KR20210155106A - 란탄족 전구체 및 이를 이용한 란탄족 함유 박막 및 상기 박막의 형성 방법 및 상기 란탄족 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. - Google Patents

란탄족 전구체 및 이를 이용한 란탄족 함유 박막 및 상기 박막의 형성 방법 및 상기 란탄족 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. Download PDF

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김동현
박용주
송기창
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Abstract

본 발명은 화학식 1로 표시되는 구아니디네이트(guanidinate)를 함유하는 란탄족 화합물 또는 화학식 2로 표시되는 β-다이케토네이트(β-diketonate)를 함유하는 란탄족 화합물 또는 화학식 3으로 표시되는 바이덴테이트(bidenate)를 함유하는 란탄족 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 란탄족 전구체와 이를 이용한 란탄족 함유 박막의 형성 방법 및 상기 란탄족 함유 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure pat00017

[화학식 2]
Figure pat00018

[화학식 3]
Figure pat00019

상기 화학식 1 내지 3에서 R 내지 R'는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 알킬기이며, X는 각각 독립적으로 수소원자, OR, NRR' 또는 CF3이며, Y는 각각 독립적으로 O, OR, NR 또는 NRR'이다.

Description

란탄족 전구체 및 이를 이용한 란탄족 함유 박막 및 상기 박막의 형성 방법 및 상기 란탄족 함유 박막을 포함하는 반도체 소자.{LANTHANIDE PRECURSOR AND LANTHANIDE-CONTAINING FILM USING THE SAME AND DEPOSITION METHOD OF THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 란탄족 전구체 및 이를 이용한 란탄족 함유 박막 및 상기 박막의 형성 방법 및 상기 란탄족 함유 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로서, ALD, CVD 등의 박막 형성 공정에서 열안정성이 확보되며 휘발성이 개선된 액상의 란탄족 전구체, 상기 란탄족 전구체를 이용한 박막 및 상기 박막을 고온 공정에서 형성하는 방법 및 상기 박막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다.
최근 개발되는 트랜지스터는 소형화되고 있으며, 금속 게이트/고유전율 트랜지스터로 기술의 트렌드가 바뀌어 가고 있는 추세이다. 이에 따라 기존의 실리콘계 게이트 유전체로는 신뢰성을 확보하기 어려워 란탄족-함유 재료를 기반으로 한 박막을 이용하면 종래의 유전체 재료에 비해 큰 정전용량의 확보가 가능할 것이다.
다양한 형태의 란탄족 전구체가 개발되고 있는데, 예를 들어, 대한민국 공개특허공보 10-2019-0008427호에 개시된 것과 같은 아자-알릴 리간드에 배위된 란탄족 원자를 포함하는 구조의 전구체나, 대한민국 공개특허공보 10-2019-0094238호에 개시된 것과 같은 사이클로펜타디에닐기를 함유하는 란탄족 함유 전구체를 들 수 있다.
특히, 사이클로펜타티에닐기를 함유하는 착화합물의 경우 베타디케토네이트나 비스(트리메틸실릴)아미드를 함유하는 화합물에 비해 융점이 낮고 휘발성이 높아 박막 형성 공정에서 전구체로 사용하는데 이점이 있다. 이러한 점에 착안하여 새로운 형태의 란탄족 전구체를 개발한다면 박막 형성 공정의 효율과 박막의 품질을 높일 수 있는 새로운 전구체를 얻을 수 있을 것으로 기대된다.
대한민국 공개특허공보 10-2019-0008427호 대한민국 공개특허공보 10-2019-0094238호
본 발명은 상기와 같은 종래기술을 감안하여 안출된 것으로, 구아니디네이트(guanidinate), β-디케토네이트(β-diketonate) 또는 바이덴테이트(bidenate)를 리간드로 함유하는 란탄족 전구체를 통해 박막 형성 공정에서 열안정성이 확보되며 휘발성이 개선됨으로써 박막 형성 공정의 효율을 향상시킬 수 있는 란탄족 전구체를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 상기 전구체를 이용하여 증착 공정을 수행함으로써 박막의 균일성(uniformity) 및 단차피복(step coverage) 특성을 개선시킨 고품질의 박막 및 상기 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 상기 전구체를 사용하여 제조된 상기 금속 박막을 포함하는 반도체 소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 란탄족 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 구아니디네이트(guanidinate)를 함유하는 란탄족 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 β-다이케토네이트(β-diketonate)를 함유하는 란탄족 화합물 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 바이덴테이트(bidenate)를 함유하는 란탄족 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 화학식 1 내지 3에서 R 내지 R'는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 알킬기이며, X는 각각 독립적으로 수소원자, OR, NRR' 또는 CF3이며, Y는 각각 독립적으로 O, OR, NR 또는 NRR'이다.
이때, 상기 란탄족 전구체는 3차 아민, 에테르, C1-C16의 포화 또는 불포화 탄화수소, 방향족 화합물에서 선택되는 용매를 포함할 수 있다.
또한, 상기 용매는 상기 란탄족 전구체의 총 중량에 대하여 1 내지 99 중량%로 포함될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 란탄족 함유 박막 형성 방법은 상기 란탄족 전구체를 기판 상에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 란탄족 함유 박막은 원자층 증착(ALD) 또는 화학 기상 증착(CVD)에 의해 증착될 수 있다.
또한, 상기 증착하는 단계는 챔버 내에 기판을 위치하는 단계, 상기 란탄족 전구체를 상기 챔버 내에 공급하는 단계, 상기 챔버 내에 반응성 기체 또는 반응성 기체의 플라즈마를 공급하는 단계, 상기 챔버 내에서 열 처리, 플라즈마 처리 및 광 조사 중 어느 하나 또는 그 이상의 수단에 의해 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 소자는 상기 란탄족 함유 박막 형성 방법에 의해 제조된 란탄족 함유 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 란탄족 전구체는 구아니디네이트, β-디케토네이트 또는 바이덴테이트를 리간드로 함유함으로써 박막 형성 공정에서 열안정성이 확보되며 휘발성이 개선되고, 란탄족 함유 박막을 형성하는 공정의 효율을 향상시키는 효과를 나타낸다.
특히, 상기 전구체를 이용하여 증착 공정을 수행함으로써 박막의 균일성(uniformity) 및 단차피복(step coverage) 특성을 개선시킨 고품질의 박막 및 상기 박막의 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 상기 전구체를 사용하여 제조된 상기 금속 박막을 포함하는 반도체 소자를 제공할 수 있다.
이하 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 따른 란탄족 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 구아니디네이트(guanidinate)를 함유하는 란탄족 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 β-다이케토네이트(β-diketonate)를 함유하는 란탄족 화합물 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 바이덴테이트(bidenate)를 함유하는 란탄족 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 1]
Figure pat00004
[화학식 2]
Figure pat00005
[화학식 3]
Figure pat00006
상기 화학식 1 내지 3에서 R 내지 R'는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 알킬기이며, X는 각각 독립적으로 수소원자, OR, NRR' 또는 CF3이며, Y는 각각 독립적으로 O, OR, NR 또는 NRR'이다.
상기 화학식 1은 구아니디네이트를 함유하는 것이며, 상기 화학식 2는 β-다이케토네이트를 함유한 것이며, 상기 화학식 3은 바이덴테이트를 함유한 것으로서 란탄족 중심원자와 결합하는 하나의 질소원자(또는 산소원자)와 비공유 전자쌍을 공유하는 다른 하나의 질소원자(또는 산소원자)가 결합할 수 있기 때문에 이를 통해 질소 및/또는 산소원자가 란탄족 중심원자에 대하여 가교구조를 형성하게 된다. 이와 같이 가교구조를 가짐으로써 상기 란탄족 화합물은 상대적으로 낮은 융점과 높은 휘발성과 열안정성을 가지게 된다. 사이클로펜타디에닐기를 함유하는 금속 화합물은 점도가 너무 높아 증착 공정에 부적합한 경우가 있고 용매에 용해되지 않는 경우가 있으나, 본 발명에 따른 란탄족 화합물은 다양한 용매에 쉽게 용해되어 증착 공정의 효율을 높일 수 있고 고온 증착 공정을 포함한 다양한 증착 공정 조건에도 적용할 수 있게 된다.
화학식 2 및 3으로 표시되는 란탄족 화합물의 경우 란탄족 중심원자와 결합하는 원자 및 비공유 전자쌍을 공유하는 원자가 모두 산소이거나 산소와 질소로 이루어지거나 모두 질소로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 Y는 각각 독립적으로 O, OR, NR 또는 NRR'가 될 수 있다.
즉, 화학식 2에서 Y의 종류에 따른 예시적인 화학구조로는 하기 화학식 2-1 내지 2-3을 들 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure pat00007
[화학식 2-2]
Figure pat00008
[화학식 2-3]
Figure pat00009
또한, 상기 화학식 3에서 Y의 종류에 따른 예시적인 화학구조로는 하기 화학식 3-1 내지 3-4를 들 수 있다.
[화학식 3-1]
Figure pat00010
[화학식 3-2]
Figure pat00011
[화학식 3-3]
Figure pat00012
[화학식 3-4]
Figure pat00013
즉, 상기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 란탄족 화합물은 100℃ 이상에서 기화가 가능하므로 가열에 의해 기체상태로 챔버 내에 공급할 수 있다. 또한, 상기 란탄족 화합물은 그 자체로 점도가 높은 경우가 있으므로 공급 효율을 향상시키거나 저온에서 공급하기 위하여 용매를 혼합할 수도 있다.
이 경우 상기 란탄족 전구체는 3차 아민, 에테르, C1-C16의 포화 또는 불포화 탄화수소, 방향족 화합물에서 선택되는 용매를 함유할 수 있다.
상기 용매는 상기 란탄족 전구체를 분산 또는 용해시킬 수 있는 것이라면 어떠한 것이라도 사용할 수 있다. 또한, 상기 C1-C16의 포화 또는 불포화 탄화수소의 예로는 펜탄, 헵탄, 옥탄, 톨루엔 등을 들 수 있으며, 3차 아민으로는 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등을 들 수 있다.
상기 용매는 상기 란탄족 전구체 총 중량에 대하여 1 내지 99 중량%, 바람직하게는 1 내지 50 중량%로 포함될 수 있다. 상기 용매를 포함하거나 포함하지 않는 상기 란탄족 전구체는 다양한 수단에 의해 챔버 내로 공급함으로써 증착 공정을 수행할 수 있다.
상기 증착 공정을 통한 박막 형성 방법은 상기 란탄족 전구체를 이용하여 기판 상에 통상의 증착 공정에 의한 박막의 제조방법에 따라 실시될 수 있으며, 구체적으로는 화학증착법(chemical vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD) 등의 방법으로 실시될 수 있다. 특히, 바람직하게는 원자층 증착법으로 제조할 수 있다.
상기 증착하는 단계는 챔버 내에 기판을 위치하는 단계, 상기 란탄족 전구체를 상기 챔버 내에 위치한 기판 위로 공급하는 단계, 상기 챔버 내에 반응성 기체 또는 반응성 기체의 플라즈마를 공급하는 단계, 상기 챔버 내에서 열 처리, 플라즈마 처리 및 광 조사 중 어느 하나 또는 그 이상의 수단에 의해 처리하는 단계를 포함하여 수행할 수 있다.
상기와 같은 증착 공정에서는 상기 란탄족 전구체가 도입되고 초기 화학 흡착 단계에서 가교 결합을 유지할 수 있기 때문에 고온 공정 조건에서도 열분해를 최소화할 수 있다. 이후 중간 상태를 경유하여 반응성 기체에 의해 란탄족 산화막, 란탄족 질화막 또는 란탄족 산질화막이 형성되게 된다. 따라서 상기 란탄족 전구체를 사용하면 고온에서 안정적인 원자층 증착(ALD) 또는 화학 기상 증착(CVD) 공정을 수행할 수 있게 된다.
상기 란탄족 함유 박막 형성을 위한 기판으로는 기술적 작용으로 인하여 란탄족 함유 박막에 의해 코팅될 필요가 있는, 반도체 제조에 사용되는 것이라면 특별한 제한 없이 사용 가능하다. 구체적으로는 규소 기판(Si), 실리카 기판(SiO2), 질화 규소 기판(SiN), 규소 옥시 니트라이드 기판 (SiON), 티타늄 니트라이드 기판(TiN), 탄탈륨 니트라이드 기판(TaN), 텅스텐 기판(W) 또는 귀금속 기판, 예를 들어 백금 기판(Pt), 팔라듐 기판(Pd), 로듐 기판(Rh) 또는 금 기판(Au) 등이 사용될 수 있다.
상기 란탄족 전구체는 휘발된 기체 형태로 이송될 수 있고, 직접 액체 주입 방법 또는 액체 이송 방법이 이용될 수 있다. 직접 액체 주입 방법의 경우 란탄족 화합물을 그대로 전구체로서 이용할 수 있고, 상기 액체 이송 방법의 경우 상기 용매를 함유하는 전구체를 이용할 수 있다. 상기 란탄족 전구체를 휘발된 기체로 이송하는 방법은 상기 전구체가 들어 있는 용기를 항온조에 넣은 후 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 제논 또는 질소 등의 비활성 가스로 버블링하여 전구체를 증발시킨 후 금속 박막 형성용 기판 위로 이송시키거나, 또는 액체운반시스템(LDS: Liquid Delivery System)을 사용하여 전구체를 기화기를 통해 기상으로 변화시킨 후 금속 박막 형성용 기판 위로 이송시킴으로써 실시될 수 있다.
또한, 용매를 함유하는 경우, 상기 란탄족 전구체를 구성하는 용매의 비점, 밀도 및 증기압 조건을 고려하여 란탄족 전구체의 점도 감소 효과 및 휘발성 개선 효과를 향상하고, 이를 통해, 증착된 박막의 균일성(uniformity) 및 단차피복(step coverage) 특성이 개선된 박막의 형성을 할 수 있도록 용매 및 함량을 결정하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 란탄족 전구체를 챔버 내에 공급할 때, 최종 형성되는 금속 박막에서의 전기적 특성, 즉 정전용량을 더욱 개선시키기 위하여 제2 금속 전구체로서 규소(Si), 티타늄(Ti), 게르마늄(Ge), 스트론튬(Sr), 니오브(Nb), 바륨(Ba), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta) 및 란탄족 원자로부터 선택된 1종 이상의 금속(M)을 포함하는 금속 전구체를 선택적으로 더 공급할 수도 있다. 상기 제2 금속 전구체는 상기 금속을 포함하는 알킬아미드계 화합물 또는 알콕시계 화합물 일 수 있다. 일례로 상기 금속이 Si인 경우 제2금속 전구체로 SiH(N(CH3)2)3, Si(N(C2H5)2)4, Si(N(C2H5)(CH3))4, Si(N(CH3)2)4, Si(OC4H9)4, Si(OC2H5)4, Si(OCH3)4, Si(OC(CH3)3)4 등이 사용될 수 있다.
상기 제2 금속 전구체의 공급은 상기 란탄족 전구체의 공급 방법과 동일한 방법으로 실시될 수 있으며, 상기 제2 금속 전구체는 상기 란탄족 전구체와 함께 박막 형성용 기판 위로 공급될 수도 있고, 또는, 상기 란탄족 전구체의 공급 완료 이후 순차적으로 공급될 수도 있다.
상기와 같은 란탄족 전구체 및 선택적으로 제2 금속 전구체는 상기 금속막 형성용 기판과 접촉시키기 위해 반응 챔버 내로 공급되기 전까지 200℃ 이하의 온도를 유지하는 것이 바람직하다. 또한, 전구체가 기화 상태를 유지하여 응축되지 않는 온도를 유지하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 란탄족 전구체의 공급 단계 후 반응성 가스의 공급에 앞서, 상기 란탄족 전구체 및 선택적으로 제2 금속 전구체의 기판 위로의 이동을 돕거나, 반응기 내가 증착에 적절한 압력을 갖도록 하며, 또한, 챔버 내에 존재하는 불순물 등을 외부로 방출시키기 위하여, 반응기 내에 아르곤(Ar), 질소(N2), 또는 헬륨(He) 등의 불활성 기체를 퍼지하는 공정이 실시될 수 있다. 이때 불활성 기체의 퍼지는 반응기내 압력이 1 내지 5Torr가 되도록 실시되는 것이 바람직하다.
상기 란탄족 전구체의 공급 완료 후 반응성 가스를 반응기 내로 공급하고, 반응성 가스의 존재 하에서 열처리, 플라즈마 처리 및 광 조사로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 처리 공정을 실시한다.
상기 반응성 가스로는 수증기(H2O), 산소(O2), 오존(O3), 과산화수소(H2O2), 수소(H2), 암모니아(NH3), 일산화질소(NO), 아산화질소(N2O), 이산화질소(NO2), 히드라진(N2H4), 및 실란(SiH4) 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 수증기, 산소, 오존 등과 같은 산화성 가스 존재 하에서 실시될 경우 산화물의 박막이 형성될 수 있고, 수소, 암모니아, 히드라진, 실란 등의 환원성 가스 존재 하에서 실시되는 경우 란탄족 금속 단체 또는 질화물의 박막이 형성될 수 있다.
또한, 상기 열처리, 플라즈마 처리 또는 광조사의 처리 공정은 란탄족 전구체의 증착을 위한 열에너지를 제공하기 위한 것으로, 통상의 방법에 따라 실시될 수 있다. 바람직하게는, 충분한 성장 속도로, 목적하는 물리적 상태와 조성을 갖는 박막을 제조하기 위해서는 반응기내 기판의 온도가 100 내지 1,000℃ 바람직하게는 200 내지 500℃가 되도록 상기 처리 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 처리 공정 시에도 전술한 바와 같이 반응성 가스의 기판 위로의 이동을 돕거나, 반응기 내가 증착에 적절한 압력을 갖도록 하며, 또한 반응기내 존재하는 불순물 또는 부산물 등을 외부로 방출시키기 위하여, 반응기 내에 아르곤(Ar), 질소(N2), 또는 헬륨(He) 등의 불활성 기체를 퍼지하는 공정이 실시될 수 있다.
상기와 같은, 금속 전구체의 투입, 반응성 가스의 투입, 그리고 불활성 기체의 투입 처리 공정은 1 사이클로 하여. 1 사이클 이상 반복 실시함으로써 란탄족 함유 박막이 형성될 수 있다.
구체적으로, 반응성 가스로서 산화성 가스를 사용할 경우 제조되는 란탄족 함유 박막은 하기 화학식 4의 금속 산화물을 포함할 수 있다:
[화학식 4]
(M1-aM"a)Ob
상기 화학식 4에서, a는 0 ≤ a < 1 이고, b는 0 < b ≤ 2 이며, M는 란탄족 원소인 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, 또는 Sc에서 선택되고, M"은 제2 금속 전구체로부터 유도되는 것으로, 규소(Si), 티타늄(Ti), 게르마늄(Ge), 스트론튬(Sr), 니오브(Nb), 바륨(Ba), 하프늄(Hf), 또는 탄탈륨(Ta) 원자로부터 선택된 것이다.
이러한 란탄족 함유 박막의 제조방법은 열 안정성이 우수한 본 발명의 란탄족 전구체를 이용하는 것이므로, 증착 공정시 종래에 비해 높은 온도에서 증착 공정 실시가 가능하고, 전구체의 열분해에 기인한 파티클 오염이나 탄소 등의 불순물 오염없이 고순도의 금속, 금속 산화물 또는 금속 질화물 박막을 형성할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 란탄족 함유 박막은 반도체 소자에서의 고유전 물질막, 특히 반도체 메모리 소자에서의 DRAM, CMOS 등에 유용하다.
또 다른 실시형태로서, 상기 란탄족 함유 박막의 형성 방법에 의해 형성된 란탄족 함유 박막, 및 상기 박막을 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 일례로 상기 반도체 소자는 임의 접근 메모리(RAM)용 금속 절연체 금속(MIM)을 포함하는 반도체 소자일 수 있다.
또한, 상기 반도체 소자는 소자내 DRAM 등 고유전특성이 요구되는 물질막에 본 발명에 따른 금속 함유 박막을 포함하는 것을 제외하고는 통상의 반도체 소자의 구성과 동일하므로, 본 명세서에서는 반도체 소자의 구성에 대한 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시형태를 들어 설명하였으나, 상기 실시형태들에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.

Claims (8)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 구아니디네이트(guanidinate)를 함유하는 란탄족 화합물 또는 하기 화학식 2로 표시되는 β-다이케토네이트(β-diketonate)를 함유하는 란탄족 화합물 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 바이덴테이트(bidenate)를 함유하는 란탄족 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 란탄족 전구체.

    [화학식 1]
    Figure pat00014


    [화학식 2]
    Figure pat00015


    [화학식 3]
    Figure pat00016


    상기 화학식 1 내지 3에서 R 내지 R'는 각각 독립적으로 수소원자 또는 C1-C6의 알킬기이며, X는 각각 독립적으로 수소원자, OR, NRR' 또는 CF3이며, Y는 각각 독립적으로 O, OR, NR 또는 NRR'이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 란탄족 전구체는 3차 아민, 에테르, C1-C16의 포화 또는 불포화 탄화수소, 방향족 화합물에서 선택되는 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 란탄족 전구체.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 용매는 상기 란탄족 전구체의 총 중량에 대하여 1 내지 99 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 란탄족 전구체.
  4. 청구항 1 또는 2에 따른 란탄족 전구체를 기판 상에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 란탄족 함유 박막 형성 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 란탄족 함유 박막은 원자층 증착(ALD) 또는 화학 기상 증착(CVD)에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 란탄족 함유 박막 형성 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 증착하는 단계는,
    챔버 내에 기판을 위치하는 단계;
    상기 란탄족 전구체를 상기 챔버 내에 공급하는 단계;
    상기 챔버 내에 반응성 기체 또는 반응성 기체의 플라즈마를 공급하는 단계;
    상기 챔버 내에서 열 처리, 플라즈마 처리 및 광 조사 중 어느 하나 또는 그 이상의 수단에 의해 처리하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 란탄족 함유 박막 형성 방법.
  7. 청구항 4의 란탄족 함유 박막 형성 방법에 의해 제조된 란탄족 함유 박막.
  8. 청구항 7의 란탄족 함유 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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KR20190094238A (ko) 2016-12-30 2019-08-12 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 란탄족 전구체 및 이를 이용한 란탄족-함유막의 증착

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