KR20220036827A - Scrubber having protrude electrode, scrubber system including the same, and scrubber operating method - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a scrubber capable of preventing concentration of an arc and minimizing etching of an electrode and housing. The scrubber having a protruding electrode according to an embodiment of the present invention includes: a plasma generator for generating a plasma arc; and a reactor connected to the plasma generator and providing a decomposition space of a processing gas, wherein the plasma generator includes: an electrode to which a driving voltage is applied; and a housing surrounding the electrode and forming a discharge space, and the electrode protrudes from a lower end of the housing and can be inserted into the reactor.

Description

돌출 전극을 갖는 스크러버, 이를 포함하는 스크러버 시스템, 스크러버 구동 방법{SCRUBBER HAVING PROTRUDE ELECTRODE, SCRUBBER SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND SCRUBBER OPERATING METHOD}Scrubber having protruding electrode, scrubber system including same, scrubber driving method

본 발명은 반도체 제조 공정 등에서 발생되는 다량의 파우더와 함께 배출되는 과불화화합물(PFCs)이나 휘발성 유기화합물(VOC)을 제거하는 스크러버, 스크러버 시스템, 및 스크러버 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a scrubber, a scrubber system, and a scrubber driving method for removing perfluorinated compounds (PFCs) or volatile organic compounds (VOCs) discharged together with a large amount of powder generated in a semiconductor manufacturing process, etc.

알려진 바에 따르면, 플라즈마로 고온의 반응을 유도하거나 고온의 환경을 만들어 주기 위해, 아크 플라즈마(Arc Plasma), 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma), 용량결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) 및 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 등의 기술이 사용된다. 이 기술들은 각 기술에 따른 장점과 단점 및 플라즈마 발생을 위한 반응기에서 구조적인 차이점을 가진다.As is known, in order to induce a high-temperature reaction with plasma or to create a high-temperature environment, arc plasma, microwave plasma, capacitively coupled plasma, and inductively coupled plasma Plasma) is used. These technologies have advantages and disadvantages according to each technology and structural differences in the reactor for plasma generation.

스크러버에서 고전압으로 대전된 전극과 접지된 하우징 사이에 아크가 형성되는데, 아크로 인하여 하우징이 과도하게 식각되면 하우징이 손상되고 하우징 내부로 유통되는 냉각수가 유출되는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 전극의 하부 특정 위치에서 아크점이 유지되므로 아크의 집중에 의하여 전극이 손상되는 문제가 발생할 수 있다. An arc is formed between the electrode charged with high voltage in the scrubber and the grounded housing. If the housing is etched excessively due to the arc, the housing may be damaged and the coolant flowing into the housing may leak. In addition, since the arc point is maintained at a specific position below the electrode, the electrode may be damaged due to the concentration of the arc.

본 발명의 목적은 아크의 집중을 방지하고 전극 및 하우징의 식각을 최소화할 수 있는 스크러버를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 아크를 안정적으로 회전시킬 수 있는 스크러버를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a scrubber capable of preventing arc concentration and minimizing the etching of electrodes and housings. Another object of the present invention is to provide a scrubber capable of stably rotating an arc.

본 발명의 일 실시예에 따른 돌출 전극을 갖는 스크러버는 플라즈마 아크를 발생시키는 플라즈마 발생기, 및 상기 플라즈마 발생기와 연결되며 처리가스의 분해 공간을 제공하는 반응기를 포함하고, 상기 플라즈마 발생기는 구동 전압이 인가되는 전극, 및 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징을 포함하고, 상기 전극은 상기 하우징의 하단에서 돌출되어 상기 반응기 내부로 삽입될 수 있다.A scrubber having a protruding electrode according to an embodiment of the present invention includes a plasma generator for generating a plasma arc, and a reactor connected to the plasma generator and providing a decomposition space of a processing gas, the plasma generator having a driving voltage applied and a housing that surrounds the electrode and forms a discharge space, wherein the electrode protrudes from a lower end of the housing and can be inserted into the reactor.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 전극의 외주면에 제1 아크점이 형성되고 상기 하우징의 내면에 제2 아크점이 형성될 수 있다.A first arc point may be formed on an outer peripheral surface of the electrode according to an embodiment of the present invention, and a second arc point may be formed on an inner surface of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아크 중 일부는 상기 반응기 내부에 위치할 수 있다.A portion of the arc according to an embodiment of the present invention may be located inside the reactor.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징은 상기 전극과 제1 갭을 형성하는 제1 관부와 상기 전극과 제2 갭을 형성하는 제2 관부를 포함하며, 상기 제2 관부의 상기 제1 관부의 하부에 위치하며, 상기 제2 갭은 상기 제1 갭보다 더 크게 형성될 수 있다.The housing according to an embodiment of the present invention includes a first tube portion forming a first gap with the electrode and a second tube portion forming a second gap with the electrode, and the first tube portion of the second tube portion It is positioned below, and the second gap may be larger than the first gap.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 아크점은 상기 하우징의 내주면을 따라 이동하고, 상기 제2 아크점은 상기 전극의 외주면을 따라 이동할 수 있다.The first arc point according to an embodiment of the present invention may move along an inner circumferential surface of the housing, and the second arc point may move along an outer circumferential surface of the electrode.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징에는 과불화화합물을 포함하는 처리가스가 유입되는 제1 가스 공급구가 연결될 수 있다.A first gas supply port through which a processing gas containing a perfluorinated compound is introduced may be connected to the housing according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징에는 상기 제1 가스 공급구와 연결되며 상기 하우징의 둘레 방향으로 이어진 처리가스 통로와 하우징의 내부로 처리가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 처리가스 분사홀이 형성되고, 상기 처리가스 분사홀은 회전 유동을 유도할 수 있도록 상기 하우징의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다.In the housing according to an embodiment of the present invention, a processing gas passage connected to the first gas supply port and extending in a circumferential direction of the housing and at least one processing gas injection hole for injecting processing gas into the housing are formed, The processing gas injection hole may extend in a direction eccentric with respect to the center of the housing to induce a rotational flow.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 처리가스 분사홀들은 상기 전극의 길이방향으로 서로 다른 위치에 형성될 수 있다.The processing gas injection holes according to an embodiment of the present invention may be formed at different positions in the longitudinal direction of the electrode.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 처리가스 분사홀들은 상기 전극의 하단을 향하여 경사지게 이어져 형성될 수 있다.The processing gas injection holes according to an embodiment of the present invention may be formed to be inclined toward the lower end of the electrode.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징에는 반응가스가 유입되는 제2 가스 공급구가 형성되며, 상기 제2 가스 공급구에는 반응가스가 이동하는 제2 공급관이 연결될 수 있다.A second gas supply port through which a reactive gas is introduced is formed in the housing according to an embodiment of the present invention, and a second supply pipe through which the reactive gas moves may be connected to the second gas supply port.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 반응가스는 불활성 기체로 이루어질 수 있다.The reaction gas according to an embodiment of the present invention may be formed of an inert gas.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 제1 가스 공급구에는 처리가스가 이동하는 제1 공급관이 연결되고, 상기 제1 공급관 및 상기 제2 공급관에는 상기 제1 공급관을 통해서 이동하는 처리가스를 상기 제2 공급관으로 이동시키는 분기관이 연결될 수 있다.A first supply pipe through which the processing gas moves is connected to the first gas supply port according to an embodiment of the present invention, and the processing gas moving through the first supply pipe is supplied to the first supply pipe and the second supply pipe. 2 A branch pipe moving to the supply pipe may be connected.

본 발명의 일 실시예에 따른 초기 플라즈마 발생 시에는 상기 제2 공급구에 상기 제2 공급관을 통해서 반응가스가 공급되며, 플라즈마가 발생된 이후에는 상기 제 2 공급관으로의 반응기체 공급이 중단되고, 상기 제1 가스 공급구를 통해서 처리가스가 상기 하우징 내부로 공급될 수 있다.When the initial plasma is generated according to an embodiment of the present invention, the reactive gas is supplied to the second supply port through the second supply pipe, and after the plasma is generated, the supply of the reactive gas to the second supply pipe is stopped, A process gas may be supplied into the housing through the first gas supply port.

본 발명의 일 실시예에 따른 초기 플라즈마 발생 시에는 상기 제2 공급관을 통해서 반응가스가 공급되며, 플라즈마가 발생된 이후에는 상기 제1 가스 공급구 및 상기 제2 가스 공급구를 통해서 처리가스가 상기 하우징 내부로 공급될 수 있다.In the initial plasma generation according to an embodiment of the present invention, a reaction gas is supplied through the second supply pipe, and after plasma is generated, the processing gas is supplied through the first gas supply port and the second gas supply port. It may be supplied into the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징에는 상기 아크를 회전시키는 자석이 설치될 수 있다.A magnet for rotating the arc may be installed in the housing according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 반응기에는 상기 반응기 내부로 물을 분사하는 노즐이 설치될 수 있다.A nozzle for spraying water into the reactor may be installed in the reactor according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 시스템은, 플라즈마 아크를 발생시켜 토출하는 스크러버, 상기 스크러버로부터 가스를 전달받아 물을 분사하여 습식 처리하는 습식 처리부, 및 상기 습식 처리부에서 배출되는 가스에 물을 분사하여 습식 처리 하는 습식 타워를 포함하며, 상기 스크러버는 아크와 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생기, 및 상기 플라즈마 발생기와 연결되며 처리가스의 분해 공간을 제공하는 반응기를 포함하고, 상기 플라즈마 발생기는 구동 전압이 인가되는 전극, 및 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징을 포함하고, 상기 전극은 상기 하우징의 하단에서 돌출되어 상기 반응기 내부로 삽입될 수 있다.A scrubber system according to an embodiment of the present invention includes a scrubber generating and discharging a plasma arc, a wet treatment unit receiving gas from the scrubber and spraying water for wet treatment, and spraying water to the gas discharged from the wet treatment unit and a wet tower for wet processing, wherein the scrubber includes a plasma generator for generating an arc and plasma, and a reactor connected to the plasma generator to provide a decomposition space for the processing gas, wherein the plasma generator is applied with a driving voltage and a housing that surrounds the electrode and forms a discharge space, wherein the electrode protrudes from a lower end of the housing and can be inserted into the reactor.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 전극의 외주면에 제1 아크점이 형성되고 상기 하우징의 내면에 제2 아크점이 형성될 수 있다.A first arc point may be formed on an outer peripheral surface of the electrode according to an embodiment of the present invention, and a second arc point may be formed on an inner surface of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아크 중 일부는 상기 반응기 내부에 위치할 수 있다.A portion of the arc according to an embodiment of the present invention may be located inside the reactor.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징은 상기 전극과 제1 갭을 형성하는 제1 관부와 상기 전극과 제2 갭을 형성하는 제2 관부를 포함하며, 상기 제2 관부는 상기 제1 관부의 하부에 위치하며, 상기 제2 갭은 상기 제1 갭보다 더 크게 형성될 수 있다.The housing according to an embodiment of the present invention includes a first tube portion forming a first gap with the electrode and a second tube portion forming a second gap with the electrode, wherein the second tube portion includes the first tube portion It is positioned below, and the second gap may be larger than the first gap.

본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버 구동 방법은, 플라즈마 발생부의 전극이 접지된 하우징의 하단에서 돌출되어 전극의 외주면과 하우징의 내면 사이에 아크를 생성시키는 아크 생성 단계와, 상기 하우징의 내부로 처리가스를 회전하도록 공급하여 아크를 회전시키는 아크 회전 단계를 포함할 수 있다.A scrubber driving method according to an embodiment of the present invention includes an arc generating step of generating an arc between an outer circumferential surface of the electrode and an inner surface of the housing by protruding from a lower end of a housing in which an electrode of the plasma generating unit is grounded, and processing into the inside of the housing It may include an arc rotation step of rotating the arc by supplying the gas to rotate.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아크 생성 단계에서 상기 전극의 외주면에 제1 아크 점이 형성되고, 상기 하우징의 내주면에 제2 아크 점이 형성될 수 있다.In the arc generating step according to an embodiment of the present invention, a first arc point may be formed on an outer circumferential surface of the electrode, and a second arc point may be formed on an inner circumferential surface of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징은 상기 전극과 제1 갭을 형성하는 제1 관부와 상기 제1 갭보다 더 큰 제2 갭을 형성하는 제2 관부를 포함하며, 상기 아크 생성 단계에서 상기 제1 관부의 내주면에 제2 아크점이 형성된 후 아크의 발달에 의해 상기 제2 아크점은 상기 제2 관부로 이동할 수 있다.The housing according to an embodiment of the present invention includes a first tube portion forming a first gap with the electrode and a second tube portion forming a second gap larger than the first gap, wherein in the arc generating step, the After the second arc point is formed on the inner circumferential surface of the first pipe part, the second arc point may move to the second pipe part by the development of the arc.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아크 회전 단계에서 상기 제1 아크 점이 상기 전극의 외주면을 따라 이동하며, 상기 제2 아크 점이 상기 하우징의 내주면을 따라 이동할 수 있다.In the arc rotation step according to an embodiment of the present invention, the first arc point may move along an outer circumferential surface of the electrode, and the second arc point may move along an inner circumferential surface of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아크 생성 단계는 제1 가스 공급구로 처리가스를 공급하고, 제2 가스 공급구로 반응가스를 공급하되, 상기 아크 회전 단계는 제 2 가스 공급구로의 반응가스의 공급을 중단하고, 제1 가스 공급구로 처리가스를 계속 공급할 수 있다.In the arc generating step according to an embodiment of the present invention, the process gas is supplied to the first gas supply port and the reaction gas is supplied to the second gas supply port, and the arc rotation step is the supply of the reaction gas to the second gas supply port. may be stopped, and the process gas may be continuously supplied to the first gas supply port.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아크 회전 단계는 상기 제1 가스 공급구 및 상기 제2 가스 공급구로 처리가스를 공급할 수 있다.In the arc rotation step according to an embodiment of the present invention, the processing gas may be supplied to the first gas supply port and the second gas supply port.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 아크 생성 단계 및 상기 아크 회전 단계는 상기 제1 가스 공급구로 공급되는 처리가스를 하우징의 중심에 대하여 편심된 방향으로 분사하여 회전력을 형성하되, 상기 제1 가스 공급구로 공급되는 처리가스를 상기 전극의 길이방향으로 서로 다른 위치에 분사할 수 있다.In the arc generating step and the arc rotating step according to an embodiment of the present invention, the process gas supplied to the first gas supply port is sprayed in an eccentric direction with respect to the center of the housing to form a rotational force, but the first gas is supplied The processing gas supplied to the sphere may be sprayed to different positions in the longitudinal direction of the electrode.

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버, 스크러버 시스템, 및 스크러버 구동 방법은 전극이 하우징의 하부로 돌출되므로 전극의 외주면에 아크점이 형성되며, 아크점이 전극의 외주면을 따라 회전하여 전극 및 하우징이 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있다.As described above, in the scrubber, the scrubber system, and the scrubber driving method according to an embodiment of the present invention, an arc point is formed on the outer circumferential surface of the electrode because the electrode protrudes to the lower portion of the housing, and the arc point rotates along the outer circumferential surface of the electrode and the electrode and It is possible to prevent the housing from being etched excessively.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 하우징을 잘라본 횡단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 하우징과 전극 사이에 생성된 아크가 회전하는 것을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.1 is a view showing a scrubber system according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a first embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the housing according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing the rotation of the arc generated between the housing and the electrode according to the first embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a scrubber driving method according to the first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a second embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a third embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 발명에서, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terms used in the present invention are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present invention, terms such as 'comprising' or 'having' are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, and one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, it should be noted that in the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals as much as possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated in the accompanying drawings.

이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템에 대해서 설명한다. Hereinafter, a scrubber system according to a first embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템을 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이며, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 하우징을 잘라본 횡단면도이고, 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 하우징과 전극 사이에 생성된 아크가 회전하는 것을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a scrubber system according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a scrubber according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a first embodiment of the present invention A cross-sectional view of the housing according to the present invention, and FIG. 4 is a view showing the rotation of the arc generated between the housing and the electrode according to the first embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하여 설명하면, 본 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템(1000)은 스크러버(100), 습식 처리부(200), 습식 타워(400)를 포함할 수 있다.1 to 4 , the scrubber system 1000 according to the first embodiment may include a scrubber 100 , a wet processing unit 200 , and a wet tower 400 .

본 실시예에 따른 스크러버 시스템(1000)은 스크러버(100)에서 발생시킨 고온의 플라즈마를 이용하여 반도체 제조공정에서 발생되는 과불화화합물을 포함하는 처리가스를 열분해시킨다. 그리고, 습식 처리부(200)와 습식 타워(400)에서 열분해된 처리가스에 포함되어 있는 수용성 유해 가스와 이물 입자가 포집된 후에 무해 가스만 외부로 배출된다.The scrubber system 1000 according to the present embodiment thermally decomposes a processing gas containing a perfluoride compound generated in a semiconductor manufacturing process by using the high-temperature plasma generated by the scrubber 100 . In addition, only the harmless gas is discharged to the outside after the water-soluble harmful gas and foreign matter particles contained in the pyrolyzed processing gas in the wet processing unit 200 and the wet tower 400 are collected.

습식 처리부(200)는 노즐과 수조를 포함할 수 있으며, 스크러버(100)에서 전달된 가스에 물을 분사하여 가스에 포함된 불화수소 등의 불순물을 포집하고, 용해시킨다. 습식 타워(400)는 필터와 노즐을 포함하며, 추가적인 물 분사를 통해 미처리된 불화수소, 입자상 물질등을 습식 처리, 제거한다.The wet treatment unit 200 may include a nozzle and a water tank, and collect and dissolve impurities such as hydrogen fluoride contained in the gas by spraying water to the gas delivered from the scrubber 100 . The wet tower 400 includes a filter and a nozzle, and wet treatment and removal of untreated hydrogen fluoride, particulate matter, etc. through additional water spraying.

스크러버(100)는 고온의 플라즈마를 이용하여 처리가스를 분해하며, 플라즈마 생성기(101)와 반응기(102)를 포함할 수 있다. 플라즈마 생성기(101)는 아크와 반응가스를 이용하여 고온의 플라즈마를 생성한다. 플라즈마 생성기(101)는 구동 전압으로 대전된 전극(120)과 전극(120)을 감싸며 내부에 아크가 발생되는 방전 공간을 제공하는 하우징(110)을 포함할 수 있다.The scrubber 100 decomposes a process gas using high-temperature plasma, and may include a plasma generator 101 and a reactor 102 . The plasma generator 101 generates high-temperature plasma by using an arc and a reaction gas. The plasma generator 101 may include an electrode 120 charged with a driving voltage and a housing 110 surrounding the electrode 120 and providing a discharge space in which an arc is generated.

전극(120)은 원형의 막대 형상으로 이루어지며 내부에는 냉각수가 이동하는 냉각수 통로(121)가 형성될 수 있다. 전극(120)에는 전원(170)이 연결되며 구동전압이 인가될 수 있다. 여기서 구동전압은 아크(AC)의 형성을 위한 충분한 전압으로 이루어질 수 있다. 전원(170)은 교류 전원으로 이루어질 수 있을 뿐만 아니라 직류 전원으로 이루어질 수도 있다.The electrode 120 has a circular rod shape, and a coolant passage 121 through which coolant moves may be formed therein. A power source 170 is connected to the electrode 120 , and a driving voltage may be applied thereto. Here, the driving voltage may be a voltage sufficient to form the arc AC. The power source 170 may be formed of AC power as well as DC power.

전극(120)은 하우징(110) 내부에 삽입되어 하우징(110)의 높이방향으로 이어져 형성되며, 전극(120)에는 전극(120) 내부로 냉각수를 공급하기 위한 냉각수 유입 포트(123)와 냉각수 배출 포트(124)가 형성될 수 있다.The electrode 120 is inserted into the housing 110 to extend in the height direction of the housing 110 , and the electrode 120 has a coolant inlet port 123 for supplying coolant into the electrode 120 and a coolant discharge. A port 124 may be formed.

하우징(110)은 내부 공간을 가지며 대략 단차를 갖는 원통 형상으로 이루어질 수 있으며, 전극(120)의 외표면과 하우징(110)의 내표면 사이에서 방전갭을 형성한다. 하우징(110)은 전기적으로 접지될 수 있으며, 이를 위해서 하우징(110)의 상부에는 세라믹으로 이루어진 절연부재(117)가 설치될 수 있다. 하우징(110)의 하부에는 처리가스가 배출되는 토출구(118)가 형성된다.The housing 110 has an internal space and may have a cylindrical shape having a substantially step difference, and forms a discharge gap between the outer surface of the electrode 120 and the inner surface of the housing 110 . The housing 110 may be electrically grounded, and for this purpose, an insulating member 117 made of ceramic may be installed on the housing 110 . A discharge port 118 through which the processing gas is discharged is formed in the lower portion of the housing 110 .

하우징(110)은 전극(120)과 제1 갭(G1)을 형성하는 제1 관부(110a)와 전극(120)과 제1 갭(G1)보다 더 큰 제2 갭(G2)을 형성하는 제2 관부(110b)를 포함할 수 있다. 제2 관부(110b)는 제1 관부(110a)보다 더 큰 내경을 가지며, 제1 관부(110a)의 하부에 위치할 수 있다. 제2 갭(G2)은 제1 갭(G1)의 2배 내지 20배로 이루어질 수 있다. 또한, 제2 관부(110b)의 내경은 반응기(102)의 내경과 동일하게 형성될 수도 있다. 전극(120)은 제1 관부(110a)에서 제2 관부(110b)까지 이어지되 제2 관부(110b)의 하단보다 더 돌출된다. 제2 아크점(AP2)은 제1 관부(110a)에 형성되었다가 제2 관부(110b)로 이동할 수 있다. The housing 110 includes a first tube portion 110a that forms a first gap G1 with the electrode 120 and a second gap G2 that is larger than the electrode 120 and the first gap G1. 2 may include a tube portion (110b). The second tube portion 110b may have a larger inner diameter than the first tube portion 110a, and may be located below the first tube portion 110a. The second gap G2 may be 2 to 20 times the size of the first gap G1 . In addition, the inner diameter of the second pipe portion (110b) may be formed to be the same as the inner diameter of the reactor (102). The electrode 120 extends from the first tube portion 110a to the second tube portion 110b and protrudes further than the lower end of the second tube portion 110b. The second arc point AP2 may be formed in the first pipe part 110a and then move to the second pipe part 110b.

하우징(110)은 냉각수가 수용된 냉각부(116)를 더 포함할 수 있으며, 냉각부(116)는 하우징의 둘레 방향으로 이어져 형성되어 하우징(110)을 냉각한다. 하우징(110)에는 냉각수 입구(138)와 냉각수 출구(139)가 형성되며 냉각수 입구(138)와 냉각수 출구(139)는 냉각부(116)와 연결된다.The housing 110 may further include a cooling unit 116 in which the cooling water is accommodated, and the cooling unit 116 is formed extending in the circumferential direction of the housing to cool the housing 110 . A cooling water inlet 138 and a cooling water outlet 139 are formed in the housing 110 , and the cooling water inlet 138 and the cooling water outlet 139 are connected to the cooling unit 116 .

또한 하우징(110)에는 반응가스 분사홀(132), 처리가스 통로(134), 처리가스 분사홀(135), 제1 가스 공급구(136), 제2 가스 공급구(137)가 형성될 수 있다.In addition, a reaction gas injection hole 132 , a processing gas passage 134 , a processing gas injection hole 135 , a first gas supply hole 136 , and a second gas supply hole 137 may be formed in the housing 110 . there is.

제1 가스 공급구(136)는 제2 가스 공급구(137)의 하부에서 하우징(110)에 연결된다. 제1 가스 공급구(136)는 하우징(110) 내부로 처리가스를 유입시키며, 여기서 처리가스는 과불화화합물을 포함하는 분해대상 가스를 의미한다. 처리가스 통로(134)는 제1 가스 공급구(136)와 연결되며 하우징(110)의 둘레 방향으로 이어져 형성된다. 처리가스 분사홀(135)은 처리가스 통로(134)에서 하우징(110)의 내부로 이어져 처리가스 통로(134)와 하우징(110)의 내부 공간을 연결하여 하우징(110) 내부로 처리가스를 분사한다. 처리가스 분사홀(135)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다.The first gas supply port 136 is connected to the housing 110 under the second gas supply port 137 . The first gas supply port 136 introduces a processing gas into the housing 110 , where the processing gas refers to a decomposition target gas including a perfluorinated compound. The processing gas passage 134 is connected to the first gas supply port 136 and is formed to extend in a circumferential direction of the housing 110 . The processing gas injection hole 135 extends from the processing gas passage 134 to the inside of the housing 110 to connect the processing gas passage 134 and the inner space of the housing 110 to inject the processing gas into the housing 110 . do. The processing gas injection hole 135 may lead in an eccentric direction with respect to the center of the housing 110 to induce rotational flow.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 하우징(110)에는 복수의 처리가스 분사홀(135)이 형성되며 전극의 길이방향으로 서로 다른 위치에 형성될 수 있다. 일부의 처리가스 분사홀(135)은 다른 처리가스 분사홀(135)보다 더 하부에 위치할 수 있다. 이에 따라 처리가스가 전극(120)의 길이방향으로 서로 다른 위치에 분사되어 상부와 하부에서 각각 스월을 형성하므로 하우징(110)의 내부에서 더욱 강한 회전 유동을 형성할 수 있다.2 and 3 , a plurality of processing gas injection holes 135 are formed in the housing 110 and may be formed at different positions in the longitudinal direction of the electrode. Some of the processing gas injection holes 135 may be located lower than other processing gas injection holes 135 . Accordingly, since the processing gas is injected at different positions in the longitudinal direction of the electrode 120 to form a swirl at the upper and lower portions, respectively, a stronger rotational flow can be formed inside the housing 110 .

제2 가스 공급구(137)는 하우징(110)에 연결되며 반응가스 분사홀(132)을 통해서 하우징(110) 내부로 반응 가스를 공급한다. 여기서 반응가스는 질소 등의 불활성 가스로 이루어질 수 있으며, 반응 가스는 아크 방전 과정을 통하여 플라즈마를 형성한다.The second gas supply port 137 is connected to the housing 110 and supplies the reaction gas into the housing 110 through the reaction gas injection hole 132 . Here, the reaction gas may be made of an inert gas such as nitrogen, and the reaction gas forms plasma through an arc discharge process.

제2 가스 공급구(137)는 제1 가스 공급구(136)보다 더 상부에 위치하며, 제2 가스 공급구(137)가 연결된 부분에서 하우징(110)과 전극(120) 사이의 간격은, 제1 가스 공급구(136)가 연결된 부분에서 하우징(110)과 전극(120) 사이의 간격보다 더 작게 형성될 수 있다.The second gas supply port 137 is located higher than the first gas supply port 136, and the distance between the housing 110 and the electrode 120 at the portion where the second gas supply port 137 is connected is, The first gas supply port 136 may be formed to be smaller than the distance between the housing 110 and the electrode 120 at the connected portion.

제1 가스 공급구(136)에는 처리가스가 이동하는 제1 공급관(141)이 연결되고, 제2 가스 공급구(137)에는 반응가스가 이동하는 제2 공급관(142)이 연결된다. 또한, 제1 공급관(141) 및 제2 공급관(142)에는 제1 공급관(141)을 통해서 이동하는 처리가스를 제2 공급관(142)으로 이동시키는 분기관(143)이 연결될 수 있다. 또한, 제2 공급관(142)에는 분기관(143)과의 연결을 제어하는 제어 밸브(145)가 설치될 수 있다.The first supply pipe 141 through which the process gas moves is connected to the first gas supply port 136 , and the second supply pipe 142 through which the reaction gas moves is connected to the second gas supply port 137 . In addition, a branch pipe 143 for moving the processing gas moving through the first supply pipe 141 to the second supply pipe 142 may be connected to the first supply pipe 141 and the second supply pipe 142 . In addition, a control valve 145 for controlling the connection to the branch pipe 143 may be installed in the second supply pipe 142 .

이에 따라 초기 플라즈마 발생 시에는 제2 공급관(142) 및 제2 가스 공급구(137)를 통해서 반응가스가 공급되며, 플라즈마가 발생된 후, 안정화 되면 반응가스의 공급이 중단되고 제1 가스 공급구(136)를 통해서 처리가스가 하우징(110) 내부로 공급될 수 있다.Accordingly, when the initial plasma is generated, the reactive gas is supplied through the second supply pipe 142 and the second gas supply port 137. After the plasma is generated and stabilized, the supply of the reactive gas is stopped and the first gas supply port A process gas may be supplied into the housing 110 through the 136 .

또한 처리가스는 분기관(143)을 통해서 제2 공급관(142)으로 이동하여 제1 가스 공급구(136) 및 제2 가스 공급구(137)를 통해서 처리가스가 하우징(110) 내부로 공급될 수도 있다. 이에 따라 아크 방전으로 생성된 플라즈마에 의해 처리가스가 분해되고, 플라즈마 발생 과정에서 형성된 고온의 온도 조건에서 처리가스가 열 분해될 수 있다.In addition, the processing gas moves to the second supply pipe 142 through the branch pipe 143 , and the processing gas is supplied into the housing 110 through the first gas supply port 136 and the second gas supply port 137 . may be Accordingly, the processing gas may be decomposed by the plasma generated by the arc discharge, and the processing gas may be thermally decomposed under high temperature conditions formed during the plasma generation process.

또한, 본 제1 실시예에 따르면 처리가스 분사홀(135)이 하우징(110)의 내부에 형성되어 전극(120)의 외주면을 향해서 처리가스를 분사할 수 있다. 이에 따라 종래의 반응기(102)로 처리가스가 공급되는 경우에 비하여 플라즈마 발생부에 처리가스가 유입되어 플라즈마와 접촉하여 플라즈마 영역에 생성되는 전자 및 이온 등의 고에너지 화학종에 의한 분해와 더불어, 처리가스가 고온 영역에 있는 시간이 증가하므로 보다 효율적으로 분해될 수 있다. In addition, according to the first exemplary embodiment, the processing gas injection hole 135 is formed in the housing 110 to inject the processing gas toward the outer peripheral surface of the electrode 120 . Accordingly, as compared to the case in which the processing gas is supplied to the conventional reactor 102, the processing gas is introduced into the plasma generating unit and comes into contact with the plasma to decompose by high-energy chemical species such as electrons and ions generated in the plasma region, Since the time the process gas is in the high temperature region is increased, it can be decomposed more efficiently.

또한, 처리가스와 반응가스가 회전 운동을 유발하면서 공급되므로 처리가스와 분사가스에 의하여 아크(AC)의 회전력이 증가할 수 있다. 종래와 같이 소량의 반응가스만 공급되면 회전 유동이 약하여 아크(AC)가 제대로 회전하지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 그러나 처리가스가 하우징(110) 내부로 회전하면서 공급되면 아크(AC)를 충분히 회전시킬 수 있는 회전 유동이 형성될 수 있다.In addition, since the process gas and the reaction gas are supplied while causing rotational motion, the rotational force of the arc AC may be increased by the process gas and the injection gas. As in the prior art, when only a small amount of the reaction gas is supplied, the rotational flow is weak, so that the arc AC cannot rotate properly. However, when the processing gas is supplied while rotating into the housing 110 , a rotational flow capable of sufficiently rotating the arc AC may be formed.

한편, 전극(120)은 종래에 비하여 더 길게 형성되어 토출구(118)를 지나서 하우징(110)의 하단에서 돌출되어 반응기(102) 내부로 삽입된다. 전극(120)에 대응되는 기존 플라즈마 스크러버의 고전압 전극의 경우, 전극이 플라즈마 발생부 상류측에 위치하여 플라즈마 발생 시 아크의 접점이 토출된 고전압 전극의 말단에 고정되어 집중 되는 것과 달리, 본 발명에서는 전극(120)의 돌출에 의해 기존 고전압 전극(120)의 말단이 플라즈마 발생부 후류에 위치하여 제1 아크점(AP1)이 전극(120)의 말단에 고정되지 않고 외주면 상에서 지속적으로 회전, 이동 할 수 있게 된다. 이에 따라 도 4에 도시된 바와 같이 전극의 외주면에 제1 아크점(AP1)이 형성되고, 하우징의 내주면에 제2 아크점(AP2)이 형성될 수 있다. On the other hand, the electrode 120 is formed longer than the conventional one, passes through the outlet 118 , protrudes from the lower end of the housing 110 , and is inserted into the reactor 102 . In the case of the high voltage electrode of the existing plasma scrubber corresponding to the electrode 120, the electrode is located on the upstream side of the plasma generating unit and the arc contact is fixed and concentrated at the end of the discharged high voltage electrode when plasma is generated, but in the present invention Due to the protrusion of the electrode 120, the end of the existing high voltage electrode 120 is located at the downstream of the plasma generator, so that the first arc point AP1 is not fixed to the end of the electrode 120 but continuously rotates and moves on the outer circumferential surface. be able to Accordingly, as shown in FIG. 4 , a first arc point AP1 may be formed on the outer circumferential surface of the electrode, and a second arc point AP2 may be formed on the inner circumferential surface of the housing.

제1 아크점(AP1)은 하우징(110) 내부에 위치하거나 반응기(102) 내부로 이동할 수도 있다. 이에 따라 아크(AC)가 하부로 연장되면 아크(AC)의 하부가 반응기(102) 내부에 위치할 수 있다. 또한, 제2 아크점(AP2)은 제1 관부(110a)의 내주면에 형성된 후 아크(AC)의 발달에 의해 제2 관부(110b)로 이동할 수 있다.The first arc point AP1 may be located inside the housing 110 or may move into the reactor 102 . Accordingly, when the arc AC extends downward, the lower portion of the arc AC may be located inside the reactor 102 . In addition, after the second arc point AP2 is formed on the inner circumferential surface of the first pipe part 110a, it may move to the second pipe part 110b by the development of the arc AC.

또한, 처리가스의 회전력에 의하여 제1 아크점(AP1)은 전극(120)의 외주면을 따라 이동하고, 제2 아크점(AP2)은 하우징(110)의 내주면을 따라 이동할 수 있다. 이와 같이 2개의 아크점이 모두 회전하면 아크점의 집중에 의해 하우징(110)과 전극(120)이 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있다.Also, the first arc point AP1 may move along the outer circumferential surface of the electrode 120 and the second arc point AP2 may move along the inner circumferential surface of the housing 110 by the rotational force of the processing gas. In this way, when both arc points rotate, it is possible to prevent the housing 110 and the electrode 120 from being excessively etched by the concentration of the arc points.

반응기(102)는 대략 원통 형상으로 이루어지며 토출구(118)에 연결된다. 반응기(102)의 내부에는 처리 기체의 분해를 위한 분해 공간(CS)이 형성되며 반응기(102)의 벽면 내부에는 단열재(102a)가 설치될 수 있다.The reactor 102 has a substantially cylindrical shape and is connected to the outlet 118 . A decomposition space CS for decomposition of the process gas is formed inside the reactor 102 , and a heat insulator 102a may be installed inside the wall surface of the reactor 102 .

반응기(102)는 하우징(110)에서 배출되는 처리가스를 수용하며 처리가스는 반응기(102) 내부에서 고온의 반응 조건에 의해 더욱 분해될 수 있다. 반응기(102)에서 배출된 가스는 습식 처리부(200)로 이동한다.The reactor 102 accommodates the processing gas discharged from the housing 110 , and the processing gas may be further decomposed by reaction conditions at a high temperature inside the reactor 102 . The gas discharged from the reactor 102 moves to the wet treatment unit 200 .

이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 구동 방법에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.Hereinafter, a scrubber driving method according to a first embodiment of the present invention will be described. 5 is a flowchart illustrating a scrubber driving method according to the first embodiment of the present invention.

도 2 및 도 5를 참조하여 설명하면, 본 제1 실시예에 따른 스크러버 구동 방법은 아크(AC)를 생성시키는 아크 생성 단계(S101)와, 하우징(110)의 내부로 처리가스를 회전하도록 공급하여 아크(AC)를 회전시키는 아크 회전 단계(S102)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 5 , the scrubber driving method according to the first embodiment includes an arc generating step ( S101 ) of generating an arc ( AC ), and supplying the process gas to the inside of the housing ( 110 ) to rotate. It may include an arc rotation step (S102) of rotating the arc (AC).

아크 생성 단계(S101)는 고전압으로 대전된 전극(120)과 접지된 하우징(110)을 이용하여 전극(120)의 외주면과 하우징(110)의 내주면 사이에 아크(AC)를 생성한다. 아크 생성 단계(S101)에서 전극(120)이 하우징(110)의 하단에서 돌출되어 전극(120)의 외주면에 제1 아크점(AP1)이 형성되고, 하우징(110)의 내주면에 제2 아크점(AP2)이 형성된다. 아크 생성 단계(S101)는 제2 가스 공급구(137)로 반응가스를 공급하여 아크(AC)에 의하여 플라즈마를 발생시킨다. In the arc generating step S101 , an arc AC is generated between the outer circumferential surface of the electrode 120 and the inner circumferential surface of the housing 110 using the electrode 120 charged with a high voltage and the grounded housing 110 . In the arc generating step (S101), the electrode 120 protrudes from the lower end of the housing 110 to form a first arc point AP1 on the outer peripheral surface of the electrode 120, and a second arc point on the inner peripheral surface of the housing 110 (AP2) is formed. In the arc generating step (S101), a reaction gas is supplied to the second gas supply port 137 to generate plasma by the arc AC.

아크 회전 단계(S102)는 하우징(110)의 내부로 처리가스를 회전하도록 공급하여 아크(AC)를 회전시키며, 아크 회전 단계(S102)에서 제1 아크점(AP1)이 전극(120)의 외주면을 따라 이동하고, 제2 아크점(AP2)이 하우징(110)의 내주면을 따라 이동하여 회전하며 형성되는 아크(AC)에 의하여 도넛 형상의 아크가 형성된다. 회전하는 아크(AC) 사이를 처리가스가 통과하면서 처리가스가 분해되고 고온의 플라즈마를 더욱 형성할 수 있다. 또한, 아크 회전 단계(S102)는 반응가스의 공급을 중단하고, 제1가스 공급구(136)로 처리가스를 공급할 수 있으며, 제1 가스 공급구(136) 및 제2 가스 공급구(137)로 처리가스를 공급할 수도 있다. The arc rotation step S102 rotates the arc AC by supplying the process gas to the inside of the housing 110 to rotate, and in the arc rotation step S102 , the first arc point AP1 is the outer circumferential surface of the electrode 120 . A donut-shaped arc is formed by the arc AC formed by moving along and rotating the second arc point AP2 along the inner circumferential surface of the housing 110 . As the processing gas passes between the rotating arcs AC, the processing gas is decomposed and a high-temperature plasma can be further formed. In addition, in the arc rotation step ( S102 ), the supply of the reaction gas may be stopped, the processing gas may be supplied to the first gas supply port 136 , and the first gas supply port 136 and the second gas supply port 137 . It is also possible to supply process gas to the furnace.

또한, 아크 회전 단계(S102)는 제1 가스 공급구(136)로 공급되는 처리가스를 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 분사하여 회전력을 형성하되, 전극(120)의 길이방향으로 서로 다른 위치에 분사하여 처리가스의 회전력을 극대화할 수 있다.In addition, in the arc rotation step ( S102 ), the processing gas supplied to the first gas supply port 136 is sprayed in an eccentric direction with respect to the center of the housing 110 to form a rotational force, but in the longitudinal direction of the electrode 120 . It is possible to maximize the rotational force of the processing gas by spraying it at different locations.

이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버에 대해서 설명한다. 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a scrubber according to a second embodiment of the present invention will be described. 6 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 상기한 제1 실시예에 따른 스크러버와 유사한 구조로 이루어지므로 동일 또는 유사한 구성에 대한 중복 설명은 생략한다. Referring to FIG. 6 , the scrubber 100 according to the present embodiment has a structure similar to that of the scrubber according to the first embodiment, and thus a redundant description of the same or similar configuration will be omitted.

스크러버(100)는 플라즈마 생성기(101)와 반응기(102)를 포함하며, 플라즈마 생성기(101)는 전극(120), 하우징(110), 자석(160)을 포함할 수 있다.The scrubber 100 includes a plasma generator 101 and a reactor 102 , and the plasma generator 101 may include an electrode 120 , a housing 110 , and a magnet 160 .

전극(120)은 막대 형상으로 이루어지며 내부에는 냉각수가 이동하는 냉각수 통로(121)가 형성될 수 있다. 전극(120)은 토출구(118)를 지나서 하우징(110)의 하단에서 돌출되어 반응기(102) 내부로 삽입된다. 본 제2 실시예에 따른 전극(120)은 전극(120)의 길이의 1/5~4/5가 하우징에서 돌출될 수 있다.The electrode 120 has a rod shape, and a coolant passage 121 through which coolant moves may be formed. The electrode 120 protrudes from the lower end of the housing 110 through the outlet 118 and is inserted into the reactor 102 . In the electrode 120 according to the second embodiment, 1/5 to 4/5 of the length of the electrode 120 may protrude from the housing.

하우징(110)은 내부 공간을 갖는 대략 원통 형상으로 이루어질 수 있으며, 전극(120)의 외표면과 하우징(110)의 내표면 사이에서 방전갭을 형성한다. 하우징(110)은 전기적으로 접지될 수 있으며, 하우징(110)의 하부에는 처리가스가 배출되는 토출구(118)가 형성된다. The housing 110 may have a substantially cylindrical shape having an inner space, and a discharge gap is formed between the outer surface of the electrode 120 and the inner surface of the housing 110 . The housing 110 may be electrically grounded, and a discharge port 118 through which the processing gas is discharged is formed in the lower portion of the housing 110 .

하우징(110)은 제1 내경을 갖는 제1 관부(110a)와 제1 내경 보다 더 큰 제2 내경을 형성하는 제2 관부(110b)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 관부(110b)의 내경은 반응기(102)의 내경과 동일하게 형성될 수도 있다. 아크(AC)는 제1 관부(110a)에 형성되었다가 제2 관부(110b)로 이동할 수 있다.The housing 110 may include a first tube portion 110a having a first inner diameter and a second tube portion 110b having a second inner diameter greater than the first inner diameter. In addition, the inner diameter of the second pipe portion (110b) may be formed to be the same as the inner diameter of the reactor (102). The arc AC may be formed in the first pipe part 110a and then move to the second pipe part 110b.

하우징(110)은 냉각수가 수용된 냉각부(116)를 더 포함할 수 있으며, 냉각부(116)는 하우징의 둘레 방향으로 이어져 형성되어 하우징(110)을 냉각한다. 하우징(110)에는 냉각수의 출입을 위한 냉각수 포트(CWP)가 형성될 수 있다.The housing 110 may further include a cooling unit 116 in which the cooling water is accommodated, and the cooling unit 116 is formed extending in the circumferential direction of the housing to cool the housing 110 . A cooling water port (CWP) for entering and exiting the cooling water may be formed in the housing 110 .

또한 하우징(110)에는 처리가스 통로(134), 처리가스 분사홀(135), 제1 가스 공급구(136)가 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 반응가스가 공급되는 제2 가스 공급구를 갖지 않으며, 처리가스가 반응가스의 역할을 한다.In addition, a processing gas passage 134 , a processing gas injection hole 135 , and a first gas supply port 136 may be formed in the housing 110 . The scrubber 100 according to the present embodiment does not have a second gas supply port through which the reaction gas is supplied, and the processing gas serves as the reaction gas.

제1 가스 공급구(136)는 하우징(110)에 연결되어 하우징(110) 내부로 처리가스를 유입시킨다. 처리가스 통로(134)는 제1 가스 공급구(136)와 연결되며 하우징(110)의 둘레 방향으로 이어져 형성된다. 처리가스 분사홀(135)은 처리가스 통로(134)에서 하우징(110)의 내부로 이어져 처리가스 통로(134)와 하우징(110)의 내부 공간을 연결하여 하우징(110) 내부로 처리가스를 분사한다. 처리가스 분사홀(135)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다.The first gas supply port 136 is connected to the housing 110 to introduce a process gas into the housing 110 . The processing gas passage 134 is connected to the first gas supply port 136 and is formed to extend in a circumferential direction of the housing 110 . The processing gas injection hole 135 extends from the processing gas passage 134 to the inside of the housing 110 to connect the processing gas passage 134 and the inner space of the housing 110 to inject the processing gas into the housing 110 . do. The processing gas injection hole 135 may lead in an eccentric direction with respect to the center of the housing 110 to induce rotational flow.

또한, 전극(120)에는 외주면에서 돌출된 볼록부(120a)가 형성되며, 볼록부는 제1 가스 공급구(136)와 인접한 위치에 형성될 수 있다. 볼록부(120a)에서 최초 제1 아크점(AP1)이 형성된 후에 제1 아크점(AP1)은 하부로 이동할 수 있다.In addition, a convex portion 120a protruding from an outer circumferential surface of the electrode 120 is formed, and the convex portion may be formed at a position adjacent to the first gas supply port 136 . After the first arc point AP1 is formed in the convex portion 120a, the first arc point AP1 may move downward.

플라즈마가 생성되는 반응기(102)에는 아크(AC)의 회전을 위한 자석(160)이 설치되는데, 자석(160)은 고리 형상으로 이루어지거나 복수의 자석(160)들이 반응기(102)의 둘레 방향으로 이격 배치될 수 있다. 자석(160)이 반응기(102)의 외측에 설치되면 반응기(102) 내부에 위치하는 아크(AC)에 로렌츠의 힘이 아크(AC)에 작용하여 아크(AC)가 반응기(102) 내부에서 회전할 수 있다.A magnet 160 for rotation of the arc AC is installed in the reactor 102 in which plasma is generated, the magnet 160 is formed in a ring shape or a plurality of magnets 160 are disposed in the circumferential direction of the reactor 102 . may be spaced apart. When the magnet 160 is installed on the outside of the reactor 102 , the Lorentz force acts on the arc AC on the arc AC located inside the reactor 102 , and the arc AC rotates inside the reactor 102 . can do.

전극(120)의 외주면에 제1 아크점(AP1)이 형성되고, 하우징(110)의 내주면에 제2 아크점(AP2)이 형성되는데, 처리가스의 회전력과 자석에 의하여 제1 아크점(AP1)은 전극(120)의 외주면을 따라 이동하고, 제2 아크점(AP2)은 하우징(110)의 내주면을 따라 이동할 수 있다. 또한, 제2 아크점(AP2)은 하부로 이동하여 반응기(102) 내부에 위치할 수도 있다. 제1 아크점(AP1)은 하부로 이동하여 반응기(102) 내부에 위치할 수 있으며, 이에 따라 일부의 아크(AC)는 하우징 내에 위치하고 일부의 아크(AC)는 반응기(102) 내부에 위치할 수 있다. A first arc point AP1 is formed on the outer peripheral surface of the electrode 120 , and a second arc point AP2 is formed on the inner peripheral surface of the housing 110 , and the first arc point AP1 is formed by the rotational force of the processing gas and the magnet. ) may move along the outer circumferential surface of the electrode 120 , and the second arc point AP2 may move along the inner circumferential surface of the housing 110 . In addition, the second arc point AP2 may be located inside the reactor 102 by moving downward. The first arc point AP1 may move downward and be located inside the reactor 102 , so that a part of the arc AC may be located in the housing and a part of the arc AC may be located inside the reactor 102 . can

이와 같이 2개의 아크점이 모두 회전하면 하우징(110)과 전극(120)이 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있다. In this way, when both arc points rotate, it is possible to prevent the housing 110 and the electrode 120 from being excessively etched.

이하에서는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버에 대해서 설명한다. 도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a scrubber according to a third embodiment of the present invention will be described. 7 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a third embodiment of the present invention.

도 7을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 상기한 제1 실시예에 따른 스크러버와 유사한 구조로 이루어지므로 동일 또는 유사한 구성에 대한 중복 설명은 생략한다. Referring to FIG. 7 , since the scrubber 100 according to the present embodiment has a structure similar to that of the scrubber according to the first embodiment, a duplicate description of the same or similar configuration will be omitted.

스크러버(100)는 플라즈마 생성기(101)와 반응기(102)를 포함하며, 플라즈마 생성기(101)는 전극(120), 하우징(110)을 포함할 수 있다.The scrubber 100 includes a plasma generator 101 and a reactor 102 , and the plasma generator 101 may include an electrode 120 and a housing 110 .

전극(120)은 막대 형상으로 이루어지며 내부에는 냉각수가 이동하는 냉각수 통로(121)가 형성될 수 있다. 전극(120)은 토출구(118)를 지나서 하우징(110)의 하단에서 돌출되어 반응기(102) 내부로 삽입된다. 본 제2 실시예에 따른 전극(120)은 전극(120)의 길이의 1/10~9/10이 하우징(110)에서 돌출될 수 있다.The electrode 120 has a rod shape, and a coolant passage 121 through which coolant moves may be formed. The electrode 120 protrudes from the lower end of the housing 110 through the outlet 118 and is inserted into the reactor 102 . In the electrode 120 according to the second embodiment, 1/10 to 9/10 of the length of the electrode 120 may protrude from the housing 110 .

하우징(110)은 내부 공간을 갖는 대략 원통 형상으로 이루어질 수 있으며, 전극(120)의 외표면과 하우징(110)의 내표면 사이에서 방전갭을 형성한다. 하우징(110)은 전기적으로 접지될 수 있으며, 하우징(110)의 하부에는 처리가스가 배출되는 토출구(118)가 형성된다.The housing 110 may have a substantially cylindrical shape having an inner space, and a discharge gap is formed between the outer surface of the electrode 120 and the inner surface of the housing 110 . The housing 110 may be electrically grounded, and a discharge port 118 through which the processing gas is discharged is formed in the lower portion of the housing 110 .

하우징(110)은 전극(120)과 제1 갭(G1)을 형성하는 제1 관부(110a)와 제1 갭(G1)보다 더 큰 제2 갭(G2)을 형성하는 제2 관부(110b)를 포함할 수 있다. 제2 관부(110b)는 제1 관부(110a)보다 더 큰 내경을 가지며, 제2 갭(G2)은 제1 갭(G1)의 2배 내지 20배로 이루어질 수 있다. 반응가스 분사홀(132)은 제1 관부(110a)에 형성되고, 처리가스 분사홀(135)은 제2 관부(110b)에 형성될 수 있다. 제2 관부(110b)의 내경은 반응기(102)의 내경과 동일하게 형성될 수도 있다. 아크(AC)는 제1 관부(110a)에 형성되었다가 제2 관부(110b)로 이동할 수 있다.The housing 110 includes a first tube portion 110a that forms a first gap G1 with the electrode 120 and a second tube portion 110b that forms a second gap G2 that is larger than the first gap G1. may include The second pipe part 110b has a larger inner diameter than the first pipe part 110a, and the second gap G2 may be 2 to 20 times that of the first gap G1. The reaction gas injection hole 132 may be formed in the first pipe part 110a, and the processing gas injection hole 135 may be formed in the second pipe part 110b. The inner diameter of the second pipe portion 110b may be formed to be the same as the inner diameter of the reactor 102 . The arc AC may be formed in the first pipe part 110a and then move to the second pipe part 110b.

또한 하우징(110)에는 반응가스 통로(131), 반응가스 분사홀(132), 처리가스 통로(134), 처리가스 분사홀(135), 제1 가스 공급구(136), 제2 가스 공급구(137)가 형성될 수 있다.In addition, the housing 110 has a reaction gas passage 131 , a reaction gas injection hole 132 , a processing gas passage 134 , a processing gas injection hole 135 , a first gas supply port 136 , and a second gas supply port. (137) may be formed.

제1 가스 공급구(136)는 제2 가스 공급구(137)의 하부에서 하우징(110)에 연결된다. 제1 가스 공급구(136)는 하우징(110) 내부로 처리가스를 유입시키며, 여기서 처리가스는 과불화화합물을 포함하는 분해대상 가스를 의미한다. 처리가스 통로(134)는 제1 가스 공급구(136)와 연결되며 하우징(110)의 둘레 방향으로 이어져 형성된다. 처리가스 분사홀(135)은 처리가스 통로(134)에서 하우징(110)의 내부로 이어져 처리가스 통로(134)와 하우징(110)의 내부 공간을 연결하여 하우징(110) 내부로 처리가스를 분사한다. The first gas supply port 136 is connected to the housing 110 under the second gas supply port 137 . The first gas supply port 136 introduces a processing gas into the housing 110 , where the processing gas refers to a decomposition target gas including a perfluorinated compound. The processing gas passage 134 is connected to the first gas supply port 136 and is formed to extend in a circumferential direction of the housing 110 . The processing gas injection hole 135 extends from the processing gas passage 134 to the inside of the housing 110 to connect the processing gas passage 134 and the inner space of the housing 110 to inject the processing gas into the housing 110 . do.

처리가스 분사홀(135)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다. 일부의 처리가스 분사홀(135)은 다른 처리가스 분사홀(135)보다 더 하부에 위치할 수 있다.The processing gas injection hole 135 may lead in an eccentric direction with respect to the center of the housing 110 to induce rotational flow. Some of the processing gas injection holes 135 may be located lower than other processing gas injection holes 135 .

제2 가스 공급구(137)는 하우징(110)에 하우징(110) 내부로 반응 가스를 공급한다. 여기서 반응가스는 질소 등으로 이루어질 수 있으며, 반응 가스는 아크(AC)에 의하여 플라즈마를 형성한다.The second gas supply port 137 supplies a reaction gas to the housing 110 into the housing 110 . Here, the reaction gas may be made of nitrogen or the like, and the reaction gas forms plasma by an arc AC.

반응가스 통로(131)는 제2 가스 공급구(137)와 연결되며 하우징(110)의 둘레 방향으로 이어져 형성된다. 반응가스 분사홀(132)은 반응가스 통로(131)에서 하우징(110)의 내부로 이어져 반응가스 통로(131)와 하우징(110)의 내부 공간을 연결하여 하우징(110) 내부로 반응가스를 분사한다. 반응가스 분사홀(132)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다.The reaction gas passage 131 is connected to the second gas supply port 137 and is formed to extend in the circumferential direction of the housing 110 . The reaction gas injection hole 132 is connected from the reaction gas passage 131 to the inside of the housing 110 to connect the reaction gas passage 131 and the inner space of the housing 110 to inject the reaction gas into the housing 110 . do. The reaction gas injection hole 132 may lead in an eccentric direction with respect to the center of the housing 110 to induce rotational flow.

전극(120)의 외주면에 제1 아크점(AP1)이 형성되고, 하우징(110)의 내주면에 제2 아크점(AP2)이 형성되는데, 처리가스의 회전력에 의하여 제1 아크점(AP1)은 전극(120)의 외주면을 따라 이동하고, 제2 아크점(AP2)은 하우징(110)의 내주면을 따라 이동할 수 있다. 제1 아크점(AP1)은 하부로 이동하여 반응기(102) 내부에 위치할 수 있으며, 이에 따라 일부의 아크(AC)는 하우징 내에 위치하고 일부의 아크(AC)는 반응기(102) 내부에 위치할 수 있다. 또한, 제2 아크점(AP2)은 하부로 이동하여 반응기(102) 내부에 위치할 수도 있다.A first arc point AP1 is formed on the outer circumferential surface of the electrode 120 , and a second arc point AP2 is formed on the inner circumferential surface of the housing 110 , and the first arc point AP1 is The electrode 120 moves along the outer circumferential surface, and the second arc point AP2 may move along the inner circumferential surface of the housing 110 . The first arc point AP1 may move downward and be located inside the reactor 102 , so that a part of the arc AC may be located in the housing and a part of the arc AC may be located inside the reactor 102 . can In addition, the second arc point AP2 may be located inside the reactor 102 by moving downward.

반응기(102)는 대략 원통 형상으로 이루어지며 토출구(118)에 연결된다. 반응기(102)의 내부에는 분해 공간(CS)이 형성되며 반응기(102)의 벽면 내부에는 냉각수가 수용되는 냉각 공간(163)이 형성될 수 있다. 냉각 공간(163)에는 냉각수 유입구(161)와 냉각수 배출구(162)가 연결될 수 있다.The reactor 102 has a substantially cylindrical shape and is connected to the outlet 118 . A decomposition space CS is formed inside the reactor 102 , and a cooling space 163 in which cooling water is accommodated may be formed inside the wall surface of the reactor 102 . The cooling water inlet 161 and the cooling water outlet 162 may be connected to the cooling space 163 .

또한, 반응기(102)에는 물을 분사하는 노즐(150)이 설치될 수 있다. 노즐(150)은 분해 공간(CS)을 향하여 미량을 물을 분사하며, 물이 분사되면 분해된 처리가스가 재결합하는 것을 방지할 수 있다.In addition, a nozzle 150 for spraying water may be installed in the reactor 102 . The nozzle 150 sprays a small amount of water toward the decomposition space CS, and when water is sprayed, it is possible to prevent the decomposed process gas from recombination.

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.In the above, an embodiment of the present invention has been described, but those of ordinary skill in the art can add, change, delete or add components within the scope that does not depart from the spirit of the present invention described in the claims. It will be possible to variously modify and change the present invention by, etc., which will also be included within the scope of the present invention.

1000: 스크러버 시스템 100: 스크러버
101: 플라즈마 생성기 102: 반응기
110: 하우징 116: 냉각부
117: 절연부재 118: 토출구
120: 전극 121: 냉각수 통로
132: 반응가스 분사홀 134: 처리가스 통로
135: 처리가스 분사홀 136: 제1 가스 공급구
137: 제2 가스 공급구 138: 냉각수 입구
139: 냉각수 출구 141: 제1 공급관
142: 제2 공급관 143: 분기관
145: 제어 밸브 150: 노즐
160: 자석 200: 습식 처리부
400: 습식 타워1000: scrubber system 100: scrubber
101: plasma generator 102: reactor
110: housing 116: cooling unit
117: insulating member 118: outlet
120: electrode 121: coolant passage
132: reaction gas injection hole 134: process gas passage
135: processing gas injection hole 136: first gas supply port
137: second gas supply port 138: coolant inlet
139: cooling water outlet 141: first supply pipe
142: second supply pipe 143: branch pipe
145: control valve 150: nozzle
160: magnet 200: wet processing unit
400: wet tower

Claims (27)

플라즈마 아크를 발생시키는 플라즈마 발생기; 및
상기 플라즈마 발생기와 연결되며 처리가스의 분해 공간을 제공하는 반응기;
를 포함하고,
상기 플라즈마 발생기는 구동 전압이 인가되는 전극, 및 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징을 포함하고,
상기 전극은 상기 하우징의 하단에서 돌출되어 상기 반응기 내부로 삽입된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.a plasma generator for generating a plasma arc; and
a reactor connected to the plasma generator and providing a decomposition space of the processing gas;
including,
The plasma generator includes an electrode to which a driving voltage is applied, and a housing surrounding the electrode to form a discharge space,
The electrode is a scrubber having a protruding electrode, characterized in that it is inserted into the reactor by protruding from the lower end of the housing. 제1 항에 있어서,
상기 전극의 외주면에 제1 아크점이 형성되고 상기 하우징의 내면에 제2 아크점이 형성된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.According to claim 1,
A scrubber having a protruding electrode, characterized in that the first arc point is formed on the outer peripheral surface of the electrode and the second arc point is formed on the inner surface of the housing. 제2 항에 있어서,
상기 아크 중 일부는 상기 반응기 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.3. The method of claim 2,
A scrubber having a projecting electrode, characterized in that a portion of the arc is located inside the reactor. 제2 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 전극과 제1 갭을 형성하는 제1 관부와 상기 전극과 제2 갭을 형성하는 제2 관부를 포함하며, 상기 제2 관부는 상기 제1 관부의 하부에 위치하며, 상기 제2 갭은 상기 제1 갭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.3. The method of claim 2,
The housing includes a first tube portion forming a first gap with the electrode and a second tube portion forming a second gap with the electrode, wherein the second tube portion is located below the first tube portion, A scrubber with a protruding electrode, characterized in that the gap is larger than the first gap. 제2 항에 있어서,
상기 제1 아크점은 상기 하우징의 내주면을 따라 이동하고, 상기 제2 아크점은 상기 전극의 외주면을 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.3. The method of claim 2,
The first arc point moves along the inner circumferential surface of the housing, and the second arc point moves along the outer circumferential surface of the electrode. 제2 항에 있어서,
상기 하우징에는 과불화화합물을 포함하는 처리가스가 유입되는 제1 가스 공급구가 연결된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.3. The method of claim 2,
A scrubber having a protruding electrode, characterized in that the housing is connected to a first gas supply port through which a processing gas containing a perfluorinated compound is introduced. 제6 항에 있어서,
상기 하우징에는 상기 제1 가스 공급구와 연결되며 상기 하우징의 둘레 방향으로 이어진 처리가스 통로와 하우징의 내부로 처리가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 처리가스 분사홀이 형성되고, 상기 처리가스 분사홀은 회전 유동을 유도할 수 있도록 상기 하우징의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어진 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.7. The method of claim 6,
The housing includes a processing gas passage connected to the first gas supply port and extending in a circumferential direction of the housing, and at least one processing gas injection hole for injecting processing gas into the housing, wherein the processing gas injection hole rotates. A scrubber having a protruding electrode, characterized in that it extends in an eccentric direction with respect to the center of the housing so as to induce a. 제7 항에 있어서,
상기 처리가스 분사홀들은 상기 전극의 길이방향으로 서로 다른 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.8. The method of claim 7,
The scrubber having a protruding electrode, characterized in that the processing gas injection holes are formed at different positions in the longitudinal direction of the electrode. 제8 항에 있어서,
상기 처리가스 분사홀들은 상기 전극의 하단을 향하여 경사지게 이어져 형성된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.9. The method of claim 8,
The scrubber having a protruding electrode, characterized in that the processing gas injection holes are formed to be inclined toward the lower end of the electrode. 제7 항에 있어서,
상기 하우징에는 반응가스가 유입되는 제2 가스 공급구가 형성되며, 상기 제2 가스 공급구에는 반응가스가 이동하는 제2 공급관이 연결된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.8. The method of claim 7,
A second gas supply port through which a reaction gas is introduced is formed in the housing, and a second supply pipe through which the reaction gas moves is connected to the second gas supply port. 제10 항에 있어서,
상기 반응가스는 불활성 기체로 이루어진 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.11. The method of claim 10,
The reaction gas is a scrubber having a projecting electrode, characterized in that made of an inert gas. 제10 항에 있어서,
상기 제1 가스 공급구에는 처리가스가 이동하는 제1 공급관이 연결되고, 상기 제1 공급관 및 상기 제2 공급관에는 상기 제1 공급관을 통해서 이동하는 처리가스를 상기 제2 공급관으로 이동시키는 분기관이 연결된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버. 11. The method of claim 10,
A first supply pipe through which the processing gas moves is connected to the first gas supply port, and a branch pipe for moving the processing gas moving through the first supply pipe to the second supply pipe is connected to the first supply pipe and the second supply pipe. A scrubber having a projecting electrode, characterized in that connected. 제12 항에 있어서,
초기 플라즈마 발생 시에는 상기 제2 공급구에 상기 제2 공급관을 통해서 반응가스가 공급되며, 플라즈마가 발생된 이후에는 상기 제 2 공급관으로의 반응기체 공급이 중단되고, 상기 제1 가스 공급구를 통해서 처리가스가 상기 하우징 내부로 공급되는 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.13. The method of claim 12,
When the initial plasma is generated, a reactive gas is supplied to the second supply port through the second supply pipe, and after plasma is generated, the supply of the reactive gas to the second supply pipe is stopped, and through the first gas supply port A scrubber having a protruding electrode, characterized in that the processing gas is supplied into the housing. 제12 항에 있어서,
초기 플라즈마 발생 시에는 상기 제2 공급관을 통해서 반응가스가 공급되며, 플라즈마가 발생된 이후에는 상기 제1 가스 공급구 및 상기 제2 가스 공급구를 통해서 처리가스가 상기 하우징 내부로 공급되는 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.13. The method of claim 12,
When the initial plasma is generated, the reaction gas is supplied through the second supply pipe, and after the plasma is generated, the processing gas is supplied into the housing through the first gas supply port and the second gas supply port. A scrubber having a protruding electrode. 제1 항에 있어서,
상기 하우징에는 상기 아크를 회전시키는 자석이 설치된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.According to claim 1,
A scrubber having a protruding electrode, characterized in that a magnet for rotating the arc is installed in the housing. 제1 항에 있어서,
상기 반응기에는 상기 반응기 내부로 물을 분사하는 노즐이 설치된 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.According to claim 1,
A scrubber having a protruding electrode, characterized in that the reactor is provided with a nozzle for spraying water into the reactor. 플라즈마 아크를 발생시켜 토출하는 스크러버;
상기 스크러버로부터 가스를 전달받아 물을 분사하여 습식 처리하는 습식 처리부; 및
상기 습식 처리부에서 배출되는 가스에 물을 분사하여 습식 처리 하는 습식 타워;를 포함하며,
상기 스크러버는 아크와 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생기, 및 상기 플라즈마 발생기와 연결되며 처리가스의 분해 공간을 제공하는 반응기를 포함하고,
상기 플라즈마 발생기는 구동 전압이 인가되는 전극, 및 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징을 포함하고,
상기 전극은 상기 하우징의 하단에서 돌출되어 상기 반응기 내부로 삽입된 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.Scrubber for discharging by generating a plasma arc;
a wet processing unit receiving the gas from the scrubber and spraying water for wet processing; and
Including; a wet tower for wet treatment by spraying water on the gas discharged from the wet treatment unit;
The scrubber comprises a plasma generator for generating an arc and plasma, and a reactor connected to the plasma generator and providing a decomposition space of the processing gas,
The plasma generator includes an electrode to which a driving voltage is applied, and a housing surrounding the electrode to form a discharge space,
The electrode is a scrubber system, characterized in that it protrudes from the lower end of the housing and is inserted into the reactor. 제17 항에 있어서,
상기 전극의 외주면에 제1 아크점이 형성되고 상기 하우징의 내면에 제2 아크점이 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.18. The method of claim 17,
A scrubber system, characterized in that the first arc point is formed on the outer peripheral surface of the electrode and the second arc point is formed on the inner surface of the housing. 제18 항에 있어서,
상기 아크 중 일부는 상기 반응기 내부에 위치하는 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.19. The method of claim 18,
A scrubber having a projecting electrode, characterized in that a portion of the arc is located inside the reactor. 제18 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 전극과 제1 갭을 형성하는 제1 관부와 상기 전극과 제2 갭을 형성하는 제2 관부를 포함하며, 상기 제2 관부는 상기 제1 관부의 하부에 위치하며, 상기 제2 갭은 상기 제1 갭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 돌출 전극을 갖는 스크러버.19. The method of claim 18,
The housing includes a first tube portion forming a first gap with the electrode and a second tube portion forming a second gap with the electrode, wherein the second tube portion is located below the first tube portion, A scrubber with a protruding electrode, characterized in that the gap is larger than the first gap. 플라즈마 발생부의 전극이 접지된 하우징의 하단에서 돌출되어 전극의 외주면과 하우징의 내면 사이에 아크를 생성시키는 아크 생성 단계와,
상기 하우징의 내부로 처리가스를 회전하도록 공급하여 아크를 회전시키는 아크 회전 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버 구동 방법.An arc generating step in which the electrode of the plasma generating unit protrudes from the lower end of the grounded housing to generate an arc between the outer peripheral surface of the electrode and the inner surface of the housing;
and an arc rotation step of rotating the arc by supplying the process gas to the inside of the housing to rotate. 제21 항에 있어서,
상기 아크 생성 단계에서 상기 전극의 외주면에 제1 아크 점이 형성되고, 상기 하우징의 내주면에 제2 아크 점이 형성되는 것을 특징으로 하는 스크러버 구동 방법.22. The method of claim 21,
In the arc generating step, a first arc point is formed on an outer circumferential surface of the electrode, and a second arc point is formed on an inner circumferential surface of the housing. 제16 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 전극과 제1 갭을 형성하는 제1 관부와 상기 제1 갭보다 더 큰 제2 갭을 형성하는 제2 관부를 포함하며,
상기 아크 생성 단계에서 상기 제1 관부의 내주면에 제2 아크점이 형성된 후 아크의 발달에 의해 상기 제2 아크점은 상기 제2 관부로 이동하는 것을 특징으로 하는 스크러버 구동 방법.17. The method of claim 16,
The housing includes a first tube portion forming a first gap with the electrode and a second tube portion forming a second gap larger than the first gap,
After the second arc point is formed on the inner circumferential surface of the first pipe in the arc generating step, the second arc point moves to the second pipe by arc development. 제22 항에 있어서,
상기 아크 회전 단계에서 상기 제1 아크 점이 상기 전극의 외주면을 따라 이동하며, 상기 제2 아크 점이 상기 하우징의 내주면을 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 스크러버 구동 방법.23. The method of claim 22,
In the arc rotation step, the first arc point moves along the outer circumferential surface of the electrode, and the second arc point moves along the inner circumferential surface of the housing. 제15 항에 있어서,
상기 아크 생성 단계는 제1 가스 공급구로 처리가스를 공급하고, 제2 가스 공급구로 반응가스를 공급하되, 상기 아크 회전 단계는 상기 제 2 가스 공급구로의 반응가스의 공급을 중단하고, 상기 제1 가스 공급구로 처리가스를 계속 공급하는 것을 특징으로 하는 스크러버 구동 방법.16. The method of claim 15,
In the arc generating step, a process gas is supplied to a first gas supply port and a reaction gas is supplied to a second gas supply port, but the arc rotation step stops the supply of the reaction gas to the second gas supply port, and the first A scrubber driving method, characterized in that the process gas is continuously supplied to the gas supply port. 제25 항에 있어서,
상기 아크 회전 단계는 상기 제1 가스 공급구 및 상기 제2 가스 공급구로 처리가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 스크러버 구동 방법.26. The method of claim 25,
In the arc rotation step, the scrubber driving method, characterized in that supplying the processing gas to the first gas supply port and the second gas supply port. 제21 항에 있어서,
상기 아크 생성 단계 및 상기 아크 회전 단계는 상기 제1 가스 공급구로 공급되는 처리가스를 하우징의 중심에 대하여 편심된 방향으로 분사하여 회전력을 형성하되, 상기 제1 가스 공급구로 공급되는 처리가스를 상기 전극의 길이방향으로 서로 다른 위치에 분사하는 것을 특징으로 하는 스크러버 구동 방법.22. The method of claim 21,
In the arc generating step and the arc rotating step, the processing gas supplied to the first gas supply port is sprayed in an eccentric direction with respect to the center of the housing to form a rotational force, and the processing gas supplied to the first gas supply port is applied to the electrode A scrubber driving method, characterized in that spraying at different positions in the longitudinal direction of the.
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