KR20220024074A - 다중 진공 챔버 배출 시스템 및 다중 진공 챔버 배기 방법 - Google Patents

다중 진공 챔버 배출 시스템 및 다중 진공 챔버 배기 방법 Download PDF

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KR20220024074A
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데클란 스캔른
카레나 린 섀넌
돈 스티븐슨
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에드워즈 배큠 엘엘시
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Abstract

복수의 챔버(10)를 배기하는 진공 배출 시스템 및 방법이 개시된다. 진공 배출 시스템은 클린룸 내에 있으며, 각각 대응하는 챔버(10)에 연결하도록 구성된 복수의 분기 공정 가스 채널(14)과, 분기 채널의 합류점으로 형성되고 각각의 챔버로부터의 공정 가스가 클린룸으로부터 클린룸 외부의 공정 채널로 흐를 수 있도록 공유 유체 연통 경로를 제공하도록 구성된 공유 공정 채널(16)을 포함한다. 또한 각각 대응하는 챔버(10)에 연결되도록 구성된 복수의 분기 펌프다운 채널(30)과, 분기 펌프다운 채널의 합류점으로부터 형성되고 진공 챔버(10) 중 적어도 하나의 진공 챔버의 펌프다운 동안 클린룸으로부터 클린룸 외부의 펌프다운 채널로 유체가 흐르기 위한 유체 연통 경로를 제공하도록 구성된 공유 펌프다운 채널(32)이 있다.

Description

다중 진공 챔버 배출 시스템 및 다중 진공 챔버 배기 방법
본 발명은 진공 배출 매니폴드와, 반도체 제조에 사용되는 공정 챔버(process chamber)와 같은 다중 챔버로부터 가스를 배기하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다.
반도체 제조 공장에는 오염 가능성을 줄이기 위해 클린룸에 다중 진공 챔버가 있다. 각 챔버 내에서는 낮은 안정적인 압력을 유지해야 한다. 이것은 일반적으로 부스터를 갖는 진공 챔버에 부착된 터보분자 펌프와, 터보 분자 펌프의 배출부에 부착된 배압 펌프(backing pump)를 포함하는 진공 배출 시스템에 의해 수행된다. 배압 펌프와 부스터 펌프는 클린룸 내부의 오염과 진동을 줄이기 위해 서브팹(subfab) 내에서 클린룸 외측에 위치할 수 있다.
각 챔버 내의 반도체 공정은 시간이 지남에 따라 가스의 유형 및 양이 변하면서 배기되는 비동기식, 주기적 및 간헐적 공정이다. 공정 가스(process gas)와의 반응에 의해 생성된 가스(반응 생성물 가스) 및 공정 가스의 잔류물은 진공 배출 시스템에 의해 챔버 외부로 배출되며, 여기서 이들은 저감 시스템으로 공급될 수 있다.
따라서 이러한 챔버의 배출 시스템은 상이한 변하는 양의 가스를 배기하고 안정적인 고진공을 생성 및 유지할 수 있어야 한다. 오늘날 생산 중인 에칭 시스템의 일반적인 설정(set-up)은 각 공정 챔버용 전용 배압 펌프이다.
각각의 챔버 내에 안정적인 고진공을 여전히 제공하면서도 다중 펌프와 관련된 총경비(overhead)를 줄이기 위해 다중 반도체 처리 챔버에 걸쳐 펌프를 공유하는 것이 바람직할 것이다.
제1 양태는 클린룸 내에 위치된 복수의 챔버를 배기하기 위한 진공 배출 시스템을 제공하며, 상기 진공 배출 시스템은: 대응하는 챔버에 각각 연결되도록 구성된 복수의 분기 공정 가스 채널과; 상기 분기 채널의 합류점으로부터 형성되고, 처리 중 각각의 상기 챔버로부터의 공정 가스가 상기 클린룸으로부터 상기 클린룸 외부의 공정 채널로 흐르기 위한 공유 유체 연통 경로를 제공하도록 구성된 공유 공정 채널과; 대응하는 챔버에 각각 연결되도록 구성된 복수의 분기 펌프다운 채널과; 상기 분기 펌프다운 채널의 합류점으로부터 형성되고, 상기 진공 챔버 중 적어도 하나의 진공 챔버의 펌프다운 동안 유체가 상기 클린룸으로부터 상기 클린룸 외부의 펌프다운 채널로 유동하기 위한 유체 연통 경로를 제공하도록 구성된 공유 펌프다운 채널을 포함한다.
웨이퍼 에칭과 같은 반도체 처리 분야에서는 각 챔버에서 처리되는 웨이퍼가 실질적으로 동일하도록 진공 시스템의 진공 챔버들을 매칭(match)시키는 것이 바람직하다. 이를 달성하기 위해 각 챔버는 공정 내의 동일 스테이지에서 실질적으로 동일한 진공 환경을 제공해야 한다. 이 요구 사항은 일반적으로 유사한 펌프에 공급하는 동일한 배관 배열을 각 챔버에 제공함으로써 해결된다. 본 발명의 발명자들은 이러한 매칭이 "자동으로" 수행될 수 있는 한 가지 방식이 툴(tool)/클린룸 내에 공유 펌프(들) 및 공유 배관/채널들을 사용하는 것임을 인식했다. 그러한 배열은 진공 배관과 펌프의 자동 매칭을 제공할 것이고 배관과 펌프에 상당한 절약이 있을 것이다. 시스템 내에서 펌프를 공유하는 것과 관련된 장점이 있지만, 이와 관련된 잠재적인 단점도 있다. 특히 진공 챔버와 원격 펌프를 연결하는 공유 배관은 챔버들 사이에 경로를 제공할 것이므로, 하나의 챔버 내의 압력 급등(pressure spike)이 공유 파이프로 전달되어 다른 챔버 내의 압력에 영향을 미칠 수 있다. 반도체 처리 시스템에서, 상이한 진공 챔버는 일반적으로 상이한 시간에 상이한 처리 단계를 수행하며, 따라서 상이한 시간에 상이한 챔버 내의 압력은 다양할 것이다. 또한, 주기적으로 벤트되므로 작동의 고진공으로 다시 펌프다운하는 것이 필요하다. 따라서 하나의 챔버가 아마도 벤트 및 후속 펌프다운으로 인해 압력 급등 이 발생하면 공유 파이프의 진공 및 다른 챔버에서 감지되는 진공에 영향을 줄 것이다.
본 발명의 발명자들은 펌프를 공유하는 것의 장점을 인식하였고, 펌프다운 동안 펌핑을 위해 그리고 처리 동안 펌핑을 위해 별도의 펌핑 채널을 제공함으로써 단점이 완화될 수 있음을 깨달았다. 따라서 한 챔버의 펌프다운으로부터의 압력 급등은 공정 가스 공유 채널과 분리되므로 다른 챔버의 압력에 영향을 주지 않는다. 추가 펌프다운 채널을 제공하는 것은, 배기된 가스가 상대적으로 높은 압력에 있을 때 펌프다운 채널이 상대적으로 작은 단면을 가질 수 있는 경우 예상되는 바와 같은 하드웨어나 공간에서의 경비만큼 크지 않다. 또한 이러한 채널은 공정 가스를 전달하지 않기 때문에 가열할 필요가 없다. 펌프다운 채널 및 공정 가스 채널은 모두 공유 채널이며, 하나의 채널은 공정 가스를 위해 클린룸을 빠져나가고 하나의 채널은 펌프다운 동안 배기되는 가스를 위한 것이다. 공정 채널에 의해 전달되는 공정 가스는 챔버에 공급되는 공정 가스와 챔버 내 반응의 가스 생성물을 포함한다는 점에 유의해야 한다.
일부 실시예에서, 상기 진공 배출 시스템은 상기 복수의 챔버를 배기하기 위한 복수의 진공 펌프를 더 포함하고, 상기 복수의 진공 펌프는 상기 대응하는 복수의 진공 챔버에 연결되도록 구성되고, 상기 복수의 분기 공정 가스 채널은 상기 복수의 진공 펌프의 대응하는 배출부에 연결된다.
일부 실시예에서, 상기 진공 펌프는 배기되는 가스의 분자 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 고진공 진공 펌프를 포함한다.
진공 챔버는 터보분자 펌프와 같은 고진공 진공 펌프가 부착되어 있을 수 있으며, 여기서 챔버는 예를 들면 에칭 공정 동안 고진공을 필요로 한다. 펌프가 터보 분자 펌프인 경우 터보 분자 펌프의 배출부에서의 압력 변화가 그 펌핑 속도에 영향을 미치고 그에 따라 (펌프가 생성하는) 진공에 영향을 미치므로, 공유 공정 가스 채널에서 안정된 압력을 유지하는 것이 특히 중요하다.
일부 실시예에서, 상기 진공 배출 시스템은 상기 가스의 점성 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 공정 저진공 진공 펌프―상기 공정 저진공 진공 펌프는 상기 클린룸 외부에 위치한 상기 공정 채널에 연결됨―와; 상기 가스의 점성 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 펌프다운 진공 펌프―상기 펌프다운 진공 펌프는 상기 클린룸 외부에 위치한 상기 펌프다운 가스 채널에 연결됨―를 포함한다.
공유 공정 가스 채널과 공유 펌프다운 가스 채널을 사용하면 단일 공정 진공 펌프와 단일 펌프다운 진공 펌프를 클린룸 외부에 배치할 수 있다. 이들 펌프는 고진공 진공 펌프용 배압 펌프일 수도 있고, 또는 챔버가 예를 들어 침착(depostion)에 사용되는 경우 챔버를 배기하는 데 사용되는 펌프일 수도 있다. 어쨌든, 그들은 종종 건식 펌프이며 이러한 펌프의 진동으로부터 챔버를 격리하기 위해 서브팹의 클린룸 외부에 위치한다. 서브팹 내의 공간이 제한되어 공정 가스를 펌핑하기 위한 다중 진공 챔버용 단일 진공 펌프와 펌프다운용 단일 펌프를 제공할 수 있으므로, 서브팹에서 펌프가 차지하는 공간의 양이 크게 줄어들어 매우 유리할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 복수의 분기 공정 가스 채널은 각각의 분기 채널의 유효 컨덕턴스가 실질적으로 동일하도록 구성되고, 유효 컨덕턴스는 상기 분기 채널 각각 사이에서 20% 미만, 바람직하게는 10% 미만으로 변한다.
앞서 언급한 바와 같이 챔버들이 매칭되고, 따라서 각 챔버에 대한 진공 시스템이 실질적으로 동일하면 유리하다. 그들이 공유 펌프를 사용하는 경우 펌프는 각 챔버에 대해 동일할 것이며, 효과적인 챔버 매칭을 제공하기 위해, 배관도 동일하거나 오히려 (비공유 채널인) 분기 채널의 유효 컨덕턴스가 실질적으로 동일하거나 적어도 20% 미만으로 변하면 유리하다. 즉, 가장 높은 유효 컨덕턴스를 갖는 분기 채널은 가장 낮은 유효 컨덕턴스를 갖는 분기 채널보다 20% 미만으로 더 큰 유효 컨덕턴스를 갖는다.
일부 실시예에서, 상기 진공 배출 시스템은 제어 모듈을 더 포함하고, 상기 제어 모듈은 상기 공유 공정 채널의 압력을 제어하기 위한 제어 신호를 발생하도록 구성된 압력 제어 회로를 포함한다.
이전에 언급한 바와 같이 공유 공정 채널의 임의의 압력 변동을 줄이는 것이 바람직하다. 별도의 펌프다운 채널과 펌프다운 펌프를 사용하면 변동을 줄이는 데 도움이 되지만, 제어 신호를 생성하여 공유 공정 채널의 압력을 제어하는 압력 제어 시스템을 사용하면 변동을 더욱 줄일 수 있다. 이러한 제어는 제어 회로가 수신된 측정치로부터 결정하거나 다른 수신된 신호로부터 예측하는 압력의 변동을 줄이기 위해 수행될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 진공 배출 시스템은 상기 공유 공정 채널 내의 압력을 모니터링하기 위한 압력 센서를 더 포함하고, 상기 압력 제어 회로는 상기 압력 센서로부터 신호를 수신하고, 상기 모니터링된 압력의 변동을 감소시키기 위해 상기 수신된 신호 중 적어도 하나에 응답하여 상기 제어 신호 중 적어도 하나를 생성하도록 구성된다.
압력이 제어될 수 있는 한 가지 방식은 공유 라인과 연관된 압력 센서를 갖는 것이고, 측정치가 압력 변화를 나타낸 것에 응답하여 변화를 방지하기 위한 제어 신호가 발생될 수 있다.
대안적으로 및/또는 부가적으로 일부 실시예에서, 상기 압력 제어 회로는 상기 챔버 중 적어도 하나 내의 활동(activity)을 나타내는 신호를 수신하도록 구성되고, 상기 압력 제어 회로는 상기 활동을 나타내는 상기 수신된 신호 중 적어도 하나에 응답하여 상기 제어 신호 중 적어도 하나를 발생하도록 구성된다.
압력 제어 회로는 챔버 내의 활동을 나타내는 신호를 수신할 수 있다. 신호는 챔버 내의 센서에서 올 수도 있고 또는 챔버 내에서 처리를 제어하는 제어 회로에서 올 수도 있다. 챔버 내의 활동을 나타내는 신호를 수신하면, 챔버 내의 활동으로 인해 발생할 압력의 변화를 해결하기 위해 제어 회로가 공유 채널의 압력을 변경할 수 있는 압력 제어 신호를 발생할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 압력 제어 회로는 상기 챔버 중 적어도 하나 내에서 미래 활동을 나타내는 신호를 수신하도록 구성되고, 상기 압력 제어 회로는 상기 미래 활동을 나타내는 상기 수신된 신호에 응답하여 상기 제어 신호 중 적어도 하나를 발생하도록 구성된다.
신호는 챔버의 현재 활동을 나타낼 뿐만 아니라 미래 활동을 나타낼 수도 있다. 미래 활동은 탐지된 이전 및/또는 현재 활동으로부터 예측된 활동이거나 반도체 제어 회로로부터의 미래 활동의 표시일 수 있다. 신호가 미래 활동을 나타내는 경우 제어 신호는 사전 예방적일 수 있고 압력 변화가 감지되기 전에 공유 채널의 압력을 변경하라는 신호를 생성할 수 있어 압력 변동을 더욱 감소시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 압력 제어 회로에 의해 생성된 상기 제어 신호 중 적어도 하나는 상기 고진공 진공 펌프 또는 상기 공정 저진공 진공 펌프 중 적어도 한 펌프의 펌핑 속도를 제어하기 위한 제어 신호이다.
시스템의 압력, 특히 공유 펌핑 채널의 압력을 제어할 수 있는 한 가지 방식은 시스템 내의 하나 이상의 펌프의 펌핑 속도를 제어하는 것에 의한 것이다.
일부 실시예에서, 상기 진공 배출 시스템은 상기 공유 공정 채널에 퍼지 가스의 제어된 흐름을 제공하기 위한 퍼지 가스 유입구를 더 포함하고; 상기 압력 제어 회로에 의해 생성된 상기 제어 신호들 중 적어도 하나는 상기 퍼지 가스의 흐름을 제어하기 위한 제어 신호이다.
대안적으로 및/또는 추가적으로 상기 시스템은 공유 공정 채널에 공급되는 퍼지 가스의 양, 따라서 공유 공정 가스 채널의 압력을 제어하기 위한 제어 가능한 퍼지 가스 공급부를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 공정 채널 중 적어도 하나는 적어도 하나의 가변 제한기(variable restrictor)를 포함한다.
대안적으로 및/또는 추가적으로 일부 실시예에서 압력은 하나 이상의 공정 채널에서 가변 제한기를 사용하여 제어될 수 있으며, 상기 압력 제어 회로에 의해 생성된 상기 제어 신호 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 가변 제한기를 제어하기 위한 제어 신호이다.
일부 실시예에서, 상기 진공 배출 시스템은 복수의 밸브를 포함하고, 상기 복수의 밸브는 상기 복수의 챔버를 상기 대응하는 복수의 분기 공정 채널에 연결 또는 격리하기 위한 복수의 공정 밸브와; 상기 복수의 챔버를 상기 대응하는 복수의 분기 펌프다운 채널에 연결 또는 격리하기 위한 복수의 펌프다운 밸브를 포함한다.
진공 배출 시스템은 공정 라인 또는 펌프다운 라인이 각각의 진공 챔버에 연결되도록 하는 밸브를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 제어 모듈에 의해 생성된 상기 제어 신호 중 적어도 하나는 상기 복수의 밸브 중 적어도 하나를 제어하기 위한 제어 신호이다.
제어 모듈은 또한 펌프다운 채널과 공정 가스 채널을 상이한 챔버에 상호 연결하는 밸브를 제어할 수 있다. 공유 공정 채널의 압력을 제어하고 펌프다운 동안 밸브를 제어하는 중앙 제어 모듈이 있으면 다양한 연결에서 발생할 수 있는 압력 변동을 예측하고 완화할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 제어 모듈은 상기 펌프와 관련된 센서로부터 수신된 신호를 모니터링하기 위한 펌프 모니터링 회로를 더 포함하고, 상기 센서로부터 수신된 상기 신호는 상기 펌프를 구동하기 위해 모터에 공급되는 전류의 표시, 및 상기 펌프에 의해 생성된 진동을 나타내는 진동 센서로부터의 신호 중 적어도 하나를 포함한다.
제어 모듈은 또한 펌프와 관련된 센서로부터 신호를 수신하여 펌프의 작동을 모니터링하고 제어할 수 있다. 펌프로부터 수신된 신호는 펌프의 건강상태를 나타낼 수 있으며 펌프를 서비스해야 하는 시기를 결정하는 데 사용될 수 있다. 그런 다음 제어 모듈은 밸브와 임의의 백업 펌프의 작동을 제어하여, 시스템으로부터의 서비스가 필요한 펌프를 격리하고, 일부 경우에 그것을 백업 펌프로 교체할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 시스템은 상기 가스의 점성 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 공정 진공 펌프를 더 포함하고, 상기 공정 진공 펌프는 상기 클린룸 외부의 상기 공정 채널에 연결되고, 상기 시스템은 상기 공정 진공 펌프로부터 가스의 흐름을 수용하도록 구성된 저감 모듈을 더 포함하며, 상기 제어 모듈은 상기 저감 모듈에 공급할 저감 가스의 양을 나타내는 신호를 상기 저감 모듈에 전송하도록 구성된다.
공정 챔버로부터의 신호 및/또는 공유 공정 라인 내의 압력 및 현재 공급되고 있는 퍼지 가스를 나타내는 신호를 수신하는 중앙 제어 모듈을 마련하면, 현재 진공 시스템에서 배출되고 있고 저감되어야 하는 반응 생성물 가스 및 공정 가스의 양을 제어 모듈이 인식할 수 있다. 이러한 정보는 제어 모듈이 저감 시스템에 필요한 양의 가스를 공급하도록 저감 시스템을 제어하여, 현재 작동 조건에 맞게 조정하도록 하는 데 사용할 수 있다.
제2 양태는 제1 양태의 진공 배출 시스템에 연결된 복수의 챔버를 포함하는 진공 시스템을 제공한다.
제3 양태는 클린룸 내의 복수의 진공 챔버를 배기하는 방법을 제공하며, 상기 방법은: 복수의 공정 가스 분기 채널이 상기 복수의 진공 챔버를 클린룸 내의 공유 공정 가스 채널에 연결하도록 공정 가스 배출 매니폴드를 복수의 진공 챔버에 연결하는 것과; 복수의 펌프다운 분기 채널이 상기 복수의 진공 챔버를 클린룸 내의 공유 펌프다운 채널에 연결하도록 펌프다운 가스 배출 매니폴드를 복수의 진공 챔버에 연결하는 것과; 상기 클린룸 외부에 위치하고 상기 공유 공정 가스 채널에 연결된 진공 펌프를 사용하여 상기 공정 가스 채널을 통해 상기 복수의 진공 챔버를 배기하는 것과; 상기 공유 공정 채널의 압력을 모니터링하는 것과; 상기 모니터링된 압력의 변동을 감소시키기 위해 상기 공유 공정 채널의 압력을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하는 것을 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 방법은 상기 진공 챔버 중 적어도 하나 내의 활동을 나타내는 신호를 수신하는 것과; 상기 활동으로 인해 발생하는 상기 모니터링된 압력의 변동을 감소시키기 위해 상기 수신된 신호 중 적어도 하나에 응답하여 상기 공유 공정 채널의 압력을 제어하기 위한 적어도 하나의 제어 신호를 생성하는 것을 더 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 방법은: 상기 챔버 중 적어도 하나 내에서 미래 활동을 나타내는 신호를 수신하는 것과; 상기 미래 활동으로 인해 발생할 것으로 예측되는 상기 모니터링된 압력의 변동을 감소시키기 위해 상기 수신된 신호 중 적어도 하나에 응답하여 상기 공유 공정 채널의 압력을 제어하기 위한 적어도 하나의 제어 신호를 생성하는 것을 더 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 제어 신호는 상기 공유 공정 라인으로의 퍼지 가스의 흐름을 제어하기 위한 신호를 포함하고; 상기 방법은 상기 제어 신호에 응답하여 상기 퍼지 가스의 흐름을 제어하는 것을 포함한다.
추가의 바람직한 특정 양태는 첨부된 독립 청구항 및 종속 청구항에 설명되어 있다. 종속 청구항의 특징은 독립 청구항의 특징과 적절하게 조합될 수 있으며, 청구항에 명시적으로 설명된 것과 다른 조합으로 조합될 수 있다.
장치 특징부가 기능을 제공하도록 동작가능한 것으로 설명되는 경우, 이것은 그 기능을 제공하는 또는 그 기능을 제공하도록 적응되거나 구성된 장치 특징부를 포함한다는 것을 이해할 것이다.
이제 본 발명의 실시예가 첨부 도면을 참조하여 추가로 설명될 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 진공 시스템을 도시한다.
도 2는 추가 실시예에 따른 진공 시스템 및 저감 시스템을 도시한다.
도 3은 다중 진공 챔버를 배기하기 위한 방법의 단계를 설명하는 흐름도를 도시한다.
실시예를 더 상세히 논의하기 전에, 먼저 개요가 제공될 것이다.
실시예는 공통 포어라인 매니폴드의 압력 제어 관리에 의해 안정적인 진공 환경을 유지하면서 다중 챔버의 공유 펌핑을 제공하고 이를 에칭 시스템 내에 적용한다. 실시예는 또한 챔버 펌프를 포함하는 전체 진공 시스템을 하나의 공통 제어 시스템으로 통합한다. 이는 OEM(Original Equipment Manufacturer) 관점에서 구동될 수 있으며 최종 사용자 중심 접근 방식에 비해 몇 가지 성능 이점이 있을 수 있다.
실시예는:
· 공정 진공 매니폴드를 통해 에칭 시스템으로부터 단일 공정 진공 출구 지점까지 연결하는 다중 챔버 시스템 내의 대칭 또는 근대칭(near symmetrical) 공정 진공 라인 디자인;
· 해당 에칭 시스템 진공 출구에 연결하여 전체 시스템에 진공을 제공하는 단일 배압 펌프(비상 백업 포함);
· 챔버 TMP, 배압 펌프 및 공정 진공 매니폴드의 압력 관리 시스템을 모니터링하고 제어하는 진공 제어 모듈
을 포함할 수도 있는 다중 챔버 에칭 시스템을 위한 진공 레이아웃의 디자인을 제공한다.
실시예는 웨이퍼 에칭 또는 웨이퍼 침착과 같은 반도체 처리에 사용되는 다중 진공 챔버를 위한 진공 배출 시스템을 제공한다. 이러한 처리 시스템 내에서 진공 챔버는 각각의 챔버에서 균일한 웨이퍼가 생성되도록 각각의 웨이퍼에 대해 동일한 조건을 나타내는 것이 바람직한다. 이러한 시스템은 또한 공간 제약이 있으며, 배압 또는 건식 펌프가 일반적으로 위치하는 클린룸 아래의 서브팹에서 더욱 특히 그러하다. 이러한 펌프에 사용할 수 있는 공간은 제한되어 있다. 또한, 다중 펌프는 비용이 많이 들고 균일한 펌핑을 제공하기 어려울 수 있다. 실시예는 클린룸에서 서브팹으로 나가는 단일 공정 가스 라인을 갖는 챔버들 사이에 공유 펌프를 제공한다.
실시예는 클린룸을 빠져나가는 단일 펌프다운 라인이 제공된 단일 펌프다운 펌프를 제공하여, 예를 들어 서비스 동안 챔버가 대기로부터 펌프다운될 때 공정 가스 펌프와 상이한 펌프가 사용되고, 펌프다운 동안 공정 가스 파이프와 펌프를 사용하면 발생할 수 있는 압력의 급등이 회피되거나 적어도 감소될 수 있다. 일부 경우에, 한 번에 하나의 공정 가스 펌프만 작동하지만 서브팹 내에 두 개의 공정 가스 펌프가 있을 수 있는데, 하나는 다른 펌프가 예를 들어 서비스되고 있을 때 펌핑 작동을 제공하기 위한 백업 펌프이다.
시스템에 사용되는 진공 펌프만이 서브팹에 있는 펌프일 수 있지만[이것은 처리 스테이지가 고진공을 필요로 하지 않는 침착(deposition) 또는 일부 다른 처리 단계인 경우임], 일부 실시예에서, 각 챔버에 부착된 터보 펌프와 같은 고진공 펌프가 있으며, 이들 펌프의 배출부는 분기 공정 가스 파이프를 통해 공정 가스 라인에 연결되며, 그 다음 각각은 공유 공정 가스 라인에 연결되고, 이는 클린룸을 나와서 공정 가스를 서브팹 내의 펌프로 가게 한다. 실시예에서, 공정 가스 라인 또는 채널은 대칭적으로 설계되므로 각 챔버가 동일한 유효 컨덕턴스 또는 적어도 매우 유사한 유효 컨덕턴스(effective conductance)를 보일 수 있다. 이와 관련하여, 각 챔버로부터의 파이프에 의해 제공되는 유효 컨덕턴스가 서로의 20% 이내, 바람직하게는 10% 이내이도록 설계되었다. 즉, 임의의 챔버에서 보여지는 최대 컨덕턴스는 임의의 다른 챔버에서 보여지는 최소 컨덕턴스보다 최대 20% 더 높고 바람직하게는 그 값의 10% 이내이다.
실시예는 또한 공유 공정 가스 라인 내의 압력 제어를 위해 구성된 중앙 제어 모듈을 제공하여, 이 라인의 압력 변동이 감소되도록 하고, 그에 따라 각각의 챔버 내에 보다 균일한 조건을 제공한다. 이와 관련하여, 실시예는 압력 센서, 및 퍼지 가스를 공유 공정 가스 라인에 공급하기 위한 제어 가능한 퍼지 가스 공급부를 포함할 수 있는 압력 제어 회로를 제공한다. 퍼지 가스의 공급은 챔버로부터의 가스 흐름의 하락을 보상하기 위해 증가되고 챔버로부터의 가스 흐름의 증가를 보상하기 위해 감소된다. 이와 관련하여, 압력 제어 시스템은, 공유 파이프 내의 압력 변화를 감지하고 이러한 감지된 변화에 응답하여 퍼지 가스 흐름을 변경함으로써, 이러한 변화에 반응적으로 작용할 수 있다. 대안적으로 및/또는 추가적으로 제어 회로는 사전 예방적일 수 있고 공유 파이프 내의 압력 변화를 예측하고 그러한 변화가 감지되기 전에 퍼지 가스 흐름을 조정할 수 있다. 이와 관련하여, 중앙 제어 모듈은 챔버를 제어하는 시스템으로부터 신호를 수신할 수 있으며, 이러한 경우 신호는 챔버에서 처리의 변화가 발생해야 할 때를 나타낼 수 있거나, 또는 회로가 현재 활동(current activity)을 나타내는 신호로부터 다음에 어떤 활동이 발생할 지를 예측하고 이에 응답하여 챔버에서 출력되는 가스 흐름의 변화를 보상하기 위해 적절한 제어 신호가 생성될 수 있다. 이러한 방식으로 중앙 제어 시스템을 가짐으로써 공유 공정 가스 채널의 압력 변동의 감소가 달성될 수 있다.
일부 경우에 중앙 제어 시스템은, 예를 들어 펌프에 공급되는 전류 및/또는 펌프에 의해 생성된 진동을 모니터링하는 것에 의해 펌프의 건강상태를 모니터링하는 데 사용될 수도 있다. 이러한 신호로부터 제어 회로는 이러한 펌프에 서비스가 필요한 시기를 결정할 수 있다. 중앙 제어 모듈은 또한 서브팹 내의 펌프 하류의 저감 시스템을 제어하는 데 사용할 수 있다. 이와 관련하여 필요한 저감 가스의 양은 다중 챔버에서 출력되는 공정 및 반응 생성물 가스의 양에 따라 달라진다. 제어 모듈이 챔버 제어 시스템으로부터의 신호에 액세스하는 경우, 수행중인 처리 단계의 적어도 일부의 가시성을 가질 수 있을 것이고, 출력되는 공정 가스의 양에 따라 현재 필요한 저감 가스의 양을 제어하는 신호를 저감 시스템에 제공할 수 있을 것이다. 이것은 저감 공정에 사용되는 저감 가스의 양을 줄이는 데 상당한 영향을 미칠 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 진공 시스템을 도시한다. 이 실시예에서, 진공 시스템은 10개의 챔버(10)를 가지며, 이 챔버의 각각은 챔버에 연결된 자체 터보분자 펌프(12)를 갖는다. 도시되지 않은 포핏 밸브 형태의 챔버 밸브가 있으며, 이는 챔버로부터 터보분자 펌프(12)를 격리하거나 연결할 수 있다. 각 터보 분자 펌프의 배출부에서 공유 파이프(16)로 이어지는 분기 파이프 또는 채널(14)이 있고, 공유 파이프는 모든 챔버에서 공정 가스를 취하고 클린룸 바닥(45)의 배출구를 통해 클린룸을 빠져나가 서브팹의 배압 펌프(20)로 공정 가스를 안내한다. 이 실시예에는 백업 배압 펌프(22)도 있다.
공정 가스 분기 라인(14) 및 공유 라인(16)에 더하여, 챔버가 벤트되었을 때 챔버의 펌프다운 동안 사용하기 위한 각각의 챔버로부터의 펌프다운 채널도 존재한다. 이들은 분기 펌프다운 라인(30) 및 공유 펌프다운 라인(32)으로 도시된다. 공정 가스 라인의 경우 이들은 단일 지점을 통해 클린룸을 빠져나가 서브팹 내의 펌프다운 건식 펌프(40)에 연결된다. 펌프다운 펌프(40)가 대기로 벤트된 챔버를 펌프다운하는 데 사용되기 때문에, 이들 파이프(30, 32)는 더 높은 진공에서 작동하는 공정 가스 파이프(14, 16)보다 훨씬 더 작을 수 있다. 또한, 이들은 공정 가스를 전달하지 않으며, 그렇기 때문에 공정 가스 채널이 물질의 침착을 피하기 위해 필요할 수 있는 가열이 필요하지 않다. 따라서 펌프다운을 위한 별도의 배출 시스템을 제공하는 것이 약간의 경비가 든다 하더라도, 그러한 경비가 별도의 공정 가스 배출 시스템만큼 크지 않으며, 펌프다운 중에 발생하는 많은 압력 급등을 공유 공정 채널(16)로부터 격리하는 이점을 갖는다.
상이한 챔버로부터의 배기를 제어하기 위해 펌프다운 라인(30, 32)과 공정 가스 라인(14, 16) 모두에 밸브가 제공된다. 각 터보분자 펌프의 배출부의 하류에는 터보분자 펌프(12)와 챔버 모두를 공정 가스 진공 라인(14)으로부터 격리할 수 있는 밸브(18)가 있다. 이것은 챔버와 터보 분자 펌프를 서비스해야 할 때 사용할 수 있다. 또한 펌프 챔버가 펌프다운되고 있지 않을 때 펌프다운 라인으로부터 챔버를 격리시키는 밸브(38)가 펌프다운 라인의 각 분기 채널(30) 내의 펌프다운 라인 상에 있다. 일부 실시예에서 펌프다운 분기 채널(30)과 공정 가스 분기 채널(14) 사이에 라인이 있으며, 이 연결 채널은 자체 밸브(37)를 가질 것이다. 이 밸브를 사용하면 챔버와 터보 분자 펌프가 함께 펌프다운될 수 있으며, 여기에서 터보 분자 펌프는 서비스가 필요할 때 벤트되었다. 이와 관련하여 챔버와 터보 분자 펌프 사이에는 챔버 밸브도 있으며, 이 챔버 밸브는 챔버가 벤트되어야 할 때 사용된다. 챔버의 벤트는 터보 분자 펌프의 벤트보다 더 흔하게 발생한다.
이 실시예에는 진공 시스템의 중앙 제어를 제공하는 데 사용되는 진공 제어 모듈(50)이 있다. 진공 제어 모듈(50)은 공유 공정 가스 라인(16) 내에 균일한 압력을 유지하고 임의의 압력 변동을 줄이기 위한 압력 제어를 제공한다.
압력 제어를 제공하기 위해 제어 모듈(50)은 공유 채널(16) 내로 퍼지 가스의 제어 가능한 흐름을 제공하는 퍼지 가스 공급부(54)를 제어할 수 있다. 제어 모듈(50)은 또한 시스템 내의 상이한 펌프 및 밸브를 제어하도록 구성될 수 있다. 일부 경우에는 파이프의 컨덕턴스를 제어하기 위해 파이프의 적어도 일부 내에 제어 가능한 제한(restrictions)이 있을 수 있으며, 이것들은 또한 중앙 제어 모듈(50)에 의해 제어될 수 있다.
일부 실시예에서, 제어 모듈(50)은 챔버 내에서 활동의 가시성(visibility of activity)을 갖도록 챔버로부터 신호를 수신한다. 이러한 신호는 챔버와 관련된 센서로부터나 또는 챔버 내의 처리를 제어하기 위한 제어 회로로부터 올 수 있다. 일부 실시예에서 중앙 제어 모듈(50)은 진공 배출 시스템을 제어하기 위한 제어 회로 뿐만 아니라 챔버 내의 공정을 제어하기 위한 제어 회로도 포함할 수 있다. 중앙 제어 모듈(50)은 또한 서브팹 내의 건식 펌프(20, 40)를 제어하도록 구성될 수 있다.
일부 실시예에서, 진공 제어 모듈(50)은 압력 센서(52)를 사용하여 공유 채널 내의 압력을 모니터링함으로써 공유 채널(16) 내의 압력 제어를 제공한다. 모니터링된 압력의 검출된 변화에 응답하여, 제어 모듈(50)은 검출된 임의의 압력 변화를 보상하기 위해 공유 채널에 공급되는 퍼지 가스의 양을 변화시키도록 퍼지 가스 공급부(54)에 제어 신호를 전송한다. 대안적으로 및/또는 추가적으로 진공 제어 모듈(50)은 보다 사전 예방적인 예측 역할을 할 수 있고, 챔버로부터 수신된 신호로부터 상이한 공정이 수행되는 것을 결정할 수 있고, 이들로부터 가스 흐름의 변화를 예측하고, 이러한 예측된 변화보다 미리 또는 변화와 동시에 퍼지 가스 공급부(54)를 제어할 수 있다. 제어 모듈(50)은 또한 이러한 수신된 신호에 응답하여 밸브 및 펌프 자체를 제어할 수 있으므로, 수행 중인 공정 단계에 따라 펌핑 속도가 변할 수 있고 챔버가 서비스 또는 벤트를 필요로 할 때 밸브는 개방 또는 폐쇄될 수 있다.
일부 실시예에서, 진공 제어 모듈(50)은 또한 터보분자 펌프(12)를 구동하는 데 사용되는 전류 또는 서브 팹에서 펌프에 의해 발생된 진동과 같은 펌프의 건강상태의 표시를 제공하는 신호를 펌프와 관련된 센서로부터 수신할 수 있다. 예를 들어, 터보분자 펌프를 구동하는 데 필요한 전류에서 상당한 변화가 있는 경우 이것은 펌프에 서비스가 필요하다는 것을 나타낸다. 마찬가지로, 건식 펌프(40, 20)와 관련된 진동 센서는 이들이 서비스가 필요함을 나타낼 수 있다. 백업 펌프(22)를 갖는 건식 펌프(20)인 경우, 펌프(20)가 도시되지 않은 밸브를 사용하여 시스템으로부터 분리되고 백업 펌프가 시스템용 펌프로 사용될 수 있다.
도 2는 도 1의 실시예와 유사하지만 진공 시스템으로부터 출력되는 공정 및 반응 생성물 가스를 저감하기 위해 공정 펌프에 부착된 저감 시스템(60, 62)을 추가로 갖는 대안적 실시예를 도시한다. 이 저감 시스템(60)은 또한 진공 제어 모듈(50)에 의해 제어될 수 있고, 저감 시스템으로 보내지는 저감 가스의 양은 진공 시스템으로부터 현재 출력되고 있는 가스의 양 및 유형에 따라 변할 수 있다. 이것은 챔버로부터 현재 및/또는 미래 활동을 나타내는 신호를 수신하는 중앙 제어 모듈에 의해 결정될 수 있다. 이러한 방식으로 보다 효율적이고 환경 친화적인 저감 시스템이 제공된다. 저감 시스템(60)은 시스템(60)이 예를 들어 서비스되는 동안 사용하기 위한 백업 저감 시스템(62)을 가질 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 다중 진공 챔버를 비우기 위한 방법에서 단계 S10 내지 S110을 예시하는 흐름도를 도시한다. 단계 S10에서 공유 채널로 이어지는 복수의 분기 채널을 포함하는 공정 가스 배출 매니폴드가 대응하는 복수의 진공 챔버에 연결된다. 또한 단계 S20에서 공유 채널로 이어지는 복수의 분기 채널을 포함하는 펌프다운 배출 매니폴드가 대응하는 복수의 진공 챔버에 연결된다. 그 다음, 단계 S30에서 챔버 중 적어도 일부는 공정 가스 채널을 통해 배기되고, 펌핑된 가스는 공유 공정 가스 채널을 통해 클린룸을 빠져나가고 서브팹에 위치한 점성 흐름 영역에서 작동하는 공유 펌프를 통과한다. 일부 실시예에서 각각의 챔버는 공정 분기 채널과 진공 챔버 사이에 터보분자 펌프를 갖는다.
공유 공정 가스 라인 내에서 실질적으로 일정한 압력을 유지하기 위해 단계 S40에서 제어된 양의 퍼지 가스가 공유 공정 가스 라인에 공급된다. 단계 S50에서 공유 공정 라인 내의 압력이 압력 센서를 사용하여 모니터링되고, 단계 S60에서 변화가 감지되는 경우, 감지된 변화에 대응하기 위해, 단계 S70에서 공급되는 퍼지 가스의 양이 변경된다. 변화가 감지되지 않은 경우 또는 단계 S70 이후에, 하나 이상의 챔버 내에서 활동의 변화를 나타내는 신호가 수신되었는지 여부가 결정되는 단계 S80이 수행된다. 이러한 활동의 변화는 챔버에서 배출되는 가스의 양 및/또는 유형이 변경됨을 의미할 수 있으며, 따라서 이것이 단계 S90의 경우라고 판단되는 경우, 챔버로부터의 가스 흐름의 변화에 대응하고 공유 공정 가스 라인 내의 압력을 실질적으로 안정적으로 만들기 위해. 단계 S100에서 퍼지 가스량을 변경하도록 제어 신호가 발생된다.
추가로 단계 S110에서 이러한 신호가 저감 시스템을 제어하는 데 사용될 수 있으므로, 단계 S90에서 챔버에 의해 배출되는 가스의 양 및 아마도 유형이 변경되도록 신호하는 경우 필요한 저감 가스의 양도 변경될 것이며, 따라서 단계 S110에서 이들 신호는 저감 시스템(특히 저감 시스템에서 사용되는 가스의 양)을 제어하는데 사용되어 저감 시스템을 더 효율적으로 만들 수 있다.
요약하면, 실시예는 챔버가 매칭되고 상이한 챔버 내의 웨이퍼가 실질적으로 동일한 진공 환경을 보이는 진공 챔버를 제공한다. 실시예는 대칭 배관, 즉 동일한 유효 컨덕턴스를 갖는 배관과 완전히 통합된다. 공유 공정 라인과 공유 펌프를 제공함으로써 매칭이 어느 정도 자동으로 발생하고, 압력 제어 시스템과, 별도의 백업 라인을 제공함으로써 서로 다른 챔버 내의 서로 다른 공정에 의해 발생할 수 있는 압력 변동이 완화된다.
중앙 제어 시스템을 사용하여 진공 시스템, 처리 시스템 및 저감 시스템을 제어하는 것에 의해, 저감 시스템을 현재 조건에 맞게 조정할 수 있으며, 이는 시간 내내 최대로 설정할 필요가 없음을 의미하므로 그러한 조정에 의해 더 효율적인 시스템이 될 수 있다.
중앙 제어 모듈은 챔버로부터 신호를 수신할 수 있으며, 이에 의해 압력 변화가 공유 라인에서 발생하기 전에 반응할 수 있도록 가스 흐름의 변화를 단순히 감지하는 것이 아니라 예측하는 것이 가능하다. 이것은 또한 보다 효과적인 압력 제어와 압력 변동의 감소를 허용한다.
일부 실시예에서 저감 시스템과 진공 제어 모듈 사이에 통신 및 제어 링크가 있으며, 그에 따라 배출 가스 관리 제어 시스템을 일반 처리 제어 시스템에 통합할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 상세하게 개시되었지만, 본 발명이 정확한 실시예에 제한되지 않으며, 첨부된 청구범위 및 그 균등물에 의해 규정된 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 당업자에 의해 다양한 변경 및 수정이 수행될 수 있음이 이해된다.
10 진공 챔버
12 터보 분자 펌프
14 공정 가스 분기 채널
16 공유 공정 가스 채널
18, 37, 38 밸브
20 건식 펌프
22 백업 건식 펌프
30 분기 펌프다운 채널
32 공유 펌프다운 채널
40 펌프다운 펌프
45 클린룸 바닥
50 제어 모듈
52 퍼지 가스 공급부
54 압력 센서
60 저감 모듈
62 백업 저감 모듈

Claims (20)

  1. 클린룸 내에 위치한 복수의 챔버를 배기하기 위한 진공 배출 시스템에 있어서,
    대응하는 챔버에 각각 연결되도록 구성된 복수의 분기 공정 가스 채널과;
    상기 분기 채널의 합류점으로부터 형성되고, 각각의 상기 챔버로부터의 공정 가스가 상기 클린룸으로부터 상기 클린룸 외부의 공정 채널로 흐르기 위한 공유 유체 연통 경로를 제공하도록 구성된 공유 공정 채널과;
    대응하는 챔버에 각각 연결되도록 구성된 복수의 분기 펌프다운 채널과;
    상기 분기 펌프다운 채널의 합류점으로부터 형성되고, 상기 진공 챔버 중 적어도 하나의 진공 챔버의 펌프다운 동안 유체가 상기 클린룸으로부터 상기 클린룸 외부의 펌프다운 채널로 유동하기 위한 유체 연통 경로를 제공하도록 구성된 공유 펌프다운 채널을 포함하는
    진공 배출 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 진공 배출 시스템은 상기 복수의 챔버를 배기하기 위한 복수의 진공 펌프를 더 포함하고, 상기 복수의 진공 펌프는 상기 대응하는 복수의 진공 챔버에 연결되도록 구성되고, 상기 복수의 분기 공정 가스 채널은 상기 복수의 진공 펌프의 대응하는 배출부에 연결되는
    진공 배출 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 진공 펌프는 배기중인 가스의 분자 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 복수의 고진공 진공 펌프를 포함하는
    진공 배출 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스의 점성 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 보다 저진공의 진공 펌프―상기 보다 저진공의 진공 펌프는 상기 클린룸 외부에 위치한 상기 공정 채널에 연결됨―와;
    상기 가스의 점성 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 펌프다운 진공 펌프―상기 펌프다운 진공 펌프는 상기 클린룸 외부에 위치한 상기 펌프다운 가스 채널에 연결됨―를 포함하는
    진공 배출 시스템.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 분기 공정 가스 채널은 각각의 분기 채널의 유효 컨덕턴스가 실질적으로 동일하도록 구성되고, 상기 유효 컨덕턴스는 각각의 상기 분기 채널 사이에서 20% 미만, 바람직하게는 10% 미만으로 변하는
    진공 배출 시스템.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 배출 시스템은 제어 모듈을 더 포함하며, 상기 제어 모듈은 상기 공유 공정 채널 내의 압력을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하도록 구성된 압력 제어 회로를 갖는
    진공 배출 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 진공 배출 시스템은 상기 공유 공정 채널 내의 압력을 모니터링하기 위한 압력 센서를 더 포함하고,
    상기 압력 제어 회로는, 상기 압력 센서로부터 신호를 수신하고 상기 모니터링된 압력의 변동을 감소시키기 위해 수신된 신호 중 적어도 하나에 응답하여 적어도 하나의 제어 신호를 발생하도록 구성되는
    진공 배출 시스템.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 압력 제어 회로는 상기 챔버들 중 적어도 하나의 챔버 내의 활동을 나타내는 신호를 수신하도록 구성되고, 상기 압력 제어 회로는 상기 활동을 나타내는 상기 수신된 신호들 중 적어도 하나의 신호에 응답하여 적어도 하나의 제어 신호를 발생하도록 구성되는
    진공 배출 시스템.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 압력 제어 회로는 상기 챔버들 중 적어도 하나 내에서 미래 활동을 나타내는 신호를 수신하도록 구성되고, 상기 압력 제어 회로는 상기 미래 활동을 나타내는 상기 수신된 신호에 응답하여 적어도 하나의 제어 신호를 발생하도록 구성되는
    진공 배출 시스템.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 배출 시스템은:
    상기 복수의 챔버를 배기하기 위한 복수의 진공 펌프―상기 복수의 진공 펌프는 상기 대응하는 복수의 진공 챔버에 연결되도록 구성되고, 상기 복수의 분기 공정 가스 채널은 상기 복수의 진공 펌프의 대응하는 배출부에 연결됨―와;
    상기 가스의 점성 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 공정 저진공 진공 펌프 ―상기 공정 저진공 진공 펌프는 상기 클린룸 외부에 위치한 상기 공정 채널에 연결됨―를 더 포함하고;
    상기 압력 제어 회로에 의해 발생된 상기 제어 신호 중 적어도 하나는 상기 진공 펌프 중 적어도 하나의 진공 펌프의 펌핑 속도를 제어하기 위한 제어 신호인
    진공 배출 시스템.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 배출 시스템은 상기 공유 공정 채널에 퍼지 가스의 제어된 흐름을 제공하기 위한 퍼지 가스 유입구를 더 포함하고;
    상기 압력 제어 회로에 의해 발생된 상기 제어 신호들 중 적어도 하나는 상기 퍼지 가스의 흐름을 제어하기 위한 제어 신호인
    진공 배출 시스템.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 배출 시스템은 복수의 밸브를 포함하고,
    상기 복수의 밸브는,
    상기 복수의 챔버를 상기 대응하는 복수의 분기 공정 채널에 연결하거나 격리시키기 위한 복수의 공정 밸브와;
    상기 복수의 챔버를 상기 대응하는 복수의 분기 펌프다운 채널에 연결하거나 격리시키기 위한 복수의 펌프다운 밸브를 포함하는
    진공 배출 시스템.
  13. 제6항 내지 제12항 중 어느 한 항에 종속하는 경우의 제12항에 있어서,
    상기 압력 제어 회로에 의해 발생된 상기 제어 신호 중 적어도 하나는 상기 복수의 밸브 중 적어도 하나를 제어하기 위한 제어 신호인
    진공 배출 시스템.
  14. 제6항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 모듈은 상기 펌프와 관련된 센서로부터 수신된 신호를 모니터링하기 위한 펌프 모니터링 회로를 더 포함하고, 상기 센서로부터 수신된 상기 신호는 상기 펌프에 의해 발생된 진동을 나타내는 진동 센서로부터의 신호 및 상기 펌프를 구동하기 위해 모터에 공급되는 전류의 표시 중 적어도 하나를 포함하는
    진공 배출 시스템.
  15. 제6항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 가스의 점성 흐름 영역에서 작동하도록 구성된 공정 진공 펌프를 더 포함하고, 상기 공정 진공 펌프는 상기 클린품의 외부에 위치한 상기 공정 채널, 및 상기 공정 진공 펌프로부터 가스의 흐름을 수취하도록 구성된 저감 모듈에 연결되고, 상기 제어 모듈은 상기 저감 모듈에 공급할 저감 가스의 양을 나타내는 신호를 상기 저감 모듈에 전송하도록 구성되는
    진공 배출 시스템.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 진공 배출 시스템에 연결된 복수의 챔버를 포함하는
    진공 시스템.
  17. 클린룸 내의 복수의 진공 챔버를 배기하는 방법에 있어서,
    복수의 공정 가스 분기 채널이 복수의 진공 챔버를 클린룸 내의 공유 공정 가스 채널에 연결하도록 공정 가스 배출 매니폴드를 상기 복수의 진공 챔버에 연결하는 것과;
    복수의 펌프다운 분기 채널이 복수의 진공 챔버를 클린룸 내의 공유 펌프다운 채널에 연결하도록 펌프다운 가스 배출 매니폴드를 상기 복수의 진공 챔버에 연결하는 것과;
    상기 클린룸 외부에 위치하고 상기 공유 공정 가스 채널에 연결된 진공 펌프를 사용하여 상기 공정 가스 채널을 통해 상기 복수의 진공 챔버를 배기하는 것과;
    상기 공유 공정 채널의 압력을 모니터링하는 것과;
    상기 모니터링된 압력의 변동을 감소시키기 위해 상기 공유 공정 채널 내의 압력을 제어하기 위한 제어 신호를 발생하는 것을 포함하는
    방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 진공 챔버 중 적어도 하나 내의 활동을 나타내는 신호를 수신하는 것과;
    상기 활동으로 인해 발생하는 상기 모니터링된 압력의 변동을 감소시키기 위해 상기 수신된 신호 중 적어도 하나에 응답하여 상기 공유 공정 채널 내의 압력을 제어하기 위한 적어도 하나의 제어 신호를 발생하는 것을 더 포함하는
    방법.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    상기 챔버들 중 적어도 하나 내에서 미래 활동을 나타내는 신호를 수신하는 것과;
    상기 미래 활동으로 인해 발생할 것으로 예측되는 상기 모니터링된 압력의 변동을 감소시키기 위해 상기 수신된 신호 중 적어도 하나에 응답하여 상기 공유 공정 채널 내의 압력을 제어하기 위한 적어도 하나의 제어 신호를 발생하는 것을 포함하는
    방법.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 신호는 상기 공유 공정 라인으로의 퍼지 가스의 흐름을 제어하기 위한 신호를 포함하고; 상기 방법은 상기 제어 신호에 응답하여 상기 퍼지 가스의 흐름을 제어하는 것을 포함하는
    방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114182064B (zh) * 2021-11-08 2023-03-31 中冶南方工程技术有限公司 一种机械真空泵系统及其控制方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0720395Y2 (ja) * 1988-02-03 1995-05-15 株式会社大阪真空機器製作所 真空排気装置
JP2001289166A (ja) * 2000-04-11 2001-10-19 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置、及び真空処理方法
US7021903B2 (en) * 2003-12-31 2006-04-04 The Boc Group, Inc. Fore-line preconditioning for vacuum pumps
JP2006169576A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk 真空装置
US10978315B2 (en) * 2014-05-30 2021-04-13 Ebara Corporation Vacuum evacuation system
GB2533933A (en) * 2015-01-06 2016-07-13 Edwards Ltd Improvements in or relating to vacuum pumping arrangements
US20180061679A1 (en) * 2016-08-25 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Multi chamber processing system with shared vacuum system
GB2564399A (en) * 2017-07-06 2019-01-16 Edwards Ltd Improvements in or relating to pumping line arrangements
DE102017214687A1 (de) * 2017-08-22 2019-02-28 centrotherm international AG Behandlungsvorrichtung für Substrate und Verfahren zum Betrieb einer solchen Behandlungsvorrichtung

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