KR20210152088A - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 제1 유효 화소 영역을 포함하는 표시 영역 및 테스트 화소 영역을 포함하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제1 유효 화소 영역과 중첩하는 제1 발광 소자; 상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 테스트 화소 영역과 중첩하는 복수의 테스트 발광 소자; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 상기 제1 기판을 향하는 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 컬러 필터; 상기 제1 컬러 필터 상에 위치하고 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 파장 변환 패턴; 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 복수의 테스트 발광 소자 중 어느 하나와 중첩하는 제1 테스트 컬러 필터; 및 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 복수의 테스트 발광 소자 중 다른 하나와 중첩하는 제1 테스트 파장 변환 패턴; 을 포함하고, 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 상기 제1 파장 변환 패턴은 동일한 제1 파장 변환 물질을 포함하고, 상기 제1 테스트 컬러 필터와 상기 제1 컬러 필터는 동일한 제1 색의 색재를 포함한다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
표시 장치 중 자발광 표시 장치는 자발광 소자를 포함한다. 예시적으로 유기 발광 표시 장치는 자발광 소자인 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 유기 발광층을 포함할 수 있다. 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
자발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
한편, 최근 표시 장치의 고성능화가 진행되어, 품질 관리, 불량 기판의 조기 발견 및 불량 기판의 공정 유출 방지를 위한 디바이스 특성의 관리가 엄격하게 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제1 표시 기판과 제2 표시 기판이 합착된 후에 발생한 표시 장치의 효율 저하를 용이하게 모니터링할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 유효 화소 영역을 포함하는 표시 영역 및 테스트 화소 영역을 포함하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제1 유효 화소 영역과 중첩하는 제1 발광 소자; 상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 테스트 화소 영역과 중첩하는 복수의 테스트 발광 소자; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 상기 제1 기판을 향하는 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 컬러 필터; 상기 제1 컬러 필터 상에 위치하고 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 파장 변환 패턴; 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 복수의 테스트 발광 소자 중 어느 하나와 중첩하는 제1 테스트 컬러 필터; 및 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 복수의 테스트 발광 소자 중 다른 하나와 중첩하는 제1 테스트 파장 변환 패턴; 을 포함하고, 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 상기 제1 파장 변환 패턴은 동일한 제1 파장 변환 물질을 포함하고, 상기 제1 테스트 컬러 필터와 상기 제1 컬러 필터는 동일한 제1 색의 색재를 포함한다.
몇몇 실시예에서 상기 제1 테스트 컬러 필터와 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴은 서로 비중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 표시 장치는, 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하는 제1 캡핑층; 을 더 포함하고, 상기 제1 캡핑층 중 상기 제1 유효 화소 영역과 중첩하는 부분은 상기 제1 컬러 필터와 상기 제1 파장 변환 패턴 사이에 위치하고, 상기 제1 캡핑층 중 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 부분은 상기 제2 기판과 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴 사이에 위치하되 상기 제2 기판의 일면과 접촉하고, 상기 제1 캡핑층 중 상기 제1 테스트 컬러 필터와 중첩하는 부분은 상기 제1 테스트 컬러 필터를 커버할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 표시 장치는, 상기 제1 파장 변환 패턴 및 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴을 커버하는 제2 캡핑층; 을 더 포함하고, 상기 제2 캡핑층 중 상기 제1 테스트 컬러 필터와 중첩하는 부분은, 상기 제1 캡핑층과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 표시 장치는, 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 상기 제1 테스트 컬러 필터 사이에 위치하는 차광층을 더 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 테스트 화소 영역은, 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 제1 더미 화소 영역과, 상기 제1 테스트 컬러 필터와 중첩하는 제2 더미 화소 영역과, 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴 및 상기 제1 테스트 컬러 필터과 비중첩하는 제3 더미 화소 영역을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 표시 장치는 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제1 테스트 컬러 필터 및 상기 제1 컬러 필터를 커버하는 제1 캡핑층; 및
상기 제1 캡핑층 상에 위치하고 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴 및 상기 제1 파장 변환 패턴을 커버하는 제2 캡핑층; 을 더 포함하고, 상기 제1 기판 상에는 상기 제3 더미 화소 영역과 중첩하는 테스트 발광 소자가 더 배치되고, 상기 제1 캡핑층 중 상기 제3 더미 화소 영역과 중첩하는 부분은 상기 제2 기판의 일면과 직접 접촉하고, 상기 제2 캡핑층 중 상기 제3 더미 화소 영역과 중첩하는 부분은 상기 제1 캡핑층과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 제1 더미 화소 영역은, 제1 서브 더미 화소 영역 및 제2 서브 더미 화소 영역을 포함하고, 상기 표시 영역은 제2 유효 화소 영역을 더 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제2 유효 화소 영역과 중첩하는 제2 파장 변환 패턴; 및 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제2 서브 더미 화소 영역과 중첩하는 제2 테스트 파장 변환 패턴; 을 더 포함하고, 상기 제1 기판 상에는 상기 제2 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 테스트 발광 소자 및 상기 제2 파장 변환 패턴과 중첩하는 제2 발광 소자가 더 배치되고, 상기 제2 파장 변환 패턴과 상기 제2 테스트 파장 변환 패턴은 동일한 제2 파장 변환 물질을 포함하고, 상기 제2 파장 변환 물질은 상기 제1 파장 변환 물질과 다를 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 제2 더미 화소 영역은, 제3 서브 더미 화소 영역 및 제4 서브 더미 화소 영역을 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 제2 파장 변환 패턴과 중첩하고 상기 제2 기판의 일면과 상기 제2 파장 변환 패턴 사이에 위치하는 제2 컬러 필터; 및 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제4 서브 더미 화소 영역과 중첩하는 제2 테스트 컬러 필터; 를 더 포함하고, 상기 제1 기판 상에는 상기 제2 테스트 컬러 필터와 중첩하는 테스트 발광 소자가 더 배치되고, 상기 제2 컬러 필터와 상기 제2 테스트 컬러 필터는 동일한 제2 색의 색재를 포함하고, 상기 제2 색의 색재는 상기 제1 색의 색재와 다를 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 제1 더미 화소 영역은 제5 서브 더미 화소 영역을 더 포함하고, 상기 표시 영역은 제3 유효 화소 영역을 더 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제3 유효 화소 영역과 중첩하는 광 투과 패턴; 및 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제5 서브 더미 화소 영역과 중첩하는 테스트 광 투과 패턴; 을 더 포함하고, 상기 제1 기판 상에는 상기 테스트 광 투과 패턴과 중첩하는 테스트 발광 소자 및 상기 광 투과 패턴과 중첩하는 제3 발광 소자가 더 배치되고, 상기 테스트 광 투과 패턴 및 상기 광 투과 패턴은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지 내에 분산된 산란체를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 제2 더미 화소 영역은, 제6 서브 더미 화소 영역을 포함하고, 상기 표시 장치는 상기 광 투과 패턴과 중첩하고 상기 제2 기판의 일면과 상기 광 투과 패턴 사이에 위치하는 제3 컬러 필터; 및 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제6 서브 더미 화소 영역과 중첩하는 제3 테스트 컬러 필터; 를 더 포함하고, 상기 제1 기판 상에는 상기 제3 테스트 컬러 필터와 중첩하는 테스트 발광 소자가 더 배치되고, 상기 제3 컬러 필터와 상기 제3 테스트 컬러 필터는 동일한 제3 색의 색재를 포함하고, 상기 제3 색의 색재는, 상기 제1 색의 색재 및 상기 제2 색의 색재와 다를 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 복수의 테스트 발광 소자와 상기 제1 발광 소자는 각각 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 청색 광을 방출할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 제1 파장 변환 물질은 양자점이고, 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 상기 제1 파장 변환 패턴은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지 내에 분산된 산란체를 더 포함하고, 상기 양자점은 상기 베이스 수지 내에 분산될 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 표시 장치는 상기 표시 영역을 둘러싸는 실링 부재; 를 더 포함하고, 상기 비표시 영역은 상기 실링 부재 내측에 배치된 제1 비표시 영역, 및 상기 실링 부재의 외측에 배치된 제2 비표시 영역을 포함하고, 상기 테스트 화소 영역은, 상기 제1 비표시 영역 및 상기 제2 비표시 영역에 각각 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 표시 장치는 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 충진층; 를 더 포함하고, 상기 충진층은 상기 제1 비표시 영역과 중첩하고 상기 제2 비표시 영역과 비중첩할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 유효 화소 영역을 포함하는 표시 영역 및 테스트 화소 영역을 포함하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 유효 화소 영역 및 상기 테스트 화소 영역과 중첩하는 발광층; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 상기 제1 기판을 향하는 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 유효 화소 영역과 중첩하는 컬러 필터; 상기 컬러 필터 상에 위치하고 상기 컬러 필터를 커버하는 제1 캡핑층; 상기 제1 캡핑층 상에 위치하고 상기 컬러 필터와 중첩하는 파장 변환 패턴; 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 테스트 화소 영역과 중첩하는 테스트 컬러 필터 및 테스트 파장 변환 패턴을 포함하되, 상기 테스트 컬러 필터와 상기 테스트 파장 변환 패턴은 서로 비중첩하고, 상기 제1 캡핑층 중 상기 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 부분은 상기 제2 기판의 일면과 직접 접촉하고, 상기 제1 캡핑층 중 상기 테스트 컬러 필터와 중첩하는 부분은 상기 제2 기판과 비접촉한다.
몇몇 실시예에서 상기 테스트 컬러 필터는 상기 컬러 필터와 동일한 물질로 이루어지고, 상기 테스트 파장 변환 패턴은 상기 파장 변환 패턴과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 표시 장치는 상기 파장 변환 패턴 및 상기 테스트 파장 변환 패턴을 덮는 제2 캡핑층을 더 포함하고, 상기 제2 캡핑층 중 상기 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 부분은 상기 테스트 파장 변환 패턴과 직접 접촉하고, 상기 제2 캡핑층 중 상기 테스트 컬러 필터와 중첩하는 부분은 상기 제1 캡핑층과 직접 접촉할 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 테스트 파장 변환 패턴 및 상기 파장 변환 패턴은 동일한 양자점을 포함하고, 상기 발광층은 청색광을 방출할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 유효 화소 영역을 확대한 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ- Ⅳ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 5는 도 4의 Q 영역을 확대한 단면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도들이다.
도 8은 도 2의 제1 테스트 화소 영역을 확대한 평면도이다.
도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 10은 도 8의 Ⅹ-Ⅹ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 11은 도 8의 ⅩⅠ-ⅩⅠ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 12는 도 2의 제2 테스트 화소 영역을 확대한 평면도이다.
도 13은 도 12의 ⅩⅢ-ⅩⅢ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 14는 도 12의 ⅩⅣ-ⅩⅣ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 15는 도 12의 ⅩⅤ-ⅩⅤ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 유효 화소 영역을 확대한 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ- Ⅳ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 5는 도 4의 Q 영역을 확대한 단면도이다.
도 6 및 도 7은 도 5에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도들이다.
도 8은 도 2의 제1 테스트 화소 영역을 확대한 평면도이다.
도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 10은 도 8의 Ⅹ-Ⅹ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 11은 도 8의 ⅩⅠ-ⅩⅠ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 12는 도 2의 제2 테스트 화소 영역을 확대한 평면도이다.
도 13은 도 12의 ⅩⅢ-ⅩⅢ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 14는 도 12의 ⅩⅣ-ⅩⅣ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 15는 도 12의 ⅩⅤ-ⅩⅤ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
비록 제1, 제2, 제3 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소, 제3 구성요소, 제4 구성요소 중 어느 하나일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 태블릿 PC, 스마트폰, 자동차 내비게이션 유닛, 카메라, 자동차에 제공되는 중앙정보 디스플레이(center information display, CID), 손목 시계형 전자 기기, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 게임기와 같은 중소형 전자 장비, 텔레비전, 외부 광고판, 모니터, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터와 같은 중대형 전자 장비 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. 다만, 이들은 예시적인 실시예로서 제시된 것들로써, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다른 전자 기기에도 채용될 수 있음은 자명하다.
