KR20210143648A - An apparatus for detecting internal defects in an electronic component and method thereof - Google Patents

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KR20210143648A
KR20210143648A KR1020210028098A KR20210028098A KR20210143648A KR 20210143648 A KR20210143648 A KR 20210143648A KR 1020210028098 A KR1020210028098 A KR 1020210028098A KR 20210028098 A KR20210028098 A KR 20210028098A KR 20210143648 A KR20210143648 A KR 20210143648A
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치 쿠앙 텡
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엠아이 이큅먼트 (엠) 에스디엔. 비에이치디.
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Abstract

The present invention relates to an apparatus (1) and a method (2) for detecting internal defects in an electronic component, which comprises: an imaging unit (102) facing a first surface (106) of the electronic component (101), wherein the first surface (106) includes a bump side surface of the electronic component (101); and at least one infrared (IR) light source (103, 105) capable of lighting an internal crack (108), such as a fine crack or an inner crack of the electronic component (101) caused by a laser grooving processing process. The IR light source (103, 105) and the electronic component (101) are inclined at 0 to 90 degrees based on each of the horizontal planes (LSHP, ECHP). According to the present invention, an image of the inner defect can be captured with minimized noise.

Description

전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 그 방법{AN APPARATUS FOR DETECTING INTERNAL DEFECTS IN AN ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD THEREOF}Apparatus and method for detecting internal defects of electronic components

본 발명은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로서, 이는 상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하는 이미징 유닛으로서, 상기 제 1 표면은 상기 전자 부품의 범프 측면을 포함하는 이미징 유닛; 레이저 홈 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품의 내부 균열, 예를 들어 미세 균열 또는 안족 결함을 조명할 수 있는 적어도 하나의 적외선(IR) 광원을 포함하고, 상기 IR 광원 및 상기 전자 부품은 각각의 수평면을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다.The present invention relates to an apparatus and method for detecting internal defects of an electronic component, comprising: an imaging unit facing a first surface of the electronic component, the first surface comprising a bump side of the electronic component; at least one infrared (IR) light source capable of illuminating internal cracks, such as microcracks or eye defects, of the electronic component caused by a laser grooving process, wherein the IR light source and the electronic component are disposed in respective horizontal planes It is inclined at an angle of 0° to 90° with respect to .

웨이퍼 다이싱은 반도체 집적 회로(IC) 제조 현장의 핵심 공정이며, 개별 반도체 다이를 웨이퍼로부터 분리하는 소잉 공정으로서, 소잉 공정은 기계식 소잉 공정 또는 레이저 그루빙 가공 공정을 통해 수행될 수 있다. 레이저 그루빙은 블레이드를 사용하는 기존의 기계식 소잉 공정에 비해 가장 최근에 개발된 최첨단 기술이라는 것은 잘 알려져 있다. 그럼에도 불구하고, 레이저 그루빙 공정은 반도체 다이의 미세 균열 또는 내부 균열을 초래하고, 낮은 처리량 공정을 야기한다. 반도체 다이의 측벽 적외선(IR) 검사는 레이저 그루빙 가공으로 인해 야기되는 내부 결함을 검사할 수 없는 한편, IR 표면 검사는 배경과 결함 간의 그레이 값 차이로 인해 어려움에 직면하게 된다.Wafer dicing is a core process in a semiconductor integrated circuit (IC) manufacturing site, and as a sawing process for separating individual semiconductor dies from a wafer, the sawing process may be performed through a mechanical sawing process or a laser grooving process. It is well known that laser grooving is the newest and most advanced technology compared to the traditional mechanical sawing process using blades. Nevertheless, the laser grooving process results in microcracks or internal cracks in the semiconductor die, resulting in a low throughput process. While sidewall infrared (IR) inspection of semiconductor die cannot inspect internal defects caused by laser grooving, IR surface inspection faces difficulties due to the gray value difference between the background and the defect.

김경범(KR 101234603 B1)은 라만 산란을 이용한 표면 결함 검사 장치를 개시했다. 피검체 표면 결함 검사 장치는 피검체가 안착되는 안착부; 라만 레이저 광을 피검체에 조사하는 광원부; 피검체에 의해 산란된 산란광을 검출하는 광 검출기; 및 광 검출기에 전기적으로 연결되고 검출된 산란광으로부터 라만 스펙트럼 및 라만 시프트를 측정하고, 측정된 라만 시프트를 각각의 결합 유형에 대해 사전 설정된 복수의 결함 결정 라만 시프트와 비교하는 라만 스펙트럼 및 라만 시프트; 및 결함 유무 및 결함 유형을 결정하는 결함 결정 유닛을 포함한다. 이는 또한 라만 산란을 이용하여 시료 표면 결함을 검사하는 방법을 제공한다. 그럼에도 불구하고, KR 101234603 B1은 표면 결함 검사 전용이며 반도체 장치의 내부 결함 존재 유무를 검출할 수 없기 때문에, 약간의 제한이 있다.Kim Kyung-beom (KR 101234603 B1) disclosed a surface defect inspection apparatus using Raman scattering. The apparatus for inspecting surface defects on a subject includes: a seating unit on which the subject is seated; a light source unit irradiating Raman laser light to the subject; a light detector for detecting scattered light scattered by the subject; and Raman spectra and Raman shifts electrically connected to the photodetector and measuring Raman spectra and Raman shifts from the detected scattered light, and comparing the measured Raman shifts with a plurality of defect determination Raman shifts preset for each type of binding; and a defect determination unit for determining the presence or absence of a defect and a defect type. It also provides a method for examining sample surface defects using Raman scattering. Nevertheless, KR 101234603 B1 has some limitations because it is only for surface defect inspection and cannot detect the presence or absence of internal defects of a semiconductor device.

KR 101234603 B1 외에도, Wack et al.에 의한 US 6818459 B2에 개시된 바와 같이, 매크로 결함의 존재를 결정하는 방법 및 시스템이 제공된다.In addition to KR 101234603 B1, methods and systems for determining the presence of macro defects are provided, as disclosed in US 6818459 B2 by Wack et al.

시스템은 시료를 지지하도록 구성되고 측정 장치에 결합된 스테이지를 포함할 수 있다. 측정 장치는 조명 시스템 및 검출 시스템을 포함할 수 있다. 조명 시스템 및 검출 시스템은 시스템이 시료의 여러 특성을 결정하도록 구성될 수 있도록, 구성될 수 있다. 예를 들어, 시스템은 이에 제한되지 않지만, 매크로 결함의 존재 및 시료의 오버레이를 포함하는 시료의 여러 속성을 결정하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 측정 장치는 다중 광학 및/또는 비-광학 계측 및/또는 검사 기술을 수행할 수 있다. 이 방법은 시스템 및 방법이 미세 균열과 같은 내부 결함을 제외하고 매크로 결함의 존재를 결정하기 위한 것이므로, KR 101234603 B1과 마찬가지로 몇 가지 단점이 있다.The system may include a stage configured to support the sample and coupled to the measurement device. The measuring device may include an illumination system and a detection system. The illumination system and detection system may be configured such that the system may be configured to determine various properties of a sample. For example, a system can be configured to determine several properties of a sample, including, but not limited to, the presence of macro defects and overlay of the sample. In this way, the measuring device may perform multiple optical and/or non-optical metrology and/or inspection techniques. This method, like KR 101234603 B1, has some disadvantages, as the system and method are for determining the presence of macro defects excluding internal defects such as microcracks.

따라서, 적외선(IR) 투사(projection) 시 상이한 각도로 전자 부품을 검사하거나, 또는 상기 전자 부품을 향하는 카메라 위치를 상이한 각도로 함으로써[여기서, 적어도 하나의 적외선(IR) 광원 및 상기 전자 부품이 각각의 수평면을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사짐], 전자 부품의 미세 균열 또는 내부 균열과 같은 내부 결함을 검출하는 장치 및 방법을 구비함으로써, 단점을 완화하는 것이 유리할 것이다. Therefore, by inspecting the electronic component at different angles during infrared (IR) projection, or by setting the camera position facing the electronic component at different angles [wherein at least one infrared (IR) light source and the electronic component are each It would be advantageous to alleviate the disadvantage by having an apparatus and method for detecting internal defects such as inclination at an angle of 0° to 90° with respect to the horizontal plane of the electronic component, microcracks or internal cracks in electronic components.

