KR20220035488A - 반도체 처리 챔버들 및 이를 세정하기 위한 방법들 - Google Patents

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Abstract

처리 챔버는 가스 분배 부재, 기판 지지부, 및 펌핑 라이너(pumping liner)를 포함할 수 있다. 가스 분배 부재 및 기판 지지부는 처리 볼륨을 적어도 부분적으로 정의할 수 있다. 펌핑 라이너는 처리 볼륨 주위에 원주 방향으로 배치된 펌핑 라이너의 복수의 구멍들을 통해 처리 볼륨과 유체 연통하는 내부 볼륨을 정의할 수 있다. 처리 챔버는 가스 분배 부재로부터 처리 볼륨으로 유체가 분배되는 동안 펌핑 라이너의 복수의 구멍들의 서브세트를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로부터 처리 볼륨으로 유체 흐름을 안내하도록 동작 가능한 흐름 제어 기구를 더 포함할 수 있다.

Description

반도체 처리 챔버들 및 이를 세정하기 위한 방법들
[0001] 본 출원은 2019년 7월 29일자로 출원된 미국 가특허 출원 제62/879,720호를 우선권으로 주장하며, 이로써 그 내용들은 모든 목적을 위해 인용에 의해 그 전체가 본원에 포함된다.
[0002] 본 기술은 반도체 공정들 및 장비에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 기술은 반도체 처리 챔버(semiconductor processing chamber)들 및 이를 세정하기 위한 방법들에 관한 것이다.
[0003] 집적 회로들은 기판 표면들 상에 복잡하게 패터닝된(patterned) 재료 층들을 생성하는 공정들에 의해 가능하게 된다. 차세대 디바이스들에서 디바이스 크기들이 계속해서 축소됨에 따라, 처리 조건들의 균일성이 계속해서 중요성을 더해가고 있고, 챔버 설계들 및 시스템 설정은 생산된 디바이스들의 품질에 중요한 역할을 할 수 있다. 따라서, 고품질 디바이스들 및 구조들을 생산하기 위해 사용될 수 있는 시스템들 및 방법들에 대한 필요성이 존재한다.
[0004] 일 양태에 따르면, 처리 챔버는 가스 분배 부재 및 가스 분배 부재 아래에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함할 수 있다. 가스 분배 부재 및 기판 지지부는 처리 볼륨(processing volume)을 적어도 부분적으로 정의할 수 있다. 가스 분배 부재는 처리 볼륨으로의 유체 액세스(fluid access)를 제공할 수 있다. 처리 챔버는 기판 지지부로부터 반경 방향 외측으로 배치된 펌핑 라이너(pumping liner)를 더 포함할 수 있다. 펌핑 라이너는 처리 볼륨 주위에 원주 방향으로 배치된 복수의 구멍들 및 복수의 구멍들을 통해 처리 볼륨과 유체 연통할 수 있는 내부 볼륨을 정의할 수 있다. 펌핑 라이너는 추가로, 복수의 구멍들로부터 반경 방향 외측으로 배치된 가스 입구를 정의할 수 있다. 가스 입구는 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로의 유체 액세스를 제공할 수 있다. 처리 챔버는 흐름 제어 기구(flow control mechanism)를 더 포함할 수 있다. 흐름 제어 기구는 가스 분배 부재로부터 처리 볼륨으로 유체를 분배하는 동안 유체 흐름을 가스 입구를 통해 내부 볼륨으로 안내한 다음, 펌핑 라이너의 복수의 구멍들의 서브세트를 통해 처리 볼륨으로 안내하도록 동작 가능할 수 있다.
[0005] 일부 실시예들에서, 흐름 제어 기구는 펌핑 라이너 내부에 배치된 제1 초크 플레이트(choke plate) 및 제2 초크 플레이트를 포함할 수 있다. 제1 초크 플레이트 및 제2 초크 플레이트는 펌핑 라이너의 내부 볼륨을 제1 볼륨 및 제2 볼륨으로 분할할 수 있다. 제1 볼륨은 복수의 구멍들 중 절반을 통해 처리 볼륨과 유체 연통할 수 있다. 제2 볼륨은 복수의 구멍들 중 나머지 절반을 통해 처리 챔버와 유체 연통할 수 있다. 흐름 제어 기구는 유체 흐름을 처리 볼륨을 통해 제1 볼륨으로부터 제2 볼륨으로 안내하도록 동작 가능할 수 있다.
[0006] 일부 실시예들에서, 흐름 제어 기구는 가스 출구의 하류에 그리고 배기부의 상류에 배치된 밸브를 포함할 수 있다. 밸브는 처리 챔버 또는 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로부터 가스 출구를 통해 배기부로의 유체 흐름을 방지하기 위해 폐쇄되도록 동작 가능할 수 있다.
[0007] 일부 실시예들에서, 가스 출구는 제1 가스 출구일 수 있다. 밸브는 제1 밸브일 수 있다. 흐름 제어 기구는 제2 가스 출구, 및 제2 가스 출구의 하류에 그리고 배기부의 상류에 배치된 제2 밸브를 더 포함할 수 있다. 가스 입구는 제1 가스 입구일 수 있다. 펌핑 라이너는 추가로, 제2 가스 입구를 정의할 수 있다. 제2 밸브는 가스 분배 부재로부터 처리 볼륨으로 유체를 분배하는 동안 유체 흐름을 제2 가스 입구를 통해 내부 볼륨으로 안내한 다음, 복수의 구멍들의 다른 서브세트를 통해 처리 볼륨으로 안내하기 위해 폐쇄되도록 동작 가능할 수 있다.
[0008] 일부 실시예들에서, 흐름 제어 기구는 제1 가스 출구를 배기부에 결합하는 제1 덕트(duct) 내부의 압력과 제2 가스 출구를 배기부에 결합하는 제2 덕트 내부의 압력 사이의 차동 압력(pressure differential)을 생성하도록 동작 가능할 수 있다.
[0009] 일부 실시예들에서, 펌핑 라이너는 서로 정반대로 대향하는 제1 내부 배플(baffle) 및 제2 내부 배플을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 배플은 가스 입구와 복수의 구멍들 사이에 배치될 수 있다.
[0010] 일부 실시예들에서, 펌핑 라이너는 펌핑 라이너의 내부 볼륨의 제1 측 방향 연장 볼륨 부분을 정의하는 제1 부분을 포함할 수 있다. 가스 입구는 제1 부분의 상부 표면에 배치될 수 있다. 펌핑 라이너는 펌핑 라이너의 내부 볼륨의 제2 측 방향 연장 볼륨 부분을 정의하는 제2 부분을 더 포함할 수 있다. 제1 측 방향 연장 볼륨 부분 및 제2 측 방향 연장 볼륨 부분은 서로 정반대로 대향할 수 있다. 펌핑 라이너는 펌핑 라이너의 내부 볼륨의 제1 환상체 형상의(toroidally shaped) 볼륨 부분을 정의하는 제3 부분을 더 포함할 수 있다. 제1 환상체 형상의 볼륨 부분은 제1 측 방향 연장 볼륨 부분과 제2 측 방향 연장 볼륨 부분 사이에 배치될 수 있다. 펌핑 라이너는 펌핑 라이너의 내부 볼륨의 제2 환상체 형상의 볼륨 부분을 정의하는 제4 부분을 더 포함할 수 있다. 제1 환상체 형상의 볼륨 부분 및 제2 환상체 형상의 볼륨 부분은 서로 정반대로 대향할 수 있다.
[0011] 일부 실시예들에서, 가스 입구는 제1 가스 입구일 수 있다. 펌핑 라이너는 추가로, 제2 부분의 상부 표면에 배치된 제2 가스 입구를 정의할 수 있다. 흐름 제어 기구는 가스 분배 부재로부터 처리 볼륨으로 유체를 분배하는 동안 유체 흐름을 제2 가스 입구를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 안내한 다음, 펌핑 라이너의 복수의 구멍들의 다른 서브세트를 통해 처리 볼륨으로 안내하도록 추가로 동작 가능할 수 있다.
[0012] 일부 실시예들에서, 처리 챔버는 처리 챔버의 하부 부분으로부터 펌핑 라이너의 내부 볼륨 및 처리 볼륨으로의 유체 액세스를 제공하기 위해 기판 지지부 주위에 환형 갭을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 복수의 구멍들의 각각의 구멍은 복수의 구멍들 중 인접한 2 개의 구멍들로부터 동일한 거리에 배치될 수 있다.
[0013] 다른 양태에 따르면, 처리 챔버를 세정하기 위한 방법은 처리 챔버의 가스 분배 부재를 통해, 처리 챔버의 가스 분배 부재 및 기판 지지부에 의해 적어도 부분적으로 정의된 처리 볼륨으로 제1 가스를 흐르게 하는 단계를 포함할 수 있다. 본 방법은 처리 챔버의 펌핑 라이너의 가스 입구를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제2 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 펌핑 라이너는 기판 지지부로부터 반경 방향 외측으로 배치될 수 있다. 내부 볼륨은 처리 볼륨 주위에 원주 방향으로 배치된 펌핑 라이너의 복수의 구멍들을 통해 처리 볼륨과 유체 연통할 수 있다. 본 방법은 처리 볼륨으로의 제1 가스의 흐름을 유지하면서 복수의 구멍들 중 구멍들의 제1 서브세트를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로부터 처리 볼륨으로 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 방법은 복수의 구멍들 중 구멍들의 제2 서브세트를 통해 처리 볼륨으로부터 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0014] 일부 실시예들에서, 펌핑 라이너의 내부 볼륨은 한 쌍의 초크 플레이트들에 의해 분리되는 제1 볼륨 및 제2 볼륨을 포함할 수 있다. 펌핑 라이너의 가스 입구를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제2 가스를 흐르게 하는 단계는 펌핑 라이너의 가스 입구를 통해 제1 볼륨으로 제2 가스를 흐르게 하는 단계를 포함할 수 있다. 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로부터 처리 볼륨으로 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계는 제1 볼륨으로부터 처리 볼륨으로 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 가스의 일부는 전체 처리 볼륨에 걸쳐 분포될 수 있다. 처리 볼륨으로부터 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계는 처리 볼륨으로부터 제2 볼륨으로 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계를 포함할 수 있다.
[0015] 일부 실시예들에서, 제1 가스는 실질적으로 균일한 농도로 전체 처리 볼륨에 걸쳐 분포될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 가스는 제1 유량으로 흐를 수 있다. 제2 가스는 제1 유량보다 큰 제2 유량으로 흐를 수 있다.
[0016] 일부 실시예들에서, 가스 입구는 제1 가스 입구일 수 있고, 본 방법은 펌핑 라이너의 제1 가스 입구를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로의 제2 가스의 흐름을 중단시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 방법은 펌핑 라이너의 제2 가스 입구를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제3 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 방법은 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로부터 복수의 구멍들 중 구멍들의 제2 서브세트를 통해 처리 볼륨으로 제3 가스의 일부를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 방법은 처리 볼륨으로부터 복수의 구멍들 중 구멍들의 제1 서브세트를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제3 가스의 일부를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0017] 일부 실시예들에서, 본 방법은 기판 지지부를 둘러싸는 환형 갭을 통해 처리 볼륨을 향해 상향 방향으로 제3 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0018] 다른 양태에 따르면, 증착 방법은 처리 챔버의 가스 분배 부재를 통해, 가스 분배 부재 및 처리 챔버의 기판 지지부―이 기판 지지부 상에 반도체 기판이 지지됨―에 의해 적어도 부분적으로 정의되는 처리 볼륨으로 제1 가스를 흐르게 하는 단계를 포함할 수 있다. 증착 방법은 처리 챔버의 펌핑 라이너의 가스 입구를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제2 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 펌핑 라이너는 기판 지지부로부터 반경 방향 외측으로 배치될 수 있다. 펌핑 라이너의 내부 볼륨은 처리 볼륨 주위에 원주 방향으로 배치된 복수의 구멍들을 통해 처리 볼륨과 유체 연통할 수 있다. 제1 가스는 제1 유량으로 흐를 수 있다. 처리 볼륨으로의 제2 가스의 흐름이 실질적으로 방지될 수 있으면서 제1 가스가 복수의 구멍들을 통해 처리 볼륨으로부터 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 흐를 수 있도록 제2 가스는 제1 유량보다 적은 제2 유량으로 흐를 수 있다. 처리 볼륨 내부의 2 개의 주변 위치들 사이의 압력 차이는 0.1 Torr 미만일 수 있다.
