KR20210150287A - 회전 기판 지지부 - Google Patents

회전 기판 지지부 Download PDF

Info

Publication number
KR20210150287A
KR20210150287A KR1020210068048A KR20210068048A KR20210150287A KR 20210150287 A KR20210150287 A KR 20210150287A KR 1020210068048 A KR1020210068048 A KR 1020210068048A KR 20210068048 A KR20210068048 A KR 20210068048A KR 20210150287 A KR20210150287 A KR 20210150287A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
reaction chamber
substrate support
motor
wire
Prior art date
Application number
KR1020210068048A
Other languages
English (en)
Inventor
유키히로 모리
Original Assignee
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. filed Critical 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
Publication of KR20210150287A publication Critical patent/KR20210150287A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20214—Rotation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판을 처리하기 위한 장치는, 반응 챔버, 반응 챔버 내에 배치되고 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 구비하는 기판 지지부, 및 회전 운동을 제공하는 모터를 포함할 수 있되, 모터는 반응 챔버와 기판 지지부 사이에서 지지 표면에 수직인 축 주위로 양방향 회전 운동을 생성하도록 제어되고 구성된다.

Description

기판 지지대를 회전시키는 방법 {Rotating substrate support}
본 개시는 일반적으로 기판 처리 장치 및 특히 기판 지지부에 관한 것으로, 이는 기판 상에서 반응 챔버 내의 표면에 걸쳐 보다 균일한 공정을 용이하게 한다.
집적 회로는 화학 기상 증착(CVD), 원자층 증착(ALD), 플라즈마 강화 CVD(PECVD), 및 플라즈마 강화 ALD(PEALD)를 포함하는 다양한 기술에 의해 증착된 재료의 다수의 층을 포함한다. 이와 같이, 반도체 기판 상에 재료를 증착하는 것은 집적 회로를 제조하는 공정에서 중요한 단계이다. 기판의 표면 상에서 균일한 처리를 수행하는 것이 중요하지만, 처리 결과는 종종 다양한 이유로 변한다.
도 1은, PECVD 장치를 이용해 막의 증착 및 기판 위에 막 두께 분포의 결과를 나타낸다. 막 두께의 변화는, 예를 들어 온도 분포, 가스 배기 방향, 및/또는 전극의 평행 편차로 인한 전기장 세기의 불균일성 등의 다양한 이유로 인해, 약 170 nm의 층 상에서 약 17 nm의 범위에서 발생할 수 있다.
이러한 문제를 완화시키기 위해, 회전 기판 지지부가 적용될 수 있다. 그러나, 이러한 회전 기판 지지부를 설계하는 것이 어려울 수 있다.
이 부분에서 진술된 문제점 및 해결책에 대한 임의의 논의를 포함하여 모든 논의는 단지 본 개시에 대한 맥락을 제공하는 목적으로 본 개시에 포함되었고, 그 논의의 일부 또는 전부가 본 발명이 이루어진 당시에 알려졌거나 달리 종래 기술을 구성하고 있음을 인정하는 것으로 받아들여져서는 안 된다.
본 발명의 내용은 선정된 개념을 단순화된 형태로 소개하기 위해 제공된다. 이들 개념은 하기의 본 발명의 예시적 구현예의 상세한 설명에 더 상세하게 기재되어 있다. 본 발명의 내용은 청구된 요지의 주된 특징 또는 필수적인 특징을 구분하려는 의도가 아니며 청구된 요지의 범주를 제한하기 위해 사용하려는 의도 또한 아니다.
또 다른 구현예에서, 기판을 처리하기 위한 장치가 제공된다. 본원에 개시된 장치는, 예를 들어 기판 상에 더 균일한 재료 증착 및/또는 기판의 처리를 달성하기 위해, 기판 상에 조절 가능한 재료 증착 및/또는 기판의 처리를 허용할 수 있다.
