KR20210100375A - Manufacturing method of light emitting device - Google Patents
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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Abstract
Description
본 발명은 발광 장치를 제조하는 방법에 관한 것으로, 상세하게는 발광다이오드를 발광 소자로서 포함하는 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing a light emitting device including a light emitting diode as a light emitting element.
일반적으로 발광 다이오드는 크게 탑형 발광 다이오드와 사이드 타입 발광 다이오드로 분류할 수 있다. 사이드 타입 발광 다이오드 패키지는 도광판의 측면으로 광을 입사하는 디스플레이지 장치의 백라이트용 광원으로 많이 이용되고 있다. 최근에 사이드 타입 발광 다이오드 패키지는 기존 디스플레이 장치의 백라이트 용도 외에도 용도나 활용 폭이 더 넓어지고 있다.In general, light emitting diodes can be broadly classified into top type light emitting diodes and side type light emitting diodes. The side-type light emitting diode package is widely used as a light source for a backlight of a display device that injects light to a side surface of a light guide plate. Recently, the side-type light emitting diode package has a wider range of uses and uses in addition to the backlight use of the existing display device.
최근 디스플레이 장치의 두께가 얇아지면서, 사이드 타입 발광 다이오드 패키지의 두께도 얇아지는 추세이다. 하지만, 종래의 사이드 타입 발광 다이오드 패키지의 제조하는 과정에서 다양한 불량이 발생하고 있는 바, 불량률을 저감시킨 발광 다이오드 패키지의 제조 방법이 절실하다.Recently, as the thickness of the display device becomes thinner, the thickness of the side-type light emitting diode package also tends to be thinner. However, since various defects occur in the process of manufacturing the conventional side-type light emitting diode package, there is an urgent need for a method of manufacturing the light emitting diode package with a reduced defect rate.
본 발명은 발광 장치의 제조시의 불량률을 감소시킨 발광 장치 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light emitting device in which the defect rate in manufacturing the light emitting device is reduced.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치 제조 방법은, 모기판 전면 상에 복수 개의 발광 소자들을 실장하는 단계, 상기 발광 소자들 상에 광 투과부들을 배치하는 단계, 제1 절단기를 상기 모기판의 전면 측에 배치하고 상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하는 단계, 상기 모기판 상에 상기 모기판의 일부를 제거하여 얼라인 마크를 형성하는 단계, 및 상기 모기판의 배면 측에 제2 절단기를 배치하고 상기 얼라인 마크를 기준으로 상기 모기판를 각 발광 소자에 대응하여 절단하는 단계를 포함하며, 상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하는 단계와 상기 얼라인 마크를 형성하는 단계는 단일 공정에서 수행된다.The method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention includes the steps of mounting a plurality of light emitting elements on the front surface of a mother substrate, arranging light transmitting parts on the light emitting elements, and using a first cutter on the front surface of the mother substrate Disposing on the side and cutting at least a portion of the light transmitting portions, removing a part of the mother substrate on the mother substrate to form an alignment mark, and disposing a second cutter on the back side of the mother substrate, and cutting the mother substrate corresponding to each light emitting device based on the alignment mark, and cutting at least a portion of the light transmitting portions and forming the alignment mark are performed in a single process.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크를 형성하는 단계는 상기 제1 절단기를 이용하여 수행될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the forming of the alignment mark may be performed using the first cutter.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 각 발광 소자는 한 쌍의 제1 변들과 한 쌍의 제2 변들을 갖는 사각 형상을 가지며, 상기 제1 변들이 연장된 방향을 제1 방향이라고 하고 상기 제2 변들이 연장된 방향을 제2 방향이라고 할 때, 상기 발광 소자들은 상기 제1 방향을 열 방향으로, 상기 제2 방향을 행 방향으로 하는 행열 형태로 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, each light emitting device has a rectangular shape having a pair of first sides and a pair of second sides, a direction in which the first sides extend is referred to as a first direction, and the second When the direction in which the sides extend is referred to as a second direction, the light emitting devices may be arranged in a matrix form in which the first direction is a column direction and the second direction is a row direction.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 각 발광 소자는 상기 제1 변들을 장변으로, 상기 제2 변들을 단변으로 갖는 직사각 형상일 수 있다.In one embodiment of the present invention, each light emitting device may have a rectangular shape having the first sides as long sides and the second sides as short sides.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 절단기는 상기 제1 방향에 연장된 절단선을 따라 상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하며, 상기 얼라인 마크는 상기 절단선의 연장선이 상기 모기판의 단부와 만나는 부분에 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first cutter cuts at least a portion of the light-transmitting parts along a cutting line extending in the first direction, and the alignment mark is an end of the mother substrate where the extension line of the cutting line is It may be formed at the part where it meets.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 상기 모기판의 일부가 제거되어 형성된 슬롯일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the alignment mark may be a slot formed by removing a part of the mother substrate.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 상기 절단선과 상기 모기판의 양 단부가 만나는 지점에 한 쌍으로 제공될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the alignment mark may be provided as a pair at a point where the cut line and both ends of the mother substrate meet.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 상기 절단선과 상기 모기판의 양 단부가 만나는 지점에 한 쌍으로 제공된 제1 얼라인 마크와, 상기 제1 얼라인 마크와 상기 제2 방향을 따라 이격된 지점에 한쌍으로 제공된 제2 얼라인 마크를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the alignment mark includes a first alignment mark provided as a pair at a point where the cutting line and both ends of the mother substrate meet, and the first alignment mark and the second direction. It may include second alignment marks provided as a pair at points spaced apart from each other.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 절단기는 얼라인 마크를 기준으로 서로 인접한 두 발광 소자들의 피치를 고려하여 소정 간격으로 상기 제1 방향을 따라 상기 모기판을 절단할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second cutter may cut the mother substrate along the first direction at a predetermined interval in consideration of the pitch of two light emitting devices adjacent to each other based on the alignment mark.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 절단기는 일 방향으로 회전하는 원형 블레이드일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first cutter may be a circular blade rotating in one direction.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 절단기로 상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하는 단계는 상기 원형 블레이드의 회전 방향이 상기 모기판을 향하는 다운 커팅 방식으로 수행될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the step of cutting at least a portion of the light transmitting parts with the first cutter may be performed in a down-cutting manner in which the rotational direction of the circular blade faces the mother substrate.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치 제조 방법은 상기 제2 절단기로 상기 모기판을 각 발광 소자에 대응하여 절단하는 단계 이전에 상기 모기판을 반전(反轉)하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention may further include the step of inverting the mother substrate before the step of cutting the mother substrate corresponding to each light emitting element with the second cutter. .
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 절단기는 일 방향으로 회전하는 원형 블레이드이며, 상기 제2 절단기로 상기 모기판을 각 발광 소자에 대응하여 절단하는 단계는 상기 원형 블레이드의 회전 방향이 상기 모기판을 향하는 다운 커팅 방식으로 수행될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second cutter is a circular blade rotating in one direction, and the step of cutting the mother substrate with the second cutter corresponding to each light emitting element is that the rotation direction of the circular blade is the It may be performed in a down-cutting manner toward the mother substrate.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 발광 소자들 상에 상기 광 투과부들을 배치하는 단계에 있어서, 상기 광 투과부들은 상기 발광 소자들보다 적은 개수로 제공되며, 적어도 하나의 광 투과부는 적어도 둘 이상의 발광 소자들 상에 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, in the step of disposing the light transmitting parts on the light emitting devices, the light transmitting parts are provided in a smaller number than the light emitting devices, and at least one light transmitting part is at least two or more light emitting units. It can be placed on the elements.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치 제조 방법은 상기 제2 절단기를 이용하여 상기 모기판을 상기 제2 방향을 따라 절단하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention may further include cutting the mother substrate in the second direction using the second cutter.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법은 상기 발광 소자들과 상기 광 투과부들을 덮는 커버부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the manufacturing method according to an embodiment of the present invention may further include forming a cover part covering the light emitting devices and the light transmitting parts.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 발광 소자들과 상기 광 투과부들을 덮는 상기 커버부를 형성한 후, 상기 커버부의 상부를 제거하여 상기 광 투과부들의 상면을 외부로 노출시키는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the method may further include the step of exposing upper surfaces of the light-transmitting parts to the outside by removing the upper part of the cover part after forming the cover part covering the light-emitting elements and the light-transmitting parts. .
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광 투과부들의 상면에 대향하는 방향에서 볼 때, 상기 각 광 투과부는 상기 커버부에 의해 둘러싸이며, 상기 광 투과부의 상기 제1 방향으로 연장된 변에서의 폭은 상기 제2 방향으로 연장된 변에서의 폭보다 클 수 있다.In one embodiment of the present invention, when viewed from a direction opposite to the upper surfaces of the light transmitting portions, each of the light transmitting portions is surrounded by the cover portion, and the width at the side extending in the first direction of the light transmitting portion is may be greater than a width at a side extending in the second direction.
본 발명은 발광 장치의 제조시의 불량률을 감소시킨 발광 장치 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a method for manufacturing a light emitting device in which the defect rate in manufacturing the light emitting device is reduced.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 도시한 사시도이며, 도 1b는 도 1a의 발광 장치를 도시한 투과 사시도이다.
도 2a는 도 1a의 발광 장치의 평면도, 도 2b는 도 1a의 발광 장치의 배면도, 도 2c는 도 1b의 A-A'선에 따른 단면도, 및 도 2d는 도 1b의 B-B' 선에 따른 단면도이다.
도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 6a, 도 7a, 및 도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 방법을 순서대로 도시한 사시도이다.
도 3b, 도 4b, 도 5b, 도 6b, 도 6b, 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 방법을 순서대로 도시한 단면도로서, 각각 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 6a, 및 도 7a의 C-C'선에 대응하는 단면도이다.
도 9a, 도 9b, 및 도 9c는 도 8에 대응하는 도면들로서, 도 9a는 도 8의 P1에 대응하는 평면도, 도 9b는 도 9a의 C-C'에 대응하는 단면도, 및 도 9c는 도 9a의 D-D'에 대응하는 단면도이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 얼라인 마크를 도시한 평면도이다.1A is a perspective view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a transparent perspective view illustrating the light emitting device of FIG. 1A .
FIG. 2A is a plan view of the light emitting device of FIG. 1A , FIG. 2B is a rear view of the light emitting device of FIG. 1A , FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line AA′ of FIG. 1B, and FIG. 2D is a line BB′ of FIG. 1B . It is a cross section.
3A, 4A, 5A, 6A, 6A, 7A, and 8 are perspective views sequentially illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3B, 4B, 5B, 6B, 6B, and 7B are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, respectively, FIGS. 3A, 4A, and 5A , a cross-sectional view corresponding to the line C-C' of FIGS. 6A, 6A, and 7A.
9A, 9B, and 9C are views corresponding to FIG. 8, in which FIG. 9A is a plan view corresponding to P1 in FIG. 8, FIG. 9B is a cross-sectional view corresponding to C-C' in FIG. 9A, and FIG. 9C is FIG. It is a cross-sectional view corresponding to D-D' of 9a.
10A and 10B are plan views illustrating alignment marks according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로서, 특히, 표시 장치, 조명 장치, 화상 판독 장치 등에 사용되는 발광 다이오드에 관한 것이다. 표시 장치는 텔레비전, 태블릿, 이북 표시 장치, 컴퓨터 모니터, 키오스크, 디지털 카메라, 게임 콘솔, 대형 옥외/옥내 전광판 등을 포함한다. 조명 장치로는 가정용 조명, 의료용 조명, 산업용 조명 등을 포함한다. 화상 판독 장치로는 복사기, 팩시밀리, 스캐너 등을 포함한다. The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting diode used in a display device, a lighting device, an image reading device, and the like. The display device includes a television, a tablet, an e-book display device, a computer monitor, a kiosk, a digital camera, a game console, a large outdoor/indoor display board, and the like. The lighting device includes household lighting, medical lighting, industrial lighting, and the like. The image reading apparatus includes a copier, a facsimile, a scanner, and the like.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 도시한 사시도이며, 도 1b는 도 1a의 발광 장치를 도시한 투과 사시도이다. 1A is a perspective view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a transparent perspective view illustrating the light emitting device of FIG. 1A .
도 2a는 도 1a의 발광 장치의 평면도, 도 2b는 도 1a의 발광 장치의 배면도, 도 2c는 도 1b의 A-A'선에 따른 단면도, 및 도 2d는 도 1b의 B-B' 선에 따른 단면도이다. FIG. 2A is a plan view of the light emitting device of FIG. 1A , FIG. 2B is a rear view of the light emitting device of FIG. 1A , FIG. 2C is a cross-sectional view taken along line AA′ of FIG. 1B, and FIG. 2D is a line BB′ of FIG. 1B . It is a cross section.
도 1a, 도 1b, 및 도 2a 내지 도 2d를 참조하면, 발광 장치(100)는 대략적으로 일 방향으로 길게 연장된 직육면체 형상으로 제공된다. 본 실시예에 있어서, 발광 장치(100)의 길이 방향을 제1 방향(D1), 길이 방향과 수직한 폭 방향을 제2 방향(D2), 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)이 이루는 면에 수직한 방향(도면에서는 광이 출사되는 전면(前面)이 향하는 방향)을 제3 방향(D3)으로 표시하였다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제3 방향(D3)은 광의 출사 방향에 해당한다. 이하에서는 설명의 편의를 위해, 길이 방향과 제1 방향(D1)을 동일한 의미로, 폭 방향과 제2 방향(D2)을 동일한 의미로, 전면이 향하는 방향과 제3 방향(D3)을 동일한 의미로 사용한다. 또한, 하부 방향은 제3 방향(D3)의 반대 방향을 의미한다.1A, 1B, and 2A to 2D , the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 전체적인 발광 장치의 형상이 대략 직육면체로 제시되었으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 광이 출사되는 면은 직사각 형상을 갖는 것으로 도시하였으나, 직사각형 형상이어야 하는 것은 아니며, 후술할 본 발명의 개념에서 벗어나지 않는 이상 다른 형상으로 제공될 수도 있다.In one embodiment of the present invention, the overall shape of the light emitting device is presented as a substantially rectangular parallelepiped, but is not limited thereto. For example, although the surface from which the light is emitted is illustrated as having a rectangular shape, it is not required to have a rectangular shape, and other shapes may be provided without departing from the concept of the present invention to be described later.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 광의 출사 방향이 상부 방향인 것처럼 도시하였으나, 이러한 광의 출사 방향은 발광 장치의 타 기기로의 실장 방향에 따라 달라질 수 있으며, 특정 방향으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상술한 구조를 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는 측면 발광형으로 사용될 수 있다. 측면 발광 장치는 발광 장치가 타 장치에 실장되었을 때 실장 방향과 광이 출사되는 출사 방향이 수직인 경우에 해당한다. 그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는 측면 발명형이 아닌 전면 발광형으로도 사용될 수 있다. 상면 발광형은 발광 장치가 타 장치에 실장되었을 때 실장 방향과 광이 출사되는 출사 방향이 평행인 경우에 해당한다.In one embodiment of the present invention, although the light emission direction is shown as the upward direction, the light emission direction may vary depending on the mounting direction of the light emitting device to other devices, and is not limited to a specific direction. For example, the light emitting device according to an embodiment of the present invention having the above-described structure may be used as a side emission type. The side light emitting device corresponds to a case in which the mounting direction and the light emitting direction are perpendicular when the light emitting device is mounted on another device. However, the light emitting device according to an embodiment of the present invention may be used as a top emission type rather than a side invention type. The top emission type corresponds to a case in which the mounting direction and the light emitting direction are parallel when the light emitting device is mounted on another device.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 발광 장치(100)는 광을 출사하는 발광 소자(110), 발광 소자(110) 상에 배치된 광 투과부(130), 발광 소자(110)가 실장된 소자 기판(120), 소자 기판(120)에 제공된 배선부(140), 및 발광 소자(110)를 커버하는 커버부(150)를 포함한다.In one embodiment of the present invention, the
발광 소자(110)는 발광 다이오드 칩으로서 소자 기판(120) 상에 실장된다. 발광 소자(110)는 플립칩 형태로 제공되어 소자 기판(120) 상에 도전성 접착 부재를 사이에 두고 실장될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 발광 소자(110)의 종류는 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않는 한, 래터럴 타입이나 버티컬 타입 등 다양한 형태로 제공될 수 있다.The
발광 소자(110)는 발광 장치(100)의 전체적인 형상과 유사한 형태를 가질 수 있으며 발광 장치의 형상과 비슷하게 제1 방향(D1)으로 길게 연장될 수 있다. 이에 따라, 광이 출사되는 면을 마주 볼 때 각 발광 소자(110)는 한 쌍의 장변들과 한 쌍의 단변들을 갖는 직사각 형상으로 제공된다. 장변들을 제1 변들, 단변들을 제2 변들이라고 하면, 제1 변들은 제1 방향(D1)으로 연장되고 제2 변들은 제2 방향(D2)으로 연장된다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 소자(110)는 발광 장치의 전체적인 형상과 유사한 형태가 아닐 수도 있다.The
본 발명의 일 실시예에 있어서, 하나의 발광 장치(100)에 하나의 발광 소자(110)가 제공될 수 있으나, 두 개 또는 그 이상의 개수의 발광 소자(110)가 하나의 발광 장치(100) 내에 제공될 수 있다. 발광 소자(110)가 발광 장치(100)에 복수 개 제공되는 경우 상부 방향으로 광이 출사되는 영역이 2개 이상으로 제공될 수도 있다. 발광 소자(110)가 발광 장치(100)에 복수 개로 제공되는 경우, 발광 소자들(110)은 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. In an embodiment of the present invention, one
도시하지는 않았으나, 발광 소자(110)는 발광 구조체 및 전극부를 포함할 수 있다. Although not shown, the
발광 구조체는 순차적으로 제공된 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 포함할 수 있다. The light emitting structure may include a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer sequentially provided.
발광 구조체는 베이스 기판 상에 제공될 수 있다. 베이스 기판은 사파이어와 같은 성장 기판일 수도 있고 성장 기판과 달리 별도로 제공된 기판일 수도 있다. 베이스 기판은 예를 들어, 사파이어, 질화갈륨, 갈륨비소, 갈륨인, 질화알루미늄, 실리콘, 실리콘카바이드, 인듐인, 황화아연, 산화아연, 셀렌화아연, 다이아몬드 등으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 베이스 기판은 절연 기판인 것이 선호되지만, 절연 기판에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.The light emitting structure may be provided on the base substrate. The base substrate may be a growth substrate such as sapphire, or a substrate provided separately from the growth substrate. The base substrate may be made of, for example, sapphire, gallium nitride, gallium arsenide, gallium phosphorus, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, indium phosphorus, zinc sulfide, zinc oxide, zinc selenide, diamond, etc. no. The base substrate is preferably an insulating substrate, but is not limited to the insulating substrate, and may be omitted if necessary.
제1 반도체층은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 반도체 층이다. 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트일 수 있다. 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Se, Te 또는 C일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 반도체층은 질화물계 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 조성식을 갖는 반도체 재료로는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등을 들 수 있다. 제1 반도체층은 상기 반도체 재료를 이용하여 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트를 포함하도록 성장시키는 방식으로 형성될 수 있다.The first semiconductor layer is a semiconductor layer doped with a first conductivity type dopant. The first conductivity-type dopant may be an n-type dopant. The first conductivity type dopant may be Si, Ge, Se, Te or C. In one embodiment of the present invention, the first semiconductor layer may include a nitride-based semiconductor material. For example, the first semiconductor layer may be made of a semiconductor material having a composition formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). In one embodiment of the present invention, the semiconductor material having the composition formula may include GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like. The first semiconductor layer may be formed by using the semiconductor material and growing it to include an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se, or Te.
활성층은 제1 반도체층 상에 제공되며 발광층에 해당한다. The active layer is provided on the first semiconductor layer and corresponds to the light emitting layer.
활성층은 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 반도체층을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 활성층의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드 갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 활성층은 자외선, 청색, 녹색 및 적색 중 적어도 하나의 피크 파장을 발광할 수 있다.In the active layer, electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer and holes (or electrons) injected through the second semiconductor layer meet each other, so that the band gap of the energy band according to the material of the active layer is formed. (Band Gap) It is a layer that emits light due to the difference. The active layer may emit at least one peak wavelength of ultraviolet, blue, green, and red.
활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있으며, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 재료로 배치될 수 있다. The active layer may be implemented with a compound semiconductor. The active layer may be implemented, for example, by at least one of group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor, and InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤ It may be disposed of a material having the composition formula of 1).
제2 반도체층은 활성층 상에 제공된다. A second semiconductor layer is provided on the active layer.
제2 반도체층은 제1 도전형 도펀트와 반대의 극성을 갖는 제2 도전형 도펀트를 갖는 반도체층이다. 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트일 수 있는 바, 제2 도전형 도펀트는 예를 들어, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 반도체층은 질화물계 반도체 재료를 포함할 수 있다. 제2 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 조성식을 갖는 반도체 재료로는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, 등을 들 수 있다. 제2 반도체층은 상기 반도체 재료를 이용하여 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트를 포함도록 성장시키는 방식으로 형성될 수 있다.The second semiconductor layer is a semiconductor layer having a second conductivity type dopant having a polarity opposite to that of the first conductivity type dopant. The second conductivity-type dopant may be a p-type dopant, and the second conductivity-type dopant may include, for example, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like. In one embodiment of the present invention, the second semiconductor layer may include a nitride-based semiconductor material. The second semiconductor layer may be made of a semiconductor material having a compositional formula of InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1). In one embodiment of the present invention, the semiconductor material having the composition formula may include GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like. The second semiconductor layer may be formed by using the semiconductor material to grow to include p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1 반도체층과 제2 반도체층 상에는 절연막이 제공되며, 절연막 상에는 절연막을 사이에 두고 각각 제1 반도체층 및 제2 반도체층에 연결되는 캐소드와 애노드를 포함하는 전극부가 제공된다. 전극부는 도전성 접착 부재를 통해 소자 기판(120)에 전기적으로 연결된다. 전극부는 다양한 재료로 구성될 수 있는 바, 예를 들어, 금, 은, 주석, 백금, 로듐, 티타늄, 알루미늄, 텅스텐, 팔라듐, 니켈, 및 이들의 합금 중 적어도 하나, 또는 이들 중 적어도 하나의 조합을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, an insulating film is provided on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and the insulating film is disposed on the insulating film and includes a cathode and an anode respectively connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer An electrode part is provided. The electrode part is electrically connected to the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 베이스 기판, 발광 구조체, 및 전극부 이외에도 다양한 구성을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 구조체를 커버하여 보호하는 절연막을 더 포함할 수도 있다. 절연막은 실리콘, 티타늄, 지르코늄, 니오브, 탄탈, 알루미늄으로 된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화물 또는 질화물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In one embodiment of the present invention, various components may be further included in addition to the base substrate, the light emitting structure, and the electrode unit. For example, it may further include an insulating film to cover and protect the light emitting structure. The insulating layer may be at least one oxide or nitride selected from the group consisting of silicon, titanium, zirconium, niobium, tantalum, and aluminum, but is not limited thereto.
광 투과부(130)는 발광 소자들(110) 상에 제공된다. 광 투과부(130)는 발광 소자(110)에 대응하는 형상으로 제공되되, 발광 소자(110)의 상면을 완전히 덮을 수 있다. 이를 위해 광 투과부(130)는 발광 소자(110)보다 더 넓은 면적으로 제공될 수 있다. 도시하지는 않았으나 광 투과부(130)는 투광성 접착제를 통해 발광 소자(110)의 상면에 접착될 수 있다.The
광 투과부(130)는 발광 소자(110)로부터 출사되는 광의 적어도 일부 파장의 광을 장치 외부로 투과시킨다. 광 투과부(130)는 발광 소자(110)로부터의 광의 전 파장의 광을 전부 투과시키거나, 일부는 차단하고 일부를 투과시키거나, 발광 소자(110)로부터의 광의 적어도 일부의 파장을 변환하여 투과시킬 수 있다. The
여기서, 광 투과부(130)는 발광 소자(110)로부터 출사된 광에 대해 파장에 따라 적어도 약 50% 이상을 투과시킬 수 있으며, 일 실시예에서는 약 80%, 다른 실시예에서는 약 90%의 광을 투과시킬 수 있다.Here, the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 광 투과부(130)는 광을 투과시킬 수 있는 것으로서 다양한 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 재료는 유리, 석영, 고분자 수지 등일 수 있다. 상기 재료가 고분자 수지일 경우, 고분자 수지로는 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지 또는 이들의 변성 수지가 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고분자 수지는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지 등과 같은, 실리콘 또는 변성 실리콘 수지일 있다. 실리콘 또는 변성 실리콘 수지는 내열성이 좋고 광에 의한 변성이 적다. In one embodiment of the present invention, the
광 투과부(130)가 고분자 수지나 유리 등으로 이루어진 경우, 그 내부에 충진제가 함유될 수도 있다. 충진제로는 산화규소, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화아연 등이 사용될 수 있으며, 이와 같은 충진제를 두 종 이상 혼합되어 사용될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 충진제는 나노 입자(예를 들어, 입경이 1㎚ 이상, 100㎚ 이하의 크기를 갖는 입자)로 제공될 수 있는 바, 나노 입자로 제공된 경우 출사된 광의 산란도를 증가시킬 수 있다. When the
본 실시예에서는 광 투과부(130)가 단일 층으로 형성된 것을 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 복층(예를 들어 이중층)으로 형성될 수도 있다. 복층으로 형성된 경우 복수 개의 층은 서로 동일하거나 서로 다른 재료로 이루어질 수 있다. In the present embodiment, although it is illustrated that the
광 투과부(130)가 발광 소자(110)로부터의 광의 적어도 일부의 파장을 변환하는 경우, 광 투과부(130)는 광 변환 물질을 포함할 수 있다.When the
광 변환 물질은 광의 소정 파장(제1 파장)의 광을 원 파장과 다른 파장(제2 파장)의 광으로 변환한다. 제1 파장은 제2 파장보다 짧다. 광 변환 물질은, 예를 들어, 자외선을 가시광선으로 변환하거나, 블루 파장의 광을 레드 파장의 광으로 변환할 수 있다. 광 투과부(130)는 광 변환 물질은 1종 이상으로 제공될 수 있으며, 광 변환 물질의 종류에 따라 발광 소자(110)로부터 출사된 광과 다른 종류의 다양한 광으로 변환이 가능하다. The light conversion material converts light of a predetermined wavelength (first wavelength) of light into light of a wavelength different from the original wavelength (second wavelength). The first wavelength is shorter than the second wavelength. The light conversion material may convert, for example, ultraviolet light into visible light or light of a blue wavelength into light of a red wavelength. The
본 발명의 일 실시예에 있어서, 광 변환 물질은 형광체일 수 있다. 예를 들어, 녹색 발광하는 형광체로서는 이트륨·알루미늄·가닛계 형광체(예를 들면 Y3(Al,Ga)5O12:Ce), 루테튬·알루미늄·가닛계 형광체(예를 들어 Lu3(Al, Ga)5O12:Ce), 테르븀·알루미늄·가닛계 형광체(예를 들면 Tb3(Al, Ga)5O12:Ce), 실리케이트계 형광체(예를 들면 (Ba, Sr)2SiO4:Eu), 클로로실리케이트계 형광체(예를 들면 Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu), β사이알론계 형광체(예를 들면 Si6-zAlzOzN8-z:Eu (0<z<4.2)), SGS계 형광체(예를 들면 SrGa2S4:Eu) 등을 들 수 있다. 황색 발 공개특허 광의 형광체로서는, α사이알론계 형광체(예를 들면 Mz(Si, Al)12(O, N)16 (단, 0<z≤2이고, M은 Li, Mg, Ca, Y 및 La와 Ce을 제외한 란탄족 원소) 등을 들 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light conversion material may be a phosphor. For example, as the green light-emitting phosphor, a yttrium-aluminum-garnet-based phosphor (for example, Y 3 (Al,Ga) 5 O 12 :Ce), a lutetium-aluminum-garnet-based phosphor (for example, Lu 3 (Al, Ga) 5 O 12 :Ce), a terbium/aluminum/garnet-based phosphor (eg, Tb 3 (Al, Ga) 5 O 12 :Ce), a silicate-based phosphor (eg (Ba, Sr) 2 SiO 4 : Eu), a chlorosilicate-based phosphor (eg, Ca 8 Mg(SiO 4 ) 4 Cl 2 :Eu), a β-sialon-based phosphor (eg, Si 6 -z Al z O z N 8-z :Eu (0) <z<4.2)), an SGS-based phosphor (eg, SrGa 2 S 4 :Eu), and the like. As the phosphor of the yellow emitting patent light, an α-sialon-based phosphor (for example, M z (Si, Al) 12 (O, N) 16 (provided that 0<z≤2, and M is Li, Mg, Ca, Y) and lanthanide elements other than La and Ce).
이 밖에, 상기 녹색 발광하는 형광체 중에는 황색 발광하는 형광체도 있다. 또한, 예를 들면, 이트륨·알루미늄·가닛계 형광체는 Y의 일부를 Gd으로 치환함으로써 발 광 피크 파장을 장파장 쪽으로 옮길 수 있어 황색 발광이 가능하다. 또한, 이들 중에는 주황색 발광이 가능한 형광체도 있다. 적색 발광하는 형광체로서는 질소 함유 알루미노실리콘칼슘(CASN 또는 SCASN)계 형광체(예를 들 면 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu) 등을 들 수 있다. 이 밖에, 망간 활성 불화물계 형광체(일반식 (I)A2[M1-aMnaF6]으로 표현되는 형광체이다. 단, 상기 일반식 (I) 중 A는 K, Li, Na, Rb, Cs 및 NH4로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종이고, M은 제4족 원소 및 제14족 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소이며, a은 0<a<0.2를 충족)을 들 수 있다. 이 망간 활성 불화물계 형광체의 대표예로서는, 망간 활성 불화실리콘칼륨의 형광체(예를 들면 K2SiF6:Mn)가 있다. In addition, among the above-mentioned green-emitting phosphors, there are also yellow-emitting phosphors. In addition, for example, in the yttrium/aluminum/garnet-based phosphor, by substituting a part of Y for Gd, the emission peak wavelength can be shifted to the long wavelength side, and thus yellow light can be emitted. In addition, there are also phosphors capable of emitting orange light among them. Examples of the red emitting phosphor include a nitrogen-containing calcium aluminosilicon (CASN or SCASN)-based phosphor (eg (Sr, Ca)AlSiN 3 :Eu). In addition, it is a manganese-activated fluoride-based phosphor (a phosphor represented by the general formula (I)A 2 [M 1-a M na F 6 ]. However, in the general formula (I), A is K, Li, Na, Rb. , Cs and NH 4 at least one selected from the group consisting of, M is at least one element selected from the group consisting of a group 4 element and a group 14 element, and a satisfies 0<a<0.2) can be heard A typical example of this manganese-activated fluoride-based phosphor is a phosphor of manganese-activated potassium silicon fluoride (eg, K 2 SiF 6 :Mn).
커버부(150)는 발광 소자(110)와 광 투과부(130)의 적어도 일부를 덮는다. 커버부(150)는 소자 기판(120)의 상부에 제공되며, 발광 소자(110)의 측면, 및 광 투과부(130)의 측면을 모두 커버한다. 커버부(150)는 광 투과부(130)의 상면은 덮지 않으며, 이에 따라 광 투과부(130)의 상면은 외부로 노출된다. 여기서, 광 투과부(130)의 상면과, 커버부(150)의 상면은 동일 평면 상에 배치된다.The
본 발명의 일 실시예에 있어서, 광 투과부(130)의 상면에 대향하는 방향에서 볼 때, 커버부(150)의 폭은 방향에 따라 다를 수 있다. 예를 들어, 발광 장치(100) 커버부(150)의 장변에서의 폭(W1)과, 단변에서의 폭(W2)은 서로 다를 수 있다. 본 실시예에 있어서, 상기 장변에서의 커버부(150)의 폭(W1)은 단변에서의 커버부(150)의 폭(W2)보다 클 수 있다. In an embodiment of the present invention, when viewed from a direction opposite to the upper surface of the
커버부(150)는 발광 소자(110)로부터 출사된 광이 광 투과부(130)를 통해 효과적으로 출사될 수 있도록 광 반사성을 가질 수 있다. 커버부(150)의 광 반사성은 예를 들어, 약 70%일 수 있으며, 실시예에 따라 약 80% 또는 약 90%일 수도 있다. The
커버부(150)는 광 반사성이 높은 흰색으로 제공될 수 있다. 커버부(150)가 광 반사성을 가지도록 커버부(150)는 그 내부에 광 반사성을 가지는 재료, 예를 들어 백색 안료 등을 포함할 수 있다. The
커버부(150)는 발광 소자(110)와 광 투과부(130)를 효과적으로 커버할 수 있는 것으로서 다양한 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 커버부(150)는 고분자 수지로 이루어질 수 있다. 커버부(150)가 고분자 수지로 이루어지는 경우, 미경화 또는 반경화된 상태의 수지 재료를 발광 소자(110)와 광 투과부(130) 상에 제공함으로써 발광 소자(110)와 광 투과부(130)를 모두 감싼 다음 경화시키고 이후 절단함으로써 용이하게 제조가 가능하다. 미경화 또는 반경화된 상태의 수지 재료는 사출 성형, 압출 성형, 트랜스퍼 성형, 등 다양한 방법으로 제공될 수 있다. The
본 발명의 일 실시예에 있어서, 커버부(150)를 구성하는 고분자 수지로는 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지 또는 이들의 변성 수지가 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고분자 수지는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지 등과 같은, 실리콘 또는 변성 실리콘 수지일 있다. 실리콘 또는 변성 실리콘 수지는 내열성이 좋고 광에 의한 변성이 적다. In one embodiment of the present invention, an epoxy resin, a phenol resin, a polycarbonate resin, a silicone resin, an acrylic resin, or a modified resin thereof may be used as the polymer resin constituting the
백색 안료로는 다양한 것이 사용될 수 있으며, 예를 들어, 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화아연, 산화마그네슘, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 수산화칼슘, 실리콘칼슘, 실리콘마그네슘, 티타늄산바륨, 황산바륨, 산화지르코늄 등이 사용될 수 있다. 또는 상기 재료 중 적어도 하나 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 상기 안료의 형상은 한정되는 것은 예를 들면 0.1 ㎛ 이상, 0.5㎛ 이하 정도 또는 그 이하의 입경을 갖는 미립자로 제공될 수 있다.Various white pigments may be used, for example, aluminum oxide, titanium oxide, zinc oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicon, magnesium silicon, barium titanate, barium sulfate, zirconium oxide and the like may be used. Alternatively, at least one or more of the above materials may be used in combination. The shape of the pigment is limited, for example, it may be provided as fine particles having a particle size of 0.1 μm or more, 0.5 μm or less, or less.
발광 소자(110)의 하부에는 발광 소자(110)를 실장하는 소자 기판(120)이 제공된다. A
소자 기판(120)은 단단한 재료로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 가요성 재료로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치가 휘어진, 또는 휘어질 수 있는 표시 장치로 구현되는 경우, 소자 기판(120)이 가요성 재료로 이루어진 것이 유리할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 소자 기판(120)이 유리, 석영, 금속, 등과 같은 재료로 이루어지는 경우 유기 고분자 소자 기판(120)보다는 상대적으로 내열성이 높아 그 상면에 다양한 적층이 가능한 장점이 있다. 소자 기판(120)이 유리나 석영 등과 같은 투명한 재료로 이루어지는 경우 전면이나 배면 발광 표시 장치를 제조하는 데 유리할 수 있다. 소자 기판(120)이 유기 고분자나 유무기 복합재 등으로 이루어지는 경우 상대적으로 가요성이 높을 수 있으며 곡면 표시 장치를 제조하는 데 유리할 수 있다. 소자 기판(120)에는 배선부(140) 이외에도 솔더 레지스트나 커버레이 등의 절연성 보호막이 더 제공될 수 있다.The
본 발명의 일 실시예에 있어서, 소자 기판(120)은 그 내부 또는 외부에 형성된 배선부(140)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 소자 기판(120)은 인쇄 회로 기판일 수 있으며, 소자 기판(120)이 인쇄 회로 기판으로 제공되는 경우, 인쇄 회로 기판에는 발광 소자(110)에 연결되는 배선부(140)가 제공될 수 있다. In an embodiment of the present invention, the
배선부(140)는 도전성 금속으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 금, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 크롬, 티타늄, 팔라듐, 텅스텐, 로듐, 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다. 배선부(140)는 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. The
본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 서브 기판(120b)에는 발광 장치가 이후 타 기기에 실장될 때 실장의 용이성을 위한 솔더 홀(HL)이 제공될 수 있다. In an embodiment of the present invention, a solder hole HL for ease of mounting may be provided in the second sub-substrate 120b when the light emitting device is subsequently mounted on another device.
도 2a 내지 도 2d를 상세히 참조하면, 소자 기판(120)이 단일 층으로 제공되는 경우, 배선부(140)는 소자 기판(120) 상면 상에 제공된 소자 컨택 전극(141), 소자 기판(120)의 하면 상에 제공된 외부 컨택 전극(145), 및 소자 컨택 전극(141)과 외부 컨택 전극(145)을 소자 기판(120) 내에서 연결하는 비아 전극을 포함할 수 있다. 2A to 2D , when the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 소자 기판(120)은 복수 층으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 도시된 바와 같이, 소자 기판(120)은 제1 서브 기판(120a)과 제2 서브 기판(120b)을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the
소자 기판(120)이 복수 층으로 경우, 소자 컨택 전극(141)과 외부 컨택 전극(145) 사이에는 중간 컨택 전극(143)이 더 제공될 수 있다. 이 경우, 소자 컨택 전극(141)과 중간 컨택 전극(143) 사이에는 제1 서브 기판(120a)을 사이에 두고 소자 컨택 전극(141)과 중간 컨택 전극(143)을 연결하는 제1 비아 전극(147)이 제공되고, 중간 컨택 전극(143)과 외부 컨택 전극(145) 사이에는 제2 서브 기판(120b)을 사이에 두고 중간 컨택 전극(143)과 외부 컨택 전극(145)을 연결하는 제2 비아 전극(149)이 제공될 수 있다. When the
여기서, 소자 컨택 전극(141)은 발광 소자(110)의 애노드와 캐소드에 각각 연결될 수 있도록 한 쌍으로 제공된다. 한 쌍의 컨택 전극 각각은 발광 소자(110)의 캐소드와 애노드에 대응하여 전기적으로 연결될 수 있다. 중간 컨택 전극(143) 및 비아 전극들(147, 149) 또한 한 쌍의 소자 컨택 전극(141)에 대응하여 각각이 한 쌍으로 제공될 수 있다. Here, the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 소자 컨택 전극(141), 중간 컨택 전극(143), 및 외부 컨택 전극(145)의 개수는 한쌍으로 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 장치(100) 내 발광 소자(110)의 개수, 병렬이나 직렬이냐의 연결 관계 등에 따라 다른 개수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 장치 하나당 소자 컨택 전극(141), 중간 컨택 전극(143), 및 외부 컨택 전극(145)의 개수는 각각 3개씩일 수도 있다.In one embodiment of the present invention, although the number of the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 배선부(140)가 소자 기판(120)의 상면과 하면 및 내부에 형성된 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 배선부(140)는 실시예에 따라 소자 기판(120)의 일부에 형성될 수도 있다. In one embodiment of the present invention, although it is illustrated that the
솔더 홀(HL)은 제2 서브 기판(120b)의 일부가 제거되어 형성되며, 제2 방향(D2)으로 개구된 형상을 가지는 것으로, 외부 컨택 전극(145) 각각에 대응하여 형성된다. The solder hole HL is formed by removing a portion of the
즉, 솔더 홀(HL)이 제공된 영역은 외부 컨택 전극(145)이 제공된 부분이다. 외부 컨택 전극(145)은 제2 서브 기판(120b)의 하면 상에도 제공되지만, 솔더 홀(HL)의 함몰된 부분의 내측벽에는 내측벽 표면을 따라 일체로 제공될 수 있다. 외부 컨택 전극(145)이 솔더 홀(HL) 내에 제공됨으로써, 이후 솔더 홀(HL) 내에 솔더 페이스트 등의 도전성 접착 부재가 충진되었을 때 외부 컨택 전극(145)과 타 기기와의 전기적 연결성 및 물리적 접착성을 향상시키기 위한 것이다. 타 기기와 발광 장치의 연결 시 내측으로 함몰된 솔더 홀(HL) 내에서 전기적 연결이 일어나기 때문에 발광 장치와 타 기기의 연결을 위한 별도의 공간이 필요하지 않다. 이에 따라 발광 장치와 타 기기와의 조립시의 소형화가 가능하다. That is, the region in which the solder hole HL is provided is a portion in which the
여기서 도전성 접착 부재는 도전성을 띄는 것으로서 금속 페이스트일 수 있다. 금속 페이스트는 금, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 크롬, 티타늄, 팔라듐, 텅스텐, 로듐, 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속 분말과, 수지 바인더를 포함할 수 있으며, 또는 납 함유 솔더 합금, 예컨대 Sn-Pb 또는 Sn-Pb-Ag계, 또는 무납 솔더 합금, 예컨대 Sn-Ag계 합금, Sn-Bi계 합금, Sn-Zn계 합금, Sn-Sb계 또는 Sn-Ag-Cu 합금을 포함할 수 있다. 또는 도전성 접착부재는 도전성 수지로 제공될 수 있으며, 또는 이방성 도전 필름으로 제공될 수도 있다.Here, the conductive adhesive member is conductive and may be a metal paste. The metal paste may include at least one metal powder selected from the group consisting of gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, chromium, titanium, palladium, tungsten, rhodium, and alloys thereof, and a resin binder, or lead-containing solder alloys such as Sn-Pb or Sn-Pb-Ag-based, or lead-free solder alloys such as Sn-Ag-based alloys, Sn-Bi-based alloys, Sn-Zn-based alloys, Sn-Sb-based or Sn-Ag-based alloys It may include a Cu alloy. Alternatively, the conductive adhesive member may be provided as a conductive resin, or may be provided as an anisotropic conductive film.
상술한 구성을 갖는 발광 장치(100)는, 타 기기(예를 들어, 회로 기판)에 배선부(140)를 도전성 접착 부재를 이용하여 접착시킨 후, 배선부(140)를 통해 발광 소자(110)에 전원을 공급함으로써 발광 장치를 구동할 수 있다. 전원을 공급받은 발광 소자(110)는 광을 출사하며, 광 투과부(130)를 거쳐 외부로 광이 출사된다. In the
상술한 구성을 갖는 발광 장치는 다음과 같은 순서로 제조될 수 있다.The light emitting device having the above-described configuration can be manufactured in the following order.
도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 6a, 도 7a, 및 도 8는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 방법을 순서대로 도시한 사시도이다. 도 3b, 도 4b, 도 5b, 도 6b, 도 6b, 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치를 제조하는 방법을 순서대로 도시한 단면도로서, 각각 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 6a, 및 도 7a의 C-C'선에 대응하는 단면도이다. 도 9a, 도 9b, 및 도 9c는 도 8에 대응하는 도면들로서, 도 9a는 도 8의 P1에 대응하는 평면도, 도 9b는 도 9a의 C-C'에 대응하는 단면도, 및 도 9c는 도 9a의 D-D'에 대응하는 단면도이다. 상술한 도면을 참조하며, 순차적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 설명한다.3A, 4A, 5A, 6A, 6A, 7A, and 8 are perspective views sequentially illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 3B, 4B, 5B, 6B, 6B, and 7B are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, respectively, FIGS. 3A, 4A, and 5A , a cross-sectional view corresponding to the line C-C' of FIGS. 6A, 6A, and 7A. 9A, 9B, and 9C are views corresponding to FIG. 8, in which FIG. 9A is a plan view corresponding to P1 in FIG. 8, FIG. 9B is a cross-sectional view corresponding to C-C' in FIG. 9A, and FIG. 9C is FIG. It is a cross-sectional view corresponding to D-D' of 9a. With reference to the above drawings, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be sequentially described.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 모기판(12)의 전면 상에 복수 개의 발광 소자들(110)이 실장된다. Referring to FIGS. 3A and 3B , a plurality of light emitting
복수 개의 발광 소자들(110)소자들(110)은 제조하고자 하는 발광 장치의 개수에 대응하여 모기판(12)에 실장된다. 발광 소자들(110)소자들(110)은 이후 최종 발광 장치로 완성하기 전에 절단되는 공정을 거쳐야 하므로, 이러한 절단 과정을 고려하여 개개의 발광 장치에 대응되는 영역(100A)에 일대일 또는 일대 다(多)로 배치된다.A plurality of
모기판(12)은 이후 절단되어 소자 기판(120)이 되는 것으로서, 제1 서브 모기판(12a) 및 제2 서브 모기판(12b)을 포함한다. 모기판(12)는 소자 기판(120)이 연결되어 이루어지는, 절단되기 전의 기판이다. 모기판(12)은 이후 절단되어 다수 개의 발광 장치를 제조할 수 있도록 소자 기판(120)보다 넓은 면적을 가진다. The
모기판(12)에는 각각의 발광 장치에 대응되는 영역에 대응하여 배선부가 형성되어 있다. 상기 배선부는 각 영역마다 소자 컨택 전극, 중간 컨택 전극, 외부 컨택 전극, 및 비아 전극 등이 형성될 수 있다.A wiring portion is formed on the
발광 소자들(110)소자들(110)은 모기판(12) 상에서 행열 형태로 배열될 수 있다. 여기서, 상기 발광 소자들(110)소자들(110)은 상기 제1 방향(D1)은 열 방향으로, 상기 제2 방향(D2)은 행 방향으로 하여 배열될 수 있다. 이렇게 발광 소자들(110)이 행열 형태로 배열되는 경우, 이후 제1 방향(D1) 및/또는 제2 방향(D2)으로 연장된 선을 따라 개개의 발광 소자들(110)을 용이하게 분리할 수 있다.
모기판(12)의 소자 컨택 전극 상에 도전성 접착 부재를 도포하고, 도전성 접착 부재 상에 발광 소자들(110)을 배치한 후, 도전성 접착 부재의 리플로우 등의 가열 처리를 함으로써, 발광 소자들(110)을 모기판(12) 상에 부착될 수 있다. A conductive adhesive member is coated on the device contact electrode of the
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 발광 소자들(110) 상에 광 투과부들(130)이 배치된다. 4A and 4B , the
발광 소자들(110) 상에 광 투과부들(130)을 배치하는 단계에 있어서, 광 투과부들(130)은 발광 소자들(110)과 동일한 개수로 제공될 수도 있으나 발광 소자들(110)보다 적은 개수로 제공될 수도 있다. 발광 소자들(110)보다 적은 개수로 제공되는 경우, 광 투과부들(130)은 복수 개의 발광 소자들(110)의 상부를 완전히 덮도록 발광 소자들(110)의 상면보다 충분히 큰 크기로 제공된다. 본 발명의 일 실시예에서는 광 투과부(130) 하나가 제2 방향(D2)으로 서로 인접한 두 개의 발광 소자들(110)을 덮을 수 있는 경우를 일 예로서 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the step of disposing the
발광 소자들(110) 상에 광 투과부들(130)을 배치하는 단계는 광 투과부(130)를 발광 소자(110) 위에 접착시키는 방법으로 수행될 수 있다. 여기서 광 투과부(130)와 발광 소자(110) 사이에는 투광성 접착제가 개재될 수 있다.The disposing of the
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 모 기판 상에 광 투과부들(130)을 배치한 후, 광 투과부들(130)을 각 발광 소자(110)에 대응하여 절단하는 단계가 수행된다. 광 투과부들(130)을 절단하는 단계는 모기판(12)의 전면측, 즉, 광 투과부들(130)이 제공된 면 상에서 수행된다. 이를 위해, 제1 절단기(161)를 모기판(12)의 전면 측에 배치하고 모기판(12)의 상부 방향으로부터 하부 방향으로, 제1 절단기(161)를 이동시킴으로써 광 투과부들(130)을 절단한다. 여기서, 제1 절단기(161)를 이용하여 제1 방향(D1)을 따라 광 투과부(130)를 절단한다. Referring to FIGS. 5A and 5B , after disposing the
광 투과부들(130)의 절단시 제1 절단기(161)의 형상이나 두께에 따라 절단되는 영역(169)의 크기가 달라질 수 있으며, 도 5b에서는 제1 절단기(161)의 두께에 대응하는 광 투과부들(130)의 일부가 제거되는 것을 개략적으로 도시하였다.When the
상기 광 투과부들(130)의 측면들은 서로 이격되도록 절단된다. 서로 인접하게 배치된 두 발광 소자(110)를 제1 및 제2 발광 소자라고 하면, 제1 절단기(161)는 제1 및 제2 발광 소자들 사이에 대응하는 광 투과부(130)를 절단하거나, 광 투과부들(30)의 측면들을 추가 절삭함으로써 제1 및 제2 발광 소자들에 대응하여 제1 및 제2 발광 소자들 상에 배치된 제1 및 제2 광 투과부들을 형성한다. 이때, 서로 마주보는 제1 및 제2 광 투과부들의 측면은 절단에 의해 이격된다. Side surfaces of the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 각 광 투과부(130)는 각 발광 소자(110)보다 더 넓은 면적을 가질 수 있으며, 이에 따라, 각 광 투과부(130)의 측면들은 각 발광 소자(110)의 측면들과 중첩하지 않을 수 있으며, 평면상에서 볼때 각 광 투과부(130)의 측면들은 각 발광 소자(110)의 측면들보다 외측에 배치될 수 있다. 이에 따라, 서로 인접한 두 발광 소자(110), 즉 제1 및 제2 발광 소자들의 서로 마주보는 측면 사이의 거리보다, 서로 인접한 두 광 투과부들(130)의 서로 마주보는 측면 사이의 거리가 더 작을 수 있다.In one embodiment of the present invention, each
이에 더해, 제1 절단기(161)는 제2 방향(D2)을 따라 광 투과부(130)를 추가 절단할 수 있다. 여기서, 제2 방향(D2)에 따른 절단 시 제1 절단기(161)와 다른 절단기를 사용할 수 있다.본 실시예에 있어서, 제1 절단기(161)는 일 방향으로 회전하는 원형 블레이드일 수 있다. 제1 절단기(161)로 상기 광 투과부들(130)의 적어도 일부를 절단할 때 원형 블레이드의 회전 방향(R1)은 모기판(12)의 하부를 향하는, 즉 제3 방향(D3)의 반대 방향을 향하는, 다운 커팅 방식으로 수행될 수 있다. 또는, 제1 절단기(161)는 비회전형 커터일 수 있다. 이 때 비회전형 커터는 원형 블레이드와 유사하게 다운 커팅 방식으로 수행될 수 있다. 비회전형 커터에는 필요에 따라 절단 용이성을 위해 초음파 등이 인가될 수 있다.In addition, the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 광 투과부(130)를 절단할 때 제1 절단기(161)를 제1 방향(D1)으로 이동하게 되는데, 모기판(12) 상에 상기 모기판(12)의 일부를 절단하여 슬롯 형상의 얼라인 마크(190)를 형성한다. 즉, 상기 광 투과부들(130)의 적어도 일부를 절단하는 단계와 상기 얼라인 마크(190)를 형성하는 단계는 단일 공정에서 수행될 수 있다. 여기서 “단일 공정에서 수행된다”고 함은 특정 단계가 다른 단계와 동시에 수행되는 경우는 물론, 동시는 아니더라도 인접한 시간, 즉, 특정 단계의 직전이나 직후에 수행되되, 그 특정 단계와 다른 단계가 하나의 단일 목적을 위해 수행되는 경우를 의미한다. 예를 들어, 광 투과부(130)를 절단하는 단계와 얼라인 마크(190)를 형성하는 단계는 모두 소정 구성 요소를 절단하는 하나의 목적을 위한 공정으로서 서로 인접한 시간에 수행될 수 있으므로 단일 공정으로 이해될 수 있다.In one embodiment of the present invention, when the
얼라인 마크(190)는 이후 최종적인 발광 장치를 제조하기 위해 절단 공정이 수행되는 바, 절단 공정에서 발광 소자들(110)의 배열 위치를 정확히 파악하기 위한 것이다. 이후 단계에서 절단시 얼라인 마크(190)를 통해 배열된 발광 소자들(110)의 위치를 확인하고 이러한 위치를 정도를 고려하여 절단 위치를 설정함으로써, 절단으로 인한 다른 구성 요소의 불량을 최소화함으로써 절단 이후에도 불량이 없는 발광 장치를 제조하기 위한 것이다. After the
여기서, 제1 절단기(161)는 제1 방향(D1)에 연장된 절단선을 따라 상기 광 투과부들(130)을 적어도 일부를 절단하며, 제1 방향(D1)을 따라 제1 절단기(161)를 추가로 이동하여 절단선의 연장선이 상기 모기판(12)의 단부와 만나는 부분에 슬롯 형상의 얼라인 마크(190)를 형성할 수 있다. 상기 슬롯은 모기판(12)의 전면과 배면을 모두 관통하도록 형성되며 이에 따라 배면에서 볼 때 얼라인 마크(190)의 위치가 명확히 시인될 수 있다. 상기 얼라인 마크(190)는 발광 소자들(110)이 실장된 배열이 보이는 모기판(12)의 전면 측에서 형성하되 배면쪽까지 관통하여 형성되므로, 모기판(12)의 전면 측에 배치된 발광 소자들(110)의 배열 위치를 명확하게 반영하여 형성할 수 있다. Here, the
상기 얼라인 마크(190)는 상기 절단선과 상기 모기판(12)의 양 단부가 만나는 지점에 한 쌍으로 제공될 수 있다. 그러나, 얼라인 마크(190)는 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 위치에 다양한 개수로 제공될 수 있다. The
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 얼라인 마크를 도시한 평면도이다.10A and 10B are plan views illustrating alignment marks according to an embodiment of the present invention.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 상기 얼라인 마크는 복수 개로 형성할 수 있다. 예를 들어, 얼라인 마크는 제1 방향(D1)과 평행한 선과 모기판(12)의 양단부가 만나는 영역에 각각 제공될 수 있다. 발광 소자들(110) 또는 광 투과부(130)가 행열 형상으로 배열되어 있다고 할 때, 각 열의 양측에 절단이 수행되는 바, 첫번째 열의 양측 중 일측 변의 절단선에 대응하며 열 방향으로 연장된 선과 모기판(12)의 양 단부가 만나는 지점에 얼라인 마크가 형성될 수 있다. Referring to FIGS. 10A and 10B , a plurality of alignment marks may be formed. For example, the alignment mark may be provided in a region where a line parallel to the first direction D1 and both ends of the
예를 들어, 도 10a에서는 첫번째 열의 좌측 변의 절단선에 대응하여 열 방향으로 연장된 선과 모기판(12)의 양 단부가 만나는 지점에 얼라인 마크 한 쌍(191a, 191b)이 형성된 것을 도시하였으며, 도 10b에서는 첫번째 열의 우측 변에 대응하여 열 방향으로 연장된 선과 모기판(12)의 양 단부가 만나는 지점에 얼라인 마크(191a, 191b) 한 쌍이 형성된 것을 도시하였다.For example, in FIG. 10A, a pair of
또한, 도 10a에서와 같이, 한 쌍이 아닌 두 쌍의 얼라인 마크가 제공될 수도 있고, 도 10b에서와 같이 한 쌍의 얼라인 마크만이 제공될 수도 있다. 모기판(12)에 두 쌍의 얼라인 마크가 제공된 경우, 얼라인 마크는 절단선과 상기 모기판(12)의 양 단부가 만나는 지점에 한 쌍으로 제공된 제1 얼라인 마크(191a, 191b)와, 제1 얼라인 마크(191a, 191b)와 상기 제2 방향(D2)을 따라 이격된 지점에 한쌍으로 제공된 제2 얼라인 마크(193a, 193b)를 포함한다.In addition, as in FIG. 10A , not a pair but two pairs of alignment marks may be provided, or only a pair of alignment marks may be provided as in FIG. 10B . When two pairs of alignment marks are provided on the
또한, 얼라인 마크는 제1 절단기(161)로 광 투과부들(130)을 절단할 때마다, 즉 각 열에 대응하는 부분마다 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 소자들(110)의 배치를 정확히 확인할 수 있는 위치에 형성하는 것으로 족하다. In addition, the alignment mark may be formed every time the
본 발명의 일 실시예에서는 제1 방향(D1)을 따라 얼라인 마크를 형성하는 것만을 도시하였으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되는 것은 아니다. 상술한 실시예와 동일한 원리로 제2 방향(D2)을 따라 얼라인 마크를 형성할 수 있는 것은 자명할 것이다.In the exemplary embodiment of the present invention, only the formation of the alignment mark along the first direction D1 is illustrated, but the exemplary embodiment of the present invention is not limited thereto. It will be apparent that the alignment mark can be formed along the second direction D2 in the same principle as in the above-described embodiment.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 이후 발광 소자들(110)과 광 투과부들(130)을 덮는 커버부(150)가 형성된다. Referring to FIGS. 6A and 6B , the
커버부(150)는 발광소자들 및 광 투과부들(130)을 완전히 덮도록 형성된다. 커버부(150)가 고분자 수지로 이루어지는 경우, 미경화 또는 반경화된 상태의 수지 재료를 발광 소자들(110)과 광 투과부들(130)이 형성된 모기판(12) 상에 형성함으로써 발광 소자들(110)과 광 투과부들(130)를 모두 커버할 수 있다. 이때, 미경화 또는 반경화된 커버부(150) 재료는 광 투과부들(130)의 상면을 완전히 커버하도록 광 투과부들(130)의 상면으로부터 소정 두께로 형성된다. 여기서, 미경화 또는 반경화된 상태의 수지 재료는 사출 성형, 압출 성형, 트랜스퍼 성형, 등 다양한 방법으로 제공될 수 있다. The
미경화 또는 반경화된 커버부(150) 재료는 그 다음 경화된다. 경화는 커버부(150) 재료에 따라 다른 온도로 수행될 수 있으며 예를 들어, 실온 또는 오븐에서의 가열 처리를 통해 수행될 수 있다.The uncured or
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 발광 소자들(110)과 광 투과부들(130)을 덮는 커버부(150)를 형성한 후, 커버부(150)의 상부가 제거됨으로써 광 투과부들(130)의 상면이 외부로 노출된다. 광 투과부들(130)의 상면을 덮는 커버부(150) 부분은 연마 또는 블래스트 등에 의해 광 투과부(130)의 상면이 드러날 때까지 제거될 수 있다. 여기서, 광 투과부(130)의 상면 상에 있는 커버부(150)의 두께를 TH라 하면, 광 투과부(130)의 TH보다 더 두껍게 연마되어 커버부(150) 일부 부분만 제거되는 것이 아니라, 광 투과부(130)의 상면 중 일부도 커버부(150)와 함께 제거될 수 있다. 이때, 광 투과부(130)의 상면과 커버부(150)의 상면은 동시에 연마 등을 통해 제거되며, 그 결과 광 투과부(130)의 상면과 커버부(150)의 상면은 동일 평면을 이루게 된다. Referring to FIGS. 7A and 7B , after forming the
먼저, 도 8를 참조하면, 제2 절단기(163)로 커버부(150) 등이 형성된 모기판(12)이 각 발광 소자(110)에 대응하여 절단된다. 이 과정을 통해 모기판(12) 상에 실장된 발광 소자들(110)소자들(110)은 개별화되어, 분리된 소자 기판(120) 상에 실장된 발광소자로 이루어진 발광 장치가 완성된다. First, referring to FIG. 8 , the
제2 절단기(163)로 모기판(12)을 절단하는 단계는 광 투과부들(130)을 각 발광 소자(110)에 대응하여 절단하는 단계와 달리 모기판(12)의 배면측, 즉, 광 투과부들(130)이 제공된 면의 반대면 상에서 수행된다. The step of cutting the
이를 위해, 제2 절단기(163)로 커버부(150) 등이 형성된 모기판(12)을 절단하는 단계 이전에 상기 모기판(12)을 반전(反轉)하는 단계가 수행될 수 있다.To this end, a step of inverting the
반전된 모기판(12)은 모기판(12)의 발광 소자(110)와 광 투과부들(130)이 하측에 배치되고 모기판(12)의 배면이 상측에 배치된다. 그 다음, 모기판(12)의 상부 방향으로부터 하부 방향으로, 제2 절단기(163)를 이동시킴으로써 모기판(12)과 그 하부에 배치된 커버부(150)를 절단한다. 여기서, 제2 절단기(163)를 이용하여 제1 방향(D1)을 따라 모기판(12) 및 커버부(150)를 절단한다. In the
광 투과부(130)의 절단시 제2 절단기(163)의 형상이나 두께에 따라 절단되는 영역의 크기가 달라질 수 있으며, 도 9b 및 도 9c에서는 제2 절단기(163)의 두께에 대응하는 모기판(12) 및 커버부(150)가 각 발광 장치에 대응하여 절단되는 것을 개략적으로 도시하였다.When the
모기판(12) 및 커버부(150)는 단일 공정에서 절단될 수 있으며, 본 실시예에서는 사실상 동시에 절단될 수 있다. 커버부(150)를 절단하고 나서 모기판(12)을 절단하는 경우, 또는 그 반대의 경우에는 먼저 절단된 부분과 나중에 절단되는 부분의 절단선 맞춤 단계가 추가적으로 필요하며, 두 절단선의 얼라인 미스매치로 인한 결함이 증가할 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시예의 경우, 모기판(12) 및 커버부(150)를 단일 공정에서 절단함에 따라, 얼라인 미스매치가 방지된다.The
제2 절단기(163)는 광 투과부들(130)의 서로 마주보는 측면들 사이를 절단한다. 예를 들어, 서로 인접하게 배치된 두 발광 소자(110)를 제1 및 제2 발광 소자들이라고 하고 이에 대응하여 서로 인접하게 배치된 두 광 투과부들(130)을 제1 및 제2 광 투과부들이라고 하면, 제2 절단기는 제1 및 제2 광 투과부들 사이에 대응하는 모기판(110) 및 커버부(150)를 절단한다. The
여기서, 커버부(150)는 평면 상에서 볼 때 각 광 투과부(130)를 완전히 둘러싸는 형태를 갖도록 절단된다, 이에 따라, 각 광 투과부(130)의 측면들은 절단된 후의 커버부(150)의 측면들과 중첩하지 않을 수 있으며, 평면상에서 볼 때 각 커버부(150)의 측면들은 광 투과부(130)의 측면들보다 외측에 배치될 수 있다.Here, the
본 실시예에 있어서, 제2 절단기(163)는 제1 절단기(161)와 동일하거나 다른 것일 수 있으며, 일 방향으로 회전하는 원형 블레이드일 수 있다. 제2 절단기(163)로 상기 모기판(12)과 광 투과부들(130)을 절단할 때 원형 블레이드의 회전 방향(R1)은 모기판(12)의 상부에서 하부를 향하는, 즉 제3 방향(D3)을 향하는, 다운 커팅 방식으로 수행될 수 있다. 또는, 제2 절단기(163)는 비회전형 커터일 수 있다. 이 때 비회전형 커터는 원형 블레이드와 유사하게 다운 커팅 방식으로 수행될 수 있다. 비회전형 커터에는 필요에 따라 절단 용이성을 위해 초음파 등이 인가될 수 있다.In this embodiment, the
그 다음 제2 절단기(163)는 제2 방향(D2)을 따라 광 투과부(130)를 추가 절단할 수 있다. Then, the
본 발명의 일 실시예에 따른 모기판(12)의 절단 단계에 있어서, 모기판(12)의 배면에는 배선부 중 외부 컨택 전극(145)이 기 형성되어 있으며, 모기판(12)의 절단시 외부 컨택 전극(145)의 일부가 함께 절단될 수 있다.In the step of cutting the
도 9a 내지 도 9c는 도 8에 대응하는 모기판(12)의 배면을 도시한 것으로서, 도 9a는 도 8의 P1에 대응하는 평면도, 도 9b는 도 9a의 C-C'에 대응하는 단면도, 및 도 9c는 도 9a의 D-D'에 대응하는 단면도이다.9A to 9C are views showing the rear surface of the
도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 모기판(12)의 배면(반전된 상태의 상면)에는 각 발광 장치에 대응하는 영역에 외부 컨택 전극들(145)이 복수 개(예를 들어, 한 쌍씩)로 제공된다. Referring to FIGS. 9A to 9C , a plurality of external contact electrodes 145 (eg, a pair) are provided on the rear surface (upper surface in an inverted state) of the
외부 컨택 전극들(145)은 개별적으로 발광 장치에 대응하는 영역마다 분리되어 제공될 수도 있으나, 제조시 편의를 위해 서로 인접한 발광 장치에 대응하는 영역들에 있는 외부 컨택 전극들(145)이 분리되지 않는 일체로 제공될 수도 있다. 예를 들어, 도 9b에 도시된 바와 같이 일부 영역에서는 외부 컨택 전극들(145)이 분리되어 있으나 도 9c에 도시된 바와 같이 일부 영역에서는 인접한 외부 컨택 전극들(145)이 서로 연결되어 있을 수 있다. The
또한, 도 9a에서는 서로 인접한 두 발광 장치에 대응하는 영역의 외부 컨택 전극들(145)이 각각 연결된 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 전체 외부 컨택 전극들(145)이 발광 장치에 대응하는 영역 이외의 영역에서 연결될 수도 있다.Also, although FIG. 9A illustrates that the
모기판(12)의 절단 단계에서는 발광 장치에 대응하는 영역 이외의 부분은 모두 절단하여 제거하며, 연결된 외부 컨택 전극들(145)은 모기판(12)의 절단 단계에서 각 발광 장치의 구성요소로 개별화된다.In the cutting step of the
다음으로, 제2 절단기(163)를 이용하여 제2 방향(D2)을 따라 모기판(12)을 절단할 수 있다. 여기서, 제2 방향(D2)에 따른 절단 시 제2 절단기(163)와 다른 절단기를 사용할 수 있다. 제1 방향(D1)에 따른 모기판(12)의 절단 후, 절단된 부분들이 고정된 상태에서 제2 방향(D2)에 따른 절단이 가능하도록, 모기판(12)은 다른 추가 기판에 일시적으로 부착될 수 있다. 예를 들어, 다른 추가 기판 상에 UV점착제 등을 사용하여 모기판(12)을 부착한 후, 제2 절단기(163)를 이용하여 모기판(12)을 제1 방향(D1)으로 절단하고, 다시 제2 절단기(163)(또는 다른 절단기)를 이용하여 모기판(12)을 제2 방향(D2)으로 절단할 수 있다. 모기판(12)을 제1 및 제2 방향(D2)으로 절단함으로써 완성된 최종 발광 장치는 UV 점착제에 UV를 가함으로써 다른 추가 기판으로부터 분리할 수 있다. Next, the
본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 절단기(163)로 모기판(12)을 절단하는 단계에서 얼라인 마크(190)를 기준점으로 하여 발광 소자들(110)의 위치를 파악한다. In one embodiment of the present invention, in the step of cutting the
특히, 제2 절단기(163)를 이용하여 모기판(12)을 절단하기 이전에, 얼라인 마크(190)를 확인함으로써 발광 소자들(110) 및 이에 따른 전체적인 발광 장치에 대응하는 영역의 절단선 중 적어도 하나의 위치를 확정할 수 있다. 확정된 절단선의 위치를 기초로, 발광 장치들의 피치(상세하게는 발광 장치내의 발광 소자들(110)의 피치 포함)를 고려하여 이후 절단선의 위치를 산정할 수 있다. 만약, 얼라인 마크(190)가 두 쌍으로 제공되는 경우, 제1 얼라인 마크(190)와 상기 제2 얼라인 마크(190)를 기준으로 서로 인접한 두 발광 소자들(110)의 피치를 더욱 명확하게 계산할 수 있으며 이에 따른 절단선의 위치 또한 용이하게 산정할 수 있다. 결국 제2 절단기(163)는 얼라인 마크(190)를 고려하여 소정 간격으로 상기 제1 방향(D1)을 따라 순차적으로 모기판(12)을 절단할 수 있다.In particular, before cutting the
상기한 방법으로 제조된 발광 장치는 절단시 발생할 수 있는 불량이 현저하게 감소하는 바, 이를 설명하면 다음과 같다.In the light emitting device manufactured by the above method, defects that may occur during cutting are remarkably reduced, which will be described as follows.
기존 발명에 따르면, 발광 소자, 광 투과부 및 커버부를 형성한 다음, 모기판을 절단하는 과정에서, 모기판에 배열된 발광 소자들의 배열을 고려하여 절단을 수행해야 하므로 주로 절단기를 전면에 배치한 후 모기판을 절단하였다. 그러나, 이 경우 발광 소자들의 배열을 직접 확인할 수 있는 전면 상에서 절단을 수행함으로써 절단선의 설정은 용이하나 모기판의 배면에 배치된 외부 컨택 전극의 변형이 일어나는 문제가 있었다. 특히, 회전 블레이드를 이용하여 다운 커팅을 수행하는 경우, 하부의 외부 컨택 전극이 하부 방향으로 힘을 받아 버(burr) 결함이 야기되는 문제가 발생하였다.According to the existing invention, after forming the light emitting element, the light transmitting part, and the cover part, in the process of cutting the mother substrate, the cutting must be performed in consideration of the arrangement of the light emitting elements arranged on the mother substrate. The mother board was cut. However, in this case, it is easy to set the cut line by performing the cut on the front surface where the arrangement of the light emitting elements can be directly checked, but there is a problem in that the external contact electrode disposed on the rear surface of the mother substrate is deformed. In particular, when down-cutting is performed using a rotating blade, a burr defect occurs due to the downward force of the lower external contact electrode.
이러한 버 결함을 해결하기 위해 업 커팅을 수행하는 경우, 발광 소자 및 광 투과부에 상부 방향으로 힘이 가해지기 때문에 소자가 모기판으로부터 분리되는 문제가 발생하였다. When up-cutting is performed in order to solve such a burr defect, since a force is applied upwardly to the light emitting element and the light transmitting part, a problem arises that the element is separated from the mother substrate.
또한 버 결함을 해결하기 위해 모기판을 반전하여 절단기를 배면에 놓은 상태에서 절단을 수행하려고 해도 발광 소자들의 배열를 확인할 수가 없어 절단선의 기준을 잡기 힘들었다. 이에 더해, 발광 소자를 모기판에 실장하기 이전에 모기판 제조시 얼라인 홀을 가공하는 방법도 생각해 볼 수 있으나, 설령 모기판에 얼라인 홀을 가공하더라도 발광 소자들을 배열하기 전에 얼라인 홀을 형성하는 것이므로, 이후 발광 소자들의 배열이 어떻게 되었느냐에 따라 발광 소자들의 배열 편차를 해결할 수는 없다.Also, in order to solve the burr defect, it was difficult to determine the standard of the cut line because the arrangement of the light emitting elements could not be confirmed even if the mother substrate was reversed and the cutter was placed on the back side to cut. In addition, it is also possible to consider a method of machining an alignment hole when manufacturing the mother substrate before mounting the light emitting device on the mother substrate. Therefore, it is not possible to solve the arrangement deviation of the light emitting elements according to how the light emitting elements are arranged afterwards.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 소자들을 배치한 이후 단계 중 광 투과부의 기존 절단 단계를 이용하여 별도의 공정 추가 없이 얼라인 마크를 형성할 수 있다. 그 다음, 모기판을 반전하고 모기판의 배면 방향에 절단기를 배치한 후 그 얼라인 마크를 기준으로 모기판의 절단을 수행한다. 상기 얼라인 마크는 발광 소자들을 배열한 이후 위치를 고려하여 형성한 것이기 때문에 반전시켜도 발광 소자들의 위치를 용이하게 예측할 수 있다. However, according to an embodiment of the present invention, an alignment mark can be formed without adding a separate process by using the existing cutting step of the light transmitting part during the steps after disposing the light emitting devices. Then, after inverting the mother substrate and placing a cutter in the rear direction of the mother substrate, cutting of the mother substrate is performed based on the alignment mark. Since the alignment mark is formed in consideration of the positions after arranging the light emitting elements, the positions of the light emitting elements can be easily predicted even if they are inverted.
또한, 배면에서 다운 커팅을 통해 모기판을 절단하기 때문에 모기판 상에 제공된 외부 컨택 전극의 변형이 최소화되어 버 결함이 현저하게 감소된다.In addition, since the mother substrate is cut through down-cutting from the back side, deformation of the external contact electrode provided on the mother substrate is minimized, so that burr defects are remarkably reduced.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 제조 방법을 이용하는 경우, 발광 소자들의 배열에 따라 절단선을 적절하게 조절함으로써 절단시 발광 소자 및 광 투과부들 관련 결함들이 현저하게 감소될 수 있다. 본 발명의 일 실시예의 경우, 발광 소자들의 배열에 따른 정보를 반영한 얼라인 마크가 모기판의 배면측에도 형성되어 있으므로, 얼라인 마크를 기준으로 하여 제2 절단기를 배치하고 모기판의 절단을 수행할 수 있기 때문이다. 이에 따라, 발광 소자들의 절단 불량이 대폭 감소할 수 있다. In addition, when using the method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention, defects related to the light emitting device and the light transmitting parts during cutting can be remarkably reduced by appropriately adjusting the cutting line according to the arrangement of the light emitting devices. In the case of an embodiment of the present invention, since the alignment mark reflecting information according to the arrangement of the light emitting elements is also formed on the back side of the mother substrate, the second cutter is disposed based on the alignment mark and the mother substrate is cut. because it can Accordingly, cutting defects of the light emitting devices may be significantly reduced.
발광 장치에 있어서 장변 방향의 폭과 단변 방향의 폭이 서로 다를 뿐만 아니라, 어느 한 방향으로의 폭이 좁은 경우, 발광 소자들이 조금만 원 위치에서 벗어나는 경우에도 절단 불량이 발생할 수 있다. 절단 불량은 각 발광 소자나 광 투과부의 측면 등이 커버부에 의해 충분히 커버되지 못하고 절단됨으로써 발광 소자나 투과부의 측면이 외부로 노출되는 것을 포함한다.In the light emitting device, not only the width in the long side direction and the width in the short side direction are different from each other, but also when the width in any one direction is narrow, cutting failure may occur even if the light emitting elements are slightly deviated from their original positions. The cutting failure includes the side surface of each light emitting element or the light transmitting part being exposed to the outside by cutting without being sufficiently covered by the cover part.
특히, 장변에서의 폭이나 단변에서의 폭에 있어서의 차이로 인해, 발광 장치 제조시 절단 공정에서 결함이 서로 다른 정도로 나타날 수 있다. 예를 들어, 장변에서의 폭이 단변에서의 폭보다 크게 형성되는 경우, 단변에서의 폭이 상대적으로 작기 때문에 발광 소자나 광 투과부가 원 위치에서 벗어나 배열되는 경우, 개별 발광 장치로 절단할 때 (특히 제1 방향으로 절단할 때)에 발광 소자나 광 투과부의 측면이 밖으로 노출되는 빈도수가 높을 수 있다. 발광 소자나 광 투과부가 밖으로 노출되는 경우 원하는 방향이 아닌 방향으로 원하지 않는 파장대역의 광이 출사되는 결함이 발생한다. 이에 더해, 광 투과부의 경우 발광 소자보다 더 큰 면적을 가지도록 제공되기 때문에 발광 소자보다 커버부에 의해 커버되지 않고 측면이 노출되는 경우가 더 자주 있을 수 있다.In particular, due to a difference in the width at the long side or the width at the short side, defects may appear to different degrees in a cutting process when manufacturing the light emitting device. For example, when the width on the long side is formed to be larger than the width on the short side, when the light emitting element or the light transmitting part is arranged out of the original position because the width on the short side is relatively small, when cutting into individual light emitting devices ( In particular, when cutting in the first direction), the frequency in which the side surface of the light emitting element or the light transmitting part is exposed to the outside may be high. When the light emitting element or the light transmitting part is exposed to the outside, there is a defect that light of an undesired wavelength band is emitted in a direction other than a desired direction. In addition, since the light transmitting portion is provided to have a larger area than that of the light emitting device, the side surface may be exposed more often than the light emitting device without being covered by the cover portion.
그러나, 본 발명에 따르면 이러한 문제는 발광 소자들 및 광 투과부의 위치를 고려하여 정확한 위치에서 커버부 및 모기판을 절단하기 때문에 해결될 수 있다. 실제로, 기존 발명에 따르면 커버부의 일 방향에서의 폭이 약 50마이크로미터 이하, 나아가 약 30마이크로미터 이하인 제품은 배면에서의 모기판 절단이 불가능하나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 가능해진다.However, according to the present invention, this problem can be solved because the cover part and the mother substrate are cut at an accurate position in consideration of the positions of the light emitting elements and the light transmitting part. In fact, according to the existing invention, the width of the cover part in one direction is about 50 micrometers or less, and furthermore, it is impossible to cut the mother substrate on the back of a product having a width of about 30 micrometers or less, but it is possible according to an embodiment of the present invention.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those having ordinary knowledge in the technical field will not depart from the spirit and technical scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and variations of the present invention can be made without departing from the scope of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
12 모기판
100 발광 장치
110 발광 소자
120 소자 기판
120a 제1 서브 기판
120b 제2 서브 기판
130 광 투과부
140 컨택 전극
141 소자 컨택 전극
143 중간 컨택 전극
145 외부 컨택 전극
HL 솔더 홀
150 커버부
161 제1 절단기
163 제2 절단기
190 얼라인 마크
D1, D2, D3 제1 내지 제3 방향12
110
120a first sub-substrate 120b second sub-substrate
130
141
145 external contact electrode HL solder hole
150
163
D1, D2, D3 first to third directions
Claims (20)
상기 발광 소자들 상에 광 투과부들을 배치하는 단계;
제1 절단기를 상기 모기판의 전면 측에 배치하고 상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하는 단계;
상기 모기판 상에 상기 모기판의 일부를 제거하여 얼라인 마크를 형성하는 단계; 및
상기 모기판의 배면 측에 제2 절단기를 배치하고 상기 얼라인 마크를 기준으로 상기 모기판을 각 발광 소자에 대응하여 절단하는 단계를 포함하며,
상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하는 단계와 상기 얼라인 마크를 형성하는 단계는 단일 공정에서 수행되는 발광 장치 제조 방법.mounting a plurality of light emitting devices on the entire surface of the mother substrate;
disposing light transmitting portions on the light emitting devices;
disposing a first cutter on the front side of the mother substrate and cutting at least a portion of the light transmitting portions;
forming an alignment mark on the mother substrate by removing a portion of the mother substrate; and
Placing a second cutter on the rear side of the mother substrate and cutting the mother substrate corresponding to each light emitting element based on the alignment mark,
The step of cutting at least a portion of the light transmitting portions and the step of forming the alignment mark are performed in a single process.
상기 얼라인 마크를 형성하는 단계는 상기 제1 절단기를 이용하여 수행되는 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
The forming of the alignment mark is performed using the first cutter.
각 발광 소자는 한 쌍의 제1 변들과 한 쌍의 제2 변들을 갖는 사각 형상을 가지며, 상기 제1 변들이 연장된 방향을 제1 방향이라고 하고 상기 제2 변들이 연장된 방향을 제2 방향이라고 할 때, 상기 발광 소자들은 상기 제1 방향을 열 방향으로, 상기 제2 방향을 행 방향으로 하는 행열 형태로 배열되는 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
Each light emitting device has a rectangular shape having a pair of first sides and a pair of second sides, a direction in which the first sides extend is referred to as a first direction, and a direction in which the second sides extend is a second direction , the light emitting devices are arranged in a matrix form in which the first direction is a column direction and the second direction is a row direction.
상기 각 발광 소자는 상기 제1 변들을 장변으로, 상기 제2 변들을 단변으로 갖는 직사각 형상인 발광 장치 제조 방법.4. The method of claim 3,
Each of the light emitting devices has a rectangular shape having the first sides as long sides and the second sides as short sides.
상기 제1 절단기는 상기 제1 방향으로 연장된 절단선을 따라 상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하며,
상기 얼라인 마크는 상기 절단선의 연장선이 상기 모기판의 단부와 만나는 부분에 형성되는 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
The first cutter cuts at least a portion of the light transmitting parts along the cutting line extending in the first direction,
The alignment mark is a light emitting device manufacturing method in which an extension of the cutting line meets an end of the mother substrate.
상기 얼라인 마크는 상기 모기판의 일부가 제거되어 형성된 슬롯인 발광 장치 제조 방법.6. The method of claim 5,
The alignment mark is a slot formed by removing a part of the mother substrate.
상기 얼라인 마크는 상기 절단선과 상기 모기판의 양 단부가 만나는 지점에 한 쌍으로 제공되는 발광 장치 제조 방법.7. The method of claim 6,
The alignment mark is provided as a pair at a point where the cut line and both ends of the mother substrate meet.
상기 얼라인 마크는 상기 절단선과 상기 모기판의 양 단부가 만나는 지점에 한 쌍으로 제공된 제1 얼라인 마크와, 상기 제1 얼라인 마크와 상기 제2 방향을 따라 이격된 지점에 한쌍으로 제공된 제2 얼라인 마크를 포함하는 발광 장치 제조 방법.7. The method of claim 6,
The alignment marks include a first alignment mark provided as a pair at a point where the cutting line and both ends of the mother substrate meet, and a first alignment mark provided as a pair at a point spaced apart from the first alignment mark along the second direction. 2 A method of manufacturing a light emitting device including an alignment mark.
상기 제2 절단기는 얼라인 마크를 기준으로 서로 인접한 두 발광 소자들의 피치를 고려하여 소정 간격으로 상기 제1 방향을 따라 상기 모기판을 절단하는 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
The second cutter cuts the mother substrate along the first direction at a predetermined interval in consideration of a pitch of two light emitting elements adjacent to each other based on an alignment mark.
상기 제1 절단기는 일 방향으로 회전하는 원형 블레이드인 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
The first cutter is a circular blade rotating in one direction, the light emitting device manufacturing method.
상기 제1 절단기로 상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하는 단계는 상기 원형 블레이드의 회전 방향이 상기 모기판을 향하는 다운 커팅 방식으로 수행되는 발광 장치 제조 방법.11. The method of claim 10,
The step of cutting at least a portion of the light transmitting parts with the first cutter is a light emitting device manufacturing method in which the rotation direction of the circular blade is performed in a down-cutting manner toward the mother substrate.
상기 제2 절단기로 상기 모기판을 각 발광 소자에 대응하여 절단하는 단계 이전에 상기 모기판을 반전(反轉)하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a light emitting device further comprising the step of inverting the mother substrate before the step of cutting the mother substrate corresponding to each light emitting element with the second cutter.
상기 제2 절단기는 일 방향으로 회전하는 원형 블레이드이며, 상기 제2 절단기로 상기 모기판을 각 발광 소자에 대응하여 절단하는 단계는 상기 원형 블레이드의 회전 방향이 상기 모기판을 향하는 다운 커팅 방식으로 수행되는 발광 장치 제조 방법.13. The method of claim 12,
The second cutter is a circular blade rotating in one direction, and the step of cutting the mother substrate corresponding to each light emitting element with the second cutter is performed in a down-cutting manner in which the rotational direction of the circular blade faces the mother substrate. A method for manufacturing a light emitting device.
상기 발광 소자들 상에 상기 광 투과부들을 배치하는 단계에 있어서, 상기 광 투과부들은 상기 발광 소자들보다 적은 개수로 제공되며, 적어도 하나의 광 투과부는 적어도 둘 이상의 발광 소자들 상에 배치되는 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
In the step of disposing the light transmitting parts on the light emitting elements, the light transmitting parts are provided in a smaller number than the light emitting elements, and at least one light transmitting part is disposed on at least two or more light emitting devices. method.
상기 제2 절단기를 이용하여 상기 모기판을 상기 제2 방향을 따라 절단하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
and cutting the mother substrate along the second direction using the second cutter.
상기 발광 소자들과 상기 광 투과부들을 덮는 커버부를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a light emitting device further comprising the step of forming a cover that covers the light emitting elements and the light transmitting parts.
상기 발광 소자들과 상기 광 투과부들을 덮는 상기 커버부를 형성한 후, 상기 커버부의 상부를 제거하여 상기 광 투과부들의 상면을 외부로 노출시키는 단계를 더 포함하는 발광 장치 제조 방법.17. The method of claim 16,
The method further comprising the step of exposing upper surfaces of the light-transmitting parts to the outside by removing an upper portion of the cover after forming the cover part covering the light-emitting elements and the light-transmitting parts.
상기 광 투과부들의 상면에 대향하는 방향에서 볼 때, 상기 각 광 투과부는 상기 커버부에 의해 둘러싸이며, 상기 광 투과부의 상기 제1 방향으로 연장된 변에서의 폭은 상기 제2 방향으로 연장된 변에서의 폭보다 큰 발광 장치 제조 방법.18. The method of claim 17,
When viewed from a direction opposite to the upper surface of the light transmitting portions, each of the light transmitting portions is surrounded by the cover portion, and the width at the side extending in the first direction of the light transmitting portion is the side extending in the second direction A method of manufacturing a light emitting device greater than the width in
상기 발광 소자들 상에 광 투과부들을 배치하는 단계;
제1 절단기를 상기 모기판의 전면 측에 배치하고 상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하는 단계;
상기 광 투과부들의 적어도 일부를 절단하는 단계와 단일 공정에서 상기 모기판 상에 상기 모기판의 일부를 제거하여 얼라인 마크를 형성하는 단계;
상기 발광소자들과 상기 광 투과부들의 측면들을 덮는 커버부를 형성하는 단계;
상기 커버부의 일부를 제거하여 상기 광 투과부들의 상면을 노출하는 단계; 및
상기 모기판의 배면 측에 제2 절단기를 배치하고 상기 얼라인 마크를 기준으로 상기 모기판 및 상기 커버부를 각 발광 소자에 대응하여 절단하는 단계를 포함하며,
상기 광 투과부들의 측면들과, 절단된 상기 커버부들의 측면들은, 서로 이격된 발광 장치 제조 방법.mounting the light emitting devices on the entire surface of the mother substrate;
disposing light transmitting portions on the light emitting devices;
disposing a first cutter on the front side of the mother substrate and cutting at least a portion of the light transmitting portions;
forming an alignment mark by cutting at least a portion of the light transmitting portions and removing a portion of the mother substrate on the mother substrate in a single process;
forming a cover portion covering side surfaces of the light emitting elements and the light transmitting portions;
exposing upper surfaces of the light transmitting parts by removing a portion of the cover part; and
Placing a second cutter on the rear side of the mother substrate and cutting the mother substrate and the cover portion corresponding to each light emitting element based on the alignment mark,
The side surfaces of the light transmitting parts and the cut side surfaces of the cover parts are spaced apart from each other.
상기 제1 및 제2 발광 소자들 상에 적어도 하나의 광 투과부를 배치하는 단계;
제1 절단기를 상기 모기판의 전면 측에 배치하고 상기 광 투과부의 적어도 일부를 절단하여, 서로 마주보는 측면들이 서로 이격된 제1 및 제2 광 투과부들을 형성하는 단계;
상기 제1 및 제2 광 투과부들을 형성하는 단계와 단일 공정에서 수행되며 상기 모기판의 일부를 제거하여 상기 모기판 상에 얼라인 마크를 형성하는 단계;
상기 제1 및 제2 발광소자들과 상기 제1 및 제2 광 투과부들의 측면들을 덮는 커버부를 형성하는 단계;
상기 커버부의 일부를 제거하여 상기 제1 및 제2 광 투과부들의 상면을 노출하는 단계; 및
상기 모기판의 배면 측에 제2 절단기를 배치하고 상기 얼라인 마크를 기준으로 상기 서로 마주보는 상기 제1 및 제2 광 투과부들의 측면들 사이의 상기 모기판 및 상기 커버부를 절단하는 단계를 포함하는 발광 장치 제조 방법.
mounting the first and second light emitting devices to be spaced apart from each other on the entire surface of the mother substrate;
disposing at least one light transmitting part on the first and second light emitting devices;
arranging a first cutter on the front side of the mother substrate and cutting at least a portion of the light transmitting portion to form first and second light transmitting portions having side surfaces facing each other spaced apart from each other;
forming the first and second light transmitting portions and forming an alignment mark on the mother substrate by removing a portion of the mother substrate, performed in a single process;
forming a cover portion covering side surfaces of the first and second light emitting devices and the first and second light transmitting portions;
exposing upper surfaces of the first and second light transmitting portions by removing a portion of the cover; and
Placing a second cutter on the rear side of the mother substrate and cutting the mother substrate and the cover portion between the side surfaces of the first and second light transmitting portions facing each other based on the alignment mark A method for manufacturing a light emitting device.
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2020
- 2020-02-06 KR KR1020200014276A patent/KR20210100375A/en unknown
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