[0019] 일부 실시예들에서, 가스 입구는 제1 가스 입구일 수 있고, 증착 방법은 펌핑 라이너의 제2 가스 입구를 통해 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제3 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다. 제1 가스 입구 및 제2 가스 입구는 서로 정반대로 대향할 수 있다. 처리 볼륨으로의 제3 가스의 흐름이 실질적으로 방지될 수 있도록 제3 가스는 제1 유량보다 적은 제3 유량으로 흐를 수 있다. 제1 가스의 흐름, 제2 가스의 흐름, 및 제3 가스의 흐름은 처리 볼륨의 중심축을 중심으로 처리 볼륨 내부에 축 방향으로 대칭인 압력 프로파일을 집합적으로 생성할 수 있다.
[0020] 일부 실시예들에서, 증착 방법은 기판 지지부를 둘러싸는 환형 갭을 통해 처리 볼륨을 향해 상향 방향으로 제3 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0021] 본 기술은 종래의 시스템들 및 기법들에 비해 많은 이점들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 본 기술은 종래의 인시튜(in-situ) 세정 방법들보다 훨씬 더 빠르게 처리 챔버를 세정할 수 있고, 이에 따라 생산 처리량을 향상시킬 수 있다. 본 기술은 또한 실질적으로 균일한 방식으로 처리 챔버를 세정할 수 있다. 이들 및 다른 실시예들은, 많은 이들의 이점들 및 특징들과 함께, 아래 설명 및 첨부된 도면들과 함께 더 상세히 설명될 수 있다.
[0022] 개시된 기술의 특성 및 이점들에 대한 추가 이해는 도면들 및 본 명세서의 나머지 부분들을 참조하여 달성될 수 있다.
[0023] 도 1은 본 기술의 실시예들에 따른 예시적인 처리 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0024] 도 2는 도 1의 처리 챔버의 선택 챔버 구성요소들을 개략적으로 도시한다.
[0025] 도 3은 도 1의 처리 챔버의 선택 챔버 구성요소들에 의해 정의된 하나 이상의 흐름 볼륨들의 우측 사시도를 개략적으로 도시한다.
[0026] 도 4는 본 기술의 실시예들에 따른 처리 챔버의 챔버 구성요소들을 세정하는 방법의 예시적인 동작들을 도시한다.
[0027] 도 5a 및 도 5b는 도 4의 방법의 하나 이상의 동작들이 수행될 수 있는 동안의 처리 챔버의 흐름 볼륨들을 개략적으로 도시한다.
[0028] 도 6a 및 도 6b는 본 기술의 실시예들에 따른 흐름 제어 기구를 포함하는, 처리 챔버의 흐름 볼륨들의 좌측 사시도 및 부분 평면도를 각각 개략적으로 도시한다.
[0029] 도 7은 본 기술의 실시예들에 따른 처리 챔버의 처리 볼륨 내부의 압력 프로파일들을 개략적으로 도시한다.
[0030] 도 8은 본 기술의 실시예들에 따른 처리 챔버의 흐름 볼륨들을 개략적으로 도시한다.
[0031] 도 9는 본 기술의 실시예들에 따른 처리 챔버의 챔버 구성요소들을 세정하는 방법의 예시적인 동작들을 도시한다.
[0032] 도 10a 및 도 10b는 도 9의 방법의 하나 이상의 동작들이 수행될 수 있는 동안의 처리 챔버의 흐름 볼륨들을 개략적으로 도시한다.
[0033] 도면들 중 몇몇은 개략도들로서 포함된다. 도면들은 예시 목적들이며, 구체적으로 실척에 맞게 또는 비율대로라고 언급되지 않는 한 실척에 맞게 또는 비율대로인 것으로 간주되지 않아야 한다고 이해되어야 한다. 추가로, 개략도들로서, 도면들은 이해를 돕기 위해 제공되며, 현실적인 표현들과 비교하여 모든 양태들 또는 정보를 포함하지 않을 수 있고, 예시 목적들로 과장된 재료를 포함할 수 있다.
[0034] 첨부된 도면들에서, 유사한 구성요소들 및/또는 피처들은 동일한 참조 라벨을 가질 수 있다. 추가로, 동일한 유형의 다양한 구성요소들은 참조 라벨 다음에 유사한 구성요소들 사이를 구별하는 문자가 뒤따름으로써 구별될 수 있다. 본 명세서에서 제1 참조 라벨만이 사용되는 경우, 본 설명은 문자와 상관없이 동일한 제1 참조 라벨을 갖는 유사한 구성요소들 중 임의의 것에 적용될 수 있다.
[0035] 반도체 디바이스들의 제조 동안, 웨이퍼는 하나 이상의 화학 기상 증착 공정들과 같은 하나 이상의 증착 공정들을 수행하기 위해 반도체 처리 챔버의 처리 볼륨으로 전달될 수 있다. 증착 동안, 웨이퍼 상에 증착될 재료들, 예를 들어 하나 이상의 증착 가스들은 증착 가스에 노출된 다양한 챔버 구성요소들의 표면들 상에 또한 증착될 수 있다. 따라서, 처리 챔버는 때때로 세정될 수 있다. 종래의 챔버 설계들은 증착 가스가 처리 볼륨으로 전달될 수 있는 방식과 유사한 방식으로 세정 가스가 처리 챔버로 전달될 수 있는 인시튜 세정 방법을 이용할 수 있다. 따라서, 인시튜 세정 가스는 처리 볼륨을 정의하는 다양한 챔버 구성요소들 및 처리 볼륨의 상류의 챔버 구성요소들을 세정할 수 있다. 그러나, 이러한 인시튜 세정은 처리 볼륨의 하류의 다양한 챔버 구성요소들을 충분히 세정하지 못할 수 있거나, 또는 하류 구성요소들이 충분히 세정되기 위해 상당한 양의 시간을 필요로 할 수 있고, 이는 생산 처리량을 감소시킬 수 있다.
[0036] 본 기술은 처리 챔버의 펌핑 라이너의 바이패스 가스 입구(bypass gas inlet)를 통해 전달될 수 있는 엑스시튜(ex-situ) 세정 가스를 이용함으로써 이러한 문제를 극복한다. 엑스시튜 세정 가스는 인시튜 세정 가스와 동시에 전달될 수 있다. 본 기술은 엑스시튜 세정 가스가 처리 볼륨뿐만 아니라 처리 볼륨의 하류의 다양한 챔버 구성요소들도 효과적으로 세정할 수 있도록 엑스시튜 세정 가스의 흐름을 조절하기 위해 하나 이상의 흐름 제어 기구들을 추가로 이용할 수 있다. 인시튜 세정 대신에 또는 인시튜 세정에 추가하여 엑스시튜 세정을 수행함으로써, 전체 처리 챔버가 효율적으로 세정될 수 있고, 생산 처리량이 개선될 수 있다.
[0037] 나머지 개시는 개시된 기술을 사용하여 처리 챔버의 세정을 위한 다양한 유체 흐름들을 일반적으로 식별할 것이지만, 본 기술은 세정 공정에 대해서만 그렇게 제한되는 것으로 간주되어서는 안 된다. 본 기술은 조절된 및/또는 균일한 유체 흐름이 유리할 수 있는 증착, 에칭 등을 포함하는(그러나, 이에 제한되지 않음) 다른 공정들에 활용될 수 있다. 또한, 예시적인 반도체 처리 챔버들이 본 기술의 이해를 돕기 위해 설명되지만, 본 기술은 반도체 처리 챔버들의 세정 구성요소들에 대해서만 또는 설명된 예시적인 챔버로 제한되는 것으로 간주되어서는 안 된다. 본 기술은 임의의 유형의 처리 챔버에 이용될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
[0038] 도 1은 본 기술의 실시예들에 따른 예시적인 처리 챔버(100)의 개략적인 단면도를 도시한다. 처리 챔버(100)는 가스 분배 부재 또는 샤워헤드(102) 및 가스 분배 부재(102) 아래에 포지셔닝된 기판 지지부(104)를 포함할 수 있다. 가스 분배 부재(102) 및 기판 지지부(104)는 처리 볼륨(106)을 적어도 부분적으로 정의할 수 있다. 가스 분배 부재(102)는 처리 볼륨(106)으로의 유체 액세스를 제공하도록 구성된 다수의 구멍들을 포함할 수 있다. 기판 지지부(104)의 상단 구성요소는 처리 동안 기판 지지부(104)의 상단 표면 상에 배치될 수 있는 기판 또는 웨이퍼를 지지하고 가열하도록 구성될 수 있는 히터이거나 또는 이를 포함할 수 있다. 처리 챔버(100)는 기판 지지부(104)로부터 반경 방향 외측으로 배치된 펌핑 라이너(110)를 더 포함할 수 있다. 펌핑 라이너(110)는 처리 볼륨(106) 주위에 원주 방향으로 배치된 다수의 구멍들(112)을 정의할 수 있다. 펌핑 라이너(110)는 추가로, 구멍들(112)을 통해 처리 볼륨(106)과 유체 연통할 수 있는 내부 볼륨(114)을 정의할 수 있다.
[0039] 일부 실시예들에서, 기판 지지부(104)는 바닥 보울(bottom bowl)(120) 내부에 수용될 수 있고, 환형일 수 있는 갭(122)이 기판 지지부(104)와 바닥 보울(120) 사이에 형성되어 기판 지지부(104)가 바닥 보울(120) 내부에서 상하로 이동할 수 있게 할 수 있다. 가스 분배 부재(102)로부터 처리 볼륨(106) 내로 전달될 수 있는 증착 가스와 같은 공정 가스가 기판 지지부(104)의 상단 표면 아래로 하향으로 흘러 갭(122)을 통해 처리 챔버(100)의 하부 부분으로 들어가는 것을 제한하거나 또는 방지하기 위해, 아르곤, 질소 등과 같은 불활성 가스를 포함할 수 있는 퍼지 가스가 처리 볼륨(106)을 향해 상향 방향으로 갭(122) 내로 흐를 수 있다.
[0040] 일부 실시예들에서, 퍼지 가스는 처리 챔버(100)의 바닥에 있는 퍼지 입구(128)를 통해 퍼지 볼륨(126) 내로 전달될 수 있다. 퍼지 배플(130)이 퍼지 볼륨(126) 전체에 걸친 퍼지 가스의 분포를 용이하게 하기 위해 퍼지 가스의 흐름을 편향시키기 위해 퍼지 입구(128)에 인접하게 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 처리 챔버(100)는 단일 퍼지 입구(128) 및 단일 퍼지 배플(130)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 처리 챔버(100)는 다수의 퍼지 입구들(128) 및 대응하는 개수의 퍼지 배플들(130)을 포함할 수 있다. 그런 다음, 퍼지 가스는 바닥 보울(120)에 정의된 다수의 퍼지 이퀄라이저 홀(equalizer hole)들(124)을 통해 갭(122)으로 들어갈 수 있고, 처리 볼륨(106)을 향해 상향으로 흐를 수 있다. 그런 다음, 퍼지 가스 및 공정 가스는 처리 볼륨(106)의 외주에서 결합될 수 있고 구멍들(112)을 통해 펌핑 라이너(110)에 의해 제거될 수 있다. 일부 실시예들에서, 퍼지 이퀄라이저 홀들(124)은 공통 크기를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 퍼지 이퀄라이저 홀들(124)은 가변 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 퍼지 입구(128)에 대한 퍼지 이퀄라이저 홀들(124)의 위치에 따라, 퍼지 입구(128)에 더 가까운 퍼지 이퀄라이저 홀들(124)은 퍼지 입구(128)로부터 더 멀리 떨어진 퍼지 이퀄라이저 홀들(124)보다 더 작은 직경을 가질 수 있다. 퍼지 볼륨(126) 전체에 걸쳐 퍼지 가스를 분배하고 적절한 크기들의 퍼지 이퀄라이저 홀들(124)을 통해 퍼지 가스를 흐르게 함으로써, 방위각으로 균일한 퍼지 가스 흐름이 달성될 수 있고, 이는 웨이퍼 상의 균일한 증착 프로파일을 더욱 촉진할 수 있다.
