KR20220040984A - Processing apparatus - Google Patents

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KR20220040984A
KR20220040984A KR1020210107311A KR20210107311A KR20220040984A KR 20220040984 A KR20220040984 A KR 20220040984A KR 1020210107311 A KR1020210107311 A KR 1020210107311A KR 20210107311 A KR20210107311 A KR 20210107311A KR 20220040984 A KR20220040984 A KR 20220040984A
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신이치 나미오카
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

A processing apparatus suppresses process waste generated during one processing from adversely affecting the other processing. When a wafer (100) is processed by a grinding wheel (98), a processing chamber (20) is partitioned into upper and lower parts such that a first partition plate (11) and a second partition plate (12) surround the grinding wheel (98) with a first semicircular recess (111) and a second semicircular recess (121). Therefore, a polishing pad (93) located on the upper side of the processing chamber (20) can be protected from the process waste generated when the tip of the grinding wheel (98) located on the lower side of the processing chamber (20) processes the wafer (100). Accordingly, the process waste can be suppressed from adhering to the polishing pad (93). Thereby, a back surface (102) of the wafer (100), which is polished by the polishing pad (93), can be prevented from being damaged by the process waste.

Description

가공 장치{PROCESSING APPARATUS}Processing equipment {PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing apparatus.

관통 전극인 TSV (Through Silicon Via) 를 갖는 TSV 웨이퍼에서는, 이면을 연삭 및 CMP (화학 기계 연마) 에 의해 평탄화하고, 표면측에 노출한 관통 전극을 CMP 에 의해 평탄화하고 있다. 최근에는, 관통 전극의 배선이, 알루미늄 배선에서 구리 배선으로 전환되고 있기 때문에, 바이트에 의한 선삭과 CMP 에 의해, 관통 전극을 평탄화하고 있다. 그 때문에, 특허문헌 1 에 개시된 바와 같이, 하나의 가공 장치의 가공 수단으로, 바이트에 의한 선삭과 CMP 를 가능하게 함으로써, 장치를 소형화하고, 생산성을 향상시키고 있다.In a TSV wafer having TSV (Through Silicon Via) as a through electrode, the back surface is planarized by grinding and CMP (chemical mechanical polishing), and the through electrode exposed on the front surface side is planarized by CMP. In recent years, since wiring of a through electrode has been switched from an aluminum wiring to a copper wiring, the through electrode is planarized by turning with a bite and CMP. Therefore, as disclosed in Patent Document 1, by enabling turning and CMP with a bite as a processing means of one processing apparatus, the apparatus is downsized and productivity is improved.

일본 공개특허공보 2016-92281호Japanese Patent Laid-Open No. 2016-92281

특허문헌 1 에 기재된 장치에서는, 선삭과 CMP 가 동일한 가공실 내에서 실시된다. 그 때문에, 선삭 가공의 선삭 부스러기가 연마 패드의 하면에 부착되어, CMP 시에 웨이퍼의 피연마면에 흠집이 생겨 버릴 가능성이 있다.In the apparatus described in Patent Document 1, turning and CMP are performed in the same processing chamber. Therefore, there is a possibility that turning chips from the turning process adhere to the lower surface of the polishing pad, which may cause scratches on the polished surface of the wafer during CMP.

또, 가공 수단이 연삭과 CMP 를 실시하는 것이 가능한 경우에도, 연삭 가공의 연삭 부스러기가 연마 패드의 하면에 부착되어, CMP 시에 웨이퍼의 피연마면에 흠집이 생겨 버릴 가능성이 있다.Further, even when the processing means is capable of performing grinding and CMP, there is a possibility that grinding chips from grinding may adhere to the lower surface of the polishing pad, and the polishing target surface of the wafer may be scratched during CMP.

따라서, 본 발명의 목적은, 일방의 가공을 실시했을 때에 발생한 가공 부스러기에 의해, 그 후에 실시되는 타방의 가공이 악영향을 받는 것을 억제하는 것에 있다.Therefore, the objective of this invention is suppressing that the other process performed after that receives a bad influence by the processing waste which generate|occur|produced when one process was performed.

본 발명의 가공 장치 (본 가공 장치) 는, 유지면에 의해 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 가공하기 위한 가공구를 구비한 가공 수단과, 그 가공 수단을 그 유지면에 수직인 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단과, 그 척 테이블과 그 가공구를 수용하는 가공실, 을 구비하는 가공 장치로서, 그 가공 수단은, 그 수직인 방향으로 연장하는 스핀들의 하단에 상면이 연결되고, 하면에 제 1 가공구가 장착되어 있는 제 1 마운트와, 그 제 1 마운트의 외경보다 큰 내경을 갖고, 그 제 1 마운트와 동심 (同心) 의 원환상 (圓環狀) 으로, 하면에 제 2 가공구가 장착되는 제 2 마운트와, 그 제 1 마운트와 그 제 2 마운트를 그 수직인 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 그 제 1 가공구 또는 그 제 2 가공구를 선택적으로 그 유지면에 접근시키는 선택 수단, 을 구비하고, 그 가공실은, 그 선택 수단에 의해 그 제 2 가공구보다 그 제 1 가공구를 그 유지면에 접근시키고, 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 그 제 1 가공구에 의해 가공하고 있을 때에, 그 제 1 가공구를 둘러싸고, 그 가공실을 상하로 나누고, 그 제 1 가공구가 웨이퍼를 가공한 가공 부스러기로부터 그 제 2 가공구를 보호하는 칸막이 기구를 구비하고, 그 칸막이 기구는, 그 제 1 가공구의 외측면을 따른 제 1 반원 오목부를 구비하고, 수평 방향으로 연장하는 제 1 칸막이판과, 그 제 1 가공구의 외측면을 따라 그 제 1 반원 오목부를 마주 보는 제 2 반원 오목부를 구비하고, 수평 방향으로 연장하는 제 2 칸막이판과, 그 제 1 칸막이판을 수평 방향으로 이동시키는 제 1 수평 이동 기구와, 그 제 2 칸막이판을 수평 방향으로 이동시키는 제 2 수평 이동 기구, 를 구비하고, 그 제 2 가공구에 의해 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공할 때에는, 그 제 1 칸막이판과 그 제 2 칸막이판을, 서로 수평 방향으로 그 스핀들로부터 멀리 하여, 그 제 1 반원 오목부와 그 제 2 반원 오목부의 사이를 그 제 2 가공구가 통과 가능하게 하고, 그 제 1 가공구에 의해 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공할 때에는, 그 제 1 칸막이판과 그 제 2 칸막이판을, 서로 수평 방향으로 그 스핀들에 가까이 하여, 그 제 1 반원 오목부와 그 제 2 반원 오목부를 연결함으로써 형성되는 원에 의해 그 제 1 가공구를 둘러싸고, 그 제 1 가공구가 웨이퍼를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기로부터 그 제 2 가공구를 보호한다.A processing apparatus (the present processing apparatus) of the present invention includes a processing unit including a chuck table for holding a wafer by a holding surface, a processing tool for processing the wafer held on the chuck table, and the processing unit for holding the processing unit A machining apparatus comprising: a machining feed means for machining and feeding in a direction perpendicular to a surface; and a machining chamber for accommodating the chuck table and the machining tool, wherein the machining means is located at a lower end of a spindle extending in the vertical direction. A first mount having an upper surface connected to it and a first processing tool mounted on a lower surface thereof, and an inner diameter larger than the outer diameter of the first mount, in an annular shape concentric with the first mount , a second mount on which the second processing tool is mounted on the lower surface, and by relatively moving the first mount and the second mount in the vertical direction, the first processing tool or the second processing tool is selectively moved selecting means for bringing the holding surface closer to the holding surface, wherein the processing chamber causes the first processing tool to approach the holding surface rather than the second processing tool by the selection means, and to transfer the wafer held on the holding surface to the first processing tool. A partition mechanism is provided that surrounds the first processing tool and divides the processing chamber up and down while the processing tool is processing the first processing tool and protects the second processing tool from the processing debris of the wafer processed by the first processing tool. and the partition mechanism includes a first semi-circular recess along the outer surface of the first processing tool, a first partition plate extending in the horizontal direction, and the first semi-circular recess along the outer surface of the first processing tool A second partition plate having opposite second semicircular recesses and extending in the horizontal direction; a first horizontal movement mechanism for moving the first partition plate in the horizontal direction; A second horizontal movement mechanism is provided, and when processing a wafer held on its holding surface by the second processing tool, the first partition plate and the second partition plate are separated from each other in a horizontal direction away from the spindle. Thus, the first semicircle recess and the second semicircle The second processing tool allows the passage between the recesses, and when processing a wafer held on the holding surface by the first processing tool, the first partition plate and the second partition plate are aligned in a horizontal direction with each other. close to the spindle, and surrounds the first processing tool by a circle formed by connecting the first semi-circular recess and the second semi-circular recess, the first processing tool from processing debris generated by processing the wafer Protect the second processing tool.

본 가공 장치에서는, 그 제 1 가공구는 선삭 바이트 또는 연삭 지석이어도 되고, 그 제 2 가공구는 연마 패드여도 된다.In this processing apparatus, the 1st processing tool may be a turning byte or a grinding wheel, and the 2nd processing tool may be a polishing pad.

또, 본 가공 장치는, 그 제 1 칸막이판 및 그 제 2 칸막이판에, 그 제 1 가공구를 향하여 물을 분출하는 물 분출구를 추가로 구비해도 된다.Moreover, this processing apparatus may further equip the 1st partition plate and its 2nd partition plate with the water jet port which ejects water toward the 1st processing tool.

본 가공 장치에서는, 제 1 가공구에 의해 웨이퍼를 가공할 때에, 제 1 칸막이판 및 제 2 칸막이판이, 제 1 반원 오목부 및 제 2 반원 오목부에 의해 제 1 가공구를 둘러싸도록, 가공실을 상하로 나눈다. 따라서, 가공실의 상측에 위치하고 있는 제 2 가공구를, 가공실의 하측에 있는 제 1 가공구의 선단이 웨이퍼를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기로부터 보호할 수 있다. 이에 따라, 제 2 가공구에 가공 부스러기가 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 제 2 가공구에 의해 가공되는 웨이퍼의 피가공면을 가공 부스러기에 의해 손상시켜 버리는 것을 억제하는 것이 가능해진다.In the present processing apparatus, when processing a wafer by the first processing tool, the processing chamber is such that the first partition plate and the second partition plate surround the first processing tool by the first semicircular recessed portion and the second semicircular recessed portion. divide it up and down Accordingly, it is possible to protect the second processing tool located above the processing chamber from processing chips generated when the tip of the first processing tool located below the processing chamber processes the wafer. Thereby, it can suppress that a processing waste adheres to a 2nd processing tool. For this reason, it becomes possible to suppress that the to-be-processed surface of the wafer processed by a 2nd process tool is damaged by a process waste.

도 1 은, 가공 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 가공 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 서로 연결되어 있는 제 1 칸막이판 및 제 2 칸막이판을 나타내는 설명도이다.
도 4 는, 가공 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 서로 멀리 놓여져 있는 제 1 칸막이판 및 제 2 칸막이판을 나타내는 설명도이다.
도 6 은, 물 분출구를 구비한 제 1 칸막이판 및 제 2 칸막이판을 나타내는 설명도이다.
1 : is sectional drawing which shows the structure of a processing apparatus.
Fig. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the processing apparatus.
Fig. 3 is an explanatory view showing a first partition plate and a second partition plate connected to each other;
4 : is sectional drawing which shows the structure of a processing apparatus.
Fig. 5 is an explanatory view showing a first partition plate and a second partition plate placed far from each other;
6 is an explanatory view showing a first partition plate and a second partition plate provided with a water jet.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 관련된 가공 장치 (1) 는, 피가공물로서의 웨이퍼 (100) 를 연삭 및 연마하기 위한 장치이며, 가공 장치 (1) 의 각 부재를 제어하는 제어부 (5) 를 구비하고 있다.As shown in FIG. 1 , a processing apparatus 1 according to the present embodiment is an apparatus for grinding and polishing a wafer 100 as a workpiece, and a control unit 5 for controlling each member of the processing apparatus 1 . is equipped with

웨이퍼 (100) 는, 예를 들어, 원형의 반도체 웨이퍼이다. 웨이퍼 (100) 의 표면 (101) 은, 복수의 디바이스를 유지하고 있고, 보호 테이프 (103) 가 첩착 (貼着) 됨으로써 보호되고 있다. 웨이퍼 (100) 의 이면 (102) 은, 연삭 가공 및 연마 가공이 실시되는 피가공면으로 된다.The wafer 100 is, for example, a circular semiconductor wafer. The surface 101 of the wafer 100 holds a plurality of devices, and is protected by attaching the protective tape 103 . The back surface 102 of the wafer 100 becomes a to-be-processed surface to which grinding processing and grinding|polishing processing are given.

가공 장치 (1) 는, 피가공물을 유지하기 위한 유지 수단 (30) 을 구비하고 있다. 유지 수단 (30) 은, 척 테이블 (31), 척 테이블 (31) 을 지지하는 지지 부재 (33), 및, 척 테이블 (31) 을 회전시키는 회전 수단 (34) 을 포함하고 있다.The processing apparatus 1 is equipped with the holding means 30 for holding a to-be-processed object. The holding means 30 includes a chuck table 31 , a support member 33 for supporting the chuck table 31 , and a rotation means 34 for rotating the chuck table 31 .

척 테이블 (31) 은, 웨이퍼 (100) 를 유지하는 유지면 (32), 및, 유지면 (32) 을 둘러싸는 프레임체 (36) 를 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 프레임체 (36) 의 상면은, 유지면 (32) 과 대략 면일 (面一) 하게 형성되어 있고, 유지면 (32) 과 동일한 높이를 가지고 있다.The chuck table 31 includes a holding surface 32 for holding the wafer 100 , and a frame body 36 surrounding the holding surface 32 . In the present embodiment, the upper surface of the frame body 36 is formed substantially flush with the holding surface 32 , and has the same height as the holding surface 32 .

척 테이블 (31) 의 유지면 (32) 은, 예를 들어 포러스재로 이루어지고, 흡인원 (도시하지 않음) 에 연통됨으로써, 보호 테이프 (103) 를 개재하여 웨이퍼 (100) 를 흡인 유지한다. 즉, 척 테이블 (31) 은, 유지면 (32) 에 의해 웨이퍼 (100) 를 유지한다.The holding surface 32 of the chuck table 31 is made of, for example, a porous material, and is communicated with a suction source (not shown) to suction and hold the wafer 100 via the protective tape 103 . That is, the chuck table 31 holds the wafer 100 by the holding surface 32 .

또, 척 테이블 (31) 은, 하방에 형성된 회전 수단 (34) 에 의해, 유지면 (32) 에 의해 웨이퍼 (100) 를 유지한 상태에서, 유지면 (32) 의 중심을 통과하는 Z 축 방향으로 연장하는 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 따라서, 웨이퍼 (100) 는, 유지면 (32) 에 유지되어 유지면 (32) 의 중심을 축으로 회전된다.In addition, the chuck table 31 is in a state in which the wafer 100 is held by the holding surface 32 by the rotating means 34 provided below, and the Z-axis direction passes through the center of the holding surface 32 . It is rotatable about a central axis extending to Accordingly, the wafer 100 is held on the holding surface 32 and rotated about the center of the holding surface 32 .

지지 부재 (33) 의 주위에는, 커버판 (37) 이 형성되어 있다. 또, 커버판 (37) 에 있어서의 +Y 측 및 -Y 측에는, Y 축 방향으로 신축하는 주름상자 커버 (도시하지 않음) 가 연결되어 있다. 그리고, 유지 수단 (30) 의 하방에는, Y 축 방향 이동 수단 (40) 이 배치 형성되어 있다. Y 축 방향 이동 수단 (40) 은, 유지 수단 (30) 을 Y 축 방향을 따라 이동시킨다.A cover plate 37 is formed around the support member 33 . Moreover, a pleated box cover (not shown) that expands and contracts in the Y-axis direction is connected to the +Y side and the -Y side of the cover plate 37 . And below the holding means 30, the Y-axis direction moving means 40 is arrange|positioned. The Y-axis direction moving means 40 moves the holding means 30 along the Y-axis direction.

Y 축 방향 이동 수단 (40) 은, 유지 수단 (30) 과 가공 수단 (70) 을, 상대적으로, 유지면 (32) 에 평행한 Y 축 방향으로 이동시킨다. 본 실시형태에서는, Y 축 방향 이동 수단 (40) 은, 가공 수단 (70) 에 대하여, 유지 수단 (30) 을 Y 축 방향으로 이동시키도록 구성되어 있다.The Y-axis direction moving means 40 relatively moves the holding means 30 and the processing means 70 in the Y-axis direction parallel to the holding surface 32 . In the present embodiment, the Y-axis direction moving means 40 is configured to move the holding means 30 in the Y-axis direction with respect to the processing means 70 .

또한, 가공 장치 (1) 는, Y 축 방향 이동 수단 (40) 대신에, 수평 이동 수단으로서, 복수의 유지 수단 (30) 을 갖는 턴테이블을 가지고 있어도 된다.In addition, the processing apparatus 1 may have a turntable which has several holding means 30 as a horizontal movement means instead of the Y-axis direction movement means 40 .

Y 축 방향 이동 수단 (40) 은, Y 축 방향으로 평행한 Y 축 가이드 레일 (42), 이 Y 축 가이드 레일 (42) 상을 슬라이드하는 Y 축 이동 테이블 (45), Y 축 가이드 레일 (42) 과 평행한 Y 축 볼 나사 (43), Y 축 볼 나사 (43) 에 접속되어 있는 Y 축 모터 (44), 및, 이들을 유지하는 유지대 (41) 를 구비하고 있다.The Y-axis direction movement means 40 includes a Y-axis guide rail 42 parallel to the Y-axis direction, a Y-axis movement table 45 that slides on the Y-axis guide rail 42 , and a Y-axis guide rail 42 . ) parallel to the Y-axis ball screw 43 , a Y-axis motor 44 connected to the Y-axis ball screw 43 , and a holder 41 for holding them.

Y 축 이동 테이블 (45) 은, 슬라이드 부재 (451) 를 개재하여, Y 축 가이드 레일 (42) 에 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Y 축 이동 테이블 (45) 의 하면에는, 너트부 (401) 가 고정되어 있다. 이 너트부 (401) 에는, Y 축 볼 나사 (43) 가 나사 결합되어 있다. Y 축 모터 (44) 는, Y 축 볼 나사 (43) 의 일단부에 연결되어 있다.The Y-axis movement table 45 is slidably provided on the Y-axis guide rail 42 via a slide member 451 . A nut portion 401 is being fixed to the lower surface of the Y-axis movement table 45 . A Y-axis ball screw 43 is screwed to the nut portion 401 . The Y-axis motor 44 is connected to one end of the Y-axis ball screw 43 .

Y 축 방향 이동 수단 (40) 에서는, Y 축 모터 (44) 가 Y 축 볼 나사 (43) 를 회전시킴으로써, Y 축 이동 테이블 (45) 이 Y 축 가이드 레일 (42) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다. Y 축 이동 테이블 (45) 에는, 지지 기둥 (35) 을 개재하여, 유지 수단 (30) 의 지지 부재 (33) 가 재치 (載置) 되어 있다. 따라서, Y 축 이동 테이블 (45) 의 Y 축 방향으로의 이동에 수반하여, 척 테이블 (31) 을 포함하는 유지 수단 (30) 이, Y 축 방향으로 이동한다.In the Y-axis direction movement means 40 , the Y-axis motor 44 rotates the Y-axis ball screw 43 , so that the Y-axis movement table 45 moves along the Y-axis guide rail 42 in the Y-axis direction. do. The support member 33 of the holding means 30 is mounted on the Y-axis movement table 45 via the support column 35 . Therefore, with the movement of the Y-axis movement table 45 in the Y-axis direction, the holding means 30 including the chuck table 31 moves in the Y-axis direction.

본 실시형태에서는, 유지 수단 (30) 은, 후방 (+Y 방향측) 의 가공 위치와, 전방 (-Y 방향측) 의 반입출 위치의 사이를, Y 축 방향 이동 수단 (40) 에 의해, Y 축 방향을 따라 이동된다.In this embodiment, the holding means 30 moves between the processing position of the rear (+Y direction side) and the carrying-in/out position of the front (-Y direction side) by the Y-axis direction moving means 40, moved along the axial direction.

또, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 유지 수단 (30) 의 후방 (+Y 방향측) 에는, 칼럼 (3) 이 세워 형성되어 있다. 칼럼 (3) 의 전면 (前面) 에는, 웨이퍼 (100) 를 가공하는 가공 수단 (70), 및, 가공 이송 수단 (50) 이 형성되어 있다.Moreover, as shown in FIG. 1, the column 3 is formed in the back (+Y direction side) of the holding means 30 upright. A processing means 70 for processing the wafer 100 and a processing transfer means 50 are formed on the front surface of the column 3 .

가공 이송 수단 (50) 은, 유지 수단 (30) 과 가공 수단 (70) 을, 상대적으로, 유지면 (32) 에 수직인 Z 축 방향 (가공 이송 방향) 으로 가공 이송하는 수직 이동 수단이다. 본 실시형태에서는, 가공 이송 수단 (50) 은, 유지 수단 (30) 에 대하여, 가공 수단 (70) 을, 유지면 (32) 에 수직인 Z 축 방향으로 가공 이송하도록 구성되어 있다.The machining feed means 50 is a vertical moving means for machining the holding means 30 and the machining means 70 in the Z-axis direction (machine feed direction) that is relatively perpendicular to the holding surface 32 . In the present embodiment, the machining feed means 50 is configured to machine feed the machining means 70 to the holding means 30 in the Z-axis direction perpendicular to the holding surface 32 .

가공 이송 수단 (50) 은, Z 축 방향으로 평행한 Z 축 가이드 레일 (51), 이 Z 축 가이드 레일 (51) 상을 슬라이드하는 Z 축 이동 테이블 (53), Z 축 가이드 레일 (51) 과 평행한 Z 축 볼 나사 (52), Z 축 모터 (54), Z 축 모터 (54) 의 회전 각도를 검지하기 위한 Z 축 인코더 (55), Z 축 인코더 (55) 의 검지 결과를 기억하는 기억부 (57), 및, Z 축 이동 테이블 (53) 의 전면 (표면) 에 장착된 홀더 (56) 를 구비하고 있다. 홀더 (56) 는, 가공 수단 (70) 을 유지하고 있다.The machining feed means 50 includes a Z-axis guide rail 51 parallel to the Z-axis direction, a Z-axis movement table 53 sliding on the Z-axis guide rail 51 , a Z-axis guide rail 51 and A memory for storing the detection results of the Z-axis encoder 55 for detecting the rotation angle of the parallel Z-axis ball screw 52, the Z-axis motor 54, and the Z-axis motor 54, and the Z-axis encoder 55 A portion 57 and a holder 56 attached to the front surface (surface) of the Z-axis movement table 53 are provided. The holder 56 holds the processing means 70 .

Z 축 이동 테이블 (53) 은, 슬라이드 부재 (531) 를 개재하여, Z 축 가이드 레일 (51) 에 슬라이드 가능하게 설치되어 있다. Z 축 이동 테이블 (53) 의 후면측 (이면측) 에는, 너트부 (501) 가 고정되어 있다. 이 너트부 (501) 에는, Z 축 볼 나사 (52) 가 나사 결합되어 있다. Z 축 모터 (54) 는, Z 축 볼 나사 (52) 의 일단부에 연결되어 있다.The Z-axis movement table 53 is slidably provided on the Z-axis guide rail 51 via a slide member 531 . A nut part 501 is being fixed to the rear surface side (back surface side) of the Z-axis movement table 53. As shown in FIG. A Z-axis ball screw 52 is screwed to the nut portion 501 . The Z-axis motor 54 is connected to one end of the Z-axis ball screw 52 .

가공 이송 수단 (50) 에서는, Z 축 모터 (54) 가 Z 축 볼 나사 (52) 를 회전시킴으로써, Z 축 이동 테이블 (53) 이 Z 축 가이드 레일 (51) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다. 이에 따라, Z 축 이동 테이블 (53) 에 장착된 홀더 (56), 및, 홀더 (56) 에 유지된 가공 수단 (70) 도, Z 축 이동 테이블 (53) 과 함께 Z 축 방향으로 이동한다.In the machining transport means 50 , the Z-axis motor 54 rotates the Z-axis ball screw 52 , so that the Z-axis movement table 53 moves along the Z-axis guide rail 51 in the Z-axis direction. Accordingly, the holder 56 attached to the Z-axis movement table 53 and the processing means 70 held by the holder 56 also move together with the Z-axis movement table 53 in the Z-axis direction.

가공 수단 (70) 은, 스핀들 유닛 (71) 을 구비하고 있다. 스핀들 유닛 (71) 은, 유지면 (32) 에 수직인 방향으로 연장하는 스핀들 (72), 스핀들 (72) 을 회전시키는 스핀들 모터 (73), 및, 스핀들 (72) 및 스핀들 모터 (73) 를 둘러싸는 케이싱 (74) 을 구비하고 있다.The processing means 70 includes a spindle unit 71 . The spindle unit 71 includes a spindle 72 extending in a direction perpendicular to the holding surface 32 , a spindle motor 73 rotating the spindle 72 , and a spindle 72 and a spindle motor 73 . A surrounding casing 74 is provided.

스핀들 (72) 은, 제 1 축부 (721) 와, 제 1 축부 (721) 보다 대경으로 형성된 제 2 축부 (723) 를 구비하고 있다. 제 1 축부 (721) 와 제 2 축부 (723) 의 사이에는, 스러스트판 (722) 이 배치 형성되어 있다. 스핀들 (72) 은, 또한, 제 2 축부 (723) 의 하방에 형성된 실린더 대경부 (724), 및, 실린더 대경부 (724) 의 하방에 형성된 실린더 소경부 (725) 를 가지고 있다.The spindle 72 is provided with the 1st shaft part 721 and the 2nd shaft part 723 formed with a larger diameter than the 1st shaft part 721. A thrust plate 722 is disposed between the first shaft portion 721 and the second shaft portion 723 . The spindle 72 further has a large cylinder diameter portion 724 formed below the second shaft portion 723 , and a small cylinder diameter portion 725 formed below the large cylinder diameter portion 724 .

케이싱 (74) 의 내부에는, 에어 유로 (60) 가 형성되어 있다. 에어 유로 (60) 는, 에어 공급원 (39) 에 접속되어 있다. 또, 에어 유로 (60) 는, 케이싱 (74) 의 내부에 있어서, 복수의 분기로로 분기되어 있다. 에어 유로 (60) 는, 케이싱 (74) 의 상면 (61), 측면 (62) 및 하면 (63) 의 개구부에 연통되어 있다.An air flow passage 60 is formed inside the casing 74 . The air flow path 60 is connected to the air supply source 39 . Moreover, the air flow path 60 is branched into the some branch path in the inside of the casing 74. The air flow passage 60 communicates with the openings of the upper surface 61 , the side surface 62 , and the lower surface 63 of the casing 74 .

에어 공급원 (39) 으로부터 공급된 에어는, 케이싱 (74) 의 에어 유로 (60) 를 지나, 케이싱 (74) 의 상면 (61), 측면 (62) 및 하면 (63) 의 개구부로부터, 케이싱 (74) 의 외부로 분출한다.The air supplied from the air supply source 39 passes through the air flow path 60 of the casing 74, and from the openings of the upper surface 61, the side surface 62, and the lower surface 63 of the casing 74, the casing 74 ) is ejected to the outside of

케이싱 (74) 의 상면 (61), 측면 (62) 및 하면 (63) 으로부터 에어가 분출됨으로써, 케이싱 (74) 과 스핀들 (72) 의 스러스트판 (722) 과의 사이, 케이싱 (74) 과 스핀들 (72) 의 제 2 축부 (723) 와의 사이, 및, 케이싱 (74) 과 스핀들 (72) 의 실린더 대경부 (724) 와의 사이에, 간극이 형성된다. 이에 따라, 이들 간극에, 스핀들 (72) 을 회전 가능하게 에어에 의해 비접촉으로 지지하는 베어링이 형성된다.Air is blown out from the upper surface 61, the side surface 62, and the lower surface 63 of the casing 74, so that between the casing 74 and the thrust plate 722 of the spindle 72, the casing 74 and the spindle A gap is formed between the second shaft portion 723 of the 72 and between the casing 74 and the large cylinder diameter portion 724 of the spindle 72 . Thereby, in these gaps, the bearing which rotatably supports the spindle 72 by air non-contact is formed.

스핀들 (72) 의 하단인 실린더 소경부 (725) 의 하단에는, 제 1 마운트로서의 원판 마운트 (95) 의 상면이 연결되어 있다. 또, 스핀들 (72) 의 실린더 대경부 (724) 의 하면과 원판 마운트 (95) 의 사이에는, 양자를 연결하는 가이드부 (84) 가 배치 형성되어 있다.The upper surface of the disk mount 95 as the first mount is connected to the lower end of the cylinder small diameter portion 725 that is the lower end of the spindle 72 . Moreover, between the lower surface of the cylinder large diameter part 724 of the spindle 72 and the disk mount 95, the guide part 84 which connects both is arrange|positioned and formed.

원판 마운트 (95) 의 하면에는, 연삭 휠 (96) 이 장착되어 있다. 연삭 휠 (96) 은, 휠 기대 (97) 와, 휠 기대 (97) 의 하단에 환상으로 배열된 대략 직방체상의 복수의 연삭 지석 (98) 을 구비하고 있다.A grinding wheel 96 is attached to the lower surface of the disk mount 95 . The grinding wheel 96 includes a wheel base 97 and a plurality of substantially rectangular parallelepiped grinding wheels 98 arranged annularly at the lower end of the wheel base 97 .

연삭 지석 (98) 은, 스핀들 (72), 원판 마운트 (95) 및 휠 기대 (97) 를 개재하여, 스핀들 모터 (73) 에 의해 회전되는 것이 가능하다.The grinding wheel 98 can be rotated by the spindle motor 73 via the spindle 72 , the disk mount 95 and the wheel base 97 .

또, 스핀들 (72) 에 있어서의 실린더 대경부 (724) 및 실린더 소경부 (725) 에는, 진퇴 기구 (80) 가 배치 형성되어 있다. 진퇴 기구 (80) 는, 스핀들 (72) 의 실린더 대경부 (724) 에 배치 형성된 수용실 (81) 을 구비하고 있다. 수용실 (81) 에는, 피스톤 (82) 이 수용되어 있다.Moreover, the advancing and retreating mechanism 80 is arrange|positioned in the cylinder large diameter part 724 and the cylinder small diameter part 725 in the spindle 72. As shown in FIG. The advancing and retreating mechanism 80 is provided with the accommodation chamber 81 arrange|positioned and formed in the cylinder large-diameter part 724 of the spindle 72. A piston 82 is accommodated in the accommodation chamber 81 .

피스톤 (82) 의 하부에는, 복수의 피스톤 로드 (83) 가 연결되어 있다. 복수의 피스톤 로드 (83) 는, 피스톤 (82) 의 둘레 방향으로 등간격을 두고 형성되어 있다. 또한, 도 1 에 있어서는, 1 개의 피스톤 로드 (83) 만이 도시되어 있다.A plurality of piston rods 83 are connected to the lower portion of the piston 82 . The plurality of piston rods 83 are formed at equal intervals in the circumferential direction of the piston 82 . In addition, in FIG. 1, only one piston rod 83 is shown.

피스톤 로드 (83) 의 하단에는, 환상 판 (90) 이 연결되어 있다. 또, 환상 판 (90) 에는, 상기한 가이드부 (84) 가 관통하는 관통공 (901) 이 형성되어 있다.An annular plate 90 is connected to the lower end of the piston rod 83 . Moreover, the through-hole 901 through which the above-mentioned guide part 84 penetrates is formed in the annular plate 90. As shown in FIG.

환상 판 (90) 의 하면에는, 제 2 마운트로서의 환상 마운트 (91) 가 연결되어 있다. 환상 마운트 (91) 의 하면에는, 플래턴 (92) 을 개재하여, 피가공물을 연마 가공하는, 제 2 가공구로서의 환상의 연마 패드 (93) 가 장착되어 있다.An annular mount 91 as a second mount is connected to the lower surface of the annular plate 90 . On the lower surface of the annular mount 91 , an annular polishing pad 93 serving as a second processing tool for polishing a workpiece is mounted via a platen 92 .

환상 마운트 (91), 플래턴 (92) 및 연마 패드 (93) 는, 원판 마운트 (95) 및 연삭 휠 (96) 의 외경보다 큰 내경을 갖고, 원판 마운트 (95) 와 동심의 원환상으로 형성되어 있다.The annular mount 91 , the platen 92 and the polishing pad 93 have an inner diameter larger than the outer diameters of the disk mount 95 and the grinding wheel 96 , and are formed in an annular shape concentric with the disk mount 95 . has been

연마 패드 (93) 는, 그 중심을 축으로, 스핀들 (72), 환상 판 (90), 환상 마운트 (91) 및 플래턴 (92) 을 개재하여, 스핀들 모터 (73) 에 의해 회전되는 것이 가능하다.The abrasive pad 93 can be rotated by the spindle motor 73 via the spindle 72 , the annular plate 90 , the annular mount 91 , and the platen 92 about the center of the abrasive pad 93 . Do.

이 연마 패드 (93) 및 상기한 연삭 지석 (98) 은, 척 테이블 (31) 에 유지된 웨이퍼 (100) 를 가공하기 위한 가공구의 일례이다. 그리고, 연삭 지석 (98) 은, 내측에 구비된 제 1 가공구의 일례이며, 연마 패드 (93) 는, 외측에 구비된 제 2 가공구의 일례이다.The polishing pad 93 and the grinding wheel 98 described above are an example of a processing tool for processing the wafer 100 held by the chuck table 31 . In addition, the grinding wheel 98 is an example of the 1st processing tool with which the inside was equipped, and the polishing pad 93 is an example of the 2nd processing tool provided with the outside.

진퇴 기구 (80) 의 수용실 (81) 에는, 레귤레이터 (85) 를 개재하여, 에어원 (86) 이 접속되어 있다. 진퇴 기구 (80) 에 있어서는, 에어원 (86) 으로부터의 에어를, 레귤레이터 (85) 를 개재하여, 수용실 (81) 에 상방으로부터 공급함으로써, 피스톤 (82) 에 -Z 방향으로의 압력을 가하여, 피스톤 (82) 을 Z 축 방향으로 강하시키는 것이 가능하다.An air source 86 is connected to the accommodation chamber 81 of the advancing and retreating mechanism 80 via a regulator 85 . In the advancing and retreating mechanism 80, by supplying air from the air source 86 to the accommodation chamber 81 from above via the regulator 85, the pressure in the -Z direction is applied to the piston 82, , it is possible to lower the piston 82 in the Z-axis direction.

또, 수용실 (81) 에 하방으로부터 에어를 공급함으로써, 피스톤 (82) 에 +Z 방향으로의 압력을 가하여, 피스톤 (82) 을 Z 축 방향으로 상승시키는 것이 가능하다.Moreover, by supplying air to the accommodation chamber 81 from below, the pressure to +Z direction is applied to the piston 82, and it is possible to raise the piston 82 in the Z-axis direction.

피스톤 (82) 이 Z 축 방향으로 승강 이동하면, 피스톤 (82) 에 피스톤 로드 (83) 를 개재하여 연결되어 있는 환상 판 (90) 이, 가이드부 (84) 로 가이드되면서 승강 이동한다. 이것에 수반하여, 환상 판 (90) 에 장착되어 있는 연마 패드 (93) 가 승강 이동한다. 이와 같이 하여, 연마 패드 (93) 와 연삭 지석 (98) 이, Z 축 방향을 따라 상대적으로 진퇴하게 된다.When the piston 82 moves up and down in the Z-axis direction, the annular plate 90 connected to the piston 82 via the piston rod 83 moves up and down while being guided by the guide part 84 . In connection with this, the polishing pad 93 attached to the annular plate 90 moves up and down. In this way, the polishing pad 93 and the grinding wheel 98 move forward and backward relatively along the Z-axis direction.

이와 같이, 진퇴 기구 (80) 는, 원판 마운트 (95) 와 환상 마운트 (91) 를 유지면 (32) 에 수직인 방향인 Z 축 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 연삭 지석 (98) 또는 연마 패드 (93) 를 선택적으로 유지면 (32) 에 접근시키는 선택 수단으로서 기능한다.In this way, the advancing and retreating mechanism 80 relatively moves the disk mount 95 and the annular mount 91 in the Z-axis direction, which is a direction perpendicular to the holding surface 32, so that the grinding wheel 98 or the abrasive pad ( 93) selectively serves as a selection means for approaching the holding surface 32 .

또한, 상기한 바와 같이, 환상 마운트 (91), 플래턴 (92) 및 연마 패드 (93) 는, 원판 마운트 (95) 및 연삭 휠 (96) 의 외경보다 큰 내경을 가지고 있다. 따라서, 환상 마운트 (91), 플래턴 (92) 및 연마 패드 (93) 의 내측에 원판 마운트 (95) 및 연삭 휠 (96) 이 접촉하지 않고 수용되어, 연삭 지석 (98) 에 대하여 연마 패드 (93) 가 상하 방향으로 상대 이동 가능해진다.Further, as described above, the annular mount 91 , the platen 92 , and the polishing pad 93 have inner diameters larger than the outer diameters of the disk mount 95 and the grinding wheel 96 . Accordingly, the disk mount 95 and the grinding wheel 96 are accommodated inside the annular mount 91, the platen 92 and the polishing pad 93 without contacting them, and the abrasive pad ( 93) becomes relatively movable in the vertical direction.

또, 도 1, 및, 가공 장치 (1) 를 Y 축 방향을 따라 나타내는 단면도인 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가공 장치 (1) 는, 가공 수단 (70) 의 하방에, 대략 케이싱 형상의 가공실 (20) 을 가지고 있다. 가공실 (20) 은, 웨이퍼 (100) 가 가공될 때, 웨이퍼 (100) 를 유지하는 유지 수단 (30) 의 척 테이블 (31) 과, 가공 수단 (70) 의 가공구인 연삭 지석 (98) 및 연마 패드 (93) 를 수용하도록 형성되어 있다.Moreover, as shown in FIG. 1 and FIG. 2 which is sectional drawing which shows the processing apparatus 1 along the Y-axis direction, the processing apparatus 1 is below the processing means 70, and is a substantially casing-shaped processing chamber. (20) has The processing chamber 20 includes a chuck table 31 of the holding means 30 for holding the wafer 100 when the wafer 100 is processed, a grinding wheel 98 serving as a processing tool of the processing means 70 , and It is formed so as to receive the polishing pad 93 .

도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 가공실 (20) 은, 가공구 도입공 (211) 을 갖는 상판 (21) 을 구비하고 있다. 가공구 도입공 (211) 은, 가공 수단 (70) 의 가공구인 연삭 지석 (98) 및 연마 패드 (93) 를 가공실 (20) 에 도입하는 것을 가능하게 하기 위해서 형성되어 있다. 가공실 (20) 은, 이 상판 (21), 측판 (22), -Y 측의 전판 (23), +Y 측의 후판 (24), 및, 저판이 되는 유지 수단 (30) 의 커버판 (37) 을 포함하도록 구성되어 있다. 전판 (23) 은, 유지 수단 (30) 에 있어서의 Y 축 방향을 따른 가공실 (20) 내로의 이동을 가능하게 하는 길이로, 상판 (21) 으로부터 수하 (垂下) 하도록 형성되어 있다. 1 and 2 , the processing chamber 20 is provided with an upper plate 21 having a processing tool introduction hole 211 . The processing tool introduction hole 211 is formed in order to make it possible to introduce the grinding wheel 98 and the polishing pad 93 which are the processing tools of the processing means 70 into the processing chamber 20 . The processing chamber 20 includes the top plate 21 , the side plate 22 , the front plate 23 on the -Y side, the rear plate 24 on the +Y side, and the cover plate 37 of the holding means 30 serving as the bottom plate. ) is configured to include The front plate 23 has a length that enables the holding means 30 to move into the processing chamber 20 along the Y-axis direction, and is formed so as to be lowered from the upper plate 21 .

또한, 가공실 (20) 의 상판 (21) 과 (56) 의 하면을 연결하고 가공구 도입공 (211) 을 막는 통 형상으로 연직 방향으로 신축 가능한 주름상자 커버를 구비하여, 가공 부스러기가 가공구 도입공 (211) 으로부터 분출하는 것을 방지하고 있다.In addition, a corrugated box cover that connects the lower surfaces of the upper plates 21 and 56 of the processing chamber 20 and blocks the processing tool introduction hole 211 in the vertical direction in a cylindrical shape is provided, so that processing debris is removed from the processing tool The ejection from the introduction hole 211 is prevented.

또, 가공실 (20) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 칸막이 기구 (10) 를 구비하고 있다. 칸막이 기구 (10) 는, 진퇴 기구 (80) 에 의해 연마 패드 (93) 보다 연삭 지석 (98) 을 유지면 (32) 에 접근시키고, 유지면 (32) 에 유지된 웨이퍼 (100) 를 연삭 지석 (98) 에 의해 가공하고 있을 때에, 연삭 지석 (98) 을 둘러싸고, 가공실 (20) 을 상하로 나누고, 연삭 지석 (98) 이 웨이퍼 (100) 를 가공한 가공 부스러기로부터 연마 패드 (93) 를 보호한다.Moreover, the processing chamber 20 is equipped with the partition mechanism 10, as shown in FIG.1 and FIG.2. The partition mechanism 10 brings the grinding wheel 98 closer to the holding surface 32 than the polishing pad 93 by the advancing and retreating mechanism 80 , and the wafer 100 held by the holding surface 32 is moved to the grinding wheel. When processing by (98), it surrounds the grinding wheel 98, divides the processing chamber 20 up and down, and the grinding wheel 98 removes the polishing pad 93 from the processing debris which processed the wafer 100. protect

칸막이 기구 (10) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 함께 수평 방향으로 연장하는, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 을 구비하고 있다.The partition mechanism 10 is provided with the 1st partition plate 11 and the 2nd partition plate 12 which extend together in the horizontal direction, as shown in FIG.

도 3 에, 가공실 (20) 및 칸막이 기구 (10) 를 상방으로부터 나타낸다. 이 도 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 칸막이판 (11) 은, 연삭 지석 (98) 의 외측면을 따른 제 1 반원 오목부 (111) 를 구비하고 있다. 또, 제 2 칸막이판은, 연삭 지석 (98) 의 외측면을 따라 제 1 반원 오목부 (111) 를 마주 보는 제 2 반원 오목부 (121) 를 구비하고 있다.3 , the processing chamber 20 and the partition mechanism 10 are shown from above. As shown in this FIG. 3 , the first partition plate 11 is provided with a first semicircular concave portion 111 along the outer surface of the grinding wheel 98 . Moreover, the 2nd partition plate is provided with the 2nd semicircular recessed part 121 which faces the 1st semicircular recessed part 111 along the outer surface of the grinding wheel 98. As shown in FIG.

또한, 칸막이 기구 (10) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 칸막이판 (11) 을 X 축 방향을 따라 수평 방향으로 이동시키는 제 1 수평 이동 기구 (13), 및, 제 2 칸막이판 (12) 을 X 축 방향을 따라 수평 방향으로 이동시키는 제 2 수평 이동 기구 (14) 를 구비하고 있다.In addition, the partition mechanism 10 includes a first horizontal movement mechanism 13 for horizontally moving the first partition plate 11 along the X-axis direction, and a second partition plate ( 12) is provided with a second horizontal movement mechanism 14 that horizontally moves along the X-axis direction.

이들 제 1 수평 이동 기구 (13) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 는, 가공실 (20) 에 있어서의 상판 (21) 의 하면에 장착되어 있다.The first horizontal movement mechanism 13 and the second horizontal movement mechanism 14 are attached to the lower surface of the upper plate 21 in the processing chamber 20 .

제 1 수평 이동 기구 (13) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 각각, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 에 연결된 아암부 (201), 및, 아암부 (201) 를 X 축 방향을 따라 이동시키는 구동 장치 (200) 를 구비하고 있다. 제 1 수평 이동 기구 (13) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 에서는, 구동 장치 (200) 에 의해 아암부 (201) 를 X 축 방향을 따라 이동시킴으로써, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 를 X 축 방향을 따라 수평 방향으로 이동시켜, 이들을 서로 접근 및 연결시키는 것이 가능하게 되어 있다.The 1st horizontal movement mechanism 13 and the 2nd horizontal movement mechanism 14 are arm part 201 connected to the 1st partition plate 11 and the 2nd partition plate 12, respectively, as shown in FIG. , and a driving device 200 for moving the arm portion 201 along the X-axis direction. In the first horizontal movement mechanism 13 and the second horizontal movement mechanism 14 , the first partition plate 11 and the second It is possible to move the horizontal movement mechanism 14 in the horizontal direction along the X-axis direction to approach and connect them to each other.

즉, 칸막이 기구 (10) 에서는, 제 1 수평 이동 기구 (13) 및 제 2 수평 이동 기구 (14) 에 의해, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 을 접근 및 연결시킴으로써, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 이, 제 1 반원 오목부 (111) 및 제 2 반원 오목부 (121) 에 의해 연삭 지석 (98) 을 둘러싸도록, 가공실 (20) 을 상하로 나눈다. 이 때, 제 1 반원 오목부 (111) 및 제 2 반원 오목부 (121) 는, 서로 연결되어, 도 3 에 있어서 파선에 의해 나타내고 있는 연마 패드 (93) 의 외경보다 작은 원을 형성하고, 이 원이 연삭 지석 (98) 을 둘러싼다. 따라서, 칸막이 기구 (10) 는, 연삭 지석 (98) 이 웨이퍼 (100) 를 가공한 가공 부스러기로부터 연마 패드 (93) 를 보호할 수 있다.That is, in the partition mechanism 10, the first partition plate 11 and the second partition plate 12 are approached and connected by the first horizontal movement mechanism 13 and the second horizontal movement mechanism 14, The processing chamber 20 so that the 1st partition plate 11 and the 2nd partition plate 12 surround the grinding wheel 98 by the 1st semicircle recessed part 111 and the 2nd semicircular recessed part 121 divide it up and down At this time, the first semicircular concave portion 111 and the second semicircular concave portion 121 are connected to each other to form a circle smaller than the outer diameter of the polishing pad 93 indicated by the broken line in FIG. 3 , A circle surrounds the grinding wheel 98 . Therefore, the partition mechanism 10 can protect the polishing pad 93 from the processing waste which the grinding wheel 98 processed the wafer 100 .

또한, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 의 이동을 용이하게 하기 위해서 X 축 방향으로 연장하는 가이드 레일을 구비하고 있어도 된다.In addition, in order to facilitate the movement of the first partition plate 11 and the second partition plate 12, a guide rail extending in the X-axis direction may be provided.

이와 같은 구성을 갖는 가공 장치 (1) 에서는, 제어부 (5) 는, 유지면 (32) 에 유지된 웨이퍼 (100) 를 연마 패드 (93) 에 의해 연마 가공할 때에는, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 을, 서로 수평 방향으로 스핀들 (72) 로부터 멀리 한다. 이에 따라, 제 1 칸막이판 (11) 의 제 1 반원 오목부 (111) 와 제 2 칸막이판 (12) 의 제 2 반원 오목부 (121) 의 사이를, 연마 패드 (93) 가 통과할 수 있게 된다. 그리고, 제어부 (5) 는, 진퇴 기구 (80) 를 제어하여, 연마 패드 (93) 를 연삭 지석 (98) 보다 유지면 (32) 에 접근시킨다. 이 상태에서, 제어부 (5) 는, 유지면 (32) 에 의해 유지되고 있는 웨이퍼 (100) 에 대한, 연마 패드 (93) 에 의한 연마 가공을 실시한다.In the processing apparatus 1 having such a configuration, when the control unit 5 polishes the wafer 100 held by the holding surface 32 with the polishing pad 93 , as shown in FIGS. 4 and 5 . As shown, the first partition plate 11 and the second partition plate 12 are separated from each other in the horizontal direction from the spindle 72 . Accordingly, between the first semi-circular concave portion 111 of the first partition plate 11 and the second semi-circular concave portion 121 of the second partition plate 12, the polishing pad 93 can pass through. do. And the control part 5 controls the advancing and retreating mechanism 80, and makes the abrasive pad 93 approach the holding surface 32 rather than the grinding wheel 98. In this state, the control unit 5 performs a polishing process using the polishing pad 93 on the wafer 100 held by the holding surface 32 .

한편, 제어부 (5) 는, 유지면 (32) 에 유지된 웨이퍼 (100) 를 연삭 지석 (98) 에 의해 연삭 가공할 때에는, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 진퇴 기구 (80) 를 제어하여, 연삭 지석 (98) 을 연마 패드 (93) 보다 유지면 (32) 에 접근시킨다. 그리고, 제어부 (5) 는, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 을, 서로 수평 방향으로 스핀들에 가까이 하여, 제 1 반원 오목부 (111) 와 제 2 반원 오목부 (121) 를 연결함으로써 형성되는 원에 의해, 연삭 지석 (98) 을 둘러싼다. 이 상태에서, 제어부 (5) 는, 유지면 (32) 에 의해 유지되고 있는 웨이퍼 (100) 에 대한, 연삭 지석 (98) 에 의한 연삭 가공을 실시한다.On the other hand, when grinding the wafer 100 held by the holding surface 32 with the grinding wheel 98, the control unit 5 controls the advancing and retreating mechanism 80 as shown in FIGS. 2 and 3 . Thus, the grinding wheel 98 is brought closer to the holding surface 32 than the polishing pad 93 . And the control part 5 brings the 1st partition plate 11 and the 2nd partition plate 12 close to the spindle in a mutually horizontal direction, The 1st semicircle recessed part 111 and the 2nd semicircle recessed part 121 ) surrounds the grinding wheel 98 by a circle formed by connecting them. In this state, the control unit 5 performs a grinding process using the grinding wheel 98 on the wafer 100 held by the holding surface 32 .

이상과 같이, 본 실시형태에서는, 연삭 지석 (98) 에 의해 웨이퍼 (100) 를 가공할 때에, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 이, 제 1 반원 오목부 (111) 및 제 2 반원 오목부 (121) 에 의해 연삭 지석 (98) 을 둘러싸도록, 가공실 (20) 을 상하로 나눈다. 따라서, 가공실 (20) 의 상측에 위치하고 있는 연마 패드 (93) 를, 가공실 (20) 의 하측에 위치하고 있는 연삭 지석 (98) 의 선단 (하면) 이 웨이퍼 (100) 를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기로부터 보호할 수 있다. 이에 따라, 연마 패드 (93) 에 가공 부스러기가 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 연마 패드 (93) 에 의해 연마 가공되는 웨이퍼 (100) 의 이면 (102) 을 가공 부스러기에 의해 손상시켜 버리는 것을 억제하는 것이 가능해진다.As described above, in the present embodiment, when the wafer 100 is processed with the grinding wheel 98 , the first partition plate 11 and the second partition plate 12 are formed with the first semicircular concave portion 111 . And the processing chamber 20 is divided up and down so that the grinding wheel 98 may be enclosed by the 2nd semicircular recessed part 121. Therefore, the processing generated by processing the wafer 100 by the tip (lower surface) of the grinding wheel 98 located below the processing chamber 20 for the polishing pad 93 located above the processing chamber 20 . It can be protected from debris. Thereby, it can suppress that processing waste adheres to the polishing pad 93. For this reason, it becomes possible to suppress that the back surface 102 of the wafer 100 grind|polished by the polishing pad 93 is damaged by a process waste.

또한, 본 실시형태에서는, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 의 상면에, 연삭 지석 (98) 을 향하여 물을 분출하는 복수의 물 분출구 (16) 가 구비되어 있어도 된다. 물 분출구 (16) 는, 제 1 칸막이판 (11) 과 제 2 칸막이판 (12) 이 연결되어 있는 연삭 지석 (98) 에 의한 가공 중에, 도 6 에 화살표에 의해 나타내는 바와 같이, 도시되지 않은 수원으로부터의 가공수를 연삭 지석 (98) 을 향하여 측면으로부터 분사하기 위한 것이다.Moreover, in this embodiment, as shown in FIG. 6, the some water jet port 16 which jets water toward the grinding wheel 98 on the upper surface of the 1st partition plate 11 and the 2nd partition plate 12. ) may be provided. The water jet port 16 is a water source not shown, as indicated by an arrow in FIG. 6 during processing by the grinding wheel 98 to which the first partition plate 11 and the second partition plate 12 are connected. It is for spraying the machining water from the side toward the grinding wheel 98 from the side.

이 구성에서는, 연삭 지석 (98) 에 의한 가공 중에 연삭 지석 (98) 에 측면으로부터 가공수를 분사함으로써, 연삭 지석 (98) 이 웨이퍼 (100) 를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기가, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 과 연삭 지석 (98) 의 간극으로부터 연마 패드 (93) 에 도달하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 연마 패드 (93) 를 보다 양호하게 가공 부스러기로부터 보호할 수 있다.In this configuration, by spraying machining water from the side to the grinding wheel 98 during processing by the grinding wheel 98 , the processing debris generated by the grinding wheel 98 processing the wafer 100 is the first partition plate. It can be suppressed from reaching|attaining the polishing pad 93 from the clearance gap between (11) and the 2nd partition plate 12 and the grinding wheel 98. Accordingly, the polishing pad 93 can be better protected from processing chips.

또한, 물 분출구 (16) 는, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 의 상면 대신에, 제 1 칸막이판 (11) 및 제 2 칸막이판 (12) 의 하면 혹은 내부에, 연삭 지석 (98) 을 향하여 물을 분출할 수 있도록 구비되어 있어도 된다.In addition, the water spout 16 is disposed on the lower surface or inside of the first partition plate 11 and the second partition plate 12 instead of the upper surfaces of the first partition plate 11 and the second partition plate 12, You may be provided so that water can be jetted toward the grinding wheel 98.

또, 제 1 칸막이판 (11) 의 제 1 반원 오목부 (111) 의 내측면과 제 2 칸막이판 (12) 의 제 2 반원 오목부 (121) 의 내측면에 물 분출구 (16) 를 구비해도 된다.Moreover, even if the water jet port 16 is provided on the inner surface of the 1st semi-circular recessed part 111 of the 1st partition plate 11, and the inner surface of the 2nd semi-circular recessed part 121 of the 2nd partition plate 12, do.

또, 본 실시형태에서는, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서의 연삭 지석 (98), 및, 외측의 제 2 가공구로서의 연마 패드 (93) 를 구비하고 있다. 이 연마 패드 (93) 는, CMP 연마용 혹은 드라이 연마용 중 어느 연마 패드여도 된다.Moreover, in this embodiment, the processing apparatus 1 is equipped with the grinding wheel 98 as an inner 1st processing tool, and the polishing pad 93 as an outer 2nd processing tool. The polishing pad 93 may be any polishing pad for CMP polishing or dry polishing.

또, 가공 장치 (1) 에 있어서 가능한 제 1 가공구와 제 2 가공구의 조합은, 연삭 지석 (98) 과 연마 패드 (93) 의 조합에 한정되지 않는다. 예를 들어, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서 선삭 바이트를 갖고, 외측의 제 2 가공구로서의 연마 패드 (93) 를 구비해도 된다. 혹은, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서 연삭 지석 (98) 을 갖고, 외측의 제 2 가공구로서 선삭 바이트 또는 연삭 지석 (98) 을 구비해도 된다. 혹은, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서 선삭 바이트를 갖고, 외측의 제 2 가공구로서 연삭 지석 (98) 을 구비해도 된다. 혹은, 가공 장치 (1) 는, 내측의 제 1 가공구로서 연마 패드 (93) 를 갖고, 외측의 제 2 가공구로서 선삭 바이트, 연삭 지석 (98), 또는 연마 패드 (93) 를 구비해도 된다.In addition, the combination of the 1st processing tool and 2nd processing tool which can be performed in the processing apparatus 1 is not limited to the combination of the grinding wheel 98 and the polishing pad 93. As shown in FIG. For example, the processing apparatus 1 may have a turning bite as an inner 1st processing tool, and may be equipped with the polishing pad 93 as an outer 2nd processing tool. Or the processing apparatus 1 may have the grinding wheel 98 as an inner 1st processing tool, and may be equipped with the turning byte or grinding wheel 98 as an outer 2nd processing tool. Alternatively, the processing apparatus 1 may have a turning bite as an inner 1st processing tool, and may be equipped with the grinding wheel 98 as an outer 2nd processing tool. Alternatively, the processing apparatus 1 may include the polishing pad 93 as an inner first processing tool, and may include a turning byte, a grinding wheel 98 , or a polishing pad 93 as an outer second processing tool. .

1 : 가공 장치
3 : 칼럼
5 : 제어부
100 : 웨이퍼
101 : 표면
102 : 이면
103 : 보호 테이프
10 : 칸막이 기구
11 : 제 1 칸막이판
12 : 제 2 칸막이판
111 : 제 1 반원 오목부
121 : 제 2 반원 오목부
13 : 제 1 수평 이동 기구
14 : 제 2 수평 이동 기구
16 : 물 분출구
20 : 가공실
21 : 상판
22 : 측판
23 : 전판
24 : 후판
211 : 가공구 도입공
30 : 유지 수단
31 : 척 테이블
32 : 유지면
36 : 프레임체
33 : 지지 부재
34 : 회전 수단
35 : 지지 기둥
37 : 커버 판
39 : 에어 공급원
60 : 에어 유로
40 : Y 축 방향 이동 수단
50 : 가공 이송 수단
70 : 가공 수단
71 : 스핀들 유닛
72 : 스핀들
73 : 스핀들 모터
74 : 케이싱
721 : 제 1 축부
722 : 스러스트판
723 : 제 2 축부
724 : 실린더 대경부
725 : 실린더 소경부
80 : 진퇴 기구
81 : 수용실
82 : 피스톤
83 : 피스톤 로드
84 : 가이드부
85 : 레귤레이터
86 : 에어원
90 : 환상 판
91 : 환상 마운트
92 : 플래턴
93 : 연마 패드
95 : 원판 마운트
96 : 연삭 휠
97 : 휠 기대
98 : 연삭 지석
1: processing device
3: column
5: control unit
100: wafer
101: surface
102: back side
103: protective tape
10: partition mechanism
11: first partition plate
12: second partition plate
111: first semicircular recess
121: second semicircular recess
13: first horizontal movement mechanism
14: second horizontal movement mechanism
16 : water spout
20: processing room
21: top plate
22: side plate
23: front panel
24: heavy plate
211: processing tool introduction hole
30: maintenance means
31: chuck table
32: holding surface
36: frame body
33: support member
34: rotation means
35: support column
37: cover plate
39: air supply
60: air euro
40: Y-axis direction movement means
50: processing feed means
70: processing means
71: spindle unit
72: spindle
73: spindle motor
74: casing
721: first shaft part
722: thrust plate
723: second shaft
724: cylinder large diameter part
725: cylinder small diameter part
80: advance and retreat mechanism
81: reception room
82: piston
83: piston rod
84: guide part
85: regulator
86: Air One
90: Illusion Edition
91 : annular mount
92 : platen
93: polishing pad
95: disk mount
96: grinding wheel
97 : wheel leaning
98: grinding wheel

Claims (3)

유지면에 의해 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 가공하기 위한 가공구를 구비한 가공 수단과, 그 가공 수단을 그 유지면에 수직인 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단과, 그 척 테이블과 그 가공구를 수용하는 가공실을 구비하는 가공 장치로서,
그 가공 수단은,
그 수직인 방향으로 연장하는 스핀들의 하단에 상면이 연결되고, 하면에 제 1 가공구가 장착되어 있는 제 1 마운트와,
그 제 1 마운트의 외경보다 큰 내경을 갖고, 그 제 1 마운트와 동심 (同心) 의 원환상 (圓環狀) 으로, 하면에 제 2 가공구가 장착되는 제 2 마운트와,
그 제 1 마운트와 그 제 2 마운트를 그 수직인 방향으로 상대적으로 이동시킴으로써, 그 제 1 가공구 또는 그 제 2 가공구를 선택적으로 그 유지면에 접근시키는 선택 수단을 구비하고,
그 가공실은,
그 선택 수단에 의해 그 제 2 가공구보다 그 제 1 가공구를 그 유지면에 접근시키고, 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 그 제 1 가공구에 의해 가공하고 있을 때에, 그 제 1 가공구를 둘러싸고, 그 가공실을 상하로 나누고, 그 제 1 가공구가 웨이퍼를 가공한 가공 부스러기로부터 그 제 2 가공구를 보호하는 칸막이 기구를 구비하고,
그 칸막이 기구는,
그 제 1 가공구의 외측면을 따른 제 1 반원 오목부를 구비하고, 수평 방향으로 연장하는 제 1 칸막이판과,
그 제 1 가공구의 외측면을 따라 그 제 1 반원 오목부를 마주 보는 제 2 반원 오목부를 구비하고, 수평 방향으로 연장하는 제 2 칸막이판과,
그 제 1 칸막이판을 수평 방향으로 이동시키는 제 1 수평 이동 기구와,
그 제 2 칸막이판을 수평 방향으로 이동시키는 제 2 수평 이동 기구를 구비하고,
그 제 2 가공구에 의해 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공할 때에는, 그 제 1 칸막이판과 그 제 2 칸막이판을, 서로 수평 방향으로 그 스핀들로부터 멀리 하여, 그 제 1 반원 오목부와 그 제 2 반원 오목부의 사이를 그 제 2 가공구가 통과 가능하게 하고,
그 제 1 가공구에 의해 그 유지면에 유지된 웨이퍼를 가공할 때에는, 그 제 1 칸막이판과 그 제 2 칸막이판을, 서로 수평 방향으로 그 스핀들에 가까이 하여, 그 제 1 반원 오목부와 그 제 2 반원 오목부를 연결함으로써 형성되는 원에 의해 그 제 1 가공구를 둘러싸고, 그 제 1 가공구가 웨이퍼를 가공함으로써 발생하는 가공 부스러기로부터 그 제 2 가공구를 보호하는, 가공 장치.
A processing means having a chuck table for holding a wafer by a holding surface, a processing tool for processing the wafer held on the chuck table, and a processing transfer means for processing and transferring the processing means in a direction perpendicular to the holding surface and a processing chamber for accommodating the chuck table and the processing tool, the processing apparatus comprising:
The processing means is
A first mount having an upper surface connected to the lower end of the spindle extending in the vertical direction and a first processing tool mounted on a lower surface thereof;
a second mount having an inner diameter larger than the outer diameter of the first mount and having a second processing tool mounted on the lower surface thereof in an annular shape concentric with the first mount;
selecting means for selectively bringing the first tool or the second tool closer to the holding surface thereof by relatively moving the first mount and the second mount in a vertical direction thereof;
The processing room,
By the selection means, the first processing tool is brought closer to the holding surface than the second processing tool, and when the wafer held on the holding surface is processed by the first processing tool, the first processing tool is surrounded , divides the processing chamber up and down, the first processing sphere is provided with a partition mechanism for protecting the second processing tool from the processing debris processing the wafer,
The partition mechanism is
a first partition plate having a first semicircular recess along an outer surface of the first processing tool and extending in a horizontal direction;
a second partition plate extending in a horizontal direction and having a second semi-circular recess facing the first semi-circular recess along an outer surface of the first processing tool;
a first horizontal movement mechanism for horizontally moving the first partition plate;
a second horizontal movement mechanism for moving the second partition plate in a horizontal direction;
When processing the wafer held on the holding surface by the second processing tool, the first partition plate and the second partition plate are separated from the spindle in the horizontal direction to each other, and the first semicircular recessed portion and the allowing the second processing tool to pass between the second semicircular recesses,
When processing the wafer held on the holding surface by the first processing tool, the first partition plate and the second partition plate are brought close to the spindle in the horizontal direction to each other, the first semicircular recessed portion and the A machining apparatus, wherein the first machining tool is surrounded by a circle formed by connecting the second semicircular recesses, and the first machining tool protects the second tool from machining chips generated by machining the wafer.
제 1 항에 있어서,
그 제 1 가공구는 선삭 바이트 또는 연삭 지석이고, 그 제 2 가공구는 연마 패드인, 가공 장치.
The method of claim 1,
The first processing tool is a turning bite or a grinding wheel, and the second processing tool is a polishing pad.
제 1 항에 있어서,
그 제 1 칸막이판 및 그 제 2 칸막이판에, 그 제 1 가공구를 향하여 물을 분출하는 물 분출구를 추가로 구비하는, 가공 장치.
The method of claim 1,
A processing apparatus further comprising: a water jet port for jetting water toward the first processing port on the first partition plate and the second partition plate.
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