KR102322710B1 - Display device and sensing method for sensing bonding resistance thereof - Google Patents

Display device and sensing method for sensing bonding resistance thereof Download PDF

Info

Publication number
KR102322710B1
KR102322710B1 KR1020170099199A KR20170099199A KR102322710B1 KR 102322710 B1 KR102322710 B1 KR 102322710B1 KR 1020170099199 A KR1020170099199 A KR 1020170099199A KR 20170099199 A KR20170099199 A KR 20170099199A KR 102322710 B1 KR102322710 B1 KR 102322710B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bonding
sensing
driving
resistance
panel
Prior art date
Application number
KR1020170099199A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190014984A (en
Inventor
홍무경
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170099199A priority Critical patent/KR102322710B1/en
Publication of KR20190014984A publication Critical patent/KR20190014984A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102322710B1 publication Critical patent/KR102322710B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426Layout of electrodes and connections
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0828Several active elements per pixel in active matrix panels forming a digital to analog [D/A] conversion circuit
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/12Test circuits or failure detection circuits included in a display system, as permanent part thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 센싱부를 갖는 구동 IC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱함으로써 본딩 불량 여부를 확인할 수 있는 표시 장치 및 그의 본딩 저항 센싱 방법에 관한 것으로, 일 실시예에 따른 본딩 저항 센싱 방법은 본딩 저항 센싱 경로에 입력 전압을 공급하는 단계와, 입력 전압이 본딩 저항 센싱 경로를 경유하여 본딩 저항 센싱 경로와 기준 저항 사이의 센싱 노드에서 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 전압을 발생시키는 단계와, 구동 IC에 내장된 ADC가 센싱 노드로부터 본딩 저항이 반영된 전압을 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 단계와, 센싱 데이터를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a display device capable of checking whether bonding is defective by sensing the bonding resistance of a driving circuit unit using a driving IC having a sensing unit, and a bonding resistance sensing method thereof, and the bonding resistance sensing method according to an embodiment includes a bonding resistance A step of supplying an input voltage to a sensing path, and generating a voltage reflecting the bonding resistance of the plurality of bonding pads at a sensing node between the bonding resistance sensing path and the reference resistance through the input voltage passing through the bonding resistance sensing path, and driving; The steps of the ADC built-in IC receiving the voltage reflecting the bonding resistance from the sensing node, converting it into sensing data and outputting it, and judging whether or not bonding of the driving circuit unit is defective by using the sensing data.

Description

표시 장치와 그의 본딩 저항 센싱 방법{DISPLAY DEVICE AND SENSING METHOD FOR SENSING BONDING RESISTANCE THEREOF}Display device and bonding resistance sensing method thereof

본 발명은 센싱부를 갖는 구동 회로를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱할 수 있는 표시 장치 및 그의 본딩 저항 센싱 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device capable of sensing a bonding resistance of a driving circuit unit using a driving circuit having a sensing unit, and a bonding resistance sensing method thereof.

최근 디지털 데이터를 이용하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치로는 액정을 이용한 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드를 이용한 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED) 디스플레이, 전기영동 입자를 이용한 전기영동 디스플레이(ElectroPhoretic Display; EPD) 등이 대표적이다.Recently, as a display device that displays an image using digital data, a liquid crystal display (LCD) using liquid crystal, an organic light emitting diode (OLED) display using an organic light emitting diode, and an electrophoretic particle are used. An electrophoretic display (EPD), etc. is a representative example.

표시 장치는 영상을 표시하는 패널과, 패널을 구동하는 구동 회로와, 구동 회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러 등을 포함한다. 구동 회로는 IC(Integrated Circuit)가 개별적으로 회로 필름에 실장된 COF(Chip On Film) 형태로 마련된다.A display device includes a panel for displaying an image, a driving circuit for driving the panel, and a timing controller for controlling the driving circuit. The driving circuit is provided in the form of a COF (Chip On Film) in which an IC (Integrated Circuit) is individually mounted on a circuit film.

본딩 공정을 통해 각 COF의 일측 패드부는 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 통해 패널의 패드부와 본딩 및 접속되고, 타측 패드부는 ACF를 통해 PCB(Printed Circuit Board)의 패드부와 본딩 및 접속된다. 본딩 공정 후 검사 공정을 통해 각 COF의 본딩 저항을 측정하여 COF의 본딩 불량 여부를 확인한다.Through the bonding process, one pad part of each COF is bonded and connected to the pad part of the panel through an ACF (Anisotropic Conductive Film), and the other pad part is bonded and connected to the pad part of the PCB (Printed Circuit Board) through the ACF. After the bonding process, the bonding resistance of each COF is measured through the inspection process to check whether the COF is defective in bonding.

이를 위하여, 패널 및 PCB와 각 COF에는 본딩 저항 측정시 이용되는 본딩 패드가 마련되고, PCB에는 본딩 저항 측정을 위해 본딩 패드와 접속된 테스트 패드가 마련된다. 종래의 본딩 저항 측정 방법은 저항 측정기를 테스트 패드와 연결하여 본딩 패드의 본딩 저항을 측정하고 측정 결과에 따라 본딩 불량 여부를 판단한다.To this end, bonding pads used for measuring bonding resistance are provided on the panel, PCB, and each COF, and test pads connected to the bonding pads are provided on the PCB for measuring bonding resistance. In the conventional method of measuring bonding resistance, a resistance measuring device is connected to a test pad to measure the bonding resistance of the bonding pad, and whether bonding is defective is determined according to the measurement result.

그러나, 종래의 본딩 저항 측정 방법은 저항 측정기를 이용하여 각 COF의 본딩 저항을 개별적으로 측정하므로, 본딩 저항의 검사 시간이 증가하여 공정 택트 타임(tact time)이 증가하고, 측정 오차가 발생하는 문제점이 있다.However, since the conventional bonding resistance measurement method individually measures the bonding resistance of each COF using a resistance meter, the inspection time of the bonding resistance increases, resulting in an increase in process tact time and measurement error. There is this.

또한, 종래의 본딩 저항 측정 방법은 제품 출하 후에는 표시 장치를 분해(Decapsulation)하지 않는 한 적용이 불가능하고, 본딩 저항이 진행성으로 증가하여 발생되는 구동 회로의 진행성 접속 불량은 확인하기 어려운 문제점이 있다.In addition, the conventional bonding resistance measurement method cannot be applied unless the display device is decapsulated after product shipment, and it is difficult to check the progressive connection defect of the driving circuit caused by the progressive increase in bonding resistance. .

본 발명은 센싱부를 갖는 구동 IC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱함으로써 본딩 불량 여부를 확인할 수 있는 표시 장치 및 그의 본딩 저항 센싱 방법을 제공한다.The present invention provides a display device capable of checking whether bonding is defective by sensing the bonding resistance of a driving circuit unit using a driving IC having a sensing unit, and a bonding resistance sensing method thereof.

일 실시예에 따른 표시 장치는 회로 필름 상에 실장된 구동 IC를 포함하고, 패널과 PCB 사이에 본딩된 구동 회로부와, PCB와 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제1 본딩부와, 패널과 상기 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제2 본딩부에 위치하는 복수의 본딩 패드가 직렬 접속되어 마련된 본딩 저항 센싱 경로를 포함한다. 구동 IC는 제1 센싱 모드일 때 패널을 통해 각 서브픽셀의 특성이 반영된 신호를 센싱하여 ADC를 통해 제1 센싱 데이터를 출력한다. 구동 IC는 제2 센싱 모드일 때 본딩 저항 센싱 경로를 통해 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 신호를 센싱하여 ADC를 통해 제2 센싱 데이터를 출력한다.A display device according to an exemplary embodiment includes a driving IC mounted on a circuit film, a driving circuit unit bonded between a panel and a PCB, a first bonding unit bonding and connecting the PCB and the circuit film, and a panel and the circuit A plurality of bonding pads positioned in the second bonding unit for bonding and connecting the film includes a bonding resistance sensing path provided by being connected in series. In the first sensing mode, the driving IC senses a signal reflecting the characteristics of each sub-pixel through the panel and outputs the first sensing data through the ADC. In the second sensing mode, the driving IC senses a signal reflecting the bonding resistance of the plurality of bonding pads through the bonding resistance sensing path and outputs second sensing data through the ADC.

타이밍 컨트롤러는 구동 IC를 제1 및 제2 센싱 모드로 동작하도록 제어하고, 제2 센싱 데이터를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하여 출력한다.The timing controller controls the driving IC to operate in the first and second sensing modes, and determines whether bonding of the driving circuit unit is defective using the second sensing data, and outputs the determination.

구동 회로부는 본딩 저항 센싱 경로와 그라운드 사이에 직렬 접속된 기준 저항과, 본딩 저항 센싱 경로와 기준 저항 사이의 센싱 노드와 ADC의 입력 단자를 제2 센싱 모드일 때 접속시키는 스위치를 추가로 구비한다.The driving circuit unit further includes a reference resistor connected in series between the bonding resistance sensing path and the ground, and a switch connecting the sensing node between the bonding resistance sensing path and the reference resistance and the input terminal of the ADC in the second sensing mode.

