JP5865044B2 - Dicing sheet with protective film forming layer and chip manufacturing method - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 262
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 231
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 68
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 55
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 54
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 38
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 35
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 22
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 21
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 13
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 claims description 10
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 claims description 5
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 3
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 49
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 17
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 16
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 16
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 15
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 10
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 9
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 9
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 6
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 6
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 3
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical group NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 125000006841 cyclic skeleton Chemical group 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N (4,7,7-trimethyl-3-bicyclo[2.2.1]heptanyl) prop-2-enoate Chemical compound C1CC2(C)C(OC(=O)C=C)CC1C2(C)C PSGCQDPCAWOCSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 1,5-diisocyanato-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(N=C=O)C=C1N=C=O FWWWRCRHNMOYQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWUCYCYSEUEANO-UHFFFAOYSA-N 2-(aziridin-1-yl)acetamide Chemical compound NC(=O)CN1CC1 WWUCYCYSEUEANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 2-N-[8-[[8-(4-aminoanilino)-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]amino]-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]-8-N,10-diphenylphenazin-10-ium-2,8-diamine hydroxy-oxido-dioxochromium Chemical compound O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.Nc1ccc(Nc2ccc3nc4ccc(Nc5ccc6nc7ccc(Nc8ccc9nc%10ccc(Nc%11ccccc%11)cc%10[n+](-c%10ccccc%10)c9c8)cc7[n+](-c7ccccc7)c6c5)cc4[n+](-c4ccccc4)c3c2)cc1 FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKJNJZAGYPPJKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-diphenylethanone;methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 FKJNJZAGYPPJKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 2-isocyanatoethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCN=C=O DPNXHTDWGGVXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004941 2-phenylimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical class C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005529 alkyleneoxy group Chemical group 0.000 description 1
- HXBPYFMVGFDZFT-UHFFFAOYSA-N allyl isocyanate Chemical compound C=CCN=C=O HXBPYFMVGFDZFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- FFBZKUHRIXKOSY-UHFFFAOYSA-N aziridine-1-carboxamide Chemical compound NC(=O)N1CC1 FFBZKUHRIXKOSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;2-hydroxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 CSNNWDJQKGMZPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004657 carbamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009820 dry lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;isocyanic acid Chemical group N=C=O.CCOC(N)=O RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N methamphetamine Chemical compound CN[C@@H](C)CC1=CC=CC=C1 MYWUZJCMWCOHBA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(2-methylphenoxy)-3-phenylpropyl]azanium;chloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=CC=1C(CCNC)OC1=CC=CC=C1C LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- YOSXAXYCARLZTR-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyl isocyanate Chemical compound C=CC(=O)N=C=O YOSXAXYCARLZTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- RSVDRWTUCMTKBV-UHFFFAOYSA-N sbb057044 Chemical compound C12CC=CC2C2CC(OCCOC(=O)C=C)C1C2 RSVDRWTUCMTKBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUCJMVBFZDHPDX-UHFFFAOYSA-N tretamine Chemical compound C1CN1C1=NC(N2CC2)=NC(N2CC2)=N1 IUCJMVBFZDHPDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950001353 tretamine Drugs 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(3-triethoxysilylpropyltetrasulfanyl)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCSSSSCCC[Si](OCC)(OCC)OCC VTHOKNTVYKTUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009816 wet lamination Methods 0.000 description 1
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- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、チップ裏面に保護膜を形成でき、かつチップの製造効率の向上が可能な保護膜形成層付ダイシングシートに関する。また、本発明は、保護膜形成層付ダイシングシートを用いたチップの製造方法に関する。 The present invention relates to a dicing sheet with a protective film forming layer that can form a protective film on the back surface of the chip and can improve the manufacturing efficiency of the chip. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the chip | tip using the dicing sheet with a protective film formation layer.
近年、いわゆるフェースダウン(face down)方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面上にバンプなどの電極を有する半導体チップ(以下、単に「チップ」ともいう。)が用いられ、該電極が基板と接合される。このため、チップの回路面とは反対側の面(チップ裏面)は剥き出しとなることがある。 2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been manufactured using a so-called “face down” mounting method. In the face-down method, a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as “chip”) having electrodes such as bumps on a circuit surface is used, and the electrodes are bonded to a substrate. For this reason, the surface (chip back surface) opposite to the circuit surface of the chip may be exposed.
この剥き出しとなったチップ裏面は、有機膜により保護されることがある。従来、この有機膜からなる保護膜を有するチップは、液状の樹脂をスピンコート法によりウエハ裏面に塗布し、乾燥し、硬化してウエハとともに保護膜を切断して得られる。しかしながら、このようにして形成される保護膜の厚み精度は充分でないため、製品の歩留まりが低下することがあった。 The exposed back surface of the chip may be protected by an organic film. Conventionally, a chip having a protective film made of an organic film is obtained by applying a liquid resin to the back surface of a wafer by spin coating, drying and curing, and cutting the protective film together with the wafer. However, since the thickness accuracy of the protective film formed in this way is not sufficient, the product yield may be lowered.
上記問題を解決するため、剥離シートと、該剥離シート上に形成された、エネルギー線硬化性成分とバインダーポリマー成分とからなる保護膜形成層を有するチップ用保護フィルムが開示されている(特許文献1)。 In order to solve the above problems, a protective film for a chip having a release sheet and a protective film forming layer formed on the release sheet and composed of an energy ray-curable component and a binder polymer component is disclosed (Patent Document). 1).
さらに、半導体チップが薄型化・高密度化しつつある現在においては、厳しい温度条件下に曝された場合であっても、保護膜付チップを実装した半導体装置には、さらに高い信頼性を有することが要求されている。 Furthermore, at the present time when semiconductor chips are becoming thinner and denser, even when exposed to severe temperature conditions, a semiconductor device mounted with a chip with a protective film has higher reliability. Is required.
本発明者らの検討によれば、特許文献1に記載のチップ用保護フィルムは、保護膜形成層を硬化する際に収縮し、半導体ウエハが反るという問題が発生するおそれがあった。特に、極薄の半導体ウエハでは上記問題が顕著である。半導体ウエハが反ると、ウエハが破損したり、保護膜へのマーキング(印字)精度が低下するおそれがある。また、特許文献1に記載のチップ用保護フィルムでは、保護膜付チップを製造する際に、ダイシングシートに保護膜付ウエハを貼付する必要があり、製造工程が複雑であった。また、保護膜形成層を加熱により硬化する場合、ダイシングテープの基材によっては、基材に熱による残存応力が発生し、後の工程に悪影響を及ぼすことがあった。 According to the study by the present inventors, the chip protective film described in Patent Document 1 may shrink when the protective film forming layer is cured, which may cause a problem that the semiconductor wafer is warped. In particular, the above problem is remarkable in an extremely thin semiconductor wafer. If the semiconductor wafer is warped, the wafer may be damaged or the marking (printing) accuracy on the protective film may be reduced. Moreover, in the protective film for chips described in Patent Document 1, when manufacturing a chip with a protective film, it is necessary to affix the wafer with a protective film on the dicing sheet, and the manufacturing process is complicated. In addition, when the protective film forming layer is cured by heating, depending on the base material of the dicing tape, residual stress due to heat is generated on the base material, which may adversely affect subsequent processes.
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明は、厚みの均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を有する半導体チップを簡便に製造可能であり、耐熱性を備えた保護膜形成層付ダイシングシートを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances. That is, an object of the present invention is to provide a dicing sheet with a protective film forming layer that can easily manufacture a semiconductor chip having a protective film with high uniformity of thickness and excellent printing accuracy, and has heat resistance. To do.
本発明は、以下の要旨を含む。
〔1〕基材フィルムと粘着剤層とからなる粘着シートの粘着剤層上に保護膜形成層を有し、
粘着シートの内周部に保護膜形成層が形成され、
粘着シートの外周部に粘着剤層が露出しており、
基材フィルムの融点が130℃を超えるか、もしくは融点を持たず、
130℃で2時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率が−1〜+1%である保護膜形成層付ダイシングシート。
The present invention includes the following gist.
[1] having a protective film forming layer on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet comprising the base film and the pressure-sensitive adhesive layer;
A protective film forming layer is formed on the inner periphery of the adhesive sheet,
The adhesive layer is exposed on the outer periphery of the adhesive sheet,
The melting point of the base film exceeds 130 ° C. or does not have a melting point,
A dicing sheet with a protective film forming layer, wherein the base film has a thermal shrinkage of −1 to + 1% when heated at 130 ° C. for 2 hours.
〔2〕保護膜形成層が熱硬化性である〔1〕に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。 [2] The dicing sheet with a protective film forming layer according to [1], wherein the protective film forming layer is thermosetting.
〔3〕波長532nmおよび波長1064nmにおける粘着シートの全光線透過率が70%以上である〔1〕または〔2〕に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。 [3] The dicing sheet with a protective film forming layer according to [1] or [2], wherein the total light transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 532 nm and a wavelength of 1064 nm is 70% or more.
〔4〕保護膜形成層がバインダーポリマー成分(A)及び硬化性成分(B)を含有する〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。 [4] The dicing sheet with a protective film forming layer according to any one of [1] to [3], wherein the protective film forming layer contains a binder polymer component (A) and a curable component (B).
〔5〕保護膜形成層が着色剤(C)を含有し、
波長300〜1200nmにおける保護膜形成層の最大透過率が20%以下である〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。
[5] The protective film forming layer contains a colorant (C),
The dicing sheet with a protective film forming layer according to any one of [1] to [4], wherein the maximum transmittance of the protective film forming layer at a wavelength of 300 to 1200 nm is 20% or less.
〔6〕上記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を、ワークに貼付し、以下の工程(1)〜(3)を(1)、(2)、(3)の順で行うチップの製造方法;
工程(1):保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程(2):ワークと保護膜とをダイシング、
工程(3):保護膜と粘着シートとを剥離。
[6] The protective film forming layer of the protective film forming layer-attached dicing sheet according to any one of [1] to [5] is attached to a workpiece, and the following steps (1) to (3) are performed as (1): , (2), (3) in order of chip manufacturing method;
Step (1): The protective film forming layer is cured to obtain a protective film.
Step (2): Dicing workpiece and protective film,
Step (3): The protective film and the adhesive sheet are peeled off.
〔7〕前記工程(1)の後に、さらに下記工程(4)を行う〔6〕に記載のチップの製造方法;
工程(4):保護膜にレーザー印字。
[7] The method for manufacturing a chip according to [6], wherein the following step (4) is further performed after the step (1);
Step (4): Laser printing on the protective film.
半導体チップ裏面に保護膜を形成する際に、本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートを用いることで、半導体ウエハにダイシングシートを貼付したまま加熱硬化を行うことができ、半導体チップ裏面に厚みの均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を簡便に形成することができる。 When the protective film is formed on the back surface of the semiconductor chip, the dicing sheet with the protective film forming layer according to the present invention can be used for heat curing with the dicing sheet attached to the semiconductor wafer. Thus, a protective film having high uniformity and excellent printing accuracy can be easily formed.