따라서, 본 발명의 주요 목적은 적외선(IR) 투사 시 상이한 각도, 또는 상기 전자 부품을 향하는 카메라 위치의 상이한 각도가 전자 부품의 미세 균열 또는 내부 균열과 같은 내부 결함을 검출하게 하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the main object of the present invention is to provide an apparatus and method that allows different angles upon infrared (IR) projection, or different angles of the camera position towards the electronic component, to detect internal defects such as microcracks or internal cracks in electronic components. will do

본 발명의 또 다른 목적은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며, 이에 의해 상기 장치 및 방법은 최소한의 노이즈로 내부 결함의 이미지를 캡처할 수 있다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for detecting internal defects of an electronic component, whereby the apparatus and method can capture images of internal defects with minimal noise.

본 발명의 또 다른 목적은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며, 상기 장치 및 방법이 생산 처리량을 개선할 수 있도록 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for detecting internal defects of an electronic component, whereby the apparatus and method can improve production throughput.

본 발명의 또 다른 목적은 전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것이며, 상기 방법이 미세 균열을 보다 정확하고 정밀하게 검출 및 검사할 수 있도록 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for detecting internal defects of an electronic component, and the method enables the detection and inspection of microcracks more accurately and precisely.

본 발명의 다른 추가 목적은 본 발명에 대한 다음의 상세한 설명을 이해하거나 본 발명을 실제로 적용함으로써 명백해질 것이다.Other further objects of the present invention will become apparent from the understanding of the following detailed description of the present invention or from the practical application of the present invention.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따르면 다음이 제공된다:According to a preferred embodiment of the present invention there is provided:

전자 부품의 내부 결함을 검출하기 위한 장치로서, A device for detecting internal defects of an electronic component, comprising:

상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하는 이미징 유닛으로서, 상기 제 1 표면은 상기 전자 부품의 범프 측면을 포함하고; 및an imaging unit facing a first surface of the electronic component, the first surface comprising a bump side of the electronic component; and

적어도 하나의의 적외선(IR) 광원;at least one infrared (IR) light source;

를 포함하고, including,

상기 IR 광원은 상기 IR 광원이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품의 내부 결함을 조명할 수 있는 구성으로 배치되고; 및the IR light source is arranged in such a way that the IR light source can illuminate an internal defect of the electronic component caused by a laser grooving process; and

상기 IR 광원 및 상기 전자 부품은 각각의 수평면을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다. The IR light source and the electronic component are inclined at an angle of 0° to 90° with respect to each horizontal plane.

본 발명의 다른 실시 예에서 제공된다:In another embodiment of the present invention is provided:

전자 부품의 내부 결함을 검출하는 방법으로서, A method for detecting internal defects of an electronic component, comprising:

(i) 상기 전자 부품을 회전 터렛 스테이션으로부터 검사 스테이션으로 이송하는 단계;(i) transferring the electronic component from a rotating turret station to an inspection station;

(ii) 상기 전자 부품이 X-축 방향을 따라 이동하는 동안, 적어도 하나의 적외선(IR) 광원과 함께 이미징 유닛에 의해 상기 전자 부품의 제 1 측벽을 검사하는 단계;(ii) inspecting a first sidewall of the electronic component by an imaging unit with at least one infrared (IR) light source while the electronic component moves along the X-axis direction;

(iii) 상기 전자 부품의 평면을 따라 상기 전자 부품을 회전시키고, 상기 전자 부품의 회전 후 상기 이미징 유닛에 의해 상기 전자 부품의 제 2 측벽을 검사하는 단계;(iii) rotating the electronic component along a plane of the electronic component, and inspecting a second sidewall of the electronic component by the imaging unit after rotation of the electronic component;

(iv) 상기 전자 부품의 평면을 따라 상기 전자 부품을 회전시키고 상기 전자 부품의 회전 후 상기 이미징 유닛에 의해 상기 전자 부품의 제 2 측벽을 검사하는 단계(iii)을 상기 전자 부품의 4 개의 측벽 검사를 위해 반복하는 단계, (iv) rotating the electronic component along the plane of the electronic component and inspecting the second sidewall of the electronic component by the imaging unit after rotation of the electronic component (iii) inspecting four sidewalls of the electronic component Repeat steps for

(v) 상기 전자 부품이 X-축 방향을 따라 대기 위치로 이송되는 단계; 및(v) transferring the electronic component to a standby position along the X-axis direction; and

(vi) 상기 전자 부품을 상기 회전 터렛 스테이션으로 다시 이송하는 단계;(vi) transferring the electronic component back to the rotating turret station;

를 포함하고,including,

상기 IR 광원은 상기 IR 광원이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품의 내부 결함을 조명할 수 있는 구성으로 배치되고; 및the IR light source is arranged in such a way that the IR light source can illuminate an internal defect of the electronic component caused by a laser grooving process; and

상기 IR 광원 및 상기 전자 부품은 각각의 수평면을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다.The IR light source and the electronic component are inclined at an angle of 0° to 90° with respect to each horizontal plane.