다양한 구현예에서, 기판을 처리하기 위한 장치는 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내에 배치되고 상기 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 구비하는 기판 지지부, 및 회전 운동을 제공하는 모터를 포함할 수 있되, 상기 모터는 상기 반응 챔버와 상기 기판 지지부 사이에서 상기 지지 표면에 수직인 축 주위로 양방향 회전 운동을 생성하도록 제어되고 구성된다. 다양한 구현예에서, 모터는 n회(n=1,2,3,...) 회전 운동을 생성하도록 제어되고 구성될 수 있다. 다양한 구현예에서, n은 1일 수 있다. 다양한 구현예에서, 모터는, 회전 운동이 n회(n=1,2,3,...)에 도달하는 경우에 회전 방향을 변경하도록 제어되고 구성될 수 있다. 다양한 구현예에서, 모터는, 회전 운동이 n회(n=1,2,3,...)에 도달하는 경우에, 제1 회전 방향에서 제2 회전 방향으로 또는 그 반대로 회전 방향을 변경하도록 제어되고 구성될 수 있다.
다양한 구현예에서, 장치는, 모터에 의해 생성된 양방향 회전 운동을 제어하기 위해, 모터에 작동 가능하게 연결된 제어기를 추가로 포함할 수 있다. 다양한 구현예에서, 장치는, 반응 챔버와 기판 지지부 사이의 회전 각도를 측정하기 위해, 제어기에 작동 가능하게 연결된 회전 각도 측정 장치를 추가로 포함할 수 있다.
다양한 구현예에서, 기판 지지부는 전기 장치를 구비할 수 있고, 상기 전기 장치는 상기 장치 내의 스테이션에 와이어로 연결될 수 있고, 상기 와이어는 상기 반응 챔버와 상기 기판 지지부 사이에서 n회(n=1,2,3,..)에 걸쳐 회전 운동을 허용하도록 구성되고 배열될 수 있다. 다양한 구현예에서, 전기 장치는 플라즈마 발생기의 전극일 수 있고, 와이어는 RF 와이어일 수 있다. 다양한 구현예에서, 전기 장치는 온도를 측정하기 위한 온도 센서(예, 열전대)일 수 있고, 와이어는 온도 신호 와이어일 수 있다. 다양한 구현예에서, 전기 장치는 기판을 가열하기 위한 히터일 수 있고, 와이어는 히터용 전력 와이어일 수 있다. 다양한 구현예에서, 와이어는, 반응 챔버와 기판 지지부 사이에서 n회(n=1,2,3,...)에 걸쳐 회전 운동을 허용하도록, 감긴 코드를 포함할 수 있다.
다양한 구현예에서, 기판 지지부는 회전 가능한 샤프트에 연결될 수 있고, 모터는 샤프트를 회전시킬 수 있다. 다양한 구현예에서, 회전 가능한 샤프트는 반응 챔버의 벽 내의 구멍을 통해 돌출할 수 있고, 모터는 반응 챔버 외부에 위치할 수 있고, 밀폐 아암은 반응 챔버를 밀폐하기 위해 회전 샤프트 주위에 제공될 수 있다. 다양한 구현예에서, 기판 지지부는 샤프트 상에 지지될 수 있다.
다양한 구현예에서, 기판 지지부에 의해 지지되는 기판 상에 막을 형성하기 위한 방법은, 반응 챔버 내에 기판을 제공하는 단계, 가스를 기판에 공급하는 단계, 기판 지지부를 제1 회전 방향으로 n회(n=1,2,3,...) 회전시키는 단계, 기판 지지부를 제2 반대 회전 방향으로 n회(n=1,2,3,...) 회전시키는 단계, 및 가스를 기판에 공급하기 위해 정지하는 단계를 포함한다. 다양한 구현예에서, 막을 형성하는 단계는, 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 수행될 수 있다.
다양한 구현예에서, 기판을 처리하기 위한 장치를 제어하는 방법으로서, 상기 장치는, 반응 챔버, 상기 기판을 지지하기 위해 상기 반응 챔버 내에 배치되는 기판 지지부, 및 상기 기판 지지부와 상기 반응 챔버 사이에 회전을 제공하는 모터를 포함하되, 상기 장치를 제어하는 단계는, 제1 회전 방향으로의 회전 횟수가 제2 반대 회전 방향으로의 회전 횟수와 실질적으로 동일함을 제어하는 단계를 포함한다.
본 발명은 개시된 임의의 특정 구현예(들)에 제한되지 않으며, 이들 및 다른 구현예는 첨부된 도면을 참조하는 특정 구현예의 다음의 상세한 설명으로부터 당업자에게 쉽게 분명해질 것이다.
다음의 예시적인 도면과 연관하여 고려되는 경우에 발명의 상세한 설명 및 청구범위를 참조함으로써, 본 개시의 예시적인 구현예에 대해 더욱 완전한 이해를 얻을 수 있다.