일 실시예에 따른 본딩 저항 센싱 경로는 입력 전압의 공급 라인과 직렬 접속되고, PCB와 회로 필름 사이에서 본딩된 제1 본딩 패드와, 제1 본딩 패드와 직렬 접속되고, 패널과 회로 필름 사이에서 본딩된 제2 본딩 패드와, 제2 본딩 패드와 직렬 접속되고 제2 본딩 패드와 나란하게 배치되며, 패널과 회로 필름 사이에서 본딩된 제3 본딩 패드와, 제3 본딩 패드와 직렬 접속되고 제1 본딩 패드와 나란하게 배치되며, PCB와 회로 필름 사이에서 본딩된 제4 본딩 패드와, 제4 본딩 패드와 직렬 접속되고 제4 본딩 패드와 나란하게 배치되며, PCB와 회로 필름 사이에서 본딩된 제5 본딩 패드를 포함한다. 제1 내지 제5 본딩 패드 각각은 회로 필름과 PCB 또는 패널에서 마주하여 이방성 도전 필름에 의해 본딩 및 접속된 한 쌍의 패드를 포함한다.A bonding resistance sensing path according to an embodiment is connected in series with a supply line of an input voltage, a first bonding pad bonded between the PCB and the circuit film, and the first bonding pad in series, and bonding between the panel and the circuit film a second bonding pad connected in series with the second bonding pad and disposed in parallel with the second bonding pad, a third bonding pad bonded between the panel and the circuit film, and the third bonding pad connected in series with the first bonding pad a fourth bonding pad disposed in parallel with the pad and bonded between the PCB and the circuit film, and a fifth bonding pad connected in series with the fourth bonding pad and disposed in parallel with the fourth bonding pad, bonded between the PCB and the circuit film Includes pad. Each of the first to fifth bonding pads includes a pair of pads bonded and connected by an anisotropic conductive film facing the circuit film and the PCB or panel.

제1 및 제2 본딩 패드는 회로 필름에 마련된 제1 연결 라인을 통해 직렬 접속된다. 제2 및 제3 본딩 패드는 패널에 마련된 제2 연결 라인을 통해 직렬 접속된다. 제3 및 제4 본딩 패드는 회로 필름에 제1 연결 라인과 나란하게 마련된 제3 연결 라인을 통해 직렬 접속된다. 제4 및 제5 본딩 패드는 PCB에 마련된 제4 연결 라인을 통해 직렬 접속된다. 본딩 저항 센싱 경로는 회로 필름에 마련되어 제5 본딩 패드와 구동 IC의 입력 단자를 접속시키는 제5 연결 라인을 추가로 구비한다.The first and second bonding pads are connected in series through a first connection line provided on the circuit film. The second and third bonding pads are connected in series through a second connection line provided on the panel. The third and fourth bonding pads are connected in series to the circuit film through a third connection line provided in parallel with the first connection line. The fourth and fifth bonding pads are connected in series through a fourth connection line provided on the PCB. The bonding resistance sensing path is provided on the circuit film and further includes a fifth connection line connecting the fifth bonding pad and the input terminal of the driving IC.

구동 회로부는 PCB로부터 회로 필름을 통해 패널로 구동 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 더 포함하고, 제4 및 제5 본딩 패드는 복수의 전원 배선을 사이에 두고 이격 배치된다. 제5 본딩 패드는 복수의 전원 배선과 인접하여 회로 필름의 일측부에 배치되거나 회로 필름의 중앙부에 배치될 수 있다. 본딩 저항 센싱 경로는 구동 회로부의 일측부에 배치되거나, 구동 회로부의 양측부에 각각 배치될 수 있다.The driving circuit unit further includes a plurality of power lines for supplying a driving voltage from the PCB to the panel through the circuit film, and the fourth and fifth bonding pads are spaced apart from each other with the plurality of power lines interposed therebetween. The fifth bonding pad may be disposed on one side of the circuit film adjacent to the plurality of power wirings or disposed on a central portion of the circuit film. The bonding resistance sensing path may be disposed on one side of the driving circuit unit or disposed on both sides of the driving circuit unit, respectively.

일 실시예에 따른 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법은 전술한 본딩 저항 센싱 경로에 입력 전압을 공급하는 단계와, 입력 전압이 본딩 저항 센싱 경로를 경유하여 본딩 저항 센싱 경로와 기준 저항 사이의 센싱 노드에서 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 전압을 발생시키는 단계와, 구동 IC에 내장된 ADC가 센싱 노드로부터 본딩 저항이 반영된 전압을 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 단계와, 센싱 데이터를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하는 단계를 포함한다.A bonding resistance sensing method of a display device according to an embodiment includes supplying an input voltage to the above-described bonding resistance sensing path, and the input voltage passes through the bonding resistance sensing path at a sensing node between the bonding resistance sensing path and a reference resistance. A step of generating a voltage reflecting the bonding resistance of a plurality of bonding pads, the ADC built-in driving IC receiving a voltage reflecting the bonding resistance from a sensing node, converting it into sensing data and outputting it, and driving using the sensing data and determining whether bonding of the circuit unit is defective.

본 발명의 일 실시예는 구동 IC에 내장된 ADC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱하고 그 센싱 결과를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 쉽게 확인할 수 있으므로 본딩 불량계 리스크를 감소시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, the bonding resistance of the driving circuit unit is sensed using an ADC built into the driving IC, and the bonding failure risk of the driving circuit unit can be easily checked using the sensing result, thereby reducing the risk of a bonding failure system. .

본 발명의 일 실시예는 구동 회로부의 본딩 공정 후 본딩 저항을 검사하는 검사 시간을 감소시킬 수 있으므로 공정 택트 타임을 감소시킬 수 있고, 측정 오차를 감소시킬 수 있다.An exemplary embodiment of the present invention can reduce the inspection time for inspecting the bonding resistance after the bonding process of the driving circuit unit, thereby reducing the process tact time and reducing the measurement error.

본 발명의 일 실시예는 제품 출하 후에도 구동 IC에 내장된 ADC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱함으로써 진행성 본딩 불량도 검출할 수 있으므로 구동 회로부의 진행성 접속 불량으로 인한 화면 이상이 발생하는 것을 사전에 방지할 수 있다.In an embodiment of the present invention, even after shipment of the product, progressive bonding failure can be detected by sensing the bonding resistance of the driving circuit unit using the ADC built into the driving IC, so that screen abnormalities due to progressive connection failure of the driving circuit unit are prevented in advance. can be prevented in

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에서 구동 회로부의 본딩 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 저항 센싱부를 나타낸 등가 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 회로부의 본딩 저항 센싱 경로를 다양하게 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로 및 구동 회로부의 일부를 나타낸 등가회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법을 나타낸 순서도이다.
1 is a block diagram schematically showing the configuration of an OLED display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a bonding structure of a driving circuit unit in a display device according to an exemplary embodiment.
3 is an equivalent circuit diagram illustrating a bonding resistance sensing unit according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing various bonding resistance sensing paths of a driving circuit unit according to an embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram illustrating a part of a pixel circuit and a driving circuit unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a bonding resistance sensing method of an OLED display device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 저항 센싱을 위한 IC 패키지를 나타낸 도면이다.1 is a block diagram schematically showing the configuration of an OLED display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing an IC package for sensing bonding resistance according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 OLED 표시 장치는 패널(100), 게이트 드라이버(200), 데이터 드라이버(300), 타이밍 컨트롤러(400), 메모리(500), 전원부(600) 등을 포함한다.Referring to FIG. 1 , an OLED display device according to an exemplary embodiment includes a panel 100 , a gate driver 200 , a data driver 300 , a timing controller 400 , a memory 500 , a power supply unit 600 , and the like. do.

패널(100)은 서브픽셀들(SP)이 매트릭스 형태로 배열된 픽셀 어레이를 통해 영상을 표시한다. 기본 픽셀은 화이트(W), 레드(R), 그린(G), 블루(B) 서브픽셀들 중 컬러 혼합으로 화이트 표현이 가능한 적어도 3개 서브픽셀들로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기본 픽셀은 R/G/B 조합의 서브픽셀들, W/R/G 조합의 서브픽셀들, B/W/R 조합의 서브픽셀들, G/B/W 조합의 서브픽셀들로 구성되거나, W/R/G/B 조합의 서브픽셀들로 구성될 수 있다.The panel 100 displays an image through a pixel array in which sub-pixels SP are arranged in a matrix form. The basic pixel may be composed of at least three sub-pixels capable of expressing white by color mixing among white (W), red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels. For example, a basic pixel is subpixels in R/G/B combination, subpixels in W/R/G combination, subpixels in B/W/R combination, subpixels in combination G/B/W or may be composed of sub-pixels of a W/R/G/B combination.

전원부(600)는 입력 전압을 이용하여 타이밍 컨트롤러(400), 게이트 드라이버(200), 데이터 드라이버(300), 패널(100) 등과 표시 장치에서 필요한 다양한 구동 전압들을 생성하여 출력한다. 예를 들면, 전원부(600)는 데이터 드라이버(300) 및 타이밍 컨트롤러(400) 등에 공급되는 디지털 회로의 구동 전압, 데이터 드라이버(300)에 공급되는 아날로그 회로의 구동 전압, 게이트 드라이버(200)에서 이용되는 게이트 온 전압(게이트 하이 전압) 및 게이트 오프 전압(게이트 로우 전압) 등을 생성하여 공급한다. 전원부(600)는 패널(100) 구동시 필요한 복수의 구동 전압(EVDD, EVSS), 레퍼런스 전압을 생성하여 데이터 드라이버(300)를 통해 패널(100)에 공급한다.The power supply unit 600 generates and outputs various driving voltages required by the display device, such as the timing controller 400 , the gate driver 200 , the data driver 300 , the panel 100 , and the like by using the input voltage. For example, the power supply unit 600 uses a driving voltage of a digital circuit supplied to the data driver 300 and the timing controller 400 , a driving voltage of an analog circuit supplied to the data driver 300 , and the gate driver 200 . A gate-on voltage (gate high voltage) and a gate-off voltage (gate low voltage) are generated and supplied. The power supply unit 600 generates a plurality of driving voltages EVDD and EVSS and a reference voltage necessary for driving the panel 100 , and supplies them to the panel 100 through the data driver 300 .

