KR20210151155A - 압출된 재료를 과립화하기 위한 조립체 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가소화된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 조립체에 관한 것이며, 이 조립체는, 직사각형 단면을 가지는 가스 공급 라인(2) 및 하우징(1)에 연결되고 그리고 직사각형 단면을 가지는, 가스 공급 라인 반대편의 가스 배출 라인(3)을 갖는 하우징(1); 하우징(1)으로 이송하거나 이어지는 이송 또는 가소화 유닛(27)의 천공된 판(4)을 갖는 하우징(1)에 적어도 부분적으로 배치되는 과립화 유닛; 및 천공된 판(4)의 개구(5)를 통해 나오는 재료를 분쇄하거나 분리시키는 스크레이퍼(6)를 포함한다. 평면 또는 천공된 판(4)의 평면 및/또는 하우징(1)의 전방 벽(17)에 평행하게 이어지는 섹션(E-E)의 평면에서, 섹션의 상기 평면에 수직으로 배열되는 가스 배출 라인(3)의 2개의 측벽 면들(7)은 서로와의 각도(α2)를 에워싸며, 그리고 상기 평면 또는 섹션의 평면에 수직으로 배열되는 가스 이송 라인(2)의 2개의 측벽 면들(8)은 각도(α1)를 에워싸고, 2개의 각도들(α1 및 α2)은 하우징(1)을 향해 개방되며, 그리고 각도(α1)는 각도(α2)보다 더 크다.

Description

압출된 재료를 과립화하기 위한 조립체

본 발명은 특허 청구항 1의 일반적인 용어에 따른 가소화된, 또는 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된, 바람직하게는 압출된 재료를 과립화하기 위한 배열체에 관한 것이다.

이러한 배열체들은 예를 들어 EP 2 052 825 A2로부터 공지되어 있다. 이 배열체에서, 압출기로부터 들어오는 과립 입자들의 분리 및 배출은 최적이 아니며 그리고 증착물들이 또한 수송 경로에서 발생한다.

본 발명의 과제는, 가소화된 재료들, 즉 연화된, 부분적으로 연화된, 부분적으로 용융되어 용융된, 열가소성 또는 적어도 부분적으로 열가소성인 입자들, 바람직하게는 중합체들의 과립화를 개선하는 것이다.

본 목적은 주로 분리된 입자들을 가능한 한 신속하게 고형화하고 그리고 이에 의해 입자들의 상호 충돌 및 하우징의 내벽들 또는 입자들을 운반하는 추가의 도관들과의 입자들의 충돌 둘 모두를 방지하는 것이다.

이 과제는 특허 제1 항의 특징화하는 특징들에 의해 해결된다. 본 발명에 따르면, 천공된 판의 평면 및/또는 하우징의 전방 벽에 평행하게 이어지는 평면 또는 단면 평면(E-E)에서, 이러한 평면에 수직인 가스 배출 라인의 2개의 측방향 벽 표면들은 서로 각도(α2)를 포함하며, 그리고 이러한 평면에 수직인, 가스 공급 라인의 2개의 측방향 벽 표면들은 각도(α1)를 포함하고, 2개의 각도들은 하우징을 향해 개방되며, 그리고 각도(α1)는 각도(α2)보다 더 크다.

본 발명에 따른 배열체를 위한 특정한 기하학적 형상들 및 치수들이 관찰될 때 요망되는 효과가 달성될 수 있는 것이 알려져 있다. 이는, 입자들이 가스 유동에 의해 안전하게 그리고 서로의 상호작용들 없이 운반될 수 있는 것을 보장한다.

이송 또는 가소화 유닛으로부터 들어오고 그리고 천공된 판을 나가는 재료의 형성된 가닥들은 스크레이퍼들, 예컨대, 칼들, 쉐이버들(shavers) 등으로 실제 작동에서 과립물들로 절단된다. 스크레이퍼는, 예컨대, 칼 캐리어 장착되고 그리고 본 발명에 따른 경우에서와 같이, 하우징 외부에 위치되는 드라이브, 예컨대, 전기 모터에 의해 구동되는 하나 이상의 회전 칼들을 갖는 배열체일 수 있다.

분리 동안, 재료의 가닥들 또는 분리된 입자들은 특별히 성형된 하우징으로 가압되며, 가스 유동은 일측으로부터, 유리하게는 아래로부터 이러한 하우징으로 도입된다. 이 가스 유동은 팬에 의해 생성된다. 하우징을 통해 안내되는 가스 유동은 공기, 유리하게는 건조되고 그리고/또는 냉각되고 그리고/또는 템퍼링된(tempered) 공기, 따라서 또한 불활성 가스들 또는 반응성 가스들 또는 임의의 종류의 가스 혼합물들로 구성될 수 있다.

가스 배출 라인은 형성된 과립들의 신속하게 완전한 제거를 보장하도록 그리고 형성된 과립물들을 분리된 상태로 그리고 서로 접촉하지 않게 유지하도록 특별히 성형된 하우징에 연결된다. 가스 유동은, 가스 공급 라인으로 천공된 판 개구의 일측으로부터 하우징까지 이송되며 그리고 가스들이 배출되거나 입자들이 하우징의 반대쪽 구역에서 밖으로 이어지는 가스 배출 라인으로 제거된다. 더욱이, 하우징의 벽들 또는 하우징의 내벽들과의 과립물들의 접촉은 과립 입자들의 감속 및/또는 증착을 방지하기 위해 주로 방지되거나 최소화된다. 벽에 대한 형성된 과립 입자들의 부착이 또한 방지된다. 그러나, 서로에 대한 과립 입자들의 접착이 본 발명에 따라 가장 큰 가능한 정도로 방지되는 것이 무엇보다도 필수적이다.