도 1은, PECVD 장치를 이용한 막의 증착 및 막 두께 분포의 결과를 나타낸다.
도 2는 반응기 장치 예시의 개략도이다.
도 3은 감긴 코드 예시의 개략도이다.
도 4a는 회전 기판 지지부를 갖는 종래의 반응 챔버의 개략도이다.
도 4b는 회전 기판 지지부를 갖는 예시적인 반응 챔버의 개략도이다.
도 5는 본 개시의 예시적 구현예에 따른 시간 순서 다이어그램을 나타낸다.
도면의 요소는 간략하고 명료하게 도시되어 있으며, 반드시 축적대로 도시되지 않았음을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 개시에서 예시된 구현예의 이해를 돕기 위해 도면 중 일부 구성 요소의 치수는 다른 구성 요소에 비해 과장될 수 있다.
특정 구현예 및 실시예가 아래에 개시되었지만, 당업자는 본 개시가 구체적으로 개시된 구현예 및/또는 본 개시의 용도 및 이들의 명백한 변형물 및 균등물을 넘어 확장된다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 범주는 본원에 설명된 특정 구현예에 의해 제한되지 않도록 의도된다.
본원에 제시된 예시는 임의의 특정한 재료, 장치, 구조, 또는 소자의 실제 뷰를 의도하려 하는 것은 아니며, 단지 본 개시의 구현예를 설명하기 위해 사용되는 표현이다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "기판"은, 사용될 수 있는, 또는 그 위에 소자, 회로, 또는 막이 형성될 수 있는, 임의의 하부 재료 또는 재료들을 지칭할 수 있다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "원자층 증착"(ALD)은 기상 증착 공정을 지칭할 수 있고, 여기서 증착 사이클은, 바람직하게는 복수의 연속 증착 사이클은 공정 챔버에서 수행된다. 일반적으로, 각각의 사이클 중에 전구체는 증착 표면(예, 기판 표면, 또는 이전 ALD 사이클로부터의 물질과 같은 이전에 증착된 하부 표면)에 화학 흡착되고, 추가적인 전구체와 쉽게 반응하지 않는(즉, 자기 제한적 반응) 단층 또는 서브 단층을 형성한다. 그 후 필요한 경우, 증착 표면 상에서 화학 흡착된 전구체를 원하는 재료로 전환시키는 용도로, 반응물(예를 들어, 다른 전구체 또는 반응 가스)이 후속해서 공정 챔버에 유입될 수 있다. 일반적으로, 이러한 반응물은 전구체와 더 반응할 수 있다. 각각의 사이클 중에 공정 챔버로부터 과잉의 전구체를 제거하고/하거나, 화학 흡착된 전구체의 변환 후 공정 챔버로부터 과잉의 반응물 및/또는 반응 부산물을 제거하기 위해 퍼지 단계들이 더 활용될 수도 있다. 추가로, 본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "원자층 증착"은 전구체 조성물(들), 반응 가스, 및 퍼지(예, 불활성 캐리어) 가스의 교번 펄스로 수행되는 경우, "화학 기상 원자층 증착", "원자층 에피택시" (ALE), 분자 빔 에피택시(MBE), 가스 공급원 MBE, 또는 유기금속 MBE, 및 화학적 빔 에피택시와 같은 관련 용어들에 의해 지정된 공정을 포함하는 것을 또한 의미한다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "화학 기상 증착(CVD)"은 원하는 증착을 생성시키기 위해 기판의 표면 상에서 반응 및/또는 분해되는 하나 이상의 휘발성 전구체에 기판이 노출되는 임의의 공정을 지칭할 수 있다.
본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "막" 및 "박막"은 본원에 개시된 방법에 의해 증착된 임의의 연속적인 또는 비연속적인 구조 및 재료를 지칭할 수 있다. 예를 들어, "막" 및 "박막"은 2D 재료, 나노막대, 나노튜브, 또는 나노입자 또는 심지어는 부분 또는 전체 분자층 또는 부분 또는 전체 원자층 또는 원자 및/또는 분자 클러스터를 포함할 수 있다. "막" 및 "박막"은 핀홀을 포함하는 재료 또는 층을 포함할 수 있지만, 여전히 적어도 부분적으로 연속적일 수 있다.
ALD, CVD 및/또는 기타에 사용되는 반응기 장치는, 기판 표면 상에 재료를 증착 및 에칭하는 것을 포함하는 다양한 응용에 사용될 수 있다. 도 2를 참조하면, 반응기 장치(50)는 반응 챔버(4), 및 반응 챔버(4) 내에 배치된 기판 지지부(5)(서셉터)를 포함할 수 있다. 기판 지지부(5)는, 기판을 지지하기 위한 지지 표면(6)을 구비할 수 있다. 모터(8)는 회전 운동을 제공할 수 있으며, 모터(8)는 반응 챔버(4)와 기판 지지부(5) 사이에서 지지 표면(6)에 수직인 축 주위로 양방향 회전 운동을 생성하도록 제어되고 구성된다.
모터(8)는 n회(n=1,2,3,...) 회전 운동을 생성하도록 제어되고 구성될 수 있다. 모터(8)는, 회전 운동이 n회(n=1,2,3,...)에 도달하는 경우에 회전 방향을 변경하도록 제어되고 구성될 수 있다. 모터(5)는, 회전 운동이 n회(n=1,2,3,...)에 도달하는 경우에, 제1 회전 방향에서 제2 회전 방향으로 또는 그 반대로 회전 방향을 변경하도록 제어되고 구성될 수 있다.
장치(50)는, 모터(8)에 의해 생성된 양방향 회전 운동을 제어하기 위해, 모터(8)에 작동 가능하게 연결된 제어기(130)를 추가로 포함할 수 있다. 장치(50)는, 반응 챔버(4)와 기판 지지부(5) 사이의 회전 각도를 측정하기 위해, 제어기(130)에 작동 가능하게 연결된 인코더와 같은 회전 각도 측정 장치(70)를 추가로 포함할 수 있다.
기판 지지부(5)는 전기 장치를 구비할 수 있고, 전기 장치는 장치(50) 내의 스테이션에 와이어로 연결될 수 있고, 상기 와이어는 반응 챔버(4)와 기판 지지부(5) 사이에서 n회(n=1,2,3,..)에 걸쳐 회전 운동을 허용하도록 구성되고 배열된다. 전기 장치는, 플라즈마 발생기의 전극(80)일 수 있고, 와이어는 RF 와이어(12)이다. 전기 장치는 온도를 측정하기 위한 온도 센서(예, 열전대)일 수 있고, 와이어는 온도 신호 와이어(15)일 수 있다. 전기 장치는 기판을 가열하기 위한 히터(9)일 수 있고, 와이어는 히터(9)용 전력 와이어(17)일 수 있다.
도 3을 참조하면, 와이어는, 반응 챔버(4)와 기판 지지부(5) 사이에서 n회(n=1,2,3,...)에 걸쳐 회전 운동을 허용하도록, 감긴 코드를 포함할 수 있다.
기판 지지부(5)는 회전 가능한 샤프트(7)에 연결될 수 있고, 모터(8)는 샤프트(7)를 회전시킨다. 회전 가능한 샤프트(7)는 반응 챔버(4)의 벽 내의 구멍을 통해 돌출할 수 있고, 모터(8)는 반응 챔버(4) 외부에 위치될 수 있고, 자기력 밀폐부(48)는 반응 챔버(4)를 밀폐하기 위해 회전 가능한 샤프트(7) 주위에 제공될 수 있다.
기판 지지부(5)는 또한, 모터(8)에 연결된 툴 프레임(40)을 포함할 수 있다. 플랜지(42)는 볼트(44)에 의해 프레임(40)에 연결될 수 있다. 플랜지(42)는, 베어링(46)과 같은 적절한 수단에 의해 회전 가능한 샤프트(7)에 이동 가능하게 결합될 수 있다. 벨로우즈(49)는 반응 챔버(4)의 바닥과 자기 밀폐부(48) 사이에 결합된다.
반응 챔버(4)는 하나 이상의 기판을 처리하도록 구성될 수 있는 반응 공간(즉, 상부 챔버) 및/또는 하부 챔버 공간(114)(즉, 하부 챔버)을 포함할 수 있다. 하부 챔버 공간(114)은, 반응 챔버로부터 기판의 로딩 및 언로딩을 위해 구성될 수 있다.
반응 공간(112) 및 하부 챔버 공간(114)은 기판 지지부(5)에 의해 분리될 수 있다. 반응 공간(112) 및 하부 챔버 공간(114)은 실질적으로 서로 유체 분리되거나 격리될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(5)는, 기판 지지부(5)의 기판 지지부 외부 에지에 근접하여 배치된 반응 챔버(4)의 챔버 측벽(111)과 기판 지지부(6) 사이에 (즉, 적어도 유체 흐름을 제한한) 적어도 부분적인 밀폐부를 생성함으로써, 반응 공간(112) 및 하부 챔버 공간(114)을 유체적으로 분리할 수 있다.
기판 및 기판 지지부(5)는 서로에 대해 이동 가능할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 리프트 핀(미도시)은 기판을 기판 지지부(5)로부터 분리시킬 수 있고, 기판을 기판 지지부(5)와 접촉하여 (즉, 지지되어) 배치시킬 수 있도록 구성될 수 있다. 기판 지지부(5)는, 기판 지지부(5)가 기판에 대해 상대적으로 이동하도록, 예를 들어 기판 지지부 엘리베이터를 통해 상하 이동할 수 있다. 다양한 구현예에서, 리프트 핀은, 기판이 기판 지지부(5)에 대해 이동하도록, 예를 들어 리프트 핀 엘리베이터/플랫폼을 통해 상하 이동할 수 있다. 기판 지지부(5) 및/또는 리프트 핀은 다른 하나가 이동하는 동안 정지할 수 있다. 기판 지지부(5) 및/또는 리프트 핀은 다른 것에 대해 이동하도록 구성될 수 있다.
(예를 들어, PEALD, PECVD 및/또는 기타의) 기판 처리 동안에, 전자가 분배 시스템(예, 샤워헤드)으로부터 기판 지지부(5)로 이동함에 따라, 전기장이 기판 지지부(5) 및 지지 표면(6) 주위에 형성될 수 있다. 기판 지지부(5) 또는 지지 표면(6)의 상이한 부분 주위의 전기장은 상이할 수 있어서, 상이한 근접 전기장에 대응하는 기판의 상이한 부분에 대해 상이한 처리 결과를 초래한다. 또한, 온도 분포 및 가스 배기 방향이 상이하여, 상이한 처리 결과를 초래할 수 있다.
도 4 및 도 5를 추가로 참조하면, 반응 챔버에서 기판을 처리하기 위한 방법이 나타나 있다. 본 개시의 구현예는 PEALD, PECVD, 금속유기 화학 기상 증착(MOCVD), 분자 빔 에피탁시(MBE) 및 물리 기상 증착(PVD)을 포함하나 이에 제한되지 않는 다수의 증착 공정을 위해 구성된 반응 챔버에서 활용될 수 있음을 이해해야 한다. 본 개시의 구현예는 반응성 전구체로 기판을 처리하도록 구성된 반응 챔버에서 활용될 수도 있으며, 예를 들어 반응성 이온 에칭(RIE), 유도 결합 플라즈마 에칭(ICP) 및 전자 싸이클로트론 공명 에칭(ECR)과 같은 에칭 공정을 포함할 수도 있다.
와이어의 엉킴 및 처리 결과의 차이를 피하기 위해, 모터(8)는, 소정의 각도, 바람직하게는 약 180도 내에서 양방향 회전 운동을 생성하도록 제어되고 구성될 수 있다. 도 5는 예시적인 방법을 나타낸다. 방법은, 반응 챔버(4) 내에 기판을 제공하는 단계, 가스를 기판에 공급하는 단계, 기판 지지부(5)를 제1 회전 방향으로 n회(n=1,2,3,...) 회전시키는 단계, 기판 지지부(5)를 제2 반대 회전 방향으로 n회(n=1,2,3,...) 회전시키는 단계, 및 가스를 기판에 공급하기 위해 정지하는 단계를 포함한다.
반응 챔버(4) 내에 기판을 제공하는 단계(102) 동안에, 기판은 반응 챔버(4) 내에 제공된다. 반응 챔버(4)는 PEALD 반응기 또는 PECVD 반응기와 같은 주기적 증착 반응기의 일부를 형성할 수 있다. 본원에 설명된 방법의 다양한 단계는 단일 반응 챔버 내에 수행될 수 있거나 클러스터 툴의 반응 챔버와 같은 다수의 반응 챔버 내에서 수행될 수 있다.
