KR20210088001A - Micro light emitting device and its transfer system, display device - Google Patents

Micro light emitting device and its transfer system, display device Download PDF

Info

Publication number
KR20210088001A
KR20210088001A KR1020217019448A KR20217019448A KR20210088001A KR 20210088001 A KR20210088001 A KR 20210088001A KR 1020217019448 A KR1020217019448 A KR 1020217019448A KR 20217019448 A KR20217019448 A KR 20217019448A KR 20210088001 A KR20210088001 A KR 20210088001A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
micro light
electrode assembly
electrode
Prior art date
Application number
KR1020217019448A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102548245B1 (en
Inventor
언칭 궈
뤼보 싱
슈치 황
Original Assignee
청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디. filed Critical 청두 비스타 옵토일렉트로닉스 씨오., 엘티디.
Publication of KR20210088001A publication Critical patent/KR20210088001A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102548245B1 publication Critical patent/KR102548245B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95053Bonding environment
    • H01L2224/95085Bonding environment being a liquid, e.g. for fluidic self-assembly

Abstract

본 발명은 디스플레이 패널 기술분야에 관한 것으로, 마이크로 발광 소자 및 그 전사 시스템, 디스플레이 장치를 개시한다. 해당 마이크로 발광 소자는 발광 본체 및 발광 본체의 일측에 고정되고 발광 본체에 연결되는 제1 전극 어셈블리를 포함하며, 마이크로 발광 소자의 중심은 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접한다. 상술한 방식에 의해 본 발명은 마이크로 발광 소자의 전사 효율을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to the field of display panel technology, and discloses a micro light emitting device, a transfer system thereof, and a display device. The micro light emitting device includes a light emitting body and a first electrode assembly fixed to one side of the light emitting body and connected to the light emitting body, and the center of the micro light emitting device is close to one end having the first electrode assembly. According to the method described above, the present invention can improve the transfer efficiency of the micro light emitting device.

Description

마이크로 발광 소자 및 그 전사 시스템, 디스플레이 장치Micro light emitting device and its transfer system, display device

본 발명은 디스플레이 패널 기술분야에 관한 것으로, 특히 마이크로 발광 소자 및 그 전사 시스템, 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to the field of display panel technology, and more particularly, to a micro light emitting device, a transfer system thereof, and a display device.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 광전 반도체 소자로서, 전력 소모가 적고, 사이즈가 작으며 휘도가 높고, 집적 회로와 쉽게 매칭되며, 신뢰도가 높은 등 장점을 갖고 있어 광원으로 널리 사용되고 있다. 또한, LED기술이 발달함에 따라, LED를 자체 발광 디스플레이 포인트 픽셀로 직접 이용하는 LED 디스플레이 또는 Micro LED(마이크로 발광 다이오드) 디스플레이 기술도 점차 널리 응용되고 있다.A light emitting diode (LED) is an optoelectronic semiconductor device, and has advantages such as low power consumption, small size, high luminance, easy matching with integrated circuits, and high reliability, and thus is widely used as a light source. In addition, with the development of LED technology, an LED display or Micro LED (micro LED) display technology that directly uses the LED as a self-luminous display point pixel is increasingly widely applied.

그중, Micro LED 디스플레이 스크린은 TFT-LCD와 LED 디스플레이 스크린의 기술적 특징을 종합하였으며, 그 디스플레이 매커니즘은 LED의 구조설계를 박형화, 마이크로화, 어레이화시킨 다음 Micro LED를 최초의 성장기판으로부터 전기 회로 기판으로 전사시키는 것이며, 현재 Micro LED 기술 발전에 있어서 어려운 점 중 하나가 바로 Micro LED의 전사 과정이다.Among them, Micro LED display screen combines the technical characteristics of TFT-LCD and LED display screen, and the display mechanism makes the structural design of LED thin, microscopic, and arrayed, and then Micro LED is transferred from the first growth substrate to an electric circuit board. One of the difficulties in the development of the current Micro LED technology is the transfer process of Micro LED.

본 발명에서 주로 해결하고자 하는 기술적 과제는, 마이크로 발광 소자의 전사 효율을 향상시킬 수 있는 마이크로 발광 소자 및 그 전사 시스템, 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be mainly solved by the present invention is to provide a micro light emitting device capable of improving the transfer efficiency of the micro light emitting device, a transfer system thereof, and a display device.

상술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 발명에서 적용하는 하나의 기술방안은 마이크로 발광 소자를 제공하는 것이며, 해당 마이크로 발광 소자는 발광 본체; 및 발광 본체의 일측에 고정되고 발광 본체에 연결되는 제1 전극 어셈블리를 포함하며, 마이크로 발광 소자의 중심은 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접한다.In order to solve the above technical problem, one technical solution applied in the present invention is to provide a micro light emitting device, the micro light emitting device includes a light emitting body; and a first electrode assembly fixed to one side of the light emitting body and connected to the light emitting body, wherein the center of the micro light emitting device is close to one end having the first electrode assembly.

상술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 발명에서 적용하는 또 하나의 기술방안은 마이크로 발광 소자의 전사 시스템을 제공하는 것이며, 해당 전사 시스템은 일측 표면에 어레이 배열되는 픽셀 그루브가 마련되는 구동기판, 및 픽셀 그루브들과 대응되는 복수의 가이드 관통홀이 마련되는 그물판을 포함하고, 상기 가이드 관통홀은 마이크로 발광 소자가 구동기판 상의 픽셀 그루브에 삽입되도록 가이드하고, 해당 마이크로 발광 소자는 발광 본체 및 발광 본체의 일측에 고정되고 발광 본체에 연결되는 제1 전극 어셈블리를 포함하며, 마이크로 발광 소자의 중심은 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접한다.In order to solve the above technical problem, another technical solution applied in the present invention is to provide a transfer system for a micro light emitting device, the transfer system comprising: a driving substrate having pixel grooves arranged in an array on one surface thereof; and a mesh plate provided with a plurality of guide through-holes corresponding to the pixel grooves, wherein the guide through-holes guide the micro light emitting device to be inserted into the pixel groove on the driving substrate, and the micro light emitting device includes the light emitting body and the light emitting body It includes a first electrode assembly fixed to one side and connected to the light emitting body, and the center of the micro light emitting device is close to one end having the first electrode assembly.

상술한 기술적 문제를 해결하기 위해, 본 발명에서 적용하는 또 하나의 기술방안은 디스플레이 장치를 제공하는 것이며, 해당 디스플레이 장치는 일측면에는 어레이 배열되는 픽셀 그루브가 마련되고, 픽셀 그루브 내에는 접촉 전극이 마련되는 구동기판을 포함하고, 해당 마이크로 발광 소자는 발광 본체 및 발광 본체의 일측에 고정되고 발광 본체에 연결되는 제1 전극 어셈블리를 포함하며, 마이크로 발광 소자의 중심은 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하며, 해당 마이크로 발광 소자는 픽셀 그루브 내에 삽입되고, 마이크로 발광 소자의 제1 전극 어셈블리와 접촉 전극은 커플링된다.In order to solve the above technical problem, another technical solution applied in the present invention is to provide a display device, in which a pixel groove arranged in an array is provided on one side of the display device, and a contact electrode is provided in the pixel groove. a driving substrate provided, wherein the micro light emitting device includes a light emitting body and a first electrode assembly fixed to one side of the light emitting body and connected to the light emitting body, the center of the micro light emitting device having one end having the first electrode assembly and the micro light emitting device is inserted into the pixel groove, and the first electrode assembly of the micro light emitting device and the contact electrode are coupled.

본 발명에서는 마이크로 발광 소자를 제공하며, 해당 마이크로 발광 소자는 발광 본체 및 발광 본체의 일측에 고정되는 제1 전극 어셈블리를 포함하고, 제1 전극 어셈블리는 발광 본체에 연결된다. 여기서, 마이크로 발광 소자의 중심은 해당 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하여, 마이크로 발광 소자로 하여금 유체 조립 과정에서 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단을 아래로 향하도록 운동시킴으로써, 마이크로 발광 소자가 그 수용되는 기판에 정확하게 장착되도록 하며, 따라서 관련 기술에 있어 정확하게 장착되지 못한 마이크로 발광 소자를 제거 및/또는 조정하는 과정을 감소하여 마이크로 발광 소자의 전사 효율을 향상시킨다.The present invention provides a micro light emitting device, wherein the micro light emitting device includes a light emitting body and a first electrode assembly fixed to one side of the light emitting body, and the first electrode assembly is connected to the light emitting body. Here, the center of the micro light emitting device is close to one end having the corresponding first electrode assembly, and the micro light emitting device is moved so that the one end having the first electrode assembly is directed downward in the fluid assembly process. It allows to be accurately mounted on the substrate on which it is accommodated, thus reducing the process of removing and/or adjusting the micro light emitting device that is not correctly mounted in the related art, thereby improving the transfer efficiency of the micro light emitting device.

도 1은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 제 1 실시예의 구조 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 안정 캡의 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 제 2 실시예의 구조 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따른 제2 전극의 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 5는 본 발명에 따른 제2 전극의 다른 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 6은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 제 3 실시예의 구조 개략도이다.
도 7은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 제 4 실시예의 구조 개략도이다.
도 8은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 전사 시스템의 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 9는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 일 실시예의 구조 개략도이다.
도 10은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 전사 과정의 일 실시예의 구조 개략도이다.
1 is a structural schematic diagram of a first embodiment of a micro light emitting device according to the present invention.
2 is a structural schematic diagram of an embodiment of a safety cap according to the present invention;
3 is a structural schematic diagram of a second embodiment of a micro light emitting device according to the present invention.
4 is a structural schematic diagram of an embodiment of a second electrode according to the present invention.
5 is a structural schematic diagram of another embodiment of a second electrode according to the present invention.
6 is a structural schematic diagram of a third embodiment of a micro light emitting device according to the present invention.
7 is a structural schematic diagram of a fourth embodiment of a micro light emitting device according to the present invention.
8 is a structural schematic diagram of an embodiment of a transfer system of a micro light emitting device according to the present invention.
9 is a structural schematic diagram of an embodiment of a display device according to the present invention.
10 is a structural schematic diagram of an embodiment of a transfer process of a micro light emitting device according to the present invention.

