KR20210087784A - 전극 패턴 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 터치 센서 - Google Patents
전극 패턴 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 터치 센서 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 실시예들의 전극 패턴 구조체는 기판, 기판 상에 형성된 유기 중간층, 및 유기 중간층 상에 배치되며 전도성 고분자 및 금속 나노 와이어를 포함하는 전극 패턴을 포함한다. 유기 중간층을 통해 전극 패턴의 박리를 방지하며, 화학적, 기계적 안정성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명의 전극 패턴 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 터치 센서에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 금속 나노 와이어를 포함하는 전극 패턴 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 터치 센서에 관한 것이다.
예를 들면, 터치 센서와 같은 센서 기기의 경우, 센싱 감도, 센싱 속도 향상을 위해 저저항 센싱 전극이 포함된다. 상기 터치 센서가 최근 스마트폰과 같은 디스플레이 장치에 일체화됨에 따라, 센싱 전극의 투명도를 향상시킬 필요가 있다.
또한, 접거나 구부리는 것이 가능한 플렉시블 디스플레이 장치가 개발됨에 따라, 터치 센서의 센싱 전극 역시 향상된 유연성을 가질 필요가 있다. 그러나, 기존의 금속 패턴, 인듐 주석 산화물(ITO) 패턴 등으로 형성된 센싱 전극들은 가혹한 벤딩 동작시 크랙과 같은 기계적 불량을 포함할 수 있다.
예를 들면, 한국공개특허 제10-2018-0099987에 개시된 바와 같이, 은나노와이어를 포함하는 전극이 연구되고 있다. 그러나, 은나노와이어 경우 소정의 전극 형상으로 패터닝하기가 용이하지 않다. 또한, 전극 패터닝 공정에 수반되는 단위 공정들에 의해 전극 박리, 손상 등의 문제가 야기될 수 있다.
본 발명의 일 과제는 향상된 전기적, 기계적 특성을 갖는 전극 패턴 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 향상된 전기적, 기계적 특성을 갖는 전극 패턴 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 향상된 전기적, 기계적 특성을 갖는 전극 패턴 구조체를 포함하는 터치 센서를 제공하는 것이다.
1. 기판; 상기 기판 상에 형성된 유기 중간층; 및 상기 유기 중간층 상에 배치되며 전도성 고분자 및 금속 나노 와이어를 포함하는 전극 패턴을 포함하는, 전극 패턴 구조체.
2. 위 1에 있어서, 상기 유기 중간층은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 또는 멜라닌계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 열 경화성 또는 자외선 경화성 수지를 포함하는, 전극 패턴 구조체.
3. 위 1에 있어서, 상기 유기 중간층은 상기 폴리오르가노 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 폴리우레탄계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 투명 코팅층을 포함하는, 전극 패턴 구조체.
4. 위 1에 있어서, 상기 전도성 고분자층은 PEDOT-PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate))을 포함하며, 상기 금속 나노 와이어는 은 나노 와이어를 포함하는, 전극 패턴 구조체.
5. 기판 상에 유기 중간층을 형성하는 단계; 상기 유기 중간층 상에 전도성 고분자 및 금속 나노 와이어를 포함하는 예비 전극층을 형성하는 단계; 상기 예비 전극층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계; 현상액을 사용하여 상기 포토레지스트 층을 부분적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용한 습식 식각 공정을 통해 상기 예비 전극층을 부분적으로 제거하는 단계를 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
6. 위 5에 있어서, 상기 현상액은 암모늄 염계 염기용액을 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
7. 위 5에 있어서, 상기 습식 식각 공정은 인산, 질산, 염산, 과산화수소 및 초산으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 산성 에천트를 상기 예비 전극층에 공급하는 것을 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
8. 위 5에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 상기 포토레지스트 층 및 상기 예비 전극층이 형성된 상기 기판을 상기 현상액 내에 60초 이상 침지하는 것을 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
9. 위 5에 있어서, 상기 예비 전극층을 형성하는 단계는 상기 전도성 고분자 및 상기 금속 나노 와이어를 포함하는 전도성 조성물을 상기 유기 중간층 상에 직접 도포하는 것을 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
10. 위 1 내지 4 중 어느 한 항의 전극 패턴 구조체를 포함하는, 터치 센서.
