KR102219054B1 - Photosensitive resin composition, photosensitive resin using the same and electronic device - Google Patents

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Abstract

(A) 알칼리 가용성 수지; (B) 하기 화학식 1로 표시되는 광중합성 화합물; (C) 광중합 개시제; 및 (D) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조되는 감광성 수지막 및 전자 소자가 제공된다.
[화학식 1]
(R1)n(OR2)3-n-Si-L1-Si-(R3)m(OR4)3-m
(상기 화학식 1에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)
(A) alkali-soluble resin; (B) a photopolymerizable compound represented by the following formula (1); (C) photoinitiator; And (D) a photosensitive resin composition containing a solvent, a photosensitive resin film and an electronic device manufactured using the photosensitive resin composition are provided.
[Formula 1]
(R 1 ) n (OR 2 ) 3-n -Si-L 1 -Si-(R 3 ) m (OR 4 ) 3-m
(In Chemical Formula 1, each substituent is as defined in the specification.)

Description

감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN USING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE}A photosensitive resin composition, a photosensitive resin film, and an electronic device using the same TECHNICAL FIELD [0001] PHOTOSENSITIVE RESIN USING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE

본 기재는 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조되는 감광성 수지막 및 전자 소자에 관한 것이다.The present description relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive resin film manufactured using the same, and an electronic device.

현재 디스플레이 및 반도체용 절연막(Passivation) 재료의 경우 무기계(SiNx)의 증착방식을 탈피하고 공정적인 측면에서 유리한 코팅방식의 액상재료 재료들의 개발이 활발히 이루어지고 있다.Currently, in the case of passivation materials for displays and semiconductors, the development of liquid material materials of a coating method, which is advantageous in terms of process, is being actively carried out, avoiding the deposition method of inorganic (SiNx).

이러한 액상재료들은 크게 아크릴-에폭시를 기본으로하는 유기계 절연막과 오가노폴리실록산 구조를 포함하는 실리콘-아크릴계 유-무기 하이브리드 절연막으로 나눌 수 있다. 유기계 절연막 조성의 경우 UV 노광과 알칼리 현상에 의해 패턴을 형성하거나 기재와의 밀착력, 유전율 측면에서 유리한 면이 있으나, 열안정성이나 투과도, 경도 측면에서 불리한 면이 있어, 이러한 특성들을 보완할 수 있는 실리콘계 재료들의 개발이 활발히 이루어지고 있다.These liquid materials can be largely divided into an acrylic-epoxy-based organic insulating film and a silicon-acrylic organic-inorganic hybrid insulating film having an organopolysiloxane structure. In the case of an organic insulating film composition, a pattern is formed by UV exposure and alkali phenomenon, or there are advantages in terms of adhesion and dielectric constant with the substrate, but there are disadvantages in terms of thermal stability, transmittance, and hardness. Materials are being actively developed.

LCD 패널의 경우 빛을 비추어 주는 BLU와 색을 구현하기 위한 컬러필터 때문에 유연성(Flexibility) 구현에 한계가 있는데 반해, OLED는 전류를 흘려주면 스스로 빛을 내는 디스플레이기 때문에 많은 종류의 디스플레이 중에 OLED가 Flexible display로 구현하는데 최적의 디스플레이로 각광 받고 있다.In the case of LCD panels, there is a limit to the implementation of flexibility due to the BLU that illuminates the light and the color filter to implement the color, whereas OLED is a display that emits light by itself when passing current, so among many types of displays, OLED is flexible. It is in the spotlight as an optimal display to be implemented as a display.

Flexible display가 구현이 되려면 기판 자체가 깨지기 쉬운 glass가 아닌 깨지지 않는(unbreakable) 소재의 필름이어야 한다. 여기서 OLED 소자 및 TFT 위에 평탄화를 위해 TSP(Touch Screen Panel)와 OCA(Optically Clear Adhesive) 층이 사용되고 있는데, 두께 감소, 효과적인 평탄화 향상 및 TFT 내부 회로와 touch sensor 간 노이즈(noise) 및 touch 감도 저감을 위해 실리콘 계열의 오버코트(overcoat)층이 TSP와 OCA 층을 대체하여 개발되고 있다.For a flexible display to be implemented, the substrate itself must be made of an unbreakable material rather than a fragile glass. Here, TSP (Touch Screen Panel) and OCA (Optically Clear Adhesive) layers are used for flattening on OLED devices and TFTs, reducing thickness, improving effective flattening, and reducing noise and touch sensitivity between TFT internal circuits and touch sensors. For this reason, a silicone-based overcoat layer is being developed to replace the TSP and OCA layers.

일 구현예는 잔막율, 감도, 해상도, 내화학성 및 경도 등이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide a photosensitive resin composition having excellent residual film rate, sensitivity, resolution, chemical resistance, and hardness.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film prepared by using the photosensitive resin composition.

또 다른 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide an electronic device including the photosensitive resin film.

본 발명의 일 구현예는 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 하기 화학식 1로 표시되는 광중합성 화합물; (C) 광중합 개시제 및 (D) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment of the present invention is (A) alkali-soluble resin; (B) a photopolymerizable compound represented by the following formula (1); It provides a photosensitive resin composition containing (C) a photoinitiator and (D) solvent.

[화학식 1][Formula 1]

(R1)n(OR2)3-n-Si-L1-Si-(R3)m(OR4)3-m (R 1 ) n (OR 2 ) 3-n -Si-L 1 -Si-(R 3 ) m (OR 4 ) 3-m

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1 내지 R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고, R 1 to R 4 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C20 heteroaryl group,

R2 및 R4는 말단에 아크릴레이트기를 포함하고,R 2 and R 4 contain an acrylate group at the terminal,

L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 *-L2-X-L3-*(L2 및 L3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고, X는 O, S 또는 NR5(R5는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기))이고,L 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or *-L 2 -XL 3 -* (L 2 and L 3 are each independently substituted or unsubstituted A cyclic C1 to C10 alkylene group, X is O, S or NR 5 (R 5 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group)),

m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.m and n are each independently an integer of 0 to 2.

상기 아크릴레이트기는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.The acrylate group may be represented by Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017120938948-pat00001
Figure 112017120938948-pat00001

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R6은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.R 6 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group.

상기 광중합성 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.The photopolymerizable compound may be represented by the following formula (3).

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017120938948-pat00002
Figure 112017120938948-pat00002

상기 화학식 3에서,In Chemical Formula 3,

L4 내지 L6은 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 *-NR5-*(R5는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기))이고, 단 L4 내지 L6이 동시에 단일결합은 아니고,L 4 to L 6 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or *-NR 5 -* (R 5 is a substituted or unsubstituted C1 To C10 alkyl group)), provided that L 4 to L 6 are not a single bond at the same time,

R7 내지 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 7 to R 12 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

단, R7 내지 R9 중 적어도 하나 및 R10 내지 R12 중 적어도 하나는 말단에 아크릴레이트기를 포함한다.However, at least one of R 7 to R 9 and at least one of R 10 to R 12 include an acrylate group at the terminal.

상기 광중합성 화합물은 하기 화학식 4 내지 화학식 7로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 표시될 수 있다.The photopolymerizable compound may be represented by any one selected from the group consisting of the following Chemical Formulas 4 to 7.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017120938948-pat00003
Figure 112017120938948-pat00003

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017120938948-pat00004
Figure 112017120938948-pat00004

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017120938948-pat00005
Figure 112017120938948-pat00005

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017120938948-pat00006
Figure 112017120938948-pat00006

상기 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지일 수 있다.The alkali-soluble resin may be a novolac resin or an acrylic resin.

상기 노볼락 수지는 하기 화학식 8로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다.The novolac resin may include a structural unit represented by Formula 8 below.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017120938948-pat00007
Figure 112017120938948-pat00007

상기 화학식 8에서,In Chemical Formula 8,

R13은 하이드록시기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 할로겐, C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고, R 13 is a hydroxy group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, a halogen, a C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,

a는 0 내지 3의 정수이다.a is an integer of 0 to 3.

상기 알칼리 가용성 수지, 광중합성 화합물 및 광중합 개시제의 혼합 고형분 함량은 상기 감광성 수지 조성물 기준 20 중량% 내지 40 중량% 일 수 있다.The mixed solid content of the alkali-soluble resin, the photopolymerizable compound, and the photopolymerization initiator may be 20% to 40% by weight based on the photosensitive resin composition.

상기 감광성 수지 조성물은 감광성 수지 조성물 총량에 대해, 상기 알칼리 가용성 수지 1 중량% 내지 40 중량%; 상기 광중합성 화합물 0.5 중량% 내지 25 중량%; 상기 광중합 개시제 0.1 중량% 내지 15 중량% 및 상기 용매 잔부량을 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition comprises 1% to 40% by weight of the alkali-soluble resin, based on the total amount of the photosensitive resin composition; 0.5% to 25% by weight of the photopolymerizable compound; It may include 0.1% to 15% by weight of the photopolymerization initiator and the remaining amount of the solvent.

상기 감광성 수지 조성물은 에폭시 화합물, 실란 커플링제, 레벨링제, 계면활성제 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include an epoxy compound, a silane coupling agent, a leveling agent, a surfactant, or a combination thereof.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조되는 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared by using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the photosensitive resin film.

기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.Other specifics of aspects of the present invention are included in the detailed description below.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 특정 구조의 광중합성 화합물을 포함하여, 잔막율, 감도, 해상도, 내화학성, 경도 등을 향상시킬 수 있다.The photosensitive resin composition according to an embodiment may include a photopolymerizable compound having a specific structure, and may improve a residual film rate, sensitivity, resolution, chemical resistance, hardness, and the like.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다.  다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, and the present invention is not limited thereby, and the present invention is only defined by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환" 내지 "치환된"이란, 본 발명의 작용기 중의 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(NH2, NH(R200) 또는 N(R201)(R202)이고, 여기서 R200, R201 및 R202는 동일하거나 서로 상이하며, 각각 독립적으로 C1 내지 C10 알킬기임), 아미디노기, 하이드라진기, 하이드라존기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알케닐기, 치환 또는 비치환된 알키닐기, 치환 또는 비치환된 지환족 유기기, 치환 또는 비치환된 아릴기 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise specified in the specification, "substituted" to "substituted" means that at least one hydrogen atom in the functional groups of the present invention is a halogen atom (F, Br, Cl or I), a hydroxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group ( NH 2 , NH (R 200 ) or N (R 201 ) (R 202 ), wherein R 200 , R 201 and R 202 are the same or different from each other, and each independently a C1 to C10 alkyl group), an amidino group, A hydrazine group, a hydrazone group, a carboxyl group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkynyl group, a substituted or unsubstituted alicyclic organic group, a substituted or unsubstituted aryl group, and It means substituted with one or more substituents selected from the group consisting of substituted or unsubstituted heterocyclic groups.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C15 알킬기를 의미하고, "사이클로알킬기"란 C3 내지 C20 사이클로알킬기를 의미하고, 구체적으로는 C3 내지 C18 사이클로알킬기를 의미하고, "알콕시기"란 C1 내지 C20 알콕시기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C18 아릴기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, 구체적으로는 C2 내지 C18 알케닐기를 의미하고, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, 구체적으로는 C1 내지 C18 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, 구체적으로는 C6 내지 C16 아릴렌기를 의미한다.Unless otherwise specified in the specification, “alkyl group” refers to a C1 to C20 alkyl group, specifically C1 to C15 alkyl group, and “cycloalkyl group” refers to a C3 to C20 cycloalkyl group, specifically C3 To C18 cycloalkyl group, "alkoxy group" refers to a C1 to C20 alkoxy group, specifically C1 to C18 alkoxy group, and "aryl group" refers to a C6 to C20 aryl group, specifically C6 to It means a C18 aryl group, and "alkenyl group" means a C2 to C20 alkenyl group, specifically C2 to C18 alkenyl group, and "alkylene group" means a C1 to C20 alkylene group, specifically C1 To C18 alkylene group, and "arylene group" refers to a C6 to C20 arylene group, and specifically refers to a C6 to C16 arylene group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미하며, "(메타)아크릴산"은 "아크릴산"과 "메타크릴산" 둘 다 가능함을 의미한다.Unless otherwise specified in the specification, "(meth)acrylate" means that both "acrylate" and "methacrylate" are possible, and "(meth)acrylic acid" means "acrylic acid" and "methacrylic acid" It means both are possible.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합 내지 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체 내지 랜덤 공중합체를 의미한다.Unless otherwise defined herein, "combination" means mixing or copolymerization. In addition, "copolymerization" means block copolymerization or random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer or random copolymer.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formula in the present specification, when a chemical bond is not drawn at a position where a chemical bond is to be drawn, it means that a hydrogen atom is bonded at the position.

또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.In addition, unless otherwise defined in the specification, "*" means a part connected to the same or different atoms or chemical formulas.

일 구현예는 (A) 알칼리 가용성 수지; (B) 하기 화학식 1로 표시되는 광중합성 화합물; (C) 광중합 개시제; 및 (D) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment is (A) alkali-soluble resin; (B) a photopolymerizable compound represented by the following formula (1); (C) photoinitiator; And (D) It provides a photosensitive resin composition containing a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

(R1)n(OR2)3-n-Si-L1-Si-(R3)m(OR4)3-m (R 1 ) n (OR 2 ) 3-n -Si-L 1 -Si-(R 3 ) m (OR 4 ) 3-m

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1 내지 R4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고, R 1 to R 4 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C20 heteroaryl group,

R2 및 R4는 말단에 아크릴레이트기를 포함하고,R 2 and R 4 contain an acrylate group at the terminal,

L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 *-L2-X-L3-*(L2 및 L3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기이고, X는 O, S 또는 NR5(R5는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기))이고,L 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or *-L 2 -XL 3 -* (L 2 and L 3 are each independently substituted or unsubstituted A cyclic C1 to C10 alkylene group, X is O, S or NR 5 (R 5 is a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group)),

m 및 n은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.m and n are each independently an integer of 0 to 2.

일반적으로 네가티브형 감광성 수지 조성물은 에폭시기 등의 특정 작용기가 있는 아크릴계 공중합체, 다관능성 아크릴레이트 단량체, 광개시제 및 유기용매를 포함하는데, 상기 다관능성 아크릴레이트 단량체로는 보통 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(DPHA) 등을 사용하는 것이 일반적이었다. 그러나, DPHA 등의 다관능성 단량체만으로 감도나 내화학성 등을 향상시키는 것에 어려움이 있어, 최근에는 2-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시 옥틸 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시 프로필 메틸디메톡시실란 등의 실리콘 함유 화합물을 광중합성 화합물로 사용하려는 시도가 있었으나, 상기 실리콘 함유 화합물은 포토 레지스트 조액 자체가 불가하여, 실리콘 함유 화합물을 감광성 수지 조성물 내 광중합성 화합물로 사용하려는 시도는 실패로 돌아간 적이 있었다. In general, the negative photosensitive resin composition includes an acrylic copolymer having a specific functional group such as an epoxy group, a polyfunctional acrylate monomer, a photoinitiator, and an organic solvent, and the polyfunctional acrylate monomer is usually dipentaerythritol hexaacrylate ( DPHA) and the like were common. However, it is difficult to improve sensitivity and chemical resistance only with polyfunctional monomers such as DPHA, and recently, 2-methacryloxypropyl trimethoxysilane, 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane, and 3-methacryl There have been attempts to use silicon-containing compounds such as oxyoctyl trimethoxysilane and 3-methacryloxypropyl methyldimethoxysilane as a photopolymerizable compound, but the silicon-containing compound cannot be used as a photoresist solution itself. Attempts to use it as a photopolymerizable compound in a photosensitive resin composition have failed.

일 구현예에 따르면 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 광중합성 화합물로 사용함으로써, 잔막율, 감도, 해상도, 내화학성, 경도를 동시에 향상시킬 수 있어, 종래 사용 시도가 있었던 2-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시 옥틸 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시 프로필 메틸디메톡시실란 등의 실리콘 함유 화합물이나 DPHA보다 우수한 감광성 수지 조성물의 제공이 가능하다.According to an embodiment, by using the compound represented by Formula 1 as a photopolymerizable compound, it is possible to simultaneously improve the residual film rate, sensitivity, resolution, chemical resistance, and hardness, and thus 2-methacryloxypropyl tree, which has been attempted in the past. Providing silicone-containing compounds such as methoxysilane, 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane, 3-methacryloxy octyl trimethoxysilane, and 3-methacryloxypropyl methyldimethoxysilane, or photosensitive resin composition superior to DPHA This is possible.

이하에서 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.

(B) (B) 광중합성Photopolymerization 화합물 compound

일 구현예에 따르면 광중합성 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는데, 상기 화학식 1로 표시되는 광중합성 화합물은 단량체 내에 2개의 실리콘 원자 및 2개의 아크릴레이트기를 포함하기 때문에, 포토 레지스트 조액이 가능해지며, 나아가, 광중합성 화합물로 사용되던 종래 물질(DPHA 등)보다 잔막율, 감도, 해상도, 내화학성, 경도 측면에서 우수한 효과를 가질 수 있다.According to an embodiment, the photopolymerizable compound is represented by Formula 1, and since the photopolymerizable compound represented by Formula 1 contains two silicon atoms and two acrylate groups in a monomer, a photoresist preparation solution becomes possible, and further , It can have superior effects in terms of film residual rate, sensitivity, resolution, chemical resistance, and hardness than conventional materials used as photopolymerizable compounds (DPHA, etc.).

상기 아크릴레이트기는 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.The acrylate group may be represented by Formula 2 below.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017120938948-pat00008
Figure 112017120938948-pat00008

상기 화학식 2에서,In Chemical Formula 2,

R6은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.R 6 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group.

예컨대, 상기 광중합성 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.For example, the photopolymerizable compound may be represented by Formula 3 below.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017120938948-pat00009
Figure 112017120938948-pat00009

상기 화학식 3에서,In Chemical Formula 3,

L4 내지 L6은 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 *-NR5-*(R5는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기))이고, 단 L4 내지 L6이 동시에 단일결합은 아니고,L 4 to L 6 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group, or *-NR 5 -* (R 5 is a substituted or unsubstituted C1 To C10 alkyl group)), provided that L 4 to L 6 are not a single bond at the same time,

R7 내지 R12는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 7 to R 12 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group,

단, R7 내지 R9 중 적어도 하나 및 R10 내지 R12 중 적어도 하나는 말단에 아크릴레이트기를 포함한다.However, at least one of R 7 to R 9 and at least one of R 10 to R 12 include an acrylate group at the terminal.

예컨대, 상기 화학식 3에서, 상기 R7 내지 R9 중 하나 및 R10 내지 R12 중 하나는 말단에 아크릴레이트기를 포함할 수 있다.For example, in Formula 3, one of R 7 to R 9 and one of R 10 to R 12 may include an acrylate group at the terminal.

상기 광중합성 화합물은 하기 화학식 4 내지 화학식 7로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 표시될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The photopolymerizable compound may be represented by any one selected from the group consisting of Formulas 4 to 7 below, but is not limited thereto.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017120938948-pat00010
Figure 112017120938948-pat00010

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017120938948-pat00011
Figure 112017120938948-pat00011

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017120938948-pat00012
Figure 112017120938948-pat00012

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017120938948-pat00013
Figure 112017120938948-pat00013

예컨대, 상기 광중합성 화합물, 후술하는 알칼리 가용성 수지 및 광중합 개시제는, 고형분 기준으로 감광성 수지 조성물 총량에 대해 20 중량% 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 즉, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 고형분(상기 알칼리 가용성 수지, 상기 화학식 1로 표시되는 광중합성 화합물 및 상기 광중합 개시제) 20 중량% 내지 40 중량% 및 용매 잔부량을 포함할 수 있다.For example, the photopolymerizable compound, an alkali-soluble resin and a photopolymerization initiator to be described later may be included in an amount of 20% to 40% by weight based on the total amount of the photosensitive resin composition. That is, the photosensitive resin composition according to an embodiment may include a solid content (the alkali-soluble resin, the photopolymerizable compound represented by Formula 1, and the photopolymerization initiator) 20% to 40% by weight and the balance of the solvent.

예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 광중합성 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 총량에 대해 0.5 중량% 내지 25 중량%로 포함될 수 있다. 상기 광중합성 화합물이 상기 함량 범위로 포함될 경우, 고감도 패턴형성이 보다 용이하고, 우수한 경도를 얻을 수 있다.For example, the photopolymerizable compound represented by Formula 1 may be included in an amount of 0.5% to 25% by weight based on the total amount of the photosensitive resin composition. When the photopolymerizable compound is included in the above content range, high-sensitivity pattern formation is easier and excellent hardness can be obtained.

(A) 알칼리 가용성 수지(A) alkali-soluble resin

상기 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지일 수 있다.The alkali-soluble resin may be a novolac resin or an acrylic resin.

상기 노볼락 수지는 하기 화학식 8로 표시되는 구조단위를 포함할 수 있다.The novolac resin may include a structural unit represented by Formula 8 below.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017120938948-pat00014
Figure 112017120938948-pat00014

상기 화학식 8에서,In Chemical Formula 8,

R13은 하이드록시기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 할로겐, C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고, R 13 is a hydroxy group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, a halogen, a C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,

a는 0 내지 3의 정수이다.a is an integer of 0 to 3.

상기 노볼락 수지의 중량평균 분자량은 1,000 g/mol 내지 30,000 g/mol 일 수 있다. 예컨대, 상기 노볼락 수지의 중량평균 분자량은 1,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 예컨대, 2,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 예컨대, 3,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 예컨대, 3,000 g/mol 내지 15,000 g/mol, 예컨대, 4,000 g/mol 내지 15,000 g/mol 일 수 있다.The weight average molecular weight of the novolac resin may be 1,000 g/mol to 30,000 g/mol. For example, the weight average molecular weight of the novolac resin is 1,000 g/mol to 20,000 g/mol, such as 2,000 g/mol to 20,000 g/mol, such as 3,000 g/mol to 20,000 g/mol, such as 3,000 g/mol. mol to 15,000 g/mol, such as 4,000 g/mol to 15,000 g/mol.

상기 노볼락 수지가 상기 범위의 중량평균 분자량을 가질 경우 패턴 무너짐 현상이 일어나지 않는 효과를 가질 수 있다.When the novolac resin has a weight average molecular weight within the above range, it may have an effect that a pattern collapse phenomenon does not occur.

상기 아크릴계 수지는 제1 에틸렌성 불포화 단량체 및 이와 공중합 가능한 제2 에틸렌성 불포화 단량체의 공중합체로, 하나 이상의 아크릴계 반복단위를 포함하는 수지이다.The acrylic resin is a copolymer of a first ethylenically unsaturated monomer and a second ethylenically unsaturated monomer copolymerizable therewith, and is a resin comprising at least one acrylic repeating unit.

상기 제1 에틸렌성 불포화 단량체는 하나 이상의 카르복시기를 함유하는 에틸렌성 불포화 단량체이며, 이의 구체적인 예로는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 이타콘산, 푸마르산, 또는 이들의 조합을 들 수 있다.The first ethylenically unsaturated monomer is an ethylenically unsaturated monomer containing at least one carboxy group, and specific examples thereof include  acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, itaconic acid, fumaric acid,  , or a combination thereof.

상기 제1 에틸렌성 불포화 단량체는 상기 아크릴계 바인더 수지 총량에 대하여 5 중량% 내지 50 중량%, 예컨대 10 중량% 내지 40 중량%로 포함될 수 있다.The first ethylenically unsaturated monomer may be included in an amount of 5% to 50% by weight, such as 10% to 40% by weight, based on the total amount of the acrylic binder resin.

상기 제2 에틸렌성 불포화 단량체는 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 비닐벤질메틸에테르 등의 방향족 비닐 화합물; 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시 부틸(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 에스테르 화합물; 2-아미노에틸(메타)아크릴레이트, 2-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 아미노 알킬 에스테르 화합물; 초산비닐, 안식향산 비닐 등의 카르복시산 비닐 에스테르 화합물; 글리시딜(메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르복시산 글리시딜 에스테르 화합물; (메타)아크릴로니트릴 등의 시안화 비닐 화합물; (메타)아크릴아미드 등의 불포화 아미드 화합물; 등을 들 수 있으며, 이들을 단독으로 또는 둘 이상 혼합하여 사용할 수 있다.The second ethylenically unsaturated monomers include aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, and vinylbenzylmethylether; Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxy butyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, Unsaturated carboxylic acid ester compounds such as cyclohexyl (meth)acrylate and phenyl (meth)acrylate; Unsaturated carboxylic acid amino alkyl ester compounds such as 2-aminoethyl (meth)acrylate and 2-dimethylaminoethyl (meth)acrylate; Carboxylic acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate and vinyl benzoate; Unsaturated carboxylic acid glycidyl ester compounds such as glycidyl (meth)acrylate; Vinyl cyanide compounds such as (meth)acrylonitrile; Unsaturated amide compounds such as (meth)acrylamide; And the like, and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 아크릴계 수지의 구체적인 예로는 (메타)아크릴산/벤질메타크릴레이트 공중합체, (메타)아크릴산/벤질메타크릴레이트/스티렌 공중합체, (메타)아크릴산/벤질메타크릴레이트/2-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체, (메타)아크릴산/벤질메타크릴레이트/스티렌/2-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합체 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 배합하여 사용할 수도 있다.Specific examples of the acrylic resin include (meth)acrylic acid/benzyl methacrylate copolymer, (meth)acrylic acid/benzyl methacrylate/styrene copolymer, (meth)acrylic acid/benzyl methacrylate/2-hydroxyethyl methacrylate Rate copolymer, (meth)acrylic acid/benzyl methacrylate/styrene/2-hydroxyethyl methacrylate copolymer, and the like, but are not limited thereto, and these may be used alone or in combination of two or more. .

상기 아크릴계 수지의 중량평균 분자량은 3,000 g/mol 내지 150,000 g/mol, 예컨대 5,000 g/mol 내지 50,000 g/mol, 예컨대 20,000 g/mol 내지 30,000 g/mol 일 수 있다. 상기 아크릴계 수지의 중량평균 분자량이 상기 범위 내일 경우, 상기 감광성 수지 조성물의 물리적 및 화학적 물성이 우수하고 점도가 적절하며, 제조된 감광성 수지막과 기판 간 밀착성이 우수하다.  The weight average molecular weight of the acrylic resin may be 3,000 g/mol to 150,000 g/mol, such as 5,000 g/mol to 50,000 g/mol, such as 20,000 g/mol to 30,000 g/mol. When the weight average molecular weight of the acrylic resin is within the above range, the physical and chemical properties of the photosensitive resin composition are excellent, the viscosity is appropriate, and the adhesion between the prepared photosensitive resin film and the substrate is excellent.

상기 아크릴계 수지의 산가는 15 mgKOH/g 내지 60 mgKOH/g, 예컨대 20 mgKOH/g 내지 50 mgKOH/g 일 수 있다. 아크릴계 수지의 산가가 상기 범위 내일 경우 픽셀 패턴의 해상도가 우수하다.The acid value of the acrylic resin may be 15 mgKOH/g to 60 mgKOH/g, such as 20 mgKOH/g to 50 mgKOH/g . When the acid value of the acrylic resin is within the above range, the resolution of the pixel pattern is excellent.

상기 알칼리 가용성 수지는 상기 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 1 중량% 내지 40 중량%로 포함될 수 있다. 알칼리 가용성 수지가 상기 범위 내로 포함될 경우, 감광성 수지막 제조 시 현상성이 우수하며 가교성이 개선되어 우수한 표면 평활도를 얻을 수 있다.The alkali-soluble resin may be included in an amount of 1% to 40% by weight based on the total amount of the photosensitive resin composition. When the alkali-soluble resin is included within the above range, developability is excellent and crosslinking property is improved when preparing the photosensitive resin film, thereby obtaining excellent surface smoothness.

(C) (C) 광중합Light polymerization 개시제Initiator

상기 광중합 개시제는 감광성 수지 조성물에 일반적으로 사용되는 개시제로서, 예를 들어 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 벤조인계 화합물, 트리아진계 화합물, 옥심계 화합물 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다. The photopolymerization initiator is an initiator generally used in the photosensitive resin composition, for example, an acetophenone compound, a benzophenone compound, a thioxanthone compound, a benzoin compound, a triazine compound, an oxime compound, or a combination thereof. Can be used.

상기 아세토페논계 화합물의 예로는, 2,2'-디에톡시 아세토페논, 2,2'-디부톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-t-부틸트리클로로 아세토페논, p-t-부틸디클로로 아세토페논, 4-클로로 아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시 아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모폴리노페닐)-부탄-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the acetophenone-based compound include 2,2'-diethoxy acetophenone, 2,2'-dibutoxy acetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt-butyltrichloro acetophenone, pt -Butyldichloro acetophenone, 4-chloro acetophenone, 2,2'-dichloro-4-phenoxy acetophenone, 2-methyl-1-(4-(methylthio)phenyl)-2-morpholinopropane-1 -One, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butan-1-one, and the like.

상기 벤조페논계 화합물의 예로는, 벤조페논, 벤조일 안식향산, 벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the benzophenone compound include benzophenone, benzoyl benzoic acid, methyl benzoyl benzoate, 4-phenyl benzophenone, hydroxy benzophenone, acrylated benzophenone, 4,4'-bis(dimethylamino)benzophenone, 4,4 '-Bis(diethylamino)benzophenone, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-dichlorobenzophenone, 3,3'-dimethyl-2-methoxybenzophenone, and the like.

상기 티오크산톤계 화합물의 예로는, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등을 들 수 있다.Examples of the thioxanthone-based compound include thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2,4-diisopropyl thioxanthone, 2- And chloro thioxanthone.

상기 벤조인계 화합물의 예로는, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.Examples of the benzoin-based compound include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyldimethylketal, and the like.

상기 트리아진계 화합물의 예로는, 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐 4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3', 4'-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐 4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-s-트리아진, 2-4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-s-트리아진 등을 들 수 있다.Examples of the triazine-based compound include 2,4,6-trichloro-s-triazine, 2-phenyl 4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(3', 4'- Dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4'-methoxynaphthyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(p-tolyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-biphenyl 4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, bis(trichloromethyl)-6-styryl-s-triazine, 2-(naphtho-1-yl)-4, 6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-methoxynaphtho-1-yl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-4-bis (Trichloromethyl)-6-piperonyl-s-triazine, 2-4-bis(trichloromethyl)-6-(4-methoxystyryl)-s-triazine, etc. are mentioned.

상기 옥심계 화합물의 예로는, O-아실옥심계 화합물, 2-(o-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온, 1-(o-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, O-에톡시카르보닐-α-옥시아미노-1-페닐프로판-1-온 등을 사용할 수 있다. 상기 O-아실옥심계 화합물의 구체적인 예로는, 1,2-옥탄디온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1,2-디온2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1,2-디온2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-(4-페닐술파닐페닐)-부탄-1-온옥심-O-아세테이트 등을 들 수 있다. Examples of the oxime-based compound include O-acyloxime-based compounds, 2-(o-benzoyloxime)-1-[4-(phenylthio)phenyl]-1,2-octanedione, 1-(o-acetyloxime )-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]ethanone, O-ethoxycarbonyl-α-oxyamino-1-phenylpropan-1-one Etc. can be used. Specific examples of the O-acyloxime-based compound include 1,2-octanedione, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butane- 1-one, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-butane-1,2-dione2-oxime-O-benzoate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-octane-1,2-dione2 -Oxime-O-benzoate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-octan-1-one oxime-O-acetate, 1-(4-phenylsulfanylphenyl)-butan-1-one oxime-O- Acetate, etc. are mentioned.

상기 광중합 개시제는 상기 화합물 이외에도 카바졸계 화합물, 디케톤류 화합물, 술포늄 보레이트계 화합물, 디아조계 화합물, 이미다졸계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 플루오렌계 화합물 등을 사용할 수 있다.In addition to the above compounds, the photopolymerization initiator may be a carbazole compound, a diketone compound, a sulfonium borate compound, a diazo compound, an imidazole compound, a biimidazole compound, a fluorene compound, or the like.

상기 광중합 개시제는 빛을 흡수하여 들뜬 상태가 된 후 그 에너지를 전달함으로써 화학반응을 일으키는 광 증감제와 함께 사용될 수도 있다.The photopolymerization initiator may be used together with a photosensitizer that absorbs light and becomes excited, and then transmits the energy to cause a chemical reaction.

상기 광 증감제의 예로는, 테트라에틸렌글리콜 비스-3-머캡토 프로피오네이트, 펜타에리트리톨 테트라키스-3-머캡토 프로피오네이트, 디펜타에리트리톨 테트라키스-3-머캡토 프로피오네이트 등을 들 수 있다. Examples of the photosensitizer include tetraethylene glycol bis-3-mercapto propionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercapto propionate, dipentaerythritol tetrakis-3-mercapto propionate, etc. Can be mentioned.

상기 광중합 개시제는 상기 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 0.1 중량% 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 광중합 개시제가 상기 범위 내로 포함될 경우, 패턴 형성 공정에서 노광 시 경화가 충분히 일어나 우수한 신뢰성을 얻을 수 있으며, 패턴의 내열성, 내광성 및 내화학성이 우수하고, 해상도 및 밀착성 또한 우수하며, 미반응 개시제로 인한 투과율의 저하를 막을 수 있다.The photopolymerization initiator may be included in an amount of 0.1% to 15% by weight based on the total amount of the photosensitive resin composition. When the photopolymerization initiator is included within the above range, curing occurs sufficiently during exposure in the pattern formation process to obtain excellent reliability, excellent heat resistance, light resistance and chemical resistance of the pattern, excellent resolution and adhesion, and due to unreacted initiators. It is possible to prevent a decrease in transmittance.

(D) 용매(D) solvent

상기 용매는 상기 알칼리 가용성 수지, 상기 광중합성 화합물 및 상기 광중합 개시제와의 상용성을 가지되 반응하지 않는 물질들이 사용될 수 있다.The solvent may be materials that have compatibility with the alkali-soluble resin, the photopolymerizable compound, and the photopolymerization initiator, but do not react.

상기 용매의 예로는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 디클로로에틸 에테르, n-부틸 에테르, 디이소아밀 에테르, 메틸페닐 에테르, 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 디에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 셀로솔브 아세테이트류; 메틸에틸 카르비톨, 디에틸 카르비톨, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸-n-아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 초산 에틸, 초산-n-부틸, 초산 이소부틸 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 젖산 메틸, 젖산 에틸 등의 젖산 에스테르류; 옥시 초산 메틸, 옥시 초산 에틸, 옥시 초산 부틸 등의 옥시 초산 알킬 에스테르류; 메톡시 초산 메틸, 메톡시 초산 에틸, 메톡시 초산 부틸, 에톡시 초산 메틸, 에톡시 초산 에틸 등의 알콕시 초산 알킬 에스테르류; 3-옥시 프로피온산 메틸, 3-옥시 프로피온산 에틸 등의 3-옥시 프로피온산 알킬에스테르류; 3-메톡시 프로피온산 메틸, 3-메톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 메틸 등의 3-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시 프로피온산 메틸, 2-옥시 프로피온산 에틸, 2-옥시 프로피온산 프로필 등의 2-옥시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-메톡시 프로피온산 메틸, 2-메톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 메틸 등의 2-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에스테르류, 2-메톡시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-알콕시-2-메틸 프로피온산 알킬류의 모노옥시 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 2-히드록시 프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 히드록시 초산 에틸, 2-히드록시-3-메틸 부탄산 메틸 등의 에스테르류; 피루빈산 에틸 등의 케톤산 에스테르류 등이 있으며, 또한, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐라드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세틸아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 초산 벤질, 안식향산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레인산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐 셀로솔브 아세테이트 등의 고비점 용매를 들 수 있다.Examples of the solvent include alcohols such as methanol and ethanol; Ethers such as dichloroethyl ether, n-butyl ether, diisoamyl ether, methylphenyl ether, and tetrahydrofuran; Glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; Cellosolve acetates such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, and diethyl cellosolve acetate; Carbitols such as methyl ethyl carbitol, diethyl carbitol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, and diethylene glycol diethyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate and propylene glycol propyl ether acetate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl-n-amyl ketone, and 2-heptanone ; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, and isobutyl acetate; Lactate esters such as methyl lactate and ethyl lactate; Oxyacetic acid alkyl esters such as methyl oxyacetate, ethyl oxyacetate, and butyl oxyacetate; Alkoxy acetate alkyl esters, such as methoxy methyl acetate, methoxy ethyl acetate, methoxy butyl methoxy acetate, ethoxy methyl acetate, and ethoxy ethyl acetate; 3-oxypropionic acid alkyl esters such as 3-oxy methyl propionate and 3-oxy ethyl propionate; 3-alkoxy propionic acid alkyl esters such as 3-methoxy methyl propionate, 3-methoxy ethyl propionate, 3-ethoxy ethyl propionate, and 3-ethoxy methyl propionate; 2-oxypropionic acid alkyl esters such as 2-oxy methyl propionate, 2-oxy ethyl propionate, and 2-oxy propionate propyl; 2-alkoxy propionic acid alkyl esters such as 2-methoxy methyl propionate, 2-methoxy ethyl propionate, 2-ethoxy ethyl propionate, and 2-ethoxy methyl propionate; 2-oxy-2-methyl propionic acid esters such as 2-oxy-2-methyl methyl propionate and 2-oxy-2-methyl ethyl propionate, 2-methoxy-2-methyl methyl propionate, 2-ethoxy-2- Monooxy monocarboxylic acid alkyl esters of alkyl 2-alkoxy-2-methyl propionate such as ethyl methyl propionate; Esters such as 2-hydroxy ethyl propionate, 2-hydroxy-2-methyl ethyl propionate, hydroxy ethyl acetate, and 2-hydroxy-3-methyl methyl butanoate; Ketone acid esters such as ethyl pyruvate, etc., and also N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, N-methylformanilad, N-methylacetamide, N,N-dimethylacetamide , N-methylpyrrolidone, dimethyl sulfoxide, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, acetylacetone, isophorone, capronic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, benzoic acid High boiling point solvents such as ethyl, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, and phenyl cellosolve acetate.

이들 중 좋게는 상용성 및 반응성을 고려하여, 사이클로헥사논 등의 케톤류; 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 2-히드록시 프로피온산 에틸 등의 에스테르류; 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류가 사용될 수 있다.Among these, in consideration of compatibility and reactivity, ketones such as cyclohexanone are preferred; Glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether; Ethylene glycol alkyl ether acetates such as ethyl cellosolve acetate; Esters such as ethyl 2-hydroxypropionate; Carbitols such as diethylene glycol monomethyl ether; Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol propyl ether acetate may be used.

상기 용매는 상기 감광성 수지 조성물 총량에 대하여 잔부량, 예컨대 50 중량% 내지 80 중량%로 포함될 수 있다. 용매가 상기 범위 내로 포함될 경우 상기 감광성 수지 조성물이 적절한 점도를 가짐에 따라 감광성 수지막 제조 시 공정성이 우수하다.The solvent may be included in a balance, such as 50% to 80% by weight, based on the total amount of the photosensitive resin composition. When the solvent is included within the above range, the photosensitive resin composition has an appropriate viscosity, and thus the processability is excellent in manufacturing the photosensitive resin film.

(E) 기타 첨가제(E) other additives

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include an epoxy compound to improve adhesion to the substrate.

상기 에폭시 화합물의 예로는, 페놀 노볼락 에폭시 화합물, 테트라메틸 비페닐 에폭시 화합물, 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 지환족 에폭시 화합물 또는 이들의 조합을 들 수 있다.Examples of the epoxy compound include a phenol novolac epoxy compound, a tetramethyl biphenyl epoxy compound, a bisphenol A type epoxy compound, an alicyclic epoxy compound, or a combination thereof.

상기 에폭시 화합물은 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 20 중량부, 예컨대 0.1 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수하다. The epoxy compound may be included in an amount of 0.01 to 20 parts by weight, for example, 0.1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the epoxy compound is included within the above range, adhesion and storage properties are excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 기판과의 접착성을 향상시키기 위해 카르복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제를 더 포함할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition may further include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, or an epoxy group to improve adhesion to the substrate.

상기 실란 커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴 벤조산, γ-메타크릴 옥시프로필 트리메톡시실란, 비닐 트리아세톡시실란, 비닐 트리메톡시실란, γ-이소시아네이트 프로필 트리에톡시실란, γ-글리시독시 프로필 트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the silane coupling agent include trimethoxysilyl benzoic acid, γ-methacryl oxypropyl trimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, vinyl trimethoxysilane, γ-isocyanate propyl triethoxysilane, γ-glycidok Cypropyl trimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 실란 커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 실란 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수하다. The silane coupling agent may be included in an amount of 0.01 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the silane coupling agent is included within the above range, adhesion and storage properties are excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 코팅성 향상 및 결점 생성 방지 효과를 위해 레벨링제나 계면 활성제를 더 포함할 수 있다. In addition, the photosensitive resin composition may further include a leveling agent or a surfactant to improve coating properties and prevent defects from being generated, if necessary.

상기 계면활성제의 예로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100® 등; 다이 닛폰 잉키 가가꾸 고교(주)社의 메카 팩 F 142D®, 동 F 172®, 동 F 173®, 동 F 183®, 동 F 554® 등; 스미토모 스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 동 FC-170C®, 동 FC-430®, 동 FC-431® 등; 아사히 그라스(주)社의 사프론 S-112®, 동 S-113®, 동 S-131®, 동 S-141®, 동 S-145® 등; 도레이 실리콘(주)社의 SH-28PA®, 동-190®, 동-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판된고 있는 불소계 계면 활성제를 사용할 수 있다.Examples of the surfactants include, BM Chemie BM-1000 ® of社, BM-1100 ®, and the like; Mecha Pack F 142D ® , F 172 ® , F 173 ® , F 183 ® , F 554 ® of Dai Nippon Inki Chemical High School Co., Ltd.; Sumitomo M. (Note)社Pro rod FC-135 ®, the same FC-170C ®, copper FC-430 ®, the same FC-431 ®, and the like; Asahi Grass Co., Saffron S-112 ® of社, such S-113 ®, the same S-131 ®, the same S-141 ®, the same S-145 ®, and the like; Toray silicone (Note)社SH-28PA ®, copper -190 ®, may be used copper ® -193, fluorine-based surfactants and commercially available under the name, such as SZ-6032 ®, SF-8428 ®.

상기 계면 활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 계면 활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, 유리 기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수하다.The surfactant may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the surfactant is included within the above range, coating uniformity is ensured, stains do not occur, and wettability to the glass substrate is excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다.In addition, a certain amount of other additives such as antioxidants and stabilizers may be added to the photosensitive resin composition within a range that does not impair physical properties.

상기 감광성 수지 조성물은 네가티브형 감광성 수지 조성물일 수 있다.The photosensitive resin composition may be a negative photosensitive resin composition.

다른 일 구현예에 따르면, 상기 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.According to another embodiment, a photosensitive resin film manufactured using the photosensitive resin composition according to the embodiment is provided.

상기 감광성 수지막 내 패턴 형성 공정은 다음과 같다.The pattern formation process in the photosensitive resin film is as follows.

상기 감광성 수지 조성물을 지지 기판 상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정; 상기 도포된 감광성 수지 조성물을 건조하여 감광성 수지 조성물 막을 형성하는 공정; 상기 감광성 수지 조성물 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 감광성 수지 조성물 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열 처리(경화)하는 공정을 포함한다. 상기 공정 상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로, 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다. Applying the photosensitive resin composition onto a supporting substrate by spin coating, slit coating, inkjet printing, or the like; Drying the applied photosensitive resin composition to form a photosensitive resin composition film; Exposing the photosensitive resin composition film to light; Developing the exposed photosensitive resin composition film with an aqueous alkali solution to prepare a photosensitive resin film; And a step of heat treating (curing) the photosensitive resin film. Since the above process conditions are widely known in the art, detailed descriptions thereof will be omitted herein.

상기 감광성 수지막은 박막 트랜지스터형 액정 표시 소자나 고체 촬상 소자, 유기발광다이오드(OLED) 등의 절연막일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The photosensitive resin film may be an insulating film such as a thin film transistor type liquid crystal display device, a solid-state imaging device, or an organic light emitting diode (OLED), but is not limited thereto.

또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자를 제공한다. 상기 전자 소자는 액정 디스플레이, 발광다이오드, 플라즈마디스플레이 또는 유기발광장치(예컨대 OLED) 등의 표시 소자 또는 컬러필터일 수 있다. According to another embodiment, an electronic device including the photosensitive resin film is provided. The electronic device may be a display device such as a liquid crystal display, a light emitting diode, a plasma display or an organic light emitting device (eg, OLED), or a color filter.

상기 감광성 수지 조성물은 소자에서 절연막, 패시베이션층 또는 버퍼 코팅층을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다. The photosensitive resin composition may be usefully used to form an insulating film, a passivation layer, or a buffer coating layer in a device.

이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the following examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited to the following examples.

(( 광중합성Photopolymerization 화합물의 합성) Compound)

합성예Synthesis example 1: 화학식 4로 표시되는 화합물의 합성 1: Synthesis of a compound represented by Formula 4

냉각관과 교반기를 구비한 1000ml 반응기에 디클로로메탄 100ml, 4-히드록시부틸아크릴레이트(신나까무라社(사)) 100g 및 트리에틸아민 84g을 넣고, 플라스크 내 온도를 0℃로 내린 후 p-톨루엔설포닐클로라이드 139g을 디클로로메탄 100ml에 녹인 용액을 2시간 동안 적하하며 교반하였다. 추가로 5시간 동안 더 교반한 후, 잔류 용매를 증류로 제거하였다. 얻어진 화합물 60g을 아세토니트릴 500ml에 넣고, 여기에 포타슘카보네이트 110g 및 1,2-비스트리에톡시실릴에탄 20g을 추가한 뒤, 80℃에서 교반하였다. 잔류 용매와 반응 잔류물을 제거하여, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 얻었다. In a 1000 ml reactor equipped with a cooling tube and a stirrer, 100 ml of dichloromethane, 100 g of 4-hydroxybutyl acrylate (Shin-Nakamura Co., Ltd.) and 84 g of triethylamine were added, and the temperature in the flask was lowered to 0°C, and then p-toluene. A solution in which 139 g of sulfonyl chloride was dissolved in 100 ml of dichloromethane was added dropwise for 2 hours and stirred. After further stirring for 5 hours, the residual solvent was removed by distillation. 60 g of the obtained compound was added to 500 ml of acetonitrile, 110 g of potassium carbonate and 20 g of 1,2-bistriethoxysilylethane were added thereto, followed by stirring at 80°C. The residual solvent and the reaction residue were removed to obtain a compound represented by the following formula (4).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017120938948-pat00015
Figure 112017120938948-pat00015

합성예Synthesis example 2: 화학식 5로 표시되는 화합물의 합성 2: Synthesis of the compound represented by Formula 5

냉각관과 교반기를 구비한 1000ml 반응기에 디클로로메탄 100ml, 4-히드록시부틸아크릴레이트(신나까무라社(사)) 100g 및 트리에틸아민 84g을 넣고, 플라스크 내 온도를 0℃로 내린 후 p-톨루엔설포닐클로라이드 139g을 디클로로메탄 100ml에 녹인 용액을 2시간 동안 적하하며 교반하였다. 추가로 5시간 동안 더 교반한, 후 잔류 용매를 증류로 제거하였다. 얻어진 화합물 60g을 아세토니트릴 500ml에 넣고, 여기에 포타슘카보네이트 110g 및 1,4-BIS(HYDROXYDIMETHYLSILYL)BENZENE 20g을 추가한 뒤, 80℃에서 교반하였다. 잔류 용매와 반응 잔류물을 제거하여, 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 얻었다. In a 1000 ml reactor equipped with a cooling tube and a stirrer, 100 ml of dichloromethane, 100 g of 4-hydroxybutyl acrylate (Shin-Nakamura Co., Ltd.) and 84 g of triethylamine were added, and the temperature in the flask was lowered to 0°C, and then p-toluene. A solution in which 139 g of sulfonyl chloride was dissolved in 100 ml of dichloromethane was added dropwise for 2 hours and stirred. After further stirring for 5 hours, the residual solvent was removed by distillation. 60 g of the obtained compound was put into 500 ml of acetonitrile, 110 g of potassium carbonate and 20 g of 1,4-BIS (HYDROXYDIMETHYLSILYL) BENZENE were added thereto, followed by stirring at 80°C. The residual solvent and the reaction residue were removed to obtain a compound represented by the following formula (5).

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017120938948-pat00016
Figure 112017120938948-pat00016

합성예Synthesis example 3: 화학식 6으로 표시되는 화합물의 합성 3: Synthesis of the compound represented by Formula 6

냉각관과 교반기를 구비한 1000ml 반응기에 디클로로메탄 100ml, 4-히드록시부틸아크릴레이트(신나까무라社(사)) 100g 및 트리에틸아민 84g을 넣고, 플라스크 내 온도를 0℃로 내린 후 p-톨루엔설포닐클로라이드 139g을 디클로로메탄 100ml에 녹인 용액을 2시간 동안 적하하며 교반하였다. 추가로 5시간 동안 더 교반한 후 잔류 용매를 증류로 제거하였다. 얻어진 화합물 60g을 아세토니트릴 500ml에 넣고 포타슘카보네이트 110g 및 4,4′-Bis(triethoxysilyl)-1,1′-biphenyl 20g을 추가한 뒤, 80℃에서 교반하였다. 잔류 용매와 반응 잔류물을 제거하여, 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 얻었다. In a 1000 ml reactor equipped with a cooling tube and a stirrer, 100 ml of dichloromethane, 100 g of 4-hydroxybutyl acrylate (Shin-Nakamura Co., Ltd.) and 84 g of triethylamine were added, and the temperature in the flask was lowered to 0°C, and then p-toluene. A solution in which 139 g of sulfonyl chloride was dissolved in 100 ml of dichloromethane was added dropwise for 2 hours and stirred. After stirring for an additional 5 hours, the residual solvent was removed by distillation. 60 g of the obtained compound was added to 500 ml of acetonitrile, 110 g of potassium carbonate and 20 g of 4,4′-Bis(triethoxysilyl)-1,1′-biphenyl were added, followed by stirring at 80°C. The residual solvent and the reaction residue were removed to obtain a compound represented by the following formula (6).

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017120938948-pat00017
Figure 112017120938948-pat00017

합성예Synthesis example 4: 화학식 7로 표시되는 화합물의 합성 4: Synthesis of a compound represented by Formula 7

냉각관과 교반기를 구비한 1000ml 반응기에 디클로로메탄 100ml, 4-히드록시부틸아크릴레이트(신나까무라社(사)) 100g 및 트리에틸아민 84g을 넣고, 플라스크 내 온도를 0℃로 내린 후 p-톨루엔설포닐클로라이드 139g을 디클로로메탄 100ml에 녹인 용액을 2시간 동안 적하하며 교반하였다. 추가로 5시간 동안 더 교반 후 잔류 용매를 증류로 제거하였다. 얻어진 화합물 60g을 아세토니트릴 500ml에 넣고, 여기에 포타슘카보네이트 110g 및 Bis(3-(methylamino)propyl)trimethoxysilane 20g을 추가하고 80℃에서 교반하였다. 잔류 용매와 반응 잔류물을 제거하여, 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 얻었다. In a 1000 ml reactor equipped with a cooling tube and a stirrer, 100 ml of dichloromethane, 100 g of 4-hydroxybutyl acrylate (Shin-Nakamura Co., Ltd.) and 84 g of triethylamine were added, and the temperature in the flask was lowered to 0°C, and then p-toluene. A solution in which 139 g of sulfonyl chloride was dissolved in 100 ml of dichloromethane was added dropwise for 2 hours and stirred. After stirring for an additional 5 hours, the residual solvent was removed by distillation. 60 g of the obtained compound was put into 500 ml of acetonitrile, 110 g of potassium carbonate and 20 g of Bis(3-(methylamino)propyl)trimethoxysilane were added thereto, followed by stirring at 80°C. The residual solvent and the reaction residue were removed to obtain a compound represented by the following formula (7).

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017120938948-pat00018
Figure 112017120938948-pat00018

(감광성 수지 조성물의 합성)(Synthesis of photosensitive resin composition)

실시예Example 1 내지 1 to 실시예Example 8 및 8 and 비교예Comparative example 1, One, 비교예Comparative example 2 및 2 and 참고예Reference example 1 One

실시예Example 1 One

합성예 1의 광중합성 화합물, 아크릴계 수지(T-82, 삼성SDI社(사)) 및 광중합 개시제(IRGARCURE OXE01, BASF社(사)) 혼합하여 고형분 함량이 30 중량%가 되도록 용매(PGMEA, 교화社(사))에 용해시킨 후, 0.2㎛의 밀리포아필터로 여과하여 불순물을 제거함으로써, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.The photopolymerizable compound of Synthesis Example 1, an acrylic resin (T-82, Samsung SDI Co., Ltd.), and a photopolymerization initiator (IRGARCURE OXE01, BASF Co., Ltd.) Co., Ltd.), and then filtered through a 0.2 μm Millipore filter to remove impurities, thereby preparing a photosensitive resin composition.

실시예Example 2 2

합성예 1의 광중합성 화합물 대신 합성예 2의 광중합성 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the photopolymerizable compound of Synthesis Example 2 was used instead of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1.

실시예Example 3 3

합성예 1의 광중합성 화합물 대신 합성예 3의 광중합성 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the photopolymerizable compound of Synthesis Example 3 was used instead of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1.

실시예Example 4 4

합성예 1의 광중합성 화합물 대신 합성예 4의 광중합성 화합물을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the photopolymerizable compound of Synthesis Example 4 was used instead of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1.

실시예Example 5 5

합성예 1의 광중합성 화합물, 아크릴계 수지(T-82, 삼성SDI社(사)) 및 광중합 개시제(IRGARCURE OXE01, BASF社(사))의 고형분 함량이 20 중량%가 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.Except that the solid content of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1, an acrylic resin (T-82, Samsung SDI, Inc.) and a photoinitiator (IRGARCURE OXE01, BASF, Inc.) is 20% by weight, In the same manner as in Example 1, a photosensitive resin composition was prepared.

실시예Example 6 6

합성예 1의 광중합성 화합물, 아크릴계 수지(T-82, 삼성SDI社(사)) 및 광중합 개시제(IRGARCURE OXE01, BASF社(사))의 고형분 함량이 40 중량%가 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.Except that the solid content of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1, an acrylic resin (T-82, Samsung SDI, Inc.) and a photoinitiator (IRGARCURE OXE01, BASF, Inc.) is 40% by weight, In the same manner as in Example 1, a photosensitive resin composition was prepared.

실시예Example 7 7

합성예 1의 광중합성 화합물, 아크릴계 수지(T-82, 삼성SDI社(사)) 및 광중합 개시제(IRGARCURE OXE01, BASF社(사))의 고형분 함량이 10 중량%가 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.Except that the solid content of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1, an acrylic resin (T-82, Samsung SDI, Inc.) and a photoinitiator (IRGARCURE OXE01, BASF Corp.) is 10% by weight, In the same manner as in Example 1, a photosensitive resin composition was prepared.

실시예Example 8 8

합성예 1의 광중합성 화합물, 아크릴계 수지(T-82, 삼성SDI社(사)) 및 광중합 개시제(IRGARCURE OXE01, BASF社(사))의 고형분 함량이 50 중량%가 되도록 한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.Except that the solid content of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1, an acrylic resin (T-82, Samsung SDI, Inc.) and a photoinitiator (IRGARCURE OXE01, BASF Corp.) is 50% by weight, In the same manner as in Example 1, a photosensitive resin composition was prepared.

비교예Comparative example 1 One

합성예 1의 광중합성 화합물 대신 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(Pentaerythritol tetraacrylate)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that pentaerythritol tetraacrylate was used instead of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1.

비교예Comparative example 2 2

합성예 1의 광중합성 화합물 대신 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(DIPENTAERYTHRITOL HEXAACRYLATE; DPHA)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that dipentaerythritol hexaacrylate (DIPENTAERYTHRITOL HEXAACRYLATE; DPHA) was used instead of the photopolymerizable compound of Synthesis Example 1.

참고예Reference example 1 One

아크릴계 수지 대신 하기 감광성 실리콘 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the following photosensitive silicone resin was used instead of the acrylic resin.

(참고예 1의 감광성 실리콘 수지 합성방법)(Photosensitive silicone resin synthesis method of Reference Example 1)

1L 플라스크에 페닐트리에톡시 실란 0.3몰, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 0.4몰, 테트라에톡시 실란 0.3몰을 용매인 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 사용하여 상기 반응물(메틸트리에톡시 실란, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시 실란) 100 중량부를 기준으로 하여 50 중량부로 상온에서 혼합 후 0.01N HCl 3.65몰을 서서히 떨어뜨렸다. 이후 반응온도를 80℃로 승온하여 5시간 반응을 보냈다. 이후 상온으로 냉각하면서 플로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 상기 반응물(페닐트리에톡시 실란, 3-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 테트라에톡시 실란) 100 중량부를 기준으로 하여 50 중량부로 추가 투입하였다. 이후 반응 중 생성된 물, 알코올 등과 같은 부가물 제거를 위해 60℃에서 증발(Evaporation)을 실시하여, 감광성 실리콘 수지를 합성하였다.In a 1 L flask, 0.3 mol of phenyltriethoxy silane, 0.4 mol of 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 0.3 mol of tetraethoxy silane were used as a solvent using propylene glycol monomethyl ether acetate, and the reaction product (methyltriethoxy silane , 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, tetraethoxysilane) was mixed at room temperature in 50 parts by weight based on 100 parts by weight, and then 3.65 moles of 0.01N HCl were slowly dropped. After that, the reaction temperature was raised to 80°C, and the reaction was performed for 5 hours. Subsequently, while cooling to room temperature, flophyllene glycol monomethyl ether acetate was added in an amount of 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the reactants (phenyltriethoxy silane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, tetraethoxy silane). . Thereafter, evaporation was performed at 60° C. to remove adducts such as water and alcohol generated during the reaction to synthesize a photosensitive silicone resin.

평가evaluation

실시예 1 내지 실시예 8, 비교예 1, 비교예 2 및 참고예 1에서 제조한 감광성 수지 조성물을 유리 기판 위에 스핀 코팅기(Mikasa社, Opticoat MS-A150)를 사용하여 각각 3 ㎛ 두께로 코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 85℃에서 120초 동안 소프트-베이킹(soft-baking)을 하여 막을 형성한 후, 상기 막에 365nm에서의 강도가 25.0 mW/cm3인 자외선을 노광기(UX-1200SM-AKS02, USHIO社)를 이용하여 8초 간 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38 중량%의 수용액으로 25℃에서 60초 동안 현상한 후, 초순수로 60초간 세정한 다음 압축공기로 불어 건조하였다. 이 후, 상기 건조된 막을 오븐 속에서 85℃로 60분간 가열하여 경화시켜, 포토레지스트 막을 얻었다. The photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 8, Comparative Examples 1, 2, and Reference Example 1 were coated on a glass substrate to a thickness of 3 μm using a spin coater (Mikasa Corporation, Opticoat MS-A150). Thereafter, a film was formed by soft-baking at 85°C for 120 seconds using a hot-plate, and then an ultraviolet ray having an intensity of 25.0 mW/cm 3 at 365 nm was applied to the film ( UX-1200SM-AKS02, USHIO) was used for 8 seconds. Subsequently, it was developed with an aqueous solution of 2.38% by weight of tetramethylammonium hydroxide at 25° C. for 60 seconds, washed with ultrapure water for 60 seconds, and dried by blowing with compressed air. Thereafter, the dried film was cured by heating in an oven at 85° C. for 60 minutes to obtain a photoresist film.

(1) 해상도의 산출(1) Calculation of resolution

현상 후의 최소 패턴 치수를 현상 후 해상도로, 경화 후의 최소 패턴 치수를 경화 후 해상도로 산출했으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The minimum pattern size after development was calculated as the resolution after development, and the minimum pattern size after curing was calculated as the resolution after curing, and the results are shown in Table 1 below.

(2) 연필경도 평가(2) Pencil hardness evaluation

상기 포토레지스트 막에 ASTM D3363 시험규격을 기준으로 연필경도 시험기 KP-M5000M (Maker : Kipae E&T)를 이용하여 상온에서 연필경도를 측정하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The pencil hardness was measured at room temperature using a pencil hardness tester KP-M5000M (Maker: Kipae E&T) based on the ASTM D3363 test standard on the photoresist film, and the results are shown in Table 1 below.

(3) 감도 평가(3) Sensitivity evaluation

실시예 1 내지 실시예 8, 비교예 1, 비교예 2 및 참고예 1에서 제조한 감광성 수지 조성물을 유리 기판 위에 스핀 코팅기(Mikasa社, Opticoat MS-A150)를 사용하여 각각 3 ㎛ 두께로 코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 85℃에서 120초 동안 소프트-베이킹(soft-baking)을 하여 막을 형성한 후, 상기 막에 소정의 패턴 마스크를 사용하여 10㎛ 패턴의 선폭이 11㎛로 구현이 되는 365nm에서의 강도가 25.0 mW/cm3인 자외선을 노광기(UX-1200SM-AKS02, USHIO社)를 이용하여 조사하면서 자외선 조사 시간을 재면서, 감도를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 8, Comparative Examples 1, 2, and Reference Example 1 were coated on a glass substrate to a thickness of 3 μm using a spin coater (Mikasa Corporation, Opticoat MS-A150). Thereafter, a film was formed by soft-baking at 85° C. for 120 seconds using a hot-plate, and a line width of 10 μm pattern was 11 μm by using a predetermined pattern mask on the film. Using an exposure machine (UX-1200SM-AKS02, USHIO) was used to irradiate ultraviolet rays with an intensity of 25.0 mW/cm 3 at 365 nm, and measure the sensitivity while measuring the ultraviolet irradiation time, and the results are shown in the table below. It is shown in 1.

(4) 잔막율 평가(4) Evaluation of residual film rate

실시예 1 내지 실시예 8, 비교예 1, 비교예 2 및 참고예 1에서 제조한 감광성 수지 조성물을 유리 기판 위에 스핀 코팅기(Mikasa社, Opticoat MS-A150)를 사용하여 각각 3 ㎛ 두께로 코팅한 후, 열판(hot-plate)을 이용하여 85℃에서 120초 동안 소프트-베이킹(soft-baking)을 하여 막을 형성한 후, 상기 막 형성 직후의 두께를 측정(Alpha-step, Surface profiler KLA tencor社)하였다. 그리고, 상기 막에 소정의 패턴 마스크를 사용하여 10㎛ 패턴의 선폭이 11㎛로 구현이 되는 365nm에서의 강도가 25.0 mW/cm3인 자외선을 노광기(UX-1200SM-AKS02, USHIO社)를 이용하여 8.0초간 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38 중량%의 수용액으로 25℃에서 60초 동안 현상한 후, 초순수로 60초간 세정한 다음 압축공기로 불어 건조하였다. 이 후, 상기 건조된 막을 오븐 속에서 85℃로 60분간 가열하여 경화시켜, 포토레지스트 막을 얻고, 바로 상기 포토레지스트 막의 두께를 측정(Alpha-step, Surface profiler KLA tencor社)하였다. 상기 소프트-베이킹을 한 직후의 막의 두께와 상기 포토레지스트 막의 두께를 비교하여, 막의 두께 감소 비율을 측정해, 잔막률을 구하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 8, Comparative Examples 1, 2, and Reference Example 1 were coated on a glass substrate to a thickness of 3 μm using a spin coater (Mikasa Corporation, Opticoat MS-A150). Then, soft-baking for 120 seconds at 85°C using a hot-plate to form a film, and then measure the thickness immediately after the film formation (Alpha-step, Surface profiler KLA tencor) ). And, by using a predetermined pattern mask on the film, an ultraviolet ray having an intensity of 25.0 mW/cm 3 at 365 nm is realized with a line width of 11 μm in a 10 μm pattern using an exposure machine (UX-1200SM-AKS02, USHIO) And irradiated for 8.0 seconds. Subsequently, it was developed with an aqueous solution of 2.38% by weight of tetramethylammonium hydroxide at 25° C. for 60 seconds, washed with ultrapure water for 60 seconds, and dried by blowing with compressed air. Thereafter, the dried film was cured by heating in an oven at 85° C. for 60 minutes to obtain a photoresist film, and the thickness of the photoresist film was immediately measured (Alpha-step, Surface Profiler KLA tencor). The thickness of the film immediately after the soft-baking was compared with the thickness of the photoresist film, the thickness reduction ratio of the film was measured, and the residual film rate was calculated, and the results are shown in Table 1 below.

(5) 내화학성 평가(5) Chemical resistance evaluation

상기 포토레지스트 막의 초기 두께를 측정한 후, MEA(monoethanolamine) 및 DMSO가 7:3의 비율로 혼합된 용액 또는 NMP 용매에 50℃, 3분 간 정치시킨 후, 초순수로 30초간 세정한 다음 압축공기로 불어 건조하였다. 이후 두께를 재측정(Alpha-step, Surface profiler KLA tencor社)하여 막의 두께 변화 비율을 통하여 내화학성을 확인하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.After measuring the initial thickness of the photoresist film, it was allowed to stand in a solution or NMP solvent in which MEA (monoethanolamine) and DMSO were mixed in a ratio of 7:3 at 50° C. for 3 minutes, washed with ultrapure water for 30 seconds, and then compressed air. And dried by blowing. After that, the thickness was re-measured (Alpha-step, Surface Profiler KLA tencor) to confirm the chemical resistance through the rate of change in the thickness of the film, and the results are shown in Table 1 below.

잔막율 (%)Film remaining rate (%) 감광 감도 (mJ/cm2)Sensitivity (mJ/cm 2 ) 경화 후 해상도 (㎛)Resolution after curing (㎛) MEA:DMSO(7:3) 내화학성 (%)MEA:DMSO(7:3) Chemical resistance (%) NMP 내화학성 (%)NMP chemical resistance (%) 연필 경도Pencil hardness 실시예 1Example 1 90.0390.03 3535 55 1.21.2 0.50.5 4H4H 실시예 2Example 2 91.7491.74 4040 44 1.41.4 0.60.6 4H4H 실시예 3Example 3 89.6889.68 3535 55 1.31.3 0.50.5 4H4H 실시예 4Example 4 90.1490.14 3535 55 1.81.8 0.70.7 4H4H 실시예 5Example 5 82.5182.51 5555 88 2.32.3 1.91.9 3H3H 실시예 6Example 6 85.9885.98 5050 77 2.02.0 1.51.5 3H3H 실시예 7Example 7 83.7983.79 6060 99 2.42.4 2.22.2 2H2H 실시예 8Example 8 86.5886.58 4545 66 1.91.9 1.21.2 4H4H 비교예 1Comparative Example 1 76.1676.16 8585 1515 3.23.2 3.23.2 2H2H 비교예 2Comparative Example 2 78.5378.53 7070 1010 3.13.1 3.03.0 3H3H 참고예 1Reference Example 1 81.1281.12 6565 99 2.72.7 2.82.8 3H3H

상기 표 1로부터, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 광중합성 화합물로 사용하는 감광성 수지 조성물은 그렇지 않은 감광성 수지 조성물보다 잔막율, 감도, 해상도, 내화학성 및 경도 모두 우수한 것을 확인할 수 있다. From Table 1, it can be seen that the photosensitive resin composition using the compound represented by Chemical Formula 1 as a photopolymerizable compound is superior to the photosensitive resin composition which does not have a film residual rate, sensitivity, resolution, chemical resistance, and hardness.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the claims, the detailed description of the invention, and the accompanying drawings. It is natural to fall within the scope of the invention.

Claims (11)

(A) 알칼리 가용성 수지;
(B) 하기 화학식 4 내지 화학식 7로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나로 표시되는 광중합성 화합물;
(C) 광중합 개시제; 및
(D) 용매
를 포함하는 감광성 수지 조성물.
[화학식 4]
Figure 112020083287688-pat00026

[화학식 5]
Figure 112020083287688-pat00027

[화학식 6]
Figure 112020083287688-pat00028

[화학식 7]
Figure 112020083287688-pat00029

(A) alkali-soluble resin;
(B) a photopolymerizable compound represented by any one selected from the group consisting of the following formulas 4 to 7;
(C) photoinitiator; And
(D) solvent
Photosensitive resin composition comprising a.
[Formula 4]
Figure 112020083287688-pat00026

[Formula 5]
Figure 112020083287688-pat00027

[Formula 6]
Figure 112020083287688-pat00028

[Formula 7]
Figure 112020083287688-pat00029

삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 노볼락 수지 또는 아크릴계 수지인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The alkali-soluble resin is a novolac resin or an acrylic resin photosensitive resin composition.
제5항에 있어서,
상기 노볼락 수지는 하기 화학식 8로 표시되는 구조단위를 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 8]
Figure 112017120938948-pat00025

상기 화학식 8에서,
R13은 하이드록시기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 할로겐, C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고,
a는 0 내지 3의 정수이다.
The method of claim 5,
The novolac resin is a photosensitive resin composition comprising a structural unit represented by Formula 8 below:
[Formula 8]
Figure 112017120938948-pat00025

In Chemical Formula 8,
R 13 is a hydroxy group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, a halogen, a C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,
a is an integer of 0 to 3.
제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지, 광중합성 화합물 및 광중합 개시제의 혼합 고형분 함량은 상기 감광성 수지 조성물 기준 20 중량% 내지 40 중량%인 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The mixed solid content of the alkali-soluble resin, the photopolymerizable compound, and the photopolymerization initiator is 20% to 40% by weight based on the photosensitive resin composition.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 감광성 수지 조성물 총량에 대해,
상기 알칼리 가용성 수지 1 중량% 내지 40 중량%;
상기 광중합성 화합물 0.5 중량% 내지 25 중량%;
상기 광중합 개시제 0.1 중량% 내지 15 중량% 및
상기 용매 잔부량
을 포함하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition is based on the total amount of the photosensitive resin composition,
1% to 40% by weight of the alkali-soluble resin;
0.5% to 25% by weight of the photopolymerizable compound;
0.1% to 15% by weight of the photopolymerization initiator, and
The residual amount of the solvent
Photosensitive resin composition comprising a.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 에폭시 화합물, 실란 커플링제, 레벨링제, 계면활성제 또는 이들의 조합을 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition further comprises an epoxy compound, a silane coupling agent, a leveling agent, a surfactant, or a combination thereof.
제1항 및 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조되는 감광성 수지막.
A photosensitive resin film produced by using the photosensitive resin composition of any one of claims 1 and 5 to 9.
제10항의 감광성 수지막을 포함하는 전자 소자.An electronic device comprising the photosensitive resin film of claim 10.
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