KR20210085055A - Display device - Google Patents

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KR20210085055A
KR20210085055A KR1020190177688A KR20190177688A KR20210085055A KR 20210085055 A KR20210085055 A KR 20210085055A KR 1020190177688 A KR1020190177688 A KR 1020190177688A KR 20190177688 A KR20190177688 A KR 20190177688A KR 20210085055 A KR20210085055 A KR 20210085055A
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한재원
조순동
김정재
박민규
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엘지디스플레이 주식회사
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    • GPHYSICS
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Abstract

The present invention relates to a display device capable of detecting a short-circuit failure in a display device driving circuit in advance and quickly and accurately determining a short-circuit failure location. The display device includes a short-circuit sensing unit disposed on at least one of a flexible circuit board, a source drive IC, and a level shifter. The short-circuit failure sensing unit generates a flag signal in a sensing mode. The short-circuit failure sensing unit includes: a resistor to which a sample voltage is applied; and a comparator which compares a sensing voltage with a preset reference voltage, wherein the sensing voltage is received from one of wiring of the flexible circuit board, an output terminal of the level shifter, and an output terminal of the source drive IC.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 단락 불량 센싱 기능을 갖는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device having a short-circuit failure sensing function.

평판 표시장치(Flat Panel Display, FPD) 입력 영상의 픽셀 데이터를 표시패널의 픽셀들에 기입하여 픽셀 어레이 상에 입력 영상을 재현한다. Pixel data of a flat panel display (FPD) input image is written into pixels of a display panel to reproduce the input image on a pixel array.

평판 표시장치는 입력 영상의 픽셀 데이터를 픽셀들에 기입하는 표시패널 구동회로와, 표시패널 구동회로를 제어하는 타이밍 콘트롤러(Timing controller) 등을 포함한다. 표시패널 구동회로는 픽셀 데이터 신호를 데이터 라인들에 공급하는 데이터 구동회로와, 게이트 신호(또는 스캔 신호)를 게이트 라인들(또는 스캔 라인들)에 공급하는 게이트 구동회로 등의 표시패널 구동회로를 포함한다. 데이터 구동회로는 IC(integrated circuit)로 구현될 수 있다. A flat panel display device includes a display panel driving circuit for writing pixel data of an input image to pixels, a timing controller for controlling the display panel driving circuit, and the like. The display panel driving circuit includes a display panel driving circuit such as a data driving circuit for supplying a pixel data signal to data lines and a gate driving circuit for supplying a gate signal (or a scan signal) to the gate lines (or scan lines). include The data driving circuit may be implemented as an integrated circuit (IC).

표시패널의 구동에 필요한 신호가 표시패널 구동회로에 공급된다. 신호 전송 경로 상에서 도전성 이물질 또는 습기에 의해 전원 배선들이 단락(short circuit)될 수 있다. 이 경우, 표시패널 구동회로와 픽셀들은 정상적으로 구동될 수 없다. 제품 출하전 테스트 공정에서 전원 배선들의 불량을 감지하는 방법이 알려져 있다.A signal necessary for driving the display panel is supplied to the display panel driving circuit. Power wirings may be short circuited by conductive foreign substances or moisture on the signal transmission path. In this case, the display panel driving circuit and the pixels cannot be normally driven. A method for detecting defects in power wirings in a test process before shipment is known.

제품 출하후 발생하는 전원 배선들의 진행성 불량을 감지할 수 있는 방법이 없다. 제품 출하 후에 표시장치에 회로의 불량 검사 단계 없이 전원이 입력될 수 있다. 회로 구성 요소들 중에 단락 불량이 발생된 부분은 표시장치에 전원이 인가될 때 물리적 손상이 발생될 수 있고 심한 경우, 회로 일부가 파괴될 수 있다. There is no way to detect a failure in the progress of power wiring that occurs after product shipment. After the product is shipped, power may be input to the display device without a circuit defect inspection step. A portion of the circuit components in which the short circuit is defective may be physically damaged when power is applied to the display device, and in severe cases, the circuit portion may be destroyed.

본 발명은 전술한 필요성 및/또는 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention aims to solve the above-mentioned needs and/or problems.

본 발명은 표시장치 구동회로의 단락 불량을 사전에 감지할 수 있고 단락 불량 위치를 빠르고 정확하게 판단할 수 있는 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display device capable of detecting a short circuit failure in a display device driving circuit in advance and quickly and accurately determining a short circuit failure location.

본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 표시장치는 복수의 데이터 라인들과 복수의 게이트 라인들이 교차되고 픽셀 어레이가 배치된 표시패널; 상기 표시패널 상에 배치되어 시프트 레지스터를 이용하여 상기 게이트 라인들에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부; 입력 신호의 전압 레벨을 시프트하여 상기 게이트 구동부에 공급하는 레벨 시프터; 상기 레벨 시프터가 배치된 인쇄 회로 보드; 디스플레이 모드에서 상기 데이터 라인들에 데이터 신호를 공급하는 소스 드라이브 IC; 및 상기 소스 드라이브 IC가 배치되고 상기 표시패널과 상기 인쇄 회로보드 사이에 연결된 연성 회로 기판를 포함한다. A display device of the present invention includes: a display panel in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines intersect and a pixel array is disposed; a gate driver disposed on the display panel to supply a gate signal to the gate lines using a shift register; a level shifter shifting the voltage level of the input signal and supplying it to the gate driver; a printed circuit board on which the level shifter is disposed; a source drive IC for supplying a data signal to the data lines in a display mode; and a flexible circuit board on which the source drive IC is disposed and connected between the display panel and the printed circuit board.

상기 연성 회로 기판, 상기 소스 드라이브 IC, 및 상기 레벨 시프터 중 적어도 하나는 센싱 모드에서 플래그 신호를 발생하는 단락 불량 센싱부를 포함한다. At least one of the flexible circuit board, the source drive IC, and the level shifter includes a short-circuit failure sensing unit generating a flag signal in a sensing mode.

상기 단락 불량 센싱부는 샘플 전압이 인가되는 저항; 및 상기 연성 회로 기판의 배선, 상기 레벨 시프터의 출력 단자, 및 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자 중 어느 하나로부터 수신된 센싱 전압을 미리 설정된 기준 전압과 비교하는 비교기를 포함한다. The short-circuit failure sensing unit may include a resistor to which a sample voltage is applied; and a comparator for comparing the sensed voltage received from any one of the wiring of the flexible circuit board, the output terminal of the level shifter, and the output terminal of the source drive IC with a preset reference voltage.

본 발명은 소스 드라이브 IC, 소스 드라이브 IC가 배치된 연성 회로 기판, 레벨 시프터 중 적어도 하나에 배치된 단락 불량 센싱부를 이용하여 표시패널 구동회로의 단락 불량을 센싱할 수 있다. According to the present invention, a short circuit failure of the display panel driving circuit may be sensed using a short circuit failure sensing unit disposed on at least one of the source drive IC, the flexible circuit board on which the source drive IC is disposed, and the level shifter.

본 발명은 표시패널 구동회로에 단락 불량이 센싱될 때 표시패널 구동회로를 디스에이블시켜 표시패널 구동회로의 손상을 방지하여 표시장치의 수명을 연장할 수 있다. 본 발명은 표시패널 구동회로에 단락 불량이 센싱될 때 경고 메시지를 외부로 전송할 수 있다. According to the present invention, when a short circuit fault is sensed in the display panel driving circuit, the display panel driving circuit is disabled to prevent damage to the display panel driving circuit, thereby extending the lifespan of the display device. The present invention may transmit a warning message to the outside when a short circuit failure is sensed in the display panel driving circuit.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는, 첨부 도면은 본 발명에 대한 실시예를 제공하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 특징을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 보여 주는 블록도이다.
도 2는 디멀티플렉서 어레이의 스위치 소자들을 보여 주는 회로도이다.
도 3은 액정표시장치에서 픽셀 회로의 일 예를 보여 주는 도면이다.
도 4는 유기 발광 표시장치에서 픽셀 회로의 일 예를 보여 주는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 디멀티플렉서와 픽셀 회로의 동작을 보여 주는 파형도이다.
도 6은 게이트 구동회로의 시프트 레지스터를 개략적으로 보여 주는 도면이다.
도 7 및 도 8은 타이밍 콘트롤러와 레벨 시프터 사이의 배선들을 보여 주는 도면들이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 불량 센싱 방법을 개략적으로 보여 주는 흐름도이다.
도 10은 표시패널 구동회로에 단락이 감지될 때 화면 상에 표시되는 경보 메시지 후에 패널 신호가 차단된 화면의 일 예를 보여 주는 도면이다.
도 11은 표시패널 구동회로에 단락이 감지될 때 네크워크를 통해 경보 메시지가 외부로 전송되는 예를 보여 주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 단락 불량 센싱부를 보여 주는 회로도이다.
도 13은 COF의 배선들과 패드들이 단락될 때 COF와 단락 분량 감지부 사이의 단락 회로를 보여 주는 등가 회로도이다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 단락 불량 센싱부를 보여 주는 회로도들이다.
도 15a 내지 도 15c는 소스 드라이브 IC에 내장된 단락 불량 센싱부와, 이 소스 드라이브 IC의 동작 모드를 보여 주는 회로도들이다.
도 16a 내지 도 16c는 레벨 시프터에 내장된 단락 불량 센싱부와, 이 레벨 시프터의 동작 모드를 보여 주는 회로도들이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included as a part of the detailed description to facilitate the understanding of the present invention, provide embodiments of the present invention, and together with the detailed description, explain the technical features of the present invention.
1 is a block diagram illustrating a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram showing switch elements of a demultiplexer array.
3 is a diagram illustrating an example of a pixel circuit in a liquid crystal display device.
4 is a diagram illustrating an example of a pixel circuit in an organic light emitting diode display.
FIG. 5 is a waveform diagram showing operations of the demultiplexer and the pixel circuit shown in FIG. 4 .
6 is a diagram schematically showing a shift register of a gate driving circuit.
7 and 8 are views showing wirings between the timing controller and the level shifter.
9 is a flowchart schematically illustrating a failure sensing method according to an embodiment of the present invention.
10 is a diagram illustrating an example of a screen in which a panel signal is blocked after an alarm message displayed on the screen when a short circuit is detected in the display panel driving circuit.
11 is a diagram illustrating an example in which an alarm message is transmitted to the outside through a network when a short circuit is detected in the display panel driving circuit.
12 is a circuit diagram illustrating a short-circuit failure sensing unit according to a first embodiment of the present invention.
13 is an equivalent circuit diagram showing a short circuit between the COF and the short circuit amount sensing unit when the wires and pads of the COF are shorted.
14A and 14B are circuit diagrams illustrating a short-circuit failure sensing unit according to a second embodiment of the present invention.
15A to 15C are circuit diagrams illustrating a short-circuit failure sensing unit embedded in a source drive IC and an operation mode of the source drive IC.
16A to 16C are circuit diagrams illustrating a short-circuit failure sensing unit embedded in the level shifter and an operation mode of the level shifter.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains It is provided to fully understand the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명은 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. Since the shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are exemplary, the present invention is not limited to the matters shown in the drawings. Like reference numerals refer to substantially like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 발명 상에서 언급된 “구비한다”, “포함한다”, “갖는다”, “이루어진다” 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수로 해석될 수 있다. In the present invention, when "comprising", "including", "having", "consisting", etc. mentioned in the present invention are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, it may be construed as the plural unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 구성요소들 간에 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 그 구성요소들 사이에 하나 이상의 다른 구성 요소가 개재될 수 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship between two components is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', ' One or more other elements may be interposed between those elements in which 'directly' or 'directly' are not used.

구성 요소들을 구분하기 위하여 제1, 제2 등이 사용될 수 있으나, 이 구성 요소들은 구성 요소 앞에 붙은 서수나 구성 요소 명칭으로 그 기능이나 구조가 제한되지 않는다. 특허청구범위는 필수 구성 요소를 중심으로 기재되기 때문에 특허청구범위의 구성 요소 명칭 앞에 붙은 서수와 실시예의 구성 요소 명칭 앞에 붙은 서수가 일치되지 않을 수 있다. 1st, 2nd, etc. may be used to distinguish the components, but the functions or structures of these components are not limited to the ordinal number or component name attached to the front of the component. Since the claims are described based on essential elements, the ordinal numbers placed before the component names in the claims may not match the ordinal numbers placed before the component names of the embodiments.

이하의 실시예들은 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하다. 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.The following embodiments can be partially or wholly combined or combined with each other, and technically various interlocking and driving are possible. Each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship.

본 발명의 표시장치에서 표시패널 구동회로, 픽셀 어레이, 레벨 시프터 등은 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 트랜지스터들은 산화물 반도체를 포함한 Oxide TFT(Thin Film Transistor), 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)을 포함한 LTPS TFT 등으로 구현될 수 있다. 트랜지스터들 각각은 p 채널 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) 또는 n 채널 MOSFET 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. In the display device of the present invention, a display panel driving circuit, a pixel array, a level shifter, etc. may include transistors. The transistors may be implemented as an oxide TFT (Thin Film Transistor) including an oxide semiconductor, an LTPS TFT including a Low Temperature Poly Silicon (LTPS), or the like. Each of the transistors may be implemented as a transistor having a p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) or an n-channel MOSFET structure.

트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 트랜지스터에서 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 채널 트랜지스터의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 채널 트랜지스터에서 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 로 흐른다. p 채널 트랜지스터(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 채널 트랜지스터에서 정공이 소스로부터 드레인으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인으로 흐른다. 트랜지스터의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되지 않는다. 이하의 설명에서 트랜지스터의 소스와 드레인을 제1 및 제2 전극으로 칭하기로 한다.A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the transistor, carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode through which carriers exit the transistor. In a transistor, the flow of carriers flows from source to drain. In the case of the n-channel transistor, the source voltage is lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain because carriers are electrons. In an n-channel transistor, the direction of current flows from drain to source. In the case of a p-channel transistor (PMOS), since carriers are holes, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-channel transistor, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the transistor are not fixed. For example, the source and drain may be changed according to an applied voltage. Accordingly, the invention is not limited by the source and drain of the transistor. In the following description, the source and drain of the transistor will be referred to as first and second electrodes.

게이트 신호는 게이트 온 전압(Gate On Voltage)과 게이트 오프 전압(Gate Off Voltage) 사이에서 스윙한다. 게이트 온 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 높은 전압으로 설정되며, 게이트 오프 전압은 트랜지스터의 문턱 전압 보다 낮은 전압으로 설정된다. 트랜지스터는 게이트 온 전압에 응답하여 턴-온(turn-on)되는 반면, 게이트 오프 전압에 응답하여 턴-오프(turn-off)된다. n 채널 트랜지스터의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 하이 전압(Gate High Voltage, VGH)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 로우 전압(Gate Low Voltage, VGL)일 수 있다. p 채널 트랜지스터의 경우에, 게이트 온 전압은 게이트 로우 전압(VGL)이고, 게이트 오프 전압은 게이트 하이 전압(VGH)일 수 있다. The gate signal swings between a gate on voltage and a gate off voltage. The gate-on voltage is set to a voltage higher than the threshold voltage of the transistor, and the gate-off voltage is set to a voltage lower than the threshold voltage of the transistor. The transistor is turned on in response to the gate-on voltage, while turned-off in response to the gate-off voltage. In the case of an n-channel transistor, the gate-on voltage may be a gate high voltage (VGH), and the gate-off voltage may be a gate low voltage (VGL). In the case of the p-channel transistor, the gate-on voltage may be a gate low voltage VGL, and the gate-off voltage may be a gate high voltage VGH.

본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED Display) 등 어떠한 평판 표시장치에도 적용 가능하다. The present invention can be applied to any flat panel display such as a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting display (OLED display).

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치(1000)는 표시패널(100)과, 표시패널 구동회로를 포함한다. Referring to FIG. 1 , a display device 1000 according to an embodiment of the present invention includes a display panel 100 and a display panel driving circuit.

표시패널(100)의 화면은 입력 영상의 픽셀 데이터를 표시하는 픽셀 어레이(AA)를 포함한다. 픽셀 어레이(AA)의 픽셀들에 입력 영상의 픽셀 데이터가 표시된다. 픽셀 어레이(AA)는 다수의 데이터 라인들(DL), 데이터 라인들(DL)과 교차되는 다수의 게이트 라인들(GL), 및 매트릭스 형태로 배치되는 픽셀들을 포함한다. 픽셀들의 배치 형태는 매트릭스 형태 이외에도 동일한 색을 발광하는 픽셀을 공유하는 형태, 스트라이프 형태, 다이아몬드 형태 등 다양하게 형성될 수 있다.The screen of the display panel 100 includes a pixel array AA that displays pixel data of an input image. Pixel data of the input image is displayed on the pixels of the pixel array AA. The pixel array AA includes a plurality of data lines DL, a plurality of gate lines GL crossing the data lines DL, and pixels arranged in a matrix form. In addition to the matrix form, the arrangement of pixels may be formed in various ways, such as a form in which pixels emitting the same color are shared, a stripe form, a diamond form, and the like.