타이밍 컨트롤러(400)는 외부 시스템으로부터 영상 데이터 및 기초 타이밍 제어 신호들을 공급받는다. 시스템은 컴퓨터, TV 시스템, 셋탑 박스, 태블릿이나 휴대폰 등과 같은 휴대 단말기의 시스템 중 어느 하나일 수 있다. 기초 타이밍 제어 신호들은 도트 클럭, 데이터 인에이블 신호, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호 등을 포함할 수 있다.The timing controller 400 receives image data and basic timing control signals from an external system. The system may be any one of a computer, a TV system, a set-top box, a system of a portable terminal such as a tablet or a mobile phone. The basic timing control signals may include a dot clock, a data enable signal, a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and the like.

타이밍 컨트롤러(400)는 외부로부터 공급받은 기초 타이밍 제어 신호들과 내부 레지스터에 저장된 타이밍 설정 정보(스타트 타이밍, 펄스폭 등)를 이용하여 데이터 드라이버(300) 및 게이트 드라이버(200)의 구동 타이밍을 각각 제어하는 데이터 제어 신호들 및 게이트 제어 신호들을 생성하여 공급한다.The timing controller 400 controls the driving timings of the data driver 300 and the gate driver 200 using basic timing control signals supplied from the outside and timing setting information (start timing, pulse width, etc.) stored in an internal register, respectively. Data control signals and gate control signals for controlling are generated and supplied.

타이밍 컨트롤러(400)는 각 서브픽셀(SP)에 공급될 영상 데이터를 메모리(500)에 저장된 보상값을 이용하여 보상하고, 보상된 영상 데이터를 데이터 드라이버(300)로 공급한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 OLED 소자의 열화 보상, 소비 전력 감소 등을 위한 다양한 영상 처리를 더 수행할 수 있다.The timing controller 400 compensates image data to be supplied to each sub-pixel SP using a compensation value stored in the memory 500 , and supplies the compensated image data to the data driver 300 . The timing controller 400 may further perform various image processing for compensating for deterioration of the OLED device, reducing power consumption, and the like.

타이밍 컨트롤러(400)는 시스템으로부터 센싱 커맨드를 공급받아 표시 장치를 각 서브픽셀의 특성을 센싱하는 픽셀 센싱 모드로 동작하도록 제어하거나, 데이터 드라이버(300)를 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱하는 본딩 저항 센싱 모드로 동작하도록 제어할 수 있다.The timing controller 400 receives a sensing command from the system to control the display device to operate in a pixel sensing mode for sensing characteristics of each sub-pixel, or the data driver 300 senses bonding resistance for sensing the bonding resistance of the driving circuit unit. mode can be controlled.

시스템으로부터 픽셀 센싱 커맨드가 공급되면, 타이밍 컨트롤러(400)는 게이트 드라이버(200) 및 데이터 드라이버(300)와 패널(100) 등을 픽셀 센싱 모드로 동작하도록 제어할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 드라이버(300)를 통해 패널(100)의 각 서브픽셀에 대한 특성(구동 TFT의 Vth, 이동도, OLED의 Vth 등)을 센싱하고 센싱 결과를 이용하여 메모리(500)에 저장된 각 서브픽셀의 보상값을 업데이트한다.When a pixel sensing command is supplied from the system, the timing controller 400 may control the gate driver 200 , the data driver 300 , the panel 100 , and the like to operate in the pixel sensing mode. The timing controller 400 senses characteristics (Vth of the driving TFT, mobility, Vth of OLED, etc.) of each subpixel of the panel 100 through the data driver 300 and uses the sensing result to generate the memory 500 Update the compensation value of each subpixel stored in .

시스템으로부터 본딩 저항 센싱 커맨드가 공급되면, 타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 드라이버(300)를 본딩 저항 센싱 모드로 동작하도록 제어할 수 있으며, 이에 대한 설명은 후술하기로 한다.When the bonding resistance sensing command is supplied from the system, the timing controller 400 may control the data driver 300 to operate in the bonding resistance sensing mode, which will be described later.

게이트 드라이버(200)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 게이트 제어 신호를 공급받아 패널(100)의 다수의 게이트 라인을 구동한다. 게이트 드라이버(200)는 각 게이트 라인의 구동 기간에 게이트 온 전압의 펄스를 해당 게이트 라인에 공급하고, 비구동 기간에는 게이트 오프 전압을 공급한다. 게이트 드라이버(200)는 패널(100) 양측부에 각각 배치되고 게이트 신호를 각 게이트 라인의 양측부에서 동시에 공급함으로써 게이트 신호의 딜레이를 감소시킬 수 있다.The gate driver 200 receives a gate control signal from the timing controller 400 to drive a plurality of gate lines of the panel 100 . The gate driver 200 supplies a gate-on voltage pulse to the corresponding gate line in the driving period of each gate line, and supplies the gate-off voltage in the non-driving period. The gate driver 200 is disposed on both sides of the panel 100 and simultaneously supplies the gate signal from both sides of each gate line, thereby reducing the delay of the gate signal.

게이트 드라이버(200)는 패널(100)의 일측부 또는 양측부와 접속되어 게이트 라인들을 분할 구동하는 복수의 게이트 IC(Integrated Circuit)를 포함한다. 게이트 IC는 회로 필름에 개별적으로 실장되어 TCP(Tape Carrier Package), COF(Chip On Film) 형태로 마련되고 ACF(Anisotropic Conductive Film)를 통해 패널(100)에 TAB(Tape Automatic Bonding) 방식으로 본딩되어 접속될 수 있다. 이와 달리, 게이트 드라이버(200)는 패널(100)의 픽셀 어레이의 TFT 어레이와 함께 기판의 비표시 영역에 직접 형성되어 패널(100)에 내장되는 GIP(Gate In Panel) 타입으로 형성될 수 있다. The gate driver 200 includes a plurality of gate integrated circuits (ICs) connected to one or both sides of the panel 100 to divide and drive the gate lines. The gate IC is individually mounted on a circuit film, provided in the form of a TCP (Tape Carrier Package), COF (Chip On Film), and is bonded to the panel 100 through an ACF (Anisotropic Conductive Film) in a TAB (Tape Automatic Bonding) method. can be connected. Alternatively, the gate driver 200 may be formed in a GIP (Gate In Panel) type that is directly formed in the non-display area of the substrate together with the TFT array of the pixel array of the panel 100 and is embedded in the panel 100 .

데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 공급된 데이터 제어 신호를 이용하여, 타이밍 컨트롤러(400)로부터 공급된 픽셀 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환하고 데이터 전압을 패널(100)로 공급한다. 데이터 드라이버(300)는 감마 전압 생성부로부터 공급된 계조별 감마 전압을 이용하여 디지털 데이터를 아날로그 데이터 전압으로 변환한다.The data driver 300 converts the pixel data supplied from the timing controller 400 into an analog data voltage by using the data control signal supplied from the timing controller 400 , and supplies the data voltage to the panel 100 . The data driver 300 converts digital data into analog data voltages using the gamma voltage for each gray level supplied from the gamma voltage generator.

데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따라 픽셀 센싱 모드와 본딩 저항 센싱 모드로 동작할 수 있다.The data driver 300 may operate in a pixel sensing mode and a bonding resistance sensing mode under the control of the timing controller 400 .

타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따라 픽셀 센싱 모드일 때, 데이터 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 공급받은 센싱용 데이터를 센싱용 데이터 전압으로 변환한 후 데이터 라인을 통해 각 서브픽셀에 공급하여 각 서브픽셀을 구동한다. 데이터 드라이버(300)는 구동된 서브픽셀(SP)의 구동 특성(구동 TFT의 Vth, 이동도, OLED의 Vth 등)을 나타내는 픽셀 전류를 레퍼런스 라인을 통해 전압으로 센싱하고 ADC(Analog-to-Digital Converter)를 통해 센싱 데이터로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)에 제공한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 드라이버(300)로부터 공급된 센싱 결과를 이용하여 메모리(500)에 저장된 각 서브픽셀의 보상값을 업데이트한다.In the pixel sensing mode under the control of the timing controller 400 , the data driver 300 converts the sensing data supplied from the timing controller 400 into a sensing data voltage and then supplies it to each sub-pixel through the data line. to drive each sub-pixel. The data driver 300 senses the pixel current representing the driving characteristics (Vth of the driving TFT, mobility, Vth of the OLED, etc.) of the driven sub-pixel SP as a voltage through a reference line, and analog-to-digital (ADC). converter) to convert it into sensed data and provide it to the timing controller 400 . The timing controller 400 updates the compensation value of each subpixel stored in the memory 500 using the sensing result supplied from the data driver 300 .

데이터 드라이버(300)는 패널(100)의 일측부 또는 양측부와 접속되어 데이터 라인들을 분할 구동하는 복수의 데이터 IC(350; 도 2)를 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이 각 데이터 IC(350)는 회로 필름(360)에 개별적으로 실장되어 TCP, COF 형태의 구동 회로부(370)로 마련되고, 각 구동 회로부(370)는 ACF를 통해 패널(100) 및 PCB(700)에 TAB 방식으로 본딩 및 접속된다.The data driver 300 includes a plurality of data ICs 350 ( FIG. 2 ) connected to one or both sides of the panel 100 to divide and drive data lines. As shown in FIG. 2 , each data IC 350 is individually mounted on a circuit film 360 to provide a TCP and COF type driving circuit unit 370 , and each driving circuit unit 370 is connected to the panel ( ) through the ACF. 100) and the PCB 700 are bonded and connected in a TAB manner.

