KR20210154289A - 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물 Download PDF

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Abstract

일 실시예의 유기 전계 발광 소자는 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역, 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층 및 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고, 정공 수송 영역은 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하여 높은 발광 효율을 나타낼 수 있다.

Description

유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND AMINE COMPOUND FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물에 관한 것이다.
최근, 영상 표시 장치로서, 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Electroluminescence Display)의 개발이 왕성하게 이루어져 왔다. 유기 전계 발광 표시 장치는 액정 표시 장치 등과는 다르고, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 주입된 정공 및 전자를 발광층에 있어서 재결합시킴으로써, 발광층에 있어서 유기 화합물을 포함하는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 표시 장치이다.
유기 전계 발광 소자를 표시 장치에 응용함에 있어서는, 유기 전계 발광 소자의 저 구동 전압화, 고 발광 효율화 및 장수명화가 요구되고 있으며, 이를 안정적으로 구현할 수 있는 유기 전계 발광 소자용 재료 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 장수명, 고효율의 유기 전계 발광 소자 및 이에 사용되는 아민 화합물을 제공하는 것이다.
일 실시예에서, 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이며, m 및 n은 각각 독립적으로 0 이상 2 이하의 정수이고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이며, c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에서, Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 2은 하기 화학식 3으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 화학식 3에서, Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 3은 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 4-1]
Figure pat00004
[화학식 4-2]
Figure pat00005
상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서, Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
상기 화학식 3은 하기 화학식 4-3 또는 화학식 4-4로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 4-3]
Figure pat00006
[화학식 4-4]
Figure pat00007
상기 화학식 4-3 및 화학식 4-4에서, Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
상기 L1은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌일 수 있다.
상기 L1은 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00008
상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 16 이하의 아릴기일 수 있다.
상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 비페닐기 또는 치환 또는 비치환된 페난트렌기일 수 있다.
상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기일 수 있다.
상기 Ar1은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00009
상기 화학식 6에서, R5는 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고, e는 0 이상 5 이하의 정수이다.
상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 어느 하나일 수 있다.
일 실시예에서, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층 및 상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고, 상기 정공 수송 영역은 상기 일 실시예의 아민 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
상기 정공 수송 영역은 상기 제1 전극 상에 배치된 정공 주입층 및 상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층을 포함하고, 상기 정공 주입층 또는 상기 정공 수송층은 상기 아민 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자는 고효율 및 장수명을 얻을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물은 유기 전계 발광 소자의 수명과 효율을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자 및 이에 포함된 일 실시예의 화합물에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1 내지 도 4를 참조하면, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에서 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2)은 서로 마주하고 배치되며, 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에는 발광층(EML)이 배치될 수 있다.
또한, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 발광층(EML) 이외에 복수의 기능층들을 더 포함한다. 복수의 기능층들은 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함할 수 있다. 즉, 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(10)는 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR), 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 또한 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)는 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL)을 포함할 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 정공 수송 영역(HTR)에 후술하는 일 실시예의 아민 화합물을 포함한다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)는 발광층(EML) 또는 전자 수송 영역(ETR)에 후술하는 일 실시예에 따른 화합물을 포함하거나, 또는 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL)에 후술하는 일 실시예에 따른 화합물을 포함할 수도 있다.
한편, 도 2는 도 1과 비교하여, 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 단면도를 나타낸 것이다. 또한, 도 3은 도 1과 비교하여 정공 수송 영역(HTR)이 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 및 전자 저지층(EBL)을 포함하고, 전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 및 정공 저지층(HBL)을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 단면도를 나타낸 것이다. 도 4는 도 2와 비교하여 제2 전극(EL2) 상에 배치된 캡핑층(CPL)을 포함하는 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 단면도를 나타낸 것이다.
제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극 또는 양극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 투과형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 전극(EL1)의 두께는 약 1000Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 3000Å일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 배치된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 정공 버퍼층(미도시), 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 또는 정공 수송층(HTL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 정공 주입 물질 및 정공 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(EBL)의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 정공 수송 영역(HTR)은 본 발명에 따른 아민 화합물을 포함할 수 있다.
한편, 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된"은 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 실릴기, 옥시기, 티오기, 설피닐기, 설포닐기, 카보닐기, 붕소기, 포스핀 옥사이드기, 포스핀 설파이드기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 탄화수소 고리기, 아릴기 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미할 수 있다. 또한, 상기 예시된 치환기 각각은 치환 또는 비치환된 것일 수 있다. 예를 들어, 비페닐기는 아릴기로 해석될 수도 있고, 페닐기로 치환된 페닐기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서, 할로겐 원자의 예로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 있다.
본 명세서에서, 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형일 수 있다. 알킬기의 탄소수는 1 이상 50 이하, 1 이상 30 이하, 1 이상 20 이하, 1 이상 10 이하 또는 1 이상 6 이하이다. 알킬기의 예로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, i-부틸기, 2- 에틸부틸기, 3, 3-디메틸부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 시클로펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-에틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, n-헥실기, 1-메틸헥실기, 2-에틸헥실기, 2-부틸헥실기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4-t-부틸시클로헥실기, n-헵틸기, 1-메틸헵틸기, 2,2-디메틸헵틸기, 2-에틸헵틸기, 2-부틸헵틸기, n-옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-부틸옥틸기, 2-헥실옥틸기, 3,7-디메틸옥틸기, 시클로옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 아다만틸기, 2-에틸데실기, 2-부틸데실기, 2-헥실데실기, 2-옥틸데실기, n-운데실기, n-도데실기, 2-에틸도데실기, 2-부틸도데실기, 2-헥실도데실기, 2-옥틸도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, 2-에틸헥사데실기, 2-부틸헥사데실기, 2-헥실헥사데실기, 2-옥틸헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, n-노나데실기, n-이코실기, 2-에틸이코실기, 2-부틸이코실기, 2-헥실이코실기, 2-옥틸이코실기, n-헨이코실기, n-도코실기, n-트리코실기, n-테트라코실기, n-펜타코실기, n-헥사코실기, n-헵타코실기, n-옥타코실기, n-노나코실기, 및 n-트리아콘틸기 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 알케닐기는, 탄소수 2이상의 알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미한다. 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 1-부테닐기, 1-펜테닐기, 1,3-부타디에닐 아릴기, 스티레닐기, 스티릴비닐기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 알키닐기는, 탄소수 2이상의 알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미한다. 알키닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하 또는 2 이상 10 이하이다. 알키닐기의 구체적인 예에는, 에티닐기, 프로피닐기, 등이 포함될 수 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 탄화수소 고리기는 지방족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기, 또는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기일 수 있다. 탄화수소 고리기의 고리 형성 탄소수 5 이상 60 이하, 5 이상 30 이하, 또는 5 이상 20이하일 수 있다.
본 명세서에서, 아릴기는 방향족 탄화수소 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 아릴기의 고리 형성 탄소수는 6 이상 30 이하, 6 이상 20 이하, 또는 6 이상 15 이하일 수 있다. 아릴기의 예로는 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 퀸크페닐기, 섹시페닐기, 트리페닐에닐기, 피레닐기, 벤조 플루오란테닐기, 크리세닐기 등을 예시할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수도 있다. 플루오레닐기가 치환되는 경우의 예시는 하기와 같다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
본 명세서에서, 헤테로고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 고리로부터 유도된 임의의 작용기 또는 치환기를 의미한다. 헤테로고리기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로고리기는 지방족 헤테로고리기 및 방향족 헤테로고리기를 포함한다. 방향족 헤테로고리기는 헤테로아릴기일 수 있다. 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서에서, 지방족 헤테로고리기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 지방족 헤테로고리기는 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 지방족 헤테로고리기의 예로는 옥시란기, 티이란기, 피롤리딘기, 피페리딘기, 테트라하이드로퓨란기, 테트라하이드로티오펜기, 티안기, 테트라하이드로피란기, 1,4-디옥산기, 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 헤테로아릴기는 헤테로 원자로 B, O, N, P, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 것일 수 있다. 헤테로아릴기가 헤테로 원자를 2개 이상 포함할 경우, 2개 이상의 헤테로 원자는 서로 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기 또는 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 헤테로아릴기의 고리 형성 탄소수는 2 이상 30 이하, 2 이상 20 이하, 또는 2 이상 10 이하일 수 있다. 헤테로아릴기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 트리아졸기, 피리딘기, 비피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페녹사진기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, N-아릴카바졸기, N-헤테로아릴카바졸기, N-알킬카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 티에노티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트롤린기, 티아졸기, 이소옥사졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 티아디아졸기, 페노티아진기, 디벤조실롤기 및 디벤조퓨란기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 티오기는 알킬 티오기 및 아릴 티오기를 포함할 수 있다. 티올기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 황 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 티올기의 예로는 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 옥틸티오기, 도데실티오기, 시클로펜틸티오기, 시클로헥실티오기, 페닐티오기, 나프틸티오기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 옥시기는 상기 정의된 알킬기 또는 아릴기에 산소 원자가 결합된 것을 의미할 수 있다. 옥시기는 알콕시기 및 아릴 옥시기를 포함할 수 있다. 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 1 이상 20 이하 또는 1 이상 10 이하인 것일 수 있다. 옥시기의 예로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 벤질옥시 등이 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서, 알킬티오기, 알킬설폭시기, 알킬아릴기, 알킬아미노기, 알킬 붕소기, 알킬 실릴기, 알킬 아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다.
본 명세서에서, 아릴옥시기, 아릴티오기, 아릴설폭시기, 아릴아미노기, 아릴 붕소기, 아릴 실릴기, 아릴 아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다
본 명세서에서, 직접 결합(direct linkage)은 단일 결합을 의미하는 것일 수 있다.
한편, 본 명세서에서 "
Figure pat00014
" 는 연결되는 위치를 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
Figure pat00015
화학식 1에서, L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이다.
화학식 1에서, m는 0 이상 2 이하의 정수이고, 한편, m이 2인 경우, 복수의 L2는 서로 동일하거나 상이하다.
화학식 1에서, n는 0 이상 2 이하의 정수이고, 한편, n이 2인 경우, 복수의 L1은 서로 동일하거나 상이하다.
화학식 1에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다.
화학식 1에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이다.
화학식 1에서, a는 0 이상 4 이하의 정수이고, 한편, a가 2 이상인 경우, 복수의 R1은 서로 동일하거나 상이하다.
화학식 1에서, b는 0 이상 4 이하의 정수이고, 한편, b가 2 이상인 경우, 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이하다.
화학식 1에서, c는 0 이상 5 이하의 정수이고, 한편, c가 2 이상인 경우, 복수의 R3은 서로 동일하거나 상이하다.
화학식 1에서, d는 0 이상 5 이하의 정수이고, 한편, d가 2 이상인 경우, 복수의 R4는 서로 동일하거나 상이하다.
일 실시예에서, 화학식 1의 L2는 직접 결합일 수 있다. 일 실시예에서, 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00016
화학식 2에서, Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
일 실시예에서, 화학식 1의 아민기의 질소는 사이클로헥실기와 para위치로 페닐렌에 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 화학식 2은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00017
상기 화학식 3에서, Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
일 실시예에서, 화학식 3은 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시될 수 있다.
[화학식 4-1]
Figure pat00018
[화학식 4-2]
Figure pat00019
상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서, Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
일 실시예에서, 화학식 3은 하기 화학식 4-3 또는 화학식 4-4로 표시될 수 있다.
[화학식 4-3]
Figure pat00020
[화학식 4-4]
Figure pat00021
상기 화학식 4-3 및 화학식 4-4에서, Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
일 실시예에서, 아민 화합물의 L1은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌일 수 있다.
일 실시예에서, 아민 화합물의 L1이 페닐렌일 때, 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00022
화학식 5에서, "
Figure pat00023
" 는 카바졸기 및 아민기의 질소와 연결되는 위치를 의미한다.
일 실시예에서, 아민 화합물의 Ar2는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 16 이하의 아릴기일 수 있다.
일 실시예에서, 아민 화합물의 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 비페닐기 또는 치환 또는 비치환된 페난트렌기일 수 있다.
일 실시예에서, 아민 화합물의 Ar2는 치환 또는 비치환된 카바졸기를 포함하지않을 수 있다. 일 실시예에서, 아민 화합물의 Ar2는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기일 수 있다.
일 실시예에서, 아민 화합물은 N을 포함하는 치환기를 포함하지 않을 수 있다. 즉, 화학식 1에 표시된 N이외의 N은 포함하지 않을 수 있다.
일 실시예에서, 아민 화합물의 Ar1은 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00024
화학식 6에서, R5는 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기일 수 있다.
화학식 6에서, e는 0 이상 5 이하의 정수이고, 한편, e가 2 이상의 정수일 때, 복수의 R5는 서로 동일하거나 상이하다.
화학식 6에서, "
Figure pat00025
" 는 카바졸기의 질소와 연결되는 위치를 의미한다.
일 실시예에서, 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화합물군 1 에 표시된 화합물들 중 선택되는 어느 하나일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화합물군 1]
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
.
상술한 아민 화합물은 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)에 사용되어 유기 전계 발광 소자의 효율 및 수명을 개선시킬 수 있다. 구체적으로, 상술한 아민 화합물은 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 정공 수송 영역(HTR)에 사용되어 유기 전계 발광 소자의 발광 효율, 전자 수송성 및 수명을 개선시킬 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자에 대하여 설명한다.
정공 수송 영역(HTR)은 복수의 층을 갖는 다층 구조인 경우, 복수의 층 중 적어도 어느 하나의 층이 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 주입층(HIL) 및 정공 주입층(HIL) 상에 배치된 정공 수송층(HTL)을 포함하고, 정공 주입층(HIL) 및/또는 정공 수송층(HTL)이 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 것일 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 1종 또는 2종 이상 포함할 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 전술한 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)은 공지의 재료를 더 포함할 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 예를 들어, 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPD(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HAT-CN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 더 포함할 수도 있다.
