KR20210138917A - 기판 처리 시스템 - Google Patents

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KR20210138917A
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ground
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김선환
전병두
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세메스 주식회사
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Abstract

정전기 방전(ESD, Electrostatic Discharge)을 처리하면서도 전장부품의 안정적인 기준 접지레벨을 설정할 수 있는 기판 처리 시스템이 제공된다. 상기 기판 처리 시스템은, 건물접지와 연결되는 제1 접지바; 및 건물접지와 연결되고, 상기 제1 접지바와 물리적으로 분리된 제2 접지바를 포함하고, 상기 제1 접지바는 제1 전장부품과 연결되어 상기 제1 전장부품의 접지 레벨을 설정하고, 상기 제2 접지바는 대전부품 전용으로서, 상기 제2 접지바는 제1 대전부품과 연결되어 상기 제1 대전부품에서 생성되는 정전기 방전 전류의 경로를 설정한다.

Description

기판 처리 시스템{System for processing substrate}
본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
반도체/디스플레이 장치를 제조할 때에는, 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 세정 등 다양한 공정이 실시된다. 특히, 기판 상에 잔류하는 각종 오염물(예를 들어, 파티클, 유기 오염물, 금속 오염물 등)은 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 따라서, 반도체/디스플레이 장치를 제조하는 각 단위 공정 전후에 세정 공정이 실시된다.
한편, 기판 처리 장치는 안전 및 올바른 동작을 위해서 접지를 해야 한다. 처리액을 사용하지 않는 기판 처리 장치의 프레임은, 전류가 흐를 수 있는 스틸 재질로 구성될 수 있다. 기판 처리 장치 내의 각종 전장 부품은 스틸 재질의 프레임에 직접 연결되고, 프레임은 건물접지에 연결될 수 있다.
그런데, 처리액을 사용하는 기판 처리 장치(예를 들어, 세정 설비 또는 포토 설비)의 프레임은, 처리액에 의해 부식되는 것을 방지하기 위해, 코팅된 스틸 재질로 구성될 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치 내의 각종 전장 부품은, 프레임에 직접 연결될 수 없다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 정전기 방전(ESD, Electrostatic Discharge)을 처리하면서도 전장부품의 안정적인 기준 접지레벨을 설정할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 일 면(aspect)은, 건물접지와 연결되는 제1 접지바; 및 건물접지와 연결되고, 상기 제1 접지바와 물리적으로 분리된 제2 접지바를 포함하고, 상기 제1 접지바는 제1 전장부품과 연결되어 상기 제1 전장부품의 접지 레벨을 설정하고, 상기 제2 접지바는 대전부품 전용으로서, 상기 제2 접지바는 제1 대전부품과 연결되어 상기 제1 대전부품에서 생성되는 정전기 방전(Electrostatic Discharge) 전류의 경로를 설정한다. 선택적으로, 제1 접지바는 전장부품 전용으로 사용될 수 있다.
상기 제1 접지바는, 서로 물리적으로 분리된 제1 부분 접지바와 제2 부분 접지바를 포함하고, 상기 제1 부분 접지바는, 제1 전압을 제공받아 동작하는 제1 전장부품과 연결되고, 상기 제2 부분 접지바는, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 제공받아 동작하는 제2 전장부품과 연결될 수 있다.
상기 제1 전압은 교류 전압이고, 상기 제2 전압은 직류 전압일 수 있다.
물리적으로 서로 분리된 제3 접지바와 제4 접지바를 더 포함하고, 상기 제3 접지바는 상기 제1 접지바와 상기 제1 전장부품 사이에 개재되어, 상기 제1 전장부품은 상기 제3 접지바를 통해서 상기 제1 접지바와 연결되고, 상기 제4 접지바는 상기 제2 접지바와 상기 제1 대전부품 사이에 개재되어, 상기 제1 대전부품은 상기 제4 접지바를 통해서 상기 제2 접지바와 연결될 수 있다.
물리적으로 서로 분리된 제5 접지바와 제6 접지바와, 상기 제1 전장부품과 다른 제2 전장부품과, 상기 제1 대전부품과 다른 제2 대전부품을 더 포함하고, 상기 제5 접지바는 상기 제1 접지바와 제2 전장부품 사이에 개재되어, 상기 제2 전장부품은 상기 제5 접지바를 통해서 상기 제1 접지바와 연결되고, 상기 제6 접지바는 상기 제2 접지바와 제2 대전부품 사이에 개재되어, 상기 제2 대전부품은 상기 제6 접지바를 통해서 상기 제2 접지바와 연결될 수 있다.
상기 제1 접지바와 상기 제2 접지바는, 제1 기판 처리 장치 내에 위치하고, 상기 제3 접지바와 상기 제4 접지바는, 상기 제1 기판 처리 장치와 다른 제2 기판 처리 장치 내에 위치하고, 상기 제5 접지바와 상기 제6 접지바는, 상기 제1 기판 처리 장치 및 상기 제2 기판 처리 장치와 다른 제3 기판 처리 장치 내에 위치할 수 있다.
상기 기판 처리 시스템은, 적어도 하나의 처리액을 사용하는 세정 설비 또는 포토 설비 내에 설치될 수 있다.
또한, 상기 기판 처리 시스템은 기판을 지지하는 척(chuck)과, 상기 척을 둘러싸도록 설치된 보울(bowl)과, 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐과 연결되는 처리액 배관과, 사용된 처리액을 배출하기 위한 드레인을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전장부품은 모터 또는 히터를 포함하고, 상기 제1 대전부품은 처리액 배관, 척(chuck) 및 보울(bowl) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 다른 면은, 건물접지와 연결된 제1 접지바와, 상기 건물접지와 연결되며 상기 제1 접지바와 물리적으로 분리된 제2 접지바를 포함하는 제1 전장박스; 물리적으로 서로 분리된 제3 접지바와 제4 접지바를 포함하는 제2 전장박스; 및 물리적으로 서로 분리된 제5 접지바와 제6 접지바를 포함하는 제3 전장박스를 포함하되, 제1 배선 트리는 상기 제1 접지바, 상기 제3 접지바 및 상기 제5 접지바를 연결하고, 제2 배선 트리는 상기 제2 접지바, 상기 제4 접지바 및 상기 제6 접지바를 연결하고, 상기 제1 배선 트리는 상기 제4 접지바 및 상기 제6 접지바와 연결되지 않는다.
상기 제2 배선 트리는, 대전부품의 정전기 방전(ESD) 전용으로 사용될 수 있다.
상기 제1 배선 트리는, 전장부품의 접지 레벨 설정을 위해 사용될 수 있다. 선택적으로, 제1 배선 트리는 전장부품의 접지 레벨 설정을 위해서, 전용으로 사용될 수 있다.
상기 제1 접지바는, 서로 물리적으로 분리된 제1 부분 접지바와 제2 부분 접지바를 포함하고, 상기 제1 부분 접지바는, 제1 전압을 제공받아 동작하는 제1 전장부품과 연결되고, 상기 제2 부분 접지바는, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 제공받아 동작하는 제2 전장부품과 연결될 수 있다.
상기 제1 전압은 교류 전압이고, 상기 제2 전압은 상기 교류 전류를 정류한 직류 전압일 수 있다.
상기 제1 전장부품은 모터 또는 히터를 포함하고, 상기 제2 전장부품은 센서를 포함할 수 있다.
상기 제1 전장박스, 상기 제2 전장박스 및 상기 제3 전장박스 중 일부는 제1 기판 처리 장치 내에 위치하고, 상기 제1 전장박스, 상기 제2 전장박스 및 상기 제3 전장박스 중 나머지 일부는 상기 제1 기판 처리 장치와 다른 제2 기판 처리 장치 내에 위치할 수 있다.
상기 제1 접지바 및 상기 제2 접지바 중 어느 하나와 상기 건물접지를 연결하는 제1 연결배선과, 상기 제1 접지바와 상기 제2 접지바를 서로 연결하는 제2 연결배선을 더 포함할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 또 다른 면은, 건물접지와 연결된 제1 접지바와, 상기 건물접지와 연결되며 상기 제1 접지바와 물리적으로 분리된 제2 접지바를 포함하는 제1 전장박스; 물리적으로 서로 분리된 제3 접지바와 제4 접지바를 포함하는 제2 전장박스; 물리적으로 서로 분리된 제5 접지바와 제6 접지바를 포함하는 제3 전장박스; 제3 접지바 및 제1 접지바를 통해서 건물접지와 연결되는 제1 전장부품; 제5 접지바 및 제1 접지바를 통해서 건물접지와 연결되는 제2 전장부품; 제4 접지바 및 제2 접지바를 통해서 건물접지와 연결되는 제1 대전부품; 및 제6 접지바 및 제2 접지바를 통해서 건물접지와 연결되는 제2 대전부품을 포함하고, 상기 제2 대전부품에서 정전기가 발생한 경우, 제3 접지바 내지 제6 접지바의 전압레벨은 상승하되, 상기 제3 접지바의 전압레벨과 상기 제5 접지바의 전압레벨의 차이는, 상기 제4 접지바의 전압레벨과 상기 제6 전지바의 전압레벨의 차이보다 작을 수 있다.
상기 제1 접지바는, 서로 물리적으로 분리된 제1 부분 접지바와 제2 부분 접지바를 포함하고, 상기 제1 부분 접지바는, 제1 전압을 제공받아 동작하는 제1 전장부품과 연결되고, 상기 제2 부분 접지바는, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 제공받아 동작하는 제2 전장부품과 연결될 수 있다.
상기 제1 전압은 교류 전압이고, 상기 제2 전압은 직류 전압일 수 있다.
상기 제1 접지바 및 상기 제2 접지바 중 어느 하나와 상기 건물접지를 연결하는 제1 연결배선과, 상기 제1 접지바와 상기 제2 접지바를 서로 연결하는 제2 연결배선을 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 7은 도 6에 도시된 기판 처리 시스템을 구체적으로 도시한 도면이다.
도 8은 도 6에 도시된 기판 처리 시스템의 효과를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 10은 도 9에 도시된 기판 처리 시스템을 구체적으로 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 제9 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 개략적인 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자/부품/구성요소 등이 다른 소자/부품/구성요소의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자/부품/구성요소의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 소자/부품/구성요소를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자/부품/구성요소가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자/부품/구성요소를 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 시스템은 제1 접지바(110), 제2 접지바(120), 제1 전장부품(EE1), 제1 대전부품(CE1) 등을 포함한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 시스템은 처리액을 사용하는 기판 처리 시스템(예를 들어, 세정 설비 또는 포토 설비)일 수 있다. 처리액에 의해서 프레임(예를 들어, 스틸 재질)이 부식되는 것을 방지하기 위해, 프레임은 코팅된 상태일 수 있다. 따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 시스템은 접지 구조를 만들기 위해서 프레임을 직접 사용하지 않고, 별도의 접지바(110, 120)를 사용한다.
제1 접지바(110)는 건물접지(BG)와 전기적으로 연결되고, 전장부품에 연결될 수 있다. 선택적으로 제1 접지바(110)는 전장부품에 전용으로 사용될 수 있다. 전장부품은 전기를 제공받아 동작하는 부품을 의미한다. 예를 들어, 전장부품은 모터, 히터, 센서 등일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 전장부품은 교류 전압을 제공받아 동작할 수도 있고, 직류 전압을 제공받아 동작할 수 있다. 예를 들어, 모터는 예를 들어, 약 220V의 교류 전압을 제공받을 수 있고, 센서는 약 24V의 직류 전압을 제공받을 수 있다. 여기서, 직류 전압은 교류 전압을 정류해서 생성된 것일 수 있다.
제1 접지바(110)는 제1 전장부품(EE1)과 전기적으로 연결되어, 제1 전장부품(EE1)의 접지 레벨(기준 레벨)을 설정한다. 제1 전장부품(EE1)은 기판 처리 시스템 내의 다른 전장부품(미도시) 또는 컨트롤러(미도시)와 통신할 수 있다. 다른 전장부품 또는 컨트롤러로부터 제공되는 신호, 다른 전장부품 또는 컨트롤러에 제공하는 신호에는, 기준 레벨이 필요하다. 제1 접지바(110)의 접지 레벨은 이러한 기준 레벨을 설정하는 데 사용될 수 있다.
구체적으로, 제1 전장부품(EE1)은 배선(91a)을 통해서 제1 접지바(110)와 연결되고, 제1 접지바(110)는 배선(99)을 통해서 제2 접지바(120)와 연결되고, 제2 접지바(120)는 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)와 연결된다. 따라서, 제1 전장부품(EE1)은 배선(91a), 제1 접지바(110), 배선(99), 제2 접지바(120) 및 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)와 연결된다. 따라서, 제1 전장부품(EE1)의 기준 레벨(접지 레벨)은 건물접지(BG)가 된다.
한편, 도시된 것과 달리, 제1 접지바(110)는 제2 접지바(120)를 통하지 않고 바로 건물접지(BG)에 연결될 수도 있다. 즉, 제1 접지바(110)가 별도의 배선을 통해서 건물접지(BG)에 연결될 수 있다.
제2 접지바(120)는 건물접지(BG)와 연결되고, 도시된 것과 같이, 제1 접지바(110)와 물리적으로 분리된 상태일 수 있다. 제2 접지바(120)는 대전부품 전용일 수 있다. 대전부품은 전기를 제공받아 동작하지는 않지만, 대전에 의해서 전류가 발생될 수 있는 부품을 의미한다. 즉, 대전부품은 정상적인 경우에는 전류가 발생되지 않지만, 특정한 상황(예를 들어, 정전기 발생)에서는 높은 레벨의 전류가 발생할 수 있다. 대전부품은 예를 들어, 처리액이 흐르는 배관(예를 들어, 플라스틱 재질의 배관), 척(chuck) 및 보울(bowl) 중 적어도 하나일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 접지바(120)는 제1 대전부품(CE1)과 전기적으로 연결되어, 제1 대전부품(CE1)에서 생성되는 정전기 방전(Electrostatic Discharge) 전류의 경로를 설정할 수 있다. 구체적으로, 제1 대전부품(CE1)은 배선(91b)을 통해서 제2 접지바(120)와 연결되고, 제2 접지바(120)는 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)와 연결된다. 따라서, 제1 대전부품(CE1)의 정전기방전 전류의 경로는, 배선(91b), 제2 접지바(120) 및 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)에 이른다.
특히, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 시스템은 물리적으로 분리된 제1 접지바(110)와 제2 접지바(120)를 사용하기 때문에, 제1 대전부품(CE1)에서 정전기가 생성되더라도, 제1 접지바(110)의 전압레벨은 상대적으로 적은 영향을 받는다. 즉, 제1 대전부품(CE1)에 정전기가 생성되면, 정전기방전 전류가 배선(91b), 제2 접지바(120), 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)로 흐르게 된다. 따라서, 제2 접지바(120)의 전압레벨이 급격히 높아진다. 반면, 제1 접지바(110)는 제2 접지바(120)와 물리적으로 분리되어 있고, 배선(99)으로 연결되어 있기 때문에, 제1 접지바(110)의 전압레벨은 제2 접지바(120)의 전압레벨만큼 급격히 높아지지 않는다. 제1 접지바(110)와 제2 접지바(120)가 배선(99)으로 연결되지 않고 제1 접지바(110)가 별도의 배선을 통해서 건물접지(98)에 연결되는 경우에는, 제2 접지바(120)의 전압레벨이 급격히 높아지더라도 제1 접지바(110)의 전압레벨에 미치는 영향이 미비하다. 따라서, 제1 접지바(110)에 연결되어 있는 제1 전장부품(EE1)의 기준 접지레벨도 영향을 적게 받는다. 즉, 물리적으로 분리된 제1 접지바(110)와 제2 접지바(120)를 사용함으로써, 안정적으로 정전기 방전(ESD)을 처리하면서, 전장부품의 안정적인 기준 접지레벨을 유지할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 설명의 편의상, 도 1을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 시스템에는, 적어도 하나의 전장박스(10)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 전장박스(10) 내에는 제1 접지바(110)와 제2 접지바(120)가 배치될 수 있다. 제1 접지바(110)는 제1 전장박스(10) 밖에 있는 제1 전장부품(EE1)과 배선(91a)을 통해서 연결되고, 제1 전장박스(10) 내에 있는 내부 전장부품(EE0)과 배선을 통해서 연결될 수 있다. 제2 접지바(120)는 제1 전장박스(10) 밖에 있는 제1 대전부품(CE1)과 배선(91b)을 통해서 연결될 수 있다. 제1 접지바(110)와 제2 접지바(120)는 배선(99)을 통해서 서로 연결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 설명의 편의상, 도 1 및 도 2를 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 2에 도시된 기판 처리 시스템은, 제1 전장부품(EE1)과 연결된 제1 접지바(110)가 배선(99), 제2 접지바(120) 및 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)에 연결된다. 반면, 도 3에 도시된 기판 처리 시스템은, 제1 전장부품(EE1)과 연결된 제1 접지바(110)는 배선(98a)을 통해서 건물접지(BG)와 직접 연결되고, 제1 대전부품(CE1)과 연결된 제2 접지바(120)는 배선(98b)을 통해서 건물접지(BG)에 직접 연결된다.
본 명세서에서, 접지바가 건물접지(BG)와 "직접 연결"된다는 것은, 상기 접지바가 "다른 접지바를 거치지 않고" 건물접지(BG)에 연결된다는 의미이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 시스템은, 제1 접지바(110)는 서로 물리적으로 분리된, 적어도 2개의 부분 접지바(110a, 110b)를 포함할 수 있다. 전장박스(11) 내에 적어도 2개의 부분 접지바(110a, 110b), 제2 접지바(120)가 배치될 수 있다.
제1 부분 접지바(110a)는 제1 전장부품(EE1)과 전기적으로 연결되어 제1 전장부품(EE1)의 접지 레벨을 설정한다. 구체적으로, 제1 전장부품(EE1)은 배선(91a), 제1 부분 접지바(110a), 배선(99a), 제2 접지바(120) 및 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)와 연결된다.
제2 부분 접지바(110b)는 제2 전장부품(EE2)과 전기적으로 연결되어 제2 전장부품(EE2)의 접지 레벨을 설정한다. 구체적으로, 제2 전장부품(EE2)은 배선(91c), 제2 부분 접지바(110b), 배선(99b), 제2 접지바(120) 및 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)와 연결된다.
여기서, 제1 전장부품(EE1)과 제2 전장부품(EE2)은 서로 다른 전기적 특성을 갖는 부품일 수 있다. 예를 들어, 제1 전장부품(EE1)은 제1 전압을 제공받아 동작하고, 제2 전장부품(EE2)은 제1 전압과 다른 제2 전압을 제공받아 동작할 수 있다. 제1 전압은 교류 전압이고, 제2 전압은 직류 전압일 수 있다. 구체적으로, 교류 전압의 실효값은, 직류 전압보다 클 수 있다. 예를 들어, 교류 전압의 실효값은 220V 이고, 직류 전압은 24V 일 수 있다. 또한, 제2 전압(직류 전압)은 제1 전압(교류 전압)을 정류해서 얻은 것일 수 있다. 또한, 제1 전장부품(EE1)은 모터 또는 히터를 포함하고, 제2 전장부품(EE2)은 센서를 포함할 수 있다.
이와 같이 서로 다른 전기적 특성을 갖는 제1 전장부품(EE1)과 제2 전장부품(EE2)을 서로 다른 부분 접지바(110a, 110b)에 연결시킨다. 구체적으로 설명하면, 예를 들어, 제1 전장부품(EE1)은 제2 전장부품(EE2)에 비해서 상대적으로 높은 전압레벨을 갖는 전압에 의해 동작한다. 제1 전장부품(EE1)의 경우 예를 들어, 5V의 기준 전압레벨의 변화(shift)는 큰 변화가 아니지만, 제2 전장부품(EE2)의 경우 5V의 기준 전압레벨의 변화는 상당히 큰 변화일 수 있다. 제1 전장부품(EE1), 제2 전장부품(EE2)이 서로 다른 부분 접지바(110a, 110b)에 연결시키면, 예를 들어, 제1 부분 접지바(110a)에서의 5V 전압레벨의 변화가 제2 부분 접지바(110b)에 영향을 주지 않게 된다. 따라서, 이와 같이 서로 다른 전기적 특성을 갖는 전장부품(EE1, EE2)은 서로 다른 접지바(110a, 110b)를 사용한다.
또한, 도 4에서는 부분 접지바(110a, 110b)가 2개인 것을 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 사용하는 전장부품의 전기적 특성에 따라, 3개 이상의 부분 접지바를 사용할 수도 있다.
한편, 도 4에서는, 제1 부분 접지바(110a)와 제2 접지바(120)가 배선(99a)을 통해서 연결되고, 제2 부분 접지바(110b)와 제2 접지바(120)가 배선(99b)을 통해서 연결되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 3과 유사하게, 제1 부분 접지바(110a)가 건물접지(BG)에 별도의 배선을 통해서 직접 연결되고, 제2 부분 접지바(110b)가 건물접지(BG)에 별도의 배선을 통해서 직접 연결될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 4을 이용하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 기판 처리 시스템은, 제1 접지바(110)는 서로 물리적으로 분리된, 적어도 2개의 부분 접지바(110a, 110c)를 포함할 수 있다. 제1 부분 접지바(110a)는 전장박스(12) 밖의 제1 전장부품(EE1)과 전기적으로 연결되어 제1 전장부품(EE1)의 접지 레벨을 설정한다. 제2 부분 접지바(110c)는 전장박스(12) 내에 있는 내부 전장부품(EE0)과 배선을 통해서 연결될 수 있다. 내부 전장부품(EE0)은 제2 부분 접지바(110c), 배선(99b), 제2 접지바(120) 및 배선(98)을 통해서 건물접지(BG)와 연결된다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 도 7은 도 6에 도시된 기판 처리 시스템을 구체적으로 도시한 도면이다. 도 8은 도 6에 도시된 기판 처리 시스템의 효과를 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상, 이전 도면들을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 내용은 생략한다.
우선, 도 6을 참조하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 기판 처리 시스템 내에는 다수의 전장박스(10, 20, 30)를 포함한다.
제1 전장박스(10)는 건물접지(BG)와 연결되고, 제2 전장박스(20) 및 제3 전장박스(30)는 제1 전장박스(10)를 통해서 건물접지(BG)와 전기적으로 연결될 수 있다. 특히, 제2 전장박스(20)는, 접지 연결을 위해, 서로 다른 적어도 2개의 배선(92a, 92b)을 통해서 제1 전장박스(10)와 연결된다. 마찬가지로, 제3 전장박스(30)는, 접지 연결을 위해, 서로 다른 적어도 2개의 배선(93a, 93b)을 통해서 제1 전장박스(10)와 연결된다.
도 7을 참조하면, 제1 전장박스(10)는 서로 물리적으로 분리된 제1 접지바(110), 제2 접지바(120)를 포함한다. 제2 전장박스(20)는 서로 물리적으로 분리된 제3 접지바(210), 제4 접지바(220)를 포함한다. 제3 전장박스(30)는 서로 물리적으로 분리된 제5 접지바(310), 제6 접지바(320)를 포함한다.
제1 접지바(110) 내지 제6 접지바(320)는, 다수의 배선(92a, 92b, 93a, 93b 등)을 통해서 서로 연결될 수 있다. 이러한 다수의 배선(92a, 92b, 93a, 93b 등)은 트리 형태일 수 있다. 구체적으로, 제1 배선 트리(92a, 93a)는 제1 접지바(110), 제3 접지바(210) 및 제5 접지바(310)를 연결한다. 즉, 제1 접지바(110)는 배선(92a)를 통해서 제3 접지바(210)와, 배선(93a)를 통해서 제5 접지바(310)와 연결된다. 유사하게, 제2 배선 트리(92b, 93b)는 제2 접지바(120), 제4 접지바(220) 및 제6 접지바(320)를 연결한다. 즉, 제2 접지바(120)는 배선(92b)를 통해서 제4 접지바(220)와, 배선(93b)를 통해서 제6 접지바(320)와 연결된다.
여기서, 제1 배선 트리(92a, 93a)와 제2 배선 트리(92b, 93b)는 서로 배타적일 수 있다. 즉, 제1 배선 트리(92a, 93a)는 제4 접지바(220) 및 제6 접지바(320)와 연결되지 않는다. 제2 배선 트리(92b, 93b)는 제3 접지바(210) 및 제5 접지바(310)와 연결되지 않는다.
제1 배선 트리(92a, 93a)와 제2 배선 트리(92b, 93b)는 서로 다른 용도로 사용될 수 있다. 즉, 제1 배선 트리(92a, 93a)는 적어도 하나의 전장부품(EE1, EE2, EE3)의 접지 레벨(기준 레벨) 설정을 위해 사용된다. 제2 배선 트리(92b, 93b)는 적어도 하나의 대전부품(CE1, CE2, CE3)의 정전기 방전(ESD) 전용으로 사용될 수 있다.
한편, 도 7에서, 제1 전장박스(10) 내에서, 제1 접지바(110)와 제2 접지바(120)는 배선(99)에 의해서 서로 연결된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 도 3을 이용하여 설명한 것과 유사하게, 제1 접지바(110)와 제2 접지바(120) 각각이 별개의 배선에 의해서 건물접지(BG)에 직접 연결될 수 있다.
한편, 다수의 전장박스(10, 20, 30)는 서로 다른 기판 처리 장치 내에 위치할 수 있다. 일부 전장박스(예를 들어, 10)은 제1 기판 처리 장치 내에, 다른 일부 전장박스(예를 들어, 20, 30)은 제1 기판 처리 장치와 다른 제2 기판 처리 장치 내에 위치할 수 있다. 전장부품(EE1), 대전부품(CE1)은 제1 기판 처리 장치 내에, 다른 전장부품(EE2, EE3), 다른 대전부품(CE2, CE3)은 제2 기판 처리 장치 내에 위치할 수 있다. 한편, 컨트롤러는 서로 다른 기판 처리 장치 내에 위치하는 전장부품(예를 들어, EE1, EE2)에 신호/인스트럭션을 제공해야 한다. 본 발명의 몇몇 실시예에서는, 일부의 대전부품(예를 들어, CE3)에 정전기가 발생한 경우라 하더라도, 전장부품(예를 들어, EE1, EE2)는 신호/인스트럭션을 수신/해석하는 데 오류가 발생하지 않는다. 그 이유를 설명하면 다음과 같다.
여기서 도 8을 참조하면, 대전 부품(CE3)에서 정전기가 발생하게 되면, 제6 접지바(320)의 전압레벨 상승(H1)은 매우 크다.
제2 배선 트리(92b, 93b) 내에서, 제6 접지바(320)와 제4 접지바(220)는 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 제6 접지바(320)는 배선(93b), 제2 접지바(120), 배선(92b)를 통해서, 제4 접지바(220)와 연결되어 있다. 따라서, 제4 접지바(220)의 전압레벨 상승(H4)은, 제6 접지바(320)의 전압레벨 상승(H6)에 따라, 꽤 크다.
만약, 대전 부품(예를 들어, CE3)과 전장 부품(예를 들어, EE3)이 동일한 접지바에 연결되어 있었다면, 대전 부품(CE3)에서 발생된 정전기가 전장 부품(EE3)에 직접적으로 영향을 줄 것이다.
하지만, 본 발명의 제6 실시예의 기판 처리 시스템에서는, 대전 부품(CE3)이 접속된 제6 접지바(320)는, 배선(93b), 제2 접지바(120), 배선(99), 제1 접지바(110), 배선(93a)을 통해서, 전장 부품(EE3)이 접속된 제5 접지바(310)에 연결된다. 따라서, 대전 부품(CE3)에서 발생된 정전기가 전장 부품(EE3)에 미치는 영향은 미세하다. 도 8에 도시된 것과 같이, 제6 접지바(320)의 전압 레벨이 급격히 상승하더라도, 제5 접지바(310)의 전압 레벨 상승(H2) 및 제3 접지바(210)의 전압 레벨 상승(H3)은 크지 않다.
결과적으로, 제5 접지바(310)의 전압 레벨 상승(H2) 및 제3 접지바(210)의 전압 레벨 상승(H3)의 차이(즉, H2와 H3의 차이의 절대값)는, 제6 접지바(320)의 전압 레벨 상승(H1) 및 제4 접지바(220)의 전압 레벨 상승(H4)의 차이(즉, H1와 H4의 차이의 절대값)에 비해서 작다.
따라서, 대전부품(예를 들어, CE3)에서 정전기가 발생된 상황에서, 제2 전장부품(EE2)과 제3 전장부품(EE3)이 서로 통신을 하게 되더라도, 제3 접지바(210)의 전압레벨(H3 참조)과 제5 접지바(310)의 전압레벨(H2 참조)의 차이가 작기 때문에, 제2 전장부품(EE2)과 제3 전장부품(EE3) 사이의 통신오류는 거의 발생하지 않는다. 마찬가지로, 대전부품(예를 들어, CE3)에서 정전기가 발생된 상황에서, 컨트롤러가 제2 전장부품(EE2)과 제3 전장부품(EE3)에 신호/인스트럭션(instruction)를 제공하더라도, 오류가 거의 발생하지 않는다. 즉, 본 발명의 제6 실시예에 따른 기판 처리 시스템은, 정전기 방전 전류를 안정적으로 처리하면서도, 전장부품의 신호/인스트럭션 오류를 최소화할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 도 10은 도 9에 도시된 기판 처리 시스템을 구체적으로 도시한 도면이다. 설명의 편의상, 이전 도면들을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 내용은 생략한다.
우선, 도 9를 참조하면, 본 발명의 제7 실시예에 따른 기판 처리 시스템 내에는 다수의 전장박스(10, 20, 40)를 포함한다.
제1 전장박스(10)는 건물접지(BG)와 직접 연결되고, 제2 전장박스(20)는 제1 전장박스(10)를 통해서 건물접지(BG)와 연결되고, 제4 전장박스(40)는 제2 전장박스(20) 및 제1 전장박스(10)를 통해서 건물접지(BG)와 연결될 수 있다. 특히, 제2 전장박스(20)는, 접지 연결을 위해, 서로 다른 적어도 2개의 배선(92a, 92b)을 통해서 제1 전장박스(10)와 연결된다. 마찬가지로, 제4 전장박스(40)는, 접지 연결을 위해, 서로 다른 적어도 2개의 배선(94a, 94b)을 통해서 제2 전장박스(20)와 연결된다.
도 10을 참조하면, 제1 전장박스(10)는 서로 물리적으로 분리된 제1 접지바(110), 제2 접지바(120)를 포함한다. 제2 전장박스(20)는 서로 물리적으로 분리된 제3 접지바(210), 제4 접지바(220)를 포함한다. 제4 전장박스(40)는 서로 물리적으로 분리된 제7 접지바(410), 제8 접지바(420)를 포함한다.
제1 접지바(110) 내지 제4 접지바(220), 제7 접지바(410), 제8 접지바(420)는, 다수의 배선(92a, 92b, 93a, 93b, 94a, 94b 등)을 통해서 서로 연결될 수 있다. 이러한 다수의 배선(92a, 92b, 93a, 93b, 94a, 94b 등)은 트리 형태일 수 있다.
구체적으로, 제3 배선 트리(92a, 94a)는 제1 접지바(110), 제3 접지바(210) 및 제7 접지바(410)를 연결한다. 즉, 제1 접지바(110)는 배선(92a)를 통해서 제3 접지바(210)와, 배선(94a)를 통해서 제7 접지바(410)와 연결된다. 유사하게, 제4 배선 트리(92b, 94b)는 제2 접지바(120), 제4 접지바(220) 및 제8 접지바(420)를 연결한다. 즉, 제2 접지바(120)는 배선(92b)를 통해서 제4 접지바(220)와, 배선(94b)를 통해서 제7 접지바(410)와 연결된다. 여기서, 제3 배선 트리(92a, 94a)와 제4 배선 트리(92b, 94b)는 서로 배타적일 수 있다. 즉, 제3 배선 트리(92a, 94a)는 제4 접지바(220) 및 제8 접지바(420)와 연결되지 않는다. 제4 배선 트리(92b, 94b)는 제3 접지바(210) 및 제7 접지바(410)와 연결되지 않는다.
도 11은 본 발명의 제8 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 설명의 편의상, 이전 도면들을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 내용은 생략한다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제8 실시예에 따른 기판 처리 시스템은, 다수의 전장박스(10, 20, 30, 40, 50, 60, 70)을 포함한다.
전술한 것과 동일하게, 각각의 전장박스(10, 20, 30, 40, 50, 60, 70)는 내부에 서로 물리적으로 분리된 2개 이상의 접지바를 포함한다.
제1 전장박스(10)는 건물접지(BG)와 직접 연결되고, 제2 전장박스(20) 및 제3 전장박스(30)는 제1 전장박스(10)를 통해서 건물접지(BG)와 연결될 수 있다. 제4 전장박스(40) 및 제5 전장박스(50)는 제2 전장박스(20), 제1 전장박스(10)를 통해서 건물접지(BG)와 연결될 수 있다. 제6 전장박스(60) 및 제7 전장박스(70)는 제3 전장박스(30), 제1 전장박스(10)를 통해서 건물접지(BG)와 연결될 수 있다.
특히, 제4 전장박스(40)는, 접지 연결을 위해, 서로 다른 적어도 2개의 배선(94a, 94b)를 통해서 제2 전장박스(20)와 연결된다. 제5 전장박스(50)는, 접지 연결을 위해, 서로 다른 적어도 2개의 배선(95a, 95b)를 통해서 제2 전장박스(20)와 연결된다. 제6 전장박스(60)는, 접지 연결을 위해, 서로 다른 적어도 2개의 배선(96a, 96b)를 통해서 제3 전장박스(30)와 연결된다. 제7 전장박스(70)는, 접지 연결을 위해, 서로 다른 적어도 2개의 배선(97a, 97b)를 통해서 제3 전장박스(30)와 연결된다.
배선(92a, 93a, 94a, 95a, 96a, 97a)은 전장부품 전용이고, 배선(92b, 93b, 94b, 95b, 96b, 97b)은 대전부품 전용일 수 있다. 배선(92a, 93a, 94a, 95a, 96a, 97a)은 전장부품의 접지 레벨 설정을 위해 사용된다. 배선(92b, 93b, 94b, 95b, 96b, 97b)은 대전부품의 정전기 방전 전용으로 사용될 수 있다.
도 11에서는 예시적으로, 7개의 전장박스(10, 20, 30, 40, 50, 60, 70)이 서로 직병렬로 연결되어 있는 형태를 설명하였으나, 이에 한정되지 않는다. 8개 이상의 전장박스가 서로 직병렬로 연결될 수도 있다.
또한, 다수의 전장박스(10, 20, 30, 40, 50, 60, 70)는 서로 다른 기판 처리 장치 내에 위치할 수 있다. 일부 전장박스(예를 들어, 10)는 제1 기판 처리 장치 내에, 다른 일부 전장박스(예를 들어, 20, 30, 40)은 제1 기판 처리 장치와 다른 제2 기판 처리 장치 내에, 나머지 전장박스(예를 들어, 50, 60, 70)는 제1 및 제2 기판 처리 장치와 다른 제3 기판 처리 장치 내에 위치할 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 제9 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 개략적인 개념도이다. 설명의 편의상, 이전 도면들을 이용하여 설명한 것과 실질적으로 동일한 내용은 생략한다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 제9 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은, 예를 들어 4개의 기판 처리 장치(1010, 1020, 1030, 1040)을 포함할 수 있다. 각 기판 처리 장치(1010, 1020, 1030, 1040)는 처리액을 사용하는 기판 처리 장치(예를 들어, 세정 설비 또는 포토 설비)일 수 있다. 각 기판 처리 장치(1010, 1020, 1030, 1040)는 내부에 다수의 챔버(예를 들어, 3개의 챔버)를 포함하여, 각 챔버에서 세정 또는 포토 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 제9 실시예에 따른 기판 처리 시스템(1000)은, 예를 들어, 스틸 재질의 프레임(910)과, 프레임(910)을 절연 코팅하는 코팅재(920)(점선 부분 참조)를 포함한다.
기판 처리 장치(1010) 내에는 제1 전장박스(10)가 위치하고, 그 내부에는 제1 접지바(110)와 제2 접지바(120)가 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(1010) 내에는, 제1 접지바(110)와 연결되는 적어도 하나의 전장부품(EE1)과 대전부품이 배치될 수 있다.
기판 처리 장치(1020) 내에는 제2 전장박스(20)가 위치하고, 그 내부에는 제3 접지바(210)와 제4 접지바(220)가 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(1020) 내에는, 제3 접지바(210)와 연결되는 적어도 하나의 전장부품(EE2)과 제4 접지바(220)와 연결되는 대전부품(CE2)이 배치될 수 있다.
기판 처리 장치(1030) 내에는 제3 전장박스(30)가 위치하고, 그 내부에는 제5 접지바(310)와 제6 접지바(320)가 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(1030) 내에는 제5 접지바(310)와 연결되는 적어도 하나의 전장부품(EE3)과 제6 접지바(320)와 연결되는 대전부품(CE3)이 배치될 수 있다.
기판 처리 장치(1040) 내에는 제4 전장박스(40)가 위치하고, 그 내부에는 제7 접지바(410)가 배치될 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1040) 내에는 제7 접지바(410)와 연결되는 적어도 하나의 전장부품(EE4)이 배치될 수 있다.
도시된 것과 같이, 제3 접지바(210), 제5 접지바(310), 제7 접지바(410)는 제1 접지바(110)와 배선을 통해서 연결되고, 제1 접지바(110)는 프레임(910)을 통해서 건물접지(BG)와 직접 연결된다. 제4 접지바(220), 제6 접지바(320)는 제2 접지바(120)와 배선을 통해서 연결되고, 제2 접지바(120)는 프레임(910)을 통해서 건물접지(BG)와 직접 연결된다.
도면에서는 각 기판 처리 장치(1010, 1020, 1030, 1040)가, 프레임(910)에 의해 고정되거나 접하여 위치한 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.
한편, 도시되지 않은, 기판 처리 장치(1010, 1020, 1030, 1040 중 적어도 하나)의 내부에는, 기판을 지지하는 척(chuck)과, 상기 척을 둘러싸도록 설치된 보울(bowl)과, 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 노즐과, 상기 처리액 노즐과 연결되는 처리액 배관과, 사용된 처리액을 배출하기 위한 드레인을 포함할 수 있다. 척은 예를 들어, 스핀척, 정전척 등일 수 있고 특정한 종류로 한정되지 않는다. 보울은 척을 둘러싸는 형태이고, 하나 이상일 수 있다. 기판 처리 장치의 동작에 따라, 보울은 승강/하강 동작을 수행할 수 있다. 처리액 노즐은 기판 처리 동작의 동작에 따라, 진퇴 동작 또는 호 운동을 수행할 수도 있다. 드레인은 척, 보울 등이 설치된 처리 공간의 하부에 위치하고, 기판 처리에서 사용된 처리액이 외부로 빠져나가기 위한 것이다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110: 제1 접지바 120: 제2 접지바
210: 제3 접지바 220: 제4 접지바
310: 제5 접지바 320: 제6 접지바
EE1: 제1 전장부품 CE1: 제1 대전부품
EE2: 제2 전장부품 CE2: 제2 대전부품
EE3: 제3 전장부품 CE3: 제3 대전부품
BG: 건물접지

Claims (20)

  1. 건물접지와 연결되는 제1 접지바; 및
    건물접지와 연결되고, 상기 제1 접지바와 물리적으로 분리된 제2 접지바를 포함하고,
    상기 제1 접지바는 제1 전장부품과 연결되어 상기 제1 전장부품의 접지 레벨을 설정하고,
    상기 제2 접지바는 대전부품 전용으로서, 상기 제2 접지바는 제1 대전부품과 연결되어 상기 제1 대전부품에서 생성되는 정전기 방전(Electrostatic Discharge) 전류의 경로를 설정하는, 기판 처리 시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 접지바는, 서로 물리적으로 분리된 제1 부분 접지바와 제2 부분 접지바를 포함하고,
    상기 제1 부분 접지바는, 제1 전압을 제공받아 동작하는 제1 전장부품과 연결되고,
    상기 제2 부분 접지바는, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 제공받아 동작하는 제2 전장부품과 연결되는, 기판 처리 시스템.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 전압은 교류 전압이고,
    상기 제2 전압은 직류 전압인, 기판 처리 시스템.
  4. 제 1항에 있어서,
    물리적으로 서로 분리된 제3 접지바와 제4 접지바를 더 포함하고,
    상기 제3 접지바는 상기 제1 접지바와 상기 제1 전장부품 사이에 개재되어, 상기 제1 전장부품은 상기 제3 접지바를 통해서 상기 제1 접지바와 연결되고,
    상기 제4 접지바는 상기 제2 접지바와 상기 제1 대전부품 사이에 개재되어, 상기 제1 대전부품은 상기 제4 접지바를 통해서 상기 제2 접지바와 연결되는, 기판 처리 시스템.
  5. 제 4항에 있어서,
    물리적으로 서로 분리된 제5 접지바와 제6 접지바와, 상기 제1 전장부품과 다른 제2 전장부품과, 상기 제1 대전부품과 다른 제2 대전부품을 더 포함하고,
    상기 제5 접지바는 상기 제1 접지바와 제2 전장부품 사이에 개재되어, 상기 제2 전장부품은 상기 제5 접지바를 통해서 상기 제1 접지바와 연결되고,
    상기 제6 접지바는 상기 제2 접지바와 제2 대전부품 사이에 개재되어, 상기 제2 대전부품은 상기 제6 접지바를 통해서 상기 제2 접지바와 연결되는, 기판 처리 시스템.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 접지바와 상기 제2 접지바는, 제1 기판 처리 장치 내에 위치하고,
    상기 제3 접지바와 상기 제4 접지바는, 상기 제1 기판 처리 장치와 다른 제2 기판 처리 장치 내에 위치하고,
    상기 제5 접지바와 상기 제6 접지바는, 상기 제1 기판 처리 장치 및 상기 제2 기판 처리 장치와 다른 제3 기판 처리 장치 내에 위치하는, 기판 처리 시스템.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 처리 시스템은, 적어도 하나의 처리액을 사용하는 세정 설비 또는 포토 설비 내에 설치되는, 기판 처리 시스템.
  8. 제 1항에 있어서,
    기판을 지지하는 척(chuck)과,
    상기 척을 둘러싸도록 설치된 보울(bowl)과,
    상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
    상기 처리액 노즐과 연결되는 처리액 배관과,
    사용된 처리액을 배출하기 위한 드레인을 더 포함하는, 기판 처리 시스템.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전장부품은 모터 또는 히터를 포함하고,
    상기 제1 대전부품은 처리액 배관, 척(chuck) 및 보울(bowl) 중 적어도 하나를 포함하는, 기판 처리 시스템.
  10. 건물접지와 연결된 제1 접지바와, 상기 건물접지와 연결되며 상기 제1 접지바와 물리적으로 분리된 제2 접지바를 포함하는 제1 전장박스;
    물리적으로 서로 분리된 제3 접지바와 제4 접지바를 포함하는 제2 전장박스; 및
    물리적으로 서로 분리된 제5 접지바와 제6 접지바를 포함하는 제3 전장박스를 포함하되,
    제1 배선 트리는 상기 제1 접지바, 상기 제3 접지바 및 상기 제5 접지바를 연결하고,
    제2 배선 트리는 상기 제2 접지바, 상기 제4 접지바 및 상기 제6 접지바를 연결하고,
    상기 제1 배선 트리는 상기 제4 접지바 및 상기 제6 접지바와 연결되지 않는, 기판 처리 시스템.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제2 배선 트리는 대전부품의 정전기 방전(ESD) 전용으로 사용되고,
    상기 제1 배선 트리는 전장부품의 접지 레벨 설정을 위해 사용되는, 기판 처리 시스템.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 접지바는, 서로 물리적으로 분리된 제1 부분 접지바와 제2 부분 접지바를 포함하고,
    상기 제1 부분 접지바는, 제1 전압을 제공받아 동작하는 제1 전장부품과 연결되고,
    상기 제2 부분 접지바는, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 제공받아 동작하는 제2 전장부품과 연결되는, 기판 처리 시스템.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제1 전압은 교류 전압이고,
    상기 제2 전압은 상기 교류 전류를 정류한 직류 전압인, 기판 처리 시스템.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 전장부품은 모터 또는 히터를 포함하고,
    상기 제2 전장부품은 센서를 포함하는, 기판 처리 시스템.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 전장박스, 상기 제2 전장박스 및 상기 제3 전장박스 중 일부는 제1 기판 처리 장치 내에 위치하고,
    상기 제1 전장박스, 상기 제2 전장박스 및 상기 제3 전장박스 중 나머지 일부는 상기 제1 기판 처리 장치와 다른 제2 기판 처리 장치 내에 위치하는, 기판 처리 시스템.
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 접지바 및 상기 제2 접지바 중 어느 하나와 상기 건물접지를 연결하는 제1 연결배선과,
    상기 제1 접지바와 상기 제2 접지바를 서로 연결하는 제2 연결배선을 더 포함하는, 기판 처리 시스템.
  17. 건물접지와 연결된 제1 접지바와, 상기 건물접지와 연결되며 상기 제1 접지바와 물리적으로 분리된 제2 접지바를 포함하는 제1 전장박스;
    물리적으로 서로 분리된 제3 접지바와 제4 접지바를 포함하는 제2 전장박스;
    물리적으로 서로 분리된 제5 접지바와 제6 접지바를 포함하는 제3 전장박스;
    제3 접지바 및 제1 접지바를 통해서 건물접지와 연결되는 제1 전장부품;
    제5 접지바 및 제1 접지바를 통해서 건물접지와 연결되는 제2 전장부품;
    제4 접지바 및 제2 접지바를 통해서 건물접지와 연결되는 제1 대전부품; 및
    제6 접지바 및 제2 접지바를 통해서 건물접지와 연결되는 제2 대전부품을 포함하고,
    상기 제2 대전부품에서 정전기가 발생한 경우, 제3 접지바 내지 제6 접지바의 전압레벨은 상승하되, 상기 제3 접지바의 전압레벨과 상기 제5 접지바의 전압레벨의 차이는, 상기 제4 접지바의 전압레벨과 상기 제6 전지바의 전압레벨의 차이보다 작은, 기판 처리 시스템.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 제1 접지바는, 서로 물리적으로 분리된 제1 부분 접지바와 제2 부분 접지바를 포함하고,
    상기 제1 부분 접지바는, 제1 전압을 제공받아 동작하는 제1 전장부품과 연결되고,
    상기 제2 부분 접지바는, 상기 제1 전압보다 작은 제2 전압을 제공받아 동작하는 제2 전장부품과 연결되는, 기판 처리 시스템.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 제1 전압은 교류 전압이고,
    상기 제2 전압은 직류 전압인, 기판 처리 시스템.
  20. 제 17항에 있어서,
    상기 제1 접지바 및 상기 제2 접지바 중 어느 하나와 상기 건물접지를 연결하는 제1 연결배선과,
    상기 제1 접지바와 상기 제2 접지바를 서로 연결하는 제2 연결배선을 더 포함하는, 기판 처리 시스템.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120073305A (ko) * 2009-11-02 2012-07-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자부품 디바이스 및 패키지 기판

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9252593B2 (en) * 2012-12-17 2016-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Three dimensional integrated circuit electrostatic discharge protection and prevention test interface
US9491840B2 (en) * 2013-09-13 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electrostatic discharge protection apparatus and process
US11211376B2 (en) * 2014-01-30 2021-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Three-dimensional integrated circuit having ESD protection circuit
KR102331650B1 (ko) * 2019-09-25 2021-11-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 노즐 유닛

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120073305A (ko) * 2009-11-02 2012-07-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자부품 디바이스 및 패키지 기판

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