KR20220034803A - 전자 주입층 증착 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판(11') 상의 잉크(13)로부터 층(131)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 슬롯-다이 코팅 장치로 잉크 볼륨(13)을 증착하는 단계; 1차 건조 단계; 및 2차 건조 단계를 포함한다.
Description
본 특허 출원은 프랑스 특허 출원 FR20/03198에 기초하여 우선권 주장하며, 그 내용은 본 명세서에서 참고로 포함된다.
본 발명은 일반적으로 광전자 구성요소용 잉크, 보다 구체적으로는 이러한 잉크의 증착 방법에 관한 것이다.
폴리에틸렌이민(PEI) 및 에톡실화 폴리에틸렌이민(PEIE)으로 구성된 잉크는 특히 이미지 센서에 사용되며, 보다 구체적으로는 이러한 센서의 전극 표면에 사용되어 상기 전극의 일 함수를 변경하는데 사용된다.
PEI 또는 PEIE로 구성된 잉크의 용액, 특히 이러한 용액으로부터 층을 형성하는 방법을 개선할 필요가 있다.
일 실시형태는 공지된 방법의 단점의 전부 또는 일부를 극복한다.
일 실시양태는 하기 단계를 포함하는, 기판 상에 잉크로부터 층을 형성하는 방법을 제공한다:
슬롯-다이 코팅 장치를 사용하여 잉크 볼륨을 증착하는 단계;
1차 건조 단계; 및
2차 건조 단계.
일 실시예에 따르면, 기판은 전극이다.
일 실시예에 따르면, 1차 건조는 진공 챔버에서 수행된다.
일 실시예에 따르면, 이 방법은 증착 단계 전에 반응성 이온 에칭 또는 코로나 처리에 의해 대기압 플라즈마, 진공 플라즈마로 기판을 표면 처리하는 단계를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 잉크는 용매 및 중합체를 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 용매는 부탄올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 및 디메틸설폭사이드 중에서 선택된다.
일 실시형태에 따르면, 중합체는 폴리에틸렌이민, 에톡실화 폴리에틸렌이민, 퍼플루오로안트라센, 및 하나 또는 복수의 공액 티올 중에서 선택된다.
일 실시형태에 따르면, 중합체는 잉크 중 부피 농도 0.001% 내지 0.1% 범위, 바람직하게는 0.01% 내지 0.04% 범위를 갖는다.
일 실시양태에 따르면, 중합체는 1 kg/mol 내지 1,000 kg/mol 범위, 바람직하게는 20 kg/mol 내지 200 kg/mol 범위의 몰 질량을 갖는다.
일 실시형태에 따르면, 상기 층은, 증착 단계 종료 시, '습윤(wet)'이라 불리는 7㎛ 내지 45㎛ 범위의 두께를 갖는다.
일 실시예에 따르면, 상기 층은 2차 건조의 종료 시 '건조'라고 불리는 1 nm 내지 3 nm 범위의 두께, 바람직하게는 약 1.5 nm의 두께를 갖는다.
본 발명의 상기 및 기타 특징 및 장점은 첨부 도면과 관련하여 특정 실시형태에 대한 하기의 비제한적인 설명에서 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 투명 전극을 갖는 사용자 인터페이스 장치의 예를, 부분적으로 단순화된 단면도로 도시한다.
도 2는 층 형성 방법의 실시 모드의 단계를, 부분적으로 단순화된 단면도로 도시한다.
도 3은 층 형성 방법의 실시 모드의 다른 단계를, 부분적으로 단순화된 단면도로 도시한다.
도 4는 층 형성 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
도 5는 층 형성 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
도 6은 층 형성 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
도 1은 투명 전극을 갖는 사용자 인터페이스 장치의 예를, 부분적으로 단순화된 단면도로 도시한다.
도 2는 층 형성 방법의 실시 모드의 단계를, 부분적으로 단순화된 단면도로 도시한다.
도 3은 층 형성 방법의 실시 모드의 다른 단계를, 부분적으로 단순화된 단면도로 도시한다.
도 4는 층 형성 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
도 5는 층 형성 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
도 6은 층 형성 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
여러 도면에서 유사한 특징은 유사한 참조번호로 지정되었다. 특히, 다양한 실시형태 중에서 공통적인 구조적 및/또는 기능적 특징은 동일한 참조번호로 지정될 수 있고, 동일한 구조적, 치수 및 물질 특성을 나타낼 수 있다.
명료함을 위해, 본 명세서에 설명된 실시형태의 이해에 유용한 단계 및 요소만이 상세하게 예시되고 설명되었다.
달리 명시하지 않는 한, 함께 연결된 2 요소를 참조하는 경우, 이는 도체 이외의 중간 요소가 없는 직접 연결을 의미하고, 함께 결합된 2 요소를 참조하는 경우, 이는 이들 두 요소가 연결될 수 있고, 또는 하나 또는 복수의 다른 요소를 통해 결합될 수도 있음을 의미한다.
본 명세서에서, 달리 지정하지 않는 한, "전방", "후방", "상부", "저부", "좌측", "우측" 등과 같은 절대 위치를 한정하는 용어, 또는 "위", "아래", "위쪽", "아래쪽" 등과 같은 상대적 용어, 또는 "수평", "수직" 등의 용어와 같은 한정된 방향 한정은, 도면에 나타낸 방향을 참조하여야 한다.
달리 명시되지 않는 한, 표현 "거의", "약, "실질적으로" 및 "순서대로"는 10% 이내, 바람직하게는 5% 이내를 의미한다.
이하의 설명에서는, 특별한 언급이 없는 한, 그 층 또는 필름을 투과하는 방사선의 투과율이 10% 미만인 경우, 그 층 또는 필름은 방사선에 대해 불투명한 층 또는 필름이라 부른다. 본 명세서의 나머지 부분에서, 층 또는 필름을 통한 방사선의 투과율이 10% 초과, 바람직하게는 50% 초과인 경우, 그 층 또는 필름은 방사선에 대해 투명하다고 한다. 일 실시형태에 따르면, 동일한 광학 시스템에 대해, 방사선에 불투명한 광학 시스템의 모든 요소는 상기 방사선에 투명한 광학 시스템 요소의 가장 낮은 투과율의 절반 미만, 바람직하게는 1/5 미만, 더 바람직하게는 10분의 1 미만인 투과율을 갖는다. 본 명세서의 나머지 부분에서, "유용한 방사선"이라는 용어는 작동 중인 광학 시스템을 가로지르는 전자기 방사선을 의미한다.
도 1은 투명 전극을 갖는 사용자 인터페이스 장치(1)의 일 실시형태의 단순화된 부분 단면도를 도시한다.
상기 장치(1)는 광검출기(21)(광검출기는 도 1에서 점선으로 표시됨)라고 하는 광자 센서 어레이를 포함하며, 바람직하게는 작동 부재, 예를 들어 핑거(23)의 이미지 또는 그림자의 변화를 감지할 수 있다. 광검출기(21)는 투명 또는 반투명 유전체 재료, 예를 들어 유리 또는 플라스틱으로 제조된 기판(25) 상에 형성된다.
일 실시형태에 따르면, 기판(25)은, 예를 들어 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 판독 회로의 어레이이다.
각 광검출기(21)는 스택에서 아래로부터 위로 다음을 포함한다:
- 다음으로 이루어진 불투명 또는 투명한 금속 전극(11):
- TCO(Transparent Conductive Oxide) 물질, 예를 들어 인듐 주석 산화물, 갈륨 아연 산화물, 주석 산화물, 불소 주석 산화물(FTO), 아연 산화물, 알루미늄 아연 산화물, 인듐 카드뮴 산화물, 티타늄 질화물(TiN), 인듐 주석 산화물(ITO);
- 금속, 예를 들어 금, 은, 납, 팔라듐, 구리, 니켈, 텅스텐 또는 크롬;
- 탄소, 은 또는 구리 나노와이어;
- 그래핀; 또는
- 이들 물질 중 2 이상의 혼합물;
- 도 2 내지 6과 관련하여 설명된 방법에 따라, 잉크로부터 얻어진 전자 주입 층(EIL)(134);
- 활성 층이라고 불리는 유기 재료로 이루어진 층(27). 활성층(27)은 양극성 반도체 물질, 또는 N-형 반도체 물질과 P-형 반도체 물질의 혼합물을, 이를테면 벌크 이종접합(heterojunction)을 형성하기 위한 적층된 층 또는 나노미터 규모의 밀접한(intimate) 혼합물 형태로 포함할 수 있음. 활성층(27)의 두께는 50 nm 내지 2 ㎛ 범위, 예를 들어 200 nm 정도임.
- 고농도로 도핑된 유기 반도체 중합체, 예를 들어 PEDOT:PSS로 알려진 중합체로 이루어진 정공 주입층(29)(HIL);
- PEDOT:PSS 유형 중합체 또는 예를 들어 ITO(인듐 주석 산화물)와 같은 TCO로 이루어진 모든 광검출기에 공통인 캐소드를 형성하는 전극(31).
활성층(27)을 형성할 수 있는 P-반도체 중합체의 예로는, 폴리(3-헥실티오펜)(P3HT), 폴리[N-9'-헵타데카닐-2,7-카바졸-alt-5,5-(4,7-디-2-티에닐-2',1',3'-벤조티아디아졸)](PCDTBT), 폴리[(4,8-비스-(2-에틸헥실옥시)-벤조[1,2-b;4,5-b']디티오펜)-2,6-디일-alt-(4-(2-에틸헥사노일)-티에노[3,4-b]티오펜))-2,6-디일](PBDTTT-C), 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌-비닐렌](MEH-PPV), 또는 폴리[2,6-(4,4-비스-(2-에틸헥실)-4H-사이클로펜타[2,1-b;3,4-b']디티오펜)-alt-4,7(2,1,3-벤조티아디아졸)](PCPDTBT)이 있다.
활성층(27)을 형성할 수 있는 N-형 반도체 물질의 예로는 풀러렌, 특히 C60, [6,6]-페닐-C61-메틸 부타노에이트([60]PCBM) 및 [6,6]-페닐-C71-메틸 부타노에이트([70]PCBM)가 있다.
광검출기(21)의 광 활성층(27)은 본 명세서에서 캡슐화 층(33) 및 전극(31) 및 층(29)을 통해 조명되도록 의도된다. 광 방사는 화살표(35)로 개략적으로 표시된다.
층(29)은 예를 들어 도시되지 않은 포토리소그래피 단계 동안 구조화될 수 있다.
광검출기 어레이(21)는 수동 어레이 또는 능동 어레이일 수 있다. 수동 어레이의 경우, 투명 전극(31)은 평행한 직선 스트립에 해당할 수 있으며, 각 스트립은 동일한 행의 모든 광검출기(21)에 연결될 수 있다. 능동 어레이의 경우, 투명 전극(31)은 어레이의 모든 광검출기(21)와 접촉하는 연속적인 층에 대응할 수 있다. 변형으로서, 투명 전극(31)은 서로 분리될 수 있고, 광검출기(21)는 이 경우에 서로 독립적이다.
도 2 내지 도 6은 전극(11)의 표면에 층(134)을 형성하는 방법의 실시 모드의 단계들을 예시한다. 보다 일반적으로, 도 2 내지 도 6은 예를 들어 전극과 다를 수 있는 기판(11')의 표면에 층(134)을 형성하는 방법의 실시 모드의 단계를 도시한다.
도 2는 층(134)을 형성하는 방법의 실시 모드의 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
보다 구체적으로, 도 2는 방법의 초기 구조를 예시한다. 초기 구조는 기판(11')(예를 들어, 도 1의 전극(11))을 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 기판(11')은 아연 산화물(ZnOx), 인듐-주석 산화물(ITO), 아연-주석 산화물(ZTO), 알루미늄 아연 산화물(AZO), 티타늄 산화물(TiOx), 몰리브덴 산화물(MoOx), 니켈 산화물(NiOx), 크롬 산화물(CrOx), 구리 산화물(CuOx), 코발트 산화물(CoOx), 산화철(FeOx), 망간 산화물(MnOx), 또는 이들 산화물 중 2종 이상의 혼합물 중에서 선택된 금속 산화물로 제조된다.
일 실시형태에 따르면, 기판(11')은 금, 구리, 은, 몰리브덴-탄탈륨, 몰리브덴-구리로부터 선택된 금속 또는 금속 합금으로 제조된다.
일 실시형태에 따르면, 기판(11')은 세라믹 재료, 즉, 예를 들어, 탄화티타늄(TiC)과 같은 탄화물, 붕화물, 질화티타늄(TiN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 질화물로 제조된다.
일 실시형태에 따르면, 기판(11'), 보다 구체적으로 기판(11')의 표면은 먼저 대기압에서 플라즈마로 처리된다.
플라즈마 처리는 예를 들어 기판(11')의 표면을 친수성으로 만들기 위해 사용된다. 플라즈마 처리는 기판(11')의 표면을 기능화하고(히드록실 및 카르보닐 기능을 갖게 함), 기판(11')의 표면 에너지를 증가시키기 위해 추가로 사용된다.
변형으로서, 기판(11')의 표면은 진공 플라즈마, 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 코로나 처리된다.
도 3은 층(134)을 형성하는 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
보다 구체적으로, 도 3은 층(131)을 형성하기 위해 기판(11')의 표면에 일정 부피의 용액 또는 잉크(13)를 증착하는 단계를 예시한다.
용액(13)은 바람직하게는 중합체 및 용매로 배합 및 제조된다.
상기 용액(13)의 조성물에 사용되는 용매는 중합체를 균일하게 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매인 것이 바람직하다.
용매는 예를 들어 약 110℃보다 높은 비점을 갖는 용매이다. 용매는 바람직하게는 부탄올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 디메틸설폭사이드(DMSO), 또는 이들 용매의 조합물이다.
중합체는 예를 들어 폴리에틸렌이민(PEI), 에톡실화 폴리에틸렌이민(PEIE), 공액 티올 또는 퍼플루오로안트라센 중에서 선택된다.
상기 중합체는 폴리에틸렌이민이 바람직하다.
중합체는 예를 들어 1 kg/mol 내지 1,000 kg/mol 범위, 바람직하게는 20 kg/mol 내지 200 kg/mol 범위의 몰 질량을 갖는다.
중합체의 몰 질량은 예를 들어 특히 광산란 검출기에 결합된 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된다. 이 기술은 분자를 다른 컬럼으로 펌핑하여 크기에 따라 중합체의 분자를 분리하는 것을 포함한다. 매우 작은 각도로 산란된 빛은 중량 평균 분자 질량을 알 수 있다. 본 발명에 사용된 몰 질량은 중량 평균 몰 질량이다.
일 실시형태에 따르면, 중합체는 0.001% 내지 0.1% 범위, 바람직하게는 0.01% 내지 0.04% 범위의 용액(13)의 부피 농도를 갖는다.
용액(13)의 증착은 슬롯-다이 코팅 장치를 사용하여 수행된다.
슬롯-다이 코팅 장치는 주어진 표면에 균일한 용액을 전달한다. 이는 특히 슬롯(151)이 제공된 헤드(15)로 구성된다.
용액 또는 코팅 물질은 헤드의 슬롯을 횡단한 후 상기 표면에 증착된다. 기판은 일반적으로 용액이 선택된 영역 전체에 증착되도록 바람직하게 직선으로 움직이도록 설정된다.
슬롯 다이 코팅 장치에는 일반적으로 다음의 4개 서브시스템이 제공된다:
슬롯에서 용액의 유량을 측정하기 위한 서브시스템;
상기 표면에 대해 헤드를 위치시키기 위한 서브시스템;
상기 표면의 전체 폭에 걸쳐 용액의 균일한 분포를 제공하는 분포 서브시스템; 및
기판 움직임을 결정하기 위한 서브시스템.
서브시스템은 상호 작용하여 균일한 코팅 또는 층을 형성한다. 따라서 증착된 층의 두께는 다음과 같은 함수이다:
헤드의 슬롯에 대한 상기 표면의 속도; 및
용액이 분배되는 유속 또는 헤드의 슬롯을 통한 용액의 속도.
도 3에 도시된 실시형태에 따르면, 층(131)의 증착은 풀 플레이트(full plate)로 수행된다. 즉, 층(131)은 기판(11')의 전체 상부 표면을 덮는다.
도 1의 적용 예에서, 이것은 잉크(13)가 전극(11)을 형성하기 위해 에칭되기 전에 밑에 있는 층을 형성하는 물질에 증착된다는 것을 의미한다.
이 단계 중에, 중합체는 중합체에 따라 물리흡착 또는 화학흡착에 의해 기판(11')의 표면에 흡착되어 단분자 서브층을 형성한다. 용매는 하나 또는 복수의 연속적인 하위층에 증착된다.
예를 들어, PEIE 및 PEI는 기판(11') 표면에서 물리 흡착 메커니즘을 생성하는 반면, 퍼플루오로안트라센 및 공액 티올은 화학흡착 메커니즘을 생성한다.
일 실시형태에 따르면, 기판(11')에 대한 헤드(15)의 변위 속도는 약 70 mm/초이다.
일 실시형태에 따르면, 슬롯(151)의 출구에서 용액(13)의 유속은 약 300 μL/sec이다.
도 3에 도시된 단계의 종료 시, 중합체 및 용매로 이루어진 층(131)은 기판(11')의 표면 전체에 걸쳐 습윤(wet)이라고 하는 실질적으로 일정한 두께(A)를 갖는다.
두께(A)는 예를 들어 7㎛ 내지 45㎛ 범위이다.
도 4는 층(134)을 형성하는 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
보다 구체적으로, 도 4는, 도 2 및 3의 단계의 종료 시, 얻어진 구조의 층(131)에 존재하는 증기(17)에 의해 도 4에 도시된, 용매를 부분적으로 증발시킬 수 있는 제1 건조 단계를 예시한다. 도 4에 도시된 단계는 중합체를 기판(11')의 표면에 고정하는 것을 추가로 가능하게 한다.
도 4에 도시된 구조는 기판(11') 및 도 3의 층(131)에서 유래하는 층(132)을 포함한다. 층(132)은 도 4에 예시된 단계 동안 다양한 조성을 갖는 층이다.
도 4에 도시된 단계의 시작에서, 층(132)은 층(131)에 해당한다.
도 4에 도시된 단계 중에, 층(132)에 존재하는 용매의 증발은 층(132)의 조성물에서 용매 함량을 감소시킨다. 이 단계 중에, 층(132)의 조성물에서 용매 함량은 수십 퍼센트까지 감소한다.
도 4에 도시된 단계의 종료 시, 층(132)의 조성물에서 용매 함량은 예를 들어 10% 미만, 바람직하게는 5% 미만이다. 1차 건조 종료 시, 층(132)의 조성물에서 용매 함량은 1% 미만인 것이 보다 바람직하다.
1차 건조 종료 시, 층(132)의 두께는 도 3에 도시된 층(131)의 두께보다 훨씬 얇다. 따라서 층(132)은 예를 들어 수 나노미터 내지 수십 나노미터 범위의 두께를 갖는다.
1차 건조는 진공 챔버(VCD: vacuum chamber)에서 이루어진다. 예를 들어 건조 시간은 약 2분이다.
이 단계에서 챔버는 가열되거나 가열되지 않을 수 있다.
도 3 및 도 4의 단계는 바람직하게는 연속적이다. 2 단계들 사이의 시간은 예를 들어 10초 내지 20초의 범위이다.
도 5는 층(134)을 형성하는 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
보다 구체적으로, 도 5는, 도 2 내지 도 4의 단계의 종료 시, 얻어진 구조의 층(132)에 존재하는 용매의 증발을 계속할 수 있는 제2 건조 단계를 예시한다.
2차 건조는 예를 들어 50℃ 내지 200℃ 범위, 바람직하게는 50℃ 내지 150℃ 범위의 노(19)에서 수행된다. 2차 건조의 온도는 약 100℃가 더욱 바람직하다.
2차 건조는 예를 들어 1분 내지 120분 범위, 바람직하게는 5분 내지 20분 범위의 지속시간을 갖는다. 2차 건조 시간은 보다 바람직하게는 약 10분이다.
도 5에 예시된 구조는 기판(11') 및 도 4의 층(132)에서 유래하는 층(133)을 포함한다. 층(133)은 도 5에 예시된 단계 동안 변화하는 조성을 갖는 층이다.
도 5에 도시된 단계의 시작에서, 층(133)은 층(132)에 해당한다.
도 5에 예시된 단계 동안, 층(133)에 존재하는 용매의 증발을 계속하면, 층(133)의 조성물에서 용매 함량이 감소한다. 이 단계 동안, 층(133)의 조성물의 용매 함량은 몇 퍼센트까지 감소한다.
1차 건조의 종료 시, 층(133)의 조성물에서 용매 함량은 예를 들어 1% 미만, 바람직하게는 0.1% 미만이다. 2차 건조 종료 시 층(133)의 조성물에서 용매 함량은 0.01% 미만인 것이 보다 바람직하다.
도 6은 층(134)을 형성하는 방법의 실시 모드의 또 다른 단계를, 부분 단순화된 단면도로 도시한다.
보다 구체적으로, 도 6은 도 2 내지 도 5의 단계 종료 시 얻어진 최종 구조를 도시한 것이다.
도 6에 예시된 구조는 기판(11') 및 도 5의 층(133)에서 유래하는 층(134)을 포함한다. 층(134)은 도 5에 예시된 단계의 종료 시 층(133)에 해당한다.
중합체 및 용매 흔적량으로 이루어진 층(134)은 기판(11') 전체에 걸쳐 건조라고 하는 대략 균일한, 바람직하게는 균일한 두께(B)를 갖는다.
층(134)의 두께(B)는 예를 들어 0.5 nm 내지 10 nm 범위이다. 층(134)의 두께(B)는 바람직하게는 1 nm 내지 3 nm 범위이다. 바람직하게는, 전체 기판(11')에 걸친 층(134)의 두께 변화는 0.3 nm 미만, 바람직하게는 0.1 nm 미만이다.
설명된 실시형태 및 실시 모드의 장점은 예를 들어 센서의 전극과 같은 기판(11') 상의 중합체 증착물(바람직한 실시형태에서 PEI 또는 PEIE)의 두께를 제어한다는 점이다.
설명된 실시형태 및 실시 모드의 또 다른 장점은 센서의 성능을 증가시킬 수 있는 매우 얇은 층을 형성할 수 있다는 점이다.
설명된 실시형태 및 실시 모드의 또 다른 장점은 기판의 전체 표면에 걸쳐 층 두께의 균일성(나노미터의 1/10 정도)을 제공할 수 있다는 점이다.
설명된 실시형태 및 실시 모드의 또 다른 장점은 하나의 증착에서 다른 증착까지 증착 두께의 반복성을 보장할 수 있다는 점이다. 실제로, 주어진 파라미터(용액의 유량 및 기판의 변위 속도)에 대해 두께는 증착 또는 다음 증착 동안 실질적으로 동일하다.
다양한 실시형태 및 변형예가 설명되었다. 당업자는 이러한 실시형태의 특정 특징이 조합될 수 있고, 다른 변형이 당업자에게 용이하게 이루어질 수 있음을 이해할 것이다. 특히, 설명된 실시형태 및 실시 모드는 예를 들어 위에서 언급된 치수 및 물질의 예에 제한되지 않는다.
마지막으로, 설명된 실시형태 및 변형예의 실제적인 실시는 위에 주어진 기능적 표시에 기초하여 당업자의 능력 범위 내에 있다.
Claims (11)
- 슬롯-다이 코팅 장치를 사용하여 잉크 볼륨(13)을 증착하는 단계;
1차 건조 단계; 및
2차 건조 단계를 포함하는, 기판(11') 상에 잉크(13)로부터 층(134)을 형성하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 기판(11')이 전극(11)인 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 1차 건조 단계가 진공 챔버에서 수행되는 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증착 단계 전에, 대기 플라즈마, 진공 플라즈마, 반응성 이온 에칭, 또는 코로나 처리에 의한 상기 기판(11')의 표면 처리 단계를 포함하는 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 잉크(13)가 용매 및 중합체를 포함하는 방법. - 제5항에 있어서,
상기 용매는 부탄올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 및 디메틸설폭시드 중에서 선택되는 방법. - 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 중합체가 폴리에틸렌이민, 에톡실화 폴리에틸렌이민, 퍼플루오로안트라센, 및 하나 또는 복수의 공액 티올 중에서 선택되는 방법. - 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합체가 상기 잉크(13)에서 0.001% 내지 0.1% 범위, 바람직하게는 0.01% 내지 0.04% 범위의 부피 농도를 갖는 방법. - 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합체가 1 kg/mol 내지 1,000 kg/mol 범위, 바람직하게는 20 kg/mol 내지 200 kg/mol 범위의 몰 질량을 갖는 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층(131)은 상기 증착 단계의 종료 시 습윤이라 불리는 7 ㎛ 내지 45 ㎛ 범위의 두께를 갖는 방법. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층(134)은 상기 제2 건조 단계 종료 시 건조라고 불리는 1 nm 내지 3 nm 범위의 두께, 바람직하게는 약 1.5 nm의 두께를 갖는 방법.
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