정공 수송층(HTL)은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 더 포함할 수도 있다.
전자 저지층(EBL)은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diplienyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CCP(9-phenyl-9H-3,9’-bicarbazole), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), 또는 mDCP(1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene)등을 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들어, 약 100Å 내지 약 5000Å일 수 있다. 정공 주입층(HIL)의 두께는, 예를 들어, 약 30Å 내지 약 1000Å이고, 정공 수송층(HTL)의 두께는 약 30Å 내지 약 1000Å 일 수 있다. 예를 들어, 전자 저지층(EBL)의 두께는 약 10Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 정공 수송 영역(HTR), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL) 및 전자 저지층(EBL)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트의 비제한적인 예로는, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7',8,8'-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 바와 같이, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 정공 버퍼층(미도시) 및 전자 저지층(EBL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층(EBL)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된다. 발광층(EML)은 예를 들어 약 100Å 내지 약 1000Å 또는, 약 100Å 내지 약 300Å의 두께를 갖는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 적색광, 녹색광, 청색광, 백색광, 황색광, 시안광 중 하나를 발광하는 것일 수 있다. 발광층(EML)은 형광 발광 물질 또는 인광 발광 물질을 포함할 수 있다.
발광층(EML)의 재료로서는, 공지의 발광 재료를 사용할 수 있고, 특히 한정되는 것은 아니지만, 플루오란텐(fluoranthene) 유도체, 피렌(pyrene) 유도체, 아릴아세틸렌(arylacetylene) 유도체, 안트라센(anthracene) 유도체, 플루오렌(fluorene) 유도체, 페릴렌(perylene) 유도체, 크리센(chrysene) 유도체 등으로부터 선택된다. 바람직하게는, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 안트라센 유도체를 들 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)의 호스트 재료로서, 하기 화학식 10로 표시되는 안트라센 유도체를 사용할 수도 있다.
[화학식 10]
Figure pat00035
화학식 10에서, W1 내지 W4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이거나 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, m1 및 m2는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이며, m3 및 m4는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.
m1이 1일 경우, W1은 수소 원자가 아닐 수 있고, m2가 1일 경우, W2는 수소 원자가 아닐 수 있으며, m3가 1일 경우, W3은 수소 원자가 아닐 수 있고, m4가 1일 경우, W4는 수소 원자가 아닐 수 있다.
m1이 2 이상일 경우, 복수의 W1은 서로 동일하거나 상이하다. m2가 2 이상일 경우, 복수의 W2는 서로 동일하거나 상이하다. m3이 2 이상일 경우, 복수의 W3은 서로 동일하거나 상이하다. m4가 2 이상일 경우, 복수의 W4는 서로 동일하거나 상이하다.
화학식 10로 표시되는 화합물은 일 예로서, 하기 구조식으로 나타낸 화합물을 들 수 있다. 단, 상기 화학식 10로 표시되는 화합물이 이하에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00036
Figure pat00037
발광층(EML)은 도펀트를 더 포함할 수 있고, 도펀트는 공지의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 스티릴유도체 (예를 들면, 1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4”-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), 4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4- (diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)), 페릴렌 및 그 유도체 (예를 들면, 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene(TBPe)), 피렌 및 그 유도체 (예를 들면, 1,1-dipyrene, 1,4-dipyrenylbenzene, 1,4-Bis(N,N-Diphenylamino)pyrene, 1,6-Bis(N,N-Diphenylamino)pyrene), 2,5,8,11-Tetra-t-butylperylene(TBP), 및 TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 어느 하나를 도펀트로 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
발광층(EML)은 호스트 물질로 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 호스트 물질로 DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcarbazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF(2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.
일 실시예에서, 발광층(EML)은 공지의 인광 도펀트 물질을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 인광 도펀트는 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 금(Au), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb) 또는 툴륨(Tm)를 포함하는 금속 착체가 사용될 수 있다. 구체적으로, FIrpic(iridium(III) bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2')picolinate), Fir6(Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(Ⅲ)), 또는 PtOEP(platinum octaethyl porphyrin)가 인광 도펀트로 사용될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 발광층(EML)은 공지의 인광 호스트 물질을 더 포함할 수 있으며, 예를 들어, BCPDS(bis(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)diphenylsilane)를 더 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 호스트 물질로 당 기술분야에 알려진 일반적인 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 호스트 물질로 DPEPO(Bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CBP(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), mCP(1,3-Bis(carbazol-9-yl)benzene), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzo[b,d]furan), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine) 및 TPBi(1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole-2-yl)benzene) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(N-vinylcarbazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(2-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), CP1(Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF(2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran) 등을 호스트 재료로 사용할 수 있다.
일 실시예에서, 발광층(EML)은 공지의 인광 도펀트 물질을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 인광 도펀트는 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 금(Au), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 터븀(Tb) 또는 툴륨(Tm)를 포함하는 금속 착체가 사용될 수 있다. 구체적으로, FIrpic(iridium(III) bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2')picolinate), Fir6(Bis(2,4-difluorophenylpyridinato)-tetrakis(1-pyrazolyl)borate iridium(Ⅲ)), 또는 PtOEP(platinum octaethyl porphyrin)가 인광 도펀트로 사용될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 발광층(EML)은 공지의 인광 호스트 물질을 더 포함할 수 있으며, 예를 들어, BCPDS(bis(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)diphenylsilane)를 더 포함할 수 있다.
발광층(EML)이 적색광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, PBD:Eu(DBM)3(Phen)(tris(dibenzoylmethanato)phenanthoroline europium) 또는 퍼릴렌(Perylene)을 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 적색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)과 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex), 루브렌(rubrene) 및 그 유도체 및 4-디시아노메틸렌-2-(p-디메틸아미노스티릴)-6-메틸-4H-피란(DCM) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 녹색광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 녹색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, Ir(ppy)3(fac-tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex) 및 쿠머린(coumarin) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.
발광층(EML)이 청색광을 발광할 때, 발광층(EML)은 예를 들어, 스피로-DPVBi(spiro-DPVBi), 스피로-6P(spiro-6P), DSB(distyryl-benzene), DSA(distyryl-arylene), PFO(Polyfluorene)계 고분자 및 PPV(poly(p-phenylene vinylene)계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)이 청색을 발광할 때, 발광층(EML)에 포함되는 도펀트는 예를 들어, (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 금속 착화합물(metal complex) 또는 유기 금속 착체(organometallic complex), 페릴렌(perlene) 및 그 유도체에서 선택할 수 있다.)
한편, 도면에 도시되지는 않았으나 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)는 복수의 발광층들을 포함하는 것일 수 있다. 복수의 발광층들은 순차적으로 적층되어 제공되는 것일 수 있으며, 예를 들어 복수의 발광층들을 포함하는 유기 전계 발광 소자(10)는 백색광을 방출하는 것일 수 있다. 복수의 발광층들을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 탠덤(Tandem) 구조의 유기 전계 발광 소자일 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 배치된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)의 단일층의 구조를 가질 수도 있고, 전자 주입 물질과 전자 수송 물질로 이루어진 단일층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 전자 수송 영역(ETR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 발광층(EML)으로부터 차례로 적층된 전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL), 정공 저지층(HBL)/전자 수송층(ETL)/전자 주입층(EIL) 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)의 두께는 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 1500Å인 것일 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)의 전자 수송 영역(ETR)은 본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물을 포함할 수 있다. 또 다른 일 실시예에서, 전자 주입층(EIL) 또는 전자 수송층(ETL)은 본 발명의 일 실시예에 따른 아민 화합물을 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 공지의 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송 영역(ETR)이 전자 수송층(ETL)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 안트라센계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역은 예를 들어, Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다. 전자 수송층(ETL)들의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들어 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 전자 수송층(ETL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층(EIL)을 포함할 경우, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 LiQ(8-hydroxyl-Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 주입층(EIL)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 전자 주입층(EIL)들의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 바와 같이, 정공 저지층(HBL)을 포함할 수 있다. 정공 저지층(HBL)은 예를 들어, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), DPEPO(bis[2-(diphenylphosphino)phenyl]ether oxide) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 음극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)가 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)가 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)는 제2 전극(EL2) 상에는 캡핑층(CPL)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 다층 또는 단층을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 캡핑층(CPL)은 유기층 또는 무기층일 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)이 무기물을 포함하는 경우, 무기물은 LiF 등의 알칼리금속 화합물, MgF2 등의 알칼리토금속 화합물, SiON, SiNX, SiOy 등을 포함하는 것일 수 있다.
예를 들어, 캡핑층(CPL)이 유기물을 포함하는 경우, 일 실시예에 따른 아민 화합물을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 캡핑층(CPL)은 α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"- Tris (carbazol sol-9-yl) triphenylamine) 등을 포함하거나, 에폭시 수지, 또는 메타크릴레이트와 같은 아크릴레이트를 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니며 이외에 하기와 같은 화합물 P1 내지 P5를 포함할 수 있다.
Figure pat00038
Figure pat00039
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자(10)는 상술한 바와 같이 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하여 우수한 발광 효율 및 장수명 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 일 실시예의 유기 전계 발광 소자(10)는 청색 파장 영역에서 고효율 장수명 특성을 나타낼 수 있다.
이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 화합물 및 일 실시예의 유기 전계 발광 소자에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 일 예시이며, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
(아민 화합물의 합성)
이하에 설명하는 아민 화합물의 합성법은 일 실시예로서, 본 발명의 실시형태에 따른 아민 화합물의 합성법이 하기의 실시예에 한정되지 않는다.
1. 화합물 1의 합성
Figure pat00043
(중간체 1-1의 합성)
1,4-dibromobenzene 2.36g (10mmol)을 THF(20ml)에 녹인 후 -78℃에서 n-BuLi을 추가하여 1시간 교반한 후 Cyclohexanone 0.98g (10.0 mmol) 을 THF(20ml)에 녹여 첨가하였다. 상온으로 냉각시킨후 1시간 교반 후 DCM 과 1N HCl 로 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카겔 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 1-1 1.53g (수율 60 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다. C12H15BrO: M+254.0
(중간체 1-2의 합성)
중간체 1-1 2.55g (10mmol), AlCl3 1.33g (10mmol) 그리고 benzene(10ml)를 넣고 70℃에서 3시간 교반한 후 상온으로 냉각시킨 후 sodium bicarbonate로 중화하였다. DCM 과 물로 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카겔 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 1-2 1.58g (수율 50 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다. C18H19Br: M+314.0
(화합물 1의 합성)
중간체 1-2 3.15g (10 mmol), N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine 3.34g (10 mmol), Pd2dba3 (Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)) 0.46g (0.5 mmol), 및 sodium tert-butoxide 2.88g (30 mmol) 을 toluene 60ml 에 녹인 후, 80℃에서 3시간 동안 교반하였다. 상기 반응 용액을 실온으로 식힌 후 물 40ml 를 가하고 에틸에테르 50ml 로 3번 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 1 3.98g (수율 70 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
2. 화합물 2의 합성
Figure pat00044
화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine 대신 N-(naphthalen-1-yl)-9-phenyl-9H-carbazol-3-amine을 사용하여 화합물 2를 합성하였다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
3. 화합물 3의 합성
Figure pat00045
화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine 대신 N-(naphthalen-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazol-3-amine을 사용하여 화합물 3을 합성하였다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
4. 화합물 21의 합성
Figure pat00046
화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine 대신 N,9-diphenyl-9H-carbazol-2-amine을 사용하여 화합물 21을 합성하였다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
5. 화합물 24의 합성
Figure pat00047
화합물1의 합성과 동일한 방법으로 N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine 대신 N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9-phenyl-9H-carbazol-2-amine을 사용하여 화합물 24를 합성하였다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
6. 화합물 34의 합성
Figure pat00048
화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine 대신 N-(dibenzo[b,d]furan-3-yl)-9-phenyl-9H-carbazol-2-amine을 사용하여 화합물 34를 합성하였다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
7. 화합물 39의 합성
Figure pat00049
화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine 대신 N-(dibenzo[b,d]thiophen-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazol-2-amine을 사용하여 화합물 39를 합성하였다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
8. 화합물 41의 합성
Figure pat00050
화합물 1의 합성과 동일한 방법으로 N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine 대신 9-(naphthalen-2-yl)-N-phenyl-9H-carbazol-2-amine을 사용하여 화합물 41을 합성하였다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
9. 화합물 61의 합성
Figure pat00051
(중간체 61-1의 합성)
3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole 3.22g (10.0 mmol), (4-chlorophenyl)boronic acid 1.56 g (10.0 mmol), Pd(PPh3)4 0.58 g (0.5 mmol) 및 K2CO3 4.14 g (30.0 mmol) 을 THF/H2O (2/1) 혼합용액 60 mL 에 녹인 후, 80℃에서 16시간 동안 교반하였다. 반응 용액을 상온으로 냉각시킨 후, 물 60 mL 와 디에틸에테르 60 mL 로 3회 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카겔 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 61-2 2.12g (수율 60 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다. C24H16ClN: M+353.1
(중간체 61-2의 합성)
중간체 61-1 3.54g (10 mmol), aniline 1.40g (15 mmol), Pd2dba3 (Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)) 0.46g (0.5 mmol), 및 sodium tert-butoxide 2.88g (30 mmol) 을 toluene 60ml 에 녹인 후, 100℃에서 3시간 동안 교반하였다. 상기 반응 용액을 실온으로 식힌 후 물 40ml 를 가하고 에틸에테르 50ml 로 3번 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 61-2 3.08g (수율 75 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 LC-MS를 통해 확인하였다. C30H22N2: M+410.1
(화합물 61의 합성)
중간체 61-2 4.11g (10mmol), 중간체 1-2 3.15g (10 mmol), Pd2dba3 (Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)) 0.46g (0.5 mmol), 및 sodium tert-butoxide 2.88g (30 mmol) 을 toluene 60ml 에 녹인 후, 80℃에서 3시간 동안 교반하였다. 상기 반응 용액을 실온으로 식힌 후 물 40ml 를 가하고 에틸에테르 50ml 로 3번 추출하였다. 모아진 유기층을 마그네슘설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카젤 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 61 4.52g (수율 70 %)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
10. 화합물 81의 합성
Figure pat00052
화합물 61의 합성과 동일한 방법으로 3-bromo-9-phenyl-9H-carbazole 대신 2-bromo-9-phenyl-9H-carbazole을 사용하여 화합물 81을 합성하였다. 생성된 화합물은 MS/FAB와 1H NMR을 통해 확인하였다.
하기 표 1은 실시예 화합물의 1H NMR 결과이다.
화합물 1H NMR (CDCl3 , 400 MHz) MS/FAB
found calc.
화합물 1 8.55(d, 1H), 7.94(d, 1H), 7.62-7.50(m, 6H), 7.35-7.00(m, 18H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 568.25 568.29
화합물 2 8.55(d, 1H), 8.22(d, 1H), 8.15(d, 1H), 7.94(d, 1H), 7.81(d, 1H), 7.63-7.49 (m, 10H), 7.35-7.13(m, 13H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 618.25 618.30
화합물 3 8.55(d, 1H), 7.94(d, 1H), 7.78(d, 1H), 7.71(d, 1H), 7.62-7.14(m, 24H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 618.25 618.30
화합물 21 8.55(d, 1H), 8.24(d, 1H), 7.94(d, 1H), 7.62-7.50(m, 5H), 7.35-7.00(m, 18H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 568.25 568.29
화합물 24 8.55(d, 1H), 8.24(d, 1H), 7.94(d, 1H), 7.75(d, 2H), 7.62-7.14(m, 25H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 644.27 644.32
화합물 34 8.55(d, 1H), 8.24(d, 1H), 8.03(s, 1H), 7.98-7.94(m, 2H), 7.80(d, 1H), 7.62-7.50(m, 6H), 7.39-7.14(m, 15H)6.91(d, 1H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 658.25 658.30
화합물 39 8.55(d, 1H), 8.45(d, 1H), 8.24(d, 1H), 7.95-7.93(m, 3H),7.85(d, 1H), 7.62-7.14(m, 21H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 674.23 674.28
화합물 41 8.55(d, 1H), 8.03-8.01(m, 3H), 7.94(d, 1H), 7.83(s, 1H), 7.59-7.54(m, 3H), 7.35-7.00(m, 19H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 618.25 618.30
화합물 61 8.55(d, 1H), 7.99-7.89(m, 3H), 7.77(d, 1H), 7.62-7.50(m, 7H), 7.37-7.00(m, 18H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 644.27 644.32
화합물 81 8.55(d, 1H), 8.31(d, 1H), 7.94-7.91(m, 2H), 7.74(s, 1H), 7.62-7.50(m, 7H), 7.37-7.00(m, 18H), 2.15-1.98(m, 4H), 1.53-1.43(m, 6H) 644.27 644.32
[실시예 화합물]
Figure pat00053
[비교예 화합물]
Figure pat00054
(유기 전계 발광 소자의 제조)
애노드는 코닝(corning) 15Ω/cm2(1200Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm 크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공증착장치에 이 유리기판을 설치하였다.
상기 기판 상부에 우선 정공주입층으로서 공지의 물질인 2-TNATA를 진공 증착하여 600Å 두께로 형성한 후, 이어서 실시예 화합물 또는 비교예 화합물을 300Å의 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다.
상기 정공수송층 상부에 청색 형광 호스트로 9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracene(이하, DNA)와 청색 형광 도펀트로 DPAVBi를 중량비 98 : 2로 동시 증착하여 300Å의 두께로 발광층을 형성하였다.
이어서 상기 발광층 상부에 전자수송층으로 Alq3를 300Å의 두께로 증착한 후, 이 전자수송층 상부에 할로겐화 알칼리금속인 LiF를 전자주입층으로 10Å의 두께로 증착하고, Al를 3000Å(음극 전극)의 두께로 진공 증착하여 LiF/Al 전극을 형성함으로써 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
(유기 전계 발광 소자의 특성 평가)
정공수송재료 구동전압
(V)		 전류밀도
(㎃/㎠)		 휘도
(cd/㎡)		 효율
(cd/A)		 발광색 반감수명
(hr@100㎃/㎠)
비교예 1 X-1 7.01 50 2645 5.29 청색 258
비교예 2 X-2 5.52 50 2780 5.56 청색 352
비교예 3 X-3 5.62 50 2815 5.63 청색 366
비교예 4 X-4 5.83 50 2760 5.52 청색 400
비교예 5 X-5 5.95 50 2625 5.25 청색 390
실시예 1 화합물 1 5.23 50 3225 6.45 청색 480
실시예 2 화합물 2 5.36 50 3060 6.12 청색 510
실시예 3 화합물 3 4.96 50 3260 6.52 청색 550
실시예 4 화합물 21 5.22 50 3065 6.13 청색 605
실시예 5 화합물 24 4.88 50 3145 6.29 청색 470
실시예 6 화합물 34 4.69 50 3065 6.13 청색 510
실시예 7 화합물 39 5.15 50 3075 6.15 청색 412
실시예 8 화합물 41 4.99 50 3160 6.32 청색 400
실시예 9 화합물 61 5.10 50 3080 6.16 청색 405
실시예 10 화합물 81 4.91 50 3000 6.00 청색 550
표 2의 결과를 참조하면, 일 실시예에 따른 아민 화합물을 정공 수송 영역에 포함하는 경우, 비교예들에 비하여 구동 전압이 낮으며, 휘도, 효율 및 수명이 모두 개선됨을 확인할 수 있다.
일 실시예의 유기 전계 발광 소자는 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 정공 수송 재료로 사용함으로써 높은 발광 효율 및 장수명을 구현할 수 있다.
일 실시예의 아민 화합물은 유기 전계 발광 소자의 높은 발광 효율 및 장수명을 구현할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10 : 유기 전계 발광 소자 EL1 : 제1 전극
HTR : 정공 수송 영역 EML : 발광층
ETR : 전자 수송 영역 EL2 : 제2 전극

Claims (20)

  1. 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역을 포함하고,
    상기 정공 수송 영역은 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 1]
    Figure pat00055

    상기 화학식 1에서,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이며,
    m 및 n은 각각 독립적으로 0 이상 2 이하의 정수이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며,
    R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이며,
    c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역은
    상기 제1 전극 상에 배치된 정공 주입층 및
    상기 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층을 포함하고,
    상기 정공 주입층 또는 상기 정공 수송층은 상기 아민 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 2]
    Figure pat00056

    상기 화학식 2에서,
    Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 2은 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 3]
    Figure pat00057

    상기 화학식 3에서,
    Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화학식 3은 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 4-1]
    Figure pat00058

    [화학식 4-2]
    Figure pat00059

    상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서,
    Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 화학식 3은 하기 화학식 4-3 또는 화학식 4-4로 표시되는 것인 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 4-3]
    Figure pat00060

    [화학식 4-4]
    Figure pat00061

    상기 화학식 4-3 및 화학식 4-4에서,
    Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 L1은 직접 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌인 유기 전계 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 L1은 하기 화학식 5로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 5]
    Figure pat00062

  9. 제1항에 있어서,
    상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 16 이하의 아릴기인 유기 전계 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 비페닐기 또는 치환 또는 비치환된 페난트렌기인 유기 전계 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기인 유기 전계 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1은 하기 화학식 6으로 표시되는 유기 전계 발광 소자:
    [화학식 6]
    Figure pat00063

    상기 화학식 6에서,
    R5는 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
    e는 0 이상 5 이하의 정수이다.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 어느 하나인 유기 전계 발광 소자:
    [화합물군 1]
    Figure pat00064

    Figure pat00065

    Figure pat00066

    Figure pat00067

    Figure pat00068

    Figure pat00069

    Figure pat00070

    Figure pat00071

    Figure pat00072
    .
  14. 하기 화학식 1로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00073

    상기 화학식 1에서,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴렌기이며,
    m 및 n은 각각 독립적으로 0 이상 2 이하의 정수이고,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이며,
    R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 이상 20 이하의 알킬기, 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 30 이하의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 2 이상 30 이하의 헤테로아릴기이고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상 4 이하의 정수이며,
    c 및 d는 각각 독립적으로 0 이상 5 이하의 정수이다.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 아민 화합물:
    [화학식 2]
    Figure pat00074

    상기 화학식 2에서,
    Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 화학식 2은 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 아민 화합물:
    [화학식 3]
    Figure pat00075

    상기 화학식 3에서,
    Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 화학식 3은 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시되는 것인 아민 화합물:
    [화학식 4-1]
    Figure pat00076

    [화학식 4-2]
    Figure pat00077

    상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서,
    Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 화학식 3은 하기 화학식 4-3 또는 화학식 4-4로 표시되는 것인 아민 화합물:
    [화학식 4-3]
    Figure pat00078

    [화학식 4-4]
    Figure pat00079

    상기 화학식 4-3 및 화학식 4-4에서,
    Ar1, Ar2, L1, R1 내지 R4, n, 및 a 내지 d는 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
  19. 제 14항에 있어서,
    상기 상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 고리 형성 탄소수 6 이상 16 이하의 아릴기인 아민 화합물.
  20. 제 14항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물군 1에 표시된 화합물들 중 어느 하나인 아민 화합물:
    [화합물군 1]
    Figure pat00080

    Figure pat00081

    Figure pat00082

    Figure pat00083

    Figure pat00084

    Figure pat00085

    Figure pat00086

    Figure pat00087

    Figure pat00088
    .
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