KR20220025469A - Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and semiconductor device using the same - Google Patents

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Abstract

Provided are a photosensitive resin composition, a photosensitive resin film manufactured by using the same, and a semiconductor device including the photosensitive resin film. The photosensitive resin composition includes: (A) a polyhydroxyamide-based resin including a structural unit represented by Chemical Formula 1; (B) a photopolymerizable compound; (C) a photopolymerization initiator; (D) an additive including a sulfide linking group or a disulfide linking group and including at least one carboxyl group at a terminal thereof; and (E) a solvent. (In Chemical Formula 1, each substituent is as defined in the present disclosure.) Accordingly, an insulating film for a semiconductor redistribution layer having excellent heat resistance and reliability is implemented.

Description

감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 반도체 소자 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}Photosensitive resin composition, photosensitive resin film and semiconductor device using the same

본 기재는 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 반도체 소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive resin film using the same, and a semiconductor device.

반도체 소자를 수분이나 기계적 충격 등의 외부 환경으로부터 보호하기 위한 목적으로 에폭시 수지 조성물로 반도체 소자를 밀봉하는 방법이 상업적으로 행해지고 있다. 종래에는 반도체 소자 밀봉 시에 웨이퍼를 절단(Dicing)하여 반도체 칩(chip)을 제조한 후, 반도체 칩 단위로 패키징이 이루어졌으나, 최근에 절단되지 않은 웨이퍼 상태 또는 이보다 큰 패널 상태에서 패키징을 수행한 다음, 반도체 칩으로 절단(dicing)하는 공정이 개발되었다. 일반적으로, 전자의 방법을 칩 스케일 패키징(Chip Scale Package, CSP), 후자의 공정을 웨이퍼 레벨 패키징(Wafer Level Packaging, WLP) 및 패널 레벨 패키징(Panel Level Packaging, PLP)이라고 한다. A method of sealing a semiconductor element with an epoxy resin composition for the purpose of protecting the semiconductor element from an external environment such as moisture or mechanical shock has been commercially performed. Conventionally, semiconductor chips are manufactured by dicing a wafer during sealing of semiconductor devices, and then packaging is performed in units of semiconductor chips. Next, a process for dicing into a semiconductor chip was developed. In general, the former method is called chip scale packaging (CSP), and the latter process is called wafer level packaging (WLP) and panel level packaging (PLP).

웨이퍼 레벨 패키징은 칩 스케일 패키징 공정에 비해 공정 수율이 높고, 패키지 두께가 얇아 반도체 실장 공간을 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 웨이퍼 레벨 패키징이나 패널 레벨 패키징의 경우, 개개의 칩을 밀봉하는 칩 스케일 패키징에 비해 제막 면적이 넓기 때문에 웨이퍼 또는 패널과 봉지재의 열 팽창율 차이로 인한 휨(Warpage)이 크게 발생한다는 문제점이 있다. 휨이 발생할 경우, 후속 공정의 수율 및 웨이퍼 핸들링에 영향을 미치게 된다. 또한, 현재 웨이퍼 레벨 패키징이나 패널 레벨 패키징의 밀봉재로는 주로 액상 타입의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지가 사용되고 있으나, 액상 타입의 조성물의 경우 무기 충전물의 함량이 낮고, 수지도 액상의 단분자를 사용하기 때문에 밀봉 후 반도체 패키지의 신뢰성이 취약하다는 문제점이 있다. Compared to the chip-scale packaging process, wafer-level packaging has advantages in that the process yield is high and the semiconductor mounting space can be reduced because the package thickness is thin. However, in the case of wafer-level packaging or panel-level packaging, since the film forming area is larger than that of chip-scale packaging that encapsulates individual chips, there is a problem in that warpage due to the difference in thermal expansion rate between the wafer or panel and the encapsulant occurs greatly. When warpage occurs, it affects the yield and wafer handling of subsequent processes. In addition, liquid type epoxy resin or silicone resin is mainly used as a sealing material for wafer level packaging or panel level packaging at present. There is a problem in that the reliability of the semiconductor package after sealing is weak.

따라서, 웨이퍼 레벨 패키징 또는 패널 레벨 패키징 적용 시에도 휨 발생이 적고, 우수한 신뢰성을 구현할 수 있는 재배선층(RDL, Redistriburion layer)용 절연막의 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a demand for the development of an insulating film for a redistribution layer (RDL) capable of reducing warpage and implementing excellent reliability even when wafer level packaging or panel level packaging is applied.

상기 요구에 부응하기 위해 재배선층용 절연막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물의 개발이 계속되고 있는데, 일반적으로 폴리이미드 수지 자체에 감광성을 부여한 감광성 폴리이미드 수지 조성물이 주로 이용되어 오고 있다. 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 이용함으로써, 패턴 형성 공정을 간략화할 수 있기 때문이다. 그러나, 종래 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 이용하여 제조되는 재배선층용 절연막(경화막)의 경우, 내부식성 및 내약품성이 저하되는 문제가 있으며, 특히 재배선층용 절연막용 수지는 저온경화가 요구되는데, 종래 감광성 폴리이미드 수지는 저온경화가 불가하여 고내열성 및 고신뢰성을 달성할 수 없다는 문제가 있다.In order to meet the above demands, the development of a photosensitive resin composition capable of forming an insulating film for a redistribution layer is continued, and in general, a photosensitive polyimide resin composition in which photosensitivity is imparted to the polyimide resin itself has been mainly used. It is because the pattern formation process can be simplified by using the photosensitive polyimide resin composition. However, in the case of a conventional insulating film (cured film) for a redistribution layer manufactured using a photosensitive polyimide resin composition, there is a problem in that corrosion resistance and chemical resistance are lowered. In particular, the resin for an insulating film for a redistribution layer requires low temperature curing, Conventional photosensitive polyimide resin has a problem in that it cannot be cured at a low temperature and thus high heat resistance and high reliability cannot be achieved.

일 구현예는 특정 구조를 가지는 폴리하이드록시아미드계 수지를, '설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 포함하고, 말단에 하나 이상의 카르복실기를 포함하는 첨가제'와 함께 사용하여, 재배선층 내 구리와의 접착력을 향상시킴으로써, 반도체 재배선간 층간 절연막으로서 유용하게 사용될 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.According to one embodiment, by using a polyhydroxyamide-based resin having a specific structure together with an 'additive including a sulfide linkage group or a disulfide linkage group and at least one carboxyl group at the terminal', the adhesive strength with copper in the redistribution layer is improved. It is to provide a photosensitive resin composition which can be usefully used as an interlayer insulating film between semiconductor rewiring by improving.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a semiconductor device including the photosensitive resin film.

일 구현예는 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함하는 폴리하이드록시아미드계 수지; (B) 광중합성 화합물; (C) 광중합 개시제; (D) 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 포함하고, 말단에 하나 이상의 카르복실기를 포함하는 첨가제; 및 (E) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment is (A) a polyhydroxyamide-based resin including a structural unit represented by the following formula (1); (B) a photopolymerizable compound; (C) a photoinitiator; (D) an additive comprising a sulfide linkage or a disulfide linkage and at least one carboxyl group at the terminal; And (E) provides a photosensitive resin composition comprising a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

X1은 언하이드라이드 단량체로부터 유도된 잔기이고,X 1 is a residue derived from an anhydride monomer,

Y1은 디아민 단량체로부터 유도된 잔기이고,Y 1 is a residue derived from a diamine monomer,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기이다.R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C20 hetero it is a ring

상기 첨가제는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.The additive may be represented by the following formula (2).

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

R3은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 3 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group;

L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,L 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group,

L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다. L 2 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.

상기 화학식 2에서, L2는 카르복실기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기일 수 있다.In Formula 2, L 2 may be a C6 to C20 arylene group unsubstituted or substituted with a carboxyl group.

상기 화학식 2로 표시되는 첨가제는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The additive represented by Formula 2 may be represented by any one of Formulas 2-1 to 2-6 below.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00005
Figure pat00005

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure pat00006
Figure pat00006

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 2-6][Formula 2-6]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 첨가제는 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.The additive may be represented by the following formula (3).

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 3에서,In Formula 3,

L3 내지 L7은 각각 독립적으로 단일결합, 설파이드 연결기, 다이설파이드 연결기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 2가의 싸이오펜 연결기이되, 상기 L3 내지 L7 중 적어도 하나는 반드시 설파이드 연결기, 다이설파이드 연결기 또는 2가의 싸이오펜 연결기이다.L 3 to L 7 are each independently a single bond, a sulfide linking group, a disulfide linking group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or a divalent thiophene linking group, wherein At least one of L 3 to L 7 is necessarily a sulfide linking group, a disulfide linking group, or a divalent thiophene linking group.

상기 L3 내지 L7 중 어느 하나 이상이 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기일 경우, 이는 'C1 내지 C10 알킬기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기', '카르복실기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기' 또는 '비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기'일 수 있다.When any one or more of L 3 to L 7 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, it is a 'C1 to C20 alkylene group substituted with a C1 to C10 alkyl group', 'C1 to C20 alkylene group substituted with a carboxyl group ' or 'unsubstituted C1 to C20 alkylene group'.

상기 화학식 3으로 표시되는 첨가제는 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-12 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The additive represented by Formula 3 may be represented by any one of Formulas 3-1 to 3-12 below.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 3-2][Formula 3-2]

Figure pat00011
Figure pat00011

[화학식 3-3][Formula 3-3]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 3-4][Formula 3-4]

Figure pat00013
Figure pat00013

[화학식 3-5][Formula 3-5]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 3-6][Formula 3-6]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 3-7][Formula 3-7]

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식 3-8][Formula 3-8]

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 3-9][Formula 3-9]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 3-10][Formula 3-10]

Figure pat00019
Figure pat00019

[화학식 3-11][Formula 3-11]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 3-12][Formula 3-12]

Figure pat00021
Figure pat00021

상기 첨가제는 상기 폴리하이드록시아미드계 수지 100 중량부 대비 1 중량부 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.The additive may be included in an amount of 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyhydroxyamide-based resin.

상기 언하이드라이드 단량체는 하기 화학식 X-1로 표시될 수 있다.The anhydride monomer may be represented by the following Chemical Formula X-1.

[화학식 X-1][Formula X-1]

Figure pat00022
Figure pat00022

상기 화학식 X-1에서,In the formula (X-1),

L8은 단일결합, *-O-*, *-S-*, *-C(=O)-*, *-C(=O)O-*, -*NR4-*(R4는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리 연결기 또는 이들의 조합이다.L 8 is a single bond, *-O-*, *-S-*, *-C(=O)-*, *-C(=O)O-*, -*NR 4 -*(R 4 is hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 heterocyclic linking group, or a combination thereof am.

상기 디아민 단량체는 하기 화학식 Y-1 또는 화학식 Y-2로 표시될 수 있다.The diamine monomer may be represented by Formula Y-1 or Formula Y-2 below.

[화학식 Y-1][Formula Y-1]

Figure pat00023
Figure pat00023

[화학식 Y-2][Formula Y-2]

Figure pat00024
Figure pat00024

상기 화학식 Y-2에서,In the formula Y-2,

R5 및 R6은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,R 5 and R 6 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group,

L9는 *-O-* 또는 *-S-* 이고,L 9 is *-O-* or *-S-*,

n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.n1 and n2 are each independently an integer of 0 to 4.

상기 감광성 수지 조성물은, 상기 폴리하이드록시아미드계 수지 100 중량부에 대해, 상기 광중합성 화합물은 1 중량부 내지 10 중량부로 포함되고, 상기 광중합 개시제는 1 중량부 내지 10 중량부로 포함되고, 상기 첨가제는 1 중량부 내지 20 중량부로 포함되고, 상기 용매는 100 중량부 내지 500 중량부로 포함될 수 있다.In the photosensitive resin composition, based on 100 parts by weight of the polyhydroxyamide-based resin, the photopolymerizable compound is included in an amount of 1 to 10 parts by weight, the photopolymerization initiator is included in an amount of 1 to 10 parts by weight, and the additive is included in an amount of 1 part by weight to 20 parts by weight, and the solvent may be included in an amount of 100 parts by weight to 500 parts by weight.

상기 감광성 수지 조성물은 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 에폭시화합물, 열잠재 산발생제 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include a diacid, an alkanolamine, a leveling agent, a silane coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a thermal latent acid generator, or a combination thereof.

상기 감광성 수지 조성물은 네가티브형 감광성 수지 조성물일 수 있다.The photosensitive resin composition may be a negative photosensitive resin composition.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared by using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.Another embodiment provides a semiconductor device including the photosensitive resin film.

기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.The specific details of other aspects of the invention are included in the detailed description below.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 특정 구조를 가지는 폴리하이드록시아미드계 수지를, 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 포함하고, 말단에 하나 이상의 카르복실기를 포함하는 첨가제와 함께 포함하여, 금속층(예컨대, 구리층 및 티타늄층)에 대한 접착력을 향상시켜 내열성 및 신뢰성이 우수한 반도체 재배선층용 절연막을 구현할 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment includes a polyhydroxyamide-based resin having a specific structure, a metal layer (eg, copper layer and titanium layer), so that an insulating film for a semiconductor redistribution layer having excellent heat resistance and reliability can be realized.

도 1은 감광성 수지 조성물의 접착력을 평가하기 위한 Die shear tester 장치의 모식도이다.1 is a schematic diagram of a die shear tester device for evaluating the adhesive force of a photosensitive resin composition.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is provided as an example, and the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C7 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, "알킬아릴렌기"란 C7 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.Unless otherwise specified herein, "alkyl group" means a C1 to C20 alkyl group, "alkenyl group" means a C2 to C20 alkenyl group, "cycloalkenyl group" means a C3 to C20 cycloalkenyl group, , "heterocycloalkenyl group" means a C3 to C20 heterocycloalkenyl group, "aryl group" means a C6 to C20 aryl group, "arylalkyl group" means a C7 to C20 arylalkyl group, "alkylene group" means a C1 to C20 alkylene group, "arylene group" means a C6 to C20 arylene group, "alkylarylene group" means a C7 to C20 alkylarylene group, and "heteroarylene group" means a C3 to C20 hetero It means an arylene group, and "alkoxyylene group" means a C1 to C20 alkoxyylene group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 트리플루오르메틸기 등의 할로겐 원자로 치환된 C1 내지 C20 알킬기, 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise specified herein, "substitution" means a C1 to C20 alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom such as a halogen atom (F, Cl, Br, I), a trifluoromethyl group, a hydroxy group, or a C1 to C20 alkoxy group group, nitro group, cyano group, amine group, imino group, azido group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, ether group, carboxyl group or a salt thereof; Sulfonic acid group or a salt thereof, phosphoric acid or a salt thereof, C1 to C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C20 aryl group, C3 to C20 cycloalkyl group, C3 to C20 cycloalkenyl group, C3 to C20 cycloalkynyl group, C2 to C20 heterocycloalkyl group, C2 to C20 heterocycloalkenyl group, C2 to C20 heterocycloalkynyl group, C3 to C20 heteroaryl group, or a combination thereof means substituted with a substituent.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.In addition, unless otherwise specified in the present specification, "hetero" means that at least one hetero atom among N, O, S and P is included in the formula.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미한다. In addition, unless otherwise specified herein, "(meth)acrylate" means that both "acrylate" and "methacrylate" are possible.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합, 교대 공중합 또는 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체, 교대 공중합체 또는 랜덤 공중합체를 의미한다.Unless otherwise defined herein, "combination" means mixing or copolymerization. Also, "copolymerization" means block copolymerization, alternating copolymerization or random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer, alternating copolymer or random copolymer.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 불포화 결합은 탄소-탄소원자간의 다중결합 뿐만아니라, 카보닐결합, 아조결합 등과 같이 다른 분자를 포함하는 것도 포함한다.Unless otherwise specified herein, the unsaturated bond includes not only multiple bonds between carbon-carbon atoms, but also other molecules such as carbonyl bonds and azo bonds.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formulas in the present specification, when a chemical bond is not drawn at a position where a chemical bond is to be drawn, it means that a hydrogen atom is bonded to the position.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.Unless otherwise defined herein, "*" means a moiety connected to the same or different atoms or chemical formulas.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함하는 폴리하이드록시아미드계 수지; (B) 광중합성 화합물; (C) 광중합 개시제; (D) 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 포함하고, 말단에 하나 이상의 카르복실기를 포함하는 첨가제; 및 (E) 용매를 포함한다.The photosensitive resin composition according to an embodiment includes (A) a polyhydroxyamide-based resin including a structural unit represented by the following Chemical Formula 1; (B) a photopolymerizable compound; (C) a photoinitiator; (D) an additive comprising a sulfide linkage or a disulfide linkage and at least one carboxyl group at the terminal; and (E) a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00025
Figure pat00025

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

X1은 언하이드라이드 단량체로부터 유도된 잔기이고,X 1 is a residue derived from an anhydride monomer,

Y1은 디아민 단량체로부터 유도된 잔기이고,Y 1 is a residue derived from a diamine monomer,

R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기이다.R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C20 hetero it is a ring

예컨대, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 말단에 (메타)아크릴레이트기가 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있다.For example, R 1 and R 2 may each independently be a C1 to C20 alkyl group in which a (meth)acrylate group is unsubstituted or substituted at the terminal.

이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

(A) 폴리하이드록시아미드계 수지(A) polyhydroxyamide-based resin

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물에 사용되는 폴리하이드록시아미드계 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함한다.The polyhydroxyamide-based resin used in the photosensitive resin composition according to an embodiment includes a structural unit represented by Formula 1 above.

상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 함유 폴리하이드록시아미드계 수지는 후술하는 첨가제와 함께 사용됨으로써, 금속층(특히 구리층 및 티타늄층)과의 접착력을 매우 용이하게 향상시킬 수 있으며, 여기에 더하여 네가티브형 조성물에 적용되어 현상성을 크게 향상시키기에도 용이하다. The structural unit-containing polyhydroxyamide-based resin represented by Formula 1 can be used together with an additive to be described later, thereby very easily improving adhesion to a metal layer (especially a copper layer and a titanium layer), and in addition to this, a negative type resin It is also easy to greatly improve developability by being applied to the composition.

일반적으로 폐환형 구조를 가지는 알칼리 가용성 수지는 저온경화 시에 막 특성이 조금 저하되는문제점이 있으나, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 함유 폴리하이드록시아미드계 수지는 후술하는 첨가제와 함께 사용되기에, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 저온경화에 적합하며, 막 특성 또한 매우 우수한 절연막(경화막)을 제공할 수 있다.In general, alkali-soluble resins having a closed cyclic structure have a problem in that the film properties are slightly deteriorated during low-temperature curing. The photosensitive resin composition according to an embodiment is suitable for low-temperature curing and may provide an insulating film (cured film) having very excellent film properties.

예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위 함유 폴리하이드록시아미드계 수지는 언하이드라이드 단량체와 디아민 단량체 간 중합체일 수 있다. For example, the structural unit-containing polyhydroxyamide-based resin represented by Formula 1 may be a polymer between an anhydride monomer and a diamine monomer.

예컨대, 디아민 단량체는 하기 화학식 Y-1 또는 하기 화학식 Y-2로 표시될 수 있다.For example, the diamine monomer may be represented by the following Chemical Formula Y-1 or the following Chemical Formula Y-2.

[화학식 Y-1][Formula Y-1]

Figure pat00026
Figure pat00026

[화학식 Y-2][Formula Y-2]

Figure pat00027
Figure pat00027

상기 화학식 Y-2에서,In the formula Y-2,

R5 및 R6은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,R 5 and R 6 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group,

L9는 *-O-* 또는 *-S-* 이고,L 9 is *-O-* or *-S-*,

n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.n1 and n2 are each independently an integer of 0 to 4.

예컨대, 상기 언하이드라이드 단량체는 하기 화학식 X-1로 표시되는 단량체를 포함할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the anhydride monomer may include a monomer represented by the following Chemical Formula X-1, but is not necessarily limited thereto.

[화학식 X-1][Formula X-1]

Figure pat00028
Figure pat00028

상기 화학식 X-1에서,In the formula (X-1),

L8은 단일결합, *-O-*, *-S-*, *-C(=O)-*, *-C(=O)O-*, -*NR4-*(R4는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리 연결기 또는 이들의 조합이다.L 8 is a single bond, *-O-*, *-S-*, *-C(=O)-*, *-C(=O)O-*, -*NR 4 -*(R 4 is hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 heterocyclic linking group, or a combination thereof am.

예컨대, 상기 L8이 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기인 경우, 이는 트리플루오르알킬기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기일 수 있다.For example, when L 8 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, it may be a C1 to C20 alkylene group unsubstituted or substituted with a trifluoroalkyl group.

상기 폴리하이드록시아미드계 수지의 중량평균분자량(Mw)은 3,000g/mol 내지 300,000g/mol일 수 있다. 상기 폴리하이드록시아미드계 수지의 중량평균분자량이 상기 범위인 경우, 충분한 물성이 얻어질 수 있으며, 유기 용매에 대한 용해성이 우수하여 취급이 용이하다. The weight average molecular weight (M w ) of the polyhydroxyamide-based resin may be 3,000 g/mol to 300,000 g/mol. When the weight average molecular weight of the polyhydroxyamide-based resin is within the above range, sufficient physical properties can be obtained and handling is easy due to excellent solubility in organic solvents.

(B) 광중합성 화합물(B) photopolymerizable compound

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물 내 광중합성 화합물은 단일의 화합물일 수도 있고, 서로 다른 2종의 화합물의 혼합물일 수 있다. The photopolymerizable compound in the photosensitive resin composition according to the exemplary embodiment may be a single compound or a mixture of two different compounds.

상기 광중합성 화합물이 서로 다른 2종의 화합물의 혼합물일 경우, 상기 2종의 화합물 중 어느 하나는 하기 화학식 4로 표시되는 관능기를 적어도 2개 이상 포함하는 화합물일 수 있다.When the photopolymerizable compound is a mixture of two different types of compounds, any one of the two types of compounds may be a compound including at least two functional groups represented by Formula 4 below.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00029
Figure pat00029

상기 화학식 4에서,In Formula 4,

R100은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 100 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group,

L100은 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이다.L 100 is a single bond or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group.

예컨대 상기 화학식 4로 표시되는 관능기를 적어도 2개 이상 포함하는 화합물은, 상기 화학식 4로 표시되는 관능기를 2개 내지 6개 포함할 수 있다. 이 경우, 패턴 형성 공정에서 노광 시 충분한 중합을 일으켜 내열성, 내광성 및 내화학성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다.For example, the compound including at least two functional groups represented by Formula 4 may include 2 to 6 functional groups represented by Formula 4 above. In this case, sufficient polymerization occurs during exposure in the pattern forming process to form a pattern having excellent heat resistance, light resistance, and chemical resistance.

예컨대, 상기 화학식 4로 표시되는 관능기를 적어도 2개 이상 포함하는 화합물은 하기 화학식 5 또는 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물일 수 있다.For example, the compound including at least two functional groups represented by Formula 4 may be a compound represented by Formula 5 or Formula 6 below.

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00030
Figure pat00030

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00031
Figure pat00031

상기 화학식 5 및 화학식 6에서, In Formulas 5 and 6,

p, q, r 및 s는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이다.p, q, r and s are each independently an integer from 1 to 10.

상기 광중합성 화합물이 서로 다른 2종의 화합물의 혼합물일 경우, 상기 2종의 화합물 중 다른 어느 하나는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중결합을 가지는 (메타)아크릴산의 일관능 또는 다관능 에스테르 화합물일 수 있다.When the photopolymerizable compound is a mixture of two different compounds, the other one of the two compounds may be a monofunctional or polyfunctional ester compound of (meth)acrylic acid having at least one ethylenically unsaturated double bond. there is.

상기 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중결합을 가지는 (메타)아크릴산의 일관능 또는 다관능 에스테르 화합물은 예컨대, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 비스페놀A 에폭시(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(메타)아크릴로일옥시에틸포스페이트, 노볼락에폭시 (메타)아크릴레이트 또는 이들의조합일 수 있다.The monofunctional or polyfunctional ester compound of (meth)acrylic acid having at least one ethylenically unsaturated double bond is, for example, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di ( Meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, bisphenol A Di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, pentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipenta Erythritol di(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, Bisphenol A epoxy (meth)acrylate , ethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tris (meth) acryloyloxyethyl phosphate, novolac epoxy (meth) acrylate, or a combination thereof.

상기 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중결합을 가지는 (메타)아크릴산의 일관능 또는 다관능 에스테르 화합물의 시판되는 제품을 예로 들면 다음과 같다. 상기 (메타)아크릴산의 일관능 에스테르의 예로는, 도아고세이가가꾸고교(주)社의 아로닉스 M-101®, 아로닉스 M-111®, 아로닉스 M-114® 등; 니혼가야꾸(주)社의 KAYARAD TC-110S®, KAYARAD TC-120S® 등; 오사카유끼가가꾸고교(주)社의 V-158®, V-2311® 등을 들 수 있다. 상기 (메타)아크릴산의 이관능 에스테르의 예로는, 도아고세이가가꾸고교(주)社의 아로닉스 M-210®, 아로닉스 M-240®, 아로닉스 M-6200® 등; 니혼가야꾸(주)社의 KAYARAD HDDA®, KAYARAD HX-220®, KAYARAD R-604® 등; 오사카유끼가가꾸고교(주)社의 V-260®, V-312®, V-335 HP® 등을 들 수 있다.  상기 (메타)아크릴산의 삼관능 에스테르의 예로는, 도아고세이가가꾸고교(주)社의 아로닉스 M-309®, 아로닉스 M-400®, 아로닉스 M-405®, 아로닉스 M-450®, 아로닉스 M-7100®, 아로닉스 M-8030®, 아로닉스 M-8060® 등; 니혼가야꾸(주)社의 KAYARAD TMPTA®, KAYARAD DPCA-20®, KAYARAD DPCA-30®, KAYARAD DPCA-60®, KAYARAD DPCA-120® 등; 오사카유끼가야꾸고교(주)社의 V-295®, V-300®, V-360®, V-GPT®, V-3PA®, V-400® 등을 들 수 있다. 상기 제품을 단독 사용 또는 2종 이상 함께 사용할 수 있다.Commercially available products of the monofunctional or polyfunctional ester compound of (meth)acrylic acid having at least one ethylenically unsaturated double bond are as follows. Examples of the monofunctional ester of (meth)acrylic acid include Aronix M-101 ® , Aronix M-111 ® , Aronix M-114 ® by Toagosei Chemical Co., Ltd.; Nihon Kayaku Co., Ltd.'s KAYARAD TC-110S ® , KAYARAD TC-120S ® , etc.; Osaka Yuki Chemical Co., Ltd.'s V-158 ® , V-2311 ® , etc. are mentioned. Examples of the bifunctional ester of (meth)acrylic acid, Toago Sei Chemicals Co., Ltd. Aronix M-210 ® , Aronix M-240 ® , Aronix M-6200 ® and the like; Nihon Kayaku Co., Ltd.'s KAYARAD HDDA ® , KAYARAD HX-220 ® , KAYARAD R-604 ® , etc.; and V-260 ® , V-312 ® , V-335 HP ® of Osaka Yuki Chemical High School Co., Ltd. and the like. Examples of the trifunctional ester of (meth)acrylic acid include Aronix M-309 ® , Aronix M-400 ® , Aronix M-405 ® , Aronix M-450 ® by Toago Sei Chemicals Co., Ltd. , Aronix M-7100 ® , Aronix M-8030 ® , Aronix M-8060 ® etc.; Nihon Kayaku Co., Ltd.'s KAYARAD TMPTA ® , KAYARAD DPCA-20 ® , KAYARAD DPCA-30 ® , KAYARAD DPCA-60 ® , KAYARAD DPCA-120 ® , etc.; V-295 ® , V-300 ® , V-360 ® , V-GPT ® , V-3PA ® , V-400 ® of Osaka Yukigayaku High School Co., Ltd. may be mentioned. These products may be used alone or in combination of two or more.

상기 광중합성 화합물은 보다 우수한 현상성을 부여하기 위하여 산무수물로 처리하여 사용할 수도 있다. The photopolymerizable compound may be used after treatment with an acid anhydride in order to provide better developability.

상기 광중합성 화합물은 상기 폴리하이드록시아미드계 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 10 중량부, 예컨대 1 중량부 내지 7 중량부로 포함될 수 있다.  상기 광중합성 화합물이 상기 범위 내로 포함될 경우, 경화가 충분히 일어나 신뢰성이 우수하며, 패턴의 내열성, 내광성 및 내화학성이 우수하며, 해상도 및 밀착성 또한 우수하다.The photopolymerizable compound may be included in an amount of 1 to 10 parts by weight, for example, 1 to 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyhydroxyamide-based compound. When the photopolymerizable compound is contained within the above range,   hardening occurs sufficiently, and reliability is excellent, heat resistance, light resistance and chemical resistance of the pattern are excellent, and resolution and adhesion are also excellent.

(C) 광중합 개시제(C) photoinitiator

일 구현예에 따르는 감광성 수지 조성물은 광중합 개시제를 포함한다. 상기 광중합 개시제는 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조인계 화합물, 트리아진계 화합물, 옥심계 화합물 등을 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition according to an embodiment includes a photoinitiator. As the photopolymerization initiator, an acetophenone-based compound, a benzophenone-based compound, a thioxanthone-based compound, a benzoin-based compound, a triazine-based compound, or an oxime-based compound may be used.

상기 아세토페논계 화합물의 예로는, 2,2'-디에톡시 아세토페논, 2,2'-디부톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸트리클로로 아세토페논, p-t-부틸디클로로 아세토페논, 4-클로로 아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시 아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the acetophenone-based compound include 2,2'-diethoxy acetophenone, 2,2'-dibutoxy acetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt-butyltrichloroacetophenone, pt -Butyldichloro acetophenone, 4-chloro acetophenone, 2,2'-dichloro-4-phenoxy acetophenone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholino propane-1 -one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butan-1-one, etc. are mentioned.

상기 벤조페논계 화합물의 예로는, 벤조페논, 벤조일 안식향산, 벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논,4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the benzophenone-based compound include benzophenone, benzoyl benzoic acid, methyl benzoyl benzoate, 4-phenyl benzophenone, hydroxy benzophenone, acrylated benzophenone, 4,4'-bis(dimethyl amino)benzophenone, 4,4 '-bis(diethylamino)benzophenone, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-dichlorobenzophenone, 3,3'-dimethyl-2-methoxybenzophenone, etc. are mentioned.

상기 티오크산톤계 화합물의 예로는, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤 등을 들 수 있다.Examples of the thioxanthone-based compound include thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2,4-diiso A propyl thioxanthone etc. are mentioned.

상기 벤조인계 화합물의 예로는, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.Examples of the benzoin-based compound include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, and benzyldimethyl ketal.

상기 트리아진계 화합물의 예로는, 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐 4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐 4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시나프토1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-s-트리아진등을 들 수 있다.Examples of the triazine-based compound include 2,4,6-trichloro-s-triazine, 2-phenyl 4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(3',4'- Dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4'-methoxynaphthyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-tolyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine; 2-biphenyl 4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, bis(trichloromethyl)-6-styryl-s-triazine, 2-(naphtho1-yl)-4,6 -Bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-methoxynaphtho1-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-4-bis(trichloro and romethyl)-6-piperonyl-s-triazine and 2-4-bis(trichloromethyl)-6-(4-methoxystyryl)-s-triazine.

상기 옥심계 화합물의 예로는 O-아실옥심계화합물, 2-(O-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(O-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, O-에톡시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온 등을 사용할 수 있다. 상기 O-아실옥심계화합물의구체적인예로는, 1,2-옥탄디온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트 및 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온옥심-O-아세테이트 등을 사용할 수 있다. Examples of the oxime-based compound include O-acyloxime-based compound, 2-(O-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione, 1-(O-acetyloxime) -1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]ethanone, O-ethoxycarbonyl-α-oxyamino-1-phenylpropan-1-one, etc. can be used Specific examples of the O-acyloxime compound include 1,2-octanedione, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butane -1-one, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-butane-1,2-dione-2-oxime-O-benzoate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-octane-1,2- Dione-2-oxime-O-benzoate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-octane-1-oneoxime-O-acetate and 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-butan-1-oneoxime -O-acetate  etc. can be used.

상기 광중합 개시제는 상기 화합물 이외에도 카바졸계 화합물, 디케톤류 화합물, 술포늄 보레이트계 화합물, 디아조계 화합물, 이미다졸계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 플루오렌계 화합물 등을 사용할 수 있다.As the photopolymerization initiator, a carbazole-based compound, a diketone-based compound, a sulfonium borate-based compound, a diazo-based compound, an imidazole-based compound, a biimidazole-based compound, or a fluorene-based compound may be used in addition to the above compound.

상기 광중합 개시제는 상기 폴리하이드록시아미드계 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 10 중량부, 예컨대 1 중량부 내지 7 중량부로 포함될 수 있다. 광중합 개시제가 상기 범위 내로 포함될 경우, 광중합이 충분히 일어나게 되어 감도가 우수하며, 투과율이 개선된다.The photopolymerization initiator may be included in an amount of 1 to 10 parts by weight, for example, 1 to 7 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyhydroxyamide-based agent. When the photopolymerization initiator is included within the above range, photopolymerization occurs sufficiently, so that the sensitivity is excellent and the transmittance is improved.

(D) 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 포함하고, 말단에 하나 이상의 카르복실기를 포함하는 첨가제(D) an additive comprising a sulfide linkage or a disulfide linkage, and at least one carboxyl group at the terminal

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 상기 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 포함하고, 말단에 하나 이상의 카르복실기를 포함하는 첨가제를 포함한다.The photosensitive resin composition according to an embodiment includes an additive including the sulfide linking group or the disulfide linking group and at least one carboxyl group at the terminal thereof.

상기 첨가제는 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 포함하고, 말단에 하나 이상의 카르복실기를 포함하기에, 전술한 폴리하이드록시아미드계 수지와 함께 사용되어, 저온 경화에 유리한 감광성 수지 조성물을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 금속층(특히 구리층 및 티타늄층)과의 접착력이 크게 개선되어, 반도체 재배선층간 절연막으로 사용되기에 매우 적합하다.Since the additive includes a sulfide linkage group or a disulfide linkage group and includes at least one carboxyl group at the terminal, it can be used together with the above-described polyhydroxyamide-based resin to form a photosensitive resin composition advantageous for low-temperature curing. , the adhesion with the metal layer (especially the copper layer and the titanium layer) is greatly improved, so it is very suitable for use as an insulating film between semiconductor redistribution layers.

구체적으로, 상기 첨가제 내 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기로 인해 금속층 및 티타늄층과의 접착력 향상을 꾀할 수 있으며, 상기 카르복실기는 상기 폴리하이드록시아미드계 수지와의 접착력 향상을 꾀할 수 있기에, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 반도체 재배선층용 절연막으로 사용되기에 매우 유리하다. Specifically, due to the sulfide linking group or the disulfide linking group in the additive, adhesion to the metal layer and the titanium layer may be improved, and the carboxyl group may improve adhesion to the polyhydroxyamide-based resin, so in one embodiment The photosensitive resin composition according to the present invention is very advantageous to be used as an insulating film for a semiconductor redistribution layer.

예컨대, 상기 첨가제는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시될 수 있다. For example, the additive may be represented by the following Chemical Formula 2 or Chemical Formula 3.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00032
Figure pat00032

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

R3은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 3 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group;

L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,L 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group,

L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다. L 2 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00033
Figure pat00033

상기 화학식 3에서,In Formula 3,

L3 내지 L7은 각각 독립적으로 단일결합, 설파이드 연결기, 다이설파이드 연결기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 2가의 싸이오펜 연결기이되, 상기 L3 내지 L7 중 적어도 하나는 반드시 설파이드 연결기, 다이설파이드 연결기 또는 2가의 싸이오펜 연결기이다.L 3 to L 7 are each independently a single bond, a sulfide linking group, a disulfide linking group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or a divalent thiophene linking group, wherein At least one of L 3 to L 7 is necessarily a sulfide linking group, a disulfide linking group, or a divalent thiophene linking group.

일반적으로 반도체 재배선층 내 구리층은 구리 외에 소량의 티타늄도 포함하는데, 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 첨가제는 모두 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 가져 상기 티타늄과의 접착력 향상에도 유리하고, 구리층과의 접착력이 매우 우수할 것을 쉽게 예측할 수 있다.In general, the copper layer in the semiconductor redistribution layer includes a small amount of titanium in addition to copper, and all of the additives represented by Formula 2 or Formula 3 have a sulfide coupling group or a disulfide coupling group, which is advantageous in improving adhesion with the titanium, and the copper layer It can be easily predicted that the adhesive force with the material will be very good.

예컨대, 상기 화학식 2에서, L2는 카르복실기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기일 수 있다.For example, in Formula 2, L 2 may be a C6 to C20 arylene group unsubstituted or substituted with a carboxyl group.

예컨대, 상기 화학식 2로 표시되는 첨가제는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the additive represented by Formula 2 may be represented by any one of Formulas 2-1 to 2-6, but is not limited thereto.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00034
Figure pat00034

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00035
Figure pat00035

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00036
Figure pat00036

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure pat00037
Figure pat00037

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure pat00038
Figure pat00038

[화학식 2-6][Formula 2-6]

Figure pat00039
Figure pat00039

예컨대, 상기 화학식 3에서, L3 내지 L7 중 적어도 하나 이상이 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기인 경우, 이는 C1 내지 C10 알킬기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 카르복실기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기일 수 있다.For example, in Formula 3, when at least one of L 3 to L 7 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, it is a C1 to C20 alkylene group substituted with a C1 to C10 alkyl group, C1 to C20 substituted with a carboxyl group It may be a C20 alkylene group or an unsubstituted C1 to C20 alkylene group.

예컨대, 상기 화학식 3으로 표시되는 첨가제는 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-12 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the additive represented by Formula 3 may be represented by any one of Formulas 3-1 to 3-12, but is not limited thereto.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00040
Figure pat00040

[화학식 3-2][Formula 3-2]

Figure pat00041
Figure pat00041

[화학식 3-3][Formula 3-3]

Figure pat00042
Figure pat00042

[화학식 3-4][Formula 3-4]

Figure pat00043
Figure pat00043

[화학식 3-5][Formula 3-5]

Figure pat00044
Figure pat00044

[화학식 3-6][Formula 3-6]

Figure pat00045
Figure pat00045

[화학식 3-7][Formula 3-7]

Figure pat00046
Figure pat00046

[화학식 3-8][Formula 3-8]

Figure pat00047
Figure pat00047

[화학식 3-9][Formula 3-9]

Figure pat00048
Figure pat00048

[화학식 3-10][Formula 3-10]

Figure pat00049
Figure pat00049

[화학식 3-11][Formula 3-11]

Figure pat00050
Figure pat00050

[화학식 3-12][Formula 3-12]

Figure pat00051
Figure pat00051

상기 첨가제는 상기 폴리하이드록시아미드계 수지 100 중량부 대비 1 중량부 내지 20 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 15 중량부로 포함될 수 있다. 상기 첨가제가 상기 범위로 포함될 경우 구리층, 티타늄층과의 접착력 및 상기 폴리하이드록시아미드계 수지와의 접착력이 동시에 향상될 수 있다.The additive may be included in an amount of 1 to 20 parts by weight, for example, 5 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyhydroxyamide-based resin. When the additive is included in the above range, adhesion to the copper layer and the titanium layer and adhesion to the polyhydroxyamide-based resin may be simultaneously improved.

(E) 용매(E) solvent

상기 용매는 상기 폴리하이드록시아미드계 수지, 상기 광중합성 화합물, 상기 광중합 개시제 및 상기 첨가제와의 상용성을 가지되 반응하지 않는 물질들이 사용될 수 있다.As the solvent, materials having compatibility with the polyhydroxyamide-based resin, the photopolymerizable compound, the photopolymerization initiator, and the additive but not reacting may be used.

상기 용매의 예로는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 디클로로에틸에테르, n-부틸에테르, 디이소아밀에테르, 메틸페닐에테르, 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 글리콜에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸셀로솔브아세테이트 등의 셀로솔브아세테이트류; 메틸에틸카르비톨, 디에틸카르비톨, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족탄화수소류; 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸-n-아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 초산에틸, 초산-n-부틸, 초산이소부틸 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; 젖산메틸, 젖산에틸 등의 젖산에스테르류; 옥시초산메틸, 옥시초산에틸, 옥시초산부틸 등의 옥시초산알킬에스테르류; 메톡시초산메틸, 메톡시초산에틸, 메톡시초산부틸, 에톡시초산메틸, 에톡시초산에틸 등의 알콕시초산알킬에스테르류; 3-옥시프로피온산메틸, 3-옥시프로피온산에틸 등의 3-옥시프로피온산알킬에스테르류; 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸 등의 3-알콕시프로피온산알킬에스테르류; 2-옥시프로피온산메틸, 2-옥시프로피온산에틸, 2-옥시프로피온산프로필 등의 2-옥시프로피온산알킬에스테르류; 2-메톡시프로피온산메틸, 2-메톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산에틸, 2-에톡시프로피온산메틸 등의 2-알콕시프로피온산알킬에스테르류; 2-옥시-2-메틸프로피온산메틸, 2-옥시-2-메틸프로피온산에틸 등의2-옥시-2-메틸프로피온산에스테르류, 2-메톡시-2-메틸프로피온산메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산에틸 등의 2-알콕시-2-메틸프로피온산알킬류의 모노옥시모노카르복실산알킬에스테르류; 2-히드록시프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸 등의 에스테르류; 피루빈산에틸 등의 케톤산에스테르류 등이 있으며, 또한, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐라드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세틸아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 초산벤질, 안식향산에틸, 옥살산디에틸, 말레인산디에틸, γ-부티로락톤, 3-메틸벤조산, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, 페닐셀로솔브아세테이트 등의 고비점 용매를 들 수 있다.Examples of the solvent include alcohols such as methanol and ethanol; ethers such as dichloroethyl ether, n-butyl ether, diisoamyl ether, methylphenyl ether, and tetrahydrofuran; glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, and ethylene glycol dimethyl ether; cellosolve acetates such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, and diethyl cellosolve acetate; carbitols such as methyl ethyl carbitol, diethyl carbitol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, and diethylene glycol diethyl ether; propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate and propylene glycol propyl ether acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl-n-amyl ketone, and 2-heptanone ; saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, and isobutyl acetate; lactic acid esters such as methyl lactate and ethyl lactate; oxyacetic acid alkyl esters such as methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, and butyl oxyacetate; alkoxy acetate alkyl esters such as methyl methoxy acetate, ethyl methoxy acetate, butyl methoxy acetate, methyl ethoxy acetate, and ethyl ethoxy acetate; 3-oxypropionic acid alkyl esters such as methyl 3-oxypropionate and ethyl 3-oxypropionate; 3-alkoxypropionic acid alkyl esters such as 3-methoxymethylpropionate, 3-methoxyethylpropionate, 3-ethoxyethylpropionate, and 3-ethoxymethylpropionate; 2-oxypropionic acid alkyl esters such as methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, and propyl 2-oxypropionate; 2-alkoxypropionic acid alkyl esters such as methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, and methyl 2-ethoxypropionate; 2-oxy-2-methylpropionic acid esters such as 2-oxy-2-methylpropionate and 2-oxy-2-methylpropionate ethyl, 2-methoxy-2-methylpropionate, 2-ethoxy-2- monooxymonocarboxylic acid alkyl esters of 2-alkoxy-2-methylpropionate alkyls such as ethyl methylpropionate; esters such as ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl hydroxyacetate, and methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate; Ketonic acid esters such as ethyl pyruvate, and the like, and N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, N-methylformanilad, N-methylacetamide, and N,N-dimethylacetamide , N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, acetylacetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, benzoic acid and high boiling point solvents such as ethyl, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, 3-methylbenzoic acid, ethylene carbonate, propylene carbonate, and phenyl cellosolve acetate.

상기 용매는 상기 폴리하이드록시아미드계 수지 100 중량부 대비 100 중량부 내지 500 중량부로 포함될 수 있다. 상기 용매가 상기 범위 내로 포함될 경우 감광성 수지 조성물이 적절한 점도를 가짐에 따라 감광성 수지막 제조 시 공정성이 우수하다.The solvent may be included in an amount of 100 parts by weight to 500 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyhydroxyamide-based resin. When the solvent is included within the above range, since the photosensitive resin composition has an appropriate viscosity, processability is excellent in manufacturing the photosensitive resin film.

(F) 기타 첨가제(F) other additives

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include other additives.

상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 다이애시드(예컨대 말론산 등), 알카놀아민(예컨대 3-아미노-1,2-프로판디올 등), 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 열잠재 산발생제, 현상조절제, 경화제 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다. 이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.The photosensitive resin composition may contain diacids (eg, malonic acid, etc.), alkanolamines (eg, 3-amino-1,2- propanediol, etc.), a leveling agent, a silane coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a thermal latent acid generator, a development control agent, a curing agent, or a combination thereof. The amount of these additives used can be easily adjusted according to desired physical properties.

예컨대, 상기 실란커플링제는 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. For example, the silane coupling agent may have a reactive substituent such as a vinyl group, a carboxyl group, a methacryloxy group, an isocyanate group, and an epoxy group in order to improve adhesion to the substrate.

상기 실란커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, γ-glycy and doxypropyltrimethoxysilane and β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 실란커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수할 수 있다.The silane coupling agent may be included in an amount of 0.01 parts by weight to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the silane-based coupling agent is included within the above range, adhesion and storage properties may be excellent.

예컨대, 상기 계면활성제는 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 포함할 수 있다. For example, the surfactant is added to prevent unevenness of the film thickness or to improve developability, and may include a fluorine-based surfactant and/or a silicone-based surfactant.

상기 불소계 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100® 등; 다이닛폰잉키가가꾸고교(주)社의 메카팩 F 142D®, 메카팩 F 172®, 메카팩 F 173®, 메카팩 F 183®, 메카팩 F 554® 등; 스미토모스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 프로라드 FC-170C®, 프로라드 FC-430®, 프로라드 FC-431® 등; 아사히그라스(주)社의 사프론 S-112®, 사프론 S-113®, 사프론 S-131®, 사프론 S-141®, 사프론 S-145® 등; 도레이실리콘(주)社의 SH-28PA®, SH-190®, SH-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.As the fluorine-based surfactant, BM-1000 ® of BM Chemie, BM-1100 ® , etc.; Mechapack F 142D ® , Mechapack F 172 ® , Mechapack F 173 ® , Mechapack F 183 ® , Mechapack F 554 ® and the like of Dai Nippon Inki Chemical Co., Ltd.; Prorad FC-135 ® , Prorad FC-170C ® , Prorad FC-430 ® , Prorad FC-431 ® , etc. of Sumitomos Reem Co., Ltd.; Asahi Grass Co., Ltd.'s Saffron S-112 ® , Saffron S-113 ® , Saffron S-131 ® , Saffron S-141 ® , Saffron S-145 ® , etc.; Toray Silicon Co., Ltd.'s SH-28PA ® , SH-190 ® , SH-193 ® , SZ-6032 ® , SF-8428 ® , etc. can be used.

상기 실리콘계 계면활성제로는 BYK Chem社의 BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, BYK-325, BYK-378 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.The silicone-based surfactants include BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, Those commercially available under the names BYK-325 and BYK-378 can be used.

상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, ITO 기판 또는 유리기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수할 수 있다.The surfactant may be used in an amount of 0.001 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the surfactant is included within the above range, coating uniformity is secured, stains do not occur, and wettability to an ITO substrate or a glass substrate may be excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition may further include an epoxy compound as an additive to improve adhesion. As the epoxy compound, an epoxy novolac acrylic carboxylate resin, an ortho cresol novolak epoxy resin, a phenol novolac epoxy resin, a tetramethyl biphenyl epoxy resin, a bisphenol A epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, or a combination thereof may be used. can

상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성, 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.The epoxy compound may be used in an amount of 0.01 parts by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the epoxy compound is included within the above range, it is possible to improve storage properties, adhesion and other properties.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 열잠재 산발생제를 더 포함할 수 있다. 상기 열잠재 산발생제의 예로는 p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 등과 같은 아릴술폰산; 트리플루오로메탄술폰산, 트리플루오로부탄술폰산 등과 같은 퍼플루오로알킬술폰산; 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산 등과 같은 알킬술폰산; 또는 이들의 조합을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the photosensitive resin composition may further include a thermal latent acid generator. Examples of the thermal latent acid generator include arylsulfonic acids such as p-toluenesulfonic acid and benzenesulfonic acid; perfluoroalkylsulfonic acids such as trifluoromethanesulfonic acid and trifluorobutanesulfonic acid; alkylsulfonic acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, butanesulfonic acid and the like; Or a combination thereof may be mentioned, but is not limited thereto.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다. In addition, a certain amount of other additives such as antioxidants and stabilizers may be added to the photosensitive resin composition within a range that does not impair physical properties.

다른 일 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 노광, 현상 및 경화하여 제조된 감광성 수지막, 예컨대 반도체 재배선층 절연막을 제공한다. Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared by exposing, developing, and curing the above-described photosensitive resin composition, for example, a semiconductor redistribution layer insulating film.

상기 감광성 수지막(반도체 재배선층 절연막) 제조 방법은 다음과 같다.A method of manufacturing the photosensitive resin film (semiconductor redistribution layer insulating film) is as follows.

(1) 도포 및 도막 형성 단계(1) Application and coating film formation step

상기 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 유리 기판 또는 ITO 기판 등의 기판 상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성한다.After applying the photosensitive resin composition to a desired thickness using a method such as a spin or slit coat method, a roll coat method, a screen printing method, and an applicator method on a substrate such as a glass substrate or an ITO substrate subjected to a predetermined pretreatment, 70 A coating film is formed by heating at ℃ to 150 ℃ for 1 minute to 10 minutes to remove the solvent.

(2) 노광 단계(2) exposure step

상기 얻어진 감광성 수지막에 필요한 패턴 형성을 위해 마스크를 개재한 뒤, 200nm 내지 500nm의 활성선을 조사한다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다.After interposing a mask to form a pattern required for the obtained photosensitive resin film, actinic rays of 200 nm to 500 nm are irradiated. As a light source used for irradiation, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, etc. may be used, and in some cases, an X-ray, an electron beam, etc. may be used.

노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500mJ/cm2(365nm 센서에 의함) 이하이다.The exposure amount varies depending on the type of each component of the composition, the compounding amount and the dry film thickness, but when a high-pressure mercury lamp is used, it is 500 mJ/cm 2 (by a 365 nm sensor) or less.

(3) 현상 단계(3) development step

현상 방법으로는 상기 노광 단계에 이어 알칼리성 수용액을 현상액으로 이용하여 불필요한 부분을 용해, 제거함으로써 노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 형성시킨다.As a developing method, after the exposure step, an alkaline aqueous solution is used as a developer to dissolve and remove unnecessary portions, thereby leaving only the exposed portion to form a pattern.

(4) 후처리 단계(4) post-processing step

상기 공정에서 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도 및 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위한 후가열 공정이 있다. 예컨대, 현상 후 250℃의 컨벡션 오븐에서 1시간 동안 가열할 수 있다.In the above process, there is a post-heating process for obtaining a pattern excellent in heat resistance, light resistance, adhesion, crack resistance, chemical resistance, high strength and storage stability of the image pattern obtained by development in the above process. For example, after development, it may be heated in a convection oven at 250° C. for 1 hour.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막(반도체 재배선층 절연막)을 포함하는 반도체 소자를 제공한다.Another embodiment provides a semiconductor device including the photosensitive resin film (semiconductor redistribution layer insulating film).

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the following examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.

(실시예)(Example)

(폴리하이드록시아미드계 수지의 합성)(Synthesis of polyhydroxyamide-based resin)

교반기, 온도 조절장치, 질소가스 주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 γ-부티로락톤(GBL) 600g에 하기 화학식 A로 표시되는 언하이드라이드 단량체를 0.58mol 넣고 2-하이드록시에틸메타크릴레이트(HEMA) 1.22mol을 넣고 상온에서 교반하면서 피리딘 1.16mol을 넣어 반응 혼합물을 얻는다. 상온 조건에서 16시간 반응 후 -10℃로 냉각하여 다이사이클로헥실카르보디이미드(DCC) 1.17mol과 GBL 250g으로 용해한 용액을 30분에 걸쳐 적가한다. 5분 추가 교반한 후 화학식 B로 표시되는 디아민 단량체 0.54mol과 GBL 300g의 용액을 40분간 투입하고 추가 2시간 교반시켰다. 이후 상온에서 1시간 반응한 후 에탄올 30g을 첨가하고 1시간 교반한다. 이어서 GBL을 반응용액 고형분이 18%가 되도록 추가하고 3리터의 에탄올에 첨가하여 침전물을 얻는다. 폴리머를 여과 분리하고 테트라하이드로퓨란(THF) 1.5리터에 용해하고 30리터의 물에 적가하여 침전물을 생성한 후 여과 분리하여 진공 건조시킨다. 50℃에서 감압하여 24시간 이상 건조함으로서, 하기 화학식 1-1로 표시되는 구조단위를 포함하는 폴리아미드이미드 전구체 수지를 제조하였다. 이 때 레진 분자량은 Polystyrene 검량선을 통해 확인하며, 20k이다. In 600 g of γ-butyrolactone (GBL) while passing nitrogen through a four-neck flask equipped with a stirrer, temperature controller, nitrogen gas injection device and cooler, 0.58 mol of an anhydride monomer represented by the following formula A was added, and 2-hydride 1.22 mol of oxyethyl methacrylate (HEMA) was added, and 1.16 mol of pyridine was added while stirring at room temperature to obtain a reaction mixture. After the reaction at room temperature for 16 hours, the solution was cooled to -10°C and dissolved in 1.17 mol of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) and 250 g of GBL was added dropwise over 30 minutes. After stirring for additional 5 minutes, a solution of 0.54 mol of the diamine monomer represented by Formula B and 300 g of GBL was added for 40 minutes, followed by stirring for an additional 2 hours. After reacting at room temperature for 1 hour, 30 g of ethanol is added and stirred for 1 hour. Then, GBL is added so that the solid content of the reaction solution becomes 18%, and then added to 3 liters of ethanol to obtain a precipitate. The polymer is separated by filtration, dissolved in 1.5 liters of tetrahydrofuran (THF), and added dropwise to 30 liters of water to form a precipitate, followed by filtration and vacuum drying. By drying under reduced pressure at 50° C. for 24 hours or more, a polyamideimide precursor resin including a structural unit represented by the following Chemical Formula 1-1 was prepared. At this time, the molecular weight of the resin is checked through a polystyrene calibration curve, and it is 20k.

[화학식 A][Formula A]

Figure pat00052
Figure pat00052

[화학식 B][Formula B]

Figure pat00053
Figure pat00053

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00054
Figure pat00054

(감광성 수지 조성물의 제조)(Preparation of photosensitive resin composition)

실시예 1Example 1

상기에서 제조된 폴리하이드록시아미드계 수지 100g에 용매인 GBL(Gamma butyrolactone)을 200g, DMSO(Dimethyl sulfoxide) 50g을첨가한 후, 광중합성 단량체(DPHA, 일본화약) 2g, 광중합 개시제(SPI-02, 삼양) 2g 및 하기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 10g을 넣고, 이어서 플루오린계 레벨링제인 F-554(DIC社) 0.5g을 넣고 충분히 교반한다. 그 후 0.45의 폴리프로필렌 수지제 필터로 여과하여 네가티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.200 g of GBL (Gamma butyrolactone) as a solvent and 50 g of DMSO (Dimethyl sulfoxide) were added to 100 g of the polyhydroxyamide-based resin prepared above, 2 g of a photopolymerizable monomer (DPHA, Nippon Kayaku), and a photo polymerization initiator (SPI-02) , Samyang) 2 g and 10 g of the additive represented by the following Chemical Formula 2-1 are added, and then 0.5 g of F-554 (DIC Corporation), a fluorine-based leveling agent, is added and stirred sufficiently. Then, it filtered with a 0.45 micrometer polypropylene resin filter, and obtained the negative photosensitive resin composition.

[화학식 2-1][Formula 2-1]

Figure pat00055
Figure pat00055

실시예 2Example 2

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 2-2로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 2-2 instead of the additive represented by the formula 2-1, the same procedure as in Example 1 was used.

[화학식 2-2][Formula 2-2]

Figure pat00056
Figure pat00056

실시예 3Example 3

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 2-3으로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula 2-3 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 2-3][Formula 2-3]

Figure pat00057
Figure pat00057

실시예 4Example 4

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 2-4로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 2-4 instead of the additive represented by the formula 2-1, it was the same as in Example 1.

[화학식 2-4][Formula 2-4]

Figure pat00058
Figure pat00058

실시예 5Example 5

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 2-5로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula 2-5 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 2-5][Formula 2-5]

Figure pat00059
Figure pat00059

실시예 6Example 6

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 2-6으로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula 2-6 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 2-6][Formula 2-6]

Figure pat00060
Figure pat00060

실시예 7Example 7

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-1로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 3-1 instead of the additive represented by the formula 2-1, it was carried out in the same manner as in Example 1.

[화학식 3-1][Formula 3-1]

Figure pat00061
Figure pat00061

실시예 8Example 8

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-2로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 3-2 instead of the additive represented by the formula 2-1, it was carried out in the same manner as in Example 1.

[화학식 3-2][Formula 3-2]

Figure pat00062
Figure pat00062

실시예 9Example 9

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-3으로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 3-3 instead of the additive represented by the formula 2-1, the same procedure as in Example 1 was used.

[화학식 3-3][Formula 3-3]

Figure pat00063
Figure pat00063

실시예 10Example 10

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-4로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula 3-4 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 3-4][Formula 3-4]

Figure pat00064
Figure pat00064

실시예 11Example 11

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-5로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following Chemical Formula 3-5 was used instead of the additive represented by the Chemical Formula 2-1.

[화학식 3-5][Formula 3-5]

Figure pat00065
Figure pat00065

실시예 12Example 12

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-6으로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 3-6 instead of the additive represented by the formula 2-1, it was the same as in Example 1.

[화학식 3-6][Formula 3-6]

Figure pat00066
Figure pat00066

실시예 13Example 13

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-7로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 3-7 instead of the additive represented by the formula 2-1, it was carried out in the same manner as in Example 1.

[화학식 3-7][Formula 3-7]

Figure pat00067
Figure pat00067

실시예 14Example 14

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-8로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 3-8 instead of the additive represented by the formula 2-1, the same procedure as in Example 1 was used.

[화학식 3-8][Formula 3-8]

Figure pat00068
Figure pat00068

실시예 15Example 15

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-9로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula 3-9 instead of the additive represented by the formula 2-1, it was the same as in Example 1.

[화학식 3-9][Formula 3-9]

Figure pat00069
Figure pat00069

실시예 16Example 16

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-10으로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula 3-10 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 3-10][Formula 3-10]

Figure pat00070
Figure pat00070

실시예 17Example 17

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-11로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula 3-11 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 3-11][Formula 3-11]

Figure pat00071
Figure pat00071

실시예 18Example 18

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 3-12로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula 3-12 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 3-12][Formula 3-12]

Figure pat00072
Figure pat00072

비교예 1Comparative Example 1

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that the additive represented by Formula 2-1 was not used.

비교예 2Comparative Example 2

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 KBM-573(실란커플링제)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using KBM-573 (silane coupling agent) instead of the additive represented by Chemical Formula 2-1, the same procedure as in Example 1 was performed.

비교예 3Comparative Example 3

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 C-1로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1, except that the additive represented by the following formula C-1 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 C-1][Formula C-1]

Figure pat00073
Figure pat00073

비교예 4Comparative Example 4

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 C-2로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula C-2 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 C-2][Formula C-2]

Figure pat00074
Figure pat00074

비교예 5Comparative Example 5

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 C-3으로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.The same procedure as in Example 1 was performed, except that an additive represented by the following formula C-3 was used instead of the additive represented by the formula 2-1.

[화학식 C-3][Formula C-3]

Figure pat00075
Figure pat00075

비교예 6Comparative Example 6

상기 화학식 2-1로 표시되는 첨가제 대신 하기 화학식 C-4로 표시되는 첨가제를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하였다.Except for using the additive represented by the following formula C-4 instead of the additive represented by the formula 2-1, the same procedure as in Example 1 was used.

[화학식 C-4][Formula C-4]

Figure pat00076
Figure pat00076

(평가 1: 접착력 평가)(Evaluation 1: Adhesion evaluation)

실시예 1 내지 실시예 18 및 비교예 1 내지 비교예 6에 따른 감광성 수지 조성물을 Cu wafer에 각각 두께 10㎛ 두께로 코팅하고, 120℃의 핫플레이트에서, 4분간 가열하여 감광성 수지막을 형성하였다. 상기 감광성 수지막을 질소 조건 하, 220℃에서 120분간 경화하였다. The photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 6 were coated on a Cu wafer to a thickness of 10 μm, respectively, and heated on a hot plate at 120° C. for 4 minutes to form a photosensitive resin film. The photosensitive resin film was cured under nitrogen conditions at 220° C. for 120 minutes.

접착력 측정은 경화된 막 위에 EMC molding을 하여 die shear tester(DAGE社의 DAGE series 4000PXY)로 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.Adhesion was measured with a die shear tester (DAGE series 4000PXY manufactured by DAGE) by EMC molding on the cured film, and the results are shown in Table 1 below.

Cu wafer Die shear test(kgf)Cu wafer die shear test(kgf) 실시예 1Example 1 3232 실시예 2Example 2 3232 실시예 3Example 3 2929 실시예 4Example 4 3030 실시예 5Example 5 3131 실시예 6Example 6 3030 실시예 7Example 7 3333 실시예 8Example 8 3535 실시예 9Example 9 3434 실시예 10Example 10 3333 실시예 11Example 11 3535 실시예 12Example 12 3535 실시예 13Example 13 3434 실시예 14Example 14 3333 실시예 15Example 15 3535 실시예 16Example 16 3333 실시예 17Example 17 3333 실시예 18Example 18 3535 비교예 1Comparative Example 1 1313 비교예 2Comparative Example 2 1818 비교예 3Comparative Example 3 2020 비교예 4Comparative Example 4 1919 비교예 5Comparative Example 5 1818 비교예 6Comparative Example 6 2020

(평가 2: 점도 평가)(Evaluation 2: Viscosity evaluation)

실시예 1 내지 실시예 18 및 비교예 1 내지 비교예 6에 따른 감광성 수지 조성물에 대해 23℃에서 1주일 보관 전후 5rpm(Torque 값이 50~100%가 되는 rpm 선정), 25℃에서 Brookfield DV-II Pro 점도계와 CPE-52 Spindle을 사용하여 점도를 평가하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.For the photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 18 and Comparative Examples 1 to 6, 5 rpm before and after storage at 23° C. for 1 week (selecting an rpm at which a torque value becomes 50 to 100%) , Brookfield DV- at 25° C. The viscosity was evaluated using a II Pro viscometer and a CPE-52 spindle, and the results are shown in Table 2 below.

23°C 1주일 보관 前 점도(cP)Viscosity (cP) before storage at 23°C for 1 week 23°C 1주일 보관 後 점도(cP)Viscosity (cP) after storage at 23°C for 1 week 실시예 1Example 1 1,0101,010 1,0101,010 실시예 2Example 2 1,0061006 1,0071,007 실시예 3Example 3 1,0051,005 1,0101,010 실시예 4Example 4 1,0051,005 1,0081008 실시예 5Example 5 1,0101,010 1,0151,015 실시예 6Example 6 1,0001,000 1,0051,005 실시예 7Example 7 1,0001,000 1,0001,000 실시예 8Example 8 1,0101,010 1,0151,015 실시예 9Example 9 1,0141,014 1,0151,015 실시예 10Example 10 1,0101,010 1,0111,011 실시예 11Example 11 1,0081008 1,0101,010 실시예 12Example 12 1,0051,005 1,0061006 실시예 13Example 13 1,0101,010 1,0101,010 실시예 14Example 14 1,0011,001 1,0041,004 실시예 15Example 15 1,0051,005 1,0061006 실시예 16Example 16 1,0001,000 1,0051,005 실시예 17Example 17 1,0101,010 1,0111,011 실시예 18Example 18 1,0101,010 1,0121,012 비교예 1Comparative Example 1 1,0081008 1,2201,220 비교예 2Comparative Example 2 1,0101,010 2,2502,250 비교예 3Comparative Example 3 1,0101,010 2,3502,350 비교예 4Comparative Example 4 1,0051,005 2,3502,350 비교예 5Comparative Example 5 1,0051,005 2,2502,250 비교예 6Comparative Example 6 1,0051,005 2,3002,300

상기 표 1 및 표 2를 통하여, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 구리층에 대한 접착력이 매우 우수한 것을 확인할 수 있다. 나아가, 비교예 3 내지 비교예 6에 따른 감광성 수지 조성물은 티올기를 포함하는 실란화합물을 포함하기에 점도가 너무 높아, 반도체 재배선층용 조성물로 사용하기에 적절하지 않음도 확인할 수 있다.Through Table 1 and Table 2, it can be seen that the photosensitive resin composition according to an embodiment has very good adhesion to the copper layer. Furthermore, it can be seen that the photosensitive resin compositions according to Comparative Examples 3 to 6 have too high a viscosity to include a silane compound including a thiol group, and thus are not suitable for use as a composition for a semiconductor redistribution layer.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.  The present invention is not limited to the above embodiments, but can be manufactured in various different forms, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can take other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be understood that it can be implemented as Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

Claims (16)

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 포함하는 폴리하이드록시아미드계 수지;
(B) 광중합성 화합물;
(C) 광중합 개시제;
(D) 설파이드 연결기 또는 다이설파이드 연결기를 포함하고, 말단에 하나 이상의 카르복실기를 포함하는 첨가제; 및
(E) 용매
를 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00077

상기 화학식 1에서,
X1은 언하이드라이드 단량체로부터 유도된 잔기이고,
Y1은 디아민 단량체로부터 유도된 잔기이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기이다.
(A) a polyhydroxyamide-based resin comprising a structural unit represented by the following formula (1);
(B) a photopolymerizable compound;
(C) a photoinitiator;
(D) an additive comprising a sulfide linkage or a disulfide linkage and at least one carboxyl group at the terminal; and
(E) solvent
A photosensitive resin composition comprising:
[Formula 1]
Figure pat00077

In Formula 1,
X 1 is a residue derived from an anhydride monomer,
Y 1 is a residue derived from a diamine monomer,
R 1 and R 2 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C20 hetero it is a ring
제1항에 있어서,
상기 첨가제는 하기 화학식 2로 표시되는 감광성 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure pat00078

상기 화학식 2에서,
R3은 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,
L2는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.
The method of claim 1,
The additive is a photosensitive resin composition represented by the following formula 2:
[Formula 2]
Figure pat00078

In Formula 2,
R 3 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group;
L 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group,
L 2 is a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
제2항에 있어서,
상기 L2는 카르복실기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기인 감광성 수지 조성물.
3. The method of claim 2,
The L 2 is a C6 to C20 arylene group substituted or unsubstituted with a carboxyl group. The photosensitive resin composition.
제2항에 있어서,
상기 화학식 2로 표시되는 첨가제는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6 중 어느 하나로 표시되는 감광성 수지 조성물.
[화학식 2-1]
Figure pat00079

[화학식 2-2]
Figure pat00080

[화학식 2-3]
Figure pat00081

[화학식 2-4]
Figure pat00082

[화학식 2-5]
Figure pat00083

[화학식 2-6]
Figure pat00084

3. The method of claim 2,
The additive represented by Formula 2 is a photosensitive resin composition represented by any one of Formulas 2-1 to 2-6.
[Formula 2-1]
Figure pat00079

[Formula 2-2]
Figure pat00080

[Formula 2-3]
Figure pat00081

[Formula 2-4]
Figure pat00082

[Formula 2-5]
Figure pat00083

[Formula 2-6]
Figure pat00084

제1항에 있어서,
상기 첨가제는 하기 화학식 3으로 표시되는 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure pat00085

상기 화학식 3에서,
L3 내지 L7은 각각 독립적으로 단일결합, 설파이드 연결기, 다이설파이드 연결기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 2가의 싸이오펜 연결기이되, 상기 L3 내지 L7 중 적어도 하나는 반드시 설파이드 연결기, 다이설파이드 연결기 또는 2가의 싸이오펜 연결기이다.
According to claim 1,
The additive is a photosensitive resin composition represented by the following Chemical Formula 3:
[Formula 3]
Figure pat00085

In Formula 3,
L 3 to L 7 are each independently a single bond, a sulfide linking group, a disulfide linking group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or a divalent thiophene linking group, wherein At least one of L 3 to L 7 is necessarily a sulfide linking group, a disulfide linking group, or a divalent thiophene linking group.
제5항에 있어서,
상기 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기는, C1 내지 C10 알킬기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 카르복실기로 치환된 C1 내지 C20 알킬렌기 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기인 감광성 수지 조성물.
6. The method of claim 5,
The substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group is a C1 to C20 alkylene group substituted with a C1 to C10 alkyl group, a C1 to C20 alkylene group substituted with a carboxyl group, or an unsubstituted C1 to C20 alkylene group The photosensitive resin composition.
제5항에 있어서,
상기 화학식 3으로 표시되는 첨가제는 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-12 중 어느 하나로 표시되는 감광성 수지 조성물.
[화학식 3-1]
Figure pat00086

[화학식 3-2]
Figure pat00087

[화학식 3-3]
Figure pat00088

[화학식 3-4]
Figure pat00089

[화학식 3-5]
Figure pat00090

[화학식 3-6]
Figure pat00091

[화학식 3-7]
Figure pat00092

[화학식 3-8]
Figure pat00093

[화학식 3-9]
Figure pat00094

[화학식 3-10]
Figure pat00095

[화학식 3-11]
Figure pat00096

[화학식 3-12]
Figure pat00097

6. The method of claim 5,
The additive represented by Formula 3 is a photosensitive resin composition represented by any one of Formulas 3-1 to 3-12.
[Formula 3-1]
Figure pat00086

[Formula 3-2]
Figure pat00087

[Formula 3-3]
Figure pat00088

[Formula 3-4]
Figure pat00089

[Formula 3-5]
Figure pat00090

[Formula 3-6]
Figure pat00091

[Formula 3-7]
Figure pat00092

[Formula 3-8]
Figure pat00093

[Formula 3-9]
Figure pat00094

[Formula 3-10]
Figure pat00095

[Formula 3-11]
Figure pat00096

[Formula 3-12]
Figure pat00097

제1항에 있어서,
상기 첨가제는 상기 폴리하이드록시아미드계 수지 100 중량부 대비 1 중량부 내지 20 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition comprising the additive in an amount of 1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyhydroxyamide-based resin.
제1항에 있어서,
상기 언하이드라이드 단량체는 하기 화학식 X-1로 표시되는 감광성 수지 조성물:
[화학식 X-1]
Figure pat00098

상기 화학식 X-1에서,
L8은 단일결합, *-O-*, *-S-*, *-C(=O)-*, *-C(=O)O-*, -*NR4-*(R4는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리 연결기 또는 이들의 조합이다.
According to claim 1,
The anhydride monomer is a photosensitive resin composition represented by the following formula (X-1):
[Formula X-1]
Figure pat00098

In the formula (X-1),
L 8 is a single bond, *-O-*, *-S-*, *-C(=O)-*, *-C(=O)O-*, -*NR 4 -*(R 4 is hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 heterocyclic linking group, or a combination thereof am.
제1항에 있어서,
상기 디아민 단량체는 하기 화학식 Y-1 또는 화학식 Y-2로 표시되는 감광성 수지 조성물:
[화학식 Y-1]
Figure pat00099

[화학식 Y-2]
Figure pat00100

상기 화학식 Y-2에서,
R5 및 R6은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,
L9는 *-O-* 또는 *-S-* 이고,
n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
According to claim 1,
The diamine monomer is a photosensitive resin composition represented by Formula Y-1 or Formula Y-2:
[Formula Y-1]
Figure pat00099

[Formula Y-2]
Figure pat00100

In the above formula Y-2,
R 5 and R 6 are each independently a halogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group,
L 9 is *-O-* or *-S-*,
n1 and n2 are each independently an integer of 0 to 4.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은,
상기 폴리하이드록시아미드계 수지 100 중량부에 대해
상기 광중합성 화합물은 1 중량부 내지 10 중량부로 포함되고,
상기 광중합 개시제는 1 중량부 내지 10 중량부로 포함되고,
상기 첨가제는 1 중량부 내지 20 중량부로 포함되고,
상기 용매는 100 중량부 내지 500 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition,
With respect to 100 parts by weight of the polyhydroxyamide-based resin
The photopolymerizable compound is included in an amount of 1 to 10 parts by weight,
The photopolymerization initiator is included in an amount of 1 to 10 parts by weight,
The additive is included in an amount of 1 to 20 parts by weight,
The solvent is included in 100 parts by weight to 500 parts by weight of the photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 에폭시화합물, 열잠재 산발생제 또는 이들의 조합을 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition further comprises a diacid, an alkanolamine, a leveling agent, a silane coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a thermal latent acid generator, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 네가티브형 감광성 수지 조성물인 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition is a negative photosensitive resin composition.
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막.
A photosensitive resin film prepared by using the photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 13.
제14항에 있어서,
상기 감광성 수지막은 반도체 재배선층 절연막인 감광성 수지막.
15. The method of claim 14,
The photosensitive resin film is a semiconductor redistribution layer insulating film.
제14항의 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자.
A semiconductor device comprising the photosensitive resin film of claim 14 .
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