KR20210119656A - 안테나 모듈 - Google Patents

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KR20210119656A
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antenna module
pattern
antenna
layers
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민태홍
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Abstract

본 개시는 복수의 절연층과 복수의 배선층을 포함하는 배선 구조체; 상기 배선 구조체의 일면 상에 배치되며, 관통부를 갖는 메탈 구조체; 및 상기 배선 구조체의 일면 상에 배치되며, 상기 관통부 내에 적어도 일부가 위치하는 안테나; 를 포함하는, 안테나 모듈에 관한 것이다.

Description

안테나 모듈{ANTENNA MODULE}
본 개시는 안테나 모듈에 관한 것이다.
5G 도래에 따라 주파수 대역이 증가하고, 이 주파수를 송/수신 하는 안테나 모듈에서는 발열이 발생하는 이슈가 최근 과제로 대두되고 있다. 안테나 모듈에 이용되는 안테나 기판의 경우 일반적으로 유기 재료로 구성되어 있어서 RFRC(Radio Frequency Integrated Circuit) 등에서 발생되는 열을 효과적으로 제거하기 어려운 문제가 있었다. 또한, 메인보드와 안테나 기판의 연결을 커넥터로 진행하기 때문에 케이블의 그라운드를 통해서 메인보드로 열을 전달하고 제거하는 방식에 어려움이 있었다.
본 개시의 여러 목적 중 하나는 우수한 방열 효과를 갖는 안테나 모듈을 제공하는 것이다.
본 개시의 여러 목적 중 다른 신호 간섭을 효과적으로 감소시킬 수 있는 안테나 모듈을 제공하는 것이다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는 기판 구조체에 그룹화가 가능한 복수의 수동부품을 내장하는 것이다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는 인쇄회로기판 상에 인쇄회로기판을 배치하여 기판 구조체를 제공하는 것이다.
예를 들면, 본 개시에서 제안하는 일례에 따른 안테나 모듈은 복수의 절연층과 복수의 배선층을 포함하는 배선 구조체; 상기 배선 구조체의 일면 상에 배치되며, 관통부를 갖는 메탈 구조체; 및 상기 배선 구조체의 일면 상에 배치되며, 상기 관통부 내에 적어도 일부가 위치하는 안테나; 를 포함하는 것일 수 있다
본 개시의 여러 효과 중 일 효과로서 우수한 방열 효과를 갖는 안테나 모듈을 제공할 수 있다.
본 개시의 여러 효과 중 다른 일 효과로서 신호 간섭을 효과적으로 감소시킬 수 있는 안테나 모듈을 제공할 수 있다.
도 1은 전자기기 시스템의 예를 개략적으로 나타내는 블록도다.
도 2는 전자기기의 일례를 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 3은 안테나 모듈의 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 4는 도 3의 안테나 모듈의 개략적인 I-I' 절단 평면도다.
도 5는 안테나 모듈의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 6은 안테나 모듈의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 7은 안테나 모듈의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 8은 안테나 모듈의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대해 설명한다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장되거나 축소될 수 있다.
도 1은 전자기기 시스템의 예를 개략적으로 나타내는 블록도다.
도면을 참조하면, 전자기기(1000)는 메인보드(1010)를 수용한다. 메인보드(1010)에는 칩 관련부품(1020), 네트워크 관련부품(1030), 및 기타부품(1040) 등이 물리적 및/또는 전기적으로 연결되어 있다. 이들은 후술하는 다른 전자부품과도 결합되어 다양한 신호라인(1090)을 형성한다.
칩 관련부품(1020)으로는 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리 칩; 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 어플리케이션 프로세서 칩; 아날로그-디지털 컨버터, ASIC(application-specific IC) 등의 로직 칩 등이 포함되며, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 기타 다른 형태의 칩 관련 전자부품이 포함될 수 있음은 물론이다. 또한, 이들 전자부품(1020)이 서로 조합될 수 있음은 물론이다. 칩 관련부품(1020)은 상술한 칩이나 전자부품을 포함하는 패키지 형태일 수도 있다.
네트워크 관련부품(1030)으로는, Wi-Fi(IEEE 802.11 패밀리 등), WiMAX(IEEE 802.16 패밀리 등), IEEE 802.20, LTE(long term evolution), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE, GSM, GPS, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, Bluetooth, 3G, 4G, 5G 및 그 이후의 것으로 지정된 임의의 다른 무선 및 유선 프로토콜들이 포함되며, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 기타 다른 다수의 무선 또는 유선 표준들이나 프로토콜들 중의 임의의 것이 포함될 수 있다. 또한, 네트워크 관련부품(1030)이 칩 관련 전자부품(1020)과 더불어 서로 조합될 수 있음은 물론이다.
기타부품(1040)으로는, 고주파 인덕터, 페라이트 인덕터, 파워 인덕터, 페라이트 비즈, LTCC(low Temperature Co-Firing Ceramics), EMI(Electro Magnetic Interference) filter, MLCC(Multi-Layer Ceramic Condenser) 등이 포함된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 기타 다른 다양한 용도를 위하여 사용되는 칩 부품 형태의 수동소자 등이 포함될 수 있다. 또한, 기타부품(1040)이 칩 관련 전자부품(1020) 및/또는 네트워크 관련 전자부품(1030)과 서로 조합될 수도 있음은 물론이다.
전자기기(1000)의 종류에 따라, 전자기기(1000)는 메인보드(1010)에 물리적 및/또는 전기적으로 연결되거나 그렇지 않을 수도 있는 다른 전자부품을 포함할 수 있다. 다른 전자부품의 예를 들면, 카메라 모듈(1050), 안테나 모듈(1060), 디스플레이(1070), 배터리(1080) 등이 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 오디오 코덱, 비디오 코덱, 전력 증폭기, 나침반, 가속도계, 자이로스코프, 스피커, 대량 저장 장치(예컨대, 하드디스크 드라이브), CD(compact disk), DVD(digital versatile disk) 등일 수도 있다. 이 외에도 전자기기(1000)의 종류에 따라 다양한 용도를 위하여 사용되는 기타 전자부품 등이 포함될 수 있음은 물론이다.
전자기기(1000)는, 스마트폰(smart phone), 개인용 정보 단말기(personal digital assistant), 디지털 비디오 카메라(digital video camera), 디지털 스틸 카메라(digital still camera), 네트워크 시스템(network system), 컴퓨터(computer), 모니터(monitor), 태블릿(tablet), 랩탑(laptop), 넷북(netbook), 텔레비전(television), 비디오 게임(video game), 스마트 워치(smart watch), 오토모티브(Automotive) 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 외에도 데이터를 처리하는 임의의 다른 전자기기일 수 있음은 물론이다.
도 2는 전자기기의 일례를 개략적으로 나타낸 사시도다.
도면을 참조하면, 전자기기는, 예를 들면, 스마트폰(1100)일 수 있다. 스마트폰(1100)의 내부에는 모뎀(1101)과, 리지드 인쇄회로기판(Rigid Printed Circuit Board), 플렉서블 인쇄회로기판(Flexible Printed Circuit Board) 및/또는 리지드-플렉서블 인쇄회로기판(Rigid Flexible Printed Circuit Board)을 통하여 모뎀(1101)과 연결된 다양한 종류의 안테나 모듈(1102, 1103, 1104, 1105, 1106) 이 배치될 수 있다. 필요에 따라서는, 와이파이 모듈(1107)도 배치될 수 있다. 안테나 모듈(1102, 1103, 1104, 1105, 1106)은 5G 이동통신을 위한 다양한 주파수대의 안테나 모듈(1102, 1103, 1104, 1105), 예를 들면, 3.5GHz 대역 주파수를 위한 안테나 모듈(1102), 5GHz 대역 주파수를 위한 안테나 모듈(1103), 28GHz 대역 주파수를 위한 안테나 모듈(1104), 39GHz 대역 주파수를 위한 안테나 모듈(1105) 등을 포함할 수 있으며, 기타 4G용 안테나 모듈(1106)도 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 전자기기는 반드시 스마트폰(1100)에 한정되는 것은 아니며, 상술한 바와 같이 다른 전자기기일 수도 있음은 물론이다.
도 3은 안테나 모듈의 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 4는 도 3의 안테나 모듈의 개략적인 I-I' 절단 평면도다.
도면을 참조하면, 일례에 따른 안테나 모듈(800A)은 안테나 기판(500)과 안테나 기판(500)에 내장된 하나 이상의 안테나(600)를 포함한다. 안테나 기판(500)은 배선 구조체(300)와 배선 구조체(300)의 상면 상에 배치된 메탈 구조체(400)를 포함한다. 메탈 구조체(400)는 하나 이상의 관통부(400H)를 포함한다. 안테나(600)는 배선 구조체(300)의 상면 상에 배치되며, 관통부(400H) 내에 적어도 일부가 위치한다. 안테나 기판(500)에는 전자부품(700)이 실장될 수 있다. 예를 들면, 배선 구조체(300)의 하면 상에는 하나 이상의 전자부품(700)이 배치될 수 있다.
이와 같이, 일례에 따른 안테나 모듈(800A)은 배선 구조체(300) 상에 메탈 구조체(400)를 배치하고, 메탈 구조체(400)의 관통부(400H)에 각각 안테나(600)를 배치한다. 따라서, RFIC(710) 등의 발열이 심한 전자부품(700)이 배선 구조체(400)에 배치되는 경우에도, 메탈 구조체(400)에 연결되는 우수한 방열 경로를 제공할 수 있다. 따라서, 신호 증폭에 따른 PA(Power Amplifier) 발생 열을 메탈 구조체(400)를 통하여 방열할 수 있는 등, 우수한 방열 효과를 가질 수 있다. 또한, 안테나(600)가 각각 독립적으로 메탈 구조체(400)로 둘러싸이는바, 안테나 신호와 관련하여, 신호 간섭을 효과적으로 개선할 수 있다.
한편, 메탈 구조체(400)의 상면 및 하면 각각의 적어도 일부, 그리고 관통부(110H) 각각의 벽면의 적어도 일부는 절연재(410)로 덮일 수 있다. 이 경우, 배선 구조체(300)와 메탈 구조체(400) 사이에 밀착력을 개선할 수 있으며, 메탈 구조체(400)와 후술하는 패시베이션층(450) 사이의 밀착력 또한 개선할 수 있다. 한편, 메탈 구조체(400)에는 메탈 구조체(400)를 관통하는 관통 비아(430)가 형성될 수 있다. 또한, 메탈 구조체(400)의 상면 상에는 관통 비아(430)와 연결되는 기생 패턴(420)이 배치될 수 있다. 이때, 절연재(410)는 메탈 구조체(400) 및 기생 패턴(420) 사이와, 메탈 구조체(400) 및 관통 비아(430) 사이에, 각각 적어도 일부가 배치되어 절연 영역을 제공할 수 있다. 한편, 기생 패턴(420)은 관통 비아(430)를 통하여 배선 구조체(300)의 복수의 배선층(120, 220) 중 적어도 일부와 연결될 수 있다. 기생 패턴(420)을 통하여 메탈 구조체(400)에 안테나 관련 회로 설계가 가능해지는바, 안테나(600)의 소형화를 도모할 수 있다.
한편, 안테나(600)는 유전체(610)와 유전체(610)에 형성된 안테나 패턴(621, 622, 623)을 포함하는 칩 타입의 안테나일 수 있다. 이러한 칩 타입의 안테나가 독립적으로 메탈 구조체(400)의 관통부(400H)에 배치될 수 있다. 따라서, 안테나 모듈(800A)의 수율을 개선할 수 있다. 유전체(610)는 유전체층(611, 612)과 유전체층(611, 612) 사이에 배치되어 양자를 접합하는 접합층(613)을 포함할 수 있다. 이때, 유전체층(611, 612)은 각각 높은 유전율(Dielectric Constant, Dk)을 갖는 재료, 예컨대 세라믹층 및/또는 세라믹-폴리머 복합층일 수 있다. 따라서, 안테나(600)는 우수한 안테나 특성을 가질 수 있다. 안테나 패턴(620)은 패치 패턴(621)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 안테나 패턴(620)은 패치 패턴(621), 패치 패턴(621)의 상측에 배치된 커플링 패턴(622), 패치 패턴(621)의 하측에 배치된 패드 패턴(623, 624), 및 패치 패턴(621)과 패드 패턴(623)을 연결하는 피딩 비아(630)를 포함할 수 있다. 따라서, 안테나(600)는 패치 안테나로 기능할 수 있다.
한편, 안테나(600)는 접속비아(133)를 통하여 배선 구조체(300)의 복수의 배선층(120, 220) 중 적어도 일부와 연결될 수 있다. 예를 들면, 안테나(600)의 패드 패턴(623, 624)은 배선 구조체(400)의 제1영역(100)의 복수의 제1절연층(110)의 적어도 일부를 관통하는 접속비아(133)를 통하여 배선 구조체(300)의 제1영역(110)의 복수의 제1배선층(120) 중 적어도 일부와 연결될 수 있다. 이 경우, 안테나(600)로부터의 신호를 솔더볼 등이 아닌 접속비아(133)를 통하여 전달이 가능한바, 신호 손실을 저감할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 일례에 따른 안테나 모듈(800A)의 구성요소에 대하여 보다 자세히 설명한다.
배선 구조체(300)는 복수의 제1절연층(110) 및 복수의 제1배선층(120)을 포함하는 제1영역(100)과, 복수의 제2절연층(210) 및 복수의 제2배선층을 포함하는 제2영역을 포함할 수 있다. 두께 방향을 기준으로, 제1영역(100)은 메탈 구조체(400)와 제2영역(200) 사이에 배치될 수 있다. 제1영역(100)은 안테나 부재로 기능할 수 있으며, 제2영역(200)은 재배선 부재로 기능할 수 있다. 예를 들면, 복수의 제1절연층(110) 중 적어도 일부는 복수의 제2절연층(210) 중 적어도 일부보다 유전손실률(Dielectric Dissipation Factor, Df)이 작은 재료를 포함할 수 있다.
복수의 제1절연층(110)은 열가소성 수지층(111) 및 열경화성 수지층(112)이 교대로 적층된 적층체를 포함할 수 있다. 열가소성 수지층(111)은 고주파 신호 전달에 효과적인 재료를 포함할 수 있고, 열경화성 수지층(112)은 고주파 신호 전달에 유리하면서 접합성이 우수한 재료를 포함할 수 있다. 이러한 다층 수지층(111, 112)을 통하여 고주파 신호 전달에 유리하며 밀착성이 우수한 절연바디의 제공이 가능할 수 있다. 복수의 제1배선층(120)은 각각 열가소성 수지층(111) 상에 배치되어 열경화성 수지층(112)에 매립될 수 있으며, 복수의 제1비아층(130)을 통하여 서로 연결될 수 있다. 복수의 제1비아층(130)은 인접한 열가소성 수지층(111)과 열경화성 수지층(112)을 동시에 관통하는 접속비아를 각각 포함할 수 있다.
열가소성 수지층(111)로는, 고주파 신호 전달 측면에서, 액정폴리머(LCP: Liquid crystal polymer), PTFE(Polytetrafluoroethylene), PPS(Polyphenylene Sulfide), PPE(Polyphenylene Ether), 폴리이미드(PI) 등이 사용될 수 있다. 열가소성 수지층(111)의 수지의 종류, 수지에 함유되는 필러의 종류, 필러의 함량 등에 따라서 유전손실률(Df)이 조절될 수 있다. 유전손실률(Df)은 유전손실에 대한 값으로, 유전손실은 수지층(유전체)에 교류성 전계가 형성되었을 때 발생하는 손실 전력을 의미한다. 유전손실률(Df)은 유전손실에 비례하며 유전손실률(Df)이 작을수록 유전손실이 작다. 저유전손실 특성을 가지는 열가소성 수지층(111)은 고주파 신호 전달에 있어서 손실 감소 측면에서 유리하다. 열가소성 수지층(111)의 유전손실률(Df)은 각각 0.003 이하일 수 있으며, 예컨대 0.002 이하일 수 있다. 또한, 열가소성 수지층(111)의 유전율(Dk)은 3.5 이하일 수 있다.
열경화성 수지층(112)로는, 고주파 신호 전달 측면에서, PPE(Polyphenylene ether), 변성 폴리이미드(PI), 변성 에폭시(Epoxy) 등이 사용될 수 있다. 열경화성 수지층(112)의 수지의 종류, 수지에 함유되는 필러의 종류, 필러의 함량 등에 따라서 유전손실률(Df)이 조절될 수 있다. 저유전손실 특성을 가지는 열경화성 수지층(112)은 고주파 신호 전달에 있어서 손실 감소 측면에서 유리하다. 열경화성 수지층(112)의 유전손실률(Df)은 0.003 이하일 수 있으며, 예컨대, 0.002 이하일 수 있다. 또한, 열경화성 수지층(112)의 유전율(Dk)은 3.5 이하일 수 있다.
열가소성 수지층(111)의 두께는 열가소성 수지층(111)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 고주파 신호 전달 측면에서, 이러한 두께 관계를 가지는 것이 보다 바람직할 수 있다. 상하로 인접한 열가소성 수지층(111)과 열가소성 수지층(111)의 계면은 조도면을 포함할 수 있다. 조도면은 조화 처리가 되어 요철을 가지는 면을 의미한다. 이러한 조도면에 의하면 상하로 인접한 열가소성 수지층(111)과 열가소성 수지층(111)은 서로에 대한 밀착력을 확보할 수 있다.
복수의 제1배선층(120)은 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 복수의 제1배선층(120)은 AP(Additive Process), SAP(Semi AP), MSAP(Modified SAP), TT(Tenting) 등으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 복수의 제1배선층(120)은 해당 층의 설계 디자인에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 안테나(600)와 연결되는 피딩 패턴을 포함할 수 있다. 또한 피딩 패턴 주위에 배치되는 그라운드 패턴을 포함할 수 있다. 필요에 따라서는 파워 패턴도 포함할 수 있다. 이들 패턴은 각각 라인(line) 패턴, 플레인(Plane) 패턴 및/또는 패드(Pad) 패턴을 포함할 수 있다.
복수의 제1비아층(130)은 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 복수의 제1비아층(130)은 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 복수의 제1비아층(130)은 설계 디자인에 따라서 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 피딩 패턴의 연결을 위한 피딩 비아, 그라운드 연결을 위한 그라운드 비아, 파워 연결을 위한 파워 비아 등을 포함할 수 있다. 한편, 복수의 제1비아층(130) 중 최상측의 비아층은 상술한 접속비아(133)를 포함할 수 있으며, 접속비아(133)는 피딩 비아 및/또는 그라운드 비아로 포함할 수 있다. 이들 비아는 각각 금속물질로 완전히 충전될 수 있으며, 또는 금속물질이 비아홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 또한, 테이퍼 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
복수의 제2절연층(210)은 절연물질을 포함할 수 있다. 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들과 함께 유리섬유(Glass Fiber, Glass Cloth, Glass Fabric) 및/또는 무기필러와 같은 보강재를 포함하는 재료, 예를 들면, 프리프레그(prepreg), ABF(Ajinomoto Build-up Film), PID(Photo Image-able Dielectric) 등이 사용될 수 있다.
복수의 제2배선층(220)은 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 복수의 제2배선층(220)은 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 복수의 제2배선층(220)은 해당 층의 설계 디자인에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 그라운드 패턴, 파워 패턴, 신호 패턴 등을 포함할 수 있다. 여기서, 신호 패턴은 그라운드 패턴, 파워 패턴 등을 제외한 각종 신호, 예를 들면, 안테나 신호, 데이터 신호 등을 포함한다. 이들 패턴은 각각 라인 패턴, 플레인 패턴 및/또는 패드 패턴을 포함할 수 있다.
복수의 제2비아층(230)은 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 복수의 제2비아층(230)은 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 복수의 제1비아층(230)은 설계 디자인에 따라서 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 신호 연결을 위한 신호 비아, 그라운드 연결을 위한 그라운드 비아, 파워 연결을 위한 파워 비아 등을 포함할 수 있다. 이들 비아는 각각 금속물질로 완전히 충전될 수 있으며, 또는 금속물질이 비아홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 또한, 테이퍼 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
메탈 구조체(400)는 금속물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 메탈 구조체(400)는 금속으로 이루어진 덩어리일 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 열팽창계수가 작은 인바(Invar) 등의 다른 합금 재료를 포함할 수도 있다. 비용 등을 고려하였을 때, 보다 바람직하게는, 메탈 구조체(400)는 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 예컨대, 구리 덩어리일 수 있다. 메탈 구조체(400)는 하나 이상의 관통부(400H)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 관통부(400H)는 도 4에서와 같이 1 x 2 의 배열로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 배치되는 안테나(600)의 수에 따라서 1 x 4의 배열이나 2 x 2의 배열 등으로 형성될 수도 있다.
절연재(410)는 절연물질을 포함할 수 있다. 절연물질로는 폴리이미드 복합재나 페릴렌 등과 같이 두께가 얇아도 절연성이 우수한 재료를 이용할 수 있다. 절연재(410)는 5㎛ 내지 10㎛ 정도의 얇은 두께를 가질 수 있다. 절연재(410)는 메탈 구조체(400)의 상면과 하면 각각의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 또한, 절연재(410)는 관통부(400H) 각각의 벽면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 이를 통하여, 메탈 구조체(400)의 밀착성을 개선할 수 있으며, 메탈 구조체(400)의 필요한 위치에 절연 영역을 제공할 수 있다.
기생 패턴(420)은 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 기생 패턴(420)은 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 기생 패턴(420)은 안테나 관련 회로를 제공할 수 있다. 예를 들면, 기생 패턴(420)은 안테나(600)의 커플링 패턴(622)을 둘러싸도록 형성될 수 있으며, 커플링 패턴(622)과 서로 커플링 될 수 있다. 이러한 커플링을 통하여 안테나의 대역폭이 사이즈 대비 더 크게 넓어질 수 있다. 또한, 안테나(600)의 소형화를 도모할 수 있다.
관통 비아(430)는 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 관통 비아(430)는 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 관통 비아(430)는 기생 패턴(420)을 복수의 배선층(120, 220) 중 적어도 일부와 연결할 수 있다. 예를 들면, 복수의 배선층(120, 220) 중 그라운드 패턴과 연결할 수 있다. 관통 비아(430)의 수는 특별히 제한되지 않으며, 안테나(600)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 관통 비아(430)는 금속물질로 완전히 충전될 수 있으며, 또는 금속물질이 비아홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 또한, 원기둥 형상이나 모래시계 형상 등 다양한 형을 가질 수 있다.
메탈 구조체(400) 상에는 필요에 따라서 안테나(600) 각각의 적어도 일부를 덮으며 관통부(400H) 각각의 적어도 일부를 채우는 패시베이션층(450)이 배치될 수 있다. 패시베이션층(450)은 열경화성 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 패시베이션층(450)은 ABF일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 패시베이션층(450)은 공지의 SR(Solder Resist)층일 수 있다. 또한, PID를 포함할 수도 있다. 필요에 따라서는, 패시베이션층(450)의 재료로 유전율(Dk)이 높은 절연성 수지를 사용할 수 있고, 또는 유전손실률(Df)이 낮은 절연성 수지를 사용할 수도 있다.
안테나(600)는 유전체(610)와 유전체(610)에 형성된 안테나 패턴(621, 622, 623)을 포함하는 칩 타입의 패치 안테나일 수 있다. 이러한 칩 타입의 패치 안테나가 독립적으로 메탈 구조체(400)의 관통부(400H)에 배치될 수 있다. 따라서, 안테나 모듈(800A)의 수율을 개선할 수 있다. 안테나(600)는 도 4에서와 같이 1 x 2의 배열로 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라서 1 x 4의 배열이나 2 x 2의 배열과 같이 다양한 형태로 배치될 수 있다.
유전체(610)는 유전체층(611, 612)과 유전체층(611, 612) 사이에 배치되어 양자를 접합하는 접합층(613)을 포함할 수 있다. 유전체층(611, 612)은 각각 높은 유전율(Dk)을 갖는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 유전체층(611, 612)은 각각 세라믹층 및/또는 세라믹-폴리머 복합층일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 유전체층(611, 612)은 PTFE 등의 높은 유전율(Dk)을 갖는 절연물질을 포함하는 절연층일 수도 있다. 세라믹-폴리머 복합층은 유기 바인더에 세라믹 필러가 분산된 것일 수 있다. 유기 바인더로는 PTFE나 에폭시 등의 폴리머가 이용될 수 있다. 세라믹 필러로는 SiO2, TiO2, Al2O3 등으로 구성되는 필러가 이용될 수 있다. 세라믹 필러의 모양은 각형이나 원형과 같은 다양한 모양이 적용될 수 있다. 세라믹 필러의 직경 50㎛ 이하일 수 있다. 세라믹-폴리머 복합층에는 필요에 따라서 유리섬유가 보강재로 포함될 수 있다. 접합층(613)은 유전체층(611, 612)보다 작은 유전율(Dk)을 가지며, 보다 우수한 접합력을 갖는 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 접합층(613)은 유전체층(611, 612)의 재료보다는 유전율(Dk)이 작은 PTFE나 에폭시 등의 폴리머를 포함할 수 있다. 접합층(613)의 두께는 유전체층(611, 612) 각각의 두께보다 얇을 수 있다.
안테나 패턴(620)은 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 기생 패턴(420)은 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 패치 패턴(621)은 배선 구조체(300) 내의 피딩 패턴과 피딩 비아를 통하여 RF 신호를 전달받아 두께 방향(z-방향)으로 송신할 수 있으며, 두께 방향으로 수신된 RF 신호를 배선 구조체(300) 내의 피딩 패턴과 피딩 비아를 통하여 전자부품(700), 예컨대 RFIC(710)로 전달할 수 있다. 패치 패턴(621)은 형태, 크기 높이, 절연층의 유전율과 같은 내재적 요소에 따른 내재적 공진 주파수, 예컨대 28GHz, 39GHz 등을 가질 수 있다. 예를 들어, 패치 패턴(621)은 배선 구조체(300) 내의 피딩 패턴과 피딩 비아를 통하여 전자부품(700), 예컨대 RFIC(710)과 전기적으로 연결됨으로써, 서로 편파인 H폴(Horizontal pole) RF 신호와 V폴(Vertical pole) RF 신호를 송수신할 수 있다. 커플링 패턴(622)은 패치 패턴(621)의 상측, 예컨대 두께 방향에 배치될 수 있다. 커플링 패턴(622)은 패치 패턴(621)과 평면 상에서 서로 적어도 일부가 중첩되도록 배치될 수 있다. 커필링 패턴(622)과 패치 패턴(621)의 전자기적 커플링에 의하여 상술한 내재적 공진 주파수에 인접한 추가 공진 주파수를 가질 수 있으며, 따라서 더욱 넓은 대역폭을 가질 수 있다. 패드 패턴(623, 624)은 안테나(600)를 배선 구조체(400)에 연결할 수 있다. 예를 들면, 패드 패턴(623)은 유전체층(611)을 관통하는 피딩 비아(630)를 통하여 패치 패턴(621)과 연결될 수 있으며, 접속비아(133)를 통하여 배선 구조체(400)의 제1영역(110)의 복수의 제1배선층(120)의 피딩 패턴과 연결될 수 있다. 또한, 패드 패턴(624)은 패드 패턴(623) 주위를 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 필요에 따라서 접속비아를 통하여 배선 구조체(400)의 제1영역(110)의 복수의 제1배선층(120)의 그라운드 패턴과 연결될 수 있다.
피딩 비아(630)는 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 피딩 비아(630)는 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 피딩 비아(630)는 금속물질로 완전히 충전될 수 있으며, 또는 금속물질이 비아홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 또한, 원기둥 형상이나 모래시계 형상 등 다양한 형을 가질 수 있다.
전자부품(700)은 다양한 종류의 능동부품 및/또는 수도부품을 포함할 수 있다. 예를 들면, 전자부품(700)은 RFIC(710), PMIC(Power Management Integrated Circuit, 720) 등을 포함할 수 있다. 또한, 칩 타입의 수동부품, 예를 들면, 칩 타입의 커패시터나 칩 타입의 인덕터 등을 포함할 수 있다. 이들 전자부품(700)은 연결금속(715, 725)을 통하여 배선 구조체(400)의 제2영역(200)의 복수의 제2배선층(220)의 적어도 일부와 각각 연결될 수 있다. 연결금속(715, 725)은 구리(Cu)보다 융점이 낮은 저융점 금속, 예를 들면, 주석(Sn)이나 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 솔더로 형성될 수 있으나, 이는 일례에 불과하며 재질이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5는 안테나 모듈의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 안테나 모듈(800B)은, 상술한 일례에 따른 안테나 모듈(800A)에 있어서, 배선 구조체(300)의 하면 상에 전자부품으로 IC(Integrated Circuit, 730)와 수동부품(740)이 표면실장 배치된다. IC(730)는 RFIC, PMIC 등을 포함할 수 있다. 수동부품(740)은 칩 타입의 커패시터, 칩 타입의 인덕터 등을 포함할 수 있다. IC(730)는 연결금속(735)을 통하여 표면실장 배치될 수 있다. 수동부품(740)도 솔더 등의 연결금속을 통하여 표면실장 배치될 수 있다. IC(730)는 배선 구조체(300)의 하면 상에 배치된 언더필 수지(750a)를 통하여 고정될 수 있다. 언더필 수지(750a)는 접착성을 갖는 공지의 절연성 수지, 예컨대 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 필요에 따라서는, 배선 구조체(300)의 하면 상에 인터포저(780)가 배치될 수 있다. 인터포저(780)는 IC(730) 및 수동부품(740) 등의 전자부품과 나란히 배치될 수 있다. 인터포저(780)는 상측의 연결금속(785)를 통하여 배선 구조체(400)의 제2영역(200)의 복수의 제2배선층(220)의 적어도 일부와 연결될 수 있다. 또한, 하측의 연결금속(787)를 통하여 메인보드와 같은 다른 종류의 인쇄회로기판에 연결될 수 있다. 예컨대, 인터포저(780)를 통하여 안테나 모듈(800B)이 메인보드 등에 실장될 수 있다. 인터포저(780)는 언더필 수지(750b)를 통하여 고정될 수 있다. 인터포저(780)는 절연수지를 절연바디로 하는 유기 인터포저일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 실리콘을 절연바디로 하는 실리콘 인터포저일 수도 있다. 인터포저(780)는 전자부품이 배치되는 관통부를 갖는 링 형태의 하나의 기판일 수도 있고, 또는 서로 이격되어 배치되는 복수의 유닛을 포함할 수도 있다. 그 외에 다른 내용은 상술한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 6은 안테나 모듈의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 안테나 모듈(800C)은, 상술한 다른 일례에 따른 안테나 모듈(800B)에 있어서, 배선 구조체(300)의 하면 상에 배치되며 전자부품, 예컨대 IC(730)와 수동부품(740)을 덮는 몰딩재(791)를 더 포함한다. 몰딩재(791)를 통하여 전자부품의 보호가 가능하다. 몰딩재(791)는 공지의 EMC(Epoxy Molding Compound)일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, ABF 등이 몰딩재(791)로 이용될 수도 있다. 그 외에 다른 내용은 상술한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 7은 안테나 모듈의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 안테나 모듈(800D)은, 상술한 다른 일례에 따른 안테나 모듈(800B)에 있어서, 배선 구조체(300)의 하면 상에 배치되며 전자부품, 예컨대 IC(730)와 수동부품(740)을 둘러싸는 쉴드캔(792)을 더 포함한다. 쉴드캔(792)을 통하여 EMI(Electro Magnetic Interference) 차폐가 가능하다. 쉴드캔(792)은 금속물질을 포함할 수 있다. 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등이 사용될 수 있다. 다만, 쉴드캔(792)의 재질이 금속으로 한정되는 것은 아니며, 예컨대 금속 분말을 포함하는 합성 수지 재질일 수도 있다. 필요에 따라서는, 배선 구조체(300)의 하면 상에 커넥터(795, 797)가 더 배치될 수 있다. 좌측 커넥터(795)는 RF 리셉터클일 수 있으며, 배선 구조체(400)의 제2영역(200)의 복수의 제2배선층(220)의 적어도 일부와 연결될 수 있다. 우측 커넥터(797)는 신호 및/또는 파워의 연결을 위한 커넥터일 수 있으며, 배선 구조체(400)의 제2영역(200)의 복수의 제2배선층(220)의 적어도 일부와 연결될 수 있다. 커넥터(795, 797)를 통하여 안테나 모듈(800D)이 메인보드와 같은 다른 종류의 인쇄회로기판에 연결될 수 있다. 그 외에 다른 내용은 상술한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
도 8은 안테나 모듈의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 안테나 모듈(800D)은, 상술한 일례에 따른 안테나 모듈(800A)에 있어서, 메탈 구조체(400)의 관통부(400H) 내에 방열부재(798)가 더 배치된다. 방열부재(798)는 안테나(300)와 나란하게 배치될 수 있다. 방열부재(798)는 안테나(300)와 접할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 양자는 물리적으로 이격될 수도 있다. 방열부재(798)를 통하여 보다 우수한 방열 효과를 기대할 수 있다. 방열부재(798)는 배선 구조체(300)의 제1영역(100)의 복수의 제1배선층(120) 중 적어도 일부, 예컨대 그라운드 패턴과 접속비아를 통하여 연결될 수 있다. 방열부재(798)는 TIM(Thermal Interface Material)을 포함할 수 있으며, 보다 우수한 방열 효과를 위하여, 예컨대 그래파이트계(Graphite-based) TIM을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 필요에 따라서는, 배선 구조체(300) 내의 적당한 위치에 방열부재(798)가 더 내장 및 배치될 수도 있다. 그 외에 다른 내용은 상술한 바와 실질적으로 동일한바, 자세한 설명은 생략한다.
본 개시에서 측부, 측면 등의 표현은 편의상 제1방향 또는 제2방향을 향하는 방향 또는 그 방향에서의 면을 의미하는 것으로 사용하였고, 상측, 상부, 상면 등의 표현은 편의상 제1 및 제2방향과 수직한 방향 또는 그 방향에서의 면을 의미하는 것으로 사용하였으며, 하측, 하부, 하면 등은 편의상 그 반대 방향을 향하는 방향, 또는 그 방향에서의 면을 의미하는 것으로 사용하였다. 더불어, 측부, 상측, 상부, 하측, 또는 하부에 위치한다는 것은 대상 구성요소가 기준이 되는 구성요소와 해당 방향으로 직접 접촉하는 것뿐만 아니라, 해당 방향으로 위치하되 직접 접촉하지는 않는 경우도 포함하는 개념으로 사용하였다. 다만, 이는 설명의 편의상 방향을 정의한 것으로, 특허청구범위의 권리범위가 이러한 방향에 대한 기재에 의하여 특별히 한정되는 것이 아니며, 상/하의 개념 등은 언제든지 바뀔 수 있다.