단계(104) 동안에, 가스가 반응 챔버(4)로 공급된다. 가스는 정상 온도 및 압력에서 가스, 증기화된 고체 및/또는 증기화된 액체인 재료를 지칭할 수 있으며, 맥락에 따라 단일 가스 또는 가스 혼합물로 구성될 수 있다. 가스는 공정 가스일 수 있고, 즉 샤워헤드, 다른 가스 분배 장치 등과 같은 가스 분배 어셈블리를 통과하여 유입된 가스가 사용될 수 있다.
단계(106) 동안에, 기판 지지부(5)는 초기 위치에서 180도로 회전한다. 회전은 막 두께의 균일성을 개선하기 위해 점진적으로 또는 주기적으로, 바람직하게는 점진적으로 이루어질 수 있다. 단계(108) 동안에, 기판 지지부(5)는 180도에서 -180도로 역회전한다. 단계(110) 동안에, 기판 지지부(5)는 -180도에서 초기 위치로 역회전한다. 단계(112) 동안에, 가스가 정지되고 프로세스가 완료된다.
따라서, 양방향 회전 운동은 막 두께 불균일성을 개선, 즉 감소시킬 수 있다. 또한, 도 4에 나타낸 바와 같이, 전기 와이어는 회전으로 인해 손상되지 않을 수 있다.
위에 설명된 본 개시의 예시적 구현예는 본 발명의 범주를 제한하지 않는데, 그 이유는 이들 구현예는 본 발명의 구현예의 예시일 뿐이기 때문이다. 임의의 균등한 구현예는 본 발명의 범주 내에 있도록 의도된다. 확실하게, 본원에 나타내고 설명된 것 외에도, 설명된 요소의 대안적인 유용한 조합과 같은 본 발명의 다양한 변경은 설명으로부터 당업자에게 분명할 수 있다. 이러한 변경 및 구현예도 첨부된 청구범위의 범주 내에 있는 것으로 의도된다.

Claims (18)

  1. 기판을 처리하기 위한 장치로서,
    반응 챔버;
    상기 반응 챔버 내에 배치되고 상기 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 구비하는 기판 지지부; 및
    회전 운동을 제공하는 모터로서, 상기 모터는 상기 반응 챔버와 상기 기판 지지부 사이에서 상기 지지 표면에 수직인 축 주위로 양방향 회전 운동을 생성하도록 제어되고 구성되는, 모터를 포함하는, 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 모터는 n회(n=1,2,3,...) 회전 운동을 생성하도록 제어되고 구성되는, 장치.
  3. 제2항에 있어서, n은 1인, 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 모터는, 회전 운동이 n회(n=1,2,3,...)에 도달하는 경우에 회전 방향을 변경하도록 제어되고 구성되는, 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 모터는, 회전 운동이 n회(n=1,2,3,...)에 도달하는 경우에, 제1 회전 방향에서 제2 회전 방향으로 또는 그 반대로 회전 방향을 변경하도록 제어되고 구성되는, 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 장치는, 상기 모터에 의해 생성된 양방향 회전 운동을 제어하기 위해, 상기 모터에 작동 가능하게 연결된 제어기를 포함하는, 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 장치는 상기 반응 챔버와 상기 기판 지지부 사이의 회전 각도를 측정하기 위해, 상기 제어기에 작동 가능하게 연결된 회전 각도 측정 장치를 포함하는, 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지부는 전기 장치를 구비하고, 상기 전기 장치는 상기 장치 내의 스테이션에 와이어로 연결되고, 상기 와이어는 상기 반응 챔버와 상기 기판 지지부 사이에서 n회(n=1,2,3,..)에 걸쳐 회전 운동을 허용하도록 구성되고 배열되는, 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전기 장치는, 플라즈마 발생기의 전극이고, 상기 와이어는 RF 와이어인, 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 전기 장치는 온도를 측정하기 위한 온도 센서이고, 상기 와이어는 온도 신호 와이어인, 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 전기 장치는 상기 기판을 가열하기 위한 히터이고, 상기 와이어는 상기 히터용 전력 와이어인, 장치.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 와이어는, 상기 반응 챔버와 상기 기판 지지부 사이에서 n회(n=1,2,3,...)에 걸쳐 회전 운동을 허용하도록, 감긴 코드를 포함하는, 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지부는 회전 가능한 샤프트에 연결되고, 상기 모터는 상기 샤프트를 회전시키는, 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 회전 가능한 샤프트는 상기 반응 챔버의 벽 내의 구멍을 통해 돌출하고, 상기 모터는 상기 반응 챔버 외부에 위치할 수 있고, 밀폐부는 상기 반응 챔버를 밀폐하기 위해 상기 회전 가능한 샤프트 주위에 제공되는, 장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 기판 지지부는 상기 샤프트 상에 지지되는, 장치.