표시 장치(1)는 평면상 직사각형 형상을 가질 수 있다. 표시 장치(1)는 제1 방향(dr1)으로 연장된 두 개의 제1 변과 제1 방향(dr1)과 교차하는 제2 방향(dr2)으로 연장된 두 개의 제2 변을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)의 상기 제1 변과 상기 제2 변이 만나는 모서리는 직각일 수 있지만, 이에 제한되지 않으며, 곡면을 이룰 수도 있다. 표시 장치(1)의 평면 형상이 도 1에 예시된 바에 제한되는 것은 아니며, 원형이나 기타 다른 형상으로 적용될 수도 있다.
다른 정의가 없는 한, 본 명세서에서 “상”, “상측”, "상부", "탑", "상면"은 도면을 기준으로 제1 방향(dr1) 및 제2 방향(dr2)과 교차하는 제3 방향(dr3)의 화살표가 향하는 방향을 의미하고, “하”, “하측”, "하부", "바텀", "하면"은 도면을 기준으로 제3 방향(dr3)의 화살표가 향하는 방향의 반대 방향을 의미한다.
표시 장치(1)는 제1 표시 기판(10), 제2 표시 기판(30), 실링 부재(50), 및 충진층(70)을 포함할 수 있다.
제1 표시 기판(10)은 영상을 표시하기 위한 소자 및 회로들, 예컨대 스위칭 소자 등과 같은 화소 회로, 표시 영역(DA)에 후술할 발광 영역 및 비발광 영역을 정의하는 화소 정의막 및 자발광 소자(self-light emitting element)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 자발광 소자는 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode), 양자점 발광 소자(Quantum dot Light Emitting Diode), 무기물 기반의 마이크로 발광 다이오드(예컨대 Micro LED), 무기물 기반의 나노 발광 다이오드(예컨대, Nano LED) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이하에서는 상기 자발광 소자가 유기 발광 소자인 경우를 중심으로 서술하기로 한다.
제2 표시 기판(30)은 제1 표시 기판(10) 상에 위치하고 제1 표시 기판(10)과 대향할 수 있다. 제2 표시 기판(30)은 입사광의 색을 변환하는 색변환 패턴을 포함할 수 있다. 상기 색변환 패턴은 컬러 필터와 파장 변환 패턴 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
실링 부재(50)는 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30) 사이에 위치할 수 있다. 실링 부재(50)는 비표시 영역(NDA)에서 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)은 실링 부재(50)를 통해 상호 결합될 수 있다. 실링 부재(50)는 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 물질은 에폭시계 레진일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
충진층(70)은 실링 부재(50)에 의해 둘러싸인 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30) 사이의 공간에 위치할 수 있다. 충진층(70)은 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30) 사이를 채울 수 있다. 충진층(70)은 광을 투과할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 충진층(70)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 상기 유기 물질로는 실리콘계 유기 물질, 에폭시계 유기 물질이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 다른 실시예에서 충진층(70)은 생략될 수도 있다. 이하에서는 표시 장치(1)가 충진층(70)을 포함하는 경우를 예시로 설명한다.
표시 장치(1)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 유효 화소 영역(AP)을 포함하고, 유효 화소 영역(AP)에 서 방출되는 광에 의해 영상을 표시할 수 있다. 유효 화소 영역(AP)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 제1 비표시 영역(NDA1) 및 제2 비표시 영역(NDA2)을 포함할 수 있다. 제1 비표시 영역(NDA1) 및 제2 비표시 영역(NDA2)은 실링 부재(50)를 기준으로 구분될 수 있다. 즉, 제1 비표시 영역(NDA1)은 비표시 영역(NDA) 중 실링 부재(50)의 내측에 위치하는 영역으로 정의될 수 있으며, 제2 비표시 영역(NDA2)은 비표시 영역(NDA) 중 실링 부재(50)의 외측에 위치하는 영역으로 정의될 수 있다. 즉, 제1 비표시 영역(NDA1)은 표시 영역(DA)과 실링 부재(50) 사이에 위치하고, 실링 부재(50)는 제1 비표시 영역(NDA1)과 제2 비표시 영역(NDA2) 사이에 위치할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 복수의 패드(PAD)가 배치되는 패드 영역(PA) 및 복수의 테스트 화소 영역(TP1, TP2)을 포함할 수 있다.
패드 영역(PA)은 제2 비표시 영역(NDA2)에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면 제2 비표시 영역(NDA2)은 패드 영역(PA)을 포함할 수 있다. 도면에서는 패드 영역(PA)이 제2 비표시 영역(NDA2) 중 표시 영역(DA)의 하측영역에 위치하는 경우를 예시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 패드 영역(PA)은 제2 비표시 영역(NDA2) 중 표시 영역(DA)의 상측에 위치할 수도 있으며, 표시 영역(DA)의 상측 및 하측의 제2 비표시 영역(NDA2)에 배치될 수도 있다. 즉, 패드 영역(PA)의 위치는 다양하게 변형될 수 있다.
테스트 화소 영역(TP1, TP2)은 제1 테스트 화소 영역(TP1) 및 제2 테스트 화소 영역(TP2)을 포함할 수 있다. 제1 테스트 화소 영역(TP1)은 제1 비표시 영역(NDA1)에 위치하고, 제2 테스트 화소 영역(TP2)은 제2 비표시 영역(NDA2)에 위치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1 비표시 영역(NDA1)은 제1 테스트 화소 영역(TP1)을 포함하고 제2 비표시 영역(NDA2)은 제2 테스트 화소 영역(TP2)을 포함할 수 있다. 따라서 제1 테스트 화소 영역(TP1)과 제2 테스트 화소 영역(TP2) 사이에는 실링 부재(50)가 위치할 수 있다.
몇몇 실시예에서 비표시 영역(NDA)에는 복수의 더미 라인(DL1, DL2)이 배치될 수 있다.
제1 더미 라인(DL1)은 제1 테스트 화소 영역(TP1)에 위치하는 구성과 연결되고 제1 더미 라인(DL1)으로부터 검사 신호를 인가받을 수 있다. 이에 따라, 후술할 테스트 발광 소자(ED), 광 투과 패턴(341), 파장 변환 패턴(343, 345), 및 컬러 필터(331, 333, 335) 각각의 특성을 측정할 수 있다. 제1 더미 라인(DL1)은 제1 검사 라인(DL11) 및 제2 검사 라인(DL12)을 포함할 수 있다. 제1 더미 라인(DL1)의 제1 검사 라인(DL11)은 후술할 제1 테스트 화소 영역(TP1)에 위치하는 더미 애노드 전극(DAE)에 연결되고, 제1 더미 라인(DL1)의 제2 검사 라인(DL12)은 제1 테스트 화소 영역(TP1)에서 제2 전극층(CE)에 연결될 수 있다.
마찬가지로, 제2 더미 라인(DL2)은 제2 테스트 화소 영역(TP2)에 위치하는 구성과 연결되어 제2 더미 라인(DL2)으로부터 검사 신호를 인가받을 수 있다. 이에 따라 후술할 테스트 발광 소자(ED), 광 투과 패턴(341), 파장 변환 패턴(343, 345), 및 컬러 필터(331, 333, 335) 각각의 특성을 측정할 수 있다. 제2 더미 라인(DL2)은 제1 검사 라인(DL21) 및 제2 검사 라인(DL22)을 포함할 수 있다. 제2 더미 라인(DL2)의 제1 검사 라인(DL21)은 후술할 제2 테스트 화소 영역(TP2)에 위치하는 더미 애노드 전극(DAE)에 연결되고, 제2 더미 라인(DL2)의 제2 검사 라인(DL22)은 제2 테스트 화소 영역(TP2)에서 제2 전극층(CE)에 연결될 수 있다. 상술한 더미 라인(DL1, DL2)에는 발광 검사 시 제공되는 검사 신호를 제외하고는 별도의 신호나 전압이 인가되지 않을 수 있다.
한편, 도면상 도시하지 않았으나, 각 더미 라인(DL1, DL2)은 별도의 검사 패드에 연결되어 검사 패드로부터 검사 신호를 인가받을 수도 있다. 상기 검사 패드는 표시 장치(1)의 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 상기 검사 패드는 표시 장치(1)의 모기판에 배치되고, 검사 이후 절단되는 더미 영역에 배치될 수도 있다.
한편, 도 2에서는 테스트 화소 영역(TP1, TP2)이 표시 장치(1)의 일측에 위치하는 경우를 예시하였으나, 테스트 화소 영역(TP1, TP2)의 배치가 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 테스트 화소 영역(TP1, TP2)은 표시 장치(1)의 타측에 위치할 수 있으며, 또는 제1 테스트 화소 영역(TP1)은 표시 장치(1)의 일측에 위치하고, 제2 테스트 화소 영역(TP2)은 표시 장치(1)의 위치할 수 있다. 테스트 화소 영역(TP1, TP2)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 3은 도 2의 유효 화소 영역을 확대한 평면도이다. 도 4는 도 3의 Ⅳ- Ⅳ' 선을 기준으로 자른 단면도이다. 도 5는 도 4의 Q 영역을 확대한 단면도이다. 도 6 및 도 7은 도 5에 도시된 구조의 변형예를 도시한 단면도들이다.
도 2 내지 도 7을 참조하면, 표시 장치(1)의 표시 영역(DA)은 복수의 유효 화소 영역(AP)을 포함할 수 있다.
복수의 유효 화소 영역(AP)은 제1 유효 화소 영역(AP1), 제2 유효 화소 영역(AP2) 및 제3 유효 화소 영역(AP3)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 유효 화소 영역(AP1), 제2 유효 화소 영역(AP2) 및 제3 유효 화소 영역(AP3)은 하나의 그룹을 이루어 제1 방향(d1) 또는 제2 방향(d2)을 따라 반복 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 유효 화소 영역(AP1), 제2 유효 화소 영역(AP2) 및 제3 유효 화소 영역(AP3)은 일 방향, 예를 들어 제1 방향(d1)을 따라 순차적으로 위치할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 유효 화소 영역(AP1), 제2 유효 화소 영역(AP2) 및 제3 유효 화소 영역(AP3)은 펜타일 구조를 이루도록 배열될 수도 있다.
몇몇 실시예에서 제1 유효 화소 영역(AP1), 제2 유효 화소 영역(AP2) 및 제3 유효 화소 영역(AP3)은 제1 표시 기판(10)에 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 유효 화소 영역(AP1)은 제1 발광 영역(LA1) 및 제1 발광 영역(LA1)을 둘러싸는 비발광 영역(LB)을 포함하고, 제2 유효 화소 영역(AP2)은 제2 발광 영역(LA2) 및 제2 발광 영역(LA2)을 둘러싸는 비발광 영역(LB)을 포함하고, 제3 유효 화소 영역(AP3)은 제3 발광 영역(LA3) 및 제3 발광 영역(LA3)을 둘러싸는 비발광 영역(LB)을 포함할 수 있다. 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)은 발광층에서 빛(L)이 방출되는 영역일 수 있다. 비발광 영역(LB)은 발광층이 발광하지 않는 영역일 수 있다. 비발광 영역(LB)은 각 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)과 비발광 영역(LB)의 구분은 후술하는 화소 정의막(150)에 의해 이루어질 수 있다. 각 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3) 및 비발광 영역(LB)은 제1 표시 기판(10)에 정의될 수 있다.
표시 영역(DA)에서 제2 표시 기판(30)에는 제1 투광 영역(PA1), 제2 투광 영역(PA2), 제3 투광 영역(PA3) 및 차광 영역(PB)이 정의될 수 있다.
제1 투광 영역(PA1) 및 차광 영역(PB) 중 제1 투광 영역(PA1)을 둘러싸는 영역은 제1 유효 화소 영역(AP1)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 투광 영역(PA1)은 제1 발광 영역(LA1)과 중첩할 수 있다. 제2 투광 영역(PA2) 및 차광 영역(PB) 중 제2 투광 영역(PA2)을 둘러싸는 영역은 제2 유효 화소 영역(AP2)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 투광 영역(PA2)은 제2 발광 영역(LA2)과 중첩할 수 있다. 제3 투광 영역(PA3) 및 차광 영역(PB) 중 제3 투광 영역(PA3)을 둘러싸는 영역은 제3 유효 화소 영역(AP3)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 투광 영역(PA3)은 제3 발광 영역(LA3)과 중첩할 수 있다. 그리고 차광 영역(PB)은 비발광 영역(LB)과 중첩할 수 있다.
