52)와, 복수(여기서는, 2 개)의 반송부(53)와, 도포 후 세정부(54)와, 노광 후 세정부(55)가 마련되어 있다.Interface station S5 connects delivery station S3 and exposure apparatus EXP. The interface station S5 includes a shelf unit 51 , a transport unit 52 , a plurality (here, two) transport units 53 , a post-coating cleaning unit 54 , and a post-exposure cleaning unit ( 55) is provided.

선반 유닛(51)은 반송부(41 ~ 46), 반송부(52) 및 반송부(53)가 액세스 가능한 위치에 배치된다. 반송부(52)는, 선반 유닛(51)과 노광 장치(EXP)와의 사이에 배치된다. 2 개의 반송부(53)는, 선반 유닛(51)을 사이에 두고 대향하는 위치에 배치된다. 도포 후 세정부(54)는, 일방의 반송부(53)에서 봤을 때 선반 유닛(51)과 반대측에 배치되고, 노광 후 세정부(55)는, 타방의 반송부(53)에서 봤을 때 선반 유닛(51)과 반대측에 배치된다.The shelf unit 51 is disposed at a position accessible to the conveying units 41 to 46 , the conveying unit 52 , and the conveying unit 53 . The transfer unit 52 is disposed between the shelf unit 51 and the exposure apparatus EXP. The two conveyance units 53 are disposed at opposing positions with the shelf unit 51 interposed therebetween. The post-coating cleaning unit 54 is disposed on the opposite side to the shelf unit 51 when viewed from one conveyance unit 53 , and the post-exposure cleaning unit 55 is a shelf when viewed from the other conveying unit 53 . It is disposed on the opposite side to the unit 51 .

선반 유닛(51)은, 복수의 처리부가 높이 방향으로 배열되어 배치된다. 예를 들면, 도 1에 나타내는 바와 같이, 선반 유닛(51)에는, 웨이퍼(W)의 전달 장소인 복수의 제 3 전달부(TRS3)가 배치된다. 복수의 제 3 전달부(TRS3)는, 처리 스테이션(S4)이 구비하는 6 개의 처리 블록(B1 ~ B6)에 대응하는 높은 위치에 각각 배치된다.In the shelf unit 51 , a plurality of processing units are arranged in a height direction. For example, as shown in FIG. 1 , a plurality of third transfer units TRS3 serving as transfer locations for wafers W are disposed on the shelf unit 51 . The plurality of third transmission units TRS3 are respectively arranged at high positions corresponding to the six processing blocks B1 to B6 included in the processing station S4.

제 3 전달부(TRS3)는, 예를 들면, 사각형의 하우징을 구비하고 있고, 이러한 하우징의 내부에 웨이퍼(W)를 수용 가능하다. 제 3 전달부(TRS3)는, 반송부(22) 및 반송부(32)에 의해 액세스 가능하다. 또한, 제 3 전달부(TRS3)는, 반송부(41 ~ 46) 중 대응하는 처리 블록(B1 ~ B6)에 배치된 반송부(41 ~ 46)에 의해서도 액세스 가능하다. 제 3 전달부(TRS3)는, 웨이퍼(W)의 온도를 예정한 온도로 조절하는 온조 기구를 구비하고 있어도 된다.The third transfer unit TRS3 has, for example, a rectangular housing, and the wafer W can be accommodated in the housing. The third transfer unit TRS3 is accessible by the transfer unit 22 and the transfer unit 32 . In addition, the third transfer unit TRS3 is accessible also by the transfer units 41 to 46 disposed in the corresponding processing blocks B1 to B6 among the transfer units 41 to 46 . The third transmission unit TRS3 may include a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the wafer W to a predetermined temperature.

반송부(52)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부를 구비한다. 또한, 반송부(52)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 제 3 전달부(TRS3) 및 노광 장치(EXP) 간에서 웨이퍼(W)를 반송한다.The transfer unit 52 includes a holding unit that holds the wafer W. In addition, the transfer unit 52 is capable of moving in horizontal and vertical directions and turning about a vertical axis, and transfers the wafer W between the third transfer unit TRS3 and the exposure apparatus EXP. .

2 개의 반송부(53)는, 선반 유닛(51)에 배치되는 복수의 제 3 전달부(TRS3) 간에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 또한, 선반 유닛(51)과 도포 후 세정부(54)의 사이에 배치된 반송부(53)는, 제 3 전달부(TRS3) 및 도포 후 세정부(54) 간에서의 웨이퍼(W)의 반송도 행한다. 또한, 선반 유닛(51)과 노광 후 세정부(55)와의 사이에 배치된 반송부(53)는, 제 3 전달부(TRS3) 및 노광 후 세정부(55) 간에서의 웨이퍼(W)의 반송도 행한다. 반송부(53)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부를 구비한다. 또한, 반송부(53)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.The two transfer units 53 transfer the wafer W between the plurality of third transfer units TRS3 disposed on the shelf unit 51 . In addition, the transfer unit 53 disposed between the shelf unit 51 and the post-coating cleaning unit 54 transfers the wafer W between the third transfer unit TRS3 and the post-coating cleaning unit 54 . We also carry out returns. In addition, the transfer unit 53 disposed between the shelf unit 51 and the post-exposure cleaning unit 55 is configured to transfer the wafer W between the third transfer unit TRS3 and the post-exposure cleaning unit 55 . We also carry out returns. The transfer unit 53 includes a holding unit that holds the wafer W. Moreover, the conveyance part 53 is movable in a horizontal direction and a vertical direction, and turning about a vertical axis is possible.

도포 후 세정부(54)는, 도포 처리부(COT)에 의해 레지스트 등의 성막 재료가 도포된 후의 웨이퍼(W)의 이면을 물리적으로 세정한다. 예를 들면, 도포 후 세정부(54)는, 웨이퍼(W)의 이면에 회전하는 브러시를 접촉시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 노광 처리에 있어서의 디포커스의 요인이 되는 포커스 스폿을 제거할 수 있다. 또한, 도포 후 세정부(54)의 구체적인 구성예에 대해서는 후술한다.The post-coating cleaning unit 54 physically cleans the back surface of the wafer W after the film-forming material such as a resist has been applied by the application processing unit COT. For example, the post-coating cleaning unit 54 brings a rotating brush into contact with the back surface of the wafer W . Thereby, for example, a focus spot that is a factor of defocus in the exposure process can be removed. In addition, the specific structural example of the cleaning part 54 after application|coating is mentioned later.

노광 후 세정부(55)는, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 세정액(예를 들면, 탈이온수)을 이용하여 세정한다.The post-exposure cleaning unit 55 cleans the exposed wafer W using a cleaning solution (eg, deionized water).

<제어 장치(6)><control unit (6)>

제어 장치(6)는 제어부(61)와, 기억부(62)를 구비한다. 제어부(61)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체를 가진다. 기억 매체에는, 도포, 현상 장치(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다.The control device 6 includes a control unit 61 and a storage unit 62 . The control unit 61 is, for example, a computer, and has a computer-readable storage medium. In the storage medium, a program for controlling various processes executed in the coating and developing apparatus 1 is stored.

제어부(61)는, 기억 매체에 기억된 프로그램을 읽어내 실행함으로써 도포, 현상 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기억되어 있던 것으로, 다른 기억 매체로부터 제어부(61)의 기억 매체에 인스톨 된 것이어도 된다.The control unit 61 controls the operation of the coating and developing apparatus 1 by reading and executing the program stored in the storage medium. Further, the program is stored in a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage medium of the control unit 61 from another storage medium.

컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

<도포, 현상 장치(1)의 구체적 동작의 일례><Example of specific operation of application/developing apparatus 1>

이어서, 도포, 현상 장치(1)의 구체적 동작의 일례에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 제 1 실시 형태에 따른 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 도이다.Next, an example of the specific operation|movement of the application|coating and developing apparatus 1 is demonstrated with reference to FIG. 5 is a diagram illustrating a wafer transfer flow according to the first embodiment.

도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(1)에서는, 먼저, 반송부(13)가 카세트 배치대(11)에 배치된 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(TRS1)(도 1 참조)에 배치한다. 이어서, 반송부(22)가 제 1 전달부(TRS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 도포 전 세정부(23)로 반송하고, 도포 전 세정부(23)가 웨이퍼(W)의 표면을 브러시를 이용하여 물리적으로 세정한다(도포 전 세정 처리).As shown in FIG. 5 , in the coating and developing apparatus 1 according to the first embodiment, first, the transfer unit 13 takes out the wafer W from the cassette C arranged on the cassette mounting table 11 . to the first transfer unit TRS1 (see FIG. 1 ). Next, the transfer unit 22 takes out the wafer W from the first transfer unit TRS1 and transfers it to the pre-coating cleaning unit 23 , and the pre-coating cleaning unit 23 brushes the surface of the wafer W is used to physically clean (cleaning treatment before application).

이어서, 반송부(22)가 도포 전 세정 처리 후의 웨이퍼(W)를 도포 전 세정부(23)로부터 취출하여 선반 유닛(31)의 제 2 전달부(TRS2)에 배치한다. 이어서, 반송부(22)가 제 2 전달부(TRS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 선반 유닛(33)의 어드히전 처리부(AD)로 반송하고, 어드히전 처리부(AD)가 웨이퍼(W)에 대하여 어드히전 처리를 행한다.Next, the transfer unit 22 removes the wafer W after the pre-coating cleaning process from the pre-coating cleaning unit 23 and places it on the second transfer unit TRS2 of the shelf unit 31 . Next, the transfer unit 22 takes out the wafer W from the second transfer unit TRS2 and transfers the wafer W to the admission processing unit AD of the shelf unit 33 , where the admission processing unit AD sends the wafer W Adhesive processing is performed for

이어서, 반송부(32)가 어드히전 처리부(AD)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(B1)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)에 배치한다. 이어서, 처리 블록(B1)의 반송부(41)가 제 2 전달부(TRS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 도포 처리부(COT)로 반송하고, 도포 처리부(COT)가 웨이퍼(W)의 표면에 BARC를 도포한다. 이 후, 반송부(41)가 도포 처리부(COT)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 가열부(BK1)로 반송하고, 제 1 가열부(BK1)가 BARC 도포 후의 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 가열한다. 예를 들면, 제 1 가열부(BK1)는, BARC 도포 후의 웨이퍼(W)를 200℃로 가열한다.Next, the transfer unit 32 takes out the wafer W from the admission processing unit AD and places it on the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B1 . Next, the transfer unit 41 of the processing block B1 takes out the wafer W from the second transfer unit TRS2 and transfers it to the coating processing unit COT, and the coating processing unit COT sends the wafer W to the surface of the wafer W. Apply BARC to After that, the transfer unit 41 takes out the wafer W from the coating processing unit COT and transfers it to the first heating unit BK1, and the first heating unit BK1 pre-treats the wafer W after the BARC coating. Heat to the set temperature. For example, the first heating unit BK1 heats the wafer W after BARC coating to 200°C.

이어서, 반송부(41)가 제 1 가열부(BK1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(B1)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)에 배치한다. 그리고, 반송부(32)가 처리 블록(B1)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)로부터 처리 블록(B2)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)로 웨이퍼(W)를 옮긴다.Next, the transfer unit 41 takes out the wafer W from the first heating unit BK1 and places it on the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B1 . Then, the transfer unit 32 transfers the wafer W from the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B1 to the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B2.

이어서, 처리 블록(B2)의 반송부(42)가 제 2 전달부(TRS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 도포 처리부(COT)로 반송하고, 도포 처리부(COT)가 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트를 도포한다. 이 후, 반송부(41)가 도포 처리부(COT)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 가열부(BK1)로 반송하고, 제 1 가열부(BK1)가 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 가열한다. 예를 들면, 제 1 가열부(BK1)는, 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)를 110℃로 가열한다.Next, the transfer unit 42 of the processing block B2 takes out the wafer W from the second transfer unit TRS2 and transfers it to the coating processing unit COT, and the coating processing unit COT sends the wafer W to the surface of the wafer W. Apply resist to Thereafter, the transfer unit 41 takes out the wafer W from the coating processing unit COT and transfers it to the first heating unit BK1, and the first heating unit BK1 pre-treats the resist-coated wafer W in advance. Heat to the set temperature. For example, the first heating unit BK1 heats the wafer W after the resist application to 110°C.

이어서, 반송부(42)가 제 1 가열부(BK1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(B2)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)에 배치한다. 그리고, 반송부(32)가 처리 블록(B2)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)로부터 처리 블록(B3)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)로 웨이퍼(W)를 옮긴다.Next, the transfer unit 42 takes out the wafer W from the first heating unit BK1 and places it on the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B2 . Then, the transfer unit 32 transfers the wafer W from the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B2 to the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B3.

이어서, 처리 블록(B3)의 반송부(43)가 제 2 전달부(TRS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 도포 처리부(COT)로 반송하고, 도포 처리부(COT)가 웨이퍼(W)의 표면에 톱코트액을 도포한다. 이 후, 반송부(41)가 도포 처리부(COT)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 가열부(BK1)로 반송하고, 제 1 가열부(BK1)가 톱코트액 도포 후의 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 가열한다. 예를 들면, 제 1 가열부(BK1)는, 톱코트액 도포 후의 웨이퍼(W)를 100℃로 가열한다.Next, the transfer unit 43 of the processing block B3 takes out the wafer W from the second transfer unit TRS2 and transfers it to the coating processing unit COT, and the coating processing unit COT sends the wafer W to the surface of the wafer W. Apply top coat solution to After that, the transfer unit 41 takes out the wafer W from the coating processing unit COT and transfers it to the first heating unit BK1, and the first heating unit BK1 applies the topcoat solution to the wafer W is heated to a preset temperature. For example, the first heating unit BK1 heats the wafer W after applying the topcoat solution to 100°C.

이어서, 반송부(43)가 제 1 가열부(BK1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 선반 유닛(51)의 제 3 전달부(TRS3)에 배치하고, 반송부(53)가 제 3 전달부(TRS3)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 도포 후 세정부(54)로 반송한다. 그리고, 도포 후 세정부(54)가 도포 처리 후의 웨이퍼(W)의 이면을 브러시를 이용하여 물리적으로 세정한다(도포 후 세정 처리).Next, the transfer unit 43 takes out the wafer W from the first heating unit BK1 and places it on the third transfer unit TRS3 of the shelf unit 51 , and the transfer unit 53 causes the third transfer unit The wafer W is taken out from the TRS3 and transferred to the cleaning unit 54 after coating. Then, the post-coating cleaning unit 54 physically cleans the back surface of the wafer W after the coating process using a brush (post-coating cleaning process).

이어서, 반송부(53)가 도포 후 세정부(54)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 3 전달부(TRS3)에 배치한 후, 반송부(52)가 제 3 전달부(TRS3)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 노광 장치(EXP)로 반송한다. 이 후, 웨이퍼(W)는, 노광 장치(EXP)에 의해 노광 처리가 실시된다.Next, after the transfer unit 53 takes out the wafer W from the cleaning unit 54 after application and places it on the third transfer unit TRS3 , the transfer unit 52 transfers the wafer from the third transfer unit TRS3 . (W) is taken out and conveyed to exposure apparatus EXP. Thereafter, the wafer W is subjected to exposure processing by the exposure apparatus EXP.

이어서, 반송부(52)가 노광 장치(EXP)로부터 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 취출하여 선반 유닛(51)의 제 3 전달부(TRS3)에 배치한 후, 반송부(53)가 제 3 전달부(TRS3)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 노광 후 세정부(55)로 반송한다. 그리고, 노광 후 세정부(55)가 노광 처리 후의 웨이퍼(W)의 표면을 탈이온수 등을 이용하여 세정한다.Next, after the transfer unit 52 takes out the wafer W after exposure processing from the exposure apparatus EXP and places it on the third transfer unit TRS3 of the shelf unit 51 , the transfer unit 53 performs the third The wafer W is taken out from the transfer unit TRS3 and transferred to the cleaning unit 55 after exposure. Then, the post-exposure cleaning unit 55 cleans the surface of the wafer W after exposure treatment using deionized water or the like.

이어서, 반송부(53)가 노광 후 세정부(55)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 선반 유닛(51)의 제 3 전달부(TRS3)에 배치한다. 구체적으로, 반송부(53)는, 처리 블록(B4 ~ B6) 중 어느 하나에 대응하는 제 3 전달부(TRS3)에 웨이퍼(W)를 배치한다. 여기서는, 처리 블록(B4)에 웨이퍼(W)가 배치된 것으로서 설명한다.Next, the transfer unit 53 takes out the wafer W from the post-exposure cleaning unit 55 , and places it on the third transfer unit TRS3 of the shelf unit 51 . Specifically, the transfer unit 53 places the wafer W in the third transfer unit TRS3 corresponding to any one of the processing blocks B4 to B6 . Here, it will be described as a case in which the wafer W is disposed in the processing block B4.

이어서, 처리 블록(B4)의 반송부(44)가 제 3 전달부(TRS3)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 가열부(BK2)로 반송하고, 제 2 가열부(BK2)가 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 가열한다. 예를 들면, 제 2 가열부(BK2)는, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 80℃로 가열한다.Next, the transfer unit 44 of the processing block B4 takes out the wafer W from the third transfer unit TRS3 and transfers it to the second heating unit BK2, and the second heating unit BK2 performs exposure processing. The subsequent wafer W is heated to a preset temperature. For example, the second heating unit BK2 heats the wafer W after the exposure process to 80°C.

이어서, 반송부(44)가 제 2 가열부(BK2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 현상 처리부(DEV)로 반송하고, 현상 처리부(DEV)가 노광 처리 후의 웨이퍼(W)에 대하여 현상 처리를 행한다. 이어서, 반송부(44)가 현상 처리부(DEV)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 2 가열부(BK2)로 반송하고, 제 2 가열부(BK2)가 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 미리 설정된 온도로 가열한다. 예를 들면, 제 2 가열부(BK2)는, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 110℃로 가열한다.Next, the transfer unit 44 takes out the wafer W from the second heating unit BK2 and transfers it to the developing unit DEV, where the developing unit DEV develops the wafer W after exposure treatment. do Next, the transfer unit 44 takes out the wafer W from the developing unit DEV and transfers it to the second heating unit BK2, and the second heating unit BK2 sets the developed wafer W in advance. heated to temperature. For example, the second heating unit BK2 heats the developing wafer W at 110°C.

이어서, 반송부(44)가 제 2 가열부(BK2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록(B4)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)로 반송한다. 그리고, 반송부(32)가 처리 블록(B4)에 대응하는 제 2 전달부(TRS2)로부터 반송부(22)가 액세스 가능한 제 2 전달부(TRS2)로 웨이퍼(W)를 옮긴다. 이 후, 반송부(22)가 제 2 전달부(TRS2)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 제 1 전달부(TRS1)에 배치하고, 반송부(13)가 제 1 전달부(TRS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 카세트(C)에 수용한다. 이에 의해, 도포, 현상 장치(1)에 의한 일련의 기판 처리가 종료된다.Next, the transfer unit 44 takes out the wafer W from the second heating unit BK2 and transfers it to the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B4 . Then, the transfer unit 32 transfers the wafer W from the second transfer unit TRS2 corresponding to the processing block B4 to the second transfer unit TRS2 accessible to the transfer unit 22 . Thereafter, the transfer unit 22 takes out the wafer W from the second transfer unit TRS2 and places it on the first transfer unit TRS1 , and the transfer unit 13 sends the wafer from the first transfer unit TRS1 . (W) is taken out and accommodated in the cassette (C). Thereby, a series of substrate processing by the coating and developing apparatus 1 is completed.

또한, 도 5에 나타낸 웨이퍼(W)의 반송 플로우는 일례이다. 예를 들면, 도포, 현상 장치(1)는, BARC 및 톱코트액의 도포를 행하지 않고, 레지스트의 도포 처리 및 그 후의 가열 처리를 행한 다음, 도포 후 세정부(54)에 의한 도포 후 세정 처리를 행해도 된다. 또한, 도포, 현상 장치(1)는 레지스트, BARC 및 톱코트액 이외의 성막 재료의 도포 처리를 행해도 된다.In addition, the conveyance flow of the wafer W shown in FIG. 5 is an example. For example, the coating and developing apparatus 1 does not apply BARC and topcoat solution, but performs a resist coating process and a subsequent heat process, and then performs a post-coating cleaning process by the post-coating cleaning unit 54 . may be done In addition, the coating and developing apparatus 1 may apply|coat a film-forming material other than a resist, BARC, and a topcoat liquid.

<도포 전 세정부의 구성예><Configuration example of washing part before application>

이어서, 도포 전 세정부(23)의 구체적인 구성예에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6은 제 1 실시 형태에 따른 도포 전 세정부(23)의 개략 평면도이다. 도 7은 제 1 실시 형태에 따른 도포 전 세정부(23)의 개략 측면도이다. 또한, 도 7에서는, 액 공급부(105)를 생략하여 나타내고 있다.Next, a specific configuration example of the cleaning unit 23 before application will be described with reference to FIGS. 6 and 7 . 6 is a schematic plan view of the cleaning unit 23 before application according to the first embodiment. 7 is a schematic side view of the cleaning unit 23 before application according to the first embodiment. In addition, in FIG. 7, the liquid supply part 105 is abbreviate|omitted and shown.

도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 도포 전 세정부(23)는 챔버(101)와, 기판 유지부(102)와, 컵부(103)와, 세정부(104)와, 액 공급부(105)를 구비한다.6 and 7 , the cleaning unit 23 before application includes a chamber 101 , a substrate holding unit 102 , a cup unit 103 , a cleaning unit 104 , and a liquid supply unit 105 . to provide

챔버(101)는 기판 유지부(102), 컵부(103), 세정부(104) 및 액 공급부(105)를 수용한다. 챔버(101)의 천장부에는, 챔버(101) 내에 다운 플로우를 형성하는 FFU(Fun Filter Unit)(111)가 마련된다(도 7 참조).The chamber 101 accommodates the substrate holding unit 102 , the cup unit 103 , the cleaning unit 104 , and the liquid supply unit 105 . A fun filter unit (FFU) 111 that forms a down flow in the chamber 101 is provided on the ceiling of the chamber 101 (see FIG. 7 ).

기판 유지부(102)는, 웨이퍼(W)보다 큰 직경의 본체부(121)와, 본체부(121)의 상면에 마련된 복수의 파지부(122)와, 본체부(121)을 지지하는 지주(支柱) 부재(123)와, 지주 부재(123)를 회전시키는 구동부(124)를 구비한다. 또한, 파지부(122)의 수는 도시한 것에 한정되지 않는다.The substrate holding unit 102 includes a main body 121 having a larger diameter than the wafer W, a plurality of holding units 122 provided on the upper surface of the main body 121 , and a post supporting the main body 121 . A (支柱) member 123 and a driving unit 124 for rotating the support member 123 are provided. In addition, the number of the holding parts 122 is not limited to what is shown.

이러한 기판 유지부(102)는, 복수의 파지부(122)를 이용하여 웨이퍼(W)의 주연부를 파지함으로써 웨이퍼(W)를 유지한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는, 본체부(121)의 상면으로부터 약간 이간된 상태로 수평으로 유지된다.The substrate holding unit 102 holds the wafer W by holding the periphery of the wafer W using the plurality of holding units 122 . Thereby, the wafer W is horizontally held in a state slightly spaced apart from the upper surface of the main body 121 .

또한 여기서는, 복수의 파지부(122)를 이용하여 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는 기판 유지부(102)를 예로 들었지만, 도포 전 세정부(23)는, 기판 유지부(102) 대신에, 웨이퍼(W)의 이면을 흡착 유지하는 진공 척을 구비하는 구성이어도 된다.In addition, here, the substrate holding unit 102 for holding the peripheral edge of the wafer W using the plurality of holding units 122 is taken as an example, but the pre-coating cleaning unit 23 is instead of the substrate holding unit 102, The structure provided with the vacuum chuck which adsorb|sucks hold|maintains the back surface of the wafer W may be sufficient.

컵부(103)는, 기판 유지부(102)를 둘러싸도록 배치된다. 컵부(103)의 저부에는, 웨이퍼(W)에 공급된 처리액을 챔버(101)의 외부로 배출하기 위한 배액구(131)와, 챔버(101) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구(132)가 형성된다.The cup part 103 is arrange|positioned so that the board|substrate holding part 102 may be enclosed. At the bottom of the cup part 103 , a drain port 131 for discharging the processing liquid supplied to the wafer W to the outside of the chamber 101 , and an exhaust port 132 for exhausting an atmosphere in the chamber 101 are provided. is formed

세정부(104)는, 브러시(141)와, 연직 방향으로 연장되어 브러시(141)를 회전 가능하게 지지하는 스핀들(142)을 구비한다. 스핀들(142)은, 도시하지 않는 회전 기구에 접속되어 있고, 회전 기구는, 스핀들(142)을 회전시킴으로써, 브러시(141)를 연직축 둘레로 회전시킨다.The cleaning unit 104 includes a brush 141 and a spindle 142 extending in a vertical direction to rotatably support the brush 141 . The spindle 142 is connected to a rotation mechanism (not shown), and the rotation mechanism rotates the brush 141 around a vertical axis by rotating the spindle 142 .

브러시(141)는, 예를 들면, 원통 형상을 가지는 수지제의 브러시 본체와, 브러시 본체의 하부에 마련되어, 웨이퍼(W)에 눌리는 세정체를 가진다. 세정체는, 예를 들면, 다수의 털 뭉치로 구성된다. 또한, 세정체는 스펀지 등으로 구성되어도 된다.The brush 141 includes, for example, a resin brush body having a cylindrical shape, and a cleaning body provided under the brush body and pressed against the wafer W. The cleaning body consists, for example, of a plurality of tufts of hair. In addition, the cleaning body may be constituted by a sponge or the like.

또한, 세정부(104)는, 수평 방향으로 연장되고, 스핀들(142)을 개재하여 브러시(141)를 상방으로부터 지지하는 암(143)과, 암(143)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(144)를 구비한다. 선회 승강 기구(144)에 의해, 암(143)은, 웨이퍼(W)의 상방에 있어서의 처리 위치와 웨이퍼(W)의 외방에 있어서의 대기 위치와의 사이에서 브러시(141)를 이동시킬 수 있다.In addition, the cleaning unit 104 includes an arm 143 extending in the horizontal direction that supports the brush 141 from above via a spindle 142, and a swinging lifting mechanism for turning and raising and lowering the arm 143 ( 144) is provided. The arm 143 can move the brush 141 between the processing position above the wafer W and the standby position outside the wafer W by the swing lifting mechanism 144 . there is.

또한, 세정부(104)는, 밸브(146) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 제 1 처리액 공급원(148)에 접속된다. 세정부(104)는, 제 1 처리액 공급원(148)으로부터 공급되는 제 1 처리액을, 브러시(141)를 상하로 관통하는 중공부로부터 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. 제 1 처리액은, 예를 들면 DHF(희불산)이다. 또한, 제 1 처리액은 DHF에 한정되지 않고, 예를 들면 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액) 또는 탈이온수 등의 다른 처리액이어도 된다.In addition, the cleaning unit 104 is connected to the first processing liquid supply source 148 via a valve 146 , a flow rate regulator (not shown), or the like. The cleaning unit 104 discharges the first processing liquid supplied from the first processing liquid supply source 148 toward the wafer W from a hollow part penetrating vertically through the brush 141 . The first treatment liquid is, for example, DHF (dilute hydrofluoric acid). In addition, the 1st treatment liquid is not limited to DHF, For example, other treatment liquids, such as SC1 (a mixture of ammonia, hydrogen peroxide, and water) or deionized water, may be sufficient.

액 공급부(105)는 노즐(151)과, 수평 방향으로 연장되어 노즐(151)을 상방으로부터 지지하는 노즐 암(152)과, 노즐 암(152)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(153)를 구비한다.The liquid supply unit 105 includes a nozzle 151 , a nozzle arm 152 extending in a horizontal direction to support the nozzle 151 from above, and a swing lifting mechanism 153 for turning and lifting the nozzle arm 152 . be prepared

노즐(151)은, 밸브(156) 및 유량 조정기(도시하지 않음) 등을 개재하여 제 2 처리액 공급원(158)에 접속된다. 이러한 액 공급부(105)는, 제 2 처리액 공급원(158)으로부터 공급되는 제 2 처리액을 웨이퍼(W)를 향해 토출한다. 제 2 처리액은, 예를 들면 탈이온수 등의 린스액이다. 또한, 제 2 처리액은 린스액에 한정하지 않고, 다른 처리액이어도 된다.The nozzle 151 is connected to the second processing liquid supply source 158 via a valve 156 , a flow rate regulator (not shown), or the like. The liquid supply unit 105 discharges the second processing liquid supplied from the second processing liquid supply source 158 toward the wafer W. The second treatment liquid is, for example, a rinse liquid such as deionized water. In addition, the second treatment liquid is not limited to the rinse liquid, and may be another treatment liquid.

여기서는, 도포 전 세정부(23)가 브러시(141)에 의한 물리 세정을 행하는 경우의 구성예를 나타냈지만, 웨이퍼(W)의 표면에 처리액을 분사하는 스프레이 노즐을 구비하는 구성이어도 된다. 이 경우, 도포 전 세정부(23)는, 스프레이 노즐로부터 분사되는 처리액의 압력에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 물리적으로 세정할 수 있다. 또한, 도포 전 세정부(23)는, 웨이퍼(W)의 표면을 물리적으로 세정하는 표면 세정부(브러시(141) 또는 스프레이 노즐)에 더하여, 웨이퍼(W)의 이면을 물리적으로 세정하는 이면 세정부(브러시 또는 스프레이 노즐)를 구비하는 구성이어도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 표면과 동시에 웨이퍼(W)의 이면을 물리적으로 세정할 수 있다.Here, a configuration example in the case where the pre-coating cleaning unit 23 performs physical cleaning with the brush 141 is shown, but a configuration including a spray nozzle for spraying the treatment liquid onto the surface of the wafer W may be used. In this case, the pre-coating cleaning unit 23 may physically clean the surface of the wafer W by the pressure of the processing liquid sprayed from the spray nozzle. In addition, in addition to the surface cleaning unit (brush 141 or spray nozzle) that physically cleans the surface of the wafer W, the pre-coating cleaning unit 23 is a backwashing unit that physically cleans the back surface of the wafer W The structure provided with the top (brush or spray nozzle) may be sufficient. In this case, the back surface of the wafer W can be physically cleaned simultaneously with the front surface of the wafer W.

<도포 후 세정부의 구성예><Configuration example of cleaning unit after application>

이어서, 도포 후 세정부(54)의 구성예에 대하여 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다. 도 8은 제 1 실시 형태에 따른 도포 후 세정부(54)의 개략 평면도이다. 도 9는 제 1 실시 형태에 따른 도포 후 세정부(54)의 개략 측면도이다.Next, a configuration example of the cleaning unit 54 after application will be described with reference to FIGS. 8 and 9 . 8 is a schematic plan view of the cleaning unit 54 after application according to the first embodiment. 9 is a schematic side view of the cleaning unit 54 after application according to the first embodiment.

도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 도포 후 세정부(54)는, 웨이퍼(W)의 이면을 수평으로 흡착 유지하는 2 개의 흡착 패드(210)와, 이 흡착 패드(210)로부터 수취한 웨이퍼(W)의 이면을 수평으로 흡착 유지하는 스핀 척(211)을 구비한다. 또한, 도포 후 세정부(54)는, 상면이 개구된 하우징(213)과, 웨이퍼(W)의 이면의 물리 세정을 행하는 세정부(218)를 구비한다.8 and 9 , the post-coating cleaning unit 54 includes two suction pads 210 for horizontally suctioning and holding the back surface of the wafer W, and the wafer received from the suction pads 210 . A spin chuck 211 for horizontally adsorbing the back surface of (W) is provided. Further, the post-coating cleaning unit 54 includes a housing 213 having an open upper surface, and a cleaning unit 218 for physically cleaning the back surface of the wafer W.

2 개의 흡착 패드(210)는, 가늘고 긴 대략 직사각형 형상으로 형성되어 있고, 웨이퍼(W) 이면의 주연부를 유지할 수 있도록, 평면에서 봤을 때 스핀 척(211)을 사이에 두고 대략 평행하게 마련되어 있다. 각 흡착 패드(210)는, 당해 흡착 패드(210)보다 긴 대략 직사각형 형상의 지지판(214)에 의해 각각 지지되어 있다. 지지판(214)은, 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 수평 방향(여기서는, Y축 방향) 및 상하 방향(도 1의 Z축 방향)으로 이동 가능한 프레임체(215)에 의해 그 양단부를 지지받고 있다.The two suction pads 210 are formed in an elongated substantially rectangular shape, and are provided substantially parallel to each other with the spin chuck 211 interposed therebetween in plan view so as to hold the periphery of the back surface of the wafer W. Each suction pad 210 is supported by the support plate 214 of a substantially rectangular shape longer than the said suction pad 210, respectively. The support plate 214 is supported at both ends by a frame body 215 movable in the horizontal direction (here, the Y-axis direction) and the vertical direction (the Z-axis direction in FIG. 1 ) by a driving mechanism (not shown). there is.

프레임체(215)의 상면에는, 상부 컵(216)이 마련되어 있다. 상부 컵(216)의 상면에는, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 직경의 개구부가 형성되어 있고, 이 개구부를 거쳐 반송부(53)와 흡착 패드(210)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.An upper cup 216 is provided on the upper surface of the frame body 215 . An opening having a diameter larger than that of the wafer W is formed on the upper surface of the upper cup 216 , and the transfer of the wafer W between the transfer unit 53 and the suction pad 210 through this opening is performed. is done

도 9에 나타내는 바와 같이, 스핀 척(211)은, 샤프트(220)를 개재하여 구동 기구(221)에 접속된다. 스핀 척(211)은, 구동 기구(221)에 의해 회전 및 상하동 가능하게 되어 있다.As shown in FIG. 9 , the spin chuck 211 is connected to the drive mechanism 221 via a shaft 220 . The spin chuck 211 is rotatable and vertically movable by the drive mechanism 221 .

스핀 척(211)의 주위에는 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강 가능한, 예를 들면 3 개의 승강 핀(222)이 마련되어 있다. 이에 의해, 승강 핀(222)과 반송부(53)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.Around the spin chuck 211, for example, three lifting pins 222 that can be raised and lowered by a lifting mechanism (not shown) are provided. Thereby, the wafer W can be transferred between the lifting pins 222 and the transfer unit 53 .

하우징(213)의 저부에는, 세정액을 배출하는 드레인관(240)과, 도포 후 세정부(54) 내에 하방향의 기류를 형성하고, 또한 당해 기류를 배기하는 배기관(241)이 마련되어 있다.At the bottom of the housing 213, a drain pipe 240 for discharging the cleaning liquid, and an exhaust pipe 241 for forming a downward airflow in the cleaning unit 54 after application and for exhausting the airflow are provided.

이어서, 세정부(218)의 구성에 대하여 설명한다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 세정부(218)는 세정체(218a)와, 지주 부재(218b)와, 구동부(218c)를 구비한다.Next, the structure of the washing|cleaning part 218 is demonstrated. As shown in FIG. 9 , the cleaning unit 218 includes a cleaning body 218a , a post member 218b , and a driving unit 218c .

세정체(218a)는, 웨이퍼(W)의 이면에 프레싱되는 부재이다. 세정체(218a)는, 예를 들면, 다수의 털 뭉치로 구성된 브러시이다. 세정체(218a)의 상면 즉 웨이퍼(W)와의 접촉면은, 예를 들면 웨이퍼(W)의 상면보다 작은 원 형상을 가진다. 또한, 세정체(218a)는 스펀지여도 된다.The cleaning body 218a is a member pressed on the back surface of the wafer W. The cleaning body 218a is, for example, a brush composed of a plurality of bundles of hairs. The upper surface of the cleaning body 218a, that is, the contact surface with the wafer W, has a smaller circular shape than the upper surface of the wafer W, for example. In addition, the cleaning body 218a may be a sponge.

세정체(218a)의 이면에는, 지주 부재(218b)가 마련된다. 지주 부재(218b)는, 연직 방향(Z축 방향)을 따라 연장되고, 일단부에 있어서 세정체(218a)를 지지한다.A post member 218b is provided on the back surface of the cleaning body 218a. The post member 218b extends along the vertical direction (Z-axis direction), and supports the cleaning body 218a at one end.

지주 부재(218b)의 타단부에는, 구동부(218c)가 마련된다. 구동부(218c)는, 지주 부재(218b)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이에 의해, 지주 부재(218b)에 지지된 세정체(218a)를 연직축 둘레로 회전시킬 수 있다.At the other end of the support member 218b, a driving unit 218c is provided. The drive part 218c rotates the support member 218b about a vertical axis|shaft. Thereby, the cleaning body 218a supported by the support member 218b can be rotated around the vertical axis.

세정부(218)는, 암(280)에 의해 수평으로 지지된다. 암(280)에는, 흡착 패드(210) 또는 스핀 척(211)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 세정용 유체를 공급하는 세정 노즐(280a)이, 세정체(218a)에 인접해 마련되어 있다. 세정용 유체로서는, 예를 들면 탈이온수가 이용된다.The cleaning unit 218 is horizontally supported by the arm 280 . The arm 280 is provided with a cleaning nozzle 280a that supplies a cleaning fluid to the back surface of the wafer W held by the suction pad 210 or the spin chuck 211 adjacent to the cleaning body 218a. there is. As the cleaning fluid, for example, deionized water is used.

암(280)은, 이동부(281)에 접속된다. 이동부(281)는, 수평 방향(여기서는, X축 방향)을 따라 연장되는 레일(282)을 따라 암(280)을 수평 이동시킨다. 또한, 이동부(281)는, 암(280)을 연직 방향(Z축 방향)을 따라 승강시킨다.The arm 280 is connected to the moving unit 281 . The moving part 281 horizontally moves the arm 280 along the rail 282 extending along the horizontal direction (here, the X-axis direction). Moreover, the moving part 281 raises and lowers the arm 280 along the vertical direction (Z-axis direction).

암(280)은, 예를 들면 도시하지 않는 구동부에 의해 수평 방향(여기서는, Y축 방향)을 따라 신축한다. 이에 의해, 암(280)은, 세정부(218) 및 세정 노즐(280a)을 Y축 방향을 따라 이동시킬 수 있다.The arm 280 expands and contracts along the horizontal direction (here, the Y-axis direction) by, for example, a drive unit (not shown). Accordingly, the arm 280 can move the cleaning unit 218 and the cleaning nozzle 280a along the Y-axis direction.

도포 후 세정 처리를 행하는 경우, 도포 후 세정부(54)는, 먼저, 웨이퍼(W)를 유지한 흡착 패드(210)를 지지판(214) 및 상부 컵(216)과 함께 수평 방향(여기서는, Y축 방향)으로 이동시킨다. 이에 의해, 스핀 척(211)이 웨이퍼(W)의 외주부에 가까운 장소에 배치되고, 세정부(218)가 웨이퍼(W)의 중앙부에 가까운 장소에 배치된 상태가 된다.In the case of performing the post-coating cleaning process, the post-coating cleaning unit 54 first moves the suction pad 210 holding the wafer W in the horizontal direction (here, Y) together with the support plate 214 and the upper cup 216 . axial direction). As a result, the spin chuck 211 is disposed at a location close to the outer periphery of the wafer W, and the cleaning unit 218 is disposed at a location close to the center of the wafer W.

이어서, 이동부(281)를 이용하여 세정부(218)를 상승시킴으로써, 세정체(218a)를 웨이퍼(W)의 이면에 누른다. 여기서는, 세정부(218)를 상승시키는 것으로 했지만, 흡착 패드(210)를 하강시킴으로써 웨이퍼(W)의 이면을 세정체(218a)에 눌러도 된다. 또한, 세정부(218)를 상승시키면서, 흡착 패드(210)를 하강시켜도 된다.Next, the cleaning unit 218 is raised using the moving unit 281 to press the cleaning body 218a against the back surface of the wafer W. Here, although the cleaning unit 218 is raised, the back surface of the wafer W may be pressed against the cleaning body 218a by lowering the suction pad 210 . Note that the suction pad 210 may be lowered while the cleaning unit 218 is raised.

이 후, 세정 노즐(280a)로부터 웨이퍼(W)의 이면으로의 탈이온수의 공급을 개시한다. 또한, 세정체(218a)의 회전을 개시한다.Thereafter, the supply of deionized water from the cleaning nozzle 280a to the back surface of the wafer W is started. Further, rotation of the cleaning body 218a is started.

세정부(218)에 의한 웨이퍼(W)의 이면의 물리 세정은, 흡착 패드(210)에 의한 웨이퍼(W)의 이동과 이동부(281)에 의한 세정부(218)의 이동의 조합에 의해 진행한다. 예를 들면, 세정체(218a)에 대하여 2 개의 흡착 패드(210) 간을 X축 방향을 따라 왕복 이동시키고, 세정체(218a)의 이동 방향이 전환될 시에 세정체(218a)의 직경 이하의 거리만큼 흡착 패드(210)를 Y축 부방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 스핀 척(211)에 의해 흡착 유지되는 영역을 포함하는 웨이퍼(W)의 중앙 영역이 세정체(218a)에 의해 세정된다. 이 후, 세정체(218a)의 회전을 정지하고, 세정 노즐(280a)로부터의 순수의 공급을 정지한다.Physical cleaning of the back surface of the wafer W by the cleaning unit 218 is performed by a combination of the movement of the wafer W by the suction pad 210 and the movement of the cleaning unit 218 by the moving unit 281 . proceed For example, when the cleaning body 218a reciprocates between the two suction pads 210 in the X-axis direction, and when the moving direction of the cleaning body 218a is switched, the diameter of the cleaning body 218a is less than or equal to the diameter of the cleaning body 218a The suction pad 210 is moved in the negative Y-axis direction by a distance of . Accordingly, the central region of the wafer W including the region adsorbed and held by the spin chuck 211 is cleaned by the cleaning body 218a. Thereafter, the rotation of the cleaning body 218a is stopped, and the supply of pure water from the cleaning nozzle 280a is stopped.

이어서, 흡착 패드(210)를 이동시켜 웨이퍼(W)의 중앙부를 스핀 척(211)의 상방에 위치시킨 후, 흡착 패드(210)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착을 해제한다. 그리고, 스핀 척(211)을 상승시킴으로써, 흡착 패드(210)로부터 스핀 척(211)으로 웨이퍼(W)를 전달한다.Next, after moving the suction pad 210 to position the central portion of the wafer W above the spin chuck 211 , the suction of the wafer W by the suction pad 210 is released. Then, by raising the spin chuck 211 , the wafer W is transferred from the suction pad 210 to the spin chuck 211 .

이어서, 구동 기구(221)를 이용하여 스핀 척(211)을 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이어서, 세정 노즐(280a)로부터 웨이퍼(W)의 이면으로의 탈이온수의 공급을 개시하고, 또한 세정체(218a)의 회전을 개시한다. 그리고, 세정체(218a)를 웨이퍼(W)의 외주부를 향해 수평 이동시킨다.Next, the wafer W is rotated by rotating the spin chuck 211 using the driving mechanism 221 . Next, the supply of deionized water from the cleaning nozzle 280a to the back surface of the wafer W is started, and the rotation of the cleaning body 218a is started. Then, the cleaning body 218a is horizontally moved toward the outer periphery of the wafer W.

이어서, 세정체(218a)가 웨이퍼(W)의 외주부에 도달하면, 세정체(218a)의 회전을 정지하고, 세정 노즐(280a)로부터의 탈이온수의 공급을 정지한다. 그리고, 세정체(218a)를 웨이퍼(W)로부터 퇴피시킨다. 이 후, 스핀 척(211)을 고속으로 회전시켜 웨이퍼(W)에 부착되어 있는 탈이온수를 털어냄으로써 웨이퍼(W)를 건조시킨다.Next, when the cleaning body 218a reaches the outer periphery of the wafer W, the rotation of the cleaning body 218a is stopped and the supply of deionized water from the cleaning nozzle 280a is stopped. Then, the cleaning body 218a is retracted from the wafer W. Thereafter, the spin chuck 211 is rotated at a high speed to shake off the deionized water adhering to the wafer W to dry the wafer W.

[제 2 실시 형태][Second embodiment]

이어서, 제 2 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 구성에 대하여 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 도 10은 제 2 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 평면도이다. 도 11은 제 2 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 측면도이다.Next, the configuration of the coating and developing apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 10 and 11 . Fig. 10 is a schematic plan view of the coating and developing apparatus according to the second embodiment. 11 is a schematic side view of the coating and developing apparatus according to the second embodiment.

도 10에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(1A)는 세정 스테이션(S2A)를 구비한다. 세정 스테이션(S2A)은 선반 유닛(21A)과, 반송부(22)와, 복수의 도포 전 세정부(23)와, 반송부(25)를 구비한다.As shown in Fig. 10, the coating and developing apparatus 1A according to the second embodiment includes a cleaning station S2A. The washing station S2A includes a shelf unit 21A, a transport unit 22 , a plurality of pre-coating washing units 23 , and a transport unit 25 .

선반 유닛(21A)은 반송부(13), 반송부(22) 및 반송부(25)가 액세스 가능한 위치에 배치된다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 선반 유닛(21A)에는, 복수의 TRS1가 높이 방향으로 배열되어 배치된다. 예를 들면, 선반 유닛(21A)에는, 높이 방향으로 배열된 4 개의 도포 전 세정부(23)에 대응하는 4 개의 제 1 전달부(TRS1)가 배치된다.The shelf unit 21A is disposed at a position accessible to the transport unit 13 , the transport unit 22 , and the transport unit 25 . 11 , in the shelf unit 21A, a plurality of TRS1 are arranged in a height direction. For example, in the shelf unit 21A, four first transfer units TRS1 corresponding to the four pre-application cleaning units 23 arranged in the height direction are arranged.

복수의 도포 전 세정부(23)는, 반송부(22)의 X축 정방향측 및 X축 부방향측에 각각 4 개씩, 높이 방향으로 배열되어 배치된다.The plurality of pre-coating cleaning units 23 are arranged in a row in the height direction, four each on the X-axis positive direction side and the X-axis negative direction side of the conveyance unit 22 .

반송부(25)는, 예를 들면 선반 유닛(21A)의 X축 부방향측에 배치된다. 반송부(25)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부를 구비한다. 또한, 반송부(25)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동이 가능하며, 예를 들면, 어느 제 1 전달부(TRS1)에 배치된 웨이퍼(W)를 다른 제 1 전달부(TRS1)로 옮긴다.The conveyance part 25 is arrange|positioned, for example on the X-axis negative direction side of the shelf unit 21A. The transfer unit 25 includes a holding unit that holds the wafer W. In addition, the transfer unit 25 can move in the horizontal direction and the vertical direction, and for example, transfers the wafer W disposed in one first transfer unit TRS1 to another first transfer unit TRS1 . move

제 2 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(1A)에서는, 예를 들면, 반송부(13)에 의해 어느 제 1 전달부(TRS1)에 배치된 웨이퍼(W)를 반송부(25)가 취출하고, 그 웨이퍼(W)를 처리하는 도포 전 세정부(23)에 대응하는 제 1 전달부(TRS1)로 옮긴다. 그리고, 반송부(22)가 제 1 전달부(TRS1)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 대응하는 도포 전 세정부(23)로 반입한다.In the coating and developing apparatus 1A according to the second embodiment, for example, the transfer unit 25 takes out the wafer W disposed on the first transfer unit TRS1 by the transfer unit 13 , , the wafer W is transferred to the first transfer unit TRS1 corresponding to the pre-coating cleaning unit 23 that processes the wafer W. Then, the transfer unit 22 takes out the wafer W from the first transfer unit TRS1 and carries it into the corresponding pre-coating cleaning unit 23 .

이와 같이, 세정 스테이션(S2A)에는, 복수의 제 1 전달부(TRS1) 간에서의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송부(25)와, 제 1 전달부(TRS1) 및 도포 전 세정부(23) 간에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 반송부(22)가 마련되어도 된다. 이에 의해, 스루풋을 향상시킬 수 있다.In this way, in the cleaning station S2A, the transfer unit 25 for transferring the wafer W between the plurality of first transfer units TRS1, the first transfer unit TRS1, and the pre-coating cleaning unit ( 23) A transfer unit 22 for transferring the wafer W between the livers may be provided. Thereby, throughput can be improved.

[제 3 실시 형태][Third embodiment]

이어서, 제 3 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 구성에 대하여 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한다. 도 12는 제 3 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 평면도이다. 도 13은 제 3 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치의 개략 측면도이다.Next, the configuration of the coating and developing apparatus according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 12 and 13 . 12 is a schematic plan view of a coating and developing apparatus according to a third embodiment. Fig. 13 is a schematic side view of a coating and developing apparatus according to a third embodiment;

도 12 및 도 13에 나타내는 바와 같이, 제 3 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(1B)는 세정 스테이션(S2, S2A)을 구비하고 있지 않고, 반입반출 스테이션(S1)에 전달 스테이션(S3)이 접속된 구성을 가진다.12 and 13 , the coating and developing apparatus 1B according to the third embodiment does not include the cleaning stations S2 and S2A, and the transfer station S3 is provided to the carry-in/out station S1. It has a connected configuration.

제 3 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(1B)는 처리 스테이션(S4B)을 구비한다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 처리 스테이션(S4B)은 복수(여기서는, 5 개)의 처리 블록(B1 ~ B5)을 구비하고 있고, 그 중 처리 블록(B1, B2)의 프런트측 처리 블록(B1F, B2F)에, 복수의 도포 전 세정부(23)를 구비한다. 구체적으로, 프런트측 처리 블록(B1F)에는, 2 개의 도포 전 세정부(23)가 Y축 방향을 따라 배열되어 배치된다. 마찬가지로, 프런트측 처리 블록(B2F)에도, 2 개의 도포 전 세정부(23)가 Y축 방향을 따라 배열되어 배치된다.A coating and developing apparatus 1B according to the third embodiment includes a processing station S4B. As shown in FIG. 13 , the processing station S4B includes a plurality (here, five) processing blocks B1 to B5, among them, the front side processing blocks B1F of the processing blocks B1 and B2; B2F) is provided with a plurality of pre-coating cleaning units 23 . Specifically, in the front-side processing block B1F, the two pre-coating cleaning units 23 are arranged along the Y-axis direction. Similarly, in the front side processing block B2F, the two pre-coating cleaning units 23 are arranged along the Y-axis direction.

도포 처리부(COT) 및 현상 처리부(DEV)는, 프런트측 처리 블록(B1F, B2F)보다 상방에 배치되는 프런트측 처리 블록(B3F ~ B5F)에 배치된다. 예를 들면, 도 13에 나타내는 예에서는, 프런트측 처리 블록(B3F, B4F)에 복수의 도포 처리부(COT)가 배치되고, 프런트측 처리 블록(B5F)에 복수의 현상 처리부(DEV)가 배치된다.The coating processing unit COT and the developing processing unit DEV are arranged in the front side processing blocks B3F to B5F arranged above the front side processing blocks B1F and B2F. For example, in the example shown in FIG. 13 , a plurality of coating processing units COT are arranged in the front processing blocks B3F and B4F, and a plurality of developing processing units DEV are arranged in the front processing block B5F. .

이와 같이, 도포 전 세정부(23)는, 처리 스테이션(S4B)에 배치되어도 된다. 이 경우, 아래로부터 차례로, 도포 전 세정부(23), 도포 처리부(COT) 및 현상 처리부(DEV)의 순서로 적층하여, 처리 블록(B1 ~ B5)의 아래로부터 위를 향하는 웨이퍼(W)의 흐름을 형성함으로써, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.In this way, the pre-coating cleaning unit 23 may be disposed in the processing station S4B. In this case, in order from the bottom, the pre-coating cleaning unit 23 , the coating processing unit COT and the developing processing unit DEV are stacked in this order, and the wafer W facing from the bottom of the processing blocks B1 to B5 is formed. By forming the flow, the throughput can be improved.

[그 외의 실시 형태][Other embodiments]

상술한 실시 형태에서는, 도포 전 세정부(23)가 세정 스테이션(S2, S2A) 또는 처리 스테이션(S4B)에 마련되는 경우의 예에 대하여 설명했다. 이에 한정하지 않고, 도포 전 세정부(23)는, 예를 들면, 전달 스테이션(S3)에 마련되어도 되고, 인터페이스 스테이션(S5)에 마련되어도 된다. 도포 전 세정부(23)를 인터페이스 스테이션(S5)에 마련하는 경우, 복수의 도포 전 세정부(23)와 복수의 도포 후 세정부(54)를 높이 방향으로 배열하여 배치해도 된다. 또한, 도포 전 세정부(23)의 기능 즉 웨이퍼(W)의 표면을 물리적으로 세정하는 기능(예를 들면, 도 6에 나타내는 세정부(104))을 도포 후 세정부(54)에 부가한 세정부를 인터페이스 스테이션(S5)에 마련해도 된다.In the above-mentioned embodiment, the example in the case where the washing|cleaning part 23 before application|coating is provided in washing|cleaning station S2, S2A or processing station S4B was demonstrated. Not limited to this, the washing|cleaning part 23 before application|coating may be provided in the delivery station S3, and may be provided in the interface station S5, for example. When the pre-coating cleaning unit 23 is provided in the interface station S5, the plurality of pre-coating cleaning units 23 and the plurality of post-applying cleaning units 54 may be arranged in a height direction. In addition, the function of the cleaning unit 23 before application, that is, the function of physically cleaning the surface of the wafer W (for example, the cleaning unit 104 shown in FIG. 6 ) is added to the cleaning unit 54 after application. You may provide a washing|cleaning part in the interface station S5.

상술한 바와 같이, 실시 형태에 따른 도포, 현상 장치(일례로서 도포, 현상 장치(1))는 반입반출 스테이션(일례로서, 반입반출 스테이션(S1))과, 처리 스테이션(일례로서, 처리 스테이션(S4))과, 도포 전 세정부(일례로서, 도포 전 세정부(23))와, 도포 후 세정부(일례로서, 도포 후 세정부(54))를 구비한다. 반입반출 스테이션은, 복수의 기판(일례로서, 웨이퍼(W))을 수납한 카세트(일례로서, 카세트(C))가 배치되는 카세트 배치부(일례로서, 카세트 배치대(11))를 포함한다. 처리 스테이션은, 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 처리를 행하는 도포 처리부(일례로서, 도포 처리부(COT))와, 노광 장치(일례로서, 노광 장치(EXP))에서 노광된 후의 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 현상 처리부(일례로서, 현상 처리부(DEV))와, 기판을 가열하는 가열부(일례로서, 제 1 가열부(BK1), 제 2 가열부(BK2))를 포함한다. 도포 전 세정부는, 반입반출 스테이션과 노광 장치의 사이에 마련되어, 도포 처리 전의 기판의 표면을 물리적으로 세정한다. 도포 후 세정부는, 처리 스테이션과 노광 장치의 사이에 마련되어, 도포 처리 후의 기판의 이면을 물리적으로 세정한다.As described above, the coating and developing apparatus (as an example, the coating and developing apparatus 1) according to the embodiment includes a carry-in/out station (as an example, the carry-in/out station S1), and a processing station (as an example, a processing station ( S4)), a cleaning unit before application (eg, cleaning unit 23 before application), and cleaning unit after application (eg, cleaning unit 54 after application). The carrying-in/out station includes a cassette placing unit (eg, cassette mounting table 11) in which a cassette (eg, cassette C) containing a plurality of substrates (eg, wafer W) is disposed. . The processing station includes a coating processing unit (eg, a coating processing unit (COT)) that performs a coating processing for applying a resist to the surface of the substrate, and an exposure apparatus (eg, exposure apparatus EXP) on the surface of the substrate after exposure Includes a developing unit (eg, a developing unit (DEV)) that supplies a developer to perform development, and a heating unit (eg, a first heating unit (BK1) and a second heating unit (BK2) for heating the substrate) do. The pre-coating washing|cleaning part is provided between the carrying-in/out station and the exposure apparatus, and physically cleans the surface of the board|substrate before an application|coating process. The post-coating cleaning unit is provided between the processing station and the exposure apparatus, and physically cleans the back surface of the substrate after the coating process.

반입반출 스테이션과 노광 장치의 사이에 도포 전 세정부를 마련하고, 또한 처리 스테이션과 노광 장치의 사이에 도포 후 세정부를 마련함으로써, 세정 처리를 포함하는 일련의 도포, 현상 처리를 효율적으로 행할 수 있다.By providing a pre-coating cleaning unit between the carry-in/out station and the exposure apparatus and a post-coating cleaning unit between the processing station and the exposure apparatus, a series of coating and developing processes including the cleaning process can be efficiently performed. there is.

실시 형태에 따른 도포, 현상 장치는, 반입반출 스테이션과 처리 스테이션의 사이에 마련된 전달 스테이션(일례로서, 전달 스테이션(S3))을 더 구비하고 있어도 된다. 처리 스테이션은, 적층된 복수의 처리 블록(일례로서, 처리 블록(B1 ~ B6))을 구비하고, 전달 스테이션은, 기판의 전달 장소(일례로서, 복수의 제 2 전달부(TRS2))가 복수의 처리 블록에 대응하여 다단으로 마련된 선반 유닛(일례로서, 선반 유닛(31))과, 하나의 전달 장소로부터 다른 전달 장소로 기판을 옮기는 이전부(일례로서, 반송부(32))를 포함한다. 이 경우, 도포 전 세정부는 반입반출 스테이션과 전달 스테이션의 사이에 마련되어도 된다.The coating and developing apparatus according to the embodiment may further include a delivery station (eg, delivery station S3 ) provided between the carrying-in/out station and the processing station. The processing station includes a plurality of stacked processing blocks (eg, processing blocks B1 to B6 ), and the transmission station includes a plurality of transfer locations (eg, a plurality of second transfer units TRS2 ) of the substrate. a shelf unit (for example, the shelf unit 31) provided in multiple stages corresponding to the processing block of . In this case, the washing|cleaning part before application|coating may be provided between a carrying-in/out station and a delivery station.

반입반출 스테이션과 전달 스테이션의 사이에 도포 전 세정부를 마련함으로써, 예를 들면 반입반출 스테이션의 전단에 도포 사전 처리부를 마련한 경우와 비교하여, 도포 처리의 보다 직전에 기판의 표면을 세정할 수 있다. 이 때문에, 도포 전 세정 처리를 행하고 나서 도포 처리가 행해질 때까지의 동안에 기판의 표면에 이물이 부착되거나 흠집이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또한, 처리 블록으로 들어가기 전에 기판의 표면을 세정해 둠으로써, 처리 블록의 청정도를 유지할 수 있다.By providing a pre-coating cleaning unit between the carry-in/out station and the delivery station, for example, compared to a case where an application pre-treatment section is provided at the front stage of the carry-in/out station, the surface of the substrate can be cleaned immediately before the coating process. . For this reason, it can suppress that a foreign material adheres to the surface of a board|substrate or a flaw arises during the time from performing a pre-coating washing|cleaning process until an application|coating process is performed. In addition, by cleaning the surface of the substrate before entering the processing block, the cleanliness of the processing block can be maintained.

실시 형태에 따른 도포, 현상 장치는, 반입반출 스테이션과 전달 스테이션의 사이에 마련되고, 도포 전 세정부를 포함하는 세정 스테이션(일례로서, 세정 스테이션(S2, S2A))을 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 세정 스테이션은, 반입반출 스테이션으로부터 반송된 기판이 배치되는 기판 배치부(일례로서, 제 1 전달부(TRS1))와, 기판 배치부, 도포 전 세정부 및 전달 장소 간에서 기판을 반송하는 반송부(일례로서, 반송부(22))를 더 포함하고 있어도 된다. 세정 스테이션에 반송부를 마련함으로써, 전달 스테이션에 마련된 이전부의 처리 부하의 증대를 억제할 수 있다.The coating and developing apparatus according to the embodiment may further include a cleaning station (eg, cleaning stations S2 and S2A) provided between the carrying-in/out station and the delivery station and including a cleaning unit before application. In this case, the cleaning station transports the substrates between the substrate placing unit (eg, the first transfer unit TRS1) where the substrates conveyed from the carrying-in/out station are placed, the substrate placing unit, the pre-coating cleaning unit, and the transfer location. It may further include a conveyance unit (as an example, conveyance unit 22 ) to be used. By providing the conveying unit in the cleaning station, it is possible to suppress an increase in the processing load of the transfer unit provided in the conveying station.

처리 스테이션(일례로서, 처리 스테이션(S4B))은, 적층된 복수의 처리 블록(일례로서, 처리 블록(B1 ~ B5))을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 도포 전 세정부는, 처리 블록(일례로서, 처리 블록(B1, B2))에 마련되어도 된다. 이에 의해, 도포 전 세정을 행하고 나서 도포 처리가 행해질 때까지의 동안에 기판이 오염되거나 기판에 흠집이 생기는 것을 억제할 수 있다.The processing station (eg, processing station S4B) may include a plurality of stacked processing blocks (eg, processing blocks B1 to B5). In this case, the pre-coating cleaning unit may be provided in a processing block (eg, processing blocks B1 and B2). Thereby, it can suppress that a board|substrate is contaminated or a flaw arises in the board|substrate from washing|cleaning before application|coating until application|coating process is performed.

복수의 처리 블록은, 도포 전 세정부가 마련되는 제 1 처리 블록(일례로서, 처리 블록(B1, B2))과, 도포 처리부가 마련되는 제 2 처리 블록(일례로서, 처리 블록(B3), B4)과, 현상 처리부가 마련되는 제 3 처리 블록(일례로서, 처리 블록(B5))을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 제 1 처리 블록, 제 2 처리 블록 및 제 3 처리 블록은, 아래로부터 차례로 제 1 처리 블록, 제 2 처리 블록 및 제 3 처리 블록의 순서로 배치되어도 된다. 처리 블록의 아래로부터 위를 향하는 기판의 흐름을 형성함으로써, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.The plurality of processing blocks include a first processing block in which a pre-coating cleaning unit is provided (eg, processing blocks B1 and B2), a second processing block in which an application processing unit is provided (eg, processing block B3); B4) and a third processing block in which the developing processing unit is provided (eg, processing block B5) may be included. In this case, the first processing block, the second processing block, and the third processing block may be sequentially arranged from the bottom in the order of the first processing block, the second processing block, and the third processing block. By forming the flow of the substrate from the bottom to the top of the processing block, it is possible to improve the throughput.

실시 형태에 따른 도포, 현상 장치는, 처리 스테이션과 노광 장치를 접속하는 인터페이스 스테이션(일례로서, 인터페이스 스테이션(S5))을 더 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 도포 후 세정부는, 인터페이스 스테이션에 마련되어도 된다. 이에 의해, 노광 장치로 반입되는 것보다 직전에 기판의 이면을 세정할 수 있다. 이 때문에, 도포 후 세정 처리를 행하고 나서 도포 처리가 행해질 때까지의 동안에 기판의 이면에 이물 등이 부착되는 것을 억제할 수 있다.The coating and developing apparatus according to the embodiment may further include an interface station (eg, an interface station S5 ) for connecting the processing station and the exposure apparatus. In this case, the post-coating cleaning unit may be provided in the interface station. Thereby, the back surface of a board|substrate can be wash|cleaned just before being carried in to an exposure apparatus. For this reason, it can suppress that a foreign material etc. adhere to the back surface of a board|substrate from performing a cleaning process after application|coating until application processing is performed.

금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시 형태는, 첨부한 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.It should be considered that embodiment disclosed this time is not restrictive by an illustration in all points. Indeed, the above-described embodiment may be implemented in various forms. In addition, said embodiment may abbreviate|omit, substitute, and change in various forms, without deviating from the attached range and the meaning.

C : 카세트
W : 웨이퍼
S1 : 반입반출 스테이션
S2 : 세정 스테이션
S3 : 전달 스테이션
S4 : 처리 스테이션
S5 : 인터페이스 스테이션
COT : 도포 처리부
DEV : 현상 처리부
BK1 : 제 1 가열부
BK2 : 제 2 가열부
EXP : 노광 장치
BM : 반송 블록
1 : 도포, 현상 장치
23 : 도포 전 세정부
24 : 검사부C: Cassette
W: Wafer
S1 : Carry-in/out station
S2: cleaning station
S3: transfer station
S4: processing station
S5: Interface Station
COT: Coating processing unit
DEV: Developing unit
BK1: first heating unit
BK2: second heating part
EXP: exposure device
BM: transport block
1: coating, developing device
23: cleaning part before application
24: inspection department

Claims (7)

복수의 기판을 수납한 카세트가 배치되는 카세트 배치부를 포함하는 반입반출 스테이션과,
상기 기판의 표면에 레지스트를 도포하는 도포 처리를 행하는 도포 처리부와, 노광 장치에서 노광된 후의 상기 기판의 표면에 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 현상 처리부와, 상기 기판을 가열하는 가열부를 포함하는 처리 스테이션과,
상기 반입반출 스테이션과 상기 노광 장치의 사이에 마련되어, 상기 도포 처리 전의 상기 기판의 표면을 물리적으로 세정하는 도포 전 세정부와,
상기 처리 스테이션과 상기 노광 장치의 사이에 마련되어, 상기 도포 처리 후의 상기 기판의 이면을 물리적으로 세정하는 도포 후 세정부
를 구비하는, 도포, 현상 장치.A carry-in/out station comprising a cassette arranging unit in which cassettes accommodating a plurality of substrates are disposed;
A process comprising: a coating processing unit for performing a coating treatment for applying a resist to the surface of the substrate; a developing unit for performing development treatment by supplying a developer solution to the surface of the substrate after exposure in an exposure apparatus; and a heating unit for heating the substrate station and
a pre-coating cleaning unit provided between the carry-in/out station and the exposure apparatus to physically clean the surface of the substrate before the coating process;
A post-coating cleaning unit provided between the processing station and the exposure apparatus to physically clean the back surface of the substrate after the coating treatment
A coating, developing device comprising a. 제 1 항에 있어서,
상기 반입반출 스테이션과 상기 처리 스테이션의 사이에 마련된 전달 스테이션
을 더 구비하고,
상기 처리 스테이션은,
적층된 복수의 처리 블록
을 구비하고,
상기 전달 스테이션은,
상기 기판의 전달 장소가 상기 복수의 처리 블록에 대응하여 다단으로 마련된 선반 유닛과,
하나의 상기 전달 장소로부터 다른 상기 전달 장소로 상기 기판을 옮기는 이전부
를 포함하고,
상기 도포 전 세정부는,
상기 반입반출 스테이션과 상기 전달 스테이션의 사이에 마련되는, 도포, 현상 장치.The method of claim 1,
A delivery station provided between the carry-in/out station and the processing station
provide more,
the processing station,
Stacked Multiple Processing Blocks
to provide
The delivery station is
a shelf unit in which the transfer locations of the substrates are provided in multiple stages corresponding to the plurality of processing blocks;
a transfer unit for transferring the substrate from one said transfer site to another
including,
The washing unit before application,
A coating and developing device provided between the carry-in/out station and the delivery station. 제 2 항에 있어서,
상기 반입반출 스테이션과 상기 전달 스테이션의 사이에 마련되어, 상기 도포 전 세정부를 포함하는 세정 스테이션
을 더 구비하고,
상기 세정 스테이션은,
상기 반입반출 스테이션으로부터 반송된 상기 기판이 배치되는 기판 배치부와,
상기 기판 배치부, 상기 도포 전 세정부 및 상기 전달 장소 간에서 상기 기판을 반송하는 반송부
를 더 포함하는, 도포, 현상 장치.3. The method of claim 2,
A cleaning station provided between the carrying-in/out station and the delivery station and including a cleaning unit before application
provide more,
The cleaning station is
a substrate arranging unit on which the substrate transported from the carry-in/out station is disposed;
A transfer unit for transferring the substrate between the substrate placing unit, the pre-coating cleaning unit, and the transfer location
Further comprising a, coating, developing device. 제 1 항에 있어서,
상기 처리 스테이션은,
적층된 복수의 처리 블록
을 구비하고,
상기 도포 전 세정부는,
상기 처리 블록에 마련되는, 도포, 현상 장치.The method of claim 1,
the processing station,
Stacked Multiple Processing Blocks
to provide
The washing unit before application,
A coating and developing device provided in the processing block. 제 4 항에 있어서,
상기 복수의 처리 블록은,
상기 도포 전 세정부가 마련되는 제 1 처리 블록과,
상기 도포 처리부가 마련되는 제 2 처리 블록과,
상기 현상 처리부가 마련되는 제 3 처리 블록
을 포함하고,
상기 제 1 처리 블록, 상기 제 2 처리 블록 및 상기 제 3 처리 블록은, 아래로부터 차례로 상기 제 1 처리 블록, 상기 제 2 처리 블록 및 상기 제 3 처리 블록의 순서로 배치되는, 도포, 현상 장치.5. The method of claim 4,
The plurality of processing blocks,
a first processing block provided with the cleaning unit before application;
a second processing block provided with the application processing unit;
A third processing block in which the developing processing unit is provided
including,
and the first processing block, the second processing block and the third processing block are arranged in the order of the first processing block, the second processing block and the third processing block in order from the bottom. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 스테이션과 상기 노광 장치를 접속하는 인터페이스 스테이션
을 더 구비하고,
상기 도포 후 세정부는,
상기 인터페이스 스테이션에 마련되는, 도포, 현상 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
An interface station for connecting the processing station and the exposure apparatus
provide more,
After the application, the cleaning unit,
A coating and developing device provided in the interface station. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은, 반도체 웨이퍼인, 도포, 현상 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The substrate is a semiconductor wafer, a coating and developing apparatus.
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