KR20210084279A - Resin composition, resin film and metal clad laminate - Google Patents

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히로유키 데아이
무츠히토 다나카
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닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
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Abstract

Provided are a resin composition and a resin film capable of responding to the high frequency of electronic devices by further improving the dielectric properties of a resin film using polyimide as a raw material. More specifically, the present invention relates to a resin composition which contains a solid content of polyamic acid or an organic compound containing polyimide, and silica particles, wherein the content of silica particles is in a range of 10 to 85 wt% with respect to a total amount of the solid content and the total of the silica particles, and as the total crystal particles, a ratio of the total area of the peaks derived from a cristobalite crystal phase and a quartz crystal phase to the total peak area derived from SiO_2 in the range of 2Θ=10 to 90° of the X-ray diffraction spectrum by CuKα ray is 20 wt% or more.

Description

수지 조성물, 수지 필름 및 금속 피복 적층판{RESIN COMPOSITION, RESIN FILM AND METAL CLAD LAMINATE}A resin composition, a resin film, and a metal clad laminated board TECHNICAL FIELD

본 발명은, 예를 들어 회로 기판 재료로서 유용한 수지 조성물, 수지 필름 및 금속 피복 적층판에 관한 것이다.The present invention relates to, for example, a resin composition useful as a circuit board material, a resin film, and a metal-clad laminate.

근년, 전자 기기의 소형화, 경량화, 공간 절약화에 수반하여, 얇고 경량인 플렉시블 프린트 배선판(FPC)의 사용이 증대되고 있다. FPC는, 한정된 스페이스에서도 입체적이면서 고밀도의 실장이 가능하기 때문에, 전자 기기의 가동 부분의 배선이나, 케이블, 커넥터 등의 부품으로 그 용도가 확대되고 있다. 이들에 더하여, 통신 기기의 고속화나 기기의 고성능화가 진행되어, 높은 전송 속도를 실현하기 위한 고주파 전송 신호에 대응한 FPC도 필요해지고 있다.In recent years, use of a thin and lightweight flexible printed wiring board (FPC) is increasing with size reduction, weight reduction, and space saving of an electronic device. Since the FPC enables three-dimensional and high-density mounting even in a limited space, its use is expanding to parts such as wiring of movable parts of electronic devices, cables, and connectors. In addition to these, as the speed and performance of communication devices progress, FPC corresponding to a high-frequency transmission signal for realizing a high transmission speed is also required.

고주파 신호를 전송할 때의 과제로서, 신호의 전송 경로에 있어서의 전송 손실이 있다. 전송 손실이 크면, 전기 신호의 손실이나 신호의 지연 등의 문제가 발생한다. FPC가 고주파화에 대응하기 위해서는, 그 절연 수지층의 저유전율화, 저유전 정접화에 의한 전송 손실의 저감이 중요해진다. 그 때문에, 고주파 신호용 FPC에는, 절연 수지층으로서 저유전율 또한 저유전 정접인 액정 폴리머나 불소계 수지가 사용되고 있다. 그러나 액정 폴리머는 유전 특성이 우수하기는 하지만, 내열성이나 금속박과의 접착성에 개선의 여지가 있고, 불소계 수지는 열팽창 계수가 높기 때문에 취급성이 좋지 않다.As a problem in transmitting high-frequency signals, there is a transmission loss in the signal transmission path. If the transmission loss is large, problems such as loss of electrical signals and delay of signals occur. In order for FPC to respond to high frequency increase, it becomes important to reduce the transmission loss by lowering the dielectric constant of the insulating resin layer and lowering the dielectric loss tangent. Therefore, a liquid crystal polymer or a fluorine resin having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent is used as an insulating resin layer for the FPC for high frequency signals. However, although liquid crystal polymers have excellent dielectric properties, there is room for improvement in heat resistance and adhesion to metal foil, and fluorine-based resins have poor handling properties because of their high coefficient of thermal expansion.

내열성이나 금속박과의 접착성이 우수한 절연 수지로서 폴리이미드도 사용되고 있다. 그러나 일반적으로 폴리이미드는, 액정 폴리머나 불소계 수지에 비해 유전 특성이 떨어진다. 방향족계 폴리이미드를 저유전화하는 방법으로서, 수지 골격 내에 지방족 구조를 포함시키는 방법이 있다. 그러나 수지 골격에 지방족 구조를 포함시키는 장점은, 대부분의 경우, 내열성이나 치수 안정성 등의 FPC의 요구 특성과 트레이드 오프의 관계였다. 그 밖의 수단으로서, 특수한 모노머나 고가의 불소계 모노머를 사용하는 등, 폴리이미드의 골격만으로 우수한 내열성과 FPC의 요구 특성을 유지하면서 저유전화하기 위해서는 비용면·생산성면에서 여러가지 장애물이 있다.Polyimide is also used as an insulating resin excellent in heat resistance and adhesiveness with metal foil. However, in general, polyimide has inferior dielectric properties compared to liquid crystal polymers and fluorine-based resins. As a method for low-dielectric conversion of an aromatic polyimide, there is a method in which an aliphatic structure is included in the resin skeleton. However, the advantage of including the aliphatic structure in the resin skeleton is, in most cases, a trade-off relationship with the required characteristics of FPC such as heat resistance and dimensional stability. As other means, there are various obstacles in terms of cost and productivity in order to achieve low dielectric conversion while maintaining excellent heat resistance and required characteristics of FPC only with the skeleton of polyimide, such as using special monomers or expensive fluorine-based monomers.

그래서 수지와 이종 재료의 복합화에 의해 특성을 향상시키는 방법이 알려져 있다. 예를 들어 특허문헌 1에서는, 질화알루미늄이나 질화규소의 분말과 특정 폴리이미드를 복합화함으로써 열전도성이 우수한 폴리이미드 조성물을 보고하고 있다.Therefore, a method of improving properties by compounding a resin and a different material is known. For example, in patent document 1, the polyimide composition excellent in thermal conductivity is reported by compounding the powder of aluminum nitride or silicon nitride, and a specific polyimide.

또한, 특허문헌 2에서는, 에폭시 수지에 크리스토발라이트 실리카를 첨가함으로써 반도체 패키지에 있어서의 휨이나 크랙의 발생을 억제하고 있다.Moreover, in patent document 2, the generation|occurrence|production of the curvature in a semiconductor package and a crack is suppressed by adding cristobalite silica to an epoxy resin.

유전 특성의 향상에 있어서도 복합화는 유효하고, 특허문헌 3에서는, 비정질 실리카와 비스말레이미드로부터 합성되는 열경화성 폴리이미드 수지 및 엘라스토머의 조합으로, 유전 정접이 낮고, 저열팽창인 수지 필름을 제안하고 있다. 또한, 특허문헌 4에서는, 폴리이미드와 불소 수지 입자를 조합한 저유전 폴리이미드 필름의 제조 방법을 제시하고 있다.Compositing is also effective in improving dielectric properties, and in Patent Document 3, a resin film having a low dielectric loss tangent and low thermal expansion is proposed as a combination of a thermosetting polyimide resin and elastomer synthesized from amorphous silica and bismaleimide. Moreover, in patent document 4, the manufacturing method of the low dielectric polyimide film which combined polyimide and fluororesin particle|grains is proposed.

일본 특허 제3551687호 공보Japanese Patent No. 3551687 일본 특허 공개 제2019-1937호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2019-1937 일본 특허 공개 제2018-12747호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2018-12747 일본 특허 제6387181호 공보Japanese Patent No. 6387181 Publication

상기한 바와 같이, 높은 내열성이나 우수한 접착성 등의 특성을 유지한 채 저유전화한 폴리이미드의 개발이 요망되고 있었다. 그러나 특허문헌 3에서는 열경화성 수지로 한정되어, 다층화하였을 때의 접착 강도에 과제가 있다. 또한, 특허문헌 4에서는 비교적 고가인 불소 수지 필러와의 복합화이며, 열팽창 계수가 높아지는 등의 과제가 있다.As described above, it has been desired to develop a polyimide having a low dielectric conversion while maintaining properties such as high heat resistance and excellent adhesion. However, in patent document 3, it is limited to a thermosetting resin, and there exists a subject in the adhesive strength at the time of multilayering. Moreover, in patent document 4, it is complexation with a comparatively expensive fluororesin filler, and there exists a subject, such as a thermal expansion coefficient becoming high.

또한, 종래 기술의 복합화에서는 필러의 조성이 중요시되고 있고, 그 결정 구조에 대한 언급은 거의 없다.In addition, in the composite of the prior art, the composition of the filler is considered important, and there is hardly any mention of the crystal structure thereof.

따라서 본 발명의 목적은, 폴리이미드의 유전 특성을 더욱 개선함으로써, 전자 기기의 고주파화에 대한 대응이 가능한 수지 조성물 및 수지 필름을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a resin composition and a resin film capable of responding to the high frequency of electronic devices by further improving the dielectric properties of polyimide.

본 발명자들은, 폴리이미드계 수지와 실리카 입자의 복합화에 있어서, 실리카 입자로서, 크리스토발라이트상의 비율이 높은 것을 사용하는 쪽이, 비정질 실리카와 비교하여 유전 특성이 향상된다고 하는 지견을 발견하여, 본 발명을 완성하였다.The inventors of the present invention have discovered the knowledge that, in the composite of polyimide-based resin and silica particles, the use of a silica particle having a higher ratio of cristobalite phase improves dielectric properties compared to amorphous silica, and the present invention completed.

즉, 본 발명의 수지 조성물은, 폴리아미드산 또는 폴리이미드를 함유하는 유기 화합물의 고형분과, 실리카 입자를 함유하는 것이며,That is, the resin composition of the present invention contains the solid content of an organic compound containing polyamic acid or polyimide, and silica particles,

상기 실리카 입자의 함유량이, 상기 고형분의 전량 및 상기 실리카 입자의 합계에 대해 10 내지 85중량%(단, 폴리아미드산은 이미드화된 폴리이미드로 환산함.)의 범위 내이고,The content of the silica particles is in the range of 10 to 85% by weight based on the total amount of the solid content and the total of the silica particles (however, polyamic acid is converted into imidized polyimide.);

상기 실리카 입자 전체로서, CuKα선에 의한 X선 회절 분석 스펙트럼의 2θ=10° 내지 90°의 범위에 있어서의 SiO2에서 유래되는 전체 피크 면적에 대한 크리스토발라이트 결정상 및 쿼츠 결정상에서 유래되는 피크의 합계 면적의 비율이 20중량% 이상이다.The total area of the peaks derived from the cristobalite crystal phase and the quartz crystal phase with respect to the total peak area derived from SiO 2 in the range of 2θ = 10° to 90° of the X-ray diffraction spectrum by CuKα ray as the whole of the silica particles. of 20% by weight or more.

본 발명의 수지 조성물은, 레이저 회절 산란법에 의한 체적 기준의 입도 분포 측정에 의해 얻어지는 상기 실리카 입자의 빈도 분포 곡선에 있어서의 메디안 직경 D50이 6 내지 20㎛의 범위 내여도 된다. In the resin composition of the present invention, the median diameter D 50 in the frequency distribution curve of the silica particles obtained by the volume-based particle size distribution measurement by the laser diffraction scattering method may be in the range of 6 to 20 µm.

본 발명의 수지 조성물은, 상기 실리카 입자에 있어서의 입자경이 3㎛ 이상인 입자의 90중량% 이상이, 원형도 0.7 이상이어도 된다.As for the resin composition of this invention, the circularity of 0.7 or more may be sufficient as 90 weight% or more of the particle|grains whose particle diameter in the said silica particle is 3 micrometers or more.

본 발명의 수지 조성물은, 상기 실리카 입자의 90중량% 이상이, 진비중 2.3 이상이어도 된다.As for the resin composition of this invention, 2.3 or more of true specific gravity may be sufficient as 90 weight% or more of the said silica particle.

본 발명의 수지 필름은, 단층 또는 복수층의 폴리이미드층을 갖는 수지 필름이며, 상기 폴리이미드층 중 적어도 1층이, 상기 어느 수지 조성물에 의해 형성된 결정성 실리카 함유 폴리이미드층이고, 해당 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께가 15㎛ 내지 200㎛의 범위 내이다.The resin film of the present invention is a resin film having a single or multiple polyimide layers, wherein at least one of the polyimide layers is a crystalline silica-containing polyimide layer formed of any of the above resin compositions, and the crystallinity The thickness of the silica-containing polyimide layer is in the range of 15 µm to 200 µm.

본 발명의 수지 필름은, 수지 필름의 전체의 두께에 대한 상기 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께의 비율이 50% 이상이어도 된다.As for the resin film of this invention, 50 % or more may be sufficient as the ratio of the thickness of the said crystalline silica containing polyimide layer with respect to the thickness of the whole resin film.

본 발명의 수지 필름은, 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정하였을 때의 주파수 3 내지 20㎓에 있어서의 비유전율이 3.1 이하여도 된다.The resin film of the present invention may have a dielectric constant of 3.1 or less at a frequency of 3 to 20 GHz as measured by a split post dielectric resonator (SPDR).

본 발명의 수지 필름은, 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정하였을 때의 주파수 3 내지 20㎓에 있어서의 유전 정접이 0.005 이하여도 된다.The resin film of the present invention may have a dielectric loss tangent of 0.005 or less at a frequency of 3 to 20 GHz as measured by a split post dielectric resonator (SPDR).

본 발명의 수지 필름은, 열팽창 계수가 50ppm/K 이하여도 된다.The resin film of the present invention may have a coefficient of thermal expansion of 50 ppm/K or less.

본 발명의 금속 피복 적층판은, 절연 수지층과, 상기 절연 수지층의 적어도 편면의 면에 적층된 금속층을 구비하고 있고, 상기 절연 수지층의 적어도 1층이, 상기 어느 수지 필름을 포함하는 것이다.The metal-clad laminate of the present invention includes an insulating resin layer and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer, and at least one layer of the insulating resin layer contains any of the above resin films.

본 발명의 수지 조성물은, 폴리이미드 본래의 내열성에 더하여, 특정 결정 구조를 갖는 실리카 입자를 함유하고 있으므로 유전 특성이 우수하다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물 및 수지 필름은, 고속 신호 전송을 필요로 하는 전자 기기에 있어서, FPC 등의 회로 기판 재료로서 특히 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 고주파 신호를 취급하는 스마트폰 등의 모바일 기기용 FPC의 절연 수지층이나, 내열성이 필요해지는 차량 탑재용 FPC의 절연 수지층 등의 용도에 적합하다.Since the resin composition of this invention contains the silica particle which has a specific crystal structure in addition to the heat resistance inherent in polyimide, it is excellent in dielectric properties. Therefore, the resin composition and resin film of this invention can be used especially suitably as circuit board materials, such as FPC, in the electronic device which requires high-speed signal transmission. Specifically, it is suitable for uses, such as an insulating resin layer of FPC for mobile devices, such as a smartphone which handles a high frequency signal, and an insulating resin layer of FPC for vehicle mounting which heat resistance is required.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described.

[수지 조성물][resin composition]

본 발명의 일 실시 형태에 관한 수지 조성물은, 폴리아미드산 또는 폴리이미드를 함유하는 유기 화합물의 고형분과, 실리카 입자를 함유하는 수지 조성물이며,A resin composition according to an embodiment of the present invention is a resin composition containing a solid content of an organic compound containing polyamic acid or polyimide, and silica particles,

상기 실리카 입자의 함유량이, 상기 고형분의 전량 및 상기 실리카 입자의 합계에 대해 10 내지 85중량%의 범위 내이고,Content of the said silica particle exists in the range of 10-85 weight% with respect to the total amount of the said solid content, and the said silica particle,

상기 실리카 입자 전체로서, CuKα선에 의한 X선 회절 분석 스펙트럼의 2θ=10° 내지 90°의 범위에 있어서의 SiO2에서 유래되는 전체 피크 면적에 대한 크리스토발라이트 결정상 및 쿼츠 결정상에서 유래되는 피크의 합계 면적의 비율이 20중량% 이상이다. 수지 조성물은, 폴리아미드산을 함유하는 바니시(수지 용액)여도 되고, 용제 가용성의 폴리이미드를 함유하는 폴리이미드 용액이어도 된다.The total area of the peaks derived from the cristobalite crystal phase and the quartz crystal phase with respect to the total peak area derived from SiO 2 in the range of 2θ = 10° to 90° of the X-ray diffraction spectrum by CuKα ray as the whole of the silica particles. of 20% by weight or more. The varnish (resin solution) containing a polyamic acid may be sufficient as a resin composition, and the polyimide solution containing a solvent-soluble polyimide may be sufficient as it.

[유기 화합물의 고형분][Solids content of organic compounds]

유기 화합물의 고형분이란, 수지 조성물로부터 용제 및 무기 고형분을 제외한 나머지의 고형분을 의미한다. 즉, 유기 화합물의 고형분은, 폴리아미드산 또는 폴리이미드를 함유하고, 임의 성분으로서, 폴리이미드 이외의 수지, 가교제, 유기 필러, 가소제, 경화 촉진제, 커플링제, 유기 안료, 유기계 난연제, 충전제 등의 불휘발성의 유기 화합물을 함유할 수 있다. 여기서, 폴리이미드 이외의 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 불소 수지, 올레핀계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 가교제로서는, 후술하는 적어도 2개의 제1급의 아미노기를 관능기로서 갖는 아미노 화합물(가교 형성용 아미노 화합물) 등을 들 수 있다. 유기 필러로서는, 예를 들어 액정 폴리머 입자, 불소계 폴리머 입자, 폴리에테르계 수지 입자, 올레핀계 수지 입자 등을 들 수 있다.The solid content of the organic compound means the remaining solid content after removing the solvent and the inorganic solid content from the resin composition. That is, the solid content of the organic compound contains polyamic acid or polyimide, and as an optional component, resins other than polyimide, crosslinking agents, organic fillers, plasticizers, curing accelerators, coupling agents, organic pigments, organic flame retardants, fillers, etc. It may contain non-volatile organic compounds. Here, as resin other than a polyimide, an epoxy resin, a fluororesin, an olefin resin, polyether resin, polyester resin etc. are mentioned, for example. As a crosslinking agent, the amino compound (amino compound for bridge|crosslinking formation) etc. which have at least two primary amino groups mentioned later as a functional group are mentioned. Examples of the organic filler include liquid crystal polymer particles, fluorine-based polymer particles, polyether-based resin particles, and olefin-based resin particles.

유기 화합물의 고형분 중의 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 함유율은, 60중량% 이상인 것이 바람직하고, 70중량% 이상이 보다 바람직하고, 80중량% 이상이 가장 바람직하다. 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 함유율이 60중량% 미만이면, 수지의 인성이 저하되어, 수지 필름을 형성하였을 때의 필름 보유 지지성이 저하된다. 또한, 폴리아미드산의 경우에는 이미드화된 폴리이미드로 환산하여 중량비를 산출하는 것으로 한다.It is preferable that it is 60 weight% or more, as for the content rate of the polyamic acid or polyimide in solid content of an organic compound, 70 weight% or more is more preferable, and 80 weight% or more is the most preferable. When the content rate of a polyamic acid or a polyimide is less than 60 weight%, the toughness of resin will fall and the film holding property at the time of forming a resin film will fall. In addition, in the case of polyamic acid, it shall be converted into imidated polyimide, and shall compute a weight ratio.

[폴리아미드산 또는 폴리이미드][Polyamic acid or polyimide]

폴리이미드는, 일반적으로 하기 일반식 (1)로 표시된다. 이러한 폴리이미드는, 디아민 성분과 산 이무수물 성분을 실질적으로 등몰 사용하고, 유기 극성 용매 중에서 중합시키는 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 이 경우, 점도를 원하는 범위로 하기 위해, 디아민 성분에 대한 산 이무수물 성분의 몰비를 조정해도 되며, 그 범위는, 예를 들어 0.98 내지 1.03의 몰비의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.A polyimide is generally represented by the following general formula (1). Such a polyimide can be produced by a known method in which a diamine component and an acid dianhydride component are used in substantially equimolar amounts and polymerized in an organic polar solvent. In this case, in order to make a viscosity into a desired range, you may adjust the molar ratio of the acid dianhydride component with respect to a diamine component, and it is preferable to make the range into the range of the molar ratio of 0.98 - 1.03, for example.

Figure pat00001
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여기서, Ar1은 방향족 환을 1개 이상 갖는 4가의 유기기이고, Ar2는 방향족 환을 1개 이상 갖는 2가의 유기기이다. 그리고 Ar1은 산 이무수물의 잔기라고 할 수 있고, Ar2는 디아민의 잔기라고 할 수 있다. 또한, n은, 일반식 (1)의 구성 단위의 반복 수를 나타내고, 200 이상, 바람직하게는 300 내지 1000의 수이다.Here, Ar 1 is a tetravalent organic group having one or more aromatic rings, and Ar 2 is a divalent organic group having one or more aromatic rings. And Ar 1 may be a residue of an acid dianhydride, and Ar 2 may be a residue of a diamine. In addition, n shows the repeating number of the structural unit of General formula (1), It is 200 or more, Preferably it is the number of 300-1000.

산 이무수물로서는, 예를 들어 O(OC)2-Ar1-(CO)2O에 의해 표시되는 방향족 테트라카르복실산 이무수물이 바람직하고, 하기 방향족 산 무수물 잔기를 Ar1로서 부여하는 것이 예시된다.As the acid dianhydride, for example, an aromatic tetracarboxylic dianhydride represented by O(OC) 2 -Ar 1 -(CO) 2 O is preferable, and giving the following aromatic acid anhydride residue as Ar 1 is exemplified. do.

Figure pat00002
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산 이무수물은, 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 피로멜리트산 이무수물(PMDA), 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물(BPDA), 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물(BTDA), 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물(DSDA), 및 4,4'-옥시디프탈산 이무수물(ODPA)에서 선택되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.An acid dianhydride can be used individually or in mixture of 2 or more types. Among these, pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid It is preferable to use one selected from dianhydride (BTDA), 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride (DSDA), and 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA). desirable.

디아민으로서는, 예를 들어 H2N-Ar2-NH2에 의해 표시되는 방향족 디아민이 바람직하고, 하기 방향족 디아민 잔기를 Ar2로서 부여하는 방향족 디아민이 예시된다.As the diamine, for example, an aromatic diamine represented by H 2 N-Ar 2 -NH 2 is preferable, and an aromatic diamine to which the following aromatic diamine residue is given as Ar 2 is exemplified.

Figure pat00003
Figure pat00003

이들 디아민 중에서도, 디아미노디페닐에테르(DAPE), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-TB), 파라페닐렌디아민(p-PDA), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(APB), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(BAPP), 및 2,2-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(TFMB)이 적합한 것으로서 예시된다.Among these diamines, diaminodiphenyl ether (DAPE), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), paraphenylenediamine (p-PDA), 1,3-bis (4-aminophenoxy)benzene (TPE-R), 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene (APB), 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-Q), 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane (BAPP), and 2,2-bis(trifluoromethyl)benzidine (TFMB) are exemplified as suitable.

폴리이미드는, 산 이무수물과 디아민 화합물을 용매 중에서 반응시켜, 전구체인 폴리아미드산을 생성한 후 가열 폐환(이미드화)시킴으로써 제조할 수 있다. 예를 들어, 산 이무수물과 디아민 화합물을 거의 등몰로 유기 용매 중에 용해시켜, 0 내지 100℃의 범위 내의 온도에서 30분 내지 72시간 교반하여 중합 반응시킴으로써 폴리아미드산이 얻어진다. 반응 시에는, 생성되는 전구체가 유기 용매 중에 5 내지 30중량%의 범위 내, 바람직하게는 10 내지 20중량%의 범위 내로 되도록 반응 성분을 용해한다. 중합 반응에 사용하는 유기 용매로서는, 예를 들어 N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 2-부타논, 디메틸술폭시드(DMSO), 헥사메틸포스포르아미드, N-메틸카프로락탐, 황산디메틸, 시클로헥사논, 디옥산, 테트라히드로푸란, 디글라임, 트리글라임, 크레졸 등을 들 수 있다. 이들 용매를 2종 이상 병용할 수도 있고, 나아가 크실렌, 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소의 병용도 가능하다. 또한, 이러한 유기 용매의 사용량으로서는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 중합 반응에 의해 얻어지는 폴리아미드산 용액의 농도가 5 내지 30중량% 정도로 되는 사용량으로 조정하여 사용하는 것이 바람직하다.A polyimide can be manufactured by making an acid dianhydride and a diamine compound react in a solvent, producing|generating the polyamic acid which is a precursor, and carrying out ring closure (imidization) by heating. For example, polyamic acid is obtained by dissolving an acid dianhydride and a diamine compound in substantially equimolar amounts in an organic solvent, stirring at a temperature within the range of 0 to 100°C for 30 minutes to 72 hours, and polymerization reaction. At the time of reaction, the reaction component is dissolved so that the produced|generated precursor may fall within the range of 5 to 30 weight% in an organic solvent, Preferably it is within the range of 10 to 20 weight%. Examples of the organic solvent used for the polymerization reaction include N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N,N-diethylacetamide, and N-methyl-2-pi. Rollidone (NMP), 2-butanone, dimethyl sulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme , cresol, and the like. Two or more of these solvents may be used in combination, and further, an aromatic hydrocarbon such as xylene or toluene may be used in combination. In addition, although there is no restriction|limiting in particular as the usage-amount of such an organic solvent, It is preferable to adjust and use it so that the density|concentration of the polyamic acid solution obtained by a polymerization reaction will be about 5 to 30 weight%.

합성된 폴리아미드산은, 통상, 반응 용매 용액으로서 사용하는 것이 유리하지만, 필요에 따라 농축, 희석 또는 다른 유기 용매로 치환하여 수지 조성물을 형성할 수 있다. 폴리아미드산을 이미드화시키는 방법은, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 상기 용매 중에서, 80 내지 400℃의 범위 내의 온도 조건에서 1 내지 24시간에 걸쳐 가열하는 것과 같은 열처리가 적합하게 채용된다.The synthesized polyamic acid is usually advantageously used as a reaction solvent solution, but it can be concentrated, diluted or replaced with another organic solvent as needed to form a resin composition. The method for imidating the polyamic acid is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating in the above solvent at a temperature within the range of 80 to 400° C. over 1 to 24 hours is suitably employed.

폴리이미드는, 열가소성 폴리이미드여도 되고, 열경화성 폴리이미드여도 된다. 또한, 「열가소성 폴리이미드」란, 일반적으로 유리 전이 온도(Tg)를 명확하게 확인할 수 있는 폴리이미드를 말하지만, 본 발명에서는 동적 점탄성 측정 장치(DMA)를 사용하여 측정한, 30℃에서의 저장 탄성률이 1.0×108Pa 이상이고, 300℃에서의 저장 탄성률이 3.0×107Pa 미만인 폴리이미드를 말한다. 또한, 「비열가소성 폴리이미드」란, 일반적으로 가열해도 연화, 접착성을 나타내지 않는 폴리이미드를 말하지만, 본 발명에서는 동적 점탄성 측정 장치(DMA)를 사용하여 측정한, 30℃에서의 저장 탄성률이 1.0×109Pa 이상이고, 300℃에서의 저장 탄성률이 3.0×108Pa 이상인 폴리이미드를 말한다.A thermoplastic polyimide may be sufficient as a polyimide, and a thermosetting polyimide may be sufficient as it. In addition, although "thermoplastic polyimide" generally refers to a polyimide whose glass transition temperature (Tg) can be clearly confirmed, in the present invention, the storage modulus at 30° C. measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA). The polyimide is 1.0×10 8 Pa or more and the storage elastic modulus at 300°C is less than 3.0×10 7 Pa. In addition, although "non-thermoplastic polyimide" generally refers to a polyimide that does not show softening or adhesion even when heated, in the present invention, the storage modulus at 30°C measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA) is 1.0 x10 9 Pa or more and refers to a polyimide having a storage elastic modulus at 300°C of 3.0×10 8 Pa or more.

[실리카 입자][Silica Particles]

실리카 입자로서는, 결정성 실리카 입자를 포함하고 있으면 된다. 또한, 비정질 실리카 입자를 포함하고 있어도 된다. 수지 조성물에 결정성 실리카 입자를 배합함으로써, 수지 필름을 형성하였을 때의 유전 정접을 저하시킬 수 있다. 수지 필름을 형성하였을 때의 저유전 정접화를 도모하는 관점에서, 결정성 실리카 입자로서, 크리스토발라이트 결정상을 갖는 실리카 입자를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 크리스토발라이트 결정상을 갖는 실리카 입자는, 일반적인 실리카 입자와 비교하여 매우 우수한 유전 특성(예를 들어, 크리스토발라이트 결정상을 90중량% 이상 함유하는 실리카 입자는, 단체에서 10㎓에 있어서의 유전 정접이 0.0008 정도)이며, 수지 필름의 저유전 정접화에 크게 기여할 수 있다.As a silica particle, what is necessary is just to contain the crystalline silica particle. Moreover, the amorphous silica particle may be included. By mix|blending a crystalline silica particle with a resin composition, the dielectric loss tangent at the time of forming a resin film can be reduced. It is especially preferable to use the silica particle which has a cristobalite crystal phase as a crystalline silica particle from a viewpoint of attaining the low dielectric loss tangent at the time of forming a resin film. Silica particles having a cristobalite crystal phase have very excellent dielectric properties compared to general silica particles (for example, silica particles containing 90% by weight or more of a cristobalite crystal phase have a dielectric loss tangent of about 0.0008 at 10 GHz in a single unit). , can greatly contribute to the low dielectric loss tangent of the resin film.

또한, 실리카 입자는, 레이저 회절 산란법에 의한 체적 기준의 입도 분포에 의해 얻어지는 빈도 분포 곡선에 있어서의 메디안 직경 D50이 6 내지 20㎛의 범위 내에 있고, 8 내지 15㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 이 범위 내이면 유전 특성을 효과적으로 상승시켜, 수지 필름에 배합하였을 때의 표면 평활성을 악화시키는 일 없이 저유전화된 수지 필름이 얻어진다. 메디안 직경 D50이 상기 범위를 하회하면 실리카 입자의 표면적이 증가하여 실리카 입자 표면의 흡착수가 유전 특성에 영향을 미치는 경우가 있다. 메디안 직경 D50이 상기 범위를 상회하면 필름의 표면의 요철로서 나타나 필름 표면의 평활성을 악화시키는 경우가 있다. In addition, the silica particles have a median diameter D 50 in a frequency distribution curve obtained by a volume-based particle size distribution by a laser diffraction scattering method in the range of 6 to 20 μm, and preferably in the range of 8 to 15 μm. . If it is in this range, a dielectric property is raised effectively, and the resin film in which the oil conversion was reduced is obtained, without deteriorating the surface smoothness when mix|blended with a resin film. When the median diameter D 50 is less than the above range, the surface area of the silica particles increases, and the adsorbed water on the surface of the silica particles may affect the dielectric properties. When the median diameter D 50 exceeds the said range, it may appear as the unevenness|corrugation of the surface of a film, and worsen the smoothness of the film surface.

또한, 실리카 입자로서는, 구상 실리카 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 구상 실리카 입자는, 형상이 진구상에 가까운 실리카 입자이며, 평균 긴 직경과 평균 짧은 직경의 비가 1 또는 1에 가까운 것을 말한다. 또한, 실리카 입자의 분산성과 유전 특성의 개선 작용을 높이기 위해, 입자경이 3㎛ 이상인 실리카 입자의 90중량% 이상이 원형도 0.7 이상인 것이 바람직하고, 0.9 이상인 것이 보다 바람직하다. 실리카 입자의 원형도는, 화상 해석법에 의해, 촬영된 입자와 동일한 투영 면적을 갖는 원을 상정하고, 그 원의 주위 길이와 당해 입자의 주위 길이의 비로 구할 수 있다. 원형도가 0.7 미만이면, 표면적이 증가하여, 유전 특성에 악영향이 발생하는 경우가 있고, 또한 수지 용액에 배합하였을 때의 점도의 상승이 커져 취급하기 어려워진다. 또한, 3차원적으로 구해지는 진구도에 있어서도 상기 원형도의 값과 실질적으로 대응하는 값이 바람직하다.Moreover, as a silica particle, it is preferable to use a spherical silica particle. A spherical silica particle is a silica particle whose shape is close|similar to a true spherical shape, and the ratio of an average major diameter to an average minor diameter says that it is close to 1 or 1. Further, in order to improve the dispersibility and dielectric properties of the silica particles, it is preferable that 90 wt% or more of the silica particles having a particle diameter of 3 µm or more have a circularity of 0.7 or more, and more preferably 0.9 or more. The circularity of a silica particle can be calculated|required by the ratio of the perimeter length of the circle|circle and the perimeter length of the said particle|grains, supposing the circle which has the same projected area as the image|photographed particle by the image analysis method. When the circularity is less than 0.7, the surface area increases, which may adversely affect the dielectric properties, and the increase in the viscosity when blended with the resin solution increases, making handling difficult. In addition, in the sphericity obtained three-dimensionally, a value substantially corresponding to the value of the circularity is preferable.

또한, 실리카 입자는, 실리카 입자의 분산성과 유전 특성의 개선 작용을 높이기 위해, 진비중이 2.3 이상인 것이 바람직하다. 진비중이 2.3 미만이면 실리카 입자의 결정화도가 작은 것을 시사하며, 유전 특성 향상의 효과가 작아진다.Further, the silica particles preferably have a true specific gravity of 2.3 or more in order to improve the dispersibility and dielectric properties of the silica particles. When the true specific gravity is less than 2.3, it is suggested that the crystallinity of the silica particles is small, and the effect of improving the dielectric properties becomes small.

실리카 입자는 표면 처리를 실시해도 된다. 표면 처리에는 공지의 기술을 사용할 수 있으며, 예를 들어 코로나 처리, 플라스마 처리, UV 처리 등에 의한 개질이나, 실란 커플링제 등을 사용한 관능기화 처리 등이 바람직하다. 실리카 입자를 표면 처리함으로써, 입자 표면에 알킬기, 아미노기 및 알콕시기 등을 부여함으로써, 용제 혹은 폴리아믹산과의 친화성을 향상시키거나, 혹은 입자끼리의 반발력을 향상시킴으로써, 실리카 입자의 분산성, 바니시의 장기 안정성이 향상된다.The silica particle may surface-treat. A well-known technique can be used for surface treatment, For example, modification by corona treatment, plasma treatment, UV treatment, etc., functionalization treatment using a silane coupling agent, etc. are preferable. By surface-treating silica particles, by providing an alkyl group, an amino group, an alkoxy group, etc. to the particle surface, affinity with a solvent or polyamic acid is improved, or by improving the repulsive force between particles, dispersibility of silica particles, varnish long-term stability is improved.

수지 필름을 형성하였을 때의 저유전 정접화를 도모하는 관점에서, 사용하는 실리카 입자의 집합체 전체로서, CuKα선에 의한 X선 회절 분석 스펙트럼의 2θ=10° 내지 90°의 범위에 있어서의 SiO2에서 유래되는 전체 피크의 총 면적에 대한 크리스토발라이트 결정상 및 쿼츠 결정상에서 유래되는 피크의 합계 면적의 비율이 20중량% 이상인 것이 바람직하고, 40중량% 이상이 보다 바람직하고, 80중량% 이상이 바람직하다. 실리카 입자 전체에 있어서의 크리스토발라이트 결정상 및/또는 쿼츠 결정상의 비율을 높게 함으로써, 한층 더 폴리이미드의 저유전 정접화를 도모하는 것이 가능해진다. 실리카 입자 전체에 있어서의 크리스토발라이트 결정상 및 쿼츠 결정상에서 유래되는 피크의 면적의 비율이 20중량% 미만이면 유전 특성 향상의 효과가 불명료해진다. 크리스토발라이트 결정상의 비율은, 균일하게 혼합된 상태의 전체 실리카 입자에 대해, α 방사선을 사용한 X선 회절법(XRD)에 의해 10°≤2θ≤90°의 범위 내에서 측정되는 크리스토발라이트 결정상 및 쿼츠 결정상에서 유래되는 회절 피크의 합계 면적과, 상기 범위 내의 전체 실리카 입자 유래의 회절 피크의 총 면적의 비로 구해진다. 또한, X선 회절 분석 스펙트럼에 있어서의 대상의 피크가, 비정질의 브로드한 피크와의 분리가 곤란한 경우나 다른 결정상 피크와 겹치는 경우에는, 공지의 각종 해석 방법, 예를 들어 내부 표준법이나 PONKCS법 등을 사용할 수 있다. SiO 2 in the range of 2θ = 10° to 90° of the X-ray diffraction spectrum by CuKα ray as the entire aggregate of silica particles to be used from the viewpoint of achieving low dielectric loss tangent when the resin film is formed The ratio of the total area of the peaks derived from the cristobalite crystal phase and the quartz crystal phase to the total area of the total peaks derived from is preferably 20 wt% or more, more preferably 40 wt% or more, and preferably 80 wt% or more. By increasing the ratio of the cristobalite crystal phase and/or the quartz crystal phase in the entire silica particle, it becomes possible to further achieve a lower dielectric dissipation tangent of the polyimide. When the ratio of the area of the peaks derived from the cristobalite crystal phase and the quartz crystal phase in the whole silica particle is less than 20 wt%, the effect of improving the dielectric properties becomes unclear. The ratio of the cristobalite crystal phase is determined in the range of 10°≤2θ≤90° by X-ray diffraction (XRD) using α radiation for the total silica particles in a uniformly mixed state, the cristobalite crystal phase and the quartz crystal phase It is calculated|required by the ratio of the total area of the diffraction peak derived from and the total area of the diffraction peak derived from all the silica particles within the said range. In addition, when the target peak in the X-ray diffraction analysis spectrum is difficult to separate from the amorphous broad peak or overlaps with other crystalline peaks, various known analysis methods, for example, the internal standard method, the PONKCS method, etc. can be used

바람직한 실시 형태로서는, 크리스토발라이트 결정상의 비율이 50중량% 이상인 실리카 입자의 집합체를 사용할 수 있다. 더욱 바람직한 실시 형태로서는, 크리스토발라이트 결정상의 비율이 90중량% 이상인 실리카 입자의 집합체의 일부분(예를 들어, 전체의 80중량% 이하)을 비정질의 실리카 입자로 대체하여 사용할 수 있다. 비정질 실리카 입자의 대체 사용은, 필요에 따라서 행할 수 있고, 그것에 의해 비용의 삭감, 고밀도 충전 및 용액 점도의 조정이 가능해져, 취급성이 우수한 수지 조성물을 조제할 수 있는 장점이 있다.As a preferred embodiment, an aggregate of silica particles having a cristobalite crystal phase ratio of 50 wt% or more can be used. As a more preferred embodiment, a part of the aggregate of silica particles having a cristobalite crystal phase ratio of 90 wt% or more (for example, 80 wt% or less of the total) can be used by substituting amorphous silica particles. Alternative use of the amorphous silica particles can be performed as needed, whereby cost reduction, high-density filling, and adjustment of solution viscosity are possible, and there is an advantage in that a resin composition excellent in handleability can be prepared.

또한, 실리카 입자는, 시판품을 적절하게 선정하여 사용할 수 있다. 결정성 실리카 입자로서, 예를 들어 구상 크리스토발라이트 실리카 분말(닛테츠 케미컬&머티리얼사 제조, 상품명; CR10-20)을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 결정성 실리카 입자와 조합하여 배합 가능한 비정질 실리카 입자로서, 구상 비정질 실리카 분말(닛테츠 케미컬&머티리얼사 제조, 상품명; SC70-2, 상품명; SP40-10) 등을 사용할 수 있다. 또한, 실리카 입자로서 2종 이상의 다른 실리카 입자를 병용해도 된다.In addition, the silica particle can select and use a commercial item suitably. As the crystalline silica particles, for example, spherical cristobalite silica powder (manufactured by Nittetsu Chemical & Materials, trade name; CR10-20) can be preferably used. Further, as the amorphous silica particles that can be combined with the crystalline silica particles, a spherical amorphous silica powder (manufactured by Nittetsu Chemical & Materials, trade name; SC70-2, trade name; SP40-10) or the like can be used. Moreover, you may use together 2 or more types of other silica particle as a silica particle.

[배합 조성][Composition]

수지 조성물에 있어서의 실리카 입자의 함유량은, 수지 조성분 중의 유기 화합물의 고형분 및 실리카 입자의 합계량에 대해 10 내지 85중량%(단, 폴리아미드산은 이미드화된 폴리이미드로 환산함.)의 범위 내이고, 바람직하게는 10 내지 80중량%의 범위 내, 보다 바람직하게는 15 내지 75중량%의 범위 내이다. 실리카 입자의 함유 비율이 10중량%에 못 미치면, 유전 정접을 저하시키는 효과가 충분히 얻어지지 않게 된다. 또한, 실리카 입자의 함유 비율이 85중량%를 초과하면, 폴리이미드의 접착성 등의 특성이 저하되고, 특히 실리카 입자의 함유 비율이 80중량%를 초과하면, 수지 필름을 형성하였을 때에 깨지기 쉬워, 절곡성이 저하됨과 함께, 수지 필름을 형성하려고 하는 경우, 수지 조성물의 점도가 높아져, 작업성도 저하된다.The content of the silica particles in the resin composition is within the range of 10 to 85% by weight (however, polyamic acid is converted into imidized polyimide.) with respect to the total amount of the solid content and silica particles of the organic compound in the resin composition. , preferably in the range of 10 to 80% by weight, more preferably in the range of 15 to 75% by weight. When the content of the silica particles is less than 10% by weight, the effect of lowering the dielectric loss tangent cannot be sufficiently obtained. In addition, when the content ratio of silica particles exceeds 85% by weight, properties such as adhesiveness of the polyimide are lowered. In particular, when the content ratio of silica particles exceeds 80% by weight, it is easy to break when a resin film is formed, When bendability falls and it is going to form a resin film, the viscosity of a resin composition becomes high and workability|operativity also falls.

[임의 성분][Optional Ingredients]

본 실시 형태의 수지 조성물은, 유기 용매를 함유할 수 있다. 유기 용매로서는, 예를 들어 N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N,N-디에틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 2-부타논, 디메틸술폭시드(DMSO), 헥사메틸포스포르아미드, N-메틸카프로락탐, 황산디메틸, 시클로헥사논, 디옥산, 테트라히드로푸란, 디글라임, 트리글라임, 크레졸 등을 들 수 있다. 이들 용매를 2종 이상 병용할 수도 있고, 나아가 크실렌, 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소의 병용도 가능하다. 유기 용매의 함유량으로서는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 폴리아미드산 또는 폴리이미드의 농도가 5 내지 30중량% 정도로 되는 사용량으로 조정하여 사용하는 것이 바람직하다.The resin composition of this embodiment can contain an organic solvent. Examples of the organic solvent include N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N,N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). , 2-butanone, dimethyl sulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, cresol, etc. can Two or more of these solvents may be used in combination, and further, an aromatic hydrocarbon such as xylene or toluene may be used in combination. Although there is no restriction|limiting in particular as content of an organic solvent, It is preferable to adjust and use the concentration of polyamic acid or polyimide to about 5 to 30 weight% of usage-amounts.

본 발명의 수지 조성물에는, 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서 임의 성분으로서, 실리카 이외의 무기 필러, 무기 안료, 무기계 난연제, 무기계 방열제 등을 적절하게 배합할 수 있다. 실리카 입자 이외의 무기 필러로서는, 예를 들어 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 산화니오븀, 산화티타늄, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 불화알루미늄, 불화칼슘, 불화마그네슘, 규불화칼륨, 포스핀산 금속염 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.In the resin composition of the present invention, an inorganic filler other than silica, an inorganic pigment, an inorganic flame retardant, an inorganic heat dissipating agent, and the like can be suitably blended as an optional component as needed within a range that does not impair the effects of the present invention. Examples of the inorganic filler other than the silica particles include aluminum oxide, magnesium oxide, beryllium oxide, niobium oxide, titanium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum fluoride, calcium fluoride, magnesium fluoride, potassium silicate, phosphinic acid metal salt. and the like. These can be used 1 type or in mixture of 2 or more types.

[점도][Viscosity]

수지 조성물의 점도는, 수지 조성 입자를 도공할 때의 핸들링성을 높여, 균일한 두께의 도막을 형성하기 쉬운 점도 범위로서, 예를 들어 3000cps 내지 100000cps의 범위 내로 하는 것이 바람직하고, 5000cps 내지 50000cps의 범위 내로 하는 것이 보다 바람직하다. 상기한 점도 범위를 벗어나면, 코터 등에 의한 도공 작업 시에 필름에 두께 불균일, 줄무늬 등의 불량이 발생하기 쉬워진다.The viscosity of the resin composition is preferably within the range of 3000 cps to 100000 cps, for example, in the range of 3000 cps to 100000 cps, as a viscosity range in which it is easy to form a coating film of uniform thickness by improving handling properties when coating the resin composition particles, 5000 cps to 50000 cps It is more preferable to set it as within the range. When the viscosity is out of the above-described range, defects such as thickness non-uniformity and streaks are likely to occur in the film during the coating operation by a coater or the like.

[수지 조성물의 조제][Preparation of resin composition]

수지 조성물의 조제 시에는, 예를 들어 임의의 용제를 사용하여 제작한 폴리아미드산의 수지 용액에 실리카 입자를 직접 배합해도 된다. 혹은, 실리카 입자의 분산성을 고려하여, 폴리아미드산의 원료인 산 이무수물 성분 및 디아민 성분 중 어느 한쪽을 투입한 반응 용매에 미리 실리카 입자를 배합한 후, 교반하에서 다른 한쪽의 원료를 투입하여 중합을 진행시켜도 된다. 어느 방법이든, 1회에 실리카 입자를 전량 투입해도 되고, 수회에 나누어 조금씩 첨가해도 된다. 또한, 원료도 일괄적으로 넣어도 되고, 수회에 나누어 조금씩 혼합해도 된다.At the time of preparation of a resin composition, you may mix|blend a silica particle directly with the resin solution of the polyamic acid produced using arbitrary solvents, for example. Alternatively, in consideration of the dispersibility of the silica particles, the silica particles are mixed in advance with the reaction solvent in which either one of the acid dianhydride component and the diamine component, which are raw materials of polyamic acid, is added, and then the other raw material is added under stirring. You may advance superposition|polymerization. Either method may inject|throw-in all the silica particles at a time, and may divide into several times and may add little by little. In addition, a raw material may also be put in at once, and it may divide into several times and may mix little by little.

[수지 필름][Resin Film]

본 실시 형태의 수지 필름은, 단층 또는 복수층의 폴리이미드층을 갖는 수지 필름이며, 폴리이미드층 중 적어도 1층, 바람직하게는 전부가, 상기 수지 조성물에 의해 형성된 결정성 실리카 함유 폴리이미드층이면 된다.The resin film of the present embodiment is a resin film having a single or multiple polyimide layers, and at least one, preferably all, of the polyimide layers is a crystalline silica-containing polyimide layer formed of the resin composition. do.

수지 필름 중에서, 수지 조성물에 의해 형성되는 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께는, 예를 들어 15 내지 200㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 20 내지 150㎛의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께가 15㎛에 못 미치면, 실리카 입자가 수지 필름의 표면으로 돌출되어, 표면 평활성이 나빠진다. 반대로, 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께가 200㎛를 초과하면 수지 필름의 절곡성이 저하되는 등의 점에서 불리해지는 경향이 된다.In a resin film, it is preferable to exist in the range of 15-200 micrometers, for example, and, as for the thickness of the crystalline silica containing polyimide layer formed by the resin composition, it is more preferable to exist in the range of 20-150 micrometers. When the thickness of the crystalline silica-containing polyimide layer is less than 15 µm, silica particles protrude to the surface of the resin film, and the surface smoothness deteriorates. Conversely, when the thickness of the crystalline silica-containing polyimide layer exceeds 200 µm, it tends to be disadvantageous in terms of a decrease in bendability of the resin film.

수지 필름 전체의 두께는, 예를 들어 15 내지 200㎛의 범위 내이고, 20 내지 200㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 25 내지 200㎛의 범위 내가 보다 바람직하다. 수지 필름의 두께가 15㎛에 못 미치면, 금속 피복 적층판의 제조 시의 반송 공정에서 금속박에 주름이 생기고, 또한 수지 필름이 찢어지는 등의 문제가 발생하기 쉬워진다. 반대로, 수지 필름의 두께가 200㎛를 초과하면 수지 필름의 절곡성이 저하되는 등의 점에서 불리해지는 경향이 된다.The thickness of the whole resin film exists in the range of 15-200 micrometers, for example, it is preferable to exist in the range of 20-200 micrometers, The inside of the range which is 25-200 micrometers is more preferable. When the thickness of a resin film is less than 15 micrometers, in the conveyance process at the time of manufacture of a metal clad laminated board, it will become easy to generate|occur|produce problems, such as a wrinkle and a resin film tearing in metal foil. Conversely, when the thickness of the resin film exceeds 200 µm, it tends to be disadvantageous in terms of a decrease in bendability of the resin film.

또한, 수지 필름의 전체의 두께에 대한 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께의 비율은, 총 두께에 대해 50% 이상인 것이 바람직하다. 수지 필름의 전체의 두께에 대한 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께의 비율이 50% 미만이면, 유전 특성의 개선 효과가 충분히 얻어지지 않는다.Moreover, it is preferable that the ratio of the thickness of a crystalline silica containing polyimide layer with respect to the total thickness of a resin film is 50 % or more with respect to total thickness. When the ratio of the thickness of the crystalline silica-containing polyimide layer to the total thickness of the resin film is less than 50%, the effect of improving the dielectric properties cannot be sufficiently obtained.

결정성 실리카 함유 폴리이미드층을 형성하는 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니며 공지의 방법을 채용할 수 있다. 여기서는, 그 가장 대표적인 예를 나타낸다.The method of forming a crystalline silica containing polyimide layer is not specifically limited, A well-known method is employable. Here, the most representative example is shown.

먼저, 수지 조성물을 임의의 지지 기재 상에 직접 유연 도포하여 도포막을 형성한다. 다음으로, 도포막을 150℃ 이하의 온도에서 어느 정도 용매를 건조 제거한다. 수지 조성물이 폴리아미드산을 함유하는 경우는, 그 후, 도포막에 대해, 이미드화를 위해 100 내지 400℃, 바람직하게는 130 내지 360℃의 온도 범위에서 5 내지 30분간 정도의 열처리를 더 행한다. 이와 같이 하여 지지 기재 상에 결정성 실리카 함유 폴리이미드층을 형성할 수 있다.First, a coating film is formed by directly casting a resin composition on an arbitrary supporting substrate. Next, the solvent is removed to some extent by drying the coating film at a temperature of 150°C or lower. When the resin composition contains polyamic acid, thereafter, the coating film is further subjected to heat treatment for about 5 to 30 minutes at a temperature range of 100 to 400°C, preferably 130 to 360°C, for imidization. . In this way, the crystalline silica-containing polyimide layer can be formed on the supporting substrate.

2층 이상의 폴리이미드층으로 하는 경우, 제1 폴리아미드산의 수지 용액을 도포, 건조한 후, 제2 폴리아미드산의 수지 용액을 도포, 건조한다. 그 이후에는, 마찬가지로 하여 제3 폴리아미드산의 수지 용액, 다음으로 제4 폴리아미드산의 수지 용액, ···이라고 하는 것과 같이, 폴리아미드산의 수지 용액을, 필요한 횟수만큼 순차 도포하고, 건조한다. 그 후, 통합하여 100 내지 400℃의 온도 범위에서 5 내지 30분간 정도의 열처리를 행하여, 이미드화를 행하는 것이 좋다. 이미드화의 온도가 100℃보다 낮으면 폴리이미드의 탈수 폐환 반응이 충분히 진행되지 않고, 반대로 400℃를 초과하면, 폴리이미드층이 열화될 우려가 있다.When setting it as two or more polyimide layers, after apply|coating and drying the resin solution of a 1st polyamic acid, the resin solution of a 2nd polyamic acid is apply|coated and dried. After that, similarly, the resin solution of the third polyamic acid, then the resin solution of the fourth polyamic acid, ..., the resin solution of the polyamic acid is sequentially applied as many times as necessary, and dried do. Thereafter, it is preferable to perform imidization by performing heat treatment for about 5 to 30 minutes in a temperature range of 100 to 400° C. collectively. When the temperature of imidation is lower than 100 degreeC, the dehydration ring-closure reaction of a polyimide does not fully advance, and conversely, when it exceeds 400 degreeC, there exists a possibility that a polyimide layer may deteriorate.

또한, 이미드화한 임의의 폴리이미드층에 적절한 표면 처리 등을 행함으로써, 다시 거듭하여 수지 용액의 도포, 건조 및 이미드화의 공정을 거쳐, 새롭게 층을 쌓아 올릴 수 있다. 그 경우, 도중 공정의 이미드화는 완결시킬 필요는 없으며, 최종 공정에서 통합하여 이미드화를 완결시킬 수 있다.Moreover, by performing suitable surface treatment etc. to the arbitrary polyimide layer imidated, it can pile up a layer anew again through the process of application|coating of a resin solution, drying, and imidation. In that case, it is not necessary to complete the imidization in the intermediate step, and it is possible to complete the imidization by integrating it in the final step.

또한, 이미드화한 임의의 폴리이미드층은, 별도로 형성한 수지 필름과 가열 압착할 수 있다.In addition, the arbitrary polyimide layer imidated can be thermocompression-bonded with the resin film formed separately.

또한, 수지 필름은 지지 기재를 갖는 상태여도 된다.In addition, the state which has a support base material may be sufficient as a resin film.

또한, 결정성 실리카 함유 폴리이미드층을 형성하는 다른 예를 든다.Further, another example of forming a crystalline silica-containing polyimide layer is given.

먼저, 임의의 지지 기재 상에, 수지 조성물을 유연 도포하여 필름상 성형한다. 이 필름상 성형물을, 지지 기재 상에서 가열 건조시킴으로써 자기 지지성을 갖는 겔 필름으로 한다. 겔 필름을 지지 기재로부터 박리한 후, 수지 조성물이 폴리아미드산을 함유하는 경우는, 더 고온에서 열처리하여, 이미드화시켜 폴리이미드의 수지 필름으로 한다.First, on an arbitrary support base material, a resin composition is cast-coated, and it shape|molds in film form. This film-form molding is heat-dried on a support base material, and let it be the gel film which has self-supporting property. After peeling a gel film from a support base material, when a resin composition contains a polyamic acid, it heat-processes at high temperature further, it is imidated and it is set as the resin film of polyimide.

결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 형성에 사용하는 지지 기재는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 임의의 재질의 기재를 사용할 수 있다. 또한, 수지 필름의 형성 시에는, 기재 상에서 완전히 이미드화를 완료시킨 수지 필름을 형성할 필요는 없다. 예를 들어, 반경화 상태의 폴리이미드 전구체 상태에서의 수지 필름을 지지 기재로부터 박리 등의 수단으로 분리하고, 분리 후 이미드화를 완료시켜 수지 필름으로 할 수도 있다.The support base material used for formation of a crystalline silica containing polyimide layer is not specifically limited, A base material of arbitrary materials can be used. In addition, at the time of formation of a resin film, it is not necessary to form the resin film which completed imidation completely on the base material. For example, the resin film in the polyimide precursor state of a semi-cured state is isolate|separated from a support base material by means, such as peeling, and imidation is completed after isolation|separation, and it can also be set as a resin film.

수지 필름은, 무기 필러를 함유하는 폴리이미드층(상기 결정성 실리카 함유 폴리이미드층을 포함함)만을 포함해도 되고, 무기 필러를 함유하지 않는 폴리이미드층을 가져도 된다. 수지 필름을 복수층의 적층 구조로 하는 경우, 유전 특성의 개선을 고려하면 모든 층에 무기 필러를 함유시키는 것이 바람직하다. 단, 무기 필러를 함유하는 폴리이미드층의 인접층을, 무기 필러를 함유하지 않는 층으로 하거나, 혹은 그 함유량이 낮은 층으로 함으로써, 가공 시 등의 무기 필러의 활락을 방지할 수 있다고 하는 유리한 효과를 갖게 할 수 있다. 무기 필러를 함유하지 않는 폴리이미드층을 갖는 경우, 그 두께는, 예를 들어 무기 필러를 함유하는 폴리이미드층의 1/100 내지 1/2의 범위 내, 바람직하게는 1/20 내지 1/3의 범위 내로 하는 것이 좋다. 무기 필러를 함유하지 않는 폴리이미드층을 갖는 경우, 그 폴리이미드층이 금속층에 접하도록 하면, 금속층과 절연층의 접착성이 향상된다.A resin film may contain only the polyimide layer (the said crystalline silica containing polyimide layer is included) containing an inorganic filler, and may have a polyimide layer which does not contain an inorganic filler. When making a resin film into the laminated structure of multiple layers, it is preferable to make all the layers contain an inorganic filler when improvement of a dielectric characteristic is considered. However, when the adjacent layer of the polyimide layer containing the inorganic filler is a layer not containing an inorganic filler or a layer having a low content thereof, the advantageous effect that the sliding of the inorganic filler during processing can be prevented. can have When it has a polyimide layer which does not contain an inorganic filler, the thickness is in the range of 1/100 - 1/2 of the polyimide layer containing an inorganic filler, Preferably 1/20 - 1/3 It is better to be within the range of When it has a polyimide layer which does not contain an inorganic filler, when the polyimide layer is made to contact a metal layer, the adhesiveness of a metal layer and an insulating layer will improve.

수지 필름의 열팽창 계수(CTE)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 10×10-6 내지 50×10-6/K(10 내지 50ppm/K)의 범위 내에 있는 것이 바람직하고, 15×10-6 내지 40×10-6/K(15 내지 40ppm/K)의 범위 내가 보다 바람직하다. 수지 필름의 열팽창 계수가 10×10-6/K보다 작으면, 금속 피복 적층판으로 한 후에 컬이 발생하기 쉬워 핸들링성이 떨어진다. 한편, 수지 필름의 열팽창 계수가 50×10-6/K를 초과하면, 플렉시블 기판 등 전자 재료로서의 치수 안정성이 떨어지고, 또한 내열성도 저하되는 경향이 있다.Coefficient of thermal expansion (CTE) of the resin film is not particularly limited, for example, 10 × 10 -6 to 50 × 10 -6 / K (10 to 50ppm / K) preferably in the range, and the 15 × 10 - 6 to 40 × 10 range of -6 / K (15 to 40ppm / K) I is more preferable. When the coefficient of thermal expansion of the resin film is smaller than 10 x 10 -6 /K, curling tends to occur after a metal clad laminate, and handling properties are inferior. On the other hand, when the coefficient of thermal expansion of the resin film exceeds 50×10 -6 /K, dimensional stability as an electronic material such as a flexible substrate is deteriorated, and heat resistance tends to also decrease.

[유전 정접][hereditary tangent]

수지 필름은, 예를 들어 회로 기판의 절연 수지층으로서 적용하는 경우에 있어서, 고주파 신호의 전송 시에 있어서의 유전 손실을 저감하기 위해, 필름 전체적으로, 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정하였을 때의 3 내지 20㎓에 있어서의 유전 정접(Tanδ)이, 0.005 이하인 것이 바람직하고, 0.004 이하인 것이 보다 바람직하다. 회로 기판의 전송 손실을 개선하기 위해서는, 특히 절연 수지층의 유전 정접을 제어하는 것이 중요하고, 유전 정접을 상기 범위 내로 함으로써, 전송 손실을 낮추는 효과가 증대된다. 따라서, 수지 필름을, 예를 들어 고주파 회로 기판의 절연 수지층으로서 적용하는 경우, 전송 손실을 효율적으로 저감할 수 있다. 3 내지 20㎓에 있어서의 유전 정접이 0.005를 초과하면, 수지 필름을 회로 기판의 절연 수지층으로서 적용하였을 때, 고주파 신호의 전송 경로 상에서 전기 신호의 손실이 커지는 등의 문제가 발생하기 쉬워진다. 3 내지 20㎓에 있어서의 유전 정접의 하한값은 특별히 제한되지 않지만, 수지 필름을 회로 기판의 절연 수지층으로서 적용하는 경우의 물성 제어를 고려할 필요가 있다.When the resin film is applied, for example, as an insulating resin layer of a circuit board, the entire film is measured by a split post dielectric resonator (SPDR) in order to reduce dielectric loss during transmission of high-frequency signals. It is preferable that it is 0.005 or less, and, as for the dielectric loss tangent (Tanδ) in 3-20 GHz, it is more preferable that it is 0.004 or less. In order to improve the transmission loss of the circuit board, it is particularly important to control the dielectric loss tangent of the insulating resin layer, and by setting the dielectric loss tangent within the above range, the effect of lowering the transmission loss is increased. Therefore, when applying a resin film as an insulating resin layer of a high frequency circuit board, for example, a transmission loss can be reduced efficiently. When the dielectric loss tangent in 3-20 GHz exceeds 0.005, when a resin film is applied as an insulating resin layer of a circuit board, it will become easy to generate|occur|produce the problem, such as an electrical signal loss becoming large on the transmission path of a high frequency signal. Although the lower limit in particular of the dielectric loss tangent in 3-20 GHz is not restrict|limited, The physical property control in the case of applying a resin film as an insulating resin layer of a circuit board needs to be considered.

[비유전율][Relative permittivity]

수지 필름은, 예를 들어 회로 기판의 절연 수지층으로서 적용하는 경우에 있어서, 임피던스 정합성을 확보하기 위해, 필름 전체적으로, 스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정하였을 때의 3 내지 20㎓에 있어서의 비유전율이 3.1 이하인 것이 바람직하다. 3 내지 20㎓에 있어서의 비유전율이 3.1을 초과하면, 수지 필름을 회로 기판의 절연 수지층으로서 적용하였을 때, 유전 손실의 악화로 이어져, 고주파 신호의 전송 경로 상에서 전기 신호의 손실이 커지는 등의 문제점이 발생하기 쉬워진다.In the case of applying the resin film as an insulating resin layer of a circuit board, for example, in order to ensure impedance matching, the entire film is 3 to 20 GHz when measured by a split post dielectric resonator (SPDR). It is preferable that the dielectric constant is 3.1 or less. When the relative permittivity in 3 to 20 GHz exceeds 3.1, when the resin film is applied as an insulating resin layer of a circuit board, it leads to deterioration of dielectric loss, and the loss of electric signals on the transmission path of high-frequency signals increases. problems are likely to occur.

[금속 피복 적층판][Metal Covered Laminate]

본 실시 형태의 금속 피복 적층판은, 절연 수지층과, 이 절연 수지층의 적어도 한쪽 면에 적층된 금속층을 구비한 금속 피복 적층판이며, 절연 수지층의 적어도 1층이 상기 수지 필름을 포함한다. 금속 피복 적층판은, 절연 수지층의 편면측에만 금속층을 갖는 편면 금속 피복 적층판이어도 되고, 절연 수지층의 양면에 금속층을 갖는 양면 금속 피복 적층판이어도 된다.The metal-clad laminate of the present embodiment is a metal-clad laminate including an insulating resin layer and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer, and at least one of the insulating resin layers contains the resin film. The metal-clad laminate may be a single-sided metal-clad laminate having a metal layer on only one side of the insulating resin layer, or a double-sided metal-clad laminate having a metal layer on both surfaces of the insulating resin layer.

[절연 수지층][Insulation resin layer]

절연 수지층은 단층 또는 복수층으로 구성되고, 상기 수지 필름을 포함하는 층을 포함하고 있다. 예를 들어, 상기 수지 필름이, 기계 특성이나 열 물성을 담보하기 위한 절연 수지층의 주된 층으로서의 비열가소성 폴리이미드층을 형성하고 있어도 된다. 또한, 상기 수지 필름이, 구리박 등의 금속층과의 접착 강도를 담당하는 접착제층으로서의 열가소성 폴리이미드층을 형성하고 있어도 된다. 또한, 「주된 층」이란, 절연 수지층의 총 두께의 50% 이상을 차지하는 층을 의미한다.The insulating resin layer is composed of a single layer or a plurality of layers, and includes a layer including the resin film. For example, the said resin film may form the non-thermoplastic polyimide layer as a main layer of the insulating resin layer for ensuring a mechanical characteristic and a thermal property. Moreover, the said resin film may form the thermoplastic polyimide layer as an adhesive bond layer which bears adhesive strength with metal layers, such as copper foil. In addition, a "main layer" means the layer which occupies 50% or more of the total thickness of an insulating resin layer.

또한, 본 실시 형태의 금속 피복 적층판은, 무기 필러를 함유하는 폴리이미드층과 금속박을 접착하기 위한 접착제를 사용하는 것을 제외하는 것은 아니다. 단, 절연 수지층의 양면에 금속층을 갖는 양면 금속 피복 적층판에 있어서 접착층을 개재시키는 경우에는, 접착층의 두께는, 유전 특성을 손상시키지 않도록, 전체 절연 수지층의 두께의 30% 미만으로 하는 것이 바람직하고, 20% 미만으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 절연 수지층의 편면에만 금속층을 갖는 편면 금속 피복 적층판에 있어서 접착층을 개재시키는 경우에는, 접착층의 두께는, 유전 특성을 손상시키지 않도록, 전체 절연 수지층의 두께의 15% 미만으로 하는 것이 바람직하고, 10% 미만으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 접착층은 절연 수지층의 일부를 구성하므로, 폴리이미드층인 것이 바람직하다. 결정성 실리카 함유 폴리이미드층이 절연 수지층의 주된 층을 구성하는 경우, 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 유리 전이 온도는, 내열성을 부여하는 관점에서 300℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 유리 전이 온도를 300℃ 이상으로 하기 위해서는, 폴리이미드를 구성하는 상기한 산 이무수물이나 디아민 성분을 적절하게 선택함으로써 가능해진다.In addition, the metal-clad laminated board of this embodiment does not exclude using the adhesive agent for bonding the polyimide layer containing an inorganic filler, and metal foil. However, in the case of interposing the adhesive layer in a double-sided metal-clad laminate having a metal layer on both surfaces of the insulating resin layer, the thickness of the adhesive layer is preferably less than 30% of the thickness of the entire insulating resin layer so as not to impair dielectric properties. and it is more preferable to set it as less than 20%. In the case of interposing the adhesive layer in a single-sided metal-clad laminate having a metal layer on only one side of the insulating resin layer, the thickness of the adhesive layer is preferably less than 15% of the thickness of the entire insulating resin layer so as not to impair dielectric properties. and it is more preferable to set it as less than 10%. Moreover, since an adhesive layer comprises a part of an insulating resin layer, it is preferable that it is a polyimide layer. When a crystalline silica containing polyimide layer comprises the main layer of an insulating resin layer, it is preferable that the glass transition temperature of a crystalline silica containing polyimide layer shall be 300 degreeC or more from a viewpoint of providing heat resistance. In order to make a glass transition temperature into 300 degreeC or more, it becomes possible by appropriately selecting the above-mentioned acid dianhydride and diamine component which comprise a polyimide.

수지 필름을 절연 수지층으로 하는 금속 피복 적층판을 제조하는 방법으로서는, 예를 들어 수지 필름에 직접, 또는 임의의 접착제를 통해 금속박을 가열 압착하는 방법이나, 금속 증착 등의 방법에 의해 수지 필름에 금속층을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 양면 금속 피복 적층판은, 예를 들어 편면 금속 피복 적층판을 형성한 후, 서로 폴리이미드층을 대향하게 하여 열 프레스에 의해 압착하여 형성하는 방법이나, 편면 금속 피복 적층판의 폴리이미드층에 금속박을 압착하여 형성하는 방법 등에 의해 얻을 수 있다.As a method of manufacturing a metal-clad laminate using a resin film as an insulating resin layer, for example, a method of heat-compressing a metal foil directly on a resin film or through an optional adhesive, or a method such as metal vapor deposition on a resin film to form a metal layer and a method of forming In addition, a double-sided metal-clad laminate is, for example, a method of forming a single-sided metal-clad laminate by forming a single-sided metal-clad laminate, then making the polyimide layers face each other and compressing them by hot pressing, or a metal foil on the polyimide layer of a single-sided metal-clad laminate. It can be obtained by a method of forming by pressing or the like.

[금속층][Metal layer]

금속층의 재질로서는, 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 구리, 스테인리스, 철, 니켈, 베릴륨, 알루미늄, 아연, 인듐, 은, 금, 주석, 지르코늄, 탄탈, 티타늄, 납, 마그네슘, 망간 및 이들의 합금 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 구리 또는 구리 합금이 바람직하다. 금속층은, 금속박을 포함하는 것이어도 되고, 필름에 금속 증착한 것, 페이스트 등을 인쇄한 것이어도 된다. 또한, 수지 조성물을 직접 도포 가능한 점에서, 금속박이어도, 금속판이어도 사용 가능하며, 구리박 혹은 구리판이 바람직하다.The material of the metal layer is not particularly limited, and for example, copper, stainless steel, iron, nickel, beryllium, aluminum, zinc, indium, silver, gold, tin, zirconium, tantalum, titanium, lead, magnesium, manganese, and alloys thereof. and the like. Among these, copper or a copper alloy is especially preferable. A metal layer may contain metal foil, and the thing which metal-deposited on the film, the thing which printed the paste, etc. may be sufficient as it. Moreover, from the point which can apply|coat a resin composition directly, even if it is metal foil or a metal plate, it can be used, and copper foil or a copper plate is preferable.

금속층의 두께는, 금속 피복 적층판의 사용 목적에 따라서 적절하게 설정되기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 5㎛ 내지 3㎜의 범위 내가 바람직하고, 12㎛ 내지 1㎜의 범위 내가 보다 바람직하다. 금속층의 두께가 5㎛에 못 미치면, 금속 피복 적층판의 제조 등에 있어서의 반송 시에 주름이 생기는 등의 문제점이 발생할 우려가 있다. 반대로 금속층의 두께가 3㎜를 초과하면 단단하여 가공성이 나빠진다. 금속층의 두께에 대해서는, 일반적으로, 차량 탑재용 회로 기판 등의 용도로는 두꺼운 것이 적합하고, LED용 회로 기판 등의 용도 등에서는 얇은 금속층이 적합하다.The thickness of the metal layer is not particularly limited because it is appropriately set according to the purpose of use of the metal-clad laminate. For example, the thickness of the metal layer is preferably in the range of 5 µm to 3 mm, more preferably in the range of 12 µm to 1 mm. When the thickness of a metal layer is less than 5 micrometers, there exists a possibility that problems, such as wrinkles, may arise at the time of conveyance in manufacture of a metal clad laminated board, etc. Conversely, when the thickness of the metal layer exceeds 3 mm, it is hard and the workability deteriorates. About the thickness of a metal layer, a thick thing is suitable for uses, such as a vehicle-mounted circuit board, and a thin metal layer is suitable for uses, such as a circuit board for LEDs, in general.

실시예Example

이하에 실시예를 나타내어, 본 발명의 특징을 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명의 범위는, 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 실시예에 있어서, 특별히 언급하지 않는 한 각종 측정, 평가는 하기에 의한 것이다.Examples are shown below, and the characteristics of the present invention will be described in more detail. However, the scope of the present invention is not limited to the Examples. In addition, in the following examples, unless otherwise indicated, various measurements and evaluation are based on the following.

[점도의 측정][Measurement of viscosity]

수지 용액의 점도는 E형 점도계(브룩필드사 제조, 상품명; DV-II+Pro)를 사용하여, 25℃에서의 점도를 측정하였다. 토크가 10% 내지 90%로 되도록 회전수를 설정하고, 측정을 개시하고 나서 1분 경과 후, 점도가 안정되었을 때의 값을 판독하였다.The viscosity of the resin solution was measured at 25°C using an E-type viscometer (manufactured by Brookfield, trade name; DV-II+Pro). The rotational speed was set so that the torque became 10% to 90%, and the value when the viscosity was stabilized was read 1 minute after starting the measurement.

[비유전율 및 유전 정접의 측정][Measurement of dielectric constant and dielectric loss tangent]

<실리카 입자><Silica Particles>

벡터 네트워크 애널라이저(키사이트 테크놀로지사 제조, 상품명; 벡터 네트워크 애널라이저 E8363C) 및 공동 공진기 섭동법에 의한 간토 덴시 오요 가이하츠사 제조의 비유전율 측정 장치를 사용하여, 비유전율 측정 모드; TM020으로 설정하고, 주파수 10㎓에 있어서의 실리카 입자의 비유전율(ε1) 및 유전 정접(Tanδ1)을 측정하였다. 또한, 실리카 입자는 분체상이며 시료관 튜브(내경은 1.68㎜, 외경은 2.28㎜, 높이는 8㎝)에 충전하고, 측정하였다.Relative permittivity measurement mode using a vector network analyzer (manufactured by Keysight Technologies, trade name; Vector Network Analyzer E8363C) and a dielectric constant measurement apparatus manufactured by Kanto Denshi Oyo Kaihatsu by a cavity resonator perturbation method; It was set to TM020, and the dielectric constant (ε1) and dielectric loss tangent (Tanδ1) of the silica particles at a frequency of 10 GHz were measured. In addition, the silica particle was powdery, and it filled and measured the sample tube tube (inner diameter 1.68 mm, outer diameter 2.28 mm, height 8 cm).

<수지 필름><Resin Film>

벡터 네트워크 애널라이저(키사이트 테크놀로지사 제조, 상품명; 벡터 네트워크 애널라이저 E8363C) 및 SPDR 공진기를 사용하여, 주파수 10㎓에 있어서의 수지 필름의 비유전율(ε1) 및 유전 정접(Tanδ1)을 측정하였다. 또한, 측정에 사용한 수지 필름은, 온도; 24 내지 26℃, 습도; 45 내지 55%의 조건하에서, 24시간 방치한 것이다.The relative dielectric constant (ε1) and dielectric loss tangent (Tanδ1) of the resin film at a frequency of 10 GHz were measured using a Vector Network Analyzer (manufactured by Keysight Technologies, trade name; Vector Network Analyzer E8363C) and an SPDR resonator. In addition, the resin film used for a measurement is temperature; 24-26°C, humidity; It is allowed to stand for 24 hours under the conditions of 45 to 55%.

[열팽창 계수(CTE)의 측정][Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]

3㎜×20㎜의 사이즈의 수지 필름을, 서모 메커니컬 애널라이저(Bruker사 제조, 상품명; 4000SA)를 사용하여, 5.0g의 하중을 가하면서 일정한 승온 속도로 30℃로부터 265℃까지 승온시키고, 또한 그 온도에서 10분 유지한 후, 5℃/분의 속도로 냉각하여, 200℃로부터 100℃까지의 평균 열팽창 계수(열팽창 계수, CTE)를 구하였다.A resin film having a size of 3 mm × 20 mm was heated from 30° C. to 265° C. at a constant temperature increase rate while applying a load of 5.0 g using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, trade name; 4000SA), and further After holding at the temperature for 10 minutes, it was cooled at a rate of 5°C/min to obtain an average coefficient of thermal expansion (coefficient of thermal expansion, CTE) from 200°C to 100°C.

[입자경의 측정][Measurement of particle diameter]

레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(말번사 제조, 상품명; Master Sizer 3000)를 사용하여, 물을 분산매로 하고 입자 굴절률 1.54의 조건에서, 레이저 회절·산란식 측정 방식에 의한 실리카 입자의 입자경의 측정을 행하였다.Using a laser diffraction particle size distribution analyzer (manufactured by Malvern, trade name; Master Sizer 3000), using water as a dispersion medium and a particle refractive index of 1.54, measurement of the particle diameter of silica particles by a laser diffraction/scattering measurement method was performed. was done.

[진비중의 측정][Measurement of true specific gravity]

연속 자동 분체 진밀도 측정 장치(세이신 기교사 제조, 상품명; AUTO TRUE DENSERMAT-7000)를 사용하여, 피크노미터법(액상 치환법)에 의한 실리카 입자의 진비중의 측정을 행하였다.The true specific gravity of the silica particles was measured by a pycnometer method (liquid phase displacement method) using a continuous automatic powder true density measuring apparatus (manufactured by Seishin Industrial Co., Ltd., trade name; AUTO TRUE DENSERMAT-7000).

[크리스토발라이트 결정상의 측정][Measurement of cristobalite crystal phase]

X선 회절 측정 장치(브루커사 제조, 상품명; D2PHASER)를 사용하여, 회절 각도(Cu, Kα) 2θ=10° 내지 90°의 범위의 SiO2에서 유래되는 모든 회절 패턴(피크 위치, 피크 폭 및 피크 강도)으로부터, SiO2에서 유래되는 전체 피크의 총 면적을 산출한다. 다음으로, 크리스토발라이트 결정상에서 유래되는 피크 위치를 특정하고, 크리스토발라이트 결정상의 전체 피크의 총 면적을 산출하여, SiO2에서 유래되는 전체 피크의 총 면적에 대한 비율(중량%)을 구하였다. 또한, 각 피크의 귀속은, International Centre for Diffraction Data(ICDD)의 데이터베이스를 참조하였다.X-ray diffraction apparatus; using (Brewer keosa product name D2PHASER), the diffraction angle (Cu, Kα) 2θ = 10 ° to 90 ° all the diffraction pattern derived from SiO 2 in the range of (peak position and peak width, and peak intensity), the total area of all peaks derived from SiO 2 is calculated. Next, specific, and calculating the total area of the overall peak in the cristobalite determining the peak position is derived on the cristobalite crystal was determined the ratio (% by weight) to the total area of all peaks derived from SiO 2. In addition, for the attribution of each peak, the database of the International Center for Diffraction Data (ICDD) was referred.

[원형도의 측정][Measurement of circularity]

습식 플로우식 입자경·형상 분석 장치(시스멕스사 제조, 상품명; FPIA-3000)를 사용하여, 동적 유동 입자 화상 해석에 의한 실리카 입자의 평균 원형도를 측정하였다.The average circularity of silica particles by dynamic flow particle image analysis was measured using a wet flow particle size/shape analyzer (manufactured by Sysmex, trade name: FPIA-3000).

[절곡성의 평가][Evaluation of bendability]

JISK5600-5-1에 준거하여, 5㎝×10㎝ 사이즈의 수지 필름의 긴 변의 중심을, 5㎜φ의 금속봉에 감듯이 1 내지 2초에 걸쳐 균일하게 구부려, 수지 필름이 180℃ 절곡되어도 파단 또는 크랙이 발생하지 않는 것을 「양호」, 파단 또는 크랙이 발생하는 것을 「불가」로 하였다.In accordance with JISK5600-5-1, the center of the long side of the 5 cm x 10 cm resin film is uniformly bent over 1 to 2 seconds as if wound around a 5 mm φ metal rod, and the resin film breaks even when bent at 180 ° C. Or the thing which a crack did not generate|occur|produce was made into "good|favorableness", and the thing which fracture|rupture or crack generate|occur|produced was made into "impossible".

합성예 및 비교예, 실시예에 사용한 약호는, 이하의 화합물을 나타낸다.The symbol used for a synthesis example, a comparative example, and an Example shows the following compounds.

PMDA: 피로멜리트산 이무수물PMDA: pyromellitic dianhydride

BPDA: 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

BAPP: 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판BAPP: 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane

m-TB: 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl

DMAc: N,N-디메틸아세트아미드DMAc: N,N-dimethylacetamide

필러 1: 닛테츠 케미컬&머티리얼사 제조. 상품명; CR10-20(구상 크리스토발라이트 실리카 분말, 원형도; 0.98, 크리스토발라이트 결정상; 98중량%, 진비중; 2.33, D50; 10.8㎛, 10㎓에 있어서의 비유전율; 3.16, 10㎓에 있어서의 유전 정접; 0.0008)Filler 1: Manufactured by Nittetsu Chemicals & Materials. product name; CR10-20 (spherical cristobalite silica powder, circularity; 0.98, cristobalite crystal phase; 98% by weight, true specific gravity; 2.33, D 50 ; 10.8 µm, dielectric constant at 10 GHz; 3.16, dielectric loss tangent at 10 GHz; 0.0008)

필러 2: 닛테츠 케미컬&머티리얼사 제조. 상품명; SC70-2(구상 비정질 실리카 분말, 원형도; 0.98, 진비중; 2.21, D50; 11.7㎛, 10㎓에 있어서의 비유전율; 3.08, 10㎓에 있어서의 유전 정접; 0.0015)Filler 2: manufactured by Nittetsu Chemicals & Materials. product name; SC70-2 (spherical amorphous silica powder, circularity; 0.98, true specific gravity; 2.21, D 50 ; 11.7 µm, relative dielectric constant at 10 GHz; 3.08, dielectric loss tangent at 10 GHz; 0.0015)

필러 3: 닛테츠 케미컬&머티리얼사 제조, 상품명; SP40-10(구상 비정질 실리카 분말, 진구상, 진비중; 2.21, D50; 2.5㎛, 10㎓에 있어서의 비유전율; 2.78, 10㎓에 있어서의 유전 정접; 0.0030)Filler 3: Nittetsu Chemical & Materials, brand name; SP40-10 (spherical amorphous silica powder, true spherical shape, true specific gravity; 2.21, D 50 ; 2.5 µm, relative dielectric constant at 10 GHz; 2.78, dielectric loss tangent at 10 GHz; 0.0030)

(합성예 1)(Synthesis Example 1)

300ml의 세퍼러블 플라스크에, 24g의 BAPP(60mmol), 230g의 DMAc를 투입하고, 실온, 질소 기류하에서 교반하였다. 완전히 용해한 후, 6.5g의 PMDA(30mmol), 8.7g의 BPDA(30mmol)를 첨가하고, 실온에서 18시간 교반하여 폴리아미드산 용액 A를 얻었다. 얻어진 폴리아미드산 용액 A의 점도는 21,074cps였다.In a 300 ml separable flask, 24 g of BAPP (60 mmol) and 230 g of DMAc were charged, and the mixture was stirred at room temperature under a nitrogen stream. After complete dissolution, 6.5 g of PMDA (30 mmol) and 8.7 g of BPDA (30 mmol) were added, followed by stirring at room temperature for 18 hours to obtain a polyamic acid solution A. The obtained polyamic acid solution A had a viscosity of 21,074 cps.

(합성예 2)(Synthesis Example 2)

300ml의 세퍼러블 플라스크에, 19g의 m-TB(90mmol) 및 230g의 DMAc를 투입하고, 실온, 질소 기류하에서 교반하였다. 완전히 용해한 후, 16g의 PMDA(72mmol) 및 5.3g의 BPDA(18mmol)를 첨가하고, 실온에서 18시간 교반하여 폴리아미드산 용액 B를 얻었다. 얻어진 폴리아미드산 용액 B의 점도는 22,400cps였다.In a 300 ml separable flask, 19 g of m-TB (90 mmol) and 230 g of DMAc were added, and the mixture was stirred at room temperature under a nitrogen stream. After complete dissolution, 16 g of PMDA (72 mmol) and 5.3 g of BPDA (18 mmol) were added, followed by stirring at room temperature for 18 hours to obtain a polyamic acid solution B. The obtained polyamic acid solution B had a viscosity of 22,400 cps.

[실시예 1][Example 1]

58.7g의 폴리아미드산 용액 A 및 6.1g의 필러 1을 혼합하고, 눈으로 보아 균일한 용액이 될 때까지 교반하여, 폴리아미드산 조성물 1a(점도; 23,000cps)를 조제하였다.58.7 g of polyamic acid solution A and 6.1 g of Filler 1 were mixed and stirred until a visually uniform solution was obtained to prepare polyamic acid composition 1a (viscosity; 23,000 cps).

구리박 1(전해 구리박, 두께; 12㎛) 상에 폴리아미드산 조성물 1a를 도포하고, 130℃에서 3분간 건조시켰다. 그 후, 155℃로부터 360℃까지 단계적인 열처리를 행하여 이미드화하여, 금속 피복 적층판 1b를 조제하였다. 금속 피복 적층판 1b의 구리박을 에칭 제거하여, 수지 필름 1c를 조제하였다. 수지 필름 1c(두께; 51.6㎛)의 비유전율은 3.04, 유전 정접은 0.0044, 절곡성은 「양호」였다.The polyamic acid composition 1a was apply|coated on the copper foil 1 (electrolytic copper foil, thickness; 12 micrometers), and it dried at 130 degreeC for 3 minutes. Thereafter, a stepwise heat treatment was performed from 155°C to 360°C to imidize it, and the metal-clad laminate 1b was prepared. The copper foil of the metal-clad laminated board 1b was removed by etching, and the resin film 1c was prepared. The dielectric constant of the resin film 1c (thickness; 51.6 micrometers) was 3.04, the dielectric loss tangent was 0.0044, and the bendability was "good".

[실시예 2][Example 2]

70.0g의 폴리아미드산 용액 B 및 7.8g의 필러 1을 혼합하고, 눈으로 보아 균일한 용액이 될 때까지 교반하여, 폴리아미드산 조성물 2a(점도; 24,800cps)를 조제하였다.70.0 g of polyamic acid solution B and 7.8 g of Filler 1 were mixed and stirred until a visually uniform solution was obtained to prepare polyamic acid composition 2a (viscosity; 24,800 cps).

실시예 1과 마찬가지로 하여, 금속 피복 적층판 2b 및 수지 필름 2c를 조제하였다. 수지 필름 2c(두께; 46.1㎛)의 비유전율은 2.78, 유전 정접은 0.0037, CTE는 34ppm/K, 절곡성은 「양호」였다.It carried out similarly to Example 1, and prepared the metal-clad laminated board 2b and the resin film 2c. The dielectric constant of the resin film 2c (thickness; 46.1 µm) was 2.78, the dielectric loss tangent was 0.0037, the CTE was 34 ppm/K, and the bendability was “good”.

[실시예 3][Example 3]

60.0g의 폴리아미드산 용액 B 및 20.0g의 필러 1을 혼합하고, 눈으로 보아 균일한 용액이 될 때까지 교반하여, 폴리아미드산 조성물 3a(점도; 28, 400cps)를 조제하였다.60.0 g of polyamic acid solution B and 20.0 g of Filler 1 were mixed and stirred until a visually uniform solution was obtained to prepare polyamic acid composition 3a (viscosity: 28, 400 cps).

실시예 1과 마찬가지로 하여, 금속 피복 적층판 3b 및 수지 필름 3c를 조제하였다. 수지 필름 3c(두께; 78.1㎛)의 비유전율은 2.71, 유전 정접은 0.0028, CTE는 34ppm/K, 절곡성은 「양호」였다.It carried out similarly to Example 1, and prepared the metal-clad laminated board 3b and the resin film 3c. The dielectric constant of the resin film 3c (thickness; 78.1 µm) was 2.71, the dielectric loss tangent was 0.0028, the CTE was 34 ppm/K, and the bendability was “good”.

[실시예 4][Example 4]

55.0g의 폴리아미드산 용액 B 및 36.6g의 필러 1을 혼합하고, 눈으로 보아 균일한 용액이 될 때까지 교반하여, 폴리아미드산 조성물 4a(점도; 29, 900cps)를 조제하였다.55.0 g of polyamic acid solution B and 36.6 g of Filler 1 were mixed and stirred until a visually uniform solution was prepared to prepare polyamic acid composition 4a (viscosity; 29, 900 cps).

실시예 1과 마찬가지로 하여, 금속 피복 적층판 4b를 조제 후, 수지 필름 4c를 조제하였다. 수지 필름 4c(두께; 117.8㎛)의 비유전율은 2.56, 유전 정접은 0.0015, CTE는 31ppm/K, 절곡성은 「불가」였다.It carried out similarly to Example 1, after preparing the metal clad laminated board 4b, the resin film 4c was prepared. The dielectric constant of the resin film 4c (thickness; 117.8 µm) was 2.56, the dielectric loss tangent was 0.0015, the CTE was 31 ppm/K, and the bendability was "impossible".

[실시예 5][Example 5]

50.0g의 폴리아미드산 용액 B, 6.6g의 필러 1 및 25.3g의 필러 2를 혼합하고, 눈으로 보아 균일한 용액이 될 때까지 교반하여, 폴리아미드산 조성물 5a(점도; 31,000cps)를 조제하였다.50.0 g of polyamic acid solution B, 6.6 g of filler 1 and 25.3 g of filler 2 were mixed and stirred until a visually uniform solution was prepared, thereby preparing polyamic acid composition 5a (viscosity: 31,000 cps). did.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 금속 피복 적층판 5b를 조제 후, 수지 필름 5c를 조제하였다. 수지 필름 5c(두께; 115.5㎛)의 비유전율은 2.71, 유전 정접은 0.0017, CTE는 27ppm/K, 절곡성은 「불가」였다.It carried out similarly to Example 1, after preparing the metal clad laminated board 5b, the resin film 5c was prepared. The dielectric constant of the resin film 5c (thickness; 115.5 µm) was 2.71, the dielectric loss tangent was 0.0017, the CTE was 27 ppm/K, and the bendability was "impossible".

(비교예 1)(Comparative Example 1)

구리박 1 상에 폴리아미드산 용액 A를 도포하고, 90℃에서 1분간, 130℃에서 5분간 건조시켰다. 그 후 155℃로부터 360℃까지 단계적인 열처리를 행하여 이미드화하여, 금속 피복 적층판 A1을 조제하였다.The polyamic acid solution A was apply|coated on the copper foil 1, and it dried at 90 degreeC for 1 minute and 130 degreeC for 5 minutes. Thereafter, a stepwise heat treatment was performed from 155°C to 360°C to imidize it, and the metal-clad laminate A1 was prepared.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 금속 피복 적층판 A1의 구리박을 에칭 제거하여, 수지 필름 A1을 조제하였다. 수지 필름 A1(두께; 41.4㎛)의 비유전율은 3.16, 유전 정접은 0.0062, CTE는 51ppm/K, 절곡성은 「양호」였다.It carried out similarly to Example 1, the copper foil of metal-clad laminated board A1 was etched away, and resin film A1 was prepared. The dielectric constant of the resin film A1 (thickness; 41.4 µm) was 3.16, the dielectric loss tangent was 0.0062, the CTE was 51 ppm/K, and the bendability was “good”.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

56.2g의 폴리아미드산 용액 A 및 5.5g의 필러 2를 혼합하고, 눈으로 보아 균일한 용액이 될 때까지 교반하여, 폴리아미드산 조성물 A2(점도; 23,600cps)를 조제하였다.56.2 g of polyamic acid solution A and 5.5 g of filler 2 were mixed, and stirred until it became a uniform solution visually to prepare polyamic acid composition A2 (viscosity; 23,600 cps).

실시예 1과 마찬가지로 하여, 금속 피복 적층판 A2 및 수지 필름 A2를 조제하였다. 수지 필름 A2(두께; 50.7㎛)의 비유전율은 3.04, 유전 정접은 0.0047, 절곡성은 「양호」였다.It carried out similarly to Example 1, and prepared metal-clad laminated board A2 and resin film A2. The dielectric constant of the resin film A2 (thickness; 50.7 micrometers) was 3.04, the dielectric loss tangent was 0.0047, and the bendability was "good".

(비교예 3)(Comparative Example 3)

56.2g의 폴리아미드산 용액 A 및 5.5g의 필러 3을 혼합하고, 눈으로 보아 균일한 용액이 될 때까지 교반하여, 폴리아미드산 조성물 A3(점도; 30,000cps)을 조제하였다.56.2 g of polyamic acid solution A and 5.5 g of filler 3 were mixed and stirred until a visually uniform solution was prepared, thereby preparing polyamic acid composition A3 (viscosity: 30,000 cps).

실시예 1과 마찬가지로 하여, 금속 피복 적층판 A3을 조제 후, 수지 필름 A3을 조제하였다. 수지 필름 A3(두께; 45.6㎛)의 비유전율은 3.25, 유전 정접은 0.0052, CTE는 41, 절곡성은 「양호」였다.It carried out similarly to Example 1, and after preparing metal clad laminated board A3, resin film A3 was prepared. The dielectric constant of the resin film A3 (thickness; 45.6 µm) was 3.25, the dielectric loss tangent was 0.0052, the CTE was 41, and the bendability was “good”.

이상의 결과를 정리하여, 표 1 및 표 2에 나타낸다.The above results are put together and shown in Table 1 and Table 2.

표 1 중의 결정상이란, 크리스토발라이트 결정상의 비율을 의미하고, 필러 비율이란, 폴리아미드산 용액(바니시) 전체, 또는 유기 화합물의 고형분 및 상기 실리카 입자의 합계에 대한 필러의 비율(중량 비율)을 의미한다(단, 폴리아미드산의 중량을 이미드화 후의 폴리이미드로 환산하여 계산하였음). 또한, 표 2 중의 필러 함유율이란, 수지 필름에 대한 필러의 비율(중량 비율)을 의미한다.The crystal phase in Table 1 means the ratio of the cristobalite crystal phase, and the filler ratio means the ratio (weight ratio) of the filler to the total of the polyamic acid solution (varnish) or the total solid content of the organic compound and the silica particles. (However, it was calculated by converting the weight of polyamic acid into polyimide after imidization). In addition, the filler content rate in Table 2 means the ratio (weight ratio) of the filler with respect to a resin film.

Figure pat00004
Figure pat00004

Figure pat00005
Figure pat00005

실시예 1의 폴리아미드산 조성물 1a는, 비교예 2 및 3의 폴리아미드산 조성물 A2 및 A3과 각각 비교하여, 점도가 낮게 되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 실시예 1의 수지 필름 1c는, 비교예 2 내지 3의 수지 필름 A2 내지 A3과 비교하여, 비유전율 및 유전 정접이 저하되어 있어, 크리스토발라이트 결정상의 비율이 높을수록 저유전화의 효과가 확인되었다.It was confirmed that the polyamic acid composition 1a of Example 1 had a low viscosity compared with the polyamic acid compositions A2 and A3 of Comparative Examples 2 and 3, respectively. In addition, in the resin film 1c of Example 1, compared with the resin films A2 to A3 of Comparative Examples 2 to 3, the relative dielectric constant and dielectric loss tangent were lowered. .

이상의 결과로부터, 본 실시 형태에 관한 수지 필름은, 고주파 대응 플렉시블 프린트 기판용 재료로서 적합하게 사용할 수 있는 것이 확인되었다.From the above result, it was confirmed that the resin film which concerns on this embodiment can be used suitably as a material for high frequency compatible flexible printed circuit boards.

이상, 본 발명의 실시 형태를 예시의 목적으로 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 제약되는 일은 없으며, 다양한 변형이 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described in detail for the purpose of illustration, this invention is not restrict|limited to the said embodiment, and various deformation|transformation is possible.

Claims (10)

폴리아미드산 또는 폴리이미드를 함유하는 유기 화합물의 고형분과, 실리카 입자를 함유하는 수지 조성물이며,
상기 실리카 입자의 함유량이, 상기 고형분의 전량 및 상기 실리카 입자의 합계에 대해 10 내지 85중량%(단, 폴리아미드산은 이미드화된 폴리이미드로 환산함.)의 범위 내이고,
상기 실리카 입자 전체로서, CuKα선에 의한 X선 회절 분석 스펙트럼의 2θ=10° 내지 90°의 범위에 있어서의 SiO2에서 유래되는 전체 피크 면적에 대한 크리스토발라이트 결정상 및 쿼츠 결정상에서 유래되는 피크의 합계 면적의 비율이 20중량% 이상인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
A resin composition comprising a solid content of an organic compound containing polyamic acid or polyimide, and silica particles,
The content of the silica particles is in the range of 10 to 85% by weight based on the total amount of the solid content and the total of the silica particles (however, polyamic acid is converted into imidized polyimide.);
The total area of the peaks derived from the cristobalite crystal phase and the quartz crystal phase with respect to the total peak area derived from SiO 2 in the range of 2θ = 10° to 90° of the X-ray diffraction spectrum by CuKα ray as the whole of the silica particles. The resin composition, characterized in that the ratio of 20% by weight or more.
제1항에 있어서,
레이저 회절 산란법에 의한 체적 기준의 입도 분포 측정에 의해 얻어지는 상기 실리카 입자의 빈도 분포 곡선에 있어서의 메디안 직경 D50이 6 내지 20㎛의 범위 내인 수지 조성물.
According to claim 1,
The resin composition in which the median diameter D 50 in the frequency distribution curve of the said silica particle obtained by volume-based particle size distribution measurement by the laser diffraction scattering method exists in the range of 6-20 micrometers.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 실리카 입자에 있어서의 입자경이 3㎛ 이상인 입자의 90중량% 이상이, 원형도 0.7 이상인 수지 조성물.
3. The method of claim 1 or 2,
The resin composition in which 90 weight% or more of the particle|grains whose particle diameter in the said silica particle is 3 micrometers or more is 0.7 or more circularity.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 실리카 입자의 90중량% 이상이, 진비중 2.3 이상인 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The resin composition in which 90 weight% or more of the said silica particle is 2.3 or more of true specific gravity.
단층 또는 복수층의 폴리이미드층을 갖는 수지 필름이며,
상기 폴리이미드층 중 적어도 1층이, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물에 의해 형성된 결정성 실리카 함유 폴리이미드층이고, 해당 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께가 15㎛ 내지 200㎛의 범위 내인 수지 필름.
It is a resin film having a single or multiple polyimide layers,
At least one of the polyimide layers is a crystalline silica-containing polyimide layer formed of the resin composition according to any one of claims 1 to 4, and the crystalline silica-containing polyimide layer has a thickness of 15 µm. to a resin film in the range of 200 μm.
제5항에 있어서,
수지 필름의 전체의 두께에 대한 상기 결정성 실리카 함유 폴리이미드층의 두께의 비율이 50% 이상인 수지 필름.
6. The method of claim 5,
The resin film in which the ratio of the thickness of the said crystalline silica containing polyimide layer with respect to the thickness of the whole resin film is 50 % or more.
제5항 또는 제6항에 있어서,
스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정하였을 때의 주파수 3 내지 20㎓에 있어서의 비유전율이 3.1 이하인 수지 필름.
7. The method of claim 5 or 6,
A resin film having a dielectric constant of 3.1 or less at a frequency of 3 to 20 GHz as measured by a split post dielectric resonator (SPDR).
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
스플릿 포스트 유전체 공진기(SPDR)에 의해 측정하였을 때의 주파수 3 내지 20㎓에 있어서의 유전 정접이 0.005 이하인 수지 필름.
8. The method according to any one of claims 5 to 7,
A resin film having a dielectric loss tangent of 0.005 or less at a frequency of 3 to 20 GHz as measured by a split post dielectric resonator (SPDR).
제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
열팽창 계수가 50ppm/K 이하인 수지 필름.
9. The method according to any one of claims 5 to 8,
A resin film having a coefficient of thermal expansion of 50 ppm/K or less.
절연 수지층과, 상기 절연 수지층의 적어도 편면의 면에 적층된 금속층을 구비한 금속 피복 적층판이며,
상기 절연 수지층의 적어도 1층이, 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 수지 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 피복 적층판.
A metal-clad laminate comprising an insulating resin layer and a metal layer laminated on at least one surface of the insulating resin layer,
At least one layer of the said insulating resin layer contains the resin film in any one of Claims 5-9, The metal-clad laminated board characterized by the above-mentioned.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115246987A (en) * 2021-04-27 2022-10-28 台光电子材料(昆山)有限公司 Resin composition and product thereof

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114854061B (en) * 2022-05-25 2022-09-30 哈尔滨理工大学 Preparation method and application of donor-doped silicon dioxide/polyimide-based composite film

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS551687B2 (en) 1972-07-06 1980-01-16
JP2018012747A (en) 2016-07-19 2018-01-25 日立化成株式会社 Thermosetting resin composition, interlayer-insulating resin film, composite film, printed wiring board, and production methods thereof
JP6387181B2 (en) 2015-03-31 2018-09-05 株式会社カネカ Method for producing polyimide film and use thereof
JP2019001937A (en) 2017-06-16 2019-01-10 住友ベークライト株式会社 Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3299333B2 (en) * 1993-04-02 2002-07-08 住友ベークライト株式会社 Polyamic acid film and method for manufacturing flexible printed circuit board using the same
EP1897921B1 (en) * 2005-06-24 2014-07-16 Nippon Kasei Chemical Company Limited Coating composition, process for production thereof, resin moldings and process for production of the moldings
JP5038007B2 (en) * 2007-04-17 2012-10-03 電気化学工業株式会社 Composition, metal-based circuit board using the composition
US10253219B2 (en) * 2014-08-25 2019-04-09 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Spherical crystalline silica particles and method for producing same
JP6854505B2 (en) * 2016-11-30 2021-04-07 ナミックス株式会社 Resin composition, thermosetting film using it
JP2018145037A (en) * 2017-03-02 2018-09-20 株式会社アドマテックス Spherical crystalline silica powder for addition resin composition
JP6934344B2 (en) * 2017-07-18 2021-09-15 デンカ株式会社 Powder for spherical silica filler and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS551687B2 (en) 1972-07-06 1980-01-16
JP6387181B2 (en) 2015-03-31 2018-09-05 株式会社カネカ Method for producing polyimide film and use thereof
JP2018012747A (en) 2016-07-19 2018-01-25 日立化成株式会社 Thermosetting resin composition, interlayer-insulating resin film, composite film, printed wiring board, and production methods thereof
JP2019001937A (en) 2017-06-16 2019-01-10 住友ベークライト株式会社 Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115246987A (en) * 2021-04-27 2022-10-28 台光电子材料(昆山)有限公司 Resin composition and product thereof
CN115246987B (en) * 2021-04-27 2023-07-21 台光电子材料(昆山)有限公司 Resin composition and product thereof

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