타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따라 본딩 저항 센싱 모드일 때, 데이터 드라이버(300), 즉 각 데이터 IC(350)는 입력 전압(Vin)이 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)를 경유함으로써 본딩 저항이 반영된 전압을 센싱 전압으로 공급받고, ADC를 통해 센싱 데이터로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)에 제공한다. 각 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)는 구동 회로부(370)와 PCB(700)가 본딩된 복수의 본딩 패드(12, 13)와, 구동 회로부(370)와 패널(100)이 본딩된 복수의 본딩 패드(11, 14, 15)가 직렬 접속된 구조로 마련된다. 본딩 저항 센싱 경로(10)는 구동 회로부(370)의 일측부에 마련되거나 구동 회로부(370)의 양측부에 각각 마련될 수 있다.In the bonding resistance sensing mode under the control of the timing controller 400 , the data driver 300 , that is, each data IC 350 , receives the input voltage Vin through the bonding resistance sensing path 10 of the driving circuit unit 370 . The voltage reflected by the bonding resistance is supplied as a sensing voltage by passing through, and is converted into sensing data through an ADC and provided to the timing controller 400 . The bonding resistance sensing path 10 of each driving circuit unit 370 includes a plurality of bonding pads 12 and 13 to which the driving circuit unit 370 and the PCB 700 are bonded, and the driving circuit unit 370 and the panel 100 . A plurality of bonded bonding pads 11 , 14 , and 15 are provided in a series-connected structure. The bonding resistance sensing path 10 may be provided on one side of the driving circuit unit 370 or provided on both sides of the driving circuit unit 370 .

구동 회로부(370)의 본딩 상태는 중앙 부분의 본딩 상태가 가장 좋고 양측부의 본딩 상태가 상대적으로 좋지 않으므로, 구동 회로부(370)의 일측부 또는 양측부에 위치한 본딩 저항 센싱 경로(10)에 대한 본딩 저항을 센싱함으로써 구동 회로부(370)의 본딩 불량 여부를 판단할 수 있다.As for the bonding state of the driving circuit unit 370 , the bonding state of the central portion is the best and the bonding state of both sides is relatively poor. By sensing the resistance, it is possible to determine whether bonding of the driving circuit unit 370 is defective.

타이밍 컨트롤러(400)는 각 데이터 IC(350)로부터 공급받은 센싱 데이터를 이용하여 각 구동 회로부(370)의 본딩 불량 여부를 판단한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 본딩 불량 여부의 판단 결과를 외부로 출력하여 본딩 불량시 작업자가 각 구동 회로부(370)의 본딩 불량을 수선할 수 있게 한다. 타이밍 컨트롤러(400)는 본딩 저항에 의한 전압 센싱값이 미리 설정된 기준값보다 작으면 본딩 저항이 증가한 것이므로 본딩 불량으로 판단하고, 본딩 저항에 의한 전압 센싱값이 기준값 이상이면 본딩 저항이 상대적으로 작은 정상 본딩으로 판단할 수 있다.The timing controller 400 determines whether the bonding of each driving circuit unit 370 is defective by using the sensing data supplied from each data IC 350 . The timing controller 400 outputs the determination result of whether the bonding is defective to the outside so that, when the bonding is defective, the operator can repair the bonding defect of each driving circuit unit 370 . If the voltage sensed by the bonding resistor is less than the preset reference value, the timing controller 400 determines that the bonding resistance is increased because the bonding resistance is increased. can be judged as

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 각 구동 회로부(370)의 본딩 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 각 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 장치를 나타낸 등가회로도이다.2 is a diagram schematically showing a bonding structure of each driving circuit unit 370 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a bonding resistance sensing device of each driving circuit unit 370 .

도 2를 참조하면, 회로 필름(360)에 실장된 데이터 IC(350)를 포함하는 각 구동 회로부(370)에서 제1 본딩부(362)는 PCB(700)의 본딩부(710)의 전체 또는 일부 영역에서 ACF에 의해 본딩된다. 제1 본딩부(362)에 위치하는 복수의 본딩 패드들은 PCB(700)의 본딩부(710)에 위치하는 복수의 본딩 패드들과 ACF에 포함된 도전 입자들을 통해 개별적으로 접속된다.Referring to FIG. 2 , in each driving circuit unit 370 including the data IC 350 mounted on the circuit film 360 , the first bonding unit 362 is the entire bonding unit 710 of the PCB 700 or Bonded by ACF in some areas. The plurality of bonding pads located in the first bonding unit 362 are individually connected to the plurality of bonding pads located at the bonding unit 710 of the PCB 700 through conductive particles included in the ACF.

구동 회로부(370)에서 제1 본딩부(362)와 제1 방향(Y)으로 마주보는 제2 본딩부(364)는 패널(100)의 본딩부(110)의 전체 또는 일부 영역에서 ACF에 의해 본딩된다. 제2 본딩부(364)에 위치하는 복수의 본딩 패드들은 패널(100)의 본딩부(110)에 위치하는 복수의 본딩 패드들과 ACF에 포함된 도전 입자들을 통해 개별적으로 접속된다.In the driving circuit unit 370 , the first bonding unit 362 and the second bonding unit 364 facing in the first direction Y are formed by ACF in all or a part of the bonding unit 110 of the panel 100 . are bonded The plurality of bonding pads positioned at the second bonding unit 364 are individually connected to the plurality of bonding pads located at the bonding unit 110 of the panel 100 through conductive particles included in the ACF.

각 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)는 회로 필름(360)과 PCB(700) 사이에 본딩된 제1 본딩 패드(11)와, 회로 필름(360)과 패널(100) 사이에 본딩된 제2 및 제3 본딩 패드(12, 13)와, 회로 필름(360)과 PCB(700) 사이에 본딩된 제4, 제5 본딩 패드(11, 14, 15)가 직렬 접속된 구조를 갖는다.The bonding resistance sensing path 10 of each driving circuit unit 370 is formed between the first bonding pad 11 bonded between the circuit film 360 and the PCB 700 and the circuit film 360 and the panel 100 . The second and third bonding pads 12 and 13 bonded to each other and the fourth and fifth bonding pads 11, 14 and 15 bonded between the circuit film 360 and the PCB 700 are connected in series. have

제1 본딩 패드(11)는 전원부(600)로부터 입력 전압(Vin)을 공급받는다. 제1 본딩 패드(11) 및 제2 본딩 패드(12)는 회로 필름(360)에 마련된 연결 라인(21)을 통해 직렬 접속된다. 제2 및 제3 본딩 패드(12, 13)은 패널(100)에 마련된 연결 라인(22)을 통해 직렬 접속된다. 제3 및 제4 본딩 패드(13, 14)는 회로 필름(360)에 마련된 연결 라인(23)을 통해 직렬 접속된다. 제4 및 제5 본딩 패드(14, 15)는 PCB(700)에 마련된 연결 라인(24)을 통해 직렬 접속된다. 제5 본딩 패드(15)는 회로 필름(360)에 마련된 연결 라인(25)을 통해 데이터 IC(350)의 입력 단자와 직렬 접속된다.The first bonding pad 11 receives the input voltage Vin from the power supply unit 600 . The first bonding pad 11 and the second bonding pad 12 are connected in series through the connection line 21 provided on the circuit film 360 . The second and third bonding pads 12 and 13 are connected in series through a connection line 22 provided on the panel 100 . The third and fourth bonding pads 13 and 14 are connected in series through a connection line 23 provided on the circuit film 360 . The fourth and fifth bonding pads 14 and 15 are connected in series through a connection line 24 provided on the PCB 700 . The fifth bonding pad 15 is connected in series with the input terminal of the data IC 350 through the connection line 25 provided on the circuit film 360 .

도 2를 참조하면, 제1 본딩 패드(11)는 PCB(700)와 회로 필름(360)에 마련된 한 쌍의 패드(11-1, 11-2)가 서로 마주하여 ACF에 의해 본딩 및 접속된 구조를 갖는다. 제1 본딩 패드(11)와 인접한 제4 본딩 패드(14)도 PCB(700)와 회로 필름(360)에 마련된 한 쌍의 패드(14-1, 14-2)가 서로 마주하여 ACF에 의해 본딩 및 접속된 구조를 갖는다. 제2 본딩 패드(15)도 PCB(700)와 회로 필름(360)에 각각 마련된 한 쌍의 패드가 ACF에 의해 본딩 및 접속된 구조를 갖는다. 이와 유사하게, 제2 및 제3 본딩 패드(12, 13) 각각도 패널(100)과 회로 필름(360)에 각각 마련된 각 쌍의 패드가 ACF에 의해 본딩 및 접속된 구조를 갖는다.2, the first bonding pad 11 is a pair of pads 11-1 and 11-2 provided on the PCB 700 and the circuit film 360 facing each other and bonded and connected by ACF. have a structure A pair of pads 14-1 and 14-2 provided on the PCB 700 and the circuit film 360 also face the fourth bonding pad 14 adjacent to the first bonding pad 11 and are bonded by ACF. and a connected structure. The second bonding pad 15 also has a structure in which a pair of pads respectively provided on the PCB 700 and the circuit film 360 are bonded and connected by an ACF. Similarly, each of the second and third bonding pads 12 and 13 has a structure in which each pair of pads respectively provided on the panel 100 and the circuit film 360 is bonded and connected by ACF.

도 3을 참조하면, 제1 내지 제5 본딩 패드(11~15)는 입력 전압(Vin)의 공급 라인과 접속된 제1 내지 제5 본딩 저항(R1~R5)의 직렬 구조로 표현될 수 있다. 제2 및 제3 본딩 패드(12, 13)에 대응하는 제2 및 제3 본딩 저항(R2, R3)의 합(R2+R3)은 구동 회로부(370)와 PCB(700) 사이의 본딩 저항(Ra)을 나타낸다. 제1, 제4, 제5 본딩 패드(11, 14, 15)에 대응하는 제1, 제4, 제5 본딩 저항(R1, R4, R5)의 합(R1+R4+ R5)은 구동 회로부(370)와 패널(100) 사이의 본딩 저항(Rb)을 나타낸다. 따라서, 본딩 저항 센싱 경로(10)는 구동 회로부(370)와 PCB(700) 사이의 본딩 저항(Ra)과 구동 회로부(370)와 패널(100) 사이의 본딩 저항(Rb)이 직렬 접속된 구조를 갖는다.Referring to FIG. 3 , the first to fifth bonding pads 11 to 15 may be represented by a series structure of first to fifth bonding resistors R1 to R5 connected to the supply line of the input voltage Vin. . The sum (R2+R3) of the second and third bonding resistances R2 and R3 corresponding to the second and third bonding pads 12 and 13 is the bonding resistance between the driving circuit unit 370 and the PCB 700 ( Ra). The sum (R1+R4+R5) of the first, fourth, and fifth bonding resistors R1, R4, and R5 corresponding to the first, fourth, and fifth bonding pads 11, 14, and 15 is the driving circuit unit 370 ) and the bonding resistance Rb between the panel 100 . Accordingly, the bonding resistance sensing path 10 has a structure in which the bonding resistance Ra between the driving circuit unit 370 and the PCB 700 and the bonding resistance Rb between the driving circuit unit 370 and the panel 100 are connected in series. has

제1 내지 제5 본딩 저항(R1~R5)의 직렬 구조와 그라운드(GND) 사이에 기준 저항(Rf)이 직렬 접속되고, 제5 본딩 저항(R5)과 기준 저항(Rf) 사이의 센싱 노드(Ns)는 스위치(SW)를 통해 ADC(310)의 입력 단자와 접속된다. 기준 저항(Rf) 및 스위치(SW)는 ADC(310)와 함께 데이터 IC(350)에 내장된다. 기준 저항(Rf)은 회로 필름(360)에 위치할 수 있다.A reference resistor Rf is connected in series between the series structure of the first to fifth bonding resistors R1 to R5 and the ground GND, and a sensing node between the fifth bonding resistor R5 and the reference resistor Rf ( Ns) is connected to the input terminal of the ADC 310 through the switch SW. The reference resistor Rf and the switch SW are built into the data IC 350 together with the ADC 310 . The reference resistance Rf may be located on the circuit film 360 .

입력 전압(Vin; 1~2V)이 본딩 저항들(R1~R5)을 경유하면서 전압 강하되므로 센싱 노드(Ns)는 제1 내지 제5 본딩 패드(11~15)의 본딩 저항들(R1~R5)이 반영된 전압, 즉 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 발생시킨다. ADC(320)는 센싱 노드(Ns)로부터 발생된 센싱 전압을 스위치(SW)를 통해 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)로 제공한다. 타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 의해 본딩 저항 센싱 모드일 때 스위치(SW)가 턴-온된다.Since the input voltage Vin (1 to 2V) drops while passing through the bonding resistors R1 to R5, the sensing node Ns is connected to the bonding resistors R1 to R5 of the first to fifth bonding pads 11 to 15. ) reflected voltage, that is, a sensing voltage by the bonding resistor is generated. The ADC 320 receives the sensing voltage generated from the sensing node Ns through the switch SW, converts it into sensing data, and provides it to the timing controller 400 . The switch SW is turned on in the bonding resistance sensing mode under the control of the timing controller 400 .

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 회로부의 본딩 저항 센싱 경로를 다양하게 나타낸 도면이다.4 is a view showing various bonding resistance sensing paths of a driving circuit unit according to an embodiment of the present invention.

도 4(a)를 참조하면, 패널(100) 및 기판(700) 사이에 본딩된 구동 회로부(370)에서 제2 방향(X)으로 마주하는 양측부에 제1 및 제2 본딩 저항 센싱 경로(10A, 10B)가 각각 위치할 수 있다. 데이터 IC(350)에 내장된 ADC는 제1 및 제2 본딩 저항 센싱 경로(10A, 10B)와 각각 접속되어 각 경로의 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 각각 공급받을 수 있고, 제1 및 제2 본딩 저항 센싱 경로(10A, 10B) 각각에 대한 센싱 데이터를 타이밍 컨트롤러(400)로 제공할 수 있다.Referring to FIG. 4A , in the driving circuit unit 370 bonded between the panel 100 and the substrate 700, first and second bonding resistance sensing paths ( 10A and 10B) may be located, respectively. The ADC built in the data IC 350 is respectively connected to the first and second bonding resistance sensing paths 10A and 10B, respectively, to receive sensing voltages by the bonding resistances of the respective paths, respectively, and the first and second bonding resistances. Sensing data for each of the resistance sensing paths 10A and 10B may be provided to the timing controller 400 .

도 4(b), (c)를 참조하면, 구동 회로부(370)에서 제2 방향(X)의 양측부에는 PCB(700)로부터 패널(100)에 제1 및 제2 구동 전압(EVDD, EVSS)을 공급하는 복수의 전원 배선들(30, 32)이 위치할 수 있다.Referring to FIGS. 4B and 4C , first and second driving voltages EVDD and EVSS are applied from the PCB 700 to the panel 100 on both sides of the driving circuit unit 370 in the second direction X. ) may be provided with a plurality of power supply wires 30 and 32 for supplying them.

도 4(a)에 있어서, 본딩 저항 센싱 경로(10)와 데이터 IC(350) 사이에 도 4(b)와 같이 복수의 전원 배선들(30, 32)이 위치할 경우, 제5 본딩 패드(15)와 데이터 IC(350)를 연결하는 연결 라인(25)은 회로 필름(360)에서 전원 배선들(30, 32)과 서로 다른 층에 형성되어 교차되어야 한다.In FIG. 4(a), when a plurality of power lines 30 and 32 are positioned between the bonding resistance sensing path 10 and the data IC 350 as shown in FIG. 4(b), a fifth bonding pad ( 15 ) and the connection line 25 connecting the data IC 350 should be formed on different layers from the power wirings 30 and 32 in the circuit film 360 to cross each other.

한편, 도 4(b), (c)와 같이 구동 회로부(370)에서 제5 본딩 패드(15A, 15B)의 위치를 변경함으로써 제5 본딩 패드(15A, 15B)와 데이터 IC(350)를 연결하는 연결 라인(25A, 25B)은 전원 배선들(30, 32)과 교차없이 동일층에 형성될 수 있다.Meanwhile, the fifth bonding pads 15A and 15B and the data IC 350 are connected by changing the positions of the fifth bonding pads 15A and 15B in the driving circuit unit 370 as shown in FIGS. 4(b) and 4(c). The connecting lines 25A and 25B may be formed on the same layer without crossing the power lines 30 and 32 .

도 4(b)에 있어서, 제5 본딩 패드(15A)는 전원 배선들(30)을 사이에 두고 제4 본딩 패드(14)와 이격되고, PCB(700)에 마련된 연결 라인(24)를 통해 제4 및 제5 본딩 패드(14, 15A)가 접속된다.In FIG. 4B , the fifth bonding pad 15A is spaced apart from the fourth bonding pad 14 with the power wirings 30 interposed therebetween, and through a connection line 24 provided on the PCB 700 . The fourth and fifth bonding pads 14 and 15A are connected.

도 4(c)에 있어서, 제5 본딩 패드(15B)는 구동 회로부(370)의 중앙부에 위치할 수 있고, PCB(700)에 마련된 연결 라인(24)를 통해 제4 및 제5 본딩 패드(14, 15A)가 접속된다. 다. 이 경우, 데이터 IC(350)에 내장된 ADC(310; 도 3)는 구동 회로부(370)의 일측부 또는 양측부뿐만 아니라 중앙부의 본딩 저항도 센싱 전압에 반영하여 센싱할 수 있다.In FIG. 4( c ), the fifth bonding pad 15B may be located in the center of the driving circuit unit 370 , and the fourth and fifth bonding pads ( 15B) are connected through the connection line 24 provided on the PCB ( 700 ). 14, 15A) are connected. all. In this case, the ADC 310 ( FIG. 3 ) built in the data IC 350 may sense one or both sides of the driving circuit unit 370 by reflecting the bonding resistance of the central portion as well as the sensing voltage.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 픽셀 회로 및 구동 회로부의 일부 구성을 나타낸 등가 회로도이다.5 is an equivalent circuit diagram illustrating some configurations of a pixel circuit and a driving circuit unit according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 패널(100)과 접속된 데이터 IC(350)는 내장된 ADC(310)를 이용하여 각 서브픽셀(SP)의 특성을 센싱하고, 구동 회로부(370)의 본딩 저항을 센싱한다.Referring to FIG. 5 , the data IC 350 connected to the panel 100 senses characteristics of each subpixel SP using the built-in ADC 310 and senses the bonding resistance of the driving circuit unit 370 . do.

타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따른 본딩 저항 센싱 모드일 때, ADC(310)는 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)와 기준 저항(Rf) 사이의 센싱 노드(Ns)와 스위치(SW)를 통해 접속되어 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 센싱할 수 있다. 본딩 저항 센싱 경로(10)에서 구동 회로부(370)와 PCB(700) 사이의 본딩 저항(Ra)과 구동 회로부(370)와 패널(100) 사이의 본딩 저항(Rb)은 입력 전압(Vin)의 공급 라인과 센싱 노드(Ns) 사이에 직렬 접속된다.In the bonding resistance sensing mode under the control of the timing controller 400, the ADC 310 operates between the bonding resistance sensing path 10 of the driving circuit unit 370 and the reference resistance Rf between the sensing node Ns and the switch ( SW) to sense the sensing voltage by the bonding resistor. In the bonding resistance sensing path 10 , the bonding resistance Ra between the driving circuit unit 370 and the PCB 700 and the bonding resistance Rb between the driving circuit unit 370 and the panel 100 are the input voltage Vin. It is connected in series between the supply line and the sensing node Ns.