본 발명의 실시예들에 따르는 전극 패턴 구조체는 전도성 고분자 및 금속 나노 와이어를 포함하며, 향상된 유연성 및 전기 전도도를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 기판 상에 유기 중간층을 형성하고, 상기 유기 중간층 상에 상기 전도성 고분자 및 금속 나노 와이어를 포함하는 전도성 조성물을 도포하여 전극층을 형성할 수 있다.
상기 유기 중간층에 의해 상기 전극층의 밀착력이 향상되어 상기 전극층 패터닝 공정 중에 사용되는 현상액, 에천트 등에 대한 내화학성, 내박리성이 향상될 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 전극 패턴 구조체를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 2 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 전극 패턴 구조체의 제조 방법을 설명하는 개략적인 단면도들이다.
도 7은 실시예의 전극 패턴 구조체의 현상, 식각 이후의 이미지이다.
도 8 및 도 9는 비교예의 전극 패턴 구조체의 현상, 식각 이후의 이미지들이다.
도 2 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 전극 패턴 구조체의 제조 방법을 설명하는 개략적인 단면도들이다.
도 7은 실시예의 전극 패턴 구조체의 현상, 식각 이후의 이미지이다.
도 8 및 도 9는 비교예의 전극 패턴 구조체의 현상, 식각 이후의 이미지들이다.
본 발명의 실시예들은 기판, 유기 중간층 및 금속 나노 와이어/전도성 고분자를 포함하는 전극 패턴을 포함하는 전극 패턴 구조체를 제공한다. 또한, 본 발명의 실시예들은 상기 전극 패턴 구조체를 포함하는 터치 센서를 제공한다.
이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 전극 패턴 구조체를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 전극 패턴 구조체는 기판(100), 유기 중간층(110) 및 전극 패턴(130)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 유기 중간층(110) 및 전극 패턴(130) 형성을 위한 지지층, 층간 절연층 또는 필름 타입 기재를 포괄하는 의미로 사용된다. 예를 들면, 기판(100)은 터치 센서에 통상적으로 사용되는 필름 소재가 특별한 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면, 유리 및/또는 투명 유연성 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 투명 유연성 고분자의 예로서, 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 들 수 있다. 상기 무기 절연 물질의 예로서, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 금속 산화물 등을 들 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 터치 센서가 삽입되는 화상 표시 장치의 층 또는 필름 부재가 기판(100)으로 제공될 수도 있다. 예를 들면, 디스플레이 패널에 포함되는 인캡슐레이션 층 또는 패시베이션 층 등이 기판(100)으로 제공될 수도 있다.
유기 중간층(110)은 기판(100)의 상면 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 유기 중간층(110)은 열 경화 혹은 자외선 경화를 통해 형성된 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 멜라닌계 수지 등을 포함할 수 있다. 유기 중간층(110)은 폴리디메틸실록산(PDMS)과 같은 실록산계 수지(폴리오르가노실록산), 폴리이미드계 수지, 폴리우레탄계 수지 등을 사용한 투명 코팅층을 포함할 수도 있다.
전극 패턴(130)은 유기 중간층(110)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 전극 패턴(130)은 전도성 고분자 및 상기 전도성 고분자와 함께 혼합된 금속 나노 와이어를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 금속 나노 와이어는 은(Ag) 나노 와이어를 포함할 수 있다. 상기 금속 나노 와이어는 상기 전도성 고분자와 실질적으로 균일하게 혼합되어, 전극 패턴(130)의 전체 영역에 걸쳐 균일하게 분포할 수 있다.
상기 전도성 고분자로서 디스플레이 분야, 센서 분야에서 상용되는 물질을 특별한 제한 없이 사용할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 전도성 고분자는 PEDOT-PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate))를 포함할 수 있다.
전극 패턴(130)은 각각 서로 물리적으로 분리된 복수의 섬(island) 패턴들을 포함 수 있다. 예를 들면, 각 전극 패턴(130)은 마름모 형상과 같은 다각형 패턴 형상을 가질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 전극 패턴(130)은 복수의 라인 패턴들을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 전극 패턴(130) 의 두께는 약 20 내지 500 nm일 수 있으며, 바람직하게는 약 30 내지 200nm일 수 있다. 전극 패턴(130)의 면저항은 약 100Ω/□이하일 수 있으며, 예를 들면, 약 10 내지 100Ω/□일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 전극 패턴 구조체는 약 85% 이상의 광투과율을 가질 수 있다.