압출된 재료들은 배열체를 통해 통과되는 매체, 특히 가스에 의해 수송된다. 이 가스는 임의의 가스 또는 가스 혼합물일 수 있으며, 특히 공기가 사용된다. 사용된 가스 유동은 하우징 밖으로 입자들을 수송하며, 여기서 이에 의해, 이러한 재료 입자들 또는 과립들 또는 소시지들 등은, 예컨대, 열적 영향, 냉각 또는 가스에 의해 개시되거나 유도되는 반응에 의해 가스 유동의 도움으로 냉각되고 그리고/또는 고형화되고 그리고/또는 화학적으로 반응된다.

과립화될 재료들, 예컨대, 중합체들은 섬유들로 강화될 수 있고 그리고/또는 또한 부분적으로 가교될 수도 있다. 과립화될 재료들은 폴리에스테르들, 폴리올레핀들 또는 폴리아미드들에 기초될 수 있다. 원칙적으로, 재료들이 본 발명에 따른 배열체로 배출 지점으로부터 이에 따라 연화되거나 용융되고 그리고 입자들로 변환되거나 이에 따라 고형화될 수 있는 경우, 적어도 부분적으로 가소화가능한, 바람직하게는 압출가능한 재료들 모두를 수송하는 것 그리고 재료들을 물리적으로 또는 화학적으로 처리하는 것 또는 재료들이 다른 곳으로의 수송 동안 반응하거나 고형화하는 것을 허용하는 것이 가능하다. 본 발명에 따른 배열체는 가닥들을 과립물로 형성하는 것이 가능한 모든 재료들에 대해 사용될 수 있다. 이들은 도우들(doughs), 세라믹 질량체들(ceramic masses), 고무, 열가소성 폴리우레탄들, 실리콘들 등을 포함한다.

기본적으로, 사용된 가스, 특히 공기에 의해 재료들의 고형화를 달성하는 것이 가능해야 한다. 물과 같은 증발 매체는 또한, 입자로 형성될 압출된 재료들의 고형화가 물 또는 이러한 매체의 증발에 의해 달성될 수 있을 때, 사용될 수 있다. 증발은 또한, 특히 상당한 응축 및 액상이 지배적이지 않을 때 프로세스에서 발생하는 냉각을 이용할 수 있다.

종속항들의 특징들은 특정한 기술적 효과들을 갖는 배열체의 바람직한 추가의 개량들을 나타낸다.

본 발명의 바람직한 실시예에서, 천공된 판의 평면에 평행한 평면에서, 또는 단면 평면에서, 하우징의 측벽들 ─ 상기 측벽들은 이들의 하류 단부 구역에서 이러한 평면에 수직임 ─ 의 간격, 및 가스 배출 라인의 측방향 벽 표면들의 상호 간격 ─ 측방향 벽 표면들은 상호 간격에 인접하고 그리고 마찬가지로 이러한 평면(E-E)에 수직임 ─ 은 10 * d ≥ b ≥ 4 * d, 바람직하게는 8 * d ≥ b ≥ 5 * d의 값(b)을 가지고, d의 값은 천공된 판의 모든 기존 오목부들에 대한 공통 표면 무게 중심을 결정하고, 공통 표면 무게 중심으로부터 개개의 오목부의 표면 무게 중심의 간격을 각각의 오목부에 대해 결정하고, 존재하는 오목부들에 대해 결정된 간격 값들을 산술적으로 평균화하고, 그리고 값(d)과 같은 산술 평균의 값의 2배로 고정시킴으로써 계산되는 것이 제공될 때, 과립화에서의 고려가능한 개선이 달성된다.

이러한 맥락에서, 값(b)이 이들의 하류 단부 구역의 하우징의 측벽들과 이들의 상류 단부 구역의 가스 배출 라인의 측방향 벽 표면들의 최대 상호 간격에 대응할 때 특히 유리하다.

바람직한, 유동-유리한 실시예는, 평면(E-E)에 수직인 평면에 수직이거나 천공된 판의 평면에 수직인 평면에 각각 수직인, 가스 배출 라인의 2개의 측벽 표면들이 서로와의 각도(β2)를 포함하며, 그리고 평면(E-E)에 수직인 평면에 수직하게 또는 천공된 판에 수직인 평면에 수직하게 또한 연장되는 가스 공급 라인의 측벽 표면들 각각은 서로와의 각도(β1)를 포함하며, 2개의 각도들(β1, β2)은 하우징으로부터 멀어지게 개방되고 그리고 각도(β1)는 각도(β2)보다 더 큰 것을 제공한다.

이송 또는 가소화 유닛, 바람직하게는 압출기의 중심축 및/또는 존재하는 모든 오목부들의 공통 표면 무게 중심, 또는 표면 무게 중심을 통해 통과하는 천공된 판의 중력의 중심선은 각각 하우징의 측벽들에 대해 중심에 놓이고 그리고/또는 천공된 판의 평면에 수직이고 그리고 하우징의 중심선을 보유하는, 가스 공급 라인 및/또는 가스 배출 라인 및/또는 하우징의 대칭 평면에 위치될 때 더 유리하다. 하우징에 대한 천공된 판의 포지션은 배열체의 수송 거동에서 중요한 역할을 한다.

과립화될 재료의 통과를 위한 오목부들을 갖는 천공된 판 또는 천공된 판의 오목부들의 표면 무게 중심을 통해 이어지는 천공된 판의 수직 중심선은 하우징의 중심에 위치되거나 이를 통해 이어질 수 있다. 이 중심은 하우징의 측벽들 사이에서 중심에 또는 천공된 판의 평면에 수직이고 그리고 유동 방향으로 하우징을 통해 이어지는 대칭 평면 상에 놓이며, 이 대칭 평면이 하우징의 중심선을 보유한다. 그러나, 중심은 또한 하우징의 전방 벽 및 후방 벽의 개개의 표면 대각선들의 교차 지점들에 의해 또한 결정될 수 있다.

다수의 적용들을 위해, 특히 점착성 재료들에 대해, 이송 또는 가소화 유닛, 바람직하게는 압출기의 중심축 및/또는 모든 오목부들의 공통 표면 무게 중심, 또는 공통 표면 무게 중심을 통해 통과하는 천공된 판의 중심선은 하우징의 중심선에 대해 및/또는 천공된 판의 평면에 수직이고 그리고 하우징의 중심선을 보유하는, 가스 공급 라인 및/또는 가스 배출 라인의 대칭 평면에 대해 그리고/또는 하우징의 측면들 사이의 중심에 대해 측방향으로 오프셋되며, 측방향 오프셋은, 스크레이퍼의 회전 방향 및 가스 유동의 방향이 동일한 방향으로 이어지는 하우징의 구역에서 값(c)에 따르며, 이 때 c ≤ 2.5 * d인 것이 유용한 것으로 판명되었다. 따라서, 천공된 판 또는 그의 중심은 하우징의 중심 또는 하우징의 중심선과 관련하여 오프셋된다. 따라서, 오프셋은 ─ 하우징의 전방 표면으로부터 재료의 출구를 향해 천공된 판으로부터 보는 경우 ─ 스크레이퍼의 회전 공구들 또는 블레이드들이 주요 공기 유동의 반대로 이동하는 구역에서 보다 큰 벽 간격이 존재하도록 한다. 컷-오프(cut-off) 입자들은 이송 방향의 반대의 운동량을 얻고, 그리고 이에 따라 컷-오프 입자들은 공기의 이송 방향의 반대로 이동함에 따라 보다 느려진다. 이러한 입자들이 하우징 벽에 부딪힐 위험들은 이러한 조치에 의해 감소된다.

특히, 점착성 재료들은, 과립 입자들이 분리된 후 실제로 사용되는 바와 같이, 가스 유동에서의 냉각 시간이 이러한 과립 입자들이 달라붙는 경향을 상당히 감소시키기에 충분하지 않은 재료들이다. 이는, 충돌하는 과립 입자들이 서로 달라붙거나 하우징의 내벽에 축적할 위험을 상당히 증가시킨다. 따라서, 이러한 경우들에서, 천공된 판은 하우징의 중심에 배열되지 않지만, 천공된 판은 하우징의 길이방향 중심선 또는 길이방향 중심 대칭축에 대해 오프셋되어, 따라서 스크레이퍼의 회전하는 블레이드들이 가스 유동의 방향의 반대로 이동하는 구역에서 보다 큰 벽 간격을 형성한다.

특히 점착성 재료들에 대해, 이송 또는 가소화 유닛, 바람직하게는 압출기의 중심축 및/또는 존재하는 모든 오목부들의 공통 표면 무게 중심, 또는 공통 표면 무게 중심을 통해 이어지는 천공된 판의 중심선은 하우징의 지점 또는 단면적의 상류에 있는 간격에 배열되고, 여기서 ─ 유동 방향에서 보는 경우 ─ 확대 하우징의 측벽들은 상호 간격(b)을 취했으며, 여기서 a ≤ 1.1 * d일 때, 또한 유리할 것이다. 실제로, 하우징이 고정되며 그리고 이송 또는 가소화 유닛의 축이 하우징에 대해 이동하는 것이 가정된다. 천공된 판은 하우징에 대해 유동 방향으로 변위된다.

하우징으로부터 가스 배출 라인까지의 전이 구역에서, 하우징 및 가스 배출 라인이 동일한 직사각형 단면적을 가질 때 유리한 것으로 밝혀졌으며, 보다 긴 직사각형 변의 길이는 값(b)을 갖는다. 이는, 하우징으로부터 가스 배출 라인까지의 와류-없는 전이를 초래한다. 이러한 맥락에서, 가스 배출 라인으로의 전이 구역에서의 하우징의 단면적은, 하우징으로부터 멀리 있는 그의 단부 구역에서 가스 배출 라인의 단면적보다 단지 5% 내지 20%, 바람직하게는 10% 내지 15% 더 클 때 또한 유리하다. 더욱이, 그의 상류 단부에서 또는 팬에 대한 그의 연결부에서 가스 공급 라인의 단면적보다 25% 내지 35% 더 크도록 천공된 판의 높이에서의 하우징의 단면적을 설계하는 것이 유리하다. 이는, 하우징의 노즐 효과와 함께 전체 배열체에 걸쳐 대체로 와류-없는 수송을 초래한다. 하우징의 단면적이, 디퓨저(diffuser)를 형성하기 위해 천공된 판의 높이로부터 가스 배출 라인으로의 전이 구역까지 10% 내지 20%만큼 증가할 때 또한 유리하다.

과립 입자들의 상호 접촉을 감소시키기 위해, 천공된 판에 평행한 평면에서, 하우징의 반대편 측벽 표면들은, 적어도 이들의 길이방향 범위의 부분적인 구역에 걸쳐, 하우징의 내부로부터 보이는 바와 같이, 가스 공급 라인으로부터 상기 가스 배출 라인까지 발산하는 볼록하게 구부러진, 특히 연속적인 코스(course)를 가질 때 유리하다. 개별 섹션들 사이의 전이부들이 둥근, 호-형상 요소들의 형태로 유리하게 형성되지만, 전이부들이 또한 세그먼트화된 설계로 또한 실현될 수 있다. 세그먼트화의 경우에, 심지어 세그먼트 전이부들에서 작은 각도들로, 모서리들 및 에지들에서 먼지와 재료의 축적에 대한 문제가 발생할 수 있다. 더욱이, 바람직하지 않은 난류들이 그곳에서 발생할 수 있기 때문에, 기류의 품질이 이러한 구역들에서 감소된다.

하우징의 전방 벽 및 후방 벽이 서로 평행하게 그리고/또는 천공된 판의 평면에 평행하게 정렬되는 것이 바람직하다. 가스가 하우징에서 유동하는 평행한 벽 섹션들은, 가스 배출 라인의 방향으로 분리된 입자들의 제거 또는 노즐 효과를 개선시킨다.

본 발명에 따른 적용의 간단한 구성은, 스크레이퍼가 하우징의 후방 벽으로부터, 하우징의 전방 벽의 구역에 위치되고 그리고 이송 또는 가소화 유닛, 바람직하게는, 압출기의 단부 구역을 나타내는 천공된 판까지 하우징에서 이어지는 구동 샤프트(drive shaft)를 갖는다. 과립 입자들의 추가의 프로세싱 또는 처리를 위한 유닛들에 대한 유동에 유리한 연결은, 전환 부품이 가스 배출 라인에 연결될 때 초래되며, 이 전이 부품은 가스 배출 라인의 직사각형 단면을 둥근 또는 구부러진 원주를 갖는 단면으로 변경시키며, 전이 부품은 측방향 벽 표면들에 또는 가스 배출 라인의 측벽 표면들에 동일한 각도(α2) 또는 각도(β2)로 연결되거나, 이들을 특히 삼각형들의 형태로 연장시킨다. 각도들(α1, α2 및/또는 β1, β2)의 정점이 가스 공급 라인, 하우징, 및 가스 배출 라인을 통한 중심선 또는 대칭의 길이방향 평면 상에 놓일 때, 입자 수송에 관한 배열체들의 유리한 구조 및 이들의 함께 달라붙는 것의 방지가 초래된다.

각도(α2)가 각도(α1)의 0.25배 내지 0.75배, 바람직하게는 0.4배 내지 0.6배일 때, 입자 수송에 대해 유리한 것으로 판명되었다. 각도(α1)는 < 180°이고, 바람직하게는 15° 내지 110°의 구역에 그리고 특히 20° 내지 60°의 예각일 때, 그리고/또는 각도(α2)가 < 180°이고 그리고 특히 예각이고, 바람직하게는 3.0° 내지 82.5°, 특히 6° 내지 36°의 구역에 있을 때, 입자들의 함께 달라붙음이 감소된다.

각도(β2)가 각도(β1)의 0.12배 내지 0.45배, 바람직하게는 0.2배 내지 0.3배일 때 입자 수송에 대해 추가적으로 유리하다.

입자의 서로 달라붙는 것을 추가로 감소시키기 위해, 각도(β1)가 < 180°이고 그리고 특히 예각이고, 바람직하게는 18° 내지 80°, 특히 20° 내지 50°의 구역에 있을 때, 그리고/또는 상기 각도(β2)가 < 180°이고 그리고 특히 예각이고, 바람직하게는 8° 내지 40°, 특히 4° 내지 15°의 구역에 있을 때 유리하다.

가스 공급 라인, 하우징, 및 가스 배출 라인이 서로 위에 수직으로 배열될 때 산업적인 적용에 대해 공간-절약적이고 그리고 유리하다.

본 발명은 제한적인 것으로 이해되지 않아야 하는 바람직한 실시예들에서 예로써 아래에 예시된다.
도 1은 본 발명에 따른 배열체의 사시도를 도시하며, 도면의 우측 일부는 이송 또는 가소화 유닛, 바람직하게는 압출기에 연결되는 배열체의 일부를 도시하고, 여기에서, 좌측 상에 도시된 본 발명에 따른 배열체의 팬 부품은 선회가능하게 장착된다.
도 2는 도 3에 따른 배열체의 단면도(E-E)를 도시하며, 시야 방향은 배열체에 연결된 압출기의 방향이다.
도 3은 도 2에 따른 단면(B-B)을 도시한다.
도 4 및 도 5는 압출기 샤프트 또는 압출기의 천공된 판(perforated plate) 각각에 대한 배열체의 포지션에 관한 상이한 실시예들을 도시한다.
도 6 및 도 7은 다이어그램들을 도시한다.
도 8은 값(b)을 결정하기 위한 스케치를 도시한다.

본 발명에 따른 배열체는 임의의 이송 또는 가소화 유닛(27), 바람직하게는 압출기의 하류에 배열되거나 이에 연결되며, 유닛(27)은 단지 도 3에서 그의 단부 구역 또는 단부 부품과 함께 도시된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 단부 구역은 하우징(1)의 상자 형상 지지 부품(23)에 의해 수용되거나 이에 연결되고 그리고 하우징(1)으로 개방되는, 재료 유출구를 위한 천공된 판(4)으로 폐쇄된다. 유닛(27)의 이송 방향은 화살표(19)로 개략적으로 도시된다. 이러한 유닛은 또한 가소화된 그리고/또는 용융된 재료를 이송시키는 압력 라인에 의해 형성될 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 가스 공급 라인(2)과 가스 배출 라인(3) 사이에 하우징(1)이 놓이며, 하우징(1)의 전방 벽(17) 및 후방 벽(18)은 서로 평행하게 이어진다. 천공된 판(4)은 하우징(1) 내로 개방되며 그리고 스크레이퍼(6)의 구동 샤프트가 내부로 돌출된다. 스크레이퍼(6)의 구동 샤프트는 모터(28)에 의해 구동된다.

도 1에 도시된 바와 같이, 지지 부품(24)은 요망되는 바와 같이 설계될 수 있는 선회 베어링(25)에 의해 지지 부품(23) 상에 선회가능하게 장착되며, 이 선회 베어링은 모터(28) 및 구동 샤프트를 통해 모터(28)에 의해 구동되는 스크레이퍼(6)를 결국 지지한다. 스크레이퍼(6)는, 지지 부품(24)이 지지 부품(23) 상에서 스위블링될(swivelled) 때, 천공된 판(4)을 통해 나오는 재료를 긁어내기(scrape off) 위해 천공된 판(4)과 접촉하게 된다. 이러한 방식으로, 과립 입자들은, 동시에 가스 유동과 함께 멀리 전송되면서 하우징(1)에 형성된다.

지지 부품들(23, 24)을 위한 피봇 베어링(25)은 하우징(1) 내부에서 용이한 유지보수 작업을 허용하도록 또는 스크레이퍼(6) 및 천공된 판(4)에 대한 접근을 얻도록 제공된다.

지지 부품(23)은 그의 상부 구역에 유동의 방향으로 이어지는 4개의 에지들을 갖는 테이퍼링 튜브 또는 채널 형태 또는 직사각형 단면적의 가스 배출 라인(3)을 가지고 있으며, 이 가스 배출 라인은 둥근 단면으로 종료되는 벽 섹션들(21, 22)을 갖는 전이 부품(20)에 의해 인접해진다. 벽 섹션들(21, 22)은 가스 배출 라인(3)의 측벽 표면들(7 또는 10) 각각과 동일한 경사부를 각각 갖는다.

지지 부품(24)가 스위블링될 때, 지지 부품(24) 상에 위치되는 하우징(1)은 그의 상부 개방 단면(29)으로 이러한 개방 단면에 대해 구성되는 가스 배출 라인(3)의 단면적 아래에 놓이게 되어서, 가스는 팬(30)에 의해 가스 공급 라인(2)을 통해 아래로부터 하우징(1)으로 유동할 수 있고 그리고 하우징(1)을 통해 가스 배출 라인(3)으로 유도될 수 있으며, 가스는 천공된 판(4) 및 스크레이퍼(6)를 지나 유동한다. 천공된 판(4)은 하우징(1)의 전방 벽(17)의 개구(31) 앞에서 또는 이 개구 내로 밀착하게 개방된다. 천공된 판(4)은 또한, 하우징(1) 내로 돌출될 수 있다. 이러한 방식으로, 천공된 판(4)을 나가는 재료의 가닥들은 스크레이퍼(6)로부터 분리될 수 있고 그리고 가스 유동에 의해 직접적으로 운반될 수 있다.

하우징(1)으로 이어지는 가스 공급 라인(2)은 팬(30)에 연결된다. 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 천공된 판(4)의 평면에 대해 또는 단면 평면(E-E) 또는 하우징(1)의 전방 벽(17) 및 후방 벽(18)에 대해 수직으로 이어지는, 가스 공급 라인(2)의 측방향 벽 표면(8)은 서로에 대해 각도(α1)로 경사지며, 이 각도(α1)의 정점(S)은 이들 2개의 벽 표면들(8) 사이의 중심선 상에 또는 하우징(1)의 중심선(13) 상에 또는 하우징(1)의 대칭의 길이방향 축 상에 놓인다. 각도(α1)의 정점(S)은 팬(30)의 회전자의 축의 높이에 있을 수 있다.

2개의 벽 표면들(8)은 하우징(1)의 측벽들(9)에 의해 인접해지며, 이는 하류로 분기되고 그리고 내부로부터, 바람직하게는 적어도 부분적인 구역에 걸쳐 볼 때 약간 볼록하게 구부러진다. 하우징(1)의 하류 단부 구역에서, 하우징(1)은 측벽들(9) 사이에 연장부 또는 간격(b)을 갖는다. 가스 배출 라인(3)은 하우징(1)의 이 단부 구역에 인접하고, 가스 배출 라인의 측방향 벽 표면들(7)은 서로 각도(α2)를 포함하고, 가스 배출 라인의 정점은 하우징(1)의 하류에 놓인다. 각도(α1)가 각도(α2)보다 큰 것을 알 수 있다.

도 3은, 팬(30)에 인접한 가스 공급 라인(2)의 경우에, 단면 평면(E-E)에 수직인 평면에 대해 또는 천공된 판(4)의 평면에 대해 수직인 2개의 측벽 표면들(11)이 가스 배출 라인(3)의 2개의 측벽 표면들(10)에 의해 형성되는 각도(β2)보다 더 큰 각도(β1)를 포함하는 것을 도시하며, 2개의 측벽 표면들은 또한 이러한 평면(E-E)에 수직하다. 각도(β1)의 정점은 가스 배출 라인(2)의 하류, 바람직하게는 하우징(1)에 놓인다. 각도(β2)의 정점은 가스 배출 라인(3)의 상류에, 바람직하게는 하우징(1)의 상류에, 특히 가스 공급 라인(2)에서 또는 가스 공급 라인(2)의 상류에 놓인다.

작동 시, 팬(30)은 팬 모터(28)에 의해 구동되고 그리고 가스 공급 라인(2)을 통해 하우징(1)으로 가스 유동을 이송시키며, 이 가스 유동은 하우징(1)으로부터 천공된 판(4) 상의 스크레이퍼(6)에 의해 분리된 과립 입자들을 제거하고 그리고 과립 입자들을 가스 배출 라인(3)으로 운반한다. 과립들의 형태의 이러한 입자들, 소시지들(sausages) 또는 불규칙한 형태의 본체들은 가스 유동의 도움으로 고형화될 수 있다. 이러한 고형화는 열적 영향, 예컨대, 가스 유동의 냉각 또는 건조 효과에 의해, 또는 또한 가스 유동 자체에 의해 유도된 화학 반응들에 의해 발생할 수 있다.

가스 공급 라인(2) 및 가스 배출 라인(3)의 개개의 벽 표면들 사이의 각도들(α1, α2 및, 유리한 실시예에서, β1, β2)은 안전하고 신속하고 그리고, 가능하다면, 입자들의 충돌 및 증착-없는 수송에 대해 중요하다. 천공된 판(4) 하류로부터 하우징(1)의 확장 또는 확대뿐만 아니라 값들(b 및 d)은 또한 증착없는 입자 응집에 대해 유리하다.

그의 하류 단부 영역에서 하우징(1)의 단면 또는 단면적은 천공된 판(4)의 값(d) 특성에 대한 측방향 벽 표면들(9) 사이의 간격(b)을 나타낸다. 이 값(d)은, 과립화될 재료의 단면을 결정하는 오목부들(5)의 포지션, 형상 및 수에 의해 결정된다. 실제로 상이한 재료들에 대해 사용되는 천공된 판들(4)이 불규칙하게 분포되고 그리고/또는 동일하지 않게 크기가 정해지고 그리고/또는 동일하지 않게 성형되고 그리고/또는 상이한 수의 오목부들(5)을 가지기 때문에, 값(d)은 다음과 같은 방식으로 결정된다: 모든 기존 오목부들(5)에 대한 공통 표면 무게 중심(FS)이 결정된다. 더욱이, 공통 표면 무게 중심(FS)으로부터 개개의 오목부(5)의 표면 무게 중심(S)의 간격(A)은 각각의 오목부(5)에 대해 결정된다. 존재하는 모든 오목부들(5)에 대해 결정된 간격(A)에 대한 값들은 산술적으로 평균화된다. 그 후, 산술 평균의 이중 값은 값(d)에 대응한다. 도 8은 값(d)을 결정하기 위한 이 절차를 더 상세히 설명한다. 4개의 오목부들(5)은 천공된 판(4)에 배열되며, 각각의 오목부는 가상 직사각형의 모서리 지점들에 있다. 이 오목부들 각각은, 오목부들이 원형이기 때문에 그의 중심으로서 그의 표면 무게 중심(S)을 갖는다. 4개의 오목부들(5)의 공통 표면 무게 중심은 이 4개의 오목부들(5)의 중심에 놓이고 그리고 FS로 지정된다. 이 공통 표면 무게 중심(FS)과 개별 오목부들(5) 사이의 간격은 A로 지정된다. 간격(A)은 4개의 오목부들(5) 각각에 대해 동일해서, 산술 평균에 대해 형성될 합은 4 * A이다. 값(A)을 가지는 산술 평균을 결정한 후, 따라서, 결과 값은 d = 2 * A이다. 이러한 유형의 결정은 또한, 타원형 단면을 가지는 오목부들(5)에 대해 또는 원형 배열체들(5)에 대해 더 이상 고민하지 않고 사용될 수 있다. 불규칙하게 형성된 오목부들(5) 또는 상이한 형상들을 갖는 오목부들의 경우에, 각각의 오목부의 표면 무게 중심(S)이 결정되어야 하며 그리고 공통 표면 무게 중심(FS)은 개별 표면 무게 중심(S)의 합으로부터 결정될 수 있다.

도 4 및 도 5는 천공된 판들(4)을 도시하며, 천공된 판의 오목부들(5)은 정사각형의 모서리에 배열되고, 추가의 오목부들(5)은 이 정사각형의 대각선 교차점에 놓인다. 따라서, 값(d)은 이 정사각형의 대각선 길이이며, 정사각형의 모서리들에, 원형 오목부들(5)의 중심들 또는 표면 무게 중심들이 위치된다. 아래의 도 8은 오목부들(5)의 이러한 배열체를 보다 명확하게 도시한다.

도 1 및 도 2에 도시된 실시예에서, 공통 표면 무게 중심(FS)을 통과하고 그리고 천공된 판(4)의 평면에 수직인, 이송 또는 가소화 유닛(27)의 단부 부품의 축 또는 압출기 축 및 천공된 판(4)의 중심선(12)은 길이방향으로 이어지는, 하우징(1)의 중심선(13)과 교차한다. 그러나, 점착성 재료들에 대해, 천공된 판(4) 또는 그의 중심선(12)의 중심 이탈 오프셋(off-centre offset)이 이 중심선(13)에 대해 또는 이 중심선에 대해 측방향으로 발생할 때 유리한 것으로 판명될 수 있다. 특히 높은 점착성 재료들의 경우에, 분리된 입자들이 서로 충돌하거나 하우징(1)의 내부 벽 표면과 접촉하게 되고 그리고 서로 접착되거나 하우징(1) 상에 축적되고 그리고 통로를 막을 위험이 존재한다.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 천공된 판(4)의 중심선(12) 또는 이송 또는 가소화 유닛(27)의 축 또는 천공된 판(4)의 표면 무게 중심(FS)은 하우징(1)의 중심선(13)에 대한 양(c)만큼 측방향으로 오프셋될 때 유리한 것으로 판명되었다. 이 오프셋은 천공된 판(4)에 평행한 평면에서 유동 방향에 대해 수평으로 또는 횡방향으로 발생하고, 그리고, 필요한 경우, 수직으로 또는 유동 방향으로 또는 그 반대 방향으로 또한 발생할 수 있다.

최대 측방향 오프셋(c)은 d의 값에 따르며, 여기서 만일 c가 ≤ 2,5 * d이라면, 실제로 매우 유리한 것으로 판명되었다. c의 값은 재료 및 입자 크기에 따라 선택되고 그리고 조절가능하다.

상류에 또는 수직으로 하류에서, 값만큼 오프셋(a ≤ 2.2 * d)이 발생할 수 있다. 기껏해야, 이는, 도 5에서 볼 수 있는 바와 같이, 길이방향 중심선(13)에 대해, 예컨대, 각도(γ)로 경사진 오프셋 벡터를 초래한다.

측방향 오프셋은 유리하게는, 스크레이퍼(6)의 회전 방향 및 하우징(1)을 통한 가스 유동의 유동 방향이 동일한 방향인 방향에 있다.

바람직하게는, 이송 또는 가소화 유닛(27)의 축과 천공된 판(4)의 중심선(12)이 일치한다. 공통 표면 무게 중심(FS)은 유리하게는 이러한 축 또는 천공된 판(4)의 중심선(12) 상에 놓인다.

도 6은, 천공된 판(4)을 통해 나가고 그리고 하우징(1)에서 그리고 가스 배출 라인(3)에서 스크레이퍼(6)에 의해 분리되는 과립 입자들의 경로들을 도시한다. 입자들이 즉시 하류로 이송되거나 스크레이퍼에 의해 유발되는 상당히 짧은 이동 후에, 가스 유동의 유동 방향의 반대로의 가스 유동에 의해 운반되는 것을 볼 수 있다. 또한 대부분의 입자 경로가 파괴되지 않게, 즉 하우징의 내벽 또는 가스 라인의 내벽과의 충돌들 없이 이어지는 것을 볼 수 있다. 특히, 천공된 판(4) 상의 과립 입자들의 출구에 바로 인접하고 그리고 입자들의 건조에 중요한 구역에서, 매우 적은 입자 충돌들이 검출될 수 있다. 개별 분리된 과립 입자들은 독립적인 궤적들을 따르고 그리고 다른 과립 입자들과의 충돌들은 거의 존재하지 않는다.

도 7은 천공된 판(4)에 평행한 가스 배출 라인(3) 및 하우징(1)의 길이방향 단면적에 걸친 속도 프로파일을 도시한다. 입자들의 속도 프로파일이 외측으로부터 내측으로 급격히 증가하며, 그리고 특히 가스 유동의 중심 구역에서, 주변 구역들에 비해 현저하게 높은 유속이 존재하는 것을 알 수 있다. 이는, 특히 도 6을 고려할 때, 상당히 더 적은 입자들이 주변 구역들에서 수송되거나 전혀 수송되지 않지만, 오직 가스 유동의 중심 구역에서만 수송된다는 것을 의미한다. 따라서, 벽 충돌들이 크게 회피될 수 있다.

Claims (20)

1. 가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체로서,
   상기 배열체는 하우징(1) ─ 상기 하우징은, 직사각형 단면을 가지는 가스 공급 라인(2) 및 상기 가스 공급 라인(2) 반대편에서 상기 하우징(1)에 연결되고 그리고 직사각형 단면을 가지는 가스 공급 라인(3)을 가짐 ─ , 상기 하우징(1)에 적어도 부분적으로 위치되고 그리고 상기 하우징(1)으로 이송되거나 개방되는 이송 또는 가소화 유닛(feed or plasticising unit)(27), 바람직하게는 하우징(1)으로 이송하거나 개방되는 압출기(27)의 천공된 판(4)을 가지는 과립화 유닛(granulating unit), 및 상기 천공된 판(4)의 오목부들(5)을 통해 나오는 재료를 파쇄하거나 분리시키는 스크레이퍼(scraper)(6)를 포함하며,
   상기 천공된 판(4)의 평면 및/또는 상기 하우징(1)의 전방 벽(17)에 평행하게 연장되는 평면 또는 단면(E-E)에서, 이러한 평면에 수직인 상기 가스 배출 라인(3)의 2개의 측방향 벽 표면들(7)은 서로 각도(α2)를 포함하며, 그리고 이러한 평면에 수직인, 상기 가스 공급 라인(2)의 2개의 측방향 벽 표면들(8)은 각도(α1)를 포함하고, 상기 2개의 각도들(α1, α2)은 상기 하우징(1)을 향해 개방되며, 그리고 상기 각도(α1)는 상기 각도(α2)보다 더 큰 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 단면 평면(E-E)에서 또는 상기 천공된 판(4)의 평면에 평행한 평면에서, 상기 하우징(1)의 측벽들(9) ─ 상기 측벽들은 이들의 하류 단부 구역에서 이러한 평면에 수직임 ─ 의 간격, 및 상기 가스 배출 라인(3)의 측방향 벽 표면들(7)의 상호 간격 ─ 상기 측방향 표면들은 상기 상호 간격에 인접하고 그리고 마찬가지로 이러한 평면(E-E)에 수직임 ─ 은 10 * d ≥ b ≥ 4 * d, 바람직하게는 8 * d ≥ b ≥ 5 * d의 값(b)을 가지고, 상기 d의 값은 상기 천공된 판(4)에 존재하는 상기 모든 오목부들(5)에 대한 공통 표면 무게 중심(FS)을 결정하고, 상기 공통 표면 무게 중심(FS)으로부터 상기 개개의 오목부(5)의 상기 표면 무게 중심(S)의 간격을 각각의 오목부(5)에 대해 결정하고, 존재하는 상기 오목부들(5)에 대해 결정된 상기 간격 값들(A)을 산술적으로 평균화하고 그리고 상기 값(d)과 같은 상기 산술 평균의 값의 2배로 고정시킴으로써 계산되는 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
   상기 값(b)은 이들의 하류 단부 구역의 상기 하우징(1)의 측벽들(9)과 이들의 상류 단부 구역의 상기 가스 배출 라인(3)의 측방향 벽 표면들(7) 사이의 최대 상호 간격에 대응하는 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 평면(E-E)에 수직인 평면에 수직이거나 상기 천공된 판(4)의 평면에 수직인 평면에 각각 수직인, 상기 가스 배출 라인(3)의 2개의 측벽 표면들(10)은 서로와의 각도(β2)를 포함하며, 그리고 상기 평면(E-E)에 수직인 평면에 수직하게 또는 상기 천공된 판(4)에 수직인 평면에 수직하게 또한 연장되는 상기 가스 공급 라인(2)의 측벽 표면들(11) 각각은 서로와의 각도(β1)를 포함하며, 상기 2개의 각도들(β1, β2)은 상기 하우징(1)으로부터 멀어지게 개방되고 그리고 상기 각도(β1)는 상기 각도(β2)보다 더 큰 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 이송 또는 가소화 유닛(27), 바람직하게는 압출기의 중심축 및/또는 존재하는 모든 오목부들(5)의 공통 표면 무게 중심(FS), 상기 표면 무게 중심(FS)을 통해 이어지는 상기 천공된 판(4)의 중심선(12)은 각각 상기 하우징(1)의 측벽들(9)에 대해 중심에 놓이고 그리고/또는 상기 천공된 판(4)의 평면에 수직이고 그리고 상기 하우징(1)의 중심선(13)을 보유하는 상기 가스 공급 라인(2) 및/또는 상기 가스 배출 라인(3) 및/또는 상기 하우징(1)의 대칭 평면에 위치되는 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
6. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 이송 또는 가소화 유닛(27), 바람직하게는 상기 압출기의 중심축 및/또는 상기 존재하는 모든 오목부들(5)의 공통 표면 무게 중심(FS), 상기 공통 표면 무게 중심을 통해 이어지는 상기 천공된 판(4)의 중심선(12)은 각각 상기 하우징(1)의 중심선(13)에 대해 그리고/또는 상기 천공된 판(4)의 평면에 수직이고 그리고 상기 중심선(13)을 보유하는, 상기 가스 공급 라인(2) 및/또는 상기 가스 배출 라인(3)의 대칭 평면에 대해 그리고/또는 상기 하우징(1)의 측 표면들(9) 사이의 중심에 대해 측방향으로 오프셋되며,
   상기 측방향 오프셋은, 상기 스크레이퍼(6)의 회전 방향 및 상기 가스 유동의 방향(14)이 동일한 방향인 상기 하우징(1)의 구역에서 값(c)에 따르며, 이 때 c ≤ 2.5 * d인 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 이송 또는 가소화 유닛(27), 바람직하게는 상기 압출기의 중심축, 및/또는 상기 존재하는 모든 오목부들(5)의 공통 표면 무게 중심(FS), 상기 공통 표면 무게 중심을 통해 이어지는 상기 천공된 판(4)의 중심선(12)은 각각 상기 하우징(1)의 지점 또는 단면적 반대편에 위치결정되고, 여기서 ─ 유동 방향에서 보는 경우 ─ 상기 확대 하우징의 측벽들(9)은 상호 간격(b)을 취했으며, 간격(a)이 상류에 배열되고, 여기서 a ≤ 1.1 * d인 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
8. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 하우징(1)으로부터 상기 가스 배출 라인(3)까지의 전이 구역(15)에서, 상기 하우징(1) 및 상기 가스 배출 라인(3)은 동일한 직사각형 단면적(16)을 가지며, 보다 긴 직사각형 변의 길이는 값(b)을 가지는 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
9. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 가스 배출 라인(3)으로의 상기 전이 구역에서의 상기 하우징(1)의 단면적은, 상기 하우징으로부터 멀리 있는 그의 단부 구역에서 상기 가스 배출 라인(3)의 단면적보다 단지 5% 내지 20%, 바람직하게는 10% 내지 15% 더 크며, 그리고/또는
   상기 천공된 판(4)의 높이에서의 상기 하우징(1)의 단면적은 그의 상류 단부에서 또는 상기 팬(30)에 대한 그의 연결부에서 상기 가스 공급 라인(2)의 단면적보다 25% 내지 35% 더 크고, 그리고/또는
   상기 하우징(1)의 단면적은, 디퓨저(diffuser)를 형성하기 위해 상기 천공된 판(4)의 높이로부터 상기 가스 배출 라인(3)으로의 전이 구역까지 10% 내지 20%만큼 증가하는 것을 특징으로 하는,
   가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
10. 제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 천공된 판(4)에 평행한 상기 평면(E-E)에서, 상기 하우징(1)의 대향 측벽 표면들(9)은, 적어도 이들의 길이방향 범위의 부분적인 구역에 걸쳐, 상기 하우징(1)의 내부로부터 보이는 바와 같이, 상기 가스 공급 라인(2)으로부터 상기 가스 배출 라인(3)을 향해 발산하는 볼록하게 구부러진, 특히 연속적인 코스(course)를 가지는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
11. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하우징(1)의 전방 벽(17) 및 후방 벽(18)은 서로 평행하게 그리고/또는 상기 천공된 판(4)의 평면에 평행하게 정렬되는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
12. 제1 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스크레이퍼(6)는, 상기 하우징(1)의 후방 벽(18)으로부터, 상기 하우징의 전방 벽(17)의 구역에 위치되고 그리고 상기 이송 또는 가소화 유닛(27)의 단부 구역을 구성하는 상기 천공된 판(4)까지 상기 하우징(1)에서 이어지는 구동 샤프트(drive shaft)를 가지는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
13. 제1 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전이 부품(20)은 상기 가스 배출 라인(3)에 연결되며, 상기 전이 부품은 상기 가스 배출 라인(3)의 직사각형 단면을 둥근 또는 구부러진 원주를 갖는 단면으로 전이하고, 상기 전이 부품(20)은 하류에서 테이퍼링하는(tapering) 벽 섹션들(21, 22)을 가지며, 상기 벽 섹션들은 특히 상기 측방향 벽 표면들(7)에 또는 상기 가스 배출 라인(3)의 측벽 표면들(10)에 동일한 각도(α2) 또는 동일한 각도(β2)로 경사지게 연결되거나, 이들을 특히 삼각형들의 형태로 연장시키는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
14. 제1 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    각도들(α1, α2 및/또는 β1, β2)의 정점(S)은 상기 가스 공급 라인(2), 상기 하우징(1), 및 상기 가스 배출 라인(3)을 통해 상기 중심선(13) 또는 대칭의 길이방향 평면 상에 놓이는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
15. 제1 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각도(α2)는 상기 각도(α1)의 0.25배 내지 0.75배, 바람직하게는 0.4배 내지 0.6배인 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
16. 제1 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각도(α1)는 < 180°이고 그리고 바람직하게는 15° 내지 110°의 범위에 놓이고 그리고 특히 20° 내지 60°의 예각이며, 그리고/또는
    상기 각도(α2)는 < 180°이고 그리고 바람직하게는 예각이고, 바람직하게는 3.0° 내지 82.5°, 특히 6° 내지 36°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
17. 제1 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각도(β2)는 상기 각도(β1)의 0.12배 내지 0.45배, 바람직하게는 0.2배 내지 0.3배인 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
18. 제1 항 내지 제17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각도(β1)는 < 180°이고 그리고 특히 예각이고, 바람직하게는 18° 내지 80°, 특히 20° 내지 50°의 범위에 있으며, 그리고/또는
    상기 각도(β2)는 < 180°이고 그리고 특히 예각이고, 바람직하게는 8° 내지 40°, 특히 4° 내지 15°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
19. 제1 항 내지 제18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 라인(2), 상기 하우징(1) 및 상기 가스 배출 라인(3)은 서로 위에 수직으로 배열되는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.
20. 제1 항 내지 제19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 천공된 판(4)의 중심선(12) 및 상기 이송 또는 가소화 유닛(27)의 중심축이 일치하는 것을 특징으로 하는,
    가소화되거나 적어도 부분적으로 연화되거나 적어도 부분적으로 용융된 재료, 특히 중합체 재료를 과립화하기 위한 배열체.

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