KR20210153557A - Led 접합용 기판, 그 제조방법 및 led 접합용 기판을 포함하는 led 디스플레이 제조방법 - Google Patents

Led 접합용 기판, 그 제조방법 및 led 접합용 기판을 포함하는 led 디스플레이 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210153557A
KR20210153557A KR1020210075076A KR20210075076A KR20210153557A KR 20210153557 A KR20210153557 A KR 20210153557A KR 1020210075076 A KR1020210075076 A KR 1020210075076A KR 20210075076 A KR20210075076 A KR 20210075076A KR 20210153557 A KR20210153557 A KR 20210153557A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
substrate
bonding
solder
plating
Prior art date
Application number
KR1020210075076A
Other languages
English (en)
Inventor
이현규
김경태
이준형
장영주
박은광
은동진
추용철
Original Assignee
덕산하이메탈(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 덕산하이메탈(주) filed Critical 덕산하이메탈(주)
Publication of KR20210153557A publication Critical patent/KR20210153557A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 일 측면은,
기재;
상기 기재상에 구비되는 복수의 배선전극; 및
상기 각 배선전극 상에 구비되며 상기 배선전극과 LED를 전기적으로 연결할 수 있는 솔더층; 을 포함하고,
상기 솔더층 중 n개의 솔더층을 임의로 선정하고 각각의 부피를 측정하였을 때,
상기 n개의 솔더층 중 부피가 가장 큰 솔더층의 부피(VM)와 상기 n개의 솔더층 중 부피가 가장 작은 솔더층의 부피(Vm)가 아래 식 1을 만족하는 LED 접합용 기판을 개시한다.(n은, 12≤n 을 만족하는 정수)
(식 1)
Figure pat00004

Description

LED 접합용 기판, 그 제조방법 및 LED 접합용 기판을 포함하는 LED 디스플레이 제조방법{LED bonding circuit board, manufacturing method thereof, and LED display manufacturing method including LED bonding circuit board}
본 발명은 엘이디(LED) 접합용 기판에 관한 것으로서, 예를들어 마이크로 LED를 접합하기 위한 기판과 그 제조방법 및 이를 포함하는 LED 디스플레이 제조방법에 관한 것이다.
미니엘이디(Mini-LED)는 엘이디 칩 크기가 약 500마이크로미터 수준인 것을 말한다. 마이크로 엘이디(Micro-LED)는 기존 Mini LED의 1/5 수준의 크기인 초소형 LED를 말한다. 이러한 작은 엘이디를 활용하는 디스플레이 기술이 개발되고 있다.
미니LED나 마이크로 엘이디와 같은 작은 소자(칩)의 전극을 디스플레이측의 전극에 연결시키기 위해서 솔더페이스트나 ACF(이방성도전필름)를 사용한다.
솔더페이스트(solder paste)를 사용하는 경우, 솔더페이스트에 포함되어 사용 가능한 솔더 분말 입자의 크기는 약 10㎛ 내외의 크기로서, 솔더페이스트 도포 시 같은 개수, 크기의 파우더를 균일하게 도포하는데 기술적인 어려움이 있으며, 도포량에서 1~2개의 솔더 분말 입자의 차이에 의해서도 엘이디 칩의 접합 후 엘이디 칩의 기울어짐(Tilt)이 발생하여 빛의 방출각도가 도 1과 같이 틀어지는 문제점이 있다. 이는 접합 전극의 크기가 수㎛~300㎛ 이하로 작기 때문에 발생하는 문제로 파악되고 있다.
이를 해결하기 위하여 수㎛ 수준의 작은 솔더 입자를 사용할 경우, 솔더 분말 입자의 도포량 차이를 일부 줄일 수 있으나, 솔더 분말 입자의 비 표면적이 높아져 입자의 산화막을 제거하는 산이 포함된 플럭스(Flux)함량이 불가피하게 높아지게 되고, 이는 플럭스 잔사 및 염화물, 플럭스의 분해로 인한 보이드(Void)가 발생하여 미접합 및 칩의 틀어짐 현상을 일으킨다.
한편 전자부품 및 칩과 같은 부품들이 미세화되고 경박단소화되는 경향에 비추어 볼 때, 솔더 페이스트를 사용하는 종래의 기술은 시간이 지나 기술이 발전할수록 위와 같은 문제점에 대한 대응에 어려움이 발생할 것으로 예상된다.
더 나아가, 이방성도전필름을 사용하는 경우에는, 접촉식 접합으로 접촉저항이 높아져 불균일한 강도의 빛을 발생시킬 수 있는 문제가 있으며, 미세 전극에 적용시 이방성도전필름내의 도전입자의 분산이 잘되지 않는 경우, 도 2와 같이 전극간 미접촉이 발생하거나 도전입자들간의 쇼트가 발생하는 문제가 있으며,비용적인 측면에서 고가이므로 경제적 문제점이 있고, 솔더 페이스트 대비 전기전도도가 떨어지는 한계가 있다.
한국공개특허공보 10-2019-0115193
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, LED를 기판상에 접합하는 경우 접합불량이 발생되지 않는 접합구조를 가질 수 있는 기판 및 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 소형 LED를 기판에 접합하는 경우 발생하는 문제인 미접합, 틸트(Tilt), 비자기정렬(Non Self Align) 및 보이드(Void)등의 하자 발생 문제점이 개선된 접합구조를 이룰 수 있는 기판 및 기판을 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 소형 LED를 접합하기 위한 모든 전극에 도선이 연결되지 않는 상태에서도 독립적인 형태의 LED 접합 전극에 도금막을 빠르고 쉽게 형성하기 위한 기판의 제조 방법을 제공하여 우수한 품질의 LED디스플레이를 제공하는 방법을 개시하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명의 첫번째 측면으로는,
기재;
상기 기재상에 구비되는 복수의 배선전극; 및
상기 각 배선전극 상에 구비되며 상기 배선전극과 LED를 전기적으로 연결할 수 있는 솔더층; 을 포함하고,
상기 솔더층 중 n개의 솔더층을 임의로 선정하고 각각의 부피를 측정하였을 때,
상기 n개의 솔더층 중 부피가 가장 큰 솔더층의 부피(VM)와 상기 n개의 솔더층 중 부피가 가장 작은 솔더층의 부피(Vm)가 아래 식 1을 만족하는 LED 접합용 기판이 개시된다.(n은, 12≤n 을 만족하는 정수)
(식 1)
Figure pat00001
여기에서, 상기 솔더층은 솔더합금을 상기 배선전극상에 도금한 것이 구비되는 것이 좋고,
상기 기재는 유리, 합성수지 또는 플렉시블기판소재로 이루어지는 것이 좋으며,
상기 솔더합금은 Sn, Bi 및 In으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소를 필수적으로 포함하는 합금인 것이 바람직하다.
또, 상기 솔더층의 두께는 3 내지 30㎛인 것이 좋고,
상기 솔더층은,
복수의 상기 배선전극을 서로 전기적으로 연결시키고, 상기 솔더합금이 상기 배선전극 상에 전해도금된 것이 좋다.
본 발명의 두번째 측면으로는 기판을 제조하는 방법으로서,
복수의 배선전극이 전면에 구비된 기재를 제공하는 기재준비단계; 및
상기 각 배선전극 상에 솔더합금을 도금하여 솔더층을 형성하는 도금단계;를 포함하는 LED 접합용 기판의 제조방법이 개시된다.
여기에서, 상기 도금단계는 전해도금, 무전해도금 또는 증착방법으로 수행되는 단계인 것이 좋고,
상기 도금단계는 전해도금방법으로 수행되며,
상기 도금단계 이전에 상기 배선전극을 서로 전기적으로 연결시키는 전도층형성단계를 더 포함하는 것이 좋으며,
상기 기재는,
상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 후면전극을 상기 전면의 반대면인 후면에 구비하고,
상기 전도층형성단계는 상기 후면전극을 서로 전기적으로 연결하는 전도층을 상기 후면 상에 형성하는 단계인 것이 좋고,
상기 도금단계 이후에 상기 전도층을 제거하는 단계를 포함하는 것이 바람직하며,
또, 상기 전도층형성단계는 상기 후면에 전도성 금속을 무전해도금 또는 스퍼터링하는 단계이거나,
상기 전도층형성단계는 상기 후면에 전도성 잉크 또는 페이스트를 도포하는 단계인 것이 바람직하다.
본 발명의 세번째 측면은 LED 접합용 기판에 LED를 접합하는 단계를 포함하는 LED 디스플레이 제조방법을 개시한다.
