KR20210103124A - Apparatus for Treating Substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 처리용 챔버의 클램핑 방식을 간소화하고 클램핑시 발생하는 파티클이 챔버 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of simplifying a clamping method of a substrate processing chamber and preventing particles generated during clamping from flowing into the chamber.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다. In recent years, with the rapid development of information and communication fields and the popularization of information media such as computers, semiconductor devices are also developing rapidly. In addition, in terms of functionality, various methods are being researched and developed in order to maximize device performance while reducing the size of individual devices formed on the substrate according to the trend toward high integration of semiconductor devices.
일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(Lithography), 증착(Deposition) 및 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.In general, a semiconductor device repeatedly performs a plurality of substrate processes such as lithography, deposition and etching, coating of photoresist, development, cleaning and drying processes. manufactured.
각 공정은 각각의 목적에 적합한 공정유체를 이용하여 이루어지며, 각 공정마다 적합한 공정 환경이 요구된다. Each process is performed using a process fluid suitable for each purpose, and an appropriate process environment is required for each process.
각 공정은 해당하는 공정 환경이 조성되는 챔버 또는 배스에 기판을 수용하여 이루어지는 것이 일반적이며, 외부 파티클의 유입을 방지하기 위해 밀폐된 챔버 내부에 기판을 수용하여 이루어질 수 있다.Each process is generally made by accommodating the substrate in a chamber or bath in which a corresponding process environment is created, and may be made by accommodating the substrate in a sealed chamber to prevent the inflow of external particles.
각 공정을 수행하는 기판상에는 금속 불순물, 유기물 등의 파티클이 잔존하게 되는데, 이와 같은 오염물질은 기판의 공정 불량을 일으키고 제품의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치게 된다. Particles such as metal impurities and organic matter remain on the substrate performing each process, and such contaminants cause process defects of the substrate and adversely affect the yield and reliability of the product.
따라서 파티클을 제거하기 위해 각 공정의 완료시마다 반복적으로 수행되는 세정 및 건조공정이 매우 중요하게 다뤄지고 있다.Therefore, in order to remove particles, the cleaning and drying processes that are repeatedly performed at each completion of each process are treated as very important.
세정은 습식세정과 건식세정으로 분류될 수 있으며, 그 중에서도 습식세정이 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. Cleaning can be classified into wet cleaning and dry cleaning, and among them, wet cleaning is widely used in the semiconductor manufacturing field.
습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로, 산과 알칼리 용액 등의 공정유체를 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.Wet cleaning is a method of continuously removing contaminants by using chemicals suitable for contaminants in each step. A large amount of process fluid such as acid and alkali solution is used to remove contaminants remaining on the substrate.
기판 처리 공정은 크게 두가지 방식에 의해 이루어지는데, 복수 개의 기판을 동시에 처리하는 외엽식(배치식) 방식과, 기판을 한 장씩 낱개로 처리하는 매엽식 방식이 있다. The substrate processing process is largely performed by two methods, an outer-leaf type (batch type) method for processing a plurality of substrates at the same time, and a single-wafer method for processing each substrate one by one.
외엽식의 경우 복수 개의 기판을 동시에 처리하여 우수한 드루풋(throughput)을 얻을 수 있다는 장점이 있고, 매엽식의 경우 기판을 한 장씩 낱개로 처리하는 바 매우 정밀한 공정구현이 가능하다는 장점이 있다.In the case of the single-wafer type, there is an advantage in that a plurality of substrates can be simultaneously processed to obtain excellent throughput, and in the case of the single-wafer type, a very precise process can be realized since the substrates are individually processed one by one.
도 1을 참조하여 밀폐된 챔버 내부에 기판을 수용하여 기판 처리 공정이 이루어지는 종래 기술에 의한 기판 처리 장치에 대해 설명한다. A substrate processing apparatus according to the related art in which a substrate processing process is performed by accommodating a substrate in a sealed chamber with reference to FIG. 1 will be described.
종래 기술에 의한 기판 처리 장치는, 제1하우징(11)과 제2하우징(12)의 결합으로 내부에 기판(W)이 수용되는 밀폐된 기판 처리 공간이 형성되는 챔버(10)를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the prior art includes a
상기 챔버(10)는 상기 기판(W)이 챔버(10) 내부로 반입되거나 상기 챔버(10) 내부로부터 외부로 반출되는 경우 개방되며, 상기 챔버(10) 내부에서 기판(W)의 처리 공정이 수행되는 동안 밀폐 상태를 유지한다.The
상기 챔버(10)는, 상기 제1하우징(11)의 위치가 상기 제2하우징(12)의 상측에 고정되고, 상기 제2하우징(12)이 구동부(15)의 구동에 의해 승강 이동함에 따라 상기 제1하우징(11)과 결합 또는 분리됨으로써 개폐된다.In the
상기 구동부(15)는 상기 제2하우징(12)을 지지하여 승강이동 하게 되며, 일반적으로 신축 구동하는 실린더로 이루어진다.The
도 1 (a)는 상기 실린더의 신장에 의해 상기 제2하우징(12)이 상승 이동하여 상기 제1하우징(11)과 결합됨으로써 상기 챔버(10)가 밀폐된 것을 나타낸 도면으로, 상기 제1하우징(11)과 상기 제2하우징(12)의 결합이 유지되도록 지지하는 방향으로 클램핑부(20)가 결합되어 상기 챔버(10)를 클램핑함으로써 상기 챔버(10)의 밀폐 상태를 보강하게 된다. 1 (a) is a view showing that the
도 1 (b)는 상기 실린더의 수축에 의해 상기 제2하우징(12)이 하강 이동하여 상기 제1하우징(11)으로부터 분리됨으로써 상기 챔버(10)가 개방된 것을 나타낸 도면으로, 상기 챔버(10)의 개방에 선행하여 상기 클램핑부(20)가 상기 챔버(10)로부터 결합 해제되어 상기 챔버(10)에 대한 클램핑을 해제하게 된다.1 (b) is a view showing that the
상기 챔버(10)와 상기 클램핑부(20)는 일반적으로 동일한 재질로 구비되며, 스테인레스강(SUS) 재질로 이루어지는 것이 일반적이다.The
이때, 상기 제1하우징(11)과 상기 제2하우징(12)이 결합 또는 분리되거나, 상기 클램핑부(20)와 상기 챔버(10)가 결합 또는 결합 해제되는 경우 마찰에 의해 파티클이 발생되었다.At this time, when the
파티클은 상기 제1하우징(11)과 상기 제2하우징(12) 사이에 형성되는 개방부(14)를 통해 상기 챔버(10) 내부에 유입될 수 있었으며, 상기 기판(W)의 처리 환경에 악영향을 미쳐 기판의 불량이 발생할 수 있었다.The particles could be introduced into the
또한, 시간이 경과함에 따라 상기 클램핑부(40)가 상기 챔버(10)와 결합 또는 결합 해제시 마찰에 의해 상기 챔버(10)와 상기 클램핑부(40)가 접하여 마찰하는 접촉면이 마모되어 상기 제1하우징(11)과 상기 제2하우징(12)의 결합이 유지되도록 지지하는 클램핑 효율이 감소할 수 있었다. In addition, as time elapses, when the
상기한 바와 같은 기판 처리 장치에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 공개특허 제10-2015-0064494호가 있다.As an example of the prior art for a substrate processing apparatus as described above, there is Korean Patent Laid-Open No. 10-2015-0064494.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 제1하우징과 제2하우징이 결합 또는 분리되거나 챔버가 클램핑 또는 클램핑 해제되는 경우 마찰에 의해 발생하는 파티클의 양을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.The present invention has been devised to solve the above problems, and substrate processing capable of reducing the amount of particles generated by friction when the first housing and the second housing are coupled or separated or the chamber is clamped or unclamped We want to provide a device.
또한, 챔버의 클램핑시 챔버와 클램핑부가 접촉하는 접촉면에 있어서 마찰에 의한 마모에도 불구하고 클램핑 효율을 유지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of maintaining clamping efficiency despite wear due to friction on a contact surface in which the chamber and the clamping unit are in contact when the chamber is clamped.
또한, 제1하우징과 제2하우징이 결합 또는 분리되거나 챔버가 클램핑 또는 클램핑 해제되는 경우 마찰에 의해 발생하는 파티클을 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of removing particles generated by friction when the first housing and the second housing are coupled or separated or the chamber is clamped or unclamped.
또한, 제1하우징과 제2하우징이 결합 또는 분리되거나 챔버가 클램핑 또는 클램핑 해제되는 경우 마찰에 의해 발생하는 파티클이 챔버 내부에 유입되는 유입률을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing the rate at which particles generated by friction are introduced into the chamber when the first housing and the second housing are coupled or separated, or the chamber is clamped or unclamped.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 제1하우징과, 상기 제1하우징과 결합하여 챔버를 이루는 제2하우징과, 상기 챔버의 외측면에 접하여 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합된 상태를 유지하도록 지지하는 클램핑부, 및 상기 챔버와 상기 클램핑부가 접하는 접촉면에 구비되되 상기 챔버 및 상기 클램핑부와 경도가 상이한 재질로 이루어진 완충부를 포함하여 구성된다.A substrate processing apparatus of the present invention for implementing the object as described above includes a first housing, a second housing coupled to the first housing to form a chamber, and the first housing and the first housing in contact with the outer surface of the chamber It is configured to include a clamping part for supporting the second housing to maintain a coupled state, and a buffer part provided on a contact surface in contact with the chamber and the clamping part and made of a material having a hardness different from that of the chamber and the clamping part.
상기 완충부는, 상기 클램핑부와 접하는 상기 챔버의 접촉면에 구비될 수 있으며, 상기 챔버와 접하는 상기 클램핑부의 접촉면에 구비될 수도 있다.The buffer unit may be provided on a contact surface of the chamber in contact with the clamping unit, or may be provided on a contact surface of the clamping unit in contact with the chamber.
상기 챔버 또는 상기 클램핑부에는 그루브가 형성되어 상기 완충부가 삽입되도록 이루어질 수 있고, 레일이 형성되어 상기 완충부가 상기 레일에 맞물려 끼워지도록 이루어질 수도 있으며, 적어도 하나의 돌기 또는 홈이 형성되어 상기 완충부가 상기 적어도 하나의 돌기 또는 홈에 맞물려 끼워지도록 이루어질 수도 있다. A groove may be formed in the chamber or the clamping part to insert the buffer part, and a rail may be formed to engage the buffer part with the rail, and at least one protrusion or groove is formed so that the buffer part is the It may be made to be engaged with at least one protrusion or groove.
상기 완충부는 상기 챔버 및 상기 클램핑부보다 경도가 낮은 재질, 특히 수지 재질로 이루어질 수 있으며, 상기 챔버 및 상기 클램핑부와 별개로 교체 가능하도록 구비될 수 있다.The buffer part may be made of a material having a hardness lower than that of the chamber and the clamping part, in particular, a resin material, and may be provided to be replaceable separately from the chamber and the clamping part.
또한, 상기 기판 처리 장치에는, 파티클을 흡입하여 챔버 주변의 파티클을 검출하는 파티클 카운터가 구비될 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may be provided with a particle counter for detecting particles around the chamber by sucking the particles.
상기 파티클 카운터의 흡입부는 상기 챔버와 상기 클램핑부 및 구동부 중 적어도 하나에 구비되어, 상기 챔버의 개폐시 또는 클램핑 및 클램핑 해제시 발생하는 파티클을 흡입하도록 구성될 수 있다. The suction part of the particle counter may be provided in at least one of the chamber, the clamping part, and the driving part, and may be configured to suck particles generated when the chamber is opened or closed or is clamped and released.
상기 파티클 카운터의 흡입부는 상기 챔버와 상기 클램핑부 및 구동부 중 적어도 하나의 둘레에 구비될 수 있다.The suction part of the particle counter may be provided around at least one of the chamber, the clamping part, and the driving part.
또한, 상기 기판 처리 장치는, 상기 제1하우징에 형성된 제1플랜지부와, 상기 제2하우징에 형성되며, 상기 제1플랜지부와 결합하여 상기 제1결합부를 이루는 제2플랜지부와, 상기 제1플랜지부에서 연장되는 상기 제1하우징의 연장부에 형성된 제3플랜지부와, 상기 제2하우징을 지지하는 지지부에 구비되며, 상기 제3플랜지부와 결합하여 제2결합부를 이루는 플레이트부를 포함하여 구성될 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus includes a first flange portion formed in the first housing, a second flange portion formed in the second housing and coupled to the first flange portion to form the first coupling portion; A third flange portion formed on the extension of the first housing extending from the first flange portion, and a plate portion provided in a support portion for supporting the second housing, coupled to the third flange portion to form a second coupling portion; can be configured.
이때, 상기 클램핑부는 상기 제2결합부의 외측을 클램핑하도록 이루어지고, 2결합부는 상기 제1결합부로부터 일정 간격 이격된 위치에 구비될 수 있다. In this case, the clamping part may be configured to clamp the outside of the second coupling part, and the second coupling part may be provided at a position spaced apart from the first coupling part by a predetermined distance.
또한, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 개폐 정도에 따라, 상기 챔버의 내부공간을 직접적으로 밀폐하는 상기 제1플랜지부와 상기 제2플랜지부 사이에 제1개방부가 형성되고, 제3플랜지부와 상기 제2플랜지부 사이에 제2개방부가 형성된다. In addition, according to the degree of opening and closing of the first housing and the second housing, a first opening portion is formed between the first flange portion and the second flange portion for directly sealing the inner space of the chamber, and the third plan A second opening is formed between the branch and the second flange.
또한, 상기 연장부의 일측에 상기 챔버의 내부와 외부를 연통시키는 제3개방부가 형성되어, 상기 제2플랜지부의 위치에 따라 상기 제3개방부를 통해 상기 챔버의 내부와 외부가 연통되거나 연통 해제되도록 이루어질 수 있다.In addition, a third opening for communicating the inside and the outside of the chamber is formed on one side of the extension, so that the inside and the outside of the chamber communicate or release communication through the third opening according to the position of the second flange can be done
본 발명에 의한 기판 처리 장치에 의하면, 챔버의 클램핑 또는 클램핑 해제시 챔버와 클램핑부가 접촉하는 접촉면에 완충부를 구비하여 마찰시 발생하는 파티클의 양을 감소시킬 수 있다.According to the apparatus for processing a substrate according to the present invention, the amount of particles generated during friction can be reduced by providing a buffer part on a contact surface in which the chamber and the clamping part come into contact when the chamber is clamped or unclamped.
또한, 챔버 또는 클램핑부에 탈착 가능하도록 이루어진 완충부를 구비하여 완충부가 일정 주기로 교체되도록 함으로써 마찰에 의한 마모 등 부재의 노화에 의해 클램핑 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. In addition, it is possible to prevent a decrease in clamping efficiency due to aging of the member, such as abrasion due to friction, by providing the buffer part detachably made to the chamber or the clamping part so that the buffer part is replaced at a predetermined period.
또한, 챔버 또는 클램핑부에 구비되는 완충부의 위치를 고정시켜 클램핑 또는 클램핑 해제시 챔버 또는 클램핑부와의 마찰에 의해 밀려 위치가 변하는 것을 방지하고 클램핑 안정성을 높일 수 있다.In addition, by fixing the position of the buffer part provided in the chamber or the clamping part, it is possible to prevent the position from being changed by being pushed by friction with the chamber or the clamping part when clamping or releasing the clamping part, and to increase the clamping stability.
또한, 제1하우징과 제2하우징이 결합 또는 분리되거나 챔버가 클램핑 또는 클램핑 해제되는 경우 마찰에 의해 발생하는 파티클을 흡입하여 제거함으로써 파티클에 의해 기판의 공정 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, when the first housing and the second housing are coupled or separated, or when the chamber is clamped or unclamped, particles generated by friction are sucked and removed to prevent a process defect of the substrate from occurring due to the particles.
또한, 클램핑 또는 클램핑 해제시 클램핑부와 챔버가 접촉하며 파티클이 발생하는 위치와 챔버의 개방부 사이에 일정 이격거리가 형성되도록 하여 챔버 내부에 파티클이 유입되는 확률을 저하시켜 파티클에 의해 기판의 공정 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, during clamping or unclamping, the clamping part and the chamber are in contact, and a certain distance is formed between the position where the particles are generated and the opening of the chamber, thereby reducing the probability of particles entering the chamber and processing the substrate by the particles. It can prevent defects from occurring.
도 1은 종래 기술에 의한 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제1실시예를 나타낸 것으로, 클램핑부에 완충부가 구비된 것을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제1실시예를 나타낸 것으로, 챔버에 완충부가 구비된 것을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제1실시예를 나타낸 것으로, 클램핑부 및 챔버에 완충부가 구비된 것을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명에 의해 완충부가 클램핑부의 그루브에 삽입되는 결합 구조를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명에 의해 완충부가 클램핑부의 레일에 맞물려 결합되는 결합 구조를 나타낸 도면.
도 7은 본 발명에 의해 완충부가 클램핑부의 돌기에 맞물려 결합되는 결합 구조를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명에 의한 파티클 카운터의 흡입부가 결합부의 둘레를 따라 구비된 구성을 나타낸 도면.
도 9는 본 발명에 의한 파티클 카운터의 흡입부가 제1실시예의 클램핑부의 둘레를 따라 구비된 구성을 나타낸 도면.
도 10은 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제2실시예를 나타내는 도면.
도 11은 본 발명에 의한 파티클 카운터의 흡입부가 제2실시예의 클램핑부의 둘레를 따라 구비된 구성을 나타낸 도면.
도 12는 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제3실시예를 나타내는 도면.
도 13은 본 발명에 의한 파티클 카운터의 흡입부가 제3실시예의 클램핑부의 둘레를 따라 구비된 구성을 나타낸 도면.
도 14는 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제4실시예를 나타내는 것으로, 제2하우징이 이동하여 제1하우징의 하측에 결합되는 경우를 나타낸 도면.
도 15는 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제4실시예를 나타내는 것으로, 제2하우징이 이동하여 제1하우징의 상측에 결합되는 경우를 나타낸 도면.
도 16은 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제4실시예를 나타내는 것으로, 제1하우징이 이동하여 제2하우징의 상측에 결합되는 경우를 나타낸 도면.
도 17은 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제4실시예를 나타내는 것으로, 제1하우징이 이동하여 제2하우징의 하측에 결합되는 경우를 나타낸 도면.
도 18은 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제4실시예를 나타내는 것으로, 제1하우징의 연장부에 제3개방부가 형성된 경우를 나타낸 도면.1 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to the prior art.
2 is a view showing a first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention, the clamping portion is provided with a buffer.
3 is a view showing a first embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention, showing that the chamber is provided with a buffer.
FIG. 4 is a view showing a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, in which a clamping part and a buffer part are provided in the chamber.
5 is a view showing a coupling structure in which the buffer part is inserted into the groove of the clamping part according to the present invention.
Figure 6 is a view showing a coupling structure in which the cushioning portion is engaged with the rail of the clamping portion according to the present invention.
7 is a view showing a coupling structure in which the buffer part is engaged with the protrusion of the clamping part according to the present invention.
8 is a view showing a configuration in which the suction part of the particle counter according to the present invention is provided along the circumference of the coupling part.
9 is a view showing a configuration in which the suction part of the particle counter according to the present invention is provided along the periphery of the clamping part of the first embodiment.
Fig. 10 is a view showing a second embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention;
11 is a view showing a configuration in which the suction part of the particle counter according to the present invention is provided along the periphery of the clamping part of the second embodiment.
12 is a view showing a third embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention;
13 is a view showing a configuration in which the suction part of the particle counter according to the present invention is provided along the periphery of the clamping part of the third embodiment.
14 is a diagram illustrating a fourth embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, and is a view showing a case in which the second housing is moved and coupled to the lower side of the first housing;
FIG. 15 is a view showing a fourth embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, wherein the second housing is moved and coupled to the upper side of the first housing; FIG.
FIG. 16 is a view showing a fourth embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, wherein the first housing is moved and coupled to the upper side of the second housing; FIG.
17 is a view showing a fourth embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention, and is a view showing a case in which the first housing is moved and coupled to the lower side of the second housing;
18 is a view showing a fourth embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention, showing a case in which a third opening portion is formed in an extension portion of the first housing.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
여기서, 종래기술에서 설명된 내용 및 중복되는 내용에 대해서는 상세한 설명을 생략하고, 본 발명에 새롭게 부가된 구성요소를 중심으로 설명하기로 한다.Here, detailed descriptions of the contents and overlapping contents described in the prior art will be omitted, and will be mainly described with respect to the newly added components of the present invention.
도 2 내지 도9을 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 제1실시예에 대해 설명한다. A first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 9 .
본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치는, 제1하우징(110)과, 상기 제1하우징(110)과 결합하여 챔버(100)를 이루는 제2하우징(120)과, 상기 챔버(100)의 외측면에 접하여 상기 제1하우징(100)과 상기 제2하우징(120)이 결합된 상태를 유지하도록 지지하는 클램핑부(200)와, 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200)가 접하는 접촉면에 구비되되 상기 챔버(100) 및 상기 클램핑부(200)와 경도가 상이한 재질로 이루어진 완충부(300)를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a
상기 챔버(100)는 기판(W)을 수용하여 처리하는 기판 처리용 챔버로, 상기 챔버(100) 내부의 공간은 상기 기판(W)을 처리하는 기판 처리 공간으로 이용된다.The
상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 상기 기판(W)의 형상 및 크기는 본 발명의 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.The substrate W may be a silicon wafer serving as a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W may be a transparent substrate such as glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). The shape and size of the substrate W are not limited by the drawings of the present invention, and may have substantially various shapes and sizes, such as circular and rectangular plates.
상기 기판(W)의 처리 공정은 상기 기판(W)이 수용된 상기 챔버(100) 내부에 적어도 하나의 공정유체가 공급되어 이루어진다.The processing process of the substrate W is performed by supplying at least one process fluid into the
상기 공정유체는 그 종류에 따라 상기 기판(W)의 처리를 위한 일정 범위의 온도와 압력을 만족하는 기판 처리 환경을 요구하며, 상기 기판 처리 환경은 상기 공정유체의 종류에 따라 달라진다.The processing fluid requires a substrate processing environment that satisfies a predetermined range of temperature and pressure for processing the substrate W according to its type, and the substrate processing environment varies depending on the type of the processing fluid.
일례로, 초임계유체를 이용하는 기판 처리 공정의 경우, 유체가 초임계 상태를 유지할 수 있도록 임계온도 이상의 고온과 임계압력 이상의 고압을 만족하는 기판 처리 환경이 요구된다.For example, in the case of a substrate processing process using a supercritical fluid, a substrate processing environment that satisfies a high temperature above a critical temperature and a high pressure above a critical pressure is required so that the fluid can maintain a supercritical state.
이에 따라, 상기 챔버(100)는 소정의 두께를 갖는 높은 강성을 가진 재질로 구성되며, 온도와 압력의 변화를 견디기 위한 높은 내열성 및 내압성과, 세정제 또는 건조제에 반응하여 변질되거나 부식이 일어나 기판 처리 공정에 영향을 미치는 것을 방지하기 위한 내화학성 및 내식성을 가지는 재질로 이루어질 수 있다.Accordingly, the
상기 조건들을 만족하는 재질의 일례로 스테인리스강(SUS)이 있다. 스테인리스강은 강성이 높고 내열성, 내식성, 내화학성이 우수하며 접근성이 좋고 경제적인 장점이 있어 상기 챔버를 구성하는 데 가장 많이 이용되고 있는 재질 중 하나이다.An example of a material satisfying the above conditions is stainless steel (SUS). Stainless steel is one of the most used materials for constructing the chamber because it has high rigidity, excellent heat resistance, corrosion resistance, chemical resistance, accessibility, and economical advantages.
상기 챔버(100)는 상기 기판(W)이 챔버(100) 내부로 인입되거나 상기 챔버(100) 내부로부터 외부로 반출되는 경우 개방되며, 상기 챔버(100) 내부에서 상기 기판(W)의 처리 공정이 수행되는 동안 밀폐 상태를 유지한다.The
상기 챔버(100)는, 상기 제1하우징(110)의 위치가 고정되고, 상기 제2하우징(120)이 상하로 왕복이동하며 상기 제1하우징(110)과 결합 또는 분리됨에 따라 개폐되도록 이루어진다.The
일례로, 상기 제1하우징(110)은 상기 제2하우징(120)의 상부에 위치하고, 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 하측으로부터 결합되어 상기 챔버(100)를 이루도록 구비될 수 있다.For example, the
이때, 상기 제2하우징(120)은 챔버구동부(미도시됨)의 구동에 의해 상하로 왕복이동하며 상기 제1하우징(110)의 하부와 결합 또는 분리되며, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합방향이 상하방향으로 형성된다. 상기 챔버구동부는 상하로 신축구동하는 실린더로 이루어질 수 있다.At this time, the
상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합면에는 상기 챔버(100)를 씰링하는 씰링부재(600)가 구비될 수 있다.A sealing
상기 씰링부재(600)는 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합면을 따라 링 형상으로 구비되며, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합면을 따라 형성된 씰링 그루브(610)에 삽입된다.The sealing
상기 클램핑부(200)는 상기 제1하우징(110)에 결합된 상기 제2하우징(120)의 위치를 고정하고 이동을 제한함으로써 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 분리되는 것을 방지한다.The clamping
상기 클램핑부(200)는 클램핑 구동부(미도시)의 구동에 의해 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합방향에 대해 수직방향으로 이동하도록 이루어질 수 있다.The
일례로, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 수직방향으로 결합하고, 상기 클램핑 구동부는 상기 클램핑부(200)를 상기 챔버(100)의 수평방향 내측방향(510) 또는 수평방향 외측방향(520)으로 왕복이동시키도록 이루어질 수 있다. For example, the
이에 따라, 상기 클램핑부(200)는, 클램핑 구동부(미도시)의 구동에 의해 상기 내측방향(510)으로 이동하여 상기 제2하우징(120)의 하단을 지지함으로써 상기 챔버(100)를 클램핑하고, 상기 외측방향(520)으로 이동하여 상기 제2하우징(120)의 하단으로부터 분리됨으로써 상기 챔버(100)를 클램핑 해제하게 된다.Accordingly, the
상기 클램핑 구동부는 상기 내측방향(510) 및 상기 외측방향(520)으로 신축구동하는 실린더로 이루어질 수 있다.The clamping driving unit may be formed of a cylinder that expands and contracts in the
밀폐된 상기 챔버(100) 내부에는 고온 고압의 기판 처리 환경이 형성되며, 이에 따라 상기 챔버(100)의 내부로부터 외부로 밀어내는 힘이 작용하게 된다.A high-temperature and high-pressure substrate processing environment is formed inside the sealed
상기 클램핑부(200)는 상기 챔버(100)의 내부로부터 외부로 작용하는 힘에 의해 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 분리되는 것을 방지하는 역할을 하게 된다.The clamping
이를 위해, 상기 클램핑부(200)는 높은 강성과 높은 내열성 및 내압성을 가지고 소정의 두께를 갖는 재질로 이루어질 수 있다.To this end, the clamping
이때, 상기 클램핑부(200)는 상기 챔버(100)와 같은 재질로 이루어질 수 있으며, 스테인리스강(SUS)으로 이루어질 수 있다. In this case, the clamping
상기 완충부(300)는, 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200) 사이의 접촉면에 구비됨으로써, 클램핑 또는 클램핑 해제시 상기 클램핑부(200) 와 상기 챔버(100) 사이의 마찰을 완충하는 역할을 한다. The
이때, 상기 완충부(300)가 상기 챔버(100) 및 상기 클램핑부(200)와 경도가 상이한 재질로 구비됨으로써, 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200)가 직접 마찰하는 경우에 비해 마찰로 인해 발생하는 파티클의 양을 줄일 수 있게 된다.At this time, since the
즉, 클램핑 또는 클램핑 해제시 파티클의 발생량을 보다 감소시킴으로써 상기 기판(W) 처리 공정의 효율을 높이고 파티클에 의한 상기 기판(W)의 공정 불량 발생률을 낮출 수 있다.That is, by further reducing the amount of particles generated during clamping or unclamping, it is possible to increase the efficiency of the substrate W processing process and reduce the occurrence rate of process defects of the substrate W due to the particles.
이를 위해, 상기 완충부(300)는 상기 챔버(100) 및 상기 클램핑부(200)보다 경도가 낮고 무른 재질로 이루어질 수 있다.To this end, the
일례로, 상기 완충부(300)는 수지재질로 이루어질 수 있다.For example, the
상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200) 사이의 접촉면은, 상기 클램핑부(200)와 접하여 마찰하는 상기 제2하우징(120) 하단과, 상기 챔버(100)와 접하여 마찰하는 상기 클램핑부(200) 상단에 형성되며, 상기 완충부(300)는 상기 제2하우징(120)의 하단과 상기 클램핑부(200)의 상단 중 적어도 하나에 구비될 수 있다. The contact surface between the
도 2에는 상기 완충부(300)가 상기 클램핑부(200) 상단에 형성된 예시가 나타나 있으며, 도 3에는 상기 완충부(300)가 상기 제2하우징(120) 하단에 형성된 예시가 나타나 있다.2 shows an example in which the
또한, 도 4에는 상기 완충부(300)가 상기 제2하우징(120) 하단의 접촉면 및 상기 클램핑부(200) 상단의 접촉면에 모두 형성된 예시가 나타나 있다.In addition, FIG. 4 shows an example in which the
상기 완충부(300)는 상기 챔버(100) 및 상기 클램핑부(200)와 별개로 탈착 가능하도록 이루어져, 일정 주기로 교체하여 마모 등 부재의 노화에 의한 클램핑 효율 저하를 방지할 수 있도록 구성될 수 있다. The
또한, 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 상기 챔버(100) 주변의 공기 및 파티클을 흡입하여 상기 챔버(100) 주변에 분포하는 파티클(p)을 검출하는 파티클 카운터(700)를 포함하여 이루어질 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may include a
파티클 카운터(700)는, 흡입부(710)와 유동부(720), 음압발생부(730) 및 검출부(740)를 포함하여 이루어진다.The
상기 흡입부(710)에는 파티클 카운터(700)의 내부와 외부를 연결하는 적어도 하나의 흡입구(711)가 구비되며, 상기 흡입부(710) 주변의 공기 및 파티클(p)이 상기 적어도 하나의 흡입구(711)를 통해 파티클 카운터(700)로 유입된다.At least one
상기 적어도 하나의 흡입구(311)는 상기 흡입부(710)상에 일정 간격으로 이격되어 형성되어, 주변 공기에 대한 파티클(p) 흡수 범위를 넓힘으로써, 상기 흡입부(710)의 흡입률을 높일 수 있다.The at least one suction port 311 is formed to be spaced apart from the
상기 음압발생부(730)는 상기 유동부(720)에 연결되어 파티클(p)의 흡입을 위한 음압을 발생시키며, 진공발생기로 이루어질 수 있다.The negative
상기 유동부(720)는 파티클 카운터(700) 내부에 유입된 공기 및 파티클이 유동하는 통로로, 상기 흡입부(710)와 상기 음압발생부(730) 및 상기 검출부(740)를 연결한다. The
이에 따라, 상기 음압발생부(730)가 구동하면 상기 유동부(720) 및 상기 흡입부(710)에 음압이 형성되며, 상기 흡입부(710) 주변의 공기 및 파티클(p)이 상기 흡입구(711)를 통해 흡입되어 상기 유동부(720)를 통해 검출부(740)로 유동하게 된다.Accordingly, when the negative
상기 검출부(740)는 파티클(p)을 검출하여 카운팅하는 장비로, 파티클(p)의 개수와 크기 및 운동속도 등의 정보를 검출하도록 이루어질 수 있으며, 광을 조사하여 공간을 스캔하는 장비로 이루어질 수 있다.The
또한, 파티클 카운터(700)에는 분석부(미도시)가 더 구비될 수 있다. In addition, the
상기 분석부는 상기 검출부(740)에서 검출된 정보를 수신하여 파티클(p)의 종류 및 발생 경향을 파악하게 되며, 사용자는 이를 이용하여 기판 처리 환경을 개선하고 기판의 불량 발생률을 낮출 수 있다.The analysis unit receives the information detected by the
또한, 파티클 카운터(700)에 연결되는 알람발생부(미도시)가 더 구비될 수 있다.In addition, an alarm generating unit (not shown) connected to the
상기 알람발생부는 상기 검출부(740)에서 검출된 파티클(p)의 정보를 수신하여 상기 검출된 파티클(p)의 수치가 기설정된 파티클 수치에 도달하면 알람이 발생하도록 이루어질 수 있으며, 사용자는 이를 통해 상기 챔버(100) 주변의 파티클 상태를 용이하게 인지하고 조기 대처하여 기판의 불량 발생률을 낮출 수 있다. The alarm generating unit may receive the information of the particle (p) detected by the detection unit (740) and generate an alarm when the number of the detected particle (p) reaches a preset particle value, and the user through this It is possible to easily recognize the state of particles around the
또한, 파티클 카운터(700)에 연결되는 표시부(미도시)가 더 구비될 수 있다.In addition, a display unit (not shown) connected to the
상기 표시부는 디스플레이장비 등으로 이루어질 수 있으며, 상기 검출부(740)에서 검출된 파티클(p)의 정보를 수신하여 가시적으로 나타냄으로써 사용자가 상기 챔버(100) 주변의 파티클 상태를 용이하게 인지하도록 할 수 있다.The display unit may be made of a display device, etc., and by receiving and visually displaying information on the particle p detected by the
상기 흡입부(710)는, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 결합하는 결합부에 구비되어, 상기 챔버(100)의 개폐시 상기 결합부 주변에서 발생하는 파티클(p)을 흡입함으로써 파티클(p)이 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 것을 방지하도록 이루어질 수 있다.The
특히, 상기 흡입부(710)는 상기 제1하우징(110)보다 하측에 위치하는 상기 제2하우징(120)에 구비되어, 상기 챔버(100)의 개폐시 발생하는 파티클(p)이 하강하며 상기 흡입부(710)로 흡입되도록 이루어짐으로써, 파티클(p)이 상기 흡입부(710)에 흡입되는 흡입률을 높이고 상기 챔버(100)에 유입되는 유입률을 낮출 수 있다.In particular, the
또한, 상기 흡입부(710)는, 상기 클램핑부(200) 또는 상기 클램핑부(200)와 접하여 마찰하는 상기 챔버(100)의 일측에 구비되어, 클램핑시 또는 클램핑 해제시 상기 클램핑부(200) 주변에서 발생하는 파티클(p)을 흡입하여 제거함으로써 상기 기판에 영향을 끼치는 것을 방지하도록 이루어질 수도 있다.In addition, the
또한, 상기 흡입부(710)는, 상기 챔버구동부 또는 상기 클램핑 구동부에 구비되어, 상기 챔버구동부 또는 상기 클램핑 구동부의 구동시 발생하는 파티클(p)을 흡입하여 제거함으로써 상기 기판에 영향을 끼치는 것을 방지하도록 이루어질 수도 있다. In addition, the
또한, 상기 흡입부(710)를 통해 흡입되어 상기 유동부(720)로 유동한 파티클(p)은 상기 검출부(740)에서 검출되며, 이에 따라 상기 챔버(100)의 개폐시 또는 클램핑 및 클램핑 해제시 발생하는 파티클(p)의 종류 및 발생 경향을 파악할 수 있다.In addition, particles p that are sucked through the
도 5 내지 도 7에는, 상기 도 2 내지 도 4에서 설명한 기판 처리 장치에 있어서, 완충부(300)가 챔버(100) 또는 클램핑부(200)에 결합되는 결합 구조의 서로 다른 실시예가 도시되어 있다. 5 to 7 , in the substrate processing apparatus described with reference to FIGS. 2 to 4 , different embodiments of the coupling structure in which the
도 5를 참조하면, 상기 완충부(300)는, 챔버(100)와 접하는 상기 클램핑부(200)의 접촉면에 형성된 그루브(121,202)에 삽입됨으로써 상기 상기 클램핑부(200)와 결합될 수 있다.Referring to FIG. 5 , the
상기 그루브(121,202)는 상기 완충부(300)와 형합하도록 형성될 수 있다.The
도 5 (a)는 상기 클램핑부(200)와 상기 완충부(300)의 분해사시도이며, 도 5 (b)는 상기 클램핑부(200)와 상기 완충부(300)가 결합된 상태를 나타낸 사시도이다.5 (a) is an exploded perspective view of the clamping
상기 완충부(300)는, 상기 클램핑부(200)의 상측으로부터 하강하여 상기 그루브(202)에 삽입되고, 상승하여 상기 그루브(202)로부터 분리되도록 이루어질 수 있다.The
즉, 상기 그루브(121,202)는, 상기 클램핑부(200)의 이동방향인 수평방향에 대해 수직방향으로 형성되어, 클램핑시 또는 클램핑 해제시 상기 완충부(300)가 상기 챔버(200)로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. That is, the
또한, 도 6을 참조하면, 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200) 사이의 접촉면에 일정 방향성을 가지는 레일(250)이 구비되고, 상기 완충부(300)에 상기 레일(250)과 맞물리는 레일물림부(350)가 구비될 수 있다.In addition, referring to FIG. 6 , a
이에 따라, 상기 완충부(300)는, 상기 레일물림부(350)가 상기 레일(250)에 맞물린 상태로 상기 레일(250)을 따라 이동하여 상기 클램핑부(200)에 결합된다.Accordingly, the
또한, 도면에는 나타나 있지 않으나, 상기 클램핑부(200)와 접하는 상기 챔버(100)의 접촉면에 상기 완충부(300)가 결합되는 구조에 있어서도 상기와 같은 그루브 결합구조가 적용될 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, the groove coupling structure as described above may be applied to a structure in which the
도 6 (a)는 상기 클램핑부(200)와 상기 완충부(300)의 분해사시도이며, 도 6 (b)는 본 제4실시예에 의해 상기 클램핑부(200)와 상기 완충부(300)가 결합된 상태를 나타내는 도면이다.6 (a) is an exploded perspective view of the clamping
이때, 상기 레일(250) 및 상기 레일물림부(350)는 상기 클램핑부(200)의 이동방향, 즉, 상기 챔버(100)의 내측방향(510) 또는 외측방향(520)에 대해 수직방향으로 형성되어, 클램핑 또는 클램핑 해제시 상기 완충부(300)가 상기 클램핑부(200)의 이동방향을 따라 밀리지 않도록 위치를 고정시키는 역할을 할 수 있다.At this time, the
또한, 상기 레일(250)은 양측 끝단이 수평방향으로 소정 길이 돌출된 형상으로 이루어져, 상기 클램핑부(200)와 상기 완충부(300)가 상하방향으로 분리되는 것을 방지할 수 있다.In addition, since both ends of the
또한, 도면에는 나타나 있지 않으나, 상기 클램핑부(200)와 접하는 상기 챔버(100)의 접촉면에 상기 완충부(300)가 결합되는 구조에 있어서도 상기와 같은 레일 결합구조가 적용될 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, the above-described rail coupling structure may be applied to a structure in which the
또한, 도 7을 참조하면, 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200) 사이의 접촉면에 적어도 하나의 돌기(260)가 구비되고, 완충부(300)에 상기 적어도 하나의 돌기(260)와 형합하는 적어도 하나의 홈(360)이 구비될 수 있다. In addition, referring to FIG. 7 , at least one
이에 따라, 상기 완충부(300)는, 상기 적어도 하나의 돌기(260)와 상기 적어도 하나의 홈(360)이 맞물려 조립됨에 따라 상기 클램핑부(200)에 결합된다.Accordingly, the
도 7 (a)는 상기 클램핑부(200)와 상기 완충부(300)의 분해사시도이며, 도 7 (b)는 상기 클램핑부(200)와 상기 완충부(300)가 결합된 상태를 나타내는 도면이다.7 (a) is an exploded perspective view of the clamping
이때, 상기 적어도 하나의 돌기(260) 및 상기 적어도 하나의 홈(360)은 상기 클램핑부(200)의 이동방향, 즉, 상기 챔버(100)의 내측방향(510) 또는 외측방향(520)에 대해 수직방향으로 형성되어, 클램핑 또는 클램핑 해제시 상기 완충부(300)가 상기 클램핑부(200)의 이동방향을 따라 밀리지 않도록 위치를 고정시키는 역할을 할 수 있다.At this time, the at least one
또한, 도면에는 나타나있지 않으나, 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200) 사이의 접촉면에 적어도 하나의 홈(미도시)이 구비되고, 상기 완충부(300)에 상기 적어도 하나의 홈과 형합하는 적어도 하나의 돌기(미도시)가 구비되어, 상기 적어도 하나의 돌기(260)와 상기 적어도 하나의 홈(360)이 맞물려 조립됨에 따라 상기 완충부(400)와 상기 클램핑부(200)에 결합되도록 이루어질 수도 있다.In addition, although not shown in the drawings, at least one groove (not shown) is provided on the contact surface between the
또한, 도면에는 나타나 있지 않으나, 상기 클램핑부(200)와 접하는 상기 챔버(100)의 접촉면에 상기 완충부(300)가 결합되는 구조에 있어서도 상기와 같은 돌기 결합구조가 적용될 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, the above-described protrusion coupling structure may be applied to a structure in which the
도 8 내지 도 9에는, 상기 도 2 내지 도 4에서 설명한 기판 처리 장치에 있어서, 파티클 카운터(700)의 구비 형태의 서로 다른 실시예가 도시되어 있다. In FIGS. 8 to 9 , in the substrate processing apparatus described with reference to FIGS. 2 to 4 , different embodiments of the
도 8을 참조하면, 파티클 카운터(700)의 흡입부(710)는, 제1하우징(110)과 제2하우징(120)이 결합하는 결합부의 둘레를 따라 구비되고, 복수의 흡입구(311)가 상기 결합부의 둘레를 따라 일정 간격 이격되도록 구비될 수 있다.Referring to FIG. 8 , the
상기 흡입부(710)는 도 8에 도시된 바와 같이 상기 결합부의 둘레를 따라 연결된 고리 형상으로 구비될 수 있으며, 도면에는 도시되어 있지 않으나 상기 결합부의 둘레를 따라 복수 개의 상기 흡입부(170)가 일정 간격 이격되어 구비되도록 구성될 수도 있다.The
이에 따라, 상기 챔버(100)의 개폐시 제1하우징(110)과 제2하우징(120)이 결합하는 결합부의 둘레를 따라 사방에서 발생하는 파티클(p)을 보다 효과적으로 흡입할 수 있어, 상기 기판(p)에 영향을 미치는 파티클(p)의 양을 최소화할 수 있다.Accordingly, when the
또한, 도 9를 참조하면, 상기 흡입부(710)는, 클램핑부(200)와 상기 챔버(100)가 접촉하는 접촉부의 둘레를 따라 구비되고, 복수의 흡입구(311)가 상기 접촉부의 둘레를 따라 일정 간격 이격되도록 구비될 수 있다.In addition, referring to FIG. 9 , the
이에 따라, 클램핑시 또는 클램핑 해제시 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200)의 접촉에 의해 상기 클램핑부(200) 주위에서 발생하는 파티클(p)을 보다 효과적으로 흡입할 수 있어, 상기 기판(p)에 영향을 미치는 파티클(p)의 양을 최소활 수 있다.Accordingly, it is possible to more effectively suck the particles p generated around the clamping
또한, 도면에는 도시되어 있지 않으나, 상기 흡입부(710)는 챔버구동부 또는 클램핑 구동부의 둘레를 따라 복수 개 구비되거나, 상기 챔버구동부 또는 상기 클램핑 구동부의 둘레를 따라 연결된 고리 형상으로 구비될 수도 있다. In addition, although not shown in the drawings, a plurality of
이에 따라, 상기 챔버구동부 또는 상기 클램핑 구동부의 구동시 상기 챔버구동부 또는 상기 클램핑 구동부 주위에서 발생하는 파티클(p)을 보다 효과적으로 흡입할 수 있어, 상기 기판(p)에 영향을 미치는 파티클(p)의 양을 최소활 수 있다.Accordingly, when the chamber driving unit or the clamping driving unit is driven, the particles p generated around the chamber driving unit or the clamping driving unit can be more effectively absorbed, and the particles p affecting the substrate p amount can be minimized.
도 10을 참조하여 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리 장치에 대해 설명한다.A substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 10 .
본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제1실시예의 기판 처리 장치의 구성을 따르되, 클램핑부(200)가 제1하우징(110)의 상단과 제2하우징(120)의 하단을 동시에 지지하여 챔버(100)를 클램핑하도록 이루어진 점에서 제1실시예와 구성에 차이가 있다.The substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention follows the configuration of the substrate processing apparatus of the first embodiment described above, wherein the clamping
본 제2실시예에 의하면, 상기 클램핑부(200)는 'ㄷ'자 형상으로 이루어져, 클램핑 구동부의 구동에 의해 상기 챔버(100)의 내측방향(510)으로 이동하여 상기 제1하우징(110)의 상단과 상기 제2하우징(120)의 하단 외측을 감싸 상기 챔버(100)를 클램핑하고, 상기 챔버(100)의 외측방향(520)으로 이동하여 상기 챔버(100)로부터 분리됨으로써 상기 챔버(100)를 클램핑 해제하게 된다.According to the second embodiment, the clamping
이때, 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200) 사이의 접촉면은, 상기 클램핑부(200)와 접하여 마찰하는 상기 제1하우징(110)의 상단과 상기 제2하우징(120)의 하단 및, 상기 챔버(100)와 접하여 마찰하는 상기 클램핑부(200)의 내측 상단과 내측 하단에 형성된다.At this time, the contact surface between the
이에 따라, 상기 클램핑부(200)와 접하여 마찰하는 제1하우징(110)의 상단과 상기 제2하우징(120)의 하단에 상기 도 5 내지 도 7에서 설명한 바와 같은 결합구조가 형성되어 완충부(300)가 각각 결합될 수 있다.Accordingly, the coupling structure as described in FIGS. 5 to 7 is formed at the upper end of the
또한, 상기 챔버(100)와 접하여 마찰하는 상기 클램핑부(200)의 내측 상단과 내측 하단에 상기 도 5 내지 도 7에서 설명한 바와 같은 결합구조가 형성되어 상기 완충부(300)가 각각 결합될 수도 있다.In addition, the coupling structure as described in FIGS. 5 to 7 is formed at the inner upper end and the inner lower end of the
도 11에는, 상기 도 10에서 설명한 기판 처리 장치의 제2실시예에 있어서, 챔버(100)와 접촉하는 클램핑부(200)의 접촉부의 둘레를 따라 파티클 카운터(700)의 흡입부(710-1,710-2)가 구비된 일실시예가 도시되어 있다.In FIG. 11 , in the second embodiment of the substrate processing apparatus described with reference to FIG. 10 , suction parts 710 - 1 and 710 of the
상기 흡입부(710-1,710-2)는 상기 도 9에서 설명한 흡입부(710, 도 9 참조)의 구성을 따르되, 상기 클램핑부(200)의 'ㄷ'자 형상의 상부 둘레와 하부 둘레에 각각 구비될 수 있다.The suction parts 710 - 1 and 710 - 2 follow the configuration of the suction part 710 (refer to FIG. 9 ) described in FIG. 9 , respectively, on the upper periphery and the lower periphery of the 'C' shape of the clamping
이에 따라, 클램핑시 또는 클램핑 해제시, 상기 클램핑부(200)의 내측 상단과 제1하우징(110)의 상단이 접촉하며 발생하는 파티클(p)이 상기 클램핑부(200)의 상부 둘레에 구비된 흡입부(710-1)에 바로 흡입될 수 있다. 또한, 상기 클램핑부(200)의 내측 하단과 제2하우징(120)의 하단이 접촉하며 발생하는 파티클(p)이 상기 클램핑부(200)의 하부 둘레에 구비된 흡입부(710-2)에 바로 흡입될 수 있다. Accordingly, when clamping or releasing the clamping, particles p generated when the inner upper end of the
즉, 상기 클램핑부(200)와 상기 챔버(100)의 접촉부가 복수의 위치에 형성되는 경우, 각각의 접촉부 둘레에 상기 흡입부(710-1,710-2)가 각각 구비됨으로써, 클램핑시 또는 클램핑 해제시 발생하는 파티클(p)을 보다 효과적으로 흡입할 수 있어, 상기 기판(p)에 영향을 미치는 파티클(p)의 양을 최소활 수 있다.That is, when the contact portions between the clamping
또한, 상기 클램핑부(200)의 상부 둘레에 구비된 상기 흡입부(710-1)와 상기 클램핑부(200)의 하부 둘레에 구비된 상기 흡입부(710-2)를 상하로 연결하는 흡입부(710-3)를 더 포함하여, 파티클(p)의 흡입 범위를 넓혀 흡입률을 높이도록 이루어질 수도 있다.In addition, a suction part vertically connecting the suction part 710 - 1 provided on the upper periphery of the clamping
도 12를 참조하여 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 처리 장치에 대해 설명한다.A substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12 .
본 발명의 제3실시예에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제2실시예의 기판 처리 장치의 구성을 따르되, 제1하우징(110)과 제2하우징(120)이 결합하는 결합부에 플랜지부(110a,120a)가 형성되고, 클램핑부(200)가 제1하우징(110)의 플랜지부(110a)의 상단과 제2하우징(120)의 플랜지부(120a)의 하단을 동시에 지지하여 챔버(100)를 클램핑하도록 이루어진 점에서 제2실시예와 구성에 차이가 있다.The substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention follows the configuration of the substrate processing apparatus of the second embodiment described above, and a flange portion ( 110a and 120a) are formed, and the clamping
상기 클램핑부(200)와 접하여 마찰하는 상기 제1하우징(110)의 플랜지부(110a)는 제1플렌지부(110a)라고 하고, 상기 클램핑부(200)와 접하여 마찰하는 상기 제2하우징(120)의 플랜지부(120a)는 제2플랜지부(120a)라고 한다.The
본 제3실시예에 의하면, 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200) 사이의 접촉면은, 상기 제1플랜지부(110a)의 상단과 상기 제2플랜지부(120a)의 하단 및, 상기 챔버(100)와 접하여 마찰하는 상기 클램핑부(200)의 내측 상단과 내측 하단에 형성된다.According to the third embodiment, the contact surface between the
이에 따라, 상기 클램핑부(200)와 접하여 마찰하는 상기 제1플랜지부(110a)의 상단과 상기 제2플랜지부(120a)의 하단에 상기 도 5 내지 도 7에서 설명한 바와 같은 결합구조가 형성되어 완충부(300)가 각각 결합될 수 있다.Accordingly, the coupling structure as described in FIGS. 5 to 7 is formed at the upper end of the
또한, 상기 챔버(100)와 접하여 마찰하는 상기 클램핑부(200)의 내측 상단과 내측 하단에 상기 도 5 내지 도 7에서 설명한 바와 같은 결합구조가 형성되어 상기 완충부(300)가 각각 결합될 수 있다.In addition, the coupling structure as described in FIGS. 5 to 7 is formed at the inner upper end and inner lower end of the
도 13에는, 상기 도 12에서 설명한 기판 처리 장치의 제3실시예에 있어서, 챔버(100)와 접촉하는 클램핑부(200)의 접촉부의 둘레를 따라 파티클 카운터(700)의 흡입부(710-1,710-2)가 구비된 일실시예가 도시되어 있다.In FIG. 13 , in the third embodiment of the substrate processing apparatus described with reference to FIG. 12 , suction parts 710 - 1 and 710 of the
상기 흡입부(710-1,710-2)는 상기 도 11에서 설명한 흡입부(710-1,710-2, 도 11 참조)의 구성을 따르되, 상기 도 12에서 설명한 바와 같이 제1플랜지부(110a)의 상단과 제2플랜지부(120a)의 하단을 지지하도록 구비된 클램핑부(200)의 상부와 하부에 구비된다. The suction parts 710-1 and 710-2 follow the configuration of the suction parts 710-1 and 710-2 (refer to FIG. 11) described with reference to FIG. 11, but as described with reference to FIG. 12, the upper end of the
이에 따라, 클램핑시 또는 클램핑 해제시, 상기 클램핑부(200)의 내측 상단과 상기 제1플랜지부(110a)의 상단이 접촉하며 발생하는 파티클(p)이 상기 클램핑부(200)의 상부 둘레에 구비된 흡입부(710-1)에 바로 흡입될 수 있다. 또한, 상기 클램핑부(200)의 내측 하단과 상기 제2플랜지부(120a)의 하단이 접촉하며 발생하는 파티클(p)이 상기 클램핑부(200)의 하부 둘레에 구비된 흡입부(710-2)에 바로 흡입될 수 있다. Accordingly, at the time of clamping or releasing the clamping part, the inner upper end of the clamping
도 14 내지 도 18을 참조하여 본 발명의 제4실시예에 의한 기판 처리 장치에 대해 설명한다.A substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 18 .
도 14에 나타난 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 의한 기판 처리 장치는, 상기한 제3실시예의 기판 처리 장치의 구성을 따르되, 제1플랜지부(110a)로부터 하측으로 연장된 제1하우징(110)의 연장부(112)와, 상기 연장부(112)의 끝단에 형성된 제3플랜지부(112a)와, 제2하우징(120)을 하측으로부터 지지하는 지지부(122) 및, 상기 지지부(122)에 형성되어 상기 제3플랜지부(112a)와 결합하는 플레이트부(123)를 더 포함하여 구성된 점에서 차이가 있다. As shown in FIG. 14 , the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention follows the configuration of the substrate processing apparatus of the third embodiment, but has a first housing extending downward from the
또한, 상기 제1플랜지부(110a)와 상기 제2플랜지부(120a)가 제1결합부(810)를 이루고, 상기 제3플랜지부(112a)와 상기 플레이트부(123)가 제2결합부(820)를 이루며, 클램핑부(200)가 상기 제2결합부(820)에 결합되어 챔버(100)를 클램핑하도록 이루어진 점에서 차이가 있다. In addition, the
상기 제3플랜지부(112a) 및 상기 플레이트부(123)는 각각 상기 제1플랜지부(110a) 및 상기 제2플랜지부(120a)로부터 동일한 이격거리(d1)를 가지는 위치에 형성된다. The
상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200) 사이의 접촉면은, 상기 제3플랜지부(112a)의 상단과 상기 플레이트부(123)의 끝단 하단 및, 상기 챔버(100)와 접하여 마찰하는 상기 클램핑부(200)의 내측 상단과 내측 하단에 형성된다.The contact surface between the
이에 따라, 상기 클램핑부(200)와 접하여 마찰하는 상기 제3플랜지부(112a)의 상단과 상기 플레이트부(123)의 끝단 하단에 상기 도 5 내지 도 7에서 설명한 바와 같은 결합구조가 형성되어 완충부(300)가 각각 결합될 수 있다.Accordingly, the coupling structure as described in FIGS. 5 to 7 is formed at the upper end of the
상기 지지부(122)는 챔버 구동부의 구동에 의해 상기 제2하우징(120)과 함께 상하로 이동하며, 상기 지지부(122) 및 상기 제2하우징(120)의 이동에 따라 상기 제1결합부(810) 및 상기 제2결합부(820)가 동시에 결합 또는 분리되며 챔버(100)를 개폐하게 된다.The
상기 챔버(100)의 개방시 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 분리되어 이격된 정도에 따라 제1개방부(150)와 제2개방부(160)가 형성된다. When the
도 14(a)는 상기 챔버(100)가 밀폐된 상태를 나타낸 도면이며, 도 14(a)는 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 분리되며 상기 제1개방부(150)가 형성된 상태를 나타낸 도면이다.Figure 14 (a) is a view showing a state in which the
상기 제1개방부(150)는, 상기 챔버(100)의 내부공간을 직접적으로 밀폐하는 상기 제1플랜지부(110a)와 상기 제2플랜지부(120a) 사이에 형성되며, 상기 클램핑부(200)가 결합되는 상기 제2결합부(820)로부터 상기 이격거리(d1)만큼 상측에 형성된다.The
즉, 클램핑시 또는 클램핑 해제시 파티클(p)이 발생하는 상기 제2결합부(820)와 상기 제1개방부(150) 사이에 상기 이격거리(d1)가 확보됨으로써, 상기 제2결합부(820) 주위의 파티클(p)이 중력을 거스르고 상승하여 상기 챔버(100) 내부에 유입될 확률을 현저히 낮출 수 있어, 파티클(p)이 기판(W)에 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있다.That is, the separation distance d1 is secured between the
또한, 상기 연장부(112)는 상기 제2플랜지부(112)와의 사이에 일정 이격거리(d2)를 가지는 틈을 유지하도록 구비되고, 상기 틈은 가능한 좁게 유지되어, 상기 챔버(100)의 개방시 파티클(p)이 상기 틈을 통해 상기 제1개방부(150)로 유동하여 상기 챔버(100)에 유입되는 확률을 최소화할 수 있다.In addition, the
이를 위해, 상기 틈의 이격거리(d2)는 5mm 이하로 유지됨이 바람직하다.To this end, it is preferable that the separation distance (d2) of the gap is maintained at 5 mm or less.
도 14(c)는 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 완전히 분리되어 상기 제2개방부(150)가 형성된 상태를 나타낸 도면이다.FIG. 14(c) is a view showing a state in which the
상기 제2개방부(160)는, 도 14 (c)에 나타난 바와 같이, 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)으로부터 완전히 분리되어 상기 제3플랜지부(112a)가 상기 제2플랜지부(120a)보다 상측에 위치할 때 상기 제3플랜지부(112a)와 상기 제2플랜지부(120a) 사이에 형성된다.As shown in FIG. 14(c), the
상기 제2개방부(160)는 기판(W)이 상기 챔버(100)에 반입 또는 반출되는 출입구가 된다.The
또한, 상기 제1결합부(810)와 상기 제2결합부(820) 중 적어도 하나에 파티클 카운터(700)의 흡입부(710)가 구비되어, 상기 챔버(100)의 개폐시 발생하는 파티클(p)을 흡입함으로써 파티클(p)이 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 것을 방지하도록 이루어질 수 있다.In addition, the
또한, 상기 챔버(100) 주위에 하강기류(A)를 형성하는 공기공급부(미도시)가 더 구비될 수 있다.In addition, an air supply unit (not shown) for forming a descending airflow A around the
상기 공기공급부는 상기 챔버(100)의 상측에 구비되어 퍼지가스를 하방으로 공급하도록 이루어질 수 있다. 상기 퍼지가스는 불활성 기체일 수 있으며, 특히 질소 기체(N2)로 이루어질 수 있다.The air supply unit may be provided on the upper side of the
상기 하강기류(A)는 파티클(p)을 하측으로 불어내어 배출시킴으써 파티클(p)이 상승이동하여 상기 제1개방부(150)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 것을 방지할 수 있다.The descending airflow (A) blows the particles (p) downward to discharge them, thereby preventing the particles (p) from moving upward and flowing into the chamber (100) through the first opening (150). have.
또한, 상기 하강기류(A)는, 상기 챔버(100)의 개방시 상기 제2개방부(160)가 형성되는 동안 파티클(p)을 모두 배출시킴으로써 파티클(p)이 상기 제2개방부(160)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the descending airflow (A) discharges all the particles (p) while the second opening (160) is formed when the chamber (100) is opened, so that the particles (p) are formed in the second opening (160). ) through the
또한, 상기 제4실시예에 의한 기판 처리 장치는, 도 15에 나타난 바와 같이, 상기 제1하우징(110)이 상기 제2하우징(120)의 하부에 결합되는 형태로 이루어질 수 있다. Also, in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 15 , the
이때, 상기 연장부(112)는 상기 제1플랜지부(110a)의 가장자리로부터 상측으로 연장되며, 상기 연장부(112)의 상부 끝단에 상기 제3플랜지부(112a)가 형성된다. In this case, the
또한, 상기 지지부(122)는 상기 제2하우징(120)의 상부에 구비되어 상기 제2하우징(120)을 상측으로부터 지지하며, 상기 지지부(122)의 상부에 상기 플레이트부(123)가 구비된다. In addition, the
이에 따라, 상기 제2결합부(820)가 상기 제1결합부(810)로부터 상측으로 일정 간격 이격되어 위치하게 된다.Accordingly, the
상기 챔버(100)는, 상기 제2하우징(120) 및 상기 지지부(122)가 하강하여 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 결합됨에 따라 밀폐되고(도 15 (a) 참조), 상기 제2하우징(120) 및 상기 지지부(122)가 상승하여 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 분리되어 이격됨에 따라 개방된다(도 15 (b)와 도 15 (c) 참조).The
이때, 클램핑 또는 클램핑 해제시 발생하는 파티클(p)은, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 완전히 분리되어 상기 제2개방부(160)가 형성되는 동안 상기 챔버(100) 주위의 하강기류(A)에 의해 상기 제3플랜지부(112a) 및 상기 연장부(112)의 외측 하방으로 향하게 된다.At this time, the particles p generated during clamping or unclamping are generated in the
이에 따라, 중력 및 상기 하강기류(A)의 영향에 의해, 파티클(p)이 상기 제2개방부(160)를 통해 챔버(100) 내부에 유입되는 확률이 현저히 낮아지게 된다. Accordingly, due to the influence of gravity and the downdraft A, the probability that the particle p is introduced into the
또한, 상기 제4실시예에 의한 기판 처리 장치는, 도 16에 나타난 바와 같이, 상기 제2하우징(120)의 위치가 고정되고, 상기 챔버 구동부의 구동에 의해 상기 제1하우징(110)이 왕복이동하여 상기 챔버(100)를 개폐하는 형태로 이루어질 수 있다. In addition, in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 16 , the position of the
상기 챔버(100)는, 상기 제1하우징(110)이 하강하여 상기 제2하우징(120)과 결합됨에 따라 밀폐되며(도 16 (a) 참조), 상기 제1하우징(110)이 상승하여 상기 제2하우징(120)과 분리되어 이격됨에 따라 개방된다(도 16 (b)와 도 16 (c) 참조).The
이때, 상기 제2하우징(120)의 위치가 고정됨에 따라 상기 제2플랜지부(120a)의 위치가 클램핑 또는 클램핑 해제시 상기 제2결합부(820)의 위치, 즉, 파티클(p)의 분포 위치보다 항상 상기 이격거리(d1)만큼 상측에 위치하게 되므로, 파티클(p)이 상기 챔버(100) 내부에 유입될 확률을 현저히 낮출 수 있어, 파티클(p)이 기판(W)에 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있다.At this time, as the position of the
또한, 상기 제4실시예에 의한 기판 처리 장치는, 도 17에 나타난 바와 같이, 상기 제1하우징(110)이 상기 제2하우징(120)의 하부에 결합되되, 상기 제2하우징(120)의 위치가 고정되고, 상기 챔버 구동부의 구동에 의해 상기 제1하우징(110)이 왕복이동하여 상기 챔버(100)를 개폐하는 형태로 이루어질 수 있다. In addition, in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 17 , the
상기 챔버(100)는, 상기 제1하우징(110)이 상승하여 상기 제2하우징(120)과 결합됨에 따라 밀폐되며(도 17 (a) 참조), 상기 제1하우징(110)이 하강하여 상기 제2하우징(120)과 분리되어 이격됨에 따라 개방된다(도 17 (b)와 도 17 (c) 참조).The
또한, 상기 제4실시예에 의한 기판 처리 장치는, 도 18에 나타난 바와 같이, 상기 연장부(112)의 일측을 관통하는 제3개방부(170)가 형성되어, 상기 제2플랜지부(120a)의 위치에 따라 상기 제3개방부(170)와 제1개방부(150)가 연통되거나 연통 해제되도록 구성될 수 있다.In addition, in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 18 , a
상기 제3개방부(170)는, 상기 챔버(100)의 개방시 상기 제2하우징(120) 및 상기 지지부(122)가 하강 이동하며 상기 제2플랜지부(120a)가 상기 제3개방부(170)의 하단(172)보다 하측에 위치하면 상기 제1개방부(150)와 완전히 연통된다(도 18 (b) 참조).In the
또한, 상기 제3개방부(170)는, 상기 챔버(100)의 밀폐시, 상기 제2하우징(120) 및 상기 지지부(122)가 상승 이동하여 상기 제2플랜지부(120a)가 상기 제3개방부(170)의 상단(171)보다 상측에 위치하면 상기 제1개방부(150)와 연통이 해제된다(도 18 (a) 참조).In addition, in the
따라서, 상기 제3개방부(170)를 통해 상기 챔버(100) 내부와 외부가 연통 가능하므로, 상기 기판(W)이 상기 제3개방부(170)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 반입 또는 반출되도록 이루어질 수 있다.Therefore, since the inside and the outside of the
즉, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 완전히 분리되는 경우 형성되는 제2개방부(160, 도 14 내지 도 17 참조)를 대신하여 상기 제3개방부(170)를 이용할 수 있어, 상기 제2하우징(120) 및 상기 지지부(122)의 이동거리를 줄이고 불필요한 공간 이용 및 전력 소모를 줄일 수 있다.That is, the
또한, 상기 연장부(122)에 있어서, 상기 제3개방부(170)의 둘레에 상기 흡입부(710)가 구비되어, 파티클(p)이 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 것을 방지하도록 이루어질 수 있다.In addition, in the
상기와 같이 제3개방부(170)가 형성되는 구성은 상기 도 14 내지 도 17에서 설명한 기판 처리 장치의 구성에 모두 적용될 수 있다(미도시).The configuration in which the third
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 의하면, 챔버(100)의 클램핑 또는 클램핑 해제시 챔버(100)와 클램핑부(200)가 접촉하는 접촉면에 완충부(300)를 구비하여 마찰시 발생하는 파티클의 양을 감소시킬 수 있다.As described above, according to the substrate processing apparatus according to the present invention, the
또한, 상기 챔버(100) 또는 클램핑부(200)에 탈착 가능하도록 이루어진 완충부(300)를 구비하여 완충부(300)가 일정 주기로 교체되도록 함으로써 마찰에 의한 마모 등 부재의 노화에 의해 클램핑 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. In addition, the
또한, 챔버(100) 또는 클램핑부(200)에 구비되는 완충부(300)의 위치를 고정시켜 클램핑 또는 클램핑 해제시 챔버(100) 또는 클램핑부(200)와의 마찰에 의해 밀려 위치가 변하는 것을 방지하고 클램핑 안정성을 높일 수 있다.In addition, the position of the
또한, 챔버(100) 주변의 파티클(p)을 흡입하여 상기 챔버(100) 내부에 파티클(p)이 유입되는 것을 방지함으로써 파티클(p)에 의해 기판(W)의 공정 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, by sucking the particles (p) around the chamber (100) to prevent the particles (p) from being introduced into the chamber (100), thereby preventing the process failure of the substrate (W) caused by the particles (p) can do.
또한, 챔버(100) 주변에 발생되는 파티클(p)을 검출하여 카운팅하고 그 종류 및 발생 경향을 파악함으로써 기판 처리 환경을 개선할 수 있다.In addition, the substrate processing environment can be improved by detecting and counting the particles p generated around the
또한, 검출된 파티클(p)의 정보에 따라 알람이 발생되도록 하여 상기 챔버(100) 주변의 파티클 상태를 용이하게 인지하고 조기에 대처할 수 있다.In addition, by generating an alarm according to the information of the detected particle (p), it is possible to easily recognize the state of particles around the
또한, 검출된 파티클(p)의 정보를 가시적으로 나타내는 표시부를 구비하여 상기 챔버(100) 주변의 파티클 상태를 용이하게 인지할 수 있다.In addition, it is possible to easily recognize the state of particles around the
또한, 파티클(p)을 흡입하는 흡입부(710)는 상기 챔버(100)와 상기 클램핑부(200)의 결합부와 상기 챔버(100)를 개폐하는 챔버 구동부 및 상기 클램핑부(200)를 구동시키는 클램핑 구동부 중 적어도 하나를 둘러싸도록 구비되고, 상기 흡입부(710)에는 일정 간격 이격된 적어도 하나의 흡입구(711)가 구비되어, 파티클(p)의 흡입률을 높일 수 있다.In addition, the
또한, 상기 챔버(100)가 제1결합부(810)와 제2결합부(820)에 의해 이중으로 밀폐되는 상호보완적인 이중 밀폐구조를 제공함으로써 상기 챔버(100) 내부의 기밀성을 높일 수 있다.In addition, by providing a complementary double sealing structure in which the
또한, 상기 챔버(100)를 간접적으로 밀폐하는 제2결합부(820)의 외측에 클램핑부(300)를 결합시켜 클램핑 및 클램핑 해제시 발생하는 파티클(p)이 상기 챔버(100)에 유입될 확률을 현저히 낮출 수 있다. In addition, by coupling the clamping
또한, 제1개방부(810)가 상기 제2결합부(820)보다 일정 이격거리(d1)만큼 상측에 형성되도록 하여 파티클(p)이 제1개방부(810)를 통해 상기 챔버(100)에 유입되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the
또한, 제1플랜지부(110a)로부터 연장되는 연장부(112)와 제2플랜지부(112) 사이의 이격거리를 충분히 좁게 유지하여 파티클(p)이 제1개방부(810)를 통해 상기 챔버(100)에 유입되는 것을 방지할 수 있다. In addition, the separation distance between the
또한, 상기 챔버(100) 주위에 하강기류(A)를 형성하여 파티클(p)을 하측으로 배출시킴으로써 파티클(p)이 상기 챔버(100)에 유입되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by forming a downdraft (A) around the chamber ( 100 ) and discharging the particles ( p ) downward, it is possible to prevent the particles (p) from entering the chamber ( 100 ).
또한, 상기 연장부(112)를 관통하여 상기 챔버(100)의 내부와 외부를 연통시키는 제3개방부(170)를 형성하여 상기 챔버(100)의 개폐시 제1하우징(110) 또는 제2하우징(120)의 이동거리를 줄이고 불필요한 공간 이용 및 전력 소모를 줄일 수 있다.In addition, a
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and obvious modifications can be made by those of ordinary skill in the art to which the invention pertains without departing from the technical spirit of the invention as claimed in the claims. The practice is within the scope of the present invention.
W : 기판
p : 파티클
100 : 챔버
110 : 제1하우징
110a : 제1플랜지부
112 : 연장부
112a : 제3플랜지부
120 : 제2하우징
120a : 제2플랜지부
122 : 지지부
123 : 플레이트부
200 : 클램핑부
250 : 레일
260 : 돌기
300 : 완충부
350 : 레일물림부
360 : 홈
510 : 챔버의 내측방향
520 : 챔버의 외측방향
600 : 씰링부재
610 : 씰링 그루브
700 : 파티클 카운터
710 : 흡입부
720 : 유동부
730 : 음압발생부
740 : 검출부W: Substrate p: Particles
100: chamber 110: first housing
110a: first flange portion 112: extension portion
112a: third flange part 120: second housing
120a: second flange part 122: support part
123: plate part 200: clamping part
250: rail 260: protrusion
300: buffer part 350: rail engagement part
360: groove 510: inward direction of the chamber
520: outward direction of the chamber 600: sealing member
610: sealing groove 700: particle counter
710: suction unit 720: flow unit
730: sound pressure generating unit 740: detecting unit
Claims (47)
상기 제1하우징과 결합하여 챔버를 이루는 제2하우징;
상기 챔버의 외측면에 접하여 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합된 상태를 유지하도록 지지하는 클램핑부;
상기 챔버와 상기 클램핑부가 접하는 접촉면에 구비되되 상기 챔버 및 상기 클램핑부와 경도가 상이한 재질로 이루어진 완충부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.a first housing;
a second housing coupled to the first housing to form a chamber;
a clamping part contacting the outer surface of the chamber to support the first housing and the second housing to maintain a coupled state;
a buffer part provided on a contact surface in contact with the chamber and the clamping part and made of a material having a hardness different from that of the chamber and the clamping part;
A substrate processing apparatus comprising a.
상기 완충부는, 상기 클램핑부와 접하는 상기 챔버의 접촉면과 상기 챔버와 접하는 상기 클램핑부의 접촉면 중 적어도 하나에 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The buffer unit is provided on at least one of a contact surface of the chamber in contact with the clamping unit and a contact surface of the clamping unit in contact with the chamber.
상기 완충부는 상기 챔버 및 상기 클램핑부보다 경도가 낮은 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The buffer portion is a substrate processing apparatus, characterized in that made of a material having a lower hardness than the chamber and the clamping portion.
상기 챔버 및 상기 클램핑부는 스테인리스강 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The substrate processing apparatus, characterized in that the chamber and the clamping portion made of a stainless steel material.
상기 완충부는 수지 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The buffer unit is a substrate processing apparatus, characterized in that made of a resin material.
상기 완충부는 상기 챔버 및 상기 클램핑부와 별개로 교체 가능하도록 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The substrate processing apparatus, characterized in that the buffer unit is provided to be replaceable separately from the chamber and the clamping unit.
상기 클램핑부와 접하는 상기 챔버의 접촉면과 상기 챔버와 접하는 상기 클램핑부의 접촉면 중 적어도 하나에 상기 완충부가 삽입되는 그루브가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein a groove into which the buffer part is inserted is formed in at least one of a contact surface of the chamber in contact with the clamping part and a contact surface of the clamping part in contact with the chamber.
상기 클램핑부와 접하는 상기 챔버의 접촉면과 상기 챔버와 접하는 상기 클램핑부의 접촉면 중 적어도 하나에 레일이 구비되고, 상기 완충부의 일측에 상기 레일과 맞물리는 레일물림부가 구비되어, 상기 레일과 상기 레일물림부가 맞물린 상태로 상기 완충부가 상기 레일을 따라 이동하여 상기 클램핑부에 결합되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
A rail is provided on at least one of a contact surface of the chamber in contact with the clamping part and a contact surface of the clamping part in contact with the chamber, and a rail engaging part engaged with the rail is provided on one side of the buffer part, the rail and the rail engaging part The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the buffer part moves along the rail in an engaged state to be coupled to the clamping part.
상기 레일은 상기 챔버를 지지 또는 지지 해제하기 위해 이동하는 상기 클램핑부의 이동방향과 수직방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
wherein the rail is formed in a direction perpendicular to a moving direction of the clamping part that moves to support or release the support of the chamber.
상기 클램핑부와 접하는 상기 챔버의 접촉면과 상기 챔버와 접하는 상기 클램핑부의 접촉면 중 적어도 하나에는 적어도 하나의 돌기가 형성되고, 상기 완충부에는 상기 적어도 하나의 돌기와 형합되는 적어도 하나의 홈이 형성되어,
상기 적어도 하나의 돌기와 상기 적어도 하나의 홈이 맞물려 조립됨에 따라 상기 완충부가 상기 챔버와 상기 클램핑부 중 적어도 하나에 각각 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
At least one protrusion is formed on at least one of the contact surface of the chamber in contact with the clamping part and the contact surface of the clamping part in contact with the chamber, and at least one groove is formed in the buffer part to engage the at least one protrusion,
As the at least one protrusion and the at least one groove are engaged and assembled, the buffer unit is coupled to at least one of the chamber and the clamping unit, respectively.
상기 클램핑부와 접하는 상기 챔버의 접촉면과 상기 챔버와 접하는 상기 클램핑부의 접촉면 중 적어도 하나에는 적어도 하나의 홈이 형성되고, 상기 완충부에는 상기 적어도 하나의 돌기와 형합되는 적어도 하나의 돌기가 형성되어,
상기 적어도 하나의 돌기와 상기 적어도 하나의 홈이 맞물려 조립됨에 따라 상기 완충부가 상기 챔버와 상기 클램핑부 중 적어도 하나에 각각 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
At least one groove is formed in at least one of the contact surface of the chamber in contact with the clamping portion and the contact surface of the clamping portion in contact with the chamber, and at least one projection is formed in the buffer unit to engage the at least one projection,
As the at least one protrusion and the at least one groove are engaged and assembled, the buffer unit is coupled to at least one of the chamber and the clamping unit, respectively.
상기 챔버는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 상하로 결합되어, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나가 구동부의 구동에 의해 상하로 왕복이동함에 따라 개폐되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The chamber is configured to open and close as the first housing and the second housing are vertically coupled, and one of the first housing and the second housing reciprocates up and down by the driving of the driving unit. substrate processing equipment.
상기 제1하우징은 상기 제2하우징의 상측에 결합되고,
상기 클램핑부는, 상기 제1하우징의 상단과 상기 제2하우징의 하단 중 적어도 하나를 지지하여 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합된 상태를 유지하도록 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
The first housing is coupled to the upper side of the second housing,
The clamping unit supports at least one of an upper end of the first housing and a lower end of the second housing to maintain a coupled state between the first housing and the second housing.
상기 제1하우징은 상기 제2하우징의 상측에 결합되고,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합되는 결합부에는 플랜지부가 형성되며;
상기 클램핑부는, 상기 제1하우징의 플랜지부의 상단과 상기 제2하우징의 플랜지부의 하단을 동시에 지지하여 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합된 상태를 유지하도록 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
The first housing is coupled to the upper side of the second housing,
a flange portion is formed in the coupling portion to which the first housing and the second housing are coupled;
The clamping unit supports the upper end of the flange portion of the first housing and the lower end of the flange portion of the second housing at the same time to maintain the coupled state between the first housing and the second housing. processing unit.
상기 클램핑부는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합방향에 대해 수직방향으로 이동하여 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합된 상태를 유지하도록 지지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The clamping part moves in a direction perpendicular to the coupling direction of the first housing and the second housing to support the first housing and the second housing to maintain a coupled state.
상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합면에 상기 챔버를 씰링하는 씰링부재가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
and a sealing member sealing the chamber is provided on a coupling surface of the first housing and the second housing.
상기 씰링부재는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합면을 따라 링 형상으로 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.17. The method of claim 16,
The sealing member is a substrate processing apparatus, characterized in that provided in a ring shape along a coupling surface of the first housing and the second housing.
상기 챔버는 기판을 수용하여 처리하는 기판 처리용 챔버이며, 상기 챔버의 내부에 기판을 수용하여 처리하는 공간인 기판 처리 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The chamber is a substrate processing chamber for accommodating and processing the substrate, and a substrate processing space, which is a space for accommodating and processing the substrate, is formed in the chamber.
상기 챔버 주변의 파티클을 흡입하여 상기 챔버 주변에 분포하는 파티클을 검출하는 파티클 카운터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
and a particle counter for detecting particles distributed around the chamber by sucking in particles around the chamber.
상기 파티클 카운터는,
주변의 파티클이 흡입되는 흡입부;
상기 흡입부를 통해 흡입된 파티클이 유동하는 유동부;
상기 유동부에 연결되어 상기 파티클의 흡입을 위한 음압을 발생시키는 음압발생부;
상기 유동부에 연결되어 유입된 파티클을 검출하는 검출부;
를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.20. The method of claim 19,
The particle counter is
a suction unit through which the surrounding particles are sucked;
a flow part through which particles sucked through the suction part flow;
a negative pressure generating unit connected to the flow unit to generate a negative pressure for suction of the particles;
a detection unit connected to the flow unit to detect the introduced particles;
A substrate processing apparatus comprising a.
상기 파티클 카운터는,
상기 검출부를 통해 검출된 파티클의 정보를 수신하여 파티클 발생 경향을 분석하는 분석부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 21. The method of claim 20,
The particle counter is
The substrate processing apparatus of claim 1, further comprising: an analysis unit configured to receive information on particles detected through the detection unit and analyze a particle generation tendency.
상기 파티클 카운터에는 상기 검출부에서 검출된 파티클의 수치가 기설정된 파티클 한계수치에 도달하면 알람을 발생시키는 알람발생부가 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
An alarm generating unit for generating an alarm when the number of particles detected by the detection unit reaches a preset particle limit value is connected to the particle counter.
상기 파티클 카운터에는 상기 검출부에서 검출된 파티클의 수치를 가시적으로 표시하는 표시부가 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
A display unit for visually displaying the numerical value of particles detected by the detection unit is connected to the particle counter.
상기 흡입부는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징이 결합되는 결합부에 구비되어, 상기 챔버의 개폐시 발생하는 파티클을 흡입하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
The suction part is provided in a coupling part to which the first housing and the second housing are coupled, and sucks particles generated when the chamber is opened and closed.
상기 제1하우징은 상기 제2하우징의 상측에 결합되고,
상기 흡입부는, 상기 제2하우징에 구비되어, 상기 챔버의 개폐시 발생하는 파티클이 하강하며 상기 흡입부로 흡입되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.25. The method of claim 24,
The first housing is coupled to the upper side of the second housing,
The suction part is provided in the second housing, and the particles generated when the chamber is opened and closed are descended and sucked into the suction part.
상기 흡입부는, 상기 클램핑부에 구비되어, 클램핑시 또는 클램핑 해제시 발생하는 파티클을 흡입하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
The suction part is provided in the clamping part, and the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the suction part sucks particles generated during clamping or releasing the clamping part.
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나를 이동시켜 상기 챔버를 개폐하는 구동부가 구비되고;
상기 흡입부는 상기 구동부에 구비되어, 상기 구동부의 구동시 발생하는 파티클을 흡입하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
a driving unit for opening and closing the chamber by moving any one of the first housing and the second housing is provided;
The suction unit is provided in the driving unit, the substrate processing apparatus, characterized in that for sucking the particles generated when the driving unit is driven.
상기 흡입부는 상기 챔버의 둘레를 따라 복수 개 구비되거나, 상기 챔버의 둘레를 따라 연결된 고리 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
A plurality of suction units are provided along the circumference of the chamber, or are provided in a ring shape connected along the circumference of the chamber.
상기 흡입부는 상기 클램핑부와 상기 챔버가 접촉하는 접촉부의 둘레를 따라 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.27. The method of claim 26,
The suction part is provided along a periphery of a contact part where the clamping part and the chamber come into contact with each other.
상기 흡입부는 상기 구동부의 둘레를 따라 복수 개 구비되거나, 상기 구동부의 둘레를 따라 연결된 고리 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.28. The method of claim 27,
A plurality of suction units are provided along the circumference of the driving unit, or are provided in a ring shape connected along the circumference of the driving unit.
상기 흡입부에는 상기 파티클 카운터의 내부와 외부를 연결하여 공기 및 파티클이 유입되는 적어도 하나의 흡입구가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein at least one suction port through which air and particles are introduced by connecting the inside and outside of the particle counter is formed in the suction part.
상기 적어도 하나의 흡입구는 일정 간격으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 32. The method of claim 31,
The at least one suction port is a substrate processing apparatus, characterized in that formed spaced apart at regular intervals.
상기 음압발생부는 진공발생기인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.21. The method of claim 20,
The negative pressure generating unit is a substrate processing apparatus, characterized in that the vacuum generator.
상기 제1하우징에 형성된 제1플랜지부;
상기 제2하우징에 형성되며, 상기 제1플랜지부와 결합하여 제1결합부를 이루는 제2플랜지부;
상기 제1플랜지부에서 연장되는 상기 제1하우징의 연장부에 형성된 제3플랜지부;
상기 제2하우징을 지지하는 지지부에 구비되며, 상기 제3플랜지부와 결합하여 제2결합부를 이루는 플레이트부;
를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
a first flange portion formed on the first housing;
a second flange portion formed in the second housing and coupled to the first flange portion to form a first coupling portion;
a third flange portion formed in an extension portion of the first housing extending from the first flange portion;
a plate part provided in a support part for supporting the second housing and forming a second coupling part by being coupled to the third flange part;
Substrate processing apparatus characterized in that it further comprises a.
상기 클램핑부는 상기 제2결합부의 외측을 클램핑하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.35. The method of claim 34,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the clamping part is configured to clamp the outside of the second coupling part.
상기 제2결합부는 상기 제1결합부로부터 일정 간격 이격된 위치에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.35. The method of claim 34,
The second coupling part is a substrate processing apparatus, characterized in that provided at a position spaced apart from the first coupling part by a predetermined distance.
상기 제3플랜지부 및 상기 플레이트부는 각각 상기 제1플랜지부 및 상기 제2플랜지부로부터 동일한 이격거리를 가지는 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.35. The method of claim 34,
The third flange part and the plate part are respectively formed at positions having the same separation distance from the first flange part and the second flange part.
상기 제1하우징의 위치가 고정되되, 상기 제2하우징 및 상기 지지부가 상기 구동부의 구동에 의해 왕복이동하여 상기 챔버를 개폐하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.35. The method of claim 34,
A substrate processing apparatus, characterized in that the position of the first housing is fixed, and the second housing and the support part reciprocate by driving the driving part to open and close the chamber.
상기 제1하우징은 상기 제2하우징의 상부에 결합되고;
상기 연장부는 상기 제1플랜지부의 가장자리로부터 하측으로 연장되고;
상기 지지부는 상기 제2하우징의 하부에 구비되며;
상기 플레이트부는 상기 지지부의 하부에 구비되어;
상기 제2결합부는 상기 제1결합부보다 하측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.39. The method of claim 38,
the first housing is coupled to an upper portion of the second housing;
the extension portion extends downward from the edge of the first flange portion;
the support part is provided under the second housing;
The plate part is provided under the support part;
The second coupling part is a substrate processing apparatus, characterized in that located below the first coupling part.
상기 제1하우징은 상기 제2하우징의 하부에 결합되고;
상기 연장부는 상기 제1플랜지부의 가장자리로부터 상측으로 연장되고;
상기 지지부는 상기 제2하우징의 상부에 구비되며;
상기 플레이트부는 상기 지지부의 상부에 구비되어;
상기 제2결합부는 상기 제1결합부보다 상측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.39. The method of claim 38,
the first housing is coupled to a lower portion of the second housing;
the extension portion extends upwardly from the edge of the first flange portion;
the support part is provided on the second housing;
The plate portion is provided above the support portion;
The second coupling part is a substrate processing apparatus, characterized in that located above the first coupling part.
상기 제2하우징의 위치가 고정되되, 상기 제1하우징 및 상기 지지부가 상기 구동부의 구동에 의해 왕복이동하여 상기 챔버를 개폐하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.35. The method of claim 34,
A substrate processing apparatus, characterized in that the position of the second housing is fixed, and the first housing and the support part reciprocate by driving the driving part to open and close the chamber.
상기 제1하우징은 상기 제2하우징의 상부에 결합되고;
상기 연장부는 상기 제1플랜지부의 가장자리로부터 하측으로 연장되고;
상기 지지부는 상기 제2하우징의 하부에 구비되며;
상기 플레이트부는 상기 지지부의 하부에 구비되어;
상기 제2결합부는 상기 제1결합부보다 하측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.42. The method of claim 41,
the first housing is coupled to an upper portion of the second housing;
the extension portion extends downward from the edge of the first flange portion;
the support part is provided under the second housing;
The plate part is provided under the support part;
The second coupling part is a substrate processing apparatus, characterized in that located below the first coupling part.
상기 제1하우징은 상기 제2하우징의 하부에 결합되고;
상기 연장부는 상기 제1플랜지부의 가장자리로부터 상측으로 연장되고;
상기 지지부는 상기 제2하우징의 상부에 구비되며;
상기 플레이트부는 상기 지지부의 상부에 구비되어;
상기 제2결합부는 상기 제1결합부보다 상측에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.42. The method of claim 41,
the first housing is coupled to a lower portion of the second housing;
the extension portion extends upwardly from the edge of the first flange portion;
the support part is provided on the second housing;
The plate portion is provided above the support portion;
The second coupling part is a substrate processing apparatus, characterized in that located above the first coupling part.
상기 연장부는 상기 제2플랜지부와의 사이에 일정 이격거리를 가지는 틈을 유지하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.35. The method of claim 34,
The extension part is configured to maintain a gap having a predetermined distance between the second flange part and the substrate processing apparatus.
상기 틈의 이격거리는 5mm 이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.45. The method of claim 44,
The substrate processing apparatus, characterized in that the separation distance of the gap is maintained at 5 mm or less.
상기 연장부는 상기 제1플랜지부와 상기 제3플랜지부 사이에 형성되고;
상기 연장부의 일측에 상기 챔버의 내부와 외부를 연통시키는 개방부가 형성되어, 상기 제2플랜지부의 위치에 따라 상기 개방부를 통해 상기 챔버의 내부와 외부가 연통되거나 연통 해제되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.35. The method of claim 34,
the extension portion is formed between the first flange portion and the third flange portion;
An open portion for communicating the inside and the outside of the chamber is formed on one side of the extension, so that the inside and the outside of the chamber are communicated or disconnected from each other through the opening according to the position of the second flange Device.
상기 챔버 주위에 하강기류를 형성하는 공기공급부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
35. The method of claim 34,
and an air supply unit for forming a downdraft around the chamber.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200017474A KR20210103124A (en) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | Apparatus for Treating Substrate |
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|---|---|---|---|
| KR1020200017474A KR20210103124A (en) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | Apparatus for Treating Substrate |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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| KR1020200017474A KR20210103124A (en) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | Apparatus for Treating Substrate |
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- 2020-02-13 KR KR1020200017474A patent/KR20210103124A/en not_active Application Discontinuation
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