제1 투광 영역(PA1), 제2 투광 영역(PA2), 제3 투광 영역(PA3)은 각각 제1 표시 기판(10)에서 방출된 광이 제2 표시 기판(30)을 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 제공되는 영역일 수 있다. 구체적으로 제1 투광 영역(PA1)에서는 제1 색의 제1 출사광(L1)이 표시 장치(1)의 외부로 제공되고, 제2 투광 영역(PA2)에서는 제2 색의 제2 출사광(L2)이 표시 장치(1)의 외부로 제공되고, 제3 투광 영역(PA3)에서는 제3 색의 제3 출사광(L3)이 표시 장치(1)의 외부로 제공될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 출사광(L1)의 상기 제1 색은 약 430nm 내지 약 470nm 범위에서 피크 파장(peak wavelength)을 갖는 청색 광이고, 제2 출사광(L2)의 상기 제2 색은 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색 광이고, 제3 출사광(L3)의 상기 제3 색은 약 510nm 내지 약 550nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색 광일 수 있다.
차광 영역(PB)은 제1 표시 기판(10)에서 방출된 광이 투과하지 않는 영역일 수 있다. 차광 영역(PB)은 제1 투광 영역(PA1), 제2 투광 영역(PA2) 및 제3 투광 영역(PA3)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 투광 영역(PA1), 제2 투광 영역(PA2), 제3 투광 영역(PA3) 및 차광 영역(PB)은 후술하는 차광층(390)에 의해 정의될 수 있다.
제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)에서 방출된 광(L)은 모두 동일한 피크 파장을 갖되, 파장 변환 패턴(343, 345) 및/또는 컬러 필터층(330)에 의해 색변환되어 표시 장치(1)의 외부로 출사될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 4를 더 참조하여 유효 화소 영역(AP)에서 표시 장치(1)의 단면 구조에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 4를 참조하면, 제1 표시 기판(10)은 제1 기판(110), 복수의 스위칭 소자(T1, T2, T3), 절연층(130), 화소 정의막(150), 및 복수의 발광 소자(ED1, ED2, ED3)를 포함할 수 있다.
제1 기판(110)은 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 제1 기판(110)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 제1 기판(110)이 플라스틱 기판인 경우, 제1 기판(110)은 가요성을 가질 수 있다.
제1 기판(110) 상에는 제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3)가 위치할 수 있다. 제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3)는 각각 박막 트랜지스터일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3)는 각각 폴리 실리콘을 포함하는 박막 트랜지스터 또는 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터일 수 있다. 제1 스위칭 소자(T1)는 제1 유효 화소 영역(AP1)과 중첩하고 제2 스위칭 소자(T2)는 제2 유효 화소 영역(AP2)과 중첩하고 제3 스위칭 소자(T3)는 제3 유효 화소 영역(AP3)과 중첩할 수 있다. 즉도면에서 도시하지 않았지만, 제1 기판(110) 상에는 제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3)에 신호를 전달하는 복수의 신호 라인, 예컨대, 게이트 라인, 데이터 라인, 전원 라인 등이 더 배치될 수 있다.
제1 스위칭 소자(T1), 제2 스위칭 소자(T2) 및 제3 스위칭 소자(T3) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연층(130)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 상기 유기 물질로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 에스테르계 수지가 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서 절연층(130)의 상면은 평탄할 수 있다.
절연층(130) 상에는 제1 전극층(AE)이 배치될 수 있다. 제1 전극층(AE)은 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)과 중첩할 수 있으며, 적어도 부분적으로 비발광 영역(LB)과 더 중첩할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 전극층(AE)은 반사성을 가질 수 있다. 이러한 경우 제1 전극층(AE)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir 및 Cr와 같은 금속을 포함하는 금속층일 수 있다. 또는 제1 전극층(AE)은 상기 금속층 위에 적층된 금속 산화물층을 더 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제1 전극층(AE)은 다층구조, 예시적으로 ITO/Ag, Ag/ITO, ITO/Mg, ITO/MgF의 2층 구조 또는 ITO/Ag/ITO와 같은 3층 구조를 가질 수 있다.
제1 전극층(AE)은 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)을 포함할 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1)은 제1 유효 화소 영역(AP1)과 중첩하고, 제2 애노드 전극(AE2)은 제2 유효 화소 영역(AP2)과 중첩하고, 제3 애노드 전극(AE3)은 제3 유효 화소 영역(AP3)과 중첩할 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1)은 제1 발광 영역(LA1)과 중첩하고 적어도 일부는 비발광 영역(LB)까지 확장될 수 있다. 제2 애노드 전극(AE2)은 제2 발광 영역(LA2)과 중첩하되 적어도 일부는 비발광 영역(LB)까지 확장될 수 있으며, 제3 애노드 전극(AE3)은 제3 발광 영역(LA3)과 중첩하되 적어도 일부는 비발광 영역(LB)까지 확장될 수 있다. 제1 애노드 전극(AE1)은 절연층(130)을 관통하여 제1 스위칭 소자(T1)와 전기적으로 연결되고, 제2 애노드 전극(AE2)은 절연층(130)을 관통하여 제2 스위칭 소자(T2)와 연결되고, 제3 애노드 전극(AE3)은 절연층(130)을 관통하여 제3 스위칭 소자(T3)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전극층(AE) 상에는 화소 정의막(150)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(150)은 제1 유효 화소 영역(AP1), 제2 유효 화소 영역(AP2) 및 제3 유효 화소 영역(AP3)의 경계를 따라 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 화소 정의막(150)은 비발광 영역(LB) 또는 차광 영역(PB)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 화소 정의막(150)은 격자 형상으로 형성되고 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2) 및 제3 애노드 전극(AE3)을 부분적으로 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 화소 정의막(150)의 상기 개구부는 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2) 및 제3 발광 영역(LA3)을 정의할 수 있으며, 화소 정의막(150)과 중첩하는 영역은 비발광 영역(LB)으로 정의될 수 있다.
화소 정의막(150)은 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지 또는 벤조사이클로부텐 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(150)은 적어도 부분적으로 차광층(390) 및 격벽(370)과 두께 방향으로 중첩할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
화소 정의막(150) 및 제1 전극층(AE) 상에는 발광층(OL)이 배치될 수 있다. 발광층(OL)은 제1 유효 화소 영역(AP1), 제2 유효 화소 영역(AP2) 및 제3 유효 화소 영역(AP3)과 중첩할 수 있다. 발광층(OL)은 제1 발광 영역(LA1), 제2 발광 영역(LA2), 제3 발광 영역(LA3) 및 비발광 영역(LB)과 중첩하도록 형성된 연속된 막의 형상을 가질 수 있다. 도 5 내지 도 7을 참조하여 발광층(OL)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
발광층(OL)은 복수의 층들이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 발광층(OL)은 제1 정공 수송층(HTL1), 제1 발광물질층(EL11), 제1 전자 수송층(ETL1)을 포함할 수 있다. 제1 정공 수송층(HTL1)은 제1 애노드 전극(AE1) 상에 배치되고, 제1 발광물질층(EL11)은 제1 정공 수송층(HTL1) 상에 배치되고, 제1 전자 수송층(ETL1)은 제1 발광물질층(EL11) 상에 배치될 수 있다. 제1 발광물질층(EL11)은 청색 광을 발광할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 발광층(OL)은 제1 전하 생성층(CGL11) 및 제2 발광물질층(EL12)을 더 포함할 수 있다. 제1 전하 생성층(CGL11)은 제1 발광물질층(EL11) 상에 배치되고, 제2 발광물질층(EL12)은 제1 전하 생성층(CGL11) 상에 배치될 수 있다.
제1 전하 생성층(CGL11)은 인접한 각 발광물질층(EL11, EL12)에 전하를 주입하고, 제1 발광물질층(EL11)과 제2 발광물질층(EL12) 사이에서 전하 균형을 조절하는 역할을 할 수 있다. 제1 전하 생성층(CGL11)은 n형 전하 생성층 및 p형 전하 생성층을 포함할 수 있다. 상기 p형 전하 생성층은 상기 n형 전하 생성층 상에 배치될 수 있다.
제2 발광물질층(EL12)은 제1 발광물질층(EL11)과 동일한 색의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 제2 발광물질층(EL12)은 제1 발광물질층(EL11)과 동일한 피크 파장 또는 상이한 피크 파장의 청색광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 발광물질층(EL12)은 제1 발광물질층(EL11)과 다른 색상의 빛을 발광할 수도 있다. 예를 들어, 제2 발광물질층(EL12)은 녹색 광을 발광하고, 제1 발광물질층(EL11)은 청색 광을 발광할 수도 있다. 도 6에 도시된 실시예에 의하면, 발광층(OL)이 두 개의 발광물질층(EL11, EL12)을 포함함으로써, 도 5에 도시된 실시예 대비 발광 효율 및 수명이 개선될 수 있다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 발광층(OL)은 제2 전하 생성층(CGL12) 및 제3 발광물질층(EL13)을 더 포함할 수 있다. 제2 전하 생성층(CGL12)은 제2 발광물질층(EL12)과 제1 전자 수송층(ETL1) 상에 배치되고, 제3 발광물질층(EL13)은 제2 전하 생성층(CGL12) 상에 배치될 수 있다.
제3 발광물질층(EL13), 제1 발광물질층(EL11) 및 제2 발광물질층(EL12)은 모두 동일한 색의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 제3 발광물질층(EL13), 제1 발광물질층(EL11) 및 제2 발광물질층(EL12)은 모두 청색광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 제3 발광물질층(EL13), 제1 발광물질층(EL11) 및 제2 발광물질층(EL12) 중 어느 하나는 녹색광을 방출하고, 나머지는 청색광을 방출할 수도 있다.
한편, 도면에는 미도시 하였으나, 발광층(OL)은 4개의 발광물질층이 중첩 배치된 구조를 가질 수도 있다. 4개의 발광물질층은 모두 청색광을 방출할 수도 있으며, 4개의 발광물질층 중 적어도 하나는 녹색광을 방출하고 나머지는 청색광을 방출할 수도 있다.
다시 도 4를 참조하면, 발광층(OL) 상에는 제2 전극층(CE)이 배치될 수 있다. 제2 전극층(CE)은 반투과성 또는 투과성을 가질 수 있다. 제2 전극층(CE)은 캐소드 전극일 수 있다. 제2 전극층(CE)이 반투과성을 갖는 경우에, 제2 전극층(CE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물, 예를 들어 Ag와 Mg의 혼합물을 포함할 수 있다. 제2 전극층(CE)이 투과성을 갖는 경우, 제2 전극층(CE)은 투명한 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 제2 전극층(CE)은 WxOy(tungsten oxide), TiO2(Titanium oxide), ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), MgO(magnesium oxide) 등을 포함할 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1), 발광층(OL) 및 제2 전극층(CE)은 제1 발광 소자(ED1)를 이루고, 제2 애노드 전극(AE2), 발광층(OL) 및 제2 전극층(CE)은 제2 발광 소자(ED2)를 이루고, 제3 애노드 전극(AE3), 발광층(OL) 및 제2 전극층(CE)은 제3 발광 소자(ED3)를 이룰 수 있다. 제1 내지 제3 발광 소자(ED1, ED2, ED3)로부터 방출된 광(L)은 제2 표시 기판(30)에 제공될 수 있다.
제2 전극층(CE) 상에는 박막 봉지층(170)이 배치된다. 박막 봉지층(170)은 복수의 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 및 비발광 영역(LB)에 걸쳐 형성된 공통층일 수 있다. 박막 봉지층(170)은 제2 전극층(CE)을 직접 커버할 수 있다. 박막 봉지층(170)은 제2 전극층(CE) 상에 순차적으로 적층된 제1 봉지 무기막(171), 봉지 유기막(173) 및 제2 봉지 무기막(175)을 포함할 수 있다.
제1 봉지 무기막(171) 및 제2 봉지 무기막(175)은 각각 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물(SiON), 리튬 플로라이드 등으로 이루어질 수 있다.
봉지 유기막(173)은 제1 봉지 무기막(171)과 제2 봉지 무기막(175) 사이에 위치할 수 있다. 봉지 유기막(173)은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어 봉지 유기막(173)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 이루어질 수 있다.
다만, 박막 봉지층(170)의 구조가 상술한 예에 한정되는 것은 아니며, 박막 봉지층(170)의 적층 구조는 다양하게 변경될 수 있다.
박막 봉지층(170) 상에는 패널 차광층(190)이 배치될 수 있다. 패널 차광층(190)은 비발광 영역(LB)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 즉, 패널 차광층(190)은 화소 정의막(150)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 패널 차광층(190)은 인접한 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 간에 광이 침범하여 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 색 재현율을 더욱 향상시킬 수 있다. 패널 차광층(190)은 유기 차광 물질을 포함할 수 있으며, 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 패널 차광층(190)은 생략될 수도 있다.
