KR20220022449A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a substrate processing apparatus and method that can improve treatment quality by suppressing an unbalanced supply of a treatment solution to a substrate immersed in the treatment solution stored in a treatment tank. The substrate processing apparatus includes a suppression unit that intercepts at least a portion of a flow of a processing solution discharged from a processing solution discharge unit and directed to a substrate to suppress the direct supply of the processing solution from the processing solution discharge unit to the substrate between the substrate held in a substrate holding unit and a processing liquid discharge unit, a processing liquid discharge unit provided on a lower side of the substrate held in the substrate holding unit and which discharges the processing liquid from a processing liquid discharge port toward an inner bottom surface of a storage space, and an air bubble supply unit provided on the lower side of the substrate held in a substrate holding unit or the upper side of the processing liquid discharge port to supply air bubbles to the processing liquid stored in the storage space. Between the bubble supply unit and the processing liquid discharge port in the vertical direction, at least a portion of the processing liquid flowing upward through the inner bottom of the storage space is made into a liquid to be diverted, and the flow of the liquid to be diverted is divided into a plurality of upward flows and guided to the substrate held in the substrate holding unit.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

이 발명은, 처리조에 저류된 약액이나 순수 등의 처리액에 기판을 침지하여처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing by immersing a substrate in a processing liquid such as a chemical liquid or pure water stored in a processing tank.

반도체 장치의 제조 분야에 있어서는, 반도체 장치의 고밀도화와 대용량화에 대응하기 위해서 고애스펙트비의 오목부를 형성하는 기술이 요망되고 있다. 예를 들어 삼차원 NAND 형 불휘발성 반도체 장치 (이하 「3D-NAND 메모리」 라고 한다) 의 제조 과정에 있어서는, 실리콘 산화막 (SiO2 막) 과 실리콘 질화막 (SiN 막) 을 다수 적층한 적층체에 대하여 적층 방향으로 오목부를 형성한 후, 오목부를 통해서 SiN 막을 웨트 에칭에 의해 제거하는 공정이 포함된다. 이 공정을 실행하기 위해서, 예를 들어 일본 공개특허공보 2020-47885호에 기재된 기판 처리 장치를 사용하는 것이 검토되고 있다.In the field of semiconductor device manufacturing, a technique for forming a high-aspect-ratio concave portion is desired in order to cope with the increase in density and capacity of the semiconductor device. For example, in the manufacturing process of a three-dimensional NAND type nonvolatile semiconductor device (hereinafter referred to as "3D-NAND memory"), the stacking direction with respect to a laminate in which a plurality of silicon oxide films (SiO2 film) and silicon nitride films (SiN film) are stacked. After forming the concave portion with the etchant, a step of removing the SiN film through the concave portion by wet etching is included. In order to implement this process, using the substrate processing apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 2020-47885, for example is considered.

기판 처리 장치를 사용하여 상기 웨트 에칭을 실시하는 경우, SiN 막의 에천트의 일례인 인산을 포함하는 약액이 처리액으로서 사용된다. 보다 구체적으로는, 기판 처리 장치에서는, 처리조의 내부에 형성된 저류 공간의 내저부 (內底部)에 액체 공급관이 배치되고, 당해 액체 공급관으로부터 처리액이 저류 공간에 공급된다. 이 때문에, 처리조에서는, 처리액이 처리조로부터 오버플로되면서 처리조에 일정량만 저류된다. 그리고, 처리조에 저류된 처리액에 상기 오목부 구조를 갖는 기판이 침지된다. 또, 기판 처리 장치에서는, 액체 공급관과 마찬가지로, 유체 공급관이 저류 공간의 내저부에 배치되고, 저류 공간의 내저부로부터 오버플로면을 향하여 기포가 공급된다. 이들 기포는 처리액 중에서 상승하여 기판에 공급된다. 이러한 기판으로의 기포 공급에 의해 오목부에 대하여 신선한 처리액을 신속하고 또한 연속해서 공급할 수 있다.When the wet etching is performed using a substrate processing apparatus, a chemical liquid containing phosphoric acid, which is an example of an etchant for the SiN film, is used as the processing liquid. More specifically, in a substrate processing apparatus, a liquid supply pipe is disposed at an inner bottom of a storage space formed inside a processing tank, and the processing liquid is supplied to the storage space from the liquid supply pipe. For this reason, in the treatment tank, only a certain amount is stored in the treatment tank while the treatment liquid overflows from the treatment tank. Then, the substrate having the concave structure is immersed in the processing liquid stored in the processing tank. Further, in the substrate processing apparatus, similarly to the liquid supply pipe, the fluid supply pipe is disposed at the inner bottom of the storage space, and bubbles are supplied from the inner bottom of the storage space toward the overflow surface. These bubbles rise in the treatment liquid and are supplied to the substrate. By supplying the bubbles to the substrate, it is possible to quickly and continuously supply the fresh processing liquid to the recessed portions.

그러나, 일본 공개특허공보 2020-47885호에 기재된 장치에서는, 다음과 같은 문제가 있었다. 처리액은 액체 공급관으로부터 기판의 중심을 향해서 토출된다. 이 때문에, 기판의 일부에 대하여 액체 공급관으로부터의 처리액이 직접적으로 공급된다. 요컨대, 기판에 대하여 처리액이 치우쳐 공급된다. 그 결과, 처리액에 의한 기판 처리 (나중에 설명하는 약액 처리나 린스 처리 등) 도 치우쳐 버린다는 문제가 발생하는 경우가 있었다.However, the apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2020-47885 has the following problems. The processing liquid is discharged from the liquid supply pipe toward the center of the substrate. For this reason, the processing liquid from the liquid supply pipe is directly supplied to a part of the substrate. In other words, the processing liquid is supplied biasedly with respect to the substrate. As a result, there is a problem in that the substrate treatment with the treatment liquid (chemical treatment, rinse treatment, etc., which will be described later) is also biased.

이 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 처리조에 저류된 처리액에 침지된 기판에 대하여 처리액이 치우쳐 공급되는 것을 억제하여 처리 품질을 높이는 것을 목적으로 한다.This invention was made in view of the said subject, and an object of this invention is to improve the process quality by suppressing supply of a process liquid biasedly with respect to the board|substrate immersed in the process liquid stored in a processing tank.

이 발명의 일 양태는, 기판 처리 장치로서, 처리액을 저류하는 저류 공간을 갖고, 저류 공간에 저류된 처리액에 기판을 침지함으로써 기판을 처리하는 처리조와, 저류 공간 내에서 기판을 기립 자세로 유지하는 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지된 기판의 하방측으로부터 기판을 향해서 처리액을 토출하는 처리액 토출부와, 기판 유지부에 유지된 기판과 처리액 토출부의 사이에서, 처리액 토출부로부터 토출되어 기판을 향하는 처리액의 흐름의 적어도 일부를 차단하여 처리액 토출부로부터 기판에 처리액이 직접 공급되는 것을 억제하는 억제부를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.One aspect of the present invention is a substrate processing apparatus, comprising: a processing tank having a storage space for storing a processing liquid, and processing a substrate by immersing the substrate in the processing liquid stored in the storage space; a substrate holding unit holding the substrate; and a suppressor for blocking at least a part of the flow of the processing liquid discharged from the unit and toward the substrate to suppress direct supply of the processing liquid from the processing liquid discharge unit to the substrate.

또, 이 발명의 다른 양태는, 기판 처리 방법으로서, 처리조에 형성된 저류 공간에 저류된 처리액에 기립 자세로 기판을 침지시키는 공정과, 저류 공간 내에서 침지된 기판의 하방측에 형성된 처리액 토출부로부터 기판을 향해서 처리액을 토출하여 기판에 공급하는 공정과, 저류 공간 내에서 침지된 기판과 처리액 토출부의 사이에 배치되는 억제부에 의해 처리액 토출부로부터 토출되어 기판을 향하는 처리액의 흐름의 적어도 일부를 차단하여 처리액 토출부로부터 기판에 처리액이 직접 공급되는 것을 억제하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.Another aspect of the present invention provides a substrate processing method, comprising: immersing a substrate in a standing posture in a processing liquid stored in a storage space formed in a processing tank; and discharging a processing liquid formed on the lower side of the substrate immersed in the storage space discharging the processing liquid from the unit toward the substrate and supplying it to the substrate; and the processing liquid discharged from the processing liquid discharge unit and directed to the substrate by the suppression unit disposed between the substrate immersed in the storage space and the processing liquid discharge unit. and blocking at least a portion of the flow to prevent the processing liquid from being directly supplied to the substrate from the processing liquid discharge unit.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 처리액 토출부로부터 토출되어 기판을 향하는 처리액의 흐름의 적어도 일부가 억제부에 의해 차단되어 처리액 토출부로부터 기판으로의 처리액의 직접 공급이 억제된다. 이에 따라, 처리조에 저류된 처리액에 침지된 기판에 대하여 처리액이 치우쳐 공급되는 것을 억제하여 처리 품질을 높일 수 있다.As described above, according to the present invention, at least a portion of the flow of the processing liquid discharged from the processing liquid discharging unit toward the substrate is blocked by the suppressing unit, thereby suppressing direct supply of the processing liquid from the processing liquid discharging unit to the substrate. Accordingly, the processing quality can be improved by suppressing the supply of the processing liquid to the substrate immersed in the processing liquid stored in the processing tank.

도 1 은, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태를 장비하는 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2 는, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3 은, 도 2 에 나타내는 기판 처리 장치의 주요 구성을 모식적으로 나타내는 분해 조립 사시도이다.
도 4 는, 도 2 의 부분 단면도이다.
도 5 는, 리프터에 유지되는 복수의 기판과 기포 토출구의 배치 관계를 나타내는 모식도이다.
도 6 은, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 2 실시형태의 개략 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 7 은, 도 6 의 A-A 선 화살표에서 바라본 도면이다.
도 8 은, 리프터에 유지되는 복수의 기판, 기포 토출구 및 억제판의 배치 관계를 나타내는 모식도이다.
도 9 는, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 4 실시형태의 개략 구성을 나타내는 부분 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the schematic structure of the substrate processing system equipped with 1st Embodiment of the substrate processing apparatus which concerns on this invention.
2 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 3 is an exploded and assembled perspective view schematically showing the main configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. 2 .
FIG. 4 is a partial cross-sectional view of FIG. 2 .
Fig. 5 is a schematic diagram showing an arrangement relationship between a plurality of substrates held by a lifter and a bubble discharge port.
6 is a partial cross-sectional view showing a schematic configuration of a second embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 7 is a view viewed from the arrow line AA of FIG. 6 .
Fig. 8 is a schematic diagram showing the arrangement relationship of a plurality of substrates held by a lifter, a bubble discharge port, and a suppression plate.
9 is a partial cross-sectional view showing a schematic configuration of a fourth embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1 은 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태를 장비하는 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 기판 처리 시스템 (1) 은, 수납기 재치부 (載置部) (2) 와, 셔터 구동 기구 (3) 와, 기판 이재 (移載) 로봇 (4) 과, 자세 변환 기구 (5) 와, 푸셔 (6) 와, 기판 반송 기구 (7) 와, 처리 유닛 (8) 과, 제어부 (9) 를 구비하고 있다. 이하의 각 도면에 있어서의 방향을 통일적으로 나타내기 위해서, 도 1 에 나타내는 바와 같이 XYZ 직교 좌표축을 설정한다. 여기서 XY 평면이 수평면을 나타낸다. 또, Z 축이 연직축을 나타내고, 보다 상세하게는 Z 방향이 연직 방향이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the schematic structure of the substrate processing system equipped with 1st Embodiment of the substrate processing apparatus which concerns on this invention. The substrate processing system 1 includes a receiver mounting unit 2 , a shutter drive mechanism 3 , a substrate transfer robot 4 , a posture conversion mechanism 5 , and a pusher (6), a substrate transport mechanism (7), a processing unit (8), and a control unit (9) are provided. In order to show the direction in each of the following drawings uniformly, as shown in FIG. 1, the XYZ rectangular coordinate axis is set. Here, the XY plane represents the horizontal plane. Moreover, the Z axis|shaft represents a vertical axis|shaft, and the Z direction is a vertical direction in more detail.

수납기 재치부 (2) 에서는, 기판 (W) 을 수납한 수납기가 재치된다. 본 실시형태에서는, 수납기의 일례로서, 수평 자세의 복수 매 (예를 들어 25 매) 의 기판 (W) 을 Z 방향으로 적층한 상태로 수납 가능하게 구성된 후프 (F) 가 이용되고 있다. 후프 (F) 는, 미처리의 기판 (W) 을 수납한 상태로 수납기 재치부 (2) 에 재치되거나, 처리가 끝난 기판 (W) 을 수납하기 위해서, 빈 상태로 수납기 재치부 (2) 에 재치되거나 한다. 후프 (F) 에 수납되는 기판 (W) 은, 이 실시형태에서는, 3D-NAND 메모리를 형성하는 반도체 웨이퍼이며, 고애스펙트비의 오목부를 가지고 있다.In the receiver mounting part 2, the receiver which accommodated the board|substrate W is mounted. In the present embodiment, as an example of the housing, a hoop F configured to be accommodated in a state in which a plurality of (for example, 25) substrates W in a horizontal orientation are stacked in the Z direction is used. The hoop F is placed on the receiver placing unit 2 in a state in which the unprocessed substrate W is accommodated, or is placed on the receiver placing unit 2 in an empty state in order to receive the processed substrate W. become or do The board|substrate W accommodated in the hoop F is a semiconductor wafer which forms a 3D-NAND memory in this embodiment, and has a high aspect-ratio recessed part.

수납기 재치부 (2) 에 대하여 (＋Y) 방향측에서 인접하는 프로세스 공간 내에는, 셔터 구동 기구 (3), 기판 이재 로봇 (4), 자세 변환 기구 (5), 푸셔 (6), 기판 반송 기구 (7) 및 처리 유닛 (8) 이 배치되어 있다. 수납기 재치부 (2) 와 프로세스 공간은, 자유롭게 개폐할 수 있는 셔터 (31) 를 장비하는 격벽 (도시 생략) 에 의해 구획되어 있다. 셔터 (31) 는 셔터 구동 기구 (3) 에 접속되어 있다. 셔터 구동 기구 (3) 는 제어부 (9) 로부터의 폐(閉) 지령에 따라 셔터 (31) 를 폐성 (閉成) 하여 수납기 재치부 (2) 와 프로세스 공간을 공간적으로 분리한다. 반대로, 셔터 구동 기구 (3) 는 제어부 (9) 로부터의 개(開) 지령에 따라 셔터 (31) 를 개방하고, 수납기 재치부 (2) 와 프로세스 공간을 연통시킨다. 이에 따라, 후프 (F) 로부터 프로세스 공간으로의 미처리 기판 (W) 의 반입 및 처리가 끝난 기판 (W) 의 후프 (F) 에 대한 반출이 가능해진다.In the process space adjacent to the receiver mounting part 2 from the (+Y) direction side, the shutter drive mechanism 3, the board|substrate transfer robot 4, the attitude|position conversion mechanism 5, the pusher 6, the board|substrate conveyance mechanism (7) and a processing unit (8) are arranged. The receiver mounting part 2 and the process space are partitioned by the partition (not shown) equipped with the shutter 31 which can open and close freely. The shutter 31 is connected to the shutter drive mechanism 3 . The shutter drive mechanism 3 closes the shutter 31 according to a closing instruction from the control unit 9 to spatially separate the receiver mounting unit 2 and the process space. Conversely, the shutter drive mechanism 3 opens the shutter 31 according to an open command from the control unit 9 , and communicates the storage unit mounting unit 2 and the process space. Thereby, it becomes possible to carry in the unprocessed substrate W from the hoop F to the process space, and to carry out the processed substrate W to the hoop F.

상기한 기판 (W) 의 반입출 처리는 기판 이재 로봇 (4) 에 의해 실시된다. 기판 이재 로봇 (4) 은 수평면 내에서 자유롭게 선회할 수 있도록 구성되어 있다. 기판 이재 로봇 (4) 은, 셔터 (31) 가 개방된 상태에서, 자세 변환 기구 (5) 와 후프 (F) 의 사이에서 복수 매의 기판 (W) 을 주고 받는다. 또, 자세 변환 기구 (5) 는, 기판 이재 로봇 (4) 을 통해서 후프 (F) 로부터 기판 (W) 을 수취한 후나 후프 (F) 에 기판 (W) 을 주고 받기 전에, 복수 매의 기판 (W) 의 자세를 기립 자세와 수평 자세 사이에서 변환한다.The above-described carrying-in/out processing of the substrate W is performed by the substrate transfer robot 4 . The board|substrate transfer robot 4 is comprised so that it can turn freely in a horizontal plane. The substrate transfer robot 4 transfers a plurality of substrates W between the posture conversion mechanism 5 and the hoop F in a state in which the shutter 31 is opened. In addition, the posture conversion mechanism 5 includes a plurality of substrates ( Convert the posture of W) between the standing posture and the horizontal posture.

자세 변환 기구 (5) 의 기판 반송 기구 (7) 측 (동(同) 도면 중의 ＋X 방향측) 에 푸셔 (6) 가 배치되고, 자세 변환 기구 (5) 와 기판 반송 기구 (7) 의 사이에서 기립 자세의 복수 매의 기판 (W) 을 주고 받는다. 또, 기판 반송 기구 (7) 는, 동 도면에 나타내는 바와 같이 푸셔 (6) 에 대향한 위치 (이하 「대기 위치」 라고 한다) 로부터 처리 유닛 (8) 을 구성하는 처리부 (81 ∼ 85) 가 배열된 배열 방향 (동 도면 중의 Y 방향) 을 따라 수평 방향으로 이동한다.The pusher 6 is arrange|positioned on the board|substrate conveyance mechanism 7 side (+X direction side in the same figure) of the attitude|position conversion mechanism 5, and between the attitude|position conversion mechanism 5 and the board|substrate conveyance mechanism 7 A plurality of substrates W in a standing posture are exchanged. In addition, in the substrate transport mechanism 7, as shown in the figure, processing units 81 to 85 constituting the processing unit 8 are arranged from a position facing the pusher 6 (hereinafter referred to as a "standby position"). It moves in the horizontal direction along the arranged arrangement direction (Y direction in the same figure).

기판 반송 기구 (7) 는 한 쌍의 현수 (懸垂) 아암 (71) 을 구비하고 있다. 이 한 쌍의 현수 아암 (71) 의 요동에 의해 복수의 기판 (W) 을 일괄 유지와 유지 해제를 전환 가능하게 되어 있다. 보다 구체적으로는, 각 아암 (71) 의 하측 가장자리가 서로 떨어지는 방향으로 수평축 둘레에서 요동하여 복수 매의 기판 (W) 을 개방하고, 각 아암 (71) 의 하측 가장자리를 서로 접근시키는 방향으로 수평축 둘레로 요동하여 복수 매의 기판 (W) 을 협지 (挾持) 하여 유지한다. 또, 도 1 에 대한 도시를 생략하고 있지만, 기판 반송 기구 (7) 는 아암 이동부와 아암 요동부를 가지고 있다. 이들 중 아암 이동부는, 처리부 (81 ∼ 85) 가 배열된 배열 방향 (Y) 을 따라 1 쌍의 현수 아암 (71) 을 수평 이동시키는 기능을 가지고 있다. 이 때문에, 이 수평 이동에 의해 1 쌍의 현수 아암 (71) 은 처리부 (81 ∼ 85) 의 각각에 대향한 위치 (이하 「처리 위치」 라고 한다) 및 대기 위치에 위치 결정된다.The substrate transport mechanism 7 is provided with a pair of suspension arms 71 . By swinging the pair of suspension arms 71, it is possible to switch between holding and releasing the plurality of substrates W at once. More specifically, the lower edge of each arm 71 swings around the horizontal axis in a direction away from each other to open the plurality of substrates W, and the lower edge of each arm 71 moves around the horizontal axis in a direction in which the lower edge of each arm 71 approaches each other. It swings with and hold|maintains the several board|substrates W by clamping it. Moreover, although illustration with respect to FIG. 1 is abbreviate|omitted, the board|substrate conveyance mechanism 7 has an arm moving part and an arm swinging part. Among them, the arm moving unit has a function of horizontally moving the pair of suspension arms 71 along the arrangement direction Y in which the processing units 81 to 85 are arranged. For this reason, by this horizontal movement, the pair of suspension arms 71 are positioned at the position (referred to as a "processing position" hereinafter) and the standby position facing each of the processing parts 81-85.

한편, 아암 요동부는 상기 아암 요동 동작을 실행하는 기능을 가지고 있으며, 기판 (W) 을 협지하여 유지하는 유지 상태와, 기판 (W) 의 협지를 해제하는 해제 상태를 전환하다. 이 때문에, 이 전환 동작과, 처리부 (81, 82) 의 기판 유지부로서 기능하는 리프터 (810a) 나 처리부 (83, 84) 의 기판 유지부로서 기능하는 리프터 (810b) 의 상하동에 의해, 리프터 (810) 와 현수 아암 (71) 의 사이에서의 기판 (W) 의 수수를 실시하는 것이 가능하게 되어 있다. 또, 처리부 (85) 에 대향하는 처리 위치에서는, 처리부 (85) 와 현수 아암 (71) 의 사이에서의 기판 (W) 의 수수를 실시하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 대기 위치에서는, 푸셔 (6) 를 통해서 자세 변환 기구 (5) 와 현수 아암 (71) 의 사이에서의 기판 (W) 의 수수를 실시하는 것이 가능하게 되어 있다.On the other hand, the arm swinging unit has a function of executing the arm swinging operation, and switches between a holding state in which the substrate W is clamped and held and a release state in which the clamping of the substrate W is released. For this reason, the lifter ( It is possible to transfer the substrate W between the 810 ) and the suspension arm 71 . Moreover, it is possible to transfer the board|substrate W between the processing part 85 and the suspension arm 71 at the processing position opposing to the processing part 85. As shown in FIG. In addition, in a standby position, it is possible to transfer the board|substrate W between the posture conversion mechanism 5 and the suspension arm 71 via the pusher 6 .

처리 유닛 (8) 에는, 상기한 바와 같이 5 개의 처리부 (81 ∼ 85) 가 형성되어 있지만, 각각 제 1 약액 처리부 (81), 제 1 린스 처리부 (82), 제 2 약액 처리부 (83), 제 2 린스 처리부 (84) 및 건조 처리부 (85) 로서 기능한다. 이들 중 제 1 약액 처리부 (81) 및 제 2 약액 처리부 (83) 는, 각각, 동종 또는 이종의 약액을 처리조 (821) 에 저류하고, 그 약액 중에 복수 매의 기판 (W) 을 일괄하여 침지시켜 약액 처리를 실시한다. 제 1 린스 처리부 (82) 및 제 2 린스 처리부 (84) 는, 각각, 린스액 (예를 들어 순수) 을 처리조 (821) 에 저류하고, 그 린스액 중에 복수 매의 기판 (W) 을 일괄하여 침지시켜, 표면에 린스 처리를 실시하는 것이다. 이들 제 1 약액 처리부 (81), 제 1 린스 처리부 (82), 제 2 약액 처리부 (83) 및 제 2 린스 처리부 (84) 는 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태에 상당하고 있으며, 처리액의 종류가 상이하기는 하지만 장치의 기본 구성은 동일하다. 또한, 장치 구성 및 동작에 대해서는 나중에 도 2 내지 도 5 를 참조하면서 상세히 서술한다.The processing unit 8 is provided with five processing units 81 to 85 as described above, but the first chemical processing unit 81 , the first rinse processing unit 82 , the second chemical processing unit 83 , and the second chemical processing unit 83 , respectively. 2 It functions as the rinse processing unit 84 and the drying processing unit 85 . Of these, the first chemical processing unit 81 and the second chemical processing unit 83 respectively store the same or different chemical liquid in the processing tank 821, and collectively immerse a plurality of substrates W in the chemical liquid. to perform chemical treatment. Each of the first rinse processing unit 82 and the second rinse processing unit 84 stores a rinse liquid (eg, pure water) in the treatment tank 821, and batches the plurality of substrates W in the rinse liquid. and immersed to give the surface a rinse treatment. These first chemical processing unit 81, first rinse processing unit 82, second chemical processing unit 83, and second rinse processing unit 84 correspond to the first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention, Although the types of treatment liquids are different, the basic configuration of the apparatus is the same. In addition, the device configuration and operation will be described in detail later with reference to FIGS. 2 to 5 .

도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 약액 처리부 (81) 와, 이것에 인접하는 제 1 린스 처리부 (82) 가 쌍으로 되어 있고, 제 2 약액 처리부 (83) 와 이것에 인접하는 제 2 린스 처리부 (84) 가 쌍으로 되어 있다. 그리고, 리프터 (810a) 는 제 1 약액 처리부 (81) 및 제 1 린스 처리부 (82) 에 있어서 본 발명의 「기판 유지부」 로서 기능할 뿐만 아니라, 제 1 약액 처리부 (81) 에서 약액 처리된 기판 (W) 을 제 1 린스 처리부 (82) 로 옮기기 위한 전용 반송 기구로서도 기능한다. 또, 리프터 (810b) 는 제 2 약액 처리부 (83) 및 제 2 린스 처리부 (84) 에 있어서 본 발명의 「기판 유지부」 로서 기능할 뿐만 아니라, 제 2 약액 처리부 (83) 에서 약액 처리된 기판 (W) 을 제 2 린스 처리부 (84) 로 옮기기 위한 전용 반송 기구로서도 기능한다.As shown in FIG. 1 , a first chemical solution processing unit 81 and a first rinse processing unit 82 adjacent thereto are paired, and a second chemical solution processing unit 83 and a second rinse processing unit adjacent thereto ( 84) is a pair. The lifter 810a not only functions as a "substrate holding part" of the present invention in the first chemical processing unit 81 and the first rinse processing unit 82, but also the substrate subjected to chemical processing in the first chemical processing unit 81. It also functions as a dedicated conveying mechanism for moving (W) to the first rinse processing unit 82 . In addition, the lifter 810b not only functions as a "substrate holding part" of the present invention in the second chemical processing unit 83 and the second rinse processing unit 84, but also the substrate subjected to chemical processing in the second chemical processing unit 83. It also functions as a dedicated conveying mechanism for moving (W) to the second rinse processing unit 84 .

이와 같이 구성된 처리 유닛 (8) 에서는, 리프터 (810a) 의 3 개의 지지 부재 (도 2 중의 부호 812) 가 기판 반송 기구 (7) 의 한 쌍의 현수 아암 (71) 으로부터 복수 매의 기판 (W) 을 일괄하여 수취하고, 나중에 상세히 서술하는 바와 같이, 처리조로부터 처리액을 오버플로시키는 오버플로 공정과 처리조에 저류된 처리액 내에 기포를 공급하는 기포 공급 공정을 실행하면서, 제 1 약액 처리부 (81) 의 처리조 중에 하강시켜 약액 중에 침지시킨다 (침지 공정). 또한, 소정의 약액 처리 시간만큼 대기한 후에, 리프터 (810a) 는 복수 매의 기판 (W) 을 유지하는 지지 부재를 약액 중에서 끌어 올려, 제 1 린스 처리부 (82) 로 횡행시키고, 또한, 약액 처리가 끝난 기판 (W) 을 유지한 채로 지지 부재를 제 1 린스 처리부 (82) 의 처리조 (도 2 중의 부호 821) 내로 하강시켜 린스액 중에 침지시킨다. 소정의 린스 처리 시간만큼 대기한 후, 리프터 (810a) 는, 린스 처리가 끝난 기판 (W) 을 유지한 채로 지지 부재를 상승시켜 린스액 중에서 기판 (W) 을 끌어 올린다. 이 후, 리프터 (810a) 의 지지 부재로부터 기판 반송 기구 (7) 의 한 쌍의 현수 아암 (71) 에 복수 매의 기판 (W) 이 일괄하여 건네진다.In the processing unit 8 configured as described above, three supporting members (reference numeral 812 in FIG. 2 ) of the lifter 810a are connected from a pair of suspension arms 71 of the substrate conveying mechanism 7 to a plurality of substrates W of the first chemical treatment unit 81 while performing an overflow step of overflowing the treatment liquid from the treatment tank and a bubble supply step of supplying bubbles in the treatment liquid stored in the treatment tank, as will be described in detail later. ) to descend in the treatment tank and immerse in the chemical solution (immersion step). In addition, after waiting for a predetermined chemical treatment time, the lifter 810a lifts the support member holding the plurality of substrates W in the chemical solution and traverses the first rinse processing unit 82, and further performs chemical treatment While holding the finished substrate W, the supporting member is lowered into the treatment tank (reference numeral 821 in FIG. 2 ) of the first rinse treatment unit 82 to be immersed in the rinse solution. After waiting for a predetermined rinse processing time, the lifter 810a raises the support member while holding the rinse-processed substrate W to lift the substrate W out of the rinse liquid. Thereafter, the plurality of substrates W are collectively passed from the supporting member of the lifter 810a to the pair of suspension arms 71 of the substrate transport mechanism 7 .

리프터 (810b) 도 마찬가지로, 기판 반송 기구 (7) 의 한 쌍의 현수 아암 (71) 으로부터 복수 매의 기판 (W) 을 일괄하여 수취하고, 이 복수 매의 기판 (W) 을 제 2 약액 처리부 (83) 의 처리조 (821) 중에 하강시켜 약액 중에 침지시킨다. 또한, 소정의 약액 처리 시간만큼 대기한 후에, 리프터 (810b) 는, 지지 부재를 상승시켜 약액 중에서 약액 처리가 끝난 복수 매의 기판 (W) 을 끌어올리고, 제 2 린스 처리부 (84) 의 처리조로 지지 부재를 횡행시키고, 또한, 이 지지 부재를 제 2 린스 처리부 (84) 의 처리조 (821) 내로 하강시켜 린스액 중에 침지시킨다. 소정의 린스 처리 시간만큼 대기한 후, 제 2 리프터 (810b) 는, 지지 부재를 상승시켜 린스액 중에서 기판 (W) 을 끌어 올린다. 이 후, 제 2 리프터 (810b) 로부터 기판 반송 기구 (7) 에 복수 매의 기판 (W) 이 일괄하여 건네진다. 또한, 제 1 약액 처리부 (81), 제 1 린스 처리부 (82), 제 2 약액 처리부 (83) 및 제 2 린스 처리부 (84) 의 각각에 본 발명의 「기판 유지부」 로서 기능하는 리프터를 형성하는 한편, 처리부 (81 ∼ 84) 에 대한 기판 (W) 의 반입출을 기판 반송 기구 (7) 나 전용의 반송 기구로 실시하도록 구성해도 된다.Similarly, the lifter 810b receives a plurality of substrates W from a pair of suspension arms 71 of the substrate transfer mechanism 7 at once, and transfers the plurality of substrates W to the second chemical processing unit ( 83), it descends in the treatment tank 821 and is immersed in the chemical solution. Also, after waiting for a predetermined chemical treatment time, the lifter 810b raises the support member to lift the plurality of substrates W that have been treated with the chemical solution from the chemical solution, and to the treatment tank of the second rinse treatment unit 84 . The supporting member is traversed, and the supporting member is lowered into the treatment tank 821 of the second rinse treatment unit 84 to be immersed in the rinse solution. After waiting for a predetermined rinse processing time, the second lifter 810b raises the support member to lift the substrate W out of the rinse liquid. Thereafter, the plurality of substrates W are collectively passed from the second lifter 810b to the substrate transport mechanism 7 . Further, in each of the first chemical processing unit 81, the first rinse processing unit 82, the second chemical processing unit 83, and the second rinse processing unit 84, a lifter functioning as the "substrate holding unit" of the present invention is formed. On the other hand, you may comprise so that the carrying in/out of the board|substrate W with respect to the process parts 81-84 may be implemented by the board|substrate conveyance mechanism 7 or a dedicated conveyance mechanism.

건조 처리부 (85) 는, 복수 매 (예를 들어 52 매) 의 기판 (W) 을 기립 자세로 배열한 상태로 유지할 수 있는 기판 유지 부재 (도시 생략) 를 가지고 있으며, 감압 분위기 중에서 유기 용제 (이소프로필알코올 등) 를 기판 (W) 에 공급하거나, 원심력에 의해 기판 (W) 표면의 액 성분을 털어내거나 함으로써, 기판 (W) 을 건조시키는 것이다. 이 건조 처리부 (85) 는, 기판 반송 기구 (7) 의 한 쌍의 현수 아암 (71) 과의 사이에서 기판 (W) 의 수수 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 린스 처리 후의 복수 매의 기판 (W) 을 일괄하여 기판 반송 기구 (7) 로부터 수취하고, 이 복수 매의 기판 (W) 에 대하여 건조 처리를 실시한다. 또, 건조 처리 후에 있어서는, 기판 유지 부재로부터 기판 반송 기구 (7) 에 복수 매의 기판 (W) 이 일괄하여 건네진다.The drying processing unit 85 has a substrate holding member (not shown) capable of holding a plurality of (for example, 52) substrates W in a state in which they are arranged in a standing posture, and includes an organic solvent (isolated) in a reduced pressure atmosphere. The board|substrate W is dried by supplying propyl alcohol etc.) to the board|substrate W, or shaking off the liquid component on the surface of the board|substrate W by centrifugal force. This drying processing part 85 is comprised so that the transfer of the board|substrate W is possible between a pair of suspension arms 71 of the board|substrate conveyance mechanism 7 . And the board|substrate W of several sheets after a rinse process is collectively received from the board|substrate conveyance mechanism 7, and a drying process is performed with respect to this several board|substrate W. Moreover, after a drying process, the board|substrate W of several sheets is passed from a board|substrate holding member to the board|substrate conveyance mechanism 7 collectively.

다음으로, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 1 에 나타내는 기판 처리 시스템에 장비된 제 1 약액 처리부 (81), 제 1 린스 처리부 (82), 제 2 약액 처리부 (83) 및 제 2 린스 처리부 (84) 에서는, 사용되는 처리액이 일부 상이하지만, 장치 구성 및 동작은 기본적으로 동일하다. 그래서, 이하에 있어서는, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태에 상당하는 제 1 약액 처리부 (81) 의 구성 및 동작에 대해서 설명하고, 제 1 린스 처리부 (82), 제 2 약액 처리부 (83) 및 제 2 린스 처리부 (84) 에 관한 설명을 생략한다.Next, the substrate processing apparatus which concerns on this invention is demonstrated. In the first chemical processing unit 81 , the first rinse processing unit 82 , the second chemical processing unit 83 , and the second rinse processing unit 84 equipped in the substrate processing system shown in FIG. 1 , the processing liquid used is partially different. However, the device configuration and operation are basically the same. Therefore, below, the configuration and operation of the first chemical processing unit 81 corresponding to the first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described, and the first rinse processing unit 82 and the second chemical processing unit ( 83) and the description of the second rinse processing unit 84 will be omitted.

도 2 는 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 도 3 은 도 2 에 나타내는 기판 처리 장치의 주요 구성을 모식적으로 나타내는 분해 조립 사시도이다. 도 4 는 도 2 의 부분 단면도이다. 도 5 는 리프터에 유지되는 복수의 기판과 기포 토출구의 배치 관계를 나타내는 모식도이다. 제 1 약액 처리부 (81) 는 예를 들어 인산을 포함하는 약액을 처리액으로서 사용하여 기판 (W) 의 표면에 형성된 오목부를 통해서 실리콘 질화막을 에칭 제거하는 장치이다. 이 제 1 약액 처리부 (81) 는, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 에 대하여 제 1 약액 처리를 실시하기 위한 처리조 (821) 를 구비하고 있다. 이 처리조 (821) 는, 평면에서 보아 장방형을 이루는 저벽 (底壁) (821a) 과, 저벽 (821a) 의 주위로부터 일어서는 4 개의 측벽 (821b ∼ 821e) 으로 구성된 상방 개구의 박스 구조를 갖는다. 이 때문에, 처리조 (821) 는 저벽 (821a) 과 측벽 (821b ∼ 821e) 으로 둘러싸인 저류 공간 (821f) 내에서 처리액을 저류하면서 리프터 (810a) 에 유지되는 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 침지 가능하게 되어 있다. 또, 처리조 (821) 는 (＋Z) 방향으로 개구된 상방 개구 (821g) 를 갖고, 당해 저류 공간 (821f) 으로부터 처리액을 오버플로시키는 것이 가능하게 되어 있다.2 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 3 is an exploded and assembled perspective view schematically showing the main configuration of the substrate processing apparatus shown in FIG. 2 . FIG. 4 is a partial cross-sectional view of FIG. 2 ; Fig. 5 is a schematic diagram showing an arrangement relationship between a plurality of substrates held by a lifter and a bubble discharge port; The first chemical treatment unit 81 is an apparatus for etching and removing a silicon nitride film through a recess formed in the surface of the substrate W using, for example, a chemical liquid containing phosphoric acid as the treatment liquid. The first chemical processing unit 81 includes a processing tank 821 for performing a first chemical processing on the substrate W, as shown in FIGS. 2 and 3 . This treatment tank 821 has a box structure with an upper opening formed by a bottom wall 821a having a rectangular shape in plan view, and four side walls 821b to 821e standing up from the periphery of the bottom wall 821a. . For this reason, the processing tank 821 stores the processing liquid in the storage space 821f surrounded by the bottom wall 821a and the sidewalls 821b to 821e, while collectively storing the plurality of substrates W held by the lifter 810a. It can be immersed. Moreover, the processing tank 821 has the upper opening 821g opened in the (+Z) direction, and it is possible to overflow a processing liquid from the said storage space 821f.

처리조 (821) 의 주위에 오버플로조 (822) 가 형성되고, 당해 오버플로조 (822) 와 처리조 (821) 의 측벽 (821b ∼ 821e) 으로 오버플로한 처리액을 회수하는 회수 공간 (822a) 이 형성되어 있다. 또, 처리조 (821) 및 오버플로조 (822) 의 하방과 측방을 둘러싸도록 외측 용기 (823) 가 형성되어 있다.An overflow tank 822 is formed around the treatment tank 821, and a recovery space ( 822a) is formed. Moreover, the outer side container 823 is formed so that the lower side and the side of the processing tank 821 and the overflow tank 822 may be enclosed.

오버플로조 (822) 의 회수 공간 (822a) 의 일부, 보다 구체적으로는, 측벽 (821d) 의 (-X) 방향측의 공간에 플로 배관계 (839) 가 배치되어 있다. 플로 배관계 (839) 의 인렛은 처리액 공급부 (832) 에 접속되고, 아웃렛은 처리액 토출부 (830) 의 플로관 (831) 에 접속되어 있다. 이 때문에, 제어부 (9) 로부터의 처리액 공급 지령에 따라 처리액 공급부 (832) 가 작동하면, 처리액이 플로 배관계 (839) 를 통해서 복수의 플로관 (831) 에 동시 공급된다. 그 결과, 플로관 (831) 으로부터 처리액이 토출되고, 저류 공간 (821f) 에 저류된다. 또한, 플로관 (831) 의 자세한 구성 등에 대해서는 나중에 상세히 서술한다.The flow piping system 839 is arrange|positioned in a part of the recovery space 822a of the overflow tank 822, more specifically, in the space on the (-X) direction side of the side wall 821d. The inlet of the flow piping system 839 is connected to the processing liquid supply part 832 , and the outlet is connected to the flow pipe 831 of the processing liquid discharge part 830 . For this reason, when the processing liquid supply unit 832 operates according to a processing liquid supply command from the control unit 9 , the processing liquid is simultaneously supplied to the plurality of flow pipes 831 through the flow piping system 839 . As a result, the processing liquid is discharged from the flow pipe 831 and stored in the storage space 821f. In addition, the detailed structure of the flow pipe 831, etc. are demonstrated in detail later.

또, 처리조 (821) 로부터 오버플로한 처리액은 오버플로조 (822) 에 회수된다. 이 오버플로조 (822) 에는 처리액 회수부 (833) 가 접속되어 있다. 제어부 (9) 로부터의 처리액 회수 지령에 따라 처리액 회수부 (833) 가 작동하면, 오버플로조 (822) 에 회수된 처리액이 처리액 회수부 (833) 를 경유하여 처리액 공급부 (832) 에 송액되어 재이용에 공급된다. 이와 같이 본 실시형태에서는, 처리조 (821) 에 대하여 처리액을 순환 공급하면서 처리액을 저류 공간 (821f) 에 저류 가능하게 되어 있다.Moreover, the processing liquid which overflowed from the processing tank 821 is collect|recovered in the overflow tank 822. As shown in FIG. A processing liquid recovery unit 833 is connected to the overflow tank 822 . When the processing liquid recovery unit 833 operates in response to a processing liquid recovery command from the control unit 9 , the processing liquid recovered in the overflow tank 822 passes through the processing liquid recovery unit 833 to the processing liquid supply unit 832 . ) and supplied for reuse. As described above, in the present embodiment, the processing liquid can be stored in the storage space 821f while circulating and supplying the processing liquid to the processing tank 821 .

처리액이 저류된 저류 공간 (821f) 에 대하여 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 유지하면서 침지시키기 위해서, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 리프터 (810a) 가 형성되어 있다. 이 리프터 (810a) 는, 복수 매의 기판 (W) 을 기판 반송 기구 (7) (도 1) 와의 사이에서 수수를 실시하는 「수수 위치」 와, 저류 공간 (821f) 과의 사이에서 승강 가능하게 구성되어 있다. 리프터 (810a) 는, 배판 (背板) (811) 과, 3 개의 지지 부재 (812) 와, 연장 부재 (813) 를 구비하고 있다. 배판 (811) 은, 처리조 (821) 의 측벽 (821b) 을 따라 저벽 (821a) 을 향해서 연장되어 있다. 지지 부재 (812) 는, 배판 (811) 의 하단부 측면으로부터 (-X) 방향으로 연장되어 있다. 본 실시형태에서는, 3 개의 지지 부재 (812) 가 형성되어 있다. 각 지지 부재 (812) 에서는, 복수의 V 자 형상의 홈 (812a) 이 일정한 피치로 X 방향으로 배치 형성되어 있다. 각 홈 (812a) 은 기판 (W) 의 두께보다 약간 폭이 넓은 V 자 형상의 홈 (812a) 이 (＋Z) 방향으로 개구되어 형성되고, 기판 (W) 을 걸어고정할 수 있도록 되어 있다. 이 때문에, 3 개의 지지 부재 (812) 에 의해 기판 반송 기구 (7) 에 의해 반송되어 오는 복수의 기판 (W) 을 일정한 기판 피치로 일괄하여 유지 가능하게 되어 있다. 또, 연장 부재 (813) 는, 배판 (811) 의 상단부 배면으로부터 (＋X) 방향으로 연장되어 있다. 리프터 (810a) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이 전체적으로 L 자 형상을 나타내고 있다. 또한, 리프터 (810a) 의 최상승 위치는, 기판 반송 기구 (7) 가 복수 매의 기판 (W) 을 유지한 상태이더라도 지지 부재 (812) 의 상방을 통과할 수 있는 높이로 설정되어 있다.As shown in FIG. 2 , a lifter 810a is provided in order to immerse the plurality of substrates W while collectively holding them in the storage space 821f in which the processing liquid is stored. This lifter 810a is capable of lifting and lowering between the storage space 821f and the "transfer position" for transferring the plurality of substrates W between the substrate transfer mechanism 7 (FIG. 1) and the storage space 821f. Consists of. The lifter 810a includes a back plate 811 , three support members 812 , and an extension member 813 . The back plate 811 extends toward the bottom wall 821a along the side wall 821b of the treatment tank 821 . The support member 812 extends in the (-X) direction from the lower end side surface of the back plate 811 . In this embodiment, three support members 812 are formed. In each support member 812, a plurality of V-shaped grooves 812a are arranged in the X direction at a constant pitch. Each groove 812a is formed by opening a V-shaped groove 812a slightly wider than the thickness of the substrate W in the (+Z) direction, so that the substrate W can be hooked and fixed. For this reason, by the three support members 812, the some board|substrate W conveyed by the board|substrate conveyance mechanism 7 is collectively holdable with a fixed board|substrate pitch. In addition, the extension member 813 extends in the (+X) direction from the rear surface of the upper end of the back plate 811 . As shown in FIG. 2, the lifter 810a has shown the L-shape as a whole. In addition, the uppermost position of the lifter 810a is set to a height at which the substrate transport mechanism 7 can pass above the support member 812 even in a state in which the plurality of substrates W are held.

또한, 본 실시형태에서는, 리프터 (810a) 는, 도 2, 도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 면 법선 (도 4 에 있어서 기판 (W) 의 중심 (Wc) 으로부터 지면에 수직인 방향으로 연장되는 선) 을 X 방향을 향하게 한 상태로 복수의 기판 (W) 을 X 방향으로 기판 피치 (PT) (도 5) 로 배열시키면서 유지한다. 이 때, 리프터 (810a) 에 의한 복수의 기판 (W) 의 유지로는, 여러 가지 패턴이 존재한다. 예를 들어 기판 (W) 의 양 주면 (主面) 중 약액에 의한 제 1 약액 처리를 받는 표면 (나중에 설명하는 도 8 중의 부호 Wa) 이 ＋X 방향을 향한 상태에서 복수의 기판 (W) 을 유지해도 된다 (제 1 유지 패턴). 또, 다음의 제 2 실시형태에서 설명하는 바와 같이, 서로 인접하는 2 매의 기판 (W) 을 X 방향으로 기판 피치 (도 5 중의 부호 PT) 만큼 이간시키면서 2 매의 기판 (W) 의 표면끼리를 대향시킨 기판쌍 (WP) 을 X 방향으로 상기 기판 피치의 2 배의 피치로 배열하여 유지해도 된다 (제 2 유지 패턴).In addition, in this embodiment, the lifter 810a is, as shown in FIG. 2, FIG. 4, and FIG. 5, from the plane normal line of the board|substrate W (in FIG. 4, the center Wc of the board|substrate W to the paper surface). The plurality of substrates W are held while arranging in the X direction at the substrate pitch PT (FIG. 5) with the line extending in the vertical direction) facing the X direction. At this time, various patterns exist as holding|maintenance of the some board|substrate W by the lifter 810a. For example, holding the plurality of substrates W in a state where the surfaces (symbol Wa in Fig. 8, which will be described later) face the +X direction on both main surfaces of the substrate W, which are subjected to a first chemical treatment with a chemical solution also (first holding pattern). In addition, as described in the following second embodiment, the surfaces of the two substrates W are spaced apart from each other by the substrate pitch (symbol PT in Fig. 5) in the X direction. The pair of substrates WP facing each other may be arranged and held in the X direction at a pitch twice the substrate pitch (second holding pattern).

처리조 (821) 의 (＋X) 방향측에는, 리프터 구동 기구 (814) 가 형성되어 있다. 리프터 구동 기구 (814) 는, 승강 모터 (815) 와, 볼 나사 (816) 와, 승강 베이스 (817) 와, 승강 지주 (818) 와, 모터 구동부 (819) 를 구비하고 있다. 승강 모터 (815) 는, 회전축을 세로로 둔 상태에서 기판 처리 시스템 (1) 의 프레임 (도시 생략) 에 장착되어 있다. 볼 나사 (816) 는, 승강 모터 (815) 의 회전축에 연결되어 있다. 승강 베이스 (817) 는, 볼 나사 (816) 에 일방측이 나사 결합되어 있다. 승강 지주 (818) 는, 기단부측이 승강 베이스 (817) 의 중앙부에 장착되고, 타단부측이 연장 부재 (813) 의 하면에 장착되어 있다. 제어부 (9) 로부터의 상승 지령에 따라 모터 구동부 (819) 가 승강 모터 (815) 를 구동시키면, 볼 나사 (816) 가 회전하고, 승강 베이스 (817) 와 함께 승강 지주 (818) 가 상승한다. 이에 따라 지지 부재 (812) 가 수수 위치에 위치 결정된다. 또, 제어부 (9) 로부터의 하강 지령에 따라 모터 구동부 (819) 가 승강 모터 (815) 를 역방향으로 구동시키면, 볼 나사 (816) 가 역회전하고, 승강 베이스 (817) 와 함께 승강 지주 (818) 가 하강한다. 이에 따라, 지지 부재 (812) 에 유지되는 복수의 기판 (W) 이 일괄하여 저류 공간 (821f) 에 저류된 처리액에 침지된다.A lifter drive mechanism 814 is provided on the (+X) direction side of the treatment tank 821 . The lifter drive mechanism 814 includes a lift motor 815 , a ball screw 816 , a lift base 817 , a lift post 818 , and a motor drive unit 819 . The raising/lowering motor 815 is attached to the frame (not shown) of the substrate processing system 1 in the state which set the rotating shaft vertically. The ball screw 816 is connected to the rotation shaft of the lifting motor 815 . As for the lifting base 817, one side is screwed to the ball screw 816. As shown in FIG. As for the lifting post 818 , the proximal end side is attached to the central part of the raising/lowering base 817 , and the other end side is attached to the lower surface of the extension member 813 . When the motor drive unit 819 drives the lifting motor 815 according to a lifting command from the controller 9 , the ball screw 816 rotates and the lifting post 818 rises together with the lifting base 817 . Accordingly, the support member 812 is positioned at the transfer position. In addition, when the motor driving unit 819 drives the lifting motor 815 in the reverse direction in response to a descending instruction from the controller 9 , the ball screw 816 rotates in the reverse direction, and the lifting base 818 together with the lifting base 817 is rotated in the reverse direction. ) goes down. Accordingly, the plurality of substrates W held by the support member 812 are collectively immersed in the processing liquid stored in the storage space 821f.

저류 공간 (821f) 에서는, 지지 부재 (812) 에 유지되는 복수의 기판 (W) 의 하방측, 요컨대 (-Z) 방향측에 처리액 토출부 (830) 와 기포 공급부 (840) 가 배치 형성되어 있다. 처리액 토출부 (830) 는 처리액 공급부 (832) 로부터 플로 배관계 (839) 를 통해서 공급되는 처리액을 저류 공간 (821f) 에 토출하는 것이고, 기포 공급부 (840) 는 저류 공간 (821f) 에 저류된 처리액 내에 질소 가스의 기포 (V) (도 5) 를 공급하는 것이며, 각각 이하와 같이 구성되어 있다.In the storage space 821f, the processing liquid discharge unit 830 and the bubble supply unit 840 are disposed below the plurality of substrates W held by the support member 812, that is, on the (-Z) direction side. there is. The processing liquid discharge unit 830 discharges the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit 832 through the flow piping system 839 to the storage space 821f, and the bubble supply unit 840 stores the processing liquid in the storage space 821f. The nitrogen gas bubbles V (FIG. 5) are supplied into the treated liquid, and each is configured as follows.

처리액 토출부 (830) 는, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, X 방향으로 연장 형성된 플로관 (831) 을 가지고 있다. 본 실시형태에서는 2 개의 플로관 (831) 이 Y 방향으로 서로 이간해서 배치되어 있다. 각 플로관 (831) 의 (-X) 방향 단부 (端部) 는 플로 배관계 (839) 의 아웃렛과 접속되고, (＋X) 방향 단부는 봉지 (封止) 되어 있다. 또, 각 플로관 (831) 의 측벽에는 복수의 처리액 토출구 (834) 가 일정한 간격으로 X 방향으로 배열하도록 뚫려 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 각 처리액 토출구 (834) 는 저류 공간 (821f) 중의 처리액에 침지된 기판 (W) 의 중심 (Wc) 을 향해서 형성되어 있다. 이 때문에, 플로관 (831) 에 공급되어 온 처리액은 배관 내부를 (＋X) 방향으로 흐르고, 각 처리액 토출구 (834) 로부터 기판 (W) 을 향해서 토출된다.The processing liquid discharge unit 830 includes a flow pipe 831 extending in the X direction as shown in FIGS. 3 and 4 . In this embodiment, the two flow pipes 831 are mutually spaced apart in the Y direction, and are arrange|positioned. The (-X) direction end of each flow pipe 831 is connected with the outlet of the flow piping system 839, and the (+X) direction end is sealed. In addition, a plurality of processing liquid discharge ports 834 are perforated in the sidewall of each flow pipe 831 so as to be arranged in the X direction at regular intervals. In the present embodiment, as shown in FIG. 4 , each processing liquid discharge port 834 is formed toward the center Wc of the substrate W immersed in the processing liquid in the storage space 821f. For this reason, the processing liquid supplied to the flow pipe 831 flows inside the piping in the (+X) direction, and is discharged from each processing liquid discharge port 834 toward the substrate W.

2 개의 플로관 (831) 에 대하여 1 대 1 의 대응 관계로 억제부 (860) 가 형성되어 있다. 각 억제부 (860) 는 X 방향으로 연장 형성된 억제판 (861) 을 가지고 있다. 또한, 발명 내용의 이해를 용이하게 하기 위해서, 2 개의 플로관 (831) 중 (-Y) 방향측에 배치된 것을 「플로관 (831a)」 라고 칭하고, (＋Y) 방향측에 배치되는 것을 「플로관 (831b)」 라고 칭한다. 또, 이들을 구별하지 않는 경우에는, 상기와 같이 간단히 「플로관 (831)」 이라고 칭한다. 또한, 2 매의 억제판 (861) 중 (-Y) 방향측에 배치된 것을 「억제판 (861a)」 라고 칭하고, (＋Y) 방향측에 배치되는 것을 「억제판 (861b)」 라고 칭한다. 또, 이들을 구별하지 않는 경우에는, 상기와 같이 간단히 「억제판 (861)」 이라고 칭한다.The suppression portion 860 is formed in a one-to-one correspondence with the two flow pipes 831 . Each restraining portion 860 has a restraining plate 861 formed extending in the X direction. In addition, in order to facilitate understanding of the contents of the invention, among the two flow pipes 831, those disposed on the (-Y) direction side are referred to as “flow pipes 831a”, and those disposed on the (+Y) direction side are referred to as “flow pipes 831a”. flow pipe 831b". In addition, when these are not distinguished, as mentioned above, "flow pipe 831" is simply called. In addition, among the two suppression plates 861, the thing arrange|positioned on the (-Y) direction side is called "suppression plate 861a", and what is arrange|positioned on the (+Y) direction side is called "suppression plate 861b". In addition, when these are not distinguished, as mentioned above, it is simply called "suppression plate 861".

억제판 (861) 은 리프터 (810a) 에 유지된 기판 (W) 과 플로관 (831) 의 사이에 배치되어 있다. 이 때문에, 억제판 (861) 의 일방 주면은 플로관 (831) 에 대향하는 토출 대향면 (862) 이며, 타방 주면은 기판 (W) 에 대향하는 기판 대향면 (863) 이다. 토출 대향면 (862) 은, 그 면 법선이 처리액 토출구 (834) 와 기판 (W) 의 중심 (Wc) 을 잇는 가상선 (도 4 중의 이점 쇄선) 과 거의 일치하고 있다. 요컨대, 처리액 토출구 (834) 로부터 토출된 처리액의 흐름에 대한 토출 대향면 (862) 의 각도 (θ) 는 90˚ 정도이다. 또한, 이 각도 (θ) 는 60˚ 내지 120˚ 의 범위로 설정하는 것이 바람직하다.The suppression plate 861 is disposed between the substrate W held by the lifter 810a and the flow pipe 831 . For this reason, one main surface of the suppression plate 861 is the discharge opposing surface 862 which opposes the flow pipe 831, and the other main surface is the board|substrate opposing surface 863 opposing the board|substrate W. As shown in FIG. The discharge opposing surface 862 substantially coincides with an imaginary line (double-dotted line in FIG. 4 ) whose surface normal line connects the processing liquid discharge port 834 and the center Wc of the substrate W . In other words, the angle θ of the discharge facing surface 862 with respect to the flow of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port 834 is about 90°. In addition, it is preferable to set this angle (θ) in the range of 60° to 120°.

억제부 (860) 의 배치에 의해, 처리액 토출구 (834) 로부터 기판 (W) 을 향해서 토출된 처리액의 흐름 (도 4 중의 부호 FL) 은 억제부 (860) 의 토출 대향면 (862) 으로 차단되고, 토출 대향면 (862) 을 경유하여 기판 (W) 을 향해서 흐른다. 이와 같이 처리액 토출구 (834) 로부터 기판 (W) 에 직접적으로 처리액이 공급되는 것을 억제하면서 처리액이 상방으로 흐르고, 처리조 (821) 의 저벽측으로부터 상방 개구 (821g), 요컨대 오버플로면을 향하는 처리액의 흐름을 형성한다. 이렇게 하여, 처리액의 상승류가 기판 (W) 의 하방측에 형성된다.Due to the arrangement of the suppression unit 860 , the flow of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port 834 toward the substrate W (symbol FL in FIG. 4 ) is directed to the discharge-facing surface 862 of the suppression unit 860 . It is cut off and flows toward the substrate W via the discharge-facing surface 862 . In this way, the processing liquid flows upward while suppressing the supply of the processing liquid from the processing liquid discharge port 834 directly to the substrate W, and from the bottom wall side of the processing tank 821 to the upper opening 821g, that is, the overflow surface. to form a flow of treatment liquid toward In this way, an upward flow of the processing liquid is formed on the lower side of the substrate W.

기포 공급부 (840) 는, 도 3 내지 도 5 에 나타내는 바와 같이, 복수 (본 실시형태에서는 4 개) 의 버블러 (841) 를 가지고 있다. 각 버블러 (841) 는, X 방향으로 연장 형성된 버블 배관 (842) 과, 버블 배관 (842) 으로로부터 상방, 요컨대 (＋Z) 방향으로 돌출 형성되는 복수의 돌출형성 부위 (843) 를 가지고 있다. 각 버블 배관 (842) 의 일방 단부는 질소 가스를 공급하는 가스 공급부 (844) 와 접속되고, 타방 단부는 봉지되어 있다. 복수의 돌출형성 부위 (843) 는 일정한 기판 피치 (PT) (도 5) 와 동일한 기판 피치 (PT) 로 버블 배관 (842) 의 상방 측벽에 형성되어 있다. 각 돌출형성 부위 (843) 는 도 3 에 나타내는 바와 같이 중공 원기둥 형상을 갖고, 상단면의 중앙부에 기포 토출구 (845) 가 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 수지 재료, 특히 폴리에테르에테르케톤 (PEEK), 퍼플루오로알콕시알칸 (PFA), 및 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE) 으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1 개의 것으로 구성된 장척 (長尺) 수지관의 표면에 대하여 절삭 가공과 구멍뚫기 가공을 실시함으로써 버블 배관 (842) 과 복수의 돌출형성 부위 (843) 를 일체적으로 형성하고 있다. 여기서, 버블 배관 (842) 과, 복수의 돌출형성 부위 (843) 를 개별적으로 준비하고, 버블 배관 (842) 에 대하여 복수의 돌출형성 부위 (843) 를 장착하여 일체화시켜도 되는 것은 말할 필요도 없다.The bubble supply part 840 has several (four in this embodiment) bubbler 841, as shown to FIGS. Each bubbler 841 has a bubble pipe 842 extending in the X direction, and a plurality of protruding portions 843 protruding upward from the bubble pipe 842 , that is, in the (+Z) direction. One end of each bubble pipe 842 is connected to a gas supply part 844 that supplies nitrogen gas, and the other end is sealed. A plurality of projecting portions 843 are formed on the upper sidewall of the bubble pipe 842 with a substrate pitch PT equal to a constant substrate pitch PT (FIG. 5). Each of the protruding portions 843 has a hollow cylindrical shape as shown in Fig. 3, and a bubble discharge port 845 is formed in the central portion of the upper end surface. In this embodiment, a resin material, in particular, a long resin material composed of at least one selected from the group consisting of polyetheretherketone (PEEK), perfluoroalkoxyalkane (PFA), and polytetrafluoroethylene (PTFE). The bubble pipe 842 and the plurality of projecting portions 843 are integrally formed by cutting and drilling the surface of the resin pipe. Here, it goes without saying that the bubble pipe 842 and the plurality of protruding portions 843 may be separately prepared, and the plurality of protruding portions 843 may be attached to and integrated with the bubble pipe 842 .

이와 같이 구성된 기포 공급부 (840) 에서는, 제어부 (9) 로부터의 기포 공급 지령에 따라 가스 공급부 (844) 가 질소 가스를 기포 공급부 (840) 에 공급하면, 버블 배관 (842) 을 흐르는 질소 가스가 기포 토출구 (845) 로부터 상방을 향해서 토출한다. 이에 따라, 질소 가스의 기포 (V) (도 5) 가 저류 공간 (821f) 에 저류된 처리액에 공급되고, 연직 방향 (Z) 에 있어서 처리액 토출구 (834) 보다 높은 위치로부터 오버플로면을 향하는 방향, 요컨대 (＋Z) 방향으로 기포 (V) 가 공급된다. 이들 기포 (V) 는 처리액 중을 상승하고, 기판 (W) 의 표면 (Wa) 근방에 위치하는 처리액을 신선한 처리액으로 치환하는 것을 촉진한다. 또한, 가스 공급부 (844) 로는, 예를 들어 질소 가스가 충전된 봄베로부터 질소 가스를 공급하는 구성이어도 되고, 기판 처리 시스템 (1) 이 설치되는 공장에 형성된 유틸리티를 사용해도 된다.In the bubble supply unit 840 configured as described above, when the gas supply unit 844 supplies nitrogen gas to the bubble supply unit 840 according to a bubble supply command from the control unit 9, the nitrogen gas flowing through the bubble pipe 842 is bubbled. It is discharged from the discharge port 845 toward the upper direction. Accordingly, the nitrogen gas bubbles V (FIG. 5) are supplied to the processing liquid stored in the storage space 821f, and the overflow surface is formed from a position higher than the processing liquid discharge port 834 in the vertical direction Z. The bubble V is supplied in the direction to which it goes, ie, the (+Z) direction. These bubbles V rise in the processing liquid and promote replacement of the processing liquid located in the vicinity of the surface Wa of the substrate W with the fresh processing liquid. In addition, as the gas supply part 844, the structure which supplies nitrogen gas from the cylinder filled with nitrogen gas may be sufficient, for example, and the utility formed in the factory in which the substrate processing system 1 is installed may be used.

또, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 4 개의 버블러 (841) 는, 3 개의 버블러 보드 (851) 로 구성되는 버블러 지지부 (850) 에 의해 하방으로부터 지지됨으로써, 리프터 (810a) 에 유지된 기판 (W) 의 하방측 또한 처리액 토출구 (834) 의 상방측에서 고정적으로 배치되어 있다. 여기서도, 발명 내용의 이해를 용이하게 하기 위해서, 4 개의 버블러 (841) 중 가장 (-Y) 방향측에 배치된 것을 「버블러 (841a)」 라고 칭하고, (＋Y) 방향측에 순차 배치되는 것을 각각 「버블러 (841b)」, 「버블러 (841c)」 및 「버블러 (841d)」 라고 칭한다. 또, 이들을 구별하지 않는 경우에는, 상기와 같이 간단히 「버블러 (841)」 이라고 칭한다. 한편, 버블러 보드 (851) 에 대해서도 마찬가지로, 버블러 보드 (851) 중 가장 (-Y) 방향측에 배치된 것을 「버블러 보드 (851a)」 라고 칭하고, (＋Y) 방향측에 순차 배치되는 것을 각각 「버블러 보드 (851b)」 및 「버블러 보드 (851c)」 라고 칭한다. 또, 이들을 구별하지 않는 경우에는, 상기와 같이 간단히 「버블러 보드 (851)」 이라고 칭한다.Moreover, as shown in FIG. 4, the board|substrate hold|maintained by the lifter 810a by the four bubblers 841 being supported from below by the bubbler support part 850 comprised with the three bubbler board 851. The lower side of W and the upper side of the processing liquid discharge port 834 are fixedly arranged. Here too, in order to facilitate understanding of the contents of the invention, the one disposed on the most (-Y) direction side among the four bubblers 841 is referred to as a “bubbler 841a”, and is sequentially disposed on the (+Y) direction side. These are called "bubbler 841b", "bubbler 841c", and "bubbler 841d", respectively. In addition, when these are not distinguished, as mentioned above, "bubbler 841" is simply called. On the other hand, similarly about the bubbler board 851, the one arranged most on the (-Y) direction side among the bubbler board 851 is called "bubbler board 851a", and is sequentially arranged on the (+Y) direction side. These are called "bubble board 851b" and "bubble board 851c", respectively. In addition, when these are not distinguished, as mentioned above, "bubble board 851" is simply called.

버블러 보드 (851a ∼ 851c) 는 모두 X 방향으로 연장 형성된 플레이트 형상을 가지고 있다. 이들 중 버블러 보드 (851a) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (821) 의 측벽 (821c) 과 플로관 (831a) 의 사이에 배치됨과 함께 고정 부재 (도시 생략) 에 의해 처리조 (821) 에 고정되어 있다. 그리고, 당해 버블러 보드 (851a) 의 상면에 버블러 (841a) 가 다음의 배치 관계를 만족하도록 고정되어 있다. 그 배치 관계란, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 버블러 (841a) 에 장착된 돌출형성 부위 (843) 가 상방을 향하고 있는 것과, X 방향에 있어서 기판 (W) 과 기포 토출구 (845) 가 번갈아 위치한다는 것이다. 이와 같이 배치함으로써 기포 토출구 (845) 로부터 공급된 기포 (V) 는 X 방향에 있어서 인접하는 기판 (W) 으로 끼인 기판간 영역의 사이를 향해서 기포 (V) 가 토출되어, 효율적인 약액 처리가 실행된다. 또한, 이 배치 관계는 그 밖의 버블러 (841b ∼ 841d) 에 대해서도 동일하다.Each of the bubbler boards 851a to 851c has a plate shape extending in the X direction. Among these, the bubbler board 851a is arrange|positioned between the side wall 821c of the processing tank 821, and the flow pipe 831a, as shown in FIG. 821) is fixed. And the bubbler 841a is being fixed to the upper surface of the said bubbler board 851a so that the following arrangement|positioning relationship may be satisfy|filled. The arrangement relationship is, as shown in Fig. 5, that the protrusion forming portion 843 attached to the bubbler 841a faces upward, and the substrate W and the bubble outlet 845 are alternately positioned in the X direction. is to do By arranging in this way, the bubbles V supplied from the bubble discharge port 845 are discharged toward between the inter-substrate regions sandwiched by the adjacent substrates W in the X direction, and efficient chemical treatment is performed. . In addition, this arrangement|positioning relationship is the same also about other bubbler 841b - 841d.

버블러 보드 (851b) 는 플로관 (831a) 과 플로관 (831b) 의 사이에 배치됨과 함께 고정 부재 (도시 생략) 에 의해 처리조 (821) 에 고정되어 있다. 그리고, 당해 버블러 보드 (851b) 의 상면에 버블러 (841b, 841c) 가 Y 방향으로 일정 간격만큼 이간하면서 고정되어 있다. 또한 버블러 보드 (851c) 는 플로관 (831b) 과 처리조 (821) 의 측벽 (821e) 의 사이에 배침됨과 함께 고정 부재 (도시 생략) 에 의해 처리조 (821) 에 고정되어 있다. 그리고, 당해 버블러 보드 (851c) 의 상면에 버블러 (841d) 가 고정되어 있다. 이와 같이 버블러 보드 (851a ∼ 851c) 는 기포 공급부 (840) 를 하방으로부터 지지하는 기능을 가지고 있다.The bubbler board 851b is being fixed to the processing tank 821 by a fixing member (not shown) while arrange|positioning between the flow pipe 831a and the flow pipe 831b. And bubbler 841b, 841c is being fixed to the upper surface of the said bubbler board 851b, spaced apart by a fixed space|interval in a Y direction. Further, the bubbler board 851c is interposed between the flow pipe 831b and the sidewall 821e of the treatment tank 821 and is being fixed to the treatment tank 821 by a fixing member (not shown). And the bubbler 841d is being fixed to the upper surface of the said bubbler board 851c. Thus, the bubbler boards 851a-851c have the function which supports the bubble supply part 840 from below.

도 2 내지 도 5 를 참조하면서 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태에 상당하는 제 1 약액 처리부 (81) 의 구성에 대해서 설명했지만, 제 2 약액 처리부 (83) 도 처리액의 종류가 동종 또는 이종인 점을 제외하고, 제 1 약액 처리부 (81) 와 동일한 구성을 가지며, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태에 상당하고 있다. 또, 제 1 린스 처리부 (82) 및 제 2 린스 처리부 (84) 는, 처리액이 순수나 DIW (deionized water) 등의 린스액인 점을 제외하고, 제 1 약액 처리부 (81) 와 동일한 구성을 가지며, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 1 실시형태에 상당하고 있다.Although the configuration of the first chemical processing unit 81 corresponding to the first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention has been described with reference to FIGS. 2 to 5 , the second chemical processing unit 83 also has a different type of processing liquid. Except for being of the same type or different types, it has the same configuration as that of the first chemical processing unit 81, and corresponds to the first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. In addition, the first rinse processing unit 82 and the second rinse processing unit 84 have the same configuration as the first chemical liquid processing unit 81 except that the processing liquid is a rinse liquid such as pure water or DIW (deionized water). and corresponds to the first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 처리액 토출부 (830) 의 처리액 토출구 (834) 로부터 토출되어 기판 (W) 을 향하는 처리액의 흐름 (FL) 이 억제부 (860) 의 억제판 (861) 에 의해 차단된다. 요컨대, 처리액 토출부 (830) 로부터 기판 (W) 으로의 처리액의 직접 공급이 억제된다. 그 결과, 처리조에 저류된 처리액에 침지된 기판에 대하여 처리액이 치우쳐 공급되는 것을 억제하여 처리 품질을 높일 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the flow FL of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port 834 of the processing liquid discharge unit 830 toward the substrate W is reduced by the suppression plate ( 861) is blocked. In other words, the direct supply of the processing liquid from the processing liquid discharge unit 830 to the substrate W is suppressed. As a result, the processing quality can be improved by suppressing the supply of the processing liquid biased to the substrate immersed in the processing liquid stored in the processing tank.

또, 제 1 실시형태와 일본 공개특허공보 2020-47885호에 기재된 장치를 대비 하면, 억제부 (860) 를 제외하고 양자는 기본적으로 동일한 구성을 가지고 있다. 요컨대, 일본 공개특허공보 2020-47885호에 기재된 장치에 대하여 억제부 (860) 를 추가함으로써 제 1 실시형태와 동일한 작용 효과가 얻어진다. 바꾸어 말하면, 본원 발명은 일본 공개특허공보 2020-47885호에 기재된 장치에 억제부 (860) 를 삽입하여 개량하는 것, 이른바 레트로피트의 일례에 상당하고 있다.Further, when the first embodiment is compared with the apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2020-47885, both have basically the same configuration except for the suppression unit 860 . In other words, by adding the suppression portion 860 to the device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2020-47885, the same operational effects as those of the first embodiment are obtained. In other words, the present invention corresponds to an example of a so-called retrofit that is improved by inserting the suppressor 860 into the device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2020-47885.

또, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 저류 공간 (821f) 내에서 리프터 (810a) 에 유지된 기판 (W) 의 중심 (Wc) 을 통과함과 함게 기판 (W) 의 표면과 직교하는 가상 연직면 (VS) 에 대하여, 억제부 (860), 처리액 토출부 (830), 기포 공급부 (840) 및 버블러 지지부 (850) 가 대칭 배치되어 있다. 이 때문에, 저류 공간 (821f) 에 저류된 처리액 내에서 발생하는 상승류도 가상 연직면 (VS) 에 대하여 대칭이 되고, 상승류의 치우침이 억제되어, 기판 처리 (약액 처리나 린스 처리) 를 고품질로 실시할 수 있다.Moreover, as shown in FIG. 4, while passing through the center Wc of the board|substrate W held by the lifter 810a in the storage space 821f, the virtual vertical surface VS orthogonal to the surface of the board|substrate W. ) , the suppression unit 860 , the processing liquid discharge unit 830 , the bubble supply unit 840 , and the bubbler support unit 850 are symmetrically disposed. For this reason, the upward flow generated in the processing liquid stored in the storage space 821f is also symmetrical with respect to the virtual vertical surface VS, the bias of the upward flow is suppressed, and substrate processing (chemical liquid processing or rinsing processing) is performed with high quality. can be carried out with

또, 도 5 의 부분 확대도에 나타내는 바와 같이, X 방향에 있어서 기판 (W) 과 기포 토출구 (845) 가 번갈아 위치하도록 버블러 (841d) 에 배치되어 있기 때문에, 기포 (V) 를 서로 인접하는 기판 (W) 사이를 향해서 효율적으로 공급할 수 있다. 그 결과, 기판 처리 (약액 처리나 린스 처리) 를 고품질로 실시할 수 있다.Moreover, as shown in the partial enlarged view of FIG. 5, in the X direction, since the board|substrate W and the bubble outlet 845 are arrange|positioned in the bubbler 841d so that they may be located alternately, the bubble V is mutually adjacent to each other. It can supply efficiently toward between the board|substrates W. As a result, substrate processing (chemical solution processing or rinsing processing) can be performed with high quality.

또, 버블러 보드 (851a ∼ 851c) 를 기포 공급부 (840) 의 연직 바로 아래에 위치시켜 기포 공급부 (840) 를 하방으로부터 지지하고 있다. 이 때문에, 기포 공급부 (840) 를 단단히 고정시킬 수 있어, 기포 (V) 를 안정적으로 서로 인접하는 기판 (W) 사이를 향해서 공급할 수 있다.Moreover, the bubbler boards 851a-851c are positioned directly below the bubble supply part 840, and the bubble supply part 840 is supported from below. For this reason, the bubble supply part 840 can be fixed firmly, and the bubble V can be stably supplied toward between the mutually adjacent board|substrates W.

이와 같이 제 1 실시형태에서는, X 방향이 본 발명의 「제 1 방향」 에 상당하고 있다.As described above, in the first embodiment, the X direction corresponds to the "first direction" of the present invention.

도 6 은 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 제 2 실시형태의 개략 구성을 나타내는 부분 단면도이다. 도 7 은 도 6 의 A-A 선 화살표에서 바라본 도면이다. 도 8 은 리프터에 유지되는 복수의 기판, 기포 토출구 및 억제판의 배치 관계를 나타내는 모식도이다. 이 제 2 실시형태가 제 1 실시형태와 크게 상이한 점은, 억제부 (860) 의 구성이며, 그 밖의 구성은 제 1 실시형태와 동일하다. 따라서, 이하에 있어서는, 상이점을 중심으로 설명하고, 동일 구성에 대해서는 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.6 is a partial cross-sectional view showing a schematic configuration of a second embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 7 is a view viewed from the arrow line A-A of FIG. 6 . Fig. 8 is a schematic diagram showing the arrangement relationship of a plurality of substrates held by a lifter, a bubble discharge port, and a suppression plate. The point that this 2nd Embodiment differs greatly from 1st Embodiment is the structure of the suppression part 860, The other structure is the same as that of 1st Embodiment. Therefore, in the following, it demonstrates centering around a difference, and attaches|subjects the same code|symbol about the same structure and abbreviate|omits description.

억제부 (860) 를 구성하는 일방의 억제판 (861a) 은, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 플로관 (831a) 의 양측에 배치된 버블러 (841a, 841b) 의 상방 영역까지 연장 형성되어 있다. 이 때문에, 억제판 (861a) 은, 플로관 (831a) 의 처리액 토출구 (834) 로부터 토출된 처리액 뿐만 아니라 버블러 (841a, 841b) 로부터 공급된 기포 (V) 를 차단하여 처리액 및 기포가 그대로 기판 (W) 에 공급되는 것을 억제한다. 본 실시형태에서는, 상기 상방 영역이 본 발명의 「기판과 기포 공급부에 끼인 영역」 의 일례에 상당하고 있다.As shown in FIG. 6, the one suppression plate 861a which comprises the suppression part 860 is extended and formed to the area|region above bubbler 841a, 841b arrange|positioned on both sides of the flow pipe 831a. For this reason, the suppression plate 861a blocks the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port 834 of the flow pipe 831a as well as the bubbles V supplied from the bubblers 841a and 841b to block the processing liquid and the bubbles. is suppressed from being supplied to the substrate W as it is. In this embodiment, the said upper area|region corresponds to an example of "the area|region sandwiched between a board|substrate and a bubble supply part" of this invention.

그 한편으로, 억제판 (861a) 에는, 복수의 관통공 (864) 이 형성되어 상기 처리액 및 기포 (V) 의 일부를 기판 (W) 으로 유통시킨다. 단, 제 2 실시형태에서는, 기판 (W) 이 제 2 유지 패턴으로 유지되고 있는 것에 대응하여 관통공 (864) 은 도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이 배치 형성되어 있다. 이 제 2 유지 패턴에서는, 기판쌍 (WP) 이 X 방향으로 기판쌍 피치 (= 2 × PT) 로 배열되어 있다. 각 기판쌍 (WP) 에 있어서는, 서로 인접하는 2 매의 기판 (W) 이 표면끼리를 대향시키면서 기판 피치 (PT) 만큼 이간하여 당해 표면 (Wa) 끼리로 끼인 기판간 영역이 형성된다. 그래서, 관통공 (864) 은 상기 기판간 영역의 연직 하방에 형성된다. 또, 관통공 (864) 의 기판측 X 방향 사이즈는 기판간 영역의 X 방향 사이즈 이하로 설정되어 있다. 이에 따라, 다음의 작용 효과가 얻어진다.On the other hand, a plurality of through-holes 864 are formed in the suppression plate 861a to flow the processing liquid and a part of the bubbles V to the substrate W. However, in 2nd Embodiment, the through-hole 864 is arrange|positioned as shown in FIG. 7 and FIG. 8 corresponding to the board|substrate W being hold|maintained by the 2nd holding pattern. In this second holding pattern, the substrate pairs WP are arranged at a substrate pair pitch (=2×PT) in the X direction. In each pair of substrates WP, two adjacent substrates W are spaced apart by the substrate pitch PT while facing each other to form an inter-substrate region sandwiched between the surfaces Wa. Thus, the through hole 864 is formed vertically below the inter-substrate region. In addition, the substrate-side X-direction size of the through hole 864 is set to be equal to or smaller than the X-direction size of the inter-substrate region. Thereby, the following effects are obtained.

제 2 실시형태에서는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 버블러 (841a, 841b) 로부터 공급된 기포 (V) 중 관통공 (864) 의 버블러측 개구로 이동해 온 것은 그대로 관통공 (864) 을 통해서 기판측으로 유통하고, 기판간 영역으로 이송된다. 한편, 토출 대향면 (862) 중 관통공 (864) 이외의 영역으로 이동해 온 기포 (V) 의 대부분은 인접하는 관통공 (864) 으로 슬라이드하고, 당해 관통공 (864) 을 통해서 기판측으로 유통하고, 기판간 영역으로 이송된다. 상기한 구성에 대해서는, 억제부 (860) 를 구성하는 타방의 억제판 (861b) 에 있어서도 동일하다. 또, 본 실시형태에서는, 관통공 (864) 의 버블러측 X 방향 사이즈가 기판측 X 방향 사이즈보다 넓게 XZ 단면 (斷面) 에 있어서 사다리꼴 형상으로 마무리되어 있어, 기포 (V) 를 효율적으로 기판간 영역으로 안내할 수 있다. 물론, 관통공 (864) 의 형상은 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 버블러측 X 방향 사이즈가 기판측 X 방향 사이즈와 일치하도록 관통공 (864) 을 형성해도 된다.In the second embodiment, as shown in FIG. 8 , among the bubbles V supplied from the bubblers 841a and 841b, those that have moved to the bubbler-side opening of the through-hole 864 are directly passed through the through-hole 864 to the substrate. It flows to the side and is transferred to the inter-substrate area. On the other hand, most of the bubbles V that have migrated to areas other than the through-holes 864 among the discharge-facing surfaces 862 slide into the adjacent through-holes 864, and flow through the through-holes 864 toward the substrate side. , transferred to the inter-substrate area. About the above-mentioned structure, it is the same also in the other suppression plate 861b which comprises the suppression part 860. As shown in FIG. Moreover, in this embodiment, the bubbler side X-direction size of the through-hole 864 is wider than the board|substrate side X direction size, and it finishes in a trapezoidal shape in the XZ cross-section, and the bubble V is efficiently carried out between board|substrates. area can be guided. Of course, the shape of the through hole 864 is not limited to this, and for example, the through hole 864 may be formed so that the bubbler-side X-direction size coincides with the substrate-side X-direction size.

이와 같이 관통공 (864) 을 갖는 억제부 (860) 를 사용한 제 2 실시형태에 의하면, 많은 기포 (V) 가 효율적으로 기판간 영역으로 이송되고, 기판 (W) 의 표면 (Wa) 에 대하여 기포 리치한 상태를 만들어 낸다. 그 결과, 기판 (W) 의 표면 (Wa) 의 근방에 위치하는 처리액이 신선한 처리액으로 효율적으로 치환되어, 기판 처리를 보다 효율적으로 실시할 수 있다.According to the second embodiment in which the suppression portion 860 having the through hole 864 is used in this way, many air bubbles V are efficiently transferred to the inter-substrate region, and the air bubbles are applied to the surface Wa of the substrate W. Creates a rich state. As a result, the processing liquid located in the vicinity of the surface Wa of the substrate W is efficiently replaced with the fresh processing liquid, and the substrate processing can be performed more efficiently.

또한, 본 발명은 상기한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 상기 서술한 것 이외에 여러 가지 변경을 실시하는 것이 가능하다. 예를 들어 상기 제 2 실시형태에서는, 기판 (W) 이 제 2 유지 패턴으로 유지되고 있는 것에 대응하여 관통공 (864) 이 기판쌍 (WP) 을 구성하는 2 매의 기판 (W) 으로 끼인 기판간 영역의 연직 하방에 형성되어 있지만, 제 1 유지 패턴의 경우에는, 관통공 (864) 을 다음과 같이 형성해도 된다 (제 3 실시형태). 이 제 1 유지 패턴에서는, 기판 (W) 이 X 방향으로 기판 피치 (PT) 로 배열되고, 서로 인접하는 2 매의 기판 (W) 으로 끼인 기판간 영역이 형성된다. 따라서, 각 기판간 영역의 연직 하방에 관통공 (864) 을 형성함으로써 기판간 영역을 면하는 표면 (Wa) 에 대하여 기포 리치한 상태를 만들어 낼 수 있다. 그 결과, 당해 표면 (Wa) 의 근방에 위치하는 처리액이 신선한 처리액으로 효율적으로 치환되어, 기판 처리를 보다 효율적으로 실시할 수 있다.In addition, this invention is not limited to said embodiment, Unless it deviates from the meaning, it is possible to implement various changes other than what was mentioned above. For example, in the second embodiment, in response to the substrate W being held by the second holding pattern, the through hole 864 is a substrate sandwiched between the two substrates W constituting the substrate pair WP. Although formed vertically below the liver region, in the case of the first holding pattern, the through hole 864 may be formed as follows (third embodiment). In this 1st holding pattern, the board|substrates W are arranged with the board|substrate pitch PT in the X direction, and the intersubstrate area|region sandwiched by the board|substrate W of 2 sheets adjacent to each other is formed. Accordingly, it is possible to create a bubble-rich state with respect to the surface Wa facing the inter-substrate region by forming the through-hole 864 in the vertically downward direction of each inter-substrate region. As a result, the processing liquid located in the vicinity of the said surface Wa is efficiently replaced with the fresh processing liquid, and a substrate process can be performed more efficiently.

또, 상기 제 2 실시형태 및 제 3 실시형태에서는, Y 방향으로 폭이 확장된 억제판 (861a, 861b) 을 갖는 억제부 (860) 에 대하여 관통공 (864) 이 형성되어 있지만, 도 9 에 나타내는 바와 같이 폭 확장되어 있지 않은 억제판 (861a, 861b) (제 1 실시형태와 마찬가지로 처리액만을 차단하도록 구성된 것) 에 대하여 관통공 (864) 을 형성해도 된다. 이 제 3 실시형태에서는, 억제판 (861a, 861b) 으로부터 기판 (W) 을 향해서 흐르는 처리액의 유로가 많아진다. 그 결과, 기판 (W) 에 대하여 처리액을 보다 균일하게 공급할 수 있고, 처리액의 치우침을 효과적으로 억제할 수 있다.Moreover, in the said 2nd and 3rd embodiment, although the through-hole 864 is formed with respect to the suppression part 860 which has suppression plate 861a, 861b extended in the Y direction, in FIG. As shown, the through-holes 864 may be formed in the suppression plates 861a and 861b (which are configured to block only the processing liquid as in the first embodiment) which are not widened. In this third embodiment, the flow path of the processing liquid flowing from the suppression plates 861a and 861b toward the substrate W increases. As a result, the processing liquid can be more uniformly supplied to the substrate W, and the bias of the processing liquid can be effectively suppressed.

또, 상기 실시형태에서는, 처리액 토출부 (830) 는 2 개의 플로관 (831) 을 포함하고 있지만, 플로관 (831) 의 개수는 이것에 한정되는 것은 아니고, 저류 공간 (821f) 이나 기판 (W) 의 사이즈 등에 따라 설정하는 것이 바람직하다. 또, 기포 공급부 (840) 에 포함되는 버블러 (841) 의 개수는 4 개이지만, 버블러 (841) 의 개수는 이것에 한정되는 것은 아니고, 저류 공간 (821f) 이나 기판 (W) 의 사이즈 등에 따라 설정하는 것이 바람직하다. 또, 억제부 (860) 는 2 매의 억제판 (861) 을 포함하고 있지만, 억제판 (861) 의 매수는 이것에 한정되는 것은 아니고, 플로관 (831) 의 개수나 배치 등에 따라 설정하는 것이 바람직하다.In addition, in the above embodiment, the processing liquid discharge unit 830 includes two flow pipes 831 , but the number of flow pipes 831 is not limited to this, and the storage space 821f and the substrate ( It is preferable to set according to the size of W). In addition, although the number of bubblers 841 contained in the bubble supply part 840 is four, the number of bubblers 841 is not limited to this, The size of the storage space 821f, the board|substrate W, etc. It is preferable to set accordingly. Moreover, although the suppression part 860 includes the suppression plate 861 of 2 sheets, the number of suppression plates 861 is not limited to this, It is set according to the number, arrangement|positioning, etc. of the flow pipe 831. desirable.

또, 상기 실시형태에서는, 질소 가스를 버블러 (841) 에 이송하여 기포 (V) 를 처리액 내에 공급하고 있지만, 질소 가스 이외의 가스를 본 발명의 「기체」 로서 사용해도 된다.Moreover, although nitrogen gas is conveyed to the bubbler 841 and the bubble V is supplied in the process liquid in the said embodiment, you may use gas other than nitrogen gas as "gas" of this invention.

또한, 상기 실시형태에서는, 인산을 포함하는 약액에 의해 약액 처리를 실시하는 기판 처리 장치나 린스 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 대하여 본 발명을 적용하고 있지만, 본 발명의 적용 범위는 이것에 한정되는 것은 아니고, 상기 약액이나 린스액 이외의 처리액에 기판을 침지시켜 기판 처리를 실시하는 기판 처리 기술 전반에 본 발명을 적용할 수 있다.In addition, in the above embodiment, the present invention is applied to a substrate processing apparatus that performs a chemical treatment with a chemical liquid containing phosphoric acid or a substrate processing apparatus that performs a rinse treatment, but the scope of application of the present invention is limited to this However, the present invention can be applied to all substrate processing techniques in which substrate processing is performed by immersing the substrate in a processing liquid other than the chemical or rinse liquid.

이 발명은, 처리조에 저류된 약액이나 순수 등의 처리액에 기판을 침지하여처리하는 기판 처리 기술 전반에 적용할 수 있다.The present invention can be applied to all substrate processing techniques in which a substrate is treated by immersing the substrate in a treatment liquid such as a chemical liquid or pure water stored in a treatment tank.

81 ∼ 84 : 처리부
810, 810a, 810b : 리프터
821 : 처리조
821f : 저류 공간
830 : 처리액 토출부
831, 831a, 831b : 플로관
832 : 처리액 공급부
834 : 처리액 토출구
840 : 기포 공급부
841, 841a ∼ 841d : 버블러
860 : 억제부
861, 861a, 861b : 억제판
PT : 기판 피치
V : 기포
W : 기판
Wa : (기판의) 표면
WP : 기판쌍
X : 제 1 방향
Z : 연직 방향81 to 84: processing unit
810, 810a, 810b : Lifters
821: treatment tank
821f: storage space
830: treatment liquid discharge unit
831, 831a, 831b: flow pipe
832: processing liquid supply unit
834: treatment liquid outlet
840: bubble supply unit
841, 841a ~ 841d: Bubbler
860: suppressor
861, 861a, 861b: Suppression plates
PT: substrate pitch
V: air bubble
W: substrate
Wa : surface (of the substrate)
WP : substrate pair
X: first direction
Z: vertical direction

Claims (7)

처리액을 저류하는 저류 공간을 갖고, 상기 저류 공간에 저류된 상기 처리액에 기판을 침지함으로써 상기 기판을 처리하는 처리조와,
상기 저류 공간 내에서 상기 기판을 기립 자세로 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 하방측으로부터 상기 기판을 향해서 상기 처리액을 토출하는 처리액 토출부와,
상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판과 상기 처리액 토출부의 사이에서, 상기 처리액 토출부로부터 토출되어 상기 기판을 향하는 상기 처리액의 흐름의 적어도 일부를 차단하여 상기 처리액 토출부로부터 상기 기판에 상기 처리액이 직접 공급되는 것을 억제하는 억제부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.a processing tank having a storage space for storing a processing liquid, the processing tank processing the substrate by immersing the substrate in the processing liquid stored in the storage space;
a substrate holding unit for holding the substrate in a standing posture in the storage space;
a processing liquid discharge unit for discharging the processing liquid toward the substrate from a lower side of the substrate held by the substrate holding unit;
Between the substrate held by the substrate holding unit and the processing liquid discharge unit, at least a portion of the flow of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge unit toward the substrate is blocked, and from the processing liquid discharge unit to the substrate. and a suppressor for suppressing direct supply of the processing liquid. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 유지부는, 상기 기판의 면 법선을 제 1 방향을 향하게 한 상태에서, 복수의 상기 기판을 상기 제 1 방향으로 배열시키면서 유지하고,
상기 처리액 토출부는, 상기 복수의 기판과 대향하면서 상기 제 1 방향으로 연장 형성되고,
상기 억제부는, 상기 처리액 토출부에 대향하면서 상기 제 1 방향으로 연장 형성된 토출 대향면을 갖고, 상기 처리액 토출부로부터 토출된 상기 처리액을 상기 토출 대향면으로 차단하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The substrate holding unit holds the plurality of substrates while arranging them in the first direction in a state in which the plane normal of the substrate is oriented in the first direction,
The processing liquid discharge part is formed to extend in the first direction while facing the plurality of substrates;
The suppression part has a discharge facing surface extending in the first direction while facing the processing liquid discharge unit, and blocking the processing liquid discharged from the processing liquid discharge unit to the discharge facing surface. 제 2 항에 있어서,
상기 억제부는, 상기 기판에 대향하면서 상기 제 1 방향으로 연장 형성된 기판 대향면과, 상기 토출 대향면으로부터 상기 기판 대향면에 관통하는 관통공을 추가로 갖고, 상기 처리액 토출부로부터 상기 토출 대향면에 토출된 상기 처리액의 일부를 상기 관통공을 통해서 상기 기판으로 유통시키는, 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The suppression unit may further include a substrate facing surface extending in the first direction while facing the substrate, and a through hole penetrating from the discharge facing surface to the substrate facing surface, and the processing liquid discharge unit to the discharge facing surface A substrate processing apparatus, wherein a portion of the processing liquid discharged to the substrate flows through the through hole to the substrate. 제 3 항에 있어서,
상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 하방측에 형성되고, 상기 저류 공간에 저류된 상기 처리액에 기포를 공급하는 기포 공급부를 추가로 구비하고,
상기 토출 대향면 및 상기 기판 대향면은, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판과 상기 기포 공급부에 끼인 영역까지 연장 형성되고,
상기 억제부는, 상기 관통공을 통해서 상기 기포 공급부로부터 상기 토출 대향면에 공급된 상기 기포의 일부를 상기 기판으로 유통시키는, 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
a bubble supply unit formed on a lower side of the substrate held by the substrate holding unit and supplying bubbles to the processing liquid stored in the storage space;
The discharge-facing surface and the substrate-facing surface are formed to extend to a region sandwiched between the substrate held in the substrate holding unit and the bubble supply unit,
The suppression unit causes a portion of the bubbles supplied from the bubble supply unit to the discharge-facing surface through the through hole to flow to the substrate. 제 4 항에 있어서,
상기 기판 유지부는, 상기 복수의 기판을 상기 제 1 방향으로 일정한 간격만큼 이간시키면서 유지하고 있고,
상기 관통공은, 서로 인접하는 2 매의 상기 기판으로 끼인 기판간 영역의 연직 하방에 형성되는, 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The substrate holding unit holds the plurality of substrates while being spaced apart by a predetermined distance in the first direction,
The said through-hole is formed vertically downward of the inter-substrate area|region pinched by the said board|substrate of 2 adjacent to each other. 제 4 항에 있어서,
상기 기판 유지부는, 서로 인접하는 2 매의 상기 기판을 상기 제 1 방향으로 일정한 간격만큼 이간시키면서 상기 2 매의 기판의 표면끼리를 대향시킨 기판쌍을 상기 제 1 방향으로 배열하여 유지하고 있고,
상기 관통공은, 상기 기판쌍을 구성하는 2 매의 상기 기판으로 끼인 기판간 영역의 연직 하방에 형성되는, 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
The substrate holding unit is configured to arrange and hold a pair of substrates with the surfaces of the two substrates facing each other in the first direction while spacing the two adjacent substrates by a predetermined interval in the first direction,
The said through-hole is formed vertically below the inter-substrate area|region pinched by the said board|substrate of 2 sheets which comprise the said board|substrate pair. 처리조에 형성된 저류 공간에 저류된 처리액에 기립 자세로 기판을 침지시키는 공정과,
상기 저류 공간 내에서 침지된 상기 기판의 하방측에 형성된 처리액 토출부로부터 상기 기판을 향해서 상기 처리액을 토출하여 상기 기판에 공급하는 공정과,
상기 저류 공간 내에서 침지된 상기 기판과 상기 처리액 토출부의 사이에 배치되는 억제부에 의해 상기 처리액 토출부로부터 토출되어 상기 기판을 향하는 상기 처리액의 흐름의 적어도 일부를 차단하여 상기 처리액 토출부로부터 상기 기판에 상기 처리액이 직접 공급되는 것을 억제하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.immersing the substrate in a standing posture in the processing liquid stored in the storage space formed in the processing tank;
discharging the processing liquid toward the substrate from a processing liquid discharge unit formed on the lower side of the substrate immersed in the storage space and supplying the processing liquid to the substrate;
Discharge of the processing liquid by blocking at least a portion of the flow of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge unit and toward the substrate by a suppressor disposed between the substrate immersed in the storage space and the processing liquid discharge unit and a step of suppressing direct supply of the processing liquid to the substrate from a portion.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5166793A (en) * 1974-11-21 1976-06-09 Suwa Seikosha Kk EREKUTOROKUROMITSUKUHYOJITAI SHOKIKI
JPS5251420A (en) * 1975-10-22 1977-04-25 Denki Kagaku Kogyo Kk Production of lighttweight* foam concrete board
KR19980029371A (en) * 1996-10-25 1998-07-25 김광호 Wet scrubber
KR100359228B1 (en) * 2000-03-15 2002-11-04 네오세미테크 주식회사 Etching Apparatus for Flattening Both Surfaces of Semiconductor Wafer and Surface Flattening Method Using the Same
KR20060060995A (en) * 2004-12-01 2006-06-07 세메스 주식회사 Apparatus for cleaning substrates
KR20200087089A (en) * 2019-01-10 2020-07-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5166793A (en) * 1974-11-21 1976-06-09 Suwa Seikosha Kk EREKUTOROKUROMITSUKUHYOJITAI SHOKIKI
JPS5251420A (en) * 1975-10-22 1977-04-25 Denki Kagaku Kogyo Kk Production of lighttweight* foam concrete board
KR19980029371A (en) * 1996-10-25 1998-07-25 김광호 Wet scrubber
KR100359228B1 (en) * 2000-03-15 2002-11-04 네오세미테크 주식회사 Etching Apparatus for Flattening Both Surfaces of Semiconductor Wafer and Surface Flattening Method Using the Same
KR20060060995A (en) * 2004-12-01 2006-06-07 세메스 주식회사 Apparatus for cleaning substrates
KR20200087089A (en) * 2019-01-10 2020-07-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus

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