KR20220006374A - Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same - Google Patents
Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220006374A KR20220006374A KR1020200084260A KR20200084260A KR20220006374A KR 20220006374 A KR20220006374 A KR 20220006374A KR 1020200084260 A KR1020200084260 A KR 1020200084260A KR 20200084260 A KR20200084260 A KR 20200084260A KR 20220006374 A KR20220006374 A KR 20220006374A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- solar cell
- composition
- cell electrode
- forming
- glass frit
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical group [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000326 ultraviolet stabilizing agent Substances 0.000 claims 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229940032007 methylethyl ketone Drugs 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N trans-p-Menthane-1,8-diol Chemical compound CC(C)(O)C1CCC(C)(O)CC1 RBNWAMSGVWEHFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0324—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIVBVI or AIIBIVCVI chalcogenide compounds, e.g. Pb Sn Te
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세선폭 및 고종횡비를 갖고, 단락전류 및 개방전압 향상과 함께 직렬저항 상승을 최소화하여 변환효율이 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극에 관한 것이다.It relates to a composition for forming a solar cell electrode and a solar cell electrode formed therefrom, and more particularly, a solar cell electrode having a fine line width and a high aspect ratio, and excellent conversion efficiency by minimizing a rise in series resistance along with improvement of short-circuit current and open-circuit voltage It relates to a composition for forming and a solar cell electrode formed therefrom.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 p-n 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 p-n 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 p-n 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다. 이러한 태양전지의 전극은 전극용 페이스트 조성물의 도포, 패터닝 및 소성에 의해, 웨이퍼 표면에 형성될 수 있다.A solar cell generates electrical energy by using the photoelectric effect of a p-n junction that converts photons of sunlight into electricity. In a solar cell, a front electrode and a rear electrode are respectively formed on the upper and lower surfaces of a semiconductor wafer or substrate on which a p-n junction is formed. In a solar cell, a photoelectric effect of a p-n junction is induced by sunlight incident on a semiconductor wafer, and electrons generated therefrom provide a current flowing to the outside through an electrode. The electrode of such a solar cell may be formed on the wafer surface by applying, patterning, and firing a paste composition for an electrode.
최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 에미터(emitter)의 두께가 지속적으로 얇아짐에 따라, 태양전지의 성능을 저하시킬 수 있는 션팅(shunting) 현상을 유발시킬 수 있다. 또한, 태양전지의 효율을 증가시키기 위해 태양전지의 면적을 점차 증가시키고 있는데, 이는 태양전지의 접촉저항을 높여 태양전지의 효율을 감소시킬 수 있다.In recent years, as the thickness of an emitter is continuously reduced in order to increase the efficiency of a solar cell, a shunting phenomenon that may deteriorate the performance of the solar cell may be induced. In addition, in order to increase the efficiency of the solar cell, the area of the solar cell is gradually increased, which may increase the contact resistance of the solar cell and decrease the efficiency of the solar cell.
따라서, 다양한 면저항 하에서 에미터층의 접합에 대한 피해를 최소화하고 웨이퍼와 전극과의 계면에서의 도전성을 향상함으로써 접촉 저항과 시리즈 저항을 개선할 수 있고 태양전지 효율을 높일 수 있는 전극용 페이스트 조성물을 개발할 필요가 있다.Therefore, by minimizing damage to the bonding of the emitter layer under various sheet resistances and improving the conductivity at the interface between the wafer and the electrode, it is possible to improve the contact resistance and series resistance, and to develop a paste composition for an electrode that can increase solar cell efficiency. There is a need.
본 발명의 목적은 미세선폭 및 고종횡비를 갖는 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a composition for forming a solar cell electrode having a fine line width and a high aspect ratio.
본 발명의 다른 목적은 단락전류, 개방전압 향상과 함께 직렬저항 상승을 최소화하여 변환효율이 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a composition for forming a solar cell electrode having excellent conversion efficiency by minimizing the increase in series resistance along with improvement of short-circuit current and open-circuit voltage.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 조성물로부터 형성된 태양전지 전극을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a solar cell electrode formed from the composition.
1. 일 측면에 따르면, 태양전지 전극 형성용 조성물이 제공된다. 상기 조성물은 도전성 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 유리 프릿은 납(Pb), 텔루륨(Te), 리튬(Li), 구리(Cu) 및 제1원소를 포함하고, 상기 제1원소는 인듐(In), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 탈륨(Tl) 중 1종 이상이고, 구리(Cu)와 제1원소의 몰비는 1 : 0.5 내지 1 : 15이고, 구리(Cu)와 제1원소의 합계 몰%는 0.5 내지 5 몰%일 수 있다.1. According to one aspect, a composition for forming a solar cell electrode is provided. The composition includes a conductive powder, a glass frit, and an organic vehicle, wherein the glass frit includes lead (Pb), tellurium (Te), lithium (Li), copper (Cu) and a first element, wherein the first The element is at least one of indium (In), aluminum (Al), gallium (Ga), and thallium (Tl), and the molar ratio of copper (Cu) to the first element is 1:0.5 to 1:15, and copper (Cu) ) and the total mol% of the first element may be 0.5 to 5 mol%.
2. 상기 1에서, 상기 유리 프릿은 납(Pb)을 5 내지 50 몰%로 포함할 수 있다.2. In 1 above, the glass frit may contain 5 to 50 mol% of lead (Pb).
3. 상기 1 또는 2에서, 상기 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 15 내지 70 몰%로 포함할 수 있다.3. In 1 or 2 above, the glass frit may contain tellurium (Te) in an amount of 15 to 70 mol%.
4. 상기 1 내지 3 중 어느 하나에서, 상기 유리 프릿은 리튬(Li)을 0.1 내지 30 몰%로 포함할 수 있다.4. In any one of 1 to 3, the glass frit may contain lithium (Li) in an amount of 0.1 to 30 mol%.
5. 상기 1 내지 4 중 어느 하나에서, 상기 유리 프릿은 제2원소를 더 포함하고, 상기 제2원소는 비스무스(Bi), 아연(Zn), 인(P), 게르마늄(Ge), 은(Ag), 철(Fe), 규소(Si), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 세슘(Cs), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 나트륨(Na), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 비소(As), 셀레늄(Se), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 칼슘(Ca), 탄탈륨(Ta), 세륨(Ce) 및 붕소(B) 중 1종 이상을 포함할 수 있다.5. The glass frit according to any one of 1 to 4, wherein the glass frit further comprises a second element, wherein the second element is bismuth (Bi), zinc (Zn), phosphorus (P), germanium (Ge), silver ( Ag), iron (Fe), silicon (Si), tungsten (W), magnesium (Mg), molybdenum (Mo), cesium (Cs), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin ( Sn), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni), sodium (Na), potassium (K), calcium (Ca), arsenic (As), selenium (Se), cobalt (Co), zirconium ( Zr), manganese (Mn), calcium (Ca), tantalum (Ta), cerium (Ce), and may include one or more of boron (B).
6. 상기 1 내지 5 중 어느 하나에서, 상기 유리 프릿은 비스무스(Bi)를 1 내지 20 몰%로 더 포함할 수 있다.6. In any one of 1 to 5, the glass frit may further contain 1 to 20 mol% of bismuth (Bi).
7. 상기 1 내지 6 중 어느 하나에서, 상기 유리 프릿은 아연(Zn)을 0.1 내지 15 몰%로 더 포함할 수 있다.7. In any one of 1 to 6, the glass frit may further contain 0.1 to 15 mol% of zinc (Zn).
8. 상기 1 내지 7 중 어느 하나에서, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.8. The composition for forming a solar cell electrode according to any one of 1 to 7 above, further comprising at least one of a dispersant, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, an antifoaming agent, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant, and a coupling agent can
9. 상기 1 내지 8 중 어느 하나에서, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물은 상기 도전성 분말 60 내지 95 중량%; 상기 유리 프릿 0.1 내지 20 중량%; 및 상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%; 를 포함할 수 있다.9. In any one of 1 to 8, the composition for forming a solar cell electrode comprises 60 to 95 wt% of the conductive powder; 0.1 to 20% by weight of the glass frit; and 1 to 30% by weight of the organic vehicle; may include
10. 다른 측면에 따르면, 태양전지 전극이 제공된다. 상기 전극은 상기 1 내지 9 중 어느 하나의 조성물로부터 형성될 수 있다.10. According to another aspect, a solar cell electrode is provided. The electrode may be formed from the composition of any one of 1 to 9 above.
본 발명은 미세선폭 및 고종횡비를 갖고, 단락전류, 개방전압 향상과 함께 직렬저항 상승을 최소화하여 변환효율이 우수한 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 형성된 태양전지 전극을 제공하는 효과를 갖는다.The present invention has the effect of providing a composition for forming a solar cell electrode having a fine line width and a high aspect ratio, and excellent conversion efficiency by minimizing a rise in series resistance along with improvement of short circuit current and open circuit voltage, and a solar cell electrode formed therefrom.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 태양전지를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows a solar cell according to an embodiment of the present invention.
본 명세서 중 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the present specification, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.
본 명세서 중 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.In this specification, terms such as include or have means that the features or components described in the specification exist, and the possibility that one or more other features or components will be added is not excluded in advance.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. used herein may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.
본 명세서에서 달리 표시하지 않는 한 유리 프릿 각 성분의 함량은 유리 프릿의 총 몰수를 기준으로 하며, 산화물 환산 기준으로 한다.Unless otherwise indicated herein, the content of each component of the glass frit is based on the total number of moles of the glass frit, and is based on oxide conversion.
본 명세서에서 수치범위를 나타내는 "a 내지 b" 에서 "내지"는 ≥a이고 ≤b으로 정의한다.In the present specification, "to" in "a to b" representing a numerical range is defined as ≥a and ≤b.
태양전지 전극 형성용 조성물Composition for forming a solar cell electrode
일 측면에 따르면, 태양전지 전극 형성용 조성물은 도전성 분말, 유리 프릿 및 유기 비히클을 포함하고, 상기 유리 프릿은 납(Pb), 텔루륨(Te), 리튬(Li), 구리(Cu) 및 제1원소를 포함하고, 상기 제1원소는 인듐(In), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 탈륨(Tl) 중 1종 이상이고, 구리(Cu)와 제1원소의 몰비는 1 : 0.5 내지 1 : 15이고, 구리(Cu)와 제1원소의 합계 몰%는 0.5 내지 5 몰%일 수 있다.According to one aspect, the composition for forming a solar cell electrode includes a conductive powder, a glass frit, and an organic vehicle, and the glass frit includes lead (Pb), tellurium (Te), lithium (Li), copper (Cu) and a contains one element, wherein the first element is at least one of indium (In), aluminum (Al), gallium (Ga), and thallium (Tl), and the molar ratio of copper (Cu) to the first element is 1: 0.5 to 1:15, and the total mol% of copper (Cu) and the first element may be 0.5 to 5 mol%.
이하, 태양전지 전극 형성용 조성물의 각 성분들에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, each component of the composition for forming a solar cell electrode will be described in more detail.
도전성 분말conductive powder
도전성 분말은, 예를 들어 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중 하나 이상의 금속 분말을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 구현예에 따르면, 도전성 분말은 은 분말을 포함할 수 있다.The conductive powder may include, for example, one or more metal powders of silver (Ag), gold (Au), platinum (Pt), palladium (Pd), aluminum (Al), and nickel (Ni), but is not limited thereto. it is not According to one embodiment, the conductive powder may include silver powder.
도전성 분말의 입자 형상은 특별히 한정되지 않으며, 다양한 형상의 입자들, 예를 들면 구형, 판상 또는 무정형 형상의 입자들이 사용될 수 있다.The particle shape of the conductive powder is not particularly limited, and particles of various shapes, for example, spherical, plate-like, or amorphous particles may be used.
도전성 분말은 나노 크기 또는 마이크로 크기의 입경을 갖는 분말일 수 있으며, 예를 들어 수십 내지 수백 나노미터 크기의 도전성 분말, 또는 수 내지 수십 마이크로미터 크기의 도전성 분말일 수 있다. 또한, 도전성 분말로 2 이상의 서로 다른 크기를 갖는 도전성 분말을 혼합하여 사용할 수도 있다.The conductive powder may be a powder having a particle size of a nano size or a micro size, for example, a conductive powder having a size of several tens to several hundreds of nanometers, or a conductive powder having a size of several to several tens of micrometers. In addition, as the conductive powder, two or more conductive powders having different sizes may be mixed and used.
도전성 분말의 평균 입경(D50)은 0.1 내지 10㎛(예를 들면, 0.5 내지 5㎛)일 수 있고, 상기 범위에서 접촉저항과 직렬저항이 낮아질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 평균 입경(D50)은 도전성 분말을 이소프로필알코올(IPA) 중에서 25℃에서 3분 동안 초음파 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정될 수 있다.The average particle diameter (D 50 ) of the conductive powder may be 0.1 to 10 µm (eg, 0.5 to 5 µm), and contact resistance and series resistance may be lowered in the above range, but is not limited thereto. Here, the average particle diameter (D 50 ) may be measured using a 1064LD model manufactured by CILAS, after ultrasonically dispersing the conductive powder in isopropyl alcohol (IPA) at 25° C. for 3 minutes.
도전성 분말의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 도전성 분말은 태양전지 전극 형성용 조성물 총 중량 중 60 내지 95 중량%(예를 들면, 70 내지 90 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 태양전지의 변환효율이 우수하며, 페이스트화가 원활히 이루어질 수 있다.The amount of the conductive powder used is not particularly limited, but, for example, the conductive powder may be included in an amount of 60 to 95% by weight (eg, 70 to 90% by weight) of the total weight of the composition for forming a solar cell electrode. In the above range, the conversion efficiency of the solar cell is excellent, and the pasting can be performed smoothly.
유리 프릿glass frit
유리 프릿은 태양전지 전극 형성용 조성물의 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭(etching)하고, 도전성 분말을 용융시켜 에미터 영역에 도전성 분말의 결정 입자를 생성시키기 위한 것이다. 또한, 유리 프릿은 도전성 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소결 시에 연화하여 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도한다.The glass frit is for generating crystal particles of the conductive powder in the emitter region by etching the antireflection film during the firing process of the composition for forming the solar cell electrode and melting the conductive powder. In addition, the glass frit improves adhesion between the conductive powder and the wafer and softens during sintering to induce the effect of lowering the sintering temperature.
유리 프릿은 납(Pb), 텔루륨(Te), 리튬(Li), 구리(Cu) 및 제1원소를 포함하고, 상기 제1원소는 인듐(In), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 탈륨(Tl) 중 1종 이상이고, 구리(Cu)와 제1원소의 몰비는 1 : 0.5 내지 1 : 15이고, 구리(Cu)와 제1원소의 합계 몰%는 0.5 내지 5 몰%일 수 있다. 이러한 경우, 미세선폭 및 고종횡비를 갖고, 단락전류, 개방전압 향상과 함께 직렬저항 상승을 최소화하여 변환효율이 우수할 수 있다. 예를 들면, 유리 프릿 중 구리(Cu)와 제1원소의 몰비는 1 : 0.5 내지 1 : 10, 다른 예를 들면 1 : 1 내지 1 : 8일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유리 프릿 중 구리(Cu)와 제1원소의 합계 몰%는 0.5 내지 4.5 몰%, 다른 예를 들면 1 내지 4.5 몰%, 또 다른 예를 들면 1 내지 4 몰%일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The glass frit includes lead (Pb), tellurium (Te), lithium (Li), copper (Cu) and a first element, wherein the first element is indium (In), aluminum (Al), gallium (Ga) and at least one of thallium (Tl), a molar ratio of copper (Cu) to the first element is 1:0.5 to 1:15, and a total mol% of copper (Cu) and the first element is 0.5 to 5 mol%. can In this case, the conversion efficiency may be excellent by having a fine line width and a high aspect ratio, and minimizing the increase in series resistance along with improvement of short circuit current and open circuit voltage. For example, a molar ratio of copper (Cu) to the first element in the glass frit may be 1:0.5 to 1:10, for example, 1:1 to 1:8, but is not limited thereto. For example, the total mol% of copper (Cu) and the first element in the glass frit may be 0.5 to 4.5 mol%, for example 1 to 4.5 mol%, for another example, 1 to 4 mol%, The present invention is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 유리 프릿은 납(Pb)을 5 내지 50 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 접촉저항이 개선되고, 변환효율이 우수한 효과가 있을 수 있다. 예를 들면, 유리 프릿은 납(Pb)을 10 내지 50 몰%, 다른 예를 들면 10 내지 45 몰%, 또 다른 예를 들면 15 내지 45 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the glass frit may contain 5 to 50 mol% of lead (Pb). In the above range, the contact resistance may be improved and the conversion efficiency may be excellent. For example, the glass frit may include 10 to 50 mol% of lead (Pb), for example, from 10 to 45 mol%, for another example, from 15 to 45 mol%, but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 15 내지 70 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 접촉저항이 개선되고, 변환효율이 우수한 효과가 있을 수 있다. 예를 들면, 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 15 내지 60 몰%, 다른 예를 들면 15 내지 55 몰%, 또 다른 예를 들면 15 내지 50 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the glass frit may include tellurium (Te) in an amount of 15 to 70 mol%. In the above range, the contact resistance may be improved and the conversion efficiency may be excellent. For example, the glass frit may include tellurium (Te) in an amount of 15 to 60 mol%, for example 15 to 55 mol%, for another example, 15 to 50 mol%, but is not limited thereto. .
일 구현예에 따르면, 유리 프릿은 리튬(Li)을 0.1 내지 30 몰%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서 접촉저항이 개선되고, 변환효율이 우수한 효과가 있을 수 있다. 예를 들면, 유리 프릿은 리튬(Li)을 1 내지 30 몰%, 다른 예를 들면 5 내지 25 몰%, 또 다른 예를 들면 5 내지 20 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the glass frit may include lithium (Li) in an amount of 0.1 to 30 mol%. In the above range, the contact resistance may be improved and the conversion efficiency may be excellent. For example, the glass frit may include lithium (Li) in an amount of 1 to 30 mol%, for example, 5 to 25 mol%, for another example, 5 to 20 mol%, but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 유리 프릿 중 구리(Cu)와 리튬(Li)의 몰비는 1 : 2 내지 1 : 65(예를 들면, 1 : 5 내지 1 : 50, 다른 예를 들면 1 : 10 내지 1 : 45)일 수 있으며, 상기 범위에서 접촉저항이 개선되고, 변환효율이 우수한 효과가 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, a molar ratio of copper (Cu) to lithium (Li) in the glass frit is 1: 2 to 1: 65 (eg, 1: 5 to 1: 50, for another example, 1: 10 to 1) : 45), in which contact resistance is improved and conversion efficiency is excellent in the above range, but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 유리 프릿 중 제1원소(예를 들면, 인듐(In))와 리튬(Li)의 몰비는 1 : 1 내지 1 : 30(예를 들면, 1 : 1 내지 1 : 20, 또 다른 예를 들면 1 : 1 내지 1 : 15)일 수 있으며, 상기 범위에서 접촉저항이 개선되고, 변환효율이 우수한 효과가 있을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the molar ratio of the first element (eg, indium (In)) to lithium (Li) in the glass frit is 1:1 to 1:30 (eg, 1:1 to 1:20, Another example may be 1:1 to 1:15), and contact resistance may be improved in the above range, and conversion efficiency may be excellent, but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 유리 프릿은 제1원소와 상이한 제2원소를 더 포함할 수 있다. 제2원소의 예로는 비스무스(Bi), 아연(Zn), 인(P), 게르마늄(Ge), 은(Ag), 철(Fe), 규소(Si), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 세슘(Cs), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 나트륨(Na), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 비소(As), 셀레늄(Se), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 칼슘(Ca), 탄탈륨(Ta), 세륨(Ce), 붕소(B) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유리 프릿이 제2원소를 더 포함하는 경우 접촉저항이 개선되고, 변환효율이 우수한 효과가 있을 수 있다.According to one embodiment, the glass frit may further include a second element different from the first element. Examples of the second element include bismuth (Bi), zinc (Zn), phosphorus (P), germanium (Ge), silver (Ag), iron (Fe), silicon (Si), tungsten (W), and magnesium (Mg). , molybdenum (Mo), cesium (Cs), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni), sodium (Na) , potassium (K), calcium (Ca), arsenic (As), selenium (Se), cobalt (Co), zirconium (Zr), manganese (Mn), calcium (Ca), tantalum (Ta), cerium (Ce) , boron (B), and the like, but is not limited thereto. When the glass frit further includes the second element, contact resistance may be improved, and conversion efficiency may be excellent.
일 구현예에 따르면, 유리 프릿은 비스무스(Bi)를 1 내지 20 몰%로 더 포함할 수 있다. 상기 범위에서 접촉저항이 개선되고, 변환효율이 우수한 효과가 있을 수 있다. 예를 들면, 유리 프릿은 비스무스(Bi)를 1 내지 15 몰%, 다른 예를 들면 3 내지 15 몰%, 또 다른 예를 들면 5 내지 15 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the glass frit may further include bismuth (Bi) in an amount of 1 to 20 mol%. In the above range, the contact resistance may be improved and the conversion efficiency may be excellent. For example, the glass frit may include bismuth (Bi) in an amount of 1 to 15 mol%, for example 3 to 15 mol%, and for another example, 5 to 15 mol%, but is not limited thereto.
일 구현예에 따르면, 유리 프릿은 아연(Zn)을 0.1 내지 15 몰%로 더 포함할 수 있다. 상기 범위에서 접촉저항이 개선되고, 변환효율이 우수한 효과가 있을 수 있다. 예를 들면, 유리 프릿은 아연(Zn)을 1 내지 15 몰%, 다른 예를 들면 1 내지 10 몰%로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment, the glass frit may further include 0.1 to 15 mol% of zinc (Zn). In the above range, the contact resistance may be improved and the conversion efficiency may be excellent. For example, the glass frit may contain 1 to 15 mol% of zinc (Zn), for example, 1 to 10 mol%, but is not limited thereto.
유리 프릿의 형상 및 크기 등은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 유리 프릿의 형상은 구형 또는 부정형일 수 있고, 유리 프릿의 평균 입경(D50)은 0.1 내지 10㎛일 수 있다. 여기서, 평균 입경(D50)은 유리 프릿을 이소프로필알코올(IPA) 중에서 25℃에서 3분 동안 초음파 분산시킨 후 CILAS社에서 제작한 1064LD 모델을 사용하여 측정될 수 있다.The shape and size of the glass frit are not particularly limited. For example, the shape of the glass frit may be spherical or irregular, and the average particle diameter (D 50 ) of the glass frit may be 0.1 to 10 μm. Here, the average particle diameter (D 50 ) may be measured using a 1064LD model manufactured by CILAS after ultrasonically dispersing the glass frit in isopropyl alcohol (IPA) at 25° C. for 3 minutes.
유리 프릿은 통상의 방법을 사용하여 상술한 원소 및/또는 원소 산화물로부터 제조될 수 있다. 예를 들어, 상술한 원소 및/또는 원소 산화물을 볼 밀(ball mill) 또는 플라네터리 밀(planetary mill) 등을 사용하여 혼합한 후, 혼합된 조성물을 800 내지 1,300℃에서 용융시키고, 25℃에서 ??칭(quenching)한 다음, 얻은 결과물을 디스크 밀(disk mill), 플라네터리 밀 등에 의해 분쇄하여 얻을 수 있다.Glass frits may be prepared from the elements and/or element oxides described above using conventional methods. For example, after mixing the above-described elements and/or element oxides using a ball mill or a planetary mill, the mixed composition is melted at 800 to 1,300°C, and 25°C After quenching in the , the obtained result can be obtained by pulverizing by a disk mill, a planetary mill, or the like.
유리 프릿의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 유리 프릿은 태양전지 전극 형성용 조성물 총 중량 중 0.1 내지 20 중량%(예를 들면, 0.1 내지 10 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 다양한 면저항 하에서 p-n 접합 안정성을 확보할 수 있고, 저항을 최소화시킬 수 있으며, 종국적으로 태양전지의 효율을 개선할 수 있다. The amount of the glass frit used is not particularly limited, but, for example, the glass frit may be included in an amount of 0.1 to 20% by weight (eg, 0.1 to 10% by weight) of the total weight of the composition for forming a solar cell electrode. In the above range, p-n junction stability can be secured under various sheet resistances, resistance can be minimized, and ultimately, the efficiency of the solar cell can be improved.
유기 비히클organic vehicle
유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물의 무기성분과 기계적 혼합을 통하여 조성물에 인쇄에 적합한 점도 및 유변학적 특성을 부여한다.The organic vehicle imparts viscosity and rheological properties suitable for printing to the composition through mechanical mixing with the inorganic component of the composition for forming a solar cell electrode.
유기 비히클은 통상적으로 태양전지 전극 형성용 조성물에 사용되는 유기 비히클이 사용될 수 있으며, 바인더 수지와 용매 등을 포함할 수 있다.As the organic vehicle, an organic vehicle typically used in a composition for forming a solar cell electrode may be used, and may include a binder resin, a solvent, and the like.
바인더 수지로는 아크릴레이트계 또는 셀룰로오스계 수지 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 바인더 수지로 에틸 셀룰로오스가 사용될 수 있다. 다른 예를 들면, 바인더 수지로 하이드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스와 페놀 수지의 혼합물, 알키드 수지, 페놀계 수지, 아크릴산 에스테르계 수지, 크실렌계 수지, 폴리부텐계 수지, 폴리에스테르계 수지, 요소계 수지, 멜라민계 수지, 초산비닐계 수지, 목재 로진(rosin), 알콜의 폴리메타크릴레이트 등이 단독으로 또는 혼합하여 사용될 수 있다.As the binder resin, an acrylate-based resin or a cellulose-based resin may be used. For example, ethyl cellulose may be used as the binder resin. In another example, as the binder resin, hydroxyethyl cellulose, nitrocellulose, a mixture of ethyl cellulose and phenol resin, alkyd resin, phenol-based resin, acrylic acid ester-based resin, xylene-based resin, polybutene-based resin, polyester-based resin, Urea-based resin, melamine-based resin, vinyl acetate-based resin, wood rosin, polymethacrylate of alcohol, etc. may be used alone or in combination.
용매로는, 예를 들어 헥산, 톨루엔, 에틸셀로솔브, 시클로헥사논, 부틸셀로솔브, 부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르), 디부틸 카비톨(디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르), 부틸 카비톨 아세테이트(디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 헥실렌 글리콜, 터핀올(terpineol), 메틸에틸케톤, 벤질알콜, 감마부티로락톤, 에틸락테이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 모노이소부티레이트(예를 들면, 텍사놀) 등이 단독으로 또는 혼합하여 사용될 수 있다.Examples of the solvent include hexane, toluene, ethyl cellosolve, cyclohexanone, butyl cellosolve, butyl carbitol (diethylene glycol monobutyl ether), dibutyl carbitol (diethylene glycol dibutyl ether), butyl carbitol acetate (diethylene glycol monobutyl ether acetate), propylene glycol monomethyl ether, hexylene glycol, terpineol, methyl ethyl ketone, benzyl alcohol, gamma butyrolactone, ethyl lactate, 2,2, 4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate (eg, Texanol) may be used alone or in combination.
유기 비히클의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 유기 비히클은 태양전지 전극 형성용 조성물 총 중량 중 1 내지 30 중량%(예를 들면, 3 내지 20 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 충분한 접착강도와 우수한 인쇄성을 확보할 수 있다.The amount of the organic vehicle used is not particularly limited, but, for example, the organic vehicle may be included in an amount of 1 to 30% by weight (eg, 3 to 20% by weight) of the total weight of the composition for forming a solar cell electrode. Within the above range, sufficient adhesive strength and excellent printability can be ensured.
첨가제additive
태양전지 전극 형성용 조성물은 상술한 성분 외에도 유동 특성, 공정 특성 및 안정성을 향상시키기 위하여 필요에 따라 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제, 커플링제 등을 단독 또는 2종 이상 더 포함할 수 있다. 이들은 태양전지 전극 형성용 조성물 총 중량 중 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있으나, 필요에 따라 그 함량을 변경할 수 있다.In addition to the above components, the composition for forming a solar cell electrode contains a dispersant, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, an antifoaming agent, a pigment, a UV stabilizer, an antioxidant, a coupling agent, etc. It may further include alone or two or more types. These may be included in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the composition for forming a solar cell electrode, but the content may be changed as needed.
태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지Solar cell electrode and solar cell including same
다른 측면에 따르면, 상기 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 태양전지 전극 및 이를 포함하는 태양전지가 제공된다. 도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 태양전지(100)의 구조를 개략적으로 도시한 것이다.According to another aspect, a solar cell electrode formed from the composition for forming a solar cell electrode and a solar cell including the same are provided. 1 schematically shows the structure of a
도 1을 참조하면, p층(또는 n층)(11) 및 에미터로서의 n층(또는 p층)(12)을 포함하는 웨이퍼 또는 기판(10) 상에, 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄하고 소성하여 후면 전극(21) 및 전면 전극(23)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 태양전지 전극 형성용 조성물을 웨이퍼의 후면에 인쇄 도포한 후, 200 내지 400℃에서 10 내지 60초 동안 건조하여 후면 전극을 위한 사전 준비 단계를 수행할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 전면에 태양전지 전극 형성용 조성물을 인쇄한 후 건조하여 전면 전극을 위한 사전 준비단계를 수행할 수 있다. 이후에, 400 내지 950℃에서 30 내지 210초 동안 소성하는 소성 과정을 수행하여 전면 전극 및 후면 전극을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 1 , on a wafer or
이하, 실시예를 들어 본 발명의 일 구현예를 따르는 태양전지 전극 형성용 조성물에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며, 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.Hereinafter, for example, the composition for forming a solar cell electrode according to an embodiment of the present invention will be described in more detail. However, this is presented as a preferred example of the present invention, and it cannot be construed as limiting the present invention in any sense.
실시예Example
실시예 1Example 1
바인더 수지로서 에틸셀룰로오스(STD4, Dow chemical社) 2 중량부를 용매인 터핀올(Nippon Terpine社) 6.5 중량부로 60℃에서 충분히 용해한 후, 평균 입경이 2.0㎛인 구형의 은 분말(4-8F, Dowa社) 90 중량부, 평균 입경이 1.0㎛인 하기 표 1의 유리 프릿 A 1.5 중량부를 투입하여 골고루 믹싱한 후, 3롤 혼련기로 혼합 분산시켜 태양 전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.After sufficiently dissolving 2 parts by weight of ethyl cellulose (STD4, Dow chemical) as a binder resin with 6.5 parts by weight of terpinol (Nippon Terpine) as a solvent at 60° C., spherical silver powder (4-8F, Dowa) having an average particle diameter of 2.0 μm Company) 90 parts by weight, 1.5 parts by weight of the glass frit A of Table 1 below having an average particle diameter of 1.0 μm, mixed evenly, and mixed and dispersed with a 3-roll kneader to prepare a composition for forming a solar cell electrode.
실시예 2 내지 6 및 비교예 1 내지 7Examples 2 to 6 and Comparative Examples 1 to 7
유리 프릿 A 대신 하기 표 1의 유리 프릿 B 내지 F를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법을 사용하여 태양전지 전극 형성용 조성물을 제조하였다.A composition for forming a solar cell electrode was prepared in the same manner as in Example 1, except that glass frits B to F of Table 1 were used instead of glass frit A.
(몰%)PbO
(mole%)
(몰%)TeO 2
(mole%)
(몰%)Li 2 O
(mole%)
(몰%)CuO
(mole%)
(몰%)In 2 O 3
(mole%)
(몰%)Tl 2 O 3
(mole%)
(몰%)Bi 2 O 3
(mole%)
(몰%)ZnO
(mole%)
(몰비)Cu: first element
(molar ratio)
(몰%)Cu + first element
(mole%)
평가예 1: 전기적 특성Evaluation Example 1: Electrical properties
웨이퍼(보론(Boron)이 도핑(doping)된 p 타입 웨이퍼 전면에 텍스쳐링(texturing)한 후, POCl3로 n+층을 형성하고 그 위에 질화규소(SiNx:H)를 반사 방지막으로 형성시킨 단결정 웨이퍼)의 후면에 알루미늄 페이스트를 인쇄한 후 300℃에서 30초 동안 건조하였다. 이후, 웨이퍼 전면에 실시예 및 비교예에서 제조한 태양전지 전극 형성용 조성물을 스크린 인쇄하고 300℃에서 30초 동안 건조시켰다. 상기 과정으로 형성된 셀을 벨트형 소성로를 사용하여 940℃에서 70초간 소성하여 태양전지 셀을 제조하였다. 이와 같이 제조된 태양전지 셀에 대하여 태양전지 효율 측정 장비(Halm, Fortix tech社)를 사용하여 단락전류(Isc, 단위: A), 개방전압(Voc, 단위: mV), 직렬저항(Rs, 단위: mΩ) 및 변환효율(Eff., 단위: %)을 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타냈다.Wafer (single crystal wafer in which an n + layer is formed with POCl 3 and silicon nitride (SiNx:H) is formed as an anti-reflection film after texturing the entire surface of the p-type wafer doped with boron) After printing the aluminum paste on the back side of the plate, it was dried at 300°C for 30 seconds. Then, the composition for forming a solar cell electrode prepared in Examples and Comparative Examples was screen-printed on the entire surface of the wafer and dried at 300° C. for 30 seconds. The cell formed by the above process was fired at 940° C. for 70 seconds using a belt-type firing furnace to prepare a solar cell. Short-circuit current (Isc, unit: A), open circuit voltage (Voc, unit: mV), series resistance (Rs, unit : mΩ) and conversion efficiency (Eff., unit: %) were measured, and the results are shown in Table 2 below.
평가예 2: 종횡비Evaluation Example 2: Aspect Ratio
실시예 및 비교예에서 제조한 태양전지 전극 형성용 조성물을 결정계 실리콘 모노 웨이퍼 전면에 일정한 패턴으로 스크린 인쇄(스크린 마스크: 360 메쉬, 에멀젼 15, 폭 35㎛)하였다. 전극의 형상은 사다리꼴 형상이고, 최대 폭은 75㎛, 최대 높이는 17㎛이었다. 벨트형 소성로를 이용하여, 375℃에서 30 내지 60초 동안 건조시키고, 600 내지 900℃에서 60 내지 210초 동안 소성하여 얻은 전극을 3D 레이저 현미경(KEYENCE社, VK-9700)으로 관찰하여, 전극의 두께(단위: ㎛) 및 선폭(단위: ㎛)을 측정한 후 전극의 종횡비(두께/선폭)를 계산하여, 그 결과를 표 2에 나타냈다.The compositions for forming solar cell electrodes prepared in Examples and Comparative Examples were screen-printed (screen mask: 360 mesh, emulsion 15, width 35 μm) in a uniform pattern on the entire surface of a crystalline silicon mono wafer. The shape of the electrode was trapezoidal, and the maximum width was 75 µm and the maximum height was 17 µm. Using a belt-type firing furnace, the electrode obtained by drying at 375° C. for 30 to 60 seconds and firing at 600 to 900° C. for 60 to 210 seconds was observed with a 3D laser microscope (KEYENCE, VK-9700), After measuring the thickness (unit: μm) and line width (unit: μm), the aspect ratio (thickness/line width) of the electrode was calculated, and the results are shown in Table 2.
상기 표 2를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 유리 프릿을 포함한 실시예 1 내지 6의 태양전지 전극 형성용 조성물로부터 형성된 태양전지는 그렇지 않은 비교예 1 내지 7에 비하여 미세선폭 및 고종횡비를 갖고, 단락전류, 개방전압, 직렬저항 및 변환효율이 우수한 것을 알 수 있다. As can be seen from Table 2, the solar cells formed from the compositions for forming solar cell electrodes of Examples 1 to 6 including the glass frit of the present invention have fine line width and high aspect ratio compared to Comparative Examples 1 to 7, which is not. It can be seen that the short-circuit current, open-circuit voltage, series resistance and conversion efficiency are excellent.
이제까지 본 발명에 대하여 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.Up to now, the present invention has been looked at focusing on examples. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in modified forms without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is indicated in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the present invention.
Claims (10)
상기 유리 프릿은 납(Pb), 텔루륨(Te), 리튬(Li), 구리(Cu) 및 제1원소를 포함하고,
상기 제1원소는 인듐(In), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 탈륨(Tl) 중 1종 이상이고,
구리(Cu)와 제1원소의 몰비는 1 : 0.5 내지 1 : 15이고,
구리(Cu)와 제1원소의 합계 몰%는 0.5 내지 5 몰%인, 태양전지 전극 형성용 조성물.
a conductive powder, a glass frit and an organic vehicle;
The glass frit includes lead (Pb), tellurium (Te), lithium (Li), copper (Cu) and a first element,
The first element is at least one of indium (In), aluminum (Al), gallium (Ga), and thallium (Tl);
The molar ratio of copper (Cu) to the first element is 1:0.5 to 1:15,
The total mol% of copper (Cu) and the first element is 0.5 to 5 mol%, a composition for forming a solar cell electrode.
상기 유리 프릿은 납(Pb)을 5 내지 50 몰%로 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The glass frit comprises lead (Pb) in an amount of 5 to 50 mol%, a composition for forming a solar cell electrode.
상기 유리 프릿은 텔루륨(Te)을 15 내지 70 몰%로 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The glass frit comprises tellurium (Te) in an amount of 15 to 70 mol%, a composition for forming a solar cell electrode.
상기 유리 프릿은 리튬(Li)을 0.1 내지 30 몰%로 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The glass frit comprises lithium (Li) in an amount of 0.1 to 30 mol%, a composition for forming a solar cell electrode.
상기 유리 프릿은 제2원소를 더 포함하고,
상기 제2원소는 비스무스(Bi), 아연(Zn), 인(P), 게르마늄(Ge), 은(Ag), 철(Fe), 규소(Si), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 세슘(Cs), 니오븀(Nb), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 바나듐(V), 바륨(Ba), 니켈(Ni), 나트륨(Na), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 비소(As), 셀레늄(Se), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 칼슘(Ca), 탄탈륨(Ta), 세륨(Ce) 및 붕소(B) 중 1종 이상을 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The glass frit further comprises a second element,
The second element is bismuth (Bi), zinc (Zn), phosphorus (P), germanium (Ge), silver (Ag), iron (Fe), silicon (Si), tungsten (W), magnesium (Mg), Molybdenum (Mo), cesium (Cs), niobium (Nb), strontium (Sr), titanium (Ti), tin (Sn), vanadium (V), barium (Ba), nickel (Ni), sodium (Na), Potassium (K), Calcium (Ca), Arsenic (As), Selenium (Se), Cobalt (Co), Zirconium (Zr), Manganese (Mn), Calcium (Ca), Tantalum (Ta), Cerium (Ce) and A composition for forming a solar cell electrode, comprising at least one of boron (B).
상기 유리 프릿은 비스무스(Bi)를 1 내지 20 몰%로 더 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The glass frit further comprises 1 to 20 mol% of bismuth (Bi), the composition for forming a solar cell electrode.
상기 유리 프릿은 아연(Zn)을 0.1 내지 15 몰%로 더 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The glass frit further comprises 0.1 to 15 mol% of zinc (Zn), a composition for forming a solar cell electrode.
상기 태양전지 전극 형성용 조성물은 분산제, 요변제, 가소제, 점도 안정화제, 소포제, 안료, 자외선 안정제, 산화방지제 및 커플링제 중 1종 이상을 더 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The composition for forming a solar cell electrode further comprises at least one of a dispersing agent, a thixotropic agent, a plasticizer, a viscosity stabilizer, an antifoaming agent, a pigment, an ultraviolet stabilizer, an antioxidant, and a coupling agent.
상기 태양전지 전극 형성용 조성물은,
상기 도전성 분말 60 내지 95 중량%;
상기 유리 프릿 0.1 내지 20 중량%; 및
상기 유기 비히클 1 내지 30 중량%; 를 포함하는, 태양전지 전극 형성용 조성물.
According to claim 1,
The composition for forming the solar cell electrode,
60 to 95% by weight of the conductive powder;
0.1 to 20% by weight of the glass frit; and
1 to 30% by weight of the organic vehicle; A composition for forming a solar cell electrode comprising a.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200084260A KR20220006374A (en) | 2020-07-08 | 2020-07-08 | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200084260A KR20220006374A (en) | 2020-07-08 | 2020-07-08 | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220006374A true KR20220006374A (en) | 2022-01-17 |
Family
ID=80051702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200084260A KR20220006374A (en) | 2020-07-08 | 2020-07-08 | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220006374A (en) |
-
2020
- 2020-07-08 KR KR1020200084260A patent/KR20220006374A/en unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106816484B (en) | Method of forming electrode, electrode manufactured thereby, and solar cell | |
KR20210111912A (en) | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same | |
JP2016210962A (en) | Electrode forming composition, electrode manufactured using the same, and solar cell | |
KR101590224B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR101940170B1 (en) | Composition forforming electrode, electrode manufactured using the same and solar cell | |
KR20210121343A (en) | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same | |
KR20210076308A (en) | Solar cell electrode and method for forming the same | |
KR102171405B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR102018364B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR101955759B1 (en) | Composition for forming p-type solar cell electrode, electrode prepared and p-type solar cell prepared by using the same | |
KR102406747B1 (en) | Method for forming solar cell electrode and solar cell | |
KR20220006374A (en) | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same | |
KR20200078172A (en) | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same | |
KR20190073210A (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR20210111400A (en) | Solar cell | |
KR102316662B1 (en) | Method for forming solar cell electrode, solar cell electrode manufactured therefrom and solar cell | |
KR20210121342A (en) | Composition for forming solar cell electrode, selective emitter solar cell electrode, and selective emitter solar cell | |
KR102326611B1 (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR20210158738A (en) | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same | |
KR20180090669A (en) | Method for manufacturing finger electrode for solar cell and finger electrode for solar cell prepared thereby | |
KR20160075422A (en) | Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same | |
KR101974839B1 (en) | Composition for forming electrode, electrode manufactured using the same and solar cell | |
KR20210109728A (en) | Composition for forming solar cell electrode and solar cell electrode prepared using the same | |
KR20200015318A (en) | Composition for forming electrode for solar cell including aluminum oxide layer, electrode prepared using the same and solar cell comprising electrode prepared using the same | |
US20200194601A1 (en) | Composition for forming diamond sawn wafer solar cell electrode and diamond sawn wafer solar cell electrode prepared using the same |