픽셀 어레이(AA)의 해상도가 n*m 일 때, 픽셀 어레이(AA)는 n 개의 픽셀 컬럼(Column)과, 픽셀 컬럼과 교차되는 m 개의 픽셀 라인들(L1~Lm)을 포함한다. 픽셀 컬럼은 y축 방향을 따라 배치된 픽셀들을 포함한다. 픽셀 라인은 x축 방향을 따라 배치된 픽셀들을 포함한다. 1 수평 기간(1H)은 1 프레임 기간을 m 개의 픽셀 라인(L1~Lm) 개수로 나눈 시간이다. 1 수평 기간(1H)에 1 픽셀 라인의 픽셀들에 픽셀 데이터가 기입된다. When the resolution of the pixel array AA is n*m, the pixel array AA includes n pixel columns and m pixel lines L1 to Lm intersecting the pixel columns. The pixel column includes pixels arranged along the y-axis direction. The pixel line includes pixels arranged along the x-axis direction. One horizontal period 1H is a time obtained by dividing one frame period by the number of m pixel lines L1 to Lm. Pixel data is written to the pixels of one pixel line in one horizontal period (1H).

픽셀들 각각은 컬러 구현을 위하여 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 청색 서브 픽셀로 나뉘어질 수 있다. 픽셀들 각각은 백색 서브 픽셀을 더 포함할 수도 있다. 서브 픽셀(101)들 각각은 픽셀 회로를 포함한다. 픽셀 회로는 픽셀 전극, 다수의 TFT들(Thin Film Transistor), 및 커패시터를 포함한다. 픽셀 회로는 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(GL)에 연결된다. Each of the pixels may be divided into a red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel to implement color. Each of the pixels may further include a white sub-pixel. Each of the sub-pixels 101 includes a pixel circuit. The pixel circuit includes a pixel electrode, a plurality of thin film transistors (TFTs), and a capacitor. The pixel circuit is connected to the data line DL and the gate line GL.

표시패널(100)의 화면 상에 터치 센서들이 배치되어 터치 스크린(touch screen)이 구현될 수 있다. 터치 입력은 별도의 터치 센서들을 이용하여 센싱(sensing)되거나 픽셀들을 통해 센싱될 수 있다. 터치 센서들은 온-셀(On-cell type) 또는 애드 온 타입(Add on type)으로 표시패널의 화면 상에 배치되거나 픽셀 어레이에 내장되는 인-셀(In-cell type) 터치 센서들로 구현될 수 있다. Touch sensors are disposed on the screen of the display panel 100 to realize a touch screen. The touch input may be sensed using separate touch sensors or may be sensed through pixels. The touch sensors may be implemented as in-cell type touch sensors arranged on the screen of a display panel or embedded in a pixel array as an on-cell type or an add-on type. can

표시패널 구동회로는 데이터 구동부(110), 게이트 구동부(120), 및 이 구동회로들(110, 120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(130)를 포함한다. 표시패널 구동회로는 디스플레이 모드에서 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 입력 영상의 데이터를 표시패널(100)의 픽셀들에 기입한다. 표시패널 구동회로는 단락 불량 센싱부(ERC)를 이용하여 센싱 모드에서 단락 불량을 센싱할 수 있다. The display panel driving circuit includes a data driver 110 , a gate driver 120 , and a timing controller 130 for controlling operation timings of the driving circuits 110 and 120 . The display panel driving circuit writes input image data to pixels of the display panel 100 under the control of the timing controller 130 in the display mode. The display panel driving circuit may sense the short circuit failure in the sensing mode by using the short circuit failure sensing unit ERC.

데이터 구동부(110)는 디스플레이 모드에서 매 프레임 마다 타이밍 콘트롤러(130)로부터 디지털 신호로 수신되는 입력 영상의 픽셀 데이터를 디지털 아날로그 컨버터(Digital to Analog Converter, 이하 "DAC"라 함)를 이용하여 아날로그 감마 보상 전압으로 변환하여 데이터 신호(Vdata1~3)를 출력한다. 데이터 신호(Vdata1~3)는 데이터 라인들(DL)에 공급된다.The data driver 110 converts pixel data of an input image received as a digital signal from the timing controller 130 every frame in the display mode to analog gamma using a digital-to-analog converter (hereinafter referred to as "DAC"). It is converted into a compensation voltage to output data signals Vdata1-3. The data signals Vdata1 to 3 are supplied to the data lines DL.

데이터 구동부(110)는 도 7 및 도 8에 도시된 소스 드라이브 IC(SIC)에 집적될 수 있다. 소스 드라이브 IC(SIC)는 연성 회로 기판 예를 들어, COF(Chip on film) 상에 실장될 수 있다. 소스 드라이브 IC(SIC) 각각에는 터치 센서들을 구동하기 위한 터치센서 구동부가 내장될 수 있다.The data driver 110 may be integrated in the source drive IC (SIC) illustrated in FIGS. 7 and 8 . The source drive IC (SIC) may be mounted on a flexible circuit board, for example, a chip on film (COF). A touch sensor driver for driving the touch sensors may be embedded in each of the source drive ICs (SIC).

게이트 구동부(120)는 디스플레이 모드에서 표시패널(100)에서 영상이 표시되는 않는 베젤 영역(BZ)에 형성될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 레벨 시프터(140)로부터 수신된 게이트 타이밍 제어신호를 입력 받아 데이터 신호(Vdata1~3)에 동기되는 게이트 신호(GATE1~3)1를 발생하여 게이트 라인들(GL)에 공급한다. 게이트 라인들(GL)에 인가되는 게이트 신호(GATE1~3)는 서브 픽셀들(101)의 스위치 소자를 턴-온(turn-on)시켜 데이터 신호(Vdata1~3)의 전압이 충전되는 픽셀 라인을 선택한다. 게이트 신호(GATE1~3)는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙하는 펄스 신호로 발생될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 시프트 레지스터(Shift register)를 이용하여 게이트 신호를 시프트한다. The gate driver 120 may be formed in the bezel region BZ in which an image is not displayed on the display panel 100 in the display mode. The gate driver 120 receives the gate timing control signal received from the level shifter 140 , generates gate signals GATE1 to 3 synchronized with the data signals Vdata1 to 3 , and supplies it to the gate lines GL. do. The gate signals GATE1 to 3 applied to the gate lines GL turn on the switch elements of the sub-pixels 101 so that the voltage of the data signals Vdata1 to 3 is charged. select The gate signals GATE1 to GATE3 may be generated as pulse signals swinging between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL. The gate driver 120 shifts the gate signal using a shift register.

타이밍 콘트롤러(130)는 입력 프레임 주파수를 i 배 체배하여 입력 프레임 주파수×i(i는 0 보다 큰 양의 정수) Hz의 프레임 주파수로 표시패널 구동부(110, 120)의 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 입력 프레임 주파수는 NTSC(National Television Standards Committee) 방식에서 60Hz이며, PAL(Phase-Alternating Line) 방식에서 50Hz이다.The timing controller 130 multiplies the input frame frequency by i to control the operation timing of the display panel drivers 110 and 120 with a frame frequency of the input frame frequency×i (i is a positive integer greater than 0) Hz. . The input frame frequency is 60 Hz in the NTSC (National Television Standards Committee) scheme and 50 Hz in the PAL (Phase-Alternating Line) scheme.

타이밍 콘트롤러(130)는 디스플레이 모드에서 호스트 시스템(200)으로부터 입력 영상의 픽셀 데이터와, 그와 동기되는 타이밍 신호를 수신한다. 타이밍 콘트롤러(130)에 수시되는 입력 영상의 픽셀 데이터는 디지털 신호이다. 타이밍 콘트롤러(130)는 픽셀 데이터를 데이터 구동부(110)로 전송한다. 타이밍 신호는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 클럭 신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등을 포함한다. 데이터 인에이블신호(DE)를 카운트하는 방법으로 수직 기간과 수평 기간을 알 수 있기 때문에 수직 동기신호(Vsync)와 수평 동기신호(Hsync)는 생략될 수 있다. 데이터 인에이블신호(DE)는 1 수평 기간(1H)의 주기를 갖는다.The timing controller 130 receives pixel data of an input image and a timing signal synchronized therewith from the host system 200 in the display mode. Pixel data of an input image received by the timing controller 130 is a digital signal. The timing controller 130 transmits pixel data to the data driver 110 . The timing signal includes a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a clock signal DCLK, and a data enable signal DE. Since the vertical period and the horizontal period can be known by counting the data enable signal DE, the vertical synchronization signal Vsync and the horizontal synchronization signal Hsync may be omitted. The data enable signal DE has a period of one horizontal period (1H).

표시패널 구동회로는 데이터 구동부(110)와 게이트 구동부(120) 사이에 배치된 디멀티플렉서 어레이(112)를 더 포함할 수 있다.The display panel driving circuit may further include a demultiplexer array 112 disposed between the data driver 110 and the gate driver 120 .

디멀티플렉서 어레이(112)는 데이터 구동부(110)의 한 채널을 다수의 데이터 라인들(DL)에 순차적으로 연결하여 데이터 구동부(110)의 한 채널로부터 출력되는 데이터 전압을 데이터 라인들(DL)에 시분할 분배함으로써 데이터 구동부(110)의 채널 개수를 줄일 수 있다. 디멀티플렉서 어레이(112)는 도 2와 같은 다수의 스위치 소자들을 포함한다.The demultiplexer array 112 sequentially connects one channel of the data driver 110 to a plurality of data lines DL to time-divide a data voltage output from one channel of the data driver 110 to the data lines DL. By distributing the data, the number of channels of the data driver 110 can be reduced. The demultiplexer array 112 includes a plurality of switch elements as shown in FIG. 2 .

타이밍 콘트롤러(130)는 디스플레이 모드에서 호스트 시스템(200)으로부터 수신된 타이밍 신호를 바탕으로 데이터 구동부(110)를 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호와, 게이트 구동부(120)를 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호, 디멀티플렉서 어레이(112)의 스위치 소자들을 제어하기 위한 MUX 제어신호, 단락 불량 센싱을 위한 제어 신호 등을 발생할 수 있다. The timing controller 130 includes a data timing control signal for controlling the data driver 110 and a gate timing control signal for controlling the gate driver 120 based on the timing signal received from the host system 200 in the display mode. , a MUX control signal for controlling the switch elements of the demultiplexer array 112 , a control signal for sensing a short circuit failure, and the like may be generated.

게이트 타이밍 제어신호는 스타트 펄스(Gate Start Pulse, VST), 시프트 클럭(GCLK) 등을 포함할 수 있다. 스타트 펄스(VST)는 매 프레임 기간 마다 게이트 구동부(120)의 스타트 타이밍을 제어한다. 시프트 클럭(GCLK)은 게이트 구동부(120)로부터 출력되는 게이트 신호의 시프트 타이밍(shift timing)을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(130)는 레벨 시프터(140)를 제어하기 위한 제어 신호를 발생할 수 있다.The gate timing control signal may include a gate start pulse (VST), a shift clock (GCLK), and the like. The start pulse VST controls the start timing of the gate driver 120 in every frame period. The shift clock GCLK controls shift timing of the gate signal output from the gate driver 120 . The timing controller 130 may generate a control signal for controlling the level shifter 140 .

호스트 시스템(200)은 TV(Television), 셋톱박스, 네비게이션 시스템, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터, 모바일 시스템, 웨어러블 시스템 중 어느 하나일 수 있다. 모바일 기기와 웨어러블 기기에서 데이터 구동부(110), 타이밍 콘트롤러(130), 레벨 시프터(140) 등은 하나의 드라이브 IC(미도시)에 집적될 수 있다. The host system 200 may be any one of a television (Television), a set-top box, a navigation system, a personal computer (PC), a home theater, a mobile system, and a wearable system. In the mobile device and the wearable device, the data driver 110 , the timing controller 130 , the level shifter 140 , etc. may be integrated into one drive IC (not shown).

모바일 시스템에서 호스트 시스템(200)은 AP(Application Processor)로 구현될 수 있다. 호스트 시스템(200)은 MIPI(Mobile Industry Processor Interface)를 통해 드라이브 IC에 입력 영상의 픽셀 데이터를 전송할 수 있다. 호스트 시스템(200)은 가요성 인쇄 회로 예를 들면, FPC(Flexible Printed Circuit)(310)를 통해 드라이브 IC에 연결될 수 있다. In the mobile system, the host system 200 may be implemented as an application processor (AP). The host system 200 may transmit pixel data of an input image to the drive IC through a Mobile Industry Processor Interface (MIPI). The host system 200 may be connected to the drive IC through a flexible printed circuit, for example, a flexible printed circuit (FPC) 310 .

레벨 시프터(level shifter, 140)는 타이밍 콘트롤러(130)로부터 수신된 입력 신호의 전압을 시프트하여 출력한다. 레벨 시프터(140)의 입력 신호는 로우 레벨(0V)과 하이 레벨(3.3V)의 TTL(Transistor-transistor logic) 레벨의 신호일 수 있다. 레벨 시프터(140)는 입력 신호의 하이 레벨을 게이트 하이 전압(VGH)으로 변환하고, 입력 신호의 로우 레벨을 게이트 로우 전압(VGL)으로 변환할 수 있다. 레벨 시프터(140)의 입력 신호는 게이트 타이밍 제어신호와, MUX 제어신호를 포함할 수 있다. 레벨 시프터(140)에 의해 전압이 시프트된 게이트 타이밍 제어신호는 게이트 구동부(120)에 공급된다. 레벨 시프터(140)에 의해 전압이 시프트된 MUX 제어신호는 디멀티플렉서(1120) 에 공급된다.The level shifter 140 shifts and outputs the voltage of the input signal received from the timing controller 130 . The input signal of the level shifter 140 may be a transistor-transistor logic (TTL) level signal of a low level (0V) and a high level (3.3V). The level shifter 140 may convert the high level of the input signal into the gate high voltage VGH and the low level of the input signal into the gate low voltage VGL. The input signal of the level shifter 140 may include a gate timing control signal and a MUX control signal. The gate timing control signal whose voltage is shifted by the level shifter 140 is supplied to the gate driver 120 . The MUX control signal whose voltage is shifted by the level shifter 140 is supplied to the demultiplexer 1120 .

본 발명의 표시장치(1000)는 전원부(400)를 더 포함한다.The display device 1000 of the present invention further includes a power supply unit 400 .

전원부(400)는 직류-직류 변환기(DC-DC Converter)를 이용하여 표시패널(100)의 픽셀 어레이와 표시패널 구동회로의 구동에 필요한 직류(DC) 전압을 발생한다. 직류-직류 변환기는 차지 펌프(Charge pump), 레귤레이터(Regulator), 벅 변환기(Buck converter), 부스트 변환기(Boost converter), 벅-부스트 변환기(Buck-Boost converter) 등을 포함할 수 있다. 전원부(400)는 호스트 시스템(200)으로부터의 직류 입력 전압을 조정하여 감마 기준 전압(VGMA), 게이트 하이 전압(VGH, VEH). 게이트 로우 전압(VGL, VEL), 하프 VDD(HVDD), 픽셀들의 공통 전압 등의 직류 전압을 발생할 수 있다. 감마 기준 전압(VGMA)은 데이터 구동부(110)에 공급된다. 하프 VDD 전압은 VDD 대비 1/2 전압으로 낮으며 소스 드라이브 IC의 출력 버퍼 구동 전압으로 이용될 수 있다. 감마 기준 전압(VGMA)은 분압 회로를 통해 계조별로 분압되어 데이터 구동부(110)의 DAC에 공급된다. 전원부(400)로부터 발생된 전원들은 도 9에 도시된 바와 같이 COF를 통해 표시패널(100)에 공급될 수 있다. The power supply unit 400 generates a DC voltage required for driving the pixel array of the display panel 100 and the display panel driving circuit using a DC-DC converter. The DC-DC converter may include a charge pump, a regulator, a buck converter, a boost converter, a buck-boost converter, and the like. The power supply unit 400 adjusts the DC input voltage from the host system 200 to obtain a gamma reference voltage (VGMA) and gate high voltages (VGH, VEH). DC voltages such as gate low voltages VGL and VEL, half VDD (HVDD), and a common voltage of pixels may be generated. The gamma reference voltage VGMA is supplied to the data driver 110 . The half VDD voltage is half voltage compared to VDD and can be used as an output buffer driving voltage of the source drive IC. The gamma reference voltage VGMA is divided for each gray level through a voltage dividing circuit and supplied to the DAC of the data driver 110 . Power generated from the power supply unit 400 may be supplied to the display panel 100 through the COF as shown in FIG. 9 .

