KR20220014455A - 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 Download PDF

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Abstract

일 실시예의 표시 장치는 복수 개의 패널패드들을 포함하는 표시 패널, 패널패드들에 대응하는 복수 개의 접속패드들을 포함하는 연성회로기판, 및 표시 패널과 연성회로기판 사이에 배치된 접합층을 포함하고, 접합층은 패널패드들 상에 배치되고, 제1 베이스부 및 상기 제1 베이스부에 분산된 복수 개의 도전입자들을 포함하는 도전부, 및 도전부 상측에서 접속패드들 사이에 배치되고, 제2 베이스부를 포함하고 도전입자들을 미포함하는 비도전부를 포함하여 개선된 신뢰성을 나타낼 수 있다.

Description

표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 {DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대한 것으로, 보다 상세하게는 표시 패널과 회로 기판을 결합시키고 도전입자를 갖는 접합층을 포함한 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치 등의 전자 장치는 복수의 회로 배선들 및 이들에 연결된 복수의 전자 소자들을 포함하고, 전기적 신호를 인가 받아 동작한다. 이러한 복수의 회로 배선들과 전자 소자들을 전기적으로 연결시키기 위하여 도전성 접합 부재가 사용되고 있다. 예를 들어, 이방성 도전 필름(ACF, Anisotropic Conductive Film) 등이 표시 장치의 표시 패널과 회로 기판 등을 전기적으로 접속하기 위하여 사용되고 있다.
한편, 표시 장치에서 고해상도가 요구되면서 고정세의 회로 배선들과 접합시키기 위한 접합 부재를 필요로 하고 있다.
본 발명의 목적은 접합층에 포함된 도전부와 비도전부의 배치를 제어하여 개선된 신뢰성을 갖는 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 패드들과 중첩되는 부분과 중첩되지 않는 부분에서 도전부와 비도전부가 다른 배열 특성을 갖는 접합층을 형성하는 단계를 포함하여 개선된 신뢰성을 갖는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
일 실시예는 복수 개의 패널패드들을 포함하는 표시 패널; 상기 패널패드들에 대응하는 복수 개의 접속패드들을 포함하는 연성회로기판; 및 상기 표시 패널과 상기 연성회로기판 사이에 배치된 접합층; 을 포함하고, 상기 접합층은 상기 패널패드들 상에 배치되고, 제1 베이스부 및 상기 제1 베이스부에 분산된 복수 개의 도전입자들을 포함하는 도전부; 및 상기 도전부 상측에서 상기 접속패드들 사이에 배치되고, 제2 베이스부를 포함하고 상기 도전입자들을 미포함하는 비도전부; 를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 비도전부는 상기 패널패드들과 이격될 수 있다.
상기 도전부와 상기 비도전부의 두께비는 1:2 내지 1:5일 수 있다.
상기 접합층은 서로 대응하는 상기 패널패드들 및 상기 접속패드들과 중첩하는 중첩부; 및 상기 패널패드들 및 상기 접속패드들과 비중첩하는 비중첩부; 를 포함할 수 있다.
상기 중첩부는 상기 도전부를 포함하고, 상기 비중첩부는 상기 표시 패널에 인접하여 배치된 상기 도전부, 및 상기 도전부 상에서 상기 표시 패널과 이격되어 배치된 상기 비도전부를 포함할 수 있다.
상기 중첩부에 포함된 상기 도전부와 상기 비중첩부에 포함된 상기 도전부가 일체로 상기 표시 패널 상에 배치되고, 상기 비중첩부에서 상기 비도전부는 상기 도전부와 상기 연성회로기판 사이를 충전할 수 있다.
상기 중첩부에서의 상기 도전입자들의 분포 밀도는 상기 비중첩부에서의 상기 도전입자들의 분포 밀도 보다 클 수 있다.
상기 도전부에 포함된 상기 도전입자들은 두께 방향으로 비중첩할 수 있다.
상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수 개의 감지패드들을 포함하는 입력감지부; 상기 감지패드들과 대응하는 감지 접속패드들을 포함하는 감지 연성회로기판; 및 상기 입력감지부 및 상기 감지 연성회로기판 사이에 배치된 감지 접합층; 을 더 포함하고, 상기 감지 접합층은 서로 대응하는 상기 감지패드들 및 상기 감지 접속패드들과 중첩하는 감지 중첩부, 및 상기 감지패드들 및 상기 감지 접속패드들과 비중첩하는 감지 비중첩부를 포함하고, 상기 감지 중첩부는 상기 도전부를 포함하고 상기 비도전부를 미포함하며, 상기 감지 비중첩부는 상기 도전부 및 상기 도전부 상에 배치된 상기 비도전부를 포함할 수 있다.
다른 실시예는 제1 스테이지 상에 복수 개의 접속패드들을 포함하는 연성회로기판을 제공하는 단계; 상기 연성회로기판 상에 예비접합층을 제공하는 단계; 상기 제1 스테이지를 가열하여 제1 온도에서 상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 접합하는 단계; 제2 스테이지 상에 복수 개의 패널패드들을 포함한 표시 패널을 제공하는 단계; 제공된 상기 표시 패널 상에 접합된 상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 배치하는 단계; 및 제2 온도에서 가압하여, 순차적으로 적층된 상기 표시 패널, 상기 예비접합층, 및 상기 연성회로기판을 접합하는 단계; 를 포함하는 표시 장치 제조 방법을 제공한다. 상기 예비접합층은 예비 비도전부 및 상기 예비 비도전부 상에 적층된 예비 도전부를 포함하고, 상기 예비접합층을 제공하는 단계는 상기 예비 비도전부가 상기 접속패드들에 인접하도록 상기 예비접합층을 배치하는 단계를 포함하며, 접합된 상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 배치하는 단계는 상기 예비 도전부가 상기 패널패드들과 인접하도록 상기 접합된 상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 배치하는 단계를 포함한다.
상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 접합하는 단계는 상기 예비 비도전부가 상기 접속패드들 사이를 충전하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 온도에서 상기 예비 비도전부의 점도는 상기 예비 도전부의 점도 보다 낮을 수 있다.
상기 연성회로기판과 상기 예비 접합층을 접합하는 단계는 상기 연성회로기판에 인접한 상기 예비 비도전부에 열을 제공하여 상기 예비 비도전부의 점도를 제1 점도로 감소시키고, 노출된 상기 예비 도전부를 냉각하여 상기 예비 도전부의 점도를 상기 제1 점도 보다 높은 제2 점도로 유지하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 예비 도전부는 제1 베이스수지 및 상기 제1 베이스수지에 분산된 복수 개의 도전입자들을 포함하고, 상기 예비 비도전부는 제2 베이스수지를 포함하고 상기 도전입자들을 미포함할 수 있다.
상기 제1 온도는 상기 제2 베이스수지의 유리 전이 온도 이상이고 상기 제2 베이스수지의 경화 개시 온도 이하일 수 있다.
상기 제2 온도는 상기 제1 베이스수지 및 상기 제2 베이스수지의 경화 개시 온도 보다 높을 수 있다.
상기 제1 베이스수지의 경화 개시 온도는 상기 제2 베이스수지의 경화 개시 온도 보다 높을 수 있다.
동일한 온도에서 상기 제1 베이스수지의 점도는 상기 제2 베이스수지의 점도 보다 높을 수 있다.
상기 표시 패널, 상기 예비접합층, 및 상기 연성회로 기판을 접합하는 단계는 상기 예비 도전부를 경화하여 상기 표시 패널에 인접한 도전부를 형성하고, 상기 예비 비도전부를 경화하여 상기 표시 패널에서 이격되고 상기 접속패드들 사이를 충전하는 비도전부를 형성하는 접합층 형성 단계를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널, 상기 예비접합층, 및 상기 연성회로 기판을 접합하는 단계는 상기 연성회로기판의 상측에 배치된 가압지그로 상기 예비접합층을 가압하는 단계; 및 상기 가압지그에 열을 제공하여 상기 예비접합층을 접합층으로 변환시키는 경화 단계; 를 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치는 패드와 비중첩하는 영역에 도전입자들을 미포함하는 비도전부를 배치한 접합층을 포함하여 개선된 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다.
일 실시예의 표시 장치 제조 방법은 표시 패널과 회로 기판 사이에 제공되는 접합층에서 비도전부의 배치를 제어하는 공정을 포함하여 고해상도에서도 우수한 신뢰성을 갖는 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예의 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시예의 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치 일부의 평면도이다.
도 4는 일 실시예의 표시 장치의 일 부분을 나타낸 분해 사시도이다.
도 5는 일 실시예의 표시 장치의 일 부분을 나타낸 단면도이다.
도 6은 일 실시예의 표시 장치의 일 부분을 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예의 표시 장치의 일 부분을 나타낸 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도이다
도 9는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 부분을 나타낸 단면도이다.
도 10은 일 실시예의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 11은 일 실시예의 표시 장치의 제조 방법의 일부를 나타낸 순서도이다.
도 12a 내지 도 12e는 각각 일 실시예의 표시 장치 제조 방법의 일 단계를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 13은 온도에 따른 점도 변화를 나타낸 그래프이다.
도 14는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 이미지이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
한편, 본 출원에서 "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다. 본 명세서에서 "상에 배치되는" 것은 어느 하나의 부재의 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 나타내는 것일 수 있다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된 것으로 해석된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 및 일 실시예의 표시 장치 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 일 실시예의 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부에 대한 평면도이다. 도 4는 일 실시예의 표시 장치의 일 부분에 대한 분해 사시도이다.
표시 장치(DD)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 표시 장치(DD)는 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션 유닛, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 또는 카메라 등일 수 있다. 또한, 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 표시 장치로도 채용될 수 있다. 본 실시예에서, 표시 장치(DD)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.
한편, 도 1 및 이하 도면들에서는 제1 방향축(DR1) 내지 제3 방향축(DR3)을 도시하였으며, 본 명세서에서 설명되는 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다.
본 명세서에서는 설명의 편의를 위하여 제3 방향축(DR3) 방향은 사용자에게 이미지가 제공되는 방향으로 정의된다. 또한, 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)은 서로 직교하고, 제3 방향축(DR3)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP), 연성회로기판(FB-DP)을 포함하는 패널 구동부(DP-M), 및 접합층(AP)을 포함할 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD)는 복수 개의 패널패드들(DPD)을 포함하는 표시 패널(DP), 패널패드들(DPD)에 대응하는 복수 개의 접속패드들(CPD)을 포함하는 연성회로기판(FB-DP), 표시 패널(DP)과 연성회로기판(FB-DP) 사이에 배치된 접합층(AP)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 입력감지부(ISU) 및 감지 구동부(TP-M)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD)는 윈도우(WP) 및 하우징(HAU)을 포함하고, 윈도우(WP)와 하우징(HAU)은 결합되어 표시 장치(DD)의 외관을 구성할 수 있다.
도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 입력감지부(ISU) 및 감지 구동부(TP-M)는 생략될 수 있다. 또한, 도시된 바와 달리 입력감지부(ISU)는 표시 패널(DP) 상에 직접 배치되어 표시 패널(DP)과 일체로 제공될 수 있다.
일 실시예에서 표시 장치(DD)는 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)으로 정의되는 평면과 평행한 표시면(FS)에 제3 방향축(DR3) 방향을 향해 이미지(IM)를 표시할 수 있다. 이미지(IM)가 표시되는 표시면(FS)은 표시 장치(DD)의 전면(front surface)과 대응될 수 있으며, 윈도우(WP)의 전면(FS)과 대응될 수 있다. 이하, 표시 장치(DD)의 표시면, 전면, 및 윈도우(WP)의 전면은 동일한 참조부호를 사용하기로 한다. 이미지(IM)는 동적인 이미지는 물론 정지 이미지를 포함할 수 있다. 도 1에서 이미지(IM)의 일 예로 시계창 및 애플리케이션 아이콘들이 도시되었다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 윈도우(WP)는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 윈도우(WP)는 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 포함할 수 있다. 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 포함한 윈도우(WP)의 전면(FS)은 표시 장치(DD)의 전면(FS)에 해당한다. 사용자는 표시 장치(DD)의 전면(FS)에 해당하는 투과 영역(TA)을 통해 제공되는 이미지를 시인할 수 있다.
투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의할 수 있다. 다만, 실시예가 도시된 것에 한정되는 것은 아니며 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 일 부분이 생략될 수도 있다.
표시 패널(DP)은 윈도우(WP) 아래에 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "아래"는 표시 패널(DP)이 이미지를 제공하는 방향의 반대 방향을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 패널(DP)은 실질적으로 이미지(IM)를 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(DP)이 생성하는 이미지(IM)는 패널 표시면(IS)에 표시되고, 투과 영역(TA)을 통해 외부에서 사용자에게 시인된다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP)은 액정 표시 패널 또는 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 액정소자를 포함하는 액정 표시 패널, 유기 전계 발광 소자를 포함하는 유기 전계 발광 표시 패널, 또는 양자점 발광 소자를 포함하는 양자점 발광 표시 패널 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 패널(DP)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 표시 패널(DP)의 표시 영역(DA)에 액정소자, 유기 전계 발광 소자, 또는 양자점 발광 소자 등과 같은 표시 소자가 배치될 수 있다.
표시 패널(DP)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함하는 패널 표시면(IS)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 커버되는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접한다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 표시 영역(DA)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 배선 등이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 패널패드 영역(DPA)이 배치될 수 있다.
표시 패널(DP)은 베이스 기판(BS) 및 베이스 기판(BS) 상에 배치된 표시층(DP-EL)을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)이 발광형 표시 패널인 경우 표시층(DP-EL)은 발광 소자층(미도시) 및 봉지층(미도시)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(BS)은 표시층(DP-EL)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스 기판(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다. 베이스 기판(BS)은 용이하게 벤딩되거나 폴딩될 수 있는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.
예를 들어, 베이스 기판(BS)은 투명 유리 기판 또는 투명 폴리이미드 기판일 수 있다. 또한, 이와 달리 베이스 기판(BS)은 불투명한 폴리이미드 기판일 수 있다.
표시 패널(DP)의 비표시 영역(NDA)에는 복수 개의 패널패드들(DPD)이 배치될 수 있다. 복수 개의 패널패드들(DPD)은 패널패드 영역(DPA)에서 서로 이격되어 배열될 수 있다. 도 3 및 도 4 등에서는 복수 개의 패널패드들(DPD)이 제1 방향축(DR1)을 따라 하나의 열을 이루며 일정한 간격으로 이격되어 정렬된 것으로 도시되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수 개의 패널패드들(DPD)은 2열 이상으로 복수 개의 열을 이루며 정렬된 것일 수 있다. 또한, 복수 개의 패널패드들(DPD) 사이의 이격 간격은 서로 상이할 수 있으며, 또는 복수 개의 패널패드들(DPD)은 제2 방향축(DR2)에 대하여 서로 다른 기울기를 갖도록 사선 방향으로 정렬되어 배치될 수도 있다.
패널패드들(DPD)은 표시 연결배선(DCL)에 연결되어 표시 패널(DP)의 회로층(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. 회로층(미도시)은 베이스 기판(BS) 상에 배치되며, 표시층(DP-EL)에 포함된 복수 개의 표시 소자들을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터 등을 포함하는 것일 수 있다.
표시 장치(DD)는 패널 구동부(DP-M)를 포함할 수 있다. 패널 구동부(DP-M)는 연성회로기판(FB-DP)을 포함할 수 있다. 연성회로기판(FB-DP)은 표시 패널(DP)의 일 측에 배치될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도면에 도시되지는 않았으나 패널 구동부(DP-M)는 표시 패널(DP)의 하부면 측으로 벤딩되어 배치될 수 있다. 패널 구동부(DP-M)는 표시 패널(DP)의 하부면 측으로 벤딩되어 하우징(HAU)에 수납될 수 있다.
연성회로기판(FB-DP)은 복수 개의 접속패드들(CPD)을 포함할 수 있다. 연성회로기판(FB-DP)은 베이스 필름(BF) 및 베이스 필름(BF) 상에 배치된 복수 개의 접속패드들(CPD)을 포함할 수 있다. 베이스 필름(BF)은 플렉서블(Flexible)한 물질, 예를 들어 폴리이미드(Polyimide)로 형성될 수 있다.
연성회로기판(FB-DP)은 접속패드 영역(CPA)을 포함할 수 있다. 복수 개의 접속패드들(CPD)은 접속패드 영역(CPA)에서 복수 개의 패널패드들(DPD)에 각각 대응하도록 배치될 수 있다.
도 3 및 도 4 등을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 패널 구동부(DP-M)는 연성회로기판(FB-DP) 및 패널구동기판(MB-DP)을 포함하는 것일 수 있다. 연성회로기판(FB-DP)은 표시 패널(DP)과 패널구동기판(MB-DP) 사이에 배치되어 표시 패널(DP) 및 패널구동기판(MB-DP)과 전기적으로 접속된 것일 수 있다.
패널 구동부(DP-M)는 구동칩(IC)을 포함할 수 있다. 구동칩(IC)은 연성회로기판(FB-DP) 상에 실장될 수 있다. 구동칩(IC)은 연성회로기판(FB-DP)의 신호 라인들(CL)에 접속되어 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구동칩(IC)은 각종 전기적 신호를 생성하거나 처리할 수 있다. 연성회로기판(FB-DP)은 칩온필름(Chip on Film, CoF)으로도 지칭될 수 있다.
연성회로기판(FB-DP)은 접합층(AP)을 통해 표시 패널(DP)에 전기적 및 물리적으로 결합될 수 있다. 접합층(AP)은 표시 패널(DP)과 연성회로기판(FB-DP) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 연성회로기판(FB-DP) 및 패널구동기판(MB-DP)을 전기적 및 물리적으로 결합시키는 구동접합층(M-AP)을 포함할 수 있다. 패널구동기판(MB-DP)은 구동패드 영역(MPA)을 포함할 수 있다. 패널구동기판(MB-DP)의 구동패드 영역(MPA)에는 복수 개의 구동패드들(MPD)이 배치될 수 있다. 구동접합층(M-AP)은 구동패드들(MPD) 및 구동패드들(MPD)에 각각 대응하여 배치된 접속패드들(CPD)을 서로 접합시키는 것일 수 있다.
접합층(AP)은 패널패드 영역(DPA)과 접속패드 영역(CPA) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 접합층(AP)은 서로 마주하여 대응하도록 배치된 패널패드들(DPD) 및 접속패드들(CPD) 사이에 배치되는 것일 수 있다.
도 5 및 도 6은 각각 일 실시예에 따른 표시 장치에 대한 단면도이다. 도 5는 도 3의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이고, 도 6은 도 5의 AA' 부분을 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 접합층(AP)은 표시 패널(DP)과 연성회로기판(FB-DP) 사이에 배치된다. 일 실시예에 따른 접합층(AP)은 도전부(AC) 및 비도전부(NC)를 포함하는 것일 수 있다. 비도전부(NC)는 도전부(AC) 상에 적층되어 제공된 것일 수 있다. 일 실시예에서 접합층(AP)의 비도전부(NC)는 도전부(AC) 상에 배치되어 표시 패널(DP)과 이격된 것일 수 있다.
도전부(AC)는 제1 베이스부(RS1) 및 복수 개의 도전입자들(CP)을 포함하는 것으로, 도전입자들(CP)은 제1 베이스부(RS1)에 분산된 것일 수 있다. 제1 베이스부(RS1)는 도전입자들(CP) 사이를 충전하는 것일 수 있다.
비도전부(NC)는 제2 베이스부(RS2)를 포함하는 것일 수 있다. 비도전부(NC)는 제2 베이스부(RS2)로 구성되고 도전입자들(CP)을 미포함하는 부분일 수 있다.
접합층(AP)에 포함된 도전입자(CP)는 금속 입자, 또는 다수의 금속들인 혼합된 합금 입자 등일 수 있다. 예를 들어, 도전입자(CP)는 은, 구리, 비스무스, 아연, 인듐, 주석, 니켈, 코발트, 크롬, 및 철 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 이들에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 합금 입자일 수 있다. 또한, 도전입자(CP)는 고분자수지 등으로 형성된 코어부 및 코어부를 감싸는 도전성 물질의 코팅층을 갖는 것일 수도 있다.
접합층(AP)의 제1 베이스부(RS1) 및 제2 베이스부(RS2)는 각각 아크릴계 고분자, 실리콘계 고분자, 우레탄계 고분자, 에폭시계 고분자, 및 이미드계 고분자 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스부(RS1) 및 제2 베이스부(RS2)는 각각 독립적으로 아크릴계 고분자, 실리콘계 고분자, 우레탄계 고분자, 에폭시계 고분자, 및 이미드계 고분자 중 선택되는 어느 하나의 고분자 물질 또는 선택되는 복수의 고분자 물질들의 조합을 포함하는 것일 수 있다. 제1 베이스부(RS1) 및 제2 베이스부(RS2)는 각각 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 또는 이미드계 수지로부터 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스부(RS1) 및 제2 베이스부(RS2)는 각각 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 또는 이미드계 수지 등의 베이스 수지가 열경화되거나 또는 광경화되어 형성된 부분일 수 있다.
제1 베이스부(RS1)와 제2 베이스부(RS2)는 서로 다른 종류의 수지 재료로부터 형성된 것일 수 있다. 또한, 이와 달리 제1 베이스부(RS1)와 제2 베이스부(RS2)는 동일한 계열의 수지 재료이나 분자량이 서로 다르거나, 추가되는 첨가제의 종류가 상이하거나, 또는 추가된 첨가제의 함량이 서로 다른 상이한 혼합 재료로부터 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스부(RS1) 및 제2 베이스부(RS2)는 상이한 분자량을 갖는 에폭시계 수지로부터 형성된 것일 수 있다.
또는, 제1 베이스부(RS1)와 제2 베이스부(RS2)는 서로 다른 점도 값을 갖는 수지 재료로부터 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 50℃ 내지 100℃의 온도 범위의 동일한 온도 조건에서의 제1 베이스부(RS1)를 형성하는 수지 재료의 점도가 제2 베이스부(RS2)를 형성하는 수지 재료의 점도 보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 동일한 온도 조건에서 제1 베이스부(RS1)와 제2 베이스부(RS2)의 모듈러스(modulus) 값은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 50℃ 내지 100℃의 온도 범위의 동일한 온도 조건에서, 제1 베이스부(RS1)의 모듈러스 값이 제2 베이스부(RS2)의 모듈러스 값보다 클 수 있다.
도 5 및 도 6에서 도시된 일 실시예에 따른 표시 장치에서 비도전부(NC)는 도전부(AC) 상측에 배치되는 것일 수 있다. 비도전부(NC)는 도전부(AC) 상측에서 접속패드들(CPD) 사이에 배치되는 것일 수 있다.
비도전부(NC)는 도전부(AC) 상에 배치되고, 도전부(AC)를 사이에 두고 표시 패널(DP)에서 이격된 것일 수 있다. 예를 들어, 비도전부(NC)는 패널패드들(DPD)과 이격된 것일 수 있다.
일 실시예에서, 접합층(AP)의 도전부(AC)는 표시 패널(DP) 상에서 하나의 층으로 배치될 수 있고, 비도전부(NC)는 도전부(AC) 상에서 표시 패널(DP)과 이격되어 접속패드들(CPD) 사이를 충전하는 것일 수 있다.
일 실시예에서 접합층(AP)의 비도전부(NC)의 두께는 도전부(AC)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 두께는 제3 방향축(DR3) 방향으로의 길이를 의미하며, 비도전부(NC) 및 도전부(AC)의 두께는 표시 패널(DP)과 연성회로기판(FB-DP) 사이에서의 제3 방향축(DR3) 방향으로의 길이를 나타낸다.
도전부(AC)의 두께(tA)와 비도전부(NC)의 두께(tN)의 비는 1:2 내지 1:5 일 수 있다. 한편, 도전부(AC)의 두께(tA)와 비도전부(NC)의 두께(tN)는 두께의 평균 값을 의미하는 것일 수 있다. 본 명세서에서 도전부(AC)의 두께(tA)는 접합층(AP) 전체에서의 도전부(AC)의 평균 두께이고, 비도전부(NC)의 두께(tN)는 접합층(AP) 전체에서의 비도전부(NC)의 평균 두께를 나타낸 것이다.
예를 들어, 일 실시예에서 도전부(AC)의 두께(tA)는 약 4㎛ 이하이고 비도전부(NC)의 두께(tN)는 약 10㎛ 이상일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
접합층(AP)은 중첩부(AP-O) 및 비중첩부(AP-NO)를 포함할 수 있다. 중첩부(AP-O)는 패널패드(DPD) 및 접속패드(CPD)와 중첩하는 부분이고, 비중첩부(AP-NO)는 패널패드(DPD) 및 접속패드(CPD) 모두와 비중첩하는 부분이다. 접합층(AP)에서 중첩부(AP-O)는 마주하는 패널패드(DPD) 및 접속패드(CPD)와 중첩하는 영역에 해당하며, 중첩부(AP-O)에서 도전입자들(CP)은 대응하는 패널패드(DPD)와 접속패드(CPD) 사이에서 고정되어 패널패드(DPD) 및 접속패드(CPD)와 전기적으로 연결된다. 비중첩부(AP-NO)는 중첩부들(AP-O) 사이에 배치된 부분일 수 있다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 접합층(AP)은 제1 방향축(DR1) 방향으로 교대로 배치된 중첩부(AP-O) 및 비중첩부(AP-NO)를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 중첩부(AP-O)는 도전부(AC)를 포함하고, 비중첩부(AP-NO)는 도전부(AC) 및 비도전부(NC)를 포함하는 것일 수 있다. 비중첩부(AP-NO)에서 도전부(AC)는 표시 패널(DP)에 인접하여 배치되고, 비도전부(NC)는 도전부(AC) 상에서 표시 패널(DP)과 이격되어 배치되어 패널패드들(DPD)과 비접촉하는 것일 수 있다.
예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 접합층(AP)은 중첩부(AP-O)와 비중첩부(AP-NO)로 구분되는 것일 수 있다. 일 실시예에서, 중첩부(AP-O)는 패널패드(DPD)와 접속패드(CPD) 사이에 배치된 도전부(AC)를 포함하고 비도전부(NC)를 미포함하며, 비중첩부(AP-NO)는 표시 패널(DP)과 연결회로기판(FB-DP) 사이에서 순차적으로 적층된 도전부(AC) 및 비도전부(NC)를 포함하는 것일 수 있다.
중첩부(AP-O)에 포함된 도전부(AC)와 비중첩부(AP-NO)에 포함된 도전부(AC)는 일체로 표시 패널(DP) 상에 배치된 것일 수 있다. 예를 들어, 중첩부(AP-O)에 포함된 도전부(AC)와 비중첩부(AP-NO)에 포함된 도전부(AC)는 하나의 층(Single layer)으로 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다.
또한, 비중첩부(AP-NO)에서 비도전부(NC)는 도전부(AC)와 연성회로기판(FB-DP) 사이를 충전하는 것일 수 있다.
도전부(AC)에 포함된 도전입자들(CP)은 두께 방향으로 비중첩하는 것일 수 있다. 일 실시예에 따른 접합층(AP)에서 도전부(AC)에 포함된 도전입자들(CP)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)으로 정의되는 평면과 평행한 평면 상에서 분산되어 배치되고 제3 방향축(DR3) 방향으로 적층되지 않는다. 예를 들어, 패널패드(DPD)와 접속패드(CPD) 사이의 간격으로 정의되는 중첩부(AP-O)의 두께는 패널패드(DPD)와 접속패드(CPD) 사이에 배치된 도전입자(CP)의 직경과 실질적으로 동일하거나, 또는 중첩부(AP-O)의 두께는 패널패드(DPD)와 접속패드(CPD) 사이에 배치된 도전입자(CP)의 직경 이하일 수 있다.
접합층(AP)의 중첩부(AP-O)는 도전입자(CP)를 포함하는 도전부(AC)를 포함하고, 비중첩부(AP-NO)는 도전입자(CP)를 포함하는 도전부(AC) 및 도전입자(CP)를 포함하지 않는 비도전부(NC)를 모두 포함하므로, 중첩부(AP-O)에서의 접합층(AP) 내의 도전입자들(CP)의 분포 밀도는 비중첩부(AP-NO)에서의 접합층(AP) 내의 도전입자들(CP)의 분포 밀도보다 큰 것일 수 있다.
한편, 도시되는 않았으나 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면 상에서 볼 때, 중첩부(AP-O)와 비중첩부(AP-NO)에서의 도전입자들(CP)의 분포 밀도의 차이가 크지 않을 수 있다. 즉, 비도전부(NC)를 포함하는 비중첩부(AP-NO)에서는 비도전부(NC)가 도전부(AC)와 연성회로기판(FB-DP) 사이를 충전하여 도전입자들(CP)의 이동이 제한되므로 접합층(AP)의 최초 제공시의 도전입자들(CP)의 분포 밀도와 유사하게 중첩부(AP-O)와 비중첩부(AP-NO)에서 도전입자들의 분포 밀도의 구분이 없을 수 있다.
일 실시예에서 접속패드(CPD)의 두께는 패널패드(DPD)의 두께 보다 두꺼운 것일 수 있다. 예를 들어, 패널패드(DPD)의 두께(tDP)는 약 0.5㎛ 내지 0.6㎛이고, 접속패드(CPD)의 두께(tCP)는 약 8㎛±1㎛일 수 있다. 하지만, 패널패드(DPD)의 두께(tDP)와 접속패드(CPD)의 두께(tCP)의 수치가 예시된 것에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 패널패드(DPD)의 두께와 비교하여 접속패드(CPD)의 두께가 더 두껍게 제공되므로, 접합층(AP)에서 상대적으로 두꺼운 두께를 갖는 비도전부(NC)가 접속패드(CPD) 측으로 제공될 수 있다. 상대적으로 두꺼운 두께의 비도전부(NC)가 접속패드들(CPD) 사이를 충전하고 배치되어, 비도전부(NC)가 도전부(AC)의 유동을 제한함으로써 도전부(AC)의 도전입자들(CP)이 이동되어 접속패드들(CPD) 사이에 배치되는 것을 최소화할 수 있다.
따라서, 일 실시예의 표시 장치는 표시 패널, 연결회로기판, 및 표시 패널과 연결회로기판 사이에 배치된 접합층을 포함하고, 접합층이 연결회로기판의 접속패드들 사이에 배치된 비도전부를 포함하여, 도전입자들이 접속패드들 사이에 배치되는 것을 최소화함으로써 접속패드들과 도전입자들의 접속에 의해 발생할 수 있는 쇼트 현상이 감소된 특성을 나타낼 수 있다.
도 5 및 도 6에서 도시된 일 실시예에서 도전부(AC)와 비도전부(NC)의 경계(IFL)는 접속패드(CPD)의 바닥면(CPD-BT)과 동일한 높이 레벨로 위치하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치 일부(AA'-1)에 대한 단면도로, 도 6의 AA' 영역에 대응하는 부분을 도시한 것에 해당한다. 도 7에 도시된 표시 장치의 일 부분(AA'-1)은 도 6과 비교하여 도전부(AC)와 비도전부(NC)의 경계(IFL)의 위치 및 경계(IFL) 부분의 단면 상의 형태가 다른 것에서만 차이가 있다.
도 7을 참조하면, 일 실시예에서 도전부(AC)와 비도전부(NC)의 경계(IFL)의 위치는 랜덤하게 형성될 수 있다. 도전부(AC)와 비도전부(NC)의 경계(IFL)의 위치는 접속패드(CPD)의 바닥면(CPD-BT)을 기준으로 상측으로 위치하거나, 또는 바닥면(CPD-BT)을 기준으로 하측으로 위치할 수 있다. 하지만, 이 경우에도 비도전부(NC)의 평균 두께는 도전부(AC)의 평균 두께 보다 두꺼우며 접속패드들(CPD) 사이의 대부분의 공간이 비도전부(NC)로 채워진 것일 수 있다.
한편, 도 5 내지 도 7 등을 참고하여 설명한 접합층(AP)에 대한 설명은 구동접합층(M-AP)에도 동일하게 적용될 수 있다. 즉, 구동접합층(M-AP)에 포함된 도전입자들 중 구동패드들(MPD)과 비중첩하는 부분에서의 도전입자는 접속패드들(CPD) 사이를 충전한 비도전부에 의해 이동이 제한되어 구동패드들(MPD) 및 접속패드들(CPD)과 비중첩하는 부분에서의 쇼트 불량이 최소화될 수 있다.
도 8은 일 실시예의 표시 장치의 일 부분을 나타낸 평면도이다. 도 8에서는 일 실시예의 표시 장치(DD, 도 2)에 포함된 입력감지부(ISU) 및 감지 구동부(TP-M)를 도시하였다. 도 9는 도 8의 II-II'선에 대응하는 부분의 단면도이다.
도 2, 도 8 및 도 9를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 입력감지부(ISU)는 표시 패널(DP) 상에 별개의 부재로 제공되는 것일 수 있다. 하지만, 도시된 바와 달리 입력감지부(ISU)는 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다.
입력감지부(ISU)는 외부 입력(TC, 도 1)을 감지하여 외부 입력의 위치나 세기 정보를 얻을 수 있다. 예를 들어, 외부 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함한다. 또한, 입력감지부(ISU)는 입력감지부(ISU)에 접촉하는 입력은 물론, 근접하거나 인접하는 입력을 감지할 수도 있다.
입력감지부(ISU)는 감지 영역(SA) 및 비감지 영역(NSA)을 포함할 수 있다. 감지 영역(SA)은 표시 영역(DA)과 중첩될 수 있다. 비감지 영역(NSA)은 감지 영역(SA)에 인접한다. 비감지 영역(NSA)은 감지 영역(SA)의 가장 자리를 에워쌀 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 비감지 영역(NSA)은 감지 영역(SA)의 가장 자리 일부에만 인접할 수도 있고, 생략될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
입력감지부(ISU)는 복수 개의 감지 전극들(Tx, Rx), 복수 개의 감지 배선들(SL), 및 복수 개의 감지패드들(TPD)을 포함할 수 있다. 즉, 입력감지부(ISU)는 복수의 제1 감지 전극들(Tx, 이하 제1 감지 전극들), 복수의 제2 감지 전극들(Rx, 이하 제2 감지 전극들), 복수의 제1 감지 배선들(TL, 이하 제1 감지 배선들), 및 복수의 제2 감지 배선들(RL, 이하 제2 감지 배선들) 및 제1 감지 배선들(TL) 및 제2 감지 배선들(RL)에 전기적으로 연결된 감지패드들(TPD)을 포함할 수 있다.
제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)은 감지 영역(SA)에 배치될 수 있다. 입력감지부(ISU)는 제1 감지 전극들(Tx)과 제2 감지 전극들(Rx) 사이의 상호정전용량의 변화를 통해 외부 입력에 대한 정보를 획득할 수 있다.
제1 감지 전극들(Tx) 각각은 복수의 제1 부분들(Tx-a, 이하 제1 부분들) 및 제1 부분들(Tx-a) 중 서로 인접한 제1 부분들(Tx-a) 사이에 정의된 제2 부분(Tx-b)을 포함할 수 있다. 제1 부분들(Tx-a)은 감지 부분들로 지칭될 수 있고, 제2 부분(Tx-b)은 연결 부분, 또는 교차 부분으로 지칭될 수 있다.
제1 부분들(Tx-a)과 제2 부분(Tx-b)은 서로 연결된 일체의 형상을 가질 수 있다. 따라서, 제2 부분(Tx-b)은 제2 감지 전극(Rx)과 교차하는 제1 감지 전극(Tx)의 일부분으로 정의될 수 있다. 제1 부분들(Tx-a)과 제2 부분(Tx-b)은 서로 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
제2 감지 전극들(Rx) 각각은 복수의 감지 패턴들(Rx-a, 이하 감지 패턴들) 및 감지 패턴들(Rx-a) 중 서로 인접한 두 개의 감지 패턴들(Rx-a)에 전기적으로 연결된 브릿지 패턴(Rx-b)을 포함할 수 있다. 감지 패턴들(Rx-a)과 브릿지 패턴(Rx-b)은 서로 다른 층 상에 배치될 수 있다. 도 8에서는 두 개의 감지 패턴들(Rx-a)을 연결하는 브릿지 패턴(Rx-b)의 개수가 2 개 인 것을 예로 들어 도시하였으나, 브릿지 패턴(Rx-b)의 개수는 1 개 일수도 있고, 3 개 이상일 수도 있다.
제1 부분들(Tx-a)과 제2 부분(Tx-b)은 감지 패턴들(Rx-a)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 브릿지 패턴(Rx-b)이 배치된 층은 제1 부분들(Tx-a), 제2 부분(Tx-b), 및 감지 패턴들(Rx-a)이 배치된 층과 다른 층일 수 있다. 다만, 브릿지 패턴(Rx-b)과 제2 부분(Tx-b)이 서로 상이한 층 상에 배치되면 될 뿐 특별히 제한되는 것은 아니다.
제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx) 각각은 제1 감지 배선들(TL) 및 제2 감지 배선들(RL) 중 대응하는 감지 배선(SL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 감지 전극(Tx)은 1 개의 제1 감지 배선(TL)에 연결될 수 있다. 하나의 제2 감지 전극(Rx)에는 하나의 제2 감지 배선(RL)이 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 제1 감지 전극들(Tx) 및 제2 감지 전극들(Rx)에 대한 제1, 또는 제2 감지 배선들(TL, RL)의 연결 관계가 도시된 예에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 하나의 제1 감지 전극(Tx)은 2 개의 제1 감지 배선들(TL)에 연결될 수 있다. 제1 감지 전극(Tx)의 일단에는 하나의 제1 감지 배선(TL)이 전기적으로 연결되고, 제1 감지 전극(Tx)의 타단에는 다른 하나의 제1 감지 배선(TL)이 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 도 4에 도시된 감지 전극들(Tx, Rx)의 형상, 감지 전극들(Tx, Rx)의 개수, 및 감지 배선들(SL)의 연결 관계들은 예시적인 것으로, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
감지 전극들(Tx, Rx)은 감지 영역(SA)에 배치되고, 감지패드들(TPD)은 비감지 영역(NSA)에 배치될 수 있다. 감지패드들(TPD)은 입력감지부(ISU)의 일측 단부에 인접하여 배치되는 것일 수 있다.
감지 배선들(SL)은 감지 전극들(Tx, Rx)에 연결되고, 비감지 영역(NSA)으로 연장하여 감지패드들(TPD)에 연결될 수 있다. 감지패드들(TPD)은 감지 연성회로기판(FB-TP)을 통해 입력감지부(ISU)를 구동하기 위한 감지 구동기판(MB-TP)에 연결될 수 있다.
감지 전극들(Tx, Rx) 및 감지 배선들(SL)은 감지 베이스기판(BS-T) 상에 제공될 수 있다. 감지 베이스기판(BS-T)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 감지 베이스기판(BS-T)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
한편, 입력감지부(ISU)가 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 경우 감지 베이스기판(BS-T)은 생략될 수 있다. 이 경우 감지 전극들(Tx, Rx) 및 감지 배선들(SL)은 표시 패널(DP) 상에 직접 제공될 수 있다.
감지 구동부(TP-M)는 감지 연성회로기판(FB-TP) 및 감지 구동기판(MB-TP)을 포함할 수 있다. 또한, 입력감지부(ISU)와 감지 연성회로기판(FB-TP) 사이에 감지 접합층(T-AP)이 배치될 수 있다. 감지 연성회로기판(FB-TP)은 입력감지부(ISU)의 일측에 배치되고 복수 개의 감지패드들(TPD)과 대응하는 감지 접속패드들(CPD-T)을 포함하는 것일 수 있다. 감지 연성회로기판(FB-TP)은 베이스 필름(BF-T) 및 베이스 필름(BF-T)의 일면 상에 제공된 복수 개의 감지 접속패드들(CPD-T)을 포함하는 것일 수 있다.
감지 접합층(T-AP)은 감지패드들(TPD) 및 감지 접속패드들(CPD-T) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 감지 접합층(T-AP)에 대하여는 상술한 접합층(AP)에 대한 설명과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
즉, 감지 접합층(T-AP)은 도전부(AC) 및 비도전부(NC)를 포함하는 것일 수 있다. 도전부(AC)는 제1 베이스부(RS1) 및 도전입자(CP)를 포함하고 비도전부(NC)는 제2 베이스부(RS2)를 포함하며 도전입자를 미포함하는 것일 수 있다. 또한, 감지 접합층(T-AP)은 서로 대응하는 감지패드들(TPD) 및 감지 접속패드들(CPD-T)과 중첩하는 중첩부(AP-O) 및, 감지패드들(TPD) 및 감지 접속패드들(CPD-T)과 비중첩하는 비중첩부(AP-NO)를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 감지 접합층(T-AP)의 비도전부(NC)는 도전부(AC) 상측에서 감지 접속패드들(CPD-T) 사이에 배치되어 도전부(AC)의 도전입자들(CP)의 이동을 제한하여 감지 접속패드들(CPD-T)과 도전입자들(CP)의 접촉에 의한 쇼트 문제를 개선할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치는 접속패드들 사이에 배치된 비도전부를 포함하여 도전입자들이 접속패드들 사이에 배치되는 것을 최소화한 접합층을 포함하여, 도전입자들과 접속패드들 사이의 쇼트 불량이 개선된 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 이웃하는 패드들 사이의 이격 거리인 피치(Pitch)가 작아진 고해상도 표시 장치에서도 접속패드들 사이에 도전입자들이 배치되는 것을 최소화한 접합층을 포함하여 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다.
이하 도 10 내지 도 13 등을 참조하여 일 실시예의 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이하 설명하는 일 실시예의 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 상술한 일 실시예의 표시 장치에 대한 설명과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 10 및 도 11은 각각 일 실시예의 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 12a 내지 도 12e는 각각 도 10 및 도 11에 도시된 일 실시예의 표시 장치의 제조 방법의 단계에 대응하는 단계 중 일부를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 13은 온도에 따른 점도 변화를 나타낸 그래프이다.
일 실시예의 표시 장치 제조 방법은 복수 개의 접속패드들을 포함하는 연성회로기판을 제공하는 단계(S100), 연성회로기판 상에 예비접합층을 제공하는 단계(S200), 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300), 복수 개의 패널패드들을 포함한 표시 패널을 제공하는 단계(S400), 표시 패널 상에 접합된 연성회로기판과 예비접합층을 배치하는 단계(S500), 및 표시 패널, 예비접합층 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 표시 패널, 예비접합층 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)는 가압 지그로 예비접합층을 가압하는 단계(S610) 및 예비접합층을 접합층으로 변환시키는 경화 단계(S620)를 포함하는 것일 수 있다.
도 12a는 복수 개의 접속패드들을 포함하는 연성회로기판을 제공하는 단계(S100)와 연성회로기판 상에 예비접합층을 제공하는 단계(S200)를 개략적으로 나타낸 것이다.
제1 스테이지(ST) 상에 복수 개의 접속패드들(CPD)을 포함하는 연성회로기판(FB-DP)이 배치되고, 연성회로기판(FB-DP)의 접속패드들(CPD) 상에 예비접합층(P-AP)이 제공될 수 있다. 예비접합층(P-AP)은 예비 도전부(P-AC) 및 예비 비도전부(P-NC)를 포함하는 것일 수 있다. 예비 도전부(P-AC)는 예비 비도전부(P-NC)와 구분되고, 예비 도전부(P-AC)는 접속패드들(CPD)과 이격되어 예비 비도전부(P-NC) 상에 적층된 것일 수 있다. 예비 비도전부(P-NC)의 두께는 예비 도전부(P-AC)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다. 도 6을 참조하여 설명한 비도전부(NC)와 도전부(AC)의 두께 비에 대한 내용이 예비 비도전부(P-NC)와 예비 도전부(P-AC)에 대한 두께 비율 설명에 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 예비 도전부(P-AC)와 예비 비도전부(P-NC)의 두께비는 1:2 내지 1:5일 수 있다.
한편, 본 명세서에서 예비접합층(P-AP)은 표시 패널(DP)과 연성회로기판(FB-DP)을 서로 결합시키는 최종의 접합층(AP)으로 변환되기 이전 상태를 지칭하는 것이다. 또한, 예비 도전부(P-AC) 및 예비 비도전부(P-NC)도 각각 도전부(AC) 및 비도전부(NC)로 변환되기 이전 상태를 지칭하는 것이다. 또한, 본 명세서에서 제1 스테이지(ST), 제2 스테이지(B-ST) 등의 상부면은 X축(X) 및 Y축(Y)이 정의하는 평면과 나란한 것일 수 있다. Z축(Z)은 X축(X) 및 Y축(Y)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향을 나타내는 것일 수 있다.
일 실시예에서 예비 도전부(P-AC)는 제1 베이스수지(PS1) 및 복수 개의 도전입자들(CP)을 포함하는 것으로, 도전입자들(CP)은 제1 베이스수지(PS1)에 분산된 것일 수 있다. 제1 베이스수지(PS1)는 도전입자들(CP) 사이를 충전하는 것일 수 있다.
예비 비도전부(P-NC)는 제2 베이스수지(PS2)를 포함하는 것일 수 있다. 예비 비도전부(P-NC)는 제2 베이스수지(PS2)로 구성되고 도전입자들(CP)을 미포함하는 부분일 수 있다.
제1 베이스수지(PS1)에 분산된 도전입자(CP)는 금속 입자, 또는 다수의 금속들인 혼합된 합금 입자 등일 수 있다. 예를 들어, 도전입자(CP)는 은, 구리, 비스무스, 아연, 인듐, 주석, 니켈, 코발트, 크롬, 및 철 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 이들에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 합금 입자일 수 있다. 또한, 도전입자(CP)는 고분자수지 등으로 형성된 코어부 및 코어부를 감싸는 도전성 물질의 코팅층을 갖는 것일 수도 있다.
제1 베이스수지(PS1) 및 제2 베이스수지(PS2)는 각각 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 및 이미드계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 제1 베이스수지(PS1)와 제2 베이스수지(PS2)는 서로 다른 종류의 수지 재료를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 이와 달리 제1 베이스수지(PS1)와 제2 베이스수지(PS2)는 동일한 계열의 수지 재료이나 분자량이 서로 다른 것일 수 있다. 또는, 제1 베이스수지(PS1)와 제2 베이스수지(PS2)는 동일한 계열의 수지 재료를 포함하며, 추가되는 첨가제의 종류가 서로 상이하거나, 또는 추가된 첨가제의 함량이 서로 다른 것일 수 있다.
제1 베이스수지(PS1) 및 제2 베이스수지(PS2)는 서로 다른 점탄성을 갖는 것일 수 있다. 동일한 온도 조건에서 제1 베이스수지(PS1)의 점도는 제2 베이스수지(PS2)의 점도보다 높은 것일 수 있다. 또한, 제1 베이스수지(PS1)의 경화 개시 온도는 제2 베이스수지(PS2)의 경화 개시 온도 보다 높은 것일 수 있다.
도 13은 온도에 따른 점도 변화를 나타낸 그래프이다. 도 13에서는 예비접합층(P-AP), 예비 도전부(P-AC), 및 예비 비도전부(P-NC)의 온도에 따른 점도 변화를 나타내었다.
도 13을 참조하면, 온도가 증가함에 따라 예비접합층(P-AP), 예비 도전부(P-AC), 및 예비 비도전부(P-NC)의 점도는 감소하고 소정의 온도 이상에서는 예비접합층(P-AP), 예비 도전부(P-AC), 및 예비 비도전부(P-NC)의 점도가 다시 증가하는 것을 알 수 있다. 점도가 다시 증가하기 시작하는 지점의 온도는 경화 개시 온도 부근에 해당한다고 할 수 있다. 예를 들어, 예비 비도전부(P-NC)의 점도가 다시 증가하게 되는 지점의 온도 TNC는 제2 베이스수지(PS2)의 경화 개시 온도에 해당하고, 예비 도전부(P-AC)의 점도가 다시 증가하게 되는 지점의 온도 TAC는 제1 베이스수지(PS1)의 경화 개시 온도에 해당하는 것일 수 있다. 예를 들어, 도 13에 도시된 일 실시예에서 제2 베이스수지(PS2)의 경화 개시 온도는 약 94℃이고, 제1 베이스수지(PS1)의 경화 개시 온도는 약 97℃일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 베이스수지(PS2)의 경화 개시 온도 및 제1 베이스수지(PS1)의 경화 개시 온도는 각 베이스수지들의 재료 구성에 따라 달라질 수 있다. 다만, 제1 베이스수지(PS1)의 경화 개시 온도 및 제2 베이스수지(PS2)의 경화 개시 온도보다 높게 유지되는 것일 수 있다.
한편, 도 13을 참조하면 예비접합층(P-AP)은 100℃ 이하의 동일한 온도 조건에서 예비 비도전부(P-NC)의 점도 보다 높고 예비 도전부(P-AC)의 점도 보다 낮은 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.
도 12a를 다시 참조하면, 예비접합층(P-AP)은 예비 비도전부(P-NC)가 접속패드들(CPD) 측에 접촉하도록 연결회로기판(FB-DP) 상에 배치될 수 있다. 즉, 예비 도전부(P-AC)에 비하여 두꺼운 두께를 가지며, 동일한 온도 조건에서 상대적으로 낮은 점도를 가지는 예비 비도전부(P-NC)를 연결회로기판(FB-DP)의 접속패드들(CPD)에 인접하도록 배치할 수 있다.
도 12b 및 도 12c는 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 12b 및 도 12c는 제1 스테이지(ST)를 가열하여 제1 온도에서 연성회로기판(FB-DP)과 예비접합층(P-AP)을 접합하는 단계이다. 도 12b는 예비 비도전부(P-NC)가 유동되는 것을 예시적으로 나타내었고 도 12c에서는 예비 비도전부(P-NC)가 접속패드들(CPD) 사이를 충전하여 배치된 것을 예시적으로 나타내었다.
연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서 제1 스테이지(ST)를 가열하여, 제1 스테이지(ST) 상에 안착된 연성회로기판(FB-DP) 및 예비접합층(P-AP)의 예비 비도전부(P-NC)에 열을 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 스테이지(ST)는 약 100℃까지 가열될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 스테이지(ST)의 온도는 사용되는 예비접합층(P-AP)의 재료 구성에 따라 달라질 수 있다. 즉, 제1 스테이지(ST)는 제1 스테이지(ST) 상에 순차적으로 적층된 연성회로기판(FB-DP)과 예비접합층(P-AP)에 열을 제공하여, 예비접합층(P-AP)의 예비 비도전부(P-NC)가 유동되고 예비 비도전부(P-NC)의 제2 베이스수지(PS2)의 경화가 진행되기 이전의 온도로 유지되는 범위 내로 가열될 수 있다.
일 실시예에서 제1 스테이지(ST)는 복수 개의 접속패드들을 포함하는 연성회로기판을 제공하는 단계(S100) 및 연성회로기판 상에 예비접합층을 제공하는 단계(S200)에서 상온으로 유지되고, 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서 예비접합층(P-AP)이 제1 온도로 가열되는 범위까지 가열될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 연성회로기판 상에 예비접합층을 제공하는 단계(S200) 이전에 제1 스테이지(ST)가 가열될 수 있다.
제1 스테이지(ST)는 외부의 히팅 유닛(미도시)에 의해 가열되거나, 또는 제1 스테이지(ST) 자체가 직접 가열되는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 스테이지(ST)는 별개의 구성인 히팅 유닛(미도시) 상에 배치되어 가열되거나, 또는 제1 스테이지(ST) 내부에 유도가열코일(미도시) 등을 포함하여 직접 가열되는 것일 수 있다.
한편, 도 12a 내지 도 12c로 예시적으로 도시된 단계에서, 예비접합층(P-AP)의 예비 도전부(P-AC)는 접속패드들(CPD)과 이격된 것일 수 있다. 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서 예비 도전부(P-AC)는 외부로 노출될 수 있다. 일 실시예에서 제1 스테이지(ST)를 통해 전달되는 열은 예비 비도전부(P-NC)의 점도를 감소시키는데 사용될 수 있으나, 예비 도전부(P-AC)는 외부로 노출된 부분에 의해 제공된 열의 일부가 제거되므로 제1 베이스수지(PS1)가 유동되는 정도의 점도로 감소되지는 않는다. 한편, 일 실시예에서 예비 도전부(P-AC)는 별도의 냉각 유닛(미도시)을 통해 제공된 냉각공기(CLA)에 의해 유동 점도 이상의 점도를 갖도록 유지될 수 있다.
즉, 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)는 연성회로기판(FB-DP)에 인접한 예비 비도전부(P-NC)에 열을 제공하여 예비 비도전부(P-NC)의 점도를 상온에서의 점도 보다 낮은 제1 점도로 감소시키고, 노출된 예비 도전부(P-AC)는 냉각하여 제1 점도보다 높은 제2 점도로 유지하는 단계를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서 예비 비도전부(P-NC)는 약 80℃ 내외의 온도로 가열되어 낮은 점도로 유지되고, 예비 도전부(P-AC)는 약 40℃ 이하의 온도로 유지되도록 하여 유동성이 없는 높은 점도 특성을 나타내도록 할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 예비 도전부(P-AC)가 제2 점도로 유지되도록 하기 위하여 예비 도전부(P-AC)가 외부로 노출된 상태에서 방치되거나 또는 별도의 냉각 유닛(미도시)에 의해 냉각될 수 있다.
연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서 가열된 제1 스테이지를 통해 예비접합층(P-AP)의 예비 비도전부(P-NC)에 열이 전달되고, 예비 비도전부(P-NC)는 유동이 가능한 제1 온도까지 가열될 수 있다.
일 실시예에서 제1 온도는 예비 비도전부(P-NC)를 구성하는 제2 베이스수지(PS2)의 유리 전이 온도(Glass Transition Temperature) 이상이고, 제2 베이스수지(PS2)의 경화 개시 온도 이하일 수 있다. 예를 들어, 도 13을 참조하면 제1 온도는 약 80℃ 부근일 수 있다. 또한, 이 때 제1 온도는 경화 개시 온도인 약 94℃ 미만일 수 있다.
제1 온도에서 예비 비도전부(P-NC)는 유동성을 가지며, 접속패드들(CPD) 사이의 공간(OH)을 충전하는 것일 수 있다. 즉, 예비 비도전부(P-NC)는 접속패드들(CPD) 상에 배치되고 접속패드들(CPD) 사이의 공간(OH)을 채우는 방향(FL)으로 유동될 수 있다.
한편, 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서 예비 비도전부(P-NC)의 점도는 예비 도전부(P-AC)의 점도 보다 낮으므로 예비 비도전부(P-NC)는 유동성을 가지고 접속패드들(CPD) 사이를 충전하나, 예비 도전부(P-AC)는 유동성이 낮아 예비 도전부(P-AC)에 포함된 도전입자들(CP)의 이동이 제한될 수 있다.
즉, 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서 예비 비도전부(P-NC)의 제2 베이스수지(PS2)는 제1 온도로 가열되어 유동성을 갖는 점도를 가지며, 예비 도전부(P-AC)의 제1 베이스수지(PS1)는 제1 온도보다 낮은 온도 범위로 유지되어 제2 베이스수지(PS2)의 점도 보다 높은 점도를 가짐으로써 유동성이 없는 상태로 유지될 수 있다. 따라서, 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법은 도전입자를 미포함하는 예비 비도전부(P-NC)로 접속패드들(CPD) 사이를 우선적으로 충전하여 예비 도전부(P-AC)의 도전입자들(CP)이 접속패드들(CPD) 사이의 공간으로 이동하는 것을 최소화함으로써 접속패드들(CPD)과 비중첩하는 영역에 배치된 도전입자들(CP)에 의한 쇼트 불량을 감소시킬 수 있다.
도 12d는 표시 패널 상에 접합된 연성회로기판과 예비접합층을 배치하는 단계(S500)를 개략적으로 나타낸 도면이다. 제2 스테이지(B-ST) 상에 복수 개의 패널패드들을 포함한 표시 패널을 제공하는 단계(S400) 이후에 접합된 연성회로기판과 예비접합층을 제공된 표시 패널 상에 배치하는 단계(S500)가 수행될 수 있다.
제2 스테이지(B-ST)는 도 12a 내지 도 12c에서 도시하여 설명한 제1 스테이지(ST)와 별개의 구성일 수 있다. 제1 스테이지(ST) 상에서 연성회로기판(FB-DP) 및 예비접합층(P-AP)이 접합되고, 제2 스테이지(B-ST) 상에서 표시 패널(DP)과 예비접합층(P-AP)이 접합될 수 있다.
제1 스테이지(ST) 상에서 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서는 예비접합층(P-AP)의 예비 비도전부(P-NC)가 접속패드들(CPD)에 인접하도록 예비접합층(P-AP)의 예비 비도전부(P-NC) 및 예비 도전부(P-AC)가 Z축(Z) 방향으로 순차적으로 배치될 수 있다. 또한, 제2 스테이지(B-ST) 상에 배치된 표시 패널에 접합된 연성회로기판과 예비접합층을 배치하는 단계(S400)에서는 예비 도전부(P-AC)가 패널패드들(DPD)에 인접하도록 배치될 수 있다.
즉, 제1 스테이지(ST) 상에서 접합된 연성회로기판(FB-DP)과 예비접합층(P-AP)의 결합체가 제2 스테이지(B-ST)에 배치된 표시 패널(DP) 상에 제공될 수 있으며, 이때 제1 스테이지(ST) 상에서 외부로 노출되어 있던 예비 도전부(P-AC) 측이 패널패드들(DPD)에 인접하도록 연성회로기판(FB-DP)과 예비접합층(P-AP)의 결합체가 표시 패널(DP) 상에 제공될 수 있다.
제2 스테이지(B-ST) 상에서, 표시 패널(DP), 예비 도전부(P-AC), 예비 비도전부(P-NC), 및 연성회로기판(FB-DP)이 순차적으로 배치될 수 있다.
도 12e는 표시 패널, 예비접합층, 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600) 중 일부를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 12d 및 도 12e 등을 참조하면, 표시 패널, 예비접합층, 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)는 제2 스테이지(B-ST) 상에서 수행될 수 있다. 제2 온도에서 가압하여 순차적으로 적층된 표시 패널(DP), 예비접합층(P-AP), 및 연성회로기판(FB-DP)을 접합할 수 있다. 예를 들어, 예비접합층(P-AP)이 제2 온도가 되도록 예비접합층(P-AP)에 열이 제공될 수 있다.
표시 패널, 예비접합층, 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)는 연성회로기판의 상측에 배치된 가압지그로 예비접합층을 가압하는 단계(S610) 및 가압지그에 열을 제공하여 예비접합층을 접합층으로 변환시키는 경화 단계(S620)를 포함하는 것일 수 있다. 연성회로기판의 상측에 배치된 가압지그로 예비접합층을 가압하는 단계(S610) 및 가압지그에 열을 제공하여 예비접합층을 접합층으로 변환시키는 경화 단계(S620)는 동일한 단계에서 수행되는 것일 수 있다.
표시 패널, 예비접합층, 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)에서 가압지그(JG)를 이용하여 표시 패널(DP), 예비접합층(P-AP), 및 연성회로기판(FB-DP)을 가압할 수 있다. 가압지그(JG)의 가압하는 방향(PR)은 제2 스테이지(B-ST)에 수직하는 방향으로, 연성회로기판(FB-DP) 상측에서 고온, 고압의 조건으로 표시 패널(DP), 예비접합층(P-AP), 및 연성회로기판(FB-DP)을 가압 및 가열할 수 있다.
일 실시예에서 예비접합층(P-AP)은 제2 온도가 되도록 가열될 수 있으며, 제2 온도는 제1 베이스수지(PS1) 및 제2 베이스수지(PS2)의 경화 개시 온도보다 높은 온도일 수 있다. 예를 들어, 예비접합층(P-AP)은 약 170℃±10℃의 범위의 온도가 되도록 가열될 수 있다.
가압지그(JG)를 이용하여 예비접합층(P-AP) 및 연성회로기판(FB-DP) 등에 열이 제공될 수 있다. 예를 들어, 예비접합층(P-AP)이 170℃±10℃의 온도에 도달할 때까지 가압지그(JG)를 이용하여 열이 제공될 수 있다. 즉, 가압지그(JG)는 가압 및 가열할 수 있는 부분으로 가압지그(JG)를 이용하여 표시 패널(DP), 예비접합층(P-AP), 및 연성회로기판(FB-DP)을 열압착될 수 있다.
가압지그(JG)는 약 300℃ 의 온도로 가열되고, 가압지그(JG)를 이용하여 약 7MPa의 압력이 제2 스테이지(B-ST)와 가압지그(JG) 사이에 배치된 표시 패널(DP), 예비접합층(P-AP), 및 연성회로기판(FB-DP)에 제공될 수 있다.
표시 패널, 예비접합층, 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)는 예비접합층(P-AP)의 베이스수지들(PS1, PS2)을 경화하여 접합층(AP)으로 변환하는 단계일 수 있다. 표시 패널, 예비접합층, 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)는 예비 도전부(P-AC)를 경화하여 표시 패널(DP)에 인접한 도전부(AC)를 형성하고, 예비 비도전부(P-NC)를 경화하여 표시 패널(DP)에서 이격되고 접속패드들(CPD) 차이를 충전하는 비도전부(NC)를 형성하는 접합층 형성 단계를 포함하는 것일 수 있다. 즉, 표시 패널, 예비접합층, 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)에서는 제1 베이스수지와 제2 베이스수지의 경화가 진행되어 예비접합층(P-AP)이 접합층(AP)으로 변환되어 고정되게 된다.
일 실시예의 표시 장치 제조 방법에서는 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계(S300)에서 예비 비도전부(P-NC)가 유동성을 가지고 접속패드들(CPD) 사이에 우선적으로 배치되도록하여, 이후 진행되는 표시 패널, 예비접합층, 및 연성회로기판을 접합하는 단계(S600)에서 예비 도전부(P-AC)에 포함된 도전입자들(CP)이 접속패드들(CPD) 사이로 이동되는 것이 최소화될 수 있다. 따라서, 일 실시예의 표시 장치 제조 방법은 예비 비도전부로 우선적으로 접속패드들 사이를 충전하도록 하고, 이후 예비 도전부로 접속패드들과 패널패드들 사이를 전기적 또는 물리적으로 결합시켜 이웃하는 패드들 사이의 간격(피치)이 좁아진 경우에도 양호한 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다.
도 14는 일 실시예의 표시 장치 제조 방법으로 제조된 표시 장치의 일부를 나타낸 평면 이미지이다. 도 14에서는 패널패드들과 접속패드들 사이에 중첩하는 중첩부(AP-O) 및 패널패드들 및 접속패드들과 비중첩하도록 배치된 비중첩부(AP-NO)를 포함하는 접합층의 이미지를 나타내었다. 평면 상에서 볼 때, 도전입자들(CP)은 중첩부(AP-O)와 비중첩부(AP-NO)의 구분 없이 유사한 분포 밀도를 가지고 랜덤하게 배열된 것을 확인할 수 있다. 한편, 도 14의 이미지를 참고할 때 비중첩부(AP-NO)에서 비도전부(NC)만이 배치된 부분에서는 도전입자(CP)가 배치되지 않은 것을 확인할 수 있다.
즉, 일 실시예의 표시 장치 제조 방법의 경우 적층되어 제공된 도전부와 비도전부를 포함하는 접합층에서, 도전부와 비도전부의 유동성의 차이를 이용하여 비도전부를 비중첩부에 충전한 이후 도전부를 고정하는 단계를 수행함으로써 도전입자의 이동을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 표시 장치 제조 방법으로 제조된 표시 장치에서는 접속패드들과 도전입자의 불필요한 전기적 접촉이 차단되어 개선된 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다.
일 실시예의 표시 장치 제조 방법은 도전입자를 미포함하는 예비 비도전부가 접속패드들 사이를 충전하도록 연성회로기판과 예비접합층을 접합하는 단계 수행 이후에 예비 도전부가 표시 패널에 인접하도록 패널패드들과 접속패드들을 접합하는 단계를 포함하여 예비접합층에 포함된 도전입자들의 이동을 제어함으로써 양호한 신뢰성을 갖는 표시 장치의 제조에 사용될 수 있다.
또한, 일 실시예의 표시 장치는 패드들과 비중첩하여 이웃하는 패드들 사이에 배치된 비도전부를 포함하여, 비중첩부에서의 도전입자가 비도전부에 의해 연성회로기판과 이격되도록 함으로써 우수한 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다. 한편, 일 실시예의 표시 장치는 이웃하는 패드들 사이에 배치된 비도전부가 도전부와 연성회로기판 사이를 충전하며 표시 패널과 이격되어 배치되도록 함으로써, 도전부의 도전입자들이 접속패드들 사이에 배치되는 것을 최소화하여 고해상도를 구현하기 위하여 고정세로 배열된 패드들을 포함하는 경우에도 우수한 신뢰성을 나타낼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD : 표시 장치 DP : 표시 패널
AP : 접합층 FB-DP : 연성회로기판
DPD : 패널패드 CPD : 접속패드
CP : 도전입자

Claims (20)

  1. 복수 개의 패널패드들을 포함하는 표시 패널;
    상기 패널패드들에 대응하는 복수 개의 접속패드들을 포함하는 연성회로기판; 및
    상기 표시 패널과 상기 연성회로기판 사이에 배치된 접합층; 을 포함하고,
    상기 접합층은
    상기 패널패드들 상에 배치되고, 제1 베이스부 및 상기 제1 베이스부에 분산된 복수 개의 도전입자들을 포함하는 도전부; 및
    상기 도전부 상측에서 상기 접속패드들 사이에 배치되고, 제2 베이스부를 포함하고 상기 도전입자들을 미포함하는 비도전부; 를 포함하는 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 비도전부는 상기 패널패드들과 이격된 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 도전부와 상기 비도전부의 두께비는 1:2 내지 1:5인 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 접합층은 서로 대응하는 상기 패널패드들 및 상기 접속패드들과 중첩하는 중첩부; 및
    상기 패널패드들 및 상기 접속패드들과 비중첩하는 비중첩부; 를 포함하는 표시 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 중첩부는 상기 도전부를 포함하고,
    상기 비중첩부는 상기 표시 패널에 인접하여 배치된 상기 도전부, 및 상기 도전부 상에서 상기 표시 패널과 이격되어 배치된 상기 비도전부를 포함하는 표시 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 중첩부에 포함된 상기 도전부와 상기 비중첩부에 포함된 상기 도전부가 일체로 상기 표시 패널 상에 배치되고,
    상기 비중첩부에서 상기 비도전부는 상기 도전부와 상기 연성회로기판 사이를 충전하는 표시 장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 중첩부에서의 상기 도전입자들의 분포 밀도는 상기 비중첩부에서의 상기 도전입자들의 분포 밀도 보다 큰 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 도전부에 포함된 상기 도전입자들은 두께 방향으로 비중첩하는 표시 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수 개의 감지패드들을 포함하는 입력감지부;
    상기 감지패드들과 대응하는 감지 접속패드들을 포함하는 감지 연성회로기판; 및
    상기 입력감지부 및 상기 감지 연성회로기판 사이에 배치된 감지 접합층; 을 더 포함하고,
    상기 감지 접합층은 서로 대응하는 상기 감지패드들 및 상기 감지 접속패드들과 중첩하는 감지 중첩부, 및 상기 감지패드들 및 상기 감지 접속패드들과 비중첩하는 감지 비중첩부를 포함하고,
    상기 감지 중첩부는 상기 도전부를 포함하고 상기 비도전부를 미포함하며,
    상기 감지 비중첩부는 상기 도전부 및 상기 도전부 상에 배치된 상기 비도전부를 포함하는 표시 장치.
  10. 제1 스테이지 상에 복수 개의 접속패드들을 포함하는 연성회로기판을 제공하는 단계;
    상기 연성회로기판 상에 예비접합층을 제공하는 단계;
    상기 제1 스테이지를 가열하여 제1 온도에서 상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 접합하는 단계;
    제2 스테이지 상에 복수 개의 패널패드들을 포함한 표시 패널을 제공하는 단계;
    제공된 상기 표시 패널 상에 접합된 상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 배치하는 단계; 및
    제2 온도에서 가압하여, 순차적으로 적층된 상기 표시 패널, 상기 예비접합층, 및 상기 연성회로기판을 접합하는 단계; 를 포함하고,
    상기 예비접합층은 예비 비도전부 및 상기 예비 비도전부 상에 적층된 예비 도전부를 포함하고,
    상기 예비접합층을 제공하는 단계는 상기 예비 비도전부가 상기 접속패드들에 인접하도록 상기 예비접합층을 배치하는 단계를 포함하고,
    접합된 상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 배치하는 단계는 상기 예비 도전부가 상기 패널패드들과 인접하도록 상기 접합된 상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 배치하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 연성회로기판과 상기 예비접합층을 접합하는 단계는 상기 예비 비도전부가 상기 접속패드들 사이를 충전하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 온도에서 상기 예비 비도전부의 점도는 상기 예비 도전부의 점도 보다 낮은 표시 장치 제조 방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 연성회로기판과 상기 예비 접합층을 접합하는 단계는
    상기 연성회로기판에 인접한 상기 예비 비도전부에 열을 제공하여 상기 예비 비도전부의 점도를 제1 점도로 감소시키고, 노출된 상기 예비 도전부를 냉각하여 상기 예비 도전부의 점도를 상기 제1 점도 보다 높은 제2 점도로 유지하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 예비 도전부는 제1 베이스수지 및 상기 제1 베이스수지에 분산된 복수 개의 도전입자들을 포함하고,
    상기 예비 비도전부는 제2 베이스수지를 포함하고 상기 도전입자들을 미포함하는 표시 장치 제조 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제1 온도는 상기 제2 베이스수지의 유리 전이 온도 이상이고 상기 제2 베이스수지의 경화 개시 온도 이하인 표시 장치 제조 방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 제2 온도는 상기 제1 베이스수지 및 상기 제2 베이스수지의 경화 개시 온도 보다 높은 표시 장치 제조 방법.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 제1 베이스수지의 경화 개시 온도는 상기 제2 베이스수지의 경화 개시 온도 보다 높은 표시 장치 제조 방법.
  18. 제 14항에 있어서,
    동일한 온도에서 상기 제1 베이스수지의 점도는 상기 제2 베이스수지의 점도 보다 높은 표시 장치 제조 방법.
  19. 제 10항에 있어서,
    상기 표시 패널, 상기 예비접합층, 및 상기 연성회로 기판을 접합하는 단계는
    상기 예비 도전부를 경화하여 상기 표시 패널에 인접한 도전부를 형성하고, 상기 예비 비도전부를 경화하여 상기 표시 패널에서 이격되고 상기 접속패드들 사이를 충전하는 비도전부를 형성하는 접합층 형성 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  20. 제 10항에 있어서,
    상기 표시 패널, 상기 예비접합층, 및 상기 연성회로 기판을 접합하는 단계는
    상기 연성회로기판의 상측에 배치된 가압지그로 상기 예비접합층을 가압하는 단계; 및
    상기 가압지그에 열을 제공하여 상기 예비접합층을 접합층으로 변환시키는 경화 단계; 를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
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