아래에 본 발명의 실시예의 도면을 결합하여 본 발명의 실시예 중의 과제 해결 수단을 명확하고 완전하게 설명한다.In conjunction with the drawings of the embodiments of the present invention, the means for solving the problems in the embodiments of the present invention will be clearly and completely explained below.

관련 기술에 있어 마이크로 발광 소자의 전사 효율이 낮은 기술적 과제를 해결하기 위해 본 발명의 일 실시예는 마이크로 발광 소자를 제공한다. 해당 마이크로 발광 소자는 발광 본체 및 발광 본체의 일측에 고정되는 제1 전극 어셈블리를 포함하고, 제1 전극 어셈블리는 발광 본체에 연결된다. 여기서, 마이크로 발광 소자의 중심은 해당 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접한다. 이하 상세하게 설명하도록 한다.In order to solve the technical problem that the transfer efficiency of the micro light emitting device is low in the related art, an embodiment of the present invention provides a micro light emitting device. The micro light emitting device includes a light emitting body and a first electrode assembly fixed to one side of the light emitting body, and the first electrode assembly is connected to the light emitting body. Here, the center of the micro light emitting device is close to one end provided with the first electrode assembly. It will be described in detail below.

Micro LED 디스플레이는 하나의 기판 위에 집적된 고밀도 마이크로 사이즈의 LED어레이를 디스플레이 픽셀로 사용하여 이미지 디스플레이를 구현하는 디스플레이이며, 각 픽셀을 어드레싱하고 개별적으로 구동하여 점등시킬 수 있고, 픽셀 간격을 밀리미터급에서 마이크로미터급으로 줄였으며, Micro LED 디스플레이는 유기발광다이오드 디스플레이와 마찬가지로 자체 발광 디스플레이에 속한다.Micro LED display is a display that implements image display by using a high-density micro-sized LED array integrated on a single substrate as a display pixel. Reduced to micrometer level, Micro LED display belongs to self-luminous display like organic light emitting diode display.

마이크로 전사 방법은 현재 Micro LED 디스플레이를 제조하는 주류 방법이고, 구체적인 제조 과정은 아래와 같다. 먼저 사파이어 기판에 Micro LED를 성장시킨 후, 레이저 박리 기술에 의해 Micro LED를 사파이어 기판으로부터 분리하고, 다음 Micro LED를 사파이어 기판으로부터 수용 기판의 미리 남겨둔 위치로 전사시킴으로써, Micro LED를 수용 기판에 전사시키는 작업을 완료하며, 이로써 Micro LED 디스플레이를 제조한다.The micro transfer method is currently the mainstream method for manufacturing Micro LED displays, and the specific manufacturing process is as follows. First, the Micro LED is grown on the sapphire substrate, the Micro LED is separated from the sapphire substrate by laser exfoliation technology, and then the Micro LED is transferred from the sapphire substrate to the previously left position of the receiving substrate, thereby transferring the Micro LED to the receiving substrate. It completes the work, thereby manufacturing the Micro LED display.

Micro LED는 사이즈가 작고 전사량이 너무 많으므로 Micro LED의 전사기술의 작업을 크게 제한하고 있다. 유체 조립 기반 마이크로 전사 기술에 있어서, 유체를 이용하여 Micro LED의 대량 전사를 구현한다. 구체적으로, 수용 기판에는 Micro LED를 장착하기 위한 그루브가 마련되고, Micro LED를 갖는 현탁액이 수용 기판 위를 흘러지날 때 일부 Micro LED는 그루브에 정확하게 떨어뜨려지며, 즉 해당 부분 Micro LED의 전사를 완료한다.Because Micro LED is small in size and transfer amount is too large, the work of Micro LED's transfer technology is greatly limited. In the fluid assembly-based micro transfer technology, mass transfer of micro LEDs is implemented using a fluid. Specifically, the receiving substrate is provided with a groove for mounting the Micro LED, and when the suspension with the Micro LED flows over the receiving substrate, some Micro LEDs are accurately dropped into the groove, that is, the transfer of the corresponding partial Micro LED is completed. do.

그러나, 유체 조립을 이용하여 Micro LED의 대량 전사를 수행하면 Micro LED의 분포가 너무 무질서하고 무작위적이며, 따라서 수용 기판에 존재하는 대량의 공백 영역을 메워야 하므로 시간과 에너지를 낭비하게 된다. 또한, 유체 조립 과정에서 Micro LED의 운동 자세는 무작위적이고 변화가 많으며, 따라서 Micro LED가 수용 기판에 도달한 후 접수 기판과 정확한 장착을 구현할 수 없고, 별도의 공정으로 정확하게 장착되지 못한 마이크로 소자를 제거/조정해야 하므로, Micro LED의 대량 전사의 공정을 증가시키고, Micro LED 디스플레이의 제조 비용이 증가하며 Micro LED의 전사 효율이 낮다.However, when mass transfer of Micro LEDs is performed using fluid assembly, the distribution of Micro LEDs is too disordered and random, and thus a large amount of blank areas existing in the receiving substrate must be filled, thereby wasting time and energy. In addition, the movement posture of the Micro LED during the fluid assembly process is random and has many changes, so it is impossible to implement accurate mounting with the receiving substrate after the Micro LED reaches the receiving substrate, and a separate process removes the micro device that is not correctly mounted. Because of /adjustment, the process of mass transfer of Micro LED is increased, the manufacturing cost of Micro LED display is increased, and the transfer efficiency of Micro LED is low.

이러한 문제점들을 고려하여, 본 발명에 따른 일 실시예는 관련기술에 있어서 상술한 Micro LED를 포함하는 마이크로 소자의 전사효율이 낮은 기술적 과제를 해결할 수 있는 마이크로 발광 소자를 제공한다.In consideration of these problems, an embodiment according to the present invention provides a micro light emitting device capable of solving the technical problem of low transfer efficiency of the micro device including the micro LED described above in the related art.

도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 제 1 실시예의 구조 개략도이다.Referring to FIG. 1, FIG. 1 is a structural schematic diagram of a first embodiment of a micro light emitting device according to the present invention.

일 실시예에 있어서, 마이크로 발광 소자(1)는 발광 본체(11) 및 제1 전극 어셈블리(12)를 포함한다. 발광 본체(11)는 마이크로 발광 소자(1)의 발광 구성으로서 자극을 받아 전자의 변이를 발생시켜 발광을 구현할 수 있다. 제1 전극 어셈블리(12)는 발광 본체(11)의 일측에 고정되며 발광 본체(11)와 연결된다. 여기서, 마이크로 발광 소자(1)의 중심은 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단에 근접한다.In one embodiment, the micro light emitting device 1 includes a light emitting body 11 and a first electrode assembly 12 . The light emitting body 11 is a light emitting configuration of the micro light emitting device 1, and may be stimulated to generate electrons to emit light. The first electrode assembly 12 is fixed to one side of the light emitting body 11 and is connected to the light emitting body 11 . Here, the center of the micro light emitting device 1 is close to one end having the first electrode assembly 12 .

마이크로 발광 소자(1)의 중심이 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단에 근접하므로, 유체 조립 과정에서 마이크로 발광 소자(1)는 위로부터 아래로 운동하며, 마이크로 발광 소자(1)가 정확한 운동 자세로 교정되기 전에, 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단은 자체 중력과 유체 작용력의 공동 작용에 의해 가속도가 마이크로 발광 소자(1)의 타단보다 크므로, 마이크로 발광 소자(1)의 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단의 운동속도가 마이크로 발광 소자(1)의 타단보다 크며, 따라서 마이크로 발광 소자(1)의 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단이 아래로 수용 기판 상의 대응하는 위치로 운동할 때까지 마이크로 발광 소자(1)의 운동 자세를 교정한다. 수용 기판에는 제1 전극 어셈블리(12)와 대응 연결되는 전극이 설치되고, 마이크로 발광 소자(1)의 제1 전극 어셈블리(12)와 접촉되어야만 정확한 장착 방식이다. 따라서, 본 실시예의 마이크로 발광 소자(1)는 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단이 항상 아래로 향하도록 보장함으로써, 마이크로 발광 소자(1)가 수용 기판에 정확하게 장착되도록 보장할 수 있다.Since the center of the micro light emitting device 1 is close to one end having the first electrode assembly 12, the micro light emitting device 1 moves from top to bottom in the fluid assembly process, and the micro light emitting device 1 is accurately Before being corrected to the movement posture, the acceleration of one end having the first electrode assembly 12 is greater than that of the other end of the micro light emitting element 1 by the joint action of its own gravity and fluid action force. The movement speed of one end including the first electrode assembly 12 is greater than the other end of the micro light emitting device 1 , so that one end of the micro light emitting device 1 including the first electrode assembly 12 is downwardly accommodating substrate The movement posture of the micro light emitting element 1 is corrected until it moves to the corresponding position of the image. An electrode corresponding to the first electrode assembly 12 is installed on the receiving substrate, and must be in contact with the first electrode assembly 12 of the micro light emitting device 1 for an accurate mounting method. Accordingly, the micro light emitting device 1 of the present embodiment ensures that one end having the first electrode assembly 12 always faces downward, thereby ensuring that the micro light emitting device 1 is accurately mounted on the receiving substrate.