도 2는 디멀티플렉서 어레이(112)의 스위치 소자들(M1, M2)을 보여 주는 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram showing the switch elements M1 and M2 of the demultiplexer array 112 .

도 2를 참조하면, 데이터 구동부(110)에서 하나의 채널(CH1, CH2)에 포함된 출력 버퍼(AMP)는 디멀티플렉서 어레이(112)를 통해 이웃한 데이터 라인들(DL1~4) 에 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL1~4)은 TFT(Thin Film Transistor)를 통해 서브 픽셀들의 픽셀 전극(1011~1014)에 연결될 수 있다. Referring to FIG. 2 , in the data driver 110 , the output buffer AMP included in one channel CH1 and CH2 may be connected to the adjacent data lines DL1 to 4 through the demultiplexer array 112 . . The data lines DL1 to 4 may be connected to the pixel electrodes 1011 to 1014 of the sub-pixels through a thin film transistor (TFT).

디멀티플렉서 어레이(112)는 다수의 디멀티플렉서들(Demultiplexer)을 포함한다. 디멀티플렉서(21, 22)는 입력 노드가 하나이고 출력 노드가 N(N은 둘 이상의 양의 정수) 개인 1:N 디멀티플렉서일 수 있다. MUX 제어신호(MUX1, MUX2)는 디멀티플렉서(21, 22)의 제어 노드에 입력되어 스위치 소자들(M1, M2)의 게이트에 인가된다. MUX 제어신호(MUX1, MUX2)는 스위치 소자들(M1, M2)의 온/오프 타이밍을 제어한다. The demultiplexer array 112 includes a plurality of demultiplexers (Demultiplexer). The demultiplexers 21 and 22 may be 1:N demultiplexers having one input node and N output nodes (N being two or more positive integers). The MUX control signals MUX1 and MUX2 are input to the control nodes of the demultiplexers 21 and 22 and applied to the gates of the switch elements M1 and M2. The MUX control signals MUX1 and MUX2 control on/off timing of the switch elements M1 and M2.

디멀티플렉서들(21, 22)은 도 2에서 1:2 디멀티플렉서로 예시되었으나 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 디멀티플렉서(21, 22) 각각은 1:3 디멀티플렉서로 구현되어 데이터 구동부(110)에서 하나의 채널을 세 개의 데이터 라인들에 순차적으로 연결할 수 있다. 디멀티플렉서 어레이(112)는 표시패널(100)의 기판 상에 직접 형성되거나, 데이터 구동부(110)와 함께 하나의 드라이브 IC에 집적될 수 있다. The demultiplexers 21 and 22 are illustrated as 1:2 demultiplexers in FIG. 2 , but are not limited thereto. For example, each of the demultiplexers 21 and 22 may be implemented as a 1:3 demultiplexer so that one channel may be sequentially connected to three data lines in the data driver 110 . The demultiplexer array 112 may be directly formed on the substrate of the display panel 100 , or may be integrated into one drive IC together with the data driver 110 .

디멀티플렉서 어레이(112)는 스위치 소자들(M1, M2)을 이용하여 데이터 구동부(110)의 제1 채널(CH1)을 통해 출력되는 데이터 신호(Vdata1)를 제1 및 제2 데이터 라인들(DL1, DL2)에 시분할 분배하는 제1 디멀티플렉서(21)와, 스위치 소자들(M1, M2)을 이용하여 데이터 구동부(110)의 제2 채널(CH2)을 통해 출력되는 데이터 신호(Vdata1)를 제3 및 제4 데이터 라인들(DL3, DL4)에 시분할 분배하는 제2 디멀티플렉서(22)를 포함한다. The demultiplexer array 112 transmits the data signal Vdata1 output through the first channel CH1 of the data driver 110 to the first and second data lines DL1 and DL1 using the switch elements M1 and M2. The data signal Vdata1 output through the second channel CH2 of the data driver 110 is outputted through the first demultiplexer 21 for time-division distribution to the DL2 and the switch elements M1 and M2 by the third and and a second demultiplexer 22 for time division distribution to the fourth data lines DL3 and DL4.

스위치 소자들(M1, M2) 각각은 트랜지스터로 구현될 수 있다. 스위치 소자들(M1, M2)은 레벨 시프터(140)를 통해 게이트에 인가되는 MUX 제어신호(MUX1, MUX2)의 게이트 하이 전압(VGH)에 따라 턴-온(turn-on)되어 데이터 구동부(110)의 채널을 데이터 라인(DL1~DL4)에 연결한다. Each of the switch elements M1 and M2 may be implemented as a transistor. The switch elements M1 and M2 are turned on according to the gate high voltage VGH of the MUX control signals MUX1 and MUX2 applied to the gates through the level shifter 140 to be turned on to the data driver 110 . ) to the data lines DL1 to DL4.

제1 스위치 소자(M1)는 제1 MUX 신호(MUX1)의 게이트 하이 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 이 때, 제1 채널(CH1)의 출력 버퍼(AMP)가 제1 스위치 소자(M1)를 통해 제1 데이터 라인(DL1)에 연결된다. 이와 동시에, 제2 채널(CH2)의 출력 버퍼(AMP)가 제1 스위치 소자(M1)를 통해 제3 데이터 라인(DL3)에 연결된다. The first switch element M1 is turned on in response to the gate high voltage VGH of the first MUX signal MUX1. In this case, the output buffer AMP of the first channel CH1 is connected to the first data line DL1 through the first switch element M1 . At the same time, the output buffer AMP of the second channel CH2 is connected to the third data line DL3 through the first switch element M1 .

제2 스위치 소자(M2)가 제2 MUX 신호(MUX2)의 게이트 하이 전압(VGH)에 응답하여 턴-온된다. 이 때, 제1 채널(CH1)의 출력 버퍼(AMP)가 제2 스위치 소자(M2)를 통해 제2 데이터 라인(DL2)에 연결된다. 이와 동시에, 제2 채널(CH2)의 출력 버퍼(AMP)가 제2 스위치 소자(M2)를 통해 제4 데이터 라인(DL4)에 연결된다. The second switch element M2 is turned on in response to the gate high voltage VGH of the second MUX signal MUX2. In this case, the output buffer AMP of the first channel CH1 is connected to the second data line DL2 through the second switch element M2 . At the same time, the output buffer AMP of the second channel CH2 is connected to the fourth data line DL4 through the second switch element M2 .

도 3은 액정표시장치에서 픽셀 회로의 일 예를 보여 주는 도면이다.3 is a diagram illustrating an example of a pixel circuit in a liquid crystal display device.

도 3을 참조하면, 서브 픽셀들 각각은 픽셀 전극(1), 공통 전극(2), 액정셀(Clc), 픽셀 전극(31)에 연결된 TFT 및 스토리지 캐패시터(Storage Capacitor, Cst)를 포함한다. TFT는 데이터 라인(DL1~3)과 게이트 라인(GL1)의 교차부에 형성된다. TFT는 게이트 라인(GATE)으로부터의 게이트 신호(GATE)에 응답하여 데이터 라인(DL1~3)으로부터의 데이터 신호(Vdata)의 전압을 픽셀 전극(31)에 공급한다. Referring to FIG. 3 , each of the sub-pixels includes a pixel electrode 1 , a common electrode 2 , a liquid crystal cell Clc, a TFT connected to the pixel electrode 31 , and a storage capacitor Cst. The TFT is formed at the intersection of the data lines DL1 to 3 and the gate line GL1. The TFT supplies the voltage of the data signal Vdata from the data lines DL1 to 3 to the pixel electrode 31 in response to the gate signal GATE from the gate line GATE.

픽셀 전극(1)에 데이터 신호 즉, 픽셀 데이터의 데이터 전압이 인가된다. 공통 전극(2)에 픽셀들의 기준 전위인 공통 전압(Vcom)이 인가된다. A data signal, that is, a data voltage of pixel data is applied to the pixel electrode 1 . A common voltage Vcom, which is a reference potential of pixels, is applied to the common electrode 2 .

유기 발광 표시장치의 서브 픽셀들은 도 4의 예와 같이 발광 다이오드 소자(Organic Light Emitting Diode, “OLED”라 함)를 이용하여 입력 영상의 픽셀 데이터에 따라 빛을 발생하여 영상을 표시한다. 유기 발광 표시장치는 백라이트 유닛(Backlight unit)이 필요 없고, 플렉시블(flexible) 소재인 플라스틱 기판, 박형 유리 기판, 금속 기판 상에 구현될 수 있다. 따라서, 플렉시블 디스플레이는 유기 발광 표시 장치로 구현될 수 있다. As in the example of FIG. 4 , the sub-pixels of the organic light emitting diode display generate light according to pixel data of an input image by using an organic light emitting diode (referred to as “OLED”) to display an image. The organic light emitting diode display does not require a backlight unit and may be implemented on a plastic substrate, a thin glass substrate, or a metal substrate, which are flexible materials. Accordingly, the flexible display may be implemented as an organic light emitting display device.

플렉시블 디스플레이는 표시패널을 감거나 접고 구부리는 방법으로 화면의 크기와 형태가 가변될 수 있다. 플렉시블 디스플레이는 롤러블 디스플레이(rollable display), 벤더블(bendable) 디스플레이, 폴더블 디스플레이(foldable display), 슬라이더블 디스플레이(slidable display) 등으로 구현될 수 있다. 이러한 플렉시블 디스플레이는 응용 분야가 확대되고 있다.In the flexible display, the size and shape of the screen may be changed by winding, folding, or bending the display panel. The flexible display may be implemented as a rollable display, a bendable display, a foldable display, a slideable display, and the like. The field of application of these flexible displays is expanding.

플렉시블 디스플레이는 플라스틱 패널과 같은 유연한 기판을 이용하는 OLED 패널로 구현될 수 있다. 플라스틱 패널의 백 플레이트(Back plate) 상에 접착된 유기 박막 필름 상에 픽셀 어레이가 형성될 수 있다. 백 플레이트는 PET(Polyethylene terephthalate) 기판일 수 있다. 백 플레이트 상에 유기 박막 필름이 형성된다. 유기 박막 필름 상에 픽셀 어레이와 터치 센서 어레이가 형성될 수 있다. 백 플레이트는 픽셀 어레이가 습도에 노출되지 않도록 유기 박막 필름을 향하는 투습을 차단한다. 유기 박막 필름은 얇은 PI(Polyimide) 필름 기판일 수 있다. 유기 박막 필름 상에 도시하지 않은 절연 물질로 다층의 버퍼막이 형성될 수 있다. 유기 박막 필름 상에 픽셀 어레이와 터치 센서 어레이에 인가되는 전원이나 신호를 공급하기 위한 배선들이 형성될 수 있다.The flexible display may be implemented as an OLED panel using a flexible substrate such as a plastic panel. A pixel array may be formed on an organic thin film adhered to a back plate of a plastic panel. The back plate may be a polyethylene terephthalate (PET) substrate. An organic thin film is formed on the back plate. A pixel array and a touch sensor array may be formed on the organic thin film. The back plate blocks the moisture permeation towards the organic thin film so that the pixel array is not exposed to humidity. The organic thin film may be a thin PI (Polyimide) film substrate. A multi-layered buffer film may be formed of an insulating material (not shown) on the organic thin film. Wires for supplying power or signals applied to the pixel array and the touch sensor array may be formed on the organic thin film.

유기 발광 표시장치의 픽셀들은 OLED와, 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 OLED에 흐르는 전류를 조절하여 OLED를 구동하는 구동 소자, 구동 소자의 게이트 전압을 유지하는 스토리지 커패시터 등을 포함할 수 있다. Pixels of the organic light emitting display device may include an OLED, a driving device that drives the OLED by controlling a current flowing through the OLED according to a gate-source voltage (Vgs), and a storage capacitor that maintains the gate voltage of the driving device. .

구동 소자는 트랜지스터(transistor)로 구현될 수 있다. 유기 발광 표시장치의 화면 전체의 화질을 균일하게 하기 위하여, 구동 소자는 모든 픽셀들 간에 그 전기적 특성이 균일하여야 한다. 표시패널의 제조 공정에서 초래되는 공정 편차와 소자 특성 편차로 인하여 픽셀들 간에 구동 소자의 전기특성에서 차이가 있을 수 있고 이러한 차이는 픽셀들의 구동 시간이 경과됨에 따라 더 커질 수 있다. 픽셀들 간에 구동 소자의 전기적 특성 편차를 보상하기 위해, 유기 발광 표시장치에 내부 보상 기술 및/또는 외부 보상 기술이 적용될 수 있다.The driving device may be implemented as a transistor. In order to make the image quality of the entire screen of the organic light emitting diode display uniform, the driving element must have uniform electrical characteristics among all pixels. Due to process variation and device characteristic variation caused in the manufacturing process of the display panel, there may be a difference in electrical characteristics of the driving device between pixels, and the difference may increase as the driving time of the pixels elapses. An internal compensation technique and/or an external compensation technique may be applied to the organic light emitting diode display in order to compensate for variations in electrical characteristics of the driving element between pixels.

외부 보상 기술은 외부 보상 회로를 이용하여 구동 소자들의 전기적 특성에 따라 변하는 구동 소자의 전류 또는 전압을 실시간 센싱한다. 외부 보상 기술은 픽셀 별로 센싱된 구동 소자의 전기적 특성 편차(또는 변화) 만큼 입력 영상의 픽셀 데이터(디지털 데이터)를 변조함으로써 픽셀들 각각에서 구동 소자의 전기적 특성 편차(또는 변화)를 실시간 보상한다.The external compensation technology senses in real time a current or voltage of a driving device that changes according to electrical characteristics of the driving device using an external compensation circuit. The external compensation technology compensates for the deviation (or change) in the electrical characteristics of the driving element in each pixel in real time by modulating the pixel data (digital data) of the input image as much as the electric characteristic deviation (or change) of the driving element sensed for each pixel.

내부 보상 기술은 픽셀들 각각에 내장된 내부 보상 회로를 이용하여 서브 픽셀별로 구동 소자의 문턱 전압을 센싱하여 그 문턱 전압 만큼 구동 소자의 게이트 -소스간 전압(Vgs)을 보상한다. 내부 보상 회로는 구동 소자(DT)의 게이트에 연결된 스토리지 커패시터(Cst)와, 스토리지 커패시터(Cst)와 구동 소자(DT) 및 발광 소자(EL)를 연결하는 하나 이상의 스위치 소자들(T1~5)를 포함한다. The internal compensation technology senses the threshold voltage of the driving device for each sub-pixel using an internal compensation circuit built into each pixel, and compensates the gate-source voltage (Vgs) of the driving device by the threshold voltage. The internal compensation circuit includes a storage capacitor Cst connected to the gate of the driving element DT, and one or more switch elements T1 to 5 connecting the storage capacitor Cst, the driving element DT, and the light emitting element EL. includes

멀티플렉서들(21, 22)은 내부 보상 기술이나 외부 보상 기술이 적용된 유기 발광 표시장치 모두에 적용될 수 있다. 도 4는 내부 보상 기술이 적용된 유기 발광 표시장치에 멀티플렉서(21)가 배치된 예를 도시한 것이나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. The multiplexers 21 and 22 may be applied to both an organic light emitting diode display to which an internal compensation technique or an external compensation technique is applied. 4 illustrates an example in which the multiplexer 21 is disposed in an organic light emitting diode display to which internal compensation technology is applied, but the present invention is not limited thereto.

도 4 및 도 5를 참조하면, 게이트 신호는 유기 발광 표시장치에서 스캔 신호와, 발광 제어 신호(이하, “EM 신호”라 함)를 포함할 수 있다. 도 4에서, GL11~13는 1 픽셀 라인의 서브 픽셀들에 연결된 게이트 라인들이다. 도 5에서, D1(N) 및 D2(N)는 제N 픽셀 라인의 픽셀들에 인가되는 데이터 신호(Vdata)이다. D1(N+1) 및 D2(N+1)는 제N+1 픽셀 라인의 픽셀들에 인가되는 데이터 신호(Vdata)이다. X는 데이터 신호(Vdata)가 없는 구간이다. 4 and 5 , the gate signal may include a scan signal and a light emission control signal (hereinafter, referred to as an “EM signal”) in the organic light emitting diode display. In FIG. 4 , GL11 to GL13 are gate lines connected to sub-pixels of one pixel line. In FIG. 5 , D1(N) and D2(N) are data signals Vdata applied to pixels of an Nth pixel line. D1(N+1) and D2(N+1) are data signals Vdata applied to pixels of the N+1th pixel line. X is a section in which there is no data signal Vdata.

전원부(400)는 유기 발광 표시장치에서 픽셀들에 인가되는 픽셀 구동 전압(ELVDD), 저전위 전압(ELVSS), 및 기준 전압(Vref) 등의 픽셀 전원을 출력할 수 있다.The power supply 400 may output pixel power such as a pixel driving voltage ELVDD, a low potential voltage ELVSS, and a reference voltage Vref applied to pixels in the organic light emitting diode display.

1 수평 기간(1H)은 초기화 기간(Tini), 데이터 기입 기간(Twr), 및 유지 기간(Th)을 포함할 수 있다. One horizontal period 1H may include an initialization period Tini, a data writing period Twr, and a sustain period Th.

픽셀들은 발광 기간(Tem) 동안 발광될 수 있다. 발광 기간(Tem)은 1 프레임 기간에서 1 수평 기간(1H)을 제외한 1 프레임 기간의 대부분 시간에 해당한다. 데이터 기입 기간(Twr)과 발광 기간(Tem) 사이에 유지 기간(Th)이 추가될 수 있다. The pixels may emit light during the light emission period Tem. The light emission period Tem corresponds to most of the time of one frame period except for one horizontal period 1H in one frame period. A sustain period Th may be added between the data writing period Twr and the light emission period Tem.

저계조(low gray scale)의 휘도를 정밀하게 표현하기 위하여, EM 신호[EM(N)]는 발광 기간(Tem) 동안 소정의 듀티비(duty ration)로 게이트 온 전압(VEL)과 게이트 오프 전압(VEH) 사이에서 스윙(swing)할 수 있다.In order to accurately express the luminance of a low gray scale, the EM signal [EM(N)] has a gate-on voltage VEL and a gate-off voltage at a predetermined duty ratio during the light emission period Tem. You can swing between (VEH).

제2 스캔 신호[SCAN2(N)]의 펄스는 제1 스캔 신호[SCAN1(N)] 보다 먼저 게이트 온 전압(VGL)으로 반전되고, 제1 스캔 신호[SCAN1(N)]의 펄스와 동시에 게이트 오프 전압(VGH)으로 반전된다. 제1 및 제2 스캔 신호[SCAN1(N), SCAN2(N)]의 펄스 폭은 1 수평 기간(1H) 이하로 설정될 수 있다.The pulse of the second scan signal [SCAN2(N)] is inverted to the gate-on voltage VGL before the first scan signal [SCAN1(N)], and is simultaneously gated with the pulse of the first scan signal [SCAN1(N)] It is inverted to the off voltage VGH. The pulse widths of the first and second scan signals SCAN1(N) and SCAN2(N) may be set to less than or equal to one horizontal period (1H).

EM 신호(EM)의 펄스는 데이터 기입 기간(Twr)과 유지 기간(Th) 동안 발광 소자(EL)의 발광을 억제하기 위하여 게이트 하이 전압(VEH)으로 발생될 수 있다. EM 신호(EM)는 제1 스캔 신호[SCAN1(N)]가 게이트 로우 전압(VGL)으로 반전될 때 게이트 하이 전압(VEH)으로 반전되고, 제1 및 제2 스캔 신호[SCAN1(N), SCAN2(N)]가 게이트 하이 전압(VEH)으로 반전된 후에 게이트 로우 전압(VEL)으로 반전될 수 있다.The pulse of the EM signal EM may be generated as a gate high voltage VEH to suppress light emission of the light emitting device EL during the data writing period Twr and the sustain period Th. The EM signal EM is inverted to the gate high voltage VEH when the first scan signal SCAN1(N) is inverted to the gate low voltage VGL, and the first and second scan signals SCAN1(N), SCAN2(N)] may be inverted to the gate high voltage VEH and then inverted to the gate low voltage VEL.

초기화 기간(Tini) 동안, 제2 스캔 신호[SCAN2(N)]가 게이트 로우 전압(VGL)으로 반전된다. 이 때, 픽셀 회로의 주요 노드들이 초기화될 수 있다. During the initialization period Tini, the second scan signal SCAN2(N) is inverted to the gate low voltage VGL. At this time, main nodes of the pixel circuit may be initialized.

데이터 기입 기간(Twr) 동안, 제1 스캔 신호[SCAN1(N)]가 게이트 로우 전압(VGL)으로 반전된다. 이 때, 데이터 신호(Vdata)가 커패시터(Cst)의 제1 전극에 인가되고, 커패시터(Cst)의 제2 전극에 ELVDD-Vth가 인가된다. 데이터 기입 기간(Twr) 동안 구동 소자(DT)의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)에 도달할 때 구동 소자(DT)가 턴-오프(turn-off)되어 커패시터(Cst)에 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)이 샘플링되고, 이 문턱 전압(Vth)만큼 보상된 데이터 전압(Vdata)이 커패시터(Cst)에 충전된다. During the data writing period Twr, the first scan signal SCAN1(N) is inverted to the gate low voltage VGL. At this time, the data signal Vdata is applied to the first electrode of the capacitor Cst, and ELVDD-Vth is applied to the second electrode of the capacitor Cst. During the data writing period Twr, when the gate-source voltage Vgs of the driving device DT reaches the threshold voltage Vth of the driving device DT, the driving device DT is turned off. ), the threshold voltage Vth of the driving element DT is sampled in the capacitor Cst, and the data voltage Vdata compensated for by the threshold voltage Vth is charged in the capacitor Cst.

발광 소자(EL)는 OLED로 구현될 수 있다. OLED는 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. OLED의 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL) 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광 소자(EL)의 애노드는 제4 노드(n4)를 통해 제4 및 제5 스위치 소자들(T4, T5)에 연결된다. The light emitting element EL may be implemented as an OLED. The OLED includes an organic compound layer formed between an anode and a cathode. The organic compound layer of the OLED may include, but is not limited to, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). The anode of the light emitting element EL is connected to the fourth and fifth switch elements T4 and T5 through the fourth node n4.

발광 소자(EL)의 캐소드에 저전위 전원 전압(VSS)이 인가된다. 구동 소자(DT)는 게이트-소스간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(EL)에 전류를 공급하여 발광 소자(EL)를 구동한다. 발광 소자(EL)는 데이터 신호(Vdata)의 전압에 따라 구동 소자(DT)에 의해 조절되는 전류로 발광한다. 발광 소자(EL)의 전류패스는 제4 스위치 소자(T4)에 의해 스위칭된다.A low potential power voltage VSS is applied to the cathode of the light emitting element EL. The driving device DT drives the light emitting device EL by supplying a current to the light emitting device EL according to the gate-source voltage Vgs. The light emitting element EL emits light with a current controlled by the driving element DT according to the voltage of the data signal Vdata. The current path of the light emitting element EL is switched by the fourth switch element T4 .

커패시터(Cst)는 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 연결된다. 커패시터(Cst)에 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)만큼 보상된 데이터 신호(Vdata)의 전압이 충전된다. 서브 픽셀들 각각에서 데이터 신호(Vdata)의 전압은 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth) 만큼 보상되기 때문에서 서브 픽셀들에서 구동 소자(DT)의 문턱 전압 편차가 보상될 수 있다.The capacitor Cst is connected between the first node n1 and the second node n2. The voltage of the data signal Vdata compensated by the threshold voltage Vth of the driving element DT is charged in the capacitor Cst. Since the voltage of the data signal Vdata in each of the sub-pixels is compensated by the threshold voltage Vth of the driving device DT, the threshold voltage deviation of the driving device DT in the sub-pixels may be compensated.

제1 스위치 소자(T1)는 제1 스캔 신호[SCAN1(N)]의 게이트 로우 전압(VGL)에 응답하여 턴-온(turn-on)되어 데이터 신호(Vdata)의 전압을 제1 노드(n1)에 공급한다. 제1 스위치 소자(T1)는 제1 스캔 신호[SCAN1(N)]가 인가되는 제1 게이트 라인(GL11)에 연결된 게이트, 데이터 라인(DL1, DL2)에 연결된 제1 전극, 및 제1 노드(n1)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The first switch element T1 is turned on in response to the gate low voltage VGL of the first scan signal SCAN1(N) to transfer the voltage of the data signal Vdata to the first node n1 ) is supplied to The first switch element T1 includes a gate connected to the first gate line GL11 to which the first scan signal SCAN1(N) is applied, a first electrode connected to the data lines DL1 and DL2, and a first node ( and a second electrode connected to n1).

제2 스위치 소자(T2)는 제2 스캔 신호[SCAN2(N)]의 게이트 로우 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어 구동 소자(DT)의 게이트와 제2 전극을 연결한다. 제2 스위치 소자(T2)는 제2 스캔 신호[SCAN2(N)]가 인가되는 제2 게이트 라인(GL12)에 연결된 게이트, 제2 노드(n2)에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(n3)에 연결된 제2 전극을 포함한다.The second switch element T2 is turned on in response to the gate low voltage VGL of the second scan signal SCAN2(N) to connect the gate and the second electrode of the driving element DT. The second switch element T2 has a gate connected to the second gate line GL12 to which the second scan signal SCAN2(N) is applied, a first electrode connected to the second node n2 , and a third node n3 . ) and a second electrode connected to the

제3 스위치 소자(T3)는 EM 신호[EM(N)]의 게이트 로우 전압(VEL)에 응답하여 턴-온되어 초기화 기간(Tini)과 발광 기간(Tem) 동안 제1 노드(n1)에 기준 전압(Vref)을 공급한다. 제3 스위치 소자(T3)로 인하여, 초기화 기간(Tini)과 발광 기간(Tem) 동안 커패시터(Cst)의 제1 전극 전압이 Vref로 초기화된다. 제3 스위치 소자(T3)는 EM 신호[EM(N)]가 인가되는 제3 게이트 라인(G13)에 연결된 게이트, 제1 노드(n1)에 연결된 제1 전극, 및 Vref가 인가되는 Vref 라인에 연결된 제2 전극을 포함한다.The third switch element T3 is turned on in response to the gate low voltage VEL of the EM signal EM(N) and is referenced to the first node n1 during the initialization period Tini and the light emission period Tem. A voltage Vref is supplied. Due to the third switch element T3 , the voltage of the first electrode of the capacitor Cst is initialized to Vref during the initialization period Tini and the light emission period Tem. The third switch element T3 is connected to the gate connected to the third gate line G13 to which the EM signal [EM(N)] is applied, the first electrode connected to the first node n1, and the Vref line to which Vref is applied. and a second electrode connected thereto.

제4 스위치 소자(T4)는 EM 신호[EM(N)]의 게이트 로우 전압(VEL)에 응답하여 턴-온되어 초기화 기간(Tini)과 발광 기간(Tem) 동안 제3 노드(n3)를 제4 노드(n4)에 연결한다. 제4 스위치 소자(T4)의 게이트는 제3 게이트 라인(GL13)에 연결된다. 제4 스위치 소자(T4)의 제1 전극은 제3 노드(n3)에 연결되고, 제4 스위치 소자(T4)의 제2 전극은 제4 노드(n4)에 연결된다. The fourth switch element T4 is turned on in response to the gate low voltage VEL of the EM signal EM(N) to turn on the third node n3 during the initialization period Tini and the light emission period Tem. 4 is connected to node n4. The gate of the fourth switch element T4 is connected to the third gate line GL13 . The first electrode of the fourth switch element T4 is connected to the third node n3 , and the second electrode of the fourth switch element T4 is connected to the fourth node n4 .

제5 스위치 소자(T5)는 제2 스캔 신호[SCAN2(N)]의 게이트 로우 전압(VGL)에 응답하여 턴-온되어 초기화 기간(Tini)과 데이터 기입 기간(Twr) 동안 Vref을 제4 노드(n4)에 공급한다. 제5 스위치 소자(T5)의 게이트는 제2 게이트 라인(GL12)에 연결된다. 제5 스위치 소자(T5)의 제1 전극은 Vref 라인에 연결되고, 제5 스위치 소자(T5)의 제2 전극은 제4 노드(n4)에 연결된다. The fifth switch element T5 is turned on in response to the gate low voltage VGL of the second scan signal SCAN2(N) to apply Vref to the fourth node during the initialization period Tini and the data writing period Twr. (n4) is supplied. The gate of the fifth switch element T5 is connected to the second gate line GL12. A first electrode of the fifth switch element T5 is connected to the Vref line, and a second electrode of the fifth switch element T5 is connected to the fourth node n4 .

구동 소자(DT)는 데이터 기입 기간(Twr)에 턴-온된 제2 스위치 소자(T2)에 의해 다이오드(Diode)로 동작된다. 구동 소자(DT)의 문턱 전압(Vth)은 데이터 기입 기간(Twr) 동안 샘플링된다. 구동 소자(DT)는 발광 기간(Tem) 동안 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 발광 소자(EL)에 흐르는 전류를 조절하여 발광 소자(EL)를 구동한다. 구동 소자(DT)는 제2 노드(n2)에 연결된 게이트, ELVDD가 인가되는 ELVDD 라인에 연결된 제1 전극, 및 제3 노드(n3)에 연결된 제2 전극을 포함한다. The driving element DT is operated as a diode by the second switch element T2 turned on in the data writing period Twr. The threshold voltage Vth of the driving element DT is sampled during the data writing period Twr. The driving device DT drives the light emitting device EL by controlling a current flowing through the light emitting device EL according to the gate-source voltage Vgs during the light emission period Tem. The driving element DT includes a gate connected to the second node n2 , a first electrode connected to the ELVDD line to which ELVDD is applied, and a second electrode connected to the third node n3 .

게이트 구동부(120)는 시프트 레지스터(shift register)를 포함할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(130)는 도 6과 같은 게이트 타이밍 제어신호(VST, GCLK)를 발생하여 게이트 구동부(120)를 제어할 수 있다. 게이트 타이밍 제어신호(VST, GCLK)는 게이트 구동부(120)의 시프트 레지스터에 입력될 수 있다.The gate driver 120 may include a shift register. The timing controller 130 may control the gate driver 120 by generating the gate timing control signals VST and GCLK as shown in FIG. 6 . The gate timing control signals VST and GCLK may be input to the shift register of the gate driver 120 .

도 6은 게이트 구동부(120)의 시프트 레지스터(shift register)를 개략적으로 보여 주는 도면이다. 게이트 구동부(120)의 시프트 레지스터는 종속적으로 연결된 스테이지들[SR(n-1)~(n+2)]을 포함한다. 시프트 레지스터는 스타트 펄스(VST) 또는 캐리 신호(CAR)를 입력 받고 시프트 클럭(GCLK) 타이밍에 맞추어 출력 신호[OUT(n-1))~(n+2)]를 발생한다. 캐리 신호(CAR)는 이전 스테이지로부터 출력될 수 있다.6 is a diagram schematically illustrating a shift register of the gate driver 120 . The shift register of the gate driver 120 includes dependently connected stages SR(n-1) to (n+2). The shift register receives the start pulse VST or the carry signal CAR and generates output signals [OUT(n-1)) to (n+2)] according to the timing of the shift clock GCLK. The carry signal CAR may be output from a previous stage.

스테이지들[SR(n-1)~(n+2)] 각각은 Q 노드와 QB 노드를 충방전하는 제어부(60)와, Q 노드 전압에 따라 게이트 라인을 충전하여 게이트 신호의 파형을 라이징(rising) 시키고 QB 노드 전압에 따라 게이트 라인을 방전시키는 버퍼를 포함한다. 버퍼는 풀업(pull-up) 트랜지스터(Tup)와 풀다운(pull-down) 트랜지스터(Tdn)를 포함한다. 스테이지들[SR(n-1)~(n+2)]의 출력 신호[OUT(n-1)~(n+2)]는 게이트 라인들에 순차적으로 인가되는 게이트 신호이다. Each of the stages [SR(n-1) to (n+2)] includes a control unit 60 for charging and discharging the Q node and the QB node, and charging the gate line according to the Q node voltage to increase the waveform of the gate signal ( rising) and includes a buffer that discharges the gate line according to the QB node voltage. The buffer includes a pull-up transistor Tup and a pull-down transistor Tdn. The output signals OUT(n-1) to (n+2) of the stages SR(n-1) to (n+2) are gate signals sequentially applied to the gate lines.

대화면 표시장치에서 콘트롤 보드는 도 7 및 도 8과 같이 두 개 이상의 소스 PCB들(printed circuit board)에 연결될 수 있다. In the large screen display device, the control board may be connected to two or more source printed circuit boards (printed circuit boards) as shown in FIGS. 7 and 8 .

도 7 및 도 8을 참조하면, 콘트롤 보드(150)는 가요성 회로 기판 예를 들어, FFC(Flexible Flat Cable, 151)와 커넥터(151a, 151b)를 통해 제1 및 제2 소스 PCB들에 연결될 수 있다. 7 and 8 , the control board 150 is to be connected to the first and second source PCBs through a flexible circuit board, for example, a flexible flat cable (FFC) 151 and connectors 151a and 151b. can

소스 드라이브 IC(SIC)가 실장된 COF는 소스 PCB와 표시패널(100) 사이에 연결된다. COF의 입력 패드들은 소스 PCB의 출력 단자들에 연결된다. COF의 출력 패드들은 표시패널의 입력 패드들에 연결된다. COF의 출력 패드들은 이방선 도전 필름(Anisotropic conductive film, ACF)을 통해 표시패널(100)의 입력 패드들 상에 접착될 수 있다. The COF on which the source drive IC (SIC) is mounted is connected between the source PCB and the display panel 100 . The input pads of the COF are connected to the output terminals of the source PCB. Output pads of the COF are connected to input pads of the display panel. The output pads of the COF may be adhered to the input pads of the display panel 100 through an anisotropic conductive film (ACF).

타이밍 콘트롤러(130)와 레벨 시프터(140)는 도 7에 도시된 바와 같이 콘트롤 보드(150) 상에 실장될 수 있다. 레벨 시프터(140)의 입력 단자들은 콘트롤 보드(150) 상에 형성된 배선들을 통해 타이밍 콘트롤러(130)에 연결된다. 레벨 시프터(140)의 출력 단자들은 FFC(151), 소스 PCB, COF 및 표시패널(100) 상의 LOG(Line On Glass) 배선들을 통해 게이트 구동부(120)에 연결될 수 있다.The timing controller 130 and the level shifter 140 may be mounted on the control board 150 as shown in FIG. 7 . Input terminals of the level shifter 140 are connected to the timing controller 130 through wires formed on the control board 150 . Output terminals of the level shifter 140 may be connected to the gate driver 120 through the FFC 151 , the source PCB, the COF, and line on glass (LOG) wires on the display panel 100 .

레벨 시프터(140)는 도 8에 도시된 바와 같이 소스 PCB들 각각에 실장될 수 있다. 이 경우, 레벨 시프터(140)는 제1 소스 PCB에 실장된 제1 레벨 시프터(141)와, 제2 소스 PCB에 실장된 제2 레벨 시프터(142)를 포함할 수 있다. 레벨 시프터들(141, 142) 각각의 입력 단자들은 콘트롤 보드(150), FFC(151) 및 소스 PCB를 연결하는 배선들을 통해 타이밍 콘트롤러(130)에 연결될 수 있다. 레벨 시프터들(141, 142)의 출력 단자들은 소스 PCB, COF 및 표시패널(100) 상의 LOG 배선들을 통해 게이트 구동부(120)에 연결될 수 있다. The level shifter 140 may be mounted on each of the source PCBs as shown in FIG. 8 . In this case, the level shifter 140 may include the first level shifter 141 mounted on the first source PCB and the second level shifter 142 mounted on the second source PCB. Input terminals of each of the level shifters 141 and 142 may be connected to the timing controller 130 through wires connecting the control board 150 , the FFC 151 and the source PCB. Output terminals of the level shifters 141 and 142 may be connected to the gate driver 120 through the source PCB, the COF, and LOG lines on the display panel 100 .

게이트 구동부(120)와 가까운 표시패널(100)의 최좌측 및/또는 최우측에 배치된 COF는 도 9에 도시된 바와 같이 게이트 구동부(120)의 전원 또는 픽셀 전원이 인가되는 전원 배선들과 클럭 배선들이 형성될 수 있다. As shown in FIG. 9 , the COF disposed on the leftmost and/or rightmost side of the display panel 100 close to the gate driver 120 includes power lines to which power or pixel power of the gate driver 120 is applied and the clock. Wirings may be formed.

표시패널 구동회로 특히, COF와 표시패널(100) 간의 본딩(bonding) 부분에서 도전성 이물질 또는 습기로 인하여 전원 배선들 간에 단락(short circuit) 불량이 발생될 수 있다. COF나 본딩 부분에서 단락이 발생되면, 소스 드라이브 IC나 레벨 시프터에서도 단락 발량이 발생된다. 이러한 단락 불량이 존재하는 표시장치(1000)에 전원이 입력되어(Power ON) 표시패널 구동회로가 구동되어 패널 신호(Panel signal)가 발생되면, 단락된 회로에 패널 신호가 인가된다. 패널 신호는 데이터 신호, 게이트 신호, 픽셀 구동 전원 등 픽셀들을 구동하는데 필요한 신를 포함한다. 단락 불량이 존재하는 표시장치에서 패널 신호가 발생되면, 단락된 회로의 손상은 물론, 심한 경우에 소스 드라이브 IC와 레벨 시프터의 물리적 파괴가 야기될 수 있다.In the display panel driving circuit, in particular, in a bonding portion between the COF and the display panel 100 , a short circuit defect may occur between power lines due to conductive foreign matter or moisture. If a short circuit occurs in the COF or bonding part, short circuit generation is also generated in the source drive IC or level shifter. When power is input (Power ON) to the display device 1000 having such a short-circuit defect and the display panel driving circuit is driven to generate a panel signal, the panel signal is applied to the short-circuited circuit. The panel signal includes a scene necessary for driving the pixels, such as a data signal, a gate signal, and a pixel driving power source. When a panel signal is generated in a display device having a short circuit defect, the short circuit may be damaged, and in severe cases, the source drive IC and the level shifter may be physically destroyed.

본 발명의 표시장치는 단락 불량 센싱부를 포함한다. 본 발명은 단락 불량 센싱부를 이용하여 표시패널 구동회로의 단락 여부를 실시간 감시(monitor)하여 표시패널 구동회로의 단락이 감지되면 표시패널 구동회로를 디스에이블(disable) 시켜 패널 신호 발생을 차단한다. 표시패널 구동회로의 단락될 때, 표시장치는 화면 상에 경보 메시지(alarm message)를 표시한다. The display device of the present invention includes a short-circuit failure sensing unit. The present invention monitors whether the display panel driving circuit is short-circuited in real time using a short-circuit failure sensing unit, and when a short circuit of the display panel driving circuit is detected, the display panel driving circuit is disabled to block the panel signal generation. When the display panel driving circuit is short-circuited, the display device displays an alarm message on the screen.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 불량 센싱 방법을 개략적으로 보여 주는 흐름도이다. 도 10은 표시패널 구동회로에 단락이 감지될 때 화면 상에 표시되는 경보 메시지 후에 패널 신호가 차단된 화면의 일 예를 보여 주는 도면이다. 도 11은 표시패널 구동회로에 단락이 감지될 때 네크워크를 통해 경보 메시지가 외부로 전송되는 예를 보여 주는 도면이다. 9 is a flowchart schematically illustrating a failure sensing method according to an embodiment of the present invention. 10 is a diagram illustrating an example of a screen in which a panel signal is blocked after an alarm message displayed on the screen when a short circuit is detected in the display panel driving circuit. 11 is a diagram illustrating an example in which an alarm message is transmitted to the outside through a network when a short circuit is detected in the display panel driving circuit.

도 9 내지 도 10을 참조하면, 표시장치(1000)는 표시패널 구동회로를 자가 진단하여 표시패널 구동회로의 단락을 감시(monitor)한다(S00, S01). 표시장치(1000)의 전원이 입력되면 표시장치(1000)는 단락 불량 센싱부를 구동하여 표시패널 구동회로 특히, 소스 드라이브 IC), COF, 레벨 시프터(LS) 등의 단락 여부를 판단한다. 9 to 10 , the display device 1000 self-diagnoses the display panel driving circuit and monitors the short circuit of the display panel driving circuit (S00 and S01). When the power of the display device 1000 is input, the display device 1000 drives the short-circuit failure sensing unit to determine whether the display panel driving circuit, in particular, the source drive IC), the COF, the level shifter LS, and the like are short-circuited.

표시패널 구동회로가 단락되면, 표시장치(1000)는 도 10과 같이 미리 설정된 경보 메시지를 화면 상에 표시한 후에 표시패널 구동회로를 디스에이블시켜 패널 신호를 차단한다(S02). When the display panel driving circuit is short-circuited, the display device 1000 displays a preset alarm message on the screen as shown in FIG. 10 and then disables the display panel driving circuit to block the panel signal ( S02 ).

패널 신호가 차단될 때, 화면은 검게 보인다. 표시장치(1000)는 호스트 시스템(2000)의 통신 모듈에 연결된 유/무선 네트워크를 통해 경보 메시지(AM)를 외부로 전송할 수 있다(SO2). 경보 메시지는 표시장치의 모듈 조립 공정에서 공정 라인에 연결된 공정 제어 시스템(2000)으로 전송될 수 있다. 표시장치의 제품 출하 후에, 경보 메시지는 유/무선 네크워크를 통해 서비스 센터(Warranty and repair service center, 3000)로 전송될 수 있다.When the panel signal is blocked, the screen appears black. The display device 1000 may transmit the alarm message AM to the outside through a wired/wireless network connected to the communication module of the host system 2000 (SO2). The alarm message may be transmitted to the process control system 2000 connected to the process line in the module assembly process of the display device. After the display device is shipped, the alarm message may be transmitted to a warranty and repair service center 3000 through a wired/wireless network.

표시장치(1000)의 전원이 입력될 때 표시패널 구동회로의 단락이 감지되지 않을 때, 표시패널 구동회로는 정상적으로 구동되어 패널 신호를 발생하여 입력 영상 신호를 화면 상에 표시한다(S03, S04).When a short circuit of the display panel driving circuit is not detected when the power of the display device 1000 is input, the display panel driving circuit is normally driven to generate a panel signal to display the input image signal on the screen (S03 and S04) .

도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 단락 불량 센싱부를 보여 주는 회로도이다. 12 is a circuit diagram illustrating a short-circuit failure sensing unit according to a first embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 표시패널 구동회로는 표시패널(100)과 PCB 사이에 연결된 COF를 포함한다. Referring to FIG. 12 , the display panel driving circuit includes a COF connected between the display panel 100 and the PCB.

픽셀 어레이(AA)와 게이트 구동부(120)는 표시패널(100) 상에 배치될 수 있다. 레벨 시프터(LS)는 PCB 상에 배치될 수 있다. 단락 불량 센싱부(ERC)는 PCB 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 단락 불량 센싱부(ERC)는 도 14a 내지 도 16c에 도시된 바와 같이 레벨 시프터(LS) 및/또는 소스 드라이브 IC(SIC)에 내장될 수 있다. The pixel array AA and the gate driver 120 may be disposed on the display panel 100 . The level shifter LS may be disposed on the PCB. The short circuit fault sensing unit ERC may be disposed on the PCB, but is not limited thereto. For example, the short-circuit failure sensing unit ERC may be embedded in the level shifter LS and/or the source drive IC SIC as shown in FIGS. 14A to 16C .

소스 드라이브 IC(SIC)는 COF 상에 배치될 수 있다. COF는 클럭 배선들(30), 더미 배선들(33), 데이터 입력 배선들(34), 데이터 출력 배선들(35), PCB의 커넥터에 연결된 입력 패드들(31), 및 표시패널(100)에 연결된 출력 패드들(32)을 포함한다. 입력 패드들(31)은 클럭 배선들(30) 각각의 일측 끝단, 더미 배선들(33) 각각의 일측 끝단, 데이터 입력 배선들(34) 각각의 일측 끝단에 연결되어 커넥터를 통해 PCB의 출력 패드들에 1:1로 연결된다. 출력 패드들(32)은 클럭 배선들(30) 각각의 타측 끝단, 더미 배선들(33) 각각의 타측 끝단, 데이터 출력 배선들(35) 각각의 일측 끝단에 연결되어 ACF를 통해 표시패널(100)의 패드들에 접합된다. A source drive IC (SIC) may be disposed on the COF. The COF includes clock wires 30 , dummy wires 33 , data input wires 34 , data output wires 35 , input pads 31 connected to the connector of the PCB, and the display panel 100 . output pads 32 connected to The input pads 31 are connected to one end of each of the clock wires 30 , one end of each of the dummy wires 33 , and one end of each of the data input wires 34 , and are connected to an output pad of the PCB through a connector. are connected 1:1. The output pads 32 are connected to the other end of each of the clock lines 30 , the other end of each of the dummy lines 33 , and one end of each of the data output lines 35 , and are connected to the display panel 100 through the ACF. ) to the pads.

클럭 배선들(30)은 레벨 시프터(LS)의 클럭 출력 단자들을 게이트 구동부(120)의 클럭 입력 단자들에 연결한다. 표시패널 기판 상에 COF와 게이트 구동부(120)를 연결하는 LOG(Line on glass) 클럭 배선(CL)이 형성된다. The clock wires 30 connect clock output terminals of the level shifter LS to clock input terminals of the gate driver 120 . A line on glass (LOG) clock line CL connecting the COF and the gate driver 120 is formed on the display panel substrate.

데이터 입력 배선들(34) 각각의 타측 끝단에 연결된 패드들은 소스 드라이브 IC(SIC)의 입력 단자들에 연결된다. 데이터 출력 배선들(34) 각각의 타측 끝단에 연결된 패드들은 소스 드라이브 IC(SIC)의 출력 단자들에 연결된다. 데이터 입력 배선들(34)은 타이밍 콘트롤러(130)의 데이터 출력 단자들과 소스 드라이브 IC(SIC)의 입력 단자들에 연결한다. Pads connected to the other end of each of the data input lines 34 are connected to input terminals of the source drive IC (SIC). Pads connected to the other end of each of the data output wirings 34 are connected to output terminals of the source drive IC (SIC). The data input wires 34 are connected to data output terminals of the timing controller 130 and input terminals of the source drive IC (SIC).

더미 배선들(30)과, 이 더미 배선들(30)에 연결된 COF와 표시패널(100)의 본딩 공정에서 그들 간의 얼라인(Align) 확인 용도로 이용될 수 있다. 더미 배선들(30)은 얼라인용 이외의 다른 용도로 이용될 수 있다. In a bonding process of the dummy wires 30 and the COF connected to the dummy wires 30 and the display panel 100 , the dummy wires 30 may be used for checking alignment between them. The dummy wires 30 may be used for purposes other than alignment.

레벨 시프터(LS)는 레벨 시프터(LS)의 채널들 각각에서 출력 단자에 연결된 버퍼들을 포함한다. 레벨 시프터(LS)의 버퍼는 제1 및 제2 트랜지스터들(M11, M12)를 이용하여 디스플레이 모드에서 출력 단자를 통해 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압 (VGL) 사이에서 스윙하는 신호를 출력한다. 제1 트랜지스터(M11)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 턴-온(turn-on)되어 게이트 하이 전압(VGH)을 출력 단자에 공급한다. 제2 트랜지스터(M12)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 턴-온되어 출력 단자를 VGL 노드에 연결하여 출력 단자를 게이트 로우 전압(VGH)까지 방전시킨다. The level shifter LS includes buffers connected to an output terminal in each of the channels of the level shifter LS. The buffer of the level shifter LS outputs a signal swinging between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL through the output terminal in the display mode using the first and second transistors M11 and M12. do. The first transistor M11 is turned on under the control of the timing controller 130 to supply the gate high voltage VGH to the output terminal. The second transistor M12 is turned on under the control of the timing controller 130 to connect the output terminal to the VGL node to discharge the output terminal to the gate low voltage VGH.

레벨 시프터(LS)는 그라운드 모드에서 턴-온되는 제3 트랜지스터(M13)를 더 포함한다.The level shifter LS further includes a third transistor M13 that is turned on in the ground mode.

제3 트랜지스터(M13)는 타이밍 콘트롤러(130)에 의해 단락 불량 센싱부(ERC)에 동기된다. 제3 트랜지스터(M13)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 단락 불량 센싱부(ERC)가 구동될 때 턴-온되어 레벨 시프터(LS)의 출력 단자를 그라운드(GND)에 연결한다. The third transistor M13 is synchronized with the short-circuit failure sensing unit ERC by the timing controller 130 . The third transistor M13 is turned on when the short circuit fault sensing unit ERC is driven under the control of the timing controller 130 to connect the output terminal of the level shifter LS to the ground GND.

레벨 시프터(LS)로부터 출력된 스타트 펄스와 시프트 클럭은 클럭 배선들(30)을 통해 데이터 구동부(120)에 공급된다. The start pulse and shift clock output from the level shifter LS are supplied to the data driver 120 through the clock lines 30 .

소스 드라이브 IC(SIC)는 소스 드라이브 IC(SIC)의 출력 단자들 각각에 연결되어 데이터 신호(Vdata)를 출력하는 출력 버퍼들(AMP) 및 제4 트랜지스터(M31)를 포함한다. The source drive IC (SIC) includes output buffers AMP and a fourth transistor M31 connected to respective output terminals of the source drive IC (SIC) to output the data signal Vdata.

제4 트랜지스터(M31)는 타이밍 콘트롤러(M31)에 의해 단락 불량 센싱부(ERC)와 동기된다. 제4 트랜지스터(M31)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 단락 불량 센싱부(ERC)가 구동될 때 턴-온되어 소스 드라이브 IC(SIC)의 출력 단자를 그라운드(GND)에 연결한다.The fourth transistor M31 is synchronized with the short-circuit failure sensing unit ERC by the timing controller M31. The fourth transistor M31 is turned on when the short circuit fault sensing unit ERC is driven under the control of the timing controller 130 to connect the output terminal of the source drive IC SIC to the ground GND.

단락 불량 센싱부(ERC)는 샘플 전압(Vsam)이 인가되는 전류 제한 저항(R1)과, 전류 제한 저항(R1)에 연결된 비교기(COMP)를 포함한다. 단락 불량 센싱부(ERC)는 센싱 모드에서 COF, 소스 드라이브 IC(SIC), 및 상기 레벨 시프터 중 적어도 하나의 단락 불량을 지시하는 플래그 신호(Vflag)를 발생할 수 있다. The short-circuit failure sensing unit ERC includes a current limiting resistor R1 to which the sample voltage Vsam is applied, and a comparator COMP connected to the current limiting resistor R1. The short-circuit failure sensing unit ERC may generate a flag signal Vflag indicating a short-circuit failure of at least one of the COF, the source drive IC, and the level shifter in the sensing mode.

전류 제한 저항(R1)은 샘플 전압 입력 노드와 COF의 입력 패드(32) 사이에 연결되어 COF로 흐르는 전류를 제한하여 단락 센싱 감도를 높인다. 전류 제한 저항(R1)은 PCB의 출력 패드, 커넥터를 통해 COF의 입력 패드(32)에 연결될 수 있다. 전류 제한 저항(R1)이 없으면 비교기(COMP)의 입력 전압이 단락이 있든 없든 전압 레벨 차이가 작기 때문에 단락 센싱 감도가 낮아진다. 전류 제한 저항(R1)의 저항값과 비교기(COMP)의 기준 전압(Vr)의 전압 레벨은 원하는 단락 센싱 감도와 단락 판단 레벨에 따라 적절히 선택될 수 있다. The current limiting resistor R1 is connected between the sample voltage input node and the input pad 32 of the COF to limit the current flowing into the COF to increase the short-circuit sensing sensitivity. The current limiting resistor R1 may be connected to the input pad 32 of the COF through an output pad or connector of the PCB. Without the current limiting resistor R1, the short-circuit sensing sensitivity is lowered because the voltage level difference is small whether the input voltage of the comparator COMP has a short circuit or not. The resistance value of the current limiting resistor R1 and the voltage level of the reference voltage Vr of the comparator COMP may be appropriately selected according to desired short-circuit sensing sensitivity and short-circuit determination level.

전원부(400)는 표시장치(100)의 전원이 입력될 때(Power ON), 단락 불량 센싱부(ERC)에 샘플 전압(Vsam)을 공급한다. 샘플 전압(Vsam)은 3.3V일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The power supply unit 400 supplies the sample voltage Vsam to the short circuit fault sensing unit ERC when power of the display device 100 is input (Power ON). The sample voltage Vsam may be 3.3V, but is not limited thereto.

비교기(COMP)는 기준 전압(Vr)이 인가되는 제1 입력 단자(-), 전류 제한 저항(R1)과 COF의 입력 패드 사이의 노드에 연결되어 센싱 전압(Sensed voltage, Vsen)을 입력 받는 제2 입력 단자(+) 및 플래그 신호(Vflag)를 출력하는 출력 단자를 포함한다. The comparator COMP is connected to a node between the first input terminal (-) to which the reference voltage Vr is applied, the current limiting resistor R1 and the input pad of the COF to receive the sensed voltage Vsen as input. 2 It includes an input terminal (+) and an output terminal for outputting a flag signal (Vflag).

센싱 전압(Vsen)이 인가되는 비교기(COMP1)의 제1 입력 단자(-)와 전류 제한 저항(R1)이 COF의 입력 패드(31)에 연결될 수 있다. The first input terminal (−) of the comparator COMP1 to which the sensing voltage Vsen is applied and the current limiting resistor R1 may be connected to the input pad 31 of the COF.

표시장치(1000)에 전원이 입력되면(Power ON), 단락 불량 센싱부(ERC)와 트랜지스터들(M13, M31)이 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 구동된다. 트랜지스터들(M13, M31)이 턴-온되면 COF의 배선들이 그라운드(GND)에 연결된다.When power is applied to the display device 1000 (Power ON), the short circuit fault sensing unit ERC and the transistors M13 and M31 are driven under the control of the timing controller 130 . When the transistors M13 and M31 are turned on, the COF wires are connected to the ground GND.

도전성 이물질(40)이 COF와 표시패널(100) 간의 본딩 부분에서 도전성 이물질(40)이 있으면, 센싱 전압(Vsen)이 낮아진다. COF의 배선들과 패드들이 단락될 때, 도 13에 도시된 바와 같이 전류 제한 저항(R1)과 도전성 이물로 인한 저항(R2) 사이의 노드에서 센싱 전압(Vsen)이 전압 분배 법칙에 따라 결정된다. 도전성 이물이 없는 경우에 비하여, 도전성 이물로 인하여 COF가 단락되면, 샘플 센싱 전압(Vsen)이 낮아진다. When the conductive foreign material 40 is present in the bonding portion between the COF and the display panel 100 , the sensing voltage Vsen decreases. When the wires and pads of the COF are short-circuited, the sensing voltage Vsen at the node between the current limiting resistor R1 and the resistance R2 caused by the conductive foreign material is determined according to the voltage division law as shown in FIG. 13 . Compared to the case in which there is no conductive foreign material, when the COF is short-circuited due to the conductive foreign material, the sample sensing voltage Vsen is lowered.

비교기(COMP)는 기준 전압(Vr)과 센싱 전압(Vsen)을 비교하여 센싱 전압(Vsen)이 기준 전압(Vr) 이상일 때 하이 레벨(High level)의 플래그 신호(Vflag)을 출력한다. 비교기(COMP)는 기준 전압(Vr)과 센싱 전압(Vsen)을 비교하여 센싱 전압(Vsen)이 기준 전압(Vr) 보다 낮아질 때 로우 레벨(Low leven)의 플래그 신호(Vflag)을 출력한다. 따라서, COF의 배선들과 패드들이 단락되면, 플래그 신호(Vflag)의 전압은 로우 레벨이다. The comparator COMP compares the reference voltage Vr with the sensing voltage Vsen and outputs a high level flag signal Vflag when the sensing voltage Vsen is equal to or greater than the reference voltage Vr. The comparator COMP compares the reference voltage Vr with the sensing voltage Vsen and outputs a low level flag signal Vflag when the sensing voltage Vsen becomes lower than the reference voltage Vr. Accordingly, when the COF wires and pads are short-circuited, the voltage of the flag signal Vflag is at a low level.

비교기(COMP)의 기준 전압(Vref)에 따라 단락 판단 레벨이 달라질 수 있다. 예를 들어, Vsam = Vr = 3.3V, R1 = 10KΩ, R2 < 10KΩ일 때 Vsen < 3.3V 일 때 단락 불량이 감지된다. Vsam = 3.3V, Vr = 1.6 V, R1 = 10KΩ, R2 < 10KΩ일 때 Vsen < 1.6V 일 때 단락 불량이 감지된다.The short-circuit determination level may vary according to the reference voltage Vref of the comparator COMP. For example, when Vsam = Vr = 3.3V, R1 = 10KΩ, R2 < 10KΩ, a short fault is detected when Vsen < 3.3V. A short fault is detected when Vsen < 1.6V when Vsam = 3.3V, Vr = 1.6 V, R1 = 10KΩ, R2 < 10KΩ.

로우 레벨의 플래그 신호(Vflag)가 타이밍 콘트롤러(130)에 입력될 때, 미리 설정된 경고 메시지 데이터를 소스 드라이브 IC(SIC)로 전송하여 경고 메시지를 화면 상에 표시할 수 있다. 경고 메지지 데이터는 소스 드라이브 IC(SIC)의 내부 메모리에 저장될 수 있다. 이 경우, 소스 드라이브 IC(SIC)는 플래그 신호(Vflag)에 응답하여 경고 메시지 데이터의 데이터 전압을 출력하여 경고 메시지를 화면 상에 표시할 수 있다. 호스트 시스템(200)은 로우 레벨의 플래그 신호(Vflag)가 수신되면 미리 설정된 경고 메시지(AM)를 통신 모듈과 네트워크를 통해 외부로 전송할 수 있다. When the low-level flag signal Vflag is input to the timing controller 130 , preset warning message data may be transmitted to the source drive IC (SIC) to display the warning message on the screen. The warning message data may be stored in the internal memory of the source drive IC (SIC). In this case, the source drive IC (SIC) may output the data voltage of the warning message data in response to the flag signal Vflag to display the warning message on the screen. When the low level flag signal Vflag is received, the host system 200 may transmit a preset warning message AM to the outside through the communication module and the network.

도 14a 및 도 14b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 단락 불량 센싱부를 보여 주는 회로도들이다. 도 14a 및 도 14b에서 전류 제한 저항은 생략되어 있다. 14A and 14B are circuit diagrams illustrating a short-circuit failure sensing unit according to a second embodiment of the present invention. 14A and 14B, the current limiting resistor is omitted.

도 14a 및 도 14b를 참조하면, 소스 드라이브 IC(SIC)와 레벨 시프터(LS) 중 적어도 하나는 단락 불량 센싱부를 포함할 수 있다. 14A and 14B , at least one of the source drive IC SIC and the level shifter LS may include a short-circuit failure sensing unit.

소스 드라이브 IC(SIC)의 채널들 각각은 단락 불량 센싱부(ERC)의 비교부(COMP)와 전류 제한 저항(R1)을 포함할 수 있다. 소스 드라이브 IC(SIC)의 채널들 각각에서 센싱 전압(Vsen)이 인가되는 비교기(COMP)의 제1 입력 단자(+)와, 전류 제한 저항(RC)이 소스 드라이브 IC(SIC)의 출력 단자에 연결된다. 출력 단자는 COF의 출력 패드(32)에 연결된다. Each of the channels of the source drive IC SIC may include a comparator COMP and a current limiting resistor R1 of the short-circuit failure sensing unit ERC. The first input terminal (+) of the comparator COMP to which the sensing voltage Vsen is applied in each of the channels of the source drive IC SIC, and the current limiting resistor RC are connected to the output terminal of the source drive IC SIC. Connected. The output terminal is connected to the output pad 32 of the COF.

센싱 모드에서 소스 드라이브 IC(SIC)의 채널들 각각은 출력 단자를 통해 단락 불량을 감지할 수 있다. 센싱 모드는 제1 단계와 제2 단계로 나뉘어질 수 있다. 제1 단계와 제2 단계에서 소스 드라이브 IC(SIC)와 레벨 시프터(LS)의 채널들이 미리 설정된 순서로 순차적으로 단락 불량 여부가 센싱되지만, 순서는 이에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. In the sensing mode, each of the channels of the source drive IC (SIC) may detect a short circuit failure through an output terminal. The sensing mode may be divided into a first step and a second step. In the first step and the second step, it should be noted that although short circuit failures are sequentially sensed by channels of the source drive IC (SIC) and the level shifter (LS) in a preset order, the order is not limited thereto.

제1 단계에서, 소스 드라이브 IC(SIC)는 도 14a와 같이 기수 번째 채널(CODD)의 출력 단자를 통해 샘플 전압(Vsam)을 출력하고, 비교기(COMP)로 센싱 전압(Vsen)을 감지한다. 이 때, 우수 번째 채널(CEVEN)의 출력 단자는 트랜지스터(M31)를 통해 그라운드(GND)에 연결된다. 기수 번째 채널(CODD)로부터 출력된 샘플 전압(Vsam)은 COF 상의 기수 번째 배선들(35)에 인가된다. 제1 단계에서, 소스 드라이브 IC(SIC)의 기수 번째 채널(CODD)의 단락 분량이 비교기(COMP)에 의해 감지될 수 있다. In a first step, the source drive IC SIC outputs the sample voltage Vsam through the output terminal of the odd-th channel CODD as shown in FIG. 14A , and senses the sensing voltage Vsen with the comparator COMP. At this time, the output terminal of the even-th channel CEVEN is connected to the ground GND through the transistor M31. The sample voltage Vsam output from the odd-th channel CODD is applied to the odd-th wirings 35 on the COF. In the first step, the short circuit amount of the odd-th channel CODD of the source drive IC SIC may be sensed by the comparator COMP.

제1 단계에서, 레벨 시프터(LS)는 도 14b와 같이 기수 번째 채널(LODD)의 출력 단자를 통해 샘플 전압(Vsam)을 출력하고, 비교기(COMP)로 센싱 전압(Vsen)을 감지한다. 이 때, 기수 번째 채널(LEVEN)의 출력 단자는 트랜지스터(M13)를 통해 그라운드(GND)에 연결된다. 기수 번째 채널(LODD)로부터 출력된 샘플 전압(Vsam)은 COF 상의 기수 번째 배선들(30)에 인가된다. 이 때, 레벨 시프터(LS)의 기수 번째 채널(LODD)의 단락 분량이 비교기(COMP)에 의해 감지될 수 있다.In the first step, the level shifter LS outputs the sample voltage Vsam through the output terminal of the odd-th channel LODD as shown in FIG. 14B and senses the sensing voltage Vsen with the comparator COMP. At this time, the output terminal of the odd-th channel LEVEN is connected to the ground GND through the transistor M13. The sample voltage Vsam output from the odd-th channel LODD is applied to the odd-th wirings 30 on the COF. At this time, the short circuit amount of the odd-th channel LODD of the level shifter LS may be detected by the comparator COMP.

제2 단계에서, 소스 드라이브 IC(SIC)는 도 14b와 같이 우수 번째 채널(CEVEN)의 출력 단자를 통해 샘플 전압(Vsam)을 출력하고, 비교기(COMP)로 센싱 전압(Vsen)을 감지한다. 이 때, 우수 번째 채널(CEVEN)의 출력 단자는 트랜지스터(M31)를 통해 그라운드(GND)에 연결된다. 우수 번째 채널(CEVEN)로부터 출력된 샘플 전압(Vsam)은 COF 상의 우수 번째 배선들(35)에 인가된다. 제2 단계에서, 소스 드라이브 IC(SIC)의 우수 번째 채널(CEVEN)의 단락 분량이 비교기(COMP)에 의해 감지될 수 있다. In the second step, the source drive IC SIC outputs the sample voltage Vsam through the output terminal of the even-th channel CEVEN as shown in FIG. 14B and senses the sensing voltage Vsen with the comparator COMP. At this time, the output terminal of the even-th channel CEVEN is connected to the ground GND through the transistor M31. The sample voltage Vsam output from the even-th channel CEVEN is applied to the even-th wirings 35 on the COF. In the second step, the short circuit amount of the even-th channel CEVEN of the source drive IC SIC may be sensed by the comparator COMP.

제2 단계에서, 레벨 시프터(LS)는 도 14b와 같이 우수 번째 채널(LEVEN)의 출력 단자를 통해 샘플 전압(Vsam)을 출력하고, 비교기(COMP)로 센싱 전압(Vsen)을 감지한다. 이 때, 기수 번째 채널(LODD)의 출력 단자는 트랜지스터(M13)를 통해 그라운드(GND)에 연결된다. 우수 번째 채널(LODD)로부터 출력된 샘플 전압(Vsam)은 COF 상의 우수 번째 배선들(30)에 인가된다. 이 때, 레벨 시프터(LS)의 우수 번째 채널(LEVEN)의 단락 분량이 비교기(COMP)에 의해 감지될 수 있다. In the second step, the level shifter LS outputs the sample voltage Vsam through the output terminal of the even-th channel LEVEN as shown in FIG. 14B and senses the sensing voltage Vsen by the comparator COMP. In this case, the output terminal of the odd-th channel LODD is connected to the ground GND through the transistor M13. The sample voltage Vsam output from the even-th channel LODD is applied to the even-th wirings 30 on the COF. At this time, the short circuit amount of the even-th channel LEVEN of the level shifter LS may be sensed by the comparator COMP.

레벨 시프터(LS)는 도 14a 및 도 14b에 도시된 바와 같이 별도의 회로소자들을 추가하지 않고 버퍼(M11, M12)를 이용하여 샘플 전압(Vsam)을 발생할 수 있다. 예를 들어, 제1 트랜지스터(M11)의 게이트 전압을 조정하여 게이트-소스간 전압에 따라 결정되는 출력 전압으로 샘플 전압을 출력할 수 있다. 이 경우, 전류 제한 저항(R1)은 제1 트랜지스터(M11)의 채널 저항으로 대신될 수 있다. 다른 실시예로, 도 16a 내지 도 16c와 같이 별도의 전류 제한 저항과 스위치 소자가 추가될 수 있다. The level shifter LS may generate the sample voltage Vsam by using the buffers M11 and M12 without adding additional circuit elements as shown in FIGS. 14A and 14B . For example, the sample voltage may be output as an output voltage determined according to the gate-source voltage by adjusting the gate voltage of the first transistor M11. In this case, the current limiting resistor R1 may be replaced by a channel resistance of the first transistor M11. In another embodiment, a separate current limiting resistor and a switch element may be added as shown in FIGS. 16A to 16C .

도 15a 내지 도 15c는 소스 드라이브 IC(SIC)에 내장된 단락 불량 센싱부와, 이 소스 드라이브 IC의 동작 모드를 보여 주는 회로도들이다. 15A to 15C are circuit diagrams illustrating a short-circuit failure sensing unit embedded in a source drive IC (SIC) and an operation mode of the source drive IC.

도 15a 내지 도 15c를 참조하면, 소스 드라이브 IC(SIC)의 채널들 각각은 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 센싱 모드, 그라운드 모드, 및 디스플레이 모드로 동작할 수 있다. 15A to 15C , each of the channels of the source drive IC (SIC) may operate in a sensing mode, a ground mode, and a display mode under the control of the timing controller 130 .

센싱 모드는 소스 드라이브 IC(SIC)의 채널을 통해 샘플 전압(Vsam)을 출력하고 센싱 전압(Vsen)을 입력 받아 단락 불량을 센싱한다. 그라운드 모드는 소스 드라이브 IC(SIC)의 다른 채널의 센싱 모드와 연동하여 해당 채널을 그라운드(GND)에 연결하거나, 단락 불량 센싱부(ERC) 또는 다른 표시패널 구동회로의 센싱 모드와 연동하여 해당 채널을 그라운드(GND)에 연결한다. In the sensing mode, the sample voltage Vsam is output through the channel of the source drive IC (SIC), and the short circuit fault is sensed by receiving the sensing voltage Vsen. The ground mode connects the corresponding channel to the ground (GND) in conjunction with the sensing mode of other channels of the source drive IC (SIC), or interworks with the sensing mode of the short circuit fault sensing unit (ERC) or other display panel driving circuits to connect the corresponding channel connect to ground (GND).

디스플레이 모드에서 입력 영상의 픽셀 데이터가 픽셀들에 기입되어 픽셀 어레이(AA) 상에 영상이 표시된다. 소스 드라이브 IC(SIC)의 채널은 디스플레이 모드에서 DAC로부터 출력되는 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. 센싱 모드에서 표시패널 구동회로의 단락 불량이 센싱된다. 센싱 모드에서 소스 드라이브 IC(SIC)의 채널은 샘플 전압(Vsam)을 출력하고 센싱 전압(Vsen)을 기준값(Vr)과 비교하여 단락 불량을 센싱한다. 그라운드 모드에서 소스 드라이브 IC(SIC)의 채널은 그라운드(GND)에 연결된다.In the display mode, pixel data of an input image is written to pixels to display an image on the pixel array AA. The channel of the source drive IC (SIC) outputs the data voltage Vdata output from the DAC in the display mode. In the sensing mode, a short circuit fault in the display panel driving circuit is sensed. In the sensing mode, the channel of the source drive IC (SIC) outputs a sample voltage Vsam and compares the sensing voltage Vsen with a reference value Vr to sense a short circuit failure. In the ground mode, the channel of the source drive IC (SIC) is connected to the ground (GND).

소스 드라이브 IC(SIC)의 채널들 각각은 DAC, 출력 버퍼(AMP), 전류 제한 저항(R1), 비교기(COMP), 스위치 소자들(SW1~SW6), 트랜지스터(M31) 등을 포함한다. 스위치 소자들(SW1~SW6)은 트랜지스터로 구현될 수 있다. Each of the channels of the source drive IC (SIC) includes a DAC, an output buffer (AMP), a current limiting resistor (R1), a comparator (COMP), switch elements (SW1 to SW6), a transistor (M31) and the like. The switch elements SW1 to SW6 may be implemented as transistors.

DAC는 픽셀 데이터를 감마보상전압으로 변환하여 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. 출력 버퍼(AMP)는 데이터 전압(Vdata)을 손실 없이 출력 단자(OUT1)로 전달한다. The DAC converts pixel data into a gamma compensation voltage and outputs a data voltage Vdata. The output buffer AMP transfers the data voltage Vdata to the output terminal OUT1 without loss.

전류 제한 저항(R1)은 출력 버퍼(AMP)와 소스 드라이브 IC의 출력 단자(OUT1) 사이에 연결된다. 비교기(COMP)는 전류 제한 저항(R1)과 플래그 신호 출력 단자(OUT2) 사이에 연결된다. 비교기(COMP)의 제1 입력 단자(-)는 제1 전류 제한 저항(R1)과 출력 단자(OUT1) 사이의 노드에 연결되어 출력 단자(OUT1)로부터 센싱 전압(Vsen)을 입력 받는다.The current limiting resistor R1 is connected between the output buffer AMP and the output terminal OUT1 of the source drive IC. The comparator COMP is connected between the current limiting resistor R1 and the flag signal output terminal OUT2. The first input terminal (−) of the comparator COMP is connected to a node between the first current limiting resistor R1 and the output terminal OUT1 to receive the sensing voltage Vsen from the output terminal OUT1 .

스위치 소자들(SW1~SW6)은 데이터 신호 패스(path), 샘플 전압 패스 및 센싱 전압 패스를 스위칭한다. The switch elements SW1 to SW6 switch a data signal path, a sample voltage path, and a sensing voltage path.

제1 및 제2 스위치 소자들(SW1, SW2)은 디스플레이 모드에서 턴-온된다. 제1 및 제2 스위치 소자들(SW1, SW2)은 센싱 모드와 그라운드 모드에서 오프 상태를 유지할 수 있다. 제1 스위치 소자(SW1)는 DAC와 출력 버퍼(AMP) 사이에 연결되어 디스플레이 모드에서 DAC의 출력 단자를 출력 버퍼(AMP)에 연결한다. 제2 스위치 소자(SW2)는 출력 버퍼(AMP)와 출력 단자(OUT1) 사이에 연결된다. 제1 및 제2 스위치 소자들(SW1, SW2)은 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 디스플레이 모드에서 DAC로부터 출력된 데이터 전압(Vdata)이 전송되는 데이터 신호 패스를 연결하고, 센싱 모드와 그라운드 모드에서 데이터 신호 패스를 차단한다. The first and second switch elements SW1 and SW2 are turned on in the display mode. The first and second switch elements SW1 and SW2 may maintain an off state in the sensing mode and the ground mode. The first switch element SW1 is connected between the DAC and the output buffer AMP to connect the output terminal of the DAC to the output buffer AMP in the display mode. The second switch element SW2 is connected between the output buffer AMP and the output terminal OUT1 . The first and second switch elements SW1 and SW2 connect the data signal path through which the data voltage Vdata output from the DAC is transmitted in the display mode under the control of the timing controller 130, and in the sensing mode and the ground mode Block the data signal path.

트랜지스터(M31)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 그라운드 모드에서 턴-온되어 해당 채널의 출력 단자(OUT1)를 그라운드(GND)에 연결한다. 트랜지스터(M31)는 센싱 모드와 디스플레이 모드에서 오프 상태를 유지한다.The transistor M31 is turned on in the ground mode under the control of the timing controller 130 to connect the output terminal OUT1 of the corresponding channel to the ground GND. The transistor M31 maintains an off state in the sensing mode and the display mode.

제3 내지 제6 스위치 소자들(SW3~SW6)은 센싱 모드에서 턴-온된다. 제3 내지 제6 스위치 소자들(SW3~SW6)은 디스플레이 모드와 그라운드 모드에서 오프 상태를 유지할 수 있다. 제3 스위치 소자(SW3)는 샘플 전압원과 출력 버퍼(AMP)의 입력 단자(+) 사이에 연결되어 센싱 모드에서 턴-온되어 샘플 전압원을 출력 버퍼(AMP)의 입력 단자(+)에 연결한다. 전원부(400)는 샘플 전압(Vsam)을 출력할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(130)는 센싱 모드에서 센싱 전압 데이터를 소스 드라이브 IC(SIC)에 전송하고, DAC는 센싱 전압 데이터를 전원부(400)로부터의 감마 기준 전압으로 변환하여 샘플 전압(Vsam)을 출력할 수 있다. 샘플 전압원은 전원부(400) 또는 DAC일 수 있다. The third to sixth switch elements SW3 to SW6 are turned on in the sensing mode. The third to sixth switch elements SW3 to SW6 may maintain an off state in the display mode and the ground mode. The third switch element SW3 is connected between the sample voltage source and the input terminal (+) of the output buffer AMP and is turned on in the sensing mode to connect the sample voltage source to the input terminal (+) of the output buffer AMP . The power supply 400 may output a sample voltage Vsam. The timing controller 130 transmits the sensed voltage data to the source drive IC (SIC) in the sensing mode, and the DAC converts the sensed voltage data into a gamma reference voltage from the power supply 400 to output the sample voltage Vsam. have. The sample voltage source may be the power supply 400 or the DAC.

제4 스위치 소자(SW4)는 출력 버퍼(AMP)와 전류 제한 저항(R1) 사이에 연결되어 센싱 모드에서 턴-온되어 출력 버퍼(AMP)의 출력 단자와 전류 제한 저항(R1)을 연결한다. 제5 스위치 소자(SW5)는 전류 제한 저항(R1)과 출력 단자(OUT1) 사이의 노드와, 비교기(COMP)의 입력 단자(-) 사이에 연결되어 센싱 모드에서 턴-온되어 출력 단자(OUT1)를 비교기(COMP)의 입력 단자(-)에 연결한다. 제6 스위치 소자(SW6)는 비교기(COMP)의 출력 단자와 플래그 신호 출력 단자(OUT2) 사이에 연결되어 센싱 모드에서 턴-온되어 비교기(COMP)의 출력 단자와 플래그 신호 출력 단자(OUT2)를 연결한다. The fourth switch element SW4 is connected between the output buffer AMP and the current limiting resistor R1 and is turned on in the sensing mode to connect the output terminal of the output buffer AMP and the current limiting resistor R1. The fifth switch element SW5 is connected between the node between the current limiting resistor R1 and the output terminal OUT1 and the input terminal (-) of the comparator COMP to be turned on in the sensing mode and turned on to the output terminal OUT1 ) to the input terminal (-) of the comparator (COMP). The sixth switch element SW6 is connected between the output terminal of the comparator COMP and the flag signal output terminal OUT2 and is turned on in the sensing mode to connect the output terminal of the comparator COMP and the flag signal output terminal OUT2 Connect.

도 16a 내지 도 16c는 레벨 시프터(LS)에 내장된 단락 불량 센싱부와, 이 레벨 시프터(LS)의 동작 모드를 보여 주는 회로도들이다.16A to 16C are circuit diagrams illustrating a short-circuit failure sensing unit built in the level shifter LS and an operation mode of the level shifter LS.

도 16a 내지 도 16c를 참조하면, 레벨 시프터(LS)의 채널들 각각은 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 센싱 모드, 그라운드 모드, 및 디스플레이 모드로 동작할 수 있다.16A to 16C , each of the channels of the level shifter LS may operate in a sensing mode, a ground mode, and a display mode under the control of the timing controller 130 .

센싱 모드는 레벨 시프터(LS)의 채널을 통해 샘플 전압(Vsam)을 출력하고 센싱 전압(Vsen)을 입력 받아 단락 불량을 센싱한다. 그라운드 모드는 레벨 시프터(LS)의 다른 채널의 센싱 모드와 연동하여 해당 채널을 그라운드(GND)에 연결하거나, 단락 불량 센싱부(ERC) 또는 다른 표시패널 구동회로의 센싱 모드와 연동하여 해당 채널을 그라운드(GND)에 연결한다. In the sensing mode, a sample voltage Vsam is output through a channel of the level shifter LS, and a short circuit failure is sensed by receiving the sensing voltage Vsen. The ground mode connects the corresponding channel to the ground (GND) in conjunction with the sensing mode of other channels of the level shifter (LS), or connects the corresponding channel with the sensing mode of the short circuit fault sensing unit (ERC) or other display panel driving circuits. Connect to ground (GND).

디스플레이 모드에서 입력 영상의 픽셀 데이터가 픽셀들에 기입되어 픽셀 어레이(AA) 상에 영상이 표시된다. 레벨 시프터(LS)의 채널은 디스플레이 모드에서 입력 신호의 전압 레벨을 시프트하여 제1 및 제2 트랜지스터들(M11, M12)을 이용하여 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙하는 신호를 출력한다. 센싱 모드에서 표시패널 구동회로의 단락 불량이 센싱된다. 센싱 모드에서 레벨 시프터(LS)의 채널은 샘플 전압(Vsam)을 출력하고 센싱 전압(Vsen)을 기준값(Vr)과 비교하여 단락 불량을 센싱한다. 그라운드 모드에서 레벨 시프터(LS)의 채널은 그라운드(GND)에 연결된다.In the display mode, pixel data of an input image is written to pixels to display an image on the pixel array AA. The channel of the level shifter LS shifts the voltage level of the input signal in the display mode to swing between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL using the first and second transistors M11 and M12. output a signal to In the sensing mode, a short circuit fault in the display panel driving circuit is sensed. In the sensing mode, the channel of the level shifter LS outputs a sample voltage Vsam and compares the sensing voltage Vsen with a reference value Vr to sense a short circuit failure. In the ground mode, the channel of the level shifter LS is connected to the ground GND.

레벨 시프터(LS)의 채널들 각각은 트랜지스터들(M11~M13), 전류 제한 저항(R1), 비교기(COMP), 스위치 소자들(SW11, SW12) 등을 포함한다. 스위치 소자들(SW11, SW12)은 트랜지스터로 구현될 수 있다.Each of the channels of the level shifter LS includes transistors M11 to M13, a current limiting resistor R1, a comparator COMP, and switch elements SW11 and SW12. The switch elements SW11 and SW12 may be implemented as transistors.

전류 제한 저항(R1)은 레벨 시프터(LS)의 출력 단자(OUT11)와, 샘플 전압원 사이에 연결된다. 샘플 전압원은 전원부(400)일 수 있다. 비교기(COMP)는 전류 제한 저항(R1)과 플래그 신호 출력 단자(OUT12) 사이에 연결된다. 비교기(COMP)의 제1 입력 단자(-)는 제1 전류 제한 저항(R1)과 출력 단자(OUT11) 사이의 노드에 연결되어 출력 단자(OUT11)로부터 센싱 전압(Vsen)을 입력 받는다.The current limiting resistor R1 is connected between the output terminal OUT11 of the level shifter LS and the sample voltage source. The sample voltage source may be the power supply unit 400 . The comparator COMP is connected between the current limiting resistor R1 and the flag signal output terminal OUT12. The first input terminal (-) of the comparator COMP is connected to a node between the first current limiting resistor R1 and the output terminal OUT11 to receive the sensing voltage Vsen from the output terminal OUT11.

제1 스위치 소자(SW11)는 제1 트랜지스터(M11)와 제2 트랜지스터 사이의 버퍼 출력 노드와, 레벨 시프터(LS)의 출력 단자(OUT11) 사이에 연결된다. 제1 스위치 소자(SW11)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 디스플레이 모드에서 턴-온되어 버퍼 출력 노드를 출력 단자(OUT11)에 연결한다. 제1 스위치 소자(SW11)는 센싱 모드와 그라운드 모드에서 오프 상태를 유지한다. The first switch element SW11 is connected between the buffer output node between the first transistor M11 and the second transistor and the output terminal OUT11 of the level shifter LS. The first switch element SW11 is turned on in the display mode under the control of the timing controller 130 to connect the buffer output node to the output terminal OUT11 . The first switch element SW11 maintains an off state in the sensing mode and the ground mode.

제2 스위치 소자(SW12)는 전류 제한 저항(R1)과 레벨 시프터의 출력 단자(OUT11) 사이에 연결된다. 제2 스위치 소자(SW12)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 센싱 모드에서 턴-온되어 전류 제한 저항(R1)을 출력 단자(OUT11)에 연결한다. 제2 스위치 소자(SW12)는 디스플레이 모드와 그라운드 모드에서 오프 상태를 유지한다.The second switch element SW12 is connected between the current limiting resistor R1 and the output terminal OUT11 of the level shifter. The second switch element SW12 is turned on in the sensing mode under the control of the timing controller 130 to connect the current limiting resistor R1 to the output terminal OUT11 . The second switch element SW12 maintains an off state in the display mode and the ground mode.

제3 트랜지스터(M13)는 타이밍 콘트롤러(130)의 제어 하에 그라운드 모드에서 턴-온되어 해당 채널의 출력 단자(OUT11)를 그라운드(GND)에 연결한다. 제3 트랜지스터(M31)는 센싱 모드와 디스플레이 모드에서 오프 상태를 유지한다.The third transistor M13 is turned on in the ground mode under the control of the timing controller 130 to connect the output terminal OUT11 of the corresponding channel to the ground GND. The third transistor M31 maintains an off state in the sensing mode and the display mode.

전술한 실시예들은 단독으로 적용되거나 조합될 수 있다. The above-described embodiments may be applied alone or in combination.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 비교기 21, 22: 디멀티플렉서
100: 표시패널 110, SIC: 데이터 구동부(소스 드라이브 IC)
120: 게이트 구동부 130 : 타이밍 콘트롤러
140, LS : 레벨 시프터 200: 호스트 시스템
400: 전원부 R1: 전류 제한 저항
ERC: 단락 불량 센싱부
10: comparator 21, 22: demultiplexer
100: display panel 110, SIC: data driver (source drive IC)
120: gate driver 130: timing controller
140, LS: level shifter 200: host system
400: power supply R1: current limiting resistor
ERC: short circuit fault sensing unit

Claims (14)

복수의 데이터 라인들과 복수의 게이트 라인들이 교차되고 픽셀 어레이가 배치된 표시패널;
상기 표시패널 상에 배치되어 시프트 레지스터를 이용하여 상기 게이트 라인들에 게이트 신호를 공급하는 게이트 구동부;
입력 신호의 전압 레벨을 시프트하여 상기 게이트 구동부에 공급하는 레벨 시프터;
상기 레벨 시프터가 배치된 인쇄 회로 보드;
디스플레이 모드에서 상기 데이터 라인들에 데이터 신호를 공급하는 소스 드라이브 IC; 및
상기 소스 드라이브 IC가 배치되고 상기 표시패널과 상기 인쇄 회로보드 사이에 연결된 연성 회로 기판를 포함하고,
상기 연성 회로 기판, 상기 소스 드라이브 IC, 및 상기 레벨 시프터 중 적어도 하나는 센싱 모드에서 플래그 신호를 발생하는 단락 불량 센싱부를 포함하고,
상기 단락 불량 센싱부는,
샘플 전압이 인가되는 저항; 및
상기 연성 회로 기판의 배선, 상기 레벨 시프터의 출력 단자, 및 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자 중 어느 하나로부터 수신된 센싱 전압을 미리 설정된 기준 전압과 비교하는 비교기를 포함하는 표시장치.
a display panel in which a plurality of data lines and a plurality of gate lines cross and a pixel array is disposed;
a gate driver disposed on the display panel to supply a gate signal to the gate lines using a shift register;
a level shifter shifting the voltage level of the input signal and supplying it to the gate driver;
a printed circuit board on which the level shifter is disposed;
a source drive IC for supplying a data signal to the data lines in a display mode; and
and a flexible circuit board on which the source drive IC is disposed and connected between the display panel and the printed circuit board;
At least one of the flexible circuit board, the source drive IC, and the level shifter includes a short-circuit failure sensing unit generating a flag signal in a sensing mode;
The short-circuit failure sensing unit,
a resistor to which a sample voltage is applied; and
and a comparator for comparing a sensed voltage received from any one of the wiring of the flexible circuit board, an output terminal of the level shifter, and an output terminal of the source drive IC with a preset reference voltage.
제 1 항에 있어서,
상기 연성 회로 기판은,
상기 레벨 시프터의 출력 단자들을 상기 게이트 구동부의 클럭 입력 단자들에 연결하는 복수의 클럭 배선들;
복수의 더미 배선들;
상기 소스 드라이브 IC의 데이터 입력 단자들에 연결된 데이터 입력 배선들;
상기 소스 드라이브 IC의 데이터 출력 단자들에 연결된 복수의 데이터 출력 배선들;
상기 인쇄 회로 보드에 연결된 복수의 입력 패드들; 및
상기 표시패널에 접합된 복수의 출력 패드들을 포함한 표시장치.
The method of claim 1,
The flexible circuit board,
a plurality of clock wires connecting output terminals of the level shifter to clock input terminals of the gate driver;
a plurality of dummy wires;
data input wires connected to data input terminals of the source drive IC;
a plurality of data output wires connected to data output terminals of the source drive IC;
a plurality of input pads coupled to the printed circuit board; and
A display device including a plurality of output pads bonded to the display panel.
제 2 항에 있어서,
상기 저항과 상기 비교기가 상기 인쇄 회로 보드 상에 배치되고,
상기 센싱 전압이 인가되는 상기 비교기의 제1 입력 단자와 상기 저항이 상기 입력 패드에 연결되고,
상기 비교기의 제2 입력 단자에 상기 기준 전압이 인가되고,
상기 비교기는 센싱 모드에서 상기 연성 회로 기판의 배선, 상기 레벨 시프터의 출력 단자, 및 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자 중 하나 이상의 단락을 지시하는 플래그 신호를 출력하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
the resistor and the comparator are disposed on the printed circuit board;
A first input terminal of the comparator to which the sensing voltage is applied and the resistor are connected to the input pad,
the reference voltage is applied to the second input terminal of the comparator;
The comparator outputs a flag signal indicating a short circuit of at least one of a wiring of the flexible circuit board, an output terminal of the level shifter, and an output terminal of the source drive IC in a sensing mode.
제 3 항에 있어서,
상기 플래그 신호가 특정 레벨일 때 상기 연성 회로 기판의 배선, 상기 레벨 시프터의 출력 단자, 및 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자 중 하나 이상이 단락된 표시장치.
4. The method of claim 3,
At least one of the wiring of the flexible circuit board, the output terminal of the level shifter, and the output terminal of the source drive IC is short-circuited when the flag signal is at a specific level.
제 3 항에 있어서,
상기 디스플레이 모드에서 입력 영상의 픽셀 데이터를 상기 소스 드라이브 IC에 전송하고 상기 소스 드라이브 IC와 상기 게이트 구동부의 동작 타이밍을 제어하는 타이밍 콘트롤러; 및
통신 모듈을 포함하고 상기 입력 영상의 픽셀 데이터와 타이밍 신호를 상기 타이밍 콘트롤러로 전송하는 호스트 시스템을 포함하는 표시장치.
4. The method of claim 3,
a timing controller that transmits pixel data of an input image to the source drive IC in the display mode and controls operation timings of the source drive IC and the gate driver; and
A display device comprising: a communication module; and a host system configured to transmit pixel data of the input image and a timing signal to the timing controller.
제 5 항에 있어서,
상기 플레그 신호가 특정 레벨일 때 상기 픽셀 어레이에 경고 메시지가 표시되는 표시장치.
6. The method of claim 5,
A warning message is displayed on the pixel array when the flag signal is at a specific level.
제 5 항에 있어서,
상기 플레그 신호가 특정 레벨일 때 상기 통신 모듈을 통해 경고 메시지가 외부로 전송되는 표시장치.
6. The method of claim 5,
A display device for transmitting a warning message to the outside through the communication module when the flag signal is at a specific level.
제 3 항에 있어서,
상기 센싱 모드에서 상기 레벨 시프터와 상기 소스 드라이브 IC가 그라운드 모드로 동작하여 상기 레벨 시프터의 출력 단자와 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자가 그라운드에 연결되는 표시장치.
4. The method of claim 3,
In the sensing mode, the level shifter and the source drive IC operate in a ground mode so that an output terminal of the level shifter and an output terminal of the source drive IC are connected to a ground.
제 2 항에 있어서,
상기 소스 드라이브 IC의 채널들 각각은 상기 저항과 상기 비교기를 포함하고,
상기 소스 드라이브 IC의 채널들 각각은 그라운드 모드에서 출력 단자를 그라운드에 연결하는 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 센싱 전압이 인가되는 상기 비교기의 제1 입력 단자와 상기 저항이 상기 센싱 모드에서 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자에 연결되고,
상기 비교기의 제2 입력 단자에 상기 기준 전압이 인가되고,
상기 비교기의 출력 단자는 상기 소스 드라이브 IC의 플래그 신호 출력 단자에 연결되며,
상기 비교기는 상기 소스 드라이브 IC의 채널들 각각의 단락을 지시하는 플래그 신호를 출력하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
each of the channels of the source drive IC includes the resistor and the comparator;
Each of the channels of the source drive IC further includes a transistor for connecting an output terminal to the ground in a ground mode,
a first input terminal of the comparator to which the sensing voltage is applied and the resistor are connected to an output terminal of the source drive IC in the sensing mode;
the reference voltage is applied to the second input terminal of the comparator;
an output terminal of the comparator is connected to a flag signal output terminal of the source drive IC;
The comparator outputs a flag signal indicating a short circuit of each of the channels of the source drive IC.
제 9 항에 있어서,
상기 센싱 모드는 제1 단계 및 제2 단계를 포함하고,
상기 제1 단계에서 상기 소스 드라이브 IC의 기수 번째 채널들 각각에서 상기 샘플 전압이 상기 저항에 인가되고, 상기 비교기에 센싱 전압이 인가되고,
상기 제1 단계에서 상기 소스 드라이브 IC의 우수 번째 채널들 각각은 상기 그라운드 모드로 동작하여 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자가 상기 그라운드에 연결되고,
상기 제2 단계에서 상기 소스 드라이브 IC의 우수 번째 채널들 각각에서 상기 샘플 전압이 상기 저항에 인가되고, 상기 비교기에 센싱 전압이 인가되며,
상기 제2 단계에서 상기 소스 드라이브 IC의 기수 번째 채널들 각각은 상기 그라운드 모드로 동작하여 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자가 상기 그라운드에 연결되는 표시장치.
10. The method of claim 9,
The sensing mode includes a first step and a second step,
In the first step, the sample voltage is applied to the resistor in each of the odd-th channels of the source drive IC, and a sensing voltage is applied to the comparator;
In the first step, each of the even-th channels of the source drive IC operates in the ground mode so that an output terminal of the source drive IC is connected to the ground;
In the second step, in each of the even channels of the source drive IC, the sample voltage is applied to the resistor, and a sensing voltage is applied to the comparator;
In the second step, each of the odd-numbered channels of the source drive IC operates in the ground mode so that an output terminal of the source drive IC is connected to the ground.
제 9 항에 있어서,
상기 소스 드라이브 IC의 채널들 각각은,
상기 디스플레이 모드에서 데이터 신호를 출력하는 디지털 아날로그 컨버터;
상기 디지털 아날로그 컨버터의 출력 단자와 상기 소스 드라이브 IC의 출력 버퍼 사이에 연결되어 상기 디스플레이 모드에서 턴-온되어 상기 디지털 아날로그 컨버터의 출력 단자를 상기 출력 버퍼에 연결하는 제1 스위치 소자;
상기 출력 버퍼와 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자 사이에 연결되어 상기 디스플레이 모드에서 턴-온되어 상기 출력 버퍼를 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자에 연결하는 제2 스위치 소자;
상기 샘플 전압을 발생하는 샘플 전압원과 상기 출력 버퍼의 입력 단자 사이에 연결되어 상기 센싱 모드에서 턴-온되어 상기 샘플 전압원을 상기 출력 버퍼의 입력 단자에 연결하는 제3 스위치 소자;
상기 출력 버퍼의 출력 단자와 상기 저항 사이에 연결되어 상기 센싱 모드에서 턴-온되어 상기 출력 버퍼의 출력 단자와 상기 저항을 연결하는 제4 스위치 소자;
상기 저항과 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자 사이의 노드와, 상기 비교기의 제1 입력 단자 사이에 연결되어 상기 센싱 모드에서 턴-온되어 상기 소스 드라이브 IC의 출력 단자를 상기 비교기의 제1 입력 단자에 연결하는 제5 스위치 소자; 및
상기 비교기의 출력 단자와 상기 플래그 신호 출력 단자 사이에 연결되어 상기 센싱 모드에서 턴-온되어 상기 비교기의 출력 단자를 상기 플래그 신호 출력 단자에 연결하는 제6 스위치 소자를 포함하는 표시장치.
10. The method of claim 9,
Each of the channels of the source drive IC,
a digital-to-analog converter for outputting a data signal in the display mode;
a first switch element connected between the output terminal of the digital-to-analog converter and the output buffer of the source drive IC and turned on in the display mode to connect the output terminal of the digital-to-analog converter to the output buffer;
a second switch element connected between the output buffer and the output terminal of the source drive IC and turned on in the display mode to connect the output buffer to the output terminal of the source drive IC;
a third switch element connected between the sample voltage source generating the sample voltage and the input terminal of the output buffer and turned on in the sensing mode to connect the sample voltage source to the input terminal of the output buffer;
a fourth switch element connected between the output terminal of the output buffer and the resistor and turned on in the sensing mode to connect the output terminal of the output buffer and the resistor;
It is connected between a node between the resistor and an output terminal of the source drive IC and a first input terminal of the comparator and is turned on in the sensing mode to connect the output terminal of the source drive IC to the first input terminal of the comparator. a fifth switch element for connecting; and
and a sixth switch element connected between the output terminal of the comparator and the flag signal output terminal and turned on in the sensing mode to connect the output terminal of the comparator to the flag signal output terminal.
제 2 항에 있어서,
상기 레벨 시프터의 채널들 각각은 상기 저항과 상기 비교기를 포함하고,
상기 레벨 시프터의 채널들 각각은 그라운드 모드에서 출력 단자를 그라운드에 연결하는 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 비교기의 제1 입력 단자와 상기 저항이 상기 센싱 모드에서 상기 레벨 시프터의 출력 단자에 연결되고,
상기 비교기의 제2 입력 단자에 상기 기준 전압이 인가되고,
상기 비교기의 출력 단자는 상기 레벨 시프터의 플래그 신호 출력 단자에 연결되며,
상기 비교기는 상기 레벨 시프터의 채널들 각각의 단락을 지시하는 플래그 신호를 출력하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
each of the channels of the level shifter comprises the resistor and the comparator;
Each of the channels of the level shifter further comprises a transistor for connecting the output terminal to the ground in the ground mode,
a first input terminal of the comparator and the resistor are connected to an output terminal of the level shifter in the sensing mode;
the reference voltage is applied to the second input terminal of the comparator;
an output terminal of the comparator is connected to a flag signal output terminal of the level shifter;
The comparator outputs a flag signal indicating a short circuit of each of the channels of the level shifter.
제 12 항에 있어서,
상기 센싱 모드는 제1 단계 및 제2 단계를 포함하고,
상기 제1 단계에서 상기 레벨 시프터의 기수 번째 채널들 각각에서 상기 샘플 전압이 상기 저항에 인가되고, 상기 비교기에 센싱 전압이 인가되고,
상기 제1 단계에서 상기 레벨 시프터의 우수 번째 채널들 각각은 상기 그라운드 모드로 동작하여 상기 레벨 시프터의 출력 단자가 상기 그라운드에 연결되고,
상기 제2 단계에서 상기 레벨 시프터의 우수 번째 채널들 각각에서 상기 샘플 전압이 상기 저항에 인가되고, 상기 비교기에 센싱 전압이 인가되며,
상기 제2 단계에서 상기 레벨 시프터의 기수 번째 채널들 각각은 상기 그라운드 모드로 동작하여 상기 레벨 시프터의 출력 단자가 상기 그라운드에 연결되는 표시장치.
13. The method of claim 12,
The sensing mode includes a first step and a second step,
In the first step, in each of the odd-th channels of the level shifter, the sample voltage is applied to the resistor, and a sensing voltage is applied to the comparator;
In the first step, each of the even-th channels of the level shifter operates in the ground mode so that an output terminal of the level shifter is connected to the ground;
In the second step, in each of the even channels of the level shifter, the sample voltage is applied to the resistor, and a sensing voltage is applied to the comparator,
In the second step, each of the odd-numbered channels of the level shifter operates in the ground mode so that an output terminal of the level shifter is connected to the ground.
제 12 항에 있어서,
상기 레벨 시프터의 채널들 각각은,
하이 전압을 스위칭하는 제1 트랜지스터와, 로우 전압을 스위칭하는 제2 트랜지스터를 이용하여 상기 디스플레이 모드에서 상기 레벨 시프터의 출력 단자에 상기 하이 전압과 상기 로우 전압 사이에서 스윙하는 신호를 출력하는 버퍼;
상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터 사이의 버퍼 출력 노드와, 상기 레벨 시프터의 출력 단자 사이에 연결되어 상기 디스플레이 모드에서 턴-온되어 상기 버퍼 출력 노드를 상기 레벨 시프터의 출력 단자에 연결하는 제1 스위치 소자; 및
상기 저항과 상기 레벨 시프터의 출력 단자 사이에 연결되어 상기 센싱 모드에서 턴-온되어 상기 저항을 상기 레벨 시프터의 출력 단자에 연결하는 제2 스위치 소자를 더 포함하는 표시장치.
13. The method of claim 12,
Each of the channels of the level shifter,
a buffer configured to output a signal swinging between the high voltage and the low voltage to an output terminal of the level shifter in the display mode using a first transistor for switching a high voltage and a second transistor for switching a low voltage;
a first transistor connected between a buffer output node between the first transistor and the second transistor and an output terminal of the level shifter to be turned on in the display mode to connect the buffer output node to an output terminal of the level shifter switch element; and
and a second switch element connected between the resistor and the output terminal of the level shifter and turned on in the sensing mode to connect the resistor to the output terminal of the level shifter.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20150015639A (en) * 2013-07-31 2015-02-11 엘지디스플레이 주식회사 Display device having narrow bezel and fabricating method thereof
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