[0041] 도 2는 선택 구성요소들의 구성을 더 잘 도시하기 위해 처리 챔버(100)의 선택 구성요소들의 부분들의 사시 단면도를 개략적으로 도시한다. 도시된 바와 같이, 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112)은 펌핑 라이너(110)의 내주 둘레에 원주 방향으로 배치될 수 있으며, 서로 동일한 간격으로 이격될 수 있다. 퍼지 가스는 갭(122)을 통해 상향으로 흐를 수 있고, 기판 지지부(104)의 에지 또는 주변부 근처에서 공정 가스와 혼합될 수 있고, 처리 볼륨(106)(도 2에 도시되지 않음)으로부터 구멍들(112)을 통해 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)으로 흐를 수 있다.
[0042] 도 3은 도 1의 처리 챔버(100)의 선택 챔버 구성요소들에 의해 정의되는 하나 이상의 흐름 볼륨들의 우측 사시도를 개략적으로 도시한다. 도 3에 도시된 흐름 볼륨들 및 다른 후속하는 흐름 볼륨 예시들은 하나 이상의 흐름 볼륨들을 정의하는 다양한 챔버 구성요소들의 내부 볼륨들 또는 내부 형상들만을 나타낼 수 있다는 점에 유의해야 한다. 따라서, 본 명세서에 설명된 각각의 챔버 구성요소들에 대해, 외부 형상 또는 형태는 챔버 구성요소가 처리 챔버(100)에 통합될 수 있는 방법 및/또는 다른 챔버 구성요소들과 결합될 수 있는 방법 및 다양한 다른 고려사항들에 따라 실시예마다 변할 수 있지만, 내부 볼륨 또는 내부 형상은 동일할 수 있다. 또한, 논의의 목적을 위해, 실제 챔버 구성요소들이 흐름 볼륨 예시들에서 도시되지 않을 수 있지만, 특정 챔버 구성요소들은 흐름 볼륨 예시들을 참조하여 설명될 수 있다.
[0043] 계속해서 도 3을 참조하면, 흐름 볼륨들은 가스 분배 부재(102)의 바닥 표면과 기판 지지부(104)의 상단 표면에 의해 정의되는 처리 볼륨(106), 및 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112)을 통해 처리 볼륨(106)에 유체적으로 결합된 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)을 포함할 수 있다. 흐름 볼륨들은 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)과 유체적으로 결합되어 그 하류에 있는 하나 이상의 포어라인 볼륨(foreline volume)들(140)을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 포어라인 볼륨(140a)은 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)의 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a)과 결합될 수 있고, 제2 포어라인 볼륨(140b)은 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)의 제2 측 방향 연장 볼륨 부분(116b)과 결합될 수 있다. 흐름 볼륨들은 제1 및 제2 포어라인 볼륨들(140a, 140b)과 유체적으로 결합되어 그 하류에 있는 배기 볼륨(142)을 더 포함할 수 있다. 포어라인 볼륨들(140a, 140b) 각각은 펌핑 라이너(110)의 가스 출구에 결합된 포어라인에 의해 정의될 수 있다. 배기 볼륨(142)은 처리 챔버(100)의 배기부를 향해 유체 흐름을 안내할 수 있는 배기 덕트에 의해 정의될 수 있다.
[0044] 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)은 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a) 및 제2 측 방향 연장 볼륨 부분(116b)을 포함할 수 있다. 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)은 2 개의 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 또는 제1 환상체 형상의 볼륨 부분(118a) 및 제2 환상체 형상의 볼륨 부분(118b)을 더 포함할 수 있다. 2 개의 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)은 각각 2 개의 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b) 사이에 배치될 수 있다. 2 개의 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b)은 서로 정반대로 대향할 수 있고, 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)은 또한 서로 정반대로 대향할 수 있다.
[0045] 일부 실시예들에서, 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b)은 또한 측 방향으로 연장될 수 있는 펌핑 라이너(110)의 2 개의 라이너 부분들에 의해 정의될 수 있고, 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)은 각각이 또한 환상체 형상을 가질 수 있는 펌핑 라이너(110)의 2 개의 라이너 부분들에 의해 정의될 수 있다. 그러나, 이미 위에서 언급한 바와 같이, 환상체 형상의 또는 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b, 118a, 118b)을 정의하는 각각의 라이너 부분들은 일부 실시예들에서 대응하거나 또는 유사한 외부 형상 또는 형태를 갖지 않을 수 있다.
[0046] 도 3에 도시된 바와 같이, 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)은 2 개의 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 각각의 중간을 통과하는 대칭 축 및 2 개의 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b) 각각의 중간을 통과하는 다른 대칭 축을 가질 수 있다. 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b)은 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)보다 더 클 수 있는데, 이는, 대응하는 라이너 부분들은, 펌핑 라이너(110)가 다른 챔버 구성요소들에 의해 지지될 수 있게 하도록 그리고/또는 처리 챔버(100)의 다른 흐름 볼륨들과 상류 및/또는 하류 유체 연통을 위한 하나 이상의 가스 입구들 및 가스 출구들을 정의할 수 있도록 크기 및 형상이 정해질 수 있기 때문이다.
[0047] 처리 볼륨(106) 내부의 균일한 유체 흐름 프로파일을 촉진하기 위해, 그리고 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)의 비대칭 형상 또는 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b)을 정의하는 라이너 부분들의 가스 입구들 및 출구들이 처리 볼륨(106) 내부의 유체 흐름 프로파일에 대해 가질 수 있는 임의의 영향을 최소화하기 위해, 일부 실시예들에서, 펌핑 라이너(110)는 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b)을 정의하는 라이너 부분들에 배치된 한 쌍의 만곡된 배플들을 포함할 수 있다. 2 개의 배플들은 배플들을 통한 유체 흐름이 없을 수 있기 때문에 도 3에서 2 개의 갭들(117a, 117b)로 도시되어 있다.
[0048] 증착 동안, 단일 가스 또는 가스 혼합물과 같은 공정 가스가 가스 분배 부재(102)로부터 처리 볼륨(106)으로 흐를 수 있다. 그런 다음, 과량의 공정 가스는 이 경우 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112)을 통해 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)으로 흐를 수 있고, 그런 다음 포어라인 볼륨들(140a, 140b) 및 다양한 다른 하류 흐름 볼륨들을 통해 처리 챔버(100)의 배기부를 향해 하류로 흐를 수 있다. 공정 가스의 흐름에 노출된 다양한 챔버 구성요소들의 표면들에는 증착이 발생할 수 있다.
[0049] 하나 이상의 증착 공정들이 완료되면, 처리 챔버(100)는 다양한 챔버 구성요소 표면들 상의 임의의 재료 증착을 제거하기 위해 다양한 흐름 볼륨들 내로 세정 가스를 흐르게 함으로써 세정될 수 있다. 세정 가스는 단일 가스 또는 가스 혼합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 세정 가스는 처리 챔버(100)에 유체적으로 결합된 원격 플라즈마 소스 또는 유닛에서 생성된 후 처리 챔버(100) 내로 흐를 수 있는 플라즈마 유출물들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 유출물들은 처리 챔버(100) 내부에서 생성된 용량 결합 플라즈마와 같이 처리 챔버(100)에서 국부적으로 생성될 수 있다. 처리 챔버(100)를 세정하는 동안, 퍼지 가스는 세정 가스가 기판 지지부(104) 아래로 흐르는 것을 제한하거나 또는 방지하기 위해 도 1을 참조하여 위에서 논의된 바와 같이 환형 갭(122)을 통해 처리 챔버(100)의 바닥 부분으로부터 처리 챔버(100) 내로 연속적으로 흐를 수 있다.
[0050] 일부 실시예들에서, 세정 가스는 증착 공정 동안 공정 가스가 처리 챔버(100) 내로 흐를 수 있는 방식과 유사한 방식으로 처리 챔버(100) 내로 흐를 수 있다. 구체적으로, 세정 가스는 가스 분배 부재(102)를 통해 처리 볼륨(106) 내로 흐를 수 있고, 그 후 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114) 내로 그리고 다양한 하류 흐름 볼륨들을 통해 공정 챔버(100)의 배기부를 향해 흐를 수 있다. 따라서, 공정 가스에 노출된 동일한 구성요소들 및/또는 표면들도 또한 세정 가스에 노출되어 세정 가스에 의해 세정될 수 있다. 상술한 바와 같이 세정 가스를 가스 분배 부재(102)를 통해 처리 볼륨(106) 내로 흐르게 함으로써 처리 챔버(100)를 세정하는 것은 또한 인시튜 세정으로 지칭될 수 있다. 인시튜 세정 가스는 처리 볼륨(106)의 상류의 다양한 챔버 구성요소들을 효과적으로 세정할 수 있다. 그러나, 처리 볼륨(106)의 하류의 챔버 구성요소들을 충분히 세정하기 위한 인시튜 세정 사이클과 관련된 시간이 길어질 수 있으므로, 생산 처리량에 영향을 미칠 수 있다.
[0051] 일부 실시예들에서, 세정 시간 또는 세정 사이클을 단축하기 위해, 엑스시튜 세정이 이용될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 흐름 볼륨들은 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)과 유체적으로 결합된 바이패스 볼륨(144)을 더 포함할 수 있다. 바이패스 볼륨(144)은 펌핑 라이너(110)의 바이패스 가스 입구, 또는 단순히 가스 입구에 결합된 바이패스 덕트에 의해 정의될 수 있다. 가스 입구는 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a, 116b) 중 하나를 정의하는 라이너 부분의 상부 표면에 배치될 수 있다. 바이패스 볼륨(144) 및 펌핑 라이너(110)의 가스 입구 또는 바이패스 입구는, 가스 분배 부재(102)를 바이패스하면서, 처리 챔버(100)를 세정하기 위해, 세정 가스가 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114) 및 다양한 다른 흐름 볼륨들(이하에서 더 상세히 논의됨)로 전달되도록 할 수 있다. 바이패스 볼륨(144)을 통해 전달되는 세정 가스는 단일 가스 또는 가스 혼합물을 포함할 수 있고, 플라즈마 유출물들을 포함할 수 있다. 플라즈마 유출물들은 원격 플라즈마 소스 또는 원격 플라즈마 유닛을 사용하여 생성될 수 있고, 그 후 처리 챔버(100)를 세정하기 위해 바이패스 볼륨(144) 및 펌핑 라이너(110)의 가스 입구를 통해 처리 챔버(100) 내로 제공될 수 있다. 펌핑 라이너(110)의 바이패스 가스 입구를 통해 처리 챔버(100) 내로 세정 가스를 흐르게 함으로써 처리 챔버(100)를 세정하는 것은 엑스시튜 세정으로 지칭될 수 있다.