제1 표시 기판(10) 상에는 제2 표시 기판(30)이 배치될 수 있다.
제2 표시 기판(30)은 제2 기판(310), 차광층(390), 컬러 필터층(330), 격벽(370), 광 투과 패턴(341), 파장 변환 패턴(343, 345), 제1 캡핑층(PS1), 및 제2 캡핑층(PS2)을 포함할 수 있다.
제2 기판(310)은 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 제2 기판(310)은 유리 기판 또는 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 제2 기판(310)은 유리기판 또는 플라스틱 기판 상에 위치하는 별도의 층, 예컨대, 무기막 등의 절연층 등을 더 포함할 수도 있다.
제1 표시 기판(10)을 향하는 제2 기판(310)의 일면 즉, 제2 기판(310)의 하면 상에는 차광층(390)이 배치될 수 있다. 차광층(390)은 차광 영역(PB)과 중첩되도록 배치되며, 복수의 투광 영역(PA1, PA2, PA3) 각각의 경계를 따라 배치될 수 있다. 차광층(390)은 후술할 격벽(370)과 두께 방향으로 중첩할 수 있다. 차광층(390)은 유기 차광 물질을 포함할 수 있으며, 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 차광층(390)은 외광을 흡수함으로써, 외광 반사로 인한 색의 왜곡을 저감시킬 수 있다. 아울러, 차광층(390)은 인접한 투광 영역(PA1, PA2, PA3) 간에 광이 침범하여 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이에 따라 색 재현율을 더욱 향상시킬 수 있다.
제2 기판(310) 및 차광층(390) 상에는 컬러 필터층(330)이 배치될 수 있다. 컬러 필터층(330)은 제1 컬러 필터(331), 제2 컬러 필터(333) 및 제3 컬러 필터(335)를 포함할 수 있다. 제1 컬러 필터(331)는 제1 유효 화소 영역(AP1)과 중첩하고, 제2 컬러 필터(333)는 제2 유효 화소 영역(AP2)과 중첩하고, 제3 컬러 필터(335)는 제3 유효 화소 영역(AP3)과 중첩할 수 있다. 또한, 제1 컬러 필터(331)는 제1 투광 영역(PA1)과 중첩하고, 제2 컬러 필터(333)는 제2 투광 영역(PA2)과 중첩하고, 제3 컬러 필터(335)는 제3 투광 영역(PA3)과 중첩할 수 있다. 또한, 제1 컬러 필터(331), 제2 컬러 필터(333) 및 제3 컬러 필터(335)의 일부분은 차광 영역(PB)과 중첩할 수 있다.
제1 컬러 필터(331), 제2 컬러 필터(333) 및 제3 컬러 필터(335)는 각각 특정 색의 광을 선택적으로 투과하되, 다른 색의 광을 흡수하여 상기 다른 색의 광을 차단할 수 있다.
예를 들어, 제1 컬러 필터(331)는 상기 제1 색의 광(예컨대, 청색 광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제2 색의 광(예컨대, 적색 광) 및 상기 제3 색의 광(예컨대, 녹색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 제1 컬러 필터(331)는 청색 컬러 필터일 수 있으며, 청색 염료 또는 청색 안료와 같은 청색의 색재를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 색재(colorant)란, 염료(dye) 및 안료(pigment)를 모두 포함하는 개념인 것으로 이해될 수 있다.
또한, 제2 컬러 필터(333)는 상기 제2 색의 광(예컨대, 적색 광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1 색의 광(예컨대, 청색 광) 및 상기 제3 색의 광(예컨대, 녹색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 제2 컬러 필터(333)는 적색 컬러 필터일 수 있으며, 적색 염료 또는 적색 안료와 같은 적색의 색재를 포함할 수 있다.
또한, 제3 컬러 필터(335)는 상기 제3 색의 광(예컨대, 녹색 광)을 선택적으로 투과시키고 상기 제1 색의 광(예컨대, 청색 광) 및 상기 제2 색의 광(예컨대, 적색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 제3 컬러 필터(335)는 녹색 컬러 필터일 수 있으며, 녹색 염료 또는 녹색 안료와 같은 녹색의 색재를 포함할 수 있다.
컬러 필터층(330) 상에는 제1 캡핑층(PS1)이 배치될 수 있다. 제1 캡핑층(PS1)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 컬러 필터층(330)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 캡핑층(PS1)은 컬러 필터층(330)에 포함된 색재(colorant)가 다른 구성으로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 제1 캡핑층(PS1)은 컬러 필터층(330)의 일면과 직접 접할 수 있다. 제1 캡핑층(PS1)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(PS1)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
제1 캡핑층(PS1) 상에는 격벽(370)이 배치될 수 있다. 격벽(370)은 차광 영역(PB)과 중첩되도록 배치되며, 각 투광 영역(PA1, PA2, PA3)의 경계를 따라 배치될 수 있다. 격벽(370)은 제1 캡핑층(PS1)의 일면 중 각 투광 영역(PA1, PA2, PA3)과 중첩되는 영역을 노출시키는 공간을 정의할 수 있다. 격벽(370)에 의해 정의된 상기 공간 내에는 후술하는 광 투과 패턴(341) 및 파장 변환 패턴(343, 345)이 배치될 수 있으며, 격벽(370)은 광 투과 패턴(341) 및 파장 변환 패턴(343, 345)을 형성하기 위한 잉크 조성물을 원하는 위치에 안정적으로 위치시키는 가이드 역할을 할 수 있다.
격벽(370)은 유기 물질로 이루어질 수 있으며, 감광성 유기 물질로 이루어질 수 있다. 상기 감광성 유기 물질은 광이 조사된 부위에서 경화가 발생하는 네거티브 감광성 물질일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 격벽(370)은 차광 물질을 더 포함할 수도 있다. 이 경우, 격벽(370)은 차광 영역(PB)과 중첩하도록 배치되어 광의 투과를 차단하고 서로 이웃하는 투광 영역 간에 혼색이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
제1 캡핑층(PS1) 상에는 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343) 및 제2 파장 변환 패턴(345)이 배치될 수 있다.
광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343) 및 제2 파장 변환 패턴(345)은 격벽(370)에 의해 정의된 상기 공간 내에 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 광 투과 패턴(341)의 상면, 제1 파장 변환 패턴(343)의 상면 및 제2 파장 변환 패턴(345)의 상면은 제1 캡핑층(PS1)과 접하고, 광 투과 패턴(341)의 측면, 제1 파장 변환 패턴(343)의 측면 및 제2 파장 변환 패턴(345)의 측면은 격벽(370)과 접할 수 있다. 몇몇 실시예에서 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343) 및 제2 파장 변환 패턴(345)은 잉크 조성물을 이용하여 잉크젯 방식으로 형성할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343) 및 제2 파장 변환 패턴(345)은 감광성 물질을 도포하고, 이를 노광 및 현상하여 형성될 수도 있다.
광 투과 패턴(341)은 제1 유효 화소 영역(AP1) 또는 제1 투광 영역(PA1)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 또한, 광 투과 패턴(341)은 제2 유효 화소 영역(AP2) 및 제3 유효 화소 영역(AP3) 과는 중첩하지 않을 수 있다.
제1 발광 소자(ED1)로부터 제공된 광(L)은 광 투과 패턴(341)을 투과하여 후술할 제1 컬러 필터(331)로 제공될 수 있다. 즉, 제1 컬러 필터(331)로 제공되는 광은 청색 광으로서, 제1 발광 소자(ED1)에서 방출된 광(L)과 동일한 파장을 가질 수 있다.
광 투과 패턴(341)은 제1 베이스 수지(341a) 및 제1 베이스 수지(341a) 내에 분산된 제1 산란체(341b)를 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(341a)는 광 투과율이 높은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 상기 유기 물질의 예로는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 들 수 있다.
제1 산란체(341b)는 제1 베이스 수지(341a)와 상이한 굴절률을 가지고 제1 베이스 수지(341a)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 산란체(341b)는 광 산란 입자일 수 있다. 제1 산란체(341b)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등이 예시될 수 있고, 상기 유기 입자 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등이 예시될 수 있다. 제1 산란체(341b)는 광 투과 패턴(341)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사광의 입사 방향과 무관하게 무작위한 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 이를 통해, 광 투과 패턴(341)을 투과하는 광의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(343)은 제2 유효 화소 영역(AP2) 또는 제2 투광 영역(PA2)과 중첩하도록 배치될 수 있으며, 제1 유효 화소 영역(AP1) 및 제3 유효 화소 영역(AP3)과는 중첩하지 않을 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(343)은 제1 발광 소자(ED1)로부터 제공된 광(L)인 청색 광을 약 610nm 내지 약 650nm 범위인 적색 광으로 변환하여 출사할 수 있다. 제1 파장 변환 패턴(343)에서 출사된 광은 제2 컬러 필터(333)에 제공될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 파장 변환 패턴(343)의 두께는 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(343)은 제2 베이스 수지(343a) 및 제2 베이스 수지(343a) 내에 분산된 제1 파장 변환 물질(343b)을 포함할 수 있으며, 제2 베이스 수지(343a) 내에 분산된 제2 산란체(343c)를 더 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(343a)는 광 투과율이 높고, 제1 파장 변환 물질(343b) 및 제2 산란체(343c)에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 제2 베이스 수지(343a)는 제1 베이스 수지(341a)와 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 베이스 수지(341a)의 구성 물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 파장 변환 물질(343b)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환할 수 있다. 제1 파장 변환 물질(343b)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정 파장의 광을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
상기 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, IV족계 나노 결정은 규소(Si), 게르마늄(Ge), 또는 탄화규소(silicon carbide, SiC), 규소-게르마늄(SiGe) 등의 이원소 화합물 등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, II-VI족계 화합물 나노 결정은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물 등의 이원소 화합물, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물 등의 삼원소 화합물, 또는 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물 등의 사원소 화합물을 예시할 수 있으나. 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, III-V족계 화합물 나노 결정은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물 등의 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물 등의 삼원소 화합물, 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물 등의 사원소 화합물을 예시할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
IV-VI족계 나노 결정은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물 등의 이원소 화합물, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물 등의 삼원소 화합물, 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물 등의 사원소 화합물을 예시할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 양자점의 쉘은 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층의 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 상기 쉘은 단일층 또는 다중층일 수 있다. 양자점의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 파장 변환 물질(343b)이 방출하는 광은 약 45nm 이하, 또는 약 40nm 이하, 또는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며 이를 통해 표시 장치가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 개선할 수 있다. 또한, 제1 파장 변환 물질(343b)이 방출하는 광은 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향을 향하여 방출될 수 있다. 이를 통해 표시 장치의 측면 시인성을 개선할 수 있다.
제2 발광 소자(ED2)에서 방출된 광(L) 중 일부는 제1 파장 변환 물질(343b)에 의해 적색 광으로 변환되지 않고 제1 파장 변환 패턴(343)을 투과하여 방출될 수 있다. 제1 파장 변환 패턴(343)에 의해 변환되지 않고 제2 컬러 필터(333)에 입사한 성분은, 제2 컬러 필터(333)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 제1 파장 변환 패턴(343)에 의해 변환된 적색 광은 제2 컬러 필터(333)를 투과하여 외부로 출사될 수 있다. 이에 따라 제2 투광 영역(PA2)에서 외부로 출사되는 제2 출사광(L2)은 적색 광일 수 있다.
제2 산란체(343c)는 제2 베이스 수지(343a)와 상이한 굴절률을 가지고 제2 베이스 수지(343a)와 광학 계면을 이룰 수 있다. 예를 들어, 제2 산란체(343c)는 광 산란 입자일 수 있다. 제2 산란체(343c)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기 입자 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 제2 산란체(343c)는 제1 파장 변환 패턴(343)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사광의 입사 방향과 무관하게 무작위한 방향으로 광을 산란시킬 수 있다. 이를 통해 제1 파장 변환 패턴(343)을 투과하는 광의 경로 길이를 증가시킬 수 있고, 제2 파장 변환 물질(343a)에 의한 색 변환 효율을 증가시킬 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(345)은 제3 유효 화소 영역(AP3) 또는 제3 투광 영역(PA3)과 중첩하고, 제1 유효 화소 영역(AP1) 및 제2 유효 화소 영역(AP2)과 중첩하지 않을 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(345)은 청색 광을 약 510nm 내지 약 550nm 범위인 녹색 광으로 변환하여 출사할 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(345)은 제3 베이스 수지(345a) 및 제3 베이스 수지(345a) 내에 분산된 제2 파장 변환 물질(345b)을 포함할 수 있으며, 제3 베이스 수지(345a) 내에 분산된 제3 산란체(345c)를 더 포함할 수 있다.
제3 베이스 수지(345a)는 광 투과율이 높고, 제2 파장 변환 물질(345b) 및 제3 산란체(345c)에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 제3 베이스 수지(345a)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제2 파장 변환 물질(345b)은 입사광의 피크 파장을 다른 특정 피크 파장으로 변환할 수 있다. 제2 파장 변환 물질(345b)은 430nm 내지 470nm 범위의 피크 파장을 갖는 청색 광을 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색 광으로 변환할 수 있다.
제2 파장 변환 물질(345b)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 제2 파장 변환 물질(345b) 및 제1 파장 변환 물질(343b)이 모두 양자점으로 이루어지는 경우, 제1 파장 변환 물질(343b)을 이루는 양자점의 직경은 제2 파장 변환 물질(345b)을 이루는 양자점의 직경보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 변환 물질(343b)의 양자점 크기는 약 55Å 내지 65Å일 수 있다. 또한, 제2 파장 변환 물질(345b)의 양자점 크기는 약 40Å 내지 50Å일 수 있다.
제3 발광 소자(ED3)에서 제공된 광(L) 중 일부는 제2 파장 변환 물질(345b)에 의해 녹색 광으로 변환되지 않고 제2 파장 변환 패턴(345)을 투과하여 방출될 수 있다. 제2 파장 변환 패턴(345)에 의해 변환되지 않고 제3 컬러 필터(335)에 입사한 성분은, 제3 컬러 필터(335)에 의해 차단될 수 있다. 반면, 제2 파장 변환 패턴(345)에 의해 변환된 녹색 광은 제3 컬러 필터(335)를 투과하여 외부로 출사될 수 있다. 이에 따라, 제3 투광 영역(PA3)에서 외부로 출사되는 제3 출사광(L3)은 녹색 광일 수 있다. 이외 제2 파장 변환 물질(345b)에 대한 상세한 설명은 상술한 제1 파장 변환 물질(343b)에 대한 상세한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사하므로, 중복되는 내용은 생략한다.
제3 산란체(345c)는 제3 베이스 수지(345a)와 상이한 굴절률을 가지고 제3 베이스 수지(345a)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3 산란체(345c)는 광 산란 입자일 수 있다. 이외 제3 산란체(343c)에 대한 구체적 설명은 상술한 제2 산란체(343c)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사하므로, 중복되는 내용은 생략한다.
제1 캡핑층(PS1) 중 광 투과 패턴(341)과 중첩하는 부분, 제1 파장 변환 패턴(343)과 중첩하는 부분 및 제2 파장 변환 패턴(345)과 중첩하는 부분은 제2 기판(310)과 직접 접촉하지 않을 수 있다. 제1 캡핑층(PS1) 중 광 투과 패턴(341)과 중첩하는 부분, 제1 파장 변환 패턴(343)과 중첩하는 부분 및 제2 파장 변환 패턴(345)과 중첩하는 부분은, 컬러 필터층(330)을 사이에 두고 제2 기판(310)과 이격될 수 있다.
광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343) 및 제2 파장 변환 패턴(345) 상에는 제2 캡핑층(PS2)이 배치될 수 있다. 제2 캡핑층(PS2)은 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343), 제2 파장 변환 패턴(345) 및 격벽(370)을 커버할 수 있다. 제2 캡핑층(PS2)은 제1 캡핑층(PS1)과 함께 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343) 및 제2 파장 변환 패턴(345)을 밀봉할 수 있다. 이에 따라, 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343) 및 제2 파장 변환 패턴(345)을 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제2 캡핑층(PS2)은 무기물로 이루어질 수 있다. 제2 캡핑층(PS2)은 제1 캡핑층(351)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 캡핑층(351)의 구성 물질로 예시된 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 표시 기판(30)의 제2 캡핑층(PS2)과 제1 표시 기판(10)의 박막 봉지층(170) 사이에는 충진층(70)이 배치될 수 있다. 충진층(70)은 제2 캡핑층(PS2)과 직접 접할 수 있다.
이하, 제1 테스트 화소 영역(TP1)에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 8은 도 2의 제1 테스트 화소 영역을 확대한 평면도이다. 도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ' 선을 기준으로 자른 단면도이다. 도 10은 도 8의 Ⅹ-Ⅹ' 선을 기준으로 자른 단면도이다. 도 11은 도 8의 ⅩⅠ-ⅩⅠ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 8 내지 도 11을 참조하면, 제1 테스트 화소 영역(TP1)은은 제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역 (DP3)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역(DP3)은 일 방향을 따라 배열될 수 있다. 예를 들어, 제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역(DP3)은 제1 방향(dr1)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 다만, 더미 화소 영역들의 배열 순서 및 방향이 도 8에 제한되는 것은 아니며, 제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역(DP3)은 제2 방향(d2)을 따라 배열될 수도 있으며, 이외에도 다양한 형태로 배열될 수도 있다.
제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역(DP3)은 제1 표시 기판(10)에 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 더미 화소 영역(DP1)은 제1 더미 발광 영역(DLA1) 및 제1 더미 발광 영역(DLA1)을 둘러싸는 더미 차광 영역(DPB)을 포함하고, 제2 더미 화소 영역(DP2)은 제2 더미 발광 영역(DLA2) 및 제2 더미 발광 영역(DLA2)을 둘러싸는 더미 차광 영역(DPB)을 포함하고, 제3 더미 화소 영역(DP3)은 제3 더미 발광 영역(DLA3) 및 제3 더미 발광 영역(DLA3)을 둘러싸는 더미 차광 영역(DPB)을 포함할 수 있다. 제1 더미 발광 영역(DLA1), 제2 더미 발광 영역(DLA2) 및 제3 더미 발광 영역(DLA3)은 표시 장치의 효율 검사 시, 비표시 영역(NDA)에서 발광층에 의해 빛을 발광하는 영역일 수 있다. 더미 비발광 영역(DLB)은 발광층이 발광하지 않는 영역일 수 있다. 더미 비발광 영역(DLB)은 비표시 영역(NDA)에서 발광층에 의한 직접적인 발광이 이루어지지 않는 영역일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 더미 발광 영역(DLA1), 제2 더미 발광 영역(DLA2) 및 제3 더미 발광 영역(DLA3)은 더미 비발광 영역(DLB)에 의해 둘러싸일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 더미 발광 영역(DLA1), 제2 더미 발광 영역(DLA2), 제3 더미 발광 영역(DLA3) 및 더미 비발광 영역(DLB)은 화소 정의막(150)에 의해 구분될 수 있다.
비표시 영역(NDA)에서 제2 표시 기판(30)에는 제1 더미 투광 영역(DPA1), 제2 더미 투광 영역(DPA2), 제3 더미 투광 영역(DPA3) 및 더미 차광 영역(DPB)이 정의될 수 있다.
제1 더미 투광 영역(DPA1), 제2 더미 투광 영역(DPA2) 및 제3 더미 투광 영역(DPA3)은 표시 장치의 효율 검사 시, 제1 표시 기판(10)에서 방출된 광이 제2 표시 기판(30)을 투과하여 표시 장치(1)의 외부로 출사되어 디텍팅되는 영역일 수 있다. 더미 차광 영역(DPB)은 제1 표시 기판(10)에서 방출된 광이 투과되지 않는 영역일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 더미 투광 영역(DPA1), 제2 더미 투광 영역(DPA2), 제3 더미 투광 영역(DPA3) 및 더미 차광 영역(DPB)은 앞서 설명한 차광층(390)에 의해 정의될 수 있다.
제1 더미 투광 영역(DPA1) 및 더미 차광 영역(DPB) 중 제1 더미 투광 영역(DPA1)을 둘러싸는 영역은 제1 더미 화소 영역(DP1)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 더미 투광 영역(DPA1)은 제1 더미 발광 영역(DLA1)과 중첩할 수 있다. 제2 더미 투광 영역(DPA2) 및 더미 차광 영역(DPB) 중 제2 더미 투광 영역(DPA2)을 둘러싸는 영역은 제2 더미 화소 영역(DP2)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 더미 투광 영역(DPA2)은 제2 더미 발광 영역(DLA2)과 중첩할 수 있다. 제3 더미 투광 영역(DPA3) 및 더미 차광 영역(DPB) 중 제3 더미 투광 영역(DPA3)을 둘러싸는 영역은 제3 더미 화소 영역(DP3)과 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제3 더미 투광 영역(DPA3)은 제3 더미 발광 영역(DLA3)과 중첩할 수 있다. 그리고 더미 차광 영역(DPB)은 더미 비발광 영역(DLB)과 중첩할 수 있다.
제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역(DP3)은 각각 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 구성들의 특성을 검사하기 위한 검사 영역일 수 있다. 예컨대, 제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역(DP3)은 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343), 제2 파장 변환 패턴(345), 제1 컬러 필터(331), 제2 컬러 필터(333), 제3 컬러 필터(335), 제1 발광 소자(ED1), 제2 발광 소자(ED2), 제3 발광 소자(ED3)의 특성을 검사하는 검사 영역일 수 있다. 이하에서는 제1 더미 화소 영역(DP1)이 유효 화소 영역(AP)에 위치하는 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343), 제2 파장 변환 패턴(345)의 특성을 검사하기 위한 영역이고, 제2 더미 화소 영역(DP2)이 유효 화소 영역(AP)에 위치하는 제1 컬러 필터(331), 제2 컬러 필터(333) 및 제3 컬러 필터(335)의 특성을 검사하기 위한 영역이고, 제3 더미 화소 영역(DP3)이 유효 화소(AP)에 위치하는 제1 발광 소자(ED1), 제2 발광 소자(ED2) 및 제3 발광 소자(ED3)의 특성을 검사하기 위한 영역인 경우를 예시하여 설명하기로 한다.
제1 더미 화소 영역(DP1)에 의해 광 투과 패턴(341)의 광투과 특성, 제1 파장 변환 패턴(343)의 광투과 특성 및 광변환 효율, 제2 파장 변환 패턴(345)의 광 투과 특성 및 광 변환 효율을 측정하는 경우, 비표시 영역(NDA)에는 제1 더미 화소 영역(DP1)과 중첩하는 테스트 광 투과 패턴, 테스트 파장 변환 패턴들이 배치될 수 있다. 다만, 유효 화소 영역(AP)과는 달리, 제1 더미 화소 영역(DP1)에서 상기 테스트 광 투과 패턴및 상기 테스트 파장 변환 패턴들과 중첩하는 컬러 필터는 구비되지 않을 수 있다.
제2 더미 화소 영역(DP2)에 의해 제1 컬러 필터(331), 제2 컬러 필터(333) 및 제3 컬러 필터(335)의 파장대별 투과율을 측정하는 경우, 비표시 영역(NDA)에는 제2 더미 화소 영역(DP2)과 중첩하는 테스트 컬러 필터들이 배치될 수 있다. 다만, 유효 화소 영역(AP)과는 달리, 상기 테스트 컬러 필터와 중첩하는 광투과 패턴 또는 파장 변환 패턴 등은 구비되지 않을 수 있다.
또한, 제3 더미 화소 영역(DP3)에 의해 테스트 발광 소자(ED)의 발광 효율을 측정하는 경우, 제3 더미 화소 영역(DP3)에는 상기 테스트 광투과 패턴, 상기 테스트 파장 변환 패턴들, 상기 테스트 컬러 필터 등이 배치되지 않을 수 있다. 이 경우, 제3 더미 화소 영역(DP3)은 제1 더미 화소 영역(DP1) 및 제2 더미 화소 영역(DP2)의 특성 검사에서 기준이 되는 기준 값을 획득하는 기준 영역이 될 수 있다.
제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 상태에서는 표시 영역(DA) 내의 광 투과 패턴(341), 파장 변환 패턴(343, 345), 컬러 필터층(330), 발광 소자(ED1, ED2, ED3) 각각의 특성을 검사하기 어려울 수 있다. 보다 구체적으로 표시 영역(DA)에서 광 투과 패턴(341), 파장 변환 패턴(343, 345)은 컬러 필터층(330)과 중첩하고, 발광 소자(ED1, ED2, ED3)는 광투과 패턴(341), 파장 변환 패턴(343, 345), 컬러 필터층(330)과 중첩하는 바, 각 구성들이 중첩된 상태에서는 외부로 출사된 광을 획득하더라도 어떤 구성이 출사광 특성에 영향을 미쳤는지, 또는 어떤 구성으로 인해 표시 장치의 효율이 저하되는 것인지 모니터링하기 어려울 수 있다.
본 실시예에 따른, 표시 장치(1)는 제1 테스트 화소 영역(TP1)이 제1 내지 제3 더미 화소 영역(DP1, DP2, DP3)을 포함하는 바, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 상태에서도 표시 영역(DA) 내의 광 투과 패턴(341), 파장 변환 패턴(343, 345), 컬러 필터층(330), 발광 소자(ED1, ED2, ED3) 각각의 특성을 검사할 수 있다. 따라서, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 후에 발생한 표시 장치(1)의 효율 저하를 용이하게 모니터링할 수 있다.
이하, 제1 테스트 화소 영역(TP1)에서 표시 장치(1)의 단면 구조에 대해 상세히 설명한다. 제1 테스트 화소 영역(TP1)에서 표시 장치(1)의 구성 중 일부는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 유효 화소 영역(AP)에서 표시 장치(1)의 구성과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며 차이점을 위주로 설명한다.
제1 테스트 화소 영역(TP1)에서 제1 기판(110) 상에는 복수의 제1 더미 라인(DL1), 절연층(130), 화소 정의막(150), 및 복수의 테스트 발광 소자(ED)가 위치할 수 있다.
제1 기판(110) 상에는 제1 검사 라인(DL11)이 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 검사 라인(DL11)은 복수개 마련될 수 있으며, 상술한 유효 화소 영역(AP)과 중첩 배치된 게이트 라인과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 검사 라인(DL11)은 상기 게이트 라인과 동일한 층에 배치될 수 있다. 제1 검사 라인(DL11)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
복수의 제1 검사 라인(DL11) 상에는 절연층(130)이 배치될 수 있다. 절연층(130) 상에는 제1 전극층(AE)이 배치될 수 있다. 제1 전극층(AE)은 제1 내지 제3 더미 화소 영역(DP1, DP2, DP3)에 배치되는 복수의 더미 애노드 전극(DAE)을 포함할 수 있다. 복수의 더미 애노드 전극(DAE)은 제1 더미 발광 영역(DLA1), 제2 더미 발광 영역(DLA2), 제3 더미 발광 영역(DLA3) 과 중첩되도록 배치되되, 적어도 일부는 더미 비발광 영역(DLB)까지 확장될 수 있다.
복수의 더미 애노드 전극(DAE) 각각은 절연층(130)을 관통하는 비아홀을 통해 복수의 제1 검사 라인(DL11)과 연결될 수 있다. 이외 제1 전극층(AE)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 3 및 도 4의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 중복되는 내용은 생략한다.
제1 전극층(AE) 상에는 화소 정의막(150)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(150)은 제1 내지 제3 더미 화소 영역(DP1, DP2, DP3) 각각의 경계와 중첩하도록 배치된다. 화소 정의막(150)은 복수의 더미 애노드 전극(DAE)을 부분적으로 노출하는 개구부를 포함할 수 있다.
화소 정의막(150)의 개구부에 의해 노출된 복수의 더미 애노드 전극(DAE) 상에는 발광층(OL)이 배치될 수 있다. 발광층(OL)은 제1 더미 발광 영역(DLA1), 제2 더미 발광 영역(DLA2), 제3 더미 발광 영역(DLA3)및 더미 비발광 영역(DLB)에 걸쳐 형성된 연속된 막의 형상을 가질 수 있다.
발광층(OL) 상에는 제2 전극층(CE)이 배치될 수 있다. 제2 전극층(CE)은 상술한 바와 같이 캐소드 전극일 수 있다. 이외 제2 전극층(CE)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 바 있으므로, 중복되는 내용은 생략한다.
도면에는 미도시 하였으나, 제1 기판(110) 상에는 제2 검사 라인(도 2의 DL12)이 더 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 검사 라인(도 2의 DL12)은 상술한 유효 화소 영역(AP)과 중첩하도록 배치된 데이터 라인과 동일한 물질을 포함하고 상기 데이터 라인과 동일한 층으로 이루어지거나, 또는 상기 게이트 라인과 동일한 물질을 포함하고 상기 게이트 라인과 동일한 층으로 이루어질 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제2 검사 라인(도 2의 DL12)은 절연층(130)과 제1 기판(110) 사이에 위치할 수 있으며, 제2 전극층(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 더미 애노드 전극(DAE)은 발광층(OL) 및 제2 전극층(CE)과 함께 복수의 테스트 발광 소자(ED)를 이룰 수 있다. 복수의 테스트 발광 소자(ED)는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 제1 내지 제3 발광 소자(ED1, ED2, ED3)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 제1 테스트 화소 영역(TP1)과 중첩하도록 배치된 복수의 테스트 발광 소자(ED)의 특성을 검사하여 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 제1 내지 제3 발광 소자(ED1, ED2, ED3)의 발광 효율을 용이하게 모니터링할 수 있다.
제2 전극층(CE) 상에는 박막 봉지층(170)이 배치된다. 박막 봉지층(170)은 제2 전극층(CE)의 일면에 걸쳐 형성된 공통층일 수 있다. 박막 봉지층(170)은 제2 전극층(CE)을 직접 커버할 수 있다.
박막 봉지층(170) 상에는 패널 차광층(190)이 배치될 수 있다. 패널 차광층(190)은 제1 내지 제3 더미 화소 영역(DP1, DP2, DP3)의 비발광 영역(DLB)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이 패널 차광층(190)은 생략될 수도 있다.
제1 표시 기판(10) 상부에는 제1 테스트 화소 영역(TP1)과 중첩하는 제2 표시 기판(30)이 배치될 수 있다. 제2 표시 기판(30)은 제1 테스트 화소 영역(TP1)과 중첩하는 제2 기판(310), 차광층(390), 컬러 필터층(330), 격벽(370), 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t), 제2 테스트 파장 변환 패턴(345t), 제1 캡핑층(PS1) 및 제2 캡핑층(PS2)을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 더미 화소 영역(DP1)은 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 광 투과 패턴(341), 제1 파장 변환 패턴(343) 및 제2 파장 변환 패턴(345)의 특성을 검사하기 위한 영역이고, 제2 더미 화소 영역(DP2)은 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 제1 컬러 필터(331), 제2 컬러 필터(333) 및 제3 컬러 필터의 특성을 검사하기 위한 영역이고, 제3 더미 화소 영역(DP3)은 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 제1 내지 제3 발광 소자(ED1, ED2, ED3)의 특성을 검사하기 위한 영역일 수 있다. 도 10을 더 참조하여 제2 표시 기판(30) 중 제1 더미 화소 영역(DP1)과 중첩하는 부분에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 10을 더 참조하면, 제1 더미 화소 영역(DP1)과 중첩하는 제2 기판(310)의 일면 상에는 차광층(390) 및 제1 캡핑층(PS1)이 배치되고, 제1 캡핑층(PS1) 상에는 개구부를 포함하는 격벽(370)이 배치되고, 격벽(370)의 상기 개구부 내에는 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t)이 배치될 수 있다.
테스트 광 투과 패턴(341t)은 광 투과 패턴(도 4의 341)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 테스트 광 투과 패턴(341t)은 광투과 패턴(도 4의 341)과 마찬가지로 제1 베이스 수지(341a) 및 제1 베이스 수지(341a) 내에 분산된 제1 산란체(341b)를 포함할 수 있다.
제1 테스트 파장 변환 패턴(343t)은 제1 파장 변환 패턴(도 4의 343)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t)은 제1 파장 변환 패턴(도 4의 343)과 마찬가지로 제2 베이스 수지(343a) 및 제2 베이스 수지(343a) 내에 분산된 제1 파장 변환 물질(343b) 및 제2 산란체(343c)를 포함할 수 있다.
제2 테스트 파장 변환 패턴(345t)은 제2 파장 변환 패턴(도 4의 345)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제2 테스트 파장 변환 패턴(345t)은 제2 파장 변환 패턴(도 4의 345)과 마찬가지로 제3 베이스 수지(345a) 및 제3 베이스 수지(345a) 내에 분산된 제2 파장 변환 물질(345b) 및 제3 산란체(345c)를 포함할 수 있다.
제1 캡핑층(PS1) 중 제1 더미 화소 영역(DP1)과 중첩하는 부분은 차광층(390)을 커버할 수 있으며, 제1 캡핑층(PS1)의 일부분은 제2 기판(310)의 일면과 직접 접촉할 수 있다. 예를 들어 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t)과 중첩하는 부분은 제2 기판(310)과 직접 접촉할 수 있다.
테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴(345t) 상에는 제2 캡핑층(PS2)이 배치될 수 있다. 제2 캡핑층(PS2)은 격벽(370), 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴(345t)을 커버할 수 있다.
제2 캡핑층(PS2) 중 제1 더미 화소 영역(DP1)과 중첩하는 부분과 제1 캡핑층(PS1) 중 제1 더미 화소 영역(DP1)과 중첩하는 부분 사이에는 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴(345t)이 위치할 수 있다. 따라서 제1 더미 화소 영역(DP1)과 중첩하는 영역에서 제1 캡핑층(PS1)과 제2 캡핑층(PS2)은 서로 접촉하지 않고 이격될 수 있다.
제1 더미 화소 영역(DP1)은 복수의 서브 더미 화소 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 더미 화소 영역(DP1)은 제1 서브 더미 화소 영역(DP11), 제2 서브 더미 화소 영역(DP12) 및 제3 서브 더미 화소 영역(DP13)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 서브 더미 화소 영역(DP11), 제2 서브 더미 화소 영역(DP12) 및 제3 서브 더미 화소 영역(DP13)은 제2 방향(dr2)과 나란한 방향을 따라 순차적으로 배열될 수 있다.
제1 더미 발광 영역(DLA1)은 제1 서브 더미 발광 영역(DLA11), 제2 서브 더미 발광 영역(DLA12) 및 제3 서브 더미 발광 영역(DLA13)을 포함할 수 있다.
제1 서브 더미 화소 영역(DP11)은 제1 서브 더미 발광 영역(DLA11) 및 그 주변의 더미 비발광 영역(DLB)을 포함하고, 제2 서브 더미 화소 영역(DP12)은 제2 서브 더미 발광 영역(DLA12) 및 그 주변의 더미 비발광 영역(DLB)을 포함하고 제3 서브 더미 화소 영역(DP13)은 제3 서브 더미 발광 영역(DLA13) 및 그 주변의 더미 비발광 영역(DLB)을 포함할 수 있다. 아울러, 제2 표시 기판(30)에 정의된 제1 더미 투광 영역(DPA1)은 제1 서브 더미 발광 영역(DLA11)과 중첩하는 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11), 제2 서브 더미 발광 영역(DLA12)과 중첩하는 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12), 제3 서브 더미 발광 영역(DLA13)과 중첩하는 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13)을 포함할 수 있다.
격벽(370)은 더미 비발광 영역(DLB) 또는 더미 차광 영역(DPB)과 중첩하도록 배치되고, 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11), 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12) 및 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13)을 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다.
테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴(345t)은 제1 테스트 화소 영역(TP1)과 중첩 배치되고, 격벽(370)의 개구부 내에 위치할 수 있다.
테스트 광 투과 패턴(341t)은 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 테스트 광 투과 패턴(341t)은 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12) 및 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13)과는 중첩하지 않을 수 있다. 바꾸어 말하면, 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12) 및 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13)과 중첩하는 테스트 광 투과 패턴(341t)은 마련되지 않을 수 있다.
제1 테스트 파장 변환 패턴(343t)은 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12) 과 중첩하도록 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 파장 변환 패턴(343)은 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11) 및 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13)과는 중첩하지 않을 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11) 및 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13)과 중첩하는 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t)은 마련되지 않을 수 있다.
제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t)은 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t)은 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11) 및 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12)과는 중첩하지 않을 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11) 및 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12)과 중첩하는 제2 테스트 파장 변환 패턴(345t)은 마련되지 않을 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11), 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12) 및 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13) 각각에 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴(345t)을 배치함으로써, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 상태에서 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t)의 광 투과율 또는 광 변환율을 정밀하게 측정할 수 있다. 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t)의 광 투과율 또는 광 변환율은 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 광 투과 패턴(도 4의 341), 제1 파장 변환 패턴(도 4의 343) 및 제2 파장 변환 패턴(도 4의 345) 광 투과율 또는 광 변환율과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 후에 제1 서브 더미 투광 영역(DPA11), 제2 서브 더미 투광 영역(DPA12) 및 제3 서브 더미 투광 영역(DPA13)에서 방출되는 광을 검사 또는 분석함으로써, 유효 화소 영역(AP)에서 광 투과 패턴(도 4의 341), 제1 파장 변환 패턴(도 4의 343) 및 제2 파장 변환 패턴(도 4의 345)에 의해 발생하는 표시 장치(1)의 효율 저하를 간접적으로 모니터링할 수 있다.
테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t)에 대한 보다 구체적인 설명은 도 3 및 도 4의 설명에서 상술한 광 투과 패턴(도 4의 341), 제1 파장 변환 패턴(도 4의 343) 및 제2 파장 변환 패턴(도 4의 345)에 대한 설명과 실질적으로 동일한 바, 중복되는 내용은 생략한다.
다시 도 9를 참조하면, 제2 더미 화소 영역(DP2)은 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 제1 내지 제3 컬러 필터(도 4의 331, 도 4의 333, 도 4의 335)의 파장대별 투과율을 측정하기 위한 검사 영역일 수 있으며, 이 경우, 제2 더미 화소 영역(DP2)에는 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t) 및 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t)이 배치되지 않을 수 있다. 도 11을 더 참조하여 제2 더미 화소 영역(DP2)의 제2 표시 기판(30)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 11을 더 참조하면, 제2 기판(310)의 일면 상에는 제2 더미 화소 영역(DP2)과 중첩하는 차광층(390), 제1 테스트 컬러 필터(331t), 제2 테스트 컬러 필터(333t) 및 제3 테스트 컬러 필터(335t)이 배치된다. 즉, 컬러 필터층(330)은 제1 테스트 컬러 필터(331t), 제2 테스트 컬러 필터(333t) 및 제3테스트 컬러 필터(335t)를 더 포함할 수 있다.
제1 테스트 컬러 필터(331t)는 제1 컬러 필터(도 4의 331)와 동일한 물질로 이루어지고, 제2 테스트 컬러 필터(333t)는 제2 컬러 필터(도 4의 333)와 동일한 물질로 이루어지고, 제3 테스트 컬러 필터(335t)는 제3 컬러 필터(도 4의 335)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 테스트 컬러 필터(331t), 제2 테스트 컬러 필터(333t) 및 제3 테스트 컬러 필터(335t) 상에는 제1 캡핑층(PS1)이 배치되고, 제1 캡핑층(PS1) 상에는 제2 캡핑층(PS2)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 더미 화소 영역(DP2)에서 컬러 필터층(330) 은 제2 기판(310)의 일면 및 차광층(390) 과 직접 접할 수 있다. 그리고 제1 캡핑층(PS1)은 컬러 필터층(330) 및 제2 캡핑층(PS2) 과 직접 접할 수 있다.
제1 캡핑층(PS1) 중 제1 테스트 컬러 필터(331t), 제2 테스트 컬러 필터(333t) 및 제3 테스트 컬러 필터(335t)와 중첩하는 부분은 제2 기판(310)과 직접 접촉할 수 있다.
또한 제2 캡핑층(PS2) 중 제1 테스트 컬러 필터(331t), 제2 테스트 컬러 필터(333t) 및 제3 테스트 컬러 필터(335t)와 중첩하는 부분은 제1 캡핑층(PS1)과 직접 접촉할 수 있다.
즉, 제1 더미 화소 영역(DP1)에서는 제1 캡핑층(PS1)과 제2 캡핑층(PS2)이 직접 접촉하지 않음에 반해, 제2 더미 화소 영역(DP2)에서는 제1 캡핑층(PS1)과 제2 캡핑층(PS2)이 직접 접촉할 수 있다.
제2 더미 화소 영역(DP2)은 복수의 서브 더미 화소 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 더미 화소 영역(DP2)은 제4 서브 더미 화소 영역(DP21), 제5 서브 더미 화소 영역(DP22) 및 제6 서브 더미 화소 영역(DP23)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제4 서브 더미 화소 영역(DP21), 제5 서브 더미 화소 영역(DP22) 및 제6 서브 더미 화소 영역(DP23)은 제2 방향(dr2)과 나란한 방향을 따라 순차적으로 배열될 수 있다.
제2 더미 발광 영역(DLA2)은 제4 서브 더미 발광 영역(DLA21), 제5 서브 더미 발광 영역(DLA22) 및 제6 서브 더미 발광 영역(DLA23)을 포함할 수 있다.
제4 서브 더미 화소 영역(DP21)은 제4 서브 더미 발광 영역(DLA21) 및 그 주변의 더미 비발광 영역(DLB)을 포함하고, 제5 서브 더미 화소 영역(DP22)은 제5 서브 더미 발광 영역(DLA22) 및 그 주변의 더미 비발광 영역(DLB)을 포함하고 제6 서브 더미 화소 영역(DP23)은 제6 서브 더미 발광 영역(DLA23) 및 그 주변의 더미 비발광 영역(DLB)을 포함할 수 있다. 아울러, 제2 표시 기판(30)에 정의된 제2 더미 투광 영역(DPA2)은 제4 서브 더미 발광 영역(DLA21)과 중첩하는 제4 서브 더미 투광 영역(DPA21), 제5 서브 더미 발광 영역(DLA22)과 중첩하는 제5 서브 더미 투광 영역(DPA22), 제6 서브 더미 발광 영역(DLA23)과 중첩하는 제6 서브 더미 투광 영역(DPA23)을 포함할 수 있다.
제1 테스트 컬러 필터(331t)는 제4 서브 더미 투광 영역(DPA21)과 중첩되고, 제2 테스트 컬러 필터(333t)는 제5 서브 더미 투광 영역(DPA22)과 중첩되며, 제3 테스트 컬러 필터(335t)는 제6 서브 더미 투광 영역(DPA23)과 중첩될 수 있다.
제4 서브 더미 투광 영역(DPA21)에 서 출사되는 광을 획득하고 이에 기초하여 제1 테스트 컬러 필터(331t)의 특성을 검사하면, 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 제1 컬러 필터(도 4의 331)의 특성을 확인할 수 있다. 또한 제5 서브 더미 투광 영역(DPA22)에서 출사되는 광을 획득하고 이에 기초하여 제2 테스트 컬러 필터(333t)의 특성을 검사하면 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 제2 컬러 필터(도 4의 333)의 특성을 확인할 수 있으며, 제6 서브 더미 투광 영역(DPA23)에서 출사되는 광을 획득하고 이에 기초하여 제3 테스트 컬러 필터(335t)의 특성을 검사하면 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 제3 컬러 필터(도 4의 335)의 특성을 확인할 수 있다.
즉, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 상태에서 제1 내지 제3 컬러 필터(331, 333, 335)의 특성을 확인할 수 있다. 따라서, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 후에 발생하는 표시 장치(1)의 효율 저하를 용이하게 모니터링할 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
제1 테스트 컬러 필터(331t), 제2 테스트 컬러 필터(333t) 및 제3 테스트 컬러 필터(335t)에 대한 설명은 도 3 및 도 4의 설명에서 상술한 제1 내지 제3 컬러 필터(331, 333, 335)에 대한 설명과 실질적으로 동일한 바, 중복되는 내용은 생략한다.
다시 도 9를 참조하면, 제3 더미 화소 영역(DP3)은 테스트 발광 소자(ED)의 발광 효율을 측정하기 위한 검사용 더미 화소 영역일 수 있으며, 이 경우, 제3 더미 화소 영역(DP3)에는 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t), 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t), 제1 테스트 컬러 필터(331t), 제2 테스트 컬러 필터(333t) 및 제3 테스트 컬러 필터(335t)가 배치되지 않을 수 있다.
구체적으로, 제3 더미 화소 영역(DP3)의 제2 기판(310) 상에는 차광층(390)이 배치되고, 차광층(390) 상에는 제1 캡핑층(PS1)이 배치되고, 제1 캡핑층(PS1) 상에는 제2 캡핑층(PS2)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 제3 더미 화소 영역(DP3)의 제1 캡핑층(PS1)은 제2 기판(310)의 일면 및 제2 캡핑층(PS2) 과 직접 접할 수 있다.
상술한 바와 같이, 제3 더미 화소 영역(DP3)에는 테스트 광 투과 패턴(341t), 제1 테스트 파장 변환 패턴(343t), 제2 테스트 파장 변환 패턴 (345t), 제1 테스트 컬러 필터(331t), 제2 테스트 컬러 필터(333t) 및 제3 테스트 컬러 필터(335t)가 배치되지 않는다. 따라서, 테스트 발광 소자(ED)로부터 제공된 청색 광의 특성을 검사하면, 유효 화소 영역(AP)과 중첩하는 발광 소자(도 4의 ED1, ED2, ED3)의 특성을 확인할 수 있다. 이에 따라 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 상태에서 테스트 발광 소자(ED)의 발광 효율을 측정할 수 있다. 따라서, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 후에 발생하는 표시 장치(1)의 효율 저하를 용이하게 모니터링할 수 있다.
이하, 제2 테스트 화소 영역(TP2)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 12는 도 2의 제2 테스트 화소 영역을 확대한 평면도이다. 도 13은 도 12의 ⅩⅢ-ⅩⅢ' 선을 기준으로 자른 단면도이다. 도 14는 도 12의 ⅩⅣ-ⅩⅣ' 선을 기준으로 자른 단면도이다. 도 15는 도 12의 ⅩⅤ-ⅩⅤ' 선을 기준으로 자른 단면도이다.
도 12 내지 도 15를 참조하면, 제2 테스트 화소 영역(TP2)은 제2 비표시 영역(NDA2)내에 위치하며, 제2 테스트 화소 영역(TP2)은 충진층(70)과 중첩하지 않는다. 바꾸어 말하면, 즉, 제2 테스트 화소 영역(TP2)에서 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30) 사이에는 충진층(70)이 배치되지 않는 점에서 제2 테스트 화소 영역(TP2)과 제1 테스트 화소 영역(TP1)간에 가장 큰 차이점이 있다. 몇몇 실시예에서 제2 테스트 화소 영역(TP2)에서 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30) 사이에는 공간이 있을 수 있다. 이하에서는 중복되는 내용은 생략하고 차이점을 위주로 설명한다.
제2 테스트 화소 영역(TP2)은 제1 테스트 화소 영역(TP1)과 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 테스트 화소 영역(TP2)은 제1 테스트 화소 영역(TP1)과 마찬가지로 제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역(DP3)을 포함할 수 있다.
제1 더미 화소 영역(DP1), 제2 더미 화소 영역(DP2) 및 제3 더미 화소 영역(DP3)에 대한 보다 구체적인 설명은 제1 테스트 화소 영역의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 구체적인 설명을 생략한다.
제2 표시 기판(30) 중 제2 테스트 화소 영역(TP2)과 중첩하는 부분은 제1 더미 투광 영역(DPA1), 제2 더미 투광 영역(DPA2), 제3 더미 투광 영역(DPA3)을 포함할 수 있다. 제1 더미 투광 영역(DPA1), 제2 더미 투광 영역(DPA2), 제3 더미 투광 영역(DPA3)에 대한 보다 구체적인 설명은 제1 테스트 화소 영역 관련 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 구체적인 설명을 생략한다.
제1 기판(110) 상에는 제2 테스트 화소 영역(TP2)과 중첩하는 제2 더미 라인(도 4의 DL2)이 위치할 수 있으며, 제2 더미 라인(도 4의 DL2)은 제1 검사 라인(DL21) 및 제2 검사 라인(도 4의 DL22)을 포함할 수 있다. 제1 검사 라인(DL21) 및 제2 검사 라인(도 4의 DL22)에 대한 보다 구체적인 설명은 앞서 상술한 제1 더미 라인(도 4의 DL1)의 제1 검사 라인(도 4의 DL11) 및 제2 검사 라인(도 4의 DL12)에 대한 설명과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 따라서 구체적인 설명은 생략한다.
상술한 바와 같이, 제1 테스트 화소 영역(TP1)에서는 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30) 사이에는 충진층(70)이 배치되되, 제2 테스트 화소 영역(TP2)에서는 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30) 사이에는 충진층(70)이 위치하지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 테스트 화소 영역(TP1)에서 방출되는 광의 특성과 제2 테스트 화소 영역(TP2)에서 방출되는 광의 특성을 비교하여 충진층의 유무에 따른 광 효율 변화를 확인할 수 있다. 즉, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 상태에서 충진층(70)의 유무에 따른 광 효율을 측정할 수 있으므로, 제1 표시 기판(10)과 제2 표시 기판(30)이 합착된 후에 발생하는 표시 장치(1)의 효율 저하를 용이하게 모니터링할 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 표시 장치
DA: 표시 영역
NDA1: 제1 비표시 영역
NDA2: 제2 비표시 영역
AP: 유효 화소 영역
TP1: 제1 테스트 화소 영역
TP2: 제2 테스트 화소 영역
DP1: 제1 더미 화소 영역
DP2: 제2 더미 화소 영역
DP3: 제3 더미 화소 영역
10: 제1 표시 기판
30: 제2 표시 기판
50: 실링 부재
70: 충진층
110: 제1 기판
130: 절연층
150: 화소 정의막
170: 박막 봉지층
310: 제2 기판
330: 컬러 필터층
331: 제1 컬러 필터
333: 제2 컬러 필터
335: 제3 컬러 필터
341: 광 투과 패턴
343: 제1 파장 변환 패턴
345: 제2 파장 변환 패턴
341t: 테스트 광 투과 패턴
343t: 제1 테스트 파장 변환 패턴
345t: 제2 테스트 파장 변환 패턴
DA: 표시 영역
NDA1: 제1 비표시 영역
NDA2: 제2 비표시 영역
AP: 유효 화소 영역
TP1: 제1 테스트 화소 영역
TP2: 제2 테스트 화소 영역
DP1: 제1 더미 화소 영역
DP2: 제2 더미 화소 영역
DP3: 제3 더미 화소 영역
10: 제1 표시 기판
30: 제2 표시 기판
50: 실링 부재
70: 충진층
110: 제1 기판
130: 절연층
150: 화소 정의막
170: 박막 봉지층
310: 제2 기판
330: 컬러 필터층
331: 제1 컬러 필터
333: 제2 컬러 필터
335: 제3 컬러 필터
341: 광 투과 패턴
343: 제1 파장 변환 패턴
345: 제2 파장 변환 패턴
341t: 테스트 광 투과 패턴
343t: 제1 테스트 파장 변환 패턴
345t: 제2 테스트 파장 변환 패턴
Claims (20)
- 제1 유효 화소 영역을 포함하는 표시 영역 및 테스트 화소 영역을 포함하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 제1 유효 화소 영역과 중첩하는 제1 발광 소자;
상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 테스트 화소 영역과 중첩하는 복수의 테스트 발광 소자;
상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판;
상기 제1 기판을 향하는 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 컬러 필터;
상기 제1 컬러 필터 상에 위치하고 상기 제1 컬러 필터 및 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 파장 변환 패턴;
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 복수의 테스트 발광 소자 중 어느 하나와 중첩하는 제1 테스트 컬러 필터; 및
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 복수의 테스트 발광 소자 중 다른 하나와 중첩하는 제1 테스트 파장 변환 패턴; 을 포함하고,
상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 상기 제1 파장 변환 패턴은 동일한 제1 파장 변환 물질을 포함하고,
상기 제1 테스트 컬러 필터와 상기 제1 컬러 필터는 동일한 제1 색의 색재를 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 테스트 컬러 필터와 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴은 서로 비중첩하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하는 제1 캡핑층을 더 포함하고,
상기 제1 캡핑층 중 상기 제1 유효 화소 영역과 중첩하는 부분은 상기 제1 컬러 필터와 상기 제1 파장 변환 패턴 사이에 위치하고,
상기 제1 캡핑층 중 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 부분은 상기 제2 기판과 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴 사이에 위치하되 상기 제2 기판의 일면과 접촉하고,
상기 제1 캡핑층 중 상기 제1 테스트 컬러 필터와 중첩하는 부분은 상기 제1 테스트 컬러 필터를 커버하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 패턴 및 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴을 커버하는 제2 캡핑층을 더 포함하고,
상기 제2 캡핑층 중 상기 제1 테스트 컬러 필터와 중첩하는 부분은, 상기 제1 캡핑층과 직접 접촉하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 상기 제1 테스트 컬러 필터 사이에 위치하는 차광층을 더 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 테스트 화소 영역은, 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 제1 더미 화소 영역과, 상기 제1 테스트 컬러 필터와 중첩하는 제2 더미 화소 영역과, 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴 및 상기 제1 테스트 컬러 필터과 비중첩하는 제3 더미 화소 영역을 포함하는 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제1 테스트 컬러 필터 및 상기 제1 컬러 필터를 커버하는 제1 캡핑층; 및
상기 제1 캡핑층 상에 위치하고 상기 제1 테스트 파장 변환 패턴 및 상기 제1 파장 변환 패턴을 커버하는 제2 캡핑층; 을 더 포함하고,
상기 제1 기판 상에는 상기 제3 더미 화소 영역과 중첩하는 테스트 발광 소자가 더 배치되고,
상기 제1 캡핑층 중 상기 제3 더미 화소 영역과 중첩하는 부분은 상기 제2 기판의 일면과 직접 접촉하고,
상기 제2 캡핑층 중 상기 제3 더미 화소 영역과 중첩하는 부분은 상기 제1 캡핑층과 직접 접촉하는 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 더미 화소 영역은, 제1 서브 더미 화소 영역 및 제2 서브 더미 화소 영역을 포함하고,
상기 표시 영역은 제2 유효 화소 영역을 더 포함하고,
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제2 유효 화소 영역과 중첩하는 제2 파장 변환 패턴; 및
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제2 서브 더미 화소 영역과 중첩하는 제2 테스트 파장 변환 패턴; 을 더 포함하고,
상기 제1 기판 상에는 상기 제2 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 테스트 발광 소자 및 상기 제2 파장 변환 패턴과 중첩하는 제2 발광 소자가 더 배치되고,
상기 제2 파장 변환 패턴과 상기 제2 테스트 파장 변환 패턴은 동일한 제2 파장 변환 물질을 포함하고,
상기 제2 파장 변환 물질은 상기 제1 파장 변환 물질과 다른 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 제2 더미 화소 영역은, 제3 서브 더미 화소 영역 및 제4 서브 더미 화소 영역을 포함하고,
상기 제2 파장 변환 패턴과 중첩하고 상기 제2 기판의 일면과 상기 제2 파장 변환 패턴 사이에 위치하는 제2 컬러 필터; 및
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제4 서브 더미 화소 영역과 중첩하는 제2 테스트 컬러 필터; 를 더 포함하고,
상기 제1 기판 상에는 상기 제2 테스트 컬러 필터와 중첩하는 테스트 발광 소자가 더 배치되고,
상기 제2 컬러 필터와 상기 제2 테스트 컬러 필터는 동일한 제2 색의 색재를 포함하고,
상기 제2 색의 색재는 상기 제1 색의 색재와 다른 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 더미 화소 영역은 제5 서브 더미 화소 영역을 더 포함하고,
상기 표시 영역은 제3 유효 화소 영역을 더 포함하고,
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제3 유효 화소 영역과 중첩하는 광 투과 패턴; 및
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제5 서브 더미 화소 영역과 중첩하는 테스트 광 투과 패턴; 을 더 포함하고,
상기 제1 기판 상에는 상기 테스트 광 투과 패턴과 중첩하는 테스트 발광 소자 및 상기 광 투과 패턴과 중첩하는 제3 발광 소자가 더 배치되고,
상기 테스트 광 투과 패턴 및 상기 광 투과 패턴은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지 내에 분산된 산란체를 포함하는 표시 장치. - 제10 항에 있어서,
상기 제2 더미 화소 영역은, 제6 서브 더미 화소 영역을 포함하고,
상기 광 투과 패턴과 중첩하고 상기 제2 기판의 일면과 상기 광 투과 패턴 사이에 위치하는 제3 컬러 필터; 및
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 제6 서브 더미 화소 영역과 중첩하는 제3 테스트 컬러 필터; 를 더 포함하고,
상기 제1 기판 상에는 상기 제3 테스트 컬러 필터와 중첩하는 테스트 발광 소자가 더 배치되고,
상기 제3 컬러 필터와 상기 제3 테스트 컬러 필터는 동일한 제3 색의 색재를 포함하고,
상기 제3 색의 색재는, 상기 제1 색의 색재 및 상기 제2 색의 색재와 다른 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 복수의 테스트 발광 소자와 상기 제1 발광 소자는 각각 발광층을 포함하고,
상기 발광층은 청색 광을 방출하는 표시 장치. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 파장 변환 물질은 양자점이고,
상기 제1 테스트 파장 변환 패턴과 상기 제1 파장 변환 패턴은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지 내에 분산된 산란체를 더 포함하고,
상기 양자점은 상기 베이스 수지 내에 분산된 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시 영역을 둘러싸는 실링 부재; 를 더 포함하고,
상기 비표시 영역은 상기 실링 부재 내측에 배치된 제1 비표시 영역, 및 상기 실링 부재의 외측에 배치된 제2 비표시 영역을 포함하고,
상기 테스트 화소 영역은, 상기 제1 비표시 영역 및 상기 제2 비표시 영역에 각각 위치하는 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 충진층; 를 더 포함하고,
상기 충진층은 상기 제1 비표시 영역과 중첩하고 상기 제2 비표시 영역과 비중첩하는 표시 장치. - 유효 화소 영역을 포함하는 표시 영역 및 테스트 화소 영역을 포함하는 비표시 영역을 포함하는 제1 기판;
상기 제1 기판 상에 위치하고 상기 유효 화소 영역 및 상기 테스트 화소 영역과 중첩하는 발광층;
상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판;
상기 제1 기판을 향하는 상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 유효 화소 영역과 중첩하는 컬러 필터;
상기 컬러 필터 상에 위치하고 상기 컬러 필터를 커버하는 제1 캡핑층;
상기 제1 캡핑층 상에 위치하고 상기 컬러 필터와 중첩하는 파장 변환 패턴;
상기 제2 기판의 일면 상에 위치하고 상기 테스트 화소 영역과 중첩하는 테스트 컬러 필터 및 테스트 파장 변환 패턴을 포함하되,
상기 테스트 컬러 필터와 상기 테스트 파장 변환 패턴은 서로 비중첩하고,
상기 제1 캡핑층 중 상기 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 부분은 상기 제2 기판의 일면과 직접 접촉하고,
상기 제1 캡핑층 중 상기 테스트 컬러 필터와 중첩하는 부분은 상기 제2 기판과 비접촉하는 표시 장치. - 제16 항에 있어서,
상기 테스트 컬러 필터는 상기 컬러 필터와 동일한 물질로 이루어지고,
상기 테스트 파장 변환 패턴은 상기 파장 변환 패턴과 동일한 물질로 이루어진 표시 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 파장 변환 패턴 및 상기 테스트 파장 변환 패턴을 덮는 제2 캡핑층; 을 더 포함하고,
상기 제2 캡핑층 중 상기 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 부분은 상기 테스트 파장 변환 패턴과 직접 접촉하고,
상기 제2 캡핑층 중 상기 테스트 컬러 필터와 중첩하는 부분은 상기 제1 캡핑층과 직접 접촉하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 테스트 화소 영역은, 상기 테스트 파장 변환 패턴과 중첩하는 제1 더미 화소 영역과, 상기 테스트 컬러 필터와 중첩하는 제2 더미 화소 영역과, 상기 테스트 파장 변환 패턴 및 상기 테스트 컬러 필터와 비중첩하는 제3 더미 화소 영역을 포함하고,
상기 제1 캡핑층 중 상기 제3 더미 화소 영역과 중첩하는 부분은 상기 제2 기판과 직접 접촉하고,
상기 제2 캡핑층 중 상기 제3 더미 화소 영역과 중첩하는 부분은 상기 제1 캡핑층과 직접 접촉하는 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 테스트 파장 변환 패턴 및 상기 파장 변환 패턴은 동일한 양자점을 포함하고,
상기 발광층은 청색광을 방출하는 표시 장치.
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