여기에서 상기 LED를 접합하는 단계는,
상기 솔더층을 열원을 이용해 가열하여 용융시킨 후, 상기 LED와 상기 배선전극을 서로 접합시키는 단계이고,
상기 열원은 레이저(Laser), 적외선(IR), 열선, 초음파 또는 열풍(Hot air)인 것이 좋으며,
상기 LED 상에 커버글라스(Cover glass)를 덮는 단계를 포함하는 L것이 좋고,
상기 LED는 가로 및 세로의 길이가 각각 500㎛이하인 소형 LED를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 LED 접합용 기판의 제조방법은 종래 사용되는 솔더페이스트나 이방성도전필름(ACF)를 사용하는 대신에, 이를 대체할 수 있는 도금층을 형성하는 방법을 이용하여 전극간 솔더량의 편차를 줄여, LED의 접합 후 기울어짐과 같은 하자 방생률을 줄여주고, 전체 디스플레이의 빛방출을 균일하게 하는 효과가 있다.
또한, 도금밀도를 높이는 경우 전합부에서의 비표면적이 낮아질 수 있어 플럭스(Flux)사용량을 줄일 수 있으므로, 전합부에서 잔사 및 염화물, 플럭스(Flux) 분해로 인한 보이드(Void) 발생을 억제하는 효과가 있다.
또한, 미세한 피치(pitch)에도 균일한 도금막을 형성할 수 있어, 비접촉(Non Contact) 및 쇼트(Short) 등의 불량 발생을 막아주는 효과가 있다.
또한, 기존 LED의 독립적인 구조인 전극 형태로 인해 도금 방법을 적용하기 힘든 문제를 해결하기 위한 전극 연결선을 활용하여 균일한 크기의 도금 범프를 형성하여 디스플레이의 불량을 줄일 수 있는 유리한 효과가 있다.
도 1은 LED칩을 접합하기 위한 기판과 LED 및 실장부품의 개략적인 관계를 나타내는 도면이다.
도 2는 종래 솔더페이스트를 사용할 경우의 LED와 기판의 접합시 문제점을 도시하는 모식도이다.
도 3은 종래 이방성도전필름를 사용할 경우의 LED와 기판의 접합시 문제점을 도시하는 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED와 기판의 접합을 나타내는 모식도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED와 기판의 접합을 나타내는 모식도이다.
도 6은 본 발명에 따른 전도층(150) 형성기술과 종래의 솔더 페이스트 사용 기술에서 솔더량의 차이를 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 7은 본 발명의 일 측면에 따른 방법을 순서에 따라 나타낸 순서도이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 사용한 방법을 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 12는 실험예의 실험방법과 불량이 발생하는 유형에 따른 판단 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 13은 기판의 솔더층 두께에 따른 접합 특성과 접합상태를 촬영한 사진이다.
도 14는 본 발명에 따른 LED 접합 후 LED의 접합 상태를 촬영한 전자현미경사진이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다.
본 명세서에서 엘이디(LED, Light emitting diode)란, 발광다이오드 또는 발광소자를 의미하는 전자부품을 의미하며, 소형 LED란 마이크로 LED, 미니LED를 포함하는 것으로서 LED의 크기가 500㎛이하 수준인 LED 또는 LED칩을 말한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하기로 한다.
본 발명의 일측면은 LED 접합용 기판(1)이고, LED 접합용 기판(1)은 기재(100), 배선전극(110), 및 솔더층(130)을 포함한다.
도 1은 LED를 접합하기 위한 기재(100)와 LED 및 실장부품의 개략적인 관계를 나타내는 도면으로, 기재(100)는 기판 또는 PCB일 수 있으며, LED가 접속되는 전면에는 배선전극(110)이 구비되어 LED소자의 전극과 전기적으로 접속될 수 있으며, 도시되지 않았지만 배선전극(110) 상에 구비되는 솔더층(130)에 의해 LED가 배선전극(110)과 전기적으로 접속될 수 있다.
기재(100)에서 LED가 접속되는 면의 반대면인 후면에서는 후면전극(120)이 구비되어 실장부품(300)이 기재(100)에 실장, 접속될 수 있도록 한다.
기재(100)는 디스플레이 장치에 포함된 구성품들을 지지하는 요소이며, 기판이라고도 불린다. 기재(100)의 형태는 제한되지 않으나 평판 형태로 이루어지는 것이 좋고, 단일층PCB 또는 다층PCB(Multi-layer PCB)으로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 다층PCB가 사용되는 것이 좋다.
또한, 기재(100)를 이루는 소재는 제한되지 않고 해당 기술분야에서 통상의 기술자가 채용가능한 소재 및 상용되는 소재가 사용될 수 있으며, 예를들면 필요에 따라 플렉서블한 재질로 이루어지거나 투명한 광투과성 재질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 기재(100)는 전극층이 형성될 수 있는 재질이면 제한되지 않으며, 예를들면 유리, 합성수지 또는 플렉시블기판소재 등의 소재가 기재(100)의 소재로 이용될 수 있고, 합성수지로는 예를들어 폴리이미드계 수지 또는 유리강화 에폭시 라미테이트 수지와 같이 국제전기공업협회(NEMA)가 분류한 NMEMA규격에서 FR-4등급수준으로 분류되는 소재가 사용될 수 있다.
배선전극(110)은 기재(100)상에 구비되는 도전성 전극으로서, 기재(100)상에 인쇄되어 구비될 수 있다. 배선전극(110)은 LED의 접합시 LED에 전류를 인가하기 위해 기재(100)상에 배치된다.
배선전극(110)으로 이용될 수 있는 금속은 구리, 은, 금, 니켈, 팔라듐 및 주석을 포함하는 군으로부터 선택되는 단일금속 혹은 구리, 은, 금, 니켈, 팔라듐 및 주석을 포함하는 군으로부터 선택되는 둘 이상을 포함하는 합금 등이 사용될 수 있다.
배선전극(110)은 실장부품(300)이 연결되기 전에는 서로 독립되거나 분리된 단락 형태로 이루어질 수 있어 적어도 하나의 배선전극(110)이 서로 독립적으로 구비될 수 있으며, 이 때 배선전극(110)은 서로 전기적으로 연결되어 있지 않은 경우가 많다.
후면전극(120)과 배선전극(110)은 서로 회로의 설계에 따라 연결되는데, 기재(100)의 내부에 구비되는 관통홀(140)을 통하여 배선전극(110)과 후면전극(120)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
LED에는 서로 다른 두 개 이상의 전압이 인가되어야 하며, 배선전극(110)의 배치 형태는 디스플레이 장치의 구동 방식과 기판의 설계에 따라 달라질 수 있어 배선전극(110)의 배치 및 구조 등은 본 발명의 상세한 설명에서 구체적으로 제한하지 않으며, 배선전극(110)의 형성방법에 대해서도 공지된 방법 또는 통상적으로 사용가능한 방법이 제한없이 사용될 수 있으므로 구체적인 설명을 생략하였다.
이때, 배선전극(110)은 하나 이상, 구체적으로는 적어도 둘 이상으로 구비될 수 있는데, 기재(100)에 형성된 복수의 배선전극(110)은 실장부품(300)이나 LED(200) 등의 소자가 연결되지 않은 상태에서는 일부가 단락된 독립적인 형태인 것이 좋으며, 실장부품(300)이나 LED(200)등의 소자의 연결을 통해 전기신호를 받아 회로가 연결되어 정상작동할 수 있다.
추가적으로, 배선전극(110) 사이의 간격은 10㎛ 내지 1000㎛, 바람직하게는 50㎛ 내지 500㎛일 수 있으며, 기재(100)에 접속시키기 위한 LED의 크기와 형태에 따라 배선전극(110) 사이의 간격은 달라질 수 있으나, 해당 범위를 벗어나는 경우에는 배선전극(110)의 솔더층(130) 도금시 솔더층(130)끼리 서로 이어지거나 LED 전극의 연결이 잘 이루어지지 않는 문제가 생길 수 있다.
솔더층(130)은 배선전극(110)상에 LED를 접합하기 위한 접합소재층으로서, 솔더층(130)은 주석 계열 솔더로서 형성되며, 솔더합금을 포함하여 이루어지는 도전성의 합금층으로서, 융점이 낮아 배선전극(110) 및 LED전극의 전극간 접합을 가능하게 한다.
