KR20220036828A - Scrubber, scrubber system including the same, and scrubber operating method - Google Patents

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KR20220036828A KR1020210007066A KR20210007066A KR20220036828A KR 20220036828 A KR20220036828 A KR 20220036828A KR 1020210007066 A KR1020210007066 A KR 1020210007066A KR 20210007066 A KR20210007066 A KR 20210007066A KR 20220036828 A KR20220036828 A KR 20220036828A
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Abstract

The present invention provides a scrubber capable of preventing concentration of an arc and minimizing etching of a housing. The scrubber according to an embodiment of the present invention includes: an electrode to which a driving voltage is applied; and a housing surrounding the electrode and forming a discharge space, wherein the housing can include a discharge port for discharging plasma and an extension unit connected to the discharge port and extended outward toward a lower part.

Description

스크러버, 이를 포함하는 스크러버 시스템, 및 스크러버의 구동 방법{SCRUBBER, SCRUBBER SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND SCRUBBER OPERATING METHOD}A scrubber, a scrubber system including the same, and a method of driving the scrubber

본 발명은 반도체 제조 공정 등에서 발생되는 다량의 파우더와 함께 배출되는 과불화화합물(PFCs)이나 휘발성 유기화합물(VOC)을 제거하는 스크러버, 스크러버 시스템, 및 스크러버 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a scrubber, a scrubber system, and a scrubber driving method for removing perfluorinated compounds (PFCs) or volatile organic compounds (VOCs) discharged together with a large amount of powder generated in a semiconductor manufacturing process, etc.

알려진 바에 따르면, 플라즈마로 고온의 반응을 유도하거나 고온의 환경을 만들어 주기 위해, 아크 플라즈마(Arc Plasma), 마이크로웨이브 플라즈마(Microwave Plasma), 용량결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) 및 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 등의 기술이 사용된다. 이 기술들은 각 기술에 따른 장점과 단점 및 플라즈마 발생을 위한 반응기에서 구조적인 차이점을 가진다.As is known, in order to induce a high-temperature reaction with plasma or to create a high-temperature environment, arc plasma, microwave plasma, capacitively coupled plasma, and inductively coupled plasma Plasma) is used. These technologies have advantages and disadvantages according to each technology and structural differences in the reactor for plasma generation.

스크러버에서 고전압으로 대전된 전극과 접지된 하우징 사이에 아크가 형성되는데, 아크로 인하여 하우징이 과도하게 식각되면 하우징이 손상되고 하우징 내부에 저장된 냉각수가 유출되는 문제가 발생할 수 있다. An arc is formed between the electrode charged with high voltage in the scrubber and the grounded housing. If the housing is etched excessively due to the arc, the housing may be damaged and the coolant stored in the housing may leak.

본 발명의 목적은 아크의 집중을 방지하고 하우징의 식각을 최소화할 수 있는 스크러버를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 아크를 안정적으로 회전시킬 수 있는 스크러버를 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 아크가 플라즈마 발생기 외부로 이탈되는 것을 방지할 수 있는 스크러버를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a scrubber capable of preventing arc concentration and minimizing the etching of the housing. Another object of the present invention is to provide a scrubber capable of stably rotating an arc. Another object of the present invention is to provide a scrubber capable of preventing the arc from escaping to the outside of the plasma generator.

본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버는 구동 전압이 인가되는 전극, 및 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징을 포함하고, 상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함할 수 있다.A scrubber according to an embodiment of the present invention includes an electrode to which a driving voltage is applied, and a housing enclosing the electrode to form a discharge space, wherein the housing is connected to a discharge port for discharging plasma and the discharge port, and is connected to the lower side toward the outside may include an extended extension.

본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버는 상기 하우징에 하부에 고정 설치되며 아크를 회전시키는 자석을 더 포함할 수 있다.The scrubber according to an embodiment of the present invention may further include a magnet fixedly installed at the lower portion of the housing and rotating the arc.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 확장부의 하단에는 내측으로 돌출된 아크유지 돌기가 형성되며, 상기 아크유지 돌기는 상기 하우징의 둘레방향으로 이어져 형성될 수 있다.An arc-maintaining protrusion protruding inwardly is formed at the lower end of the extension part according to an embodiment of the present invention, and the arc-maintaining protrusion may be formed extending in a circumferential direction of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 확장부의 내면은 상기 하우징의 중심축에 대하여 5도 내지 45도로 경사지게 형성될 수 있다.An inner surface of the extension part according to an embodiment of the present invention may be formed to be inclined at 5 degrees to 45 degrees with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 확장부에서 상기 아크는 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 휘어질 수 있다.In the extension part according to an embodiment of the present invention, the arc may be inclinedly bent with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징은 상기 전극을 감싸는 전극 수용부와 상기 전극 수용부의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 좁아지는 도입부와 상기 도입부와 상기 확장부를 연결하는 아크 통로를 포함할 수 있다.The housing according to an embodiment of the present invention may include an electrode accommodating part surrounding the electrode, an introduction part connected to a lower portion of the electrode accommodating part and narrowing toward the bottom, and an arc passage connecting the introduction part and the extension part.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 하우징은 냉각수가 수용된 냉각부를 더 포함하고, 상기 냉각부는 상기 아크 통로에서 상기 확장부까지 이어져 형성될 수 있다.The housing according to an embodiment of the present invention may further include a cooling unit in which the cooling water is accommodated, and the cooling unit may be formed extending from the arc passage to the expansion unit.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 전극 수용부에는 플라즈마를 유도하는 반응가스가 유입되는 반응가스 공급구와 과불화화합물을 포함하는 처리가스가 유입되는 처리가스 공급구가 연결될 수 있다.A reactive gas supply port through which a reactive gas inducing plasma is introduced and a processing gas supply port through which a processing gas containing a perfluorinated compound is introduced may be connected to the electrode receiving unit according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 확장부의 하단의 직경은 상기 전극 수용부의 직경보다 더 크게 형성될 수 있다.A diameter of the lower end of the extension part according to an embodiment of the present invention may be formed to be larger than a diameter of the electrode receiving part.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 자석은 상기 확장부를 향하는 경사면을 갖고 하부로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하도록 형성될 수 있다.The magnet according to an embodiment of the present invention may be formed to have an inclined surface facing the extended portion and to gradually decrease in width toward the lower portion.

