KR20220021572A - 커패시터 가공 장치 및 커패시터 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 커패시터 가공 장치 및 방법은, 커패시터를 이송하기 위해 커패시터를 그랩(grab) 또는 릴리즈(release)하는 클램핑 모듈과, 커패시터의 리드를 가공 및 검사하기 위해 서로 정합되는 제1 가공 모듈과 제2 가공모듈을 포함하여, 제1 가공 모듈에 형성된 서로 다른 가공유닛들과 제2 가공 모듈에 형성되고 가공유닛들과 정합되도록 대응되는 대칭 가공유닛들을 통해 동시에 여러 공정을 수행할 수 있다. 이러한 커패시터 가공 장치 및 방법을 제공함으로써, 커패시터 어셈블리를 조립하기 위한 커패시터를 대량으로 가공할 수 있으며, 전기적 불량품을 어셈블리 조립 이전에 선별하여 제거할 수 있다.

Description

커패시터 가공 장치 및 커패시터 가공 방법{Capacitor Manufacturing Apparatus and Capacitor Manufacturing Method}
본 발명은 커패시터 가공 장치 및 커패시터 가공 방법에 관한 것이다.
커패시터(Capacitor)란 전자회로에서 전기를 일시적으로 저장하는 장치로, 콘덴서(condenser) 또는 축전기라고 한다. 일반적으로, 커패시터는 2개의 도체 전극 사이에 절연성의 유전체가 형성된 구조를 가지며, 커패시터의 두 전극 사이에 전압을 인가하면 한 전극에 (-) 전하가, 다른 전극에 (+) 전하가 유도됨으로써 에너지가 저장되고, 이러한 에너지 저장 원리를 이용하여 전하를 충전하거나 방전하여 급격한 전압 상승이나 하락을 억제하는 역할을 수행한다. 이러한 커패시터의 역할로 인하여, 커패시터는 전자회로를 구성함에 있어 필수적으로 필요한 소자 중 하나이다.
한편, 커패시터는 각각의 서로 다른 전하가 유도되고 유전체를 가지는 커패시터 본체와, 각각의 도체 전극에 연결되며 전자회로에 결합되어 전류를 흐르게 하는 한 쌍의 리드를 가질 수 있다. 종래에는 리드가 회로 기판에 솔더링 등을 통해 직접 접합되었으나, 이 경우 회로 기판의 면방향으로 많은 높이를 차지하게 되어 회로 기판이 배치되는 공간의 활용이 효율적이지 못한 부분이 있다. 또한, 높이를 감소시키기 위해 리드를 꺾어 배치하는 경우, 꺾어진 부분의 파단이 발생하여 커패시터가 회로 기판으로부터 분리될 수 있으며 전자 장치의 고장을 초래할 위험이 있다.
따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 커패시터의 리드를 절삭하여 브래킷에 결합함으로써 어셈블리(assembly)를 구성하는 방안이 시도되고 있다. 이러한 어셈블리를 구성하기 위해, 커패시터를 균일한 모양으로 가공하고 가공된 커패시터가 전기적으로 정상인지 검사하는 장비 및 방법에 대한 산업계의 지속적인 요구가 존재한다.
KR 10-1147712 B1
배경기술에서 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 복수개의 커패시터를 동시에 그랩(grab) 또는 릴리즈(release)하고, 서로 다른 가공과정이 동시에 수행되는 커패시터 가공 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 복수개의 커패시터를 동시에 가공하되, 일정한 순서에 따라 가공 및 커패시터 검사가 수행되는 커패시터 가공 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재들로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 커패시터 가공 장치는, 본체 및 상기 본체에서 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 리드를 포함하는 커패시터를 가공하기 위한 커패시터 가공 장치에 있어서, 상기 커패시터를 이송하며, 각각의 상기 커패시터를 그랩 또는 릴리즈하는 클램핑 유닛들을 포함하는 클램핑 모듈, 상기 클램핑 모듈이 이송하는 상기 커패시터의 일부가 안착되는 제1 가공 모듈, 및 상기 제1 가공 모듈에 상기 커패시터의 일부가 안착된 상태에서 상기 제1 가공 모듈을 향하여 이동되어 상기 제1 가공 모듈과 정합되는 제2 가공 모듈을 포함하고, 상기 제1 가공 모듈은 상기 커패시터가 각각 안착되며 순서대로 배치되는 복수의 가공유닛들을 포함하고, 상기 제2 가공 모듈은 상기 가공유닛과 각각 정합되는 대칭 가공유닛들을 포함하고, 상기 가공유닛들은 서로 다른 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 클램핑 유닛 중 어느 하나의 상기 클램핑 유닛은, 상기 커패시터를 그랩한 상태에서, 상기 가공유닛들 중 어느 하나의 상기 가공유닛에 상기 커패시터를 안착시킨 다음, 상기 가공유닛과 상기 대칭 가공유닛이 정합되면 상기 커패시터를 릴리즈하고, 이전의 상기 가공유닛 측으로 이동될 수 있다.
또한, 상기 클램핑 모듈은, (1) 상기 클램핑 유닛이 상기 커패시터를 상기 제1 가공 모듈의 N 번째 상기 가공유닛에 안착시킬 때, 제1 방향으로 이동되며, (2) 상기 가공유닛과 상기 대칭 가공유닛이 정합된 상태에서, 상기 클램핑 유닛이 상기 커패시터를 릴리즈하면, 상기 제1 방향과 반대 방향으로 이동된 다음, 상기 제1 방향과 직교되는 제2 방향으로 이동되어, 상기 클램핑 유닛들이 N-1 번째 상기 가공유닛측으로 이동되고, (3) 상기 클램핑 유닛이 상기 제1 방향으로 이동된 다음, 상기 N-1 번째 상기 가공유닛에 안착된 상기 커패시터를 그랩하면, 상기 제1 가공 모듈과 상기 제2 가공 모듈의 정합이 해제될 수 있다.
또한, 상기 클램핑 모듈은, (4) 상기 제1 가공 모듈과 상기 제2 가공 모듈의 정합이 해제된 상태에서, 상기 제1 방향과 반대 방향으로 이동되어 상기 클램핑 유닛이 그랩한 상기 커패시터를 상기 N-1 번째 상기 가공유닛에서 탈거된 다음, 상기 제2 방향과 반대방향으로 이동되어 상기 커패시터를 상기 N 번째 가공유닛측으로 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 가공유닛은, 상기 커패시터를 일방향으로 회전시켜 상기 커패시터의 상기 리드가 상기 가공유닛에 안착되기 위한 정렬홈이 형성되는 정렬 유닛, 상기 커패시터의 상기 리드를 일정한 형태로 성형하기 위해 대칭 형성된 한 쌍의 프레임을 포함하는 확장 유닛, 정렬된 상기 커패시터의 상기 리드의 극성을 검지하는 극성 검사 유닛, 상기 커패시터의 상기 리드를 동일한 길이로 절삭하는 절단 유닛, 상기 절단 유닛에 의해 절삭된 상기 리드의 절삭 품질을 검사하기 위한 절단 검사 유닛, 및 절삭된 상기 커패시터의 상기 리드를 일방향으로 절곡시키기 위해 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 수직인 제3 방향으로 가압하도록 형성되는, 제1 두께를 가지는 제1 단차부와 제2 두께를 가지는 제2 단차부를 포함하는 벤딩 유닛을 포함할 수 있다.
또한, 상기 대칭 가공유닛은, 상기 확장 유닛과 정합되도록 형성되며 상기 커패시터의 상기 리드를 이격시키기 위해 상기 리드 사이에 삽입되고, 제1 높이를 가지는 확장 블록을 포함하는 대칭 확장 유닛, 상기 절단 유닛과 정합되도록 형성되며 상기 커패시터의 상기 리드를 절단하기 위한 대칭 절단 유닛, 및 상기 벤딩 유닛과 정합되도록 형성되며 상기 제1 단차부와 대응되도록 제3 두께를 가지는 대칭 제1 단차부와, 상기 제2 단차부와 대응되도록 제4 두께를 가지는 대칭 제2 단차부를 포함하는 대칭 벤딩 유닛을 포함할 수 있다.
또한, 상기 확장 블록은 상기 제3 방향을 따라 폭이 감소하는 형상을 가질 수 있다.
또한, 상기 절단 유닛 및 상기 대칭 절단 유닛 중 적어도 하나는 상기 커패시터의 상기 리드를 절삭하기 위하여 경사지도록 형성된 절단면을 가지며, 제2 높이를 가지는 절단 블록을 포함하며, 상기 절단 블록은 상기 절단 유닛 및 상기 대칭 절단 유닛과 간극 없이 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 높이는 상기 제1 높이보다 높게 형성될 수 있다.
또한, 상기 벤딩 유닛은, 상기 제1 단차부와 상기 제2 단차부 사이에, 상기 제1 단차부 및 상기 제2 단차부를 연결하는 절곡부를 더 포함하고, 상기 대칭 벤딩 유닛은, 상기 대칭 제1 단차부와 상기 대칭 제2 단차부 사이에, 상기 대칭 제1 단차부와 상기 대칭 제2 단차부를 연결하는 대칭 절곡부를 더 포함하며, 상기 제1 단차부와 상기 대칭 제1 단차부, 상기 제2 단차부와 상기 대칭 제2 단차부, 및 상기 절곡부와 상기 대칭 절곡부 사이의 간격이 동일하게 형성되도록 상기 제1 가공모듈과 상기 제2 가공모듈의 정합이 수행될 수 있다.
또한, 상기 절단 유닛 및 상기 대칭 절단 유닛 중 적어도 하나는 상기 커패시터의 상기 리드를 절삭하기 위하여 경사지도록 형성된 절단면을 가지며, 제2 높이를 가지는 절단 블록을 포함하고, 상기 벤딩 유닛에서 상기 절곡부의 일단이 상기 제1 단차부와 연결되고, 상기 절곡부의 상기 일단은 상기 벤딩 유닛의 제3 높이에 형성되며, 상기 제3 높이는 상기 제2 높이보다 높게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 단차부의 상기 제1 두께는 상기 대칭 제1 단차부의 제3 두께보다 작고, 상기 제2 단차부의 상기 제2 두께는 상기 대칭 제2 단차부의 제4 두께보다 크며, 상기 제1 단차부의 상기 제1 두께는 상기 제2 단차부의 상기 제2 두께보다 작게 형성될 수 있다.
또한, 상기 절단 검사 유닛은, 상기 리드의 절삭길이를 검사하기 위해 특정 광을 수용하기 위한 광 센서부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 가공모듈 및 상기 제2 가공모듈의 정합에 의해 가공된 상기 커패시터를 수집하기 위한 이송 유닛을 더 포함하며, 상기 이송 유닛은, 일면에 고정되도록 지지되는 고정부, 및 상기 고정부의 일면에 결합되며 상기 클램핑 모듈이 상기 커패시터를 이송하기 위해 움직이는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 포함하는 평면 상에서 평각 이하의 각도 범위 내에서 회전하는 회전부를 포함하고, 상기 회전부는, 상기 커패시터의 상기 본체를 일지점에서 그랩하여 타지점에서 릴리즈하는 한 쌍의 이송 아암을 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 커패시터 가공 방법은, 본체 및 상기 본체에서 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 리드를 포함하는 커패시터를 가공하는 커패시터 가공 방법에 있어서, 상기 커패시터의 상기 리드를 일정 길이로 절삭하는 절단 단계, 및 상기 절단 단계에서 절삭된 상기 커패시터의 리드를 일방향으로 절곡시키는 벤딩 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 커패시터의 상기 리드를 절삭하기 이전에 상기 커패시터의 상기 리드를 제1 높이에서 서로 이격시키는 리드 이격 단계, 상기 리드 이격 단계 이후에 이격된 상기 커패시터의 상기 리드 각각의 극성을 검지하는 극성 검사 단계, 상기 극성 검사 단계 이후에, 상기 절단 단계가 수행되어 절삭된 상기 리드의 절삭 품질을 검사하기 위해 광의 조사에 따른 반사광의 유입 여부에 따라 상기 리드의 절삭길이를 판단하는 절단 검사 단계, 및 상기 극성 검사 단계로부터 상기 커패시터의 불량 여부를 판단하고 불량품을 분류하는 불량품 판단 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 리드 이격 단계는, 상기 리드를 서로 이격시키기 위해 제1 높이를 가지며 일방향을 향해 점차적으로 폭이 감소하는 확장 블록에 의해 수행되고, 상기 절단 단계는, 상기 리드를 절삭하기 위해 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 가지는 절단면을 포함하는 절단 블록에 의해 수행되며, 상기 벤딩 단계는, 상기 리드를 일방향으로 절곡하기 위해 상기 제2 높이보다 높은 제3 높이를 가지는 절곡부에 의해 수행될 수 있다.
또한, 상기 벤딩 단계는 상기 절곡이 수행되기 위해 제1 두께를 가지는 제1 단차부와 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 제2 단차부를 포함하는 벤딩 유닛이 형성된 제1 가공 모듈과, 상기 절곡이 수행되기 위해 제3 두께를 가지는 대칭 제1 단차부와 상기 제3 두께보다 작은 제4 두께를 가지는 대칭 제2 단차부를 포함하는 대칭 벤딩 유닛이 형성된 제2 가공 모듈에 의해 수행되며, 상기 제1 두께는 상기 제3 두께보다 작고, 상기 벤딩 유닛과 상기 대칭 벤딩 유닛이 정합될 때의 간격은 일정하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 절단 단계, 상기 벤딩 단계, 상기 리드 이격 단계, 상기 극성 검사 단계, 상기 불량품 판단 단계, 및 상기 절단 검사 단계는 상기 커패시터의 상기 본체를 그랩 또는 릴리즈하는 클램핑 모듈의 이동 및 각각의 단계들이 수행되기 위해 상기 단계들이 수행되는 가공유닛들을 포함하는 제1 가공 모듈과, 상기 단계들이 수행되는 가공유닛들과 정합되는 대칭 가공유닛들을 포함하는 제2 가공 모듈의 정합에 의해 수행될 수 있다.
또한, 상기 불량품 판단 단계 이후에 정상 커패시터를 수집하기 위해, 상기 정상 커패시터의 본체를 일지점에서 그랩하여 타지점에서 릴리즈하는 이송 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 커패시터 가공 장치 및 커패시터 가공 방법을 사용함으로써, 어셈블리의 형태로 커패시터를 회로 보드에 실장할 수 있도록 커패시터를 가공함으로써 전체적으로 회로가 차지하는 부피가 감소하므로, 커패시터 가공 장치에 의해 가공된 커패시터를 가지는 어셈블리를 통해 컴팩트한 회로를 구성할 수 있는 이점이 있다.
또한, 복수개의 커패시터를 한 번에 그랩 또는 릴리즈하고 동시에 서로 다른 가공과정이 수행되어 자동적인 커패시터 가공이 가능한 이점이 있다.
또한, 가공 과정에서 불량 여부를 검사하여 불량품을 선별할 수 있으므로 이미 불량으로 판단된 커패시터가 어셈블리로 결합되지 않도록 하여 불량 어셈블리의 제조를 방지하는 이점이 있다.
또한, 불량 여부를 검사함에 있어서 기계적 불량과 전기적 불량에 대하여 이중으로 검사를 수행하여 정확한 불량 검사가 가능한 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에 의하여 만들어지는 커패시터 어셈블리에 대한 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에 대한 개략적인 사시도이다.
도 3은 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에 대한 구성을 개략적으로 도시한 도이다.
도 4는 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에서 확장 유닛에 대한 확대도이다.
도 5는 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에서 확장 유닛에 대한 다양한 실시예를 설명하기 위한 정면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에서 절단 유닛에 대한 개략적인 일측면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에서 벤딩 유닛에 대한 개략적인 일측면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 커패시터 가공 방법에 대한 순서도이다.
도 9는 본 발명에 따른 커패시터 가공 방법에서, 커패시터 가공에 따른 불량품을 판단하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
한편, 본 발명을 설명함에 있어서 '대칭' 이라는 용어는 사전적으로 보았을 때 축을 중심으로 양쪽의 모양이 같은 것을 의미하나, 본 명세서 내에서는 반드시 그러한 의미로 해석되지 않을 수 있으며, 일측의 형상 또는 모양과 '대응'되는 형상 또는 모양을 가지는 것으로 해석됨이 바람직하다.
도 1은 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에 의하여 만들어지는 커패시터 어셈블리에 대한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치를 통해 조립하기 위한 커패시터 어셈블리(900)가 도시된다. 커패시터 어셈블리(900)는 본체(911)와 본체(911)로부터 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 리드(912A, 912B)를 포함하는 커패시터(910)를 포함할 수 있다. 이 때, 커패시터(910)는 전해 커패시터일 수 있으며, 본체(911)는 원통 형상을 가질 수 있다.
커패시터의 본체(911) 일면에는 일정한 간격을 가지는 한 쌍의 리드(912A, 912B)가 본체(911)로부터 연장, 돌출되도록 형성될 수 있다. 도 1에 따르면 한 쌍의 리드(912A, 912B)는 동일한 길이를 가지는 것으로 도시되었으나, 이는 커패시터(910)의 가공이 완료된 것을 나타낸 것이며, 커패시터(910)의 가공 전에는 한 쌍의 리드(912A, 912B) 중 어느 하나의 리드(예를 들면, 912A)의 길이가 다른 하나의 리드(예를 들면, 912B)의 길이보다 짧게 형성될 수 있다. 다만, 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에 의해 리드(912A, 912B)의 길이가 동일하게 형성되도록 절삭될 수 있는데, 이는 후술하도록 한다.
커패시터 어셈블리(900)로 결합되기 위해, 커패시터 어셈블리(900)는 커패시터(910)가 끼움 결합되어 회로 기판(미도시)와 커패시터(910)를 전기적으로 연결되기 위한 브래킷(920)을 더 포함할 수 있다. 브래킷(920)은 평면의 베이스(921)를 가지며, 베이스(921)의 일면(더욱 상세하게는, 상면)에 한 쌍의 리드(912A, 912B)와 접합되기 위한 전극(922, 923)이 형성된다. 전극(922, 923)은 리드(912A, 912B)가 안착되는 위치에 대응되도록 나란히 형성될 수 있으며, 회로 기판에 커패시터(910)를 전기적으로 연결하여 커패시터(910)가 통전되도록 한다. 리드(912A, 912B)와 전극(922, 923)의 접합은 솔더링을 통해 이루어질 수 있다. 또한, 브래킷(920)은 커패시터(910)의 본체(911)의 외면을 감싸도록 베이스(921)의 상면으로부터 돌출되도록 형성된 한 쌍의 수용격벽(924)을 포함한다. 수용격벽(924)은 커패시터(910)가 안정적으로 브래킷(920)에 안착될 수 있도록 한다. 수용격벽(924)은 복수개의 슬릿(925)을 가질 수 있으며, 슬릿(925)을 통해 커패시터(910)가 브래킷(920)에 안정적으로 안착될 수 있도록 가압될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에 대한 개략적인 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에 대한 구성을 개략적으로 도시한 도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치(100)는 커패시터(910)를 이송하며, 각각의 커패시터(910)를 그랩 또는 릴리즈하는 클램핑 유닛(220)들을 포함하는 클램핑 모듈(200)과, 클램핑 모듈(200)이 이송하는 커패시터(910)의 일부가 안착되는 제1 가공 모듈(300), 그리고 제1 가공 모듈(300)에 커패시터(910)의 일부가 안착된 상태에서 제1 가공 모듈(300)을 향하여 이동되어 제1 가공 모듈(300)과 정합되는 제2 가공 모듈(400)을 포함할 수 있다.
클램핑 모듈(200)은 클램핑 모듈 본체(210)와, 커패시터(910)의 본체(911)를 그랩 또는 릴리즈하기 위한 복수개의 클램핑 유닛(220)을 포함할 수 있다. 클램핑 유닛(220)은 커패시터 본체(911) 외면을 감싸도록 죄어 고정(즉, 그랩)하며, 이와 반대로 풀어서 고정을 해제(즉, 릴리즈)할 수 있다. 클램핑 유닛(220)은 클램핑 모듈 본체(210)의 일방향을 따라 일정한 간격으로 형성될 수 있다. 보다 상세하게는, 클램핑 유닛(220)은 1열로 한 번에 10개의 커패시터를 동시에 그랩 또는 릴리즈 할 수 있도록 형성될 수 있으며, 클램핑 유닛(220) 간의 간격은 후술할 제1 가공 모듈(300)에 형성된 가공유닛들과 제2 가공 모듈(400)에 형성되고 제1 가공 모듈(300)의 가공유닛들과 정합되는 대칭 가공유닛들 간의 간격에 대응되는 간격을 가질 수 있다.
이하에서는 클램핑 모듈(200)의 동작에 따른 커패시터(910)의 이송 과정에 대하여 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 클램핑 유닛(220) 중 어느 하나의 클램핑 유닛은, 커패시터(910)를 그랩한 상태에서, 제1 가공 모듈(300)의 가공유닛들(320, 330, 340, 350, 360, 370, 380, 및 390) 중 어느 하나의 가공유닛에 커패시터(910)를 안착시킨 다음, 제1 가공 모듈(300)의 가공유닛과 제2 가공 모듈(400)의 대칭 가공유닛이 정합되면 커패시터(910)를 릴리즈하고, 이전의 가공유닛 측으로 이동될 수 있다. 즉, 순차적으로 형성된 서로 다른 가공유닛들에 대하여, 클램핑 모듈(200)은 클램핑 유닛(220)을 통해 복수개의 커패시터(910)를 동시에 그랩한 상태에서, 그랩 이전에 각각의 커패시터(910)가 안착된 가공유닛에서 인접한 가공유닛으로 커패시터(910)들을 움직여서 안착되도록 한다. 이 때, 클램핑 모듈(200)이 커패시터(910)들을 그랩하여 인접한 가공유닛의 위치로 움직이면, 제2 가공 모듈(400)은 제1 가공 모듈(300) 측으로 이동하여, 제1 가공 모듈(300)의 일면 상에 형성된 복수개의 가공유닛들과 제2 가공 모듈(400)의 일면 상에 형성된 복수개의 대칭 가공유닛들이 정합되어 커패시터(910)들의 리드(912A, 912B)를 움직이지 않도록 고정하고, 제1 가공 모듈(300)과 제2 가공 모듈(400)의 정합이 수행되면 클램핑 유닛(220)은 커패시터 본체(911)를 릴리즈하고 다시 기존의 위치로 복귀할 수 있다.
전술한 클램핑 모듈(200)의 이동 메커니즘을 좀더 상세히 설명하기로 한다. 클램핑 모듈(200)은, 클램핑 유닛(220)이 커패시터(910)를 제1 가공 모듈(300)의 N 번째 가공유닛에 안착시킬 때, 제1 방향으로 이동되며, 가공유닛과 대칭 가공유닛이 정합된 상태에서, 클램핑 유닛(220)이 커패시터(910)를 릴리즈하면, 제1 방향의 반대 방향으로 이동된 다음, 제1 방향과 직교되는 제2 방향으로 이동되어, 클램핑 유닛(220)들이 N-1 번째 가공유닛측으로 이동된다.
먼저, 클램핑 유닛(220)이 커패시터(910)를 그랩한 상태에서 제1 가공 모듈(300)과 일정 높이 간격으로 이격되어 있다. 클램핑 모듈(200)은 제1 방향으로 이동하여 제1 가공 모듈(300)과의 높이 간격이 감소되도록 한다. 클램핑 모듈(200)은, 커패시터(910)의 리드(912A, 912B) 중 일부 또는 전부가 제1 가공 모듈(300)의 N 번째 가공유닛과 제2 가공 모듈(400)의 N 번째 대칭 가공유닛이 정합될 때 그 사이에 안착되어 고정될 수 있는 거리만큼 제1 방향으로 이동될 수 있다. 제1 방향은 표시된 z축 음의 방향일 수 있다.
클램핑 모듈(200)이 제1 방향으로 이동된 후, 제2 가공 모듈(400)은 제1 가공 모듈(300) 측으로 이동함으로써, 제1 가공 모듈(300)의 가공유닛들과 제2 가공 모듈(400)의 대칭 가공유닛들과 정합될 수 있다. 이 때, 제1 가공 모듈(300)은 고정되어 있고, 제2 가공 모듈(400)이 움직여 제1 가공 모듈(300)에 정합될 수 있다. 제1 가공 모듈(300)의 가공유닛들과 제2 가공 모듈(400)의 대칭 가공유닛들이 정합되면, 커패시터(910)는 제1 가공 모듈(300)과 제2 가공 모듈(400)의 사이에 안착되어 고정된다.
커패시터(910)가 안착되어 고정되면, 제1 가공 모듈(300)의 일면에 형성된 복수개의 가공유닛들과 제2 가공 모듈(400)의 일면에 형성되고 가공유닛들과 대응되는 대칭 가공유닛들에 의해 커패시터의 리드(912A, 912B)에 대한 가공 및 검사가 수행되며, 클램핑 모듈(200)은 N-1 번째 가공유닛 및 대칭 가공유닛 측으로 이동한다. 이 때, 클램핑 모듈(200)이 N-1 번째 가공유닛 및 대칭 가공유닛 측으로 이동하는 것은 보다 상세하게는, 클램핑 모듈(200)이 커패시터(910)를 릴리즈하고 난 후 제1 방향의 반대 방향으로 이동하여 제1 가공 모듈(300)과의 높이 간격을 증가시키고, 이후 제1 방향과 직교하는 제2 방향(보다 상세하게는, y축 음의 방향)으로 일정 거리만큼 이동한다.
N-1 번째 가공유닛 및 대칭 가공유닛 측으로 이동한 클램핑 모듈(200)은 N-1 번째 가공유닛 및 대칭 가공유닛에 안착된 커패시터(910)를 N 번째 가공유닛 및 대칭 가공유닛 측으로 이송시킬 수 있다. 예를 들면, 클램핑 유닛(220)이 제1 방향으로 이동된 다음, N-1 번째 가공유닛에 안착된 커패시터(910)를 그랩하고, 제1 가공 모듈(300)과 상기 제2 가공 모듈(400)의 정합이 해제될 수 있다. 제1 가공 모듈(300)과 제2 가공 모듈(400)의 정합이 해제된 상태에서, 클램핑 모듈(200)은 제1 방향과 반대 방향으로 이동되어 클램핑 유닛(220)이 그랩한 커패시터(910)는 N-1 번째 가공유닛에서 탈거된 다음, 제2 방향과 반대방향으로 이동되어 커패시터(910)를 N 번째 가공유닛측으로 이동시킬 수 있다.
보다 상세하게는, 클램핑 모듈(200)이 제1 방향으로 이동하여 클램핑 유닛(220)이 N-1 번째 가공유닛에 안착된 커패시터(910)를 그랩한 후, 제2 가공 모듈(400)이 제1 가공 모듈(300)의 반대 방향으로 이동하여 커패시터(910)의 정합이 해제된다. 제2 가공 모듈(400)이 커패시터(910)의 정합을 해제하기 위해 이동하는 방향은 x축 양의 방향일 수 있다. 이후, 클램핑 모듈(200)은 클램핑 유닛(220)에 의해 그랩된 커패시터(910)를 N-1 번째 가공유닛에서 N 번째 가공유닛 측으로 이동시키는데, 이 때 클램핑 모듈(200)은 제2 방향의 반대 방향으로 이동한 다음 제1 방향으로 이동할 수 있다.
한편, 제1 가공 모듈(300)의 일면에 형성되는 가공유닛들은 서로 다른 형상을 가질 수 있다. 이러한 가공유닛들은 대략적으로 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)에 대한 다양한 가공 또는 검사를 위해 형성되어 있다. 예를 들면, 복수의 가공유닛들 중에는 리드(912A, 912B)의 간격을 넓히기 위한 유닛과, 리드(912A, 912B)의 길이를 단축시키는 유닛, 그리고 리드(912A, 912B)를 일방향으로 절곡시키는 유닛을 포함할 수 있다.
더욱 상세하게는, 제1 가공 모듈(300)의 가공유닛은 커패시터를 일방향으로 회전시켜 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 정위치에 정렬될 수 있도록 하는 정렬 유닛(320)을 포함할 수 있다. 정렬 유닛(320)은 리드(912A, 912B) 각각이 안착될 수 있는 정렬홈(321)을 포함할 수 있으며, 정렬홈(321)은 일정한 폭을 가지면서 나란히 음각 형성될 수 있다. 커패시터(910)가 정위치에 정렬되지 않고 일정 각도 이상 회전된 경우 정렬홈(321)에 안착되지 않으며, 이 경우 클램핑 유닛(220)에 형성된 회전 유닛(미도시)를 통해 커패시터의 본체(911)를 회전시켜 정렬할 수 있다. 커패시터의 본체(911)를 회전시켜 리드(912A, 912B)를 정렬함으로써, 후속적으로 수행될 가공과정 및 검사과정이 원활하게 진행될 수 있도록 한다.
도 4는 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에서 확장 유닛에 대한 확대도이고, 도 5는 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에서 확장 유닛에 대한 다양한 실시예를 설명하기 위한 정면도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 정렬 유닛(320)에 인접한 위치에, 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 일정한 형태로 성형하기 위한 확장 유닛(330)이 형성된다. 확장 유닛(330)은 리드(912A, 912B)를 원하는 형상으로 성형하기 위해, 제2 가공 모듈(400)의 대칭 가공유닛 중에서 확장 유닛(330)과 정합되는 대칭 확장 유닛(430)의 상호작용이 이루어질 수 있다. 더욱 상세하게는, 확장 유닛(330)은 양 측면에 대칭으로 형성된 한 쌍의 프레임(331, 332)을 포함할 수 있다. 프레임(331, 332)은 리드(912A, 912B)가 서로 이격될 때 의도한 성형 범위를 이탈하는 것을 방지한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 제2 가공 모듈(400)의 대칭 확장 유닛(430)에는 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 서로 이격시키기 위해 리드(912A, 912B) 사이에 삽입되고, 제1 높이(h1)를 가지는 확장 블록(431)을 포함할 수 있다. 확장 블록(431)은 다양한 형상을 가질 수 있으나, 리드(912A, 912B)의 이격을 위하여 확장 블록(431)은 제3 방향을 따라 폭이 감소하는 형상을 가질 수 있다. 즉, 확장 블록(431)이 대칭 확장 유닛(430)의 일면으로부터 돌출 형성되었을 때, 확장 블록(431) 기단부(432)의 제1 폭(w1)은 말단부(433)의 제2 폭(w2)보다 크게 형성될 수 있다. 제1 가공 모듈(300)과 제2 가공 모듈(400)의 정합에 의해, 확장 블록(431)의 말단부(433)가 먼저 리드(912A, 912B) 사이에 삽입되고, 확장 블록(431)의 기단부(432)가 그 이후에 삽입됨으로써 리드(912A, 912B)를 이격시키도록 리드(912A, 912B) 간 거리가 확장될 수 있으며, 확장 유닛(330)에 대칭 형성된 프레임(331, 332)에 의해 한글 자음 'ㄱ'자 형상으로 리드(912A, 912B)가 성형될 수 있다. 이와 같이 리드(912A, 912B) 사이의 간격을 이격시키는 것은 후술할 극성 검사 유닛(440) 커패시터(910)의 극성을 검사할 때, 각각의 리드(912A, 912B) 사이의 전기적 간섭을 최소화하기 위함이다.
도 5를 참조하면, 2 가지 형태의 확장 유닛(330)에 대한 예시가 나타난다. 도 5(a)에 따르면, 확장 유닛(330)은 대칭 형성된 한 쌍의 프레임(331, 332)를 가짐과 동시에, 대칭 확장 유닛(430)의 확장 블록(431)을 수용하기 위한 수용공간(333)을 포함할 수 있다. 수용공간(333)의 높이는 확장 블록(431)이 가지는 제1 높이(h1)와 동일할 수 있으며, 수용공간(333)의 폭 또한 확장 블록(431) 기단부(432)의 제1 폭(w1)과 동일할 수 있다. 도 5(b)에 따르면, 확장 유닛(330)은 도 5(a)와 같이 대칭 형성된 한 쌍의 프레임(331, 332)을 가질 수 있지만, 확장 블록(431)이 수용되는 공간의 폭이 서로 다른 제1 수용공간(334)과 제2 수용공간(335)을 가질 수 있다. 이 때, 제1 수용공간(334)의 높이와 폭은 수용공간(333)의 높이(h1)와 폭(w1)과 동일할 수 있다. 한편, 제1 수용공간(334)의 상단에서 연장되는 제2 수용공간(335)이 추가로 형성되고, 제1 수용공간(334)과 제2 수용공간(335)의 형상에 대응되도록 확장 블록(431)이 형성될 수 있다. 도 5(b)와 같은 형태의 수용공간(334, 335)에 수용되는 형상의 확장 블록(431)을 사용하면, 리드(912A, 912B)가 이격되는 형상을 더욱 정밀하게 가이드할 수 있는 이점이 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 가공 모듈(300)은 커패시터(910)가 정렬되어 리드(912A, 912B) 간 이격 확장까지 완료한 이후에는 커패시터의 극성을 검지하기 위한 극성 검사 유닛(340, 360)을 포함할 수 있다. 극성 검사 유닛(340, 360)은 나란히 형성된 전극(341, 342, 361, 362)을 통해 커패시터(910)의 극성을 검사할 수 있다. 커패시터(910)의 극성이 의도한 것과 반대인 경우, 극성 회전 유닛(350) 부분에서 커패시터(910)의 본체(911)를 중심으로 커패시터(910)를 180° 회전시킬 수 있다. 이러한 회전은 정렬 유닛(320)에서 클램핑 유닛(220)에 형성된 회전 유닛과 동일한 구성에 의해 수행될 수 있다. 보다 상세하게는, 제1 극성 검사 유닛(340)에 의해 커패시터(910)의 극성을 검사하고, 제1 극성 검사 유닛(340)의 극성 검사 결과에 따라, 회전 유닛(350)은 선택적으로 커패시터(910)를 회전시킬 수 있으며, 회전된 후 제2 극성 검사 유닛(360)에서 의도한 극성 방향을 가지게 되었는지 확인 검사를 수행할 수 있다.
예를 들면, 이동 방향에 대하여 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)가 음극-양극의 순서대로 배열되어야 하는 경우를 가정한다. 이 때, 제1 극성 검사 유닛(340)에서 커패시터(910)의 극성이 양극-음극으로 검지된 경우, 회전 유닛(350)에서 커패시터(910)를 180° 회전시키고 제2 극성 검사 유닛(360)에서 의도한 극성 배열을 가지게 되었는지 확인한다. 이 때, 커패시터(910)가 여전히 양극-음극으로 검지되거나 또는 극성 판단이 불가능한 경우 해당 커패시터(910)는 전기적 불량으로 판단하고 불량품으로 분류 및 처리될 수 있다. 한편, 제1 가공 모듈(300)의 제1 극성 검사 유닛(340)은 제2 가공 모듈(400)에서 대응되어 정합되는 대칭 제1 극성 검사 유닛(440) 및 대칭 제2 극성 검사 유닛(460)과 정합될 수 있고, 각각의 대칭 극성 검사 유닛(440, 460)은 극성 검사 유닛(340, 360)과 대향되는 위치에 전극(441, 442, 461, 462)을 포함할 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이 제2 극성 검사 유닛(360)과 대칭 제2 극성 검사 유닛(460)의 정합에 의해 커패시터(910)의 극성을 검사하여 전기적 불량으로 판단된 경우, 제2 극성 검사 유닛(360)과 대칭 제2 극성 검사 유닛(460)에 각각 인접하여 형성된 제1 가공 모듈(300)의 불량 제거 영역(A)과 이에 정합되는 제2 가공 모듈(400)의 불량 제거 영역(B)에서 제거될 수 있으며, 후술할 절단 과정 및 벤딩(bending) 과정이 수행되지 않을 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에서 절단 유닛에 대한 개략적인 일측면도이다.
도 2, 도 3, 및 도 6을 참조하면, 전극 검사 이후에, 커패시터(910)는 그 리드(912A, 912B)를 동일한 길이로 절삭되기 위해 클램핑 모듈(200)에 의해 절단 유닛(370) 측으로 이동될 수 있다. 절단 유닛(370)은 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 동일한 길이로 절삭하는데, 절삭 후의 리드(912A, 912B)의 길이는 도 1에 도시된 바와 같은 브래킷(920)의 전극(922, 923)에 안정적으로 접합될 정도의 길이를 가지도록 절삭될 수 있다.
도 6을 참조하면, 절단 유닛(370)은 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 고정시키는 제1 절단단차부(371)와, 제1 절단차부(371)의 길이방향으로부터 수직으로 연장된 제2 절단단차부(372)를 포함할 수 있으며, 제2 절단단차부(372)로부터 돌출되도록 형성되며, 리드(912A, 912B)를 절삭하기 위해 경사지도록 형성된 절단면(C)을 가지는 절단 블록(373)을 포함할 수 있다. 절단 블록(373)에서, 절단면(C)의 최상단, 즉 절단 블록(373)과 제1 절단단차부(371)가 접하는 면의 높이는 제2 높이(h2)를 가질 수 있으며, 이 때의 제2 높이(h2)는 확장 유닛(330)의 확장 블록(431)이 가지는 제1 높이(h1)보다 더 높게 형성될 수 있다. 확장 유닛(330)에서 리드(912A, 912B) 사이의 간격을 이격시킨 것은 리드(912A, 912B)의 극성 검사를 원활하게 수행하기 위한 것으로, 극성 검사가 완료된 커패시터(910)에 대해 다시 리드(912A, 912B) 간의 이격을 최소화함으로써 브래킷(920)의 전극(922, 923)과 원활하게 접합할 수 있는 간격을 형성하도록 한다.
한편, 제2 가공 모듈(400)에서는 제1 가공 모듈(300)의 절단 유닛(370)과 대응되어 정합되도록 형성되고, 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 절단하기 위한 대칭 절단 유닛(470)이 형성될 수 있다. 대칭 절단 유닛(470)은 제1 절단단차부(371)에 대응되는 대칭 제1 절단단차부(471)와, 대칭 제1 절단단차부(471)의 길이방향과 수직인 방향으로 연장된 대칭 제2 절단단차부(472)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 절단단차부(371)와 대칭 제1 절단단차부(471)가 서로 정합되어 리드(912A, 912B)가 움직이지 않도록 고정할 수 있고, 절단 블록(373)이 안정적으로 리드(912A, 912B)를 절삭할 수 있다. 절단 블록(373)이 리드(912A, 912B)를 제2 높이(h2)에서 완전하게 절삭하기 위해, 절단 블록(373)은 절단 유닛(370)과 대칭 절단 유닛(470)이 간극 없이 형성될 수 있다.
다만, 전술한 설명과 도 6에 도시된 바에 따르면 절단 블록(373)이 절단 유닛(370)의 구성으로 서술되었으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 실질적으로 커패시터(912A, 912B)의 리드를 동일한 길이로 절삭하기 위한 목적을 달성하기 위한 어떠한 구성이라도 가능하다. 예를 들면, 제2 높이(h2)를 가지는 절단면을 포함하는 절단 블록(373)은 제1 가공 모듈(300)의 절단 유닛(370)이 아니라, 제2 가공 모듈(400) 측의 대칭 절단 유닛(470) 측의 대칭 제2 절단단차부(472)에 형성될 수도 있다. 또는 절단 블록(373)이 절단 유닛(370)과 대칭 절단 유닛(470)에 나눠서 제1 절단 블록과 제2 절단 블록으로 형성될 수도 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치(100)에서 제1 가공 모듈(300)은 절단 유닛(370)에서 리드(912A, 912B)의 절삭이 정상적으로 이루어졌는지 절삭 품질을 검사하기 위한 절단 검사 유닛(380)을 더 포함할 수 있다. 절단 검사 유닛(380)과 정합되도록, 제2 가공 모듈(400)에서는 대칭 절단 검사 유닛(480)을 포함할 수 있다. 절단 검사 유닛(380)은 리드(912A, 912B)의 절삭길이를 검사하기 위해 특정 광을 수용하는 광 센서부(381)를 포함할 수 있다.
절단 검사 유닛(380)의 리드(912A, 912B)의 절삭길이를 검사하는 방법에 대하여 설명하기로 한다. 먼저, 커패시터(910)가 절단 검사 유닛(380)에 안착되면 대칭 절단 검사 유닛(480)에 형성되고, 광 센서부(381)와 대응되는 위치에 형성된 광 조사부(481)로부터 발광이 수행된다. 광 센서부(381)는 광 조사부(481)로부터 발생한 광을 수용하는데, 리드(912A, 912B)가 불완전하게 절삭된 경우 리드(912A, 912B)의 표면에 광이 반사되어 광 센서부(381)에 도달하지 않거나, 의도되지 않은 부분에 도달할 수 있다. 이러한 광의 수용에 따른 리드(912A, 912B)의 절삭길이를 검사함으로써 커패시터(910)의 기계적 불량을 검출할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치(100)는 전술한 극성 검사 유닛(340, 360)에서 전기적 불량을 검출하고, 절단 검사 유닛(380)에서 기계적 불량을 검출함으로써, 커패시터 어셈블리(900)가 조립되기 이전에 커패시터(910) 자체의 불량을 검출하는 이점이 있다.
한편, 전술한 바와 상이하게, 제1 가공 모듈(300)에 형성된 절단 검사 유닛(380) 측에서 광 조사부가 형성되어 발광시 수행되고, 제1 가공 모듈(300)에 정합되는 제2 가공 모듈(400)에 형성된 대칭 절단 검사 유닛(480) 측에서 광 센서부가 형성되어 기계적 불량 여부를 검출할 수도 있다.
또한, 절단 검사 유닛(380)에 의해 기계적 불량이 검출된 경우, 후술할 이송 유닛(500)에 의해 수집 트레이가 아닌 별도의 적재 영역에 수집되어 커패시터 어셈블리(900)로 조립되지 않을 수 있다. 별도의 적재 영역에 수집된 기계적으로 불량인 커패시터(910)들이 커패시터 어셈블리(900)로 조립되는 것을 방지함으로써 불량 커패시터 어셈블리(900)의 제조를 예방할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치에서 벤딩 유닛에 대한 개략적인 일측면도이다.
도 2, 도 3, 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 커패시터 가공 장치(100)에서 커패시터(910)가 절단 검사 유닛(380)에 의해 검사가 완료되면, 절삭된 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 일방향으로 절곡시키기 위해 리드(912A, 912B)에 제1 방향과 제2 방향에 모두 수직인 제3 방향으로 가압력이 작용하도록, 제1 두께(d11)를 가지는 제1 단차부(391)와 제2 두께(d12)를 가지는 제2 단차부(392)를 포함하는 벤딩 유닛(390)을 포함할 수 있다.
벤딩 유닛(390)은 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)가 브래킷(920)의 일면 상에 형성된 전극(922, 923)과 접하도록 리드(912A, 912B)를 절곡시켜주는 역할을 하며, 이러한 역할을 달성하기 위해 서로 다른 두께(d11, d12)를 가지는 단차부(391, 392)를 가지도록 형성된다, 또한, 제1 단차부(391)와 제2 단차부(392)의 사이에는 제1 단차부(391)와 제2 단차부(392)를 연결하는 절곡부(393)가 형성될 수 있다. 절곡부(393)는 제1 단차부(391)와 제2 단차부(392)를 연결하면서 제1 단차부(391)와 제2 단차부(392) 사이에 일정한 각도를 가지도록 형성될 수 있는데, 이 각도는 예각일 수 있다. 직각 이상의 각도로 절곡부(393)가 형성되는 경우 리드(912A, 912B)의 절곡시에 파단이 일어날 가능성이 높으므로, 리드(912A, 912B)가 완만한 경사를 가지도록 형성하여 안정적으로 절곡되도록 한다.
이 때, 벤딩 유닛(390)과 정합되도록 제2 가공 모듈(400)에서는 대칭 벤딩 유닛(490)이 형성될 수 있다. 대칭 벤딩 유닛(490)은 벤딩 유닛(390)과 대응되도록 형성되며, 제3 두께(d21)를 가지면서 제1 단차부(391)와 대응되는 대칭 제1 단차부(491)와, 제4 두께(d22)를 가지면서 제2 단차부(392)와 대응되는 대칭 제2 단차부(492)를 포함할 수 있으며, 대칭 제1 단차부(491)와 대칭 제2 단차부(492)를 연결하면서 일정 각도를 가지도록 형성되는 대칭 절곡부(493)를 더 포함할 수 있다. 한편, 제1 단차부(391)와 대칭 제1 단차부(491), 제2 단차부(392)와 대칭 제2 단차부(492), 그리고 절곡부(393)와 대칭 절곡부(493)는 제1 가공 모듈(300)과 제2 가공 모듈(400)이 서로 정합될 때 각각의 사이 간격이 동일하게 형성되도록 할 수 있다. 특히, 이 때의 사이 간격은 커패시터(910)의 리드(912A, 912B) 직경과 대응되도록 형성하는 것이 바람직하다.
단차부(391, 392)와 대칭 단차부(491, 492)의 구성에 대하여 예를 들어 설명하자면, 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)는 x축 양의 방향으로 절곡되도록 서로 다른 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 제1 단차부(391)의 제1 두께(d11)는 제2 단차부(392)의 제2 두께(d12)보다 작을 수 있다. 제1 두께(d11)가 제2 두께(d12)보다 작으므로, 리드(912A, 912B)는 제1 단차부(391)로부터 제2 단차부(392)의 두께방향을 향해 절곡될 수 있다.
한편, 제1 단차부(391)와 대칭 제1 단차부(491), 그리고 제2 단차부(392)와 대칭 제2 단차부(492)의 간격이 동일하게 형성되기 위하여, 제1 단차부(391)의 제1 두께(d11)는 대칭 제1 단차부(491)의 제3 두께(d21)보다 작고, 제2 단차부(392)의 제2 두께(d12)는 대칭 제2 단차부(492)의 제4 두께(d22)보다 클 수 있다. 더욱 상세하게는, 제1 두께(d11)와 제3 두께(d21)의 합은 제2 두께(d12)와 제4 두께(d22)의 합과 같을 수 있다. 이와 같이, 단차부들(391, 392, 491, 492)의 두께 관계에 따라 벤딩 유닛(390)과 대칭 벤딩 유닛(490)이 형성됨으로써, 리드(912A, 912B)에 대한 균일한 벤딩이 가능한 이점이 있다.
또한, 벤딩 유닛(390)에서 절곡부(393)의 일단은 제1 단차부(391)와 연결되고, 절곡부(393)의 타단은 제2 단차부(392)와 연결되며, 절곡부(393)의 일단이 제3 높이(h3)에서 형성될 수 있다. 이 때, 제3 높이(h3)는 절단 유닛(370)의 절단 블록(373)의 높이에 해당하는 제2 높이(h2)보다 높게 형성될 수 있다. 제3 높이(h3)가 제2 높이(h2)보다 높게 형성됨으로써, 리드(912A, 912B)의 절삭면 상부에서 리드(912A, 912B)를 절곡시킬 수 있다.
도 2를 참조하면, 벤딩 유닛(390)에서 벤딩 과정까지 가공이 완료된 커패시터(910)는 커패시터 가공 장치(100)의 말단에 형성되어, 제1 가공 모듈(300)과 제2 가공 모듈(400)의 정합에 의해 가공된 커패시터를 수집하는 이송 유닛(500)에 의해 수집 트레이로 옮겨질 수 있다. 이송 유닛(500)은 일면에 고정되도록 지지되는 고정부(510)와 고정부의 일면에 결합되어 클램핑 모듈(200)의 커패시터(910)를 이송하기 위해 움직이는 제1 방향과 제2 방향을 포함하는 가상의 평면 상에서 평각(180°) 이하의 각도 범위 내에서 회전하는 회전부(520)를 포함할 수 있다. 회전부(520)는 제1 가공 모듈(300)의 벤딩 유닛(390)에 안착된 커패시터(910)를 별도의 이송 트레이(미도시)로 옮길 수 있으며, 이러한 이송 작업을 위해 커패시터(910)의 본체(911)를 일지점(즉, 제1 가공 모듈(300)의 벤딩 유닛(390))에서 그랩하여 타지점(별도의 이송 트레이)에서 릴리즈할 수 있도록 한 쌍의 이송 아암(521, 522)을 더 포함할 수 있다. 이 때, 전기적 불량으로 판정된 커패시터는 불량 제거 영역(A)에서 기 제거되었으므로 이송 트레이에는 양품의 가공된 커패시터(910)만이 적재될 수 있다.
한편, 절단 검사 유닛(380)과 대칭 절단 검사 유닛(480)에 의해 기계적 불량으로 판단된 커패시터(910)는 이송 과정에서 수동적으로 제거되거나, 이송 유닛(500)의 제어에 의해 양품이 적재되는 이송 트레이와 이격되어 형성된 별도의 적재 영역에 적재되어 커패시터 어셈블리(900)로 조립되는 것을 방지할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 커패시터 가공 방법에 대하여 설명하기로 한다. 커패시터 가공 방법을 설명함에 있어서 전술한 커패시터 가공 장치의 설명과 중복되는 경우 간단하게 언급하거나 생략한다.
도 8은 본 발명에 따른 커패시터 가공 방법에 대한 순서도이다.
도 1 및 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 커패시터 가공 방법은, 본체 및 본체에서 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 리드를 포함하는 커패시터를 가공하는 커패시터 가공 방법에 있어서, 커패시터의 리드를 일정 길이로 절삭하는 절단 단계(S170)와, 절단 단계에서 절삭된 커패시터의 리드를 일방향으로 절곡시키는 벤딩 단계(S190)를 포함할 수 있다.
절단 단계(S160)에서, 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)는 동일한 길이로 절삭될 수 있으며, 브래킷(920)의 전극(922, 923)에 안정적으로 접합될 수 있는 길이를 가지기 위해 절삭된다. 리드(912A, 912B)의 절삭에 대해서는 다양한 방법을 통해 수행될 수 있으나, 바람직하게는 전술한 커패시터 가공 장치(100)에서 제1 가공 모듈(300)에 형성된 절단 유닛(370)과, 제2 가공 모듈(400)에 형성된 대칭 절단 유닛(470) 중 적어도 하나에 형성된 절단 블록(373)에 의해 원하는 길이를 가지도록 절삭될 수 있다.
한편, 리드(912A, 912B)를 절삭하는 절단 단계(S170)가 수행되기 이전에, 커패시터(910)의 전기적 극성을 검사하기 위한 일련의 과정들이 추가적으로 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 커패시터 가공 방법은, 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 절삭하기 이전에, 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 제1 높이(h1)에서 서로 이격시키는 리드 이격 단계(S120)와, 리드 이격 단계(S120) 이후에 이격된 커패시터(910)의 리드(912A, 912B) 각각의 극성을 검지하는 극성 검사 단계(S130, S150)와, 극성 검사 단계(S130, S150) 이후에, 전술한 절단 단계(S170)가 수행되어 절삭된 리드(912A, 912B)의 절삭 품질을 검사하기 위해 광(光)의 조사에 따른 반사광의 유입 여부에 따라 리드(912A, 912B)의 절삭길이를 판단하는 절단 검사 단계(S180), 그리고 극성 검사 단계(S130, S150)로부터 커패시터(910)의 불량 여부를 판단하고 불량품을 분류하는 불량품 판단 단계(S160)를 더 포함할 수 있다.
리드 이격 단계(S120)는 전술한 커패시터 가공 장치(100)에서 확장 유닛(330)과 대칭 확장 유닛(430)에 의해 리드(912A, 912B) 사이의 간격을 이격시키며, 리드(912A, 912B)를 이격시킴으로써 커패시터(910)의 극성 검사 단계(S130, S150)에서 각각의 리드(912A, 912B)에서 발생할 수 있는 전기적 간섭을 최소화할 수 있다. 한편, 제1 극성 검사 단계(S130)의 결과에 따라 커패시터(910)가 원하는 방향으로 배열되지 않은 경우, 클램핑 모듈(200)의 클램핑 유닛(220)에 형성된 회전 유닛(미도시)에 의해 커패시터(910)의 극성을 정렬시킬 수 있다. 다만, 제2 극성 검사 단계(S150)에서도 여전히 커패시터(910)가 원하는 방향으로 배열되지 않은 것으로 검지된 경우, 해당 커패시터(910)는 전기적 불량인 것으로 판단되어 후술할 불량품 판단 단계(S160)에 의해 제거될 수 있다.
한편, 리드(912A, 912B)의 이격과 커패시터(910)의 원활한 극성 검사(S130, S150)를 위하여, 리드의 위치를 정위치로 정렬하는 적어도 하나의 리드 정렬 단계(S110, S140)가 포함될 수 있다. 제1 리드 정렬 단계(S110)는 전술한 커패시터 가공 장치(100)에서 제1 가공 모듈(300)에 형성된 정렬홈(321)을 가지는 정렬 유닛(320)에 커패시터(910)가 안착되고, 정렬홈(321)에 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)가 정상적으로 안착되지 않는 경우 커패시터(910)의 본체(911)를 회전시켜 정렬할 수 있다. 또한, 제2 리드 정렬 단계(S140)에서는 커패시터(910)의 극성이 반대인 경우 회전 유닛을 통해 커패시터(910)의 본체(911)를 중심으로 180° 회전시켜 커패시터(910)의 극성을 정렬시킬 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 리드 정렬 단계(S110, S140)와 극성검사 단계(S130, S150)는 각각 적어도 2단계 포함될 수 있으며, 리드 정렬 단계(S110, S140)와 극성검사 단계(S130, S150)는 교호적으로 수행될 수 있다.
커패시터(910)의 리드(912A, 912B)에 대한 리드(912A, 912B) 이격, 절단, 그리고 벤딩의 관계에 대하여 설명한다. 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)는 커패시터(910)의 극성 검사의 편의를 위해 리드(912A, 912B) 사이의 간격을 이격시킬 수 있다. 이 때, 리드(912A, 912B) 사이의 간격이 이격되는 높이는 전술한 바와 같이 제1 높이(h1)일 수 있다. 한편, 리드(912A, 912B)의 이격은, 이격시에 리드(912A, 912B) 변형에 무리를 주지 않기 위하여 기단부(432)에서의 제1 폭(w1)이 말단부(433)에서의 제2 폭(w2)보다 큰, 즉 기단부(432)로부터 말단부(433) 방향으로 갈수록 점차적으로 폭이 감소하는 절삭 블록(431)에 의해 리드(912A, 912B) 이격이 수행된다.
한편, 극성 검사 단계(S130, S150)까지 완료되면 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)는 브래킷(920)의 전극(922, 923)과 접합하기에 용이한 길이와 간격을 가질 수 있도록 제1 높이(h1)보다 높은 제2 높이(h2)에 형성된 절단면을 가지는 절단 블록에 의해 리드(912A, 912B) 절삭이 수행될 수 있다. 또한, 벤딩 단계(S190)에서는 절삭된 부분을 제외하고 남은 리드(912A, 912B)를 절곡시켜야 하므로, 제2 높이(h2)보다 높게 형성된 제3 높이(h3)에 절곡부(393)가 형성되어 리드(912A, 912B)를 일방향으로 절곡시킬 수 있다.
벤딩 단계(S190)에서 리드(912A, 912B)가 벤딩되는 과정은 전술한 커패시터 가공 장치(100)의 제1 가공 모듈(300)에 형성된 벤딩 유닛(390)과, 제2 가공 모듈(400)에서 제1 가공 모듈(300)과 정합되도록 형성된 대칭 벤딩 유닛(490)의 대응되는 형상에 의하여 수행될 수 있다, 보다 상세하게는, 벤딩 단계(S190)가 수행되는 제1 가공 모듈(300)의 벤딩 유닛(390)은 제1 두께(d11)를 가지는 제1 단차부(391)와, 제2 두께(d12)를 가지는 제2 단차부(392), 그리고 제1 단차부(391)와 제2 단차부(392)를 연결하는 절곡부(393)를 포함할 수 있으며, 제1 가공 모듈(300)과 정합되도록 형성되는 제2 가공 모듈(400)의 대칭 벤딩 유닛(490)은, 제3 두께(d21)를 가지는 대칭 제1 단차부(491)와, 제4 두께(d22)를 가지는 대칭 제2 단차부(492), 그리고 대칭 제1 단차부(491)와 대칭 제2 단차부(492)를 연결하는 대칭 절곡부(493)를 포함할 수 있다.
예시적으로, 커패시터(910)의 리드(912A, 912B)를 일방향으로 절곡시키기 위해, 제1 단차부(391)의 제1 두께(d11)는 제2 단차부(392)의 제2 두께(d12)보다 작을 수 있다. 이에 따라, 리드(912A, 912B)는 제2 단차부(392)의 제2 두께(d12) 방향으로 절곡될 수 있다. 또한, 제1 단차부(391)의 제1 두께(d11)는 대칭 제1 단차부(491)의 제3 두께(d21)보다 작을 수 있으며, 제2 단차부(392)의 제2 두께(d12)는 대칭 제2 단차부(492)의 제4 두께(d22)보다 클 수 있다. 이러한 두께 관계는 벤딩 유닛(390)과 대칭 벤딩 유닛(490)이 정합될 때 일정한 간격을 가지도록 형성되기 위함이며, 실질적으로 제1 두께(d11)와 제3 두께(d21)의 합과, 제2 두께(d12)와 제4 두께(d22)의 합이 동일하도록 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 절곡부(393)와 대칭 절곡부(493)는 각각 제1 단차부(391)와 제2 단차부(392), 그리고 대칭 제1 단차부(491)와 대칭 제2 단차부(492)를 연결하되 일정한 각도를 가지도록 형성될 수 있으며, 이 때의 각도는 절곡 과정에서 리드(912A, 912B)의 무리한 절곡을 유발하여 파단이 발생하는 위험을 방지하기 위해 예각으로 형성될 수 있다.
한편, 전술한 절단 단계(S170), 벤딩 단계(S190), 리드 이격 단계(S120), 절단 검사 단계(S180), 불량품 판단 단계(S160)는 커패시터(910)의 본체(911)를 그랩 또는 릴리즈하는 클램핑 모듈(200)의 이동 및 각각의 단계들이 수행되기 위해 해당 단계들이 수행되는 가공유닛들을 포함하는 제1 가공 모듈(300)과, 가공유닛들과 정합되는 대칭 가공유닛들을 포함하는 제2 가공 모듈(400)의 정합에 의해 수행될 수 있다.
또한, 이와 같은 커패시터 가공 방법은 하나의 커패시터(910)의 가공 관점에서 보았을 때는 시계열적으로 N-1 번째 가공유닛으로부터 N 번째 가공유닛 측으로 이동하여 가공이 순차적으로 수행되는 것으로 볼 수 있으나, 전체적인 시스템의 관점에서 보았을 때는 제1 가공 모듈(300)의 일면에 형성된 복수의 가공유닛들과, 이러한 가공유닛들에 정합되는 복수의 대칭 가공유닛들을 가지는 제2 가공 모듈(400)에 의해 전 과정이 동시에 수행되는 것으로 볼 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 커패시터 가공 방법은 모든 단계가 제1 가공 모듈(300)과 제2 가공 모듈(400)의 정합에 의해 동시에 수행되어 가공 프로세스를 단순화하고 대량의 커패시터를 가공할 수 있는 이점이 있다.
한편, 벤딩 단계(S190)까지 가공이 완료된 커패시터(910)는 별도로 구비된 수집 트레이(미도시)에 적재되기 위해 이송 단계(S200)에서 이송 유닛에 의해 이송된다. 한편, 불량품 판단 단계(S160)에서 이미 전기적 불량으로 판단된 커패시터(910)는 이송 단계(S200)의 대상에서 제외되므로, 수집 트레이에는 전기적으로 정상인 커패시터만 수집될 수 있다. 이송 단계(S200)는 정상 커패시터(910)의 본체(911)를 일지점에서 그랩하여 타지점에서 릴리즈할 수 있으며, 이 때 일지점은 벤딩 단계(S190)가 수행되는 벤딩 유닛(390) 측이고 타지점은 정상 커패시터가 적재되는 수집 트레이 측일 수 있다.
또한, 커패시터 가공 장치에서 전술한 바와 같이, 제1 극성 검사 단계(S130)과 제2 극성 검사 단계(S150)로부터 검출된 전기적 불량 커패시터(910)는 리드 절단 단계(S170)의 수행 이전에 배출될 수 있으며, 이송 단계(S200)에서는 절단 검사 단계(S180)로부터 기계적 불량이 검출된 커패시터(910)가 수집 트레이와 이격되어 형성된 별도의 적재 영역에 적재되도록 하여 불량 커패시터 어셈블리(900)의 조립을 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명에 따른 커패시터 가공 방법에서, 커패시터 가공에 따른 불량품을 판단하여 배출하는 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9를 참조하여 불량의 커패시터를 판단하는 불량품 판단 단계(S160)에 대하여 설명하기로 한다. 먼저, 극성 검사 단계(S130, S150)에서 커패시터(910)의 전기적 특성이 올바른지 확인한다(S161). 이 때, 실질적으로 확인하는 극성 검사의 결과는 제1 극성 검사 단계(S130)에 의거하여 리드(912A, 912B)의 정렬을 수행한 이후에 다시 검사가 수행된 제2 극성 검사 단계(S150)의 결과일 수 있다. 제2 극성 검사 단계(S150)의 결과로부터 전기적 불량이 발생한 것으로 판단되면 해당 커패시터(910)를 불량인 것으로 판단하여 제1 가공 모듈(300)의 일면에 형성된 불량 제거 영역(A)과, 제2 가공 모듈(400)의 일면에 형성된 대칭 불량 제거 영역(B)에서 제거/배출될 수 있다(S183). 이 때, 불량 제거 영역(A)과 대칭 불량 제거 영역(B)에서 불량으로 판단된 커패시터(910)를 제거/배출하는 방법은 다양할 수 있으나, 바람직하게는 클램핑 유닛(220)이 커패시터(910)를 불량 제거 영역(A)과 대칭 불량 제거 영역(B)에 안착시켰을 때 고정되지 않고 중력 방향(예를 들면, 도 2에서의 z축 음의 방향)으로 낙하하여 전술한 수집 트레이와 구분되는 수거함(또는 적재 영역)에 별도로 수집할 수 있다.
마찬가지로, 절단 검사 단계(S180, 또는 커팅 검사 단계)에서 리드(912A, 912B)의 절삭길이가 허용범위 내인지 판단한다(S162). 절삭길이가 허용범위 내인지 판단하는 것은, 전술한 커패시터 가공 장치(100)에서 광 조사부(481)와 광 센서부(381)의 작용에 의한 광 수용의 결과에 따른 기계적 불량 판단을 의미할 수 있다. 리드(912A, 912B)의 절삭길이가 허용범위 내에 해당하지 않아 기계적 불량으로 판단되는 경우, 전술한 바와 마찬가지로 해당 커패시터(910)를 불량인 것으로 판단하여 제거/배출될 수 있다(S183). 이 때, 기계적 불량으로 판단된 커패시터(910)가 제거/배출되는 과정은 전술한 바와 같이 이송 단계(S200)에서 이송 유닛(500)에 의해 수집 트레이에 적재되지 않고, 수집 트레이와 이격되어 형성된 별도의 적재 영역에 적재되어 커패시터 어셈블리(900)로 조립되지 않을 수 있다.
이와 같이 커패시터의 전기적 불량과 기계적 불량에 대하여 모두 판단하여 이송 단계(S200) 수행 전에 미리 제거/배출함으로써, 불량 커패시터(910)를 가지는 커패시터 어셈블리(900) 제품이 조립되는 것을 방지하는 이점이 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
900: 커패시터 어셈블리 910: 커패시터
911: 커패시터 본체 912A, 912B: 리드
913: 제1 리드영역 914: 제2 리드영역
915: 절곡영역 920: 브래킷
921: 브래킷 베이스 922: 제1 브래킷 전극
923: 제2 브래킷 전극 924: 수용격벽
925: 슬릿
100: 커패시터 가공 장치 200: 클램핑 모듈
210: 클램핑 모듈 본체 220: 클램핑 유닛
300: 제1 가공모듈 400: 제2 가공모듈
310: 제1 가공모듈 본체 320: 제1 정렬유닛
330: 확장유닛 340: 제1 극성 검사유닛
350: 회전유닛 360: 제2 극성 검사유닛
370: 절단유닛 380: 절단 검사유닛
390: 벤딩유닛 A: 불량품 분류 영역
321: 정렬 홈 331, 332: 프레임
333: 수용공간 334: 제1 수용공간
335: 제2 수용공간
341, 342: 제1 검사 전극 361, 362: 제2 검사 전극
371: 제1 절단단차부 372: 제2 절단단차부
373: 절단 블록 381: 광 센서부
391: 벤딩 블록
410: 제2 가공모듈 본체 421: 대칭 정렬 홈
431: 확장 블록 461, 462: 대칭 제1 검사 전극
471: 대칭 제1 절단단차부 472: 대칭 제2 절단단차부
481: 대칭 광 센서부 491: 대칭 벤딩 블록
h1: 제1 높이 h2: 제2 높이
h3: 제3 높이
w1: 제1 폭 w2: 제2 폭
d11: 제1 두께 d12: 제2 두께
d21: 제3 두께 d22: 제4 두께
500: 이송모듈 510: 고정부
520: 회전부 521, 522: 이송 아암

Claims (20)

  1. 본체 및 상기 본체에서 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 리드를 포함하는 커패시터를 가공하기 위한 커패시터 가공 장치에 있어서,
    상기 커패시터를 이송하며, 각각의 상기 커패시터를 그랩 또는 릴리즈하는 클램핑 유닛들을 포함하는 클램핑 모듈;
    상기 클램핑 모듈이 이송하는 상기 커패시터의 일부가 안착되는 제1 가공 모듈; 및
    상기 제1 가공 모듈에 상기 커패시터의 일부가 안착된 상태에서 상기 제1 가공 모듈을 향하여 이동되어 상기 제1 가공 모듈과 정합되는 제2 가공 모듈;을 포함하고,
    상기 제1 가공 모듈은 상기 커패시터가 각각 안착되며 순서대로 배치되는 복수의 가공유닛들을 포함하고,
    상기 제2 가공 모듈은 상기 가공유닛과 각각 정합되는 대칭 가공유닛들을 포함하고,
    상기 가공유닛들은 서로 다른 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 클램핑 유닛 중 어느 하나의 상기 클램핑 유닛은, 상기 커패시터를 그랩한 상태에서, 상기 가공유닛들 중 어느 하나의 상기 가공유닛에 상기 커패시터를 안착시킨 다음, 상기 가공유닛과 상기 대칭 가공유닛이 정합되면 상기 커패시터를 릴리즈하고, 이전의 상기 가공유닛 측으로 이동되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 클램핑 모듈은,
    (1) 상기 클램핑 유닛이 상기 커패시터를 상기 제1 가공 모듈의 N 번째 상기 가공유닛에 안착시킬 때, 제1 방향으로 이동되며,
    (2) 상기 가공유닛과 상기 대칭 가공유닛이 정합된 상태에서, 상기 클램핑 유닛이 상기 커패시터를 릴리즈하면, 상기 제1 방향과 반대 방향으로 이동된 다음, 상기 제1 방향과 직교되는 제2 방향으로 이동되어, 상기 클램핑 유닛들이 N-1 번째 상기 가공유닛측으로 이동되고,
    (3) 상기 클램핑 유닛이 상기 제1 방향으로 이동된 다음, 상기 N-1 번째 상기 가공유닛에 안착된 상기 커패시터를 그랩하면, 상기 제1 가공 모듈과 상기 제2 가공 모듈의 정합이 해제되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 클램핑 모듈은,
    (4) 상기 제1 가공 모듈과 상기 제2 가공 모듈의 정합이 해제된 상태에서, 상기 제1 방향과 반대 방향으로 이동되어 상기 클램핑 유닛이 그랩한 상기 커패시터를 상기 N-1 번째 상기 가공유닛에서 탈거된 다음, 상기 제2 방향과 반대방향으로 이동되어 상기 커패시터를 상기 N 번째 가공유닛측으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 가공유닛은,
    상기 커패시터를 일방향으로 회전시켜 상기 커패시터의 상기 리드가 상기 가공유닛에 안착되기 위한 정렬홈이 형성되는 정렬 유닛;
    상기 커패시터의 상기 리드를 일정한 형태로 성형하기 위해 대칭 형성된 한 쌍의 프레임을 포함하는 확장 유닛;
    정렬된 상기 커패시터의 상기 리드의 극성을 검지하는 극성 검사 유닛;
    상기 커패시터의 상기 리드를 동일한 길이로 절삭하는 절단 유닛;
    상기 절단 유닛에 의해 절삭된 상기 리드의 절삭 품질을 검사하기 위한 절단 검사 유닛; 및
    절삭된 상기 커패시터의 상기 리드를 일방향으로 절곡시키기 위해 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 수직인 제3 방향으로 가압하도록 형성되는, 제1 두께를 가지는 제1 단차부와 제2 두께를 가지는 제2 단차부를 포함하는 벤딩 유닛; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 대칭 가공유닛은,
    상기 확장 유닛과 정합되도록 형성되며 상기 커패시터의 상기 리드를 이격시키기 위해 상기 리드 사이에 삽입되고, 제1 높이를 가지는 확장 블록을 포함하는 대칭 확장 유닛;
    상기 절단 유닛과 정합되도록 형성되며 상기 커패시터의 상기 리드를 절단하기 위한 대칭 절단 유닛; 및
    상기 벤딩 유닛과 정합되도록 형성되며 상기 제1 단차부와 대응되도록 제3 두께를 가지는 대칭 제1 단차부와, 상기 제2 단차부와 대응되도록 제4 두께를 가지는 대칭 제2 단차부를 포함하는 대칭 벤딩 유닛; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 확장 블록은 상기 제3 방향을 따라 폭이 감소하는 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 절단 유닛 및 상기 대칭 절단 유닛 중 적어도 하나는 상기 커패시터의 상기 리드를 절삭하기 위하여 경사지도록 형성된 절단면을 가지며, 제2 높이를 가지는 절단 블록을 포함하며, 상기 절단 블록은 상기 절단 유닛 및 상기 대칭 절단 유닛과 간극 없이 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 높이는 상기 제1 높이보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  10. 제6 항에 있어서,
    상기 벤딩 유닛은,
    상기 제1 단차부와 상기 제2 단차부 사이에, 상기 제1 단차부 및 상기 제2 단차부를 연결하는 절곡부를 더 포함하고,
    상기 대칭 벤딩 유닛은,
    상기 대칭 제1 단차부와 상기 대칭 제2 단차부 사이에, 상기 대칭 제1 단차부와 상기 대칭 제2 단차부를 연결하는 대칭 절곡부를 더 포함하며,
    상기 제1 단차부와 상기 대칭 제1 단차부, 상기 제2 단차부와 상기 대칭 제2 단차부, 및 상기 절곡부와 상기 대칭 절곡부 사이의 간격이 동일하게 형성되도록 상기 제1 가공모듈과 상기 제2 가공모듈의 정합이 수행되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 절단 유닛 및 상기 대칭 절단 유닛 중 적어도 하나는 상기 커패시터의 상기 리드를 절삭하기 위하여 경사지도록 형성된 절단면을 가지며, 제2 높이를 가지는 절단 블록을 포함하고,
    상기 벤딩 유닛에서 상기 절곡부의 일단이 상기 제1 단차부와 연결되고, 상기 절곡부의 상기 일단은 상기 벤딩 유닛의 제3 높이에 형성되며, 상기 제3 높이는 상기 제2 높이보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 단차부의 상기 제1 두께는 상기 대칭 제1 단차부의 제3 두께보다 작고, 상기 제2 단차부의 상기 제2 두께는 상기 대칭 제2 단차부의 제4 두께보다 크며, 상기 제1 단차부의 상기 제1 두께는 상기 제2 단차부의 상기 제2 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  13. 제5 항에 있어서,
    상기 절단 검사 유닛은,
    상기 리드의 절삭길이를 검사하기 위해 특정 광을 수용하기 위한 광 센서부를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 가공모듈 및 상기 제2 가공모듈의 정합에 의해 가공된 상기 커패시터를 수집하기 위한 이송 유닛; 을 더 포함하며,
    상기 이송 유닛은,
    일면에 고정되도록 지지되는 고정부; 및
    상기 고정부의 일면에 결합되며 상기 클램핑 모듈이 상기 커패시터를 이송하기 위해 움직이는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 포함하는 평면 상에서 평각 이하의 각도 범위 내에서 회전하는 회전부;를 포함하고,
    상기 회전부는, 상기 커패시터의 상기 본체를 일지점에서 그랩하여 타지점에서 릴리즈하는 한 쌍의 이송 아암을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 장치.
  15. 본체 및 상기 본체에서 돌출되도록 형성되는 한 쌍의 리드를 포함하는 커패시터를 가공하는 커패시터 가공 방법에 있어서,
    상기 커패시터의 상기 리드를 일정 길이로 절삭하는 절단 단계; 및
    상기 절단 단계에서 절삭된 상기 커패시터의 리드를 일방향으로 절곡시키는 벤딩 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 커패시터의 상기 리드를 절삭하기 이전에 상기 커패시터의 상기 리드를 제1 높이에서 서로 이격시키는 리드 이격 단계;
    상기 리드 이격 단계 이후에 이격된 상기 커패시터의 상기 리드 각각의 극성을 검지하는 극성 검사 단계;
    상기 극성 검사 단계 이후에, 상기 절단 단계가 수행되어 절삭된 상기 리드의 절삭 품질을 검사하기 위해 광의 조사에 따른 반사광의 유입 여부에 따라 상기 리드의 절삭길이를 판단하는 절단 검사 단계; 및
    상기 극성 검사 단계로부터 상기 커패시터의 불량 여부를 판단하고 불량품을 분류하는 불량품 판단 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 리드 이격 단계는, 상기 리드를 서로 이격시키기 위해 제1 높이를 가지며 일방향을 향해 점차적으로 폭이 감소하는 확장 블록에 의해 수행되고,
    상기 절단 단계는, 상기 리드를 절삭하기 위해 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 가지며 일정한 경사면을 가지는 절단면을 가지는 절단 블록에 의해 수행되며,
    상기 벤딩 단계는, 상기 리드를 일방향으로 절곡하기 위해 상기 제2 높이보다 높은 제3 높이를 가지는 절곡부에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 방법.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 벤딩 단계는 상기 절곡이 수행되기 위해 제1 두께를 가지는 제1 단차부와 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 제2 단차부를 포함하는 벤딩 유닛이 형성된 제1 가공 모듈과, 상기 절곡이 수행되기 위해 제3 두께를 가지는 대칭 제1 단차부와 상기 제3 두께보다 작은 제4 두께를 가지는 대칭 제2 단차부를 포함하는 대칭 벤딩 유닛이 형성된 제2 가공 모듈에 의해 수행되며, 상기 제1 두께는 상기 제3 두께보다 작고, 상기 벤딩 유닛과 상기 대칭 벤딩 유닛이 정합될 때의 간격은 일정하게 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 방법.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 절단 단계, 상기 벤딩 단계, 상기 리드 이격 단계, 상기 극성 검사 단계, 상기 불량품 판단, 및 단계상기 절단 검사 단계는 상기 커패시터의 상기 본체를 그랩 또는 릴리즈하는 클램핑 모듈의 이동 및 각각의 단계들이 수행되기 위해 상기 단계들이 수행되는 가공유닛들을 포함하는 제1 가공 모듈과, 상기 단계들이 수행되는 가공유닛들과 정합되는 대칭 가공유닛들을 포함하는 제2 가공 모듈의 정합에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 커패시터 가공 방법.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 불량품 판단 단계 이후에 정상 커패시터를 수집하기 위해, 상기 정상 커패시터의 본체를 일지점에서 그랩하여 타지점에서 릴리즈하는 이송 단계;를 더 포함하는 커패시터 가공 방법.
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