KR20220043916A - 센서 조립체용 구속부 - Google Patents

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KR20220043916A
KR20220043916A KR1020210129160A KR20210129160A KR20220043916A KR 20220043916 A KR20220043916 A KR 20220043916A KR 1020210129160 A KR1020210129160 A KR 1020210129160A KR 20210129160 A KR20210129160 A KR 20210129160A KR 20220043916 A KR20220043916 A KR 20220043916A
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조세 알파로 페레즈
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메저먼트 스페셜티스, 인크.
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Abstract

센서 조립체(10)용 구속부(200)는 실리콘 웨이퍼(210) 및 가요성 구조물(230)을 포함한다. 실리콘 웨이퍼(210)는 제1 면(212), 제1 면(212)에 대향하는 제2 면(214), 및 실리콘 웨이퍼(210)를 통해 제1 면(212)에서 제2 면(214)으로 연장되는 통로(220)를 갖는다. 제1 면(212)은 통로(220)를 제외하고는 연속적인 평면 표면이다. 가요성 구조물(230)은 제2 면(214)으로부터 연장된다.

Description

센서 조립체용 구속부{CONSTRAINT FOR A SENSOR ASSEMBLY}
본 발명은 센서 조립체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 센서 조립체용 구속부에 관한 것이다.
센서 다이(die), 예를 들어 미세전자기계시스템(MEMS) 센서 다이는 종종 다이 어태치(die attach) 접착 재료에 의해 패키지에 부착되어 센서 조립체를 형성한다. 패키지, 다이 어태치 및 센서 다이는 종종 상이한 열팽창 계수와 상이한 강성을 갖는 상이한 재료로 형성된다. 센서 다이가 다이 어태치에 의해 패키지에 직접 부착되면, 패키지 및 다이 어태치의 열적 및 기계적 응력이 센서 다이로 전달되어, 여러 응용분야에서 사용될 때 센서 다이의 정확도를 손상시킨다.
센서 다이에 대한 응력의 부정적인 영향을 제한하기 위한 시도로 다이 어태치 및 패키지로부터 센서 다이를 분리하기 위해 중간 구속부가 추가되었다. 유리로 만들어진 구속부는 센서 다이로 전달되는 응력을 제한하는 데 도움이 되지만, 효과가 있는 응용분야의 범위가 좁고, 생산비용이 많이 들며, 제조 및 가공이 어렵다. 다른 제안된 구속부는 다이 어태치를 통한 센서 다이 및 패키지에 대한 접합이 약하다는 문제가 있어, 센서 조립체의 강도 저하와 조기 고장으로 이어진다.
센서 조립체용 구속부는 실리콘 웨이퍼 및 가요성 구조물을 포함한다. 실리콘 웨이퍼는 제1 면, 제1 면에 대향하는 제2 면, 및 실리콘 웨이퍼를 통해 제1 면에서 제2 면으로 연장되는 통로를 갖는다. 제1 면은 통로를 제외하고는 연속적인 평면 표면이다. 가요성 구조물은 제2 면으로부터 연장된다.
이제 첨부도면을 참조하여 예로서 본 발명을 설명할 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 센서 조립체의 사시도이고,
도 2는 도 1의 센서 조립체의 단면사시도이며,
도 3은 일 실시예에 따른 센서 다이 및 센서 조립체 구속부의 개략적인 측단면도이고,
도 4a는 일 실시예에 따른 구속부의 가요성 구조물의 개략적인 저면도이며,
도 4b는 다른 실시예에 따른 구속부의 가요성 구조물의 개략적인 저면도이고,
도 4c는 다른 실시예에 따른 구속부의 가요성 구조물의 개략적인 저면도이며,
도 4d는 다른 실시예에 따른 구속부의 가요성 구조물의 개략적인 저면도이고,
도 4e는 다른 실시예에 따른 구속부의 가요성 구조물의 개략적인 저면도이며,
도 5는 다른 실시예에 따른 센서 다이 및 센서 조립체 구속부의 개략적인 측단면도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 개시의 예시적인 실시예를 상세히 설명하며, 유사한 도면부호는 유사한 구성요소를 나타낸다. 그러나 본 개시는 많은 상이한 형태로 구현될 수 있으며 본 명세서에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시가 본 개시의 개념을 통상의 기술자에게 전달하도록 제공된다. 또한, 다음의 상세한 설명에서, 설명의 목적으로, 개시된 실시예의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 구체적인 세부사항이 제시된다. 그러나, 이러한 구체적인 세부사항 없이도 하나 이상의 실시예가 구현될 수 있음은 명백하다.
