KR20220009994A - Manufacturing method of electronic components and electronic components - Google Patents

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가쿠 요시카와
구니히코 나카타
히로시 이와와키
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스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
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Abstract

간편한 방법으로 불소 수지와 전자 소자와의 밀착성이 우수한 전자 부품을 제조하는 방법 및 전자 부품을 제공한다. 배선 기재에 장착된 전자 소자의 상방에 수지 조성물을 설치하는 공정과, 상기 수지 조성물을 융점 이상으로 가열함으로써, 상기 전자 소자를 상기 수지 조성물로 덮는 공정을 가지는 전자 부품의 제조 방법으로서, 상기 수지 조성물은, 결정성 불소 수지를 포함하고, 또한, 실질적으로 휘발 성분을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.Provided are a method and an electronic component for manufacturing an electronic component having excellent adhesion between a fluororesin and an electronic device by a simple method. A method for manufacturing an electronic component comprising: a step of providing a resin composition above an electronic device mounted on a wiring substrate; and a step of covering the electronic device with the resin composition by heating the resin composition to a melting point or higher, wherein the resin composition Silver contains a crystalline fluororesin, and does not contain a volatile component substantially, The manufacturing method of the electronic component characterized by the above-mentioned.

Description

전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품Manufacturing method of electronic components and electronic components

본 발명은 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component and to an electronic component.

LED(Light Emitting Diode) 등의 전자 소자를 구비한 전자 부품에서는, 전자 소자의 열화를 막기 위해 당해 전자 소자를 에폭시 수지나 실리콘 수지에 의해 밀봉하는 경우가 많고, 불소 수지에 의해 밀봉하는 예도 있다.In electronic parts provided with electronic elements, such as LED (Light Emitting Diode), in order to prevent deterioration of an electronic element, the said electronic element is sealed with an epoxy resin or a silicone resin in many cases, and there exists an example sealing with a fluororesin.

특허 문헌 1에는, 피복층(밀봉층)에 의해 밀봉된 LED 소자가 기재되어 있으며, 상기 피복층은, 테트라플루오로에틸렌(TFE), 헥사플루오로프로필렌(HFP) 및 비닐리덴플루오라이드(VdF)를 적어도 포함하는 불소 폴리머(THV)를 용매에 용해하여 도포에 적합한 점도의 용액을 제작하고, 상기 용액을 도포, 건조시킴으로써 제작할 수 있다고 기재되어 있다. 또한, 특허 문헌 1에는, 도포막의 투명성을 유지하면서 두께를 두껍게 하기 위해, 불소 수지로 이루어지는 필러를 이용하여, 용액의 고형분 농도를 높게 하는 것이 기재되어 있다.Patent Document 1 describes an LED element sealed with a coating layer (sealing layer), wherein the coating layer contains at least tetrafluoroethylene (TFE), hexafluoropropylene (HFP) and vinylidene fluoride (VdF). It is described that it can be prepared by dissolving the contained fluoropolymer (THV) in a solvent to prepare a solution having a viscosity suitable for application, and applying and drying the solution. Moreover, in patent document 1, in order to thicken the thickness while maintaining transparency of a coating film, using the filler which consists of a fluororesin, making high solid content concentration of a solution is described.

한편, 특허 문헌 2에는, 자외선 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 수지로서 비정성 불소 수지를 이용한 자외선 발광 장치가 기재되어 있다.On the other hand, Patent Document 2 describes an ultraviolet light emitting device using an amorphous fluororesin as a sealing resin for sealing the ultraviolet light emitting element.

일본공개특허 특개2009-51876호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2009-51876 국제공개 제2014/178288호 공보International Publication No. 2014/178288

그러나, THV를 용매에 용해한 경우, 용액의 농도를 높게 하면 점도가 지나치게 높아져버려 용액을 도포할 수 없게 된다. 따라서, THV 용액을 이용하여 전자 소자를 밀봉하기 위해서는, 낮은 농도의 용액을 복수회 도포할 필요가 있지만, 도포를 거듭할 때마다 기재의 평탄성이 사라져버리기 때문에, 도포 횟수에는 한계가 있다. 또한, 필러를 이용하여 도포막을 두껍게 한 경우, 수지와 필러의 굴절률을 완전히 일치시키는 것이 곤란하기 때문에, 투과율이 저하된다. 한편, 비정성 불소 수지를 이용한 경우에는, 비정성 불소 수지와 전자 소자와의 밀착성이 불충분하다. 본 발명은 상기와 같은 사정에 착목하여 이뤄진 것이며, 그 목적은, 보다 간편한 방법으로 불소 수지와 전자 소자와의 밀착성이 우수한 전자 부품을 제조하는 방법을 제공하는 것에 있다.However, when THV is dissolved in a solvent, if the concentration of the solution is increased, the viscosity becomes excessively high and the solution cannot be applied. Therefore, in order to seal an electronic device using the THV solution, it is necessary to apply a low concentration solution a plurality of times. Moreover, since it is difficult to make the refractive index of resin and a filler match completely when a coating film is thickened using a filler, the transmittance|permeability falls. On the other hand, when an amorphous fluororesin is used, the adhesiveness between the amorphous fluororesin and the electronic device is insufficient. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a method for manufacturing an electronic component having excellent adhesion between a fluororesin and an electronic device by a simpler method.

상기 과제를 해결할 수 있었던 본 발명의 제조 방법 및 전자 부품은, 이하의 구성으로 이루어진다.The manufacturing method and electronic component of this invention which were able to solve the said subject consist of the following structures.

[1] 배선 기재에 장착된 전자 소자의 상방에 수지 조성물을 설치하는 공정과, 상기 수지 조성물을 융점 이상으로 가열함으로써, 상기 전자 소자를 상기 수지 조성물로 덮는 공정을 가지는 전자 부품의 제조 방법으로서, 상기 수지 조성물은, 결정성 불소 수지를 포함하고, 또한, 실질적으로 휘발 성분을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.[1] A method for manufacturing an electronic component comprising: a step of providing a resin composition above an electronic device mounted on a wiring substrate; and a step of covering the electronic device with the resin composition by heating the resin composition to a melting point or higher, the method comprising: The said resin composition contains a crystalline fluororesin and does not contain a volatile component substantially, The manufacturing method of the electronic component characterized by the above-mentioned.

[2] 상기 결정성 불소 수지의 융점은 278℃ 이하인 [1]에 기재된 제조 방법.[2] The production method according to [1], wherein the melting point of the crystalline fluororesin is 278°C or less.

[3] 상기 결정성 불소 수지는, 일부의 탄소 원자에 탄소 및 불소 이외의 원자가 결합되어 있는 [1] 또는 [2]에 기재된 제조 방법.[3] The production method according to [1] or [2], wherein in the crystalline fluororesin, atoms other than carbon and fluorine are bonded to some carbon atoms.

[4] 상기 결정성 불소 수지가, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체인 [1]~[3] 중 어느 것에 기재된 제조 방법.[4] The production method according to any one of [1] to [3], wherein the crystalline fluororesin is a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer.

[5] 테트라플루오로에틸렌 유래의 구성 단위 T, 헥사플루오로프로필렌 유래의 구성 단위 H, 및 불화 비닐리덴 유래의 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 T의 몰비가 0.50 이하인 [4]에 기재된 제조 방법.[5] The production according to [4], wherein the molar ratio of the structural unit T to the total of the structural unit T derived from tetrafluoroethylene, the structural unit H derived from hexafluoropropylene, and the structural unit V derived from vinylidene fluoride is 0.50 or less Way.

[6] 상기 전자 소자가 LED인 [1]~[4] 중 어느 것에 기재된 제조 방법.[6] The manufacturing method according to any one of [1] to [4], wherein the electronic element is an LED.

[7] 배선 기재에 장착된 전자 소자가 수지 조성물로 덮인 전자 부품이며, 상기 수지 조성물은, 결정성 불소 수지를 포함하고, 또한, 실질적으로 휘발 성분 및 필러를 포함하지 않고, 상기 수지 조성물의 두께가 0.5㎜ 이상인 전자 부품.[7] An electronic component mounted on a wiring substrate is an electronic component covered with a resin composition, the resin composition containing a crystalline fluororesin and substantially free of volatile components and fillers, the thickness of the resin composition Electronic components with a thickness of 0.5 mm or more.

[8] 상기 결정성 불소 수지가, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체인 [7]에 기재된 전자 부품.[8] The electronic component according to [7], wherein the crystalline fluororesin is a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer.

[9] 테트라플루오로에틸렌 유래의 구성 단위 T, 헥사플루오로프로필렌 유래의 구성 단위 H, 및 불화 비닐리덴 유래의 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 T의 몰비가 0.50 이하인 [8]에 기재된 전자 부품.[9] The former according to [8], wherein the molar ratio of the structural unit T to the total of the structural unit T derived from tetrafluoroethylene, the structural unit H derived from hexafluoropropylene, and the structural unit V derived from vinylidene fluoride is 0.50 or less part.

본 발명의 제조 방법을 이용함으로써, 전자 소자를 간편하게 밀봉할 수 있다. 또한, 밀봉된 전자 소자는 수지 조성물과 전자 소자와의 밀착성이 우수하다.By using the manufacturing method of this invention, an electronic element can be sealed easily. Further, the sealed electronic device has excellent adhesion between the resin composition and the electronic device.

도 1은 종래의 전자 소자의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 종래의 전자 소자를 실장한 패키지의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 전자 소자의 상방에 수지 조성물을 설치한 상태의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제조 방법으로 제조되는 전자 부품의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제조 방법으로 제조되는 전자 부품의 다른 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제조 방법으로 제조되는 전자 부품의 그 밖의 예를 나타내는 개략 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional electronic device.
2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a package on which a conventional electronic device is mounted.
It is a schematic sectional drawing which shows an example of the state which provided the resin composition above the electronic element.
4 is a schematic cross-sectional view showing an example of an electronic component manufactured by the manufacturing method of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view showing another example of an electronic component manufactured by the manufacturing method of the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view showing another example of an electronic component manufactured by the manufacturing method of the present invention.

본 발명은, 배선 기재에 장착된 전자 소자의 상방에 결정성 불소 수지를 포함하는 수지 조성물을 설치하는 공정과, 상기 수지 조성물을 융점 이상으로 가열함으로써, 상기 전자 소자를 상기 수지 조성물로 덮는 공정을 가지는 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품에 관한 것이다. 또한, 본 명세서에 있어서 「밀봉」이란, 대상물인 전자 소자를 외기로부터 차단하는 것을 가리킨다.The present invention provides a step of providing a resin composition containing a crystalline fluororesin above an electronic device mounted on a wiring substrate, and a step of heating the resin composition to a melting point or higher to cover the electronic device with the resin composition. The eggplant relates to a method of manufacturing an electronic component and to an electronic component. In addition, in this specification, "sealing" refers to blocking the electronic element which is a target object from external air.

(1) 전자 소자(1) electronic device

상기 전자 소자로서는, 일반적으로 반도체이며 트랜지스터, 다이오드 등을 들 수 있고, 반도체 다이오드가 바람직하다. 반도체 다이오드로서는, 발광 다이오드(LED)가 바람직하고, 특히 자외선 발광 다이오드(이하, 자외선 발광 소자라고 하는 경우도 있음)가 바람직하다. 자외선 발광 다이오드를 에폭시 수지나 실리콘 수지로 밀봉하면, 자외선에 의해 수지의 열화가 커지는 것에 비하여, 결정성 불소 수지로 밀봉하면 수지의 열화를 억제할 수 있다. 한편, 비정성 불소 수지로 밀봉하면 수지 조성물과 전자 소자와의 밀착성이 저하되어버린다.The electronic device is generally a semiconductor, and a transistor, a diode, etc. are mentioned, and a semiconductor diode is preferable. As the semiconductor diode, a light emitting diode (LED) is preferable, and an ultraviolet light emitting diode (hereinafter sometimes referred to as an ultraviolet light emitting element) is particularly preferable. When the ultraviolet light emitting diode is sealed with an epoxy resin or a silicone resin, deterioration of the resin is increased by ultraviolet rays, whereas when the ultraviolet light emitting diode is sealed with a crystalline fluororesin, the deterioration of the resin can be suppressed. On the other hand, when sealing with an amorphous fluororesin, the adhesiveness of a resin composition and an electronic element will fall.

도 1은 상기 자외선 발광 소자의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도면에 나타내는 예의 자외선 발광 소자(2)는 플립 칩 타입의 소자이며, 하측면의 일부에 애노드측의 p전극(10)을 구비하고, 당해 p전극(10)의 위에 p층(12)이 형성되어 있다. 또한 자외선 발광 소자(2)의 하측면의 다른 일부에, 캐소드측의 n전극(11)을 구비하고, n전극(11)의 위에 n층(14)이 형성되어 있다. 이들 n전극(11)과 n층(14)은, 상기 p전극(10)과 p층(12)보다 상방으로 시프트하여 형성되어 있으며, 상방에 존재하는 n층(14)과 하방에 존재하는 p층(12)과의 사이에 활성층(13)이 형성되어 있다. 추가로 상방에 존재하는 n층(14)의 더 위에 소자 기판(15)이 존재한다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the ultraviolet light emitting device. The ultraviolet light emitting device 2 of the example shown in the figure is a flip-chip type device, and has a p-electrode 10 on the anode side on a part of its lower side, and a p-layer 12 is formed on the p-electrode 10. has been Further, an n-electrode 11 on the cathode side is provided on another part of the lower surface of the ultraviolet light-emitting element 2 , and an n-layer 14 is formed on the n-electrode 11 . The n-electrode 11 and the n-layer 14 are formed shifting upward from the p-electrode 10 and the p-layer 12, and the n-layer 14 present above and the p present below the p-electrode 10 and the p-layer 12. An active layer 13 is formed between the layer 12 and the layer 12 . In addition, the element substrate 15 exists above the n-layer 14 which exists above.

자외선 발광 소자(2)에 있어서의 n층(14)은, 예를 들면 Si 함유 AlGaN층을 들 수 있다. p층(12)은, 예를 들면 Mg 함유 GaN층을 들 수 있다. 이 p층(12)은, 필요에 따라 전자 블록층 등과 적층 구조로 해도 된다. 활성층(13)은, 예를 들면 AlGaN층을 들 수 있다.The n-layer 14 in the ultraviolet light emitting element 2 is, for example, a Si-containing AlGaN layer. The p-layer 12 may be, for example, an Mg-containing GaN layer. This p-layer 12 is good also as an electron blocking layer etc. laminated|stacked structure as needed. The active layer 13 is, for example, an AlGaN layer.

p전극(10), p층(12)으로부터 n층(14), n전극(11)을 향해 순방향 전류를 흘려보냄으로써 활성층(13)에 있어서의 밴드 갭 에너지에 따른 발광이 발생한다. 밴드 갭 에너지는, 활성층(13)의 예를 들면 AlN 몰분율을 조정함으로써, GaN과 AlN이 취할 수 있는 밴드 갭 에너지(약 3.4eV와 약 6.2eV)의 범위 내로 제어할 수 있어, 발광 파장이 약 200㎚에서 약 365㎚까지의 자외선 발광을 얻을 수 있다.By passing a forward current from the p-electrode 10 and p-layer 12 toward the n-layer 14 and the n-electrode 11, light emission according to the band gap energy in the active layer 13 is generated. The band gap energy can be controlled within the range of band gap energies (about 3.4 eV and about 6.2 eV) that can be taken by GaN and AlN by adjusting, for example, the AlN mole fraction of the active layer 13, so that the emission wavelength is about Ultraviolet light emission from 200 nm to about 365 nm can be obtained.

또한 소자 기판(15)에는, 사파이어 기판, 질화 알루미늄 기판 등이 사용 가능하다. p전극(10)의 소재로서 Ni/Au, n전극(11)에는, Ti/Al/Ti/Au 등을 사용할 수 있다. 또한 p전극(10)과 n전극(11)의 사이의 노출면은, 단락을 방지하기 위해 SiO2 등의 보호 절연막(도면에 나타내지 않음)에 의해 피복되어 있어도 된다.In addition, for the element substrate 15, a sapphire substrate, an aluminum nitride substrate, etc. can be used. Ni/Au may be used as a material for the p-electrode 10 , and Ti/Al/Ti/Au may be used for the n-electrode 11 . In addition, the exposed surface between the p-electrode 10 and the n-electrode 11 may be covered with a protective insulating film (not shown) such as SiO 2 in order to prevent a short circuit.

자외선 발광 소자(2)의 발광 피크 파장은 200~365㎚의 범위에서 적절히 설정할 수 있고, 300㎚ 이하인 것이 바람직하다. 발광 피크 파장이 300㎚ 이하인 것에 의해 살균 효과가 발휘되기 쉬워지기 때문에, 살균용의 발광 장치에 자외선 발광 소자(2)를 이용할 수 있다. 발광 피크 파장은, 보다 바람직하게는 280㎚ 이하이다.The emission peak wavelength of the ultraviolet light emitting element 2 can be appropriately set in the range of 200-365 nm, and it is preferable that it is 300 nm or less. Since the sterilization effect becomes easy to be exhibited when the emission peak wavelength is 300 nm or less, the ultraviolet light emitting element 2 can be used for the light emitting device for sterilization. The emission peak wavelength is more preferably 280 nm or less.

(2) 배선 기재(2) Wiring equipment

배선 기재는, 표면에 전극 배선이 형성된 기재이며, 패키지라고 칭해지는 경우가 있다. 당해 패키지는, 표면 실장형, 칩 온 보드형 중 어느 것이어도 되고, 전자 소자를 실장하는 면에 범프가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 배선 기재의 기재에는, 질화알루미늄(AlN), 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹을 사용할 수 있다.A wiring base material is a base material in which electrode wiring was formed on the surface, and may be called a package. The package may be either a surface mount type or a chip-on-board type, and it is preferable that bumps are formed on the surface on which the electronic element is mounted. Base material of the wiring substrate, it is possible to use ceramics such as aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3).

도 2는 표면 실장형 패키지에 도 1의 자외선 발광 소자를 실장한 상태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 2의 자외선 발광 소자 실장 패키지(6)는, 기재(4) 위의 도면에 나타내지 않은 배선에, 금속제의 범프(5)를 개재하여, 자외선 발광 소자(2)의 p전극(10), n전극(11)이 각각 전기 접속할 수 있도록 고정되어 있다. 또한 상기 서술한 바와 같이, 본 발명에는, 칩 온 보드형의 패키지도 사용 가능하며, 도면에 나타내는 예에 한정되지 않는다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which the ultraviolet light emitting device of FIG. 1 is mounted on a surface mount type package. In the ultraviolet light emitting device mounting package 6 of FIG. 2 , the p-electrodes 10 and n of the ultraviolet light emitting device 2 are interposed between metal bumps 5 in the wiring not shown in the drawing on the substrate 4 . The electrodes 11 are fixed so that they can be electrically connected to each other. In addition, as mentioned above, a chip-on-board type package can also be used for this invention, and it is not limited to the example shown in drawing.

(3) 수지 조성물(3) resin composition

상기 수지 조성물은 결정성 불소 수지를 포함한다. 본 명세서에서 「불소 수지」란, 불소를 포함하는 올레핀의 중합체 또는 그 변성물을 의미하고, 상기 변성물에는, 예를 들면, 주쇄 말단에 -OH나 -COOH 등의 극성기가 결합되는 것이 포함된다. 또한, 결정성 불소 수지로서는, -SO3H기 등의 극성기를 측쇄에 가지지 않는 결정성 불소 수지인 것이 전자 부품의 성능 유지의 관점에서 바람직하고, 예를 들면, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체(FEP), 클로로트리플루오로에틸렌 중합체(PCTFE), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체(THV) 등을 들 수 있다. 결정성 불소 수지는, 1종이어도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 결정성 불소 수지는, 일부의 탄소 원자에 탄소 및 불소 이외의 원자가 결합되어 있는 것이 바람직하고, C-H 결합 또는 C-Cl 결합을 포함하는 것이 보다 바람직하며, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체(THV) 또는 클로로트리플루오로에틸렌 중합체(PCTFE)를 포함하는 것이 더 바람직하고, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체(THV)를 포함하는 것이 가장 바람직하다. 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체(THV)는, 기재나 전자 소자에 대한 밀착성이 특히 우수하다.The resin composition includes a crystalline fluororesin. As used herein, "fluororesin" means a polymer of an olefin containing fluorine or a modified product thereof, and the modified product includes, for example, those in which a polar group such as -OH or -COOH is bonded to the end of the main chain. . Moreover, as a crystalline fluororesin, it is preferable from a viewpoint of maintaining the performance of an electronic component that it is a crystalline fluororesin which does not have polar groups, such as -SO 3 H group, in a side chain, for example, tetrafluoroethylene-perfluoro Alkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), chlorotrifluoroethylene polymer (PCTFE), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer ( THV) and the like. The number of crystalline fluororesins may be one, and may use 2 or more types together. As for the crystalline fluororesin, it is preferable that atoms other than carbon and fluorine are bonded to some carbon atoms, and more preferably contain a CH bond or a C-Cl bond, and tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-fluorinated more preferably comprising vinylidene copolymer (THV) or chlorotrifluoroethylene polymer (PCTFE), most preferably comprising tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer (THV) . The tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer (THV) is particularly excellent in adhesion to a substrate or an electronic device.

또한, 본 발명에서 이용되는 결정성 불소 수지는 실온(약 25℃)에서 결정성이다. 불소 수지가 결정성인지 비정성인지에 대해서는, 예를 들면 X선 회절 측정을 행함으로써 판단할 수 있다.In addition, the crystalline fluororesin used in the present invention is crystalline at room temperature (about 25°C). Whether the fluororesin is crystalline or amorphous can be determined, for example, by performing X-ray diffraction measurement.

상기 THV로서는, 테트라플루오로에틸렌 유래의 구성 단위 T, 헥사플루오로프로필렌 유래의 구성 단위 H, 및 불화 비닐리덴 유래의 구성 단위 V를 포함하고, 구성 단위 T, 구성 단위 H, 및 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 T의 몰비 (T)가 0.25 이상이며, 구성 단위 T, 구성 단위 H, 및 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 V의 몰비 (V)가 0.60 이하인 수지가 바람직하다.The THV includes a structural unit T derived from tetrafluoroethylene, a structural unit H derived from hexafluoropropylene, and a structural unit V derived from vinylidene fluoride, and a structural unit T, a structural unit H, and a structural unit V A resin having a molar ratio (T) of the structural unit T to the total of 0.25 or more and a molar ratio (V) of the structural unit V to the sum of the structural unit T, the structural unit H, and the structural unit V is 0.60 or less is preferable.

구성 단위 T, 구성 단위 H, 및 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 T의 몰비 (T)는 0.25 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라 밀착성이 향상되는 경향이 된다. 이 때문에 구성 단위 T의 몰비 (T)의 하한은, 보다 바람직하게는 0.28 이상, 더 바람직하게는 0.30 이상이다. 한편, 구성 단위 T의 몰비 (T)의 상한은, 투명성, 밀착성, 기포가 발생하기 어려운 관점에서 바람직하게는 0.75 이하, 보다 바람직하게는 0.60 이하, 더 바람직하게는 0.50 이하이며, 특히 바람직하게는 0.40 이하이다.It is preferable that the molar ratio (T) of structural unit T with respect to the sum total of structural unit T, structural unit H, and structural unit V is 0.25 or more. Thereby, it becomes the tendency for adhesiveness to improve. For this reason, the minimum of the molar ratio (T) of the structural unit T becomes like this. More preferably, it is 0.28 or more, More preferably, it is 0.30 or more. On the other hand, the upper limit of the molar ratio (T) of the structural unit T is preferably 0.75 or less, more preferably 0.60 or less, still more preferably 0.50 or less, and particularly preferably 0.40 or less.

구성 단위 T, 구성 단위 H, 및 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 V의 몰비 (V)는 0.60 이하인 것이 바람직하다. 이에 따라 밀착성이 향상되는 경향이 된다. 이 때문에 구성 단위 V의 몰비 (V)의 상한은, 바람직하게는 0.58 이하, 보다 바람직하게는 0.56 이하이다. 한편, 구성 단위 V의 몰비 (V)의 하한은, 바람직하게는 0.20 이상이며, 보다 바람직하게는 0.30 이상, 더 바람직하게는 0.40 이상, 보다 더 바람직하게는 0.50 이상이다.It is preferable that the molar ratio (V) of the structural unit V with respect to the sum total of the structural unit T, the structural unit H, and the structural unit V is 0.60 or less. Thereby, it becomes the tendency for adhesiveness to improve. For this reason, the upper limit of the molar ratio (V) of the structural unit V becomes like this. Preferably it is 0.58 or less, More preferably, it is 0.56 or less. On the other hand, the lower limit of the molar ratio (V) of the structural unit V is preferably 0.20 or more, more preferably 0.30 or more, still more preferably 0.40 or more, still more preferably 0.50 or more.

구성 단위 T, 구성 단위 H, 및 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 H의 몰비 (H)는 0.05 이상, 0.50 이하인 것이 바람직하다. 구성 단위 H의 몰비 (H)의 하한은 용해성의 관점에서, 보다 바람직하게는 0.07 이상, 더 바람직하게는 0.09 이상이다. 한편, 구성 단위 H의 몰비 (H)의 상한은, 내열성의 관점에서 보다 바람직하게는 0.40 이하, 더 바람직하게는 0.30 이하, 보다 더 바람직하게는 0.20 이하이며, 특히 바람직하게는 0.12 이하이다.It is preferable that the molar ratio (H) of the structural unit H with respect to the sum total of structural unit T, structural unit H, and structural unit V is 0.05 or more and 0.50 or less. From the viewpoint of solubility, the lower limit of the molar ratio (H) of the structural unit H is more preferably 0.07 or more, still more preferably 0.09 or more. On the other hand, from the viewpoint of heat resistance, the upper limit of the molar ratio (H) of the structural unit H is more preferably 0.40 or less, still more preferably 0.30 or less, still more preferably 0.20 or less, and particularly preferably 0.12 or less.

몰비 (V)의 몰비 (T)에 대한 비(몰비 (V)/몰비 (T))는, 0.20 이상, 3.50 이하인 것이 바람직하다. 몰비 (V)/몰비 (T)를 상기 범위로 제어함으로써, 밀착성이 향상되는 경향이 된다. 또한, 고온 가열 시의 수지의 착색을 방지할 수 있다. 몰비 (V)/몰비 (T)의 하한은, 보다 바람직하게는 0.50 이상, 더 바람직하게는 0.80 이상, 보다 더 바람직하게는 1.00 이상, 특히 바람직하게는 1.30 이상이다. 한편, 몰비 (V)/몰비 (T)의 상한은, 보다 바람직하게는 3.00 이하, 더 바람직하게는 2.50 이하, 보다 더 바람직하게는 2.00 이하이다.It is preferable that the ratio (molar ratio (V)/molar ratio (T)) of the molar ratio (V) to the molar ratio (T) is 0.20 or more and 3.50 or less. By controlling molar ratio (V)/molar ratio (T) to the said range, it becomes the tendency for adhesiveness to improve. Moreover, coloring of resin at the time of high temperature heating can be prevented. The lower limit of the molar ratio (V)/molar ratio (T) is more preferably 0.50 or more, still more preferably 0.80 or more, still more preferably 1.00 or more, and particularly preferably 1.30 or more. On the other hand, the upper limit of molar ratio (V)/molar ratio (T) becomes like this. More preferably, it is 3.00 or less, More preferably, it is 2.50 or less, More preferably, it is 2.00 or less.

몰비 (H)의 몰비 (T)에 대한 비(몰비 (H)/몰비 (T))는, 0.10 이상, 0.80 이하인 것이 바람직하다. 몰비 (H)/몰비 (T)를 상기 범위로 제어함으로써, 밀착성이 향상되는 경향이 된다. 몰비 (H)/몰비 (T)의 하한은, 보다 바람직하게는 0.20 이상, 더 바람직하게는 0.24 이상, 보다 더 바람직하게는 0.28 이상이다. 한편, 몰비 (H)/몰비 (T)의 상한은, 보다 바람직하게는 0.60 이하, 더 바람직하게는 0.50 이하, 보다 더 바람직하게는 0.40 이하이다.It is preferable that the ratio (molar ratio (H)/molar ratio (T)) of the molar ratio (H) to the molar ratio (T) is 0.10 or more and 0.80 or less. By controlling molar ratio (H)/molar ratio (T) in the said range, it becomes the tendency for adhesiveness to improve. The lower limit of the molar ratio (H)/molar ratio (T) is more preferably 0.20 or more, still more preferably 0.24 or more, still more preferably 0.28 or more. On the other hand, the upper limit of the molar ratio (H)/molar ratio (T) is more preferably 0.60 or less, still more preferably 0.50 or less, still more preferably 0.40 or less.

결정성 불소 수지의 각 구성 단위의 몰비는, 후기하는 실시예에 기재된 NMR 측정에 의해 구할 수 있다. 몰비의 산출에 있어서는, 예를 들면 Eric B. Twum et al., “Multidimensional 19F NMR Analyses of Terpolymers from Vinylidene Fluoride(VDF)-Hexafluoropropylene(HFP)-Tetrafluoroethylene(TFE)”, Macromolecules, 2015년, 48권, 11호, p.3563-3576을 참조할 수 있다.The molar ratio of each structural unit of the crystalline fluororesin can be determined by NMR measurement described in Examples below. For the calculation of the molar ratio, for example, Eric B. Twum et al., “Multidimensional 19F NMR Analysis of Terpolymers from Vinylidene Fluoride (VDF)-Hexafluoropropylene (HFP)-Tetrafluoroethylene (TFE)”, Macromolecules, 2015, Vol. 48, 11, p.3563-3576.

상기 결정성 불소 수지는, 테트라플루오로에틸렌 유래의 구성 단위 T, 헥사플루오로프로필렌 유래의 구성 단위 H, 및 불화 비닐리덴 유래의 구성 단위 V를 포함하는 것이 바람직하지만, 구성 단위 T, 구성 단위 H, 및 구성 단위 V 이외의 다른 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 다른 구성 단위로서는, 예를 들면 에틸렌 유래의 구성 단위, 퍼플루오로알킬비닐에테르 유래의 구성 단위, 클로로트리플루오로에틸렌 유래의 구성 단위 등을 들 수 있다.Although it is preferable that the said crystalline fluororesin contains the structural unit T derived from tetrafluoroethylene, the structural unit H derived from hexafluoropropylene, and the structural unit V derived from vinylidene fluoride, the structural unit T and the structural unit H , and other structural units other than the structural unit V may be included. As another structural unit, the structural unit derived from ethylene, the structural unit derived from perfluoroalkyl vinyl ether, the structural unit derived from chlorotrifluoroethylene, etc. are mentioned, for example.

상기 결정성 불소 수지의 전체 구성 단위에 대한 구성 단위 T, 구성 단위 H, 및 구성 단위 V의 합계 몰비는, 바람직하게는 0.70 이상, 보다 바람직하게는 0.80 이상, 더 바람직하게는 0.90 이상, 특히 바람직하게는 0.95 이상, 가장 바람직하게는 1이다. 즉 상기 결정성 불소 수지의 전구성 단위가 구성 단위 T, 구성 단위 H, 및 구성 단위 V로 이루어지는(변성되어 있지 않은 THV임) 것이 가장 바람직하다. 이에 따라 내열 변형성을 향상시키기 쉽게 할 수 있다.The total molar ratio of the structural unit T, the structural unit H, and the structural unit V to all the structural units of the crystalline fluororesin is preferably 0.70 or more, more preferably 0.80 or more, still more preferably 0.90 or more, particularly preferably preferably 0.95 or more, and most preferably 1. That is, it is most preferable that the precursor unit of the crystalline fluororesin consists of the structural unit T, the structural unit H, and the structural unit V (which is unmodified THV). Thereby, it can be made easy to improve heat-resistance deformability.

상기 결정성 불소 수지의 중량 평균 분자량은 50,000 이상, 1,000,000 이하인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량을 50,000 이상으로 함으로써 융해 시의 점도를 높게 할 수 있기 때문에, LED 점등 시의 밀봉 수지의 형상 변화를 억제할 수 있다. 상기 결정성 불소 수지의 중량 평균 분자량의 하한은, 보다 바람직하게는 100,000 이상, 더 바람직하게는 200,000 이상, 보다 더 바람직하게는 250,000 이상, 특히 바람직하게는 300,000 이상이다. 한편, 상기 결정성 불소 수지의 중량 평균 분자량을 1,000,000 이하로 함으로써 용해성이 좋아진다. 상기 결정성 불소 수지의 중량 평균 분자량의 상한은, 보다 바람직하게는 800,000 이하, 더 바람직하게는 500,000 이하, 보다 더 바람직하게는 450,000 이하, 특히 바람직하게는 400,000 이하이다. 또한, 중량 평균 분자량은 표준 폴리스티렌 환산값이다.It is preferable that the weight average molecular weights of the said crystalline fluororesin are 50,000 or more and 1,000,000 or less. Since the viscosity at the time of melting can be made high by making a weight average molecular weight into 50,000 or more, the shape change of the sealing resin at the time of LED lighting can be suppressed. The lower limit of the weight average molecular weight of the crystalline fluororesin is more preferably 100,000 or more, still more preferably 200,000 or more, still more preferably 250,000 or more, particularly preferably 300,000 or more. On the other hand, solubility improves by making the weight average molecular weight of the said crystalline fluororesin into 1,000,000 or less. The upper limit of the weight average molecular weight of the said crystalline fluororesin becomes like this. More preferably, it is 800,000 or less, More preferably, it is 500,000 or less, More preferably, it is 450,000 or less, Especially preferably, it is 400,000 or less. In addition, a weight average molecular weight is a standard polystyrene conversion value.

상기 결정성 불소 수지는, 랜덤 공중합체 또는 블록 공중합체 중 어느 것이어도 되지만, 랜덤 공중합체인 것이 바람직하다. 이에 따라, 구성 단위 T나 구성 단위 V의 결정화도를 억제 할 수 있어, 투명성을 확보하기 쉽다.The crystalline fluororesin may be either a random copolymer or a block copolymer, but is preferably a random copolymer. Thereby, the crystallinity of the structural unit T or the structural unit V can be suppressed, and transparency is easy to ensure.

상기 결정성 불소 수지의 굴절률은, 바람직하게는 1.34 초과, 보다 바람직하게는 1.35 이상, 더 바람직하게는 1.36 이상이다. 이에 따라, 후술하는 자외선 발광 소자와 밀봉부의 굴절률의 차를 작게 할 수 있고, 자외선 발광 소자와 밀봉부와의 계면에 있어서의 전반사를 저감하여, 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 광 취출 효율이란, 자외선 발광 소자에서 발생한 광이 자외선 발광 소자의 외부로 취출되는 효율을 말하는 것이다. 한편, 본 발명의 결정성 불소 수지의 굴절률의 상한은, 예를 들면 1.45 이하, 바람직하게는 1.40 이하여도 된다. 굴절률은, 카탈로그값이나 일반적인 물성표에 기재된 수치를 사용해도 되고, 시판의 아베 굴절률계 또는 엘립소미터 등에 의해 측정할 수 있다.The refractive index of the said crystalline fluororesin becomes like this. Preferably it is more than 1.34, More preferably, it is 1.35 or more, More preferably, it is 1.36 or more. Thereby, the difference in refractive index between the ultraviolet light emitting element and the sealing part described later can be reduced, total reflection at the interface between the ultraviolet light emitting element and the sealing part can be reduced, and the light extraction efficiency can be improved. In addition, the light extraction efficiency refers to the efficiency with which light generated from the ultraviolet light emitting element is extracted to the outside of the ultraviolet light emitting element. In addition, the upper limit of the refractive index of the crystalline fluororesin of this invention is 1.45 or less, for example, Preferably, 1.40 or less may be sufficient. The refractive index may use a numerical value described in a catalog value or a general physical property table, and can be measured with a commercially available Abbe refractometer or an ellipsometer.

상기 수지 조성물에 포함되는 수지의 총 질량(고형분) 100질량부에 대한 결정성 불소 수지의 함유량은, 50질량% 이상인 것이 바람직하고, 75질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 90질량% 이상인 것이 더 바람직하고, 99질량% 이상인 것이 특히 바람직하며, 100질량%인 것이 가장 바람직하다. 즉, 본 발명에서 이용되는 수지 조성물에 포함되는 수지는, 결정성 불소 수지만으로 이루어지는 것이 가장 바람직하다. 또한, 결정성 불소 수지가 2종 이상 포함되는 경우, 결정성 불소 수지의 함유량은, 결정성 불소 수지의 총 함유량을 가리킨다.The content of the crystalline fluororesin with respect to 100 parts by mass of the total mass (solid content) of the resin contained in the resin composition is preferably 50 mass % or more, more preferably 75 mass % or more, and still more preferably 90 mass % or more. and 99 mass % or more is especially preferable, and it is most preferable that it is 100 mass %. That is, it is most preferable that resin contained in the resin composition used by this invention consists only of a crystalline fluororesin. In addition, when 2 or more types of crystalline fluororesin are contained, content of a crystalline fluororesin refers to the total content of a crystalline fluororesin.

상기 결정성 불소 수지는, 융점이 90℃ 이상, 278℃ 이하인 것이 바람직하다. 융점이 90℃ 이상임으로써, 전자 소자의 발열에 의한 밀봉 부재의 용융을 방지할 수 있다. 결정성 불소 수지의 융점의 하한은, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 더 바람직하게는 110℃ 이상, 보다 더 바람직하게는 115℃ 이상이다. 한편, 융점이 278℃ 이하임으로써, 결정성 불소 수지의 가열 용융에 의한 전자 소자의 밀봉을 용이하게 할 수 있다. 또한 가열 용융으로 밀봉할 때의 범프의 용융을 방지할 수 있다. 결정성 불소 수지의 융점의 상한은, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더 바람직하게는 170℃ 이하, 보다 더 바람직하게는 150℃ 이하, 특히 바람직하게는 130℃ 이하이다. 본 발명에서 이용되는 결정성 불소 수지의 융점은 카탈로그값을 이용해도 되고, 또한 예를 들면 시차 주사 열량계(DSC, 주식회사히타치하이테크 사이언스제)를 이용하여, 승온 속도 10℃/분으로 -50℃에서 200℃의 온도까지 변화시키고, 이에 따라 얻어지는 융해 곡선으로부터 융해 피크 온도(Tm)를 측정함으로써 구할 수 있다. 또한, 본 발명에서 이용되는 결정성 불소 수지는, 실온에서 고체이며, 밀봉 후의 표면에 택성이 없고, 경도도 충분하며, 나아가서는 융점 이상으로의 가열에 의해 적당한 유동성을 발현할 수 있는 점에서, 단층이어도 전자 소자를 밀봉할 수 있다.It is preferable that melting|fusing point of the said crystalline fluororesin is 90 degreeC or more and 278 degrees C or less. When melting|fusing point is 90 degreeC or more, melting of the sealing member by heat_generation|fever of an electronic element can be prevented. The lower limit of melting|fusing point of a crystalline fluororesin becomes like this. More preferably, it is 100 degreeC or more, More preferably, it is 110 degreeC or more, More preferably, it is 115 degreeC or more. On the other hand, when melting|fusing point is 278 degrees C or less, sealing of the electronic element by heat melting of a crystalline fluororesin can be made easily. Moreover, melting of the bump at the time of sealing by heat melting can be prevented. The upper limit of melting|fusing point of a crystalline fluororesin becomes like this. More preferably, it is 200 degrees C or less, More preferably, it is 170 degrees C or less, More preferably, it is 150 degrees C or less, Especially preferably, it is 130 degrees C or less. For the melting point of the crystalline fluororesin used in the present invention, a catalog value may be used, for example, using a differential scanning calorimeter (DSC, manufactured by Hitachi High-Tech Sciences Co., Ltd.) at -50°C at a temperature increase rate of 10°C/min. It can be calculated|required by changing to the temperature of 200 degreeC, and measuring the melting peak temperature (Tm) from the melting curve obtained by this. In addition, the crystalline fluororesin used in the present invention is solid at room temperature, has no tackiness on the surface after sealing, has sufficient hardness, and can exhibit appropriate fluidity by heating above the melting point. Even a single layer can seal an electronic element.

상기 수지 조성물은 실질적으로 휘발 성분을 포함하지 않는다. 수지 조성물 중에 포함되는 휘발 성분이 5질량% 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3질량% 이하이며, 더 바람직하게는 1질량% 이하이다.The resin composition contains substantially no volatile components. It is preferable that the volatile component contained in a resin composition is 5 mass % or less, More preferably, it is 3 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less.

휘발 성분의 함유율은, 열 분석에 의해 측정할 수 있다. 수지 조성물 중에 포함되는 휘발 성분의 함유율은, 시차열 열중량 동시 측정 장치 등을 이용하여 측정할 수 있고, 수지 조성물을 승온하여, 30℃ 시점에서의 수지 조성물의 질량과 300℃ 시점에서의 수지 조성물과의 질량을 측정하고, 30℃ 시점에서의 수지 조성물의 질량과 300℃ 시점에서의 수지 조성물과의 질량차를 30℃ 시점에서의 수지 조성물의 질량으로 나눔으로써 구할 수 있다. 또한, 휘발 성분으로서, 물, 용매 등을 들 수 있지만, 휘발 성분을 특정하고 싶은 경우에는, 가스 질량 분석기를 병용하여 당해 휘발 성분을 분석하면 된다.The content rate of a volatile component can be measured by thermal analysis. The content rate of the volatile component contained in the resin composition can be measured using a differential thermal thermogravimetric simultaneous measurement apparatus etc., the resin composition is heated up, the mass of the resin composition at 30 degreeC time, and the resin composition at 300 degreeC time point It can measure and calculate|require by dividing the mass of the resin composition at the time of 30 degreeC, and the mass difference of the resin composition at the time of 300 degreeC by the mass of the resin composition at the time of 30 degreeC by measuring the mass of with. Moreover, although water, a solvent, etc. are mentioned as a volatile component, What is necessary is just to analyze the said volatile component using a gas mass spectrometer together when you want to specify a volatile component.

본 발명의 전자 부품에서는, 실질적으로 필러를 포함하지 않는 수지 조성물을 이용함으로써, 배선 기재에 장착된 전자 소자를 덮는 수지 조성물의 두께(이하, 간단히 「수지 조성물의 두께」라고 함)를 두껍게 할 수 있다. 필러를 실질적으로 포함하지 않는 점에서, 필러를 포함하는 경우와 비교해 투명성을 유지할 수 있어, 렌즈의 집광성을 높일 수 있다. 또한, 수지 조성물의 두께가 두꺼워지면, 가스 배리어성이나 외부로부터의 역학적인 충격에 대한 전자 소자의 보호 성능이 향상된다. 여기서, 실질적으로 필러를 포함하지 않는다란, 수지 조성물 중에 포함되는 필러 농도가, 5질량% 이하, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더 바람직하게는 0질량%이다.In the electronic component of the present invention, the thickness of the resin composition covering the electronic device mounted on the wiring substrate (hereinafter simply referred to as “thickness of the resin composition”) can be increased by using the resin composition substantially free of fillers. have. Since it does not contain a filler substantially, compared with the case where a filler is included, transparency can be maintained and the light condensing property of a lens can be improved. Moreover, when the thickness of a resin composition becomes thick, the protective performance of the electronic element with respect to gas barrier property and a mechanical impact from the outside will improve. Here, substantially free of a filler means that the filler concentration contained in the resin composition is 5 mass% or less, preferably 3 mass% or less, more preferably 1 mass% or less, still more preferably 0 mass%. .

본 발명의 수지 조성물은, 투명성이 우수하고, 특히 자외 영역의 투과율이 높은 것이 바람직하다. 예를 들면, 두께 1.5㎜의 수지 조성물에 있어서의 파장 265㎚의 광의 투과율은 50% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 55% 이상, 더 바람직하게는 60% 이상, 특히 바람직하게는 65% 이상이다. 밀봉 후의 수지 조성물에 대해서도, 밀봉된 두께에서의 투과율이 상기 범위인 것이 바람직하다.It is preferable that the resin composition of this invention is excellent in transparency, and it is especially high in the transmittance|permeability of an ultraviolet region. For example, it is preferable that the transmittance|permeability of the light of wavelength 265nm in the resin composition of thickness 1.5mm is 50 % or more, More preferably, it is 55 % or more, More preferably, it is 60 % or more, Especially preferably, it is 65 % or more. to be. Also about the resin composition after sealing, it is preferable that the transmittance|permeability in sealed thickness is the said range.

한편, 수지 조성물은, 필요에 따라, 필러를 함유하고 있어도 된다. 필러에 의해 결정성 불소 수지의 열분해를 방지할 수 있다. 필러로서는, 예를 들면, 금속, 금속 불화물, 금속 산화물, 금속 인산염, 금속 탄산염, 금속 술폰산염, 금속 질산염, 금속 질화물, 질화 붕소 등의 무기 필러를 들 수 있다. 필러는, 1종으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 바람직한 필러는, 금속 불화물이다. 금속 불화물은, 결정성 불소 수지와의 굴절률차가 작아, 발광 소자를 밀봉할 때에, 광의 취출 효율을 높일 수 있다.In addition, the resin composition may contain the filler as needed. The filler can prevent thermal decomposition of the crystalline fluororesin. Examples of the filler include inorganic fillers such as metal, metal fluoride, metal oxide, metal phosphate, metal carbonate, metal sulfonate, metal nitrate, metal nitride, and boron nitride. A filler may be used by 1 type, and may use 2 or more types together. A preferable filler is a metal fluoride. The metal fluoride has a small refractive index difference with the crystalline fluororesin, and when sealing the light emitting element, light extraction efficiency can be improved.

금속 불화물로서는, 불화 칼슘, 불화 바륨, 불화 스트론튬, 불화 리튬, 불화 마그네슘, 불화 나트륨, 빙정석 등을 들 수 있고, 불화 마그네슘이 바람직하다. 이들 금속 불화물은 1종으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Calcium fluoride, barium fluoride, strontium fluoride, lithium fluoride, magnesium fluoride, sodium fluoride, cryolite etc. are mentioned as a metal fluoride, Magnesium fluoride is preferable. These metal fluorides may be used by 1 type, and may use 2 or more types together.

무기 필러의 입경은 500㎛ 이하인 것이 바람직하다. 무기 필러가 300㎛ 이하임으로써 결정성 불소 수지의 온도 상승에 따른 열분해를 저감할 수 있다. 한편, 무기 필러의 입경은 0.5㎛ 이상인 것이 바람직하다. 무기 필러의 입경을 0.5㎛ 이상으로 함으로써 결정성 불소 수지와 무기 필러 사이에서의 광의 산란을 억제할 수 있어, 결정성 불소 수지의 투명성이 우수하다. 이 무기 필러의 입경이란, 레이저 회절법에 의한 체적 누적 빈도 50%의 입자경 D50이다.It is preferable that the particle diameter of an inorganic filler is 500 micrometers or less. When the inorganic filler is 300 µm or less, thermal decomposition accompanying a temperature rise of the crystalline fluororesin can be reduced. On the other hand, it is preferable that the particle diameter of an inorganic filler is 0.5 micrometer or more. When the particle size of the inorganic filler is 0.5 µm or more, scattering of light between the crystalline fluororesin and the inorganic filler can be suppressed, and the transparency of the crystalline fluororesin is excellent. Particle size of the inorganic filler is a particle diameter D 50 of volume cumulative frequency 50% by the laser diffraction method.

결정성 불소 수지와 무기 필러와의 굴절률의 차는, 0.05 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이 굴절률의 차를 저감함으로써, 무기 필러의 표면(조성물 중에 있어서의, 무기 필러의 표면과 결정성 불소 수지와의 계면)에서의 광의 산란을 억제할 수 있기 때문에, 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 결정성 불소 수지와 무기 필러와의 굴절률의 차는, 보다 바람직하게는 0.04 이하, 더 바람직하게는 0.03 이하인 것이 보다 더 바람직하다. 한편, 결정성 불소 수지와 무기 필러와의 굴절률의 차의 하한은 특별히 한정되지 않지만 예를 들면 0.001 이상이어도 된다. 무기 필러의 굴절률은, 카탈로그값이나 일반적인 물성표에 기재된 수치를 사용해도 되고, 아베 굴절률계, 엘립소미터 등에 의해 측정할 수 있다.It is preferable that the difference of the refractive index of a crystalline fluororesin and an inorganic filler is 0.05 or less. By reducing the difference in refractive index in this way, light scattering on the surface of the inorganic filler (the interface between the surface of the inorganic filler and the crystalline fluororesin in the composition) can be suppressed, so that the light extraction efficiency can be improved. have. The difference in refractive index between the crystalline fluororesin and the inorganic filler is more preferably 0.04 or less, still more preferably 0.03 or less. In addition, although the minimum of the difference of the refractive index of a crystalline fluororesin and an inorganic filler is not specifically limited, 0.001 or more may be sufficient, for example. The refractive index of the inorganic filler may be a catalog value or a numerical value described in a general physical property table, and can be measured with an Abbe refractometer, an ellipsometer, or the like.

수지 조성물이 필러를 함유하는 경우, 결정성 불소 수지 및 필러의 합계 100질량부에 대한 필러의 양은 1질량부 이상, 60질량부 이하인 것이 바람직하다. 필러의 양이 1질량부 이상임으로써, 결정성 불소 수지의 열분해를 방지하기 쉽게 할 수 있다. 필러량의 하한은, 보다 바람직하게는 10질량부 이상, 더 바람직하게는 15질량부 이상이다. 한편, 필러의 양이 60질량부 이하임으로써, 결정성 불소 수지의 밀착성이 발휘되기 쉬워진다. 필러의 양의 상한은, 보다 바람직하게는 50질량부 이하, 더 바람직하게는 45질량부 이하이다.When a resin composition contains a filler, it is preferable that the quantity of the filler with respect to a total of 100 mass parts of a crystalline fluororesin and a filler is 1 mass part or more and 60 mass parts or less. When the amount of the filler is 1 part by mass or more, thermal decomposition of the crystalline fluororesin can be easily prevented. The lower limit of the amount of filler is more preferably 10 parts by mass or more, still more preferably 15 parts by mass or more. On the other hand, when the amount of the filler is 60 parts by mass or less, the adhesiveness of the crystalline fluororesin is easily exhibited. The upper limit of the quantity of a filler becomes like this. More preferably, it is 50 mass parts or less, More preferably, it is 45 mass parts or less.

필러를 함유하는 수지 조성물은, 결정성 불소 수지와 필러를 혼합함으로써 조제할 수 있다. 조정 방법으로서는, 용융 상태의 결정성 불소 수지와 필러를 혼합하여 냉각하는 방법, 결정성 불소 수지를 용해 또는 분산하는 용매의 존재하에서 무기 필러와 혼합하는 방법, 상기 용매 존재하에서의 혼합 후, 용매를, 여과, 농축 등에 의해 제거하는 방법 등을 들 수 있다.The resin composition containing a filler can be prepared by mixing a crystalline fluororesin and a filler. As the adjustment method, a method of mixing and cooling a crystalline fluororesin in a molten state and a filler, a method of mixing with an inorganic filler in the presence of a solvent for dissolving or dispersing the crystalline fluororesin, a method of mixing in the presence of the solvent, the solvent, The method of removing by filtration, concentration, etc. are mentioned.

용매로서는, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 프로필, 아세트산 부틸, 프로피온산 에틸, 글리콜에테르에 아세트산기를 부가한 글리콜에스테르 등의 에스테르계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 디에틸에테르, 디프로필에테르, 부틸에테르, 글리콜에테르, 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용매; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디부틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드계 용매; N-메틸-2-피롤리돈 등의 락탐계 용매; 등을 들 수 있다. 이 중 에스테르계 용매, 케톤계 용매, 에테르계 용매가 바람직하고, 에스테르계 용매가 보다 바람직하다. 이들 유기 용매는 1종으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the solvent include ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl propionate, and glycol ester obtained by adding an acetic acid group to glycol ether; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, butyl ether, glycol ether and tetrahydrofuran; amide solvents such as N,N-dimethylformamide, N,N-dibutylformamide, and N,N-dimethylacetamide; lactam solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone; and the like. Among these, an ester solvent, a ketone solvent, and an ether solvent are preferable, and an ester solvent is more preferable. These organic solvents may be used by 1 type, and may use 2 or more types together.

혼합에 용매를 이용하는 경우, 결정성 불소 수지 100질량부에 대한 용매의 양은, 바람직하게는 100질량부 이상, 5000질량부 이하이다. 100질량부 이상임으로써 결정성 불소 수지를 용해 또는 분산시키기 쉽게 할 수 있다. 용매의 양은, 보다 바람직하게는 200질량부 이상, 더 바람직하게는 400질량부 이상, 보다 더 바람직하게는 600질량부 이상이다. 한편, 5000질량부 이하임으로써, 자외선 발광 장치를 밀봉하는데 있어서의 도포 횟수를 줄일 수 있다. 용매의 양은, 보다 바람직하게는 2000질량부 이하, 더 바람직하게는 1200부질량 이하, 보다 더 바람직하게는 1000질량부 이하이다.When using a solvent for mixing, the quantity of the solvent with respect to 100 mass parts of crystalline fluororesin becomes like this. Preferably they are 100 mass parts or more and 5000 mass parts or less. When it is 100 mass parts or more, it can be made easy to melt|dissolve or disperse|distribute a crystalline fluororesin. The quantity of a solvent becomes like this. More preferably, it is 200 mass parts or more, More preferably, it is 400 mass parts or more, More preferably, it is 600 mass parts or more. On the other hand, when it is 5000 mass parts or less, the number of times of application|coating in sealing an ultraviolet light emitting device can be reduced. The quantity of a solvent becomes like this. More preferably, it is 2000 mass parts or less, More preferably, it is 1200 parts mass or less, More preferably, it is 1000 mass parts or less.

혼합에 용매를 이용하는 경우에는, 혼합 후에 용매를 제거한다. 용매를 제거하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 열을 가하는 방법, 감압으로 하는 방법, 및 그들을 조합한 방법이 바람직하다. 제거 후의 용매의 잔존량은, 수지 조성물에 대하여, 5질량% 이하, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 더 바람직하게는 0.5질량% 이하, 보다 더 바람직하게는 0.1질량% 이하이다.When a solvent is used for mixing, the solvent is removed after mixing. Although the method of removing a solvent is not specifically limited, The method of applying heat, the method of setting it as reduced pressure, and the method of combining them are preferable. The residual amount of the solvent after removal is 5 mass % or less with respect to the resin composition, Preferably it is 3 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less, More preferably, it is 0.5 mass % or less, More preferably, 0.1 mass% or less.

결정성 불소 수지에 THV 또는 그 변성물을 이용하는 바람직한 형태에 있어서, 수지 조성물은 그 밖에, 다른 불소 수지, 첨가제 등을 함유하고 있어도 된다.In a preferred embodiment in which THV or a modified product thereof is used for the crystalline fluororesin, the resin composition may contain other fluororesins, additives, and the like.

다른 불소 수지로서, 바람직하게는 결정성 불소 수지를 들 수 있고, 구체적으로는, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체(FEP), 클로로트리플루오로에틸렌 중합체(PCTFE) 등을 들 수 있다. 이들 다른 불소 수지는, 1종으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.As another fluororesin, Preferably, a crystalline fluororesin is mentioned, Specifically, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer ( FEP), a chlorotrifluoroethylene polymer (PCTFE), etc. are mentioned. These other fluororesins may be used by 1 type, and may use 2 or more types together.

THV 100질량부에 대한 다른 불소 수지의 양은, 바람직하게는 10질량부 이하, 보다 바람직하게는 5질량부 이하, 더 바람직하게는 2질량부 이하, 특히 바람직하게는 1질량부 이하, 가장 바람직하게는 0질량부이다. 즉, 본 발명의 수지 조성물에 포함되는 불소 수지는, THV로 이루어지는 것이 가장 바람직하다. 이에 따라 수지간의 굴절률차가 저감되어 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다.The amount of the other fluororesin relative to 100 parts by mass of THV is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 5 parts by mass or less, still more preferably 2 parts by mass or less, particularly preferably 1 part by mass or less, most preferably is 0 parts by mass. That is, it is most preferable that the fluororesin contained in the resin composition of this invention consists of THV. Accordingly, the difference in refractive index between the resins is reduced, so that the light extraction efficiency can be improved.

수지 조성물(고형분)의 총 질량에 대한 전체 불소 수지(THV와 다른 불소 수지의 합계), 및 무기 필러의 합계 함량은 90질량% 이상인 것이 바람직하고, 95질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 97질량% 이상인 것이 보다 더 바람직하고, 99질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 이에 따라, 불소 수지의 밀착성과 무기 필러의 열전도성이 발휘되기 쉬워진다.The total content of the total fluororesin (the sum of THV and other fluororesins) and the inorganic filler with respect to the total mass of the resin composition (solid content) is preferably 90% by mass or more, more preferably 95% by mass or more, and 97% by mass It is more preferable that it is more than it, and it is especially preferable that it is 99 mass % or more. Thereby, the adhesiveness of a fluororesin and the thermal conductivity of an inorganic filler become easy to exhibit.

(4) 밀봉(4) sealing

본 발명에서는, 상기 서술한 바와 같이, 배선 기재(패키지라고도 함)에 장착된 전자 소자의 상방에 상기 수지 조성물을 설치하고, 그 후, 수지 조성물을 융점 이상으로 가열함으로써, 상기 전자 소자를 상기 수지 조성물로 덮어 전자 소자를 밀봉한다. 수지 조성물에 의한 밀봉에 의해, 외부의 산소나 수분으로부터 전자 소자를 차단할 수 있다. 도 4는, 도 2의 자외선 발광 소자(2)를 밀봉하여 전자 부품으로 한 예를 나타내는 개략 단면도이며, 도 3은 도 2의 전자 소자 실장 패키지를 밀봉하여 도 4의 전자 부품을 제조하는 밀봉 공정의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.In the present invention, as described above, the resin composition is provided above the electronic element mounted on a wiring substrate (also referred to as a package), and then the resin composition is heated to a melting point or higher to thereby convert the electronic element to the resin. The electronic device is sealed by covering it with the composition. By sealing with a resin composition, an electronic element can be interrupted|blocked from external oxygen and moisture. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example in which the ultraviolet light emitting device 2 of FIG. 2 is sealed to form an electronic component, and FIG. 3 is a sealing process of manufacturing the electronic component of FIG. 4 by sealing the electronic device mounting package of FIG. It is a schematic sectional drawing which shows an example of .

도 4의 전자 부품(1a)에서는, 도 2에 나타낸 자외선 발광 소자 실장 패키지(6)의 자외선 발광 소자(2)의 하면(전극(10, 11))에서부터 상면(소자 기판(15))까지가 수지 조성물로 피복된 밀봉부(3a)가 형성되어 있으며, 이 전자 부품(1a)은, 상기 서술한 바와 같이, 도 3에서 나타내는 밀봉 공정을 거쳐 제조된다.In the electronic component 1a of FIG. 4, from the lower surface (electrodes 10, 11) to the upper surface (element substrate 15) of the ultraviolet light emitting element 2 of the ultraviolet light emitting element mounting package 6 shown in FIG. The sealing part 3a coat|covered with the resin composition is formed, and this electronic component 1a is manufactured through the sealing process shown in FIG. 3 as mentioned above.

도 3은, 도 2의 전자 소자실장 패키지의 상면에 수지 시트(3')를 배치한 상태를 나타낸다. 수지 시트(3')는, 상기 서술한 수지 조성물을 미리 시트상(狀)으로 성형함으로써 제조된다. 수지 시트(3')의 성형 방법은 공지의 다양한 성형 방법을 채용할 수 있고, 프레스 성형법, 압출 성형법, 사출 성형법, 블로우 성형법, 코팅법 등의, 용융 불소 수지 또는 용해 불소 수지를 이용하는 성형 방법을 채용할 수 있다. 얻어진 수지 시트(3')를, 도 3에 나타내는 바와 같이, 자외선 발광 소자(2)의 상방에 설치한다. 이어서, 수지 시트(3')를 융점 이상으로 가열함으로써, 수지 시트(3')(수지 조성물)가 용융되어, 자중(自重)에 의해 수하(垂下)된다. 그리고 수하된 수지 조성물이 자외선 발광 소자(2) 전체를 덮어(밀봉부(3a)를 형성하고), 자외선 발광 소자(2)를 밀봉할 수 있다. 마지막으로 전자 부품(1a)을 냉각하여, 자외선 발광 소자(2) 전체를 덮고 있는 수지 조성물을 고화(固化)한다.FIG. 3 shows a state in which the resin sheet 3' is disposed on the upper surface of the electronic device mounting package of FIG. 2 . The resin sheet 3' is manufactured by shape|molding the above-mentioned resin composition into sheet shape beforehand. As the molding method of the resin sheet 3', various known molding methods can be adopted, and molding methods using a molten fluororesin or a dissolved fluororesin, such as a press molding method, an extrusion molding method, an injection molding method, a blow molding method, a coating method, etc. can be hired The obtained resin sheet 3' is provided above the ultraviolet light emitting element 2, as shown in FIG. Next, by heating the resin sheet 3' to a melting point or higher, the resin sheet 3' (resin composition) is melted and dropped under its own weight. Then, the dropped resin composition covers the entirety of the ultraviolet light emitting element 2 (to form the sealing portion 3a), so that the ultraviolet light emitting element 2 can be sealed. Finally, the electronic component 1a is cooled to solidify the resin composition covering the entire ultraviolet light emitting element 2 .

또한, 수지 조성물에 의한 밀봉은, 상기 서술한 바와 같이 수지 시트를 이용하는 것이 바람직하지만, 수지 시트의 사용은 필수는 아니다. 예를 들면, 분말상의 수지 조성물을 전자 소자의 상면에 산포하고 나서 수지 조성물의 융점 이상으로 가열함으로써도, 마찬가지로 밀봉 가능하다.In addition, although it is preferable to use a resin sheet as above-mentioned for sealing by a resin composition, use of a resin sheet is not essential. For example, sealing is possible similarly also by heating more than melting|fusing point of a resin composition after spread|dispersing a powdery resin composition on the upper surface of an electronic element.

시트상, 분말상 등의 수지 조성물의 가열은, 대기 중 등의 산소 함유 분위기하에서 행해도 되지만, 질소 분위기 중, 아르곤 분위기 중 등의 불활성 가스 분위기하에서 행하는 것이 바람직하다. 또한 수지 조성물의 가열은, 대기압하에서 행해도 되지만, 진공 중 등의 감압하에서 행하는 것도 바람직하다. 감압하에서 소정의 수지 조성물을 가열하면, 밀봉 후의 수지 조성물 중에 잔존하는 기포가 저감되어 투명성이 향상된다.Although heating of the resin composition, such as a sheet form and powder form, may be performed in oxygen containing atmosphere, such as air|atmosphere, it is preferable to perform in inert gas atmosphere, such as in nitrogen atmosphere and argon atmosphere. In addition, although heating of a resin composition may be performed under atmospheric pressure, it is also preferable to perform under reduced pressure, such as in a vacuum. When a predetermined resin composition is heated under reduced pressure, the bubbles remaining in the resin composition after sealing are reduced and transparency is improved.

수지 조성물(분말, 수지 시트 등)의 가열 온도는, 수지 조성물의 융점 +10℃ 이상이 바람직하고, 융점 +20℃ 이상이 보다 바람직하다. 가열 온도의 상한은, 예를 들면, 278℃ 이하이며, 보다 바람직하게는 250℃ 이하이고, 보다 더 바람직하게는 200℃ 이하이며, 특히 바람직하게는 150℃ 이하이다.+10 degreeC or more of melting|fusing point of a resin composition is preferable, and, as for the heating temperature of a resin composition (powder, resin sheet, etc.), melting|fusing point +20 degreeC or more is more preferable. The upper limit of heating temperature is, for example, 278 degrees C or less, More preferably, it is 250 degrees C or less, More preferably, it is 200 degrees C or less, Especially preferably, it is 150 degrees C or less.

수지 조성물(분말, 수지 시트 등)의 가열 시간은, 10분간 이상 20시간 이하인 것이 바람직하고, 30분간 이상 10시간 이하인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that they are 10 minutes or more and 20 hours or less, and, as for the heating time of a resin composition (powder, resin sheet, etc.), it is more preferable that they are 30 minutes or more and 10 hours or less.

실질적으로 필러를 포함하지 않는 수지 조성물을 이용함으로써, 수지 조성물의 두께를 0.5㎜ 이상으로 할 수 있다. 수지 조성물의 두께는 0.5㎜ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.7㎜ 이상, 더 바람직하게는 0.8㎜ 이상, 특히 바람직하게는 1.0㎜ 이상이다. 여기서 말하는 두께란, 도 4에서 나타내는 바와 같이, 전자 소자가 설치되어 있는 패키지의 바닥면으로부터 수지 조성물의 최대 높이까지의 거리(도 4에 있어서의 T1)의 것을 말한다. 수지 조성물의 두께는, 예를 들면 실시예에 기재와 같이, 밀봉 후의 전자 부품의 측면 투영상을 광학 현미경으로 관찰하여 구할 수 있다. 수지 조성물의 두께가 0.5㎜ 이상인 경우, 이용되는 수지 조성물은, 결정성 불소 수지를 포함하고, 또한, 실질적으로 휘발 성분 및 필러를 포함하지 않는 것이 보다 바람직하다.By using the resin composition which does not contain a filler substantially, the thickness of a resin composition can be made into 0.5 mm or more. It is preferable that the thickness of a resin composition is 0.5 mm or more, More preferably, it is 0.7 mm or more, More preferably, it is 0.8 mm or more, Especially preferably, it is 1.0 mm or more. The thickness here means the thing of the distance (T1 in FIG. 4) from the bottom surface of the package in which the electronic element is provided to the maximum height of a resin composition, as shown in FIG. The thickness of the resin composition can be calculated|required by observing the side projection image of the electronic component after sealing with an optical microscope like description in an Example, for example. When the thickness of a resin composition is 0.5 mm or more, it is more preferable that the resin composition used contains a crystalline fluororesin, and does not contain a volatile component and a filler substantially.

자외선 발광 소자를 가지는 전자 부품에서는, 수지 조성물이 자외선 발광 소자를 밀봉하고 있는 한, 밀봉부는 다양한 형상을 취할 수 있고, 예를 들면, 렌즈 형상, 판 형상, 원추대 형상, 원기둥 형상, 반구 형상, 반타원구 형상 등의 형상을 들 수 있지만, 자외선 발광 소자의 상면을 렌즈 형상으로서(자외선 발광 소자의 상면을 볼록 형상의 곡면으로서) 집광 렌즈로서 사용하는 것이 바람직하다. 도 4의 전자 부품(1a)은, 수지 조성물에 의한 밀봉부(3a) 자체가 상면으로 부풀어 올라 볼록 형상의 곡면을 형성하고 있는 예이다. 이 때문에, 밀봉 공정(도 3)에서는, 충분량의 체적의 수지 시트(3') 또는 수지 분말을 이용하여, 용융 시의 표면 장력으로 볼록 형상의 집광 렌즈가 형성되도록 하고 있다.In an electronic component having an ultraviolet light emitting element, as long as the resin composition encapsulates the ultraviolet light emitting element, the sealing portion can take various shapes, for example, a lens shape, a plate shape, a truncated cone shape, a cylindrical shape, a hemispherical shape, and a semi-spherical shape. Although shapes, such as an ellipsoidal shape, are mentioned, It is preferable to use the upper surface of an ultraviolet light emitting element as a lens shape (the upper surface of an ultraviolet light emitting element as a convex curved surface) as a condensing lens. The electronic component 1a of FIG. 4 is an example in which the sealing part 3a itself by the resin composition swells to an upper surface, and forms the convex curved surface. For this reason, in the sealing process (FIG. 3), a convex-shaped condensing lens is formed by the surface tension at the time of melting using the resin sheet 3' or resin powder of a sufficient volume volume.

또한 도 6의 전자 부품(1c)은, 밀봉부(3b)가 판 형상이 된 예이다. 이 전자 부품(1c)은, 뱅크 내의 용적과 대략 동등한 체적의 수지 시트(3') 또는 수지 분말을 이용하여 용융 밀봉함으로써 형성할 수 있다. 도 6과 같이, 밀봉부(3b)의 상면이 볼록 형상의 곡면을 가지지 않는 경우, 예를 들면, 도 5의 전자 부품(1b)과 같이, 밀봉부(3b)의 상부에, 볼록 형상의 곡면을 가지는 집광 렌즈 부품(7)을 적층해도 된다. 또한 도면에는 나타내지 않지만, 칩 온 보드형의 배선 기재에 전자 소자를 실장하고, 또한 밀봉해도 된다.In addition, the electronic component 1c of FIG. 6 is an example in which the sealing part 3b became plate shape. This electronic component 1c can be formed by melt-sealing using the resin sheet 3' or resin powder of the volume substantially equal to the volume in a bank. 6, when the upper surface of the sealing part 3b does not have a convex curved surface, for example, like the electronic component 1b of FIG. 5, on the upper part of the sealing part 3b, a convex curved surface You may laminate|stack the condensing lens component 7 which has In addition, although not shown in a figure, you may mount an electronic element on the wiring base material of a chip-on-board type, and you may further seal.

도 4~도 6에서는, 1개의 패키지에 있어서 자외선 발광 소자 전체를 덮도록 수지 조성물을 밀봉하는 예를 들었지만, 예를 들면, 복수 개의 패키지를 나열하여 설치하고, 복수 개의 패키지를 덮도록 1매의 수지 시트를 배치하며, 도 4에서의 제조 공정과 마찬가지로 수지 시트를 융점 이상으로 가열하여 용융함으로써, 복수 개의 자외선 발광 소자를 동시에 수지 조성물로 덮을 수 있다. 그 후, 도 4에서의 제조 공정과 마찬가지로 수지 조성물을 냉각하여 고화한다. 이 시점에서는 각 패키지끼리는 덮인 수지 조성물에 의해 연결된 상태로 되어 있지만, 패키지끼리를 연결하고 있는 수지 조성물을 커터 등으로 절단함으로써 연결되어 있는 패키지를 분리할 수 있다.In Figs. 4 to 6, an example of sealing the resin composition so as to cover the entire ultraviolet light emitting element in one package is given. By disposing a resin sheet and melting the resin sheet by heating it to a melting point or higher in the same manner as in the manufacturing process in FIG. 4 , a plurality of ultraviolet light emitting elements can be simultaneously covered with the resin composition. Then, similarly to the manufacturing process in FIG. 4, the resin composition is cooled and solidified. At this point in time, each package is in a state connected by the covered resin composition, but the connected packages can be separated by cutting the resin composition connecting the packages with a cutter or the like.

(5) 방사선 조사(5) Irradiation

결정성 불소 수지를 포함하는 수지 조성물로 밀봉하면, 밀봉 후의 내열 변형성이 불충분한 경우가 있다. 그 때문에, 수지 조성물로 밀봉한 후에는, 당해 수지 조성물에 방사선을 조사하는 것이 바람직하다. 결정성 불소 수지를 포함하는 수지 조성물에 방사선을 조사하면, 수지 조성물 표면(밀봉부 표면)을 경화할 수 있어, 전자 소자로부터의 발열이 커도 밀봉부의 열 변형을 억제할 수 있다. 이 때문에, 예를 들면, 전자 소자로서 발광 소자를 이용한 경우, 광의 배향이 변화되지 않아, 장기간에 걸쳐 동등한 광을 취출할 수 있다.When sealing with the resin composition containing a crystalline fluororesin, the heat deformation resistance after sealing may be inadequate. Therefore, after sealing with a resin composition, it is preferable to irradiate the said resin composition with radiation. When a resin composition containing a crystalline fluororesin is irradiated with radiation, the surface of the resin composition (the surface of the sealing portion) can be cured, and even if heat from the electronic device is large, thermal deformation of the sealing portion can be suppressed. For this reason, for example, when a light emitting element is used as an electronic element, the orientation of light does not change, but equivalent light can be extracted over a long period of time.

방사선으로서는, 자외선, X선, γ선, 전자선, 이온빔 등을 들 수 있고, 전자선이 바람직하다. 전자선은 경화 깊이의 제어에 우수하며, 밀봉부 전체의 특성에 악영향을 주지 않고, 내열 변형성을 높이는 것이 용이해진다.Examples of the radiation include ultraviolet rays, X-rays, γ-rays, electron beams, and ion beams, and electron beams are preferable. An electron beam is excellent in control of the hardening depth, and it becomes easy to improve heat-resistance deformation|transformation resistance without adversely affecting the characteristics of the whole sealing part.

(6) 집광 렌즈(6) condensing lens

본 발명의 제조 방법으로 제조된 전자 부품은, 도 4, 도 6과 같이 집광 렌즈를 가지고 있어도 되고, 집광 렌즈를 가지는 경우, 도 6에 나타내는 바와 같이 집광 렌즈 부품(7)을 장착해도 된다. 집광 렌즈 부품(7)은, 예를 들면, 실리카 유리, 붕규산 유리 등으로 구성되어 있다.The electronic component manufactured by the manufacturing method of this invention may have a condensing lens as shown in FIGS. 4 and 6, and when it has a condensing lens, it may attach the condensing lens component 7 as shown in FIG. The condensing lens component 7 is made of, for example, silica glass, borosilicate glass, or the like.

(7) 전자 부품(7) Electronic components

본 발명의 제조 방법으로 제조된 전자 부품으로서는, 발광 소자를 구비한 전자 부품이 바람직하고, 자외선 발광 소자를 구비한 전자 부품이 보다 바람직하다. 자외선 발광 소자를 구비한 전자 부품은, 예를 들면, 분석 기기, 광 촉매 장치, 광 치료 장치, 지폐 감정 장치, 공기/물 살균 정화 장치, UV 수지 경화 장치 등에 이용할 수 있다.As an electronic component manufactured by the manufacturing method of this invention, the electronic component provided with a light emitting element is preferable, and the electronic component provided with an ultraviolet light emitting element is more preferable. The electronic component provided with the ultraviolet light emitting element can be utilized, for example, an analysis device, a photocatalyst device, a phototherapy device, a banknote appraisal device, an air/water sterilization purification device, a UV resin curing device, etc.

실시예Example

이하, 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 말할 것도 없이 하기 실시예에 의해 제한을 받는 것은 아니고, 전·후기의 취지에 적합할 수 있는 범위에서 적당히 변경을 더해 실시하는 것도 물론 가능하며, 그들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited by the following examples, needless to say, and is carried out with appropriate changes within a range that can be suitable for the gist of the preceding and latter period. It is of course also possible, and they are all included in the technical scope of the present invention.

(1) 불소 수지의 조성(1) Composition of fluororesin

이하의 실시예 1, 3, 및 4에서는, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체(THV)를 이용했다. THV에 있어서의 테트라플루오로에틸렌 유래의 구성 단위 T, 헥사플루오로프로필렌 유래의 구성 단위 H, 및 불화 비닐리덴 유래의 구성 단위 V, 각각의 몰비를 이하의 NMR 측정에 의해 구했다.In Examples 1, 3, and 4 below, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer (THV) was used. The structural unit T derived from tetrafluoroethylene, the structural unit H derived from hexafluoropropylene, and the structural unit V derived from vinylidene fluoride in THV, each molar ratio was calculated|required by the following NMR measurement.

측정 장치: JEOL ECZ-400Measuring device: JEOL ECZ-400

시료: 약 60mg/0.8ml ACT-d6Sample: About 60mg/0.8ml ACT-d6

IS: 4-클로로벤조트리플루오라이드 0.01mLIS: 0.01 mL of 4-chlorobenzotrifluoride

측정 모드: 1H, 19FMeasuring mode: 1 H, 19 F

완화 시간: 1H 30초, 19F 20초Relief Time: 1 H 30 sec, 19 F 20 sec

구성 단위 H의 유닛수: 19F-NMR에 있어서의 CF3의 적분비를 3으로 나누어 산출(CF3 적분비/3)The number of units of the structural unit H: 19 Calculated by dividing the integral ratio of CF 3 in F-NMR by 3 (CF 3 integral ratio/3)

구성 단위 V의 유닛수: 1H-NMR에 있어서의 CH2의 적분비를 2로 나누어 산출(CH 2 적분비/2)Number of units of structural unit V: Calculated by dividing the integral ratio of CH 2 in 1 H-NMR by 2 (CH 2 integral ratio/2)

구성 단위 T의 유닛수: 19F-NMR에 있어서의 CF2의 합계 적분비로부터, 구성 단위 H 유래의 CF2와 구성 단위 V 유래의 CF2를 뺀 것을 4로 나누어 산출(CF2 합계 적분비-구성 단위 V의 유닛수×2-구성 단위 H의 유닛수×2)/4Number of units of the structural units T: 19 F-NMR Calculated from sum The integration of the CF 2, by dividing the minus CF 2 of the structural unit V derived from a CF 2 of the structural unit H derived from 4 of the (CF 2 total ever secretion -The number of units in the constituent unit V × 2 the number of units in the constituent unit H × 2)/4

실시예에서 사용한 결정성 불소 수지(상품명: 다이니온 THV221AZ; 3M사제, 융점 120℃)는, 구성 단위 T의 몰비가 0.35, 구성 단위 H의 몰비가 0.11, 구성 단위 V의 몰비가 0.54였다. 또한, 결정성 불소 수지(상품명: 다이니온 THV500GZ; 3M사제, 융점 165℃)는, 구성 단위 T의 몰비가 0.55, 구성 단위 H의 몰비가 0.13, 구성 단위 V의 몰비가 0.33이었다.The crystalline fluororesin (trade name: Dainion THV221AZ; manufactured by 3M, melting point 120° C.) used in the Examples had a molar ratio of the structural unit T of 0.35, a molar ratio of the structural unit H of 0.11, and a molar ratio of the structural unit V of 0.54. Further, in the crystalline fluororesin (trade name: Dainion THV500GZ; manufactured by 3M, melting point 165° C.), the molar ratio of the structural unit T was 0.55, the molar ratio of the structural unit H was 0.13, and the molar ratio of the structural unit V was 0.33.

(2) X선 회절 측정(2) X-ray diffraction measurement

THV221AZ 및 이하의 실시예 2에서 이용하고 있는 PCTFE에 대하여 X선 회절 측정을 행한 바, THV221AZ, THV500GZ 및 PCTFE는 결정성이었다.When X-ray diffraction measurement was performed on THV221AZ and PCTFE used in Example 2 below, THV221AZ, THV500GZ and PCTFE were crystalline.

장치: MiniFlex600(주식회사리가쿠사제)Device: MiniFlex600 (manufactured by Rigaku Co., Ltd.)

파장: CuKαWavelength: CuKα

전압: 40kVVoltage: 40kV

전류: 15mACurrent: 15mA

측정범위: 2θ=3~80°Measuring range: 2θ=3~80°

측정 온도: 실온(약 25℃)Measurement temperature: room temperature (about 25°C)

(3) 수지 조성물에 있어서의 휘발 성분의 함유율(3) Content rate of volatile component in resin composition

샘플(결정성 불소 수지인 THV221AZ 및 PCTFE)을 승온하여, 30℃ 시점에서의 샘플의 질량과 300℃ 시점에서의 샘플과의 질량을 측정하고, 30℃ 시점에서의 샘플의 질량과 300℃ 시점에서의 샘플의 질량과의 차를 30℃ 시점에서의 샘플의 질량으로 나눔으로써 샘플 중에 있어서의 휘발 성분의 비율을 구했다. 측정에 이용한 장치 및 측정 조건은 이하와 같다. THV221AZ 중의 휘발 성분의 비율은, 0.55질량%였다. 또한, THV500GZ 중의 휘발 성분의 비율은 0.99질량%였다. 또한 PCTFE 중의 휘발 성분의 비율은 0.28질량%였다.The temperature of the sample (THV221AZ and PCTFE, which are crystalline fluororesins) is raised, and the mass of the sample at 30°C and the mass of the sample at 300°C are measured, and the mass of the sample at 30°C and at 300°C The ratio of the volatile component in the sample was calculated|required by dividing the difference with the mass of the sample by the mass of the sample at the time of 30 degreeC. The apparatus and measurement conditions used for the measurement are as follows. The ratio of the volatile component in THV221AZ was 0.55 mass %. In addition, the ratio of the volatile component in THV500GZ was 0.99 mass %. Moreover, the ratio of the volatile component in PCTFE was 0.28 mass %.

측정 장치: TG/DTA6200(에스아이아이·나노테크놀로지주식회사제)Measuring device: TG/DTA6200 (manufactured by SI Nanotechnology Co., Ltd.)

측정 분위기: 대기Measuring Atmosphere: Atmosphere

승온 범위: 30℃에서 500℃Temperature rise range: 30℃ to 500℃

승온 속도: 10℃/분Temperature increase rate: 10°C/min

(4) 인장 강도(4) tensile strength

동일한 샘플을 2개 준비하고, 각 샘플에 대하여, 시마즈제작소사제 「소형 탁상 시험기 EZ-L」을 이용하여, 로드셀 500N, 인장 속도 5㎜/분의 조건으로 파단하였을 때의 강도를 측정했다. 2회의 측정 결과의 평균값을 샘플의 인장 강도라고 했다.Two identical samples were prepared, and the strength when each sample was fractured under conditions of a load cell 500N and a tensile rate of 5 mm/min was measured using a "small tabletop tester EZ-L" manufactured by Shimadzu Corporation. The average value of two measurement results was made into the tensile strength of the sample.

실시예 1Example 1

76×26㎜(두께 0.8~1.0㎜)의 슬라이드 글라스 위의 일단부에 내열 테이프를 이용하여 내열 테이프로 둘러싸인 26×25㎜의 영역을 만들었다. 이어서 결정성 불소 수지(상품명 「THV221AZ」)를 아세트산 프로필에 용해시켜, 9질량%의 수지 용액을 준비하고, 내열 테이프로 둘러싸인 26×25㎜의 영역에 상기 수지 용액을 200μl 도포한 후, 200℃에서 3시간 건조를 행했다. 계속해서, 수지의 위에 일단부가 겹치도록 슬라이드 글라스를 두고, 100g의 하중을 가하면서 200℃에서 3시간 가열하고 융착을 행하여 샘플을 제작했다. 다만, 상기 영역 상방의 슬라이드 글라스는, 상방에서 보았을 때에 상기 영역 상방의 슬라이드 글라스의 타단부가 상기 영역 하방의 슬라이드 글라스에 겹치지 않도록 설치했다. 상기 샘플의 인장 강도는 73.9N이었다.A heat-resistant tape was used at one end on a 76×26 mm (thickness 0.8 to 1.0 mm) slide glass to make a 26×25 mm area surrounded by the heat-resistant tape. Next, a crystalline fluororesin (trade name: "THV221AZ") is dissolved in propyl acetate to prepare a 9 mass % resin solution, 200 μl of the resin solution is applied to a 26 × 25 mm area surrounded by heat-resistant tape, and then 200 ° C. was dried for 3 hours. Then, a slide glass was placed so that one end overlapped on the resin, and a sample was produced by heating at 200°C for 3 hours while applying a load of 100 g to perform fusion. However, the slide glass above the area was provided so that the other end of the slide glass above the area did not overlap the slide glass below the area when viewed from above. The tensile strength of the sample was 73.9N.

실시예 2Example 2

슬라이드 글라스의 위의 일단부에 25×25㎜, 두께 75㎛의 PCTFE(융점 210℃) 필름(동방화성주식회사)을 설치했다. 이어서 PCTFE 필름의 위에 일단부가 겹치도록 슬라이드 글라스를 두고, 100g의 하중을 가하면서 200℃에서 3시간 가열하여 융착을 행해 샘플을 제작했다. 다만, 상기 영역 상방의 슬라이드 글라스는, 상방에서 보았을 때에 PCTFE 필름 상방의 슬라이드 글라스의 타단부가 PCTFE 필름 하방의 슬라이드 글라스에 겹치지 않도록 설치했다. 상기 샘플의 인장 강도는 58.7N이었다.A PCTFE (melting point 210°C) film (Toho Chemical Co., Ltd.) having a thickness of 25×25 mm and a thickness of 75 μm was installed on one end of the slide glass. Next, a slide glass was placed so that one end overlapped on the PCTFE film, and a sample was produced by heating at 200° C. for 3 hours while applying a load of 100 g to perform fusion. However, the slide glass above the region was provided so that the other end of the glass slide above the PCTFE film did not overlap the glass slide below the PCTFE film when viewed from above. The tensile strength of the sample was 58.7N.

비교예 1Comparative Example 1

THV 대신에 비정성 불소 수지인 사이톱(상표; AGC사제, 9질량%)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 샘플을 제작했다. 상기 샘플의 인장 강도는 14.3N이었다.A sample was produced in the same manner as in Example 1 except that Cytop (trademark; manufactured by AGC, 9% by mass) which is an amorphous fluororesin was used instead of THV. The tensile strength of the sample was 14.3N.

실시예 3Example 3

결정성 불소 수지(상품명 「THV221AZ」) 3.5g을 직경 48㎜의 PFA(테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체)제 샬레에 넣어, 온도 200℃에서 3시간 가열함으로써 불소 수지 시트를 작성하고, 커터 나이프로 크기 3.0×3.0㎜의 사각형의 시트를 잘라냈다.3.5 g of crystalline fluororesin (trade name "THV221AZ") was placed in a 48 mm diameter PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinyl ether copolymer) petri dish, and heated at 200°C for 3 hours to prepare a fluororesin sheet. created, and a rectangular sheet having a size of 3.0 x 3.0 mm was cut out with a cutter knife.

LED용 패키지(KD-LA9R48, 교세라사제)의 위에 상기 시트를 설치하고, 온도 200℃에서 3시간 가열함으로써 불소 수지를 용융하고, 패키지 내를 불소 수지로 충전(밀봉)함으로써, 밀봉 후의 수지 조성물의 두께가 1.47㎜이며, 필러를 포함하지 않는 수지 조성물로 밀봉된 전자 부품을 얻었다. 수지 조성물의 두께는 이하의 방법으로 산출했다. 밀봉 후의 전자 부품을 측면으로부터 광학 현미경(VHX-2000, 주식회사기엔스사제)으로 관찰함으로써, 패키지로부터 외측으로 돌출된 수지 조성물 부분의 길이(도 4에 있어서의 T2)를 구하고, 도면으로부터 패키지의 측벽에 의해 숨겨진 부분의 길이(도 4에 있어서의 T3(패키지의 깊이 부분의 두께))를 구하고, 양자를 서로 더한 값을 수지 조성물의 두께(도 4에 있어서의 T1)라고 했다.The sheet is placed on the LED package (KD-LA9R48, manufactured by Kyocera Corporation), the fluororesin is melted by heating at a temperature of 200° C. for 3 hours, and the inside of the package is filled (sealed) with the fluororesin, so that the resin composition after sealing is The thickness was 1.47 mm, and the electronic component sealed with the resin composition which does not contain a filler was obtained. The thickness of the resin composition was computed with the following method. By observing the sealed electronic component from the side with an optical microscope (VHX-2000, manufactured by Gience Corporation), the length of the resin composition portion protruding outward from the package (T2 in Fig. 4) is obtained, and the side wall of the package from the drawing was calculated|required (T3 (thickness of the depth part of a package) in FIG. 4) of the hidden part, and the value which added both was made into the thickness (T1 in FIG. 4) of the resin composition.

실시예 4Example 4

결정성 불소 수지(상품명 「THV221AZ」) 3.5g을 직경 48㎜의 PFA(테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체)제 샬레에 넣어, 온도 200℃에서 3시간 가열함으로써 불소 수지 시트를 작성하고, 커터 나이프로 크기 10.5×10.5㎜의 사각형의 시트를 잘라냈다.3.5 g of crystalline fluororesin (trade name: "THV221AZ") was placed in a 48 mm diameter PFA (tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer) petri dish, and heated at 200°C for 3 hours to prepare a fluororesin sheet. created, and a rectangular sheet having a size of 10.5 x 10.5 mm was cut out with a cutter knife.

가로세로 3.5㎜의 평판형 LED용 패키지(YCL-2X97ES, 요코오사제)를 종횡 3매씩 밀착시켜 나열하고(합계 9매), 그 위에 상기 시트를 설치하고, 온도 200℃에서 3시간 가열함으로써 결정성 불소 수지를 용융하여, 9매의 패키지를 모두 결정성 불소 수지로 덮었다(밀봉했다). 또한 각 패키지 사이의 경계선을 따라 커터로 절단함으로써 9개의 전자 부품을 얻었다. 수지 조성물은 필러를 포함하고 있지 않으며, 중심의 1개의 전자 부품에 있어서의 수지 조성물의 두께를 실시예 3에 기재된 방법과 마찬가지의 방법으로 산출한 바, 수지 조성물의 두께는 1.38㎜였다.A flat panel LED package with a width of 3.5 mm (YCL-2X97ES, manufactured by Yoko Corporation) is placed in close contact with each other (9 sheets in total), the sheet is placed on it, and heated at a temperature of 200°C for 3 hours. The crystalline fluororesin was melted, and all nine packages were covered (sealed) with the crystalline fluororesin. Also, nine electronic components were obtained by cutting with a cutter along the boundary line between each package. The resin composition did not contain a filler, and when the thickness of the resin composition in one central electronic component was computed by the method similar to Example 3, the thickness of the resin composition was 1.38 mm.

실시예 5Example 5

[필러의 제작][Production of filler]

피어옵틱스사제의 MgF2 분말(품번: MFGR3-6을 분쇄하고, 60메시의 체를 통과한 것, D50=218㎛, 589㎚에 있어서의 굴절률 1.38)을, 이하의 조건에 의해 볼밀로 분쇄함으로써 입도를 조절했다. MgF 2 powder manufactured by Pear Optics Co., Ltd. (part number: crushed MFGR3-6 and passed through a 60 mesh sieve, D 50 =218 µm, refractive index 1.38 at 589 nm) was pulverized with a ball mill under the following conditions By doing so, the particle size was controlled.

<분쇄 조건><Grinding conditions>

분쇄 장치: 볼밀 ANZ-51S(닛토가가쿠제)Grinding device: Ball mill ANZ-51S (manufactured by Nitto Chemical)

용기: 250ml 아이보이(아즈완사제 품번 5-002-03)Container: 250ml Eyeboy (Azuwan Co., Ltd. Part No. 5-002-03)

미디어: 400g 지르코니아 볼 10㎜Φ(아즈완사제 품번: 5-4060-14)Media: 400 g zirconia ball 10 mm Φ (Azuwan Co., Ltd. part number: 5-4060-14)

MgF2 분말: 100gMgF 2 powder: 100 g

용매: 이소프로필알코올(IPA, 나카라이테크스사제) 100gSolvent: 100 g of isopropyl alcohol (IPA, manufactured by Nacalai Tech)

회전수: 58rpmRPM: 58rpm

분쇄 시간: 4시간Grinding time: 4 hours

[MgF2 분말(필러)의 입도 분포 측정][Measurement of particle size distribution of MgF 2 powder (filler)]

MgF2 분말(필러)의 입도 분포 측정은, 하기 조건의 레이저 회절법에 의해, 각 조제가 끝난 MgF2 필러의 입도의 적산 분포 곡선을 얻어, 체적 누적 빈도 50%에 있어서의 입경인 입경 D50을 구하는 방법으로 행했다. MgF2 분말(필러)의 입경 D50은 112㎛였다.The particle size distribution measurement of the MgF 2 powder (filler) is obtained by using a laser diffraction method under the following conditions to obtain an integrated distribution curve of the particle size of each prepared MgF 2 filler, and the particle size D 50 which is the particle size at a volume accumulation frequency of 50% was carried out in a way to obtain The particle size D 50 of the MgF 2 powder (filler) was 112 µm.

측정 장치: LS230(베크만·쿨터주식회사제)Measuring device: LS230 (manufactured by Beckman Coulter Co., Ltd.)

분산 용매: 이온 교환수+중성 세제Dispersion solvent: deionized water + neutral detergent

분산 방법: 스터러 교반+초음파 조사 3분Dispersion method: stirrer stirring + ultrasonic irradiation 3 minutes

굴절률(MgF2): 1.40-0.20iRefractive Index (MgF 2 ): 1.40-0.20i

<수지 용액(THV221 용액)의 제작><Preparation of resin solution (THV221 solution)>

워터 배스에 둔 세퍼러블 플라스크에, 아세트산 부틸(후지필름와코쥰야쿠사제) 160g을 측정하여 넣어, 교반하면서, 워터 배스를 85℃까지 승온했다. 교반하면서, THV221AZ(3M사제, 엘립소미터로 측정한 파장 589㎚의 광에 대한 굴절률: 1.36, 융점: 115℃, 중량 평균 분자량: 384,000)를 조금씩 40g 더해 용해시켜, 수지 용액을 제작했다. 얻어진 용액을 120℃, 3시간 가열하고, 잔분으로부터 고형분 농도를 구한 바 19.5질량%였다.The water bath was heated up to 85 degreeC, measuring and putting 160 g of butyl acetate (made by Fujifilm Wako Pure Co., Ltd.) into the separable flask set in the water bath, and stirring it. While stirring, 40 g of THV221AZ (manufactured by 3M, refractive index with respect to light having a wavelength of 589 nm measured with an ellipsometer: 1.36, melting point: 115° C., weight average molecular weight: 384,000) was gradually added and dissolved to prepare a resin solution. It was 19.5 mass % when the obtained solution was heated at 120 degreeC for 3 hours, and solid content concentration was calculated|required from the residue.

<수지-필러 컴포지트의 펠릿의 제작><Production of Pellets of Resin-Filler Composite>

상기에서 제작한 19.5질량%의 농도의 수지 용액을 35g, 250ml의 디스포컵에 넣고, 거기에 필러로서 입경 D50이 112㎛인 상기 MgF2 분말을 2.76g 첨가했다. 필러의 농도는, 수지의 밀도를 1.95g/cm3, MgF2 분말의 밀도를 3.15g/cm3로서 계산하면, 20체적%이다. 이 용액을, 아와토리 렌타로 ARV-310을 이용하여, 회전수 2000rpm으로 2분간 혼합하는 조작을 3회 실시하여, 용액과 필러를 혼합하고, 계속해서 빈용매인 이소프로필알코올(IPA, 나카라이테크스사제) 70g을 넣어 필러를 함유한 불소 수지를 석출시켰다. 석출한 수지를 스크루관으로부터 취출하고, 건조기로 건조시켜 수지 조성물의 고화물을 얻었다. 얻어진 시료를, 가위를 이용하여, 가로세로 2㎜ 정도의 사이즈로 잘라, 펠릿으로 했다.Into a resin solution having a concentration of 19.5% by weight prepared in the above step in di Castello cup of 35g, 250ml, there was added to the above MgF 2 powder particle diameter D 50 is 112㎛ as filler to 2.76g. The concentration of the filler is 20% by volume when the density of the resin is calculated as 1.95 g/cm 3 , and the density of the MgF 2 powder is calculated as 3.15 g/cm 3 . This solution was mixed with Awatori Rentaro ARV-310 for 2 minutes at a rotation speed of 2000 rpm three times, mixing the solution and the filler, and then isopropyl alcohol (IPA, Naka) as a poor solvent 70 g (manufactured by Litex Co., Ltd.) was added to precipitate a fluororesin containing a filler. Precipitating resin was taken out from the screw pipe, it was made to dry with a dryer, and the solidified material of the resin composition was obtained. The obtained sample was cut into the size of about 2 mm by using scissors, and it was set as the pellet.

<수지-필러 컴포지트체의 시트의 제작><Preparation of sheet of resin-filler composite body>

상기에서 얻은 펠릿을 금형을 이용하여 200℃에서 열 프레스를 함으로써, 두께 1.5㎜, 가로세로 50㎜의 시트를 제작하고, 커터 나이프로 크기 10×10㎜의 사각형의 시트를 잘라냈다.The pellets obtained above were hot-pressed at 200° C. using a mold to prepare a sheet having a thickness of 1.5 mm and a width of 50 mm, and a rectangular sheet having a size of 10×10 mm was cut out with a cutter knife.

가로세로 3.5㎜의 평판형 LED용 패키지(YCL-2X97ES, 요코오사제)를 종횡 2매씩 밀착시켜 나열하고(합계 4매), 그 위에 상기 시트를 설치하여, 온도 200℃에서 3시간 가열함으로써 필러를 함유한 결정성 불소 수지를 용융하고, 4매의 패키지를 모두 결정성 불소 수지로 덮었다(밀봉했다). 또한 각 패키지의 경계선을 따라 커터로 절단함으로써 4개의 전자 부품을 얻었다. 그 중 1개의 전자 부품에 있어서의 수지 조성물의 두께를 실시예 3에 기재된 방법과 마찬가지의 방법으로 산출한 바, 수지 조성물의 두께는 1.42㎜였다.The flat panel LED package (YCL-2X97ES, manufactured by Yoko Corporation) of 3.5 mm in width and length is placed in close contact with each other (4 sheets in total), the sheet is installed thereon, and the filler is heated at 200°C for 3 hours. was melted, and all four packages were covered (sealed) with the crystalline fluororesin. Furthermore, four electronic components were obtained by cutting with a cutter along the boundary line of each package. When the thickness of the resin composition in one electronic component was computed by the method similar to the method of Example 3, the thickness of the resin composition was 1.42 mm.

<시트의 투과율의 측정><Measurement of transmittance of sheet>

필러를 함유하지 않은 THV221AZ로 이루어지는, 두께 1.5㎜, 가로 세로 50㎜의 시트를 열 프레스에 의해 제작하고, 복수의 파장에 있어서의 투과율을 하기의 조건으로 측정했다. 또한 상기에서 제작한 필러가 들어 있는 수지 시트의 투과율도 마찬가지로 측정했다.A sheet of THV221AZ containing no filler having a thickness of 1.5 mm and a width of 50 mm was produced by hot pressing, and the transmittance at a plurality of wavelengths was measured under the following conditions. Moreover, the transmittance|permeability of the resin sheet containing the filler produced above was also measured similarly.

투과율의 측정 조건Measurement conditions for transmittance

장치: 시마즈제작소사제 UV-3600Apparatus: UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation

어태치먼트: 적분구 ISR-3100Attachment: integrating sphere ISR-3100

백그라운드 측정: 대기Background measurement: waiting

측정 결과를 표 1에 나타낸다.A measurement result is shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

실시예 6Example 6

실시예 3에 기재된 전자 부품을 27개 제작했다. 27개의 전자 부품에 있어서, 밀봉 후의 수지 조성물의 평균 두께는 1.5㎜였다. 제작한 27개의 전자 부품에 대하여, 상방으로부터 광학 현미경(VHX-2000, 주식회사기엔스사제)에 의해 50배의 배율로 관찰한 바, 9개의 전자 부품에 있어서, 기포의 발생이 확인되었다. 또한, 광학 현미경으로의 확인에 있어서, 최대 직경이 100㎛ 이상의 기포가 있는 경우에 기포가 발생하고 있다고 판단했다.27 electronic components described in Example 3 were produced. 27 electronic components WHEREIN: The average thickness of the resin composition after sealing was 1.5 mm. About 27 produced electronic components, when it observed at 50 times magnification with the optical microscope (VHX-2000, the Geiens Corporation make) from upper direction, generation|occurrence|production of a bubble was confirmed in 9 electronic components. In addition, confirmation with an optical microscope WHEREIN: When there existed a bubble with a maximum diameter of 100 micrometers or more, it was judged that a bubble was generate|occur|produced.

실시예 7Example 7

결정성 불소 수지를 THV221AZ로부터 THV500GZ로 변경한 것 이외는 실시예 6과 마찬가지로 하여 수지 밀봉된 전자 부품을 27개 제작했다. 밀봉 후의 수지 조성물의 평균 두께는 1.7㎜였다. 27개의 전자 부품에 대하여, 실시예 6에 기재된 방법과 마찬가지로 하여 기포의 발생의 유무를 확인한 바, 24개에 있어서 기포의 발생이 확인되었다.27 resin-sealed electronic components were produced in the same manner as in Example 6 except that the crystalline fluororesin was changed from THV221AZ to THV500GZ. The average thickness of the resin composition after sealing was 1.7 mm. About 27 electronic components, when it carried out similarly to the method described in Example 6, and confirmed the presence or absence of generation|occurrence|production of a bubble, generation|occurrence|production of bubble was confirmed in 24 pieces.

실시예 8Example 8

결정성 불소 수지(상품명 「THV221AZ」)를 금형을 이용하여 열 프레스를 함으로써, 두께 100㎛의 불소 수지 시트를 작성하고, 커터 나이프로 크기 10×10㎜의 사각형의 시트를 잘라냈다.A fluororesin sheet having a thickness of 100 µm was prepared by hot pressing a crystalline fluororesin (trade name: “THV221AZ”) using a mold, and a rectangular sheet having a size of 10×10 mm was cut out with a cutter knife.

20×75㎜, 두께 100㎛의 폴리이미드 필름(아즈완사제, 형 번호 HJA-A4-100㎛)의 일단부에 10×10㎜, 두께 100㎛의 상기 결정성 불소 수지 THV221AZ 필름을 설치했다. 이어서 폴리이미드 필름의 위에 일단부가 겹치도록 폴리이미드 필름을 두고, 100g의 하중을 가하면서 200℃에서 1시간 가열하여 융착을 행하여 샘플을 제작했다. 다만, 상기 영역 상방의 폴리이미드 필름은, 상방에서 보았을 때에 상기 영역 상방의 폴리이미드 필름의 타단부가 상기 영역 하방의 폴리이미드 필름에 겹치지 않도록 설치했다. 상기 샘플은 인장 강도가 200N을 초과해도 파단되지 않았다.The crystalline fluororesin THV221AZ film having a thickness of 10×10 mm and a thickness of 100 μm was provided at one end of a polyimide film (manufactured by Azuwan Corporation, model number HJA-A4-100 μm) having a thickness of 20×75 mm and a thickness of 100 μm. Next, the polyimide film was put on the polyimide film so that one end might overlap, and it fusion|fusion was performed by heating at 200 degreeC for 1 hour, applying a load of 100 g, and the sample was produced. However, the polyimide film above the region was provided so that the other end of the polyimide film above the region did not overlap the polyimide film below the region when viewed from above. The sample did not break even when the tensile strength exceeded 200N.

실시예 9Example 9

결정성 불소 수지로서, THV221AZ 대신에 THV500GZ를 이용한 것 이외에는 실시예 8과 마찬가지로 샘플을 제작했다. 상기 샘플의 인장 강도는 113.5N이었다. 실시예 9의 인장 시험에서는, 폴리이미드 필름과 폴리이미드 필름과의 계면이 박리되어 파단했다.A sample was produced in the same manner as in Example 8 except that THV500GZ was used instead of THV221AZ as the crystalline fluororesin. The tensile strength of the sample was 113.5N. In the tensile test of Example 9, the interface between the polyimide film and the polyimide film peeled and fractured.

1a, 1b, 1c 전자 부품
2 자외선 발광 소자
3a, 3b 수지 조성물
T1 수지 조성물의 두께
T2 패키지로부터 외측으로 돌출된 수지 조성물 부분의 길이
T3 패키지의 깊이 부분의 길이
1a, 1b, 1c electronic components
2 Ultraviolet light emitting element
3a, 3b resin composition
Thickness of T1 resin composition
Length of the portion of the resin composition protruding outward from the T2 package
Length of the depth part of the T3 package

Claims (9)

배선 기재에 장착된 전자 소자의 상방에 수지 조성물을 설치하는 공정과,
상기 수지 조성물을 융점 이상으로 가열함으로써, 상기 전자 소자를 상기 수지 조성물로 덮는 공정을 가지는 전자 부품의 제조 방법으로서,
상기 수지 조성물은, 결정성 불소 수지를 포함하고, 또한, 실질적으로 휘발 성분을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조 방법.
A step of providing a resin composition above an electronic device mounted on a wiring substrate;
As a manufacturing method of an electronic component which has the process of covering the said electronic element with the said resin composition by heating the said resin composition above melting|fusing point,
The said resin composition contains a crystalline fluororesin and does not contain a volatile component substantially, The manufacturing method of the electronic component characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 결정성 불소 수지의 융점은 278℃ 이하인 제조 방법.
The method of claim 1,
The melting point of the crystalline fluororesin is 278° C. or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 결정성 불소 수지는, 일부의 탄소 원자에 탄소 및 불소 이외의 원자가 결합되어 있는 제조 방법.
3. The method of claim 1 or 2,
The said crystalline fluororesin is a manufacturing method in which atoms other than carbon and fluorine are couple|bonded with some carbon atoms.
제 1 항에 있어서,
상기 결정성 불소 수지가, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체인 제조 방법.
The method of claim 1,
The production method wherein the crystalline fluororesin is a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer.
제 4 항에 있어서,
테트라플루오로에틸렌 유래의 구성 단위 T, 헥사플루오로프로필렌 유래의 구성 단위 H, 및 불화 비닐리덴 유래의 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 T의 몰비가 0.50 이하인 제조 방법.
5. The method of claim 4,
The manufacturing method whose molar ratio of the structural unit T with respect to the sum total of the structural unit T derived from tetrafluoroethylene, the structural unit H derived from hexafluoropropylene, and the structural unit V derived from vinylidene fluoride is 0.50 or less.
제 1 항에 있어서,
상기 전자 소자가 LED인 제조 방법.
The method of claim 1,
A manufacturing method wherein the electronic device is an LED.
배선 기재에 장착된 전자 소자가 수지 조성물로 덮인 전자 부품이며,
상기 수지 조성물은, 결정성 불소 수지를 포함하고, 또한, 실질적으로 휘발 성분 및 필러를 포함하지 않고,
상기 수지 조성물의 두께가 0.5㎜ 이상인 전자 부품.
An electronic component mounted on a wiring substrate is an electronic component covered with a resin composition,
The said resin composition contains a crystalline fluororesin, and does not contain a volatile component and a filler substantially,
The thickness of the said resin composition is 0.5 mm or more electronic component.
제 7 항에 있어서,
상기 결정성 불소 수지가, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌-불화 비닐리덴 공중합체인 전자 부품.
8. The method of claim 7,
The electronic component wherein the crystalline fluororesin is a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer.
제 8 항에 있어서,
테트라플루오로에틸렌 유래의 구성 단위 T, 헥사플루오로프로필렌 유래의 구성 단위 H, 및 불화 비닐리덴 유래의 구성 단위 V의 합계에 대한 구성 단위 T의 몰비가 0.50 이하인 전자 부품.
9. The method of claim 8,
The electronic component whose molar ratio of the structural unit T with respect to the sum total of the structural unit T derived from tetrafluoroethylene, the structural unit H derived from hexafluoropropylene, and the structural unit V derived from vinylidene fluoride is 0.50 or less.
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