본 발명의 일 실시예에 따른 상기 자석은 상기 확장부를 이루는 벽면 내부에 삽입되며, 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.The magnet according to an embodiment of the present invention is inserted into the wall forming the extension portion, and may be inclined with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 다른 실시예에 따른 스크러버 시스템은, 플라즈마 아크를 발생시켜 토출하는 스크러버, 상기 스크러버로부터 가스를 전달받아 물을 분사하여 습식 처리하는 습식 처리부를 포함하며, 상기 스크러버는, 구동전압이 인가된 전극, 상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징, 및 상기 하우징에 하부에 고정 설치되며 아크를 회전시키는 자석을 포함하고, 상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함할 수 있다.A scrubber system according to another embodiment of the present invention includes a scrubber that generates and discharges a plasma arc, and a wet treatment unit that receives gas from the scrubber and sprays water for wet treatment, wherein the scrubber includes a driving voltage applied thereto. An electrode, a housing enclosing the electrode to form a discharge space, and a magnet fixedly installed in the lower portion of the housing to rotate an arc, the housing being connected to a discharge port for discharging plasma and the discharge port, and moving toward the outside toward the bottom It may include an extended extension.

본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 확장부의 내면은 상기 하우징의 중심축에 대하여 5도 내지 45도로 경사지게 형성될 수 있다.The inner surface of the extension part according to another embodiment of the present invention may be formed to be inclined at 5 degrees to 45 degrees with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 확장부에서 상기 아크는 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 휘어질 수 있다.In the extension part according to another embodiment of the present invention, the arc may be inclinedly bent with respect to the central axis of the housing.

본 발명의 다른 실시예에 따른 스크러버의 구동 방법은 전극에 구동 전압을 인가하여 아크를 생성하는 아크 생성 단계, 반응가스를 상기 전극이 삽입된 하우징 내부로 공급하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성 단계, 처리가스를 회전 유동시키면서 상기 하우징 내부로 공급하여 상기 아크를 연장시키며 상기 하우징의 중심축에 경사지게 배치된 확장부까지 상기 아크를 연장하여 상기 아크의 회전 반경을 증가시키는 아크 연장 단계, 및 자석을 이용하여 상기 아크를 회전시키는 아크 회전 단계를 포함할 수 있다.A method of driving a scrubber according to another embodiment of the present invention includes an arc generating step of generating an arc by applying a driving voltage to an electrode, a plasma generating step of supplying a reaction gas into a housing in which the electrode is inserted to generate plasma, processing An arc extension step of increasing the rotation radius of the arc by supplying gas into the housing while rotating and flowing, extending the arc, and extending the arc to an extension portion inclinedly disposed on the central axis of the housing, and using a magnet It may include an arc rotation step of rotating the arc.

본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 아크 연장 단계는 확장부의 하단에서 내측으로 돌출된 아크유지 돌기까지 아크를 연장시킬 수 있다.The arc extending step according to another embodiment of the present invention may extend the arc from the lower end of the extension to the arc holding protrusion protruding inward.

상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 스크러버, 스크러버 시스템, 및 스크러버 구동 방법은 확장부와 자석을 구비하여 확장부에 의하여 아크가 하우징의 중심에서 이탈되어 회전 반경이 증가될 수 있으며 이에 따라 자석에 의한 로렌쯔의 힘이 증가하여 아크를 안정적으로 회전시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따르면 확장부와 자석을 이용하여 아크를 안정적으로 회전시켜서 아크에 의한 하우징의 식각을 현저히 감소시킬 수 있다. As described above, the scrubber, the scrubber system, and the scrubber driving method according to an embodiment of the present invention include an extension part and a magnet so that the arc is separated from the center of the housing by the extension part and the rotation radius can be increased. The Lorentz force by the magnet can be increased to stably rotate the arc. That is, according to an embodiment of the present invention, the arc can be stably rotated using the extension and the magnet, thereby remarkably reducing the etch of the housing by the arc.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.
1 is a view showing a scrubber system according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a first embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a method of driving a scrubber according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a third embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 발명에서, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. The terms used in the present invention are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present invention, terms such as 'comprising' or 'having' are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, and one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, it should be noted that in the accompanying drawings, the same components are denoted by the same reference numerals as much as possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated in the accompanying drawings.

이하에서는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템에 대해서 설명한다. Hereinafter, a scrubber system according to a first embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템을 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.1 is a diagram illustrating a scrubber system according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a first embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 제1 실시예에 따른 스크러버 시스템(1000)은 스크러버(100), 습식 처리부(300), 습식 타워(400)를 포함할 수 있다.1 and 2 , the scrubber system 1000 according to the first embodiment may include a scrubber 100 , a wet processing unit 300 , and a wet tower 400 .

본 실시예에 따른 스크러버 시스템(1000)은 스크러버(100)에서 발생시킨 고온의 플라즈마를 이용하여 반도체 제조공정에서 발생되는 과불화화합물을 포함하는 처리가스를 열분해시킨다. 그리고, 습식 처리부(300)와 습식 타워(400)에서 열분해된 처리가스에 포함되어 있는 수용성 유해 가스와 이물 입자가 포집된 후에 무해 가스만 외부로 배출된다.The scrubber system 1000 according to the present embodiment thermally decomposes a processing gas containing a perfluoride compound generated in a semiconductor manufacturing process by using the high-temperature plasma generated by the scrubber 100 . In addition, only the harmless gas is discharged to the outside after the water-soluble harmful gas and foreign particles contained in the pyrolyzed processing gas in the wet processing unit 300 and the wet tower 400 are collected.

습식 처리부(300)는 노즐과 수조를 포함할 수 있으며, 스크러버(100)에서 전달된 가스에 물을 분사하여 가스에 포함된 불화 수소 등의 불순물을 포집하고, 용해시킨다. 습식 타워(400)는 필터와 노즐을 포함하여 추가적으로 전달된 가스에 물을 분사하여 불순물을 포집, 용해시킨다.The wet treatment unit 300 may include a nozzle and a water tank, and collect and dissolve impurities such as hydrogen fluoride contained in the gas by spraying water to the gas delivered from the scrubber 100 . The wet tower 400 collects and dissolves impurities by spraying water to the additionally delivered gas, including a filter and a nozzle.

스크러버(100)는 아크와 반응가스에 의하여 형성되는 고온의 플라즈마를 이용하여 처리가스를 분해한다. 스크러버(100)는 구동 전압으로 대전된 전극(120)과 전극(120)을 감싸며 내부에 아크가 발생되는 방전 공간을 제공하는 하우징(110)과 하우징(110)의 하단에 연결된 반응기(160)와 하우징(110)의 하부에 고정된 자석(141)을 포함할 수 있다.The scrubber 100 decomposes the processing gas using the high-temperature plasma formed by the arc and the reaction gas. The scrubber 100 includes an electrode 120 charged with a driving voltage and a housing 110 that surrounds the electrode 120 and provides a discharge space in which an arc is generated, and a reactor 160 connected to the lower end of the housing 110 and A magnet 141 fixed to a lower portion of the housing 110 may be included.

전극(120)은 막대 형상으로 이루어지며 내부에는 냉각수가 이동하는 냉각수 통로(121)가 형성될 수 있다. 전극(120)에는 전원이 연결되며 전극(120)은 구동전압이 인가될 수 있다. 여기서 전원은 교류 전원으로 이루어질 수 있을 뿐만 아니라 직류 전원으로 이루어질 수 있으며, 구동전압은 아크의 형성을 위한 충분한 전압으로 이루어질 수 있다.The electrode 120 has a rod shape, and a coolant passage 121 through which coolant moves may be formed. Power is connected to the electrode 120 , and a driving voltage may be applied to the electrode 120 . Here, the power may be not only AC power but also DC power, and the driving voltage may be a voltage sufficient for arc formation.

전극(120)은 하우징(110) 내부에 삽입되어 하우징(110)의 높이방향으로 이어져 형성되며, 전극(120)에는 전극(120) 내부로 냉각수를 공급하기 위한 냉각수 포트(123)가 형성될 수 있다.The electrode 120 is inserted into the housing 110 to extend in the height direction of the housing 110 , and a cooling water port 123 for supplying cooling water into the electrode 120 may be formed in the electrode 120 . there is.

하우징(110)은 내부 공간을 갖는 원통 형상으로 이루어질 수 있으며, 전극(120)의 외표면과 하우징(110)의 내표면 사이에서 방전갭(G1)을 형성한다. 하우징(110)은 전기적으로 접지될 수 있으며, 이를 위해서 하우징(110)의 상부에는 세라믹으로 이루어진 절연부재(117)가 설치될 수 있다. 하우징(110)의 하부에는 처리가스가 배출되는 토출구(118)가 형성된다.The housing 110 may have a cylindrical shape having an inner space, and a discharge gap G1 is formed between the outer surface of the electrode 120 and the inner surface of the housing 110 . The housing 110 may be electrically grounded, and for this purpose, an insulating member 117 made of ceramic may be installed on the housing 110 . A discharge port 118 through which the processing gas is discharged is formed in the lower portion of the housing 110 .

하우징(110)은 전극(120)을 감싸는 전극 수용부(111)와 전극 수용부(111)의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 좁아지는 도입부(112)와 도입부(112)의 하부에 형성된 아크 통로(113)와 아크 통로(113)의 하부에 형성된 확장부(114)를 포함할 수 있다. 전극 수용부(111)는 원통형으로 이루어지고, 방전갭(G1)을 두고 전극(120)에서 이격된다. 도입부(112)는 전극 수용부(111)의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 직경이 점진적으로 감소하도록 형성될 수 있다. 아크 통로(113)는 원형의 관으로 이루어지며 도입부(112)와 확장부(114)를 연결한다. The housing 110 is connected to the electrode receiving portion 111 surrounding the electrode 120 and the lower portion of the electrode receiving portion 111, and an arc passage formed at the lower portion of the introduction portion 112 and the introduction portion 112 that is narrower toward the bottom ( 113) and the arc passage 113 may include an extended portion 114 formed in the lower portion. The electrode accommodating part 111 has a cylindrical shape and is spaced apart from the electrode 120 with a discharge gap G1. The introduction part 112 is connected to the lower part of the electrode receiving part 111 and may be formed to gradually decrease in diameter toward the lower part. The arc passage 113 is made of a circular tube and connects the introduction part 112 and the expansion part 114 .

확장부(114)는 하우징(110)의 하부에 형성되며 확장부의 하단에 토출구(118)가 형성된다. 확장부(114)는 하부로 갈수록 외측으로 확장되어 확장부(114)의 내경은 하부로 갈수록 점진적으로 증가하도록 형성된다. 또한, 확장부(114)의 내면은 하우징(110)의 중심축(X1)에 대하여 경사각(A1)을 갖도록 경사지게 형성된다. 여기서 경사각(A1)은 5도 내지 45도로 이루어질 수 있다. 경사각(A1)이 5도 보다 더 작으면 아크(AC)가 하우징(110)의 중심축에서 충분한 거리로 이격되지 못하는 문제가 있으며, 경사각(A1)이 45도 보다 더 크면 아크(AC)의 하단에 형성되는 아크점이 확장부의 하부까지 이동하지 못하고 확장부(114)와 아크 통로(113)가 연결된 모서리에 위치할 수 있다.The extended part 114 is formed at the lower part of the housing 110 and the discharge port 118 is formed at the lower end of the extended part. The extended part 114 is formed to expand outward toward the lower part so that the inner diameter of the extended part 114 gradually increases toward the lower part. In addition, the inner surface of the extension 114 is inclined to have an inclination angle A1 with respect to the central axis X1 of the housing 110 . Here, the inclination angle A1 may be 5 degrees to 45 degrees. If the inclination angle A1 is smaller than 5 degrees, there is a problem in that the arc AC is not separated by a sufficient distance from the central axis of the housing 110, and when the inclination angle A1 is greater than 45 degrees, the lower end of the arc AC The arc point formed in the can not move to the lower part of the extension part, and may be located at a corner where the extension part 114 and the arc passage 113 are connected.

확장부(114)의 하단의 직경(D2)은 전극 수용부(111)의 직경(D1)보다 더 크게 형성될 수 있으며, 이에 따라 아크(AC)가 하우징(110)의 중심에서 충분히 이격될 수 있다. 또한, 확장부(114)의 길이는 아크 통로(113)의 길이의 1/2보다 더 길게 형성될 수 있으며, 확장부(114)의 길이는 아크 통로(113)의 길이보다 더 길게 형성될 수도 있다. 확장부(114)가 충분히 길게 형성되면 아크(AC)의 길이가 길어져서 효율이 향상될 뿐만 아니라 아크(AC)가 하우징(110)의 중앙에서 보다 멀리 이격될 수 있다. The diameter D2 of the lower end of the extension part 114 may be formed to be larger than the diameter D1 of the electrode receiving part 111, so that the arc AC can be sufficiently spaced apart from the center of the housing 110. there is. In addition, the length of the extension 114 may be formed to be longer than 1/2 of the length of the arc passage 113 , and the length of the extension 114 may be formed to be longer than the length of the arc passage 113 . there is. When the extended portion 114 is formed to be sufficiently long, the arc AC may be increased in length to improve efficiency, and the arc AC may be spaced apart from the center of the housing 110 further.

하우징(110)은 냉각수가 수용된 냉각부(116)를 더 포함할 수 있으며, 냉각부(116)는 도입부(112)에서 확장부(114)의 외측에 형성될 수 있다. 냉각부(116)는 도입부(112), 아크 통로(113), 확장부(114)의 외측에 형성되어 하우징(110)을 냉각한다. 하우징(110)에는 냉각수 입구(138)와 냉각수 출구(139)가 형성되며 냉각수 입구(138)와 냉각수 출구(139)는 냉각부(116)와 연결된다. 냉각부(116)가 확장부(114)까지 이어지면 아크점이 위치하는 확장부(114)를 안정적으로 냉각시킬 수 있다.The housing 110 may further include a cooling unit 116 in which the cooling water is accommodated, and the cooling unit 116 may be formed outside the expansion unit 114 in the introduction unit 112 . The cooling unit 116 is formed on the outside of the introduction unit 112 , the arc passage 113 , and the expansion unit 114 to cool the housing 110 . A cooling water inlet 138 and a cooling water outlet 139 are formed in the housing 110 , and the cooling water inlet 138 and the cooling water outlet 139 are connected to the cooling unit 116 . When the cooling unit 116 extends to the extended unit 114 , it is possible to stably cool the extended unit 114 in which the arc point is located.

또한 하우징(110)에는 반응가스 통로(131), 반응가스 분사홀(132), 반응가스 공급구(136)가 형성될 수 있다. 반응가스 공급구(136)는 전극 수용부(111)에 연결되며, 하우징(110)에 플라즈마 생성을 위한 반응가스를 공급한다. 여기서 반응가스는 질소, 이산화탄소 등의 불활성 가스로 이루어질 수 있으며 반응 가스는 아크 방전 과정을 통하여 플라즈마를 형성한다. In addition, a reaction gas passage 131 , a reaction gas injection hole 132 , and a reaction gas supply port 136 may be formed in the housing 110 . The reactive gas supply port 136 is connected to the electrode receiving unit 111 , and supplies a reactive gas for plasma generation to the housing 110 . Here, the reactive gas may be formed of an inert gas such as nitrogen or carbon dioxide, and the reactive gas forms plasma through an arc discharge process.

반응가스 통로(131)는 전극 수용부(111)의 둘레 방향으로 이어져 형성되며, 반응가스 분사홀(132)은 반응가스 통로와 하우징(110)의 내부 공간을 연결한다. 복수의 반응가스 분사홀(132)은 하우징의 둘레 방향으로 이격 배치되며, 반응가스 분사홀(132)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다.The reaction gas passage 131 is formed to extend in the circumferential direction of the electrode receiving part 111 , and the reaction gas injection hole 132 connects the reaction gas passage to the inner space of the housing 110 . The plurality of reaction gas injection holes 132 are spaced apart from each other in the circumferential direction of the housing, and the reaction gas injection holes 132 may lead in an eccentric direction with respect to the center of the housing 110 to induce rotational flow.

자석(141)은 하우징(110)에 하부에 설치되며 아크(AC)를 회전시킨다. 자석(141)은 영구자석으로 이루어질 수 있으며, 고리 형상으로 이루어지거나 하우징(110)의 둘레 방향으로 복수의 자석(141)이 이격 배치될 수 있다. 또한, 자석(141)은 확장부(114)의 외측에서 냉각부(116)의 하부에 위치할 수 있다. The magnet 141 is installed in the lower portion of the housing 110 and rotates the arc AC. The magnet 141 may be formed of a permanent magnet, and may be formed in a ring shape or a plurality of magnets 141 may be spaced apart from each other in the circumferential direction of the housing 110 . In addition, the magnet 141 may be located below the cooling unit 116 outside the expansion unit 114 .

아크(AC)는 최초 도입부(112) 또는 전극 수용부(111)와 전극(120) 사이에 형성되며, 가스의 이동에 따라 점차 연장되어 확장부(114)까지 이동할 수 있다. 확장부(114)에서 아크(AC)는 하우징(110)의 중심축에 대하여 경사지게 휘어지며, 이에 따라 아크(AC)와 하우징(110)의 중심축(X1) 사이의 거리가 증가한다.The arc AC is formed between the first introduction part 112 or the electrode receiving part 111 and the electrode 120 , and may gradually extend according to the movement of the gas to move to the extended part 114 . In the extension 114 , the arc AC is inclined with respect to the central axis of the housing 110 , and accordingly, the distance between the arc AC and the central axis X1 of the housing 110 increases.

자석(141)에 의하여 아크(AC)에는 로렌츠의 힘이 작용하며, 아크(AC)의 반경이 증가할수록 아크(AC)에는 더 큰 힘이 작용한다. 확장부(114)가 형성되지 않으면 아크(AC)의 회전 반경이 작거나 0에 가까워질 수 있어 아크(AC)가 회전하지 못하고 집중되어 하우징(110)이 과도하게 식각될 수 있다. 그러나 본 제1 실시예와 같이 확장부(114)가 형성되면 아크(AC)의 회전 반경(r1)이 증가하여 아크(AC)가 보다 안정적으로 회전할 수 있다. 또한, 확장부(114)만 형성되고 자석(141)이 설치되지 않으면 회전 반경(r1)이 증가하더라도 아크(AC)가 회전할 수 없어서 과도한 식각을 피할 수 없으나, 본 실시예에 따르면 확장부(114)가 형성되고, 자석(141)이 설치되므로 아크(AC)가 안정적으로 회전하여 아크(AC)에 의한 손상을 최소화할 수 있다.The Lorentz force acts on the arc AC by the magnet 141, and as the radius of the arc AC increases, a greater force acts on the arc AC. If the extension 114 is not formed, the rotation radius of the arc AC may be small or close to zero, so that the arc AC may not rotate and concentrate, and the housing 110 may be excessively etched. However, when the extended portion 114 is formed as in the first embodiment, the rotation radius r1 of the arc AC increases, so that the arc AC can rotate more stably. In addition, if only the extended part 114 is formed and the magnet 141 is not installed, the arc AC cannot rotate even if the rotation radius r1 increases, so excessive etching cannot be avoided, but according to this embodiment, the extended part ( Since the 114 is formed and the magnet 141 is installed, the arc AC stably rotates to minimize damage caused by the arc AC.

반응기(160)는 대략 원통 형상으로 이루어지며 토출구(118)에 연결된다. 본 제1 실시예에서는 하우징(110)의 하부에 반응기(160)가 연결된 것으로 예시하고 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 하우징(110)이 충분히 길게 형성된 경우에는 반응기(160)가 생략될 수도 있다. 이 경우에는 하우징(110)이 직접 습식 처리부(300)와 연결된다.The reactor 160 has a substantially cylindrical shape and is connected to the outlet 118 . Although the first embodiment illustrates that the reactor 160 is connected to the lower portion of the housing 110, the present invention is not limited thereto, and when the housing 110 is formed to be sufficiently long, the reactor 160 may be omitted. may be In this case, the housing 110 is directly connected to the wet processing unit 300 .

반응기(160)는 처리가스가 분해되는 공간을 제공하며 반응기에는 처리가스가 공급되는 처리가스 공급구(137)가 형성될 수 있다. 여기서 처리가스는 과불화화합물을 포함하는 분해대상 가스를 의미한다. 하우징(110)에서 배출되는 고온의 플라즈마는 처리가스를 가열하여 화염을 형성하며, 반응기(160) 내부에서 처리가스는 분해될 수 있다. 반응기(160)에서 배출된 가스는 습식 처리부(300)로 이동한다. 반응기(160)의 외측에는 반응기의 냉각을 위한 냉각부가 형성될 수 있다.The reactor 160 provides a space in which the processing gas is decomposed, and a processing gas supply port 137 through which the processing gas is supplied may be formed in the reactor. Here, the process gas means a gas to be decomposed including perfluorinated compounds. The high-temperature plasma discharged from the housing 110 heats the processing gas to form a flame, and the processing gas may be decomposed inside the reactor 160 . The gas discharged from the reactor 160 moves to the wet processing unit 300 . A cooling unit for cooling the reactor may be formed outside the reactor 160 .

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 스크러버의 구동 방법을 설명하기 위한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of driving a scrubber according to a first embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 본 제1 실시예에 따른 스크러버 구동 방법은 전극(120)에 구동 전압을 인가하여 아크(AC)를 생성하는 아크 생성 단계(S101), 반응가스를 전극(120)이 삽입된 하우징(110) 내부로 공급하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성 단계(S102), 처리가스를 회전 유동시키면서 하우징(110) 내부로 공급하여 아크(AC)를 연장시키며 확장부(114)까지 아크(AC)를 연장하여 아크(AC)의 회전 반경을 증가시키는 아크 연장 단계(S103), 및 자석(141)을 이용하여 아크(AC)를 회전시키는 아크 회전 단계(S104)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the scrubber driving method according to the first embodiment includes an arc generating step (S101) of generating an arc (AC) by applying a driving voltage to the electrode 120, and a reaction gas to the electrode Plasma generation step (S102) of generating plasma by supplying it into the housing 110 in which 120 is inserted, supplying the processing gas into the housing 110 while rotatingly flowing, extending the arc AC, and extending the extension part 114 ) to extend the arc AC to increase the radius of rotation of the arc AC (S103), and an arc rotation step (S104) of rotating the arc AC using the magnet 141 (S104). can

아크 생성 단계(S101)는 고전압으로 대전된 전극(120)과 접지된 하우징(110)을 이용하여 전극(120)의 외주면과 하우징(110)의 내주면 사이에 아크(AC)를 생성한다. In the arc generating step S101 , an arc AC is generated between the outer circumferential surface of the electrode 120 and the inner circumferential surface of the housing 110 using the electrode 120 charged with a high voltage and the grounded housing 110 .

플라즈마 생성 단계(S102)는 질소 등의 반응 가스를 하우징(110) 내부로 공급하여 고온의 플라즈마를 생성시킨다. In the plasma generating step ( S102 ), a reactive gas such as nitrogen is supplied into the housing 110 to generate high-temperature plasma.

아크 연장 단계(S103)는 하우징(110)의 하부에 형성된 확장부(114)까지 아크(AC)를 연장하여 아크(AC)의 하부가 하우징(110)의 중심축에 대하여 경사지게 휘어지도록 한다. 이에 따라 아크 연장 단계(S103)에서 아크(AC)의 하부의 회전 반경이 증가할 수 있다. 아크 연장 단계(S103)에서 하나의 아크점은 전극(120)의 하단에 위치하고, 다른 아크점은 확장부(114)의 하단에 위치할 수 있다.In the arc extension step S103 , the arc AC is extended to the extension 114 formed in the lower portion of the housing 110 so that the lower portion of the arc AC is obliquely bent with respect to the central axis of the housing 110 . Accordingly, the radius of rotation of the lower portion of the arc AC may increase in the arc extension step S103 . In the arc extension step S103 , one arc point may be located at the lower end of the electrode 120 , and the other arc point may be located at the lower end of the extension part 114 .

아크 회전 단계(S104)는 하우징(110)에 설치된 자석(141)을 이용하여 아크(AC)에 로렌츠의 힘을 작용시켜서 아크(AC)를 회전시킨다. 이에 따라 아크(AC)의 회전에 의하여 하우징(110)이 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있다.In the arc rotation step S104 , a Lorentz force is applied to the arc AC using the magnet 141 installed in the housing 110 to rotate the arc AC. Accordingly, it is possible to prevent the housing 110 from being excessively etched by the rotation of the arc AC.

이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버에 대해서 설명한다. 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a scrubber according to a second embodiment of the present invention will be described. 4 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 아크유지 돌기(151)를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 스크러버와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략한다. 4, since the scrubber 100 according to the present embodiment has the same structure as the scrubber according to the first embodiment, except for the arc maintaining protrusion 151, redundant description of the same configuration is omit

확장부(114)의 하단에는 내측으로 돌출된 아크유지 돌기(151)가 형성된다. 아크유지 돌기(151)는 하우징(110)의 둘레 방향으로 이어져 형성되며 하우징(110)의 중심과 하부를 향하여 경사지게 돌출될 수 있다. 아크유지 돌기(151)는 고리 형상으로 이루어지며 하우징(110)에 착탈 가능하게 결합될 수 있다. An arc maintaining protrusion 151 protruding inwardly is formed at the lower end of the extended part 114 . The arc maintaining protrusion 151 is formed to extend in the circumferential direction of the housing 110 and may protrude obliquely toward the center and the lower portion of the housing 110 . The arc holding protrusion 151 is formed in a ring shape and may be detachably coupled to the housing 110 .

이와 같이 아크유지 돌기(151)가 형성되면 아크점이 아크유지 돌기(151) 상에 형성되어 아크(AC)가 확장부(114)의 외측으로 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 아크유지 돌기(151)가 다른 부분보다 더 두껍게 형성되므로 하우징(110)의 손상을 최소화할 수 있다. 또한 아크유지 돌기(151)가 착탈 가능하게 결합되므로 아크유지 돌기(151)가 손상되면 아크유지 돌기(151)만 분리하여 교체할 수 있다.When the arc holding protrusion 151 is formed in this way, an arc point is formed on the arc holding protrusion 151 to prevent the arc AC from escaping to the outside of the extension part 114 . In addition, since the arc holding protrusion 151 is formed thicker than other portions, damage to the housing 110 can be minimized. In addition, since the arc holding protrusion 151 is detachably coupled, if the arc holding protrusion 151 is damaged, only the arc holding protrusion 151 can be removed and replaced.

한편, 본 제2 실시예에 따른 스크러버 구동 방법은 아크 생성 단계, 플라즈마 생성 단계, 아크 연장 단계, 및 아크 회전 단계를 포함할 수 있으며, 아크 연장 단계 및 아크 회전 단계에서 아크의 하단은 아크유지 돌기(151) 상에 위치할 수 있다.Meanwhile, the scrubber driving method according to the second embodiment may include an arc generating step, a plasma generating step, an arc extending step, and an arc rotating step, and in the arc extending step and the arc rotating step, the lower end of the arc is an arc holding protrusion It can be located on (151).

이하에서는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버에 대해서 설명한다. 도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a scrubber according to a third embodiment of the present invention will be described. 5 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a third embodiment of the present invention.

도 5를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 자석(142) 및 처리가스 공급구(137)를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 스크러버와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략한다. Referring to FIG. 5 , the scrubber 100 according to this embodiment has the same structure as the scrubber according to the first embodiment except for the magnet 142 and the processing gas supply port 137 , so the same A redundant description of the configuration will be omitted.

자석(142)은 하우징(110)에 하부에 고정 설치되며 아크(AC)를 회전시킨다. 자석(142)은 영구자석으로 이루어질 수 있으며, 고리 형상으로 이루어지거나 하우징(110)의 둘레 방향으로 복수의 자석(142)이 이격 배치될 수 있다. 또한, 자석(142)은 확장부(114)의 외측에서 냉각부(116)의 하부에 위치할 수 있다. The magnet 142 is fixedly installed at the lower portion of the housing 110 and rotates the arc AC. The magnet 142 may be formed of a permanent magnet, and may be formed in a ring shape or a plurality of magnets 142 may be spaced apart from each other in the circumferential direction of the housing 110 . In addition, the magnet 142 may be located below the cooling unit 116 outside the expansion unit 114 .

자석(142)은 확장부(114)를 향하는 경사면(142a)을 갖고, 하부로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하도록 형성될 수 있다. 이에 따라 자석(142)은 확장부(114)에 밀착되어 아크(AC)에 더 큰 회전력을 부여할 수 있다. The magnet 142 may have an inclined surface 142a facing the extension 114 and may be formed to gradually decrease in width toward the bottom. Accordingly, the magnet 142 may be in close contact with the extension 114 to provide a greater rotational force to the arc AC.

한편, 하우징(110)에는 처리가스 공급구(137), 처리가스 통로(134), 및 처리가스 분사홀(135)이 형성될 수 있다. 처리가스 공급구(137)는 처리가스 공급구(136)의 하부에서 전극 수용부(111)에 연결된다. 여기서 처리가스는 과불화화합물을 포함하는 분해대상 가스를 의미한다. 처리가스 통로(134)는 전극 수용부(111)의 둘레 방향으로 이어져 형성되며, 처리가스 분사홀(135)은 처리가스 통로(134)와 하우징(110)의 내부 공간을 연결한다. 복수의 처리가스 분사홀(135)은 하우징(110)의 둘레 방향으로 이격 배치되며, 처리가스 분사홀(135)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 하우징(110)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다.Meanwhile, a processing gas supply port 137 , a processing gas passage 134 , and a processing gas injection hole 135 may be formed in the housing 110 . The processing gas supply port 137 is connected to the electrode receiving part 111 under the processing gas supply port 136 . Here, the process gas means a gas to be decomposed including perfluorinated compounds. The processing gas passage 134 is formed in a circumferential direction of the electrode receiving part 111 , and the processing gas injection hole 135 connects the processing gas passage 134 and the inner space of the housing 110 . The plurality of processing gas injection holes 135 are spaced apart from each other in the circumferential direction of the housing 110 , and the processing gas injection holes 135 lead in an eccentric direction with respect to the center of the housing 110 to induce rotational flow. can

처리가스 분사홀(135)은 전극(120)의 외주면을 향해서 처리가스를 분사하므로 종래의 반응기로 처리가스가 공급되는 경우에 비하여 고온 영역에 처리가스가 유입되어 플라즈마와 접촉하고, 처리가스가 고온 영역에 있는 시간이 증가하므로 처리가스가 보다 효율적으로 분해될 수 있다. 또한, 처리가스와 반응가스가 회전 운동을 유발하면서 공급되므로 처리가스와 분사가스에 의하여 아크의 회전력이 증가할 수 있을 뿐만 아니라 토출구(118)로 배출되는 가스의 양이 많으므로 아크의 길이가 안정적으로 유지될 수 있다.Since the processing gas injection hole 135 injects the processing gas toward the outer circumferential surface of the electrode 120, the processing gas flows into a high-temperature region and comes into contact with the plasma, compared to the case in which the processing gas is supplied to a conventional reactor, and the processing gas is heated to a high temperature. As the time in the zone is increased, the process gas can be decomposed more efficiently. In addition, since the processing gas and the reaction gas are supplied while causing rotational motion, the rotational force of the arc can be increased by the processing gas and the injection gas, and the length of the arc is stable because the amount of gas discharged to the discharge port 118 is large. can be maintained as

이하에서는 본 발명의 제4 실시예에 따른 스크러버에 대해서 설명한다. 도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 스크러버를 도시한 단면도이다.Hereinafter, a scrubber according to a fourth embodiment of the present invention will be described. 6 is a cross-sectional view illustrating a scrubber according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 스크러버(100)는 자석(143)과 냉각부(116)와 반응기(160)를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 스크러버와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구성에 대한 중복 설명은 생략한다. Referring to FIG. 6 , the scrubber 100 according to this embodiment has the same structure as the scrubber according to the first embodiment except for the magnet 143 , the cooling unit 116 , and the reactor 160 . Therefore, redundant description of the same configuration will be omitted.

자석(143)은 하우징(110)의 하부에 고정 설치되며 아크(AC)를 회전시킨다. 자석(143)은 영구자석으로 이루어질 수 있으며, 고리 형상으로 이루어지거나 하우징(110)의 둘레 방향으로 복수의 자석(143)이 이격 배치될 수 있다. The magnet 143 is fixedly installed in the lower portion of the housing 110 and rotates the arc AC. The magnet 143 may be formed of a permanent magnet, and may be formed in a ring shape or a plurality of magnets 143 may be spaced apart from each other in the circumferential direction of the housing 110 .

자석(143)은 확장부(114)를 이루는 벽면 내부에 고정 설치되고 하우징(110)의 중심축(X1)에 대하여 경사지게 배치될 수 있다. 냉각부(116)는 확장부(114)의 하부까지 이어지되 자석(143)의 외측에까지 형성될 수 있다. 이에 따라 자석(143)과 아크(AC)의 거리가 가까워질 수 있으며, 냉각부(116)에 의하여 하우징(110)의 하부까지 충분히 냉각될 수 있다.The magnet 143 may be fixedly installed inside the wall forming the extension 114 and inclined with respect to the central axis X1 of the housing 110 . The cooling unit 116 may extend to the lower portion of the expansion unit 114 and may be formed to the outside of the magnet 143 . Accordingly, the distance between the magnet 143 and the arc AC may be close, and the cooling unit 116 may sufficiently cool the lower portion of the housing 110 .

한편, 처리가스 공급구(137)는 반응기(160)의 외벽에 연결되고, 반응기(160)의 외측에는 반응기(160)의 둘레방향으로 이어진 처리가스 통로(134)가 형성될 수 있다. 또한, 반응기(160)에는 처리가스 통로(134)와 반응기(160)의 내부 공간을 연결하는 처리가스 분사홀(135)이 형성되며, 처리가스 분사홀(135)은 회전 유동을 유도할 수 있도록 반응기(160)의 중심에 대하여 편심된 방향으로 이어질 수 있다. 이에 따라 처리가스가 반응기(160) 내부에서 스월을 형성하면서 분사될 수 있다.Meanwhile, the processing gas supply port 137 is connected to the outer wall of the reactor 160 , and a processing gas passage 134 extending in the circumferential direction of the reactor 160 may be formed outside the reactor 160 . In addition, a processing gas injection hole 135 connecting the processing gas passage 134 and the inner space of the reactor 160 is formed in the reactor 160 , and the processing gas injection hole 135 is configured to induce rotational flow. It may lead in an eccentric direction with respect to the center of the reactor 160 . Accordingly, the processing gas may be injected while forming a swirl in the reactor 160 .

이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.In the above, an embodiment of the present invention has been described, but those of ordinary skill in the art can add, change, delete or add components within the scope that does not depart from the spirit of the present invention described in the claims. It will be possible to variously modify and change the present invention by, etc., which will also be included within the scope of the present invention.

1000: 스크러버 시스템 100: 스크러버
110: 하우징 111: 전극 수용부
112: 도입부 113: 아크 통로
114: 확장부 116: 냉각부
117: 절연부재 118: 토출구
120: 전극 121: 냉각수 통로
123: 냉각수 포트 131: 반응가스 통로
132: 반응가스 분사홀 134: 처리가스 통로
135: 처리가스 분사홀 136: 반응가스 공급구
137: 처리가스 공급구 141, 142, 143: 자석
151: 아크유지 돌기 160: 반응기
300: 습식 처리부 400: 습식 타워
1000: scrubber system 100: scrubber
110: housing 111: electrode receiving part
112: introduction 113: arc passage
114: extension 116: cooling unit
117: insulating member 118: outlet
120: electrode 121: coolant passage
123: coolant port 131: reaction gas passage
132: reaction gas injection hole 134: process gas passage
135: processing gas injection hole 136: reaction gas supply port
137: processing gas supply port 141, 142, 143: magnet
151: arc maintenance projection 160: reactor
300: wet processing unit 400: wet tower

Claims (17)

구동 전압이 인가되는 전극;
상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징; 및
을 포함하고,
상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버.
an electrode to which a driving voltage is applied;
a housing surrounding the electrode and forming a discharge space; and
including,
The housing comprises a discharge port for discharging plasma and an extension part connected to the discharge port and extending outward toward the bottom.
제1 항에 있어서,
상기 하우징에 하부에 고정 설치되며 아크를 회전시키는 자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버.
According to claim 1,
The scrubber is fixed to the lower portion of the housing and further comprises a magnet for rotating the arc.
제1 항에 있어서,
상기 확장부의 하단에는 내측으로 돌출된 아크유지 돌기가 형성되며, 상기 아크유지 돌기는 상기 하우징의 둘레방향으로 이어져 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.
According to claim 1,
An arc holding protrusion protruding inward is formed at the lower end of the extension, and the arc holding protrusion is formed in a circumferential direction of the housing.
제1 항에 있어서,
상기 확장부의 내면은 상기 하우징의 중심축에 대하여 5도 내지 45도로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.
According to claim 1,
The inner surface of the extension portion is a scrubber, characterized in that formed inclined at 5 to 45 degrees with respect to the central axis of the housing.
제1 항에 있어서,
상기 확장부에서 상기 아크는 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 휘어지는 것을 특징으로 하는 스크러버.
According to claim 1,
In the expanded portion, the arc is a scrubber, characterized in that it is bent obliquely with respect to the central axis of the housing.
제1 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 전극을 감싸는 전극 수용부와 상기 전극 수용부의 하부에 연결되며 하부로 갈수록 좁아지는 도입부와 상기 도입부와 상기 확장부를 연결하는 아크 통로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버.
According to claim 1,
The housing further comprises an electrode accommodating portion surrounding the electrode, an introduction portion connected to a lower portion of the electrode accommodation portion and narrowing toward the bottom, and an arc passage connecting the introduction portion and the extension portion.
제6 항에 있어서,
상기 하우징은 냉각수가 수용된 냉각부를 더 포함하고, 상기 냉각부는 상기 아크 통로에서 상기 확장부까지 이어져 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.
7. The method of claim 6,
The housing further includes a cooling unit in which the cooling water is accommodated, and the cooling unit is formed extending from the arc passage to the expansion unit.
제6 항에 있어서,
상기 전극 수용부에는 플라즈마를 유도하는 반응가스가 유입되는 반응가스 공급구와 과불화화합물을 포함하는 처리가스가 유입되는 처리가스 공급구가 연결된 것을 특징으로 하는 스크러버.
7. The method of claim 6,
Scrubber, characterized in that the electrode receiving portion is connected to a reactive gas supply port through which a reactive gas inducing plasma flows and a processing gas supply port through which a processing gas containing a perfluorinated compound is introduced.
제6 항에 있어서,
상기 확장부의 하단의 직경은 상기 전극 수용부의 직경보다 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.
7. The method of claim 6,
The diameter of the lower end of the extension portion is a scrubber, characterized in that formed larger than the diameter of the electrode receiving portion.
제2 항에 있어서,
상기 자석은 상기 확장부를 향하는 경사면을 갖고 하부로 갈수록 폭이 점진적으로 감소하도록 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버.
3. The method of claim 2,
The magnet has an inclined surface facing the extended portion, and the scrubber, characterized in that formed so as to gradually decrease in width toward the lower portion.
제2 항에 있어서,
상기 자석은 상기 확장부를 이루는 벽면 내부에 삽입되며, 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 스크러버.
3. The method of claim 2,
The magnet is inserted into the wall forming the extension, the scrubber, characterized in that disposed inclined with respect to the central axis of the housing.
플라즈마 아크를 발생시켜 토출하는 스크러버;
상기 스크러버로부터 가스를 전달받아 물을 분사하여 습식 처리하는 습식 처리부와 습식 타워를 포함하며,
상기 스크러버는,
구동전압이 인가된 전극, 및
상기 전극을 감싸며 방전 공간을 형성하는 하우징,
을 포함하고,
상기 하우징은 플라즈마를 배출시키는 토출구와 상기 토출구와 연결되며 하부로 갈수록 외측으로 확장된 확장부를 포함하는 스크러버 시스템.
a scrubber generating and discharging a plasma arc;
It includes a wet treatment unit and a wet tower for receiving the gas from the scrubber and spraying water for wet treatment,
The scrubber is
an electrode to which a driving voltage is applied, and
a housing enclosing the electrode to form a discharge space;
including,
The housing includes a discharge port for discharging plasma and an extension part connected to the discharge port and extending outward toward a lower portion.
제12 항에 있어서,
상기 하우징에 하부에 고정 설치되며 아크를 회전시키는 자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.
13. The method of claim 12,
The scrubber system is fixed to the lower portion of the housing and further comprises a magnet for rotating the arc.
제12 항에 있어서,
상기 확장부의 내면은 상기 하우징의 중심축에 대하여 5도 내지 45도로 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.
13. The method of claim 12,
The inner surface of the extension portion is a scrubber system, characterized in that formed inclined at 5 to 45 degrees with respect to the central axis of the housing.
제12 항에 있어서,
상기 확장부에서 상기 아크는 상기 하우징의 중심축에 대하여 경사지게 휘어지는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.
13. The method of claim 12,
The scrubber system, characterized in that the arc in the extension is bent obliquely with respect to the central axis of the housing.
전극에 구동 전압을 인가하여 아크를 생성하는 아크 생성 단계;
반응가스를 상기 전극이 삽입된 하우징 내부로 공급하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성 단계;
처리가스를 회전 유동시키면서 상기 하우징 내부로 공급하여 상기 아크를 연장시키며 상기 하우징의 중심축에 경사지게 배치된 확장부까지 상기 아크를 연장하여 상기 아크의 회전 반경을 증가시키는 아크 연장 단계; 및
자석을 이용하여 상기 아크를 회전시키는 아크 회전 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버의 구동 방법.
an arc generating step of generating an arc by applying a driving voltage to the electrode;
a plasma generating step of supplying a reaction gas into the housing into which the electrode is inserted to generate plasma;
an arc extending step of supplying a processing gas into the housing while rotatingly flowing to extend the arc, and extending the arc to an extension portion inclinedly disposed on a central axis of the housing to increase a rotation radius of the arc; and
Arc rotation step of rotating the arc using a magnet
A method of driving a scrubber comprising a.
제16 항에 있어서,
상기 아크 연장 단계는 상기 확장부의 하단에서 내측으로 돌출된 아크유지 돌기까지 아크를 연장시키는 것을 특징으로 하는 스크러버의 구동 방법.
17. The method of claim 16,
The arc extension step is a method of driving a scrubber, characterized in that extending the arc from the lower end of the extension to the arc holding projection protruding inward.
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