KR20210141455A - Sheet for forming a protective film and method for manufacturing a substrate device - Google Patents

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Abstract

기재와, 기재 상에 에너지선 경화성의 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트로서, 보호막 형성층은, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여 경화함으로써, 볼록상 전극 형성면에 보호막을 형성하는 층으로서, 경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에 있어서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고, 에너지선 조사 후의 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 보호막 형성용 시트이다.A sheet for forming a protective film having a substrate, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer and a curable protective film-forming layer on the substrate in this order, wherein the protective film-forming layer is adhered to and cured on the convex electrode-forming surface of a work having a convex electrode, As a layer which forms a protective film on the convex electrode formation surface, the shear storage elastic modulus in 23 degreeC of the protective film forming layer before hardening is 3000 MPa or less, and the tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of the adhesive layer after energy-beam irradiation is 45 MPa. It is the following sheet|seat for protective film formation.

Description

보호막 형성용 시트 및 기판 장치의 제조 방법Sheet for forming a protective film and method for manufacturing a substrate device

본 발명은 보호막 형성용 시트 및 기판 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 표면에 형성되어 있는 볼록상 전극과, 워크를 보호하기 위해서 바람직하게 사용되는 보호막 형성용 시트 및 볼록상 전극을 갖는 기판 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sheet for forming a protective film and a method for manufacturing a substrate device. In particular, it relates to a method for manufacturing a substrate device having a convex electrode formed on the surface of a work such as a semiconductor wafer, a sheet for forming a protective film preferably used for protecting the work, and the convex electrode.

종래, MPU 나 게이트 어레이 등에 사용하는 다 (多) 핀의 LSI 패키지를 프린트 배선 기판에 실장하는 경우에는, 반도체 칩으로서, 그 접속 패드부에 공정 (共晶) 땜납, 고온 땜납, 금 등으로 이루어지는 볼록상 전극 (범프) 이 형성된 것을 사용하고, 소위 페이스 다운 방식에 의해, 그들 범프를 칩 탑재용 기판 상의 서로 대응하는 단자부에 대면, 접촉시켜, 용융/확산 접합하는 플립 칩 실장 방법이 채용되어 왔다.Conventionally, when a multi-pin LSI package used for an MPU or a gate array is mounted on a printed wiring board, it is a semiconductor chip, and the connection pad portion is made of eutectic solder, high-temperature solder, gold, or the like. A flip-chip mounting method in which convex electrodes (bumps) are formed is used, and the bumps are brought into contact with corresponding terminal portions on a chip mounting substrate by a so-called face-down method, and melt/diffusion bonding has been adopted. .

이 실장 방법에서 이용하는 반도체 칩은, 예를 들면, 회로면에 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의, 회로면과는 반대측의 면을 연삭하고, 다이싱하여 개편화함으로써 얻어진다. 이러한 반도체 칩을 얻는 과정에 있어서는, 통상, 반도체 웨이퍼의 범프 및 회로면을 보호할 목적으로, 경화성 수지 필름을 범프 형성면에 첩부하고, 이 필름을 경화시켜, 범프 형성면에 보호막을 형성한다.The semiconductor chip used by this mounting method is obtained by grinding, dicing, and separating into pieces the surface opposite to the circuit surface of the semiconductor wafer in which the bump was formed in the circuit surface, for example. In the process of obtaining such a semiconductor chip, in order to protect the bump and circuit surface of a semiconductor wafer normally, a curable resin film is affixed to a bump formation surface, this film is hardened, and a protective film is formed in a bump formation surface.

예를 들면, 특허문헌 1 에는, 저유전 재료층이 형성된 범프 형성면에, 열경화성 수지층의 용융 점도 및 점착제층의 전단 탄성률이 소정의 범위 내인 보호층 형성용 필름이 개시되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses a film for forming a protective layer in which the melt viscosity of the thermosetting resin layer and the shear modulus of the pressure-sensitive adhesive layer are within predetermined ranges on the bump formation surface on which the low dielectric material layer is formed.

일본 공개특허공보 2015-92594호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-92594

그러나, 보호막 형성용 필름에 있어서, 점착제층으로부터의 박리를 용이하게 하기 위해서, 보호막 형성층은 단단하게 되어 있었다. 그 때문에, 보호막 형성용 시트를 재단하려고 하면, 보호막 형성층에 기인하는 재단 부스러기가 발생하고, 재단시에 보호막 형성용 시트가 받는 굴곡으로 인해 보호막 형성층이 깨지기 쉬운 등의 문제가 있었다.However, the film for protective film formation WHEREIN: In order to make peeling from an adhesive layer easy, the protective film forming layer was made hard. Therefore, when the sheet for forming a protective film is cut, there are problems such as shavings resulting from the protective film forming layer are generated, and the protective film forming layer is easily broken due to bending of the protective film forming sheet during cutting.

그래서, 보호막 형성층을 부드럽게 한 결과, 점착제층으로부터의 박리가 곤란해진다는 문제가 발생하였다.Then, as a result of softening a protective film forming layer, the problem that peeling from an adhesive layer became difficult arose.

본 발명은, 이러한 실상을 감안하여 이루어지고, 보호막 형성층으로부터의 박리가 용이한 점착제층을 갖는 보호막 형성용 시트, 및 당해 보호막 형성용 시트를 사용하여 볼록상 전극을 갖는 기판 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of this reality, and provides a sheet for forming a protective film having a pressure-sensitive adhesive layer that is easily peelable from the protective film forming layer, and a method for manufacturing a substrate device having a convex electrode using the sheet for forming a protective film. intended to provide

본 발명의 양태는, 이하와 같다.Aspects of the present invention are as follows.

[1] 기재와, 기재 상에 에너지선 경화성의 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트로서,[1] A sheet for forming a protective film having a substrate, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer and a curable protective film forming layer in this order on the substrate,

보호막 형성층은, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여 경화함으로써, 볼록상 전극 형성면에 보호막을 형성하는 층으로서,The protective film forming layer is a layer that forms a protective film on the convex electrode forming surface by sticking and curing the convex electrode forming surface of a work having a convex electrode,

경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고,The shear storage modulus at 23°C of the protective film forming layer before curing is 3000 MPa or less,

에너지선 조사 후의 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 보호막 형성용 시트이다.It is the sheet|seat for protective film formation whose tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of the adhesive layer after energy-beam irradiation is 45 Mpa or less.

[2] 기재와, 기재 상에 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트로서,[2] A sheet for forming a protective film having a substrate, an adhesive layer and a curable protective film forming layer on the substrate in this order,

보호막 형성층은, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여 경화함으로써, 볼록상 전극 형성면에 보호막을 형성하는 층으로서,The protective film forming layer is a layer that forms a protective film on the convex electrode forming surface by sticking and curing the convex electrode forming surface of a work having a convex electrode,

경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고,The shear storage modulus at 23°C of the protective film forming layer before curing is 3000 MPa or less,

점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 보호막 형성용 시트이다.It is the sheet|seat for protective film formation whose tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of an adhesive layer is 45 Mpa or less.

[3] 점착제층은, 수산기 함유 아크릴계 모노머에, 이소시아네이트기를 갖는 에너지선 경화성 화합물이 부가된 반응물을 갖고,[3] The pressure-sensitive adhesive layer has a reaction product in which an energy ray-curable compound having an isocyanate group is added to a hydroxyl group-containing acrylic monomer;

수산기 함유 아크릴계 모노머 100 질량% 에 대한 이소시아네이트기를 갖는 에너지선 경화성 화합물의 함유 비율이 10 질량% 이하인 [1] 또는 [2] 에 기재된 보호막 형성용 시트이다.The sheet for forming a protective film according to [1] or [2], wherein the content ratio of the energy ray-curable compound having an isocyanate group to 100 mass% of the hydroxyl group-containing acrylic monomer is 10 mass% or less.

[4] 기재와, 점착제층 사이에 완충층을 갖는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 보호막 형성용 시트이다.[4] The sheet for forming a protective film according to any one of [1] to [3], which has a buffer layer between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer.

[5] 기재와, 기재 상에 에너지선 경화성의 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트를, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여, 보호막 형성층과 볼록상 전극을 접촉시키는 공정과,[5] A sheet for forming a protective film having a substrate and an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer and a curable protective film-forming layer on the substrate in this order is attached to the convex electrode-forming surface of a work having a convex electrode, and the protective film-forming layer and contacting the convex electrode;

에너지선 조사 후의 점착제층을, 경화 전의 보호막 형성층으로부터 박리하는 공정과,The process of peeling the adhesive layer after energy-beam irradiation from the protective film forming layer before hardening;

보호막 형성층을 경화하여 보호막을 형성하는 공정과,A step of curing the protective film forming layer to form a protective film;

볼록상 전극을 갖는 워크로부터, 개편화된 워크 가공물을 얻는 공정을 갖고,a step of obtaining a work piece divided into pieces from a work having a convex electrode;

경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고,The shear storage modulus at 23°C of the protective film forming layer before curing is 3000 MPa or less,

에너지선 조사 후의 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 기판 장치의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the board|substrate apparatus whose tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of the adhesive layer after energy-beam irradiation is 45 Mpa or less.

[6] 기재와, 기재 상에 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트를, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여, 보호막 형성층과 볼록상 전극을 접촉시키는 공정과,[6] A sheet for forming a protective film having a base material and a pressure-sensitive adhesive layer and a curable protective film forming layer on the base material in this order is attached to the convex electrode forming surface of a work having a convex electrode, and the protective film forming layer and the convex electrode are formed. contact process;

점착제층을, 경화 전의 보호막 형성층으로부터 박리하는 공정과,The process of peeling an adhesive layer from the protective film forming layer before hardening;

보호막 형성층을 경화하여 보호막을 형성하는 공정과,A step of curing the protective film forming layer to form a protective film;

볼록상 전극을 갖는 워크로부터, 개편화된 워크 가공물을 얻는 공정을 갖고,a step of obtaining a work piece divided into pieces from a work having a convex electrode;

경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고,The shear storage modulus at 23°C of the protective film forming layer before curing is 3000 MPa or less,

점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 기판 장치의 제조 방법이다.It is the manufacturing method of the board|substrate apparatus whose tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of an adhesive layer is 45 Mpa or less.

본 발명에 의하면, 보호막 형성층으로부터의 박리가 용이한 점착제층을 갖는 보호막 형성용 시트, 및 당해 보호막 형성용 시트를 사용하여 볼록상 전극을 갖는 기판 장치를 제조하는 방법을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the sheet|seat for protective film formation which has an easily peelable adhesive layer from a protective film forming layer, and the method of manufacturing the board|substrate apparatus which has a convex electrode using the said sheet|seat for protective film formation can be provided.

도 1a 는 본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트의 일례의 단면 모식도이다.
도 1b 는 본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트의 다른 예의 단면 모식도이다.
도 2 는 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.
도 3 은 본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트를 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 범프 형성면에 첩부하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 4 는 보호막 형성용 시트로부터 박리된 보호막 형성층을 경화하여 보호막으로 하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 5 는, 보호막이 형성된 반도체 웨이퍼로부터, 반도체 칩을 개편화하는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6 은, 개편화한 반도체 칩으로부터 반도체 장치를 얻는 공정을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram of an example of the sheet|seat for protective film formation which concerns on this embodiment.
It is a cross-sectional schematic diagram of the other example of the sheet|seat for protective film formation which concerns on this embodiment.
It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the semiconductor wafer in which the bump was formed.
It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the process of affixing the sheet for protective film formation which concerns on this embodiment on the bump formation surface of the semiconductor wafer in which the bump was formed.
It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the process of hardening the protective film forming layer peeled from the protective film formation sheet|seat, and setting it as a protective film.
5 : is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the process of separating a semiconductor chip into pieces from the semiconductor wafer with a protective film.
6 is a schematic cross-sectional view for explaining a step of obtaining a semiconductor device from a semiconductor chip separated into pieces.

이하, 본 발명을, 구체적인 실시 형태에 기초하여, 이하의 순서로 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, based on specific embodiment, this invention is demonstrated in detail in the following order.

(1. 보호막 형성용 시트)(1. Sheet for forming a protective film)

본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트 (1) 는, 도 1a 에 나타내는 바와 같이, 기재 (10) 상에 점착제층 (20) 및 보호막 형성층 (30) 이 이 순서로 적층된 구성을 갖고 있다.The sheet|seat 1 for protective film formation which concerns on this embodiment has the structure in which the adhesive layer 20 and the protective film forming layer 30 were laminated|stacked in this order on the base material 10, as shown to FIG. 1A.

본 실시 형태에서는, 보호막 형성용 시트는, 볼록상 전극이 형성된 워크에 첩부되어 사용된다. 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 볼록상 전극으로서의 범프 (102) 가 워크로서의 반도체 웨이퍼 (101) 에 형성된 범프 형성 반도체 웨이퍼의 범프 형성면 (101a) 에 첩부되어 사용된다. 범프는, 반도체 웨이퍼에 형성된 회로와 전기적으로 접속하도록 형성되어 있으므로, 범프 형성면 (101a) 은 회로면이다.In this embodiment, the sheet|seat for protective film formation is affixed to the workpiece|work in which the convex electrode was formed, and is used. For example, as shown in FIG. 2, the bump 102 as a convex electrode is stuck to the bump formation surface 101a of the bump formation semiconductor wafer formed in the semiconductor wafer 101 as a workpiece|work, and is used. Since the bumps are formed so as to be electrically connected to the circuit formed on the semiconductor wafer, the bump formation surface 101a is a circuit surface.

보호막 형성용 시트가 첩부된 범프 형성 반도체 웨이퍼에 소정의 처리 (예를 들면, 회로면과는 반대측의 면인 이면을 연삭하는 처리) 를 행한 후, 적어도 보호막 형성층이 범프에 접촉한 상태에서 보호막 형성층을 범프 형성면에 남기고 보호막 형성용 시트를 박리한다.After performing a predetermined process (for example, a process of grinding the back surface, which is the surface opposite to the circuit surface) to the bump-forming semiconductor wafer to which the protective film forming sheet is affixed, at least the protective film forming layer is in contact with the bump. The sheet for forming a protective film is peeled off while remaining on the bump formation surface.

보호막 형성층은, 박리 전후에, 범프를 덮도록 하여 범프 사이에 퍼지고, 회로면과 밀착하여, 적어도 범프의 기부와 회로면을 덮는다. 보호막 형성층이 경화되면, 회로면 및 범프에 더욱 밀착하여 이들을 보호하는 보호막을 형성한다. 즉, 보호막 형성층 및 보호막은, 모두 회로면 및 범프를 보호한다. 따라서, 보호막 형성층이 범프 형성면에 형성된 후에는, 범프에 응력이 가해지는 경우에도, 범프 크랙을 효과적으로 억제할 수 있다.The protective film forming layer spreads between the bumps so as to cover the bumps before and after the peeling, and in close contact with the circuit surface, at least the base portion of the bump and the circuit surface are covered. When the protective film forming layer is cured, a protective film is formed to further closely adhere to the circuit surface and bumps to protect them. That is, both the protective film forming layer and the protective film protect the circuit surface and the bump. Therefore, after the protective film forming layer is formed on the bump formation surface, even when stress is applied to the bump, it is possible to effectively suppress the bump crack.

보호막이 형성된 범프 형성 반도체 웨이퍼는, 복수의 반도체 칩으로 개편화된다. 이 때, 각 반도체 칩은 범프 및 보호막을 갖고 있고, 이 상태에서 칩이 탑재되는 기판에 실장된다.The bump-formed semiconductor wafer with the protective film is divided into a plurality of semiconductor chips. At this time, each semiconductor chip has a bump and a protective film, and in this state, it is mounted on the board|substrate on which a chip is mounted.

본 실시 형태에서는, 보호막 형성용 시트는, 도 1a 에 기재된 구성에 한정되지 않고, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 다른 층을 갖고 있어도 된다. 예를 들어, 도 1b 에 도시한 바와 같이, 기재와 점착제층 사이에 완충층 (40) 을 갖고 있어도 된다. 후술하지만, 범프의 높이가 높은 경우에는, 보호막 형성용 시트는, 도 1b 에 도시하는 완충층 (40) 을 갖고 있는 것이 바람직하다.In this embodiment, the sheet|seat for protective film formation is not limited to the structure described in FIG. 1A, As long as the effect of this invention is acquired, you may have another layer. For example, as shown in FIG. 1B, you may have the buffer layer 40 between a base material and an adhesive layer. Although mentioned later, when the height of a bump is high, it is preferable that the sheet|seat for protective film formation has the buffer layer 40 shown to FIG. 1B.

본 실시 형태에서는 보호막 형성용 시트에 있어서 보호막 형성층 이외의 구성 요소를 적층 시트라고 하는 경우가 있다. 예를 들면, 도 1a 에 나타내는 보호막 형성용 시트에 있어서는 기재 및 점착제층이 적층 시트 (50) 를 구성하고, 도 1b 에 나타내는 보호막 형성용 시트에 있어서는 기재, 완충층 및 점착제층이 적층 시트 (50) 를 구성한다. 이하, 보호막 형성용 시트의 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.In this embodiment, in the sheet|seat for protective film formation, components other than a protective film forming layer may be called a lamination|stacking sheet. For example, in the sheet for forming a protective film shown in Fig. 1A, the base material and the pressure-sensitive adhesive layer constitute the laminated sheet 50, and in the sheet for forming a protective film shown in Fig. 1B, the base material, the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer are the laminated sheet 50 make up Hereinafter, the components of the sheet|seat for protective film formation are demonstrated in detail.

(2. 점착제층)(2. Adhesive layer)

점착제층은, 보호막 형성층이 볼록상 전극 형성면에 첩부되고, 보호막 형성용 시트로부터 박리될 때까지 보호막 형성층을 지지한다. 점착제층은 1 층 (단층) 으로 구성되어 있어도 되고, 2 층 이상의 복수층으로 구성되어 있어도 된다. 점착제층이 복수층을 갖는 경우, 이들 복수층은, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 이들 복수층을 구성하는 층의 조합은 특별히 제한되지 않는다.The pressure-sensitive adhesive layer supports the protective film forming layer until the protective film forming layer is affixed to the convex electrode formation surface and peels off from the sheet for forming the protective film. An adhesive layer may be comprised from one layer (single layer), and may be comprised from multiple layers of two or more layers. When an adhesive layer has multiple layers, these multiple layers may mutually be same or different, and the combination in particular of the layer which comprises these multiple layers is not restrict|limited.

점착제층의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하이다. 또한, 점착제층의 두께는, 점착제층 전체의 두께를 의미한다. 예를 들어, 복수층으로 구성되는 점착제층의 두께는, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Although the thickness in particular of an adhesive layer is not restrict|limited, Preferably they are 1 micrometer or more and 100 micrometers or less, More preferably, they are 3 micrometers or more and 50 micrometers or less, More preferably, they are 5 micrometers or more and 30 micrometers or less. In addition, the thickness of an adhesive layer means the thickness of the whole adhesive layer. For example, the thickness of the adhesive layer comprised from multiple layers means the thickness of the sum total of all the layers which comprise an adhesive layer.

본 실시 형태에서는, 점착제층은 이하의 물성을 갖고 있다.In this embodiment, an adhesive layer has the following physical properties.

(2.1. 인장 저장 탄성률)(2.1. Tensile storage modulus)

본 실시 형태에서는, 23 ℃ 에 있어서의 점착제층의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하이다. 인장 저장 탄성률은 점착제층의 변형의 용이함 (경도) 의 지표의 하나이다. 23 ℃ 에 있어서의 점착제층의 인장 저장 탄성률이 상기의 범위 내임으로써, 보호막 형성층으로부터 점착제층, 즉, 적층 시트를 박리할 때에, 슬립 스틱 현상이 발생하기 어려워, 보호막 형성층으로부터의 박리성이 양호해진다. 그 결과, 보호막 형성층에 주는 데미지를 억제할 수 있고, 보호막 형성시에 기판 장치의 볼록상 전극을 충분히 보호할 수 있다.In this embodiment, the tensile storage elastic modulus of the adhesive layer in 23 degreeC is 45 Mpa or less. The tensile storage modulus is one of the indexes of the easiness of deformation (hardness) of the pressure-sensitive adhesive layer. When the tensile storage elastic modulus of the adhesive layer in 23 degreeC is in said range, when peeling an adhesive layer, ie, a lamination sheet, from a protective film forming layer, it is hard to generate|occur|produce a slip-stick phenomenon, and the peelability from a protective film forming layer becomes favorable. . As a result, damage to the protective film forming layer can be suppressed, and the convex electrode of the substrate device can be sufficiently protected when the protective film is formed.

23 ℃ 에 있어서의 점착제층의 인장 저장 탄성률은 30 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 20 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 23 ℃ 에 있어서의 점착제층의 인장 저장 탄성률은 0.4 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 2 ㎫ 이상인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 30 Mpa or less, and, as for the tensile storage elastic modulus of the adhesive layer in 23 degreeC, it is more preferable that it is 20 Mpa or less. Moreover, it is preferable that it is 0.4 Mpa or more, and, as for the tensile storage elastic modulus of the adhesive layer in 23 degreeC, it is more preferable that it is 2 Mpa or more.

또한, 점착제층이 에너지선 경화성을 갖고 있는 경우, 상기의 인장 저장 탄성률은, 경화 후의 점착제층의 인장 저장 탄성률, 즉, 에너지선 조사 후의 점착제층의 인장 저장 탄성률이다.In addition, when an adhesive layer has energy-beam sclerosis|hardenability, said tensile storage elastic modulus is the tensile storage elastic modulus of the adhesive layer after hardening, ie, the tensile storage elastic modulus of the adhesive layer after energy-beam irradiation.

(2.2. 점착력)(2.2. Adhesion)

본 실시 형태에서는, 보호막 형성층은 점착제층으로부터 박리되므로, 23 ℃ 에 있어서의 점착제층의 점착력은 보호막 형성층으로부터의 박리력이다. 당해 점착력은 1500 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 점착제층의 점착력이 상기의 범위 내임으로써, 보호막 형성층으로부터의 박리성이 양호해진다.In this embodiment, since a protective film forming layer peels from an adhesive layer, the adhesive force of the adhesive layer in 23 degreeC is peeling force from a protective film forming layer. It is preferable that the said adhesive force is 1500 mN/25 mm or less. When the adhesive force of an adhesive layer exists in said range, the peelability from a protective film forming layer becomes favorable.

23 ℃ 에 있어서의 점착제층의 점착력은 1200 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 1000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 1200 mN/25 mm or less, and, as for the adhesive force of the adhesive layer in 23 degreeC, it is more preferable that it is 1000 mN/25 mm or less.

또한, 점착제층이 에너지선 경화성을 갖고 있는 경우, 상기의 점착력은, 경화 후의 점착제층의 점착력이다.In addition, when an adhesive layer has energy-beam sclerosis|hardenability, said adhesive force is the adhesive force of the adhesive layer after hardening.

(2.3. 점착제 조성물)(2.3. Adhesive composition)

점착제층은 상기의 물성을 갖고 있으면, 점착제층의 조성은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시 형태에서는, 점착제층은 점착성 수지를 갖는 점착제 조성물로 구성되어 있는 것이 바람직하다.Although the composition of an adhesive layer will not be specifically limited if an adhesive layer has said physical property, In this embodiment, it is preferable that an adhesive layer is comprised from the adhesive composition which has adhesive resin.

점착성 수지로서는, 예를 들어 아크릴계 수지 ((메트)아크릴로일기를 갖는 수지로 이루어지는 점착제), 우레탄계 수지 (우레탄 결합을 갖는 수지로 이루어지는 점착제), 고무계 수지 (고무 구조를 갖는 수지로 이루어지는 점착제), 실리콘계 수지 (실록산 결합을 갖는 수지로 이루어지는 점착제), 에폭시계 수지 (에폭시기를 갖는 수지로 이루어지는 점착제), 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트를 들 수 있다. 본 실시 형태에서는, 점착성 수지는 아크릴계 수지인 것이 바람직하다.As the adhesive resin, for example, an acrylic resin (a pressure-sensitive adhesive composed of a resin having a (meth)acryloyl group), a urethane-based resin (a pressure-sensitive adhesive composed of a resin having a urethane bond), a rubber-based resin (a pressure-sensitive adhesive composed of a resin having a rubber structure), silicone resins (adhesives made of a resin having a siloxane bond), epoxy resins (adhesives made of resins having an epoxy group), polyvinyl ethers, and polycarbonates. In this embodiment, it is preferable that adhesive resin is an acrylic resin.

점착제 조성물은, 에너지선 조사에 의해 경화 가능한 에너지선 경화성 점착제 조성물이어도 되고, 비에너지선 경화성 점착제 조성물이어도 된다. 또한, 에너지선으로서는 자외선, 전자선 등을 들 수 있고, 본 실시 형태에서는 자외선이 바람직하다.The energy-beam curable adhesive composition which can be hardened|cured by energy-beam irradiation may be sufficient as an adhesive composition, and the non-energy-ray-curable adhesive composition may be sufficient as it. Moreover, as an energy beam, an ultraviolet-ray, an electron beam, etc. are mentioned, In this embodiment, an ultraviolet-ray is preferable.

(2.3.1 에너지선 경화성 점착제 조성물)(2.3.1 Energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive composition)

점착제 조성물이 에너지선 경화성인 경우, 점착제층의 물성을, 경화 전후에서 용이하게 조절할 수 있다.When the pressure-sensitive adhesive composition is energy ray-curable, the physical properties of the pressure-sensitive adhesive layer can be easily adjusted before and after curing.

에너지선 경화성 점착제 조성물로서는, 예를 들면, 비에너지선 경화성의 점착성 수지 (1a) (이후, "점착성 수지 (1a)" 라고도 함) 와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물 (1) ; 비에너지선 경화성의 점착성 수지 (1a) 의 측사슬에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지 (2a) (이후, "점착성 수지 (2a)" 라고도 함) 를 함유하는 점착제 조성물 (2) 을 들 수 있다.As an energy-beam curable adhesive composition, For example, Non-energy-ray-curable adhesive resin (1a) (henceforth "adhesive resin (1a)") and the adhesive composition (1) containing an energy-beam curable compound; The adhesive composition (2) containing the energy-beam-curable adhesive resin (2a) (henceforth "adhesive resin (2a)") in which the unsaturated group was introduce|transduced into the side chain of the non-energy-ray-curable adhesive resin (1a) is mentioned can

(2.3.1.1 점착성 수지 (1a))(2.3.1.1 Adhesive Resin (1a))

점착성 수지 (1a) 는 아크릴계 수지인 것이 바람직하다. 아크릴계 수지로는, 예를 들어, 적어도 (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 중합체를 들 수 있다. 아크릴계 중합체가 갖는 구성 단위는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되고, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.It is preferable that the adhesive resin (1a) is an acrylic resin. As acrylic resin, the acrylic polymer which has a structural unit derived from (meth)acrylic-acid alkylester at least is mentioned, for example. The number of structural units which an acrylic polymer has may be 1 type, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

(메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 알킬에스테르를 구성하는 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20 인 것을 들 수 있고, 알킬기는 직사슬형 또는 분지사슬형인 것이 바람직하다.Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group constituting the alkyl ester, and the alkyl group is preferably linear or branched.

(메트)아크릴산알킬에스테르로서, 보다 구체적으로는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산sec-부틸, (메트)아크릴산tert-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산n-옥틸, (메트)아크릴산n-노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실 ((메트)아크릴산라우릴이라고도 함), (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실 ((메트)아크릴산미리스틸이라고도 함), (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실 ((메트)아크릴산팔미틸이라고도 함), (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실 ((메트)아크릴산스테아릴이라고도 함), (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산이코실 등을 들 수 있다.As the (meth)acrylic acid alkyl ester, more specifically, (meth) methyl acrylate, (meth) ethyl acrylate, (meth) acrylate n-propyl, (meth) acrylate isopropyl, (meth) acrylate n-butyl, (meth) acrylate ) isobutyl acrylate, (meth) acrylate sec-butyl, (meth) acrylate tert-butyl, (meth) acrylate pentyl, (meth) acrylate hexyl, (meth) acrylate heptyl, (meth) acrylate 2-ethylhexyl, (meth) acrylate ) Acrylate isooctyl, (meth) acrylic acid n-octyl, (meth) acrylic acid n-nonyl, (meth) acrylate isononyl, (meth) acrylate decyl, (meth) acrylate undecyl, (meth) acrylate dodecyl (( Also called lauryl (meth)acrylate), tridecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate (also called myristyl (meth)acrylate), pentadecyl (meth)acrylate, hexadecyl (meth)acrylate ((meth) (also called palmityl acrylate), (meth) acrylic acid heptadecyl, (meth) acrylic acid octadecyl (also called (meth) acrylate stearyl), (meth) acrylate nonadecyl, (meth) acrylic acid icosyl, and the like.

점착제층의 점착력이 향상되는 점에서, 아크릴계 중합체는, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 점착제층의 점착력이 보다 향상되는 점에서, 알킬기의 탄소수는 4 ∼ 12 인 것이 바람직하고, 8 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메트)아크릴산알킬에스테르는, 아크릴산알킬에스테르인 것이 바람직하다.Since the adhesive force of an adhesive layer improves, it is preferable that an acrylic polymer has a structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester whose carbon number of an alkyl group is 4 or more. And it is preferable that carbon number of an alkyl group is 4-12, and, as for the point which the adhesive force of an adhesive layer improves more, it is more preferable that it is 8-12. Moreover, it is preferable that carbon number of an alkyl group is 4 or more (meth)acrylic-acid alkylester, and it is an acrylic acid alkylester.

아크릴계 중합체는, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 관능기 함유 모노머로서는, 예를 들면, 관능기가 후술하는 가교제와 반응함으로써 가교의 기점이 되거나, 또는, 관능기가 불포화기 함유 화합물 중의 불포화기와 반응함으로써, 아크릴계 중합체의 측사슬에 불포화기의 도입을 가능하게 하는 것을 들 수 있다.It is preferable that an acryl-type polymer has the structural unit derived from a functional group containing monomer further other than the structural unit derived from (meth)acrylic-acid alkylester. As a functional group-containing monomer, for example, when a functional group reacts with a crosslinking agent mentioned later, it becomes a starting point of crosslinking, or when a functional group reacts with the unsaturated group in an unsaturated group containing compound, introduction of an unsaturated group into the side chain of an acrylic polymer is possible. can be heard

관능기 함유 모노머의 관능기로는, 예를 들어 수산기, 카르복시기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 본 실시 형태에서는, 수산기 및 카르복시기가 바람직하고, 수산기가 보다 바람직하다.As a functional group of a functional group containing monomer, a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, an epoxy group, etc. are mentioned, for example. In this embodiment, a hydroxyl group and a carboxy group are preferable, and a hydroxyl group is more preferable.

수산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산하이드록시메틸, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산3-하이드록시프로필, (메트)아크릴산2-하이드록시부틸, (메트)아크릴산3-하이드록시부틸, (메트)아크릴산4-하이드록시부틸 등의 (메트)아크릴산하이드록시알킬 ; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 비 (메트)아크릴계 불포화 알코올 ((메트)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올) 등을 들 수 있다.As a hydroxyl-containing monomer, (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid is, for example, (meth)acrylic acid hydroxyalkyl, such as 2-hydroxybutyl, (meth)acrylic-acid 3-hydroxybutyl, and (meth)acrylic-acid 4-hydroxybutyl; Non-(meth)acrylic unsaturated alcohols (unsaturated alcohol which does not have (meth)acryloyl skeleton), such as vinyl alcohol and allyl alcohol, etc. are mentioned.

카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산 (에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노카르복실산) ; 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 (에틸렌성 불포화 결합을 갖는 디카르복실산) ; 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물 ; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메트)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다.As a carboxyl group containing monomer, For example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids (monocarboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond), such as (meth)acrylic acid and a crotonic acid; Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids (dicarboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond), such as a fumaric acid, itaconic acid, a maleic acid, and a citraconic acid; anhydride of ethylenically unsaturated dicarboxylic acid; (meth)acrylic acid carboxyalkyl esters, such as 2-carboxyethyl methacrylate, etc. are mentioned.

아크릴계 중합체를 구성하는 관능기 함유 모노머는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되고, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of functional group-containing monomers constituting the acrylic polymer may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

아크릴계 중합체에 있어서, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유량은, 구성 단위의 전체 질량에 대하여, 1 ∼ 35 질량% 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 32 질량% 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 30 질량% 인 것이 특히 바람직하다.In the acrylic polymer, the content of the structural unit derived from the functional group-containing monomer is preferably 1-35 mass%, more preferably 3-32 mass%, and 5-30 mass%, with respect to the total mass of the structural unit. It is particularly preferred.

아크릴계 중합체는, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 및 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위 이외에, 추가로, 다른 모노머 유래의 구성 단위를 갖고 있어도 된다. 다른 모노머는, (메트)아크릴산알킬에스테르 등과 공중합 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다. 다른 모노머는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The acrylic polymer may have a structural unit derived from another monomer other than the structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester and the structural unit derived from a functional group containing monomer further. The other monomer will not be specifically limited as long as it is copolymerizable with (meth)acrylic-acid alkylester etc. Specific examples thereof include styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide. The number of other monomers may be one, and two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

점착성 수지 (1a) 는 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. 점착제 조성물 (1) 에 있어서 점착성 수지 (1a) 의 함유량은 점착제 조성물 (1) 의 총 질량에 대하여 5 ∼ 99 질량% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 95 질량% 인 것이 보다 바람직하고, 15 ∼ 90 질량% 인 것이 특히 바람직하다.The number of adhesive resins (1a) may be one, and two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily. The content of the pressure-sensitive adhesive resin (1a) in the pressure-sensitive adhesive composition (1) is preferably 5-99 mass%, more preferably 10-95 mass%, and 15-90 mass%, with respect to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (1). % is particularly preferred.

(2.3.1.2 에너지선 경화성 화합물) (2.3.1.2 Energy-ray-curable compound)

점착제 조성물 (1) 이 함유하는 에너지선 경화성 화합물로서는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다.As an energy-beam sclerosing|hardenable compound which the adhesive composition (1) contains, it has an energy-beam polymerizable unsaturated group, and the monomer or oligomer which can be hardened|cured by irradiation of an energy-beam is mentioned.

에너지선 경화성 화합물 중 모노머로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트 등의 다가 (메트)아크릴레이트 ; 우레탄(메트)아크릴레이트 ; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 ; 폴리에테르(메트)아크릴레이트 ; 에폭시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomer in the energy ray-curable compound include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate. polyvalent (meth)acrylates such as , 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate and 1,6-hexanediol di(meth)acrylate; Urethane (meth)acrylate; polyester (meth)acrylate; polyether (meth)acrylate; Epoxy (meth)acrylate etc. are mentioned.

에너지선 경화성 화합물 중, 올리고머로서는, 예를 들면, 상기에서 예시한 모노머가 중합하여 이루어지는 올리고머 등을 들 수 있다.Among the energy ray-curable compounds, examples of the oligomer include an oligomer obtained by polymerization of the monomers exemplified above.

에너지선 경화성 화합물은, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of energy ray-curable compounds may be one, and two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

점착제 조성물 (1) 에 있어서, 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 점착제 조성물 (1) 의 총 질량에 대하여 1 ∼ 95 질량% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 90 질량% 인 것이 보다 바람직하고, 10 ∼ 85 질량% 인 것이 특히 바람직하다.In the pressure-sensitive adhesive composition (1), the content of the energy ray-curable compound is preferably 1-95 mass%, more preferably 5-90 mass%, and 10-85 mass%, with respect to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (1). % is particularly preferred.

(2.3.1.3 점착성 수지 (2a))(2.3.1.3 adhesive resin (2a))

점착제 조성물 (2) 은 에너지선 경화성의 점착성 수지 (2a) 를 함유하고 있다. 본 실시 형태에서는 점착성 수지 (2a) 는 관능기를 갖는 아크릴계 중합체에, 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 화합물을 부가 반응시켜서 이루어지는 점착성 수지인 것이 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive composition (2) contains an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (2a). In this embodiment, it is preferable that adhesive resin (2a) is adhesive resin formed by making the acrylic polymer which has a functional group addition-react the energy-beam curable compound which has an energy-beam curable group.

관능기를 갖는 아크릴계 중합체로서는, 관능기를 갖는 아크릴계 단량체와 관능기를 갖지 않는 아크릴계 단량체의 공중합체인 것이 바람직하다.As an acrylic polymer which has a functional group, it is preferable that it is a copolymer of the acrylic monomer which has a functional group, and the acrylic monomer which does not have a functional group.

관능기를 갖는 아크릴계 모노머는, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.A hydroxyl group-containing monomer and a carboxyl group-containing monomer are preferable, and, as for the acryl-type monomer which has a functional group, a hydroxyl-containing monomer is more preferable.

수산기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산하이드록시메틸, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산3-하이드록시프로필, (메트)아크릴산2-하이드록시부틸, (메트)아크릴산3-하이드록시부틸, (메트)아크릴산4-하이드록시부틸 등의 (메트)아크릴산하이드록시알킬 ; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 비 (메트)아크릴계 불포화 알코올 ((메트)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올) 을 들 수 있다.As a hydroxyl-containing monomer, (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylate is, for example, (meth)acrylic acid hydroxyalkyl, such as acrylic acid 2-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxybutyl, and (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl; ratio (meth)acrylic unsaturated alcohol (unsaturated alcohol which does not have (meth)acryloyl skeleton), such as vinyl alcohol and allyl alcohol, is mentioned.

본 실시 형태에서는, 관능기를 갖는 아크릴계 모노머는, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산4-하이드록시부틸로부터 선택되는 1 종 이상이 바람직하고, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸이 보다 바람직하다.In the present embodiment, the acrylic monomer having a functional group is preferably at least one selected from 2-hydroxyethyl (meth)acrylic acid and 4-hydroxybutyl (meth)acrylic acid, and 2-hydroxyethyl (meth)acrylic acid. This is more preferable.

관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산sec-부틸, (메트)아크릴산tert-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산n-옥틸, (메트)아크릴산n-노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실 ((메트)아크릴산라우릴이라고도 함), (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실 ((메트)아크릴산미리스틸이라고도 함), (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실 ((메트)아크릴산팔미틸이라고도 함), (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실 ((메트)아크릴산스테아릴이라고도 함) 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1 ∼ 18 인 사슬형 구조인 (메트)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있다.Examples of the acrylic monomer having no functional group include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, and (meth)acrylic acid. Isobutyl, (meth)acrylic acid sec-butyl, (meth)acrylic acid tert-butyl, (meth)acrylic acid pentyl, (meth)acrylic acid hexyl, (meth)acrylic acid heptyl, (meth)acrylic acid 2-ethylhexyl, (meth)acrylic acid Isooctyl, (meth)acrylic acid n-octyl, (meth)acrylic acid n-nonyl, (meth)acrylic acid isononyl, (meth)acrylic acid decyl, (meth)acrylic acid undecyl, (meth)acrylic acid dodecyl ((meth) (also called lauryl acrylate), (meth) acrylic acid tridecyl, (meth) acrylic acid tetradecyl ((meth) acrylate myristyl), (meth) acrylic acid pentadecyl, (meth) acrylate hexadecyl ((meth) acrylate palmi The alkyl group constituting the alkyl ester, such as tyl), (meth) acrylate heptadecyl, (meth) acrylate octadecyl (also called (meth) stearyl (meth) acrylate), has a chain structure having 1 to 18 carbon atoms ( and meth)acrylic acid alkyl esters.

본 실시 형태에서는, 보호막 형성층으로부터의 박리성의 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 ∼ 12 인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 바람직하고, 알킬기의 탄소수가 8 ∼ 12 인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 보다 바람직하다. 구체적으로는, (메트)아크릴산2-에틸헥실이 바람직하다.In the present embodiment, from the viewpoint of releasability from the protective film forming layer, (meth)acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms is preferable, and (meth)acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 8 to 12 carbon atoms is more preferable. . Specifically, (meth)acrylic acid 2-ethylhexyl is preferable.

에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 화합물로서는, 이소시아네이트기, 에폭시기 및 카르복시기로부터 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 갖는 화합물이 바람직하고, 이소시아네이트기를 갖는 화합물이 보다 바람직하다.As an energy-ray-curable compound which has an energy-beam curable group, the compound which has 1 type(s) or 2 or more types chosen from an isocyanate group, an epoxy group, and a carboxy group is preferable, and the compound which has an isocyanate group is more preferable.

에너지선 경화성 화합물은 1 분자 중에 에너지선 경화성기를 1 ∼ 5 개 갖는 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 개 갖는 것이 보다 바람직하다.It is preferable to have 1-5 energy-beam curable groups in 1 molecule, and, as for an energy-beam curable compound, it is more preferable to have 1-2 pieces.

에너지선 경화성 화합물로서는, 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트와의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 ; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 하이드록시에틸(메트)아크릴레이트와의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the energy ray-curable compound include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, and 1,1-(bisacryl). Royloxymethyl)ethyl isocyanate; Acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, and hydroxyethyl (meth)acrylate; The acryloyl monoisocyanate compound etc. which are obtained by reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl (meth)acrylate are mentioned.

이들 중에서도, 에너지선 경화성 화합물은, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트인 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that an energy-beam sclerosing|hardenable compound is 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.

에너지선 경화성 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 경우, 이 이소시아네이트기가 아크릴계 중합체의 수산기에 부가 반응한다. 점착제층의 인장 저장 탄성률은, 이 부가 반응의 정도에 따라 용이하게 조정할 수 있다.When an energy-beam-curable compound is a compound which has an isocyanate group, this isocyanate group addition-reacts with the hydroxyl group of an acrylic polymer. The tensile storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer can be easily adjusted according to the degree of this addition reaction.

본 실시 형태에서는 점착성 수지 (2a) 에 있어서, 수산기 함유 모노머의 함유 비율을 100 질량% 로 했을 때에, 이소시아네이트기를 갖는 에너지선 경화성 화합물의 함유 비율이 0.5 질량% 이상 10 질량% 이하인 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물의 함유 비율을, 상기 서술한 범위 내로 함으로써, 경화 후의 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 용이해진다.In the present embodiment, when the content rate of the hydroxyl group-containing monomer in the adhesive resin (2a) is 100 mass%, the content rate of the energy ray-curable compound having an isocyanate group is preferably 0.5 mass% or more and 10 mass% or less. By making the content rate of an energy-beam sclerosing|hardenable compound into the above-mentioned range, it becomes easy to carry out the tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of the adhesive layer after hardening into the above-mentioned range.

또한, 점착제 조성물 (2) 은 점착성 수지 (2a) 에 추가해서 에너지선 경화성 저분자 화합물을 함유해도 된다.In addition, the pressure-sensitive adhesive composition (2) may contain an energy ray-curable low-molecular compound in addition to the pressure-sensitive adhesive resin (2a).

이 경우, 점착성 수지 (2a) 의 함유량은 점착제 조성물 (2) 의 총 질량에 대하여 5 ∼ 99 질량% 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 95 질량% 인 것이 보다 바람직하고, 15 ∼ 90 질량% 인 것이 특히 바람직하다.In this case, the content of the pressure-sensitive adhesive resin (2a) is preferably 5-99 mass%, more preferably 10-95 mass%, more preferably 15-90 mass%, with respect to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (2). desirable.

에너지선 경화성 저분자 화합물로서는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 및 올리고머를 들 수 있고, 점착제 조성물 (1) 에 함유되는 에너지선 경화성 화합물과 동일한 것을 들 수 있다. 에너지선 경화성 저분자 화합물은 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.As an energy-beam-curable low molecular compound, the monomer and oligomer which have an energy-beam polymerizable unsaturated group and can be hardened by irradiation of an energy-beam are mentioned, The thing similar to the energy-beam curable compound contained in the adhesive composition (1) is mentioned. The number of energy ray-curable low molecular weight compounds may be one, and two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

(2.3.1.4 가교제)(2.3.1.4 Crosslinking agent)

점착성 수지 (1a) 및 점착성 수지 (2a) 로서, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물 (1) 및 점착제 조성물 (2) 은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.When an acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to a structural unit derived from a (meth)acrylic acid alkylester is used as the adhesive resin (1a) and the adhesive resin (2a), the adhesive composition (1) and the adhesive It is preferable that the composition (2) further contains a crosslinking agent.

가교제는, 예를 들면, 관능기와 반응하여, 점착성 수지 (1a) 또는 점착성 수지 (2a) 끼리를 가교하는 것이다.A crosslinking agent reacts with a functional group and bridge|crosslinks adhesive resin (1a) or adhesive resin (2a) comrades, for example.

가교제로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제 (이소시아네이트기를 갖는 가교제) ; 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제 (글리시딜기를 갖는 가교제) ; 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제 (아지리디닐기를 갖는 가교제) ; 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제 (금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제) ; 이소시아누레이트계 가교제 (이소시아누르산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.As a crosslinking agent, For example, isocyanate type crosslinking agents (crosslinking agent which has an isocyanate group), such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, and the adduct body of these diisocyanate; Epoxy type crosslinking agents (crosslinking agent which has a glycidyl group), such as ethylene glycol glycidyl ether; aziridine-based crosslinking agents (crosslinking agents having an aziridinyl group) such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; metal chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelates (crosslinking agents having a metal chelate structure); isocyanurate-based crosslinking agent (crosslinking agent having isocyanuric acid skeleton); and the like.

점착제의 응집력을 향상시켜 점착제층의 점착력을 향상시키는 점, 및 입수가 용이한 등의 점에서, 가교제는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다.It is preferable that a crosslinking agent is an isocyanate type crosslinking agent from points, such as the point which improves the cohesion force of an adhesive and improves the adhesive force of an adhesive layer, and an acquisition is easy.

가교제는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.Only 1 type may be sufficient as a crosslinking agent, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

점착제 조성물 (1) 및 점착제 조성물 (2) 에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지 (1a) 또는 점착성 수지 (2a) 의 함유량 100 질량부에 대해서 0.01 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 20 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ∼ 10 질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제의 함유 비율을 상기 서술한 범위 내로 함으로써, 경화 후의 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 용이해진다.In the pressure-sensitive adhesive composition (1) and the pressure-sensitive adhesive composition (2), the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass, and 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (1a) or the adhesive resin (2a). It is more preferable, and it is especially preferable that it is 0.3-10 mass parts. By carrying out the content rate of a crosslinking agent in the above-mentioned range, it becomes easy to carry out the tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of the adhesive layer after hardening into the above-mentioned range.

(2.3.1.5 광중합 개시제)(2.3.1.5 Photoinitiator)

점착제 조성물 (1) 및 점착제 조성물 (2) 는, 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물 (1) 및 점착제 조성물 (2) 는, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다.The pressure-sensitive adhesive composition (1) and the pressure-sensitive adhesive composition (2) may further contain a photoinitiator. Even if the adhesive composition (1) and the adhesive composition (2) containing a photoinitiator irradiate comparatively low energy energy rays, such as an ultraviolet-ray, hardening reaction fully advances.

광중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물 ; 아세토페논, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물 ; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물 ; 벤질페닐술피드, 테트라메틸티우람모노술피드 등의 술피드 화합물 ; 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물 ; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물 ; 티타노센 등의 티타노센 화합물 ; 티오크산톤 등의 티오크산톤 화합물 ; 퍼옥사이드 화합물 ; 디아세틸 등의 디케톤 화합물 ; 벤질, 디벤질, 벤조페논, 2,4-디에틸티오크산톤, 1,2-디페닐메탄, 올리고2-하이드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논, 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.As a photoinitiator, For example, Benzoin compounds, such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin benzoate, benzoin dimethyl ketal. ; acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; Azo compounds, such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; peroxide compounds; diketone compounds such as diacetyl; Benzyl, dibenzyl, benzophenone, 2,4-diethylthioxanthone, 1,2-diphenylmethane, oligo2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]prop Panone, 2-chloroanthraquinone, etc. are mentioned.

또한, 광중합 개시제로서는, 예를 들어 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물 ; 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다.Moreover, as a photoinitiator, For example, Quinone compounds, such as 1-chloroanthraquinone; Photosensitizers, such as an amine, etc. can also be used.

광중합 개시제는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.One type may be sufficient as a photoinitiator, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

점착제 조성물 (1) 및 점착제 조성물 (2) 에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100 질량부에 대하여 0.01 ∼ 20 질량부인 것이 바람직하고, 0.03 ∼ 10 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ∼ 5 질량부인 것이 특히 바람직하다.In the pressure-sensitive adhesive composition (1) and the pressure-sensitive adhesive composition (2), the content of the photoinitiator is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, more preferably 0.05 to 100 parts by mass of the content of the energy ray-curable compound. It is especially preferable that it is -5 mass parts.

(2.3.1.6 그 밖의 첨가제)(2.3.1.6 Other additives)

점착제 조성물 (1) 및 점착제 조성물 (2) 는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에 있어서, 상기 서술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.The adhesive composition (1) and the adhesive composition (2) may contain the other additive which does not correspond to any component mentioned above within the range which does not impair the effect of this invention.

그 밖의 첨가제로서는, 예를 들어 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제 (가소제), 충전재 (필러), 방청제, 착색제 (안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제 (촉매) 등의 공지된 첨가제를 들 수 있다.Examples of other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers (fillers), rust inhibitors, colorants (pigments, dyes), sensitizers, tackifiers, reaction retarders, crosslinking accelerators (catalysts), etc. of known additives.

그 밖의 첨가제는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. 점착제 조성물 (1) 및 점착제 조성물 (2) 에 있어서, 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.One type may be sufficient as another additive, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily. In the adhesive composition (1) and the adhesive composition (2), content of another additive is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably according to the kind.

(2.3.2 비에너지선 경화성 점착제 조성물) (2.3.2 Non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition)

비에너지선 경화성 점착제 조성물로서는, 예를 들면, 아크릴계 수지 ((메트)아크릴로일기를 갖는 수지), 우레탄계 수지 (우레탄 결합을 갖는 수지), 고무계 수지 (고무 구조를 갖는 수지), 실리콘계 수지 (실록산 결합을 갖는 수지), 에폭시계 수지 (에폭시기를 갖는 수지), 폴리비닐에테르, 또는 폴리카보네이트 등의 점착성 수지를 함유하는 것을 들 수 있고, 아크릴계 수지를 함유하는 것이 바람직하다.Examples of the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition include acrylic resin (resin having a (meth)acryloyl group), urethane resin (resin having a urethane bond), rubber resin (resin having a rubber structure), silicone resin (siloxane) resin having a bond), an epoxy resin (resin having an epoxy group), polyvinyl ether, or one containing an adhesive resin such as polycarbonate, preferably containing an acrylic resin.

비에너지선 경화성 점착제 조성물은 1 종 또는 2 종 이상의 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 가교제의 종류 및 그 함유량은 상기 서술한 에너지선 경화성 점착제 조성물과 동일하다.It is preferable that a non-energy-ray-curable adhesive composition contains 1 type, or 2 or more types of crosslinking agent, The kind and its content of a crosslinking agent are the same as that of the energy-beam curable adhesive composition mentioned above.

(3. 보호막 형성층)(3. Protective film forming layer)

보호막 형성층은, 워크 표면으로부터 돌출되어 있는 볼록상 전극 및 워크에 형성되어 있는 회로면을 보호하기 위한 시트 형상 또는 필름 형상의 층이며, 경화에 의해, 보호막을 형성한다. 보호막 형성층은 1 층 (단층) 으로 구성되어 있어도 되고, 2 층 이상의 복수층으로 구성되어 있어도 된다. 보호막 형성층이 복수층을 갖는 경우, 이들 복수층은, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 이들 복수층을 구성하는 층의 조합은 특별히 제한되지 않는다.A protective film forming layer is a sheet-like or film-shaped layer for protecting the circuit surface formed in the convex electrode which protrudes from the work surface, and a work, and forms a protective film by hardening. The protective film forming layer may be comprised by one layer (single layer), and may be comprised by multiple layers of two or more layers. When a protective film forming layer has multiple layers, these multiple layers may mutually be same or different, and the combination in particular of the layer which comprises these multiple layers is not restrict|limited.

보호막 형성층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5 ㎛ 이상 60 ㎛ 이하이다. 또한, 보호막 형성층의 두께는 보호막 형성층 전체의 두께를 의미한다. 예를 들면, 복수층으로 구성되는 보호막 형성층의 두께는, 보호막 형성층을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Although the thickness in particular of a protective film forming layer is not restrict|limited, Preferably they are 1 micrometer or more and 100 micrometers or less, More preferably, they are 3 micrometers or more and 80 micrometers or less, More preferably, they are 5 micrometers or more and 60 micrometers or less. In addition, the thickness of the protective film forming layer means the thickness of the whole protective film forming layer. For example, the thickness of the protective film forming layer comprised from multiple layers means the thickness of the sum total of all the layers which comprise a protective film forming layer.

본 실시 형태에서는, 보호막 형성층은 이하의 물성을 갖고 있다.In this embodiment, the protective film forming layer has the following physical properties.

(3.1. 전단 저장 탄성률)(3.1. Shear Storage Modulus)

본 실시 형태에서는, 23 ℃ 에 있어서의 보호막 형성층의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이다. 또, 전단 저장 탄성률은, 점착제층의 변형의 용이함 (경도) 의 지표의 하나이다. 23 ℃ 에 있어서의 보호막 형성층의 전단 저장 탄성률이 상기의 범위 내임으로써, 보호막 형성층의 재단 시에 있어서의 재단 부스러기의 발생, 재단 시의 보호막 형성층의 균열을 억제할 수 있다.In this embodiment, the shear storage elastic modulus of the protective film forming layer in 23 degreeC is 3000 Mpa or less. Moreover, a shear storage modulus is one of the index|index of the easiness (hardness) of the deformation|transformation of an adhesive layer. When the shear storage elastic modulus of the protective film forming layer in 23 degreeC exists in said range, generation|occurrence|production of the cutting debris at the time of cutting of a protective film forming layer, and the crack of the protective film forming layer at the time of cutting can be suppressed.

즉, 본 실시 형태에서는, 점착제층의 인장 저장 탄성률과 보호막 형성층의 전단 저장 탄성률의 양방을 상기 서술한 범위 내로 함으로써, 보호막 형성층으로부터 점착제층을 박리할 때의 박리성이 양호해진다. 적어도 일방이 상기 서술한 범위 외인 경우에는, 보호막 형성층으로부터 점착제층을 박리할 때의 박리성이 악화된다.That is, in this embodiment, the peelability at the time of peeling an adhesive layer from a protective film forming layer becomes favorable by making both the tensile storage elastic modulus of an adhesive layer and the shear storage elastic modulus of a protective film forming layer into the above-mentioned range. When at least one is outside the range mentioned above, the peelability at the time of peeling an adhesive layer from a protective film forming layer deteriorates.

23 ℃ 에서의 보호막 형성층의 전단 저장 탄성률은 2750 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 2000 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 23 ℃ 에서의 보호막 형성층의 전단 저장 탄성률은 100 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 500 ㎫ 이상인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 2750 MPa or less, and, as for the shear storage elastic modulus of the protective film forming layer in 23 degreeC, it is more preferable that it is 2000 MPa or less. Moreover, it is preferable that it is 100 MPa or more, and, as for the shear storage elastic modulus of the protective film forming layer in 23 degreeC, it is more preferable that it is 500 MPa or more.

또한, 보호막 형성층은 경화성을 갖고 있지만, 점착제층은 보호막 형성층의 경화 전에 박리되므로, 상기의 전단 저장 탄성률은, 경화 전의 보호막 형성층의 전단 저장 탄성률이다.In addition, although the protective film forming layer has sclerosis|hardenability, since an adhesive layer peels before hardening of a protective film forming layer, said shear storage elastic modulus is the shear storage elastic modulus of the protective film forming layer before hardening.

(3.2. 보호막 형성층용 조성물)(3.2. Composition for protective film forming layer)

보호막 형성층은 상기의 물성을 갖고 있으면, 보호막 형성층의 조성은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시 형태에서는, 보호막 형성층은, 경화성을 갖는 보호막 형성층용 조성물로 구성되어 있는 것이 바람직하다.The composition of the protective film forming layer is not particularly limited as long as the protective film forming layer has the above physical properties. In the present embodiment, the protective film forming layer is preferably composed of a composition for a protective film forming layer having curability.

본 실시 형태에서는, 보호막 형성층용 조성물은, 경화성을 갖고 있으면 특별히 제한되지 않지만, 적어도 열경화성을 갖고 있는 것이 바람직하다.Although it will not restrict|limit especially if the composition for protective film forming layers has sclerosis|hardenability in this embodiment, It is preferable to have thermosetting at least.

(3.2.1 열경화성 보호막 형성층용 조성물)(3.2.1 Composition for thermosetting protective film forming layer)

열경화성 보호막 형성층용 조성물로서는, 예를 들어 중합체 성분 (A) 및 열경화성 성분 (B) 를 함유하는 보호막 형성층용 조성물 (1) 등을 들 수 있다. 중합체 성분 (A) 는, 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이다. 또한, 열경화성 성분 (B) 는 경화 (중합) 반응할 수 있는 성분이다. 또한, 본 발명에 있어서 중합 반응에는 중축합 반응도 포함된다.As a composition for thermosetting protective film forming layers, the composition (1) etc. for protective film forming layers containing a polymer component (A) and a thermosetting component (B) are mentioned, for example. The polymer component (A) is a component that can be considered to be formed by the polymerization reaction of the polymerizable compound. Further, the thermosetting component (B) is a component capable of curing (polymerization) reaction. Moreover, in this invention, a polycondensation reaction is also included in a polymerization reaction.

(3.2.1.1 중합체 성분 (A))(3.2.1.1 Polymer component (A))

중합체 성분 (A) 는, 보호막 형성층에 조막성이나 가요성 등을 부여하기 위한 중합체 화합물이다. 보호막 형성층용 조성물 (1) 이 함유하는 중합체 성분 (A) 는 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되고, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.A polymer component (A) is a polymer compound for providing film-forming property, flexibility, etc. to a protective film forming layer. The number of polymer components (A) contained in the composition (1) for protective film forming layers may be one, and two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

중합체 성분 (A) 으로서는, 열가소성 수지가 바람직하다. 열가소성 수지를 사용함으로써, 적층 시트 (점착제층) 로부터의 보호막 형성층의 박리성이 향상되거나, 피착체의 요철면에 보호막 형성층이 추종하기 쉬워지거나, 피착체와 열경화성 수지층 사이에서 보이드 등의 발생을 보다 억제할 수 있는 등의 이점이 있다.As the polymer component (A), a thermoplastic resin is preferable. By using the thermoplastic resin, the peelability of the protective film forming layer from the laminated sheet (adhesive layer) is improved, the protective film forming layer easily follows the uneven surface of the adherend, and the occurrence of voids between the adherend and the thermosetting resin layer is reduced. There are advantages, such as being able to suppress more.

열가소성 수지로서는, 예를 들어 폴리비닐아세탈, 아크릴계 수지, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌을 들 수 있다. 본 실시 형태에서는, 폴리비닐아세탈이 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include polyvinyl acetal, acrylic resin, polyester, polyurethane, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene. In this embodiment, polyvinyl acetal is preferable.

열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 5000 ∼ 200000 인 것이 바람직하고, 8000 ∼ 100000 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 열가소성 수지의 유리 전이 온도 (Tg) 는 40 ∼ 80 ℃ 인 것이 바람직하고, 50 ∼ 70 ℃ 인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 5000-20000, and, as for the weight average molecular weight of a thermoplastic resin, it is more preferable that it is 8000-100000. Moreover, it is preferable that it is 40-80 degreeC, and, as for the glass transition temperature (Tg) of a thermoplastic resin, it is more preferable that it is 50-70 degreeC.

보호막 형성층용 조성물 (1) 이 함유하는 열가소성 수지는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되고, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of thermoplastic resins contained in the composition (1) for protective film forming layers may be one, and two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

보호막 형성층용 조성물 (1) 에 있어서, 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분 (A) 의 함유량의 비율 (즉, 보호막 형성층의 중합체 성분 (A) 의 함유량) 은 중합체 성분 (A) 의 종류에 상관없이 5 ∼ 85 질량% 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 80 질량% 인 것이 보다 바람직하다.In the composition (1) for a protective film forming layer, the ratio of the content of the polymer component (A) to the total content of all components (that is, the content of the polymer component (A) in the protective film forming layer) is correlated with the type of the polymer component (A) It is preferable that it is 5-85 mass % without it, and it is more preferable that it is 5-80 mass %.

중합체 성분 (A) 는 열경화성 성분 (B) 에도 해당하는 경우가 있다. 본 발명에 있어서는, 보호막 형성층용 조성물 (1) 이, 이러한 중합체 성분 (A) 및 열경화성 성분 (B) 의 양방에 해당하는 성분을 함유하는 경우, 보호막 형성층용 조성물 (1) 은 중합체 성분 (A) 및 열경화성 성분 (B) 를 함유한다고 간주한다.A polymer component (A) may correspond also to a thermosetting component (B). In the present invention, when the composition (1) for a protective film forming layer contains a component corresponding to both of such a polymer component (A) and a thermosetting component (B), the composition (1) for a protective film forming layer is a polymer component (A) and a thermosetting component (B).

(3.2.1.2 열경화성 성분 (B))(3.2.1.2 thermosetting component (B))

보호막 형성층용 조성물 (1) 은, 열경화성 성분 (B) 을 함유한다. 보호막 형성층이 열경화성 성분 (B) 를 함유함으로써, 열경화성 성분 (B) 는, 가열에 의해 보호막 형성층을 경화시켜, 경질의 보호막을 형성한다.The composition (1) for protective film forming layers contains a thermosetting component (B). When the protective film forming layer contains the thermosetting component (B), the thermosetting component (B) hardens the protective film forming layer by heating and forms a hard protective film.

열경화성 성분 (B) 는 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of thermosetting components (B) may be one, and two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

열경화성 성분 (B) 로서는, 예를 들어 에폭시계 열경화성 수지, 열경화성 폴리이미드, 폴리우레탄, 불포화 폴리에스테르, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 본 실시 형태에서는, 에폭시계 열경화성 수지가 바람직하다.As a thermosetting component (B), an epoxy type thermosetting resin, a thermosetting polyimide, a polyurethane, unsaturated polyester, a silicone resin etc. are mentioned, for example. In this embodiment, an epoxy-type thermosetting resin is preferable.

보호막 형성층용 조성물 (1) 이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되고, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. 에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지 (B1) 및 열경화제 (B2) 로 이루어진다.The number of epoxy-type thermosetting resins contained in the composition (1) for protective film forming layers may be one, and two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily. The epoxy-based thermosetting resin consists of an epoxy resin (B1) and a thermosetting agent (B2).

에폭시 수지 (B1) 로는, 공지된 것을 들 수 있고, 예를 들어, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르 및 그 수소 첨가물, 오르토크레졸 노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2 관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있고, 그 중에서도, 다관능계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지 등이 바람직하다.As an epoxy resin (B1), a well-known thing is mentioned, For example, polyfunctional epoxy resin, a biphenyl compound, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated substance, orthocresol novolac epoxy resin, dicyclopenta Diene-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, bisphenol F-type epoxy resins, and phenylene skeleton-type epoxy resins, and more than bifunctional epoxy compounds, among them, polyfunctional epoxy resins; A dicyclopentadiene-type epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, etc. are preferable.

에폭시 수지 (B1) 로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는, 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴계 수지와의 상용성이 높다. 그 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 보호막 형성용 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상된다.As the epoxy resin (B1), an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used. The epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin than the epoxy resin which does not have an unsaturated hydrocarbon group. Therefore, by using the epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the reliability of the package obtained using the sheet|seat for protective film formation improves.

불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로서는, 예를 들어 다관능계 에폭시 수지의 에폭시기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은, 예를 들면, 에폭시기에 (메트)아크릴산 또는 그 유도체를 부가 반응시킴으로써 얻어진다.Examples of the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group include compounds in which a part of the epoxy groups of the polyfunctional epoxy resin are converted into a group having an unsaturated hydrocarbon group. Such a compound is obtained, for example, by addition-reacting (meth)acrylic acid or its derivative(s) to an epoxy group.

또, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는, 예를 들어, 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에, 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다.Moreover, as an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound etc. which the group which has an unsaturated hydrocarbon group directly couple|bonded with the aromatic ring etc. which comprise an epoxy resin are mentioned, for example.

불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이며, 그 구체적인 예로서는 에테닐기(비닐기), 2-프로페닐기(알릴기), (메트)아크릴로일기, (메트)아크릴아미드기 등을 들 수 있고, 아크릴로일기가 바람직하다.The unsaturated hydrocarbon group is an unsaturated group having polymerizability, and specific examples thereof include an ethenyl group (vinyl group), 2-propenyl group (allyl group), (meth)acryloyl group, (meth)acrylamide group, and the like. Royl group is preferred.

에폭시 수지 (B1) 의 수평균 분자량은, 특별히 한정되지 않지만, 보호막 형성층의 경화성, 및 경화 후의 보호막의 강도 및 내열성의 점에서, 300 ∼ 30000 인 것이 바람직하고, 400 ∼ 10000 인 것이 보다 바람직하며, 500 ∼ 3000 인 것이 특히 바람직하다.Although the number average molecular weight of the epoxy resin (B1) is not particularly limited, from the viewpoint of the curability of the protective film forming layer and the strength and heat resistance of the protective film after curing, it is preferably 300 to 30000, more preferably 400 to 10000, It is especially preferable that it is 500-3000.

에폭시 수지 (B1) 의 에폭시 당량은 100 ∼ 1000 g/eq 인 것이 바람직하고, 300 ∼ 800 g/eq 인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 100-1000 g/eq, and, as for the epoxy equivalent of an epoxy resin (B1), it is more preferable that it is 300-800 g/eq.

에폭시 수지 (B1) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 되고, 2 종 이상을 병용하는 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.An epoxy resin (B1) may be used individually by 1 type, may use 2 or more types together, and when using 2 or more types together, those combination and a ratio can be selected arbitrarily.

열경화제 (B2) 는, 에폭시 수지 (B1) 에 대한 경화제로서 기능한다.The thermosetting agent (B2) functions as a curing agent for the epoxy resin (B1).

열경화제 (B2) 로서는, 예를 들어 1 분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2 개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 관능기로서는, 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하고, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.As a thermosetting agent (B2), the compound which has two or more functional groups which can react with an epoxy group in 1 molecule is mentioned, for example. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, and a group in which an acid group is anhydrideized, and a phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid group is preferably an anhydrideized group, and a phenolic hydroxyl group is preferred. Or it is more preferable that it is an amino group.

열경화제 (B2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로서는, 예를 들어 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아르알킬페놀 수지 등을 들 수 있다.Among the thermosetting agents (B2), examples of the phenolic curing agent having a phenolic hydroxyl group include a polyfunctional phenol resin, a biphenol, a novolak phenol resin, a dicyclopentadiene phenol resin, and an aralkylphenol resin. have.

열경화제 (B2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는, 예를 들어, 디시안디아미드 (이하, "DICY" 라고 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.Among the thermosetting agents (B2), examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide (hereinafter, sometimes abbreviated as “DICY”).

열경화제 (B2) 는, 불포화 탄화수소기를 갖는 것이어도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 열경화제 (B2) 로는, 예를 들어, 페놀 수지의 수산기의 일부가, 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 치환되어 이루어지는 화합물, 페놀 수지의 방향 고리에, 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합하여 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다.The thermosetting agent (B2) may have an unsaturated hydrocarbon group. As the thermosetting agent (B2) having an unsaturated hydrocarbon group, for example, a compound in which a part of the hydroxyl group of the phenol resin is substituted with a group having an unsaturated hydrocarbon group, a compound in which a group having an unsaturated hydrocarbon group is directly bonded to the aromatic ring of the phenol resin and the like.

열경화제 (B2) 에 있어서의 불포화 탄화수소기는, 상기 서술한 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지에 있어서의 불포화 탄화수소기와 동일한 것이다.The unsaturated hydrocarbon group in the thermosetting agent (B2) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin having the above-mentioned unsaturated hydrocarbon group.

열경화제 (B2) 로서 페놀계 경화제를 사용하는 경우에는, 점착제층으로부터의 보호막 형성층의 박리성이 향상되는 점에서, 열경화제 (B2) 는 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다.When using a phenolic hardening|curing agent as a thermosetting agent (B2), it is preferable that the softening point or glass transition temperature of a thermosetting agent (B2) is high at the point which the peelability of the protective film forming layer from an adhesive layer improves.

열경화제 (B2) 중, 예를 들어, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아르알킬페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은, 300 ∼ 30000 인 것이 바람직하고, 400 ∼ 10000 인 것이 보다 바람직하고, 500 ∼ 3000 인 것이 특히 바람직하다.Among the thermosetting agents (B2), for example, the number average molecular weight of resin components such as polyfunctional phenol resins, novolak-type phenol resins, dicyclopentadiene-type phenol resins, and aralkylphenol resins is preferably 300 to 30000. And it is more preferable that it is 400-10000, and it is especially preferable that it is 500-3000.

열경화제 (B2) 중, 예를 들어, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 60 ∼ 500 인 것이 바람직하다.Although the molecular weight of non-resin components, such as a biphenol and dicyandiamide, is not specifically limited among thermosetting agents (B2), For example, it is preferable that it is 60-500.

열경화제 (B2) 로는, 예를 들어, 노볼락형 페놀 수지 등이 바람직하다.As a thermosetting agent (B2), a novolak-type phenol resin etc. are preferable, for example.

열경화제 (B2) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 되고, 2 종 이상을 병용하는 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.A thermosetting agent (B2) may be used individually by 1 type, may use 2 or more types together, and when using 2 or more types together, those combination and a ratio can be selected arbitrarily.

보호막 형성층용 조성물 (1) 에 있어서, 열경화제 (B2) 의 함유량은 에폭시 수지 (B1) 의 함유량 100 질량부에 대하여 0.1 ∼ 500 질량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 200 질량부인 것이 보다 바람직하다. 열경화제 (B2) 의 함유량이 하한값 이상임으로써, 보호막 형성층의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 또한, 열경화제 (B2) 의 함유량이 상한치 이하임으로써, 보호막 형성층의 흡습률이 저감되어, 보호막 형성용 시트를 이용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.In the composition (1) for a protective film forming layer, it is preferable that content of the thermosetting agent (B2) is 0.1-500 mass parts with respect to content of 100 mass parts of epoxy resin (B1), It is more preferable that it is 1-200 mass parts. When content of a thermosetting agent (B2) is more than a lower limit, hardening of a protective film forming layer advances more easily. Moreover, when content of a thermosetting agent (B2) is below an upper limit, the moisture absorption of a protective film forming layer reduces and the reliability of the package obtained using the sheet|seat for protective film formation improves more.

보호막 형성층용 조성물 (1) 에 있어서, 열경화성 성분 (B) 의 함유량 (예를 들면, 에폭시 수지 (B1) 및 열경화제 (B2) 의 총 함유량) 은 중합체 성분 (A) 의 함유량 100 질량부에 대하여 50 ∼ 1000 질량부인 것이 바람직하고, 100 ∼ 900 질량부인 것이 보다 바람직하고, 150 ∼ 800 질량부인 것이 특히 바람직하다. 열경화성 성분 (B) 의 함유 비율을, 상기 서술한 범위 내로 함으로써, 경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에 있어서의 전단 저장 탄성률을 상기 서술한 범위 내로 하는 것이 용이해진다. 또한, 점착제층의 박리성이 향상된다.In the composition (1) for a protective film forming layer, the content of the thermosetting component (B) (for example, the total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2)) is 100 parts by mass of the content of the polymer component (A) It is preferable that it is 50-1000 mass parts, It is more preferable that it is 100-900 mass parts, It is especially preferable that it is 150-800 mass parts. By making the content rate of a thermosetting component (B) into the above-mentioned range, it becomes easy to make the shear storage elastic modulus in 23 degreeC of the protective film forming layer before hardening into the above-mentioned range in the above-mentioned range. Moreover, the peelability of an adhesive layer improves.

(3.2.1.3 경화 촉진제 (C))(3.2.1.3 curing accelerator (C))

보호막 형성층용 조성물 (1) 은, 경화 촉진제 (C) 를 함유하고 있어도 된다. 경화 촉진제 (C) 는 보호막 형성층용 조성물 (1) 의 경화 속도를 조정하기 위한 성분이다.The composition (1) for protective film forming layers may contain the hardening accelerator (C). A hardening accelerator (C) is a component for adjusting the cure rate of the composition (1) for protective film forming layers.

바람직한 경화 촉진제 (C) 로는, 예를 들어, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 제 3 급 아민 ; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류 (1 개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸) ; 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류 (1 개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀) ; 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐붕소염 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 등이 바람직하다.As a preferable hardening accelerator (C), For example, tertiary amines, such as triethylenediamine, benzyl dimethylamine, a triethanolamine, dimethylamino ethanol, and tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5 imidazoles such as -hydroxymethylimidazole (imidazole in which one or more hydrogen atoms are substituted with groups other than hydrogen atoms); organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine (phosphine in which at least one hydrogen atom is substituted with an organic group); Tetraphenyl boron salts, such as tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate and triphenyl phosphine tetraphenyl borate, etc. are mentioned, Especially, 2-phenyl-4,5- dihydroxymethyl imidazole etc. are preferable.

보호막 형성층용 조성물 (1) 이 함유하는 경화 촉진제 (C) 는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of hardening accelerators (C) which the composition (1) for protective film forming layers contains may be 1 type, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

경화 촉진제 (C) 를 사용하는 경우, 보호막 형성층용 조성물 (1) 에 있어서, 경화 촉진제 (C) 의 함유량은, 열경화성 성분 (B) 의 함유량 100 질량부에 대하여 0.01 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 0.1 ∼ 5 질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제 (C) 의 함유량이 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제 (C) 를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저하게 얻어진다. 또한, 경화 촉진제 (C) 의 함유량이 상한값 이하임으로써, 예를 들어 고극성의 경화 촉진제 (C) 가 고온·고습도 조건 하에서 보호막 형성층 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석되는 것을 억제하는 효과가 높아져, 보호막 형성용 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.When a curing accelerator (C) is used, in the composition (1) for a protective film forming layer, the content of the curing accelerator (C) is preferably 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the thermosetting component (B), It is more preferable that it is 0.1-5 mass parts. When content of a hardening accelerator (C) is more than a lower limit, the effect by using a hardening accelerator (C) is acquired more notably. In addition, when the content of the curing accelerator (C) is below the upper limit, for example, the high polar curing accelerator (C) moves to the adhesive interface side with the adherend in the protective film forming layer under high temperature and high humidity conditions to prevent segregation The effect becomes high and the reliability of the package obtained using the sheet|seat for protective film formation improves more.

(3.2.1.4 충전재 (D))(3.2.1.4 Filling material (D))

보호막 형성층용 조성물 (1) 은, 충전재 (D) 를 함유하고 있어도 된다. 경화성 보호막 형성층의 충전재 (D) 의 함유량을 조정함으로써, 경화성 보호막 형성층의 젖음 확산성을 조정할 수 있다. 즉, 충전재 (D) 의 함유량을 증가시킴으로써, 젖음 확산성을 감소시키고, 충전재 (D) 의 함유량을 저감함으로써, 젖음 확산성을 증가시킬 수 있다. 또한, 보호막 형성층이 충전재 (D) 를 함유함으로써, 보호막 형성층을 경화하여 얻어진 보호막은 열팽창 계수의 조정이 용이해지고, 이 열팽창 계수를 보호막의 형성 대상물에 대하여 최적화함으로써, 보호막 형성용 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 보호막 형성층이 충전재 (D) 를 함유함으로써, 보호막의 흡습률을 저감할 수도 있다.The composition (1) for protective film forming layers may contain the filler (D). By adjusting content of the filler (D) of a curable protective film forming layer, the wet-diffusion property of a curable protective film forming layer can be adjusted. That is, wet diffusivity can be reduced by increasing content of a filler (D), and wet diffusivity can be increased by reducing content of a filler (D). Further, since the protective film forming layer contains the filler (D), the protective film obtained by curing the protective film forming layer can easily adjust the thermal expansion coefficient, and by optimizing the thermal expansion coefficient for the object to be formed of the protective film, the protective film formation sheet obtained using the The reliability of the package is further improved. Moreover, when a protective film forming layer contains a filler (D), the moisture absorption rate of a protective film can also be reduced.

충전재 (D) 는, 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되지만, 무기 충전재인 것이 바람직하다.Although any of an organic filler and an inorganic filler may be sufficient as a filler (D), it is preferable that it is an inorganic filler.

바람직한 무기 충전재로서는, 예를 들어 실리카, 알루미나, 탈크, 탄산칼슘, 티타늄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말 ; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈 ; 이들 무기 충전재의 표면 개질품 ; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유 ; 유리 섬유 등을 들 수 있다.Preferable examples of the inorganic filler include powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide, and boron nitride; Beads obtained by spheroidizing these inorganic fillers; Surface-modified products of these inorganic fillers; single crystal fibers of these inorganic fillers; Glass fiber etc. are mentioned.

이들 중에서도, 무기 충전재는, 실리카, 알루미나 또는 표면 개질된 실리카인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 에폭시기로 수식된 구상 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 상기 무기 충전재로서는, 평균 입자 직경이 5 ㎚ ∼ 800 ㎚, 보다 바람직하게는 10 ㎚ ∼ 300 ㎚, 더욱 바람직하게는 30 ㎚ ∼ 100 ㎚, 특히 바람직하게는 40 ㎚ ∼ 60 ㎚ 인 것이 바람직하다.Among these, the inorganic filler is preferably silica, alumina, or surface-modified silica. More specifically, the spherical silica modified with the epoxy group, etc. are mentioned. Moreover, as said inorganic filler, it is preferable that the average particle diameters are 5 nm - 800 nm, More preferably, they are 10 nm - 300 nm, More preferably, they are 30 nm - 100 nm, Especially preferably, they are 40 nm - 60 nm. .

(3.2.1.5 그 밖의 첨가제)(3.2.1.5 other additives)

보호막 형성층용 조성물 (1) 은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에 있어서, 그 밖의 첨가제로서, 예를 들어 에너지선 경화성 수지, 광중합 개시제, 커플링제, 가교제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 착색제 (염료, 안료), 게터링제 등을 함유하고 있어도 된다.The composition (1) for a protective film forming layer is, within the range which does not impair the effect of this invention, as another additive, for example, an energy-ray-curable resin, a photoinitiator, a coupling agent, a crosslinking agent, a plasticizer, antistatic agent, antioxidant, You may contain a coloring agent (dye, a pigment), a gettering agent, etc.

(3.2.2 에너지선 경화성 보호막 형성층용 조성물)(3.2.2 composition for energy ray-curable protective film forming layer)

에너지선 경화성 보호막 형성층용 조성물로서는, 예를 들어 에너지선 경화성 성분을 함유하는 에너지선 경화성 보호막 형성층용 조성물을 들 수 있다. 에너지선 경화성 성분은, 미경화인 것이 바람직하고, 점착성을 갖는 것이 바람직하고, 미경화이면서 점착성을 갖는 것이 보다 바람직하다.As a composition for energy-beam curable protective film forming layers, the composition for energy-beam curable protective film forming layers containing an energy-beam curable component is mentioned, for example. It is preferable that it is non-hardened, and, as for an energy ray-curable component, it is preferable to have adhesiveness, and it is more preferable to have adhesiveness while being non-hardened.

에너지선 경화성 성분은, 에너지선의 조사에 의해 경화하는 성분이며, 보호막 형성층에 조막성이나, 가요성 등을 부여하기 위한 성분이기도 하다.An energy-beam-curable component is a component hardened|cured by irradiation of an energy-beam, and is also a component for providing film-forming property, flexibility, etc. to a protective film forming layer.

에너지선 경화성 성분으로서는, 예를 들어 에너지선 경화성기를 갖는 중합체 또는 화합물이 바람직하다. 이러한 중합체 또는 화합물로서는, 공지된 것을 들 수 있다. 예를 들어, 상기 서술한 점착제 조성물에 있어서 예시한 에너지선 경화성기를 갖는 중합체 또는 화합물을 들 수 있다.As the energy ray-curable component, for example, a polymer or compound having an energy ray-curable group is preferable. As such a polymer or compound, a well-known thing is mentioned. For example, the polymer or compound which has the energy-beam curable group illustrated in the above-mentioned adhesive composition is mentioned.

(4. 완충층)(4. Buffer layer)

상기 서술한 바와 같이, 본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트는 도 1b 에 나타내는 구성을 갖는 것도 바람직하다. 즉, 기재와 점착제층 사이에 완충층이 배치되어 있어도 된다. 특히, 볼록상 전극의 높이가 높은 경우, 보호막 형성층 및 점착제층을 관통한 볼록상 전극이 완충층에 매립됨으로써, 볼록상 전극이 충분히 보호된다.As mentioned above, it is also preferable that the sheet|seat for protective film formation which concerns on this embodiment has a structure shown to FIG. 1B. That is, a buffer layer may be arrange|positioned between a base material and an adhesive layer. In particular, when the height of the convex electrode is high, the convex electrode penetrating the protective film forming layer and the pressure-sensitive adhesive layer is embedded in the buffer layer, whereby the convex electrode is sufficiently protected.

완충층은 1 층 (단층) 만이어도 되고, 2 층 이상의 복수층이어도 되고, 복수층인 경우, 이들 복수층은, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.One layer (single layer) may be sufficient as a buffer layer, and two or more layers may be sufficient as multiple layers, In the case of multiple layers, these multiple layers may mutually be same or different, and the combination of these multiple layers is not specifically limited.

완충층의 두께는, 보호 대상이 되는 반도체 웨이퍼 표면의 볼록상 전극의 높이에 따라 적절히 조절할 수 있지만, 비교적 높이가 높은 볼록상 전극의 영향도 용이하게 흡수할 수 있는 점에서, 50 ∼ 600 ㎛ 인 것이 바람직하고, 100 ∼ 500 ㎛ 인 것이 보다 바람직하며, 150 ∼ 450 ㎛ 인 것이 특히 바람직하다.The thickness of the buffer layer can be appropriately adjusted depending on the height of the convex electrode on the surface of the semiconductor wafer to be protected. It is preferable, it is more preferable that it is 100-500 micrometers, It is especially preferable that it is 150-450 micrometers.

여기서, 완충층의 두께는, 완충층 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 완충층의 두께란, 완충층을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Here, the thickness of the buffer layer means the thickness of the whole buffer layer, for example, the thickness of the buffer layer which consists of multiple layers means the thickness of the sum total of all the layers which comprise a buffer layer.

(4.1. 완충층 형성용 조성물)(4.1. Composition for forming a buffer layer)

완충층은 볼록상 전극의 영향을 흡수할 수 있도록 구성되어 있으면, 완충층의 조성은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시 형태에서는, 완충층은, 이하에 나타내는 완충층 형성용 조성물로 구성되어 있는 것이 바람직하다.The composition of the buffer layer is not particularly limited as long as the buffer layer is configured to absorb the influence of the convex electrode. In the present embodiment, the buffer layer is preferably composed of the composition for forming a buffer layer shown below.

완충층 형성용 조성물로서는, 예를 들어 폴리α-올레핀을 함유하는 완충층 형성용 조성물, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물을 들 수 있다.Examples of the composition for forming a buffer layer include a composition for forming a buffer layer containing polyα-olefin and a composition for forming a buffer layer containing urethane (meth)acrylate.

폴리α-올레핀을 함유하는 완충층 형성용 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에 있어서, 폴리α-올레핀 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다.The composition for forming a buffer layer containing the polyα-olefin may contain components other than the polyα-olefin within the range that does not impair the effects of the present invention.

폴리α-올레핀은 α-올레핀으로부터 유도된 구성 단위를 갖는 것이면 된다. 폴리α-올레핀의 구성 단위는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. 즉, 폴리α-올레핀은, 1 종의 모노머가 중합하여 이루어지는 단독 중합체여도 되고, 2 종 이상의 모노머가 공중합하여 이루어지는 공중합체여도 된다.The polyα-olefin may have a structural unit derived from the α-olefin. The number of structural units of polyα-olefin may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily. That is, the polyα-olefin may be a homopolymer obtained by polymerization of one type of monomer, or may be a copolymer formed by copolymerizing two or more types of monomers.

본 실시 형태에서는, 폴리α-올레핀은, 에틸렌-α-올레핀 공중합체인 것이 바람직하다.In the present embodiment, the polyα-olefin is preferably an ethylene-α-olefin copolymer.

폴리α-올레핀의 밀도는, 890 kg/㎥ 이하인 것이 바람직하고, 830 ∼ 890 kg/㎥ 인 것이 보다 바람직하고, 850 ∼ 875 kg/㎥ 인 것이 특히 바람직하다. 또한, 폴리α-올레핀의 융점은 55 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 50 ℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 폴리α-올레핀의 190 ℃ 에서의 멜트 플로우 레이트 (MFR) 는 1 ∼ 6 g/10 분인 것이 바람직하고, 2.5 ∼ 4.5 g/10 분인 것이 보다 바람직하다.The density of the polyα-olefin is preferably 890 kg/m 3 or less, more preferably 830 to 890 kg/m 3 , and particularly preferably 850 to 875 kg/m 3 . Moreover, it is preferable that it is 55 degrees C or less, and, as for melting|fusing point of poly?-olefin, it is more preferable that it is 50 degrees C or less. Moreover, it is preferable that it is 1-6 g/10min, and, as for the melt flow rate (MFR) at 190 degreeC of poly (alpha)-olefin, it is more preferable that it is 2.5-4.5 g/10min.

완충층 형성용 조성물에 있어서의 폴리α-올레핀의 함유량은 80 ∼ 100 질량% 인 것이 바람직하다.It is preferable that content of the poly (alpha)-olefin in the composition for buffer layer formation is 80-100 mass %.

우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에 있어서, 우레탄(메트)아크릴레이트 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 중합성 모노머, 광중합 개시제 등을 함유하고 있어도 된다.The composition for buffer layer formation containing urethane (meth)acrylate may contain components other than urethane (meth)acrylate within the range which does not impair the effect of this invention. For example, you may contain a polymerizable monomer, a photoinitiator, etc.

우레탄(메트)아크릴레이트는, 1 분자 중에 적어도 (메트)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이며, 에너지선 중합성을 갖는다. 우레탄(메트)아크릴레이트는, 단관능이어도 되고, 다관능이어도 되지만, 적어도 단관능인 것이 바람직하다.Urethane (meth)acrylate is a compound which has at least a (meth)acryloyl group and a urethane bond in 1 molecule, and has energy-beam polymerizability. Although monofunctional or polyfunctional may be sufficient as urethane (meth)acrylate, it is preferable that it is monofunctional at least.

또한, 우레탄(메트)아크릴레이트는, 올리고머, 폴리머, 그리고 올리고머 및 폴리머의 혼합물 중 어느 것이어도 되지만, 올리고머인 것이 바람직하다. 또한, 우레탄(메트)아크릴레이트는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.In addition, although any of a mixture of an oligomer, a polymer, and an oligomer and a polymer may be sufficient as urethane (meth)acrylate, it is preferable that it is an oligomer. In addition, 1 type may be sufficient as urethane (meth)acrylate, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

우레탄(메트)아크릴레이트의 중량 평균 분자량은, 1000 ∼ 100000 인 것이 바람직하고, 3000 ∼ 80000 인 것이 보다 바람직하고, 5000 ∼ 65000 인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that it is 1000-100000, as for the weight average molecular weight of urethane (meth)acrylate, it is more preferable that it is 3000-80000, It is especially preferable that it is 5000-65000.

본 실시 형태에서는, 우레탄(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어진, 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머에, 추가로 수산기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 (메트)아크릴계 화합물을 반응시켜 얻어진 것을 들 수 있다. 여기서, "말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머" 란, 우레탄 결합을 가짐과 함께, 분자의 말단부에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머를 의미한다.In the present embodiment, as the urethane (meth)acrylate, for example, a (meth)acrylic group having a hydroxyl group and a (meth)acryloyl group in a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound and a polyvalent isocyanate compound What was obtained by making a compound react is mentioned. Here, "terminal isocyanate urethane prepolymer" means a prepolymer which has a urethane bond and an isocyanate group at the terminal part of a molecule|numerator.

폴리올 화합물로는, 예를 들어, 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다. 본 실시 형태에서는, 폴리에테르형 폴리올인 것이 바람직하고, 폴리에테르형 디올인 것이 보다 바람직하다.Examples of the polyol compound include alkylenediol, polyether-type polyol, polyester-type polyol, and polycarbonate-type polyol. In this embodiment, it is preferable that it is a polyether type polyol, and it is more preferable that it is a polyether type diol.

다가 이소시아네이트 화합물로서는, 이소시아네이트기를 2 개 이상 갖는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 본 실시 형태에서는, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 또는 크실릴렌디이소시아네이트인 것이 바람직하다.It will not specifically limit, if it has two or more isocyanate groups as a polyhydric isocyanate compound. In this embodiment, it is preferable that it is isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, or xylylene diisocyanate.

(메트)아크릴계 화합물은, 1 분자 중에 적어도 수산기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 본 실시 형태에서는, 수산기 함유 (메트)아크릴산에스테르인 것이 바람직하고, 수산기 함유 (메트)아크릴산알킬에스테르인 것이 보다 바람직하고, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸인 것이 특히 바람직하다.A (meth)acrylic-type compound will not be specifically limited if it is a compound which has a hydroxyl group and a (meth)acryloyl group at least in 1 molecule. In this embodiment, it is preferable that it is a hydroxyl-containing (meth)acrylic acid ester, It is more preferable that it is a hydroxyl-containing (meth)acrylic acid alkylester, It is especially preferable that it is (meth)acrylic-acid 2-hydroxyethyl.

(5. 기재)(5. Description)

본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트 (1) 의 기재 (10) 는 점착제층 및 보호막 형성층을 지지하고, 워크의 볼록상 전극을 갖는 면에 보호막을 형성할 수 있도록 구성되어 있으면 특별히 제한되지 않는다. 본 실시 형태에서는, 예를 들어, 백그라인드 테이프의 기재로서 사용되고 있는 각종 수지 필름을 사용할 수 있다.The base material 10 of the sheet 1 for forming a protective film according to the present embodiment is not particularly limited as long as it supports the pressure-sensitive adhesive layer and the protective film forming layer and is configured so as to form a protective film on the surface having the convex electrode of the work. In this embodiment, various resin films used as a base material of a backgrind tape can be used, for example.

구체적으로는, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE), 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 등의 폴리에틸렌 ; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 노르보르넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀 ; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체 (모노머로서 에틸렌을 사용하여 얻어진 공중합체) ; 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지 (모노머로서 염화비닐을 사용하여 얻어진 수지) ; 폴리스티렌 ; 폴리시클로올레핀 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복실레이트, 모든 구성 단위가 방향족 고리형기를 갖는 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르 ; 2 종 이상의 폴리에스테르의 공중합체 ; 폴리(메트)아크릴산에스테르 ; 폴리우레탄 ; 폴리우레탄아크릴레이트 ; 폴리이미드 ; 폴리아미드 ; 폴리카보네이트 ; 불소 수지 ; 폴리아세탈 ; 변성 폴리페닐렌옥사이드 ; 폴리페닐렌술파이드 ; 폴리술폰 ; 폴리에테르케톤을 들 수 있다.Specifically, For example, Polyethylene, such as a low density polyethylene (LDPE), a linear low density polyethylene (LLDPE), and a high density polyethylene (HDPE); polyolefins other than polyethylene, such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, and norbornene resin; Ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer, ethylene-norbornene copolymer (copolymer obtained using ethylene as a monomer) ; Vinyl chloride-type resin (resin obtained using vinyl chloride as a monomer), such as polyvinyl chloride and a vinyl chloride copolymer; polystyrene; polycycloolefin; polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, and wholly aromatic polyester in which all structural units have an aromatic cyclic group; Copolymer of 2 or more types of polyester; poly(meth)acrylic acid ester; Polyurethane ; polyurethane acrylate; polyimide; polyamide; polycarbonate; fluororesin; polyacetal; modified polyphenylene oxide; polyphenylene sulfide; polysulfone; polyether ketone.

또, 예를 들어, 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 폴리머 알로이는, 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다.Moreover, polymer alloys, such as a mixture of polyester and resin other than that, are also mentioned, for example. As for the polymer alloy of polyester and resin other than that, it is preferable that the quantity of resin other than polyester is comparatively small.

또, 예를 들어, 상기 서술한 수지의 1 종 또는 2 종 이상이 가교한 가교 수지 ; 상기 서술한 수지의 1 종 또는 2 종 이상을 사용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다.Moreover, for example, 1 type(s) or 2 or more types of resin mentioned above bridge|crosslinked bridge|crosslinking resin; Modified resins, such as an ionomer using 1 type or 2 or more types of the above-mentioned resin, are also mentioned.

기재를 구성하는 수지는, 1 종만이어도 되고, 2 종 이상이어도 되며, 2 종 이상인 경우, 그들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.One type may be sufficient as resin which comprises a base material, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, those combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

기재는 1 층 (단층) 만이어도 되고, 2 층 이상의 복수층이어도 되고, 복수층인 경우, 이들 복수층은, 서로 동일해도 되고 상이해도 되며, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The base material may be only one layer (single layer), may be a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, these plurality of layers may be the same as or different from each other, and the combination of these plurality of layers is not particularly limited.

기재의 두께는 50 ∼ 200 ㎛ 인 것이 바람직하다. 여기서, 기재의 두께는, 기재 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.It is preferable that the thickness of a base material is 50-200 micrometers. Here, the thickness of a base material means the thickness of the whole base material, for example, the thickness of the base material which consists of multiple layers means the thickness of the sum total of all the layers which comprise a base material.

기재는, 두께의 정밀도가 높은 것, 즉 부위에 상관없이 두께의 편차가 억제된 것이 바람직하다. 상기 서술한 구성 재료 중, 이러한 두께의 정밀도가 높은 기재를 구성하는 데에 사용 가능한 재료로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체를 들 수 있다.It is preferable that a base material has high precision of thickness, ie, that the dispersion|variation in thickness was suppressed irrespective of a site|part. Among the constituent materials described above, examples of the material usable for constituting the substrate having such a high precision in thickness include polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, and ethylene-vinyl acetate copolymer.

기재는, 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 활제, 촉매, 연화제 (가소제) 등의 공지된 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.The base material may contain various well-known additives, such as a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, an organic lubricant, a catalyst, and a softening agent (plasticizer), in addition to main constituent materials, such as resin.

기재는, 투명이어도 되고, 불투명이어도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 되고, 다른 층이 증착되어 있어도 된다. 상기 서술한 점착제층 또는 보호막 형성층이 에너지선 경화성을 갖는 경우, 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.The base material may be transparent or opaque, may be colored according to the objective, and another layer may be vapor-deposited. When the above-mentioned adhesive layer or protective film forming layer has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable for a base material to permeate|transmit an energy-beam.

기재는 공지된 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 수지를 함유하는 기재 (10) 는, 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.The substrate can be prepared by a known method. For example, the base material 10 containing resin can be manufactured by shape|molding the resin composition containing resin.

(6. 밀착층)(6. Adhesion layer)

본 실시 형태에서는, 기재와 완충층의 밀착성을 향상시키기 위해서, 기재와 완충층 사이에 밀착층을 형성해도 된다.In this embodiment, in order to improve the adhesiveness of a base material and a buffer layer, you may form an adhesive layer between a base material and a buffer layer.

밀착성을 구성하는 재료로서는, 예를 들어 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체가 예시된다. 접착제층의 두께는 10 ∼ 100 ㎛ 인 것이 바람직하다.As a material which comprises adhesiveness, an ethylene-vinyl acetate copolymer is illustrated, for example. It is preferable that the thickness of an adhesive bond layer is 10-100 micrometers.

(7. 보호막 형성용 시트의 제조 방법)(7. Manufacturing method of sheet for forming a protective film)

본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트를 제조하는 방법은, 기재의 일방의 면에 점착제층 및 보호막 형성층을 적층하여 형성할 수 있는 방법이면 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 이용하면 된다.The method for manufacturing the sheet for forming a protective film according to the present embodiment is not particularly limited as long as it can be formed by laminating an adhesive layer and a protective film forming layer on one surface of the substrate, and a known method may be used.

우선, 점착제층을 형성하기 위한 조성물로서, 예를 들어 상기 서술한 성분을 함유하는 점착제 조성물, 또는 당해 점착제 조성물을 용매 등에 의해 희석한 조성물을 조제한다. 마찬가지로, 보호막 형성층을 형성하기 위한 조성물로서, 예를 들어 상기 서술한 성분을 함유하는 보호막 형성층용 조성물, 또는, 당해 보호막 형성층용 조성물을 용매 등에 의해 희석한 조성물을 조제한다. 보호막 형성용 시트가 완충층을 갖는 경우에는, 완충층 형성용 조성물을 조제하면 된다.First, as a composition for forming an adhesive layer, the composition which diluted the adhesive composition containing the component mentioned above, or the said adhesive composition with a solvent etc., for example is prepared. Similarly, as a composition for forming a protective film forming layer, for example, a composition for a protective film forming layer containing the above-mentioned components or a composition obtained by diluting the composition for a protective film forming layer with a solvent or the like is prepared. What is necessary is just to prepare the composition for buffer layer formation, when the sheet|seat for protective film formation has a buffer layer.

용매로는, 예를 들어, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등의 유기 용제를 들 수 있다.Examples of the solvent include organic solvents such as methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, and isopropanol.

그리고, 점착제 조성물 등을, 기재 상에, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비아 코트법 등의 공지된 방법에 의해 도포하고, 가열하고 건조시켜 기재 상에 점착제층을 형성한다. 다음으로, 형성한 점착제층 상에, 보호막 형성층용 조성물 등을 공지된 방법에 의해 도포하고, 가열하고 건조시켜, 기재 상에 점착제층 및 보호막 형성층이 이 순서로 형성된 보호막 형성용 시트를 제조한다.Then, the pressure-sensitive adhesive composition or the like is applied onto the substrate by a known method such as a spin coat method, a spray coat method, a bar coat method, a knife coat method, a roll coat method, a blade coat method, a die coat method, and a gravure coat method. and heating and drying to form a pressure-sensitive adhesive layer on the substrate. Next, on the formed pressure-sensitive adhesive layer, a protective film-forming layer composition or the like is applied by a known method, heated and dried to prepare a protective film-forming sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer and a protective film-forming layer are formed on a substrate in this order.

또, 박리 시트의 박리 처리면에, 점착제 조성물 등을 도포하고, 가열하고 건조시켜 박리 시트 상에 점착제층을 형성한다. 마찬가지로, 박리 시트의 박리 처리면에, 보호막 형성층용 조성물 등을 도포하고, 가열하고 건조시켜 박리 시트 상에 보호막 형성층을 형성한다. 그 후, 박리 시트 상의 점착제층과 기재를 첩합하여, 박리 시트를 제거하고, 점착제층과 박리 시트 상의 보호막 형성층을 첩합하여, 기재 상에, 점착제층, 보호막 형성층 및 박리 시트가 이 순서로 형성된 보호막 형성용 시트를 제조해도 된다. 박리 시트는 보호막 형성용 시트의 사용 전에 적절히 박리하여 제거하면 된다.Moreover, an adhesive composition etc. are apply|coated to the peeling process surface of a peeling sheet, it is heated and dried, and an adhesive layer is formed on a peeling sheet. Similarly, the composition for protective film forming layers etc. are apply|coated to the peeling process surface of a release sheet, and it heats and dries, and forms a protective film forming layer on the release sheet. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer on the release sheet and the base material are bonded, the release sheet is removed, the pressure-sensitive adhesive layer and the protective film forming layer on the release sheet are pasted together, and the pressure-sensitive adhesive layer, the protective film forming layer and the release sheet are formed on the base material in this order. You may manufacture the sheet|seat for formation. What is necessary is just to peel and remove a peeling sheet suitably before use of the sheet|seat for protective film formation.

보호막 형성용 시트가 완충층을 갖고 있는 경우에는, 상기와 동일하게 하여 완충층용 조성물을 도포하여 완충층을 형성할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 시트가 밀착층을 갖고 있는 경우에는, 상기와 동일하게 하여 밀착층용 조성물을 도포하여 밀착층을 형성할 수 있다.When the sheet for protective film formation has a buffer layer, it can carry out similarly to the above, apply|coat the composition for buffer layers, and can form a buffer layer. Moreover, when the sheet|seat for protective film formation has an adhesive layer, it can carry out similarly to the above, apply|coat the composition for adhesive layers, and can form an adhesive layer.

(8. 기판 장치의 제조 방법)(8. Method of manufacturing substrate device)

본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트를 사용한 기판 장치의 제조 방법의 일례로서, 볼록형 전극을 갖는 워크를 가공하여, 워크 가공물을 얻는 방법에 대하여 설명한다.As an example of the manufacturing method of the board|substrate apparatus using the sheet|seat for protective film formation which concerns on this embodiment, the method of processing the workpiece|work which has a convex electrode and obtaining a workpiece|work is demonstrated.

워크는, 본 실시 형태에 관련된 보호막 형성용 시트가 첩부되어 가공되는 판상체이다. 워크로서는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 반도체 패널을 들 수 있다.The work is a plate-shaped body to which the sheet for forming a protective film according to the present embodiment is affixed and processed. As a work|work, a semiconductor wafer and a semiconductor panel are mentioned, for example.

볼록상 전극은, 워크의 표면으로부터 돌출되어 형성되어 있는 전극이며, 통상, 접속 전극으로서 기능하는 범프, 필러 전극 등이 예시된다. 볼록상 전극의 형상은, 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 구상, 기둥 형상, 뿔 형상이 예시된다. 또, 볼록상 전극의 재질은, 도전성을 갖는 재료이면 특별히 제한되지 않지만, 통상, 땜납계의 재료이다. 또한, 볼록상 전극의 높이는, 특별히 한정되지 않지만, 통상, 5 ∼ 1000 ㎛, 바람직하게는 50 ∼ 500 ㎛ 이다.A convex electrode is an electrode which protrudes from the surface of a workpiece|work, and is formed, Usually, a bump, a filler electrode, etc. which function as a connection electrode are illustrated. The shape of the convex electrode is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape, a columnar shape, and a cone shape. The material of the convex electrode is not particularly limited as long as it is a material having conductivity, but is usually a solder-based material. Moreover, the height of a convex electrode is although it does not specifically limit, Usually, 5-1000 micrometers, Preferably it is 50-500 micrometers.

본 실시 형태에 관련된 기판 장치의 제조 방법은, 적어도 이하의 공정 1 내지 공정 4 를 갖는다.The method for manufacturing a substrate device according to the present embodiment includes at least the following steps 1 to 4 .

공정 1 : 상기 서술한 보호막 형성용 시트를, 볼록상 전극을 갖는 워크에 있어서의 볼록상 전극을 갖는 면에 첩부하여, 보호막 형성층과 볼록상 전극을 접촉시키는 공정Step 1: Step of affixing the above-described sheet for forming a protective film to a surface having a convex electrode in a work having a convex electrode, and bringing the protective film forming layer into contact with the convex electrode

공정 2 : 점착제층을, 경화 전의 보호막 형성층으로부터 박리하는 공정Process 2: Process of peeling an adhesive layer from the protective film forming layer before hardening

공정 3 : 보호막 형성층을 경화하여, 보호막을 형성하는 공정Step 3: A step of curing the protective film forming layer to form a protective film

공정 4 : 볼록상 전극을 갖는 워크로부터, 개편화된 워크 가공물을 얻는 공정Step 4: Step of obtaining a work piece divided into pieces from a work having a convex electrode

본 실시 형태에서는, 상기 공정 1 내지 공정 4 를 갖는 기판 장치의 제조 방법의 일례로서, 워크로서의 반도체 웨이퍼의 회로면에 볼록상 전극으로서의 범프가 형성되어 있는 범프 형성 반도체 웨이퍼를 개편화하여, 범프 및 회로가 형성된 반도체 장치를 제조하는 방법을 도 1a 내지 도 6 을 사용하여 설명한다.In this embodiment, as an example of a method for manufacturing a substrate device having steps 1 to 4, a bump-formed semiconductor wafer in which bumps as convex electrodes are formed on a circuit surface of a semiconductor wafer as a work are divided into pieces, and the bumps and A method of manufacturing a semiconductor device in which a circuit is formed will be described with reference to Figs. 1A to 6 .

범프 형성 반도체 웨이퍼 (100) 는, 도 2 에 도시한 바와 같이, 반도체 기판 (101) 의 회로면 (101a) 에 범프 (102) 가 형성된 범프 형성 웨이퍼이다. 범프 (102) 는 통상 복수 형성된다. 반도체 웨이퍼 (100) 는, 특별히 한정되지 않지만, 실리콘 웨이퍼여도 되고, 세라믹, 유리, 사파이어계 등의 웨이퍼여도 된다.The bump formation semiconductor wafer 100 is a bump formation wafer in which the bump 102 was formed in the circuit surface 101a of the semiconductor substrate 101, as shown in FIG. A plurality of bumps 102 are usually formed. Although the semiconductor wafer 100 is not specifically limited, A silicon wafer may be sufficient, and wafers, such as a ceramic, glass, and a sapphire type, may be sufficient as it.

(8.1 공정 1)(8.1 Process 1)

공정 1 에서는, 우선, 도 1a 또는 도 1b 에 나타내는 보호막 형성용 시트 (1) 를 준비한다. 그리고, 보호막 형성용 시트 (1) 를, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성층 (30) 을 첩합면으로 하여, 반도체 웨이퍼 (100) 의 표면 (범프 형성면) (101a) 에 첩합하고, 보호막 형성층 (30) 과 범프 (102) 를 접촉시킨다.At the process 1, first, the sheet|seat 1 for protective film formation shown to FIG. 1A or FIG. 1B is prepared. And as shown in FIG. 3, the sheet|seat 1 for protective film formation is bonded to the surface (bump formation surface) 101a of the semiconductor wafer 100 with the protective film forming layer 30 as a bonding surface, and a protective film forming layer is shown in FIG. (30) and the bump (102) are brought into contact.

보호막 형성용 시트 (1) 의 반도체 웨이퍼 (100) 에 대한 첩합은 30 ∼ 150 ℃ 에서 행해지는 것이 바람직하고, 40 ∼ 100 ℃ 에서 행해지는 것이 보다 바람직하다.It is preferable to perform bonding with respect to the semiconductor wafer 100 of the sheet|seat 1 for protective film formation at 30-150 degreeC, and it is more preferable to perform at 40-100 degreeC.

또한, 보호막 형성용 시트의 첩부는, 가압하면서 행하는 것이 바람직하고, 예를 들어 압착 롤러 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행하는 것이 바람직하다. 혹은, 진공 라미네이터에 의해, 보호막 형성용 시트를 반도체 웨이퍼 (100) 에 압착해도 된다.In addition, it is preferable to perform affixing of the sheet|seat for protective film formation, pressurizing, for example, it is preferable to perform pressurizing with pressure means, such as a compression roller. Alternatively, the sheet for forming a protective film may be press-bonded to the semiconductor wafer 100 with a vacuum laminator.

본 실시 형태에서는, 보호막 형성용 시트 (1) 가 반도체 웨이퍼 (100) 에 첩부된 후에, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 범프 (102) 가 보호막 형성층 (30) 을 관통하여 점착제층측으로 돌출되는 것이 바람직하다. 이와 같이 범프 (102) 가 점착제층측으로 돌출됨으로써, 후술하는 리플로우에 의해, 범프 (102) 를 칩 탑재용 기판 상의 전극 등에 접촉시켜 고정하는 것이 용이해진다.In this embodiment, after the sheet|seat 1 for protective film formation is affixed to the semiconductor wafer 100, as shown in FIG. 3, it is preferable that the bump 102 penetrates the protective film formation layer 30 and protrudes toward the adhesive layer side. do. As the bump 102 protrudes toward the pressure-sensitive adhesive layer in this way, it becomes easy to bring the bump 102 into contact with an electrode or the like on the chip mounting substrate by reflow to be described later and fix it.

단, 범프 (102) 는, 보호막 형성층 (30) 을 관통하지 않고, 보호막 형성층 (30) 의 내부에 매립된 상태로 되어 있어도 된다. 이러한 상태여도, 공정 3 등에 있어서, 보호막 형성층 (30) 을 가열에 의해 유동시켜 범프 (102) 를 돌출시키면 된다.However, the bump 102 may not penetrate the protective film forming layer 30, but may be in the state embedded in the inside of the protective film forming layer 30. Even in such a state, in the process 3 etc., what is necessary is just to make the protective film forming layer 30 flow by heating, and just to protrude the bump 102.

(8.2 공정 2)(8.2 Process 2)

공정 2 에서는, 공정 1 후에, 반도체 웨이퍼 (100) 의 표면에 첩부되어 있던 점착제층 (20) 및 기재 (10) (적층 시트 (50)) 를, 보호막 형성층 (30) 으로부터 박리한다. 이 박리 후, 보호막 형성층 (30) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (100) 상에 남겨진 채로 된다.In the process 2, after the process 1, the adhesive layer 20 and the base material 10 (laminated sheet 50) which were affixed on the surface of the semiconductor wafer 100 are peeled from the protective film forming layer 30. After this peeling, the protective film forming layer 30 remains on the semiconductor wafer 100, as shown in FIG.

점착제층 (20) 이 에너지선 경화성을 갖고 있는 경우, 공정 2 에 있어서 점착제층 및 기재를 반도체 웨이퍼 (100) 로부터 박리하기 전에, 점착제층 (20) 에 에너지선을 조사하여 점착제층 (20) 을 경화시킨다. 점착제층 (20) 은 에너지선 조사에 의해 경화함으로써, 인장 저장 탄성률이 상기 서술한 범위 내가 된다. 한편, 보호막 형성층은 아직 경화되어 있지 않기 때문에, 그 전단 저장 탄성률은 상기 서술한 범위 내에 있다. 따라서, 점착제층 (20) 및 보호막 형성층 (30) 의 양방이, 박리에 적합한 상태로 되어 있기 때문에, 보호막 형성층 (30) 과의 계면에서 점착제층 (20) 을 용이하게 박리할 수 있게 된다.When the pressure-sensitive adhesive layer 20 has energy-beam curability, before peeling the pressure-sensitive adhesive layer and the base material from the semiconductor wafer 100 in step 2, the pressure-sensitive adhesive layer 20 is irradiated with energy rays to form the pressure-sensitive adhesive layer 20 harden When the adhesive layer 20 hardens|cures by energy-beam irradiation, a tensile storage elastic modulus becomes in the range mentioned above. On the other hand, since the protective film forming layer has not yet hardened|cured, the shear storage modulus is in the range mentioned above. Therefore, since both the pressure-sensitive adhesive layer 20 and the protective film forming layer 30 are in a state suitable for peeling, the pressure sensitive adhesive layer 20 can be easily peeled off at the interface with the protective film forming layer 30 .

점착제층 (20) 에 에너지선을 조사하여 경화시키는 타이밍은 특별히 한정되지 않고, 보호막 형성용 시트를 반도체 웨이퍼 (100) 에 첩부하기 전에 미리 경화시켜도 된다. 또한, 반도체 웨이퍼 (100) 에 첩부한 후여도 된다. 또한, 점착제층 (20) 은, 예를 들어 보호막 형성용 시트를 반도체 웨이퍼 (100) 에 첩부하기 전, 완전히 경화하지 않을 정도로 에너지선을 조사하여 접착력을 저하시킴과 함께, 반도체 웨이퍼 (100) 에 첩부한 후, 추가로 에너지선을 조사하여 더욱 경화시켜, 접착력을 한층 저하시켜도 된다.The timing to irradiate and harden the adhesive layer 20 with an energy ray is not specifically limited, Before sticking the sheet|seat for protective film formation on the semiconductor wafer 100, you may harden|cure beforehand. Moreover, it may be after affixing to the semiconductor wafer 100. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer 20, for example, before affixing the sheet for forming a protective film to the semiconductor wafer 100, while irradiating an energy ray to the extent that it is not completely cured to reduce the adhesive force, and to the semiconductor wafer 100 After sticking, it may be further hardened by irradiating an energy ray further, and may further reduce adhesive force.

또한, 점착제층이, 에너지선 경화성을 갖고 있지 않은 경우에는, 점착제층의 인장 저장 탄성률이 상기 서술한 범위 내이다. 한편, 보호막 형성층은 아직 경화되어 있지 않기 때문에, 그 전단 저장 탄성률은 상기 서술한 범위 내에 있다. 따라서, 점착제층 및 보호막 형성층의 양방이, 박리에 적합한 상태로 되어 있기 때문에, 보호막 형성층과의 계면에서 점착제층을 용이하게 박리할 수 있게 된다.In addition, when an adhesive layer does not have energy-beam sclerosis|hardenability, the tensile storage elastic modulus of an adhesive layer exists in the range mentioned above. On the other hand, since the protective film forming layer has not yet hardened|cured, the shear storage modulus is in the range mentioned above. Therefore, since both of an adhesive layer and a protective film forming layer are in the state suitable for peeling, it becomes possible to peel an adhesive layer easily at the interface with a protective film forming layer.

본 실시 형태에 관련된 제조 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼 (100) 는, 이면 연삭이 행해지는 것이 바람직하다. 이면 연삭은, 보호막 형성용 시트를, 반도체 웨이퍼 (100) 의 회로면 (101a) 측에 첩부한 상태에서 행한다. 즉, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭은, 공정 1 과 공정 2 의 사이에서 행한다. 이에 의해, 보호막 형성용 시트 (1) 는 보호막 형성층 (30) 을 지지하기 위한 시트뿐만 아니라, 이면 연삭시에 범프 형성면을 보호하는 백그라인드 시트로서도 사용된다.In the manufacturing method which concerns on this embodiment, it is preferable that the back surface grinding of the semiconductor wafer 100 is performed. Back surface grinding is performed in the state which stuck the sheet|seat for protective film formation to the circuit surface 101a side of the semiconductor wafer 100. That is, the back surface grinding of a semiconductor wafer is performed between process 1 and process 2. Thereby, the sheet|seat 1 for protective film formation is used not only as the sheet|seat for supporting the protective film forming layer 30, but also as a backgrind sheet which protects the bump formation surface at the time of back surface grinding.

반도체 웨이퍼의 이면 연삭은, 예를 들어 보호막 형성용 시트가 첩부된, 반도체 웨이퍼의 표면 (회로면) 측을 척 테이블 등의 고정 테이블 상에 고정하고, 이면을 그라인더 등에 의해 연삭함으로써 행한다. 웨이퍼의 연삭 후의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 통상 5 ∼ 450 ㎛, 바람직하게는 20 ∼ 400 ㎛ 정도이다.The back surface grinding of a semiconductor wafer is performed by fixing the front surface (circuit surface) side of the semiconductor wafer to which the sheet|seat for protective film formation was affixed on fixed tables, such as a chuck table, for example, and grinding the back surface with a grinder etc., for example. Although the thickness after grinding of a wafer is not specifically limited, Usually, it is 5-450 micrometers, Preferably it is about 20-400 micrometers.

또한, 본 실시 형태에 관련된 제조 방법에 있어서, 보호막 형성층으로부터, 점착제층 및 기재를 박리하기 전에, 반도체 웨이퍼의 이면에 보호 시트를 첩부하는 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼의 이면 연삭이 행해지는 경우에는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 연삭 후의 이면에 보호 시트 (200) 를 첩부함으로써, 후술하는 공정 4 에 있어서, 다이싱 시트 (200) 로서 사용된다.Moreover, in the manufacturing method which concerns on this embodiment, before peeling an adhesive layer and a base material from a protective film forming layer, it is preferable to affix a protective sheet on the back surface of a semiconductor wafer. When the back surface grinding of a semiconductor wafer is performed, as shown in FIG. 4, by affixing the protective sheet 200 to the back surface after grinding, in the process 4 mentioned later, it is used as the dicing sheet 200.

(8.3 공정 3)(8.3 Process 3)

공정 2 에서, 보호막 형성층으로부터 점착제층을 박리한 후, 반도체 웨이퍼 (100) 의 표면에 남겨진 보호막 형성층 (30) 을 가열한다. 보호막 형성층 (30) 은, 열경화성 수지를 함유하기 때문에, 상기 가열에 의해 열경화되어, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 보호막 (31) 이 된다.At the step 2, after peeling the pressure-sensitive adhesive layer from the protective film forming layer, the protective film forming layer 30 left on the surface of the semiconductor wafer 100 is heated. Since the protective film forming layer 30 contains a thermosetting resin, it thermosets by the said heating, and turns into the protective film 31 as shown in FIG.

상기 가열 조건은, 보호막 형성층 (30) 에 함유되는 열경화성 수지가 경화되면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 80 ∼ 200 ℃ 에서, 30 ∼ 300 분간, 바람직하게는 100 ∼ 180 ℃ 에서, 60 ∼ 200 분간 행해진다.The said heating conditions will not specifically limit if the thermosetting resin contained in the protective film forming layer 30 hardens, For example, at 80-200 degreeC, 30-300 minutes, Preferably it is 100-180 degreeC, 60-200 is done for a minute

(8.4 공정 4)(8.4 Process 4)

다음으로, 보호막 (31) 이 범프 형성면에 형성된 반도체 웨이퍼 (100) 로부터 개편화된 반도체 칩을 얻는다. 본 실시 형태에서는, 도 5 에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (100) 를 다이싱에 의해 분할하여, 복수의 반도체 칩 (150) 으로 개편화한다. 이 공정에서는, 반도체 웨이퍼 (100) 와 함께, 보호막 (31) 도, 반도체 칩 (150) 의 형상에 맞추어 분할된다.Next, the semiconductor chip separated into pieces from the semiconductor wafer 100 in which the protective film 31 was formed in the bump formation surface is obtained. In the present embodiment, as shown in FIG. 5 , the semiconductor wafer 100 is divided by dicing and divided into a plurality of semiconductor chips 150 . In this step, together with the semiconductor wafer 100 , the protective film 31 is also divided according to the shape of the semiconductor chip 150 .

다이싱 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 블레이드 다이싱, 스텔스 다이싱, 레이저 다이싱 등의 공지된 방법을 사용할 수 있다.Although it does not specifically limit as a dicing method, Well-known methods, such as blade dicing, stealth dicing, and laser dicing, can be used.

예를 들면, 도 5 에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (100) 의 이면측에 첩부된 다이싱 시트 (200) 에 의해 반도체 웨이퍼 (100) 를 지지함과 함께, 반도체 웨이퍼 (100) 의 회로면 (101a) 측부터 절입을 형성함으로써 행한다.For example, as shown in FIG. 5, while supporting the semiconductor wafer 100 with the dicing sheet 200 affixed on the back side of the semiconductor wafer 100, the circuit surface of the semiconductor wafer 100 This is performed by forming a cut from the (101a) side.

다이싱 시트 (200) 는, 반도체 웨이퍼 (100) 보다 한층 크고, 또한, 그 중앙 영역이 반도체 웨이퍼 (100) 에 첩부됨과 함께, 외주 영역이 반도체 웨이퍼 (100) 에 첩부되지 않고, 지지 부재 (300) 에 첩부되는 것이 바람직하다. 지지 부재 (300) 는 다이싱 시트 (200) 를 지지하기 위한 부재이며, 예를 들어 링 프레임을 들 수 있다.The dicing sheet 200 is one size larger than the semiconductor wafer 100, and while the central region is affixed to the semiconductor wafer 100, the outer peripheral region is not affixed to the semiconductor wafer 100, and the support member 300 ) is preferably affixed to The support member 300 is a member for supporting the dicing sheet 200, for example, a ring frame is mentioned.

본 실시 형태에서는, 다이싱 후, 반도체 칩 (150) 을 공지된 방법에 의해 픽업한다. 픽업한 반도체 칩 (150) 은, 도 6 에 도시하는 바와 같이, 칩 탑재용 기판 (160) 에 장착된 후, 리플로우에 의해, 범프 (102) 를 통하여 칩 탑재용 기판 (160) 에 고정된다. 필요에 따라서, 반도체칩 (150) 과 칩 탑재 기판 (160) 사이의 간극을 봉지 수지에 의해 봉지하여, 반도체 장치 (170) 가 제조된다.In this embodiment, after dicing, the semiconductor chip 150 is picked up by a well-known method. As shown in FIG. 6 , the picked-up semiconductor chip 150 is mounted on the chip mounting substrate 160 and then fixed to the chip mounting substrate 160 via the bump 102 by reflow. . The semiconductor device 170 is manufactured by sealing the gap between the semiconductor chip 150 and the chip mounting substrate 160 with a sealing resin as needed.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 상기의 실시 형태에 전혀 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에 있어서 여러 가지의 양태로 개변해도 된다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited at all to said embodiment, You may change in various aspects within the scope of this invention.

실시예Example

이하, 실시예를 사용하여, 발명을 보다 상세하게 설명하겠지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the invention will be described in more detail using Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

본 실시예에 있어서의 측정 방법 및 평가 방법은 이하와 같다.The measuring method and evaluation method in a present Example are as follows.

(점착제층의 인장 저장 탄성률의 측정)(Measurement of tensile storage modulus of adhesive layer)

점착제층 (두께 200 ㎛) 의 양면에 PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 : SP-PET381031, 두께 : 38 ㎛) 이 첩부된 적층체를 조제하였다. 점착제층에 포함되는 점착제가 에너지선 경화성인 경우에는, 린텍사 제조 자외선 조사 장치 (RAD-2000 m/12) 를 이용하여, 조도 230 mW/㎠, 적산 광량 500 mJ/㎠ 의 조사 조건으로 자외선을 조사하여 경화시켰다. 이어서, 얻어진 적층체를 4 ㎜ × 50 ㎜ 의 크기로 커트하여, 인장 저장 탄성률을 측정하기 위한 시료를 얻었다. 점탄성 측정 장치 (오리엔테크사 제조 : 레오바이브론) 를 사용하여, 얻어진 시료에 주파수 1 Hz 의 변형을 부여하고, -30 ∼ 200 ℃ 의 인장 저장 탄성률을 측정하고, 그들의 값으로부터 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률을 산출하였다.A laminate with a PET-based release film (SP-PET381031, thickness: 38 µm) affixed on both surfaces of the pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 200 µm) was prepared. When the pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer is energy ray-curable, ultraviolet rays are irradiated under irradiation conditions of illuminance of 230 mW/cm 2 and accumulated light amount of 500 mJ/cm 2 using an ultraviolet irradiation device (RAD-2000 m/12) manufactured by Lintec Co., Ltd. Irradiated and cured. Next, the obtained laminated body was cut to the size of 4 mm x 50 mm, and the sample for measuring the tensile storage elastic modulus was obtained. Using a viscoelasticity measuring device (manufactured by Orientec Co., Ltd.: Leo Vibron), strain at a frequency of 1 Hz is applied to the obtained sample, and the tensile storage modulus of -30 to 200° C. The tensile storage modulus was calculated.

(보호막 형성층의 전단 저장 탄성률의 측정)(Measurement of shear storage modulus of protective film forming layer)

보호막 형성층 (두께 1000 ㎛) 의 양면에 PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 : SP-PET381031 두께: 38 ㎛) 이 첩부된 적층체를 조제하였다. 다음으로, 얻어진 적층체를 직경 8 ㎜ 의 원판상으로 재단하여, 전단 저장 탄성률을 측정하기 위한 시료를 얻었다.A laminate with a PET-based release film (SP-PET381031, thickness: 38 µm) affixed on both surfaces of the protective film forming layer (thickness: 1000 µm) was prepared. Next, the obtained laminated body was cut into the disk shape of diameter 8mm, and the sample for measuring the shear storage modulus was obtained.

전단 점도 측정 장치의 시료의 설치 지점을 미리 90 ℃ 로 유지하고, 이 설치 지점에, 상기에서 얻어진 시료를 재치하고, 시료의 상면에 측정 지그를 대고 누름으로써, 시료를 설치 지점에 고정하였다. 이어서, 온도 23 ℃, 측정 주파수 1 Hz 의 조건으로, 시료의 전단 저장 탄성률을 측정했다.The sample was fixed to the installation point by holding the installation point of the sample of a shear viscosity measuring device at 90 degreeC beforehand, placing the sample obtained above on this installation point, and pressing a measuring jig to the upper surface of the sample. Next, the shear storage modulus of the sample was measured under conditions of a temperature of 23°C and a measurement frequency of 1 Hz.

(점착제층의 점착력의 측정)(Measurement of the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer)

실시예 및 비교예에서 제작한 보호막 형성용 시트를 25 ㎜ 폭으로 절단하고, 피착체인 실리콘 미러 웨이퍼에 무게 2 kg 의 롤을 사용하여 첩부하였다. 이때, 실리콘 미러 웨이퍼는 핫 플레이트에서 70 ℃ 로 가열하였다. 첩부 후, 23 ℃, 50% RH 의 환경하에서 1 시간 보관했다. 린텍사 제조 자외선 조사 장치 (RAD-2000 m/12) 를 이용하여, 조사 속도 15 ㎜/sec 의 조건으로, 자외선을 조사한 후, 소정의 온도 환경하에 5 분 방치시킨 후에, 인장 시험기 (오리엔텍사 제조, 텐실론) 를 이용하여, 박리 각도 180°, 박리 속도 100 ㎜/min. 의 조건으로 보호막 형성층으로부터 점착제층을 박리하고, 점착력을 측정하였다.The sheets for forming a protective film produced in Examples and Comparative Examples were cut to a width of 25 mm, and adhered to a silicon mirror wafer as an adherend using a roll weighing 2 kg. At this time, the silicon mirror wafer was heated to 70°C on a hot plate. After affixing, it stored in 23 degreeC, 50%RH environment for 1 hour. After irradiating ultraviolet rays under the conditions of an irradiation rate of 15 mm/sec using a UV irradiation device manufactured by Lintec (RAD-2000 m/12), and leaving it to stand for 5 minutes under a predetermined temperature environment, a tensile tester (Orientec Co., Ltd.) Manufacture, Tensilon), peeling angle 180°, peeling rate 100 mm/min. The pressure-sensitive adhesive layer was peeled from the protective film forming layer under the conditions of , and the adhesive force was measured.

(점착제층의 박리성 평가)(Evaluation of peelability of the pressure-sensitive adhesive layer)

범프 높이 200 ㎛, 피치 400 ㎛, 직경 250 ㎛ 의 범프 형성 웨이퍼 (Waltz 제조 8 인치 웨이퍼) 에 실시예 및 비교예에서 제작한 보호막 형성용 시트를, 린텍사 제조 라미네이터 (RAD-3510F/12) 를 사용하여 첩부했다. 또한, 첩부할 때, 장치의 라미네이트 테이블을 90 ℃ 로 설정하였다. 라미네이트 후, 린텍사 제조 자외선 조사 장치 (RAD-2000m/12) 를 이용하여 조사 속도 15 ㎜/sec 의 조건으로 자외선을 조사하였다.The sheet for forming a protective film prepared in Examples and Comparative Examples was applied to a bump forming wafer (8 inch wafer manufactured by Waltz) having a bump height of 200 µm, a pitch of 400 µm, and a diameter of 250 µm, using a Lintec laminator (RAD-3510F/12). used and pasted. In addition, when affixing, the lamination table of the apparatus was set to 90 degreeC. After lamination, the ultraviolet-ray was irradiated on condition of the irradiation rate of 15 mm/sec using the ultraviolet irradiation apparatus (RAD-2000m/12) by a Lintec company.

웨이퍼 이면에 린텍 제조 다이싱 테이프 (D-676H) 를 링 프레임과 함께 첩부하고, 린텍사 제조 BG 테이프 박리 장치 (RAD-2700) 로, 박리 평가를 행하였다. 또한, 박리 속도는 2 ㎜/sec, 테이블 온도는 상온으로 설정하고, 히트 시일에는 S-32B 를 사용하였다. 장치가 정지하지 않고, 보호막 형성층으로부터 점착제층을 박리할 수 있으면, "○ (양호) " 라고 평가하고, 장치의 정지나 히트 시일의 탈리, 웨이퍼의 파괴가 일어나면, "× (불량) " 라고 평가하였다.The Lintec dicing tape (D-676H) was affixed together with the ring frame on the back surface of a wafer, and peeling evaluation was performed with the Lintec BG tape peeling apparatus (RAD-2700). In addition, the peeling speed|rate set 2 mm/sec and table temperature to normal temperature, and S-32B was used for heat sealing. If the device does not stop and the pressure-sensitive adhesive layer can be peeled from the protective film forming layer, it is evaluated as “○ (good)”, and when the device stops, the heat seal is detached, or the wafer is destroyed, it is evaluated as “× (bad)” did.

(보호막 형성층의 균열 평가)(Evaluation of cracks in the protective film forming layer)

실시예 및 비교예에서 제작한 보호막 형성용 시트를 30cm × 100 cm 의 사이즈로 커트하고, 내경 3 인치, 길이 35 cm 의 플라스틱 코어에 기재측이 외측이 되도록 전량을 감았다. 5 분간 정치 후, 코어로부터 풀어 보호막 형성층의 균열 유무를 육안으로 확인했다. 보호막 형성층에 균열이 없는 경우에는 "○ (양호)" 라고 평가하고, 보호막 형성층에 균열이 있는 경우 "× (불량)" 라고 평가하였다.The sheets for forming a protective film prepared in Examples and Comparative Examples were cut to a size of 30 cm × 100 cm, and the entire amount was wound around a plastic core having an inner diameter of 3 inches and a length of 35 cm so that the base material side was outside. After standing for 5 minutes, it was released from the core and the presence or absence of cracks in the protective film forming layer was visually confirmed. When there was no crack in the protective film forming layer, it was evaluated as "○ (good)", and when there was a crack in the protective film forming layer, it was evaluated as "x (bad)".

(기재 및 완충층)(substrate and buffer layer)

기재로서, PET 제 필름 (토레이사 제조 "루미러 (등록상표) ", 두께 100 ㎛) 을 준비했다. 소형 T 다이 압출기 (도요세이키 제작소사 제조 "라보플라스트밀") 를 사용하여, PET 제 필름에 대하여, 에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지 (미츠이·듀폰폴리케미컬사 제조 "에바플렉스 (등록상표) EV260") 와, 에틸렌-α-올레핀 코폴리머 (미츠이 화학사 제조 "터프머 DF640") 를 공압출 성형함으로써, 기재 상에, 에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지로 이루어지는 밀착층, 및 에틸렌-α-올레핀 코폴리머로 이루어지는 완충층 (두께 400 ㎛) 을, 이 순서로 적층하였다. 또한, 에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지의 물성값은, 밀도 950 kg/㎥, 융점 72 ℃ 미만, 멜트 플로우 레이트 (190 ℃) 6 g/10 분이었다. 또한, 에틸렌-α-올레핀 코폴리머의 물성값은, 밀도 864 kg/㎥, 융점 50 ℃ 미만, 멜트 플로우 레이트 (190 ℃) 3.6 g/10 분, 멜트 플로우 레이트 (230 ℃) 6.7 g/10 분이었다.As the base material, a PET film (“Lumirer (registered trademark)” manufactured by Toray Corporation, 100 µm in thickness) was prepared. Using a small T-die extruder (“Laboplast Mill” manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd.), an ethylene-vinyl acetate copolymer resin (“Evaflex (registered trademark)” EV260 manufactured by Mitsui DuPont Polychemicals) was applied to a PET film. ") and an ethylene-α-olefin copolymer (“Tuffmer DF640” manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd.) by co-extrusion molding, on a substrate, an adhesive layer made of an ethylene-vinyl acetate copolymer resin, and an ethylene-α-olefin copolymer A buffer layer (thickness of 400 µm) consisting of was laminated in this order. The physical property values of the ethylene-vinyl acetate copolymer resin were a density of 950 kg/m 3 , a melting point of less than 72° C., and a melt flow rate (190° C.) of 6 g/10 min. In addition, the physical property values of the ethylene-α-olefin copolymer were a density of 864 kg/m 3 , a melting point of less than 50° C., a melt flow rate (190° C.) of 3.6 g/10 min, and a melt flow rate (230° C.) 6.7 g/10 min. .

(보호막 형성층)(protective film forming layer)

다음의 각 성분을 각 배합비 (고형분 환산) 로 혼합하고, 고형분 농도가 55 질량% 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하여, 보호막 형성층용 도포제를 조제했다. 조제한 도포제를, PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 : SP-PET381031 두께: 38 ㎛) 에 도공하고, 건조시켜 두께가 30 ㎛ 인 보호막 형성층 A 가 형성된 시트를 얻었다.Each of the following components was mixed in each compounding ratio (in terms of solid content), and diluted with methyl ethyl ketone so that the solid content concentration was 55 mass %, to prepare a coating agent for a protective film forming layer. The prepared coating agent was applied to a PET release film (manufactured by Lintec Co., Ltd.: SP-PET381031 thickness: 38 µm) and dried to obtain a sheet with a protective film forming layer A having a thickness of 30 µm.

(a) 바인더 폴리머 : PVB 수지 (세키스이 화학공업 제조, SV-10) 배합비가 9.9 %(a) Binder polymer: PVB resin (Sekisui Chemical Co., Ltd., SV-10) blending ratio 9.9%

(b-1) 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (DIC 제조, EXA-4810-1000) 배합비가 37.8%(b-1) bisphenol A epoxy resin (manufactured by DIC, EXA-4810-1000) mixing ratio 37.8%

(b-2) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크화학공업사 제조, 에피클론 HP-7200, 에폭시 당량 254 ∼ 264 g/eq) 배합비가 25 %(b-2) Dicyclopentadiene type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., Epiclone HP-7200, epoxy equivalent 254 to 264 g/eq) blending ratio 25%

(c) 노볼락형 페놀 수지 (쇼와 전공 주식회사 제조, 쇼놀 BRG-556) 배합비가 18.1 %(c) Novolac-type phenol resin (Showa Denko Co., Ltd., Shonol BRG-556) blending ratio 18.1%

(d) 경화 촉진제 : 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성공업사 제조, 큐아졸 2PHZ) 배합비가 0.2 %(d) curing accelerator: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., Qazole 2PHZ) blending ratio 0.2%

(e) 실리카 필러 (애드마텍스사 제조, YA050C-MKK, 평균 입경 0.05 ㎛) 배합비가 9%(e) Silica filler (manufactured by Admatex, YA050C-MKK, average particle diameter of 0.05 μm) compounding ratio of 9%

다음의 각 성분을 각 배합비 (고형분 환산) 로 혼합하고, 고형분 농도가 55 질량% 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하여, 보호막 형성 필름용 도포제를 조제하였다. 조제한 도포제를 PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 : SP-PET381031 두께: 38 ㎛) 에 도공하고, 건조시켜 두께가 30 ㎛ 인 보호막 형성층 B 가 형성된 시트를 얻었다.Each of the following components was mixed in each compounding ratio (in terms of solid content), and diluted with methyl ethyl ketone so that the solid content concentration was 55 mass% to prepare a coating agent for a protective film forming film. The prepared coating agent was applied to a PET release film (manufactured by Lintec Co., Ltd.: SP-PET381031 thickness: 38 µm) and dried to obtain a sheet with a protective film forming layer B having a thickness of 30 µm.

(a) 바인더 폴리머 : PVB 수지 (세키스이 화학공업 제조, SV-10) 배합비가 10.16 %(a) Binder polymer: PVB resin (Sekisui Chemical Co., Ltd., SV-10) mixing ratio 10.16%

(b-1) 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (DIC 제조, EP-4088L) 배합비가 34.79 %(b-1) bisphenol A epoxy resin (manufactured by DIC, EP-4088L) mixing ratio 34.79%

(b-2) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크화학공업사 제조, 에피클론 HP-7200HH) 배합비가 26.63 %(b-2) Dicyclopentadiene type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., Epiclone HP-7200HH) blending ratio 26.63%

(c) 노볼락형 페놀 수지 (쇼와 전공 주식회사 제조, 쇼놀 BRG-556) 배합비가 19.09 %(c) Novolac-type phenol resin (Showa Denko Co., Ltd., Shonol BRG-556) blending ratio 19.09%

(d) 경화 촉진제 : 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성공업사 제조, 큐아졸 2PHZ) 배합비가 0.2 %(d) curing accelerator: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., Qazole 2PHZ) blending ratio 0.2%

(e) 실리카 필러 (애드마텍스사 제조, YA050C-MKK, 평균 입경 0.05 ㎛) 배합비가 9.13 %(e) Silica filler (manufactured by Admatex, YA050C-MKK, average particle diameter 0.05 μm) mixing ratio 9.13%

다음의 각 성분을 각 배합비 (고형분 환산) 로 혼합하고, 고형분 농도가 55 질량% 가 되도록 메틸에틸케톤으로 희석하여, 보호막 형성층용 도포제를 조제했다. 조제한 도포제를, PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 : SP-PET381031 두께 : 38 ㎛) 에 도공하고, 건조시켜 두께가 30 ㎛ 인 보호막 형성층 C 가 형성된 시트를 얻었다.Each of the following components was mixed in each compounding ratio (in terms of solid content), and diluted with methyl ethyl ketone so that the solid content concentration was 55 mass %, to prepare a coating agent for a protective film forming layer. The prepared coating agent was applied to a PET release film (manufactured by Lintec Co., Ltd.: SP-PET381031, thickness: 38 µm) and dried to obtain a sheet on which a protective film forming layer C having a thickness of 30 µm was formed.

(a) 바인더 폴리머 : PVB 수지 (세키스이 화학공업 제조, KS-10) 배합비가 10.4 %(a) Binder polymer: PVB resin (Sekisui Chemical Co., Ltd., KS-10) mixing ratio 10.4 %

(b-1) 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (DIC 제조, EXA-4810-1000) 배합비가 34.3 %(b-1) bisphenol A epoxy resin (manufactured by DIC, EXA-4810-1000) blending ratio 34.3%

(b-2) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 (다이닛폰 잉크화학공업사 제조, 에피클론 HP-7200, 에폭시 당량 254 ∼ 264 g/eq) 배합비가 23.7 %(b-2) dicyclopentadiene type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., Epiclone HP-7200, epoxy equivalent 254 to 264 g/eq) blending ratio 23.7%

(c) 노볼락형 페놀 수지 (쇼와 전공 주식회사 제조, 쇼놀 BRG-556) 배합비가 22 %(c) Novolac-type phenolic resin (Showa Denko Co., Ltd., Shonol BRG-556) blending ratio 22%

(d) 경화 촉진제 : 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 (시코쿠 화성공업사 제조, 큐아졸 2PHZ) 배합비가 0.2 %(d) curing accelerator: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., Qazole 2PHZ) blending ratio 0.2%

(e) 실리카 필러 (애드마텍스사 제조, YA050C-MKK, 평균 입경 0.05 ㎛) 배합비가 9.4%(e) Silica filler (manufactured by Admatex, YA050C-MKK, average particle diameter 0.05 μm) mixing ratio 9.4%

(실시예 1)(Example 1)

(점착제층의 제조)(Preparation of adhesive layer)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 80 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 20 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw : 900000) 에 대하여 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와덴코 제조 카렌즈 MOI) 를 HEA 질량부에 대하여 부가율이 40% 가 되도록 부가한 점착제를 제작했다. 즉, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 부가 부수는 8 부였다.2-isocyanate ethyl methacrylate (Carrenz manufactured by Showa Denko) with respect to an acrylic pressure-sensitive adhesive (Mw: 900000) comprising 80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) MOI) was added with respect to the HEA mass part so that the addition ratio might be 40 %, the adhesive was produced. That is, the addition number of 2-isocyanate ethyl methacrylate was 8 parts.

점착제 100 질량부에 대하여, 광개시제로서 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조 Irgacure184) 을 3 질량부 첨가하고, 가교제로서, 다가 이소시아네이트 화합물 (토소사 제조 코로네이트 L) 을 0.5 질량부 첨가하고, 30 분간 교반을 행하여, 점착제 조성물을 조제했다.With respect to 100 parts by mass of the pressure-sensitive adhesive, 3 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone (Irgacure184 manufactured by BASF) as a photoinitiator is added, and 0.5 parts by mass of a polyvalent isocyanate compound (Coronate L manufactured by Tosoh Corporation) is added as a crosslinking agent. , stirred for 30 minutes to prepare an adhesive composition.

(보호막 형성용 시트의 제조)(Manufacture of sheet for forming a protective film)

이어서, 조제한 점착제 조성물의 용액을, PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 SP-PET381031 두께 38 ㎛) 에 도포하고, 건조시켜 두께 10 ㎛ 의 점착제층을 형성하여, 점착 시트를 제작했다. 제작한 점착 시트를, 상기에서 제작한 기재 형성 완충층의 완충층측에 첩합하고, 또한, 그 점착 시트에 보호막 형성층 A 가 형성된 시트를 첩합하여, 보호막 형성용 시트를 얻었다.Next, the solution of the prepared adhesive composition was apply|coated to PET-type peeling film (SP-PET381031 38 micrometers in thickness by Lintec Corporation), it was made to dry, the 10 micrometers-thick adhesive layer was formed, and the adhesive sheet was produced. The produced adhesive sheet was bonded together to the buffer layer side of the base material formation buffer layer produced above, and the sheet|seat in which the protective film formation layer A was formed to the adhesive sheet was further bonded together, and the sheet|seat for protective film formation was obtained.

(실시예 2)(Example 2)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 96 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 4 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw : 900000) 에 대하여 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와덴코 제조 카렌즈 MOI) 를 HEA 질량부에 대하여 부가율이 50% 가 되도록 부가한 점착제 조성물을 제작했다. 즉, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 부가 부수는 2 부였다. 그 외에는 실시예 1 과 동일하게 보호막 형성용 시트를 제작했다.2-isocyanate ethyl methacrylate (Carrens, Showa Denko) with respect to an acrylic pressure-sensitive adhesive (Mw: 900000) comprising 96 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 4 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) MOI) was added with respect to the HEA mass part so that the addition ratio might be set to 50%, and the adhesive composition which added it was produced. That is, the addition number of 2-isocyanate ethyl methacrylate was 2 parts. Other than that, the sheet|seat for protective film formation was produced similarly to Example 1.

(실시예 3)(Example 3)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 90 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 10 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw : 900000) 에 대하여 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와덴코 제조 카렌즈 MOI) 를 HEA 질량부에 대하여 부가율이 40% 가 되도록 부가한 점착제 조성물을 제작했다. 즉, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 부가 부수는 4 부였다. 그 외에는 실시예 1 과 동일하게 보호막 형성용 시트를 제작했다.2-isocyanate ethyl methacrylate (Carrenz manufactured by Showa Denko) with respect to an acrylic pressure-sensitive adhesive (Mw: 900000) comprising 90 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) MOI) was added with respect to the HEA mass part so that the addition ratio might be 40 %, and the adhesive composition which added was produced. That is, the addition number of 2-isocyanate ethyl methacrylate was 4 parts. Other than that, the sheet|seat for protective film formation was produced similarly to Example 1.

(실시예 4)(Example 4)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 82 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 18 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw : 900000) 에 대하여 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와덴코 제조 카렌즈 MOI) 를 HEA 질량부에 대하여 부가율이 33% 가 되도록 부가한 점착제 조성물을 제작했다. 즉, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 부가 부수는 6 부였다. 그 외에는 실시예 1 과 동일하게 보호막 형성용 시트를 제작했다.2-isocyanate ethyl methacrylate (Carrenz manufactured by Showa Denko) with respect to the acrylic pressure-sensitive adhesive (Mw: 900000) comprising 82 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 18 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) MOI) was added with respect to the HEA mass part so that the addition rate might be set to 33 %, the adhesive composition which added was produced. That is, the addition number of 2-isocyanate ethyl methacrylate was 6 parts. Other than that, the sheet|seat for protective film formation was produced similarly to Example 1.

(실시예 5)(Example 5)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 90 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 10 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw : 900000) 에 대하여 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와덴코 제조 카렌즈 MOI) 를 HEA 질량부에 대하여 부가율이 80% 가 되도록 부가한 점착제 조성물을 제작했다. 즉, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 부가 부수는 8 부였다. 그 외에는 실시예 1 과 동일하게 보호막 형성용 시트를 제작했다.2-isocyanate ethyl methacrylate (Carrenz manufactured by Showa Denko) with respect to an acrylic pressure-sensitive adhesive (Mw: 900000) comprising 90 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) MOI) was added with respect to the HEA mass part so that the addition ratio might be set to 80%, and the adhesive composition which added was produced. That is, the addition number of 2-isocyanate ethyl methacrylate was 8 parts. Other than that, the sheet|seat for protective film formation was produced similarly to Example 1.

(실시예 6)(Example 6)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 80 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 20 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw : 900000) 에 대하여 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와덴코 제조 카렌즈 MOI) 를 HEA 질량부에 대하여 부가율이 40% 가 되도록 부가한 점착제 조성물을 제작했다. 즉, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 부가 부수는 8 부였다.2-isocyanate ethyl methacrylate (Carrenz manufactured by Showa Denko) with respect to an acrylic pressure-sensitive adhesive (Mw: 900000) comprising 80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) MOI) was added with respect to the HEA mass part so that the addition ratio might be 40 %, and the adhesive composition which added was produced. That is, the addition number of 2-isocyanate ethyl methacrylate was 8 parts.

점착제 100 질량부에 대하여, 광개시제로서 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조 Irgacure184) 을 3 질량부 첨가하고, 가교제로서, 다가 이소시아네이트 화합물 (토소사 제조 코로네이트 L) 을 0.5 질량부 첨가하고, 30 분간 교반을 행하여, 점착제 조성물을 조제했다.With respect to 100 parts by mass of the pressure-sensitive adhesive, 3 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone (Irgacure184 manufactured by BASF) as a photoinitiator is added, and 0.5 parts by mass of a polyvalent isocyanate compound (Coronate L manufactured by Tosoh Corporation) is added as a crosslinking agent. , stirred for 30 minutes to prepare an adhesive composition.

이어서, 조제한 점착제 조성물의 용액을, PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 SP-PET381031 두께 38 ㎛) 에 도포하고, 건조시켜 두께 10 ㎛ 의 점착제층을 형성하여, 점착 시트를 제작했다. 제작한 점착 시트를 기재 형성 완충층의 완충층측에 첩합하고, 또한, 그 점착 시트에 보호막 형성층 B 가 형성된 시트를 첩합하여, 보호막 형성용 시트를 얻었다.Next, the solution of the prepared adhesive composition was apply|coated to PET-type peeling film (SP-PET381031 38 micrometers in thickness by Lintec Corporation), it was made to dry, the 10 micrometers-thick adhesive layer was formed, and the adhesive sheet was produced. The produced adhesive sheet was bonded together to the buffer layer side of the base material formation buffer layer, the sheet|seat in which the protective film formation layer B was formed to the adhesive sheet further was bonded together, and the sheet|seat for protective film formation was obtained.

(실시예 7)(Example 7)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 96 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 4 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw: 900000) 를 제작했다.The acrylic adhesive (Mw: 900000) which consists of 96 mass parts of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 4 mass parts of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) was produced.

점착제 100 질량부에 대하여, 가교제로서, 다가 이소시아네이트 화합물 (토소사 제조 코로네이트 L) 을 4.3 질량부 첨가하고, 30 분간 교반을 행하여, 점착제 조성물을 조제하였다. 그 외에는 실시예 1 과 동일하게 보호막 형성용 시트를 제작했다.With respect to 100 mass parts of adhesives, 4.3 mass parts of polyhydric isocyanate compounds (Coronate L by Tosoh Corporation) were added as a crosslinking agent, 30 minutes were stirred, and the adhesive composition was prepared. Other than that, the sheet|seat for protective film formation was produced similarly to Example 1.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 80 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 20 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw : 900000) 에 대하여 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와덴코 제조 카렌즈 MOI) 를 HEA 질량부에 대하여 부가율이 80% 가 되도록 부가한 점착제 조성물을 제작했다. 즉, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 부가 부수는 16 부였다. 그 외에는 실시예 1 과 동일하게 보호막 형성용 시트를 제작했다.2-isocyanate ethyl methacrylate (Carrenz manufactured by Showa Denko) with respect to an acrylic pressure-sensitive adhesive (Mw: 900000) comprising 80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) MOI) was added with respect to the HEA mass part so that the addition ratio might be set to 80%, and the adhesive composition which added was produced. That is, the addition number of 2-isocyanate ethyl methacrylate was 16 parts. Other than that, the sheet|seat for protective film formation was produced similarly to Example 1.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

2-에틸헥실아크릴레이트 (2EHA) 80 질량부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 (HEA) 20 질량부로 이루어지는 아크릴계 점착제 (Mw : 900000) 에 대하여 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트 (쇼와덴코 제조 카렌즈 MOI) 를 HEA 질량부에 대하여 부가율이 60% 가 되도록 부가한 점착제 조성물을 제작했다. 즉, 2-이소시아네이트에틸메타크릴레이트의 부가 부수는 12 부였다. 그 외에는 실시예 1 과 동일하게 보호막 형성용 시트를 제작했다.2-isocyanate ethyl methacrylate (Carrenz manufactured by Showa Denko) with respect to an acrylic pressure-sensitive adhesive (Mw: 900000) comprising 80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA) A pressure-sensitive adhesive composition was prepared in which MOI) was added so that the addition ratio was 60% with respect to parts by mass of HEA. That is, the addition number of 2-isocyanate ethyl methacrylate was 12 parts. Other than that, the sheet|seat for protective film formation was produced similarly to Example 1.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

실시예 4 와 동일하게 하여, 점착제 조성물을 조제하였다. 조제한 점착제 조성물의 용액을, PET 계 박리 필름 (린텍사 제조 SP-PET381031 두께 38 ㎛) 에 도포하고, 건조시켜 두께 10 ㎛ 의 점착제층을 형성하여, 점착 시트를 제작했다. 제작한 점착 시트를 기재 형성 완충층의 완충층측에 첩합하고, 또한, 그 점착 시트에 보호막 형성층 C 가 형성된 시트를 첩합하여, 보호막 형성용 시트를 얻었다.It carried out similarly to Example 4, and prepared the adhesive composition. The solution of the prepared adhesive composition was apply|coated to the PET-type peeling film (SP-PET381031 by Lintec Corporation SP-PET381031 38 micrometers in thickness), it was made to dry, the 10 micrometers-thick adhesive layer was formed, and the adhesive sheet was produced. The produced adhesive sheet was bonded together to the buffer layer side of the base material formation buffer layer, and the sheet|seat in which the protective film formation layer C was formed to the adhesive sheet was further bonded together, and the sheet|seat for protective film formation was obtained.

얻어진 시료 (실시예 1 ∼ 7, 비교예 1 ∼ 3) 에 대해, 상기의 측정 및 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.Said measurement and evaluation were performed about the obtained sample (Examples 1-7, Comparative Examples 1-3). A result is shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1 로부터, 23 ℃ 에 있어서의 보호막 형성층의 전단 저장 탄성률 및 23 ℃ 에 있어서의 점착제층의 인장 저장 탄성률이 상기 서술한 범위 내인 경우에는, 점착제층의 점착력이 적절하게 제어되어, 점착제층의 박리성이 양호한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 23 ℃ 에 있어서의 보호막 형성층의 전단 저장 탄성률이 상기 서술한 범위보다 높은 경우에는, 보호막 형성용 시트를 굴곡시키면, 보호막 형성층에 균열이 발생하는 것을 확인할 수 있었다.From Table 1, when the shear storage elastic modulus of the protective film forming layer in 23 degreeC and the tensile storage elastic modulus of the adhesive layer in 23 degreeC are in the ranges mentioned above, the adhesive force of an adhesive layer is controlled appropriately, and peeling of an adhesive layer It could be confirmed that the performance was good. Moreover, when the shear storage modulus of the protective film forming layer in 23 degreeC was higher than the above-mentioned range, when the sheet|seat for protective film formation was bent, it has confirmed that a crack generate|occur|produced in the protective film forming layer.

1 : 보호막 형성용 시트
10 : 기재
20 : 점착제층
30 : 보호막 형성층
31 : 보호막
40 : 완충층
1: Sheet for forming a protective film
10: description
20: adhesive layer
30: protective film forming layer
31: Shield
40: buffer layer

Claims (6)

기재와, 상기 기재 상에 에너지선 경화성의 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트로서,
상기 보호막 형성층은, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여 경화함으로써, 볼록상 전극 형성면에 보호막을 형성하는 층으로서,
경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고,
에너지선 조사 후의 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 보호막 형성용 시트.
A sheet for forming a protective film having a substrate, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer and a curable protective film forming layer on the substrate in this order, comprising:
The protective film forming layer is a layer for forming a protective film on the convex electrode forming surface by sticking and curing the convex electrode forming surface of a work having a convex electrode,
The shear storage modulus at 23°C of the protective film forming layer before curing is 3000 MPa or less,
The sheet for protective film formation whose tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of the adhesive layer after energy-beam irradiation is 45 Mpa or less.
기재와, 상기 기재 상에 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트로서,
상기 보호막 형성층은, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여 경화함으로써, 볼록상 전극 형성면에 보호막을 형성하는 층으로서,
경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고,
점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 보호막 형성용 시트.
A sheet for forming a protective film having a substrate, a pressure-sensitive adhesive layer and a curable protective film forming layer on the substrate in this order, comprising:
The protective film forming layer is a layer for forming a protective film on the convex electrode forming surface by sticking and curing the convex electrode forming surface of a work having a convex electrode,
The shear storage modulus at 23°C of the protective film forming layer before curing is 3000 MPa or less,
The sheet for protective film formation whose tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of an adhesive layer is 45 Mpa or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 점착제층은, 수산기 함유 아크릴계 모노머에, 이소시아네이트기를 갖는 에너지선 경화성 화합물이 부가된 반응물을 갖고,
상기 수산기 함유 아크릴계 모노머 100 질량% 에 대한 이소시아네이트기를 갖는 에너지선 경화성 화합물의 함유 비율이 10 질량% 이하인 보호막 형성용 시트.
3. The method according to claim 1 or 2,
The pressure-sensitive adhesive layer has a reaction product in which an energy ray-curable compound having an isocyanate group is added to a hydroxyl group-containing acrylic monomer;
A sheet for forming a protective film, wherein the content of an energy ray-curable compound having an isocyanate group with respect to 100% by mass of the hydroxyl group-containing acrylic monomer is 10% by mass or less.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재와, 상기 점착제층 사이에 완충층을 갖는 보호막 형성용 시트.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
A sheet for forming a protective film having a buffer layer between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer.
기재와, 상기 기재 상에 에너지선 경화성의 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트를, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여, 보호막 형성층과 볼록상 전극을 접촉시키는 공정과,
에너지선 조사 후의 점착제층을, 경화 전의 보호막 형성층으로부터 박리하는 공정과,
상기 보호막 형성층을 경화하여 보호막을 형성하는 공정과,
볼록상 전극을 갖는 워크로부터, 개편화된 워크 가공물을 얻는 공정을 갖고,
경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고,
에너지선 조사 후의 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 기판 장치의 제조 방법.
A sheet for forming a protective film having a base material, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer and a curable protective film forming layer on the base material in this order is attached to the convex electrode forming surface of a work having a convex electrode, and the protective film forming layer and the convex shape contacting the electrodes;
The process of peeling the adhesive layer after energy-beam irradiation from the protective film forming layer before hardening;
curing the protective film forming layer to form a protective film;
a step of obtaining a work piece divided into pieces from a work having a convex electrode;
The shear storage modulus at 23°C of the protective film forming layer before curing is 3000 MPa or less,
The manufacturing method of the board|substrate apparatus whose tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of the adhesive layer after energy-beam irradiation is 45 Mpa or less.
기재와, 상기 기재 상에 점착제층과 경화성의 보호막 형성층을 이 순서로 갖는 보호막 형성용 시트를, 볼록상 전극을 갖는 워크의 볼록상 전극 형성면에 첩부하여, 보호막 형성층과 볼록상 전극을 접촉시키는 공정과,
상기 점착제층을, 경화 전의 보호막 형성층으로부터 박리하는 공정과,
상기 보호막 형성층을 경화하여 보호막을 형성하는 공정과,
볼록상 전극을 갖는 워크로부터, 개편화된 워크 가공물을 얻는 공정을 갖고,
경화 전의 보호막 형성층의 23 ℃ 에서의 전단 저장 탄성률이 3000 ㎫ 이하이고,
점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 인장 저장 탄성률이 45 ㎫ 이하인 기판 장치의 제조 방법.
A sheet for forming a protective film having a base material and a pressure-sensitive adhesive layer and a curable protective film forming layer on the base material in this order is attached to the convex electrode forming surface of a work having a convex electrode, and the protective film forming layer and the convex electrode are brought into contact with each other. process and
The process of peeling the said adhesive layer from the protective film forming layer before hardening;
curing the protective film forming layer to form a protective film;
a step of obtaining a work piece divided into pieces from a work having a convex electrode;
The shear storage modulus at 23°C of the protective film forming layer before curing is 3000 MPa or less,
The manufacturing method of the board|substrate apparatus whose tensile storage elastic modulus in 23 degreeC of an adhesive layer is 45 Mpa or less.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4877689B2 (en) * 2001-08-30 2012-02-15 日東電工株式会社 Energy ray-curable heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet and method for producing a cut piece using the same
CN101189317A (en) * 2005-06-06 2008-05-28 积水化学工业株式会社 Surface protective film
JP4810565B2 (en) * 2008-11-26 2011-11-09 日東電工株式会社 Dicing die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device
JP6386696B1 (en) * 2016-10-03 2018-09-05 リンテック株式会社 Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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