以下、本発明について、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。図1に示すように、本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシート10は、基材フィルム1と粘着剤層2とからなる粘着シート3の粘着剤層2上に保護膜形成層4が形成されており、粘着シート3の内周部に保護膜形成層4が形成され、粘着シート3の外周部に粘着剤層2が露出している。そして、粘着シート3の外周部の粘着剤層2によりリングフレーム5に貼付される。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically, including its best mode. As shown in FIG. 1, in the
(基材フィルム)
本発明における基材フィルムは耐熱性を有し、具体的には、基材フィルムの融点は130℃を超えるか、もしくは融点を持たず、さらに130℃で2時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率は−1〜+1%である。基材フィルムの融点が130℃以下であったり、熱収縮率が上記範囲外であると、保護膜形成層の硬化時に基材フィルムが溶融し、基材フィルムの形状を保つことが困難になり、その後の工程を行えなくなるおそれがある。また、基材フィルムが半導体チップ製造工程中の周辺の装置と融着してしまうことがある。さらにまた、基材フィルムの溶融に起因した保護膜形成層の変形により、保護膜への印字精度が低下することがある。熱収縮率は基材フィルムの熱変形のしやすさを示す指標である。熱収縮率が−1%未満または+1%超である基材フィルムから保護膜形成層付ダイシングシートを構成し、ウエハを保持して熱硬化を行った場合には、基材フィルムの収縮により生じた残存応力が、後のダイシング工程において開放され、チップ同士の間隔が狭まることがある。このようなチップ間隔の狭小化は、チップをダイシングシートから取り上げること(ピックアップ)の妨げとなるほか、チップの整列性も悪化させたり、隣接チップとの接触によるチップ欠けを起こしたりするおそれがある。基材の熱収縮率が−1〜+1%であることにより、このようなチップ間隔の狭小化を防止できる。
(Base film)
The base film in the present invention has heat resistance. Specifically, the melting point of the base film exceeds 130 ° C. or does not have a melting point, and further the heat of the base film when heated at 130 ° C. for 2 hours. Shrinkage is −1 to + 1%. If the melting point of the base film is 130 ° C. or lower or the thermal shrinkage rate is out of the above range, the base film is melted when the protective film forming layer is cured, and it becomes difficult to maintain the shape of the base film. There is a risk that subsequent processes cannot be performed. In addition, the base film may be fused with peripheral devices in the semiconductor chip manufacturing process. Furthermore, the printing accuracy on the protective film may decrease due to the deformation of the protective film forming layer caused by the melting of the base film. The thermal contraction rate is an index indicating the ease of thermal deformation of the base film. When a dicing sheet with a protective film forming layer is formed from a base film having a thermal shrinkage rate of less than -1% or more than + 1%, and the wafer is held and thermally cured, the shrinkage of the base film occurs. The remaining stress is released in a later dicing process, and the distance between the chips may be reduced. Such narrowing of the chip interval hinders picking up of the chip from the dicing sheet (pickup), may deteriorate the alignment of the chip, and may cause chipping due to contact with the adjacent chip. . When the thermal contraction rate of the base material is −1 to + 1%, such a narrowing of the chip interval can be prevented.
基材フィルムの融点は、好ましくは140℃以上であるか、もしくは融点を持たない、より好ましくは融点が200℃以上であるか、もしくは融点を持たないものである。なお、融点を持たないとは、融点が樹脂の燃焼温度よりも高いことを指す。基材フィルムの融点や熱収縮性を上記範囲とすることで、基材フィルムの耐熱性に優れ、上述の保護膜形成層を硬化したときの基材フィルムの形状保持性がいっそう良好に保たれ、上述のチップ間隔狭小化防止の効果を得やすい。なお、130℃で2時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率は、130℃の環境下に基材フィルムを投入する前後の基材フィルムの面積から下記式により求められる。 The base film preferably has a melting point of 140 ° C. or higher or no melting point, more preferably a melting point of 200 ° C. or higher or no melting point. Note that “having no melting point” means that the melting point is higher than the combustion temperature of the resin. By making the melting point and heat shrinkability of the base film within the above ranges, the heat resistance of the base film is excellent, and the shape retention of the base film when the above protective film forming layer is cured is kept better. It is easy to obtain the effect of preventing the above-mentioned narrowing of the chip interval. In addition, the thermal contraction rate of the base film at the time of heating at 130 ° C. for 2 hours is obtained from the area of the base film before and after the base film is put in an environment at 130 ° C. by the following formula.
熱収縮率(%)={(投入前の基材フィルムの面積)−(投入後の基材フィルムの面積)}/投入前の基材フィルムの面積×100 Thermal shrinkage (%) = {(Area of base film before input) − (Area of base film after input)} / Area of base film before input × 100
基材フィルムとしては、例えば、ポリプロピレン、ポリブチレンテレフタレート、アニール処理済みポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルムや、これらの2種以上の積層体などを挙げることができる。これらは一軸延伸又は二軸延伸されたものでもよい。基材フィルムは、上記物性を満たす限り、特に限定されない。 Examples of the base film include polypropylene, polybutylene terephthalate, annealed polyester film, polycarbonate film, polyphenylene sulfide film, cycloolefin resin film, polyimide resin film, and a laminate of two or more of these. it can. These may be uniaxially stretched or biaxially stretched. A base film is not specifically limited as long as the said physical property is satisfy | filled.
基材フィルムの厚さは特に限定されず、好ましくは30〜300μm、より好ましくは50〜200μmである。基材フィルムの厚みを上記範囲とすることで、保護膜形成層付ダイシングシートが十分な可とう性を有するため、ワーク(例えば半導体ウエハ等)に対して良好な貼付性を示す。 The thickness of a base film is not specifically limited, Preferably it is 30-300 micrometers, More preferably, it is 50-200 micrometers. By setting the thickness of the base film within the above range, the dicing sheet with a protective film-forming layer has sufficient flexibility, and thus exhibits good adhesiveness to a workpiece (for example, a semiconductor wafer).
(粘着剤層)
本発明における粘着剤層は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化(紫外線硬化、電子線硬化)型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。
(Adhesive layer)
The pressure-sensitive adhesive layer in the present invention can be formed of various known pressure-sensitive adhesives. Such an adhesive is not limited at all, but an adhesive such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, or polyvinyl ether is used. In addition, an energy ray curable adhesive, a heat-foaming adhesive, or a water swelling adhesive can be used. As the energy ray curable (ultraviolet ray curable, electron beam curable) pressure-sensitive adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive.
粘着剤層は、後述するチップを製造する際に、その外周部においてリングフレームに貼付される。粘着剤層の外周部をリングフレームに貼付して、保護膜形成層の硬化工程を行うと、リングフレームを粘着剤層から外す際に、リングフレームに糊残りが発生することがある。また、保護膜形成層の硬化工程において、粘着剤層は高温にさらされて軟化し、糊残りが発生しやすくなる。そのため、上記の粘着剤の中でも、リングフレームへの糊残りの防止及び粘着剤層への耐熱性の付与という観点から、アクリル系、シリコーン系の粘着剤が好ましい。 The adhesive layer is affixed to the ring frame at the outer periphery when a chip to be described later is manufactured. When the outer peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer is attached to the ring frame and the protective film forming layer is cured, adhesive residue may be generated on the ring frame when the ring frame is removed from the pressure-sensitive adhesive layer. Further, in the curing step of the protective film forming layer, the pressure-sensitive adhesive layer is exposed to a high temperature and softens, and adhesive residue is likely to occur. Therefore, among the above-mentioned pressure-sensitive adhesives, acrylic and silicone pressure-sensitive adhesives are preferable from the viewpoint of preventing adhesive residue on the ring frame and imparting heat resistance to the pressure-sensitive adhesive layer.
また、リングフレームに貼付される部分(粘着シートの外周部)の粘着剤層の粘着力(貼付した後、130℃で2時間加熱を経た後におけるSUS板への粘着力)は、好ましくは15N/25mm以下、より好ましくは10N/25mm以下、特に好ましくは5N/25mm以下である。粘着シートの外周部における粘着剤層の粘着力を上記範囲とすることで、リングフレームへの貼付性に優れ、リングフレームへの糊残りを防止できる。 Further, the adhesive strength of the adhesive layer (adhesive strength to the SUS plate after being applied and heated at 130 ° C. for 2 hours) at the portion (the outer peripheral portion of the adhesive sheet) applied to the ring frame is preferably 15N. / 25 mm or less, more preferably 10 N / 25 mm or less, and particularly preferably 5 N / 25 mm or less. By setting the adhesive force of the adhesive layer in the outer peripheral portion of the adhesive sheet to be in the above range, the adhesiveness to the ring frame is excellent, and adhesive residue on the ring frame can be prevented.
粘着剤層の厚さは特に限定されないが、好ましくは1〜100μm、さらに好ましくは2〜80μm、特に好ましくは3〜50μmである。 Although the thickness of an adhesive layer is not specifically limited, Preferably it is 1-100 micrometers, More preferably, it is 2-80 micrometers, Most preferably, it is 3-50 micrometers.
基材フィルム表面に粘着剤層を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層を基材フィルム表面に転写しても構わないし、基材フィルム表面に粘着剤層を構成する粘着剤組成物を直接塗布して粘着剤層を形成しても構わない。剥離シートとしては、後述する保護膜形成層上に設けるものと同じものを用いることができる。 The method of providing the pressure-sensitive adhesive layer on the surface of the base film may transfer the pressure-sensitive adhesive layer formed by coating on the release sheet so as to have a predetermined film thickness to the surface of the base film, The pressure-sensitive adhesive layer may be formed by directly applying the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer. As a peeling sheet, the same thing as what is provided on the protective film formation layer mentioned later can be used.
(粘着シート)
基材フィルム上に粘着剤層を設けることで得られた粘着シートは、耐熱性を有する。
(Adhesive sheet)
The adhesive sheet obtained by providing an adhesive layer on a base film has heat resistance.
波長532nmおよび波長1064nmにおける粘着シートの全光線透過率は、好ましくは70%以上、より好ましくは75%以上である。波長532nmおよび波長1064nmにおける粘着シートの全光線透過率を上記範囲とすることで、半導体ウエハに保護膜形成層付ダイシングシートを貼付した後に、レーザーマーキングを粘着シート(基材フィルム及び粘着剤層)越しに行うことが可能になる。 The total light transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 532 nm and a wavelength of 1064 nm is preferably 70% or more, more preferably 75% or more. By making the total light transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 532 nm and a wavelength of 1064 nm within the above range, a laser dicing sheet (base film and pressure-sensitive adhesive layer) is applied to the laser marking after a dicing sheet with a protective film forming layer is attached to a semiconductor wafer. It becomes possible to go over.
粘着シートには保護膜形成層が設けられる領域に、複数の微細な貫通孔が設けられていてもよい。粘着シートの全層を貫通する貫通孔を設けることで、保護膜形成層へのレーザーマーキングを行った際に発生するガスにより生じる異物の発生を抑制できる。 The adhesive sheet may be provided with a plurality of fine through holes in a region where the protective film forming layer is provided. By providing the through-hole penetrating all layers of the pressure-sensitive adhesive sheet, it is possible to suppress the generation of foreign matters caused by the gas generated when laser marking is performed on the protective film forming layer.
(保護膜形成層)
本発明における保護膜形成層は特に限定されず、例えば熱硬化性、熱可塑性、エネルギー線硬化性の保護膜形成層を用いることができる。これらの中でも、本発明に係る上記の基材が、耐熱性を備えており、熱硬化時の残存応力の発生を抑制できるという効果が好ましく発揮されることから、熱硬化性の保護膜形成層が好ましい。
(Protective film forming layer)
The protective film forming layer in the present invention is not particularly limited, and for example, a thermosetting, thermoplastic, or energy ray curable protective film forming layer can be used. Among these, the above-mentioned base material according to the present invention has heat resistance, and the effect of suppressing the occurrence of residual stress during thermosetting is preferably exerted. Is preferred.
保護膜形成層は、バインダーポリマー成分(A)及び硬化性成分(B)を含有することが好ましい。 The protective film-forming layer preferably contains a binder polymer component (A) and a curable component (B).
(A)バインダーポリマー成分
保護膜形成層に十分な接着性および造膜性(シート形成性)を付与するためにバインダーポリマー成分(A)が用いられる。バインダーポリマー成分(A)としては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。
(A) Binder polymer component The binder polymer component (A) is used for imparting sufficient adhesion and film forming property (sheet forming property) to the protective film forming layer. As the binder polymer component (A), conventionally known acrylic polymers, polyester resins, urethane resins, acrylic urethane resins, silicone resins, rubber-based polymers, and the like can be used.
バインダーポリマー成分(A)の重量平均分子量(Mw)は、1万〜200万であることが好ましく、10万〜120万であることがより好ましい。バインダーポリマー成分(A)の重量平均分子量が低過ぎると保護膜形成層と粘着シートとの粘着力が高くなり、保護膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると保護膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。 The weight average molecular weight (Mw) of the binder polymer component (A) is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,200,000. If the weight average molecular weight of the binder polymer component (A) is too low, the adhesive force between the protective film-forming layer and the pressure-sensitive adhesive sheet is increased, and transfer failure of the protective film-forming layer may occur. Adhesiveness may decrease and transfer to a chip or the like may not be possible, or the protective film may be peeled off from the chip or the like after transfer.
バインダーポリマー成分(A)として、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度(Tg)は、好ましくは−60〜50℃、さらに好ましくは−50〜40℃、特に好ましくは−40〜30℃の範囲にある。アクリルポリマーのガラス転移温度が低過ぎると保護膜形成層と粘着シートとの剥離力が大きくなって保護膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると保護膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。 An acrylic polymer is preferably used as the binder polymer component (A). The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer is preferably -60 to 50 ° C, more preferably -50 to 40 ° C, and particularly preferably -40 to 30 ° C. If the glass transition temperature of the acrylic polymer is too low, the peeling force between the protective film-forming layer and the pressure-sensitive adhesive sheet may increase, resulting in transfer failure of the protective film-forming layer, and if it is too high, the adhesion of the protective film-forming layer will be reduced. However, the transfer to the chip or the like may be impossible, or the protective film may be peeled off from the chip or the like after the transfer.
上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が1〜18であるアルキル(メタ)アクリレート、具体的にはメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する(メタ)アクリレート、具体的にはシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、イミド(メタ)アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレートなどが挙げられ;その他、エポキシ基を有するグリシジル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。アクリルポリマーは、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリルポリマーが、後述する硬化性成分(B)との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。 As a monomer which comprises the said acrylic polymer, a (meth) acrylic acid ester monomer or its derivative (s) is mentioned. For example, alkyl (meth) acrylates having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group, specifically methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl Examples include (meth) acrylate. In addition, (meth) acrylate having a cyclic skeleton, specifically cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, Examples include dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate and imide (meth) acrylate. Furthermore, examples of the monomer having a functional group include hydroxymethyl (meth) acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and the like; in addition, glycidyl (meth) having an epoxy group. An acrylate etc. are mentioned. As the acrylic polymer, an acrylic polymer containing a monomer having a hydroxyl group is preferable because of its good compatibility with the curable component (B) described later. The acrylic polymer may be copolymerized with acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, or the like.
さらに、バインダーポリマー成分(A)として、硬化後の保護膜の可とう性を保持するための熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が1000〜10万のものが好ましく、3000〜8万のものがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは−30〜120℃、さらに好ましくは−20〜120℃のものが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。上記の熱可塑性樹脂を含有することにより、保護膜形成層の転写面に保護膜形成層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。 Furthermore, you may mix | blend the thermoplastic resin for maintaining the flexibility of the protective film after hardening as a binder polymer component (A). Such a thermoplastic resin preferably has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 80,000. The glass transition temperature of the thermoplastic resin is preferably -30 to 120 ° C, more preferably -20 to 120 ° C. Examples of the thermoplastic resin include polyester resin, urethane resin, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene. These thermoplastic resins can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. By containing the above thermoplastic resin, the protective film forming layer follows the transfer surface of the protective film forming layer, and generation of voids or the like can be suppressed.
(B)硬化性成分
硬化性成分(B)は、熱硬化性成分および/またはエネルギー線硬化性成分が用いられる。
(B) Curable component The curable component (B) is a thermosetting component and / or an energy beam curable component.
熱硬化性成分としては、熱硬化樹脂および熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂が好ましい。 As the thermosetting component, a thermosetting resin and a thermosetting agent are used. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin is preferable.
エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に2官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。 A conventionally well-known epoxy resin can be used as an epoxy resin. Specific examples of epoxy resins include polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and bisphenols. Examples thereof include epoxy compounds having two or more functional groups in the molecule, such as A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, and phenylene skeleton-type epoxy resin. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
保護膜形成層には、バインダーポリマー成分(A)100質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは1〜1000質量部、より好ましくは10〜500質量部、特に好ましくは20〜200質量部含まれる。熱硬化樹脂の含有量が1質量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、1000質量部を超えると保護膜形成層と粘着シートとの剥離力が高くなり、保護膜形成層の転写不良が起こることがある。 In the protective film forming layer, the thermosetting resin is preferably 1 to 1000 parts by weight, more preferably 10 to 500 parts by weight, and particularly preferably 20 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder polymer component (A). included. When the content of the thermosetting resin is less than 1 part by mass, sufficient adhesiveness may not be obtained. When the content exceeds 1000 parts by mass, the peeling force between the protective film-forming layer and the pressure-sensitive adhesive sheet increases, and the protective film is formed. Layer transfer failure may occur.
熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。好ましい熱硬化剤としては、1分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。 The thermosetting agent functions as a curing agent for thermosetting resins, particularly epoxy resins. A preferable thermosetting agent includes a compound having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and an acid anhydride. Of these, phenolic hydroxyl groups, amino groups, acid anhydrides and the like are preferable, and phenolic hydroxyl groups and amino groups are more preferable.
フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、DICY(ジシアンジアミド)が挙げられる。これらは、1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。 Specific examples of the phenolic curing agent include polyfunctional phenolic resin, biphenol, novolac type phenolic resin, dicyclopentadiene type phenolic resin, zylock type phenolic resin, and aralkylphenolic resin. A specific example of the amine curing agent is DICY (dicyandiamide). These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂100質量部に対して、0.1〜500質量部であることが好ましく、1〜200質量部であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると保護膜形成層の吸湿率が高まり半導体装置の信頼性を低下させることがある。 It is preferable that content of a thermosetting agent is 0.1-500 mass parts with respect to 100 mass parts of thermosetting resins, and it is more preferable that it is 1-200 mass parts. If the content of the thermosetting agent is small, the adhesiveness may not be obtained due to insufficient curing, and if it is excessive, the moisture absorption rate of the protective film forming layer may increase and the reliability of the semiconductor device may be reduced.
保護膜形成層が、硬化性成分(B)として、熱硬化性成分を含有する場合、保護膜形成層は熱硬化性を有する。この場合、保護膜形成層を加熱により硬化することが可能となるが、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは基材フィルムが耐熱性を有しているために、保護膜形成層の熱硬化の際に、基材に残存応力が発生して不具合を生じることが起こりにくい。 When the protective film forming layer contains a thermosetting component as the curable component (B), the protective film forming layer has thermosetting properties. In this case, the protective film forming layer can be cured by heating. However, the dicing sheet with the protective film forming layer of the present invention has a heat resistance, so that the heat of the protective film forming layer can be reduced. During curing, residual stress is generated in the base material, which is unlikely to cause problems.
エネルギー線硬化性成分としては、エネルギー線重合性基を含み、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する低分子化合物(エネルギー線重合性化合物)を用いることができる。このようなエネルギー線硬化性成分として具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレートおよびイタコン酸オリゴマーなどのアクリレート系化合物が挙げられる。このような化合物は、分子内に少なくとも1つの重合性二重結合を有し、通常は、重量平均分子量が100〜30000、好ましくは300〜10000程度である。エネルギー線重合性化合物の配合量は、バインダーポリマー成分(A)100質量部に対して、好ましくは1〜1500質量部、より好ましくは10〜500質量部、特に好ましくは20〜200質量部含まれる。 As the energy ray curable component, a low molecular compound (energy ray polymerizable compound) containing an energy ray polymerizable group and polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams can be used. Specific examples of such energy ray-curable components include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or 1,4-butylene glycol. Examples include acrylate compounds such as diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy-modified acrylate, polyether acrylate, and itaconic acid oligomer. Such a compound has at least one polymerizable double bond in the molecule, and usually has a weight average molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000. The amount of the energy beam polymerizable compound is preferably 1 to 1500 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, and particularly preferably 20 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder polymer component (A). .
また、エネルギー線硬化性成分として、バインダーポリマー成分(A)の主鎖または側鎖に、エネルギー線重合性基が結合されてなるエネルギー線硬化型重合体を用いてもよい。このようなエネルギー線硬化型重合体は、バインダーポリマー成分(A)としての機能と、硬化性成分(B)としての機能を兼ね備える。 Further, as the energy ray curable component, an energy ray curable polymer in which an energy ray polymerizable group is bonded to the main chain or side chain of the binder polymer component (A) may be used. Such an energy ray curable polymer has a function as a binder polymer component (A) and a function as a curable component (B).
エネルギー線硬化型重合体の主骨格は特に限定はされず、バインダーポリマー成分(A)として汎用されているアクリルポリマーであってもよく、またポリエステル、ポリエーテル等であっても良いが、合成および物性の制御が容易であることから、アクリルポリマーを主骨格とすることが特に好ましい。 The main skeleton of the energy ray curable polymer is not particularly limited, and may be an acrylic polymer widely used as the binder polymer component (A), and may be a polyester, a polyether, etc. In view of easy control of physical properties, it is particularly preferable to use an acrylic polymer as the main skeleton.
エネルギー線硬化型重合体の主鎖または側鎖に結合するエネルギー線重合性基は、たとえばエネルギー線重合性の炭素−炭素二重結合を含む基であり、具体的には(メタ)アクリロイル基等を例示することができる。エネルギー線重合性基は、アルキレン基、アルキレンオキシ基、ポリアルキレンオキシ基を介してエネルギー線硬化型重合体に結合していてもよい。 The energy beam polymerizable group bonded to the main chain or side chain of the energy beam curable polymer is, for example, a group containing an energy beam polymerizable carbon-carbon double bond, specifically a (meth) acryloyl group or the like. Can be illustrated. The energy beam polymerizable group may be bonded to the energy beam curable polymer via an alkylene group, an alkyleneoxy group, or a polyalkyleneoxy group.
エネルギー線重合性基が結合されたエネルギー線硬化型重合体の重量平均分子量(Mw)は、1万〜200万であることが好ましく、10万〜150万であることがより好ましい。また、エネルギー線硬化型重合体のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは−60〜50℃、さらに好ましくは−50〜40℃、特に好ましくは−40〜30℃の範囲にある。 The weight average molecular weight (Mw) of the energy beam curable polymer to which the energy beam polymerizable group is bonded is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000. The glass transition temperature (Tg) of the energy ray curable polymer is preferably in the range of −60 to 50 ° C., more preferably −50 to 40 ° C., and particularly preferably −40 to 30 ° C.
エネルギー線硬化型重合体は、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を含有するアクリルポリマーと、該官能基と反応する置換基とエネルギー線重合性炭素−炭素二重結合を1分子毎に1〜5個を有する重合性基含有化合物とを反応させて得られる。該官能基と反応する置換基としては、イソシアネート基、グリシジル基、カルボキシル基等が挙げられる。 The energy ray curable polymer includes, for example, an acrylic polymer containing a functional group such as hydroxyl group, carboxyl group, amino group, substituted amino group, and epoxy group, a substituent that reacts with the functional group, and energy ray polymerizable carbon. -Obtained by reacting a polymerizable group-containing compound having 1 to 5 carbon double bonds per molecule. Examples of the substituent that reacts with the functional group include an isocyanate group, a glycidyl group, and a carboxyl group.
重合性基含有化合物としては、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート;(メタ)アクリル酸等が挙げられる。 Examples of the polymerizable group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, and the like. Is mentioned.
アクリルポリマーは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する(メタ)アクリルモノマーまたはその誘導体と、これと共重合可能な他の(メタ)アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とからなる共重合体であることが好ましい。 Acrylic polymer is a (meth) acrylic monomer having functional groups such as hydroxyl group, carboxyl group, amino group, substituted amino group, and epoxy group, or a derivative thereof, and other (meth) acrylic acid ester monomers copolymerizable therewith. Or it is preferable that it is a copolymer which consists of its derivative (s).
ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基を有する(メタ)アクリルモノマーまたはその誘導体としては、たとえば、ヒドロキシル基を有する2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート;カルボキシル基を有するアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸;エポキシ基を有するグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどが挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic monomer having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, or an epoxy group or a derivative thereof include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxy Examples thereof include propyl (meth) acrylate; acrylic acid having a carboxyl group, methacrylic acid, itaconic acid; glycidyl methacrylate having an epoxy group, glycidyl acrylate, and the like.
