KR20210098950A - Composite sheet for forming a protective film, and manufacturing method of a semiconductor chip - Google Patents

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KR20210098950A
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다이스케 야마모토
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트에 관한 것이며, 온도 23℃의 환경하에 있어서, 밀어올림 속도 10㎜/sec, 밀어올림 높이 20㎜의 조건으로, 상기 보호막 형성용 필름을 표면 방향으로 익스팬드한 후의, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이다. The present invention relates to a composite sheet for forming a protective film comprising a support sheet and a film for forming a protective film formed on one side of the support sheet, and in an environment at a temperature of 23°C, a push-up speed of 10 mm/sec, and a push-up The surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side of the composite sheet for forming a protective film after expanding the film for forming a protective film in the surface direction on the condition of a height of 20 mm is 1.0×10 11 Ω/□ or less.

Description

보호막 형성용 복합 시트, 및 반도체 칩의 제조 방법Composite sheet for forming a protective film, and manufacturing method of a semiconductor chip

본 발명은 보호막 형성용 복합 시트, 및 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a composite sheet for forming a protective film, and a method for manufacturing a semiconductor chip.

본원은 2018년 12월 5일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2018-228524호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다. This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2018-228524 for which it applied to Japan on December 5, 2018, and uses the content here.

근래, 이른바 페이스 다운(face down) 방식으로 불리는 실장법을 적용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로 형성면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩이 사용되고, 상기 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 반도체 칩의 회로 형성면과는 반대측 면(이면)은 노출될 수 있다. DESCRIPTION OF RELATED ART In recent years, manufacture of the semiconductor device to which the mounting method called a so-called face down method is applied is performed. In the face-down method, a semiconductor chip having electrodes such as bumps on the circuit formation surface is used, and the electrodes are joined to the substrate. For this reason, the surface (rear surface) opposite to the circuit formation surface of the semiconductor chip can be exposed.

이 노출된 반도체 칩의 이면에는, 보호막으로서 유기 재료를 함유하는 수지막이 형성되고, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 반도체 장치에 포함될 수 있다. On the exposed back surface of the semiconductor chip, a resin film containing an organic material is formed as a protective film, and can be incorporated into a semiconductor device as a semiconductor chip on which the protective film is formed.

보호막은 다이싱 공정이나 패키징 후, 반도체 칩에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 이용된다. The protective film is used to prevent cracks from occurring in the semiconductor chip after the dicing process or packaging.

이러한 보호막을 형성하기 위해서는, 예를 들면, 지지 시트 상에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 필름을 구비하여 구성된 보호막 형성용 복합 시트가 사용된다. 보호막 형성용 필름은 경화에 의해 보호막을 형성 가능하다. 또한, 지지 시트는 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 이면에 구비한 반도체 웨이퍼를 반도체 칩으로 분할할 때, 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 사용할 수 있다. 또한, 지지 시트는 다이싱 시트로서도 이용 가능하고, 보호막 형성용 복합 시트는 보호막 형성용 필름과 다이싱 시트가 일체화된 것으로서 사용하는 것도 가능하다. In order to form such a protective film, the composite sheet for protective film formation comprised with the film for protective film formation for forming a protective film on a support sheet is used, for example. The film for protective film formation can form a protective film by hardening. Moreover, when dividing the semiconductor wafer provided with the film for protective film formation or a protective film on the back surface into semiconductor chips, a support sheet can be used in order to fix a semiconductor wafer. In addition, the support sheet can be used also as a dicing sheet, and it is also possible to use the composite sheet for protective film formation as what the film for protective film formation and a dicing sheet were integrated.

보호막 형성용 복합 시트는 보다 구체적으로는, 이하와 같이 사용된다. More specifically, the composite sheet for protective film formation is used as follows.

즉, 우선, 반도체 웨이퍼의 상기 이면에 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 첩부하고, 적층체(이하, 「분할 전 적층체」로 약기한다)를 얻는다. That is, first, the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation is affixed to the said back surface of a semiconductor wafer, and a laminated body (it abbreviates to "a laminated body before division" hereafter) is obtained.

이어서, 상기 분할 전 적층체 중의 보호막 형성용 필름을 경화시켜 보호막을 형성하고, 반도체 웨이퍼를 분할하고, 보호막을 절단하여, 지지 시트 상에 절단 후의 보호막과 분할 후의 반도체 웨이퍼(즉, 반도체 칩)를 이 순서로 구비한 적층체를 얻는다. 또는, 상기 분할 전 적층체 중의 보호막 형성용 필름을 경화시키지 않고 그대로의 상태로, 이 적층체에 있어서, 반도체 웨이퍼를 분할하고, 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트 상에 절단 후의 보호막 형성용 필름과 반도체 칩을 이 순서로 구비한 적층체를 얻는다. Next, the protective film is formed by curing the film for forming a protective film in the laminate before division, the semiconductor wafer is divided, the protective film is cut, and the protective film after cutting and the semiconductor wafer after division (that is, semiconductor chip) on a support sheet A laminate provided in this order is obtained. Alternatively, the film for forming a protective film in the laminate before division is as it is without curing, in this laminate, the semiconductor wafer is divided, the film for forming a protective film is cut, and the protective film after cutting is formed on the support sheet A laminate comprising a film and a semiconductor chip in this order is obtained.

이어서, 절단된 보호막을 이면에 구비한 반도체 칩(보호막이 형성된 반도체 칩), 또는, 절단된 보호막 형성용 필름을 이면에 구비한 반도체 칩(보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 칩)을 지지 시트로부터 분리하여 픽업한다. 절단된 보호막 형성용 필름은 어느 단계에서 경화시켜, 보호막으로 한다. Next, a semiconductor chip having a cut protective film on its back surface (a semiconductor chip with a protective film formed thereon) or a semiconductor chip having a cut protective film forming film on its back surface (a semiconductor chip with a protective film forming film formed on its back surface) is separated from the support sheet to pick up The cut|disconnected film for protective film formation is hardened at a certain stage, and it is set as a protective film.

이들 공정 중, 대전량이 많아지면, 정전기의 영향으로 반도체 칩 중의 회로가 파괴되는 경우가 있다. 그 중에서도, 보호막이 형성된 반도체 칩 또는 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 칩을 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때, 특히 대전량이 많아지기 쉬워, 특히 회로가 파괴되기 쉽다. During these steps, if the amount of charge increases, the circuit in the semiconductor chip may be destroyed under the influence of static electricity. Especially, when the semiconductor chip with a protective film or the semiconductor chip with the film for protective film formation is separated from a support sheet and picked up, an electric charge amount increases especially easily, and a circuit is especially easy to break.

이에 대해, 박리 대전을 억제하는 반도체 가공용 시트로서, 기재 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프(상기 지지 시트에 상당)와, 상기 점착제층 상에 형성된 접착 시트를 갖는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트로서, 상기 점착제층과 상기 접착 시트를 박리했을 때의 박리 대전압의 절대값이 0.5kV 이하인, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트가 개시되어 있다(특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 의하면, 이 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용함으로써, 접착 시트를 이면에 구비한 반도체 칩을 다이싱 테이프로부터 분리하는, 이른바 픽업을 행했을 때, 접착 시트와 다이싱 테이프 사이에 있어서의 박리 대전을 억제하여, 정전기의 발생을 억제하고, 이 정전기에 의한 반도체 칩 상의 회로의 파괴를 억제 가능하다고 되어 있다. On the other hand, a dicing tape-integrated adhesive sheet comprising a dicing tape (corresponding to the support sheet) in which an adhesive layer is laminated on a substrate and an adhesive sheet formed on the adhesive layer as a sheet for semiconductor processing that suppresses peeling and charging, , A dicing tape-integrated adhesive sheet having an absolute value of a peel electrification voltage of 0.5 kV or less when the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive sheet are peeled is disclosed (see Patent Document 1). According to Patent Document 1, by using this dicing tape-integrated adhesive sheet, the semiconductor chip having the adhesive sheet on the back surface is separated from the dicing tape, when so-called pickup is performed, between the adhesive sheet and the dicing tape. It is said that it is possible to suppress delamination and electrification, to suppress the generation of static electricity, and to suppress the breakdown of circuits on the semiconductor chip by this static electricity.

한편, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하고, 이를 익스팬드함으로써, 반도체 웨이퍼를 분할하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).On the other hand, a method of dividing a semiconductor wafer by forming a modified layer inside the semiconductor wafer and expanding it is known (for example, refer to Patent Document 2).

특허문헌 2에는, 지지 시트 상에 보호막 형성용 필름이 형성되고, 상기 보호막 형성용 필름 상에 반도체 웨이퍼가 형성되어 이루어지고, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에는 개질층이 형성되어 있는 적층 구조체를 형성하는 적층 구조체 형성 공정과, 상기 적층 구조체 형성 공정 후, 상기 적층 구조체를 상기 보호막 형성용 필름의 표면 방향으로 익스팬드하여, 상기 보호막 형성용 필름을 절단함과 함께, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩을 얻는 익스팬드 공정과, 절단 후의 상기 보호막 형성용 필름에 에너지선을 조사하여 보호막을 형성함으로써, 보호막이 형성된 반도체 칩을 얻는 보호막 형성 공정을 갖는, 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법이 개시되어 있다. In Patent Document 2, a film for forming a protective film is formed on a support sheet, a semiconductor wafer is formed on the film for forming a protective film, and a laminated structure to form a laminate structure in which a modified layer is formed inside the semiconductor wafer After the structure forming process and the laminated structure forming process, the laminated structure is expanded in the surface direction of the film for forming a protective film to cut the film for forming a protective film, and the semiconductor wafer in the portion of the modified layer A semiconductor with a protective film, comprising: an expand step of dividing to obtain a plurality of semiconductor chips; A method of making a chip is disclosed.

다이싱 블레이드를 이용하여, 반도체 웨이퍼, 보호막 형성용 필름, 및 지지 시트의 적층체 중, 반도체 웨이퍼 및 보호막 형성용 필름을 다이싱한 후, 지지 시트를 익스팬드하고 픽업하는 반도체 칩의 제조 방법도 알려져 있다(특허문헌 3). A method of manufacturing a semiconductor chip in which a semiconductor wafer and a film for forming a protective film are diced among a laminate of a semiconductor wafer, a film for forming a protective film, and a support sheet using a dicing blade, and then the support sheet is expanded and picked up It is known (patent document 3).

일본 특허 제6077922호 공보Japanese Patent Publication No. 6077922 일본 공개특허공보 2018-056282호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2018-056282 일본 공개특허공보 2013-131594호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-131594

반도체 칩을 제조하는 공정 중에서, 익스팬드 공정은 반도체 가공용 테이프에 큰 부하를 가하는 공정이다. 그러나, 특허문헌 1에 개시되어 있는 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 사용하는 반도체 칩의 제조 방법에 있어서, 익스팬드 공정을 거친 경우, 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 억제할 수 있는지 확실하지 않다. Among the processes of manufacturing a semiconductor chip, the expand process is a process of applying a large load to the tape for semiconductor processing. However, in the method for manufacturing a semiconductor chip using the dicing tape-integrated adhesive sheet disclosed in Patent Document 1, when the expand process is performed, the protective film or film for forming a protective film after the cut in the divided laminate is provided When a semiconductor chip is picked up by being separated from the support sheet, it is not certain whether the circuit in the semiconductor chip can be suppressed from being destroyed by charging.

본 발명은 지지 시트와 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로서, 이를 사용하여 얻어진, 지지 시트와, 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 반도체 칩이 이 순서로 적층되어 구성된 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 픽업할 때, 상기 분할된 적층체가 익스팬드 공정을 거쳐 얻어진 것이라도, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 억제할 수 있는 보호막 형성용 복합 시트, 및 상기 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is a composite sheet for forming a protective film having a support sheet and a film for forming a protective film, the support sheet obtained using the same, a film for forming a protective film or protective film after cutting, and a semiconductor chip are laminated in this order. When the semiconductor chip provided with the protective film or film for forming a protective film in the laminate is picked up from the support sheet, even if the divided laminate is obtained through the expand process, the circuit in the semiconductor chip is charged It aims at providing the composite sheet for protective film formation which can suppress destruction, and the manufacturing method of the semiconductor chip using the said composite sheet for protective film formation.

본 발명은 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로서, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 테이블 상에 재치함과 함께 8인치용 링 프레임에 첩부하고, 온도 23℃의 환경하에 있어서, 밀어올림 속도 10㎜/sec, 밀어올림 높이 20㎜의 조건으로 테이블을 밀어올림으로써, 상기 보호막 형성용 필름을 표면 방향으로 익스팬드한 후의, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하인, 보호막 형성용 복합 시트를 제공한다. The present invention is a composite sheet for forming a protective film comprising a support sheet and a film for forming a protective film formed on one side of the support sheet, wherein the composite sheet for forming a protective film is placed on a table and mounted on an 8-inch ring frame. The said protective film formation after affixing and expanding the said film for protective film formation to the surface direction by pushing up a table on the conditions of 10 mm/sec of pushing speed|rate and 20 mm of pushing height in the environment of temperature 23 degreeC. Provided is a composite sheet for forming a protective film, wherein the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for use is 1.0×10 11 Ω/□ or less.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 상기 보호막 형성용 필름이 경화성이며, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시킨 후의 상기 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하인 것이 바람직하다. In the composite sheet for forming a protective film of the present invention, it is preferable that the film for forming a protective film is curable, and the surface resistivity after curing the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film is 1.0×10 11 Ω/□ or less. do.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 상기 지지 시트가, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 또는 양면 상에 형성된 대전 방지층을 구비하고 있거나, 또는, In the composite sheet for forming a protective film of the present invention, the support sheet includes a substrate and an antistatic layer formed on one or both surfaces of the substrate, or

상기 지지 시트가, 대전 방지층으로서, 대전 방지성을 갖는 기재를 구비하고 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the said support sheet is equipped with the base material which has antistatic property as an antistatic layer.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 상기 기재의 한쪽 면 또는 양면 상에 형성된 대전 방지층의 두께가 100㎚ 이하인 것이 바람직하다. In the composite sheet for protective film formation of this invention, it is preferable that the thickness of the antistatic layer formed on one side or both surfaces of the said base material is 100 nm or less.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 면적이 2㎝×2㎝이고 평면 형상인 가압면을 갖는 가압 수단의 상기 가압면에 플란넬 천을 씌우고, 상기 플란넬 천을 씌운 상기 가압면을 상기 대전 방지층의 표면에 대고 누르고, 이 상태로 상기 가압 수단에 의해 125g/㎠의 하중을 상기 대전 방지층에 가하여 가압하면서, 상기 가압 수단을 10㎝의 직선 거리로 10회 왕복 운동시킴으로써, 상기 대전 방지층을 마찰시킨 후, 상기 대전 방지층의 이 마찰시킨 면 중, 면적이 2㎝×2㎝인 영역을 육안으로 관찰했을 때, 흠집이 확인되지 않는 것이 바람직하다. In the composite sheet for forming a protective film of the present invention, a flannel cloth is covered on the pressing surface of the pressing means having an area of 2 cm × 2 cm and a flat pressing surface, and the pressing surface covered with the flannel cloth is applied to the surface of the antistatic layer. After rubbing the antistatic layer by pressing the pressure means and applying a load of 125 g/cm 2 to the antistatic layer in this state and pressing the antistatic layer 10 times at a linear distance of 10 cm by reciprocating the pressure means, It is preferable that a flaw is not recognized when the area|region whose area is 2 cm x 2 cm among these rubbed surfaces of the said antistatic layer is visually observed.

본 발명의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 상기 지지 시트의 전광선 투과율이 80％ 이상인 것이 바람직하다. In the composite sheet for protective film formation of this invention, it is preferable that the total light transmittance of the said support sheet is 80 % or more.

또한, 본 발명은 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정과, In addition, the present invention includes a step of affixing the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film to a semiconductor wafer to produce a laminate before division;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정과, A step of curing the film for forming a protective film after being affixed on the semiconductor wafer to form a protective film;

상기 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저 광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, A step of irradiating laser light into the inside of the semiconductor wafer to form a modified layer inside the semiconductor wafer;

상기 보호막 혹은 상기 보호막 형성용 필름이 첩부되고 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층이 형성된 분할 전 적층체를 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 혹은 상기 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정과, By expanding the pre-division laminate to which the protective film or film for forming a protective film is affixed and a modified layer is formed inside the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is divided, and the protective film or the film for forming a protective film is cut and a support sheet and a film for forming the protective film or protective film after cutting formed on one side of the support sheet, and a plurality of semiconductor chips formed on a surface opposite to the support sheet side of the protective film or film for forming a protective film after cutting One, the process of manufacturing the divided laminate,

상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정을 갖는, 반도체 칩의 제조 방법. The manufacturing method of the semiconductor chip which has the process of isolate|separating and picking up the semiconductor chip provided with the protective film or film for protective film formation after the said cut|disconnection from the said support sheet in the said divided|segmented laminated body.

또한, 본 발명은 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정과, In addition, the present invention includes a step of affixing the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film to a semiconductor wafer to produce a laminate before division;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정과, A step of curing the film for forming a protective film after being affixed on the semiconductor wafer to form a protective film;

상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정과, The semiconductor wafer is divided, the protective film or protective film forming film is cut, and a support sheet, the protective film or protective film formation film after cutting formed on one side of the support sheet, and the protective film or protective film formation after the cutting A step of producing a divided laminate comprising a plurality of semiconductor chips formed on a surface opposite to the supporting sheet side of the film for use;

상기 분할된 적층체를 익스팬드하는 공정과, expanding the divided laminate;

상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정을 갖는, 반도체 칩의 제조 방법을 제공한다. The manufacturing method of the semiconductor chip which has the process of separating and picking up the semiconductor chip provided with the protective film or film for protective film formation after the said cut|disconnection from the said support sheet in the said divided|segmented laminated body is provided.

본 발명에 의하면, 지지 시트와 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로서, 이를 사용하여 얻어진, 지지 시트와, 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 반도체 칩이 이 순서로 적층되어 구성된 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때, 상기 분할된 적층체가 익스팬드 공정을 거쳐 얻어진 것이라도, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 억제할 수 있는 보호막 형성용 복합 시트, 및 상기 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법이 제공된다. According to the present invention, there is provided a composite sheet for forming a protective film having a support sheet and a film for forming a protective film, the support sheet obtained using the same, a film for forming a protective film or protective film after cutting, and a semiconductor chip are laminated in this order When picking up the semiconductor chip provided with the protective film or film for forming a protective film after cutting in the divided laminate from the support sheet, even if the divided laminate is obtained through the expand process, the circuit in the semiconductor chip Provided are a composite sheet for forming a protective film capable of suppressing destruction due to electrification, and a method for manufacturing a semiconductor chip using the composite sheet for forming a protective film.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.
It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.
It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.
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It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.
It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.
It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.
14 is a cross-sectional view schematically illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention.
15 is a cross-sectional view schematically illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view schematically illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention.
17 is a cross-sectional view schematically illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention.
18 is a cross-sectional view schematically illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention.

◇보호막 형성용 복합 시트◇Composite sheet for the protective film formation

본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트는, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로서, A composite sheet for forming a protective film according to an embodiment of the present invention is a composite sheet for forming a protective film comprising a support sheet and a film for forming a protective film formed on one side of the support sheet,

상기 보호막 형성용 복합 시트를 테이블 상에 재치함과 함께 8인치용 링 프레임에 첩부하고, 온도 23℃의 환경하에 있어서, 밀어올림 속도 10㎜/sec, 밀어올림 높이 20㎜의 조건으로 상기 테이블을 밀어올림으로써, 상기 보호막 형성용 필름을 표면 방향으로 익스팬드한 후의, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이다. The composite sheet for forming a protective film is placed on a table and affixed to a ring frame for 8 inches, and the table is set under the conditions of a push-up speed of 10 mm/sec and a push-up height of 20 mm in an environment of a temperature of 23°C. The surface resistivity of the said support sheet side outermost layer in the said composite sheet for protective film formation after expanding the said film for protective film formation in the surface direction by pushing up is 1.0x10 11 ohm/square or less.

상기 보호막 형성용 복합 시트는 이와 같이, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진, 지지 시트와, 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 반도체 칩이 이 순서로 적층되어 구성된 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때, 상기 분할된 적층체가 익스팬드 공정을 거쳐 얻어진 것이라도, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 억제할 수 있다. As described above, the composite sheet for forming a protective film has a surface resistivity of 1.0×10 11 Ω/□ or less after being expanded under the above conditions, and a support sheet obtained using the composite sheet for forming a protective film, and a protective film after cutting or When picking up a semiconductor chip having a protective film or film for forming a protective film after cutting in a divided laminate constituted by laminating a film for forming a protective film and a semiconductor chip in this order, separated from the support sheet, the divided Even if the laminate is obtained through the expand process, the destruction of the circuit in the semiconductor chip due to charging can be suppressed.

한편, 본 명세서에 있어서는, 「보호막 형성용 복합 시트의 표면 저항률」이란, 특별히 언급이 없는 한, 상술한 보호막 형성용 복합 시트 중의 지지 시트측 최표층의 표면 저항률을 의미한다. 또한, 「반도체 칩 중의 회로의 파괴」란, 특별히 언급이 없는 한, 상술한 상기 픽업시에 있어서의 반도체 칩 중의 회로의 파괴를 의미한다. In addition, in this specification, the "surface resistivity of the composite sheet for protective film formation" means the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for protective film formation mentioned above, unless otherwise indicated. In addition, unless otherwise indicated, "breaking of the circuit in the semiconductor chip" means the destruction of the circuit in the semiconductor chip at the time of the said pick-up mentioned above.

상기 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률은, 예를 들면, 대전 방지제를 함유하는 층(본 명세서에 있어서는, 포괄적으로 「대전 방지층」으로 칭하는 경우가 있다)의 대전 방지제의 함유량을 조절함으로써, 조절할 수 있다. In the composite sheet for forming a protective film, the surface resistivity after being expanded under the above conditions is, for example, that of a layer containing an antistatic agent (in this specification, it may be collectively referred to as an "antistatic layer"). It can be adjusted by adjusting content of an antistatic agent.

＜보호막 형성용 복합 시트 중의 지지 시트측 최표층의 표면 저항률＞<Surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for protective film formation>

보호막 형성용 복합 시트의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 9.5×1010Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 5.0×1010Ω/□ 이하, 6.0×109Ω/□ 이하, 및 1.0×109Ω/□ 이하 중 어느 하나여도 된다. 상기 표면 저항률이 상기 상한값 이하임으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the composite sheet for forming a protective film after expansion under the above conditions is 1.0×10 11 Ω/□ or less, preferably 9.5×10 10 Ω/□ or less, for example, 5.0×10 10 Ω or less. / □ or less, 6.0 × 10 9 Ω / □ may be less, and 1.0 × 10 9 Ω / □ or less of any hanayeo. When the said surface resistivity is below the said upper limit, after expanding the composite sheet for protective film formation, at the time of separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip can be suppressed more. .

보호막 형성용 복합 시트의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률의 하한값은, 작을수록 바람직하고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 표면 저항률이 1.0×105Ω/□ 이상인 보호막 형성용 복합 시트는 보다 용이하게 제조할 수 있다. The lower limit of the said surface resistivity after expanding on the said conditions of the composite sheet for protective film formation is so preferable that it is small, and is not specifically limited. For example, the composite sheet for forming a protective film having the surface resistivity of 1.0×10 5 Ω/□ or more can be more easily manufactured.

상기 보호막 형성용 복합 시트의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률은, 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 저항률은, 1.0×105∼1.0×1011Ω/□인 것이 바람직하고, 1.0×105∼9.5×1010Ω/□인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1.0×105∼5.0×1010Ω/□, 1.0×105∼6.0×109Ω/□, 및 1.0×105∼1.0×109Ω/□ 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 상기 표면 저항률의 일 예이다. The said surface resistivity of the said composite sheet for protective film formation after expansion under the said conditions can be suitably adjusted within the range set by combining the preferable lower limit and upper limit mentioned above arbitrarily. For example, in one embodiment, the surface resistivity is preferably 1.0×10 5 to 1.0×10 11 Ω/□, more preferably 1.0×10 5 to 9.5×10 10 Ω/□, For example, any one of 1.0×10 5 to 5.0×10 10 Ω/□, 1.0×10 5 to 6.0×10 9 Ω/□, and 1.0×10 5 to 1.0×10 9 Ω/□ may be used. However, these are an example of the said surface resistivity.

보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름이 경화성을 갖는 경우에는, 후술하는 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것인지에 상관없이, 지금까지 설명한, 보호막 형성용 복합 시트의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률은, 보호막 형성용 필름이 경화하기 전의 표면 저항률이어도 되고, 보호막 형성용 필름이 경화한 후의 표면 저항률이어도 된다. When the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film has curability, the surface of the composite sheet for forming a protective film, which has been described so far, after expanding under the above conditions, regardless of any of thermosetting and energy ray curability, which will be described later. The surface resistivity before the film for protective film formation hardens|cures may be sufficient as a resistivity, and the surface resistivity after the film for protective film formation hardens|cures may be sufficient as it.

상기 보호막 형성용 복합 시트의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률은, 실시예에 있어서도 후술하는 바와 같이, 보호막 형성용 복합 시트 중의 지지 시트측 최표층을 측정 대상으로 하고, 표면 저항률 측정기를 이용하여, 인가 전압을 100V로 하여 측정할 수 있다. The surface resistivity of the composite sheet for forming a protective film after it has been expanded under the above conditions is, as will be described later in the Examples, using the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for forming a protective film as a measurement target, and a surface resistivity measuring device It can be measured by setting the applied voltage to 100V.

＜경화성 보호막 형성용 필름이 경화한 후의 상기 표면 저항률＞<The said surface resistivity after the film for curable protective film formation hardens>

보호막 형성용 필름이 후술하는 바와 같이 열경화성 또는 에너지선 경화성 등의 경화성인 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 경화시킨 후의, 보호막 형성용 복합 시트의 상기 표면 저항률이, 상술한 표면 저항률의 조건(예를 들면, 1.0×1011Ω/□ 이하 등의 상한값, 1.0×105Ω/□ 이상 등의 하한값)을 만족하는 것이 바람직하다. 이 경우의 보호막 형성용 복합 시트는 그 중의 보호막 형성용 필름이 경화성인 경우에는, 경화한 것이어도 된다. 즉, 이러한 보호막 형성용 복합 시트의 일 실시형태로는, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름이 경화한 후의, 상기 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하인 것을 들 수 있다. When the film for forming a protective film is curable, such as thermosetting or energy ray curability, as described later, the surface resistivity of the composite sheet for forming a protective film after curing the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film is the above-mentioned surface It is preferable to satisfy the condition of the resistivity (for example, an upper limit such as 1.0×10 11 Ω/□ or less, and a lower limit such as 1.0×10 5 Ω/□ or more). What was hardened|cured may be sufficient as the composite sheet for protective film formation in this case, when the film for protective film formation in it is sclerosis|hardenable. That is, as one Embodiment of such a composite sheet for protective film formation, after the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation hardens, the thing of 1.0x10 11 ohm/square or less is mentioned.

보호막 형성용 필름이 열경화성인 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트를 상기 조건에서 익스팬드한 후, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 열경화시킨 후의, 보호막 형성용 복합 시트의 상기 표면 저항률이, 상술한 표면 저항률의 조건(예를 들면, 1.0×1011Ω/□ 이하 등의 상한값, 1.0×105Ω/□ 이상 등의 하한값)을 만족하는 것이 바람직하고, 이 경우의 보호막 형성용 복합 시트는 그 중의 보호막 형성용 필름이 130℃에서 2시간 열경화한 것이 바람직하다. 즉, 이러한 보호막 형성용 복합 시트의 일 실시형태로는, 보호막 형성용 복합 시트를 상기 조건에서 익스팬드한 후, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름이 130℃에서 2시간 열경화한 후의, 상기 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하인 것을 들 수 있다. When the film for forming a protective film is thermosetting, after the composite sheet for forming a protective film is expanded under the above conditions, and after thermosetting the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film, the surface resistivity of the composite sheet for forming a protective film is , it is preferable to satisfy the above-mentioned conditions of surface resistivity (for example, an upper limit such as 1.0×10 11 Ω/□ or less, and a lower limit such as 1.0×10 5 Ω/□ or more), in this case, a composite for forming a protective film As for a sheet, it is preferable that the film for protective film formation in it thermosets at 130 degreeC for 2 hours. That is, in one embodiment of such a composite sheet for forming a protective film, after the composite sheet for forming a protective film is expanded under the above conditions, the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film is thermally cured at 130° C. for 2 hours, Those having the above-mentioned surface resistivity of 1.0×10 11 Ω/□ or less may be mentioned.

보호막 형성용 필름이 열경화성인 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 열경화시킨 후, 보호막 형성용 복합 시트를 상기 조건에서 익스팬드한 후의 보호막 형성용 복합 시트의 상기 표면 저항률이, 상술한 표면 저항률의 조건(예를 들면, 1.0×1011Ω/□ 이하 등의 상한값, 1.0×105Ω/□ 이상 등의 하한값)을 만족하는 것이 바람직하고, 이 경우의 보호막 형성용 복합 시트는 그 중의 보호막 형성용 필름이 130℃에서 2시간 열경화한 것이 바람직하다. 즉, 이러한 보호막 형성용 복합 시트의 일 실시형태로는, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름이 130℃에서 2시간 열경화한 후의, 상기 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하인 것을 들 수 있다. When the film for forming a protective film is thermosetting, after thermosetting the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film, and then expanding the composite sheet for forming a protective film under the above conditions, the surface resistivity of the composite sheet for forming a protective film is, It is preferable to satisfy the above-mentioned conditions of surface resistivity (for example, an upper limit such as 1.0×10 11 Ω/□ or less, and a lower limit such as 1.0×10 5 Ω/□ or more), and in this case, the composite sheet for forming a protective film It is preferable that the film for protective film formation in it thermosets at 130 degreeC for 2 hours. That is, as one embodiment of such a composite sheet for forming a protective film, the surface resistivity of the protective film forming film in the composite sheet for forming a protective film after thermosetting at 130° C. for 2 hours is 1.0×10 11 Ω/□ or less. can

보호막 형성용 필름이 후술하는 바와 같이 에너지선 경화성인 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠에서 에너지선 경화시킨 후, 보호막 형성용 복합 시트를 상기 조건에서 익스팬드하여 측정된 상기 표면 저항률이, 상술한 표면 저항률의 조건(예를 들면, 1.0×1011Ω/□ 이하 등의 상한값, 1.0×105Ω/□ 이상 등의 하한값)을 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성인 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트를 상기 조건에서 익스팬드한 후, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 조도 195㎽/㎠, 광량 170mJ/㎠에서 에너지선 경화시켜 측정된 상기 표면 저항률이, 상술한 표면 저항률의 조건(예를 들면, 1.0×1011Ω/□ 이하 등의 상한값, 1.0×105Ω/□ 이상 등의 하한값)을 만족하는 것이 바람직하다. 단, 이들은 상술한 표면 저항률의 조건을 만족하는 보호막 형성용 복합 시트의 일 예이다. When the film for forming a protective film is energy ray-curable as will be described later, the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film is energy-beam cured at an illuminance of 195 mW/cm 2 and a light amount of 170 mJ/cm 2 , and then the composite sheet for forming a protective film The surface resistivity measured by expanding under the above conditions satisfies the above-mentioned surface resistivity conditions (for example, an upper limit such as 1.0×10 11 Ω/□ or less, and a lower limit such as 1.0×10 5 Ω/□ or more). It is preferable to do In addition, when the film for forming a protective film is energy ray-curable, after the composite sheet for forming a protective film is expanded under the above conditions, the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film is applied at an illumination intensity of 195 mW/cm 2 and a light quantity of 170 mJ/cm 2 The surface resistivity measured by energy ray curing satisfies the above-mentioned surface resistivity conditions (for example, an upper limit such as 1.0×10 11 Ω/□ or less, and a lower limit such as 1.0×10 5 Ω/□ or more) desirable. However, these are an example of the composite sheet for protective film formation which satisfy|fills the conditions of the surface resistivity mentioned above.

＜보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의 상기 표면 저항률＞<The said surface resistivity before expanding the composite sheet for protective film formation>

본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의, 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이, 상술한 표면 저항률의 조건(예를 들면, 1.0×1011Ω/□ 이하 등의 상한값, 1.0×105Ω/□ 이상 등의 하한값)을 만족해도 된다. Before expanding the composite sheet for forming a protective film of the present embodiment, the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side is the above-mentioned surface resistivity condition (for example, an upper limit value such as 1.0×10 11 Ω/□ or less, 1.0 x10 5 Ω/□ or more)) may be satisfied.

단, 본 실시형태에 있어서는, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의, 상기 표면 저항률은, 5.0×1010Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 6.0×109Ω/□ 이하, 5.0×108Ω/□ 이하, 및 3.0×108Ω/□ 이하 중 어느 하나여도 된다. 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의 상기 표면 저항률이 상기 상한값 이하임으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있고, 또한, 보호막 형성용 복합 시트를 웨이퍼에 첩부할 때 등, 정전기에 의한 이물의 혼입을 억제할 수 있다. However, in the present embodiment, the surface resistivity before expanding the composite sheet for forming a protective film is preferably 5.0×10 10 Ω/□ or less, for example, 6.0×10 9 Ω/□ or less, 5.0 ×10 8 Ω/□ or less and 3.0×10 8 Ω/□ or less may be used. When the surface resistivity before expanding the composite sheet for forming a protective film is equal to or less than the upper limit, after the composite sheet for forming a protective film is expanded, the semiconductor chip is separated from the support sheet and picked up of the circuit in the semiconductor chip The destruction by charging can be suppressed more, and mixing of the foreign material by static electricity, such as when affixing the composite sheet for protective film formation on a wafer, can be suppressed.

보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의, 보호막 형성용 복합 시트의 상기 표면 저항률의 하한값은, 작을수록 바람직하고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의 상기 표면 저항률이 1.0×105Ω/□ 이상인 보호막 형성용 복합 시트는 보다 용이하게 제조할 수 있다. The lower limit of the said surface resistivity of the composite sheet for protective film formation before expanding the composite sheet for protective film formation is so preferable that it is small, and is not specifically limited. For example, the composite sheet for forming a protective film having a surface resistivity of 1.0×10 5 Ω/□ or more before expanding the composite sheet for forming a protective film can be more easily produced.

보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의, 보호막 형성용 복합 시트의 상기 표면 저항률은, 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의 상기 표면 저항률은, 1.0×105∼5.0×1010Ω/□인 것이 바람직하고, 예를 들면, 1.0×105∼6.0×109Ω/□, 1.0×105∼5.0×108Ω/□, 및 1.0×105∼3.0×108Ω/□ 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의 상기 표면 저항률의 일 예이다. The said surface resistivity of the composite sheet for protective film formation before expanding the composite sheet for protective film formation can be suitably adjusted within the range set by combining the preferable lower limit and upper limit mentioned above arbitrarily. For example, in one embodiment, it is preferable that the said surface resistivity before expanding the composite sheet for protective film formation is 1.0x10 5 - 5.0x10 10 Ω/□, for example, 1.0x10 5 to 6.0×10 9 Ω/□, 1.0×10 5 to 5.0×10 8 Ω/□, and 1.0×10 5 to 3.0×10 8 Ω/□ may be used. However, these are examples of the said surface resistivity before expanding the composite sheet for protective film formation.

＜경화성 보호막 형성용 필름이 경화하기 전의 상기 표면 저항률＞<The said surface resistivity before the film for curable protective film formation hardens>

보호막 형성용 필름이 후술하는 바와 같이 열경화성 또는 에너지선 경화성 등의 경화성인 경우에는, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름이 경화하기 전이면서, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의 상기 표면 저항률이, 상술한 표면 저항률의 조건(예를 들면, 1.0×1011Ω/□ 이하 등의 상한값, 1.0×105Ω/□ 이상 등의 하한값)을 만족해도 되고, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률이, 상술한 표면 저항률의 조건(예를 들면, 1.0×1011Ω/□ 이하 등의 상한값, 1.0×105Ω/□ 이상 등의 하한값)을 만족해도 된다. When the film for forming a protective film is curable, such as thermosetting or energy ray curability, as described later, the protective film for forming a film in the composite sheet for forming a protective film before curing and before expanding the composite sheet for forming a protective film. This may satisfy the above-described surface resistivity conditions (for example, an upper limit such as 1.0×10 11 Ω/□ or less, and a lower limit such as 1.0×10 5 Ω/□ or more), and expand the composite sheet for forming a protective film The surface resistivity after washing may satisfy the above-described surface resistivity conditions (for example, an upper limit such as 1.0×10 11 Ω/□ or less, and a lower limit such as 1.0×10 5 Ω/□ or more).

단, 본 실시형태에 있어서는, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름이 경화하기 전이면서, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의 상기 표면 저항률은, 5.0×1010Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 6.0×109Ω/□ 이하, 5.0×108Ω/□ 이하, 및 3.0×108Ω/□ 이하 중 어느 하나여도 된다. 경화 전, 익스팬드하기 전의 표면 저항률이 상기 상한값 이하임으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후이면서, 보호막 형성용 필름의 경화 전 또는 경화 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. However, in the present embodiment, the surface resistivity of the composite sheet for forming a protective film before the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film before curing and before expanding the composite sheet for forming a protective film is preferably 5.0 × 10 10 Ω/□ or less. , for example, any one of 6.0×10 9 Ω/□ or less, 5.0×10 8 Ω/□ or less, and 3.0×10 8 Ω/□ or less. When the surface resistivity before curing and before expanding is equal to or less than the upper limit, the semiconductor chip is separated from the support sheet and picked up after expanding the composite sheet for forming a protective film and before or after curing the film for forming a protective film At this time, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip can be suppressed more.

단, 본 실시형태에 있어서는, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름이 경화하기 전이면서, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률은, 5.0×1010Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 예를 들면, 6.0×109Ω/□ 이하, 5.0×108Ω/□ 이하, 및 3.0×108Ω/□ 이하 중 어느 하나여도 된다. 경화 전, 익스팬드한 후의 표면 저항률이 상기 상한값 이하임으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후이면서, 보호막 형성용 필름의 경화 전 또는 경화 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. However, in the present embodiment, the surface resistivity of the composite sheet for forming a protective film before the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film is cured and after the composite sheet for forming a protective film is expanded, preferably 5.0 × 10 10 Ω/□ or less , for example, any one of 6.0×10 9 Ω/□ or less, 5.0×10 8 Ω/□ or less, and 3.0×10 8 Ω/□ or less. When the surface resistivity before and after expansion is equal to or less than the upper limit, the semiconductor chip is separated from the support sheet and picked up after the composite sheet for forming a protective film is expanded and before or after curing of the film for forming a protective film At this time, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip can be suppressed more.

보호막 형성용 필름이 경화하기 전의, 보호막 형성용 복합 시트의 상기 표면 저항률의 하한값은, 작을수록 바람직하고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 경화 전의 상기 표면 저항률이 1.0×105Ω/□ 이상인 보호막 형성용 복합 시트는 보다 용이하게 제조할 수 있다. The lower limit of the said surface resistivity of the composite sheet for protective film formation before the film for protective film formation hardens is so preferable that it is small, and is not specifically limited. For example, the composite sheet for forming a protective film having a surface resistivity of 1.0×10 5 Ω/□ or more before curing can be more easily manufactured.

보호막 형성용 필름이 경화하기 전이면서, 익스팬드하기 전 또는 익스팬드한 후의, 보호막 형성용 복합 시트의 상기 표면 저항률은, 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 경화 전이면서, 익스팬드하기 전 또는 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률은, 1.0×105∼5.0×1010Ω/□인 것이 바람직하고, 예를 들면, 1.0×105∼6.0×109Ω/□, 1.0×105∼5.0×108Ω/□, 및 1.0×105∼3.0×108Ω/□ 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 경화 전이면서, 익스팬드하기 전 또는 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률의 일 예이다. The surface resistivity of the composite sheet for forming a protective film before the film for forming a protective film is cured and before or after being expanded, can be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-mentioned preferred lower limit and upper limit. For example, in one embodiment, the surface resistivity before curing and before or after expanding is preferably 1.0×10 5 to 5.0×10 10 Ω/□, for example, 1.0 ×10 5 to 6.0 × 10 9 Ω/□, 1.0 × 10 5 to 5.0 × 10 8 Ω/□, and 1.0 × 10 5 to 3.0 × 10 8 Ω/□ may be used. However, these are examples of the surface resistivity before curing and before or after expanding.

보호막 형성용 필름이 열경화성 또는 에너지선 경화성 등의 경화성인 경우에는, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 상술한, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후의, 경화성 보호막 형성용 필름이 경화하기 전의 상기 표면 저항률의 조건과, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후의, 경화성 보호막 형성용 필름이 경화한 후의 상기 표면 저항률의 조건과, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의, 경화성 보호막 형성용 필름이 경화한 후의 상기 표면 저항률의 조건과, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전의, 경화성 보호막 형성용 필름이 경화하기 전의 상기 표면 저항률의 조건을 함께 만족하는 것이 바람직하다. When the film for forming a protective film is curable such as thermosetting or energy ray curability, the composite sheet for forming a protective film of the present embodiment is after the above-described composite sheet for forming a protective film is expanded, before the film for forming a curable protective film is cured The conditions of the said surface resistivity, the conditions of the said surface resistivity after the film for curable protective film formation hardens after expanding the composite sheet for protective film formation, and the film for curable protective film formation before expanding the composite sheet for protective film formation It is preferable to satisfy both the conditions of the said surface resistivity after this hardening, and the conditions of the said surface resistivity before expanding the composite sheet for protective film formation and before hardening of the film for curable protective film formation.

이하, 상기 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 각 층에 대해, 상세하게 설명한다. Hereinafter, each layer which comprises the said composite sheet for protective film formation is demonstrated in detail.

◎지지 시트◎Support sheet

상기 지지 시트는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 지지 시트가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층의 구성 재료 및 두께는 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 특별히 한정되지 않는다. The said support sheet may consist of one layer (single layer), and may consist of multiple layers of two or more layers. When a support sheet consists of multiple layers, the constituent material and thickness of these multiple layers may be mutually the same or different, and the combination of these multiple layers is not specifically limited unless the effect of this invention is impaired.

한편, 본 명세서에 있어서는, 지지 시트의 경우에 한하지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부의 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 또한, 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다. In addition, in this specification, not only in the case of a support sheet, "a plurality of layers may be the same or different from each other" means "all layers may be the same, all layers may be different, and only some layers may be the same. ' and "a plurality of layers are different from each other" means that "at least one of the constituent materials and thickness of each layer is different from each other."

지지 시트는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. The support sheet may be transparent, may be opaque, and may be colored according to the objective.

예를 들면, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 지지 시트는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. For example, when the film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable for a support sheet to permeate|transmit an energy-beam.

예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 지지 시트를 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 지지 시트는 투명인 것이 바람직하다. For example, in order to optically test|inspect the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation through a support sheet, it is preferable that a support sheet is transparent.

본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미한다. 에너지선의 예로는, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트, 또는 LED 램프 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다. In this specification, an "energy beam" means having an energy proton in an electromagnetic wave or a charged particle beam. As an example of an energy beam, an ultraviolet-ray, a radiation, an electron beam, etc. are mentioned. Ultraviolet rays can be irradiated by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light, an LED lamp, etc. as an ultraviolet-ray source. The electron beam can irradiate what was generated by an electron beam accelerator or the like.

또한, 본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다. In addition, in this specification, "energy-beam sclerosis|hardenability" means the property to harden|cure by irradiating an energy-beam, and "non-energy-beam sclerosis|hardenability" means the property which does not harden even if it irradiates an energy beam.

지지 시트로는, 예를 들면, 기재와, 상기 기재 상에 형성된 점착제층을 구비한 것; 기재만으로 이루어지는 것; 등을 들 수 있다. As a support sheet, For example, the thing provided with the base material and the adhesive layer formed on the said base material; consisting solely of the description; and the like.

한편, 상술한 바와 같이, 상기 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 그 중의 어느 층을 대전 방지층으로 할 수 있다. On the other hand, as described above, in the composite sheet for forming a protective film, any of the layers can be used as the antistatic layer.

이러한 경우, 바람직한 상기 지지 시트로는, 예를 들면, 기재를 구비하고, 또한, 보호막 형성용 복합 시트 중에 있어서는, 상기 기재의, 상기 보호막 형성용 필름측과는 반대측에 위치하는 면 상에 형성된 대전 방지층(본 명세서에 있어서는, 「배면 대전 방지층」으로 약기하는 경우가 있다)을 구비한 지지 시트; 대전 방지층으로서, 대전 방지성을 갖는 기재(본 명세서에 있어서는, 「대전 방지성 기재」로 약기하는 경우가 있다)를 구비한 지지 시트; 기재를 구비하고, 또한, 보호막 형성용 복합 시트 중에 있어서는, 상기 기재의, 상기 보호막 형성용 필름측에 위치하는 면 상에 형성된 대전 방지층(본 명세서에 있어서는, 「표면 대전 방지층」으로 약기하는 경우가 있다)을 구비한 지지 시트를 들 수 있다. 상기 대전 방지층(배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층)은 모두 대전 방지제를 함유한다. In this case, a preferable support sheet is, for example, provided with a base material, and in a composite sheet for forming a protective film, an electrification formed on a surface of the base material opposite to the film for forming a protective film. a support sheet provided with an anti-static layer (in this specification, it may be abbreviated as "back antistatic layer"); a support sheet provided with a base material having antistatic properties as an antistatic layer (in this specification, it may be abbreviated as "antistatic base material"); In the composite sheet for forming a protective film having a base material, an antistatic layer (in this specification, abbreviated as "surface antistatic layer") formed on the surface of the base material located on the film side for forming a protective film There is a support sheet provided with). The antistatic layers (back antistatic layer, antistatic base material, and surface antistatic layer) all contain an antistatic agent.

즉, 바람직한 상기 보호막 형성용 복합 시트로는, 상기 지지 시트가, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 또는 양면 상에 형성된 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트; 상기 지지 시트가, 대전 방지층으로서, 대전 방지성을 갖는 기재(즉, 대전 방지성 기재)를 구비한 보호막 형성용 복합 시트를 들 수 있다. That is, preferred examples of the composite sheet for forming a protective film include: a composite sheet for forming a protective film in which the support sheet includes a substrate and an antistatic layer formed on one or both surfaces of the substrate; The composite sheet for protective film formation in which the said support sheet was equipped with the base material (namely, antistatic base material) which has antistatic property as an antistatic layer is mentioned.

본 명세서에 있어서, 「기재의 한쪽 면 상에 형성된 대전 방지층」이란, 「상기 배면 대전 방지층 또는 표면 대전 방지층」을 의미한다. 그리고, 「기재의 양면 상에 형성된 대전 방지층」이란, 「상기 배면 대전 방지층 및 표면 대전 방지층의 조합」을 의미한다. In this specification, "an antistatic layer formed on one surface of a base material" means "the said back antistatic layer or surface antistatic layer". In addition, "an antistatic layer formed on both surfaces of a base material" means "a combination of the said back antistatic layer and a surface antistatic layer".

이들 중에서도, 상기 지지 시트가 상기 기재 및 배면 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트, 또는, 상기 지지 시트가 상기 대전 방지성 기재를 구비한 보호막 형성용 복합 시트가 보다 바람직하다. Among these, the composite sheet for protective film formation in which the said support sheet was provided with the said base material and the back antistatic layer, or the composite sheet for protective film formation in which the said support sheet was equipped with the said antistatic base material is more preferable.

상기 보호막 형성용 복합 시트로는, 대전 방지층으로서, 상기 배면 대전 방지층과, 상기 대전 방지성 기재와, 상기 표면 대전 방지층 중 어느 것에도 해당하지 않는 층을 구비한 시트도 들 수 있다. Examples of the composite sheet for forming a protective film include a sheet having, as an antistatic layer, the back antistatic layer, the antistatic base, and a layer that does not correspond to any of the surface antistatic layer.

예를 들면, 대전 방지층은 보호막 형성용 필름의 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성되어 있어도 되고, 보호막 형성용 필름이 대전 방지성을 갖고 있어도 된다. 그러나, 이러한 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여, 충분히 대전을 억제하면서, 반도체 장치를 제조하는 경우에는, 대전 방지층(즉, 보호막 형성용 필름의 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 대전 방지층, 또는, 대전 방지성을 갖는 보호막 형성용 필름)이 반도체 칩에 첩부된 상태를 거쳐, 대전 방지층이 반도체 장치에 포함되게 된다. 이러한 경우, 반도체 장치를 제조하는 과정에서, 대전 방지층을 개재하여 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 첩부한 상태, 또는, 대전 방지성을 갖는 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 첩부한 상태를 안정적으로 유지할 수 없을 가능성이 있다. 또한, 반도체 장치 중에서 대전 방지층이 반도체 장치의 구조의 안정성 또는 반도체 장치의 성능에 악영향을 줄 가능성이 있다. For example, the antistatic layer may be formed on the surface opposite to the support sheet side of the film for protective film formation, and the film for protective film formation may have antistatic property. However, when manufacturing a semiconductor device while sufficiently suppressing charging using such a composite sheet for forming a protective film, an antistatic layer (that is, an antistatic layer formed on the surface opposite to the supporting sheet side of the film for forming a protective film, or , an antistatic layer is included in a semiconductor device through the state in which the protective film formation film which has antistatic property) was stuck to the semiconductor chip. In this case, in the process of manufacturing a semiconductor device, the film for forming a protective film or a protective film is affixed to a semiconductor wafer or semiconductor chip via an antistatic layer, or a film or protective film for forming a protective film having antistatic properties on a semiconductor wafer or There is a possibility that the state affixed to the semiconductor chip cannot be stably maintained. Further, in the semiconductor device, there is a possibility that the antistatic layer adversely affects the stability of the structure of the semiconductor device or the performance of the semiconductor device.

또한, 예를 들면, 대전 방지층은 보호막 형성용 필름의 지지 시트측의 면 상에 형성되어 있어도 된다. 그러나, 이러한 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 반도체 장치를 제조하는 경우에는, 보호막 형성용 필름 또는 보호막이 첩부된 반도체 칩을 지지 시트 상의 대전 방지층으로부터 분리하여 픽업할 때, 대전 방지층이 개재하는 것이 원인이 되어, 공정 이상이 발생할 가능성이 있다. Moreover, for example, the antistatic layer may be formed on the surface by the side of the support sheet of the film for protective film formation. However, in the case of manufacturing a semiconductor device using such a composite sheet for forming a protective film, when the film for forming a protective film or the semiconductor chip to which the protective film is affixed is separated from the antistatic layer on the support sheet and picked up, the antistatic layer is interposed. As a result, there is a possibility that a process abnormality may occur.

한편, 대전 방지층으로서, 상기 배면 대전 방지층, 상기 대전 방지성 기재, 또는 상기 표면 대전 방지층을 사용함으로써, 상기 적층체의 분리시 대전뿐만 아니라, 보호막 형성용 복합 시트의 제조 과정 또는 보존 과정에서의 보다 많은 장면에 있어서, 대전에 기인하는 문제의 발생을 억제할 수 있다. On the other hand, by using the back antistatic layer, the antistatic substrate, or the surface antistatic layer as an antistatic layer, not only charging during separation of the laminate, but also in the manufacturing process or storage process of the composite sheet for forming a protective film In many scenes, the occurrence of problems due to charging can be suppressed.

이상과 같은 관점에서, 상기 보호막 형성용 복합 시트는 대전 방지층으로서, 상기 배면 대전 방지층, 상기 대전 방지성 기재, 또는 상기 표면 대전 방지층을 구비하고 있는 것이 바람직하다. From the above viewpoints, the composite sheet for forming a protective film preferably includes the rear antistatic layer, the antistatic substrate, or the surface antistatic layer as an antistatic layer.

상기 보호막 형성용 복합 시트의 전체 구성의 예를, 대전 방지층의 배치 형태별로, 이하, 도면을 참조하면서 설명한다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있으며, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다. The example of the whole structure of the said composite sheet for protective film formation is demonstrated for each arrangement|positioning form of an antistatic layer below, referring drawings. On the other hand, in the drawings used in the following description, in order to make the characteristics of the present invention easy to understand, there are cases where the main parts are enlarged for convenience, and the dimensional ratio of each component is limited to the same as in reality. doesn't happen

우선 처음으로, 대전 방지층으로서 상기 배면 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트에 대해 설명한다. First, the composite sheet for protective film formation provided with the said back antistatic layer as an antistatic layer is demonstrated.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)는 지지 시트(10)와, 지지 시트(10)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(10a) 상에 형성된 보호막 형성용 필름(13)을 구비하고 있다. The composite sheet 101 for forming a protective film shown here is formed on a support sheet 10 and one surface (in this specification, sometimes referred to as a "first surface") 10a of the support sheet 10 . The film 13 for protective film formation is provided.

지지 시트(10)는 기재(11)와, 기재(11)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(11a) 상에 형성된 점착제층(12)과, 기재(11)의 다른 쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(11b) 상에 형성된 배면 대전 방지층(17)을 구비하고 있다. 즉, 지지 시트(10)는 배면 대전 방지층(17), 기재(11), 및 점착제층(12)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 지지 시트(10)의 제1 면(10a)은 다시 말하면, 점착제층(12)의 기재(11)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(12a)이다. The support sheet 10 includes a base material 11, a pressure-sensitive adhesive layer 12 formed on one side of the base material 11 (in this specification, it may be referred to as a "first face") 11a, and a base material. The back antistatic layer 17 formed on the other surface (in this specification, it may be called a "second surface") 11b of (11) is provided. That is, in the support sheet 10, the back antistatic layer 17, the base material 11, and the adhesive layer 12 are laminated|stacked in this order in these thickness direction, and are comprised. In other words, the 1st surface 10a of the support sheet 10 is the surface on the opposite side to the base material 11 side of the adhesive layer 12 (in this specification, it may call a "first surface") 12a )am.

즉, 보호막 형성용 복합 시트(101)는 배면 대전 방지층(17), 기재(11), 점착제층(12), 및 보호막 형성용 필름(13)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(101)는 추가로 보호막 형성용 필름(13) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. That is, in the composite sheet 101 for forming a protective film, the back antistatic layer 17, the base material 11, the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the film 13 for forming the protective film are laminated in this order in the thickness direction thereof, Consists of. Moreover, the composite sheet 101 for protective film formation is equipped with the peeling film 15 on the film 13 for protective film formation further.

보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 전체면 또는 대략 전체면에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 점착제층(12)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(13a)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되며, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과, 지그용 접착제층(16)의 점착제층(12)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(16a)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. In the composite sheet 101 for forming a protective film, the film 13 for forming a protective film is laminated on the entire surface or substantially the entire surface of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the film 13 for forming a protective film The adhesive layer 16 for a jig is laminated on a part of the side opposite to the pressure-sensitive adhesive layer 12 side (in this specification, it may be referred to as a "first surface") 13a, that is, in a region near the periphery, , Among the 1st surfaces 13a of the film 13 for protective film formation, the surface on which the adhesive bond layer 16 for jigs is not laminated|stacked, and the surface on the opposite side to the adhesive layer 12 side of the adhesive bond layer 16 for jigs. The release film 15 is laminated|stacked on 16a (in this specification, it may call it a "first surface").

보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서는, 박리 필름(15)과, 이 박리 필름(15)과 직접 접촉하고 있는 층 사이에 일부 간극이 발생되어 있어도 된다. In the composite sheet 101 for protective film formation, a part of clearance gap may generate|occur|produce between the peeling film 15 and the layer in direct contact with this peeling film 15.

예를 들면, 여기서는, 지그용 접착제층(16)의 측면(16c)에 박리 필름(15)이 접촉(적층)하고 있는 상태를 나타내고 있으나, 상기 측면(16c)에는, 박리 필름(15)이 접촉하고 있지 않는 경우도 있다. 또한, 여기서는, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)의 근방 영역에 박리 필름(15)이 접촉(적층)하고 있는 상태를 나타내고 있으나, 상기 영역에는, 박리 필름(15)이 접촉하고 있지 않는 경우도 있다. For example, here, the release film 15 is in contact (laminated) on the side surface 16c of the adhesive layer 16 for a jig, but the release film 15 is in contact with the side surface 16c. There are times when it doesn't. In addition, here, the state in which the peeling film 15 is contacting (laminated) in the area|region near the adhesive bond layer 16 for jig|tools among the 1st surface 13a of the film 13 for protective film formation is shown, but said area|region In some cases, the release film 15 is not in contact.

또한, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a) 및 측면(16c)의 경계는, 명확하게 구별할 수 없는 경우도 있다. 이들은 지그용 접착제층을 구비한, 다른 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서도 동일하다. Moreover, the boundary of the 1st surface 16a and the side surface 16c of the adhesive bond layer 16 for jig|tools may not be able to distinguish clearly. These are the same also in the composite sheet for protective film formation of another embodiment provided with the adhesive bond layer for jig|tools.

지지 시트에 사용되는 가공 전의 기재에 있어서, 통상, 그 한쪽 면 또는 양면은 요철 형상을 갖는 요철면으로 되어 있다. 이는 이러한 요철면을 갖지 않으면, 기재를 권취하여 롤로 했을 때, 기재끼리의 접촉면이 첩부되어 블로킹되어, 사용이 곤란해지기 때문이다. 기재끼리의 접촉면 중, 적어도 한쪽이 요철면이면, 접촉면의 면적이 작아지기 때문에, 블로킹이 억제된다. The base material before processing used for a support sheet WHEREIN: Usually, the one side or both surfaces become the uneven|corrugated surface which has an uneven|corrugated shape. This is because, unless it has such an uneven surface, when a base material is wound up and made into a roll, the contact surfaces of base materials stick and block, and use becomes difficult. Since the area of a contact surface becomes small when at least one is an uneven|corrugated surface among the contact surfaces of base materials, blocking is suppressed.

따라서, 보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서는, 기재(11)의 제1 면(11a) 및 제2 면(11b) 중 어느 한쪽 또는 양쪽은, 요철면이어도 된다. 그리고, 기재(11)의 제1 면(11a) 및 제2 면(11b) 중 어느 한쪽만이 요철면인 경우에는, 어느 쪽이 요철면이어도 된다. 이 경우, 다른 쪽은 요철도가 낮은 평활면이 된다. Therefore, in the composite sheet 101 for protective film formation, the uneven|corrugated surface may be sufficient as either one or both of the 1st surface 11a and the 2nd surface 11b of the base material 11. And when only either one of the 1st surface 11a and the 2nd surface 11b of the base material 11 is an uneven surface, either may be an uneven surface. In this case, the other side becomes a smooth surface with a low unevenness|corrugation.

이러한 요철면 및 평활면의 조건은 기재(11)를 구비한 다른 보호막 형성용 복합 시트에 있어서도 동일하다. The conditions of such an uneven surface and a smooth surface are the same also in the other composite sheet for protective film formation provided with the base material 11. As shown in FIG.

지그용 접착제층(16)은 링 프레임 등의 지그에 보호막 형성용 복합 시트(101)를 고정하기 위해 사용한다. The adhesive layer 16 for a jig is used for fixing the composite sheet 101 for forming a protective film to a jig such as a ring frame.

지그용 접착제층(16)은 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조를 갖고 있어도 되고, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조를 갖고 있어도 된다. The adhesive layer 16 for a jig may have, for example, a single-layer structure containing an adhesive component, or may have a multiple-layer structure in which layers containing an adhesive component are laminated on both surfaces of a sheet serving as a core material.

배면 대전 방지층(17)은 대전 방지제를 함유한다. 이에 의해, 보호막 형성용 복합 시트(101) 중의 지지 시트(10)측 최표층인 배면 대전 방지층(17)의 표면 저항률을 1.0×1011Ω/□ 이하로 할 수 있다. 그리고, 보호막 형성용 복합 시트(101)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The back antistatic layer 17 contains an antistatic agent. Thereby, the surface resistivity of the back antistatic layer 17 which is the outermost layer on the support sheet 10 side in the composite sheet 101 for protective film formation can be made into 1.0x10 11 ohm/square or less. And after expanding the composite sheet 101 for protective film formation, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip at the time of isolate|separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more.

또한, 배면 대전 방지층(17)의 구성이 조절되어 있다. 이에 의해, 보호막 형성용 복합 시트(101)의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 상기 표면 저항률을 1.0×1011Ω/□ 이하로 할 수 있다. 그리고, 보호막 형성용 복합 시트(101)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. 조절되는 배면 대전 방지층(17)의 구성으로는, 예를 들면, 배면 대전 방지층(17)의 보호막 형성용 필름(13)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(17b)의 표면 상태, 및 배면 대전 방지층(17)의 경도 등을 들 수 있다. In addition, the configuration of the back antistatic layer 17 is adjusted. Thereby, the said surface resistivity of the composite sheet 101 for protective film formation after expansion under the said conditions can be made into 1.0x10 11 ohm/square or less. And after expanding the composite sheet 101 for protective film formation, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip at the time of isolate|separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more. As the configuration of the rear antistatic layer 17 to be adjusted, for example, the surface on the opposite side to the protective film forming film 13 side of the rear antistatic layer 17 (in this specification, referred to as "the second surface") ) (17b), the hardness of the back antistatic layer (17), and the like.

한편, 부호 17a는 배면 대전 방지층(17)의 보호막 형성용 필름(13)측의 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)을 나타낸다. In addition, code|symbol 17a shows the surface (in this specification, it may call a "first surface") by the side of the film 13 for protective film formation of the back antistatic layer 17.

보호막 형성용 복합 시트(101)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. As for the composite sheet 101 for protective film formation, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the 1st surface 13a of the film 13 for protective film formation in the state from which the peeling film 15 was removed, and also a jig The 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 is affixed to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 2는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to another embodiment of the present invention.

한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다. In addition, in the drawings after FIG. 2, the same code|symbol is attached|subjected to the same component as that shown in the previously demonstrated drawing, and the same code|symbol as the case of the illustrated drawing is attached|subjected, and the detailed description is abbreviate|omitted.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102)는 보호막 형성용 필름의 형상 및 크기가 상이하고, 지그용 접착제층이 보호막 형성용 필름의 제1 면이 아니며, 점착제층의 제1 면에 적층되어 있는 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다. The composite sheet 102 for forming a protective film shown here has a different shape and size of the film for forming a protective film, and the adhesive layer for a jig is not the first surface of the film for forming a protective film, but is laminated on the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer It is the same as that of the composite sheet 101 for protective film formation shown in FIG. 1 except a point.

보다 구체적으로는, 보호막 형성용 복합 시트(102)에 있어서, 보호막 형성용 필름(23)은 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부의 영역, 즉, 점착제층(12)의 폭 방향(도 2에 있어서의 좌우 방향)에 있어서의 중앙측 영역에 적층되어 있다. 또한, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 면, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있다. 그리고, 보호막 형성용 필름(23)의 점착제층(12)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(23a)과, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. More specifically, in the composite sheet 102 for forming a protective film, the film 23 for forming a protective film is a region of a part of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 , that is, the width of the pressure-sensitive adhesive layer 12 . It is laminated|stacked on the center side area|region in the direction (left-right direction in FIG. 2). Moreover, the adhesive bond layer 16 for jig|tools is laminated|stacked on the surface on which the film 23 for protective film formation is not laminated|stacked among the 1st surface 12a of the adhesive layer 12, ie, the area|region near the periphery. And the surface on the opposite side to the adhesive layer 12 side of the film 23 for protective film formation (in this specification, it may call a "first surface") 23a, and the adhesive bond layer 16 for jig|tools A release film 15 is laminated on the first surface 16a.

보호막 형성용 복합 시트(102)를 상방으로부터 내려다 보아 평면에서 보았을 때, 보호막 형성용 필름(23)의 제1 면(23a)은 점착제층(12)의 제1 면(12a)(즉, 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있는 영역과 적층되어 있지 않은 영역을 합친 영역)보다 표면적이 작고, 예를 들면, 원형 형상 등의 평면 형상을 갖는다. When the composite sheet 102 for protective film formation is looked down from upper direction and planar view, the 1st surface 23a of the film 23 for protective film formation is the 1st surface 12a of the adhesive layer 12 (that is, protective film formation) The surface area is smaller than the area|region which combined the area|region where the film 23 is laminated|stacked and the area|region which is not laminated|stacked), for example, has a planar shape, such as a circular shape.

보호막 형성용 복합 시트(102)에 있어서는, 박리 필름(15)과, 이 박리 필름(15)과 직접 접촉하고 있는 층 사이에 일부 간극이 발생되어 있어도 된다. In the composite sheet 102 for protective film formation, a part of clearance gap may generate|occur|produce between the peeling film 15 and the layer in direct contact with this peeling film 15.

예를 들면, 여기서는, 보호막 형성용 필름(23)의 측면(23c)에 박리 필름(15)이 접촉(적층)하고 있는 상태를 나타내고 있으나, 상기 측면(23c)에는, 박리 필름(15)이 접촉하고 있지 않는 경우도 있다. 또한, 여기서는, 점착제층(12)의 표면(12a) 중, 보호막 형성용 필름(23) 및 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 영역에 박리 필름(15)이 접촉(적층)하고 있는 상태를 나타내고 있으나, 상기 영역에는, 박리 필름(15)이 접촉하고 있지 않는 경우도 있다. For example, here, the release film 15 is in contact (laminated) on the side surface 23c of the film 23 for forming a protective film, but the release film 15 is in contact with the side surface 23c. There are times when it doesn't. Here, in the surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, the release film 15 is in contact (laminated) in an area where the protective film forming film 23 and the jig adhesive layer 16 are not laminated. Although the state is shown, the peeling film 15 may not contact with the said area|region.

또한, 보호막 형성용 필름(23)의 제1 면(23a) 및 측면(23c)의 경계는, 명확하게 구별할 수 없는 경우도 있다. 이들은 동일한 형상 및 크기의 보호막 형성용 필름을 구비한, 다른 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서도 동일하다. In addition, the boundary of the 1st surface 23a of the film 23 for protective film formation and the side surface 23c may not be able to distinguish clearly. These are the same also in the composite sheet for protective film formation of another embodiment provided with the film for protective film formation of the same shape and size.

보호막 형성용 복합 시트(102) 중의 지지 시트(10)측 최표층인 배면 대전 방지층(17)의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 보호막 형성용 복합 시트(102)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the back antistatic layer 17 which is the outermost layer on the support sheet 10 side in the composite sheet 102 for forming a protective film after being expanded under the above conditions is 1.0 × 10 11 Ω/□ or less, for forming a protective film After the composite sheet 102 is expanded, the destruction by charging of the circuit in the semiconductor chip at the time of separating and picking up the semiconductor chip from the support sheet can be further suppressed.

보호막 형성용 복합 시트(102)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(23)의 제1 면(23a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. In the composite sheet 102 for forming a protective film, in a state in which the release film 15 is removed, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the first surface 23a of the film 23 for forming a protective film, and further, a jig The 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 is affixed to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to still another embodiment of the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103)는 지그용 접착제층(16)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102)와 동일하다. The composite sheet 103 for protective film formation shown here is the same as the composite sheet 102 for protective film formation shown in FIG. 2 except the point which is not equipped with the adhesive bond layer 16 for jig|tools.

보호막 형성용 복합 시트(103) 중의 지지 시트(10)측 최표층인 배면 대전 방지층(17)의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 보호막 형성용 복합 시트(103)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the back antistatic layer 17, which is the outermost layer on the support sheet 10 side, in the composite sheet 103 for forming a protective film after being expanded under the above conditions, is 1.0×10 11 Ω/□ or less, and for forming a protective film After the composite sheet 103 has been expanded, it is possible to further suppress the destruction of the circuit in the semiconductor chip due to charging when the semiconductor chip is separated from the support sheet and picked up.

보호막 형성용 복합 시트(103)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(23)의 제1 면(23a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. As for the composite sheet 103 for protective film formation, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the 1st surface 23a of the film 23 for protective film formation in the state from which the peeling film 15 was removed, and also adhesive The area|region on which the film 23 for protective film formation is not laminated|stacked among the 1st surface 12a of the layer 12 is stuck to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 4 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to still another embodiment of the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(104)는 점착제층(12)과, 보호막 형성용 필름(23) 사이에, 추가로 중간층(18)을 구비하고 있는 점 이외에는, 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103)와 동일하다. 보호막 형성용 복합 시트(104)는 점착제층(12)의 제1 면(12a) 상에 중간층(18)을 구비하고 있다. 중간층(18)의 점착제층(12)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(18a)은 보호막 형성용 필름(23)의 적층면이다. The composite sheet 104 for protective film formation shown here is the composite for protective film formation shown in FIG. 3 except the point which is further equipped with the intermediate|middle layer 18 between the adhesive layer 12 and the film 23 for protective film formation. The same as the sheet 103 . The composite sheet 104 for forming a protective film is provided with the intermediate|middle layer 18 on the 1st surface 12a of the adhesive layer 12. As shown in FIG. The surface on the opposite side to the pressure-sensitive adhesive layer 12 side of the intermediate layer 18 (in this specification, it may be called a "first surface") 18a is a laminated surface of the film 23 for forming a protective film.

즉, 보호막 형성용 복합 시트(104)는 배면 대전 방지층(17), 기재(11), 점착제층(12), 중간층(18), 및 보호막 형성용 필름(23)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(104)는 추가로 보호막 형성용 필름(23) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. That is, in the composite sheet 104 for forming a protective film, the back antistatic layer 17 , the substrate 11 , the pressure-sensitive adhesive layer 12 , the intermediate layer 18 , and the film 23 for forming the protective film 23 are in this order, their thickness In the direction, it is laminated|stacked and is comprised. Moreover, the composite sheet 104 for protective film formation is equipped with the peeling film 15 on the film 23 for protective film formation further.

보호막 형성용 복합 시트(104)에 있어서, 중간층(18)은 보호막 형성용 필름(23)과 점착제층(12) 사이에 배치되어 있고, 최표층으로는 되지 않는 중간 위치에 배치되어 있다. In the composite sheet 104 for protective film formation, the intermediate|middle layer 18 is arrange|positioned between the film 23 for protective film formation and the adhesive layer 12, and is arrange|positioned at the intermediate position which does not become an outermost layer.

중간층(18)은 이러한 배치 위치에서 그 기능을 발휘하는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. The intermediate layer 18 is not particularly limited as long as it exhibits its function at such an arrangement position.

중간층(18)으로서, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 한쪽 면이 박리 처리되어 있는 박리성 개선층을 들 수 있다. 상기 박리성 개선층이란, 보호막 형성용 필름 또는 보호막을 구비한 반도체 칩을 지지 시트로부터 분리하여(박리시켜) 픽업할 때, 이 반도체 칩의 지지 시트로부터의 박리성을 향상시키는 기능을 갖는다. More specifically, as the intermediate|middle layer 18, the peelability improvement layer by which the peeling process was carried out on one side is mentioned, for example. The said peelability improvement layer has the function of improving the peelability from the support sheet of this semiconductor chip, when the film for protective film formation or a semiconductor chip provided with a protective film is separated from a support sheet (by peeling) and picked up.

중간층(18)의 제1 면(18a)은 보호막 형성용 필름(23)의 점착제층(12)측의 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(23b)과 접촉하고 있다. The first surface 18a of the intermediate layer 18 is in contact with the surface 23b of the film 23 for forming a protective film on the pressure-sensitive adhesive layer 12 side (in this specification, it may be referred to as a “second surface”) 23b. are doing

보호막 형성용 복합 시트(104)를 상방으로부터 내려다 보아 평면에서 보았을 때, 중간층(18)의 형상(즉, 평면 형상) 및 크기는 중간층(18)이 그 기능을 발휘 가능한 한, 특별히 한정되지 않는다. 단, 중간층(18)의 기능을 충분히 발휘시키기 위해서는, 중간층(18)의 제1 면(18a)은 보호막 형성용 필름(23)의 제2 면(23b)의 전체면과 접촉하고 있는 것이 바람직하다. 이 때문에, 중간층(18)의 제1 면(18a)은 보호막 형성용 필름(23)의 제2 면(23b)에 비해, 동등 이상의 면적을 갖는 것이 바람직하다. 한편, 중간층(18)의 점착제층(12)측의 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)(18b)은 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 전체면과 접촉하고 있어도 되고, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부의 영역과만 접촉하고 있어도 된다. 단, 중간층(18)의 기능을 충분히 발휘시키기 위해서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)은 중간층(18)의 제2 면(18b)의 전체면과 접촉하고 있는 것이 바람직하다. When the composite sheet 104 for forming a protective film is viewed from above and planarly viewed, the shape (ie, planar shape) and size of the intermediate layer 18 are not particularly limited as long as the intermediate layer 18 can exhibit its function. However, in order to fully exhibit the function of the intermediate|middle layer 18, it is preferable that the 1st surface 18a of the intermediate|middle layer 18 is in contact with the whole surface of the 2nd surface 23b of the film 23 for protective film formation. . For this reason, it is preferable that the 1st surface 18a of the intermediate|middle layer 18 has an area equal or more than the 2nd surface 23b of the film 23 for protective film formation. On the other hand, the surface (in this specification, it may call a "second surface") 18b of the adhesive layer 12 side of the intermediate|middle layer 18 is the whole of the 1st surface 12a of the adhesive layer 12. It may be in contact with a surface, and may be in contact with only a part of area|region of the 1st surface 12a of the adhesive layer 12. However, in order to fully exhibit the function of the intermediate|middle layer 18, it is preferable that the 1st surface 12a of the adhesive layer 12 is in contact with the whole surface of the 2nd surface 18b of the intermediate|middle layer 18. As shown in FIG.

바람직한 중간층(18)으로는, 예를 들면, 그 제1 면(18a)의 면적 및 형상이 보호막 형성용 필름(23)의 제2 면(23b)의 면적 및 형상과 동등한 것을 들 수 있다. As the preferable intermediate|middle layer 18, the area and shape of the 1st surface 18a are equivalent to the area and shape of the 2nd surface 23b of the film 23 for protective film formation, for example.

보호막 형성용 복합 시트(104)에 있어서는, 박리 필름(15)과, 이 박리 필름(15)과 직접 접촉하고 있는 층 사이에 일부 간극이 발생되어 있어도 된다. In the composite sheet 104 for protective film formation, a part of clearance gap may generate|occur|produce between the peeling film 15 and the layer in direct contact with this peeling film 15.

예를 들면, 여기서는, 중간층(18)의 측면(18c)에 박리 필름(15)이 접촉(적층)하고 있는 상태를 나타내고 있으나, 상기 측면(18c)에는, 박리 필름(15)이 접촉하고 있지 않는 경우도 있다. 또한, 여기서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(18)이 적층되어 있지 않은 영역에는, 중간층(18)의 근방 영역도 포함하여, 박리 필름(15)이 접촉(적층)하고 있는 상태를 나타내고 있으나, 상기 제1 면(12a) 중, 중간층(18)의 근방 영역에는, 박리 필름(15)이 접촉하고 있지 않는 경우도 있다. For example, here, the release film 15 is in contact (laminated) on the side surface 18c of the intermediate layer 18, but the release film 15 is not in contact with the side surface 18c. In some cases. In addition, here, in the area|region where the intermediate|middle layer 18 is not laminated|stacked among the 1st surface 12a of the adhesive layer 12, the peeling film 15, including the area|region near the intermediate|middle layer 18, is in contact (laminated). ), the release film 15 may not be in contact with the region in the vicinity of the intermediate layer 18 among the first surfaces 12a.

또한, 중간층(18)의 제1 면(18a) 및 측면(18c)의 경계는, 명확하게 구별할 수 없는 경우도 있다. In addition, the boundary of the 1st surface 18a and the side surface 18c of the intermediate|middle layer 18 may not be distinguishable clearly.

보호막 형성용 복합 시트(104) 중의 지지 시트(10)측 최표층인 배면 대전 방지층(17)의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 보호막 형성용 복합 시트(104)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the back antistatic layer 17 which is the outermost layer on the support sheet 10 side in the composite sheet 104 for forming a protective film after being expanded under the above conditions is 1.0×10 11 Ω/□ or less, and for forming a protective film After expanding the composite sheet 104, the destruction by charging of the circuit in the semiconductor chip at the time of separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more.

보호막 형성용 복합 시트(104)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(23)의 제1 면(23a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(18)이 적층되어 있지 않은 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. As for the composite sheet 104 for protective film formation, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the 1st surface 23a of the film 23 for protective film formation in the state from which the peeling film 15 was removed, and also adhesive Among the 1st surfaces 12a of the layer 12, the area|region where the intermediate|middle layer 18 is not laminated|stacked is stuck to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 5 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to still another embodiment of the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(105)는 점착제층(12)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다. 다시 말하면, 보호막 형성용 복합 시트(105)는 지지 시트(10) 대신에, 점착제층(12)을 구비하지 않은 지지 시트(20)를 구비하고 있는 점 이외에는, 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다. 기재(11)의 제1 면(11a)은 다시 말하면, 지지 시트(20)의 보호막 형성용 필름(13)측의 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(20a)이다. The composite sheet 105 for protective film formation shown here is the same as the composite sheet 101 for protective film formation shown in FIG. 1 except the point which is not equipped with the adhesive layer 12. As shown in FIG. In other words, the composite sheet 105 for forming a protective film is formed with the composite sheet 101 for forming a protective film, except that the support sheet 20 without the pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided instead of the support sheet 10 . same. In other words, the first surface 11a of the base material 11 is the surface of the support sheet 20 on the film 13 side for forming a protective film (in this specification, it may be referred to as a "first surface") 20a )am.

보호막 형성용 복합 시트(105) 중의 지지 시트(20)측 최표층인 배면 대전 방지층(17)의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 보호막 형성용 복합 시트(105)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the back antistatic layer 17 which is the outermost layer on the support sheet 20 side in the composite sheet 105 for forming a protective film after being expanded under the above conditions is 1.0×10 11 Ω/□ or less, for forming a protective film After the composite sheet 105 is expanded, the destruction by charging of the circuit in the semiconductor chip at the time of separating and picking up the semiconductor chip from the support sheet can be further suppressed.

보호막 형성용 복합 시트(105)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. In the composite sheet 105 for forming a protective film, in a state in which the release film 15 is removed, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the first surface 13a of the film 13 for forming a protective film, and further, a jig The 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 is affixed to jigs, such as a ring frame, and is used.

대전 방지층으로서 상기 배면 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트는, 도 1∼도 5에 나타내는 것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1∼도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이어도 되고, 도 1∼도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다. The composite sheet for protective film formation provided with the said back surface antistatic layer as an antistatic layer is not limited to what is shown in FIGS. 1-5. For example, in the composite sheet for forming a protective film of the present embodiment, the configuration of a part of the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 1 to 5 may be changed or deleted within the range that does not impair the effects of the present invention. , another structure may be added to the composite sheet for forming a protective film shown in FIGS. 1 to 5 .

도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 점착제층을 구비하고 있지 않다. 점착제층을 구비하지 않은 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이 이외에도, 예를 들면, 도 2∼도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 점착제층이 생략된 것을 들 수 있다. The composite sheet for protective film formation shown in FIG. 5 is not equipped with the adhesive layer. As a composite sheet for protective film formation of this embodiment which is not provided with an adhesive layer, other than this, for example, the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 2-4 WHEREIN: What the adhesive layer was abbreviate|omitted is mentioned.

또한, 도 1, 도 2, 및 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 지그용 접착제층을 구비하고 있다. 지그용 접착제층을 구비한 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이들 이외에도, 예를 들면, 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 점착제층의 제1 면에 지그용 접착제층이 새롭게 형성된 것을 들 수 있다. 이 경우, 상기 제1 면 상에서의, 지그용 접착제층의 배치 위치는 도 1, 2, 및 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트의 경우와 동일해도 된다. Moreover, the composite sheet for protective film formation shown in FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 5 is equipped with the adhesive bond layer for jigs. As the composite sheet for protective film formation of this embodiment provided with the adhesive bond layer for jigs, besides these, for example, in the composite sheet for protective film formation shown in FIG. newly formed ones. In this case, the arrangement position of the adhesive bond layer for jigs on the said 1st surface may be the same as that in the case of the composite sheet for protective film formation shown to FIGS. 1, 2, and 5. FIG.

또한, 도 3∼도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 지그용 접착제층을 구비하고 있지 않다. In addition, the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 3-4 is not equipped with the adhesive bond layer for jig|tools.

지그용 접착제층을 구비하지 않은 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이들 이외에도, 예를 들면, 도 1 및 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 지그용 접착제층이 생략된 것을 들 수 있다. As the composite sheet for forming a protective film of this embodiment not provided with the adhesive layer for a jig, in addition to these, for example, in the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 1 and 5, the adhesive layer for a jig is omitted. can be heard

또한, 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 중간층을 구비하고 있다. 중간층을 구비한 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이 이외에도, 예를 들면, 도 1, 도 2, 및 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 보호막 형성용 필름의 제2 면측에 중간층이 새롭게 형성된 것을 들 수 있다. 이 경우, 상기 제2 면 상에서의, 중간층의 배치 형태는 도 4를 인용하여 설명한 경우와 동일해도 된다. Moreover, the composite sheet for protective film formation shown in FIG. 4 is equipped with the intermediate|middle layer. As the composite sheet for protective film formation of this embodiment provided with an intermediate|middle layer, other than this, for example, in the composite sheet for protective film formation shown in FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 5, the 2nd surface side of the film for protective film formation. It can be mentioned that the intermediate layer is newly formed. In this case, the arrangement form of the intermediate layer on the second surface may be the same as that described with reference to FIG. 4 .

또한, 도 1∼도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 배면 대전 방지층, 기재, 보호막 형성용 필름, 및 박리 필름 이외에, 아무것도 구비하지 않거나, 점착제층만을 구비하고 있거나, 또는, 점착제층 및 중간층만을 구비하고 있다. 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이들 이외에도, 예를 들면, 도 1∼도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 배면 대전 방지층, 기재, 점착제층, 중간층, 보호막 형성용 필름, 및 박리 필름, 중 어느 것에도 해당하지 않는, 다른 층을 구비한 것을 들 수 있다. The composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 1 to 5 has nothing other than the back antistatic layer, the base material, the film for forming a protective film, and the release film, or only the pressure-sensitive adhesive layer, or only the pressure-sensitive adhesive layer and the intermediate layer. are being prepared As the composite sheet for forming a protective film of this embodiment, in addition to these, for example, in the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 1 to 5, a back antistatic layer, a base material, an adhesive layer, an intermediate layer, a film for forming a protective film, And the thing provided with the other layer which does not correspond to any of a peeling film is mentioned.

또한, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 각 층의 크기나 형상은 목적에 따라 임의로 조절할 수 있다. In addition, in the composite sheet for protective film formation of this embodiment, the magnitude|size and shape of each layer can be adjusted arbitrarily according to the objective.

이어서, 대전 방지층으로서 상기 대전 방지성 기재를 구비한 보호막 형성용 복합 시트에 대해 설명한다. Next, the composite sheet for protective film formation provided with the said antistatic base material as an antistatic layer is demonstrated.

도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(201)는 지지 시트(30)와, 지지 시트(30)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(30a) 상에 형성된 보호막 형성용 필름(13)을 구비하고 있다. The composite sheet 201 for forming a protective film shown here is formed on a support sheet 30 and one surface (in this specification, sometimes referred to as a "first surface") 30a of the support sheet 30 . The film 13 for protective film formation is provided.

지지 시트(30)는 대전 방지성 기재(11')와, 대전 방지성 기재(11')의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(11a') 상에 형성된 점착제층(12)을 구비하고 있다. 즉, 지지 시트(30)는 대전 방지성 기재(11') 및 점착제층(12)이 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 지지 시트(30)의 제1 면(30a)은 다시 말하면, 점착제층(12)의 제1 면(12a)이다. 한편, 부호 11b’는 대전 방지성 기재(11')의 다른 쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)을 나타내고 있다. The support sheet 30 is formed on an antistatic substrate 11' and one side (in this specification, sometimes referred to as a "first surface") 11a' of the antistatic substrate 11'. The formed adhesive layer 12 is provided. That is, the support sheet 30 is comprised by the antistatic base material 11' and the adhesive layer 12 laminated|stacking in these thickness directions. The first surface 30a of the support sheet 30 is, in other words, the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 . On the other hand, reference numeral 11b' denotes the other surface of the antistatic base 11' (in this specification, it may be referred to as a "second surface").

즉, 보호막 형성용 복합 시트(201)는 대전 방지성 기재(11'), 점착제층(12), 및 보호막 형성용 필름(13)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(201)는 추가로 보호막 형성용 필름(13) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. That is, in the composite sheet 201 for forming a protective film, the antistatic substrate 11 ′, the pressure-sensitive adhesive layer 12 , and the film 13 for forming the protective film are laminated in this order in the thickness direction thereof. . Moreover, the composite sheet 201 for protective film formation is equipped with the peeling film 15 on the film 13 for protective film formation further.

보호막 형성용 복합 시트(201)에 있어서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 전체면 또는 대략 전체면에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되며, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. In the composite sheet 201 for forming a protective film, the film 13 for forming a protective film is laminated on the entire surface or substantially the entire surface of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the film 13 for forming a protective film An adhesive bond layer 16 for a jig is laminated on a part of the first surface 13a, that is, in a region near the periphery, and among the first surfaces 13a of the film 13 for forming a protective film, an adhesive layer 16 for a jig. The release film 15 is laminated|stacked on this non-laminated surface and the 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 for jig|tools.

보호막 형성용 복합 시트(201)는 배면 대전 방지층(17) 및 기재(11)의 적층물 대신에, 대전 방지성 기재(11')를 구비하고 있는 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다. The composite sheet 201 for forming a protective film is the composite sheet for forming a protective film shown in Fig. 1 except that the antistatic base 11' is provided instead of the laminate of the back antistatic layer 17 and the base material 11. Same as (101).

대전 방지성 기재(11')는 대전 방지제를 함유한다. 이에 의해, 보호막 형성용 복합 시트(201) 중의 지지 시트(30)측 최표층인 대전 방지성 기재(11')의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률을 1.0×1011Ω/□ 이하로 할 수 있다. 그리고, 보호막 형성용 복합 시트(201)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The antistatic base 11' contains an antistatic agent. Thereby, the surface resistivity of the antistatic base material 11' which is the outermost layer on the support sheet 30 side in the composite sheet 201 for forming a protective film after being expanded under the above conditions is set to 1.0×10 11 Ω/□ or less. can do. And after expanding the composite sheet 201 for protective film formation, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip at the time of isolate|separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more.

조절되는 대전 방지성 기재(11')의 구성으로는, 예를 들면, 앞서 설명한 바와 같이, 대전 방지성 기재(11')의 제2 면(11b')의 표면 상태, 및 대전 방지성 기재(11')의 경도 등을 들 수 있다. As the configuration of the antistatic base 11' to be adjusted, for example, as described above, the surface state of the second surface 11b' of the antistatic base 11', and the antistatic base ( 11') hardness, etc. are mentioned.

대전 방지성 기재(11')로는, 예를 들면, 추가로 대전 방지제를 함유하고 있는 점 이외에는, 상술한 기재(11)와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the antistatic base 11' include the same as those of the base 11 described above, except that it further contains an antistatic agent.

보호막 형성용 복합 시트(201)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. As for the composite sheet 201 for protective film formation, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the 1st surface 13a of the film 13 for protective film formation in the state from which the peeling film 15 was removed, and also a jig The 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 is affixed to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 7은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 7 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to another embodiment of the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(202)는 보호막 형성용 필름의 형상 및 크기가 상이하고, 지그용 접착제층이 보호막 형성용 필름의 제1 면이 아니고, 점착제층의 제1 면에 적층되어 있는 점 이외에는, 도 6에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(201)와 동일하다. The composite sheet 202 for forming a protective film shown here has a different shape and size of the film for forming a protective film, and the adhesive layer for a jig is laminated on the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer, not on the first surface of the film for forming a protective film. Except for the point, it is the same as that of the composite sheet 201 for protective film formation shown in FIG.

다시 말하면, 보호막 형성용 복합 시트(202)는 배면 대전 방지층(17) 및 기재(11)의 적층물 대신에, 대전 방지성 기재(11')를 구비하고 있는 점 이외에는, 도 2에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102)와 동일하다. In other words, the composite sheet 202 for forming a protective film is provided with an antistatic substrate 11' instead of the laminate of the back antistatic layer 17 and the substrate 11, except that the protective film formation shown in FIG. 2 is provided. It is the same as the composite sheet 102 for use.

즉, 보호막 형성용 복합 시트(202)는 대전 방지성 기재(11'), 점착제층(12), 및 보호막 형성용 필름(23)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(202)는 추가로 보호막 형성용 필름(23) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. That is, in the composite sheet 202 for forming a protective film, the antistatic base 11 ', the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the film 23 for forming the protective film are laminated in this order in the thickness direction. . Moreover, the composite sheet 202 for protective film formation is equipped with the peeling film 15 on the film 23 for protective film formation further.

보호막 형성용 복합 시트(202) 중의 지지 시트(30)측 최표층인 대전 방지성 기재(11')의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 보호막 형성용 복합 시트(202)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the antistatic base material 11' which is the outermost layer on the support sheet 30 side in the composite sheet 202 for forming a protective film after being expanded under the above conditions is 1.0×10 11 Ω/□ or less, and the protective film After expanding the composite sheet 202 for formation, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip at the time of isolate|separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more.

보호막 형성용 복합 시트(202)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(23)의 제1 면(23a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. In the composite sheet 202 for forming a protective film, in a state in which the release film 15 is removed, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the first surface 23a of the film 23 for forming a protective film, and further, a jig The 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 is affixed to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 8 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to still another embodiment of the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(203)는 지그용 접착제층(16)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 7에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(202)와 동일하다. The composite sheet 203 for protective film formation shown here is the same as the composite sheet 202 for protective film formation shown in FIG. 7 except the point which is not equipped with the adhesive bond layer 16 for jig|tools.

다시 말하면, 보호막 형성용 복합 시트(203)는 배면 대전 방지층(17) 및 기재(11)의 적층물 대신에, 대전 방지성 기재(11')를 구비하고 있는 점 이외에는, 도 3에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(103)와 동일하다. In other words, the composite sheet 203 for forming a protective film is provided with an antistatic base 11' instead of the laminate of the back antistatic layer 17 and the base material 11, except that the protective film formation shown in Fig. 3 is provided. It is the same as the composite sheet 103 for use.

보호막 형성용 복합 시트(203) 중의 지지 시트(30)측 최표층인 대전 방지성 기재(11')의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 보호막 형성용 복합 시트(203)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the antistatic base material 11' which is the outermost layer on the support sheet 30 side in the composite sheet 203 for forming a protective film after being expanded under the above conditions is 1.0×10 11 Ω/□ or less, and the protective film After expanding the composite sheet 203 for formation, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip at the time of isolate|separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more.

보호막 형성용 복합 시트(203)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(23)의 제1 면(23a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 보호막 형성용 필름(23)이 적층되어 있지 않은 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. As for the composite sheet 203 for protective film formation, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the 1st surface 23a of the film 23 for protective film formation in the state from which the peeling film 15 was removed, and also adhesive The area|region on which the film 23 for protective film formation is not laminated|stacked among the 1st surface 12a of the layer 12 is stuck to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 9 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to still another embodiment of the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(204)는 점착제층(12)과, 보호막 형성용 필름(23) 사이에, 추가로 중간층(18)을 구비하고 있는 점 이외에는, 도 8에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(203)와 동일하다. The composite sheet 204 for protective film formation shown here is the composite for protective film formation shown in FIG. 8 except the point which is further equipped with the intermediate|middle layer 18 between the adhesive layer 12 and the film 23 for protective film formation. Same as the sheet 203 .

즉, 보호막 형성용 복합 시트(204)는 대전 방지성 기재(11'), 점착제층(12), 중간층(18), 및 보호막 형성용 필름(23)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(204)는 추가로 보호막 형성용 필름(23) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. That is, in the composite sheet 204 for forming a protective film, the antistatic substrate 11 ′, the pressure-sensitive adhesive layer 12 , the intermediate layer 18 , and the film 23 for forming the protective film are in this order, in the thickness direction thereof. It is laminated. Moreover, the composite sheet 204 for protective film formation is equipped with the peeling film 15 on the film 23 for protective film formation further.

추가로 다시 말하면, 보호막 형성용 복합 시트(204)는 배면 대전 방지층(17) 및 기재(11)의 적층물 대신에, 대전 방지성 기재(11')를 구비하고 있는 점 이외에는, 도 4에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(104)와 동일하다. In other words, the composite sheet 204 for forming a protective film is shown in FIG. 4 except that, instead of the laminate of the back antistatic layer 17 and the base material 11, the antistatic base material 11' is provided. It is the same as that of the composite sheet 104 for protective film formation.

보호막 형성용 복합 시트(204) 중의 지지 시트(30)측 최표층인 대전 방지성 기재(11')의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 보호막 형성용 복합 시트(204)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the antistatic base material 11', which is the outermost layer on the support sheet 30 side, in the composite sheet 204 for forming a protective film after being expanded under the above conditions is 1.0×10 11 Ω/□ or less, and the protective film After expanding the composite sheet 204 for formation, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip at the time of isolate|separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more.

보호막 형성용 복합 시트(204)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(23)의 제1 면(23a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(18)이 적층되어 있지 않은 영역이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. As for the composite sheet 204 for protective film formation, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the 1st surface 23a of the film 23 for protective film formation in the state from which the peeling film 15 was removed, and also the adhesive Among the 1st surfaces 12a of the layer 12, the area|region where the intermediate|middle layer 18 is not laminated|stacked is stuck to jigs, such as a ring frame, and is used.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 10 is a cross-sectional view schematically showing a composite sheet for forming a protective film according to still another embodiment of the present invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(205)는 점착제층(12)을 구비하지 않은 점 이외에는, 도 6에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(201)와 동일하다. 다시 말하면, 보호막 형성용 복합 시트(205)는 지지 시트(30) 대신에, 점착제층(12)을 구비하지 않은 지지 시트(40)를 구비하고 있는 점 이외에는, 보호막 형성용 복합 시트(201)와 동일하다. The composite sheet 205 for protective film formation shown here is the same as the composite sheet 201 for protective film formation shown in FIG. 6 except the point which is not equipped with the adhesive layer 12. As shown in FIG. In other words, the composite sheet 205 for forming a protective film is formed with the composite sheet 201 for forming a protective film, except that the support sheet 40 without the pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided instead of the support sheet 30 . same.

지지 시트(40)는 대전 방지성 기재(11')만으로 이루어진다. 여기서는, 대전 방지성 기재(11')의 제1 면(11a')은 다시 말하면, 지지 시트(40)의 보호막 형성용 필름(13)측의 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(40a)이며, 보호막 형성용 필름(13)의 적층면이다. The support sheet 40 is made of only the antistatic base 11'. Here, the first surface 11a' of the antistatic base 11' is, in other words, the surface of the support sheet 40 on the side of the film 13 for forming a protective film (in this specification, it is referred to as "the first surface"). 40a), and is a laminated surface of the film 13 for forming a protective film.

즉, 보호막 형성용 복합 시트(205)는 대전 방지성 기재(11') 및 보호막 형성용 필름(13)이 이 순서로 적층되어 구성되어 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(205)는 추가로 보호막 형성용 필름(13) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. That is, the composite sheet 205 for protective film formation is comprised by laminating|stacking the antistatic base material 11' and the film 13 for protective film formation in this order. Moreover, the composite sheet 205 for protective film formation is equipped with the peeling film 15 on the film 13 for protective film formation further.

추가로 다시 말하면, 보호막 형성용 복합 시트(205)는 배면 대전 방지층(17) 및 기재(11)의 적층물 대신에, 대전 방지성 기재(11')를 구비하고 있는 점 이외에는, 도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(105)와 동일하다. In other words, the composite sheet 205 for forming a protective film is shown in FIG. 5 except that, instead of the laminate of the back antistatic layer 17 and the base material 11, the antistatic base material 11' is provided. It is the same as that of the composite sheet 105 for protective film formation.

보호막 형성용 복합 시트(205) 중의 지지 시트(40)측 최표층인 대전 방지성 기재(11')의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률은, 1.0×1011Ω/□ 이하이며, 보호막 형성용 복합 시트(205)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The surface resistivity of the antistatic base material 11' as the outermost layer on the support sheet 40 side in the composite sheet 205 for forming a protective film after being expanded under the above conditions is 1.0×10 11 Ω/□ or less, and the protective film After expanding the composite sheet 205 for formation, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip at the time of isolate|separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more.

보호막 형성용 복합 시트(205)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. As for the composite sheet 205 for protective film formation, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the 1st surface 13a of the film 13 for protective film formation in the state from which the peeling film 15 was removed, and also a jig The 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 is affixed to jigs, such as a ring frame, and is used.

대전 방지층으로서 상기 대전 방지성 기재를 구비한 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는, 도 6∼도 10에 나타내는 것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 6∼도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 도 6∼도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다. The composite sheet for protective film formation of this embodiment provided with the said antistatic base material as an antistatic layer is not limited to what is shown in FIGS. 6-10. For example, in the composite sheet for forming a protective film of the present embodiment, within the range that does not impair the effects of the present invention, the configuration of a part of the composite sheet for forming a protective film shown in FIGS. 6 to 10 is changed or deleted; Another structure may be added to the composite sheet for protective film formation shown in 6-10.

도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 점착제층을 구비하고 있지 않다. 점착제층을 구비하지 않은 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이 이외에도, 예를 들면, 도 7∼도 9에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 점착제층이 생략된 것을 들 수 있다. The composite sheet for protective film formation shown in FIG. 10 is not equipped with the adhesive layer. As a composite sheet for protective film formation of this embodiment which is not provided with an adhesive layer, other than this, for example, the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 7-9 WHEREIN: What the adhesive layer was abbreviate|omitted is mentioned.

또한, 도 6, 도 7, 및 도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 지그용 접착제층을 구비하고 있다. 지그용 접착제층을 구비한 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이들 이외에도, 예를 들면, 도 9에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 점착제층의 제1 면에 지그용 접착제층이 새롭게 형성된 것을 들 수 있다. 이 경우, 상기 제1 면 상에서의, 지그용 접착제층의 배치 위치는 도 6, 7, 및 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트의 경우와 동일해도 된다. Moreover, the composite sheet for protective film formation shown in FIG.6, FIG.7, and FIG.10 is equipped with the adhesive bond layer for jig|tools. As the composite sheet for protective film formation of this embodiment provided with the adhesive bond layer for jigs, in addition to these, for example, the composite sheet for protective film formation shown in FIG. 9 WHEREIN: The adhesive bond layer for jigs on the 1st surface of an adhesive layer newly formed ones. In this case, the arrangement position of the adhesive bond layer for jigs on the said 1st surface may be the same as the case of the composite sheet for protective film formation shown to FIG. 6, 7, and 10.

또한, 도 8∼도 9에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 지그용 접착제층을 구비하고 있지 않다. In addition, the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 8-9 is not equipped with the adhesive bond layer for jig|tools.

지그용 접착제층을 구비하지 않은 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이들 이외에도, 예를 들면, 도 6 및 도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 지그용 접착제층이 생략된 것을 들 수 있다. As the composite sheet for forming a protective film of this embodiment not provided with the adhesive layer for a jig, in addition to these, for example, in the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 6 and 10, the adhesive layer for a jig is omitted. can be heard

또한, 도 9에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 중간층을 구비하고 있다. 중간층을 구비한 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이 이외에도, 예를 들면, 도 6, 도 7, 및 도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 보호막 형성용 필름의 제2 면에 중간층이 새롭게 형성된 것을 들 수 있다. 이 경우, 상기 제2 면 상에서의, 중간층의 배치 형태는 도 9를 인용하여 설명한 경우와 동일해도 된다. Moreover, the composite sheet for protective film formation shown in FIG. 9 is equipped with the intermediate|middle layer. As the composite sheet for protective film formation of this embodiment provided with an intermediate|middle layer, other than this, for example, the composite sheet for protective film formation shown in FIG. 6, FIG. 7, and FIG. 10 WHEREIN: 2nd surface of the film for protective film formation It can be mentioned that the intermediate layer is newly formed. In this case, the arrangement form of the intermediate layer on the second surface may be the same as the case described with reference to FIG. 9 .

또한, 도 6∼도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트는 대전 방지성 기재, 보호막 형성용 필름, 및 박리 필름 이외에, 아무것도 구비하지 않거나, 점착제층만을 구비하고 있거나, 또는, 점착제층 및 중간층만을 구비하고 있다. 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 이들 이외에도, 예를 들면, 도 6∼도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 대전 방지성 기재, 점착제층, 중간층, 보호막 형성용 필름, 및 박리 필름 중 어느 것에도 해당하지 않는, 다른 층을 구비한 것을 들 수 있다. In addition, the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 6 to 10 does not have anything other than the antistatic substrate, the film for forming a protective film, and the release film, or has only the pressure-sensitive adhesive layer, or only the pressure-sensitive adhesive layer and the intermediate layer are doing As the composite sheet for forming a protective film of the present embodiment, in addition to these, for example, in the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. 6 to 10, an antistatic base material, an adhesive layer, an intermediate layer, a film for forming a protective film, and The thing provided with the other layer which does not correspond to any of the peeling films is mentioned.

또한, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 박리 필름과, 이 박리 필름과 직접 접촉하고 있는 층 사이에 일부 간극이 발생되어 있어도 된다. In addition, in the composite sheet for protective film formation of this embodiment, a part of clearance gap may generate|occur|produce between the peeling film and the layer in direct contact with this peeling film.

또한, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 각 층의 크기나 형상은 목적에 따라 임의로 조절할 수 있다. In addition, in the composite sheet for protective film formation of this embodiment, the magnitude|size and shape of each layer can be adjusted arbitrarily according to the objective.

이어서, 대전 방지층으로서 상기 표면 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트에 대해 설명한다. Next, the composite sheet for protective film formation provided with the said surface antistatic layer as an antistatic layer is demonstrated.

도 11은 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다. It is sectional drawing which shows typically the composite sheet for protective film formation which concerns on one Embodiment of this invention.

여기에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(301)는 지지 시트(50)와, 지지 시트(50)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(50a) 상에 형성된 보호막 형성용 필름(13)을 구비하고 있다. The composite sheet 301 for forming a protective film shown here is formed on a support sheet 50 and one side of the support sheet 50 (in this specification, it may be referred to as a "first surface") 50a. The film 13 for protective film formation is provided.

지지 시트(50)는 기재(11)와, 기재(11)의 제1 면(11a) 상에 형성된 표면 대전 방지층(19)과, 표면 대전 방지층(19)의 기재(11)측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(19a) 상에 형성된 점착제층(12)을 구비하고 있다. 즉, 지지 시트(50)는 기재(11), 표면 대전 방지층(19), 및 점착제층(12)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 지지 시트(50)의 제1 면(50a)은 다시 말하면, 점착제층(12)의 제1 면(12a)이다. The support sheet 50 has a substrate 11 , a surface antistatic layer 19 formed on the first surface 11a of the substrate 11 , and a surface opposite to the substrate 11 side of the surface antistatic layer 19 . It is provided with the adhesive layer 12 formed on 19a (in this specification, it may call a "first surface"). That is, in the support sheet 50, the base material 11, the surface antistatic layer 19, and the adhesive layer 12 are laminated|stacked in this order in these thickness direction, and are comprised. The first surface 50a of the support sheet 50 is, in other words, the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 .

한편, 부호 19b는 표면 대전 방지층(19)의 기재(11)측의 면(본 명세서에 있어서는, 「제2 면」으로 칭하는 경우가 있다)을 나타낸다. On the other hand, reference numeral 19b denotes the surface of the surface antistatic layer 19 on the base 11 side (in this specification, it may be referred to as a "second surface").

즉, 보호막 형성용 복합 시트(301)는 기재(11), 표면 대전 방지층(19), 점착제층(12), 및 보호막 형성용 필름(13)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 또한, 보호막 형성용 복합 시트(301)는 추가로 보호막 형성용 필름(13) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다. That is, in the composite sheet 301 for forming a protective film, the substrate 11, the surface antistatic layer 19, the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the film 13 for forming the protective film are laminated in this order in their thickness direction, Consists of. Moreover, the composite sheet 301 for protective film formation is equipped with the peeling film 15 on the film 13 for protective film formation further.

보호막 형성용 복합 시트(301)에 있어서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 전체면 또는 대략 전체면에 보호막 형성용 필름(13)이 적층되고, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)의 일부, 즉, 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층(16)이 적층되며, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a) 중, 지그용 접착제층(16)이 적층되어 있지 않은 면과, 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)에 박리 필름(15)이 적층되어 있다. In the composite sheet 301 for forming a protective film, the film 13 for forming a protective film is laminated on the entire surface or substantially the entire surface of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the film 13 for forming a protective film An adhesive bond layer 16 for a jig is laminated on a part of the first surface 13a, that is, in a region near the periphery, and among the first surfaces 13a of the film 13 for forming a protective film, an adhesive layer 16 for a jig. The release film 15 is laminated|stacked on this non-laminated surface and the 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 for jig|tools.

보호막 형성용 복합 시트(301)는 기재(11)의 제2 면(11b) 상에 배면 대전 방지층(17)을 구비하지 않고, 기재(11)의 제1 면(11a) 상, 보다 구체적으로는 기재(11)와 점착제층(12) 사이에 표면 대전 방지층(19)을 구비하고 있는 점 이외에는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다. The composite sheet 301 for forming a protective film does not have the back antistatic layer 17 on the second surface 11b of the substrate 11, and is on the first surface 11a of the substrate 11, more specifically It is the same as that of the composite sheet 101 for protective film formation shown in FIG. 1 except the point provided with the surface antistatic layer 19 between the base material 11 and the adhesive layer 12. FIG.

표면 대전 방지층(19)은 앞서 설명한 배면 대전 방지층(17)과 동일한 것이다. The surface antistatic layer 19 is the same as the rear antistatic layer 17 described above.

즉, 보호막 형성용 복합 시트(301)는 보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서, 대전 방지층의 배치 위치가 기재(11)의 제2 면(11b) 상에서 기재(11)와 점착제층(12) 사이로 변경된 것이라고도 할 수 있다. That is, in the composite sheet for forming a protective film 301 , in the composite sheet 101 for forming a protective film, the arrangement position of the antistatic layer is on the second surface 11b of the substrate 11 , the substrate 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12 . It can also be said that it has been changed between.

표면 대전 방지층(19)은 대전 방지제를 함유한다. 이에 의해, 보호막 형성용 복합 시트(301) 중의 지지 시트(50)측 최표층인 기재(11)의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하가 된다. 그리고, 보호막 형성용 복합 시트(301)의 평상시 대전이 억제된다. The surface antistatic layer 19 contains an antistatic agent. Thereby, the surface resistivity of the base material 11 which is the outermost layer on the side of the support sheet 50 in the composite sheet 301 for protective film formation is set to 1.0x10 11 ohm/square or less. And normal charging of the composite sheet 301 for protective film formation is suppressed.

또한, 기재(11)의 구성이 조절되어 있다. 이에 의해, 70℃에서 1분 가열한 후의 보호막 형성용 복합 시트(301)로부터 제작한 상기 시험편의 정지 마찰력이 20N 이하가 된다. 그리고, 보호막 형성용 복합 시트(301)를 사용하여 얻어진 상기 적층체의 분리시 대전이 억제된다. 그 결과, 상기 적층체의 분리시에 있어서의 반도체 칩 중의 회로의 파괴가 억제된다. 조절되는 기재(11)의 구성으로는, 예를 들면, 앞서 설명한 바와 같이 기재(11)의 제2 면(11b)의 표면 상태, 및 기재(11)의 경도 등을 들 수 있다. In addition, the configuration of the base material 11 is adjusted. Thereby, the static friction force of the said test piece produced from the composite sheet 301 for protective film formation after heating at 70 degreeC for 1 minute is set to 20N or less. In addition, charging is suppressed at the time of separation of the laminate obtained by using the composite sheet 301 for forming a protective film. As a result, the breakdown of the circuit in the semiconductor chip at the time of separation of the laminate is suppressed. The structure of the substrate 11 to be adjusted includes, for example, the surface state of the second surface 11b of the substrate 11 and the hardness of the substrate 11 as described above.

보호막 형성용 복합 시트(301)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 보호막 형성용 필름(13)의 제1 면(13a)에 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면이 첩부되고, 추가로 지그용 접착제층(16)의 제1 면(16a)이 링 프레임 등의 지그에 첩부되어 사용된다. In the composite sheet 301 for forming a protective film, in a state in which the release film 15 is removed, the back surface of a semiconductor wafer (not shown) is affixed to the first surface 13a of the film 13 for forming a protective film, and further, a jig The 1st surface 16a of the adhesive bond layer 16 is affixed to jigs, such as a ring frame, and is used.

대전 방지층으로서 상기 표면 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트는, 도 11에 나타내는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트로는, 도 2∼도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 배면 대전 방지층을 구비하지 않고, 기재의 제1 면에 표면 대전 방지층을 구비하도록 구성한 것(다시 말하면, 대전 방지층의 배치 위치가 기재의 제2 면에서 기재의 제1 면으로 변경된 것) 등도 들 수 있다. The composite sheet for protective film formation provided with the said surface antistatic layer as an antistatic layer is not limited to what is shown in FIG. For example, as the composite sheet for forming a protective film of the present embodiment, in the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. There are also those configured so as to (that is, those in which the arrangement position of the antistatic layer is changed from the second surface of the substrate to the first surface of the substrate) and the like.

또한, 대전 방지층으로서 상기 표면 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로는, 상술한 것에 한정되지 않고, 앞서 설명한, 배면 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 대전 방지층의 배치 위치가 기재의 제2 면에서 기재의 제1 면으로 변경된 것을 모두 들 수 있다. In addition, the composite sheet for forming a protective film having the surface antistatic layer as an antistatic layer is not limited to the above, and in the above-described composite sheet for forming a protective film having a back antistatic layer, the arrangement position of the antistatic layer is any change from the second side of the substrate to the first side of the substrate.

본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서도, 각 층의 크기나 형상은 목적에 따라 임의로 조절할 수 있다. Also in the composite sheet for protective film formation of this embodiment, the magnitude|size and shape of each layer can be adjusted arbitrarily according to the objective.

지금까지는, 대전 방지층으로서, 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종만을 구비한 보호막 형성용 복합 시트에 대해 설명했으나, 본 발명의 일 실시형태에 따른 보호막 형성용 복합 시트는 대전 방지층으로서, 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2종 이상(즉, 2종 또는 3종)을 구비하고 있어도 된다. 이러한 보호막 형성용 복합 시트의 박리 대전의 억제 효과는 특히 높고, 그 결과, 보호막 형성용 필름과 반도체 웨이퍼 사이의 이물 혼입의 억제 효과가 특히 높아진다. Up to now, a composite sheet for forming a protective film having only one type selected from the group consisting of a back antistatic layer, an antistatic substrate, and a surface antistatic layer as the antistatic layer has been described. However, a protective film according to an embodiment of the present invention The composite sheet for formation may be equipped with 2 or more types (namely, 2 types or 3 types) selected from the group which consists of a back antistatic layer, an antistatic base material, and a surface antistatic layer as an antistatic layer. The inhibitory effect of peeling electrification of such a composite sheet for protective film formation is especially high, As a result, the inhibitory effect of foreign material mixing between the film for protective film formation and a semiconductor wafer becomes especially high.

이러한 보호막 형성용 복합 시트 중, 대전 방지층으로서, 상기 배면 대전 방지층 및 대전 방지성 기재의 양쪽을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로는, 예를 들면, 도 1∼도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 기재(11)를 대전 방지성 기재(예를 들면, 도 6∼도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트 중의 대전 방지성 기재(11'))로 대체한 것을 들 수 있다. 다시 말하면, 이들 보호막 형성용 복합 시트는 도 6∼도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 대전 방지성 기재(11')의 제2 면(11b')에 추가로 배면 대전 방지층(예를 들면, 도 1∼도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트 중의 배면 대전 방지층(17))을 형성한 것이다. Among these composite sheets for forming a protective film, as an antistatic layer, the composite sheet for forming a protective film provided with both the rear antistatic layer and the antistatic substrate is, for example, the composite sheet for forming a protective film shown in FIGS. 1 to 5 . WHEREIN: What replaced the base material 11 with the antistatic base material (For example, the antistatic base material 11' in the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 6-10) is mentioned. In other words, these composite sheets for forming a protective film are, in the composite sheet for forming a protective film shown in Figs. For example, the back antistatic layer 17 in the composite sheet for protective film formation shown in FIGS. 1-5 is formed.

도 12에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(401)는 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)에 있어서, 기재(11)를 대전 방지성 기재(11')로 대체한 것이다. 보호막 형성용 복합 시트(401)는 기재(11) 대신에, 대전 방지성 기재(11')를 구비하고 있는 점 이외에는, 보호막 형성용 복합 시트(101)와 동일하다. The composite sheet 401 for protective film formation shown in FIG. 12 is what replaced the base material 11 with the antistatic base material 11' in the composite sheet 101 for protective film formation shown in FIG. The composite sheet 401 for forming a protective film is the same as the composite sheet 101 for forming a protective film, except that an antistatic base 11 ′ is provided instead of the base 11 .

보호막 형성용 복합 시트(401) 중의 지지 시트(60)는 배면 대전 방지층(17), 대전 방지성 기재(11'), 및 점착제층(12)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 지지 시트(60)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(60a)은 다시 말하면, 점착제층(12)의 제1 면(12a)이다. In the support sheet 60 in the composite sheet 401 for forming a protective film, the back antistatic layer 17, the antistatic substrate 11', and the pressure-sensitive adhesive layer 12 are laminated in this order in their thickness direction, Consists of. One surface (in this specification, it may be called a "first surface") 60a of the support sheet 60 is, in other words, the 1st surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 .

배면 대전 방지층(17) 및 대전 방지성 기재(11')는 대전 방지제를 함유한다. 이에 의해, 보호막 형성용 복합 시트(401) 중의 지지 시트(60)측 최표층인 배면 대전 방지층(17)의, 상기 조건에서 익스팬드한 후의 표면 저항률을 1.0×1011Ω/□ 이하로 할 수 있다. 그리고, 보호막 형성용 복합 시트(401)를 익스팬드한 후, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때의, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 보다 억제할 수 있다. The back antistatic layer 17 and the antistatic base 11' contain an antistatic agent. Thereby, the surface resistivity of the back antistatic layer 17, which is the outermost layer on the support sheet 60 side, in the composite sheet 401 for forming a protective film after being expanded under the above conditions can be set to 1.0×10 11 Ω/□ or less. there is. And after expanding the composite sheet 401 for protective film formation, the destruction by charging of the circuit in a semiconductor chip at the time of isolate|separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet can be suppressed more.

또한, 배면 대전 방지층(17)의 구성이 조절되어 있다. 이에 의해, 보호막 형성용 복합 시트(401)로부터 제작한, 지지 시트와, 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름과 반도체 칩이 이 순서로 적층되어 구성된 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때, 상기 분할된 적층체가 익스팬드 공정을 거쳐 얻어진 것이라도, 반도체 칩 중의 회로의 대전에 의한 파괴를 억제할 수 있다. In addition, the configuration of the back antistatic layer 17 is adjusted. Thereby, the protective film or protective film after the cutting is formed in the divided laminate constituted by stacking the support sheet, the protective film or protective film formation film after cutting, and the semiconductor chip produced from the composite sheet 401 for forming a protective film in this order. When picking up the semiconductor chip provided with a film for use by separating from the support sheet, even if the divided laminate is obtained through an expand process, the destruction of the circuit in the semiconductor chip due to charging can be suppressed.

보호막 형성용 복합 시트(401)는 보호막 형성용 복합 시트(101) 및 보호막 형성용 복합 시트(201)의 경우와 동일한 방법으로 사용된다. The composite sheet 401 for forming a protective film is used in the same manner as in the case of the composite sheet 101 for forming a protective film and the composite sheet 201 for forming a protective film.

배면 대전 방지층 및 대전 방지성 기재의 양쪽을 구비한, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서도, 각 층의 크기나 형상은 목적에 따라 임의로 조절할 수 있다. Also in the composite sheet for protective film formation of this embodiment provided with both the back antistatic layer and the antistatic base material, the magnitude|size and shape of each layer can be adjusted arbitrarily according to the objective.

한편, 대전 방지층으로서, 상기 대전 방지성 기재 및 표면 대전 방지층의 양쪽을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로는, 예를 들면, 도 6∼도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 대전 방지성 기재(11')와, 그 제1 면(11a')측에서 대전 방지성 기재(11')에 인접하는 층(보다 구체적으로는, 점착제층(12) 또는 보호막 형성용 필름(13)) 사이에 추가로 표면 대전 방지층(예를 들면, 도 11에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(301) 중의 표면 대전 방지층(19))을 형성한 것을 들 수 있다. On the other hand, as an antistatic layer, the composite sheet for protective film formation provided with both the said antistatic base material and the surface antistatic layer WHEREIN: In the composite sheet for protective film formation shown, for example in FIGS. 6-10, antistatic property Between the base material 11' and the layer (more specifically, the adhesive layer 12 or the film 13 for protective film formation) adjacent to the antistatic base material 11' on the 1st surface 11a' side What provided the surface antistatic layer (For example, the surface antistatic layer 19 in the composite sheet 301 for protective film formation shown in FIG. 11) in addition to this is mentioned.

도 13에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(501)는 그 일 예이며, 도 11에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(301)에 있어서, 기재(11)를 대전 방지성 기재(11')로 대체한 것이다. 보호막 형성용 복합 시트(501)는 기재(11) 대신에, 대전 방지성 기재(11')를 구비하고 있는 점 이외에는, 보호막 형성용 복합 시트(301)와 동일하다. The composite sheet 501 for forming a protective film shown in Fig. 13 is an example thereof, and in the composite sheet 301 for forming a protective film shown in Fig. 11 , the base material 11 is replaced with an antistatic base material 11'. . The composite sheet 501 for forming a protective film is the same as the composite sheet 301 for forming a protective film, except that, instead of the base 11, an antistatic base 11' is provided.

보호막 형성용 복합 시트(501) 중의 지지 시트(70)는 대전 방지성 기재(11'), 표면 대전 방지층(19), 및 점착제층(12)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다. 지지 시트(70)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다)(70a)은 다시 말하면, 점착제층(12)의 제1 면(12a)이다. In the support sheet 70 in the composite sheet 501 for forming a protective film, the antistatic base 11 ', the surface antistatic layer 19, and the pressure-sensitive adhesive layer 12 are laminated in this order in the thickness direction thereof, Consists of. One surface (in this specification, it may be called a "first surface") 70a of the support sheet 70 is the 1st surface 12a of the adhesive layer 12 in other words.

대전 방지성 기재(11') 및 표면 대전 방지층(19)은 대전 방지제를 함유한다. 이에 의해, 보호막 형성용 복합 시트(501) 중의 지지 시트(70)측 최표층인 대전 방지성 기재(11')의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하가 된다. 그리고, 보호막 형성용 복합 시트(501)의 평상시 대전이 억제된다. The antistatic substrate 11' and the surface antistatic layer 19 contain an antistatic agent. Thereby, the surface resistivity of the antistatic base material 11' which is the outermost layer on the side of the support sheet 70 in the composite sheet 501 for protective film formation will be 1.0x10 11 ohm/square or less. And normal charging of the composite sheet 501 for protective film formation is suppressed.

또한, 대전 방지성 기재(11')의 구성이 조절되어 있다. 이에 의해, 70℃에서 1분 가열한 후의 보호막 형성용 복합 시트(501)로부터 제작한 상기 시험편의 정지 마찰력이 20N 이하가 된다. 그리고, 보호막 형성용 복합 시트(501)를 사용하여 얻어진 상기 적층체의 분리시 대전이 억제된다. 그 결과, 상기 적층체의 분리시에 있어서의 반도체 칩 중의 회로의 파괴가 억제된다. In addition, the configuration of the antistatic base 11' is adjusted. Thereby, the static friction force of the said test piece produced from the composite sheet 501 for protective film formation after heating at 70 degreeC for 1 minute is set to 20 N or less. In addition, charging is suppressed at the time of separation of the laminate obtained by using the composite sheet 501 for forming a protective film. As a result, the breakdown of the circuit in the semiconductor chip at the time of separation of the laminate is suppressed.

보호막 형성용 복합 시트(501)는 보호막 형성용 복합 시트(301) 및 보호막 형성용 복합 시트(201)의 경우와 동일한 방법으로 사용된다. The composite sheet 501 for forming a protective film is used in the same manner as in the case of the composite sheet 301 for forming a protective film and the composite sheet 201 for forming a protective film.

대전 방지성 기재 및 표면 대전 방지층의 양쪽을 구비한, 본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서도, 각 층의 크기나 형상은 목적에 따라 임의로 조절할 수 있다. Also in the composite sheet for protective film formation of this embodiment provided with both the antistatic base material and the surface antistatic layer, the magnitude|size and shape of each layer can be adjusted arbitrarily according to the objective.

본 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트는 대전 방지층으로서, 상기 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층을 모두 구비하고 있어도 된다. The composite sheet for protective film formation of this embodiment may be equipped with all of the said back antistatic layer, an antistatic base material, and a surface antistatic layer as an antistatic layer.

배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층을 모두 구비한 보호막 형성용 복합 시트로는, 예를 들면, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면(즉, 제1 면) 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비하고, 상기 지지 시트는 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 표면 대전 방지층, 및 점착제층이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 있으며, 상기 점착제층이 상기 보호막 형성용 필름측을 향해 배치되어 있는 보호막 형성용 복합 시트를 들 수 있다. As a composite sheet for forming a protective film having all of a back antistatic layer, an antistatic base, and a surface antistatic layer, for example, a support sheet and a protective film formed on one side (ie, the first surface) of the support sheet. A film for forming is provided, wherein the support sheet has a rear antistatic layer, an antistatic substrate, a surface antistatic layer, and a pressure-sensitive adhesive layer laminated in this order in their thickness direction, and the pressure-sensitive adhesive layer is used for forming the protective film The composite sheet for protective film formation arrange|positioned toward the film side is mentioned.

이러한 보호막 형성용 복합 시트로서, 보다 구체적으로는, 도 12에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(401)에 있어서, 대전 방지성 기재(11')와, 점착제층(12) 사이에, 추가로 표면 대전 방지층(예를 들면, 도 11에 나타내는 표면 대전 방지층(19))이 형성된 것을 들 수 있다. As such a composite sheet for forming a protective film, more specifically, in the composite sheet for forming a protective film 401 shown in FIG. 12 , between the antistatic base 11 ′ and the pressure-sensitive adhesive layer 12 , the surface is charged further. One in which an antistatic layer (for example, the surface antistatic layer 19 shown in FIG. 11) was formed is mentioned.

또한, 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층을 모두 구비한 보호막 형성용 복합 시트로는, 예를 들면, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면(즉, 제1 면) 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비하고, 상기 지지 시트는 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 있으며, 상기 표면 대전 방지층이 상기 보호막 형성용 필름측을 향해 배치되어 있는 보호막 형성용 복합 시트를 들 수 있다. In addition, as a composite sheet for forming a protective film having all of a back antistatic layer, an antistatic substrate, and a surface antistatic layer, for example, a support sheet and one side (that is, the first surface) of the support sheet. A film for forming a protective film formed thereon, wherein the support sheet has a rear antistatic layer, an antistatic substrate, and a surface antistatic layer laminated in this order in their thickness direction, and the surface antistatic layer is used for forming the protective film The composite sheet for protective film formation arrange|positioned toward the film side is mentioned.

이러한 보호막 형성용 복합 시트로서, 보다 구체적으로는, 도 12에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(401)에 있어서, 점착제층(12) 대신에 표면 대전 방지층(예를 들면, 도 11에 나타내는 표면 대전 방지층(19))이 형성된 것을 들 수 있다. As such a composite sheet for forming a protective film, more specifically, in the composite sheet 401 for forming a protective film shown in FIG. 12 , a surface antistatic layer (for example, the surface antistatic layer shown in FIG. 11 ) instead of the pressure-sensitive adhesive layer 12 . (19)) is formed.

단, 이들은 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층을 모두 구비한 보호막 형성용 복합 시트의 일 예이다. However, these are an example of the composite sheet for protective film formation provided with all of a back antistatic layer, an antistatic base material, and a surface antistatic layer.

상술한 바와 같이, 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2종 이상을 구비한 보호막 형성용 복합 시트는, 1종만을 구비한 보호막 형성용 복합 시트보다, 그 평상시 대전의 억제 효과가 높고, 이 점에서 유리하다. 이에 비해, 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종만을 구비한 보호막 형성용 복합 시트도, 충분한 평상시 대전의 억제 효과를 갖고 있고, 또한 이러한 시트는 저가이면서 간편하게 제조할 수 있는 점에서 유리하다. As described above, the composite sheet for forming a protective film having two or more types selected from the group consisting of a back antistatic layer, an antistatic substrate, and a surface antistatic layer is better than the composite sheet for forming a protective film having only one type. It has a high antistatic effect in normal times, which is advantageous in this respect. On the other hand, a composite sheet for forming a protective film having only one selected from the group consisting of a back antistatic layer, an antistatic substrate, and a surface antistatic layer also has a sufficient antistatic effect in normal times, and such a sheet is inexpensive and It is advantageous in that it can be manufactured easily.

지금까지, 대전 방지층의 배치 형태별로, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 전체 구성에 대해 설명했으나, 계속하여, 지지 시트에 대해 설명한다. Until now, although the whole structure of the said composite sheet for protective film formation was demonstrated for every arrangement|positioning form of an antistatic layer, then, the support sheet is demonstrated.

＜지지 시트의 전광선 투과율＞<Total light transmittance of the support sheet>

상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 지지 시트의 전광선 투과율은, 특별히 한정되지 않으나, 70％ 이상인 것이 바람직하고, 75％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 80％ 이상인 것이 특히 바람직하다. Although the total light transmittance of the support sheet in the said composite sheet for protective film formation is not specifically limited, It is preferable that it is 70 % or more, It is more preferable that it is 75 % or more, It is especially preferable that it is 80 % or more.

반도체 장치의 제조 과정에서는, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 첩부되어 있는 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 지지 시트측의 면에, 레이저 광의 조사에 의해 레이저 인자를 행한다. 레이저 인자를 행한 보호막 형성용 필름은 그 경화에 의해, 문자나 기호 등의 인자가 실시된 보호막이 된다. In the manufacturing process of a semiconductor device, laser printing is performed by irradiation of a laser beam to the surface by the side of the support sheet of the protective film or protective film formation film affixed on a semiconductor wafer or a semiconductor chip. The film for protective film formation which performed laser printing turns into the protective film to which printing, such as a character and a symbol, was given by the hardening.

상기 지지 시트의 전광선 투과율이 상기 하한값 이상임으로써, 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 레이저 인자성 및 보호막의 인자 시인성이 향상되어, 반도체 칩 혹은 보호막의 균열 또는 결함을 보다 고정밀도로 검사할 수 있다. When the total light transmittance of the support sheet is equal to or greater than the lower limit, the laser printing properties of the protective film or film for forming a protective film and the printing visibility of the protective film are improved, and cracks or defects of the semiconductor chip or the protective film can be inspected with higher precision.

상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 지지 시트의 전광선 투과율의 상한값은, 특별히 한정되지 않고, 높을수록 바람직하다. 지지 시트의 제조의 용이함 및 지지 시트의 구성의 높은 자유도 등을 고려하면, 지지 시트의 전광선 투과율은 99％ 이하인 것이 바람직하다. The upper limit of the total light transmittance of the support sheet in the said composite sheet for protective film formation is not specifically limited, It is so preferable that it is high. In consideration of the ease of manufacture of the support sheet and the high degree of freedom in the configuration of the support sheet, the total light transmittance of the support sheet is preferably 99% or less.

지지 시트의 전광선 투과율은 실시예에 있어서도 후술하는 바와 같이, JIS K 7375:2008에 준거하여 측정할 수 있다. The total light transmittance of the support sheet can be measured in accordance with JIS K 7375:2008 as will be described later also in the Examples.

＜지지 시트의 헤이즈＞<Haze of the support sheet>

상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 지지 시트의 헤이즈는, 특별히 한정되지 않으나, 55％ 이하인 것이 바람직하고, 50％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 45％ 이하인 것이 특히 바람직하다. 상기 지지 시트의 헤이즈가 상기 상한값 이하임으로써, 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 레이저 인자성, 보호막의 인자 시인성, 반도체 칩 혹은 보호막의 균열 또는 결함의 검사 적성이 향상된다. Although the haze of the support sheet in the said composite sheet for protective film formation is not specifically limited, It is preferable that it is 55 % or less, It is more preferable that it is 50 % or less, It is especially preferable that it is 45 % or less. When the haze of the support sheet is equal to or less than the upper limit, the laser printing properties of the protective film or the film for forming a protective film, the printing visibility of the protective film, and the inspection aptitude for cracks or defects of the semiconductor chip or the protective film are improved.

상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 지지 시트의 헤이즈의 하한값은, 특별히 한정되지 않고, 낮을수록 바람직하다. 지지 시트의 제조의 용이함 및 지지 시트의 구성의 높은 자유도 등을 고려하면, 지지 시트의 헤이즈는 40％ 이상이어도 된다. The lower limit of the haze of the support sheet in the said composite sheet for protective film formation is not specifically limited, It is so preferable that it is low. In consideration of the ease of manufacture of the support sheet and the high degree of freedom in the configuration of the support sheet, the haze of the support sheet may be 40% or more.

지지 시트의 헤이즈는 JIS K 7136-2000에 준거하여 측정할 수 있다. The haze of a support sheet can be measured based on JISK7136-2000.

＜대전 방지층의 내찰상성＞<Abrasion resistance of antistatic layer>

상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 대전 방지층의 내찰상성은, 상기 복합 시트의 보호막 형성용 필름의 검사성에 영향을 준다. 「대전 방지층의 내찰상성」이란, 대전 방지층이 다른 물건에 의해 마찰되었을 때, 대전 방지층의 이 마찰된 면에 있어서의 흠집이 나기 어려운 정도를 의미한다. The abrasion resistance of the antistatic layer in the said composite sheet for protective film formation affects the testability of the film for protective film formation of the said composite sheet. The "scratch resistance of the antistatic layer" means the degree to which a scratch on the rubbed surface of the antistatic layer is less likely to occur when the antistatic layer is rubbed by another object.

대전 방지층의 내찰상성이 높으면, 대전 방지층의 표면은 전체면에 걸쳐, 다른 물건과의 접촉시에 있어서, 흠집이 나기 어렵다. 따라서, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 대전 방지층을 개재하고, 센서를 이용하여, 또는 육안에 의해, 광학적으로 검사했을 때, 검사 개소에 의한 검사 결과의 편차가 억제되고, 또한, 고정밀도로 검사할 수 있다. 이에 비해, 대전 방지층의 내찰상성이 낮으면, 대전 방지층의 표면의 적어도 일부는, 다른 물건과의 접촉시에 있어서 흠집이 나기 쉽다. 따라서, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 상기와 같이 검사했을 때, 검사 개소에 의한 검사 결과의 편차가 발생하고, 또한, 검사 정밀도가 낮아진다. When the antistatic layer has high scratch resistance, the surface of the antistatic layer is not easily scratched when in contact with other objects over the entire surface. Therefore, when the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film is optically inspected using a sensor or by the naked eye through an antistatic layer, variation in the inspection result due to the inspection location is suppressed, and is highly accurate. road can be inspected. On the other hand, when the antistatic layer has low scratch resistance, at least a part of the surface of the antistatic layer is likely to be scratched at the time of contact with other objects. Therefore, when the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation is test|inspected as mentioned above, the dispersion|variation in the test|inspection result by an test|inspection location arises, and a test|inspection precision becomes low.

대전 방지층의 내찰상성은 이하의 방법으로 평가할 수 있다. The scratch resistance of the antistatic layer can be evaluated by the following method.

즉, 우선, 대전 방지층에 하중을 가하기 위해 사용하는 가압 수단의 표면(이하, 「가압면」으로 칭한다)에 플란넬 천을 씌운다. 이 때, 상기 가압 수단의 상기 가압면은 면적이 2㎝×2㎝의 정방형이며 평면 형상인 것으로 한다. 또한, 플란넬 천의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 평가 결과의 신뢰성이 매우 높다는 점에 있어서는, 1∼4㎛여도 된다. 상기 가압면에 씌우는 것은 1장의 플란넬 천이어도 되고, 2장 이상의 플란넬 천이 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 플란넬 천의 적층 시트여도 된다. 상기 적층 시트 중의 각 플란넬 천의 두께는 모두 동일해도 되고, 모두 상이해도 되며, 일부만 동일해도 된다. 상기 적층 시트를 사용하는 경우에는, 그 전체의 두께, 즉, 상기 적층 시트 중의 각 플란넬 천의 두께의 합계가 1∼4㎛여도 된다. That is, first, a flannel cloth is covered on the surface of the pressing means used for applying a load to the antistatic layer (hereinafter referred to as "pressing surface"). At this time, it is assumed that the pressing surface of the pressing means has a square shape with an area of 2 cm x 2 cm and a planar shape. In addition, the thickness of flannel cloth is not specifically limited, For example, 1-4 micrometers may be sufficient in the point that the reliability of an evaluation result is very high. One sheet of flannel cloth may be sufficient to cover the said pressing surface, and the lamination|stacking sheet of the flannel cloth comprised by laminating|stacking two or more sheets of flannel cloth in these thickness directions may be sufficient as it. The thickness of each flannel cloth in the said lamination sheet may be all the same, all may be different, and only one part may be same. When using the said lamination sheet, 1-4 micrometers may be sufficient as the sum total of the thickness of the whole, ie, the thickness of each flannel cloth in the said lamination sheet.

이어서, 상기 플란넬 천을 씌운 상기 가압 수단의 상기 가압면을 상기 대전 방지층의 표면에 대고 누른다. Then, the pressing surface of the pressing means covered with the flannel cloth is pressed against the surface of the antistatic layer.

이어서, 이와 같이 플란넬 천을 개재하여, 가압 수단을 대전 방지층에 대고 누른 상태로 가압 수단에 의해 125g/㎠의 하중을 대전 방지층에 가하여 가압하면서, 가압 수단을 10㎝의 직선 거리로 10회 왕복 운동시킨다. 이에 의해, 플란넬 천을 개재하여 125g/㎠의 하중을 가하면서, 대전 방지층을 마찰시킨다. 이 때, 대전 방지층의 표면 중, 플란넬 천에 의해 마찰되는 것은 폭 2㎝, 길이 10㎝의 영역이 된다. Next, with the flannel cloth interposed in this way, while the pressing means is pressed against the antistatic layer, a load of 125 g/cm 2 is applied to the antistatic layer by the pressing means and pressurized, while the pressing means is reciprocated at a linear distance of 10 cm 10 times. . Thereby, the antistatic layer is rubbed while applying a load of 125 g/cm 2 through the flannel cloth. At this time, among the surfaces of the antistatic layer, what is rubbed by the flannel cloth is a region having a width of 2 cm and a length of 10 cm.

이어서, 대전 방지층의, 이 플란넬 천을 개재하여 마찰시킨 면 중, 면적이 2㎝×2㎝인 영역을 육안으로 관찰하고, 흠집의 유무를 확인함으로써, 대전 방지층의 내찰상성을 평가할 수 있다. 예를 들면, 관찰 개소에 흠집이 존재하면, 줄기 형상의 흠집이 확인되거나, 관찰면의 광반사성이 저하하여, 윤기의 저하가 확인된다. 흠집이 확인되지 않으면, 내찰상성이 높다고 판정할 수 있고, 흠집이 확인되면, 내찰상성이 낮다고 판정할 수 있다. Next, the scratch resistance of the antistatic layer can be evaluated by visually observing an area having an area of 2 cm x 2 cm among the surfaces of the antistatic layer rubbed through this flannel cloth and confirming the presence or absence of scratches. For example, when a flaw exists in an observation location, a stem-shaped flaw will be confirmed, or the light reflectivity of an observation surface will fall, and the fall of gloss will be confirmed. When a scratch is not recognized, it can be determined that abrasion resistance is high, and when a flaw is confirmed, it can be determined that abrasion resistance is low.

대전 방지층의 표면 중, 육안으로 관찰하는 상기 영역은 플란넬 천에 의해 마찰된, 폭 2㎝, 길이 10㎝의 영역 중 어느 것이어도 되며, 예를 들면, 상기 영역 중의 길이 방향에 있어서의 중앙부를 포함하는 영역이어도 되고, 동일한 방향에 있어서의 단부를 포함하는 영역이어도 된다. Among the surfaces of the antistatic layer, the region observed with the naked eye may be any of a region of 2 cm in width and 10 cm in length rubbed by flannel cloth, for example, including a central portion in the longitudinal direction in the region. It may be a region to be used, or a region including an end portion in the same direction may be sufficient.

상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 대전 방지층은 상술한 방법에 의해, 그 내찰상성을 평가했을 때, 흠집이 확인되지 않는 것이 바람직하다. 여기서, 대전 방지층이란, 앞서 설명한 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층을 의미한다. 보다 바람직한 보호막 형성용 복합 시트로는, 예를 들면, 이러한 내찰상성을 갖는 배면 대전 방지층 또는 대전 방지성 기재를 구비한 것을 들 수 있다. When the antistatic layer in the said composite sheet for protective film formation evaluates the abrasion resistance by the method mentioned above, it is preferable that a flaw is not recognized. Here, the antistatic layer means the back antistatic layer, the antistatic base material, and the surface antistatic layer described above. As a more preferable composite sheet for protective film formation, the thing provided with the back antistatic layer or antistatic base material which has such abrasion resistance is mentioned, for example.

예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트가 대전 방지층으로서, 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2종 이상을 구비하고 있는 경우에는, 적어도 보호막 형성용 복합 시트의 최외층이 내찰상성의 평가 대상인 것이 바람직하다. For example, when the composite sheet for forming a protective film is provided with two or more selected from the group consisting of a back antistatic layer, an antistatic substrate, and a surface antistatic layer as an antistatic layer, at least the composite sheet for forming a protective film It is preferable that the outermost layer is the evaluation object of abrasion resistance.

보다 구체적으로는, 예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트가, 배면 대전 방지층 및 대전 방지성 기재를 함께 구비하고 있는 경우, 및, 배면 대전 방지층 및 표면 대전 방지층을 함께 구비하고 있는 경우에는, 적어도 배면 대전 방지층이 내찰상성의 평가 대상인 것이 바람직하다. More specifically, for example, when the composite sheet for forming a protective film is provided with both the back antistatic layer and the antistatic base, and when the back antistatic layer and the surface antistatic layer are provided together, at least the back side It is preferable that an antistatic layer is the evaluation object of abrasion resistance.

예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트가 대전 방지성 기재 및 표면 대전 방지층을 함께 구비하고 있는 경우에는, 적어도 대전 방지성 기재가 내찰상성의 평가 대상인 것이 바람직하다. 예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트가 배면 대전 방지층, 대전 방지성 기재, 및 표면 대전 방지층을 모두 구비하고 있는 경우에는, 적어도 배면 대전 방지층이 내찰상성의 평가 대상인 것이 바람직하다. For example, when the composite sheet for protective film formation is provided with both an antistatic base material and a surface antistatic layer, it is preferable that at least an antistatic base material is an evaluation object of abrasion resistance. For example, when the composite sheet for forming a protective film includes all of the back antistatic layer, the antistatic base, and the surface antistatic layer, it is preferable that at least the back antistatic layer is the target for evaluation of scratch resistance.

이어서, 지지 시트를 구성하는 각 층에 대해, 추가로 상세하게 설명한다. Next, each layer constituting the support sheet will be further described in detail.

○기재○ Mention

대전 방지성 기재 이외의 기재에 대해, 이하 설명한다. 본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 단순한 「기재」란, 「대전 방지성 기재 이외의 기재」를 의미한다. Substrates other than the antistatic substrate will be described below. In this specification, unless otherwise indicated, a simple "base material" means "base materials other than an antistatic base material."

상기 기재는 시트형 또는 필름형이며, 그 구성 재료로는, 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다. The said base material is a sheet form or a film form, and various resin is mentioned as the constituent material, for example.

상기 수지로는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 노르보르넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀; 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체(모노머로서 에틸렌을 사용하여 얻어진 공중합체); 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지(모노머로서 염화비닐을 사용하여 얻어진 수지); 폴리스티렌; 폴리시클로올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈렌디카르복시레이트, 모든 구성 단위가 방향족 고리형기를 갖는 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르; 2종 이상의 상기 폴리에스테르의 공중합체; 폴리(메타)아크릴산에스테르; 폴리우레탄; 폴리우레탄아크릴레이트; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 불소 수지; 폴리아세탈; 변성 폴리페닐렌옥시드; 폴리페닐렌설피드; 폴리설폰; 폴리에테르케톤 등을 들 수 있다. As said resin, For example, polyethylene, such as a low density polyethylene (LDPE), a linear low density polyethylene (LLDPE), and a high density polyethylene (HDPE); polyolefins other than polyethylene, such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, and norbornene resin; Ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer, ethylene-norbornene copolymer (copolymer obtained using ethylene as a monomer) ; vinyl chloride-based resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer (resin obtained using vinyl chloride as a monomer); polystyrene; polycycloolefin; polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, and wholly aromatic polyester in which all structural units have aromatic cyclic groups; copolymers of two or more of the above polyesters; poly(meth)acrylic acid ester; Polyurethane; polyurethane acrylate; polyimide; polyamide; polycarbonate; fluororesin; polyacetal; modified polyphenylene oxide; polyphenylene sulfide; polysulfone; Polyether ketone etc. are mentioned.

또한, 상기 수지로는, 예를 들면, 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 상기 폴리에스테르와 그 이외의 수지의 폴리머 알로이는, 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다. Moreover, as said resin, polymer alloys, such as a mixture of the said polyester and resin other than that, are also mentioned, for example. In the polymer alloy of the polyester and other resins, it is preferable that the amount of the resin other than the polyester is relatively small.

또한, 상기 수지로는, 예를 들면, 지금까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상이 가교된 가교 수지; 지금까지 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상을 사용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다. Moreover, as said resin, For example, 1 type(s) or 2 or more types of the said resin exemplified so far are crosslinked; Modified resins, such as an ionomer using 1 type, or 2 or more types of the said resin illustrated so far, are also mentioned.

기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of resins constituting the substrate may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The base material may consist of one layer (single layer), or may be composed of two or more layers, and when composed of multiple layers, these multiple layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited. does not

기재의 두께는 30∼300㎛인 것이 바람직하고, 50∼140㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 가요성과, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 첩부성이 보다 향상된다. It is preferable that it is 30-300 micrometers, and, as for the thickness of a base material, it is more preferable that it is 50-140 micrometers. When the thickness of a base material is such a range, the flexibility of the said composite sheet for protective film formation, and the sticking property with respect to a semiconductor wafer or a semiconductor chip improve more.

여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다. Here, the "thickness of a base material" means the thickness of the whole base material, for example, the thickness of the base material which consists of multiple layers means the total thickness of all the layers which comprise a base material.

기재는 두께의 정밀도가 높은 것, 즉, 부위에 상관없이 두께의 편차가 억제된 것이 바람직하다. 상술한 구성 재료 중, 이러한 두께의 정밀도가 높은 기재를 구성하는데 사용 가능한 재료로는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-초산비닐 공중합체 등을 들 수 있다. It is preferable that the base material has high precision in thickness, that is, that variation in thickness is suppressed regardless of the site. Among the above-mentioned constituent materials, examples of the material usable for constituting the substrate having such a high precision in thickness include polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, and ethylene-vinyl acetate copolymer.

기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The base material may contain various well-known additives, such as a filler, a coloring agent, antioxidant, an organic lubricant, a catalyst, and a softener (plasticizer), in addition to the main constituent materials, such as the said resin.

기재는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 되고, 다른 층이 증착되어 있어도 된다. The base material may be transparent, may be opaque, may be colored according to the objective, and another layer may be vapor-deposited.

예를 들면, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. For example, when the film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable for a base material to permeate|transmit an energy-beam.

예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 기재를 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 기재는 투명인 것이 바람직하다. For example, in order to optically test|inspect the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation through a base material, it is preferable that a base material is transparent.

기재는 상기 대전 방지층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 상기 대전 방지층에 대향하는 면에 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 등이 실시되어 있는 것이 바람직하고, 특히, 코로나 방전 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. In order to improve adhesion with the antistatic layer, the substrate is subjected to uneven processing such as sandblasting, solvent treatment, etc. on the surface opposite to the antistatic layer; oxidation treatment such as corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, and hot air treatment; It is preferable that the etc. are given, and it is especially preferable that corona discharge treatment is given.

기재는 그 위에 형성되는 층(예를 들면, 점착제층, 중간층, 또는 보호막 형성용 필름)과의 접착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 등이 표면에 실시되어 있어도 된다. 또한, 기재는 표면이 프라이머 처리되어 있어도 된다. In order to improve the adhesiveness of the base material with a layer formed thereon (eg, a pressure-sensitive adhesive layer, an intermediate layer, or a film for forming a protective film), an uneven treatment by sand blasting treatment, solvent treatment, or the like; oxidation treatment such as corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, and hot air treatment; etc. may be given to the surface. In addition, the surface of the base material may be primed.

기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는 기재는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다. The substrate can be prepared by a known method. For example, a base material containing a resin can be produced by molding a resin composition containing the resin.

○점착제층○Adhesive layer

상기 점착제층은 시트형 또는 필름형이며, 점착제를 함유한다. The pressure-sensitive adhesive layer is in the form of a sheet or film, and contains an adhesive.

상기 점착제로는, 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 점착성 수지를 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다. Examples of the adhesive include adhesive resins such as acrylic resins, urethane resins, rubber resins, silicone resins, epoxy resins, polyvinyl ethers, polycarbonates, and ester resins, and acrylic resins are preferable.

한편, 본 명세서에 있어서, 「점착성 수지」에는, 점착성을 갖는 수지와 접착성을 갖는 수지의 양쪽이 포함된다. 예를 들면, 상기 점착성 수지에는, 수지 자체가 점착성을 갖는 것뿐만 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해 접착성을 나타내는 수지 등도 포함된다. In addition, in this specification, both resin which has adhesiveness and resin which has adhesiveness are contained in "adhesive resin". For example, in the above-mentioned adhesive resin, not only the resin itself has adhesiveness, but also a resin that exhibits adhesiveness when used in combination with other components such as additives, and a resin that shows adhesiveness by the presence of a trigger such as heat or water. etc. are also included.

점착제층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The pressure-sensitive adhesive layer may consist of one layer (single layer) or may consist of a plurality of layers of two or more layers. doesn't happen

점착제층의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다. It is preferable that it is 1-100 micrometers, as for the thickness of an adhesive layer, it is more preferable that it is 1-60 micrometers, It is especially preferable that it is 1-30 micrometers.

여기서, 「점착제층의 두께」란, 점착제층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다. Here, the "thickness of an adhesive layer" means the thickness of the whole adhesive layer, for example, the thickness of the adhesive layer which consists of multiple layers means the total thickness of all the layers which comprise an adhesive layer.

점착제층은 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. An adhesive layer may be transparent, may be opaque, and may be colored according to the objective.

예를 들면, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 점착제층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. For example, when the film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable that an adhesive layer permeate|transmits an energy-beam.

예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 점착제층을 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 점착제층은 투명인 것이 바람직하다. For example, in order to test optically the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation through an adhesive layer, it is preferable that an adhesive layer is transparent.

점착제층은 에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 되고, 비에너지선 경화성 점착제를 사용하여 형성된 것이어도 된다. 즉, 점착제층은 에너지선 경화성 및 비에너지선 경화성 중 어느 것이어도 된다. 에너지선 경화성 점착제층은 경화 전 및 경화 후에서의 물성을 용이하게 조절할 수 있다. The pressure-sensitive adhesive layer may be formed using an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive or may be formed using a non-energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive. That is, any of energy-beam curability and non-energy-ray-curability may be sufficient as an adhesive layer. The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer can easily control physical properties before and after curing.

＜＜점착제 조성물＞＞<<Adhesive composition>>

점착제층은 점착제를 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다. 점착제 조성물에 있어서의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 점착제층에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다. 본 명세서에 있어서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하며, 예를 들면, 15∼25℃의 온도 등을 들 수 있다. The pressure-sensitive adhesive layer can be formed by using a pressure-sensitive adhesive composition containing a pressure-sensitive adhesive. For example, an adhesive layer can be formed in the target site|part by coating an adhesive composition on the formation target surface of an adhesive layer, and drying as needed. The ratio of content of components which do not vaporize at normal temperature in an adhesive composition becomes the same as the ratio of content of the said components in an adhesive layer normally. In this specification, "room temperature" means a temperature that is not particularly cooled or heated, that is, a normal temperature, and examples thereof include a temperature of 15 to 25°C.

점착제층의 보다 구체적인 형성 방법은 다른 층의 형성 방법과 함께, 추후 상세하게 설명한다. A more specific method of forming the pressure-sensitive adhesive layer will be described later in detail along with a method of forming another layer.

점착제 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 사용하는 방법을 들 수 있다. The pressure-sensitive adhesive composition may be coated by a known method, for example, an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, a screen coater, a Mayer bar. The method of using various coaters, such as a coater and a kiss coater, is mentioned.

기재 상에 점착제층을 형성하는 경우에는, 예를 들면, 기재 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 기재 상에 점착제층을 적층하면 된다. 또한, 기재 상에 점착제층을 형성하는 경우에는, 예를 들면, 박리 필름 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 점착제층을 형성해 두고, 이 점착제층의 노출면을 기재의 한쪽 표면과 첩합함으로써, 기재 상에 점착제층을 적층해도 된다. 이 경우의 박리 필름은 보호막 형성용 복합 시트의 제조 과정 또는 사용 과정 중 어느 타이밍에서 제거하면 된다. When forming an adhesive layer on a base material, what is necessary is just to laminate|stack an adhesive layer on a base material, for example by coating an adhesive composition on a base material and drying it as needed. In addition, when forming an adhesive layer on a base material, for example, by coating an adhesive composition on a peeling film, and drying as needed, an adhesive layer is formed on a peeling film, and the exposed surface of this adhesive layer is You may laminate|stack an adhesive layer on a base material by bonding with one surface of a base material. What is necessary is just to remove the peeling film in this case at any timing in the manufacturing process or use process of the composite sheet for protective film formation.

점착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 점착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 그리고, 용매를 함유하는 점착제 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다. Although the drying conditions of an adhesive composition are not specifically limited, When the adhesive composition contains the solvent mentioned later, it is preferable to heat-dry. And it is preferable to dry the adhesive composition containing a solvent on conditions for 10 second - 5 minutes at 70-130 degreeC, for example.

점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 점착제 조성물, 즉, 에너지선 경화성 점착제 조성물로는, 예를 들면, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)(이하, 「점착성 수지(I-1a)」로 약기하는 경우가 있다)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-1); 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)(이하, 「점착성 수지(I-2a)」로 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 점착제 조성물(I-2); 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-3) 등을 들 수 있다. When the pressure-sensitive adhesive layer is energy ray-curable, the pressure-sensitive adhesive composition containing the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, that is, the energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive composition, includes, for example, a non-energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) (hereinafter referred to as “adhesive resin”). (I-1a)") and the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing an energy ray-curable compound; Energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy-ray-curable adhesive resin (I-1a) (hereinafter sometimes abbreviated as "adhesive resin (I-2a)") containing pressure-sensitive adhesive composition (I-2); The adhesive composition (I-3) containing the said adhesive resin (I-2a) and an energy-beam curable compound, etc. are mentioned.

＜점착제 조성물(I-1)＞<Adhesive composition (I-1)>

상기 점착제 조성물(I-1)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유한다. As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) and an energy ray-curable compound.

[점착성 수지(I-1a)][Adhesive resin (I-1a)]

상기 점착성 수지(I-1a)는 아크릴계 수지인 것이 바람직하다. The adhesive resin (I-1a) is preferably an acrylic resin.

상기 아크릴계 수지로는, 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴계 중합체를 들 수 있다. As said acrylic resin, the acrylic polymer which has a structural unit derived from (meth)acrylic-acid alkylester at least is mentioned, for example.

상기 아크릴계 수지가 갖는 구성 단위는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of structural units which the said acrylic resin has may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it, and when 2 or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로는, 예를 들면, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기의 탄소수가 1∼20인 것을 들 수 있고, 상기 알킬기는 직쇄형 또는 분기쇄형인 것이 바람직하다. As said (meth)acrylic acid alkylester, C1-C20 of the alkyl group which comprises an alkylester is mentioned, for example, It is preferable that the said alkyl group is linear or branched.

(메타)아크릴산알킬에스테르로서, 보다 구체적으로는, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴), (메타)아크릴산노나데실, (메타)아크릴산이코실 등을 들 수 있다. As (meth)acrylic acid alkylester, more specifically, (meth)acrylate methyl, (meth)acrylate, (meth)acrylic acid n-propyl, (meth)acrylate isopropyl, (meth)acrylate n-butyl, (meth)acrylate ) isobutyl acrylate, (meth) acrylate sec-butyl, (meth) acrylate tert-butyl, (meth) acrylate pentyl, (meth) acrylate hexyl, (meth) acrylate heptyl, (meth) acrylate 2-ethylhexyl, (meth) acrylate ) acrylate isooctyl, (meth) acrylic acid n-octyl, (meth) acrylic acid n-nonyl, (meth) acrylate isononyl, (meth) acrylate decyl, (meth) acrylate undecyl, (meth) acrylate dodecyl (( (meth) acrylic acid lauryl), (meth) acrylic acid tridecyl, (meth) acrylic acid tetradecyl ((meth) acrylate myristyl), (meth) acrylic acid pentadecyl, (meth) acrylic acid hexadecyl ((meth) acrylate palmityl) , (meth)acrylic acid heptadecyl, (meth)acrylic acid octadecyl ((meth)acrylic acid stearyl), (meth)acrylic acid nonadecyl, (meth)acrylic acid icosyl, etc. are mentioned.

점착제층의 점착력이 향상되는 점에서, 상기 아크릴계 중합체는 상기 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. 그리고, 점착제층의 점착력이 보다 향상되는 점에서, 상기 알킬기의 탄소수는 4∼12인 것이 바람직하고, 4∼8인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메타)아크릴산알킬에스테르는, 아크릴산알킬에스테르인 것이 바람직하다. It is preferable that the said acrylic polymer has the structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester whose carbon number of the said alkyl group is 4 or more at the point which the adhesive force of an adhesive layer improves. And it is preferable that carbon number of the said alkyl group is 4-12, and, as for the point which the adhesive force of an adhesive layer improves more, it is more preferable that it is 4-8. Moreover, it is preferable that C4 or more of the said alkyl group (meth)acrylic-acid alkylester is an acrylic acid alkylester.

상기 아크릴계 중합체는 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 것이 바람직하다. It is preferable that the said acrylic polymer has the structural unit derived from a functional group containing monomer further in addition to the structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester.

상기 관능기 함유 모노머로는, 예를 들면, 상기 관능기가 후술하는 가교제와 반응함으로써 가교의 기점이 되거나, 상기 관능기가 후술하는 불포화기 함유 화합물 중의 불포화기와 반응함으로써, 아크릴계 중합체의 측쇄에 불포화기의 도입을 가능하게 하는 것을 들 수 있다. As the functional group-containing monomer, for example, when the functional group reacts with a crosslinking agent described later, it becomes a starting point of crosslinking, or when the functional group reacts with an unsaturated group in an unsaturated group-containing compound described later, introduction of an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer is what makes it possible.

관능기 함유 모노머 중의 상기 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다. As said functional group in a functional group containing monomer, a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, an epoxy group, etc. are mentioned, for example.

즉, 관능기 함유 모노머로는, 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. That is, as a functional group containing monomer, a hydroxyl group containing monomer, a carboxy group containing monomer, an amino group containing monomer, an epoxy group containing monomer, etc. are mentioned, for example.

상기 수산기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 비(메타)아크릴계 불포화 알코올((메타)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올) 등을 들 수 있다. As said hydroxyl-containing monomer, (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid hydroxyalkyl, such as 2-hydroxybutyl (meth)acrylic acid, 3-hydroxybutyl (meth)acrylic acid, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylic acid; Non-(meth)acrylic-type unsaturated alcohols (unsaturated alcohol which does not have (meth)acryloyl skeleton), such as vinyl alcohol and allyl alcohol, etc. are mentioned.

상기 카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노카르복실산); 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 디카르복실산); 상기 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다. As said carboxyl group containing monomer, For example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids (monocarboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond), such as (meth)acrylic acid and a crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids (dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond) such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid; anhydrides of the ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; (meth)acrylic acid carboxyalkyl esters, such as 2-carboxyethyl methacrylate, etc. are mentioned.

관능기 함유 모노머는 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다. The functional group-containing monomer is preferably a hydroxyl group-containing monomer or a carboxyl group-containing monomer, and more preferably a hydroxyl group-containing monomer.

상기 아크릴계 중합체를 구성하는 관능기 함유 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of functional group-containing monomers constituting the acrylic polymer may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

상기 아크릴계 중합체에 있어서, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유량은, 구성 단위의 전체량에 대해, 1∼35질량％인 것이 바람직하고, 2∼32질량％인 것이 보다 바람직하며, 3∼30질량％인 것이 특히 바람직하다. The said acrylic polymer WHEREIN: It is preferable that content of the structural unit derived from a functional group containing monomer is 1-35 mass % with respect to the whole quantity of a structural unit, It is more preferable that it is 2-32 mass %, It is 3-30 mass % is particularly preferred.

상기 아크릴계 중합체는 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 및 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 다른 모노머 유래의 구성 단위를 갖고 있어도 된다. The said acrylic polymer may have the structural unit derived from another monomer other than the structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester, and the structural unit derived from a functional group containing monomer further.

상기 다른 모노머는 (메타)아크릴산알킬에스테르 등과 공중합 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. The other monomer is not particularly limited as long as it can be copolymerized with (meth)acrylic acid alkylester or the like.

상기 다른 모노머로는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다. As said other monomer, styrene, (alpha)-methylstyrene, vinyltoluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, acrylamide etc. are mentioned, for example.

상기 아크릴계 중합체를 구성하는 상기 다른 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the other monomers constituting the acrylic polymer may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

상기 아크릴계 중합체는 상술한 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)로서 사용할 수 있다. The acrylic polymer can be used as the above-mentioned non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a).

한편, 상기 아크릴계 중합체 중의 관능기에, 에너지선 중합성 불포화기(에너지선 중합성기)를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킨 것은, 상술한 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)로서 사용할 수 있다. On the other hand, what made the functional group in the said acrylic polymer react with the unsaturated-group containing compound which has an energy-beam polymerizable unsaturated group (energy-beam polymeric group) can be used as the above-mentioned energy-beam curable adhesive resin (I-2a).

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of adhesive resins (I-1a) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다. PSA composition (I-1) WHEREIN: It is preferable that the ratio of content of adhesive resin (I-1a) with respect to the gross mass of PSA composition (I-1) is 5-99 mass %, 10-95 mass % It is more preferable that it is, and it is especially preferable that it is 15-90 mass %.

[에너지선 경화성 화합물][Energy-ray-curable compound]

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다. As said energy-beam sclerosing|hardenable compound which adhesive composition (I-1) contains, it has an energy-beam polymerizable unsaturated group, and the monomer or oligomer which can be hardened|cured by irradiation of an energy-beam is mentioned.

에너지선 경화성 화합물 중, 모노머로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트; 폴리에스테르(메타)아크릴레이트; 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Among the energy ray-curable compounds, examples of the monomer include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth). polyvalent (meth)acrylates such as acrylate, 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate, and 1,6-hexanediol (meth)acrylate; urethane (meth)acrylate; polyester (meth)acrylate; polyether (meth)acrylate; Epoxy (meth)acrylate, etc. are mentioned.

에너지선 경화성 화합물 중, 올리고머로는, 예를 들면, 상기에서 예시한 모노머가 중합하여 이루어지는 올리고머 등을 들 수 있다. Among the energy ray-curable compounds, examples of the oligomer include an oligomer obtained by polymerization of the monomers exemplified above.

에너지선 경화성 화합물은 분자량이 비교적 크고, 점착제층의 저장 탄성률을 저하시키기 어렵다는 점에서는, 우레탄(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다. An energy ray-curable compound has a comparatively large molecular weight, and urethane (meth)acrylate and a urethane (meth)acrylate oligomer are preferable at the point that it is hard to reduce the storage elastic modulus of an adhesive layer.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. One type may be sufficient as the said energy-beam-curable compound contained in an adhesive composition (I-1), and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

상기 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량의 비율은, 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다. In the said adhesive composition (I-1), it is preferable that the ratio of content of the said energy-beam curable compound with respect to the gross mass of an adhesive composition (I-1) is 1-95 mass %, It is 5-90 mass % It is more preferable, and it is especially preferable that it is 10-85 mass %.

[가교제][crosslinking agent]

점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. As the adhesive resin (I-1a), when using the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylic acid ester, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is further It is preferable to contain a crosslinking agent.

상기 가교제는 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여, 점착성 수지(I-1a)끼리를 가교한다. The crosslinking agent reacts with, for example, the functional group to crosslink the adhesive resins (I-1a).

가교제로는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(이소시아눌산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다. As a crosslinking agent, For example, isocyanate type crosslinking agents (crosslinking agent which has an isocyanate group), such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, and the adduct body of these diisocyanate; Epoxy-based crosslinking agents (crosslinking agents having a glycidyl group) such as ethylene glycol glycidyl ether; aziridine-based crosslinking agents (crosslinking agents having an aziridinyl group) such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; metal chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelates (crosslinking agents having a metal chelate structure); isocyanurate-based crosslinking agent (crosslinking agent having isocyanuric acid skeleton); and the like.

점착제의 응집력을 향상시켜 점착제층의 점착력을 향상시키는 점, 및 입수가 용이한 등의 점에서, 가교제는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다. It is preferable that a crosslinking agent is an isocyanate type crosslinking agent from points, such as the point which improves the cohesion force of an adhesive and improves the adhesive force of an adhesive layer, and an acquisition is easy.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of crosslinking agents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the crosslinking agent is preferably from 0.01 to 50 parts by mass, more preferably from 0.1 to 20 parts by mass, and 0.3 to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a). It is especially preferable that it is -15 mass parts.

[광중합 개시제][Photoinitiator]

점착제 조성물(I-1)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-1)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may further contain a photoinitiator. Even if the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing a photoinitiator is irradiated with energy rays of relatively low energy such as ultraviolet rays, the curing reaction proceeds sufficiently.

상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설피드, 테트라메틸티우람모노설피드 등의 설피드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. Examples of the photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, benzoin dimethyl ketal, and the like. benzoin compounds; acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; azo compounds such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; peroxide compounds; diketone compounds such as diacetyl; benzyl; dibenzyl; benzophenone; 2,4-diethylthioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone; 2-chloroanthraquinone etc. are mentioned.

또한, 상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다. Moreover, as said photoinitiator, For example, Quinone compounds, such as 1-chloroanthraquinone; Photosensitizers, such as an amine, etc. can also be used.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of photoinitiators contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one, two or more, and in the case of two or more, these combinations and ratios can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-1)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) WHEREIN: It is preferable that content of a photoinitiator is 0.01-20 mass parts with respect to content 100 mass parts of the said energy-beam sclerosing|hardenable compound, It is more preferable that it is 0.03-10 mass parts, It is more preferable, 0.05-5 It is especially preferable that it is a mass part.

[그 밖의 첨가제][Other additives]

점착제 조성물(I-1)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The adhesive composition (I-1) may contain the other additive which does not correspond to any component mentioned above within the range which does not impair the effect of this invention.

상기 그 밖의 첨가제로는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전재(필러), 방청제, 착색제(안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제(촉매), 층간 이행 억제제 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다. Examples of the other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers (fillers), rust inhibitors, colorants (pigments, dyes), sensitizers, tackifiers, reaction retarders, crosslinking accelerators ( catalyst) and well-known additives, such as an interlayer migration inhibitor.

한편, 반응 지연제란, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1) 중에 혼입되어 있는 촉매의 작용에 의해, 보존 중의 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행하는 것을 억제하기 위한 성분이다. 반응 지연제로는, 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 1분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 들 수 있다. On the other hand, with a reaction retarder, crosslinking reaction which is not the objective progresses in the adhesive composition (I-1) in storage by the action|action of the catalyst mixed in the adhesive composition (I-1), for example. It is an ingredient to suppress. Examples of the reaction retardant include those that form a chelate complex by chelating with a catalyst, and more specifically, those having two or more carbonyl groups (-C(=O)-) in one molecule. can

또한, 층간 이행 억제제란, 예를 들면, 보호막 형성용 필름 등의, 점착제층에 인접하는 층에 함유되어 있는 성분이, 점착제층에 이행하는 것을 억제하기 위한 성분이다. 층간 이행 억제제로는, 이행 억제 대상과 동일한 성분을 들 수 있고, 예를 들면, 이행 억제 대상이 보호막 형성용 필름 중의 에폭시 수지인 경우에는, 동종의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. In addition, an interlayer migration inhibitor is a component for suppressing that the component contained in layers adjacent to an adhesive layer, such as a film for protective film formation, transfer to an adhesive layer, for example. As an interlayer migration inhibitory material, the component similar to the migration suppression object is mentioned, For example, when the migration suppression object is the epoxy resin in the film for protective film formation, the epoxy resin of the same kind can be used.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. One type may be sufficient as the other additive which adhesive composition (I-1) contains, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

점착제 조성물(I-1)의 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the other additive of an adhesive composition (I-1) is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably according to the kind.

[용매][menstruum]

점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있어도 된다. 점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있음으로써, 도공 대상면에 대한 도공 적성이 향상된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain a solvent. By containing the solvent, the adhesive composition (I-1) improves the coating aptitude with respect to the coating object surface.

상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 상기 유기 용매로는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 아세톤 등의 케톤; 초산에틸 등의 에스테르(카르복실산에스테르); 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르; 시클로헥산, n-헥산 등의 지방족 탄화수소; 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소; 1-프로판올, 2-프로판올 등의 알코올 등을 들 수 있다. It is preferable that the said solvent is an organic solvent, As said organic solvent, For example, ketones, such as methyl ethyl ketone and acetone; Esters, such as ethyl acetate (carboxylate ester); ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane and n-hexane; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Alcohol, such as 1-propanol and 2-propanol, etc. are mentioned.

상기 용매로는, 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)의 제조시에 사용한 것을 점착성 수지(I-1a)로부터 제거하지 않고, 그대로 점착제 조성물(I-1)에 있어서 사용해도 되고, 점착성 수지(I-1a)의 제조시에 사용한 것과 동일 또는 상이한 종류의 용매를 점착제 조성물(I-1)의 제조시에 별도 첨가해도 된다. As said solvent, for example, what was used at the time of manufacture of adhesive resin (I-1a) may be used in adhesive composition (I-1) as it is, without removing from adhesive resin (I-1a), and adhesive resin You may separately add a solvent of the same or different kind as that used at the time of manufacture of (I-1a) at the time of manufacture of adhesive composition (I-1).

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-1)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 된다. Content of the solvent of an adhesive composition (I-1) is not specifically limited, What is necessary is just to adjust suitably.

＜점착제 조성물(I-2)＞<Adhesive composition (I-2)>

상기 점착제 조성물(I-2)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)를 함유한다. As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) contains the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a).

[점착성 수지(I-2a)][Adhesive resin (I-2a)]

상기 점착성 수지(I-2a)는 예를 들면, 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기에 에너지선 중합성 불포화기를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다. The adhesive resin (I-2a) is obtained, for example, by reacting a functional group in the adhesive resin (I-1a) with an unsaturated group-containing compound having an energy ray polymerizable unsaturated group.

상기 불포화기 함유 화합물은 상기 에너지선 중합성 불포화기 이외에, 추가로 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지(I-1a)와 결합 가능한 기를 갖는 화합물이다. The unsaturated group-containing compound is a compound having a group capable of bonding to the adhesive resin (I-1a) by reacting with a functional group in the adhesive resin (I-1a) in addition to the energy ray polymerizable unsaturated group.

상기 에너지선 중합성 불포화기로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기(에테닐기), 알릴기(2-프로페닐기) 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다. As said energy-beam polymerizable unsaturated group, a (meth)acryloyl group, a vinyl group (ethenyl group), an allyl group (2-propenyl group) etc. are mentioned, for example, A (meth)acryloyl group is preferable. .

점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 결합 가능한 기로는, 예를 들면, 수산기 또는 아미노기와 결합 가능한 이소시아네이트기 및 글리시딜기, 그리고 카르복시기 또는 에폭시기와 결합 가능한 수산기 및 아미노기 등을 들 수 있다. Examples of the group capable of bonding with a functional group in the adhesive resin (I-1a) include an isocyanate group and a glycidyl group capable of bonding with a hydroxyl group or an amino group, and a hydroxyl group and an amino group capable of bonding with a carboxy group or an epoxy group.

상기 불포화기 함유 화합물로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. As said unsaturated group containing compound, (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, glycidyl (meth)acrylate etc. are mentioned, for example.

점착제 조성물(I-2)이 함유하는 점착성 수지(I-2a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. One type may be sufficient as the adhesive resin (I-2a) which adhesive composition (I-2) contains, and 2 or more types may be sufficient as it, and when 2 or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

점착제 조성물(I-2)에 있어서, 점착제 조성물(I-2)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼90질량％인 것이 특히 바람직하다. PSA composition (I-2) WHEREIN: It is preferable that the ratio of content of adhesive resin (I-2a) with respect to the gross mass of PSA composition (I-2) is 5-99 mass %, 10-95 mass % It is more preferable, and it is especially preferable that it is 10-90 mass %.

[가교제][crosslinking agent]

점착성 수지(I-2a)로서, 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)에 있어서의 것과 동일한, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2)은 추가로 가교제를 함유하고 있어도 된다. As the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a), for example, when using the acrylic polymer having the same structural units derived from a functional group-containing monomer as in the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a), the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may further contain a crosslinking agent.

점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다. As said crosslinking agent in an adhesive composition (I-2), the thing similar to the crosslinking agent in an adhesive composition (I-1) is mentioned.

점착제 조성물(I-2)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of crosslinking agents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 점착제 조성물(I-2)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다. In the said adhesive composition (I-2), it is preferable that content of a crosslinking agent is 0.01-50 mass parts with respect to content of 100 mass parts of adhesive resin (I-2a), It is more preferable that it is 0.1-20 mass parts, It is 0.3 It is especially preferable that it is -15 mass parts.

[광중합 개시제][Photoinitiator]

점착제 조성물(I-2)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-2)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may further contain a photoinitiator. Even if the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing a photoinitiator is irradiated with energy rays of relatively low energy such as ultraviolet rays, the curing reaction proceeds sufficiently.

점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다. As said photoinitiator in an adhesive composition (I-2), the thing similar to the photoinitiator in an adhesive composition (I-1) is mentioned.

점착제 조성물(I-2)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of photoinitiators which the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) contains may be one, two or more, and in the case of two or more, these combinations and ratios can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-2)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. PSA composition (I-2) WHEREIN: It is preferable that content of a photoinitiator is 0.01-20 mass parts with respect to content 100 mass parts of adhesive resin (I-2a), It is more preferable that it is 0.03-10 mass parts, 0.05 It is especially preferable that it is -5 mass parts.

[그 밖의 첨가제, 용매][Other additives, solvents]

점착제 조성물(I-2)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The adhesive composition (I-2) may contain the other additive which does not correspond to any component mentioned above within the range which does not impair the effect of this invention.

또한, 점착제 조성물(I-2)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. In addition, the adhesive composition (I-2) may contain the solvent for the same objective as the case of the adhesive composition (I-1).

점착제 조성물(I-2)에 있어서의, 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의, 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. As said other additive and solvent in an adhesive composition (I-2), the thing similar to the other additive and solvent in an adhesive composition (I-1) is mentioned, respectively, respectively.

점착제 조성물(I-2)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는, 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of other additives and solvents which the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) contains may each be one, two or more, and in the case of two or more, these combinations and ratios can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-2)의, 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은, 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the other additive and solvent of an adhesive composition (I-2) is not specifically limited, respectively, What is necessary is just to select suitably according to the kind.

＜점착제 조성물(I-3)＞<Adhesive composition (I-3)>

상기 점착제 조성물(I-3)은 상술한 바와 같이, 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유한다. As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) contains the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) and an energy ray-curable compound.

점착제 조성물(I-3)에 있어서, 점착제 조성물(I-3)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다. PSA composition (I-3) WHEREIN: It is preferable that the ratio of content of adhesive resin (I-2a) with respect to the gross mass of PSA composition (I-3) is 5-99 mass %, 10-95 mass % It is more preferable that it is, and it is especially preferable that it is 15-90 mass %.

[에너지선 경화성 화합물][Energy-ray-curable compound]

점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 및 올리고머를 들 수 있고, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물과 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include monomers and oligomers that have an energy-beam polymerizable unsaturated group and can be cured by irradiation with energy rays, and the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains The same thing as the energy-beam-curable compound mentioned above is mentioned.

점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. One type may be sufficient as the said energy-beam-curable compound contained in an adhesive composition (I-3), and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

상기 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼300질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼100질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of the energy ray-curable compound is preferably 0.01 to 300 parts by mass, more preferably 0.03 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-2a). It is preferable, and it is especially preferable that it is 0.05-100 mass parts.

[광중합 개시제][Photoinitiator]

점착제 조성물(I-3)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-3)은 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may further contain a photoinitiator. Even if the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing a photoinitiator is irradiated with energy rays of relatively low energy such as ultraviolet rays, the curing reaction proceeds sufficiently.

점착제 조성물(I-3)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다. As said photoinitiator in an adhesive composition (I-3), the thing similar to the photoinitiator in an adhesive composition (I-1) is mentioned.

점착제 조성물(I-3)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of photoinitiators which the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) contains may be one, two or more, and in the case of two or more, these combinations and ratios can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-3)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a) 및 상기 에너지선 경화성 화합물의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. PSA composition (I-3) WHEREIN: It is preferable that content of a photoinitiator is 0.01-20 mass parts with respect to 100 mass parts of total content of adhesive resin (I-2a) and the said energy-beam curable compound, and 0.03-10 mass It is more preferable that it is negative, and it is especially preferable that it is 0.05-5 mass parts.

[그 밖의 첨가제, 용매][Other additives, solvents]

점착제 조성물(I-3)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The adhesive composition (I-3) may contain the other additive which does not correspond to any component mentioned above in the range which does not impair the effect of this invention.

또한, 점착제 조성물(I-3)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. In addition, the adhesive composition (I-3) may contain the solvent for the same objective as the case of the adhesive composition (I-1).

점착제 조성물(I-3)에 있어서의, 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의, 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. As said other additive and solvent in an adhesive composition (I-3), the thing similar to the other additive and solvent in an adhesive composition (I-1) is mentioned, respectively, respectively.

점착제 조성물(I-3)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는, 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of other additives and solvents which the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) contains may each be one, two or more, and in the case of two or more, these combinations and ratios can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-3)의, 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은, 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the other additive and solvent of an adhesive composition (I-3) is not specifically limited, respectively, What is necessary is just to select suitably according to the kind.

＜점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물＞<Adhesive compositions other than the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3)>

지금까지는, 점착제 조성물(I-1), 점착제 조성물(I-2), 및 점착제 조성물(I-3)에 대해 주로 설명했으나, 이들의 함유 성분으로서 설명한 것은 이들 3종의 점착제 조성물 이외의 전반적인 점착제 조성물(본 명세서에 있어서는, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물」로 칭한다)에서도, 동일하게 사용할 수 있다. Up to now, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the pressure-sensitive adhesive composition (I-2), and the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) have been mainly described. However, what has been described as these contained components is an overall pressure-sensitive adhesive other than these three types of pressure-sensitive adhesive compositions. It can be used similarly also in a composition (in this specification, it is called "adhesive composition other than an adhesive composition (I-1) - (I-3)").

점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물로는, 에너지선 경화성 점착제 조성물 이외에, 비에너지선 경화성 점착제 조성물도 들 수 있다. As an adhesive composition other than adhesive composition (I-1) - (I-3), a non-energy-ray-curable adhesive composition is also mentioned other than energy-beam curable adhesive composition.

비에너지선 경화성 점착제 조성물로는, 예를 들면, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)를 함유하는 점착제 조성물(I-4)을 들 수 있고, 아크릴계 수지를 함유하는 것이 바람직하다. As the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition, for example, a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I The adhesive composition (I-4) containing -1a) is mentioned, It is preferable to contain an acrylic resin.

점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은 1종 또는 2종 이상의 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은 상술한 점착제 조성물(I-1) 등의 경우와 동일하게 할 수 있다. It is preferable that the pressure-sensitive adhesive compositions other than the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) contain one or two or more types of crosslinking agents, and the content thereof is the same as in the case of the above-described pressure-sensitive adhesive composition (I-1) and the like. can do.

＜점착제 조성물(I-4)＞<Adhesive composition (I-4)>

점착제 조성물(I-4)로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 상기 점착성 수지(I-1a)와, 가교제를 함유하는 것을 들 수 있다. As a preferable adhesive composition (I-4), the thing containing the said adhesive resin (I-1a) and a crosslinking agent is mentioned, for example.

[점착성 수지(I-1a)][Adhesive resin (I-1a)]

점착제 조성물(I-4)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)와 동일한 것을 들 수 있다. As adhesive resin (I-1a) in adhesive composition (I-4), the thing similar to adhesive resin (I-1a) in adhesive composition (I-1) is mentioned.

점착제 조성물(I-4)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of adhesive resins (I-1a) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-4)에 있어서, 점착제 조성물(I-4)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은, 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다. PSA composition (I-4) WHEREIN: It is preferable that the ratio of content of adhesive resin (I-1a) with respect to the gross mass of PSA composition (I-4) is 5-99 mass %, 10-95 mass % It is more preferable that it is, and it is especially preferable that it is 15-90 mass %.

[가교제][crosslinking agent]

점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 추가로 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴계 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-4)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. As the adhesive resin (I-1a), when using the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from the (meth)acrylic acid alkylester, the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) is further It is preferable to contain a crosslinking agent.

점착제 조성물(I-4)에 있어서의 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다. As a crosslinking agent in an adhesive composition (I-4), the thing similar to the crosslinking agent in an adhesive composition (I-1) is mentioned.

점착제 조성물(I-4)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of crosslinking agents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 점착제 조성물(I-4)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼47질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼44질량부인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), the content of the crosslinking agent is preferably from 0.01 to 50 parts by mass, more preferably from 0.1 to 47 parts by mass, and more preferably from 0.3 to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a). It is especially preferable that it is -44 mass parts.

[그 밖의 첨가제, 용매][Other additives, solvents]

점착제 조성물(I-4)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The adhesive composition (I-4) may contain the other additive which does not correspond to any component mentioned above within the range which does not impair the effect of this invention.

또한, 점착제 조성물(I-4)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. In addition, the adhesive composition (I-4) may contain the solvent for the same objective as the case of the adhesive composition (I-1).

점착제 조성물(I-4)에 있어서의, 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의, 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. As said other additive and solvent in an adhesive composition (I-4), the thing similar to the other additive and solvent in an adhesive composition (I-1) is mentioned, respectively, respectively.

점착제 조성물(I-4)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는, 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of other additives and solvents which the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) contains may each be one, two or more, and in the case of two or more, these combinations and ratios can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-4)의, 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은, 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the other additive and solvent of an adhesive composition (I-4) is not specifically limited, respectively, What is necessary is just to select suitably according to the kind.

후술하는 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성인 경우, 점착제층은 비에너지선 경화성인 것이 바람직하다. 이는 점착제층이 에너지선 경화성이면, 에너지선의 조사에 의해 보호막 형성용 필름을 경화시킬 때, 점착제층도 동시에 경화하는 것을 억제할 수 없는 경우가 있기 때문이다. 점착제층이 보호막 형성용 필름과 동시에 경화되면, 보호막 형성용 필름의 경화물 및 점착제층이 이들의 계면에 있어서 박리 불가능할 정도로 첩부되는 경우가 있다. 이 경우, 보호막 형성용 필름의 경화물, 즉 보호막을 이면에 구비한 반도체 칩(즉, 보호막이 형성된 반도체 칩)을, 점착제층의 경화물을 구비한 지지 시트로부터 박리시키는 것이 곤란해져, 보호막이 형성된 반도체 칩을 정상적으로 픽업할 수 없게 된다. 점착제층이 비에너지선 경화성이면, 이러한 문제를 확실히 회피할 수 있어, 보호막이 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다. When the film for protective film formation mentioned later is energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable that an adhesive layer is non-energy-ray-curable. This is because if an adhesive layer is energy-beam sclerosis|hardenability, when hardening the film for protective film formation by irradiation of an energy-beam, it may be unable to suppress that an adhesive layer also hardens simultaneously. When an adhesive layer hardens|cures simultaneously with the film for protective film formation, the hardened|cured material and adhesive layer of the film for protective film formation may stick to these interfaces to such an extent that peeling is impossible. In this case, it becomes difficult to peel the cured product of the film for forming a protective film, that is, a semiconductor chip having a protective film on the back surface (that is, a semiconductor chip provided with a protective film), from the support sheet provided with the cured product of the pressure-sensitive adhesive layer, and the protective film is The formed semiconductor chip cannot be picked up normally. If the pressure-sensitive adhesive layer is non-energy ray-curable, such a problem can be reliably avoided, and the semiconductor chip with the protective film can be picked up more easily.

여기서는, 점착제층이 비에너지선 경화성인 경우의 효과에 대해 설명했으나, 지지 시트의 보호막 형성용 필름과 직접 접촉하고 있는 층이 점착제층 이외의 층이어도, 이 층이 비에너지선 경화성이면, 동일한 효과를 나타낸다. Here, although the effect in the case where an adhesive layer is non-energy-ray-curable was demonstrated, even if the layer which is in direct contact with the film for protective film formation of a support sheet is a layer other than an adhesive layer, if this layer is non-energy-ray-curable, the same effect indicates

＜＜점착제 조성물의 제조 방법＞＞<<The manufacturing method of an adhesive composition>>

점착제 조성물(I-1)∼(I-3)이나, 점착제 조성물(I-4) 등의 점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은, 상기 점착제와, 필요에 따라 상기 점착제 이외의 성분 등의, 점착제 조성물을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. The pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) and pressure-sensitive adhesive compositions (I-4) other than the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) such as the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), It is obtained by mix|blending each component for comprising adhesive compositions, such as components other than the said adhesive.

각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다. The order of addition at the time of mixing|blending each component is not specifically limited, You may add 2 or more types of components simultaneously.

용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 어느 배합 성분과 혼합하고, 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외의 어느 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다. When using a solvent, you may use by mixing a solvent with any compounding component other than a solvent, and diluting this compounding component beforehand, without diluting any compounding component other than a solvent beforehand, a solvent is mixed with these compounding components. You may use by mixing with.

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다. The method of mixing each component at the time of mixing|blending is not specifically limited, The method of rotating a stirrer, a stirring blade, etc. and mixing; a method of mixing using a mixer; What is necessary is just to select suitably from well-known methods, such as a method of adding ultrasonic waves and mixing.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되나, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다. The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not specifically limited unless each compounding component deteriorates, What is necessary is just to adjust suitably, It is preferable that the temperature is 15-30 degreeC.

○배면 대전 방지층○Back antistatic layer

상기 배면 대전 방지층은 시트형 또는 필름형이며, 대전 방지제를 함유한다. The back antistatic layer is in the form of a sheet or a film, and contains an antistatic agent.

상기 배면 대전 방지층은 상기 대전 방지제 이외에, 수지를 함유하고 있어도 된다. The said back antistatic layer may contain resin other than the said antistatic agent.

배면 대전 방지층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The back antistatic layer may consist of one layer (single layer) or may consist of a plurality of layers of two or more layers. not limited

배면 대전 방지층의 두께는 200㎚ 이하인 것이 바람직하고, 180㎚ 이하인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 100㎚ 이하여도 된다. 두께가 200㎚ 이하인 배면 대전 방지층에 있어서는, 충분한 대전 방지능을 유지하면서, 대전 방지제의 사용량을 저감할 수 있기 때문에, 이러한 배면 대전 방지층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트의 비용을 저감할 수 있다. 또한, 배면 대전 방지층의 두께가 100㎚ 이하인 경우에는, 상술한 효과에 추가로, 배면 대전 방지층을 구비하고 있는 것에 의한, 보호막 형성용 복합 시트의 특성의 변동을 최소한으로 억제할 수 있다는 효과도 얻어진다. 상기 특성으로는, 예를 들면, 익스팬드성이나, 픽업 적성을 들 수 있다. It is preferable that it is 200 nm or less, and, as for the thickness of a back antistatic layer, it is more preferable that it is 180 nm or less, for example, 100 nm or less may be sufficient. In the back antistatic layer having a thickness of 200 nm or less, since the amount of the antistatic agent can be reduced while maintaining sufficient antistatic ability, the cost of the composite sheet for forming a protective film having such a back antistatic layer can be reduced. Moreover, when the thickness of the back antistatic layer is 100 nm or less, in addition to the above-mentioned effects, the effect that variations in the properties of the composite sheet for forming a protective film due to the provision of the back antistatic layer can be minimized is also obtained. lose As said characteristic, expandability and pick-up aptitude are mentioned, for example.

여기서, 「배면 대전 방지층의 두께」란, 배면 대전 방지층 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 배면 대전 방지층의 두께란, 배면 대전 방지층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다. Here, "the thickness of the back antistatic layer" means the thickness of the entire back antistatic layer, for example, the thickness of the back antistatic layer consisting of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the back antistatic layer. .

배면 대전 방지층의 두께는 10㎚ 이상인 것이 바람직하고, 예를 들면, 20㎚ 이상, 30㎚ 이상, 40㎚ 이상, 및 65㎚ 이상 중 어느 하나여도 된다. 두께가 상기 하한값 이상인 배면 대전 방지층은 형성이 보다 용이하며, 또한, 구조가 보다 안정적이다. It is preferable that the thickness of a back antistatic layer is 10 nm or more, for example, any one of 20 nm or more, 30 nm or more, 40 nm or more, and 65 nm or more may be sufficient. The back antistatic layer having a thickness equal to or greater than the lower limit is easier to form and has a more stable structure.

배면 대전 방지층의 두께는 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 배면 대전 방지층의 두께는 10∼200㎚인 것이 바람직하고, 예를 들면, 20㎚∼200㎚, 30∼200㎚, 40∼180㎚, 및 65∼100㎚ 중 어느 하나여도 된다. 단, 이들은 배면 대전 방지층의 두께의 일 예이다. The thickness of the back antistatic layer can be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-described preferred lower limit and upper limit values. For example, in one embodiment, the thickness of the back antistatic layer is preferably 10 to 200 nm, for example, 20 nm to 200 nm, 30 to 200 nm, 40 to 180 nm, and 65 to 100 nm. Any one of them may be sufficient. However, these are examples of the thickness of the back antistatic layer.

배면 대전 방지층은 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. The back antistatic layer may be transparent, may be opaque, and may be colored according to the objective.

예를 들면, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 배면 대전 방지층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. For example, when the film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable that a back antistatic layer permeate|transmits an energy-beam.

예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 배면 대전 방지층을 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 배면 대전 방지층은 투명인 것이 바람직하다. For example, in order to optically test|inspect the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation through a back antistatic layer, it is preferable that a back antistatic layer is transparent.

＜＜대전 방지 조성물(VI-1))＞＞<<Antistatic composition (VI-1))>>

배면 대전 방지층은 상기 대전 방지제를 함유하는 대전 방지 조성물(VI-1)을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 배면 대전 방지층의 형성 대상면에 대전 방지 조성물(VI-1)을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 배면 대전 방지층을 형성할 수 있다. 대전 방지 조성물(VI-1)에 있어서의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 배면 대전 방지층에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다. The back antistatic layer can be formed by using the antistatic composition (VI-1) containing the antistatic agent. For example, the back antistatic layer can be formed in the target site|part by coating the antistatic composition (VI-1) on the formation target surface of a back antistatic layer, and drying it as needed. In the antistatic composition (VI-1), the ratio of the content of the components that do not vaporize at normal temperature is usually the same as the ratio of the content of the components in the back antistatic layer.

배면 대전 방지층의 보다 구체적인 형성 방법은 다른 층의 형성 방법과 함께, 추후 상세하게 설명한다. A more specific method of forming the back antistatic layer will be described later in detail along with a method of forming other layers.

대전 방지 조성물(VI-1)의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 상술한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법이어도 된다. Coating of the antistatic composition (VI-1) may be performed by a well-known method, for example, the method similar to the case of the adhesive composition mentioned above may be sufficient.

기재 상에 배면 대전 방지층을 형성하는 경우에는, 예를 들면, 기재 상에 대전 방지 조성물(VI-1)을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 기재 상에 배면 대전 방지층을 적층하면 된다. 또한, 기재 상에 배면 대전 방지층을 형성하는 경우에는, 예를 들면, 박리 필름 상에 대전 방지 조성물(VI-1)을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 배면 대전 방지층을 형성해 두고, 이 배면 대전 방지층의 노출면을 기재의 한쪽 표면과 첩합함으로써, 기재 상에 배면 대전 방지층을 적층해도 된다. 이 경우의 박리 필름은 보호막 형성용 복합 시트의 제조 과정 또는 사용 과정 중 어느 타이밍에서 제거하면 된다. When forming a back antistatic layer on a base material, what is necessary is just to laminate|stack a back antistatic layer on a base material by coating, for example, antistatic composition (VI-1) on a base material, and drying as needed. In addition, when forming a back antistatic layer on a base material, for example, by coating an antistatic composition (VI-1) on a release film, and drying as needed, a back antistatic layer is formed on a release film, , You may laminate|stack a back antistatic layer on a base material by bonding the exposed surface of this back antistatic layer with one surface of a base material. What is necessary is just to remove the peeling film in this case at any timing in the manufacturing process or use process of the composite sheet for protective film formation.

대전 방지 조성물(VI-1)의 건조 조건은 특별히 한정되지 않으나, 대전 방지 조성물(VI-1)은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 그리고, 용매를 함유하는 대전 방지 조성물(VI-1)은 예를 들면, 40∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다. Although the drying conditions of the antistatic composition (VI-1) are not specifically limited, When the antistatic composition (VI-1) contains the solvent mentioned later, it is preferable to heat-dry. And, it is preferable to dry the antistatic composition (VI-1) containing a solvent under the conditions of 10 second - 5 minutes at 40-130 degreeC, for example.

대전 방지 조성물(VI-1)은 상기 대전 방지제 이외에, 상기 수지를 함유하고 있어도 된다. The antistatic composition (VI-1) may contain the said resin other than the said antistatic agent.

[대전 방지제][Antistatic Agent]

상기 대전 방지제는 도전성 화합물 등 공지의 것이어도 되고, 특별히 한정되지 않는다. 상기 대전 방지제는 예를 들면, 저분자 화합물 및 고분자 화합물(다시 말하면, 올리고머 또는 폴리머) 중 어느 것이어도 된다. The said antistatic agent may be a well-known thing, such as an electroconductive compound, and is not specifically limited. The antistatic agent may be, for example, any of a low-molecular compound and a high-molecular compound (that is, an oligomer or a polymer).

상기 대전 방지제 중, 저분자 화합물로는, 예를 들면, 각종 이온 액체를 들 수 있다. Among the said antistatic agents, various ionic liquids are mentioned as a low molecular compound, for example.

상기 이온 액체로는, 예를 들면, 피리미디늄염, 피리디늄염, 피페리디늄염, 피롤리디늄염, 이미다졸륨염, 모르폴리늄염, 설포늄염, 포스포늄염, 암모늄염 등 공지의 것을 들 수 있다. Examples of the ionic liquid include known pyrimidinium salts, pyridinium salts, piperidinium salts, pyrrolidinium salts, imidazolium salts, morpholinium salts, sulfonium salts, phosphonium salts, and ammonium salts. .

상기 대전 방지제 중, 고분자 화합물로는, 예를 들면, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌설포네이트(본 명세서에 있어서는, 「PEDOT/PSS」로 칭하는 경우가 있다), 폴리피롤, 카본 나노 튜브 등을 들 수 있다. 상기 폴리피롤은 복수개(다수)의 피롤 골격을 갖는 올리고머 또는 폴리머이다. Among the antistatic agents, examples of the high molecular compound include poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/polystyrenesulfonate (in this specification, it may be referred to as “PEDOT/PSS”), polypyrrole, carbon Nanotubes etc. are mentioned. The polypyrrole is an oligomer or polymer having a plurality of (plural) pyrrole skeletons.

대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 대전 방지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the antistatic agents contained in the antistatic composition (VI-1) may be one, two or more, and in the case of two or more types, these combinations and ratios can be selected arbitrarily.

대전 방지 조성물(VI-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 대전 방지제의 함유량의 비율(즉, 배면 대전 방지층에 있어서의, 배면 대전 방지층의 총 질량에 대한 대전 방지제의 함유량의 비율)은, 예를 들면, 0.1∼30질량％ 및 0.5∼15질량％ 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 보호막 형성용 복합 시트의 박리 대전의 억제 효과가 높아지고, 그 결과, 보호막 형성용 필름과 반도체 웨이퍼 사이의 이물 혼입의 억제 효과가 높아진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 배면 대전 방지층의 강도가 보다 높아진다. In the antistatic composition (VI-1), the ratio of the content of the antistatic agent to the total content of all components other than the solvent (that is, the content of the antistatic agent with respect to the total mass of the rear antistatic layer in the rear antistatic layer) ratio) may be, for example, any one of 0.1-30 mass % and 0.5-15 mass %. When the said ratio is more than the said lower limit, the inhibitory effect of peeling electrification of the composite sheet for protective film formation becomes high, As a result, the inhibitory effect of foreign material mixing between the film for protective film formation and a semiconductor wafer becomes high. When the said ratio is below the said upper limit, the intensity|strength of a back antistatic layer becomes higher.

[수지][Suzy]

대전 방지 조성물(VI-1) 및 배면 대전 방지층이 함유하는 상기 수지는, 경화성 및 비경화성 중 어느 것이어도 되고, 경화성인 경우, 에너지선 경화성 및 열경화성 중 어느 것이어도 된다. The resin contained in the antistatic composition (VI-1) and the back antistatic layer may be either curable or non-curable.

바람직한 상기 수지로는, 예를 들면, 바인더 수지로서 기능하는 것을 들 수 있다. Preferred examples of the resin include those functioning as binder resins.

상기 수지로서, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 아크릴계 수지 등을 들 수 있고, 에너지선 경화성 아크릴계 수지인 것이 바람직하다. More specifically as said resin, an acrylic resin etc. are mentioned, for example, It is preferable that it is an energy-beam curable acrylic resin.

대전 방지 조성물(VI-1) 및 배면 대전 방지층에 있어서의 상기 아크릴계 수지로는, 예를 들면, 상기 점착제층에 있어서의 아크릴계 수지와 동일한 것을 들 수 있다. 대전 방지 조성물(VI-1) 및 배면 대전 방지층에 있어서의 상기 에너지선 경화성 아크릴계 수지로는, 예를 들면, 상기 점착제층에 있어서의 점착성 수지(I-2a)와 동일한 것을 들 수 있다. As said antistatic composition (VI-1) and the said acrylic resin in a back antistatic layer, the thing similar to the acrylic resin in the said adhesive layer is mentioned, for example. Examples of the antistatic composition (VI-1) and the energy ray-curable acrylic resin in the back antistatic layer include the same as those in the adhesive resin (I-2a) in the pressure-sensitive adhesive layer.

대전 방지 조성물(VI-1) 및 배면 대전 방지층이 함유하는 상기 수지는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. One type may be sufficient as the said resin contained in antistatic composition (VI-1) and a back antistatic layer, and 2 or more types may be sufficient, and when 2 or more types, these combinations and ratio can be selected arbitrarily.

대전 방지 조성물(VI-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 수지의 함유량의 비율(즉, 배면 대전 방지층에 있어서의, 배면 대전 방지층의 총 질량에 대한 상기 수지의 함유량의 비율)은, 예를 들면, 30∼99.9질량％, 35∼98질량％, 60∼98질량％, 및 85∼98질량％ 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 배면 대전 방지층의 강도가 보다 높아진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 대전 방지층의 대전 방지제의 함유량을 보다 많게 하는 것이 가능해진다. In the antistatic composition (VI-1), the ratio of the content of the resin to the total content of all components other than the solvent (that is, in the rear antistatic layer, the content of the resin with respect to the total mass of the rear antistatic layer ratio) may be, for example, any one of 30-99.9 mass %, 35-98 mass %, 60-98 mass %, and 85-98 mass %. When the said ratio is more than the said lower limit, the intensity|strength of a back antistatic layer becomes higher. When the said ratio is below the said upper limit, it becomes possible to increase content of the antistatic agent of an antistatic layer more.

[에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제][Energy-ray-curable compound, photoinitiator]

대전 방지 조성물(VI-1)은 에너지선 경화성의 상기 수지를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 화합물을 함유하고 있어도 된다. When the antistatic composition (VI-1) contains the energy-beam curable resin, it may contain an energy-beam curable compound.

또한, 대전 방지 조성물(VI-1)은 에너지선 경화성의 상기 수지를 함유하는 경우, 상기 수지의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. Moreover, in order to advance the polymerization reaction of the said resin efficiently, when it contains the said resin of energy-beam curability, the antistatic composition (VI-1) may contain the photoinitiator.

대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물 및 광중합 개시제로는, 예를 들면, 각각, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물 및 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the energy ray-curable compound and the photopolymerization initiator contained in the antistatic composition (VI-1) include the same as the energy ray-curable compound and the photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), respectively. there is.

대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물 및 광중합 개시제는, 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The energy ray-curable compound and the photoinitiator contained in the antistatic composition (VI-1) may each be one type, two or more types, and in the case of two or more types, these combinations and ratios can be arbitrarily selected.

대전 방지 조성물(VI-1)의, 에너지선 경화성 화합물 및 광중합 개시제의 함유량은, 각각, 특별히 한정되지 않고, 상기 수지, 에너지선 경화성 화합물, 또는 광중합 개시제의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. The content of the energy ray-curable compound and the photoinitiator in the antistatic composition (VI-1) is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type of the resin, the energy ray curable compound, or the photoinitiator.

[그 밖의 첨가제, 용매][Other additives, solvents]

대전 방지 조성물(VI-1)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The antistatic composition (VI-1) may contain other additives which do not correspond to any of the components described above within the range that does not impair the effects of the present invention.

또한, 대전 방지 조성물(VI-1)은 상술한 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. In addition, the antistatic composition (VI-1) may contain a solvent for the same objective as the case of the above-mentioned adhesive composition (I-1).

대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 상술한 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제(단, 대전 방지제를 제외한다) 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 또한, 대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 상기 그 밖의 첨가제로는, 상기의 것 이외에도, 유화제도 들 수 있다. 또한, 대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 용매로는, 상기의 것 이외에도, 에탄올 등의 다른 알코올; 2-메톡시에탄올(에틸렌글리콜모노메틸에테르), 2-에톡시에탄올(에틸렌글리콜모노에틸에테르), 1-메톡시-2-프로판올(프로필렌글리콜모노메틸에테르) 등의 알콕시알코올 등도 들 수 있다. The other additives and solvents contained in the antistatic composition (VI-1) are the same as the other additives (except for the antistatic agent) and solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), respectively. thing can be heard Moreover, as said other additive which the antistatic composition (VI-1) contains, an emulsifier is mentioned besides the above. Examples of the solvent contained in the antistatic composition (VI-1) include other alcohols such as ethanol; Alkoxy alcohols, such as 2-methoxyethanol (ethylene glycol monomethyl ether), 2-ethoxy ethanol (ethylene glycol monoethyl ether), and 1-methoxy-2- propanol (propylene glycol monomethyl ether), etc. are mentioned.

대전 방지 조성물(VI-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는, 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of other additives and solvents contained in the antistatic composition (VI-1) may each be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

대전 방지 조성물(VI-1)의, 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은, 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the other additive and solvent of antistatic composition (VI-1) is not specifically limited, respectively, What is necessary is just to select suitably according to the kind.

＜＜대전 방지 조성물(VI-1)의 제조 방법＞＞<<Method for Producing Antistatic Composition (VI-1)>>

대전 방지 조성물(VI-1)은 상기 대전 방지제와, 필요에 따라 상기 대전 방지제 이외의 성분 등의, 대전 방지 조성물(VI-1)을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. Antistatic composition (VI-1) is obtained by mix|blending each component for constituting antistatic composition (VI-1), such as components other than the said antistatic agent, as needed with the said antistatic agent.

대전 방지 조성물(VI-1)은 배합 성분이 상이한 점 이외에는, 상술한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다. The antistatic composition (VI-1) can be prepared in the same manner as in the case of the above-described pressure-sensitive adhesive composition, except that the components are different.

○대전 방지성 기재○Antistatic-related mention

상기 대전 방지성 기재는 시트형 또는 필름형이며, 대전 방지성을 갖고, 추가로 상기 기재와 동일한 기능도 갖는다. The antistatic base material is in the form of a sheet or a film, has antistatic properties, and further has the same function as the base material.

상기 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 대전 방지성 기재는 앞서 설명한 기재와 배면 대전 방지층의 적층물과 동일한 기능을 갖고, 이 적층물 대신에 배치할 수 있다. In the composite sheet for forming a protective film, the antistatic substrate has the same function as the laminate of the above-described substrate and the back antistatic layer, and may be disposed instead of the laminate.

대전 방지성 기재는 대전 방지제 및 수지를 함유하고, 예를 들면, 추가로 대전 방지제를 함유하는 점 이외에는, 앞서 설명한 기재와 동일해도 된다. The antistatic base material may contain an antistatic agent and a resin, and may be the same as the base material described above, except that, for example, it further contains an antistatic agent.

대전 방지성 기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The antistatic base material may consist of one layer (single layer) or may consist of multiple layers of two or more layers, and in the case of multiple layers, these multiple layers may be the same or different from each other, It is not particularly limited.

대전 방지성 기재의 두께는 예를 들면, 앞서 설명한 기재의 두께와 동일해도 된다. 대전 방지성 기재의 두께가 이러한 범위임으로써, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 가요성과, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 대한 첩부성이 보다 향상된다. The thickness of the antistatic substrate may be, for example, the same as the thickness of the substrate described above. When the thickness of an antistatic base material is such a range, the flexibility of the said composite sheet for protective film formation, and the sticking property with respect to a semiconductor wafer or a semiconductor chip improve more.

여기서, 「대전 방지성 기재의 두께」란, 대전 방지성 기재 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 대전 방지성 기재의 두께란, 대전 방지성 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다. Here, "thickness of antistatic base material" means the thickness of the whole antistatic base material, For example, the thickness of the antistatic base material which consists of multiple layers is the sum total of all the layers which comprise an antistatic base material. means thickness.

대전 방지성 기재는 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. The antistatic base material may be transparent, may be opaque, and may be colored according to the objective.

예를 들면, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 배면 대전 방지층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. For example, when the film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable that a back antistatic layer permeate|transmits an energy-beam.

예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 대전 방지성 기재를 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 대전 방지성 기재는 투명인 것이 바람직하다. For example, in order to optically test|inspect the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation through an antistatic base material, it is preferable that an antistatic base material is transparent.

대전 방지성 기재는 그 위에 형성되는 층(예를 들면, 점착제층, 중간층, 또는 보호막 형성용 필름)과의 접착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 등이 표면에 실시되어 있어도 된다. 또한, 대전 방지성 기재는 표면이 프라이머 처리되어 있어도 된다. In order to improve the adhesiveness with the layer (for example, an adhesive layer, an intermediate|middle layer, or a protective film formation film) formed thereon, an antistatic base material is uneven|corrugated by sand blasting process, a solvent process, etc.; oxidation treatment such as corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, and hot air treatment; etc. may be given to the surface. In addition, the surface of the antistatic base material may be primed.

＜＜대전 방지 조성물(VI-2))＞＞<<Antistatic composition (VI-2))>>

대전 방지성 기재는 예를 들면, 상기 대전 방지제 및 수지를 함유하는 대전 방지 조성물(VI-2)을 성형함으로써 제조할 수 있다. 대전 방지 조성물(VI-2)에 있어서의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 대전 방지성 기재에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다. The antistatic base material can be produced, for example, by molding the antistatic composition (VI-2) containing the antistatic agent and the resin. In antistatic composition (VI-2), the ratio of content of components which do not vaporize at normal temperature becomes the same as the ratio of content of the said components in an antistatic base material normally in antistatic base material.

대전 방지 조성물(VI-2)의 성형은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 상기 기재의 제조시에 있어서, 상기 수지 조성물을 성형하는 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다. Molding of the antistatic composition (VI-2) may be performed by a known method, for example, in the production of the above-mentioned base material, it can be performed in the same manner as in the case of molding the above-mentioned resin composition.

[대전 방지제][Antistatic Agent]

대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 대전 방지제로는, 상기 배면 대전 방지층이 함유하는 대전 방지제와 동일한 것을 들 수 있다. As an antistatic agent contained in antistatic composition (VI-2), the thing similar to the antistatic agent contained in the said back antistatic layer is mentioned.

대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 대전 방지제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the antistatic agents contained in the antistatic composition (VI-2) may be one, two or more, and in the case of two or more types, these combinations and ratios can be selected arbitrarily.

대전 방지 조성물(VI-2) 및 대전 방지성 기재에 있어서, 상기 대전 방지제 및 수지의 합계 함유량에 대한, 상기 대전 방지제의 함유량의 비율은, 7.5질량％ 이상인 것이 바람직하고, 8.5질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 보호막 형성용 복합 시트의 박리 대전의 억제 효과가 높아지고, 그 결과, 보호막 형성용 필름과 반도체 웨이퍼 사이의 이물 혼입의 억제 효과가 높아진다. In the antistatic composition (VI-2) and the antistatic base material, the ratio of the content of the antistatic agent to the total content of the antistatic agent and the resin is preferably 7.5% by mass or more, and more preferably 8.5% by mass or more. desirable. When the said ratio is more than the said lower limit, the inhibitory effect of peeling electrification of the composite sheet for protective film formation becomes high, As a result, the inhibitory effect of foreign material mixing between the film for protective film formation and a semiconductor wafer becomes high.

대전 방지 조성물(VI-2) 및 대전 방지성 기재에 있어서, 상기 대전 방지제 및 수지의 합계 함유량에 대한, 상기 대전 방지제의 함유량의 비율의 상한값은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 대전 방지제의 상용성이 보다 양호해지는 점에서는, 상기 비율은 20질량％ 이하인 것이 바람직하다. In the antistatic composition (VI-2) and the antistatic base material, the upper limit of the ratio of the content of the antistatic agent to the total content of the antistatic agent and the resin is not particularly limited. For example, it is preferable that the said ratio is 20 mass % or less at the point from which the compatibility of an antistatic agent becomes more favorable.

상기 대전 방지제의 함유량의 비율은 상술한 바람직한 하한값 및 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 상기 비율은 7.5∼20질량％인 것이 바람직하고, 8.5∼20질량％인 것이 보다 바람직하다. 단, 이들은 상기 비율의 일 예이다. The ratio of content of the said antistatic agent can be suitably adjusted within the range set by combining the preferable lower limit and upper limit mentioned above arbitrarily. For example, in one Embodiment, it is preferable that it is 7.5-20 mass %, and, as for the said ratio, it is more preferable that it is 8.5-20 mass %. However, these are an example of the said ratio.

[수지][Suzy]

대전 방지 조성물(VI-2) 및 대전 방지성 기재가 함유하는 수지로는, 상기 기재가 함유하는 수지와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the resin contained in the antistatic composition (VI-2) and the antistatic base material include the same resins as those contained in the base material.

대전 방지 조성물(VI-2) 및 대전 방지성 기재가 함유하는 상기 수지는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the said resins contained in the antistatic composition (VI-2) and the antistatic base material may be one, or two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and ratio can be selected arbitrarily.

대전 방지 조성물(VI-2)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 수지의 함유량의 비율(즉, 대전 방지성 기재에 있어서의, 대전 방지성 기재의 총 질량에 대한 상기 수지의 함유량의 비율)은, 30∼99.9질량％인 것이 바람직하고, 35∼98질량％인 것이 보다 바람직하며, 60∼98질량％인 것이 더욱 바람직하고, 85∼98질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 대전 방지성 기재의 강도가 보다 높아진다. 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 대전 방지성 기재의 대전 방지제의 함유량을 보다 많게 하는 것이 가능해진다. In the antistatic composition (VI-2), the ratio of the content of the resin to the total content of all components other than the solvent (that is, in the antistatic substrate, the amount of the resin relative to the total mass of the antistatic substrate It is preferable that it is 30-99.9 mass %, and, as for ratio of content), it is more preferable that it is 35-98 mass %, It is still more preferable that it is 60-98 mass %, It is especially preferable that it is 85-98 mass %. When the said ratio is more than the said lower limit, the intensity|strength of an antistatic base material becomes higher. When the said ratio is below the said upper limit, it becomes possible to increase content of the antistatic agent of an antistatic base material more.

[광중합 개시제][Photoinitiator]

대전 방지 조성물(VI-2)은 에너지선 경화성의 상기 수지를 함유하는 경우, 상기 수지의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. Antistatic composition (VI-2) may contain the photoinitiator in order to advance the polymerization reaction of the said resin efficiently when it contains the said resin of energy-beam curability.

대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다. As said photoinitiator which antistatic composition (VI-2) contains, the thing similar to the photoinitiator which adhesive composition (I-1) contains is mentioned, for example.

대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of photoinitiators contained in the antistatic composition (VI-2) may be one, two or more types may be sufficient, and when 2 or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

대전 방지 조성물(VI-2)의 광중합 개시제의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 상기 수지 또는 광중합 개시제의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the photoinitiator of antistatic composition (VI-2) is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably according to the kind of said resin or photoinitiator.

[첨가제, 용매][Additives, solvents]

대전 방지 조성물(VI-2)은 상기 대전 방지제, 수지, 및 광중합 개시제 이외에, 이들의 어느 것에도 해당하지 않는, 충전재, 착색제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The antistatic composition (VI-2) is a filler, colorant, antioxidant, organic lubricant, catalyst, softener (plasticizer), etc., which does not correspond to any of these, in addition to the antistatic agent, resin, and photopolymerization initiator. You may contain an additive.

대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 상기 첨가제로는, 상술한 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제(단, 대전 방지제를 제외한다)와 동일한 것을 들 수 있다. As said additive which antistatic composition (VI-2) contains, the thing similar to the other additive (however, antistatic agent is excluded) which the above-mentioned adhesive composition (I-1) contains is mentioned.

또한, 대전 방지 조성물(VI-2)은 그 유동성을 향상시키기 위해, 용매를 함유하고 있어도 된다. Moreover, in order to improve the fluidity|liquidity of the antistatic composition (VI-2), you may contain the solvent.

대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 상기 용매로는, 상술한 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 용매와 동일한 것을 들 수 있다. As said solvent contained in antistatic composition (VI-2), the thing similar to the solvent contained in the adhesive composition (I-1) mentioned above is mentioned.

대전 방지 조성물(VI-2)이 함유하는 대전 방지제 및 수지는, 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of each antistatic agent and the resin contained in the antistatic composition (VI-2) may be one, two or more, and in the case of two or more, these combinations and ratios can be arbitrarily selected.

대전 방지 조성물(VI-2)의, 첨가제 및 용매의 함유량은, 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. The content of the additive and the solvent of the antistatic composition (VI-2) is not particularly limited, respectively, and may be appropriately selected according to the type.

＜＜대전 방지 조성물(VI-2)의 제조 방법＞＞<<Method for Producing Antistatic Composition (VI-2)>>

대전 방지 조성물(VI-2)은 상기 대전 방지제와, 상기 수지와, 필요에 따라 이들 이외의 성분 등의, 대전 방지 조성물(VI-2)을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. Antistatic composition (VI-2) is obtained by mix|blending the said antistatic agent, the said resin, and each component for constituting the antistatic composition (VI-2), such as components other than these as needed.

대전 방지 조성물(VI-2)은 배합 성분이 상이한 점 이외에는, 상술한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다. The antistatic composition (VI-2) can be prepared in the same manner as in the case of the above-described pressure-sensitive adhesive composition, except that the components are different.

○표면 대전 방지층○Surface antistatic layer

상기 표면 대전 방지층은 보호막 형성용 복합 시트에 있어서의 그 배치 위치가 상기 배면 대전 방지층과는 상이하나, 그 구성 자체는 상기 배면 대전 방지층과 동일하다. 예를 들면, 표면 대전 방지층은 대전 방지 조성물(VI-1)을 사용하여, 앞서 설명한 배면 대전 방지층의 형성 방법과 동일한 방법으로 형성할 수 있다. 이에, 표면 대전 방지층의 상세한 설명은 생략한다. Although the said surface antistatic layer differs from the said back surface antistatic layer in the arrangement position in the composite sheet for protective film formation, the structure itself is the same as the said back surface antistatic layer. For example, the surface antistatic layer can be formed using the antistatic composition (VI-1) in the same manner as the method for forming the rear antistatic layer described above. Accordingly, a detailed description of the surface antistatic layer is omitted.

보호막 형성용 복합 시트가 표면 대전 방지층 및 배면 대전 방지층을 함께 구비하고 있는 경우, 이들 표면 대전 방지층 및 배면 대전 방지층은 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다. When the composite sheet for protective film formation is equipped with both a surface antistatic layer and a back antistatic layer, these surface antistatic layer and back antistatic layer may mutually be same or different.

◎중간층◎Middle floor

상기 중간층은 시트형 또는 필름형이다. The intermediate layer is in the form of a sheet or a film.

앞서 설명한 바와 같이, 바람직한 중간층으로는, 한쪽 면이 박리 처리되어 있는 박리성 개선층을 들 수 있다. 상기 박리성 개선층으로는, 예를 들면, 수지층과, 상기 수지층 상에 형성된 박리 처리층을 구비하여 구성된, 복수층으로 이루어지는 것을 들 수 있다. 보호막 형성용 복합 시트 중에서, 박리성 개선층은 그 박리 처리층이 보호막 형성용 필름측을 향해 배치되어 있다. As mentioned above, as a preferable intermediate|middle layer, the peelability improvement layer by which the peeling process was carried out on one side is mentioned. As said peelability improvement layer, what consists of multiple layers provided with the resin layer and the peeling process layer formed on the said resin layer, for example is mentioned. In the composite sheet for protective film formation, as for the peelability improvement layer, the peeling process layer is arrange|positioned toward the film side for protective film formation.

박리성 개선층 중, 상기 수지층은 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제작할 수 있다. Among the peelability improvement layers, the resin layer can be produced by molding a resin composition containing a resin.

그리고, 박리성 개선층은 상기 수지층의 한쪽 면을 박리 처리함으로써 제조할 수 있다. And the peelability improvement layer can be manufactured by peeling processing one side of the said resin layer.

상기 수지층의 박리 처리는, 예를 들면, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 또는 왁스계 등의 공지의 각종 박리제에 의해 행할 수 있다. The peeling process of the said resin layer can be performed with well-known various peeling agents, such as an alkyd type, a silicone type, a fluorine type, an unsaturated polyester type, a polyolefin type, or a wax type, for example.

상기 박리제는 내열성을 갖는 점에서는, 알키드계, 실리콘계, 또는 불소계 박리제인 것이 바람직하다. It is preferable that the said releasing agent is an alkyd type, silicone type, or a fluorine type releasing agent from the point which has heat resistance.

상기 수지층의 구성 재료인 수지는 목적에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. Resin which is a constituent material of the said resin layer may just select suitably according to the objective, and is not specifically limited.

상기 수지로 바람직한 것으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP) 등을 들 수 있다. Preferred examples of the resin include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polybutylene terephthalate (PBT), polyethylene (PE), and polypropylene (PP).

상기 중간층은 박리성 개선층인지 여부에 상관없이, 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 중간층이 박리성 개선층인 경우에는, 상기 수지층과, 상기 박리 처리층은 모두, 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. The intermediate layer may be composed of one layer (single layer), may be composed of two or more layers, or may be composed of multiple layers, regardless of whether the intermediate layer is a peelability-improving layer or not. and the combination of these multiple layers is not particularly limited. For example, when an intermediate|middle layer is a peelability improvement layer, the said resin layer and the said peeling process layer may consist of one layer (single layer), and may consist of two or more layers of multiple layers.

중간층의 두께는 그 종류에 따라 적절히 조절하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. The thickness of the intermediate layer may be appropriately adjusted according to the type thereof, and is not particularly limited.

예를 들면, 박리성 개선층의 두께(수지층 및 박리 처리층의 합계 두께)는, 10∼2000㎚인 것이 바람직하고, 25∼1500㎚인 것이 보다 바람직하며, 50∼1200㎚인 것이 특히 바람직하다. 박리성 개선층의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 박리성 개선층의 작용이 보다 현저해져, 추가로 박리성 개선층의 절단 등의 파손을 억제하는 효과가 보다 높아진다. 박리성 개선층의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 후술하는 보호막이 형성된 반도체 칩 또는 보호막 형성용 필름이 형성된 반도체 칩의 픽업시, 이들 칩을 밀어올리는 힘이 이들 칩에 전달되기 쉬워져, 픽업을 보다 용이하게 행할 수 있다. For example, it is preferable that the thickness (total thickness of a resin layer and a peeling process layer) of a peelability improvement layer is 10-2000 nm, It is more preferable that it is 25-1500 nm, It is especially preferable that it is 50-1200 nm do. When the thickness of a peelability improvement layer is more than the said lower limit, the effect|action of a peelability improvement layer becomes more remarkable, and the effect which suppresses breakage, such as cutting|disconnection of a peelability improvement layer, further becomes higher. When the thickness of the peelability improvement layer is below the upper limit, when picking up a semiconductor chip with a protective film or a semiconductor chip on which a film for forming a protective film, which will be described later, is picked up, the force pushing up these chips is easily transmitted to these chips, and the pickup is This can be done more easily.

중간층은 투명해도 되고, 불투명해도 되며, 목적에 따라 착색되어 있어도 된다. An intermediate|middle layer may be transparent, may be opaque, and may be colored according to the objective.

예를 들면, 보호막 형성용 필름이 에너지선 경화성을 갖는 경우에는, 중간층은 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다. For example, when the film for protective film formation has energy-beam sclerosis|hardenability, it is preferable that an intermediate|middle layer permeate|transmits an energy-beam.

예를 들면, 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 중간층을 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서는, 중간층은 투명인 것이 바람직하다. For example, in order to test|inspect the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation optically through an intermediate|middle layer, it is preferable that an intermediate|middle layer is transparent.

◎보호막 형성용 필름◎Film for forming a protective film

상기 보호막 형성용 필름은 경화에 의해 보호막이 된다. 이 보호막은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩의 이면(다시 말하면, 전극 형성면과는 반대측 면)을 보호하기 위한 것이다. 보호막 형성용 필름은 연질이며, 첩부 대상물에 용이하게 첩부할 수 있다. The said film for forming a protective film becomes a protective film by hardening. This protective film is for protecting the back surface (that is, the surface opposite to the electrode formation surface) of a semiconductor wafer or a semiconductor chip. The film for protective film formation is soft and can be affixed to a sticking target object easily.

본 명세서에 있어서, 「보호막 형성용 필름」이란 경화 전의 것을 의미하고, 「보호막」이란, 보호막 형성용 필름을 경화시킨 것을 의미한다. In this specification, a "film for protective film formation" means the thing before hardening, and a "protective film" means what hardened the film for protective film formation.

또한, 본 명세서에 있어서, 보호막 형성용 필름이 경화한 후에도, 지지 시트 및 보호막 형성용 필름의 경화물(다시 말하면, 지지 시트 및 보호막)의 적층 구조가 유지되고 있는 한, 이 적층 구조체를 「보호막 형성용 복합 시트」로 칭한다. In the present specification, even after the film for forming a protective film is cured, as long as the laminate structure of the support sheet and the cured product of the film for forming a protective film (that is, the support sheet and the protective film) is maintained, this laminated structure is referred to as a “protective film”. Formation composite sheet".

상기 보호막 형성용 필름은 예를 들면, 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 하나여도 되고, 열경화성 및 에너지선 경화성의 양쪽의 특성을 갖고 있어도 되며, 열경화성 및 에너지선 경화성의 양쪽의 특성을 갖지 않아도 된다. 보호막 형성용 필름이 경화성을 갖지 않는 경우에는, 후술하는 바와 같은, 보호막 형성용 필름에 의한, 보호막 형성용 복합 시트의 반도체 웨이퍼에 대한 첩부가 완료된 단계에서, 보호막 형성용 필름으로부터의 보호막의 형성이 완료된 것으로 간주한다. The film for forming a protective film may be, for example, any one of thermosetting and energy ray curability, may have both thermosetting and energy ray curable properties, and may not have both thermosetting and energy ray curable properties. When the film for protective film formation does not have sclerosis|hardenability, the formation of a protective film from the film for protective film formation is completed in the stage which pasting to the semiconductor wafer of the composite sheet for protective film formation by the film for protective film formation as mentioned later is completed. considered completed.

보호막 형성용 필름은 그 경화성의 유무, 그리고, 경화성인 경우에는, 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것인지에 상관없이, 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 보호막 형성용 필름이 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다. The film for forming a protective film may be composed of one layer (single layer) or may be composed of a plurality of layers of two or more layers, regardless of the presence or absence of curability and, in the case of curability, either thermosetting or energy ray curability. When the film for protective film formation consists of multiple layers, these multiple layers may mutually be same or different, and the combination of these multiple layers is not specifically limited.

보호막 형성용 필름의 두께는 보호막 형성용 필름의 경화성의 유무, 그리고, 경화성인 경우에는, 보호막 형성용 필름이 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것인지에 상관없이, 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 3∼80㎛인 것이 보다 바람직하며, 5∼60㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 보호능이 보다 높은 보호막을 형성할 수 있다. 또한, 보호막 형성용 필름의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 과잉 두께가 되는 것을 피할 수 있다. The thickness of the film for forming a protective film is preferably 1 to 100 µm, regardless of the presence or absence of curability of the film for forming a protective film, and, in the case of curability, whether the film for forming a protective film is thermosetting or energy ray curable, 3 to It is more preferable that it is 80 micrometers, and it is especially preferable that it is 5-60 micrometers. When the thickness of the film for protective film formation is more than the said lower limit, a protective film with a higher protective ability can be formed. Moreover, when the thickness of the film for protective film formation is below the said upper limit, it can avoid becoming excess thickness.

여기서, 「보호막 형성용 필름의 두께」란, 보호막 형성용 필름 전체의 두께를 의미하며, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 보호막 형성용 필름의 두께란, 보호막 형성용 필름을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다. Here, the "thickness of the film for protective film formation" means the thickness of the whole film for protective film formation, For example, the thickness of the film for protective film formation which consists of multiple layers is the sum total of all the layers which comprise the film for protective film formation. means thickness.

＜＜보호막 형성용 조성물＞＞<<The composition for forming a protective film>>

보호막 형성용 필름은 그 구성 재료를 함유하는 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 보호막 형성용 필름은 그 형성 대상면에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 보호막 형성용 조성물에 있어서의, 상온에서 기화하지 않는 성분끼리의 함유량의 비율은 통상, 보호막 형성용 필름에 있어서의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일해진다. The film for protective film formation can be formed using the composition for protective film formation containing the constituent material. For example, the film for protective film formation can be formed by coating the composition for protective film formation on the formation target surface, and drying it as needed. The ratio of content of components which do not vaporize at normal temperature in the composition for protective film formation becomes the same as the ratio of content of the said components in the film for protective film formation normally.

열경화성 보호막 형성용 필름은 열경화성 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있고, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 한편, 본 명세서에 있어서는, 보호막 형성용 필름이 열경화성 및 에너지선 경화성의 양쪽의 특성을 갖는 경우, 보호막의 형성에 대해, 보호막 형성용 필름의 열경화의 기여가 에너지선 경화의 기여보다 큰 경우에는, 보호막 형성용 필름을 열경화성인 것으로 취급한다. 반대로, 보호막의 형성에 대해, 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화의 기여가 열경화의 기여보다 큰 경우에는, 보호막 형성용 필름을 에너지선 경화성인 것으로 취급한다. The film for forming a thermosetting protective film may be formed using the composition for forming a thermosetting protective film, and the film for forming an energy ray-curable protective film may be formed using the composition for forming an energy ray-curable protective film. On the other hand, in the present specification, when the film for forming a protective film has both properties of thermosetting and energy ray curing, with respect to the formation of the protective film, the contribution of the thermal curing of the film for forming a protective film is greater than the contribution of the energy ray curing. , treats the film for forming a protective film as thermosetting. Conversely, with respect to formation of a protective film, when contribution of energy-beam hardening of the film for protective film formation is larger than contribution of thermosetting, the film for protective film formation is handled as energy-beam sclerosis|hardenability.

보호막 형성용 조성물의 도공은 예를 들면, 상술한 점착제 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다. Coating of the composition for protective film formation can be performed by the method similar to the case of coating of the above-mentioned adhesive composition, for example.

보호막 형성용 조성물의 건조 조건은 보호막 형성용 필름의 경화성의 유무, 그리고, 경화성인 경우에는, 보호막 형성용 필름이 열경화성 및 에너지선 경화성 중 어느 것인지에 상관없이, 특별히 한정되지 않는다. 단, 보호막 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 그리고, 용매를 함유하는 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건에서, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. 단, 열경화성 보호막 형성용 조성물은 이 조성물 자체와, 이 조성물로부터 형성된 열경화성 보호막 형성용 필름이 열경화하지 않도록, 가열 건조시키는 것이 바람직하다. The drying conditions of the composition for forming a protective film are not particularly limited, regardless of the presence or absence of curability of the film for forming a protective film, and in the case of curability, whether the film for forming a protective film is thermosetting or energy ray curable. However, when the composition for protective film formation contains the solvent mentioned later, it is preferable to heat-dry. And it is preferable to heat-dry the composition for protective film formation containing a solvent on conditions for 10 second - 5 minutes at 70-130 degreeC, for example. However, it is preferable to heat-dry the composition for thermosetting protective film formation so that this composition itself and the film for thermosetting protective film formation formed from this composition may not thermoset.

이하, 열경화성 보호막 형성용 필름 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 대해, 순차 설명한다. Hereinafter, the film for thermosetting protective film formation and the film for energy ray-curable protective film formation are demonstrated one by one.

○열경화성 보호막 형성용 필름○Film for thermosetting protective film formation

열경화성 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부하고, 열경화시켜, 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한, 특별히 한정되지 않고, 열경화성 보호막 형성용 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다. The curing conditions at the time of affixing and thermosetting the film for forming a thermosetting protective film on the back surface of a semiconductor wafer to form a protective film are not particularly limited, as long as the degree of curing is such that the protective film sufficiently exhibits its function. Thermosetting protective film What is necessary is just to select suitably according to the kind of film for formation.

예를 들면, 열경화성 보호막 형성용 필름의 열경화시의 가열 온도는, 100∼200℃인 것이 바람직하고, 110∼180℃인 것이 보다 바람직하며, 120∼170℃인 것이 특히 바람직하다. 그리고, 상기 열경화시의 가열 시간은 0.5∼5시간인 것이 바람직하고, 0.5∼3시간인 것이 보다 바람직하며, 1∼2시간인 것이 특히 바람직하다. For example, it is preferable that it is 100-200 degreeC, as for the heating temperature at the time of thermosetting of the film for thermosetting protective film formation, it is more preferable that it is 110-180 degreeC, It is especially preferable that it is 120-170 degreeC. And, it is preferable that it is 0.5 to 5 hours, and, as for the heating time at the time of the said thermosetting, it is more preferable that it is 0.5 to 3 hours, It is especially preferable that it is 1-2 hours.

바람직한 열경화성 보호막 형성용 필름으로는, 예를 들면, 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하는 것을 들 수 있다. 중합체 성분(A)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 간주할 수 있는 성분이다. 또한, 열경화성 성분(B)은 열을 반응의 트리거로 하여, 경화(중합) 반응할 수 있는 성분이다. 한편, 본 명세서에 있어서 중합 반응에는, 중축합 반응도 포함된다. As a preferable film for thermosetting protective film formation, the thing containing a polymer component (A) and a thermosetting component (B) is mentioned, for example. The polymer component (A) is a component that can be considered to be formed by a polymerization reaction of a polymerizable compound. In addition, the thermosetting component (B) is a component which can make hardening (polymerization) reaction by making heat|fever as a trigger of reaction. In addition, in this specification, a polycondensation reaction is also included in a polymerization reaction.

＜열경화성 보호막 형성용 조성물(III-1)＞<Composition for thermosetting protective film formation (III-1)>

바람직한 열경화성 보호막 형성용 조성물로는, 예를 들면, 상기 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유하는 열경화성 보호막 형성용 조성물(III-1)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「조성물(III-1)」로 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. Preferred compositions for forming a thermosetting protective film include, for example, the composition (III-1) for forming a thermosetting protective film containing the polymer component (A) and the thermosetting component (B) (in this specification, simply “composition (III-) 1)" may be abbreviated), and the like.

[중합체 성분(A)][Polymer component (A)]

중합체 성분(A)은 열경화성 보호막 형성용 필름에 조막성이나 가요성 등을 부여하기 위한 성분이다. A polymer component (A) is a component for providing film formability, flexibility, etc. to the film for thermosetting protective film formation.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 중합체 성분(A)은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of polymer components (A) which the composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation contain may be one, or two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and ratio can be selected arbitrarily.

중합체 성분(A)으로는, 예를 들면, 아크릴계 수지, 폴리에스테르, 우레탄계 수지, 아크릴우레탄 수지, 실리콘계 수지, 고무계 수지, 페녹시 수지, 열경화성 폴리이미드 등을 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다. Examples of the polymer component (A) include acrylic resins, polyesters, urethane resins, acrylic urethane resins, silicone resins, rubber resins, phenoxy resins, and thermosetting polyimides, and acrylic resins are preferred.

중합체 성분(A)에 있어서의 상기 아크릴계 수지로는, 공지의 아크릴 중합체를 들 수 있다. As said acrylic resin in a polymer component (A), a well-known acrylic polymer is mentioned.

아크릴계 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 상기 하한값 이상임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 형상 안정성(보관시의 경시 안정성)이 향상된다. 또한, 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량이 상기 상한값 이하임으로써, 피착체의 요철면에 열경화성 보호막 형성용 필름이 추종하기 쉬워져, 피착체와 열경화성 보호막 형성용 필름 사이에 보이드 등의 발생이 보다 억제된다. It is preferable that it is 10000-2000000, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of acrylic resin, it is more preferable that it is 100000-1500000. When the weight average molecular weight of acrylic resin is more than the said lower limit, the shape stability (temporal stability at the time of storage) of the film for thermosetting protective film formation improves. In addition, when the weight average molecular weight of the acrylic resin is less than or equal to the upper limit, the film for forming a thermosetting protective film on the uneven surface of the adherend easily follows, and the occurrence of voids between the adherend and the film for forming a thermosetting protective film is more suppressed. .

한편, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다. In addition, in this specification, unless otherwise indicated, a "weight average molecular weight" is a polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

아크릴계 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -60∼70℃인 것이 바람직하고, -30∼50℃인 것이 보다 바람직하다. 아크릴계 수지의 Tg가 상기 하한값 이상임으로써, 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 경화물과 지지 시트의 접착력이 억제되어, 지지 시트의 박리성이 적절히 향상된다. 또한, 아크릴계 수지의 Tg가 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름 및 그 경화물의 피착체와의 접착력이 향상된다. It is preferable that it is -60-70 degreeC, and, as for the glass transition temperature (Tg) of acrylic resin, it is more preferable that it is -30-50 degreeC. When Tg of acrylic resin is more than the said lower limit, the adhesive force of the hardened|cured material of the film for protective film formation, and a support sheet is suppressed, for example, and the peelability of a support sheet improves suitably. Moreover, when Tg of acrylic resin is below the said upper limit, the adhesive force with the to-be-adhered body of the film for thermosetting protective film formation and its hardened|cured material improves.

아크릴계 수지로는, 예를 들면, 1종 또는 2종 이상의 (메타)아크릴산에스테르의 중합체; (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 2종 이상의 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. As acrylic resin, For example, the polymer of 1 type, or 2 or more types of (meth)acrylic acid ester; and copolymers of two or more monomers selected from (meth)acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, and N-methylolacrylamide.

한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하며, 예를 들면, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이며, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이다. In addition, in this specification, let "(meth)acrylic acid" be a concept including both "acrylic acid" and "methacrylic acid." The same applies to terms similar to (meth)acrylic acid. For example, "(meth)acryloyl group" is a concept including both "acryloyl group" and "methacryloyl group", and "(meth) An acrylate" is a concept including both an "acrylate" and a "methacrylate".

아크릴계 수지를 구성하는 상기 (메타)아크릴산에스테르로는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴) 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18의 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르; As the (meth)acrylic acid ester constituting the acrylic resin, for example, (meth)methyl acrylate, (meth)ethyl acrylate, (meth)acrylic acid n-propyl, (meth)acrylic acid isopropyl, (meth)acrylic acid n -Butyl, (meth) acrylate isobutyl, (meth) acrylate sec-butyl, (meth) acrylate tert-butyl, (meth) acrylate pentyl, (meth) acrylate hexyl, (meth) acrylate heptyl, (meth) acrylic acid 2- Ethylhexyl, (meth)acrylic acid isooctyl, (meth)acrylic acid n-octyl, (meth)acrylic acid n-nonyl, (meth)acrylic acid isononyl, (meth)acrylic acid decyl, (meth)acrylic acid undecyl, (meth) Dodecyl acrylate ((meth) acrylate lauryl), (meth) acrylic acid tridecyl, (meth) acrylic acid tetradecyl ((meth) acrylate myristyl), (meth) acrylic acid pentadecyl, (meth) acrylate hexadecyl ((meth) acrylate The alkyl group constituting the alkyl ester, such as palmityl acrylate), heptadecyl (meth)acrylate, and octadecyl (meth)acrylate (stearyl (meth)acrylate) has a chain structure having 1 to 18 carbon atoms (meth) ) acrylic acid alkyl ester;

(메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르; (meth)acrylic acid cycloalkyl esters, such as (meth)acrylic acid isobornyl and (meth)acrylic acid dicyclopentanyl;

(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르; (meth)acrylic acid aralkyl esters, such as (meth)acrylic acid benzyl;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르; (meth)acrylic acid cycloalkenyl esters, such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyl ester;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르; (meth)acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyloxyethyl ester;

(메타)아크릴산이미드; (meth)acrylic acid imide;

(메타)아크릴산글리시딜 등의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르; glycidyl group-containing (meth)acrylic acid esters such as (meth)acrylic acid glycidyl;

(메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르; (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxybutyl, (meth)acrylate ) hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid esters such as 3-hydroxybutyl acrylic acid and 4-hydroxybutyl (meth)acrylic acid;

(메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등의 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기를 의미한다. Substituted amino group containing (meth)acrylic acid ester, such as (meth)acrylic-acid N-methylaminoethyl, etc. are mentioned. Here, the "substituted amino group" means a group in which one or two hydrogen atoms of the amino group are substituted with groups other than hydrogen atoms.

아크릴계 수지는 예를 들면, 상기 (메타)아크릴산에스테르 이외에, (메타)아크릴산, 이타콘산, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌, 및 N-메틸올아크릴아미드 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 모노머가 공중합하여 이루어지는 것 이어도 된다. The acrylic resin is, for example, in addition to the (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, and N-methylolacrylamide one or more monomers selected from the group consisting of What is formed by copolymerization may be sufficient.

아크릴계 수지를 구성하는 모노머는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of monomers constituting the acrylic resin may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

아크릴계 수지는 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 다른 화합물과 결합 가능한 관능기를 갖고 있어도 된다. 아크릴계 수지의 상기 관능기는 후술하는 가교제(F)를 개재하여 다른 화합물과 결합해도 되고, 가교제(F)를 개재하지 않고 다른 화합물과 직접 결합하고 있어도 된다. 아크릴계 수지가 상기 관능기에 의해 다른 화합물과 결합함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상되는 경향이 있다. Acrylic resin may have a functional group which can couple|bond with other compounds, such as a vinyl group, a (meth)acryloyl group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxy group, and an isocyanate group. The said functional group of an acrylic resin may couple|bond with another compound through the crosslinking agent (F) mentioned later, and may couple|bond with another compound directly without interposing a crosslinking agent (F). When the acrylic resin is bonded to another compound by the functional group, the reliability of the package obtained by using the composite sheet for forming a protective film tends to be improved.

본 발명에 있어서는, 중합체 성분(A)으로서, 아크릴계 수지 이외의 열가소성 수지(이하, 단순히 「열가소성 수지」로 약기하는 경우가 있다)를, 아크릴계 수지를 사용하지 않고 단독으로 사용해도 되고, 아크릴계 수지와 병용해도 된다. 상기 열가소성 수지를 사용함으로써, 수지막의 지지 시트로부터의 박리성이 향상되거나, 피착체의 요철면에 열경화성 보호막 형성용 필름이 추종하기 쉬워져, 피착체와 열경화성 보호막 형성용 필름 사이에 보이드 등의 발생이 보다 억제될 수 있다. In the present invention, as the polymer component (A), a thermoplastic resin other than the acrylic resin (hereinafter, it may simply be abbreviated as "thermoplastic resin") may be used alone without using the acrylic resin, and the acrylic resin and You may use it together. By using the above-mentioned thermoplastic resin, the releasability of the resin film from the supporting sheet is improved, the film for forming a thermosetting protective film tends to follow the uneven surface of the adherend, and voids or the like are generated between the adherend and the film for forming a thermosetting protective film. This can be further suppressed.

상기 열가소성 수지의 중량 평균 분자량은 1000∼100000인 것이 바람직하고, 3000∼80000인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is 1000-100000, and, as for the weight average molecular weight of the said thermoplastic resin, it is more preferable that it is 3000-80000.

상기 열가소성 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -30∼150℃인 것이 바람직하고, -20∼120℃인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is -30-150 degreeC, and, as for the glass transition temperature (Tg) of the said thermoplastic resin, it is more preferable that it is -20-120 degreeC.

상기 열가소성 수지로는, 예를 들면, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다. Examples of the thermoplastic resin include polyester, polyurethane, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 열가소성 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the thermoplastic resins contained in the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의, 열경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 중합체 성분(A)의 함유량의 비율)은, 중합체 성분(A)의 종류에 상관없이, 5∼85질량％인 것이 바람직하고, 5∼80질량％인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 5∼65질량％, 5∼50질량％, 및 5∼35질량％ 중 어느 하나여도 된다. In the composition (III-1), the ratio of the content of the polymer component (A) to the total content of all components other than the solvent (that is, in the film for forming a thermosetting protective film, the total mass of the film for forming a thermosetting protective film Regardless of the kind of polymer component (A), as for the ratio of content of a polymer component (A), it is preferable that it is 5-85 mass %, It is more preferable that it is 5-80 mass %, For example, 5-80 mass % Any one of 65 mass %, 5-50 mass %, and 5-35 mass % may be sufficient.

중합체 성분(A)은 열경화성 성분(B)에도 해당하는 경우가 있다. 본 발명에 있어서는, 조성물(III-1)이 이러한 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 양쪽에 해당하는 성분을 함유하는 경우, 조성물(III-1)은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)을 함유한다고 간주한다. A polymer component (A) may correspond also to a thermosetting component (B). In the present invention, when the composition (III-1) contains components corresponding to both the polymer component (A) and the thermosetting component (B), the composition (III-1) is the polymer component (A) and the thermosetting component (B) is considered to contain.

[열경화성 성분(B)][thermosetting component (B)]

열경화성 성분(B)은 열경화성 보호막 형성용 필름을 경화시키기 위한 성분이다. A thermosetting component (B) is a component for hardening the film for thermosetting protective film formation.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 열경화성 성분(B)은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the thermosetting component (B) which the composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation contain may be 1 type, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and ratio can be selected arbitrarily.

열경화성 성분(B)으로는, 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 열경화성 폴리이미드, 폴리우레탄, 불포화 폴리에스테르, 실리콘 수지 등을 들 수 있고, 에폭시계 열경화성 수지가 바람직하다. As a thermosetting component (B), an epoxy type thermosetting resin, a thermosetting polyimide, a polyurethane, unsaturated polyester, a silicone resin etc. are mentioned, for example, An epoxy type thermosetting resin is preferable.

(에폭시계 열경화성 수지)(epoxy thermosetting resin)

에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)로 이루어진다. The epoxy-based thermosetting resin is composed of an epoxy resin (B1) and a thermosetting agent (B2).

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of epoxy-based thermosetting resins contained in the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

·에폭시 수지(B1)・Epoxy resin (B1)

에폭시 수지(B1)로는, 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르 및 그 수첨물, 오쏘크레졸 노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다. A well-known thing is mentioned as an epoxy resin (B1), For example, polyfunctional epoxy resin, a biphenyl compound, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated product, orthocresol novolac epoxy resin, dicyclopenta Bifunctional or more than bifunctional epoxy compounds, such as a diene-type epoxy resin, a biphenyl-type epoxy resin, a bisphenol A-type epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, and a phenylene skeleton-type epoxy resin, are mentioned.

에폭시 수지(B1)로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴계 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 수지막이 형성된 반도체 칩의 신뢰성이 향상된다. As the epoxy resin (B1), an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used. The epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin than the epoxy resin which does not have an unsaturated hydrocarbon group. For this reason, the reliability of the semiconductor chip with the resin film obtained using the composite sheet for protective film formation improves by using the epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group.

불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지의 에폭시기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 변환되어 이루어지는 화합물을 들 수 있다. 이러한 화합물은 예를 들면, 에폭시기에 (메타)아크릴산 또는 그 유도체를 부가 반응시킴으로써 얻어진다. As an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound formed by conversion into the group which has an unsaturated hydrocarbon group in a part of the epoxy group of a polyfunctional epoxy resin is mentioned, for example. Such a compound is obtained, for example, by addition-reacting (meth)acrylic acid or its derivative(s) to an epoxy group.

또한, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지로는, 예를 들면, 에폭시 수지를 구성하는 방향 고리 등에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합한 화합물 등을 들 수 있다. Moreover, as an epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group, the compound etc. which the group which has an unsaturated hydrocarbon group directly couple|bonded with the aromatic ring which comprises an epoxy resin etc. are mentioned, for example.

불포화 탄화수소기는 중합성을 갖는 불포화기이며, 그 구체적인 예로는, 에테닐기(비닐기), 2-프로페닐기(알릴기), (메타)아크릴로일기, (메타)아크릴아미드 기 등을 들 수 있고, 아크릴로일기가 바람직하다. The unsaturated hydrocarbon group is an unsaturated group having polymerizability, and specific examples thereof include an ethenyl group (vinyl group), 2-propenyl group (allyl group), (meth)acryloyl group, (meth)acrylamide group, etc. , an acryloyl group is preferable.

에폭시 수지(B1)의 수평균 분자량은 특별히 한정되지 않으나, 열경화성 보호막 형성용 필름의 경화성과, 경화 후의 수지막의 강도 및 내열성의 점에서, 300∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하며, 300∼3000인 것이 특히 바람직하다. Although the number average molecular weight of the epoxy resin (B1) is not particularly limited, from the viewpoint of curability of the film for forming a thermosetting protective film and the strength and heat resistance of the resin film after curing, it is preferably 300 to 30000, more preferably 300 to 10000 And it is especially preferable that it is 300-3000.

에폭시 수지(B1)의 에폭시 당량은 100∼1000g/eq인 것이 바람직하고, 150∼950g/eq인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is 100-1000 g/eq, and, as for the epoxy equivalent of an epoxy resin (B1), it is more preferable that it is 150-950 g/eq.

에폭시 수지(B1)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. An epoxy resin (B1) may be used individually by 1 type, may use 2 or more types together, and when using 2 or more types together, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

·열경화제(B2)· Thermosetting agent (B2)

열경화제(B2)는 에폭시 수지(B1)에 대한 경화제로서 기능한다. The thermosetting agent (B2) functions as a curing agent for the epoxy resin (B1).

열경화제(B2)로는, 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는, 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하며, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다. As a thermosetting agent (B2), the compound which has two or more functional groups which can react with an epoxy group in 1 molecule is mentioned, for example. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and a group in which an acid group is anhydrideized, and a phenolic hydroxyl group, an amino group, or a group in which an acid group is anhydrideized is preferable, and phenol It is more preferable that they are a sexual hydroxyl group or an amino group.

열경화제(B2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다. Among the thermosetting agents (B2), examples of the phenolic curing agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolac-type phenolic resins, dicyclopentadiene-type phenolic resins, aralkyl-type phenolic resins, and the like. can be heard

열경화제(B2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는, 예를 들면, 디시안디아미드 등을 들 수 있다. Among the thermosetting agents (B2), examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide.

열경화제(B2)는 불포화 탄화수소기를 갖고 있어도 된다. The thermosetting agent (B2) may have an unsaturated hydrocarbon group.

불포화 탄화수소기를 갖는 열경화제(B2)로는, 예를 들면, 페놀 수지의 수산기의 일부가 불포화 탄화수소기를 갖는 기로 치환되어 이루어지는 화합물, 페놀 수지의 방향 고리에 불포화 탄화수소기를 갖는 기가 직접 결합하여 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다. As the thermosetting agent (B2) having an unsaturated hydrocarbon group, for example, a compound in which a part of the hydroxyl group of the phenol resin is substituted with a group having an unsaturated hydrocarbon group, a compound in which a group having an unsaturated hydrocarbon group is directly bonded to the aromatic ring of the phenol resin, etc. can be heard

열경화제(B2)에 있어서의 상기 불포화 탄화수소기는 상술한 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지에 있어서의 불포화 탄화수소기와 동일한 것이다. The said unsaturated hydrocarbon group in a thermosetting agent (B2) is the same thing as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin which has the above-mentioned unsaturated hydrocarbon group.

열경화제(B2)로서 페놀계 경화제를 사용하는 경우에는, 보호막의 지지 시트로부터의 박리성이 향상되는 점에서, 열경화제(B2)는 연화점 또는 유리 전이 온도가 높은 것이 바람직하다. When using a phenolic hardening|curing agent as a thermosetting agent (B2), it is preferable that the softening point or glass transition temperature of a thermosetting agent (B2) is high at the point which the peelability of a protective film from the support sheet improves.

열경화제(B2) 중, 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등의 수지 성분의 수평균 분자량은, 300∼30000인 것이 바람직하고, 400∼10000인 것이 보다 바람직하며, 500∼3000인 것이 특히 바람직하다. Among the thermosetting agents (B2), for example, the number average molecular weight of a resin component such as a polyfunctional phenol resin, a novolak type phenol resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, and an aralkyl type phenol resin is preferably 300 to 30000. And, it is more preferable that it is 400-10000, and it is especially preferable that it is 500-3000.

열경화제(B2) 중, 예를 들면, 비페놀, 디시안디아미드 등의 비수지 성분의 분자량은, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 60∼500인 것이 바람직하다. Although the molecular weight of non-resin components, such as a biphenol and dicyandiamide, among thermosetting agents (B2) is not specifically limited, For example, it is preferable that it is 60-500.

열경화제(B2)는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. A thermosetting agent (B2) may be used individually by 1 type, may use 2 or more types together, and when using 2 or more types together, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 열경화제(B2)의 함유량은 에폭시 수지(B1)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1∼100질량부, 1∼50질량부, 1∼25질량부, 및 1∼10질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(B2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 흡습률이 저감되어, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. Composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film WHEREIN: It is preferable that content of a thermosetting agent (B2) is 0.1-500 mass parts with respect to content 100 mass parts of epoxy resin (B1), It is 1-200 mass parts It is more preferable, for example, any one of 1-100 mass parts, 1-50 mass parts, 1-25 mass parts, and 1-10 mass parts may be sufficient. When the said content of a thermosetting agent (B2) is more than the said lower limit, hardening of the film for thermosetting protective film formation advances more easily. When the said content of a thermosetting agent (B2) is below the said upper limit, the moisture absorption of the film for thermosetting protective film formation is reduced, and the reliability of the package obtained using the composite sheet for protective film formation improves more.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 열경화성 성분(B)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(B1) 및 열경화제(B2)의 총 함유량)은, 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해, 20∼500질량부인 것이 바람직하고, 25∼300질량부인 것이 보다 바람직하며, 30∼150질량부인 것이 더욱 바람직하고, 예를 들면, 35∼100질량부 및 40∼80질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화성 성분(B)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 예를 들면, 보호막 형성용 필름의 경화물과 지지 시트의 접착력이 억제되어, 지지 시트의 박리성이 향상된다. In the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film, the content of the thermosetting component (B) (for example, the total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2)) is the polymer component (A) It is preferable that it is 20-500 mass parts with respect to 100 mass parts of content, It is more preferable that it is 25-300 mass parts, It is still more preferable that it is 30-150 mass parts, For example, 35-100 mass parts and 40-80 mass Any one of the parts may be sufficient. When the said content of a thermosetting component (B) is such a range, the adhesive force of the hardened|cured material of the film for protective film formation, and a support sheet is suppressed, for example, and the peelability of a support sheet improves.

[경화 촉진제(C)][curing accelerator (C)]

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 경화 촉진제(C)를 함유하고 있어도 된다. 경화 촉진제(C)는 조성물(III-1)의 경화 속도를 조정하기 위한 성분이다. The composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation may contain the hardening accelerator (C). The curing accelerator (C) is a component for adjusting the curing rate of the composition (III-1).

바람직한 경화 촉진제(C)로는, 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기 기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다. Preferable examples of the curing accelerator (C) include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5 -imidazoles such as hydroxymethylimidazole (imidazole in which one or more hydrogen atoms are substituted with groups other than hydrogen atoms); organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine and triphenylphosphine (phosphine in which at least one hydrogen atom is substituted with an organic group); Tetraphenyl boron salts, such as tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate and a triphenyl phosphine tetraphenyl borate, etc. are mentioned.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 경화 촉진제(C)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of curing accelerators (C) contained in the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

경화 촉진제(C)를 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 경화 촉진제(C)의 함유량은 열경화성 성분(B)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼7질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(C)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(C)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 경화 촉진제(C)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성 경화 촉진제(C)가 고온·고습도 조건하에서 열경화성 보호막 형성용 필름 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아진다. 그 결과, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩의 신뢰성이 보다 향상된다. When using a hardening accelerator (C), composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation WHEREIN: Content of a hardening accelerator (C) is 0.01-10 mass with respect to content of 100 mass parts of thermosetting component (B). It is preferable that it is negative, and it is more preferable that it is 0.1-7 mass parts. When the said content of a hardening accelerator (C) is more than the said lower limit, the effect by using a hardening accelerator (C) is acquired more remarkably. When the content of the curing accelerator (C) is below the above upper limit, for example, the high polar curing accelerator (C) moves to the adhesive interface side with the adherend and segregates in the film for forming a thermosetting protective film under high temperature and high humidity conditions. inhibitory effect is increased. As a result, the reliability of the semiconductor chip with a protective film obtained using the composite sheet for protective film formation improves more.

[충전재(D)][Filling material (D)]

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 충전재(D)를 함유하고 있어도 된다. 열경화성 보호막 형성용 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름을 경화하여 얻어진 보호막은 열팽창 계수의 조정이 용이해지고, 이 열팽창 계수를 보호막의 형성 대상물에 대해 최적화함으로써, 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 열경화성 보호막 형성용 필름이 충전재(D)를 함유함으로써, 보호막의 흡습률을 저감하거나, 방열성을 향상시킬 수도 있다. The composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation may contain the filler (D). When the film for forming a thermosetting protective film contains the filler (D), the protective film obtained by curing the film for forming a thermosetting protective film is easy to adjust the thermal expansion coefficient, and by optimizing this coefficient of thermal expansion for the object to be formed of the protective film, the composite for forming a protective film The reliability of the semiconductor chip with the protective film obtained using the sheet|seat improves more. Moreover, when the film for thermosetting protective film formation contains a filler (D), the moisture absorption of a protective film can be reduced or heat dissipation can also be improved.

충전재(D)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되나, 무기 충전재인 것이 바람직하다. Although any of an organic filler and an inorganic filler may be sufficient as a filler (D), it is preferable that it is an inorganic filler.

바람직한 무기 충전재로는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다. Preferable inorganic fillers include, for example, powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide, and boron nitride; beads obtained by spheroidizing these inorganic fillers; surface-modified products of these inorganic fillers; single crystal fibers of these inorganic fillers; Glass fiber etc. are mentioned.

이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하고, 실리카인 것이 보다 바람직하다. Among these, it is preferable that it is a silica or an alumina, and, as for an inorganic filler, it is more preferable that it is a silica.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 충전재(D)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of fillers (D) which the composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation contain may be one, or two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한, 충전재(D)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의, 열경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 충전재(D)의 함유량의 비율)은, 5∼80질량％인 것이 바람직하고, 10∼70질량％인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 20∼65질량％, 30∼65질량％, 및 40∼65질량％ 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 보호막의 열팽창 계수의 조정이 보다 용이해진다. In the composition (III-1), the ratio of the content of the filler (D) to the total content of all components other than the solvent (that is, in the film for forming a thermosetting protective film, the total mass of the film for forming a thermosetting protective film It is preferable that it is 5-80 mass %, and, as for the ratio of content of a filler (D), it is more preferable that it is 10-70 mass %, For example, 20-65 mass %, 30-65 mass %, and 40 Any one of -65 mass % may be sufficient. When the said ratio is such a range, adjustment of the thermal expansion coefficient of the said protective film becomes easier.

[커플링제(E)][Coupling agent (E)]

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 커플링제(E)를 함유하고 있어도 된다. 커플링제(E)로서, 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는 것을 사용함으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 피착체에 대한 접착성 및 밀착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 커플링제(E)를 사용함으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 경화물은 내열성을 저해하지 않고, 내수성이 향상된다. Composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation may contain the coupling agent (E). By using as a coupling agent (E) what has a functional group which can react with an inorganic compound or an organic compound, the adhesiveness and adhesiveness with respect to the to-be-adhered body of the film for thermosetting protective film formation can be improved. Moreover, by using a coupling agent (E), the hardened|cured material of the film for thermosetting protective film formation does not impair heat resistance, but water resistance improves.

커플링제(E)는 중합체 성분(A), 열경화성 성분(B) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is a compound which has a functional group which can react with the functional group which a polymer component (A), a thermosetting component (B), etc. have, and, as for a coupling agent (E), it is more preferable that it is a silane coupling agent.

바람직한 상기 실란 커플링제로는, 예를 들면, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시메틸디에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸아미노)프로필메틸디에톡시실란, 3-(페닐아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아닐리노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3-트리에톡시실릴프로필)테트라설판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. Preferred silane coupling agents include, for example, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3- Glycidyloxymethyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethylamino)propyltrimethoxysilane, 3-(2-aminoethylamino)propylmethyldiethoxysilane, 3-(phenylamino)propyltrimethoxysilane, 3-anilinopropyltrimethoxysilane, 3-Ureidopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyl Triethoxysilane, vinyl trimethoxysilane, vinyl triacetoxysilane, imidazole silane, etc. are mentioned.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 커플링제(E)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of coupling agents (E) which the composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation contain may be one, or two or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and ratio can be selected arbitrarily.

커플링제(E)를 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 커플링제(E)의 함유량은 중합체 성분(A) 및 열경화성 성분(B)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(D)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 열경화성 보호막 형성용 필름의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(E)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 커플링제(E)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다. When using a coupling agent (E), composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation WHEREIN: Content of a coupling agent (E) is 100 mass parts of total content of a polymer component (A) and a thermosetting component (B) It is preferable that it is 0.03-20 mass parts with respect to, It is more preferable that it is 0.05-10 mass parts, It is especially preferable that it is 0.1-5 mass parts. When the said content of a coupling agent (E) is more than the said lower limit, the improvement of the dispersibility with respect to resin of a filler (D), the improvement of adhesiveness with the to-be-adhered body of the film for thermosetting protective film formation, etc. Using a coupling agent (E) effect is obtained more significantly. Moreover, generation|occurrence|production of an outgas is suppressed more because the said content of a coupling agent (E) is below the said upper limit.

[가교제(F)][Crosslinking agent (F)]

중합체 성분(A)으로서, 상술한 아크릴계 수지 등의, 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 가교제(F)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(F)는 중합체 성분(A) 중의 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 성분이며, 이와 같이 가교함으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다. As the polymer component (A), when using a polymer component (A) having a functional group such as a vinyl group, (meth)acryloyl group, amino group, hydroxyl group, carboxyl group, and isocyanate group capable of bonding with other compounds, such as the above-mentioned acrylic resin, composition (III) -1) and the film for thermosetting protective film formation may contain the crosslinking agent (F). The crosslinking agent (F) is a component for crosslinking by bonding the functional group in the polymer component (A) with another compound, and by crosslinking in this way, the initial adhesive force and cohesive force of the film for forming a thermosetting protective film can be adjusted.

가교제(F)로는, 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다. Examples of the crosslinking agent (F) include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, a metal chelate crosslinking agent (crosslinking agent having a metal chelate structure), and an aziridine crosslinking agent (crosslinking agent having an aziridinyl group).

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들면, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 및 지환족 다가 이소시아네이트 화합물(이하, 이들 화합물을 포괄하여 「방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등」으로 약기하는 경우가 있다); 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등의 삼량체, 이소시아누레이트체 및 어덕트체; 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물 등과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다. 상기 「어덕트체」는 상기 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 또는 지환족 다가 이소시아네이트 화합물과, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 트리메틸올프로판, 또는 피마자유 등의 저분자 활성 수소 함유 화합물의 반응물을 의미한다. 상기 어덕트체의 예로는, 후술하는 바와 같은 트리메틸올프로판의 자일릴렌디이소시아네이트 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 「말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머」란, 우레탄 결합을 갖는 것과 함께, 분자의 말단부에 이소시아네이트기를 갖는 프리폴리머를 의미한다. As said organic polyhydric isocyanate compound, for example, an aromatic polyvalent isocyanate compound, an aliphatic polyvalent isocyanate compound, and an alicyclic polyvalent isocyanate compound (Hereinafter, these compounds may be abbreviated as "aromatic polyvalent isocyanate compound etc." collectively.) ; a trimer, an isocyanurate body, and an adduct body, such as the said aromatic polyhydric isocyanate compound; The terminal isocyanate urethane prepolymer etc. which are obtained by making the said aromatic polyhydric isocyanate compound etc. react with a polyol compound are mentioned. The "adduct body" is the aromatic polyvalent isocyanate compound, the aliphatic polyvalent isocyanate compound, or an alicyclic polyvalent isocyanate compound, and a low-molecular active hydrogen-containing compound such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane, or castor oil. means the reactants of As an example of the said adduct body, the xylylene diisocyanate adduct etc. which are mentioned later of trimethylol propane are mentioned. In addition, "terminal isocyanate urethane prepolymer" means a prepolymer which has an isocyanate group in the terminal part of a molecule|numerator while having a urethane bond.

상기 유기 다가 이소시아네이트 화합물로서, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트; 2,6-톨릴렌디이소시아네이트; 1,3-자일릴렌디이소시아네이트; 1,4-자일렌디이소시아네이트; 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트; 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트; 헥사메틸렌디이소시아네이트; 이소포론디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트; 트리메틸올프로판 등의 폴리올의 전부 또는 일부의 수산기에, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 및 자일릴렌디이소시아네이트 중 어느 1종 또는 2종 이상이 부가된 화합물; 리신디이소시아네이트 등을 들 수 있다. As said organic polyhydric isocyanate compound, More specifically, For example, 2, 4- tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylene diisocyanate; diphenylmethane-4,4'-diisocyanate; diphenylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; hexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate; dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate; Compounds in which any one or two or more of tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate were added to all or a part of hydroxyl groups of polyols such as trimethylolpropane; Lysine diisocyanate etc. are mentioned.

상기 유기 다가 이민 화합물로는, 예를 들면, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다. Examples of the organic polyvalent imine compound include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate. , tetramethylolmethane-tri-β-aziridinyl propionate, N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide)triethylenemelamine, and the like.

가교제(F)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 중합체 성분(A)으로는, 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(F)가 이소시아네이트기를 갖고, 중합체 성분(A)이 수산기를 갖는 경우, 가교제(F)와 중합체 성분(A)의 반응에 의해, 열경화성 보호막 형성용 필름에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다. When using an organic polyvalent isocyanate compound as a crosslinking agent (F), as a polymer component (A), it is preferable to use a hydroxyl-containing polymer. When the crosslinking agent (F) has an isocyanate group and the polymer component (A) has a hydroxyl group, the crosslinking structure can be easily introduced into the film for forming a thermosetting protective film by reaction of the crosslinking agent (F) with the polymer component (A).

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 가교제(F)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of crosslinking agents (F) contained in the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

가교제(F)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 가교제(F)의 함유량은, 중합체 성분(A)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(F)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 가교제(F)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 가교제(F)의 과잉 사용이 억제된다. When using a crosslinking agent (F), in composition (III-1), it is preferable that content of a crosslinking agent (F) is 0.01-20 mass parts with respect to content 100 mass parts of a polymer component (A), 0.1- It is more preferable that it is 10 mass parts, and it is especially preferable that it is 0.5-5 mass parts. When the said content of a crosslinking agent (F) is more than the said lower limit, the effect by using a crosslinking agent (F) is acquired more remarkably. Moreover, excessive use of a crosslinking agent (F) is suppressed because the said content of a crosslinking agent (F) is below the said upper limit.

[에너지선 경화성 수지(G)][Energy-ray-curable resin (G)]

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있어도 된다. 열경화성 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하고 있음으로써, 에너지선의 조사에 의해 특성을 변화시킬 수 있다. Composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation may contain energy-beam curable resin (G). Since the film for thermosetting protective film formation contains energy-beam curable resin (G), a characteristic can be changed by irradiation of an energy-beam.

에너지선 경화성 수지(G)는 에너지선 경화성 화합물을 중합(경화)하여 얻어진 것이다. Energy-beam curable resin (G) is obtained by superposing|polymerizing (hardening) an energy-beam curable compound.

상기 에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들면, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다. As said energy-beam-curable compound, the compound which has at least 1 polymerizable double bond in a molecule|numerator is mentioned, for example, The acrylate type compound which has a (meth)acryloyl group is preferable.

상기 아크릴레이트계 화합물로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트 등의 사슬형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 (메타)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트; 올리고에스테르(메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머; 에폭시 변성 (메타)아크릴레이트; 상기 폴리알킬렌글리콜(메타)아크릴레이트 이외의 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다. Examples of the acrylate-based compound include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethanetetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, and pentaerythritol tetra(meth)acrylate. Acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di ( chain aliphatic skeleton-containing (meth)acrylates such as meth)acrylate; cyclic aliphatic skeleton-containing (meth)acrylates such as dicyclopentanyl di(meth)acrylate; polyalkylene glycol (meth)acrylates such as polyethylene glycol di(meth)acrylate; oligoester (meth)acrylate; urethane (meth)acrylate oligomers; epoxy-modified (meth)acrylate; polyether (meth)acrylates other than the polyalkylene glycol (meth)acrylate; Itaconic acid oligomer etc. are mentioned.

상기 에너지선 경화성 화합물의 중량 평균 분자량은, 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is 100-30000, and, as for the weight average molecular weight of the said energy-beam curable compound, it is more preferable that it is 300-10000.

중합에 사용하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the said energy-ray-curable compound used for superposition|polymerization may be 1 type, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and a ratio can be selected arbitrarily.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 에너지선 경화성 수지(G)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (III-1) and the energy ray-curable resin (G) contained in the film for forming a thermosetting protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected. .

에너지선 경화성 수지(G)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 조성물(III-1)의 총 질량에 대한 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량의 비율은, 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다. When using energy-beam curable resin (G), in composition (III-1), the ratio of content of energy-beam curable resin (G) with respect to the gross mass of composition (III-1) is 1-95 mass % It is preferable that it is 5-90 mass %, It is more preferable, It is especially preferable that it is 10-85 mass %.

[광중합 개시제(H)][Photoinitiator (H)]

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 에너지선 경화성 수지(G)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(G)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(H)를 함유하고 있어도 된다. When the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film contain the energy ray-curable resin (G), in order to efficiently proceed the polymerization reaction of the energy ray-curable resin (G), it contains a photopolymerization initiator (H) and there may be

조성물(III-1)에 있어서의 광중합 개시제(H)로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설피드, 테트라메틸티우람모노설피드 등의 설피드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. As the photoinitiator (H) in the composition (III-1), for example, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin benzoin compounds such as methyl benzoate and benzoin dimethyl ketal; acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; azo compounds such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; peroxide compounds; diketone compounds such as diacetyl; benzyl; dibenzyl; benzophenone; 2,4-diethylthioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone; 2-chloroanthraquinone etc. are mentioned.

또한, 상기 광중합 개시제로는, 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등도 들 수 있다. Moreover, as said photoinitiator, For example, Quinone compounds, such as 1-chloroanthraquinone; Photosensitizers, such as an amine, etc. are mentioned.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 광중합 개시제(H)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of photoinitiators (H) contained in the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

광중합 개시제(H)를 사용하는 경우, 조성물(III-1)에 있어서, 광중합 개시제(H)의 함유량은, 에너지선 경화성 수지(G)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. When using a photoinitiator (H), in composition (III-1), it is preferable that content of a photoinitiator (H) is 0.1-20 mass parts with respect to content of 100 mass parts of energy ray-curable resin (G). And it is more preferable that it is 1-10 mass parts, and it is especially preferable that it is 2-5 mass parts.

[착색제(I)][Colorant (I)]

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 착색제(I)를 함유하고 있어도 된다. The composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation may contain the coloring agent (I).

착색제(I)로는, 예를 들면, 무기계 안료, 유기계 안료, 유기계 염료 등 공지의 것을 들 수 있다. As a coloring agent (I), well-known things, such as an inorganic type pigment, an organic type pigment, and organic type dye, are mentioned, for example.

상기 유기계 안료 및 유기계 염료로는, 예를 들면, 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페릴렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올 금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리아릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 디옥사진계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 피란트론계 색소, 및 스렌계 색소 등을 들 수 있다. Examples of the organic pigments and organic dyes include aminium pigments, cyanine pigments, merocyanine pigments, croconium pigments, squarylium pigments, azrenium pigments, polymethine pigments, and naphthoquinone pigments. Pigment, pyrylium pigment, phthalocyanine pigment, naphthalocyanine pigment, naphtholactam pigment, azo pigment, condensed azo pigment, indigo pigment, perinone pigment, perylene pigment, dioxazine pigment, quinacridone pigment , isoindolinone pigment, quinophthalone pigment, pyrrole pigment, thioindigo pigment, metal complex pigment (metal complex dye), dithiol metal complex pigment, indole phenol pigment, triarylmethane pigment, and anthraquinone-based dyes, dioxazine-based dyes, naphthol-based dyes, azomethine-based dyes, benzimidazolone-based dyes, pyranthrone-based dyes, and sylene-based dyes.

상기 무기계 안료로는, 예를 들면, 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티탄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO(인듐주석옥사이드)계 색소, ATO(안티몬주석옥사이드)계 색소 등을 들 수 있다. Examples of the inorganic pigments include carbon black, cobalt pigments, iron pigments, chromium pigments, titanium pigments, vanadium pigments, zirconium pigments, molybdenum pigments, ruthenium pigments, platinum pigments, ITO ( Indium tin oxide) type pigment|dye, ATO (antimony tin oxide) type pigment|dye, etc. are mentioned.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 착색제(I)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of colorants (I) contained in the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

착색제(I)를 사용하는 경우, 열경화성 보호막 형성용 필름의 착색제(I)의 함유량은, 목적에 따라 적절히 조절하면 된다. 예를 들면, 열경화성 보호막 형성용 필름의 착색제(I)의 함유량을 조절하여, 보호막의 광투과성을 조절함으로써, 보호막에 대해 레이저 인자를 행한 경우의 인자 시인성을 조절할 수 있다. 또한, 열경화성 보호막 형성용 필름의 착색제(I)의 함유량을 조절함으로써, 보호막의 의장성을 향상시키거나, 반도체 웨이퍼의 이면의 연삭흔을 잘 보이지 않게 할 수도 있다. 이러한 점을 고려하면, 조성물(III-1)에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한, 착색제(I)의 함유량의 비율(즉, 열경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의, 열경화성 보호막 형성용 필름의 총 질량에 대한 착색제(I)의 함유량의 비율)은, 0.1∼10질량％인 것이 바람직하고, 0.1∼7.5질량％인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 착색제(I)를 사용한 것에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 또한, 상기 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 열경화성 보호막 형성용 필름의 광투과성의 과도한 저하가 억제된다. When using a coloring agent (I), what is necessary is just to adjust content of the coloring agent (I) of the film for thermosetting protective film formation suitably according to the objective. For example, by adjusting content of the coloring agent (I) of the film for thermosetting protective film formation and adjusting the light transmittance of a protective film, printing visibility at the time of laser printing with respect to a protective film can be adjusted. Moreover, by adjusting content of the coloring agent (I) of the film for thermosetting protective film formation, the designability of a protective film can be improved, or the grinding mark on the back surface of a semiconductor wafer can also be made invisible. In consideration of this point, in the composition (III-1), the ratio of the content of the colorant (I) to the total content of all components other than the solvent (that is, in the film for forming a thermosetting protective film, for forming a thermosetting protective film) It is preferable that it is 0.1-10 mass %, as for the ratio of content of the coloring agent (I) with respect to the gross mass of a film, it is more preferable that it is 0.1-7.5 mass %, It is especially preferable that it is 0.1-5 mass %. When the said ratio is more than the said lower limit, the effect by using a coloring agent (I) is acquired more remarkably. Moreover, when the said ratio is below the said upper limit, the excessive fall of the light transmittance of the film for thermosetting protective film formation is suppressed.

[범용 첨가제(J)][Universal Additive (J)]

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 범용 첨가제(J)를 함유하고 있어도 된다. The composition (III-1) and the film for thermosetting protective film formation may contain the general-purpose additive (J) within the range which does not impair the effect of this invention.

범용 첨가제(J)는 공지의 것이어도 되며, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있고, 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 게터링제 등을 들 수 있다. The general-purpose additive (J) may be a known one, can be arbitrarily selected according to the purpose, and is not particularly limited, and preferable examples thereof include a plasticizer, an antistatic agent, an antioxidant, a gettering agent, and the like.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 범용 첨가제(J)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of general-purpose additives (J) contained in the composition (III-1) and the film for forming a thermosetting protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

조성물(III-1) 및 열경화성 보호막 형성용 필름의 범용 첨가제(J)의 함유량은, 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the composition (III-1) and the general-purpose additive (J) of the film for thermosetting protective film formation is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably according to the objective.

[용매][menstruum]

조성물(III-1)은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 조성물(III-1)은 취급성이 양호해진다. The composition (III-1) preferably further contains a solvent. The composition (III-1) containing a solvent becomes favorable in handling property.

상기 용매는 특별히 한정되지 않으나, 바람직한 것으로는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다. The solvent is not particularly limited, but is preferably, for example, hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol; esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; and amides (compounds having an amide bond) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone.

조성물(III-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of solvents contained in the composition (III-1) may be one, or two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

조성물(III-1)이 함유하는 용매는 조성물(III-1) 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다. The solvent contained in the composition (III-1) is preferably methyl ethyl ketone or the like from the viewpoint of more uniformly mixing the components contained in the composition (III-1).

조성물(III-1)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the solvent of a composition (III-1) is not specifically limited, For example, what is necessary is just to select suitably according to the kind of components other than a solvent.

＜＜열경화성 보호막 형성용 조성물의 제조 방법＞＞<<The manufacturing method of the composition for thermosetting protective film formation>>

조성물(III-1) 등의 열경화성 보호막 형성용 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. The composition for forming a thermosetting protective film, such as composition (III-1), is obtained by mix|blending each component for constituting this.

열경화성 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다. The composition for forming a thermosetting protective film can be manufactured, for example, in the same manner as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition described above, except that the types of components are different.

○에너지선 경화성 보호막 형성용 필름○Film for energy ray-curable protective film formation

에너지선 경화성 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부하고, 에너지선 경화시켜, 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않고, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다. The film for forming an energy ray-curable protective film is affixed to the back surface of the semiconductor wafer, cured with energy ray, and the curing conditions when forming the protective film are not particularly limited as long as the degree of curing is such that the protective film sufficiently exhibits its function, What is necessary is just to select suitably according to the kind of film for energy-beam curable protective film formation.

예를 들면, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화시에 있어서의, 에너지선의 조도는 120∼280㎽/㎠인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 경화시에 있어서의, 에너지선의 광량은 100∼1000mJ/㎠인 것이 바람직하다. For example, it is preferable that the illuminance of an energy-beam at the time of energy-beam hardening of the film for energy-beam curable protective film formation is 120-280 mW/cm<2>. And it is preferable that the light quantity of the energy ray at the time of the said hardening is 100-1000 mJ/cm<2>.

에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로는, 에너지선 경화성 성분(a)을 함유하는 것을 들 수 있고, 에너지선 경화성 성분(a) 및 충전재를 함유하는 것이 바람직하다. As a film for energy-beam curable protective film formation, what contains an energy-beam curable component (a) is mentioned, It is preferable to contain an energy-beam curable component (a) and a filler.

에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 있어서, 에너지선 경화성 성분(a)은 미경화인 것이 바람직하고, 점착성을 갖는 것이 바람직하며, 미경화이면서 점착성을 갖는 것이 보다 바람직하다. The film for energy ray-curable protective film formation WHEREIN: It is preferable that it is non-hardened, and, as for the energy ray-curable component (a), it is preferable that it has adhesiveness, and it is more preferable that it is non-hardened and has adhesiveness.

＜에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물(IV-1)＞<Composition for energy ray-curable protective film formation (IV-1)>

바람직한 에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물로는, 예를 들면, 상기 에너지선 경화성 성분(a)을 함유하는 에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물(IV-1)(본 명세서에 있어서는, 단순히 「조성물(IV-1)」로 약기하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다. As a preferable composition for energy-ray-curable protective film formation, for example, the composition (IV-1) for energy-beam-curable protective film formation containing the said energy-beam curable component (a) (in this specification, simply "composition (IV-) 1)" may be abbreviated), and the like.

[에너지선 경화성 성분(a)][Energy-ray-curable component (a)]

에너지선 경화성 성분(a)은 에너지선의 조사에 의해 경화하는 성분이며, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 조막성이나, 가요성 등을 부여함과 함께, 경화 후에 경질의 수지막을 형성하기 위한 성분이기도 하다. The energy ray-curable component (a) is a component that is cured by irradiation with an energy ray, and while imparting film formability and flexibility to the film for forming an energy ray-curable protective film, it is also a component for forming a hard resin film after curing. do.

에너지선 경화성 성분(a)으로는, 예를 들면, 에너지선 경화성기를 갖는, 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1), 및 에너지선 경화성기를 갖는, 분자량이 100∼80000인 화합물(a2)을 들 수 있다. 상기 중합체(a1)는 그 적어도 일부가 가교제에 의해 가교된 것이어도 되고, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다. As an energy-ray-curable component (a), the polymer (a1) which has an energy-beam curable group and has a weight average molecular weight of 80000-200000, and has an energy-beam curable group, molecular weight 100-80000 compound (a2), for example can be heard The polymer (a1) may be one in which at least a part thereof is crosslinked with a crosslinking agent, or may not be crosslinked.

(에너지선 경화성기를 갖는, 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1))(Polymer (a1) having an energy ray-curable group and having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000)

에너지선 경화성기를 갖는, 중량 평균 분자량이 80000∼2000000인 중합체(a1)로는, 예를 들면, 다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)와, 상기 관능기와 반응하는 기, 및 에너지선 경화성 이중 결합 등의 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 화합물(a12)이 반응하여 이루어지는 아크릴계 수지(a1-1)를 들 수 있다. Examples of the polymer (a1) having an energy ray-curable group and having a weight average molecular weight of 80000 to 2000000 include an acrylic polymer (a11) having a functional group capable of reacting with a group of another compound, a group reactive with the functional group, and energy and an acrylic resin (a1-1) formed by reacting an energy ray-curable compound (a12) having an energy ray-curable group such as a ray-curable double bond.

다른 화합물이 갖는 기와 반응 가능한 상기 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 치환 아미노기(아미노기의 1개 또는 2개의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환되어 이루어지는 기), 에폭시기 등을 들 수 있다. 단, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩 등의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는, 상기 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다. Examples of the functional group capable of reacting with the group possessed by other compounds include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, a substituted amino group (a group in which one or two hydrogen atoms of the amino group are substituted with groups other than hydrogen atoms), an epoxy group, and the like. there is. However, it is preferable that the said functional group is groups other than a carboxy group from the point of preventing corrosion of circuits, such as a semiconductor wafer and a semiconductor chip.

이들 중에서도, 상기 관능기는 수산기인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the said functional group is a hydroxyl group.

·관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)-Acrylic polymer having a functional group (a11)

상기 관능기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)로는, 예를 들면, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머와, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머가 공중합하여 이루어지는 것을 들 수 있고, 이들 모노머 이외에, 추가로 아크릴계 모노머 이외의 모노머(비아크릴계 모노머)가 공중합한 것이어도 된다. Examples of the acrylic polymer (a11) having the functional group include those obtained by copolymerization of an acrylic monomer having the functional group and an acrylic monomer not having the functional group, and in addition to these monomers, monomers other than the acrylic monomer (non-acrylic monomer) may be copolymerized.

또한, 상기 아크릴계 중합체(a11)는 랜덤 공중합체여도 되고, 블록 공중합체여도 되며, 중합 방법에 대해서도 공지의 방법을 채용할 수 있다. In addition, the said acrylic polymer (a11) may be a random copolymer or a block copolymer may be sufficient as it, and a well-known method is employable also about the polymerization method.

상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머로는, 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 치환 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. Examples of the acrylic monomer having a functional group include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxyl group-containing monomer, an amino group-containing monomer, a substituted amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer.

상기 수산기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 비(메타)아크릴계 불포화 알코올((메타)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올) 등을 들 수 있다. As said hydroxyl-containing monomer, (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid hydroxyalkyl, such as 2-hydroxybutyl (meth)acrylic acid, 3-hydroxybutyl (meth)acrylic acid, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylic acid; Non-(meth)acrylic-type unsaturated alcohols (unsaturated alcohol which does not have (meth)acryloyl skeleton), such as vinyl alcohol and allyl alcohol, etc. are mentioned.

상기 카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노카르복실산); 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 갖는 디카르복실산); 상기 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다. As said carboxyl group containing monomer, For example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids (monocarboxylic acid which has an ethylenically unsaturated bond), such as (meth)acrylic acid and a crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids (dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond) such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid; anhydrides of the ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; (meth)acrylic acid carboxyalkyl esters, such as 2-carboxyethyl methacrylate, etc. are mentioned.

상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머는 수산기 함유 모노머가 바람직하다. As for the acryl-type monomer which has the said functional group, a hydroxyl-containing monomer is preferable.

상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the acrylic monomers having the functional group constituting the acrylic polymer (a11) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산n-프로필, (메타)아크릴산이소프로필, (메타)아크릴산n-부틸, (메타)아크릴산이소부틸, (메타)아크릴산sec-부틸, (메타)아크릴산tert-부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실, (메타)아크릴산헵틸, (메타)아크릴산2-에틸헥실, (메타)아크릴산이소옥틸, (메타)아크릴산n-옥틸, (메타)아크릴산n-노닐, (메타)아크릴산이소노닐, (메타)아크릴산데실, (메타)아크릴산운데실, (메타)아크릴산도데실((메타)아크릴산라우릴), (메타)아크릴산트리데실, (메타)아크릴산테트라데실((메타)아크릴산미리스틸), (메타)아크릴산펜타데실, (메타)아크릴산헥사데실((메타)아크릴산팔미틸), (메타)아크릴산헵타데실, (메타)아크릴산옥타데실((메타)아크릴산스테아릴) 등의, 알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18의 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. Examples of the acrylic monomer having no functional group include (meth) methyl acrylate, (meth) ethyl acrylate, (meth) acrylate n-propyl, (meth) acrylate isopropyl, (meth) acrylate n-butyl, ( (meth) acrylate isobutyl, (meth) acrylate sec-butyl, (meth) acrylate tert-butyl, (meth) acrylate pentyl, (meth) acrylate hexyl, (meth) acrylate heptyl, (meth) acrylate 2-ethylhexyl, ( (meth) acrylate isooctyl, (meth) acrylic acid n-octyl, (meth) acrylic acid n-nonyl, (meth) acrylate isononyl, (meth) acrylate decyl, (meth) acrylate undecyl, (meth) acrylate dodecyl ( (meth) acrylate lauryl), (meth) acrylic acid tridecyl, (meth) acrylic acid tetradecyl ((meth) acrylate myristyl), (meth) acrylic acid pentadecyl, (meth) acrylate hexadecyl ((meth) acrylate palmityl ), (meth)acrylic acid heptadecyl, (meth)acrylic acid octadecyl ((meth)acrylic acid stearyl), and the like, wherein the alkyl group constituting the alkyl ester has a chain structure having 1 to 18 carbon atoms. and the like.

또한, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산메톡시메틸, (메타)아크릴산메톡시에틸, (메타)아크릴산에톡시메틸, (메타)아크릴산에톡시에틸 등의 알콕시알킬기 함유 (메타)아크릴산에스테르; (메타)아크릴산페닐 등의 (메타)아크릴산아릴에스테르 등을 포함하는, 방향족기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르; 비가교성 (메타)아크릴아미드 및 그 유도체; (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산N,N-디메틸아미노프로필 등의 비가교성 3차 아미노기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등도 들 수 있다. In addition, as an acryl-type monomer which does not have the said functional group, For example, alkoxy, such as (meth)acrylate methoxymethyl, (meth)acrylate methoxyethyl, (meth)acrylate ethoxymethyl, (meth)acrylate ethoxyethyl, Alkyl group-containing (meth)acrylic acid ester; (meth)acrylic acid esters having an aromatic group, including (meth)acrylic acid aryl esters such as (meth)acrylic acid phenyl; non-crosslinkable (meth)acrylamide and its derivatives; (meth)acrylic acid ester which has non-crosslinkable tertiary amino groups, such as (meth)acrylic-acid N,N- dimethylaminoethyl, and (meth)acrylic-acid N,N- dimethylaminopropyl, etc. are mentioned.

상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the acrylic monomers having no functional group constituting the acrylic polymer (a11) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 비아크릴계 모노머로는, 예를 들면, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀; 초산비닐; 스티렌 등을 들 수 있다. Examples of the non-acrylic monomer include olefins such as ethylene and norbornene; vinyl acetate; Styrene etc. are mentioned.

상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는 상기 비아크릴계 모노머는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the non-acrylic monomers constituting the acrylic polymer (a11) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 아크릴계 중합체(a11)에 있어서, 이를 구성하는 구성 단위의 전체량에 대한, 상기 관능기를 갖는 아크릴계 모노머로부터 유도된 구성 단위의 양의 비율(함유량)은, 0.1∼50질량％인 것이 바람직하고, 1∼40질량％인 것이 보다 바람직하며, 3∼30질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 아크릴계 중합체(a11)와 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)의 공중합에 의해 얻어진 상기 아크릴계 수지(a1-1)에 있어서, 에너지선 경화성기의 함유량은 보호막의 경화의 정도를 바람직한 범위로 용이하게 조절 가능해진다. In the acrylic polymer (a11), the ratio (content) of the amount of the structural units derived from the acrylic monomer having the functional group to the total amount of the structural units constituting it is preferably 0.1 to 50% by mass, It is more preferable that it is 1-40 mass %, and it is especially preferable that it is 3-30 mass %. When the ratio is within this range, in the acrylic resin (a1-1) obtained by copolymerization of the acrylic polymer (a11) and the energy ray-curable compound (a12), the content of the energy ray-curable group depends on the curing of the protective film. The degree can be easily adjusted to a desired range.

상기 아크릴계 수지(a1-1)를 구성하는 상기 아크릴계 중합체(a11)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the acrylic polymer (a11) constituting the acrylic resin (a1-1) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한, 아크릴계 수지(a1-1)의 함유량의 비율(즉, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의, 상기 필름의 총 질량에 대한 아크릴계 수지(a1-1)의 함유량의 비율)은, 1∼70질량％인 것이 바람직하고, 5∼60질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼50질량％인 것이 특히 바람직하다. In the composition (IV-1), the ratio of the content of the acrylic resin (a1-1) to the total content of components other than the solvent (that is, to the total mass of the film in the film for energy ray-curable protective film formation) It is preferable that it is 1-70 mass %, and, as for the ratio of content of acrylic resin (a1-1) with respect to it, it is more preferable that it is 5-60 mass %, It is especially preferable that it is 10-50 mass %.

·에너지선 경화성 화합물(a12)・Energy-ray-curable compound (a12)

상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 상기 아크릴계 중합체(a11)가 갖는 관능기와 반응 가능한 기로서, 이소시아네이트기, 에폭시기, 및 카르복시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 것이 바람직하고, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 것이 보다 바람직하다. 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 예를 들면, 상기 기로서 이소시아네이트기를 갖는 경우, 이 이소시아네이트기가 상기 관능기로서 수산기를 갖는 아크릴계 중합체(a11)의 이 수산기와 용이하게 반응한다. The energy ray-curable compound (a12) is a group capable of reacting with the functional group of the acrylic polymer (a11), and preferably has one or two or more selected from the group consisting of an isocyanate group, an epoxy group, and a carboxy group, It is more preferable to have an isocyanate group as a group. When the energy ray-curable compound (a12) has an isocyanate group as the group, the isocyanate group easily reacts with the hydroxyl group of the acrylic polymer (a11) having a hydroxyl group as the functional group.

상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이, 그 1분자 중에 갖는 상기 에너지선 경화성기의 수는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 목적으로 하는 보호막에 요구되는 수축률 등의 물성을 고려하여, 적절히 선택할 수 있다. The number of the energy-beam-curable groups that the energy-beam-curable compound (a12) has in one molecule is not particularly limited, and, for example, is appropriately selected in consideration of physical properties such as shrinkage required for the target protective film. can

예를 들면, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 1분자 중에 상기 에너지선 경화성기를 1∼5개 갖는 것이 바람직하고, 1∼3개 갖는 것이 보다 바람직하다. For example, it is preferable to have 1-5 pieces of said energy-beam-curable groups in 1 molecule, and, as for the said energy-beam-curable compound (a12), it is more preferable to have 1-3 pieces.

상기 에너지선 경화성 화합물(a12)로는, 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트; Examples of the energy ray-curable compound (a12) include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1 -(bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate;

디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; Acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, and hydroxyethyl (meth)acrylate;

디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. The acryloyl monoisocyanate compound etc. which are obtained by reaction of a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl (meth)acrylate are mentioned.

이들 중에서도, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the said energy-beam-curable compound (a12) is 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.

상기 아크릴계 수지(a1-1)를 구성하는 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The number of the energy ray-curable compound (a12) constituting the acrylic resin (a1-1) may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 아크릴계 수지(a1-1)에 있어서, 상기 아크릴계 중합체(a11) 에서 유래하는 상기 관능기의 함유량에 대한, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12) 에서 유래하는 에너지선 경화성기의 함유량의 비율은, 20∼120몰％인 것이 바람직하고, 35∼100몰％인 것이 보다 바람직하며, 50∼100몰％인 것이 특히 바람직하다. 상기 함유량의 비율이 이러한 범위임으로써, 보호막의 접착력이 보다 커진다. 한편, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 1관능(상기 기를 1분자 중에 1개 갖는) 화합물인 경우에는, 상기 함유량의 비율의 상한값은 100몰％가 되나, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)이 다관능(상기 기를 1분자 중에 2개 이상 갖는) 화합물인 경우에는, 상기 함유량의 비율의 상한값은 100몰％를 초과하는 경우가 있다. In the acrylic resin (a1-1), the ratio of the content of the energy ray curable group derived from the energy ray curable compound (a12) to the content of the functional group derived from the acrylic polymer (a11) is 20 to It is preferable that it is 120 mol%, It is more preferable that it is 35-100 mol%, It is especially preferable that it is 50-100 mol%. When the ratio of the content is within such a range, the adhesive force of the protective film becomes larger. On the other hand, when the energy ray-curable compound (a12) is a monofunctional compound (having one group per molecule), the upper limit of the content ratio is 100 mol%, but the energy ray-curable compound (a12) In the case of a polyfunctional (having two or more groups in one molecule) compound, the upper limit of the content ratio may exceed 100 mol%.

상기 중합체(a1)의 중량 평균 분자량(Mw)은 100000∼2000000인 것이 바람직하고, 300000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is 100000-200000, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of the said polymer (a1), it is more preferable that it is 300,000-1500000.

여기서, 「중량 평균 분자량」이란, 앞서 설명한 바와 같다. Here, "weight average molecular weight" is as having demonstrated previously.

상기 중합체(a1)가, 그 적어도 일부가 가교제에 의해 가교된 것인 경우, 상기 중합체(a1)는 상기 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는 것으로서 설명한, 상술한 모노머의 어느 것에도 해당하지 않고, 또한 가교제와 반응하는 기를 갖는 모노머가 중합하여, 상기 가교제와 반응하는 기에 있어서 가교된 것이어도 되고, 상기 에너지선 경화성 화합물(a12)에서 유래하는, 상기 관능기와 반응하는 기에 있어서 가교된 것이어도 된다. When the polymer (a1) is at least partially crosslinked with a crosslinking agent, the polymer (a1) does not correspond to any of the above-mentioned monomers described as constituting the acrylic polymer (a11), and A monomer having a group reactive with the crosslinking agent is polymerized and may be crosslinked at a group reactive with the crosslinking agent, or may be crosslinked at a group reactive with the functional group derived from the energy ray-curable compound (a12).

조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 중합체(a1)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) and the above-mentioned polymer (a1) contained in the film for forming an energy ray-curable protective film may be of one type, or two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected. .

(에너지선 경화성기를 갖는, 분자량이 100∼80000인 화합물(a2))(Compound (a2) having an energy ray-curable group and having a molecular weight of 100 to 80000)

에너지선 경화성기를 갖는, 분자량이 100∼80000인 화합물(a2) 중의 상기 에너지선 경화성기로는, 에너지선 경화성 이중 결합을 포함하는 기를 들 수 있고, 바람직한 것으로는, (메타)아크릴로일기, 비닐기 등을 들 수 있다. Examples of the energy ray curable group in the compound (a2) having an energy ray curable group and having a molecular weight of 100 to 80000 include a group containing an energy ray curable double bond, and preferably a (meth)acryloyl group, a vinyl group and the like.

상기 화합물(a2)은 상기의 조건을 만족하는 것이면, 특별히 한정되지 않으나, 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물, 에너지선 경화성기를 갖는 에폭시 수지, 에너지선 경화성기를 갖는 페놀 수지 등을 들 수 있다. The compound (a2) is not particularly limited as long as it satisfies the above conditions. Examples of the compound (a2) include a low molecular weight compound having an energy ray curable group, an epoxy resin having an energy ray curable group, and a phenol resin having an energy ray curable group.

상기 화합물(a2) 중, 에너지선 경화성기를 갖는 저분자량 화합물로는, 예를 들면, 다관능 모노머 또는 올리고머 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다. Among the compounds (a2), examples of the low molecular weight compound having an energy ray-curable group include a polyfunctional monomer or an oligomer, and an acrylate-based compound having a (meth)acryloyl group is preferable.

상기 아크릴레이트계 화합물로는, 예를 들면, 2-히드록시-3-(메타)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시디에톡시)페닐]프로판, 9,9-비스[4-(2-(메타)아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시폴리프로폭시)페닐]프로판, 트리시클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리테트라메틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 2,2-비스[4-((메타)아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디(메타)아크릴옥시프로판 등의 2관능 (메타)아크릴레이트; Examples of the acrylate-based compound include 2-hydroxy-3-(meth)acryloyloxypropyl methacrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, propoxylated ethoxylated bisphenol A di(meth). ) acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxypolyethoxy)phenyl]propane, ethoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryl Oxydiethoxy)phenyl]propane, 9,9-bis[4-(2-(meth)acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, 2,2-bis[4-((meth)acryloxypolypropane) Foxy) phenyl] propane, tricyclodecane dimethanol di (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanedi Old di(meth)acrylate, dipropylene glycol di(meth)acrylate, tripropylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, polytetramethylene glycol di(meth)acrylate, ethylene glycol Di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxyethoxy)phenyl]propane, neopentyl bifunctional (meth)acrylates such as glycol di(meth)acrylate, ethoxylated polypropylene glycol di(meth)acrylate, and 2-hydroxy-1,3-di(meth)acryloxypropane;

트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 에톡시화 글리세린트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라(메타)아크릴레이트, 에톡시화 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 다관능 (메타)아크릴레이트; Tris(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, ε-caprolactone-modified tris(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, ethoxylated glycerin tri(meth)acrylate, pentaerythritol Tri(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate, ethoxylated pentaerythritol tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, polyfunctional (meth)acrylates such as dipentaerythritol poly(meth)acrylate and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate;

우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머 등의 다관능 (메타)아크릴레이트 올리고머 등을 들 수 있다. Polyfunctional (meth)acrylate oligomers, such as a urethane (meth)acrylate oligomer, etc. are mentioned.

상기 화합물(a2) 중, 에너지선 경화성기를 갖는 에폭시 수지, 에너지선 경화성기를 갖는 페놀 수지로는, 예를 들면, 「일본 공개특허공보 2013-194102호」의 단락 0043 등에 기재되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 수지는 후술하는 열경화성 성분을 구성하는 수지에도 해당하지만, 본 발명에 있어서는 상기 화합물(a2)로서 취급한다. Among the compounds (a2), as an epoxy resin having an energy ray-curable group and a phenol resin having an energy ray-curable group, those described in Paragraph 0043 of “Unexamined Patent Application Publication No. 2013-194102” can be used. . Although such a resin also corresponds to resin which comprises the thermosetting component mentioned later, in this invention, it handles as said compound (a2).

상기 화합물(a2)의 중량 평균 분자량은 100∼30000인 것이 바람직하고, 300∼10000인 것이 보다 바람직하다. It is preferable that it is 100-30000, and, as for the weight average molecular weight of the said compound (a2), it is more preferable that it is 300-10000.

조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는 상기 화합물(a2)은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The compound (a2) contained in the composition (IV-1) and the film for forming an energy ray-curable protective film may be one, two or more, and in the case of two or more, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected. .

[에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)][Polymer (b) having no energy ray-curable group]

조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은 상기 에너지선 경화성 성분(a)으로서, 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하다. The composition (IV-1) and the film for forming an energy ray-curable protective film further contain a polymer (b) having no energy ray-curable group when the compound (a2) is contained as the energy ray-curable component (a). it is preferable

상기 중합체(b)는 그 적어도 일부가 가교제에 의해 가교된 것이어도 되고, 가교되어 있지 않은 것이어도 된다. The polymer (b) may be one in which at least a part thereof is crosslinked by a crosslinking agent, or may not be crosslinked.

에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는, 예를 들면, 아크릴계 중합체, 페녹시 수지, 우레탄 수지, 폴리에스테르, 고무계 수지, 아크릴우레탄 수지 등을 들 수 있다. As a polymer (b) which does not have an energy-ray-curable group, an acrylic polymer, a phenoxy resin, a urethane resin, polyester, a rubber-type resin, an acrylic urethane resin etc. are mentioned, for example.

이들 중에서도, 상기 중합체(b)는 아크릴계 중합체(이하, 「아크릴계 중합체(b-1)」로 약기하는 경우가 있다)인 것이 바람직하다. Among these, it is preferable that the said polymer (b) is an acrylic polymer (Hereinafter, it may abbreviate as "acrylic polymer (b-1)").

아크릴계 중합체(b-1)는 공지의 것이어도 되며, 예를 들면, 1종의 아크릴계 모노머의 단독 중합체여도 되고, 2종 이상의 아크릴계 모노머의 공중합체여도 되며, 1종 또는 2종 이상의 아크릴계 모노머와, 1종 또는 2종 이상의 아크릴계 모노머 이외의 모노머(비아크릴계 모노머)의 공중합체여도 된다. The acrylic polymer (b-1) may be a known one, for example, may be a homopolymer of one type of acrylic monomer, may be a copolymer of two or more types of acrylic monomer, one type or two or more types of acrylic monomer; A copolymer of monomers (non-acrylic monomers) other than 1 type or 2 or more types of acrylic monomers may be sufficient.

아크릴계 중합체(b-1)를 구성하는 상기 아크릴계 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산알킬에스테르, 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 여기서, 「치환 아미노기」란, 앞서 설명한 바와 같다. Examples of the acrylic monomer constituting the acrylic polymer (b-1) include (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth)acrylic acid ester having a cyclic skeleton, glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester, hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid ester, substituted amino group containing (meth)acrylic acid ester, etc. are mentioned. Here, the "substituted amino group" is as described above.

상기 (메타)아크릴산알킬에스테르로는, 예를 들면, 앞서 설명한, 아크릴계 중합체(a11)를 구성하는, 상기 관능기를 갖지 않는 아크릴계 모노머(알킬에스테르를 구성하는 알킬기가, 탄소수가 1∼18의 사슬형 구조인 (메타)아크릴산알킬에스테르 등)와 동일한 것을 들 수 있다. As the (meth)acrylic acid alkyl ester, for example, an acrylic monomer (the alkyl group constituting the alkyl ester having 1 to 18 carbon atoms) constituting the acrylic polymer (a11) described above and having no functional group is a chain type. The same thing as (meth)acrylic-acid alkylester which is a structure) is mentioned.

상기 고리형 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르로는, 예를 들면, (메타)아크릴산이소보르닐, (메타)아크릴산디시클로펜타닐 등의 (메타)아크릴산시클로알킬에스테르; As (meth)acrylic acid ester which has the said cyclic skeleton, For example, (meth)acrylic acid cycloalkyl esters, such as (meth)acrylic acid isobornyl and (meth)acrylic acid dicyclopentanyl;

(메타)아크릴산벤질 등의 (메타)아크릴산아랄킬에스테르; (meth)acrylic acid aralkyl esters, such as (meth)acrylic acid benzyl;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐에스테르; (meth)acrylic acid cycloalkenyl esters, such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyl ester;

(메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸에스테르 등의 (메타)아크릴산시클로알케닐옥시알킬에스테르 등을 들 수 있다. (meth)acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl esters, such as (meth)acrylic-acid dicyclopentenyloxyethyl ester, etc. are mentioned.

상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는, 예를 들면, (메타)아크릴산글리시딜 등을 들 수 있다. As said glycidyl group containing (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid glycidyl etc. are mentioned, for example.

상기 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는, 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등을 들 수 있다. As said hydroxyl-containing (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid hydroxymethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxy is, for example, hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxybutyl, (meth)acrylic acid 4-hydroxybutyl, etc. are mentioned.

상기 치환 아미노기 함유 (메타)아크릴산에스테르로는, 예를 들면, (메타)아크릴산N-메틸아미노에틸 등을 들 수 있다. As said substituted amino-group containing (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic-acid N-methylaminoethyl etc. are mentioned, for example.

아크릴계 중합체(b-1)를 구성하는 상기 비아크릴계 모노머로는, 예를 들면, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀; 초산비닐; 스티렌 등을 들 수 있다. Examples of the non-acrylic monomer constituting the acrylic polymer (b-1) include olefins such as ethylene and norbornene; vinyl acetate; Styrene etc. are mentioned.

적어도 일부가 가교제에 의해 가교된, 상기 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는, 예를 들면, 상기 중합체(b) 중의 반응성 관능기가 가교제와 반응한 것을 들 수 있다. As a polymer (b) which does not have the said energy-beam curable group which was crosslinked by the crosslinking agent at least one part, for example, the thing in which the reactive functional group in the said polymer (b) reacted with a crosslinking agent is mentioned.

상기 반응성 관능기는 가교제의 종류 등에 따라 적절히 선택하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 가교제가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는, 상기 반응성 관능기로는, 수산기, 카르복시기, 아미노기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 이소시아네이트기와의 반응성이 높은 수산기가 바람직하다. 또한, 가교제가 에폭시계 화합물인 경우에는, 상기 반응성 관능기로는, 카르복시기, 아미노기, 아미드기 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 에폭시기와의 반응성이 높은 카르복시기가 바람직하다. 단, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩의 회로의 부식을 방지한다는 점에서는, 상기 반응성 관능기는 카르복시기 이외의 기인 것이 바람직하다. The reactive functional group may be appropriately selected according to the type of the crosslinking agent and the like, and is not particularly limited. For example, when a crosslinking agent is a polyisocyanate compound, a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group etc. are mentioned as said reactive functional group, Among these, a hydroxyl group with high reactivity with an isocyanate group is preferable. Moreover, when a crosslinking agent is an epoxy compound, a carboxy group, an amino group, an amide group etc. are mentioned as said reactive functional group, Among these, a carboxy group with high reactivity with an epoxy group is preferable. However, it is preferable that the said reactive functional group is a group other than a carboxy group from the point of preventing corrosion of the circuit of a semiconductor wafer or a semiconductor chip.

상기 반응성 관능기를 갖는, 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)로는, 예를 들면, 적어도 상기 반응성 관능기를 갖는 모노머를 중합시켜 얻어진 것을 들 수 있다. 아크릴계 중합체(b-1)의 경우이면, 이를 구성하는 모노머로서 든, 상기 아크릴계 모노머 및 비아크릴계 모노머 중 어느 한쪽 또는 양쪽으로서, 상기 반응성 관능기를 갖는 것을 사용하면 된다. 반응성 관능기로서 수산기를 갖는 상기 중합체(b)로는, 예를 들면, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르를 중합하여 얻어진 것을 들 수 있고, 이 이외에도, 앞서 든 상기 아크릴계 모노머 또는 비아크릴계 모노머에 있어서, 1개 또는 2개 이상의 수소 원자가 상기 반응성 관능기로 치환되어 이루어지는 모노머를 중합하여 얻어진 것을 들 수 있다. As a polymer (b) which has the said reactive functional group and does not have an energy-ray-curable group, what was obtained by superposing|polymerizing the monomer which has the said reactive functional group at least is mentioned, for example. In the case of the acrylic polymer (b-1), one or both of the acrylic monomer and the non-acrylic monomer may be used as a monomer constituting the acrylic polymer (b-1), having the reactive functional group. Examples of the polymer (b) having a hydroxyl group as a reactive functional group include those obtained by polymerization of a hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid ester. In addition to this, in the aforementioned acrylic monomer or non-acrylic monomer, one or those obtained by polymerizing a monomer in which two or more hydrogen atoms are substituted with the reactive functional group.

반응성 관능기를 갖는 상기 중합체(b)에 있어서, 이를 구성하는 구성 단위의 전체량에 대한, 반응성 관능기를 갖는 모노머로부터 유도된 구성 단위의 양의 비율(함유량)은, 1∼20질량％인 것이 바람직하고, 2∼10질량％인 것이 보다 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 중합체(b)에 있어서, 가교의 정도가 보다 바람직한 범위가 된다. In the polymer (b) having a reactive functional group, it is preferable that the ratio (content) of the amount of the structural unit derived from the monomer having the reactive functional group to the total amount of the structural unit constituting it is 1 to 20% by mass. And it is more preferable that it is 2-10 mass %. When the said ratio is in such a range, in the said polymer (b), the degree of crosslinking becomes a more preferable range.

에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 중량 평균 분자량(Mw)은, 조성물(IV-1)의 조막성이 보다 양호해지는 점에서, 10000∼2000000인 것이 바람직하고, 100000∼1500000인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 「중량 평균 분자량」이란, 앞서 설명한 바와 같다. Since the film-forming property of a composition (IV-1) becomes more favorable, it is preferable that it is 10000-200000, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of the polymer (b) which does not have an energy-beam curable group, it is more preferable that it is 100000-150000 do. Here, "weight average molecular weight" is as having demonstrated previously.

조성물(IV-1) 및 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름이 함유하는, 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The composition (IV-1) and the polymer (b) which do not have an energy-ray-curable group which the film for energy-ray-curable protective film formation contains may be 1 type, and 2 or more types may be sufficient as them, and when 2 or more types, these combinations and The ratio can be arbitrarily selected.

조성물(IV-1)로는, 상기 중합체(a1) 및 상기 화합물(a2) 중 어느 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 것을 들 수 있다. 그리고, 조성물(IV-1)은 상기 화합물(a2)을 함유하는 경우, 추가로 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)도 함유하는 것이 바람직하고, 이 경우, 추가로 상기 (a1)를 함유하는 것도 바람직하다. 또한, 조성물(IV-1)은 상기 화합물(a2)을 함유하지 않고, 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함께 함유하고 있어도 된다. Examples of the composition (IV-1) include those containing either or both of the polymer (a1) and the compound (a2). And, when the composition (IV-1) contains the compound (a2), it is preferable to further contain the polymer (b) not having an energy ray-curable group. In this case, the composition (a1) is further contained. It is also preferable In addition, the composition (IV-1) does not contain the said compound (a2), but may contain the said polymer (a1) and the polymer (b) which does not have an energy-beam curable group together.

조성물(IV-1)이 상기 중합체(a1), 상기 화합물(a2), 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)를 함유하는 경우, 조성물(IV-1)에 있어서, 상기 화합물(a2)의 함유량은, 상기 중합체(a1) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 10∼400질량부인 것이 바람직하고, 30∼350질량부인 것이 보다 바람직하다. When the composition (IV-1) contains the polymer (a1), the compound (a2), and the polymer (b) having no energy ray-curable group, in the composition (IV-1), the compound (a2) is It is preferable that it is 10-400 mass parts, and, as for content, it is more preferable that it is 30-350 mass parts with respect to 100 mass parts of total content of the said polymer (a1) and the polymer (b) which does not have an energy-beam sclerosing|hardenable group.

조성물(IV-1)에 있어서, 용매 이외의 성분의 총 함유량에 대한, 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량의 비율(즉, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름에 있어서의, 상기 필름의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 성분(a) 및 에너지선 경화성기를 갖지 않는 중합체(b)의 합계 함유량의 비율)은, 5∼90질량％인 것이 바람직하고, 10∼80질량％인 것이 보다 바람직하며, 20∼70질량％인 것이 특히 바람직하다. 에너지선 경화성 성분의 함유량의 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름의 에너지선 경화성이 보다 양호해진다. In the composition (IV-1), the ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group to the total content of components other than the solvent (that is, the energy ray-curable protective film) In the film for formation, the ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) having no energy ray-curable group to the total mass of the film) is preferably 5 to 90 mass%, , It is more preferable that it is 10-80 mass %, and it is especially preferable that it is 20-70 mass %. When the said ratio of content of an energy-beam sclerosing|hardenable component is such a range, the energy-beam sclerosis|hardenability of the film for energy-beam curable protective film formation becomes more favorable.

조성물(IV-1)은 상기 에너지선 경화성 성분 이외에, 목적에 따라, 열경화성 성분, 충전재, 커플링제, 가교제, 광중합 개시제, 착색제, 및 범용 첨가제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하고 있어도 된다. Composition (IV-1) contains one or two or more selected from the group consisting of a thermosetting component, a filler, a coupling agent, a crosslinking agent, a photoinitiator, a colorant, and a general-purpose additive, depending on the purpose, in addition to the above energy ray-curable component. you may be doing

조성물(IV-1)에 있어서의 상기 열경화성 성분, 충전재, 커플링제, 가교제, 광중합 개시제, 착색제, 및 범용 첨가제로는, 각각, 조성물(III-1)에 있어서의 열경화성 성분(B), 충전재(D), 커플링제(E), 가교제(F), 광중합 개시제(H), 착색제(I), 및 범용 첨가제(J)와 동일한 것을 들 수 있다. As said thermosetting component, a filler, a coupling agent, a crosslinking agent, a photoinitiator, a coloring agent, and a general-purpose additive in the composition (IV-1), respectively, the thermosetting component (B) in the composition (III-1), a filler ( D), a coupling agent (E), a crosslinking agent (F), a photoinitiator (H), a coloring agent (I), and the same thing as a general-purpose additive (J) are mentioned.

예를 들면, 상기 에너지선 경화성 성분 및 열경화성 성분을 함유하는 조성물(IV-1)을 사용함으로써, 형성되는 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은 가열에 의해 피착체에 대한 접착력이 향상되고, 이 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름으로부터 형성된 수지막의 강도도 향상된다. For example, by using the composition (IV-1) containing the energy ray-curable component and the thermosetting component, the film for forming an energy ray-curable protective film has improved adhesion to an adherend by heating, and this energy ray The intensity|strength of the resin film formed from the film for curable protective film formation also improves.

또한, 상기 에너지선 경화성 성분 및 착색제를 함유하는 조성물(IV-1)을 사용함으로써, 형성되는 에너지선 경화성 보호막 형성용 필름은, 앞서 설명한 열경화성 보호막 형성용 필름이 착색제(I)를 함유하는 경우와 동일한 효과를 발현한다. In addition, the film for forming an energy ray-curable protective film formed by using the composition (IV-1) containing the energy ray-curable component and the colorant is the same as when the above-described film for forming a thermosetting protective film contains the colorant (I). have the same effect.

조성물(IV-1)에 있어서, 상기 열경화성 성분, 충전재, 커플링제, 가교제, 광중합 개시제, 착색제, 및 범용 첨가제는 각각, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 되며, 2종 이상을 병용하는 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. Composition (IV-1) WHEREIN: The said thermosetting component, a filler, a coupling agent, a crosslinking agent, a photoinitiator, a coloring agent, and a general-purpose additive may each use individually by 1 type, and may use 2 or more types together, 2 types. When using the above together, these combinations and ratios can be selected arbitrarily.

조성물(IV-1)에 있어서의 상기 열경화성 성분, 충전재, 커플링제, 가교제, 광중합 개시제, 착색제, 및 범용 첨가제의 함유량은, 목적에 따라 적절히 조절하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. Content of the said thermosetting component, a filler, a coupling agent, a crosslinking agent, a photoinitiator, a coloring agent, and a general-purpose additive in composition (IV-1) may just adjust suitably according to the objective, and is not specifically limited.

조성물(IV-1)은 희석에 의해 그 취급성이 향상되는 점에서, 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. The composition (IV-1) preferably further contains a solvent from the viewpoint of improving its handleability by dilution.

조성물(IV-1)이 함유하는 용매로는, 예를 들면, 조성물(III-1)에 있어서의 용매와 동일한 것을 들 수 있다. As a solvent contained in composition (IV-1), the thing similar to the solvent in composition (III-1) is mentioned, for example.

조성물(IV-1)이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. The number of solvents which the composition (IV-1) contains may be one, and two or more types may be sufficient as them.

조성물(IV-1)의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. Content of the solvent of composition (IV-1) is not specifically limited, For example, what is necessary is just to select suitably according to the kind of components other than a solvent.

＜＜에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물의 제조 방법＞＞<<The manufacturing method of the composition for energy-beam-curable protective film formation>>

조성물(IV-1) 등의 에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물은, 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. The composition for forming an energy ray-curable protective film, such as composition (IV-1), is obtained by mix|blending each component for comprising this.

에너지선 경화성 보호막 형성용 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다. The composition for forming an energy ray-curable protective film can be produced, for example, in the same manner as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition described above, except that the types of components are different.

◎박리 필름◎Peeling film

상기 박리 필름은 상기 보호막 형성용 복합 시트가 그 보호막 형성용 필름측의 최표층으로서 구비되어 있어도 되는, 임의의 구성요소이다. 보호막 형성용 필름 상에 박리 필름을 구비한 상태로 되어 있는 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 이 박리 필름을 보호막 형성용 필름으로부터 제거했을 때, 보호막 형성용 복합 시트는 박리 대전이 억제된다. The said peeling film is an arbitrary component in which the said composite sheet for protective film formation may be provided as an outermost layer on the side of the film for protective film formation. The composite sheet for protective film formation in the state provided with the peeling film on the film for protective film formation WHEREIN: When this peeling film is removed from the film for protective film formation, peeling charging is suppressed in the composite sheet for protective film formation.

상기 박리 필름은 공지의 것이어도 되고, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름 등의 수지제 필름의 한쪽 면이, 실리콘 처리 등의 박리 처리가 실시된 것을 들 수 있다. A well-known thing may be sufficient as the said peeling film, For example, one surface of resin films, such as a film made from polyethylene terephthalate, to which peeling processes, such as a silicone treatment, were given is mentioned.

상기 박리 필름은 상술한 중간층으로서의 박리성 개선층과 동일한 구성을 갖고 있어도 된다. The said peeling film may have the structure similar to the peelability improvement layer as an intermediate|middle layer mentioned above.

상기 박리 필름의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 10∼1000㎛ 등이어도 된다. The thickness of the said peeling film is not specifically limited, For example, 10-1000 micrometers etc. may be sufficient.

◇보호막 형성용 복합 시트의 제조 방법◇Manufacturing method of composite sheet for protective film formation

상기 보호막 형성용 복합 시트는 상술한 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 적층함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은 앞서 설명한 바와 같다. The said composite sheet for forming a protective film can be manufactured by laminating|stacking each layer mentioned above so that it may become a corresponding positional relationship. A method of forming each layer is the same as described above.

예를 들면, 지지 시트를 제조할 때, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우에는, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 상술한 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키면 된다. 이 방법은 기재 또는 대전 방지성 기재의 상기 요철면 상에 점착제층을 적층하는 경우와, 기재 또는 대전 방지성 기재의 상기 평활면 상에 점착제층을 적층하는 경우 중 어느 것에 있어서도 적용할 수 있다. 그리고, 이 방법은 특히, 상기 요철면 상에 점착제층을 적층하는 경우에 바람직하다. 그 이유는 이 방법을 적용했을 경우, 기재 또는 대전 방지성 기재의 상기 요철면과 점착제층 사이에 있어서, 공극부의 발생을 억제하는 높은 효과가 얻어지기 때문이다. For example, in the case of laminating the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate or on the antistatic substrate when manufacturing the support sheet, the above-described pressure-sensitive adhesive composition is coated on the substrate or on the antistatic substrate and dried if necessary. do. This method can be applied to either the case where the pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the uneven surface of the substrate or the antistatic substrate, and the pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the smooth surface of the substrate or the antistatic substrate. And this method is preferable especially when laminating|stacking an adhesive layer on the said uneven|corrugated surface. The reason is that, when this method is applied, the high effect which suppresses generation|occurrence|production of a space|gap part is acquired between the said uneven|corrugated surface of a base material or an antistatic base material, and an adhesive layer.

지지 시트를 제조할 때, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 배면 대전 방지층 또는 표면 대전 방지층을 적층하는 경우도 동일하다. The same is true for laminating a back antistatic layer or a surface antistatic layer on a substrate or on an antistatic substrate when manufacturing the support sheet.

이 경우에는, 점착제 조성물 대신에 대전 방지 조성물(VI-1)을 사용하는 점 이외에는, 상술한 점착제층을 적층하는 방법과 동일한 방법으로, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 배면 대전 방지층 또는 표면 대전 방지층을 적층할 수 있다. In this case, in the same manner as the above-described method for laminating the pressure-sensitive adhesive layer, except that the antistatic composition (VI-1) is used instead of the pressure-sensitive adhesive composition, the back antistatic layer or the surface charge on the substrate or on the antistatic substrate A barrier layer may be laminated.

한편, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 점착제층을 적층하는 경우에는, 상술한 바와 같이, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 점착제 조성물을 도공하는 방법 대신에, 이하의 방법도 적용할 수 있다. On the other hand, when laminating the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate or on the antistatic substrate, as described above, instead of the method of coating the pressure-sensitive adhesive composition on the substrate or on the antistatic substrate, the following method can also be applied. .

즉, 박리 필름 상에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 점착제층을 형성해 두고, 이 점착제층의 노출면을 기재 또는 대전 방지성 기재의 한쪽 표면과 첩합하는 방법으로도, 점착제층을 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 적층할 수 있다. 그리고, 이 방법은 특히, 상기 평활면 상에 점착제층을 적층하는 경우에 바람직하다. 그 이유는 이 방법을 적용했을 경우, 기재 또는 대전 방지성 기재의 상기 평활면과 점착제층 사이이면, 공극부의 발생을 억제하는 높은 효과가 얻어지기 때문이다. That is, by coating the pressure-sensitive adhesive composition on the release film and drying if necessary, the pressure-sensitive adhesive layer is formed on the release film, and the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer is also bonded to one surface of the base material or the antistatic base material. , the pressure-sensitive adhesive layer may be laminated on a substrate or on an antistatic substrate. And this method is preferable especially when laminating|stacking an adhesive layer on the said smooth surface. The reason is that, when this method is applied, the high effect which suppresses generation|occurrence|production of a space|gap part is acquired as it is between the said smooth surface of a base material or an antistatic base material, and an adhesive layer.

지지 시트를 제조할 때, 박리 필름을 사용하여, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 배면 대전 방지층 또는 표면 대전 방지층을 적층하는 경우도 동일하다. The same is true for laminating a back antistatic layer or a surface antistatic layer on a base material or on an antistatic base material using a release film when manufacturing a support sheet.

이 경우에는, 점착제 조성물 대신에 대전 방지 조성물(VI-1)을 사용하는 점 이외에는, 상술한, 박리 필름을 사용하여 점착제층을 적층하는 방법과 동일한 방법으로, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 배면 대전 방지층 또는 표면 대전 방지층을 적층할 수 있다. In this case, on the substrate or on the antistatic substrate in the same manner as the method for laminating the pressure-sensitive adhesive layer using the release film described above, except that the antistatic composition (VI-1) is used instead of the pressure-sensitive adhesive composition. A back antistatic layer or a surface antistatic layer may be laminated.

지금까지는, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 점착제층, 배면 대전 방지층, 또는 표면 대전 방지층을 적층하는 경우를 예로 들었으나, 상술한 방법은 예를 들면, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 중간층을 적층하는 경우 등, 다른 층을 적층하는 경우에도 적용할 수 있다. Heretofore, the case of laminating an adhesive layer, a back antistatic layer, or a surface antistatic layer on a substrate or an antistatic substrate has been taken as an example, but the above-described method is, for example, an intermediate layer on a substrate or on an antistatic substrate. It can also be applied to the case of laminating other layers, such as the case of laminating.

한편, 예를 들면, 기재 상 또는 대전 방지성 기재 상에 적층된 점착제층 상에 추가로 보호막 형성용 필름을 적층하는 경우에는, 점착제층 상에 보호막 형성용 조성물을 도공하고, 보호막 형성용 필름을 직접 형성하는 것이 가능하다. 보호막 형성용 필름 이외의 층도, 이 층을 형성하기 위한 조성물을 사용하여, 동일한 방법으로 점착제층 상에 이 층을 적층할 수 있다. 이와 같이, 기재 상에 적층된 어느 층(이하, 「제1 층」으로 약기한다) 상에 새로운 층(이하, 「제2 층」으로 약기한다)을 형성하여, 연속하는 2층의 적층 구조(다시 말하면, 제1 층 및 제2 층의 적층 구조)를 형성하는 경우에는, 상기 제1 층 상에 상기 제2 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시키는 방법을 적용할 수 있다. On the other hand, for example, when the film for forming a protective film is further laminated on the pressure-sensitive adhesive layer laminated on the substrate or on the antistatic substrate, the composition for forming a protective film is coated on the pressure-sensitive adhesive layer, and the film for forming the protective film is It is possible to form directly. Layers other than the film for forming a protective film can also be laminated on the pressure-sensitive adhesive layer in the same manner using the composition for forming the layer. In this way, a new layer (hereinafter, abbreviated as “second layer”) is formed on a certain layer (hereinafter, abbreviated as “first layer”) laminated on the substrate to form a continuous two-layer laminate structure ( In other words, when forming a laminated structure of the first layer and the second layer), a method of coating the composition for forming the second layer on the first layer and drying if necessary may be applied. .

단, 제2 층은 이를 형성하기 위한 조성물을 사용하여, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 이 형성된 제2 층의 상기 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측의 노출면을 제1 층의 노출면과 첩합함으로써, 연속하는 2층의 적층 구조를 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 조성물은 박리 필름의 박리 처리면에 도공하는 것이 바람직하다. 박리 필름은 적층 구조의 형성 후, 필요에 따라 제거하면 된다. However, the second layer is previously formed on the release film using a composition for forming the same, and the exposed surface of the formed second layer on the side opposite to the side in contact with the release film is the exposed surface of the first layer. It is preferable to form the laminated structure of two continuous layers by bonding together. At this time, it is preferable to apply the said composition to the peeling process surface of a peeling film. What is necessary is just to remove a peeling film after formation of a laminated structure as needed.

여기서는, 점착제층 상에 보호막 형성용 필름을 적층하는 경우를 예로 들었으나, 예를 들면, 점착제층 상에 중간층을 적층하는 경우, 중간층 상에 보호막 형성용 필름을 적층하는 경우, 표면 대전 방지층 상에 점착제층을 적층하는 경우 등, 대상이 되는 적층 구조는 임의로 선택할 수 있다. Here, the case of laminating the film for forming a protective film on the pressure-sensitive adhesive layer is taken as an example, for example, when laminating an intermediate layer on the pressure-sensitive adhesive layer, when laminating the film for forming a protective film on the intermediate layer, on the surface antistatic layer The laminated structure used as object, such as the case of laminating|stacking an adhesive layer, can be selected arbitrarily.

이와 같이, 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 기재 이외의 층은 모두, 박리 필름 상에 미리 형성해 두고, 목적으로 하는 층의 표면에 첩합하는 방법으로 적층할 수 있기 때문에, 필요에 따라 이러한 공정을 채용하는 층을 적절히 선택하여, 보호막 형성용 복합 시트를 제조하면 된다. In this way, since all layers other than the base material constituting the composite sheet for forming a protective film can be laminated by a method of forming in advance on the release film and bonding them to the surface of the target layer, such a process is adopted as necessary. What is necessary is just to select the layer to use suitably and to manufacture the composite sheet for protective film formation.

여기서, 보호막 형성용 복합 시트는 통상, 그 지지 시트와는 반대측 최표층(예를 들면, 보호막 형성용 필름)의 표면에 박리 필름이 첩합된 상태로 보관된다. 따라서, 이 박리 필름(바람직하게는, 그 박리 처리면) 상에 보호막 형성용 조성물 등의, 최표층을 구성하는 층을 형성하기 위한 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 박리 필름 상에 최표층을 구성하는 층을 형성해 두고, 이 층의 박리 필름과 접촉하고 있는 측과는 반대측의 노출면 상에 나머지 각 층을 상술한 어느 방법으로 적층하여, 박리 필름을 제거하지 않고 첩합한 상태인 채로 함으로써, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트가 얻어진다. Here, the composite sheet for protective film formation is normally stored in the state by which the peeling film was pasted on the surface of the outermost layer (for example, film for protective film formation) on the opposite side to the support sheet. Therefore, on this release film (preferably, the release-treated surface thereof), a composition for forming a layer constituting the outermost layer, such as a composition for forming a protective film, is coated on the release film, and dried as necessary, on the release film. The layers constituting the surface layer are formed, and the remaining respective layers are laminated on the exposed surface opposite to the side in contact with the release film of this layer by any of the methods described above, and the release film is not removed, and the bonding state remains. By doing so, the composite sheet for protective film formation with a peeling film is obtained.

◇반도체 칩의 제조 방법◇Semiconductor chip manufacturing method

상기 보호막 형성용 복합 시트는 반도체 칩의 제조에 사용할 수 있다. The composite sheet for forming a protective film can be used for manufacturing a semiconductor chip.

이 때의 반도체 칩의 제조 방법은 예를 들면, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정(이하, 「첩부 공정」으로 약기하는 경우가 있다)과, 상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정(이하, 「보호막 형성 공정」으로 약기하는 경우가 있다)과, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저 광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정(이하, 「개질층 형성 공정」으로 약기하는 경우가 있다)과, 상기 보호막 혹은 상기 보호막 형성용 필름이 첩부되고 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층이 형성된 분할 전 적층체를 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 혹은 상기 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면(다시 말하면, 제1 면) 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다) 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정(이하, 「분할된 적층체 제작 공정」으로 약기하는 경우가 있다)과, 상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정(이하, 「픽업 공정」으로 약기하는 경우가 있다)을 갖는다. The manufacturing method of the semiconductor chip at this time is, for example, the process of affixing the film for protective film formation in the said composite sheet for protective film formation to a semiconductor wafer, and producing the laminated body before division|segmentation (hereafter abbreviated as "pasting process". ), and curing the film for forming a protective film after affixing on the semiconductor wafer to form a protective film (hereinafter, may be abbreviated as “protective film formation step”), and a laser beam inside the semiconductor wafer. a step of forming a modified layer inside the semiconductor wafer by irradiating it (hereinafter, it may be abbreviated as “modified layer forming step”), and the protective film or the protective film forming film is attached to the inside of the semiconductor wafer and modified By expanding the layered pre-division laminate, the semiconductor wafer is divided, the protective film or the protective film forming film is cut, and the support sheet and one side (that is, the first surface) of the support sheet Formed on the side opposite to the support sheet side of the protective film or protective film formation film after cutting and the protective film or protective film formation film after cutting (in this specification, it may be referred to as a "first surface") a step of manufacturing a divided laminate having a plurality of semiconductor chips formed in It has the process (it may abbreviate as a "pick-up process" hereinafter) of separating and picking up the semiconductor chip provided with the film for protective film formation from the said support sheet.

또한, 반도체 칩의 제조 방법은 예를 들면, 상기 첩부 공정과, 상기 보호막 형성 공정과, Moreover, the manufacturing method of a semiconductor chip includes, for example, the said pasting process, the said protective film formation process;

상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체 제작 공정과, 상기 분할된 적층체를 익스팬드하는 공정과, 상기 픽업 공정을 갖는다. The semiconductor wafer is divided, the protective film or protective film forming film is cut, and a support sheet, the protective film or protective film formation film after cutting formed on one side of the support sheet, and the protective film or protective film formation after the cutting It has the divided|segmented laminated body manufacturing process provided with the some semiconductor chip formed on the surface opposite to the said support sheet side of the film for use, the process of expanding the said divided|segmented laminated body, and the said pick-up process.

상기 첩부 공정 후, 상기 보호막 형성 공정, 개질층 형성 공정, 분할된 적층체 제작 공정, 및 픽업 공정을 행한다. 그리고, 상기 분할된 적층체 제작 공정, 및 픽업 공정을 이 순서로 행하지만, 보호막 형성 공정은 첩부 공정 후이면, 어느 단계에서 행해도 된다. 또한, 보호막 형성용 필름이 경화성을 갖지 않는 경우에는, 상기 보호막 형성 공정은 행하지 않는다. After the said sticking process, the said protective film formation process, a modified layer formation process, the divided|segmented laminated body preparation process, and a pick-up process are performed. And although the said divided|segmented laminated body preparation process and a pick-up process are performed in this order, you may perform a protective film formation process at any stage as long as it is after a sticking process. In addition, when the film for protective film formation does not have sclerosis|hardenability, the said protective film formation process is not performed.

반도체 칩의 제조 방법은 추가로 상기 첩부 공정과 상기 픽업 공정 사이에, 상기 보호막 형성용 필름 또는 보호막에 레이저 광을 조사하여, 인자를 행하는 공정(이하, 「레이저 인자 공정」으로 약기하는 경우가 있다)을 갖고 있어도 된다. In the manufacturing method of a semiconductor chip, between the said sticking process and the said pick-up process, the process of irradiating laser light to the said protective film formation film or a protective film, and performing printing (hereafter abbreviated as "laser printing process" in some cases. ) may have

상기 제조 방법에 있어서는, 상기 첩부 공정 후, 레이저 인자 공정, 상기 보호막 형성 공정, 분할된 적층체 제작 공정, 및 픽업 공정을 행한다. 그리고, 분할된 적층체 제작 공정 후 및 레이저 인자 공정 후에 픽업 공정을 행하지만, 이 점을 제외하면, 보호막 형성 공정, 레이저 인자 공정, 분할된 적층체 제작 공정, 및 픽업 공정을 행하는 순서는, 목적에 따라 임의로 설정할 수 있다. In the said manufacturing method, a laser printing process, the said protective film formation process, the divided|segmented laminated body preparation process, and a pick-up process are performed after the said sticking process. And, the pick-up process is performed after the divided laminate manufacturing process and after the laser printing process, except for this point, the order of performing the protective film forming process, the laser printing process, the divided laminate manufacturing process, and the pickup process is for the purpose can be set arbitrarily.

상기 보호막 형성용 복합 시트의 사용 대상인 반도체 웨이퍼의 두께는, 특별히 한정되지 않으나, 후술하는 반도체 칩으로의 분할이 보다 용이해지는 점에서는, 30∼1000㎛인 것이 바람직하고, 100∼400㎛인 것이 보다 바람직하다. The thickness of the semiconductor wafer to be used for the composite sheet for forming a protective film is not particularly limited, but is preferably 30 to 1000 μm, and more preferably 100 to 400 μm in terms of easier division into semiconductor chips to be described later. desirable.

이하, 도면을 참조하면서, 상술한 제조 방법에 대해 설명한다. 도 14∼도 18은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 여기서는, 보호막 형성용 복합 시트가 도 1에 나타내는 것인 경우의 제조 방법을 예로 들어 설명한다. Hereinafter, the manufacturing method mentioned above is demonstrated, referring drawings. 14 to 18 are cross-sectional views schematically illustrating a method for manufacturing a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention. Here, the manufacturing method in case the composite sheet for protective film formation is what is shown in FIG. 1 is mentioned as an example, and it demonstrates.

(반도체 칩의 제조 방법 (1))(Method for manufacturing semiconductor chip (1))

본 실시형태의 제조 방법(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 (1)」로 칭하는 경우가 있다)은, 박리 필름을 제거한 후의 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정(첩부 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정(보호막 형성 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저 광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정(개질층 형성 공정)과, 상기 보호막 혹은 상기 보호막 형성용 필름이 첩부되고 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층이 형성된 분할 전 적층체를 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면(제1 면) 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막과, 상기 절단 후의 보호막의 상기 지지 시트측과는 반대측 면(제1 면) 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정(분할된 적층체 제작 공정)과, 상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정(픽업 공정)을 갖는다. In the manufacturing method of this embodiment (in this specification, it may call "manufacturing method (1)"), the film for protective film formation in the said composite sheet for protective film formation after removing a peeling film is stuck to a semiconductor wafer, and is divided A step of producing the entire laminate (a sticking step), a step of curing the protective film forming film after being affixed to the semiconductor wafer to form a protective film (protective film forming step), and a laser beam inside the semiconductor wafer By irradiating and forming a modified layer inside the semiconductor wafer (modified layer forming step), the protective film or the protective film forming film is affixed and the modified layer is formed inside the semiconductor wafer by expanding the pre-divided laminate , The semiconductor wafer is divided, the protective film is cut, and a support sheet, the protective film after cut formed on one side (first surface) of the support sheet, and the support sheet side of the protective film after cutting A step of manufacturing a divided laminate having a plurality of semiconductor chips formed on the opposite side (first side) (divided laminate manufacturing step), and a protective film in the divided laminate having a protective film after cutting It has the process (pickup process) of separating and picking up a semiconductor chip from the said support sheet.

제조 방법 (1)은 추가로 상기 첩부 공정과 상기 픽업 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 된다. The manufacturing method (1) may further have a laser printing process between the said sticking process and the said pick-up process.

제조 방법 (1)에 있어서는, 상기 첩부 공정과 보호막 형성 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되고, 상기 보호막 형성 공정과 개질층 형성 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되며, 상기 개질층 형성 공정과 분할된 적층체 제작 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되고, 레이저 인자 공정을 형성하는 순서는 이들에 한정되지 않으며, 목적에 따라 임의로 설정할 수 있다. In the manufacturing method (1), you may have a laser printing process between the said sticking process and the protective film formation process, and you may have a laser printing process between the said protective film formation process and a modified layer formation process, The said modified layer formation You may have a laser printing process between a process and the divided|segmented laminated body manufacturing process, The order of forming a laser printing process is not limited to these, According to the objective, it can set arbitrarily.

도 14는 이러한 반도체 칩의 제조 방법 (1)의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 14 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of the method (1) for manufacturing such a semiconductor chip.

제조 방법 (1)에 있어서는, 상기 보호막 형성용 복합 시트로서, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101) 중, 도 14 (a)에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)을 제거한 후의 보호막 형성용 복합 시트(101)를 사용한다. In the manufacturing method (1), as the said composite sheet for protective film formation, as shown to FIG. 14(a) among the composite sheets 101 for protective film formation shown in FIG. 1, protective film formation after removing the peeling film 15 A composite sheet 101 is used.

한편, 여기서는 편의상, 박리 필름(15)을 제거한 후의 보호막 형성용 복합 시트도, 부호 101을 부여하여 나타내고 있다. In addition, for convenience, the composite sheet for protective film formation after removing the peeling film 15 also attaches|subjects and shows the code|symbol 101 here.

제조 방법 (1)의 상기 첩부 공정에 있어서, 도 14 (b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 박리 필름(15)을 제거한 후의 보호막 형성용 복합 시트(101) 중의 보호막 형성용 필름(13)을 첩부한다. In the said pasting process of manufacturing method (1), as shown to FIG. 14(b), the composite sheet 101 for protective film formation after removing the peeling film 15 to the back surface 9b of the semiconductor wafer 9 The film 13 for forming a protective film is affixed.

첩부 공정에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)을 가열함으로써 연화시키고, 반도체 웨이퍼(9)에 첩부해도 된다. 이 경우, 예를 들면, 보호막 형성용 필름(13)을 70℃에서 1분 가열한 후, 바로 반도체 웨이퍼(9)에 첩부해도 된다. In a pasting process, it may be softened by heating the film 13 for protective film formation, and you may stick to the semiconductor wafer 9. In this case, for example, after heating the film 13 for protective film formation at 70 degreeC for 1 minute, you may stick on the semiconductor wafer 9 immediately.

한편, 여기서는, 반도체 웨이퍼(9)에 있어서, 회로면 상의 범프 등의 도시를 생략하고 있다. In addition, in the semiconductor wafer 9, illustration of the bump etc. on a circuit surface is abbreviate|omitted here.

제조 방법 (1)의 첩부 공정 후에는, 상기 보호막 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)에 첩부한 후의 보호막 형성용 필름(13)을 경화시켜, 도 14 (c)에 나타내는 바와 같이, 보호막(13')을 형성한다. 이 때, 보호막 형성용 필름(13)이 열경화성인 경우에는, 보호막 형성용 필름(13)을 가열함으로써, 보호막(13')을 형성한다. 보호막 형성용 필름(13)이 에너지선 경화성인 경우에는, 지지 시트(10)를 개재하여 보호막 형성용 필름(13)에 에너지선을 조사함으로써, 보호막(13')을 형성한다. After the pasting step of the manufacturing method (1), in the above protective film forming step, the film 13 for forming a protective film after being affixed on the semiconductor wafer 9 is cured, and as shown in Fig. 14(c), a protective film ( 13') is formed. At this time, when the film 13 for protective film formation is thermosetting, the protective film 13' is formed by heating the film 13 for protective film formation. When the film 13 for protective film formation is energy-beam sclerosis|hardenability, the protective film 13' is formed by irradiating an energy beam to the film 13 for protective film formation through the support sheet 10.

한편, 여기서는, 보호막 형성용 필름(13)이 보호막(13')이 된 후의 보호막 형성용 복합 시트를 부호 101'로 나타내고 있다. 이는 이후의 도면에 있어서도 동일하다. In addition, the composite sheet for protective film formation after the film 13 for protective film formation turns into the protective film 13' is shown by the code|symbol 101' here. This is also the same in the following drawings.

보호막 형성 공정에 있어서, 보호막 형성용 필름(13)의 경화 조건, 즉, 열경화시의 가열 온도 및 가열 시간과, 에너지선 경화시의 에너지선의 조도 및 광량은, 앞서 설명한 바와 같다. A protective film formation process WHEREIN: The curing conditions of the film 13 for protective film formation, ie, the heating temperature and heating time at the time of thermosetting, and the illuminance and light quantity of the energy ray at the time of energy ray hardening are as having demonstrated previously.

제조 방법 (1)의 보호막 형성 공정 후에는, 개질층 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 설정된 초점에 집속하도록 레이저 광을 조사하여, 도 14 (d)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 개질층(20)을 형성한다. 여기서는, 레이저 발광 소자를 SD로 나타내고 있다. 지지 시트(10)와는 반대측으로부터 레이저 광을 조사하고 있으나, 지지 시트(10)측으로부터 조사할 수도 있다. 이는 이후의 도면에 있어서도 동일하다. After the protective film forming step of the manufacturing method (1), in the modified layer forming step, laser light is irradiated so as to be focused on a focal point set inside the semiconductor wafer 9, and as shown in Fig. 14(d), the semiconductor wafer A modified layer 20 is formed in (9). Here, the laser light emitting element is denoted by SD. Although the laser beam is irradiated from the side opposite to the support sheet 10, it can also be irradiated from the support sheet 10 side. This is also the same in the following drawings.

이어서, 상기 분할된 적층체 제작 공정에 있어서, 이 개질층(20)이 형성되고, 또한 이면(9b)에는 보호막(13')이 첩부된 반도체 웨이퍼(9)를 이 보호막(13')과 함께, 보호막(13')의 표면 방향으로 익스팬드하여, 도 14 (e)에 나타내는 바와 같이, 보호막(13')을 절단함과 함께, 개질층(20)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면(다시 말하면, 제1 면) 상에 형성된, 절단 후의 보호막(130')과, 상기 절단 후의 보호막(130')의 상기 지지 시트측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다) 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작한다. 이에 의해, 절단 후의 보호막(130')을 구비한 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. 이 때, 보호막(13')은 반도체 칩(9')의 주연부를 따른 위치에서 절단(분할)된다. Next, in the divided laminate manufacturing process, the semiconductor wafer 9 on which the modified layer 20 is formed and a protective film 13' is affixed on the back surface 9b is transferred together with the protective film 13'. , expands in the surface direction of the protective film 13', and cuts the protective film 13' as shown in FIG. divided, the support sheet, the protective film 130' after cutting, formed on one side (that is, the first surface) of the support sheet, and the side opposite to the support sheet side of the protective film 130' after cutting A divided laminate including a plurality of semiconductor chips formed on a surface (in this specification, sometimes referred to as a "first surface") is produced. In this way, a plurality of semiconductor chips 9' provided with the cut protective film 130' are obtained. At this time, the protective film 13' is cut (divided) at a position along the periphery of the semiconductor chip 9'.

보호막 형성용 복합 시트는 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이므로, 보호막 형성용 복합 시트 및 적층되어 있는 칩에 대한 대전이 방지된다. In the composite sheet for forming a protective film, since the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side of the composite sheet for forming a protective film is 1.0×10 11 Ω/□ or less, charging of the composite sheet for forming a protective film and the stacked chips is prevented.

제조 방법 (1)의 분할된 적층체 제작 공정 후에는, 상기 픽업 공정에 있어서, 도 14 (f)에 나타내는 바와 같이, 절단 후의 보호막(130')을 구비한 반도체 칩(9')을 지지 시트(10)로부터 분리하여 픽업한다. 여기서는, 픽업의 방향을 화살표(I)로 나타내고 있으나, 이는 이후의 도면에 있어서도 동일하다. 반도체 칩(9')을 보호막(130')째 지지 시트(10)로부터 분리하기 위한 분리 수단(8)으로는, 진공 콜릿 등을 들 수 있다. After the divided laminate manufacturing process of the manufacturing method (1), in the pick-up process, as shown in FIG. Separate from (10) and pick up. Here, the direction of the pickup is indicated by an arrow (I), but this is the same in the following drawings. As the separation means 8 for separating the semiconductor chip 9 ′ from the protective film 130 ′ support sheet 10 , a vacuum collet or the like is exemplified.

이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9' is obtained as a semiconductor chip in which the protective film was formed.

익스팬드한 후의, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이므로, 제조 방법 (1)에서 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩은 픽업시의 대전에 의한 회로의 파괴가 억제되어 있어 우수한 특성을 갖는다. Since the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side of the composite sheet for forming a protective film after expansion is 1.0×10 11 Ω/□ or less, the semiconductor chip with a protective film obtained in the manufacturing method (1) is not subjected to charging during pickup. It has excellent characteristics because the destruction of the circuit is suppressed.

제조 방법 (1)에 있어서는, 보호막 형성 공정 후에 개질층 형성 공정 및 분할된 적층체 제작 공정을 행하지만, 본 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법에 있어서는, 보호막 형성 공정을 행하지 않고 개질층 형성 공정 및 분할된 적층체 제작 공정을 행하고, 개질층 형성 공정 및 분할된 적층체 제작 공정 후에 보호막 형성 공정을 행해도 된다(본 실시형태를 「제조 방법 (2)」로 칭하는 경우가 있다). In the manufacturing method (1), the modified layer forming step and the divided laminate manufacturing step are performed after the protective film forming step. In the semiconductor chip manufacturing method according to the present embodiment, the modified layer forming step is not performed without performing the protective film forming step. And the divided laminated body manufacturing process may be performed, and a protective film formation process may be performed after the modified layer forming process and the divided|segmented laminated body manufacturing process (this embodiment may be called "manufacturing method (2)").

(반도체 칩의 제조 방법 (2))(Method for manufacturing semiconductor chip (2))

즉, 본 실시형태의 제조 방법(제조 방법 (2))은, 박리 필름을 제거한 후의 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정(첩부 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저 광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정(개질층 형성 공정)과, 상기 보호막 혹은 상기 보호막 형성용 필름이 첩부되고 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층이 형성된 분할 전 적층체를 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정(분할된 적층체 제작 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정(보호막 형성 공정)과, 상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정(픽업 공정)을 갖는다. That is, the manufacturing method (manufacturing method (2)) of this embodiment sticks the film for protective film formation in the said composite sheet for protective film formation after removing a peeling film to a semiconductor wafer, the process of producing the laminated body before division|segmentation (pasting process) of this embodiment ), and irradiating laser light to the inside of the semiconductor wafer to form a modified layer inside the semiconductor wafer (modified layer forming step), and the protective film or the protective film forming film is adhered to the inside of the semiconductor wafer By expanding the pre-division laminate on which the modified layer is formed, the semiconductor wafer is divided, the protective film forming film is cut, and the support sheet and the protective film forming film after cutting formed on one side of the support sheet and a step of producing a divided laminate comprising a plurality of semiconductor chips formed on a surface opposite to the supporting sheet side of the protective film forming film after cutting (divided laminate manufacturing step), and the semiconductor wafer A step of forming a protective film by curing the film for forming a protective film after being affixed to (protective film formation step), and a semiconductor chip having a protective film after the cut in the divided laminate is separated from the support sheet and picked up It has a process (pickup process) to do.

제조 방법 (2)는 추가로 상기 첩부 공정과 상기 픽업 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 된다. The manufacturing method (2) may further have a laser printing process between the said sticking process and the said pick-up process.

제조 방법 (2)에 있어서는, 상기 첩부 공정과 개질층 형성 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되고, 상기 개질층 형성 공정과 분할된 적층체 제작 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되며, 상기 분할된 적층체 제작 공정과 보호막 형성 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되고, 레이저 인자 공정을 형성하는 순서는 이들에 한정되지 않으며, 목적에 따라 임의로 설정할 수 있다. In the manufacturing method (2), a laser printing step may be included between the pasting step and the modified layer forming step, or a laser printing step may be included between the modified layer forming step and the divided laminate production step, A laser printing step may be included between the divided laminate production step and the protective film forming step, and the order of forming the laser printing step is not limited thereto, and may be arbitrarily set according to the purpose.

도 15는 이러한 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 15 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of such a method for manufacturing a semiconductor chip.

제조 방법 (2)의 첩부 공정 후에는, 개질층 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 설정된 초점에 집속하도록 레이저 광을 조사하여, 도 15 (c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 개질층(20)을 형성한다. After the sticking step of the manufacturing method (2), in the modified layer forming step, the laser beam is irradiated so as to be focused on a focus set inside the semiconductor wafer 9, and as shown in Fig. 15 (c), the semiconductor wafer ( 9) to form a modified layer 20 in the interior.

이어서, 상기 분할된 적층체 제작 공정에 있어서, 이 개질층(20)이 형성되고, 또한 이면(9b)에는 보호막 형성용 필름(13)이 첩부된 반도체 웨이퍼(9)를 이 보호막 형성용 필름(13)과 함께, 보호막 형성용 필름(13)의 표면 방향으로 익스팬드하여, 도 15 (d)에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성용 필름(13)을 절단함과 함께, 개질층(20)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면(다시 말하면, 제1 면) 상에 형성된, 절단 후의 보호막 형성용 필름(130)과, 상기 절단 후의 보호막 형성용 필름(130)의 상기 지지 시트측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」으로 칭하는 경우가 있다) 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작한다. 이에 의해, 절단 후의 보호막 형성용 필름(130)을 구비한 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. 이 때, 보호막 형성용 필름(13)은 반도체 칩(9')의 주연부를 따른 위치에서 절단(분할)된다. 이 절단 후의 보호막 형성용 필름(13)을 부호 130으로 나타내고 있다. Next, in the divided laminate production process, the semiconductor wafer 9 on which the modified layer 20 is formed and the film 13 for forming a protective film 13 is affixed on the back surface 9b is applied to the film for forming a protective film ( It expands with 13) in the surface direction of the film 13 for protective film formation, and as shown to Fig.15 (d), while cut|disconnecting the film 13 for protective film formation, the site|part of the modified layer 20 In dividing the semiconductor wafer 9, the support sheet, the film 130 for forming a protective film after cutting formed on one side (that is, the first side) of the support sheet, and the protective film formation after the cutting A divided laminate including a plurality of semiconductor chips formed on the surface of the film 130 opposite to the supporting sheet side (in this specification, it may be referred to as a "first surface") is produced. Thereby, the some semiconductor chip 9' provided with the film 130 for protective film formation after cutting|disconnection is obtained. At this time, the film 13 for forming a protective film is cut|disconnected (division|segmented) at the position along the periphery of the semiconductor chip 9'. The film 13 for protective film formation after this cut|disconnection is shown by the code|symbol 130.

제조 방법 (2)의 상기 보호막 형성 공정에 있어서는, 보호막 형성용 필름(130)을 경화시켜, 도 15 (e)에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(9')에 보호막(130')을 형성한다. In the said protective film formation process of manufacturing method (2), the film 130 for protective film formation is hardened, and as shown to Fig.15 (e), the protective film 130' is formed in the semiconductor chip 9'.

제조 방법 (2)에 있어서의 보호막 형성 공정은 제조 방법 (1)에 있어서의 보호막 형성 공정과 동일한 방법으로 행할 수 있다. The protective film formation process in the manufacturing method (2) can be performed by the method similar to the protective film formation process in the manufacturing method (1).

본 공정을 행함으로써, 제조 방법 (1)의 분할된 적층체 제작 공정 종료 후, 즉, 도 12 (e)와 동일한 상태의 보호막이 형성된 반도체 칩이 얻어진다. By performing this step, a semiconductor chip with a protective film in the same state as in Fig. 12(e) is obtained after completion of the divided laminate production step of the manufacturing method (1).

제조 방법 (2)의 상기 픽업 공정에 있어서는, 도 15 (f)에 나타내는 바와 같이, 절단 후의 보호막(130')을 구비한 반도체 칩(9')을 지지 시트(10)로부터 분리하여 픽업한다. In the pick-up step of the manufacturing method (2), as shown in FIG.

제조 방법 (2)에 있어서의 픽업 공정은 제조 방법 (1)에 있어서의 픽업 공정과 동일한 방법으로(도 12 (f)에 나타내는 바와 같이) 행할 수 있다. The pick-up process in the manufacturing method (2) can be performed by the method similar to the pick-up process in the manufacturing method (1) (as shown to Fig.12(f)).

이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9' is obtained as a semiconductor chip in which the protective film was formed.

익스팬드한 후의, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이므로, 제조 방법 (2)에서 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩은 픽업시의 대전에 의한 회로의 파괴가 억제되어 있어 우수한 특성을 갖는다. Since the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for forming a protective film after expansion is 1.0×10 11 Ω/□ or less, the semiconductor chip with a protective film obtained in the manufacturing method (2) is not subjected to charging at the time of pickup. It has excellent characteristics because the destruction of the circuit is suppressed.

제조 방법 (1) 및 (2)에 있어서는, 보호막 형성 공정 후에 픽업 공정을 행하지만, 본 실시형태에 따른 반도체 칩의 제조 방법에 있어서는, 보호막 형성 공정을 행하지 않고 픽업 공정까지를 행하고, 픽업 공정 후에 보호막 형성 공정을 행해도 된다(본 실시형태를 「제조 방법 (3)」으로 칭하는 경우가 있다). In the manufacturing methods (1) and (2), the pick-up process is performed after the protective film forming process, but in the manufacturing method of the semiconductor chip according to the present embodiment, the pick-up process is performed without performing the protective film forming process, and after the pick-up process You may perform a protective film formation process (this embodiment may be called "manufacturing method (3)").

(반도체 칩의 제조 방법 (3))(Method for manufacturing semiconductor chip (3))

즉, 본 실시형태의 제조 방법(제조 방법 (3))은, 박리 필름을 제거한 후의 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정(첩부 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저 광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정(개질층 형성 공정)과, 상기 분할 전 적층체를 익스팬드하여, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정(분할된 적층체 제작 공정)과, 상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정(픽업 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름(절단 및 픽업 후의 보호막 형성용 필름)을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정(보호막 형성 공정)을 갖는다. That is, the manufacturing method (manufacturing method (3)) of this embodiment sticks the film for protective film formation in the said composite sheet for protective film formation after removing a peeling film to a semiconductor wafer, and produces the laminated body before division|segmentation (pasting process) ), and irradiating laser light to the inside of the semiconductor wafer to form a modified layer inside the semiconductor wafer (reformed layer forming step), and expanding the stack before division to divide the semiconductor wafer, , The protective film forming film is cut, and the support sheet, the protective film forming film after cutting, and the protective film forming film formed on one side of the support sheet are formed on the opposite side to the support sheet side of the cut protective film forming film A step of producing a divided laminate having a plurality of semiconductor chips formed in (divided laminate production step), and a semiconductor chip in the divided laminate including a film for forming a protective film after cutting, A step of separating and picking up from the support sheet (pickup step), and a step of curing the film for forming a protective film (film for forming a protective film after cutting and picking up) after being pasted on the semiconductor wafer to form a protective film (protective film forming step) has

제조 방법 (3)은 추가로 상기 첩부 공정과 상기 픽업 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 된다. The manufacturing method (3) may further have a laser printing process between the said sticking process and the said pick-up process.

제조 방법 (3)에 있어서는, 상기 첩부 공정과 개질층 형성 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되고, 상기 개질층 형성 공정과 분할된 적층체 제작 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되며, 상기 분할된 적층체 제작 공정과 픽업 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 되고, 레이저 인자 공정을 형성하는 순서는 이들에 한정되지 않으며, 목적에 따라 임의로 설정할 수 있다. In the manufacturing method (3), a laser printing step may be included between the pasting step and the modified layer forming step, or a laser printing step may be included between the modified layer forming step and the divided laminate production step, You may have a laser printing process between the said divided|segmented laminated body manufacturing process and a pick-up process, The order of forming a laser printing process is not limited to these, It can set arbitrarily according to the objective.

도 16은 이러한 반도체 칩의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 16 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of such a method for manufacturing a semiconductor chip.

제조 방법 (3)의 상기 첩부 공정, 개질층 형성 공정, 및 분할된 적층체 제작 공정은 각각, 도 16 (a)∼도 16 (d)에 나타내는 바와 같이, 제조 방법 (2)의 박리 공정, 첩부 공정, 및 분할 공정과 동일한 방법으로(도 15 (a)∼도 15 (d)에 나타내는 바와 같이) 행할 수 있다. As shown in Figs. 16 (a) to 16 (d), respectively, the above-mentioned pasting step, the modified layer forming step, and the divided laminate production step of the manufacturing method (3) are the peeling step of the manufacturing method (2); It can carry out by the method similar to a pasting process and a division|segmentation process (as shown to FIG.15(a) - FIG.15(d)).

제조 방법 (3)의 상기 픽업 공정에 있어서는, 도 16 (e)에 나타내는 바와 같이, 절단 후의 보호막 형성용 필름(130)을 구비한 반도체 칩(9')을 지지 시트(10)로부터 분리하여 픽업한다. In the said pick-up process of the manufacturing method (3), as shown to Fig.16 (e), the semiconductor chip 9' provided with the film 130 for protective film formation after a cut|disconnection is separated from the support sheet 10, and is picked up. do.

제조 방법 (3)에 있어서의 픽업 공정은 제조 방법 (1) 및 (2)에 있어서의 픽업 공정과 동일한 방법으로(도 14 (f) 및 도 15 (f)에 나타내는 바와 같이) 행할 수 있다. The pick-up process in manufacturing method (3) can be performed by the method similar to the pick-up process in manufacturing methods (1) and (2) (as shown to FIG. 14(f) and FIG. 15(f)).

제조 방법 (3)의 상기 보호막 형성 공정에 있어서는, 픽업 후의 보호막 형성용 필름(130)을 경화시켜, 도 16 (f)에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(9')에 보호막(130')을 형성한다. In the said protective film formation process of manufacturing method (3), the film 130 for protective film formation after pick-up is hardened, and, as shown in FIG.16(f), the protective film 130' is formed in the semiconductor chip 9'. do.

보호막 형성용 필름(13)이 열경화성인 경우에는, 제조 방법 (3)에 있어서의 보호막 형성 공정은 제조 방법 (1) 및 (2)에 있어서의 보호막 형성 공정과 동일한 방법으로 행할 수 있다. 보호막 형성용 필름(13)이 에너지선 경화성인 경우에는, 제조 방법 (3)에 있어서의 보호막 형성 공정은 보호막 형성용 필름(130)에 대한 에너지선의 조사를, 지지 시트(10)를 개재하여 행하는 필요가 없는 점 이외에는, 제조 방법 (1) 및 (2)에 있어서의 보호막 형성 공정과 동일한 방법으로 행할 수 있다. When the film 13 for protective film formation is thermosetting, the protective film formation process in manufacturing method (3) can be performed by the method similar to the protective film formation process in manufacturing methods (1) and (2). When the film for forming a protective film 13 is energy ray-curable, the protective film forming step in the manufacturing method (3) is performed by irradiating the film for forming a protective film 130 with an energy ray through the support sheet 10 . Except that it is not necessary, it can carry out by the method similar to the protective film formation process in manufacturing methods (1) and (2).

이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9' is obtained as a semiconductor chip in which the protective film was formed.

익스팬드한 후의, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이므로, 제조 방법 (3)에서 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩은 픽업시의 대전에 의한 회로의 파괴가 억제되어 있어 우수한 특성을 갖는다. Since the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side of the composite sheet for forming a protective film after expansion is 1.0×10 11 Ω/□ or less, the semiconductor chip with a protective film obtained in the manufacturing method (3) is not subjected to charging at the time of pickup. It has excellent characteristics because the destruction of the circuit is suppressed.

제조 방법 (1)∼(3)에 있어서는, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여 반도체 칩(9')을 얻는 방법으로서, 다이싱 블레이드를 이용하지 않고, 반도체 웨이퍼(9)의 내부에 개질층(20)을 형성하고, 이 개질층(20)의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9)를 익스팬드 분할하는 방법을 적용한다. 이 경우, 개질층 형성 공정은 상기 분할된 적층체 제작 공정보다 전의 단계이면, 어느 단계에서 행해도 되며, 예를 들면, 첩부 공정의 전, 첩부 공정과 보호막 형성 공정 사이 등의 어느 단계에서 행할 수 있다. In the manufacturing methods (1) to (3), as a method of obtaining the semiconductor chip 9' by dividing the semiconductor wafer 9, a modified layer ( 20) is formed, and the method of expanding and dividing the semiconductor wafer 9 in the portion of the modified layer 20 is applied. In this case, the modified layer forming step may be performed at any step as long as it is a step before the divided laminate production step, for example, before the pasting step, between the pasting step and the protective film forming step. there is.

(반도체 칩의 제조 방법 (4))(Method for manufacturing semiconductor chip (4))

본 실시형태의 제조 방법(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 (4)」로 칭하는 경우가 있다)은, 박리 필름을 제거한 후의 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정(첩부 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정(보호막 형성 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막과, 상기 절단 후의 보호막의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정과, 상기 분할된 적층체를 익스팬드하는 공정과, 상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정을 갖는다. In the manufacturing method of this embodiment (in this specification, it may call "manufacturing method (4)"), the film for protective film formation in the said composite sheet for protective film formation after removing a peeling film is stuck to a semiconductor wafer, and is divided The process of manufacturing the whole laminated body (pasting process), the process of hardening the said protective film formation film after affixing on the said semiconductor wafer, and forming a protective film (protective film formation process), dividing the said semiconductor wafer, and the said protective film is cut to include a support sheet, the protective film after cutting formed on one side of the support sheet, and a plurality of semiconductor chips formed on the side opposite to the support sheet side of the protective film after cutting It has the process of manufacturing a laminated body, the process of expanding the said divided laminated body, and the process of separating and picking up the semiconductor chip provided with the said cut|disconnected protective film in the said division|segmentation laminated body from the said support sheet.

제조 방법 (4)는 추가로 상기 첩부 공정과 상기 픽업 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 된다. 레이저 인자 공정을 형성하는 순서는 목적에 따라 임의로 설정할 수 있다. The manufacturing method (4) may further have a laser printing process between the said sticking process and the said pick-up process. The order of forming the laser printing process may be arbitrarily set according to the purpose.

도 17은 이러한 반도체 칩의 제조 방법 (4)의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. Fig. 17 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of the method (4) for manufacturing such a semiconductor chip.

제조 방법 (4)에 있어서도, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)를 사용하는 경우, 도 17 (a)에 나타내는 바와 같이, 제조 방법 (1)의 경우와 동일하게, 보호막 형성용 필름(101)으로부터 박리 필름(15)을 제거한다. Also in the manufacturing method (4), when using the composite sheet 101 for protective film formation shown in FIG. 1, as shown to FIG.17(a), similarly to the case of the manufacturing method (1), the film for protective film formation The release film 15 is removed from 101 .

한편, 여기서는 편의상, 박리 필름(15)을 제거한 후의 보호막 형성용 복합 시트도, 부호 101을 부여하여 나타내고 있다. In addition, for convenience, the composite sheet for protective film formation after removing the peeling film 15 also attaches|subjects and shows the code|symbol 101 here.

제조 방법 (4)의 상기 첩부 공정에 있어서는, 도 17 (b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9)의 이면(9b)에 보호막 형성용 복합 시트(101) 중의 보호막 형성용 필름(13)을 첩부한다. In the above affixing step of the manufacturing method (4), as shown in FIG. paste it

첩부 공정에 있어서는, 보호막 형성용 필름(13)을 가열함으로써 연화시키고, 반도체 웨이퍼(9)에 첩부해도 된다. 이 경우, 예를 들면, 보호막 형성용 필름(13)을 70℃에서 1분 가열한 후, 바로 반도체 웨이퍼(9)에 첩부해도 된다. In a pasting process, it may be softened by heating the film 13 for protective film formation, and you may stick to the semiconductor wafer 9. In this case, for example, after heating the film 13 for protective film formation at 70 degreeC for 1 minute, you may stick on the semiconductor wafer 9 immediately.

한편, 여기서는, 반도체 웨이퍼(9)에 있어서, 회로면 상의 범프 등의 도시를 생략하고 있다. In addition, in the semiconductor wafer 9, illustration of the bump etc. on a circuit surface is abbreviate|omitted here.

제조 방법 (4)의 첩부 공정 후에는, 상기 보호막 형성 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)에 첩부한 후의 보호막 형성용 필름(13)을 열경화시켜, 도 17 (c)에 나타내는 바와 같이, 보호막(13')을 형성한다. After the pasting process of manufacturing method (4), the said protective film formation process WHEREIN: As the film 13 for protective film formation after affixing on the semiconductor wafer 9 is thermosetted, and as shown to FIG.17(c), a protective film (13') is formed.

한편, 여기서는, 보호막 형성용 필름(13)이 보호막(13')이 된 후의 보호막 형성용 복합 시트를 부호 101'로 나타내고 있다. 이는 이후의 도면에 있어서도 동일하다. In addition, the composite sheet for protective film formation after the film 13 for protective film formation turns into the protective film 13' is shown by the code|symbol 101' here. This is also the same in the following drawings.

보호막 형성 공정에 있어서, 보호막 형성용 필름(13)의 열경화 조건, 즉, 열경화시의 가열 온도 및 가열 시간은, 앞서 설명한 바와 같다. A protective film formation process WHEREIN: The thermosetting conditions of the film 13 for protective film formation, ie, the heating temperature and heating time at the time of thermosetting, are as having demonstrated previously.

제조 방법 (4)의 보호막 형성 공정 후에는, 상기 분할 공정에 있어서, 보호막 형성용 복합 시트(101')를 다이싱 테이블 상에 재치하고, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하고, 보호막(13')을 절단하여, 도 17 (d)에 나타내는 바와 같이, 절단 후의 보호막(130')을 구비한 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. 보호막(13')은 반도체 칩(9')의 주연부를 따른 위치에서 절단(분할)된다. 이 때, 보호막 형성용 복합 시트(101')는 배면 대전 방지층(17)을 갖는 지지 시트(10)를 포함하여, 보호막 형성용 복합 시트(101')의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이기 때문에, 보호막 형성용 복합 시트(101')와 다이싱 테이블 사이에, 정전기 등의 영향에 의해 이물이 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 보호막(13')을 절단할 때의 치핑의 발생을 방지할 수 있다. After the protective film forming step of the manufacturing method (4), in the dividing step, the composite sheet 101' for forming a protective film is placed on a dicing table, the semiconductor wafer 9 is divided, and the protective film 13' is is cut to obtain a plurality of semiconductor chips 9' provided with the cut protective film 130' as shown in Fig. 17(d). The protective film 13' is cut (divided) at a position along the periphery of the semiconductor chip 9'. At this time, the composite sheet 101' for forming a protective film includes a support sheet 10 having a back antistatic layer 17, and the surface resistivity of the composite sheet 101' for forming a protective film is 1.0×10 11 Ω/□. Because of the following, it is possible to prevent foreign matter from entering between the composite sheet 101' for forming a protective film and the dicing table under the influence of static electricity or the like. As a result, it is possible to prevent the occurrence of chipping when the semiconductor wafer 9 is divided and the protective film 13' is cut.

상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 보호막(13')을 절단하는 방법은, 공지의 방법이어도 된다. In the division step, a method of dividing the semiconductor wafer 9 and cutting the protective film 13' may be a known method.

이러한 방법으로는, 예를 들면, 다이싱 블레이드를 이용하여, 반도체 웨이퍼(9)를 보호막(13')째 분할(절단)하는 방법 등을 들 수 있다. As such a method, for example, a method of dividing (cutting) the semiconductor wafer 9 through the protective film 13' using a dicing blade.

제조 방법 (4)의 분할 공정 후에는, 상기 분할된 적층체를 익스팬드하는 공정에 있어서, 도 17 (e)에 나타내는 바와 같이, 절단 후의 보호막(130')을 구비한 복수개의 반도체 칩(9')과 함께, 지지 시트(10)를 표면 방향으로 익스팬드한다. 여기서는, 익스팬드의 방향을 화살표(EP)로 나타내고 있으나, 이는 이후의 도면에 있어서도 동일하다. After the division step of the manufacturing method (4), in the step of expanding the divided laminate, as shown in Fig. 17(e), a plurality of semiconductor chips 9 provided with the protection film 130' after cutting '), expand the support sheet 10 in the surface direction. Here, the direction of the expand is indicated by an arrow EP, but this is the same in the following drawings.

제조 방법 (4)의 상기 분할된 적층체를 익스팬드하는 공정 후에는, 상기 픽업 공정에 있어서, 도 17 (f)에 나타내는 바와 같이, 절단 후의 보호막(130')을 구비한 복수개의 반도체 칩(9')을 지지 시트(10)로부터 분리하여 픽업한다. 여기서는, 픽업의 방향을 화살표(I)로 나타내고 있으나, 이는 이후의 도면에 있어서도 동일하다. 반도체 칩(9')을 보호막(130')째 지지 시트(10)로부터 분리하기 위한 분리 수단(8)으로는, 진공 콜릿 등을 들 수 있다. After the step of expanding the divided laminate of the manufacturing method (4), in the pickup step, as shown in FIG. 9') is separated from the support sheet 10 and picked up. Here, the direction of the pickup is indicated by an arrow (I), but this is the same in the following drawings. As the separation means 8 for separating the semiconductor chip 9 ′ from the protective film 130 ′ support sheet 10 , a vacuum collet or the like is exemplified.

이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9' is obtained as a semiconductor chip in which the protective film was formed.

(반도체 칩의 제조 방법 (5))(Method for manufacturing semiconductor chip (5))

본 실시형태의 제조 방법(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 (5)」로 칭하는 경우가 있다)은, 박리 필름을 제거한 후의 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정(첩부 공정)과, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정과, 상기 분할된 적층체를 익스팬드하는 공정과, 상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정(보호막 형성 공정)을 갖는다. In the manufacturing method of this embodiment (in this specification, it may call "manufacturing method (5)"), the film for protective film formation in the said composite sheet for protective film formation after removing a peeling film is stuck to a semiconductor wafer, and is divided|segmented A step of producing the entire laminate (pasting step), dividing the semiconductor wafer, cutting the film for forming a protective film, a support sheet, and the film for forming the protective film after cutting formed on one side of the support sheet and manufacturing a divided laminate comprising a plurality of semiconductor chips formed on a surface opposite to the supporting sheet side of the protective film forming film after cutting; and expanding the divided laminate; A step of separating and picking up a semiconductor chip having a film for forming a protective film after cutting in the divided laminate from the support sheet, and curing the film for forming a protective film after affixing to the semiconductor wafer, a protective film It has a process (protective film formation process) of forming.

제조 방법 (5)는 추가로 상기 첩부 공정과 상기 픽업 공정 사이에, 레이저 인자 공정을 갖고 있어도 된다. 레이저 인자 공정을 형성하는 순서는 목적에 따라 임의로 설정할 수 있다. The manufacturing method (5) may further have a laser printing process between the said sticking process and the said pick-up process. The order of forming the laser printing process may be arbitrarily set according to the purpose.

도 18은 이러한 반도체 칩의 제조 방법 (5)의 일 실시형태를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다. 18 is a cross-sectional view schematically illustrating an embodiment of the method (5) for manufacturing such a semiconductor chip.

제조 방법 (5)에 있어서도, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)를 사용하는 경우, 도 18 (a)에 나타내는 바와 같이, 제조 방법 (1)의 경우와 동일하게, 보호막 형성용 필름(101)으로부터 박리 필름(15)을 제거한다. Also in the manufacturing method (5), when using the composite sheet 101 for protective film formation shown in FIG. 1, as shown to FIG. 18(a), similarly to the case of the manufacturing method (1), the film for protective film formation The release film 15 is removed from 101 .

제조 방법 (5)의 상기 첩부 공정도, 도 18 (b)에 나타내는 바와 같이, 제조 방법 (1)의 첩부 공정과 동일한 방법으로(도 14 (b)에 나타내는 바와 같이) 행할 수 있다. As shown in FIG. 18(b), the said sticking process of manufacturing method (5) can also be performed by the method similar to the pasting process of manufacturing method (1) (as shown to FIG. 14(b)).

제조 방법 (5)의 첩부 공정 후에는, 상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하고, 보호막 형성용 필름(13)을 절단하여, 도 18 (c)에 나타내는 바와 같이, 절단 후의 보호막 형성용 필름(130)을 구비한 복수개의 반도체 칩(9')을 얻는다. 보호막 형성용 필름(130)은 반도체 칩(9')의 주연부를 따른 위치에서 절단(분할)된다. 이 때, 보호막 형성용 복합 시트(101')는 배면 대전 방지층(17)을 갖는 지지 시트(10)를 포함하여, 보호막 형성용 복합 시트(101')의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하이기 때문에, 보호막 형성용 복합 시트(101')와 다이싱 테이블 사이에, 정전기 등의 영향에 의해 이물이 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 보호막(13')을 절단할 때의 치핑의 발생을 방지할 수 있다. After the pasting process of the manufacturing method (5), the said division process WHEREIN: The semiconductor wafer 9 is divided|segmented, the film 13 for protective film formation is cut|disconnected, As shown in FIG.18(c), the protective film after cutting|disconnection. A plurality of semiconductor chips 9' provided with the film 130 for formation are obtained. The protective film forming film 130 is cut (divided) at a position along the periphery of the semiconductor chip 9'. At this time, the composite sheet 101' for forming a protective film includes a support sheet 10 having a back antistatic layer 17, and the surface resistivity of the composite sheet 101' for forming a protective film is 1.0×10 11 Ω/□. Because of the following, it is possible to prevent foreign matter from entering between the composite sheet 101' for forming a protective film and the dicing table under the influence of static electricity or the like. As a result, it is possible to prevent the occurrence of chipping when the semiconductor wafer 9 is divided and the protective film 13' is cut.

상기 분할 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(9)를 분할하여, 보호막 형성용 필름(130)을 절단하는 방법은, 공지의 방법이어도 된다. The said division|segmentation process WHEREIN: A well-known method may be sufficient as the method of dividing|segmenting the semiconductor wafer 9 and cutting|disconnecting the film 130 for protective film formation.

이러한 방법으로는, 예를 들면, 다이싱 블레이드를 이용하여, 반도체 웨이퍼(9)를 보호막 형성용 필름(130)째 분할(절단)하는 방법 등을 들 수 있다. As such a method, for example, a method of dividing (cutting) the semiconductor wafer 9 by using a dicing blade for the protective film forming film 130 .

제조 방법 (5)의 상기 픽업 공정에 있어서는, 도 18 (e)에 나타내는 바와 같이, 절단 후의 보호막 형성용 필름(130)을 구비한 반도체 칩(9')을 지지 시트(10)로부터 분리하여 픽업한다. In the said pick-up process of the manufacturing method (5), as shown to FIG.18(e), the semiconductor chip 9' provided with the film 130 for protective film formation after a cut|disconnection is removed from the support sheet 10, and is picked up do.

제조 방법 (5)에 있어서의 픽업 공정은 제조 방법 (3)에 있어서의 픽업 공정과 동일한 방법으로(도 16 (e)에 나타내는 바와 같이) 행할 수 있다. The pick-up process in the manufacturing method (5) can be performed by the method similar to the pick-up process in the manufacturing method (3) (as shown to Fig.16(e)).

제조 방법 (5)의 상기 보호막 형성 공정에 있어서는, 픽업 후의 보호막 형성용 필름(130)을 열경화시켜, 도 16 (f)에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(9')에 보호막(130')을 형성한다. In the said protective film formation process of manufacturing method (5), the film 130 for protective film formation after pick-up is thermosetted, and, as shown in FIG. 16(f), the protective film 130' is applied to the semiconductor chip 9'. to form

제조 방법 (5)에 있어서의 보호막 형성 공정은 제조 방법 (3)에 있어서의 보호막 형성 공정과 동일한 방법으로 행할 수 있다. The protective film formation process in the manufacturing method (5) can be performed by the method similar to the protective film formation process in the manufacturing method (3).

이상에 의해, 목적으로 하는 반도체 칩(9')이, 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 얻어진다. By the above, the target semiconductor chip 9' is obtained as a semiconductor chip in which the protective film was formed.

지금까지는, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101)를 사용한 경우의, 반도체 칩의 제조 방법에 대해 설명했으나, 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은 이에 한정되지 않는다. So far, although the manufacturing method of the semiconductor chip at the time of using the composite sheet 101 for protective film formation shown in FIG. 1 was demonstrated, the manufacturing method of the semiconductor chip of this invention is not limited to this.

예를 들면, 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은, 도 2∼도 5에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(102∼105), 도 6∼도 10에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(201∼205), 도 11∼도 13에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(301, 401, 및 501) 등, 도 1에 나타내는 보호막 형성용 복합 시트(101) 이외의 것을 사용해도, 동일하게 반도체 칩을 제조할 수 있다. For example, in the manufacturing method of the semiconductor chip of this invention, the composite sheets 102-105 for protective film formation shown in FIGS. 2-5, the composite sheets 201-205 for protective film formation shown in FIGS. 6-10; Even if it uses things other than the composite sheet 101 for protective film formation shown in FIG. 1, such as composite sheet 301, 401, and 501 for protective film formation shown in FIGS. 11-13, a semiconductor chip can be manufactured similarly.

이와 같이, 다른 실시형태의 보호막 형성용 복합 시트를 사용하는 경우에는, 이들 시트의 구조의 상이에 기초하여, 상술한 제조 방법에 있어서, 적절히 공정의 추가, 변경, 삭제 등을 행하여, 반도체 칩을 제조하면 된다. Thus, when using the composite sheet for forming a protective film of another embodiment, based on the difference in the structure of these sheets, in the above-described manufacturing method, steps are appropriately added, changed, deleted, etc. you have to manufacture

◇반도체 장치의 제조 방법◇Semiconductor device manufacturing method

상술한 제조 방법에 의해, 보호막이 형성된 반도체 칩을 얻은 후에는, 공지의 방법에 의해, 이 반도체 칩을 기판의 회로면에 플립 칩 접속 한 후, 반도체 패키지로 하고, 이 반도체 패키지를 사용함으로써, 목적으로 하는 반도체 장치를 제조할 수 있다(도시 생략). After obtaining the semiconductor chip provided with the protective film by the above-described manufacturing method, flip-chip connecting the semiconductor chip to the circuit surface of the substrate by a known method, making a semiconductor package, and using this semiconductor package, A target semiconductor device can be manufactured (not shown).

실시예Example

이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of specific examples. However, this invention is not limited at all to the Example shown below.

＜대전 방지 조성물＞<Antistatic composition>

실시예 또는 비교예에서 사용한 대전 방지 조성물을 이하에 나타낸다. The antistatic composition used in the Example or the comparative example is shown below.

대전 방지 조성물(VI-1)-1: 폴리피롤을 반응성 유화제에 의해 유화하고, 유기 용매에 용해시켜 얻어진 폴리피롤 용액. Antistatic composition (VI-1)-1: A polypyrrole solution obtained by emulsifying polypyrrole with a reactive emulsifier and dissolving it in an organic solvent.

대전 방지 조성물(VI-1)-2: 이데미츠 흥산사 제조 「UVH515」Antistatic composition (VI-1)-2: "UVH515" manufactured by Idemitsu Kogsan Co., Ltd.

대전 방지 조성물(VI-1)-3: 에폭시아크릴레이트계 수지 100질량부(중량 평균 분자량 2000)에 평균 입자 직경 0.1㎛의 안티몬 도프 산화주석(ATO) 필러를 230질량부, 광중합 개시제(BASF사 제조 이르가큐어 184)를 2질량부 배합한 ATO 필러 배합 코팅제. Antistatic composition (VI-1)-3: 230 parts by mass of an antimony-doped tin oxide (ATO) filler having an average particle diameter of 0.1 µm to 100 parts by mass of an epoxy acrylate-based resin (weight average molecular weight 2000), a photopolymerization initiator (BASF Corporation) ATO filler compounding coating agent which mix|blended 2 mass parts of manufacture Irgacure 184).

＜보호막 형성용 조성물의 제조 원료＞<The raw material for manufacturing the composition for forming a protective film>

보호막 형성용 조성물의 제조에 사용한 원료를 이하에 나타낸다. The raw material used for manufacture of the composition for protective film formation is shown below.

[중합체 성분(A)][Polymer component (A)]

(A)-1: 아크릴산n-부틸(10질량부), 아크릴산메틸(70질량부), 메타크릴산글리시딜(5질량부), 및 아크릴산2-히드록시에틸(15질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴계 수지(중량 평균 분자량 400000, 유리 전이 온도 -1℃).(A)-1: copolymerization of n-butyl acrylate (10 parts by mass), methyl acrylate (70 parts by mass), glycidyl methacrylate (5 parts by mass), and 2-hydroxyethyl acrylate (15 parts by mass) Acrylic resin (weight average molecular weight 400000, glass transition temperature -1 degreeC) formed by doing.

[열경화성 성분(B)][thermosetting component (B)]

·에폭시 수지(B1)・Epoxy resin (B1)

(B1)-1: 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 화학사 제조 「jER1055」, 에폭시 당량 800∼900g/eq)(B1)-1: Bisphenol A epoxy resin ("jER1055" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent 800 to 900 g/eq)

(B1)-2: 비스페놀 A형 에폭시 수지(닛폰 쇼쿠바이사 제조 「BPA328」, 에폭시 당량 235g/eq)(B1)-2: Bisphenol A epoxy resin ("BPA328" manufactured by Nippon Shokubai, epoxy equivalent 235 g/eq)

(B1)-3: 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC사 제조 「에피클론 HP-7200HH」, 에폭시 당량 274∼286g/eq)(B1)-3: dicyclopentadiene type epoxy resin ("Epiclon HP-7200HH" manufactured by DIC, epoxy equivalent of 274 to 286 g/eq)

·열경화제(B2)· Thermosetting agent (B2)

(B2)-1: 디시안디아미드(열활성 잠재성 에폭시 수지 경화제, 미츠비시 화학사 제조 「DICY7」, 활성 수소량 21g/eq)(B2)-1: dicyandiamide (thermally active latent epoxy resin curing agent, Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "DICY7", active hydrogen amount 21 g/eq)

[경화 촉진제(C)][curing accelerator (C)]

(C)-1: 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(시코쿠 화성 공업사 제조 「큐아졸 2PHZ-PW」)(C)-1: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole ("Qazole 2PHZ-PW" manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.)

[충전재(D)][Filling material (D)]

(D)-1: 실리카 필러(아드마텍스사 제조 「SC2050MA」, 에폭시계 화합물로 표면 수식된 실리카 필러, 평균 입자 직경 500㎚)(D)-1: Silica filler (“SC2050MA” manufactured by Admatex, silica filler surface-modified with an epoxy compound, average particle diameter of 500 nm)

[착색제(I)][Colorant (I)]

(I)-1: 카본 블랙(미츠비시 화학사 제조 「MA600B」) (I)-1: Carbon black (“MA600B” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

[실시예 1][Example 1]

＜＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞＞<<Manufacture of the composite sheet for protective film formation>>

＜열경화성 보호막 형성용 조성물(III-1)의 제조＞<Production of composition (III-1) for forming a thermosetting protective film>

중합체 성분(A)-1(150질량부), 에폭시 수지(B1)-1(10질량부), 에폭시 수지(B1)-2(60질량부), 에폭시 수지(B1)-3(30질량부), 열경화제(B2)-1(2.4질량부), 경화 촉진제(C)-1(2.4질량부), 충전재(D)-1(320질량부), 및 착색제(I)-1(1.16질량부)을 혼합하고, 추가로 이들의 합계 농도가 55질량％가 되도록, 메틸에틸케톤으로 희석하여, 열경화성 보호막 형성용 조성물(III-1)을 조제했다. Polymer component (A)-1 (150 mass parts), epoxy resin (B1)-1 (10 mass parts), epoxy resin (B1)-2 (60 mass parts), epoxy resin (B1)-3 (30 mass parts) ), thermosetting agent (B2)-1 (2.4 parts by mass), curing accelerator (C)-1 (2.4 parts by mass), filler (D)-1 (320 parts by mass), and colorant (I)-1 (1.16 parts by mass) part), and further diluted with methyl ethyl ketone so that these total concentrations might be 55 mass %, and the composition (III-1) for thermosetting protective film formation was prepared.

＜보호막 형성용 필름의 제조＞<Manufacture of the film for protective film formation>

폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 한쪽 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 열경화성 보호막 형성용 조성물(III-1)을 도공하고, 100℃에서 2분 건조시킴으로써, 두께 40㎛의 열경화성 보호막 형성용 필름을 제조했다. Using a release film ("SP-PET381031" manufactured by Lintec, 38 µm thick) in which one side of a polyethylene terephthalate film has been subjected to release treatment by silicone treatment, the composition for forming a thermosetting protective film obtained above on the release treatment surface (III-1) was coated, and the 40-micrometer-thick film for thermosetting protective film formation was manufactured by drying at 100 degreeC for 2 minutes.

＜대전 방지층의 형성＞<Formation of antistatic layer>

기재로서, 한쪽 면의 표면 조도 Ra가 0.2㎛이며, 다른 쪽 면의 표면 조도 Ra가 이 값보다 작고, 이와 같이 한쪽 면이 요철면이며, 다른 쪽 면이 평활면인, 폴리프로필렌제 기재(두께 80㎛)를 준비하고, 그 요철면에 코로나 방전 처리를 실시했다. A substrate (thickness) made of polypropylene, wherein the surface roughness Ra of one side is 0.2 µm, the surface roughness Ra of the other side is smaller than this value, in this way, one side is an uneven surface and the other side is a smooth surface 80 µm), and corona discharge treatment was performed on the concave-convex surface.

이 폴리프로필렌제 기재의 상기 요철면에 바 코터를 이용하여, 상기 대전 방지 조성물(VI-1)-2를 도포하고, 50℃에서 1분 건조시킴으로써, 상기 기재 상에 두께 170㎚의 배면 대전 방지층을 형성했다. Using a bar coater, the antistatic composition (VI-1)-2 is applied to the uneven surface of the polypropylene base material, and dried at 50° C. for 1 minute, thereby forming a rear antistatic layer with a thickness of 170 nm on the base material. has formed

＜점착제 조성물(I-4)의 제조＞<Preparation of the pressure-sensitive adhesive composition (I-4)>

아크릴계 중합체(100질량부), 비스페놀 A형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「JER828」)(상기 에폭시 수지의 양으로서 40질량부), 및 3관능 자일릴렌디이소시아네이트계 가교제(미츠이 타케다 케미컬사 제조 「타케네이트 D110N」)(상기 가교제의 양으로서 16질량부)를 함유하고, 추가로 용매로서 메틸에틸케톤을 함유하여, 상기 아크릴계 중합체, 에폭시 수지, 및 가교제의 합계 농도가 35질량％인 비에너지선 경화성 점착제 조성물(I-4)을 조제했다. 상기 아크릴계 중합체는 아크릴산-2-에틸헥실(60질량부), 메타크릴산메틸(30질량부), 및 아크릴산2-히드록시에틸(10질량부)을 공중합하여 이루어지는, 중량 평균 분자량이 600000인 공중합체이다. An acrylic polymer (100 parts by mass), a bisphenol A epoxy resin ("JER828" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) (40 parts by mass as the amount of the epoxy resin), and a trifunctional xylylene diisocyanate type crosslinking agent (manufactured by Mitsui Takeda Chemicals " Takenate D110N") (16 parts by mass as the amount of the crosslinking agent), further containing methyl ethyl ketone as a solvent, and the total concentration of the acrylic polymer, the epoxy resin, and the crosslinking agent is 35% by mass. A curable pressure-sensitive adhesive composition (I-4) was prepared. The acrylic polymer is a copolymer having a weight average molecular weight of 600000, obtained by copolymerizing 2-ethylhexyl acrylate (60 parts by mass), methyl methacrylate (30 parts by mass), and 2-hydroxyethyl acrylate (10 parts by mass). it is a composite

＜지지 시트의 제조＞<Manufacture of a support sheet>

상술한 보호막 형성용 필름의 제조시에 사용한 것과 동일한 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)을 사용하여, 그 박리 처리면에 상기에서 얻어진 점착제 조성물(I-4)을 도공하고, 120℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 두께 5㎛의 비에너지선 경화성 점착제층을 형성했다. Using the same release film ("SP-PET381031" manufactured by Lintec, 38 µm in thickness) as used in the production of the film for forming a protective film described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) obtained above is coated on the release-treated surface and heat-drying at 120 degreeC for 2 minutes, the 5-micrometer-thick non-energy-ray-curable adhesive layer was formed.

이어서, 이 박리 필름 및 점착제층의 적층물 중, 점착제층의 노출면(다시 말하면, 점착제층의 박리 필름측과는 반대측 면)과, 상기에서 얻어진 기재 및 배면 대전 방지층의 적층물 중, 기재의 노출면(다시 말하면, 기재의 배면 대전 방지층측과는 반대측 면)을 첩합했다. 이에 의해, 배면 대전 방지층, 기재, 점착제층, 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 박리 필름이 형성된 지지 시트를 제조했다. Next, in the laminate of the release film and the pressure-sensitive adhesive layer, the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer (that is, the side opposite to the release film side of the pressure-sensitive adhesive layer) and the substrate obtained above and the back antistatic layer in the laminate of the substrate The exposed surface (that is, the surface opposite to the back antistatic layer side of the base material) was bonded together. Thereby, the back antistatic layer, the base material, the adhesive layer, and the peeling film were laminated|stacked in these thickness directions in this order, and the support sheet with the peeling film comprised was manufactured.

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞<Production of the composite sheet for forming a protective film>

상기에서 얻어진 지지 시트에 있어서, 박리 필름을 제거했다. 그리고, 이 지지 시트 중, 새로 생긴 점착제층의 노출면(다시 말하면, 점착제층의 기재측과는 반대측 면)과, 상기에서 얻어진 박리 필름 및 보호막 형성용 필름의 적층물 중, 보호막 형성용 필름의 노출면(다시 말하면, 보호막 형성용 필름의 박리 필름측과는 반대측 면)을 첩합했다. 이에 의해, 배면 대전 방지층(두께 170㎚), 기재(두께 80㎛), 점착제층(두께 5㎛), 보호막 형성용 필름(두께 40㎛), 및 박리 필름(두께 38㎛)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 보호막 형성용 복합 시트를 얻었다. 이 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 배면 대전 방지층, 기재, 및 점착제층의 적층체(다시 말하면, 지지 시트)의 평면 형상을 직경이 270㎜인 원형으로 하고, 보호막 형성용 필름 및 박리 필름의 적층체의 평면 형상을 직경이 210㎜인 원형으로 하여, 이들 2개의 원이 동심이 되도록 했다. The support sheet obtained above WHEREIN: The peeling film was removed. And, in this supporting sheet, the exposed surface of the newly formed pressure-sensitive adhesive layer (that is, the surface opposite to the substrate side of the pressure-sensitive adhesive layer), and the laminate of the release film and the film for forming a protective film obtained above, of the film for forming a protective film The exposed surface (that is, the surface opposite to the peeling film side of the film for protective film formation) was pasted together. Thereby, a back antistatic layer (thickness 170 nm), a base material (thickness 80 µm), an adhesive layer (thickness 5 µm), a film for forming a protective film (thickness 40 µm), and a release film (thickness 38 µm) are formed in this order, The composite sheet for protective film formation comprised by laminating|stacking in these thickness direction was obtained. In this composite sheet for forming a protective film, the planar shape of the laminate of the back antistatic layer, the base material, and the pressure-sensitive adhesive layer (that is, the support sheet) is a circle having a diameter of 270 mm, and the film for forming a protective film and the release film are laminated The plane shape of the sieve was made into a circle with a diameter of 210 mm, and these two circles were made to be concentric.

이어서, 박리 필름을 제거하고, 보호막 형성용 필름의 노출면(다시 말하면, 보호막 형성용 필름의 점착제층측과는 반대측 면, 또는 제1 면) 중, 보호막 형성용 필름의 주연부 근방의 영역에 지그용 접착제층을 형성했다. Next, the release film is removed, and among the exposed surface of the film for forming a protective film (that is, the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer side of the film for forming a protective film, or the first surface), a jig is placed in a region near the periphery of the film for forming a protective film. An adhesive layer was formed.

이어서, 보호막 형성용 필름의 제1 면과, 지그용 접착제층의 제1 면에, 앞서 제거한 것과 동일한 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)을 첩합했다. Next, on the 1st surface of the film for protective film formation, and the 1st surface of the adhesive bond layer for jigs, the same peeling film ("SP-PET381031" by Lintec Corporation, 38 micrometers in thickness) as what was previously removed was bonded together.

이상에 의해, 도 2에 나타내는 구성이며, 또한, 보호막 형성용 필름의 크기가 지지 시트의 크기보다 약간 작게 되어 있는, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트를 제조했다. By the above, it is the structure shown in FIG. 2, and the magnitude|size of the film for protective film formation has become slightly smaller than the magnitude|size of a support sheet, and the composite sheet for protective film formation with a peeling film was manufactured.

표 1에 보호막 형성용 복합 시트를 구성하는 각 층을 나타낸다. 층란의 「-」이라는 기재는 보호막 형성용 복합 시트가 그 층을 구비하지 않음을 의미한다. Each layer which comprises the composite sheet for protective film formation in Table 1 is shown. A description of "-" in the layer column means that the composite sheet for forming a protective film does not include the layer.

＜＜보호막 형성용 복합 시트의 평가＞＞<<Evaluation of the composite sheet for forming a protective film>>

＜익스팬드하기 전이면서, 보호막 형성용 필름이 열경화하기 전의 보호막 형성용 복합 시트의 표면 저항률의 측정＞<A measurement of the surface resistivity of the composite sheet for protective film formation before expanding and before the film for protective film formation thermosetting>

표면 저항률계(어드반테스트사 제조 「R12704 Resistivity chamber」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 열경화시키지 않고, 익스팬드하지 않고, 인가 전압을 100V로 하여, 이 시트 중의 배면 대전 방지층의 기재측과는 반대측의 노출면(즉, 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층)의 표면 저항률을 측정했다. 결과를 표 1 중의 「보호막 형성용 복합 시트의 익스팬드 전의 표면 저항률(Ω/□)」 란에 나타낸다. Using a surface resistivity meter (“R12704 Resistivity chamber” manufactured by Advantest), the film for forming a protective film in the composite sheet for forming a protective film obtained above is not thermally cured or expanded, and the applied voltage is set to 100 V. The surface resistivity of the exposed surface (namely, the said support sheet side outermost layer in the composite sheet for protective film formation) on the opposite side to the base material side of the back antistatic layer inside was measured. A result is shown in the "surface resistivity before expansion of the composite sheet for protective film formation (Ω/□)" column of Table 1.

＜보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후이면서, 보호막 형성용 필름이 열경화하기 전의, 보호막 형성용 복합 시트의 표면 저항률의 측정＞<After expanding the composite sheet for protective film formation and before the film for protective film formation thermosets, the measurement of the surface resistivity of the composite sheet for protective film formation>

상기 열경화 전의 표면 저항률을 측정한 보호막 형성용 복합 시트를 테이블 상에 재치함과 함께 8인치용 링 프레임에 첩부하고, 예를 들면, 익스팬더(디스코사 제조 「DDS2300」)를 이용하여, 온도 23℃의 환경하에 있어서, 밀어올림 속도 10㎜/sec, 밀어올림 높이 20㎜의 조건으로 상기 테이블을 밀어올려, 상기 보호막 형성용 복합 시트의 상기 링 프레임에 대한 첩부 부위와, 그 이외의 부위 사이에서 상기 테이블을 밀어올리는 방향에 있어서 고저차를 발생시킴으로써, 보호막 형성용 필름을 표면 방향으로 익스팬드했다. 이어서, 이 익스팬드한 후의 보호막 형성용 복합 시트 중의 배면 대전 방지층의 기재측과는 반대측의 노출면(즉, 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층)의 표면 저항률을 상기와 동일한 방법으로 측정했다. 결과를 표 1 중의 「보호막 형성용 복합 시트의 익스팬드 후의 표면 저항률(Ω/□)」 란에 나타낸다. While the composite sheet for protective film formation which measured the surface resistivity before the said thermosetting is mounted on a table, it affixes to the ring frame for 8 inches, for example, using an expander ("DDS2300" by Disco Corporation), temperature 23 In an environment of °C, the table is pushed up under the conditions of a push-up speed of 10 mm/sec and a push-up height of 20 mm. The film for protective film formation was expanded in the surface direction by generating a height difference in the direction which pushes up the said table. Next, the surface resistivity of the exposed surface (that is, the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for forming a protective film) on the opposite side to the substrate side of the back antistatic layer in the composite sheet for forming a protective film after being expanded was measured in the same manner as above. measured. A result is shown in the "Surface resistivity (Ω/□) after expansion of the composite sheet for protective film formation" column of Table 1.

＜보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후이면서, 보호막 형성용 필름이 열경화한 후의, 보호막 형성용 복합 시트의 표면 저항률의 측정＞<After expanding the composite sheet for protective film formation and after thermosetting the film for protective film formation, the measurement of the surface resistivity of the composite sheet for protective film formation>

상기 익스팬드한 후의 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여, 그 중의 보호막 형성용 필름을 130℃에서 2시간 열경화시켰다. 이어서, 이 열경화 후의 보호막 형성용 복합 시트 중의 배면 대전 방지층의 기재측과는 반대측의 노출면(즉, 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층)의 표면 저항률을 상기와 동일한 방법으로 측정했다. 결과를 표 1 중의 「보호막 형성용 복합 시트의 열경화 후의 표면 저항률(Ω/□)」 란에 나타낸다. Using the composite sheet for protective film formation after the said expansion, the film for protective film formation in it was thermosetted at 130 degreeC for 2 hours. Next, the surface resistivity of the exposed surface of the back antistatic layer in the composite sheet for forming a protective film after thermosetting on the opposite side to the substrate side (that is, the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for forming a protective film) was measured in the same manner as above. did. A result is shown in the "surface resistivity (Ω/□) after thermosetting of the composite sheet for protective film formation" column of Table 1.

＜밀착성 평가＞<Adhesiveness evaluation>

대전 방지층의 표면에 바둑판눈 형상으로 2㎜ 폭의 크로스컷을 실시하고, 그 바둑판눈 형상으로 크로스컷된 대전 방지층의 표면에 점착 테이프(니치반사 제조, 셀로테이프(등록상표))를 붙여, JIS K 5600-5-6(크로스컷법)의 바둑판눈 테이프법에 준거하여 셀로테이프(등록상표) 박리 시험을 행하고, 하기의 기준에 따라 대전 방지층의 밀착성을 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다. The surface of the antistatic layer is crosscut with a width of 2 mm in a grid shape, and an adhesive tape (manufactured by Nichiban Corporation, Cello Tape (registered trademark)) is pasted on the surface of the antistatic layer cross-cut in a grid shape, JIS Cellotape (registered trademark) peeling test was performed in accordance with the checker tape method of K5600-5-6 (cross-cut method), and the adhesiveness of the antistatic layer was evaluated according to the following criteria. The obtained results are shown in Table 1.

○: 기재로부터 박리되어 점착 테이프에 전사되는 대전 방지층이 1개도 없다(0/25).(circle): There is not even one antistatic layer which peels from a base material and is transcribe|transferred to an adhesive tape (0/25).

×: 기재로부터 박리되어 점착 테이프에 전사되는 대전 방지층이 있다(1/25이상).x: There is an antistatic layer which peels from a base material and is transcribe|transferred to an adhesive tape (1/25 or more).

＜지지 시트의 전광선 투과율의 측정＞<Measurement of the total light transmittance of the support sheet>

상기에서 얻어진 지지 시트에 대해, JIS K 7375:2008에 준거하여, 분광 광도계(주식회사 시마즈 제작소 제조, 제품명 「UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600」)를 이용하여, 전광선 투과율(％)을 측정했다. 결과를 표 1 중의 「지지 시트의 전광선 투과율(％)」 란에 나타낸다. About the support sheet obtained above, based on JIS K 7375:2008, using the spectrophotometer (The Shimadzu Corporation make, product name "UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600"), the total light transmittance (%) was measured. . A result is shown in the "total light transmittance (%) of a support sheet" column in Table 1.

＜대전 방지층의 내찰상성의 평가＞<Evaluation of scratch resistance of antistatic layer>

상기에서 얻어진 지지 시트 중의 배면 대전 방지층에 대해, 하기 방법으로 내찰상성을 평가했다. About the back antistatic layer in the support sheet obtained above, the following method evaluated abrasion resistance.

즉, 다이에이 과학 정기 제작소 제조의 평면 마모 시험기 「PA-2A」를 이용하여, 그 중의 헤드의 가압면에 플란넬 천을 씌웠다. 상기 가압면은 평면 형상이며, 그 면적은 2㎝×2㎝였다. 플란넬 천으로는, 그 두께가 앞서 설명한 범위 내에 있는 것을 사용했다. 이 플란넬 천을 씌운 헤드의 가압면을 배면 대전 방지층의 표면에 대고 누르고, 이 상태로 헤드에 의해 125g/㎠의 하중을 배면 대전 방지층에 가하여 가압하면서, 헤드를 10㎝의 직선 거리로 10회 왕복 운동시킴으로써, 플란넬 천을 개재하여 125g/㎠의 하중을 가하여, 배면 대전 방지층을 마찰시켰다. 그리고, 배면 대전 방지층의 이 마찰시킨 면 중, 면적이 2㎝×2㎝인 영역을 육안으로 관찰하고, 흠집이 확인되지 않은 경우를 「A」로 판정하고, 흠집이 확인된 경우를 「B」로 판정하여, 대전 방지층의 내찰상성을 평가했다. That is, using the plane wear tester "PA-2A" manufactured by Daiei Science Seiki Seisakusho, a flannel cloth was covered on the pressing surface of the head in it. The pressing surface was flat, and the area was 2 cm x 2 cm. As the flannel cloth, the thing whose thickness exists in the range demonstrated previously was used. Press the pressing surface of the head covered with this flannel cloth against the surface of the back antistatic layer, and in this state, the head applies a load of 125 g/cm2 to the back antistatic layer and pressurizes it, while the head is reciprocated 10 times at a linear distance of 10 cm By doing so, a load of 125 g/cm 2 was applied through the flannel cloth to rub the back antistatic layer. Then, among the rubbed surfaces of the back antistatic layer, an area having an area of 2 cm x 2 cm was visually observed, and the case where no flaw was observed was judged as "A", and the case where the flaw was confirmed was "B". , and the abrasion resistance of the antistatic layer was evaluated.

결과를 표 1 중의 「대전 방지층 또는 기재의 내찰상성」 란에 나타낸다. A result is shown in the "scratch resistance of an antistatic layer or base material" column in Table 1.

＜＜반도체 칩의 제조＞＞<<Manufacture of semiconductor chip>>

상기에서 얻어진 보호막 형성용 복합 시트를 사용하고, 제조 방법 (2)를 채용하여, 보호막이 형성된 반도체 칩을 제조했다. 이 때, 상기 첩부 공정, 개질층 형성 공정, 분할된 적층체 제작 공정, 보호막 형성 공정, 및 픽업 공정을 이 순서로 행함으로써, 보호막이 형성된 반도체 칩을 제조했다. 각 공정의 보다 상세한 조건은 이하에 나타내는 바와 같다. Using the composite sheet for protective film formation obtained above, manufacturing method (2) was employ|adopted and the semiconductor chip with a protective film was manufactured. At this time, the semiconductor chip with a protective film was manufactured by performing the said pasting process, the modified layer formation process, the divided|segmented laminated body preparation process, the protective film formation process, and the pick-up process in this order. The more detailed conditions of each process are as showing below.

즉, 상기 첩부 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼로서, 8인치 실리콘 미러 웨이퍼(두께 350㎛)를 이용하여, 그 미러면(이면)에 대해, 70℃에서 1분 가열한 보호막 형성용 필름에 의해, 보호막 형성용 복합 시트를 첩부함과 함께 8인치용 링 프레임에 첩부했다. That is, in the pasting step, an 8-inch silicon mirror wafer (350 µm thick) was used as a semiconductor wafer, and the mirror surface (rear surface) was heated at 70° C. for 1 minute to form a protective film with a protective film. The composite sheet for formation was affixed to the ring frame for 8 inches while affixing.

상기 개질층 형성 공정에 있어서는, 실리콘 웨이퍼에 대해, 레이저 소(디스코사 제조, DFF7361)를 이용하여, 파장 1342㎚의 레이저 광을 연삭면측으로부터 조사하여, 실리콘 웨이퍼 내부에 칩 사이즈가 5㎜×5㎜가 되도록 개질층을 형성했다. In the modified layer forming step, a laser beam (manufactured by Disco, DFF7361) is irradiated with a laser beam having a wavelength of 1342 nm from the grinding surface side to the silicon wafer, and the silicon wafer has a chip size of 5 mm × 5 The modified layer was formed so that it might become mm.

상기 분할된 적층체 제작 공정에 있어서는, 익스팬더(디스코사 제조, DDS2300) 내에서 온도 23℃의 환경하에 있어서, 테이블 상에 재치함과 함께, 밀어올림 속도 10㎜/sec, 밀어올림 높이 20㎜의 조건으로 상기 테이블을 밀어올림으로써, 상기 보호막 형성용 필름을 표면 방향으로 익스팬드하여, 실리콘 웨이퍼를 5㎜×5㎜의 칩으로 개편화함과 함께, 열경화성을 갖는 보호막 형성용 필름을 할단했다. In the divided laminate manufacturing process, in an expander (manufactured by Disco, DDS2300) in an environment of a temperature of 23°C, while being placed on a table, a push-up speed of 10 mm/sec and a push-up height of 20 mm By pushing up the said table on condition, the said film for protective film formation was expanded to the surface direction, while the silicon wafer was divided into 5 mm x 5 mm chips, the film for protective film formation which has thermosetting property was cut.

그 후, 상기 보호막 형성 공정에 있어서, 보호막 형성용 필름을 130℃에서 2시간 열경화시켰다. Then, in the said protective film formation process, the film for protective film formation was thermosetted at 130 degreeC for 2 hours.

상기 픽업 공정에 있어서는, 픽업·다이 본딩 장치(캐논 머시너리사 제조 「BESTEM D-02」)를 이용하여, 상온하에서 열경화 후의 분할된 적층체(이하, 「제1 적층체」로 약기하는 경우가 있다)를 고정한 후, 이 제1 적층체와, 이를 고정하고 있는 링 프레임 사이에 3㎜의 고저차를 새롭게 발생시켰다. 그리고, 이 상태에서 제1 적층체에 대해, 그 배면 대전 방지층측으로부터 힘을 가하여 밀어올림으로써, 절단 후의 보호막을 이면에 구비한 실리콘 칩(보호막이 형성된 반도체 칩)을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업했다. 이 때, 밀어올림부로서 1개의 돌기(핀)를 이용하여, 그 밀어올림 높이를 0.6㎜로 하고, 밀어올림 속도를 20㎜/s로 하고, 밀어올림 유지 시간을 30㎳로 하여, 상기 보호막이 형성된 실리콘 칩을 밀어올렸다. In the pickup step, a divided laminate (hereinafter, abbreviated as “first laminate”) after thermosetting at room temperature using a pickup die bonding device (“BESTEM D-02” manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.) ), a difference in height of 3 mm was newly generated between the first laminate and the ring frame fixing it. Then, in this state, the first laminate is pushed up by applying a force from the back antistatic layer side, so that the silicon chip (semiconductor chip provided with the protective film) provided with the protective film on the back surface after cutting is separated from the support sheet and picked up. did. At this time, using one projection (pin) as the push-up part, the pushing-up height is 0.6 mm, the pushing-up speed is 20 mm/s, the pushing-up holding time is 30 ms, and the protective film is The formed silicon chip was pushed up.

이상에 의해, 반도체 칩으로서, 크기가 5㎜×5㎜, 두께가 350㎛인 실리콘 칩을 얻었다. 그 이면에 구비한 보호막의 크기는 이 반도체 칩의 크기와 동등했다. As a result of the above, a silicon chip having a size of 5 mm x 5 mm and a thickness of 350 µm was obtained as a semiconductor chip. The size of the protective film provided on the back surface was equivalent to the size of this semiconductor chip.

＜＜반도체 칩의 평가＞＞<<Evaluation of semiconductor chip>>

＜반도체 칩 중의 회로의 파괴 억제성의 평가＞<Evaluation of break-inhibitory properties of circuits in semiconductor chips>

상기에서 얻어진 보호막이 형성된 반도체 칩 중의 회로의 파괴 유무를, 이하에 나타내는 방법으로 평가했다. The method shown below evaluated the presence or absence of breakage of the circuit in the semiconductor chip with a protective film obtained above.

즉, 기판(월츠사 제조 「WLP(s)400P-2」, 3㎝□)을 이용하여, 여기에 보호막이 형성된 반도체 칩의 범프 형성면을 접촉시키고, 이 보호막이 형성된 반도체 칩을 본딩했다. 상기 기판은 그 회로면 중, 4변의 주연부 근방의 영역에 변을 따라 복수개의 전극을 갖고 있다. 보호막이 형성된 반도체 칩은 상기 기판의 회로면의 중앙부에 배치하여, 보호막이 형성된 반도체 칩이 상기 기판의 대향하는 2변의 주연부를 따라 배치되어 있는 전극 사이에 위치하도록 했다. That is, using a board|substrate ("WLP(s)400P-2" by Waltz Corporation, 3 cm square), the bump formation surface of the semiconductor chip in which the protective film was formed here was made to contact, and this semiconductor chip with a protective film was bonded. The substrate has a plurality of electrodes along the sides in a region near the periphery of the four sides of the circuit surface. The semiconductor chip on which the protective film was formed was arranged in the central portion of the circuit surface of the substrate, so that the semiconductor chip with the protective film was positioned between the electrodes arranged along the periphery of two opposing sides of the substrate.

이어서, 상기 기판의 대향하는 2변 중의 1변을 따라 배치되어 있는 1개의 전극과, 나머지 1변을 따라 배치되어 있는 1개의 전극 양쪽에, 테스터(히오키 전기사 제조 「카드 하이 테스터 3244-60」)의 단자를 각각 1개씩 접촉시켜, 이 상태에서 상기 테스터에 의한 도통 시험을 행했다. 또한, 대향하는 2개의 전극으로서, 다른 조합을 순차 선택하여, 이 도통 시험을 반복하여 행했다. 그리고, 테스터에 의한 저항의 측정값에 명확한 변화가 없는 경우에는, 반도체 칩 중의 회로가 파괴되어 있지 않다고 판단하여, 「○」로 판정했다. 이에 대해, 테스터에 의한 저항의 측정값에 명확한 변화가 있었던 경우에는, 반도체 칩 중의 회로가 파괴되어 있다고 판단하여, 「×」로 판정했다. Next, a tester (“Card High Tester 3244-60” manufactured by Hioki Electric Co., Ltd. ') were brought into contact one by one, and in this state, a continuity test was performed by the tester. In addition, as the two opposing electrodes, different combinations were sequentially selected, and this conduction test was repeated. And when there was no clear change in the measured value of resistance by a tester, it judged that the circuit in a semiconductor chip was not destroyed, and it determined with "(circle)". On the other hand, when there was a clear change in the measured value of resistance by a tester, it judged that the circuit in a semiconductor chip was broken, and it determined with "x".

결과를 표 1 중의 「반도체 칩 중의 회로의 파괴 억제성」 란에 나타낸다. A result is shown in the column of "disruption suppression property of the circuit in a semiconductor chip" in Table 1.

＜대전 방지층의 균열 평가＞<Evaluation of cracks in antistatic layer>

익스팬드 후의 배면 대전 방지층을 500㎛×500㎛의 범위로 SEM 관찰했다. The SEM observation of the back antistatic layer after expansion was carried out in the range of 500 micrometers x 500 micrometers.

SEM 관찰로 얻어진 화상으로부터, 육안에 의해 대전 방지층의 균열 유무를 평가했다. 균열을 확인할 수 없는 것을 ○, 균열을 확인할 수 있는 것을 ×로 했다. From the image obtained by SEM observation, the presence or absence of the crack of the antistatic layer was evaluated visually. The thing in which a crack could not be confirmed was made into (circle), and the thing which can confirm a crack was made into x.

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조 및 평가, 반도체 칩의 제조 및 평가＞<Manufacture and evaluation of the composite sheet for forming a protective film, manufacture and evaluation of a semiconductor chip>

[실시예 2][Example 2]

상기 대전 방지 조성물(VI-1)-2의 도포량을 변경하고, 배면 대전 방지층의 두께를 170㎚ 대신에 50㎚로 한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 보호막 형성용 복합 시트를 제조 및 평가하고, 반도체 칩을 제조 및 평가했다. 본 실시예에서 제조한 보호막 형성용 복합 시트는 배면 대전 방지층(두께 50㎚), 기재(두께 80㎛), 점착제층(두께 5㎛), 보호막 형성용 필름(두께 40㎛), 및 박리 필름(두께 38㎛)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 도 2에 나타내는 구성이며, 또한, 보호막 형성용 필름의 크기가 지지 시트의 크기보다 약간 작게 되어 있는, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트이다. A composite sheet for forming a protective film was prepared in the same manner as in Example 1, except that the amount of the antistatic composition (VI-1)-2 applied was changed and the thickness of the back antistatic layer was changed to 50 nm instead of 170 nm. Fabricated and evaluated, and semiconductor chips were fabricated and evaluated. The composite sheet for forming a protective film prepared in this example had a back antistatic layer (thickness of 50 nm), a substrate (thickness of 80 µm), an adhesive layer (thickness of 5 µm), a film for forming a protective film (thickness of 40 µm), and a release film ( A protective film with a release film having a thickness of 38 µm) in this order, stacked in the thickness direction, and configured as shown in FIG. 2 , in which the size of the film for forming a protective film is slightly smaller than the size of the supporting sheet. It is a composite sheet for formation.

결과를 표 1에 나타낸다. A result is shown in Table 1.

[실시예 3][Example 3]

상기 대전 방지 조성물(VI-1)-2 대신에 상기 대전 방지 조성물(VI-1)-1을 사용하여, 그 도포량을 변경하고, 100℃에서 2분 건조시킴으로써, 기재 상에 두께 75㎚의 배면 대전 방지층을 형성한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 보호막 형성용 복합 시트를 제조 및 평가하고, 반도체 칩을 제조 및 평가했다. 본 실시예에서 제조한 보호막 형성용 복합 시트는 배면 대전 방지층(두께 75㎚), 기재(두께 80㎛), 점착제층(두께 5㎛), 보호막 형성용 필름(두께 40㎛), 및 박리 필름(두께 38㎛)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 도 2에 나타내는 구성이며, 또한, 보호막 형성용 필름의 크기가 지지 시트의 크기보다 약간 작게 되어 있는, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트이다. Using the antistatic composition (VI-1)-1 instead of the antistatic composition (VI-1)-2, changing the application amount and drying at 100° C. for 2 minutes, on the substrate having a thickness of 75 nm Except that the antistatic layer was formed, the composite sheet for protective film formation was manufactured and evaluated by the method similar to the case of Example 1, and the semiconductor chip was manufactured and evaluated. The composite sheet for forming a protective film prepared in this Example had a back antistatic layer (thickness 75 nm), a substrate (thickness 80 µm), an adhesive layer (thickness 5 µm), a film for forming a protective film (thickness 40 µm), and a release film ( A protective film with a release film having a thickness of 38 µm) in this order, stacked in the thickness direction, and configured as shown in FIG. 2 , in which the size of the film for forming a protective film is slightly smaller than the size of the supporting sheet. It is a composite sheet for formation.

결과를 표 1에 나타낸다. A result is shown in Table 1.

[실시예 4][Example 4]

＜＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞＞<<Manufacture of the composite sheet for protective film formation>>

＜대전 방지성 기재의 제조＞<Manufacture of antistatic base material>

폴리우레탄아크릴레이트 및 광중합 개시제를 함유하고, 상기 폴리우레탄아크릴레이트의 함유량에 대한 광중합 개시제의 함유량의 비율이 3질량％인 조성물에 대해, 대전 방지제로서 포스포늄계 이온 액체(포스포늄염으로 이루어지는 이온 액체)를 배합하고, 교반함으로써, 에너지선 경화성 대전 방지 조성물(VI-2)을 얻었다. 이 때, 대전 방지 조성물(VI-2)에 있어서, 대전 방지제 및 폴리우레탄아크릴레이트의 합계 함유량에 대한, 대전 방지제의 함유량의 비율은 3질량％로 했다. With respect to a composition containing a polyurethane acrylate and a photoinitiator, wherein the ratio of the content of the photoinitiator to the content of the polyurethane acrylate is 3% by mass, as an antistatic agent, a phosphonium-based ionic liquid (ion composed of a phosphonium salt) liquid) was blended and stirred to obtain an energy ray-curable antistatic composition (VI-2). At this time, in antistatic composition (VI-2), the ratio of content of antistatic agent with respect to the total content of antistatic agent and polyurethane acrylate was 3 mass %.

이어서, 파운틴 다이 방식에 의해, 상기에서 얻어진 대전 방지 조성물(VI-2)을 폴리에틸렌테레프탈레이트제 공정 필름(도레이사 제조 「루미러 T60 PET 50 T-60 도레이」, 두께 50㎛ 제품) 상에 도포하고, 두께 80㎛의 도막을 형성했다. 그리고, 자외선 조사 장치(아이그래픽스사 제조 「ECS-401GX」)를 이용하고, 고압 수은 램프(아이그래픽스사 제조 「H04-L41」)를 이용하여, 램프의 높이를 150㎜, 램프 출력을 3kw(환산 출력 120㎽/㎝), 파장 365㎚의 광선의 조도를 271㎽/㎠, 광량을 175mJ/㎠로 하여, 이 도막에 대해 자외선을 조사했다. Next, by the fountain die method, the antistatic composition (VI-2) obtained above is applied onto a polyethylene terephthalate eutectic film ("Lumiror T60 PET 50 T-60 Toray" manufactured by Toray Corporation, 50 µm thick). and a coating film having a thickness of 80 µm was formed. Then, using an ultraviolet irradiation device (“ECS-401GX” manufactured by Eye Graphics Co., Ltd.) and a high-pressure mercury lamp (“H04-L41” manufactured by Eye Graphics Co., Ltd.), the height of the lamp was 150 mm, and the lamp output was 3 kw ( The converted output 120 mW/cm), the illuminance of the light beam with a wavelength of 365 nm was 271 mW/cm<2>, and the light quantity was 175 mJ/cm<2>, and the ultraviolet-ray was irradiated with respect to this coating film.

이어서, 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET3801」, 두께 38㎛)을 사용하여, 그 박리 처리면을 이 자외선 조사 후의 도막에 첩합했다. Next, using the peeling film ("SP-PET3801" by Lintec Corporation, 38 micrometers in thickness), the peeling process surface was bonded together to the coating film after this ultraviolet irradiation.

이어서, 상기와 동일한 자외선 조사 장치 및 고압 수은 램프를 이용하여, 램프의 높이를 150㎜, 파장 365㎚의 광선의 조도를 271㎽/㎠, 광량을 600mJ/㎠로 하고, 상기 박리 필름을 개재하여, 상기 도막에 대해 자외선을 2회 조사함으로써, 상기 도막(보다 구체적으로는, 상기 폴리우레탄아크릴레이트)을 자외선 경화시켰다. Then, using the same ultraviolet irradiation device and high-pressure mercury lamp as described above, the height of the lamp was 150 mm, the illuminance of the light with a wavelength of 365 nm was 271 mW/cm 2 , and the light quantity was 600 mJ/cm 2 , and the release film was interposed therebetween. , The coating film (more specifically, the polyurethane acrylate) was UV-cured by irradiating the coating film with ultraviolet rays twice.

이어서, 이 자외선 경화 후의 도막으로부터, 상기 공정 필름 및 박리 필름을 제거하여, 폴리우레탄아크릴레이트 및 포스포늄계 이온 액체를 함유하고, 두께가 80㎛인 대전 방지성 기재를 얻었다. 얻어진 대전 방지성 기재에 있어서, 대전 방지제 및 폴리우레탄아크릴레이트의 합계 함유량에 대한, 대전 방지제의 함유량의 비율은 9질량％이다. 표 1 중의 「대전 방지제(함유량의 비율(질량％))」 란에 이 수치를 나타낸다. Next, the said process film and the peeling film were removed from the coating film after this ultraviolet curing, and the polyurethane acrylate and a phosphonium type ionic liquid were contained, and the 80-micrometer-thick antistatic base material was obtained. The obtained antistatic base material WHEREIN: The ratio of content of antistatic agent with respect to the total content of antistatic agent and polyurethane acrylate is 9 mass %. This numerical value is shown in the column of "Antistatic agent (content ratio (mass %))" in Table 1.

＜지지 시트의 제조＞<Manufacture of a support sheet>

실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 박리 필름(린텍사 제조 「SP-PET381031」, 두께 38㎛)의 박리 처리면에 두께 5㎛의 비에너지선 경화성 점착제층을 형성했다. In the same manner as in Example 1, a 5 µm-thick non-energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive layer was formed on the release-treated surface of the release film (“SP-PET381031” manufactured by Lintec, 38 µm in thickness).

이어서, 이 박리 필름 및 점착제층의 적층물 중, 점착제층의 노출면(다시 말하면, 점착제층의 박리 필름측과는 반대측 면)과, 상기에서 얻어진 대전 방지성 기재의 한쪽 면을 첩합했다. 이에 의해, 대전 방지성 기재, 점착제층, 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 박리 필름이 형성된 지지 시트를 제조했다. Next, in the laminate of the release film and the pressure-sensitive adhesive layer, the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer (that is, the surface opposite to the release film side of the pressure-sensitive adhesive layer) and one surface of the antistatic substrate obtained above were bonded. Thereby, the antistatic base material, the adhesive layer, and the peeling film were laminated|stacked in these thickness direction in this order, and the support sheet with the peeling film comprised was manufactured.

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조＞<Production of the composite sheet for forming a protective film>

배면 대전 방지층 및 기재를 구비한 상기 지지 시트 대신에, 상기에서 얻어진, 대전 방지성 기재를 구비한 지지 시트를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 대전 방지성 기재(두께 80㎛), 점착제층(두께 5㎛), 보호막 형성용 필름(두께 40㎛), 및 박리 필름(두께 38㎛)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되고, 추가로 지그용 접착제층을 구비한, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트를 제조했다. 이 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트에 있어서, 대전 방지성 기재 및 점착제층의 적층체(다시 말하면, 지지 시트)의 평면 형상은, 직경이 270㎜인 원형이며, 보호막 형성용 필름 및 박리 필름의 적층체의 평면 형상은, 직경이 210㎜인 원형이고, 이들 2개의 원은 동심이다. 이 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트는 도 7에 나타내는 구성이며, 또한, 보호막 형성용 필름의 크기가 지지 시트의 크기보다 약간 작게 되어 있다. In the same manner as in Example 1, except that the support sheet provided with the antistatic base material obtained above was used instead of the support sheet provided with the back antistatic layer and the base material, the antistatic base material (thickness 80 µm) ), a pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 5 µm), a film for forming a protective film (thickness: 40 µm), and a release film (thickness: 38 µm) are laminated in this order in their thickness direction, and further, an adhesive layer for a jig The composite sheet for protective film formation provided with the peeling film was manufactured. In the composite sheet for forming a protective film provided with the release film, the planar shape of the laminate of the antistatic substrate and the pressure-sensitive adhesive layer (that is, the support sheet) is a circle having a diameter of 270 mm, and the film for forming a protective film and the release film The planar shape of the laminate is a circle with a diameter of 210 mm, and these two circles are concentric. The composite sheet for protective film formation with this peeling film is the structure shown in FIG. 7, Moreover, the magnitude|size of the film for protective film formation is slightly smaller than the magnitude|size of a support sheet.

＜＜보호막 형성용 복합 시트의 평가＞＞<<Evaluation of the composite sheet for forming a protective film>>

상기에서 얻어진 보호막 형성용 복합 시트에 대해, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 평가를 행했다. 보호막 형성용 복합 시트의 표면 저항률은 모두 대전 방지성 기재에 있어서 측정하고, 내찰상성의 평가는 대전 방지성 기재에 대해 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다. About the composite sheet for protective film formation obtained above, the method similar to the case of Example 1 evaluated. The surface resistivity of the composite sheet for protective film formation was all measured in the antistatic base material, and evaluation of abrasion resistance was performed with respect to the antistatic base material. A result is shown in Table 1.

＜＜반도체 칩의 제조 및 평가＞＞<<Manufacture and evaluation of semiconductor chip>>

상기에서 얻어진 보호막 형성용 복합 시트를 사용한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 칩을 제조 및 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 한편, 대전 방지층의 균열 평가에서는, 익스팬드 후의 대전 방지층으로서, 대전 방지성 기재를 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로 평가했다. A semiconductor chip was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1, except that the composite sheet for forming a protective film obtained above was used. A result is shown in Table 1. In addition, in the crack evaluation of the antistatic layer, the method similar to the case of Example 1 evaluated the antistatic base material as an antistatic layer after expansion.

＜보호막 형성용 복합 시트의 제조 및 평가, 반도체 칩의 제조 및 평가＞<Manufacture and evaluation of the composite sheet for forming a protective film, manufacture and evaluation of a semiconductor chip>

[비교예 1][Comparative Example 1]

배면 대전 방지층을 형성하지 않은 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 보호막 형성용 복합 시트를 제조 및 평가하고, 반도체 칩을 제조 및 평가했다. 본 비교예에서 제조한 보호막 형성용 복합 시트는 기재(두께 80㎛), 점착제층(두께 5㎛), 보호막 형성용 필름(두께 40㎛), 및 박리 필름(두께 38㎛)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되고, 추가로 지그용 접착제층을 구비한 보호막 형성용 복합 시트이며, 도 2에 있어서 배면 대전 방지층을 구비하지 않고, 또한, 보호막 형성용 필름의 크기가 지지 시트의 크기보다 약간 작게 되어 있는, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트이다. 한편, 본 비교예에 있어서는, 보호막 형성용 복합 시트의 표면 저항률은 모두 기재에 있어서 측정하고, 내찰상성의 평가는 기재에 대해 행했다. In the same manner as in Example 1, except that the back antistatic layer was not formed, a composite sheet for forming a protective film was manufactured and evaluated, and a semiconductor chip was manufactured and evaluated. In the composite sheet for forming a protective film prepared in this comparative example, the base material (thickness 80 μm), the pressure-sensitive adhesive layer (thickness 5 μm), the film for forming a protective film (thickness 40 μm), and the release film (thickness 38 μm) were in this order, It is a composite sheet for forming a protective film that is laminated in the thickness direction and further provided with an adhesive layer for a jig, does not have a back antistatic layer in FIG. 2, and the size of the film for forming a protective film is a support sheet It is a composite sheet for forming a protective film with a release film formed slightly smaller than the size of . In addition, in this comparative example, the surface resistivity of the composite sheet for protective film formation was all measured in the base material, and evaluation of abrasion resistance was performed with respect to the base material.

결과를 표 1에 나타낸다. A result is shown in Table 1.

[비교예 2][Comparative Example 2]

상기 대전 방지 조성물(VI-1)-2 대신에, 상기 대전 방지 조성물(VI-1)-3을 사용하여 그 도포량을 변경하고, 기재 상에 두께 2㎛의 배면 대전 방지층을 형성한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 보호막 형성용 복합 시트를 제조 및 평가하고, 반도체 칩을 제조 및 평가했다. 본 비교예에서 제조한 보호막 형성용 복합 시트는 배면 대전 방지층(두께 2㎛), 기재(두께 80㎛), 점착제층(두께 5㎛), 보호막 형성용 필름(두께 40㎛), 및 박리 필름(두께 38㎛)이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된, 도 2에 나타내는 구성이며, 또한, 보호막 형성용 필름의 크기가 지지 시트의 크기보다 약간 작게 되어 있는, 박리 필름이 형성된 보호막 형성용 복합 시트이다. The antistatic composition (VI-1)-3 was used instead of the antistatic composition (VI-1)-2, the amount of application was changed, and a back antistatic layer having a thickness of 2 μm was formed on the substrate, except that In the same manner as in Example 1, a composite sheet for forming a protective film was manufactured and evaluated, and a semiconductor chip was manufactured and evaluated. The composite sheet for forming a protective film prepared in this comparative example had a back antistatic layer (thickness of 2 µm), a substrate (thickness of 80 µm), an adhesive layer (thickness of 5 µm), a film for forming a protective film (thickness of 40 µm), and a release film ( A protective film with a release film having a thickness of 38 µm) in this order, stacked in the thickness direction, and configured as shown in FIG. 2 , in which the size of the film for forming a protective film is slightly smaller than the size of the supporting sheet. It is a composite sheet for formation.

결과를 표 1에 나타낸다. A result is shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 결과로부터 명확한 바와 같이, 실시예 1∼4의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 대전 방지층 또는 대전 방지성 기재의 표면 저항률이, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전에는 2.1×105∼2.6×1010Ω/□이고, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후에는 2.1×105∼9.2×1010Ω/□이며, 보호막 형성용 필름을 열경화시킨 후에는 1.3×106∼5.3×109Ω/□로서, 이들 보호막 형성용 복합 시트는 평상시, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후, 그리고 보호막 형성용 필름을 열경화시킨 후에 있어서 대전 방지성이 우수했다. 그리고, 이들 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 반도체 칩에 있어서, 회로는 파괴되지 않았다. 이들 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후의 대전 방지성이 높기 때문에, 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때, 반도체 칩 중의 회로의 대전 억제 효과가 높았다. As is clear from the above results, in the composite sheets for forming a protective film of Examples 1 to 4, the surface resistivity of the antistatic layer or the antistatic base material before expanding the composite sheet for forming a protective film was 2.1 × 10 5 to 2.6 × 10 10 Ω/□, 2.1×10 5 to 9.2×10 10 Ω/□ after expanding the composite sheet for forming a protective film, and 1.3×10 6 to 5.3×10 after thermosetting the protective film forming film At 9 Ω/□, these composite sheets for forming a protective film were excellent in antistatic properties in usual times after expanding the composite sheet for forming a protective film and after thermosetting the film for forming a protective film. And the semiconductor chip obtained using these composite sheets for protective film formation WHEREIN: The circuit was not destroyed. In these composite sheets for forming a protective film, since the antistatic property after expanding the composite sheet for forming a protective film was high, when the semiconductor chip was separated from the support sheet and picked up, the antistatic effect of the circuit in the semiconductor chip was high.

실시예 1∼4의 보호막 형성용 복합 시트 중의 지지 시트의 전광선 투과율은, 80％ 이상(80∼91％)이어서, 이들 복합 시트는 바람직한 광학 특성을 갖고 있었다. The total light transmittance of the support sheet in the composite sheet for protective film formation of Examples 1-4 was 80 % or more (80 to 91 %), and these composite sheets had the preferable optical characteristic.

실시예 1∼3의 보호막 형성용 복합 시트 중의 대전 방지층, 및, 실시예 4의 보호막 형성용 복합 시트 중의 대전 방지성 기재의 내찰상성은 모두 높아, 이들 복합 시트의 보호막 형성용 필름의 검사성은 양호했다. The antistatic layer in the composite sheet for forming a protective film of Examples 1 to 3 and the antistatic substrate in the composite sheet for forming a protective film of Example 4 both have high abrasion resistance, and the inspection property of the film for forming a protective film of these composite sheets is good. did.

이에 비해, 비교예 1의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 대전 방지층의 기재측과는 반대측의 노출면(즉, 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층)의 표면 저항률이, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전에는 5.0×1015Ω/□이고, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후에는 5.0×1015Ω/□이며, 보호막 형성용 필름을 열경화시킨 후에는 5.0×1015Ω/□이었다. 이 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 반도체 칩에 있어서, 회로는 파괴되어 있었다. 이 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후, 그리고 보호막 형성용 필름을 열경화시킨 후의 대전 방지성이 낮기 때문에, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드할 때, 그리고 반도체 칩을 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업할 때, 반도체 칩 중의 회로의 대전 억제 효과가 낮았다. On the other hand, in the composite sheet for forming a protective film of Comparative Example 1, the surface resistivity of the exposed surface of the antistatic layer on the opposite side to the substrate side (that is, the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for forming a protective film) was Prior to expanding the composite sheet 5.0 × 10 15 Ω / □ and, after expanding the composite sheet for forming a protective film is 5.0 × 10 15 Ω / □, and after heat curing for forming a protective film is 5.0 × 10 15 Ω/□. The semiconductor chip obtained using this composite sheet for protective film formation WHEREIN: The circuit was broken. In this composite sheet for forming a protective film, since the antistatic property after expanding the composite sheet for forming a protective film and after thermosetting the film for forming a protective film is low, when expanding the composite sheet for forming a protective film, and a semiconductor When the chip was picked up by separating it from the support sheet, the antistatic effect of the circuit in the semiconductor chip was low.

비교예 2의 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 대전 방지층의 기재측과는 반대측의 노출면(즉, 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층)의 표면 저항률이, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드하기 전에는 2.8×1010Ω/□이고, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후에는 4.2×1014Ω/□이며, 보호막 형성용 필름을 열경화시킨 후에는 2.9×1010Ω/□이었다. 그리고, 이 보호막 형성용 복합 시트를 사용하여 얻어진 반도체 칩에 있어서, 회로는 파괴되어 있었다. 이 보호막 형성용 복합 시트에 있어서는, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드한 후의 대전 방지성이 낮기 때문에, 보호막 형성용 복합 시트를 익스팬드할 때, 반도체 칩 중의 회로의 대전 억제 효과가 낮았다. In the composite sheet for forming a protective film of Comparative Example 2, the surface resistivity of the exposed surface of the antistatic layer on the opposite side to the substrate side (that is, the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for forming a protective film) was the composite sheet for forming a protective film. 2.8×10 10 Ω/□ before expanding, 4.2×10 14 Ω/□ after expanding the composite sheet for forming a protective film, and 2.9×10 10 Ω/□ after thermosetting the protective film forming film It was. And the semiconductor chip obtained using this composite sheet for protective film formation WHEREIN: The circuit was broken. In this composite sheet for protective film formation, since the antistatic property after expanding the composite sheet for protective film formation was low, when expanding the composite sheet for protective film formation, the antistatic effect of the circuit in a semiconductor chip was low.

비교예 1의 보호막 형성용 복합 시트 중의 기재의 내찰상성은 낮아, 이 복합 시트의 보호막 형성용 필름의 검사성은 열악했다. The scratch resistance of the base material in the composite sheet for protective film formation of Comparative Example 1 was low, and the inspection property of the film for protective film formation of this composite sheet was inferior.

본 발명은 반도체 장치의 제조에 이용 가능하다. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable to the manufacture of semiconductor devices.

1…시험편
1a…시험편의 지지 시트측과는 반대측 최표층의 표면(노출면)
101, 102, 103, 104, 105, 201, 202, 203, 204, 205, 301…보호막 형성용 복합 시트
10, 20, 30, 40, 50…지지 시트
10a, 20a, 30a, 40a, 50a…지지 시트의 제1 면
11…기재
11a…기재의 제1 면
11b…기재의 제2 면
11'…대전 방지성 기재
12…점착제층
13, 23…보호막 형성용 필름
130…절단 후의 보호막 형성용 필름
13'…보호막
130'…절단 후의 보호막
15…박리 필름
17…배면 대전 방지층
18…중간층
19…표면 대전 방지층
20…개질층
9…반도체 웨이퍼
9b…반도체 웨이퍼의 이면
9'…반도체 칩One… test piece
1a… The surface (exposed surface) of the outermost layer on the opposite side to the support sheet side of the test piece
101, 102, 103, 104, 105, 201, 202, 203, 204, 205, 301... Composite sheet for forming a protective film
10, 20, 30, 40, 50… support sheet
10a, 20a, 30a, 40a, 50a... first side of the support sheet
11… write
11a… first side of the substrate
11b… the second side of the substrate
11'… antistatic base
12… adhesive layer
13, 23... Film for forming a protective film
130… Film for forming a protective film after cutting
13'… shield
130'… protective film after cutting
15… release film
17… back antistatic layer
18… mezzanine
19… surface antistatic layer
20… reformed layer
9… semiconductor wafer
9b... back side of semiconductor wafer
9'… semiconductor chip

Claims (8)

지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 보호막 형성용 필름을 구비한 보호막 형성용 복합 시트로서,
상기 보호막 형성용 복합 시트를 테이블 상에 재치함과 함께 8인치용 링 프레임에 첩부하고, 온도 23℃의 환경하에 있어서, 밀어올림 속도 10㎜/sec, 밀어올림 높이 20㎜의 조건으로 상기 테이블을 밀어올림으로써, 상기 보호막 형성용 필름을 표면 방향으로 익스팬드한 후의, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 지지 시트측 최표층의 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하인, 보호막 형성용 복합 시트.A composite sheet for forming a protective film comprising a support sheet and a film for forming a protective film formed on one side of the support sheet,
The composite sheet for forming a protective film is placed on a table and affixed to a ring frame for 8 inches, and the table is set under the conditions of a push-up speed of 10 mm/sec and a push-up height of 20 mm in an environment of a temperature of 23°C. The composite sheet for forming a protective film, wherein the surface resistivity of the outermost layer on the support sheet side in the composite sheet for forming a protective film after expanding the film for forming a protective film in the surface direction by pushing up is 1.0×10 11 Ω/□ or less. 제 1 항에 있어서,
상기 보호막 형성용 필름이 경화성이며, 상기 보호막 형성용 복합 시트 중의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시킨 후의 상기 표면 저항률이 1.0×1011Ω/□ 이하인, 보호막 형성용 복합 시트.The method of claim 1,
The said protective film formation film is curable, and the said surface resistivity after hardening the said protective film formation film in the said composite sheet for protective film formation is 1.0x10 11 ohm/square or less, The composite sheet for protective film formation. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 지지 시트가, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 또는 양면 상에 형성된 대전 방지층을 구비하고 있거나, 또는,
상기 지지 시트가, 대전 방지층으로서, 대전 방지성을 갖는 기재를 구비한, 보호막 형성용 복합 시트.3. The method according to claim 1 or 2,
The support sheet is provided with a base material and an antistatic layer formed on one or both surfaces of the base material, or
The composite sheet for protective film formation in which the said support sheet was equipped with the base material which has antistatic property as an antistatic layer. 제 3 항에 있어서,
상기 기재의 한쪽 면 또는 양면 상에 형성된 대전 방지층의 두께가 100㎚ 이하인, 보호막 형성용 복합 시트.4. The method of claim 3,
The thickness of the antistatic layer formed on one side or both surfaces of the said base material is 100 nm or less, The composite sheet for protective film formation. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
면적이 2㎝×2㎝이고 평면 형상인 가압면을 갖는 가압 수단의 상기 가압면에 플란넬 천을 씌우고, 상기 플란넬 천을 씌운 상기 가압면을 상기 대전 방지층의 표면에 대고 누르고, 이 상태로 상기 가압 수단에 의해 125g/㎠의 하중을 상기 대전 방지층에 가하여 가압하면서, 상기 가압 수단을 10㎝의 직선 거리로 10회 왕복 운동시킴으로써, 상기 대전 방지층을 마찰시킨 후, 상기 대전 방지층의 이 마찰시킨 면 중, 면적이 2㎝×2㎝인 영역을 육안으로 관찰했을 때, 흠집이 확인되지 않는, 보호막 형성용 복합 시트.5. The method according to claim 3 or 4,
A flannel cloth is covered on the pressing surface of the pressing means having an area of 2 cm × 2 cm and a flat pressing surface, and the pressing surface covered with the flannel cloth is pressed against the surface of the antistatic layer, and in this state, the pressing means is applied to the pressing means. After rubbing the antistatic layer by reciprocating the pressurizing means 10 times at a linear distance of 10 cm while applying a load of 125 g/cm 2 to the antistatic layer and pressurizing it, the area of the rubbed surface of the antistatic layer The composite sheet for protective film formation in which a flaw is not recognized when this area|region of 2 cm x 2 cm is visually observed. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 시트의 전광선 투과율이 80％ 이상인, 보호막 형성용 복합 시트.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The composite sheet for protective film formation whose total light transmittance of the said support sheet is 80 % or more. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저 광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과,
상기 보호막 혹은 상기 보호막 형성용 필름이 첩부되고 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층이 형성된 분할 전 적층체를 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 혹은 상기 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정과,
상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정을 갖는, 반도체 칩의 제조 방법.The process of affixing the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation of any one of Claims 1-6 to a semiconductor wafer, and producing the laminated body before division|segmentation;
A step of curing the film for forming a protective film after being affixed on the semiconductor wafer to form a protective film;
A step of irradiating laser light into the inside of the semiconductor wafer to form a modified layer inside the semiconductor wafer;
By expanding the pre-division laminate to which the protective film or film for forming a protective film is affixed and a modified layer is formed inside the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is divided, and the protective film or the film for forming a protective film is cut and a support sheet and a film for forming the protective film or protective film after cutting formed on one side of the support sheet, and a plurality of semiconductor chips formed on a surface opposite to the support sheet side of the protective film or film for forming a protective film after cutting One, the process of manufacturing the divided laminate,
The manufacturing method of the semiconductor chip which has the process of isolate|separating and picking up the semiconductor chip provided with the protective film or film for protective film formation after the said cut|disconnection from the said support sheet in the said divided|segmented laminated body. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 보호막 형성용 복합 시트 중의 보호막 형성용 필름을 반도체 웨이퍼에 첩부하여 분할 전 적층체를 제작하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부한 후의 상기 보호막 형성용 필름을 경화시켜, 보호막을 형성하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 절단하여, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된, 절단 후의 상기 보호막 또는 보호막 형성용 필름과, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름의 상기 지지 시트측과는 반대측 면 상에 형성된 복수개의 반도체 칩을 구비한, 분할된 적층체를 제작하는 공정과,
상기 분할된 적층체를 익스팬드하는 공정과,
상기 분할된 적층체 중의, 상기 절단 후의 보호막 또는 보호막 형성용 필름을 구비한 반도체 칩을, 상기 지지 시트로부터 분리하여 픽업하는 공정을 갖는, 반도체 칩의 제조 방법.The process of affixing the film for protective film formation in the composite sheet for protective film formation of any one of Claims 1-6 to a semiconductor wafer, and producing the laminated body before division|segmentation;
A step of curing the film for forming a protective film after being affixed on the semiconductor wafer to form a protective film;
The semiconductor wafer is divided, the protective film or protective film forming film is cut, and a support sheet, the protective film or protective film formation film after cutting formed on one side of the support sheet, and the protective film or protective film formation after the cutting A step of producing a divided laminate comprising a plurality of semiconductor chips formed on a surface opposite to the supporting sheet side of the film for use;
expanding the divided laminate;
The manufacturing method of the semiconductor chip which has the process of isolate|separating and picking up the semiconductor chip provided with the protective film or film for protective film formation after the said cut|disconnection from the said support sheet in the said divided|segmented laminated body.
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