타이밍 컨트롤러(400)의 제어에 따른 픽셀 센싱 모드일 때, ADC(310)는 샘플링 스위치(SAM) 및 레퍼런스 라인(REF)을 통해 각 서브픽셀(SP)의 특성을 센싱할 수 있다.In the pixel sensing mode under the control of the timing controller 400 , the ADC 310 may sense the characteristics of each subpixel SP through the sampling switch SAM and the reference line REF.

패널(100)에 위치하는 각 서브픽셀(SP)은 고전위 구동전압(제1 구동전압; 이하 EVDD) 라인(PW1) 및 저전위 구동전압(제2 구동전압; 이하 EVSS) 라인(PW2) 사이에 접속된 OLED(10)와, OLED(10)를 독립적으로 구동하기 위하여 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2) 및 구동 TFT(DT)와 스토리지 커패시터(Cst)를 적어도 포함하는 픽셀 회로를 구비한다. 한편, 픽셀 회로는 도 5의 구성과 다른 다양한 구성이 적용될 수 있다.Each subpixel SP positioned on the panel 100 is disposed between the high potential driving voltage (first driving voltage; hereinafter EVDD) line PW1 and the low potential driving voltage (second driving voltage; hereinafter EVSS) line PW2 . A pixel circuit including at least the OLED 10 connected to be prepared Meanwhile, various configurations different from the configuration of FIG. 5 may be applied to the pixel circuit.

스위칭 TFT(ST1, ST2) 및 구동 TFT(DT)는 아몰퍼스 실리콘 (a-Si) TFT, 폴리-실리콘(poly-Si) TFT, 산화물(Oxide) TFT, 또는 유기(Organic) TFT 등이 이용될 수 있다.The switching TFTs ST1 and ST2 and the driving TFT DT may be an amorphous silicon (a-Si) TFT, a poly-Si TFT, an oxide TFT, or an organic TFT. have.

OLED(10)는 구동 TFT(DT)의 소스 노드(N2)와 접속된 애노드와, EVSS 라인(PW2)과 접속된 캐소드와, 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층을 구비한다. 애노드는 서브픽셀별로 독립적이지만 캐소드는 전체 서브픽셀들이 공유하는 공통 전극일 수 있다. OLED 소자(10)는 구동 TFT(DT)로부터 구동 전류가 공급되면 캐소드로부터의 전자가 유기 발광층으로 주입되고, 애노드로부터의 정공이 유기 발광층으로 주입되어, 유기 발광층에서 전자 및 정공의 재결합으로 형광 또는 인광 물질을 발광시킴으로써, 구동 전류의 전류값에 비례하는 밝기의 광을 발생한다.The OLED 10 includes an anode connected to the source node N2 of the driving TFT DT, a cathode connected to the EVSS line PW2, and an organic light emitting layer between the anode and the cathode. The anode is independent for each subpixel, but the cathode may be a common electrode shared by all subpixels. In the OLED device 10, when a driving current is supplied from the driving TFT (DT), electrons from the cathode are injected into the organic emission layer, and holes from the anode are injected into the organic emission layer. By emitting the phosphor material, light having a brightness proportional to the current value of the driving current is generated.

제1 스위칭 TFT(ST1)는 게이트 드라이버(200)로부터 제1 게이트 라인(GLn1)에 공급되는 제1 게이트 신호(SCAN)에 의해 구동되고, 데이터 IC(350)로부터 데이터 라인(DL)에 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(N1)에 공급한다.The first switching TFT ST1 is driven by the first gate signal SCAN supplied from the gate driver 200 to the first gate line GLn1 and supplied from the data IC 350 to the data line DL. The data voltage Vdata is supplied to the gate node N1 of the driving TFT DT.

제2 스위칭 TFT(ST2)는 게이트 드라이버(200)로부터 제2 게이트 라인(GLn2)에 공급되는 제2 게이트 신호(SENSE)에 의해 구동되고, 데이터 IC(350)로부터 레퍼런스 라인(REF)에 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)을 구동 TFT(DT)의 소스 노드(N2)에 공급한다. 또한, 각 서브픽셀(SP)이 센싱 모드에서 구동될 때, 제2 스위칭 TFT(ST2)는 구동 TFT(DT)로부터 공급된 전류를 플로팅 상태의 레퍼런스 라인(REF)으로 출력한다.The second switching TFT ST2 is driven by the second gate signal SENSE supplied from the gate driver 200 to the second gate line GLn2 and supplied from the data IC 350 to the reference line REF. The reference voltage Vref is supplied to the source node N2 of the driving TFT DT. Also, when each subpixel SP is driven in the sensing mode, the second switching TFT ST2 outputs the current supplied from the driving TFT DT to the reference line REF in a floating state.

구동 TFT(DT)의 게이트 노드(N1) 및 소스 노드(N2) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)는 스캔 기간 동안 턴-온된 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2)를 통해 게이트 노드(N1) 및 소스 노드(N2)에 각각 공급된 데이터 전압(Vdata)과 레퍼런스 전압(Vref)의 차전압을 구동 TFT(DT)의 구동 전압(Vgs)으로 충전하고, 제1 및 제2 스위칭 TFT(ST1, ST2)가 오프되는 발광 기간 동안 충전된 구동 전압(Vgs)을 홀딩한다.The storage capacitor Cst connected between the gate node N1 and the source node N2 of the driving TFT DT is connected to the gate node (ST1, ST2) through the first and second switching TFTs ST1 and ST2 turned on during the scan period. The difference voltage between the data voltage Vdata and the reference voltage Vref supplied to N1) and the source node N2, respectively, is charged to the driving voltage Vgs of the driving TFT DT, and the first and second switching TFTs ( The charged driving voltage Vgs is held during the light emission period when ST1 and ST2 are turned off.

구동 TFT(DT)는 EVDD 라인(PW1)으로부터 공급되는 전류를 스토리지 커패시터(Cst)로부터 공급된 구동 전압(Vgs)에 따라 제어하여 구동 전압(Vgs)에 의해 정해진 구동 전류를 OLED(10)로 공급함으로써 OLED(10)를 발광시킨다.The driving TFT DT controls the current supplied from the EVDD line PW1 according to the driving voltage Vgs supplied from the storage capacitor Cst to supply the driving current determined by the driving voltage Vgs to the OLED 10 . By doing so, the OLED 10 is made to emit light.

서브픽셀(SP)을 센싱하는 모드일 때, 제1 및 제2 게이트 신호(SCAN, SENSE)의 스캔 기간 동안 구동 TFT(DT)는 데이터 드라이버(300)로부터 데이터 라인(DL) 및 제1 스위칭 TFT(ST1)를 통해 공급되는 센싱용 데이터 전압(Vdata)과, 레퍼런스 라인(REF) 및 제2 스위칭 TFT(ST2)를 통해 공급되는 레퍼런스 전압(Vref)를 공급받아 구동하고, OLED(10)를 구동할 수 있다. 구동 TFT(DT)의 구동 특성(Vth, 이동도)이나 OLED(10)의 열화가 반영된 픽셀 전류는 제2 스위칭 TFT(ST2)를 통해 레퍼런스 라인(REF)의 라인 커패시터에 전압으로 충전된다. ADC(310)는 레퍼런스 라인(REF)으로부터 샘플링 스위치(SAM)을 통해 센싱 전압을 공급받아 각 서브픽셀(SP)의 센싱 데이터로 변환하여 출력한다.In the sub-pixel SP sensing mode, the driving TFT DT receives the data line DL and the first switching TFT from the data driver 300 during the scan period of the first and second gate signals SCAN and SENSE. The sensing data voltage Vdata supplied through ST1 and the reference voltage Vref supplied through the reference line REF and the second switching TFT ST2 are supplied and driven, and the OLED 10 is driven. can do. The pixel current in which the driving characteristics (Vth, mobility) of the driving TFT DT or the deterioration of the OLED 10 are reflected is charged to the line capacitor of the reference line REF through the second switching TFT ST2 as a voltage. The ADC 310 receives the sensing voltage from the reference line REF through the sampling switch SAM, converts it into sensing data of each sub-pixel SP, and outputs the converted data.

이와 같이, 일 실시예에 따른 데이터 IC(350)는 픽셀 특성을 센싱하기 위하여 내장된 ADC(310)를 활용하여, 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)를 통해 공급된 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 센싱할 수 있고 그 센싱 결과를 타이밍 컨트롤러(400)에 센싱 데이터로 제공할 수 있다.As described above, the data IC 350 according to an exemplary embodiment utilizes the built-in ADC 310 to sense the pixel characteristics, and is applied to the bonding resistance supplied through the bonding resistance sensing path 10 of the driving circuit unit 370 . The sensing voltage may be sensed and the sensing result may be provided to the timing controller 400 as sensing data.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 회로부의 본딩 저항 센싱 방법을 나타낸 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a bonding resistance sensing method of a driving circuit unit according to an embodiment of the present invention.

타이밍 컨트롤러(400)는 데이터 IC(350)를 제어하여 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 모드로 동작하도록 제어한다. 본딩 저항 센싱 모드는 제품 출하 이전의 검사 공정뿐만 아니라 제품 출하 후에도 진행하여 진행성 본딩 불량도 검출할 수 있다.The timing controller 400 controls the data IC 350 to operate in the bonding resistance sensing mode of the driving circuit unit 370 . In the bonding resistance sensing mode, not only the inspection process before product shipment, but also the progressive bonding defect can be detected after product shipment.