본 실시예에서 설명되는 마이크로 발광 소자(1)는 유체 조립 과정에서 정확한 운동 자세를 유지할 수 있고, 나아가 마이크로 발광 소자(1)가 수용 기판에 정확하게 장착되도록 보장하며, 정확하게 장착되지 못한 마이크로 발광 소자(1)를 제거 및/또는 조정하는 과정을 감소시킴으로써, 마이크로 발광 소자(1)의 전사 효율을 향상시키고 디스플레이의 제조 공정 및 비용을 감소시킨다.The micro light emitting device 1 described in this embodiment can maintain an accurate movement posture during the fluid assembly process, and further ensures that the micro light emitting device 1 is accurately mounted on the receiving substrate, and the micro light emitting device that is not correctly mounted ( By reducing the process of removing and/or adjusting 1), the transfer efficiency of the micro light emitting device 1 is improved and the manufacturing process and cost of the display are reduced.

나아가, 마이크로 발광 소자(1)는 평형추(balancing weight)(13)를 더 포함한다. 평형추(13)는 제1 전극 어셈블리(12)의 측면 중 발광 본체(11)로부터 멀리 있는 일측에 고정된다. 마이크로 발광 소자(1)의 중심이 마이크로 발광 소자(1)의 평형추(13)를 구비하는 일단에 근접하도록, 즉 그 중심이 마이크로 발광 소자(1)의 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단에 근접하도록, 평형추(13)의 밀도는 마이크로 발광 소자(1)의 다른 부분보다 높게 형성되고, 바람직하게는 평형추(13)의 밀도는 마이크로 발광 소자(1)의 다른 부분보다 훨씬 더 높게 형성된다. 유체 환경에 있는 마이크로 발광 소자(1)는 하강 과정에서 마이크로 발광 소자(1)의 평형추(13)를 구비하는 일단이 아래로 운동함으로써 수용 기판 상에 정확하게 장착된다.Furthermore, the micro light emitting device 1 further includes a balancing weight 13 . The counterweight 13 is fixed to one side of the first electrode assembly 12 that is far from the light emitting body 11 . The center of the micro light emitting device 1 is close to one end having the counterweight 13 of the micro light emitting device 1, that is, the center is provided with the first electrode assembly 12 of the micro light emitting device 1 Close to one end, the density of the counterweight 13 is formed to be higher than other parts of the micro light emitting device 1, preferably, the density of the counter weight 13 is much higher than the other parts of the micro light emitting device 1 formed high. The micro light emitting device 1 in the fluid environment is accurately mounted on the receiving substrate by moving one end having the counterweight 13 of the micro light emitting device 1 downward in the descending process.

바람직하게는, 평형추(13)는 금, 은, 동, 텅스텐 등 밀도가 크고 양호한 전기전도 성능을 구비한 금속일 수 있고, 상술한 재료 중의 하나 또는 여러 조합일 수 있다.Preferably, the counterweight 13 may be a metal having a high density and good electrical conductivity, such as gold, silver, copper, tungsten, etc., and may be one or several combinations of the above-mentioned materials.

나아가 마이크로 발광 소자(1)의 운동 과정에서의 운동 자세를 보장하기 위해, 마이크로 발광 소자(1)는 제2 전극 어셈블리(14) 및 안정 캡(15)을 포함한다. 제2 전극 어셈블리(14)는 발광 본체(11)의 측면 중 제1 전극 어셈블리(12)로부터 멀리 있는 일측에 고정되며, 발광 본체(11)에 연결된다. 안정 캡(15)은 제2 전극 어셈블리(14)의 측면 중 제1 전극 어셈블리(12)로부터 멀리 있는 일측에 고정된다.Furthermore, in order to ensure the movement posture during the movement of the micro light emitting device 1 , the micro light emitting device 1 includes a second electrode assembly 14 and a stabilizing cap 15 . The second electrode assembly 14 is fixed to one side of the side surface of the light emitting body 11 that is far from the first electrode assembly 12 , and is connected to the light emitting body 11 . The stability cap 15 is fixed to one side of the second electrode assembly 14 that is far from the first electrode assembly 12 .

나아가 마이크로 발광 소자(1)의 중심이 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단에 근접하도록, 마이크로 발광 소자(1)의 안정 캡(15)을 구비하는 일단의 밀도는 마이크로 발광 소자(1)의 다른 부분보다 낮게 형성된다. 이는 구체적으로, 안정 캡(15)의 밀도를 마이크로 발광 소자(11)의 다른 부분보다 낮게 형성하여, 마이크로 발광 소자(1)의 중심이 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단에 근접되도록 함으로써, 상술한 마이크로 발광 소자(1)의 중심이 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단에 근접하는 구조를 형성해도 좋다.Further, the density of one end having the stability cap 15 of the micro light emitting device 1 is such that the center of the micro light emitting device 1 is close to the one end having the first electrode assembly 12 . is formed lower than the other parts of Specifically, this is achieved by forming the density of the stability cap 15 to be lower than that of the other portions of the micro light emitting device 11 so that the center of the micro light emitting device 1 is close to one end having the first electrode assembly 12 . , a structure may be formed in which the center of the above-described micro light emitting device 1 approaches one end including the first electrode assembly 12 .

바람직하게는, 안정 캡(15)의 재질은 유기 중합체 재료일 수 있으며, 예를 들어, 포토레지스트일 수 있고, 바람직하게는 비닐계 모노머, 퀴논다이지드계를 포함하는 화합물(nitrine quinone compound) 및 폴리비닐 라우레이트 등일 수 있으며, 또는 안정 캡(15)의 재질은 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA) 등일 수 있다. 안정 캡(15)의 밀도는 낮게 형성되어, 안정 캡(15)의 밀도가 마이크로 발광 소자(1)의 다른 부분의 밀도보다 낮도록 함으로써, 마이크로 발광 소자(1)의 중심이 평형추(13)를 구비하는 일단에 근접하도록 한다.Preferably, the material of the stability cap 15 may be an organic polymer material, for example, a photoresist, preferably a vinyl-based monomer, a nitrine quinone compound containing a quinone dide-based compound, and It may be polyvinyl laurate or the like, or the material of the stability cap 15 may be polymethyl methacrylate (PMMA) or the like. The density of the stability cap 15 is formed low, so that the density of the stability cap 15 is lower than the density of other parts of the micro light emitting device 1, so that the center of the micro light emitting device 1 is a counterweight 13 to be close to one end having

도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명에 따른 안정 캡의 일 실시예의 구조 개략도이다.Referring to FIG. 2 , FIG. 2 is a structural schematic diagram of an embodiment of a safety cap according to the present invention.

대안적인 실시예에 있어서, 안정 캡(21)은 중공의 통 형상 구조이며 상하 관통되었다. 제2 전극 어셈블리(22)의 측면 중 발광 본체로부터 멀리 있는 일단은 안정 캡(21) 중에 설치되며, 안정 캡(21)의 내부와 외부가 연통되도록, 안정 캡(21)의 측면 중 제2 전극 어셈블리(22)로부터 멀리 있는 단부는 개구된다. 또한, 액체 속에서 안정 캡(21) 내부에 쉽게 기포가 형성되도록, 안정 캡(21)의 표면은 특수한 표면 처리를 거치며, 기체의 밀도는 액체의 밀도보다 많이 낮으므로 상술한 방식에 의해 안정 캡(21) 내에 기포(23)가 형성된 후, 기포(23)가 있는 안정 캡(21)의 일단의 밀도는 대폭 감소하고, 나아가 마이크로 발광 소자가 유체 조립 과정에서 정확한 운동 자세를 유지하도록 보장한다. 또한, 마이크로 발광 소자의 유체 조립을 만족시키는 조립 액체의 선택 범위가 한정되어 있기 때문에, 상술한 안정 캡(21)의 구조는 바람직한 하강속도 및 안정적인 하강자세를 얻는데 유리하다.In an alternative embodiment, the stabilization cap 21 is a hollow, cylindrical structure and is perforated up and down. One end of the side surface of the second electrode assembly 22 that is far from the light emitting body is installed in the stability cap 21 , and the second electrode of the side surface of the stability cap 21 is communicated with the inside and the outside of the stability cap 21 . The end distal from the assembly 22 is open. In addition, the surface of the stability cap 21 is subjected to a special surface treatment so that bubbles are easily formed inside the stability cap 21 in the liquid, and the density of the gas is much lower than the density of the liquid. After the bubble 23 is formed in the bubble 23, the density of one end of the stability cap 21 with the bubble 23 is greatly reduced, further ensuring that the micro light emitting device maintains an accurate movement posture during the fluid assembly process. In addition, since the selection range of the assembling liquid that satisfies the fluid assembly of the micro light emitting device is limited, the structure of the above-described stability cap 21 is advantageous in obtaining a desirable descending speed and a stable descending posture.

마이크로 발광 소자 상의 평형추(13)의 밀도는 높지만 안정 캡(15)의 밀도는 낮으며, 유체 중에서 위로부터 아래로 운동할 때, 부력과 중력이 공동으로 작용하여 마이크로 발광 소자의 운동 자세를 안정적으로 하는데 유리하며, 따라서 정확한 운동 자세로 수용 기판 상에 장착된다. 제1 전극 어셈블리(12)가 아래로 향하여 수용 기판 상의 대응하는 전극과 연결되어, 마이크로 발광 소자와 수용 기판 상의 픽셀 구동회로의 전기적 연결을 구현하도록, 마이크로 발광 소자의 평형추(130)는 제1 전극 어셈블리(12)를 구비하는 일단에 설치된다. 본 실시예에서 설명되는 마이크로 발광 소자의 구조는 또한 마이크로 발광 소자의 대량 전사를 수행할 경우, 각각의 마이크로 발광 소자는 모두 정확한 운동 자세로 안정될 수 있으므로, 각각의 마이크로 발광 소자에 있어 모두 제1 전극 어셈블리(12)가 아래로 향하여 수용 기판에 연결되도록 할 수 있으며, 따라서 일부 마이크로 발광 소자에 있어 제1 전극 어셈블리(12)가 수용 기판에 아래로 향하여 연결되지 않는 경우를 방지하는데 유리하다.The density of the counterweight 13 on the micro light emitting device is high, but the density of the stability cap 15 is low, and when moving from top to bottom in the fluid, buoyancy and gravity act jointly to stabilize the movement posture of the micro light emitting device. It is advantageous to do this, and therefore it is mounted on the receiving substrate with an accurate movement posture. The counterweight 130 of the micro light emitting device is configured such that the first electrode assembly 12 faces downward and is connected to a corresponding electrode on the receiving substrate to realize electrical connection between the micro light emitting device and the pixel driving circuit on the receiving substrate. It is installed at one end provided with the electrode assembly 12 . The structure of the micro light emitting device described in this embodiment also has the first micro light emitting device in each micro light emitting device, since when mass transfer of the micro light emitting device is performed, each micro light emitting device can all be stabilized in an accurate movement posture. The electrode assembly 12 can be connected to the receiving substrate in a downward direction, and thus, in some micro light emitting devices, it is advantageous to prevent the case where the first electrode assembly 12 is not connected to the receiving substrate in a downward direction.

나아가, 제1 전극 어셈블리(12)는 제1 전극(121) 및 제1 반도체(122)를 포함하고, 제1 전극(121)과 발광 본체(11) 사이에는 제1 반도체(122)가 연결되며, 제1 전극(121)의 측면 중 제1 반도체(122)로부터 멀리 있는 일단은 평형추(13)와 연결된다. 제2 전극 어셈블리(14)는 제2 전극(141) 및 제2 반도체(142)를 포함하고, 제2 전극(141)과 발광 본체(11) 사이에는 제2 반도체(142)가 연결된다. 제1 전극 어셈블리(12), 제2 전극 어셈블리(14)는 각각 발광 본체를 구동하여 발광을 구현하는 양극 구성, 음극 구성이다.Furthermore, the first electrode assembly 12 includes a first electrode 121 and a first semiconductor 122 , and the first semiconductor 122 is connected between the first electrode 121 and the light emitting body 11 , , one end far from the first semiconductor 122 among the side surfaces of the first electrode 121 is connected to the counterweight 13 . The second electrode assembly 14 includes a second electrode 141 and a second semiconductor 142 , and the second semiconductor 142 is connected between the second electrode 141 and the light emitting body 11 . The first electrode assembly 12 and the second electrode assembly 14 have an anode configuration and a cathode configuration for realizing light emission by driving a light emitting body, respectively.

선택적으로, 제1 반도체(122)는 P형 반도체일 수 있고, 즉 정공타입 반도체일 수 있다. 제1 반도체(122)는 정공 농도가 자유전자 농도보다 훨씬 큰 불순물 반도체이다. 대응하게, 제1 전극(121)은 P 전극일 수 있다. 제2 반도체(142)는 N형 반도체일 수 있고, 즉 전자형 반도체일 수 있다. 제2 반도체(142)는 자유전자 농도가 정공 농도보다 훨씬 큰 불순물 반도체이다. 대응하게, 제2 전극(141)은 N 전극일 수 있다.Optionally, the first semiconductor 122 may be a P-type semiconductor, that is, a hole-type semiconductor. The first semiconductor 122 is an impurity semiconductor having a hole concentration much greater than a free electron concentration. Correspondingly, the first electrode 121 may be a P electrode. The second semiconductor 142 may be an N-type semiconductor, that is, an electronic semiconductor. The second semiconductor 142 is an impurity semiconductor in which the free electron concentration is much greater than the hole concentration. Correspondingly, the second electrode 141 may be an N electrode.

도 3을 참조하면, 도 3은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 제 2 실시예의 구조 개략도이다.Referring to FIG. 3, FIG. 3 is a structural schematic diagram of a second embodiment of a micro light emitting device according to the present invention.

대안적인 실시예에 있어서, 마이크로 발광 소자 상의 제1 전극 어셈블리와 제2 전극 어셈블리의 위치는 호환 가능하다. 다시 말하면, 마이크로 발광 소자(3)의 평형추(33)는 마이크로 발광 소자(3)의 제2 전극 어셈블리(32)를 구비하는 일단에 설치될 수 있고, 반대로 안정 캡(34)은 마이크로 발광 소자(3)의 제1 전극 어셈블리(31)를 구비하는 일단에 설치될 수 있다. 대응하여, 마이크로 발광 소자(3)의 중심은 마이크로 발광 소자의 제2 전극 어셈블리(32)를 구비하는 일단에 근접한다. 유체 조립을 수행할 때, 마이크로 발광 소자(3)의 제2 전극 어셈블리(32)는 아래로 향하여 수용 기판에 연결된다.In an alternative embodiment, the positions of the first electrode assembly and the second electrode assembly on the micro light emitting device are interchangeable. In other words, the counterweight 33 of the micro light emitting device 3 may be installed at one end including the second electrode assembly 32 of the micro light emitting device 3 , and on the contrary, the stability cap 34 is the micro light emitting device 3 . It may be installed at one end provided with the first electrode assembly 31 of (3). Correspondingly, the center of the micro light emitting device 3 is close to one end having the second electrode assembly 32 of the micro light emitting device. When performing the fluid assembly, the second electrode assembly 32 of the micro light emitting device 3 faces down and is connected to the receiving substrate.

만약 마이크로 발광 소자(3) 상의 제1 전극 어셈블리(31)와 제2 전극 어셈블리(32)의 위치가 호환되면, 수용 기판 상의 마이크로 발광 소자(3)의 전극도 대응되게 변경하여야 한다. 다시 말하면, 수용 기판 상의 마이크로 발광 소자(3)와 연결되기 위한 전극과 제1 전극 어셈블리(31)/제2 전극 어셈블리(32)는 대응된다. 대응되는 전극을 이용하여 상응한 전극 어셈블리와 전기적 연결 관계를 구축해야 한다.If the positions of the first electrode assembly 31 and the second electrode assembly 32 on the micro light emitting device 3 are compatible, the electrode of the micro light emitting device 3 on the receiving substrate must be changed correspondingly. In other words, the electrode to be connected to the micro light emitting device 3 on the receiving substrate and the first electrode assembly 31/second electrode assembly 32 correspond to each other. By using the corresponding electrode, an electrical connection relationship with the corresponding electrode assembly must be established.

또한, 마이크로 발광 소자(3)의 안정 캡(34)이 있는 일단의 전극 어셈블리 중의 전극은 마이크로 발광 소자(3)의 전사를 완료한 후 다시 제조될 수 있다. 예를 들어, 상술한 실시예에 있어서, 안정 캡(34)은 마이크로 발광 소자(3)의 제1 전극 어셈블리(31)를 구비하는 일단에 설치되므로, 제1 전극 어셈블리(31) 중의 제1 전극(311)은 마이크로 발광 소자(3)의 전사를 완료한 후 다시 제조될 수 있다.In addition, the electrode in one end of the electrode assembly with the stability cap 34 of the micro light emitting device 3 may be manufactured again after the transfer of the micro light emitting device 3 is completed. For example, in the above-described embodiment, the stability cap 34 is installed at one end provided with the first electrode assembly 31 of the micro light emitting element 3 , and thus the first electrode in the first electrode assembly 31 . 311 may be manufactured again after the transfer of the micro light emitting device 3 is completed.

계속하여 도 1을 참조한다. 제1 반도체(122), 제2 반도체(142)는 통상적으로 투명한 구조이므로 발광 본체(11)의 광원의 출력을 차단하지 않는다. 그러나 마이크로 발광 소자(1)의 제1 전극 어셈블리(12)와 수용 기판이 도킹되므로 제2 전극 어셈블리(14)는 발광본체(11)의 광원의 출력에 영향을 주지 말아야 한다. 이는 제2 전극(141)이 발광본체(11)에 대한 광원의 출력에 대한 차단을 최대한 감소해야 하는 것을 의미한다.Continuing to refer to FIG. 1 . Since the first semiconductor 122 and the second semiconductor 142 are typically transparent, the output of the light source of the light emitting body 11 is not blocked. However, since the first electrode assembly 12 and the receiving substrate of the micro light emitting device 1 are docked, the second electrode assembly 14 should not affect the output of the light source of the light emitting body 11 . This means that the second electrode 141 should reduce the blocking of the output of the light source to the light emitting body 11 as much as possible.

선택적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 전극(41)은 하나의 원형 전극일 수 있고, 제2 전극은 투명한 구조로서 제2 전극이 발광 본체(42)의 광원의 출력에 대한 차단 정도를 최대한 낮추도록 한다. 혹은, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 전극(51)은 고리형 구조일 수 있으며, 표면적이 원형 구조보다 작아 제2 전극(51)이 발광 본체(52)의 광원의 출력에 대한 차단 정도를 최대한 낮춘다.Optionally, as shown in FIG. 4 , the second electrode 41 may be a single circular electrode, and the second electrode has a transparent structure, and the degree of blocking of the second electrode with respect to the output of the light source of the light emitting body 42 . to be lowered as much as possible. Alternatively, as shown in FIG. 5 , the second electrode 51 may have a ring-shaped structure, and the second electrode 51 has a smaller surface area than the circular structure, so that the second electrode 51 blocks the output of the light source of the light emitting body 52 . lower it as much as possible.

제2 전극(141)은 N 전극으로서 N 전극의 전류확산 능력이 우수하므로, 고리형 전극 구조를 적용하도록 허용할 수 있다. 그러나, 마이크로 발광 소자(1)의 제2 전극 어셈블리(14)와 수용 기판이 도킹되어 제1 전극 어셈블리(12)가 발광 본체(11)의 광원의 출력에 영향을 주지 말아야 할 경우, 제1 전극(121)은 P 전극으로서 P 전극의 전류확산 능력이 낮으므로, 바람직하게는 원형 전극 구조를 적용한다.Since the second electrode 141 is an N electrode and has excellent current spreading ability of the N electrode, it is possible to allow a ring-shaped electrode structure to be applied. However, when the second electrode assembly 14 of the micro light emitting device 1 and the receiving substrate are docked so that the first electrode assembly 12 does not affect the output of the light source of the light emitting body 11 , the first electrode Reference numeral 121 is a P electrode, and since the current spreading ability of the P electrode is low, a circular electrode structure is preferably applied.

나아가, 마이크로 발광 소자(1)는 용접 전극(16)을 더 포함하고, 용접 전극(16)은 평형추(13)의 측면 중 제1 전극 어셈블리(12)로부터 멀리 있는 일측에 고정된다. 용접 전극(16)은 마이크로 발광 소자(1)와 수용 기판 사이의 전기적 연결 매개체로 작용한다. 마이크로 발광 소자(1)의 전류 경로를 구현하기 위해, 용접 전극(16)에 연결되는 평형추(13) 역시 전기적 신호를 전달하는데 사용될 수 있는 전기 전도체여야 한다. 마이크로 발광 소자(1)의 측벽에는 절연 보호층(17)이 마련되고, 절연 보호층(17)은 마이크로 발광 소자(1)의 측벽에 코팅되어, 마이크로 발광 소자(1)의 측벽의 누전을 방지하고 마이크로 발광 소자(1)의 내부 구조의 안정을 유지시키며, 외부 환경의 영향을 받지 않도록 하기 위한 것이다.Furthermore, the micro light emitting device 1 further includes a welding electrode 16 , and the welding electrode 16 is fixed to one side of the counterweight 13 that is far from the first electrode assembly 12 . The welding electrode 16 acts as an electrical connection medium between the micro light emitting element 1 and the receiving substrate. In order to implement the current path of the micro light emitting device 1, the counterweight 13 connected to the welding electrode 16 must also be an electrical conductor that can be used to transmit an electrical signal. An insulating protective layer 17 is provided on the sidewall of the micro light emitting device 1 , and the insulating protective layer 17 is coated on the side wall of the micro light emitting device 1 to prevent leakage of the sidewall of the micro light emitting device 1 . and to maintain the stability of the internal structure of the micro light emitting device 1, and not to be affected by the external environment.

도 6-7을 참조한다. 선택적으로, 마이크로 발광 소자(1)는 원기둥체 또는 원뿔대 등일 수 있고, 제1 전극 어셈블리(12) 및 제2 전극 어셈블리(14)는 각각 원기둥체 또는 원뿔대의 천정면 및 바닥면에 설치된다. 마이크로 발광 소자(1)가 정확한 운동 자세에 있는 상태에서 해당 원기둥체 또는 원뿔대의 화전 대칭축과 마이크로 발광 소자(1)의 운동방향은 중첩된다. 원기둥체 또는 원뿔대로 형성된 마이크로 발광 소자(1)는 운동 자세의 안정을 유지하는데 유리하다. 바람직하게는, 마이크로 발광 소자(1)의 두께 방향에서의 사이즈는 통상적으로 0.5~10μm의 범위에 있고, 평면 사이즈는 통상적으로 1~100 μm의 범위에 있다. 발명자는 상술한 사이즈를 가지는 마이크로 발광 소자(1)는 그 유체 조립 과정에서 바람직한 하강 속도 및 안정적인 하강 자세를 얻는데 유리하다는 것을 발견하였다.See Figures 6-7. Optionally, the micro light emitting device 1 may be a cylindrical body or a truncated cone, and the first electrode assembly 12 and the second electrode assembly 14 are respectively installed on the top and bottom surfaces of the cylindrical or truncated cone. In a state in which the micro light emitting element 1 is in the correct movement posture, the axis of symmetry of the cylinder or truncated cone and the direction of movement of the micro light emitting element 1 overlap. The micro light emitting device 1 formed as a cylinder or truncated cone is advantageous in maintaining the stability of the movement posture. Preferably, the size in the thickness direction of the micro light emitting element 1 is usually in the range of 0.5 to 10 μm, and the planar size is usually in the range of 1 to 100 μm. The inventors have found that the micro light-emitting device 1 having the above-described size is advantageous for obtaining a desirable descending speed and a stable descending posture during the fluid assembly process.

상술한 내용을 종합하면, 본 발명에서 제공되는 마이크로 발광 소자에 있어서, 마이크로 발광 소자의 중심은 해당 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하여, 마이크로 발광 소자로 하여금 유체 조립 과정에서 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단을 아래로 향하도록 운동시킴으로써, 마이크로 발광 소자가 그 수용되는 기판에 정확하게 장착되도록 하며, 따라서 정확하게 장착되지 못한 마이크로 발광 소자를 제거 및/또는 조정하는 과정을 감소하여 마이크로 발광 소자의 전사 효율을 향상시킨다.In summary, in the micro light emitting device provided in the present invention, the center of the micro light emitting device is close to one end having the first electrode assembly, so that the micro light emitting device causes the first electrode assembly in the fluid assembly process. By moving the one end having the , the micro light emitting device is accurately mounted on the substrate on which it is accommodated, thus reducing the process of removing and/or adjusting the micro light emitting device that is not correctly mounted, thereby transferring the micro light emitting device. improve efficiency.

도 8을 참조한다. 도 8은 본 발명에 따른 마이크로 발광 소자의 전사 시스템의 일 실시예의 구조 개략도이다.See FIG. 8 . 8 is a structural schematic diagram of an embodiment of a transfer system of a micro light emitting device according to the present invention.

일 실시예에 있어서, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템(6)은 구동 기판(61) 및 그물판(62)을 포함하고, 전사 시스템(6)이 마이크로 발광 소자의 유체 조립을 수행할 때 그물판(62)은 구동기판(61) 상에 설치된다. 구동 기판(61)의 일측면에는 어레이 배열되는 픽셀 그루브(611)가 마련된다. 그물판(62)에는 픽셀 그루브(611)들과 대응되는 여러개의 가이드 관통홀(621)이 마련되며, 가이드 관통홀(621)은 마이크로 발광 소자가 구동기판(61) 상의 픽셀 그루브(611)에 삽입되도록 가이드하기 위한 것이다.In one embodiment, the transfer system 6 of the micro light emitting device includes a driving substrate 61 and a mesh plate 62, and the mesh plate 62 when the transfer system 6 performs fluid assembly of the micro light emitting device. is installed on the driving substrate 61 . Pixel grooves 611 arranged in an array are provided on one side surface of the driving substrate 61 . A plurality of guide through-holes 621 corresponding to the pixel grooves 611 are provided in the mesh plate 62 , and the guide through-holes 621 are inserted into the pixel grooves 611 on the driving substrate 61 for the micro light emitting device. to guide you as much as possible.

유체 조립 과정에서 마이크로 발광 소자의 분포가 너무 무질서하고 무작위적인 점을 고려하여, 본 실시예에서는 그물판(62) 상의 가이드 관통홀(621)을 이용하여 마이크로 발광 소자가 구동기판(61) 상의 픽셀 그루브(611)에 삽입되도록 가이드하여 마이크로 발광 소자의 유체 조립 과정에서의 제어 가능성을 향상시킨다. 이로써, 전통적인 유체 조립에 존재하는 구동기판에 남겨진 마이크로 발광 소자가 장착되지 않은 대량의 공백 픽셀 그루브를 별도로 메워야 하는 기술적 문제를 방지하여, 마이크로 발광 소자의 대량 전사 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 실시예에서 설명되는 마이크로 발광 소자는 곧 상술한 실시예에서 설명되는 마이크로 발광 소자이고, 마이크로 발광 소자는 운동 자세를 안정시키는 특유의 구조를 갖고 있어, 그물판(62)의 가이드 작용에 의해 픽셀 그루브(611)에 정확하게 장착되어, 정확하게 장착되지 못한 마이크로 발광 소자(1)를 제거 및/또는 조정하는 과정을 감소함으로써, 나아가 마이크로 발광 소자(1)의 대량 전사 효율을 향상시킨다.Considering that the distribution of the micro light emitting devices is too disordered and random during the fluid assembly process, in this embodiment, the micro light emitting device is installed in the pixel groove on the driving substrate 61 using the guide through hole 621 on the mesh plate 62 . Guide to be inserted into 611 improves controllability in the fluid assembly process of the micro light emitting device. Accordingly, it is possible to prevent the technical problem of separately filling a large number of empty pixel grooves in which the micro light emitting device is not mounted, which is left on the driving substrate in the conventional fluid assembly, and thus it is possible to improve the mass transfer efficiency of the micro light emitting device. In addition, the micro light emitting device described in this embodiment is the micro light emitting device described in the above-described embodiment, and the micro light emitting device has a unique structure for stabilizing the movement posture, and is formed by the guiding action of the mesh plate 62 . By reducing the process of removing and/or adjusting the micro light emitting device 1 that is correctly mounted in the pixel groove 611 and is not correctly mounted, the mass transfer efficiency of the micro light emitting device 1 is further improved.