[0052] 도 4는 처리 볼륨(106)의 하류의 챔버 구성요소들을 세정하기 위해 엑스시튜 세정을 이용하는 방법(400)의 예시적인 동작들을 도시한다. 도 5a 및 도 5b는 방법(400)을 개략적으로 예시한다. 구체적으로, 도 3과 유사하게, 도 5a 및 도 5b는 다양한 챔버 구성요소들에 의해 정의된 흐름 볼륨들을 개략적으로 도시한다. 도 5a는 하류 세정 방법(400)의 하나 이상의 동작들이 수행될 수 있는 동안 도 3에 도시된 흐름 볼륨들의 정면도를 개략적으로 도시한다. 도 5b는 하류 세정 방법(400)의 하나 이상의 다른 동작들이 수행될 수 있는 동안 도 5a와 동일한 정면도를 개략적으로 도시한다. 도 1에 도시된 퍼지 가스 흐름 볼륨 또는 환형 갭(122)의 일부가 또한 도 5a 및 도 5b에 도시되어 있다. 방법(400)의 다양한 동작들은 임의의 순서로 수행될 수 있고, 제거되거나 또는 수정될 수 있다.
[0053] 방법(400)은 동작(405)에서 가스 분배 부재(102)를 통해 처리 볼륨(106) 내로 제1 또는 인시튜 세정 가스(150)를 흐르게 하는 단계에 의해 시작할 수 있고, 동작(410)에서 기판 지지부(104)를 둘러싸는 갭(122)을 통해 처리 볼륨(106)을 향해 상향 방향으로 제2 가스(152)를 흐르게 하는 단계, 및 동작(415)에서 펌핑 라이너(110)의 바이패스 가스 입구를 통해 바이패스 볼륨(144)으로부터 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)으로 제3 또는 엑스시튜 세정 가스(154)를 흐르게 하는 단계를 포함할 수 있다.
[0054] 제1 가스 흐름(150)은 세정 가스 흐름, 또는 더 구체적으로, 다양한 챔버 구성요소들의 인시튜 세정을 수행하기 위한 인시튜 세정 가스 흐름일 수 있거나 또는 이를 포함할 수 있다. 제1 가스 흐름(150)은 가스 분배 부재(102)를 통해 처리 볼륨(106) 내로 연속적으로 전달될 수 있다. 따라서, 엑스시튜 세정 및 인시튜 세정은 방법(400)에서 동시에 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 인시튜 세정이 수행되지 않을 수 있는 경우에도, 제1 가스 흐름(150)은 바이패스 볼륨(144)을 통해 전달된 제3 가스 흐름(154) 중 임의의 것이 가스 분배 부재(102)의 상류의 챔버 볼륨들로 들어가는 것을 방지하기 위해 불활성 가스를 가스 분배 부재(102)를 통해 처리 볼륨(106)으로 흐르게 함으로써 여전히 유지될 수 있다.
[0055] 퍼지 가스 흐름일 수 있거나 또는 이를 포함할 수 있고 증착 동안 전달되는 퍼지 가스 흐름과 유사하거나 또는 동일할 수 있는 제2 가스 흐름(152)은 또한 제1 가스 흐름(150) 및 제3 가스 흐름(154) 중 임의의 것이 처리 챔버(100)의 하부 부분으로 들어가는 것을 방지하도록 유지될 수 있다. 제3 가스 흐름(154)은 세정 가스 흐름, 또는 더 구체적으로, 다양한 챔버 구성요소들의 엑스시튜 세정을 수행하기 위한 엑스시튜 세정 가스 흐름일 수 있거나 또는 이를 포함할 수 있다. 제3 가스 흐름(154)은 펌핑 라이너(110)의 바이패스 가스 입구를 통해 바이패스 볼륨(144)으로부터 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114) 내로 연속적으로 전달될 수 있다.
[0056] 도 5a를 참조하면, 제1, 제2 및 제3 가스들(150, 152, 154)이 동시에 흐를 때, 제3 가스(154)의 대부분 또는 실질적으로 전부는 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)의 측 방향 연장 볼륨 부분들(116a)을 단순히 통과하여 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)의 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a) 아래에 제1 포어라인 볼륨(140a)으로 진입할 수 있다. 그 다음, 제3 가스 흐름(154)은 배기 볼륨(142)으로 진입하고 처리 챔버(100)의 배기부를 향해 흐를 수 있다. 따라서, 제3 가스 흐름(154)은 제1 포어라인 볼륨(140a) 및 배기 볼륨(142) 및 다른 하류 챔버 구성요소들을 정의하는 다양한 덕트들을 세정할 수 있다. 그러나, 제3 가스 흐름(154)은 제2 포어라인 볼륨(140b)뿐만 아니라 펌핑 라이너(110)의 전체 내부 볼륨(114)도 실질적으로 바이패스할 수 있기 때문에, 펌핑 라이너(110) 및 제2 포어라인 볼륨(140b)을 정의하는 덕트는 세정되지 않을 수 있다.
[0057] 펌핑 라이너(110)를 세정하기 위해, 일부 실시예들에서, 처리 챔버(100)는 제3 가스 흐름(154)의 흐름을 조절하기 위해 포어라인 덕트를 따라 배치된 밸브(160)와 같은 흐름 제어 기구를 포함할 수 있다. 예를 들어, 밸브(160)는 제1 포어라인 볼륨(140a)을 통한 제3 가스 흐름(154)을 허용하거나 또는 방지하도록 개방되거나 또는 폐쇄되도록 구성될 수 있으며, 이는 차례로 제3 가스 흐름(154)이 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114) 및 제2 포어라인 볼륨(140b)을 통해 흐르도록 강제할 수 있다. 따라서, 동작(420)에서, 밸브(160)는 폐쇄될 수 있다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 포어라인 볼륨(140a)으로의 제3 가스 흐름(154)은 그 다음 방지될 수 있고, 제3 가스 흐름(154)은 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)으로 들어가고 제2 포어라인 볼륨(140b)을 통해 배기부를 향해 흐르도록 강제될 수 있고, 펌핑 라이너(110), 제2 포어라인 볼륨(140b)을 정의하는 포어라인 덕트, 및 다른 하류 챔버 구성요소들을 세정할 수 있다.
[0058] 일부 실시예들에서, 밸브(160) 대신에 또는 밸브에 추가하여, 제3 가스 흐름(154)을 내부 볼륨(114) 및 제2 포어라인 볼륨(140b)을 향해 안내하기 위해 다른 디바이스 또는 기구가 구현될 수 있다. 예를 들어, 2 개의 포어라인 볼륨들(140a, 140b) 사이의 차동 압력이 생성되어 제3 가스 흐름(154)을 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)을 통해 제2 포어라인 볼륨(140b)을 향해 안내할 수 있다. 구체적으로, 제1 포어라인 볼륨(140a) 내부의 압력이 제2 포어라인 볼륨(140b) 내부의 압력보다 클 수 있도록 제1 포어라인 볼륨(140a) 내부의 압력을 증가시키도록 기구들이 구현될 수 있다. 예를 들어, 다른 가스 흐름이 제1 포어라인 볼륨(140a)을 정의하는 덕트를 따라 생성되어 가스 흐름을 제2 포어라인 볼륨(140b) 내로 안내함으로써 그 내부의 압력을 증가시킬 수 있다. 차동 압력은 제3 가스 흐름(154)이 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114) 및 제2 포어라인 볼륨(140b)을 통해 흐르도록 강제하여 펌핑 라이너(110), 제2 포어라인 볼륨(140b)을 정의하는 덕트, 및 다른 다양한 하류 챔버 구성요소들을 세정하도록 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 적어도 약 0.5 torr, 적어도 약 1 torr, 적어도 약 1.5 torr, 적어도 약 2 torr, 적어도 약 2.5 torr, 적어도 약 3 torr, 적어도 약 3.5 torr, 적어도 약 4 torr, 또는 그 초과의 차동 압력이 생성 및/또는 유지될 수 있다.
[0059] 방법(400)의 동작들을 수행함으로써, 펌핑 라이너(110), 하류 덕트들 등과 같은 처리 볼륨(106)의 하류의 다양한 챔버 구성요소들이 엑스시튜 세정 가스 흐름(154)에 의해 세정될 수 있다. 엑스시튜 세정 중, 제3 가스 흐름(154)의 일부는, 제3 가스(154)의 흐름을 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)으로 안내하기 위해 구현된 기구에 따라, 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112) 중 일부를 통해 내부 볼륨(114)으로부터 처리 볼륨(106)으로 들어갈 수 있다. 따라서, 처리 볼륨(106)을 정의하는 챔버 구성요소들 중 일부는 또한 제3 가스 흐름(154)에 의해 세정될 수 있다. 그러나, 처리 볼륨(106) 내부의 제3 가스 흐름(154)의 농도는 낮을 수 있고, 제3 가스 흐름(154)은 전체 처리 볼륨(106)에 걸쳐 분포되지 않을 수 있다.
[0060] 예를 들어, 밸브(160)가 폐쇄될 수 있는 경우, 처리 볼륨(106)으로부터 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)을 향하는 제1 가스 흐름(150) 및 제2 가스 흐름(152)의 흐름으로 인해 매우 소량의 제3 가스(154)만이 펌핑 라이너(110)의 적은 개수의 구멍들(112)을 통해 처리 볼륨(106)으로 흐를 수 있다. 또한, 제3 가스 흐름(154)은 바이패스 볼륨(144) 근처의 처리 볼륨(106)의 주변 구역에만 도달할 수 있고, 바이패스 볼륨(144)으로부터 더 멀리 떨어진 처리 볼륨(106)의 주변 구역 또는 처리 볼륨(106)의 중앙 구역에 도달하지 않을 수 있다.
[0061] 제1 포어라인 볼륨(140a)과 제2 포어라인 볼륨(140b) 사이의 차동 압력이 제1 포어라인 볼륨(140a) 내부의 압력을 증가시킴으로써 생성될 수 있는 경우, 제3 가스(154)는 펌핑 라이너(110)의 더 많은 구멍들(112)을 통해 처리 볼륨(106) 내로 흐를 수 있고 처리 볼륨(106) 내부에 더 높은 농도로 분포될 수 있다. 그러나, 처리 볼륨(106) 내의 제3 가스(154)의 분포는 균일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 펌핑 라이너(110)의 배플들 근처의 처리 볼륨(106)의 구역들에서 제3 가스(154)의 농도는 처리 볼륨(106)의 다른 구역들보다 낮을 수 있다. 따라서, 처리 볼륨(106)을 정의하는 다양한 챔버 구성요소들은 엑스시튜 세정 가스(154)에 의해 균일하게 세정되지 않을 수 있거나, 또는 다양한 챔버 구성요소들 상의 모든 재료 증착이 제거될 수 있도록 보장하기 위해 매우 긴 세정 시간이 필요할 수 있으며, 이는 생산 처리량을 감소시킬 수 있다.
[0062] 도 6a는 처리 볼륨(106) 내로 제3 가스의 흐름(154)을 증가시킬 수 있는 흐름 제어 기구를 포함하는, 처리 챔버(100)의 흐름 볼륨들의 좌측 사시도를 개략적으로 도시한다. 도 6b는 흐름 제어 기구를 포함하는, 처리 챔버(100)의 흐름 볼륨들의 부분 평면도를 예시한다. 도시된 바와 같이, 흐름 제어 기구는 한 쌍의 초크 플레이트들(170a, 170b), 또는 제1 초크 플레이트(170a) 및 제2 초크 플레이트(170b)를 포함할 수 있다. 초크 플레이트들(170a, 170b) 각각은 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)의 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 중 하나의 중간에 배치될 수 있다. 따라서, 내부 볼륨(114)은 2 개의 더 작은 볼륨들 또는 2 개의 서브 볼륨들, 예를 들어 제1 서브 볼륨(115a) 및 제2 서브 볼륨(115b)으로 분할될 수 있다. 제1 서브 볼륨(115a)은 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a) 및 제1 및 제2 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 각각의 일부, 예를 들어 절반을 포함할 수 있다. 제2 서브 볼륨(115b)은 제2 측 방향 연장 볼륨 부분(116b) 및 제1 및 제2 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 각각의 나머지 부분, 예를 들어 나머지 절반을 포함할 수 있다. 초크 플레이트들(170a, 170b)은 펌핑 라이너(110)의 배플들에 수직으로 배향될 수 있다. 구체적으로, 배플들은 도 6a 및 도 6b의 배플들에 의해 생성된 흐름 갭들(117a, 177b)의 연장에 의해 도시된 바와 같이 원주 방향으로 연장될 수 있는 반면, 초크 플레이트들(170a, 170b)은 반경 방향으로 연장될 수 있고, 따라서 배플들에 수직일 수 있다.
[0063] 초크 플레이트들(170a, 170b)은 제1 서브 볼륨(115a)으로부터 제2 서브 볼륨(115b)으로 또는 그 반대로의 직접 유체 흐름을 차단하거나 또는 방지할 수 있다. 제1 서브 볼륨(115a)으로부터 제2 서브 볼륨(115b)으로의 또는 그 반대로의 유체 액세스는 처리 볼륨(106) 및 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112)을 통해 확립될 수 있다. 구체적으로, 구멍들(112) 중 절반은 제1 서브 볼륨(115a)과 처리 볼륨(106) 사이의 유체 액세스를 제공할 수 있고, 구멍들(112) 중 나머지 절반은 제2 서브 볼륨(115b)과 처리 볼륨(106) 사이의 유체 액세스를 제공할 수 있다. 제1 서브 볼륨(115a)으로부터 제2 서브 볼륨(115b)으로 또는 그 반대로 직접 유체 흐름을 방지함으로써, 엑스시튜 세정 가스(154)는 제1 서브 볼륨(115a)으로 들어간 후에 처리 볼륨(106)으로 들어가도록 강제될 수 있고, 그 후 도 6b에 도시된 바와 같이 처리 볼륨(106)으로부터 제2 서브 볼륨(115b)으로 들어가도록 강제될 수 있다.
[0064] 따라서, 방법(400)의 다양한 동작들, 즉, 제1 가스 흐름(150), 제2 가스 흐름(152), 및 제3 가스 흐름(154)을 흐르게 하고 밸브(160)를 폐쇄하는 동작들이 수행될 수 있을 때, 제3 가스(154)는 펌핑 라이너(110)의 절반을 세정하기 위해 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a) 및 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 각각의 절반으로 들어갈 수 있고, 그런 다음 챔버 구성요소들, 예를 들어 처리 볼륨(106)을 정의하는 가스 분배 부재(102) 및 기판 지지부(104)를 세정하기 위해 구멍들(112) 중 절반을 통해 처리 볼륨(106)으로 들어갈 수 있다. 그런 다음, 제3 가스 흐름(154)은 펌핑 라이너(110)의 나머지 절반을 세정하기 위해 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 각각의 나머지 절반 및 제2 측 방향 연장 볼륨 부분(116b)으로 들어갈 수 있다.
[0065] 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 초크 플레이트들(170a, 170b)은 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)의 중간에 배치될 수 있고, 따라서 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112)을 제1 서브 볼륨(115a)과 처리 볼륨(106) 사이의 유체 액세스를 확립하고 제2 서브 볼륨(115b)과 처리 볼륨(106) 사이의 유체 액세스를 확립하기 위한 동일한 개수의 구멍들(112)로 분할할 수 있다. 따라서, 구멍들(112)은 동일한 흐름 분포를 용이하게 하기 위해 초크 플레이트들(170a, 170b) 각각의 양 측면에 대칭적으로 분포될 수 있다. 초크 플레이트들(170a, 170b)은 또한 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 각각을 동일한 절반들로 분할할 수 있다. 이러한 동일한 분할은 증착 및/또는 세정 공정 동안 처리 볼륨(106) 내부에 균일한 흐름 프로파일을 생성 및/또는 유지하는 것을 용이하게 할 수 있다. 초크 플레이트들(170a, 170b)을 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)의 중간에 배치함으로써, 제3 가스 흐름(154)은 또한 제1 서브 볼륨(115a)과 처리 볼륨(106) 사이의 유체 액세스를 확립하는 모든 구멍들(112)을 통해 흐르도록 그리고 처리 볼륨(106)과 제2 서브 볼륨(115b) 사이의 유체 액세스를 확립하는 모든 구멍들(112)을 통해 흐르도록 강제될 수 있고, 제3 가스(154)는 전체 처리 볼륨(106)에 걸쳐 분포될 수 있다.
[0066] 또한, 초크 플레이트들(170a, 170b)이 이용될 수 없을 때 처리 볼륨(106) 내부의 제3 가스 흐름(154)의 농도와 비교하여, 처리 볼륨(106) 내부의 제3 가스(154)의 농도는 초크 플레이트들(170a, 170b)을 펌핑 라이너(110)에 통합함으로써 상당히 더 높을 수 있고, 제3 가스(154)의 농도는 처리 볼륨(106) 전체에 걸쳐 실질적으로 균일할 수 있다. 일부 실시예들에서, 펌핑 라이너(110) 및/또는 처리 볼륨(106) 내부의 제3 가스(154)의 농도는 약 104 ppm 이상, 약 105 ppm 이상, 약 106 ppm 이상, 또는 그 초과일 수 있다. 따라서, 펌핑 라이너(110) 및 처리 볼륨(106)을 정의하는 다양한 챔버 구성요소들의 효과적인 세정이 효율적으로 달성될 수 있다.
[0067] 초크 플레이트들(170a, 170b)의 존재로 인해, 일부 실시예들에서, 제1 가스(150)가 흐를 수 있을 때 펌핑 라이너(110)의 제1 서브 볼륨(115a)에 제1 가스 흐름(150) 또는 제2 가스 흐름(152)이 실질적으로 없을 수 있다. 따라서, 펌핑 라이너(110)의 제1 서브 볼륨(115a)에서 제3 가스(154)의 질량 분율은 본 방법(400)의 다양한 동작들이 수행될 수 있을 때 적어도 약 90 %, 적어도 약 95 %, 또는 최대 100 %일 수 있다. 제2 서브 볼륨(115b) 내의 제3 가스(154)의 질량 분율은 적어도 약 60 %, 적어도 약 65 %, 적어도 약 70 %, 적어도 약 75 %, 적어도 약 80 %, 적어도 약 85 %, 적어도 약 90 %, 적어도 약 95 %, 또는 그 초과일 수 있다. 제2 서브 볼륨(115b) 내의 제1 가스 흐름(150) 및/또는 제2 가스 흐름(152)의 존재로 인해, 제2 서브 볼륨(115b) 내의 제3 가스(154)의 질량 분율은 제1 서브 볼륨(115a) 내의 제3 가스(154)의 질량 분율보다 작을 수 있지만, 그럼에도 불구하고 펌핑 라이너(110)의 제2 서브 볼륨(115b) 내의 제3 가스(154)의 농도는 매우 높을 수 있고, 효과적인 세정을 위해 약 104 ppm 이상, 약 105 ppm 이상, 약 106 ppm 이상, 또는 그 초과일 수 있다. 따라서, 초크 플레이트들(170a, 170b)을 펌핑 라이너(110)에 통합함으로써, 처리 볼륨(106)을 정의하는 다양한 챔버 구성요소들뿐만 아니라, 다른 하류 챔버 구성요소들, 예를 들어 펌핑 라이너(110), 포어라인 볼륨들(140a, 140b), 배기 볼륨들(142)을 정의하는 덕트들 등도 효과적이고 효율적으로 세정하는 것이 달성될 수 있다.
[0068] 일부 실시예들에서, 초크 플레이트들(170a, 170b) 각각은 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)에 배치될 수 있는 개별 구성요소일 수 있다. 일부 실시예들에서, 펌핑 라이너(110)는 하향 개구를 갖는 상부 부품 및 상부 부품의 하향 개구와 정합되는 상향 개구를 갖는 하부 부품을 조립함으로써 제조될 수 있다. 초크 플레이트들(170a, 170b)은 조립 전에 상부 부품 또는 하부 부품 중 하나의 내부에 배치되거나 또는 이에 통합될 수 있다. 일부 실시예들에서, 펌핑 라이너(110)는 좌측 부품 또는 좌측 절반과 우측 부품 또는 우측 절반을 함께 조립함으로써 제조될 수 있다. 좌측 부품은 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a) 및 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 각각의 절반을 정의할 수 있고, 우측 부품은 제2 측 방향 연장 볼륨 부분(116b) 및 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b) 각각의 절반을 정의할 수 있다. 좌측 부품 또는 우측 부품 중 적어도 하나는 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)의 절반을 정의하는 폐쇄 단부들을 포함할 수 있다. 따라서, 좌측 및 우측 부품들이 조립될 수 있을 때, 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)은 폐쇄 단부들에 의해 분할될 수 있고, 이는 위에서 설명한 초크 플레이트들(170a, 170b)로서 효과적으로 기능할 수 있다. 초크 플레이트들(170a, 170b)을 펌핑 라이너(110)에 통합하는 다양한 다른 방식들이 구현될 수 있다.
[0069] 초크 플레이트들(170a, 170b)은 약 0.2 mm 내지 약 4 mm, 약 0.5 mm 내지 약 3.5 mm, 약 1 mm 내지 약 3 mm, 약 1.5 mm 내지 약 2.5 mm 범위의 두께를 가질 수 있다. 초크 플레이트들(170a, 170b) 각각의 두께는 약 0.5 mm, 약 1 mm, 약 1.5 mm, 약 2 mm, 약 2.5 mm, 약 3 mm, 약 3.5 mm, 또는 약 4 mm일 수 있다. 초크 플레이트들(170a, 170b)은 펌핑 라이너(110)와 동일한 재료로 제조될 수 있으며, 이는 특정 적용에 따라, 알루미늄, 알루미나, 및 임의의 다른 적절한 챔버 구성요소 재료들을 포함할 수 있다. 2 개의 초크 플레이트들(170a, 170b)이 일 예로서 설명되지만, 2 개 초과의 초크 플레이트들(170)이 다양한 다른 고려사항들에 기초하여 이용될 수 있다. 또한, 적용 및 다양한 다른 고려사항들에 따라, 2 개 이상의 초크 플레이트들이 환상체 형상의 볼륨 부분들(118a, 118b)의 중간에 추가로 또는 그 대신에 가스 흐름을 조절하기 위해 임의의 다른 위치들에 배치될 수 있다.
[0070] 제1 가스(150), 또는 인시튜 세정 가스는 단일 가스 또는 가스 혼합물일 수 있고 및/또는 인시튜 세정 가스의 라디칼(radical)들을 갖는 플라즈마 유출물들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마는 처리 챔버(100)와 유체적으로 결합된 원격 플라즈마 소스 또는 유닛에서 생성된 다음, 처리 챔버(100)의 처리 볼륨(106)으로 흐를 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 유출물들은 처리 볼륨(106) 내부에서 생성된 용량 결합 플라즈마와 같이 처리 챔버(100)에서 국부적으로 생성될 수 있다. 위에서 논의된 바와 같이, 일부 실시예들에서, 처리 볼륨(106)은 제3 가스(154), 또는 엑스시튜 세정 가스에 의해 세정될 수 있기 때문에, 제1 가스(150)는 챔버 구성요소들 상의 재료 증착과 능동적으로 반응할 수 있는 세정 가스가 아닐 수 있다. 제1 가스(150)는 엑스시튜 세정 가스(154)가 처리 챔버(100)의 상류 구성요소들로 역류하는 것을 방지하기 위해, 단순히 하나 이상의 불활성 가스들, 예를 들어, 질소 또는 희가스를 포함할 수 있다.
[0071] 제2 가스(152)는 챔버 구성요소들 상의 재료 증착과 비-반응성이고 불활성일 수 있는 단일 가스 또는 가스 혼합물 또는 처리 챔버(100) 내로 전달되는 다른 가스들을 포함할 수 있다. 제2 가스(152)는 질소, 희가스들, 예를 들어 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 크세논, 및 라돈 중 하나 이상, 등일 수 있거나 또는 이들을 포함할 수 있다. 제3 가스(154) 또는 엑스시튜 세정 가스는 단일 가스 또는 가스 혼합물일 수 있고 및/또는 엑스시튜 세정 가스의 라디칼들을 갖는 플라즈마 유출물들을 포함할 수 있다. 플라즈마는 원격 플라즈마 소스 또는 유닛에서 생성된 다음, 바이패스 볼륨(144)을 통해 처리 챔버(100)로 흐를 수 있다. 일부 실시예들에서, 제3 가스(154)는 산소 또는 산소 라디칼들을 포함할 수 있지만, 다양한 챔버 구성요소들로부터 제거되는 재료 증착에 따라, 임의의 다른 적절한 세정 가스가 이용될 수 있다.
[0072] 증착, 인시튜 세정, 및/또는 엑스시튜 세정을 포함하는 본 명세서에 설명된 다양한 공정들 동안, 처리 챔버(100)의 동작 압력은 약 1 torr 내지 약 10 torr로 유지될 수 있거나, 또는 약 2 torr, 약 4 torr, 약 6 torr, 약 8 torr, 또는 약 10 torr에서 유지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 동작 압력은 일반적으로 상이한 공정들 동안 동일한 또는 유사한 수준들로 유지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 동작 압력은 공정마다 다를 수 있다.
[0073] 공정에 따라, 다양한 가스 흐름들, 예를 들어, 제1 가스 흐름(150), 제2 가스 흐름(152), 및/또는 제3 가스 흐름(154)의 유량들은 공정마다 다를 수 있다. 엑스시튜 세정 동안, 제2 가스 흐름(152)은 제1 가스 흐름(150)보다 높은 레벨로 유지될 수 있고, 제3 가스 흐름(154)은 제2 가스 흐름(152)보다 높은 레벨로 유지될 수 있다.
[0074] 일부 실시예들에서, 엑스시튜 세정 동안, 제1 가스 흐름(150)은 약 200 sccm 이상, 약 300 sccm 이상, 약 400 sccm 이상, 약 500 sccm 이상, 약 600 sccm 이상, 약 700 sccm 이상, 약 800 sccm 이상, 약 900 sccm 이상, 약 1000 sccm 이상, 약 1100 sccm 이상, 약 1200 sccm 이상, 약 1300 sccm 이상, 약 1400 sccm 이상, 약 1500 sccm 이상, 또는 그 초과의 레벨로 유지될 수 있다.
[0075] 일부 실시예들에서, 엑스시튜 세정 동안, 제2 가스 흐름(152)은 약 1500 sccm 이상, 약 2000 sccm 이상, 약 2500 sccm 이상, 약 3000 sccm 이상, 약 3500 sccm 이상, 약 4000 sccm 이상, 또는 그 초과의 레벨로 유지될 수 있다. 제3 가스 흐름(154)은 약 4000 sccm 이상, 약 4500 sccm 이상, 약 5000 sccm 이상, 약 5500 sccm 이상, 약 6000 sccm 이상, 약 6500 sccm 이상, 약 7000 sccm 이상, 약 7500 sccm 이상, 약 8000 sccm 이상 또는 그 초과의 레벨로 유지될 수 있다.
[0076] 일부 실시예들에서, 엑스시튜 세정 동안, 제1 가스(150)의 유량 대 제3 가스(154)의 유량의 비는 1:5 내지 1:15의 범위일 수 있거나, 또는 약 1:5, 약 1:6, 약 1:7, 약 1:8, 약 1:9, 약 1:10, 약 1:11, 약 1:12, 약 1:13, 약 1:14, 약 1:15, 또는 그 미만일 수 있다. 제2 가스(152)의 유량 대 제3 가스(154)의 유량의 비는 1:2 내지 1:5 범위일 수 있거나, 또는 약 1:2, 약 1:3, 약 1:4, 약 1:5, 또는 그 미만일 수 있다.
[0077] 증착 동안, 제3 가스(154)의 흐름은 증착 가스가 바이패스 볼륨(144) 및 바이패스 볼륨(144)의 상류의 다른 챔버 볼륨들로 흐르는 것을 방지하기 위해 연속적으로 유지될 수 있다. 밸브(160)는 증착 동안 개방될 수 있으므로, 제3 가스 흐름(154)의 실질적으로 모두는 바이패스 볼륨(144)으로부터 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114)의 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a)의 작은 구역을 통해 그리고 나서 제1 포어라인 볼륨(140a)으로 흐를 수 있다. 제3 가스 흐름(154)의 실질적으로 제로의 양 또는 매우 제한된 양이 배플 너머로 흐르거나 또는 배플 또는 처리 볼륨(106) 뒤의 펌핑 라이너(110)의 볼륨으로 들어갈 수 있다. 그럼에도 불구하고, 제3 가스 흐름(154)은 엑스시튜 세정 동안에 비해 상대적으로 낮은 수준으로 유지될 수 있어, 처리 볼륨(106)에 존재할 수 있는 제3 가스(154)의 임의의 양을 제한하고 제3 가스 흐름(154)이 처리 볼륨(106) 내의 증착 가스의 압력 및 흐름 프로파일에 미칠 수 있는 임의의 효과를 제한할 수 있다.
[0078] 일부 실시예들에서, 증착 동안, 제3 가스 흐름(154)은, 증착 가스가 바이패스 볼륨(144) 및 바이패스 볼륨(144)의 상류에 있는 다른 챔버 볼륨들로 들어가는 것을 효과적으로 제한하거나 또는 방지하면서, 약 600 sccm 이하, 약 500 sccm 이하, 약 400 sccm 이하, 약 300 sccm 이하, 약 200 sccm 이하, 약 100 sccm 이하, 약 75 sccm 이하, 약 50 sccm 이하, 또는 그 미만으로 유지될 수 있다. 제3 가스(154) 대 제1 가스(150)의 유량의 비는 1:5 내지 1:100 범위일 수 있거나, 또는 약 1:5, 약 1:8, 약 1:10, 약 1:20, 약 1:30, 약 1:40, 약 1:50, 약 1:60, 약 1:80, 약 1:100, 또는 그 미만일 수 있다. 제3 가스(154)의 유량 대 제2 가스(152)의 유량의 비는 1:2 내지 1:50 범위일 수 있거나, 또는 약 1:2, 약 1:4, 약 1:8, 약 1:10, 약 1:15, 약 1:20, 약 1:30, 약 1:40, 약 1:50, 또는 그 미만일 수 있다. 제3 가스 흐름(154)을 비교적 낮은 수준으로 유지함으로써, 처리 볼륨(106) 내의 제3 가스(154)의 농도는, 존재하는 경우, 4 ppm 미만, 3 ppm 미만, 2 ppm 미만, 1 ppm 미만, 0.5 ppm 미만, 0.1 ppm 미만, 또는 그 미만일 수 있다.
[0079] 일부 실시예들에서, 제1 가스(150), 제2 가스(152) 및/또는 제3 가스(154)의 유량들에 따라, 초크 플레이트들(170a, 170b)의 배향에 수직인 방향을 따라 처리 볼륨(106)에서 경미한 또는 최소의 압력 스큐(pressure skew)가 관찰될 수 있다. 다시 말해서, 압력 프로파일은 처리 볼륨(106)의 중심 축에 대해 처리 볼륨(106) 내부에서 완전히 동심이거나 또는 축 방향 대칭이 아닐 수 있다.
[0080] 도 7은 제3 가스(154)의 상이한 유량들에 대한 처리 볼륨(106) 내부의 압력 프로파일들을 개략적으로 도시한다. 예를 들어, 제3 가스(154)가 500 sccm으로 흐를 수 있을 때, 초크 플레이트들(170a, 170b)의 배향에 수직인 방향을 따라 처리 볼륨(106)의 2 개의 주변 위치들에서 약 0.001 torr 이하의 압력 스큐 또는 압력 차이가 관찰될 수 있다. 제3 가스(154)가 100 sccm으로 흐를 수 있을 때, 초크 플레이트들(170a, 170b)의 배향에 수직인 방향을 따라 동일한 2 개의 주변 위치들에서 약 0.0002 torr 이하의 압력 스큐 또는 압력 차이가 관찰될 수 있다. 특정 적용에 따라, 이러한 차동 압력은 무시할 수 있다.
[0081] 제3 가스 흐름(154)으로 인해 생성될 수 있는 임의의 압력 스큐를 제거하기 위해, 도 8에 도시된 바와 같이 2 개의 바이패스 흐름들이 생성될 수 있다. 위에서 논의된 바와 같이, 펌핑 라이너(110)는 도 8에 도시된 바이패스 볼륨(144) 또는 제1 바이패스 볼륨(144a)으로부터 펌핑 라이너(110)의 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a) 내로의 유체 액세스를 제공하기 위한 바이패스 가스 입구 또는 제1 바이패스 가스 입구를 포함한다. 도 8에 도시된 실시예에서, 펌핑 라이너(110)는 제2 바이패스 볼륨 부분(144b)으로부터 제2 측 방향 연장 볼륨 부분(116b) 내로의 유체 액세스를 제공하기 위한 제2 바이패스 가스 입구를 더 포함할 수 있다. 제3 가스(154)는 제1 바이패스 볼륨(144a)을 통해 제1 측 방향 연장 볼륨 부분(116a) 내로, 그리고 제2 바이패스 볼륨(144b)을 통해 제2 측 방향 연장 볼륨 부분(116b) 내로 위에서 논의된 제3 가스 흐름(154)의 유량의 범위 또는 레벨 중 임의의 것과 같은 공통 유량으로 동시에 흐를 수 있다. 제3 가스(154)의 동시 흐름(154a, 154b)은 증착 동안 처리 볼륨(106) 내부의 동심 또는 축 방향 대칭 압력 프로파일의 생성 및/또는 유지를 용이하게 할 수 있다.
[0082] 도 9는 처리 챔버(100)를 세정하기 위해 엑스시튜 세정을 이용하는 방법(900)의 예시적인 동작들을 도시한다. 도 10a 및 도 10b는 방법(900)을 개략적으로 도시한다. 구체적으로, 도 10a 및 도 10b는 다양한 챔버 구성요소들에 의해 정의된 흐름 볼륨들을 개략적으로 도시한다. 도 10a는 방법(900)의 하나 이상의 동작들이 수행될 수 있는 동안 흐름 볼륨들의 우측 사시도를 개략적으로 도시한다. 도 10b는 방법(900)의 하나 이상의 다른 동작들이 수행될 수 있는 동안 도 10b의 동일한 사시도를 개략적으로 도시한다. 방법(900)의 다양한 동작들은 임의의 순서로 수행될 수 있고, 제거되거나 또는 수정될 수 있다.
