KR20210111946A - 발광 소자 - Google Patents

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KR20210111946A
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이슬기
임호
김태민
서봉성
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Abstract

1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되는, 초소형 발광 소자 및 평탄화층;을 포함하고, 평탄화층이 화학식 A, B, C 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 올리고머 화합물을 포함하는 조성물을 경화시켜 제조된, 발광 소자가 개시된다.

Description

발광 소자{Light emitting device}
발광 소자에 관한 것이다.
발광 소자(LED)는 광 변환 효율이 높고 에너지 소비량이 매우 적으며, 수명이 반영구적이고 환경 친화적이다. LED를 조명이나 표시 장치 등에 활용하기 위해서는, LED에 전원을 인가할 수 있는 한 쌍의 전극 사이에 LED를 연결하는 것이 필요하다.
한 쌍의 전극 상에 LED들을 고정시키기 위해 평탄화를 위한 over coating 재료를 사용한다.
발광 소자의 구동 조건에 적합하고 안정적인 평탄화 재료가 요구된다.
높은 내광성, 내열성 및 평탄도를 갖는 평탄화층을 구비한 발광 소자를 제공하는 것이다.
일 측면에 따르면,
제1전극;
상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되는, 초소형 발광 소자 및 평탄화층;을 포함하고,
상기 평탄화층이 하기 화학식 A, B, C 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 올리고머 화합물을 포함하는 조성물을 경화시켜 제조된, 발광 소자가 제공된다:
<화학식 A>
Figure pat00001
<화학식 B>
Figure pat00002
<화학식 C>
Figure pat00003
상기 화학식 A 내지 C에서, X는 R12 또는 [(SiO3/2R)4+2nO]을 나타내고, R, R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 아민기, 에폭시기, 사이클로헥실에폭시기, 아크릴기, 메타아크릴기, 티올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C12아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기를 나타내고,
n은 1 내지 20의 정수이고,
*은 결합자리를 나타낸다.
일 구현예에 발광소자는 높은 내광성, 내열성 및 평탄도를 갖는 평탄화층을 구비하므로, 우수한 결과를 보일 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 발광 소자의 구조를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 조성물을 코팅한 후, vacuum 공정 이후의 잔막률 및 경화 공정 이후의 잔막률을 나타낸 그래프이다.
도 3은 평탄도를 측정하는 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 조성물을 3 ㎛ 두께로 코팅한 경우에 대해서, 측정한 a, b 값 및 프로파일을 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 조성물을 3, 5, 7 ㎛ 두께로 각각 코팅한 경우에 대해서 측정한 값으로 계산한 평탄도 값을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 소자(3,000nit, 60℃)의 1000hr 동안의 광특성(투과율, Yellow Index) 변화 정도를 나타낸 그래프이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 구현예에 따른 발광 소자는 제1전극; 상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되는, 초소형 발광 소자 및 평탄화층;을 포함하고, 상기 평탄화층이 화학식 A, B, C 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 올리고머 화합물을 포함하는 조성물을 경화시켜 제조될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1전극은 애노드일 수 있고, 상기 제2전극은 캐소드일 수 있다. 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 초소형 발광 소자가 배치될 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 발광 소자의 구조를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 발광 소자는 애노드 및 캐소드 사이에 마이크로 LED가 위치하고 있을 수 있다.
상기 마이크로 LED는 예를 들어, One Transfer 방식으로 애노드 상에 정렬될 수 있다. 마이크로 LED One Transfer 및 정렬 후 캐소드 형성 전, 평탄화 overcoating 이 요구된다.
오버코팅으로 형성된 평탄화층은 마이크로 LED 평탄화 이외에 마이크로 LED를 고정하는 역할도 하게 된다.
이러한 평탄화층은 마이크로 LED에 damage를 주지 않기 위해 저온 공정으로 진행될 것이 요구된다. 또한, align을 유지하여 마이크로 LED 고정시키고, 이후 캐소드 공정을 가능하게 하기 위해 높은 잔막률 및 높은 평탄도를 가질 것이 요구된다.
또한, 마이크로 LED에서 발생하는 고 광량의 빛(예를 들어, 청색광) 및 열에 안정한 고내광성 및 고내열성 재료일 필요가 있다.
[평탄화 층]
일 구현예에 따르면, 상기 평탄화층은 하기 화학식 A, B, C 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 올리고머 화합물을 포함하는 조성물을 경화시켜 제조된 것일 수 있다.
<화학식 A>
Figure pat00004
<화학식 B>
Figure pat00005
<화학식 C>
Figure pat00006
상기 화학식 A 내지 C에서, X는 R12 또는 [(SiO3/2R)4+2nO]을 나타내고, R, R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 아민기, 에폭시기, 사이클로헥실에폭시기, 아크릴기, 메타아크릴기, 티올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C12아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기를 나타내고,
n은 1 내지 20의 정수이고,
*은 결합자리를 나타낸다.
일 구현예에 따르면, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, C7-C12아르알킬기, C6-C60아릴옥시기, 및 C6-C60아릴티오기는 중수소, 할로겐, 아민기, 에폭시기, 사이클로헥실에폭시기, 아크릴기, 메타아크릴기, 티올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 또는 페닐기로 치환된 것일 수 있다.
일 구현예에 따르면, n 값은 평균 4 또는 5일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물은 화학식 A, B, C 중 적어도 2 개를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물은 하기 화학식 1로 나타내질 수 있다:
<화학식 1>
Figure pat00007
상기 화학식 1에서, R21 내지 R24는 각각 독립적으로 상술한 R1의 정의를 참조하고, a는 3 내지 1000의 정수를 나타낼 수 있고, c는 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 2로 나타내질 수 있다:
<화학식 2>
Figure pat00008
상기 화학식 2에서, R25 내지 R28은 각각 독립적으로 상술한 R1의 정의를 참조하고, a는 3 내지 1000의 정수를 나타낼 수 있고, c 및 c'는 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 3으로 나타내질 수 있다:
<화학식 3>
Figure pat00009
상기 화학식 3에서, R29 및 R30은 각각 독립적으로 상술한 R1의 정의를 참조하고, X'는 제1항에서의 X의 정의를 참조하고, a는 3 내지 1000의 정수를 나타낼 수 있고, b는 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있고, c는 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있다. X 및 X'는 동일하거나 또는 서로 다를 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 4로 나타내질 수 있다:
<화학식 4>
Figure pat00010
상기 화학식 4에서, R31 내지 R34는 각각 독립적으로 상술한 R1의 정의를 참조하고, a는 3 내지 1000의 정수를 나타낼 수 있고, b는 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있고, c 및 c'는 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 5로 나타내질 수 있다:
<화학식 5>
Figure pat00011
상기 화학식 5에서, R35 내지 R38은 각각 독립적으로 상술한 R1의 정의를 참조하고, a 및 a'는 각각 독립적으로 3 내지 1000의 정수를 나타낼 수 있고, b는 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있고, c는 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 6으로 나타내질 수 있다:
<화학식 6>
Figure pat00012
상기 화학식 6에서, R39 내지 R42는 각각 독립적으로 상술한 R1의 정의를 참조하고, a 및 a'는 각각 독립적으로 3 내지 1000의 정수를 나타낼 수 있고, b는 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있고, c 및 c'는 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 7로 나타내질 수 있다:
<화학식 7>
Figure pat00013
상기 화학식 7에서, R43 내지 R46은 각각 독립적으로 상술한 R1의 정의를 참조하고, a 및 a'는 각각 독립적으로 3 내지 1000의 정수를 나타낼 수 있고, b 및 b'는 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있고, c는 1 내지 500의 정수를 나타낼 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 올리고머 화합물의 중량평균 분자량은 1000 내지 1000000일 수 있다. 예를 들어, 상기 올리고머 화합물의 중량평균 분자량은 5,000 내지 100000, 또는 7000 내지 50000일 수 있다. 이 경우 상기 올리고머 화합물의 가공성 및 물리적 특성을 동시에 향상시킬 수 있다.
케이지 타입의 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산은 그 합성품이 파우더 형태이므로, 조성물에 사용될 경우, 메인 수지로 사용되는 실록산 수지와의 상용성이 좋지 않아 조성물 제조에 적합하지 않으며, 실록산 수지와의 상용성을 높이기 위해서는 용매에 녹이는 과정이 필요하다.
하지만, vacuum 과정, 경화 과정을 거치면서 용매가 증발하게 되면 평탄도가 아주 나빠져 이후의 전극(예를 들어, 캐소드) 형성 공정이 원활하지 않을 수 있고, 캐소드를 형성시키더라도 완성된 발광 소자의 효율 등이 급격히 떨어질 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 올리고머 화합물은 완전한 케이지 형태의 화합물이 아니어서 실록산 수지와의 상용성이 증가되어 무용제 공정이 가능하며, 축합반응을 통해 평탄화층을 얻을 수 있다.
따라서, 증발되는 용매는 없으며, 축합반응에 의해 형성된 작은 분자량의 휘발성 부산물들만이 제거되므로, 향성된 평탄화층은 우수한 평탄도를 가진다.
일 구현예에 따르면, 상기 조성물은 상기 올리고머 화합물 이외에 실록산 수지, 가교수지, 실란 커플링제 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 조성물은 촉매 또는 반응 지연제를 더 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 실록산 수지는 폴리메틸비닐 실록산, 폴리(메틸페닐)실록산, 폴리(페닐비닐)-코-(메틸비닐)실세스퀴옥산, PDV-1635(gelest사), PMV-9925(gelest사), PVV-3522(gelest사), 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 가교 수지는 실세스퀴옥산 공중합체, 페닐하이드로실세스퀴옥산, 디메틸실릴페닐에테르, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 실란 커플링제는 설파이드계 실란 화합물, 머캅토계 실란 화합물, 비닐계 실란 화합물, 아미노계 실란 화합물, 글리시독시계 실란 화합물, 니트로계 실란 화합물, 클로로계 실란 화합물, 메타크릴계 실란 화합물, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 설파이드계 실란 화합물은 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설파이드, 비스(2-트리에톡시실릴에틸)테트라설파이드, 비스(4-트리에톡시실릴부틸)테트라설파이드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)테트라설파이드, 비스(2-트리메톡시실릴에틸)테트라설파이드, 비스(4-트리메톡시실릴부틸)테트라설파이드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)트리설파이드, 비스(2-트리에톡시실릴에틸)트리설파이드, 비스(4-트리에톡시실릴부틸)트리설파이드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)트리설파이드, 비스(2-트리메톡시실릴에틸)트리설파이드, 비스(4-트리메톡시실릴부틸)트리설파이드, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)디설파이드, 비스(2-트리에톡시실릴에틸)디설파이드, 비스(4-트리에톡시실릴부틸)디설파이드, 비스(3-트리메톡시실릴프로필)디설파이드, 비스(2-트리메톡시실릴에틸)디설파이드, 비스(4-트리메톡시실릴부틸)디설파이드, 3-트리메톡시실릴프로필-N,N-디메틸티오카바모일테트라설파이드, 3-트리에톡시실릴프로필-N,N-디메틸티오카바모일테트라설파이드, 2-트리에톡시실릴에틸-N,N-디메틸티오카바모일테트라설파이드, 2-트리메톡시실릴에틸-N,N-디메틸티오카바모일테트라설파이드, 3-트리메톡시실릴프로필벤조티아졸릴테트라설파이드, 3-트리에톡시실릴프로필벤조티아졸테트라설파이드, 3-트리메톡시실릴프로필메타크릴레이트모노설파이드, 3-트리메톡시실릴프로필메타크릴레이트모노설파이드 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 머캅토 실란 화합물은 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 2-머캅토에틸트리메톡시실란, 2-머캅토에틸트리에톡시실란 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 비닐계 실란 화합물은 에톡시실란, 비닐트리메톡시실란 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 아미노계 실란 화합물은 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리에톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 및 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 글리시독시계 실란 화합물은 γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 니트로계 실란 화합물은 3-니트로프로필트리메톡시실란, 3-니트로프로필트리에톡시실란 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 클로로계 실란 화합물은 3-클로로프로필트리메톡시실란, 3-클로로프로필트리에톡시실란, 2-클로로에틸트리메톡시실란, 2-클로로에틸트리에톡시실란 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 메타크릴계 실란 화합물은 메타크릴레이트계 시클로실록산, γ-메타크릴록시프로필 트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필 메틸디메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필 디메틸메톡시실란 및 이들의 혼합물 중에서 선택될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 조성물은 실록산 수지, 가교 수지 및 실란 커플링제를 더 포함하고, 조성물 전체에 대해 상기 올리고머 화합물을 1 ~ 20 중량%, 상기 실록산 수지를 30 ~ 85 중량%, 상기 가교 수지를 5 ~ 50 중량%, 상기 실란 커플링제를 0.05 ~ 10 중량% 포함할 수 있다. 올리고머 화합물, 실록산 수지, 가교 수지 및 실란 커플링제의 함량이 상기 범위일 때, 평탄화층의 공정이 용이하며 생성된 평탄화층의 물성도 우수하다.
일 구현예에 따르면, 상기 평탄화층은 상기 조성물을 경화시켜 제조될 수 있는데, 상기 경화 온도는 150 내지 200 ℃일 수 있다. 예를 들어, 상기 경화 온도는 170 내지 190 ℃일 수 있다.
상기 온도 범위는 초소형 발광 소자에 demage 피해가 없는 온도이다.
일 구현예에 따르면, 상기 평탄화층을 형성하는 상기 조성물은 실질적으로 용매를 포함하지 않을 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 조성물은 라디칼 스캐빈저를 포함할 수 있다. 상기 라디칼 스캐빈저는 예를 들어, 고리형 2차 아민 화합물일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 라디칼 스캐빈저는 상기 조성물에 포함되지 않을 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 라디칼 스캐빈저는 하기 화합물 300일 수 있다.
Figure pat00014
300
일 구현예에 따르면, 상기 라디칼 스캐빈저의 함량은 2000 내지 3000 ppm일 수 있다.
[초소형 발광 소자]
상기 초소형 발광 소자는 나노 단위 크기의 발광 소자인 나노 발광 소자(nano LED) 또는 마이크로 단위 크기의 발광 소자인 마이크로 발광 소자(micro LED)일 수 있다.
상기 초소형 발광 소자는 제1반도체층, 제2반도체층 및 상기 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다.
상기 제1반도체층, 활성층 및 제2전극 층은 상기 초소형 발광 소자의 길이 방향으로 순차적으로 적층될 수 있다.
예를 들면, 상기 제1 반도체층은 n형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 p형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 반도체층에는 Si, Ge, Sn 등과 같은 n형 도펀트가 도핑되고, 상기 제2 반도체층에는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트가 도핑될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
다른 예를 들면, 상기 제1반도체층이 p형 반도체를 포함하고, 상기 제2반도체층이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다.
상기 활성층은 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되며, 예를 들어, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 상기 활성층은 조명, 디스플레이 등에 사용되는 통상의 LED 소자에 포함되는 활성층인 경우 제한 없이 사용될 수 있다. 상기 활성층은 발광 다이오드의 종류에 따라 다양하게 위치할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 전술된 예에 한정되지 않으며, 일 예로서, 초소형 발광 소자는 제1 반도체층과 제2 반도체층의 상부 및 하부에 별도의 형광체층, 활성층, 반도체층 및/또는 전극층을 더 포함할 수도 있다. 상기 활성층으로부터 생성된 빛은 초소형 발광 소자의 외부면 및/또는 양 측면으로 방출될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 초소형 발광 소자는 상기 제1반도체층의 하부에 배치된 제1전극층 및 상기 제2반도체층의 상부에 배치된 제2전극층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1전극층 및 상기 제2전극층은 오믹(ohmic) 컨택 전극일 수 있다. 다만, 상기 제1전극층 및 상기 제2전극층은 이에 한정되지 아니하며, 쇼트키(Schottky) 컨택 전극일 수도 있다. 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층은 예를 들어 알루미늄, 티타늄, 인듐, 골드 및 실버 등과 같은 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층 및 상기 제2전극층에 포함된 물질은 서로 동일 또는 상이할 수 있다.
상기 초소형 발광 소자는 발광 소자의 외부면을 둘러싼 절연막을 더 포함할 수 있다. 상기 절연막은 상기 활성층의 외부면을 포함하는 발광 소자의 외부면을 보호함으로써 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다. 상기 절연막은 상기 발광 소자의 외부면 전체를 덮거나, 상기 발광 소자의 외부면의 일부만을 덮을 수 있다.
상기 초소형 발광 소자는 원기둥, 직육면체 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 초소형 발광 소자는 원기둥 형태를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 초소형 발광 소자의 직경은 0.1㎛ 내지 1㎛이고, 상기 초소형 발광 소자의 길이는 0.1㎛ 내지 10㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 초소형 발광 소자는 적색광, 녹색광 또는 청색광을 방출할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 초소형 발광 소자의 농도는 전체 잉크 조성물의 0.01 내지 1 중량%일 수 있다.
한편, 상기 잉크 조성물은 상기 초소형 발광 소자의 분산도를 향상시키거나, 또는 잉크젯 공정 진행간 변형 가능한 head 온도에서의 적절한 점도를 맞추기 위해 특정 첨가제(예를 들어, 분산제, 증점제 등)를 더 포함할 수 있다.
[치환기의 일반적인 정의]
이하 치환기 정의에서 탄소수 범위는 예시적인 것일 뿐이다.
본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기, 프로피닐기, 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 1,2,3,4-옥사트리아졸리디닐기(1,2,3,4-oxatriazolidinyl), 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예에는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예에는, 4,5-디히드로-1,2,3,4-옥사트리아졸일기, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C1-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소수 6 내지 60개의 카보시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예에는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함된다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 헤테로시클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예에는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등이 포함되다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 축합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예에는, 플루오레닐기 등이 포함되다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성을 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 1 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 구체예에는, 카바졸일기 등이 포함된다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C5-C60카보시클릭 그룹이란, 고리-형성 원자로서 탄소만을 포함한 탄소수 5 내지 60의 모노시클릭 또는 폴리시클릭 그룹을 의미한다. 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 방향족 카보시클릭 그룹 또는 비-방향족 카보시클릭 그룹일 수 있다. 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 벤젠과 같은 고리, 페닐기와 같은 1가 그룹 또는 페닐렌기와 같은 2가 그룹일 수 있다. 또는, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹에 연결된 치환기에 개수에 따라, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹은 3가 그룹 또는 4가 그룹일 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
본 명세서 중 C1-C60헤테로시클릭 그룹이란, 상기 C5-C60카보시클릭 그룹과 동일한 구조를 갖되, 고리-형성 원자로서, 탄소(탄소수는 1 내지 60일 수 있음) 외에, N, O, Si, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함한 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C7-C12아르알킬기는 아릴 부위 및 알킬 부위를 포함하는 그룹으로서, 아릴 부위의 아릴 및 알킬 부위의 알킬은 상술한 바를 참조한다. 상기 아르알킬기의 비제한 적인 예로서, 벤질기, 펜에틸기, 또는 페닐프로필기등이 있다.
본 명세서 중, 상기 치환된 C5-C60카보시클릭 그룹, 치환된 C1-C60헤테로시클릭 그룹, 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C1-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소(-D), -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q11)(Q12)(Q13), -N(Q11)(Q12), -B(Q11)(Q12), -C(=O)(Q11), -S(=O)2(Q11) 및 -P(=O)(Q11)(Q12) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -Si(Q21)(Q22)(Q23), -N(Q21)(Q22), -B(Q21)(Q22), -C(=O)(Q21), -S(=O)2(Q21) 및 -P(=O)(Q21)(Q22) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q31)(Q32)(Q33), -N(Q31)(Q32), -B(Q31)(Q32), -C(=O)(Q31), -S(=O)2(Q31) 및 -P(=O)(Q31)(Q32);
중에서 선택되고,
상기 Q11 내지 Q13, Q21 내지 Q23 및 Q31 내지 Q33은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미하고, "OMe"는 메톡시기를 의미한다.
본 명세서 중 "비페닐기"는 "페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "비페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 "터페닐기"는 "비페닐기로 치환된 페닐기"를 의미한다. 상기 "터페닐기"는, 치환기가 "C6-C60아릴기로 치환된 C6-C60아릴기"인 "치환된 페닐기"에 속한다.
본 명세서 중 *, *' 및 *"은, 다른 정의가 없는 한, 해당 화학식 중 이웃한 원자와의 결합 사이트를 의미한다.
이하에서, 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 하기 합성예 및 실시예 중 "A 대신 B를 사용하였다"란 표현 중 A의 몰당량과 B의 몰당량은 서로 동일하다.
이하, 실시예 및/또는 비교예를 통해, 상기 잉크 조성물을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 다만, 하기의 실시예들은 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것이며, 이로써 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
[실시예]
1. 올리고머 화합물의 제조
다음 단위 10[화학식 A에 해당] 및 20[화학식 C에 해당]을 갖는
Figure pat00015
10
Figure pat00016
20
아래 구조의 화합물 30을 제조하였다.
Figure pat00017
30
상기 화학식 30에서 R은 에폭시기를 나타내고, a는 700 내지 900의 정수를 나타내고 c는 30 내지 200의 정수를 나타낸다.
2. 평탄화층 형성용 조성물 제조
하기 표 1과 같은 혼합비로 평탄화층 형성용 조성물을 제조하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3
실록산 수지 1 54 중량% 54 중량% 54 중량%
실록산 수지 2 22 중량% 27 중량% 22 중량%
실록산 수지 3 - - 2 중량%
가교 수지 1 3 중량% 5 중량% 8 중량%
가교 수지 2 17 중량% 11 중량% 9 중량%
올리고머 화합물 3 중량% 2 중량% 4 중량%
실란 커플링제 0.998 중량% 0.998 중량% 0.997 중량%
라디칼 스캐빈저 2000 ppm 2000 ppm 3000 ppm
실록산 수지 1: 폴리(메틸페닐)실록산
실록산 수지 2: 폴리(페닐비닐)-코-(메틸비닐)실세스퀴옥산
실록산 수지 3: PDV-1635(gelest社)
가교 수지 1: 페닐하이드로실세스퀴옥산
가교 수지 2: 디메틸실릴페닐에테르
올리고머 화합물: 화합물 30
실란 커플링제: 메타크릴레이트계 시클로실록산
라디칼 스캐빈저:
Figure pat00018
300
3. 잔막률 평가
웨이퍼에 상기 실시예 1의 조성물을 코팅한 후, vacuum 공정을 진행하고 경화시켜 평탄화층을 완성하였다.
매 공정마다 무게를 측정하고 그 차이로 계산해 잔막률 값을 얻었다.
코팅은 1500rpm/20s 및 2000rpm/20s 조건에서 진행하였고, Vacuum은 -0.1MPa에서 3min 동안 진행하였고, 경화는 180℃에서 20min 동안 진행하였다.
vacuum 공정 이후 및 경화 공정 이후 잔막률을 도 2에 나타내었다.
도 2를 참조하면, 1500rpm/20s 및 2000rpm/20s 코팅 조건 모두에서 잔막률이 99%를 넘는다는 것을 알 수 있다.
4. 평탄도(Degree of Planarization: DOP) 측정
측정 방법
도 3은 평탄도를 측정하는 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
마이크로 LED가 위치하고 있는 기판 상에, 상기 실시예 2의 조성물을 코팅한 후, b를 값을 측정한다.
마이크로 LED 사이에서 조성물은 b 만큼 내려갈 수 있는데, b가 클수록 평탄하지 않음을 의미하고, b가 0이면 100% 평탄함을 의미한다.
평탄화 값은 다음 식으로 계산하였다.
Figure pat00019
마이크로 LED가 위치하고 있는 기판 상에, 상기 실시예 2의 조성물을 3 ㎛ 두께로 코팅한 경우에 대해서, 측정한 a, b 값 및 프로파일을 도 4에 나타내었다.
도 4를 참조하면, a값은 1.14 ㎛이고, b 값은 0.02 ㎛로서 평탄도는 97.6%로서 우수함을 알 수 있다.
실시예 2의 조성물을 3, 5, 7 ㎛ 두께로 코팅한 경우에 대해서 측정한 값으로 계산한 평탄도 값을 도 5에 나타내었다.
도 5를 참조하면, 모든 경우에 평탄도가 매우 우수함을 알 수 있다.
5. 초소형 발광 소자의 제조
CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 LED 소자를 성장·분리시켜 초소형 발광 소자를 제조하였다.
6. 내광성 및 내열성 평가
기판 상에 제1전극을 형성시킨 후, 상기 초소형 발광 소자를 one transfer 방식으로 정렬시킨 후, 실시예 3의 조성물을 10 ㎛ 두께로 overcoating 하였다.
다음으로, -0.1MPa에서 3min 동안 방치한 후, 180℃에서 20min 동안 경화시켰다.
다음으로, 제2전극을 형성시킨 후, 캡핑층을 형성시켰다.
평가 방법
상기 발광 소자(3,000nit, 60℃)를 1000hr 동안의 광특성(투과율, Yellow Index) 변화 정도를 기록하여 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Δx Δy ΔLv
24 hr 0.004 0.005 99.97 %
192 hr 0.004 0.006 101.05 %
528 hr 0.004 0.006 101.65 %
864 hr 0.004 0.005 101.29 %
1000 hr 0.004 0.005 101.29 %
상기 결과를 도 6에 그래프로 나타내었다.
도 6을 참조하면, 1000 hr까지 색좌표 및 휘도 변화율이 미미함을 알 수 있다 (Δx, Δy < 0.006, ΔLv < 1.3%)
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.

Claims (20)

  1. 제1전극;
    상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 배치되는, 초소형 발광 소자 및 평탄화층;을 포함하고,
    상기 평탄화층이 하기 화학식 A, B, C 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 올리고머 화합물을 포함하는 조성물을 경화시켜 제조된, 발광 소자:
    <화학식 A>
    Figure pat00020

    <화학식 B>
    Figure pat00021

    <화학식 C>
    Figure pat00022

    상기 화학식 A 내지 C에서, X는 R12 또는 [(SiO3/2R)4+2nO]을 나타내고, R, R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 아민기, 에폭시기, 사이클로헥실에폭시기, 아크릴기, 메타아크릴기, 티올기, 이소시아네이트기, 니트릴기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C7-C12아르알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기를 나타내고,
    n은 1 내지 20의 정수이고,
    *은 결합자리를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 1로 나타내지는 발광 소자:
    <화학식 1>
    Figure pat00023

    상기 화학식 1에서, R21 내지 R24는 각각 독립적으로 제1항에서의 R1의 정의를 참조하고, a는 3 내지 1000의 정수를 나타내고, c는 1 내지 500의 정수를 나타낸다.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 2로 나타내지는 발광 소자:
    <화학식 2>
    Figure pat00024

    상기 화학식 2에서, R25 내지 R28은 각각 독립적으로 제1항에서의 R1의 정의를 참조하고, a는 3 내지 1000의 정수를 나타내고, c 및 c'는 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수를 나타낸다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 3으로 나타내지는 발광 소자:
    <화학식 3>
    Figure pat00025

    상기 화학식 3에서, R29 및 R30은 각각 독립적으로 제1항에서의 R1의 정의를 참조하고, X'는 제1항에서의 X의 정의를 참조하고, a는 3 내지 1000의 정수를 나타내고, b는 1 내지 500의 정수를 나타내고, c는 1 내지 500의 정수를 나타낸다.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 4로 나타내지는 발광 소자:
    <화학식 4>
    Figure pat00026

    상기 화학식 4에서, R31 내지 R34는 각각 독립적으로 제1항에서의 R1의 정의를 참조하고, a는 3 내지 1000의 정수를 나타내고, b는 1 내지 500의 정수를 나타내고, c 및 c'는 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수를 나타낸다.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 5로 나타내지는 발광 소자:
    <화학식 5>
    Figure pat00027

    상기 화학식 5에서, R35 내지 R38은 각각 독립적으로 제1항에서의 R1의 정의를 참조하고, a 및 a'는 각각 독립적으로 3 내지 1000의 정수를 나타내고, b는 1 내지 500의 정수를 나타내고, c는 1 내지 500의 정수를 나타낸다.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 6으로 나타내지는 발광 소자:
    <화학식 6>
    Figure pat00028

    상기 화학식 6에서, R39 내지 R42는 각각 독립적으로 제1항에서의 R1의 정의를 참조하고, a 및 a'는 각각 독립적으로 3 내지 1000의 정수를 나타내고, b는 1 내지 500의 정수를 나타내고, c 및 c'는 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수를 나타낸다.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 올리고머 화합물이 하기 화학식 7로 나타내지는 발광 소자:
    <화학식 7>
    Figure pat00029

    상기 화학식 7에서, R43 내지 R46은 각각 독립적으로 제1항에서의 R1의 정의를 참조하고, a 및 a'는 각각 독립적으로 3 내지 1000의 정수를 나타내고, b 및 b'는 각각 독립적으로 1 내지 500의 정수를 나타내고, c는 1 내지 500의 정수를 나타낸다.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 실록산 수지를 포함하는 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 가교 수지를 포함하는 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 실란 커플링제를 포함하는 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 폴리메틸비닐 실록산, 폴리(메틸페닐)실록산, 폴리(페닐비닐)-코-(메틸비닐)실세스퀴옥산, PDV-1635, PMV-9925, PVV-3522, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 발광 소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 실세스퀴옥산 공중합체, 페닐하이드로실세스퀴옥산, 디메틸실릴페닐에테르, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 발광 소자.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 설파이드계 실란 화합물, 머캅토계 실란 화합물, 비닐계 실란 화합물, 아미노계 실란 화합물, 글리시독시계 실란 화합물, 니트로계 실란 화합물, 클로로계 실란 화합물, 메타크릴계 실란 화합물, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 발광 소자.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 실록산 수지, 가교 수지 및 실란 커플링제를 더 포함하고, 조성물 전체에 대해 상기 올리고머 화합물을 1 ~ 20 중량%, 상기 실록산 수지를 30 ~ 85 중량%, 상기 가교 수지를 5 ~ 50 중량%, 상기 실란 커플링제를 0.05 ~ 10 중량% 포함하는 발광 소자.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 초소형 발광 소자가 나노 단위 크기의 나노 발광 소자(nano LED) 또는 마이크로 단위 크기의 마이크로 발광 소자(micro LED)인 발광 소자.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 조성물의 경화 온도가 150 내지 200 ℃인 발광 소자.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 용매를 포함하지 않는 발광 소자.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 조성물이 라디칼 스캐빈저를 포함하는 발광 소자.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 라디칼 스캐빈저가 하기 화합물 300인 발광 소자:
    Figure pat00030

    300
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