본 발명의 다른 측면 및 그 이점은 첨부된 도면과 함께 상세한 설명을 검토한 후에 식별될 것이다.
도 1a는 이미징 유닛이 상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하고 있고, 적외선(IR) 광원이 상기 전자 부품의 제 2 표면을 향하는 동안의 본 발명의 예시적인 다이어그램을 도시한다.
도 1b는 이미징 유닛이 상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하고 있고, 및 IR 광원이 상기 전자 부품의 일 측벽에 위치하는 동안의 본 발명의 다른 예시적인 다이어그램을 도시한다.
도 1c는 본 발명의 또 다른 예시적인 다이어그램을 도시하는 한편,
이미징 유닛이 상기 전자 부품의 제 1 표면을 향하는 있고, IR 광원 중 하나가 상기 전자 부품의 제 2 표면을 향하고 있고, 다른 IR 광원이 상기 전자 부품의 일 측벽에 위치하는 동안의 본 발명의 다른 예시적인 다이어그램을 도시한다.
도 1d는 이미징 유닛이 내장된 IR 광원과 함께 내장되어 있는 동안의 본 발명의 다른 예시적인 다이어그램을 도시한다.
도 2는 전자 부품의 내부 결함을 검출하는 동안의 본 발명의 예시적인 방법 흐름을 도시한다.
도 3은 검사 스테이션에서 전자 부품의 내부 결함을 검출하는 동안의 본 발명의 예시적인 다이어그램을 도시한다.
Other aspects and advantages of the present invention will be identified after review of the detailed description in conjunction with the accompanying drawings.
1A shows an exemplary diagram of the present invention, with an imaging unit facing a first surface of the electronic component and an infrared (IR) light source facing a second surface of the electronic component.
1B shows another exemplary diagram of the present invention while the imaging unit is facing a first surface of the electronic component and an IR light source is positioned on one sidewall of the electronic component.
1C shows another exemplary diagram of the present invention, while
Another example of the present invention while an imaging unit is facing a first surface of the electronic component, one of the IR light sources is facing a second surface of the electronic component, and the other IR light source is positioned on a sidewall of the electronic component. shows a schematic diagram.
1D shows another exemplary diagram of the present invention while the imaging unit is housed with a built-in IR light source.
2 depicts an exemplary method flow of the present invention during detection of an internal defect of an electronic component.
3 shows an exemplary diagram of the present invention during detection of internal defects of an electronic component at an inspection station.

다음의 상세한 설명에서, 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 세부 사항이 설명된다. 그러나, 본 발명이 이러한 특정 세부 사항없이 실시될 수 있다는 것은 당업자에 의해 이해될 것이다. 다른 예에서, 잘 알려진 방법, 절차 및/또는 구성 요소는 본 발명을 모호하게 하지 않도록 상세하게 설명되지 않았다.In the following detailed description, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, it will be understood by those skilled in the art that the present invention may be practiced without these specific details. In other instances, well-known methods, procedures, and/or components have not been described in detail so as not to obscure the present invention.

본 발명은 동일한 축척 비율로 그려지지 않은 첨부된 도면을 참조하여 단지 예로서 주어진 실시 예의 다음의 상세한 설명으로부터보다 명확하게 이해될 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention will be understood more clearly from the following detailed description of embodiments given by way of example only, with reference to the accompanying drawings, which are not drawn to scale.

본 개시 내용 및 본 명세서에 첨부된 청구 범위에서 사용된 바와 같이, 단수 형태 "a", "an" 및 "the"는 문맥이 명백하게 달리 지시하거나 나타내지 않는 한 복수의 지시 대상을 포함한다.As used in this disclosure and in the claims appended hereto, the singular forms “a”, “an” and “the” include plural referents unless the context clearly dictates or indicates otherwise.

