KR20210113950A - 기판 처리 장치 및 도전성 배관 열화 정도 판정 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 도전성 배관 열화 정도 판정 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는, 도전성 배관의 도전성의 열화를 용이하게 정밀도 좋게 검출하는 것을 목적으로 한다.
기판 처리 장치는, 기판 유지부와, 노즐부와, 노즐부에 처리액을 공급하는 도전성 배관과, 도전성 배관을 기준 전위에 접속하는 그라운드 라인과, 기판 유지부의 주위에 설치되고, 노즐부로부터 토출된 액체를 받는 액받이부와, 도전성 배관의 도전성의 열화 정도를 측정하기 위한 열화 정도 측정부를 구비하고, 열화 정도 측정부는, 도전성 배관에 측정용 액체를 공급하여, 노즐부로부터 측정용 액체를 토출시키는 측정용 액체 공급부와, 액받이부의 접액면과 기준 전위 사이에 전위차를 부여하는 전위차 부여부와, 측정용 액체가 노즐부로부터 액받이부에 토출되고 있을 때에, 액받이부의 접액면과 상기 그라운드 라인 사이에 측정용 액체를 통해 확립된 전하 이동 경로를 흐르는 전류의 전류값을 측정하는 전류계를 갖는다.

Description

기판 처리 장치 및 도전성 배관 열화 정도 판정 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR DETERMINING DETERIORATION DEGREE OF CONDUCTIVE PIPE}
본 개시는, 기판 처리 장치 및 도전성 배관의 열화 정도를 판정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에는, 기판에 노즐로부터 처리액을 공급함으로써 기판에 액처리를 행하는 액처리 공정이 포함된다. 처리액에 의한 손상의 방지, 및 배관 내부를 흐르는 처리액과의 마찰에 의한 대전을 방지한다는 관점에서, 노즐에 처리액을 공급하는 배관으로서, PFA 등의 불소계 수지에 스트라이프 형상의 카본 등의 도전성 부재를 내장한 도전성 배관이 종종 이용된다(예컨대 특허문헌 1을 참조).
일본 특허 공개 제2003-278972호 공보
본 개시는, 도전성 배관의 도전성의 열화를 용이하게 정밀도 좋게 검출하는 기술을 제공하는 것이다.
기판 처리 장치의 일 실시형태는, 기판을 처리하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판에 처리액을 토출하는 노즐부와, 상기 노즐부에 접속되고, 상기 노즐부에 처리액을 공급하는 도전성 배관과, 상기 도전성 배관을 기준 전위에 접속하는 그라운드 라인과, 상기 기판 유지부의 주위에 설치되고, 상기 노즐부로부터 토출된 액체를 받는 액받이부와, 상기 도전성 배관의 도전성의 열화 정도를 측정하는 열화 정도 측정부를 구비하고, 상기 열화 정도 측정부는, 상기 도전성 배관에 측정용 액체를 공급하여, 상기 노즐부로부터 상기 측정용 액체를 토출시키는 측정용 액체 공급부와, 상기 액받이부의 접액면과 상기 기준 전위 사이에 전위차를 부여하는 전위차 부여부와, 상기 측정용 액체가 상기 노즐부로부터 상기 액받이부에 토출되고 있을 때에, 상기 액받이부의 접액면과 상기 그라운드 라인 사이에 상기 측정용 액체를 통해 확립된 전하 이동 경로를 흐르는 전류의 전류값을 측정하는 전류계를 갖는다.
본 개시에 따르면, 도전성 배관의 도전성 열화를 용이하게 정밀도 좋게 검출할 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 횡단면도이다.
도 2는 처리 유닛에 포함되는 열화 정도 측정부의 제1 실시형태의 구성을 나타낸 개략도이다.
도 3은 도전성 배관의 내부 구조의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4는 전극 근방의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 5는 열화 정도를 측정하기 위한 절차를 나타낸 타임 차트이다.
도 6a는 열화 정도를 측정하기 위한 절차를 나타낸 개략도이다.
도 6b는 열화 정도를 측정하기 위한 절차를 나타낸 개략도이다.
도 6c는 열화 정도를 측정하기 위한 절차를 나타낸 개략도이다.
도 6d는 열화 정도를 측정하기 위한 절차를 나타낸 개략도이다.
도 6e는 열화 정도를 측정하기 위한 절차를 나타낸 개략도이다.
도 6f는 열화 정도를 측정하기 위한 절차를 나타낸 개략도이다.
도 7a는 열화 정도의 측정 조건에 대해서 설명하기 위한 그래프이다.
도 7b는 열화 정도의 측정 조건에 대해서 설명하기 위한 그래프이다.
도 7c는 열화 정도의 측정 조건에 대해서 설명하기 위한 그래프이다.
도 8은 처리 유닛에 포함되는 열화 정도 측정부의 제2 실시형태의 구성을 나타낸 개략도이다.
기판 처리 장치의 일 실시형태를, 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타낸 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입/반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입/반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.
반입/반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 그리고 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 그리고 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터로서, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입/반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내고, 꺼낸 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 꺼내어져 처리 유닛(16)으로 반입된다.
처리 유닛(16)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리 완료된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
다음에, 도 2를 참조하여 처리 유닛(16)의 구성에 대해서 설명한다.
처리 유닛(16)은, 기판 유지부로서의 스핀척(20)을 갖는다. 스핀척(20)은, 기판(W), 예컨대 반도체 웨이퍼를 수평 자세로 유지하는 기판 유지체(22)와, 기판 유지체(22)를 수직 축선 주위로 회전시키는 회전 구동부(24)를 갖는다. 기판 유지체(22)는, 진공척 또는 메커니컬척 중 어느 하나여도 좋다. 기판(W)에는, 적어도 하나의 노즐부(100)로부터 처리액이 공급된다. 기판 유지체(22)의 주위는, 액받이 컵(26)에 의해 포위되어 있다. 액받이 컵(26)은, 노즐부(100)로부터 기판(W)으로 공급된 후에 기판(W)으로부터 이탈한 처리액을 회수한다.
노즐부(100)는, 도시하지 않은 노즐 이동 기구에 의해, 스핀척(20)에 유지된 기판(W)의 위쪽의 처리 위치와, 액받이 컵(26)의 외측에 설치된 더미 디스펜스 포트(150)의 바로 위의 후퇴 위치 사이를 이동할 수 있다. 도시하지 않은 노즐 이동 기구는, 예컨대 노즐부(100)[및 후술하는 도전성 배관(102)]를 유지하는 선회식 아암을 구비한다. 도 2의 왼쪽 상측에는 처리 위치에 있는 노즐부(100)가 개략적으로 도시되어 있고, 도 2의 중앙부에는 후퇴 위치에 있는 노즐부(100)가 개략적으로 도시되어 있다.
노즐부(100)는, 도전성 배관(102)의 선단부에 의해 구성할 수 있다. 이 경우, 도전성 배관(102)의 선단 개구가 노즐부(100)의 토출구가 된다.
상기한 것 대신에, 노즐부(100)는, 도전성 배관(102)의 선단에 부착된 도전성 배관(102)과는 별체의 부재여도 좋다. 이 경우, 노즐부(100)는, 높은 내약품성을 갖는 불소계 수지(예컨대 PFA, PTFA 등)에 의해 구성할 수 있다.
도전성 배관(102)의 구성의 일례가 도 3에 도시되어 있다. 도 3의 예에서는, 도전성 배관(102)은, 불소계 수지를 포함하는 비도전성의 관본체(102A)와, 관본체(102A)에 설치된 도전성의 4개의 H형 단면 스트립(102B)으로 구성되어 있다. 스트립(102B)은, 예컨대, 도전성 입자 예컨대 카본 블랙이 혼련된 PFA 등의 불소계 수지로 형성할 수 있다. 도전성 배관(102)은, 다른 구성을 갖고 있어도 좋다. 예컨대, 도전성 배관(102)의 전체가, 도전성 입자가 혼입된 불소계 수지로 형성되어 있어도 좋다.
이하에서는, 노즐부(100)가 도전성 배관(102)의 선단부에 의해 구성되어 있는 경우에 대해서 설명한다.
도전성 배관(102)의 상류단은, 절연성 재료(예컨대 불소계 수지)를 포함하는 관이음(104)을 통해, 절연성 재료(예컨대 불소계 수지)를 포함하는 비도전성 배관(106)에 접속되어 있다. 비도전성 배관(106) 상의 분기점(108)으로부터, 적어도 하나의 비도전성 처리액 공급 배관(110P)이 분기되어 있다. 처리액 공급 배관(110P)의 상류단은, 처리액 공급원(112P)에 접속되어 있다. 처리액 공급 배관(112P)에는, 개폐 밸브, 유량계, 유량 제어 밸브 등을 포함하는 흐름 제어 기구(114P)가 개재되어 있다. 기판(W)에 액처리가 행해질 때에는, 처리액 공급원(112P)으로부터, 처리액(예컨대 SPM 등의 약액)이 처리액 공급 배관(110P)을 통해 노즐부(100)에 공급된다.
비도전성 배관(106)의 상류단은, 측정용 액체 공급원(116)에 접속되어 있다. 분기점(108)과 측정용 액체 공급원(116) 사이에, 개폐 밸브(118), 예컨대 에어 오퍼레이션 밸브가 개재되어 있다. 측정용 액체의 전기 저항률은 가능하면 높은 것이 바람직하고, 적합한 측정용 액체로서는 DIW[탈이온수(순수라고도 부름)]가 예시된다. 부재(116, 118)는 측정용 액체 공급부를 구성한다.
또한, 노즐부(100)로부터 토출되는 처리액이 충분히 높은 전기 저항률을 갖고 있는 경우에는, 상기 처리액을 측정용 액체로서 겸용할 수 있다. 이 경우, 처리액 공급부(110P, 112P, 114P)를 측정용 액체 공급부로서 이용하는 것도 가능하다.
노즐부(100)로부터 상류측으로 떨어진 위치[예컨대 관이음(104) 근방]에 있어서, 도전성 배관(102)에는 그라운드선(그라운드 라인)(120)의 일단이 전기적으로 접속되어 있다. 그라운드선(120)의 타단은, 기준 전위점(기준 전위)(FG)에 전기적으로 접속되어 있다. 도전성 배관(102)이 도 3에 도시된 바와 같은 구성을 갖고 있는 경우에는, H형 단면 스트립(102B)의 도전성 배관(102)의 외주면에 노출되어 있는 외측 부분(102C)이, 그라운드선(120)에 접속된다. 기준 전위점은, 예컨대 기판 처리 시스템(1)의 도시하지 않은 금속제 프레임(머신 케이싱)이며, 프레임 그라운드(FG)라고도 불린다. 금속제 프레임은 바람직하게는 대지 어스에 접속되어 있다. 그라운드선(120)은, 후술하는 열화 정도 측정부에 관련된 디바이스를 설치하기 위해 이용된다.
처리 유닛(16) 내에서 기판(W)에 액처리가 행해질 때에, 도전성 배관(102)의 관본체(102A)의 내면과, 도전성 배관(102)을 통과하는 처리액과의 마찰에 의해 정전기가 발생하는 경우가 있다. 정전기(전하)가 스트립(102B)의 처리액에 접하는 내측 부분(102D)으로부터 외측 부분(102C)으로 이동하고, 그라운드선(120)을 통해 프레임 그라운드로 방출됨으로써, 처리액이 제전(除電)된다. 이것에 의해, 기판(W)에 형성된 디바이스의 정전 파괴, 혹은 인화성 처리액의 발화를 방지할 수 있다.
스트립(102B)의 내측 부분(102D)의 표면(처리액에 접하는 면) 근방에 있는 도전성 입자는, 도전성 배관(102)의 내부에 처리액을 흐르게 함으로써 서서히 탈락해 나간다. 내측 부분(102D)의 표면 근방의 도전성 입자가 탈락한 부분에서는, 다수의 구멍을 갖는 수지 재료가 남는다. 이 부분의 도전성은 매우 낮다. 이러한 도전성 입자가 탈락한 부분의 체적이 증가함에 따라, 스트립(102B)의 내측 부분(102D)의 표면으로부터 외측 부분(102C) 사이의 저항이 증대하여, 제전 성능이 열화되게 된다. 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에는, 도전성 배관(102), 특히 해당 스트립(102B)의 도전성의 열화 정도를 검출하기 위한 열화 정도 측정부가 설치되어 있다.
이하, 열화 정도 측정부의 제1 실시형태에 대해서 설명한다.
더미 디스펜스 포트(150)에는, 배액용 배관(152)이 접속되어 있다. 더미 디스펜스 포트(150) 및 배액용 배관(152)을 합쳐 「액받이부」라고도 부르기로 한다. 더미 디스펜스 포트(150) 및 배액용 배관(152)은, 유전체 재료에 의해 형성되어 있다. 유전체 재료는, 예컨대 PFA, PTFE 등의 불소계 수지로 할 수 있다. 더미 디스펜스 포트(150) 및 배액용 배관(152)의 구성 및 재료는, 일반적인 기판 처리 유닛에 이용되고 있는 것과 같은 것이어도 상관없다.
배액용 배관(152)의 더미 디스펜스 포트(150) 근방 부분의 외면에 근접하여, 도전성 재료를 포함하는 전극(160)이 설치되어 있다. 전극(160)에는, 전압 인가부(130)(도 2에 있어서 일점쇄선으로 둘러싼 부분)에 의해 전압이 인가된다.
전압 인가부(130)의 구성에 대해서 이하에 설명한다. 전압 인가부(130)는 고전압 직류 전원(132)을 구비한다. 고전압 직류 전원(132)은, 전극(160)에, 프레임 그라운드(FG)에 대한 제어된 소망의 전위(예컨대 수 kV)를 부여할 수 있도록 구성되어 있다. 고전압 직류 전원(132)의 정극이 제1 도전선(제1 도전 라인)(134)을 통해 전극(160)에 전기적으로 접속되고, 부극이 그라운드선(136)을 통해 프레임 그라운드(기준 전위점)에 전기적으로 접속되어 있다. 고전압 직류 전원(132)의 정극 및 부극의 접속처가 반대여도 좋다.
제1 도전선(134)에는 제1 스위치(138)가 개재되어 있다. 제1 도전선(134)에 설정된 분기점(140)은, 그라운드선(제2 도전 라인)(142)을 통해 프레임 그라운드(기준 전위점)에 전기적으로 접속되어 있다.
그라운드선(142)에는 제2 스위치(144) 및 저항(146)(바람직하게는 가변 저항)이 개재되어 있다. 전극(160)의 전위를 측정하기 위해, 전위계(148)가, 전극(160)에 직접적으로 접속되거나 또는 제1 도전선(134)의 전극(160)과 제1 스위치(138) 사이의 구간의 임의의 위치에 접속되어 있다. 도 2에서는, 전위계(148)는 접촉식 전위계로서 기재되어 있지만, 전위계(148)로서 비접촉식 표면 전위계를 이용할 수도 있다. 전위계(148)는, 전압 인가부(130)에 있어서의 누전의 유무를 확인하기 위해 이용할 수도 있다.
제1 스위치(138) 및 제2 스위치(144)는 노멀 클로즈의 접점(「B 접점」이라고도 불림)인 것이 바람직하다. 이렇게 함에 따라, 기판 처리 시스템(1)의 전원 계통에 문제가 발생했을 때에 전극(160)을 확실하게 제전할 수 있기 때문에, 메인터넌스 작업자의 안전상의 관점에서 바람직하다. 또한, 제1 스위치(138) 및 제2 스위치(144)에는 수 kV의 고전압이 인가되기 때문에, 리드 스위치(리드 릴레이) 등의 고전압에 견딜 수 있는 스위치를 이용하는 것이 바람직하다.
열화 정도 측정부는, 저항(122), 바람직하게는 가변 저항과, 전류계(124)를 더 구비한다. 저항(122) 및 전류계(124)는, 전술한 그라운드선(120)에 설치되어 있다. 전류계(124)로서, 마이크로 암페어 오더의 미소 전류를 검출할 수 있는 것을 이용하는 것이 바람직하다. 저항(122)으로서는, 예컨대 100 MΩ 정도의 저항값을 갖는 것을 이용할 수 있다.
열화 정도 측정부는, 컨트롤러(180)를 더 구비한다. 컨트롤러(180)는, 적어도 전압 인가부(130)의 동작 및 개폐 밸브(118)의 동작을 제어할 수 있다. 컨트롤러(180)는, 전위계(148) 및 전류계(124)의 검출 신호를 수취한다. 컨트롤러(180)는 전류계(124)의 검출 결과에 기초하여, 도전성 배관(102)의 저항값을 구하는 연산부로서의 기능을 갖는다. 이 연산부의 기능에는, 저항값에 기초하여 도전성 배관(102)의 스트립(102B)의 건전성(도전성)을 판정하는 기능이 포함되어 있어도 좋다.
도 4에는, 전극(160) 주위의 구성의 일례가 도시되어 있다. 배액용 배관(152)의 더미 디스펜스 포트(150) 근방 부분의 외면에 근접하여, 원호형의 전극(160)이 설치되어 있다. 전극(160)에는, 제1 도전선(134)으로서의 실드 전선이 접속되어 있다. 배액용 배관(152)은, 절연 파괴가 생기지 않는 한 되도록이면 얇게 하는 것이 바람직하고, 그렇게 함으로써 저항의 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 전극(160)은, 금속, 도전성 고무 등의 도전성 재료에 의해 형성할 수 있다. 누전 방지의 관점에서, 절연재(162)가 전극(160)의 외측에 설치되어 있다.
다음에, 열화 정도 측정부의 동작에 대해서 도 5, 도 6a, 도 6b, 도 6c, 도 6d, 도 6e, 도 6f를 참조하여 설명한다. 열화 정도 측정부에 의한 저항 측정 조작은, 컨트롤러(180)의 제어 하에 실행된다. 컨트롤러(180)는 도 1에 도시된 제어 장치(4)의 일부여도 좋다. 컨트롤러(180)의 메모리부에는, 저항 측정 조작의 절차를 정의한 레시피가 기억되어 있고, 컨트롤러(180)는, 레시피에 따라, 이하에 설명하는 저항 측정 조작을 처리 유닛(16)[혹은 기판 처리 시스템(1)]에 실행시킨다.
도 5는 열화 정도 측정부의 동작을 설명하기 위한 타임 차트이다. 횡축이 시간 경과를 나타내고 있다. 「SW1」은 제1 스위치(138)의 상태, 「SW2」는 제2 스위치(144)의 상태를 나타내고 있고, 빈틈없이 칠해져 있는 부분은 스위치가 폐쇄 상태에 있는 것을 나타내고 있다. 「HV」는 고전압 직류 전원(132)의 상태를 나타내고 있고, 빈틈없이 칠해져 있는 부분은 고전압 직류 전원(132)이 전압을 출력하고 있는 것을 나타내고 있다. 「AOV」는 개폐 밸브(118)의 상태를 나타내고 있고, 빈틈없이 칠해져 있는 부분은 개폐 밸브(118)가 개방되어 노즐부(100)로부터 측정용 액체가 토출되고 있는 것을 나타내고 있다. 「V」는 전극(160)의 전위를 나타내고 있다. 「μA」는 전류계(124)에 의한 검출 전류를 나타내고 있다. 「SW1」, 「SW2」, 「HV」, 「AOV」, 「V」, 「μA」의 정의는 도 6a∼도 6f에 있어서도 동일하다.
도 6a에는 시점 t0에 있어서의 상태, 즉 초기 상태를 나타내고 있다. 고전압 직류 전원(132)(HV)은 OFF 상태이며, 제1 스위치(138)(SW1) 및 제2 스위치(144)(SW2)는 폐쇄 상태이다. 전극(160)의 전위는 0 V이다(단계 1).
다음에, 시점 t1에 있어서, 제1 스위치(138)를 폐쇄 상태로 유지한 채, 제2 스위치(144)를 개방 상태로 한다(단계 2).
다음에, 시점 t2에 있어서, 고전압 직류 전원(132)을 ON 상태로 하고, 소정의 전압을 전극(160)에 인가하여 전극(160)을 플러스로 대전시킨다(단계 3). 이 때의 상태가 도 6b에 도시되어 있다. 즉, 플러스로 대전된 전극(160)이 형성하는 전기장에 의해 액받이부[도시한 예에서는 배액용 배관(152)]에 유전 분극이 생겨, 배액용 배관(152)의 접액면[노즐부(100)로부터 토출된 액이 닿는 면]이 플러스로 대전된다. 이때, 전극(160)이 의도한 전위에 있는 것을 전위계(148)에 의해 확인할 수 있다. 이를 대신하여 고전압 직류 전원(132)의 전압 모니터에 의해 전극(160)이 의도한 전위에 있는 것을 확인하여도 좋다.
전위계(148)에 의한 검출 전압은 컨트롤러(180)에 보내지고, 컨트롤러(180)는, 검출 전압이 목표값에 도달하면 다음 단계를 실행한다. 소정의 시간이 경과하여도 검출 전압이 목표값에 도달하지 않는 경우에는, 컨트롤러(180)는, 전압 인가부(130)에 이상[예컨대 누전 혹은 고전압 직류 전원(132)의 고장 등]이 발생하는 것으로 판단하여, 사용자 인터페이스(도시하지 않는 디스플레이 등)를 통해 알람을 발생시킨다.
또한, 제1 스위치(138) 및 제2 스위치(144)에는 접점 수명이 있기 때문에, 이들 스위치의 개폐 횟수를 컨트롤러(180) 또는 상위 컨트롤러로 카운트해 두는 것이 바람직하다. 카운트수가 소정 횟수에 도달하면, 사용자 인터페이스를 이용하여, 오퍼레이터에게 스위치(138, 144)의 교환을 재촉하여도 좋다.
검출 전압이 목표값에 도달한 후의 시점 t3에 있어서, 제1 스위치(138)를 개방 상태로 하고, 전극(160)을 대전시킨 채 플로우팅 상태로 한다(단계 4). 이 때에도 계속해서 전위계(148)에 의한 전극(160)의 전위의 감시를 계속한다.
전극(160)의 전위가 계속해서 목표값에 있는 것이 확인된 후, 시점 t4에 있어서, 개폐 밸브(118)를 개방하고, 도전성 배관(102) 및 노즐부(100)를 통해 더미 디스펜스 포트(150)에 측정용 액체를 토출한다. 이때, 측정용 액체는, 노즐부(100)의 토출구로부터 더미 디스펜스 포트(150) 상의 측정용 액체의 착액점(着液点)까지 연속적으로 연장되는 액기둥이 형성되도록 토출된다. 즉, 측정용 액체가 단속적인 복수의 액적을 형성하도록 토출되어서는 안된다.
상기한 바와 같이 측정용 액체를 노즐부(100)로부터 토출함으로써, 이하의 구간을 포함하는 전자가 이동할 수 있는 경로(이하, 「전하 이동 경로」라고도 부름)가 확립된다.
- 프레임 그라운드(FG)로부터 그라운드선(120)을 거쳐 그라운드선(120)의 도전성 배관(102)에의 접속점[상세하게는, 도전성 배관(102)의 외측 부분(102C)에 대한 그라운드선(120)에의 접속점]까지의 제1 구간
- 도전성 배관(102)의 내부를 흐르는 측정용 액체와, 도전성 스트립(102B)의 내측 부분(102D)과의 접촉 계면으로부터, 유동하는 측정용 액체를 거쳐 더미 디스펜스 포트(150) 혹은 배액용 배관(152) 내에서 측정용 액체의 전극(160) 근방을 흐르고 있는 부분까지 이르는 제2 구간[제2 구간은 제1 구간에 대하여 도전성 스트립(102B)을 통해 전기적으로 접속되어 있음]
상기한 전하 이동 경로가 확립된 순간[이 순간은 측정용 액체가 전극(160) 근방을 처음으로 통과한 순간이기도 함]에, 정전 유도에 의해, 프레임 그라운드(FG)로부터 전자가 전극(160)의 근방에 존재하는 측정용 액체로 이동한다. 즉, 그라운드선(120)을 통해 프레임 그라운드(FG)를 향해 전류가 순간적으로 흐른다. 이 전류(A)가, 전류계(124)에 의해 계측된다(단계 5). 이 상태가 도 6c에 도시되어 있다.
상기한 전류(A)는, 극히 단시간에 흐르는 펄스형 전류이다. 이러한 전류를 확실히 검출하기 위해, 전류계(124) 그 자체, 혹은 전류계(124)의 검출값을 수취하는 컨트롤러(180)가, 피크 홀드 기능을 갖고 있는 것이 바람직하다. 전류(A)의 피크값을, 이하, 피크 전류(AP)라고 부른다.
또한, 전류(A)[피크 전류(AP)]는, 전극(160)의 전위에 의존하여 변화된다. 이 때문에, 단계 5에 있어서의 측정용 액체의 토출 시점 전후의 어느 정도의 기간에 있어서, 전위계(148)에 의한 전극(160)의 전위의 감시를 계속적으로 행하는 것도 바람직하다. 전극(160)의 전위와 전류계(124)의 검출값과의 관계를 미리 실험에 의해 구해 두고, 이 관계에 기초하여 전류계(124)의 검출값을 보정함으로써, 보다 정확하게 저항의 측정을 행할 수 있다.
그 후, 시점 t5에 있어서, 고전압 직류 전원(132)을 OFF 상태로 전환한다(단계 6). 이때의 상태가 도 6d에 도시되어 있다. 또한, 이때, 전극(160) 근방의 전하의 분포는 안정되고 있어, 그라운드선(120)에 전류는 흐르지 않는다.
다음에, 시점 t6에 있어서, 노즐부(100)로부터의 측정용 액체의 토출을 계속하면서, 제2 스위치(144)를 폐쇄 상태로 하여 전극(160)과 프레임 그라운드를 전기적으로 접속한다. 이것에 의해, 전극(160)의 전위가 급격하게 0 V까지 저하된다. 이것에 따라, 정전 유도에 의해, 전자가, 전술한 전하 이동 경로를 통해 전극(160)으로부터 멀어지는 방향으로 이동하고, 그라운드선(120)을 통해 프레임 그라운드로 이동한다. 즉, 프레임 그라운드(FG)로부터 그라운드선(120)을 통해 도전성 스트립(102B)에 전류가 순간적으로 흐른다. 이 전류(B)가, 전류계(124)에 의해 계측된다(단계 7). 이때의 상태가 도 6e에 도시되어 있다. 전류(B)도 극히 단시간에 흐르는 펄스형의 전류이다. 전류(B)의 피크값을, 이하, 피크 전류(BP)라고 부른다.
그라운드선(142)에는 저항(146)이 설치되어 있기 때문에, 제2 스위치(144)를 폐쇄 상태로 한 순간에 전류계(124)에 유입할 수 있는 서지 전류를 최소화할 수 있고, 이 때문에, 전류계(124)의 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 프레임 그라운드에 접속되어 있는 다른 전자 기기를 서지 전류로부터 보호할 수 있다. 저항(146)의 저항값은, 예컨대 수십 MΩ 정도로 할 수 있다.
다음에, 시점 t7에 있어서, 노즐부(100)로부터의 측정용 액체의 토출을 계속하면서, 제1 스위치(138)를 ON 상태로 한다(단계 8). 이때의 상태가 도 6f에 도시되어 있다. 이것에 의해, 더미 디스펜스 포트(150)의 대전을 최소화할 수 있다. 이것은, 다음 측정 사이클에 있어서의 측정 정밀도의 향상에 기여한다.
다음에, 시점 t8에 있어서, 개폐 밸브(118)를 폐쇄하여 노즐부(100)로부터의 측정용 액체의 토출을 정지한다(단계 9). 이상으로 하나의 측정 사이클이 종료된다.
상기한 단계 1∼단계 9의 측정 사이클을 복수회 반복한다.
컨트롤러(180)는, 각 측정 사이클에 있어서 피크값(AP)의 절대값과 피크값(BP)의 절대값의 합(|AP|+|BP|)을 산출하고, 전체 사이클에 있어서의 합(|AP|+|BP|)의 평균값을 구한다. 이 평균값에 기초하여, 도전성 배관(102)의 도전성 스트립(102B)의 열화 정도를 구할 수 있다.
대략 허용 한계의 열화가 발생하고 있는 도전성 배관(102)에 대하여 상기한 측정을 행함으로써, 상기 평균값의 허용 한계값을 알 수 있다. 따라서, 상기 평균값과 허용 한계값의 비교에 기초하여, 도전성 배관(102)의 교환 필요성을 판단할 수 있다.
또한, 복수 사이클의 측정값의 평균값 대신에, 1사이클의 측정값에 의해 도전성 스트립(102B)의 열화 정도를 판정하여도 좋다.
전극(160)에의 인가 전압을 전류계(124)의 검출 전류값(예컨대 상기한 합(|AP|+|BP|)으로 나눈 값을 저항값(겉보기 저항값)으로서 취급하고, 이 저항값에 기초하여 도전성 스트립(102B)의 열화 정도를 판단하여도 좋다. 단, 전극(160)에의 인가 전압을 일정하게 유지할 수 있다면, 전류계(124)의 검출 전류값만을 기초하여 도전성 스트립(102B)의 열화 정도를 판단할 수 있기 때문에, 전류계(124)의 검출 전류값 그 자체를 도전성 스트립(102B)의 열화 정도의 판정 기준으로 하여도 상관없다.
다음에, 그라운드선(120)에 설치된 저항(122)의 저항값의 설정에 대해서 설명한다. 상기한 전하 이동 경로에 있어서 도전성 스트립(102B)과 저항(122)이 직렬로 접속되어 있다. 이 때문에, 저항(122)의 저항값이, 도전성 스트립(102B)의 저항값보다 대폭 큰 경우에는, 도전성 스트립(102B)의 열화 정도의 지표가 되는 도전성 스트립(102B)의 저항값이 다소 변동했다고 해도 전류계(124)에 의해 측정되는 전류값은 거의 변화하지 않게 된다. 도전성 스트립(102B)의 열화에서 기인한 도전성 스트립(102B)의 저항값 변화량은 대략 400 MΩ 정도이기 때문에(이 값은 일례임), 저항(122)의 저항값을 400 MΩ보다 대폭 높게 설정하는 것은 피해야 한다.
한편, 저항(122)의 저항값이 지나치게 낮은 것[저항(122)이 존재하지 않는 경우도 포함함]에는 다른 문제가 발생할 수 있다. 이 점에 관해서, 도 7a의 그래프를 참조하여 설명한다. 도 7a의 그래프에 있어서, 횡축은, 도전성 스트립(102B)의 내측 부분(102D)의 표면으로부터 그라운드선(120)의 프레임 그라운드에 대한 접속점까지의 저항값(R), 종축은 상기 단계 5에 있어서 전류계(124)에 의해 측정된 전류값(I)이다.
옴의 법칙으로부터, 전류계(124)에 의해 측정되는 전류값은, 저항(122)의 저항값과 도전성 스트립(102B)의 저항값[상세하게는, 내측 부분(102D)과 외측 부분(102C) 사이의 저항값]의 합에 반비례한다. 이 때문에, 저항(122)이 존재하지 않거나 혹은 저항(122)이 지나치게 낮은 경우에는(예컨대 도 7a의 영역 P), 도전성 스트립(102B)의 저항값의 근소한 변화에 의해 전류계(124)의 측정값이 지나치게 크게 변화하게 된다. 이 경우, 측정 조건의 근소한 변동(예컨대 측정용 액체의 전리도의 변화 등)에 의해 전류계(124)의 측정값이 크게 변화하고, 나아가서는 얻어지는 저항 데이터가 불안정해진다.
저항(122)의 저항값은, 도전성 스트립(102B)의 저항값의 변화에 대하여 전류계(124)의 측정값이 안정적으로 변화하고, 또한, 도전성 스트립(102B)의 저항값의 변화에 대한 전류계(124)의 측정값의 변화가 충분히 커지도록(단 지나치게 커지지 않도록) 결정하는 것이 바람직하다(예컨대 도 7a의 영역 Q). 도전성 스트립(102B)의 열화에서 기인한 도전성 스트립(102B)의 저항값 변화량이 전술한 바와 같이 대략400 MΩ 정도인 경우에는, 저항(122)의 저항값은 100 MΩ 정도(이 값은 일례임)로 하는 것이 바람직하다.
도 7b는 손상을 받고 있지 않는 도전성 배관(102)을 이용하여, 측정용 액체로서 DIW를 이용하고, 또한, 저항(122)으로서 가변 저항을 이용한 경우에 있어서의, 저항(122)의 저항값과 전류계(124)의 측정값의 관계를, 전극(160)에의 인가 전압마다 측정한 시험 결과를 나타낸 그래프이다. 가변 저항의 저항값은, 직렬로 접속된 도전성 스트립(102B) 및 저항(122)의 저항값의 합과 실질적으로 등가인 것으로 간주할 수 있다. 즉, 가변 저항의 저항값을 변화시킴으로써 도전성 스트립(102B)의 저항(손상) 변화를 시뮬레이션할 수 있게 된다. 전극(160)에의 인가 전압이 높을수록, 저항값-전류값 선도의 기울기가 큰 것을 알 수 있다. 이것은 도전성 스트립(102B)의 손상의 변화를 보다 감도 좋게 검출할 수 있는 것을 의미한다.
도 7c는 도 7b에서 설명한 시험과 동일한 시험 설비를 이용하여, 저항(122)의 저항값과 전류계(124)의 측정값의 관계를, 노즐부(100)로부터 더미 디스펜스 포트(150)를 향해 토출하는 DIW의 유량마다 측정한 시험 결과를 나타낸 그래프이다. DIW 유량이 큰 쪽이 저항값-전류값 선도의 기울기가 커서, 도전성 스트립(102B)의 손상을 보다 감도 좋게 검출할 수 있는 것을 알 수 있다. DIW 유량이 큰 쪽이, 더미 디스펜스 포트(150) 및 배액용 배관(152) 내에 존재하는 측정용 액체(DIW)의 표면적이 커지기 때문에, 유도 전류도 커지는 것으로 생각된다. 이것은, 각 측정에 있어서, 측정용 액체의 유량을 동일한 값으로 유지해야 하는 것을 의미한다.
도 8에는 열화 정도 측정부의 제2 실시형태가 도시되어 있다. 제2 실시형태에서는, 더미 디스펜스 포트(150) 및 배액용 배관(152)[상세하게는, 적어도 후술하는 제1 단자(171)가 접속되는 부분]이 도전성 재료로 형성되어 있다. 열화 정도 측정부는, 저항계(170)를 구비하고, 저항계(170)의 제1 단자(171)가 배액용 배관(152)에 전기적으로 접속되며, 제2 단자(172)가 그라운드선(120)에 전기적으로 접속되어 있다. 제2 단자(172)는, 도전성 배관(102)의 스트립(102B)의 외측 부분(102C)에 접속하여도 좋다.
이 제2 실시형태에서는, 측정용 액체를 노즐부(100)로부터 계속해서 토출하면서, 저항계(170)에 의해, 제1 단자(171)와 제2 단자 사이의 저항을 측정하고, 저항값에 기초하여 도전성 배관(102)의 열화 정도를 판단할 수 있다.
또한, 주지한 바와 같이, 저항계는, 저항 측정 구간에 전압을 인가하는 전압 인가부와, 저항 측정 구간을 흐르는 전류를 측정하는 전류 측정부(전류계)를 포함하며, 전압과 전류와의 관계에 기초하여 저항 측정 구간의 저항을 측정하는 기기이다.
제2 실시형태의 열화 정도 측정부는 구조가 단순하기 때문에, 하나의 저항계(170)를 복수의 도전성 배관(102)의 열화 정도의 측정에 공용할 수 있다. 이 경우, 저항계(170)의 제1 단자(171) 및 제2 단자를 확실하게 또한 안정적으로 전기적으로 접속할 수 있는 단자를 더미 디스펜스 포트(150)[혹은 배액용 배관(152)]와 그라운드선(120)에 설치하면 좋다.
상기 실시형태에 따르면, 도전성 배관의 도전성 열화를 용이하게 정밀도 좋게 검출할 수 있다. 이 때문에, 교환이 필요한 타이밍에 도전성 배관을 교환하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 비교적 비싼 도전성 배관을 필요 이상으로 조기에 교환하는 것에 따른 불필요한 비용의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 열화한 도전성 배관을 사용함으로써 생길 수 있는 문제 발생을 방지할 수 있다.
또한, 전술한 방법은, 노즐부(100)가 도전성 배관(102)의 선단에 부착된 도전성 배관(102)과는 별체의 부재인 경우에도 동일하게 적용할 수 있다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 상기한 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (11)

  1. 기판을 처리하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 기판에 처리액을 토출하는 노즐부와,
    상기 노즐부에 접속되고, 상기 노즐부에 처리액을 공급하는 도전성 배관과,
    상기 도전성 배관을 기준 전위에 접속하는 그라운드 라인과,
    상기 기판 유지부의 주위에 설치되고, 상기 노즐부로부터 토출된 액체를 받는 액받이부와,
    상기 도전성 배관의 도전성의 열화 정도를 측정하는 열화 정도 측정부
    를 구비하고,
    상기 열화 정도 측정부는,
    상기 도전성 배관에 측정용 액체를 공급하여, 상기 노즐부로부터 상기 측정용 액체를 토출시키는 측정용 액체 공급부와,
    상기 액받이부의 접액면과 상기 기준 전위 사이에 전위차를 부여하는 전위차 부여부와,
    상기 측정용 액체가 상기 노즐부로부터 상기 액받이부에 토출되고 있을 때에, 상기 액받이부의 접액면과 상기 그라운드 라인 사이에 상기 측정용 액체를 통해 확립된 전하 이동 경로를 흐르는 전류의 전류값을 측정하는 전류계
    를 갖는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액받이부는 유전체 재료를 포함하고,
    상기 전위차 부여부는,
    상기 액받이부에 근접하여 설치된 전극과,
    상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가부
    를 가지며,
    상기 전류계는 상기 그라운드 라인에 설치되고,
    상기 액받이부를 상기 노즐부로부터 액받이부에 토출된 상기 측정용 액체가 통과할 때에, 상기 그라운드 라인을 흐르는 유도 전류가 상기 전류계에 의해 측정되는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 그라운드 라인에 저항이 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 전위차 부여부는, 상기 전극이 상기 전압 인가부에는 전기적으로 접속되고 또한 기준 전위에는 전기적으로 접속되지 않은 상태와, 상기 전극이 상기 전압 인가부에는 전기적으로 접속되지 않고 또한 기준 전위에는 전기적으로 접속되는 상태를 적어도 실현할 수 있도록 구성된 전환 장치를 더 갖는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전환 장치는,
    상기 전압 인가부와 상기 전극을 접속하는 제1 도전 라인과,
    상기 제1 도전 라인에 개재된 제1 스위치와,
    상기 전극과 기준 전위를 접속하는 제2 도전 라인과,
    상기 제2 도전 라인에 개재된 제2 스위치
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 스위치는 B 접점 형식의 스위치인, 기판 처리 장치.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극의 전위를 측정하는 전위계를 더 구비한, 기판 처리 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제2 도전 라인에 저항이 설치되어 있는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 액받이부는 도전성 재료를 포함하고,
    상기 전위차 부여부로서의 직류 전원과, 상기 전류계에 의해 저항계가 구성되며,
    상기 저항계의 제1 단자가 상기 그라운드 라인에 전기적으로 접속되고, 상기 저항계의 제2 단자가 도전성 재료를 포함하는 상기 액받이부에 접속되는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 노즐부는, 상기 도전성 배관의 선단부를 포함하거나 또는 상기 도전성 배관에 장착된 상기 도전성 배관과는 별도의 부재를 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 기판을 처리하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 기판에 처리액을 토출하는 노즐부와,
    상기 노즐부에 접속되고, 상기 노즐부에 처리액을 공급하는 도전성 배관과,
    상기 도전성 배관을 기준 전위에 접속하는 그라운드 라인과,
    상기 기판 유지부의 주위에 설치되고, 상기 노즐부로부터 토출된 액체를 받는 액받이부
    를 구비한 기판 처리 장치에서, 상기 도전성 배관의 도전성의 열화 정도를 판정하는 방법에 있어서,
    상기 액받이부의 접액면과 상기 기준 전위 사이에 전위차를 부여하는 단계와,
    상기 도전성 배관에 측정용 액체를 공급하여, 상기 노즐부로부터 액받이부에 상기 측정용 액체를 토출시키는 단계와,
    상기 측정용 액체가 상기 노즐부로부터 상기 액받이부에 토출되고 있을 때에, 상기 액받이부의 접액면과 상기 그라운드 라인 사이에 상기 측정용 액체를 통해 확립된 전하 이동 경로를 흐르는 전류의 전류값을 측정하는 단계
    를 포함하는, 열화 정도 판정 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4073418B2 (ja) * 2004-04-27 2008-04-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007317821A (ja) 2006-05-25 2007-12-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP6571344B2 (ja) 2015-02-19 2019-09-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102499939B1 (ko) 2017-08-29 2023-02-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003278972A (ja) 2002-03-26 2003-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 配管用継ぎ手、配管セットおよび配管導通用配線

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