KR20210102110A - 알루미늄 화합물, 이를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 박막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 알루미늄 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 박막증착용 조성물을 제공하는 것으로, 본 발명의 알루미늄 화합물은 휘발성 및 열안정성이 높아 양질의 알루미늄 함유 박막을 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 알루미늄 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박막증착용 전구체로 유용한 알루미늄 화합물, 이를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 알루미늄을 함유하는 박막의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 산업에서의 신기술 및 재료의 개발은 반도체 집적회로와 같은 소자의 미세화, 고신뢰화, 고속화, 고기능화, 고집적화 등을 실현 가능하게 하여 왔다.
특히, 반도체 산업의 발전은 집적회로의 크기를 줄임으로 가능하다.
즉, 집적회로의 크기를 작게 함으로 칩의 전력소비 감소와 빠른 신호전달이 가능하게 되었다.
집적회로는 다층구조의 금속배선을 필요로 하며 한 층의 금속배선 제조 후 저유전 절연물질로 금속배선들 사이를 채워(gap-fill)주며, 유전 절연물질의 상부를 평탄화(planarization)하여 다음 층의 금속배선을 제조하게 된다. 그리고 위/아래층의 금속배선을 서로 연결해 주게 된다.
그러나 집적회로의 크기가 줄어듦으로 회로를 구성하는 금속배선 사이의 간격이 줄어든다. 이로 인해 인접한 금속배선 사이에서 전류 신호가 서로 영향을 주어 혼선(crosstalk)을 일으킬 가능성이 증가하게 되며, 또한 상기 금속배선 사이를 절연하는 절연물질에 캐패시턴스가 발생하여 상기 금속배선에 제공되는 전류 신호가 지연되는 현상이 발생할 수 있다.
따라서 상기 금속배선 사이를 절연하는 절연물질이 캐패시턴스를 작게 형성하여 전류 신호의 지연 등이 최소화되도록 유전상수가 보다 작은 물질의 개발이 중요하다.
금속배선을 절연하며 층간 평탄화를 목적으로 쓰이는 저유전 물질로는 실리케이트와 이를 대체하는 13족 금속 산화물을 예를 들 수 있다.
이중 산화 알루미늄 박막은 화학적, 열적 안정성, 높은 유전상수(~9), 넓은 밴드 갭(8.7 eV)등과 같은 독특한 특성을 갖기 때문에 초대형 집적 소자(ultra-large-scale integrated device)에서 유전 층인 산화규소(SiO2)의 가장 우선적인 대체물질이다.
알루미늄 산화물 전구체로는 염화알루미늄, 알킬알루미늄 및 알루미늄 알콕사이드(alkoxide) 화합물 등이 있다.
이중 염화알루미늄을 전구체로 사용하여 CVD 방법으로 증착한 알루미나 박막은 수소, 이산화탄소 기체를 혼합하여 700℃~1000℃사이의 온도에서 가수분해함으로써 얻을 수 있는데 부식성 기체인 염화수소가 부산물로 생성된다는 문제점이 있다.
또한 알킬알루미늄 화합물은 상온에서 액체로 존재하는 등의 CVD 전구체로서 장점을 갖추고 있으나, 박막의 증착온도가 300℃ 이상 400℃ 근처의 고온에서 이루어지기 때문에 증착공정이 어려워지고, 고온 증착은 알루미늄 박막 내 전기 저항도를 높이는 원치 않은 불순물인 탄소가 알루미늄 박막 내에 포함되는 치명적인 문제점을 가진다.
이와 같은 문제 해결을 위하여 디알킬알루미늄하이드라이드 화합물 등을 전구체로 사용하는 Al-CVD 공법에 대한 공정 및 기술 개발이 시작되었으나, 디알킬알루미늄하이드라이드 화합물 또한 알킬 알루미늄 계열의 화합물로 공기와 접촉시 폭발적 인화성을 가져 취급하기에 어려운 점이 있고, 제조의 어려움으로 인해 높은 가격으로 경제성이 취약하며, 점도가 높은 액체화합물이기 때문에 전구체 전달 속도의 조절이 용이하지 않은 문제점을 가지고 있다.
따라서 여전히 휘발성 및 열안정성이 우수하고 다양한 박막에 적용이 가능한 알루미늄 전구체에 대한 연구가 요구된다.
본 발명은 극히 향상된 휘발성 및 열안정성을 가져 양질의 알루미늄 함유 박막의 제조가 가능한 알루미늄 화합물 및 이의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 본 발명의 알루미늄 화합물을 포함하는 박막증착용 조성물을 제공한다.
또한 본 발명은 본 발명의 박막증착용 조성물을 이용하는 알루미늄 함유 박막의 제조방법 및 본 발명의 알루미늄 화합물을 이용하여 제조된 박막을 제공한다.
본 발명은 휘발성 및 안정성이 우수하여 알루미늄 함유 박막의 전구체로 유용한 알루미늄 화합물을 제공하는 것으로, 본 발명의 알루미늄 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
M은 알루미늄이며;
R1 내지 R2는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
A는 -(C(R11)(R12))n-이며, R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
n은 0 내지 4의 정수이다.)
바람직하게 본 발명의 상기 화학식 1에서 R3 내지 R6은 수소이며; R7 내지 R8은 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이며; R11 및 R12는 수소이고; n은 0 내지 2일 수 있다.
바람직하게 본 발명이 상기 화학식 1에서 R1 내지 R2는 서로 동일하게 (C1-C4)알킬이고; R7 내지 R8은 서로 동일하게 (C1-C4)알킬일 수 있다.
열안정성 및 휘발성 측면에서 보다 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서,
M은 알루미늄이며;
R1 내지 R2는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R7 내지 R8은 각각 독립적으로 (C1-C4)알킬이다.)
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2에서 R1 내지 R2는 에틸, n-프로필, 이소프로필이고; R7 내지 R8은 각각 독립적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 부틸(butyl), 이소부틸 또는 tert-부틸일 수 있다.
또한 본 발명은 본 발명의 알루미늄 화합물의 제조방법을 제공하는 것으로, 본 발명의 알루미늄 화합물의 제조방법은 하기 화학식 3의 화합물과 하기 화학식 4의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계 및
하기 화학식 5의 화합물에 알칼리금속 또는 알칼리토금속을 반응시켜 하기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 포함한다.
[화학식 1]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
(상기 화학식 1 및 3 내지 5에서,
M은 알루미늄이며;
R1, R2 및 R21은 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
A는 -(C(R11)(R12))n-이며, R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
n은 0 내지 4의 정수이며,
X 및 X1은 서로 독립적으로 할로겐이고,
Z는 할로겐화수소이다.)
또한 본 발명은 본 발명의 알루미늄 화합물을 포함하는 박막증착용 조성물 및 본 발명의 박막증착용 조성물을 이용하여 알루미늄 함유 박막의 제조방법을 제공한다,
본 발명의 일 실시예에 따른 박막은 유기금속 화학기상 증착법, 원자층 증착법공정, 저압 기상 증착법, 플라즈마 강화 기상 증착법 또는 플라즈마 강화 원자층 증착법에 의해 수행되는 것일 수 있다.
또한 본 발명은 본 발명의 알루미늄 화합물을 이용하여 제조된 알루미늄 함유 박막을 제공한다.
본 발명의 알루미늄 화합물은 극히 우수한 휘발성을 가져 저온에서도 양질의 알루미늄 함유 박막을 제조할 수 있다.
또한 본 발명의 알루미늄 화합물은 상온에서 액체로 취급이 매우 용이하며, 열안정성이 매우 우수하여 알루미늄 함유 박막의 제조가 용이하며, 저장안정성도 매우 높다.
또한 본 발명의 알루미늄 화합물은 알루미늄 산화물 박막, 알루미늄 질화물 박막 등의 다양한 박막을 높은 순도로 균일한 박막을 제조할 수 있다.
따라서 본 발명의 알루미늄 화합물을 포함하는 박막증착용 조성물은 본 발명의 알루미늄 화합물을 사용함으로써 다양한 공정으로 양질의 박막을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에서 제조된 알루미늄 화합물의 TG 분석 결과를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예 2 및 3에서 제조된 알루미늄 산화물 박막의 SEM 사진을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2의 온도에 따른 알루미늄 산화물 박막의 증착속도를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예 3의 증착사이클에 따른 박막두께를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예 2 및 3에서 제조된 알루미늄 산화물 박막의 SEM 사진을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2의 온도에 따른 알루미늄 산화물 박막의 증착속도를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예 3의 증착사이클에 따른 박막두께를 나타낸 도면이다.
본 발명에 기재된 ‘알킬’은 직쇄 또는 분지쇄를 모두 포함하며, 구체적인 일례로 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 프로필(propyl), 이소프로필(iso-propyl), 부틸(butyl), 이소부틸(iso-butyl) 또는 tert-부틸(tert-butyl)일 수 있다.
본 발명은 알루미늄 함유 박막의 전구체로 매우 유용한 알루미늄 화합물을 제공하는 것으로, 본 발명의 알루미늄 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
M은 알루미늄이며;
R1 내지 R2는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
A는 -(C(R11)(R12))n-이며, R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
n은 0 내지 4의 정수이다.)
좋기로는 본 발명의 상기 화학식 1에서 R3 내지 R6은 수소이며; R7 내지 R8은 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이며; R11 및 R12는 수소이고; n은 0 내지 2일 수 있으며; 보다 좋기로는 R1 내지 R2는 서로 동일하게 (C1-C4)알킬이고; R7 내지 R8은 서로 동일하게 (C1-C4)알킬일 수 있다.
휘발성 및 열안정성 측면에서 보다 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1에서 R1 내지 R2는 서로 동일하게 (C2-C4)알킬이고; R7 내지 R8은 서로 동일하게 (C1-C4)알킬일 수 있다.
우수한 휘발성 및 열안정성을 가지기위한 측면에서 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서,
M은 알루미늄이며;
R1 내지 R2는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R7 내지 R8은 각각 독립적으로 (C1-C4)알킬이다.)
보다 바람직하게 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2에서 R1 내지 R2는 에틸, n-프로필, 이소프로필이고; R7 내지 R8은 각각 독립적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸 또는 tert-부틸일 수 있으며, 보다 향상된 열안정성을 가지기위한 측면에서 하기 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정이 있는 것은 아니다.
또한 본 발명은 본 발명의 알루미늄 화합물을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 알루미늄 화합물의 제조방법은 하기 화학식 3과 화학식 4의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계; 및
하기 화학식 5의 화합물에 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 반응시켜 하기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 포함한다.
[화학식 1]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
(상기 화학식 1 및 3 내지 5에서,
M은 알루미늄이며;
R1, R2 및 R21은 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
A는 -(C(R11)(R12))n-이며, R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
n은 0 내지 4의 정수이며,
X 및 X1은 서로 독립적으로 할로겐이고,
Z는 할로겐화수소이다.)
본 발명의 알루미늄 화합물의 제조방법은 일례로 상기와 같은 방법으로 제조될 수 있으나, 이외에 당업자가 인식할 수 있는 범위내에서 가능한 방법이라면 모두 가능하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 리튬, 칼륨, 나트륨 또는 칼슘 등일 수 있으며 바람직하게 리튬일 수 있으며, 할로겐화 수소는 아민염을 형성할 수 있는 할로겐화수소라면 모두 가능하며, 일례로 염산일 수 있으며, 구체적으로 플루오로화수소, 브롬화수소, 염화수소 등일 수 있다.
바람직하게 본 발명의 알루미늄 화합물의 제조방법은 하기 화학식 3과 화학식 4의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계; 및
하기 화학식 5의 화합물에 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 반응시켜 하기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계가 한반응기 내에서 진행되는 원-팟(one-pot)반응일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 화학식 3의 화합물은 화학식 4의 화합물, 1몰에 대하여 1.00 내지 1.50몰로 사용될 수 있으며, 바람직하게 1.00 내지 0.12몰로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 상기 화학식 4의 화합물, 1몰에 대하여 2 내지 5몰로 사용될 수 있으며, 바람직하게는 2 내지 3몰로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1로 표시되는 알루미늄 화합물의 제조방법에 사용되는 용매는 바람직하게 클로로벤젠, 톨루엔, 다이클로로에탄(DCE), 다이옥산, 디에틸에테르 및 디클로로메테인(MC)에서 선택되는 하나(단독용매) 또는 둘이상의 혼합용매가 사용될 수 있으며, 보다 바람직하게 수율 등의 반응효율을 높이기위한 측면에서 디에틸에테르 용매 하에서 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계는 상온(18 내지 30℃)에서 수행될 수 있으며, 바람직하게는 20 내지 25℃에서 30분 내지 2시간동안 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계는 30 내지 50℃에서 수행될 수 있으며, 바람직하게는 35 내지 40℃에서 24시간 내지 48시간동안 수행될 수 있다.
또한 본 발명은 본 발명의 알루미늄 화합물을 포함하는 박막증착용 조성물 및 본 발명의 박막증착용 조성물을 이용하는 박막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 알루미늄 함유 박막은 통상적인 방법으로 제조될 수 있으며, 일례로 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD), 원자층 증착법(ALD) 공정, 저압 기상 증착법(LPCVD), 플라즈마 강화 기상 증착법 (PECVD) 또는 플라즈마 강화 원자층 증착법(PEALD)등을 들 수 있다.
본 발명의 알루미늄 함유 박막은 본 발명의 알루미늄 화합물을 이용하여 제조되며, 한정이 있는 것은 아니나 일례로 알루미늄 질화막, 알루미늄 산화막, 알루미늄 탄소질화막, 규소-알루미늄 질화막일 수 있으며, 바람직하게 알루미늄 질화막 또는 알루미늄 산화막일 수 있다.
본 발명의 알루미늄 함유 박막의 제조방법은 높은 휘발성과 높은 열적 안정성을 가지는 본 발명의 알루미늄 화합물을 사용하여 제조됨으로써 제조된 알루미늄 함유 박막은 물리적, 전기적, 화학적 특성이 극히 우수하다.
또한 본 발명의 알루미늄 화합물은 휘발성이 우수하여 120℃이하, 바람직하게 110℃이하의 저온에서도 박막증착이 가능한 장점을 가진다.
본 발명의 알루미늄 함유 박막의 제조방법에서 본 발명의 알루미늄 화합물의 주입온도는 상온(25℃) 내지 120 ℃, 바람직하게 상온(25℃) 내지 80 ℃일 수 있으며, 본 발명의 알루미늄 화합물의 높은 휘발성으로 인해 알루미늄 화합물이 증착될 기판의 온도는 80 내지 450 ℃, 바람직하게 100 내지 450 ℃, 보다 바람직하게 100 내지 400℃, 챔버내부 압력은 0.1 내지 10 torr일 수 있다.
본 발명의 알루미늄 함유 박막의 제조방법에서 사용되는 반응가스는 한정이 있는 것은 아니나, 수소(H2), 히드라진(N2H4), 오존(O3), 산소(O2), 물(H2O), 암모니아(NH3), 질소(N2), 실란(SiH4), 보란(BH3), 디보란(B2H6) 및 포스핀(PH3)에서 선택되는 하나 또는 하나이상의 혼합기체일 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명의 구성을 보다 구체적으로 설명하지만, 하기의 실시예들은 본 발명에 대한 이해를 돕기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 여기에 국한된 것은 아니다.
[실시예 1] (C2H5)2Al(CH2)3N(CH3)2의 제조의 합성
N2 분위기의 글러브박스 하에서 트리에틸알루미늄 (14.81g, 12.98mmol) 및 Diethylether (67g)을 250ml 삼목플라스크에 넣고 20분간 교반시켰다. 여기에 3-Dimethylaminopropyl chloride hydrochloride(18.46g, 11.68mmol)를 서서히 첨가한 후 상온에서 1시간 교반시켜 반응생성물을 얻었다. 여기에 Li(1.89g, 27.25mmol)을 천천히 투입한 후 48시간동안 환류교반 시켰다.
반응물을 감압 농축하여 Diethylether를 제거하고 crude한 다이메틸프로필아민-다이에틸알루미늄을 액상형태로 얻었다. 상기 생성물을 42℃에서 진공(1.00 torr)을 유지하면서 증류하여 정제된 다이메틸프로필아민-다이에틸알루미늄을 (15.7g, 9.17mmol, 78.5%)을 얻었다.
1H NMR NMR (C6D6):δ 1.95(t, 2H), 1.74 (s, 6H), 1.56(m, 2H), 1.33(t, 6H), 0.17(t, 2H), 0.07(q, 4H).
실시예 1에서 제조된 알루미늄 화합물의 TG 분석 결과를 도 1에 나타내었으며, 도 1에 서 보이는 바와 같이 실시예 1의 알루미늄 화합물은 100℃ 부근에서 질량 감소가 일어나기 시작하고 180℃에서 98% 이상의 질량 감소가 일어나는 것을 알 수 있으며, 이로서 제조된 알루미늄 화합물이 휘발성이 우수하며, 열적 안정성이 매우 높은 것을 알 수 있다. 따라서 본 발명의 알루미늄 화합물은 종래의 알루미늄 화합물과 달리 안정하여 자연발화가 진행되지 않아 저장안정성이 우수하며, 저장 및 취급이 매우 용이하다.
[실시예 2] 알루미늄 화합물을 이용하여 원자층 증착법(ALD)에 의한 알루미늄 산화 박막의 제조
공지된 원자층 증착법(ALD)을 이용하는 통상적인 원자층 증착(ALD) 장치에서 알루미늄 산화막을 제조하기위해 본 발명의 실시예 1에서 제조된 알루미늄 화합물을 이용하였다.
반응 가스로는 수증기를 사용하였고 불활성 기체인 질소는 퍼지 목적으로 사용하였다. 반응가스 및 플라즈마 시간 0.5 초에서 성막을 실시하였다. 하기 표 1에 구체적인 알루미늄 산화 박막 증착 조건을 나타내었다.
증착한 박막은 X-선 반사측정기(X-ray reflectance, XRR)를 통하여 두께를 측정하였고, 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 알루미늄 산화 박막 형성을 분석하였으며, X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)를 이용하여 알루미늄 산화 박막의 조성을 분석하였다. 이하 표 2에 X-선 광전자 분광기(XPS)를 통하여 증착된 막을 분석한 결과를 나타내었으며, 표 3에 구체적인 알루미늄 산화 박막의 분석 결과를 나타내었다.
또한 도 2에 제조된 알루미늄 산화물 박막의 SEM 사진을 나타내었으며, 도 3에 온도에 따른 증착속도, 도 4에 증착사이클에 따른 박막두께를 나타내었다. 도 2 내지 4 및 표 2로부터 본 발명의 알루미늄 화합물을 이용하여 높은 증착률로 용이하게 알루미늄 산화물 박막이 형성되었음을 알 수 있다.
| 실시예 | 기판온도 (℃) |
전구체 | 퍼지 | 반응가스 | 반응가스 퍼지 | 증착회수 사이클 (cycle) |
공정시간a(sec) | ||||
| 가열온도 (℃) |
주입시간(sec) | 유량 (sccm) |
시간 (sec) |
유량 (sccm) |
시간 (sec) |
유량 (sccm) |
간격 (sec) |
||||
| 실시예 2 | 300 | 50 | 1(0.5) | 100 | 10 | - | 1 | 100 | 10 | 400 | 8800 |
| 실시예 3 | 300 | 50 | 1(0.5) | 100 | 10 | 50 | 1 | 100 | 10 | 400 | 8800 |
a: 공정전후 퍼지시간 제외
| Al 2p | O 1s | C 1s | |
| Atomic % | 40.45 | 58.07 | 1.48 |
| Binding Energy (eV) | 74.45 | 531.09 | 284.5 |
| Stoichiometry | O/Al : 1.44 | ||
[실시예 3] 알루미늄 화합물을 이용하여 원자층 증착법(ALD)에 의한 알루미늄 산화 박막의 제조
상기 실시예 2에서 반응가스로 수증기 대신 산소를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 실시하여 알루미늄 산화막을 제조하였으며, 이하 표 3에 구체적인 알루미늄 산화 박막의 분석 결과를 나타내었다.
표 3에서 보이는 바와 같이 본 발명의 알루미늄 화합물을 박막 전구체로 사용하여 높은 순도 및 증착률로 알루미늄 산화물 박막을 용이하게 제조함을 알 수 있다.
Claims (10)
- 하기 화학식 1로 표시되는 알루미늄 화합물.
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서,
M은 알루미늄이며;
R1 내지 R2는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
A는 -(C(R11)(R12))n-이며, R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
n은 0 내지 4의 정수이다.) - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1에서 R3 내지 R6은 수소이며; R7 내지 R8은 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이며; R11 및 R12는 수소이고; n은 0 내지 2인 알루미늄 화합물. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1에서 R1 내지 R2는 서로 동일하게 (C1-C4)알킬이고;
R7 내지 R8은 서로 동일하게 (C1-C4)알킬인 알루미늄 화합물. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시되는 알루미늄 화합물.
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서,
M은 알루미늄이며;
R1 내지 R2는 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R7 내지 R8은 각각 독립적으로 (C1-C4)알킬이다.) - 제 4항에 있어서,
상기 M은 알루미늄이며, R1 내지 R2는 에틸, n-프로필, 이소프로필이고;
R7 내지 R8은 각각 독립적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸 또는 tert-부틸인 알루미늄 화합물. - 하기 화학식 3의 화합물과 하기 화학식 4의 화합물을 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계 및
하기 화학식 5의 화합물에 알칼리금속 또는 알칼리토금속을 반응시켜 하기 화학식 1의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 알루미늄 화합물의 제조방법.
[화학식 1]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
(상기 화학식 1 및 3 내지 5에서,
M은 알루미늄이며;
R1, R2 및 R21은 서로 독립적으로 (C1-C4)알킬이고;
R3 내지 R8은 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
A는 -(C(R11)(R12))n-이며, R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소 또는 (C1-C4)알킬이며;
n은 0 내지 4의 정수이며,
X 및 X1은 서로 독립적으로 할로겐이고,
Z는 할로겐화 수소이다.) - 제 1항 내지 제 5항에서 선택되는 어느 한 항의 알루미늄 화합물을 포함하는 박막증착용 조성물.
- 제 7항의 박막증착용 조성물을 이용하여 알루미늄 함유 박막을 형성하는 방법.
- 제 8항에 있어서,
상기 박막은 유기금속 화학기상 증착법, 원자층 증착법공정, 저압 기상 증착법, 플라즈마 강화 기상 증착법 또는 플라즈마 강화 원자층 증착법에 의해 수행되는 것인 방법. - 제 1항 내지 제 5항에서 선택되는 어느 한 항의 알루미늄 화합물을 이용하여 제조된 알루미늄 함유 박막.
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|---|---|---|---|
| KR1020210019427A KR20210102110A (ko) | 2020-02-10 | 2021-02-10 | 알루미늄 화합물, 이를 포함하는 박막증착용 조성물 및 이를 이용하는 박막의 제조방법 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024107593A1 (en) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | Merck Patent Gmbh | Intramolecular stabilized group 13 metal complexes with improved thermal stability for vapor phase thin-film deposition techniques |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080090870A (ko) | 2007-04-06 | 2008-10-09 | 주식회사 유피케미칼 | 화학 증착용 유기 알루미늄 전구체 용액 및 그 제조 방법 |
-
2021
- 2021-02-10 KR KR1020210019427A patent/KR20210102110A/ko active Search and Examination
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| KR20080090870A (ko) | 2007-04-06 | 2008-10-09 | 주식회사 유피케미칼 | 화학 증착용 유기 알루미늄 전구체 용액 및 그 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2024107593A1 (en) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | Merck Patent Gmbh | Intramolecular stabilized group 13 metal complexes with improved thermal stability for vapor phase thin-film deposition techniques |
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