본 명세서의 개시 내용 및 청구 범위 전체에서, "포함한다" 및 "포함하는"과 "포함하고 있는"과 같은 단어의 변형은 "포함하지만 이에 제한되지 않음"을 의미하며, 예를 들어 다른 구성 요소, 정수 또는 단계를 배제하려는 의도가 아니다. "예시적인"은 "일부 예"를 의미하고 바람직한 또는 이상적인 실시 예의 표시를 전달하려는 것이 아니며, "예를 들어"는 제한적인 의미로 사용되지 않고 설명 목적으로 사용된다.Throughout the disclosure and claims of this specification, variations of words such as "comprises" and "comprising" and "comprising" mean "including but not limited to", e.g., other elements , it is not intended to exclude integers or steps. “Exemplary” means “some examples” and is not intended to convey indications of preferred or ideal embodiments, and “eg” is used for illustrative purposes and not in a limiting sense.

일반적으로, 본 발명은 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1)를 권리 청구하고 있는데, 이는 상기 내부 결함(108)의 이미지를 갭처하기 위해 상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하는 이미징 유닛(102)으로서, 상기 제 1 표면(106)은 상기 전자 부품(101)의 범프 측면을 포함하는 이미징 유닛(102); 상기 IR 광원(103, 105)이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기되는 상기 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 조명할 수 있는 구성으로 위치되는 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(103, 105)을 포함하고, 상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다. 이미징 유닛(102)과 IR 광원(103, 105)의 상이한 구성 또는 배열은 도 1a 내지 도 1d에서 설명될 것이다. In general, the present invention claims an apparatus ( 1 ) for detecting an internal defect ( 108 ) of an electronic component ( 101 ) for capturing an image of the internal defect ( 108 ). an imaging unit (102) facing a first surface (106) of an imaging unit (102) comprising a bump side of the electronic component (101); at least one infrared (IR) light source (103, 105) positioned in a configuration such that the IR light source (103, 105) is capable of illuminating an internal defect (108) of the electronic component (101) caused by a laser grooving process 105), wherein the IR light sources 103 and 105 and the electronic component 101 are inclined at an angle of 0° to 90° with respect to each of the horizontal planes LSHP and ECHP. Different configurations or arrangements of the imaging unit 102 and the IR light sources 103 and 105 will be described in FIGS. 1A-1D .

도 1a를 참조하면, 도 1a에는 전자 부품(101)의 미세 균열 또는 내부 균열과 같은 내부 결함(108)을 검출하기 위한 예시적인 다이어그램이 도시되어 있으며, 여기서 내부 결함(108)은 전자 부품(101) 전체에서 발생할 수 있다. Referring to FIG. 1A , there is shown an exemplary diagram for detecting an internal defect 108 , such as a microcrack or internal crack of an electronic component 101 , wherein the internal defect 108 is the electronic component 101 . ) can occur throughout.

이미징 유닛(102)는 상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하고 있고, 상기 전자 부품(101)은 수평면(ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사지고, IR 광원(103)은 상기 전자 부품(101)의 제 2 표면(109)을 향하고 있다. 제 1 표면(106)은 상기 전자 부품(101)의 범프 측면을 포함하고, 제 2 표면(109)은 상기 전자 부품(101)의 후 측면을 지칭한다. 대안적으로, IR 광원(105)은 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 IR 광원(105)의 수평면(LSHP)을 기준으로 0°내지 90°의 경사각으로 상기 전자 부품(101)의 일 측벽(111)에 위치될 수 있다.The imaging unit 102 faces the first surface 106 of the electronic component 101 , the electronic component 101 is inclined at an angle of 0° to 90° with respect to the horizontal plane ECHP, and the IR light source 103 faces the second surface 109 of the electronic component 101 . The first surface 106 includes the bump side of the electronic component 101 , and the second surface 109 refers to the rear side of the electronic component 101 . Alternatively, the IR light source 105 may be disposed on one sidewall ( 111) may be located.

