KR101177283B1 - Plasma torch for treating waste air of chemical vapor deposition processing - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치를 개시한다. 본 발명의 일 측면에 따른 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치는, 내부에 캐소드냉각홀이 형성되고, 하단이 평평하게 형성되는 캐소드 전극체와, 상기 캐소드 전극체의 상부를 감싸되, 상기 캐소드 전극체의 측면에는 워킹가스가 유입되는 워킹가스유입구가 형성되고, 상기 캐소드냉각홀과 연결되어 냉각수가 유통되는 유로가 형성된 상부 커버와, 상기 상부 커버의 하부에 배치되되, 내부에는 상기 유로로 유입된 냉각수가 유동하는 냉각홀이 형성되며, 하부에는 냉각수를 외부로 배출하는 배출구가 구비된 몸체와, 상기 몸체의 중앙에는 상기 냉각홀이 밀폐되도록 결합되고, 상기 캐소드 전극체의 하단에서 형성되는 플라즈마의 와류를 생성하는 와류생성부를 구비하는 원통형 애노드 전극체를 포함한다. The present invention discloses a plasma torch for waste gas treatment of chemical vapor deposition processes. Plasma torch for waste gas treatment in the chemical vapor deposition process according to an aspect of the present invention, the cathode cooling hole is formed therein, the lower end of the cathode electrode body is formed to be flat, the upper portion of the cathode electrode body, A working gas inlet through which a working gas flows is formed at a side of the cathode electrode body, and is connected to the cathode cooling hole, and an upper cover having a flow path through which cooling water is distributed, and disposed below the upper cover. Cooling holes flowing to the cooling water flows are formed, the lower body is provided with a discharge port for discharging the cooling water to the outside, the center of the body is coupled to seal the cooling holes, formed at the bottom of the cathode electrode body It includes a cylindrical anode electrode body having a vortex generating unit for generating a vortex of the plasma to be.
Description
본 발명은 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma torch for waste gas treatment, and more particularly, to a plasma torch for waste gas treatment in a chemical vapor deposition process.
용접, 절단, 표면처리, 폐기물 연소 등을 목적으로 특정 부분에 고열을 가하는 토치는 연소되는 연료의 형태에 따라서 다양한 구조로 제공되고 있다. 또한, 최근에는 두 개의 전극 사이에 고압의 전류가 인가되어 만들어진 플라즈마 상태에서 워킹 가스(질소, 산소, 수소, 아르곤, 헬륨, 메탄, 프로판 등)를 공급함으로써 보다 높은 연속열을 얻을 수 있도록 하는 플라즈마 토치가 널리 보급 사용되고 있는 실정이다. Torch that applies high heat to a specific part for the purpose of welding, cutting, surface treatment, waste combustion, etc. is provided in various structures depending on the type of fuel to be burned. In recent years, a plasma torch which supplies higher working heat (nitrogen, oxygen, hydrogen, argon, helium, methane, propane, etc.) in a plasma state in which a high voltage is applied between two electrodes. Is widely used.
특히, 반도체의 제조공정에 있어서 불소화합물 등 유해한 폐가스를 친환경적으로 처리, 배출하기 위해서는 10,000℃이상의 고온이 요구되는데, 불소화합물에는 PFC(PerFluoro Compound) 가스가 포함될 수 있다. In particular, high temperatures of 10,000 ° C. or higher are required to environmentally treat and discharge harmful waste gases such as fluorine compounds in the semiconductor manufacturing process, and the fluorine compounds may include PFC (PerFluoro Compound) gas.
이때, PFC 가스의 경우 국제 교토의정서에 의하여 2013년부터 우리나라도 규제대상이 될 수 있다. 따라서 폐가스에서 PFC 가스를 효율적이고 신속하게 처리하는 것이 중요한 문제이다. At this time, in the case of PFC gas, Korea may also be regulated from 2013 according to the International Kyoto Protocol. Therefore, the efficient and rapid treatment of PFC gas in waste gas is an important issue.
본 발명의 실시예들은 플라즈마를 효과적으로 발생시킴으로써 폐가스에 포함된 불소화합물을 효율적으로 분해하여 제거하는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치를 제공하고자 한다. Embodiments of the present invention are to provide a plasma torch for the waste gas treatment of the chemical vapor deposition process to effectively decompose and remove the fluorine compound contained in the waste gas by generating a plasma effectively.
본 발명의 일 측면은, 내부에 캐소드냉각홀이 형성되고, 하단이 평평하게 형성되는 캐소드 전극체와, 상기 캐소드 전극체의 상부를 감싸되, 상기 캐소드냉각홀과 연결되어 냉각수가 유통되는 유로가 형성된 상부 커버와, 상기 상부 커버의 하부에 배치되되, 내부에는 상기 유로로 유입된 냉각수가 유동하는 냉각홀이 형성되며, 하부에는 냉각수를 외부로 배출하는 배출구가 구비된 몸체와, 상기 몸체의 중앙에는 상기 냉각홀이 밀폐되도록 결합되고, 상기 캐소드 전극체의 하단에서 형성되는 플라즈마의 와류를 생성하는 와류생성부를 구비하는 원통형 애노드 전극체를 포함하는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치를 제공할 수 있다.In one aspect of the present invention, a cathode cooling hole is formed therein, a cathode electrode body having a lower end formed flat, and an upper portion of the cathode electrode body wrapped around the flow path through which the cooling water is connected to the cathode cooling hole is distributed. A formed upper cover and a lower portion of the upper cover, wherein a cooling hole through which the coolant flows into the flow path is formed, and a lower portion of the lower cover is provided with a discharge port for discharging the coolant to the outside; The plasma torch is coupled to seal the cooling hole and provides a plasma torch for treating waste gas in a chemical vapor deposition process including a cylindrical anode electrode body having a vortex generating unit for generating a vortex of plasma formed at a lower end of the cathode electrode body. can do.
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또한, 상기 캐소드 전극체의 상단의 단면적과 상기 하단의 단면적이 상이하게 형성될 수 있다.In addition, the cross-sectional area of the upper end of the cathode electrode body and the lower end may be formed differently.
또한, 상기 하단의 단면적은 상기 상단의 단면적보다 크게 형성될 수 있다.In addition, the cross-sectional area of the lower end may be larger than the cross-sectional area of the upper end.
또한, 상기 캐소드 전극체 하단은 상기 캐소드 전극체의 원주방향으로 확장되도록 형성될 수 있다.In addition, a lower end of the cathode electrode body may be formed to extend in the circumferential direction of the cathode electrode body.
또한, 상기 캐소드 전극체의 하단은 중앙부분이 인입되도록 형성될 수 있다.In addition, the lower end of the cathode electrode body may be formed so that the center portion is introduced.
또한, 상기 상부 커부와 상기 몸체 사이에 배치되어 상기 상부 커버 및 상기 몸체에 체결되는 제 1 인슐레이션부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a first insulation portion disposed between the upper keel portion and the body and fastened to the upper cover and the body.
또한, 상기 제 1 인슐레이션부는 상기 캐소드 전극체의 측면으로 워킹가스를 유입시키는 워킹가스유입구를 구비할 수 있다.The first insulation part may include a working gas inlet for introducing a working gas into a side surface of the cathode electrode body.
또한, 상기 워킹가스유입구는 복수개로 형성되고, 상기 복수개의 워킹가스유입구는 서로 반대방향으로 상기 워킹가스를 분사할 수 있다.In addition, the plurality of working gas inlets may be formed, and the plurality of working gas inlets may inject the working gas in opposite directions to each other.
또한, 상기 제 1 인슐레이션부는 원형으로 형성되고, 상기 워킹가스유입구는 상기 제 1 인슐레이션부의 원주의 접선방향 또는 나선형으로 형성될 수 있다.In addition, the first insulation portion may be formed in a circular shape, and the working gas inlet may be formed in a tangential direction or a spiral in the circumference of the first insulation portion.
또한, 상기 상부 커버는 알류미늄으로 형성될 수 있다.In addition, the upper cover may be formed of aluminum.
또한, 상기 캐소드 전극체의 외측에 소정간격 이격되어 배치되는 단열체를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a heat insulator disposed at an outer side of the cathode electrode body at a predetermined interval.
또한, 상기 단열체는 세라믹을 포함할 수 있다.In addition, the heat insulator may include a ceramic.
또한, 상기 애노드 전극체에 배치되는 자성체를 더 포함할 수 있다.In addition, it may further include a magnetic body disposed on the anode electrode body.
또한, 상기 애노드 전극체의 외면은 평평하게 형성될 수 있다.In addition, the outer surface of the anode electrode body may be formed flat.
또한, 상기 캐소드 전극체의 하단을 감싸는 상기 애노드 전극체의 내면은 평평하게 형성될 수 있다.In addition, the inner surface of the anode electrode body surrounding the lower end of the cathode electrode body may be formed flat.
본 발명의 실시예들은 플라즈마를 효과적으로 생성하여 폐가스에 포함된 불소화함물을 효과적으로 제거할 수 있다.Embodiments of the present invention can effectively generate a plasma to effectively remove the fluorinated content contained in the waste gas.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 캐소드 전극체의 일 실시예의 하단을 확대하여 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 캐소드 전극체에서 발생하는 플라즈마를 진행방향을 보여주는 개념도이다. 1 is a cross-sectional view showing a plasma torch for waste gas treatment in a chemical vapor deposition process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a bottom of an embodiment of the cathode electrode body illustrated in FIG. 1.
3 is a conceptual diagram illustrating a traveling direction of plasma generated in the cathode electrode body illustrated in FIG. 2.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)를 보여주는 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 캐소드 전극체(110)의 일 실시예의 하단을 확대하여 보여주는 단면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 캐소드 전극체에서 발생하는 플라즈마를 진행방향을 보여주는 개념도이다.1 is a cross-sectional view showing a
도 1 내지 도 3을 참고하면, 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 하단이 평평하게 형성되는 캐소드 전극체(110)를 포함한다. 1 to 3, the
캐소드 전극체(110)는 수직한 방향으로 배치될 수 있다. 이때, 캐소드 전극체(110)는 원기둥 형태로 형성되어 하단이 평평하도록 형성될 수 있다. The
캐소드 전극체(110) 하단의 단면적은 상단의 단면적과 상이하게 형성될 수 있다. 이때, 상기 하단의 단면적은 상기 상단의 단면적보다 크게 형성될 수 있다. The cross-sectional area of the lower end of the
또한, 캐소드 전극체(110) 하단의 일부는 원주방향으로 돌출되도록 형성될 수 있다. 이때, 캐소드 전극체(110) 하단의 일부는 원주방향으로 확장되도록 형성될 수 있다. 상기 돌출되는 부분은 고리 형태로 형성되어 캐소드 전극체(110)의 하단에 일체로 형성될 수 있다. In addition, a portion of the lower end of the
한편, 상기 돌출되는 부분은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 돌출되는 부분은 삼각뿔 형태로 형성될 수 있다. 또한, 상기 돌출되는 부분은 타원형으로 형성되어 돌출될 수 있다. On the other hand, the protruding portion may be formed in various forms. For example, the protruding portion may be formed in a triangular pyramid shape. In addition, the protruding portion may be formed in an elliptical shape to protrude.
캐소드 전극체(110) 하면은 일부가 인입되도록 형성될 수 있다. 이때, 캐소드 전극체(110) 하면은 중앙부분이 인입되도록 형성될 수 있다. 따라서 캐소드 전극체(110)은 균일하게 전기장을 형성할 수 있다. The lower surface of the
한편, 캐소드 전극체(110)는 캐소드 전극체(110)의 내측에 형성되는 캐소드냉각홀(110a)을 구비할 수 있다. 이때, 캐소드냉각홀(110a)의 내측에는 냉각수가 외부로부터 유입되어 유동한다. 상기 냉각수는 캐소드냉각홀(110a)을 유동하면서 캐소드 전극체(110)의 온도가 상승하는 것을 방지한다. Meanwhile, the
화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 캐소드 전극체(110)의 외측에 배치되는 상부 커버(130)를 포함한다. 상부 커버(130)는 캐소드 전극체(110)의 상단을 감싸도록 형성될 수 있다. The
이때, 상부 커버(130)는 일측이 개방되도록 형성될 수 있다. 또한, 상부 커버(130)는 캐소드 전극(110)를 유동한 상기 냉각수가 유동하는 공간(130a)이 형성될 수 있다. At this time, the
이때, 상부 커버(130)는 알루미늄으로 형성될 수 있다. 따라서 상부 커버(130)는 하측으로부터 전달되는 열을 효과적으로 방출할 수 있다. In this case, the
한편, 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 상부 커버(130)의 개방된 부분에 체결되어 상부 커버(130)를 밀폐시키는 커버(190)를 포함할 수 있다. 이때, 상부 커버(130) 또는 커버(190)에는 상기 냉각수가 외부로부터 유입되는 유입홀(미표기)이 형성될 수 있다. On the other hand, the
커버(190)는 절연물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 절연물질은 폴리염화비닐 또는 테프론 등으로 형성될 수 있다. 따라서 커버(190)는 상부 커버(130)의 내부와 외부를 효과적으로 절연시킬 수 있다. The
화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 상부 커버(130)의 하측에 배치되는 제 1 인슐레이션부(150)를 포함할 수 있다. 이때, 제 1 인슐레이션부(150)는 캐소드 전극체(110)로 워킹 가스(Working gas)를 공급하는 워킹가스주입구(150a)가 형성될 수 있다. The
상기 워킹 가스는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 워킹 가스는 산소를 포함할 수 있다. 또한, 상기 워킹 가스는 헬륨을 포함할 수 있다. 상기 워킹 가스는 질소를 포함할 수 있다. 또한, 상기 워킹 가스는 아르곤, 메탄, 프로판 등을 포함할 수 있다. The working gas may be variously formed. For example, the working gas may include oxygen. In addition, the working gas may include helium. The working gas may include nitrogen. In addition, the working gas may include argon, methane, propane, and the like.
제 1 인슐레이션부(150)는 원형으로 형성될 수 있다. The
워킹가스주입구(150a)는 제 1 인슐레이션부(150)의 내측에 관통되도록 형성될 수 있다. 이때, 워킹가스주입구(150a)는 다양하게 형성될 수 있다. The working
예를 들면, 워킹가스주입구(150a)는 나선형으로 형성될 수 있다. 또한, 워킹가스주입구(150a)는 제 1 인슐레이션부(150)의 원주의 접선방향으로 형성될 수 있다. For example, the working
한편, 워킹가스주입구(150a)는 복수개로 형성될 수 있다. 이때, 복수개의 워킹가스주입구(150a)는 제 1 워킹가스주입구(150a)와, 제 1 워킹가스주입구(150a)와 대향하도록 배치되는 제 2 워킹가스주입구(150c)를 포함할 수 있다. On the other hand, the working
제 1 워킹가스주입구(150a)는 제 2 워킹가스주입구(150c)에서 분사되는 워킹 가스와 반대방향으로 워킹 가스를 분사할 수 있다. The first working
따라서 제 1 워킹가스주입구(150a) 및 제 2 워킹가스주입구(150c)에서 분사되는 워킹 가스들은 회전하여 나선형을 형성하므로 캐소드 전극체(110)에서 발생하는 플라즈마를 효과적으로 생성할 수 있다. 또한, 상기 워킹 가스들이 나선형으로 형성되어 하측에서 상측으로 전달되는 열을 차단할 수 있다. Therefore, the working gases injected from the first working
제 1 인슐레이션부(150)는 상부 커버(130) 내부 공간(130a)의 상기 냉각수를 후술할 냉각홀(140a)로 이동시키는 냉각수유동홀(150b)가 형성될 수 있다. 이때, 냉각수유동홀(150b)는 제 1 인슐레이션부(150)를 관통하도록 형성될 수 있다. The
한편, 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 제 1 인슐레이션부(150)의 하측에 배치되는 몸체(140)를 포함한다. 이때, 몸체(140)는 상부 커버(130)로부터 유입되는 냉각수가 유동하는 냉각홀(140a)을 포함할 수 있다.On the other hand, the
또한, 몸체(140)는 냉각홀(140a)을 유동하는 상기 냉각수가 외부로 배출되는 배출구(140b)를 포함할 수 있다. In addition, the
화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 캐소드 전극체(110)의 외면으로부터 소정간격 이격되어 배치되는 단열체(180)를 포함할 수 있다. 이때, 단열체(180)는 제 1 인슐레이션부(150)와 몸체(140)의 내벽에 체결될 수 있다 The
단열체(180)는 단열물질로 형성될 수 있다. 이때, 상기 단열물질은 세라믹을 포함할 수 있다. 따라서 단열체(180)는 상기 플라즈마에 의하여 발생하는 열을 효과적으로 차단할 수 있다.
한편, 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 몸체(140)의 내측에 배치되는 애노드 전극체(120)를 포함한다. On the other hand, the
애노드 전극체(120)는 몸체(140)의 중앙에 배치되어 상기 냉각홀을 밀폐시킨다. 또한, 애노드 전극체(120)는 일부에 캐소드 전극체(110)의 하단에서 발생하는 플라즈마의 와류를 생성하는 와류생성부(120a)를 포함할 수 있다. The
이때, 와류생성부(120a)는 애노드 전극체(120)의 내측으로 인입되도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 와류생성부(120a)는 애노드 전극체(120)의 내주면에 인입되도록 형성될 수 있다. In this case, the eddy
따라서 와류생성부(120a)는 캐소드 전극체(110)의 하단으로부터 발생되는 플라즈마의 와류를 효과적으로 생성할 수 있다. Therefore, the
한편, 애노드 전극체(120)의 외면은 평평하게 형성될 수 있다. 따라서 상기 냉각수는 상기 냉각홀을 용이하고 신속하게 이동함으로써 애노드 전극체(120)의 온도를 효과적으로 하강시킬 수 있다. On the other hand, the outer surface of the
또한, 애노드 전극체(120)는 캐소드 전극체(110)의 하단을 감싸는 내면이 평평하게 형성될 수 있다. 따라서 캐소드 전극체(110)에서 발생하는 상기 플라즈마가 원활하게 애노드 전극체(120)의 내부를 유동할 수 있다. In addition, the
화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 애노드 전극체(120)의 내측에 배치되는 마모방지링(121)을 포함할 수 있다. 이때, 마모방지링(121)은 다양한 방법으로 애노드 전극체(120)에 체결될 수 있다. The
예를 들면, 마모방지링(121)은 애노드 전극체(120)에 볼트로 체결될 수 있다. 또한, 마모방지링(121)는 별도의 체결부재(미도시)에 의하여 체결될 수 있다. 마모방지링(121)의 일부는 애노드 전극체(120)에 삽입되어 체결될 수 있다. For example, the
마모방지링(121)는 텅스텐으로 형성될 수 있다. 또한, 마모방지링(121)는 애노드 전극체(120)의 하단에 체결될 수 있다. 따라서 마모방지링(121)는 애노드 전극체(120)를 유동하는 상기 플라즈마에 의하여 애노드 전극체(120)가 마모되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. The
화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 몸체(140)의 하측에 배치되는 제 2 인슐레이션부(160)를 포함할 수 있다. 이때, 제 2 인슐레이션부(160)의 하측에는 매니폴드(미도시)가 배치될 수 있다. The
화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 애노드 전극체(120)에 배치되는 자성체(170)를 포함할 수 있다. 자성체(170)는 애노드 전극체(120)의 하측에 배치될 수 있다. 이때, 자성체(170)는 애노드 전극체(120)의 상측을 향하도록 배치될 수 있다. The
자성체(170)는 애노드 전극체(120)로 자기력을 형성할 수 있다. 상기 플라즈마는 상기 자기력에 의하여 다양한 방향으로 경로가 변경될 수 있다. 이때, 상기 플라즈마는 상기 자기력에 의하여 측면으로 경로가 변경될 수 있다. The
따라서 상기 플라즈마는 와류생성부(120a) 측으로 이동하여 효과적으로 와류를 형성할 수 있다. 또한, 자성체(170)는 상기에서 설명한 바와 같이 상기 플라즈마의 경로를 변경하여 애노드 전극체(120)의 하단부로 상기 플라즈마가 이탈하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. Therefore, the plasma may move to the
한편, 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)의 작동을 살펴보면, 화학기상증착 공정에서 발생한 폐가스는 외부로부터 캐소드 전극체(110)의 하단으로 유동한다. 이때, 상기 폐가스는 불소화합물을 포함할 수 있다. On the other hand, looking at the operation of the
상기 폐가스가 유입될 때, 상기 워킹 가스는 워킹가스주입구(150a)를 통하여 회전하면서 캐소드 전극체(110)의 측면으로 유입된다. When the waste gas is introduced, the working gas is introduced to the side of the
이때, 캐소드 전극체(110)에 전류가 공급되면, 캐소드 전극체(110)의 표면에서 상기 워킹 가스가 반응하여 상기 플라즈마가 형성된다. At this time, when a current is supplied to the
상기 플라즈마는 캐소드 전극체(110) 상면으로부터 측면 및 하면으로 유동한다. 이때, 상기 플라즈마는 와류생성부(120a)에 충돌한다. 상기 플라즈마는 와류생성부(120a)에 충돌하여 다양한 방향으로 이동한다. The plasma flows from the upper surface of the
캐소드 전극체(110)에서 발생하는 플라즈마와 와류생성부(120a)에서 반사되는 플라즈마는 서로 충돌하여 와류를 발생시킨다. 이때, 캐소드 전극체(110) 하단의 돌출되는 부분에서 발생하는 플라즈마는 와류생성부(120a)에 충돌한다. 따라서 상기 각 플라즈마는 서로 충돌하여 와류를 효과적으로 생성한다. (도 3 참고)The plasma generated from the
또한, 상기 와류에 의하여 상기 각 플라즈마와 상기 폐가스가 균일하게 혼합될 수 있다. 따라서 상기 폐가스에 포함된 상기 불소화합물은 효과적으로 제거될 수 있다. In addition, each of the plasma and the waste gas may be uniformly mixed by the vortex. Therefore, the fluorine compound contained in the waste gas can be effectively removed.
한편, 상기 플라즈마는 캐소드 전극체(110)에서 발생하여 애노드 전극체(120)의 내측으로 이동할 수 있다. 이때, 상기 플라즈마가 다량 발생하면, 애노드 전극체(120)의 외부로 유출될 수 있다. On the other hand, the plasma may be generated in the
따라서 와류생성부(120a)는 캐소드 전극체(110)에서 발생되는 상기 플라즈마의 와류를 발생시킨다. 또한, 자성체(170)는 상기에서 설명한 바와 같이 상기 플라즈마의 경로를 변경시킨다. 이때, 상기 플라즈마가 애노드 전극체(120)의 하단에 형성되는 아크점의 위치를 효과적으로 균일하게 분산시킨다. Therefore, the
화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치(100)는 상기에서 설명한 바와 같이 화학기상증착 공정에서 발생하는 폐가스에 포함된 불소화합물을 효과적을 제거할 수 있다. As described above, the
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
100 : 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치
110 : 캐소드 전극체
111 : 캐소드 전극
120 : 애노드 전극체
120a : 와류생성부
130 : 상부 커버
140 : 몸체
150 : 제 1 인슐레이션부
150a : 워킹가스주입구
160 : 제 2 인슐레이션부100: Plasma torch for waste gas treatment in chemical vapor deposition process
110: cathode electrode body
111: cathode electrode
120: anode electrode body
120a: vortex generation unit
130: top cover
140: body
150: the first insulation unit
150a: Working gas inlet
160: second insulation unit
Claims (18)
상기 캐소드 전극체의 상부를 감싸되, 상기 캐소드냉각홀과 연결되어 냉각수가 유통되는 유로가 형성된 상부 커버와,
상기 상부 커버의 하부에 배치되되, 내부에는 상기 유로로 유입된 냉각수가 유동하는 냉각홀이 형성되며, 하부에는 냉각수를 외부로 배출하는 배출구가 구비된 몸체와,
상기 몸체의 중앙에는 상기 냉각홀이 밀폐되도록 결합되고, 상기 캐소드 전극체의 하단에서 형성되는 플라즈마의 와류를 생성하는 와류생성부를 구비하는 원통형 애노드 전극체를 포함하는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.A cathode cooling hole is formed therein and a cathode electrode body having a lower end formed flat;
An upper cover wrapped around an upper portion of the cathode electrode body and connected to the cathode cooling hole and having a flow path through which coolant flows;
Is disposed below the upper cover, there is formed a cooling hole in which the cooling water flows into the flow passage therein, the lower body having a discharge port for discharging the cooling water to the outside;
The center of the body is coupled to hermetically closed the cooling hole, for the waste gas treatment of chemical vapor deposition process comprising a cylindrical anode electrode body having a vortex generating unit for generating a vortex of plasma formed at the bottom of the cathode electrode body Plasma torch.
상기 캐소드 전극체의 상단의 단면적과 상기 하단의 단면적이 상이하게 형성되는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
And a cross-sectional area of the upper end of the cathode electrode body and a lower cross-sectional area of the lower end of the cathode electrode body.
상기 하단의 단면적은 상기 상단의 단면적보다 크게 형성되는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 3,
The cross-sectional area of the lower end is larger than the cross-sectional area of the upper end plasma torch for chemical gas deposition process waste gas treatment.
상기 캐소드 전극체 하단은 상기 캐소드 전극체의 원주방향으로 확장되도록 형성되는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
The lower end of the cathode electrode body is formed to extend in the circumferential direction of the cathode electrode body plasma torch for waste gas treatment of chemical vapor deposition process.
상기 캐소드 전극체의 하단은 중앙부분이 인입되도록 형성되는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
The lower end of the cathode electrode body is a plasma torch for waste gas treatment of the chemical vapor deposition process is formed so that the central portion is introduced.
상기 상부 커버와 상기 몸체 사이에 배치되어 상기 상부 커버 및 상기 몸체에 체결되는 제 1 인슐레이션부를 더 포함하는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
A plasma torch for waste gas treatment of a chemical vapor deposition process further comprising a first insulation portion disposed between the upper cover and the body and fastened to the upper cover and the body.
상기 제 1 인슐레이션부는 상기 캐소드 전극체의 측면으로 워킹가스를 유입시키는 워킹가스유입구를 구비하는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method of claim 7,
And the first insulation part comprises a working gas inlet for introducing a working gas into a side surface of the cathode electrode body.
상기 워킹가스유입구는 복수개로 형성되고,
상기 복수개의 워킹가스유입구는 서로 반대방향으로 상기 워킹가스를 분사하는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 8,
The working gas inlet is formed in plural,
The plurality of working gas inlet is a plasma torch for the waste gas treatment of chemical vapor deposition process for injecting the working gas in the opposite direction to each other.
상기 제 1 인슐레이션부는 원형으로 형성되고,
상기 워킹가스유입구는 상기 제 1 인슐레이션부의 원주의 접선방향 또는 나선형으로 형성되는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 8,
The first insulation portion is formed in a circular shape,
The working gas inlet is a plasma torch for waste gas treatment of a chemical vapor deposition process is formed in the tangential direction or spiral of the circumference of the first insulation.
상기 상부 커버는 알루미늄으로 형성되는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
The upper cover is a plasma torch for waste gas treatment of chemical vapor deposition process is formed of aluminum.
상기 애노드 전극체에 배치되는 자성체를 더 포함하는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
A plasma torch for waste gas treatment in a chemical vapor deposition process further comprising a magnetic body disposed on the anode electrode body.
상기 애노드 전극체의 외면은 평평하게 형성되는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
Plasma torch for waste gas treatment of the chemical vapor deposition process that the outer surface of the anode electrode body is formed flat.
상기 애노드 전극체의 내면에 배치되는 마모방지링을 더 포함하는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
Plasma torch for waste gas treatment of the chemical vapor deposition process further comprises an anti-wear ring disposed on the inner surface of the anode electrode body.
상기 마모방지링은 텅스텐으로 형성되는 화학기상증착 공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.18. The method of claim 16,
The wear protection ring is a plasma torch for waste gas treatment of chemical vapor deposition process is formed of tungsten.
상기 캐소드 전극체의 하단을 감싸는 상기 애노드 전극체의 내면은 평평하게 형성되는 화학기상증착공정의 폐가스 처리를 위한 플라즈마 토치.The method according to claim 2,
The inner surface of the anode electrode body surrounding the lower end of the cathode electrode body is formed flat, the plasma torch for the waste gas treatment of chemical vapor deposition process.
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