KR20210142561A - 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 - Google Patents

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KR20210142561A
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Abstract

본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자{Novel compound and organic light emitting device comprising the same}
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
한국특허 공개번호 제10-2013-073537호
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
Y는 S 또는 O이고,
A는 나프탈렌 고리이고, 단, A의 탄소 원자 중 적어도 하나는 질소 원자로 치환되고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로, 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고,
Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌, 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C2-60 헤테로아릴렌이고,
R1은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬 또는 치환 또는 비치횐된 C6-60 아릴이고,
m은 0 내지 6의 정수이다.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(7), 정공수송층(3), 전자억제층(8), 발광층(4), 정공저지층(9), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.
(용어의 정의)
본 명세서에서,
Figure pat00002
및
Figure pat00003
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00004
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00005
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00006
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸,사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00007
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
(화합물)
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 화학식 1로 표시되는 화합물은 나프토벤조퓨라닐(또는 나프토벤조티오페닐)에서, 하나 이상의 탄소가 질소로 치환된 코어 구조를 가지며, 상기 코어 구조의 벤젠 고리에 두개의 아민기가 직접 결합 또는 아릴렌 링커에 의해 치환된 화합물로, 이에 따라, 발광층에 적용 시 호스트에서 적색 도판트로의 에너지 전달을 용이하게 할 수 있다. 특히, 아민기의 치환 위치가 상이한 화합물이나 아민기가 헤테로아릴렌 링커에 의해 치환된 화합물 또는 나프토벤조퓨라닐(또는 나프토벤조티오페닐) 고리에 추가로 헤테로기를 포함하는 화합물과 대비하여 전자와 정공에 대한 안정도가 높으며, 유기발광소자의 발광층 호스트 화합물로 적용 시 우수한 효율, 저 구동 전압, 고휘도 및 장수명을 구현할 수 있다.
바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3으로 표시되는 화합물이다:
[화학식 1-1]
Figure pat00008
[화학식 1-2]
Figure pat00009
[화학식 1-3]
Figure pat00010
상기 화학식 1-1 내지 1-3에서,
X1, X2, X3, X4, X5 및 X6은 각각 독립적으로 CR1 또는 N이고, 단, 이들 중 적어도 하나는 N이고,
Y, R1, L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 앞서 정의한 바와 같다.
바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다:
Figure pat00011
상기 식 중에서,
Y, R1, L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4 및 m은 앞서 정의한 바와 같다.
바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6으로 표시되는 화합물이다:
[화학식 2-1]
Figure pat00012
[화학식 2-2]
Figure pat00013
[화학식 2-3]
Figure pat00014
[화학식 2-4]
Figure pat00015
[화학식 2-5]
Figure pat00016
[화학식 2-6]
Figure pat00017
상기 화학식 2-1 내지 2-6에서,
A, Y, L1, L2, Ar1, Ar2, R1 및 m은 앞서 정의한 바와 같다.
바람직하게는, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 직접결합, 페닐렌, 비페닐릴렌 또는 나프틸렌이고, 더욱 바람직하게는, 직접결합 또는 페닐렌이다.
바람직하게는, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 나프틸페닐, 페닐나프틸, 페난쓰레닐, 트리페닐레닐, 디메틸플루오레닐, 디페닐플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오페닐, 카바졸-9-일, 또는 9-페닐-9H-카바졸릴이다.
더욱 바람직하게는, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 나프틸페닐, 페닐나프틸, 트리페닐레닐, 디메틸플루오레닐, 디벤조퓨라닐 또는 디벤조티오페닐이다.
바람직하게는, R1은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, C1-10알킬 또는 페닐이고, 더욱 바람직하게는 수소이다.
바람직하게는, m은 0 내지 2이고, 더욱 바람직하게는 0 또는 1이다.
바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다:
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
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Figure pat00030
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Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
Figure pat00087
Figure pat00088
Figure pat00089
.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1을 거쳐 제조할 수 있다:
[반응식 1]
Figure pat00090
상기 반응식 1에서, X1 및 X2를 제외한 다른 치환기에 대한 정의는 앞서 설명한 바와 같고, X1 및 X2는 각각 독립적으로 할로겐이고, 바람직하게는 브로모, 또는 클로로이다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 아민 치환 반응을 통해 출발물질 SM1, SM2 및 SM2＇가 결합하여 제조된다. 이러한 아민 치환 반응은 각각 팔라듐 촉매와 염기의 존재 하에 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 아민 치환 반응을 위한 반응기는 적절히 변경될 수 있고, 화학식 1로 표시되는 화합물의 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.
(유기 발광 소자)
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층, 정공수송층, 전자억제층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 상기 유기물 층은 전자억제층을 포함할 수 있고, 상기 전자억제층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 상기 유기물 층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 이 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 호스트 화합물, 바람직하게는 적색 호스트 화합물로 사용될 수 있다. 이 때, 호스트 화합물로 화학식 1로 표시되는 화합물 외에 다른 화합물이 코호스트 화합물로 사용될 수 있다.
또한, 상기 유기물 층은 전자수송층, 또는 전자주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층, 또는 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 상기 유기물 층은 정공저지층을 포함할 수 있고, 상기 정공저지층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 제1 전극이 양극이고 상기 제2 전극은 음극인, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 제1 전극이 음극이고 상기 제2 전극은 양극인, 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(4) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층(4)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(7), 정공수송층(3), 전자억제층(8), 발광층(4), 정공저지층(9), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층(4)에 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물 층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 정공 수송 물질로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하거나, 또는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자억제층(또는 전자저지층, 전자차단층)은 상기 정공수송층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 정공이동도를 조절하고, 전자의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 전자억제층은 전자저지물질을 포함하고, 이러한 전자저지물질의 예로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용할 수 있으며, 아릴아민 계열의 유기물 등을 추가로 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 사용될 수 있다. 이외에 함께 사용 가능한 발광 물질의 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 상술한 바와 같이 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
바람직하게는, 상기 발광층은 하기와 같은 이리듐 착체 화합물을 도펀트 재료로 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00091
Figure pat00092
Figure pat00093
Figure pat00094
.
상기 정공저지층(또는 정공억제층, 정공차단층)은 발광층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 전자이동도를 조절하고 정공의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 정공저지층은 정공저지물질을 포함한다. 구체적인 예로는 트리아진을 포함한 아진류유도체; 트리아졸 유도체; 옥사디아졸 유도체; 페난트롤린 유도체; 포스핀옥사이드 유도체 등의 전자흡인기가 도입된 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입 및 수송층은 전극으로부터 전자를 주입하고, 수취된 전자를 발광층까지 수송하는 전자수송층 및 전자주입층의 역할을 동시에 수행하는 층으로, 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성된다. 이러한 전자 주입 및 수송물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 전자 주입 및 수송물질의 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 트리아진 유도체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 또는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물, 또는 질소 함유 5원환 유도체 등과 함께 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입 및 수송층은 전자 주입층 및 전자 수송층과 같은 별개의 층으로도 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 전자 수송층은 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성되고, 상기 전자 수송층에 포함되는 전자 수송 물질로는 상술한 전자 주입 및 수송 물질이 사용될 수 있다. 또한, 전자 주입층은 상기 전자 수송층 상에 형성되고, 상기 전자 주입층에 포함되는 전자 주입 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 사용될 수 있다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조를 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[제조예 - 중간체 화합물의 합성]
제조예 1: 화합물 A-a-a의 합성
Figure pat00095
질소 분위기에서 (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid (15g, 79.4mmol)와 2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene (26.6g, 79.4mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate(32.9g, 238.1mmol)를 물 99ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.4g, 0.8mmol)을 투입하였다. 10시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화학식 A-a-a_P-1를 17g 제조하였다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 352)
질소 분위기에서 화학식 A-a-a_P-1 (15g, 42.5mmol)와 potassium carbonate(17.6g, 127.6mmol)를 DMAc 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 9시간 반응 후 상온으로 식히고 유기용매를 감압 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화학식 A-a-a를 11.1g 제조하였다. (수율 79%, MS: [M+H]+= 332)
제조예 2: 화합물 A-a-b의 합성
Figure pat00096
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (8-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-a-b를 제조하였다.
제조예 3: 화합물 A-a-c의 합성
Figure pat00097
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-a-c를 제조하였다.
제조예 4: 화합물 A-a-d의 합성
Figure pat00098
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-a-d를 제조하였다.
제조예 5: 화합물 A-a-e의 합성
Figure pat00099
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-a-e를 제조하였다.
제조예 6: 화합물 A-a-f의 합성
Figure pat00100
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyisoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-a-f를 제조하였다.
제조예 7: 화합물 A-b-a의 합성
Figure pat00101
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-b-a를 제조하였다.
제조예 8: 화합물 A-b-b의 합성
Figure pat00102
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (8-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-b-b를 제조하였다.
제조예 9: 화합물 A-b-c의 합성
Figure pat00103
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-b-c를 제조하였다.
제조예 10: 화합물 A-b-d의 합성
Figure pat00104
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-b-d를 제조하였다.
제조예 11: 화합물 A-b-e의 합성
Figure pat00105
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-b-e를 제조하였다.
제조예 12: 화합물 A-b-f의 합성
Figure pat00106
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyisoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-a-f를 제조하였다.
제조예 13: 화합물 A-c-a의 합성
Figure pat00107
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-c-a를 제조하였다.
제조예 14: 화합물 A-c-b의 합성
Figure pat00108
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (8-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-c-b를 제조하였다.
제조예 15: 화합물 A-c-c의 합성
Figure pat00109
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-c-c를 제조하였다.
제조예 16: 화합물 A-c-d의 합성
Figure pat00110
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-c-d를 제조하였다.
제조예 17: 화합물 A-c-e의 합성
Figure pat00111
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-c-e를 제조하였다.
제조예 18: 화합물 A-c-f의 합성
Figure pat00112
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyisoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-c-f를 제조하였다.
제조예 19: 화합물 A-d-a의 합성
Figure pat00113
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-d-a를 제조하였다.
제조예 20: 화합물 A-d-b의 합성
Figure pat00114
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (8-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-d-b를 제조하였다.
제조예 21: 화합물 A-d-c의 합성
Figure pat00115
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-d-c를 제조하였다.
제조예 22: 화합물 A-d-d의 합성
Figure pat00116
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-d-d를 제조하였다.
제조예 23: 화합물 A-d-e의 합성
Figure pat00117
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-d-e를 제조하였다.
제조예 24: 화합물 A-d-f의 합성
Figure pat00118
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyisoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-d-f를 제조하였다.
제조예 25: 화합물 A-e-a의 합성
Figure pat00119
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-e-a를 제조하였다.
제조예 26: 화합물 A-e-b의 합성
Figure pat00120
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (8-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-e-b를 제조하였다.
제조예 27: 화합물 A-e-c의 합성
Figure pat00121
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-e-c를 제조하였다.
제조예 28: 화합물 A-e-d의 합성
Figure pat00122
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-e-d를 제조하였다.
제조예 29: 화합물 A-e-e의 합성
Figure pat00123
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-e-e를 제조하였다.
제조예 30: 화합물 A-e-f의 합성
Figure pat00124
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyisoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-e-f를 제조하였다.
제조예 31: 화합물 A-f-a의 합성
Figure pat00125
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-f-a를 제조하였다.
제조예 32: 화합물 A-f-b의 합성
Figure pat00126
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (8-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-f-b를 제조하였다.
제조예 33: 화합물 A-f-c의 합성
Figure pat00127
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene 를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-f-c를 제조하였다.
제조예 34: 화합물 A-f-d의 합성
Figure pat00128
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (5-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-f-d를 제조하였다.
제조예 35: 화합물 A-f-e의 합성
Figure pat00129
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-f-e를 제조하였다.
제조예 36: 화합물 A-f-f의 합성
Figure pat00130
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (4-hydroxyisoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-f-f를 제조하였다.
제조예 37: 화합물 A-g-a의 합성
Figure pat00131
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (2-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-g-a를 제조하였다.
제조예 38: 화합물 A-g-b의 합성
Figure pat00132
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-g-b를 제조하였다.
제조예 39: 화합물 A-g-c의 합성
Figure pat00133
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-g-c를 제조하였다.
제조예 40: 화합물 A-g-d의 합성
Figure pat00134
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-g-d를 제조하였다.
제조예 41: 화합물 A-g-e의 합성
Figure pat00135
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-g-e를 제조하였다.
제조예 42: 화합물 A-g-f의 합성
Figure pat00136
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-g-f를 제조하였다.
제조예 43: 화합물 A-h-a의 합성
Figure pat00137
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (2-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-h-a를 제조하였다.
제조예 44: 화합물 A-h-b의 합성
Figure pat00138
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-h-b를 제조하였다.
제조예 45: 화합물 A-h-c의 합성
Figure pat00139
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-h-c를 제조하였다.
제조예 46: 화합물 A-h-d의 합성
Figure pat00140
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-h-d를 제조하였다.
제조예 47: 화합물 A-h-e의 합성
Figure pat00141
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-h-e를 제조하였다.
제조예 48: 화합물 A-h-f의 합성
Figure pat00142
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-h-f를 제조하였다.
제조예 49: 화합물 A-i-a의 합성
Figure pat00143
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (2-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-i-a를 제조하였다.
제조예 50: 화합물 A-i-b의 합성
Figure pat00144
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-i-b를 제조하였다.
제조예 51: 화합물 A-i-c의 합성
Figure pat00145
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-i-c를 제조하였다.
제조예 52: 화합물 A-i-d의 합성
Figure pat00146
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-i-d를 제조하였다.
제조예 53: 화합물 A-i-e의 합성
Figure pat00147
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-i-e를 제조하였다.
제조예 54: 화합물 A-i-f의 합성
Figure pat00148
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-i-f를 제조하였다.
제조예 55: 화합물 A-j-a의 합성
Figure pat00149
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene 를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (2-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-j-a를 제조하였다.
제조예 56: 화합물 A-j-b의 합성
Figure pat00150
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-j-b를 제조하였다.
제조예 57: 화합물 A-j-c의 합성
Figure pat00151
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-j-c를 제조하였다.
제조예 58: 화합물 A-j-d의 합성
Figure pat00152
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-j-d를 제조하였다.
제조예 59: 화합물 A-j-e의 합성
Figure pat00153
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-j-e를 제조하였다.
제조예 60: 화합물 A-j-f의 합성
Figure pat00154
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-j-f를 제조하였다.
제조예 61: 화합물 A-k-a의 합성
Figure pat00155
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene 를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (2-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-h-a를 제조하였다.
제조예 62: 화합물 A-k-b의 합성
Figure pat00156
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-k-b를 제조하였다.
제조예 63: 화합물 A-k-c의 합성
Figure pat00157
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-k-c를 제조하였다.
제조예 64: 화합물 A-k-d의 합성
Figure pat00158
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-k-d를 제조하였다.
제조예 65: 화합물 A-k-e의 합성
Figure pat00159
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-k-e를 제조하였다.
제조예 66: 화합물 A-k-f의 합성
Figure pat00160
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-k-f를 제조하였다.
제조예 67: 화합물 A-l-a의 합성
Figure pat00161
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (2-hydroxyquinolin-3-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-h-a를 제조하였다.
제조예 68: 화합물 A-l-b의 합성
Figure pat00162
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-l-b를 제조하였다.
제조예 69: 화합물 A-l-c의 합성
Figure pat00163
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-6-yl)boronic acid 를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-l-c를 제조하였다.
제조예 70: 화합물 A-l-d의 합성
Figure pat00164
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-l-d를 제조하였다.
제조예 71: 화합물 A-l-e의 합성
Figure pat00165
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-l-e를 제조하였다.
제조예 72: 화합물 A-l-f의 합성
Figure pat00166
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-l-f를 제조하였다.
제조예 73: 화합물 A-m-a의 합성
Figure pat00167
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyisoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-m-a를 제조하였다.
제조예 74: 화합물 A-m-b의 합성
Figure pat00168
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-m-b를 제조하였다.
제조예 75: 화합물 A-m-c의 합성
Figure pat00169
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-m-c를 제조하였다.
제조예 76: 화합물 A-m-d의 합성
Figure pat00170
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-m-d를 제조하였다.
제조예 77: 화합물 A-m-e의 합성
Figure pat00171
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-m-e를 제조하였다.
제조예 78: 화합물 A-m-f의 합성
Figure pat00172
(8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-m-f를 제조하였다.
제조예 79: 화합물 A-n-a의 합성
Figure pat00173
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyisoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-n-a를 제조하였다.
제조예 80: 화합물 A-n-b의 합성
Figure pat00174
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-n-b를 제조하였다.
제조예 81: 화합물 A-n-c의 합성
Figure pat00175
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-n-c를 제조하였다.
제조예 82: 화합물 A-n-d의 합성
Figure pat00176
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-n-d를 제조하였다.
제조예 83: 화합물 A-n-e의 합성
Figure pat00177
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-n-e를 제조하였다.
제조예 84: 화합물 A-n-f의 합성
Figure pat00178
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-5-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-n-f를 제조하였다.
제조예 85: 화합물 A-o-a의 합성
Figure pat00179
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyisoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-o-a를 제조하였다.
제조예 86: 화합물 A-o-b의 합성
Figure pat00180
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-o-b를 제조하였다.
제조예 87: 화합물 A-o-c의 합성
Figure pat00181
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-o-c를 제조하였다.
제조예 88: 화합물 A-o-d의 합성
Figure pat00182
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-o-d를 제조하였다.
제조예 89: 화합물 A-o-e의 합성
Figure pat00183
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-o-e를 제조하였다.
제조예 90: 화합물 A-o-f의 합성
Figure pat00184
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-3-fluoro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-o-f를 제조하였다.
제조예 91: 화합물 A-p-a의 합성
Figure pat00185
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyisoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-p-a를 제조하였다.
제조예 92: 화합물 A-p-b의 합성
Figure pat00186
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-p-b를 제조하였다.
제조예 93: 화합물 A-p-c의 합성
Figure pat00187
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-p-c를 제조하였다.
제조예 94: 화합물 A-p-d의 합성
Figure pat00188
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-p-d를 제조하였다.
제조예 95: 화합물 A-p-e의 합성
Figure pat00189
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-p-e를 제조하였다.
제조예 96: 화합물 A-p-f의 합성
Figure pat00190
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-fluoro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-p-f를 제조하였다.
제조예 97: 화합물 A-q-a의 합성
Figure pat00191
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyisoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-q-a를 제조하였다.
제조예 98: 화합물 A-q-b의 합성
Figure pat00192
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-q-b를 제조하였다.
제조예 99: 화합물 A-q-c의 합성
Figure pat00193
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-q-c를 제조하였다.
제조예 100: 화합물 A-q-d의 합성
Figure pat00194
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-q-d를 제조하였다.
제조예 101: 화합물 A-q-e의 합성
Figure pat00195
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-q-e를 제조하였다.
제조예 102: 화합물 A-q-f의 합성
Figure pat00196
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 5-bromo-1-chloro-2-fluoro-3-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-q-f를 제조하였다.
제조예 103: 화합물 A-r-a의 합성
Figure pat00197
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyisoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-r-a를 제조하였다.
제조예 104: 화합물 A-r-b의 합성
Figure pat00198
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (3-hydroxyquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-r-b를 제조하였다.
제조예 105: 화합물 A-r-c의 합성
Figure pat00199
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-r-c를 제조하였다.
제조예 106: 화합물 A-r-d의 합성
Figure pat00200
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (6-hydroxyisoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-r-d를 제조하였다.
제조예 107: 화합물 A-r-e의 합성
Figure pat00201
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyisoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-r-e를 제조하였다.
제조예 108: 화합물 A-r-f의 합성
Figure pat00202
2-bromo-1-chloro-4-fluoro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-3-fluoro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-hydroxyquinolin-7-yl)boronic acid대신 (7-hydroxyquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 같은 방법으로 화합물 A-r-f를 제조하였다.
제조예 109: 화합물 B-a-a의 합성
Figure pat00203
질소 분위기에서 (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid (15g, 68.5mmol)와 2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene (21.7g, 68.5mmol)를 THF 300ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 potassium carbonate(28.4g, 205.5mmol)를 물 85ml에 녹여 투입하고 충분히 교반한 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.4g, 0.7mmol)을 투입하였다. 8시간 반응 후 상온으로 식히고 유기층과 물층을 분리 후 유기층을 증류하였다. 이를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화학식 B-a-a_P-2를 19.9g 제조하였다. (수율 80%, MS: [M+H]+= 364)
질소 분위기에서 화학식 B-a-a_P-2 (15g, 41.3mmol)와 Hydrogen Peroxide (1.5g, 41.3mmol) 를 아세트산 200ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 3시간 후 반응물을 물에 부어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 여과한 고체를 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화학식 B-a-a_P-1를 10.5g 제조하였다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 380)
질소 분위기에서 화학식 B-a-a_P-1 (15g, 39.4mmol)를 H2SO4 200ml에 넣고 교반했다. 2 시간 후 반응이 종료되면 반응물을 물에 부어서 결정을 떨어트리고 여과 했다. 여과한 고체를 다시 클로로포름에 녹이고, 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여, 무수황산마그네슘을 넣고 교반한 후 여과하여 여액을 감압 증류하였다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 B-a-a를 9.8g 제조하였다. (수율 72%, MS: [M+H]+= 348)
제조예 104: 화합물 B-a-b의 합성
Figure pat00204
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (8-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-a-b를 제조하였다.
제조예 105: 화합물 B-a-c의 합성
Figure pat00205
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (5-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-a-c를 제조하였다.
제조예 106: 화합물 B-a-d의 합성
Figure pat00206
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-a-d를 제조하였다.
제조예 107: 화합물 B-a-e의 합성
Figure pat00207
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-a-e를 제조하였다.
제조예 108: 화합물 B-a-f의 합성
Figure pat00208
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)isoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-a-f를 제조하였다.
제조예 109: 화합물 B-b-a의 합성
Figure pat00209
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-b-a를 제조하였다.
제조예 110: 화합물 B-b-b의 합성
Figure pat00210
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (8-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-b-b를 제조하였다.
제조예 111: 화합물 B-b-c의 합성
Figure pat00211
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (5-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-b-c를 제조하였다.
제조예 112: 화합물 B-b-d의 합성
Figure pat00212
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-b-d를 제조하였다.
제조예 113: 화합물 B-b-e의 합성
Figure pat00213
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-b-e 제조하였다.
제조예 114: 화합물 B-b-f의 합성
Figure pat00214
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)isoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-b-f를 제조하였다.
제조예 115: 화합물 B-c-a의 합성
Figure pat00215
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-c-a를 제조하였다.
제조예 116: 화합물 B-c-b의 합성
Figure pat00216
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (8-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-c-b를 제조하였다.
제조예 117: 화합물 B-c-c의 합성
Figure pat00217
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (5-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-c-c를 제조하였다.
제조예 118: 화합물 B-c-d의 합성
Figure pat00218
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-c-d를 제조하였다.
제조예 119: 화합물 B-c-e의 합성
Figure pat00219
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-c-e 제조하였다.
제조예 120: 화합물 B-c-f의 합성
Figure pat00220
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)isoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-c-f를 제조하였다.
제조예 121: 화합물 B-d-a의 합성
Figure pat00221
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-d-a를 제조하였다.
제조예 122: 화합물 B-d-b의 합성
Figure pat00222
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (8-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-d-b를 제조하였다.
제조예 123: 화합물 B-d-c의 합성
Figure pat00223
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (5-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-d-c를 제조하였다.
제조예 124: 화합물 B-d-d의 합성
Figure pat00224
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-d-d를 제조하였다.
제조예 125: 화합물 B-d-e의 합성
Figure pat00225
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-d-e 제조하였다.
제조예 126: 화합물 B-d-f의 합성
Figure pat00226
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)isoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-d-f를 제조하였다.
제조예 127: 화합물 B-e-a의 합성
Figure pat00227
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-e-a를 제조하였다.
제조예 128: 화합물 B-e-b의 합성
Figure pat00228
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (8-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-e-b를 제조하였다.
제조예 129: 화합물 B-e-c의 합성
Figure pat00229
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (5-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-e-c를 제조하였다.
제조예 130: 화합물 B-e-d의 합성
Figure pat00230
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-e-d를 제조하였다.
제조예 131: 화합물 B-e-e의 합성
Figure pat00231
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-e-e 제조하였다.
제조예 132: 화합물 B-e-f의 합성
Figure pat00232
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)isoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-e-f를 제조하였다.
제조예 133: 화합물 B-f-a의 합성
Figure pat00233
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-f-a를 제조하였다.
제조예 134: 화합물 B-f-b의 합성
Figure pat00234
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (8-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-f-b를 제조하였다.
제조예 135: 화합물 B-f-c의 합성
Figure pat00235
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (5-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-f-c를 제조하였다.
제조예 136: 화합물 B-f-d의 합성
Figure pat00236
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-f-d를 제조하였다.
제조예 137: 화합물 B-f-e의 합성
Figure pat00237
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-f-e 제조하였다.
제조예 138: 화합물 B-f-f의 합성
Figure pat00238
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (4-(methylthio)isoquinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-f-f를 제조하였다.
제조예 139: 화합물 B-g-a의 합성
Figure pat00239
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (2-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-g-a를 제조하였다.
제조예 140: 화합물 B-g-b의 합성
Figure pat00240
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-g-b를 제조하였다.
제조예 141: 화합물 B-g-c의 합성
Figure pat00241
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-g-c를 제조하였다.
제조예 142: 화합물 B-g-d의 합성
Figure pat00242
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-g-d를 제조하였다.
제조예 143: 화합물 B-g-e의 합성
Figure pat00243
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-g-e를 제조하였다.
제조예 144: 화합물 B-g-f의 합성
Figure pat00244
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-g-f를 제조하였다.
제조예 145: 화합물 B-h-a의 합성
Figure pat00245
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (2-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-h-a를 제조하였다.
제조예 146: 화합물 B-h-b의 합성
Figure pat00246
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-h-b를 제조하였다.
제조예 147: 화합물 B-h-c의 합성
Figure pat00247
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-h-c를 제조하였다.
제조예 148: 화합물 B-h-d의 합성
Figure pat00248
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-h-d를 제조하였다.
제조예 149: 화합물 B-h-e의 합성
Figure pat00249
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-h-e를 제조하였다.
제조예 150: 화합물 B-h-f의 합성
Figure pat00250
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-h-f를 제조하였다.
제조예 151: 화합물 B-i-a의 합성
Figure pat00251
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (2-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-i-a를 제조하였다.
제조예 152: 화합물 B-i-b의 합성
Figure pat00252
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-i-b를 제조하였다.
제조예 153: 화합물 B-i-c의 합성
Figure pat00253
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-i-c를 제조하였다.
제조예 154: 화합물 B-i-d의 합성
Figure pat00254
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-i-d를 제조하였다.
제조예 155: 화합물 B-i-e의 합성
Figure pat00255
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-i-e를 제조하였다.
제조예 156: 화합물 B-i-f의 합성
Figure pat00256
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-i-f를 제조하였다.
제조예 157: 화합물 B-j-a의 합성
Figure pat00257
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (2-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-j-a를 제조하였다.
제조예 158: 화합물 B-j-b의 합성
Figure pat00258
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-j-b를 제조하였다.
제조예 159: 화합물 B-j-c의 합성
Figure pat00259
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-j-c를 제조하였다.
제조예 160: 화합물 B-j-d의 합성
Figure pat00260
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-j-d를 제조하였다.
제조예 161: 화합물 B-j-e의 합성
Figure pat00261
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-j-e를 제조하였다.
제조예 162: 화합물 B-j-f의 합성
Figure pat00262
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-j-f를 제조하였다.
제조예 163: 화합물 B-k-a의 합성
Figure pat00263
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (2-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-k-a를 제조하였다.
제조예 164: 화합물 B-k-b의 합성
Figure pat00264
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-k-b를 제조하였다.
제조예 165: 화합물 B-k-c의 합성
Figure pat00265
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-k-c를 제조하였다.
제조예 166: 화합물 B-k-d의 합성
Figure pat00266
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-k-d를 제조하였다.
제조예 167: 화합물 B-k-e의 합성
Figure pat00267
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-k-e를 제조하였다.
제조예 168: 화합물 B-k-f의 합성
Figure pat00268
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-k-f를 제조하였다.
제조예 169: 화합물 B-l-a의 합성
Figure pat00269
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (2-(methylthio)quinolin-3-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-l-a를 제조하였다.
제조예 170: 화합물 B-l-b의 합성
Figure pat00270
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-l-b를 제조하였다.
제조예 171: 화합물 B-l-c의 합성
Figure pat00271
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-6-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-l-c를 제조하였다.
제조예 172: 화합물 B-l-d의 합성
Figure pat00272
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-l-d를 제조하였다.
제조예 173: 화합물 B-l-e의 합성
Figure pat00273
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-l-e를 제조하였다.
제조예 174: 화합물 B-l-f의 합성
Figure pat00274
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-2-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-l-f를 제조하였다.
제조예 175: 화합물 B-m-a의 합성
Figure pat00275
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)isoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-m-a를 제조하였다.
제조예 176: 화합물 B-m-b의 합성
Figure pat00276
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-m-b를 제조하였다.
제조예 177: 화합물 B-m-c의 합성
Figure pat00277
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)quinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-m-c를 제조하였다.
제조예 178: 화합물 B-m-d의 합성
Figure pat00278
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-m-d를 제조하였다.
제조예 179: 화합물 B-m-e의 합성
Figure pat00279
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-m-e를 제조하였다.
제조예 180: 화합물 B-m-f의 합성
Figure pat00280
(8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-m-f를 제조하였다.
제조예 181: 화합물 B-n-a의 합성
Figure pat00281
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)isoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-n-a를 제조하였다.
제조예 182: 화합물 B-n-b의 합성
Figure pat00282
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-n-b를 제조하였다.
제조예 183: 화합물 B-n-c의 합성
Figure pat00283
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (methylthio)quinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-n-c를 제조하였다.
제조예 184: 화합물 B-n-d의 합성
Figure pat00284
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-n-d를 제조하였다.
제조예 185: 화합물 B-n-e의 합성
Figure pat00285
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-n-e를 제조하였다.
제조예 186: 화합물 B-n-f의 합성
Figure pat00286
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-n-f를 제조하였다.
제조예 187: 화합물 B-o-a의 합성
Figure pat00287
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)isoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-o-a를 제조하였다.
제조예 188: 화합물 B-o-b의 합성
Figure pat00288
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-o-b를 제조하였다.
제조예 189: 화합물 B-o-c의 합성
Figure pat00289
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (methylthio)quinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-o-c를 제조하였다.
제조예 190: 화합물 B-o-d의 합성
Figure pat00290
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-o-d를 제조하였다.
제조예 191: 화합물 B-o-e의 합성
Figure pat00291
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-o-e를 제조하였다.
제조예 192: 화합물 B-o-f의 합성
Figure pat00292
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-4-chloro-2-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-o-f를 제조하였다.
제조예 193: 화합물 B-p-a의 합성
Figure pat00293
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)isoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-p-a를 제조하였다.
제조예 194: 화합물 B-p-b의 합성
Figure pat00294
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-p-b를 제조하였다.
제조예 195: 화합물 B-p-c의 합성
Figure pat00295
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (methylthio)quinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-p-c를 제조하였다.
제조예 196: 화합물 B-p-d의 합성
Figure pat00296
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-p-d를 제조하였다.
제조예 197: 화합물 B-p-e의 합성
Figure pat00297
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-p-e를 제조하였다.
제조예 198: 화합물 B-p-f의 합성
Figure pat00298
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-1-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-p-f를 제조하였다.
제조예 199: 화합물 B-q-a의 합성
Figure pat00299
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)isoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-q-a를 제조하였다.
제조예 200: 화합물 B-q-b의 합성
Figure pat00300
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-q-b를 제조하였다.
제조예 201: 화합물 B-q-c의 합성
Figure pat00301
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (methylthio)quinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-q-c를 제조하였다.
제조예 202: 화합물 B-q-d의 합성
Figure pat00302
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-q-d를 제조하였다.
제조예 203: 화합물 B-q-e의 합성
Figure pat00303
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-q-e를 제조하였다.
제조예 204: 화합물 B-q-f의 합성
Figure pat00304
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-3-chloro-5-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-q-f를 제조하였다.
제조예 205: 화합물 B-r-a의 합성
Figure pat00305
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)isoquinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-r-a를 제조하였다.
제조예 206: 화합물 B-r-b의 합성
Figure pat00306
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (3-(methylthio)quinolin-4-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-r-b를 제조하였다.
제조예 207: 화합물 B-r-c의 합성
Figure pat00307
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (methylthio)quinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-r-c를 제조하였다.
제조예 208: 화합물 B-r-d의 합성
Figure pat00308
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (6-(methylthio)isoquinolin-5-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-r-d를 제조하였다.
제조예 209: 화합물 B-r-e의 합성
Figure pat00309
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 1-bromo-2-chloro-4-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)isoquinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-r-e를 제조하였다.
제조예 210: 화합물 B-r-f의 합성
Figure pat00310
2-bromo-1-chloro-3-iodobenzene 대신 2-bromo-4-chloro-1-iodobenzene를 사용하고, (8-(methylthio)quinolin-7-yl)boronic acid 대신 (7-(methylthio)quinolin-8-yl)boronic acid를 사용한 것을 제외하고는 제조예 103과 같은 방법으로 화합물 B-r-f를 제조하였다.
[합성예 - 화학식 1의 화합물의 합성]
합성예 1: 화합물 1의 합성
Figure pat00311
질소 분위기에서 화학식 A-a-a (10 g, 30.1mmol), sub1 (10.7g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 1을 11.6g 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H]+= 554)
합성예 2: 화합물 2의 합성
Figure pat00312
질소 분위기에서 화학식 A-b-b (10 g, 30.1mmol), sub2 (15.5g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 2를 11.5g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 3: 화합물 3의 합성
Figure pat00313
질소 분위기에서 화학식 A-b-b (10 g, 30.1mmol), sub3 (8.2g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-b-b-1을 9.8g 얻었다. (수율 64%, MS: [M+H]+= 511)
질소 분위기에서 화학식 A-b-b-1 (10 g, 19.6mmol), sub1 (3.5g, 20.5 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 23.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 3을 6.3g 얻었다. (수율 50%, MS: [M+H]+= 644)
합성예 4: 화합물 4의 합성
Figure pat00314
질소 분위기에서 화학식 A-b-e (10 g, 30.1mmol), sub4 (15.5g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 4를 14.4g 얻었다. (수율 68%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 5: 화합물 5의 합성
Figure pat00315
질소 분위기에서 화학식 A-c-c (10 g, 30.1mmol), sub5 (15.5g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 5를 11.9g 얻었다. (수율 56%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 6: 화합물 6의 합성
Figure pat00316
질소 분위기에서 화학식 A-c-d (10 g, 30.1mmol), sub6 (13.8g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 6을 11.6g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 654)
합성예 7: 화합물 7의 합성
Figure pat00317
질소 분위기에서 화학식 A-c-f (10 g, 30.1mmol), sub7 (16.4g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 7을 11.5g 얻었다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 734)
합성예 8: 화합물 8의 합성
Figure pat00318
질소 분위기에서 화학식 A-d-c (10 g, 30.1mmol), sub2 (7.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-d-c-1를 9.1g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 497)
질소 분위기에서 화학식 A-d-c-1 (10 g, 20.1mmol), sub1 (3.6g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 8을 7g 얻었다. (수율 55%, MS: [M+H]+= 630)
합성예 9: 화합물 9의 합성
Figure pat00319
질소 분위기에서 화학식 A-d-d (10 g, 30.1mmol), sub8 (10.1g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-d-d-1을 11.7g 얻었다. (수율 68%, MS: [M+H]+= 573)
질소 분위기에서 화학식 A-d-d-1 (10 g, 17.4mmol), sub4 (4.5g, 18.3 mmol), sodium tert-butoxide (2 g, 20.9 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 9을 8.5g 얻었다. (수율 62%, MS: [M+H]+= 782)
합성예 10: 화합물 10의 합성
Figure pat00320
질소 분위기에서 화학식 A-e-e (10 g, 30.1mmol), sub1 (5.3g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-e-e-1을 8.2g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 421)
질소 분위기에서 화학식 A-e-e-1 (10 g, 23.8mmol), sub5 (6.1g, 24.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.7 g, 28.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 10을 8.1g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 630)
합성예 11: 화합물 11의 합성
Figure pat00321
질소 분위기에서 화학식 A-e-f (10 g, 30.1mmol), sub2 (7.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-e-f-1을 9.4g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 497)
질소 분위기에서 화학식 A-e-f-1 (10 g, 20.1mmol), sub4 (5.2g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 11을 8.5g 얻었다. (수율 60%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 12: 화합물 12의 합성
Figure pat00322
질소 분위기에서 화학식 A-f-a (10 g, 30.1mmol), sub9 (8.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-f-a-1을 8.5g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 527)
질소 분위기에서 화학식 A-f-a-1 (10 g, 19mmol), sub10 (5.9g, 19.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 22.8 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 12를 7.7g 얻었다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 786)
합성예 13: 화합물 13의 합성
Figure pat00323
질소 분위기에서 화학식 A-g-a (10 g, 30.1mmol), sub1 (10.7g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (6.1 g, 63.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 13을 9.1g 얻었다. (수율 55%, MS: [M+H]+= 554)
합성예 14: 화합물 14의 합성
Figure pat00324
질소 분위기에서 화학식 A-g-d (10 g, 30.1mmol), sub1 (5.3g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-g-d-1을 6.6g 얻었다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 421)
질소 분위기에서 화학식 A-g-d-1 (10 g, 23.8mmol), sub11 (9.5g, 24.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.7 g, 28.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 14를 9.8g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 766)
합성예 15: 화합물 15의 합성
Figure pat00325
질소 분위기에서 화학식 A-h-b (10 g, 30.1mmol), sub12 (16.4g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (6.1 g, 63.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 15를 15.4g 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H]+= 734)
합성예 16: 화합물 16의 합성
Figure pat00326
질소 분위기에서 화학식 A-h-e (10 g, 30.1mmol), sub6 (13.8g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (6.1 g, 63.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 16을 11.4g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 654)
합성예 17: 화합물 17의 합성
Figure pat00327
질소 분위기에서 화학식 A-h-f (10 g, 30.1mmol), sub4 (7.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-h-f-1를 9.5g 얻었다. (수율 64%, MS: [M+H]+= 497)
질소 분위기에서 화학식 A-h-f-1 (10 g, 20.1mmol), sub8 (6.8g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 17을 8g 얻었다. (수율 51%, MS: [M+H]+= 782)
합성예 18: 화합물 18의 합성
Figure pat00328
질소 분위기에서 화학식 A-h-c (10 g, 30.1mmol), sub2 (15.5g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (6.1 g, 63.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 18을 12.1g 얻었다. (수율 57%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 19: 화합물 19의 합성
Figure pat00329
질소 분위기에서 화학식 A-h-d (10 g, 30.1mmol), sub4 (15.5g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (6.1 g, 63.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 19를 13.8g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 20: 화합물 20의 합성
Figure pat00330
질소 분위기에서 화학식 A-j-c (10 g, 30.1mmol), sub13 (9.3g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-j-c-1을 10.7g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 547)
질소 분위기에서 화학식 A-j-c-1 (10 g, 18.3mmol), sub14 (5.3g, 19.2 mmol), sodium tert-butoxide (2.1 g, 21.9 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 20을 10g 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H]+= 786)
합성예 21: 화합물 21의 합성
Figure pat00331
질소 분위기에서 화학식 A-k-b (10 g, 30.1mmol), sub1 (5.3g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-k-b-1을 8.7g 얻었다. (수율 69%, MS: [M+H]+= 421)
질소 분위기에서 화학식 A-k-b-1 (10 g, 23.8mmol), sub2 (6.1g, 24.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.7 g, 28.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 21을 10.3g 얻었다. (수율 69%, MS: [M+H]+= 630)
합성예 22: 화합물 22의 합성
Figure pat00332
질소 분위기에서 화학식 A-k-e (10 g, 30.1mmol), sub1 (5.3g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-k-e-1을 6.8g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 421)
질소 분위기에서 화학식 A-k-e-1 (10 g, 23.8mmol), sub12 (6.5g, 24.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.7 g, 28.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 22를 8.7g 얻었다. (수율 57%, MS: [M+H]+= 644)
합성예 23: 화합물 23의 합성
Figure pat00333
질소 분위기에서 화학식 A-l-a (10 g, 30.1mmol), sub15 (9.3g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 A-l-a-1을 11.2g 얻었다. (수율 68%, MS: [M+H]+= 547)
질소 분위기에서 화합물 A-l-a-1 (10 g, 18.3mmol), sub14 (5.3g, 19.2 mmol), sodium tert-butoxide (2.1 g, 21.9 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 23을 7.2g 얻었다. (수율 50%, MS: [M+H]+= 786)
합성예 24: 화합물 24의 합성
Figure pat00334
질소 분위기에서 화학식 A-l-f (10 g, 30.1mmol), sub1 (5.3g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-l-f-1을 7.7g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 421)
질소 분위기에서 화학식 A-l-f-1 (10 g, 23.8mmol), sub9 (6.9g, 24.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.7 g, 28.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 24을 8g 얻었다. (수율 51%, MS: [M+H]+= 660)
합성예 25: 화합물 25의 합성
Figure pat00335
질소 분위기에서 화학식 A-m-a (10 g, 30.1mmol), sub2 (15.5g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 25를 11.2g 얻었다. (수율 53%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 26: 화합물 26의 합성
Figure pat00336
질소 분위기에서 화학식 A-p-b-1 (10 g, 20.1mmol), sub2 (5.2g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 31을 9.5g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 706)
질소 분위기에서 화학식 A-m-c-1 (10 g, 20.1mmol), sub5 (5.2g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 26을 7.7g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 27: 화합물 27의 합성
Figure pat00337
질소 분위기에서 화학식 A-m-f (10 g, 30.1mmol), sub2 (7.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-m-f-1을 8.8g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 497)
질소 분위기에서 화학식 A-m-f-1 (10 g, 20.1mmol), sub1 (3.6g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 27을 7.6g 얻었다. (수율 60%, MS: [M+H]+= 630)
합성예 28: 화합물 28의 합성
Figure pat00338
질소 분위기에서 화학식 A-n-e (10 g, 30.1mmol), sub4 (7.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-n-e-1을 8.8g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 497)
질소 분위기에서 화학식 A-n-e-1 (10 g, 20.1mmol), sub16 (7.4g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 28을 8.7g 얻었다. (수율 53%, MS: [M+H]+= 812)
합성예 29: 화합물 29의 합성
Figure pat00339
질소 분위기에서 화학식 A-o-d (10 g, 30.1mmol), sub6 (13.8g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 29를 11.8g 얻었다. (수율 60%, MS: [M+H]+= 654)
합성예 30: 화합물 30의 합성
Figure pat00340
질소 분위기에서 화학식 A-n-f (10 g, 30.1mmol), sub17 (8.2g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-n-f-1을 10.3g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 511)
질소 분위기에서 화학식 A-n-f-1 (10 g, 19.6mmol), sub9 (5.7g, 20.5 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 23.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 30을 9.8g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 750)
합성예 31: 화합물 31의 합성
Figure pat00341
질소 분위기에서 화학식 A-p-b (10 g, 30.1mmol), sub2 (7.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-p-b-1을 0.1g 얻었다. (수율 68%, MS: [M+H]+= 497)
질소 분위기에서 화학식 A-p-b-1 (10 g, 20.1mmol), sub4 (5.2g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 31을 9.5g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 32: 화합물 32의 합성
Figure pat00342
질소 분위기에서 화학식 A-p-c (10 g, 30.1mmol), sub4 (15.5g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 32를 11.5g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 33: 화합물 33의 합성
Figure pat00343
질소 분위기에서 화학식 A-p-d (10 g, 30.1mmol), sub4 (7.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-p-d-1을 10.3g 얻었다. (수율 69%, MS: [M+H]+= 497)
질소 분위기에서 화학식 A-p-d-1 (10 g, 20.1mmol), sub8 (6.8g, 21.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 24.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 33을 8.3g 얻었다. (수율 53%, MS: [M+H]+= 782)
합성예 34: 화합물 34의 합성
Figure pat00344
질소 분위기에서 화학식 A-q-a (10 g, 30.1mmol), sub14 (8.7g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-q-a-1을 8.1g 얻었다. (수율 51%, MS: [M+H]+= 527)
질소 분위기에서 화학식 A-q-a-1 (10 g, 19mmol), sub18 (5.5g, 19.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 22.8 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 34를 7.3g 얻었다. (수율 50%, MS: [M+H]+= 766)
합성예 35: 화합물 35의 합성
Figure pat00345
질소 분위기에서 화학식 A-q-b (10 g, 30.1mmol), sub1 (5.3g, 31.6 mmol), sodium tert-butoxide (3.5 g, 36.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 A-q-b-1을 8.5g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 421)
질소 분위기에서 화학식 A-q-b-1 (10 g, 23.8mmol), sub19 (8.1g, 24.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.7 g, 28.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 35를 9.9g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 710)
합성예 36: 화합물 36의 합성
Figure pat00346
질소 분위기에서 화학식 A-q-e (10 g, 30.1mmol), sub5 (15.5g, 63.1 mmol), sodium tert-butoxide (7.2 g, 75.2 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 36을 12.3g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 706)
합성예 37: 화합물 37의 합성
Figure pat00347
질소 분위기에서 화학식 B-a-a (10 g, 28.7mmol), sub2 (14.8g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 37을 12g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 38: 화합물 38의 합성
Figure pat00348
질소 분위기에서 화학식 B-a-b (10 g, 22.9mmol), sub1 (4.1g, 24 mmol), sodium tert-butoxide (2.6 g, 27.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-a-b-1를 6.7g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 437)
질소 분위기에서 화학식 B-a-b-1 (10 g, 22.9mmol), sub9 (6.6g, 24 mmol), sodium tert-butoxide (2.6 g, 27.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 38을 9.7g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 676)
합성예 39: 화합물 39의 합성
Figure pat00349
질소 분위기에서 화학식 B-a-d (10 g, 28.7mmol), sub12 (15.6g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.8 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-a-d-1을 8.5g 얻었다. (수율 56%, MS: [M+H]+= 527)
질소 분위기에서 화학식 B-a-d-1 (10 g, 19mmol), sub20 (5.2g, 19.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 22.8 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 39를 8.7g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 750)
합성예 40: 화합물 40의 합성
Figure pat00350
질소 분위기에서 화학식 B-b-b (10 g, 22.9mmol), sub1 (4.1g, 24.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.6 g, 27.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-b-b-1을 5.9g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 437)
질소 분위기에서 화학식 B-b-b-1 (10 g, 22.9mmol), sub5 (5.9g, 24.1 mmol), sodium tert-butoxide (2.6 g, 27.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 40을 7.5g 얻었다. (수율 51%, MS: [M+H]+= 646)
합성예 41: 화합물 41의 합성
Figure pat00351
질소 분위기에서 화학식 B-b-e (10 g, 28.7mmol), sub6 (13.2g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 41를 12.7g 얻었다. (수율 66%, MS: [M+H]+= 670)
합성예 42: 화합물 42의 합성
Figure pat00352
질소 분위기에서 화학식 B-c-c (10 g, 19mmol), sub12 (5.2g, 19.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 22.8 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-c-c-1을 5.4g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 527)
질소 분위기에서 화학식 B-c-c-1 (10 g, 19mmol), sub1 (3.4g, 19.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 22.8 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 42를 7.6g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 660)
합성예 43: 화합물 43의 합성
Figure pat00353
질소 분위기에서 화학식 B-c-d (10 g, 20.5mmol), sub6 (4.7g, 21.6 mmol), sodium tert-butoxide (2.4 g, 24.6 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-c-d-1을 6.5g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 487)
질소 분위기에서 화학식 B-c-d-1 (10 g, 20.5mmol), sub21 (6.4g, 21.6 mmol), sodium tert-butoxide (2.4 g, 24.6 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 43을 9g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 44: 화합물 44의 합성
Figure pat00354
질소 분위기에서 화학식 B-d-f (10 g, 28.7mmol), sub2 (7.4g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-d-f-1를 9g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 513)
질소 분위기에서 화학식 B-d-f-1 (10 g, 19.5mmol), sub5 (5g, 20.5 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 23.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 44를 8.6g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 45: 화합물 45의 합성
Figure pat00355
질소 분위기에서 화학식 B-e-b (10 g, 28.7mmol), sub4 (14.8g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 45를 10.8g 얻었다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 46: 화합물 46의 합성
Figure pat00356
질소 분위기에서 화학식 B-e-e (10 g, 28.7mmol), sub2 (14.8g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 46을 12.8g 얻었다. (수율 62%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 47: 화합물 47의 합성
Figure pat00357
질소 분위기에서 화학식 B-f-c (10 g, 28.7mmol), sub1 (5.1g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-f-c-1을 8.1g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 437)
질소 분위기에서 화학식 B-f-c-1 (10 g, 22.9mmol), sub22 (8.4g, 24 mmol), sodium tert-butoxide (2.6 g, 27.5 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 47을 8.7g 얻었다. (수율 51%, MS: [M+H]+= 750)
합성예 48: 화합물 48의 합성
Figure pat00358
질소 분위기에서 화학식 B-f-f (10 g, 28.7mmol), sub1 (5.1g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-f-c-1을 8.1g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 437)
합성예 49: 화합물 49의 합성
Figure pat00359
질소 분위기에서 화학식 B-g-a (10 g, 28.7mmol), sub1 (10.2g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 49를 11.4g 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H]+= 570)
합성예 50: 화합물 50의 합성
Figure pat00360
질소 분위기에서 화학식 B-g-d (10 g, 28.7mmol), sub2 (7.4g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-g-d-1을 9.4g 얻었다. (수율 64%, MS: [M+H]+= 513)
질소 분위기에서 화학식 B-g-d-1 (10 g, 19.5mmol), sub5 (5g, 20.5 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 23.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 50을 8.2g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 51: 화합물 51의 합성
Figure pat00361
질소 분위기에서 화학식 B-g-f (10 g, 28.7mmol), sub23 (8.1g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-g-f-1을 9.4g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 537)
질소 분위기에서 화학식 B-g-f-1 (10 g, 18.6mmol), sub9 (5.4g, 19.6 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 22.3 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 51을 8.4g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 776)
합성예 52: 화합물 52의 합성
Figure pat00362
질소 분위기에서 화학식 B-h-b (10 g, 28.7mmol), sub4 (7.4g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-h-b-1을 9.3g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 513)
질소 분위기에서 화학식 B-h-b-1 (10 g, 19.5mmol), sub1 (3.5g, 20.5 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 23.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 52를 6.6g 얻었다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 646)
합성예 53: 화합물 53의 합성
Figure pat00363
질소 분위기에서 화학식 B-h-c (10 g, 28.7mmol), sub5 (14.8g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 53을 10.8g 얻었다. (수율 52%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 54: 화합물 54의 합성
Figure pat00364
질소 분위기에서 화학식 B-h-e (10 g, 28.7mmol), sub4 (14.8g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 54를 10.3g 얻었다. (수율 50%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 55: 화합물 55의 합성
Figure pat00365
질소 분위기에서 화학식 B-i-f (10 g, 28.7mmol), sub20 (15.6g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 55를 12.7g 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 750)
합성예 56: 화합물 56의 합성
Figure pat00366
질소 분위기에서 화학식 B-j-d (10 g, 28.7mmol), sub2 (14.8g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 56을 13.9g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 57: 화합물 57의 합성
Figure pat00367
질소 분위기에서 화학식 B-k-b (10 g, 28.7mmol), sub6 (13.2g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.9 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 5시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 57을 12.1g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 670)
합성예 58: 화합물 58의 합성
Figure pat00368
질소 분위기에서 화학식 B-k-e (10 g, 28.7mmol), sub1 (5.1g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-k-e-1을 7g 얻었다. (수율 56%, MS: [M+H]+= 437)
질소 분위기에서 화학식 B-k-e-1 (10 g, 22.9mmol), sub7 (6.2g, 24 mmol), sodium tert-butoxide (2.6 g, 27.5 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 58을 8.7g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 660)
합성예 59: 화합물 59의 합성
Figure pat00369
질소 분위기에서 화학식 B-l-a (10 g, 28.7mmol), sub15 (8.9g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-l-a-1을 8.7g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 563)
질소 분위기에서 화학식 B-l-a-1 (10 g, 17.8mmol), sub14 (5.1g, 18.6 mmol), sodium tert-butoxide (2.0 g, 21.3 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 59를 8.3g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 802)
합성예 60: 화합물 60의 합성
Figure pat00370
질소 분위기에서 화학식 B-l-c (10 g, 28.7mmol), sub9 (8.3g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-l-c-1을 8.9g 얻었다. (수율 57%, MS: [M+H]+= 543)
질소 분위기에서 화학식 B-l-c-1 (10 g, 18.4mmol), sub14 (5.3g, 19.3 mmol), sodium tert-butoxide (2.1 g, 22.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 g, 0.2 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 60을 9.3g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 782)
합성예 61: 화합물 61의 합성
Figure pat00371
질소 분위기에서 화학식 B-m-a (10 g, 28.7mmol), sub1 (5.1g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol)을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-m-a-1을 7.1g 얻었다. (수율 57%, MS: [M+H]+= 437)
질소 분위기에서 화학식 B-m-a-1 (10 g, 18.4mmol), sub9 (5.3g, 19.3 mmol), sodium tert-butoxide (2.1 g, 22.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.5 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 61을 8.8g 얻었다. (수율 57%, MS: [M+H]+= 676)
합성예 62: 화합물 62의 합성
Figure pat00372
질소 분위기에서 화학식 B-m-f (10 g, 28.7mmol), sub6 (13.2g, 60.2 mmol), tert-butoxide (6.8 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 62를 11.1g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 670)
합성예 63: 화합물 63의 합성
Figure pat00373
질소 분위기에서 화학식 B-n-b (10 g, 28.7mmol), sub18 (5.1g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol)을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-n-b-1을 9.8g 얻었다. (수율 63%, MS: [M+H]+= 543)
질소 분위기에서 화학식 B-n-b-1 (10 g, 18.4mmol), sub14 (5.3g, 19.3 mmol), sodium tert-butoxide (2.1 g, 22.1 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 63을 9.4g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 782)
합성예 64: 화합물 64의 합성
Figure pat00374
질소 분위기에서 화학식 B-n-e (28.7mmol), sub4 (60.2 mmol), tert-butoxide (71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 64를 11.1g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 65: 화합물 65의 합성
Figure pat00375
질소 분위기에서 화학식 B-o-c (10 g, 28.7mmol), sub3 (7.8g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol)을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-o-c-1을 9.8g 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 527)
질소 분위기에서 화학식 B-o-c-1 (10 g, 17.3mmol), sub1 (3.1g, 18.2 mmol), sodium tert-butoxide (2.1 g, 21.6 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 65을 7.1g 얻었다. (수율 62%, MS: [M+H]+= 660)
합성예 66: 화합물 66의 합성
Figure pat00376
질소 분위기에서 화학식 B-o-d (10 g, 28.7mmol), sub24 (9.3g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol)을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-o-d-1을 11.1g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 577)
질소 분위기에서 화학식 B-o-d-1 (10 g, 17.3mmol), sub25 (4.9g, 18.2 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 21.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.3 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 66을 7.7g 얻었다. (수율 55%, MS: [M+H]+= 810)
합성예 67: 화합물 67의 합성
Figure pat00377
질소 분위기에서 화학식 B-p-d (10 g, 28.7mmol), sub5 (14.8g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.8 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 67을 12g 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 722)
합성예 68: 화합물 68의 합성
Figure pat00378
질소 분위기에서 화학식 B-q-b (10 g, 28.7mmol), sub7 (7.8g, 630.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol)을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-q-b-1을 10.6g 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H]+= 527)
질소 분위기에서 화학식 B-q-b-1 (10 g, 19mmol), sub26 (6.4g, 19.9 mmol), sodium tert-butoxide (2.3 g, 23.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 68을 10.6g 얻었다. (수율 69%, MS: [M+H]+= 812)
합성예 69: 화합물 69의 합성
Figure pat00379
질소 분위기에서 화학식 B-q-e (10 g, 28.7mmol), sub1 (10.2g, 60.2 mmol), sodium tert-butoxide (6.8 g, 71.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 69를 8.8g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 570)
합성예 70: 화합물 70의 합성
Figure pat00380
질소 분위기에서 화학식 B-r-a (10 g, 28.7mmol), sub6 (6.6g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol)을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-r-a-1을 7.7g 얻었다. (수율 55%, MS: [M+H]+= 487)
질소 분위기에서 화학식 B-r-a-1 (10 g, 20.5mmol), sub19 (7g, 21.6 mmol), sodium tert-butoxide (2.5 g, 25.7 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 70을 8.6g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 776)
합성예 71: 화합물 71의 합성
Figure pat00381
질소 분위기에서 화학식 B-r-c (10 g, 28.7mmol), sub27 (8.4g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol)을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-r-c-1을 9.5g 얻었다. (수율 61%, MS: [M+H]+= 543)
질소 분위기에서 화학식 B-r-c-1 (10 g, 18.4mmol), sub18 (5.3g, 19.5 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 23 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 71을 7.8g 얻었다. (수율 54%, MS: [M+H]+= 782)
합성예 72: 화합물 72의 합성
Figure pat00382
질소 분위기에서 화학식 B-r-f (10 g, 28.7mmol), sub27 (8.4g, 30.1 mmol), sodium tert-butoxide (3.3 g, 34.4 mmol)을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화학식 B-r-f-1을 10.9g 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H]+= 543)
질소 분위기에서 화학식 B-r-f-1 (10 g, 18.4mmol), sub1 (3.3g, 19.4 mmol), sodium tert-butoxide (2.2 g, 23 mmol) 을 Xylene200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결되면 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 72를 8.3g 얻었다. (수율 67%, MS: [M+H]+= 676)
[실시예 및 비교예]
실시예 1
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척했다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용했다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행했다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 정공주입층으로 하기 HI-1 화합물을 1150Å의 두께로 형성하되 하기 A-1 화합물을 1.5% 농도로 p-doping 했다. 상기 정공주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 진공 증착하여 막 두께 800Å 의 정공수송층을 형성했다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 150Å으로 하기 EB-1 화합물을 진공 증착하여 전자억제층을 형성했다. 이어서, 상기 EB-1 증착막 위에 호스트로 하기 RH-1 화합물과 화합물 1을, 도판트로 하기 Dp-7 화합물을 49:49:2의 중량비로 진공 증착하여 400Å 두께의 적색 발광층을 형성했다. 상기 발광층 위에 막 두께 30Å으로 하기 HB-1 화합물을 진공 증착하여 정공저지층을 형성했다. 이어서, 상기 정공저지층 위에 하기 ET-1 화합물과 하기 LiQ 화합물을 2:1의 중량비로 진공 증착하여 300Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성했다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성했다.
Figure pat00383
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2ⅹ10-7 ~ 5ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작했다.
실시예 2 내지 실시예 72
실시예 1의 유기 발광 소자에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조했다.
비교예 1 내지 비교예 10
실시예 1의 유기 발광 소자에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물(C1 내지 C10)을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조했다.
Figure pat00384
[실험예]
상기 실시예 1 내지 실시예 72 및 비교예 1 내지 비교예 10에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율을 측정(15mA/cm2)하고 그 결과를 하기 표1애 나타냈다. 수명 T95는 휘도가 초기 휘도(6000 nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
구분 물질 구동전압(V) 효율(cd/A) 수명 T95(hr) 발광색
실시예 1 화합물 1 3.82 19.40 201 적색
실시예 2 화합물 2 3.76 18.84 206 적색
실시예 3 화합물 3 3.78 19.22 196 적색
실시예 4 화합물 4 3.83 18.92 204 적색
실시예 5 화합물 5 3.86 18.49 201 적색
실시예 6 화합물 6 3.81 19.50 186 적색
실시예 7 화합물 7 3.76 19.47 194 적색
실시예 8 화합물 8 3.79 19.48 189 적색
실시예 9 화합물 9 3.88 19.08 210 적색
실시예 10 화합물 10 3.88 18.55 201 적색
실시예 11 화합물 11 3.85 19.37 204 적색
실시예 12 화합물 12 3.82 19.40 199 적색
실시예 13 화합물 13 3.85 20.06 220 적색
실시예 14 화합물 14 3.89 20.31 230 적색
실시예 15 화합물 15 3.82 19.08 211 적색
실시예 16 화합물 16 3.89 20.35 227 적색
실시예 17 화합물 17 3.85 19.61 228 적색
실시예 18 화합물 18 3.85 19.36 216 적색
실시예 19 화합물 19 3.86 20.48 212 적색
실시예 20 화합물 20 3.86 19.95 213 적색
실시예 21 화합물 21 3.89 19.58 215 적색
실시예 22 화합물 22 3.82 19.31 229 적색
실시예 23 화합물 23 3.83 20.10 209 적색
실시예 24 화합물 24 3.82 20.49 206 적색
실시예 25 화합물 25 3.57 17.60 178 적색
실시예 26 화합물 26 3.65 18.04 172 적색
실시예 27 화합물 27 3.60 17.06 186 적색
실시예 28 화합물 28 3.58 17.87 186 적색
실시예 29 화합물 29 3.56 17.45 172 적색
실시예 30 화합물 30 3.60 17.44 170 적색
실시예 31 화합물 31 3.65 17.09 174 적색
실시예 32 화합물 32 3.57 17.80 176 적색
실시예 33 화합물 33 3.65 18.00 181 적색
실시예 34 화합물 34 3.55 17.85 174 적색
실시예 35 화합물 35 3.64 17.68 176 적색
실시예 36 화합물 36 3.59 18.36 182 적색
실시예 37 화합물 37 3.57 22.68 179 적색
실시예 38 화합물 38 3.59 19.54 173 적색
실시예 39 화합물 39 3.60 19.96 180 적색
실시예 40 화합물 40 3.57 21.98 174 적색
실시예 41 화합물 41 3.62 20.31 178 적색
실시예 42 화합물 42 3.60 21.79 187 적색
실시예 43 화합물 43 3.60 20.95 173 적색
실시예 44 화합물 44 3.55 21.78 189 적색
실시예 45 화합물 45 3.60 20.90 187 적색
실시예 46 화합물 46 3.59 20.99 171 적색
실시예 47 화합물 47 3.55 22.92 173 적색
실시예 48 화합물 48 3.64 21.46 190 적색
실시예 49 화합물 49 3.67 17.59 294 적색
실시예 50 화합물 50 3.60 17.21 302 적색
실시예 51 화합물 51 3.63 18.48 296 적색
실시예 52 화합물 52 3.69 17.15 304 적색
실시예 53 화합물 53 3.69 18.39 281 적색
실시예 54 화합물 54 3.65 17.24 291 적색
실시예 55 화합물 55 3.64 17.35 286 적색
실시예 56 화합물 56 3.65 18.23 300 적색
실시예 57 화합물 57 3.68 17.83 282 적색
실시예 58 화합물 58 3.68 17.75 289 적색
실시예 59 화합물 59 3.61 18.50 298 적색
실시예 60 화합물 60 3.65 18.39 289 적색
실시예 61 화합물 61 3.75 19.45 212 적색
실시예 62 화합물 62 3.62 17.27 187 적색
실시예 63 화합물 63 3.56 17.72 179 적색
실시예 64 화합물 64 3.57 17.18 180 적색
실시예 65 화합물 65 3.57 17.90 176 적색
실시예 66 화합물 66 3.58 17.75 175 적색
실시예 67 화합물 67 3.62 17.36 172 적색
실시예 68 화합물 68 3.65 18.09 185 적색
실시예 69 화합물 69 3.63 18.17 175 적색
실시예 70 화합물 70 3.57 17.29 176 적색
실시예 71 화합물 71 3.59 17.58 184 적색
실시예 72 화합물 72 3.59 17.61 173 적색
비교예 1 C-1 4.01 15.07 148 적색
비교예 2 C-2 4.13 14.10 112 적색
비교예 3 C-3 4.06 14.56 131 적색
비교예 4 C-4 3.97 14.62 157 적색
비교예 5 C-5 4.03 15.92 146 적색
비교예 6 C-6 4.09 15.22 134 적색
비교예 7 C-7 4.11 15.94 129 적색
비교예 8 C-8 4.17 16.05 117 적색
비교예 9 C-9 3.95 16.94 152 적색
비교예 10 C-10 4.08 16.50 145 적색
상기 표 1의 결과를 참고하면, 실시예의 유기 발광 소자는 발광층의 호스트 화합물로 화학식 1로 표시되는 화합물과 RH-1을 함께 사용하였으며, 도판트로 Dp-7을 사용하는 유기 발광 소자로서, 낮은 구동 전압, 우수한 발광 효율을 나타내며, 수명 특성이 현저히 개선된 것을 확인할 수 있었다.
비교예 1 내지 10는 발광층 호스트 화합물로 화학식 1로 표시되는 화합물 대신 C-1 내지 C-10을 사용하여 유기 발광 소자를 제조한 것으로, 실시예 대비 구동 전압이 크게 높아지고, 효율 및 수명 특성이 크게 저하한 한 것을 확인할 수 있었다.
이를 통해, 유기 발광 소자의 발광층의 호스트로 화학식 1로 표시되는 화합물을 적용 시 적색 도판트로의 에너지 전달이 잘 이뤄진다는 것을 알 수 있었다. 또한 높은 효율을 유지하면서도 수명 특성을 크게 개선시킬 수 있는 것을 알 수 있었다. 이는 화학식 1로 표시되는 화합물이 비교예에 사용된 화합물과 비교하여 전자와 정공에 대한 안정도가 높기 때문이라 판단할 수 있다.
1: 기판 2: 양극
3: 정공수송층 4: 발광층
5: 전자주입 및 수송층 6: 음극
7: 정공주입층 8: 전자억제층
9: 정공저지층

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00385

    상기 화학식 1에서,
    Y는 S 또는 O이고,
    A는 나프탈렌 고리이고, 단, A의 탄소 원자 중 적어도 하나는 질소 원자로 치환되고,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로, 직접결합 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고,
    Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌, 또는 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 치환 또는 비치환된 C2-60 헤테로아릴렌이고,
    R1은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬 또는 치환 또는 비치횐된 C6-60 아릴이고,
    m은 0 내지 6의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3로 표시되는,
    화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00386

    [화학식 1-2]
    Figure pat00387

    [화학식 1-3]
    Figure pat00388

    상기 화학식 1-1 내지 1-3에서,
    X1, X2, X3, X4, X5 및 X6은 각각 독립적으로 CR1 또는 N이고, 단, 이들 중 적어도 하나는 N이고,
    Y, R1, L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 청구항 1에서 정의한 바와 같다.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
    화합물:
    Figure pat00389

    상기 식 중에서,
    Y, R1, L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4 및 m은 청구항 1에서 정의한 바와 같다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은, 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-6으로 표시되는,
    화합물:
    [화학식 2-1]
    Figure pat00390

    [화학식 2-2]
    Figure pat00391

    [화학식 2-3]
    Figure pat00392

    [화학식 2-4]
    Figure pat00393

    [화학식 2-5]
    Figure pat00394

    [화학식 2-6]
    Figure pat00395

    상기 화학식 2-1 내지 2-6에서,
    A, Y, L1, L2, Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, R1 및 m은 청구항 1에서 정의한 바와 같다.
  5. 제1항에 있어서,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로, 직접결합, 페닐렌, 비페닐릴렌 또는 나프틸렌인,
    화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 나프틸, 나프틸페닐, 페닐나프틸, 페난쓰레닐, 트리페닐레닐, 디메틸플루오레닐, 디페닐플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 디벤조티오페닐, 카바졸-9-일, 또는 9-페닐-9H-카바졸릴인,
    화합물.
  7. 제1항에 있어서,
    R1은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, C1-10알킬 또는 페닐인,
    화합물.
  8. 제1항에 있어서,
    m은 0 내지 2인, 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인, 화합물:
    Figure pat00396

    Figure pat00397

    Figure pat00398

    Figure pat00399

    Figure pat00400

    Figure pat00401

    Figure pat00402

    Figure pat00403

    Figure pat00404

    Figure pat00405

    Figure pat00406

    Figure pat00407

    Figure pat00408

    Figure pat00409

    Figure pat00410

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    Figure pat00412

    Figure pat00413

    Figure pat00414

    Figure pat00415

    Figure pat00416

    Figure pat00417

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    Figure pat00419

    Figure pat00420

    Figure pat00421

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    Figure pat00423

    Figure pat00424

    Figure pat00425

    Figure pat00426

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    Figure pat00428

    Figure pat00429

    Figure pat00430

    Figure pat00431

    Figure pat00432

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    Figure pat00434

    Figure pat00435

    Figure pat00436

    Figure pat00437

    Figure pat00438

    Figure pat00439

    Figure pat00440

    Figure pat00441

    Figure pat00442

    Figure pat00443

    Figure pat00444

    Figure pat00445


    Figure pat00446

    Figure pat00447


    Figure pat00448

    Figure pat00449


    Figure pat00450

    Figure pat00451

    Figure pat00452

    Figure pat00453

    Figure pat00454

    Figure pat00455

    Figure pat00456

    Figure pat00457

    Figure pat00458

    Figure pat00459

    Figure pat00460

    Figure pat00461


    Figure pat00462

    Figure pat00463


    Figure pat00464


    Figure pat00465

    Figure pat00466

    Figure pat00467
    .
  10. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인, 유기 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 화합물을 포함하는 유기물층은, 발광층인, 유기 발광 소자.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114989181A (zh) * 2022-06-30 2022-09-02 武汉天马微电子有限公司 一种杂环芳胺化合物、有机电致发光器件和显示面板
WO2023096465A1 (ko) * 2021-11-29 2023-06-01 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2023096454A1 (ko) * 2021-11-29 2023-06-01 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130073537A (ko) 2011-12-23 2013-07-03 제일모직주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR20160018458A (ko) * 2013-06-11 2016-02-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계발광소자용 재료, 이것을 이용한 유기 전계발광소자 및 전자 기기
KR20160068641A (ko) * 2014-12-05 2016-06-15 엘지디스플레이 주식회사 지연 형광 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드소자 및 표시장치
KR20190130341A (ko) * 2018-05-14 2019-11-22 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20200046229A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130073537A (ko) 2011-12-23 2013-07-03 제일모직주식회사 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR20160018458A (ko) * 2013-06-11 2016-02-17 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계발광소자용 재료, 이것을 이용한 유기 전계발광소자 및 전자 기기
KR20160068641A (ko) * 2014-12-05 2016-06-15 엘지디스플레이 주식회사 지연 형광 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드소자 및 표시장치
KR20190130341A (ko) * 2018-05-14 2019-11-22 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20200046229A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023096465A1 (ko) * 2021-11-29 2023-06-01 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2023096454A1 (ko) * 2021-11-29 2023-06-01 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN114989181A (zh) * 2022-06-30 2022-09-02 武汉天马微电子有限公司 一种杂环芳胺化合物、有机电致发光器件和显示面板

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