도 1c를 참조하면, 이미징 유닛(102) 및 IR 광원(103, 105)의 다른 배열이 도시된다. 이 배열에서, 이미징 유닛(102)은 상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하고 있고, 전자 부품(101)은 수평면(ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다. IR 광원(103, 105)의 2 개의 유닛이 있을 것이며, 여기서 IR 광원(103) 중 하나는 상기 전자 부품(101)의 제 2 표면(109)을 향하고 있고, 제 2 IR 광원(105)은 상기 IR 광원(105)의 수평면(LSHP)을 기준으로 0°내지 90°의 경사각으로 상기 전자 부품(101)의 일 측벽(111)에 위치된다. 선택적으로, 이미징 유닛(102)은 임베디드 IR 광원(107)을 포함하고, 이에 의해 상기 이미징 유닛(102)은 단일 엔티티로서 상기 임베디드 IR 광원(107)과 함께 작동한다. IR 광원(107)이 내장된 상기 이미징 유닛(102)은 상기 전자 부품(101)의 제 2 표면(109) 위에 배치되고, IR 광원(107)은 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 내부 결함을 조명할 수 있다. 한편, 이미징 유닛(102)은 도 1d를 참조하여 내부 결함의 보다 선명한 이미지를 캡처할 수 있다.Referring to FIG. 1C , another arrangement of imaging unit 102 and IR light sources 103 , 105 is shown. In this arrangement, the imaging unit 102 faces the first surface 106 of the electronic component 101 , the electronic component 101 being inclined at an angle of 0° to 90° with respect to the horizontal plane ECHP. . There will be two units of IR light sources 103 , 105 , wherein one of the IR light sources 103 is facing the second surface 109 of the electronic component 101 , and the second IR light source 105 is the It is positioned on one sidewall 111 of the electronic component 101 at an inclination angle of 0° to 90° with respect to the horizontal plane LSHP of the IR light source 105 . Optionally, the imaging unit 102 comprises an embedded IR light source 107 , whereby the imaging unit 102 works with the embedded IR light source 107 as a single entity. The imaging unit 102 in which the IR light source 107 is embedded is disposed on the second surface 109 of the electronic component 101, and the IR light source 107 detects internal defects caused by the laser grooving process. can be illuminated Meanwhile, the imaging unit 102 may capture a clearer image of the internal defect with reference to FIG. 1D .

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 도 3에는 검사 스테이션(113)에서 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 예시적인 방법 및 장치가 도시되어 있다. 먼저, (i) 전자 부품(101)이 회전식 터렛 스테이션(112)으로부터 검사 스테이션(113)으로 이송될 것이고(201); 이어서 (ii) 상기 전자 부품(101)이 X-축 방향을 따라 직선 운동으로 이동하는 동안, 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(103, 105)과 함께, 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 1 측벽을 검사하고(203); 그 다음 (iii) 상기 전자 부품(101)의 평면을 따라 상기 전자 부품(101)을 회전시키고, 상기 전자 부품(101)의 회전 후 상기 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 2 측벽을 검사한다(205).2 and 3 , an exemplary method and apparatus for detecting an internal defect 108 of an electronic component 101 at an inspection station 113 is illustrated in FIG. 3 . First, (i) the electronic component 101 will be transferred 201 from the rotary turret station 112 to the inspection station 113; Then (ii) the electronic component 101 is moved in a linear motion along the X-axis direction by the imaging unit 102 together with at least one infrared (IR) light source 103 , 105 . inspect (203) the first sidewall of (101); and then (iii) rotating the electronic component 101 along the plane of the electronic component 101 , and after the rotation of the electronic component 101 , the second of the electronic component 101 is performed by the imaging unit 102 . 2 The sidewall is inspected (205).

상기 전자 부품(101)의 평면을 따라 상기 전자 부품(101)을 회전시키고 상기 전자 부품(101)의 회전 후 상기 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 2 측벽을 검사하는 상기 단계(iii)(205)는, 상기 전자 부품(101)의 4 개의 측벽 검사를 위해 반복되고(207); 상기 전자 부품(101)은 X-축 방향을 따라 대기 위치(209)로 이송된다. 마지막으로, 상기 전자 부품(101)은 상기 회전식 터렛 스테이션(112)으로 다시 이송된다(211). 또한, 상기 IR 광원(103, 105)은 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품(101)의 내부 균열 및 미세 균열과 같은 내부 결함(108)을 조명할 수 있으며; 상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진다. 또한, 상기 방법(1)은 스티칭 이미지가 필요한 경우, 상기 전자 부품(101)을 Y-축 방향(선형 이동)으로 이동시키는 단계를 더 포함하고, 단계(v) 후에 상기 전자 부품(101)이 X-축 방향을 따라 대기 위치로 전달된다(209).rotating the electronic component 101 along the plane of the electronic component 101 and inspecting the second sidewall of the electronic component 101 by the imaging unit 102 after the rotation of the electronic component 101 Step (iii) (205) is repeated (207) for the inspection of four sidewalls of the electronic component (101); The electronic component 101 is transferred to the standby position 209 along the X-axis direction. Finally, the electronic component 101 is transferred back to the rotary turret station 112 (211). Further, the IR light source 103, 105 can illuminate the internal defects 108, such as internal cracks and microcracks of the electronic component 101 caused by the laser grooving process; The IR light sources 103 and 105 and the electronic component 101 are inclined at an angle of 0° to 90° with respect to the respective horizontal planes LSHP and ECHP. In addition, the method (1) further comprises the step of moving the electronic component 101 in the Y-axis direction (linear movement) when a stitching image is required, and after step (v), the electronic component 101 is It is transferred (209) to the standby position along the X-axis direction.

IR 광원(103) 중 하나가 전자 부품(101)의 제 2 표면(109) 아래에 배치되고, 및/또는 다른 IR 광원(105)이 상기 IR 광원(105)의 수평면(LSHP)을 기준으로 0°내지 90°의 경사각으로 상기 전자 부품(101)의 일 측벽(111)에 배치되는 것과 같이, 조명 투사에 상이한 각도를 적용함으로써, 기존의 검사 시스템과 비교하여 이미징 유닛(102)에 의해 캡처된 이미지가 보다 선명할 것이기 때문에, 내부 결함 또는 미세 균열은 최소 노이즈 아래에서 검출 및 검사될 수 있다. 본 발명은 반사 및 굴절 이론을 이용하여 이미징 유닛(102)에 의해 캡처된 이미지를 모아서 중요한 결과를 달성하고 있다.One of the IR light sources 103 is disposed below the second surface 109 of the electronic component 101 , and/or the other IR light source 105 is zero relative to the horizontal plane LSHP of the IR light source 105 . By applying a different angle to the illumination projection, such as disposed on one sidewall 111 of the electronic component 101 at an angle of inclination of between ° and 90 °, captured by the imaging unit 102 compared to a conventional inspection system is Since the image will be sharper, internal defects or microcracks can be detected and inspected under minimal noise. The present invention uses reflection and refraction theory to gather images captured by imaging unit 102 to achieve important results.

Claims (6)

전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1)로서,
상기 전자 부품(101)의 제 1 표면(106)을 향하는 이미징 유닛(102), 여기서 상기 제 1 표면(106)은 상기 전자 부품(101)의 범프 측면을 포함하고; 및
적어도 하나의의 적외선(IR) 광원(103, 105);
을 포함하고,
상기 IR 광원(103, 105)은 상기 IR 광원(103, 105)이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 조명할 수 있는 구성으로 배치되고; 및
상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1).
A device (1) for detecting an internal defect (108) of an electronic component (101), comprising:
an imaging unit (102) facing a first surface (106) of the electronic component (101), wherein the first surface (106) comprises a bump side of the electronic component (101); and
at least one infrared (IR) light source (103, 105);
including,
the IR light source (103, 105) is arranged in such a way that the IR light source (103, 105) can illuminate the internal defect (108) of the electronic component (101) caused by the laser grooving process; and
The IR light sources 103 and 105 and the electronic component 101 are inclined at an angle of 0° to 90° with respect to the respective horizontal planes (LSHP, ECHP), and the internal defect 108 of the electronic component 101 is eliminated. Device (1) for detecting.
제 1 항에 있어서, 상기 IR 광원(103) 중 하나는 상기 전자 부품(101)의 제 2 표면(109)을 향하고, 여기서 상기 제 2 표면(109)은 상기 전자 부품(101)의 후 측면을 포함하는, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1).2. The method of claim 1, wherein one of the IR light sources (103) faces a second surface (109) of the electronic component (101), wherein the second surface (109) faces a rear side of the electronic component (101). A device ( 1 ) for detecting an internal defect ( 108 ) of an electronic component ( 101 ), comprising: 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 IR 광원(105) 중 하나는 상기 IR 광원(105)의 수평면(LSHP)을 기준으로 0°내지 90°의 경사각을 갖는 상기 전자 부품(101)의 일 측벽(111)에 위치하는, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1).The one of the electronic component (101) according to claim 1 or 2, wherein one of the IR light sources (105) has an inclination angle of 0° to 90° with respect to the horizontal plane (LSHP) of the IR light source (105). A device ( 1 ) for detecting an internal defect ( 108 ) of an electronic component ( 101 ), located on a side wall ( 111 ). 제 1 항에 있어서, 상기 이미징 유닛(102)은 내장된 IR 광원(107)을 포함하고, 이에 의해 상기 이미징 유닛(102)은 상기 내장된 IR 광원(107)과 함께 작동하는, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하기 위한 장치(1).The electronic component (101) of claim 1, wherein the imaging unit (102) comprises a built-in IR light source (107), whereby the imaging unit (102) works in conjunction with the built-in IR light source (107). ) device (1) for detecting an internal defect (108). 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하는 방법(2)으로서,
(i) 상기 전자 부품(101)을 회전 터렛 스테이션(112)으로부터 검사 스테이션(113)으로 이송하는 단계(201);
(ii) 상기 전자 부품(101)이 X-축 방향을 따라 이동하는 동안, 적어도 하나의 적외선(IR) 광원(103, 105)과 함께 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 1 측벽을 검사하는 단계(203);
(iii) 상기 전자 부품(101)의 평면을 따라 상기 전자 부품(101)을 회전시키고, 상기 전자 부품(101)의 회전 후 상기 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 2 측벽을 검사하는 단계(205);
(iv) 상기 전자 부품(101)의 평면을 따라 상기 전자 부품(101)을 회전시키고 상기 전자 부품(101)의 회전 후 상기 이미징 유닛(102)에 의해 상기 전자 부품(101)의 제 2 측벽을 검사하는 단계(iii)(205)을 상기 전자 부품(101)의 4 개의 측벽 검사를 위해 반복하는 단계(207),
(v) 상기 전자 부품(101)이 X-축 방향을 따라 대기 위치(209)로 이송되는 단계(209); 및
(vi) 상기 전자 부품(101)을 상기 회전 터렛 스테이션(112)으로 다시 이송하는 단계(211);
를 포함하고,
상기 IR 광원(103, 105)은 상기 IR 광원(103, 105)이 레이저 그루빙 가공 공정에 의해 야기된 상기 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 조명할 수 있는 구성으로 배치되고; 및
상기 IR 광원(103, 105) 및 상기 전자 부품(101)은 각각의 수평면(LSHP, ECHP)을 기준으로 0°내지 90°의 각도로 경사진, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하는 방법(2).
A method (2) for detecting an internal defect (108) of an electronic component (101), comprising:
(i) transferring (201) the electronic component (101) from the rotating turret station (112) to the inspection station (113);
(ii) the second movement of the electronic component 101 by the imaging unit 102 together with at least one infrared (IR) light source 103 , 105 while the electronic component 101 moves along the X-axis direction 1 inspecting the sidewall (203);
(iii) rotating the electronic component 101 along the plane of the electronic component 101 , and after rotation of the electronic component 101 by the imaging unit 102 , a second sidewall of the electronic component 101 . checking (205);
(iv) rotating the electronic component 101 along the plane of the electronic component 101 and turning the second sidewall of the electronic component 101 by the imaging unit 102 after the rotation of the electronic component 101 repeating (207) inspecting (iii) (205) for the inspection of four sidewalls of the electronic component (101);
(v) transferring (209) the electronic component (101) to the standby position (209) along the X-axis direction; and
(vi) transferring (211) the electronic component (101) back to the rotating turret station (112);
including,
the IR light source (103, 105) is arranged in such a way that the IR light source (103, 105) can illuminate the internal defect (108) of the electronic component (101) caused by the laser grooving process; and
The IR light sources 103 and 105 and the electronic component 101 are inclined at an angle of 0° to 90° with respect to the respective horizontal planes (LSHP, ECHP), and the internal defect 108 of the electronic component 101 is eliminated. How to detect (2).
제 5 항에 있어서, 상기 방법(1)은 스티칭 이미지가 필요한 경우 상기 전자 부품(101)을 Y-축 방향으로 이동시키는 단계를 더 포함하고, 단계(v) 후에 상기 전자 부품(101)이 X 축 방향을 따라 대기 위치(209)로 이송되는, 전자 부품(101)의 내부 결함(108)을 검출하는 방법(2).6. The method according to claim 5, wherein the method (1) further comprises the step of moving the electronic component (101) in the Y-axis direction when a stitched image is required, and after step (v) the electronic component (101) is moved to the X A method (2) for detecting an internal defect (108) of an electronic component (101), which is transported along an axial direction to a standby position (209).
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