솔더층(130)은 도금에 의해 배선전극(110) 상에 구비되는 것이 바람직하며, 솔더층(130)이 도금층인 경우에 도금 방법으로는 전해도금, 무전해도금 또는 증착방법이 사용되는 것이 좋고, 증착방법은 기상증착방법인 것이 좋다.
예를들어, 솔더층(130)은 Sn, Bi 및 In으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소를 필수적으로 포함하며, 선택적으로 Ag, Cu, Ni, Ge, Pd, Au 및 Pt으로 이루어지는 군에서 선택되는 원소를 포함하는 합금을 포함할 수 있다.
솔더층(130)은 Sn, Bi 및 In으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소를 포함하는 단일금속 또는 2이상의 원소로 구성되는 2원계 이상의 합금인 솔더합금을 포함하는 것이 좋고, Sn, Bi 및 In으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소 중 하나를 주요원소로 포함하는 솔더합금을 포함할 수 있다.
일 예시로서, 솔더층(130)은 접합을 위해 주석계열 합금 중 낮은 융점을 갖는 솔더합금이 사용되는 것이 좋은데, 구체적으로는 Sn 48wt%-In 52wt% 로 이루어진 합금의 용융온도인 118℃ 이상의 용융점을 가지고, 순수한 100% Sn의 용융온도인 232℃ 이하의 용융점을 갖는 합금이라면 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에서, 솔더층(130)에 포함되는 솔더합금이 2원계 합금이고, 2원계 합금이 Sn을 주요원소로 포함하는 Sn계 합금일 때, 솔더합금에 첨가되는 금속이 Cu인 경우 첨가량이 0 내지 20 wt%인 것이 좋고, Ag가 첨가되는 경우, 첨가량이 0 내지 20 wt% 인 것이 좋고, Ni이 첨가되는 경우, 첨가량이 0 내지 20 wt% 인 것이 좋다.
또한, 2원계 솔더 합금으로서 Sn에 Bi가 첨가되는 경우 Bi의 첨가량이 0 내지 90 wt%인 것이 좋고, In이 첨가되는 경우, In의 첨가량이 0 내지 100 wt%인 것이 좋다.
2원계 합금의 조성이 해당 범위를 만족하는 경우에 용융점이 적절한 범위로 얻어질 수 있고, 접합부에서의 강도, 젖음성과 같은 물성이 좋은 장점을 갖는다.
또, 2원계 솔더합금이 Bi 원소를 포함하는 때에, 첨가되는 금속이 Sn인 경우 Sn의 첨가량이 10 내지 100 wt% 일 수 있고, 첨가되는 금속이 In인 경우 In의 첨가량이 10 내지 100 wt% 일 수 있다. 합금의 조성이 해당 범위를 만족하는 경우에 용융점이 적절한 범위로 얻어질 수 있고, 접합부에서의 강도, 젖음성과 같은 물성이 좋은 장점을 갖는다.
2원계 합금이 In을 주요원소로 포함하는 In계 합금일 때, 첨가되는 금속이 Cu인 경우 첨가량이 0 내지 20 wt% 인 것이 좋고, Ag인 경우 첨가량이 0 내지 20 wt% 인 것이 좋으며, Ni인 경우 첨가량이 0 내지 20 wt% 인 것이 좋다.
또한, 2원계 솔더 합금으로서 In에 Bi가 첨가되는 경우 Bi의 첨가량이 0 내지 100 wt%인 것이 좋고, Sn이 첨가되는 경우, 첨가량이 0 내지 100 wt%인 것이 좋다.
2원계 합금의 조성이 해당 범위를 만족하는 경우에 용융점이 적절한 범위로 얻어질 수 있고, 접합부에서의 강도, 젖음성과 같은 물성이 좋은 장점을 갖는다.
또, 3원계 이상의 합금에서 주요 금속은 Sn, Bi, In를 포함하는 금속인 것이 좋으며, 주요 금속의 융점이 230℃ 이하인 경우, 선택적으로 Cu, Ag 및 Ni 중 적어도 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 첨가되는 금속이 Cu인 경우 첨가량이 0 내지 20wt% 일 수 있고, Ag인 경우 첨가량이 0 내지 20 wt% 일 수 있으며, Ni인 경우 첨가량이 0 내지 20 wt% 인 것이 바람직하다.
3원계 합금의 조성이 해당 범위를 만족하는 경우에, 용융점이 적절한 범위로 얻어질 수 있고, 접합부에서의 강도, 젖음성과 같은 물성이 좋은 장점이 있다.
솔더층(130)의 두께는 솔더층(130)을 형성하는 방법, 조건에 따라 다양하게 얻어질 수 있으며, 원하는 두께 범위에 맞추어 공정에서 도금 시간 및 전류의 세기를 제어함으로써 조절될 수 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 솔더층(130)의 두께는 1 내지 50 ㎛ 일 수 있고, 1 내지 30㎛ 인 것이 좋으며, 바람직하게는 3 내지 30㎛인 것이 좋다.
솔더층(130)의 두께가 해당 범위보다 얇은 경우, 용융 솔더의 표면에너지가 작아져 자가정렬(Self Align)이 발생하지 않는 문제가 발생할 수 있고,
해당 범위보다 두꺼운 경우, 용융 솔더의 표면에너지가 커져서 LED가 들뜨게 되어(Floating) 되어 기울어짐 현상이 일어나는 문제가 발생할 수 있다.
이 때, 자가정렬이란 용융된 금속의 표면장력에 의해 발생하며, 전극부에 젖음(Wetting)되어 퍼진 상태에서 표면적을 줄이기 위해 칩의 위치를 이동시키는 응력을 발생시켜 표면에너지가 가장 낮은 위치로 칩을 이동시키는 현상을 말한다.
배선전극(110) 상에 솔더층(130)이 도금으로 형성되는 경우 배선전극(110)의 두께와 솔더층(130)의 두께의 비율(배선전극(110) 두께/솔더층 두께)는 0.1 내지 100 일 수 있고, 바람직하게는 0.2 내지 50 일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 20 일 수 있다.
배선전극(110)과 솔더층(130)의 두께 비율이 해당 범위보다 작으면 솔더 대비 전극소재의 양이 적어져 기기 작동중 열 및 전자에 의해 전극이 솔더에 용해 단락될 위험이 있고, 해당 범위보다 크면 솔더의 양부족으로 인해 보이드, 비자가정렬등 접합부 결함이 일어나는 문제가 발생할 수 있다.
한편, 종래의 기술은 LED를 기판에 접속하기 위하여 복잡한 배선전극(110) 상에 원하는 패턴으로 솔더층(130)을 형성하기 용이한 솔더페이스트 및 이방성도전필름 등이 사용되었다.
도 2 및 도 3은 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래 기술에 해당하는 LED 접합용 기판 및 접속구조를 나타낸 도면이다.
도 2는, 솔더페이스트를 이용하여 기재(100)의 배선전극(110)상에 LED전극을 접속하는 경우를 나타낸 것이다.
솔더페이스트를 사용하는 경우 솔더페이스트의 두께와 표면장력 및 배선전극(110) 상에 도포된 솔더페이스트 부피의 차이가 발생하기 쉬워 가로면과 세로면을 나타낸 도면과 같이 LED 칩이 한쪽으로 기울어지거나 뒤틀리는 틸팅(Tiliting)현상이 발생할 수 있다.
도 3은 이방성도전필름(ACF)를 이용하여 기재(100)의 배선전극(110)상에 LED전극을 접속하는 경우를 나타낸 것이다.
이방성도전필름을 사용하는 경우, 도전필름에 구비된 입자들이 LED전극과 배선전극(110)에 동시에 접속되지 못해 미접촉, 단락이 발생하거나 저항이 커지는 문제가 발생할 수 있으며, 미세간격으로 인한 쇼트(short)가 발생하는 등의 문제가 일어날 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 측면에 따른 실시예들의 LED와 기판의 접합구조 나타내는 모식도이다.
도 4를 살펴보면, 배선전극(110) 상에는 솔더 도금층이 형성되는데, 도금층은 그 두께가 균일하고, 배선전극(110) 상에서 도금층의 두께나 부피의 편차가 적은 장점이 있어 도 2 및 도 3과 같은 문제가 발생하지 않음을 확인할 수 있다.
도 2 내지 도 4에서는 배선전극(110) 상에 금속 UBM(Under bump metallurgy)층 또는 ENIG(Ni,Ag)층과 같이 일반적인 PCB 배선전극(110) 상에 솔더합금을 이용한 범프를 형성하기 위해 구비될 수 있는 전도성 물질이 구비되어 있는 상태가 도시되어 있으며, 그 위에 솔더페이스트, 이방성도전필름이나 솔더층(130)이 구비된 구조가 도시되어 있다.
도 5는 본 측면의 일 실시예에 따른 기판에 LED가 기재(100)에 접속된 상태를 나타낸 개략도이다. 배선전극(110) 및 UBM 등이 미도시되었으나, 이는 도금층의 형성시 배선전극(110)의 일측면에만 도금층이 형성되지 않고 측면에도 균일한 두께의 도금층이 형성될 수 있음을 측면도로 표현하였기 때문이며, LED와 도금층 사이의 접속구조는 균일하고 보이드나 틸팅 등의 하자가 거의 없어 안정적이고 강하며 신뢰도가 높은 접속구조가 구현될 수 있다.
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 LED 접합용 기판과 종래 기술인 솔더페이스트가 도포된 LED 접합용 기판을 대비하여 나타낸 도면이다.
위에 표시된 기판은 복수의 배선전극(110)의 상부에 각각 솔더층(130)이 형성된 상태를 나타낸 것이고, 아래에 표시된 기판은 배선전극(110) 상에 솔더 분말이 포함된 솔더페이스트가 구비되어 있다.
도금에 의해 솔더층(130)이 형성되는 경우 하나의 솔더층(130) 내에서도 두께가 균일하게 이루어지고, 복수개의 솔더층(130)이 구비되는 경우에는 복수개의 솔더층(130)들에서도 솔더층(130)의 두께가 균일하여 솔더층(130) 간의 부피 차이가 적고 부피값의 편차가 적은 솔더층(130)들을 얻을 수 있다.
구체적으로는, 하나의 솔더층(130) 내에서는 솔더층(130)의 두께가 균일하여 솔더층(130)에서 두께가 최대인 부분과 두께가 최소인 부분에서의 두께 차이는 1㎛ 이하인 것이 좋고, 바람직하게는 0.8㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하인 것이 좋다. 솔더층(130) 내에서 두께 차이가 작음으로써 단락이나 저항의 증가 현상을 막을 수 있고, LED의 틸팅 현상 등이 적게 일어나는 효과가 있다.
또한, 솔더층(130) 중 서로 다른 솔더층(130)의 부피 및 두께가 비슷한 장점이 있으며, 구체적으로는 기재(100) 상에 구비되는 솔더층(130) 중 임의로 n개의 솔더층(130)을 선정하였을 때, n개의 솔더층(130) 중 부피가 가장 큰 솔더층(130)의 부피(VM)와 상기 n개의 솔더층(130) 중 부피가 가장 작은 솔더층(130)의 부피(Vm)가 아래 식 1을 만족하는 것이 바람직하다. 이때 n은 12≤n 을 만족하는 정수이다.
(식 1)
Figure pat00002
다른 표현으로는, 임의로 선정된 n개의 솔더층(130)에 대하여 부피가 최대인 솔더층(130)과 부피가 최소인 솔더층(130)을 선정하였을 때, 부피가 최대인 솔더층(130)의 부피값(VM)와 부피가 최소인 솔더층(130)의 부피값(Vm) 에 대하여, VM과 Vm의 편차(%)가 10% 이내인 것이 좋고, 바람직하게는 5% 이내인 것이 바람직하다.여기에서, n은 12≤n을 만족하는 정수이다.
반면, 솔더페이스트를 사용하는 경우 포함된 솔더 분말 입자의 크기가 불균일 하거나 그 개수가 서로 다를 수 있어 전체적으로 솔더층(130)의 부피가 달라지는 현상이 관찰될 수 있으며, 솔더층(130)의 부피차이가 10% 초과, 예를들어 12% 이상임을 알 수 있어 도금에 의한 솔더층(130)과 구별됨을 알 수 있다.
또한, 솔더층(130)을 도금으로 형성하는 경우에는 도금 방법에 따라 다를 수 있지만 배선전극(110)과 LED가 접합되는 전면 이외에도 배선전극(110)의 측면에 솔더층(130)이 형성되는 것도 가능하다. 솔더 페이스트를 사용하는 경우, 페이스트는 LED가 접합되는 배선전극(110)의 전면에 도포되므로 페이스트가 도포된 전면에서만 혹은 전면과 일부 측면에서 솔더층(130)이 형성되고, 이후 LED를 접합하고 솔더페이스트를 용융시키는 과정에서 배선전극(110)의 측면까지 불균일한 두께의 전도층(150)이 형성될 수 있게된다.
하지만, 도금 방법으로 배선전극(110)에 솔더합금을 도급하여 솔더층(130)을 형성하는 경우에는 배선전극(110)의 전면 이외에도 측면까지 균일한 두께의 솔더층(130)이 얻어질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예는 배선전극(110)에 LED가 접합되는 전면에서 솔더층(130)의 두께와, 배선전극(110)의 측면에서 솔더층(130)의 두께의 차이가 적으며, 예를들어 두께 차이는 1㎛ 이하인 것이 좋고, 바람직하게는 0.8㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하일 수 있다. 배선전극(110)의 전면과 측면에서 두께 차이가 적음으로 인하여 솔더층(130)의 접합 신뢰도가 향상될 수 있다.
결과적으로, 종래 솔더페이스트가 구비된 기판을 사용하는 경우와 본 발명의 실시예에 따른 기판을 사용하는 경우 최종적으로 접속이 이루어진 이후에는 구성 성분이나 접합 구조면에서 유사한 접속구조체가 얻어질 수 있으나, 기판 전체에서 LED의 접합 품질 상태, 각 배선전극(110) 상에 구비된 솔더층(130)의 부피 편차를 확인하는 경우, 솔더층(130) 부피의 최대값, 최소값의 차이를 확인함으로써 도금으로 얻어진 솔더층(130)인지 솔더페이스트를 도포하여 얻어진 솔더층(130)인지 구분될 수 있음은 통상의 기술수준에서 쉽게 이해될 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 LED 접합용 기판(1)에 LED를 접합 또는 실장시키기 위하여는 구비된 솔더층(130)에 열원을 이용한 열에너지를 가함으로써, 솔더층(130)의 솔더합금을 용융시킨 후 LED와 배선전극(110)을 접합시키는 과정이 필요하다.
솔더층(130)을 용융시켜 LED를 접합시키기 위하여 다양한 열원이 사용될 수 있으며, 예를들어 레이저(Laser), 적외선(IR), 열선, 초음파 또는 열풍(Hot air) 등이 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 측면은, LED 접합용 기판(1)을 제조하기 위한 방법으로서, LED와 전기적으로 접속되기 위한 배선전극(110)이 전면에 구비된 기재(100)를 제공하는 기재준비단계(S100)와, 상기 배선전극(110) 상에 솔더합금을 도금하여 솔더층(130)을 형성하는 도금단계(S300)를 포함하는 LED 접합용 기판의 제조방법을 개시한다.
이하에서는 전술한 측면에 따른 LED 접합용 기판에 대하여 동일한 내용을 생략하였다.
기재준비단계(S100)는 기판을 이루는 기재(100)를 준비하는 단계로서, 기재(100)에는 배선전극(110)이 LED가 접속되는 전면에 구비되어 있다.
기재(100)준비단계는 PCB를 제조하는 단계, PCB의 표면에 전극을 인쇄하거나 구리 또는 금과 같은 전도성 금속을 처리하는 단계가 포함되는 것도 가능하다.
도금단계(S300)은 기재(100) 전면의 배선전극(110)의 표면에 도금을 수행하여 솔더층(130)을 형성하는 단계이다.
솔더층(130)은 솔더합금으로 이루어지는 것이 좋으며, 전술한 측면에 따른 바람직한 솔더합금이 사용될 수 있다.
도금단계의 이전에는 LED 접합용 기판(1)의 배선전극(110)상에 솔더층(130)을 형성하기 위한 공정으로, 배선전극(110)이 형성된 기판을 세척하는 공정, 바람직하게는 배선전극(110) 표면의 유기물을 제거하기 위해 알칼리용액, 알콜계 화합물 또는 유기용제를 포함하는 세척액으로 세척하는 잔계가 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 배선전극(110)의 표면에 형성된 금속산화물을 제거하기 위해, 염산, 황산, 질산, 유기산, 아세트산 및 포름산으로 이루어지는 군에서 선택되는 산성용액을 이용하여 세척하는 단계가 포함될 수도 있다.
또한, 도금단계에서 솔더층(130)을 형성하기 위한 도금방법으로는 전해도금, 무전해도금 또는 증착방법이 사용되는 것이 좋으며, 증착방법으로는 기상증착방법이 사용될 수 있다.
무전해도금 또는 증착방법을 사용하는 경우에는, 후술할 실시예에 기재된 바와 같은 공정이 수행될 수 있다.
구체적으로는 실시예 3과 같이 구리로 이루어진 배선전극(110)이 형성된 기재(100)가 준비되고, 배선전극(110) 상에 배선전극(110)과 동일한 형상의 홀(hole)이 형성된 마스크를 위치시키고, 기상증착 방식을 실시하여, 마스크를 제거하면 원하는 솔더합금을 포함하는 솔더층(130)이 증착될 수 있다.
또한, 실시예 4와 같이 구리로 이루어진 배선전극(110)이 형성된 기재(100)가 준비되고, 배선전극(110) 상에 배선전극(110)과 동일한 형상의 hole이 형성된 마스크를 위치시키고, 무전해도금을 실시하여, 마스크를 제거하면 원하는 솔더합금을 포함하는 솔더층(130)이 도금될 수 있다.
이하에서는 본 측면의 바람직한 실시예인 전해도금 방식으로 솔더층(130)을 형성하는 LED 접합용 기판(1)의 제조방법에 대하여 구체적으로 설명한다.
도 7은 전해도금 방식을 사용하는 경우의 LED 접합용 기판(1)의 제조방법의 순서를 나타낸 순서도이다.
전해도금 방법을 사용하는 경우에는, 도금층을 형성하기 위한 배선전극(110)에 전류를 흘려보냄으로써 도금이 진행되게 되는데, 일반적으로 피도금체는 전기적으로 연결되어 일부분에 전압을 가하는 경우에도 전체 피도금체의 표면에 전압이 인가되고 도금이 수행될 수 있다.
그러나, LED 접합용 기판(1)의 배선전극(110)의 경우 소자가 연결되지 않은 상태에서 그 자체로는 서로 연결되지 않고 단락되어 있으므로 전체 배선전극(110)을 전기적으로 하나로 연결하는 것이 어려우며, 패턴의 피치가 얇고 미세하여 여러 부분에서 동시에 전압을 가하는 것도 어려운 점이 많아 종래에 전해도금을 통한 배선전극(110)의 도금을 시도한 기술이 없었다.
즉, 독립적인 형태의 배선 전극에 도금 범프를 형성하기 위해서는 기재(100) 상 전도층(150)을 형성하여, 배선전극(110)을 전기적으로 연결하는 공정이 필요해진다.
본 출원인은 해당 분야에서 각고의 노력을 통해 실험과 연구를 반복한 결과, 배선전극(110)을 전기적으로 연결하여 한번에 전해도금을 수행할 수 있으면서도, 기재(100)의 전면에서 추가적인 공정이나 처리가 요구되지 않아 효과적인 도금방법을 개발하였으며, 이를 위하여는 도금단계 이전에 전도층형성단계(S200)을 필요로 한다.
전도층형성단계는 배선전극(110)을 모두 전기적으로 연결하는 단계이고, 배선전극(110)을 서로 연결하기 위한 방법으로 LED가 접속되는 전면의 반대 면인 후면에 전도층을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
이는 배선전극(110)이 기재(100)의 내부를 관통하는 관통홀(140)에 의해 후면전극(120)과 전기적으로 연결되어 있음을 이용하는 것으로서, 후면에 전도층(150)을 형성하여 복수의 후면전극(120)을 모두 전기적으로 연결시키는 경우 자명하게 전면에 노출된 배선전극(110)이 전기적으로 연결된다.
즉, 모든 배선전극(110)은 실장 부품의 전기적 신호를 받아 작동하며, 실장부품(300)을 연결하기 위해 후면에 위치한 후면전극(120)이 형성되는 점을 활용하여 복수의 후면전극(120)을 전도층(150)으로 모두 연결하면, 상기 배선 전극이 전기적으로 연결된 상태가 될 수 있다.
전도층(150)은 전도성 소재이면 족하고, 그 소재나 성분이 제한되는 것은 아니지만, 이후에 전도층(150)을 제거하는 공정이 기재(100)의 후면에 수행되어야 하므로, 전도층(150)을 제거하기 위한 공정이나 시약을 처리할 때 기재(100)의 후면에 구비된 후면전극(120)을 손상시키거나 제거하지 않도록 하는 것이 필수적이다.
구체적인 예시로는, 기재(100)의 후면이 금(Au)금속으로 처리되는 경우에는 전도층(150)으로 전기전도성이 우수한 구리 금속을 사용하는 것이 가능하다. 이때 금속층으로 전도층(150)을 형성하는 방법으로는 스퍼터링, 무전해도금 등이 사용될 수 있다. 이후 전도층(150)을 제거하는 단계에서는 구리를 제거하는 시약을 처리하더라도 금의 반응성이 구리보다 낮아 함께 제거되지 않으므로 후면전극(120)이 유지된 상태로 전도층(150)을 제거하는 것이 가능하다.
또 다른 예시로는, 기재(100)의 후면이 구리(Cu)금속으로 처리되는 경우가 있다. 이 경우 앞선 예시와는 달리 구리금속으로 전도층(150)을 형성하는 경우, 전도층(150)을 제거하는 과정에서 후면에 처리된 구리금속이 함께 제거되는 문제가 발생하게 되므로, 후면에 처리된 구리를 제거하지 않으면서도 선택적으로 완전히 제거될 수 있는 소재의 전도층(150)을 형성하는 것이 요구되고, 은, 주석, 인듐, 카본을 포함한다. 전도성 성분을 포함한 전도성 페이스트를 도포, 코팅하는 방법이 사용되거나 전도성 잉크를 도포, 인쇄하는 방법이 사용될 수 있다.
여기에서, 사용가능한 전도성 잉크는 면저항이 낮을수록 전도성의 전해도금막 형성에 유리하나, 면저항이 15Ω/sq이하인 것이 좋고, 바람직하게는 1Ω/sq이하의 면저항, 더욱 바람직하게는 0.1Ω/sq이하의 면저항 값을 가지는 전도성잉크를 사용하는 것이 좋다.
또한, 전도층(150)을 형성하는 전처리 단계에서 무전해 도금, 스퍼터링 방법이 사용되는 것도 가능하다.
전도층(150)을 형성하는 전도층형성단계에서는 기재(100) 후면 전체에 전도층(150)을 형성하는 것도 가능하고, 후면 전극을 연결하기 위하여 전극이 위치한 부분 및 연결할 부분을 제외하고 마스킹 처리를 하여 일부분만 연결하는 것도 가능하다.
전도층형성단계(S200) 이후 도금단계(S300)를 수행하는 경우, 상기 후면전극(120)을 전기적으로 연결한 이후 도금 방법을 이용하여, 배전전극에 솔더층(130)을 쉽고 간편하게 형성할 수 있다.
이때, 솔더층(130)의 두께는 1 내지 50 ㎛ 일 수 있고, 1 내지 30㎛인 것이 좋으며, 바람직하게는 3 내지 30㎛인 것이 좋다.
솔더층(130)의 두께가 해당 범위보다 얇은 경우, 용융 솔더의 표면에너지가 작아져 자가정렬(Self Align)이 발생하지 않는 문제가 발생할 수 있고,
해당 범위보다 두꺼운 경우, 용융 솔더의 표면에너지가 커져서 LED 칩이 들뜨게 되어(Floating) 되어 기울어짐 현상이 일어나는 문제가 발생할 수 있다.
도금단계 이후에는, 디바이스의 작동에 문제가 없도록, 도금 범프를 형성한 이후 배선전극(110)을 전기적으로 연결하는 전도층(150)을 제거하는 공정인 후처리단계(S400)이 수행되는 것이 바람직하다.
전도층제거단계(S400)은 전도층형성단계(S200)에서 기재(100)의 후면에 형성된 전도층(150)을 제거하여 후면전극(120)들을 서로 전기적으로 단락시키는 방법인 것이 바람직하다.
전도층(150)을 제거하는 공정으로는 기계적 제거방법 및 화학적 제거방법이 가능하며 바람직하게는 화학적 제거방법으로 제거한다.
전도층(150)이 유기물, 바인더 등이 포함된, 잉크, 페이스트로 이루어진 층인 경우 유기물, 바인더를 용해할 수 있는 유기용제를 분사하여 전도층(150)의 제거가 가능하다.
또한, 전도층(150)이 스퍼터, 무전해도금으로 형성된 금속막인 경우, 전도층(150)을 이루는 금속을 용해시킬 수 있는 산용액, 금속 스트리퍼 등을 이용하여 전도층(150)을 용해시킴으로써 전도층(150)의 제거가 가능하다.
이때, 전도층(150) 제거 시 기존 후면전극(120)의 손상이 발생하지 않도록 하는 것이 중요하다. 후면전극(120)의 손상은 실장부품(300)의 정상 접합을 어렵게 하여 전기적신호가 배면전극에 원활히 제공되는 것을 방해하고, 불량의 원인이 된다.
본 측면과 같이 배선전극(110)의 표면세 솔더층(130)을 도금 방식으로 형성하는 경우에는, 솔더층(130)은 솔더링시 용융 접합 되어 전극부에 모두 젖음(Wetting)되므로, LED의 기울어짐, 공극, 미접촉 등의 불량이 발생하지 않아 종래 기술의 문제점이 해결된다.
반면, 기존 ACF 이용한 LED 접합 시, 전도성 입자가 용융되지 않고 물리적 접촉이 발생하며, 전극간에 저항이 높아지고 접합부에 금속 입자가 나타나게 된다.
또한, 기존 솔더페이스트를 이용한 LED 접합 시 솔더합금이 기판 배선전극(110)의 일부에만 젖음되는데, 이는 가열시 페이스트 첨가제의 기화에 의한 튐 현상, 금속입자의 용융 수축 등에 의한 칩 틀어짐 현상 등이 발생하기 때문이고, 첨가제의 함량을 줄여야지만 위와 같은 현상을 방지할 수 있어 한계가 있다.
본 발명의 또 다른 측면은 LED 디스플레이의 제조방법이다.
본 측면에 따른 LED 디스플레이의 제조방법은 전술한 LED 접합용 기판(1)을 포함하는 LED 디스플레이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 LED 접합용 기판(1) 상에 LED를 접합시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
여기에서 LED를 접합시키는 단계는 배선전극(110) 상에 구비된 솔더층(130)을 열원을 이용해 가열하여 용융시킨 후, 상기 LED를 솔더층(130) 상에 위치시킴으로써 배선전극(110)과 LED를 서로 접합시키고 솔더합금을 냉각시키는 단계이다.
솔더층(130)을 용융시키기 위하여 사용되는 열원으로는 레이저(Laser), 적외선(IR), 열선, 초음파 또는 열풍(Hot air)이 사용될 수 있으며, 전술한 열원을 사용하는 경우에 기판의 소재나 LED에 대한 손상이나 영향을 최소화하면서도 용이하게 솔더층(130)에 열을 가할 수 있다.
또한 본 측면에 따른 LED 디스플레이의 제조방법은 기판에 접합된 LED 상에 커버글래스(Cover glass)를 덮는 단계를 포함하는 것도 바람직하다. 커버글래스는 유리 또는 강화유리 소재를 포함하여 이루어지는 것이 좋고, 물리적 강도가 우수하며 투과율이 우수한 것이 좋다.
본 측면에 따라 제조되는 LED 디스플레이는 기판, LED, 커버글래스(Cover glass) 또는 커버층(Cover layer)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 컬리필터 또는 BLU(Back light unit)을 포함하지 않는 것도 가능하고, 여기에서, 기판으로는 전술한 측면에 따른 LED 접합용 기판(1)이 사용되는 것이 바람직하다.
구체적으로 LED 접합용 기판(1)은 도금으로 형성된 접속재료인 솔더층(130)을 기판의 전면에 구비되는 배선전극(110) 상에 포함하는 LED 접합용 기판(1)을 사용할 수 있으며, 보다 구체적으로는 전술한 측면에서 설명된 LED 접합용 기판(1)을 사용하는 것이 바람직하다.
LED는 디스플레이에서 하나의 픽셀을 구현하기 위하여 R(Red), G(Green), B(Blue) 색을 발광할 수 있는 LED가 구비되는 것이 바람직하며, 3종류의 LED가 한데 모여 하나의 RGB 세트를 이루는 픽셀을 이룬다.
한편, LED의 크기가 초소형인 마이크로 LED를 사용하는 경우에는, LED 자체를 하나의 화소로 사용하는 것도 가능하다.
LED접합용 기판에는 500㎛이하 수준의 크기를 가지며, 전극이 구비되는 소형 LED 또는 마이크로 LED가 LED접합용 기판에 다수개 배열되며, LED는 솔더층(130)을 접속재료로 하여 배선전극(110)상에 접합된다.
여기에서, LED는 가로 및 세로의 길이가 각각 500㎛이하인 소형 LED를 포함하는 것이 좋고, 예를들어 가로 및 세로의 길이가 각각 300㎛이하인 것이 좋으며, 더욱 바람직하게는 스마트폰과 같이 작은 기기에 사용되는 디스플레이에 사용되기 위하여 가로 및 세로의 길이가 200㎛ 이내인 것이 바람직하고, 예를들어 가로 150 세로 200㎛ 일 수 있다.
LED 기판에서 LED가 접속되는 솔더층(130)은 전체 기판에서 12개 내지 100개, 예를들어 12개 내지 30개의 솔더층(130)들을 무작위로 선택하여 부피를 측정하였을 때, 그 최대값과 최소값의 차이가 최대값의 15% 이내인 것이 좋고, 14% 이내일 것이 좋으며, 13% 이내일 수 있고, 10% 이내인 것이 바람직하다.
또한, 접속된 LED는 LED가 접합된 접속구조에서 도금 방법으로 형성된 솔더층(130)을 통해 접속됨으로써, 솔더페이스트 대비 뒤틀림과 같은 현상이 잘 일어나지 않아 색의 선명도가 우수한 장점이 있으며, 이방성도전필름 대비 쇼트, 단락, 저항의 증가 현상이 일어나지 않아 화소불량이나 연결불량의 하자가 거의 발생하지 않아 불량률이 낮아지는 장점을 가진다.
이하에서는 실시예를 사용하여 보다 구체적으로 본 발명에 대하여 설명한다.
실시예
실시예 1
PCB 기재에 구리금속을 사용하여 두께 20㎛, 폭 100㎛, 길이 140㎛의 배선전극을 형성하고, 구리 배선전극이 형성된 기재를 Sn 도금액이 구비된 도금조 내에 담근 후, 도금하고자 하는 Sn금속을 +극에, 배선전극이 구비된 기재를 ??극으로 하여 전압을 인가하였으며, 배선전극에서 솔더층의 두께가 10㎛가 될 때까지 도금을 수행하여 Sn 솔더층을 형성하고 LED 접합용 기판을 제조하였다.
실시예 1의 실험방법을 도 8에 도시하였다.
실시예 2
PCB 기재에 구리금속을 사용하여 배선전극을 형성하고, 구리 배선전극이 형성된 기재를 Sn-3%Ag 도금액이 구비된 도금조 내에 담근 후, 도금하고자 하는 속을 +극에, 배선전극이 구비된 기재를 ??극으로 하여 전압을 인가하였으며, 배선전극의 전면과 측면에서 솔더층의 두께가 10㎛가 될 때까지 도금을 수행하여 Sn-3%Ag 솔더층을 형성하고 LED 접합용 기판을 제조하였다.
실시예 2의 실험방법을 도 9에 도시하였다.
실시예 3
PCB 기재에 구리배선층을 형성하고, 구리배선층 상에 용융되어 전기적 접속을 형성하기 위해 VD(vapor deposition)를 실시하여 배선전극의 전면과 측면에 두께 3㎛의 Sn-15%Ag 솔더층을 형성하고 LED 접합용 기판을 제조하였다.
실시예 3의 실험방법을 도 10에 도시하였다.
실시예 4
PCB 기재에 구리금속을 사용하여 배선전극을 형성하고, 구리 배선전극상에 무전해도금을 실시하였으며, 배선전극의 전면과 측면에서 솔더층의 두께가 10㎛가 될 때까지 도금을 수행하여 Sn 솔더층을 형성하고 LED 접합용 기판을 제조하였다.
실시예 4의 실험방법을 도 11에 도시하였다.
실시예 5
실시예 1과 같이 PCB 기재에 구리금속을 사용하여 배선전극을 형성하고, 구리배선전극 상에 도금을 실시하였으며, 배선전극에서 솔더층의 두께가 3㎛가 될 때까지 도금을 수행하여 두께 3㎛의 솔더층을 형성하고 LED 접합용 기판을 제조하였다.
실시예 6
실시예 1과 같이 PCB 기재에 구리금속을 사용하여 배선전극을 형성하고, 구리배선전극 상에 도금을 실시하였으며, 배선전극에서 솔더층의 두께가 30㎛가 될 때까지 도금을 수행하여 두께 30㎛의 솔더층을 형성하고 LED 접합용 기판을 제조하였다.
비교예
비교예 1
실시예 1과 같이 PCB 기재에 구리금속을 사용하여 배선전극을 형성하고, 구리배선전극 상에 도금을 실시하였으며, 배선전극의 전면과 측면에서 솔더층의 두께가 1㎛가 될때까지 도금을 수행하여 두께 1㎛의 솔더층을 형성하고 LED 접합용 기판을 제조하였다.
비교예 2
PCB 기재에 구리금속을 사용하여 배선전극을 형성하고, 구리배선층 상에 도금을 실시하였으며, 배선전극의 전면과 측면에서 솔더층의 두께가 50㎛가 될때까지 도금을 수행하여 두께 50㎛의 솔더층을 형성하고 LED 접합용 기판을 제조하였다.
비교예 3 내지 6
PCB 기재상 LED 전극에 Type7(5내지 15㎛)크기의 SAC305 페이스트를 전체 페이스트에 포함된 합금 중량이 비교예 1, 실시예 5, 실시예 1 및 비교예 2 와 같이 도금층 두께로 1㎛, 3, 10, 30, 50㎛ 두께에 해당하도록 솔더량을 계산한 이후, 배선전극 상에 도포하여 접합층을 형성하고, LED 칩을 접합하였다.
실험예
실험예 평가방법
도 12에는 LED 접합용 기판에 LED를 접합한 이후, 접합 결과에 대한 실험 방법을 개략적으로 나타내고, 접합 결과에서 육안으로 확인될 수 있는 부피편차불량, 기울어짐불량 및 자가정렬(Self align)불량의 예시를 개략적으로 표현하였다.
도 12의 좌측에는 3개의 LED가 하나의 세트로 기판상에 접합된 상태를 나타내고, 하나의 LED에 대하여 두개의 전극을 모두 지나는 방향(A-A'방향)의 단면 샘플링과, 이에 수직인 방향(B-B'방향)의 단면 샘플링의 결과를 통하여 우측에 도시된 것과 같이 LED 양측 전극의 접합부에서 나타나는 부피편차 불량 및 LED의 기울어짐 불량을 확일할 수 있다.
자가정렬불량의 경우 단면 샘플링 없이 LED의 배열 상태를 육안으로 관찰하여 판단할 수 있다.
실험예1 - 솔더층 두께에 따른 접합 특성 확인
도금층의 두께에 따라 비교예 1, 실시예 5, 실시예 1 실시예 6 및 비교예 2의 LED 접합용 기판에 대하여 240℃ 질소분위기에서 LED를 접합시키고, 냉각한 이후 접합 결과를 관찰하였다.
도 13에 실험결과를 도시하였다.
접합 시 240℃ 온도에서 1㎛ 두께의 솔더층을 도금한 비교예 1의 경우 액상량이 적어 표면장력이 약해 자가정렬(Self Align)이 일어나지 않아 칩이 틀어진 현상이 발생하였다. 실시예 5, 실시예 1 및 실시예 6과 같이 3㎛ 이상 두께의 솔더층을 도금한 경우 용융액상이 충분하여 칩의 Self align 현상이 발생하여 양호한 접합특성을 보였다.
실험예2 - 접합 후 접합 후 Z축 틸트(Tilt) 현상
실험예 1의 LED를 전자현미경으로 관찰하여 틸트(Tilt) 현상의 발생여부를 육안으로 확인하였으며, 그 결과를 도 14에 도시하였다.
이에 따르면, 접합 시 비교예 1과 같이 1㎛ 두께의 솔더층을 도금한 경우 액상량이 적어 표면장력이 약해 자가정렬(Self align)이 일어나지 않아 칩이 틀어진 현상이 발생하였다.
또한, 실시예 5, 실시예 1 및 실시예 6과 같이 3㎛ 내지 30㎛ 두께의 솔더층을 도금한 경우 용융액상이 충분하여 칩의 자가정렬(Self align) 현상이 발생하여 양호한 접합특성을 보였고, 비교예 2와 같이 50㎛ 이상의 두께 솔더층을 도금한 경우 용융액상이 과다하여 솔더표면 장력에 의한 칩플로팅(Chip Floating) 현상이 발생하여 기울어짐 현상이 나타났다.
실험예3 - 도금 방법에 따른 접합결과 분석
LED를 배선전극에 접합하기위한 솔더층을 형성하는 방법으로, 페이스트 도포, 전해도금하는 경우에 따른 솔더층 상에 LED 접합결과를 관찰하여 결과를 표 1 에 나타내었다.
특히, 기판상의 전극 30개를 무작위로 선정한 후, 솔더층의 부피를 측정하고, 그 최대값과 최소값의 편차를 측정하여 계산하였으며, 그 결과를 아래 표 2에 나타내었다.
도금 방법 도금 두께
(㎛)		 접합결과 (전극 30개 기준)
솔더 부피 편차(10%이내) 칩 기울어짐
(15°이상 개수)		 Non Self align
(개수)
전해도금 1 5% 0 17
3 3% 0 0
10 2% 0 0
30 2% 0 0
50 4% 8 16
페이스트 도포 1 12% 0 23
3 14% 0 0
10 22% 0 0
30 16% 16 0
50 18% 23 6
도금 방법 도금 두께
(㎛)		 접합결과 (12개 전극 선정)
솔더층 부피 최대값(A, ㎛3) 솔더층 부피 최소값(B, ㎛3) 차이
{(A-B)/A}*100 (%)
전해도금 1 14842 14100 5%
3 43276 41978 3%
10 141509 138679 2%
30 41877 41039 2%
50 702573 674470 4%
페이스트 도포 1 15132 13316 12%
3 13221 11370 14%
10 141840 110635 22%
30 417288 350522 16%
50 672816 551709 18%
실험결과, 전해도금을 수행하여 솔더층을 형성한 기판에서는 솔더페이스트를 도포하여 솔더층을 형성한 경우보다 솔더부피편차가 상대적으로 적어 10%이내 수준인 것으로 확인되었으며, 솔더층의 두께가 10, 30㎛인 경우 2% 정도의 차이를 보여 특히 균일한 수준의 솔더층이 형성되었다.
LED의 기울어짐은 솔더층의 두께가 50㎛ 인 경우 주로 발생하였으며, 솔더페이스트의 경우 30㎛두께에서도 일부 기울어짐이 관찰되었다.
자가정렬 불량의 경우 솔더층의 두께가 너무 얇거나 두꺼운 경우 발생하는 것으로 확인되었으며, 솔더층의 두께가 3, 10, 30㎛인 경우에는 발생하지 않았다.
실험예4 - 도금 방법 및 두께에 따른 접합결과 분석
LED를 배선전극에 접합하기위한 솔더층을 형성하는 방법으로, 도금방법 중 전해도금, 무전해도금 및 진공증착 방식을 사용하였으며, 도금 방법에 따른 솔더층 상에서의 LED 접합결과를 관찰하고, 솔더층의 부피 편차를 계산하여 표 3에 나타내었다.
도금 방법 도금 두께
(㎛)		 접합결과 (전극 30개 기준)
솔더 부피 편차 칩 기울어짐
(15°이상 개수)		 Non Self align
(개수)
전해도금 1 5% 0 17
3 3% 0 0
10 2% 0 0
30 2% 0 0
50 4% 8 16
무전해도금 1 7% 0 6
3 8% 0 0
10 6% 0 0
30 2% 0 0
50 7% 20 11
진공증착 1 1% 0 7
3 2% 0 0
10 2% 0 0
30 1% 0 0
50 3% 8 6
실험결과, 솔더 부피 편차는 도금방법을 달리하여도 10% 이내로 양호하였으나, 전해도금 및 진공증착의 경우 5% 이내로 확인되어 특히 우수하였다.
기울어짐 불량의 경우 두께에 따른 경향을 도금방법을 달리하여도 유사하였으나 전해도금 및 진공증착에서 우수한 결과를 보였고, 자가정렬 불량의 경우 두께에 따른 경향을 도금방법을 달리하여도 유사하였다.
실험예5 - 도금 조성에 따른 접합결과 분석
솔더층의 합금 조성을 다양하게 변화시키면서, 솔더층의 두께는 10㎛로 고정하여 솔더층을 도금하였으며, 그에 따른 솔더층의 LED 접합결과를 관찰하여 솔더합금으로 Sn계 합금을 사용한경우, Bi계 합금을 사용한 경우, In계 합금을 사용한 경우를 순서대로 각각 표 4 내지 표 6에 나타내었다.
첨가 금속 (Sn base) 함유량
(wt%)		 도금 두께
(㎛)		 접합결과 (전극 30개 기준)
미접합
(개수)		 칩 기울어짐
(15°이상 개수)		 Non Self align
(개수)
Cu 1 10 0 0 0
20 0 0 0
30 15 25 26
Ag 1 0 0 0
20 0 0 0
30 14 22 15
Ni 1 0 0 0
20 0 0 0
30 11 12 13
Bi 1 0 0 0
90 0 0 0
95 4 16 12
In 1 0 0 0
10 0 0 0
75 0 0 0
첨가 금속 (Bi base) 함유량
(wt%)		 도금 두께
(㎛)		 접합결과 (전극 30개 기준)
미접합
(개수)		 칩 기울어짐
(15°이상 개수)		 Non Self align
(개수)
Cu 1 10 30 30 30
20 30 30 30
30 30 30 30
Ag 1 30 30 30
20 30 30 30
30 30 30 30
Ni 1 30 30 30
20 30 30 30
30 30 30 30
Sn 5 5 8 9
10 0 0 0
75 0 0 0
In 5 6 7 16
10 0 0 0
75 0 0 0
첨가 금속 (In base) 함유량
(wt%)		 도금 두께
(㎛)		 접합결과 (전극 30개 기준)
미접합
(개수)		 칩 기울어짐
(15°이상 개수)		 Non Self align
(개수)
Cu 1 10 0 0 0
20 0 0 0
30 8 17 14
Ag 1 0 0 0
20 0 0 0
30 2 5 20
Ni 1 0 0 0
20 0 0 0
30 7 8 8
Bi 1 0 0 0
10 0 0 0
75 0 0 0
Sn 1 0 0 0
10 0 0 0
75 0 0 0
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1 : LED 접합용 기판
100 : 기재
110 : 배선전극
120 : 후면전극
130 : 솔더층
140 : 관통홀
150 : 전도층
200 : LED
210 : LED 전극
300 : 실장부품
310 : 실장부품 전극

Claims (17)

  1. 기재;
    상기 기재상에 구비되는 복수의 배선전극; 및
    상기 각 배선전극 상에 구비되며 상기 배선전극과 LED를 전기적으로 연결할 수 있는 솔더층; 을 포함하고,
    상기 솔더층 중 n개의 솔더층을 임의로 선정하고 각각의 부피를 측정하였을 때,
    상기 n개의 솔더층 중 부피가 가장 큰 솔더층의 부피(VM)와 상기 n개의 솔더층 중 부피가 가장 작은 솔더층의 부피(Vm)가 아래 식 1을 만족하는 LED 접합용 기판.(n은, 12≤n 을 만족하는 정수)
    (식 1)
    Figure pat00003

  2. 제1항에 있어서,
    상기 솔더층은 솔더합금을 상기 배선전극상에 도금한 것인 LED 접합용 기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 기재는 유리, 합성수지 또는 플렉시블기판소재로 이루어지는 LED 접합용 기판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 솔더합금은 Sn, Bi 및 In으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소를 필수적으로 포함하는 합금인 LED 접합용 기판.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 솔더층의 두께는 3 내지 30㎛인 LED 접합용 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 솔더층은,
    복수의 상기 배선전극을 서로 전기적으로 연결시킨 후, 상기 솔더합금을 상기 배선전극 상에 전해도금하여 구비된 것인 LED 접합용 기판.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 LED 접합용 기판을 제조하는 방법으로서,
    복수의 배선전극이 전면에 구비된 기재를 제공하는 기재준비단계; 및
    상기 각 배선전극 상에 솔더합금을 도금하여 솔더층을 형성하는 도금단계;를 포함하는 LED 접합용 기판의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 도금단계는 전해도금, 무전해도금 또는 증착방법으로 수행되는 단계인 LED 접합용 기판의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 도금단계는 전해도금방법으로 수행되며,
    상기 도금단계 이전에 상기 배선전극을 서로 전기적으로 연결시키는 전도층형성단계를 더 포함하는 LED 접합용 기판의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기재는,
    상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 후면전극을 상기 전면의 반대면인 후면에 구비하고,
    상기 전도층형성단계는 상기 후면전극을 서로 전기적으로 연결하는 전도층을 상기 후면 상에 형성하는 단계인 LED 접합용 기판의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 도금단계 이후에 상기 전도층을 제거하는 단계를 포함하는 LED 접합용 기판의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전도층형성단계는 상기 후면에 전도성 금속을 무전해도금 또는 스퍼터링하는 단계인 LED 접합용 기판의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 전도층형성단계는 상기 후면에 전도성 잉크 또는 페이스트를 도포하는 단계인 LED 접합용 기판의 제조방법.
  14. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 LED 접합용 기판에 LED를 접합하는 단계를 포함하는 LED 디스플레이 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 LED를 접합하는 단계는,
    상기 솔더층을 열원을 이용해 가열하여 용융시킨 후, 상기 LED와 상기 배선전극을 서로 접합시키는 단계이고,
    상기 열원은 레이저(Laser), 적외선(IR), 열선, 초음파 또는 열풍(Hot air)인 LED 디스플레이 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 LED 상에 커버글라스(Cover glass)를 덮는 단계를 포함하는 LED 디스플레이 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 LED는 가로 및 세로의 길이가 각각 500㎛이하인 소형 LED를 포함하는 LED 디스플레이 제조방법.

KR1020210075076A 2020-06-10 2021-06-09 Led 접합용 기판, 그 제조방법 및 led 접합용 기판을 포함하는 led 디스플레이 제조방법 KR20210153557A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20200070276 2020-06-10
KR1020200070276 2020-06-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210153557A true KR20210153557A (ko) 2021-12-17

Family

ID=79033815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210075076A KR20210153557A (ko) 2020-06-10 2021-06-09 Led 접합용 기판, 그 제조방법 및 led 접합용 기판을 포함하는 led 디스플레이 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210153557A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190115193A (ko) 2018-04-02 2019-10-11 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 디스플레이 패널 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190115193A (ko) 2018-04-02 2019-10-11 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 디스플레이 패널 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101965617B (zh) 导电材料、导电膏、电路板以及半导体器件
US5958590A (en) Dendritic powder materials for high conductivity paste applications
US5837119A (en) Methods of fabricating dendritic powder materials for high conductivity paste applications
US20090294739A1 (en) Conductive paste including a carbon nanotube and printed circuit board using the same
CN1301049C (zh) 锡焊方法及焊接结构体
CN1188439A (zh) 焊料、用焊接法贴装的电子元件及电路板
KR20100013033A (ko) 도금 층을 구비한 도전성 잉크 및 페이스트 인쇄회로기판및 그 제조 방법
JP2018056277A (ja) 電子部品の実装方法、電子部品の接合構造、基板装置、ディスプレイ装置、ディスプレイシステム
US6015082A (en) Method for joining metals by soldering
CN114121868A (zh) 基板及其制造方法、显示装置及其制造方法
US6264093B1 (en) Lead-free solder process for printed wiring boards
US20070139977A1 (en) Method of improving electrical connections in circuitized substrates
KR100843632B1 (ko) 플립칩 실장형 범프, 그 제조방법, 및 비전도성 접착제를이용한 플립칩 접합방법
US5061552A (en) Multi-layer ceramic substrate assembly and a process for manufacturing same
KR20210153557A (ko) Led 접합용 기판, 그 제조방법 및 led 접합용 기판을 포함하는 led 디스플레이 제조방법
CN1519076A (zh) 焊接方法、通过该焊接方法连接的元件和连接结构
TWI538581B (zh) 金屬導體結構及線路結構
CN1266989C (zh) 锡焊方法及焊接结构体
US20200230750A1 (en) Lead-free solder paste for thermal via filling
KR20070067860A (ko) 저융점 무연 솔더 및 그의 제조 방법
US20240105670A1 (en) Electronic component with high coplanarity and method of manufacturing the same
JP2014078627A (ja) 配線基板、はんだバンプ付き配線基板および半導体装置
JPH0513638A (ja) 半導体装置
KR100808108B1 (ko) 반도체 칩에 형성한 박막히터를 이용한 반도체 칩의 플립칩실장 방법과 탈착 방법
KR100702449B1 (ko) 발광소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination