KR20210122303A - 특히 마이크로파 이미징 시스템용 광대역 안테나 - Google Patents

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KR20210122303A
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Abstract

본 발명은 동일한 유전 상수를 갖지만 상이한 두께를 가지는 2개의 유전 층(52, 56), 제 1 유전 층(52)의 제 1 면(51)의 나선(60)에 있는 평형 방사 요소(60), 및 평형 안테나와 동일한 임피던스를 가지는 평형 2선식 선로(70)를 통한 평형 안테나용 전원을 포함하는 인쇄 회로 기판(10)에 통합되는 안테나 구조물에 관한 것으로서, 평형 2선식 선로(70)가 평형 나선형 안테나(60)를 제 2 층(56)의 제 2 면(57)에 위치된 한 쌍의 마이크로스트립 전송 선로(80)에 상호 연결되며, 각각의 마이크로스트립 선로(80)는 2선식 전송 선로(70)의 임피던스의 절반과 동일한 임피던스를 갖기 위해 적합하며, 제 1 층(52)의 제 2 면(53)에 대응하는 제 2 층(56)의 제 1 면(55)에 있는 평형 마이크로스트립 선로(80)와 대응하게, 제 2 유전 층(56)의 두께 및 마이크로스트립(80) 사이의 거리의 함수로서 평형 마이크로스트립 선로의 전송 임피던스를 결정하는 접지면(85)이 위치되는 것을 특징으로 한다.

Description

특히 마이크로파 이미징 시스템용 광대역 안테나
본 발명의 적용 분야는 바람직하게, 15 GHz 내지 50 GHz 주파수 범위에 걸쳐서 작동하는 광대역 평면 방사 구조물(radiating structure)이며, 이는 마이크로파 이미징 시스템(microwave imaging system)용 송신/수신 안테나 어레이의 설계를 위한 빌딩 블록(building block)으로서 사용될 수 있다.
1950년대 초 미국 오하이오 주립대학교 교수, 그 후 1954년부터 1957년까지 일리노이대학교 교수로 재직한 빅터 럼지(Victor Rumsey)는 보완 안테나 제품군, 즉 모든 주파수에서 자유 공간 임피던스(impedance)의 절반인 일정한 주파수를 갖는 보안 안테나 제품군에 큰 관심을 가지게 되었다.
자기 보완 안테나의 특징은 그 금속 부분이 비금속 부분과 일치한다는 점이다. 즉, 비금속 부분은 평면이나 공간에서 강성 이동에 의해 금속 부분과 겹쳐질 수 있다.
많은 자기 보완 형상이 설계될 수 있다. 럼지는 수년 동안 이들 구조물을 연구한 후에, 안테나 형상이 각도의 측면에서만 특정된다면 임피던스와 방사 특성이 주파수와 무관하다는 것을 확립했다. 이러한 법칙은 오늘날 럼지의 원리(Rumsey’s principle)로서 공지되어 있다.
럼지의 원리는 1958년에 주파수 독립 특성을 가진 최초의 나선형 안테나를 구축한 일리노이 대학의 존 다이슨(John Dyson)에 의해 실험으로 적용되었다.
양팔 아르키메데스 나선(two-arm Archimedean spiral)으로서 공지된 보완 안테나 유형은 미 해군의 Arthur Marston과 Henri Coleman에 의해 완성되었으며, 이들은 보완 안테나 유형에 지향 특성을 갖추게 하고 1958년과 1959년에 각각 관련 해결책에 대해 특허를 받았다.
더욱 최근에, 나선형 안테나를 생산하기 위한 많은 방법론이 제안되고 특허(예를 들어, 미국 특허 제 5 313 216 호 및 미국 특허 제 6 137 453 호)를 받았다.
특허 US 8 390 529 호는 특히, 나선형 안테나가 제 1 층의 제 1 표면에 위치되고 접지면이 제 1 층의 제 2 표면에 위치되는 다층 인쇄 회로 기판 구조물(이는 또한 제 2 층의 제 1 면에 대응함)을 보여준다. 이러한 접지면은 나선형 안테나의 방사를 단-방향으로 만들기 위한 기존 해결책의 인쇄 회로와의 통합을 나타낸다. 접지면은 또한 제 2 층의 제 2 면에 위치된다. 이러한 평면은 안테나의 전원 공급 시스템 연결을 위한 접지면(예를 들어, 동축 케이블용 차폐 전도성 브레이드(braid))로서 사용된다.
이러한 해결책은 인쇄 회로 기판에 통합되는 장점이 있지만, 특히 송신 안테나와 수신 안테나 사이의 임피던스 정합 및 전송 측면에서 최적화된 광대역 방사 특성을 얻는 것이 불가능하다. 이러한 제한은 제 1 층의 두께가 층 자체를 구성하는 재료의 파장의 1/4 배수와 동일한 주파수에서 공진에 의해 초래된다.
도 1에 첨부된 그래프는 특허 US 8 390 529 호를 준수하는 안테나의 주파수 응답(매개변수 S21)을 도시한다. 공진 및 응답 균일성의 부족으로 인해 초래된 문제가 보여질 수 있다.
특허 US 8 390 529 호에 도시된 구조물의 제 2 문제점은 제 2 층의 제 2 면이 안테나의 전원 공급장치(power supply)를 연결하는데 사용되는 접지면이기 때문에 전송 선로를 실현하고 하이퍼주파수(hyperfrequency) 회로를 조립하는데 사용할 수 없다는 점이다.
특허 US 8 390 529 호에 도시된 구조물의 제 3 문제점은 동일한 특허의 도 2에 도시된 것처럼 인접한 안테나 사이의 커플링이며, 이는 전자기력의 일부가 제 1 층의 유전체 재료를 통과할 수 있기 때문에 초래된다. 결과적으로 이러한 해결책은 안테나 어레이 구성에 적합하지 않다.
문헌 US 6 335 710 호는 80 내지 1500의 유전 상수(dielectric constant)를 가질 수 있는 강유전체 재료 층과 유전 층 사이에 배치된 나선형 안테나를 연속적으로 포함하는 안테나 구조물을 설명한다. 그러나, 그러한 안테나는 좁은 주파수 대역을 가지는 가변 안테나인 한, 마이크로파 이미징 시스템에서의 사용을 고려한 광대역 평면 방사 구조물에는 사용될 수 없다. 특히, 이러한 안테나의 Q 계수는 강유전체 재료 층에서 반사되는 파동을 제어할 수 있도록 매우 높다.
본 발명의 목적은 공지된 안테나의 특성보다 우수한 특성을 가지는 안테나를 제안함으로써 종래 기술을 완성하는 것이다.
이를 위해서 본 발명은 첨부된 독립항에 따르는 안테나 구조물 및 인쇄 회로 기판을 제안한다. 실시예는 종속항에 설명된다.
본 발명은 동일한 유전 상수를 갖지만 상이한 두께(제 1 층의 경우 ha - 최대 작동 파장의 적어도 1/8 - 및 제 2 층의 경우 hTL)를 갖는 두 개의 유전 층, 제 1 유전 층의 제 1 면에 있는 평형 나선형 방사 요소(balanced spiral radiating element), 및 평형 안테나와 동일한 임피던스를 갖는 평형 2선식 선로(balanced two-wire line)를 통한 평형 안테나의 전원 공급장치를 포함하는 인쇄 회로 기판에 통합된 안테나 구조물로 구성되며, 평형 2선식 선로가 평형 나선형 안테나를 제 2 층의 제 2 면에 위치된 한 쌍의 마이크로스트립 전송 선로에 상호 연결되는 것을 특징으로 하며, 여기서 각각의 마이크로스트립 선로는 2선식 전송 선로의 임피던스의 절반과 동일한 임피던스를 갖도록 정합되며, 제 1 층의 제 2 면과 동일한 제 2 층의 제 1 면에서 평형 마이크로스트립 선로와 정렬되게, 제 2 유전 층의 두께 및 마이크로스트립 사이의 거리의 함수로서 평형 마이크로스트립 선로의 전송 임피던스를 결정하는 접지면이 위치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징, 목적 및 장점은 비-제한적인 예로서 주어진 첨부 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명을 읽으면 자명해질 것이다.
도 1은 특허 US 8,390,529 호에 따른 안테나의 주파수 응답(매개변수 S21)을 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 안테나의 주파수 응답(매개변수 S21)을 도시한다.
도 3은 공통 인쇄 회로 기판에 설치된, 하이퍼주파수 구성요소와 관련된, 본 발명에 따른 안테나의 설치의 예를 도시한다.
도 4는 도 3의 변형예 및 더 정확하게는 공유된 인쇄 회로 기판에 설치된, 각각의 하이퍼주파수 구성요소와 관련된, 본 발명에 따른 2개의 인접한 안테나의 설치의 예를 도시한다.
도 5는 제 1 층의 제 1 면에 있는, 본 발명에 따른 평형 나선형 안테나를 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 안테나의 제 1 층의 제 2 면(제 2 층의 제 1 면에 대응함)의 접지의 뷰를 도시한다.
도 7은 안테나를 하이퍼주파수 칩에 연결하고 칩을 서로 연결하는 마이크로스트립 전송 선로를 도시한다.
도 8 내지 도 17은 본 발명에 따른 안테나의 다른 사시도, 평면도 또는 단면도를 도시한다.
첨부 도면에서 본 발명에 따른 안테나(50)가 인쇄 회로 기판(10)에 통합된 것을 볼 수 있다.
안테나(50)는 2개의 유전 층(52, 56)을 포함한다. 각각의 유전 층(52, 56)은 제 1 면(51, 55) 또는 상부 면, 및 제 1 면(51, 55)에 대향하는 제 2 면(53, 57) 또는 하부 면을 가진다. 제 1 층(52)의 제 2 면(53)은 제 2 층(56)의 제 1 면(55)에 대향하게 위치된다.
2개의 유전 층(52, 56)은 유전상수가 동일하지만 두께가 상이하다. 제 1 층(52)의 두께는 기준 두께(ha)를 가진다. 이는 최대 작동 파장의 적어도 1/8과 동일하다. 이러한 방식으로, 제 1 유전 층(52)에 의해 형성된 두께는 공진하지 않고 안테나(50)는 광대역 주파수에서 작동할 수 있다.
일 실시예에서, 안테나 구조물의 전체 치수를 제한하기 위해서, 제 1 층(52)의 두께(ha)는 최대 작동 파장의 절반 이하이다.
이는
Figure pct00001
로 주어지며: 여기서
Figure pct00002
는 최대 작동 파장이다.
예를 들어, 제 1 유전 층(52)의 두께(ha)는 최대 작동 파장(1/4 λmax)의 1/4과 동일하다.
제 2 층(56)의 두께는 기준 두께(hTL)를 가진다.
제 1 층(52) 및 제 2 층(56)은 임의의 적합한 유전체 재료, 특히 인쇄 회로 기판을 생성하는데 사용될 수 있는 임의의 유전체 재료로 만들어질 수 있다. 그들의 유전 상수(εr)는 또한, 안테나 구조물이 방사되고 에너지가 제 1 층(52)에 한정된 상태로 유지되지 않게 보장하도록 낮다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 층(52, 56)의 유전체 재료는 2 이상, 4 이하의 유전 상수(εr)를 가질 수 있다.
안테나(50)는 제 1 유전 층(52)의 제 1 면(51)의 평형 나선형 방사 요소(60) 및 평형 방사 요소(50)와 동일한 임피던스를 갖는 평형 2선식 선로(70)를 통한 평형 안테나(50)의 전원 공급장치를 더 포함한다.
일 실시예에서, 방사 요소(60)는 2개의 대칭 아암(61, 62)을 포함한다. 아암(61, 62)은 전원 공급장치에 연결된 안테나(50)의 중심으로부터 그 둘레를 향해 점진적으로 분기한다. 본 발명은 안테나의 각각의 아암의 형상 또는 아암의 수에 관하여 첨부 도면에 예시된 특정 실시예로 제한되지 않는다.
평형 2선식 선로(70)는 평형 나선형 방사 요소(50)를 제 2 층(56)의 제 2 면(57)에 위치된 한 쌍의 마이크로스트립 전송 선로(80)에 상호 연결한다. 각각의 마이크로스트립 선로(80)는 2선식 전송 선로(70)의 임피던스의 절반과 동일한 임피던스를 갖도록 정합된다. 제 1 층(52)의 제 2 면(53)에 대응하는 제 2 층(56)의 제 1 면(55)에서 평형 마이크로스트립 선로(80)과 정렬되게, 제 2 유전 층(56)의 두께(hTL) 및 마이크로스트립 사이의 거리(gTL)의 함수로서, 평형 마이크로스트립 선로(80)의 전송 임피던스를 결정하는 접지면(85)이 위치된다.
일 실시예에서, 제 2 층(56)의 두께(hTL)는 제 1 층(52)의 두께(ha)보다 엄격하게 작다. 실제로, 위에서 명시된 바와 같이, 제 1 층의 두께(ha)는 안테나 구조물의 방사를 허용하기 위해서 적어도 λmax/8과 동일하다. 더욱이, 제 2 층의 두께(hTL)는 마이크로스트립 전송 선로(80)의 치수, 특히 그들의 두께에 의해 결정된다. 그러나, 적합한 두께의 마이크로스트립 전송 선로가 선호되는 한, 두께(hTL)는 작게 유지되고 임의의 경우에도 제 1 층의 두께(ha)보다 더 작다.
또한, 예를 들어 도 9 및 도 11에서 볼 수 있는 바와 같이, 평형 2선식 선로가 접지면(85)에 연결되어 있지 않다. 더 정확하게, 접지면(85)은 평형 2선식 선로(70)의 와이어에 근접하여 실질적으로 원형 구멍을 가지며, 그 직경은 선로(70)의 각각의 와이어의 직경보다 더 커서 접지면(85)이 상기 와이어로부터 거리를 두고 연장한다.
일 실시예에서, 전원 공급장치에 연결되도록 구성되고 접지면(85)에 실질적으로 평행하게 연장되는 마이크로스트립 선로(80)의 연결 부분은 (접지면(85)으로부터 실질적으로 수직하게 거리를 두고 연장하는)평형 2선식 선로(70)의 와이어 부근에서 약간 분기하여, 각각의 선로(80)가 평형 2선식 선로(70)의 관련 와이어와 정렬된다. 따라서 마이크로스트립 선로(80)의 연결 부분의 이러한 구성은 마이크로스트립 선로(80)와 평형 2선식 선로(70) 사이의 임피던스의 완만한 정합을 허용하고, 전력 전달을 개선하고 전력 반사를 제거한다.
일 실시예에서, 나선형 방사 요소(60)의 아암(61, 62)의 전원 공급 지점 사이의 나선형 방사 요소(60)의 임피던스(Zant)는 100 Ω(가장 가깝게 20%까지)과 실질적으로 동일하도록 구성된다. 더욱이, 평형 2선식 선로(70)는 그 와이어 사이에, 나선형 방사 요소(60)의 임피던스(Zant)와 실질적으로 동일한, 즉 대략 100 Ω(가장 가깝게 20%까지)의 임피던스를 가진다. 각각의 마이크로스트립 전송 선로(80)의 임피던스는 또한, 각각의 선로가 대략 50 Ω과 동일한 접지에 대한 임피던스를 갖도록 선택되어 선로(80) 사이의 임피던스가 대략 100 Ω(가장 가깝게 20%까지)과 동일하다. 이러한 구성으로 인해서, 구성요소(20)와 마이크로스트립 전송 선로(80) 사이의 발룬(balun)(평형-불평형) 요소와 같은 중간 정합 구성요소(matching component)를 추가할 필요 없이, 마이크로스트립 선로(80)와 동일한 층에(즉, 제 2 층(56)의 제 2 면(57)에) (입력 및 출력의 평형 임피던스가 대부분의 경우에, 약 100 Ω인) 하이퍼주파수 구성요소(20)를 직접 조립하는 것이 가능하다. 이러한 직접적인 연결은 정합 회로 또는 발룬을 포함하는 외부 선로를 추가할 필요 없이, 안테나 구조물에 직접 조립된 하이퍼주파수 구성요소를 예시하는 도 7에서 특히 볼 수 있다. 발룬이 매우 부피가 크고 고가의 구성요소이기 때문에, 이러한 제거는 안테나 구조물의 전체 치수와 비용을 크게 줄이는 장점을 가진다.
나선형 방사 요소(50)는 수직 금속 연결부(92)로 구성된 벽(90)으로 둘러싸여 있으며, 마이크로파장을 포함할 수 있는 효과적인 차폐를 얻기 위해서 연결부(92) 사이의 피치(pitch; sv)가 최소 작동 파장보다 1/4 더 작다:
Figure pct00003
분기 아암(61, 62)을 갖는 안테나(50)의 경우에, 벽(90)은 실질적으로 원형일 수 있다.
나선형 방사 요소(60)가 전기 쌍극자를 형성하기 때문에, 아암(61, 62)의 곡선 길이는 바람직하게, 최대 작동 파장(λmax)의 절반과 실질적으로 동일하여 와이어(61, 62)의 외부 단부에서 전류가 0이 된다. 따라서 벽(90)은 나선형 방사 요소(60)의 최대 직경(Do)이 최대 파장의 0.5배 내지 1.5배가 되도록 치수가 정해진다: 0.75λmax ≤ Do ≤ 1.5λmax
또한, 출원인은 나선형 방사 요소의 임피던스에 대한 벽(90)의 영향을 제한하면서 마이크로파장의 방사 영역을 제한하기 위해서 벽의 평균 내경(Dov)이 다음 방정식을 준수한다고 경험적으로(실험적으로) 결정했다:
Figure pct00004
실시예의 일 형태에서, 제 2 유전 층(56)의 전체 제 2 면(57)(마이크로스트립 전송 선로(80) 주위의 표면 및 평형 2선식 선로(70)에 대한 그 연결 제외)은 무선 주파수의 층(59)(임의의 공진 현상을 일으키지 않고 안테나의 방사 다이어그램을 단방향으로 만들기 위한 흡수 재료)에 의해 덮인다. 실시예의 일 형태에서, 층(59)의 흡수 재료는 밀리미터파의 넓은 스펙트럼을 흡수하는 재료 및/또는 고손실 엘라스토머(elastomer) 마이크로파를 흡수하는 재료를 포함할 수 있다. 이러한 층(90)은 인접한 안테나를 분리하는 것을 가능하게 하여, 동일한 안테나 사이의 전력 전달을 최소로 유지한다.
안테나의 설계 매개변수는 다음과 같다:
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
여기서: Do는 방사 요소의 외경, 즉 그 최대 직경을 나타낸다.
Dov는 벽(90)의 평균 내경을 나타낸다.
Zant는 나선형 방사 요소(60)의 임피던스를 나타낸다.
εeff는 나선형 방사 요소(60)의 유효 유전 상수를 나타낸다.
εr은 제 1 층(52)의 유전 상수를 나타낸다.
예를 들어, 유전 상수(εr)를 갖는 제 1 층(52)을 갖는 안테나 구조물의 경우, 대략 135 Ω과 동일한 나선형 방사 요소(60)에 대한 임피던스가 얻어진다.
본 발명에 따른 이러한 구조물에 따른 안테나 구조물은 많은 장점을 가진다:
- 전체 작동 주파수 범위에서 최적의 임피던스 정합 특성.
- 주파수 응답은 전체 작업 범위에서 균일하고 일정함(도 2에 도시된 그래프 참조).
- 인접 안테나 사이의 강한 커플링 해제.
- 하이퍼주파수 구성요소(20)가 장착된 동일한 인쇄 회로 기판에 통합되는데 적합하여 높은 생산 경제성을 제공(도 7).
- 본 발명의 다른 유리한 특징에 따르면, 제 1 층의 두께는 최대 작동 파장의 절반 미만임.

Claims (14)

  1. 동일한 유전 상수(dielectric constant)를 갖지만 상이한 두께를 가지며, 각각 제 1 면(51, 55) 및 제 2 면(53, 57)을 가지는 제 1 및 제 2 유전 층(52, 56),
    제 1 유전 층(52)의 제 1 면(51)에 있는 평형 나선형 방사 요소(balanced spiral radiating element; 60), 및
    나선형 방사 요소(60)와 동일한 임피던스(impedance)를 갖는 평형 2선식 선로(balanced two-wire line; 70)를 통한 평형 안테나의 전원 공급장치(power supply)를 포함하는 인쇄 회로 기판(10)에 통합된 안테나 구조물에 있어서,
    안테나 구조물(50)은 평형 2선식 선로(70)가 평형 나선형 안테나(60)를 제 2 층(56)의 제 2 면(57)에 위치된 한 쌍의 평형 마이크로스트립 전송 선로(80)에 상호 연결되며, 각각의 마이크로스트립 선로(80)는 2선식 전송 선로(70)의 임피던스의 절반과 동일한 임피던스를 갖도록 구성되는 것을 특징으로 하고, 그리고
    마이크로스트립 선로(80)와 정렬된, 제 2 층(56)의 제 1 면(55)에 그리고 제 1 층(52)의 제 2 면(53)에 위치되는 접지면(85)을 더 포함하며, 접지면(85)이 제 2 유전 층(56)의 두께 및 평형 2선식 선로(70) 사이의 거리의 함수로서, 마이크로스트립 전송 선로(80)의 전송 임피던스를 결정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는,
    안테나 구조물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 1 층(52) 및 제 2 층(56)의 유전 상수는 2 이상 4 이하인,
    안테나 구조물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    나선형 방사 요소(60)는 수직 금속 연결부(92)로 구성된 벽(90)으로 둘러싸이는,
    안테나 구조물.
  4. 제 3 항에 있어서,
    연결부(92) 사이의 피치(pitch)는 나선형 방사 요소(60)의 최소 작동 파장의 1/4 미만인,
    안테나 구조물.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    벽(90)의 평균 내경(Dov)은:
    (Do + 0.005λmax) ≤ Dov ≤ (Do + 0.25λmax)
    에 따라서 나선형 방사 요소(60)의 최대 직경(Do)의 함수로서 정의되며,
    여기서, Dov는 벽(90)의 평균 내경을 나타내며,
    Do는 나선형 방사 요소(60)의 최대 외경을 나타내는,
    안테나 구조물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    마이크로스트립 전송 선로(80) 및 평형 2선식 선로(70)에 대한 그 연결부 주위에 있는, 제 2 유전 층(56)의 전체 제 2 면(57)은 무선 주파수 흡수 재료(59)의 층으로 덮이는,
    안테나 구조물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 1 층의 두께는 최대 작동 파장의 적어도 1/8과 동일한,
    안테나 구조물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 1 층의 두께는 최대 작동 파장의 절반 이하인,
    안테나 구조물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    나선형 방사 요소의 최대 직경(Do)은 최대 작동 파장(λmax)의 0.75배 내지 1.5배이며:
    0.75λmax ≤ Do ≤ 1.5λmax
    여기서: Do는 방사 요소(60)의 최대 외경을 나타내며,
    λmax는 최대 작동 파장을 나타내는,
    안테나 구조물.
  10. 인쇄 회로 기판(10)에 있어서,
    제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 안테나 구조물, 및
    마이크로스트립 전송 선로(80)에 직접 연결된 하이퍼주파수(hyperfrequency) 구성요소(20)를 포함하는,
    인쇄 회로 기판.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 인쇄 회로 기판(10)은 마이크로스트립 전송 선로(80)와 하이퍼주파수 구성요소(20) 사이에 정합 구성요소(matching component)를 가지지 않는,
    인쇄 회로 기판.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    하이퍼주파수 구성요소(20), 그 평형 입력 및 출력이 미리 결정된 임피던스를 가지며,
    나선형 방사 요소(60)와 평형 2선식 선로(70)는 하이퍼주파수 구성요소(20)의 평형 입력 및 출력의 임피던스와 거의 동일한 임피던스(Zant)를 가지며,
    각각의 마이크로스트립 전송 선로(80)는 미리 결정된 임피던스의 절반과 실질적으로 동일한 임피던스를 가지는,
    인쇄 회로 기판.
  13. 제 12 항에 있어서,
    미리 결정된 임피던스는 100 Ω과 실질적으로 동일한,
    인쇄 회로 기판.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 인쇄 회로 기판을 포함하는,
    마이크로파 이미징 시스템(microwave imaging system).
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