KR20210099509A - 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}
본 출원은 2020년 2월 4일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2020-0013099호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
본 명세서에서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR11R12; O; 또는 S이고,
R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
c 및 d는 0 내지 4의 정수이고, c 및 d가 2 이상인 경우, 각각의 괄호 안의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입과 정공수송, 전자차단, 발광, 정공차단, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다. 또한, 기존 유기 발광 소자에 비하여, 낮은 구동전압, 고효율 및/또는 장수명의 효과가 있다.
도 1은 기판(1), 애노드(2), 발광층(6) 및 캐소드(8)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 애노드(2), 정공주입층(3), 제1 정공수송층(4), 제2 정공수송층(5), 발광층(6), 전자 주입 및 수송층(7) 및 캐소드(8)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환" 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자 등에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 니트로기; 히드록시기; 아미노기; 실릴기; 붕소기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 실릴기; 알킬기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 실릴기; 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 실릴기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기(-CN); 실릴기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기; 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 및 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 플루오로기(-F); 니트릴기(-CN); 실릴기; 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 플루오레닐기; 피리딜기; 디벤조퓨란기; 및 디벤조티오펜기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 플루오로기(-F); 니트릴기(-CN); 실릴기; 메틸기; 프로필기; 부틸기; 시클로헥실기; 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(-F), 염소(-Cl), 브롬(-Br) 또는 요오드(-I)가 있다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiYaYbYc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ya, Yb 및 Yc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BYdYe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Yd 및 Ye는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 헵틸기, n-헵틸기, 옥틸기, n-옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴알킬기는 아릴기로 치환된 것을 제외하고는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐(에테닐기), 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알키닐기는 탄소원자와 탄소원자 사이에 삼중결합을 포함하는 치환기로서, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알키닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알키닐기의 탄소수는 2 내지 10이다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2이며, 상기 아민기에는 전술한 알킬기, 아릴기, 헤테로고리기, 알케닐기, 시클로알킬기 및 이들의 조합 등이 치환될 수 있다. 상기 치환된 아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아민기의 탄소수는 1 내지 20이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아민기의 탄소수는 1 내지 10이다. 치환된 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 9,9-디메틸플루오레닐페닐아민기, 피리딜페닐아민기, 디페닐아민기, 페닐피리딜아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 디벤조퓨라닐페닐아민기, 9-메틸안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 디페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure pat00002
,
Figure pat00003
등의 스피로플루오레닐기,
Figure pat00004
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure pat00005
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 20이다. 헤테로고리기의 예로는 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 퀴놀린기, 피리다지닐기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기, 벤조카바졸기, 나프토벤조퓨란기, 벤조나프토티오펜기, 인데노카바졸기, 트리아지닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접한 기와 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 탄화수소 고리; 또는 헤테로 고리를 의미한다.
상기 탄화수소 고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 2가기인 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다. 상기 탄화수소고리는 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 상기 헤테로고리는 N, O, P, S, Si 및 Se 중에서 선택된 1 이상으로 포함하는 고리를 의미한다. 본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 지방족 탄화수소고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 방향족 탄화수소고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 파이렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리는 아릴기와 동일한 의미로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 지방족 헤테로고리의 예로는, 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 방향족 헤테로고리의 예로는, 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 파라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴논, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 드리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤조옥사졸, 벤조이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
이하 본 발명의 바람직한 실시상태를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명의 실시상태는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시상태들에 한정되지는 않는다.
본 발명 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 LUMO 에너지 값이 깊어지므로, 발광층의 도펀트 물질로 사용하는 경우, 발광층의 호스트 물질로부터 상기 화합물로의 에너지 전이(energy transfer)가 용이하게 일어난다. 따라서, 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기 발광 소자에 적용시, 고효율, 저전압 및/또는 장수명 특성을 가지는 유기 발광 소자를 얻을 수 있다.