일 실시예에 따른 센서 조립체(10)가 도 1 및 도 2에 도시되어 있다. 센서 조립체(10)는 센서 다이(100), 센서 다이(100)에 부착된 구속부(200), 기판(300), 및 구속부(200)를 기판(300)에 부착하는 다이 어태치(400)를 포함한다.
도 1 내지 도 3에 도시된 센서 다이(100)는 임의의 범위의 특성을 감지하는데 사용되는 미세전자기계시스템(MEMS) 다이이다. 일 실시예에서, 센서 다이(100)는 실리콘 재료로 형성된다. 센서 다이(100)는 센서 다이(100)의 변형에 따라 변화하는 저항을 갖는 압저항 소자일 수 있거나, 센서 다이(100)의 변형에 따라 변화하는 정전용량을 갖는 용량성 소자일 수 있거나, 임의의 다른 유형의 MEMS 감지 소자일 수 있다. 여러 실시예에서, 센서 다이(100)는 압력 센서, 가속도계, 힘 센서, 또는 임의의 다른 유형의 센서일 수 있다.
도 1 내지 도 3에 도시된 구속부(200)는 실리콘 웨이퍼(210) 및 실리콘 웨이퍼(210)로부터 높이 방향(H)으로 연장되는 가요성 구조물(230)을 포함한다.
실리콘 웨이퍼(210)는 도 3에 도시된 바와 같이 제1 면(212) 및 높이 방향(H)으로 제1 면(212)에 대향하는 제2 면(214)을 갖는다. 실리콘 웨이퍼(210)는 제1 면(212)과 제2 면(214) 사이에서 높이 방향(H)을 따라 연장되는 복수의 측면(216)을 갖는다. 측면(216)은 제1 면(212)과 제2 면(214) 사이에서 높이 방향(H)을 따라 실리콘 웨이퍼(210)의 두께(218)를 형성한다.
실리콘 웨이퍼(210)는 도 3에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼(210)를 통해 제1 면(212)에서 제2 면(214)으로 높이 방향(H)을 따라 연장되는 통로(220)를 갖는다. 도시된 실시예에서, 통로(220)는 대략 중앙에서 실리콘 웨이퍼(210)를 통해 연장된다. 도시된 실시예에서, 실리콘 웨이퍼(210)의 제1 면(212)은 통로(220)를 제외하고는 연속적인 평면 표면이다.
실리콘 웨이퍼(210)는 고체 실리콘 재료로 형성된 웨이퍼이다. 일 실시예에서, 웨이퍼(210)를 포함하는 실리콘 재료의 결정 구조는 (100) 평면 배향을 갖는다. 다른 실시예에서, 웨이퍼(210)를 포함하는 실리콘 재료의 결정 구조는 (110) 평면 배향을 갖는다.
가요성 구조물(230)은 도 3에 도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼(210)의 제2 면(214)으로부터 높이 방향(H)으로 깊이(232)까지 연장된다. 도 3에 도시된 실시예에서, 높이 방향(H)으로 가요성 구조물(230)의 깊이(232)는 높이 방향(H)으로 실리콘 웨이퍼(210)의 두께(218)와 대략 동일하다. 다른 실시예에서, 깊이(232)는 두께(218)보다 작거나 클 수 있다.
도 4a는 도 3에 도시된 가요성 구조물(230)의 실시예의 저면도이다. 도 3 및 도 4a에 도시된 바와 같이, 가요성 구조물(230)은 제2 면(214)으로부터 연장되는 복수의 빔(234)과, 제1 폭 방향(W1) 또는 제2 폭 방향(W2)을 따라 빔들(234) 사이에 배치되어 이들을 분리하는 복수의 트렌치(240)를 포함한다. 도 3 및 도 4a에 도시된 바와 같이, 빔(234)은 통로(220)를 중심으로 서로 동심을 이루도록 배치된다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 폭 방향(W1)은 높이 방향(H)에 수직이고, 제2 폭 방향(W2)은 제1 폭 방향(W1) 및 높이 방향(H) 모두에 수직이다. 제1 폭 방향(W1)과 제2 폭 방향(W2)은 둘 다 도 3에서 동일한 축으로 표시되는데, 이는 도 1 내지 도 4a에 도시된 실시예에서 도 1 및 도 2의 제1 폭 방향(W1) 또는 제2 폭 방향(W2) 중 하나에 따른 센서 다이(100) 및 구속부(200)의 단면이 도 3에 도시된 것과 동일한 구조를 갖기 때문이다. 제1 폭 방향(W1) 및 제2 폭 방향(W2)은 도 1 내지 도 4a의 실시예를 참조할 때 대안적으로 폭 방향(W1, W2)으로 지칭할 수 있다.
도 3 및 도 4a에 도시된 바와 같이, 빔(234) 각각은 폭 방향(W1, W2)으로 빔 폭(236)을 갖고, 트렌치(240) 각각은 복수의 빔(234) 중 한 쌍의 빔(234) 사이에 폭 방향(W1, W2)으로 간격(242)을 갖는다. 도시된 실시예에서 각각의 빔(234)은 동일한 빔 폭(236)을 갖고 각각의 트렌치(240)는 동일한 간격(242)을 갖는다. 도 3 및 도 4a에 도시된 실시예에서, 빔 폭(236)은 간격(242)과 대략 동일하다. 다른 실시예에서, 빔 폭(236)은 폭 방향(W1, W2)으로 간격(242)보다 작거나 클 수 있다. 도 3에 도시된 실시예에서, 각각의 빔(234)은 폭 방향(W1, W2)으로 적어도 간격(242)만큼 통로(220)로부터 이격된다. 다른 실시예에서, 빔(234)은 간격(242)보다 더 가깝게 또는 더 멀리 통로(220)로부터 이격될 수 있다.
각각의 빔(234)은 도 3에 도시된 바와 같이 높이 방향(H)에 평행하게 연장되며, 폭 방향(W1, W2)으로 빔(234)의 양측은 각각 평면이고 높이 방향(H)에 평행하다. 도 3에 도시된 실시예에서, 복수의 빔(234) 중 최외측 빔(234)의 폭 방향(W1, W2) 최외측 표면은 실리콘 웨이퍼(210)의 측면(216) 중 하나와 동일 평면이다.
각각의 빔(234)은 도 4a에 도시된 바와 같이 제1 폭 방향(W1) 및 제2 폭 방향(W2)을 따라 연장되는 평면에서 단면 형상(238)을 갖는다. 도 4a에 도시된 실시예에서, 각각의 빔(234)의 단면 형상(238)은 정사각형 형상이다.
가요성 구조물(230)의 다른 예시적인 실시예가 도 4b 내지 도 4e에 도시되어 있다. 유사한 도면부호는 유사한 구성요소를 나타내며, 주로 위에서 도 3 및 도 4a에서 설명한 실시예에 대한 차이점을 여기에서 상세하게 설명한다.
도 4b 및 도 4c의 실시예에 도시된 바와 같이, 빔(234)의 수는 도 4a에 도시된 3개의 빔(234)과 다를 수 있다. 가요성 구조물(230)은 도 4b에 도시된 실시예에서는 5개의 빔(234)을 가지고 도 4c의 실시예에서는 2개의 빔(234)을 가지며, 다른 실시예에서 가요성 구조물(230)은 4개의 빔(234), 5개보다 많은 빔(234), 또는 임의의 개수의 빔(234)을 가질 수 있다.
도 4b의 예시적인 실시예는 또한 빔 폭(236) 및 간격(242)이 도 4a에 도시된 실시예와 다를 수 있음을 보여준다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 빔(234) 및 트렌치(242)는 도 4a의 실시예에서보다 더 작은 빔 폭(236) 및 더 작은 간격(242)을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 빔 폭(236) 및 간격(242)은 도 4a에 도시된 실시예에서보다 더 클 수 있다. 도 4b에 도시된 실시예에서, 빔 폭(246)은 모든 빔(234)에 대해 여전히 동일하고 간격(242)은 통로(220)를 중심으로 동심으로 모든 트렌치(240)에 대해 여전히 동일하다.
도 4b에 도시된 실시예에서, 각각의 빔(234)은 도 4a의 실시예에서와 같이 정사각형 단면 형상(238)을 갖는다. 다른 실시예에서, 빔(234)의 단면 형상(238)은 도 4c에 도시된 바와 같이 직사각형, 도 4d에 도시된 바와 같이 원형, 도 4e에 도시된 바와 같이 육각형, 또는 임의의 다른 유형의 형상일 수 있다. 도 4a 내지 도 4e에 도시된 실시예에서, 빔(234)의 단면 형상(238)의 차이에도 불구하고, 가요성 구조물(230)은 정사각형 형상을 갖는 외주 프로파일(250)을 갖는다. 다른 실시예에서, 외주 프로파일(250)은 직사각형 형상, 육각형 형상, 팔각형 형상, 별 형상, 또는 임의의 다른 유형의 형상을 가질 수 있다.
도 4c 내지 도 4e의 실시예에 도시된 바와 같이, 가요성 구조물(230) 내의 빔(234)은 서로 다른 빔 폭(236)을 가질 수 있고, 가요성 구조물(230) 내의 트렌치(240)는 서로 다른 간격(242)을 가질 수 있다. 정사각형 외주 프로파일(250)을 갖는 빔(234)의 상이한 단면 형상(238)은 도 4c에 도시된 실시예에서 제2 폭 방향(W2)과 비교하여 제1 폭 방향(W1)으로 빔(234) 사이에 가변 간격(242)을 초래한다. 도 4d 및 도 4e에 도시된 실시예에서 최외측 빔(234)의 가변 빔 폭(236). 다른 실시예에서, 가요성 구조물(230)의 임의의 빔(234)은 가변 폭 및/또는 서로 다른 폭을 가질 수 있고, 임의의 트렌치(240)는 가변 간격(242) 및/또는 서로 다른 간격(242)을 가질 수 있다.
전술한 실시예 중 어느 것에 따르더라도, 가요성 구조물(230)의 빔(234)은 실리콘 웨이퍼(210)와 일체로 모놀리식하게 형성된다. 실리콘 웨이퍼(210)는 두께(218) 및 깊이(232)의 합과 동일한 높이 방향(H)의 치수를 갖는 고체 실리콘 재료의 조각으로 시작한다. 실리콘 웨이퍼(210)는 제2 면(214)까지 에칭 공정에 의해 에칭되어, 도 3 내지 도 4e에 도시된 빔(234) 및 빔(234) 사이의 트렌치(240)를 형성한다. 일 실시예에서, 통로(220) 역시, 빔(234)과 동일한 면으로부터 실리콘 웨이퍼(210)를 에칭하고 또한 제1 면(212)으로부터 실리콘 웨이퍼(210)를 에칭하여 실리콘 웨이퍼(210)를 통해 연장되는 통로(220)를 형성함으로써, 에칭 공정에 의해 형성된다.
일 실시예에서, 에칭 공정은 깊은 반응 이온 에칭(DRIE)과 같은 건식 플라즈마 에칭이다. 일 실시예에서, DRIE는 실리콘 웨이퍼(210)가 (100) 평면 배향을 가질 때 빔(234)을 형성하기 위해 사용된다. DRIE 에칭은 실리콘 웨이퍼(210)가 (100) 평면 배향을 가질 때 높이 방향(H)에 평행한 빔(234)의 수직면의 생성을 가능하게 한다.
다른 실시예에서, 에칭 공정은 습식 에칭이다. 일 실시예에서 습식 에칭은 실리콘 웨이퍼(210)가 (110) 평면 배향을 가질 때 빔(234)을 형성하기 위해 사용된다. 습식 에칭은 DRIE보다 저렴한 동시에 실리콘 웨이퍼(210)가 (110) 평면 배향을 가질 때 높이 방향(H)에 평행한 빔(234)의 수직면의 생성을 가능하게 한다.
도 1 및 도 2에 도시된 기판(300)은 센서 다이(100)용 패키지를 형성하거나 그 패키지의 일부이고, 센서 다이 패키징에 사용되는 임의의 유형의 재료로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(300)은 센서 다이(100)와 상이한 열팽창 계수 및/또는 상이한 강성 또는 영률을 갖는다.
도 1 및 도 2에 도시된 다이 어태치(400)는 상이한 온도 하에서 액체 상태 및 고체 상태를 갖는 접착 재료이다. 일 실시예에서, 고체 상태에서, 다이 어태치(400)는 유리 재료, 솔더 재료, 또는 센서 다이의 부착에 사용되는 임의의 다른 유형의 경질 재료와 같은 경질 다이 어태치이다. 다른 실시예에서, 고체 상태에서, 다이 어태치(400)는 에폭시, 열가소성 수지 또는 센서 다이의 부착에 사용되는 임의의 다른 유형의 연질 재료와 같은 연질 다이 어태치이다. 다양한 실시예에서, 다이 어태치(400)는 센서 다이(100) 및 기판(300) 중 적어도 하나와 상이한 열팽창 계수를 갖고, 센서 다이(100) 및 기판(300) 중 적어도 하나와 상이한 강성 또는 영률을 갖는다.
이제 센서 조립체(10)의 조립체를 주로 도 1 내지 도 3 및 도 5를 참조하여 더 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 구속부(200)는 센서 다이(100)에 부착된다. 도시된 실시예에서, 구속부(200)는 용융접합에 의해 센서 다이(100)에 부착된다. 다른 실시예에서, 구속부(200)는 실리콘 재료와 함께 사용가능한 임의의 유형의 부착에 의해 센서 다이(100)에 부착될 수 있다.
도 3에 도시된 실시예에서, 실리콘 웨이퍼(210)의 제1 면(212)은 센서 다이(100)에 부착되고, 가요성 구조물(230)은 실리콘 웨이퍼(210)에서 높이 방향(H)으로 센서 다이(100)의 반대쪽에 위치된다. 도 5에 도시된 다른 실시예에서, 가요성 구조물(230)은 실리콘 웨이퍼(210)의 반대편에 있는 빔(234)의 단부들이 센서 다이(100)에 부착되도록 센서 다이(100)에 부착된다. 도 5의 실시예에서, 센서 다이(100)는 가요성 구조물(230)에서 높이 방향(H)으로 실리콘 웨이퍼(210)의 반대쪽에 위치된다.
센서 다이(100)에 부착된 구속부(200)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 다이 어태치(400)에 의해 기판(300)의 표면(310)에 부착된다. 다이 어태치(400)는 표면(310)과 구속부(200) 사이에 액체 상태로 적용되며 고체 상태로 전이되어 구속부(200) 및 센서 다이(100)를 기판(300)에 고정한다.
도 1 내지 도 3 및 도 5의 실시예에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(210)는 센서 다이(100)에 부착될 수 있고 가요성 구조물(230)은 다이 어태치(400)에 의해 기판(300)에 부착될 수 있거나, 또는 가요성 구조물(230)은 센서 다이(100)에 부착될 수 있고 실리콘 웨이퍼(210)는 다이 어태치(400)에 의해 기판(300)에 부착될 수 있다. 도 5에 도시된 구속부(200)의 방향은 가요성 구조물(230)의 빔들(234) 사이에서 다이 어태치(400)가 액체 상태로 위킹(wicking)할 가능성을 제한하거나 방지할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 센서 조립체(10)의 조립된 상태에서, 구속부(200)는 사이에 배치되어 센서 다이(100)를 기판(300) 및 다이 어태치(400)로부터 높이 방향(H)으로 분리한다. 센서 조립체(10) 사용 중에, 가요성 구조물(230)은 구속부(200)의 일부가 이동할 수 있게 하는 유연성을 구속부(200)에 제공한다. 구속부(200)의 이동은 열적 또는 기계적 응력과 같은 다이 어태치(400) 또는 기판(300)의 응력을 센서 다이(100)로부터 격리하거나 제한하여 일정 온도 범위에 걸쳐 센서 다이(100)의 정확도 및 일관성을 개선한다.
구속부(200)는 어떤 유형의 다이 어태치(400)가 사용되는지에 관계없이 이러한 개선된 성능을 생성한다. 구속부(200)는 또한 상이한 범위에서 상이한 특성을 감지하는 여러 유형의 센서 다이(100)와 함께 사용할 수 있다. 센서 조립체(10)는 센서 다이(100)가 응력부터 격리될 수 있도록 하여, 그것이 일정 범위의 다양한 온도에 걸쳐 그리고 상이한 유형의 센서 다이(100)에 대해 구속부(200), 기판(300), 및 다이 어태치(400)가 없는 베어(bare) 센서 다이의 0의 온도계수(TCZ) 오프셋과 거의 동일하고 대체로 선형인 TCZ 오프셋을 갖도록 한다. 센서 조립체(10)에서 센서 다이(100)의 TCZ 오프셋은 다른 유형의 구속부를 포함하는 센서 조립체보다 베어 센서 다이의 TCZ 오프셋을 더 면밀히 추종한다.
또한, 실리콘 웨이퍼(210)의 제2 면(214)으로부터 연장되는 가요성 구조물(230)은 제1 면(212)이 통로(220)를 제외하고는 연속적인 평면 표면이 될 수 있도록 하여, 구속부(200)와 센서 다이(100) 사이 또는 구속부(200)와 기판(300) 사이의 연결 강도를 향상시킨다.

Claims (12)

  1. 센서 조립체(10)용 구속부(200)로서,
    실리콘 웨이퍼(210)로서, 제1 면(212), 상기 제1 면(212)에 대향하는 제2 면(214), 및 상기 실리콘 웨이퍼(210)를 통해 상기 제1 면(212)에서 상기 제2 면(214)으로 연장되는 통로(220)를 가지며, 상기 제1 면(212)은 상기 통로(220)를 제외하고는 연속적인 평면 표면인, 실리콘 웨이퍼(210); 및
    상기 제2 면(214)으로부터 연장되는 가요성 구조물(230)을 포함하는, 구속부(200).
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼(210)는 상기 제1 면(212)과 상기 제2 면(214) 사이에서 연장되는 높이 방향(H)으로 두께(218)를 갖고, 상기 가요성 구조물(230)은 상기 높이 방향(H)으로 깊이(232)를 가지며, 상기 깊이(232)는 상기 두께(218)와 대략 동일한, 구속부(200).
  3. 제1항에 있어서, 상기 가요성 구조물(230)은 복수의 빔(234) 및 상기 복수의 빔(234) 사이에 배치된 적어도 하나의 트렌치(240)를 포함하는, 구속부(200).
  4. 제3항에 있어서, 각각의 상기 빔(234)은 상기 제1 면(212)과 상기 제2 면(214) 사이에서 연장되는 높이 방향(H)에 평행하게 연장되는, 구속부(200).
  5. 제3항에 있어서, 상기 빔(234) 각각은 폭 방향(W1, W2)으로 빔 폭(236)을 갖고, 상기 트렌치(240) 각각은 (234) 폭 방향(W1, W2)으로 빔 사이에 간격(242)을 가지며, 상기 빔 폭(236)은 상기 간격(242)과 대략 동일한, 구속부(200).
  6. 제3항에 있어서, 상기 복수의 빔(234)은 상기 통로(220)를 중심으로 서로 동심을 이루는, 구속부(200).
  7. 제3항에 있어서, 상기 복수의 빔(234)은 상기 실리콘 웨이퍼(210) 내로 에칭함으로써 상기 실리콘 웨이퍼(210)와 일체로 모놀리식하게 형성되는, 구속부(200).
  8. 제7항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼(210)는 (100) 평면 배향을 갖고, 상기 복수의 빔(234)은 깊은 반응성 이온 에칭 또는 습식 에칭에 의해 에칭되는, 구속부(200).
  9. 실리콘 웨이퍼(210) 및 상기 실리콘 웨이퍼(210)로부터 연장되는 가요성 구조물(230)을 포함하는 구속부(200)를 포함하며, 상기 실리콘 웨이퍼(210)는 제1 면(212), 상기 제1 면(212)에 대향하는 제2 면(214), 및 상기 실리콘 웨이퍼(210)를 통해 상기 제1 면(212)에서 상기 제2 면(214)으로 연장되는 통로(220)를 포함하고, 상기 제1 면(212)은 상기 통로(220)를 제외하고는 연속적인 평면 표면이며, 상기 가요성 구조물(230)은 상기 제2 면(214)으로부터 연장되는, 센서 조립체(10).
  10. 제9항에 있어서, 센서 다이(100)를 더 포함하고, 상기 구속부(200)는 용융접합에 의해 상기 센서 다이(100)에 부착되며, 기판(300)을 더 포함하고, 상기 구속부(200)는 상기 센서 다이(100)와 상기 기판(300) 사이에 배치되는, 센서 조립체(10).
  11. 제10항에 있어서, 상기 구속부(200)를 상기 기판(300)에 부착하는 다이 어태치(400)를 더 포함하고, 상기 다이 어태치(400)는 경질 다이 어태치 또는 연질 다이 어태치인, 센서 조립체(10).
  12. 제11항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼(210)는 상기 센서 다이(100)에 부착되고, 상기 가요성 구조물(230)은 상기 다이 어태치(400)에 의해 상기 기판(300)에 부착되는, 센서 조립체(10).
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