전원부(500)로부터 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)에 입력 전압(Vin)을 공급한다(S602).The input voltage Vin is supplied from the power supply unit 500 to the bonding resistance sensing path 10 of the driving circuit unit 370 ( S602 ).

ADC(310)는 구동 회로부(370)의 본딩 저항 센싱 경로(10)를 경유하여 센싱 노드(Ns)에서 발생된 본딩 저항에 의한 센싱 전압을 스위치(SW)를 통해 센싱한다(S604). ADC(320)는 센싱 전압을 스위치(SW)를 통해 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 타이밍 컨트롤러(400)로 제공한다.The ADC 310 senses the sensing voltage by the bonding resistance generated at the sensing node Ns through the switch SW through the bonding resistance sensing path 10 of the driving circuit unit 370 ( S604 ). The ADC 320 receives the sensed voltage through the switch SW, converts it into sensed data, and provides it to the timing controller 400 .

타이밍 컨트롤러(400)는 각 데이터 IC(350)로부터 공급받은 센싱 데이터를 이용하여 각 구동 회로부(370)의 본딩 불량 여부를 판단한다(S606, S608, S6010). 타이밍 컨트롤러(400)는 본딩 저항에 의한 전압 센싱값이 미리 설정된 기준값보다 작으면(S606; Y) 본딩 저항이 증가한 것이므로 본딩 불량으로 판단하고(S610), 본딩 저항에 의한 전압 센싱값이 기준값 이상이면(S606; N) 본딩 저항이 상대적으로 작은 정상 본딩(S608)으로 판단할 수 있다.The timing controller 400 determines whether bonding of each driving circuit unit 370 is defective by using the sensing data supplied from each data IC 350 ( S606 , S608 , and S6010 ). When the voltage sensed by the bonding resistor is smaller than the preset reference value (S606; Y), the timing controller 400 determines that the bonding resistance is increased and thus the bonding is defective (S610), and if the voltage sensed by the bonding resistor is greater than the reference value (S606; N) It can be determined as normal bonding (S608) in which the bonding resistance is relatively small.

타이밍 컨트롤러(400)는 본딩 불량 여부의 판단 결과를 외부로 출력하여 본딩 불량시 작업자가 각 구동 회로부(370)의 본딩 불량을 수선할 수 있게 한다.The timing controller 400 outputs the determination result of whether the bonding is defective to the outside so that, when the bonding is defective, the operator can repair the bonding defect of each driving circuit unit 370 .

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예는 구동 IC에 내장된 ADC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱하고 그 센싱 결과를 이용하여 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 쉽게 확인할 수 있으므로 본딩 불량계 리스크를 감소시킬 수 있다.As described above, in one embodiment of the present invention, the bonding resistance of the driving circuit unit is sensed using the ADC built in the driving IC, and the bonding failure of the driving circuit unit can be easily checked using the sensing result, so there is a bonding failure risk. can reduce

본 발명의 일 실시예는 구동 회로부의 본딩 공정 후 본딩 저항을 검사하는 검사 시간을 감소시킬 수 있으므로 공정 택트 타임을 감소시킬 수 있고, 측정 오차를 감소시킬 수 있다.An exemplary embodiment of the present invention can reduce the inspection time for inspecting the bonding resistance after the bonding process of the driving circuit unit, thereby reducing the process tact time and reducing the measurement error.

본 발명의 일 실시예는 제품 출하 후에도 구동 IC에 내장된 ADC를 이용하여 구동 회로부의 본딩 저항을 센싱함으로써 진행성 본딩 불량도 검출할 수 있으므로 구동 회로부의 진행성 접속 불량으로 인한 화면 이상이 발생하는 것을 사전에 방지할 수 있다.In an embodiment of the present invention, even after shipment of the product, progressive bonding failure can be detected by sensing the bonding resistance of the driving circuit unit using the ADC built into the driving IC, so that screen abnormalities due to progressive connection failure of the driving circuit unit are prevented in advance. can be prevented in

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The above description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the specification of the present invention are not intended to limit the present invention. The scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technologies within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 패널 200: 게이트 구동부
300: 데이터 구동부 400: 타이밍 컨트롤러
500: 메모리 600: 전원부
700: PCB 310: ADC
350: 데이터 IC 360: 회로 필름
370: 구동 회로부 10: 본딩 저항 센싱 경로
11, 12, 13, 14, 15: 본딩 패드 21, 22, 23, 24, 25: 연결 라인
362; 364: 제1, 제2 본딩부 110: 패널 본딩부
710: PCB 본딩부
100: panel 200: gate driver
300: data driver 400: timing controller
500: memory 600: power unit
700: PCB 310: ADC
350: data IC 360: circuit film
370: driving circuit unit 10: bonding resistance sensing path
11, 12, 13, 14, 15: bonding pad 21, 22, 23, 24, 25: connecting line
362; 364: first, second bonding unit 110: panel bonding unit
710: PCB bonding unit

Claims (10)

패널 및 인쇄 회로 기판(PCB)과,
회로 필름 상에 실장된 구동 집적 회로(IC)를 포함하고, 상기 패널과 상기 PCB 사이에 본딩된 구동 회로부와,
상기 PCB와 상기 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제1 본딩부와, 상기 패널과 상기 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제2 본딩부에 위치하는 복수의 본딩 패드가 직렬 접속되어 마련된 본딩 저항 센싱 경로를 포함하고,
상기 구동 IC는
제1 센싱 모드일 때 상기 패널을 통해 각 서브픽셀의 특성이 반영된 신호를 센싱하여 아날로그-디지털 컨버터(ADC)를 통해 제1 센싱 데이터를 출력하고,
제2 센싱 모드일 때 상기 본딩 저항 센싱 경로를 통해 상기 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 신호를 센싱하여 상기 ADC를 통해 제2 센싱 데이터를 출력하고,
상기 구동 IC를 상기 제1 및 제2 센싱 모드로 동작하도록 제어하는 타이밍 컨트롤러를 더 구비하고,
상기 타이밍 컨트롤러는
상기 제1 센싱 데이터를 이용하여 상기 각 서브픽셀의 보상값을 업데이트하고,
상기 제2 센싱 데이터를 이용하여 상기 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하여 출력하는 표시 장치.
panels and printed circuit boards (PCBs);
a driving circuit unit including a driving integrated circuit (IC) mounted on a circuit film and bonded between the panel and the PCB;
A first bonding unit bonding and connecting the PCB and the circuit film, and a bonding resistance sensing path provided by serially connecting a plurality of bonding pads located in a second bonding unit bonding and connecting the panel and the circuit film do,
The driving IC is
In the first sensing mode, a signal in which the characteristics of each sub-pixel is reflected is sensed through the panel and first sensed data is output through an analog-to-digital converter (ADC),
In the second sensing mode, a signal to which the bonding resistance of the plurality of bonding pads is reflected is sensed through the bonding resistance sensing path, and second sensing data is output through the ADC;
A timing controller for controlling the driving IC to operate in the first and second sensing modes,
the timing controller
updating the compensation value of each sub-pixel by using the first sensing data;
A display device for determining and outputting a bonding failure of the driving circuit unit using the second sensing data.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 구동 회로부는
상기 본딩 저항 센싱 경로와 그라운드 사이에 직렬 접속된 기준 저항과,
상기 본딩 저항 센싱 경로와 상기 기준 저항 사이의 센싱 노드와 상기 ADC의 입력 단자를 상기 제2 센싱 모드일 때 접속시키는 스위치를 추가로 구비하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
the driving circuit
a reference resistor connected in series between the bonding resistor sensing path and the ground;
and a switch connecting a sensing node between the bonding resistance sensing path and the reference resistance and an input terminal of the ADC in the second sensing mode.
청구항 1에 있어서,
상기 본딩 저항 센싱 경로는
입력 전압의 공급 라인과 직렬 접속되고, 상기 PCB와 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제1 본딩 패드와,
상기 제1 본딩 패드와 직렬 접속되고, 상기 패널과 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제2 본딩 패드와,
상기 제2 본딩 패드와 직렬 접속되고 상기 제2 본딩 패드와 나란하게 배치되며, 상기 패널과 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제3 본딩 패드와,
상기 제3 본딩 패드와 직렬 접속되고 상기 제1 본딩 패드와 나란하게 배치되며, 상기 PCB와 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제4 본딩 패드와,
상기 제4 본딩 패드와 직렬 접속되고 상기 제4 본딩 패드와 나란하게 배치되며, 상기 PCB와 상기 회로 필름 사이에서 본딩된 제5 본딩 패드를 포함하고,
상기 제1 내지 제5 본딩 패드 각각은
상기 회로 필름과 상기 PCB 또는 패널에서 마주하여 이방성 도전 필름에 의해 본딩 및 접속된 한 쌍의 패드를 포함하는 표시 장치.
The method according to claim 1,
The bonding resistance sensing path is
a first bonding pad connected in series with a supply line of an input voltage and bonded between the PCB and the circuit film;
a second bonding pad connected in series with the first bonding pad and bonded between the panel and the circuit film;
a third bonding pad connected in series with the second bonding pad and disposed in parallel with the second bonding pad and bonded between the panel and the circuit film;
a fourth bonding pad connected in series with the third bonding pad and arranged in parallel with the first bonding pad, bonded between the PCB and the circuit film;
a fifth bonding pad connected in series with the fourth bonding pad and arranged in parallel with the fourth bonding pad, bonded between the PCB and the circuit film;
Each of the first to fifth bonding pads is
and a pair of pads facing the circuit film and the PCB or panel and bonded and connected by an anisotropic conductive film.
청구항 4에 있어서,
상기 제1 및 제2 본딩 패드는 상기 회로 필름에 마련된 제1 연결 라인을 통해 직렬 접속되고,
상기 제2 및 제3 본딩 패드는 상기 패널에 마련된 제2 연결 라인을 통해 직렬 접속되고,
상기 제3 및 제4 본딩 패드는 상기 회로 필름에 상기 제1 연결 라인과 나란하게 마련된 제3 연결 라인을 통해 직렬 접속되고,
상기 제4 및 제5 본딩 패드는 상기 PCB에 마련된 제4 연결 라인을 통해 직렬 접속되며,
상기 회로 필름에 마련되어 상기 제5 본딩 패드와 상기 구동 IC의 입력 단자를 접속시키는 제5 연결 라인을 추가로 구비하는 표시 장치.
5. The method according to claim 4,
The first and second bonding pads are connected in series through a first connection line provided on the circuit film,
The second and third bonding pads are connected in series through a second connection line provided on the panel,
The third and fourth bonding pads are connected in series to the circuit film through a third connection line provided in parallel with the first connection line,
The fourth and fifth bonding pads are connected in series through a fourth connection line provided on the PCB,
and a fifth connection line provided on the circuit film to connect the fifth bonding pad to an input terminal of the driving IC.
청구항 5에 있어서,
상기 구동 회로부는
상기 PCB로부터 상기 회로 필름을 통해 상기 패널로 구동 전압을 공급하는 복수의 전원 배선을 더 포함하고,
상기 제4 및 제5 본딩 패드는 상기 복수의 전원 배선을 사이에 두고 이격 배치되고,
상기 제5 본딩 패드는 상기 복수의 전원 배선과 인접하여 상기 회로 필름의 일측부에 배치되거나 상기 회로 필름의 중앙부에 배치되는 표시 장치.
6. The method of claim 5,
the driving circuit
Further comprising a plurality of power wiring for supplying a driving voltage from the PCB to the panel through the circuit film,
The fourth and fifth bonding pads are spaced apart from each other with the plurality of power lines interposed therebetween,
The fifth bonding pad is disposed on one side of the circuit film adjacent to the plurality of power lines or disposed on a central portion of the circuit film.
청구항 6에 있어서,
상기 본딩 저항 센싱 경로는
상기 구동 회로부의 일측부에 배치되거나,
상기 구동 회로부의 양측부에 각각 배치되는 표시 장치.
7. The method of claim 6,
The bonding resistance sensing path is
or disposed on one side of the driving circuit part;
a display device disposed on both sides of the driving circuit unit, respectively.
회로 필름 상에 실장된 구동 IC를 갖는 구동 회로부를 포함하고, PCB와 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제1 본딩부와, 패널과 상기 회로 필름을 본딩 및 접속시키는 제2 본딩부에 위치하는 복수의 본딩 패드가 직렬 접속되어 마련된 본딩 저항 센싱 경로에 입력 전압을 공급하는 단계와,
상기 입력 전압이 상기 본딩 저항 센싱 경로를 경유하여 상기 본딩 저항 센싱 경로와 기준 저항 사이의 센싱 노드에서 상기 복수의 본딩 패드의 본딩 저항이 반영된 전압을 발생시키는 단계와;
상기 구동 IC에 내장된 ADC가 상기 센싱 노드로부터 상기 본딩 저항이 반영된 전압을 공급받아 센싱 데이터로 변환하여 출력하는 단계와;
상기 센싱 데이터를 이용하여 상기 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하는 단계를 포함하고,
상기 구동 IC에 내장된 상기 ADC는
제1 센싱 모드일 때, 제1 스위치를 통해 상기 패널을 통해 각 서브픽셀의 특성을 나타내는 신호를 공급받아 제1 센싱 데이터로 변환하여 출력하고,
제2 센싱 모드일 때, 제2 스위치를 통해 상기 센싱 노드로부터 상기 본딩 저항이 반영된 전압을 공급받아 제2 센싱 데이터로 변환하여 출력하며,
상기 구동 IC를 상기 제1 및 제2 센싱 모드로 동작하도록 제어하는 타이밍 컨트롤러를 더 구비하고,
상기 타이밍 컨트롤러는
상기 제1 센싱 데이터를 이용하여 상기 각 서브픽셀의 보상값을 업데이트하고,
상기 제2 센싱 데이터를 이용하여 상기 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하는 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법.
A plurality of first bonding units including a driving circuit unit having a driving IC mounted on a circuit film, bonding and connecting the PCB and the circuit film, and a second bonding unit bonding and connecting the panel and the circuit film supplying an input voltage to a bonding resistance sensing path provided by connecting bonding pads in series;
generating a voltage in which the bonding resistances of the plurality of bonding pads are reflected at a sensing node between the bonding resistance sensing path and a reference resistance by the input voltage passing through the bonding resistance sensing path;
the ADC built in the driving IC receiving the voltage reflecting the bonding resistance from the sensing node, converting it into sensing data and outputting it;
using the sensing data to determine whether bonding of the driving circuit unit is defective;
The ADC built into the driving IC is
In the first sensing mode, a signal representing the characteristics of each sub-pixel is supplied through the panel through the first switch, converted into first sensing data, and output;
In the second sensing mode, the voltage in which the bonding resistance is reflected is supplied from the sensing node through the second switch and converted into second sensing data and output;
A timing controller for controlling the driving IC to operate in the first and second sensing modes,
the timing controller
updating the compensation value of each sub-pixel by using the first sensing data;
A bonding resistance sensing method of a display device for determining whether bonding of the driving circuit unit is defective using the second sensing data.
삭제delete 청구항 8에 있어서,
상기 센싱 데이터를 이용하여 상기 구동 회로부의 본딩 불량 여부를 판단하는 단계는
상기 센싱 데이터를 기준값과 비교하는 단계와,
상기 센싱 데이터가 상기 기준값 이상이면 상기 구동 회로부의 본딩을 정상으로 판단하는 단계와,
상기 센싱 데이터가 상기 기준값보다 작으면 상기 구동 회로부의 본딩을 불량으로 판단하는 단계를 포함하는 표시 장치의 본딩 저항 센싱 방법.
9. The method of claim 8,
The step of determining whether bonding of the driving circuit unit is defective using the sensing data includes:
comparing the sensed data with a reference value;
determining that bonding of the driving circuit unit is normal when the sensed data is greater than or equal to the reference value;
and determining that the bonding of the driving circuit unit is defective when the sensed data is less than the reference value.
KR1020170099199A 2017-08-04 2017-08-04 Display device and sensing method for sensing bonding resistance thereof KR102322710B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170099199A KR102322710B1 (en) 2017-08-04 2017-08-04 Display device and sensing method for sensing bonding resistance thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170099199A KR102322710B1 (en) 2017-08-04 2017-08-04 Display device and sensing method for sensing bonding resistance thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190014984A KR20190014984A (en) 2019-02-13
KR102322710B1 true KR102322710B1 (en) 2021-11-08

Family

ID=65366623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170099199A KR102322710B1 (en) 2017-08-04 2017-08-04 Display device and sensing method for sensing bonding resistance thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102322710B1 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102652216B1 (en) 2019-06-20 2024-03-29 삼성디스플레이 주식회사 Display device having connection board and pad contact test method thereof
KR102654549B1 (en) * 2019-09-02 2024-04-04 주식회사 엘엑스세미콘 Data Driving Device For Determining Faulty Bonding And Display Device Including The Same
KR20210072210A (en) 2019-12-06 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 Display device
CN111816124B (en) * 2020-08-07 2021-06-04 合肥奕斯伟集成电路有限公司 Driving circuit, display device and detection method using time sequence controller
KR20220077316A (en) 2020-12-01 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 Display device and pad contact test method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006047962A (en) * 2004-07-30 2006-02-16 Sunplus Technology Co Ltd Tft-lcd source driver with built-in test circuit

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101934439B1 (en) * 2012-12-27 2019-03-25 엘지디스플레이 주식회사 Display device for deteting bonding defect
KR102210985B1 (en) * 2014-01-14 2021-02-03 삼성디스플레이 주식회사 Driving Integrated Circuit, Display Apparatus comprising thereof and Method of measuring bonding resistor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006047962A (en) * 2004-07-30 2006-02-16 Sunplus Technology Co Ltd Tft-lcd source driver with built-in test circuit

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190014984A (en) 2019-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102322710B1 (en) Display device and sensing method for sensing bonding resistance thereof
CN114464118B (en) Display panel and method for testing same
US9262952B2 (en) Organic light emitting display panel
US10726785B2 (en) OLED display device and optical compensation method thereof
CN112908262B (en) Organic light emitting display device and driving method thereof
KR20180072922A (en) Organic light emitting display panel, organic light emitting display device
CN114495810B (en) Display device and driving method thereof
US20220199039A1 (en) Display device, driving circuit and driving method
KR102319202B1 (en) Organic light emitting display device
US11961458B2 (en) Display apparatus and control method therefor
KR20220000125A (en) Method for sensing characteristic value of circuit element and display device using it
US20230057700A1 (en) Display device and display driving method
US11587481B2 (en) Display device and method of driving the same
US11580908B2 (en) Driving circuit and display device
KR102503423B1 (en) Display device
KR102576695B1 (en) Display device
KR102430772B1 (en) Film device and test method of the film method and display device including the film device
KR20210033732A (en) Display device and method of detecting defect thereof
KR20200049104A (en) Organic light emitting display panel and organic light emitting display apparatus using the same
KR20160078692A (en) Organic light emitting display device and method for the same
KR102652558B1 (en) Display device
CN114464139B (en) Display device and driving circuit
KR20190080036A (en) Organic light emitting display device and method for driving the organic light emitting display device
US20230206839A1 (en) Display device, data driving circuit and display driving method
CN116416937A (en) Display apparatus and display driving method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant