JP5960428B2 - Dicing sheet with protective film forming layer and chip manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、チップ裏面に保護膜を形成でき、かつチップの製造効率の向上が可能な保護膜形成層付ダイシングシートに関する。また、本発明は、保護膜形成層付ダイシングシートを用いたチップの製造方法に関する。 The present invention relates to a dicing sheet with a protective film forming layer that can form a protective film on the back surface of the chip and can improve the manufacturing efficiency of the chip. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the chip | tip using the dicing sheet with a protective film formation layer.
近年、いわゆるフェースダウン（face down）方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、回路面上にバンプなどの電極を有する半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう。）が用いられ、該電極が基板と接合される。このため、チップの回路面とは反対側の面（チップ裏面）は剥き出しとなることがある。 2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been manufactured using a so-called “face down” mounting method. In the face-down method, a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as “chip”) having electrodes such as bumps on a circuit surface is used, and the electrodes are bonded to a substrate. For this reason, the surface (chip back surface) opposite to the circuit surface of the chip may be exposed.
この剥き出しとなったチップ裏面は、有機膜により保護されることがある。従来、この有機膜からなる保護膜を有するチップは、液状の樹脂をスピンコート法によりウエハ裏面に塗布し、乾燥し、硬化してウエハとともに保護膜を切断して得られる。しかしながら、このようにして形成される保護膜の厚み精度は充分でないため、製品の歩留まりが低下することがあった。 The exposed back surface of the chip may be protected by an organic film. Conventionally, a chip having a protective film made of an organic film is obtained by applying a liquid resin to the back surface of a wafer by spin coating, drying and curing, and cutting the protective film together with the wafer. However, since the thickness accuracy of the protective film formed in this way is not sufficient, the product yield may be lowered.
上記問題を解決するため、剥離シートと、該剥離シート上に形成された、エネルギー線硬化性成分とバインダーポリマー成分とからなる保護膜形成層を有するチップ保護用フィルムが開示されている（特許文献１）。 In order to solve the above problems, a chip protective film having a release sheet and a protective film forming layer formed on the release sheet and composed of an energy ray-curable component and a binder polymer component is disclosed (Patent Document). 1).
半導体チップが薄型化・高密度化しつつある現在においては、厳しい温度条件下に曝された場合であっても、保護膜付チップを実装した半導体装置には、さらに高い信頼性を有することが要求されている。 Now that semiconductor chips are becoming thinner and more dense, even when exposed to harsh temperature conditions, semiconductor devices equipped with chips with protective films are required to have higher reliability. Has been.
本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載のチップ用保護フィルムは、保護膜付チップを製造する際に、ダイシングシートに保護膜付ウエハを貼付する必要があり、製造工程が複雑であった。また、保護膜形成層を硬化する際に収縮し、半導体ウエハが反るという問題が発生するおそれがあった。特に、極薄の半導体ウエハでは上記問題が顕著である。半導体ウエハが反ると、ウエハが破損したり、保護膜へのマーキング（印字）精度が低下するおそれがある。また、ダイシングにより半導体ウエハをチップに分割した後、ダイシングシートの粘着力を低下させ、チップのピックアップを容易にするため、該ダイシングシートの粘着剤層にエネルギー線を照射することがある。エネルギー線照射工程を行うために、ダイシングシートに貼付された保護膜付チップを搬送することがあり、製造工程が複雑になるおそれがあった。 According to the study by the present inventors, the protective film for a chip described in Patent Document 1 needs to attach a wafer with a protective film to a dicing sheet when manufacturing a chip with a protective film, and the manufacturing process is complicated. Met. Further, there is a possibility that the semiconductor film is warped due to shrinkage when the protective film forming layer is cured. In particular, the above problem is remarkable in an extremely thin semiconductor wafer. If the semiconductor wafer is warped, the wafer may be damaged or the marking (printing) accuracy on the protective film may be reduced. In addition, after the semiconductor wafer is divided into chips by dicing, the adhesive layer of the dicing sheet may be irradiated with energy rays in order to reduce the adhesive strength of the dicing sheet and facilitate chip pickup. In order to perform an energy ray irradiation process, the chip | tip with a protective film affixed on the dicing sheet may be conveyed, and there existed a possibility that a manufacturing process might become complicated.
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明は、厚みの均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を有する半導体チップを簡便に製造可能であり、かつ保護膜形成層の硬化及び粘着シートの粘着力低下を加熱工程により行うことで、保護膜を有する半導体チップのピックアップが容易で、半導体チップの製造工程の簡便な保護膜付ダイシングシートを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances. That is, according to the present invention, it is possible to easily manufacture a semiconductor chip having a protective film with high thickness uniformity and excellent printing accuracy, and curing of the protective film forming layer and reduction of the adhesive strength of the adhesive sheet are performed by a heating process. Accordingly, an object of the present invention is to provide a dicing sheet with a protective film, which is easy to pick up a semiconductor chip having a protective film and is simple in the manufacturing process of the semiconductor chip.
本発明は、以下の要旨を含む。
〔１〕基材フィルムと粘着剤層とからなる粘着シートの粘着剤層上に、加熱により保護膜となる熱硬化性保護膜形成層を有し、
粘着シートと保護膜の間の粘着力が加熱により低下し、かつ熱硬化性保護膜形成層の発熱発生温度が、粘着力低下温度よりも低い保護膜形成層付ダイシングシート。
The present invention includes the following gist.
[1] On a pressure-sensitive adhesive layer of a pressure-sensitive adhesive sheet comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer, a thermosetting protective film forming layer that becomes a protective film by heating,
A dicing sheet with a protective film forming layer in which the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film is reduced by heating, and the heat generation temperature of the thermosetting protective film forming layer is lower than the adhesive power lowering temperature.
〔２〕１３０℃で２時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率が−５〜＋５％である〔１〕に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。 [2] The dicing sheet with a protective film forming layer according to [1], wherein the base film has a thermal shrinkage of −5 to + 5% when heated at 130 ° C. for 2 hours.
〔３〕上記〔１〕または〔２〕に記載の保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を、ワークに貼付し、以下の工程（１）〜（３）を[（１）、（２）、（３）]または[（２）、（１）、（３）]の順で行うチップの製造方法；
工程（１）：保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程（２）：ワークと、保護膜形成層または保護膜とをダイシング、
工程（３）：保護膜と粘着シートとを剥離。
[3] The protective film forming layer of the dicing sheet with the protective film forming layer according to [1] or [2] is attached to a work, and the following steps (1) to (3) are performed as [(1), ( 2), (3)] or [(2), (1), (3)] in order of chip manufacturing method;
Step (1): The protective film forming layer is cured to obtain a protective film.
Step (2): dicing the workpiece and the protective film forming layer or the protective film,
Step (3): The protective film and the adhesive sheet are peeled off.
〔４〕前記工程（１）の後のいずれかの工程において、下記工程（４）を行う〔３〕に記載のチップの製造方法；
工程（４）：保護膜にレーザー印字。
[4] The method for manufacturing a chip according to [3], wherein the following step (4) is performed in any step after the step (1);
Step (4): Laser printing on the protective film.
半導体チップ裏面に保護膜を形成する際に、本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートを用いることで、半導体チップ裏面に厚みの均一性が高く、印字精度に優れる保護膜を簡便に形成することができる。また、保護膜形成層の発熱発生温度よりも粘着力低下温度が高いため、保護膜形成層付ダイシングシートに半導体ウエハまたは半導体チップを貼付したまま保護膜形成層の加熱硬化工程を行うことができ、加熱硬化工程を経た後も粘着シートと保護膜の間の粘着力が加熱により低下する性質が失われない。このため、該加熱硬化工程、およびその前または後に行われるダイシング工程の際にダイシングシートに該ウエハまたはチップを良好に保持できる。そして、該加熱硬化工程およびダイシング工程の後にさらに加熱することで、粘着シートと保護膜の間の粘着力が低下するため、保護膜付半導体チップのピックアップ性に優れ、保護膜付半導体チップの製造工程を簡略化できる。 When forming the protective film on the back surface of the semiconductor chip, by using the dicing sheet with the protective film forming layer according to the present invention, a protective film having high thickness uniformity and excellent printing accuracy can be easily formed on the back surface of the semiconductor chip. be able to. In addition, since the adhesive force lowering temperature is higher than the heat generation temperature of the protective film forming layer, the heat curing process of the protective film forming layer can be performed with the semiconductor wafer or the semiconductor chip attached to the dicing sheet with the protective film forming layer. The property that the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film is lowered by heating is not lost even after the heat curing step. For this reason, the wafer or chip can be satisfactorily held on the dicing sheet during the heat curing step and the dicing step performed before or after the heat curing step. Further, by further heating after the heat curing step and the dicing step, the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive sheet and the protective film decreases, so that the pickup property of the semiconductor chip with protective film is excellent, and the production of the semiconductor chip with protective film The process can be simplified.
以下、本発明について、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。図１に示すように、本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシート１０は、基材フィルム１と粘着剤層２とからなる粘着シート３の粘着剤層２上に熱硬化性保護膜形成層４を有する。また、図１に示すように、熱硬化性保護膜形成層４は粘着シート３の内周部に形成され、粘着シート３の外周部に粘着剤層２が露出することが好ましい。そして、粘着シート３の外周部において、粘着剤層２によりリングフレーム５に貼付される。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically, including its best mode. As shown in FIG. 1, a
（基材フィルム）
本発明における基材フィルムは耐熱性を有し、具体的には、１３０℃で２時間加熱における基材フィルムの熱収縮率は、好ましくは−５〜＋５％、より好ましくは−４〜＋４％である。また、基材フィルムの融点は１３０℃を超えるか、もしくは融点を持たないことが好ましく、１４０℃以上もしくは融点を持たないことがより好ましく、融点が２００℃以上もしくは融点を持たないことがさらに好ましい。
(Base film)
The base film in the present invention has heat resistance. Specifically, the thermal shrinkage of the base film when heated at 130 ° C. for 2 hours is preferably −5 to + 5%, more preferably −4 to + 4%. It is. The base film has a melting point of more than 130 ° C. or preferably has no melting point, more preferably 140 ° C. or higher or no melting point, and further preferably 200 ° C. or higher or no melting point. .
基材フィルムの熱収縮率が上記範囲外であったり、基材フィルムの融点が１３０℃以下であったりすると、熱硬化性保護膜形成層（以下において、単に「保護膜形成層」と記載することがある。）の硬化時に基材フィルムが溶融し、基材フィルムの形状を保つことが困難になるおそれがある。また、基材フィルムが半導体チップ製造工程中の周辺の装置と融着してしまうことがある。熱収縮率は基材フィルムの熱変形のしやすさを示す指標である。熱収縮率が−５％未満または＋５％超である基材フィルムから保護膜形成層付ダイシングシートを構成し、ウエハを保持して熱硬化を行った場合には、ウエハの重みによって、ウエハに対応しない周縁部（粘着シートの外周部における基材フィルム）は収縮ではなくむしろ伸張し、保護膜形成層付ダイシングシートに弛みが生じやすくなる。これによりその後のダイシング工程が困難になったり、ダイシング後のチップを粘着シートから取り上げること（ピックアップ）が困難になったりすることがある。
基材フィルムの熱収縮率や融点を上記範囲とすることで、基材フィルムは耐熱性に優れ、保護膜形成層を硬化したときの基材フィルムの形状保持性が良好に保たれる。なお、１３０℃で２時間加熱時における基材フィルムの熱収縮率は、１３０℃の環境下に基材フィルムを投入する前後の基材フィルムの面積から下記式により求められる。
When the thermal shrinkage rate of the base film is out of the above range or the melting point of the base film is 130 ° C. or lower, it is described as a thermosetting protective film forming layer (hereinafter, simply referred to as “protective film forming layer”). May be difficult to maintain the shape of the base film. In addition, the base film may be fused with peripheral devices in the semiconductor chip manufacturing process. The thermal contraction rate is an index indicating the ease of thermal deformation of the base film. When a dicing sheet with a protective film forming layer is formed from a base film having a thermal shrinkage rate of less than −5% or more than + 5%, and the wafer is held and thermally cured, the weight of the wafer is applied to the wafer. The non-corresponding peripheral part (base film on the outer peripheral part of the pressure-sensitive adhesive sheet) is not contracted but rather stretched, and the dicing sheet with protective film forming layer tends to be loosened. As a result, the subsequent dicing process may be difficult, and it may be difficult to pick up (pick up) the chip after dicing from the adhesive sheet.
