KR20220040984A - Processing apparatus - Google Patents
Processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220040984A KR20220040984A KR1020210107311A KR20210107311A KR20220040984A KR 20220040984 A KR20220040984 A KR 20220040984A KR 1020210107311 A KR1020210107311 A KR 1020210107311A KR 20210107311 A KR20210107311 A KR 20210107311A KR 20220040984 A KR20220040984 A KR 20220040984A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- processing
- partition plate
- tool
- processing tool
- wafer
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 183
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 78
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 10
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/06—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Milling, Broaching, Filing, Reaming, And Others (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing apparatus.
관통 전극인 TSV (Through Silicon Via) 를 갖는 TSV 웨이퍼에서는, 이면을 연삭 및 CMP (화학 기계 연마) 에 의해 평탄화하고, 표면측에 노출한 관통 전극을 CMP 에 의해 평탄화하고 있다. 최근에는, 관통 전극의 배선이, 알루미늄 배선에서 구리 배선으로 전환되고 있기 때문에, 바이트에 의한 선삭과 CMP 에 의해, 관통 전극을 평탄화하고 있다. 그 때문에, 특허문헌 1 에 개시된 바와 같이, 하나의 가공 장치의 가공 수단으로, 바이트에 의한 선삭과 CMP 를 가능하게 함으로써, 장치를 소형화하고, 생산성을 향상시키고 있다.In a TSV wafer having TSV (Through Silicon Via) as a through electrode, the back surface is planarized by grinding and CMP (chemical mechanical polishing), and the through electrode exposed on the front surface side is planarized by CMP. In recent years, since wiring of a through electrode has been switched from an aluminum wiring to a copper wiring, the through electrode is planarized by turning with a bite and CMP. Therefore, as disclosed in
특허문헌 1 에 기재된 장치에서는, 선삭과 CMP 가 동일한 가공실 내에서 실시된다. 그 때문에, 선삭 가공의 선삭 부스러기가 연마 패드의 하면에 부착되어, CMP 시에 웨이퍼의 피연마면에 흠집이 생겨 버릴 가능성이 있다.In the apparatus described in
또, 가공 수단이 연삭과 CMP 를 실시하는 것이 가능한 경우에도, 연삭 가공의 연삭 부스러기가 연마 패드의 하면에 부착되어, CMP 시에 웨이퍼의 피연마면에 흠집이 생겨 버릴 가능성이 있다.Further, even when the processing means is capable of performing grinding and CMP, there is a possibility that grinding chips from grinding may adhere to the lower surface of the polishing pad, and the polishing target surface of the wafer may be scratched during CMP.
따라서, 본 발명의 목적은, 일방의 가공을 실시했을 때에 발생한 가공 부스러기에 의해, 그 후에 실시되는 타방의 가공이 악영향을 받는 것을 억제하는 것에 있다.Therefore, the objective of this invention is suppressing that the other process performed after that receives a bad influence by the processing waste which generate|occur|produced when one process was performed.
본 발명의 가공 장치 (본 가공 장치) 는, 유지면에 의해 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 가공하기 위한 가공구를 구비한 가공 수단과, 그 가공 수단을 그 유지면에 수직인 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단과, 그 척 테이블과 그 가공구를 수용하는 가공실, 을 구비하는 가공 장치로서, 그 가공 수단은, 그 수직인 방향으로 연장하는 스핀들의 하단에 상면이 연결되고, 하면에 제 1 가공구가 장착되어 있는 제 1 마운트와, 그 제 1 마운트의 외경보다 큰 내경을 갖고, 그 제 1 마운트와 동심 (同心) 의 원환상 (圓環狀) 으로, 하면에 제 2 가공구가 장착되는 제 2 마운트와, 그 제 1 마운트와 그 제 2 마운트를 그 수직인 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 그 제 1 가공구 또는 그 제 2 가공구를 선택적으로 그 유지면에 접근시키는 선택 수단, 을 구비하고, 그 가공실은, 그 선택 수단에 의해 그 제 2 가공구보다 그 제 1 가공구를 그 유지면에 접근시키고, 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 그 제 1 가공구에 의해 가공하고 있을 때에, 그 제 1 가공구를 둘러싸고, 그 가공실을 상하로 나누고, 그 제 1 가공구가 웨이퍼를 가공한 가공 부스러기로부터 그 제 2 가공구를 보호하는 칸막이 기구를 구비하고, 그 칸막이 기구는, 그 제 1 가공구의 외측면을 따른 제 1 반원 오목부를 구비하고, 수평 방향으로 연장하는 제 1 칸막이판과, 그 제 1 가공구의 외측면을 따라 그 제 1 반원 오목부를 마주 보는 제 2 반원 오목부를 구비하고, 수평 방향으로 연장하는 제 2 칸막이판과, 그 제 1 칸막이판을 수평 방향으로 이동시키는 제 1 수평 이동 기구와, 그 제 2 칸막이판을 수평 방향으로 이동시키는 제 2 수평 이동 기구, 를 구비하고, 그 제 2 가공구에 의해 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공할 때에는, 그 제 1 칸막이판과 그 제 2 칸막이판을, 서로 수평 방향으로 그 스핀들로부터 멀리 하여, 그 제 1 반원 오목부와 그 제 2 반원 오목부의 사이를 그 제 2 가공구가 통과 가능하게 하고, 그 제 1 가공구에 의해 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공할 때에는, 그 제 1 칸막이판과 그 제 2 칸막이판을, 서로 수평 방향으로 그 스핀들에 가까이 하여, 그 제 1 반원 오목부와 그 제 2 반원 오목부를 연결함으로써 형성되는 원에 의해 그 제 1 가공구를 둘러싸고, 그 제 1 가공구가 웨이퍼를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기로부터 그 제 2 가공구를 보호한다.A processing apparatus (the present processing apparatus) of the present invention includes a processing unit including a chuck table for holding a wafer by a holding surface, a processing tool for processing the wafer held on the chuck table, and the processing unit for holding the processing unit A machining apparatus comprising: a machining feed means for machining and feeding in a direction perpendicular to a surface; and a machining chamber for accommodating the chuck table and the machining tool, wherein the machining means is located at a lower end of a spindle extending in the vertical direction. A first mount having an upper surface connected to it and a first processing tool mounted on a lower surface thereof, and an inner diameter larger than the outer diameter of the first mount, in an annular shape concentric with the first mount , a second mount on which the second processing tool is mounted on the lower surface, and by relatively moving the first mount and the second mount in the vertical direction, the first processing tool or the second processing tool is selectively moved selecting means for bringing the holding surface closer to the holding surface, wherein the processing chamber causes the first processing tool to approach the holding surface rather than the second processing tool by the selection means, and to transfer the wafer held on the holding surface to the first processing tool. A partition mechanism is provided that surrounds the first processing tool and divides the processing chamber up and down while the processing tool is processing the first processing tool and protects the second processing tool from the processing debris of the wafer processed by the first processing tool. and the partition mechanism includes a first semi-circular recess along the outer surface of the first processing tool, a first partition plate extending in the horizontal direction, and the first semi-circular recess along the outer surface of the first processing tool A second partition plate having opposite second semicircular recesses and extending in the horizontal direction; a first horizontal movement mechanism for moving the first partition plate in the horizontal direction; A second horizontal movement mechanism is provided, and when processing a wafer held on its holding surface by the second processing tool, the first partition plate and the second partition plate are separated from each other in a horizontal direction away from the spindle. Thus, the first semicircle recess and the second semicircle The second processing tool allows the passage between the recesses, and when processing a wafer held on the holding surface by the first processing tool, the first partition plate and the second partition plate are aligned in a horizontal direction with each other. close to the spindle, and surrounds the first processing tool by a circle formed by connecting the first semi-circular recess and the second semi-circular recess, the first processing tool from processing debris generated by processing the wafer Protect the second processing tool.
