KR20220037018A - 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법 및 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치 - Google Patents

표시 장치의 보상 데이터 생성 방법 및 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치 Download PDF

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Abstract

표시 장치의 보상 데이터 생성 방법은 표시 패널의 복수의 화소들 중 제1 타겟 화소 및 상기 제1 타겟 화소 주변의 제1 비타겟 화소들을 포함하는 제1 화소 그룹을 설정하는 단계, 상기 제1 타겟 화소를 스위칭 온(On)하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 오프(Off)한 제1 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계, 상기 제1 타겟 화소와 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제2 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계, 상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계, 및 저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계를 포함한다.

Description

표시 장치의 보상 데이터 생성 방법 및 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치{A method for generating compensation data in a display device and a device for generating compensation data in a display device}
본 발명은 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법 및 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치에 관한 것이다.
일반적으로 표시 장치는 표시 패널 및 구동부를 포함한다. 표시 패널은 복수의 스캔 라인들, 복수의 데이터 라인들 및 복수의 화소들을 포함한다. 구동부는 복수의 스캔 라인들에 스캔 출력 신호를 공급하는 스캔 구동부 및 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부를 포함한다.
일반적으로, 화소는 복수의 트랜지스터, 스토리지 캐패시터 및 유기 발광 다이오드를 포함한다. 화소들 사이의 편차(예를 들어, 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 산포)에 의해 화소들 간의 휘도의 차이가 발생하고, 휘도 차이가 얼룩으로 시인되어, 표시 장치의 화질 불량을 야기한다.
따라서, 화소들 간의 휘도 차이를 보상하기 위해 개별 화소의 휘도 보정 데이터 등의 개별 화소의 정확한 휘도 정보 획득이 필요하지만, 촬영 장치의 렌즈에 의해 개별 화소의 정확한 휘도 정보 획득이 어려울 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 정확한 개별 화소의 휘도 보정 데이터를 산출할 수 있는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 정확한 개별 화소의 휘도 보정 데이터를 산출할 수 있는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법은 표시 패널의 복수의 화소들 중 제1 타겟 화소 및 상기 제1 타겟 화소 주변의 제1 비타겟 화소들을 포함하는 제1 화소 그룹을 설정하는 단계; 상기 제1 타겟 화소를 스위칭 온(On)하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 오프(Off)한 제1 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계; 상기 제1 타겟 화소와 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제2 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계; 상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계; 및 저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계를 포함한다.
상기 제1 비타겟 화소는 상기 제1 타겟 화소와 맞닿는 화소들을 포함할 수 있다.
저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계는 상기 제1 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 1]을 산출할 수 있다.
[식 1]
L(PX44_IM1)=L(PX44(ORIGIN))-L(PX44')(여기서, L(PX44_IM1)은 제1 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(PX44(ORIGIN))은 제1 촬영 영상과 무관한 화소(PX44)의 원래 휘도값이고, L(PX44')은 PX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 NPX44들의 휘도값으로 측정된 부분(주변으로의 간섭 휘도값)을 의미한다).
저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계는 상기 제2 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 2]을 산출할 수 있다.
[식 2]
L(PX44_IM2)=L(PX44(ORIGIN))+L(NPX44')-L(PX44')(여기서, L(PX44_IM2)은 제2 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(NPX44')은 NPX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 PX44의 휘도값으로 측정된 부분(주변에 의한 간섭 휘도값)을 의미한다).
저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계는 상기 제3 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 3]을 산출할 수 있다.
[식 3]
L(PX44_IM3)= L(NPX44')(여기서, L(PX44_IM3)은 제3 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값을 의미한다).
상기 [식 1], [식 2], 및 [식 3]을 통해 L(PX44(ORIGIN)), L(NPX44'), 및 L(PX44')를 산출할 수 있다.
산출된 상기 L(PX44(ORIGIN))을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출할 수 있다.
상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계와 저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계 사이에, 상기 제1 비타겟 화소 중 하나를 제2 타겟 화소로 설정하고 상기 제2 타겟 화소와 맞닿는 화소들을 제2 비타겟 화소로 설정하는 단계가 진행될 수 있다.
상기 표시 패널의 면적은 대면적이고, 상기 표시 패널은 무기 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 제1 촬영 영상 내지 상기 제3 촬영 영상의 생성은 CMOS 카메라, 또는 CCD 카메라를 통해 수행될 수 있다.
상기 CMOS 카메라는 상기 화소들의 상대 휘도를 나타낼 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치는 표시 패널의 복수의 화소들 중 제1 타겟 화소 및 상기 제1 타겟 화소 주변의 제1 비타겟 화소들을 포함하는 제1 화소 그룹이 설정된 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치에 있어서, 상기 제1 타겟 화소를 스위칭 온(On)하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 오프(Off)한 제1 촬영 영상, 상기 제1 타겟 화소와 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제2 촬영 영상, 및 상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 생성하는 촬영부; 상기 제1 타겟 화소를 스위칭 온(On)하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 오프(Off)한 제1 촬영 영상, 상기 제1 타겟 화소와 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제2 촬영 영상, 및 상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 저장하는 영상 저장부; 및 상기 제1 촬영 영상 내지 상기 제3 촬영 영상을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 제어부를 포함한다.
상기 제1 비타겟 화소는 상기 제1 타겟 화소와 맞닿는 화소들을 포함할 수 있다.
상기 제어부는 상기 제1 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 1]을 산출할 수 있다.
[식 1]
L(PX44_IM1)=L(PX44(ORIGIN))-L(PX44')(여기서, L(PX44_IM1)은 제1 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(PX44(ORIGIN))은 제1 촬영 영상과 무관한 화소(PX44)의 원래 휘도값이고, L(PX44')은 PX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 NPX44들의 휘도값으로 측정된 부분(주변으로의 간섭 휘도값)을 의미한다).
상기 제어부는 상기 제2 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 2]을 산출할 수 있다.
[식 2]
L(PX44_IM2)=L(PX44(ORIGIN))+L(NPX44')-L(PX44')(여기서, L(PX44_IM2)은 제2 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(NPX44')은 NPX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 PX44의 휘도값으로 측정된 부분(주변에 의한 간섭 휘도값)을 의미한다).
상기 제어부는 상기 제3 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 3]을 산출할 수 있다.
[식 3]
L(PX44_IM3)= L(NPX44')(여기서, L(PX44_IM3)은 제3 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값을 의미한다).
상기 제어부는 상기 [식 1], [식 2], 및 [식 3]을 통해 L(PX44(ORIGIN)), L(NPX44'), 및 L(PX44')를 산출할 수 있다.
상기 제어부는 산출된 상기 L(PX44(ORIGIN))을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출할 수 있다.
상기 표시 패널의 면적은 대면적이고, 상기 표시 패널은 무기 발광 소자를 포함할 수 있다.
상기 촬영부는 CMOS 카메라, 또는 CCD 카메라를 포함하고, 상기 CMOS 카메라는 상기 화소들의 상대 휘도를 나타낼 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
실시예들에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법 및 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치에 의하면, 개별 화소의 정확한 휘도 보정 데이터를 산출할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 패널, 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 블록도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 타이밍 제어부를 나타낸 블록도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 일 화소의 등가 회로도이다.
도 5는 도 4의 일 화소의 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 촬영부를 통해 표시 패널의 화소들을 촬영하는 것을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 6의 촬영부의 렌즈부, 및 센서부를 확대한 단면도이다.
도 8 내지 도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법의 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계를 보여주는 평면도들이다.
도 17은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법의 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계 중 일부를 보여주는 평면도이다.
도 18은 다른 실시예에 따른 촬영부를 통해 표시 패널의 화소들을 촬영하는 것을 보여주는 사시도이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 촬영부를 통해 표시 패널의 화소들을 촬영하는 것을 보여주는 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 패널, 및 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치를 보여주는 블록도이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 동영상이나 정지영상을 표시한다. 표시 장치는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 표시 장치(10)에 포함될 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(110)의 표시 화면의 면적이 대면적으로 적용된 대형 표시 장치일 수 있다.
표시 장치는 표시 화면을 제공하는 표시 패널(110)을 포함한다. 표시 패널(110)의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 패널(110)은 도 1에 예시된 바와 같이, 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 장변들, 및 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 단변들을 포함하는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 표시 패널(110)의 장변과 단변이 만나는 모서리는 각질 수 있지만, 이에 제한되지 않고 둥글 수 있다. 다만, 표시 패널(110)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니고, 세로가 긴 직사각형, 정사각형, 기타 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 표시 패널(110)은 화상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)의 주변에 위치하는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)의 형상은 표시 패널(110)의 형상과 실질적으로 유사할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다.
복수의 화소(PX)들은 매트릭스 방식으로 배열될 수 있다. 복수의 화소(PX)들은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 각 화소(PX)는 예를 들어, 사각형 형상을 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 각 화소(PX)는 삼각형, 기타 다각형, 원형, 또는 타원형 형상을 가질 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 화소(PX)의 형상으로 사각형이 적용된 경우를 중심으로 설명한다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치(300)는 표시 패널(110)의 복수의 화소(PX)들 각각의 휘도 보정 데이터를 산출할 수 있다. 표시 패널(110)의 화소들(PX)에 동일한 입력 영상 데이터를 입력하더라도, 각 화소(PX)의 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차, 채널 이동도(Mobility)의 변화 및/또는 발광 소자의 열화 등에 의해 각 화소(PX)들의 휘도 편차가 발생할 수 있다. 따라서, 동일한 입력 영상 데이터가 입력된 개별 화소(PX)들의 휘도 값을 기초로 개별 화소(PX)들의 정확한 휘도 보정 데이터를 산출할 필요성이 있다. 특히, 일 실시예와 같이, 표시 패널(110)의 면적이 대면적인 경우, 각 화소(PX)별 휘도 편차가 클 수 있어, 이러한 필요성이 더 커질 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 촬영부를 통해 표시 패널의 화소들을 촬영하는 것을 보여주는 사시도이다. 도 7은 도 6의 촬영부의 렌즈부, 및 센서부를 확대한 단면도이다.
도 1과 함께 도 6 및 도 7을 더 참조하면, 개별 화소(PX)들의 휘도 값은 미세한 포커싱(Focusing)이 가능한 촬영부(310)를 포함하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치(300)에 의해 이루어진다. 표시 패널(110)은 도 6에 도시된 바와 같이, 표시 패널(110)의 중심부(CR) 및 중심부(CR)의 주변에 위치하는 외곽부(NCR)로 구분되고 촬영부(310)는 초점을 표시 패널(110)의 중심부(CR) 중 표시 패널(110)의 정가운데인 중심점(CP)에 맞추어 촬영할 수 있다.
촬영부(310)는 각 화소(PX)에 대응되는 광학 센서(317)들을 포함하고, 광학 센서(317)들은 동일한 입력 영상 데이터를 제공받은 화소(PX)들이 발광할 때, 광학 센서(317)들은 대응되는 각 화소(PX)들로부터 발광된 광(L)을 수광하여 화소(PX)들의 휘도 정보를 갖는 영상 이미지를 생성한다. 다만, 각 화소(PX)들로부터 발광된 광(L)은 효율적인 집광을 위해 촬영부(310)의 렌즈부(311)를 통해 굴절되어 대응되는 광학 센서(317)들로 입사되는데, 광학 센서(317)들과 렌즈부(311) 사이의 거리, 렌즈부(311)의 굴절률 등의 미세한 차이로 인해 각 화소(PX)들로부터 발광된 광(L)이 대응되는 광학 센서(317a)들로만 제공(L 중 L1에 해당)되지 않고 인접 화소(PX)들에 대응되는 광학 센서(317b)들에 제공(L 중 L2에 해당)될 수도 있다.
따라서, 이러한 한계점을 갖는 촬영부(310)를 통해 생성된 영상 이미지에 의해 나타난 각 화소(PX)의 휘도 정보는 해당 화소(PX)의 원래 휘도 정보, 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도 정보, 및 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도 정보가 모두 포함되어 있다. 따라서, 정확한 개별 화소(PX)들의 휘도 정보를 알기 힘들고, 이로 인해, 개별 화소(PX)들의 정확한 휘도 보정 데이터를 산출하기 어려울 수 있다. 촬영부(310)의 초점인 중심점(CP) 부근(중심부(CR))보다 외곽부(NCR)에서 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도량 및 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도량이 더 커질 수 있다.
다만, 일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치(300)는 상술한 촬영부(310)를 통해 생성된 영상 이미지에 의해 나타난 각 화소(PX)의 휘도 정보는 해당 화소(PX)의 원래 휘도 정보(또는 원래 휘도값), 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도 정보(또는 주변에 의한 간섭 휘도값), 및 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도 정보(또는 주변으로의 간섭 휘도값) 중 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도 정보, 및 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도 정보를 정확히 산출하여 개별 화소(PX)들의 원래 휘도 정보를 정확히 알 수 있고, 이로 인해, 개별 화소(PX)들의 정확한 휘도 보정 데이터를 생성할 수 있다.
표시 장치의 보상 데이터 생성 장치(300)의 구성에 대해 보다 구체적으로 설명하면, 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치(300)는 표시 패널(110)의 복수의 화소(PX)들을 촬영하여 촬영 영상을 생성하는 촬영부(310), 촬영부(310)로부터 생성된 촬영 영상들을 저장하는 영상 저장부(320), 및 영상 저장부(320)로부터 촬영 영상들을 제공받아 개별 화소(PX)들의 휘도 보정 데이터(C_DATA)를 산출하는 제어부(330)를 포함한다.
촬영부(310)는 카메라, 또는 센서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 촬영부(310)는 CMOS 카메라, 또는 CCD 카메라를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 촬영부(310)는 CMOS 카메라를 포함하고, CMOS 카메라를 통해 생성된 촬영 영상은 화소들의 상대 휘도를 나타낼 수 있고, 이를 통해 비용 절감이 가능할 수 있다.
영상 저장부(320)는 촬영부(310)로부터 생성된 촬영 영상들을 저장할 수 있다.
제어부(330)는 영상 저장부(320)로부터 촬영 영상들을 제공받아 개별 화소(PX)들의 정확한 휘도 보정 데이터(C_DATA)를 산출할 수 있다.
개별 화소(PX)들의 정확한 휘도 보정 데이터(C_DATA)를 산출하기 위한 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치(300) 구성들(310, 320, 330)의 구체적인 기능, 및 방법에 대해서는 도 8 내지 도 18을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 블록도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 타이밍 제어부의 블록도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(110), 스캔 구동부(140), 데이터 구동부(150), 및 타이밍 제어부(160)를 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 스캔 라인들(SL1 내지 SLn) 및 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)의 교차부마다 위치되는 n*m 개의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 스캔 구동부(140)는 제1 제어 신호(CTL1)에 기초하여 복수의 스캔 라인들(SL1 내지 SLn)을 통해 화소(PX)들에 스캔 신호를 제공할 수 있다.
데이터 구동부(150)는 제2 제어 신호(CTL2)에 기초하여 복수의 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)을 통해 화소(PX)들에 데이터 신호를 제공할 수 있다.
타이밍 제어부(160)는 제1 및 제2 제어 신호(CTL1, CTL2)를 통해 스캔 구동부(140) 및 데이터 구동부(150)를 제어할 수 있다.
나아가, 타이밍 제어부(160)는 개별 화소(PX)들의 휘도 보정 데이터(C_DATA)를 기초로 입력 영상 데이터(IN_DATA)를 보정 영상 데이터(CP_DATA)로 변환하여 데이터 구동부(150)에 제공할 수 있다.
타이밍 제어부(160)는 입력 영상 데이터(IN_DATA)를 제공받고 제1 및 제2 제어 신호(CTL1, CTL2)를 생성하는 메인 제어부(161), 개별 화소(PX)들의 휘도 보정 데이터(C_DATA)들을 저장하고 데이터 변환부(163)에 제공하는 메모리부(162), 및 메모리부(162)로부터 제공받은 개별 화소(PX)들의 휘도 보정 데이터(C_DATA)들을 기초로 입력 영상 데이터(IN_DATA)를 보정 영상 데이터(CP_DATA)로 변환하고 제공받은 제1 및 제2 제어 신호(CTL1, CTL2)를 데이터 구동부(150)에 제공하는 데이터 변환부(163)를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 패널은 무기 발광 다이오드 표시 패널일 수 있다. 해당 무기 발광 다이오드 표시 패널의 일 화소(PX)의 등가 회로도 및 일 화소(PX)의 단면도에 대해 설명한다.
도 4는 일 실시예에 따른 일 화소의 등가 회로도이다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 각 화소(PX)는 발광 다이오드(EL) 이외에, 3개의 트랜지스터(T1, T2, T3)와 1개의 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.
발광 다이오드(EL)는 제1 트랜지스터(T1)를 통해 공급되는 전류에 따라 발광한다. 발광 다이오드(EL)는 제1 전극, 제2 전극 및 이들 사이에 배치된 적어도 하나의 발광 소자를 포함한다. 상기 발광 소자는 제1 전극과 제2 전극으로부터 전달되는 전기 신호에 의해 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다.
발광 다이오드(EL)의 일 단은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 연결되고, 타 단은 제1 전압 배선(VDL)의 고전위 전압(이하, 제1 전원 전압)보다 낮은 저전위 전압(이하, 제2 전원 전압)이 공급되는 제2 전압 배선(VSL)에 연결될 수 있다. 또한, 발광 다이오드(EL)의 타 단은 제2 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 연결될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 게이트 전극과 소스 전극의 전압 차에 따라 제1 전원 전압이 공급되는 제1 전압 배선(VDL)으로부터 발광 다이오드(EL)로 흐르는 전류를 조정한다. 일 예로, 제1 트랜지스터(T1)는 발광 다이오드(EL)의 구동을 위한 구동 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제2 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 연결되고, 소스 전극은 발광 다이오드(EL)의 제1 전극에 연결되며, 드레인 전극은 제1 전원 전압이 인가되는 제1 전압 배선(VDL)에 연결될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 스캔 라인(SLn)의 스캔 신호에 의해 턴-온되어 데이터 라인(DLm)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결시킨다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 스캔 라인(SLn)에 연결되고, 소스 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결되며, 드레인 전극은 데이터 라인(DLm)에 연결될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 센싱 라인(SSL)의 센싱 신호에 의해 턴-온되어 초기화 전압 배선(VIL)을 발광 다이오드(EL)의 일 단에 연결시킨다. 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 센싱 라인(SSL)에 연결되고, 드레인 전극은 초기화 전압 배선(VIL)에 연결되며, 소스 전극은 발광 다이오드(EL)의 일 단 또는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들의 소스 전극과 드레인 전극은 상술한 바에 제한되지 않고, 그 반대의 경우일 수도 있다. 또한, 트랜지스터(T1, T2, T3)들 각각은 박막 트랜지스터(thin film transistor)로 형성될 수 있다. 또한, 도 3에서는 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들이 N 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 각 트랜지스터(T1, T2, T3)들은 P 타입 MOSFET으로 형성되거나, 일부는 N 타입 MOSFET으로, 다른 일부는 P 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전압과 소스 전압의 차전압을 저장한다.
도 4에 결부하여 도 5를 참조하면, 표시 패널은 제1 기판(11), 및 제1 기판(11) 상에 배치되는 반도체층, 복수의 도전층, 및 복수의 절연층들을 포함할 수 있다. 상기 반도체층, 도전층 및 절연층들은 각각 표시 패널의 회로층과 발광 소자층을 구성할 수 있다.
구체적으로, 제1 기판(11)은 절연 기판일 수 있다. 제1 기판(11)은 유리, 석영, 또는 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 기판(11)은 리지드(Rigid) 기판일 수 있지만, 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉시블(flexible) 기판일 수도 있다.
차광층(BML)은 제1 기판(11) 상에 배치될 수 있다. 차광층(BML)은 표시 장치(10)의 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 차광층(BML)은 광을 차단하는 재료를 포함하여, 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT)에 광이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 경우에 따라서 차광층(BML)은 생략될 수 있다.
버퍼층(12)은 차광층(BML)을 포함하여 제1 기판(11) 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 버퍼층(12)은 투습에 취약한 제1 기판(11)을 통해 침투하는 수분으로부터 화소(PX)의 제1 트랜지스터(T1)들을 보호하기 위해 제1 기판(11) 상에 형성되며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.
반도체층은 버퍼층(12) 상에 배치될 수 있다. 반도체층은 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT)을 포함할 수 있다. 반도체층은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다.
제1 게이트 절연층(13)은 반도체층 및 버퍼층(12)상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연층(13)은 반도체층을 포함하여, 버퍼층(12) 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연층(13)은 각 트랜지스터들의 게이트 절연막으로 기능할 수 있다.
제1 게이트 도전층은 제1 게이트 절연층(13) 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 도전층은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 스토리지 커패시터의 제1 용량 전극(CSE1)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(G1)은 액티브층(ACT)의 채널 영역(ACTc)과 두께 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 게이트 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 층간 절연층(15)은 제1 게이트 도전층 상에 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(15)은 제1 게이트 도전층과 그 위에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행할 수 있다.
제1 데이터 도전층은 제1 층간 절연층(15) 상에 배치될 수 있다. 제1 데이터 도전층은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)과 제1 드레인 전극(D1), 데이터 라인(DLm), 및 제2 용량 전극(CSE2)을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)과 제1 드레인 전극(D1)은 제1 층간 절연층(15)과 제1 게이트 절연층(13)을 관통하는 컨택홀을 통해 액티브층(ACT)의 도핑 영역(ACTa, ACTb)과 각각 접촉할 수 있다. 또한, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)은 또 다른 컨택홀을 통해 차광층(BML)과 전기적으로 연결될 수 있다.
데이터 라인(DLm)은 표시 장치(10)에 포함된 다른 트랜지스터(미도시)에 데이터 신호를 인가할 수 있다. 도면에서는 도시되지 않았으나, 데이터 라인(DLm)은 다른 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 연결되어 데이터 라인(DLm)에서 인가되는 신호를 전달할 수 있다.
제2 용량 전극(CSE2)은 제1 용량 전극(CSE1)과 두께 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 용량 전극(CSE2)은 제1 소스 전극(S1)과 일체화되어 연결될 수 있다.
제1 데이터 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 층간 절연층(17)은 제1 데이터 도전층 상에 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(17)은 제1 데이터 도전층과 그 위에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행할 수 있다.
제2 데이터 도전층은 제2 층간 절연층(17) 상에 배치될 수 있다. 제2 데이터 도전층은 제1 전압 배선(VDL), 제2 전압 배선(VSL), 및 제1 도전 패턴(CDP)을 포함할 수 있다. 제1 전압 배선(VDL)은 제1 트랜지스터(T1)에 공급되는 고전위 전압(또는, 제1 전원 전압)이 인가되고, 제2 전압 배선(VSL)은 제2 전극(22)에 공급되는 저전위 전압(또는, 제2 전원 전압)이 인가될 수 있다. 또한, 제2 전압 배선(VSL)은 표시 장치(10)의 제조 공정 중, 발광 소자(30)를 정렬시키기 데에 필요한 정렬 신호가 인가될 수도 있다.
제1 도전 패턴(CDP)은 제2 층간 절연층(17)에 형성된 컨택홀을 통해 제2 용량 전극(CSE2)과 연결될 수 있다. 제2 용량 전극(CSE2)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 소스 전극(S1)과 일체화될 수 있고, 제1 도전 패턴(CDP)은 제1 소스 전극(S1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 도전 패턴(CDP)은 후술하는 제1 전극(21)과도 접촉하며, 제1 트랜지스터(T1)는 제1 전압 배선(VDL)으로부터 인가되는 제1 전원 전압을 제1 도전 패턴(CDP)을 통해 제1 전극(21)으로 전달할 수 있다.
제2 데이터 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 평탄화층(19)은 제2 데이터 도전층 상에 배치될 수 있다. 제1 평탄화층(19)은 유기 절연 물질, 예를 들어 폴리 이미드(Polyimide, PI)와 같은 유기 물질을 포함하여, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.
제1 평탄화층(19) 상에는 복수의 제1 뱅크(BNL1)들, 복수의 전극(21, 22)들, 발광 소자(30), 복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2)들 및 제2 뱅크(BNL2)가 배치될 수 있다. 또한, 제1 평탄화층(19) 상에는 복수의 절연층(PAS1, PAS2, PAS3, PAS4)들이 배치될 수 있다.
복수의 제1 뱅크(BNL1)들은 제1 평탄화층(19) 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)는 제1 평탄화층(19)의 상면을 기준으로 적어도 일부가 돌출된 구조를 가질 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)의 돌출된 부분은 경사진 측면을 가질 수 있고, 발광 소자(30)에서 방출된 광은 제1 뱅크(BNL1) 상에 배치되는 전극(21, 22)에서 반사되어 제1 평탄화층(19)의 상부 방향으로 출사될 수 있다. 제1 뱅크(BNL1)는 발광 소자(30)가 배치되는 영역을 제공함과 동시에 발광 소자(30)에서 방출된 광을 상부 방향으로 반사시키는 반사격벽의 기능을 수행할 수도 있다.
복수의 전극(21, 22)들은 제1 뱅크(BNL1)와 제1 평탄화층(19) 상에 배치될 수 있다. 복수의 전극(21, 22)은 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)을 포함할 수 있다.
제1 전극(21)은 제1 컨택홀(CT1)을 통해 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극(22)은 제2 컨택홀(CT2)을 통해 제2 전압 배선(VSL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 각각 제1 뱅크(BNL1)들 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 각각 제1 뱅크(BNL1)보다 큰 폭을 갖도록 형성될 수 있다.
각 전극(21, 22)은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 전극(21, 22)은 반사율이 높은 물질로 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등과 같은 금속을 포함하거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 란타늄(La) 등을 포함하는 합금일 수 있다. 각 전극(21, 22)은 발광 소자(30)에서 방출되어 제1 뱅크(BNL1)의 측면으로 진행하는 광을 각 화소(PX)의 상부 방향으로 반사시킬 수 있다.
복수의 전극(21, 22)들은 발광 소자(30)들과 전기적으로 연결되고, 발광 소자(30)가 광을 방출하도록 소정의 전압이 인가될 수 있다. 복수의 전극(21, 22)들은 접촉 전극(CNE1, CNE2)을 통해 발광 소자(30)와 전기적으로 연결되고, 전극(21, 22)들로 인가된 전기 신호를 접촉 전극(CNE1, CNE2)을 통해 발광 소자(30)에 전달할 수 있다.
제1 전극(21)과 제2 전극(22) 중 어느 하나는 발광 소자(30)의 애노드(Anode) 전극과 전기적으로 연결되고, 다른 하나는 발광 소자(30)의 캐소드(Cathode) 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 그 반대의 경우일 수도 있다.
제1 절연층(PAS1)은 제1 평탄화층(19) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(PAS1)은 제1 뱅크(BNL1)들, 및 제1 전극(21)과 제2 전극(22)들을 덮도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 절연층(PAS1)은 제1 전극(21)과 제2 전극(22)을 부분적으로 노출하는 개구부(OP)를 포함할 수 있다. 각 개구부(OP)는 각 전극(21, 22)들 중 제1 뱅크(BNL1)의 상면에 배치된 부분을 일부 노출시킬 수 있다. 접촉 전극(CNE1, CNE2) 중 일부는 개구부(OP)를 통해 노출된 각 전극(21, 22)과 접촉할 수 있다.
제1 절연층(PAS1)은 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 사이에서 상면의 일부가 함몰되도록 단차가 형성될 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 제2 뱅크(BNL2)는 제1 뱅크(BNL1)보다 더 큰 높이를 갖도록 형성될 수 있다.
발광 소자(30)는 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 각 화소(PX)에 배치된 발광 소자(30)들은 서로 다른 물질을 포함하는 발광층을 포함하여 서로 다른 파장대의 광을 외부로 방출할 수 있다.
발광 소자(30)는 제1 뱅크(BNL1)들 사이에서 양 단부가 각 전극(21, 22) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(30)의 연장된 길이는 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 사이의 간격보다 길고, 발광 소자(30)의 양 단부가 각각 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(30)는 일 단부가 제1 전극(21) 상에 놓이고, 타 단부가 제2 전극(22) 상에 놓이도록 배치될 수 있다.
제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(30) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(30)를 감싸면서 발광 소자(30)의 양 단부가 노출되도록 발광 소자(30)의 길이보다 작은 폭을 갖고 발광 소자(30) 상에 배치될 수 있다.
제2 절연층(PAS2) 상에는 복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2)들과 제3 절연층(PAS3)이 배치될 수 있다.
복수의 접촉 전극(CNE1, CNE2)들은 각각 발광 소자(30)와 접촉할 수 있다. 제1 접촉 전극(CNE1)은 발광 소자(30)들의 일 단부와 접촉하고, 제2 접촉 전극(CNE2)은 발광 소자(30)의 타 단부와 접촉할 수 있다.
접촉 전극(CNE1, CNE2)은 투명성 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, ITO, IZO, ITZO, 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 발광 소자(30)에서 방출된 광은 접촉 전극(CNE1, CNE2)을 투과하여 전극(21, 22)들을 향해 진행할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제3 절연층(PAS3)은 제1 접촉 전극(CNE1)을 덮도록 배치될 수 있다. 제3 절연층(PAS3)은 제1 접촉 전극(CNE1)을 포함하여 제2 절연층(PAS2)을 기준으로 제1 접촉 전극(CNE1)이 배치된 일 측을 덮도록 배치될 수 있다.
제4 절연층(PAS4)은 제1 기판(11)의 표시 영역(DPA)에 전면적으로 배치될 수 있다. 제4 절연층(PAS4)은 제1 기판(11) 상에 배치된 부재들 외부 환경에 대하여 보호하는 기능을 할 수 있다. 다만, 제4 절연층(PAS4)은 생략될 수도 있다.
상술한 제1 절연층(PAS1), 제2 절연층(PAS2), 제3 절연층(PAS3) 및 제4 절연층(PAS4) 각각은 무기물 절연성 물질 또는 유기물 절연성 물질을 포함할 수 있다.
이하, 일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법에 대해 설명한다.
도 8 내지 도 16은 일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법의 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계를 보여주는 평면도들이다.
도 1 내지 도 3에 결부하여 도 8 내지 도 16을 참조하면, 촬영부(310)들이 생성하는 촬영 영상들은 도 8 내지 도 16에 예시되어 있다. 도 8 내지 도 16에서는 매트릭스 배열의 화소(PX)들을 보여준다. 화소(PX)들은 행(Rp)과 열(Cq)에 따라 배열될 수 있다. 각 화소(PX)를 행(Rp)과 열(Cq)에 따른 위치에 따라 명명(PXpq)하기로 한다.
타이밍 제어부(160)의 제2 제어 신호(CTL2)에 기초하여 화소(PX)들의 점멸(스위칭 온(On)/오프(Off))이 결정될 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 타이밍 제어부(160)는 제1 타겟 화소(T_PX) 및 제1 타겟 화소(T_PX) 주변의 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 포함하는 제1 화소 그룹(G_PX)을 설정한다. 제1 타겟 화소(T_PX)의 정확한 휘도 보정 데이터(C_DATA)가 산출될 수 있다. 제1 비타겟 화소(NT_PX)는 제1 타겟 화소(T_PX)와 상호간 휘도 간섭을 미치는 위치에 배치된 화소(PX)들로 정의하기로 한다. 제1 비타겟 화소(NT_PX)는 예를 들어, 제1 타겟 화소(NT_PX)와 맞닿는 화소(PX)들일 수 있다. 예를 들어, 제1 비타겟 화소(NT_PX)는 제1 타겟 화소(T_PX)의 제2 방향(DR2) 일측 윗변, 제1 방향(DR1) 일측 측변, 제1 방향(DR1) 타측 측변, 및 제2 방향(DR2) 타측 아랫변, 제2 방향(DR2) 일측 윗변과 제1 방향(DR1) 일측 측변이 만나는 모서리, 제2 방향(DR2) 일측 윗변과 제1 방향(DR1) 타측 측변이 만나는 모서리, 제2 방향(DR2) 타측 아랫변과 제1 방향(DR1) 일측 측변이 만나는 모서리, 및 제2 방향(DR2) 타측 아랫변과 제1 방향(DR1) 타측 측변이 만나는 모서리에 가장 인접한 화소(PX)들일 수 있다.
도 8의 굵은 선으로 구획된 화소(PX)들이 제1 타겟 화소(PX)들일 수 있다. 일 실시예에서, 제1 비타겟 화소(NT_PX)를 제1 타겟 화소(T_PX)의 제2 방향(DR2) 일측 윗변, 제1 방향(DR1) 일측 측변, 제1 방향(DR1) 타측 측변, 및 제2 방향(DR2) 타측 아랫변, 제2 방향(DR2) 일측 윗변과 제1 방향(DR1) 일측 측변이 만나는 모서리, 제2 방향(DR2) 일측 윗변과 제1 방향(DR1) 타측 측변이 만나는 모서리, 제2 방향(DR2) 타측 아랫변과 제1 방향(DR1) 일측 측변이 만나는 모서리, 및 제2 방향(DR2) 타측 아랫변과 제1 방향(DR1) 타측 측변이 만나는 모서리에 가장 인접한 화소(PX)들로 정의하였으므로, 제1 타겟 화소(T_PX)는 도 8에 예시된 바와 같이, 행(Rp)과 열(Cq)을 따라 하나의 화소(PX)(또는 제1 비타겟 화소(NT_PX))를 사이에 두고 이격되어 배열될 수 있다. 하나의 제1 타겟 화소(T_PX)와 해당 제1 타겟 화소(T_PX)의 주변의 제1 비타겟 화소(NT_PX)들은 제1 화소 그룹(G_PX)을 형성한다.
도 8의 확대도에서는 제1 타겟 화소(T_PX)로서, 제4 행(R4)과 제4 열(C4)에 위치한 화소(PX44)를, 제1 비타겟 화소(NT_PX)로서, 화소(PX44)의 주변의 화소들(PX33, PX34, PX35, PX43, PX45, PX53, PX54, PX55)을 예시하고 있다. 이하의 설명에서는 설명의 편의를 위해, 제1 타겟 화소(T_PX)로서, 제4 행(R4)과 제4 열(C4)에 위치한 화소(PX44)를, 제1 비타겟 화소(NT_PX)로서, 화소(PX44)의 주변의 화소들(PX33, PX34, PX35, PX43, PX45, PX53, PX54, PX55)을 예시하여 설명하지만, 특별히 구분할 필요가 없는 경우에는 화소(PX44)를 제외한 다른 제1 타겟 화소(T_PX)들 및 이의 제1 비타겟 화소(NT_PX)들의 경우에도 동일한 설명이 적용될 수 있다.
타이밍 제어부(160)가 제1 타겟 화소(T_PX) 및 제1 타겟 화소(T_PX) 주변의 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 포함하는 제1 화소 그룹(G_PX)을 설정한 후, 타이밍 제어부(160)는 도 8에 도시된 바와 같이 제1 타겟 화소(T_PX)를 스위칭 온하고, 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 스위칭 오프한다. 촬영부(310)는 스위칭 온된 제1 타겟 화소(T_PX) 및 스위칭 오프된 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 촬영하여 해당 제1 촬영 영상을 생성한다. 생성된 해당 촬영 영상은 영상 저장부(320)에 저장된다.
이어서, 타이밍 제어부(160)는 도 9에 도시된 바와 같이 제1 타겟 화소(T_PX) 및 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 모두 스위칭 온한다. 촬영부(310)는 스위칭 온된 제1 타겟 화소(T_PX) 및 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 촬영하여 해당 촬영 영상을 생성한다. 생성된 해당 제2 촬영 영상은 영상 저장부(320)에 저장된다.
이어서, 타이밍 제어부(160)는 도 10에 도시된 바와 같이 제1 타겟 화소(T_PX)를 스위칭 오프하고, 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 스위칭 온한다. 촬영부(310)는 스위칭 오프된 제1 타겟 화소(T_PX)와 스위칭 온된 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 촬영하여 해당 촬영 영상을 생성한다. 생성된 해당 제3 촬영 영상은 영상 저장부(320)에 저장된다.
이어서, 타이밍 제어부(160)가 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 타겟 화소(T_PX)들을 제1 타겟 화소(T_PX)들의 바로 제1 방향(DR1) 일측(도면 상 오른쪽)에 위치한 화소들로 설정(예컨대, 화소(PX45))하고, 해당 제2 타겟 화소(T_PX)들의 주변 화소들을 제2 비타겟 화소(NT_PX)들로 설정한다. 제2 타겟 화소(T_PX)와 제2 비타겟 화소(NT_PX)들은 제2 화소 그룹(G_PX)을 형성하고 제2 화소 그룹(G_PX)은 제1 화소 그룹(G_PX)으로부터 제1 방향(DR1) 일측(도면 상 오른쪽)으로 이동된 것으로 이해할 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 타이밍 제어부(160)는 도 8 내지 도 10에서 설명한 일련의 과정으로 제2 타겟 화소(T_PX)와 제2 비타겟 화소(NT_PX)들을 스위칭 온/오프하고 촬영부(310)는 해당 화소(T_PX, NT_PX)들을 촬영하고 생성된 해당 촬영 영상들(제4 내지 제6 촬영 영상)은 영상 저장부(320)에 저장된다.
이어서, 타이밍 제어부(160)가 도 13에 도시된 바와 같이, 제3 타겟 화소(T_PX)들을 제2 타겟 화소(T_PX)들의 바로 제2 방향(DR2) 타측(도면 상 아래쪽)에 위치한 화소들로 설정(예컨대, 화소(PX55))하고, 해당 제3 타겟 화소(T_PX)들의 주변 화소들을 제3 비타겟 화소(NT_PX)들로 설정한다. 제3 타겟 화소(T_PX)와 제3 비타겟 화소(NT_PX)들은 제3 화소 그룹(G_PX)을 형성하고 제3 화소 그룹(G_PX)은 제2 화소 그룹(G_PX)으로부터 제2 방향(DR2) 타측(도면 상 아래쪽)으로 이동된 것으로 이해할 수 있다.
도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 타이밍 제어부(160)는 도 8 내지 도 10에서 설명한 일련의 과정으로 제3 타겟 화소(T_PX)와 제3 비타겟 화소(NT_PX)들을 스위칭 온/오프하고 촬영부(310)는 해당 화소(T_PX, NT_PX)들을 촬영하고 생성된 해당 촬영 영상들(제7 내지 제9 촬영 영상)은 영상 저장부(320)에 저장된다.
이어서, 타이밍 제어부(160)가 도 15에 도시된 바와 같이, 제4 타겟 화소(T_PX)들을 제3 타겟 화소(T_PX)들의 바로 제1 방향(DR1) 타측(도면 상 왼쪽)에 위치한 화소들로 설정(예컨대, 화소(PX54))하고, 해당 제4 타겟 화소(T_PX)들의 주변 화소들을 제4 비타겟 화소(NT_PX)들로 설정한다. 제4 타겟 화소(T_PX)와 제4 비타겟 화소(NT_PX)들은 제4 화소 그룹(G_PX)을 형성하고 제4 화소 그룹(G_PX)은 제3 화소 그룹(G_PX)으로부터 제1 방향(DR1) 타측(도면 상 왼쪽)으로 이동된 것으로 이해할 수 있다.
도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이, 타이밍 제어부(160)는 도 8 내지 도 10에서 설명한 일련의 과정으로 제4 타겟 화소(T_PX)와 제4 비타겟 화소(NT_PX)들을 스위칭 온/오프하고 촬영부(310)는 해당 화소(T_PX, NT_PX)들을 촬영하고 생성된 해당 촬영 영상들(제10 내지 제12 촬영 영상)은 영상 저장부(320)에 저장된다.
도 8 내지 도 16에서 상술한 일련의 과정을 통해 생성된 제1 내지 제12 촬영 영상들을 통해 제어부(330)는 표시 패널(110)의 개별 화소(PX)들의 휘도 정보, 원래 휘도 정보, 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도 정보, 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도 정보, 및 해당 화소(PX)의 휘도 보정 데이터를 생성할 수 있다.
제1 내지 제3 촬영 영상들을 통해 제어부(330)가 표시 패널(110)의 개별 화소(PX)들의 휘도 정보, 원래 휘도 정보, 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도 정보, 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도 정보, 및 해당 화소(PX)의 휘도 보정 데이터를 생성하는 과정을 설명하면서, 제4 내지 제12 촬영 영상들을 통해 해당 정보 및 데이터를 생성하는 과정에 대해서는 특별히 구분할 필요가 없으면, 자세한 설명을 생략하기로 한다. 나아가, 이하에서, 제1 내지 제3 촬영 영상들을 통해 제어부(330)가 해당 정보 및 데이터를 생성하는 과정을 설명하면서, 설명의 편의를 위해 제1 타겟 화소(T_PX)를 화소(PX44)로, 제1 비타겟 화소(NT_PX)들을 화소(PX44)의 주변 화소(PX33, PX34, PX35, PX43, PX45, PX53, PX54, PX55)들로 예로 하여 설명하기로 한다.
제어부(330)는 제1 내지 제3 촬영 영상을 통해 아래의 [식 1] 내지 [식 3]을 산출한다. 아래의 [식 1] 내지 [식 3]에서 화소(PX44)의 주변 화소(PX33, PX34, PX35, PX43, PX45, PX53, PX54, PX55)들은 설명의 편의를 위해 'NPX44'로 지칭하기로 한다.
[식 1]
L(PX44_IM1)=L(PX44(ORIGIN))-L(PX44')
(여기서, L(PX44_IM1)은 제1 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(PX44(ORIGIN))은 제1 촬영 영상과 무관한 화소(PX44)의 원래 휘도값이고, L(PX44')은 PX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 NPX44들의 휘도값으로 측정된 부분(주변으로의 간섭 휘도값)을 의미한다).
[식 2]
L(PX44_IM2)=L(PX44(ORIGIN))+L(NPX44')-L(PX44')
(여기서, L(PX44_IM2)은 제2 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(NPX44')은 NPX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 PX44의 휘도값으로 측정된 부분(주변에 의한 간섭 휘도값)을 의미한다).
[식 3]
L(PX44_IM3)= L(NPX44')
(여기서, L(PX44_IM3)은 제3 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값을 의미한다).
제어부(330)는 [식 1] 내지 [식 3]을 통해, L(PX44(ORIGIN)), L(NPX44'), 및 L(PX44')를 산출할 수 있다.
제어부(330)는 [식 1] 내지 [식 3]을 통해, 산출된 L(PX44(ORIGIN))을 근거로 개별 화소(PX)들의 정확한 휘도 보정 데이터(C_DATA)를 산출할 수 있다.
도 17은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법의 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계 중 일부를 보여주는 평면도이다.
도 17을 참조하면, 제1 화소 그룹(G_PX_1)의 제1 비타겟 화소(NT_PX_1)들이 도 8의 제1 비타겟 화소(NT_PX)들 및 도 8의 제1 비타겟 화소(NT_PX)들과 인접한 화소(PX)들을 모두 포함할 수 있다. 제1 타겟 화소(T_PX)를 화소(PX44)라고 예시할 때, 제1 비타겟 화소(NT_PX_1)는 화소(PX33, PX34, PX35, PX43, PX45, PX53, PX54, PX55)뿐만 아니라, 화소(PX22~PX26, PX32, PX36, PX42, PX46, PX52, PX56, PX62~PX66)를 포함할 수 있다.
본 실시예의 제1 비타겟 화소(NT_PX_1)들의 증가는 개별 화소(PX)들의 얼룩이 심한 경우에 고려될 수 있다. 예를 들어, 도 6에서 상술한 바와 같이, 촬영부(310)의 초점인 중심점(CP) 부근(중심부(CR))보다 외곽부(NCR)에서 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도량 및 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도량이 더 커지므로, 외곽부(NCR)에 위치하는 화소(PX)들의 정확한 휘도 보정 데이터를 산출하는 경우 고려될 수 있다.
도 19는 다른 실시예에 따른 촬영부를 통해 표시 패널의 화소들을 촬영하는 것을 보여주는 사시도이다.
도 19를 참조하면, 본 실시예에 따르면, 복수개의 촬영부(310)를 이용하여 표시 패널(110)을 촬영할 수 있다는 점에서, 일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치와 상이하다.
도 6에서 상술한 바와 같이, 촬영부(310)의 초점을 중심점(CP)에 맞추고 표시 패널(110)을 촬영하는 경우 중심점(CP)과 이격된 외곽부(NCR)에서 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도량 및 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도량이 더 커져 얼룩이 잘 시인될 수 있다. 따라서, 본 실시예와 같이 복수개의 촬영부(310)를 이용하면, 중심점(CP)과 이격된 외곽부(NCR)에서 얼룩이 더 잘 시인되는 것을 줄일 수 있다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 촬영부를 통해 표시 패널의 화소들을 촬영하는 것을 보여주는 사시도이다.
도 20을 참조하면, 본 실시예에 따르면, 촬영부(310)가 스캔 카메라를 포함한다는 점에서, 일 실시예에 따른 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치와 상이하다.
도 6에서 상술한 바와 같이, 촬영부(310)의 초점을 중심점(CP)에 맞추고 표시 패널(110)을 촬영하는 경우 중심점(CP)과 이격된 외곽부(NCR)에서 인접 화소(PX)들이 해당 화소(PX)에 영향을 준 간섭 휘도량 및 해당 화소(PX)가 인접 화소(PX)들에 영향을 준 간섭 휘도량이 더 커져 얼룩이 잘 시인될 수 있다. 따라서, 본 실시예와 같이 촬영부(310)로서, 스캔 카메라를 이용하면 중심점(CP)과 이격된 외곽부(NCR)에서 얼룩이 더 잘 시인되는 것을 줄일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110: 표시 패널 300: 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치
310: 촬영부 320: 영상 저장부
330: 제어부 160: 타이밍 제어부
161: 메인 제어부 162: 메모리부
163: 데이터 변환부

Claims (20)

  1. 표시 패널의 복수의 화소들 중 제1 타겟 화소 및 상기 제1 타겟 화소 주변의 제1 비타겟 화소들을 포함하는 제1 화소 그룹을 설정하는 단계;
    상기 제1 타겟 화소를 스위칭 온(On)하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 오프(Off)한 제1 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계;
    상기 제1 타겟 화소와 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제2 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계;
    상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계; 및
    저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계를 포함하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 비타겟 화소는 상기 제1 타겟 화소와 맞닿는 화소들을 포함하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계는 상기 제1 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 1]을 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
    [식 1]
    L(PX44_IM1)=L(PX44(ORIGIN))-L(PX44')
    (여기서, L(PX44_IM1)은 제1 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(PX44(ORIGIN))은 제1 촬영 영상과 무관한 화소(PX44)의 원래 휘도값이고, L(PX44')은 PX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 NPX44들의 휘도값으로 측정된 부분(주변으로의 간섭 휘도값)을 의미한다).
  4. 제3 항에 있어서,
    저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계는 상기 제2 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 2]을 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
    [식 2]
    L(PX44_IM2)=L(PX44(ORIGIN))+L(NPX44')-L(PX44')
    (여기서, L(PX44_IM2)은 제2 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(NPX44')은 NPX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 PX44의 휘도값으로 측정된 부분(주변에 의한 간섭 휘도값)을 의미한다).
  5. 제4 항에 있어서,
    저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계는 상기 제3 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 3]을 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
    [식 3]
    L(PX44_IM3)= L(NPX44')(여기서, L(PX44_IM3)은 제3 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값을 의미한다).
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 [식 1], [식 2], 및 [식 3]을 통해 L(PX44(ORIGIN)), L(NPX44'), 및 L(PX44')를 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    산출된 상기 L(PX44(ORIGIN))을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 생성하고 저장하는 단계와 저장된 상기 제1 내지 제3 촬영 영상들을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 단계 사이에,
    상기 제1 비타겟 화소 중 하나를 제2 타겟 화소로 설정하고 상기 제2 타겟 화소와 맞닿는 화소들을 제2 비타겟 화소로 설정하는 단계가 더 진행되는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널의 면적은 대면적이고,
    상기 표시 패널은 무기 발광 소자를 포함하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 촬영 영상 내지 상기 제3 촬영 영상의 생성은 CMOS 카메라, 또는 CCD 카메라를 통해 수행되는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 CMOS 카메라는 상기 화소들의 상대 휘도를 나타내는 표시 장치의 보상 데이터 생성 방법.
  12. 표시 패널의 복수의 화소들 중 제1 타겟 화소 및 상기 제1 타겟 화소 주변의 제1 비타겟 화소들을 포함하는 제1 화소 그룹이 설정된 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치에 있어서,
    상기 제1 타겟 화소를 스위칭 온(On)하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 오프(Off)한 제1 촬영 영상,
    상기 제1 타겟 화소와 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제2 촬영 영상, 및
    상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 생성하는 촬영부;
    상기 제1 타겟 화소를 스위칭 온(On)하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 오프(Off)한 제1 촬영 영상,
    상기 제1 타겟 화소와 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제2 촬영 영상, 및
    상기 제1 타겟 화소를 스위칭 오프하고 상기 제1 비타겟 화소들을 스위칭 온한 제3 촬영 영상을 저장하는 영상 저장부; 및
    상기 제1 촬영 영상 내지 상기 제3 촬영 영상을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 제어부를 포함하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 비타겟 화소는 상기 제1 타겟 화소와 맞닿는 화소들을 포함하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 제1 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 1]을 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
    [식 1]
    L(PX44_IM1)=L(PX44(ORIGIN))-L(PX44')
    (여기서, L(PX44_IM1)은 제1 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(PX44(ORIGIN))은 제1 촬영 영상과 무관한 화소(PX44)의 원래 휘도값이고, L(PX44')은 PX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 NPX44들의 휘도값으로 측정된 부분(주변으로의 간섭 휘도값)을 의미한다).
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 제2 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 2]을 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
    [식 2]
    L(PX44_IM2)=L(PX44(ORIGIN))+L(NPX44')-L(PX44')
    (여기서, L(PX44_IM2)은 제2 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값이고, L(NPX44')은 NPX44의 휘도값으로 측정되어야할 휘도의 일부분이 PX44의 휘도값으로 측정된 부분(주변에 의한 간섭 휘도값)을 의미한다).
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 제3 촬영 영상을 기초로 하기의 [식 3]을 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
    [식 3]
    L(PX44_IM3)= L(NPX44')(여기서, L(PX44_IM3)은 제3 촬영 영상 상에서 측정된 화소(PX44)의 휘도값을 의미한다).
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 [식 1], [식 2], 및 [식 3]을 통해 L(PX44(ORIGIN)), L(NPX44'), 및 L(PX44')를 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제어부는 산출된 상기 L(PX44(ORIGIN))을 기초로 상기 제1 타겟 화소의 휘도 보정 데이터를 산출하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 표시 패널의 면적은 대면적이고,
    상기 표시 패널은 무기 발광 소자를 포함하는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
  20. 제12 항에 있어서,
    상기 촬영부는 CMOS 카메라, 또는 CCD 카메라를 포함하고,
    상기 CMOS 카메라는 상기 화소들의 상대 휘도를 나타내는 표시 장치의 보상 데이터 생성 장치.
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