KR19980029371A

KR19980029371A - Wet scrubber

Info

Publication number: KR19980029371A
Application number: KR1019960048626A
Authority: KR
Inventors: 방주식
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1996-10-25
Filing date: 1996-10-25
Publication date: 1998-07-25

Abstract

배스 내의 와류 발생을 억제할 수 있는 습식세정조를 개시한다. 본 발명은 순수가 하부에서 공급되는 주입구를 갖는 원통형 배스와, 상기 배스 내에 위치하여 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 카세트를 지지하고 순수를 균일하게 통과할 수 있는 홀을 갖는 버퍼용 가이드와, 상기 버퍼용 가이드와 주입구 사이에 순수를 균일하게 통과시킬 수 있는 홀을 갖는 정류판 가이드를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식식각조를 제공한다. 본 발명의 습식세정조는 순수가 배스에 고르게 공급되어 배스내에서 순수의 와류발생을 억제하여 화학용액에 의한 웨이퍼간의 식각균일도를 향상시킬 수 있다.Disclosed is a wet cleaning bath capable of suppressing vortex generation in a bath. The present invention provides a cylindrical bath having an injection hole through which pure water is supplied, a buffer guide having a hole positioned in the bath to support a wafer cassette on which a wafer is mounted and capable of uniformly passing pure water, and a buffer guide. And a rectifying plate guide having a hole capable of uniformly passing pure water therebetween. In the wet cleaning bath of the present invention, the pure water is evenly supplied to the bath, thereby suppressing the generation of vortex of the pure water in the bath, thereby improving the etching uniformity between wafers by the chemical solution.

Description

Wet scrubber

본 발명은 습식세정조에 관한 것으로, 특히 습식용액의 와류발생을 억제할 수 있는 습식세정조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet cleaning bath, and more particularly, to a wet cleaning bath capable of suppressing vortex generation of a wet solution.

반도체 소자의 제조기술 발달에 따라 반도체 소자는 점점 고집적화 되어가고 있다. 이에 따라, 습식 세정의 중요성이 한층 부각되고 있다. 종래의 습식 화학용액 처리의 경우 식각이 주목적이었으나 발달된 현재의 반도체 제조공정에서는 주로 파티클이나 여러 종류의 오염제거등과 같은 세정목적에 쓰이고 있다.BACKGROUND With the development of semiconductor device manufacturing technology, semiconductor devices are becoming increasingly integrated. Accordingly, the importance of wet cleaning is becoming more important. In the conventional wet chemical solution treatment, the etching was the main purpose, but in the current semiconductor manufacturing process, which is developed, it is mainly used for cleaning purposes such as particle removal and various kinds of decontamination.

일반적인 습식세정 공정은 산성 또는 염기성의 화학용액으로 웨이퍼를 처리한 다음 웨이퍼 상의 잔존하는 여분의 화학용액을 제거하기 위하여 순수로 린즈하는 순서로 진행한다. 경우에 따라서는 산성과 염기성 두가지 이상의 화학용액을 연속적으로 적용하기도 하는 데, 연속적용 중간에 순수를 이용한 세정을 실시하여 화학용액으로 인한 손상을 최소화하여야 한다.A typical wet cleaning process involves treating a wafer with an acidic or basic chemical solution and then rinsing with pure water to remove any excess chemical solution on the wafer. In some cases, two or more chemical and acidic chemical solutions may be applied continuously. In the middle of the application, cleansing with pure water should be minimized to minimize the damage caused by the chemical solution.

여기서, 상기 습식세정에 사용되는 종래의 습식세정조를 설명한다.Here, a conventional wet cleaning bath used for the wet cleaning will be described.

도 1은 종래의 습식세정조를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2는 상기 도 1의 버퍼용 가이드를 도시한 평면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional wet cleaning bath, and FIG. 2 is a plan view illustrating the buffer guide of FIG. 1.

도 1 및 도 2에서, 종래의 습식세정조는 순수가 하부에서 공급되는 주입구(1)를 갖는 다각형 배스(3)와, 상기 배스(3) 내에 위치하여 웨이퍼(5)가 탑재된 웨이퍼 카세트(7)를 지지하고 순수를 균일하게 통과할 수 있는 홀(11)을 갖는 버퍼용 가이드(9)를 구비한다.1 and 2, the conventional wet cleaning tank has a polygonal bath 3 having an inlet 1 through which pure water is supplied, and a wafer cassette 7 in which the wafer 5 is mounted in the bath 3. ) And a buffer guide (9) having a hole (11) capable of uniformly passing pure water.

상술한 바와 같은 종래의 습식세정조는 배스에 중앙부로부터 순수가 공급되고 있기 때문에 배스내에서 와류가 발생된다. 이에 따라 습식식각후 웨이퍼간의 균일도가 좋지 않고 역오염 발생가능성이 있다.In the conventional wet cleaning bath as described above, since pure water is supplied from the center portion to the bath, vortex is generated in the bath. Accordingly, the uniformity between wafers after wet etching may be poor, and reverse contamination may occur.

따라서, 본 발명의 기술적 과제는 배스 내의 와류 발생을 억제할 수 있는 습식세정조를 제공하는 데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a wet cleaning bath capable of suppressing the generation of vortices in the bath.

도 1은 종래의 습식세정조를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a conventional wet cleaning bath.

도 2는 상기 도 1의 버퍼용 가이드를 도시한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating the buffer guide of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 습식세정조를 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view for explaining the wet cleaning tank of the present invention.

도 4는 상기 도 3의 버퍼용 가이드를 도시한 평면도이다.4 is a plan view illustrating the buffer guide of FIG. 3.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 순수가 하부에서 공급되는 주입구를 갖는 원통형 배스와, 상기 배스 내에 위치하여 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 카세트를 지지하고 순수를 균일하게 통과할 수 있는 홀을 갖는 버퍼용 가이드와, 상기 버퍼용 가이드와 주입구 사이에 순수를 균일하게 통과시킬 수 있는 홀을 갖는 정류판 가이드를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식식각조를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a buffer having a cylindrical bath having an injection hole through which pure water is supplied, and a hole positioned in the bath to support a wafer cassette on which a wafer is mounted and to uniformly pass pure water. And a rectifying plate guide having a hole for allowing pure water to pass uniformly between the buffer guide and the injection hole.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 습식세정조를 설명하기 위한 단면도이고, 도 4는 상기 도 3의 버퍼용 가이드를 도시한 평면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a wet cleaning tank of the present invention, and FIG. 4 is a plan view illustrating the buffer guide of FIG. 3.

도 3 및 도 4에서, 본 발명의 습식세정조는 순수가 하부에서 공급되는 주입구(21)를 갖는 원통형 배스(23)와, 상기 배스(23) 내에 위치하여 웨이퍼(25)가 탑재된 웨이퍼 카세트(27)를 지지하고 순수를 균일하게 통과할 수 있는 홀(31)을 갖는 버퍼용 가이드(29)와, 상기 버퍼용 가이드(29)와 주입구(21) 사이에 순수를 균일하게 통과시킬 수 있는 홀을 갖는 정류판 가이드(33)를 구비한다.3 and 4, the wet cleaning tank of the present invention has a cylindrical bath 23 having an injection hole 21 through which pure water is supplied, and a wafer cassette on which the wafer 25 is mounted in the bath 23. 27, a buffer guide 29 having a hole 31 capable of uniformly passing pure water, and a hole capable of uniformly passing pure water between the buffer guide 29 and the inlet 21. It is provided with a rectifying plate guide 33 having.

따라서, 본 발명의 습식세정조는 종래의 다각형 배스와는 다르게 원통형 배스를 도입하여 순수가 공급되면서 와류발생을 억제한다. 또한, 배스 내에 버퍼용 가이드와 정류판 가이드를 2중으로 설치하여 하부에서 상부로 순수가 고르게 공급되도록 한다. 이에 따라, 화학용액에 의한 웨이퍼의 식각균일도가 향상시킬수 있다.Therefore, the wet cleaning bath of the present invention suppresses the generation of vortex while the pure water is supplied by introducing a cylindrical bath, unlike the conventional polygonal bath. In addition, the buffer guide and the rectifying plate guide is installed in the bath in double so that pure water is evenly supplied from the bottom to the top. As a result, the etching uniformity of the wafer by the chemical solution can be improved.

상술한 바와 같이 본 발명의 습식세정조는 순수가 배스에 고르게 공급되어 배스내에서 순수의 와류발생을 억제하여 화학용액에 의한 웨이퍼간의 식각균일도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the wet cleaning tank of the present invention, the pure water is evenly supplied to the bath, thereby suppressing the vortex generation of the pure water in the bath, thereby improving the etching uniformity between wafers by the chemical solution.

Claims

A cylindrical bath having an injection port through which pure water is supplied, a buffer guide having a hole positioned in the bath to support a wafer cassette on which a wafer is mounted, and capable of uniformly passing pure water, between the buffer guide and the injection port Wet etching bath comprising a rectifying plate guide having a hole through which the pure water can be uniformly passed.