  16. 기판 지지부에 의해 지지되는 기판 상에 막을 형성하는 방법으로서,
    기판을 반응 챔버 내에 제공하는 단계;
    가스를 상기 기판에 공급하는 단계;
    상기 기판 지지부를 제1 회전 방향으로 n회(n=1,2,3,..) 회전시키는 단계;
    상기 기판 지지부를 제2 반대 회전 방향으로 n회(n=1,2,3,..) 회전시키는 단계; 및
    상기 가스를 상기 기판에 공급하기 위해 정지시키는 단계를 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 막을 형성하는 단계는, 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD) 또는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 수행되는, 방법.
  18. 기판을 처리하기 위한 장치를 제어하는 방법으로서, 상기 장치는, 반응 챔버; 상기 기판을 지지하기 위해 상기 반응 챔버 내에 배치되는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부와 상기 반응 챔버 사이에 회전을 제공하는 모터를 포함하되, 상기 장치를 제어하는 단계는, 제1 회전 방향으로의 회전 횟수가 제2 반대 회전 방향으로의 회전 횟수와 실질적으로 동일함을 제어하는 단계를 포함하는, 방법.
KR1020210068048A 2020-06-02 2021-05-27 회전 기판 지지부 KR20210150287A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063033743P 2020-06-02 2020-06-02
US63/033,743 2020-06-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210150287A true KR20210150287A (ko) 2021-12-10

Family

ID=78704814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210068048A KR20210150287A (ko) 2020-06-02 2021-05-27 회전 기판 지지부

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210375598A1 (ko)
JP (1) JP2021188137A (ko)
KR (1) KR20210150287A (ko)
CN (1) CN113755824A (ko)
TW (1) TW202212620A (ko)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8422127B2 (en) * 2005-03-17 2013-04-16 Hamamatsu Photonics K.K. Microscopic image capturing device
JP5693438B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
TWI765936B (zh) * 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Ｆｓｉ股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
JP6917147B2 (ja) * 2017-01-27 2021-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20200090978A1 (en) * 2017-10-27 2020-03-19 Applied Materials, Inc. Methods Of Operating A Spatial Deposition Tool
KR102309660B1 (ko) * 2019-11-21 2021-10-07 주식회사 유진테크 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20210375598A1 (en) 2021-12-02
JP2021188137A (ja) 2021-12-13
CN113755824A (zh) 2021-12-07
TW202212620A (zh) 2022-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230052239A1 (en) Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
TWI797232B (zh) 於反應腔室內藉由循環沉積製程於基板上沉積材料膜之方法及相關裝置結構
KR101610773B1 (ko) 박막 형성 방법 및 이의 제조 장치
KR101803768B1 (ko) 회전형 세미 배치 ald 장치 및 프로세스
KR101425253B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR101324367B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
US9023738B2 (en) Film deposition method
US8043432B2 (en) Atomic layer deposition systems and methods
US9601318B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2012195513A (ja) プラズマ処理装置
KR20150001640A (ko) 성막 방법, 기억 매체 및 성막 장치
KR101989657B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20180135178A1 (en) Film deposition apparatus and film deposition method
KR20220052996A (ko) 금속 증착
JP2020534692A (ja) 高アスペクト比堆積
KR20210150287A (ko) 회전 기판 지지부
KR20170091027A (ko) 성막 방법
US20200149164A1 (en) Thermal metal chemical vapor deposition apparatus and process
US20220301829A1 (en) Temperature controlled reaction chamber
KR101513541B1 (ko) 금속 질화막 형성 방법 및 이의 제조 장치
US20240150898A1 (en) Chamber liner for substrate processing apparatus
US10662522B1 (en) Thermal metal chemical vapor deposition process
KR102413572B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20230032934A (ko) 반응기 시스템용 배플
JP2023081328A (ja) 処理アセンブリ、チャンバー、および方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination