KR20220010559A - 열 처리하기 위한 장치, 기판 프로세싱 시스템, 및 기판을 프로세싱하기 위한 방법 - Google Patents

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KR20220010559A
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Abstract

기판 프로세싱 시스템에서 캐리어를 열 처리하기 위한 장치가 설명된다. 장치는 캐리어에 열 에너지를 제공하도록 구성된 가열 어레인지먼트를 포함하며, 가열 어레인지먼트는 하나 이상의 코일들을 포함한다.

Description

열 처리하기 위한 장치, 기판 프로세싱 시스템, 및 기판을 프로세싱하기 위한 방법
[0001] 본 개시내용은 일반적으로, 기판 프로세싱, 이를테면, 대면적 기판 프로세싱에 관한 것이다. 특히, 본 개시내용은 기판 프로세싱 장치에서 기판들을 운반하는 캐리어들 상에서의 기판 프로세싱에 관한 것이다. 추가로, 본 개시내용은 열 처리하기 위한 장치들, 기판 프로세싱 시스템들, 및 기판을 프로세싱하기 위한 방법들에 관한 것이다. 예컨대, 실시예들은 진공 증착 프로세스의 안정화를 위한 전도성 캐리어 가열에 관한 것일 수 있다. 특히, 본 개시내용은 캐리어, 예컨대, 프로세싱 시스템에서 기판, 이를테면, 대면적 기판을 운반하기 위한 캐리어를 열 처리하기 위한 장치들에 관한 것이다.
[0002] 기판 상의 층 증착을 위한 기법들은, 예컨대, 스퍼터 증착, 열 증발, 및 화학 기상 증착을 포함한다. 스퍼터 증착 프로세스는 재료 층, 이를테면, 전도성 재료 또는 절연성 재료의 층을 기판 상에 증착하기 위해 사용될 수 있다. 코팅된 재료들은 여러 애플리케이션들에서 그리고 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 이를테면, 반도체 디바이스들을 생성하기 위한 마이크로일렉트로닉스(microelectronics) 분야에 하나의 애플리케이션이 있다. 또한, 디스플레이들을 위한 기판들은 대개, 물리 기상 증착, 예컨대 스퍼터 증착 프로세스, 또는 CVD(chemical vapor deposition)에 의해 코팅된다. 추가적인 애플리케이션들은 절연성 패널들, TFT를 갖는 기판들, 컬러 필터들 등을 포함한다.
[0003] 기판 프로세싱 시스템들은 대기 부분(atmospheric portion), 예컨대 클린 룸(clean room), 하나 이상의 진공 챔버들, 및 대기 부분으로부터 하나 이상의 진공 챔버들로 기판들을 로딩(load)하기 위한 로드 록 챔버를 포함할 수 있다. 로드 록 챔버들은 기판들을 로딩 및/또는 언로딩(unload)하기 위해 빈번하게 진공배기(evacuate) 및 벤팅(vent)될 수 있다. 추가로, 특히, 대면적 기판들의 경우, 2개의 상이한 개념들이 제공될 수 있다. 한편으로, 기판들은 로봇 등에 의해 직접적으로 핸들링(handle)될 수 있다. 다른 한편으로, 기판들은 캐리어(기판 캐리어) 상에 로딩될 수 있고, 그리고 기판을 지지하는 기판 캐리어가 진공 프로세싱 시스템에서 핸들링될 수 있다. 캐리어들은 시스템을 통해 안내되는 장비를 증가시키고 일부 단점을 가질 수 있지만, 캐리어들은, 특히, 최대 수 제곱미터의 기판 면적과 1 mm 미만(이를테면, 수십 밀리미터(few tens of millimeter))의 두께를 갖는 기판들을 고려할 때, 유리 파손이 감소될 수 있는 장점을 갖는다.
[0004] 진공 프로세싱 시스템들은 기판들이 대기로부터 진공으로 이동하고 다시 대기로 돌아가는 사이클(cycle)을 제공할 수 있다. 이는 예컨대 대기의 물(atmospheric water)의 흡수(absorption)를 초래할 수 있다. 물은 기판의 진공 프로세싱 동안 일그러질(distort) 수 있고, 증착 프로세스를 불안정하게 할 수 있으며, 이는 예컨대 상이한 층 특성들을 초래할 수 있다. 예컨대, 물은 기판 상에 증착되는 층의 재료 특성들에 영향을 미칠 수 있다. 기판을 지지하는 캐리어의 방사 가열, 이를테면, 적외선 가열은 기판 에지들의 직접 가열을 초래할 수 있다.
[0005] 상기 내용을 고려하면, 당해 기술 분야의 문제점들 중 적어도 일부를 극복하는, 장치들, 시스템들, 및 방법들이 유익하다.
[0006] 상기 내용을 고려하면, 기판 프로세싱 시스템에서 캐리어를 열 처리하기 위한 장치, 기판 프로세싱 시스템, 및 기판 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위한 캐리어가 제공된다. 추가적인 세부 사항들, 특징들, 양상들, 수정들 및 구현들은 종속항들, 상세히 설명된 명세서 및 도면들에서 발견될 수 있다.
[0007] 일 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템에서 캐리어를 열 처리하기 위한 장치가 제공된다. 장치는 캐리어에 열 에너지를 제공하도록 구성된 가열 어레인지먼트를 포함하며, 가열 어레인지먼트는 하나 이상의 코일들을 포함한다.
[0008] 일 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템에서 캐리어를 열 처리하기 위한 장치가 제공된다. 장치는 기판 수용 영역 주위에 그리고/또는 기판 수용 영역 외부에 배열된 하나 이상의 코일들을 갖는 가열 어레인지먼트를 포함한다.
[0009] 일 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 기판 프로세싱 시스템은, 기판 프로세싱 시스템에서 캐리어를 열 처리하기 위한 장치를 포함한다. 장치는 캐리어에 열 에너지를 제공하도록 구성된 가열 어레인지먼트를 포함하며, 가열 어레인지먼트는 하나 이상의 코일들을 포함한다.
[0010] 일 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위한 캐리어가 제공된다. 캐리어는 제1 전도도를 갖는 제1 재료를 갖는, 기판 프로세싱 영역에서 기판을 지지하도록 구성된 프레임, 및 제1 전도도보다 더 낮은 제2 전도도를 갖는 제2 재료를 갖는, 프레임에 대한 차폐부를 포함한다.
[0011] 실시예들은 또한, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이며, 각각의 설명된 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 양상들은, 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적합한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다.
[0012] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다:
[0013] 도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템의 평면도를 도시하고;
[0014] 도 2a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판을 운반하는 캐리어의 정면도를 도시하고;
[0015] 도 2b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판을 운반하는 캐리어의 평면도를 도시하고;
[0016] 도 3a 내지 도 3c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 열 처리하기 쉬운 영역들, 및 캐리어를 도시하고;
[0017] 도 4는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템의 평면도를 도시하고; 그리고
[0018] 도 5는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 방법의 흐름도들을 도시한다.
[0019] 이제 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되며, 본 개시내용의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은, 또 다른 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.
[0020] 본 개시내용의 실시예들은 캐리어를 열 처리하기 위한 장치를 제공한다. 장치는 캐리어를 유도성으로 가열하기 위한 가열 어레인지먼트, 특히 하나 이상의 코일들을 포함하는 가열 어레인지먼트를 포함한다. 대기 또는 진공 내부에서의 캐리어의 유도 가열은 캐리어 온도를 유지하여, 물 흡수를 회피하거나 또는 캐리어에 수집된 물을 탈착(desorb)시킨다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 유도 가열은 금속 캐리어에서만 발생한다. 열 방사를 활용하는 방법들과 비교하여 기판 에지들의 직접 가열이 회피될 수 있다.
[0021] 진공 프로세싱 시스템에서 기판을 지지하기 위한 캐리어는 분자들, 이를테면, 물 분자들을 흡착(adsorb)할 수 있으며, 이는 기판의 진공 프로세싱에 부정적으로 영향을 미칠 수 있다. 예컨대, 복수의 기판들을 프로세싱하기 위한 캐리어가 제공될 수 있다. 캐리어는 기판을 수용하기 위해 진공 프로세싱 시스템의 진공 챔버들 외부의 기판 로딩 스테이션으로 전달될 수 있고, 프로세싱될 새로운 기판을 갖는 진공 프로세싱 시스템의 진공 챔버들 내로 다시 전달될 수 있다. 기판의 프로세싱 동안, 예컨대 코팅 프로세스 동안, 기판 상에 증착될 재료가 캐리어 상에 또한 증착될 수 있다. 캐리어는 각각의 프로세스 실행으로 코팅될 것이다. 캐리어 상의 코팅이 성장할 것이고, 동시에 대기의 물의 흡수가 증가할 것이다. 즉, 진공 프로세싱 시스템의 진공 챔버들 밖으로 그리고 진공 챔버들 내로 사이클링되는 캐리어의 표면은 증착 재료의 점점 더 두꺼운 층을 가질 수 있다. 캐리어 상에 축적되는 재료는 분자들, 이를테면, 물 분자들의 흡착 또는 흡수에 이용가능한 표면을 증가시킨다. 따라서, 특히, 캐리어가 대기 조건들로부터 진공 프로세싱 시스템의 진공 챔버들에 반복적으로 도입되는 진공 프로세싱 시스템에서, 캐리어로부터 그러한 분자들을 탈착시키는 것이 유익하다.
[0022] 도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템(100)의 평면도를 도시한다. 프로세싱 시스템은 모듈들을 포함할 수 있다. 모듈들은 챔버들일 수 있거나 또는 챔버들을 포함할 수 있다. 프로세싱 시스템은 하나 이상의 대기 모듈(atmospheric module)들(170)을 포함한다. 대기 모듈들은 스윙 모듈(swing module)(172)을 포함할 수 있다. 게다가, 프로세싱 시스템은 하나 이상의 로드 록 모듈들(174)을 포함할 수 있으며, 하나 이상의 로드 록 모듈들(174)은 본원에서 "예비-진공(pre-vacuum) 모듈(182)"로 또한 지칭될 수 있다. 추가로, 프로세싱 시스템은 하나 이상의 전달 모듈들(180)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 전달 모듈들(180)은 하나 이상의 고-진공 모듈들(184)을 포함할 수 있다.
[0023] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템은 하나 이상의 프로세싱 모듈들(190)을 포함한다. 진공 조건들이 하나 이상의 프로세싱 모듈들(190) 및/또는 전달 모듈들(180) 및/또는 로드 록 모듈들(174)에 적용될 수 있다. 로드 록 모듈들(174), 프로세싱 모듈들(190), 및/또는 예비-진공 모듈들(182) 및 고-진공 모듈들(184)을 포함하는 전달 모듈들(180)은 챔버들을 포함할 수 있다. 프로세싱 시스템은 기판(230)을 프로세싱하기 위해 사용될 수 있다.
[0024] 기판의 프로세싱은 기판에 재료를 전달하는 것으로 이해될 수 있다. 예컨대, 증착 재료는, 예컨대, CVD 프로세스 또는 PVD 프로세스, 이를테면, 스퍼터링 또는 증발에 의해, 기판 상에 증착될 수 있다. 기판(230)은 증착 재료 수용 면을 포함할 수 있다. 기판의 증착 재료 수용 면은 증착 소스를 향하는 기판의 면으로 간주될 수 있다. 추가로, 기판의 프로세싱은 또한, 기판의 에칭, 세정, 또는 열 처리를 포함할 수 있다.
[0025] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 대기 모듈(170)은 하나 이상의 전달 모듈들(180)에 연결될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 대기 모듈(170)은 하나 이상의 프로세싱 모듈들(190)에 연결될 수 있다. 예컨대, 로드 록 모듈(174)은 대기 모듈과 하나 이상의 고-진공 모듈들(184) 및/또는 프로세싱 모듈들(190)을 연결할 수 있다. 로드 록 모듈 또는 챔버는 모듈들 사이의 압력 차이들을 평형화(equalize)하는 것을 보조할 수 있다. 예컨대, 하나의 모듈에 대기압이 적용되고, 그리고 로드 록 모듈을 통해 그 하나의 모듈에 연결된 모듈에 진공이 적용된다.