[0083] 방법(900)은 동작(905)에서, 가스 분배 부재(102)를 통해 처리 볼륨(106) 내로 제1 또는 인시튜 세정 가스를 흐르게 하는 단계에 의해 시작할 수 있고, 동작(910)에서, 처리 볼륨(106)을 향해 상향 방향으로 기판 지지부(104)를 둘러싸는 환형 갭을 통해 제2 가스를 흐르게 하는 단계, 및 동작(915)에서, 제1 및 제2 바이패스 볼륨들(144a, 144b)로부터 각각 제1 및 제2 바이패스 입구들을 통해 펌핑 라이너(110)의 내부 볼륨(114) 내로 제3 또는 엑스시튜 가스를 흐르게 하는 단계가 이루어진다. 방법(900) 동안 흐른 제1 가스, 제2 가스 및 제3 가스는 각각 전술한 방법(400) 동안 흐른 제1 가스(150), 제2 가스(152) 및 제3 가스(154)와 동일할 수 있다. 제1 가스(150), 제2 가스(152), 및 제3 가스(154)의 유량들은 위에서 논의된 바와 같은 유량들 중 임의의 것으로 유지될 수 있다. 또한, 처리 챔버(100)의 동작 압력은 위에서 논의된 바와 같이 임의의 압력 레벨 또는 범위에서 유지될 수 있다.
[0084] 동작(920)에서, 제2 포어라인 볼륨(140b)을 정의하는 포어라인을 따라 배치된 밸브(160b)는 제2 포어라인 볼륨(140b)을 통한 흐름이 방지될 수 있도록 폐쇄될 수 있다. 밸브(160b)는 제1 포어라인 볼륨(140a)을 정의하는 포어라인을 따라 배치된 밸브(160a)와 동등하거나, 동일하거나, 또는 유사할 수 있다. 설명의 목적을 위해, 밸브(160a) 및 밸브(160b)는 각각 제1 포어라인 밸브(160a) 및 제2 포어라인 밸브(160b)로 지칭될 수 있다.
[0085] 동작(925)에서, 펌핑 라이너(110)의 제1 바이패스 가스 입구를 통해, 제1 바이패스 볼륨(144a)으로부터 내부 볼륨(114), 또는 더 구체적으로 제1 서브 볼륨(115a)으로의 제3 가스 또는 엑스시튜 세정 가스의 흐름은, 예를 들어, 제1 바이패스 가스 입구의 상류에 배치될 수 있고 제1 바이패스 볼륨(144a)으로의 엑스시튜 세정 가스의 흐름을 제어하도록 구성될 수 있는 밸브를 폐쇄함으로써 정지될 수 있다. 동작(925)에서, 펌핑 라이너(110)의 제2 바이패스 가스 입구를 통해 제2 바이패스 볼륨(144b)으로부터 제2 서브 볼륨(115b)으로의 엑스시튜 세정 가스의 흐름이 유지될 수 있다.
[0086] 동작(925)이 완료되면, 도 10a에 도시된 바와 같은 가스 흐름 또는 유체 흐름이 달성될 수 있다. 구체적으로, 엑스시튜 세정 가스는 제2 바이패스 볼륨(144b)으로부터 제2 서브 볼륨(115b)으로 흐를 수 있다. 그런 다음, 밸브(160b)의 폐쇄 및 초크 플레이트들(170a, 170b)의 존재로 인해, 엑스시튜 세정 가스는 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112) 중 절반을 통해 처리 볼륨(106)으로 들어갈 수 있고, 그런 다음 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112) 중 나머지 절반을 통해 제1 서브 볼륨(115a)으로 들어갈 수 있다. 그 다음, 엑스시튜 세정 가스는 제1 포어라인 볼륨(140a) 및 배기 볼륨(142)을 통해 배기부를 향해 흐를 수 있다. 도 10a에 도시된 바와 같은 다양한 흐름 볼륨들을 통한 엑스시튜 세정 가스의 흐름은 펌핑 라이너(110); 가스 분배 부재(102) 및 기판 지지부(104)와 같은, 처리 볼륨(106)을 정의하는 챔버 구성요소들; 및 엑스시튜 세정 가스 흐름에 노출된 다양한 다른 하류 덕트들 및 챔버 구성요소들을 세정할 수 있다. 도 10a에 도시된 바와 같은 엑스시튜 세정 가스의 흐름은 다양한 챔버 구성요소들이 충분히 세정될 수 있을 때까지 유지될 수 있다.
[0087] 동작(930)에서, 펌핑 라이너(110)의 제1 바이패스 가스 입구를 통해, 제1 바이패스 볼륨(144a)으로부터 내부 볼륨(114), 또는 더 구체적으로 제1 서브 볼륨(115a)으로의 엑스시튜 세정 가스의 흐름은 재개될 수 있다. 동작(935)에서, 제2 포어라인 밸브(160b)가 개방될 수 있고, 동작(940)에서, 제1 포어라인 밸브(160a)가 폐쇄되어 제1 포어라인 볼륨(140a)을 통한 유체 흐름을 방지할 수 있다.
[0088] 동작(945)에서, 펌핑 라이너(110)의 제2 바이패스 가스 입구를 통해, 제2 바이패스 볼륨(144b)으로부터 내부 볼륨(114), 또는 더 구체적으로 제2 서브 볼륨(115b)으로의 엑스시튜 세정 가스의 흐름은, 예를 들어, 제2 바이패스 가스 입구의 상류에 배치될 수 있고 제2 바이패스 볼륨(144b)으로의 엑스시튜 세정 가스의 흐름을 제어하도록 구성될 수 있는 밸브를 폐쇄함으로써 정지될 수 있다. 동작(945)에서, 펌핑 라이너(110)의 제1 바이패스 가스 입구를 통해 제1 바이패스 볼륨(144a)으로부터 제1 서브 볼륨(115a)으로의 엑스시튜 세정 가스의 흐름이 유지될 수 있다.
[0089] 동작(945)이 완료되면 도 10b에 도시된 바와 같은 가스 흐름 또는 유체 흐름이 달성될 수 있다. 구체적으로, 엑스시튜 세정 가스는 제1 바이패스 볼륨(144a)으로부터 제1 서브 볼륨(115a)으로 흐를 수 있다. 그런 다음, 밸브(160a)의 폐쇄 및 초크 플레이트들(170a, 170b)의 존재로 인해, 엑스시튜 세정 가스는 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112) 중 절반을 통해 처리 볼륨(106)으로 들어갈 수 있고, 그런 다음 펌핑 라이너(110)의 구멍들(112) 중 나머지 절반을 통해 제2 서브 볼륨(115b)으로 들어갈 수 있다. 그 다음, 엑스시튜 세정 가스는 제2 포어라인 볼륨(140b) 및 배기 볼륨(142)을 통해 배기부를 향해 흐를 수 있다. 도 10b에 도시된 바와 같은 다양한 흐름 볼륨들을 통한 엑스시튜 세정 가스의 흐름은 펌핑 라이너(110); 가스 분배 부재(102) 및 기판 지지부(104)와 같은, 처리 볼륨(106)을 정의하는 챔버 구성요소들; 및 엑스시튜 세정 가스 흐름에 노출된 다양한 다른 하류 덕트들 및 챔버 구성요소들을 추가로 세정할 수 있다. 도 10b에 도시된 바와 같은 엑스시튜 세정 가스의 흐름은 다양한 챔버 구성요소들이 충분히 세정될 수 있을 때까지 유지될 수 있다.
[0090] 처리 챔버(100)가 동작들(905 내지 945) 중 일부 또는 전부를 수행함으로써 세정될 수 있게 되면, 동작(950)에서, 펌핑 라이너(110)의 제2 바이패스 가스 입구를 통해 제1 바이패스 볼륨(144b)으로부터 내부 볼륨(114), 또는 더 구체적으로 제1 서브 볼륨(115a)으로의 엑스시튜 세정 가스의 흐름이 재개될 수 있다. 동작(955)에서, 제1 포어라인 밸브(160a)는 개방될 수 있다. 제1 및 제2 가스들의 유량들뿐만 아니라, 엑스시튜 세정 가스의 유량도 증착 공정들을 수행하기 위해 위에서 논의된 바와 같이 적절한 레벨들로, 또는 다양한 다른 공정들을 위해 다른 적절한 레벨들로 조정될 수 있다.
[0091] 방법(900)의 하나 이상의 동작들을 수행함으로써, 가스 분배 부재(102) 및 기판 지지부(104)와 같은, 처리 볼륨(106)을 정의하는 챔버 구성요소들뿐만 아니라, 처리 볼륨(106)의 하류에 있는 챔버 구성요소들도 또한 펌핑 라이너(110)의 바이패스 입구들을 통해 전달되는 엑스시튜 세정 가스로 세정될 수 있다. 엑스시튜 세정은 인시튜 세정과 동시에 수행될 수 있다. 따라서, 처리 볼륨(106)을 정의하는 챔버 구성요소들, 처리 볼륨(106)의 상류의 챔버 구성요소들, 및 처리 볼륨(106)의 하류의 챔버 구성요소들은 동시에 세정될 수 있다. 전체 처리 챔버(100)는 인시튜 세정만을 이용하는 것에 비해 더 효율적으로 세정될 수 있고, 따라서 생산 처리량을 개선시킬 수 있다.
[0092] 이전의 설명에서, 설명의 목적들을 위해, 본 기술의 다양한 실시예들의 이해를 제공하기 위해 다수의 세부사항들이 제시되었다. 그러나, 특정 실시예들은 이러한 세부사항들의 일부 없이, 또는 추가 세부사항들과 함께 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다.
[0093] 여러 실시예들을 개시했지만, 실시예들의 사상을 벗어나지 않으면서 다양한 변형들, 대안적인 구성들 및 등가물들이 사용될 수 있다는 것이 당업자들에 의해 인식될 것이다. 추가로, 본 기술을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하기 위해 다수의 잘 알려진 프로세스들 및 요소들은 설명되지 않았다. 이에 따라, 위의 설명은 기술의 범위를 제한하는 것으로 여겨지지 않아야 한다. 추가로, 방법들 또는 프로세스들은 순차적으로 또는 단계들로 설명될 수 있지만, 동작들은 동시에 또는 열거된 것과 상이한 순서들로 수행될 수 있다고 이해되어야 한다.
[0094] 값들의 범위가 주어진 경우, 그러한 값들의 범위의 상위 한계값과 하위 한계값 사이에 존재하는 각각의 값은, 문맥상 달리 명백히 표시되어 있지 않은 한 하위 한계값의 최소 자릿수의 단위 값의 10분의 1까지 또한 구체적으로 기재된 것으로 해석된다. 명시된 범위 내의 임의의 명시된 값들 또는 그 범위에 속하는 명시되지 않은 값들과 그러한 명시된 범위 내의 임의의 다른 명시된 값 또는 그 범위에 속하는 다른 값 사이에 존재하는 임의의 소범위가 포함된다. 이러한 소범위의 상위 한계값 및 하위 한계값은 독립적으로 그러한 범위에 포함되거나 그러한 범위에서 제외될 수 있고, 각각의 범위는, 상위 한계값과 하위 한계값 중 하나 또는 둘 모두가 그러한 소범위에 포함되든지, 둘 모두가 그러한 소범위에서 제외되는지 간에, 구체적으로 제외된 임의의 한계값이 명시된 범위에 있는 한, 또한 본 기술에 포함된다. 명시된 범위가 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 경우, 그렇게 포함된 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 제외한 범위들이 또한 포함된다.
[0095] 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, 단수 표현들은 문맥이 달리 명확하게 명시하지 않는 한, 복수형 언급들을 포함한다. 따라서, 예를 들어, "전구체(precursor)"에 대한 언급은 복수의 이러한 전구체들을 포함하고, "층(layer)"에 대한 언급은 당업자에게 공지된 하나 이상의 층들 및 그의 균등물들 등에 대한 언급을 포함한다.
[0096] 또한, "포함하다(comprise(s))", "포함하는(comprising)", "함유하다(contain(s))", "함유하는(containing)", "포함하다(include(s))" 및 "포함하는(including)"이라는 단어들은, 본 명세서 및 다음 청구항들에서 사용될 때, 언급된 특징들, 인티저(integer)들, 구성요소들, 또는 동작들의 존재를 명시하도록 의도되지만, 그러나 이들은 하나 이상의 다른 특징들, 인티저들, 구성요소들, 동작들, 작용들, 또는 그룹들의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

Claims (15)

  1. 처리 챔버로서,
    가스 분배 부재;
    상기 가스 분배 부재 아래에 포지셔닝된 기판 지지부 ― 상기 가스 분배 부재 및 상기 기판 지지부는 처리 볼륨(processing volume)을 적어도 부분적으로 정의하고, 상기 가스 분배 부재는 상기 처리 볼륨으로의 유체 액세스(fluid access)를 제공함 ― ;
    상기 기판 지지부로부터 반경 방향 외측으로 배치된 펌핑 라이너(pumping liner) ― 상기 펌핑 라이너는 상기 처리 볼륨 주위에 원주 방향으로 배치된 복수의 구멍들 및 상기 복수의 구멍들을 통해 상기 처리 볼륨과 유체 연통하는 내부 볼륨을 정의하고, 그리고 상기 펌핑 라이너는 추가로, 상기 복수의 구멍들로부터 반경 방향 외측으로 배치된 가스 입구를 정의하고, 상기 가스 입구는 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로의 유체 액세스를 제공함 ― ; 및
    흐름 제어 기구(flow control mechanism)
    를 포함하며, 상기 흐름 제어 기구는 상기 가스 분배 부재로부터 상기 처리 볼륨으로 유체를 분배하는 동안 유체 흐름을 상기 가스 입구를 통해 상기 내부 볼륨으로 안내한 다음, 상기 펌핑 라이너의 상기 복수의 구멍들의 서브세트를 통해 상기 처리 볼륨으로 안내하도록 동작 가능한, 처리 챔버.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 흐름 제어 기구는 상기 펌핑 라이너 내부에 배치된 제1 초크 플레이트(choke plate) 및 제2 초크 플레이트를 포함하고, 상기 제1 초크 플레이트 및 상기 제2 초크 플레이트는 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨을 제1 볼륨 및 제2 볼륨으로 분할하고, 상기 제1 볼륨은 상기 복수의 구멍들 중 절반을 통해 상기 처리 볼륨과 유체 연통하고, 상기 제2 볼륨은 상기 복수의 구멍들 중 나머지 절반을 통해 상기 처리 챔버와 유체 연통하고, 상기 흐름 제어 기구는 유체 흐름을 상기 처리 볼륨을 통해 상기 제1 볼륨으로부터 상기 제2 볼륨으로 안내하도록 동작 가능한, 처리 챔버.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 흐름 제어 기구는 가스 출구의 하류에 그리고 배기부의 상류에 배치된 밸브를 포함하고, 상기 밸브는 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨 또는 상기 처리 챔버로부터 상기 가스 출구를 통해 상기 배기부로의 유체 흐름을 방지하기 위해 폐쇄되도록 동작 가능한, 처리 챔버.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 가스 출구는 제1 가스 출구이고, 상기 밸브는 제1 밸브이고, 상기 흐름 제어 기구는 제2 가스 출구, 및 상기 제2 가스 출구의 하류에 그리고 상기 배기부의 상류에 배치된 제2 밸브를 더 포함하고, 상기 가스 입구는 제1 가스 입구이고, 상기 펌핑 라이너는 제2 가스 입구를 추가로 정의하고, 상기 제2 밸브는 상기 가스 분배 부재로부터 상기 처리 볼륨으로 유체를 분배하는 동안 유체 흐름을 상기 제2 가스 입구를 통해 상기 내부 볼륨으로 안내한 다음, 상기 복수의 구멍들의 다른 서브세트를 통해 상기 처리 볼륨으로 안내하기 위해 폐쇄되도록 동작 가능한, 처리 챔버.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 펌핑 라이너는 서로 정반대로 대향하는 제1 내부 배플(internal baffle) 및 제2 내부 배플을 포함하고, 상기 제1 배플은 상기 가스 입구와 상기 복수의 구멍들 사이에 배치되는, 처리 챔버.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 펌핑 라이너는,
    상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨의 제1 측 방향 연장 볼륨 부분을 정의하는 제1 부분 ― 상기 가스 입구는 상기 제1 부분의 상부 표면에 배치됨 ― ;
    상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨의 제2 측 방향 연장 볼륨 부분을 정의하는 제2 부분 ― 상기 제1 측 방향 연장 볼륨 부분 및 상기 제2 측 방향 연장 볼륨 부분은 서로 정반대로 대향함 ― ;
    상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨의 제1 환상체 형상의(toroidally shaped) 볼륨 부분을 정의하는 제3 부분 ― 상기 제1 환상체 형상의 볼륨 부분은 상기 제1 측 방향 연장 볼륨 부분과 상기 제2 측 방향 연장 볼륨 부분 사이에 배치됨 ― ; 및
    상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨의 제2 환상체 형상의 볼륨 부분을 정의하는 제4 부분 ― 상기 제1 환상체 형상의 볼륨 부분 및 상기 제2 환상체 형상의 볼륨 부분은 서로 정반대로 대향함 ―
    을 포함하는, 처리 챔버.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 가스 입구는 제1 가스 입구이고, 상기 펌핑 라이너는 상기 제2 부분의 상부 표면에 배치된 제2 가스 입구를 추가로 정의하고, 상기 흐름 제어 기구는 상기 가스 분배 부재로부터 상기 처리 볼륨으로 유체를 분배하는 동안 유체 흐름을 상기 제2 가스 입구를 통해 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로 안내한 다음, 상기 펌핑 라이너의 상기 복수의 구멍들의 다른 서브세트를 통해 상기 처리 볼륨으로 안내하도록 추가로 동작 가능한, 처리 챔버.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 처리 챔버의 하부 부분으로부터 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨 및 상기 처리 볼륨으로의 유체 액세스를 제공하기 위해 상기 기판 지지부 주위에 환형 갭(annular gap)을 더 포함하는, 처리 챔버.
  9. 처리 챔버를 세정하기 위한 방법으로서,
    처리 챔버의 가스 분배 부재를 통해, 상기 처리 챔버의 기판 지지부 및 상기 가스 분배 부재에 의해 적어도 부분적으로 정의되는 처리 볼륨으로 제1 가스를 흐르게 하는 단계;
    상기 처리 챔버의 펌핑 라이너의 가스 입구를 통해 상기 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제2 가스를 흐르게 하는 단계 ― 상기 펌핑 라이너는 상기 기판 지지부로부터 반경 방향 외측으로 배치되고, 상기 내부 볼륨은 상기 처리 볼륨 주위에 원주 방향으로 배치된 상기 펌핑 라이너의 복수의 구멍들을 통해 상기 처리 볼륨과 유체 연통함 ― ;
    상기 처리 볼륨으로 상기 제1 가스의 흐름을 유지하면서, 상기 복수의 구멍들 중 구멍들의 제1 서브세트를 통해 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로부터 상기 처리 볼륨으로 상기 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계; 및
    상기 복수의 구멍들 중 구멍들의 제2 서브세트를 통해 상기 처리 볼륨으로부터 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로 상기 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계
    를 포함하는, 처리 챔버를 세정하기 위한 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨은 한 쌍의 초크 플레이트들에 의해 분리되는 제1 볼륨 및 제2 볼륨을 포함하고,
    상기 펌핑 라이너의 상기 가스 입구를 통해 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로 상기 제2 가스를 흐르게 하는 단계는, 상기 펌핑 라이너의 상기 가스 입구를 통해 상기 제1 볼륨으로 상기 제2 가스를 흐르게 하는 단계를 포함하고,
    상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로부터 상기 처리 볼륨으로 상기 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계는, 상기 제1 볼륨으로부터 상기 처리 볼륨으로 상기 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계를 포함하고, 상기 제2 가스의 일부는 전체 처리 볼륨에 걸쳐 분포되고, 그리고
    상기 처리 볼륨으로부터 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로 상기 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계는, 상기 처리 볼륨으로부터 상기 제2 볼륨으로 상기 제2 가스의 일부를 흐르게 하는 단계를 포함하는, 처리 챔버를 세정하기 위한 방법.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 가스는 실질적으로 균일한 농도로 전체 처리 볼륨에 걸쳐 분포되고, 상기 제1 가스는 제1 유량으로 흐르고, 상기 제2 가스는 상기 제1 유량보다 큰 제2 유량으로 흐르는, 처리 챔버를 세정하기 위한 방법.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 가스 입구는 제1 가스 입구이고,
    상기 방법은,
    상기 펌핑 라이너의 상기 제1 가스 입구를 통해 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로의 상기 제2 가스의 흐름을 중단시키는 단계;
    상기 펌핑 라이너의 제2 가스 입구를 통해 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로 제3 가스를 흐르게 하는 단계;
    상기 복수의 구멍들 중 상기 구멍들의 제2 서브세트를 통해 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로부터 상기 처리 볼륨으로 상기 제3 가스의 일부를 흐르게 하는 단계; 및
    상기 복수의 구멍들 중 상기 구멍들의 제1 서브세트를 통해 상기 처리 볼륨으로부터 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로 상기 제3 가스의 일부를 흐르게 하는 단계
    를 더 포함하는, 처리 챔버를 세정하기 위한 방법.
  13. 제9 항에 있어서,
    상기 기판 지지부를 둘러싸는 환형 갭을 통해 상기 처리 볼륨을 향해 상향 방향으로 제3 가스를 흐르게 하는 단계를 더 포함하는, 처리 챔버를 세정하기 위한 방법.
  14. 증착 방법으로서,
    처리 챔버의 가스 분배 부재를 통해, 상기 가스 분배 부재 및 상기 처리 챔버의 기판 지지부에 의해 적어도 부분적으로 정의되는 처리 볼륨으로 제1 가스를 흐르게 하는 단계 ―상기 기판 지지부 상에 반도체 기판이 지지됨―; 및
    상기 처리 챔버의 펌핑 라이너의 가스 입구를 통해 상기 펌핑 라이너의 내부 볼륨으로 제2 가스를 흐르게 하는 단계
    를 포함하며, 상기 펌핑 라이너는 상기 기판 지지부로부터 반경 방향 외측으로 배치되고, 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨은 상기 처리 볼륨 주위에 원주 방향으로 배치된 복수의 구멍들을 통해 상기 처리 볼륨과 유체 연통하고, 상기 제1 가스는 제1 유량으로 흐르고, 상기 처리 볼륨으로의 상기 제2 가스의 흐름이 실질적으로 방지되면서 상기 제1 가스가 상기 복수의 구멍들을 통해 상기 처리 볼륨으로부터 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로 흐르도록 상기 제2 가스는 상기 제1 유량보다 적은 제2 유량으로 흐르고, 상기 처리 볼륨 내부의 2 개의 주변 위치들 사이의 압력 차이는 0.1 Torr 미만인, 증착 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 가스 입구는 제1 가스 입구이고,
    상기 증착 방법은,
    상기 펌핑 라이너의 제2 가스 입구를 통해 상기 펌핑 라이너의 상기 내부 볼륨으로 제3 가스를 흐르게 하는 단계 ― 상기 제1 가스 입구 및 상기 제2 가스 입구는 서로 정반대로 대향하고, 상기 처리 볼륨으로의 상기 제3 가스의 흐름이 실질적으로 방지되도록 상기 제3 가스는 상기 제1 유량보다 적은 제3 유량으로 흐르고, 상기 제1 가스의 흐름, 상기 제2 가스의 흐름, 및 상기 제3 가스의 흐름은 상기 처리 볼륨의 중심축을 중심으로 상기 처리 볼륨 내부에 축 방향으로 대칭인 압력 프로파일을 집합적으로 생성함 ― ; 및
    상기 기판 지지부를 둘러싸는 환형 갭을 통해 상기 처리 볼륨을 향해 상향 방향으로 상기 제3 가스를 흐르게 하는 단계
    를 더 포함하는, 증착 방법.
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