본 개시에서 연결된다는 의미는 직접 연결된 것뿐만 아니라, 접착제 층 등을 통하여 간접적으로 연결된 것을 포함하는 개념이다. 또한, 전기적으로 연결된다는 의미는 물리적으로 연결된 경우와 연결되지 않은 경우를 모두 포함하는 개념이다. 또한, 제1, 제2 등의 표현은 한 구성요소와 다른 구성요소를 구분 짓기 위해 사용되는 것으로, 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않는다. 경우에 따라서는 권리범위를 벗어나지 않으면서, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수도 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수도 있다.
본 개시에서 사용된 일례 라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일례들은 다른 일례의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일례에서 설명된 사항이 다른 일례에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일례에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일례에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어는 단지 일례를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

Claims (16)

  1. 복수의 절연층과 복수의 배선층을 포함하는 배선 구조체;
    상기 배선 구조체의 일면 상에 배치되며, 관통부를 갖는 메탈 구조체; 및
    상기 배선 구조체의 일면 상에 배치되며, 상기 관통부 내에 적어도 일부가 위치하는 안테나; 를 포함하는,
    안테나 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 메탈 구조체의 일면 및 타면 각각의 적어도 일부와 상기 관통부의 벽면의 적어도 일부를 덮는 절연재; 를 더 포함하는,
    안테나 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 메탈 구조체의 일면 상에 배치된 기생 패턴; 및
    상기 메탈 구조체를 관통하며, 상기 기생 패턴을 상기 복수의 배선층 중 적어도 일부와 연결하는 관통 비아; 를 더 포함하며,
    상기 절연재는, 상기 메탈 구조체 및 상기 관통 비아 사이, 그리고 상기 메탈 구조체 및 상기 기생 패턴 사이에 각각 적어도 일부가 배치된,
    안테나 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나는 유전체 및 상기 유전체에 형성된 안테나 패턴을 포함하는,
    안테나 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 유전체는 제1유전체층, 상기 제1유전체층 상에 배치된 제2유전체층, 및 상기 제1 및 제2유전체층 사이에 배치된 접합층을 포함하고,
    상기 안테나 패턴은 상기 제1유전체층의 일면 상에 배치되며 상기 접합층에 매립된 패치 패턴, 제1유전체층의 타면 상에 배치되며 상기 제1유전체층을 관통하는 피딩 비아를 통하여 상기 패치 패턴과 연결된 패드 패턴, 및 상기 제2유전체층의 일면 상에 배치된 커플링 패턴을 포함하며,
    평면 상에서 상기 패치 패턴은 상기 커플링 패턴과 적어도 일부가 중첩되는,
    안테나 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2유전체층은 각각 독립적으로 세라믹층 및 세라믹-폴리머 복합층 중 적어도 하나를 포함하는,
    안테나 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 복수의 배선층 중 적어도 일부와 접속비아로 연결된,
    안테나 모듈.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선 구조체의 타면 상에 배치되며, 상기 복수의 배선층 중 적어도 일부와 연결된 전자부품; 을 더 포함하며,
    상기 전자부품은 PMIC(Power Management Integrated Circuit), RFRC(Radio Frequency Integrated Circuit), 및 수동부품 중 적어도 하나를 포함하는,
    안테나 모듈.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 배선 구조체의 타면 상에 상기 전자부품과 나란히 배치되며, 상기 복수의 배선층 중 다른 적어도 일부와 연결된 인터포저; 를 더 포함하는,
    안테나 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 배선 구조체의 타면 상에 배치되며, 상기 전자부품을 덮는 몰딩재; 를 더 포함하는,
    안테나 모듈.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 배선 구조체의 타면 상에 배치되며, 상기 전자부품을 둘러싸는 쉴드캔; 을 더 포함하는,
    안테나 모듈.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 배선 구조체의 타면 상에 상기 전자부품과 나란히 배치되며, 상기 복수의 배선층 중 다른 적어도 일부와 연결된 커넥터; 를 더 포함하는,
    안테나 모듈.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선 구조체의 일면 상에 배치되며, 상기 관통부 내에 적어도 일부가 위치하는 방열부재; 를 더 포함하며,
    상기 방열부재는 TIM(Thermal Interface Material)을 포함하는,
    안테나 모듈.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 배선 구조체는 복수의 제1절연층 및 복수의 제1배선층을 포함하는 제1영역과, 복수의 제2절연층 및 복수의 제2배선층을 포함하는 제2영역을 포함하며,
    상기 제1영역은 상기 메탈 구조체 및 상기 제2영역 사이에 배치되며,
    상기 복수의 제1절연층 중 적어도 일부는 상기 복수의 제2절연층 중 적어도 일부보다 유전손실률(Df)이 작은 재료를 포함하는,
    안테나 모듈.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 복수의 제1절연층은 열가소성 수지층 및 열경화성 수지층이 교대로 적층된 적층체를 포함하며,
    상기 복수의 제1배선층은 피딩 패턴 및 그라운드 패턴을 포함하는,
    안테나 모듈.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 메탈 구조체는 구리(Cu)를 포함하는,
    안테나 모듈.
KR1020200036013A 2020-03-25 2020-03-25 안테나 모듈 KR20210119656A (ko)

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