본 가공 장치에서는, 그 제 1 가공구는 선삭 바이트 또는 연삭 지석이어도 되고, 그 제 2 가공구는 연마 패드여도 된다.In this processing apparatus, the 1st processing tool may be a turning byte or a grinding wheel, and the 2nd processing tool may be a polishing pad.
또, 본 가공 장치는, 그 제 1 칸막이판 및 그 제 2 칸막이판에, 그 제 1 가공구를 향하여 물을 분출하는 물 분출구를 추가로 구비해도 된다.Moreover, this processing apparatus may further equip the 1st partition plate and its 2nd partition plate with the water jet port which ejects water toward the 1st processing tool.
본 가공 장치에서는, 제 1 가공구에 의해 웨이퍼를 가공할 때에, 제 1 칸막이판 및 제 2 칸막이판이, 제 1 반원 오목부 및 제 2 반원 오목부에 의해 제 1 가공구를 둘러싸도록, 가공실을 상하로 나눈다. 따라서, 가공실의 상측에 위치하고 있는 제 2 가공구를, 가공실의 하측에 있는 제 1 가공구의 선단이 웨이퍼를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기로부터 보호할 수 있다. 이에 따라, 제 2 가공구에 가공 부스러기가 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 제 2 가공구에 의해 가공되는 웨이퍼의 피가공면을 가공 부스러기에 의해 손상시켜 버리는 것을 억제하는 것이 가능해진다.In the present processing apparatus, when processing a wafer by the first processing tool, the processing chamber is such that the first partition plate and the second partition plate surround the first processing tool by the first semicircular recessed portion and the second semicircular recessed portion. divide it up and down Accordingly, it is possible to protect the second processing tool located above the processing chamber from processing chips generated when the tip of the first processing tool located below the processing chamber processes the wafer. Thereby, it can suppress that a processing waste adheres to a 2nd processing tool. For this reason, it becomes possible to suppress that the to-be-processed surface of the wafer processed by a 2nd process tool is damaged by a process waste.
도 1 은, 가공 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 가공 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 서로 연결되어 있는 제 1 칸막이판 및 제 2 칸막이판을 나타내는 설명도이다.
도 4 는, 가공 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 서로 멀리 놓여져 있는 제 1 칸막이판 및 제 2 칸막이판을 나타내는 설명도이다.
도 6 은, 물 분출구를 구비한 제 1 칸막이판 및 제 2 칸막이판을 나타내는 설명도이다.1 : is sectional drawing which shows the structure of a processing apparatus.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the processing apparatus.
Fig. 3 is an explanatory view showing a first partition plate and a second partition plate connected to each other;
4 : is sectional drawing which shows the structure of a processing apparatus.
Fig. 5 is an explanatory view showing a first partition plate and a second partition plate placed far from each other;
6 is an explanatory view showing a first partition plate and a second partition plate provided with a water jet.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 가공 장치 (1) 는, 피가공물로서의 웨이퍼 (100) 를 연삭 및 연마하기 위한 장치이며, 가공 장치 (1) 의 각 부재를 제어하는 제어부 (5) 를 구비하고 있다.As shown in FIG. 1 , a
웨이퍼 (100) 는, 예를 들어, 원형의 반도체 웨이퍼이다. 웨이퍼 (100) 의 표면 (101) 은, 복수의 디바이스를 유지하고 있고, 보호 테이프 (103) 가 첩착 (貼着) 됨으로써 보호되고 있다. 웨이퍼 (100) 의 이면 (102) 은, 연삭 가공 및 연마 가공이 실시되는 피가공면으로 된다.The
가공 장치 (1) 는, 피가공물을 유지하기 위한 유지 수단 (30) 을 구비하고 있다. 유지 수단 (30) 은, 척 테이블 (31), 척 테이블 (31) 을 지지하는 지지 부재 (33), 및, 척 테이블 (31) 을 회전시키는 회전 수단 (34) 을 포함하고 있다.The
척 테이블 (31) 은, 웨이퍼 (100) 를 유지하는 유지면 (32), 및, 유지면 (32) 을 둘러싸는 프레임체 (36) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 프레임체 (36) 의 상면은, 유지면 (32) 과 대략 면일 (面一) 하게 형성되어 있고, 유지면 (32) 과 동일한 높이를 가지고 있다.The chuck table 31 includes a
척 테이블 (31) 의 유지면 (32) 은, 예를 들어 포러스재로 이루어지고, 흡인원 (도시하지 않음) 에 연통됨으로써, 보호 테이프 (103) 를 개재하여 웨이퍼 (100) 를 흡인 유지한다. 즉, 척 테이블 (31) 은, 유지면 (32) 에 의해 웨이퍼 (100) 를 유지한다.The
또, 척 테이블 (31) 은, 하방에 형성된 회전 수단 (34) 에 의해, 유지면 (32) 에 의해 웨이퍼 (100) 를 유지한 상태에서, 유지면 (32) 의 중심을 통과하는 Z 축 방향으로 연장하는 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 따라서, 웨이퍼 (100) 는, 유지면 (32) 에 유지되어 유지면 (32) 의 중심을 축으로 회전된다.In addition, the chuck table 31 is in a state in which the
지지 부재 (33) 의 주위에는, 커버판 (37) 이 형성되어 있다. 또, 커버판 (37) 에 있어서의 +Y 측 및 -Y 측에는, Y 축 방향으로 신축하는 주름상자 커버 (도시하지 않음) 가 연결되어 있다. 그리고, 유지 수단 (30) 의 하방에는, Y 축 방향 이동 수단 (40) 이 배치 형성되어 있다. Y 축 방향 이동 수단 (40) 은, 유지 수단 (30) 을 Y 축 방향을 따라 이동시킨다.A
Y 축 방향 이동 수단 (40) 은, 유지 수단 (30) 과 가공 수단 (70) 을, 상대적으로, 유지면 (32) 에 평행한 Y 축 방향으로 이동시킨다. 본 실시형태에서는, Y 축 방향 이동 수단 (40) 은, 가공 수단 (70) 에 대하여, 유지 수단 (30) 을 Y 축 방향으로 이동시키도록 구성되어 있다.The Y-axis direction moving means 40 relatively moves the
또한, 가공 장치 (1) 는, Y 축 방향 이동 수단 (40) 대신에, 수평 이동 수단으로서, 복수의 유지 수단 (30) 을 갖는 턴테이블을 가지고 있어도 된다.In addition, the
Y 축 방향 이동 수단 (40) 은, Y 축 방향으로 평행한 Y 축 가이드 레일 (42), 이 Y 축 가이드 레일 (42) 상을 슬라이드하는 Y 축 이동 테이블 (45), Y 축 가이드 레일 (42) 과 평행한 Y 축 볼 나사 (43), Y 축 볼 나사 (43) 에 접속되어 있는 Y 축 모터 (44), 및, 이들을 유지하는 유지대 (41) 를 구비하고 있다.The Y-axis direction movement means 40 includes a Y-
Y 축 이동 테이블 (45) 은, 슬라이드 부재 (451) 를 개재하여, Y 축 가이드 레일 (42) 에 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Y 축 이동 테이블 (45) 의 하면에는, 너트부 (401) 가 고정되어 있다. 이 너트부 (401) 에는, Y 축 볼 나사 (43) 가 나사 결합되어 있다. Y 축 모터 (44) 는, Y 축 볼 나사 (43) 의 일단부에 연결되어 있다.The Y-axis movement table 45 is slidably provided on the Y-
Y 축 방향 이동 수단 (40) 에서는, Y 축 모터 (44) 가 Y 축 볼 나사 (43) 를 회전시킴으로써, Y 축 이동 테이블 (45) 이 Y 축 가이드 레일 (42) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다. Y 축 이동 테이블 (45) 에는, 지지 기둥 (35) 을 개재하여, 유지 수단 (30) 의 지지 부재 (33) 가 재치 (載置) 되어 있다. 따라서, Y 축 이동 테이블 (45) 의 Y 축 방향으로의 이동에 수반하여, 척 테이블 (31) 을 포함하는 유지 수단 (30) 이, Y 축 방향으로 이동한다.In the Y-axis direction movement means 40 , the Y-
본 실시형태에서는, 유지 수단 (30) 은, 후방 (+Y 방향측) 의 가공 위치와, 전방 (-Y 방향측) 의 반입출 위치의 사이를, Y 축 방향 이동 수단 (40) 에 의해, Y 축 방향을 따라 이동된다.In this embodiment, the holding means 30 moves between the processing position of the rear (+Y direction side) and the carrying-in/out position of the front (-Y direction side) by the Y-axis direction moving means 40, moved along the axial direction.
또, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 유지 수단 (30) 의 후방 (+Y 방향측) 에는, 칼럼 (3) 이 세워 형성되어 있다. 칼럼 (3) 의 전면 (前面) 에는, 웨이퍼 (100) 를 가공하는 가공 수단 (70), 및, 가공 이송 수단 (50) 이 형성되어 있다.Moreover, as shown in FIG. 1, the
가공 이송 수단 (50) 은, 유지 수단 (30) 과 가공 수단 (70) 을, 상대적으로, 유지면 (32) 에 수직인 Z 축 방향 (가공 이송 방향) 으로 가공 이송하는 수직 이동 수단이다. 본 실시형태에서는, 가공 이송 수단 (50) 은, 유지 수단 (30) 에 대하여, 가공 수단 (70) 을, 유지면 (32) 에 수직인 Z 축 방향으로 가공 이송하도록 구성되어 있다.The machining feed means 50 is a vertical moving means for machining the
가공 이송 수단 (50) 은, Z 축 방향으로 평행한 Z 축 가이드 레일 (51), 이 Z 축 가이드 레일 (51) 상을 슬라이드하는 Z 축 이동 테이블 (53), Z 축 가이드 레일 (51) 과 평행한 Z 축 볼 나사 (52), Z 축 모터 (54), Z 축 모터 (54) 의 회전 각도를 검지하기 위한 Z 축 인코더 (55), Z 축 인코더 (55) 의 검지 결과를 기억하는 기억부 (57), 및, Z 축 이동 테이블 (53) 의 전면 (표면) 에 장착된 홀더 (56) 를 구비하고 있다. 홀더 (56) 는, 가공 수단 (70) 을 유지하고 있다.The machining feed means 50 includes a Z-
Z 축 이동 테이블 (53) 은, 슬라이드 부재 (531) 를 개재하여, Z 축 가이드 레일 (51) 에 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Z 축 이동 테이블 (53) 의 후면측 (이면측) 에는, 너트부 (501) 가 고정되어 있다. 이 너트부 (501) 에는, Z 축 볼 나사 (52) 가 나사 결합되어 있다. Z 축 모터 (54) 는, Z 축 볼 나사 (52) 의 일단부에 연결되어 있다.The Z-axis movement table 53 is slidably provided on the Z-
가공 이송 수단 (50) 에서는, Z 축 모터 (54) 가 Z 축 볼 나사 (52) 를 회전시킴으로써, Z 축 이동 테이블 (53) 이 Z 축 가이드 레일 (51) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다. 이에 따라, Z 축 이동 테이블 (53) 에 장착된 홀더 (56), 및, 홀더 (56) 에 유지된 가공 수단 (70) 도, Z 축 이동 테이블 (53) 과 함께 Z 축 방향으로 이동한다.In the machining transport means 50 , the Z-
가공 수단 (70) 은, 스핀들 유닛 (71) 을 구비하고 있다. 스핀들 유닛 (71) 은, 유지면 (32) 에 수직인 방향으로 연장하는 스핀들 (72), 스핀들 (72) 을 회전시키는 스핀들 모터 (73), 및, 스핀들 (72) 및 스핀들 모터 (73) 를 둘러싸는 케이싱 (74) 을 구비하고 있다.The processing means 70 includes a
스핀들 (72) 은, 제 1 축부 (721) 와, 제 1 축부 (721) 보다 대경으로 형성된 제 2 축부 (723) 를 구비하고 있다. 제 1 축부 (721) 와 제 2 축부 (723) 의 사이에는, 스러스트판 (722) 이 배치 형성되어 있다. 스핀들 (72) 은, 또한, 제 2 축부 (723) 의 하방에 형성된 실린더 대경부 (724), 및, 실린더 대경부 (724) 의 하방에 형성된 실린더 소경부 (725) 를 가지고 있다.The
케이싱 (74) 의 내부에는, 에어 유로 (60) 가 형성되어 있다. 에어 유로 (60) 는, 에어 공급원 (39) 에 접속되어 있다. 또, 에어 유로 (60) 는, 케이싱 (74) 의 내부에 있어서, 복수의 분기로로 분기되어 있다. 에어 유로 (60) 는, 케이싱 (74) 의 상면 (61), 측면 (62) 및 하면 (63) 의 개구부에 연통되어 있다.An
에어 공급원 (39) 으로부터 공급된 에어는, 케이싱 (74) 의 에어 유로 (60) 를 지나, 케이싱 (74) 의 상면 (61), 측면 (62) 및 하면 (63) 의 개구부로부터, 케이싱 (74) 의 외부로 분출한다.The air supplied from the
케이싱 (74) 의 상면 (61), 측면 (62) 및 하면 (63) 으로부터 에어가 분출됨으로써, 케이싱 (74) 과 스핀들 (72) 의 스러스트판 (722) 과의 사이, 케이싱 (74) 과 스핀들 (72) 의 제 2 축부 (723) 와의 사이, 및, 케이싱 (74) 과 스핀들 (72) 의 실린더 대경부 (724) 와의 사이에, 간극이 형성된다. 이에 따라, 이들 간극에, 스핀들 (72) 을 회전 가능하게 에어에 의해 비접촉으로 지지하는 베어링이 형성된다.Air is blown out from the
스핀들 (72) 의 하단인 실린더 소경부 (725) 의 하단에는, 제 1 마운트로서의 원판 마운트 (95) 의 상면이 연결되어 있다. 또, 스핀들 (72) 의 실린더 대경부 (724) 의 하면과 원판 마운트 (95) 의 사이에는, 양자를 연결하는 가이드부 (84) 가 배치 형성되어 있다.The upper surface of the
원판 마운트 (95) 의 하면에는, 연삭 휠 (96) 이 장착되어 있다. 연삭 휠 (96) 은, 휠 기대 (97) 와, 휠 기대 (97) 의 하단에 환상으로 배열된 대략 직방체상의 복수의 연삭 지석 (98) 을 구비하고 있다.A grinding
연삭 지석 (98) 은, 스핀들 (72), 원판 마운트 (95) 및 휠 기대 (97) 를 개재하여, 스핀들 모터 (73) 에 의해 회전되는 것이 가능하다.The grinding
또, 스핀들 (72) 에 있어서의 실린더 대경부 (724) 및 실린더 소경부 (725) 에는, 진퇴 기구 (80) 가 배치 형성되어 있다. 진퇴 기구 (80) 는, 스핀들 (72) 의 실린더 대경부 (724) 에 배치 형성된 수용실 (81) 을 구비하고 있다. 수용실 (81) 에는, 피스톤 (82) 이 수용되어 있다.Moreover, the advancing and retreating
피스톤 (82) 의 하부에는, 복수의 피스톤 로드 (83) 가 연결되어 있다. 복수의 피스톤 로드 (83) 는, 피스톤 (82) 의 둘레 방향으로 등간격을 두고 형성되어 있다. 또한, 도 1 에 있어서는, 1 개의 피스톤 로드 (83) 만이 도시되어 있다.A plurality of
피스톤 로드 (83) 의 하단에는, 환상 판 (90) 이 연결되어 있다. 또, 환상 판 (90) 에는, 상기한 가이드부 (84) 가 관통하는 관통공 (901) 이 형성되어 있다.An
환상 판 (90) 의 하면에는, 제 2 마운트로서의 환상 마운트 (91) 가 연결되어 있다. 환상 마운트 (91) 의 하면에는, 플래턴 (92) 을 개재하여, 피가공물을 연마 가공하는, 제 2 가공구로서의 환상의 연마 패드 (93) 가 장착되어 있다.An
환상 마운트 (91), 플래턴 (92) 및 연마 패드 (93) 는, 원판 마운트 (95) 및 연삭 휠 (96) 의 외경보다 큰 내경을 갖고, 원판 마운트 (95) 와 동심의 원환상으로 형성되어 있다.The
연마 패드 (93) 는, 그 중심을 축으로, 스핀들 (72), 환상 판 (90), 환상 마운트 (91) 및 플래턴 (92) 을 개재하여, 스핀들 모터 (73) 에 의해 회전되는 것이 가능하다.The
이 연마 패드 (93) 및 상기한 연삭 지석 (98) 은, 척 테이블 (31) 에 유지된 웨이퍼 (100) 를 가공하기 위한 가공구의 일례이다. 그리고, 연삭 지석 (98) 은, 내측에 구비된 제 1 가공구의 일례이며, 연마 패드 (93) 는, 외측에 구비된 제 2 가공구의 일례이다.The
진퇴 기구 (80) 의 수용실 (81) 에는, 레귤레이터 (85) 를 개재하여, 에어원 (86) 이 접속되어 있다. 진퇴 기구 (80) 에 있어서는, 에어원 (86) 으로부터의 에어를, 레귤레이터 (85) 를 개재하여, 수용실 (81) 에 상방으로부터 공급함으로써, 피스톤 (82) 에 -Z 방향으로의 압력을 가하여, 피스톤 (82) 을 Z 축 방향으로 강하시키는 것이 가능하다.An
또, 수용실 (81) 에 하방으로부터 에어를 공급함으로써, 피스톤 (82) 에 +Z 방향으로의 압력을 가하여, 피스톤 (82) 을 Z 축 방향으로 상승시키는 것이 가능하다.Moreover, by supplying air to the
피스톤 (82) 이 Z 축 방향으로 승강 이동하면, 피스톤 (82) 에 피스톤 로드 (83) 를 개재하여 연결되어 있는 환상 판 (90) 이, 가이드부 (84) 로 가이드되면서 승강 이동한다. 이것에 수반하여, 환상 판 (90) 에 장착되어 있는 연마 패드 (93) 가 승강 이동한다. 이와 같이 하여, 연마 패드 (93) 와 연삭 지석 (98) 이, Z 축 방향을 따라 상대적으로 진퇴하게 된다.When the
이와 같이, 진퇴 기구 (80) 는, 원판 마운트 (95) 와 환상 마운트 (91) 를 유지면 (32) 에 수직인 방향인 Z 축 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 연삭 지석 (98) 또는 연마 패드 (93) 를 선택적으로 유지면 (32) 에 접근시키는 선택 수단으로서 기능한다.In this way, the advancing and retreating
또한, 상기한 바와 같이, 환상 마운트 (91), 플래턴 (92) 및 연마 패드 (93) 는, 원판 마운트 (95) 및 연삭 휠 (96) 의 외경보다 큰 내경을 가지고 있다. 따라서, 환상 마운트 (91), 플래턴 (92) 및 연마 패드 (93) 의 내측에 원판 마운트 (95) 및 연삭 휠 (96) 이 접촉하지 않고 수용되어, 연삭 지석 (98) 에 대하여 연마 패드 (93) 가 상하 방향으로 상대 이동 가능해진다.Further, as described above, the
또, 도 1, 및, 가공 장치 (1) 를 Y 축 방향을 따라 나타내는 단면도인 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가공 장치 (1) 는, 가공 수단 (70) 의 하방에, 대략 케이싱 형상의 가공실 (20) 을 가지고 있다. 가공실 (20) 은, 웨이퍼 (100) 가 가공될 때, 웨이퍼 (100) 를 유지하는 유지 수단 (30) 의 척 테이블 (31) 과, 가공 수단 (70) 의 가공구인 연삭 지석 (98) 및 연마 패드 (93) 를 수용하도록 형성되어 있다.Moreover, as shown in FIG. 1 and FIG. 2 which is sectional drawing which shows the
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가공실 (20) 은, 가공구 도입공 (211) 을 갖는 상판 (21) 을 구비하고 있다. 가공구 도입공 (211) 은, 가공 수단 (70) 의 가공구인 연삭 지석 (98) 및 연마 패드 (93) 를 가공실 (20) 에 도입하는 것을 가능하게 하기 위해서 형성되어 있다. 가공실 (20) 은, 이 상판 (21), 측판 (22), -Y 측의 전판 (23), +Y 측의 후판 (24), 및, 저판이 되는 유지 수단 (30) 의 커버판 (37) 을 포함하도록 구성되어 있다. 전판 (23) 은, 유지 수단 (30) 에 있어서의 Y 축 방향을 따른 가공실 (20) 내로의 이동을 가능하게 하는 길이로, 상판 (21) 으로부터 수하 (垂下) 하도록 형성되어 있다. 1 and 2 , the
또한, 가공실 (20) 의 상판 (21) 과 (56) 의 하면을 연결하고 가공구 도입공 (211) 을 막는 통 형상으로 연직 방향으로 신축 가능한 주름상자 커버를 구비하여, 가공 부스러기가 가공구 도입공 (211) 으로부터 분출하는 것을 방지하고 있다.In addition, a corrugated box cover that connects the lower surfaces of the
또, 가공실 (20) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 칸막이 기구 (10) 를 구비하고 있다. 칸막이 기구 (10) 는, 진퇴 기구 (80) 에 의해 연마 패드 (93) 보다 연삭 지석 (98) 을 유지면 (32) 에 접근시키고, 유지면 (32) 에 유지된 웨이퍼 (100) 를 연삭 지석 (98) 에 의해 가공하고 있을 때에, 연삭 지석 (98) 을 둘러싸고, 가공실 (20) 을 상하로 나누고, 연삭 지석 (98) 이 웨이퍼 (100) 를 가공한 가공 부스러기로부터 연마 패드 (93) 를 보호한다.Moreover, the
칸막이 기구 (10) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 함께 수평 방향으로 연장하는, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 을 구비하고 있다.The
도 3 에, 가공실 (20) 및 칸막이 기구 (10) 를 상방으로부터 나타낸다. 이 도 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 칸막이판 (11) 은, 연삭 지석 (98) 의 외측면을 따른 제 1 반원 오목부 (111) 를 구비하고 있다. 또, 제 2 칸막이판은, 연삭 지석 (98) 의 외측면을 따라 제 1 반원 오목부 (111) 를 마주 보는 제 2 반원 오목부 (121) 를 구비하고 있다.3 , the
또한, 칸막이 기구 (10) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 칸막이판 (11) 을 X 축 방향을 따라 수평 방향으로 이동시키는 제 1 수평 이동 기구 (13), 및, 제 2 칸막이판 (12) 을 X 축 방향을 따라 수평 방향으로 이동시키는 제 2 수평 이동 기구 (14) 를 구비하고 있다.In addition, the
이들 제 1 수평 이동 기구 (13) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 는, 가공실 (20) 에 있어서의 상판 (21) 의 하면에 장착되어 있다.The first
제 1 수평 이동 기구 (13) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 각각, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 에 연결된 아암부 (201), 및, 아암부 (201) 를 X 축 방향을 따라 이동시키는 구동 장치 (200) 를 구비하고 있다. 제 1 수평 이동 기구 (13) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 에서는, 구동 장치 (200) 에 의해 아암부 (201) 를 X 축 방향을 따라 이동시킴으로써, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 를 X 축 방향을 따라 수평 방향으로 이동시켜, 이들을 서로 접근 및 연결시키는 것이 가능하게 되어 있다.The 1st
즉, 칸막이 기구 (10) 에서는, 제 1 수평 이동 기구 (13) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 에 의해, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 을 접근 및 연결시킴으로써, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 이, 제 1 반원 오목부 (111) 및 제 2 반원 오목부 (121) 에 의해 연삭 지석 (98) 을 둘러싸도록, 가공실 (20) 을 상하로 나눈다. 이 때, 제 1 반원 오목부 (111) 및 제 2 반원 오목부 (121) 는, 서로 연결되어, 도 3 에 있어서 파선에 의해 나타내고 있는 연마 패드 (93) 의 외경보다 작은 원을 형성하고, 이 원이 연삭 지석 (98) 을 둘러싼다. 따라서, 칸막이 기구 (10) 는, 연삭 지석 (98) 이 웨이퍼 (100) 를 가공한 가공 부스러기로부터 연마 패드 (93) 를 보호할 수 있다.That is, in the
또한, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 의 이동을 용이하게 하기 위해서 X 축 방향으로 연장하는 가이드 레일을 구비하고 있어도 된다.In addition, in order to facilitate the movement of the
이와 같은 구성을 갖는 가공 장치 (1) 에서는, 제어부 (5) 는, 유지면 (32) 에 유지된 웨이퍼 (100) 를 연마 패드 (93) 에 의해 연마 가공할 때에는, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 을, 서로 수평 방향으로 스핀들 (72) 로부터 멀리 한다. 이에 따라, 제 1 칸막이판 (11) 의 제 1 반원 오목부 (111) 와 제 2 칸막이판 (12) 의 제 2 반원 오목부 (121) 의 사이를, 연마 패드 (93) 가 통과할 수 있게 된다. 그리고, 제어부 (5) 는, 진퇴 기구 (80) 를 제어하여, 연마 패드 (93) 를 연삭 지석 (98) 보다 유지면 (32) 에 접근시킨다. 이 상태에서, 제어부 (5) 는, 유지면 (32) 에 의해 유지되고 있는 웨이퍼 (100) 에 대한, 연마 패드 (93) 에 의한 연마 가공을 실시한다.In the
한편, 제어부 (5) 는, 유지면 (32) 에 유지된 웨이퍼 (100) 를 연삭 지석 (98) 에 의해 연삭 가공할 때에는, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 진퇴 기구 (80) 를 제어하여, 연삭 지석 (98) 을 연마 패드 (93) 보다 유지면 (32) 에 접근시킨다. 그리고, 제어부 (5) 는, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 을, 서로 수평 방향으로 스핀들에 가까이 하여, 제 1 반원 오목부 (111) 와 제 2 반원 오목부 (121) 를 연결함으로써 형성되는 원에 의해, 연삭 지석 (98) 을 둘러싼다. 이 상태에서, 제어부 (5) 는, 유지면 (32) 에 의해 유지되고 있는 웨이퍼 (100) 에 대한, 연삭 지석 (98) 에 의한 연삭 가공을 실시한다.On the other hand, when grinding the
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 연삭 지석 (98) 에 의해 웨이퍼 (100) 를 가공할 때에, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 이, 제 1 반원 오목부 (111) 및 제 2 반원 오목부 (121) 에 의해 연삭 지석 (98) 을 둘러싸도록, 가공실 (20) 을 상하로 나눈다. 따라서, 가공실 (20) 의 상측에 위치하고 있는 연마 패드 (93) 를, 가공실 (20) 의 하측에 위치하고 있는 연삭 지석 (98) 의 선단 (하면) 이 웨이퍼 (100) 를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기로부터 보호할 수 있다. 이에 따라, 연마 패드 (93) 에 가공 부스러기가 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 연마 패드 (93) 에 의해 연마 가공되는 웨이퍼 (100) 의 이면 (102) 을 가공 부스러기에 의해 손상시켜 버리는 것을 억제하는 것이 가능해진다.As described above, in the present embodiment, when the
또한, 본 실시형태에서는, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 의 상면에, 연삭 지석 (98) 을 향하여 물을 분출하는 복수의 물 분출구 (16) 가 구비되어 있어도 된다. 물 분출구 (16) 는, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 이 연결되어 있는 연삭 지석 (98) 에 의한 가공 중에, 도 6 에 화살표에 의해 나타내는 바와 같이, 도시되지 않은 수원으로부터의 가공수를 연삭 지석 (98) 을 향하여 측면으로부터 분사하기 위한 것이다.Moreover, in this embodiment, as shown in FIG. 6, the some
이 구성에서는, 연삭 지석 (98) 에 의한 가공 중에 연삭 지석 (98) 에 측면으로부터 가공수를 분사함으로써, 연삭 지석 (98) 이 웨이퍼 (100) 를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기가, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 과 연삭 지석 (98) 의 간극으로부터 연마 패드 (93) 에 도달하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 연마 패드 (93) 를 보다 양호하게 가공 부스러기로부터 보호할 수 있다.In this configuration, by spraying machining water from the side to the
또한, 물 분출구 (16) 는, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 의 상면 대신에, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 의 하면 혹은 내부에, 연삭 지석 (98) 을 향하여 물을 분출할 수 있도록 구비되어 있어도 된다.In addition, the
또, 제 1 칸막이판 (11) 의 제 1 반원 오목부 (111) 의 내측면과 제 2 칸막이판 (12) 의 제 2 반원 오목부 (121) 의 내측면에 물 분출구 (16) 를 구비해도 된다.Moreover, even if the
또, 본 실시형태에서는, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서의 연삭 지석 (98), 및, 외측의 제 2 가공구로서의 연마 패드 (93) 를 구비하고 있다. 이 연마 패드 (93) 는, CMP 연마용 혹은 드라이 연마용 중 어느 연마 패드여도 된다.Moreover, in this embodiment, the
또, 가공 장치 (1) 에 있어서 가능한 제 1 가공구와 제 2 가공구의 조합은, 연삭 지석 (98) 과 연마 패드 (93) 의 조합에 한정되지 않는다. 예를 들어, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서 선삭 바이트를 갖고, 외측의 제 2 가공구로서의 연마 패드 (93) 를 구비해도 된다. 혹은, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서 연삭 지석 (98) 을 갖고, 외측의 제 2 가공구로서 선삭 바이트 또는 연삭 지석 (98) 을 구비해도 된다. 혹은, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서 선삭 바이트를 갖고, 외측의 제 2 가공구로서 연삭 지석 (98) 을 구비해도 된다. 혹은, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서 연마 패드 (93) 를 갖고, 외측의 제 2 가공구로서 선삭 바이트, 연삭 지석 (98), 또는 연마 패드 (93) 를 구비해도 된다.In addition, the combination of the 1st processing tool and 2nd processing tool which can be performed in the
1 : 가공 장치
3 : 칼럼
5 : 제어부
100 : 웨이퍼
101 : 표면
102 : 이면
103 : 보호 테이프
10 : 칸막이 기구
11 : 제 1 칸막이판
12 : 제 2 칸막이판
111 : 제 1 반원 오목부
121 : 제 2 반원 오목부
13 : 제 1 수평 이동 기구
14 : 제 2 수평 이동 기구
16 : 물 분출구
20 : 가공실
21 : 상판
22 : 측판
23 : 전판
24 : 후판
211 : 가공구 도입공
30 : 유지 수단
31 : 척 테이블
32 : 유지면
36 : 프레임체
33 : 지지 부재
34 : 회전 수단
35 : 지지 기둥
37 : 커버 판
39 : 에어 공급원
60 : 에어 유로
40 : Y 축 방향 이동 수단
50 : 가공 이송 수단
70 : 가공 수단
71 : 스핀들 유닛
72 : 스핀들
73 : 스핀들 모터
74 : 케이싱
721 : 제 1 축부
722 : 스러스트판
723 : 제 2 축부
724 : 실린더 대경부
725 : 실린더 소경부
80 : 진퇴 기구
81 : 수용실
82 : 피스톤
83 : 피스톤 로드
84 : 가이드부
85 : 레귤레이터
86 : 에어원
90 : 환상 판
91 : 환상 마운트
92 : 플래턴
93 : 연마 패드
95 : 원판 마운트
96 : 연삭 휠
97 : 휠 기대
98 : 연삭 지석1: processing device
3: column
5: control unit
100: wafer
101: surface
102: back side
103: protective tape
10: partition mechanism
11: first partition plate
12: second partition plate
111: first semicircular recess
121: second semicircular recess
13: first horizontal movement mechanism
14: second horizontal movement mechanism
16 : water spout
20: processing room
21: top plate
22: side plate
23: front panel
24: heavy plate
211: processing tool introduction hole
30: maintenance means
31: chuck table
32: holding surface
36: frame body
33: support member
34: rotation means
35: support column
37: cover plate
39: air supply
60: air euro
40: Y-axis direction movement means
50: processing feed means
70: processing means
71: spindle unit
72: spindle
73: spindle motor
74: casing
721: first shaft part
722: thrust plate
723: second shaft
724: cylinder large diameter part
725: cylinder small diameter part
80: advance and retreat mechanism
81: reception room
82: piston
83: piston rod
84: guide part
85: regulator
86: Air One
90: Illusion Edition
91 : annular mount
92 : platen
93: polishing pad
95: disk mount
96: grinding wheel
97 : wheel leaning
98: grinding wheel
Claims (3)
그 가공 수단은,
그 수직인 방향으로 연장하는 스핀들의 하단에 상면이 연결되고, 하면에 제 1 가공구가 장착되어 있는 제 1 마운트와,
그 제 1 마운트의 외경보다 큰 내경을 갖고, 그 제 1 마운트와 동심 (同心) 의 원환상 (圓環狀) 으로, 하면에 제 2 가공구가 장착되는 제 2 마운트와,
그 제 1 마운트와 그 제 2 마운트를 그 수직인 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 그 제 1 가공구 또는 그 제 2 가공구를 선택적으로 그 유지면에 접근시키는 선택 수단을 구비하고,
그 가공실은,
그 선택 수단에 의해 그 제 2 가공구보다 그 제 1 가공구를 그 유지면에 접근시키고, 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 그 제 1 가공구에 의해 가공하고 있을 때에, 그 제 1 가공구를 둘러싸고, 그 가공실을 상하로 나누고, 그 제 1 가공구가 웨이퍼를 가공한 가공 부스러기로부터 그 제 2 가공구를 보호하는 칸막이 기구를 구비하고,
그 칸막이 기구는,
그 제 1 가공구의 외측면을 따른 제 1 반원 오목부를 구비하고, 수평 방향으로 연장하는 제 1 칸막이판과,
그 제 1 가공구의 외측면을 따라 그 제 1 반원 오목부를 마주 보는 제 2 반원 오목부를 구비하고, 수평 방향으로 연장하는 제 2 칸막이판과,
그 제 1 칸막이판을 수평 방향으로 이동시키는 제 1 수평 이동 기구와,
그 제 2 칸막이판을 수평 방향으로 이동시키는 제 2 수평 이동 기구를 구비하고,
그 제 2 가공구에 의해 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공할 때에는, 그 제 1 칸막이판과 그 제 2 칸막이판을, 서로 수평 방향으로 그 스핀들로부터 멀리 하여, 그 제 1 반원 오목부와 그 제 2 반원 오목부의 사이를 그 제 2 가공구가 통과 가능하게 하고,
그 제 1 가공구에 의해 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공할 때에는, 그 제 1 칸막이판과 그 제 2 칸막이판을, 서로 수평 방향으로 그 스핀들에 가까이 하여, 그 제 1 반원 오목부와 그 제 2 반원 오목부를 연결함으로써 형성되는 원에 의해 그 제 1 가공구를 둘러싸고, 그 제 1 가공구가 웨이퍼를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기로부터 그 제 2 가공구를 보호하는, 가공 장치.A processing means having a chuck table for holding a wafer by a holding surface, a processing tool for processing the wafer held on the chuck table, and a processing transfer means for processing and transferring the processing means in a direction perpendicular to the holding surface and a processing chamber for accommodating the chuck table and the processing tool, the processing apparatus comprising:
The processing means is
A first mount having an upper surface connected to the lower end of the spindle extending in the vertical direction and a first processing tool mounted on a lower surface thereof;
a second mount having an inner diameter larger than the outer diameter of the first mount and having a second processing tool mounted on the lower surface thereof in an annular shape concentric with the first mount;
selecting means for selectively bringing the first tool or the second tool closer to the holding surface thereof by relatively moving the first mount and the second mount in a vertical direction thereof;
The processing room,
By the selection means, the first processing tool is brought closer to the holding surface than the second processing tool, and when the wafer held on the holding surface is processed by the first processing tool, the first processing tool is surrounded , divides the processing chamber up and down, the first processing sphere is provided with a partition mechanism for protecting the second processing tool from the processing debris processing the wafer,
The partition mechanism is
a first partition plate having a first semicircular recess along an outer surface of the first processing tool and extending in a horizontal direction;
a second partition plate extending in a horizontal direction and having a second semi-circular recess facing the first semi-circular recess along an outer surface of the first processing tool;