상술한 예시적인 실시예들에 따르면, 전극 패턴(130) 및 기판(100) 사이에 유기 중간층(110)이 형성되어 전극 패턴(130)을 지지할 수 있다. 예를 들면, 유기 중간층(110)에 포함된 상술한 수지 물질은 전극 패턴(130)에 포함된 전도성 고분자 및/또는 바인더 수지와 높은 친화력으로 결합될 수 있다.
따라서, 전극 패턴(130) 형성을 위한 식각 공정에서 사용되는 현상액, 에천트 등에 의해 전극 패턴(130)이 손상, 박리되는 것을 방지하며 향상된 화학적, 기계적 안정성을 갖는 전극 패턴 구조체가 수득될 수 있다.
또한, 상기 전극 패턴 구조체가 벤딩, 굴곡되는 경우에도 유기 중간층(110)에 의해 전극 패턴(130)이 지지되므로, 전극 패턴(130)의 탈락이 방지될 수 있다. 따라서, 상기 전극 패턴 구조체의 플렉시블 특성도 향상될 수 있다.
도 2 내지 도 6은 예시적인 실시예들에 따른 전극 패턴 구조체의 제조 방법을 설명하는 개략적인 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 기판(100) 상에 유기 중간층(110)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 에폭시계 단량체, 아크릴계 단량체, 멜라닌계 단량체 등을 포함하는 열경화성 또는 자외선 경화성 조성물을 기판(100) 상면 상에 스핀 코팅 공정, 슬릿 코팅 공정, 프린팅 공정 등을 통해 도포할 수 있다. 이후, 경화 공정을 통해 유기 중간층(110)을 형성할 수 있다. 유기 중간층(110)은 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리우레텐계 수지 등을 포함하는 바니시 타입 조성물을 도포한 후, 건조 공정을 통해 형성될 수도 있다.
도 3을 참조하면, 유기 중간층(110) 상에 예비 전극층(120)을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 예비 전극층(120)은 전도성 고분자 내에 분산된 금속 나노 와이어를 포함할 수 있다.
예를 들면, 물 또는 알코올계 용매에 PEDOT-PSS와 같은 전도성 고분자 및 은 나노 와이어를 분산시켜 예를 들면, 잉크 형태의 전도성 조성물을 형성할 수 있다. 상기 전도성 조성물은 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐아세탈(PVA), 폴리비닐부티랄(PVB) 등과 같은 분산성 향상을 위한 바인더 수지를 더 포함할 수 있다 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전도성 고분자 및 금속 나노와이어의 함량은 상기 전도성 조성물 총 중량에 대하여 각각 0.1 내지 1중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 전극 패턴(130)의 시인을 방지하고, 유기 중간층(110)과의 밀착성, 전극 패턴(130)의 전도성, 조성물 내 금속 나노 와이어의 분산성을 향상시킬 수 있다.
상기 전도성 조성물에 포함된 은 나노 와이어의 평균 직경은 약 1 내지 50nm, 바람직하게는 약 1 내지 20nm일 수 있다. 상기 은 나노 와이어의 평균 길이는 약 10㎛ 이상, 바람직하게는 약 15 내지 40㎛일 수 있다.
상기 전도성 조성물을 예를 들면, 스핀 코팅 공정과 같은 코팅 공정을 통해 유기 중간층(110) 상에 형성 후, 건조 공정을 통해 예비 전극층(120)을 형성할 수 있다.
도 4를 참조하면, 예비 전극층(120) 상에 포토레지스트 층(140)을 형성할 수 있다. 이후, 포토레지스트 층(140)을 노광하여 노광부(142) 및 비노광부(145)를 형성할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 포토레지스트 층(140)이 네가티브 타입 포토레지스트 조성물로부터 형성된 경우, 노광부(142)에서는 추가 가교가 유도되어 현상액 용해도가 비노광부(145)에 비해 감소될 수 있다.
도 5를 참조하면, 현상 공정을 통해 노광부(142) 또는 비노광부(145) 중 어느 하나를 선택적으로 제거할 수 있다.
예를 들면, 상술한 바와 같이, 네가티브 타입 포토레지스트 조성물을 사용하여 포토레지스트 층(140)을 형성한 경우, 현상 공정에 의해 비노광부(145)가 제거될 수 있다. 이 경우, 잔류하는 노광부(142)에 의해 포토레지스트 패턴(144)이 정의될 수 있다.
이와는 달리, 포지티브 타입 포토레지스트 조성물을 사용하여 포토레지스트 층(140)을 형성한 경우, 현상 공정에 의해 노광부(142)가 제거될 수도 있다.
상기 현상 공정은 암모늄 염계 용액(예를 들면, 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH))과 같은 강염기성을 갖는 현상액을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 상기 현상액에 포토레지스트 층(140)이 형성된 기판을 소정의 시간동안 침지시켜 수행될 수 있다. 침지 시간은 예를 들면, 30초 이상, 60초 이상, 90초 이상 또는 120초 이상일 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 예비 전극층(120) 아래에 유기 중간층(110)이 형성될 수 있다. 유기 중간층(110)은 예비 전극층(120)의 저면과 접촉하며, 예비 전극층(120)을 고정시키는 접착층으로 기능할 수 있다.
따라서, 상기 현상액이 예비 전극층(120) 내부 또는 예비 전극층(120)의 저면으로 침투하여 전도성 고분자의 수축, 예비 전극층(120)의 박리, 들뜸 현상을 초래하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 충분한 현상액 침지 시간이 확보될 수 있으므로, 포토레지스트 패턴(144)의 해상도가 향상되어 미세 선폭의 전극 패턴(130)을 고신뢰성으로 제조할 수 있다.
도 6을 참조하면, 포토레지스트 패턴(144)을 마스크로 사용하여 에천트(etchant) 용액을 예비 전극층(120) 상으로 공급할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 에천트 용액은 인산, 질산, 염산 과산화수소 및/또는 초산을 포함하는 산성 용액일 수 있다.
상기 에천트 용액은 예비 전극층(120) 내에 포함된 상기 금속 나노 와이어들을 실질적으로 제거할 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 나노 와이어들이 제거되면서, 상기 전도성 고분자가 함께 제거될 수 있다.
이에 따라, 포토레지스트 층(140)이 제거된 영역에 포함된 예비 전극층(120) 부분(예를 들면, 노출부)이 실질적으로 제거될 수 있다. 잔류하는 예비 전극층(120) 부분은 도 1을 참조로 설명한 전극 패턴(130)으로 정의될 수 있다.
전극 패턴(130) 상에 잔류하는 포토레지스트 패턴(144)은 예를 들면, 스트립(strip) 공정 및/또는 애싱(ashing) 공정을 통해 제거할 수 있다.
상술한 전극 패턴 구조체는 예를 들면, 터치 센서(지문 센서 포함)의 센싱 전극들로 활용될 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 전극 패턴(130)이 센싱 전극으로 제공될 수 있다.
예를 들면, 상기 센싱 전극들은 동일 평면 상에 함께 배열된 다각형 패턴일 수 있다. 이와는 달리, 상기 센싱 전극들은 기판(100)의 상면 및 하면 상에 분포할 수도 있다. 이 경우, 기판(100)의 상면 및 하면 상에 각각 제1 유기 중간층 및 제2 유기 중간층이 형성되고, 상술한 전극 패턴들(130)이 상기 제1 유기 중간층 및 제2 유기 중간층 상에 분포할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 실험예를 제시하나, 하기의 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실험예
실시예
두께 40㎛의 COP 기판 상에 유기 중간층으로서 폴리디메틸실록산(PDMS) 코팅을 2㎛의 두께로 형성하였다. 상기 유기 중간층 상에 은나노와이어(AgNW, 평균 직경 20nm, 평균길이 20㎛) 및 PEDOT:PSS를 포함하는 예비 전극층을 형성하고, TMAH 용액 및 인산 용액을 각각 사용한 현상 공정 및 습식 식각 공정을 수행하여 도 2 내지 도 6을 참조로 설명한 바와 같이 일변의 길이가 2mm인 마름모 패턴(두께: 300nm)들을 포함하는 전극 패턴들을 형성하였다.
비교예
실시예에서 유기 중간층을 생략하고, COP 기판 상에 직접 전극 패턴들을 형성한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 전극 패턴 구조체를 제조하였다.
실시예 및 비교예들의 전극 패턴 구조체의 현상 공정에서 사용한 TMAH 용액에의 침지 시간(현상 시간)을 변경하면서 전극 패턴들의 박리 발생 여부를 관찰하였다. 결과는 하기 표 1에 기재한다.
평가결과는 하기의 표 1에 나타낸다.
| 현상 시간 | ||||
| 30초 | 60초 | 90초 | 120초 | |
| 실시예 | 미현상 | 박리 없음 | 박리 없음 | 박리 없음 (도 7참조) |
| 비교예 | 미현상 | 전극 들뜸, 주름 발생 (도 8 참조) |
일부 전극 박리 (도 9 참조) |
전면 박리 |
도 7은 실시예의 전극 패턴 구조체의 현상, 식각 이후의 이미지이다. 도 8 및 도 9는 비교예의 전극 패턴 구조체의 현상, 식각 이후의 이미지이다.
위 표 1 및 도 7 내지 도 9를 참조하면, 실시예의 경우 120초간 현상액에 침지되는 경우에도 전극 박리가 관찰되지 않았다.
비교예의 경우, 현상 시간 60초에서 일부 전극 패턴들의 주름, 들뜸이 관찰되었으며, 현상 시간 90초가 초과하면서 전극 패턴들 중 일부가 완전히 기판으로부터 박리되었다.
100: 기판
110: 유기 중간층
120: 예비 전극층 130: 전극 패턴
140: 포토레지스트 층 142: 노광부
144: 포토레지스트 패턴 145: 비노광부
120: 예비 전극층 130: 전극 패턴
140: 포토레지스트 층 142: 노광부
144: 포토레지스트 패턴 145: 비노광부
Claims (10)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 유기 중간층; 및
상기 유기 중간층 상에 배치되며 전도성 고분자 및 금속 나노 와이어를 포함하는 전극 패턴을 포함하는, 전극 패턴 구조체. - 청구항 1에 있어서, 상기 유기 중간층은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 또는 멜라닌계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 열 경화성 또는 자외선 경화성 수지를 포함하는, 전극 패턴 구조체.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기 중간층은 상기 폴리오르가노 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지 또는 폴리우레탄계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 투명 코팅층을 포함하는, 전극 패턴 구조체.
- 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 고분자층은 PEDOT-PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate))을 포함하며, 상기 금속 나노 와이어는 은 나노 와이어를 포함하는, 전극 패턴 구조체.
- 기판 상에 유기 중간층을 형성하는 단계;
상기 유기 중간층 상에 전도성 고분자 및 금속 나노 와이어를 포함하는 예비 전극층을 형성하는 단계;
상기 예비 전극층 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계;
현상액을 사용하여 상기 포토레지스트 층을 부분적으로 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용한 습식 식각 공정을 통해 상기 예비 전극층을 부분적으로 제거하는 단계를 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법. - 청구항 5에 있어서, 상기 현상액은 암모늄 염계 염기용액을 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 습식 식각 공정은 인산, 질산, 염산, 과산화수소 및 초산으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 산성 에천트를 상기 예비 전극층에 공급하는 것을 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는 상기 상기 포토레지스트 층 및 상기 예비 전극층이 형성된 상기 기판을 상기 현상액 내에 60초 이상 침지하는 것을 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 예비 전극층을 형성하는 단계는 상기 전도성 고분자 및 상기 금속 나노 와이어를 포함하는 전도성 조성물을 상기 유기 중간층 상에 직접 도포하는 것을 포함하는, 전극 패턴 구조체의 제조 방법.
- 청구항 1의 전극 패턴 구조체를 포함하는, 터치 센서.
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| KR (1) | KR20210087784A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180099987A (ko) | 2017-02-28 | 2018-09-06 | 전자부품연구원 | 은나노와이어를 포함한 분산액 및 그를 이용한 고유연성 투명 전도성 코팅 기판의 제조방법 |
-
2020
- 2020-01-03 KR KR1020200000932A patent/KR20210087784A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
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