[0026] 기판 프로세싱 시스템(100)은 하나 이상의 기판들(230)을 전달하기 위한 이송 어레인지먼트(160)를 포함할 수 있다. 특히, 이송 어레인지먼트(160)는 프로세싱 시스템을 통해 연장되는 이송 경로들(162)을 포함할 수 있다. 예컨대, 하나 이상의 기판들(230)은 대기 모듈로부터 하나 이상의 프로세싱 모듈들로 이송될 수 있다. 추가로, 하나 이상의 기판들은 하나 이상의 프로세싱 모듈들 사이에서 이송될 수 있다. 예컨대, 복수의 기판들이 이송될 수 있다. 특히, 하나 이상의 기판들 및/또는 복수의 기판들은 기판 프로세싱 시스템(100)을 통해 순환할 수 있다. 예컨대, 기판들은 대기 모듈과 하나 이상의 프로세싱 모듈들 사이에서 사이클링할 수 있다. 예컨대, 그러한 이송은 이송 경로들을 따라 그리고/또는 이송 루프를 따라 이루어질 수 있다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 기판들은 캐리어에 의해 지지되어 있는 상태로 이송되는데, 예컨대, 기판들은 캐리어에 의해 지지되어 있는 상태로 사이클링할 수 있다.
[0027] 추가로, 예비-진공 모듈이 대기 모듈과 하나 이상의 프로세싱 모듈들 사이에 배열될 수 있다. 대기 모듈은 대기 조건들을 포함할 수 있다. 예컨대, 로드 모듈 내의 공기압은 대기압을 포함할 수 있다. 따라서, 예컨대 O2, H2O, 및 N2와 같은 입자들이 대기 모듈에 있을 수 있거나, 또는 일반적으로는 진공 챔버들 중 하나의 진공 챔버 외부에 있을 수 있다. 예비-진공 모듈은 대기 모듈과 비교하여 상이한 압력 조건들을 포함할 수 있다. 예컨대, 예비-진공 챔버는 더 낮은 압력 조건들을 포함한다. 예비-진공 챔버 내의 압력은 10-1 mbar 미만일 수 있다. 예비-진공 챔버는 하나 이상의 프로세싱 챔버들에 연결될 수 있다. 프로세싱 챔버들은 대기 모듈 및/또는 예비-진공 챔버와 비교하여 상이한 압력 조건들을 포함할 수 있다. 예비-진공 챔버와 프로세싱 챔버들 사이에 로드 록 모듈이 배열될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 챔버는 진공 조건들을 포함할 수 있다.
[0028] 본원에서 사용되는 바와 같은 진공 조건들은 10-1 mbar 미만 또는 10-3 mbar 미만, 이를테면, 10-7 mbar 내지 10-2 mbar의 범위의 압력 조건들을 포함한다. 예컨대, 로드 록 모듈 내의 진공 조건들은, 예컨대 10-1 mbar 이하의 범위의 대기압 미만 압력(subatmospheric pressure) 조건들과 대기압 조건들 사이에서 스위칭될 수 있다. 고-진공 모듈 내로 기판을 전달하기 위해, 기판은 대기압으로 제공되는 로드 록 모듈 내로 삽입될 수 있고, 로드 록 모듈이 밀봉될 수 있고, 후속하여, 10-1 mbar 미만의 범위의 대기압 미만 압력으로 세팅될 수 있다. 후속하여, 로드 록 챔버와 고-진공 모듈 사이의 개구가 개방될 수 있고, 기판은 프로세싱 모듈 내로 이송되기 위해 고-진공 모듈 내로 삽입될 수 있다.
[0029] 추가로, 프로세싱 모듈들 내의 진공 조건들은 10-2 mbar 이하, 이를테면, 10-3 mbar 내지 10-4 mbar의 프로세스 압력 조건들을 포함할 수 있다. 프로세싱 모듈들 내의 베이스 압력 조건들은 10-7 mbar 내지 10-6 mbar의 범위, 구체적으로 10-7 mbar 내지 5*10-6 mbar의 범위일 수 있다. 진공 조건들은 진공 펌프들 또는 다른 진공 생성 기법들의 사용을 통해 적용될 수 있다.
[0030] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 하나 이상의 프로세싱 모듈들 또는 챔버들은 하나 이상의 증착 소스들(220)을 포함할 수 있다. 1개 초과의 증착 소스가 있는 경우, 증착 소스들은 어레이로 배열될 수 있다. 예컨대, 증착 소스들은 서로 나란히 배열된다. 증착 소스들은 길이가 수직으로 연장될 수 있다. 실시예들에 따르면, 하나 이상의 증착 소스들은 프로세싱 모듈의 최하부 측에 회전가능하게 고정될 수 있다. 구체적으로, 2개 내지 10개의 증착 소스들이 하나 이상의 프로세싱 챔버들에 있을 수 있다. 더 구체적으로, 3개 이상의 증착 소스들이 하나 이상의 프로세싱 챔버들에 있을 수 있다.
[0031] 프로세싱 시스템에 새로운 기판을 도입하는 것은 프로세싱 시스템에서 탈착 거동 및 입자 로드 또는 가스 레벨들을 변경할 수 있다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 입자 로드는 기판들에 부착되어 시스템에 진입하는 입자들에 의해서만 변화되는 것이 아닐 수 있다. 예컨대, 캐리어들과 같은 추가의 프로세스 컴포넌트들에 대한 입자들의 흡수가 입자 로드를 추가로 증가시킨다. 본 개시내용의 실시예들은, 컴포넌트들, 이를테면, 캐리어들에 전용 방식으로 감소된 입자 로드가 제공되는 장치를 제공한다.
[0032] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템은 열 처리하기 위한 장치(200)를 더 포함한다. 장치는 프로세싱 시스템에서 그리고/또는 프로세싱 시스템 근처에서, 예컨대 대기 모듈, 로드 록 모듈, 고-진공 모듈, 및 전달 모듈 중 적어도 하나 이상에, 예컨대 진공 환경에 또는 진공 환경이 아닌 환경에 위치될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 장치는 프로세싱 시스템 내부에 위치될 수 있다. 장치는 하나 이상의 가열 어레인지먼트들을 포함할 수 있다.
[0033] 도 2a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 캐리어의 정면도를 도시한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 하나 이상의 기판들(230)은 캐리어(212)에 의해 기판 프로세싱 시스템(100)을 통해 운반될 수 있다. 캐리어(212)는 프로세싱 시스템에서 이송 어레인지먼트를 통해 이송될 수 있다. 시스템은 복수의 기판들(230)을 운반하는 복수의 캐리어들(212)을 포함할 수 있다. 각각의 캐리어(212)는 하나의 기판을 운반할 수 있다. 복수의 캐리어들이 프로세싱 시스템을 통해 동시에 이송될 수 있다.
[0034] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 캐리어는 하나 이상의 에지 부분들(214)을 포함한다. 에지 부분들(214)은 기판 수용 영역 외부로 연장된다. 추가로, 캐리어(212)는 기판(230)을 운반할 수 있다. 기판은 캐리어 상에 로딩될 수 있다. 특히, 기판은 기판 수용 영역(232)에 로딩될 수 있다. 기판(230)은 홀딩 어레인지먼트(218), 이를테면, 클램프들 또는 마운트들을 통해 캐리어(212)에 부착될 수 있다. 예컨대, 홀딩 어레인지먼트는 캐리어를 기판에 연결한다. 홀딩 어레인지먼트는 마운트들을 포함할 수 있다. 마운트들은 캐리어와 기판을 연결할 수 있다. 홀딩 어레인지먼트는 기판과 캐리어를 기계적으로 연결할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 홀딩 어레인지먼트는 캐리어에 기판을 정전기적으로 연결할 수 있다.
[0035] 추가적으로 또는 대안적으로 그리고 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 캐리어는 정전 척(E-척)을 포함할 수 있거나 또는 정전 척(E-척)일 수 있다. E-척은 기판(230)을 상부에 지지하기 위한 지지 표면을 가질 수 있다. 일 실시예에서, E-척은 전극들이 내부에 매립된 유전체 바디를 포함한다. 유전체 바디는 유전체 재료, 바람직하게는 고 열 전도도 유전체 재료, 이를테면, 열분해 붕소 질화물, 알루미늄 질화물, 실리콘 질화물, 알루미나, 또는 동등한 재료를 포함할 수 있다. 일부 구현들에서, 유전체 바디는 폴리머 재료, 이를테면, 폴리이미드로 제조될 수 있다. 전극들은, 척킹력을 제어하기 위해 전극들에 전력을 제공하는 전력 소스에 커플링될 수 있다. 척킹력은 지지 표면 상에 기판(230)을 고정시키기 위해 기판(230)에 작용하는 정전기력이다.
[0036] 일반적으로, E-척들은, 제2 주 표면 또는 후면과 같은, 기판(230)의 표면 전체를 실질적으로 지지한다. E-척의 정의된 지지 표면에 실질적으로 표면 전체가 부착되기 때문에, 기판(230)의 휨이 방지될 수 있다. 기판(230)이 더 안정적으로 지지될 수 있고, 프로세스 품질이 개선될 수 있다.
[0037] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판(230)은 대면적 기판이다. 대면적 기판은, 적어도 0.01 m2, 구체적으로는 적어도 0.1 m2, 그리고 더 구체적으로는 적어도 0.5 m2의 사이즈를 가질 수 있다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67 m2 기판들(0.73 m × 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m × 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m × 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m × 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.
[0038] 하나 이상의 기판들은 실질적인 수직 포지션으로 배향될 수 있다. 본 개시내용의 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "실질적인 수직"은, 특히 기판 배향을 지칭할 때, 수직 방향 또는 배향으로부터의 ±20° 이하, 예컨대 ±10° 이하의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 이 편차는, 예컨대, 수직 배향으로부터 약간의 편차를 갖는 기판 지지부 또는 캐리어가 더 안정적인 기판 포지션을 갖게 되기 때문에, 또는 하방을 향하는 기판 배향이 증착 동안 기판 상의 입자들을 한층 더 양호하게 감소시킬 수 있기 때문에 제공될 수 있다. 그렇지만, 예컨대 층 증착 프로세스 동안의 기판 배향은 실질적인 수직인 것으로 고려되며, 이는 수평 ±20° 이하인 것으로 고려될 수 있는 수평 기판 배향과 상이한 것으로 고려된다. 예컨대, 증착 프로세스 동안 그리고/또는 이송 동안, 하나 이상의 기판들은 실질적인 수직 포지션에 있을 수 있다.
[0039] 예컨대, 수직으로 배열된 증착 소스로부터 실질적인 수직으로 배향된 기판으로 증착 재료가 전달될 수 있다. 증착될 재료는 기판 상에 코팅될 수 있다.
[0040] 본 개시내용의 실시예들은, 도 2a 및 도 2b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 예컨대 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200)에 관한 것이다. 장치는 캐리어의 하나 이상의 에지 부분들(214)에 열 에너지를 제공하도록 구성된 가열 어레인지먼트(240)를 포함한다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 가열 어레인지먼트는 캐리어의 유도 가열을 위한 하나 이상의 코일들을 포함한다. 캐리어 유도 가열은, 전도성 재료, 예컨대 캐리어의 전도성 재료 또는 캐리어에 부착된 전도성 재료에서 와전류 손실들을 생성함으로써 유도 가열의 전기 프로세스를 활용한다. 대기에서의 또는 진공 내부에서의 캐리어의 유도 가열은 캐리어 온도를 유지하여, 물 흡수를 회피하거나 또는 캐리어에 수집된 물을 탈착시킨다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 유도 가열은 금속 캐리어에서만 발생한다. 열 방사를 활용하는 방법들과 비교하여 기판 에지들의 가열이 회피될 수 있다.
[0041] 도 2b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판을 운반하는 캐리어의 평면도를 도시한다. 가열 어레인지먼트(240)는 캐리어 근처에 배열될 수 있다. 특히, 가열 어레인지먼트는 기판-캐리어-어레인지먼트(250) 근처에 배열될 수 있다.
[0042] 실시예들에 따르면, 열 처리하기 위한 장치(200)는 열 에너지가 캐리어(212)에 도달하도록 배열될 수 있다. 하나 이상의 가열 어레인지먼트들(240)은 에지 부분들(214)에 열 에너지를 제공하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 가열 어레인지먼트(240)는 증착이 발생할 수 있는 면에 배열될 수 있다.
[0043] 가열 어레인지먼트(240)는 적어도 1 kW/m2의 열 에너지를 제공할 수 있다. 예컨대, 가열 어레인지먼트에 의해 제공되는 열 에너지는 4 kW/m2 내지 100 kW/m2, 구체적으로는 4 kW/m2 내지 10 kW/m2의 범위이다. 예컨대, 캐리어는 120℃의 온도까지 가열될 수 있다. 구체적으로, 캐리어는 최대 100℃, 더 구체적으로는 최대 80℃의 온도까지 가열될 수 있다.
[0044] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 캐리어는 프레임을 포함할 수 있다. 예컨대, 프레임은 하나 이상의 프레임 부분들을 포함할 수 있다. 프레임은, 예컨대 직사각형일 수 있는데, 즉, 디스플레이 제조를 위한 유리 기판에 대응한다. 특히, 더 큰 세대들의 경우, 프레임은 4개 이상의 프레임 부분들, 예컨대, 4개의 코너 부분들, 적어도 하나의 최상부 바, 적어도 하나의 최하부 바, 및 적어도 2개의 사이드바들을 포함할 수 있다.
[0045] 본원에서 설명되는 바와 같은 캐리어는 알루미늄을 포함할 수 있거나 또는 알루미늄을 필수적 요소로 하여 구성될(essentially consist of) 수 있다. 예컨대, 프레임 부분들은 알루미늄으로 제조될 수 있다. 알루미늄을 포함하는 프레임 부분들은 35*106 AV-1m-1 이상의 전기 전도도를 가질 수 있다. 따라서, 열을 생성하는 와전류들의 전기 손실은 비교적 낮을 수 있다. 따라서, 위에서 설명된 열 에너지를 제공하기 위해, 전기 에너지를 생성하기 위한 전력 공급부는 적어도 20 kW를 제공하도록 구성될 수 있다.
[0046] 도 3a는 캐리어(212)를 도시한다. 캐리어는 기판(230)을 위한 프레임 또는 에지 부분(214)을 제공한다. 캐리어(212)는 캐리어 프레임(216)을 포함할 수 있다. 에지 부분들(214)은 기판 수용 영역(232)을 둘러싸는 프레임을 제공할 수 있다. 캐리어 프레임(216)은 캐리어(212)의 최외측 주변부(fringe)를 나타낼 수 있다. 캐리어 프레임(216)은 기판 수용 영역(232)을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 대안적으로, 캐리어 프레임(216)은 기판 수용 영역(232)을 완전히 둘러쌀 수 있다. 예컨대, 캐리어 프레임의 폭은 10 mm 내지 500 mm의 범위일 수 있다. 구체적으로, 캐리어 프레임의 폭은 50 mm 내지 400 mm의 범위일 수 있다. 더 구체적으로, 캐리어 프레임의 폭은 100 mm 내지 300 mm의 범위일 수 있다.
[0047] 가열 어레인지먼트(200)는 코일(340), 예컨대 인덕터의 코일을 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 코일은 플랫 코일(flat coil)일 수 있다. 예컨대, 캐리어(212)의 표면에 평행한 평면에 하나 이상의 권선(winding)들이 제공될 수 있다. 도 3a는 하나의 권선을 예시적으로 도시한다. 추가적으로, 추가의 권선들이 제공될 수 있다. 코일은 교류 자기장의 생성을 위한 교류를 제공하는 전력 공급부(344)로 여기된다(excited). 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 전력 공급부(344)의 출력 전력을 코일(240)의 임피던스에 적응시키기 위한 매칭 회로(342)가 제공될 수 있다.
[0048] 유도 가열기를 위한 전력 공급부(344)는 발진기 회로를 갖는 전기 회로를 포함한다. 발진기 토폴로지들은, 예컨대, MOSFET들 및/또는 IGBT들과 같은 반도체 전기 스위치들을 포함할 수 있다. 추가로, 특히 매칭 회로(342)는 커패시터들을 포함할 수 있다. 또한 추가로, 유도 가열을 위해 인덕터, 이를테면, 코일(340)이 제공될 수 있다.
[0049] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 동작 주파수는 2 kHz 내지 200 kHz일 수 있다. 주파수는 가열 프로세스에 적응될 수 있다. 예컨대, 캐리어의 표면 및 캐리어의 더 깊은 구역들, 즉, 벌크 재료의 표면 아래의 구역들을 가열하기 위해, 예컨대 2 kHz 내지 30 kHz의 더 낮은 주파수들이 사용될 수 있다. 더 높은 주파수들, 예컨대 30 kHz 내지 200 kHz가 아래에서 설명되는 바와 같이 표면 가열을 위해 그리고/또는 차폐된 캐리어들을 위해 사용될 수 있다. 따라서, 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 유도 가열은 재료의 코어를 향해 열 에너지를 깊게 팽창시키기 위해 활용될 수 있다. 캐리어, 예컨대 캐리어의 프레임 부분들은 가열될 수 있으며, 이는 더 느린 냉각을 초래할 수 있다.
[0050] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 캐리어의 부분들, 예컨대, 프레임 부분들 또는 캐리어에 제공된 차폐부들은 유사한 낮은 전기 전도도를 갖는 재료를 포함할 수 있다. 캐리어의 더 용이한 가열을 가능하게 하기 위해 열 손실들이 증가될 수 있다. 예컨대, 캐리어 부분들은 10*106 AV-1m-1 이하의 전기 전도도를 갖는 재료를 포함하거나 그 재료를 필수적 요소로 하여 구성될 수 있다. 예컨대, 캐리어의 부분들은 티타늄으로 제조될 수 있다. 따라서, 알루미늄 및 티타늄 부품들의 혼합물이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 프레임 부분들을 갖는 캐리어는 프레임 부분들을 차폐하는 차폐부를 포함할 수 있으며, 차폐부는 티타늄을 포함하거나 또는 티타늄으로 구성된다.
[0051] 예컨대, 캐리어는 알루미늄 프레임 부분들, 및 프레임 부분들을 차폐하기 위한 티타늄 차폐부를 가질 수 있다. 따라서, 코팅에 노출되고 그리고 대기 조건들로부터의 분자들, 이를테면, 물 분자들에 주로 노출되는 차폐부는 더 낮은 전기 전도도로 인해 더 쉽게 가열될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 알루미늄과 알루미늄보다 낮은 전기 전도도를 갖는 다른 재료, 예컨대 티타늄의 재료 조성이 제공될 수 있다.
본 개시내용의 실시예에 따르면, 기판 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위한 캐리어가 제공된다. 캐리어는 제1 전도도를 갖는 제1 재료, 예컨대 알루미늄을 갖는, 기판 프로세싱 영역에서 기판을 지지하도록 구성된 프레임, 및 제1 전도도보다 더 낮은 제2 전도도를 갖는 제2 재료, 예컨대 티타늄을 갖는, 프레임에 대한 차폐부를 포함한다.
[0052] 도 3a는 코일(340)을 도시한다. 도 3b는 몇몇 코일들(340)을 도시한다. 도 3c는 하나의 코일(340)을 도시한다. 위에서 설명된 바와 같이, 가열 전력은 하나 이상의 전력 공급부들(344)에 의해 제공되는 전력보다 더 낮을 수 있다. 전력 손실들은 인덕터들, 예컨대 코일들에서 발생할 수 있다. 따라서, 다음의 세부사항들, 특징들, 및 양상들 중 하나 이상이 본 개시내용의 실시예들에 대해 제공될 수 있다. 예컨대, 코일들은 구리, 또는 높은 전기 전도도, 구체적으로는 50*106 AV-1m-1 이상의 전도도를 갖는 다른 재료를 포함하거나, 또는 구리 또는 그 재료로 구성될 수 있다. 인덕터의 배선(wiring), 즉, 하나 이상의 코일들은 중공 튜브들에 의해 제공될 수 있다. 중공 튜브는 냉각 유체, 이를테면, 물이 배선에 제공될 수 있게 한다. 따라서, 코일들 내부의 전력 손실들은, 예컨대 통합된 수냉 루프를 이용하여 냉각될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 물과 같은 냉각 유체를 이용한 냉각이 하나 이상의 코일들의 권선들 또는 와이어들 사이에 제공될 수 있다. 또한 추가로, 하나 이상의 코일들의 부분들은 전력 손실들을 감소시키기 위해 트위스티드 케이블(twisted cable)들에 의해 제공될 수 있다. 예컨대, 중공 배선들과 트위스티드 케이블들의 조합이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 도 3c에 예시적으로 도시된 바와 같은 코일(340)은, 예컨대, 캐리어의 에지 부분을 완전히 둘러싸도록 폐쇄될 수 있다. 가열의 균일성이 추가로 개선될 수 있다.
[0053] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 위에서 설명된 바와 같이, 플랫 코일들이 제공될 수 있다. 플랫 코일은 적어도 부분적으로 평면에 권선들 또는 배선들(또는 단일 권선의 배선)을 제공한다. 플랫 코일은 표면, 이를테면, 프레임 표면에 평행하게, 그리고 특히 캐리어의 표면 바로 근처에 제공될 수 있다. 따라서, 코일과 가열될 재료 사이의 갭이 작을 수 있다.
[0054] 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 하나 이상의 코일들은 캐리어의 프레임과 같은 가열될 캐리어 표면의 상당한 부분 또는 본질적으로 전체 표면 위로 연장된다. 도 3a와 관련하여 설명된 예시적인 실시예들에 따르면, 코일은 프레임-형상 캐리어에 대응하도록 권취될 수 있거나, 또는 프레임의 적어도 일부에 대응하도록 권취될 수 있다. 예컨대, 도 3a는 본질적으로 프레임-형상인 코일을 도시한다. 대안적으로, 2개의 L-형상 코일들이 제공될 수 있다. 도 3b에 도시된 바와 같이 그리고 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 2개 이상의 코일들, 예컨대, 4개의 코일들(340)이 제공될 수 있다. 예컨대, 4개의 코일들의 각각의 코일은 캐리어(212)의 프레임의 일 측에 제공될 수 있다.
[0055] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 2개 이상의 코일들을 갖는 실시예들은 코일들 각각에 대한 개별적인 매칭 회로(342) 및/또는 개별적인 전력 공급부(344)를 가질 수 있다. 또 다른 추가의 수정들에 따르면, 유사한 기하학적 구조를 갖는 코일들은 전력 공급부 및 매칭 회로를 공유할 수 있다. 예컨대, 도 3b에 예시적으로 예시된 실시예의 경우, 좌측 코일(340) 및 우측 코일(340)은 공통 전력 공급부 및 공통 매칭 회로를 가질 수 있다. 추가로, 상부 코일(340) 및 하부 코일(340)은 공통 전력 공급부 및 공통 매칭 회로를 가질 수 있다.
[0056] 유리하게, 캐리어의 가열은 캐리어로부터의 입자들의 탈착을 지원하고 그리고/또는 캐리어 상의 입자들 또는 분자들의 흡수를 회피한다. 따라서, 캐리어로부터 불순물들이 제거될 수 있고, 그리고/또는 캐리어의 오염이 회피될 수 있다. 캐리어는 상이한 압력 조건들 사이에서 이송될 수 있다. 시스템의 하나 이상의 캐리어들은 상이한 모듈들에서 그리고 그에 따라 상이한 압력 조건들 하에서 정지될 수 있다. 대기 압력 조건들 하에서의 체류(stay) 동안, 입자들이 캐리어에 흡착될 수 있다. 이들 입자들은 상이한 압력 조건들을 갖는 후속 모듈들로 이송된다. 후속 이송은 진행 중인 프로세스를 방해하고, 그에 따라, 이는 프로세스가 계속될 수 있기 전에 세틀링(settle)되어야 한다. 따라서, 프로세스의 세틀먼트(settlement)를 가속하기 위해, 캐리어로부터 입자들을 제거하는 것이 유리하다.
[0057] 도 4는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템(100)의 평면도를 도시한다. 캐리어에 대한 유도 가열을 제공하는, 본 개시내용의 실시예들은 대기 조건들 하에서 뿐만 아니라 진공 조건들 하에서 동작될 수 있다.
[0058] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템(100)은 스윙 모듈(172) 및 유도 가열 모듈(474)을 포함하는 대기 모듈(170), 로드 록 모듈들(174), 하나 이상의 전달 모듈들(180), 및 하나 이상의 프로세싱 모듈들(190)을 포함할 수 있다. 예컨대, 하나의 스윙 모듈(172)이 로드 록 모듈(174)에 연결될 수 있고, 로드 록 모듈(174)은 예비-진공 챔버(182)에 추가로 연결될 수 있다. 예비-진공 챔버는 고-진공 챔버(184)에 연결될 수 있다. 고-진공 챔버는 프로세싱 챔버에 연결될 수 있다. 프로세싱 챔버는 추가적인 프로세싱 챔버들에 연결될 수 있다. 일반적으로, 후속적으로 배열될 수 있는 프로세스 챔버들의 수량은 하나의 챔버와 8개의 프로세싱 챔버들 사이, 구체적으로는 하나의 챔버와 5개의 프로세싱 챔버들 사이, 더 구체적으로는 하나의 챔버와 3개의 프로세싱 챔버들 사이에서 변화될 수 있다. 기판 프로세싱 시스템(100)은 이송 어레인지먼트(160)를 더 포함할 수 있다.
[0059] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 가열 어레인지먼트(240)는 기판 프로세싱 시스템(100)의 상이한 포지션들에 배열될 수 있다. 예컨대, 가열 어레인지먼트(240)는 대기 모듈들(170)에 배열될 수 있다. 예컨대, 가열 어레인지먼트는 스윙 모듈(172)에 위치될 수 있다. 또한 추가로, 도 4의 프로세싱 시스템(100)에 도시된 바와 같이, 가열 모듈(474)이 스윙 모듈(172)과 로드 록 모듈 사이에 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 캐리어를 열 처리하기 위한 장치를 포함하는 가열 모듈(474)이 대기 조건들 하에 제공될 수 있다.
[0060] 추가적으로 또는 대안적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 열 처리하기 위한 장치(200)는 하나 이상의 전달 모듈들(180)에 제공될 수 있다. 열 처리하기 위한 장치(200)는 하나 이상의 전달 모듈들(180)에 배열될 수 있다. 열 처리하기 위한 장치(200) 또는 하나 이상의 가열 어레인지먼트들(240)은 예비-진공 모듈 또는 챔버에 위치될 수 있다. 예비-진공 챔버에서의 가열은 정적으로 수행될 수 있다. 정적 가열은, 예컨대, 챔버의 벽에 고정된 가열 어레인지먼트로 이해되어야 한다. 정적 가열은 또한, 챔버의 벽에 부착되어 고정된 가열 어레인지먼트로 이해될 수 있다. 고정 가열은 캐리어가 챔버 내부에서 정지되는 것을 포함할 수 있다.
[0061] 유리하게, 입자들은 기판의 프로세싱의 시작 시에 제거될 수 있다. 추가로, 진공 조건들로부터 캐리어를 빠져나간 후의 가열로 인해 흡착이 회피될 수 있다. 따라서, 후속 챔버들로의 입자들의 확산이 더 효과적으로 방지된다. 추가로, 캐리어의 탈기(degassing)가 촉진된다. 따라서, 개선된 프로세스 안정성 및 성능이 달성될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 캐리어를 열 처리하기 위한 방법들은 대기에서의 접촉 동안 물의 흡착을 회피하기 위해 캐리어의 표면 온도를 유지하는 데 사용될 수 있다. 따라서, 캐리어는 로드 록 챔버로부터 캐리어를 언로딩한 후에 가열될 수 있다. 캐리어를 충분히 높은 온도로 그리고/또는 충분한 재료 깊이로 가열하는 것은, 스윙 모듈의 동작 및 후속 기판의 로딩 동안에, 캐리어 온도가 물 흡착을 회피하기에 충분히 높아지게 할 수 있다. 그러나, 캐리어의 유도 가열은 또한, 수집된 분자들, 예컨대 물 분자들의 탈착을 위해 활용될 수 있다. 상기 내용을 고려하면, 기판 프로세싱 프로세스, 예컨대 증착 프로세스에 대한 프로세스 안정화가 제공될 수 있다.
[0062] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, RGA(residual gas analysis) 측정에 의해 잔류 입자들 또는 가스의 고갈(depletion)이 모니터링될 수 있다. 온도의 모니터링 및 조절은 제어 시스템에 의해 수행될 수 있다. 예컨대, 제어 시스템은 폐루프 시스템(closed loop system)일 수 있다. 측정은 하나 이상의 전달 모듈들(180) 및/또는 하나 이상의 프로세싱 모듈들(190)에서 수행될 수 있다. 예컨대, RGA는 예비-진공 챔버 및 프로세싱 챔버에서 수행될 수 있다. RGA는 가열의 조절과 관련될 수 있다. 실시예들에 따르면, 캐리어의 가열을 위한 폐루프 시스템이 설정될 수 있다. 예컨대, 열 처리하기 위한 장치(200)의 조절은 RGA의 결과들과 상관될 수 있다. 예컨대, 높은 입자량 또는 높은 잔류 가스량(gas volume)이 측정되는 경우, 열 처리하기 위한 장치의 온도가 증가될 수 있다.
[0063] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 열 처리하기 위한 장치(200)는 모듈들 또는 챔버들의 벽의 일부에 제공될 수 있다. 모듈들 또는 챔버들은 최상부 벽, 4개의 측벽들 및/또는 최하부 벽을 포함할 수 있다. 열 처리하기 위한 장치는 하나 이상의 전달 챔버들 및/또는 하나 이상의 대기 모듈들의 모든 각각의 벽에 배열될 수 있다. 열 처리하기 위한 장치(200)는 챔버의 벽들의 적어도 일부에 배열될 수 있다. 예컨대, 열 처리하기 위한 장치(200)는 개개의 벽의 상부 섹션, 하부 섹션 및/또는 측부 섹션에 배열될 수 있다. 열 처리하기 위한 장치(200)는 추가로, 개개의 벽 전체를 커버(cover)할 수 있다.
[0064] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 이송 어레인지먼트(160)는 열 처리하기 위한 장치(200)를 지나게 캐리어(212)를 이송하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 이송 경로들(162)은, 열 처리하기 위한 장치의 가열이 캐리어(212)에 가해질 수 있는, 모듈 내의 부위(site)에 캐리어를 제공하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 캐리어는 가열 어레인지먼트(240) 맞은편에 정지될 수 있다.
[0065] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 가열은 캐리어(212)의 이동 동안 캐리어(212)에 제공될 수 있다. 캐리어는 모듈들 또는 챔버들 사이에서 이송될 수 있다. 예컨대, 캐리어는 2개의 전달 모듈들 사이에서 이송된다. 전달 모듈들 중 하나는 예비-진공 챔버일 수 있고, 제2 전달 모듈은 고-진공 챔버일 수 있다. 가열은 캐리어의 전달 동안 캐리어에 제공될 수 있다. 가열은 펄스형 가열(즉, 가열이 후속적으로 턴 온 및 턴 오프됨)로서 캐리어 프레임에 제공될 수 있다. 예컨대, 가열은 캐리어 및 기판의 포지션에 따라 턴 온 및 턴 오프될 수 있다. 예컨대, 예를 들어, 캐리어 및/또는 기판의 특정 포지션들에서 가열 어레인지먼트를 턴 오프시킴으로써, 기판은 가열되지 않으면서 캐리어만이 가열될 수 있다.
[0066] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판-캐리어-어레인지먼트의 제1 영역은 기판-캐리어-어레인지먼트의 기판 수용 영역일 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판-캐리어-어레인지먼트의 제2 영역은 기판-캐리어-어레인지먼트의 캐리어의 에지 부분일 수 있다. 예컨대, 제1 열 처리하기 위한 장치(252)는 기판 수용 영역에 가열을 제공할 수 있고, 열 처리하기 위한 제2 장치(254)는 에지 부분 및/또는 캐리어 프레임에 가열을 제공할 수 있다.
[0067] 도 6은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 방법의 흐름도들을 도시한다. 방법은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템(100)을 사용함으로써 수행될 수 있다.
[0068] 본원에서 설명되는 임의의 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 박스(610)는 캐리어 상의 기판을 기판 수용 영역에 로딩하는 것을 포함한다. 캐리어 및 기판은 기판-캐리어-어레인지먼트일 수 있다. 기판이 로딩된 캐리어는 스윙 모듈 상에 배치될 수 있다. 스윙 모듈은 본원의 실시예들에 따라 설명된 바와 같은 스윙 모듈일 수 있다. 기판-캐리어-어레인지먼트는 스윙 모듈에 의해 수직 포지션에 이르게 될 수 있다.
[0069] 본원에서 설명되는 임의의 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 박스(620)는 캐리어를 기판 프로세싱 시스템 내로 도입하는 것을 포함한다. 예컨대, 기판-캐리어-어레인지먼트는 기판 프로세싱 시스템 내로 도입된다. 캐리어 및/또는 기판-캐리어-어레인지먼트는 수직으로 도입될 수 있다. 캐리어는 본원의 실시예들에서 설명된 바와 같은 이송 어레인지먼트에 연결될 수 있다. 따라서, 캐리어 및/또는 기판-캐리어-어레인지먼트는 기판 프로세싱 시스템을 통해 이송될 수 있다. 기판-캐리어-어레인지먼트는 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 록 모듈 또는 챔버 내로 도입될 수 있다.
[0070] 본원에서 설명되는 임의의 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 박스(630)는, 예컨대, 열 처리하기 위한 장치를 이용한 캐리어의 영역의 유도 가열을 포함한다. 기판 수용 영역과 상이한 캐리어의 영역은 가열 캐리어 영역일 수 있다. 가열은 본원의 실시예들에서 설명된 바와 같은 가열 어레인지먼트를 이용하여 제공될 수 있다. 열 처리하기 위한 장치는 본원에서 설명된 바와 같은 가열 어레인지먼트를 포함할 수 있다. 예컨대, 가열은 20초 이상 동안 그리고/또는 50초 이하 동안, 이를테면, 약 40초 동안 제공될 수 있다. 캐리어에 대해 적어도 80℃의 온도가 제공될 수 있다.
[0071] 유리하게는, 입자 흡착 또는 분자 흡착이 회피될 수 있고, 그리고/또는 대기 모듈들에서 캐리어에 흡착될 수 있는 입자들이 캐리어로부터 제거될 수 있다. 예컨대, 그러한 흡수는, 프로세싱 시스템의 중지 동안, 캐리어가 대기 모듈에 배치될 때, 더욱 더 발생될 수 있다. 따라서, 캐리어의 탈기가 보장될 수 있다. 추가로, 프로세스의 안전성이 개선된다.
[0072] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (17)

  1. 기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200)로서,
    상기 캐리어에 열 에너지를 제공하도록 구성된 가열 어레인지먼트(240)를 포함하며,
    상기 가열 어레인지먼트는,
    하나 이상의 코일들을 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 캐리어는 기판 수용 영역(232)에서 기판(230)을 지지하도록 구성되고, 상기 캐리어(212)는 상기 기판 수용 영역(232) 외부로 연장되는 하나 이상의 에지 부분들(214)을 갖고, 상기 가열 어레인지먼트는 상기 하나 이상의 에지 부분들(214)에 열 에너지를 제공하도록 구성되는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 에지 부분들(214)은 상기 기판 수용 영역(232)을 둘러싸는 프레임(216)을 제공하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 가열 어레인지먼트(240)는 상기 프레임(216)에 열 에너지를 제공하도록 구성되는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 코일들은 하나 이상의 플랫 코일(flat coil)들인,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나 이상의 전력 공급부들, 및
    상기 하나 이상의 전력 공급부들과 상기 하나 이상의 코일들 사이에 제공되는 하나 이상의 임피던스 매칭 회로들을 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 임피던스 매칭 회로들 중의 임피던스 매칭 회로는 상기 하나 이상의 전력 공급부들 중의 전력 공급부와 상기 하나 이상의 코일들 중 미리 결정된 기하학적 구조를 갖는 적어도 하나의 코일 사이에 제공되는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 코일들 중 동일한 미리 결정된 기하학적 구조를 갖는 코일들에 대해 공통 임피던스 매칭 회로가 제공되는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  9. 제6 항 또는 제7 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 전력 공급부들의 주파수를 적응시키도록 구성된 제어기를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 어레인지먼트(240)는,
    상기 가열 어레인지먼트(240)에 에너지를 제공하기 위한 에너지 소스를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 에너지 소스는 전류를 상기 캐리어에 유도 결합시키기 위한 전력 공급부를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  12. 제1 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 어레인지먼트(240)는 적어도 1 kW/m2의 열 에너지를 제공하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  13. 기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200)로서,
    가열 어레인지먼트(240)를 포함하며,
    상기 가열 어레인지먼트는,
    기판 수용 영역 주위에 그리고/또는 상기 기판 수용 영역 외부에 배열된 하나 이상의 코일들을 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 캐리어(212)를 열 처리하기 위한 장치(200).
  14. 기판 프로세싱 시스템(100)으로서,
    제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 따른 열 처리하기 위한 장치(200)를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템(100).
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 시스템은, 상기 열 처리하기 위한 장치(200)를 지나게 상기 캐리어(212)를 이송하도록 구성된 이송 어레인지먼트(160)를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템(100).
  16. 제14 항 또는 제15 항에 있어서,
    상기 시스템은 하나 이상의 대기 모듈(atmospheric module)들(170)을 더 포함하고,
    상기 열 처리하기 위한 장치(200)는 상기 하나 이상의 대기 모듈들(170)에 제공되는,
    기판 프로세싱 시스템(100).
  17. 기판 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위한 캐리어로서,
    제1 전도도를 갖는 제1 재료를 갖는, 기판 프로세싱 영역에서 기판을 지지하도록 구성된 프레임;
    상기 제1 전도도보다 더 낮은 제2 전도도를 갖는 제2 재료를 갖는, 상기 프레임을 위한 차폐부를 포함하는,
    기판 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위한 캐리어.
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