a first horizontal movement mechanism for horizontally moving the first partition plate;
a second horizontal movement mechanism for moving the second partition plate in a horizontal direction;
When processing the wafer held on the holding surface by the second processing tool, the first partition plate and the second partition plate are separated from the spindle in the horizontal direction to each other, and the first semicircular recessed portion and the allowing the second processing tool to pass between the second semicircular recesses,
When processing the wafer held on the holding surface by the first processing tool, the first partition plate and the second partition plate are brought close to the spindle in the horizontal direction to each other, the first semicircular recessed portion and the A machining apparatus, wherein the first machining tool is surrounded by a circle formed by connecting the second semicircular recesses, and the first machining tool protects the second tool from machining chips generated by machining the wafer.
그 제 1 가공구는 선삭 바이트 또는 연삭 지석이고, 그 제 2 가공구는 연마 패드인, 가공 장치.The method of claim 1,
The first processing tool is a turning bite or a grinding wheel, and the second processing tool is a polishing pad.
그 제 1 칸막이판 및 그 제 2 칸막이판에, 그 제 1 가공구를 향하여 물을 분출하는 물 분출구를 추가로 구비하는, 가공 장치.The method of claim 1,
A processing apparatus further comprising: a water jet port for jetting water toward the first processing port on the first partition plate and the second partition plate.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2020-159551 | 2020-09-24 | ||
JP2020159551A JP2022052988A (en) | 2020-09-24 | 2020-09-24 | Processing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220040984A true KR20220040984A (en) | 2022-03-31 |
Family
ID=80789791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210107311A KR20220040984A (en) | 2020-09-24 | 2021-08-13 | Processing apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022052988A (en) |
KR (1) | KR20220040984A (en) |
CN (1) | CN114248197A (en) |
TW (1) | TW202213588A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016092281A (en) | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社ディスコ | Surface machining device |
-
2020
- 2020-09-24 JP JP2020159551A patent/JP2022052988A/en active Pending
-
2021
- 2021-08-13 KR KR1020210107311A patent/KR20220040984A/en active Search and Examination
- 2021-09-14 CN CN202111073334.8A patent/CN114248197A/en active Pending
- 2021-09-17 TW TW110134865A patent/TW202213588A/en unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016092281A (en) | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社ディスコ | Surface machining device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202213588A (en) | 2022-04-01 |
CN114248197A (en) | 2022-03-29 |
JP2022052988A (en) | 2022-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5149020B2 (en) | Wafer grinding method | |
US7785173B2 (en) | Superfinishing machine and method | |
JP2016209989A (en) | Honing machine | |
JP5930192B2 (en) | Grinding equipment | |
KR20210039943A (en) | Grinding method of plate-like work | |
CN110576522B (en) | Cutting device | |
CN106475899B (en) | Grinding device | |
CN110366473B (en) | Machine tool | |
KR20220040984A (en) | Processing apparatus | |
JP7382840B2 (en) | grinding equipment | |
KR102662485B1 (en) | Grinding apparatus | |
JP6955891B2 (en) | Machine Tools | |
JP6910201B2 (en) | Spindle unit | |
JP2021142603A (en) | Grinding device | |
JP2022181245A (en) | Grinding evaluation method | |
JP2022065818A (en) | Grinding device | |
KR20210018081A (en) | Spindle unit | |
TW201800179A (en) | Processing device can be used for carrying out high-precision machining on an object to be processed | |
JP7216601B2 (en) | Polishing equipment | |
JP7460461B2 (en) | processing equipment | |
JP2021142602A (en) | Grinding device | |
CN214392361U (en) | Numerical control machining equipment for axle housing two-end shaft heads | |
JP2021171836A (en) | Processing device | |
JP2022034834A (en) | Grinding method and grinding device for grinding wafer after tape grinding | |
JP2023180487A (en) | Conveying unit and processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |