KR20220029070A - A apparatus for depositing for atomic layer - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a batch-type atomic layer deposition device for generating a remote plasma between a showerhead and a cassette so that a process gas is in a radical or ion state to proceed with an atomic layer deposition process. The batch-type atomic layer deposition device according to the present invention comprises: a reaction chamber forming a constant reaction space blocked from the outside therein; a gas supply means installed at one side of the reaction chamber and supplying a process gas in one direction inside the reaction chamber; a gas discharge means installed on the other side of the reaction chamber facing the gas supply means and for sucking and discharging the gas supplied by the gas supply means and the gas in the reaction chamber; a cassette disposed between the gas supply means and the gas discharge means in the reaction chamber and for mounting a plurality of substrates in parallel with each other while being spaced apart from each other by a predetermined distance; and a plasma generating unit installed between the gas supply means and the front end of the cassette and generating plasma in the space in front of the cassette. Accordingly, a uniform atomic layer deposition process can be performed on multiple large-area substrates.

Description

배치형 원자층 증착장치{A APPARATUS FOR DEPOSITING FOR ATOMIC LAYER}Batch type atomic layer deposition apparatus {A APPARATUS FOR DEPOSITING FOR ATOMIC LAYER}

본 발명은 배치형 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 샤워헤드와 카세트 사이에 리모트 플라즈마를 발생시켜 공정가스가 라디칼이나 이온 상태가 되게 하여 원자층 증착 공정을 진행하기 위한 배치형 원자층 증착장치에 관한 것이다. The present invention relates to a batch-type atomic layer deposition apparatus, and more particularly, to a batch-type atomic layer deposition process by generating a remote plasma between a showerhead and a cassette so that the process gas is in a radical or ion state It relates to a vapor deposition apparatus.

원자층 증착방법 (Atomic Layer Deposition)은 기체 분자들 간의 화학반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착방법과 유사하다. 하지만, 통상의 화학 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition)이 다수의 기체 분자들을 동시에 챔버 내로 주입하여 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 것과 달리, 원자층 증착방법 (ALD)은 하나의 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버 내로 주입하여 가열된 기판에 화학흡착시키고 이후 다른 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버에 주입함으로써 기판 표면에서 소스 물질 사이의 화학반응에 의한 생성물이 증착된다는 점에서 차이가 있다. The atomic layer deposition method is similar to the general chemical vapor deposition method in that it uses a chemical reaction between gas molecules. However, unlike the conventional chemical vapor deposition method (Chemical Vapor Deposition) which deposits the reaction product generated by injecting a plurality of gas molecules into the chamber at the same time, the atomic layer deposition method (ALD) includes a single source material. The difference is that a product by a chemical reaction between the source materials is deposited on the surface of the substrate by injecting a gas into the chamber to chemisorb the heated substrate, and then injecting a gas containing another source material into the chamber.

이러한 원자층 증착 방법 (ALD)은 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 증착하는 것이 가능하다는 장점이 있어서 현재 널리 사용되고 있다.The atomic layer deposition method (ALD) has the advantage that it is possible to deposit a pure thin film having very excellent step coverage characteristics and a low impurity content, so it is widely used now.

한편 원자층 증착장치 중에서 스루풋(throughput)을 향상시키기 위해 다수 장의 기판에 대해 동시에 증착공정이 수행되는 배치 타입(batch type)의 원자층 증착장치는 다수장의 기판을 카세트에 일정 간격 이격시킨 상태로 반응 챔버에 장입한 상태에서 소스가스 제공, 퍼지, 반응가스 제공 및 퍼지 단계로 이루어진 사이클이 다수 회 반복되어 수행된다.Meanwhile, among atomic layer deposition apparatuses, a batch type atomic layer deposition apparatus in which a deposition process is simultaneously performed on a plurality of substrates in order to improve throughput, reacts in a state in which a plurality of substrates are spaced apart from each other by a predetermined interval in a cassette A cycle consisting of a source gas supply, a purging, a reactive gas supply, and a purging step is repeatedly performed a plurality of times while being charged into the chamber.

그런데 기존의 플라즈마 장치는 기판이 대형화 및 대면적화되어 갈수록 프로세스 챔버와 샤워헤드의 크기 역시 대형화되며, 이로 인해 기판이 대형화됨에 따라 가스공급원으로부터 상대적인 거리 차에 따른 가스 분사량의 차이와 플라즈마 발생 밀도의 불균일이 심화되며 이로 인해 기판에 증착되는 박막의 품질이 저하되는 문제점이 있다.However, in the existing plasma apparatus, the size of the process chamber and the showerhead also increases as the substrate becomes larger and larger in size. As a result, as the substrate becomes larger, the difference in the gas injection amount and the non-uniformity of the plasma generation density according to the relative distance from the gas supply source This intensifies, and thus there is a problem in that the quality of the thin film deposited on the substrate is deteriorated.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 샤워헤드와 카세트 사이에 리모트 플라즈마를 발생시켜 공정가스가 라디칼이나 이온 상태가 되게 하여 원자층 증착 공정을 진행하기 위한 배치형 원자층 증착장치를 제공하는 것이다. The technical problem to be solved by the present invention is to provide a batch type atomic layer deposition apparatus for generating a remote plasma between a showerhead and a cassette so that the process gas is in a radical or ionic state to proceed with the atomic layer deposition process.

전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 배치형 원자층 증착장치는, 외부와 차단된 일정한 반응 공간을 내부에 형성하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버의 일측에 설치되며, 상기 반응 챔버 내부의 한 방향으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급수단; 상기 반응 챔버 중 상기 가스 공급수단과 마주보는 타측에 설치되며, 상기 가스 공급수단에 의하여 공급되는 가스 및 상기 반응 챔버 내의 가스를 흡입하여 배출하는 가스 배출수단; 상기 반응 챔버 내부 중 상기 가스 공급수단과 상기 가스 배출수단 사이에 배치되며, 다수개의 기판을 일정 간격 이격된 상태로 서로 나란하게 탑재하는 카세트; 상기 가스 공급수단과 상기 카세트 전단 사이에 설치되며, 상기 카세트 전방공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부;를 포함한다. Batch-type atomic layer deposition apparatus according to the present invention for solving the above technical problem, a reaction chamber for forming a constant reaction space blocked from the outside therein; a gas supply means installed at one side of the reaction chamber and supplying a process gas in one direction inside the reaction chamber; a gas discharging unit installed on the other side of the reaction chamber facing the gas supply unit, and for sucking in and discharging the gas supplied by the gas supply unit and the gas in the reaction chamber; a cassette disposed between the gas supply means and the gas exhaust means in the reaction chamber and for mounting a plurality of substrates in parallel with each other at a predetermined interval; and a plasma generating unit installed between the gas supply means and the front end of the cassette and generating plasma in the space in front of the cassette.

그리고 본 발명에서 상기 플라즈마 발생부는, 상기 가스 공급수단과 상기 카세트 전단 사이에 설치되어 상기 가스 공급수단에 의하여 공급되는 가스를 상기 카세트 방향으로 전달하며, 플라즈마 발생 전원이 인가되거나 접지되는 가스 분배 전극;과 상기 가스 분배 전극에 플라즈마 발생 전원을 인가하는 경우 상기 가스 공급수단을 접지시키고, 상기 가스 공급수단에 플라즈마 발생 전원을 인가하는 경우 상기 가스 분배 전극을 접지시키는 전원 공급수단;을 포함하는 것이 바람직하다. And in the present invention, the plasma generating unit, the gas distribution electrode is installed between the gas supply means and the front end of the cassette to deliver the gas supplied by the gas supply means in the direction of the cassette, to which plasma generating power is applied or grounded; and power supply means for grounding the gas supply means when applying plasma generation power to the gas distribution electrode, and grounding the gas distribution electrode when applying plasma generation power to the gas supply means .

또한 본 발명에서 상기 가스 분배 전극에는, 상기 카세트에 탑재된 다수개의 기판 위치와 매칭되도록 다수열의 가스 분사홀 또는 가스 분사 슬릿이 형성되는 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, it is preferable that a plurality of rows of gas injection holes or gas injection slits are formed in the gas distribution electrode to match positions of a plurality of substrates mounted on the cassette.

또한 본 발명에서 상기 가스 분사홀은, 상기 가스 분배 전극을 상기 가스 공급수단 방향으로 관통하여 대직경 가스 통과홀이 형성되고, 상기 카세트 방향으로 관통하여 상기 대직경 가스 통과홀보다 작은 직경을 가지는 소직경 가스 통과홀이 형성되는 구조인 것이 바람직하다.In addition, in the present invention, the gas injection hole passes through the gas distribution electrode in the direction of the gas supply means to form a large-diameter gas passage hole, and penetrates in the cassette direction to have a smaller diameter than the large-diameter gas passage hole. It is preferable to have a structure in which a diameter gas passage hole is formed.

또한 본 발명에서 상기 가스 분사 슬릿은, 상기 가스 공급수단 방향으로 가스 분배 전극에 일정한 간격의 가스 통과 슬릿이 형성되고, 상기 카세트 방향으로 상기 가스 통과 슬릿 간격보다 작은 직경의 소직경 가스 통과홀들이 상기 가스 통과 슬릿을 따라 일렬로 형성되는 구조인 것이 바람직하다. In addition, in the present invention, in the gas injection slit, gas passage slits at regular intervals are formed on the gas distribution electrode in the direction of the gas supply means, and small-diameter gas passage holes having a smaller diameter than the gas passage slit interval in the cassette direction are the It is preferable that the structure is formed in a line along the gas passage slit.

또한 본 발명에서 상기 전원 공급수단은, 상기 가스 공급수단에 플라즈마 발생 전원을 인가하고, 상기 가스 분배 전극을 접지시키는 것이 바람직하다. In addition, the power supply means in the present invention, it is preferable to apply a plasma generating power to the gas supply means, and ground the gas distribution electrode.

또한 본 발명에서 상기 플라즈마 발생부는, 상기 가스 공급수단의 샤워헤드 판넬을 상기 가스 분배 전극 방향으로 관통하여 대직경 가스 통과홀이 형성되고, 상기 가스 분배 전극 반대 방향으로 관통하여 상기 대직경 가스 통과홀보다 작은 직경을 가지는 소직경 가스 통과홀이 연통되어 형성되는 가스 분사홀을 구비하는 것이 바람직하다. In addition, in the present invention, the plasma generator penetrates the showerhead panel of the gas supply means in the direction of the gas distribution electrode to form a large-diameter gas passage hole, and penetrates in the opposite direction to the gas distribution electrode to form the large-diameter gas passage hole It is preferable to include a gas injection hole formed by communicating with a small-diameter gas passage hole having a smaller diameter.

또한 본 발명에서 상기 플라즈마 발생부는, 상기 가스 공급수단의 샤워헤드 판넬을 가스 분배 전극 방향으로 관통하여 일정한 간격의 가스 통과 슬릿이 형성되고, 상기 가스 분배 전극 반대 방향으로 관통하여 상기 가스 통과 슬릿 간격보다 작은 직경의 소직경 가스 통과홀이 형성되는 가스 분사 슬릿을 구비하는 것이 바람직하다. In addition, in the present invention, the plasma generating unit penetrates the showerhead panel of the gas supply means in the direction of the gas distribution electrode to form a gas passage slit at regular intervals, and penetrates in the opposite direction to the gas distribution electrode to pass through the gas passage slit more than the distance between the gas passage slits It is preferable to provide a gas injection slit in which a small-diameter gas passage hole of a small diameter is formed.

또한 본 발명에서 상기 플라즈마 발생부는, 상기 가스 공급수단과 카세트 사이의 공간 중 일측 말단에 설치되며, 플라즈마 발생 전원이 인가되는 전원 전극; 상기 전원 전극과 마주보는 위치에 설치되며, 접지되는 그라운드 전극; 상기 전원 전극에 플라즈마 발생 전원을 인가하는 전원 공급부를 포함하는 것이 바람직하다. In addition, in the present invention, the plasma generating unit, is installed at one end of the space between the gas supply means and the cassette, the power electrode to which the plasma generating power is applied; a ground electrode installed at a position facing the power electrode and grounded; It is preferable to include a power supply for applying plasma generation power to the power electrode.

또한 본 발명에서 상기 플라즈마 발생부는, 상기 가스 공급수단과 상기 카세트 사이의 공간에 상기 카세트에 탑재되어 있는 기판 방향과 일치하는 방향으로 일정 간격 이격되어 다수개가 설치되며, 플라즈마 발생 전원이 인가되는 전원 전극; 상기 다수개의 전원 전극 사이마다 상기 전원 전극과 이격되어 다수개가 설치되며, 접지되는 그라운드 전극; 상기 전원 전극에 플라즈마 발생 전원을 인가하는 전원 공급부;를 포함하는 것이 바람직하다. In addition, in the present invention, the plasma generating unit is provided in a plurality of spaced apart from each other in a direction coincident with the direction of the substrate mounted on the cassette in a space between the gas supply means and the cassette, and a plurality of power electrodes to which plasma generating power is applied ; a plurality of ground electrodes spaced apart from the power electrode for each of the plurality of power electrodes, the plurality of ground electrodes being grounded; It is preferable to include a power supply unit for applying plasma generation power to the power electrode.

또한 본 발명에 따른 배치형 원자층 증착장치에서, 상기 전원 전극과 상기 그라운드 전극은 상기 카세트의 기판 탑재 슬릿과 일치하는 위치에 배치되는 것이 바람직하다.Also, in the batch-type atomic layer deposition apparatus according to the present invention, the power electrode and the ground electrode are preferably disposed at positions coincident with the substrate mounting slits of the cassette.

또한 본 발명에서 상기 전원 전극은, 일정 간격 이격되어 다수개가 설치되는 전극 플레이트; 상기 다수개의 전극 플레이트의 말단들을 연결하며, 상기 다수개의 전극 플레이트와 상기 전원 공급부를 연결하는 연결부;를 포함하는 것이 바람직하다. In addition, the power electrode in the present invention, the electrode plate is spaced apart a plurality of installed; It is preferable to include a; connecting the ends of the plurality of electrode plates, and connecting the plurality of electrode plates and the power supply unit.

또한 본 발명에서 상기 그라운드 전극은, 일정 간격 이격되어 다수개가 설치되는 그라운드 플레이트; 상기 다수개의 그라운드 플레이트의 말단들을 연결하며, 상기 다수개의 그라운드 전극을 상기 전원 공급부에 연결하는 그라운드 연결부;를 포함하는 것이 바람직하다. In addition, in the present invention, the ground electrode may include a plurality of ground plates spaced apart from each other by a predetermined interval; It is preferable to include a ground connector connecting ends of the plurality of ground plates and connecting the plurality of ground electrodes to the power supply unit.

또한 본 발명에 따른 배치형 원자층 증착장치에서, 상기 전원 전극과 그라운드 전극은 전체적으로 플레이트 형상을 가져서 상기 가스 공급수단과 상기 카세트 사이의 공간을 상기 카세트 내의 기판 탑재 공간과 일치하는 기체 공급 공간으로 분할하는 것이 바람직하다. In addition, in the batch-type atomic layer deposition apparatus according to the present invention, the power electrode and the ground electrode have a plate shape as a whole, so that the space between the gas supply means and the cassette is divided into a gas supply space coincident with the substrate mounting space in the cassette. It is preferable to do

또한 본 발명에서 상기 플라즈마는, RF 플라즈마, CCP 플라즈마, ICP 플라즈마, ECR 플라즈마 또는 Pulse DC 플라즈마인 것이 바람직하다. In the present invention, the plasma is preferably RF plasma, CCP plasma, ICP plasma, ECR plasma or pulse DC plasma.

본 발명의 배치형 원자층 증착장치에 의하면 고밀도의 플라즈마가 발생하여 다수장의 대면적 기판에 대하여 균일한 원자층 증착 공정을 수행할 수 있는 효과를 달성할 수 있다. According to the batch-type atomic layer deposition apparatus of the present invention, a high-density plasma is generated to achieve the effect of performing a uniform atomic layer deposition process on a plurality of large-area substrates.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치의 구조를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분배판과 가스 분사홀의 구조를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분배판과 가스 분사 슬릿의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분배판과 가스 분사홀의 구조를 도시하는 단면도와 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분배판과 가스 분사 슬릿의 구조를 도시하는 단면도와 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 공급수단과 가스 분사홀의 구조를 도시하는 단면도와 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 공급수단과 가스 분사 슬릿의 구조를 도시하는 단면도와 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치의 구조를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치의 구조를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전원 전극과 그라운드 전극의 구조를 도시하는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a batch-type atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing the structure of a gas distribution plate and a gas injection hole according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing the structure of a gas distribution plate and a gas injection slit according to another embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view and a plan view illustrating a structure of a gas distribution plate and a gas injection hole according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view and a plan view illustrating a structure of a gas distribution plate and a gas injection slit according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view and a plan view illustrating a structure of a gas supply means and a gas injection hole according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view and a plan view illustrating a structure of a gas supply means and a gas injection slit according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view schematically illustrating the structure of a batch-type atomic layer deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view schematically illustrating the structure of a batch type atomic layer deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view showing the structure of a power electrode and a ground electrode according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

< 실시예 1 >< Example 1 >

본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(110), 가스 공급수단(120), 가스 배출수단(130), 카세트(140) 및 플라즈마 발생부(150)를 포함하여 구성할 수 있다. As shown in FIG. 1 , the batch type atomic layer deposition apparatus 100 according to the present embodiment has a reaction chamber 110 , a gas supply unit 120 , a gas discharge unit 130 , a cassette 140 , and plasma generation. It may be configured to include the unit 150 .

먼저 상기 반응 챔버(110)는 외부와 차단된 일정한 반응 공간을 내부에 형성하는 구성요소이다. 특히, 본 실시예에서 상기 반응 챔버(110)는 상기 반응 공간을 외부 공간과 차단하여 매우 낮은 기압의 진공 상태로 만들 수 있는 구조를 가지며, 상기 반응 챔버(110)의 안정적인 공정 조건 확보를 위하여 그 외부에 도 1에 도시된 바와 같이, 외부 챔버(160)가 더 구비될 수도 있다. First, the reaction chamber 110 is a component that forms a constant reaction space blocked from the outside. In particular, in this embodiment, the reaction chamber 110 has a structure that can make a vacuum state of a very low atmospheric pressure by blocking the reaction space from the external space, and in order to secure stable process conditions for the reaction chamber 110 , As shown in FIG. 1 on the outside, an external chamber 160 may be further provided.

다음으로 상기 가스 공급수단(120)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(110)의 일측에 설치되며, 상기 반응 챔버(110) 내부의 한 방향으로 공정 가스를 공급하는 구성요소이다. 즉, 상기 가스 공급수단(120)은 상기 반응 챔버(110) 내부에 장입되는 다수개의 기판들에 대하여 원자층 증착 공정이 이루어지도록 공정 가스 및 퍼지 가스를 상기 카세트(140) 방향으로 공급하는 것이다. Next, as shown in FIG. 1 , the gas supply means 120 is installed on one side of the reaction chamber 110 , and is a component for supplying a process gas in one direction inside the reaction chamber 110 . That is, the gas supply means 120 supplies the process gas and the purge gas in the direction of the cassette 140 so that the atomic layer deposition process is performed on the plurality of substrates charged into the reaction chamber 110 .

따라서 본 실시예에서 상기 가스 공급수단(120)은 균일한 가스 공급을 위하여, 예를 들어 다수개의 가스 분사홀이 형성되는 샤워헤드 판넬 구조를 가질 수 있다. Therefore, in this embodiment, the gas supply means 120 may have a showerhead panel structure in which, for example, a plurality of gas injection holes are formed for uniform gas supply.

다음으로 상기 가스 배출수단(130)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(110) 중 상기 가스 공급수단(120)과 마주보는 타측에 설치되며, 상기 가스 공급수단(120)에 의하여 공급되는 가스 및 상기 반응 챔버(110) 내의 가스를 흡입하여 외부로 배출하는 구성요소이다. 즉, 상기 가스 배출수단(130)은 상기 가스 공급수단(120)의 반대편에서 강하게 기체를 흡입하여 상기 반응 챔버(110) 내부의 반응 공간 내에 균일한 기체 흐름이 형성되도록 하며, 상기 카세트 장입 공간을 지난 기체를 흡입하여 외부로 배출하는 것이다. Next, as shown in FIG. 1 , the gas discharge means 130 is installed on the other side of the reaction chamber 110 facing the gas supply means 120 , and is supplied by the gas supply means 120 . It is a component that sucks in the used gas and the gas in the reaction chamber 110 and discharges it to the outside. That is, the gas discharge means 130 strongly sucks gas from the opposite side of the gas supply means 120 so that a uniform gas flow is formed in the reaction space inside the reaction chamber 110, and the cassette loading space is It sucks in the last gas and discharges it to the outside.

다음으로 상기 카세트(140)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반응 챔버(110) 내부 중 상기 가스 공급수단(120)과 상기 가스 배출수단(130) 사이에 배치되며, 다수개의 기판(S)을 일정 간격 이격된 상태로 서로 나란하게 탑재하는 구성요소이다. 따라서 상기 카세트(140)에는 다수개의 기판(S)들이 서로 평행한 상태로 나란하게 탑재되며, 각 기판 사이의 간격은 원자층 증착 공정이 진행되기에 적합한 간격으로 유지된다. Next, as shown in FIG. 1 , the cassette 140 is disposed between the gas supply unit 120 and the gas discharge unit 130 in the reaction chamber 110 , and includes a plurality of substrates (S). It is a component that is mounted side by side in a state of being spaced apart by a certain distance. Accordingly, a plurality of substrates S are mounted in parallel to each other in the cassette 140 , and the spacing between the substrates is maintained at a suitable interval for the atomic layer deposition process to proceed.

다음으로 상기 플라즈마 발생부(150)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 가스 공급수단(120)과 상기 카세트(140) 전단 사이에 설치되며, 상기 카세트(140) 전방공간에 플라즈마를 발생시키는 구성요소이다. 즉, 상기 플라즈마 발생부(150)는 상기 가스 공급수단(120)과 상기 카세트(140) 전단 사이의 공간에 리모트 플라즈마를 발생시켜, 상기 가스 공급수단(120)에 의하여 상기 카세트(140) 방향으로 공급되는 공정 가스에 대하여 라디칼이나 이온상태가 되도록 변화시켜 상기 기판(S) 상에 원자층 증착 공정이 이루어지도록 하는 것이다. Next, as shown in FIG. 1 , the plasma generator 150 is installed between the gas supply means 120 and the front end of the cassette 140 , and generates plasma in the space in front of the cassette 140 . is an element That is, the plasma generating unit 150 generates a remote plasma in the space between the gas supply unit 120 and the front end of the cassette 140 , and moves toward the cassette 140 by the gas supply unit 120 . The atomic layer deposition process is performed on the substrate S by changing the supplied process gas to be in a radical or ionic state.

이를 위해 본 실시예에서 상기 플라즈마 발생부(150)를 구체적으로 도 1에 도시된 바와 같이, 가스 분배 전극(152)과 전원 공급수단(도면에 미도시)으로 구성할 수 있다. 먼저 상기 가스 분배 전극(152)은 상기 가스 공급수단(120)과 상기 카세트(140) 전단 사이에 설치되어 상기 가스 공급수단(120)에 의하여 공급되는 가스를 상기 카세트 방향으로 전달하며, 플라즈마 발생을 위한 고주파 전원이 인가되는 구성요소이다. To this end, in this embodiment, the plasma generating unit 150 may be specifically configured as a gas distribution electrode 152 and a power supply means (not shown in the drawing) as shown in FIG. 1 . First, the gas distribution electrode 152 is installed between the gas supply means 120 and the front end of the cassette 140 to deliver the gas supplied by the gas supply means 120 in the cassette direction, and to generate plasma. It is a component to which high-frequency power is applied for

따라서 상기 가스 분배 전극(152)에는 도 2에 도시된 바와 같이, 다수열의 가스 분사홀(156)들이 형성되어 있는 가스 분배판(154)이 구비되어, 상기 가스 공급 수단(120)에 의하여 분사되는 가스가 상기 카세트(140) 방향으로 균일하게 이동하도록 한다. 이때 상기 가스 분사홀(156)들은 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 카세트(140)에 탑재된 다수개의 기판(S) 위치와 매칭되는 배열을 가지는 것이 바람직하다. Accordingly, as shown in FIG. 2 , the gas distribution electrode 152 is provided with a gas distribution plate 154 having a plurality of rows of gas injection holes 156 formed therein, and is injected by the gas supply means 120 . The gas uniformly moves in the direction of the cassette 140 . At this time, as shown in FIG. 2 , the gas injection holes 156 preferably have an arrangement matching the positions of the plurality of substrates S mounted on the cassette 140 .

한편 상기 가스 분배판(154a)에는 도 3에 도시된 바와 같이, 다수열의 가스 분사 슬릿(156a)이 형성될 수도 있다. 상기 가스 분사 슬릿(156a)은 긴 틈으로 형성되며, 상기 다수개의 가스 분사 슬릿(156a)도 상기 카세트(140)에 탑재된 다수개의 기판(S) 위치와 매칭되는 배열을 가지는 것이 바람직하다. Meanwhile, as shown in FIG. 3 , a plurality of rows of gas injection slits 156a may be formed on the gas distribution plate 154a. The gas injection slit 156a is formed as a long gap, and it is preferable that the plurality of gas injection slits 156a also have an arrangement matching the positions of the plurality of substrates S mounted on the cassette 140 .

그리고 상기 전원 공급수단(도면에 미도시)은 상기 가스 분배 전극(152)에 플라즈마 발생 전원을 인가하고, 상기 가스 공급수단(120)을 접지시키는 구성요소 이다. 즉, 상기 전원 공급수단은 상기 반응 챔버(110) 외부에 설치되어, 상기 가스 분배 전극(152)에 플라즈마 발생을 위한 고주파 전원을 인가하고 상기 가스 공급수단(120)은 접지시켜 플라즈마 발생 환경을 조성한다. And the power supply means (not shown) is a component that applies plasma generation power to the gas distribution electrode 152 and ground the gas supply means 120 . That is, the power supply means is installed outside the reaction chamber 110, applies a high-frequency power for plasma generation to the gas distribution electrode 152, and the gas supply means 120 is grounded to create a plasma generation environment. do.

한편 본 실시예에서 상기 전원 공급수단은 상기 가스 공급수단(120)에 플라즈마 발생 전원을 인가하고, 상기 가스 분배 전극(152)을 접지시키는 방식으로 플라즈마 발생 환경을 조정할 수도 있다. Meanwhile, in the present embodiment, the power supply unit may adjust the plasma generation environment in such a way that the plasma generating power is applied to the gas supply unit 120 and the gas distribution electrode 152 is grounded.

< 실시예 2 >< Example 2 >

본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치도 실시예 1의 그것과 마찬가지로 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트 및 플라즈마 발생부를 포함하여 구성할 수 있으며, 상기 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트는 실시예 1의 그것들과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 반복 설명은 생략한다. The batch-type atomic layer deposition apparatus according to this embodiment may also include a reaction chamber, a gas supply means, a gas exhaust means, a cassette and a plasma generator, similar to that of the first embodiment, and the reaction chamber, the gas supply means, Since the gas discharging means and the cassette are substantially the same as those of the first embodiment, repeated description thereof will be omitted.

다만, 본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치에서 상기 플라즈마 발생부의 구조가 실시예 1과 달라지며, 특히, 가스 분사홀(256)의 구조가 달라지므로 이에 대하여 자세하게 설명한다. 구체적으로 본 실시예에서 상기 가스 분사홀(256)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 가스 분배판(254)을 상기 가스 공급수단 방향으로 관통하여 대직경 가스 통과홀(256a)이 형성되고, 상기 카세트 방향으로 관통하여 상기 대직형 가스 통과홀(256a)보다 작은 직경을 가지는 소직경 가스 통과홀(256b)이 형성되는 구조로 구현된다. However, in the batch-type atomic layer deposition apparatus according to the present embodiment, the structure of the plasma generator is different from that of Embodiment 1, and in particular, since the structure of the gas injection hole 256 is different, it will be described in detail. Specifically, in this embodiment, the gas injection hole 256, as shown in FIG. 4, penetrates the gas distribution plate 254 in the direction of the gas supply means to form a large-diameter gas passage hole 256a. , is implemented in a structure in which a small-diameter gas passage hole 256b having a smaller diameter than that of the large-rectangular gas passage hole 256a is formed by penetrating in the cassette direction.

이러한 구조를 가지는 가스 분사홀(256)에 의하면 각 가스 분사홀에 의하여 더 높은 밀도의 플라즈마가 형성되는 장점이 있다. According to the gas injection hole 256 having such a structure, there is an advantage in that plasma of a higher density is formed by each gas injection hole.

< 실시예 3 >< Example 3 >

본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치도 실시예 1의 그것과 마찬가지로 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트 및 플라즈마 발생부를 포함하여 구성할 수 있으며, 상기 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트는 실시예 1의 그것들과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 반복 설명은 생략한다. The batch-type atomic layer deposition apparatus according to this embodiment may also include a reaction chamber, a gas supply means, a gas exhaust means, a cassette and a plasma generator, similar to that of the first embodiment, and the reaction chamber, the gas supply means, Since the gas discharging means and the cassette are substantially the same as those of the first embodiment, repeated description thereof will be omitted.

다만, 본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치에서 상기 플라즈마 발생부의 구조가 실시예 1과 달라지며, 특히, 가스 분사 슬릿(356)의 구조가 달라진다. 구체적으로 본 실시예에서 상기 가스 분사 슬릿(356)은 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 가스 공급수단 방향으로 가스 분배판(354)에 일정한 간격의 가스 통과 슬릿(356a)이 형성되고, 상기 카세트 방향으로 상기 가스 통과 슬릿(356a) 폭보다 작은 직경의 소직경 가스 통과홀(356b)들이 상기 가스 통과 슬릿(356a)을 따라 일렬로 형성되는 구조로 구현된다. However, in the batch-type atomic layer deposition apparatus according to the present embodiment, the structure of the plasma generator is different from that of Embodiment 1, and in particular, the structure of the gas injection slit 356 is different. Specifically, in the present embodiment, as shown in FIG. 5 , in the gas injection slit 356 , gas passage slits 356a at regular intervals are formed on the gas distribution plate 354 in the direction of the gas supply means, and the cassette It is implemented in a structure in which small-diameter gas passage holes 356b having a diameter smaller than the width of the gas passage slit 356a in the direction are formed in a line along the gas passage slit 356a.

이러한 구조를 가지는 가스 분사 슬릿(356)도 실시예 2의 가스 분사홀(256)와 마찬가지로 각 가스 분사 슬릿(356a)과 가스 통과홀(356b)에 의하여 더 높은 밀도의 플라즈마를 형성하는 장점이 있다. The gas injection slit 356 having such a structure also has the advantage of forming a higher density plasma by each gas injection slit 356a and the gas passage hole 356b like the gas injection hole 256 of the second embodiment. .

< 실시예 4 >< Example 4 >

본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치도 실시예 1의 그것과 마찬가지로 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트 및 플라즈마 발생부를 포함하여 구성할 수 있으며, 상기 반응 챔버, 가스 배출수단, 카세트는 실시예 1의 그것들과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 반복 설명은 생략한다. The batch-type atomic layer deposition apparatus according to this embodiment may also include a reaction chamber, a gas supply means, a gas discharge means, a cassette and a plasma generator, similar to that of the first embodiment, and the reaction chamber, the gas discharge means, Since the cassette is substantially the same as those of Example 1, a repeated description thereof will be omitted.

다만, 본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치에서 상기 가스 공급수단과 플라즈마 발생부의 구조가 실시예 1과 달라지며, 특히, 가스 분사홀(456)의 구조가 달라진다. 구체적으로 본 실시예에서 상기 가스 분사홀(456)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 가스 공급수단의 샤워헤드 판넬(422)을 상기 가스 분배 전극 방향으로 관통하여 대직경 가스 통과홀(456a)이 형성되고, 상기 가스 분배 전극 반대 방향으로 관통하여 상기 대직형 가스 통과홀(456a)보다 작은 직경을 가지는 소직경 가스 통과홀(456b)이 상기 대직경 가스 통과홀(456a)과 연통되어 형성되는 구조로 구현된다. However, in the batch-type atomic layer deposition apparatus according to the present embodiment, the structures of the gas supply means and the plasma generator are different from those of the first embodiment, and in particular, the structure of the gas injection hole 456 is different. Specifically, in this embodiment, as shown in FIG. 6 , the gas injection hole 456 penetrates the showerhead panel 422 of the gas supply means in the direction of the gas distribution electrode to form a large-diameter gas passage hole 456a. ) is formed, and a small-diameter gas passage hole 456b having a smaller diameter than the large-diameter gas passage hole 456a passing through in the opposite direction to the gas distribution electrode communicates with the large-diameter gas passage hole 456a. implemented in a structure that is

이러한 구조를 가지는 가스 분사홀(456)도 실시예 2의 가스 분사홀(256)과 마찬가지로 각 가스 분사홀에 의하여 더 높은 밀도의 플라즈마를 형성하는 장점이 있다. The gas injection hole 456 having such a structure also has the advantage of forming a higher density plasma by each gas injection hole, like the gas injection hole 256 of the second embodiment.

< 실시예 5 >< Example 5 >

본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치도 실시예 1의 그것과 마찬가지로 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트 및 플라즈마 발생부를 포함하여 구성할 수 있으며, 상기 반응 챔버, 가스 배출수단, 카세트는 실시예 1의 그것들과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 반복 설명은 생략한다. The batch-type atomic layer deposition apparatus according to this embodiment may also include a reaction chamber, a gas supply means, a gas discharge means, a cassette and a plasma generator, similar to that of the first embodiment, and the reaction chamber, the gas discharge means, Since the cassette is substantially the same as those of Example 1, a repeated description thereof will be omitted.

다만, 본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치에서 상기 가스 공급수단과 플라즈마 발생부의 구조가 실시예 1과 달라지며, 특히, 가스 분사 슬릿(556)의 구조가 달라진다. 구체적으로 본 실시예에서 상기 가스 분사 슬릿(556)은 도 7에 도시된 바와 같이, 가스 공급수단의 샤워헤드 판넬(522)을 상기 가스 분배 전극 방향으로 음각하여 일정한 간격의 가스 통과 슬릿(556a)이 형성되고, 상기 가스 분배 전극 반대 방향으로 상기 가스 통과 슬릿 간격보다 작은 직경의 소직경 가스 통과홀(556b)들이 상기 가스 통과 슬릿을 따라 일렬로 형성되는 구조로 구현된다. However, in the batch-type atomic layer deposition apparatus according to the present embodiment, the structures of the gas supply means and the plasma generator are different from those of the first embodiment, and in particular, the structure of the gas injection slit 556 is different. Specifically, in this embodiment, the gas injection slit 556 is a gas passage slit 556a at regular intervals by engraving the showerhead panel 522 of the gas supply means in the direction of the gas distribution electrode as shown in FIG. 7 . is formed, and small-diameter gas passage holes 556b having a diameter smaller than the gas passage slit interval in a direction opposite to the gas distribution electrode are formed in a line along the gas passage slit.

이러한 구조를 가지는 가스 분사 슬릿(556)도 실시예 2의 가스 분사홀(256)와 마찬가지로 각 가스 분사 슬릿과 가스 통과홀에 의하여 더 높은 밀도의 플라즈마를 형성하는 장점이 있다. The gas injection slit 556 having this structure also has the advantage of forming a higher density plasma by each gas injection slit and the gas passage hole, like the gas injection hole 256 of the second embodiment.

< 실시예 6 >< Example 6 >

본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치도 실시예 1의 그것과 마찬가지로 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트 및 플라즈마 발생부를 포함하여 구성할 수 있으며, 상기 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트는 실시예 1의 그것들과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 반복 설명은 생략한다. The batch-type atomic layer deposition apparatus according to this embodiment may also include a reaction chamber, a gas supply means, a gas exhaust means, a cassette and a plasma generator, similar to that of the first embodiment, and the reaction chamber, the gas supply means, Since the gas discharging means and the cassette are substantially the same as those of the first embodiment, repeated description thereof will be omitted.

다만, 본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치에서 상기 플라즈마 발생부의 구조가 실시예 1과 달라지며, 구체적으로 도 8에 도시된 바와 같이, 전원 전극(652), 그라운드 전극(654) 및 전원 공급부(도면에 미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. However, in the batch-type atomic layer deposition apparatus according to the present embodiment, the structure of the plasma generator is different from that of Embodiment 1, and specifically, as shown in FIG. 8 , a power electrode 652 , a ground electrode 654 and a power supply It may be configured to include a supply unit (not shown in the drawing).

먼저 상기 전원 전극(652)은 상기 가스 공급수단(620)과 카세트(640) 사이의 공간 중 일측 말단에 설치되며, 플라즈마 발생을 위한 고주파 전원이 인가되는 구성요소이다. 그리고 상기 그라운드 전극(654)은 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 전원 전극(652)과 마주보는 위치에 설치되며, 접지되는 구성요소이다. 마지막으로 상기 전원 공급부는 상기 전원 전극(652)에 플라즈마 발생을 위한 고주파 전원을 인가하며, 이에 의하여 상기 전원 전극(652)과 상기 그라운드 전극(654) 사이의 공간에 플라즈마가 발생된다. First, the power electrode 652 is installed at one end of the space between the gas supply means 620 and the cassette 640, and is a component to which high-frequency power for plasma generation is applied. In addition, as shown in FIG. 8 , the ground electrode 654 is installed at a position facing the power electrode 652 and is a grounded component. Finally, the power supply unit applies a high-frequency power for plasma generation to the power electrode 652 , whereby plasma is generated in a space between the power electrode 652 and the ground electrode 654 .

< 실시예 7 >< Example 7 >

본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치도 실시예 1의 그것과 마찬가지로 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트 및 플라즈마 발생부를 포함하여 구성할 수 있으며, 상기 반응 챔버, 가스 공급수단, 가스 배출수단, 카세트는 실시예 1의 그것들과 실질적으로 동일하므로 이에 대한 반복 설명은 생략한다. The batch-type atomic layer deposition apparatus according to this embodiment may also include a reaction chamber, a gas supply means, a gas exhaust means, a cassette and a plasma generator, similar to that of the first embodiment, and the reaction chamber, the gas supply means, Since the gas discharging means and the cassette are substantially the same as those of the first embodiment, repeated description thereof will be omitted.

다만, 본 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치에서 상기 플라즈마 발생부의 구조가 실시예 1과 달라지며, 구체적으로 도 9에 도시된 바와 같이, 전원 전극(752), 그라운드 전극(754) 및 전원 공급부(도면에 미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. However, in the batch-type atomic layer deposition apparatus according to this embodiment, the structure of the plasma generator is different from that of Embodiment 1, and specifically, as shown in FIG. 9 , a power electrode 752 , a ground electrode 754 and a power supply It may be configured to include a supply unit (not shown in the drawing).

먼저 상기 전원 전극(752)은 상기 가스 공급수단(720)과 상기 카세트(740) 사이의 공간에, 상기 카세트(740)에 탑재되어 있는 기판(S) 방향과 일치하는 방향으로 일정 간격 이격되어 다수개가 설치되며, 플라즈마 발생 전원이 인가되는 구성요소이다. First, in the space between the gas supply means 720 and the cassette 740 , the power electrode 752 is spaced apart at a predetermined interval in a direction coincident with the direction of the substrate S mounted on the cassette 740 , A dog is installed and is a component to which plasma generating power is applied.

여기에서 상기 전원 전극(752)은 구체적으로 도 10에 도시된 바와 같이, 다수개의 전극 플레이트(752a)와 연결부(752b)를 포함하여 구성된다. 상기 전극 플레이트(752a)는 일정 간격 이격되어 서로 평행하게 설치되는 다수개의 전도성 플레이트로 구성되며, 상기 연결부(752b)는 상기 다수개의 전극 플레이트(752a)의 말단들을 연결하며, 상기 다수개의 전극 플레이트(752a)와 상기 전원 공급부를 연결하는 구성요소이다. Here, the power electrode 752 is specifically configured to include a plurality of electrode plates 752a and a connection portion 752b, as shown in FIG. 10 . The electrode plate 752a includes a plurality of conductive plates spaced apart from each other and installed in parallel to each other, and the connection part 752b connects the ends of the plurality of electrode plates 752a, and the plurality of electrode plates ( 752a) and a component that connects the power supply unit.

다음으로 상기 그라운드 전극(754)는 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 전원 전극(752) 사이마다 상기 전원 전극(752)과 이격되어 다수개가 설치되며, 접지되는 구성요소이다. 구체적으로 상기 그라운드 전극(754)은 다수개의 그라운드 플레이트(754b)와 그라운드 연결부(754b)를 포함하여 구성된다. 물론 상기 접지 전극(754)과 전원 전극(752)는 서로 절연된 상태로 설치된다. Next, as shown in FIG. 10 , a plurality of ground electrodes 754 are installed spaced apart from the power electrodes 752 for each of the plurality of power electrodes 752 and are grounded components. Specifically, the ground electrode 754 includes a plurality of ground plates 754b and a ground connection part 754b. Of course, the ground electrode 754 and the power electrode 752 are installed in an insulated state from each other.

먼저 상기 다수개의 그라운드 플레이트(754a)은 도 10에 도시된 바와 같이, 일정 간격 이격되어 다수개가 설치되되, 각 그라운드 플레이트(754a) 이격 간격은 상기 전극 플레이트(752a)의 이격 간격과 일치되도록 설치되며, 각 그라운드 플레이트(754a)는 이웃한 전극 플레이트(752a)들 중앙에 설치된다. 그리고 상기 그라운드 연결부(754b)는 상기 다수개의 그라운드 플레이트(754a)들의 말단을 연결하며, 상기 다수개의 그라운드 플레이트(754a)와 상기 전원 공급부를 연결하는 구성요소이다. First, as shown in FIG. 10, a plurality of the plurality of ground plates 754a are installed to be spaced apart from each other by a predetermined interval, and the spacing of each ground plate 754a is installed to match the spacing of the electrode plate 752a. , each ground plate 754a is installed in the center of the adjacent electrode plates 752a. In addition, the ground connection part 754b is a component that connects the ends of the plurality of ground plates 754a and connects the plurality of ground plates 754a and the power supply unit.

따라서 상기 다수개의 그라운드 플레이트(754a)와 전극 플레이트(752a)들 사이의 간격은 일정하게 유지되며, 상기 다수개의 그라운드 플레이트(754a)와 전극 플레이트(752a)들이 상기 가스 공급수단(720)과 상기 카세트(740) 사이의 공간을 상기 카세트(740) 내의 기판 탑재 공간과 일치하는 기체 공급 공간으로 분할하는 것이다. Accordingly, the distance between the plurality of ground plates 754a and the electrode plates 752a is kept constant, and the plurality of ground plates 754a and the electrode plates 752a are connected to the gas supply means 720 and the cassette. The space between 740 is divided into a gas supply space coincident with the substrate mounting space in the cassette 740 .

다음으로 상기 전원 공급부는 상기 전원 전극(752)에 플라즈마 발생 전원을 인가하고 상기 그라운드 전극(754)은 접지시키는 구성요소이다. Next, the power supply is a component that applies the plasma generating power to the power electrode 752 and the ground electrode 754 is grounded.

100 : 본 발명의 일 실시예에 따른 배치형 원자층 증착장치
110 : 반응 챔버 120 : 가스 공급수단
130 : 가스 배출수단 140 : 카세트
150 : 플라즈마 발생부 S : 기판
P : 플라즈마100: batch type atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention
110: reaction chamber 120: gas supply means
130: gas discharge means 140: cassette
150: plasma generator S: substrate
P: Plasma

Claims (14)

외부와 차단된 일정한 반응 공간을 내부에 형성하는 반응 챔버;
상기 반응 챔버의 일측에 설치되며, 상기 반응 챔버 내부의 한 방향으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급수단;
상기 반응 챔버 중 상기 가스 공급수단과 마주보는 타측에 설치되며, 상기 가스 공급수단에 의하여 공급되는 가스 및 상기 반응 챔버 내의 가스를 흡입하여 배출하는 가스 배출수단;
상기 반응 챔버 내부 중 상기 가스 공급수단과 상기 가스 배출수단 사이에 배치되며, 다수개의 기판을 일정 간격 이격된 상태로 서로 나란하게 탑재하는 카세트;
상기 가스 공급수단과 상기 카세트 전단 사이에 설치되며, 상기 카세트 전방공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부;를 포함하는 배치형 원자층 증착장치.a reaction chamber forming a constant reaction space blocked from the outside;
a gas supply means installed at one side of the reaction chamber and supplying a process gas in one direction inside the reaction chamber;
a gas discharging unit installed on the other side of the reaction chamber facing the gas supply unit, and for sucking in and discharging the gas supplied by the gas supply unit and the gas in the reaction chamber;
a cassette disposed between the gas supply means and the gas exhaust means in the reaction chamber and for mounting a plurality of substrates in parallel with each other at a predetermined interval;
A batch type atomic layer deposition apparatus comprising a; a plasma generating unit installed between the gas supply means and the front end of the cassette and generating plasma in the space in front of the cassette. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는,
상기 가스 공급수단과 상기 카세트 전단 사이에 설치되어 상기 가스 공급수단에 의하여 공급되는 가스를 상기 카세트 방향으로 전달하며, 플라즈마 발생 전원이 인가되거나 접지되는 가스 분배 전극;
상기 가스 분배 전극에 플라즈마 발생 전원을 인가하는 경우 상기 가스 공급수단을 접지시키고, 상기 가스 공급 수단에 플라즈마 발생 전원을 인가하는 경우 상기 가스 분배 전극을 접지시키는 전원 공급수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 1, wherein the plasma generator,
a gas distribution electrode installed between the gas supply means and the front end of the cassette to deliver the gas supplied by the gas supply means to the cassette, and to which plasma generation power is applied or grounded;
and a power supply means for grounding the gas supply means when applying plasma generating power to the gas distribution electrode, and grounding the gas distribution electrode when applying plasma generating power to the gas supplying means. Batch type atomic layer deposition apparatus. 제2항에 있어서, 상기 가스 분배 전극에는,
상기 카세트에 탑재된 다수개의 기판 위치와 매칭되도록 다수열의 가스 분사홀 또는 가스 분사 슬릿이 형성되는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 2, wherein the gas distribution electrode,
A batch type atomic layer deposition apparatus, characterized in that a plurality of rows of gas injection holes or gas injection slits are formed to match positions of a plurality of substrates mounted on the cassette. 제3항에 있어서, 상기 가스 분사홀은,
상기 가스 분배 전극을 상기 가스 공급수단 방향으로 관통하여 대직경 가스 통과홀이 형성되고, 상기 카세트 방향으로 관통하여 상기 대직형 가스 통과홀보다 작은 직경을 가지는 소직경 가스 통과홀이 형성되는 구조인 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 3, wherein the gas injection hole,
It has a structure in which a large-diameter gas passage hole is formed by penetrating the gas distribution electrode in the direction of the gas supply means, and a small-diameter gas passage hole having a smaller diameter than the large-rectangular gas passage hole is formed by penetrating in the cassette direction. A batch type atomic layer deposition apparatus, characterized in that it. 제3항에 있어서, 상기 가스 분사 슬릿은,
상기 가스 공급수단 방향으로 일정한 간격의 가스 통과 슬릿이 형성되고, 상기 카세트 방향으로 상기 가스 통과 슬릿 간격보다 작은 직경의 소직경 가스 통과홀들이 상기 가스 통과 슬릿을 따라 일렬로 형성되는 구조인 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 3, wherein the gas injection slit,
It has a structure in which gas passage slits are formed at regular intervals in the direction of the gas supply means, and small-diameter gas passage holes having a diameter smaller than the gas passage slit interval in the cassette direction are formed in a line along the gas passage slits. A batch type atomic layer deposition apparatus. 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는,
상기 가스 공급수단의 샤워헤드 판넬을 상기 가스 분배 전극 방향으로 관통하여 대직경 가스 통과홀이 형성되고, 상기 가스 분배 전극 반대 방향으로 관통하여 상기 대직경 가스 통과홀보다 작은 직경을 가지는 소직경 가스 통과홀이 연통되어 형성되는 가스 분사홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 2, wherein the plasma generating unit,
A large-diameter gas passage hole is formed by passing through the showerhead panel of the gas supply means in the direction of the gas distribution electrode, and a small-diameter gas passage having a smaller diameter than the large-diameter gas passage hole passing through the gas distribution electrode in the opposite direction A batch type atomic layer deposition apparatus, characterized in that it has a gas injection hole through which the hole is formed. 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는,
상기 가스 공급수단의 샤워헤드 판넬을 가스 분배 전극 방향으로 관통하여 일정한 간격의 가스 통과 슬릿이 형성되고, 상기 가스 분배 전극 반대 방향으로 관통하여 상기 가스 통과 슬릿 간격보다 작은 직경의 소직경 가스 통과홀이 형성되는 가스 분사 슬릿을 구비하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 2, wherein the plasma generating unit,
A gas passage slit at a regular interval is formed by passing through the showerhead panel of the gas supply means in the direction of the gas distribution electrode, and a small diameter gas passage hole having a diameter smaller than the gas passage slit through the gas distribution electrode in the opposite direction is formed. A batch type atomic layer deposition apparatus comprising a gas injection slit to be formed. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는,
상기 가스 공급수단과 카세트 사이의 공간 중 일측 말단에 설치되며, 플라즈마 발생 전원이 인가되는 전원 전극;
상기 전원 전극과 마주보는 위치에 설치되며, 접지되는 그라운드 전극;
상기 전원 전극에 플라즈마 발생 전원을 인가하는 전원 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 1, wherein the plasma generator,
a power electrode installed at one end of the space between the gas supply means and the cassette, to which plasma generation power is applied;
a ground electrode installed at a position facing the power electrode and grounded;
Batch type atomic layer deposition apparatus comprising a power supply for applying plasma generation power to the power electrode. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는,
상기 가스 공급수단과 상기 카세트 사이의 공간에 상기 카세트에 탑재되어 있는 기판 방향과 일치하는 방향으로 일정 간격 이격되어 다수개가 설치되며, 플라즈마 발생 전원이 인가되는 전원 전극;
상기 다수개의 전원 전극 사이마다 상기 전원 전극과 이격되어 다수개가 설치되며, 접지되는 그라운드 전극;
상기 전원 전극에 플라즈마 발생 전원을 인가하는 전원 공급부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 1, wherein the plasma generator,
a plurality of power electrodes spaced apart from each other by a predetermined distance in a direction coincident with the direction of the substrate mounted on the cassette in a space between the gas supply means and the cassette, and to which plasma generation power is applied;
a plurality of ground electrodes spaced apart from the power electrode for each of the plurality of power electrodes, the plurality of ground electrodes being grounded;
Batch type atomic layer deposition apparatus comprising a; power supply for applying plasma generation power to the power electrode. 제9항에 있어서,
상기 전원 전극과 상기 그라운드 전극은 상기 카세트의 기판 탑재 슬릿과 일치하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. 10. The method of claim 9,
The power electrode and the ground electrode are batch-type atomic layer deposition apparatus, characterized in that disposed at a position coincident with the substrate mounting slit of the cassette. 제10항에 있어서, 상기 전원 전극은,
일정 간격 이격되어 다수개가 설치되는 전극 플레이트;
상기 다수개의 전극 플레이트의 말단들을 연결하며, 상기 다수개의 전극 플레이트와 상기 전원 공급부를 연결하는 연결부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. 11. The method of claim 10, wherein the power electrode,
A plurality of electrode plates spaced apart from each other at regular intervals are installed;
and a connector connecting ends of the plurality of electrode plates and connecting the plurality of electrode plates and the power supply unit. 제10항에 있어서, 상기 그라운드 전극은,
일정 간격 이격되어 다수개가 설치되는 그라운드 플레이트;
상기 다수개의 그라운드 플레이트의 말단들을 연결하며, 상기 다수개의 그라운드 전극을 상기 전원 공급부에 연결하는 그라운드 연결부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. 11. The method of claim 10, wherein the ground electrode,
a plurality of ground plates spaced apart from each other at regular intervals;
and a ground connection unit connecting ends of the plurality of ground plates and connecting the plurality of ground electrodes to the power supply unit. 제11항 또는 제12항에 있어서,
상기 전원 전극과 그라운드 전극은 전체적으로 플레이트 형상을 가져서 상기 가스 공급수단과 상기 카세트 사이의 공간을 상기 카세트 내의 기판 탑재 공간과 일치하는 기체 공급 공간으로 분할하는 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. 13. The method of claim 11 or 12,
The power electrode and the ground electrode have a plate shape as a whole, so that a space between the gas supply means and the cassette is divided into a gas supply space that coincides with a substrate mounting space in the cassette. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는,
RF 플라즈마, CCP 플라즈마, ICP 플라즈마, ECR 플라즈마 또는 Pulse DC 플라즈마인 것을 특징으로 하는 배치형 원자층 증착장치. According to claim 1, wherein the plasma,
RF plasma, CCP plasma, ICP plasma, ECR plasma, or a batch type atomic layer deposition apparatus, characterized in that the pulse DC plasma.
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