上記モノマーと共重合可能な他の(メタ)アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体としては、例えば、アルキル基の炭素数が1〜18であるアルキル(メタ)アクリレート、具体的にはメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートなどが挙げられ;環状骨格を有する(メタ)アクリレート、具体的にはシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレートなどが挙げられる。また、上記アクリルポリマーには、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。 Examples of other (meth) acrylic acid ester monomers or derivatives thereof copolymerizable with the above monomers include alkyl (meth) acrylates having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, specifically methyl (meth) acrylate. , Ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, and the like; (meth) acrylate having a cyclic skeleton, specifically cyclohexyl (meth) acrylate, Examples include benzyl (meth) acrylate, isobornyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate, and imide acrylate. The acrylic polymer may be copolymerized with vinyl acetate, acrylonitrile, styrene or the like.
エネルギー線硬化型重合体を使用する場合であっても、前記したエネルギー線重合性化合物を併用してもよく、またバインダーポリマー成分(A)を併用してもよい。本発明における保護膜形成層中のこれら三者の配合量の関係は、エネルギー線硬化型重合体およびバインダーポリマー成分(A)の質量の和100質量部に対して、エネルギー線重合性化合物が好ましくは1〜1500質量部、より好ましくは10〜500質量部、特に好ましくは20〜200質量部含まれる。 Even in the case of using an energy ray curable polymer, the aforementioned energy ray polymerizable compound may be used in combination, or the binder polymer component (A) may be used in combination. The relationship between the amounts of these three components in the protective film-forming layer in the present invention is preferably an energy ray polymerizable compound with respect to 100 parts by mass of the sum of the masses of the energy ray curable polymer and the binder polymer component (A). 1 to 1500 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, particularly preferably 20 to 200 parts by mass.
保護膜形成層にエネルギー線硬化性を付与することで、保護膜形成層を簡便かつ短時間で硬化でき、保護膜付チップの生産効率が向上する。従来、チップ用の保護膜は、一般にエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂により形成されていたが、熱硬化樹脂の硬化温度は200℃を超え、また硬化時間は2時間程度を要しているため、生産効率向上の障害となっていた。しかし、エネルギー線硬化性の保護膜形成層は、エネルギー線照射により短時間で硬化するため、簡便に保護膜を形成でき、生産効率の向上に寄与しうる。 By imparting energy beam curability to the protective film forming layer, the protective film forming layer can be cured easily and in a short time, and the production efficiency of the chip with protective film is improved. Conventionally, a protective film for a chip is generally formed of a thermosetting resin such as an epoxy resin, but the curing temperature of the thermosetting resin exceeds 200 ° C., and the curing time requires about 2 hours. It was an obstacle to improving production efficiency. However, since the energy ray-curable protective film forming layer is cured in a short time by energy ray irradiation, a protective film can be easily formed, which can contribute to improvement in production efficiency.
その他の成分
保護膜形成層は、上記バインダーポリマー成分(A)及び硬化性成分(B)に加えて下記成分を含むことができる。
The other component protective film forming layer may contain the following components in addition to the binder polymer component (A) and the curable component (B).
(C)着色剤
保護膜形成層は、着色剤(C)を含有することが好ましい。保護膜形成層に着色剤を配合することで、半導体装置を機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それらによる半導体装置の誤作動を防止することができ、また保護膜形成層を硬化して得た保護膜に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜を形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が通常レーザーマーキング法(レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法)により印字されるが、保護膜が着色剤(C)を含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分とそうでない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤(C)としては、有機または無機の顔料および染料が用いられる。これらの中でも電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤(C)は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明における保護膜形成層の高い硬化性は、可視光および/または赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光および/または赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光および/または赤外線と紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有するものであれば特に限定されない。
(C) It is preferable that a coloring agent protective film formation layer contains a coloring agent (C). By blending a colorant into the protective film forming layer, when a semiconductor device is incorporated in equipment, infrared rays generated from surrounding devices can be shielded, and malfunction of the semiconductor device due to them can be prevented. Visibility of characters when a product number or the like is printed on a protective film obtained by curing the protective film forming layer is improved. That is, in a semiconductor device or semiconductor chip on which a protective film is formed, the product number or the like is usually printed on the surface of the protective film by a laser marking method (a method in which the surface of the protective film is scraped off by laser light and printed). By containing the colorant (C), a sufficient difference in contrast between the portion of the protective film scraped by the laser beam and the portion that is not removed is obtained, and the visibility is improved. As the colorant (C), organic or inorganic pigments and dyes are used. Among these, black pigments are preferable from the viewpoint of electromagnetic wave and infrared shielding properties. Examples of the black pigment include carbon black, iron oxide, manganese dioxide, aniline black, activated carbon, and the like, but are not limited thereto. Carbon black is particularly preferable from the viewpoint of increasing the reliability of the semiconductor device. A colorant (C) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. The high curability of the protective film-forming layer in the present invention is particularly preferably exhibited when a colorant that lowers the transmittance of both visible light and / or infrared rays and ultraviolet rays is used, and the ultraviolet ray permeability is lowered. . In addition to the above-mentioned black pigment, the colorant that reduces the transparency of both visible light and / or infrared and ultraviolet rays has an absorptivity or reflectivity in the visible light and / or infrared and ultraviolet wavelength regions. If it has, it will not specifically limit.
着色剤(C)の配合量は、保護膜形成層を構成する全固形分100質量部に対して、好ましくは0.1〜35質量部、さらに好ましくは0.5〜25質量部、特に好ましくは1〜15質量部である。 The blending amount of the colorant (C) is preferably 0.1 to 35 parts by mass, more preferably 0.5 to 25 parts by mass, particularly preferably 100 parts by mass of the total solid content constituting the protective film forming layer. Is 1-15 parts by mass.
(D)硬化促進剤
硬化促進剤(D)は、保護膜形成層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤(D)は、特に、硬化性成分(B)において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。
(D) Curing accelerator The curing accelerator (D) is used to adjust the curing rate of the protective film forming layer. The curing accelerator (D) is preferably used particularly when the epoxy resin and the thermosetting agent are used in combination in the curable component (B).
好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノールなどの3級アミン類;2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類;トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。 Preferred curing accelerators include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Imidazoles such as 4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; Organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine; And tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphinetetraphenylborate. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
硬化促進剤(D)は、硬化性成分(B)100質量部に対して、好ましくは0.01〜10質量部、さらに好ましくは0.1〜1質量部の量で含まれる。硬化促進剤(D)を上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高い信頼性を達成することができる。硬化促進剤(D)の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で保護膜形成層中を接着界面側に移動し、偏析することにより半導体装置の信頼性を低下させる。 The curing accelerator (D) is preferably contained in an amount of 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the curable component (B). By containing the curing accelerator (D) in an amount within the above range, it has excellent adhesive properties even when exposed to high temperatures and high humidity, and has high reliability even when exposed to severe reflow conditions. Can be achieved. If the content of the curing accelerator (D) is low, sufficient adhesion characteristics cannot be obtained due to insufficient curing, and if it is excessive, the curing accelerator having a high polarity will adhere to the protective film forming layer under high temperature and high humidity. The reliability of the semiconductor device is lowered by moving to the side and segregating.
(E)カップリング剤
カップリング剤(E)は、保護膜形成層のチップに対する接着性、密着性および/または保護膜の凝集性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤(E)を使用することで、保護膜形成層を硬化して得られる保護膜の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
(E) Coupling agent The coupling agent (E) may be used to improve the adhesion, adhesion and / or cohesion of the protective film to the chip of the protective film forming layer. Moreover, the water resistance can be improved by using a coupling agent (E), without impairing the heat resistance of the protective film obtained by hardening | curing a protective film formation layer.
カップリング剤(E)としては、バインダーポリマー成分(A)、硬化性成分(B)などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤(E)としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−6−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−6−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。 As the coupling agent (E), a compound having a group that reacts with a functional group of the binder polymer component (A), the curable component (B), or the like is preferably used. As the coupling agent (E), a silane coupling agent is desirable. Such coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ- (methacryloxypropyl). ) Trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N- Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxy Silane, meth Examples include rutriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and imidazolesilane. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
カップリング剤(E)は、バインダーポリマー成分(A)および硬化性成分(B)の合計100質量部に対して、通常0.1〜20質量部、好ましくは0.2〜10質量部、より好ましくは0.3〜5質量部の割合で含まれる。カップリング剤(E)の含有量が0.1質量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、20質量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。 The coupling agent (E) is usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.2 to 10 parts by mass, with respect to 100 parts by mass in total of the binder polymer component (A) and the curable component (B). Preferably, it is contained at a ratio of 0.3 to 5 parts by mass. If the content of the coupling agent (E) is less than 0.1 parts by mass, the above effect may not be obtained, and if it exceeds 20 parts by mass, it may cause outgassing.
(F)無機充填材
無機充填材(F)を保護膜形成層に配合することにより、硬化後の保護膜における熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップに対して硬化後の保護膜の熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の吸湿率を低減させることも可能となる。
(F) Inorganic filler By blending the inorganic filler (F) in the protective film forming layer, it is possible to adjust the thermal expansion coefficient in the protective film after curing, and the protective film after curing with respect to the semiconductor chip The reliability of the semiconductor device can be improved by optimizing the thermal expansion coefficient. Moreover, it becomes possible to reduce the moisture absorption rate of the protective film after hardening.
好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材(F)は単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。無機充填材(F)の含有量は、保護膜形成層を構成する全固形分100質量部に対して、通常1〜80質量部の範囲で調整が可能である。 Preferable inorganic fillers include powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride, beads formed by spheroidizing them, single crystal fibers, and glass fibers. Among these, silica filler and alumina filler are preferable. The said inorganic filler (F) can be used individually or in mixture of 2 or more types. Content of an inorganic filler (F) can be normally adjusted in 1-80 mass parts with respect to 100 mass parts of total solids which comprise a protective film formation layer.
(G)光重合開始剤
保護膜形成層が、前述した硬化性成分(B)としてエネルギー線硬化性成分を含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性成分を硬化させる。この際、該組成物中に光重合開始剤(G)を含有させることで、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
(G) When the photopolymerization initiator protective film forming layer contains an energy ray curable component as the curable component (B) described above, an energy ray such as an ultraviolet ray is irradiated on the use of the energy ray curable component. Curing the curable component. In this case, the polymerization curing time and the amount of light irradiation can be reduced by including the photopolymerization initiator (G) in the composition.
このような光重合開始剤(G)として具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、1,2−ジフェニルメタン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−[4−(1−メチルビニル)フェニル]プロパノン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドおよびβ−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤(G)は1種類単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることができる。 Specific examples of such photopolymerization initiator (G) include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, and benzoin dimethyl ketal. 2,4-diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 1,2-diphenylmethane, 2-hydroxy- 2-methyl-1- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and β-alkyl Examples thereof include roll anthraquinone. A photoinitiator (G) can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
光重合開始剤(G)の配合割合は、エネルギー線硬化性成分100質量部に対して0.1〜10質量部含まれることが好ましく、1〜5質量部含まれることがより好ましい。0.1質量部未満であると光重合の不足で満足な転写性が得られないことがあり、10質量部を超えると光重合に寄与しない残留物が生成し、保護膜形成層の硬化性が不十分となることがある。 It is preferable that 0.1-10 mass parts is contained with respect to 100 mass parts of energy-beam curable components, and, as for the mixture ratio of a photoinitiator (G), it is more preferable that 1-5 mass parts is contained. If the amount is less than 0.1 parts by mass, satisfactory transferability may not be obtained due to insufficient photopolymerization. If the amount exceeds 10 parts by mass, a residue that does not contribute to photopolymerization is generated, and the curability of the protective film forming layer is increased. May be insufficient.
(H)架橋剤
保護膜形成層の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤(H)としては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。
(H) In order to adjust the initial adhesive force and cohesive force of the crosslinker protective film forming layer, a crosslinker may be added. Examples of the crosslinking agent (H) include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent imine compounds.
上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。 Examples of the organic polyvalent isocyanate compound include aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds, trimers of these organic polyvalent isocyanate compounds, and these organic polyvalent isocyanate compounds. And a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound with a polyol compound.
有機多価イソシアネート化合物としては、たとえば2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。 Examples of organic polyvalent isocyanate compounds include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate, diphenylmethane. -2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, trimethylolpropane adduct tolylene diisocyanate and lysine Isocyanates.
上記有機多価イミン化合物としては、N,N’−ジフェニルメタン−4,4’−ビス(1−アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネートおよびN,N’−トルエン−2,4−ビス(1−アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等を挙げることができる。 Examples of the organic polyvalent imine compound include N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri -Β-aziridinylpropionate and N, N′-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxyamide) triethylenemelamine can be exemplified.
架橋剤(H)はバインダーポリマー成分(A)およびエネルギー線硬化型重合体の合計量100質量部に対して通常0.01〜20質量部、好ましくは0.1〜10質量部、より好ましくは0.5〜5質量部の比率で用いられる。 The crosslinking agent (H) is usually from 0.01 to 20 parts by weight, preferably from 0.1 to 10 parts by weight, more preferably from 100 parts by weight of the total amount of the binder polymer component (A) and the energy ray curable polymer. It is used at a ratio of 0.5 to 5 parts by mass.
(I)汎用添加剤
保護膜形成層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤などが挙げられる。
(I) In addition to the above, various additives may be blended in the general-purpose additive protective film forming layer as necessary. Examples of various additives include leveling agents, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, ion scavengers, gettering agents, chain transfer agents, and the like.
上記のような各成分からなる保護膜形成層は、接着性と硬化性とを有し、未硬化状態ではワーク(半導体ウエハやチップ等)に押圧することで容易に接着する。そして硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い保護膜を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な保護機能を保持し得る。なお、保護膜形成層は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を1層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。 The protective film forming layer composed of each component as described above has adhesiveness and curability, and is easily adhered by being pressed against a work (semiconductor wafer, chip, etc.) in an uncured state. Then, after curing, a protective film having high impact resistance can be provided, the adhesive strength is excellent, and a sufficient protective function can be maintained even under severe high temperature and high humidity conditions. The protective film forming layer may have a single layer structure, or may have a multilayer structure as long as one or more layers containing the above components are included.
保護膜形成層の厚さは特に限定されないが、好ましくは3〜300μm、さらに好ましくは5〜250μm、特に好ましくは7〜200μmである。 The thickness of the protective film forming layer is not particularly limited, but is preferably 3 to 300 μm, more preferably 5 to 250 μm, and particularly preferably 7 to 200 μm.
保護膜形成層における可視光線および/または赤外線と紫外線の透過性を示す尺度である、波長300〜1200nmにおける最大透過率は20%以下であることが好ましく、0〜15%であることがより好ましく、0%を超え10%以下であることがさらに好ましく、0.001〜8%であることが特に好ましい。波長300〜1200nmにおける保護膜形成層の最大透過率を上記範囲とすることで、保護膜形成層がエネルギー線硬化性成分(特に紫外線硬化性成分)を含有する場合には、保護膜形成層が着色されている場合であっても硬化性に優れる。また、可視光波長領域および/または赤外波長領域の透過性の低下が生じ、半導体装置の赤外線起因の誤作動の防止や、印字の視認性向上といった効果が得られる。波長300〜1200nmにおける保護膜形成層の最大透過率は、上記着色剤(C)により調整できる。なお、保護膜形成層の最大透過率は、UV−visスペクトル検査装置((株)島津製作所製)を用いて、硬化後の保護膜形成層(厚み25μm)の300〜1200nmでの全光線透過率を測定し、透過率の最も高い値(最大透過率)とした。 The maximum transmittance at a wavelength of 300 to 1200 nm, which is a scale showing the transmittance of visible light and / or infrared rays and ultraviolet rays in the protective film forming layer, is preferably 20% or less, more preferably 0 to 15%. More preferably, it is more than 0% and 10% or less, particularly preferably 0.001 to 8%. By setting the maximum transmittance of the protective film forming layer at a wavelength of 300 to 1200 nm in the above range, when the protective film forming layer contains an energy ray curable component (particularly an ultraviolet curable component), the protective film forming layer is Even if it is colored, the curability is excellent. Further, the transmittance in the visible light wavelength region and / or the infrared wavelength region is lowered, and effects such as prevention of malfunction caused by infrared rays of the semiconductor device and improvement in printing visibility can be obtained. The maximum transmittance of the protective film forming layer at a wavelength of 300 to 1200 nm can be adjusted by the colorant (C). In addition, the maximum transmittance of the protective film forming layer is the total light transmission at 300 to 1200 nm of the cured protective film forming layer (thickness 25 μm) using a UV-vis spectrum inspection apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation). The transmittance was measured, and the highest transmittance (maximum transmittance) was obtained.
(剥離シート)
保護膜形成層付ダイシングシートには、使用に供するまでの間、表面の外部との接触を避けるための剥離シートを設けてもよい。剥離シートとしては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルム、不透明フィルムなどを用いることができる。また、剥離シートは片面が剥離処理されていてもよい。剥離処理に用いる剥離剤としては、例えば、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤が挙げられる。
(Peeling sheet)
The dicing sheet with a protective film forming layer may be provided with a release sheet for avoiding contact with the outside of the surface until it is used. As the release sheet, for example, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polybutylene terephthalate film, Polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film, fluorine A transparent film such as a resin film is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient. Moreover, the film which colored these, an opaque film, etc. can be used. Further, the release sheet may be subjected to a release treatment on one side. Examples of the release agent used for the release treatment include release agents such as silicone-based, fluorine-based, and long-chain alkyl group-containing carbamates.
上記の剥離剤を用いて剥離シートの表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱硬化または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。 In order to release the surface of the release sheet using the release agent described above, the release agent can be applied directly with a gravure coater, Meyer bar coater, air knife coater, roll coater, etc. without solvent, or by solvent dilution or emulsion. Then, a laminate may be formed by room temperature or heat curing or electron beam curing, wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, or the like.
剥離シートの厚さは、通常は10〜500μm、好ましくは15〜300μm、特に好ましくは20〜250μm程度である。また、保護膜形成層付ダイシングシートの厚みは、通常は1〜500μm、好ましくは5〜300μm、特に好ましくは10〜150μm程度である。 The thickness of the release sheet is usually about 10 to 500 μm, preferably about 15 to 300 μm, and particularly preferably about 20 to 250 μm. Moreover, the thickness of the dicing sheet with a protective film forming layer is usually 1 to 500 μm, preferably 5 to 300 μm, and particularly preferably about 10 to 150 μm.
(保護膜形成層付ダイシングシート)
保護膜形成層付ダイシングシートの製造方法としては、次のような方法が挙げられる。まず、剥離シート上に保護膜形成層を形成する。保護膜形成層は、上記各成分を適宜の割合で、適当な溶媒中で混合してなる保護膜形成層用組成物を、適当な剥離シート上に塗布乾燥して得られる。また、剥離シート上に保護膜形成層用組成物を塗布、乾燥して成膜し、これを別の剥離シートと貼り合わせて、2枚の剥離シートに挟持された状態(剥離シート/保護膜形成層/剥離シート)としてもよい。
(Dicing sheet with protective film forming layer)
The following method is mentioned as a manufacturing method of a dicing sheet with a protective film formation layer. First, a protective film forming layer is formed on the release sheet. The protective film-forming layer is obtained by applying and drying a protective film-forming layer composition obtained by mixing the above-described components in an appropriate solvent on an appropriate release sheet. In addition, a composition for a protective film forming layer is applied onto a release sheet, dried to form a film, and this is bonded to another release sheet and sandwiched between two release sheets (release sheet / protective film) Forming layer / release sheet).
次に、2枚の剥離シートに挟持された状態の場合には一方の剥離シートを剥離する。そして、保護膜形成層を貼付するワーク(例えば半導体ウエハ等)と同じサイズもしくは一回り大きい円形に型抜きし、円形に型抜きされた保護膜形成層の周囲をカス取りする。次いで、円形の保護膜形成層を、別途用意した上記粘着シートの粘着剤層に貼付し、リングフレームに対する糊しろの外径に合わせて同心円状に型抜きし、型抜きされた粘着シートの周囲を除去する。最後に、保護膜形成層に貼付された剥離シートを剥離することで、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートを得る。 Next, in the state of being sandwiched between two release sheets, one release sheet is released. Then, it is punched into a circle that is the same size or slightly larger than the workpiece (for example, a semiconductor wafer) to which the protective film forming layer is to be attached, and the periphery of the protective film forming layer that has been punched in a circular shape is removed. Next, a circular protective film forming layer is attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet prepared separately, and is concentrically cut according to the outer diameter of the margin for the ring frame. Remove. Finally, the dicing sheet with a protective film forming layer of the present invention is obtained by peeling the release sheet attached to the protective film forming layer.
図1に示すように、本発明の保護膜形成層付ダイシングシート10は、基材フィルム1と粘着剤層2とからなる粘着シート3の内周部に保護膜形成層4が剥離可能に積層され、粘着シート3の外周部に粘着剤層2が露出している。つまり、粘着シート3よりも小径の保護膜形成層4が、粘着シート3の粘着剤層2上に同心円状に剥離可能に積層されている。
As shown in FIG. 1, the dicing
そして、粘着シート3の外周部に露出した粘着剤層2において、リングフレーム5に貼付される。
And in the adhesive layer 2 exposed to the outer peripheral part of the
また、粘着剤層をエネルギー線硬化型粘着剤で形成する場合、エネルギー線を照射する範囲を選択することにより、所望の位置、大きさ及び形状で粘着力の低下した粘着剤層の部分と、粘着力の低下していない粘着剤層の部分とを形成できる。従って、粘着剤層のリングフレームを貼付する部分や粘着剤層の保護膜形成層が形成される部分にエネルギー線を照射して粘着力を低下させ、所望の範囲に調整できる。粘着力の低下した粘着剤層の部分に保護膜形成層を形成すれば、リングフレームへの貼付性に優れ、リングフレームへの糊残りを防止でき、かつ保護膜形成層のワークへの転写が容易な粘着剤層を得ることができる。エネルギー線照射により粘着力を低下させる工程は、保護膜形成層を粘着シート上に形成する前に行ってもよいし、その後でもよいが、保護膜形成層と粘着剤層の密着性が高くなり、保護膜形成層のワークへの転写が困難になることを避けるため、保護膜形成層を粘着シート上に形成する前に行うことが好ましい。このような粘着剤層は、基材フィルム上に、部分的にエネルギー線を遮蔽する保護マスクを印刷、遮蔽フィルムの貼り合わせ、蒸着若しくはスパッタリング等により形成し、基材フィルム側からエネルギー線を照射する方法等により得られる。 In addition, when forming the pressure-sensitive adhesive layer with an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, by selecting a range to irradiate energy rays, the portion of the pressure-sensitive adhesive layer where the adhesive strength has decreased at a desired position, size and shape, and And a portion of the pressure-sensitive adhesive layer in which the adhesive strength is not reduced. Accordingly, the adhesive force can be reduced by irradiating the part where the ring frame of the pressure-sensitive adhesive layer is pasted or the part where the protective film forming layer of the pressure-sensitive adhesive layer is formed to reduce the pressure-sensitive adhesive force. If a protective film forming layer is formed on the part of the pressure-sensitive adhesive layer where the adhesive strength is reduced, it can be easily applied to the ring frame, can prevent adhesive residue on the ring frame, and can be transferred to the workpiece. An easy pressure-sensitive adhesive layer can be obtained. The step of reducing the adhesive strength by irradiation with energy rays may be performed before or after forming the protective film forming layer on the pressure sensitive adhesive sheet, but the adhesion between the protective film forming layer and the pressure sensitive adhesive layer is increased. In order to avoid the difficulty of transferring the protective film forming layer to the work, it is preferable to carry out before forming the protective film forming layer on the adhesive sheet. Such a pressure-sensitive adhesive layer is formed by printing a protective mask that partially shields energy rays on the substrate film, bonding the shielding film, vapor deposition or sputtering, etc., and irradiating the energy rays from the substrate film side. Or the like.
また、リングフレームに対する糊しろ(粘着シートの外周部における露出した粘着剤層)上に、環状の両面テープ若しくは粘着剤層を別途設けてもよい。両面テープは粘着剤層/芯材/粘着剤層の構成を有し、両面テープにおける粘着剤層は特に限定されず、上記粘着シート3に好適な粘着剤として挙げたものが同様に選択できる。また、芯材は耐熱性を有することが好ましく、芯材として、融点が120℃以上のフィルムを用いることが好ましい。融点が120℃未満のフィルムを芯材として用いると、保護膜形成層の加熱硬化の際に、芯材が溶融し形状を保てなくなったり、周辺の装置と融着してしまうことがある。芯材としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等が好ましく用いられる。
Further, an annular double-sided tape or an adhesive layer may be separately provided on the margin for the ring frame (exposed adhesive layer on the outer peripheral portion of the adhesive sheet). The double-sided tape has a configuration of pressure-sensitive adhesive layer / core material / pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer in the double-sided tape is not particularly limited, and those mentioned as the pressure-sensitive adhesive suitable for the pressure-
また、粘着剤層と保護膜形成層との間に、密着防止層を設けてもよい。密着防止層を設けることにより、粘着剤層と保護膜形成層が直接に接していないために、保護膜形成層の熱硬化を行う場合に、粘着剤層と保護膜形成層が融着してしまうことを防止することができる。 Further, an adhesion preventing layer may be provided between the pressure-sensitive adhesive layer and the protective film forming layer. Since the adhesive layer and the protective film forming layer are not in direct contact with each other by providing the adhesion preventing layer, the adhesive layer and the protective film forming layer are fused when the protective film forming layer is thermally cured. Can be prevented.
密着防止層としては、耐熱性を有する材料からなるものであることが好ましい。具体的には、アニール処理済みポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、シクロオレフィン樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。密着防止層は、保護膜形成層が容易に剥離可能なように材料が選択され、または剥離処理等の表面処理が施されていることが好ましい。剥離処理としては、上述した場合によって保護膜形成層付ダイシングシート上に設けられる剥離シートの剥離処理と同じものが挙げられる。 The adhesion preventing layer is preferably made of a material having heat resistance. Specific examples include annealed polyester films, polycarbonate films, polyphenylene sulfide films, cycloolefin resin films, polyimide resin films and the like. It is preferable that a material for the adhesion preventing layer is selected so that the protective film forming layer can be easily peeled or a surface treatment such as a peeling treatment is performed. As a peeling process, the same thing as the peeling process of the peeling sheet provided on a dicing sheet with a protective film formation layer by the case mentioned above is mentioned.
(チップの製造方法)
次に本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートの利用方法について、該シートをチップ(例えば半導体チップ等)の製造に適用した場合を例にとって説明する。
(Chip manufacturing method)
Next, a method of using the dicing sheet with a protective film forming layer according to the present invention will be described taking as an example the case where the sheet is applied to the manufacture of a chip (for example, a semiconductor chip).
本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートを用いた半導体チップの製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハ(ワーク)の裏面に、上記シートの保護膜形成層を貼付し、以下の工程(1)〜(3)を、(1)、(2)、(3)の順で行い、裏面に保護膜を有する半導体チップを得ることを特徴としている。
工程(1):保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程(2):半導体ウエハ(ワーク)と保護膜とをダイシング、
工程(3):保護膜と粘着シートとを剥離。
A manufacturing method of a semiconductor chip using a dicing sheet with a protective film forming layer according to the present invention is a method in which a protective film forming layer of the above sheet is pasted on the back surface of a semiconductor wafer (work) on which a circuit is formed. The steps (1) to (3) are performed in the order of (1), (2), and (3) to obtain a semiconductor chip having a protective film on the back surface.
Step (1): The protective film forming layer is cured to obtain a protective film.
Step (2): dicing the semiconductor wafer (workpiece) and the protective film,
Step (3): The protective film and the adhesive sheet are peeled off.
また、本発明に係る半導体チップの製造方法は、上記工程(1)〜(3)の他に、下記の工程(4)をさらに含み、上記工程(1)の後に、さらに工程(4)を行うこともできる。
工程(4):保護膜にレーザー印字。
The semiconductor chip manufacturing method according to the present invention further includes the following step (4) in addition to the steps (1) to (3), and further includes the step (4) after the step (1). It can also be done.
Step (4): Laser printing on the protective film.
工程(4)は、工程(1)および工程(2)の間に行うことが好ましい。硬化後の保護膜形成層(保護膜)にレーザー印字を行うことで、印字精度が優れたものとなる。一方、工程(2)の後、工程(3)の前に行った場合には、ダイシング時のチップの微小な位置ずれによって印字精度が低下することがある。また、工程(3)の後に行った場合は、個々のチップに個別にレーザー印字を行っていく必要があり、プロセスが煩雑となる。 The step (4) is preferably performed between the step (1) and the step (2). By performing laser printing on the protective film-forming layer (protective film) after curing, the printing accuracy is excellent. On the other hand, when the process is performed after the process (2) and before the process (3), the printing accuracy may be deteriorated due to a minute positional deviation of the chip during dicing. Moreover, when it is performed after the step (3), it is necessary to individually perform laser printing on each chip, and the process becomes complicated.
半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。次いで、半導体ウエハの回路面の反対面(裏面)を研削する。研削法は特に限定はされず、グラインダーなどを用いた公知の手段で研削してもよい。裏面研削時には、表面の回路を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハの回路面側(すなわち表面保護シート側)をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。ウエハの研削後の厚みは特に限定はされないが、通常は20〜500μm程度である。その後、必要に応じ、裏面研削時に生じた破砕層を除去する。破砕層の除去は、ケミカルエッチングや、プラズマエッチングなどにより行われる。 The semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. Formation of a circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. Next, the opposite surface (back surface) of the circuit surface of the semiconductor wafer is ground. The grinding method is not particularly limited, and grinding may be performed by a known means using a grinder or the like. At the time of back surface grinding, an adhesive sheet called a surface protection sheet is attached to the circuit surface in order to protect the circuit on the surface. In the back surface grinding, the circuit surface side (that is, the surface protection sheet side) of the wafer is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side on which no circuit is formed is ground by a grinder. The thickness of the wafer after grinding is not particularly limited, but is usually about 20 to 500 μm. Thereafter, if necessary, the crushed layer generated during back grinding is removed. The crushed layer is removed by chemical etching, plasma etching, or the like.
次いで、半導体ウエハの裏面に、上記保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を貼付する。その後、工程(1)〜(3)を(1)、(2)、(3)の順で行う。以下にこのプロセスについて説明する。 Subsequently, the protective film formation layer of the said dicing sheet with a protective film formation layer is affixed on the back surface of a semiconductor wafer. Then, process (1)-(3) is performed in order of (1), (2), (3). This process is described below.
まず、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、上記保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を貼付する。次いで、保護膜形成層を硬化し、ウエハの全面に保護膜を形成する。硬化前の保護膜形成層を半導体ウエハに貼付することにより、保護膜形成層がウエハの貼付面によくなじみ、保護膜と半導体チップの接着性が向上する。また、保護膜形成層の硬化時に、保護膜形成層付ダイシングシートの収縮変形が抑制される。保護膜形成層には、硬化性成分(B)が含まれているため、一般的には熱硬化またはエネルギー線照射により保護膜形成層を硬化する。なお、保護膜形成層に熱硬化性成分およびエネルギー線硬化性成分が配合されている場合には、保護膜形成層の硬化を、加熱とエネルギー線照射の両者で行うことができ、加熱およびエネルギー線照射による硬化を同時に行ってもよく、逐次的に行ってもよい。この結果、ウエハ裏面に硬化樹脂からなる保護膜が形成され、ウエハ単独の場合と比べて強度が向上するので、取扱い時の薄くなったウエハの破損を低減できる。また、ウエハやチップの裏面に直接保護膜用の塗布液を塗布・被膜化するコーティング法と比較して、保護膜の厚さの均一性に優れる。 First, the protective film formation layer of the said dicing sheet with a protective film formation layer is affixed on the back surface of the semiconductor wafer in which the circuit was formed on the surface. Next, the protective film forming layer is cured, and a protective film is formed on the entire surface of the wafer. By sticking the protective film-forming layer before curing to the semiconductor wafer, the protective film-forming layer is well adapted to the sticking surface of the wafer, and the adhesion between the protective film and the semiconductor chip is improved. In addition, shrinkage deformation of the dicing sheet with the protective film forming layer is suppressed when the protective film forming layer is cured. Since the protective film forming layer contains the curable component (B), the protective film forming layer is generally cured by heat curing or energy ray irradiation. In addition, when the thermosetting component and the energy ray curable component are blended in the protective film forming layer, the protective film forming layer can be cured by both heating and energy ray irradiation. Curing by beam irradiation may be performed simultaneously or sequentially. As a result, a protective film made of a cured resin is formed on the back surface of the wafer, and the strength is improved as compared with the case of the wafer alone, so that damage to the thin wafer during handling can be reduced. In addition, the thickness of the protective film is excellent compared to a coating method in which a coating liquid for the protective film is directly applied to the back surface of the wafer or chip.
保護膜形成層が熱硬化性である場合には、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートの、熱硬化時の変形による基材フィルムの残存応力の発生が抑制され、ダイシング後のチップ間隔の狭小化防止という効果が好ましく発揮される。そのため、保護膜形成層が熱硬化性であり、保護膜形成層の熱硬化の後にダイシングおよびピックアップ(保護膜からの粘着シートの剥離)を行う製造方法、すなわち、(1)、(2)、(3)の順に工程を行う製造方法に本発明の保護膜形成層付ダイシングシートを用いることが好ましい。 When the protective film forming layer is thermosetting, the occurrence of residual stress of the base film due to deformation during the thermosetting of the dicing sheet with the protective film forming layer of the present invention is suppressed, and the chip interval after dicing is reduced. The effect of preventing narrowing is preferably exhibited. Therefore, the protective film forming layer is thermosetting, and the manufacturing method of performing dicing and pickup (peeling of the adhesive sheet from the protective film) after the thermosetting of the protective film forming layer, that is, (1), (2), It is preferable to use the dicing sheet with a protective film forming layer of the present invention in the production method in which the steps are performed in the order of (3).
次いで、硬化した保護膜形成層(保護膜)にレーザー印字することが好ましい。レーザー印字はレーザーマーキング法により行われ、レーザー光の照射により粘着シート越しに保護膜の表面を削り取ることで保護膜に品番等をマーキングする。本発明の保護膜形成層付ダイシングシートによれば、極薄のウエハであってもウエハの反りを抑制できるため、レーザー光の焦点が正確に定まり、精度よくマーキングを行える。 Next, it is preferable to perform laser printing on the cured protective film forming layer (protective film). Laser printing is performed by the laser marking method, and the protective film is marked with a product number or the like by scraping the surface of the protective film over the adhesive sheet by irradiation with laser light. According to the dicing sheet with a protective film forming layer of the present invention, since the warpage of the wafer can be suppressed even with an extremely thin wafer, the focal point of the laser beam is accurately determined and marking can be performed with high accuracy.
次いで、半導体ウエハと保護膜形成層付ダイシングシートとの積層体(半導体ウエハと保護膜と粘着シートとの積層体)を、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングする。ダイシングは、ウエハと保護膜をともに切断するように行われる。ダイシングは特に限定はされず、一例として、ウエハのダイシング時には保護膜形成層付ダイシングシートの周辺部(粘着シートの外周部)をリングフレームにより固定した後、ダイシングブレードなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハのチップ化を行う方法などが挙げられる。ダイシングによる粘着シートへの切り込み深さは、保護膜形成層を完全に切断していればよく、保護膜形成層との界面から0〜30μm以下とすることが好ましい。基材フィルムへの切り込み量を小さくすることで、ダイシングブレードの摩擦による基材フィルムの溶融や、基材フィルムにおけるバリ等の発生を抑制することができる。また、本発明における基材フィルムは、上記物性を有するため耐熱性に優れる。その結果、保護膜形成層の硬化工程において高温にさらされても変形が抑制され、粘着シート上で保護膜付半導体ウエハのダイシングが可能となる。基材フィルムが変形すると粘着シートも変形し、この変形に起因する残存応力により、チップ間隔が狭小化する傾向がある。 Subsequently, the laminated body (laminated body of a semiconductor wafer, a protective film, and an adhesive sheet) of a semiconductor wafer and a dicing sheet with a protective film forming layer is diced for each circuit formed on the wafer surface. Dicing is performed so as to cut both the wafer and the protective film. Dicing is not particularly limited. For example, after dicing the wafer, the peripheral portion of the dicing sheet with a protective film forming layer (the outer peripheral portion of the adhesive sheet) is fixed with a ring frame, and then a rotating round blade such as a dicing blade is used. And a known method for forming a wafer into chips. The depth of cut into the pressure-sensitive adhesive sheet by dicing is only required to completely cut the protective film forming layer, and is preferably 0 to 30 μm or less from the interface with the protective film forming layer. By reducing the amount of cut into the base film, it is possible to suppress the melting of the base film due to the friction of the dicing blade and the occurrence of burrs in the base film. Moreover, since the base film in this invention has the said physical property, it is excellent in heat resistance. As a result, even if the protective film forming layer is exposed to a high temperature in the curing step, the deformation is suppressed, and the semiconductor wafer with the protective film can be diced on the adhesive sheet. When the base film is deformed, the pressure-sensitive adhesive sheet is also deformed, and the chip interval tends to be narrowed by the residual stress resulting from the deformation.
その後、ダイシングされた保護膜付半導体チップをコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、保護膜と粘着シートとを剥離する。この結果、裏面に保護膜を有する半導体チップ(保護膜付半導体チップ)が得られる。このような本発明によれば、厚みの均一性の高い保護膜を、チップ裏面に簡便に形成でき、ダイシング工程やパッケージングの後のクラックが発生しにくくなる。また、本発明によれば、保護膜が形成されたウエハをダイシングテープに貼り替えてダイシングしていた従来の工程と比較して、ダイシングテープへの貼り替えを行うことなく保護膜付チップを得ることができ、製造工程の簡略化が図れる。また、研削により脆弱化したウエハを単体で扱うことがなくなるため、ウエハ破損の危険を低減する。さらに、薄型化ウエハは保護膜の硬化収縮により反りが発生することがあるが、粘着シートを介してリングフレームに保持されているため反りも抑制することができる。そして、半導体チップをフェースダウン方式で所定の基台上に実装することで半導体装置を製造することができる。また、裏面に保護膜を有する半導体チップを、ダイパッド部または別の半導体チップなどの他の部材上(チップ搭載部上)に接着することで、半導体装置を製造することもできる。 Then, the protective film and the adhesive sheet are peeled off by picking up the diced semiconductor chip with a protective film using a general-purpose means such as a collet. As a result, a semiconductor chip having a protective film on the back surface (semiconductor chip with protective film) is obtained. According to the present invention as described above, a protective film having high thickness uniformity can be easily formed on the back surface of the chip, and cracks after the dicing process and packaging are less likely to occur. In addition, according to the present invention, a chip with a protective film is obtained without replacing the wafer on which the protective film is formed with the dicing tape, as compared with the conventional process in which the wafer is diced. Therefore, the manufacturing process can be simplified. Further, since the wafer weakened by grinding is not handled alone, the risk of wafer breakage is reduced. Further, the thinned wafer may be warped due to curing shrinkage of the protective film. However, since the wafer is held on the ring frame via the adhesive sheet, the warpage can be suppressed. Then, the semiconductor device can be manufactured by mounting the semiconductor chip on a predetermined base by the face-down method. Further, a semiconductor device can be manufactured by adhering a semiconductor chip having a protective film on the back surface to another member (on the chip mounting portion) such as a die pad portion or another semiconductor chip.
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、<チップ間隔保持性>、<波長532nm、1064nmにおける全光線透過率>、<レーザー印字評価>、及び<基材フィルムの熱収縮率>は次のように測定・評価した。また、下記の<保護膜形成層用組成物>及び<粘着剤組成物>を用いた。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples. In the following examples and comparative examples, <chip spacing retention>, <total light transmittance at wavelengths of 532 nm and 1064 nm>, <laser printing evaluation>, and <thermal shrinkage of substrate film> are as follows: Measured and evaluated. Moreover, the following <composition for protective film formation layer> and <adhesive composition> were used.
<チップ間隔保持性>
保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層をシリコンウエハ(直径8インチ、厚み200μm、#2000研磨)に、粘着シートの外周部における粘着剤層をリングフレームに貼付した。次いで、130℃で2時間加熱して保護膜形成層を硬化し、保護膜付シリコンウエハを5mm×5mmのチップサイズにダイシングした。ダイシングに用いたダイシングブレードの幅は、30μmである。このとき、ダイシング後の時点で隣接チップ同士の間隔をデジタル顕微鏡により計測した。計測は、縦方向に隣接するチップ(下側に隣接するチップ)および横方向に隣接するチップ(右隣のチップ)との間隔について行い、5つのチップの計測結果についての平均をとった。チップ同士の間隔が、20μm以上である場合を「A」、20μm未満となっている場合を「B」、10μm未満となっている場合を「C」と評価した。
<Chip spacing retention>
The protective film forming layer of the dicing sheet with protective film forming layer was attached to a silicon wafer (diameter 8 inches, thickness 200 μm, # 2000 polishing), and the adhesive layer on the outer peripheral portion of the adhesive sheet was attached to a ring frame. Subsequently, it heated at 130 degreeC for 2 hours, the protective film formation layer was hardened, and the silicon wafer with a protective film was diced into the chip size of 5 mm x 5 mm. The width of the dicing blade used for dicing is 30 μm. At this time, the distance between adjacent chips was measured with a digital microscope at the time after dicing. The measurement was performed with respect to the distance between the chip adjacent in the vertical direction (the chip adjacent on the lower side) and the chip adjacent in the horizontal direction (the chip on the right side), and the average of the measurement results of the five chips was taken. The case where the distance between the chips was 20 μm or more was evaluated as “A”, the case where it was less than 20 μm was evaluated as “B”, and the case where it was less than 10 μm was evaluated as “C”.
<波長532nm、1064nmにおける全光線透過率>
UV−visスペクトル検査装置((株)島津製作所製)を用いて、保護膜形成層付ダイシングシートにおける粘着シートの波長532nm、1064nmでの全光線透過率を測定した。
<Total light transmittance at wavelengths of 532 nm and 1064 nm>
Using a UV-vis spectrum inspection apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation), the total light transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet in the dicing sheet with a protective film forming layer at wavelengths of 532 nm and 1064 nm was measured.
<レーザー印字評価>
チップ間隔保持性の評価と同様に、保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層のシリコンウエハへの貼付、粘着剤層のリングフレームへの貼付、保護膜形成層の加熱硬化を行った。次いで、YAGレーザーマーカー(日立建機ファインテック(株)製 LM5000、レーザー波長:532nm)を用いて、粘着シート越しに保護膜にレーザー印字した。その後、粘着シートを剥離し、CCDカメラにより保護膜上に印字された文字が読み取れるか否かを確認した。読み取れた場合を「A」、読み取れなかった場合を「B」と評価した。なお、文字のサイズは、横400μm、横200μmであった。
<Laser printing evaluation>
As in the evaluation of the chip spacing retention, the protective film forming layer of the dicing sheet with the protective film forming layer was attached to the silicon wafer, the adhesive layer was attached to the ring frame, and the protective film forming layer was heat-cured. Subsequently, using a YAG laser marker (LM5000 manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd., laser wavelength: 532 nm), laser printing was performed on the protective film through the adhesive sheet. Thereafter, the adhesive sheet was peeled off, and it was confirmed whether or not the characters printed on the protective film could be read by the CCD camera. The case where reading was possible was evaluated as “A”, and the case where reading was not possible was evaluated as “B”. The character size was 400 μm wide and 200 μm wide.
<基材フィルムの融点>
基材フィルムの融点は、JIS K7121;1987に準拠した方法にて測定した。
<Melting point of base film>
The melting point of the base film was measured by a method based on JIS K7121; 1987.
<基材フィルムの熱収縮率>
基材フィルムを10cm×10cmに裁断し、熱風オーブンに投入した(130℃、2時間)。その後、基材フィルムを取り出し、基材フィルムの寸法を測定し、下記式により熱収縮率を求めた。
熱収縮率(%)={(投入前の基材フィルムの面積)−(投入後の基材フィルムの面積)}/投入前の基材フィルムの面積×100
<Heat shrinkage of base film>
The base film was cut into 10 cm × 10 cm and placed in a hot air oven (130 ° C., 2 hours). Thereafter, the base film was taken out, the dimensions of the base film were measured, and the thermal shrinkage rate was determined by the following formula.
Thermal shrinkage (%) = {(Area of base film before input) − (Area of base film after input)} / Area of base film before input × 100
<保護膜形成層用組成物>
保護膜形成層を構成する各成分と配合量を下記に示す(各成分/配合量)。
(A)バインダーポリマー成分:n−ブチルアクリレート55質量部、メチルメタクリレート15質量部、グリシジルメタクリレート20質量部、及び2−ヒドロキシエチルアクリレート15質量部からなるアクリルポリマー(重量平均分子量:90万、ガラス転移温度:−28℃) /100質量部
(B)硬化性成分
(B1)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180〜200g/eq)50質量部、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製エピクロンHP−7200HH)50質量部、からなる熱硬化性成分/(合計100質量部)
(B2)熱活性潜在性エポキシ樹脂硬化剤(ジシアンジアミド(旭電化製 アデカハードナー3636AS)/2.8質量部
(C)着色剤:カーボンブラック/10.0質量部
(D)硬化促進剤(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成工業社製 キュアゾール2PHZ))/2.8質量部
(E)カップリング剤:シランカップリング剤(日本ユニカー製 A−1110)/1質量部
(F)無機充填剤:シリカフィラー(溶融石英フィラー(平均粒径8μm)/300質量部
<Composition for protective film forming layer>
Each component and blending amount constituting the protective film forming layer are shown below (each component / blending amount).
(A) Binder polymer component: acrylic polymer consisting of 55 parts by mass of n-butyl acrylate, 15 parts by mass of methyl methacrylate, 20 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (weight average molecular weight: 900,000, glass transition (Temperature: -28 ° C.) / 100 parts by mass (B) curable component (B1) 50 parts by mass of bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180 to 200 g / eq), dicyclopentadiene type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.) Co., Ltd. manufactured Epiklon HP-7200HH) 50 parts by mass, thermosetting component / (total 100 parts by mass)
(B2) Thermally active latent epoxy resin curing agent (dicyandiamide (Adeka Hardener 3636AS manufactured by Asahi Denka) /2.8 parts by mass (C) Colorant: carbon black / 10.0 parts by mass (D) curing accelerator (2- Phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (Curesol 2PHZ manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) / 2.8 parts by mass (E) Coupling agent: Silane coupling agent (A-1110 manufactured by Nihon Unicar) / 1 part by mass (F ) Inorganic filler: silica filler (fused quartz filler (average particle size 8 μm) / 300 parts by mass
<粘着剤組成物>
信越化学工業(株)製 KS847H 60質量部、東レ・ダウ・シリコーン(株)製 SD4584 30質量部及び東レ・ダウ・シリコーン(株)製 SRX212 0.5質量部からなるシリコーン系粘着剤組成物
<Adhesive composition>
Silicone pressure-sensitive adhesive composition comprising 60 parts by mass of KS847H manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 30 parts by mass of SD4584 manufactured by Toray Dow Silicone Co., Ltd. and 0.5 parts by mass of SRX212 manufactured by Toray Dow Silicone Co., Ltd.
(実施例1)
保護膜形成層用組成物の上記各成分を上記配合量で配合した。また、剥離シートとして、片面に剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製 SP−P502010、厚さ50μm)を用意した。
Example 1
Each said component of the composition for protective film formation layers was mix | blended with the said compounding quantity. Moreover, the polyethylene terephthalate film (SP-P502010 by Lintec Corporation, thickness 50micrometer) which peeled on one side was prepared as a peeling sheet.
上記保護膜形成層用組成物のメチルエチルケトン溶液(固形濃度61重量%)を、上記剥離シートの剥離処理面上に乾燥後25μmの厚みになるように塗布、乾燥(乾燥条件:オーブンにて120℃、3分間)して、剥離シート上に保護膜形成層を形成した。この保護膜形成層に、他の剥離シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム(SP−PET381031、厚さ38μm)の剥離処理面を貼り合わせた。次いで、剥離シートを残して保護膜形成層および他の剥離シートのみを切断するようにシリコンウエハと同サイズ(直径8インチ)に型抜きした後、型抜きされた形状の部分を除く部分の保護膜形成層および他の剥離シートを除去し、剥離シート上に円形に型抜きされた保護膜形成層および他の剥離シートを得た。 A methyl ethyl ketone solution (solid concentration: 61% by weight) of the composition for forming a protective film is applied onto the release-treated surface of the release sheet so as to have a thickness of 25 μm and dried (drying condition: 120 ° C. in an oven). 3 minutes) to form a protective film forming layer on the release sheet. To this protective film forming layer, a release treatment surface of a polyethylene terephthalate film (SP-PET 381031, thickness 38 μm) was bonded as another release sheet. Next, the die is cut to the same size as the silicon wafer (diameter 8 inches) so as to cut only the protective film forming layer and other release sheets while leaving the release sheet, and then protection of the portion excluding the die-cut shape portion. The film-forming layer and other release sheets were removed, and a protective film-forming layer and other release sheets that were punched in a circle on the release sheet were obtained.
基材フィルムとして、厚み50μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製カプトン200H)上に、上記粘着剤組成物のトルエン溶液(固形濃度20重量%)を、乾燥後5μmの厚みになるように塗布、乾燥(乾燥条件:オーブンにて120℃、3分間)して、基材フィルム上に粘着剤層を形成し、粘着シートを得た。 As a base film, a toluene solution (solid concentration 20% by weight) of the above pressure-sensitive adhesive composition was applied on a polyimide film having a thickness of 50 μm (Kapton 200H manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.) to a thickness of 5 μm after drying. And drying (drying conditions: 120 ° C. for 3 minutes in an oven) to form an adhesive layer on the substrate film to obtain an adhesive sheet.
上記粘着シートの粘着剤層上に上記の剥離シート上に形成された保護膜形成層を、型抜きされた他の剥離シートを剥離除去した上で貼付し、リングフレームに対する糊しろの外径(直径260mm)に合わせて同心円状に型抜きした。その後、保護膜形成層上の剥離シートを剥離し、保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表1に示す。 The protective film forming layer formed on the release sheet is pasted on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet after the other release sheet that has been punched is peeled and removed, and the outer diameter of the margin for the ring frame ( The die was cut concentrically in accordance with a diameter of 260 mm. Thereafter, the release sheet on the protective film forming layer was peeled off to obtain a dicing sheet with a protective film forming layer. Each evaluation result is shown in Table 1.
(実施例2)
基材フィルムとして、厚み70μmの剥離処理が施された無延伸ポリプロピレンフィルム(サントックス株式会社製、RS82#70)を用い、剥離処理が施されていない面に粘着剤層を形成した以外は実施例1と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表1に示す。
(実施例3)
基材フィルムとして、厚み100μmのポリブチレンテレフタレートフィルムを用いた以外は実施例1と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表1に示す。
(Example 2)
Implemented except that a non-stretched polypropylene film (Santox Co., Ltd., RS82 # 70) with a thickness of 70 μm was used as the base film, and an adhesive layer was formed on the surface that was not subjected to the release process. A dicing sheet with a protective film forming layer was obtained in the same manner as in Example 1. Each evaluation result is shown in Table 1.
(Example 3)
A dicing sheet with a protective film forming layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polybutylene terephthalate film having a thickness of 100 μm was used as the base film. Each evaluation result is shown in Table 1.
(比較例1)
片面に剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレートフィルム(リンテック社製 SP−PET38E−0010YC、厚さ38μm、表面張力30mN/m未満、融点200℃以上)を用意し、剥離処理面に上記粘着剤組成物のトルエン溶液(固形濃度20重量%)を、乾燥後5μmの厚みになるように塗布、乾燥(乾燥条件:オーブンにて120℃、3分間)した後、基材フィルムとして厚み110μmのコロナ処理済みポリエチレンフィルムのコロナ処理面へ転写させて粘着シートを得た以外は実施例1と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。ポリエチレンフィルムは、保護膜形成層の加熱硬化時に溶融し、チップ間隔保持性およびレーザー印字性の評価ができなかった。また、熱収縮率の測定ができなかった。各評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 1)
A polyethylene terephthalate film (SP-PET38E-0010YC, manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm, surface tension less than 30 mN / m, melting point 200 ° C. or higher) prepared on one side of the release treatment is prepared. After applying a toluene solution (solid concentration 20% by weight) to a thickness of 5 μm after drying and drying (drying conditions: 120 ° C. for 3 minutes in an oven), a corona-treated polyethylene having a thickness of 110 μm as a base film A dicing sheet with a protective film forming layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that an adhesive sheet was obtained by transferring the film to the corona-treated surface of the film. The polyethylene film melted when the protective film-forming layer was heated and cured, and the evaluation of the chip spacing retention and the laser printability could not be performed. Further, the heat shrinkage rate could not be measured. Each evaluation result is shown in Table 1.
(比較例2)
基材フィルムとして、厚み75μmの剥離処理が施された無延伸ポリプロピレンフィルム(サントックス社製 RS72#75)を用い、剥離処理が施されていない面に粘着剤層を形成した以外は実施例1と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 2)
Example 1 except that an unstretched polypropylene film (RS72 # 75 manufactured by Santox Co., Ltd.) subjected to a peeling treatment with a thickness of 75 μm was used as the base film, and a pressure-sensitive adhesive layer was formed on the surface not subjected to the peeling treatment. In the same manner as above, a dicing sheet with a protective film forming layer was obtained. Each evaluation result is shown in Table 1.
(比較例3)
基材フィルムとして、厚み50μmの剥離処理が施された二軸延伸ポリプロピレンフィルム(三井化学東セロ株式会社製 T234)を用い、剥離処理が施されていない面に粘着剤層を形成した以外は実施例1と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表1に示す。
(Comparative Example 3)
Example: A biaxially stretched polypropylene film (T234 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., Tero Co., Ltd.) subjected to a peeling treatment with a thickness of 50 μm was used as the base film, and an adhesive layer was formed on the surface not subjected to the peeling treatment. In the same manner as in Example 1, a dicing sheet with a protective film forming layer was obtained. Each evaluation result is shown in Table 1.
1 … 基材フィルム
2 … 粘着剤層
3 … 粘着シート
4 … 保護膜形成層
5 … リングフレーム
10… 保護膜形成層付ダイシングシート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base film 2 ...
Claims (9)
粘着シートの内周部に保護膜形成層が形成され、
粘着シートの外周部に粘着剤層が露出しており、
基材フィルムの融点が130℃を超えるか、もしくは融点を持たず、
130℃で2時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率が−1〜+1%である保護膜形成層付ダイシングシート。 Having a protective film forming layer on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet consisting of a base film (excluding a polyimide resin film) and a pressure-sensitive adhesive layer,
A protective film forming layer is formed on the inner periphery of the adhesive sheet,
The adhesive layer is exposed on the outer periphery of the adhesive sheet,
The melting point of the base film exceeds 130 ° C. or does not have a melting point,
A dicing sheet with a protective film forming layer, wherein the base film has a thermal shrinkage of −1 to + 1% when heated at 130 ° C. for 2 hours.
波長300〜1200nmにおける保護膜形成層の最大透過率が20%以下である請求項1〜4のいずれかに記載の保護膜形成層付ダイシングシート。 The protective film forming layer contains a colorant (C),
The maximum transmittance of the protective film forming layer at a wavelength of 300 to 1200 nm is 20% or less. The dicing sheet with a protective film forming layer according to any one of claims 1 to 4.
工程(1):保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程(2):ワークと保護膜とをダイシング、
工程(3):保護膜と粘着シートとを剥離。 The protective film forming layer of the dicing sheet with a protective film forming layer according to any one of claims 1 to 7 is attached to a work, and the following steps (1) to (3) are performed as (1), (2), ( 3) Chip manufacturing method performed in the order of
Step (1): The protective film forming layer is cured to obtain a protective film.
Step (2): Dicing workpiece and protective film,
Step (3): The protective film and the adhesive sheet are peeled off.
工程(4):保護膜にレーザー印字。
The chip manufacturing method according to claim 8, wherein the following step (4) is further performed after the step (1);
Step (4): Laser printing on the protective film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011267990A JP5865044B2 (en) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | Dicing sheet with protective film forming layer and chip manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011267990A JP5865044B2 (en) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | Dicing sheet with protective film forming layer and chip manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013120839A JP2013120839A (en) | 2013-06-17 |
JP5865044B2 true JP5865044B2 (en) | 2016-02-17 |
Family
ID=48773345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011267990A Active JP5865044B2 (en) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | Dicing sheet with protective film forming layer and chip manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5865044B2 (en) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160326403A1 (en) * | 2014-01-08 | 2016-11-10 | Lintec Corporation | Composite Sheet For Protective-Film Formation |
CN111785673A (en) * | 2014-01-22 | 2020-10-16 | 琳得科株式会社 | Protective film forming film, protective film forming sheet, protective film forming composite sheet, and method for producing processed product |
CN112563181A (en) * | 2014-01-22 | 2021-03-26 | 琳得科株式会社 | Protective film forming film, protective film forming sheet, protective film forming composite sheet, and inspection method |
JP6295135B2 (en) * | 2014-04-24 | 2018-03-14 | 日東電工株式会社 | Dicing die bond film |
JP6272729B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-01-31 | 日東電工株式会社 | Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface and method for manufacturing semiconductor device |
KR102528047B1 (en) * | 2015-05-25 | 2023-05-02 | 린텍 가부시키가이샤 | Manufacturing method of semiconductor device |
JP7170534B2 (en) * | 2016-04-28 | 2022-11-14 | リンテック株式会社 | Protective film forming film and protective film forming composite sheet |
CN113261091A (en) * | 2018-12-05 | 2021-08-13 | 琳得科株式会社 | Composite sheet for forming protective film and method for manufacturing semiconductor chip |
KR20210098962A (en) | 2018-12-05 | 2021-08-11 | 린텍 가부시키가이샤 | Composite sheet for forming a protective film, and manufacturing method of a semiconductor chip |
WO2020116278A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | リンテック株式会社 | Protective-coat-forming composite sheet, and semiconductor chip production method |
WO2020116282A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | リンテック株式会社 | Protective-coat-forming composite sheet, and semiconductor chip manufacturing method |
WO2020116275A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | リンテック株式会社 | Protective film-forming composite sheet and method for manufacturing semiconductor chip |
WO2020116284A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | リンテック株式会社 | Protective film forming composite sheet and method for manufacturing semiconductor chip |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003138228A (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-14 | Nitto Denko Corp | Pressure-sensitive adhesive sheet for protecting semiconductor wafer |
JP4642436B2 (en) * | 2004-11-12 | 2011-03-02 | リンテック株式会社 | Marking method and protective film forming and dicing sheet |
JP2009033082A (en) * | 2007-06-27 | 2009-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesion film for semiconductor, substrate for semiconductor package using the same, and semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP5551568B2 (en) * | 2009-11-12 | 2014-07-16 | 日東電工株式会社 | Resin-sealing adhesive tape and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device using the same |
-
2011
- 2011-12-07 JP JP2011267990A patent/JP5865044B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013120839A (en) | 2013-06-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
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