이하, 상기 화학식 1에 대하여 상세히 설명한다.
[화학식 1]
Figure pat00006
상기 화학식 1에 있어서,
X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR11R12; O; 또는 S이고,
R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
c 및 d는 0 내지 4의 정수이고, c 및 d가 2 이상인 경우, 각각의 괄호 안의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR11R12; O; 또는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR11R12 이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O; 또는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, X1 및 X2는 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R11 및 R12는 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 플루오로기(-F); 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 치환 또는 비치환된 프로필기; 치환 또는 비치환된 부틸기; 치환 또는 비치환된 에테닐기; 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 치환 또는 비치환된 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 플루오로기(-F); 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 에틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 프로필기; 중수소로 치환 또는 비치환된 부틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 에테닐기; 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 플루오로기(-F); 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 에테닐기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 플루오로기(-F); 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 에틸기; i-프로필기; t-부틸기; 에테닐기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 플루오로기(-F); 메틸기; CD3; 에틸기; i-프로필기; t-부틸기; 에테닐기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 플루오로기(-F); 메틸기; CD3; 에틸기; i-프로필기; t-부틸기; 에테닐기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 수소; 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; i-프로필기; t-부틸기; 시클로헥실기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; i-프로필기; t-부틸기; 시클로헥실기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 수소; 메틸기; CD3; i-프로필기; t-부틸기; 시클로헥실기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R1 및 R2는 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, R3 및 R4는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이고, 상기 기들은 할로겐기, 니트릴기, 실릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기, 니트릴기, 실릴기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 할로겐기, 니트릴기, 실릴기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 할로겐기, 니트릴기, 실릴기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 할로겐기, 니트릴기, 실릴기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 할로겐기, 니트릴기, 실릴기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 할로겐기, 니트릴기, 실릴기, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, 프로필기, 부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 플루오로기, 니트릴기, 실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기, 니트릴기, 트리메틸실릴기(-SiMe3), 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 메틸기 또는 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 터페닐기; 디메틸플루오레닐기; 트리메틸실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 트리메틸실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 및 페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기, 니트릴기, 트리메틸실릴기(-SiMe3), 메틸기, i-프로필기, t-부틸기 또는 시클로헥실기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 터페닐기; 디메틸플루오레닐기; 트리메틸실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기, 니트릴기, 트리메틸실릴기(-SiMe3), 메틸기, i-프로필기, t-부틸기 또는 시클로헥실기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 터페닐기; 디메틸플루오레닐기; 트리메틸실릴기, 메틸기, i-프로필기, t-부틸기, 시클로헥실기 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기, 니트릴기, 메틸기, t-부틸기 또는 시클로헥실기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 시클로헥실기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 플루오로기로 치환된 페닐기; 니트릴기로 치환된 페닐기; 메틸기로 치환된 페닐기; t-부틸기로 치환된 페닐기; 시클로헥실기로 치환된 페닐기; 바이페닐기; 디벤조퓨란기; 시클로헥실기로 치환된 디벤조퓨란기; 또는 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1 및 Ar2는 각각 Ar3 및 Ar4와 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, Ar1는 Ar3과 동일하고, Ar2는 Ar4와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, c 및 d는 0 또는 1의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, c 및 d는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, c 및 d는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1-1]
Figure pat00007
[화학식 1-2]
Figure pat00008
[화학식 1-3]
Figure pat00009
상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서, X1, X2, R1 내지 R4, Ar1 내지 Ar4, c 및 d의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 2-1]
Figure pat00010
[화학식 2-2]
Figure pat00011
[화학식 2-3]
Figure pat00012
상기 화학식 2-1 내지 2-3에 있어서, R1 내지 R4, Ar1 내지 Ar4, c 및 d의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시된다.
[화학식 3-1]
Figure pat00013
[화학식 3-2]
Figure pat00014
상기 화학식 3-1 및 3-2에 있어서, X1, X2, Ar1 내지 Ar4, R3, R4, c 및 d의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,
G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 중수소 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기(-F); 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 치환 또는 비치환된 프로필기; 치환 또는 비치환된 부틸기; 치환 또는 비치환된 에테닐기; 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 치환 또는 비치환된 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기(-F); 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 에틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 프로필기; 중수소로 치환 또는 비치환된 부틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 에테닐기; 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 중수소 또는 메틸기로 치환 또는 비치환된 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기(-F); 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 에틸기; 프로필기; 부틸기; 에테닐기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기(-F); 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 에틸기; i-프로필기; t-부틸기; 에테닐기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 플루오로기(-F); 메틸기; CD3; 에틸기; i-프로필기; t-부틸기; 에테닐기; 시클로펜틸기; 시클로헥실기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 또는 피리딜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, G1 및 G2는 서로 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A와 같이 X축과 Y축의 교점을 기준으로 양쪽 고리가 점대칭 구조를 이루고 있다.
[화학식 1-A]
Figure pat00015
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시된다.
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
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Figure pat00060
Figure pat00061
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Figure pat00065
Figure pat00066
Figure pat00067
Figure pat00068
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같이 코어구조가 제조될 수 있다. 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.
<반응식 1>
Figure pat00069
상기 반응식 1에 있어서, Hal1 내지 Hal4는 할로겐기(F, Cl, Br 또는 I)이고, X는 O, S 또는 CR11R12이고, Sub는 NH(Ar1)(Ar2) 또는 NH(Ar3)(Ar4)이고, R1, R2, R11, R12 및 Ar1 내지 Ar4의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.
상기 반응식 1에서는 특정위치에 특정 치환기가 결합된 화합물을 합성하는 과정을 예시하였으나, 당 기술분야에 알려져있는 출발물질, 중간물질 등을 이용하여 당 기술분야에 알려져있는 합성방법에 의하여 상기 화학식 1의 범위에 해당하는 화합물들을 합성할 수 있다.
본 명세서에서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 또한, 본 명세서에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.
또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 따른 유기발광소자는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1의 화합물을 이용하여 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 유기발광소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기발광소자는 유기물층으로서 정공수송층, 정공주입층, 전자차단층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층, 및 전자수송 및 주입을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 본 명세서의 유기발광소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기발광소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 정공 주입 및 수송층 또는 전자차단층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 정공 주입 및 수송층 또는 전자차단층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기발광소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자수송층, 전자 주입 및 수송층 또는 정공차단층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자수송층, 전자 주입 및 수송층 또는 정공차단층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기발광소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 수송 및 주입층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 수송 및 주입층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자조절층을 포함하고, 상기 전자조절층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하는 녹색 유기 발광 소자이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하는 적색 유기 발광 소자이다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하는 청색 유기 발광 소자이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 안트라센계 화합물 등의 유기화합물을 호스트로 포함할 수 있다. 이때, 상기 도펀트의 함량은 호스트 100 중량부를 기준으로 0.5 중량부 내지 50 중량부로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.5 중량부 내지 10 중량부, 더욱 바람직하게는 1 중량부 내지 4 중량부로 포함된다.
또 하나의 예로서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 더 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함한다.
[화학식 H]
Figure pat00070
상기 화학식 H에 있어서,
L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
l21은 1 내지 3의 정수이며, 상기 l21이 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 L21은 서로 같거나 상이하며,
l22는 1 내지 3의 정수이고, 상기 l22가 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 L22는 서로 같거나 상이하고,
l23은 1 내지 3의 정수이며, 상기 l23이 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 L23은 서로 같거나 상이하며,
a은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H는 적어도 하나의 중수소로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H는 치환 가능한 위치의 1% 내지 100%가 중수소로 치환된다.
본 명세서에서 '중수소화된', '중수소로 치환된', 또는 '중수소를 포함하는'은 적어도 하나의 치환 가능한 H(수소)가 D(중수소)로 대체되었음을 의미한다. 'x% 중수소화된', 'x% 중수소로 치환된', 또는 'x% 중수소를 포함하는'은 상기 화학식 H의 치환 가능한 위치에 수소 중 자연 존재비 수준의 100배 이상으로 중수소가 존재하는 것이다.
본 명세서에서 중수소화도는 핵자기 공명 분광법(1H NMR), TLC/MS(Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry), 또는 GC/MS(Gas Chromatography/Mass Spectrometry) 등의 공지의 방법으로 확인할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a이 0인 경우, -(L23)l23-Ar23의 위치는 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a이 0인 경우, -(L23)l23-Ar23의 위치는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a이 0인 경우, -(L23)l23-Ar23의 위치는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 R21 내지 R27은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 R21 내지 R27은 수소이다,
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 R21 내지 R27은 중수소이다,
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H는 하기 화학식 H-1 또는 H-2로 표시된다.
[화학식 H-1]
Figure pat00071
[화학식 H-2]
Figure pat00072
상기 화학식 H-1 및 H-2에 있어서,
L21 내지 L23, l21 내지 l23 및 Ar21 내지 Ar23의 정의는 상기 화학식 H에서 정의한 바와 동일하고,
D는 중수소를 의미하고,
k1은 0 내지 8의 정수이고,
k2는 0 내지 7의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H-1 또는 H-2는 적어도 하나의 중수소로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 l21은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 l22는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 l23은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 l21은 2이고, 2개의 상기 L21은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 l22는 2이고, 2개의 상기 L22는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 l23은 2이고, 2개의 상기 L23은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 중수소, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소, 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 중수소, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 바이페닐렌기; 나프틸렌기; 2가의 안트라센기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기; 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 바이페닐렌기; 나프틸렌기; 2가의 안트라센기; 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기; 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 바이페닐렌기; 나프틸렌기; 2가의 안트라센기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 2가의 플루오렌기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 2가의 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 중수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 중수소, 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; tert-부틸기; 중수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 페난트렌기; 터페닐기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 벤조플루오렌기; 벤조페난트렌기; 벤즈안트라센기; 트리페닐렌기; 벤조크라이센기; 파이렌기; 스피로비플루오렌기; 디벤조퓨란기; 벤조나프토퓨란기; 벤조비스벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 벤조나프토티오펜기; 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; tert-부틸기; 중수소, 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 페난트렌기; 터페닐기; 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 벤조플루오렌기; 벤조페난트렌기; 벤즈안트라센기; 트리페닐렌기; 벤조크라이센기; 파이렌기; 스피로비플루오렌기; 디벤조퓨란기; 벤조나프토퓨란기; 벤조비스벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 벤조나프토티오펜기; 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; tert-부틸기; 중수소, 메틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 페난트렌기; 터페닐기; 메틸기, 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 벤조플루오렌기; 벤조페난트렌기; 벤즈안트라센기; 트리페닐렌기; 벤조크라이센기; 파이렌기; 스피로비플루오렌기; 디벤조퓨란기; 벤조나프토퓨란기; 벤조비스벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 벤조나프토티오펜기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; tert-부틸기; 중수소, 메틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 터페닐기; 디메틸플루오렌기; 디페닐플루오렌기; 스피로비플루오렌기; 페난트렌기; 벤조페난트레닐기; 테트라펜(tetraphene)기; 트리페닐렌기; 메틸기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 벤조플루오렌기; 벤조크라이센기; 파이렌기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 나프토벤조퓨란기; 나프토벤조티오펜기; 벤조퓨란이 축합된 디벤조퓨란기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H은 중수소로 적어도 40% 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H은 중수소로 적어도 50% 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H은 중수소로 적어도 60% 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H은 중수소로 적어도 70% 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H은 중수소로 적어도 80% 치환된다. 또 다른 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H은 중수소로 적어도 90% 치환된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 L21 내지 L23은 각각 중수소로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H에 있어서, 상기 Ar21 내지 Ar23은 각각 중수소로 치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H은 하기 화합물 중 선택된 어느 하나이다.
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
Figure pat00076
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Figure pat00098
Figure pat00099
Figure pat00100
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 H로 표시되는 화합물을 포함한 발광층은 청색을 띤다.
일 예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물의 함량은 발광층의 호스트 및 도펀트의 합 100 중량부를 기준으로, 0.01 중량부 내지 30 중량부; 바람직하게는 0.1 중량부 내지 20 중량부; 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 내지 10 중량부이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물 외에 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 정공수송층, 정공주입층, 전자차단층, 전자수송 및 주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층, 및 정공수송 및 주입층 중 1 층 이상의 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 수송 및 주입층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송 및 주입층, 전자조절층 및 정공 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자 수 송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 전자 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층이 전자 수송층인 경우, 상기 전자 수송층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 당 기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속착체를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 수송층은 LiQ(Lithium Quinolate)를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 정공수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 2층 이상의 정공 수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 정공 수송층에 포함되는 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아민기, 카바졸릴기 또는 벤조카바졸릴기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공 주입층 또는 정공 수송층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자차단층을 포함할 수 있으며, 상기 전자차단층은 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
(1) 애노드/정공수송층/발광층/캐소드
(2) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/캐소드
(3) 애노드/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/캐소드
(4) 애노드/정공수송층/발광층/전자수송층/캐소드
(5) 애노드/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드
(6) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/캐소드
(7) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드
(8) 애노드/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/캐소드
(9) 애노드/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /캐소드
(10) 애노드/ 정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/캐소드
(11) 애노드/ 정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드
(12) 애노드/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/캐소드
(13) 애노드/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/전자주입 층/캐소드
(14) 애노드/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/캐소드
(15) 애노드/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/전자주입층/캐소드
(16) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/캐소드
(17) 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/전자주입 층/캐소드
본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1은 기판(1), 애노드(2), 발광층(6) 및 캐소드(8)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층(6)에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 애노드(2), 정공주입층(3), 제1 정공수송층(4), 제2 정공수송층(5), 발광층(6), 전자 주입 및 수송층(7) 및 캐소드(8)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공주입층(3), 제1 정공수송층(4), 제2 정공수송층(5), 발광층(6) 또는 전자 주입 및 수송층(7)에 포함될 수 있다.
예컨대, 본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자차단층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.
상기 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 전자차단층, 전자수송 및 주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층, 및 정공수송 및 주입층 중 1 층 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는층, 전자차단층, 발광층 및 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 주입층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 애노드는 정공을 주입하는 전극으로, 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드는 전자를 주입하는 전극으로, 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 애노드로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 애노드로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 정공주입층의 두께는 1 nm 내지 150 nm일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 1 nm 이상이면, 정공 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150 nm 이하이면, 정공주입층의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 정공주입 또는 수송재료를 포함할 수 있다.
정공수송층과 발광층 사이에 전자차단층이 구비될 수 있다. 상기 전자차단층에는 전술한 화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.
상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 전술한 화학식 1의 화합물 외에도 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.
전자수송층과 발광층 사이에 정공차단층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.
상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 상기 전술한 화합물 또는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층의 두께는 1 nm 내지 50 nm일 수 있다. 전자수송층의 두께가 1 nm 이상이면, 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50 nm 이하이면, 전자수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공차단층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하기 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<제조예 1: 중간체 1-1의 합성>
Figure pat00101
2-아미노-6-클로로페놀 (2-amino-6-chlorophenol) (43.2 g, 300.9 mmol), 1,4-다이클로로-2,5-다이아이오도벤젠 (1,4-dichloro-2,5-diiodobenzene) (60 g, 150.5 mmol, Pd(Pt-Bu3)2 (7.69 g, 15 mmol), NaOtBu (43.38 g, 451.4 mmol)을 톨루엔(toluene) (500 ml)에 녹여 환류하며 교반하였다. 반응이 종결된 뒤, 상온으로 식히고, 반응물을 분액깔때기에 옮긴 후 추출하였다. MgSO4로 건조 및 여과, 농축 하고 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 1-1 (46.59 g, 수율 72%)을 수득하였다.
MS:[M+H]+= 431
<제조예 2: 중간체 1-2의 합성>
Figure pat00102
중간체 1-1 (46.59 g, 108.32 mmol), Pd(PPh3)4 (3.76 g, 3.24 mmol), K2CO3 (29.94 g, 216.64 mmol) 를 DMAC(dimethylacetamide, 디메틸아세트아미드)(360 ml) 에 녹인 후, 환류하며 교반한다. 반응이 종결된 뒤, 상온으로 식히고, 반응물을 분액깔때기에 옮긴 후 추출하였다. MgSO4로 건조 및 여과, 농축 하고 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 1-2(26.31 g, 수율 68%)을 수득하였다.
MS:[M+H]+=358
<제조예 3: 중간체 1-3의 합성>
Figure pat00103
중간체 1-2 (26.31 g, 73.7 mmol), K2CO3 (76.35 g, 552.4 mmol) 를 DMF (150 mL)에 녹였다. 그 후, NfF(55.63 g, 184.1 mmol) 를 가하였다. rt에서 2시간 교반하였다. 반응이 종결된 후, 반응물을 분액깔때기에 옮긴 후 추출하였다. MgSO4로 건조 및 여과, 농축 하고 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 1-3 (59.04 g, 수율 87%)을 수득하였다.
MS:[M+H]+= 922
<제조예 4: 중간체 1-4의 합성>
Figure pat00104
중간체 1-3 (59.04 g, 64.07 mmol), 2-(3-클로로벤조퓨란-2-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란 (2-(3-chlorobenzofuran-2-yl)-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) (36.59 g, 131.36 mmol), Pd(Pt-Bu3)2 (0.98 g, 1.92 mmol), K2CO3 (54.47 g, 394.09 mmol) 을 톨루엔(toluene) (215 ml), H2O (70 ml)에 녹여 환류하며 교반하였다. 반응이 종결된 뒤, 상온으로 식히고, 반응물을 분액깔때기에 옮긴 후 추출하였다. MgSO4로 건조 및 여과, 농축 하고 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 1-4 (28 g, 수율 70%)을 수득하였다.
MS:[M+H]+=627
<제조예 5: 중간체 1-5의 합성>
Figure pat00105
중간체 1-4 (28.09 g, 44.8 mmol), CuI (1.71 g, 0.2 mmol), 1,10-페난쓰롤린 (1,10-phenanthroline) (8.08 g, 44.8 mmol), K2CO3 (3.72 g, 26.9 mmol)을 DMSO(dimethyl sulfoxide, 다이메틸설폭사이드) (90 ml)에 녹여 환류하며 교반하였다. 반응이 종결된 뒤, 상온으로 식히고, 반응물을 분액깔때기에 옮긴 후 추출하였다. MgSO4로 건조 및 여과, 농축 하고 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 1-5 (12 g, 수율 48%)을 수득하였다.
MS:[M+H]+=554
<제조예 6: 화합물 1의 합성>
Figure pat00106
중간체 1-5 (11.91 g, 21.5 mmol), Sub1 (7.28 g, 43 mmol), Pd(Pt-Bu3)2 (1.1 g, 2.2 mmol), NaOtBu (6.2 g, 64.6 mmol)을 톨루엔(toluene) (72 ml)에 녹여 환류하며 교반하였다. 반응이 종결된 뒤, 상온으로 식히고, 반응물을 분액깔때기에 옮긴 후 추출하였다. MgSO4로 건조 및 여과, 농축 하고 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 1 (13.57 g, 수율 77%)을 수득하였다.
MS:[M+H]+= 819
<제조예 7: 중간체 2-5의 합성>
Figure pat00107
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 2-5를 합성 하였다.
MS:[M+H]+= 554
<제조예 8: 화합물 2의 합성>
Figure pat00108
중간체 1-5 대신에 2-5, Sub1 대신에 Sub2를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 2를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 876
<제조예 9: 중간체 3-5의 합성>
Figure pat00109
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 3-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 582
<제조예 10: 화합물 3의 합성>
Figure pat00110
중간체 1-5 대신에 3-5, Sub1 대신에 Sub3를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 3를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 960
<제조예 11: 중간체 4-5의 합성>
Figure pat00111
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 4-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 588
<제조예 12: 화합물 4의 합성>
Figure pat00112
중간체 1-5 대신에 4-5, Sub1 대신에 Sub4를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 4를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 1006
<제조예 13: 중간체 5-5의 합성>
Figure pat00113
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 5-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 638
<제조예 14: 화합물 5의 합성>
Figure pat00114
중간체 1-5 대신에 5-5, Sub1 대신에 Sub5를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 1112
<제조예 15: 중간체 6-5의 합성>
Figure pat00115
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 6-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 718
<제조예 16: 화합물 6의 합성>
Figure pat00116
중간체 1-5 대신에 6-5, Sub1 대신에 Sub6를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 6를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 1012
<제조예 17: 중간체 7-5의 합성>
Figure pat00117
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 7-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 586
<제조예 18: 화합물 7의 합성>
Figure pat00118
중간체 1-5 대신에 7-5, Sub1 대신에 Sub7를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 7를 합성 하였다.
MS:[M+H]+= 1016
<제조예 19: 중간체 8-5의 합성>
Figure pat00119
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 8-5를 합성 하였다.
MS:[M+H]+= 586
<제조예 20: 화합물 8의 합성>
Figure pat00120
중간체 1-5 대신에 8-5, Sub1 대신에 Sub8를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 8를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 1064
<제조예 21: 중간체 9-5의 합성>
Figure pat00121
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 9-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 614
<제조예 22: 화합물 9의 합성>
Figure pat00122
중간체 1-5 대신에 9-5, Sub1 대신에 Sub9를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 9를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 930
<제조예 23: 중간체 10-5의 합성>
Figure pat00123
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 10-5를 합성 하였다.
MS:[M+H]+= 698
<제조예 24: 화합물 10의 합성>
Figure pat00124
중간체 1-5 대신에 10-5, Sub1 대신에 Sub10를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 10를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 1296
<제조예 25: 중간체 11-5의 합성>
Figure pat00125
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 11-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 606
<제조예 26: 화합물 11의 합성>
Figure pat00126
중간체 1-5 대신에 11-5, Sub1 대신에 Sub11를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 11를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 908
<제조예 27: 중간체 12-5의 합성>
Figure pat00127
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 12-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 758
<제조예 28: 화합물 12의 합성>
Figure pat00128
중간체 1-5 대신에 12-5, Sub1 대신에 Sub12를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 12를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 1368
<제조예 29: 화합물 13의 합성>
Figure pat00129
중간체 1-5 대신에 11-5, Sub1 대신에 Sub13를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 13를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 1096
<제조예 30: 화합물 14의 합성>
Figure pat00130
중간체 1-5 대신에 11-5, Sub1 대신에 Sub14를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 14를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 956
<제조예 31: 화합물 15의 합성>
Figure pat00131
Sub1 대신에 Sub15를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 15를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 932
<제조예 32: 화합물 16-5의 합성>
Figure pat00132
상기 중간체를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1 내지 5와 같은 방법으로 중간체 16-5를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 586
<제조예 33: 화합물 16의 합성>
Figure pat00133
Sub1 대신에 Sub15를 사용한 것을 제외하고는 제조예 6과 같은 방법을 통하여 화합물 16를 합성하였다.
MS:[M+H]+= 880
<실험예 1-1>
ITO(인듐 주석 산화물)가 1,000Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HAT를 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 그 위에 제1 정공수송층으로 하기 화합물 HT-A 1000Å을 진공 증착하고, 연이어 제2 정공수송층으로 하기 화합물 HT-B 100Å을 증착하였다. 호스트인 BH-1와 도펀트인 화합물 1을 98:2의 중량비로 진공 증착하여 200Å 두께의 발광층을 형성하였다.
그 다음에 전자 주입 및 수송층으로 하기 화합물 ET-A 와 하기 화합물 Liq를 중량비 1:1 비율로 300Å을 증착하였고, 이 위에 순차적으로 150Å 두께의 은(Ag) 10 중량% 도핑된 마그네슘(Mg) 그리고 1,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, 알루미늄은 3 Å/sec 내지 7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.
Figure pat00134
<실험예 1-2 내지 1-16>
상기 실험예 1-1에서 발광층의 도펀트로 상기 화합물 1 대신 하기 화합물 2 내지 16을 각각 사용한 것을 제외하고는 동일하게 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00135
<비교예 1-1>
상기 실험예 1-1에서 발광층의 도펀트로 상기 화합물 1 대신 하기 화합물 D-1을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-2>
상기 실험예 1-1에서 발광층의 도펀트로 상기 화합물 1 대신 하기 화합물 D-2를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00136
하기 표 1에 실험예 1-1 내지 1-16, 비교예 1-1 및 1-2의 유기 발광 소자의 구동전압, 발광 효율, 색좌표 및 수명의 측정결과를 나타내었다.
구체적으로, 10mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압, 발광효율 및 색좌표(CIEy)를 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT95)을 측정하였다.
호스트 도펀트 10mA/cm2 20mA/cm2
구동전압 (V) 효율 (cd/A) CIEy 수명 (hr)
실험예 1-1 BH-1 화합물 1 4.1 6.5 0.099 220
실험예 1-2 BH-1 화합물 2 4.2 6.4 0.100 214
실험예 1-3 BH-1 화합물 3 4.1 6.3 0.098 210
실험예 1-4 BH-1 화합물 4 4.1 6.5 0.098 211
실험예 1-5 BH-1 화합물 5 4.1 6.0 0.098 216
실험예 1-6 BH-1 화합물 6 3.8 6.3 0.099 220
실험예 1-7 BH-1 화합물 7 3.9 6.5 0.097 211
실험예 1-8 BH-1 화합물 8 4.3 6.6 0.098 216
실험예 1-9 BH-1 화합물 9 4.0 6.7 0.097 208
실험예 1-10 BH-1 화합물 10 4.4 6.5 0.100 206
실험예 1-11 BH-1 화합물 11 3.9 6.2 0.099 230
실험예 1-12 BH-1 화합물 12 3.8 6.4 0.098 222
실험예 1-13 BH-1 화합물 13 4.0 6.3 0.099 201
실험예 1-14 BH-1 화합물 14 4.2 6.2 0.101 212
실험예 1-15 BH-1 화합물 15 4.2 6.6 0.097 208
실험예 1-16 BH-1 화합물 16 3.9 6.8 0.099 214
비교예 1-1 BH-1 D-1 4.4 5.2 0.098 172
비교예 1-2 BH-1 D-2 4.3 5.3 0.096 170
<실험예 2-1 내지 2-16>
상기 실험예 1-1 내지 1-16에서 발광층의 호스트로 상기 BH-1 대신 하기 BH-2을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 2-1 및 2-2>
상기 비교예 1-1 및 1-2에서 발광층의 호스트로 상기 BH-1 대신 하기 BH-2을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure pat00137
하기 표 2에 실험예 2-1 내지 2-12, 비교예 2-1 및 2-2의 유기 발광 소자의 구동전압, 발광 효율, 색좌표 및 수명의 측정결과를 나타내었다.
구체적으로, 10mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압, 발광효율 및 색좌표(CIEy)를 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT95)을 측정하였다.
호스트 도펀트 10mA/cm2 20mA/cm2
구동전압 (V) 효율 (cd/A) CIEy 수명 (hr)
실험예 2-1 BH-2 화합물 1 4.2 6.4 0.100 220
실험예 2-2 BH-2 화합물 2 4.0 6.5 0.098 221
실험예 2-3 BH-2 화합물 3 4.1 6.6 0.099 217
실험예 2-4 BH-2 화합물 4 4.0 6.5 0.097 236
실험예 2-5 BH-2 화합물 5 4.3 6.2 0.098 235
실험예 2-6 BH-2 화합물 6 4.3 6.8 0.100 219
실험예 2-7 BH-2 화합물 7 4.1 6.6 0.098 226
실험예 2-8 BH-2 화합물 8 4.1 6.7 0.099 231
실험예 2-9 BH-2 화합물 9 3.7 6.3 0.099 222
실험예 2-10 BH-2 화합물 10 4.3 6.5 0.100 231
실험예 2-11 BH-2 화합물 11 4.3 6.5 0.099 236
실험예 2-12 BH-2 화합물 12 4.3 6.6 0.100 240
실험예 2-13 BH-2 화합물 13 4.2 6.7 0.098 225
실험예 2-14 BH-2 화합물 14 4.0 6.5 0.099 232
실험예 2-15 BH-2 화합물 15 4.3 6.6 0.101 230
실험예 2-16 BH-2 화합물 16 4.2 6.2 0.097 228
비교예 2-1 BH-2 D-1 4.3 5.4 0.096 183
비교예 2-2 BH-2 D-2 4.2 5.6 0.098 172
상기 표 1 및 표 2에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 도펀트로 사용될 수 있다.본 발명에 따른 화학식 1은 비교예 화합물 D-1 및 D-2의 N 포함 헤테로고리의 말단에 축합되어 있는 벤젠고리 대신 인덴 고리, 벤조퓨란 고리 또는 벤조티오펜 고리가 축합된 구조이다. 상기 표 1의 실험예 1-1 내지 1-12는 비교예 1-1 및 1-2에 비하여, 효율이 최대 약 30% 증가하고, 수명이 최대 약 35% 증가하는 결과를 나타내었다. 또한, 상기 표 2의 실험예 2-1 내지 2-12는 비교예 2-1 및 2-2에 비하여, 효율이 최대 약 26% 증가하고, 수명이 최대 약 40% 증가하는 결과를 나타내었다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예(도펀트)에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.
1: 기판
2: 애노드
3: 정공주입층
4: 제1 정공수송층
5: 제2 정공수송층
6: 발광층
7: 전자 주입 및 수송층
8: 캐소드

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00138

    상기 화학식 1에 있어서,
    X1 및 X2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR11R12; O; 또는 S이고,
    R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,
    R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    R3 및 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    c 및 d는 0 내지 4의 정수이고, c 및 d가 2 이상인 경우, 각각의 괄호 안의 치환기는 서로 같거나 상이하다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00139

    [화학식 1-2]
    Figure pat00140

    [화학식 1-3]
    Figure pat00141

    상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서, X1, X2, R1 내지 R4, Ar1 내지 Ar4, c 및 d의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 2-1]
    Figure pat00142

    [화학식 2-2]
    Figure pat00143

    [화학식 2-3]
    Figure pat00144

    상기 화학식 2-1 내지 2-3에 있어서, R1 내지 R4, Ar1 내지 Ar4, c 및 d의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같다.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 플루오로기; 치환 또는 비치환된 메틸기; 치환 또는 비치환된 에틸기; 치환 또는 비치환된 프로필기; 치환 또는 비치환된 부틸기; 치환 또는 비치환된 에테닐기; 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 치환 또는 비치환된 피리딜기인 것인 화합물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기인 것인 화합물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 R3 및 R4는 수소인 것인 화합물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 2 내지 20의 알케닐기; 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이고,
    R3 및 R4는 수소이고,
    Ar1 내지 Ar4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이고, 상기 기들은 할로겐기, 니트릴기, 실릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상의 기 또는 상기 군에서 선택된 2 이상이 연결된 기로 치환 또는 비치환되는 것인 화합물.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 3-1]
    Figure pat00145

    [화학식 3-2]
    Figure pat00146

    상기 화학식 3-1 및 3-2에 있어서, X1, X2, Ar1 내지 Ar4, R3, R4, c 및 d의 정의는 상기 화학식 1에서의 정의와 같고,
    G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    Figure pat00147

    Figure pat00148

    Figure pat00149

    Figure pat00150

    Figure pat00151

    Figure pat00152

    Figure pat00153

    Figure pat00154

    Figure pat00155

    Figure pat00156

    Figure pat00157

    Figure pat00158

    Figure pat00159

    Figure pat00160

    Figure pat00161

    Figure pat00162

    Figure pat00163

    Figure pat00164

    Figure pat00165

    Figure pat00166

    Figure pat00167

    Figure pat00168

    Figure pat00169

    Figure pat00170

    Figure pat00171

    Figure pat00172

    Figure pat00173

    Figure pat00174

    Figure pat00175

    Figure pat00176

    Figure pat00177

    Figure pat00178

    Figure pat00179

    Figure pat00180

    Figure pat00181

    Figure pat00182

    Figure pat00183

    Figure pat00184

    Figure pat00185

    Figure pat00186

    Figure pat00187

    Figure pat00188

    Figure pat00189

    Figure pat00190

    Figure pat00191

    Figure pat00192

    Figure pat00193

    Figure pat00194

    Figure pat00195

    Figure pat00196

    Figure pat00197

    Figure pat00198

    Figure pat00199
    .
  10. 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 발광층은 상기 화합물을 도펀트로서 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 발광층은 하기 화학식 H로 표시되는 화합물을 더 포함하는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 H]
    Figure pat00200

    상기 화학식 H에 있어서,
    L21 내지 L23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
    R21 내지 R27은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    Ar21 내지 Ar23은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    l21은 1 내지 3의 정수이며, 상기 l21이 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 L21은 서로 같거나 상이하며,
    l22는 1 내지 3의 정수이고, 상기 l22가 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 L22는 서로 같거나 상이하고,
    l23은 1 내지 3의 정수이며, 상기 l23이 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 L23은 서로 같거나 상이하며,
    a은 0 또는 1이다.
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  15. 청구항 10에 있어서,
    상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 수송 및 주입층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 수송 및 주입층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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