By making the heat shrinkage rate and melting point of the base film within the above ranges, the base film is excellent in heat resistance, and the shape retention of the base film when the protective film forming layer is cured is kept good. In addition, the thermal contraction rate of the base film at the time of heating at 130 ° C. for 2 hours is obtained from the area of the base film before and after the base film is put in an environment at 130 ° C. by the following formula.
熱収縮率（％）＝{（投入前の基材フィルムの面積）−（投入後の基材フィルムの面積）}／投入前の基材フィルムの面積×１００ Thermal shrinkage (%) = {(Area of base film before input) − (Area of base film after input)} / Area of base film before input × 100
また、基材フィルムのＭＤ方向（フィルムを長尺で製膜した場合の、フィルムを搬送する方向と並行する方向）、およびＣＤ方向（フィルムの同一面上においてＭＤ方向と直交する方向）のいずれにおいても、引っ張り測定での破断伸度が７０％以上であるフィルムを用いてもよい。これにより、基材フィルムのエキスパンドが可能となる。引っ張り測定での破断伸度は、好ましくは１００％以上、より好ましくは１２０％以上である。また、基材フィルムの２５％応力が、好ましくは１５０ＭＰａ以下、より好ましくは１２０ＭＰａ以下、さらに好ましくは１００ＭＰａ以下であることにより、粘着シートはより良好なエキスパンド性を示す。 Moreover, any of MD direction (direction parallel to the direction which conveys a film at the time of film-forming a film long) and CD direction (direction orthogonal to MD direction on the same surface of a film) of a base film Also, a film having a breaking elongation of 70% or more in the tensile measurement may be used. Thereby, the base film can be expanded. The elongation at break in the tensile measurement is preferably 100% or more, more preferably 120% or more. Moreover, when the 25% stress of the base film is preferably 150 MPa or less, more preferably 120 MPa or less, and still more preferably 100 MPa or less, the pressure-sensitive adhesive sheet exhibits better expandability.
基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルフィルム、ポリプロピレンやポリメチルペンテンなどのポリオレフィンフィルム、アクリル樹脂フィルム、耐熱ポリウレタンフィルム等が挙げられる。また、これらの架橋フィルムや放射線・放電等による改質フィルムも用いることができる。基材フィルムは、上記フィルムの積層体であってもよい。 Examples of the base film include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, polyolefin films such as polypropylene and polymethylpentene, acrylic resin films, and heat-resistant polyurethane films. In addition, these cross-linked films and modified films by radiation and discharge can also be used. The base film may be a laminate of the above films.
基材フィルムの厚さは特に限定されず、好ましくは３０〜３００μｍ、より好ましくは５０〜２００μｍである。基材フィルムの厚みを上記範囲とすることで、ダイシングによる切り込みが行われても基材フィルムの断裂が生じにくい。また、保護膜形成層付ダイシングシートが十分な可とう性を有するため、ワーク（例えば半導体ウエハ等）に対して良好な貼付性を示す。 The thickness of a base film is not specifically limited, Preferably it is 30-300 micrometers, More preferably, it is 50-200 micrometers. By setting the thickness of the base film in the above range, the base film is hardly broken even if cutting is performed by dicing. Moreover, since the dicing sheet with a protective film forming layer has sufficient flexibility, it exhibits good adhesiveness to a workpiece (for example, a semiconductor wafer).
（粘着剤層）
本発明における粘着剤層は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。粘着剤層は、後述するチップを製造する際に、その外周部においてリングフレームに貼付され、その内周部において後述する熱硬化性保護膜形成層が積層されることが好ましい。
(Adhesive layer)
The pressure-sensitive adhesive layer in the present invention can be formed of various known pressure-sensitive adhesives. When manufacturing the chip | tip mentioned later, an adhesive layer is affixed on a ring frame in the outer peripheral part, and it is preferable that the thermosetting protective film formation layer mentioned later is laminated | stacked in the inner peripheral part.
粘着剤層の厚さは特に限定されないが、好ましくは１〜１００μｍ、さらに好ましくは２〜８０μｍ、特に好ましくは３〜５０μｍである。 Although the thickness of an adhesive layer is not specifically limited, Preferably it is 1-100 micrometers, More preferably, it is 2-80 micrometers, Most preferably, it is 3-50 micrometers.
（粘着シート）
本発明における粘着シートは、上記の基材フィルム表面に粘着剤層を設けることで形成される。基材フィルム表面に粘着剤層を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層を基材フィルム表面に転写しても構わないし、基材フィルム表面に粘着剤層を構成する粘着剤組成物を直接塗布して粘着剤層を形成しても構わない。剥離シートとしては、後述する保護膜形成層上に設けるものと同じものを用いることができる。
(Adhesive sheet)
The pressure-sensitive adhesive sheet in the present invention is formed by providing a pressure-sensitive adhesive layer on the surface of the base film. The method of providing the pressure-sensitive adhesive layer on the surface of the base film may transfer the pressure-sensitive adhesive layer formed by coating on the release sheet so as to have a predetermined film thickness to the surface of the base film, The pressure-sensitive adhesive layer may be formed by directly applying the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer. As a peeling sheet, the same thing as what is provided on the protective film formation layer mentioned later can be used.
波長５３２ｎｍおよび波長１０６４ｎｍにおける粘着シートの全光線透過率は、好ましくは５０％以上、より好ましくは７０％以上である。波長５３２ｎｍおよび波長１０６４ｎｍにおける粘着シートの全光線透過率を上記範囲とすることで、半導体ウエハに保護膜形成層付ダイシングシートを貼付した後に、レーザーマーキングを粘着シート（基材フィルム及び粘着剤層）越しに行うことが可能になる。 The total light transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 532 nm and a wavelength of 1064 nm is preferably 50% or more, more preferably 70% or more. By making the total light transmittance of the pressure-sensitive adhesive sheet at a wavelength of 532 nm and a wavelength of 1064 nm within the above range, a laser dicing sheet (base film and pressure-sensitive adhesive layer) is applied to the laser marking after a dicing sheet with a protective film forming layer is attached to a semiconductor wafer. It becomes possible to go over.
粘着シートには熱硬化性保護膜形成層が設けられる領域に、複数の微細な貫通孔が設けられていてもよい。貫通孔を設けることで、熱硬化性保護膜形成層へのレーザーマーキングを行った際に発生するガスにより生じる異物の発生を抑制できる。 The adhesive sheet may be provided with a plurality of fine through holes in a region where the thermosetting protective film forming layer is provided. By providing the through hole, it is possible to suppress the generation of foreign matters caused by the gas generated when laser marking is performed on the thermosetting protective film forming layer.
また、本発明における粘着シートとして、従来より公知の種々の粘着シートを用いることもできる。このような粘着シートとしては、特開２００４−２７７７４９号公報等に記載の加熱剥離型粘着シートや、特開平１０−２３３３７３号公報や特開２００４−１１９９９２号公報等に記載の加熱により粘着力の低下する粘着シートが挙げられる。 Moreover, conventionally well-known various adhesive sheets can also be used as an adhesive sheet in this invention. Examples of such an adhesive sheet include a heat-peelable adhesive sheet described in JP-A No. 2004-277749 and the like, and an adhesive force caused by heating described in JP-A Nos. 10-233373 and 2004-199992. The adhesive sheet which falls is mentioned.
上記加熱剥離型粘着シートは、基材（本発明における基材フィルム）と熱膨張性粘着層とからなり、熱膨張性粘着層は粘着性を付与するための粘着剤及び熱膨張性を付与するための熱膨張性微小球（マイクロカプセル）を含んでいる。前記粘着剤としては、加熱時に熱膨張性微小球の発泡及び／又は膨張を可及的に拘束しないようなものが好ましい。該粘着剤として、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ウレタン系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤、これらの粘着剤に融点が約２００℃以下の熱溶融性樹脂を配合したクリープ特性改良型粘着剤などの公知の粘着剤を１種又は２種以上組み合わせて用いることができる。熱膨張性微小球としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球であればよい。 The heat-peelable pressure-sensitive adhesive sheet comprises a base material (base film in the present invention) and a heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer, and the heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer imparts pressure-sensitive adhesive for imparting tackiness and heat-expandability. For thermal expansion microspheres (microcapsules). The pressure-sensitive adhesive is preferably one that does not restrain foaming and / or expansion of the thermally expandable microspheres as much as possible during heating. Examples of the pressure sensitive adhesive include rubber pressure sensitive adhesive, acrylic pressure sensitive adhesive, vinyl alkyl ether pressure sensitive adhesive, silicone pressure sensitive adhesive, polyester pressure sensitive adhesive, polyamide pressure sensitive adhesive, urethane pressure sensitive adhesive, and styrene-diene block copolymer. A known pressure-sensitive adhesive, such as a system pressure-sensitive adhesive or a creep property-improving pressure-sensitive adhesive in which a hot-melt resin having a melting point of about 200 ° C. or less is blended with these pressure-sensitive adhesives, can be used alone or in combination. The heat-expandable microsphere may be a microsphere in which a substance that easily expands by gasification by heating, such as isobutane, propane, or pentane, is encapsulated in an elastic shell.
加熱により粘着力の低下する粘着シートは、非収縮性支持フィルム（本発明における基材フィルム）と、収縮性フィルムと、粘着剤層とがこの順に積層された粘着シートであり、非収縮性支持フィルムと収縮性フィルムとの間に接着剤層を設けてもよい。上記構成の粘着シートは、ダイシング工程によりワーク（例えば保護膜付半導体ウエハ）と共に収縮性フィルムが完全に切断され、加熱により収縮性フィルムが収縮する。その結果、収縮性フィルム上の粘着剤層も収縮性フィルムの収縮に同伴して変形し、個片化されたワーク（例えば保護膜付半導体チップ）と粘着剤層との接触面積が減少する。そのため、個片化されたワークと粘着剤層との粘着力が低減し、ピックアップが容易となる。収縮性フィルムとしては、特に熱収縮性のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムを用いることができる。また、粘着剤層は、従来より公知の種々の感圧性粘着剤により形成され、このような粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。 The pressure-sensitive adhesive sheet whose adhesive strength is reduced by heating is a pressure-sensitive adhesive sheet in which a non-shrinkable support film (base film in the present invention), a shrinkable film, and a pressure-sensitive adhesive layer are laminated in this order. An adhesive layer may be provided between the film and the shrinkable film. In the pressure-sensitive adhesive sheet having the above configuration, the shrinkable film is completely cut together with the workpiece (for example, a semiconductor wafer with a protective film) by the dicing process, and the shrinkable film is shrunk by heating. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer on the shrinkable film is also deformed along with the shrinkage of the shrinkable film, and the contact area between the separated workpiece (for example, a semiconductor chip with a protective film) and the pressure-sensitive adhesive layer is reduced. Therefore, the adhesive force between the separated workpiece and the pressure-sensitive adhesive layer is reduced, and pickup becomes easy. As the shrinkable film, a film such as heat-shrinkable polyethylene, polypropylene, or polyethylene terephthalate can be used. The pressure-sensitive adhesive layer is formed of various conventionally known pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives. Examples of such pressure-sensitive adhesives include rubber-based, acrylic-based, silicone-based, and polyvinyl ether-based pressure-sensitive adhesives.
（熱硬化性保護膜形成層）
本発明における熱硬化性保護膜形成層は、バインダーポリマー成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）を含有することが好ましい。
(Thermosetting protective film forming layer)
It is preferable that the thermosetting protective film formation layer in this invention contains a binder polymer component (A) and a thermosetting component (B).
（Ａ）バインダーポリマー成分
保護膜形成層に十分な接着性および造膜性（シート形成性）を付与するためにバインダーポリマー成分（Ａ）が用いられる。バインダーポリマー成分（Ａ）としては、従来公知のアクリルポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等を用いることができる。
(A) Binder polymer component The binder polymer component (A) is used for imparting sufficient adhesion and film forming property (sheet forming property) to the protective film forming layer. As the binder polymer component (A), conventionally known acrylic polymers, polyester resins, urethane resins, acrylic urethane resins, silicone resins, rubber-based polymers, and the like can be used.
バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万〜２００万であることが好ましく、１０万〜１２０万であることがより好ましい。バインダーポリマー成分（Ａ）の重量平均分子量が低過ぎると保護膜形成層と粘着シートとの粘着力が高くなり、保護膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると保護膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。 The weight average molecular weight (Mw) of the binder polymer component (A) is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,200,000. If the weight average molecular weight of the binder polymer component (A) is too low, the adhesive force between the protective film-forming layer and the pressure-sensitive adhesive sheet is increased, and transfer failure of the protective film-forming layer may occur. Adhesiveness may decrease and transfer to a chip or the like may not be possible, or the protective film may be peeled off from the chip or the like after transfer.
バインダーポリマー成分（Ａ）として、アクリルポリマーが好ましく用いられる。アクリルポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは−６０〜５０℃、さらに好ましくは−５０〜４０℃、特に好ましくは−４０〜３０℃の範囲にある。アクリルポリマーのガラス転移温度が低過ぎると保護膜形成層と粘着シートとの剥離力が大きくなって保護膜形成層の転写不良が起こることがあり、高過ぎると保護膜形成層の接着性が低下し、チップ等に転写できなくなったり、あるいは転写後にチップ等から保護膜が剥離することがある。 An acrylic polymer is preferably used as the binder polymer component (A). The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer is preferably -60 to 50 ° C, more preferably -50 to 40 ° C, and particularly preferably -40 to 30 ° C. If the glass transition temperature of the acrylic polymer is too low, the peeling force between the protective film-forming layer and the pressure-sensitive adhesive sheet may increase, resulting in transfer failure of the protective film-forming layer, and if it is too high, the adhesion of the protective film-forming layer will be reduced. However, the transfer to the chip or the like may be impossible, or the protective film may be peeled off from the chip or the like after the transfer.
上記アクリルポリマーを構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体が挙げられる。例えば、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、具体的にはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、環状骨格を有する（メタ）アクリレート、具体的にはシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどが挙げられる。さらに官能基を有するモノマーとして、水酸基を有するヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ；その他、エポキシ基を有するグリシジル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。アクリルポリマーは、水酸基を有しているモノマーを含有しているアクリルポリマーが、後述する熱硬化性成分（Ｂ）との相溶性が良いため好ましい。また、上記アクリルポリマーは、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどが共重合されていてもよい。 As a monomer which comprises the said acrylic polymer, a (meth) acrylic acid ester monomer or its derivative (s) is mentioned. For example, alkyl (meth) acrylates having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group, specifically methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl Examples include (meth) acrylate. In addition, (meth) acrylate having a cyclic skeleton, specifically cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, Examples include dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate and imide (meth) acrylate. Furthermore, examples of the monomer having a functional group include hydroxymethyl (meth) acrylate having a hydroxyl group, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and the like; in addition, glycidyl (meth) having an epoxy group. An acrylate etc. are mentioned. As the acrylic polymer, an acrylic polymer containing a monomer having a hydroxyl group is preferable because of its good compatibility with the thermosetting component (B) described later. The acrylic polymer may be copolymerized with acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, or the like.
さらに、バインダーポリマー成分（Ａ）として、硬化後の保護膜の可とう性を保持するための熱可塑性樹脂を配合してもよい。そのような熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が１０００〜１０万のものが好ましく、３０００〜８万のものがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは−３０〜１２０℃、さらに好ましくは−２０〜１２０℃のものが好ましい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。上記の熱可塑性樹脂を含有することにより、保護膜形成層の転写面に保護膜形成層が追従しボイドなどの発生を抑えることができる。 Furthermore, you may mix | blend the thermoplastic resin for maintaining the flexibility of the protective film after hardening as a binder polymer component (A). Such a thermoplastic resin preferably has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, more preferably 3,000 to 80,000. The glass transition temperature of the thermoplastic resin is preferably -30 to 120 ° C, more preferably -20 to 120 ° C. Examples of the thermoplastic resin include polyester resin, urethane resin, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene. These thermoplastic resins can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. By containing the above thermoplastic resin, the protective film forming layer follows the transfer surface of the protective film forming layer, and generation of voids or the like can be suppressed.
（Ｂ）熱硬化性成分
熱硬化性成分（Ｂ）としては、熱硬化樹脂および熱硬化剤が用いられる。熱硬化樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂が好ましい。
(B) Thermosetting component As the thermosetting component (B), a thermosetting resin and a thermosetting agent are used. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin is preferable.
エポキシ樹脂としては、従来公知のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、具体的には、多官能系エポキシ樹脂や、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルやその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂など、分子中に２官能以上有するエポキシ化合物が挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。 A conventionally well-known epoxy resin can be used as an epoxy resin. Specific examples of epoxy resins include polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and bisphenols. Examples thereof include epoxy compounds having two or more functional groups in the molecule, such as A-type epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, and phenylene skeleton-type epoxy resin. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
保護膜形成層には、バインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して、熱硬化樹脂が、好ましくは１〜１０００質量部、より好ましくは１０〜５００質量部、特に好ましくは２０〜２００質量部含まれる。熱硬化樹脂の含有量が１質量部未満であると十分な接着性が得られないことがあり、１０００質量部を超えると保護膜形成層と粘着シートとの剥離力が高くなり、保護膜形成層の転写不良が起こることがある。 In the protective film forming layer, the thermosetting resin is preferably 1 to 1000 parts by weight, more preferably 10 to 500 parts by weight, and particularly preferably 20 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder polymer component (A). included. When the content of the thermosetting resin is less than 1 part by mass, sufficient adhesiveness may not be obtained. When the content exceeds 1000 parts by mass, the peeling force between the protective film-forming layer and the pressure-sensitive adhesive sheet increases, and the protective film is formed. Layer transfer failure may occur.
熱硬化剤は、熱硬化樹脂、特にエポキシ樹脂に対する硬化剤として機能する。エポキシ樹脂からなる熱硬化樹脂に好ましい熱硬化剤としては、１分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。 The thermosetting agent functions as a curing agent for thermosetting resins, particularly epoxy resins. A preferable thermosetting agent for the thermosetting resin made of an epoxy resin includes a compound having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and an acid anhydride. Of these, phenolic hydroxyl groups, amino groups, acid anhydrides and the like are preferable, and phenolic hydroxyl groups and amino groups are more preferable.
フェノール系硬化剤の具体的な例としては、多官能系フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂が挙げられる。アミン系硬化剤の具体的な例としては、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）が挙げられる。これらは、１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Specific examples of the phenolic curing agent include polyfunctional phenolic resin, biphenol, novolac type phenolic resin, dicyclopentadiene type phenolic resin, zylock type phenolic resin, and aralkylphenolic resin. A specific example of the amine curing agent is DICY (dicyandiamide). These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
熱硬化剤の含有量は、熱硬化樹脂１００質量部に対して、０．１〜５００質量部であることが好ましく、１〜２００質量部であることがより好ましい。熱硬化剤の含有量が少ないと硬化不足で接着性が得られないことがあり、過剰であると保護膜形成層の吸湿率が高まり半導体装置の信頼性を低下させることがある。 It is preferable that content of a thermosetting agent is 0.1-500 mass parts with respect to 100 mass parts of thermosetting resins, and it is more preferable that it is 1-200 mass parts. If the content of the thermosetting agent is small, the adhesiveness may not be obtained due to insufficient curing, and if it is excessive, the moisture absorption rate of the protective film forming layer may increase and the reliability of the semiconductor device may be reduced.
保護膜形成層が熱硬化性成分（Ｂ）を含有するため、保護膜形成層は熱硬化性を有する。この場合、保護膜形成層を加熱により硬化することが可能となるが、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは基材フィルムが耐熱性を有しているために、保護膜形成層の熱硬化の際に基材フィルムが変形して不具合を生じることが起こりにくい。 Since the protective film forming layer contains the thermosetting component (B), the protective film forming layer has thermosetting properties. In this case, the protective film forming layer can be cured by heating. However, the dicing sheet with the protective film forming layer of the present invention has a heat resistance, so that the heat of the protective film forming layer can be reduced. It is difficult for the base film to be deformed during the curing.
その他の成分
保護膜形成層は、上記バインダーポリマー成分（Ａ）及び熱硬化性成分（Ｂ）に加えて下記成分を含むことができる。
The other component protective film forming layer may contain the following components in addition to the binder polymer component (A) and the thermosetting component (B).
（Ｃ）着色剤
保護膜形成層は、着色剤（Ｃ）を含有することが好ましい。保護膜形成層に着色剤を配合することで、半導体装置を機器に組み込んだ際に、周囲の装置から発生する赤外線等を遮蔽し、それらによる半導体装置の誤作動を防止することができ、また保護膜形成層を硬化して得た保護膜に、製品番号等を印字した際の文字の視認性が向上する。すなわち、保護膜を形成された半導体装置や半導体チップでは、保護膜の表面に品番等が通常レーザーマーキング法（レーザー光により保護膜表面を削り取り印字を行う方法）により印字されるが、保護膜が着色剤（Ｃ）を含有することで、保護膜のレーザー光により削り取られた部分とそうでない部分のコントラスト差が充分に得られ、視認性が向上する。着色剤（Ｃ）としては、有機または無機の顔料および染料が用いられる。これらの中でも電磁波や赤外線遮蔽性の点から黒色顔料が好ましい。黒色顔料としては、カーボンブラック、酸化鉄、二酸化マンガン、アニリンブラック、活性炭等が用いられるが、これらに限定されることはない。半導体装置の信頼性を高める観点からは、カーボンブラックが特に好ましい。着色剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明における保護膜形成層の高い硬化性は、可視光および／または赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤を用い、紫外線の透過性が低下した場合に、特に好ましく発揮される。可視光および／または赤外線と紫外線との両方の透過性を低下させる着色剤としては、上記の黒色顔料のほか、可視光および／または赤外線と紫外線との両方の波長領域で吸収性または反射性を有するものであれば特に限定されない。
(C) It is preferable that a coloring agent protective film formation layer contains a coloring agent (C). By blending a colorant into the protective film forming layer, when a semiconductor device is incorporated in equipment, infrared rays generated from surrounding devices can be shielded, and malfunction of the semiconductor device due to them can be prevented. Visibility of characters when a product number or the like is printed on a protective film obtained by curing the protective film forming layer is improved. That is, in a semiconductor device or semiconductor chip on which a protective film is formed, the product number or the like is usually printed on the surface of the protective film by a laser marking method (a method in which the surface of the protective film is scraped off by laser light and printed). By containing the colorant (C), a sufficient difference in contrast between the portion of the protective film scraped by the laser beam and the portion that is not removed is obtained, and the visibility is improved. As the colorant (C), organic or inorganic pigments and dyes are used. Among these, black pigments are preferable from the viewpoint of electromagnetic wave and infrared shielding properties. Examples of the black pigment include carbon black, iron oxide, manganese dioxide, aniline black, activated carbon, and the like, but are not limited thereto. Carbon black is particularly preferable from the viewpoint of increasing the reliability of the semiconductor device. A colorant (C) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. The high curability of the protective film-forming layer in the present invention is particularly preferably exhibited when a colorant that lowers the transmittance of both visible light and / or infrared rays and ultraviolet rays is used, and the ultraviolet ray permeability is lowered. . In addition to the above-mentioned black pigment, the colorant that reduces the transparency of both visible light and / or infrared and ultraviolet rays has an absorptivity or reflectivity in the visible light and / or infrared and ultraviolet wavelength regions. If it has, it will not specifically limit.
着色剤（Ｃ）の配合量は、保護膜形成層を構成する全固形分１００質量部に対して、好ましくは０．１〜３５質量部、さらに好ましくは０．５〜２５質量部、特に好ましくは１〜１５質量部である。 The blending amount of the colorant (C) is preferably 0.1 to 35 parts by mass, more preferably 0.5 to 25 parts by mass, particularly preferably 100 parts by mass of the total solid content constituting the protective film forming layer. Is 1-15 parts by mass.
（Ｄ）硬化促進剤
硬化促進剤（Ｄ）は、保護膜形成層の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤（Ｄ）は、特に、熱硬化性成分（Ｂ）において、エポキシ樹脂と熱硬化剤とを併用する場合に好ましく用いられる。
(D) Curing accelerator The curing accelerator (D) is used to adjust the curing rate of the protective film forming layer. The curing accelerator (D) is preferably used particularly when the epoxy resin and the thermosetting agent are used in combination in the thermosetting component (B).
好ましい硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの３級アミン類；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 Preferred curing accelerators include tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris (dimethylaminomethyl) phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl- Imidazoles such as 4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; Organic phosphines such as tributylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine; And tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphinetetraphenylborate. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
硬化促進剤（Ｄ）は、熱硬化性成分（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１０質量部、さらに好ましくは０．１〜１質量部の量で含まれる。硬化促進剤（Ｄ）を上記範囲の量で含有することにより、高温度高湿度下に曝されても優れた接着特性を有し、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても高い信頼性を達成することができる。硬化促進剤（Ｄ）の含有量が少ないと硬化不足で十分な接着特性が得られず、過剰であると高い極性をもつ硬化促進剤は高温度高湿度下で保護膜形成層中を接着界面側に移動し、偏析することにより半導体装置の信頼性を低下させる。 The curing accelerator (D) is preferably contained in an amount of 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the thermosetting component (B). By containing the curing accelerator (D) in an amount within the above range, it has excellent adhesive properties even when exposed to high temperatures and high humidity, and has high reliability even when exposed to severe reflow conditions. Can be achieved. If the content of the curing accelerator (D) is low, sufficient adhesion characteristics cannot be obtained due to insufficient curing, and if it is excessive, the curing accelerator having a high polarity will adhere to the protective film forming layer under high temperature and high humidity. The reliability of the semiconductor device is lowered by moving to the side and segregating.
（Ｅ）カップリング剤
カップリング剤（Ｅ）は、保護膜形成層のチップに対する接着性、密着性および／または保護膜の凝集性を向上させるために用いてもよい。また、カップリング剤（Ｅ）を使用することで、保護膜形成層を硬化して得られる保護膜の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。
(E) Coupling agent The coupling agent (E) may be used to improve the adhesion, adhesion and / or cohesion of the protective film to the chip of the protective film forming layer. Moreover, the water resistance can be improved by using a coupling agent (E), without impairing the heat resistance of the protective film obtained by hardening | curing a protective film formation layer.
カップリング剤（Ｅ）としては、バインダーポリマー成分（Ａ）、熱硬化性成分（Ｂ）などが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤（Ｅ）としては、シランカップリング剤が望ましい。このようなカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは１種単独で、または２種以上混合して使用することができる。 As the coupling agent (E), a compound having a group that reacts with a functional group of the binder polymer component (A), the thermosetting component (B), or the like is preferably used. As the coupling agent (E), a silane coupling agent is desirable. Such coupling agents include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ- (methacryloxypropyl). ) Trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldiethoxysilane, N- Phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxy Silane, meth Examples include rutriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and imidazolesilane. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.
カップリング剤（Ｅ）は、バインダーポリマー成分（Ａ）および熱硬化性成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して、通常０．１〜２０質量部、好ましくは０．２〜１０質量部、より好ましくは０．３〜５質量部の割合で含まれる。カップリング剤（Ｅ）の含有量が０．１質量部未満だと上記の効果が得られない可能性があり、２０質量部を超えるとアウトガスの原因となる可能性がある。 The coupling agent (E) is usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.2 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass in total of the binder polymer component (A) and the thermosetting component (B). More preferably, it is contained at a ratio of 0.3 to 5 parts by mass. If the content of the coupling agent (E) is less than 0.1 parts by mass, the above effect may not be obtained, and if it exceeds 20 parts by mass, it may cause outgassing.
（Ｆ）無機充填材
無機充填材（Ｆ）を保護膜形成層に配合することにより、硬化後の保護膜における熱膨張係数を調整することが可能となり、半導体チップに対して硬化後の保護膜の熱膨張係数を最適化することで半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、硬化後の保護膜の吸湿率を低減させることも可能となる。
(F) Inorganic filler By blending the inorganic filler (F) in the protective film forming layer, it is possible to adjust the thermal expansion coefficient in the protective film after curing, and the protective film after curing with respect to the semiconductor chip The reliability of the semiconductor device can be improved by optimizing the thermal expansion coefficient. Moreover, it becomes possible to reduce the moisture absorption rate of the protective film after hardening.
好ましい無機充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等が挙げられる。これらのなかでも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。上記無機充填材（Ｆ）は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。無機充填材（Ｆ）の含有量は、保護膜形成層を構成する全固形分１００質量部に対して、通常１〜８０質量部の範囲で調整が可能である。 Preferable inorganic fillers include powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride, beads formed by spheroidizing them, single crystal fibers, and glass fibers. Among these, silica filler and alumina filler are preferable. The said inorganic filler (F) can be used individually or in mixture of 2 or more types. Content of an inorganic filler (F) can be normally adjusted in 1-80 mass parts with respect to 100 mass parts of total solids which comprise a protective film formation layer.
（Ｇ）架橋剤
保護膜形成層の初期接着力および凝集力を調節するために、架橋剤を添加することもできる。架橋剤（Ｇ）としては有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物などが挙げられる。
(G) A crosslinking agent may be added in order to adjust the initial adhesive force and cohesive force of the crosslinking agent protective film forming layer. Examples of the crosslinking agent (G) include organic polyvalent isocyanate compounds and organic polyvalent imine compounds.
上記有機多価イソシアネート化合物としては、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物、脂環族多価イソシアネート化合物およびこれらの有機多価イソシアネート化合物の三量体、ならびにこれら有機多価イソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。 Examples of the organic polyvalent isocyanate compounds include aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds, trimers of these organic polyvalent isocyanate compounds, and these organic polyvalent isocyanate compounds. And a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound with a polyol compound.
有機多価イソシアネート化合物としては、たとえば２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、トリメチロールプロパンアダクトトリレンジイソシアネートおよびリジンイソシアネートが挙げられる。 Examples of organic polyvalent isocyanate compounds include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4′-diisocyanate, diphenylmethane. -2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, trimethylolpropane adduct tolylene diisocyanate and lysine Isocyanates.
上記有機多価イミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネートおよびＮ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。 Examples of the organic polyvalent imine compound include N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri -Β-aziridinylpropionate and N, N′-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxyamide) triethylenemelamine can be exemplified.
架橋剤（Ｇ）はバインダーポリマー成分（Ａ）１００質量部に対して通常０．０１〜２０質量部、好ましくは０．１〜１０質量部、より好ましくは０．５〜５質量部の比率で用いられる。 A crosslinking agent (G) is 0.01-20 mass parts normally with respect to 100 mass parts of binder polymer components (A), Preferably it is 0.1-10 mass parts, More preferably, it is a ratio of 0.5-5 mass parts. Used.
（Ｈ）汎用添加剤
保護膜形成層には、上記の他に、必要に応じて各種添加剤が配合されてもよい。各種添加剤としては、レベリング剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゲッタリング剤、連鎖移動剤などが挙げられる。
(H) In addition to the above, various additives may be blended in the general-purpose additive protective film forming layer as necessary. Examples of various additives include leveling agents, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, ion scavengers, gettering agents, chain transfer agents, and the like.
上記のような各成分からなる保護膜形成層は、接着性と熱硬化性とを有し、未硬化状態ではワーク（半導体ウエハやチップ等）に押圧することで容易に接着する。そして熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い保護膜を与えることができ、接着強度にも優れ、厳しい高温度高湿度条件下においても十分な保護機能を保持し得る。なお、保護膜形成層は単層構造であってもよく、また上記成分を含む層を１層以上含む限りにおいて多層構造であってもよい。 The protective film forming layer composed of each component as described above has adhesiveness and thermosetting property, and easily adheres to the workpiece (semiconductor wafer, chip, etc.) by being pressed in an uncured state. Finally, a protective film having high impact resistance can be provided through thermosetting, excellent in adhesive strength, and can maintain a sufficient protective function even under severe high temperature and high humidity conditions. The protective film forming layer may have a single layer structure, or may have a multilayer structure as long as one or more layers containing the above components are included.
保護膜形成層の発熱発生温度は、後述の粘着力低下温度よりも低い。また、保護膜形成層の発熱発生温度は、好ましくは４０℃以上、より好ましくは６０〜２００℃、さらに好ましくは８０〜１８０℃である。本発明において発熱発生温度とは、保護膜形成層を構成する保護膜形成層用組成物について、示差走査熱量計（パーキンエルマー社製 Ｐｙｒｉｓ１）を用いて、保護膜形成層１０ｍｇを試料とし、昇温速度３℃／分で、５０〜３００℃の範囲の測定を行い、ベースラインから硬化反応に起因する発熱ピークの立ち上がりが生じる温度を発熱発生温度とした。保護膜形成層の発熱発生温度を上記範囲とすることで、加熱硬化工程における硬化温度を、発熱発生温度付近に設定すれば、０．５〜５時間程度で硬化を行うことができる。すなわち、比較的穏和な条件で加熱硬化を行うことが可能となる。 The heat generation temperature of the protective film forming layer is lower than the adhesive strength lowering temperature described later. Moreover, the heat generation temperature of the protective film forming layer is preferably 40 ° C. or higher, more preferably 60 to 200 ° C., and still more preferably 80 to 180 ° C. In the present invention, the heat generation temperature refers to a composition for a protective film forming layer constituting the protective film forming layer, using a differential scanning calorimeter (Pyris 1 manufactured by Perkin Elmer Co., Ltd.), using 10 mg of the protective film forming layer as a sample. Measurement was performed in the range of 50 to 300 ° C. at a temperature rate of 3 ° C./min, and the temperature at which the rise of the exothermic peak resulting from the curing reaction from the baseline was defined as the heat generation temperature. By setting the heat generation temperature of the protective film forming layer in the above range, curing can be performed in about 0.5 to 5 hours if the curing temperature in the heat curing step is set near the heat generation temperature. That is, heat curing can be performed under relatively mild conditions.
保護膜形成層の発熱発生温度は、熱硬化樹脂および熱硬化剤を適宜選択することにより調整することができる。たとえば、熱硬化樹脂としてエポキシ樹脂を用い、熱硬化剤としてアミン系硬化剤を用いた場合には、発熱発生温度は５０〜２５０℃程度であり、熱硬化樹脂としてエポキシ樹脂を用い、熱硬化剤としてフェノール系硬化剤を用いた場合には、発熱発生温度は５０〜２５０℃程度である。 The heat generation temperature of the protective film forming layer can be adjusted by appropriately selecting a thermosetting resin and a thermosetting agent. For example, when an epoxy resin is used as the thermosetting resin and an amine curing agent is used as the thermosetting agent, the heat generation temperature is about 50 to 250 ° C., and the epoxy resin is used as the thermosetting resin. When a phenolic curing agent is used, the heat generation temperature is about 50 to 250 ° C.
保護膜形成層の厚さは特に限定されないが、好ましくは３〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜２５０μｍ、特に好ましくは７〜２００μｍである。 The thickness of the protective film forming layer is not particularly limited, but is preferably 3 to 300 μm, more preferably 5 to 250 μm, and particularly preferably 7 to 200 μm.
保護膜形成層における可視光線および／または赤外線と紫外線の透過性を示す尺度である、波長３００〜１２００ｎｍにおける最大透過率は２０％以下であることが好ましく、０〜１５％であることがより好ましく、０％を超え１０％以下であることがさらに好ましく、０．００１〜８％であることが特に好ましい。波長３００〜１２００ｎｍにおける保護膜形成層の最大透過率を上記範囲とすることで、可視光波長領域および／または赤外波長領域の透過性の低下が生じ、半導体装置の赤外線起因の誤作動の防止や、印字の視認性向上といった効果が得られる。波長３００〜１２００ｎｍにおける保護膜形成層の最大透過率は、上記着色剤（Ｃ）により調整できる。なお、保護膜形成層の最大透過率は、ＵＶ−ｖｉｓスペクトル検査装置（（株）島津製作所製）を用いて、硬化後の保護膜形成層（厚み２５μｍ）の３００〜１２００ｎｍでの全光線透過率を測定し、透過率の最も高い値（最大透過率）とした。 The maximum transmittance at a wavelength of 300 to 1200 nm, which is a scale showing the transmittance of visible light and / or infrared rays and ultraviolet rays in the protective film forming layer, is preferably 20% or less, more preferably 0 to 15%. More preferably, it is more than 0% and 10% or less, particularly preferably 0.001 to 8%. By setting the maximum transmittance of the protective film forming layer at a wavelength of 300 to 1200 nm within the above range, the transmittance in the visible light wavelength region and / or the infrared wavelength region is reduced, and the malfunction of the semiconductor device due to the infrared rays is prevented. In addition, the effect of improving the visibility of printing can be obtained. The maximum transmittance of the protective film forming layer at a wavelength of 300 to 1200 nm can be adjusted by the colorant (C). In addition, the maximum transmittance of the protective film forming layer is the total light transmission at 300 to 1200 nm of the cured protective film forming layer (thickness 25 μm) using a UV-vis spectrum inspection apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation). The transmittance was measured, and the highest transmittance (maximum transmittance) was obtained.
（剥離シート）
保護膜形成層付ダイシングシートには、使用に供するまでの間、表面の外部との接触を避けるための剥離シートを設けてもよい。剥離シートとしては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。また、これらを着色したフィルム、不透明フィルムなどを用いることができる。また、剥離シートは片面が剥離処理されていてもよい。剥離処理に用いられる剥離剤としては、例えば、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤が挙げられる。
(Peeling sheet)
The dicing sheet with a protective film forming layer may be provided with a release sheet for avoiding contact with the outside of the surface until it is used. As the release sheet, for example, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polybutylene terephthalate film, Polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film, fluorine A transparent film such as a resin film is used. These crosslinked films are also used. Furthermore, these laminated films may be sufficient. Moreover, the film which colored these, an opaque film, etc. can be used. Further, the release sheet may be subjected to a release treatment on one side. Examples of the release agent used for the release treatment include release agents such as silicone-based, fluorine-based, and long-chain alkyl group-containing carbamates.
上記の剥離剤を用いて剥離シートの表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどにより塗布して、常温もしくは加熱または電子線硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成すればよい。 In order to release the surface of the release sheet using the release agent described above, the release agent can be applied directly with a gravure coater, Meyer bar coater, air knife coater, roll coater, etc. without solvent, or by solvent dilution or emulsion. Then, the laminate may be formed by room temperature or heating or electron beam curing, wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion processing, or the like.
剥離シートの厚さは、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。また、剥離シートを除いた状態の保護膜形成層付ダイシングシートの厚みは、通常は１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍ程度である。 The thickness of the release sheet is usually about 10 to 500 μm, preferably about 15 to 300 μm, and particularly preferably about 20 to 250 μm. Moreover, the thickness of the dicing sheet with a protective film forming layer in the state excluding the release sheet is usually 1 to 500 μm, preferably 5 to 300 μm, and particularly preferably about 10 to 150 μm.
（保護膜形成層付ダイシングシート）
本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは、基材フィルムと粘着剤層とからなる粘着シートの粘着剤層上に、加熱により保護膜となる熱硬化性保護膜形成層を有する。そして、粘着シートと保護膜の間の粘着力が加熱により低下し、上述した熱硬化性保護膜形成層の発熱発生温度が粘着力低下温度よりも低い。
(Dicing sheet with protective film forming layer)
The dicing sheet with a protective film-forming layer of the present invention has a thermosetting protective film-forming layer that becomes a protective film by heating on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer. And the adhesive force between an adhesive sheet and a protective film falls by heating, and the heat_generation | fever generation temperature of the thermosetting protective film formation layer mentioned above is lower than an adhesive force fall temperature.
本発明において粘着力低下温度とは、粘着シートと保護膜との間の粘着力が５０％低下した温度をいう。粘着シートと保護膜の間の粘着力は、保護膜形成層を１３０℃で１２０分間加熱し、加熱硬化した保護膜から粘着シートを１８０°で剥離するときの粘着力であり、ＪＩＳ Ｚ ０２３７；２００９に準拠して測定できる。粘着シートと保護膜の間の粘着力は、好ましくは０．２〜１５Ｎ／２５ｍｍ、より好ましくは０．５〜１０Ｎ／２５ｍｍである。粘着力低下温度は、好ましくは５０〜２５０℃、より好ましくは９０〜２００℃である。 In the present invention, the adhesive strength decreasing temperature refers to a temperature at which the adhesive strength between the adhesive sheet and the protective film is reduced by 50%. The adhesive force between the adhesive sheet and the protective film is an adhesive force when the protective film forming layer is heated at 130 ° C. for 120 minutes, and the adhesive sheet is peeled off from the heat-cured protective film at 180 °, JIS Z 0237; It can be measured according to 2009. The adhesive force between the adhesive sheet and the protective film is preferably 0.2 to 15 N / 25 mm, more preferably 0.5 to 10 N / 25 mm. The temperature for lowering the adhesive strength is preferably 50 to 250 ° C, more preferably 90 to 200 ° C.
粘着力低下温度は、次のように決定する。まず、保護膜形成層付ダイシングシートを１３０℃で１２０分間加熱し、保護膜形成層を硬化した後、粘着シートと保護膜の間の粘着力（加熱オーブン投入前の粘着シートと保護膜の間の粘着力（粘着力低下前））を測定する。また、別途３０〜３５０℃の範囲の１０℃毎の温度に設定した加熱オーブンに、保護膜形成層を硬化した保護膜形成層付ダイシングシートを４分間投入し、各温度における粘着シートと保護膜の間の粘着力を測定する。なお、各温度における粘着シートと保護膜の間の粘着力は、各温度において４分間加熱後、保護膜から粘着シートを１８０°で剥離するときの粘着力であり、ＪＩＳ Ｚ ０２３７；２００９に準拠して測定できる。そして、その温度以上であれば、加熱オーブン投入後の粘着シートと保護膜の間の粘着力が、加熱オーブン投入前の同粘着力の５０％以下となる温度を粘着力低下温度とする。また、粘着力低下温度における粘着シートと保護膜の間の粘着力（粘着力低下後）は、好ましくは４Ｎ／２５ｍｍ以下、より好ましくは３Ｎ／２５ｍｍ以下、特に好ましくは０．１〜２Ｎ／２５ｍｍである。 The adhesive strength lowering temperature is determined as follows. First, the protective film forming layer-attached dicing sheet is heated at 130 ° C. for 120 minutes to cure the protective film forming layer, and then the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film (between the adhesive sheet and the protective film before entering the heating oven). ) Is measured (before decrease in adhesive strength). In addition, a dicing sheet with a protective film forming layer obtained by curing the protective film forming layer is put into a heating oven set at a temperature of 10 ° C. separately in the range of 30 to 350 ° C. for 4 minutes, and the adhesive sheet and the protective film at each temperature Measure the adhesive strength between. In addition, the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film at each temperature is an adhesive force when the adhesive sheet is peeled off from the protective film at 180 ° after heating for 4 minutes at each temperature, and conforms to JIS Z 0237; 2009 Can be measured. If the temperature is equal to or higher than that temperature, the temperature at which the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive sheet and the protective film after charging the heating oven is 50% or less of the pressure-sensitive adhesive strength before charging the heating oven is defined as the pressure-reducing temperature. The adhesive strength between the adhesive sheet and the protective film at the adhesive strength lowering temperature (after the adhesive strength is reduced) is preferably 4 N / 25 mm or less, more preferably 3 N / 25 mm or less, and particularly preferably 0.1 to 2 N / 25 mm. It is.
粘着シートと保護膜の間の粘着力を上記範囲とすることで、リングフレームへの貼付性に優れ、リングフレームへの糊残りを防止できる。また、粘着力低下後における粘着シートと保護膜の間の粘着力が上記範囲にあることにより、ピックアップを行うことが容易となる。なお、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは、加熱硬化の前にダイシングを行うプロセスにも用いることができるが、硬化前の保護膜形成層に対する粘着シートの粘着力は、硬化後の保護膜に対するそれよりも強いことが通常であるので、粘着シートと保護膜の間の粘着力が上記範囲にあれば、このようなプロセスでもダイシング時の保護膜および半導体ウエハの保持を行うことができる。
粘着力低下温度は、粘着剤層が熱膨張性粘着層であれば、通常は熱膨張性微小球の発泡及び／又は膨張が生じる温度以上の温度となる。また、粘着シートが非収縮性支持フィルムと、収縮性フィルムと、粘着剤層とがこの順に積層された粘着シートである場合には、収縮性フィルムが収縮する温度を粘着力低下温度と同一の温度とすることで、粘着力低下温度の調整が可能である。
By setting the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film within the above range, the adhesiveness to the ring frame is excellent, and adhesive residue on the ring frame can be prevented. Moreover, it becomes easy to pick up when the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film after the adhesive strength is reduced is in the above range. In addition, although the dicing sheet with a protective film forming layer of the present invention can be used in a process of dicing before heat curing, the adhesive strength of the adhesive sheet to the protective film forming layer before curing is the protection after curing. Since it is usually stronger than that for the film, if the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film is in the above range, the protective film and the semiconductor wafer can be held during dicing even in such a process. .
If the pressure-sensitive adhesive layer is a heat-expandable pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive force reduction temperature is usually a temperature equal to or higher than the temperature at which expansion and / or expansion of the heat-expandable microspheres occurs. Further, when the pressure-sensitive adhesive sheet is a pressure-sensitive adhesive sheet in which a non-shrinkable support film, a shrinkable film, and a pressure-sensitive adhesive layer are laminated in this order, the temperature at which the shrinkable film shrinks is the same as the pressure-sensitive adhesive force lowering temperature. By setting the temperature, it is possible to adjust the temperature of lowering the adhesive strength.
粘着力低下温度を上記範囲とすることで、該粘着力低下温度が上述する熱硬化性保護膜形成層の発熱発生温度よりも高いことに起因して、熱硬化性保護膜形成層の加熱硬化工程やダイシング工程の際に、半導体ウエハや半導体チップを良好に保持できるとともに、粘着力低下後はピックアップが可能となる。他方、粘着力低下温度が発熱発生温度以下である場合には、保護膜形成層の加熱硬化工程において熱膨張性微小球の発泡及び／又は膨張や、収縮性フィルムの収縮は完了する。その後、加熱硬化工程の継続により、粘着剤層と保護膜形成層は再度密着してしまう。この結果、粘着シートと保護膜の間の粘着力は加熱硬化工程においても低下することはなく、また、加熱硬化工程の終了後、再度加熱を行ったとしてももはや粘着力の低下が起こることはない。 By setting the adhesive force lowering temperature in the above range, the thermosetting protective film forming layer is heat-cured due to the fact that the adhesive force lowering temperature is higher than the heat generation temperature of the thermosetting protective film forming layer described above. In the process and dicing process, the semiconductor wafer and the semiconductor chip can be satisfactorily held, and the pickup can be performed after the adhesive strength is reduced. On the other hand, when the adhesive force lowering temperature is equal to or lower than the heat generation temperature, the expansion and / or expansion of the heat-expandable microspheres and the contraction of the shrinkable film are completed in the heat curing step of the protective film forming layer. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer and the protective film forming layer are brought into close contact with each other as the heat curing process continues. As a result, the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive sheet and the protective film does not decrease even in the heat-curing step, and even if the heating is performed again after the heat-curing step, the adhesive force is no longer reduced. Absent.
保護膜形成層付ダイシングシートの製造方法としては、次のような方法が挙げられる。まず、剥離シート上に保護膜形成層を形成する。保護膜形成層は、上記各成分を適宜の割合で、適当な溶媒中で混合してなる保護膜形成層用組成物を、適当な剥離シート上に塗布乾燥して得られる。そして、必要に応じこれを別の剥離シートと貼り合わせて、２枚の剥離シートに挟持された状態（剥離シート／保護膜形成層／剥離シート）とする。 The following method is mentioned as a manufacturing method of a dicing sheet with a protective film formation layer. First, a protective film forming layer is formed on the release sheet. The protective film-forming layer is obtained by applying and drying a protective film-forming layer composition obtained by mixing the above-described components in an appropriate solvent on an appropriate release sheet. Then, if necessary, this is bonded to another release sheet to obtain a state of being sandwiched between two release sheets (release sheet / protective film forming layer / release sheet).
次に、２枚の剥離シートに挟持された状態の場合には一方の剥離シートを剥離する。そして、保護膜形成層を貼付するワーク（例えば半導体ウエハ等）と同じサイズもしくは一回り大きい円形に型抜きし、円形に型抜きされた保護膜形成層の周囲をカス取り（不要部分の除去）する。また、２枚の剥離シートに挟持された状態の場合には、一方の剥離シートと保護膜形成層を型抜きし、保護膜形成層を剥離シートごとカス取りし、その後に型抜きされた剥離シートを剥離してもよい。次いで、円形の保護膜形成層を、別途用意した上記粘着シートの粘着剤層に貼付し、リングフレームに対する糊しろの外径に合わせて同心円状に型抜きし、型抜きされた粘着シートの周囲を除去する。最後に、保護膜形成層に貼付された剥離シートを剥離することで、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートを得る。 Next, in the state of being sandwiched between two release sheets, one release sheet is released. Then, it is cut into a circle that is the same size as or slightly larger than the workpiece (for example, a semiconductor wafer) to which the protective film forming layer is to be attached, and the periphery of the protective film forming layer that has been cut into a circular shape is removed (removal of unnecessary portions) To do. Also, in the state of being sandwiched between two release sheets, one release sheet and the protective film forming layer are die-cut, the protective film forming layer is removed together with the release sheet, and then the die-release is released The sheet may be peeled off. Next, a circular protective film forming layer is attached to the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet prepared separately, and is concentrically cut according to the outer diameter of the margin for the ring frame. Remove. Finally, the dicing sheet with a protective film forming layer of the present invention is obtained by peeling the release sheet attached to the protective film forming layer.
図１に示すように、本発明の保護膜形成層付ダイシングシート１０は、基材フィルム１と粘着剤層２とからなる粘着シート３の内周部に熱硬化性保護膜形成層４が剥離可能に積層され、粘着シート３の外周部に粘着剤層２が露出していることが好ましい。つまり、粘着シート３よりも小径の熱硬化性保護膜形成層４が、粘着シート３の粘着剤層２上に同心円状に剥離可能に積層されていることが好ましい。
As shown in FIG. 1, in the
上記構成の保護膜形成層付ダイシングシート１０は、粘着シート３の外周部に露出した粘着剤層２において、リングフレーム５に貼付される。
The protective film forming layer-attached
また、リングフレームに対する糊しろ（粘着シートの外周部における露出した粘着剤層）上に、環状の両面テープ若しくは粘着剤層を別途設けてもよい。両面テープは粘着剤層／芯材／粘着剤層の構成を有し、両面テープにおける粘着剤層は特に限定されず、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。粘着剤層は、後述するチップを製造する際に、その外周部においてリングフレームに貼付される。粘着剤層の外周部をリングフレームに貼付して、保護膜形成層の硬化を行うと、リングフレームを粘着剤層から外す際に、リングフレームに糊残りが発生することがある。また、保護膜形成層の硬化工程において、粘着剤層は高温にさらされて軟化し、糊残りが発生しやすくなる。そのため、上記の粘着剤の中でも、リングフレームへの糊残りの防止及び粘着剤層への耐熱性の付与という観点から、アクリル系、シリコーン系の粘着剤が好ましい。
芯材は耐熱性を有することが好ましく、芯材として、融点が１２０℃以上のフィルムを用いることが好ましい。融点が１２０℃未満のフィルムを芯材として用いると、保護膜形成層の加熱硬化の際に、芯材が溶融し形状を保てなくなったり、周辺の装置と融着してしまうことがある。芯材としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルム等が好ましく用いられる。
Further, an annular double-sided tape or an adhesive layer may be separately provided on the margin for the ring frame (exposed adhesive layer on the outer peripheral portion of the adhesive sheet). The double-sided tape has a configuration of pressure-sensitive adhesive layer / core material / pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer in the double-sided tape is not particularly limited. For example, rubber-based, acrylic-based, silicone-based, polyvinyl ether, or the like is used. . In addition, an energy ray curable adhesive, a heat-foaming adhesive, or a water swelling adhesive can be used. As the energy ray curable (ultraviolet ray curable, electron beam curable) pressure-sensitive adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive. The adhesive layer is affixed to the ring frame at the outer periphery when a chip to be described later is manufactured. When the outer peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer is attached to the ring frame and the protective film forming layer is cured, adhesive residue may be generated on the ring frame when the ring frame is removed from the pressure-sensitive adhesive layer. Further, in the curing step of the protective film forming layer, the pressure-sensitive adhesive layer is exposed to a high temperature and softens, and adhesive residue is likely to occur. Therefore, among the above-mentioned pressure-sensitive adhesives, acrylic and silicone pressure-sensitive adhesives are preferable from the viewpoint of preventing adhesive residue on the ring frame and imparting heat resistance to the pressure-sensitive adhesive layer.
The core material preferably has heat resistance, and a film having a melting point of 120 ° C. or higher is preferably used as the core material. When a film having a melting point of less than 120 ° C. is used as the core material, the core material may be melted and unable to maintain its shape or may be fused with a peripheral device when the protective film forming layer is heated and cured. As the core material, for example, a polyester film, a polypropylene film, a polycarbonate film, a polyimide film, a fluororesin film, a liquid crystal polymer film, or the like is preferably used.
（チップの製造方法）
次に本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートの利用方法について、該シートをチップ（例えば半導体チップ等）の製造に適用した場合を例にとって説明する。
(Chip manufacturing method)
Next, a method of using the dicing sheet with a protective film forming layer according to the present invention will be described taking as an example the case where the sheet is applied to the manufacture of a chip (for example, a semiconductor chip).
本発明に係る保護膜形成層付ダイシングシートを用いた半導体チップの製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハ（ワーク）の裏面に、上記シートの保護膜形成層を貼付し、以下の工程（１）〜（３）を、[（１）、（２）、（３）]または[（２）、（１）、（３）]の順で行い、裏面に保護膜を有する半導体チップを得ることを特徴としている。
工程（１）：保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程（２）：半導体ウエハ（ワーク）と、保護膜形成層または保護膜とをダイシング、
工程（３）：保護膜と粘着シートとを剥離。
A manufacturing method of a semiconductor chip using a dicing sheet with a protective film forming layer according to the present invention is a method in which a protective film forming layer of the above sheet is pasted on the back surface of a semiconductor wafer (work) on which a circuit is formed. Steps (1) to (3) are performed in the order of [(1), (2), (3)] or [(2), (1), (3)], and a semiconductor chip having a protective film on the back surface It is characterized by obtaining.
Step (1): The protective film forming layer is cured to obtain a protective film.
Step (2): dicing the semiconductor wafer (work) and the protective film forming layer or protective film,
Step (3): The protective film and the adhesive sheet are peeled off.
また、本発明に係る半導体チップの製造方法は、上記工程（１）〜（３）の他に、下記の工程（４）をさらに含み、上記工程（１）の後のいずれかの工程において、工程（４）を行うこともできる。
工程（４）：保護膜にレーザー印字。
In addition to the above steps (1) to (3), the method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention further includes the following step (4), and in any step after the above step (1), Step (4) can also be performed.
Step (4): Laser printing on the protective film.
半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。次いで、半導体ウエハの回路面の反対面（裏面）を研削する。研削法は特に限定はされず、グラインダーなどを用いた公知の手段で研削してもよい。裏面研削時には、表面の回路を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハの回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。ウエハの研削後の厚みは特に限定はされないが、通常は２０〜５００μｍ程度である。その後、必要に応じ、裏面研削時に生じた破砕層を除去する。破砕層の除去は、ケミカルエッチングや、プラズマエッチングなどにより行われる。 The semiconductor wafer may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. Formation of a circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. Next, the opposite surface (back surface) of the circuit surface of the semiconductor wafer is ground. The grinding method is not particularly limited, and grinding may be performed by a known means using a grinder or the like. At the time of back surface grinding, an adhesive sheet called a surface protection sheet is attached to the circuit surface in order to protect the circuit on the surface. In the back surface grinding, the circuit surface side (that is, the surface protection sheet side) of the wafer is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side on which no circuit is formed is ground by a grinder. The thickness of the wafer after grinding is not particularly limited, but is usually about 20 to 500 μm. Thereafter, if necessary, the crushed layer generated during back grinding is removed. The crushed layer is removed by chemical etching, plasma etching, or the like.
次いで、半導体ウエハの裏面に、上記保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を貼付する。その後、工程（１）〜（３）を[（１）、（２）、（３）]または[（２）、（１）、（３）]の順で行う。これらの一例として、工程（１）〜（３）を[（１）、（２）、（３）]の順で行う場合について説明する。 Subsequently, the protective film formation layer of the said dicing sheet with a protective film formation layer is affixed on the back surface of a semiconductor wafer. Thereafter, the steps (1) to (3) are performed in the order of [(1), (2), (3)] or [(2), (1), (3)]. As an example of these, the case where the steps (1) to (3) are performed in the order of [(1), (2), (3)] will be described.
まず、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、上記保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層を貼付する。次いで、保護膜形成層を、粘着力低下温度よりも低い温度、好ましくは上記の発熱発生温度付近の温度で、０．５〜５時間加熱することにより熱硬化し、ウエハの全面に保護膜を形成する。硬化前の保護膜形成層を半導体ウエハに貼付することにより、保護膜形成層がウエハの貼付面によくなじみ、保護膜と半導体チップの接着性が向上する。保護膜形成層には、熱硬化性成分（Ｂ）が含まれているため、熱硬化により保護膜形成層を硬化する。この結果、ウエハ裏面に硬化樹脂からなる保護膜が形成され、ウエハ単独の場合と比べて強度が向上するので、取扱い時の薄くなったウエハの破損を低減できる。また、ウエハやチップの裏面に直接保護膜用の塗布液を塗布・被膜化するコーティング法と比較して、保護膜の厚さの均一性に優れる。 First, the protective film formation layer of the said dicing sheet with a protective film formation layer is affixed on the back surface of the semiconductor wafer in which the circuit was formed on the surface. Next, the protective film forming layer is thermally cured by heating for 0.5 to 5 hours at a temperature lower than the adhesive force lowering temperature, preferably in the vicinity of the heat generation temperature, and the protective film is formed on the entire surface of the wafer. Form. By sticking the protective film-forming layer before curing to the semiconductor wafer, the protective film-forming layer is well adapted to the sticking surface of the wafer, and the adhesion between the protective film and the semiconductor chip is improved. Since the protective film forming layer contains the thermosetting component (B), the protective film forming layer is cured by thermosetting. As a result, a protective film made of a cured resin is formed on the back surface of the wafer, and the strength is improved as compared with the case of the wafer alone, so that damage to the thin wafer during handling can be reduced. In addition, the thickness of the protective film is excellent compared to a coating method in which a coating liquid for the protective film is directly applied to the back surface of the wafer or chip.
また、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートにおいては、耐熱性に優れる基材フィルムを用いることにより、熱硬化時の変形による弛みが抑制され、ダイシングやピックアップ（保護膜からの粘着シートの剥離）が容易となるという効果が好ましく発揮される。 Moreover, in the dicing sheet with a protective film forming layer of the present invention, by using a base film having excellent heat resistance, slack due to deformation during thermosetting is suppressed, and dicing or pickup (peeling of the adhesive sheet from the protective film) is suppressed. ) Is preferably exhibited.
次いで、硬化した保護膜形成層（保護膜）にレーザー印字することが好ましい。レーザー印字はレーザーマーキング法により行われ、レーザー光の照射により粘着シート越しに保護膜の表面を削り取ることで保護膜に品番等をマーキングする。本発明の保護膜形成層付ダイシングシートによれば、極薄のウエハであってもウエハの反りを抑制できるため、レーザー光の焦点が正確に定まり、精度よくマーキングを行える。 Next, it is preferable to perform laser printing on the cured protective film forming layer (protective film). Laser printing is performed by the laser marking method, and the protective film is marked with a product number or the like by scraping the surface of the protective film over the adhesive sheet by irradiation with laser light. According to the dicing sheet with a protective film forming layer of the present invention, since the warpage of the wafer can be suppressed even with an extremely thin wafer, the focal point of the laser beam is accurately determined and marking can be performed with high accuracy.
次いで、半導体ウエハと保護膜形成層付ダイシングシートとの積層体（半導体ウエハと保護膜と粘着シートとの積層体）を、ウエハ表面に形成された回路毎にダイシングし、半導体チップと保護膜形成層付ダイシングシートとの積層体を得る。ダイシングは、ウエハと保護膜をともに切断するように行われる。本発明の保護膜形成層付ダイシングシートによれば、保護膜形成層の発熱発生温度よりも粘着力低下温度が高いため、ダイシング時において保護膜に対して粘着シートが十分な粘着力を有する。ダイシングは特に限定はされず、一例として、ウエハのダイシング時には保護膜形成層付ダイシングシートの周辺部（粘着シートの外周部）をリングフレームにより固定した後、ダイシングブレードなどの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハのチップ化を行う方法などが挙げられる。ダイシングによる粘着シートへの切り込み深さは、保護膜形成層を完全に切断していればよく、保護膜形成層との界面から０〜３０μｍとすることが好ましい。基材フィルムへの切り込み量を小さくすることで、ダイシングブレードの摩擦による基材フィルムの溶融や、基材フィルムにおけるバリ等の発生を抑制することができる。そして、半導体チップと保護膜形成層付ダイシングシートとの積層体を、保護膜形成層の発熱発生温度よりも高い温度、好ましくは上記の粘着力低下温度で、１５秒〜３０分加熱し、粘着シートと保護膜の間の粘着力を低下させる。なお、粘着シートと保護膜の間の粘着力を低下させるための加熱工程は、後述するエキスパンドの後に行ってもよい。 Next, a laminated body of a semiconductor wafer and a dicing sheet with a protective film forming layer (a laminated body of a semiconductor wafer, a protective film, and an adhesive sheet) is diced for each circuit formed on the wafer surface to form a semiconductor chip and a protective film. A laminate with the layered dicing sheet is obtained. Dicing is performed so as to cut both the wafer and the protective film. According to the dicing sheet with a protective film forming layer of the present invention, since the adhesive force lowering temperature is higher than the heat generation temperature of the protective film forming layer, the adhesive sheet has sufficient adhesive force with respect to the protective film during dicing. Dicing is not particularly limited. For example, after dicing the wafer, the peripheral portion of the dicing sheet with a protective film forming layer (the outer peripheral portion of the adhesive sheet) is fixed with a ring frame, and then a rotating round blade such as a dicing blade is used. And a known method for forming a wafer into chips. The depth of cut into the pressure-sensitive adhesive sheet by dicing is only required to completely cut the protective film forming layer, and is preferably 0 to 30 μm from the interface with the protective film forming layer. By reducing the amount of cut into the base film, it is possible to suppress the melting of the base film due to the friction of the dicing blade and the occurrence of burrs in the base film. Then, the laminate of the semiconductor chip and the dicing sheet with the protective film forming layer is heated for 15 seconds to 30 minutes at a temperature higher than the heat generation temperature of the protective film forming layer, preferably at the above-described adhesive force lowering temperature. Decrease the adhesive strength between the sheet and the protective film. In addition, you may perform the heating process for reducing the adhesive force between an adhesive sheet and a protective film after the expand mentioned later.
その後、上記粘着シートをエキスパンドしてもよい。本発明における粘着シートの基材フィルムとして、伸張性に優れるものを選択した場合は、本発明の保護膜形成層付ダイシングシートは、優れたエキスパンド性を有する。ダイシングされた保護膜付半導体チップをコレット等の汎用手段によりピックアップすることで、保護膜と粘着シートとを剥離する。この結果、裏面に保護膜を有する半導体チップ（保護膜付半導体チップ）が得られる。このような本発明によれば、厚みの均一性の高い保護膜を、チップ裏面に簡便に形成でき、ダイシング工程やパッケージングの後のクラックが発生しにくくなる。また、本発明によれば、保護膜が形成されたウエハをダイシングテープに貼り替えてダイシングしていた従来の工程と比較して、ダイシングテープへの貼り替えを行うことなく保護膜付チップを得ることができ、製造工程の簡略化が図れる。また、研削により脆弱化したウエハを単体で扱うことがなくなるため、ウエハ破損の危険を低減する。さらに、薄型化ウエハは保護膜の硬化収縮により反りが発生することがあるが、粘着シートで保持されているため反りも抑制することができる。そして、半導体チップをフェースダウン方式で所定の基台上に実装することで半導体装置を製造することができる。また、裏面に保護膜を有する半導体チップを、ダイパッド部または別の半導体チップなどの他の部材上（チップ搭載部上）に接着することで、半導体装置を製造することもできる。 Thereafter, the pressure-sensitive adhesive sheet may be expanded. When the thing excellent in the extensibility is selected as a base film of the adhesive sheet in this invention, the dicing sheet with a protective film formation layer of this invention has the outstanding expandability. The protective film and the adhesive sheet are peeled off by picking up the diced semiconductor chip with a protective film by a general means such as a collet. As a result, a semiconductor chip having a protective film on the back surface (semiconductor chip with protective film) is obtained. According to the present invention as described above, a protective film having high thickness uniformity can be easily formed on the back surface of the chip, and cracks after the dicing process and packaging are less likely to occur. In addition, according to the present invention, a chip with a protective film is obtained without replacing the wafer on which the protective film is formed with the dicing tape, as compared with the conventional process in which the wafer is diced. Therefore, the manufacturing process can be simplified. Further, since the wafer weakened by grinding is not handled alone, the risk of wafer breakage is reduced. Further, the thinned wafer may be warped due to curing shrinkage of the protective film. However, since the wafer is held by the adhesive sheet, the warpage can be suppressed. Then, the semiconductor device can be manufactured by mounting the semiconductor chip on a predetermined base by the face-down method. Further, a semiconductor device can be manufactured by adhering a semiconductor chip having a protective film on the back surface to another member (on the chip mounting portion) such as a die pad portion or another semiconductor chip.
粘着力低下温度が保護膜形成層の発熱発生温度以下である保護膜形成層付ダイシングシートを用いて、工程（１）〜（３）を[（２）、（１）、（３）]の順で行う場合であって、工程（１）の保護膜形成層の硬化の後に、粘着力低下のために保護膜形成層付ダイシングシートを加熱しようとするときには、粘着剤層と保護膜形成層とが再度密着してしまい、保護膜付半導体チップのピックアップが困難である。また、工程（２）のダイシングの後、保護膜形成層付ダイシングシートを粘着力低下温度まで加熱し、粘着シートと保護膜の間の粘着力を低下させた後に工程（１）の保護膜形成層の硬化を行うときは、加熱硬化工程の間に粘着剤層と保護膜形成層が再度密着するおそれがある。したがって、粘着力低下のための加熱は、工程（１）の後、工程（３）の前に行うことが好ましい。 Using a dicing sheet with a protective film forming layer whose adhesive force lowering temperature is equal to or lower than the heat generation temperature of the protective film forming layer, the steps (1) to (3) of [(2), (1), (3)] When the dicing sheet with a protective film forming layer is to be heated to reduce the adhesive strength after curing of the protective film forming layer in step (1), the adhesive layer and the protective film forming layer are used. And the semiconductor chip with a protective film are difficult to pick up. In addition, after the dicing in the step (2), the dicing sheet with the protective film forming layer is heated to the adhesive strength lowering temperature to reduce the adhesive strength between the adhesive sheet and the protective film, and then the protective film is formed in the step (1). When the layer is cured, the pressure-sensitive adhesive layer and the protective film forming layer may come into close contact with each other during the heat curing step. Therefore, it is preferable to perform the heating for decreasing the adhesive strength after the step (1) and before the step (3).
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、＜粘着力低下温度＞、＜粘着シートと保護膜の間の粘着力（粘着力低下前）＞、＜粘着シートと保護膜の間の粘着力（粘着力低下後）＞、＜ウエハ保持性およびピックアップ性＞及び＜基材フィルムの熱収縮率＞は次のように測定・評価した。また、下記の＜保護膜形成層用組成物＞を用いた。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples. In the following Examples and Comparative Examples, <Adhesive strength lowering temperature>, <Adhesive strength between adhesive sheet and protective film (before decreasing adhesive strength)>, <Adhesive strength between adhesive sheet and protective film (adhesive) After reduction in force), <wafer retention and pick-up properties> and <thermal shrinkage of the base film> were measured and evaluated as follows. The following <Composition for protective film forming layer> was used.
＜粘着力低下温度＞
保護膜形成層付ダイシングシートについて、粘着力低下温度の決定方法として上述した方法により、粘着力低下温度を決定した。
<Adhesive strength drop temperature>
About the dicing sheet with a protective film forming layer, the adhesive force lowering temperature was determined by the method described above as the method for determining the adhesive power lowering temperature.
＜粘着シートと保護膜の間の粘着力（粘着力低下前）＞
粘着力低下温度の決定において、加熱オーブン投入前の粘着シートと保護膜の間の粘着力を、粘着シートと保護膜の間の粘着力（粘着力低下前）とした。
<Adhesive strength between adhesive sheet and protective film (before decreasing adhesive strength)>
In the determination of the adhesive force lowering temperature, the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film before charging the heating oven was defined as the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film (before the adhesive force was lowered).
＜粘着シートと保護膜の間の粘着力（粘着力低下後）＞
粘着力低下温度の決定において、粘着力低下温度における加熱オーブン投下後の粘着シートと保護膜の間の粘着力を、粘着シートと保護膜の間の粘着力（粘着力低下後）とした。
<Adhesive strength between adhesive sheet and protective film (after adhesive strength decline)>
In the determination of the adhesive force lowering temperature, the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film after dropping in the heating oven at the adhesive force lowering temperature was defined as the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film (after the adhesive force was lowered).
＜ウエハ保持性およびピックアップ性＞
保護膜形成層付ダイシングシートの保護膜形成層をシリコンウエハ（直径８インチ、厚み２００μｍ、＃２０００研磨）に、粘着シートの外周部における粘着剤層をリングフレームに貼付した。次いで、１３０℃で２時間加熱して保護膜形成層を硬化し、保護膜付シリコンウエハを５ｍｍ×５ｍｍのチップサイズにダイシングした。その後、粘着力低下温度で４分間加熱し、粘着力を低下させ、（キャノンマシナリー社製 Ｂｅｓｔｅｍ−Ｄ０２）により保護膜付チップをピックアップした。
ウエハ保持性は、ダイシング時にウエハ破損、チップ欠け、チップ飛びのいずれも生じない場合を「Ａ」、ダイシング時にウエハ破損、チップ欠け、チップ飛びのいずれかが生じた場合を「Ｂ」と評価した。
また、ピックアップ性は、チップを破損することなくピックアップが可能であった場合を「Ａ」、チップを破損もしくはピックアップが不可能であった場合を「Ｂ」と評価した。
<Wafer retention and pickup properties>
The protective film forming layer of the dicing sheet with protective film forming layer was attached to a silicon wafer (diameter 8 inches, thickness 200 μm, # 2000 polishing), and the adhesive layer on the outer peripheral portion of the adhesive sheet was attached to a ring frame. Subsequently, it heated at 130 degreeC for 2 hours, the protective film formation layer was hardened, and the silicon wafer with a protective film was diced into the chip size of 5 mm x 5 mm. Then, it heated at adhesive force fall temperature for 4 minutes, adhesive force was reduced, and the chip | tip with a protective film was picked up by (Cantem Machinery Co., Ltd. Bestem-D02).
Wafer retention was evaluated as “A” when no wafer breakage, chip chipping or chip jumping occurred during dicing, and “B” when any of wafer breakage, chip chipping or chip jumping occurred during dicing. .
The pick-up property was evaluated as “A” when picking up was possible without damaging the chip, and “B” when picking up was not possible or picking up was impossible.
＜基材フィルムの熱収縮率＞
基材フィルムを１０ｃｍ×１０ｃｍに裁断し、熱風オーブンに投入した（１３０℃、２時間）。その後、基材フィルムを取り出し、基材フィルムの寸法を測定し、下記式により熱収縮率を求めた。
熱収縮率（％）＝{（投入前の基材フィルムの面積）−（投入後の基材フィルムの面積）}／投入前の基材フィルムの面積×１００
<Heat shrinkage of base film>
The base film was cut into 10 cm × 10 cm and placed in a hot air oven (130 ° C., 2 hours). Thereafter, the base film was taken out, the dimensions of the base film were measured, and the thermal shrinkage rate was determined by the following formula.
Thermal shrinkage (%) = {(Area of base film before input) − (Area of base film after input)} / Area of base film before input × 100
＜保護膜形成層用組成物＞
保護膜形成層を構成する各成分と配合量を下記に示す（各成分／配合量）。
（Ａ）バインダーポリマー成分：ｎ−ブチルアクリレート５５質量部、メチルメタクリレート１５質量部、グリシジルメタクリレート２０質量部、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部からなるアクリルポリマー（重量平均分子量：９０万、ガラス転移温度：−２８℃） ／１００質量部
（Ｂ）熱硬化性成分：
（Ｂ１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０〜２００ｇ／ｅｑ）５０質量部、及びジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製 エピクロンＨＰ−７２００ＨＨ）５０質量部からなる熱硬化性成分／合計１００質量部
（Ｂ２）熱活性潜在性エポキシ樹脂硬化剤（ジシアンジアミド(旭電化製 アデカハードナー３６３６ＡＳ)）／２．８質量部
（Ｃ）着色剤：カーボンブラック／１０．０質量部
（Ｄ）硬化促進剤（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製 キュアゾール２ＰＨＺ））／２．８質量部
（Ｅ）カップリング剤：シランカップリング剤（日本ユニカー製 Ａ−１１１０)／１質量部
（Ｆ）無機充填剤：シリカフィラー（溶融石英フィラー（平均粒径８μｍ））／３００質量部
<Composition for protective film forming layer>
Each component and blending amount constituting the protective film forming layer are shown below (each component / blending amount).
(A) Binder polymer component: acrylic polymer consisting of 55 parts by mass of n-butyl acrylate, 15 parts by mass of methyl methacrylate, 20 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (weight average molecular weight: 900,000, glass transition Temperature: -28 ° C) / 100 parts by mass (B) Thermosetting component:
(B1) Thermosetting comprising 50 parts by mass of a bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180 to 200 g / eq) and 50 parts by mass of a dicyclopentadiene type epoxy resin (Epicron HP-7200HH, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) (B2) Thermally active latent epoxy resin curing agent (dicyandiamide (Adeka Hardener 3636AS manufactured by Asahi Denka)) / 2.8 parts by mass (C) Colorant: Carbon black / 10.0 parts by mass ( D) Curing accelerator (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (Curesol 2PHZ manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.)) / 2.8 parts by mass (E) Coupling agent: Silane coupling agent (Nihon Unicar A- 1110) / 1 part by mass (F) inorganic filler: silica filler (fused quartz filler (average particle size 8 μm) ) / 300 parts by mass
（実施例１）
保護膜形成層用組成物の上記各成分を上記配合量で配合した。また、剥離シートとして、片面に剥離処理を行ったポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製 ＳＰ−Ｐ５０２０１０、厚さ５０μｍ）を用意した。
Example 1
Each said component of the composition for protective film formation layers was mix | blended with the said compounding quantity. Moreover, the polyethylene terephthalate film (SP-P502010 by Lintec Corporation, thickness 50micrometer) which peeled on one side was prepared as a peeling sheet.
上記保護膜形成層用組成物のメチルエチルケトン溶液（固形濃度６１重量％）を、上記剥離シートの剥離処理面上に乾燥後２５μｍの厚みになるように塗布、乾燥（乾燥条件：オーブンにて１２０℃、３分間）して、剥離シート上に保護膜形成層を形成した。この保護膜形成層に、他の剥離シートとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１、厚さ３８μｍ）の剥離処理面を貼り合わせた。次いで、剥離シートを残して保護膜形成層および他の剥離シートのみを切断するようにシリコンウエハと同サイズ（直径８インチ）に型抜きした後、型抜きされた形状の部分を除く部分の保護膜形成層および他の剥離シートを除去し、剥離シート上に円形に型抜きされた保護膜形成層および他の剥離シートを得た。なお、保護膜形成層の発熱発生温度は、１４０℃であった。 A methyl ethyl ketone solution (solid concentration: 61% by weight) of the composition for forming a protective film is applied onto the release-treated surface of the release sheet so as to have a thickness of 25 μm and dried (drying condition: 120 ° C. in an oven). 3 minutes) to form a protective film forming layer on the release sheet. To this protective film forming layer, a release treatment surface of a polyethylene terephthalate film (SP-PET 381031, thickness 38 μm) was bonded as another release sheet. Next, the die is cut to the same size as the silicon wafer (diameter 8 inches) so as to cut only the protective film forming layer and other release sheets while leaving the release sheet, and then protection of the portion excluding the die-cut shape portion. The film-forming layer and other release sheets were removed, and a protective film-forming layer and other release sheets that were punched in a circle on the release sheet were obtained. The heat generation temperature of the protective film forming layer was 140 ° C.
粘着シートとして、リバアルファ（登録商標）Ｎｏ．３１９５Ｈ（日東電工社製、粘着剤層が１５０℃で発泡する熱膨張性微粒子を含有。）を用いた。上記粘着シートの粘着剤層上に上記の剥離シート上に形成された保護膜形成層を、型抜きされた他の剥離シートを剥離除去した上で貼付し、リングフレームに対する糊しろの外径（直径２６０ｍｍ）に合わせて同心円状に型抜きした。その後、保護膜形成層上の剥離シートを剥離し、保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表１に示す。 As an adhesive sheet, Riva Alpha (registered trademark) No. 3195H (manufactured by Nitto Denko Corporation, containing heat-expandable fine particles in which the pressure-sensitive adhesive layer foams at 150 ° C.) was used. The protective film forming layer formed on the release sheet is pasted on the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet after the other release sheet that has been punched is peeled and removed, and the outer diameter of the margin for the ring frame ( The die was cut concentrically in accordance with a diameter of 260 mm. Thereafter, the release sheet on the protective film forming layer was peeled off to obtain a dicing sheet with a protective film forming layer. Each evaluation result is shown in Table 1.
（比較例１）
粘着シートとして、リバアルファ（登録商標）Ｎｏ．３１９５Ｍ（日東電工社製、粘着剤層が１２０℃で発泡する熱膨張性微粒子を含有。）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして保護膜形成層付ダイシングシートを得た。各評価結果を表１に示す。なお、比較例１の保護膜形成層付ダイシングシートにおいては、加熱硬化工程において熱膨張性微粒子の発泡が完了し、粘着力低下温度を有さなかった。
(Comparative Example 1)
As an adhesive sheet, Riva Alpha (registered trademark) No. A dicing sheet with a protective film forming layer was obtained in the same manner as in Example 1 except that 3195M (manufactured by Nitto Denko Corporation, the pressure-sensitive adhesive layer contains thermally expandable fine particles foamed at 120 ° C.) was used. Each evaluation result is shown in Table 1. In addition, in the dicing sheet with a protective film forming layer of Comparative Example 1, foaming of the heat-expandable fine particles was completed in the heat curing step, and did not have an adhesive force lowering temperature.
実施例１の保護膜形成層付ダイシングシートは、粘着力低下温度が保護膜形成層の発熱発生温度よりも高いため、ウエハやチップの保持性に優れ、ピックアップを良好に行うことができる。 The dicing sheet with a protective film forming layer of Example 1 has a higher adhesive force lowering temperature than the heat generation temperature of the protective film forming layer, so that it has excellent wafer and chip retention and can be picked up satisfactorily.
１ … 基材フィルム
２ … 粘着剤層
３ … 粘着シート
４ … 保護膜形成層
５ … リングフレーム
１０… 保護膜形成層付ダイシングシート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base film 2 ... Adhesive layer 3 ... Adhesive sheet 4 ... Protective film formation layer 5 ...
Claims (5)
粘着シートと保護膜の間の粘着力が加熱により低下し、かつ熱硬化性保護膜形成層の発熱発生温度が、粘着力低下温度よりも低い保護膜形成層付ダイシングシート。 On the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet comprising the base film and the pressure-sensitive adhesive layer, it has a thermosetting protective film forming layer that becomes a protective film by heating,
A dicing sheet with a protective film forming layer in which the adhesive force between the adhesive sheet and the protective film is reduced by heating, and the heat generation temperature of the thermosetting protective film forming layer is lower than the adhesive power lowering temperature.
粘着力低下温度が５０〜２５０℃である請求項１または２に記載の保護膜形成層付ダイシングシート。The dicing sheet with a protective film forming layer according to claim 1 or 2, wherein the adhesive force lowering temperature is 50 to 250 ° C.
工程（１）：保護膜形成層を硬化し保護膜を得る、
工程（２）：ワークと、保護膜形成層または保護膜とをダイシング、
工程（３）：保護膜と粘着シートとを剥離。 The protective film forming layer of the dicing sheet with a protective film forming layer according to any one of claims 1 to 3 is attached to a workpiece, and the following steps (1) to (3) are performed as [(1), (2), (3)] or [(2), (1), (3)] a chip manufacturing method performed in this order;
Step (1): The protective film forming layer is cured to obtain a protective film.
Step (2): dicing the workpiece and the protective film forming layer or the protective film,
Step (3): The protective film and the adhesive sheet are peeled off.
工程（４）：保護膜にレーザー印字。 The chip manufacturing method according to claim 4, wherein the following step (4) is performed in any step after the step (1);
Step (4): Laser printing on the protective film.
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