나아가, 그물판(62)은 상하 적층되는 가이드판(622)과 활동판(623)을 포함하고, 가이드 관통홀(621)은 제1 가이드 관통홀(6211)과 제2 가이드 관통홀(6212)을 포함한다. 가이드판(622)에는 제1 가이드 관통홀(6211)이 마련되고, 활동판(623)에는 제2 가이드 관통홀(6212)이 마련되며, 활동판(623)은 제2 가이드 관통홀(6212)과 제1 가이드 관통홀(6211)이 서로 연통되거나/어긋나도록 가이드판(622) 상에서 이동할 수 있다. 마이크로 발광 소자가 제1 가이드 관통홀(6211) 내에 떨어뜨려지는데 편리를 도모하도록, 제1 가이드 관통홀(6211)의 홀 직경은 활동판(623)에 근접한 일단으로부터 활동판(623)에서 멀어지는 방향으로 점차 증가하고, 제2 가이드 관통홀(6212)의 구멍과 구동기판(61) 상의 픽셀 그루브(611)의 노치의 형태, 사이즈는 서로 매칭되어, 마이크로 발광 소자로 하여금 제2 가이드 관통홀(6212) 내에까지 운동하였을 때, 마이크로 발광 소자가 픽셀 그루브(611) 내에 삽입될 수 있도록 하며, 제2 가이드 관통홀(6212)과 픽셀 그루브(611) 사이에 걸리는 것을 방지한다.Furthermore, the net plate 62 includes a guide plate 622 and an active plate 623 stacked up and down, and the guide through hole 621 includes a first guide through hole 6211 and a second guide through hole 6212 . include A first guide through hole 6211 is provided in the guide plate 622 , a second guide through hole 6212 is provided in the active plate 623 , and the active plate 623 has a second guide through hole 6212 . and the first guide through-hole 6211 may be moved on the guide plate 622 so as to communicate with each other and/or shift. In order for the micro light emitting device to be dropped into the first guide through hole 6211 for convenience, the hole diameter of the first guide through hole 6211 is from one end close to the active plate 623 to the direction away from the active plate 623 . gradually increases, and the shape and size of the hole of the second guide through hole 6212 and the notch of the pixel groove 611 on the driving substrate 61 are matched to each other, so that the micro light emitting device causes the second guide through hole 6212 ), the micro light emitting device can be inserted into the pixel groove 611 and prevented from being caught between the second guide through hole 6212 and the pixel groove 611 .

활동판(623)은 가이드판(622) 상에서 이동 가능하므로, 구동기판(61) 상의 각각의 픽셀 그루브(611)가 모두 마이크로 발광 소자에 정확하게 장착된 후, 활동판(623)은 가이드판(622) 상에서 이동하여 제1 가이드 관통홀(6211)과 제2 가이드 관통홀(6212)이 서로 어긋나도록 함으로써, 마이크로 발광 소자가 픽셀 그루브(611)에 진입하는 경로를 폐쇄한다.Since the active plate 623 is movable on the guide plate 622 , after each pixel groove 611 on the driving substrate 61 is accurately mounted on the micro light emitting device, the active plate 623 is formed on the guide plate 622 . ) so that the first guide through-hole 6211 and the second guide through-hole 6212 are displaced from each other, thereby closing the path through which the micro light emitting device enters the pixel groove 611 .

도 9를 참조하면, 도 9는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 일 실시예의 구조 개략도이다.Referring to FIG. 9 , FIG. 9 is a structural schematic diagram of an embodiment of a display device according to the present invention.

일 실시예에 있어서, 디스플레이 장치(7)는 구동기판(71) 및 마이크로 발광 소자(72)를 포함한다. 구동기판(71)의 일측면에는 어레이 배열되는 픽셀 그루브(711)가 마련되고, 픽셀 그루브(711) 내에는 접촉 전극(7111)이 마련된다. 마이크로 발광 소자(72)는 픽셀 그루브(711) 내에 삽입되고, 마이크로 발광 소자(72)의 제1 전극 어셈블리(721)와 접촉 전극(7111)은 커플링된다. 여기서, 본 실시예에서 설명되는 마이크로 발광 소자(72)는 곧 상술한 실시예에서 설명되는 마이크로 발광 소자이므로, 더 이상의 설명은 생략한다.In one embodiment, the display device 7 includes a driving substrate 71 and a micro light emitting device 72 . Pixel grooves 711 arranged in an array are provided on one side surface of the driving substrate 71 , and contact electrodes 7111 are provided in the pixel grooves 711 . The micro light emitting device 72 is inserted into the pixel groove 711 , and the first electrode assembly 721 and the contact electrode 7111 of the micro light emitting device 72 are coupled. Here, since the micro light emitting device 72 described in the present embodiment is a micro light emitting device described in the above-described embodiment, further description is omitted.

아래 본 발명에서 제공되는 마이크로 발광 소자의 유체 조립 과정을 대체적으로 설명한다.The fluid assembly process of the micro light emitting device provided in the present invention will be generally described below.

제1 단계: 구동기판 및 그물판을 제공하되, 그물판을 구동기판 위에 설치한다.Step 1: Provide a driving substrate and a net plate, and the net plate is installed on the driving substrate.

제2 단계: 그물판의 활동판을 이동하여 그물판 상의 제1 가이드 관통홀과 제2 가이드 관통홀이 연통되게 하고, 구동기판 상의 픽셀 그루브와 정렬시켜 구동기판과 그물판의 상대적 위치를 고정시킨다.Step 2: Move the active plate of the net plate so that the first guide through hole and the second guide through hole on the net plate communicate, and align with the pixel groove on the driving substrate to fix the relative position of the driving substrate and the net plate.

제3 단계: 구동기판과 그물판을 하나의 용기에 놓아두되, 구동기판은 그물판 아래에 위치한다.Step 3: Put the driving board and the net plate in one container, but the driving board is located under the net plate.

제4 단계: 용기에 조립 액체를 부어 넣어 구동기판과 그물판이 잠기게 하되, 여기서, 조립 액체는 비부식성이고 휘발성을 갖는 액체이며, 바람직하게는 물, 에탄올, 프로판올 등이다.Step 4: Pour the assembly liquid into the container to immerse the driving board and the net plate, wherein the assembly liquid is a non-corrosive and volatile liquid, preferably water, ethanol, propanol, or the like.

제5 단계: 용기 내에 충분한 양의 마이크로 발광 소자 현택액을 균일하게 뿌리고, 구동기판 상의 거의 모든 픽셀 그루브에 마이크로 발광 소자가 모두 장착될때까지 일정한 시간 동안 가만히 놓아둔다. 여기서, 도 10은 용기(81) 내의 마이크로 발광 소자(82)의 전사 상황을 나타내었다.Step 5: A sufficient amount of the micro light emitting device suspension solution is uniformly sprayed in the container, and left still for a certain period of time until all the micro light emitting devices are mounted in almost all the pixel grooves on the driving board. Here, FIG. 10 shows the transfer state of the micro light emitting element 82 in the container 81 .

제6 단계: 그물판의 활동판을 이동시켜 제1 가이드 관통홀과 제2 가이드 관통홀이 서로 어긋나도록 함으로써, 마이크로 발광 소자를 가이드하는 경로를 폐쇄하고, 구동기판과 그물판을 꺼내어 조립 액체를 말린 후 구동기판과 그물판을 분리시킨다. 여기서 휘발성을 갖는 조립 액체는 말리는 단계의 제조 과정의 소요시간을 단축시킬 수 있다.Step 6: By moving the active plate of the net plate so that the first guide through hole and the second guide through hole are displaced from each other, the path for guiding the micro light emitting device is closed, and the driving board and the net plate are taken out and the assembly liquid is dried Separate the driving board and the net plate. Here, the volatile granulation liquid may shorten the required time of the manufacturing process of the drying step.

제7 단계: 마이크로 발광 소자의 제1 전극 어셈블리와 픽셀 그루브 중의 접촉 전극이 일체로 용접되도록 구동기판을 리플로우로에 놓고 리플로우 솔더링(reflow soldering)을 수행함으로써, 마이크로 발광 소자의 유체 조립의 대량 전사 과정을 완료한다.Step 7: By placing the driving substrate in a reflow furnace and performing reflow soldering so that the first electrode assembly of the micro light emitting device and the contact electrode in the pixel groove are integrally welded, a large amount of fluid assembly of the micro light emitting device Complete the transcription process.

상기한 바는 단지 본 발명의 실시예일 뿐, 본 발명의 특허범위를 한정하는 것이 아니고, 본 발명의 명세서 및 도면 내용을 이용하여 진행한 등가적 구조 또는 등가적 흐름에 대한 변환, 혹은 기타 관련된 기술분야에 직접적 또는 간접적으로 응용되는 것은 동일한 원리로 모두 본 발명의 특허청구범위에 속한다.The above is merely an embodiment of the present invention, and does not limit the scope of the patent of the present invention, and conversion to an equivalent structure or equivalent flow performed using the specification and drawings of the present invention, or other related technology Direct or indirect application to the field belongs to the claims of the present invention in the same principle.

Claims (20)

마이크로 발광 소자에 있어서,
발광 본체; 및
상기 발광 본체의 일측에 고정되고 상기 발광 본체에 연결되는 제1 전극 어셈블리를 포함하며,
상기 마이크로 발광 소자의 중심은 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하는, 마이크로 발광 소자.
In the micro light emitting device,
light emitting body; and
and a first electrode assembly fixed to one side of the light emitting body and connected to the light emitting body,
The center of the micro light emitting device is close to one end provided with the first electrode assembly, the micro light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 마이크로 발광 소자는 평형추를 포함하고, 상기 마이크로 발광 소자의 중심이 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하는 구조가 형성되도록, 상기 평형추는 상기 제1 전극 어셈블리의 측면 중 상기 발광 본체로부터 멀리 있는 일측에 고정되며,
여기서 상기 평형추의 밀도는 상기 마이크로 발광 소자의 다른 부분보다 높게 형성되는, 마이크로 발광 소자.
According to claim 1,
The micro light emitting device includes a counterweight, and the counterweight is removed from the light emitting body among the side surfaces of the first electrode assembly so that a structure is formed in which the center of the micro light emitting device approaches one end having the first electrode assembly. It is fixed on the far side,
Wherein the density of the counterweight is formed to be higher than other parts of the micro light emitting device, the micro light emitting device.
제1항 또는 2항에 있어서,
상기 마이크로 발광 소자는,
상기 발광 본체의 측면 중 상기 제1 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일측에 고정되고, 상기 발광 본체에 연결되는 제2 전극 어셈블리; 및
상기 제2 전극 어셈블리의 측면 중 상기 제1 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일측에 고정되는 안정 캡을 포함하고,
상기 마이크로 발광 소자의 중심이 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하는 구조가 형성되도록, 상기 마이크로 발광 소자의 상기 안정 캡을 구비하는 일단의 밀도는 상기 마이크로 발광 소자의 다른 부분보다 낮게 형성되는, 마이크로 발광 소자.
According to claim 1 or 2,
The micro light emitting device,
a second electrode assembly fixed to one side of the light emitting body that is far from the first electrode assembly and connected to the light emitting body; and
and a stabilizing cap fixed to one side of the second electrode assembly that is far from the first electrode assembly,
The density of one end of the micro light emitting device having the stability cap is formed to be lower than that of the other parts of the micro light emitting device so that a structure is formed in which the center of the micro light emitting device is close to one end including the first electrode assembly , a micro light emitting device.
제3항에 있어서,
상기 안정 캡의 밀도는 상기 마이크로 발광 소자의 다른 부분보다 낮게 형성되는, 마이크로 발광 소자.
4. The method of claim 3,
The density of the stabilizing cap is formed to be lower than that of other parts of the micro light emitting device.
제3항에 있어서,
상기 안정 캡은 액체 속에서 그 내부에 쉽게 기포가 형성되는 중공의 통 형상 구조를 갖고, 상기 제2 전극 어셈블리의 측면 중 상기 발광 본체로부터 멀리 있는 일단은 상기 안정 캡 중에 설치되며, 상기 안정 캡의 측면 중 상기 제2 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일단은 개구되는, 마이크로 발광 소자.
4. The method of claim 3,
The stability cap has a hollow cylindrical structure in which bubbles are easily formed therein in a liquid, and one end of the side surface of the second electrode assembly that is far from the light emitting body is installed in the stability cap, One end that is far from the second electrode assembly among the side surfaces is opened.
제3항에 있어서,
상기 제1 전극 어셈블리는 제1 전극과 제1 반도체를 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 발광 본체 사이에는 상기 제1 반도체가 연결되며, 상기 제1 전극의 측면 중 상기 제1 반도체로부터 멀리 있는 일단은 상기 평형추와 연결되고,
상기 제2 전극 어셈블리는 제2 전극과 제2 반도체를 포함하고, 상기 제2 전극과 상기 발광 본체 사이에는 상기 제2 반도체가 연결되는, 마이크로 발광 소자.
4. The method of claim 3,
The first electrode assembly includes a first electrode and a first semiconductor, the first semiconductor is connected between the first electrode and the light emitting body, and one end of side surfaces of the first electrode far from the first semiconductor is connected to the counterweight,
The second electrode assembly includes a second electrode and a second semiconductor, and the second semiconductor is connected between the second electrode and the light emitting body.
제1항 또는 2항에 있어서,
상기 마이크로 발광 소자는 용접 전극을 포함하고, 상기 용접 전극은 상기 평형추의 측면 중 상기 제1 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일측에 고정되며, 여기서 상기 평형추는 전기 전도체인, 마이크로 발광 소자.
According to claim 1 or 2,
The micro light emitting device includes a welding electrode, the welding electrode being fixed to one side of the counterweight away from the first electrode assembly, wherein the counter weight is an electrical conductor.
마이크로 발광 소자의 전사 시스템에 있어서,
일측 표면에 어레이 배열되는 픽셀 그루브가 마련되는 구동기판; 및
상기 픽셀 그루브들과 대응되는 복수의 가이드 관통홀이 마련되는 그물판을 포함하고,
상기 복수의 가이드 관통홀은 마이크로 발광 소자가 상기 구동기판 상의 픽셀 그루브에 삽입되도록 가이드하고,
상기 마이크로 발광 소자는,
발광 본체; 및
상기 발광 본체의 일측에 고정되고 상기 발광 본체에 연결되는 제1 전극 어셈블리를 포함하며,
상기 마이크로 발광 소자의 중심은 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하는, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템.
In the transfer system of a micro light emitting device,
a driving substrate having pixel grooves arranged in an array on one surface thereof; and
and a mesh plate provided with a plurality of guide through-holes corresponding to the pixel grooves;
The plurality of guide through holes guide the micro light emitting device to be inserted into the pixel groove on the driving substrate,
The micro light emitting device,
light emitting body; and
and a first electrode assembly fixed to one side of the light emitting body and connected to the light emitting body,
The center of the micro light emitting device is close to one end provided with the first electrode assembly, the transfer system of the micro light emitting device.
제8항에 있어서,
상기 그물판은 상하 적층되는 가이드판과 활동판을 포함하고, 상기 가이드 관통홀은 제1 가이드 관통홀과 제2 가이드 관통홀을 포함하며,
상기 가이드판에는 상기 제1 가이드 관통홀이 마련되고, 상기 활동판에는 상기 제2 가이드 관통홀이 마련되며, 상기 활동판은 상기 제2 가이드 관통홀과 상기 제1 가이드 관통홀이 서로 연통되거나 어긋나도록 상기 가이드판 상에서 이동할 수 있고, 상기 제1 가이드 관통홀의 홀 직경은 상기 활동판에 근접한 일단으로부터 상기 활동판에서 멀어지는 방향으로 점차 증가하는, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템.
9. The method of claim 8,
The net plate includes a guide plate and an active plate stacked up and down, and the guide through hole includes a first guide through hole and a second guide through hole,
The first guide through-hole is provided in the guide plate, the second guide through-hole is provided in the active plate, and the active plate is configured such that the second guide through-hole and the first guide through-hole communicate with each other or are misaligned. The transfer system of the micro light-emitting device, wherein the hole diameter of the first guide through-hole gradually increases from one end close to the active plate to a direction away from the active plate.
제8항에 있어서,
상기 마이크로 발광 소자는 평형추를 포함하고,
상기 마이크로 발광 소자의 중심이 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하는 구조가 형성되도록, 상기 평형추는 상기 제1 전극 어셈블리의 측면 중 상기 발광 본체로부터 멀리 있는 일측에 고정되며,
여기서 상기 평형추의 밀도는 상기 마이크로 발광 소자의 다른 부분보다 높게 형성되는, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템.
9. The method of claim 8,
The micro light emitting device includes a counterweight,
The counterweight is fixed to one side of the side of the first electrode assembly far from the light emitting body so that the center of the micro light emitting element is formed to be close to one end having the first electrode assembly,
Wherein the density of the counterweight is formed to be higher than other parts of the micro light emitting device, the transfer system of the micro light emitting device.
제8항 또는 10항에 있어서,
상기 마이크로 발광 소자는,
상기 발광 본체의 측면 중 상기 제1 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일측에 고정되고, 상기 발광 본체에 연결되는 제2 전극 어셈블리; 및
상기 제2 전극 어셈블리의 측면 중 상기 제1 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일측에 고정되는 안정 캡을 포함하고,
상기 마이크로 발광 소자의 중심이 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하는 구조가 형성되도록, 상기 마이크로 발광 소자의 상기 안정 캡을 구비하는 일단의 밀도는 상기 마이크로 발광 소자의 다른 부분보다 낮게 형성되는, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템.
11. The method of claim 8 or 10,
The micro light emitting device,
a second electrode assembly fixed to one side of the light emitting body that is far from the first electrode assembly and connected to the light emitting body; and
and a stabilizing cap fixed to one side of the second electrode assembly that is far from the first electrode assembly,
The density of one end of the micro light emitting device having the stability cap is formed to be lower than that of the other parts of the micro light emitting device so that a structure is formed in which the center of the micro light emitting device is close to one end including the first electrode assembly , a transfer system of micro light-emitting devices.
제11항에 있어서,
상기 안정 캡의 밀도는 상기 마이크로 발광 소자의 다른 부분보다 낮게 형성되는, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템.
12. The method of claim 11,
and a density of the stabilizing cap is formed to be lower than that of other portions of the micro light emitting device.
제11항에 있어서,
상기 안정 캡은 액체 속에서 그 내부에 쉽게 기포가 형성되는 중공의 통 형상 구조를 갖고, 상기 제2 전극 어셈블리의 측면 중 상기 발광 본체로부터 멀리 있는 일단은 상기 안정 캡 중에 설치되며, 상기 안정 캡의 측면 중 상기 제2 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일단은 개구되는, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템.
12. The method of claim 11,
The stability cap has a hollow cylindrical structure in which bubbles are easily formed therein in a liquid, and one end of the side surface of the second electrode assembly that is far from the light emitting body is installed in the stability cap, One end of the side surface that is far from the second electrode assembly is opened.
제11항에 있어서,
상기 제1 전극 어셈블리는 제1 전극과 제1 반도체를 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 발광 본체 사이에는 상기 제1 반도체가 연결되며, 상기 제1 전극의 측면 중 상기 제1 반도체로부터 멀리 있는 일단은 상기 평형추와 연결되고,
상기 제2 전극 어셈블리는 제2 전극과 제2 반도체를 포함하고, 상기 제2 전극과 상기 발광 본체 사이에는 상기 제2 반도체가 연결되는, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템.
12. The method of claim 11,
The first electrode assembly includes a first electrode and a first semiconductor, the first semiconductor is connected between the first electrode and the light emitting body, and one end of side surfaces of the first electrode far from the first semiconductor is connected to the counterweight,
The second electrode assembly includes a second electrode and a second semiconductor, and the second semiconductor is connected between the second electrode and the light emitting body.
제8항 또는 10항에 있어서,
상기 마이크로 발광 소자는 용접 전극을 포함하고, 상기 용접 전극은 상기 평형추의 측면 중 상기 제1 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일측에 고정되며, 여기서 상기 평형추는 전기 전도체인, 마이크로 발광 소자의 전사 시스템.
11. The method of claim 8 or 10,
wherein the micro light emitting element includes a welding electrode, the welding electrode being fixed to one of the sides of the counterweight remote from the first electrode assembly, wherein the counter weight is an electrical conductor.
디스플레이 장치에 있어서,
일측면에는 어레이 배열되는 픽셀 그루브가 마련되고, 상기 픽셀 그루브 내에는 접촉 전극이 마련되는 구동기판을 포함하고
마이크로 발광 소자는,
발광 본체; 및
상기 발광 본체의 일측에 고정되고 상기 발광 본체에 연결되는 제1 전극 어셈블리를 포함하며,
상기 마이크로 발광 소자의 중심은 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하며,
상기 마이크로 발광 소자는 상기 픽셀 그루브 내에 삽입되고, 상기 마이크로 발광 소자의 제1 전극 어셈블리와 접촉 전극은 커플링되는, 디스플레이 장치.
In the display device,
A driving substrate is provided with pixel grooves arranged in an array on one side thereof, and a contact electrode is provided in the pixel grooves;
Micro light emitting device,
light emitting body; and
and a first electrode assembly fixed to one side of the light emitting body and connected to the light emitting body,
The center of the micro light emitting device is close to one end provided with the first electrode assembly,
The micro light emitting device is inserted into the pixel groove, and the first electrode assembly and the contact electrode of the micro light emitting device are coupled to each other.
제16항에 있어서,
상기 마이크로 발광 소자는 평형추를 포함하고, 상기 마이크로 발광 소자의 중심이 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하는 구조가 형성되도록, 상기 평형추는 상기 제1 전극 어셈블리의 측면 중 상기 발광 본체로부터 멀리 있는 일측에 고정되며,
여기서 상기 평형추의 밀도는 상기 마이크로 발광 소자의 다른 부분보다 높게 형성되는, 디스플레이 장치.
17. The method of claim 16,
The micro light emitting device includes a counterweight, and the counterweight is removed from the light emitting body among the side surfaces of the first electrode assembly so that a structure is formed in which the center of the micro light emitting device approaches one end having the first electrode assembly. It is fixed on the far side,
Wherein the density of the counterweight is formed to be higher than other parts of the micro light emitting device, the display device.
제16 또는 17항에 있어서,
상기 마이크로 발광 소자는,
상기 발광 본체의 측면 중 상기 제1 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일측에 고정되고, 상기 발광 본체에 연결되는 제2 전극 어셈블리; 및
상기 제2 전극 어셈블리의 측면 중 상기 제1 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일측에 고정되는 안정 캡을 포함하고,
상기 마이크로 발광 소자의 중심이 상기 제1 전극 어셈블리를 구비하는 일단에 근접하는 구조가 형성되도록, 상기 마이크로 발광 소자의 상기 안정 캡을 구비하는 일단의 밀도는 상기 마이크로 발광 소자의 다른 부분보다 낮게 형성되는, 디스플레이 장치.
18. The method of claim 16 or 17,
The micro light emitting device,
a second electrode assembly fixed to one side of the light emitting body that is far from the first electrode assembly and connected to the light emitting body; and
and a stabilizing cap fixed to one side of the second electrode assembly that is far from the first electrode assembly,
The density of one end of the micro light emitting device having the stability cap is formed to be lower than that of the other parts of the micro light emitting device so that a structure is formed in which the center of the micro light emitting device is close to one end including the first electrode assembly , display device.
제18항에 있어서,
상기 안정 캡은 액체 속에서 그 내부에 쉽게 기포가 형성되는 중공의 통 형상 구조를 갖고, 상기 제2 전극 어셈블리의 측면 중 상기 발광 본체로부터 멀리 있는 일단은 상기 안정 캡 중에 설치되며, 상기 안정 캡의 측면 중 상기 제2 전극 어셈블리로부터 멀리 있는 일단은 개구되는, 디스플레이 장치.
19. The method of claim 18,
The stability cap has a hollow cylindrical structure in which bubbles are easily formed therein in a liquid, and one end of the side surface of the second electrode assembly that is far from the light emitting body is installed in the stability cap, One end of the side surface that is far from the second electrode assembly is opened.
제18항에 있어서,
상기 제1 전극 어셈블리는 제1 전극과 제1 반도체를 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 발광 본체 사이에는 상기 제1 반도체가 연결되며, 상기 제1 전극의 측면 중 상기 제1 반도체로부터 멀리 있는 일단은 상기 평형추와 연결되고,
상기 제2 전극 어셈블리는 제2 전극과 제2 반도체를 포함하고, 상기 제2 전극과 상기 발광 본체 사이에는 상기 제2 반도체가 연결되는, 디스플레이 장치.
19. The method of claim 18,
The first electrode assembly includes a first electrode and a first semiconductor, the first semiconductor is connected between the first electrode and the light emitting body, and one end of side surfaces of the first electrode far from the first semiconductor is connected to the counterweight,
The second electrode assembly includes a second electrode and a second semiconductor, and the second semiconductor is connected between the second electrode and the light emitting body.
KR1020217019448A 2018-11-29 2019-05-28 Micro light emitting device and its transfer system, display device KR102548245B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811446299.8A CN111244246B (en) 2018-11-29 2018-11-29 Light-emitting micro-element, transfer system thereof and display device
CN201811446299.8 2018-11-29
PCT/CN2019/088853 WO2020107837A1 (en) 2018-11-29 2019-05-28 Light-emitting micro-element and transfer system thereof, and display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210088001A true KR20210088001A (en) 2021-07-13
KR102548245B1 KR102548245B1 (en) 2023-06-27

Family

ID=70852672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217019448A KR102548245B1 (en) 2018-11-29 2019-05-28 Micro light emitting device and its transfer system, display device

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102548245B1 (en)
CN (1) CN111244246B (en)
WO (1) WO2020107837A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117378052A (en) * 2021-05-27 2024-01-09 三星电子株式会社 Guiding device for transferring light emitting device onto substrate and method for applying the guiding device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040222357A1 (en) * 2002-05-22 2004-11-11 King David Andrew Optical excitation/detection device and method for making same using fluidic self-assembly techniques
KR20150084922A (en) * 2012-12-10 2015-07-22 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 Light emitting device reflective bank structure
CN105129259A (en) * 2015-05-15 2015-12-09 友达光电股份有限公司 Method for transmitting micro-assembly and method for manufacturing display panel
US9368549B1 (en) * 2015-09-02 2016-06-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed mesh defining pixel areas for printed inorganic LED dies
US20170133550A1 (en) * 2014-10-31 2017-05-11 eLux Inc. Display with surface mount emissive elements
JP2018061017A (en) * 2016-09-15 2018-04-12 イーラックス・インコーポレイテッドeLux Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10002856B1 (en) * 2017-01-26 2018-06-19 International Business Machines Corporation Micro-LED array transfer
CN107170773B (en) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 Micro- LED display panel and preparation method thereof
CN107425101B (en) * 2017-07-11 2019-03-01 华灿光电(浙江)有限公司 A kind of method of micro-led chip flood tide transfer
US11581291B2 (en) * 2017-07-24 2023-02-14 Goertek Inc. Micro-LED display device and a manufacturing method thereof
CN107910413B (en) * 2017-11-21 2019-07-12 福州大学 A kind of the flood tide transfer device and transfer method of MicroLED
CN108682312B (en) * 2018-05-12 2020-11-06 汕头超声显示器技术有限公司 Manufacturing method of LED array device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040222357A1 (en) * 2002-05-22 2004-11-11 King David Andrew Optical excitation/detection device and method for making same using fluidic self-assembly techniques
KR20150084922A (en) * 2012-12-10 2015-07-22 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 Light emitting device reflective bank structure
US20170133550A1 (en) * 2014-10-31 2017-05-11 eLux Inc. Display with surface mount emissive elements
CN105129259A (en) * 2015-05-15 2015-12-09 友达光电股份有限公司 Method for transmitting micro-assembly and method for manufacturing display panel
US9368549B1 (en) * 2015-09-02 2016-06-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed mesh defining pixel areas for printed inorganic LED dies
JP2018061017A (en) * 2016-09-15 2018-04-12 イーラックス・インコーポレイテッドeLux Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays

Also Published As

Publication number Publication date
KR102548245B1 (en) 2023-06-27
WO2020107837A1 (en) 2020-06-04
CN111244246B (en) 2021-08-17
CN111244246A (en) 2020-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6639451B2 (en) Display with surface mounted light emitting device
US10170664B2 (en) Surface mount emissive elements
US10971654B2 (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
CN110112090A (en) The method that unified micro-led component is orientated and the flood tide transfer method using it
JP2007027752A (en) Led package and method of manufacturing same
CN111081608B (en) Chip transfer method, chip and display panel
CN111492487B (en) Display device using semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same
CN111129245A (en) LED chip, display panel and display panel's equipment
CN211125685U (en) Spherical L ED chip and display panel thereof
US20190357395A1 (en) System for transferring micro led
KR20200026669A (en) Self assembly device and method for semi-conductor light emitting device
KR20210088001A (en) Micro light emitting device and its transfer system, display device
JP2010516041A (en) light source
CN113707787B (en) Spherical flip-chip micro LED, manufacturing method thereof and display panel
TWI647810B (en) Giant array method and system for micro components
JP2008187065A (en) Light source device
KR20200026714A (en) Display device using semiconductor light emitting devices and manufacturing method thereof
KR20200046816A (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US11894490B2 (en) Spherical flip-chip micro-LED, method for manufacturing the same, and display panel
CN112967951B (en) Light-emitting element assembling system and assembling method
US20220328716A1 (en) Assembly chamber for self-assembly of semiconductor light-emitting diodes
CN111162064B (en) LED unit, guide plate, LED display and manufacturing method thereof
US20210366755A1 (en) Mass transfer device and transfer method therefor
CN109300966A (en) Display panel and preparation method thereof and display device
CN205026596U (en) Lighting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right